WO2021069388A1 - Bauelementverbund, verfahren zum ablösen von bauelementen aus einem bauelementverbund und verfahren zur herstellung eines bauelementverbunds - Google Patents

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Alexander F. PFEUFFER
Korbinian Perzlmaier
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Definitions

  • the present application relates to a component assembly with a plurality of components, a method for detaching components from a component assembly and a method for producing a component assembly.
  • the components to be processed can be provided on a carrier and transferred into the respective devices.
  • the requirements for the transfer process also increase, for example with regard to the positioning accuracy.
  • One task is to increase the reliability of the transmission of components.
  • a component assembly with a plurality of components is specified, the components being arranged on a carrier.
  • the components are, for example, electronic, microelectromechanical or optoelectronic components, such as light-emitting diodes.
  • An edge length of the components is, for example, at most 100 ⁇ m or at most 50 ⁇ m. For example, the edge length is between 4 ⁇ m and 30 ⁇ m inclusive.
  • the components are fastened to the carrier by means of a connecting layer.
  • the connection layer directly adjoins the components in places.
  • the connecting layer is directly adjacent to the carrier, for example.
  • one or more layers can also be present between the connection layer and the components and / or between the carrier and the connection layer.
  • the connection layer can completely cover the carrier in a plan view of the component assembly.
  • the connection layer forms at least one support structure for each component, on which the connection layer adjoins the component.
  • the support structure is set up to mechanically support the respectively assigned component.
  • exactly one support structure is assigned to each component.
  • the support structure overlaps in a plan view of the component assembly with the focus of the associated component.
  • a support structure can, however, also overlap with two or more components in a plan view of the component assembly. In this case, two or more support structures are expediently assigned to each component.
  • a sacrificial layer is arranged in regions between the components and the connecting layer.
  • the sacrificial layer is intended to be removed from the component assembly before the components are detached, for example by means of a chemical process.
  • the support structures are, for example, each surrounded by the sacrificial layer in the lateral direction, in particular along their entire circumference.
  • a direction which runs parallel to a main extension plane of the component assembly is regarded as a lateral direction.
  • some of the components are assigned to a first group and a further part of the components is assigned to a second group.
  • the components of the first group and the components of the second group are inherently similar. This means that the components of one group themselves do not differ from components of another group within the scope of the manufacturing tolerances.
  • all components of the component assembly are assigned to exactly one of the groups.
  • the total number of groups is between two and six, inclusive.
  • the components of the first group differ from the components of the second group with regard to an occupation with the sacrificial layer.
  • the sacrificial layer is different for components of the first group designed as for components of the second group. This is a deliberate difference that goes beyond unwanted production-related fluctuations.
  • the sacrificial layer is designed such that the components of the first group can be detached with a predetermined detachment force after partial removal of the sacrificial layer, while components of the second group cannot yet be detached with the same detachment force.
  • the force required to detach the non-detachable components for example for the components of the second group, would be at least 20% or at least 100% greater than the detachment force for detaching the components of the first group.
  • those components can be detached in which, after this partial removal of the sacrificial layer between the components and the carriers in the vertical direction, only the connecting layer is still located, in particular in plan view over the entire base area of the respective components. In other words, at this stage only the connecting layer is still adjacent to the detachable components.
  • the component assembly has a plurality of components and a carrier, the components being fastened to the carrier by means of a connecting layer.
  • the connection layer forms at least one support structure on which the connection layer adjoins the component.
  • a sacrificial layer is arranged in areas between the components and the connecting layer.
  • a part of the components is a first group assigned and a further part of the components is assigned to a second group. The components of the first group are different from the components of the second group with regard to an occupation with the sacrificial layer.
  • the sacrificial layer can be removed in a multi-stage process in such a way that after a first step of material removal from the sacrificial layer, only components of the first group can be removed. Further material of the sacrificial layer can then be removed in order to make the components of the second group and iteratively, if necessary, components of further groups removable.
  • the component assembly is thus set up for a multi-stage transfer process in which in particular the material of the sacrificial layer is removed in at least two steps, with components already being transferred between these two steps, for example all components of the first group.
  • the components of the first group are arranged in a regular pattern.
  • the components of the second group and optionally the components of further groups are also expediently arranged in a regular pattern.
  • the components have a base area with a polygonal basic shape.
  • the base is triangular or square, in particular rectangular.
  • polygonal basic shape means in particular that corners of the basic shape can be rounded.
  • the basic form can also have more than four corners. For example, the nearest neighbors of a component of the first group along all edges of this component do not belong to the first group of components.
  • At least some components of the first group only have nearest neighbors along two mutually perpendicular spatial directions that do not belong to the first group of components.
  • the component assembly has exactly two groups of components which are each arranged alternately along two mutually perpendicular spatial directions.
  • the components of the first group and the components of the second group are arranged in a checkerboard manner.
  • At least some components of the first group are surrounded along the entire circumference by nearest neighbors that do not belong to the first group of components.
  • at least some components of the second group are surrounded by nearest neighbors along the entire circumference that do not belong to the second group of components.
  • the components of the component assembly are divided into four groups, the components of the four groups being arranged alternately in such a way that all components of a group are surrounded along the entire circumference by nearest neighbors that do not belong to this group of components.
  • At least some components mean, for example, at least 50% or at least 80% of the components of the respective groups.
  • the components of the first group and the second group differ with regard to an average thickness of the sacrificial layer between the respective components and the carrier, for example by at least 10% of the thickness based on the thickness of the sacrificial layer between the components of the first group and the wearer.
  • the thickness here denotes the extent of the sacrificial layer in the vertical direction, i.e. perpendicular to the
  • the thickness of the sacrificial layer can be used to set how quickly the material of the sacrificial layer can be removed at the respective position by a chemical process.
  • a material removal rate in the lateral direction can be greater for thicker sacrificial layers than for thinner sacrificial layers or vice versa.
  • the etching rate increases in the lateral direction as the layer thickness increases if the etching process is carried out in a diffusion-controlled manner.
  • the etching speed is essentially determined by the media transport. In a reaction-controlled regime, the chemical reaction itself determines the etching speed, so that thin layers are etched faster than thicker layers.
  • the sacrificial layer has a first partial layer of a first material composition and a second partial layer of a second material composition different from the first material composition.
  • the components of the first group and the components of the second group differ from one another with regard to an occupation with material of the first partial layer.
  • at least one is Material component present in a proportion of at least 10% by weight more in the first material composition than in the second material composition.
  • the material of the first partial layer can be removed by means of a specific etching process at a greater removal rate than the material of the second partial layer.
  • components of a group in which the first sub-layer is covered more than that of another group can be removed earlier than components of this other group.
  • material of the sacrificial layer below the first group of components can already be completely removed if there is still so much material of the sacrificial layer below components of the other group or other groups that these components cannot be removed.
  • an island is formed by means of the first partial layer, which is surrounded by at least 80% or at least 90%, for example completely, by the second partial layer along its lateral circumference.
  • the material of the island can therefore only be removed when the second partial layer has already been removed along its circumference.
  • the island is surrounded by an enclosing sub-area of the second sub-layer.
  • a method for detaching components from a component assembly is specified.
  • a component assembly is provided in particular, which at least one of the Has the features of the component assembly described above.
  • the method comprises a step in which material from the sacrificial layer is removed in regions. After this step, there is still material of the sacrificial layer available. For example, the material of the sacrificial layer is removed in such a way that the components of the first group can be detached.
  • At least one component of the first group is detached.
  • all components of the first group will be replaced.
  • the components of the second group cannot yet be removed at this point in time.
  • not removable in this context means, in particular, that the detachment force with which the components of the first group are detached as intended is not yet sufficient for detachment of components of this group.
  • the method comprises a step in which further material of the sacrificial layer is removed. This step takes place in particular after all the components to be removed from the first group have already been removed. For example, the further material of the sacrificial layer is removed in such a way that the components of the second group can be detached.
  • the method comprises a step in which at least one component of the second group is detached.
  • the material of the sacrificial layer is removed in a multi-stage process.
  • further material of the sacrificial layer is removed at a point in time at which components have already been detached from the component assembly.
  • the components of the second group after removing material from the sacrificial layer in some areas and before removing further material from the sacrificial layer, the components of the second group cannot be removed with a detachment force that is used to detach the component from the first group. In other words, only the components of the first group can be detached before further material is removed from the sacrificial layer.
  • the components are detached by means of a transfer body.
  • the transfer body is a knob (English: post) of a stamp.
  • Several components are expediently detached at the same time, in particular several components from the same group.
  • the transfer body has a base area which is at least 20% larger than a base area of one of the detached components.
  • the transfer body is larger in plan view of the component assembly than the component to be detached.
  • the base area of the transfer body is expediently at most so large that the transfer body can only be detached at this point in time Component overlaps.
  • the transfer body can overlap with one or more non-detachable components.
  • a lateral main extension axis of the transfer body is rotated with respect to a lateral main extension axis of one of the detached components.
  • an angle between the main axes of extension is between 20 ° and 70 ° inclusive, in particular between 40 ° and 50 ° inclusive.
  • the main axis of extension is in each case the diagonal of the transfer body or the component.
  • the transfer body and the component to be detached can, however, also have other, for example other polygonal or at least locally curved and in particular also different basic shapes.
  • the sacrificial layer has a first partial layer of a first material composition and a second partial layer of a second material composition different from the first material composition, the material of the sacrificial layer being removed by means of a chemical method before the components of the first group are detached which regarding the first and second
  • Material composition is selective.
  • material of the second material composition is not removed or is only removed at a significantly lower removal rate than material of the first material composition.
  • the entire sacrificial layer can be formed from only one material composition.
  • the local thickness of the sacrificial layer can be used to set how high the rate of removal of material from the sacrificial layer is in the lateral direction at this point.
  • a method for producing a component assembly is specified.
  • the method described is particularly suitable for producing a composite component described above.
  • Features described in connection with the component assembly can therefore also be used for the method for producing the component assembly, and vice versa.
  • a plurality of components is provided.
  • a sacrificial layer is formed on the components, an occupation with the sacrificial layer for components of a first group differing from that for components of a second group.
  • the components are attached to a carrier by means of a connecting layer.
  • the method steps are preferably carried out in the order of the aforementioned list.
  • the components are provided on an output carrier, for example.
  • This starting carrier can then be removed, in particular after the components have been fastened to the carrier.
  • the sacrificial layer is applied, for example, by means of a deposition method, for example by chemical vapor deposition (CVD) or physical vapor deposition (PVD), for example by vapor deposition or sputtering.
  • CVD chemical vapor deposition
  • PVD physical vapor deposition
  • the sacrificial layer therefore directly adjoins the components in places.
  • the connecting layer is at least partially flowable at the time of fastening the components.
  • material for the connecting layer is applied in the flowable state.
  • material of the connecting layer can flow into cutouts in the sacrificial layer and directly adjoin the components at these locations. The material for the
  • the connecting layer can subsequently be hardened if necessary.
  • the sacrificial layer is formed by means of a first partial layer and a second partial layer, the first partial layer being structured lithographically before the second partial layer is applied.
  • the second partial layer is also structured lithographically, for example.
  • the first partial layer and the second partial layer are structured in such a way that the first partial layer and the second partial layer only overlap in places. In this way, a sacrificial layer can easily be produced which has different thicknesses at different points.
  • the first sub-layer and the second sub-layer can differ from one another with regard to their material composition. The application is based in particular on the idea that a multi-stage transmission process leads overall to greater reliability.
  • the components can be made only partially transferable during the transfer process, so that in a first step only a defined portion, for example the components of the first group, is removed in a predetermined grid.
  • new components that is to say components of the second group and possibly iterative components of further groups, can be made transferable by further removing material from the sacrificial layer.
  • the transfer body can have a greater lateral extent than the associated component to be removed.
  • the method can thus also be carried out reliably for particularly small components.
  • the component assembly and the associated methods are suitable, for example, for optoelectronic components such as light-emitting diodes, for example for the production of video walls, displays or projectors or for applications in so-called augmented reality.
  • the components can also be other optoelectronic components such as detectors, purely electronic components or microelectromechanical components
  • FIG. 1 shows an exemplary embodiment for a component assembly in a schematic sectional view
  • FIGS. 2A to 2F show an exemplary embodiment of a method for detaching components on the basis of intermediate steps each shown in a schematic sectional view
  • FIGS. 3A to 3D show an exemplary embodiment for a component assembly (FIG. 3A) and associated exemplary embodiments for a method for detachment using an intermediate step, each in a schematic plan view;
  • FIG. 4 shows an exemplary embodiment for a component assembly and for an associated method for detachment on the basis of an intermediate step in a schematic plan view
  • FIGS. 5A to 5C show an exemplary embodiment of a method for detaching components on the basis of intermediate steps in a schematic plan view
  • FIGS. 6A to 6C show an exemplary embodiment of a method for detaching components on the basis of intermediate steps in a schematic plan view
  • FIGS. 7, 8, 9 and 10 each show an exemplary embodiment for a component assembly in a schematic sectional view
  • FIGS. 11A to 11C show an exemplary embodiment of a method for detaching components on the basis of intermediate steps each shown in a schematic sectional view;
  • FIG. 12 shows an exemplary embodiment for a component assembly in a schematic sectional view
  • FIGS. 13A to 13D show a method for producing a component assembly based on intermediate steps each shown in a schematic sectional view
  • FIGS. 14A to 14D show a reference example of a method for peeling off components.
  • FIG. 1 an exemplary embodiment for a component assembly 1 with a plurality of components 2 is shown.
  • the figure shows a section of the
  • Component assembly in a sectional view with four components 2, which are exemplarily assigned to four groups of components.
  • the components of a first group 2A, a second group 2B, a third group 2C and a fourth group 2D are each fastened to a carrier 5 of the component assembly by means of a connecting layer 4.
  • the connection layer 4 forms a support structure 41 for each component 2.
  • the support structure 41 is arranged in the center of the components 2, that is, it overlaps with the respective center of gravity of the associated component 2 in a plan view of the component assembly 1.
  • the support structure 41 directly adjoins the components 2 in each case.
  • a sacrificial layer 3 is arranged in places between the connecting layer 4 and the components 2.
  • the sacrificial layer 3 has a first partial layer 31 and a second partial layer 32.
  • the first partial layer 31 and the second partial layer 32 only overlap one another in places. This creates areas in which the first partial layer 31 and the second partial layer are arranged one above the other, for example between the components of the first group 2A and the carrier 5.
  • first partial layer 3 of the sacrificial layer 3 is present between the component of the second group 2B and the carrier 5.
  • Only the second partial layer 32 is present between the components of the fourth group 2D and the carrier 5. This results in a different occupancy of the sacrificial layer 3 for the various groups of components in the form of different average layer thicknesses of the sacrificial layer 3 for the different components 2.
  • the first sub-layer 31 and the second sub-layer 32 are therefore used in particular to form different average layer thicknesses below the different groups.
  • the term “below” the components or the groups of components relates in each case to the area between the carrier and the corresponding components or groups of components.
  • the first partial layer 31 and the second partial layer 32 can be the same with regard to the material used.
  • the sacrificial layer 3, the first partial layer 31 and / or the second partial layer 32 contains silicon, silicon nitride, silicon oxide, germanium, molybdenum or a spin-on-glass material.
  • the individual groups of components 2A, 2B, 2C, 2D can be designed to be detachable sequentially one after the other.
  • FIG. 2A The provided component assembly 1 shown in FIG. 2A is designed as described in connection with FIG. 1.
  • a chemical process such as wet-chemical or dry-chemical etching, removes material from the sacrificial layer 3 starting from the spaces between the components 2.
  • the sacrificial layer adjoining the components 2 is removed by a lateral undercutting of the components 2. If the etching process is carried out in a diffusion-controlled manner, the greater the thickness of the sacrificial layer 3 under the components 2, the faster the lateral underetching takes place. Accordingly, the components of the first group 2A are first freed from the sacrificial layer 3 on the side facing the carrier 5 and only rest on the support structure 41.
  • the components of the first group 2A can be removed by means of a transfer body 7.
  • the transfer body 7 is a knob 71 Stamp 72.
  • a suitable material for the knob is, for example, polydimethylsiloxane.
  • knobs are shown as examples of a transfer body. In principle, however, another configuration of the transfer body is also suitable.
  • the components of the second group 2B can be made removable. This process stage is illustrated in Figure 2B.
  • the transfer body 7 in the form of the knob 71 overlaps with the component of the second group 2B and can lift it off. At this point in time, the components of the first group 2A have already been removed.
  • the stamp 72 has a plurality of knobs, the knobs each overlapping with components from exactly one group of components.
  • the sacrificial layer 3 is thus removed in a multi-stage process, with components of a group being removed between each two etching steps.
  • an etching step can have two or more substeps.
  • n groups of components are present, n etching steps, between which components in particular are detached, are carried out.
  • the components can be designed to be detachable sequentially in such a way that the components to be detached are in each case surrounded at most by components which are not yet detachable in the respective method stage. This reduces the risk that a misalignment of the transfer body 7 in the transfer step inadvertently leads to the detachment of an adjacent component.
  • FIGS. 14A to 14D show a reference method based on a reference composite 10.
  • the sacrificial layer 3 is formed in the same way under all components 2.
  • Etching of the sacrificial layer shown schematically in FIG. 14B, results in a uniform removal of the sacrificial layer 3 over all components 2, so that all components 2 can be detached (FIG. 14C).
  • a slight misalignment of the knob 7 can result in not only the actually intended component being removed, but also the adjacent component being grasped by the knob 71.
  • FIG. 3A shows an exemplary embodiment of a component assembly 1 with a first group 2A and a second group 2B of components.
  • the components are each arranged in a regular pattern.
  • the edges 21 of the components of the first group 2A only components of the second group 2B adjoin.
  • the components of the first group 2A and the components of the second group 2B thus form a checkerboard-like arrangement.
  • a base area 70 of the knob 71 can have essentially the same size as the component of the first group 2A to be detached.
  • the transfer body can, however, also have a larger base area than the component to be detached if the transfer body overlaps with just one detachable component.
  • the reliability of the detachment is increased by increasing the base area, in particular for particularly small components.
  • a lateral main extension axis 75 of the knob 71 is opposite a lateral main extension axis 25 of the Component of the first group 2A rotated, exemplarily by 45 °.
  • the base area of the transfer body can be roughly doubled without a transfer body simultaneously overlapping two detachable components, for example two components of the first group 2A.
  • the components 2 and the transfer bodies in the form of the knobs 71 are each designed with a square basic shape.
  • other basic shapes for example other polygonal basic shapes, for example triangular or square or hexagonal basic shapes, or partially curved basic shapes, for example circular or elliptical basic shapes, can be used.
  • the basic shapes for the transfer body 7 and the component 2 to be detached can be different from one another.
  • FIG. 3D shows an exemplary embodiment in which the transfer body is designed in the form of a circular knob 71.
  • the area of the transfer body increases by a factor of n / 2.
  • the components of the component assembly 1 are assigned to a first group 2A, a second group 2B, a third group 2C and a fourth group 2D.
  • the components of the first group 2A and the second group 2B are arranged alternately along every second row.
  • the components of the third group 2C and the fourth group 2D are arranged alternately along the rows in between.
  • each component has one Group, for example a component of the first group 2A, is surrounded exclusively by components that are assigned to other groups, for example the second group 2B, the third group 2C and the fourth group 2D.
  • the base area of the transfer body 7, for example the knob 71 can be approximately nine times as large as the base area of the component to be detached from the first group 2A. Nevertheless, each knob 71 only overlaps with one detachable component.
  • the maximum size of the transfer body is therefore no longer limited by the center-to-center distance between adjacent components, but can be considerably larger than the base area of the component to be detached by forming a correspondingly large number of groups of components and a suitable design of the sacrificial layer, without the transfer body at the same time two detachable components overlap.
  • the distance between the closest detachable components determines the maximum extent of the transfer body along this direction and not the center-to-center distance between adjacent components per se.
  • the exemplary embodiment shown in FIGS. 5A to 5C for a method for detaching components essentially corresponds to the exemplary embodiment described in connection with FIGS. 2A to 2F.
  • the components are assigned to a first group 2A, a second group 2B and a third group 2C.
  • the components of a group are each in a hexagonal grid.
  • the components of the first group 2A, the second group 2B and the third group 2C are each with formed circular bases.
  • the components of the first group 2A can be made detachable, so that they can be detached via a knob 71.
  • the maximum radius of the knob 71 is given by the center-to-center distance between two components of the same group minus the radius of the components.
  • the base area of the knob 71 can be significantly larger than the base area of the component to be detached, without a knob overlapping with two detachable components at the same time.
  • FIG. 5B shows a method stage in which, after further material has been removed from the sacrificial layer, the components of the second group 2B can be detached and detached by means of knobs 71. After a further etching step, the components of the third group 2C can be removed (FIG. 5C).
  • FIGS. 6A to 6C essentially corresponds to the exemplary embodiment described in connection with FIGS. 5A to 5C.
  • the transfer body 7 and the components 2 have different basic shapes from one another.
  • the transfer body 7 is designed with a triangular base area.
  • the components 2 have, for example, a circular base area.
  • the exemplary embodiment shown in FIG. 7 for a component composite 1 differs from the component composite described in connection with FIG. 1 in particular in that the first partial layer 31 and the second partial layer 32 of the sacrificial layer 3 have different material compositions from one another.
  • the first partial layer 31 contains silicon and the second partial layer 32 contains silicon nitride.
  • individual groups of components can be made removable with different degrees of ease. For example, silicon nitride is etched in a fluorine plasma or an XeFg plasma with a lower etching rate than silicon.
  • the components of the first group 2A and the components of the second group 2B predominantly contain material of the first partial layer 31.
  • the thickness of the sacrificial layer 3 is greater below the components of the first group 2A than below the components of the second Group 2B, so that the components of the first group 2A can be removed first.
  • the material of the first partial layer 31 and material of the second partial layer 32 are likewise located between the components of the third group 2C and the carrier 5 is surrounded.
  • the material of the island 35 can therefore only be removed when the surrounding material of the second partial layer 32 has already been removed. Therefore, the components of the third group 2C can only be removed after the components of the second group 2B.
  • the components of group 2D almost exclusively contain material from the second partial layer 32. These components can therefore only be removed after an additional etching step.
  • the method according to this exemplary embodiment therefore uses both different etching rates due to different layer thicknesses and different etching rates due to different materials.
  • the exemplary embodiment shown in FIG. 8 essentially corresponds to the exemplary embodiment described in connection with FIG.
  • the thickness of the sacrificial layer 3 is the same for all groups of components 2A, 2B, 2C, 2D.
  • the groups of components differ from one another with regard to the covering with material of the first partial layer 31. The greater the coverage with material of the first partial layer, the earlier the components of the associated group can be detached.
  • the support structures 41 are each surrounded by material of the first partial layer 31 in the area adjoining the components 2.
  • the exemplary embodiment shown in FIG. 9 essentially corresponds to the exemplary embodiment described in connection with FIG.
  • the support structures 41 are surrounded by the material of the second partial layer 32. Again, the components of that group can be removed first, the coverage of which with material of the first partial layer 31 is greatest, that is to say the components of the first group 2A.
  • FIG. 10 shows an exemplary embodiment of a component assembly 1 in which the support structures 41 each overlap with at least two adjacent components 2.
  • the support structures 41 do not extend here in a plan view of the component assembly 41 along the entire circumference of the components 2, so that the sacrificial layer 3 in the spaces between adjacent components is accessible in some areas for chemical material removal.
  • Each component expediently overlaps with two or more spaced-apart support structures.
  • Such a configuration of the support structures 41 can also be used for the other exemplary embodiments.
  • FIGS. 11A to 11C show an exemplary embodiment of a method for detaching components, a component assembly being provided as described in connection with FIG.
  • material of the sacrificial layer 3 is removed in a first step, namely material of the first partial layer 31.
  • the first partial layer 31 is preferably removed by means of a chemical method which does not attack the second partial layer 32 or at least only attacks it with a greatly reduced etching rate compared to the first partial layer 31.
  • the exemplary embodiment for a component assembly shown in FIG. 12 essentially corresponds to the exemplary embodiment described in connection with FIG.
  • the groups of components 2A, 2B, 2C, 2D again differ with regard to their covering with material of the first partial layer 31 and the second partial layer 32.
  • the enclosing subregion 33 of the second sublayer 32 which serves as a delay element.
  • the enclosing sub-area is, for example, frame-shaped or ring-shaped. While the material below the components of the first group 2A is completely removed in a first etching step, the enclosing subregions 33 of the second sublayer under the components of the second group 2B, the third group 2C and the fourth group 2D can use the laterally enclosed material of the first sublayer Protect against material removal so that only the components of the first group can be removed.
  • enclosing components can subsequently be removed together with the adjoining material of the first partial layer 31.
  • the components of the second group 2B can be removed.
  • a second enclosing sub-area 331 is located within the enclosing sub-area 33.
  • a third enclosing sub-area 332 is located within the second enclosing sub-area for the components of the fourth group 2D.
  • these components can be made removable one after the other.
  • FIGS. 13A to 13D show an exemplary embodiment of a method for producing a component assembly, with a component assembly being produced as an example as described in FIG. In principle, however, the method is also suitable for the production of component assemblies in accordance with the further exemplary embodiments.
  • a plurality of components 2 are provided, for example on an output carrier 29 (FIG. 13A).
  • a sacrificial layer 3 is formed on the components 2. In the exemplary embodiment shown, this is done by forming a first partial layer 31 and a second partial layer 32 of the sacrificial layer (FIGS. 13B and 13C).
  • the sacrificial layer is formed in such a way that an occupation with the sacrificial layer for components of a first group 2A differs from that for components of a second group 2B.
  • the first partial layer 31 is formed in a lithographically structured manner before the second partial layer 32 is applied.
  • the sacrificial layer 3 is applied to the components, for example by means of vapor deposition or sputtering, it also being possible for different deposition methods to be used for different partial layers.
  • the components with the sacrificial layer 3 are then attached to a carrier 5 by means of a connecting layer 4.
  • a connecting layer 4 For example, the material for the connecting layer 4 is applied to the sacrificial layer 3 in a flowable state and fills the spaces in the sacrificial layer. If necessary, the connecting layer 4 can then be cured, for example thermally. The output carrier 29 can then be removed.
  • FIG. 13D shows the completed component carrier assembly

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Abstract

Es wird ein Bauelementverbund (1) mit einer Mehrzahl von Bauelementen (2) und einem Träger (5) angegeben, wobei die Bauelemente mittels einer Verbindungsschicht (4) an dem Träger befestigt sind und die Verbindungsschicht für jedes Bauelement mindestens eine Auflagestruktur (41) bildet, an der die Verbindungsschicht an das Bauelement angrenzt. Bereichsweise ist zwischen den Bauelementen und der Verbindungsschicht eine Opferschicht (3) angeordnet. Ein Teil der Bauelemente ist einer ersten Gruppe (2A) und ein weiterer Teil der Bauelemente einer zweiten Gruppe (2B) zugeordnet, wobei die Bauelemente der ersten Gruppe von den Bauelementen der zweiten Gruppe hinsichtlich einer Belegung mit der Opferschicht verschieden sind. Weiterhin werden ein Verfahren zum Ablösen von Bauelementen aus einem Bauelementverbund und ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelementverbunds angegeben.

Description

Beschreibung
BAUELEMENTVERBUND, VERFAHREN ZUM ABLÖSEN VON BAUELEMENTEN AUS EINEM BAUELEMENTVERBUND UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES
BAUELEMENTVERBUNDS
Die vorliegende Anmeldung betrifft einen Bauelementverbund mit einer Mehrzahl von Bauelementen, ein Verfahren zum Ablösen von Bauelementen aus einem Bauelementverbund und ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelementverbunds.
Für die Herstellung von elektronischen oder optoelektronischen Vorrichtungen können die zu verarbeitenden Bauelemente auf einem Träger bereitgestellt und in die jeweiligen Vorrichtungen transferiert werden. Mit zunehmender Miniaturisierung der Bauelemente erhöhen sich jedoch auch die Anforderungen an den Transferprozess, beispielsweise hinsichtlich der Positionierungsgenauigkeit.
Eine Aufgabe ist es, die Zuverlässigkeit der Übertragung von Bauelementen zu erhöhen.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch einen Bauelementverbund, ein Verfahren zum Ablösen eines Bauelements aus einem Bauelementverbund und ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelementverbunds gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Weitere Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche .
Es wird ein Bauelementverbund mit einer Mehrzahl von Bauelementen angegeben, wobei die Bauelemente auf einem Träger angeordnet sind. Die Bauelemente sind beispielsweise elektronische, mikroelektromechanische oder optoelektronische Bauelemente, etwa Leuchtdioden. Eine Kantenlänge der Bauelemente beträgt beispielsweise höchstens 100 gm oder höchstens 50 gm. Beispielsweise beträgt die Kantenlänge zwischen einschließlich 4 pm und einschließlich 30 pm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelementverbunds sind die Bauelemente mittels einer Verbindungsschicht an dem Träger befestigt. Die Verbindungsschicht grenzt insbesondere stellenweise unmittelbar an die Bauelemente an. Weiterhin grenzt die Verbindungsschicht beispielsweise unmittelbar an den Träger an. Zwischen der Verbindungsschicht und den Bauelementen und/oder zwischen dem Träger und der Verbindungsschicht können jedoch auch eine oder mehrere Schichten vorhanden sein. Die Verbindungsschicht kann den Träger in Draufsicht auf den Bauelementverbund vollständig überdecken .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelementverbunds bildet die Verbindungsschicht für jedes Bauelement mindestens eine Auflagestruktur, an der die Verbindungsschicht an das Bauelement angrenzt. Die Auflagestruktur ist dazu eingerichtet, das jeweils zugeordnete Bauelement mechanisch zu tragen. Beispielsweise ist jedem Bauelement genau eine Auflagestruktur zugeordnet. Zum Beispiel überlappt die Auflagestruktur in Aufsicht auf den Bauelementverbund mit dem Schwerpunkt des zugehörigen Bauelements. Eine Auflagestruktur kann jedoch in Aufsicht auf den Bauelementverbund auch mit zwei oder mehr Bauelementen überlappen. In diesem Fall sind zweckmäßigerweise jedem Bauelement zwei oder mehr Auflagestrukturen zugeordnet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelementverbunds ist bereichsweise zwischen den Bauelementen und der Verbindungsschicht eine Opferschicht angeordnet. Die Opferschicht ist dafür vorgesehen, vor dem Ablösen der Bauelemente aus dem Bauelementverbund entfernt zu werden, beispielsweise mittels eines chemischen Verfahrens. Die Auflagestrukturen sind in lateraler Richtung beispielsweise jeweils von der Opferschicht umgeben, insbesondere entlang ihres gesamten Umfangs.
Als laterale Richtung wird eine Richtung angesehen, die parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Bauelementverbunds verläuft.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelementverbunds ist ein Teil der Bauelemente einer ersten Gruppe zugeordnet und ein weiterer Teil der Bauelemente ist einer zweiten Gruppe zugeordnet. Insbesondere sind die Bauelemente der ersten Gruppe und die Bauelemente der zweiten Gruppe an sich gleichartig. Das heißt, die Bauelemente der einen Gruppe selbst unterscheiden sich im Rahmen der Fertigungstoleranzen nicht von Bauelementen einer anderen Gruppe.
Zweckmäßigerweise sind alle Bauelemente des Bauelementverbunds genau einer der Gruppen zugeordnet. Beispielsweise beträgt die Gesamtanzahl der Gruppen zwischen einschließlich zwei und einschließlich sechs.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelementverbunds sind die Bauelemente der ersten Gruppe von den Bauelementen der zweiten Gruppe hinsichtlich einer Belegung mit der Opferschicht verschieden. Mit anderen Worten ist die Opferschicht für Bauelemente der ersten Gruppe anders ausgebildet als für Bauelemente der zweiten Gruppe. Hierbei handelt es sich um einen gezielten Unterschied, der über ungewollte fertigungsbedingte Schwankungen hinausgeht.
Insbesondere ist die Opferschicht so ausgebildet, dass die Bauelemente der ersten Gruppe nach einer teilweisen Entfernung der Opferschicht mit einer vorgegebenen Ablösekraft ablösbar sind, während Bauelemente der zweiten Gruppe mit derselben Ablösekraft noch nicht ablösbar sind. Beispielsweise wäre die erforderliche Kraft für die Ablösung der nicht ablösbaren Bauelemente, beispielsweise für die Bauelemente der zweiten Gruppe, um mindestens 20 % oder um mindestens 100 % größer als die Ablösekraft für das Ablösen der Bauelemente der ersten Gruppe.
Insbesondere sind diejenigen Bauelemente ablösbar, bei denen sich nach dieser teilweisen Entfernung der Opferschicht zwischen den Bauelementen und den Trägern in vertikaler Richtung nur noch die Verbindungsschicht befindet, insbesondere in Draufsicht über die gesamte Grundfläche der jeweiligen Bauelemente. Mit anderen Worten grenzt in diesem Stadium nur noch die Verbindungsschicht an die ablösbaren Bauelemente an.
In mindestens einer Ausführungsform des Bauelementverbunds weist der Bauelementverbund eine Mehrzahl von Bauelementen und einen Träger auf, wobei die Bauelemente mittels einer Verbindungsschicht an dem Träger befestigt sind. Die Verbindungsschicht bildet für jedes Bauelement mindestens eine Auflagestruktur, an der die Verbindungsschicht an das Bauelement angrenzt. Bereichsweise ist zwischen den Bauelementen und der Verbindungsschicht eine Opferschicht angeordnet. Ein Teil der Bauelemente ist einer ersten Gruppe zugeordnet und ein weiterer Teil der Bauelemente ist einer zweiten Gruppe zugeordnet. Die Bauelemente der ersten Gruppe sind von den Bauelementen der zweiten Gruppe hinsichtlich einer Belegung mit der Opferschicht verschieden.
Im Unterschied zu einem Bauelementverbund, bei dem sich die Opferschicht gleichförmig über alle Bauelemente erstreckt, ist die Opferschicht in einem mehrstufigen Verfahren so entfernbar, dass nach einem ersten Schritt der Materialentfernung der Opferschicht nur Bauelemente der ersten Gruppe ablösbar sind. Nachfolgend kann weiteres Material der Opferschicht entfernt werden, um die Bauelemente der zweiten Gruppe und iterativ gegebenenfalls Bauelemente weiterer Gruppen ablösbar auszubilden. Der Bauelementverbund ist also für einen mehrstufigen Transferprozess eingerichtet, bei dem insbesondere das Material der Opferschicht in mindestens zwei Schritten entfernt wird, wobei zwischen diesen beiden Schritten bereits Bauelemente übertragen werden, beispielsweise alle Bauelemente der ersten Gruppe.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelementverbunds sind die Bauelemente der ersten Gruppe in einem regelmäßigen Muster angeordnet. Zweckmäßigerweise sind auch die Bauelemente der zweiten Gruppe und gegebenenfalls die Bauelemente weiterer Gruppen in einem regelmäßigen Muster angeordnet .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelementverbunds weisen die Bauelemente eine Grundfläche mit einer mehreckigen Grundform auf. Zum Beispiel ist die Grundfläche dreieckig oder viereckig, insbesondere rechteckig. Mehreckige Grundform bedeutet in diesem Zusammenhang insbesondere, dass Ecken der Grundform abgerundet sein können. Die Grundform kann auch mehr als vier Ecken aufweisen. Beispielsweise gehören die nächsten Nachbarn eines Bauelements der ersten Gruppe entlang allen Kanten dieses Bauelements nicht zur ersten Gruppe von Bauelementen .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelementverbunds weisen zumindest einige Bauelemente der ersten Gruppe entlang von zwei zueinander senkrechten Raumrichtungen nur nächste Nachbarn auf, die nicht zur ersten Gruppe von Bauelementen gehören. Beispielsweise weist der Bauelementverbund genau zwei Gruppen von Bauelementen auf, die entlang zweier zueinander senkrechter Raumrichtungen jeweils alternierend angeordnet sind. Mit anderen Worten sind die Bauelemente der ersten Gruppe und die Bauelemente der zweiten Gruppe schachbrettartig angeordnet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelementverbunds sind zumindest einige Bauelemente der ersten Gruppe entlang des gesamten Umfangs von nächsten Nachbarn umgeben, die nicht zur ersten Gruppe von Bauelementen gehören. Zweckmäßigerweise sind in analoger Weise zumindest einige Bauelemente der zweiten Gruppe entlang des gesamten Umfangs von nächsten Nachbarn umgeben, die nicht zur zweiten Gruppe von Bauelementen gehören. Beispielsweise sind die Bauelemente des Bauelementverbunds in vier Gruppen unterteilt, wobei die Bauelemente der vier Gruppen derart alternierend angeordnet sind, dass alle Bauelemente einer Gruppe entlang des gesamten Umfangs von nächsten Nachbarn umgeben sind, die nicht zu dieser Gruppe von Bauelementen gehören. Zumindest einige Bauelemente bedeutet beispielsweise jeweils mindestens 50 % oder mindestens 80 % der Bauelemente der jeweiligen Gruppen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelementverbunds unterscheiden sich die Bauelemente der ersten Gruppe und der zweiten Gruppe hinsichtlich einer mittleren Dicke der Opferschicht zwischen den jeweiligen Bauelementen und dem Träger, beispielsweise um mindestens 10% der Dicke bezogen auf die Dicke der Opferschicht zwischen den Bauelementen der ersten Gruppe und dem Träger.
Die Dicke bezeichnet hierbei die Ausdehnung der Opferschicht in vertikaler Richtung, also senkrecht zur
Haupterstreckungsebene des Bauelementverbunds. Über die Dicke der Opferschicht ist einstellbar, wie schnell das Material der Opferschicht an der jeweiligen Position durch einen chemischen Prozess entfernbar ist. Eine Materialabtragsrate in lateraler Richtung kann für dickere Opferschichten größer sein als für dünnere Opferschichten oder umgekehrt. Beispielsweise nimmt die Ätzrate in lateraler Richtung mit Zunahme der Schichtdicke zu, wenn der Ätzprozess diffusionskontrolliert erfolgt. In diesem Fall ist die Ätzgeschwindigkeit im Wesentlichen durch den Medientransport bestimmt. In einem reaktionskontrollierten Regime bestimmt die chemische Reaktion an sich die Ätzgeschwindigkeit, so dass dünne Schichten schneller geätzt werden als dickere Schichten .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelementverbunds weist die Opferschicht eine erste Teilschicht einer ersten Materialzusammensetzung und eine zweite Teilschicht einer von der ersten Materialzusammensetzung verschiedenen zweiten Materialzusammensetzung auf. Die Bauelemente der ersten Gruppe und die Bauelemente der zweiten Gruppe unterscheiden sich hinsichtlich einer Belegung mit Material der ersten Teilschicht voneinander. Beispielsweise ist zumindest eine Materialkomponente mit einem Anteil von mindestens 10 Gew.-% mehr in der ersten Materialzusammensetzung vorhanden als in der zweiten Materialzusammensetzung.
Beispielsweise ist Material der ersten Teilschicht mittels eines bestimmten Ätzverfahrens mit einer größeren Äbtragrate entfernbar als Material der zweiten Teilschicht. In diesem Fall sind Bauelemente einer Gruppe, bei der die Belegung mit der ersten Teilschicht größer ist als bei einer anderen Gruppe, früher ablösbar als Bauelemente dieser anderen Gruppe.
Entsprechend kann Material der Opferschicht unterhalb der ersten Gruppe von Bauelementen bereits vollständig entfernt sein, wenn unterhalb von Bauelementen der anderen Gruppe beziehungsweise anderen Gruppen noch so viel Material der Opferschicht vorhanden ist, dass diese Bauelemente nicht ablösbar sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelementverbunds ist mittels der ersten Teilschicht eine Insel gebildet, die entlang ihres lateralen Umfangs zu mindestens 80 % oder zu mindestens 90 %, beispielsweise vollständig von der zweiten Teilschicht umgeben ist. In lateraler Richtung ist Material der Insel also erst entfernbar, wenn die zweite Teilschicht entlang ihres Umfangs bereits entfernt ist. Beispielsweise ist die Insel von einem umschließenden Teilbereich der zweiten Teilschicht umgeben.
Weiterhin wird ein Verfahren zum Ablösen von Bauelementen aus einem Bauelementverbund angegeben. Hierfür wird insbesondere ein Bauelementverbund bereitgestellt, der zumindest eines der vorstehend beschriebenen Merkmale des Bauelementverbunds aufweist .
Im Zusammenhang mit dem Bauelementverbund beschriebene Merkmale können daher auch für das Verfahren zum Ablösen von Bauelementen herangezogen werden und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem bereichsweise Material der Opferschicht entfernt wird. Nach diesem Schritt ist also noch Material der Opferschicht vorhanden. Beispielsweise wird das Material der Opferschicht derart entfernt, dass die Bauelemente der ersten Gruppe ablösbar sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zumindest ein Bauelement der ersten Gruppe abgelöst. Insbesondere werden alle Bauelemente der ersten Gruppe abgelöst. Die Bauelemente der zweiten Gruppe sind zu diesem Zeitpunkt noch nicht ablösbar.
„Nicht ablösbar" bedeutet für eine Gruppe von Bauelementen in diesem Zusammenhang insbesondere, dass die Ablösekraft, mit der die Bauelemente der ersten Gruppe bestimmungsgemäß abgelöst werden, für ein Ablösen von Bauelementen dieser Gruppe noch nicht ausreicht.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem weiteres Material der Opferschicht entfernt wird. Dieser Schritt erfolgt insbesondere, nachdem bereits alle abzulösenden Bauelemente der ersten Gruppe abgelöst sind. Beispielsweise wird das weitere Material der Opferschicht derart entfernt, dass die Bauelemente der zweiten Gruppe ablösbar sind. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst das Verfahren einen Schritt, in dem zumindest ein Bauelement der zweiten Gruppe abgelöst wird.
Das Entfernen des Materials der Opferschicht erfolgt also in einem mehrstufigen Prozess. Insbesondere wird weiteres Material der Opferschicht zu einem Zeitpunkt entfernt, zu dem bereits Bauelemente aus dem Bauelementverbund abgelöst sind.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens sind die Bauelemente der zweiten Gruppe nach dem bereichsweisen Entfernen von Material der Opferschicht und vor dem Entfernen von weiterem Material der Opferschicht mit einer Ablösekraft, die für das Ablösen des Bauelements der ersten Gruppe aufgewendet wird, nicht ablösbar. Mit anderen Worten sind vor dem Entfernen von weiterem Material der Opferschicht nur die Bauelemente der ersten Gruppe ablösbar.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Ablösen der Bauelemente mittels eines Transferkörpers. Beispielsweise ist der Transferkörper eine Noppe (englisch: post) eines Stempels. Zweckmäßigerweise werden mehrere Bauelemente gleichzeitig abgelöst, insbesondere mehrere Bauelemente derselben Gruppe.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist der Transferkörper eine Grundfläche auf, die mindestens 20 % größer ist als eine Grundfläche eines der abgelösten Bauelemente. Mit anderen Worten ist der Transferkörper in Draufsicht auf den Bauelementverbund größer als das abzulösende Bauelement. Zweckmäßigerweise ist die Grundfläche des Transferkörpers höchstens so groß, dass der Transferkörper nur mit einem zu diesem Zeitpunkt ablösbaren Bauelement überlappt. Zusätzlich kann der Transferkörper mit einem oder mehreren nicht ablösbaren Bauelementen überlappen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist eine laterale Haupterstreckungsachse des Transferkörpers bezüglich einer lateralen Haupterstreckungsachse eines der abgelösten Bauelemente gedreht. Beispielsweise beträgt ein Winkel zwischen den Haupterstreckungsachsen zwischen einschließlich 20° und einschließlich 70°, insbesondere zwischen einschließlich 40° und einschließlich 50°. Bei viereckigen Bauelementen und Transferkörpern ist die Haupterstreckungsachse jeweils die Diagonale des Transferkörpers beziehungsweise des Bauelements. Der Transferkörper und das abzulösende Bauelement können jedoch auch andere, beispielsweise andere mehreckige oder zumindest stellenweise gekrümmte und insbesondere auch voneinander verschiedene Grundformen aufweisen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Opferschicht eine erste Teilschicht einer ersten Materialzusammensetzung und eine zweite Teilschicht einer von der ersten Materialzusammensetzung verschiedenen zweiten Materialzusammensetzung auf, wobei das Entfernen von Material der Opferschicht vor dem Ablösen der Bauelemente der ersten Gruppe mittels eines chemischen Verfahrens durchgeführt wird, welches bezüglich der ersten und zweiten
Materialzusammensetzung selektiv ist. Beispielsweise wird Material der zweiten Materialzusammensetzung nicht oder nur mit einer erheblich geringeren Abtragrate entfernt als Material der ersten Materialzusammensetzung. Mittels unterschiedlicher Materialien für Teilbereiche der Opferschicht und zugehörige selektive Ätzverfahren ist besonders zuverlässig erzielbar, dass Bauelemente der ersten Gruppe bereits ablösbar sind, wenn Bauelemente der zweiten Gruppe mit derselben Ablösekraft noch nicht ablösbar sind.
Alternativ kann die gesamte Opferschicht aus nur einer Materialzusammensetzung gebildet werden. In diesem Fall ist beispielsweise über die lokale Dicke der Opferschicht einstellbar, wie hoch die Abtragrate von Material der Opferschicht in lateraler Richtung an dieser Stelle ist.
Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementverbunds angegeben. Das beschriebene Verfahren eignet sich besonders zur Herstellung eines vorstehend beschriebenen Bauelementverbunds. Im Zusammenhang mit dem Bauelementverbund beschriebene Merkmale können daher auch für das Verfahren zum Herstellen des Bauelementverbunds herangezogen werden und umgekehrt.
In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Mehrzahl von Bauelementen bereitgestellt. Eine Opferschicht wird auf den Bauelementen ausgebildet, wobei sich eine Belegung mit der Opferschicht für Bauelemente einer ersten Gruppe von derjenigen für Bauelemente einer zweiten Gruppe unterscheidet. Die Bauelemente werden mittels einer Verbindungsschicht an einem Träger befestigt.
Die Verfahrensschritte werden vorzugsweise in der Reihenfolge der vorgenannten Aufzählung durchgeführt.
Die Bauelemente werden beispielsweise auf einem Ausgangsträger bereitgestellt. Dieser Ausgangsträger kann nachfolgend entfernt werden, insbesondere nach dem Befestigen der Bauelemente an dem Träger. Die Opferschicht wird beispielsweise mittels eines Abscheideverfahrens aufgebracht, beispielsweise durch eine chemische Gasphasenabscheidung (Chemical Vapour Deposition, CVD) oder eine physikalische Gasphasenabscheidung (Physical Vapour Deposition, PVD), etwa durch Aufdampfen oder Sputtern. Die Opferschicht grenzt also stellenweise unmittelbar an die Bauelemente an.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist die Verbindungsschicht zum Zeitpunkt des Befestigens der Bauelemente zumindest teilweise fließfähig. Beispielsweise wird Material für die Verbindungsschicht im fließfähigen Zustand aufgebracht. Insbesondere kann Material der Verbindungsschicht in Aussparungen der Opferschicht hineinfließen und an diesen Stellen unmittelbar an die Bauelemente angrenzen. Das Material für die
Verbindungsschicht kann nachfolgend gegebenenfalls gehärtet werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Opferschicht mittels einer ersten Teilschicht und einer zweiten Teilschicht gebildet, wobei die erste Teilschicht lithografisch strukturiert wird, bevor die zweite Teilschicht aufgebracht wird. Die zweite Teilschicht wird beispielsweise ebenfalls lithografisch strukturiert. Beispielsweise erfolgt die Strukturierung der ersten Teilschicht und der zweiten Teilschicht derart, dass die erste Teilschicht und die zweite Teilschicht nur stellenweise überlappen. Auf diese Weise ist einfach eine Opferschicht herstellbar, die an verschiedenen Stellen unterschiedliche Dicken aufweist. Zusätzlich können sich die erste Teilschicht und die zweite Teilschicht hinsichtlich ihrer Materialzusammensetzung voneinander unterscheiden . Der Anmeldung liegt insbesondere die Idee zugrunde, dass ein mehrstufiger Übertragungsprozess insgesamt zu einer höheren Zuverlässigkeit führt. Insbesondere können mit der beschriebenen Ausgestaltung der Opferschicht die Bauelemente während des Übertragungsprozesses nur teilweise transferierbar ausgebildet werden, sodass in einem ersten Schritt nur ein definierter Anteil, etwa die Bauelemente der ersten Gruppe, in einem vorgegebenen Raster abgenommen wird. Sind alle transferierbaren Bauelemente abgenommen, können durch weiteres Entfernen von Material der Opferschicht neue Bauelemente, also Bauelemente der zweiten Gruppe und gegebenenfalls iterativ Bauelemente weiterer Gruppen transferierbar gemacht werden.
Die Gefahr, dass sich während des Transferierens eines Bauelements aufgrund von einer Fehljustage des Transferkörpers ein benachbartes Bauelement löst, wird verringert .
Weiterhin kann der Transferkörper eine größere laterale Ausdehnung aufweisen als das zugehörige zu entfernende Bauelement. Das Verfahren kann so auch für besonders kleine Bauelemente zuverlässig durchgeführt werden.
Der Bauelementverbund und die zugehörigen Verfahren eignen sich beispielsweise für optoelektronische Bauelemente wie Leuchtdioden, etwa zur Herstellung von Videowänden, Displays oder Projektoren oder für Anwendungen in der sogenannten erweiterten Realität (Augmented Reality). Grundsätzlich kann es sich bei den Bauelementen aber auch um andere optoelektronische Bauelemente wie Detektoren, rein elektronische Bauelemente oder mikroelektromechanische
Bauelemente handeln. Weitere Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeit ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
Es zeigen:
Figur 1 ein Ausführungsbeispiel für einen Bauelementverbund in schematischer Schnittansicht; die Figuren 2A bis 2F ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum Ablösen von Bauelementen anhand von jeweils in schematischer Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten; die Figuren 3A bis 3D ein Ausführungsbeispiel für einen Bauelementverbund (Figur 3A) und zugehörige Ausführungsbeispiele für ein Verfahren zum Ablösen anhand eines Zwischenschritts, jeweils in schematischer Draufsicht;
Figur 4 ein Ausführungsbeispiel für einen Bauelementverbund und für ein zugehöriges Verfahren zum Ablösen anhand eines Zwischenschritts in schematischer Draufsicht; die Figuren 5A bis 5C ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum Ablösen von Bauelementen anhand von Zwischenschritten in schematischer Draufsicht; die Figuren 6A bis 6C ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum Ablösen von Bauelementen anhand von Zwischenschritten in schematischer Draufsicht; die Figuren 7, 8, 9 und 10 jeweils ein Ausführungsbeispiel für einen Bauelementverbund in schematischer Schnittansicht; die Figuren 11A bis 11C ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum Ablösen von Bauelementen anhand von jeweils in schematischer Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten;
Figur 12 ein Ausführungsbeispiel für einen Bauelementverbund in schematischer Schnittansicht; die Figuren 13A bis 13D ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelementverbunds anhand von jeweils in schematischer Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten; und die Figuren 14A bis 14D ein Referenzbeispiel für ein Verfahren zum Ablösen von Bauelementen.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren jeweils mit denselben Bezugszeichen versehen.
Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können einzelne Elemente und insbesondere Schichtdicken zur verbesserten Darstellung oder zum verbesserten Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
In Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel für einen Bauelementverbund 1 mit einer Mehrzahl von Bauelementen 2 gezeigt. Die Figur zeigt einen Ausschnitt des
Bauelementverbunds in Schnittansicht mit vier Bauelementen 2, welche exemplarisch vier Gruppen von Bauelementen zugeordnet sind. Die Bauelemente einer ersten Gruppe 2A, einer zweiten Gruppe 2B, einer dritten Gruppe 2C und einer vierten Gruppe 2D sind jeweils mittels einer Verbindungsschicht 4 an einen Träger 5 des Bauelementverbunds befestigt. Die Verbindungsschicht 4 bildet für jedes Bauelement 2 jeweils eine Auflagestruktur 41. Die Auflagestruktur 41 ist mittig zu den Bauelementen 2 angeordnet, das heißt, sie überlappt mit dem jeweiligen Schwerpunkt des zugehörigen Bauelements 2 in einer Draufsicht auf den Bauelementverbund 1.
Die Auflagestruktur 41 grenzt jeweils unmittelbar an die Bauelemente 2 an. Zwischen der Verbindungsschicht 4 und den Bauelementen 2 ist stellenweise eine Opferschicht 3 angeordnet. Die Opferschicht 3 weist eine erste Teilschicht 31 und eine zweite Teilschicht 32 auf. Die erste Teilschicht 31 und die zweite Teilschicht 32 überlappen nur stellenweise miteinander. Dadurch entstehen Bereiche, in denen die erste Teilschicht 31 und die zweite Teilschicht übereinander angeordnet sind, beispielsweise zwischen den Bauelementen der ersten Gruppe 2A und dem Träger 5.
Zwischen dem Bauelement der zweiten Gruppe 2B und dem Träger 5 ist nur die erste Teilschicht 3 der Opferschicht 3 vorhanden. Zwischen den Bauelementen der vierten Gruppe 2D und dem Träger 5 ist nur die zweite Teilschicht 32 vorhanden. Dadurch ergibt sich für die unterschiedlichen Bauelemente 2 eine unterschiedliche Belegung mit der Opferschicht 3 für die verschiedenen Gruppen von Bauelementen in Form von unterschiedlichen mittleren Schichtdicken der Opferschicht 3. Die erste Teilschicht 31 und die zweite Teilschicht 32 dienen also insbesondere der Ausbildung verschiedener mittlerer Schichtdicken unterhalb der verschiedenen Gruppen. Der Begriff „unterhalb" der Bauelemente oder der Gruppen von Bauelementen bezieht sich jeweils auf den Bereich zwischen dem Träger und den entsprechenden Bauelementen oder Gruppen von Bauelementen. Die erste Teilschicht 31 und die zweite Teilschicht 32 können in diesem Ausführungsbeispiel bezüglich des verwendeten Materials gleich sein.
Beispielsweise enthält die Opferschicht 3, die erste Teilschicht 31 und/oder die zweite Teilschicht 32 Silizium, Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Germanium, Molybdän oder ein Spin-on-Glass-Material .
Bei einem derartigen Bauelementverbund 1 können die einzelnen Gruppen von Bauelementen 2A, 2B, 2C, 2D sequentiell nacheinander ablösbar ausgebildet werden.
Dies wird nachfolgend anhand des in Figur 2A bis 2F beschriebenen Ausführungsbeispiels deutlich. Der in Figur 2A dargestellte bereitgestellte Bauelementverbund 1 ist, wie im Zusammenhang mit Figur 1 beschrieben, ausgebildet.
Durch Einwirken eines chemischen Verfahrens, etwa eines nasschemischen oder trockenchemischen Ätzens, erfolgt ein Materialabtrag der Opferschicht 3 ausgehend von den Zwischenräumen zwischen den Bauelementen 2. Durch ein laterales Unterätzen der Bauelemente 2 wird die an die Bauelemente 2 angrenzende Opferschicht entfernt. Wenn der Ätzprozess diffusionskontrolliert durchgeführt wird, erfolgt die laterale Unterätzung umso schneller, je größer die Dicke der Opferschicht 3 unter den Bauelementen 2 ist. Demnach werden die Bauelemente der ersten Gruppe 2A auf der dem Träger 5 zugewandten Seite zuerst von der Opferschicht 3 befreit und liegen nur noch auf der Auflagestruktur 41 auf.
In diesem Stadium können die Bauelemente der ersten Gruppe 2A mittels eines Transferkörpers 7 abgelöst werden. Beispielsweise ist der Transferkörper 7 eine Noppe 71 eines Stempels 72. Als Material für die Noppe eignet sich beispielsweise Polydimethylsiloxan.
In den nachfolgenden Ausführungsbeispielen sind jeweils eine oder mehrere Noppen als Beispiele für einen Transferkörper gezeigt. Grundsätzlich eignet sich jedoch auch eine andere Ausgestaltung des Transferkörpers.
Durch nachfolgendes Entfernen von weiterem Material der Opferschicht 3 können die Bauelemente der zweiten Gruppe 2B ablösbar gemacht werden. Dieses Verfahrensstadium ist in Figur 2B veranschaulicht. Der Transferkörper 7 in Form der Noppe 71 überlappt mit dem Bauelement der zweiten Gruppe 2B und kann dieses Abheben. Zu diesem Zeitpunkt sind die Bauelemente der ersten Gruppe 2A bereits entfernt.
Zweckmäßigerweise werden mehrere Bauelemente einer Gruppe gleichzeitig abgelöst. Beispielsweise weist der Stempel 72 eine Vielzahl von Noppen auf, wobei die Noppen jeweils mit Bauelementen aus genau einer Gruppe von Bauelementen überlappen .
Nach Ablösen aller Bauelemente der ersten Gruppe 2A und der zweiten Gruppe 2B sind nur noch die Bauelemente der dritten Gruppe 2C und der vierten Gruppe 2D vorhanden (Figur 2C). Unter diesen Bauelementen befinden sich noch Reste der Opferschicht 3, so dass diese Bauelemente noch nicht ablösbar sind.
In einem nachfolgenden Ätzschritt wird weiteres Material der Opferschicht 3 entfernt, bis unterhalb der Bauelemente 2 der dritten Gruppe 2C kein Material der Opferschicht mehr vorhanden ist (Figur 2D). Unterhalb der Bauelemente der vierten Gruppe 2D befindet sich dagegen noch Material der Opferschicht 3, sodass diese Bauelemente noch nicht ablösbar sind.
Nach dem Ablösen der Bauelemente der dritten Gruppe 2C verbleiben nur noch die Bauelemente der vierten Gruppe 2D (Figur 2E). Mit einem weiteren Ätzschritt wird die Opferschicht 3 auch unter den Bauelementen der vierten Gruppe 2D vollständig entfernt, sodass nun die Bauelemente der vierten Gruppe ablösbar sind (Figur 2F).
Das Entfernen der Opferschicht 3 erfolgt also in einem mehrstufigen Prozess, wobei zwischen zwei Ätzschritten jeweils Bauelemente einer Gruppe entfernt werden. Selbstverständlich kann hierbei ein Ätzschritt zwei oder mehr Teilschritte aufweisen. Allgemein werden also bei Anwesenheit von n Gruppen von Bauelementen n Ätzschritte, zwischen denen insbesondere jeweils Bauelemente abgelöst werden, durchgeführt .
Mit dem beschriebenen Verfahren können die Bauelemente sequentiell so ablösbar ausgebildet werden, dass die abzulösenden Bauelemente jeweils höchstens von Bauelementen umgeben sind, die in dem jeweiligen Verfahrensstadium noch nicht ablösbar sind. Dadurch wird die Gefahr verringert, dass eine Dejustage des Transferkörpers 7 im Übertragungsschritt versehentlich zur Ablösung eines benachbarten Bauelements führt.
Im Vergleich hierzu ist in den Figuren 14A bis 14D ein Referenzverfahren ausgehend von einem Referenzverbund 10 gezeigt. Bei diesem Referenzverbund ist die Opferschicht 3 unter allen Bauelementen 2 gleichartig ausgebildet. Durch Ätzen der Opferschicht, schematisch dargestellt in Figur 14B, erfolgt ein gleichmäßiges Entfernen der Opferschicht 3 über alle Bauelemente 2 hinweg, sodass alle Bauelemente 2 ablösbar sind (Figur 14C). In diesem Fall kann eine geringfügige Dejustage der Noppe 7 dazu führen, dass nicht nur das eigentlich beabsichtigte Bauelement entfernt wird, sondern auch das benachbarte Bauelement von der Noppe 71 erfasst wird.
In Figur 3A ist ein Ausführungsbeispiel eines Bauelementverbunds 1 mit einer ersten Gruppe 2A und einer zweiten Gruppe 2B von Bauelemente gezeigt. Die Bauelemente sind jeweils in einem regelmäßigen Muster angeordnet. Entlang der Kanten 21 der Bauelemente der ersten Gruppe 2A grenzen jeweils ausschließlich Bauelemente der zweiten Gruppe 2B an. Die Bauelemente der ersten Gruppe 2A und die Bauelemente der zweiten Gruppe 2B bilden also eine schachbrettartige Anordnung .
Wie in Figur 3B dargestellt, kann eine Grundfläche 70 der Noppe 71 im Wesentlichen dieselbe Größe aufweisen wie das abzulösende Bauelement der ersten Gruppe 2A.
Der Transferkörper kann jedoch auch eine größere Grundfläche aufweisen als das abzulösende Bauelement, wenn der Transferkörper mit nur genau einem ablösbaren Bauelement überlappt. Mittels einer Vergrößerung der Grundfläche wird die Zuverlässigkeit der Ablösung gesteigert, insbesondere für besonders kleine Bauelemente.
Bei dem in Figur 3C dargestellten Ausführungsbeispiel ist eine laterale Haupterstreckungsachse 75 der Noppe 71 gegenüber einer lateralen Haupterstreckungsachse 25 des Bauelements der ersten Gruppe 2A verdreht, exemplarisch um 45°. Durch diese Verdrehung kann die Grundfläche des Transferkörpers in etwa verdoppelt werden, ohne dass ein Transferkörper gleichzeitig mit zwei ablösbaren Bauelementen, exemplarisch zwei Bauelementen der ersten Gruppe 2A, überlappt.
In dem gezeigten Ausführungsbeispiel sind die Bauelemente 2 und die Transferkörper in Form der Noppen 71 jeweils mit einer quadratischen Grundform ausgebildet. Es können aber auch andere Grundformen, beispielsweise andere mehreckige Grundformen, etwa dreieckige oder viereckige oder sechseckige Grundformen, oder bereichsweise gekrümmte Grundformen, etwa kreisförmige oder elliptische Grundformen, Anwendung finden. Weiterhin können die Grundformen für den Transferkörper 7 und das abzulösende Bauelement 2 voneinander verschieden sein.
Beispielsweise ist in Figur 3D ein Ausführungsbeispiel gezeigt, bei dem der Transferkörper in Form einer kreisförmigen Noppe 71 ausgebildet ist. Gegenüber einem quadratischen Transferkörper, der wie in Figur 3A gezeigt relativ zu den Bauelementen orientiert ist, erhöht sich hierbei die Fläche des Transferkörpers um den Faktor n/2.
Bei dem in Figur 4 gezeigten Ausführungsbeispiel sind die Bauelemente des Bauelementverbunds 1 einer ersten Gruppe 2A, einer zweiten Gruppe 2B, einer dritten Gruppe 2C und einer vierten Gruppe 2D zugeordnet. Entlang jeder zweiten Zeile sind die Bauelemente der ersten Gruppe 2A und der zweiten Gruppe 2B alternierend angeordnet. Entlang der dazwischen befindlichen Zeilen sind die Bauelemente der dritten Gruppe 2C und der vierten Gruppe 2D alternierend angeordnet. So ergibt sich eine Anordnung, bei der jedes Bauelement einer Gruppe, beispielsweise ein Bauelement der ersten Gruppe 2A, ausschließlich von Bauelementen umgeben ist, die anderen Gruppen zugeordnet sind, beispielsweise der zweiten Gruppe 2B, der dritten Gruppe 2C und der vierten Gruppe 2D. Bei einer derartigen Anordnung kann die Grundfläche des Transferkörpers 7, beispielsweise der Noppe 71, etwa neunmal so groß sein wie die Grundfläche des abzulösenden Bauelements der ersten Gruppe 2A. Dennoch überlappt jede Noppe 71 nur mit einem ablösbaren Bauelement.
Die maximale Größe des Transferkörpers ist also nicht mehr durch den Mittenabstand zwischen benachbarten Bauelementen begrenzt, sondern kann durch Bildung einer entsprechend großen Anzahl von Gruppen von Bauelementen und geeigneter Ausgestaltung der Opferschicht erheblich größer sein als die Grundfläche des abzulösenden Bauelements, ohne dass der Transferkörper gleichzeitig mit zwei ablösbaren Bauelementen überlappt .
Mit anderen Worten bestimmt der Abstand zwischen nächstgelegenen ablösbaren Bauelementen die maximale Ausdehnung des Transferkörpers entlang dieser Richtung und nicht der Mittenabstand benachbarter Bauelemente an sich.
Das in den Figuren 5A bis 5C dargestellte Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum Ablösen von Bauelementen entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit den Figuren 2A bis 2F beschriebenen Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu sind die Bauelemente einer ersten Gruppe 2A, einer zweiten Gruppe 2B und einer dritten Gruppe 2C zugeordnet. Die Bauelemente einer Gruppe befinden sich jeweils in einem hexagonalen Gitter. Die Bauelemente der ersten Gruppe 2A, der zweiten Gruppe 2B und der dritten Gruppe 2C sind jeweils mit kreisförmigen Grundflächen ausgebildet. Durch teilweises Entfernen der Opferschicht 3 können die Bauelemente der ersten Gruppe 2A ablösbar gemacht werden, sodass diese über eine Noppe 71 ablösbar sind. Der maximale Radius der Noppe 71 ist gegeben durch den Mittenabstand zwischen zwei Bauelementen derselben Gruppe abzüglich des Radius der Bauelemente. Auch in diesem Fall kann die Grundfläche der Noppe 71 deutlich größer sein als die Grundfläche des abzulösenden Bauelements, ohne dass eine Noppe mit zwei ablösbaren Bauelementen gleichzeitig überlappt.
Figur 5B zeigt ein Verfahrensstadium, in dem nach Entfernen von weiterem Material der Opferschicht die Bauelemente der zweiten Gruppe 2B ablösbar sind und mittels Noppen 71 abgelöst werden. Nach einem weiteren Ätzschritt können die Bauelemente der dritten Gruppe 2C abgelöst werden (Figur 5C).
Das in den Figuren 6A bis 6C gezeigte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit den Figuren 5A bis 5C beschriebenen Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weisen der Transferkörper 7 und die Bauelemente 2 voneinander verschiedene Grundformen auf. So ist der Transferkörper 7 exemplarisch mit einer dreieckigen Grundfläche ausgebildet. Die Bauelemente 2 weisen exemplarisch eine kreisförmige Grundfläche auf.
Das in Figur 7 gezeigte Ausführungsbeispiel für einen Bauelementverbund 1 unterscheidet sich von dem im Zusammenhang mit Figur 1 beschriebenen Bauelementverbund insbesondere dadurch, dass die erste Teilschicht 31 und die zweite Teilschicht 32 der Opferschicht 3 voneinander verschiedene Materialzusammensetzungen aufweisen. Beispielsweise enthält die erste Teilschicht 31 Silizium und die zweite Teilschicht 32 Siliziumnitrid. Durch ein chemisches Verfahren, welches bezüglich der verwendeten Materialien selektiv ist, können einzelne Gruppen von Bauelementen unterschiedlich leicht ablösbar ausgebildet werden. Beispielsweise wird Siliziumnitrid in einem Fluor- Plasma oder einem XeFg-Plasma mit einer geringeren Ätzrate geätzt als Silizium.
Bei dem in Figur 7 dargestellten Ausführungsbeispiel befindet sich unter den Bauelementen der ersten Gruppe 2A und den Bauelementen der zweiten Gruppe 2B überwiegend Material der ersten Teilschicht 31. Die Dicke der Opferschicht 3 ist unterhalb der Bauelemente der ersten Gruppe 2A größer als unterhalb der Bauelemente der zweiten Gruppe 2B, sodass zuerst die Bauelemente der ersten Gruppe 2A ablösbar sind.
Zwischen den Bauelementen der dritten Gruppe 2C und dem Träger 5 befindet sich ebenfalls Material der ersten Teilschicht 31 und Material der zweiten Teilschicht 32. Ein Teil der ersten Teilschicht 31 ist als eine Insel 35 ausgebildet, welche in lateraler Richtung vollständig von Material der zweiten Teilschicht 32 umgeben ist. Das Material der Insel 35 kann daher erst entfernt werden, wenn das umgebende Material der zweiten Teilschicht 32 bereits abgetragen ist. Deshalb werden die Bauelemente der dritten Gruppe 2C erst nach den Bauelementen der zweiten Gruppe 2B ablösbar .
Unter den Bauelementen der Gruppe 2D befindet sich fast ausschließlich Material der zweiten Teilschicht 32. Diese Bauelemente sind deshalb erst nach einem zusätzlichen Ätzschritt ablösbar. Das Verfahren gemäß diesem Ausführungsbeispiel nutzt also sowohl unterschiedliche Ätzraten aufgrund unterschiedlicher Schichtdicken als auch unterschiedliche Ätzraten aufgrund unterschiedlicher Materialien.
Das in Figur 8 dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit Figur 7 beschriebenen Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist die Dicke der Opferschicht 3 für alle Gruppen von Bauelementen 2A, 2B, 2C, 2D gleich. Die Gruppen von Bauelementen unterscheiden sich hinsichtlich der Belegung mit Material der ersten Teilschicht 31 voneinander. Je größer die Belegung mit Material der ersten Teilschicht ist, desto früher sind die Bauelemente der zugehörigen Gruppe ablösbar.
Die Auflagestrukturen 41 sind in dem an die Bauelemente 2 angrenzenden Bereich jeweils von Material der ersten Teilschicht 31 umgeben.
Das in Figur 9 dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit Figur 8 beschriebenen Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu sind die Auflagestrukturen 41 von Material der zweiten Teilschicht 32 umgeben. Wiederum sind die Bauelemente derjenigen Gruppe zuerst ablösbar, deren Belegung mit Material der ersten Teilschicht 31 am größten ist, also die Bauelemente der ersten Gruppe 2A.
In Figur 10 ist ein Ausführungsbeispiel eines Bauelementverbunds 1 gezeigt, bei dem die Auflagestrukturen 41 jeweils mit mindestens zwei benachbarten Bauelementen 2 überlappen. Die Auflagestrukturen 41 erstrecken sich hierbei in Draufsicht auf den Bauelementverbund 41 nicht entlang des gesamten Umfangs der Bauelemente 2, sodass die Opferschicht 3 in den Zwischenräumen zwischen benachbarten Bauelementen bereichsweise für einen chemischen Materialabtrag zugänglich ist. Mit einer derartigen Ausgestaltung der Auflagestruktur 41 kann die Gefahr eines Verkippens der Bauelemente 2 während des Ablösens mittels des Transferkörpers weitergehend verringert werden. Zweckmäßigerweise überlappt jedes Bauelement mit zwei oder mehr voneinander beabstandeten AuflägeStrukturen .
Eine derartige Ausgestaltung der Auflagestrukturen 41 kann auch für die übrigen Ausführungsbeispiele Anwendung finden.
In den Figuren 11A bis 11C ist ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum Ablösen von Bauelementen gezeigt, wobei ein Bauelementverbund bereitgestellt wird, wie er im Zusammenhang mit Figur 10 beschrieben ist. Ausgehend von Zwischenräumen zwischen benachbarten Bauelementen 2 wird in einem ersten Schritt Material der Opferschicht 3 entfernt, nämlich Material der ersten Teilschicht 31. Dadurch werden die Bauelemente der ersten Gruppe 2A ablösbar. Das Entfernen der ersten Teilschicht 31 erfolgt vorzugsweise mittels eines chemischen Verfahrens, das die zweite Teilschicht 32 nicht oder zumindest nur mit einer stark reduzierten Ätzrate im Vergleich zur ersten Teilschicht 31 angreift.
Nach dem Ablösen der Bauelemente der ersten Gruppe 2A kann in einem weiteren Schritt weiteres Material der Opferschicht, nämlich das Material der zweiten Teilschicht 32, entfernt werden. Dadurch sind die Bauelemente der zweiten Gruppe 2B ablösbar und können entsprechend transferiert werden (Figur 11C). Dieses Verfahren ist besonders unempfindlich gegenüber Schwankungen der Ätzrate oder der Ätzdauer, da eine an sich zu lange Dauer des ersten Ätzschrittes keinen signifikanten Materialabtrag der zweiten Teilschicht bewirkt, so dass die Bauelemente der zweiten Gruppe 2B zuverlässig nicht ablösbar bleiben, wenn die Bauelemente der ersten Gruppe 2A bereits ablösbar sind.
Das in Figur 12 dargestellte Ausführungsbeispiel für einen Bauelementverbund entspricht im Wesentlichen dem im Zusammenhang mit Figur 7 beschriebenen Ausführungsbeispiel. Wiederum unterscheiden sich die Gruppen von Bauelementen 2A, 2B, 2C, 2D hinsichtlich ihrer Belegung mit Material der ersten Teilschicht 31 und der zweiten Teilschicht 32.
Zwischen den Bauelementen der ersten Gruppe 2A und der Verbindungsschicht 4 befindet sich lediglich Material der ersten Teilschicht 31. Unterhalb der Bauelemente der zweiten Gruppe 2B befindet sich ein umschließender Teilbereich 33 der zweiten Teilschicht 32, welcher als Verzögerungselement dient. Der umschließende Teilbereich ist beispielsweise rahmenförmig oder ringförmig ausgebildet. Während in einem ersten Ätzschritt das Material unterhalb der Bauelemente der ersten Gruppe 2A vollständig entfernt wird, können die umschließenden Teilbereiche 33 der zweiten Teilschicht unter den Bauelementen der zweiten Gruppe 2B, der dritten Gruppe 2C und der vierten Gruppe 2D das lateral umschlossene Material der ersten Teilschicht vor einem Materialabtrag schützen, so dass nur die Bauelemente der ersten Gruppe ablösbar sind. Diese umschließenden Bauelemente können nachfolgend zusammen mit dem daran angrenzenden Material der ersten Teilschicht 31 entfernt werden. Dadurch sind die Bauelemente der zweiten Gruppe 2B ablösbar. Für die Bauelemente der dritten Gruppe 2C befindet sich innerhalb des umschließenden Teilbereichs 33 ein zweiter umschließender Teilbereich 331.
Für die Bauelemente der vierten Gruppe 2D befindet sich innerhalb des zweiten umschließenden Teilbereichs ein dritter umschließender Teilbereich 332.
Durch iteratives Wiederholen der Ätzschritte können diese Bauelemente nacheinander ablösbar ausgebildet werden.
Mit einer derartigen Verschachtelung von nicht oder zumindest nur schwer ätzbaren Strukturen kann auf zuverlässige Weise eine Reihenfolge definiert werden, gemäß der die einzelnen Gruppen von Bauelementen nacheinander ablösbar sind.
In den Figuren 13A bis 13D ist ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum Herstellen eines Bauelementverbunds gezeigt, wobei exemplarisch ein Bauelementverbund hergestellt wird, wie er in Figur 1 beschrieben ist. Das Verfahren eignet sich grundsätzlich jedoch auch für die Herstellung von Bauelementverbunden gemäß den weiteren Ausführungsbeispielen. Eine Mehrzahl von Bauelementen 2 wird bereitgestellt, beispielsweise auf einem Ausgangsträger 29 (Figur 13A).
Auf den Bauelementen 2 wird eine Opferschicht 3 ausgebildet. Dies erfolgt in dem gezeigten Ausführungsbeispiel durch das Ausbilden einer ersten Teilschicht 31 und einer zweiten Teilschicht 32 der Opferschicht (Figuren 13B und 13C). Die Opferschicht wird hierbei derart ausgebildet, dass sich eine Belegung mit der Opferschicht für Bauelemente einer ersten Gruppe 2A von derjenigen für Bauelemente einer zweiten Gruppe 2B unterscheidet. Insbesondere wird die erste Teilschicht 31 lithographisch strukturiert ausgebildet, bevor die zweite Teilschicht 32 aufgebracht wird.
Die Opferschicht 3 wird beispielsweise mittels Aufdampfens oder Aufsputterns auf den Bauelementen aufgebracht, wobei für unterschiedliche Teilschichten auch unterschiedliche Abscheideverfahren Anwendung finden können.
Nachfolgend werden die Bauelemente mit der Opferschicht 3 mittels einer Verbindungsschicht 4 an einem Träger 5 befestigt. Beispielsweise wird das Material für die Verbindungsschicht 4 in fließfähigem Zustand auf die Opferschicht 3 aufgebracht und füllt die Zwischenräume der Opferschicht. Nachfolgend kann die Verbindungsschicht 4 erforderlichenfalls ausgehärtet werden, beispielsweise thermisch. Der Ausgangsträger 29 kann dann entfernt werden.
Figur 13D zeigt den fertiggestellten Bauelementträgerverbund
1.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102019 126 862.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist. Bezugszeichenliste
1 Bauelementverbund
10 Referenzverbund
2 Bauelement
2A Bauelement einer ersten Gruppe
2B Bauelement einer zweiten Gruppe
2C Bauelement einer dritten Gruppe
2D Bauelement einer vierten Gruppe
21 Kante
25 laterale Haupterstreckungsachse 29 Ausgangsträger
3 Opferschicht
31 erste Teilschicht
32 zweite Teilschicht
33 umschließender Teilbereich
331 zweiter umschließender Teilbereich
332 dritter umschließender Teilbereich
35 Insel
4 Verbindungsschicht
41 Auflagestruktur
5 Träger
7 Transferkörper
70 Grundfläche
71 Noppe
72 Stempel
75 laterale Haupterstreckungsachse

Claims

Patentansprüche
1. Bauelementverbund (1) mit einer Mehrzahl von Bauelementen (2) und einem Träger (5), wobei
- die Bauelemente mittels einer Verbindungsschicht (4) an dem Träger befestigt sind;
- die Verbindungsschicht für jedes Bauelement mindestens eine Auflagestruktur (41) bildet, an der die Verbindungsschicht an das Bauelement angrenzt;
- bereichsweise zwischen den Bauelementen und der Verbindungsschicht eine Opferschicht (3) angeordnet ist;
- ein Teil der Bauelemente einer ersten Gruppe (2A) zugeordnet ist;
- ein weiterer Teil der Bauelemente einer zweiten Gruppe (2B) zugeordnet ist; und
- die Bauelemente der ersten Gruppe von den Bauelementen der zweiten Gruppe hinsichtlich einer Belegung mit der Opferschicht verschieden sind.
2. Bauelementverbund nach Anspruch 1, wobei die Bauelemente der ersten Gruppe in einem regelmäßigen Muster angeordnet sind.
3. Bauelementverbund nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zumindest einige Bauelemente der ersten Gruppe entlang von zwei zueinander senkrechten Raumrichtungen nur nächste Nachbarn aufweisen, die nicht zur ersten Gruppe von Bauelementen gehören.
4. Bauelementverbund nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Bauelemente eine Grundfläche mit einer mehreckigen Grundform aufweisen und die nächsten Nachbarn eines Bauelements der ersten Gruppe entlang allen Kanten dieses Bauelements nicht zur ersten Gruppe von Bauelementen gehören.
5. Bauelementverbund nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zumindest einige Bauelemente der ersten Gruppe entlang des gesamten Umfangs von nächsten Nachbarn umgeben sind, die nicht zur ersten Gruppe von Bauelementen gehören.
6. Bauelementverbund nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei sich die Bauelemente der ersten Gruppe und der zweiten Gruppe hinsichtlich einer mittleren Dicke der Opferschicht zwischen den jeweiligen Bauelementen und dem Träger unterscheiden .
7. Bauelementverbund nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Opferschicht eine erste Teilschicht einer ersten Materialzusammensetzung und eine zweite Teilschicht einer von der ersten Materialzusammensetzung verschiedenen zweiten Materialzusammensetzung aufweist, und wobei sich die Bauelemente hinsichtlich einer Belegung mit Material der ersten Teilschicht voneinander unterscheiden.
8. Bauelementverbund nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei mittels der ersten Teilschicht eine Insel (35) gebildet ist, die entlang ihres lateralen Umfangs zu mindestens 80 % von der zweiten Teilschicht umgeben ist.
9. Verfahren zum Ablösen von Bauelementen aus einem Bauelementverbund mit den Schritten: a) Bereitstellen eines Bauelementverbunds (1) nach einem der vorherigen Ansprüche; b) bereichsweises Entfernen von Material der Opferschicht (3); c) Ablösen von zumindest einem Bauelement der ersten Gruppe (2A); d) Entfernen von weiterem Material der Opferschicht; e) Ablösen von zumindest einem Bauelement der zweiten Gruppe (2B).
10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei die Bauelemente der zweiten Gruppe nach Schritt b) und vor Schritt d) mit einer Ablösekraft, die in Schritt c) für das Ablösen aufgewendet wird, nicht ablösbar sind.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, wobei das Ablösen der Bauelemente mittels eines Transferkörpers (7) erfolgt.
12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Transferkörper eine Grundfläche (70) aufweist, die mindestens 20 % größer ist als eine Grundfläche eines der abgelösten Bauelemente.
13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, wobei eine laterale Haupterstreckungsachse des Transferkörpers (75) bezüglich einer lateralen Haupterstreckungsachse (25) eines der abgelösten Bauelemente gedreht ist.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13, wobei die Opferschicht eine erste Teilschicht (31) einer ersten Materialzusammensetzung und eine zweite Teilschicht (32) einer von der ersten Materialzusammensetzung verschiedenen zweiten Materialzusammensetzung aufweist und wobei Schritt b) mittels eines chemischen Verfahrens durchgeführt wird, welches bezüglich der ersten und zweiten Materialzusammensetzung selektiv ist.
15. Verfahren zum Herstellen eines Bauelementverbunds mit den Schritten: a) Bereitstellen einer Mehrzahl von Bauelementen (2); b) Ausbilden einer Opferschicht (3) auf den Bauelementen, wobei sich eine Belegung mit der Opferschicht für Bauelemente einer ersten Gruppe (2A) von derjenigen für Bauelemente einer zweiten Gruppe (2B) unterscheidet; c) Befestigen der Bauelemente mittels einer Verbindungsschicht (4) an einem Träger (5).
16. Verfahren nach Anspruch 15, bei dem die Verbindungsschicht zum Zeitpunkt des Befestigens der Bauelemente zumindest teilweise fließfähig ist.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, wobei die Opferschicht mittels einer ersten Teilschicht (31) und einer zweiten Teilschicht (32) gebildet wird, wobei die erste Teilschicht lithographisch strukturiert wird, bevor die zweite Teilschicht aufgebracht wird.
18. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, bei dem ein Bauelementverbund nach einem der Ansprüche 1 bis 8 hergestellt wird.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100151627A1 (en) * 2008-12-11 2010-06-17 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Fabrication method of thin film device
US20150028362A1 (en) * 2013-07-26 2015-01-29 LuxVue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation
KR20190076690A (ko) * 2017-12-22 2019-07-02 (재)한국나노기술원 변형필름을 이용한 전사방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014110884B4 (de) * 2014-07-31 2021-09-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100151627A1 (en) * 2008-12-11 2010-06-17 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Fabrication method of thin film device
US20150028362A1 (en) * 2013-07-26 2015-01-29 LuxVue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation
KR20190076690A (ko) * 2017-12-22 2019-07-02 (재)한국나노기술원 변형필름을 이용한 전사방법

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