WO2021171881A1 - パッケージ - Google Patents

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WO2021171881A1
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良男 築山
和彦 五味
芳和 三原
河村　卓
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Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社
日本碍子株式会社
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    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Definitions

  • the protruding portion is the hole as long as the location where the external force is applied is on the outer peripheral side of the hole of the protruding portion. It is easily deformed in the vicinity of. This is because the stress due to the external force is concentrated in the vicinity of the hole. As a result of this deformation, the degree to which the stress caused by the external force extends to the resin adhesive layer between the external terminal electrode and the bonded surface of the frame is relaxed. As a result, peeling between the resin adhesive layer and the external terminal electrode due to the stress is prevented. Therefore, it is possible to prevent leakage due to peeling of the resin adhesive layer.
  • the hole of the external terminal electrode When the hole of the external terminal electrode partially overlaps the adhered surface in the plan view, the hole is arranged so as to straddle the outer edge of the adhered surface in the plan view. As a result, even when an external force is applied to the vicinity of the outer edge of the surface to be adhered in the protruding portion of the external terminal electrode, the influence can be mitigated by the holes. That is, the external terminal electrode is easily deformed in the vicinity of the hole.
  • the hole of the external terminal electrode may be a through hole, and the hole of the external terminal electrode may be arranged only in the protruding portion. In this case, since the holes of the external terminal electrodes and the resin adhesive layer do not overlap, these adhesive areas do not decrease due to the holes. In addition, the deformed portion of the external terminal electrode can be kept away from the root portion.
  • the hole of the external terminal electrode may be a blind hole, and the hole of the external terminal electrode may partially overlap the surface to be adhered in a plan view. In this case, both are joined to each other even in the portion where the hole of the external terminal electrode and the resin adhesive layer overlap. Therefore, these bonding areas do not decrease due to the formation of holes.
  • Package 101 has a heat sink plate 50 and a frame 81, which will be described in detail later.
  • the heat sink plate 50 has a mounting region 55M in the frame 81 in a plan view (XY plane). In other words, the heat sink plate 50 has a mounting area 55M surrounded by the frame body 81 on the XY surface.
  • the semiconductor element 200 is mounted on the mounting area 55M of the heat sink plate 50.
  • the bonding wire 205 connects the semiconductor element 200 and the external terminal electrode 91 of the package 101 to each other. As a result, the semiconductor element 200 and the external terminal electrode 91 are electrically connected to each other.
  • the electrical connection between the semiconductor element 200 and the external terminal electrode 91 may be secured by a wiring member different from the bonding wire 205, and in that case, the bonding wire 205 is not always necessary.
  • the external terminal electrode 91 may be directly attached to the frame body 81 and the additional frame body 82 without using the resin adhesive layer 61 and the additional adhesive layer 62. That is, the external terminal electrode 91 made of metal and the frame body 81 made of resin and the additional frame body 82 may be integrally molded by an injection molding method or the like.
  • the heat sink adhesive layer 41 adheres the frame 81 and the heat sink plate 50 to each other.
  • the heat sink adhesive layer 41 ensures airtightness between the heat sink plate 50 and the frame 81.
  • the above-mentioned deformation of the external terminal electrode 91 may be either or both of a flexural deformation and a bending deformation. Further, the above-mentioned deformation may be one or both of plastic deformation and elastic deformation.
  • the frame body 81 contains a resin, it is easy to secure the adhesive strength between the frame body 81 and the resin adhesive layer 61.
  • the step of mounting the frame 81 on the heat sink plate 50 after mounting the semiconductor element 200 is not required. From the above, the module 900 (FIG. 2) can be quickly completed after mounting the semiconductor element 200 while using the heat sink plate 50 having a high thermal conductivity.
  • the unmounted area 55U (FIG. 4) is exposed.
  • the semiconductor element 200 (FIG. 2) can be easily mounted on the unmounted region 55U (FIG. 4).
  • FIG. 5 is a top view schematically showing the configuration of the package 102 according to the second embodiment.
  • the protruding portion 91B of the external terminal electrode 91 of the package 102 has a through hole HT2 instead of the through hole HT1 (FIGS. 3 and 4: Embodiment 1).
  • a plurality of through holes HT2 are arranged along the Y direction in each of the protrusions 91B.
  • Each edge of the through hole HT2 is curved.
  • each shape of the through hole HT2 has the minimum dimension in the X direction (the direction in which the protruding portion 91B protrudes) and the maximum dimension in the Y direction.
  • the shape is an ellipse having a minor axis along the X direction and a major axis along the Y direction.
  • the portion of the through hole HT4 that overlaps with the surface to be adhered SA as described above may be filled with the filling adhesive layer 63.
  • the filling adhesive layer 63 connects the resin adhesive layer 61 and the additional adhesive layer 62 to each other.
  • the filling adhesive layer 63 may fill a wider portion of the through hole HT4.
  • the material of the filling adhesive layer 63 may be the same as the material of the resin adhesive layer 61.
  • the through hole HT4 partially overlaps the bonded surface SA in a plan view (XY surface).
  • the through hole HT4 is arranged on the XY surface so as to straddle the outer edge EO of the surface to be adhered SA. Therefore, even when an external force is applied to the vicinity of the outer edge EO of the bonded surface SA in the protruding portion 91B, the influence can be mitigated by the through hole HT4. That is, the external terminal electrode 91 is easily deformed in the vicinity of the through hole HT4. As a result of this deformation, the degree to which the stress caused by the external force extends to the resin adhesive layer 61 between the external terminal electrode 91 and the bonded surface SA of the frame body 81 is relaxed.
  • FIG. 8 is a top view schematically showing the configuration of the package 105 according to the fifth embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view taken along the line IX-IX of FIG.
  • the blind hole HB2 may be arranged on the lower surface of the external terminal electrode 91, and in that case, the portion corresponding to the above-mentioned portion is filled with the resin adhesive layer 61 instead of the additional adhesive layer 62. good.

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Abstract

枠体（８１）には、平面視において外縁（ＥＯ）を有する被接着面（ＳＡ）が設けられている。樹脂接着層（６１）は枠体（８１）の被接着面（ＳＡ）上に設けられている。外部端子電極（９１）は、枠体（８１）の被接着面（ＳＡ）上に樹脂接着層（６１）を介して設けられており、平面視において枠体（８１）の被接着面（ＳＡ）の外縁（ＥＯ）から突出した突出部（９１Ｂ）を有しており、少なくとも部分的に突出部（９１Ｂ）に配置された穴（ＨＴ１）を有している。

Description

パッケージ
　本発明は、パッケージに関し、特に、外部端子電極を有するパッケージに関するものである。
　特開２００６－１２８５３４号公報によれば、電子部品収納用のパッケージが開示されている。パッケージは、ヒートシンク板と、ヒートシンク板に接合された樹脂製の枠体と、枠体に耐熱性接着樹脂で接合された外部接続端子とを有している。外部接続端子は、枠体に接合された接合部と、当該接合部よりも外側の突出部とを有している。
特開２００６－１２８５３４号公報
　何らかの要因によって上記外部接続端子（外部端子電極）の突出部へ外力が印加されると、それに起因して外部端子電極と枠体との間の接着樹脂（樹脂接着層）に応力が及ぶ。例えば、パッケージを検査のために持ち運んだりする場合に、このような外力が印加される。この応力に起因して、樹脂接着層と外部端子電極との間での剥離が生じることがある。この剥離はパッケージのリークを引き起こし得る。
　本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、樹脂接着層の剥離に起因してのリークを防止することができるパッケージを提供することである。
　一の実施の形態に従うパッケージは、平面視において外縁を有する被接着面が設けられた枠体と、枠体の被接着面上に設けられた樹脂接着層と、枠体の被接着面上に樹脂接着層を介して設けられ、平面視において枠体の被接着面の外縁から突出した突出部を有し、少なくとも部分的に突出部に配置された穴を有する外部端子電極と、を含む。
　外部端子電極の穴は突出部にのみ配置されていてよい。平面視において穴と枠体の被接着面の外縁との間の距離は０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下であることが好ましい。外部端子電極の穴は平面視において被接着面と部分的に重なっていてよい。外部端子電極の穴は貫通穴であってよい。外部端子電極の穴は止まり穴であってよい。外部端子電極は、平面視において、枠体の被接着面に樹脂接着層を介して接着された根本部を有していてよく、かつ、外部端子電極の突出部は、平面視において、根本部から止まり穴によって隔てられた端部を有していてよい。外部端子電極の穴は貫通穴であってよく、かつ、外部端子電極の穴は突出部にのみ配置されていてよい。外部端子電極の穴は止まり穴であってよく、かつ、外部端子電極の穴は平面視において被接着面と部分的に重なっていてよい。枠体は樹脂を含有することが好ましい。外部端子電極は、樹脂接着層に接し金からなる表面を有していてよい。樹脂接着層はエポキシ樹脂を含有していてよい。
　上記実施の形態によれば、何らかの要因によって外部端子電極の突出部へ外力が印加された際に、外力が印加された箇所が突出部の穴よりも外周側である限り、突出部はその穴の近傍において変形しやすい。これは、外力よる応力が穴の近傍に集中するからである。この変形の結果、外力に起因しての応力が外部端子電極と枠体の被接着面との間の樹脂接着層にまで及ぶ程度が緩和される。これにより、当該応力に起因した樹脂接着層と外部端子電極との間での剥離が防止される。よって、樹脂接着層の剥離に起因してのリークを防止することができる。
　外部端子電極の穴が突出部にのみ位置する場合、外部端子電極の、穴よりも内側の部分においては、穴に起因しての剛性の低下が避けられる。これにより、当該部分が変形することに起因しての外部端子電極と樹脂接着層との間での剥離が、より確実に防止される。
　平面視において穴と枠体の被接着面の外縁との間の距離が０．１ｍｍ以上の場合、量産時における製造誤差に起因して穴が突出部よりも内側に位置してしまう確率を十分に低くすることができる。これにより、製造誤差に起因する品質低下を抑制できる。また、外力が外部端子電極のうち穴と枠体との間の部分へ印可された場合、当該外力は穴によって緩衝されることなく樹脂接着層の方へと伝達されてしまうが、上記距離が２ｍｍ以下とされることによって、外力がそのような部分へ印加される確率が低くなる。これにより、外力に起因した樹脂接着層と外部端子電極との間での剥離が、より確実に防止される。
　外部端子電極の穴が平面視において被接着面と部分的に重なっている場合、平面視において、被接着面の外縁を跨るように穴が配置される。これにより、外部端子電極の突出部のうち被接着面の外縁の近傍へ外力が印加された場合であっても、その影響を穴によって緩和することができる。すなわち、外部端子電極は穴の近傍において変形しやすい。
　外部端子電極の穴が貫通穴である場合、穴を簡単な加工によって形成することができる。
　外部端子電極の穴が止まり穴である場合、外部端子電極の穴が貫通穴である場合に比して、電気抵抗の増加を抑えることができる。
　外部端子電極の端部が根本部から止まり穴によって隔てられる場合、端部に印加された外力の影響の根本部への影響を、止まり穴によって、より確実に抑制することができる。すなわち、外部端子電極は止まり穴の近傍において変形しやすい。
　外部端子電極の穴は貫通穴であってよく、かつ、外部端子電極の穴は突出部にのみ配置されていてよい。この場合、外部端子電極の穴と樹脂接着層とが重ならないので、これらの接着面積が穴に起因して減少することがない。また、外部端子電極の変形箇所を根元部から遠ざけることができる。
　外部端子電極の穴は止まり穴であってよく、かつ、外部端子電極の穴は平面視において被接着面と部分的に重なっていてよい。この場合、外部端子電極の穴と樹脂接着層とが重なっている部分においても両者が互いに接合される。よってこれらの接着面積が穴の形成に起因して減少することがない。
　枠体が樹脂を含有する場合、枠体と樹脂接着層との間の接着強度を確保しやすい。
　外部端子電極が、樹脂接着層に接し金からなる表面を有している場合、外部端子電極の当該表面と樹脂接着層との間で剥離が生じやすくなる。このような剥離を上記実施の形態によれば効果的に抑制することができる。
　樹脂接着層がエポキシ樹脂を含有している場合、樹脂接着層と外部端子電極との間で剥離が生じやすくなる。このような剥離を上記実施の形態によれば効果的に抑制することができる。
　この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
本発明の実施の形態１におけるモジュールの構成を概略的に示す上面図である。 図１の線ＩＩ－ＩＩに沿う概略的な断面図である。 本発明の実施の形態１におけるパッケージの構成を概略的に示す上面図である。 図３の線ＩＶ－ＩＶに沿う概略的な断面図である。 本発明の実施の形態２におけるパッケージの構成を概略的に示す上面図である。 本発明の実施の形態３におけるパッケージの構成を概略的に示す上面図である。 本発明の実施の形態４におけるパッケージの構成を概略的に示す断面図である。 本発明の実施の形態５におけるパッケージの構成を概略的に示す上面図である。 図８の線ＩＸ－ＩＸに沿う概略的な断面図である。 本発明の実施の形態６におけるパッケージの構成を概略的に示す断面図である。 図３に示されたパッケージへ外力を印加した際の外部端子電極の押し曲げ強度の試験結果を示すグラフ図である。
　以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面の各々には、説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標系が付されている。また、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しており、明細書においてその説明は繰返さないことがある。
　＜実施の形態１＞
　図１は、本実施の形態１におけるモジュール９００の構成を概略的に示す上面図である。図２は、図１の線ＩＩ－ＩＩに沿う概略的な断面図である。モジュール９００は、パッケージ１０１と、半導体素子２００（電子部品）と、蓋体３００とを有している。またモジュール９００は、接着層４６と、接合層４２と、ボンディングワイヤ２０５（配線部材）とを有している。なお変形例として、パッケージ１０１に代わって、後述する実施の形態２～６におけるパッケージ１０２～１０６のいずれかが用いられてよい。
　半導体素子２００は、パワー半導体素子であってよく、その場合、モジュール９００はパワーモジュールである。また半導体素子２００は、高周波用半導体素子であってよく、その場合、モジュール９００は高周波モジュールである。高周波用半導体素子はおおよそ、数十ＭＨｚ（例えば３０ＭＨｚ）以上３０ＧＨｚ以下の周波数で動作する半導体素子である。この場合、モジュール９００は高周波モジュールである。高周波用途に適した半導体素子２００は、典型的には、ＬＤＭＯＳ（横方向拡散ＭＯＳ：Ｌａｔｅｒａｌ　Ｄｉｆｆｕｓｅｄ　ＭＯＳ）トランジスタ、またはＧａＮ（窒化ガリウム）トランジスタである。半導体素子２００は、パッケージ１０１のヒートシンク板５０の実装領域５５Ｍ上に配置されている。実装領域５５Ｍと半導体素子２００とは、熱硬化性樹脂と金属とを含有する接合層４２を介して互いに接合されていることが好ましい。接合層４２の熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。接合層４２の金属は、銀を含むことが好ましい。
　パッケージ１０１は、詳しくは後述するが、ヒートシンク板５０および枠体８１を有している。ヒートシンク板５０は、平面視（ＸＹ面）において実装領域５５Ｍを枠体８１内に有している。言い換えれば、ヒートシンク板５０は、ＸＹ面において枠体８１に囲まれた実装領域５５Ｍを有している。半導体素子２００はヒートシンク板５０の実装領域５５Ｍ上へ実装されている。
　パッケージ１０１には蓋体３００が取り付けられている。具体的には、接着層４６がパッケージ１０１と蓋体３００とを互いに接着している。これにより、半導体素子２００をグロスリークなしに封止する封止空間９５０が構成されている。よって半導体素子２００は、高い気密性で、水蒸気その他の大気中のガスが侵入しないように外部環境から保護されている。封止空間９５０は、－６５℃と＋１５０℃との間での５００サイクルの温度変化に対して耐環境性を有していることが好ましい。具体的には、上記温度変化にさらされた後においても、封止空間９５０はグロスリークを有しないことが好ましい。グロスリーク試験は、具体的には、１２０℃±１０℃に加熱された、高沸点溶剤であるフロリナート（商標）中にサンプルを３０秒間浸漬し、この浸漬中にバブルが発生する場合を不良と判定する試験である。
　ボンディングワイヤ２０５は、半導体素子２００と、パッケージ１０１の外部端子電極９１とを、互いにつないでいる。これにより、半導体素子２００と、外部端子電極９１とが、互いに電気的に接続されている。なお、半導体素子２００と外部端子電極９１との間の電気的接続は、ボンディングワイヤ２０５とは異なる配線部材よって確保されてもよく、その場合、ボンディングワイヤ２０５は必ずしも必要ではない。
　図３は、本実施の形態１におけるパッケージ１０１の構成を概略的に示す上面図である。図４は、図３の線ＩＶ－ＩＶに沿う概略的な断面図である。
　パッケージ１０１は、モジュール９００（図１および図２）の製造用に用いられることになる部品である。モジュール９００の製造において、パッケージ１０１は、蓋体３００（図２）が取り付けられることによって封止空間９５０（図２）を構成することになる。パッケージ１０１は、封止空間９５０となるキャビティとして、ヒートシンク板５０上において枠体８１に囲まれた空間を有している。
　パッケージ１０１は、枠体８１と、樹脂接着層６１と、外部端子電極９１とを有している。パッケージ１０１は、本実施の形態においてはさらに、ヒートシンク板５０と、ヒートシンク接着層４１と、追加接着層６２と、追加枠体８２とを有している。
　枠体８１には、平面視（ＸＹ面）において外縁ＥＯを有する被接着面ＳＡ（図４における上面）が設けられている。外縁ＥＯは枠体８１の上面の外縁である。樹脂接着層６１は、枠体８１の被接着面ＳＡ上に設けられている。外部端子電極９１は、枠体８１の被接着面ＳＡ上に樹脂接着層６１を介して設けられている。外部端子電極９１は、平面視（ＸＹ面）において、枠体８１の被接着面ＳＡの外縁ＥＯから突出した突出部９１Ｂと、突出部９１Ｂより内側の根本部９１Ａとを有している。根本部９１Ａは、平面視（ＸＹ面）において、枠体８１の被接着面ＳＡに樹脂接着層６１を介して接着されている。外部端子電極９１は貫通穴ＨＴ１を有しており、貫通穴ＨＴ１は、少なくとも部分的に突出部９１Ｂに配置されており、本実施の形態においては突出部９１Ｂにのみ配置されている。
　具体的には、平面視（ＸＹ面）において、枠体８１は、Ｙ方向（一の方向）に沿った辺（図３における長辺）を有しており、当該方向に直交するＸ方向（直交方向）へ、突出部９１Ｂは枠体８１の外縁ＥＯから突出している。平面視における貫通穴ＨＴ１と枠体８１の被接着面ＳＡの外縁ＥＯとの間の距離ＬＡは、０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下であることが好ましい。また距離ＬＡは、貫通穴ＨＴ１と突出部９１Ｂの外端との間の距離ＬＢに比して小さいことが好ましく、例えば、距離ＬＡは距離ＬＢの２０％以下であることが好ましい。また、突出部９１Ｂの各々は、図３に示されているように、複数の貫通穴ＨＴ１を有していてよい。これら貫通穴ＨＴ１は、Ｙ方向に沿って（図３における線ＢＤに沿って）配列されていてよい。貫通穴ＨＴ１の各々は、本実施の形態においては矩形形状を有しているが、他の形状を有していてもよい。
　外部端子電極９１の突出部９１Ｂは、Ｙ方向に平行な線ＢＤに沿って長さＬ０（図３）を有する部分を含み、当該部分は、線ＢＤに沿って配置された計４つの貫通穴ＨＴ１を有している。これら第１から第４の貫通穴ＨＴ１のそれぞれはＹ方向において長さＬ１～Ｌ４を有している。これらの合計長さＬＳは、突出部９１Ｂの長さＬ０の２０％以上８０％以下であることが好ましい。ＬｓがＬ０の２０％よりも小さいと、外部端子電極９１の突出部９１Ｂへ外力が印加された際に突出部９１Ｂが貫通穴ＨＴ１の近傍において変形しにくくなる。一方、ＬｓがＬ０の８０％よりも大きいと、外部端子電極９１の形状保持性が損なわれやすく、その結果、望まないタイミングで突出部９１Ｂの変形が生じる恐れがある。なお図３は、線ＢＤに沿って計４つの貫通穴ＨＴ１が設けられている例を示しているが、線ＢＤに沿った貫通穴ＨＴ１の数は、４つに限定されるものではなく、任意である。
　外部端子電極９１において、根本部９１Ａと突出部９１Ｂとの境界は仮想的なものであってよい。よって、根本部９１Ａの材料と突出部９１Ｂの材料とは同じであってよく、この材料は、単一材料または積層材料のいずれであってもよい。貫通穴ＨＴ１が形成された部分をのぞき外部端子電極９１において、根本部９１Ａの厚みと、突出部９１Ｂの厚みとは同一であってよい。また、貫通穴ＨＴ１が形成された部分をのぞき、外部端子電極９１は実質的に同じ厚みを有していてよい。すなわち、貫通穴ＨＴ１が形成された部分をのぞき、外部端子電極９１の全体が実質的に同じ厚みを有していてよい。
　外部端子電極９１は、金属からなり、好ましくは純度９０ｗｔ％（重量パーセント）以上で銅を含有している。このように高純度で銅を含有する材料に代わって、コバール（商標）または鉄・ニッケル合金などが用いられてもよい。外部端子電極９１は、金からなる表面を有していることが好ましく、これにより、外部端子電極９１と、ボンディングワイヤ２０５（図２）など他の部材との接合性が確保しやすくなる。外部端子電極９１の、金からなる表面は、樹脂接着層６１に接していてよい。金からなる表面は、典型的には、金めっきによって形成されている。金めっきの下地としてニッケルめっきが形成されていてもよい。
　枠体８１は樹脂（第１の樹脂）を含有していることが好ましい。この樹脂は、熱可塑性樹脂であることが好ましく、例えば液晶ポリマーである。この樹脂中には無機フィラー（第１の無機フィラー）が分散されていることが好ましい。この無機フィラーは、好ましくは、繊維状粒子および板状粒子の少なくともいずれかを含む。形状が繊維状または板状であることによって、枠体８１が射出成形技術等によって形成される際に、フィラーが樹脂の流動を阻害することが抑制される。このような無機フィラーの材料としては、例えば、シリカガラス繊維、アルミナ繊維、炭素繊維、タルク（３ＭｇＯ・４ＳｉＯ２・Ｈ２Ｏ）、ウォラストナイト、マイカ、グラファイト、炭酸カルシウム、ドロマイト、ガラスフレーク、ガラスビーズ、硫酸バリウム、酸化チタンが用いられる。タルクからなる無機フィラーの平板上での大きさは、例えば、粒径１μｍ～５０μｍである。ここで粒径は、樹脂の断面観察によって得られた長径の算術平均値である。無機フィラーの含有量は３０ｗｔ％～７０ｗｔ％であることが好ましい。ヒートシンク板５０の熱膨張係数が銅のものまたはそれに近い場合、銅の熱膨張係数に鑑みて、無機フィラーの熱膨張係数は１７ｐｐｍ／Ｋ以下が好ましい。枠体８１の材料は、２６０℃２時間の熱処理に対して耐熱性を有していることが好ましい。
　樹脂接着層６１は、枠体８１の材料とは異なる材料からなる。樹脂接着層６１は、枠体８１の樹脂（第１の樹脂）と異なる樹脂（第２の樹脂）を含有している。樹脂接着層６１の樹脂は、耐熱性と、硬化前の高流動性との観点で、熱硬化性樹脂であることが好ましく、例えば、エポキシ樹脂である。樹脂接着層６１の樹脂中には無機フィラーが分散されていてよい。
　追加枠体８２は、樹脂接着層６１によって外部端子電極９１が取り付けられた枠体８１上に、追加接着層６２を介して取り付けられている。枠体８１と追加枠体８２との間を外部端子電極９１が通っている。追加枠体８２は、樹脂を含有していることが好ましい。追加枠体８２の材料は枠体８１の材料と同じであってよい。また追加接着層６２の材料は樹脂接着層６１と同じであってよい。
　なお変形例として、外部端子電極９１は、樹脂接着層６１および追加接着層６２を用いずに、枠体８１および追加枠体８２に直接取り付けられていてもよい。すなわち、金属からなる外部端子電極９１と、樹脂からなる枠体８１および追加枠体８２と、の一体成形が、射出成形法などにより行われていてもよい。
　ヒートシンク接着層４１は、枠体８１と、ヒートシンク板５０とを互いに接着している。ヒートシンク接着層４１によってヒートシンク板５０と枠体８１との間の気密性が確保されている。
　ヒートシンク接着層４１、樹脂接着層６１および追加接着層６２の各々による気密性は、２６０℃２時間の熱処理に対して耐熱性を有していることが好ましい。この耐熱性の試験は、パッケージ１０１（図３および図４）へ２６０℃２時間の熱処理を施した後に、パッケージ１０１へ十分な気密性で蓋体３００（図２）を取り付けてグロスリーク試験を行うことによってなされてよい。２６０℃２時間の熱処理に対して耐熱性を有していれば、熱硬化性樹脂と金属とを含有するペースト状の接着剤を用いての半導体素子２００（図２）の実装工程における典型的な熱処理への耐熱性が確保される。なお、この試験のための準備において、蓋体３００およびその取り付け構造が十分な耐熱性を有している場合は、熱処理前に蓋体３００が取り付けられてもよい。またグロスリーク試験の具体的な方法は、前述したとおりである。
　ヒートシンク板５０は、平面視（ＸＹ面）において枠体８１に囲まれた内面５１を有している。内面５１は、半導体素子２００（図２）が実装されることになる未実装領域５５Ｕ（図４）を有している。未実装領域５５Ｕは、半導体素子２００がまだ実装されていないものの、半導体素子２００が実装されることになる領域である。言い換えれば、パッケージ１０１の内面５１のうち、半導体素子２００が実装されることによって実装領域５５Ｍ（図２）となる部分が未実装領域５５Ｕ（図４）である。未実装領域５５Ｕは露出されていることが好ましい。また内面５１は、半導体素子２００が実装されることにはならない周辺領域５４も有していてよい。ヒートシンク板５０は、内面５１と反対の外面（図４における下面）を有している。外面は、モジュール９００（図２）の使用時においては、通常、他の部材に取り付けられているが、モジュール９００の製造時においては露出されていてよい。
　ヒートシンク板５０は金属からなる。この金属は、純度９５．０ｗｔ％以上で銅を含有する非複合材料であることが好ましく、純度９９．８ｗｔ％以上で銅を含有する非複合材料であることがより好ましい。なお、耐熱性の観点からは、ヒートシンク板５０の銅含有量は、１００ｗｔ％未満であることが好ましい。なお、このように銅を主成分とするヒートシンク板に、例えばニッケル層および金層といった、めっき層が付加されていてもよい。
　枠体８１は、ヒートシンク板５０にヒートシンク接着層４１を介して支持されている。枠体８１は、平面視（ＸＹ面）においてヒートシンク板５０の未実装領域５５Ｕを囲んでいる。枠体８１は、図４において、例えば、０．３ｍｍ程度の厚みと、２ｍｍ程度の全幅とを有している。なお追加枠体８２の厚みおよび全幅も同様であってよい。全幅とは枠体を構成する一つの辺の幅をいう。
　ヒートシンク接着層４１は枠体８１とヒートシンク板５０とを互いに接着している。ヒートシンク接着層４１の材料は、枠体８１の材料と異なる材料からなる。ヒートシンク接着層４１の材料は、樹脂接着層６１の材料と同じであってよい。ヒートシンク接着層４１の樹脂は、耐熱性と、硬化前の高流動性との観点で、熱硬化性樹脂であることが好ましく、例えばエポキシ樹脂である。
　ヒートシンク接着層４１の樹脂中には無機フィラーが分散されていることが好ましい。この無機フィラーは、好ましくはシリカガラスおよびシリカの少なくともいずれかを含有し、より好ましくはシリカガラスからなる。ここでシリカとは結晶性シリカと同義である。典型的には、シリカガラスの熱膨張係数は０．５ｐｐｍ／Ｋ程度であり、結晶性シリカの熱膨張係数は１５ｐｐｍ／Ｋ程度であり、よって、無機フィラーの熱膨張係数を１７ｐｐｍ／Ｋ以下とすることができる。このことは、ヒートシンク接着層４１の樹脂としてエポキシ樹脂またはフッ素樹脂が用いられる場合、特に望まれる。この場合、無機フィラーの含有量は５０ｗｔ％～９０ｗｔ％であることが好ましい。シリカガラスおよびシリカの少なくともいずれかに代わって、またはそれと共に、アルミナ、水酸化アルミニウム、タルク、酸化鉄、ウォラストナイト、炭酸カルシウム、マイカ、酸化チタン、炭素繊維の少なくともいずれかが用いられてもよい。無機フィラーの形状は、例えば、球状、繊維状、または板状である。一方、ヒートシンク接着層４１の樹脂としてシリコーン樹脂が用いられる場合は、枠体８１がゴム弾性を有するので、無機フィラーの熱膨張係数の制約はほぼ無視できる。この場合、無機フィラーの含有量は、ヒートシンク接着層４１の流動性制御等の観点で調整されてよく、１ｗｔ％～１０ｗｔ％であることが好ましい。硬化前のヒートシンク接着層４１の流動性を確保する観点では、粒径１μｍ～５０μｍの球状シリカガラス（非結晶性シリカ）が最適である。
　次にモジュール９００（図２）の製造方法について説明する。最初にパッケージ１０１（図４）が準備される。
　続いて、ヒートシンク板５０の未実装領域５５Ｕ（図４）上へ半導体素子２００（図２）が実装される。これにより、露出されていた未実装領域５５Ｕは、半導体素子２００によって覆われた実装領域５５Ｍ（図２）となる。半導体素子２００が実装される際は、熱硬化性樹脂と金属とを含有する接合層４２（図２）を介してヒートシンク板５０の未実装領域５５Ｕと半導体素子２００とが互いに接合されることが好ましい。言い換えれば、熱硬化性樹脂と金属とを含有するペースト状の接着剤の塗布と、その硬化とによる接合が行われることが好ましい。接合層４２の熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂を含むことが好ましい。接合層４２の金属は銀を含むことが好ましい。
　次に、パッケージ１０１のキャビティ内において、半導体素子２００と外部端子電極９１とがボンディングワイヤ２０５（図２）によって接続される。これにより、半導体素子２００と外部端子電極９１との間の電気的接続が確保される。
　次に、追加枠体８２に蓋体３００を取り付けることによって、半導体素子２００がグロスリークなしに封止される。これによりモジュール９００が得られる。具体的には、追加枠体８２と蓋体３００とが接着層４６によって互いに接着される。パッケージ１０１への蓋体３００の取り付けは、半導体素子２００が実装されたパッケージ１０１に対して、グロスリークの原因となるほどの熱ダメージを与えないように行われる。言い換えれば、パッケージ１０１への蓋体３００の取り付けは、ヒートシンク接着層４１、樹脂接着層６１および追加接着層６２に対して、グロスリークの原因となるほどの熱ダメージを与えないように行われる。例えば、蓋体３００はパッケージ１０１へ、前述した熱ダメージにつながらない程度に低い硬化温度で硬化させられた接着層４６を介して取り付けられる。この硬化温度は、例えば２６０℃未満である。
　本実施の形態によれば、何らかの要因によって外部端子電極９１の突出部９１Ｂへ外力（例えば、図４に示された外力ＦＡまたは外力ＦＢ）が印加された際に、外力が印加された箇所が突出部９１Ｂの貫通穴ＨＴ１よりも外周側である限り、突出部９１Ｂは貫通穴ＨＴ１の近傍において変形しやすく、例えば線ＢＤ（図３）に沿って変形する。図４に示された外力ＦＡは外部端子電極９１の上面をそれに垂直方向に押し下げる外力であり、一方で外力ＦＢは外部端子電極９１の下面をそれに垂直方向に押し上げる外力である。このような外力の印加によって生じる応力は貫通孔ＨＴ１近傍に集中する。この変形の結果、外力に起因しての応力が外部端子電極９１と枠体８１の被接着面ＳＡ（図４）との間の樹脂接着層６１にまで及ぶ程度が緩和される。これにより、当該応力に起因した樹脂接着層６１と外部端子電極９１との間での剥離が防止される。よって、樹脂接着層６１の剥離に起因してのリークを防止することができる。
　なお外部端子電極９１の上述した変形は、たわみ変形および屈曲変形のいずれかまたは両方であってよい。また上述した変形は、塑性変形および弾性変形のいずれかまたは両方であってよい。
　外部端子電極９１に形成される穴として、本実施の形態においては、止まり穴ではなく貫通穴ＨＴ１が用いられる。これにより、穴を簡単な加工によって形成することができる。
　貫通穴ＨＴ１は、外部端子電極９１の根本部９１Ａには位置していない。言い換えれば、貫通穴ＨＴ１は突出部９１Ｂにのみ位置している。これにより、根本部９１Ａにおいては、貫通穴ＨＴ１が形成されることに起因しての剛性の低下が避けられる。よって、根本部９１Ａが変形することに起因しての外部端子電極９１と樹脂接着層６１（図４）との間での剥離が、より確実に防止される。さらに、貫通穴ＨＴ１と樹脂接着層６１とが重ならないので、これらの接着面積が穴に起因して減少することがない。また貫通孔ＨＴ１近傍の変形は根元部９１Ａから離れた箇所で生じるので、樹脂接着層６１と外部端子電極９１との間での剥離を防止する効果が高まる。
　距離ＬＡ（図３および図４）が０．１ｍｍ以上の場合、量産時における製造誤差に起因して貫通穴ＨＴ１が突出部９１Ｂよりも内側に位置してしまう確率を十分に低くすることができる。また、外力が外部端子電極９１のうち貫通穴ＨＴ１と枠体８１との間の部分へ印加された場合、当該外力は貫通穴ＨＴ１によって緩衝されることなく樹脂接着層６１の方へと伝達されてしまうが、距離ＬＡが２ｍｍ以下とされることによって、外力がそのような部分へ印加される確率が低くなる。これにより、外力に起因した樹脂接着層６１と外部端子電極９１との間での剥離が、より確実に防止される。
　枠体８１が樹脂を含有する場合、枠体８１と樹脂接着層６１との間の接着強度を確保しやすい。
　外部端子電極９１が、樹脂接着層６１に接し金からなる表面を有している場合、外部端子電極９１の当該表面と樹脂接着層６１との間で剥離が生じやすくなる。このような剥離を上記実施の形態によれば効果的に抑制することができる。また、樹脂接着層６１が接着強度の確保などの観点でエポキシ樹脂を含有している場合、樹脂接着層６１と外部端子電極９１との間で剥離が生じやすくなる。このような剥離を上記実施の形態によれば効果的に抑制することができる。特に、外部端子電極９１の金からなる表面と、エポキシ樹脂を含有する樹脂接着層６１との間では、剥離が生じやすくなるが、このような剥離を上記実施の形態によれば効果的に抑制することができる。
　ヒートシンク板５０は、純度９５．０ｗｔ％以上で銅を含有する非複合材料からなることが好ましい。これにより、３００Ｗ／ｍ・Ｋを超える高い熱伝導率が容易に得られる。例えば、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｃ１５１０の材料（純度９９．８２ｗｔ％以上で銅を含有）により、３４７Ｗ／ｍ・Ｋの高い熱伝導率が得られる。また、半導体素子２００（図２）の実装前においては、ヒートシンク板５０は、半導体素子２００が実装されることになる未実装領域５５Ｕ（図４）を枠体８１内に有している。言い換えれば、半導体素子２００が実装されるときに、ヒートシンク板５０上に枠体８１が既に取り付けられている。よって、半導体素子２００を実装した後にヒートシンク板５０上に枠体８１を取り付ける工程を要しない。以上から、高い熱伝導率を有するヒートシンク板５０を用いつつ、半導体素子２００の実装後にモジュール９００（図２）を速やかに完成させることができる。
　未実装領域５５Ｕ（図４）は露出されていることが好ましい。これにより、半導体素子２００（図２）を未実装領域５５Ｕ（図４）上に容易に実装することができる。
　半導体素子２００が実装される際は、熱硬化性樹脂と金属とを含有する接合層４２（図２）を介してヒートシンク板５０の未実装領域５５Ｕ（図４）と半導体素子２００とが互いに接合されることが好ましい。接合層４２が金属を含有することによって、半導体素子２００からヒートシンク板５０への放熱性を高めることができる。また接合層４２が樹脂を含有することによって、ヒートシンク板５０から接合層４２を介して半導体素子２００へ加わる熱応力が緩和される。これにより、熱応力に起因しての半導体素子２００の破壊が起こりにくくなる。
　＜実施の形態２＞
　図５は、本実施の形態２におけるパッケージ１０２の構成を概略的に示す上面図である。パッケージ１０２の外部端子電極９１の突出部９１Ｂは、貫通穴ＨＴ１（図３および図４：実施の形態１）に代わって、貫通穴ＨＴ２を有している。具体的には、突出部９１Ｂの各々において複数の貫通穴ＨＴ２がＹ方向に沿って配列されている。貫通穴ＨＴ２の各々の縁は曲線である。また貫通穴ＨＴ２の各々の形状は、Ｘ方向（突出部９１Ｂが突出する方向）において最小寸法を有しており、Ｙ方向において最大寸法を有している。具体的には、当該形状は、Ｘ方向に沿った短軸とＹ方向に沿った長軸とを有する楕円である。
　本実施の形態によれば、貫通穴ＨＴ２の縁は曲線である。これにより、縁が角を有する場合（実施の形態１の場合）に比して、縁に加わる応力が分散される。これにより、貫通穴ＨＴ２近傍で、（屈曲変形よりも）たわみ変形が、より生じやすくなる。その結果、（塑性変形よりも）弾性変形が、より生じやすくなる。よって、外力が消失した後に外部端子電極９１が自発的に元の形状に戻る程度を高めることができる。
　なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
　＜実施の形態３＞
　図６は、本実施の形態３におけるパッケージ１０３の構成を概略的に示す上面図である。パッケージ１０３の外部端子電極９１の突出部９１Ｂは、貫通穴ＨＴ２（図５：実施の形態２）に代わって、貫通穴ＨＴ３を有している。貫通穴ＨＴ３の各々の形状は、Ｘ方向（突出部９１Ｂが突出する方向）において最大寸法を有しており、Ｙ方向において最小寸法を有している。具体的には、当該形状は、Ｘ方向に沿った長軸とＹ方向に沿った短軸とを有する楕円である。
　本実施の形態によれば、貫通穴ＨＴ３の各々の形状の最大寸法は、Ｘ方向（突出部９１Ｂが突出する方向）に沿っている。これにより、突出部９１Ｂへ外力が印加された際に、線ＢＤに沿った屈曲変形よりも、線ＢＤ近傍でのたわみ変形が、より生じやすくなる。その結果、（塑性変形よりは）弾性変形が、より生じやすくなる。よって、外力が消失した後に外部端子電極９１が自発的に元の形状に戻る程度をさらに高めることができる。
　なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態２の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
　＜実施の形態４＞
　図７は、本実施の形態４におけるパッケージ１０４の構成を概略的に示す断面図である。パッケージ１０４の外部端子電極９１は、貫通穴ＨＴ１（図４：実施の形態１）に代わって、貫通穴ＨＴ４を有している。貫通穴ＨＴ１と異なり貫通穴ＨＴ４は、外部端子電極９１の根本部９１Ａと突出部９１Ｂとの境界にまたがって位置している。よって貫通穴ＨＴ４は、平面視（ＸＹ面）において被接着面ＳＡと部分的に重なった部分を有している。
　貫通穴ＨＴ４の、上記のように被接着面ＳＡと重なった部分には、充填接着層６３が充填されていてよい。充填接着層６３は、樹脂接着層６１と追加接着層６２とを互いにつないでいる。充填接着層６３は、貫通穴ＨＴ４の、より広い部分を充填していてもよい。充填接着層６３の材料は樹脂接着層６１の材料と同じであってよい。
　本実施の形態によれば、貫通穴ＨＴ４が平面視（ＸＹ面）において被接着面ＳＡと部分的に重なっている。これにより、ＸＹ面において、被接着面ＳＡの外縁ＥＯを跨るように貫通穴ＨＴ４が配置される。よって、突出部９１Ｂのうち被接着面ＳＡの外縁ＥＯの近傍へ外力が印加された場合であっても、その影響を貫通穴ＨＴ４によって緩和することができる。すなわち、外部端子電極９１は貫通穴ＨＴ４の近傍において変形しやすくなる。この変形の結果、外力に起因しての応力が外部端子電極９１と枠体８１の被接着面ＳＡとの間の樹脂接着層６１にまで及ぶ程度が緩和される。
　なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１～３の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
　＜実施の形態５＞
　図８は、本実施の形態５におけるパッケージ１０５の構成を概略的に示す上面図である。図９は、図８の線ＩＸ－ＩＸに沿う概略的な断面図である。
　パッケージ１０５の外部端子電極９１は、貫通穴ＨＴ１（図４：実施の形態１）に代わって、止まり穴（ｂｌｉｎｄ　ｈｏｌｅ）ＨＢ１を有している。止まり穴ＨＢ１は、外部端子電極９１において局所的に薄い部分である。この薄い部分の厚みは、止まり穴ＨＢ１の周辺部分の厚みの８０％以下であることが好ましい。止まり穴ＨＢ１の内面は、図９に示されているように曲面であることが好ましい。また、距離ＬＡおよび距離ＬＢは、本実施の形態においても、実施の形態１で説明した好適な条件を満たしていてよい。なお、止まり穴ＨＢ１は、図９においては外部端子電極９１の上面に配置されているが、反対面である下面（枠体８１の方を向く面）に配置されていてもよい。
　また本実施の形態においては、止まり穴ＨＢ１は外部端子電極９１の突出部９１ＢをＹ方向に沿って横断している。また止まり穴ＨＢ１は外部端子電極９１の突出部９１Ｂにのみ配置されている。また外部端子電極９１の突出部９１Ｂは、平面視（ＸＹ面）において、根本部９１Ａから止まり穴ＨＢ１によって隔てられた端部９１ｉと、根本部９１Ａと端部９１ｉとの間に位置する中間部９１ｈとを有している。
　本実施の形態によれば、実施の形態１とほぼ同様の理由により、樹脂接着層６１の剥離に起因してのリークを防止することができる。さらに、外部端子電極９１の穴が止まり穴ＨＢ１であることによって、外部端子電極９１の穴が貫通穴である場合に比して、電気抵抗の増加を抑えることができる。半導体素子２００（図２）がパワー半導体素子である場合は、電流による発熱を抑えることができる。
　外部端子電極９１の端部９１ｉは、根本部９１Ａから止まり穴ＨＢ１によって隔てられている。これにより、端部９１ｉに印加された外力の影響の根本部９１Ａへの影響を、止まり穴ＨＢ１によって、より確実に抑制することができる。すなわち、外部端子電極９１は止まり穴ＨＢ１の近傍において変形しやすい。
　止まり穴ＨＢ１は突出部９１Ｂにのみ配置されている。これにより、根本部９１Ａにおいては、止まり穴ＨＢ１に起因しての剛性の低下が避けられる。よって、根本部９１Ａが変形することに起因しての外部端子電極９１と樹脂接着層６１との間での剥離が、より確実に防止される。
　なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１～３の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
　＜実施の形態６＞
　図１０は、本実施の形態６におけるパッケージ１０６の構成を概略的に示す断面図である。パッケージ１０６の外部端子電極９１は、止まり穴ＨＢ１（図９：実施の形態５）に代わって、止まり穴ＨＢ２を有している。止まり穴ＨＢ１と異なり止まり穴ＨＢ２は、外部端子電極９１の根本部９１Ａと突出部９１Ｂとの境界にまたがって位置している。よって止まり穴ＨＢ２は、平面視（ＸＹ面）において被接着面ＳＡと部分的に重なった部分を有している。止まり穴ＨＢ２の当該部分には、追加接着層６２が充填されていてよい。変形例として、止まり穴ＨＢ２は外部端子電極９１の下面に配置されていてよく、その場合、上述した部分に対応する部分には、追加接着層６２に代わって樹脂接着層６１が充填されていてよい。
　本実施の形態によれば、止まり穴ＨＢ２が平面視（ＸＹ面）において被接着面ＳＡと部分的に重なっている。これにより、ＸＹ面において、被接着面ＳＡの外縁ＥＯを跨るように止まり穴ＨＢ２が配置される。よって、突出部９１Ｂのうち被接着面ＳＡの外縁ＥＯの近傍へ外力が印加された場合であっても、その影響を止まり穴ＨＢ２によって緩和することができる。すなわち、外部端子電極９１は止まり穴ＨＢ２の近傍において変形しやすい。
　さらに、外部端子電極９１の穴が貫通穴ＨＴ４（図７：実施の形態４）ではなく止まり穴ＨＢ２である。これにより、外部端子電極９１の止まり穴ＨＢ２と樹脂接着層６１とが重なっている部分においても、外部端子電極９１と樹脂接着層６１とが互いに接合される。よってこれらの接着面積が穴の形成に起因して減少することがない。
　＜実施例＞
　図１１は、パッケージ１０１（図３および図４）へ外力ＦＢ（図４）を印加した際の外部端子電極９１の押し曲げ強度の試験結果を示すグラフ図である。図３を参照して、当該試験は、突出部９１Ｂの長さＬ０に対する貫通孔ＨＴ１の合計長さＬＳの割合が異なる複数のパッケージ１０１に対して行われた。図中の横軸は、長さＬ０に対する合計長さＬｓの割合を示す。また縦軸は、外力ＦＢを増大させていった際に、外部端子電極９１が貫通孔ＨＴ１近傍で折れ曲がる事象（「折れ曲がり事象」とも称する）、または外部端子電極９１が樹脂接着層６１から剥がれる事象（「剥がれ事象」とも称する）の少なくともいずれかの事象が発生した時点での外力ＦＢの大きさ、すなわち押し曲げ強度を示す。なお外力ＦＢは、前述したように、外部端子電極９１の下面をそれに垂直方向に押し上げる力である。図中、丸の打点（Ｏ）は、折れ曲がり事象が発生したことを表し、クロスの打点（×）は、剥がれ事象が発生したことを表す。
　この試験結果によれば、割合が２０％未満であると、剥がれ事象が発生した。一方、割合が２０％以上であると、剥がれ事象ではなく、折れ曲がり事象が発生した。割合が８０％以下であると、押し曲げ強度は３．５Ｎよりも大きかった。当該割合が８０％より大きい範囲においては、押し曲げ強度は３．５Ｎよりも小さかった。よって、当該割合が８０％より大きい範囲においては、外部端子電極９１の形状保持性が損なわれやすく、試験中において望まないタイミングで突出部９１Ｂの折れ曲がり事象が生じることがあった。以上の結果から、剥がれ事象を避けつつ、比較的大きな押し曲げ強度を確保するためには、当該割合を、２０％以上８０％以下とすることが好ましいことがわかる。
　一方、当該割合を２０％以上６０％以下とすると、押し曲げ強度が６Ｎよりも大きくなる。したがって、塑性変形である折れ曲がり事象の前段階の、弾性変形であるたわみ変形事象が生じる外力ＦＢの範囲が広くなる。よって、当該割合は２０％以上６０％以下であることがさらに好ましい。塑性変形とは異なり弾性変形の場合、外力ＦＢが消失した後に外部端子電極９１が自発的に元の形状に戻る。
　なお、上記試験において、外部端子電極９１は、厚み０．１５ｍｍおよび純度９５．０ｗｔ％以上を有する銅板で形成された。
　上述した実施の形態および変形例は、互いに自由に組み合わされてよい。この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての態様において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
　４１　　　　　：ヒートシンク接着層
　４２　　　　　：接合層
　４６　　　　　：接着層
　５０　　　　　：ヒートシンク板
　５１　　　　　：内面
　５４　　　　　：周辺領域
　５５Ｍ　　　　：実装領域
　５５Ｕ　　　　：未実装領域
　６１　　　　　：樹脂接着層
　６２　　　　　：追加接着層
　６３　　　　　：充填接着層
　８１　　　　　：枠体
　８２　　　　　：追加枠体
　９１　　　　　：外部端子電極
　９１Ａ　　　　：根本部
　９１Ｂ　　　　：突出部
　９１ｈ　　　　：中間部
　９１ｉ　　　　：端部
　１０１～１０６：パッケージ
　２００　　　　：半導体素子
　２０５　　　　：ボンディングワイヤ
　３００　　　　：蓋体
　９００　　　　：モジュール
　９５０　　　　：封止空間
　ＥＯ　　　　　：外縁
　ＨＢ１，ＨＢ２：止まり穴
　ＨＴ１～ＨＴ４：貫通穴
　ＳＡ　　　　　：被接着面

Claims (12)

  1. 　平面視において外縁を有する被接着面が設けられた枠体と、
    　前記枠体の前記被接着面上に設けられた樹脂接着層と、
    　前記枠体の前記被接着面上に前記樹脂接着層を介して設けられ、前記平面視において前記枠体の前記被接着面の前記外縁から突出した突出部を有し、少なくとも部分的に前記突出部に配置された穴を有する外部端子電極と、
    を備える、パッケージ。
  2. 　前記外部端子電極の前記穴は前記突出部にのみ配置されている、請求項１に記載のパッケージ。
  3. 　前記平面視において前記穴と前記枠体の前記被接着面の前記外縁との間の距離は０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下である、請求項２に記載のパッケージ。
  4. 　前記外部端子電極の前記穴は前記平面視において前記被接着面と部分的に重なっている、請求項１に記載のパッケージ。
  5. 　前記外部端子電極の前記穴は貫通穴である、請求項１から４のいずれか１項に記載のパッケージ。
  6. 　前記外部端子電極の前記穴は止まり穴である、請求項１から４のいずれか１項に記載のパッケージ。
  7. 　前記外部端子電極は、前記平面視において、前記枠体の前記被接着面に前記樹脂接着層を介して接着された根本部を有しており、
    　前記外部端子電極の前記突出部は、前記平面視において、前記根本部から前記止まり穴によって隔てられた端部を有している、請求項６に記載のパッケージ。
  8. 　前記外部端子電極の前記穴は貫通穴であり、前記外部端子電極の前記穴は前記突出部にのみ配置されている、請求項１に記載のパッケージ。
  9. 　前記外部端子電極の前記穴は止まり穴であり、前記外部端子電極の前記穴は前記平面視において前記被接着面と部分的に重なっている、請求項１に記載のパッケージ。
  10. 　前記枠体は樹脂を含有する、請求項１から９のいずれか１項に記載のパッケージ。
  11. 　前記外部端子電極は、前記樹脂接着層に接し金からなる表面を有している、請求項１から１０のいずれか１項に記載のパッケージ。
  12. 　前記樹脂接着層はエポキシ樹脂を含有する、請求項１から１１のいずれか１項に記載のパッケージ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5310237A (en) * 1976-07-15 1978-01-30 Sharp Corp Involution system
JP2006128534A (ja) * 2004-11-01 2006-05-18 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 高放熱型電子部品収納用パッケージ
JP2017041541A (ja) * 2015-08-20 2017-02-23 三菱電機株式会社 高周波高出力用デバイス装置

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