WO2021059947A1 - 半導体装置 - Google Patents

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秀喜 澤田
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ローム株式会社
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    • H03K2217/0027—Measuring means of, e.g. currents through or voltages across the switch

Definitions

  • This disclosure relates to semiconductor devices.
  • a semiconductor device used in an inverter circuit or the like includes an island as a conductive member, a transistor in which a drain electrode is connected to the island, a plurality of terminals electrically connected to the transistor, a transistor, and a part of the plurality of terminals.
  • a resin member for sealing is provided (see, for example, Patent Document 1).
  • the control board on which the inverter circuit is formed and the semiconductor device is mounted is provided with a surge reduction circuit for reducing the surge of the gate electrode of the transistor and a short circuit protection circuit for protecting the short circuit of the circuit including the transistor. Be done.
  • the surge reduction circuit is provided on the control board, the inductance of the conductor portion (wiring) connecting the surge reduction circuit and the transistor increases due to the increase in the distance between the surge reduction circuit and the semiconductor device. It ends up.
  • the short-circuit protection circuit is provided on the control board, it is necessary to secure an insulation distance between the short-circuit protection circuit and the signal terminal of the semiconductor device, which limits the degree of design freedom around the short-circuit protection circuit.
  • a semiconductor device incorporating a part of a surge reduction circuit and a short-circuit protection circuit can be considered.
  • the distance between the surge reduction circuit and the transistor is shorter than in the case where the surge reduction circuit and the short circuit protection circuit are formed outside the semiconductor device. Therefore, the surge reduction circuit and the transistor are separated from each other.
  • the length of the connecting conductor is shortened.
  • the layout of the control board becomes easy.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that can reduce inductance, facilitate the layout of a control board, and is easy to use.
  • a semiconductor device includes a semiconductor element, a support substrate that supports the semiconductor element, a conductor that is electrically connected to the semiconductor element, and a resin member that seals the semiconductor element.
  • the conductor has a mounting region on which electronic components are mounted, and the resin member has a resin opening that exposes the mounting region.
  • the conductor for connecting the electronic components constituting the surge reduction circuit is built in the semiconductor device, the conductor is conductive as compared with the case where the conductor is arranged outside the semiconductor device.
  • the length of the body becomes shorter. Therefore, the inductance of the conductor can be reduced.
  • the control board is compared with the case where the electric circuit such as the short-circuit protection circuit is arranged outside the semiconductor device.
  • the layout of is easy.
  • the resin member is formed by mounting an electronic component constituting an electric circuit electrically connected to a semiconductor element such as a surge reduction circuit or a short circuit protection circuit through a resin opening in a conductor mounting region. Later, the electrical characteristics of the electric circuit can be adjusted. Therefore, for example, after mounting the semiconductor device on the control board, the electrical characteristics of the semiconductor device can be adjusted so as to have the electrical characteristics suitable for the electric circuit applied to the semiconductor device, so that the usability of the semiconductor device is improved.
  • the inductance can be reduced, the layout of the control board becomes easy, and the usability is improved.
  • FIG. 7A is an enlarged view of one first semiconductor element and its surroundings.
  • FIG. 7A is an enlarged view of the first wiring region and its periphery of the semiconductor device of FIG. 7A.
  • FIG. 7A is an enlarged view of the third wiring region of the semiconductor device of FIG. 7A and its periphery.
  • FIG. 7A is an enlarged view of the second wiring region and its periphery of the semiconductor device of FIG. 7A.
  • Sectional view of semiconductor device An enlarged view of one first semiconductor element of FIG. 11A.
  • FIG. 7A is a cross-sectional view of a conductive substrate of the semiconductor device of FIG. 7A.
  • the flowchart which shows the manufacturing method of the semiconductor device of 1st Embodiment. The process drawing for demonstrating the substrate bonding process about the manufacturing method of a semiconductor device.
  • the plan view of the semiconductor device of 2nd Embodiment. A plan view of the semiconductor device of the second embodiment in a state where the resin member is removed from the semiconductor device.
  • FIG. 16 is an enlarged view of the first wiring region of the semiconductor device of FIG. 16 and its periphery.
  • FIG. 16 is an enlarged view of the second wiring region of the semiconductor device of FIG. 16 and its periphery.
  • the flowchart which shows the manufacturing method of the semiconductor device of 2nd Embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of the semiconductor device of FIG. 20 in a state where the resin member is removed.
  • FIG. 26A is an enlarged view of the semiconductor element and its periphery.
  • FIG. 26A is an enlarged view of the first wiring region and its periphery of the semiconductor device of FIG. 26A.
  • FIG. 26A is an enlarged view of the second wiring region and its periphery of the semiconductor device of FIG. 26A.
  • FIG. 5 is a plan view of the semiconductor device of the fifth embodiment in a state where the resin member is removed from the semiconductor device.
  • FIG. 32 is an enlarged view of the second wiring region of the semiconductor device and its periphery thereof.
  • the circuit diagram of the semiconductor device of FIG. The plan view of the semiconductor device of 6th Embodiment. A plan view of the semiconductor device of the sixth embodiment in a state where the resin member is removed from the semiconductor device.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line 37-37 of FIG. Top view of a conductive board with no electronic components mounted.
  • FIG. 36 is an enlarged view of the first semiconductor element and its surroundings.
  • FIG. 36 is an enlarged view of the second semiconductor element and its surroundings.
  • FIG. 36 is an enlarged view of the first wiring region of the semiconductor device and its periphery thereof.
  • FIG. 36 is an enlarged view of the third wiring region of the semiconductor device and its periphery thereof.
  • FIG. 36 is an enlarged view of the second wiring region of the semiconductor device and its periphery thereof.
  • the plan view of the semiconductor device of 7th Embodiment A plan view of the semiconductor device of the seventh embodiment in a state where the resin member is removed from the semiconductor device.
  • An enlarged view of the second wiring region and its periphery of the semiconductor device of FIG. 45 The plan view of the semiconductor device of 8th Embodiment.
  • a plan view of the semiconductor device of the eighth embodiment in a state where the resin member is removed from the semiconductor device.
  • FIG. 5 is an enlarged view of the first semiconductor element of the semiconductor device of FIG. 53 and its periphery.
  • FIG. 5 is an enlarged view of the second semiconductor element of the semiconductor device of FIG. 53 and its periphery.
  • FIG. 5 is an enlarged view of the first wiring region of the semiconductor device of FIG. 53 and its periphery.
  • FIG. 5 is an enlarged view of the second wiring region of the semiconductor device of FIG. 53 and its periphery.
  • the plan view of the semiconductor device of the tenth embodiment A plan view of the semiconductor device of the tenth embodiment in a state where the resin member is removed from the semiconductor device.
  • FIG. 57 is an enlarged view of the second wiring region of the semiconductor device and its periphery thereof.
  • Top view of the semiconductor device of the modified example Top view of the semiconductor device of the modified example.
  • Top view of the semiconductor device of the modified example Top view of the semiconductor device of the modified example.
  • the semiconductor device 1A includes a first semiconductor element 10A and a second semiconductor element 10B as semiconductor elements, a support substrate 40 that supports the semiconductor elements 10A and 10B, a support substrate 40, and each semiconductor element. It has a resin member 50 for sealing 10A and 10B, and a plurality of leads 80 having a portion protruding from the resin member 50.
  • the resin member 50 has a resin opening 50X on which electronic components can be mounted.
  • the semiconductor device 1A operates according to the electronic component 30X mounted by the resin opening 50X.
  • the semiconductor device 1A includes a half-bridge type switching circuit 2 in which the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B are connected in series, and a plurality of terminals 20.
  • the semiconductor device 1A is, for example, a power conversion device (power module) used for a drive source of a motor, an inverter device of various electronic devices, a DC / DC converter of various electronic devices, and the like.
  • Each of the semiconductor elements 10A and 10B is used as a switching element.
  • the semiconductor elements 10A and 10B for example, a transistor made of Si (silicon), SiC (silicon carbide), GaN (gallium nitride), GaAs (gallium arsenide), Ga 2 O 3 (gallium oxide), or the like is used. Has been done.
  • each of the semiconductor elements 10A and 10B is made of SiC, it is suitable for speeding up switching.
  • N-type MOSFETs Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors
  • the semiconductor elements 10A and 10B are not limited to MOSFETs, and are field effect transistors including MISFETs (Metal-Insulator-Semiconductor FETs) or bipolar transistors including IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors). May be good.
  • Each of the semiconductor elements 10A and 10B may be an n-channel MOSFET or a p-channel MOSFET.
  • Each of the semiconductor elements 10A and 10B includes a drain electrode 11 which is an example of a first drive electrode, a source electrode 12 which is an example of a second drive electrode, and a gate electrode 13 which is an example of a control electrode.
  • the gate electrode 13 of the first semiconductor element 10A controls the voltage supplied to the first semiconductor element 10A.
  • the gate electrode 13 of the second semiconductor element 10B controls the voltage supplied to the second semiconductor element 10B.
  • the switching circuit 2 is configured by connecting the source electrode 12 of the first semiconductor element 10A to the drain electrode 11 of the second semiconductor element 10B. That is, the first semiconductor element 10A constitutes the upper arm of the switching circuit 2, and the second semiconductor element 10B constitutes the lower arm of the switching circuit 2.
  • the semiconductor device 1A includes a first short-circuit detection circuit 3A for detecting a short circuit of the first semiconductor element 10A and a second short-circuit detection circuit 3B for detecting a short circuit of the second semiconductor element 10B.
  • the first short-circuit detection circuit 3A and the second short-circuit detection circuit 3B each form a part of the short-circuit protection circuit (not shown) in the subsequent stage.
  • the short-circuit protection circuit is a circuit for protecting a short circuit between each semiconductor element 10A and each semiconductor element 10B, and circuit portions other than the short-circuit detection circuits 3A and 3B are provided outside the semiconductor device 1A.
  • the semiconductor device 1A is an example of the first high withstand voltage diodes 30A and 30B, which are examples of electronic components for protecting the first semiconductor element 10A, and an example of electronic components for protecting the second semiconductor element 10B.
  • the second high withstand voltage diodes 31A and 31B are included.
  • These high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, and 31B each constitute an electronic component 30X mounted by the resin opening 50X.
  • the first high withstand voltage diodes 30A and 30B are connected in series with each other.
  • the cathode electrode of the first high withstand voltage diode 30A is electrically connected to the anode electrode of the first high withstand voltage diode 30B, and the anode electrode of the first high withstand voltage diode 30B is electrically connected to the drain electrode 11 of the first semiconductor element 10A. It is connected to the.
  • the first short circuit detection circuit 3A is configured.
  • the second high withstand voltage diodes 31A and 31B are connected in series with each other.
  • the cathode electrode of the second high withstand voltage diode 31A is electrically connected to the anode electrode of the second high withstand voltage diode 31B, and the anode electrode of the second high withstand voltage diode 31B is electrically connected to the drain electrode 11 of the second semiconductor element 10B. It is connected to the.
  • the second short circuit detection circuit 3B is configured.
  • the semiconductor device 1A reduces the surge applied to the voltage Vgs of the gate electrode 13 of the first semiconductor element 10A and the first surge reduction circuit 4A that reduces the surge applied to the voltage Vgs of the gate electrode 13 of the second semiconductor element 10B.
  • a second surge reduction circuit 4B is provided.
  • the semiconductor device 1A includes first low withstand voltage diodes 32A, 32B and first, which are examples of electronic components for reducing a surge applied to the voltage Vgs applied to the gate electrode 13 of the first semiconductor element 10A.
  • the second low withstand voltage diodes 34A and 34B and the second capacitors 35A and 35B are examples of electronic components for reducing the surge applied to the capacitors 33A and 33B and the voltage Vgs applied to the gate electrode 13 of the second semiconductor element 10B. And include.
  • Schottky barrier diodes are used for the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, and 34B.
  • These low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B and capacitors 33A, 33B, 35A, 35B each constitute an electronic component 30X mounted by the resin opening 50X.
  • the first low withstand voltage diodes 32A and 32B are connected in series with each other.
  • the cathode electrode of the first low withstand voltage diode 32B is electrically connected to the anode electrode of the first low withstand voltage diode 32A.
  • the node N2 between the anode electrode of the first low withstand voltage diode 32A and the cathode electrode of the first low withstand voltage diode 32B is connected to the gate electrode 13 of the first semiconductor element 10A.
  • the first capacitors 33A and 33B are connected in series with each other, and are connected in parallel with the first low withstand voltage diodes 32A and 32B.
  • the first terminal of the first capacitor 33A is electrically connected to the cathode electrode of the first low withstand voltage diode 32A
  • the second terminal of the first capacitor 33A is connected to the first terminal of the first capacitor 33B.
  • the second terminal of the first capacitor 33B is connected to the anode electrode of the first low withstand voltage diode 32B.
  • the node N3 between the second terminal of the first capacitor 33A and the first terminal of the first capacitor 33B is electrically connected to the source electrode 12 of the first semiconductor element 10A.
  • the second low withstand voltage diodes 34A and 34B are connected in series with each other.
  • the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 34B is electrically connected to the anode electrode of the second low withstand voltage diode 34A, and is between the anode electrode of the second low withstand voltage diode 34A and the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 34B.
  • Node N4 is connected to the gate electrode 13 of the second semiconductor element 10B.
  • the second capacitors 35A and 35B are connected in series with each other, and are connected in parallel with the second low withstand voltage diodes 34A and 34B.
  • the first terminal of the second capacitor 35A is electrically connected to the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 34A, and the second terminal of the second capacitor 35A is connected to the first terminal of the second capacitor 35B.
  • the second terminal of the second capacitor 35B is connected to the anode electrode of the second low withstand voltage diode 34B.
  • the node N5 between the second terminal of the second capacitor 35A and the first terminal of the second capacitor 35B is electrically connected to the source electrode 12 of the second semiconductor element 10B.
  • the second surge reduction circuit 4B is configured by connecting the second low withstand voltage diodes 34A and 34B and the second capacitors 35A and 35B.
  • the plurality of terminals 20 include a first power terminal 21A, a second power terminal 21B, an output terminal 22, a first control terminal 23A, a second control terminal 23B, a first source terminal 24A, a second source terminal 24B, and a first control power. It has a terminal 25A, a first control power terminal 25B, a second control power terminal 25C, a second control power terminal 25D, a first short circuit detection terminal 26A, and a second short circuit detection terminal 26B.
  • the first short-circuit detection terminal 26A and the second short-circuit detection terminal 26B are DESAT control power terminals that detect so-called load short circuits.
  • the first power terminal 21A is electrically connected to the drain electrode 11 of the first semiconductor element 10A.
  • the second power terminal 21B is electrically connected to the source electrode 12 of the second semiconductor element 10B.
  • the output terminal 22 is electrically connected to the node N1 between the source electrode 12 of the first semiconductor element 10A and the drain electrode 11 of the second semiconductor element 10B.
  • the first control terminal 23A is electrically connected to the node N2 between the anode electrode of the first low withstand voltage diode 32A and the cathode electrode of the first low withstand voltage diode 32B, and is the first semiconductor element via the node N2. It is electrically connected to the gate electrode 13 of 10A.
  • the first source terminal 24A is electrically connected to the node N3 between the second terminal of the first capacitor 33A and the first terminal of the first capacitor 33B, and is of the first semiconductor element 10A via the node N3. It is electrically connected to the source electrode 12.
  • the first control power terminal 25A is electrically connected to each of the cathode electrode of the first low withstand voltage diode 32A and the first terminal of the first capacitor 33A.
  • the first control power terminal 25B is electrically connected to each of the anode electrode of the first low withstand voltage diode 32B and the second terminal of the first capacitor 33B.
  • the first surge reduction circuit 4A is electrically connected to the first control power terminal 25A and the first control power terminal 25B.
  • the second control power terminal 25C is electrically connected to each of the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 34A and the first terminal of the second capacitor 35A.
  • the second control power terminal 25D is electrically connected to each of the anode electrode of the second low withstand voltage diode 34B and the second terminal of the second capacitor 35B.
  • the second surge reduction circuit 4B is electrically connected to the second control power terminal 25C and the second control power terminal 25D.
  • the first short circuit detection terminal 26A is electrically connected to the anode electrode of the first high withstand voltage diode 30A. That is, the first short-circuit detection terminal 26A is electrically connected to the drain electrode 11 of the first semiconductor element 10A via the first short-circuit detection circuit 3A.
  • the second short circuit detection terminal 26B is electrically connected to the anode electrode of the second high withstand voltage diode 31A. That is, the second short-circuit detection terminal 26B is electrically connected to the drain electrode 11 of the second semiconductor element 10B via the second short-circuit detection circuit 3B.
  • the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, 31B, the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B, and the capacitors 33A, 33B, 35A, 35B are mounted as the above-mentioned electronic components 30X. ..
  • the semiconductor device 1A at least one of the above-mentioned electronic components may already be mounted.
  • FIGS. 1, 2, 6, and 7A show a semiconductor device 1A on which electronic components are already mounted.
  • the semiconductor device 1A includes a support substrate 40 that supports the semiconductor elements 10A and 10B, and a resin member 50 that seals the semiconductor elements 10A and 10B.
  • the package is composed of the support substrate 40 and the resin member 50.
  • the directions orthogonal to each other are defined as the horizontal direction X, the vertical direction Y, and the thickness direction Z.
  • the thickness direction Z is the thickness direction of the support substrate 40, and is the direction in which the support substrate 40 and the resin member 50 are arranged.
  • the lateral direction X indicates, for example, the direction in which the first input lead 81 and the second input lead 82, which will be described later, and the output lead 83 are arranged in the semiconductor device 1A.
  • the vertical direction Y indicates a direction orthogonal to the horizontal direction X when the semiconductor device 1A is viewed from the thickness direction Z (hereinafter, referred to as “planar view”).
  • the resin member 50 is formed in a substantially flat plate shape.
  • the shape of the resin member 50 in a plan view is rectangular.
  • the shape of the resin member 50 in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the shape of the resin member 50 in a plan view can be arbitrarily changed.
  • the shape of the resin member 50 in a plan view may be square.
  • a thermosetting resin is used as a thermosetting resin is used as the material constituting the resin member 50.
  • the resin member 50 is formed between the resin top surface 55 and the resin back surface 56 facing opposite sides in the thickness direction Z and the thickness direction Z between the resin top surface 55 and the resin back surface 56, and the resin top surface 55 and the resin back surface 56. It has a first resin side surface 51, a second resin side surface 52, a third resin side surface 53, and a fourth resin side surface 54, which are surfaces that intersect the resin back surface 56.
  • the first resin side surface 51 and the second resin side surface 52 face each other in the lateral direction X.
  • the first resin side surface 51 and the second resin side surface 52 each extend along the longitudinal direction Y.
  • the third resin side surface 53 and the fourth resin side surface 54 face each other in the vertical direction Y.
  • the third resin side surface 53 and the fourth resin side surface 54 each extend along the lateral direction X.
  • the first resin side surface 51 and the second resin side surface 52 are the short sides of the resin member 50
  • the third resin side surface 53 and the fourth resin side surface 54 are the long sides of the resin member 50.
  • grooves 57A and 57B recessed in the thickness direction Z from the resin back surface 56 are formed in the portion of the resin member 50 near the resin back surface 56.
  • the groove 57A is provided at an end portion of the resin member 50 near the first resin side surface 51 in the lateral direction X.
  • a plurality of grooves 57A (three in the present embodiment) are provided so as to be separated from each other in the lateral direction X.
  • the groove 57B is provided at an end portion of the resin member 50 near the second resin side surface 52 in the lateral direction X.
  • a plurality of grooves 57B (three in the present embodiment) are provided so as to be separated from each other in the lateral direction X.
  • the grooves 57A and 57B each extend along the vertical direction Y.
  • the grooves 57A and 57B are formed from the third resin side surface 53 to the fourth resin side surface 54 of the resin member 50.
  • the number of grooves 57A and 57B can be changed arbitrarily. Further, at least one of the grooves 57A and 57B may be omitted from the resin member 50.
  • the support substrate 40 constitutes a conductive path electrically connected to the semiconductor elements 10A and 10B, and supports the semiconductor elements 10A and 10B.
  • the support substrate 40 includes a first insulating substrate 41A, a second insulating substrate 41B, a first conductive member 42A, and a second conductive member 42B.
  • the support substrate 40 has a configuration in which the insulating substrates 41A and 41B and the conductive members 42A and 42B are laminated in this order in the thickness direction Z.
  • Each of the insulating substrates 41A and 41B has electrical insulation.
  • Each of the insulating substrates 41A and 41B is, for example, a ceramic having excellent thermal conductivity. Such ceramics, for example, AlN (aluminum nitride), SiN (silicon nitride), Al 2 O 3 (aluminum oxide) and the like.
  • the shapes of the insulating substrates 41A and 41B in a plan view are rectangular in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction. The length of the first insulating substrate 41A in the lateral direction X is shorter than the length of the second insulating substrate 41B in the lateral direction X.
  • the length Y in the vertical direction of the first insulating substrate 41A is equal to the length Y in the vertical direction of the second insulating substrate 41B.
  • the thickness of the first insulating substrate 41A (dimension of the first insulating substrate 41A in the thickness direction Z) is equal to the thickness of the second insulating substrate 41B (dimension of the second insulating substrate 41B in the thickness direction Z).
  • the first insulating substrate 41A has a substrate main surface 41sa and a substrate back surface 41ra facing opposite sides in the thickness direction Z.
  • the second insulating substrate 41B has a substrate main surface 41sb and a substrate back surface 41rb facing opposite sides in the thickness direction Z.
  • the first insulating substrate 41A and the second insulating substrate 41B are arranged at intervals in the lateral direction X.
  • the first conductive member 42A is arranged on the substrate main surface 41sa of the first insulating substrate 41A.
  • the second conductive member 42B is arranged on the substrate main surface 41sb of the second insulating substrate 41B.
  • the first conductive member 42A and the second conductive member 42B are arranged in a state of being separated from each other in the first direction orthogonal to the thickness direction Z.
  • the first conductive member 42A and the second conductive member 42B are arranged at intervals in the vertical direction Y.
  • the substrate main surfaces 41sa and 41sb of the insulating substrates 41A and 41B are sealed by the resin member 50 together with the conductive members 42A and 42B.
  • the back surfaces 41ra and 41rb of the insulating substrates 41A and 41B are exposed from the resin member 50.
  • a heat sink (not shown) is connected to the back surfaces 41ra and 41rb of the insulating substrates 41A and 41B.
  • the substrate back surfaces 41ra and 41rb of the insulating substrates 41A and 41B are arranged between the grooves 57A and the grooves 57B of the resin member 50 in the lateral direction X.
  • the first conductive member 42A and the second conductive member 42B are metal plates, respectively.
  • the constituent material of the metal plate is Cu (copper) or Cu alloy.
  • Each of the conductive members 42A and 42B constitutes a conductive path with each of the semiconductor elements 10A and 10B.
  • the conductive members 42A and 42B are joined to the substrate main surfaces 41sa and 41sb of the insulating substrates 41A and 41B by a bonding material such as silver paste and solder.
  • the bonding material may be a conductive material such as silver paste or solder, or may be an electrically insulating material.
  • the thickness of the conductive members 42A and 42B (dimension in the thickness direction Z) is thicker than the thickness of the insulating substrates 41A and 41B (dimension in the thickness direction Z), for example, 0.4 mm or more and 3.0 mm. It is as follows.
  • the surfaces of the conductive members 42A and 42B may be covered with silver plating.
  • the shape of the first conductive member 42A and the shape of the second conductive member 42B in a plan view are rectangular in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction, respectively.
  • the shape of the first conductive member 42A and the shape of the second conductive member 42B in a plan view are different from each other. More specifically, the length of the first conductive member 42A in the lateral direction X is smaller than the length of the second conductive member 42B in the lateral direction X.
  • the length of the first conductive member 42A in the vertical direction Y is equal to the length of the second conductive member 42B in the vertical direction Y.
  • the first conductive member 42A is arranged closer to the first resin side surface 51 of the resin member 50 than the second conductive member 42B in the lateral direction X.
  • the first conductive member 42A has a main surface 42sa and a back surface 42ra facing opposite sides in the thickness direction Z.
  • the main surface 42sa faces the same direction as the substrate main surface 41sa of the first insulating substrate 41A in the thickness direction Z.
  • the back surface 42ra faces the same direction as the substrate back surface 41ra of the first insulating substrate 41A in the thickness direction Z.
  • the back surface 42ra is connected to the substrate main surface 41sa of the first insulating substrate 41A via a bonding material.
  • three first semiconductor elements 10A are mounted on the main surface 42sa.
  • the three first semiconductor elements 10A are arranged at the center of the first conductive member 42A in the lateral direction X.
  • the three first semiconductor elements 10A are arranged so as to be aligned in the horizontal direction X and separated in the vertical direction Y.
  • the second conductive member 42B is arranged closer to the second resin side surface 52 of the resin member 50 than the first conductive member 42A in the lateral direction X.
  • the second conductive member 42B has a main surface 42sb and a back surface 42rb facing opposite sides in the thickness direction Z.
  • the main surface 42sb faces the same direction as the substrate main surface 41sb of the second insulating substrate 41B in the thickness direction Z.
  • the back surface 42rb faces the same direction as the substrate back surface 41rb of the second insulating substrate 41B in the thickness direction Z.
  • the back surface 42rb is connected to the substrate main surface 41sb of the second insulating substrate 41B via a bonding material.
  • three second semiconductor elements 10B are mounted on the main surface 42sb.
  • the three second semiconductor elements 10B are arranged at the center of the second conductive member 42B in the lateral direction X.
  • the three second semiconductor elements 10B are arranged so as to be aligned in the horizontal direction X and separated in the vertical direction Y.
  • the three second semiconductor elements 10B are arranged so as not to overlap with the three first semiconductor elements 10A, respectively.
  • the three second semiconductor elements 10B and the three first semiconductor elements 10A are arranged alternately in the vertical direction Y.
  • the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B have the same configuration as each other. Therefore, in the following, the configuration of the first semiconductor element 10A will be described, and with respect to the second semiconductor element 10B, the same components as those of the first semiconductor element 10A are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • the first semiconductor element 10A is formed in a flat plate shape. As shown in FIG. 7A, the shape of the first semiconductor element 10A in a plan view is a square.
  • the shapes of the semiconductor elements 10A and 10B in a plan view can be arbitrarily changed.
  • the shapes of the semiconductor elements 10A and 10B in a plan view are rectangular in which one of the horizontal direction X and the vertical direction Y is the long side direction and the other of the horizontal direction X and the vertical direction Y is the short side direction. May be good.
  • the first semiconductor element 10A has an element main surface 10s and an element back surface 10r facing opposite sides in the thickness direction Z.
  • a source electrode 12 and a gate electrode 13 are provided on the element main surface 10s, and a drain electrode 11 is provided on the element back surface 10r.
  • a gate voltage for driving the first semiconductor element 10A is applied to the gate electrode 13. When the gate voltage of the first semiconductor element 10A becomes equal to or higher than a preset threshold value, a drain current flows through the drain electrode 11 and a source current flows through the source electrode 12.
  • the region where the source electrode 12 is formed is larger than the region where the gate electrode 13 is formed.
  • the source electrode 12 is formed over most of the element main surface 10s.
  • the gate electrode 13 is arranged in the recess 12a formed in the source electrode 12.
  • the drain electrode 11 is formed over the entire back surface of the device 10r.
  • an insulating film 16 is provided on the source electrode 12 and the gate electrode 13.
  • the insulating film 16 has an electrical insulating property.
  • the insulating film 16 surrounds the source electrode 12 and the gate electrode 13.
  • the insulating film 16 is formed by, for example, a SiO 2 (silicon dioxide) layer, a SiN 4 (silicon nitride) layer, and a polybenzoxazole layer laminated in this order from the device main surface 10s.
  • the insulating film 16 may be a polyimide layer instead of the polybenzoxazole layer.
  • the semiconductor device 1A includes a plurality of leads 80 constituting the plurality of terminals 20 of FIG.
  • the plurality of leads 80 are electrically formed with each semiconductor element 10A, 10B, each high withstand voltage diode 30A, 30B, 31A, 31B, each low withstand voltage diode 32A, 32B, 34A, 34B, and each capacitor 33A, 33B, 35A, 35B. It is connected to the.
  • the plurality of leads 80 include a first input lead 81, a second input lead 82, an output lead 83, a first control lead 84A, 85A, a second control lead 84B, 85B, a first control power supply lead 86A, 86B, and the like. It has a second control power supply lead 86C, 86D, a first short circuit detection lead 87A, and a second short circuit detection lead 87B.
  • the first power terminal 21A is composed of the first input lead 81
  • the second power terminal 21B is composed of the second input lead 82.
  • the output terminal 22 is composed of an output lead 83.
  • the first control terminal 23A is composed of the first control lead 84A
  • the second control terminal 23B is composed of the second control lead 84B.
  • the first source terminal 24A is composed of the first control lead 85A
  • the second source terminal 24B is composed of the second control lead 85B.
  • the first control power terminal 25A is composed of the first control power supply lead 86A
  • the first control power terminal 25B is composed of the first control power supply lead 86B
  • the second control power terminal 25C is the second control power supply lead 86C.
  • the second control power terminal 25D is composed of a second control power supply lead 86D.
  • the first short-circuit detection terminal 26A is composed of the first short-circuit detection lead 87A
  • the second short-circuit detection terminal 26B is composed of the second short-circuit detection lead 87B.
  • the first semiconductor element 10A includes a first input lead 81, an output lead 83, a first control lead 84A, 85A, a first control power supply lead 86A, a first control power supply lead 86B, and a first short circuit detection lead 87A. Is electrically connected to.
  • the second semiconductor element 10B includes a second input lead 82, an output lead 83, a second control lead 84B, 85B, a second control power supply lead 86C, a second control power supply lead 86D, and a second short circuit detection lead 87B. Is electrically connected to.
  • the input leads 81 and 82 are supported by the first conductive member 42A, and the output leads 83 are supported by the second conductive member 42B.
  • the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B are arranged outside the conductive members 42A, 42B, they are each. Not supported by conductive members 42A, 42B.
  • each of the input leads 81 and 82 protrudes from the first resin side surface 51 of the resin member 50.
  • the output lead 83 projects from the second resin side surface 52 of the resin member 50.
  • Each of the input leads 81 and 82 is formed of a metal plate.
  • the constituent material of the metal plate is, for example, Cu (copper) or a Cu alloy.
  • the thickness (dimension in the thickness direction Z) of each of the input leads 81 and 82 is 0.8 mm, but the thickness is not limited to this.
  • the input leads 81 and 82 are arranged so as to be closer to the first resin side surface 51 of the resin member 50.
  • a power supply voltage is applied to the input leads 81 and 82, respectively.
  • the first power supply voltage is applied to the first input lead 81
  • the second power supply voltage lower than the first power supply voltage is applied to the second input lead 82.
  • the first input lead 81 and the second input lead 82 are arranged at positions where they overlap each other in the thickness direction Z. Further, the first input lead 81 and the second input lead 82 are arranged apart from each other in the thickness direction Z.
  • the output lead 83 is a metal plate.
  • the constituent material of the metal plate is, for example, Cu or a Cu alloy.
  • the output lead 83 is arranged near the second resin side surface 52 of the resin member 50.
  • the AC power (voltage) converted by the semiconductor elements 10A and 10B is output from the output lead 83.
  • control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A, 86B, 86C, 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B are the third resin side surfaces of the resin member 50, respectively. It protrudes from 53.
  • the positions where the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A, 86B, 86C, 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B each project from the resin side surface of the resin member 50 are located. It can be changed arbitrarily.
  • each control lead 84A, 84B, 85A, 85B, each control power supply lead 86A, 86B, 86C, 86D, and a part of each short circuit detection lead 87A, 87B are from the third resin side surface 53 of the resin member 50. It may protrude and the rest may protrude from the fourth resin side surface 54.
  • the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A, 86B, 86C, 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B are arranged along the lateral direction X. More specifically, the first control leads 84A and 85A, the first control power supply leads 86A and 86B, and the first short circuit detection lead 87A are next to the vertical direction Y of the first conductive member 42A of the support substrate 40. positioned.
  • the second control reeds 84B and 85B, the second control power supply reeds 86C and 86D, and the second short circuit detection reed 87B are located next to the second conductive member 42B of the support substrate 40 in the vertical direction Y.
  • the lateral X spacing from the second lead of the group consisting of the leads 86C and 86D and the second short circuit detection lead 87B is the first control leads 84A and 85A and the first control power supply lead in the first lead of the group.
  • the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A, 86B, 86C, 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B are formed from the same lead frame. ing.
  • the material constituting this lead frame is Cu (copper) or Al (aluminum).
  • the shapes of the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A, 86B, 86C, 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B are the same.
  • the group of first leads in plan view, as they move from the input leads 81 and 82 to the output leads 83 in the lateral direction X, are the first control power supply lead 86A, the first control power supply lead 85A, and the first control power supply lead.
  • the 86B, the first control lead 84A, and the first short circuit detection lead 87A are arranged in this order.
  • the group of second leads in plan view, as they move from the input leads 81 and 82 to the output leads 83 in the lateral direction X, the second short circuit detection lead 87B, the second control lead 84B, and the second control power supply lead.
  • the 86C, the second control lead 85B, and the second control power supply lead 86C are arranged in this order.
  • a gate voltage for driving a plurality of first semiconductor elements 10A is applied to the first control lead 84A.
  • a gate voltage for driving a plurality of second semiconductor elements 10B is applied to the second control lead 84B.
  • the first control lead 85A is electrically connected to the source electrodes 12 of the plurality of first semiconductor elements 10A.
  • the first control lead 85A is a lead for detecting the voltage of the source electrodes 12 of the plurality of first semiconductor elements 10A.
  • the second control lead 85B is electrically connected to the source electrodes 12 of the plurality of second semiconductor elements 10B.
  • the second control lead 85B is a lead for detecting the voltage of the source electrodes 12 of the plurality of second semiconductor elements 10B.
  • a first control voltage VA1 of a first control power supply (not shown) is applied to the reed 86A for the first control power supply.
  • a first control voltage VB1 lower than the first control voltage VA1 in the first control power supply is applied to the reed 86B for the first control power supply.
  • a second control voltage VA2 of a second control power supply (not shown) is applied to the second control power supply lead 86C.
  • a second control voltage VB2 lower than the second control voltage VA2 in the second control power supply is applied to the reed 86D for the second control power supply.
  • the first control power supply and the second control power supply are isolated from each other.
  • the first short-circuit detection lead 87A is electrically connected to the drain electrodes 11 of the plurality of first semiconductor elements 10A.
  • the first short-circuit detection lead 87A is a lead for detecting the unsaturated state of the drain electrodes 11 of the plurality of first semiconductor elements 10A.
  • the second short-circuit detection lead 87B is electrically connected to the drain electrodes 11 of the plurality of second semiconductor elements 10B.
  • the second short-circuit detection lead 87B is a lead for detecting the unsaturated state of the drain electrodes 11 of the plurality of second semiconductor elements 10B.
  • Each of the control leads 84A and 84B has a pad portion 84p and a terminal portion 84t.
  • the control leads 84A and 84B are single components in which the pad portion 84p and the terminal portion 84t are integrally formed.
  • Each of the control leads 85A and 85B has a pad portion 85p and a terminal portion 85t.
  • the control leads 85A and 85B are single components in which the pad portion 85p and the terminal portion 85t are integrally formed.
  • Each control power supply lead 86A to 86D has a pad portion 86p and a terminal portion 86t.
  • each of the control power supply leads 86A to 86D is a single component in which the pad portion 86p and the terminal portion 86t are integrally formed.
  • Each of the short circuit detection leads 87A and 87B has a pad portion 87p and a terminal portion 87t.
  • the short circuit detection leads 87A and 87B are single components in which the pad portion 87p and the terminal portion 87t are integrally formed.
  • Each pad portion 84p, 85p, 86p, 87p is covered with a resin member 50.
  • the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B are supported by the resin member 50, respectively.
  • the surfaces of the pad portions 84p, 85p, 86p, and 87p may be plated with silver, for example.
  • Through holes 84h, 85h, 86h, 87h are provided in the pad portions 84p, 85p, 86p, 87p.
  • the through holes 84h, 85h, 86h, and 87h penetrate the pad portions 84p, 85p, 86p, and 87p in the thickness direction Z. A part of the resin member 50 is inserted into the through holes 84h, 85h, 86h, and 87h, respectively. This makes it difficult to separate the resin member 50 from the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B.
  • Each terminal portion 84t, 85t, 86t, 87t protrudes from the third resin side surface 53 of the resin member 50.
  • the first control terminal 23A (see FIG. 5) is configured by the terminal portion 84t of the first control lead 84A
  • the second control terminal 23B (see FIG. 5) is formed by the terminal portion 84t of the second control lead 84B.
  • the terminal portion 85t of the first control lead 85A constitutes the first source terminal 24A (see FIG. 5)
  • the terminal portion 85t of the second control lead 85B constitutes the second source terminal 24B (see FIG. 5).
  • the first control power terminal 25A (see FIG.
  • the terminal portion 87t of the first short-circuit detection lead 87A constitutes the first short-circuit detection terminal 26A (see FIG. 5)
  • the terminal portion 87t of the second short-circuit detection lead 87B constitutes the second short-circuit detection terminal 26B (see FIG. 5). Is configured.
  • a conductive substrate 60 which is an example of a conductor, is mounted on the main surface 42sa of the first conductive member 42A and the main surface 42sb of the second conductive member 42B. That is, the conductive substrate 60 is arranged over the first conductive member 42A and the second conductive member 42B so as to straddle the gap between the first conductive member 42A and the second conductive member 42B.
  • the conductive substrate 60 is a substrate for electrically connecting the semiconductor elements 10A and 10B and the plurality of leads 80. That is, the conductive substrate 60 constitutes a conductive path between the semiconductor elements 10A and 10B and the plurality of leads 80.
  • the conductive substrate 60 is made of a multilayer substrate.
  • the conductive substrate 60 has a substrate made of a resin material having electrical insulation and a metal foil provided on the substrate.
  • a material constituting the substrate for example, a glass epoxy resin is used.
  • a material constituting the metal foil for example, a copper foil is used.
  • Ag (silver) paste may be used as a material which constitutes a metal foil.
  • Si silicon
  • Al 2 O 3 alumina
  • the conductive substrate 60 includes a plurality of (three in this embodiment) first substrate openings 61A and first substrate recesses 61C for accommodating the first semiconductor element 10A, and a plurality of conductive substrates 60 for accommodating the second semiconductor element 10B. It has (three in this embodiment) second substrate openings 61B.
  • the substrate openings 61A and 61B and the first substrate recesses 61C are provided according to the number of the semiconductor elements 10A and 10B.
  • the substrate openings 61A and 61B each penetrate the conductive substrate 60 in the thickness direction Z.
  • the first substrate recess 61C is provided in the first substrate opening 61A closest to the fourth resin side surface 54 of the resin member 50 in the vertical direction Y among the plurality of first substrate openings 61A.
  • the first substrate recess 61C is formed in a concave shape in which the side surface 54 side of the fourth resin opens.
  • the first substrate opening 61A and the second substrate opening 61B are through holes that penetrate the conductive substrate 60 in the thickness direction Z, respectively.
  • the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, 31B, the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B, and the capacitors 33A, 33B, 35A, 35B are mounted on the conductive substrate 60, respectively.
  • the input leads 81 and 82 and the output leads 83 are integrated with the conduction board 60. As shown in FIG. 11A, the first input lead 81 is sandwiched between the first conductive member 42A and the conductive substrate 60. The second input lead 82 is sandwiched by the conductive substrate 60. The output lead 83 is sandwiched between the second conductive member 42B and the conductive substrate 60.
  • the conductive substrate 60 of the present embodiment includes a first layer substrate 60A, a second layer substrate 60B, a third layer substrate 60C, a fourth layer substrate 60D, 60E, and a fifth layer substrate 60F, 60G.
  • This is a multi-layer substrate in which the five-layer substrates of the above are laminated in the thickness direction Z.
  • the conductive substrate 60 is in the order of the first layer substrate 60A, the second layer substrate 60B, the third layer substrate 60C, the fourth layer substrate 60D, 60E, and the fifth layer substrate 60F, 60G for each of the conductive members 42A, 42B. It is laminated with.
  • the fourth layer substrate 60D and the fourth layer substrate 60E are arranged at intervals in the lateral direction X.
  • the fifth layer substrate 60F and the fifth layer substrate 60G are arranged at intervals in the lateral direction X.
  • a first input lead 81 and an output lead 83 are attached to the first layer substrate 60A.
  • the first input lead 81 is joined to the main surface 42sa of the first conductive member 42A of the support substrate 40 by a conductive bonding material such as solder or silver paste.
  • the first input lead 81 has a protruding portion 81a protruding from the first layer substrate 60A in the lateral direction X.
  • the shape of the protruding portion 81a in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the protruding portion 81a can be divided into an intermediate portion 81b located inside the resin member 50 and a terminal portion 81c protruding from the first resin side surface 51 of the resin member 50.
  • the terminal portion 81c constitutes the first power terminal 21A (see FIG. 5).
  • the output lead 83 is bonded to the main surface 42sb of the second conductive member 42B of the support substrate 40 by a conductive bonding material such as solder or silver paste.
  • the output lead 83 has a protruding portion 83a protruding from the first layer substrate 60A in the lateral direction X.
  • the shape of the protruding portion 83a in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the protruding portion 83a can be divided into an intermediate portion 83b located inside the resin member 50 and a terminal portion 83c protruding from the second resin side surface 52 of the resin member 50.
  • the terminal portion 83c constitutes an output terminal 22 (see FIG. 5).
  • each exposed portion 83d is located between the first conductive member 42A and the second conductive member 42B in the lateral direction X. Seen from the thickness direction Z, the exposed portion 83d is arranged so that a part thereof overlaps with the end portion of the second conductive member 42B closer to the first conductive member 42A in the lateral direction X. Further, the exposed portions 83d are arranged at intervals in the lateral direction X with respect to the first conductive member 42A.
  • the shape of each exposed portion 83d in a plan view is a square.
  • each exposed portion 83d in a plan view can be arbitrarily changed.
  • the shape of each exposed portion 83d in a plan view is a rectangular shape in which one of the horizontal direction X and the vertical direction Y is the long side direction and the other of the horizontal direction X and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the second layer substrate 60B is a substrate for electrically insulating the first input lead 81 and the output lead 83 from the third layer substrate 60C.
  • the second layer substrate 60B covers the protruding portion 81a of the first input lead 81 and the portion of the first input lead 81 attached to the first layer substrate 60A in the thickness direction Z, respectively. Further, the second layer substrate 60B covers a portion of the output leads 83 attached to the first layer substrate 60A in the thickness direction Z.
  • a second input lead 82 is attached to the third layer substrate 60C.
  • the second input lead 82 is electrically insulated from the first input lead 81 by the second layer substrate 60B.
  • the second input lead 82 has a protruding portion 82a that projects laterally from the third layer substrate 60C.
  • the shape of the protruding portion 82a in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the shape of the protruding portion 82a in the plan view is the same as the shape of the protruding portion 81a in the plan view of the first input lead 81.
  • the protruding portion 82a can be divided into an intermediate portion 82b located inside the resin member 50 and a terminal portion 82c protruding from the first resin side surface 51 of the resin member 50.
  • the terminal portion 82c constitutes a second power terminal 21B (see FIG. 5).
  • each exposed portion 82d is located between the first conductive member 42A and the second conductive member 42B in the lateral direction X. Seen from the thickness direction Z, the exposed portion 82d is arranged so that a part thereof overlaps with the end portion of the second conductive member 42B closer to the first conductive member 42A in the lateral direction X. Further, the exposed portions 82d are arranged at intervals in the lateral direction X with respect to the first conductive member 42A.
  • each exposed portion 82d in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the length of each exposed portion 82d in the lateral direction X is longer than the length of the exposed portion 83d of the output lead 83 in the lateral direction X.
  • the length of each exposed portion 82d in the vertical direction Y is shorter than the length of the exposed portion 83d in the vertical direction Y.
  • the plurality of exposed portions 82d are arranged apart from each other in the vertical direction Y in a state of being aligned in the horizontal direction X.
  • each exposed portion 82d When viewed from the vertical direction Y, each exposed portion 82d is arranged so as to overlap each exposed portion 83d of the output lead 83. In the vertical direction Y, the plurality of exposed portions 82d are arranged alternately with the plurality of exposed portions 83d.
  • the fourth layer substrate 60D is a substrate for electrically insulating the second input lead 82 from the fifth layer substrate 60F.
  • the fourth layer substrate 60D is laminated on the portion of the third layer substrate 60C closer to the first conductive member 42A.
  • the size of the fourth layer substrate 60D in the lateral direction X is smaller than the size of the lateral X of the first to third layer substrates 60A to 60C, and the fourth layer substrate 60D is not provided near the second conductive member 42B. ..
  • the fourth layer substrate 60E is a substrate for electrically insulating the portion of the third layer substrate 60C closer to the second conductive member 42B (closer to the output lead 83) from the fifth layer substrate 60G.
  • the fourth layer substrate 60E is arranged at intervals in the lateral direction X with respect to the fourth layer substrate 60D in a state of being aligned with the fourth layer substrate 60D in the thickness direction Z.
  • the fourth layer substrate 60E is laminated on the portion of the third layer substrate 60C closer to the second conductive member 42B.
  • the size of the fourth layer substrate 60E in the lateral direction X is smaller than the size of the lateral X of the first to third layer substrates 60A to 60C, and the fourth layer substrate 60E is not provided closer to the first conductive member 42A. ..
  • the fifth layer substrate 60F is the outermost substrate of the conductive substrate 60, and is the first high withstand voltage diodes 30A and 30B, the first low withstand voltage diodes 32A and 32B, and the first capacitors 33A and 33B. Is the board on which each is mounted.
  • the fifth layer substrate 60F is laminated on the fourth layer substrate 60D.
  • the size of the fifth layer substrate 60F in the lateral direction X is smaller than the size of the first to third layer substrates 60A to 60C in the lateral direction X, and the fifth layer substrate 60F is not provided near the second conductive member 42B. ..
  • the fifth layer substrate 60F constitutes the first short circuit detection circuit 3A and the first surge reduction circuit 4A shown in FIG.
  • the fifth layer substrate 60F is the outermost substrate of the conduction substrate 60, and is the first drive wiring 62A, the first control wiring 63A, 64A, the first control power supply wiring 65A, 66A, and the first wiring piece 67A.
  • the conductive substrate 60 (fifth layer substrate 60F) has a first wiring region 70A extending toward the third resin side surface 53 side of the resin member 50 with respect to the plurality of first semiconductor elements 10A in the lateral direction X.
  • the first wiring area 70A is a mounting area on which electronic components other than the first semiconductor element 10A are mounted on the conductive substrate 60 (fifth layer substrate 60F).
  • the first drive wiring 62A and the first control wirings 63A and 64A extend from areas other than the first wiring area 70A of the fifth layer substrate 60F to the first wiring area 70A, respectively.
  • the first control power supply wirings 65A and 66A and the first wiring piece 67A are arranged in the first wiring area 70A.
  • the first high withstand voltage diodes 30A and 30B, the first low withstand voltage diodes 32A and 32B, and the first capacitors 33A and 33B are mounted in the first wiring region 70A, respectively. Therefore, the first short circuit detection circuit 3A and the first surge reduction circuit 4A are formed in the first wiring region 70A.
  • one side of the vertical direction Y with respect to the plurality of first semiconductor elements 10A (in the present embodiment, the third resin side surface 53 of the resin member 50 with respect to the plurality of first semiconductor elements 10A).
  • the wiring area is formed unevenly (closer).
  • the first drive wiring 62A is electrically connected to the drain electrode 11 (see FIG. 11B) of each first semiconductor element 10A. Further, the first drive wiring 62A is electrically connected to the first short circuit detection lead 87A via the first high withstand voltage diodes 30A and 30B. That is, a short circuit of each first semiconductor element 10A is detected via the first drive wiring 62A. As described above, the first drive wiring 62A is a wiring portion for electrically connecting the drain electrode 11 of each first semiconductor element 10A and the first short circuit detection lead 87A.
  • the first drive wiring 62A has a first wiring portion 62pa extending in the vertical direction Y and a plurality of wirings 62A extending in the horizontal direction X from the first wiring portion 62pa (two in the present embodiment).
  • the first wiring portion 62pa is arranged closer to the second conductive member 42B than each first semiconductor element 10A in the lateral direction X.
  • the first wiring portion 62pa is arranged at the end portion of the fifth layer substrate 60F near the second conductive member 42B (see FIG. 7A) in the lateral direction X.
  • the first wiring portion 62pa extends so as to overlap each of the first semiconductor elements 10A when viewed from the lateral direction X.
  • the second wiring portion 62pb is arranged between the first semiconductor elements 10A adjacent to each other in the vertical direction Y.
  • the end portion 62px of the resin member 50 of the first wiring portion 62pa in the vertical direction Y near the third resin side surface 53 is arranged in the first wiring region 70A.
  • the width of the end portion 62px in the lateral direction X is smaller than the width of the portion of the first wiring portion 62pa other than the end portion 62px in the lateral direction X.
  • the third wiring portion 62pc is arranged apart from each other in the horizontal direction X in a state of being aligned with the end portion 62px in the vertical direction Y.
  • the length of the third wiring portion 62pc in the vertical direction Y is equal to the length of the end portion 62px in the vertical direction Y.
  • the width of the third wiring portion 62pc in the lateral direction X is larger than the width of the end portion 62px in the lateral direction X.
  • the fourth wiring portion 62pd has a first portion 62py arranged on the side opposite to the end portion 62px with respect to the third wiring portion 62pc in the lateral direction X, and a lead for detecting a first short circuit from the first portion 62py. It has a second portion 62pz extending towards 87A.
  • the first part 62py extends in the vertical direction Y.
  • the width of the first portion 62py in the lateral direction X is larger than the width of the end portion 62px in the lateral direction X.
  • the width of the first portion 62py in the lateral direction X is equal to the width of the third wiring portion 62pc in the lateral direction X.
  • the shape of the second portion 62pz in a plan view is L-shaped. Specifically, the second portion 62pz extends along the lateral direction X from the end portion of the first portion 62py in the vertical direction Y near the third resin side surface 53 toward the second conductive member 42B side.
  • the second portion 62pz is arranged closer to the first resin side surface 51 of the resin member 50 than the end portion 62px of the first wiring portion 62pa in the lateral direction X.
  • the end of the second portion 62pz near the first short-circuit detection lead 87A and the pad portion 87p of the first short-circuit detection lead 87A are connected by the first short-circuit detection connecting member 97A.
  • the first short circuit detection connecting member 97A is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the first high withstand voltage diodes 30A and 30B are mounted on the first drive wiring 62A. More specifically, the first high withstand voltage diode 30A is connected to the end portion 62px of the first wiring portion 62pa and the third wiring portion 62pc. Specifically, the cathode electrode of the first high withstand voltage diode 30A is connected to the end portion 62px, and the anode electrode of the first high withstand voltage diode 30A is connected to the third wiring portion 62pc. Further, the first high withstand voltage diode 30B is connected to the third wiring portion 62pc and the first portion 62py of the fourth wiring portion 62pd.
  • the cathode electrode of the first high withstand voltage diode 30B is connected to the third wiring portion 62pc, and the anode electrode of the first high withstand voltage diode 30B is connected to the first portion 62py.
  • the first high withstand voltage diode 30A and the first high withstand voltage diode 30B are connected in series by the first wiring portion 62pa, the third wiring portion 62pc, and the fourth wiring portion 62pd.
  • the first high withstand voltage diode 30A is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X. Further, the first high withstand voltage diode 30B is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X. In addition, the first high withstand voltage diode 30A and the first high withstand voltage diode 30B are arranged apart from each other in the horizontal direction X in a state of being aligned in the vertical direction Y.
  • the first control wiring 63A is a wiring portion for electrically connecting the gate electrode 13 of each first semiconductor element 10A and the first control lead 84A. As shown in FIG. 7B, the first control wiring 63A and the gate electrode 13 of each first semiconductor element 10A are connected by the first control connection member 92A.
  • the first control connecting member 92A is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the first control wiring 63A has a first wiring portion 63pa extending in the vertical direction Y and a second conductive member 42B (see FIG. 7A) side from the first wiring portion 63pa toward the vertical direction Y. It has a second wiring portion 63pb extending obliquely toward the surface, and a third wiring portion 63pc extending from the second wiring portion 63pb toward the first control lead 84A.
  • the first wiring portion 63pa is arranged so as to be adjacent to each first semiconductor element 10A closer to the first resin side surface 51 than each first semiconductor element 10A in the lateral direction X.
  • the first wiring portion 63pa extends so as to overlap with each of the first semiconductor elements 10A when viewed from the horizontal direction X, and extends to the third resin side surface 53 side with respect to each of the first semiconductor elements 10A in the vertical direction Y.
  • the end portion of the first wiring portion 63pa in the vertical direction Y on the third resin side surface 53 side is the first of the third wiring portion 62pc and the fourth wiring portion 62pd when viewed from the horizontal direction X. It is arranged so as to overlap the portion 62py.
  • the second wiring portion 63pb and the third wiring portion 63pc are respectively arranged in the first wiring region 70A. That is, in a plan view, the second wiring portion 63pb and the third wiring portion 63pc are respectively arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the first control lead 84A in the vertical direction Y.
  • the second wiring portion 63pb is arranged so as to overlap the first portion 62py and the second portion 62pz of the fourth wiring portion 62pd when viewed from the lateral direction X.
  • the third wiring portion 63pc is arranged closer to the third resin side surface 53 than the first portion 62py of the fourth wiring portion 62pd of the first drive wiring 62A.
  • the shape of the third wiring portion 63pc in a plan view is L-shaped.
  • the third wiring portion 63pc is a second conductive member of the first portion 63px extending from the second wiring portion 62pb toward the second conductive member 42B side along the lateral direction X and the first portion 63px in the lateral direction X.
  • the third wiring portion 63pc (the dimension in the direction orthogonal to the direction in which the third wiring portion 63pc extends in a plan view) is larger than the width of the first wiring portion 63pa in the lateral direction X.
  • the end of the third wiring portion 63pc on the side of the first control lead 84A and the pad portion 84p of the first control lead 84A are connected by a first control lead connection member 94A.
  • the first control lead connecting member 94A is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the first control wiring 64A is a wiring portion for connecting the source electrode 12 of each first semiconductor element 10A and the first control lead 85A.
  • the first control wiring 64A is a wiring portion for drawing out the source electrode 12 of each first semiconductor element 10A to the outside and supplying a gate voltage between the gate electrode 13 and the source electrode 12 of each first semiconductor element 10A. Is.
  • the first control wiring 64A and the source electrode 12 of each first semiconductor element 10A are connected by a first control connection member 93A.
  • the first control connecting member 93A is, for example, a wire formed by wire bonding. As shown in FIG.
  • the first control wiring 64A has a first wiring portion 64pa extending in the vertical direction Y and an oblique direction toward the second conductive member 42B side from the first wiring portion 64pa toward the vertical direction Y. It has a second wiring portion 64pb extending and a third wiring portion 64pc extending from the second wiring portion 64pb toward the first control lead 85A.
  • the first wiring portion 64pa is arranged on the side opposite to each first semiconductor element 10A with respect to the first control wiring 63A in the lateral direction X.
  • the first wiring portion 64pa is formed at the end portion of the fifth layer substrate 60F in the lateral direction X on the side surface 51 side of the first resin.
  • the length Y in the vertical direction of the first wiring portion 64pa is equal to the length Y in the vertical direction of the first wiring portion 63pa of the first control wiring 63A (see FIG. 7A).
  • the second wiring portion 64pb is parallel to the second wiring portion 63pb of the first control wiring 63A.
  • the second wiring portion 64pb is arranged so as to overlap the second wiring portion 63pb when viewed from the lateral direction X. Further, the second wiring portion 64pb is arranged so as to overlap the second wiring portion 63pb when viewed from the vertical direction Y.
  • the third wiring portion 64pc is arranged closer to the first resin side surface 51 than the first control lead 85A in the lateral direction X.
  • the third wiring portion 64pc has a first portion 64px extending from the second wiring portion 63pb along the vertical direction Y and a second portion 64py. The second portion 64py is located closer to the third resin side surface 53 than the first portion 64px in the vertical direction Y.
  • the width of the second portion 64py in the lateral direction X is larger than the width of the first portion 64px in the lateral direction X.
  • the second portion 64py and the pad portion 85p of the first control lead 85A are connected by the first control lead connection member 95A.
  • the first control lead connecting member 95A is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the first control power supply wiring 65A is arranged between the first control wiring 63A and the first control wiring 64A in the lateral direction X.
  • the first control power supply wiring 65A includes a second portion 63py of the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A and a second portion 64py of the third wiring portion 64pc of the first control wiring 64A. It is arranged between the horizontal direction X and.
  • the first control power supply wiring 65A is arranged at the end of the fifth layer substrate 60F on the third resin side surface 53 side.
  • the first control power supply wiring 65A extends along the vertical direction Y.
  • the width of the first control power supply wiring 65A in the lateral direction X is the width of the second portion 62pz of the fourth wiring portion 62pd in the first drive wiring 62A (in the direction orthogonal to the direction in which the second portion 62pz extends in a plan view). Dimensions) larger than.
  • the width of the first control power supply wiring 65A in the lateral direction X is the width of the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A (direction orthogonal to the direction in which the third wiring portion 63pc extends in a plan view). Dimension).
  • the first control power supply wiring 65A and the pad portion 86p of the first control power supply lead 86A are connected by a first control power supply connection member 96A.
  • the first control power supply connecting member 96A is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the first control power supply wiring 66A is provided apart from the first wiring portion 66pa extending in the vertical direction Y and the first wiring portion 66pa, and the second wiring portion 66pb extending in the vertical direction Y and the first wiring. It has a third wiring portion 66pc that connects the portion 66pa and the second wiring portion 66pb.
  • the first wiring portion 66pa is arranged at the end of the fifth layer substrate 60F on the side 51 of the first resin in the horizontal direction X and the end of the third resin side 53 in the vertical direction Y.
  • the first wiring portion 66pa is arranged closer to the third resin side surface 53 than the first portion 63px of the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A.
  • the first wiring portion 66pa is arranged so as to overlap the third wiring portion 64pc of the first control wiring 64A when viewed from the lateral direction X.
  • the length Y in the vertical direction of the first wiring portion 66pa is longer than the length Y in the vertical direction of the second portion 63py of the third wiring portion 63pc.
  • the width of the first wiring portion 66pa in the lateral direction X is smaller than the width of the first control power supply wiring 65A in the lateral direction X.
  • the width of the first wiring portion 66pa in the lateral direction X is orthogonal to the width of the second portion 62pz of the fourth wiring portion 62pd in the first drive wiring 62A (in the plan view, the width of the second portion 62pz extends. Dimension in the direction of wiring).
  • the first wiring portion 66pa and the first control power supply lead 86B are connected by a first control power supply connection member 96B.
  • the first control power supply connecting member 96B is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second wiring portion 66pb is arranged closer to the second resin side surface 52 than the first wiring portion 66pa in the lateral direction X.
  • the second wiring portion 66pb is arranged closer to the fourth resin side surface 54 (closer to the first semiconductor element 10A) than the first wiring portion 66pa in the vertical direction Y.
  • the second wiring portion 66pb overlaps the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A, the second portion 64py of the first control wiring 64A, and the lead 86B for the first control power supply. Have been placed.
  • the second wiring portion 66pb is arranged between the first portion 63px of the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A and the second wiring portion 62pb of the first control wiring 64A in the lateral direction X. There is.
  • the third wiring portion 66pc is provided on the third layer substrate 60C (see FIG. 6). That is, the third wiring portion 66pc is not exposed in a plan view.
  • the third wiring portion 66pc is electrically connected to the first wiring portion 66pa by a through electrode provided in the first wiring portion 66pa, and the second wiring portion 66pb is connected by a through electrode provided in the second wiring portion 66pb. Is electrically connected to.
  • the shape of the third wiring portion 66pc in a plan view is, for example, an L shape.
  • the shape of the third wiring portion 66pc in a plan view is not limited to the L shape, and may be a shape that extends diagonally toward the third resin side surface 53 toward the first resin side surface 51.
  • the first low withstand voltage diodes 32A and 32B and the first capacitors 33A and 33B constituting the first surge reduction circuit 4A are connected to the first control wiring 63A and 64A and the first control power supply wiring 65A and 66A. ..
  • the first low withstand voltage diode 32A is connected to the first control wiring 63A and the first control power supply wiring 65A. Specifically, the anode electrode of the first low withstand voltage diode 32A is connected to a portion of the first control wiring 63A near the first control lead 84A in the third wiring portion 63pc. The cathode electrode of the first low withstand voltage diode 32A is connected to the first control power supply wiring 65A.
  • the first low withstand voltage diode 32B is connected to the first control wiring 63A and the first control power supply wiring 66A. Specifically, the cathode electrode of the first low withstand voltage diode 32B is connected to the end portion of the first control wiring 63A on the third wiring portion 63pc on the second wiring portion 63pb side. The anode electrode of the first low withstand voltage diode 32B is connected to the second wiring portion 66pb of the first control power supply wiring 66A. As described above, the first low withstand voltage diodes 32A and 32B are connected in series between the first control power supply wiring 66A and the first control power supply wiring 65A via the first control power supply wiring 63A.
  • the first low withstand voltage diode 32A is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X. Further, the first low withstand voltage diode 32B is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X. In addition, the first low withstand voltage diode 32A and the first low withstand voltage diode 32B are arranged at different positions in the vertical direction Y. In the vertical direction Y, the first low withstand voltage diode 32A is arranged closer to the third resin side surface 53 than the first low withstand voltage diode 32B. In the lateral direction X, the first low withstand voltage diode 32B is arranged closer to the side surface 51 of the first resin than the first low withstand voltage diode 32A.
  • the first capacitor 33A is connected to the first control power supply wiring 65A and the first control wiring 64A. Specifically, the first terminal of the first capacitor 33A is connected to the first control power supply wiring 65A. The second terminal of the first capacitor 33A is connected to the second portion 64py in the first control wiring 64A.
  • the first capacitor 33B is connected to the first control power supply wiring 66A and the first control wiring 64A. Specifically, the first terminal of the first capacitor 33B is connected to the first wiring portion 66pa of the first control power supply wiring 66A. The second terminal of the first capacitor 33B is connected to the second portion 64py in the first control wiring 64A. As described above, the first capacitors 33A and 33B are connected in series between the first control power supply wiring 65A and the first control power supply wiring 66A via the first control power supply wiring 64A.
  • the first capacitor 33A is arranged so that the arrangement direction of the first terminal and the second terminal is along the lateral direction X. Further, the first capacitor 33B is arranged so that the arrangement direction of the first terminal and the second terminal is along the lateral direction X. In addition, the first capacitor 33A and the first capacitor 33B are arranged so as to be overlapped with each other in the vertical direction Y and separated from each other in the horizontal direction X. Further, when viewed from the lateral direction X, the capacitors 33A and 33B are arranged so as to overlap with the first low withstand voltage diode 32A. Further, when viewed from the vertical direction Y, the first capacitor 33A is arranged so as to overlap with the first low withstand voltage diode 32B. In the lateral direction X, the first capacitor 33B is arranged closer to the first resin side surface 51 than the first low withstand voltage diode 32B.
  • the first wiring piece 67A is a third resin side surface 53 in the vertical direction Y of the first portion 62py of the fourth wiring portion 62pd of the first drive wiring 62A and the first wiring portion 63pa of the first control wiring 63A. It is arranged between the lateral end and the lateral end. That is, the first wiring piece 67A is arranged in the first wiring area 70A.
  • the shape of the first wiring piece 67A in a plan view is L-shaped.
  • the fifth layer substrate 60G is a substrate on which the second high withstand voltage diodes 31A and 31B, the second low withstand voltage diodes 34A and 34B, and the second capacitors 35A and 35B are mounted, respectively. ..
  • the fifth layer substrate 60G is laminated on the fourth layer substrate 60E.
  • the size of the fifth layer substrate 60G in the lateral direction X is smaller than the size of the first to third layer substrates 60A to 60C in the lateral direction X, and the fifth layer substrate 60G is not provided on the first conductive member 42A side. ..
  • the fifth layer substrate 60G constitutes the second short circuit detection circuit 3B and the second surge reduction circuit 4B shown in FIG.
  • the fifth layer board 60G has a second drive wiring 62B, a second control wiring 63B, 64B, a second control power supply wiring 65B, a second control power supply wiring 66B, and a second wiring piece 67B.
  • the conductive substrate 60 (fifth layer substrate 60G) has a second wiring region 70B extending toward the third resin side surface 53 side of the resin member 50 with respect to the plurality of second semiconductor elements 10B in the lateral direction X, and the lateral direction.
  • X has a third wiring region 70C extending toward the fourth resin side surface 54 side of the resin member 50 with respect to the plurality of second semiconductor elements 10B.
  • wiring regions are formed on both sides of the plurality of second semiconductor elements 10B in the vertical direction Y.
  • the second wiring area 70B and the third wiring area 70C are each mounting areas on the conductive substrate 60 (fifth layer substrate 60G) on which electronic components other than the second semiconductor element 10B are mounted.
  • the second drive wiring 62B and the second control wirings 63B and 64B extend from areas other than the second wiring area 70B of the fifth layer substrate 60G to the second wiring area 70B, respectively.
  • the second control power supply wiring 65B, the second control power supply wiring 66B, and the second wiring piece 67B are arranged in the second wiring area 70B.
  • the second low withstand voltage diodes 34A and 34B and the second capacitors 35A and 35B are mounted in the second wiring region 70B, respectively. Therefore, the second surge reduction circuit 4B is formed in the second wiring region 70B.
  • the second drive wiring 62B extends from a region other than the third wiring region 70C of the fifth layer substrate 60G to the third wiring region 70C.
  • the second high withstand voltage diodes 31A and 31B are mounted in the third wiring region 70C. Therefore, the second short circuit detection circuit 3B is formed in the third wiring region 70C.
  • the fifth layer substrate 60G has a wiring region (second wiring region 70B) in which the second surge reduction circuit 4B (see FIG. 5) is formed, and a second short circuit detection circuit.
  • a wiring region (third wiring region 70C) on which 3B (see FIG. 5) is formed is formed separately.
  • the second wiring region 70B and the third wiring region 70C are arranged so as to sandwich the plurality of second semiconductor elements 10B in the vertical direction Y.
  • the second drive wiring 62B is electrically connected to the second short circuit detection lead 87B. Further, the second drive wiring 62B is electrically connected to the drain electrode 11 of each of the second semiconductor elements 10B via the second high withstand voltage diodes 31A and 31B. That is, a short circuit of each second semiconductor element 10B is detected via the second drive wiring 62B. As described above, the second drive wiring 62B is a wiring portion for electrically connecting the drain electrode 11 of each second semiconductor element 10B and the second short circuit detection lead 87B.
  • the second drive wiring 62B has a first wiring portion 62qa extending in the vertical direction Y and a plurality of wirings 62B extending in the horizontal direction X from the first wiring portion 62qa (two in the present embodiment).
  • the second wiring portion 62qb, the third wiring portion 62qc for connecting the second high withstand voltage diodes 31A and 31B, the second high withstand voltage diode 31B, and the drain electrode 11 of each second semiconductor element 10B are electrically connected. It has a fourth wiring portion 62qd for connecting.
  • the first wiring portion 62qa is arranged closer to the first conductive member 42A than each second semiconductor element 10B in the lateral direction X.
  • the first wiring portion 62qa is arranged at the end of the fifth layer substrate 60F on the first conductive member 42A side in the lateral direction X.
  • the first wiring portion 62qa extends so as to overlap each of the second semiconductor elements 10B when viewed from the lateral direction X.
  • the second wiring portion 62qb is arranged between the second semiconductor elements 10B adjacent to each other in the vertical direction Y. As shown in FIG. 10, the first end portion 62qx on the third resin side surface 53 side of the first wiring portion 62qa in the vertical direction Y extends to the second wiring region 70B.
  • the first end portion 62qx and the pad portion 87p of the second short circuit detection lead 87B are connected by a second short circuit detection connecting member 97B.
  • the second short circuit detection connecting member 97B is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second end portion 62qy of the first wiring portion 62qa in the vertical direction Y on the side surface 54 side of the fourth resin extends to the third wiring region 70C.
  • the width of the second end portion 62qy in the lateral direction X is smaller than the width of the portion of the first wiring portion 62qa other than the second end portion 62qy in the lateral direction X.
  • the third wiring portion 62qc is arranged apart from each other in the horizontal direction X in a state of being aligned with the second end portion 62qy in the vertical direction Y. That is, the third wiring portion 62qc is arranged in the third wiring region 70C.
  • the length of the third wiring portion 62qc in the vertical direction Y is equal to the length of the second end portion 62qy in the vertical direction Y. Further, the width of the third wiring portion 62qc in the lateral direction X is larger than the width of the second end portion 62qy in the lateral direction X.
  • the fourth wiring portion 62qd is arranged so as to be separated from the third wiring portion 62qc on the side opposite to the second end portion 62qy in the lateral direction X. That is, the fourth wiring portion 62qd is arranged in the third wiring region 70C.
  • the third wiring portion 62qc and the fourth wiring portion 62qd are arranged so as to overlap each of the second semiconductor elements 10B when viewed from the vertical direction Y.
  • the third wiring portion 62qc and the fourth wiring portion 62qd are closer to the fourth resin side surface 54 than the second semiconductor element 10B closest to the fourth resin side surface 54 in the vertical direction Y, respectively, and are vertically connected to the second semiconductor element 10B. They are arranged so as to be adjacent to each other in the direction Y.
  • the second high withstand voltage diodes 31A and 31B are mounted on the second drive wiring 62B. More specifically, a second high withstand voltage diode 31A is connected to the second end portion 62qy and the third wiring portion 62qc. Specifically, the anode electrode of the second high withstand voltage diode 31A is connected to the second end portion 62qy, and the cathode electrode of the second high withstand voltage diode 31A is connected to the third wiring portion 62qc. A second high withstand voltage diode 31B is connected to the third wiring portion 62qc and the fourth wiring portion 62qd.
  • the anode electrode of the second high withstand voltage diode 31B is connected to the third wiring portion 62qc, and the cathode electrode of the second high withstand voltage diode 31B is connected to the fourth wiring portion 62qd.
  • the second high withstand voltage diode 31A and the second high withstand voltage diode 31B are connected in series by the first wiring portion 62qa, the third wiring portion 62qc, and the fourth wiring portion 62qd.
  • the second high withstand voltage diode 31A is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X. Further, the second high withstand voltage diode 31B is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X. In addition, the second high withstand voltage diode 31A and the second high withstand voltage diode 31B are arranged apart from each other in the horizontal direction X in a state of being aligned in the vertical direction Y.
  • the second control wiring 63B is a wiring portion for electrically connecting the gate electrode 13 of each second semiconductor element 10B and the second control lead 84B.
  • the second control wiring 63B and the gate electrode 13 of each second semiconductor element 10B are connected by a second control connection member 92B.
  • the second control connecting member 92B is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second control wiring 63B is obliquely directed toward the first conductive member 42A side toward the first wiring portion 63qa extending in the vertical direction Y and the third resin side surface 53 side in the vertical direction Y from the first wiring portion 63qa. It has a second wiring portion 63qb extending from the second wiring portion 63qb and a third wiring portion 63qc extending from the second wiring portion 63qb toward the second control lead 84B.
  • the first wiring portion 63qa is closer to the second resin side surface 52 than each second semiconductor element 10B in the lateral direction X, and is arranged so as to be adjacent to each second semiconductor element 10B.
  • the first wiring portion 63qa extends so as to overlap each of the second semiconductor elements 10B when viewed from the lateral direction X. In the present embodiment, the first wiring portion 63qa is not arranged in the second wiring region 70B.
  • the second wiring portion 63qb and the third wiring portion 63qc are respectively arranged in the second wiring region 70B.
  • the second wiring portion 63qb and the third wiring portion 63qc are respectively arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the second control lead 84B in the vertical direction Y.
  • the second wiring portion 63qb is arranged so as to be adjacent to the second semiconductor element 10B closest to the third resin side surface 53 among the plurality of second semiconductor elements 10B.
  • the shape of the third wiring portion 63qc in a plan view is L-shaped.
  • the third wiring portion 63qc is from a position where it overlaps with the first portion 63qx extending from the second wiring portion 62qb toward the first conductive member 42A side along the horizontal direction X and the second control lead 84B when viewed from the vertical direction Y. It has a second portion 63qy extending along the longitudinal direction Y toward the second control lead 84B.
  • the width of the first portion 63qx of the third wiring portion 63qc in the vertical direction is the width of the portion of the second control wiring 63B other than the first portion 63qx (the direction in which the second control wiring 63B extends in a plan view). It is larger than the dimension in the orthogonal direction).
  • the end of the second portion 63qy on the side surface 53 of the third resin in the vertical direction Y and the second control lead 84B are connected by a second control lead connecting member 94B.
  • the second control lead connecting member 94B is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second control wiring 64B is a wiring portion for connecting the source electrode 12 of each second semiconductor element 10B and the second control lead 85B.
  • the second control wiring 64B pulls out the source electrode 12 of each second semiconductor element 10B to the outside, and supplies a gate voltage between the gate electrode 13 and the source electrode 12 of each second semiconductor element 10B. It is a wiring part for doing.
  • the second control wiring 64B and the source electrode 12 of each second semiconductor element 10B are connected by a second control connection member 93B.
  • the second control connecting member 93B is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second control wiring 64B includes a first wiring portion 64qa extending in the vertical direction Y and a second wiring portion 64qb extending diagonally toward the first conductive member 42A side in the vertical direction Y from the first wiring portion 64qa. It has a third wiring portion 64qc extending from the second wiring portion 64qb toward the second control lead 85B.
  • the first wiring portion 64qa is arranged on the side opposite to each second semiconductor element 10B with respect to the second control wiring 63B in the lateral direction X.
  • the first wiring portion 64qa is formed at the end portion of the fifth layer substrate 60G on the side surface 52 side of the second resin in the lateral direction X.
  • the length of the first wiring portion 64qa in the vertical direction Y is equal to the length of the first wiring portion 63qa of the second control wiring 63B in the vertical direction Y.
  • the second wiring portion 64qb is parallel to the second wiring portion 63qb of the second control wiring 63B.
  • the second wiring portion 64qb is arranged so as to overlap the second wiring portion 63qb when viewed from the lateral direction X. Further, the second wiring portion 64qb is arranged so as to overlap the second wiring portion 63qb when viewed from the vertical direction Y.
  • the third wiring portion 64qc is arranged so as to be closer to the second resin side surface 52 with respect to the second control lead 85B in the lateral direction X.
  • the third wiring portion 64qc extends in the vertical direction Y.
  • the width of the third wiring portion 64qc in the lateral direction X is the width of the portion of the second control wiring 64B other than the third wiring portion 64qc (in the direction orthogonal to the direction in which the second control wiring 64B extends in a plan view). Dimensions) larger than.
  • the end of the third wiring portion 64qc in the vertical direction Y on the side surface 53 side of the third resin and the pad portion 85p of the second control lead 85B are connected by the second control lead connecting member 95B.
  • the second control lead connecting member 95B is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second control power supply wiring 65B is arranged between the second control wiring 63B and the second control wiring 64B in the lateral direction X. Specifically, the second control power supply wiring 65B is the lateral X of the second portion 63qy of the third wiring portion 63qc of the second control wiring 63B and the third wiring portion 64qc of the second control wiring 64B. It is placed between.
  • the second control power supply wiring 65B is arranged at the end of the fifth layer substrate 60G on the third resin side surface 53 side in the vertical direction Y.
  • the second control power supply wiring 65B is arranged closer to the third resin side surface 53 than the first portion 63qx of the third wiring portion 63qc of the second control wiring 63B.
  • the second control power supply wiring 65B extends along the vertical direction Y.
  • the width of the second control power supply wiring 65B in the lateral direction X is larger than the width of the second end 62qy of the third wiring portion 62qc in the second control wiring 63B.
  • the second control power supply wiring 65B and the pad portion 86p of the second control power supply lead 86C are connected by a second control power supply connection member 96C.
  • the second control power supply connecting member 96C is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second control power supply wiring 66B is provided apart from the first wiring portion 66qa extending in the vertical direction Y and the first wiring portion 66qa, and the second wiring portion 66qb extending in the vertical direction Y and the first wiring. It has a third wiring portion 66qc that connects the portion 66qa and the second wiring portion 66qb.
  • the first wiring portion 66qa is arranged at the end of the fifth layer substrate 60G on the side 52 side of the second resin in the horizontal direction X and the end on the side surface 53 of the third resin in the vertical direction Y.
  • the first wiring portion 66qa extends along the vertical direction Y.
  • the first wiring portion 66qa is arranged so as to overlap the third wiring portion 64qc of the second control wiring 64B when viewed from the lateral direction X.
  • the length of the first wiring portion 66qa in the vertical direction Y is shorter than the length of the third wiring portion 63qc in the vertical direction Y.
  • the width of the first wiring portion 66qa in the lateral direction is the width (plane) of the second drive wiring 62B, the second control wiring 63B, the second control wiring 64B, and the second control power supply wiring 65B. It is smaller than the dimension in the direction orthogonal to the direction in which each wiring extends in view.
  • the second control power supply wiring 66B and the second control power supply lead 86D are connected by a second control power supply connection member 96D.
  • the second control power supply connecting member 96D is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second wiring portion 66qb is arranged closer to the first resin side surface 51 (closer to the first wiring portion 62qa of the second drive wiring 62B) than the first wiring portion 66qa in the lateral direction X.
  • the second wiring portion 66qb is arranged closer to the fourth resin side surface 54 (closer to the second semiconductor element 10B) than the first wiring portion 66qa in the vertical direction Y.
  • the second wiring portion 66qb overlaps the first portion 63qx of the third wiring portion 63qc of the second control wiring 63B, the second control power supply wiring 65B, and the second control lead 85B. Have been placed.
  • the second wiring portion 66qb is arranged between the second portion 63qy of the third wiring portion 63qc of the second control wiring 63B and the third wiring portion 62qc of the second control wiring 64B in the lateral direction X. There is.
  • the third wiring portion 66qc is provided on the third layer substrate 60C (see FIG. 6). That is, the third wiring portion 66qc is not exposed in a plan view.
  • the third wiring portion 66qc is electrically connected to the first wiring portion 66qa by a through electrode provided in the first wiring portion 66qa, and the second wiring portion 66qb is connected by a through electrode provided in the second wiring portion 66qb. Is electrically connected to.
  • the shape of the third wiring portion 66qc in a plan view is, for example, an L shape.
  • the shape of the third wiring portion 66qc in a plan view is not limited to the L shape, and may be a shape that extends diagonally toward the third resin side surface 53 toward the second resin side surface 52.
  • the second low withstand voltage diodes 34A and 34B and the second capacitors 35A and 35B constituting the second surge reduction circuit 4B are the second control wiring 63B and 64B, the second control power supply wiring 65B, and the second control power supply wiring. It is connected to 66B.
  • the second low withstand voltage diode 34A is connected to the second control wiring 63B and the second control power supply wiring 65B. Specifically, the anode electrode of the second low withstand voltage diode 34B is connected to the second portion 63qy of the third wiring portion 63qc of the second control wiring 63B. The cathode electrode of the second low withstand voltage diode 34B is connected to the second control power supply wiring 65B.
  • the second low withstand voltage diode 34B is connected to the second control wiring 63B and the second control power supply wiring 66B. Specifically, the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 34A is connected to the first portion 63qx of the third wiring portion 63qc of the second control wiring 63B. The anode electrode of the second low withstand voltage diode 34A is connected to the second wiring portion 64qb of the second control power supply wiring 66B. As described above, the second low withstand voltage diodes 34B and 34B are connected in series between the second control power supply wiring 66B and the second control power supply wiring 65B via the second control power supply wiring 63B.
  • the second low withstand voltage diode 34A is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X. Further, the second low withstand voltage diode 34B is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X. In addition, the second low withstand voltage diode 34A and the second low withstand voltage diode 34B are arranged at different positions in the vertical direction Y. The second low withstand voltage diode 34A and the second low withstand voltage diode 34B are arranged so as to overlap each other when viewed from the vertical direction Y. In the vertical direction Y, the second low withstand voltage diode 34A is arranged closer to the third resin side surface 53 than the second low withstand voltage diode 34B.
  • the second capacitor 35A is connected to the second control power supply wiring 65B and the second control power supply wiring 64B. Specifically, the first terminal of the second capacitor 35A is connected to the second control power supply wiring 65B. The second terminal of the second capacitor 35A is connected to the third wiring portion 63qc in the second control wiring 64B.
  • the second capacitor 35B is connected to the second control power supply wiring 66B and the second control wiring 64B. Specifically, the first terminal of the second capacitor 35B is connected to the first wiring portion 66qa of the second control power supply wiring 66B. The second terminal of the second capacitor 35B is connected to the third wiring portion 64qc of the second control wiring 64B. In this way, the second capacitors 35A and 35B are connected in series between the second control power supply wiring 65B and the second control power supply wiring 66B via the second control power supply wiring 64B.
  • the second capacitor 35A is arranged so that the arrangement direction of the first terminal and the second terminal is along the lateral direction X.
  • the second capacitor 35B is arranged so that the arrangement direction of the first terminal and the second terminal is along the lateral direction X.
  • the second capacitor 35A and the second capacitor 35B are arranged so as to be aligned in the vertical direction Y and separated from each other in the horizontal direction X.
  • the capacitors 35A and 35B are arranged so as to overlap with the second low withstand voltage diode 34A.
  • the capacitors 35A and 35B are arranged closer to the second resin side surface 52 than the low withstand voltage diodes 34A and 34B.
  • control connection members 92A, 92B, 93A, 93B, the control lead connection members 94A, 94B, 95A, 95B, the control power supply connection members 96A to 96D, and the short circuit detection connection members 97A, 97B are described above.
  • Each consists of, for example, Au (gold) or Cu (copper).
  • the wire diameters are equal to each other.
  • the second wiring piece 67B is the end portion of the fifth layer substrate 60G near the output lead 83 in the horizontal direction X and the side opposite to the third resin side surface 53 side in the vertical direction Y. It is located at the end of.
  • the shape of the second wiring piece 67B in a plan view is L-shaped.
  • the plurality of first semiconductor elements 10A housed in the first substrate opening 61A and the first substrate recess 61C of the conductive substrate 60 are formed in the first conductive member 42A and the output lead 83. It is electrically connected. Since the first conductive member 42A is electrically connected to the first input lead 81, it can be said that the plurality of first semiconductor elements 10A are electrically connected to the first input lead 81. Specifically, the drain electrode 11 of each first semiconductor element 10A is bonded to the first conductive member 42A by a conductive bonding material such as solder or silver paste.
  • the source electrodes 12 of each first semiconductor element 10A are joined to the exposed portion 83d of the output lead 83 by a plurality of (four in this embodiment) first drive connecting members 91A.
  • the first drive connecting member 91A is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the first drive connection member 91A is formed so as to straddle the first wiring portion 62pa of the first drive wiring 62A.
  • the number of the first drive connecting members 91A is not limited to four, and can be arbitrarily changed.
  • the plurality of second semiconductor elements 10B housed in the second substrate opening 61B of the conductive substrate 60 are electrically connected to the second conductive member 42B and the second input lead 82. Since the second conductive member 42B is electrically connected to the output lead 83, it can be said that the plurality of second semiconductor elements 10B are electrically connected to the output lead 83.
  • the drain electrode 11 of each second semiconductor element 10B is bonded to the second conductive member 42B by a conductive bonding material such as solder or silver paste.
  • the source electrodes 12 of each of the second semiconductor elements 10B are joined to the exposed portion 82d of the second input lead 82 by a plurality of (four in this embodiment) second drive connecting members 91B.
  • the second drive connecting member 91B is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second drive connection member 91B is formed so as to straddle the first wiring portion 62qa of the second drive wiring 62B.
  • the number of the second drive connecting members 91B is not limited to four and can be changed arbitrarily.
  • Each drive connecting member 91A, 91B is made of, for example, Cu (copper) or Al (aluminum).
  • the constituent materials of the drive connection members 91A and 91B are the control connection members 92A, 92B, 93A and 93B, the control lead connection members 94A, 94B, 95A and 95B, and the control power supply connections. It is the same as the constituent materials of the members 96A to 96D and the short circuit detection connecting members 97A and 97B. Further, the wire diameters of the drive connecting members 91A and 91B are equal to each other.
  • the wire diameters of the drive connection members 91A and 91B are the control connection members 92A, 92B, 93A, 93B, the control lead connection members 94A, 94B, 95A, 95B, and the control power supply connections. It is equal to the wire diameters of the members 96A to 96D and the short circuit detection connecting members 97A and 97B, respectively.
  • the first control side opening 58A, the second control side opening 58B, as four resin openings exposing the conductive substrate 60 from the resin top surface 55 side A first drive side opening 59A and a second drive side opening 59B are provided.
  • the first control side opening 58A and the first drive side opening 59A are provided separately.
  • the second control side opening 58B and the second drive side opening 59B are provided separately.
  • the first control side opening 58A is arranged at a position overlapping the plurality of first semiconductor elements 10A and closer to the third resin side surface 53 than the plurality of first semiconductor elements 10A when viewed from the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B is arranged at a position overlapping the plurality of second semiconductor elements 10B and closer to the third resin side surface 53 than the plurality of second semiconductor elements 10B when viewed from the vertical direction Y.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged side by side so as to be separated from each other in the direction along one side of the resin member 50.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged so as to be aligned in the vertical direction Y and separated from each other in the horizontal direction X.
  • the control side openings 58A and 58B are arranged at the ends of the resin top surface 55 near the third resin side surface 53.
  • the first control side opening 58A is arranged closer to the first resin side surface 51 than the second control side opening 58B.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 84t of the first control lead 84A in the vertical direction.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the pad portion 84p of the first control lead 84A in the vertical direction Y.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 85t of the first control lead 85A in the vertical direction.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the pad portion 85p of the first control lead 85A in the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the terminal portion 84t of the second control lead 84B in the vertical direction.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the pad portion 84p of the second control lead 84B in the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the terminal portion 85t of the second control lead 85B in the vertical direction.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the pad portion 85p of the second control lead 85B in the vertical direction Y.
  • the first drive side opening 59A is arranged at a position where it overlaps with the plurality of first semiconductor elements 10A and closer to the third resin side surface 53 than the plurality of first semiconductor elements 10A when viewed from the vertical direction Y. Further, the first drive side opening 59A is arranged closer to the plurality of first semiconductor elements 10A than the first control side opening 58A in the vertical direction Y. In other words, in a plan view, the first drive-side opening 59A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 84t of the first control lead 84A in the vertical direction. The first drive-side opening 59A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 85t of the first control lead 85A in the vertical direction. In the present embodiment, in the plan view, the first drive side opening 59A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the first control side opening 58A in the vertical direction Y.
  • the second drive side opening 59B is arranged at a position where it overlaps with the plurality of second semiconductor elements 10B and closer to the fourth resin side surface 54 than the plurality of second semiconductor elements 10B when viewed from the vertical direction Y.
  • the first drive-side opening 59A is arranged closer to the first resin side surface 51 than the second control-side opening 58B and the second drive-side opening 59B.
  • the first drive side opening 59A is arranged closer to the second resin side surface 52 with respect to the first control side opening 58A.
  • the first drive-side opening 59A is arranged closer to the first control-side opening 58A than the second control-side opening 58B and the second drive-side opening 59B.
  • the second drive-side opening 59B is arranged at the end of the resin top surface 55 near the fourth resin side surface 54.
  • the second drive side opening 59B is arranged closer to the first resin side surface 51 with respect to the second control side opening 58B.
  • the area of the drive-side openings 59A and 59B in the plan view is smaller than the area of the control-side openings 58A and 58B in the plan view.
  • the first control side opening 58A exposes a part of the first wiring region 70A of the conductive substrate 60.
  • the first control side opening 58A exposes a part of the mounting region on the conductive substrate 60 (fifth layer substrate 60F) on which electronic components other than the first semiconductor element 10A are mounted.
  • the first control side opening 58A exposes a region of the first wiring region 70A on the third resin side surface 53 side.
  • the first control side opening 58A exposes the first surge reduction circuit 4A electrically connected to the first semiconductor element 10A. More specifically, as shown in FIG.
  • the first control side opening 58A includes the first low withstand voltage diodes 32A and 32B, the first capacitors 33A and 33B, and the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A.
  • the third wiring portion 64pc of the first control wiring 64A, the first control power supply wiring 65A, and the first control power supply wiring 66A are exposed.
  • the first control side opening 58A does not expose the first control lead connection members 94A and 95A, the first control power supply connection members 96A and 96B, and the first short circuit detection connection member 97A. ..
  • the shape of the first control side opening 58A in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the first control side opening 58A is a void.
  • the second control side opening 58B exposes a part of the second wiring region 70B of the conductive substrate 60.
  • the second control side opening 58B exposes a part of the mounting region on the conductive substrate 60 (fifth layer substrate 60G) on which electronic components other than the second semiconductor element 10B are mounted.
  • the second control side opening 58B exposes a region of the second wiring region 70B on the third resin side surface 53 side.
  • the second control side opening 58B exposes the second surge reduction circuit 4B electrically connected to the second semiconductor element 10B.
  • the second control side opening 58B includes the second low withstand voltage diodes 34A and 34B, the second capacitors 35A and 35B, the third wiring portion 63pc of the second control wiring 63B, and the second control wiring 64B.
  • the third wiring portion 64qc, the second control power supply wiring 65B, and the second control power supply wiring 66B are exposed.
  • the second control side opening 58B does not expose the second control lead connection members 94B and 95B, the second control power supply connection members 96C and 96D, and the second short circuit detection connection member 97B. ..
  • the shape of the second control side opening 58B in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the second control side opening 58B is a void.
  • the first drive side opening 59A exposes a region different from the region where the first control side opening 58A is exposed in the first wiring region 70A. In other words, the first drive side opening 59A is exposed at the first control side opening 58A in the mounting region where electronic components other than the first semiconductor element 10A are mounted on the conductive substrate 60 (fifth layer substrate 60F). The part where the electronic component other than the electronic component is mounted is exposed.
  • the first drive-side opening 59A exposes a plurality of regions on the first semiconductor element 10A side of the first wiring region 70A. In the present embodiment, the first drive-side opening 59A exposes the first short-circuit detection circuit 3A connected to the drain electrode 11 of the first semiconductor element 10A. More specifically, as shown in FIG.
  • the first drive side opening 59A includes the first high withstand voltage diodes 30A and 30B, the end portion 62px of the first drive wiring 62A, the third wiring portion 62pc, and the fourth.
  • the first portion 62py of the wiring portion 62pd is exposed.
  • the first drive side opening 59A does not expose the first semiconductor element 10A.
  • the shape of the first drive side opening 59A in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the first drive side opening 59A is filled with an insulating material 71 having an electrical insulating property.
  • An example of the insulating material 71 is a silicone resin.
  • the second drive side opening 59B exposes a part of the third wiring region 70C of the conductive substrate 60.
  • the second drive-side opening 59B is exposed at the second control-side opening 58B in the mounting region on which the electronic components other than the second semiconductor element 10B are mounted on the conductive substrate 60 (fifth layer substrate 60G). A part of the mounting area different from the mounting area is exposed.
  • the second drive-side opening 59B exposes the second short-circuit detection circuit 3B connected to the drain electrode 11 of the second semiconductor element 10B.
  • the second drive side opening 59B exposes the second high withstand voltage diodes 31A and 31B, the second end 62qy of the second drive wiring 62B, the third wiring portion 62qc, and the fourth wiring portion 62qd. are doing.
  • the second drive side opening 59B does not expose the second semiconductor element 10B.
  • the shape of the second drive side opening 59B in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the second drive side opening 59B is filled with an insulating material 72 having an electrical insulating property.
  • An example of the insulating material 72 is a silicone resin.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 1A of this embodiment includes a support substrate preparation step (step S11), a conduction substrate preparation step (step S12), a semiconductor element mounting step (step S13), and a substrate bonding step (step S14).
  • a wire forming step (step S15) and a sealing step (step S16) are provided.
  • the semiconductor device 1A is manufactured by carrying out the support substrate preparation step, the conduction substrate preparation step, the semiconductor element mounting step, the substrate bonding step, the wire forming step, and the sealing step in this order.
  • the support substrate 40 is manufactured. Specifically, the first conductive member 42A is joined to the substrate main surface 41sa of the first insulating substrate 41A by using a conductive bonding material such as silver paste or solder.
  • the second conductive member 42B is joined to the substrate main surface 41sb of the second insulating substrate 41B using a conductive bonding material.
  • the assembly of the first insulating substrate 41A and the first conductive member 42A and the assembly of the second insulating substrate 41B and the second conductive member 42B are arranged at intervals in the lateral direction X.
  • a first layer substrate 60A, a second layer substrate 60B, a third layer substrate 60C, a fourth layer substrate 60D, 60E, and a fifth layer substrate 60F, 60G formed of a glass epoxy resin are prepared. To do.
  • the first layer substrate 60A, the first input lead 81, and the output lead 83 are combined.
  • the second layer substrate 60B is laminated on the first layer substrate 60A.
  • the third layer substrate 60C is laminated on the second layer substrate 60B.
  • the fourth layer substrates 60D and 60E are laminated on the third layer substrate 60C.
  • the fifth layer substrate 60F is laminated on the fourth layer substrate 60D
  • the fifth layer substrate 60G is laminated on the fourth layer substrate 60E.
  • the first high withstand voltage diodes 30A and 30B, the first low withstand voltage diodes 32A and 32B, and the first capacitors 33A and 33B are mounted on the fifth layer substrate 60F
  • the second high withstand voltage diodes 31A and 31B and the second low withstand voltage are mounted.
  • the withstand voltage diodes 34A and 34B and the second capacitors 35A and 35B are mounted on the fifth layer substrate 60G.
  • the lead frame before the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B are formed is the first conductor. It is joined to the member 42A and the second conductive member 42B. As a result, the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B are supported by the support substrate 40 in a state of being separated from the support substrate 40.
  • each first semiconductor element 10A is bonded to the main surface 42sa of the first conductive member 42A using a conductive bonding material such as silver paste or solder, and conductive bonding is performed.
  • Each second semiconductor element 10B is joined to the main surface 42sb of the second conductive member 42B using a material.
  • Each of the first semiconductor elements 10A is joined to the main surface 42sa by a conductive bonding material in a state where the drain electrode 11 faces the main surface 42sa of the first conductive member 42A.
  • a conductive bonding material is interposed between the drain electrode 11 of each first semiconductor element 10A and the main surface 42sa of the first conductive member 42A.
  • each of the second semiconductor elements 10B is joined to the main surface 42sb by the conductive bonding material in a state where the drain electrode 11 faces the main surface 42sb of the second conductive member 42B.
  • a conductive bonding material is interposed between the drain electrode 11 of each second semiconductor element 10B and the main surface 42sb of the second conductive member 42B.
  • the conductive substrate 60 and the input leads 81, 82 and the output leads 83 are assembled on the main surface 42sa of the first conductive member 42A and the main surface 42sb of the second conductive member 42B. Is joined using a conductive bonding material such as silver paste or solder.
  • the first input lead 81 is joined to the main surface 42sa of the first conductive member 42A
  • the output lead 83 is joined to the main surface 42sb of the second conductive member 42B.
  • the first input lead 81 and the first conductive member 42A are electrically connected
  • the output lead 83 and the second conductive member 42B are electrically connected.
  • the first input lead 81 is electrically connected to the drain electrode 11 of each first semiconductor element 10A
  • the output lead 83 is electrically connected to the drain electrode 11 of each second semiconductor element 10B.
  • the control power supply connection members 96A to 96D and the short circuit detection connection members 97A and 97B are formed.
  • the bonding apparatus joins a wire to the source electrode 12 of the predetermined first semiconductor element 10A, and then pulls out the wire to expose the exposed portion 83d corresponding to the predetermined first semiconductor element 10A of the output leads 83. It moves along the lateral direction X and joins a wire to the exposed portion 83d.
  • the bonding apparatus repeats the above operation four times.
  • four first drive connecting members 91A connecting the source electrode 12 of the predetermined first semiconductor element 10A and the exposed portion 83d corresponding to the predetermined first semiconductor element 10A of the output leads 83 are formed.
  • the first drive connection member 91A is formed so as to straddle the first drive wiring 62A of the conductive substrate 60.
  • the bonding apparatus forms four first drive connecting members 91A for the exposed portion 83d corresponding to the first semiconductor element 10A of the source electrode 12 and the output lead 83 of the remaining first semiconductor element 10A. To do.
  • the bonding apparatus joins the wire to the gate electrode 13 of the predetermined first semiconductor element 10A, and then moves along the lateral direction X to the first control wiring 63A while pulling out the wire, and the first control wiring.
  • a wire is joined to the first wiring portion 63pa of 63A.
  • the first control connecting member 92A that connects the gate electrode 13 of the predetermined first semiconductor element 10A and the first control wiring 63A is formed.
  • the bonding apparatus also forms the first control connecting member 92A for the gate electrode 13 of the remaining first semiconductor element 10A and the first control wiring 63A.
  • the bonding apparatus joins the wire to the source electrode 12 of the predetermined first semiconductor element 10A, and then moves along the lateral direction X to the first control wiring 64A while pulling out the wire, and the first control wiring.
  • a wire is joined to the first wiring portion 64pa of 64A.
  • the first control connecting member 93A that connects the source electrode 12 of the predetermined first semiconductor element 10A and the first control wiring 64A is formed.
  • the bonding apparatus also forms the first control connecting member 93A for the source electrode 12 of the remaining first semiconductor element 10A and the first control wiring 64A.
  • the bonding apparatus joins the wire to the source electrode 12 of the predetermined second semiconductor element 10B, and then pulls out the wire to expose the exposed portion 82d corresponding to the predetermined second semiconductor element 10B of the second input leads 82. And join the wire to the exposed portion 82d.
  • the bonding apparatus repeats the above operation four times.
  • the four second drive connecting members 91B connecting the source electrode 12 of the predetermined second semiconductor element 10B and the exposed portion 82d corresponding to the predetermined second semiconductor element 10B of the second input leads 82 are formed. It is formed.
  • the second drive connection member 91B is formed so as to straddle the second drive wiring 62B of the conductive substrate 60.
  • the bonding apparatus also has four second drive connecting members 91B for the exposed portion 82d corresponding to the second semiconductor element 10B of the source electrode 12 and the second input lead 82 of the remaining second semiconductor element 10B. To form.
  • the bonding apparatus joins the wire to the gate electrode 13 of the predetermined second semiconductor element 10B, and then moves along the lateral direction X to the second control wiring 63B while pulling out the wire, and the second control wiring.
  • a wire is joined to the first wiring portion 63qa of 63B.
  • the second control connecting member 92B that connects the gate electrode 13 of the predetermined second semiconductor element 10B and the second control wiring 63B is formed.
  • the bonding apparatus also forms the second control connecting member 92B for the gate electrode 13 and the second control wiring 63B of the remaining second semiconductor element 10B.
  • the bonding apparatus joins the wire to the source electrode 12 of the predetermined second semiconductor element 10B, and then moves along the lateral direction X to the second control wiring 64B while pulling out the wire, and the second control wiring.
  • a wire is joined to the first wiring portion 64qa of 64B.
  • the second control connecting member 93B that connects the source electrode 12 of the predetermined second semiconductor element 10B and the second control wiring 64B is formed.
  • the bonding apparatus also forms the second control connecting member 93B for the source electrode 12 and the second control wiring 64B of the remaining second semiconductor element 10B.
  • the bonding device joins the wire to the pad portion 87p of the first short-circuit detection lead 87A, and then moves to the second portion 62pz of the fourth wiring portion 62pd of the first drive wiring 62A while pulling out the wire. Then, the wire is joined to the second portion 62pz. As a result, the first short-circuit detection connecting member 97A that connects the first short-circuit detection lead 87A and the first drive wiring 62A is formed.
  • the bonding device joins the wire to the pad portion 84p of the first control lead 84A, and then moves to the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A while pulling out the wire, and moves to the third wiring portion 63pc. Join the wire to 63 pc.
  • the first control lead connection member 94A that connects the first control lead 84A and the first control wiring 63A is formed.
  • the bonding device joins the wire to the pad portion 86p of the first control power supply lead 86A, then moves to the first control power supply wiring 65A while pulling out the wire, and connects the wire to the first control power supply wiring 65A. Join.
  • the first control power supply connecting member 96A that connects the first control power supply reed 86A and the first control power supply wiring 65A is formed.
  • the bonding device joins the wire to the pad portion 85p of the first control lead 85A, moves the wire to the second portion 64py of the first control wiring 64A while pulling out the wire, and connects the wire to the second portion 64py. Join.
  • the first control lead connection member 95A that connects the first control lead 85A and the first control wiring 64A is formed.
  • the bonding device joins the wire to the pad portion 86p of the first control power supply lead 86B, and then moves to the first wiring portion 66pa of the first control power supply wiring 66A while pulling out the wire, and the first wiring portion Join the wire to 66pa.
  • the first control power supply connecting member 96B that connects the first control power supply reed 86B and the first control power supply wiring 66A is formed.
  • the bonding apparatus joins the wire to the pad portion 87p of the second short-circuit detection lead 87B, and then pulls out the wire to reach the first end portion 62qx of the first wiring portion 62qa of the second drive wiring 62B. Move and join the wire to the first end 62qx.
  • the second short-circuit detection connecting member 97B that connects the second short-circuit detection lead 87B and the second drive wiring 62B is formed.
  • the bonding device joins the wire to the pad portion 84p of the second control lead 84B, and then moves to the second portion 63qy of the third wiring portion 63qc of the second control wiring 63B while pulling out the wire. , Join the wire to the second portion 63qy.
  • the second control lead connection member 94B that connects the second control lead 84B and the second control wiring 63B is formed.
  • the bonding device joins the wire to the pad portion 86p of the second control power supply lead 86C, moves to the second control power supply wiring 65B while pulling out the wire, and connects the wire to the second control power supply wiring 65B.
  • the second control power supply connecting member 96C that connects the second control power supply reed 86C and the second control power supply wiring 65B is formed.
  • the bonding apparatus joins the wire to the pad portion 85p of the second control lead 85B, then moves to the third wiring portion 64qc of the second control wiring 64B while pulling out the wire, and moves to the third wiring portion 64qc. Join the wires.
  • the second control lead connecting member 95B that connects the second control lead 85B and the second control wiring 64B is formed.
  • the bonding device joins the wire to the pad portion 86p of the second control power supply lead 86D, and then moves to the first wiring portion 66qa of the second control power supply wiring 66B while pulling out the wire, and moves to the first wiring portion 66qa. Join the wire to 66qa.
  • the second control power supply connecting member 96D that connects the second control power supply reed 86D and the second control power supply wiring 66B is formed.
  • the resin member 50 is formed. Specifically, for example, using a black epoxy resin, the resin member 50 is formed by a transfer mold.
  • the mold used for the transfer mold integrally forms the first control side opening 58A, the second control side opening 58B, the first drive side opening 59A, and the second drive side opening 59B. .. Further, the mold integrally forms the grooves 57A and 57B.
  • the first drive-side opening 59A is filled with the insulating material 71
  • the second drive-side opening 59B is filled with the insulating material 72. Silicone resin is used for the insulating materials 71 and 72.
  • the semiconductor device 1A is manufactured through a lead frame cutting step and a terminal forming step.
  • the lead frame cutting step is a step of cutting the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B from the lead frame.
  • the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B are bent to form the terminal portions 84t, 85t, 86t, 87t. It is a process.
  • the semiconductor element mounting step may be performed after the support substrate preparation step and before the conduction substrate preparation step. Further, the semiconductor element mounting step may be carried out after the substrate bonding step and before the wire forming step.
  • the conductive substrate preparation step may be performed before the support substrate preparation step.
  • the order in which the short-circuit detection connecting members 97A and 97B are formed can be arbitrarily changed.
  • the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, 31B constituting the short circuit detection circuits 3A, 3B are mounted on the conduction board 60, but the present invention is not limited to this.
  • the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, and 31B need not be mounted on the conductive board 60.
  • the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, 31B may be mounted by the first drive side opening 59A and the second drive side opening 59B after the sealing step.
  • the insulating material 71 fills the first drive side opening 59A after mounting the high withstand voltage diodes 30A and 30B on the conductive substrate 60.
  • the insulating material 72 is filled in the second drive side opening 59B after the high withstand voltage diodes 31A and 31B are mounted on the conductive substrate 60.
  • the semiconductor device 1A may be shipped without mounting the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, and 31B. In this case, the user using the semiconductor device 1A mounts the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, 31B on the conductive substrate 60 by the first drive side opening 59A and the second drive side opening 59B.
  • the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B and the capacitors 33A, 33B, 35A, 35B constituting the surge reduction circuits 4A, 4B are mounted on the conduction board 60.
  • the conduction board preparation step it is not necessary to mount the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B and the capacitors 33A, 33B, 35A, 35B on the conduction board 60.
  • the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B and the capacitors 33A, 33B, 35A, 35B are mounted on the conductive substrate 60 by the first control side opening 58A and the second control side opening 58B after the sealing step. You may. Further, the semiconductor device 1A may be shipped without mounting the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B and the capacitors 33A, 33B, 35A, 35B on the conductive substrate 60. In this case, the user using the semiconductor device 1A conducts the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B and the capacitors 33A, 33B, 35A, 35B by the first control side opening 58A and the second control side opening 58B. It is mounted on the board 60.
  • the semiconductor device 1A incorporates high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, and 31B for stepping down the voltage of the high voltage terminal in the short circuit detection circuit to the voltage of the low voltage terminal.
  • the voltage of the drain electrode 11 of each first semiconductor element 10A is stepped down by the high withstand voltage diodes 30A and 30B, and then taken out from the first short circuit detection lead 87A to the outside of the semiconductor device 1A, and each of the second semiconductor elements 10B.
  • the voltage of the drain electrode 11 of the above is stepped down by the high withstand voltage diodes 31A and 31B, and then taken out from the second short circuit detection lead 87B to the outside of the semiconductor device 1A.
  • the short circuit detection leads 87A and 87B can be arranged at the terminal intervals of the control leads 84A, 84B, 85A, 85B and the control power supply leads 86A to 86D. Further, since the wiring electrically connected to the short circuit detection leads 87A and 87B on the control board has a low voltage, the wiring electrically connected to the short circuit detection leads 87A and 87B and the control leads are provided.
  • the first surge reduction circuit 4A is preferably arranged near the gate electrode 13 of each first semiconductor element 10A
  • the second surge reduction circuit 4B is the gate electrode 13 of each second semiconductor element 10B. It is preferable to place them close to each other.
  • the surge reduction circuits 4A and 4B are arranged outside the semiconductor device 1A, the effect of the first surge reduction circuit 4A to reduce the surge applied to the gate electrode 13 of each first semiconductor element 10A.
  • the effect of the second surge reduction circuit 4B on reducing the surge applied to the gate electrode 13 of each second semiconductor element 10B is reduced.
  • the first surge reduction circuit 4A is arranged near the gate electrode 13 of each first semiconductor element 10A.
  • the second surge reduction circuit 4B is arranged near the gate electrode 13 of each second semiconductor element 10B.
  • the first surge reduction circuit 4A has the effect of reducing the surge applied to the gate electrode 13 of each first semiconductor element 10A
  • the second surge reduction circuit 4B applies to the gate electrode 13 of each second semiconductor element 10B. It is possible to suppress a decrease in the effect of reducing each surge.
  • the electrical characteristics of the short-circuit detection circuits 3A and 3B and the surge reduction circuits 4A and 4B, which are required according to the electrical characteristics of each circuit, may differ. Therefore, it is preferable to adjust the electrical characteristics of the short-circuit detection circuits 3A and 3B and the electrical characteristics of the surge reduction circuits 4A and 4B, respectively.
  • the short-circuit detection circuits 3A and 3B and the surge reduction circuits 4A and 4B are simply incorporated in the semiconductor device, the electrons constituting the short-circuit detection circuits 3A and 3B and the surge reduction circuits 4A and 4B by the resin member, respectively. The electrical characteristics cannot be adjusted because the parts cannot be replaced.
  • the resin member 50 has a first control side opening 58A that exposes a part of the first wiring area 70A and a second control side opening that exposes a part of the second wiring area 70B. 58B is provided.
  • the first low withstand voltage diodes 32A and 32B and the first capacitors 33A and 33B are exposed in the first control side opening 58A.
  • the second low withstand voltage diodes 34A and 34B and the second capacitors 35A and 35B are exposed in the second control side opening 58B.
  • the electronic components can be replaced. Therefore, the electrical characteristics of the electric circuit including the electronic components can be adjusted so that the electrical characteristics of the semiconductor device 1A are suitable for the electrical characteristics of the electric circuit to which the semiconductor device 1A is applied.
  • control side openings 58A and 58B and the drive side openings 59A and 59B the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A and 31B, the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A and 34B, and the like.
  • the semiconductor device 1A in which the capacitors 33A, 33B, 35A, and 35B are not mounted on the conductive substrate 60 can be changed and shipped according to the needs of the user who uses the semiconductor device 1A.
  • the semiconductor device 1A has a first wiring area 70A, a second wiring area 70B, and a third wiring area 70C.
  • the first wiring region 70A is provided with a first drive wiring 62A and first high withstand voltage diodes 30A and 30B for forming the first short circuit detection circuit 3A. Further, in the first wiring area 70A, the first drive wiring 62A, the first control wiring 63A, 64A, and the first control power supply wiring 65A, 66A for forming the first surge reduction circuit 4A, and the first. 1 Low withstand voltage diodes 32A and 32B and first capacitors 33A and 33B are provided.
  • the second drive wiring 62B, the second control wiring 63B, 64B, and the second control power supply wiring 65B, 66B for forming the second surge reduction circuit 4B, and the second low Withstand voltage diodes 34A and 34B and second capacitors 35A and 35B are provided.
  • the third wiring region 70C is provided with a second drive wiring 62B and second high withstand voltage diodes 31A and 31B for forming the second short circuit detection circuit 3B.
  • the short circuit detection circuits 3A and 3B and the surge reduction circuits 4A and 4B are built in the semiconductor device 1A, the short circuit detection circuits 3A and 3B and the surge reduction circuits 4A and 4B are included in the semiconductor device 1A.
  • the length of the wiring between the short circuit detection circuits 3A and 3B and the surge reduction circuits 4A and 4B and the semiconductor elements 10A and 10B can be shortened as compared with the configuration provided externally. Therefore, the inductance of the semiconductor device 1A can be reduced.
  • High-voltage diodes 30A, 30B, 31A, 31B for stepping down the voltage of the high-voltage terminal in the short-circuit protection circuit to the voltage of the low-voltage terminal are built in the semiconductor device 1A.
  • the voltage of the drain electrode 11 of each first semiconductor element 10A is stepped down by the high withstand voltage diodes 30A and 30B, and then taken out from the first short circuit detection lead 87A to the outside of the semiconductor device 1A, and each of the second semiconductor elements 10B.
  • the voltage of the drain electrode 11 of the above is stepped down by the high withstand voltage diodes 31A and 31B, and then taken out from the second short circuit detection lead 87B to the outside of the semiconductor device 1A.
  • the short circuit detection leads 87A and 87B can be arranged at the terminal intervals of the control leads 84A, 84B, 85A, 85B and the control power supply leads 86A to 86D. Further, since the wiring electrically connected to the short circuit detection leads 87A and 87B on the control board has a low voltage, the wiring electrically connected to the short circuit detection leads 87A and 87B and the control leads are provided.
  • the resin member 50 is provided with a first drive side opening 59A, a second drive side opening 59B, a first control side opening 58A, and a second control side opening 58B.
  • the first drive side opening 59A exposes the first high withstand voltage diodes 30A and 30B and the portion of the first drive wiring 62A on which the first high withstand voltage diodes 30A and 30B are mounted.
  • the second drive side opening 59B exposes the second high withstand voltage diodes 31A and 31B and the portion of the second drive wiring 62B on which the second high withstand voltage diodes 31A and 31B are mounted.
  • the first control side opening 58A includes first low withstand voltage diodes 32A and 32B, first capacitors 33A and 33B, first drive wiring 62A, first control wiring 63A, first control wiring 64A, and first.
  • the control power supply wirings 65A and 66A the parts on which the first low withstand voltage diodes 32A and 32B and the first capacitors 33A and 33B are mounted are exposed.
  • the second control side opening 58B includes the second low withstand voltage diodes 34A and 34B, the second capacitors 35A and 35B, the second drive wiring 62B, the second control wiring 63B and 64B, and the second control power supply wiring 65B.
  • the first high withstand voltage diodes 30A and 30B can be replaced via the first drive side opening 59A. Therefore, after the resin member 50 is formed, the first short circuit detection circuit 3A The electrical characteristics can be adjusted. Further, since the second high withstand voltage diodes 31A and 31B can be replaced through the second drive side opening 59B after the resin member 50 is formed, the second short circuit detection circuit 3B is electrically operated after the resin member 50 is formed. The characteristics can be adjusted.
  • the first low withstand voltage diodes 32A and 32B and the first capacitors 33A and 33B can be replaced via the first control side opening 58A, so that the first one is formed after the resin member 50 is formed.
  • the electrical characteristics of the surge reduction circuit 4A can be adjusted.
  • the second low withstand voltage diodes 34A and 34B and the second capacitors 35A and 35B can be replaced via the second control side opening 58B, so that the second low voltage diode 35A and 35B can be replaced after the resin member 50 is formed.
  • the electrical characteristics of the surge reduction circuit 4B can be adjusted.
  • the conductive substrate 60 has a first wiring area 70A, a second wiring area 70B, and a third wiring area 70C.
  • the wiring portions formed on the conduction substrate 60 form the wiring of the short circuit detection circuits 3A and 3B and the surge reduction circuits 4A and 4B. Therefore, for example, the short circuit detection circuits 3A and 3B and each surge Compared with the case where the wirings of the reduction circuits 4A and 4B are formed by the leads of the metal plate, the wirings of the short circuit detection circuits 3A and 3B and the surge reduction circuits 4A and 4B can be easily formed.
  • the first drive side opening 59A is filled with the insulating material 71, and the second drive side opening 59B is filled with the insulating material 72. According to this configuration, short circuits of the short circuit detection circuits 3A and 3B can be suppressed.
  • the first drive side opening 59A and the first control side opening 58A are provided separately, and the second drive side opening 59B and the second control side opening 58B are individually provided. ing. According to this configuration, the insulating materials 71 and 72 can be filled only in the drive side openings 59A and 59B.
  • the first semiconductor element 10A is mounted on the first conductive member 42A, and the second semiconductor element 10B is mounted on the second conductive member 42B. According to this configuration, the first semiconductor element 10A can be efficiently dissipated through the first conductive member 42A, and the second semiconductor element 10B can be efficiently dissipated through the second conductive member 42B.
  • the first semiconductor element 10A is housed in the first board opening 61A of the conductive board 60
  • the second semiconductor element 10B is housed in the second board opening 61B of the conductive board 60. According to this configuration, since the semiconductor elements 10A and 10B and the conductive substrate 60 can be arranged so as to be overlapped in the horizontal direction X and the vertical direction Y, the semiconductor device 1A can be miniaturized in the horizontal direction X and the vertical direction Y.
  • the first wiring region 70A includes a plurality of first semiconductor elements 10A of the conductive substrate 60, first control leads 84A and 85A, first control power supply leads 86A and 86B, and a first short circuit. It is provided between the detection lead 87A and the detection lead 87A. According to this configuration, the length of the wiring constituting the first surge reduction circuit 4A provided in the first wiring region 70A is shortened, so that the inductance of the first surge reduction circuit 4A can be reduced. Further, since the length of the wiring constituting the first short-circuit detection circuit 3A provided in the first wiring region 70A is shortened, the inductance of the first short-circuit detection circuit 3A can be reduced.
  • the second wiring region 70B includes a plurality of second semiconductor elements 10B of the conductive substrate 60, second control leads 84B and 85B, second control power supply leads 86C and 86D, and a second short circuit detection lead 87B. It is provided between. According to this configuration, the length of the wiring constituting the second surge reduction circuit 4B provided in the second wiring region 70B is shortened, so that the inductance of the second surge reduction circuit 4B can be reduced.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged side by side so as to be separated from each other in the lateral direction X.
  • the first control side opening 58A exposes the first low withstand voltage diodes 32A and 32B and the first capacitors 33A and 33B of the first surge reduction circuit 4A
  • the second control side opening 58B is the second.
  • the second low withstand voltage diodes 34A and 34B and the second capacitors 35A and 35B of the surge reduction circuit 4B are exposed, and between the first surge reduction circuit 4A and the second surge reduction circuit 4B in the semiconductor device 1A in the lateral direction X. The part of is not exposed.
  • the first control side opening 58A exposes only the portion necessary for adjusting the electrical characteristics of the first surge reduction circuit 4A
  • the second control side opening 58B exposes only the portion necessary for adjusting the electrical characteristics of the first surge reduction circuit 4A. Only the part necessary for the adjustment of is exposed. Therefore, the possibility of foreign matter entering the semiconductor device 1A can be reduced.
  • the conductive substrate 60 is a multilayer conductive substrate. According to this configuration, the wiring portions for electrically connecting the semiconductor elements 10A and 10B and the plurality of leads 80 can be wired in multiple layers, so that the conductive substrate 60 is compared with the configuration in which the conductive substrate is one layer. Can be miniaturized in the horizontal direction X and the vertical direction Y. Therefore, the semiconductor device 1A can be miniaturized in the horizontal direction X and the vertical direction Y.
  • the first drive wiring 62A which is a wiring portion constituting the first short circuit detection circuit 3A, is formed on the fifth layer substrate 60F, which is the outermost substrate of the conduction substrate 60, and detects the second short circuit.
  • the second drive wiring 62B which is a wiring portion constituting the circuit 3B, is formed on the fifth layer substrate 60G, which is the outermost substrate of the conduction substrate 60.
  • the first high withstand voltage diodes 30A and 30B are mounted on the fifth layer substrate 60F
  • the second high withstand voltage diodes 31A and 31B are mounted on the fifth layer substrate 60G.
  • 30B and the second high withstand voltage diodes 31A and 31B can be easily replaced, respectively. Therefore, the electrical characteristics of the first short-circuit detection circuit 3A and the second short-circuit detection circuit 3B can be easily adjusted.
  • the first control wirings 63A and 64A and the first control power supply wirings 65A and 66A which are the wiring portions constituting the first surge reduction circuit 4A, are formed on the fifth layer substrate 60F, respectively, and the second surge reduction circuit
  • the second control wirings 63B and 64B and the second control power supply wirings 65B and 66B which are wiring portions constituting 4B, are formed on the fifth layer substrate 60G, respectively.
  • the first low withstand voltage diodes 32A and 32B and the first capacitors 33A and 33B are mounted on the fifth layer substrate 60F
  • the second low withstand voltage diodes 34A and 34B and the second capacitors 35A and 35B are the fifth layer.
  • the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B and the capacitors 33A, 33B, 35A, 35B can be easily replaced, respectively. Therefore, the electrical characteristics of the first surge reduction circuit 4A and the second surge reduction circuit 4B can be easily adjusted.
  • the first high withstand voltage diodes 30A and 30B are mounted on the conductive substrate 60 so that their anode electrodes and cathode electrodes are arranged along the lateral direction X. According to this configuration, the conductive substrate 60 can be miniaturized in the vertical direction Y, so that the semiconductor device 1A can be miniaturized in the vertical direction Y.
  • the second high withstand voltage diodes 31A and 31B are mounted on the conductive substrate 60 so that their anode electrodes and cathode electrodes are arranged along the lateral direction X. According to this configuration, the conductive substrate 60 can be miniaturized in the vertical direction Y, so that the semiconductor device 1A can be miniaturized in the vertical direction Y.
  • the first low withstand voltage diodes 32A and 32B are mounted on the conductive substrate 60 so that their anode electrodes and cathode electrodes are arranged along the lateral direction X. According to this configuration, the conductive substrate 60 can be miniaturized in the vertical direction Y, so that the semiconductor device 1A can be miniaturized in the vertical direction Y.
  • the second low withstand voltage diodes 34A and 34B are mounted on the conductive substrate 60 so that their anode electrodes and cathode electrodes are arranged along the lateral direction X. According to this configuration, the conductive substrate 60 can be miniaturized in the vertical direction Y, so that the semiconductor device 1A can be miniaturized in the vertical direction Y.
  • the first capacitors 33A and 33B are mounted on the conductive substrate 60 so that the first terminal and the second terminal are arranged along the lateral direction X. According to this configuration, the conductive substrate 60 can be miniaturized in the vertical direction Y, so that the semiconductor device 1A can be miniaturized in the vertical direction Y.
  • the second capacitors 35A and 35A are mounted on the conductive substrate 60 so that the first terminal and the second terminal are arranged along the lateral direction X. According to this configuration, the conductive substrate 60 can be miniaturized in the vertical direction Y, so that the semiconductor device 1A can be miniaturized in the vertical direction Y.
  • the length of the first short-circuit detection connecting member 97A that connects the first drive wiring 62A and the pad portion 87p of the first short-circuit detection lead 87A can be shortened.
  • the length of the first control lead connecting member 94A that connects the first control wiring 63A and the pad portion 84p of the first control lead 84A can be shortened.
  • the length of the first control lead connecting member 95A that connects the first control wiring 64A and the pad portion 85p of the first control lead 85A can be shortened.
  • the length of the first control power supply connecting member 96A that connects the first control power supply wiring 65A and the pad portion 86p of the first control power supply lead 86A can be shortened.
  • the length of the first control power supply connecting member 96B that connects the first control power supply wiring 66A and the pad portion 86p of the first control power supply lead 86B can be shortened. Therefore, the inductance caused by each of the connecting members 94A, 95A, 96A, 96B, 97A can be reduced.
  • the pad portions 87p of the two short-circuit detection leads 87B are arranged so as to be adjacent to the fifth layer substrate 60G in the vertical direction Y, respectively.
  • the second drive wiring 62B, the second control wiring 63B, 64B, and the second control power supply wiring 65B, 66B are each closer to the third resin side surface 53 of the resin member 50 in the fifth layer substrate 60G. It is formed up to the end.
  • the length of the second short-circuit detection connecting member 97B that connects the second drive wiring 62B and the pad portion 87p of the second short-circuit detection lead 87B can be shortened.
  • the length of the second control lead connecting member 94B that connects the second control wiring 63B and the pad portion 84p of the second control lead 84B can be shortened.
  • the length of the second control lead connecting member 95B that connects the second control wiring 64B and the pad portion 85p of the second control lead 85B can be shortened.
  • the length of the second control power supply connecting member 96C that connects the second control power supply wiring 65B and the pad portion 86p of the second control power supply lead 86C can be shortened.
  • the length of the second control power supply connecting member 96D that connects the second control power supply wiring 66B and the pad portion 86p of the second control power supply lead 86D can be shortened. Therefore, the inductance caused by each of the connecting members 94B, 95B, 96C, 96D, 97B can be reduced.
  • the semiconductor device 1B of the second embodiment will be described with reference to FIGS. 15 to 19.
  • the semiconductor device 1B of the present embodiment is different from the semiconductor device 1A of the first embodiment in the configuration of the conductive substrate 60 and the configuration of a part of the plurality of leads 80.
  • components common to the semiconductor device 1A of the first embodiment may be designated by the same reference numerals, and the description thereof may be omitted.
  • the length of the conductive substrate 60 of the present embodiment in the vertical direction Y is shorter than the length of the conductive substrate 60 of the first embodiment in the vertical direction Y.
  • a part of the first wiring region 70A and the second wiring region 70B of the conductive substrate 60 of the first embodiment are omitted.
  • the region where the first surge reduction circuit 4A is formed is omitted from the conductive substrate 60 as a part of the first wiring region 70A.
  • a region in which the first surge reduction circuit 4A is formed as a part of the first wiring region 70A is provided outside the conductive substrate 60.
  • a region in which the first short-circuit detection circuit 3A is formed as a part of the first wiring region 70A is provided on the conductive substrate 60.
  • the second wiring region 70B is provided outside the conductive substrate 60.
  • the first conductive member 42A projects toward the third resin side surface 53 side of the resin member 50 with respect to the conductive substrate 60.
  • a first surge reduction circuit 4A is formed in the protruding portion as a part of the first wiring region 70A.
  • the second conductive member 42B projects toward the third resin side surface 53 with respect to the conductive substrate 60.
  • a second wiring region 70B is formed in the protruding portion.
  • the first drive wiring 62A formed on the fifth layer substrate 60F of the conductive substrate 60 has a fourth wiring portion 62pd as compared with the first drive wiring 62A of the first embodiment.
  • the shape is different.
  • the fourth wiring portion 62pd of the present embodiment does not have the second portion 62pd of the fourth wiring portion 62pd of the first embodiment.
  • the fourth wiring portion 62pd of the present embodiment extends along the vertical direction Y.
  • the length of the fourth wiring portion 62pd in the vertical direction Y is longer than the length of the third wiring portion 62pc in the vertical direction Y.
  • the conductive substrate 60 includes the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B, and the capacitors 33A, 33B, respectively. 35A and 35B are not implemented. That is, the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B, and the capacitors 33A, 33B, 35A, 35B are arranged outside the conductive substrate 60.
  • the first control wirings 63A and 64A formed on the fifth layer substrate 60F are different from the first control wirings 63A and 64A of the first embodiment.
  • the first control wiring 63A of the present embodiment is the second wiring portion 63pb and the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A of the first embodiment. Does not have.
  • the first control wiring 63A of the present embodiment is arranged so as to be adjacent to each of the first semiconductor elements 10A in the lateral direction X closer to the first resin side surface 51 of the resin member 50 than each first semiconductor element 10A. ..
  • the first control wiring 63A extends along the vertical direction Y.
  • the first control wiring 63A extends to the third resin side surface 53 side of the first semiconductor element 10A closest to the third resin side surface 53 of the resin member 50 among the first semiconductor elements 10A in the vertical direction Y. ..
  • the first control wiring 64A of the present embodiment does not have the second wiring portion 64bp and the third wiring portion 64pc of the first control wiring 64A of the first embodiment.
  • the first control wiring 64A of the present embodiment is arranged so as to be adjacent to the first control wiring 63A on the side opposite to the first semiconductor element 10A side with respect to the first control wiring 63A in the lateral direction X. ing.
  • the first control wiring 64A extends along the vertical direction Y.
  • the length of the first control wiring 64A in the vertical direction Y is equal to the length of the first control wiring 63A in the vertical direction Y.
  • the width of the first control wiring 64A in the lateral direction X is equal to the width of the first control wiring 63A in the lateral direction X.
  • the second drive wiring 62B formed on the fifth layer substrate 60G of the conductive substrate 60 is the first wiring as compared with the second drive wiring 62B of the first embodiment. The difference is that the length of the portion 62q in the vertical direction Y is shortened.
  • the second control wirings 63B and 64B formed on the fifth layer substrate 60G are different from the second control wirings 63B and 64B of the first embodiment. Specifically, the second control wiring 63B of the present embodiment does not have the second wiring portion 63qb and the third wiring portion 63qc of the second control wiring 63B of the first embodiment.
  • the second control wiring 63B of the present embodiment is closer to the second resin side surface 52 of the resin member 50 than each second semiconductor element 10B in the lateral direction X, and is arranged so as to be adjacent to each second semiconductor element 10B. Has been done.
  • the second control wiring 63B extends along the vertical direction Y.
  • the second control wiring 63B is the second of the second semiconductor elements 10B closest to the third resin side surface 53 from the position where it overlaps with the second semiconductor element 10B closest to the fourth resin side surface 54 when viewed from the vertical direction Y. It extends to a position where it overlaps with the semiconductor element 10B.
  • the second control wiring 64B of the present embodiment does not have the second wiring portion 64qb and the third wiring portion 64qc of the second control wiring 64B of the first embodiment.
  • the second control wiring 64B of the present embodiment is arranged so as to be adjacent to the second control wiring 63B on the side opposite to each second semiconductor element 10B side with respect to the second control wiring 63B in the lateral direction X. ing.
  • the second control wiring 64B extends along the vertical direction Y.
  • the length of the second control wiring 64B in the vertical direction Y is equal to the length of the second control wiring 63B in the vertical direction Y.
  • the width of the second control wiring 64B in the lateral direction X is equal to the width of the second control wiring 63B in the lateral direction X.
  • control wirings 63A, 63B, 64A, and 64B Since the shapes of the control wirings 63A, 63B, 64A, and 64B have been changed in this way, the control wirings 63A, 63B, 64A, and 64B and the pad portions of the control leads 84A, 84B, 85A, and 85B have been changed.
  • the relative positional relationships between the 84p and 85p, the pad portions 86p of the control power supply leads 86A to 86D, and the pad portions 87p of the short circuit detection leads 87A and 87B are different. Specifically, as shown in FIG.
  • the pad portion 84p of the first control lead 84A, the pad portion 85p of the first control lead 85A, and the pad portion 86p of the first control power supply lead 86A are arranged closer to the second resin side surface 52 than the first control wiring 63A and 64A, respectively.
  • the pad portion 86p of the power supply lead 86D and the pad portion 87p of the second short circuit detection lead 87B are arranged closer to the first resin side surface 51 (see FIG. 16) than the second control wiring 63B and 64B, respectively. ..
  • the configurations of the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B of the present embodiment are the first, respectively.
  • the configuration is different from the configurations of the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B of the first embodiment.
  • the control leads 84A, 84B, 85A, 85B of the present embodiment, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B are formed in the first wiring area 70A and the second wiring area 70B, respectively.
  • the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B form conductors, respectively.
  • the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B are arranged in the first wiring area 70A and the second wiring area 70B, respectively.
  • the part becomes a mounting area on which electronic components are mounted.
  • the circuit formed in the first wiring area 70A is the first surge reduction circuit 4A
  • the circuit formed in the second wiring area 70B is the second surge reduction circuit 4B.
  • the first control lead 84A includes the first wiring portion 100 extending from the pad portion 84p of the first control lead 84A toward the conductive substrate 60 in the vertical direction Y, and the first wiring portion 100. It has a second wiring portion 101 extending from one wiring portion 100 toward the conductive substrate 60.
  • the first control lead 84A is a single component in which the first wiring portion 100, the second wiring portion 101, the pad portion 84p, and the terminal portion 84t are integrally formed.
  • the first wiring portion 100 extends from the pad portion 84p to the end portion of the main surface 42sa of the first conductive member 42A near the third resin side surface 53.
  • the width of the first wiring portion 100 in the lateral direction X is smaller than the width of the pad portion 84p in the lateral direction X.
  • the entire second wiring portion 101 is arranged on the main surface 42sa of the first conductive member 42A.
  • the shape of the second wiring portion 101 in a plan view is L-shaped.
  • the second wiring portion 101 has a first portion 101a and a second portion 101b.
  • the first portion 101a is a portion extending from the first wiring portion 100 along the vertical direction Y.
  • the second portion 101b is a portion extending from the first portion 101a along the lateral direction X.
  • the second portion 101b extends toward the first resin side surface 51 side in the lateral direction X.
  • the width of the second portion 101b in the vertical direction Y is larger than the width of the first portion 101a in the horizontal direction X.
  • the second portion 101b is arranged so as to overlap the first semiconductor element 10A when viewed from the vertical direction Y.
  • the second portion 101b is arranged so as to overlap the pad portion 86p of the first control power supply lead 86A when viewed from the vertical direction Y.
  • the first control lead 84A is arranged closer to the second resin side surface 52 than the first control wiring 63A in the lateral direction X.
  • the first control lead 84A and the first control wiring 63A are connected by the first control connection member 140A.
  • the first control connecting member 140A has an end portion of the second portion 101b of the first control lead 84A near the conductive substrate 60 in the vertical direction Y, and the first control in the vertical direction Y. It is connected to the end of the wiring 63A near the side surface 53 of the third resin.
  • the first control connecting member 140A is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the first control lead 85A extends from the pad portion 85p of the first control lead 85A toward the conductive substrate 60 in the vertical direction Y, and extends from the first wiring portion 110 toward the conductive substrate 60. It has a second wiring unit 111.
  • the first control lead 85A is a single component in which the first wiring portion 110, the second wiring portion 111, the pad portion 85p, and the terminal portion 85t are integrally formed.
  • the first wiring portion 110 extends from the pad portion 85p to the end portion of the main surface 42sa of the first conductive member 42A near the third resin side surface 53.
  • the first wiring portion 110 extends obliquely toward the first resin side surface 51 side toward the conductive substrate 60 side.
  • the second wiring portion 111 is arranged on the main surface 42sa of the first conductive member 42A.
  • the shape of the second wiring portion 111 in a plan view is L-shaped.
  • the second wiring portion 111 has a first portion 111a and a second portion 111b.
  • the first portion 111a is a portion extending from the first wiring portion 110 along the vertical direction Y.
  • the second portion 111b is a portion extending from the first portion 111a along the lateral direction X.
  • the tip of the second portion 111b projects laterally from the first conductive member 42A.
  • the second portion 111b is arranged at intervals in the lateral direction X with respect to the second portion 101b in a state of being aligned with the second portion 101b of the second wiring portion 101 of the first control lead 84A in the vertical direction Y. There is.
  • the second portion 111b is arranged so as to be adjacent to the second portion 101b of the first control lead 84A in the lateral direction X. Seen from the vertical direction Y, the second portion 111b overlaps the first control wiring 63A and the first control wiring 64A.
  • the first control lead 85A and the first control wiring 64A are connected by the first control connection member 141A.
  • the first control connecting member 141A is located near the tip of the second portion 111b of the first control lead 85A and the third resin side surface 53 of the first control wiring 64A in the vertical direction Y. It is connected to the end.
  • the first control connecting member 141A is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the first control power supply lead 86A has a first wiring portion 120 extending from the pad portion 86p of the first control power supply lead 86A toward the conductive substrate 60 in the vertical direction Y, and the first wiring portion 120 toward the conductive substrate 60. It has a second wiring portion 121 extending from the surface.
  • the first control power supply lead 86A is a single component in which the first wiring portion 120, the second wiring portion 121, the pad portion 86p, and the terminal portion 86t are integrally formed.
  • the first wiring portion 120 extends from the pad portion 86p to the end portion of the main surface 42sa of the first conductive member 42A near the third resin side surface 53.
  • the first wiring portion 120 extends obliquely toward the first resin side surface 51 side toward the conductive substrate 60 side.
  • the second wiring portion 121 is arranged so that the entire portion thereof is on the main surface 42sa of the first conductive member 42A.
  • the shape of the second wiring portion 121 in a plan view is not particularly limited, but is square.
  • the second wiring unit 121 is arranged between the first wiring unit 100 of the first control lead 84A and the first wiring unit 110 of the first control lead 85A in the lateral direction X.
  • the second wiring portion 121 is arranged closer to the pad portion 86p than the second wiring portion 101 of the first control lead 84A in the vertical direction Y.
  • the width of the second wiring portion 121 in the lateral direction X is larger than the width of the first wiring portion 120 (the dimension in the direction orthogonal to the direction in which the first wiring portion 120 extends in a plan view).
  • the first control power supply reed 86B has a first wiring portion 122 extending from the pad portion 86p of the first control power supply lead 86B toward the conductive substrate 60 in the vertical direction Y, and the first wiring portion 122 toward the conductive substrate 60. It has a second wiring portion 123 extending from the surface.
  • the first control power supply lead 86B is a single component in which the first wiring portion 122, the second wiring portion 123, the pad portion 86p, and the terminal portion 86t are integrally formed.
  • the first wiring portion 122 extends from the pad portion 86p to the end portion of the main surface 42sa of the first conductive member 42A near the third resin side surface 53.
  • the first wiring portion 122 extends obliquely toward the first resin side surface 51 side toward the conductive substrate 60 side. A part of the end portion of the first wiring portion 122 near the second wiring portion 123 projects toward the side surface 51 of the first resin with respect to the first conductive member 42A.
  • the second wiring unit 123 extends from the first wiring unit 122 along the vertical direction Y. The second wiring portion 123 is arranged closer to the pad portion 86p than the second portion 111b of the second wiring portion 111 of the first control lead 85A in the vertical direction Y.
  • the first short-circuit detection lead 87A has a first wiring portion 130 extending from the pad portion 87p of the first short-circuit detection lead 87A toward the conductive substrate 60 in the vertical direction Y, and the first wiring portion 130 toward the conductive substrate 60. It has a second wiring portion 131 extending through the shaft.
  • the first short-circuit detection lead 87A is a single component in which the first wiring portion 130, the second wiring portion 131, the pad portion 87p, and the terminal portion 87t are integrally formed. Both the first wiring portion 130 and the second wiring portion 131 extend along the vertical direction Y.
  • the first wiring portion 130 extends from the pad portion 87p to the end portion of the main surface 42sa of the first conductive member 42A near the third resin side surface 53.
  • the entire second wiring portion 131 is arranged on the main surface 42sa of the first conductive member 42A.
  • the width of the second wiring portion 131 in the lateral direction X is larger than the width of the first wiring portion 130 in the lateral direction X.
  • the second wiring portion 131 is arranged closer to the second resin side surface 52 (see FIG. 16) than the fourth wiring portion 62pd of the first drive wiring 62A in the lateral direction X.
  • the second wiring portion 131 overlaps the first wiring portion 62pa and the third wiring portion 62pc of the first drive wiring 62A when viewed from the vertical direction Y.
  • the first short-circuit detection lead 87A and the first drive wiring 62A are connected by the first short-circuit detection connection member 142A.
  • the first short-circuit detection connecting member 142A includes an end portion of the second wiring portion 131 of the first short-circuit detection lead 87A near the conduction board 60 and the fourth wiring of the first drive wiring 62A. It is connected to the end portion of the portion 62pd closer to the side surface 53 of the third resin.
  • the first short circuit detection connecting member 142A is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the first short-circuit detection connecting member 142A is connected to a portion of the fourth wiring portion 62pd closer to the third resin side surface 53 than the first high withstand voltage diode 30B.
  • the first low withstand voltage diodes 32A and 32B and the first capacitors 33A and 33B constituting the first surge reduction circuit 4A are mounted on the first control leads 84A and 85A and the first control power supply leads 86A and 86B. There is. Therefore, in the present embodiment, the first control leads 84A and 85A and the first control power supply leads 86A and 86B are conductive paths (wiring portions) constituting the first surge reduction circuit 4A.
  • a first low withstand voltage diode 32A is mounted on the first control lead 84A and the first control lead 85A. Specifically, the first terminal of the first low withstand voltage diode 32A is connected to the second portion 101b of the second wiring portion 101 of the first control lead 84A. The second terminal of the first low withstand voltage diode 32A is connected to the second wiring portion 121 of the first control power supply lead 86A.
  • a first low withstand voltage diode 32B is electrically connected to the first control lead 84A and the first control power supply lead 86A.
  • the first control power supply lead 86A connects the land portion 123a on which the first low withstand voltage diode 32B is mounted, the land portion 123a, and the second wiring portion 123 of the first control power supply lead 86A. It has a wiring connection member 128.
  • the land portion 123a and the second wiring portion 123 are individually provided.
  • the land portion 123a is arranged apart from the second wiring portion 123. More specifically, the land portion 123a is arranged closer to the fourth resin side surface 54 (closer to the first semiconductor element 10A) than the second wiring portion 123 in the vertical direction Y.
  • the land portion 123a overlaps the second portion 101b of the second wiring portion 101 of the first control lead 84A and the second portion 111b of the second wiring portion 111 of the first control lead 85A. Is located in. In the lateral direction X, the land portion 123a is arranged between the second portion 101b of the second wiring portion 101 of the first control lead 84A and the second portion 111b of the second wiring portion 111 of the first control lead 85A. Has been done.
  • the wiring connecting member 128 extends obliquely toward the third resin side surface 53 toward the first resin side surface 51. The wiring connection member 128 is formed so as to straddle the second wiring portion 111 of the first control lead 85A.
  • the anode electrode of the first low withstand voltage diode 32B is connected to the second portion 101b of the second wiring portion 101 of the first control lead 84A.
  • the cathode electrode of the first low withstand voltage diode 32B is connected to the land portion 123a.
  • the first low withstand voltage diodes 32A and 32B are connected in series between the first control power supply reed 86A and the first control power supply reed 86B via the first control power supply reed 84A.
  • a first capacitor 33A is mounted on the first control power supply lead 86A and the first control power supply lead 85A. Specifically, the first terminal of the first capacitor 33A is connected to the second wiring portion 121 of the first control power supply lead 86A. The second terminal of the first capacitor 33A is connected to the first portion 111a of the second wiring portion 111 of the first control lead 85A.
  • a first capacitor 33B is mounted on the first control lead 85A and the first control power supply lead 86B. Specifically, the first terminal of the first capacitor 33B is connected to the first portion 111a of the second wiring portion 111 of the first control lead 85A. The second terminal of the first capacitor 33B is connected to the second wiring portion 123 of the first control power supply lead 86B. As described above, the first capacitors 33A and 33B are connected in series between the first control power supply reed 86A and the first control power supply reed 86B via the first control power supply lead 85A.
  • the second control lead 84B extends from the pad portion 84p of the second control lead 84B toward the conductive substrate 60 in the vertical direction Y, and from the first wiring portion 102. It has a second wiring portion 103 extending toward the conductive substrate 60, and a third wiring portion 104 branching from the second wiring portion 103 and extending along the lateral direction X.
  • the second control lead 84B is a single component in which the first wiring portion 102, the second wiring portion 103, the third wiring portion 104, the pad portion 84p, and the terminal portion 84t are integrally formed.
  • the first wiring portion 102 extends from the pad portion 84p to the end portion of the main surface 42sb of the second conductive member 42B near the third resin side surface 53.
  • the first wiring portion 102 extends obliquely toward the second resin side surface 52 of the resin member 50 toward the conductive substrate 60.
  • the width of the first wiring portion 102 (the dimension in the direction orthogonal to the direction in which the first wiring portion 102 extends in a plan view) is smaller than the width of the pad portion 84p in the lateral direction X.
  • the entire second wiring portion 103 is arranged on the main surface 42sb of the second conductive member 42B.
  • the shape of the second wiring portion 103 in a plan view is L-shaped.
  • the second wiring portion 103 has a first portion 103a and a second portion 103b.
  • the first portion 103a is a portion extending from the first wiring portion 102 along the vertical direction Y.
  • the second portion 103b is a portion extending along the lateral direction X from the end portion of the first portion 103a near the conductive substrate 60.
  • the second portion 103b extends toward the second resin side surface 52 side in the lateral direction X.
  • the width of the first portion 103a in the horizontal direction X is larger than the width of the second portion 103b in the vertical direction Y.
  • the second portion 103b extends to a position overlapping the second control wiring 63B when viewed from the vertical direction Y.
  • the third wiring portion 104 is arranged closer to the pad portion 84p (third resin side surface 53) than the second portion 103b of the second wiring portion 103 in the vertical direction Y.
  • the third wiring portion 104 extends from the first portion 103a of the second wiring portion 103 toward the second resin side surface 52 side along the lateral direction X.
  • the third wiring portion 104 is arranged so as to be adjacent to the second portion 103b at a distance from the second portion 103b in the vertical direction Y.
  • the second control lead 84B and the second control wiring 63B are connected by a second control connecting member 140B.
  • the second control connection member 140B includes an end portion of the second control lead 84B in the second portion 103b of the second wiring portion 103 near the second resin side surface 52, and the second control wiring. It is connected to the end of 63B near the side surface 53 of the third resin in the vertical direction Y.
  • the second control connecting member 140B is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second control lead 85B extends from the pad portion 85p of the second control lead 85B toward the conductive substrate 60 in the vertical direction Y, and extends from the first wiring portion 112 toward the conductive substrate 60. It has a second wiring unit 113.
  • the first wiring portion 112, the second wiring portion 113, the pad portion 85p, and the terminal portion 85t are integrally formed as a single component.
  • the first wiring portion 112 extends from the pad portion 85p to the end portion of the main surface 42sb of the second conductive member 42B near the third resin side surface 53.
  • the first wiring portion 112 extends obliquely toward the second resin side surface 52 side toward the conductive substrate 60 side.
  • the second wiring portion 113 is arranged so that the entire second wiring portion 113 is located on the main surface 42sb of the second conductive member 42B. In a plan view, the shape of the second wiring portion 113 is L-shaped.
  • the second wiring portion 113 has a first portion 113a and a second portion 113b.
  • the first portion 113a is a portion extending from the first wiring portion 112 along the vertical direction Y.
  • the second portion 113b is a portion extending from the first portion 113a toward the second resin side surface 52 along the lateral direction X.
  • the second portion 113b is arranged at intervals in the lateral direction X with respect to the third wiring portion 104 in a state of being aligned with the third wiring portion 104 of the second control lead 84B in the vertical direction Y.
  • the second portion 113b is arranged so as to be adjacent to the third wiring portion 104 of the second control lead 84B in the lateral direction X. Seen from the vertical direction Y, the second portion 113b overlaps the second control wiring 63B and the second control wiring 64B.
  • the second control lead 85B and the second control wiring 64B are connected by the second control connection member 141B.
  • the second control connecting member 141B includes the second portion 113b of the second control lead 85B and the end portion of the second control wiring 64B near the third resin side surface 53 in the vertical direction Y. It is connected to the.
  • the second control connecting member 141B is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second control power supply reed 86C has a first wiring portion 124 extending from the pad portion 86p of the second control power supply lead 86C toward the conductive substrate 60 in the vertical direction Y, and the first wiring portion 124 toward the conductive substrate 60. It has a second wiring portion 125 extending from the surface.
  • the second control power supply lead 86C is a single component in which the first wiring portion 124, the second wiring portion 125, the pad portion 86p, and the terminal portion 86t are integrally formed.
  • the first wiring portion 124 extends from the pad portion 86p to the end portion of the main surface 42sb of the second conductive member 42B near the third resin side surface 53.
  • the first wiring portion 124 extends obliquely toward the second resin side surface 52 side toward the conductive substrate 60 side.
  • the second wiring portion 125 is arranged so that the entire second wiring portion 125 is located on the main surface 42sb of the second conductive member 42B.
  • the shape of the second wiring portion 125 in a plan view is not particularly limited, but is square.
  • the second wiring unit 125 is arranged between the first wiring unit 102 of the second control lead 84B and the first wiring unit 112 of the second control lead 85B in the lateral direction X.
  • the second wiring portion 125 is arranged closer to the pad portion 86p than the third wiring portion 104 of the second control lead 84B in the vertical direction Y.
  • the width of the second wiring portion 125 in the lateral direction X is larger than the width of the first wiring portion 124 (dimension in the direction orthogonal to the direction in which the first wiring portion 124 extends in a plan view).
  • the second control power supply reed 86D has a first wiring portion 126 extending from the pad portion 86p of the second control power supply lead 86D toward the conductive substrate 60 in the vertical direction Y, and the first wiring portion 126 toward the conductive substrate 60. It has a second wiring portion 127 extending through the shaft.
  • the second control power supply lead 86D is a single component in which the first wiring portion 126, the second wiring portion 127, the pad portion 86p, and the terminal portion 86t are integrally formed.
  • the first wiring portion 126 extends from the pad portion 86p to the end portion of the main surface 42sb of the second conductive member 42B near the third resin side surface 53.
  • the first wiring portion 126 extends obliquely toward the second resin side surface 52 side toward the conductive substrate 60 side.
  • the second wiring portion 127 is arranged so that the entire second wiring portion 127 is located on the main surface 42sb of the second conductive member 42B.
  • the second wiring portion 127 extends from the first wiring portion 126 along the vertical direction Y.
  • the second wiring portion 127 is arranged closer to the pad portion 86p than the second portion 113b of the second wiring portion 113 of the second control lead 85B in the vertical direction Y.
  • the second wiring portion 127 is spaced apart from the first portion 113a of the second wiring portion 113 of the second control lead 85B in the lateral direction X closer to the second resin side surface 52 in the lateral direction X. Have been placed.
  • the second short-circuit detection lead 87B has a first wiring portion 132 extending from the pad portion 87p of the second short-circuit detection lead 87B toward the conductive substrate 60 in the vertical direction Y, and the first wiring portion 132 toward the conductive substrate 60. It has a second wiring portion 133 extending through the shaft.
  • the second short-circuit detection lead 87B is a single component in which the first wiring portion 132, the second wiring portion 133, the pad portion 87p, and the terminal portion 87t are integrally formed. Both the first wiring portion 132 and the second wiring portion 133 extend along the vertical direction Y.
  • the first wiring portion 132 extends from the pad portion 87p to the end portion of the main surface 42sb of the second conductive member 42B near the third resin side surface 53.
  • the entire second wiring portion 133 is arranged on the main surface 42sb of the second conductive member 42B.
  • the width of the second wiring portion 133 in the lateral direction X is larger than the width of the first wiring portion 132 in the lateral direction X.
  • the second wiring portion 133 is arranged so as to overlap the first wiring portion 62pa of the second drive wiring 62B when viewed from the lateral direction X.
  • the second short-circuit detection lead 87B and the second drive wiring 62B are connected by the second short-circuit detection connection member 142B.
  • the second short-circuit detection connection member 142B includes an end portion of the second short-circuit detection lead 87B near the conduction board 60 in the second wiring portion 133 and the first wiring of the second drive wiring 62B. It is connected to the end portion of the portion 62pa near the side surface 53 of the third resin.
  • the second short circuit detection connecting member 142B is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second low withstand voltage diodes 34A and 34B and the second capacitors 35A and 35B constituting the second surge reduction circuit 4B are mounted on the second control leads 84B and 85B and the second control power supply leads 86C and 86D.
  • the second control lead 84B, the second control lead 85B, and the second control power supply lead 86C, 86D are the conductive paths (wiring portions) constituting the second surge reduction circuit 4B. Become.
  • a second low withstand voltage diode 34A is mounted on the second control lead 84B and the second control power supply lead 86C. Specifically, the anode electrode of the second low withstand voltage diode 34A is connected to the first portion 103a of the second wiring portion 103 of the second control lead 84B. The cathode electrode of the second low withstand voltage diode 34A is connected to the second wiring portion 125 of the second control power supply lead 86C.
  • a second low withstand voltage diode 34B is electrically connected to the second control lead 84B and the second control power supply lead 86D.
  • the second control power supply reed 86D connects the land portion 127a on which the second low withstand voltage diode 34B is mounted, the land portion 127a, and the second wiring portion 127 of the second control power supply reed 86D. It has a wiring connection member 129.
  • the land portion 127a is arranged closer to the fourth resin side surface 54 (closer to the second semiconductor element 10B) than the second wiring portion 127 in the vertical direction Y.
  • the land portion 127a is arranged so as to overlap the third wiring portion 104 of the second control lead 84B and the second wiring portion 113b of the second wiring portion 113 of the second control lead 85B when viewed from the lateral direction X. .. In the lateral direction X, the land portion 127a is arranged between the third wiring portion 104 of the second control lead 84B and the second portion 113b of the second wiring portion 113 of the second control lead 85B.
  • the wiring connection member 129 extends obliquely toward the third resin side surface 53 toward the second resin side surface 52.
  • the wiring connection member 129 is formed so as to straddle the second wiring portion 113 of the second control lead 85B.
  • the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 34B is connected to the tip of the third wiring portion 104 of the second control lead 84B.
  • the anode electrode of the second low withstand voltage diode 34B is connected to the land portion 127a of the second control power supply lead 86D.
  • the second low withstand voltage diodes 34A and 34B are connected in series between the second control power supply reed 86C and the second control power supply reed 86D via the second control power supply reed 84B.
  • a second capacitor 35A is mounted on the second control power supply lead 86C and the second control power supply lead 85B. Specifically, the first terminal of the second capacitor 35A is connected to the second wiring portion 125 of the second control power supply lead 86C. The second terminal of the second capacitor 35A is connected to the first portion 113a of the second wiring portion 113 of the second control lead 85B.
  • a second capacitor 35B is mounted on the second control lead 85B and the second control power supply lead 86D. Specifically, the first terminal of the second capacitor 35B is connected to the first portion 113a of the second wiring portion 113 of the second control lead 85B. The second terminal of the second capacitor 35B is connected to the second wiring portion 127 of the second control power supply lead 86D. As described above, the second capacitors 35A and 35B are connected in series between the second control power supply reed 86C and the second control power supply reed 86D via the second control power supply reed 85B.
  • the resin member 50 is formed with a first control side opening 58A, a second control side opening 58B, a first drive side opening 59A, and a second drive side opening 59B. ..
  • the first drive-side opening 59A and the second drive-side opening 59B are the same as the first drive-side opening 59A and the second drive-side opening 59B of the first embodiment.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are provided separately.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged side by side so as to be separated from each other in the direction along one side of the resin member 50.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged side by side in a lateral direction X so as to be separated from each other.
  • the first control side opening 58A exposes a portion closer to the third resin side surface 53 in the vertical direction Y than the conductive substrate 60 (fifth layer substrate 60F).
  • the opening 58A on the first control side exposes a portion of the first conductive member 42A that protrudes from the conductive substrate 60 toward the side surface 53 of the third resin. More specifically, the first control side opening 58A exposes the first surge reduction circuit 4A electrically connected to the first semiconductor element 10A, similarly to the first control side opening 58A of the first embodiment. are doing.
  • the first control side opening 58A includes a part of each of the first control leads 84A and 85A and the first control power supply leads 86A and 86B, the first low withstand voltage diodes 32A and 32B, and the first capacitors 33A and 33B. , And a part of the first conductive member 42A is exposed. In the present embodiment, the first control side opening 58A does not expose the first short circuit detection lead 87A.
  • the shape of the first control side opening 58A in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the first control side opening 58A is a void.
  • the second control side opening 58B exposes a portion closer to the third resin side surface 53 in the vertical direction Y than the conductive substrate 60 (fifth layer substrate 60G).
  • the second control side opening 58B exposes a portion of the second conductive member 42B that protrudes from the conductive substrate 60 toward the third resin side surface 53 side. More specifically, the second control side opening 58B exposes the second surge reduction circuit 4B electrically connected to the second semiconductor element 10B, similarly to the second control side opening 58B of the first embodiment. are doing.
  • the second control side opening 58B includes a part of each of the second control leads 84B and 85B and the second control power supply leads 86C and 86D, the second low withstand voltage diodes 34A and 34B, and the second capacitors 35A and 35B. , And a part of the second conductive member 42B is exposed. In the present embodiment, the second control side opening 58B does not expose the second short circuit detection lead 87B.
  • the shape of the second control side opening 58B in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the second control side opening 58B is a void.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 1B of the present embodiment includes a support substrate preparation step (step S21), a lead joining step (step S22), an electronic component mounting step (step S23), and a semiconductor element mounting step (step S23). It has a conduction substrate preparation step (step S25), a substrate joining step (step S26), a wire forming step (step S27), and a sealing step (step S28).
  • the semiconductor device 1B is manufactured by performing the support substrate preparation process, the lead bonding process, the electronic component mounting process, the semiconductor element mounting process, the conduction substrate preparation process, the substrate bonding process, the wire forming process, and the sealing process in this order. ..
  • the first conductive member 42A is joined to the first insulating substrate 41A, and the second conductive member 42B is joined to the second insulating substrate 41B, as in the support substrate preparation step of the first embodiment.
  • the lead frame is joined to the main surface 42sa of the first conductive member 42A and the main surface 42sb of the second conductive member 42B using, for example, a bonding material having electrical insulation.
  • the lead frame is formed with components of each control lead 84A, 84B, 85A, 85B, each control power supply lead 86A to 86D, and each short circuit detection lead 87A, 87B.
  • the drain electrode 11 of each first semiconductor element 10A and the main surface 42sa of the first conductive member 42A are joined, and each second semiconductor element 10B is joined.
  • the drain electrode 11 of the above and the main surface 42sb of the second conductive member 42B are joined.
  • the conductive board preparation step as in the wiring preparation step of the first embodiment, an assembly of the conductive board 60 and the input leads 81 and 82 and the output leads 83 is manufactured. Then, the first high withstand voltage diodes 30A and 30B are mounted on the fifth layer substrate 60F of the conductive substrate 60, and the second high withstand voltage diodes 31A and 31B are mounted on the fifth layer substrate 60G.
  • the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B and the capacitors 33A, 33B, 35A, 35B are not mounted on the conductive board 60.
  • the assembly of the conductive substrate 60 and the input leads 81, 82 and the output leads 83 is bonded to the first conductive member 42A and the second conductive member 42B. ..
  • the drive connecting members 91A and 91B, the control connecting members 92A and 92B, and the control connecting members 93A and 93B are formed by the bonding device in the same manner as in the first embodiment.
  • the bonding apparatus joins the wire to the second portion 111b of the second wiring portion 111 of the first control lead 85A, and then moves to the first control wiring 64A while pulling out the wire to perform the first control. Join the wire to the wiring 64A.
  • the first control connecting member 141A that connects the first control lead 85A and the first control wiring 64A is formed.
  • the bonding apparatus joins the wire to the second portion 101b of the second wiring portion 101 of the first control lead 84A, and then moves to the first control wiring 63A while pulling out the wire, and moves to the first control wiring 63A. Join the wire to 63A.
  • the first control connecting member 140A that connects the first control lead 84A and the first control wiring 63A is formed.
  • the bonding device joins the wire to the second wiring portion 131 of the first short-circuit detection lead 87A, and then moves to the fourth wiring portion 62pd of the first drive wiring 62A while pulling out the wire, and then moves to the fourth wiring portion 62pd.
  • a wire is joined to the portion 62pd.
  • the first short-circuit detection connecting member 142A that connects the first short-circuit detection lead 87A and the first drive wiring 62A is formed.
  • the bonding device joins the wire to the second wiring portion 133 of the second short-circuit detection lead 87B, and then moves to the first wiring portion 62qa of the second drive wiring 62B while pulling out the wire, and the first wiring.
  • a wire is joined to the portion 62qa.
  • the second short-circuit detection connection member 142B that connects the second short-circuit detection lead 87B and the second drive wiring 62B is formed.
  • the bonding apparatus joins the wire to the second portion 103b of the second wiring portion 103 of the second control lead 84B, and then moves to the second control wiring 63B while pulling out the wire, and moves to the second control wiring 63B. Join the wire to 63B.
  • the second control connecting member 140B that connects the second control lead 84B and the second control wiring 63B is formed.
  • the bonding apparatus joins the wire to the second portion 113b of the second wiring portion 113 of the second control lead 85B, and then moves to the second control wiring 64B while pulling out the wire, and moves to the second control wiring 64B. Join the wire to 64B.
  • the second control connecting member 141B that connects the second control lead 85B and the second control wiring 64B is formed.
  • the resin member 50 is formed in the same manner as in the sealing step of the first embodiment.
  • the control side openings 58A and 58B and the drive side openings 59A and 59B are formed.
  • the semiconductor device 1B is manufactured through the lead frame cutting step and the lead forming step as in the first embodiment.
  • each drive connecting member 91A, 91B, each control connecting member 92A, 92B, 93A, 93B, each control connecting member 140A, 140B, 141A, 141B, and each short circuit detection connecting member 142A. , 142B can be formed in any order.
  • the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, 31B constituting the short circuit detection circuits 3A, 3B are mounted on the conduction board 60, but the present invention is not limited to this.
  • the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, and 31B need not be mounted on the conductive board 60.
  • the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, 31B may be mounted by the first drive side opening 59A and the second drive side opening 59B after the sealing step.
  • the insulating material 71 fills the first drive side opening 59A after mounting the high withstand voltage diodes 30A and 30B on the conductive substrate 60.
  • the insulating material 72 is filled in the second drive side opening 59B after the high withstand voltage diodes 31A and 31B are mounted on the conductive substrate 60.
  • the semiconductor device 1B may be shipped without mounting the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, and 31B on the conductive substrate 60.
  • the user using the semiconductor device 1B mounts the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, 31B on the conductive substrate 60 by the first drive side opening 59A and the second drive side opening 59B.
  • the electronic component process is performed before the sealing process, but the present invention is not limited to this.
  • the electronic component process may be performed after the sealing process.
  • the electronic component process may be omitted from the manufacturing method of the semiconductor device 1B.
  • the user who uses the semiconductor device 1B does not have to mount the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B and the capacitors 33A, 33B, 35A, 35B on the conductive substrate 60. ..
  • the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B and the capacitors 33A, 33B, 35A, 35B are mounted on the conductive substrate 60 by the first control side opening 58A and the second control side opening 58B.
  • the following effects can be obtained in addition to the same effects as those of the semiconductor device 1A of the first embodiment.
  • the first low withstand voltage diodes 32A and 32B and the first capacitors 33A and 33B are directly connected to the first control leads 84A and 85A and the first control power supply leads 86A and 86B.
  • the connecting member (wire) for connecting the first control power supply leads 86A and 86B and the conductive substrate 60 can be omitted. Therefore, the number of connecting members can be reduced, and the inductance of the semiconductor device 1B caused by the connecting members can be reduced.
  • the second low withstand voltage diodes 34A and 34B and the second capacitors 35A and 35B are directly connected to the second control power supply reeds 84B and 85B, the second control power supply reed 86C, and the second control power supply reed 86D. ..
  • the connecting member (wire) connecting the second control power supply reed 86C and the second control power supply reed 86D and the conductive substrate 60 can be omitted. Therefore, the number of connecting members can be reduced, and the inductance of the semiconductor device 1B caused by the connecting members can be reduced.
  • the first control connection member 140A includes an end portion of the resin member 50 of the first control wiring 63A near the third resin side surface 53 and a conductive substrate 60 of the first control lead 84A. It is connected to the near end. Therefore, since the length of the first control connecting member 140A is shortened, the inductance caused by the first control connecting member 140A can be reduced.
  • the second control connection member 140B is located at the end of the second control wiring 63B near the third resin side surface 53 and at the end of the second control lead 84B near the conduction board 60 and at the second resin side surface 52. It is connected to the end. Therefore, since the length of the second control connecting member 140B is shortened, the inductance caused by the second control connecting member 140B can be reduced.
  • the first control connecting member 141A has an end portion of the first control wiring 64A closer to the third resin side surface 53 and an end portion of the first control lead 85A closer to the conductive substrate 60. Is connected to. Therefore, since the length of the first control connecting member 141A is shortened, the inductance caused by the first control connecting member 141A can be reduced.
  • the second control connection member 141B is located at the end of the second control wiring 64B closer to the third resin side surface 53 and the second control lead 85B closer to the conductive substrate 60 and the second resin side surface 52. It is connected to the end. Therefore, since the length of the second control connecting member 141B is shortened, the inductance caused by the second control connecting member 141B can be reduced.
  • the wiring portions, pad portions, and terminal portions of the leads 84A, 84B, 85A, 85B, 86A to 86D constituting the conductive paths (wiring portions) of the surge reduction circuits 4A and 4B are integrally formed. It is a single part. According to this configuration, the inductance between the surge reduction circuits 4A and 4B and the terminal portion of each reed can be reduced as compared with the case where the wiring portion and the pad portion are connected by a wire, for example.
  • the semiconductor device 1C of the third embodiment will be described with reference to FIGS. 20 to 24.
  • the semiconductor device 1C of the present embodiment is different from the semiconductor device 1A of the first embodiment in the plurality of terminals 20, the wiring portions of the conductive substrate 60, and the circuit configuration.
  • components common to the semiconductor device 1A of the first embodiment may be designated by the same reference numerals, and the description thereof may be omitted.
  • the plurality of terminals 20 of the semiconductor device 1C replace the first control power terminal 25A with the first interface terminal 27A as compared with the plurality of terminals 20 of the semiconductor device 1A of the first embodiment.
  • the difference is that the second interface terminal 27B is provided instead of the second control power terminal 25C.
  • the first interface terminal 27A is a gate drive circuit provided outside the semiconductor device 1C so that the control signal supplied to the first control terminal 23A is kept off when the switching circuit of the lower arm is on. A signal is supplied from (not shown).
  • the second interface terminal 27B is connected to the gate drive circuit provided outside the semiconductor device 1C so that the control signal supplied to the second control terminal 23B is kept in the off state when the switching circuit of the upper arm is in the on state. The signal is supplied.
  • connection configuration between the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B is the same as the connection configuration between the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B of the first embodiment.
  • the semiconductor device 1C replaces the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, 31B, the low withstand voltage diodes 32A, 32B, 34A, 34B, and the capacitors 33A, 33B, 35A, 35B with the first low withstand voltage diode.
  • 36A, 36B, 2nd low withstand voltage diodes 37A, 37B, 1st resistor 38A, 1st resistor 38B, 2nd resistor 38C, 2nd resistor 38D, 1st switching element 39A, and 2nd switching element 39B can be mounted. It is configured in.
  • the semiconductor device 1C including the low withstand voltage diodes 36A, 36B, 37A, 37B, the resistors 38A to 38D, and the switching elements 39A, 39B will be described.
  • the surge voltage generated at the gate electrode 13 of the first semiconductor element 10A is absorbed by the first low withstand voltage diodes 36A and 36B connected in anti-series to each other between the gate sources of the first semiconductor element 10A. It constitutes the first surge absorption circuit 5A. More specifically, the cathode electrode of the first low withstand voltage diode 36A is electrically connected to the gate electrode 13 of the first semiconductor element 10A. The anode electrode of the first low withstand voltage diode 36A is electrically connected to the anode electrode of the first low withstand voltage diode 36B. The cathode electrode of the first low withstand voltage diode 36B is electrically connected to the source electrode 12 of the first semiconductor element 10A. Schottky barrier diodes are used for the first low withstand voltage diodes 36A and 36B, respectively.
  • the first interface for driving the first semiconductor element 10A by the first switching element 39A electrically connected to the gate electrode 13 of the first semiconductor element 10A, the first resistor 38A, and the first resistor 38B. It constitutes a circuit 6A. More specifically, for the first switching element 39A, for example, a MOSFET is used.
  • the drain electrode 39d of the first switching element 39A is electrically connected to the gate electrode 13 of the first semiconductor element 10A.
  • the source electrode 39s of the first switching element 39A is electrically connected to the first control power terminal 25B.
  • the gate electrode 39g of the first switching element 39A is electrically connected to the first interface terminal 27A.
  • the first resistor 38A is provided between the first interface terminal 27A and the gate electrode 39g of the first switching element 39A.
  • the first terminal of the first resistor 38A is connected to the first interface terminal 27A, and the second terminal is connected to the gate electrode 39g of the first switching element 39A.
  • the first resistor 38B is provided between the gate and source of the first switching element 39A.
  • the first terminal of the first resistor 38B is connected to the first interface terminal 27A and the first terminal of the first resistor 38A, and the second terminal is connected to the source electrode 39s of the first switching element 39A.
  • the surge voltage generated in the gate electrode 13 of the second semiconductor element 10B is absorbed by the second low withstand voltage diodes 34A and 34B connected in anti-series to each other between the gate sources of the second semiconductor element 10B.
  • the second surge absorption circuit 5B is configured. More specifically, the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 34A is electrically connected to the gate electrode 13 of the second semiconductor element 10B.
  • the anode electrode of the second low withstand voltage diode 34A is electrically connected to the anode electrode of the second low withstand voltage diode 34B.
  • the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 34B is electrically connected to the source electrode 12 of the second semiconductor element 10B.
  • Schottky barrier diodes are used for the second low withstand voltage diodes 34A and 34B, respectively.
  • a second interface for driving the second semiconductor element 10B by the second switching element 39B electrically connected to the gate electrode 13 of the second semiconductor element 10B, the second resistor 38C and the second resistor 38D. It constitutes a circuit 6B. More specifically, for the second switching element 39B, for example, a MOSFET is used. The drain electrode 39d of the second switching element 39B is electrically connected to the gate electrode 13 of the second semiconductor element 10B. The source electrode 39s of the second switching element 39B is electrically connected to the second control power terminal 25D. The gate electrode 39g of the second switching element 39B is electrically connected to the second interface terminal 27B.
  • the second resistor 38C is provided between the second interface terminal 27B and the gate electrode 39g of the second switching element 39B.
  • the first terminal of the second resistor 38C is connected to the second interface terminal 27B, and the second terminal is connected to the gate electrode 39g of the second switching element 39B.
  • the second resistor 38D is provided between the gate and source of the second switching element 39B.
  • the first terminal of the second resistor 38D is connected to the second interface terminal 27B and the first terminal of the second resistor 38C, and the second terminal is connected to the source electrode 39s of the second switching element 39B.
  • the semiconductor device 1C of the present embodiment has an arrangement mode of a plurality of leads 80, a part of the first wiring region 70A, and a part of the first wiring region 70A, as compared with the semiconductor device 1A of the first embodiment.
  • the second wiring area 70B is different.
  • the semiconductor device 1C has a first control lead 84A, a first control lead 85A, a first control power supply lead 86B, and a first interface as leads 80 arranged next to the vertical direction Y of the first wiring region 70A.
  • a lead 88A and a lead 87A for detecting a first short circuit are provided.
  • the first control lead 85A, the first control lead 84A, the first interface lead 88A, the first control power supply lead 86B, and the first control lead 83A from the input leads 81 and 82 to the output lead 83 in the lateral direction X.
  • the short-circuit detection leads 87A are arranged in this order.
  • the first interface lead 88A has, for example, the same shape as the first control lead 85A.
  • the first interface lead 88A has a pad portion 88p and a terminal portion 88t.
  • the first interface lead 88A is a single component in which the pad portion 88p and the terminal portion 88t are integrally formed.
  • the pad portion 88p is provided with a through hole 88h that penetrates the pad portion 88p in the thickness direction Z. A part of the resin member 50 is inserted into the through hole 88h.
  • the semiconductor device 1C has a second control lead 84B, a second control lead 85B, a second control power supply lead 86D, and a second interface as leads 80 arranged next to the vertical direction Y of the second wiring region 70B.
  • a lead 88B and a second short circuit detection lead 87B are provided. From the output lead 83 to the input leads 81 and 82 in the lateral direction X, the second control lead 85B, the second control lead 84B, the second control power supply lead 86D, the second interface lead 88B, and the second The short-circuit detection leads 87B are arranged in this order.
  • the second interface lead 88B has, for example, the same shape as the second control lead 85B.
  • the second interface lead 88B has a pad portion 88p and a terminal portion 88t.
  • the second interface lead 88B is a single component in which the pad portion 88p and the terminal portion 88t are integrally formed.
  • the pad portion 88p is provided with a through hole 88h that penetrates the pad portion 88p in the thickness direction Z. A part of the resin member 50 is inserted into the through hole 88h.
  • the first wiring portion 62pa, the second wiring portion 62pb, the third wiring portion 62pc, and the first portion 62py of the fourth wiring portion 62pd of the first driving wiring 62A are the first driving wiring of the first embodiment. It is the same as 62A.
  • the second portion 62pz of the fourth wiring portion 62pd of the first drive wiring 62A is different from the first drive wiring 62A of the first embodiment. Specifically, the length of the portion extending along the lateral direction X of the second portion 62pz is lateral to the portion extending along the lateral direction X of the second portion 62pz of the first embodiment. Longer than the length of direction X.
  • the portion of the second portion 62pz extending along the vertical direction Y is arranged at the end portion of the fifth layer substrate 60F near the output lead 83 in the horizontal direction X. Therefore, when viewed from the vertical direction Y, the portion of the second portion 62pz extending along the vertical direction Y is arranged so as to overlap the first wiring portion 62pa of the first drive wiring 62A.
  • the first drive wiring 62A and the first short circuit detection lead 87A are electrically connected by the first short circuit detection connection member 97A.
  • the first short-circuit detection connecting member 97A includes an end portion of the fourth wiring portion 62pd of the first drive wiring 62A near the third resin side surface 53 in the vertical direction Y in the second portion 62pz, and the first short-circuit detection connection member 97A. It is connected to the pad portion 87p of the lead 87A.
  • the first wiring portion 63pa and the second wiring portion 63pb of the first control wiring 63A are the same as the first control wiring 63A of the first embodiment.
  • the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A is different from the first control wiring 63A of the first embodiment. Specifically, the third wiring portion 63pc extends along the vertical direction Y from the second wiring portion 63pb toward the third resin side surface 53 side in the vertical direction Y.
  • the first control wiring 63A and the first control lead 84A are electrically connected by the first control lead connection member 94A.
  • the first control lead connection member 94A includes an end portion of the first control wiring 63A near the third resin side surface 53 in the vertical direction Y in the third wiring portion 63pc, and a pad portion 84p of the first control lead 84A. Is connected to.
  • the first control wiring 64A does not have the second wiring portion 64pb and the third wiring portion 64pc as compared with the first control wiring 64A of the first embodiment.
  • the first control wiring 64A extends along the vertical direction Y.
  • the length of the first control wiring 64A in the vertical direction Y is longer than the length of the first wiring portion 64pa in the first control wiring 64A of the first embodiment in the vertical direction Y.
  • the first control wiring 64A and the first control lead 85A are electrically connected by the first control lead connection member 95A.
  • the first control lead connection member 95A is connected to the end of the first control wiring 64A near the third resin side surface 53 in the vertical direction Y and the pad portion 85p of the first control lead 85A. ..
  • the shape of the first control power supply wiring 66A in a plan view is L-shaped.
  • the second control power supply wiring 66B has a first wiring portion 66pa and a second wiring portion 66pb.
  • the first wiring portion 66pa extends along the vertical direction Y from the end portion of the fifth layer substrate 60F near the third resin side surface 53 in the vertical direction Y toward the first semiconductor element 10A.
  • the first wiring portion 66pa is arranged closer to the first resin side surface 51 than the second portion 62pz of the fourth wiring portion 62pd of the first drive wiring 62A.
  • the second wiring portion 66pb extends along the lateral direction X from the end portion of the first wiring portion 66pa near the first semiconductor element 10A in the vertical direction Y.
  • the second wiring portion 66pb extends toward the first resin side surface 51.
  • the second wiring portion 66pb is arranged closer to the third resin side surface 53 in the lateral direction X than the first portion 62py of the fourth wiring portion 62pd of the first drive wiring 62A.
  • the tip of the second wiring portion 66pb is close to the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A in the lateral direction X.
  • the first control power supply wiring 66A and the first control power supply lead 86B are electrically connected by the first control power supply connection member 96B.
  • the first control power supply connection member 96B includes an end portion of the first wiring portion 66pa of the first control power supply wiring 66A near the third resin side surface 53 in the vertical direction Y and a pad of the first control power supply lead 86B. It is connected to the unit 86p.
  • the first interface wiring 68A is arranged between the first wiring portion 66pa of the first control power supply wiring 66A and the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A in the lateral direction X. Further, the first interface wiring 68A is arranged closer to the third resin side surface 53 than the second wiring portion 66pb of the first control power supply wiring 66A in the vertical direction Y. The wiring 68A for the first interface extends in the vertical direction Y.
  • the first interface wiring 68A and the first interface lead 88A are connected by the first interface connecting member 98A.
  • the first interface connection member 98A is connected to the end of the first interface wiring 68A near the third resin side surface 53 in the vertical direction Y and the pad portion 88p of the first interface lead 88A.
  • the first interface connecting member 98A is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • a first relay wiring 69A is provided between the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A and the lateral direction X between the first control wiring 64A.
  • the first relay wiring 69A extends along the vertical direction Y.
  • a second relay wiring 69B is provided between the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A and the second control power supply wiring 66B in the lateral direction X.
  • the shape of the second relay wiring 69B in a plan view is L-shaped.
  • the second relay wiring 69B has a first wiring portion 69pa extending in the vertical direction Y and a second wiring portion 69pb extending in the horizontal direction X.
  • the second wiring portion 69pb extends from the end portion of the first wiring portion 69pa near the first semiconductor element 10A in the vertical direction Y toward the output lead 83 side.
  • the first low withstand voltage diodes 36A and 36B constituting the first surge absorption circuit 5A are mounted on the first control wiring 63A, the first control wiring 64A, and the first relay wiring 69A.
  • the first low withstand voltage diodes 36A and 36B are connected in reverse series between the first control wiring 63A and the first control wiring 64A via the first relay wiring 69A. More specifically, the cathode electrode of the first low withstand voltage diode 36A is connected to the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A.
  • the anode electrode of the first low withstand voltage diode 36A is connected to the first relay wiring 69A.
  • the anode electrode of the first low withstand voltage diode 36B is connected to the first relay wiring 69A.
  • the cathode electrode of the first low withstand voltage diode 36B is connected to the first control wiring 64A.
  • the first low withstand voltage diode 36A is arranged so that the anode electrode and the cathode electrode are arranged along the lateral direction X. Further, the first low withstand voltage diode 36B is arranged so that the anode electrode and the cathode electrode are arranged along the lateral direction X. In addition, the first low withstand voltage diode 36A and the first low withstand voltage diode 36B are arranged so as to be separated from each other in the horizontal direction X in a state of being aligned in the vertical direction Y.
  • the first control wiring 63A, the second control power supply wiring 66B, the first interface wiring 68A, and the second relay wiring 69B are provided with first resistors 38A and 38B constituting the first interface circuit 6A, and first switching.
  • the element 39A is mounted.
  • the first switching element 39A is electrically connected to the first control wiring 63A, the second control power supply wiring 66B, and the second relay wiring 69B. More specifically, the drain electrode 39d of the first switching element 39A is connected to the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A.
  • the source electrode 39s of the first switching element 39A is connected to the second wiring portion 66pb of the second control power supply wiring 66B.
  • the gate electrode 39g of the first switching element 39A is connected to the second relay wiring 69B.
  • the first switching element 39A is arranged closer to the first semiconductor element 10A than the first low withstand voltage diodes 36A and 36B, the first resistor 38A, and the first resistor 38B.
  • the first resistor 38A and the first resistor 38B are connected between the second control power supply wiring 66B and the second relay wiring 69B via the first interface wiring 68A.
  • the first terminal of the first resistor 38A is connected to the second relay wiring 69B.
  • the second terminal of the first resistor 38A is connected to the wiring 68A for the first interface.
  • the first terminal of the first resistor 38B is connected to the wiring 68A for the first interface.
  • the second terminal of the first resistor 38B is connected to the first wiring portion 66pa of the second control power supply wiring 66B.
  • the first resistor 38A is arranged so that the first terminal and the second terminal are arranged along the lateral direction X. Further, the first resistor 38B is arranged so that the first terminal and the second terminal are arranged along the lateral direction X. In addition, the first resistor 38A and the first resistor 38B are arranged apart from each other in the horizontal direction X in a state of being aligned in the vertical direction Y.
  • the second drive wiring 62B is the same as the second drive wiring 62B of the first embodiment.
  • the second short-circuit detection connecting member 97B is connected to the second drive wiring 62B and the second short-circuit detection lead 87B as in the first embodiment.
  • the first wiring portion 63qa of the second control wiring 63B is the same as the first control wiring 63A of the first embodiment.
  • the fourth wiring portion 63qd is added instead of omitting the second wiring portion 63qb and the third wiring portion 63qc of the first control wiring 63A of the first embodiment. ing.
  • the shape of the fourth wiring portion 63qd in a plan view is L-shaped.
  • the fourth wiring portion 63qd has a first portion 63qv and a second portion 63qw.
  • the first portion 63qv extends from the end portion of the first wiring portion 63qa near the third resin side surface 53 in the vertical direction Y to the input leads 81 and 82 in the horizontal direction X.
  • the second portion 63qw extends from the end portion of the first portion 63qv near each input lead 81, 82 in the lateral direction X to the third resin side surface 53 side in the vertical direction Y.
  • the second control wiring 63B and the second control lead 84B are electrically connected by the second control lead connection member 94B.
  • the second control lead connection member 94B includes an end portion of the fourth wiring portion 63qd of the second control wiring 63B near the third resin side surface 53 in the vertical direction Y in the second portion 63qw, and the second control lead. It is connected to the pad portion 84p of 84B.
  • the second control wiring 64B does not have the second wiring portion 64qb and the third wiring portion 64qc as compared with the second control wiring 64B of the first embodiment.
  • the second control wiring 64B extends along the vertical direction Y.
  • the length of the second control wiring 64B in the vertical direction Y is longer than the length of the first wiring portion 64qa in the second control wiring 64B of the first embodiment in the vertical direction Y.
  • the second control wiring 64B and the second control lead 85B are electrically connected by the second control lead connection member 95B.
  • the second control lead connection member 95B is connected to the end of the second control wiring 64B near the third resin side surface 53 in the vertical direction Y and the pad portion 85p of the second control lead 85B. ..
  • the second control power supply wiring 66D and the second interface wiring 68B are the first wiring portion 62qa of the second drive wiring 62B and the second portion 63qw of the fourth wiring portion 63qd of the second control wiring 63B, respectively. It is arranged between the lateral directions X.
  • the second control power supply wiring 66D is arranged closer to the second portion 63qw of the second control power supply wiring 63B in the lateral direction X.
  • the second interface wiring 68B is arranged closer to the first wiring portion 62qa of the second drive wiring 62B in the lateral direction X.
  • the second control power supply wiring 66D and the second interface wiring 68B each extend in the vertical direction Y.
  • the second control power supply wiring 66D and the second control power supply lead 86D are electrically connected by the second control power supply connection member 96D.
  • the second control power supply connection member 96D is connected to the end of the second control power supply wiring 66D near the third resin side surface 53 in the vertical direction Y and the pad portion 86p of the second control power supply lead 86D. ing.
  • the second interface wiring 68B and the second interface lead 88B are electrically connected by the second interface connecting member 98B.
  • the second interface connecting member 98B is connected to the end of the second interface wiring 68B near the third resin side surface 53 in the vertical direction Y and the pad portion 88p of the second interface lead 88B.
  • the connection member 98B for the second interface is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • a third relay wiring 69C is provided between the second control power supply wiring 66D and the second interface wiring 68B and the second semiconductor element 10B in the vertical direction Y.
  • the third relay wiring 69C extends along the lateral direction X. Seen from the vertical direction Y, the third relay wiring 69C overlaps the second control power supply wiring 66D and the second interface wiring 68B.
  • a fourth relay wiring 69D is provided between the second portion 63qw of the fourth wiring portion 63qd of the second control wiring 63B and the second control wiring 64B.
  • the fourth relay wiring 69D extends in the vertical direction Y.
  • the fourth relay wiring 69D is arranged closer to the third resin side surface 53 in the vertical direction Y than the first portion 63qv of the fourth wiring portion 63qd of the second control wiring 63B.
  • the second low withstand voltage diodes 37A and 37B constituting the second surge absorption circuit 5B are mounted on the second control wiring 63B, the second control wiring 64B, and the fourth relay wiring 69D.
  • the second low withstand voltage diodes 37A and 37B are connected in reverse series between the second control wiring 63B and the second control wiring 64B via the fourth relay wiring 69D. More specifically, the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 37A is connected to the second portion 63qw of the fourth wiring portion 63qd of the second control wiring 63B.
  • the anode electrode of the second low withstand voltage diode 37B is connected to the fourth relay wiring 69D.
  • the anode electrode of the second low withstand voltage diode 37B is connected to the fourth relay wiring 69D.
  • the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 37B is connected to the second control wiring 64B.
  • the second low withstand voltage diode 37A is arranged so that the anode electrode and the cathode electrode are arranged along the lateral direction X.
  • the second low withstand voltage diode 37B is arranged so that the anode electrode and the cathode electrode are arranged along the lateral direction X.
  • the second low withstand voltage diode 37A and the second low withstand voltage diode 37B are arranged apart from each other in the horizontal direction X in a state of being aligned in the vertical direction Y.
  • the second control wiring 63B, the second control power supply wiring 66D, the second interface wiring 68B, and the third relay wiring 69C are provided with the second resistors 38C and 38D constituting the second interface circuit 6B, and the second switching.
  • the element 39B is mounted.
  • the second switching element 39B is electrically connected to the second control wiring 63B, the second control power supply wiring 66D, and the third relay wiring 69C. More specifically, the drain electrode 39d of the second switching element 39B is connected to the fourth wiring portion 63qd of the second control wiring 63B. The source electrode 39s of the second switching element 39B is connected to the second control power supply wiring 66D. The gate electrode 39g of the second switching element 39B is connected to the third relay wiring 69C.
  • the second switching element 39B is arranged closer to the second semiconductor element 10B than the second low withstand voltage diodes 37A and 37B and the second resistor 38D. Seen from the lateral direction X, the second switching element 39B overlaps with the second resistor 38C.
  • the second resistors 38C and 38D are connected to the second control power supply wiring 66D, the third relay wiring 69C, and the second interface wiring 68B.
  • the first terminal of the second resistor 38C is connected to the third relay wiring 69C.
  • the second terminal of the second resistor 38C is connected to the wiring 68B for the second interface.
  • the first terminal of the second resistor 38D is connected to the wiring 68B for the second interface.
  • the second terminal of the second resistor 38D is connected to the second control power supply wiring 66D.
  • the second resistor 38C is arranged so that the first terminal and the second terminal are arranged along the vertical direction Y. Further, the second resistor 38D is arranged so that the first terminal and the second terminal are arranged along the lateral direction X. The second resistor 38C is arranged closer to the second semiconductor element 10B than the second resistor 38D. Seen from the vertical direction Y, the second resistor 38C and the second resistor 38D partially overlap each other.
  • the resin member 50 of the semiconductor device 1C includes a first control side opening 58A, a second control side opening 58B, a first drive side opening 59A, and a second drive side opening 59B. It is formed.
  • the first drive-side opening 59A and the second drive-side opening 59B are the same as the first drive-side opening 59A and the second drive-side opening 59B of the first embodiment.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are provided separately.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged side by side so as to be separated from each other in the direction along one side of the resin member 50.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged side by side in a lateral direction X so as to be separated from each other.
  • the first control side opening 58A exposes a part of the first wiring area 70A of the conductive substrate 60.
  • the first control side opening 58A exposes two types of circuits that are electrically connected to the first semiconductor element 10A.
  • the first control side opening 58A exposes the first interface circuit 6A and the first surge absorption circuit 5A. More specifically, the first control side opening 58A is a part of the first control wiring 63A, a part of the first control wiring 64A, a part of the first relay wiring 69A, and a part of the second control power supply wiring 66B.
  • the first control side opening 58A does not expose the first drive wiring 62A.
  • the shape of the first control side opening 58A in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the first control side opening 58A is a void.
  • the second control side opening 58B exposes a part of the second wiring area 70B of the conductive substrate 60.
  • the second control side opening 58B exposes two types of circuits that are electrically connected to the second semiconductor element 10B.
  • the second control side opening 58B exposes the second interface circuit 6B and the second surge absorption circuit 5B. More specifically, the second control side opening 58B is a part of the second control wiring 63B, a part of the second control wiring 64B, a fourth relay wiring 69D, and a part of the second control power supply wiring 66D.
  • the second control side opening 58B does not expose the second drive wiring 62B.
  • the shape of the second control side opening 58B in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the second control side opening 58B is a void.
  • the semiconductor device 1C includes a first interface circuit 6A and a second interface circuit 6B. According to this configuration, by controlling the on / off of the first switching element 39A of the first interface circuit 6A, each first semiconductor element 10A is erroneously affected by a surge (noise) when the switching circuit of the lower arm is on. It can be preferably switched so as not to be turned on. Further, by controlling the on / off of the second switching element 39B of the second interface circuit 6B, each second semiconductor element 10B is not erroneously turned on due to the influence of surge (noise) when the switching circuit of the upper arm is on. Can be preferably switched to.
  • the semiconductor device 1C includes a first surge absorption circuit 5A and a second surge absorption circuit 5B. According to this configuration, the surge voltage among the voltages applied to the gate electrode 13 of the first semiconductor element 10A can be absorbed by the first low withstand voltage diodes 36A and 36B of the first surge absorption circuit 5A. Further, the surge voltage among the voltages applied to the gate electrode 13 of the second semiconductor element 10B can be absorbed by the second low withstand voltage diodes 37A and 37B of the second surge absorption circuit 5B.
  • the semiconductor device 1D of the fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 25 to 29.
  • the semiconductor device 1D of the present embodiment replaces the first short-circuit detection circuit 3A and the second short-circuit detection circuit 3B with the first current detection circuit 7A and the second current detection.
  • the main difference is that the circuit 7B is provided.
  • components common to the semiconductor device 1A of the first embodiment may be designated by the same reference numerals, and the description thereof may be omitted.
  • the terminal 20 has a first overcurrent detection terminal 26C and a second overcurrent detection terminal 26D in place of the first short circuit detection terminal 26A and the second short circuit detection terminal 26B.
  • the first overcurrent detection terminal 26C is a terminal for detecting whether or not an overcurrent flows through the first semiconductor element 10A, and is electrically connected to the current sense electrode 17 of the first semiconductor element 10A.
  • the second overcurrent detection terminal 26D is a terminal for detecting whether or not an overcurrent flows through the second semiconductor element 10B, and is electrically connected to the current sense electrode 17 of the second semiconductor element 10B.
  • the first current detection circuit 7A is a circuit that detects the current flowing through the first semiconductor element 10A, and has a first resistor 151.
  • the first terminal of the first resistor 151 is electrically connected to the current sense electrode 17 of the first semiconductor element 10A.
  • the second terminal of the first resistor 151 is electrically connected to the node N3 between the first capacitor 33A and the first capacitor 33B.
  • the first overcurrent detection terminal 26C is electrically connected to the node N6 between the current sense electrode 17 of the first semiconductor element 10A and the first terminal of the first resistor 151.
  • the second current detection circuit 7B is a circuit that detects the current flowing through the second semiconductor element 10B, and has a second resistor 152.
  • the first terminal of the second resistor 152 is electrically connected to the current sense electrode 17 of the second semiconductor element 10B.
  • the second terminal of the second resistor 152 is electrically connected to the node N5 between the second capacitor 35A and the second capacitor 35B.
  • the second overcurrent detection terminal 26D is electrically connected to the node N7 between the current sense electrode 17 of the second semiconductor element 10B and the first terminal of the second resistor 152.
  • the semiconductor device 1D has a first overcurrent detection wiring 160A and a second overcurrent detection wiring 160B.
  • the first overcurrent detection wiring 160A is formed on the fifth layer substrate 60F
  • the second overcurrent detection wiring 160B is formed on the fifth layer substrate 60G.
  • the semiconductor device 1D has a first overcurrent detection lead 87C in place of the first short circuit detection lead 87A, and a second overcurrent detection lead 87D in place of the second short circuit detection lead 87B.
  • the first overcurrent detection lead 87C constitutes the first overcurrent detection terminal 26C of FIG. 29, and the second overcurrent detection lead 87D constitutes the second overcurrent detection terminal 26D of FIG. 29.
  • the electrode configuration of the element main surface 10s of each of the semiconductor elements 10A and 10B is different from the electrode configuration of the element main surface 10s of each of the semiconductor elements 10A and 10B of the first embodiment.
  • the electrode configuration of the element main surface 10s of each of the semiconductor elements 10A and 10B of the present embodiment will be described. Since the electrode configurations of the element main surfaces 10s of the semiconductor elements 10A and 10B are the same, the electrode configurations of the element main surfaces 10s of the first semiconductor element 10A will be described, and the element main surfaces 10s of the second semiconductor element 10B will be described. The description of the electrode configuration will be omitted.
  • the first semiconductor element 10A of the present embodiment has four element side surfaces 10a to 10d.
  • the four element side surfaces 10a to 10d are provided between the element main surface 10s and the element back surface 10r (see FIG. 11B) of the first semiconductor element 10A in the thickness direction Z, respectively, with the element main surface 10s and the element back surface 10r. It is a surface facing the direction of intersection.
  • the element side surface 10a and the element side surface 10b are arranged apart from each other in the lateral direction X, and are surfaces facing opposite to each other in the lateral direction X.
  • the element side surface 10a is arranged closer to the first control wiring 63A with respect to the element side surface 10b.
  • the element side surface 10c and the element side surface 10d are arranged apart from each other in the vertical direction Y, and are surfaces facing opposite to each other in the vertical direction Y.
  • a source electrode 12, a gate electrode 13, and a current sense electrode 17 are formed on the element main surface 10s.
  • the source electrode 12 includes a first source electrode 12A, a second source electrode 12B, and a third source electrode 12C.
  • the first source electrode 12A is arranged on the element side surface 10b side of the element main surface 10s in the lateral direction X with respect to the central portion in the lateral direction X. Further, the first source electrode 12A is arranged at the center of the element main surface 10s in the vertical direction Y.
  • the shape of the first source electrode 12A in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the second source electrode 12B is arranged so as to be on the element side surface 10d side with respect to the first source electrode 12A in the vertical direction Y.
  • the third source electrode 12C is arranged so as to be on the element side surface 10c side with respect to the first source electrode 12A in the vertical direction Y. That is, in the vertical direction Y, the first source electrode 12A is arranged between the second source electrode 12B and the third source electrode 12C.
  • the shape of the second source electrode 12B in a plan view is an L shape that surrounds the first source electrode 12A from the element side surface 10d side and the element side surface 10a side.
  • the shape of the third source electrode 12C in a plan view is substantially L-shaped so as to surround the first source electrode 12A from the element side surface 10c side and the element side surface 10a side.
  • a notch 12x is formed at the end of the third source electrode 12C near the element side surface 10a and the element side surface 10c.
  • a current sense electrode 17 is arranged in the notch portion 12x.
  • the current sense electrode 17 is an electrode for detecting the current flowing through the source electrode 12, and is arranged at a corner of the element main surface 10s near the element side surface 10a and the element side surface 10c.
  • a gate electrode 13 is arranged between the second source electrode 12B and the third source electrode 12C in the vertical direction Y.
  • the gate electrode 13 is arranged at the center of the element main surface 10s in the vertical direction Y.
  • the gate electrode 13 is arranged closer to the element side surface 10a in the element main surface 10s in the lateral direction X. That is, the gate electrode 13 is arranged apart from the first source electrode 12A in the lateral direction X.
  • a first drive connecting member 91A is connected to each of the source electrodes 12A to 12C.
  • the first drive connecting member 91A connected to the second source electrode 12B is connected to a portion of the second source electrode 12B closer to the element side surface 10b in the lateral direction X.
  • the first drive connecting member 91A connected to the third source electrode 12C is connected to a portion of the third source electrode 12C closer to the element side surface 10b in the lateral direction X.
  • a first control connecting member 93A is connected to a portion of the second source electrode 12B near the element side surface 10a.
  • a first control connecting member 92A is connected to the gate electrode 13.
  • a first drive detection connecting member 171 is connected to the current sense electrode 17.
  • the arrangement direction of the first semiconductor element 10A and the arrangement direction of the second semiconductor element 10B are opposite in the lateral direction X. More specifically, in the first semiconductor element 10A, the current sense electrode 17 and the gate electrode 13 are arranged so as to be closer to the first control wiring 63A (closer to the first resin side surface 51 of the resin member 50), and the second The semiconductor element 10B is arranged so that the current sense electrode 17 and the gate electrode 13 are closer to the second control wiring 63B (closer to the second resin side surface 52 of the resin member 50).
  • the leads 80 electrically connected to the fifth layer substrate 60F include a first control lead 84A, a first control lead 85A, a first control power supply lead 86A, a first control power supply lead 86B, and a first overcurrent. It has a current detection lead 87C.
  • the first overcurrent detection lead 87C, the first control power supply lead 86B, the first control power supply lead 85A, and the first control power supply lead The 86A and the first control lead 84A are arranged in this order.
  • the leads 80 electrically connected to the fifth layer substrate 60G include a second control lead 84B, a second control lead 85B, a second control power supply lead 86C, a second control power supply lead 86D, and a second overcurrent. It has a current detection lead 87D.
  • the second overcurrent detection lead 87D, the second control power supply lead 86D, the second control power supply lead 85B, and the second control power supply lead are directed from the second resin side surface 52 to the first resin side surface 51.
  • the 86C and the second control lead 84B are arranged in this order.
  • the first overcurrent detection wiring 160A is a wiring portion for electrically connecting the current sense electrode 17 of each first semiconductor element 10A and the first overcurrent detection lead 87C.
  • the first overcurrent detection wiring 160A is arranged at the end of the fifth layer substrate 60F near the side surface 51 of the first resin in the lateral direction X.
  • the first overcurrent detection wiring 160A is arranged on the side opposite to the first control wiring 63A with respect to the first control wiring 64A in the lateral direction X.
  • the first overcurrent detection wiring 160A is arranged so as to be adjacent to the first control wiring 64A in the lateral direction X.
  • the first overcurrent detection wiring 160A is formed from the end of the fifth layer substrate 60F near the fourth resin side surface 54 to the end near the third resin side surface 53. That is, when viewed from the lateral direction X, the first overcurrent detection wiring 160A is formed so as to overlap the plurality of first semiconductor elements 10A.
  • the first overcurrent detection wiring 160A has a first wiring portion 161, a second wiring portion 162, and a third wiring portion 163.
  • the first overcurrent detection wiring 160A is a single member in which the first wiring portion 161 and the second wiring portion 162 and the third wiring portion 163 are integrally formed.
  • the first wiring portion 161 extends in the vertical direction Y. When viewed from the lateral direction X, the first wiring portion 161 extends so as to overlap the plurality of first semiconductor elements 10A. The first wiring portion 161 is arranged so as to be adjacent to the first wiring portion 64pa of the first control wiring 64A in the lateral direction X. The first wiring portion 161 is formed from the outside of the first wiring region 70A to the inside of the first wiring region 70A in the vertical direction Y.
  • a first drive detection connecting member 171 is formed in the first wiring portion 161 so as to be electrically connected to the current sense electrode 17 of each first semiconductor element 10A.
  • the first drive detection connecting member 171 is a wire formed by, for example, wire bonding. In a plan view, each first drive detection connecting member 171 extends along the lateral direction X.
  • the second wiring portion 162 and the third wiring portion 163 are respectively arranged in the first wiring region 70A. That is, in a plan view, the second wiring portion 162 and the third wiring portion 163 are respectively arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the first control lead 84A in the vertical direction Y. Further, in a plan view, it can be said that the second wiring portion 162 and the third wiring portion 163 are respectively arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the first control lead 85A in the vertical direction Y. In short, it can be said that the second wiring portion 162 and the third wiring portion 163 are arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the leads 80, respectively, in a plan view.
  • the second wiring portion 162 extends diagonally toward the second resin side surface 52 side toward the third resin side surface 53 side. Seen from the lateral direction X, the second wiring portion 162 is formed so as to overlap the second wiring portion 64pb of the first control wiring 64A.
  • a first resistor 151 is mounted on the second wiring portion 162 and the second wiring portion 64pb. Specifically, the first terminal of the first resistor 151 is connected to the second wiring portion 162, and the second terminal of the first resistor 151 is connected to the second wiring portion 64pb.
  • the third wiring portion 163 extends in the vertical direction Y.
  • the third wiring portion 163 is arranged closer to the first resin side surface 51 than the first control power supply wiring 66A.
  • the third wiring portion 163 is arranged so as to be adjacent to the first wiring portion 66pa of the first control power supply wiring 66A in the lateral direction X.
  • a first overcurrent detection connecting member 173 is formed in the third wiring portion 163 so as to be electrically connected to the first overcurrent detecting lead 87C.
  • the first overcurrent detection connecting member 173 is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second overcurrent detection wiring 160B is a wiring portion for electrically connecting the current sense electrode 17 of each second semiconductor element 10B and the second overcurrent detection lead 87D. ..
  • the second overcurrent detection wiring 160B is arranged at the end of the fifth layer substrate 60G near the side surface 52 of the second resin in the lateral direction X.
  • the second overcurrent detection wiring 160B is arranged on the side opposite to the second control wiring 63B with respect to the second control wiring 64B in the lateral direction X.
  • the second overcurrent detection wiring 160B is arranged so as to be adjacent to the second control wiring 64B in the lateral direction X.
  • the second overcurrent detection wiring 160B is formed from the end portion of the fifth layer substrate 60G closer to the fourth resin side surface 54 to the end portion closer to the third resin side surface 53. That is, when viewed from the lateral direction X, the second overcurrent detection wiring 160B is formed so as to overlap the plurality of second semiconductor elements 10B.
  • the second overcurrent detection wiring 160B has a first wiring portion 164, a second wiring portion 165, and a third wiring portion 166.
  • the second overcurrent detection wiring 160B is a single member in which the first wiring portion 164, the second wiring portion 165, and the third wiring portion 166 are integrally formed.
  • the first wiring portion 164 extends in the vertical direction Y. When viewed from the lateral direction X, the first wiring portion 164 extends so as to overlap the plurality of second semiconductor elements 10B. The first wiring portion 164 is arranged so as to be adjacent to the first wiring portion 64qa of the second control wiring 64B in the lateral direction X. The first wiring portion 164 is formed from the outside of the second wiring region 70B to the inside of the second wiring region 70B in the vertical direction Y.
  • a second drive detection connecting member 172 is formed in the first wiring portion 164 so as to be electrically connected to the current sense electrode 17 of each second semiconductor element 10B. The second drive detection connecting member 172 is, for example, a wire formed by wire bonding. In a plan view, each second drive detection connecting member 172 extends along the lateral direction X.
  • the second wiring portion 165 and the third wiring portion 166 are respectively arranged in the second wiring region 70B. That is, in a plan view, the second wiring portion 165 and the third wiring portion 166 are respectively arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the second control lead 84B in the vertical direction Y. Further, in a plan view, it can be said that the second wiring portion 165 and the third wiring portion 166 are respectively arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the second control lead 85B in the vertical direction Y. In short, it can be said that the second wiring portion 165 and the third wiring portion 166 are arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the leads 80 in the vertical direction, respectively, in a plan view.
  • the second wiring portion 165 extends diagonally toward the first resin side surface 51 side toward the third resin side surface 53 side.
  • the second wiring portion 165 is formed so as to overlap the second wiring portion 64qb of the second control wiring 64B when viewed from the lateral direction X.
  • the third wiring portion 166 extends in the vertical direction Y.
  • the third wiring portion 166 is arranged closer to the second resin side surface 52 than the second control power supply wiring 66B.
  • the third wiring portion 166 is arranged so as to be adjacent to the first wiring portion 66qa of the second control power supply wiring 66B in the lateral direction X.
  • a second resistor 152 is mounted on the third wiring portion 166 and the second wiring portion 64qb. Specifically, the first terminal of the second resistor 152 is connected to the third wiring portion 166, and the second terminal of the second resistor 152 is connected to the second wiring portion 64qb.
  • a second overcurrent detection connecting member 174 is formed in the third wiring portion 166 so as to be electrically connected to the second overcurrent detecting lead 87D.
  • the second overcurrent detection connecting member 174 is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • Each detection connecting member 171 and 172 and each overcurrent detection connecting member 173 and 174 are made of, for example, Cu (copper) or Al (aluminum), respectively.
  • the constituent materials of the detection connecting members 171 and 172 and the overcurrent detection connecting members 173 and 174 are the driving connecting members 91A and 91B and the control connecting members 92A, 92B and 93A. , 93B, the same as the constituent materials of the control lead connecting members 94A, 94B, 95A, 95B, and the control power supply connecting members 96A to 96D.
  • the wire diameters of the detection connecting members 171 and 172 are equal to each other.
  • the wire diameters of the overcurrent detection connecting members 173 and 174 are equal to each other.
  • the wire diameters of the detection connecting members 171 and 172 and the wire diameters of the overcurrent detection connecting members 173 and 174 are equal to each other.
  • the wire diameters of the detection connection members 171 and 172 and the overcurrent detection connection members 173 and 174 are the drive connection members 91A and 91B and the control connection members 92A, 92B and 93A. , 93B, the wire diameters of the control lead connecting members 94A, 94B, 95A, 95B, and the control power supply connecting members 96A to 96D, respectively.
  • the resin member 50 is provided with a first control side opening 58A and a second control side opening 58B as two resin openings that expose the conductive substrate 60 from the resin top surface 55 side. There is. As can be seen from FIG. 25, the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are provided separately.
  • the first control side opening 58A is arranged at a position overlapping the plurality of first semiconductor elements 10A and closer to the third resin side surface 53 than the plurality of first semiconductor elements 10A when viewed from the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B is arranged at a position overlapping the plurality of second semiconductor elements 10B and closer to the third resin side surface 53 than the plurality of second semiconductor elements 10B when viewed from the vertical direction Y.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged side by side so as to be separated from each other in the direction along one side of the resin member 50.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged so as to be aligned in the vertical direction Y and separated from each other in the horizontal direction X.
  • the control side openings 58A and 58B are arranged at the ends of the resin top surface 55 near the third resin side surface 53.
  • the first control side opening 58A is arranged closer to the first resin side surface 51 than the second control side opening 58B.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 84t of the first control lead 84A in the vertical direction.
  • the first control side opening 58A is between the plurality of first semiconductor elements 10A and the pad portion 84p of the first control lead 84A in the vertical direction Y. Is located in.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 85t of the first control lead 85A in the vertical direction.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the pad portion 85p of the first control lead 85A in the vertical direction Y.
  • the first control side opening 58A exposes a part of the first wiring region 70A of the conductive substrate 60.
  • the first control side opening 58A exposes a part of the mounting region on the conductive substrate 60 (fifth layer substrate 60F) on which electronic components other than the first semiconductor element 10A are mounted.
  • the first control side opening 58A exposes a region of the first wiring region 70A near the third resin side surface 53.
  • the first control side opening 58A exposes the first surge reduction circuit 4A and the first current detection circuit 7A electrically connected to the first semiconductor element 10A. More specifically, as shown in FIG.
  • the first control side opening 58A includes the first low withstand voltage diodes 32A and 32B, the first capacitors 33A and 33B, and the third wiring portion 63pc of the first control wiring 63A.
  • the third wiring portion 64pc of the first control wiring 64A, the first control power supply wiring 65A, and the first control power supply wiring 66A are exposed.
  • the first control side opening 58A exposes the first resistor 151 and the second wiring portion 162 and the third wiring portion 163 of the first overcurrent detection wiring 160A.
  • the first control side opening 58A exposes the first control lead connection members 94A and 95A, the first control power supply connection members 96A and 96B, and the first overcurrent detection connection member 173. Not done.
  • the shape of the first control side opening 58A in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the first control side opening 58A is a void.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the terminal portion 84t of the second control lead 84B in the vertical direction.
  • the second control side opening 58B is between the plurality of second semiconductor elements 10B and the pad portion 84p of the second control lead 84B in the vertical direction Y. Is located in.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the terminal portion 85t of the second control lead 85B in the vertical direction.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the pad portion 85p of the second control lead 85B in the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B exposes a part of the second wiring region 70B of the conductive substrate 60.
  • the second control side opening 58B exposes a part of the mounting region on the conductive substrate 60 (fifth layer substrate 60G) on which electronic components other than the second semiconductor element 10B are mounted.
  • the second control side opening 58B exposes a region of the second wiring region 70B near the third resin side surface 53.
  • the second control side opening 58B exposes the second surge reduction circuit 4B and the second current detection circuit 7B electrically connected to the second semiconductor element 10B.
  • the second control side opening 58B includes the second low withstand voltage diodes 34A and 34B, the second capacitors 35A and 35B, the third wiring portion 63pc of the second control wiring 63B, and the second control wiring 64B.
  • the third wiring portion 64qc, the second control power supply wiring 65B, and the second control power supply wiring 66B are exposed.
  • the second control side opening 58B exposes the second resistor 152 and the second wiring portion 165 and the third wiring portion 166 of the second overcurrent detection wiring 160B.
  • the second control side opening 58B exposes the second control lead connection members 94B and 95B, the second control power supply connection members 96C and 96D, and the second overcurrent detection connection member 174. Absent.
  • the shape of the second control side opening 58B in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the second control side opening 58B is a void.
  • the semiconductor device 1D of the present embodiment includes a first current detection circuit 7A and a second current detection circuit 7B. According to this configuration, when an overcurrent flows through the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B by detecting the current flowing through the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B, the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B Controls such as turning off the second semiconductor element 10B can be performed. Thereby, the occurrence of failure of the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B can be suppressed.
  • the semiconductor device 1E of the fifth embodiment will be described with reference to FIGS. 30 to 34.
  • the semiconductor device 1E of the present embodiment includes current detection circuits 7A and 7B instead of the short circuit detection circuits 3A and 3B, and each semiconductor of the fourth embodiment.
  • the main difference is that the elements 10A and 10B are used.
  • components common to the semiconductor device 1C of the third embodiment may be designated by the same reference numerals, and the description thereof may be omitted.
  • the terminal 20 has a first overcurrent detection terminal 26C and a second overcurrent detection terminal 26D in place of the first short circuit detection terminal 26A and the second short circuit detection terminal 26B.
  • the first overcurrent detection terminal 26C is a terminal for detecting whether or not an overcurrent flows through the first semiconductor element 10A, and is electrically connected to the current sense electrode 17 of the first semiconductor element 10A.
  • the second overcurrent detection terminal 26D is a terminal for detecting whether or not an overcurrent flows through the second semiconductor element 10B, and is electrically connected to the current sense electrode 17 of the second semiconductor element 10B.
  • the first current detection circuit 7A is a circuit that detects the current flowing through the first semiconductor element 10A, and has a first resistor 151.
  • the first terminal of the first resistor 151 is electrically connected to the current sense electrode 17 of the first semiconductor element 10A.
  • the second terminal of the first resistor 151 is electrically connected to the node N8 between the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 37A and the first source terminal 24A.
  • the first overcurrent detection terminal 26C is electrically connected to the node N9 between the current sense electrode 17 of the first semiconductor element 10A and the first terminal of the first resistor 151.
  • the second current detection circuit 7B is a circuit that detects the current flowing through the second semiconductor element 10B, and has a second resistor 152.
  • the first terminal of the second resistor 152 is electrically connected to the current sense electrode 17 of the second semiconductor element 10B.
  • the second terminal of the second resistor 152 is electrically connected to the node N10 between the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 37B and the second source terminal 24B.
  • the second overcurrent detection terminal 26D is electrically connected to the node N11 between the current sense electrode 17 of the second semiconductor element 10B and the first terminal of the second resistor 152.
  • the semiconductor device 1E has a first overcurrent detection wiring 160A and a second overcurrent detection wiring 160B.
  • the first overcurrent detection wiring 160A is formed on the fifth layer substrate 60F
  • the second overcurrent detection wiring 160B is formed on the fifth layer substrate 60G.
  • the semiconductor device 1E has a first overcurrent detection lead 87C in place of the first short circuit detection lead 87A, and a second overcurrent detection lead 87D in place of the second short circuit detection lead 87B.
  • the first overcurrent detection lead 87C constitutes the first overcurrent detection terminal 26C of FIG. 34
  • the second overcurrent detection lead 87D constitutes the second overcurrent detection terminal 26D of FIG. 34.
  • the leads 80 electrically connected to the fifth layer substrate 60F include a first control lead 84A, a first control lead 85A, a first control power supply lead 86B, a first interface lead 88A, and a first overcurrent. It has a detection lead 87C.
  • the first overcurrent detection lead 87C, the first control lead 85A, the first control lead 84A, the first interface lead 88A, And the first control power supply lead 86B are arranged in this order.
  • the leads 80 electrically connected to the fifth layer substrate 60G include a second control lead 84B, a second control lead 85B, a second control power supply lead 86D, a second interface lead 88B, and a second overcurrent. It has a detection lead 87D.
  • the second overcurrent detection lead 87D, the second control lead 85B, the second control lead 84B, and the second control power supply lead 86D are directed from the second resin side surface 52 to the first resin side surface 51.
  • the second interface lead 88B are arranged in this order.
  • the first overcurrent detection wiring 160A is a wiring portion for electrically connecting the current sense electrode 17 of each first semiconductor element 10A and the first overcurrent detection lead 87C.
  • the first overcurrent detection wiring 160A is arranged at the end of the fifth layer substrate 60F near the side surface 51 of the first resin in the lateral direction X.
  • the first overcurrent detection wiring 160A is arranged on the side opposite to the first control wiring 63A with respect to the first control wiring 64A in the lateral direction X.
  • the first overcurrent detection wiring 160A is arranged so as to be adjacent to the first control wiring 64A in the lateral direction X.
  • the first overcurrent detection wiring 160A is formed from the end of the fifth layer substrate 60F near the fourth resin side surface 54 to the end near the third resin side surface 53. That is, when viewed from the lateral direction X, the first overcurrent detection wiring 160A is formed so as to overlap the plurality of first semiconductor elements 10A. Further, the first overcurrent detection wiring 160A is formed from the outside of the first wiring region 70A to the inside of the first wiring region 70A in the vertical direction Y.
  • the portion of the first overcurrent detection wiring 160A facing the plurality of first semiconductor elements 10A in the lateral direction X is first so as to be electrically connected to the current sense electrode 17 of each first semiconductor element 10A.
  • a drive detection connecting member 171 is formed.
  • the first drive detection connecting member 171 is a wire formed by, for example, wire bonding. In a plan view, each first drive detection connecting member 171 extends along the lateral direction X.
  • a first resistor 151 is mounted on a portion of the first overcurrent detection wiring 160A corresponding to the first wiring region 70A and a portion of the first control wiring 64A corresponding to the first wiring region 70A. Has been done.
  • the first terminal of the first resistor 151 is connected to the first overcurrent detection wiring 160A, and the second terminal of the first resistor 151 is connected to the first control wiring 64A.
  • the first resistor 151 is arranged closer to the fourth resin side surface 54 (closer to the first semiconductor element 10A) than the low withstand voltage diodes 36A and 36B in the vertical direction Y.
  • the first resistor 151 is arranged so as to overlap the first switching element 39A when viewed from the lateral direction X. In the lateral direction X, the first resistor 151 is arranged closer to the first resin side surface 51 than the first low withstand voltage diode 36B.
  • a first overcurrent detection connection so as to electrically connect to the first overcurrent detection lead 87C at the end of the first overcurrent detection wiring 160A in the vertical direction Y near the third resin side surface 53.
  • Member 173 is formed.
  • the first overcurrent detection connecting member 173 is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second overcurrent detection wiring 160B is a wiring portion for electrically connecting the current sense electrode 17 of each second semiconductor element 10B and the second overcurrent detection lead 87D. ..
  • the second overcurrent detection wiring 160B is arranged at the end of the fifth layer substrate 60G near the side surface 52 of the second resin in the lateral direction X.
  • the second overcurrent detection wiring 160B is arranged on the side opposite to the second control wiring 63B with respect to the second control wiring 64B in the lateral direction X.
  • the second overcurrent detection wiring 160B is arranged so as to be adjacent to the second control wiring 64B in the lateral direction X.
  • the second overcurrent detection wiring 160B is formed from the end portion of the fifth layer substrate 60G closer to the fourth resin side surface 54 to the end portion closer to the third resin side surface 53. That is, when viewed from the lateral direction X, the second overcurrent detection wiring 160B is formed so as to overlap the plurality of second semiconductor elements 10B. Further, the second overcurrent detection wiring 160B is formed from the outside of the second wiring region 70B to the inside of the second wiring region 70B in the vertical direction Y.
  • the portion of the second overcurrent detection wiring 160B facing the plurality of second semiconductor elements 10B in the lateral direction X is second so as to be electrically connected to the current sense electrode 17 of each second semiconductor element 10B.
  • a drive detection connecting member 172 is formed.
  • the second drive detection connecting member 172 is, for example, a wire formed by wire bonding. In a plan view, each second drive detection connecting member 172 extends along the lateral direction X.
  • a second resistor 152 is mounted on the portion of the second overcurrent detection wiring 160B corresponding to the second wiring region 70B and the portion of the second control wiring 64B corresponding to the second wiring region 70B. Has been done.
  • the first terminal of the second resistor 152 is connected to the second overcurrent detection wiring 160B, and the second terminal of the second resistor 152 is connected to the second control wiring 64B.
  • the second resistor 152 is arranged closer to the fourth resin side surface 54 (closer to the second semiconductor element 10B) than the low withstand voltage diodes 37A and 37B in the vertical direction Y.
  • the second resistor 152 is arranged so as to overlap the second switching element 39B and the second resistor 38C when viewed from the lateral direction X. In the lateral direction X, the first resistor 151 is arranged closer to the first resin side surface 51 than the second low withstand voltage diode 37B.
  • a second overcurrent detection connection is provided at the end of the second overcurrent detection wiring 160B in the vertical direction Y near the third resin side surface 53 so as to be electrically connected to the second overcurrent detection lead 87D.
  • Member 174 is formed.
  • the second overcurrent detection connecting member 174 is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • Each detection connecting member 171 and 172 and each overcurrent detection connecting member 173 and 174 are made of, for example, Cu (copper) or Al (aluminum), respectively.
  • the constituent materials of the detection connecting members 171 and 172 and the overcurrent detection connecting members 173 and 174 are the driving connecting members 91A and 91B and the control connecting members 92A, 92B and 93A. , 93B, the same as the constituent materials of the control lead connecting members 94A, 94B, 95A, 95B, and the control power supply connecting members 96A to 96D.
  • the wire diameters of the detection connecting members 171 and 172 are equal to each other.
  • the wire diameters of the overcurrent detection connecting members 173 and 174 are equal to each other.
  • the wire diameters of the detection connecting members 171 and 172 and the wire diameters of the overcurrent detection connecting members 173 and 174 are equal to each other.
  • the wire diameters of the detection connection members 171 and 172 and the overcurrent detection connection members 173 and 174 are the drive connection members 91A and 91B and the control connection members 92A, 92B and 93A. , 93B, the wire diameters of the control lead connecting members 94A, 94B, 95A, 95B, and the control power supply connecting members 96A to 96D, respectively.
  • the resin member 50 is provided with a first control side opening 58A and a second control side opening 58B as two resin openings that expose the conductive substrate 60 from the resin top surface 55 side. There is. As can be seen from FIG. 30, the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are provided separately.
  • the first control side opening 58A is arranged at a position overlapping the plurality of first semiconductor elements 10A and closer to the third resin side surface 53 than the plurality of first semiconductor elements 10A when viewed from the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B is arranged at a position overlapping the plurality of second semiconductor elements 10B and closer to the third resin side surface 53 than the plurality of second semiconductor elements 10B when viewed from the vertical direction Y.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged side by side so as to be separated from each other in the direction along one side of the resin member 50.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged so as to be aligned in the vertical direction Y and separated from each other in the horizontal direction X.
  • the control side openings 58A and 58B are arranged at the ends of the resin top surface 55 near the third resin side surface 53.
  • the first control side opening 58A is arranged closer to the first resin side surface 51 than the second control side opening 58B.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 84t of the first control lead 84A in the vertical direction.
  • the first control side opening 58A is between the plurality of first semiconductor elements 10A and the pad portion 84p of the first control lead 84A in the vertical direction Y. Is located in.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 85t of the first control lead 85A in the vertical direction.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the pad portion 85p of the first control lead 85A in the vertical direction Y.
  • the first control side opening 58A exposes a part of the first wiring area 70A of the conductive substrate 60.
  • the first control side opening 58A exposes a part of the mounting region on the conductive substrate 60 (fifth layer substrate 60F) on which electronic components other than the first semiconductor element 10A are mounted.
  • the first control side opening 58A exposes a region of the first wiring region 70A near the third resin side surface 53.
  • the first control side opening 58A exposes the first interface circuit 6A, the first surge absorption circuit 5A, and the first current detection circuit 7A. More specifically, as shown in FIG.
  • the first control side opening 58A is a part of the first control wiring 63A, a part of the first control wiring 64A, the first relay wiring 69A, and the second control.
  • the first control side opening 58A exposes the first resistor 151 and the first overcurrent detection wiring 160A. In the present embodiment, the first control side opening 58A does not expose the first drive wiring 62A.
  • the shape of the first control side opening 58A in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the first control side opening 58A is a void.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the terminal portion 84t of the second control lead 84B in the vertical direction.
  • the second control side opening 58B is between the plurality of second semiconductor elements 10B and the pad portion 84p of the second control lead 84B in the vertical direction Y. Is located in.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the terminal portion 85t of the second control lead 85B in the vertical direction.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the pad portion 85p of the second control lead 85B in the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B exposes a part of the second wiring area 70B of the conductive substrate 60.
  • the second control side opening 58B exposes two types of circuits that are electrically connected to the second semiconductor element 10B.
  • the second control side opening 58B exposes the second interface circuit 6B, the second surge absorption circuit 5B, and the second current detection circuit 7B. More specifically, the second control side opening 58B is a part of the second control wiring 63B, a part of the second control wiring 64B, a fourth relay wiring 69D, and a part of the second control power supply wiring 66D.
  • the second control side opening 58B exposes the second resistor 152 and the second overcurrent detection wiring 160B.
  • the second control side opening 58B does not expose the second drive wiring 62B.
  • the shape of the second control side opening 58B in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the second control side opening 58B is a void.
  • the semiconductor device 1E of the present embodiment includes a first current detection circuit 7A and a second current detection circuit 7B. According to this configuration, when an overcurrent flows through the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B by detecting the current flowing through the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B, the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B Controls such as turning off the second semiconductor element 10B can be performed. Thereby, the occurrence of failure of the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B can be suppressed.
  • the semiconductor device 1F of the sixth embodiment will be described with reference to FIGS. 35 to 43.
  • the semiconductor device 1F of the present embodiment is different from the semiconductor device 1A of the first embodiment mainly in the configuration of the conductive substrate and the mounting mode of the semiconductor elements 10A and 10B on the conductive substrate.
  • components common to the semiconductor device 1A of the first embodiment may be designated by the same reference numerals, and the description thereof may be omitted.
  • the semiconductor device 1F of the present embodiment includes an insulating substrate 41C instead of the insulating substrates 41A and 41B, and includes a conductive substrate 180 instead of the conductive substrate 60. Further, as shown in FIGS. 39 and 40, the semiconductor device 1F includes a plurality of metal members 191 and a plurality of metal members 192, a plurality of insertion members 193 and a plurality of insertion members 194, and a plurality of through electrodes 195A to 195D. And.
  • the insulating substrate 41C includes a plurality of metal members 191 and a plurality of metal members 192, a plurality of insertion members 193, a plurality of insertion members 194, and a plurality of through electrodes 195A to 195D (see FIGS. 39 and 40). ), And one substrate that supports the conductive substrate 180.
  • the constituent material of the insulating substrate 41C is, for example, ceramics having excellent thermal conductivity. Examples of such ceramics include AlN.
  • the shape of the insulating substrate 41C in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the configuration of the insulating substrate 41C is not limited to the example shown in FIG. 36, and the shape, size, number, and the like can be appropriately changed according to the product specifications of the semiconductor device 1F and the like.
  • the insulating substrate 41C has a substrate main surface 41sc and a substrate back surface 41rc facing opposite sides in the thickness direction Z.
  • the substrate main surface 41sc and the substrate back surface 41rc are separated from each other in the thickness direction Z.
  • the back surface 41rc of the substrate is exposed from the resin member 50.
  • a cooler such as a heat sink (not shown) may be connected to the back surface 41rc of the substrate.
  • the conductive substrate 180 constitutes the internal wiring in the semiconductor device 1F.
  • the conductive substrate 180 is arranged on the substrate main surface 41sc of the insulating substrate 41C, and is bonded to the insulating substrate 41C by a bonding material (not shown).
  • This bonding material may be made of a conductive material or an insulating material.
  • the conductive substrate 180 is a laminated substrate in which a plurality of wiring layers and a plurality of insulating layers are alternately laminated in the thickness direction Z.
  • the conductive substrate 180 has three wiring layers 180A, 180C, 180E, and two insulating layers 180B, 180D.
  • the number of layers of the wiring layer and the number of layers of the insulating layer are not limited to those described above, and can be appropriately changed according to the product specifications of the semiconductor device 1F.
  • the conductive substrate 180 is laminated in the order of the wiring layer 180A, the insulating layer 180B, the wiring layer 180C, the insulating layer 180D, and the wiring layer 180E from the opposite side of the insulating substrate 41C to the insulating substrate 41C side in the thickness direction Z.
  • the insulating layer 180B insulates the wiring layer 180A and the wiring layer 180C
  • the insulating layer 180D insulates the wiring layer 180C and the wiring layer 180E.
  • the wiring layer 180E is arranged on the substrate main surface 41sc of the insulating substrate 41C.
  • the wiring layer 180A has a plurality of conductor portions 181A to 181H and an insulating portion 181X.
  • the plurality of conductor portions 181A to 181H are arranged apart from each other, and are insulated from each other by the insulating portion 181X.
  • the insulating portion 181X may be omitted from the wiring layer 180A.
  • the wiring layer 180C has a plurality of conductor portions 183 and an insulating portion 182X.
  • the plurality of conductor portions 183 are arranged apart from each other, and are insulated from each other by the insulating portion 182X.
  • the insulating portion 182X may be omitted from the wiring layer 180C.
  • the wiring layer 180E has a plurality of conductor portions 184 and an insulating portion 183X.
  • the plurality of conductor portions 183 are arranged apart from each other, and are insulated from each other by the insulating portion 183X.
  • the insulating portion 183X may be omitted from the wiring layer 180E.
  • the plurality of conductor portions 181A to 181H, the plurality of conductor portions 183, and the plurality of conductor portions 184 are plate-shaped members (thick copper plates) made of a metal containing, for example, Cu (copper).
  • the insulating portions 181X, 182X, and 183X are each made of, for example, a prepreg.
  • the dimensions of the plurality of conductor portions 181A to 181H in the thickness direction Z, the dimensions of the plurality of conductor portions 183 in the thickness direction Z, and the dimensions of the plurality of conductor portions 184 in the thickness direction Z are equal to each other.
  • the dimensions of the plurality of conductor portions 181A to 181H in the thickness direction Z, the dimensions of the plurality of conductor portions 183 in the thickness direction Z, and the dimensions of the plurality of conductor portions 184 in the thickness direction Z are, for example, It is larger than 125 ⁇ m (thickness of wiring pattern (Cu thickness) in a general printed circuit board).
  • the dimension of each of the plurality of conductor portions 181A to 181H in the thickness direction Z, the dimension of each of the plurality of conductor portions 183 in the thickness direction Z, and the dimension of each of the plurality of conductor portions 184 in the thickness direction Z are, for example, It is larger than 125 ⁇ m (thickness of wiring pattern (Cu thickness) in a general printed circuit board).
  • the dimensions of the plurality of conductor portions 181A to 181H in the thickness direction Z, the dimensions of the plurality of conductor portions 183 in the thickness direction Z, and the dimensions of the plurality of conductor portions 184 in the thickness direction Z are ,
  • the dimensions of the insulating layers 180B and 180D in the thickness direction Z may be less than or equal to the same.
  • the configuration of the conductive substrate 180 is not limited to the examples shown in FIGS. 36 and 37, and the plurality of conductor portions 181A to 181H, the plurality of conductor portions 183, and the plurality of conductor portions 184 conform to the specifications of the semiconductor device 1F. Depending on the situation, the shape, size, arrangement, etc. can be changed as appropriate.
  • the conductive substrate 180 has a first input lead 81, a second input lead 82, and an output lead 83.
  • the first input lead 81 and the output lead 83 are provided in the wiring layer 180A. That is, one of the plurality of conductor portions 181A to 181H constitutes the first input lead 81, and the other constitutes the output lead 83. More specifically, the conductor portion 181A constitutes the first input lead 81, and the conductor portion 181B constitutes the output lead 83.
  • a portion of the conductor portion 181A protruding from the resin member 50 constitutes the first power terminal 21A.
  • the portion of the conductor portion 181B protruding from the resin member 50 constitutes the output terminal 22.
  • the conductor portion 181A (first input lead 81) and the conductor portion 183 constituting the second input lead 82 overlap each other in a plan view.
  • the second input lead 82 is provided in the wiring layer 180C. That is, one of the plurality of conductor portions 183 of the wiring layer 180C constitutes the second input lead 82. A portion of the conductor portion 183 constituting the second input lead 82 that protrudes from the resin member 50 constitutes the second power terminal 21B.
  • an insulating layer 180B is interposed between the conductor portion 181A (first input lead 81) and the conductor portion 183 (second input lead 82).
  • the surfaces of the portions constituting 21B on the opposite side of the insulating layer 180B are each exposed to the outside of the semiconductor device 1F.
  • the surface on the insulating layer 180B side of the surface of the portion forming the first power terminal 21A in the conductor portion 181A in the thickness direction Z, and the second power terminal 21B in the conductor portion 183 forming the second input lead 82 is in contact with the insulating layer 180B, respectively. That is, the first input lead 81 and the second input lead 82 are insulated by the insulating layer 180B. Therefore, the first power terminal 21A and the second power terminal 21B are insulated by the insulating layer 180B.
  • the conductor portion 181A and the conductor portion 181B are arranged on opposite sides of each other in the lateral direction X. More specifically, the conductor portion 181A is arranged at the end portion of the conductive substrate 180 near the side surface 51 of the first resin. The conductor portion 181B is arranged at an end portion of the conductive substrate 180 near the side surface 52 of the second resin. In the lateral direction X, the conductor portion 181C and the conductor portion 181D are arranged between the conductor portion 181A and the conductor portion 181B.
  • the shape of the conductor portion 181A in a plan view is substantially T-shaped.
  • the conductor portion 181A has a base portion 181a extending in the vertical direction Y and a protruding portion 181b extending from the base portion 181a in the horizontal direction X.
  • the conductor portion 181A is a single member in which the base portion 181a and the projecting portion 181b are integrally formed.
  • the base portion 181a is provided in the resin member 50.
  • the tip of the protruding portion 181b protrudes from the resin member 50.
  • a portion (tip portion) of the protruding portion 181b protruding from the resin member 50 constitutes the first power terminal 21A.
  • a plurality of (three in this embodiment) openings 181c are formed in the base portion 181a.
  • Each of the plurality of openings 181c is provided at the end of the base portion 181a near the side surface 51 of the first resin (see FIG. 36) in the lateral direction X.
  • the plurality of openings 181c are formed so as to be separated from each other in the vertical direction Y.
  • a conductor portion 181E and a conductor portion 181F are arranged in the plurality of openings 181c, respectively.
  • the conductor portion 181E and the conductor portion 181F in each opening 181c are arranged apart from each other in the vertical direction Y.
  • the conductor portion 181E is arranged in each opening 181c so as to be closer to the third resin side surface 53 (see FIG. 36) than the conductor portion 181F.
  • the shape of the conductor portion 181E in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the shape of the conductor portion 181F in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the conductor portion 181C is arranged so as to be adjacent to the base portion 181a of the conductor portion 181A in the lateral direction X.
  • the conductor portion 181C extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the conductor portion 181C in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the shape of the conductor portion 181B in a plan view is substantially T-shaped.
  • the conductor portion 181B has a base portion 181d extending in the vertical direction Y and a protruding portion 181e extending from the base portion 181d in the horizontal direction X.
  • the conductor portion 181B is a single member in which the base portion 181d and the protruding portion 181e are integrally formed.
  • the base portion 181d is provided in the resin member 50.
  • the tip of the protruding portion 181e protrudes from the resin member 50.
  • a portion (tip portion) of the protruding portion 181e protruding from the resin member 50 constitutes the second power terminal 21B.
  • a plurality of (three in this embodiment) openings 181f are formed in the base portion 181d.
  • Each of the plurality of openings 181f is provided at an end portion of the base portion 181d closer to the second resin side surface 52 (see FIG. 36) in the lateral direction X.
  • the plurality of openings 181f are formed so as to be separated from each other in the vertical direction Y.
  • a conductor portion 181G and a conductor portion 181H are arranged in the plurality of openings 181f, respectively.
  • the conductor portion 181D is arranged so as to be adjacent to the base portion 181d of the conductor portion 181B in the lateral direction X.
  • the conductor portion 181D is arranged between the conductor portion 181B and the conductor portion 181C in the lateral direction X.
  • the conductor portion 181C is arranged between the conductor portion 181D and the conductor portion 181A.
  • the conductor portion 181D extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the conductor portion 181D in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the length of the conductor portion 181D in the vertical direction Y is longer than the length of the conductor portion 181C in the vertical direction Y.
  • the width dimension of the conductor portion 181D (the dimension of the conductor portion 181D in the lateral direction X) is equal to the width dimension of the conductor portion 181C (the dimension of the conductor portion 181C in the lateral direction X).
  • a plurality of through holes 185A to 185H are formed in the conductive substrate 180.
  • Each of the through holes 185A to 185H penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z. That is, each of the through holes 185A to 185H penetrates the wiring layers 180A, 180C, 180E, and the insulating layers 180B, 180D in the thickness direction Z.
  • a plurality of (three in this embodiment) through holes 185A are provided in the portion of the conductive substrate 180 where the base portion 181a of the conductor portion 181A is formed.
  • the plurality of through holes 185A are arranged so as to be aligned in the horizontal direction X and separated in the vertical direction Y.
  • the shape of each through hole 185A in a plan view is, for example, a substantially circular shape.
  • a plurality of recesses are formed on the inner surface of each through hole 185A. The number of the recesses can be changed arbitrarily.
  • each of the plurality of metal members 191 is a columnar conductive member.
  • each metal member 191 has a substantially circular cross-sectional shape orthogonal to the thickness direction Z. That is, each metal member 191 has a columnar shape.
  • a plurality of recesses are formed on the peripheral edge of each metal member 191. The number of the recesses is not particularly limited.
  • the cross section is not limited to a substantially circular shape, and may be a substantially elliptical shape or a substantially polygonal shape.
  • the constituent material of each metal member 191 is, for example, Cu or a Cu alloy.
  • Each metal member 191 is in contact with the insulating substrate 41C (see FIG. 37).
  • the diameter of the circular portion of each through hole 185A excluding the plurality of recesses is substantially the same as or larger than the diameter of each metal member 191.
  • the insertion (fitting) of each metal member 191 into each through hole 185A is, for example, press fitting.
  • each metal member 191 in a state where each metal member 191 is inserted into each through hole 185A, a plurality of recesses formed on the inner surface of each through hole 185A and a lateral surface of each metal member 191 are formed.
  • a plurality of non-contact spaces G1 are formed by the plurality of recesses.
  • Each non-contact space G1 is a space that is circular in a plan view and penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Each non-contact space G1 is filled with, for example, solder.
  • the bonding strength between the conductive substrate 180 and each metal member 191 is increased, and the metal members 191 and the wiring layers 180A and 180E are combined.
  • the diameters of the metal members 191 and the through holes 185A in a plan view are the same, no gaps are formed in the portions other than the recesses, but in reality, they are fine due to manufacturing errors. Gap can be formed.
  • a fine gap may be formed.
  • This fine gap is a cause of a decrease in joint strength and poor continuity.
  • the solder also flows into the gap. As a result, the solder fills the gap, and it is possible to suppress a decrease in the bonding strength between each metal member 191 and the conductive substrate 180 and a poor continuity between each metal member 191 and the wiring layers 180A and 180E.
  • each metal member 191 and the wiring layer 180C are not electrically connected to each other. That is, each metal member 191 has a non-contact space G1 formed with the insulating portion 182X of the wiring layer 180C, and is not in contact with the conductor portion 183.
  • a plurality of (three in this embodiment) through holes 185B are provided in the portions of the conductive substrate 180 where the base portion 181d of the conductor portion 181B is formed.
  • the plurality of through holes 185B are arranged so as to be aligned in the horizontal direction X and separated in the vertical direction Y. In the lateral direction X, the plurality of through holes 185B are arranged at different positions from the plurality of through holes 185A.
  • the shape of each through hole 185B in a plan view is, for example, a substantially circular shape.
  • a plurality of recesses are formed on the inner surface of each through hole 185B. The number of the recesses can be changed arbitrarily.
  • a plurality of metal members 192 are inserted into each of the plurality of through holes 185B.
  • Each of the plurality of metal members 192 is a columnar conductive member.
  • each metal member 192 has a substantially circular cross-sectional shape orthogonal to the thickness direction Z. That is, each metal member 192 is cylindrical.
  • a plurality of recesses are formed on the peripheral edge of each metal member 192. The number of the recesses is not particularly limited.
  • the cross section is not limited to a substantially circular shape, and may be a substantially elliptical shape or a substantially polygonal shape.
  • the constituent material of each metal member 192 is, for example, Cu or a Cu alloy.
  • Each metal member 192 is in contact with the insulating substrate 41C (see FIG. 37).
  • the diameter of the circular portion of each through hole 185B excluding the plurality of recesses is substantially the same as or larger than the diameter of each metal member 192.
  • the insertion (fitting) of each metal member 192 into each through hole 185B is, for example, press fitting.
  • Non-contact space G2 is formed.
  • Each non-contact space G2 is a space that is circular in a plan view and penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Each non-contact space G2 is filled with, for example, solder.
  • the bonding strength between the conductive substrate 180 and each metal member 192 is increased, and the metal member 192 and the wiring layers 180A, 180C, We are trying to make it conductive with 180E.
  • a plurality of (three in this embodiment) through holes 185C are provided in the portions of the conductive substrate 180 where the conductor portion 181C is formed.
  • the plurality of through holes 185C are arranged so as to be aligned in the horizontal direction X and separated in the vertical direction Y. Further, each through hole 185C is arranged apart from each through hole 185B in the horizontal direction X in a state of being aligned with each through hole 185B in the vertical direction Y. In other words, each through hole 185C is arranged at a position different from that of each through hole 185A in the vertical direction Y.
  • each through hole 185C in a plan view is, for example, a substantially circular shape.
  • a plurality of recesses are formed on the inner surface of each through hole 185C. The number of the recesses can be changed arbitrarily.
  • the area of each through hole 185C in the plan view is smaller than the area of each through hole 185A, 185B in the plan view.
  • a plurality of insertion members 193 are inserted into each of the plurality of through holes 185C.
  • Each of the plurality of insertion members 193 is a columnar conductive member.
  • each insertion member 193 has a substantially circular cross-sectional shape orthogonal to the thickness direction Z. That is, each insertion member 193 is columnar.
  • a plurality of recesses are formed on the peripheral edge of each insertion member 193. The number of the recesses is not particularly limited.
  • the cross section is not limited to a substantially circular shape, and may be a substantially elliptical shape or a substantially polygonal shape.
  • the constituent material of each insertion member 193 is, for example, Cu or a Cu alloy.
  • Each insertion member 193 is in contact with the insulating substrate 41C.
  • the diameter of the circular portion of each through hole 185C excluding the plurality of recesses is substantially the same as or larger than the diameter of each insertion member 193.
  • the insertion (fitting) of each insertion member 193 into each through hole 185C is, for example, press fitting.
  • Non-contact space G3 is formed.
  • Each non-contact space G3 is a space that is circular in a plan view and penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Each non-contact space G3 is filled with, for example, solder.
  • each insertion member 193 By providing the non-contact space G3 in this way and filling the non-contact space G3 with solder, the bonding strength between the conductive substrate 180 and each insertion member 193 is increased, and the insertion members 193 and the wiring layers 180A and 180E are combined. We are trying to make it conductive.
  • the insertion member 193 and the wiring layer 180C are not electrically connected to each other. That is, each insertion member 193 has a non-contact space G3 formed with the insulating portion 182X of the wiring layer 180C, and is not in contact with the conductor portion 183.
  • a plurality of (three in this embodiment) through holes 185D are provided in the portions of the conductive substrate 180 where the conductor portion 181D is formed.
  • the plurality of through holes 185D are arranged so as to be aligned in the horizontal direction X and separated in the vertical direction Y. Further, each through hole 185D is arranged in a shape plate aligned with each through hole 185A in the vertical direction Y and separated from each through hole 185A in the horizontal direction X. In other words, each through hole 185D is arranged at a position different from that of each through hole 185B in the vertical direction Y.
  • each through hole 185D in a plan view is, for example, a substantially circular shape.
  • a plurality of recesses are formed on the inner surface of each through hole 185D. The number of the recesses can be changed arbitrarily.
  • the area of each through hole 185D in the plan view is smaller than the area of each through hole 185A, 185B in the plan view.
  • the area of each through hole 185D in the plan view is equal to the area of each through hole 185C in the plan view.
  • a plurality of insertion members 194 are inserted into each of the plurality of through holes 185D.
  • Each of the plurality of insertion members 194 is a columnar conductive member.
  • each insertion member 194 has a substantially circular cross-sectional shape orthogonal to the thickness direction Z. That is, each insertion member 194 is cylindrical.
  • a plurality of recesses are formed on the peripheral edge of each insertion member 194. The number of the recesses is not particularly limited.
  • the cross section is not limited to a substantially circular shape, and may be a substantially elliptical shape or a substantially polygonal shape.
  • the constituent material of each insertion member 194 is, for example, Cu or a Cu alloy.
  • Each insertion member 194 is in contact with the insulating substrate 41C.
  • the diameter of the circular portion of each through hole 185D excluding the plurality of recesses is substantially the same as or larger than the diameter of each insertion member 194.
  • the insertion (fitting) of each insertion member 194 into each through hole 185D is, for example, press fitting.
  • Non-contact space G4 is formed.
  • Each non-contact space G4 is a space that is circular in a plan view and penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Each non-contact space G4 is filled with, for example, solder.
  • each insertion member 194 and the wiring layer 180E are not electrically connected to each other. That is, each insertion member 194 has a non-contact space G4 formed with the insulating portion 183X of the wiring layer 180E, and is not in contact with the conductor portion 184.
  • a plurality of (three in this embodiment) through holes 185E are provided in the portions of the conductive substrate 180 where the conductor portion 181E is formed.
  • a plurality of (three in this embodiment) through holes 185F are provided in the portions of the conductive substrate 180 where the conductor portion 181F is formed. In the lateral direction X, the through hole 185F is arranged at a position different from that of the through hole 185E.
  • a plurality of (three in this embodiment) through holes 185G are provided in the portions of the conductive substrate 180 where the conductor portion 181G is formed.
  • a plurality of (three in this embodiment) through holes 185H are provided in the portion of the conductive substrate 180 where the conductor portion 181H is formed. In the lateral direction X, the through hole 185H is arranged at a position different from that of the through hole 185G.
  • the plurality of through electrodes 195A to 195D are each composed of a conductive material, for example, Cu or a Cu alloy.
  • the shape of each of the plurality of through electrodes 195A to 195D in a plan view is circular.
  • the area of the plurality of through electrodes 195A to 195D in the plan view is smaller than the area of the plurality of insertion members 193 and 194 in the plan view.
  • the plurality of through electrodes 195A are filled in the plurality of through holes 185E one by one.
  • Each through electrode 195A may not be filled in each through hole 185E, but may have a tubular shape that covers the inner surface of each through hole 185E.
  • the plurality of through electrodes 195B are filled one by one in each of the plurality of through holes 185F.
  • Each through electrode 195B may not be filled in each through hole 185F, but may have a tubular shape that covers the inner surface of each through hole 185F.
  • a plurality of through electrodes 195C are filled in a plurality of through holes 185G one by one.
  • Each through electrode 195C may not be filled in each through hole 185G, but may have a tubular shape covering the inner surface of each through hole 185G.
  • the plurality of through electrodes 195D are filled one by one in each of the plurality of through holes 185H.
  • Each through electrode 195D may not be filled in each through hole 185H, but may have a tubular shape covering the inner surface of each through hole 185H.
  • the through silicon vias 195A to 195D make the wiring layers 180A and 180E (see FIG. 37) conductive to each other, respectively.
  • the through silicon vias 195A to 195D are not electrically connected to the wiring layer 180C, respectively.
  • the plurality of conductor portions 181E are electrically connected to each other via the plurality of through electrodes 195A
  • the plurality of conductor portions 181F are electrically connected to each other via the plurality of through electrodes 195B. Is connected.
  • the plurality of conductor portions 181G are electrically connected to each other via the plurality of through electrodes 195C, and the plurality of conductor portions 181H are electrically connected to each other via the plurality of through electrodes 195D. ing.
  • each first semiconductor element 10A is arranged on the end surface of each metal member 191 on the side opposite to the insulating substrate 41C side in the thickness direction Z. More specifically, as shown in FIG. 37, the first semiconductor element 10A is arranged on the end face of the metal member 191 so that the back surface 10r of the element faces the end face of the metal member 191. The first semiconductor element 10A is bonded to the end face of the metal member 191 by a conductive bonding material such as silver paste or solder. As described above, the drain electrode 11 formed on the element back surface 10r of the first semiconductor element 10A is electrically connected to the metal member 191.
  • the source electrode 12 of each first semiconductor element 10A is electrically connected to the conductor portion 181C. More specifically, a plurality of first drive connecting members 91A are connected to the source electrode 12 of the first semiconductor element 10A and the conductor portion 181C.
  • the first drive connecting member 91A is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • each first semiconductor element 10A is electrically connected to each conductor portion 181F. That is, the source electrode 12 of the predetermined first semiconductor element 10A is electrically connected to the conductor portion 181F corresponding to the predetermined first semiconductor element 10A.
  • the conductor portion 181F corresponding to the predetermined first semiconductor element 10A is the conductor portion 181F closest to the predetermined first semiconductor element 10A.
  • the conductor portion 181F corresponding to the predetermined first semiconductor element 10A is arranged so as to overlap with the predetermined first semiconductor element 10A when viewed from the lateral direction X.
  • a first control connecting member 93A is connected to the source electrode 12 of the first semiconductor element 10A and the conductor portion 181F.
  • the first control connecting member 93A is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • each first semiconductor element 10A is electrically connected to the conductor portion 181E. That is, the gate electrode 13 of the predetermined first semiconductor element 10A is electrically connected to the conductor portion 181E corresponding to the predetermined first semiconductor element 10A.
  • the conductor portion 181E corresponding to the predetermined first semiconductor element 10A is the conductor portion 181E closest to the predetermined first semiconductor element 10A. In the present embodiment, the conductor portion 181E corresponding to the predetermined first semiconductor element 10A is arranged so as to overlap with the predetermined first semiconductor element 10A when viewed from the lateral direction X.
  • a first control connecting member 92A is connected to the gate electrode 13 of the first semiconductor element 10A and the conductor portion 181E.
  • the first control connecting member 92A is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • each second semiconductor element 10B is arranged on the end surface of each metal member 192 on the side opposite to the insulating substrate 41C side in the thickness direction Z. More specifically, as shown in FIG. 37, the second semiconductor element 10B is arranged on the end surface of the metal member 192 so that the back surface 10r of the element faces the end surface of the metal member 192. The second semiconductor element 10B is bonded to the end face of the metal member 192 by a conductive bonding material such as silver paste or solder. As described above, the drain electrode 11 formed on the element back surface 10r of the second semiconductor element 10B is electrically connected to the metal member 192.
  • the source electrode 12 of each second semiconductor element 10B is electrically connected to the conductor portion 181D. More specifically, a plurality of second drive connecting members 91B are connected to the source electrode 12 of the second semiconductor element 10B and the conductor portion 181D.
  • the second drive connecting member 91B is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • each second semiconductor element 10B is electrically connected to each conductor portion 181H. That is, the source electrode 12 of the predetermined second semiconductor element 10B is electrically connected to the conductor portion 181H corresponding to the predetermined second semiconductor element 10B.
  • the conductor portion 181H corresponding to the predetermined second semiconductor element 10B is the conductor portion 181H closest to the predetermined second semiconductor element 10B.
  • the conductor portion 181H corresponding to the predetermined second semiconductor element 10B is arranged so as to overlap with the predetermined second semiconductor element 10B when viewed from the lateral direction X.
  • a second control connecting member 93B is connected to the source electrode 12 of the second semiconductor element 10B and the conductor portion 181H.
  • the second control connecting member 93B is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • each second semiconductor element 10B is electrically connected to each conductor portion 181G. That is, the gate electrode 13 of the predetermined second semiconductor element 10B is electrically connected to the conductor portion 181G corresponding to the predetermined second semiconductor element 10B.
  • the conductor portion 181G corresponding to the predetermined second semiconductor element 10B is the conductor portion 181G closest to the predetermined second semiconductor element 10B.
  • the conductor portion 181G corresponding to the predetermined second semiconductor element 10B is arranged so as to overlap with the predetermined second semiconductor element 10B when viewed from the lateral direction X.
  • a second control connecting member 92B is connected to the gate electrode 13 of the second semiconductor element 10B and the conductor portion 181G.
  • the second control connecting member 92B is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the conductive substrate 180 has a first wiring area 70A, a second wiring area 70B, and a third wiring area 70C. Further, the conductive substrate 180 is provided with a first short-circuit detection circuit 3A and a second short-circuit detection circuit 3B, and a first surge reduction circuit 4A and a second surge reduction circuit 4B, as in the first embodiment. ..
  • the first wiring region 70A is a portion closer to the third resin side surface 53 than the plurality of first semiconductor elements 10A of the plurality of conductive substrates 180 in the vertical direction Y, and is first than the central portion of the conductive substrate 180 in the horizontal direction X. It is a region formed from a portion on the resin side surface 51 side.
  • the second wiring region 70B is a portion closer to the third resin side surface 53 than the plurality of second semiconductor elements 10B of the plurality of conductive substrates 180 in the vertical direction Y, and is second than the central portion of the conductive substrate 180 in the horizontal direction X. It is a region formed from a portion on the resin side surface 52 side.
  • the third wiring region 70C is a portion closer to the fourth resin side surface 54 than the plurality of second semiconductor elements 10B of the plurality of conductive substrates 180 in the lateral direction X, and is second than the central portion of the conductive substrate 180 in the lateral direction X. It is a region formed from a portion on the resin side surface 52 side.
  • FIG. 41 shows an example of the wiring configuration of the first short circuit detection circuit 3A and the first surge reduction circuit 4A.
  • the wiring configuration of the first short-circuit detection circuit 3A and the first surge reduction circuit 4A is not limited to the wiring configuration shown in FIG. 41, and can be arbitrarily changed.
  • the first short-circuit detection circuit 3A is arranged inside the conductor portion 181A in a plan view. Specifically, the first short-circuit detection circuit 3A is arranged inside the opening 181g formed in the conductor portion 181A.
  • the opening 181 g is formed so as to be adjacent to the first semiconductor element 10A closest to the third resin side surface 53 among the plurality of first semiconductor elements 10A in the vertical direction Y.
  • the first wiring portion 201, the second wiring portion 202, and the third wiring portion 203 are arranged in the opening 181 g.
  • the first wiring portion 201, the second wiring portion 202, and the third wiring portion 203 are arranged apart from each other in the horizontal direction X in a state of being aligned in the vertical direction Y.
  • the second wiring portion 202 is arranged between the first wiring portion 201 and the third wiring portion 203 in the lateral direction X.
  • the first wiring portion 201 is arranged closer to the first resin side surface 51 with respect to the second wiring portion 202 in the lateral direction X
  • the third wiring portion 203 is second with respect to the second wiring portion 202 in the lateral direction X. It is arranged near the resin side surface 52.
  • the shape of each wiring portion 201 to 203 in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the first wiring portion 201 is wiring for electrically connecting to the drain electrode 11 of each first semiconductor element 10A.
  • the first wiring portion 201 is provided with a through hole 201a.
  • the through hole 201a penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 201a are filled with through electrodes 204.
  • the through electrode 204 is not filled in the through hole 201a, but may have a tubular shape that covers the inner surface of the through hole 201a.
  • Through electrodes 204 conduct the wiring layers 180A and 180E. Although not shown, the through electrode 204 and the drain electrode 11 of the first semiconductor element 10A are electrically connected in the wiring layer 180E.
  • the third wiring portion 203 is a wiring for electrically connecting to the first short circuit detection lead 87A.
  • the third wiring portion 203 is provided with a through hole 203a.
  • the through hole 203a penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • the through hole 203a is filled with the through electrode 205.
  • the through electrode 205 is not filled in the through hole 203a, but may have a tubular shape that covers the inner surface of the through hole 203a.
  • Through electrodes 205 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the through electrode 205, the first short-circuit detection lead 87A, and the wiring portion electrically connected to each other are electrically connected.
  • the first short-circuit detection circuit 3A is the same as the first short-circuit detection circuit 3A of the first embodiment, and has the first high withstand voltage diodes 30A and 30B.
  • the first high withstand voltage diode 30A is connected to the second wiring portion 202 and the third wiring portion 203. Specifically, the cathode electrode of the first high withstand voltage diode 30A is connected to the third wiring portion 203, and the anode electrode of the first high withstand voltage diode 30A is connected to the second wiring portion 202. Further, the first high withstand voltage diode 30B is connected to the first wiring portion 201 and the second wiring portion 202.
  • the cathode electrode of the first high withstand voltage diode 30B is connected to the first wiring portion 201, and the anode electrode of the first high withstand voltage diode 30B is connected to the second wiring portion 202.
  • the first high withstand voltage diode 30A and the first high withstand voltage diode 30B are connected in series by the first wiring portion 201, the second wiring portion 202, and the third wiring portion 203.
  • the first high withstand voltage diode 30A is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X. Further, the first high withstand voltage diode 30B is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X. In addition, the first high withstand voltage diode 30A and the first high withstand voltage diode 30B are arranged apart from each other in the horizontal direction X in a state of being aligned in the vertical direction Y.
  • the first surge reduction circuit 4A is provided in the portion between the conductor portion 181A and the lead 80 in the vertical direction Y in the first wiring region 70A.
  • the first drive wiring 62A, the first control wiring 63A, the first control wiring 64A, the first control power supply wiring 65A, and the first control power supply wiring 66A Is provided.
  • the arrangement mode and shape of the first drive wiring 62A, the first control wiring 63A, the first control wiring 64A, the first control power supply wiring 65A, and the first control power supply wiring 66A of the present embodiment are the first. It is different from the arrangement mode and shape of the first drive wiring 62A, the first control wiring 63A, the first control wiring 64A, the first control power supply wiring 65A, and the first control power supply wiring 66A of the embodiment.
  • the first drive wiring 62A has a second resin side surface 52 than the first control wiring 63A, the first control wiring 64A, the first control power supply wiring 65A, and the first control power supply wiring 66A in the lateral direction X. It is located closer.
  • the first drive wiring 62A extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the first drive wiring 62A in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the first drive wiring 62A is provided with a through hole 62pw.
  • the through hole 62pw penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z. Through holes 62pw are filled with through electrodes 206.
  • the through electrode 206 is not filled in the through hole 62pw, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 62pw.
  • Through electrodes 206 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured so that the first drive wiring 62A and the third wiring portion 203 in the first short circuit detection circuit 3A are electrically connected via through electrodes 205 and 206. ..
  • the first control wiring 63A is the first resin side surface 51 of the first drive wiring 62A, the first control wiring 64A, the first control power supply wiring 65A, and the first control power supply wiring 66A in the lateral direction X. It is located closer.
  • the first control wiring 63A extends in the vertical direction Y.
  • the length of the first control wiring 63A in the vertical direction Y is longer than the length of the first drive wiring 62A in the vertical direction Y.
  • the shape of the first control wiring 63A in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the first control wiring 63A is provided with a through hole 63pz.
  • the through hole 63pz penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 63pz are filled with through electrodes 207.
  • the through electrode 207 is not filled in the through hole 63pz, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 63pz.
  • Through electrodes 207 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the first control wiring 63A and the plurality of conductor portions 181E are electrically connected via through electrodes 195A (see FIG. 39) and 207.
  • the first control wiring 64A is arranged between the first drive wiring 62A and the first control wiring 63A in the lateral direction X.
  • the first control wiring 64A extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the first control wiring 64A in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the length of the first control wiring 64A in the vertical direction Y is shorter than the length of the first control wiring 63A in the vertical direction Y.
  • the first control wiring 64A is provided with a through hole 64pz.
  • the through hole 64pz penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z. Through holes 64pz are filled with through electrodes 208.
  • the through electrode 208 is not filled in the through hole 64pz, but may have a tubular shape that covers the inner surface of the through hole 64pz.
  • Through electrodes 208 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the first control wiring 64A and the plurality of conductor portions 181F are electrically connected via through electrodes 195B (see FIG. 39) and 208.
  • the first control power supply wiring 65A is arranged so as to be adjacent to the first control power supply wiring 64A in the lateral direction X.
  • the first control power supply wiring 65A is arranged between the first control wiring 64A and the first control wiring 63A in the lateral direction X.
  • the first control power supply wiring 65A extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the first control power supply wiring 65A in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the first control power supply wiring 66A is provided so as to be separated from the first wiring portion 66pa extending in the vertical direction Y and the first wiring portion 66pa, and the second wiring portion 66A extending in the vertical direction Y. It has a wiring portion 66pb and a third wiring portion 66pc that connects the first wiring portion 66pa and the second wiring portion 66pb.
  • the first wiring portion 66pa is arranged so as to be adjacent to the first control wiring 64A in the lateral direction X. Specifically, the first wiring portion 66pa is arranged on the side opposite to the first control power supply wiring 65A with respect to the first control wiring 64A in the lateral direction X.
  • the first wiring portion 66pa is arranged between the first drive wiring 62A and the first control wiring 64A in the lateral direction X.
  • the first wiring portion 66pa is arranged so as to overlap the first control wiring 64A and the first control power supply wiring 65A.
  • the first wiring portion 66pa and the first control power supply lead 86B are connected by a first control power supply connection member 96B.
  • the first control power supply connecting member 96B is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second wiring portion 66pb is arranged closer to the first resin side surface 51 than the first control wiring 64A in the lateral direction X.
  • the second wiring portion 66pb is arranged closer to the fourth resin side surface 54 (closer to the conductor portion 181A) than the first wiring portion 66pa in the vertical direction Y.
  • the second wiring portion 66pb is arranged so as to overlap with the first control power supply wiring 65A when viewed from the vertical direction Y.
  • the second wiring portion 66pb is arranged so as to overlap the first control wiring 63A in the lateral direction X.
  • the third wiring portion 66pc connects the first wiring portion 66pa and the second wiring portion 66pb.
  • the shape of the third wiring portion 66pc in a plan view is, for example, an L shape.
  • the shape of the third wiring portion 66pc in a plan view is not limited to the L shape, and may be a shape that extends diagonally toward the third resin side surface 53 toward the second resin side surface 52.
  • the first low withstand voltage diodes 32A and 32B and the first capacitors 33A and 33B constituting the first surge reduction circuit 4A are the first control wiring 63A and 64A and the first control power supply wiring 65A as in the first embodiment. , And is connected to the first control power supply wiring 66A.
  • the first low withstand voltage diode 32A is connected to the first control wiring 63A and the first control power supply wiring 65A. Specifically, the anode electrode of the first low withstand voltage diode 32A is connected to a portion of the first control wiring 63A near the first control lead 84A. The cathode electrode of the first low withstand voltage diode 32A is connected to the first control power supply wiring 65A.
  • the first low withstand voltage diode 32B is connected to the first control wiring 63A and the first control power supply wiring 66A. Specifically, the cathode electrode of the first low withstand voltage diode 32B is connected to a portion of the first control wiring 63A near the conductor portion 181A. The anode electrode of the first low withstand voltage diode 32B is connected to the second wiring portion 66pb of the first control power supply wiring 66A. As described above, the first low withstand voltage diodes 32A and 32B are connected in series between the first control power supply wiring 66A and the first control power supply wiring 65A via the first control power supply wiring 63A.
  • the first low withstand voltage diode 32A is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X. Further, the first low withstand voltage diode 32B is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X. In addition, the first low withstand voltage diode 32A and the first low withstand voltage diode 32B are arranged so as to be aligned in the horizontal direction X and separated in the vertical direction Y. In the vertical direction Y, the first low withstand voltage diode 32A is arranged closer to the third resin side surface 53 than the first low withstand voltage diode 32B.
  • the first capacitor 33A is connected to the first control power supply wiring 65A and the first control wiring 64A. Specifically, the first terminal of the first capacitor 33A is connected to the first control power supply wiring 65A. The second terminal of the first capacitor 33A is connected to the first control wiring 64A.
  • the first capacitor 33B is connected to the first control power supply wiring 66A and the first control wiring 64A. Specifically, the first terminal of the first capacitor 33B is connected to the first wiring portion 66pa of the first control power supply wiring 66A. The second terminal of the first capacitor 33B is connected to the first control wiring 64A. As described above, the first capacitors 33A and 33B are connected in series between the first control power supply wiring 65A and the first control power supply wiring 66A via the first control power supply wiring 64A.
  • the first capacitor 33A is arranged so that the arrangement direction of the first terminal and the second terminal is along the lateral direction X.
  • the first capacitor 33B is arranged so that the arrangement direction of the first terminal and the second terminal is along the lateral direction X.
  • the first capacitor 33A and the first capacitor 33B are arranged so as to be aligned in the vertical direction Y and separated from each other in the horizontal direction X.
  • the capacitors 33A and 33B are arranged so as to overlap with the first low withstand voltage diode 32A.
  • the capacitors 33A and 33B are arranged closer to the side surface 52 of the second resin than the low withstand voltage diodes 32A and 32B.
  • FIG. 42 shows an example of the wiring configuration of the first short circuit detection circuit 3A.
  • the wiring configuration of the first short-circuit detection circuit 3A is not limited to the wiring configuration shown in FIG. 42, and can be arbitrarily changed.
  • the second short-circuit detection circuit 3B is arranged inside the conductor portion 181B in a plan view. Specifically, the second short-circuit detection circuit 3B is arranged inside the opening 181h formed in the conductor portion 181B. The opening 181h is formed so as to be adjacent to the second semiconductor element 10B closest to the fourth resin side surface 54 among the plurality of second semiconductor elements 10B in the vertical direction Y.
  • the first wiring portion 211, the second wiring portion 212, and the third wiring portion 213 are arranged in the opening 181h.
  • the first wiring portion 211, the second wiring portion 212, and the third wiring portion 213 are arranged apart from each other in the horizontal direction X in a state of being aligned in the vertical direction Y.
  • the second wiring portion 212 is arranged between the first wiring portion 211 and the third wiring portion 213 in the lateral direction X.
  • the first wiring portion 211 is arranged closer to the second resin side surface 52 with respect to the second wiring portion 212 in the lateral direction X
  • the third wiring portion 213 is first with respect to the second wiring portion 212 in the lateral direction X. It is arranged near the resin side surface 51.
  • the shape of each wiring portion 211 to 213 in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the first wiring portion 211 is wiring for electrically connecting to the drain electrode 11 of each second semiconductor element 10B.
  • the first wiring portion 211 is provided with a through hole 211a.
  • the through hole 211a penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 211a are filled with through electrodes 214.
  • the through electrode 214 may not be filled in the through hole 211a, but may have a tubular shape that covers the inner surface of the through hole 211a.
  • Through electrodes 214 conduct the wiring layers 180A and 180E. Although not shown, the through electrode 214 and the drain electrode 11 of the second semiconductor element 10B are electrically connected in the wiring layer 180E.
  • the third wiring portion 213 is a wiring for electrically connecting to the first short circuit detection lead 87A.
  • the third wiring portion 213 is provided with a through hole 213a.
  • the through hole 213a penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 213a are filled with through electrodes 215.
  • the through electrode 215 is not filled in the through hole 213a, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 213a.
  • Through electrodes 215 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the through electrode 215, the first short-circuit detection lead 87A, and the wiring portion electrically connected to each other are electrically connected.
  • the second short-circuit detection circuit 3B is the same as the second short-circuit detection circuit 3B of the first embodiment, and has the second high withstand voltage diodes 31A and 31B.
  • the second high withstand voltage diode 31A is connected to the second wiring portion 212 and the third wiring portion 213. Specifically, the cathode electrode of the second high withstand voltage diode 31A is connected to the third wiring portion 213, and the anode electrode of the second high withstand voltage diode 31A is connected to the second wiring portion 212. Further, the second high withstand voltage diode 31B is connected to the first wiring portion 211 and the second wiring portion 212.
  • the cathode electrode of the second high withstand voltage diode 31B is connected to the first wiring portion 211, and the anode electrode of the second high withstand voltage diode 31B is connected to the second wiring portion 212.
  • the second high withstand voltage diode 31A and the second high withstand voltage diode 31B are connected in series by the first wiring portion 211, the second wiring portion 212, and the third wiring portion 213.
  • the second high withstand voltage diode 31A is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X. Further, the second high withstand voltage diode 31B is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X. In addition, the second high withstand voltage diode 31A and the second high withstand voltage diode 31B are arranged apart from each other in the horizontal direction X in a state of being aligned in the vertical direction Y.
  • FIG. 43 shows an example of the wiring configuration of the second surge reduction circuit 4B.
  • the wiring configuration of the second surge reduction circuit 4B is not limited to the wiring configuration shown in FIG. 43, and can be arbitrarily changed.
  • the second surge reduction circuit 4B is provided in the portion between the conductor portion 181B and the lead 80 in the vertical direction Y in the second wiring region 70B.
  • the second drive wiring 62B, the second control wiring 63B, the second control wiring 64B, the second control power supply wiring 65B, and the second control power supply wiring 66B Is provided.
  • the arrangement and shape of the second drive wiring 62B, the second control wiring 63B, the second control wiring 64B, the second control power supply wiring 65B, and the second control power supply wiring 66B of the present embodiment are different from each other. It is different from the arrangement mode and shape of the second drive wiring 62B, the second control wiring 63B, the second control wiring 64B, the second control power supply wiring 65B, and the second control power supply wiring 66B of the first embodiment.
  • the second drive wiring 62B is located on the first resin side surface 51 of the second control wiring 63B, the second control wiring 64B, the second control power supply wiring 65B, and the second control power supply wiring 66D in the lateral direction X. It is located closer.
  • the second drive wiring 62B extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the second drive wiring 62B in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the second drive wiring 62B is provided with a through hole 62qz.
  • the through hole 62qz penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z. Through holes 62qz are filled with through electrodes 216.
  • the through electrode 216 is not filled in the through hole 62qz, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 62qz.
  • Through electrodes 216 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the second drive wiring 62B and the third wiring portion 213 in the second short circuit detection circuit 3B are electrically connected via through electrodes 215 and 216. ..
  • the second control wiring 63B has a second resin side surface 52 than the second drive wiring 62B, the second control wiring 64B, the second control power supply wiring 65B, and the second control power supply wiring 66B in the lateral direction X. It is located closer.
  • the second control wiring 63B extends in the vertical direction Y.
  • the length of the second control wiring 63B in the vertical direction Y is longer than the length of the second drive wiring 62B in the vertical direction Y.
  • the shape of the second control wiring 63B in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the second control wiring 63B is provided with a through hole 63qz.
  • the through hole 63qz penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 63qz are filled with through electrodes 217.
  • the through electrode 217 is not filled in the through hole 63qz, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 63qz.
  • Through electrodes 217 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the second control wiring 63B and the plurality of conductor portions 181G are electrically connected via through electrodes 195C (see FIG. 40) and 217.
  • the second control wiring 64B is arranged between the second drive wiring 62B and the second control wiring 63B in the lateral direction X.
  • the second control wiring 64B extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the second control wiring 64B in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the length of the second control wiring 64B in the vertical direction Y is shorter than the length of the second control wiring 63B in the vertical direction Y.
  • the second control wiring 64B is provided with a through hole 64qz.
  • the through hole 64qz penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z. Through holes 64qz are filled with through electrodes 218.
  • the through electrode 218 is not filled in the through hole 64qz, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 64qz.
  • Through electrodes 218 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the second control wiring 64B and the plurality of conductor portions 181H are electrically connected via through electrodes 195D (see FIG. 40) and 218.
  • the second control power supply wiring 65B is arranged so as to be adjacent to the second control power supply wiring 64B in the lateral direction X.
  • the second control power supply wiring 65B is arranged between the second control wiring 63B and the second control wiring 64B in the lateral direction X.
  • the second control power supply wiring 65B extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the second control power supply wiring 65B in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the second control power supply wiring 66B is provided so as to be separated from the first wiring portion 66qa extending in the vertical direction Y and the first wiring portion 66qa, and the second wiring portion 66B extends in the vertical direction Y. It has a wiring portion 66qb and a third wiring portion 66qc that connects the first wiring portion 66qa and the second wiring portion 66qb.
  • the first wiring portion 66qa is arranged so as to be adjacent to the second control wiring 64B in the lateral direction X. Specifically, the first wiring portion 66qa is arranged on the side opposite to the second control power supply wiring 65B with respect to the second control wiring 64B in the lateral direction X.
  • the first wiring portion 66qa is arranged between the second control wiring 64B and the second drive wiring 62B in the lateral direction X.
  • the first wiring portion 66qa is arranged so as to overlap the second control wiring 64B and the second control power supply wiring 65B when viewed from the lateral direction X.
  • the first wiring portion 66qa and the second control power supply lead 86D are connected by a second control power supply connection member 96D.
  • the second control power supply connecting member 96D is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the second wiring portion 66qb is arranged closer to the second resin side surface 52 than the second control wiring 64B and the second control power supply wiring 65B in the lateral direction X.
  • the second wiring portion 66qb is arranged closer to the fourth resin side surface 54 (closer to the conductor portion 181B) than the first wiring portion 66qa in the vertical direction Y.
  • the second wiring portion 66qb is arranged so as to overlap with the second control power supply wiring 65B when viewed from the vertical direction Y.
  • the second wiring portion 66qb is arranged so as to overlap the second control wiring 63B in the lateral direction X.
  • the third wiring portion 66qc connects the first wiring portion 66qa and the second wiring portion 66qb.
  • the shape of the third wiring portion 66qc in a plan view is, for example, an L shape.
  • the shape of the third wiring portion 66qc in a plan view is not limited to the L shape, and may be a shape that extends diagonally toward the third resin side surface 53 toward the first resin side surface 51.
  • the second low withstand voltage diodes 34A and 34B and the second capacitors 35A and 35B constituting the second surge reduction circuit 4B are the second control wiring 63B and 64B and the second control power supply wiring 65B as in the first embodiment. , And is connected to the second control power supply wiring 66B.
  • the second low withstand voltage diode 34A is connected to the second control wiring 63B and the second control power supply wiring 65B. Specifically, the anode electrode of the second low withstand voltage diode 34A is connected to a portion of the second control wiring 63B near the second control lead 84B. The cathode electrode of the second low withstand voltage diode 34A is connected to the second control power supply wiring 65B.
  • the second low withstand voltage diode 34B is connected to the second control wiring 63B and the second control power supply wiring 66B. Specifically, the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 34B is connected to a portion of the second control wiring 63B near the conductor portion 181B. The anode electrode of the second low withstand voltage diode 34B is connected to the second wiring portion 66qb of the second control power supply wiring 66B. As described above, the second low withstand voltage diodes 34A and 34B are connected in series between the second control power supply wiring 66B and the second control power supply wiring 65B via the second control power supply wiring 63B.
  • the second low withstand voltage diode 34A is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X.
  • the second low withstand voltage diode 34B is arranged so that the arrangement direction of the anode electrode and the cathode electrode is along the lateral direction X.
  • the second low withstand voltage diode 34A and the second low withstand voltage diode 34B are arranged so as to be aligned in the horizontal direction X and separated in the vertical direction Y. In the vertical direction Y, the second low withstand voltage diode 34A is arranged closer to the third resin side surface 53 than the second low withstand voltage diode 34B.
  • the second capacitor 35A is connected to the second control power supply wiring 65B and the second control power supply wiring 64B. Specifically, the first terminal of the second capacitor 35A is connected to the second control power supply wiring 65B. The second terminal of the second capacitor 35A is connected to the second control wiring 64B.
  • the second capacitor 35B is connected to the second control power supply wiring 66B and the second control wiring 64B. Specifically, the first terminal of the second capacitor 35B is connected to the first wiring portion 66qa of the second control power supply wiring 66B. The second terminal of the second capacitor 35B is connected to the second control wiring 64B. In this way, the second capacitors 35A and 35B are connected in series between the second control power supply wiring 65B and the second control power supply wiring 66B via the second control power supply wiring 64B.
  • the second capacitor 35A is arranged so that the arrangement direction of the first terminal and the second terminal is along the lateral direction X.
  • the second capacitor 35B is arranged so that the arrangement direction of the first terminal and the second terminal is along the lateral direction X.
  • the second capacitor 35A and the second capacitor 35B are arranged so as to be aligned in the vertical direction Y and separated in the horizontal direction X.
  • the capacitors 35A and 35B are arranged so as to overlap with the second low withstand voltage diode 34A.
  • the capacitors 35A and 35B are arranged closer to the first resin side surface 51 than the low withstand voltage diodes 34A and 34B.
  • the resin member 50 has the first control side opening 58A and the second control as four resin openings that expose the conductive substrate 180 from the resin top surface 55 side.
  • a side opening 58B, a first drive side opening 59A, and a second drive side opening 59B are provided.
  • the first control side opening 58A and the first drive side opening 59A are provided separately.
  • the second control side opening 58B and the second drive side opening 59B are provided separately.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are provided separately.
  • the first control side opening 58A is arranged at a position overlapping the plurality of first semiconductor elements 10A and closer to the third resin side surface 53 than the plurality of first semiconductor elements 10A when viewed from the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B is arranged at a position overlapping the plurality of second semiconductor elements 10B and closer to the third resin side surface 53 than the plurality of second semiconductor elements 10B when viewed from the vertical direction Y.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged side by side so as to be separated from each other in the direction along one side of the resin member 50.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged so as to be aligned in the vertical direction Y and separated from each other in the horizontal direction X.
  • the control side openings 58A and 58B are arranged at the ends of the resin top surface 55 near the third resin side surface 53.
  • the first control side opening 58A is arranged closer to the first resin side surface 51 than the second control side opening 58B.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 84t of the first control lead 84A in the vertical direction. ..
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the pad portion 84p of the first control lead 84A in the vertical direction Y.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 85t of the first control lead 85A in the vertical direction.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the pad portion 85p of the first control lead 85A in the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the terminal portion 84t of the second control lead 84B in the vertical direction. ..
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the pad portion 84p of the second control lead 84B in the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the terminal portion 85t of the second control lead 85B in the vertical direction.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the pad portion 85p of the second control lead 85B in the vertical direction Y.
  • the first drive side opening 59A is located at a position overlapping the plurality of first semiconductor elements 10A and closer to the third resin side surface 53 than the plurality of first semiconductor elements 10A when viewed from the vertical direction Y. Have been placed. Further, the first drive side opening 59A is arranged closer to the plurality of first semiconductor elements 10A than the first control side opening 58A in the vertical direction Y. In other words, in a plan view, the first drive-side opening 59A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 84t of the first control lead 84A in the vertical direction.
  • the first drive-side opening 59A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 85t of the first control lead 85A in the vertical direction.
  • the first drive side opening 59A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the first control side opening 58A in the vertical direction Y.
  • the second drive side opening 59B is located at a position overlapping the plurality of second semiconductor elements 10B and closer to the fourth resin side surface 54 than the plurality of second semiconductor elements 10B when viewed from the vertical direction Y. Have been placed.
  • the first drive-side opening 59A is arranged closer to the first resin side surface 51 than the second control-side opening 58B and the second drive-side opening 59B.
  • the first drive side opening 59A is arranged closer to the second resin side surface 52 with respect to the first control side opening 58A.
  • the first drive-side opening 59A is arranged closer to the first control-side opening 58A than the second control-side opening 58B and the second drive-side opening 59B.
  • the second drive-side opening 59B is arranged at the end of the resin top surface 55 near the fourth resin side surface 54.
  • the second drive side opening 59B is arranged closer to the first resin side surface 51 with respect to the second control side opening 58B.
  • the area of the drive-side openings 59A and 59B in the plan view is smaller than the area of the control-side openings 58A and 58B in the plan view.
  • the first control side opening 58A exposes a part of the first wiring region 70A of the conductive substrate 180.
  • the first control side opening 58A exposes a part of the mounting region on the conductive substrate 180 on which electronic components other than the first semiconductor element 10A are mounted.
  • the first control side opening 58A exposes a region of the first wiring region 70A near the third resin side surface 53.
  • the first control side opening 58A exposes the first surge reduction circuit 4A electrically connected to the first semiconductor element 10A. More specifically, as shown in FIG.
  • the first control side opening 58A includes the first low withstand voltage diodes 32A and 32B, the first capacitors 33A and 33B, the first control wiring 63A, and the first control wiring 64A.
  • the first wiring portion 66pa and the second wiring portion 66pb of the first control power supply wiring 65A and the first control power supply wiring 66A are exposed.
  • the first control side opening 58A does not expose the first control lead connection members 94A and 95A, the first control power supply connection members 96A and 96B, and the first short circuit detection connection member 97A. ..
  • the shape of the first control side opening 58A in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the first control side opening 58A is a void.
  • the second control side opening 58B exposes a part of the second wiring region 70B of the conductive substrate 180.
  • the second control side opening 58B exposes a part of the mounting region on the conductive substrate 180 on which electronic components other than the second semiconductor element 10B are mounted.
  • the second control side opening 58B exposes a region of the second wiring region 70B near the third resin side surface 53.
  • the second control side opening 58B exposes the second surge reduction circuit 4B electrically connected to the second semiconductor element 10B.
  • the second control side opening 58B includes the second low withstand voltage diodes 34A and 34B, the second capacitors 35A and 35B, the second control wiring 63B, the second control wiring 64B, and the second control power supply wiring.
  • the first wiring portion 66qa and the second wiring portion 66qb of the 65B and the second control power supply wiring 66B are exposed.
  • the second control side opening 58B does not expose the second control lead connection members 94B and 95B, the second control power supply connection members 96C and 96D, and the second short circuit detection connection member 97B. ..
  • the shape of the second control side opening 58B in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the second control side opening 58B is a void.
  • the first drive side opening 59A exposes a region different from the region where the first control side opening 58A is exposed in the first wiring region 70A.
  • the first drive-side opening 59A is a mounting region other than the electronic components exposed in the first control-side opening 58A in the mounting region on which the electronic components other than the first semiconductor element 10A are mounted on the conductive substrate 180. The part where the electronic component is mounted is exposed.
  • the first drive-side opening 59A exposes a plurality of regions of the first wiring region 70A closer to the first semiconductor element 10A.
  • the first drive-side opening 59A exposes the first short-circuit detection circuit 3A connected to the drain electrode 11 of the first semiconductor element 10A.
  • the first drive side opening 59A exposes the first high withstand voltage diodes 30A and 30B, the first wiring portion 201, the second wiring portion 202, and the third wiring portion 203. are doing.
  • the first drive side opening 59A does not expose the first semiconductor element 10A.
  • the shape of the first drive side opening 59A in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the opening 59A on the first drive side is filled with an insulating material 71 having an electrical insulating property as in the first embodiment.
  • An example of the insulating material 71 is a silicone resin.
  • the second drive side opening 59B exposes a part of the third wiring region 70C of the conductive substrate 180.
  • the second drive-side opening 59B is the mounting region exposed in the second control-side opening 58B of the mounting regions on which electronic components other than the second semiconductor element 10B are mounted on the conductive substrate 180. Part of the different mounting area is exposed.
  • the second drive-side opening 59B exposes the second short-circuit detection circuit 3B connected to the drain electrode 11 of the second semiconductor element 10B. More specifically, as shown in FIG. 42, the second drive side opening 59B exposes the second high withstand voltage diodes 31A and 31B, the first wiring portion 211, the second wiring portion 212, and the third wiring portion 213. are doing.
  • the second drive side opening 59B does not expose the second semiconductor element 10B.
  • the shape of the second drive side opening 59B in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the second drive side opening 59B is filled with an insulating material 72 having an electrical insulating property as in the first embodiment.
  • An example of the insulating material 72 is a silicone resin.
  • the semiconductor device 1F includes a plurality of metal members 191 and a plurality of metal members 192 that penetrate the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • the first semiconductor element 10A is mounted on each of the plurality of metal members 191, and the second semiconductor element 10B is mounted on each of the plurality of metal members 192.
  • the heat generated from the semiconductor elements 10A and 10B generated when the semiconductor elements 10A and 10B are energized can be efficiently dissipated. Therefore, since the semiconductor device 1F can suppress an increase in the junction temperature of the semiconductor elements 10A and 10B, thermal destruction of the semiconductor elements 10A and 10B can be suppressed.
  • each through member 193, 194 in a plan view is larger than the area of each through electrode 204 to 208, 214 to 218 in a plan view. According to this configuration, the parasitic resistance and the parasitic inductance of the insertion members 193 and 194 can be reduced as compared with the parasitic resistance and the parasitic inductance of the through electrodes 204 to 208 and 214 to 218.
  • Each of the insertion members 193 and 194 is a part of the current path in the power conversion performed by the semiconductor device 1F, and the through electrodes 204 to 208 and 214 to 218 are a part of the signal path in the power conversion performed by the semiconductor device 1F. ..
  • a current of 400 A or more and 600 A or less may flow in the current path.
  • each metal member 191 and 192 in a plan view is larger than the area of each insertion member 193 and 194 in a plan view. According to this configuration, the thermal conductivity of the metal members 191 and 192 can be improved more than the thermal conductivity of the insertion members 193 and 194. Therefore, the semiconductor device 1F can improve the thermal conductivity of each of the metal members 191 and 192 while ensuring an appropriate degree of conductivity.
  • the semiconductor device 1G of the seventh embodiment will be described with reference to FIGS. 44 to 47.
  • the semiconductor device 1G of the present embodiment is different from the semiconductor device 1F of the sixth embodiment mainly in the mounting mode of the first wiring region 70A and the second wiring region 70B.
  • components common to the semiconductor device 1F of the sixth embodiment may be designated by the same reference numerals, and the description thereof may be omitted.
  • the semiconductor device 1G of the present embodiment is provided with the short circuit detection circuits 3A and 3B and the surge reduction circuits 4A and 4B in the external portion of the conductive substrate 180 in the insulating substrate 41C.
  • the length Y in the vertical direction of the conductive substrate 180 is made shorter than the length Y in the vertical direction of the conductive substrate 180 of the sixth embodiment, and the short circuit detection circuits 3A and 3B and the surge reduction circuits 4A, A space for providing 4B is secured.
  • the first wiring region 70A and the second wiring region 70B are omitted from the conductive substrate 180 of the sixth embodiment, and the space is shortened in the vertical direction Y by that amount.
  • the arrangement configuration of the leads 80 is different from the arrangement configuration of the leads 80 of the semiconductor device 1F of the sixth embodiment. As shown in FIG. 44, the arrangement configuration of the leads 80 of the semiconductor device 1G is the same as the arrangement configuration of the leads 80 of the semiconductor device 1B of the second embodiment (see FIG. 16).
  • the conductor portion 181I and the conductor portion 181J are arranged at the portion of the insulating portion 181X closer to the third resin side surface 53 and the end portion closer to the first resin side surface 51. Has been done.
  • the conductor portion 181I and the conductor portion 181J are respectively arranged closer to the third resin side surface 53 than the conductor portion 181A.
  • the conductor portion 181I and the conductor portion 181J are respectively arranged so as to be adjacent to the conductor portion 181A in the vertical direction Y.
  • the conductor portion 181I and the conductor portion 181J are arranged so as to be aligned in the vertical direction Y and separated from each other in the horizontal direction X.
  • the conductor portion 181J is arranged closer to the first resin side surface 51 than the conductor portion 181I.
  • the shapes of the conductor portion 181I and the conductor portion 181J in a plan view are rectangular in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction, respectively.
  • the conductor portion 181I is a conductor portion for electrically connecting to a plurality of conductor portions 181E.
  • the conductor portion 181I is provided with a through hole 185M.
  • the through hole 185M penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 185M are filled with through electrodes 221.
  • the through electrode 221 is not filled in the through hole 185M, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 185M.
  • Through electrodes 221 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the conductor portion 181I and the conductor portion 181E are electrically connected via through electrodes 195A (see FIG. 45) and 221.
  • the conductor portion 181J is a conductor portion for electrically connecting to a plurality of conductor portions 181F.
  • the conductor portion 181J is provided with a through hole 185N.
  • the through hole 185N penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 185N are filled with through electrodes 222.
  • the through electrode 222 is not filled in the through hole 185N, but may have a tubular shape that covers the inner surface of the through hole 185N.
  • Through electrodes 222 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the conductor portion 181J and the conductor portion 181F are electrically connected via through electrodes 195B (see FIG. 45) and 222.
  • the conductor portion 181K, the conductor portion 181L, and the conductor portion 181M are arranged at the portion of the insulating portion 181X closer to the third resin side surface 53 and the end portion closer to the second resin side surface 52.
  • the conductor portions 181K, 181L, and 181M are arranged closer to the third resin side surface 53 than the conductor portion 181B, respectively.
  • the conductor portions 181K, 181L, and 181M are arranged so as to be adjacent to the conductor portion 181B in the vertical direction Y, respectively.
  • the conductor portions 181K, 181L, and 181M are arranged so as to be aligned in the vertical direction Y and separated from each other in the horizontal direction X.
  • the conductor portions 181K, 181L, and 181M are aligned with the conductor portion 181I and the conductor portion 181J in the vertical direction Y.
  • the conductor portion 181L is arranged between the conductor portion 181K and the conductor portion 181M in the lateral direction X.
  • the conductor portion 181K is arranged closer to the second resin side surface 52 with respect to the conductor portion 181L, and the conductor portion 181M is arranged closer to the first resin side surface 51 with respect to the conductor portion 181L.
  • the shapes of the conductor portions 181K, 181L, and 181M in a plan view are rectangular in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction, respectively.
  • the conductor portion 181K is a conductor portion for electrically connecting to a plurality of conductor portions 181G.
  • the conductor portion 181K is provided with a through hole 185P.
  • the through hole 185P penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 185P are filled with through electrodes 223.
  • the through electrode 223 is not filled in the through hole 185P, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 185P.
  • Through electrodes 223 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the conductor portion 181K and the conductor portion 181G are electrically connected via the through electrodes 195C and 223.
  • the conductor portion 181L is a conductor portion for electrically connecting to a plurality of conductor portions 181H.
  • the conductor portion 181L is provided with a through hole 185Q.
  • the through hole 185Q penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 185Q are filled with through electrodes 224.
  • the through electrode 224 is not filled in the through hole 185Q, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 185Q.
  • Through electrodes 224 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the conductor portion 181L and the conductor portion 181H are electrically connected via the through electrodes 195D and 224.
  • the conductor portion 181M is a conductor portion for electrically connecting to the drain electrode 11 of each second semiconductor element 10B.
  • the conductor portion 181M is provided with a through hole 185R.
  • the through hole 185R penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 185R are filled with through electrodes 225.
  • the through electrode 225 is not filled in the through hole 185R, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 185R.
  • Through electrodes 225 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the conductor portion 181M and the drain electrode 11 of each second semiconductor element 10B are electrically connected via the through electrode 225.
  • the configurations of the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B of the present embodiment are the first, respectively.
  • the configuration is different from the configurations of the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B of the sixth embodiment.
  • the control leads 84A, 84B, 85A, 85B of the present embodiment, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B are formed in the first wiring area 70A and the second wiring area 70B, respectively.
  • the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B form conductors, respectively.
  • the control leads 84A, 84B, 85A, 85B, the control power supply leads 86A to 86D, and the short circuit detection leads 87A, 87B are arranged in the first wiring area 70A and the second wiring area 70B, respectively.
  • the part becomes a mounting area on which electronic components are mounted.
  • the circuit formed in the first wiring area 70A is the first surge reduction circuit 4A
  • the circuit formed in the second wiring area 70B is the second surge reduction circuit 4B.
  • the first control lead 84A, the first control lead 85A, the first control power supply lead 86A, the first control power supply lead 86B, and the first short circuit detection lead 87A are shown in FIG. It has the same configuration as the first control lead 84A, the first control lead 85A, the first control power supply lead 86A, the first control power supply lead 86B, and the first short circuit detection lead 87A. Further, the first low withstand voltage diodes 32A and 32B to the first control lead 84A, the first control lead 85A, the first control power supply lead 86A, the first control power supply lead 86B, and the first short circuit detection lead 87A.
  • the mounting modes of the first capacitors 33A and 33B are the first control lead 84A, the first control lead 85A, the first control power supply lead 86A, the first control power supply lead 86B, and the first control power supply lead 86B of the second embodiment. This is the same as the mounting mode of the first low withstand voltage diodes 32A and 32B and the first capacitors 33A and 33B on the short circuit detection lead 87A.
  • the first control connection member 140A, the first control connection member 140A, the first control connection member 140A, the first control connection member 140A, the first of which the connection mode of the first control connection member 140A, the first control connection member 141A, and the first short circuit detection connection member 142A is shown in FIG. It is different from the connection mode of the control connection member 141A and the first short circuit detection connection member 142A.
  • the first control connecting member 140A connects the second portion 101b of the second wiring portion 101 of the first control lead 84A and the conductor portion 181I.
  • the first control connecting member 141A connects the second portion 111b of the second wiring portion 111 of the first control lead 85A and the conductor portion 181J.
  • the first short-circuit detection connecting member 142A connects the second wiring portion 131 of the first short-circuit detection lead 87A and the third wiring portion 203 of the first short-circuit detection circuit 3A.
  • the length of the second wiring portion 131 in the vertical direction Y is the vertical direction Y of the second wiring portion 131 of the sixth embodiment in order to secure an area for connecting the first short circuit detection connecting member 142A. Longer than the length of.
  • the second control lead 84B, the second control lead 85B, the second control power supply lead 86C, the second control power supply lead 86D, and the second short circuit detection lead 87B are shown in FIG. It has the same configuration as the second control lead 84B, the second control lead 85B, the second control power supply lead 86C, the second control power supply lead 86D, and the second short circuit detection lead 87B. Further, the second low withstand voltage diodes 34A and 34B to the second control lead 84B, the second control lead 85B, the second control power supply lead 86C, the second control power supply lead 86D, and the second short circuit detection lead 87B.
  • the mounting modes of the second capacitors 35A and 35B are the second control lead 84B, the second control lead 85B, the second control power supply lead 86C, the second control power supply lead 86D, and the second control power supply lead 86D of the second embodiment. This is the same as the mounting mode of the second low withstand voltage diodes 34A and 34B and the second capacitors 35A and 35B on the short circuit detection lead 87B.
  • the second control connecting member 140B is connected to the portion of the second control lead 84B near the second resin side surface 52 in the second portion 103b of the second wiring portion 103 and the conductor portion 181L. Has been done.
  • the second control connecting member 141B is connected to the second portion 113b of the second control lead 85B and the conductor portion 181K.
  • the second short-circuit detection connecting member 142B is connected to the second wiring portion 133 and the conductor portion 181M of the second short-circuit detection lead 87B.
  • the resin member 50 has a first control side opening 58A, a second control side opening 58B, a first drive side opening 59A, and a second drive side, as in the sixth embodiment.
  • the opening 59B is formed.
  • the first drive side opening 59A and the second drive side opening 59B are the same as the first drive side opening 59A and the second drive side opening 59B of the sixth embodiment.
  • the first control side opening 58A exposes a portion closer to the third resin side surface 53 in the vertical direction Y than the conductive substrate 180 and a portion closer to the first resin side surface 51 side than the central portion in the horizontal direction X of the insulating substrate 41C. ing.
  • the first control side opening 58A exposes a portion of the insulating substrate 41C that protrudes from the conductive substrate 180 toward the third resin side surface 53 and is closer to the first resin side surface 51 than the central portion in the lateral direction X. are doing. More specifically, the first control side opening 58A exposes the first surge reduction circuit 4A electrically connected to the first semiconductor element 10A, similarly to the first control side opening 58A of the first embodiment. are doing. As shown in FIG.
  • the first control side opening 58A includes a part of the first control leads 84A and 85A, the first control power supply reeds 86A and 86B, and the first low withstand voltage diodes 32A and 32B. , The first capacitors 33A and 33B, and a part of the insulating substrate 41C are exposed. In the present embodiment, the first control side opening 58A does not expose the first short circuit detection lead 87A.
  • the shape of the first control side opening 58A in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the first control side opening 58A is a void.
  • the second control side opening 58B is a portion closer to the third resin side surface 53 in the vertical direction Y than the conductive substrate 180 and a second resin side surface than the central portion in the horizontal direction X of the insulating substrate 41C.
  • the part on the 52 side is exposed.
  • the second control side opening 58B exposes a portion of the insulating substrate 41C that protrudes from the conductive substrate 180 toward the third resin side surface 53 and is closer to the second resin side surface 52 than the central portion in the lateral direction X. are doing.
  • the second control side opening 58B exposes the second surge reduction circuit 4B electrically connected to the second semiconductor element 10B, similarly to the second control side opening 58B of the first embodiment. are doing.
  • the second control side opening 58B includes a part of the second control leads 84B and 85B, the second control power supply leads 86C and 86D, and the second low withstand voltage diodes 34A and 34B. , The second capacitors 35A and 35B, and a part of the second conductive member 42B are exposed. In the present embodiment, the second control side opening 58B does not expose the second short circuit detection lead 87B.
  • the shape of the second control side opening 58B in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the second control side opening 58B is a void. According to the semiconductor device 1G of the present embodiment, the same effect as the effect of the semiconductor device 1F of the sixth embodiment and the same effect as the effect of the semiconductor device 1B of the second embodiment can be obtained.
  • the semiconductor device 1H of the eighth embodiment will be described with reference to FIGS. 48 to 51.
  • the semiconductor device 1H of the present embodiment is different from the semiconductor device 1F of the sixth embodiment mainly in the mounting mode of the first wiring region 70A and the second wiring region 70B. Further, the semiconductor device 1H of the present embodiment uses the semiconductor elements 10A and 10B of the fourth embodiment.
  • components common to the semiconductor device 1F of the sixth embodiment may be designated by the same reference numerals, and the description thereof may be omitted.
  • the semiconductor device 1H of the present embodiment includes the first surge absorption circuit 5A and the first interface circuit 6A of the third embodiment in place of the first surge reduction circuit 4A with respect to the semiconductor device 1F of the sixth embodiment.
  • the difference is that the second surge absorption circuit 5B and the second interface circuit 6B of the third embodiment are provided instead of the second surge reduction circuit 4B.
  • the configuration of the lead 80 of the semiconductor device 1F of the sixth embodiment is changed to the configuration of the lead 80 of the semiconductor device 1C of the third embodiment.
  • the semiconductor device 1H has a first control lead 84A, a first control lead 85A, a first control power supply lead 86B, and a first lead 80 arranged next to the vertical direction Y in the first wiring region 70A.
  • the interface lead 88A and the first short circuit detection lead 87A are provided.
  • the first control lead 85A, the first control lead 84A, the first interface lead 88A, the first control power supply lead 86B, and the first control lead 83A from the input leads 81 and 82 to the output lead 83 in the lateral direction X.
  • the short-circuit detection leads 87A are arranged in this order.
  • the semiconductor device 1H has a second control lead 84B, a second control lead 85B, a second control power supply lead 86D, and a second interface as leads 80 arranged next to the vertical direction Y of the second wiring region 70B.
  • a lead 88B and a second short circuit detection lead 87B are provided. From the output lead 83 to the input leads 81 and 82 in the lateral direction X, the second control lead 85B, the second control lead 84B, the second control power supply lead 86D, the second interface lead 88B, and the second The short-circuit detection leads 87B are arranged in this order.
  • the first control wiring 63A, the first control wiring 64A, and the second control power supply as the wiring constituting the first surge absorption circuit 5A and the first interface circuit 6A in the first wiring area 70A.
  • the first interface wiring 68A, the first relay wiring 69A, and the second relay wiring 69B have different configurations.
  • the first control wiring 63A extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the first control wiring 63A in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the first control wiring 63A is provided with a through hole 63pz.
  • the through hole 63pz penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 63pz are filled with through electrodes 207.
  • the through electrode 207 is not filled in the through hole 63pz, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 63pz.
  • Through electrodes 207 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the first control wiring 63A and the plurality of conductor portions 181E are electrically connected via through electrodes 195A (see FIG. 49) and 207.
  • the first control wiring 64A extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the first control wiring 64A in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the first control wiring 64A is provided with a through hole 64pz.
  • the through hole 64pz penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 64pz are filled with through electrodes 208.
  • the through electrode 208 is not filled in the through hole 64pz, but may have a tubular shape that covers the inner surface of the through hole 64pz.
  • Through electrodes 208 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the first control wiring 64A and the plurality of conductor portions 181F are electrically connected via through electrodes 195B (see FIG. 49) and 208.
  • the first low withstand voltage diodes 36A and 36B constituting the first surge absorption circuit 5A are mounted on the first control wiring 63A, the first control wiring 64A, and the first relay wiring 69A.
  • the first low withstand voltage diodes 36A and 36B are connected in reverse series between the first control wiring 63A and the first control wiring 64A via the first relay wiring 69A. More specifically, the cathode electrode of the first low withstand voltage diode 36A is connected to the first control wiring 63A.
  • the anode electrode of the first low withstand voltage diode 36A is connected to the first relay wiring 69A.
  • the anode electrode of the first low withstand voltage diode 36B is connected to the first relay wiring 69A.
  • the cathode electrode of the first low withstand voltage diode 36B is connected to the first control wiring 64A.
  • the first low withstand voltage diode 36A is arranged so that the anode electrode and the cathode electrode are arranged along the lateral direction X. Further, the first low withstand voltage diode 36B is arranged so that the anode electrode and the cathode electrode are arranged along the lateral direction X. In addition, the first low withstand voltage diode 36A and the first low withstand voltage diode 36B are arranged so as to be separated from each other in the horizontal direction X in a state of being aligned in the vertical direction Y.
  • the first control wiring 63A, the second control power supply wiring 66B, the first interface wiring 68A, and the second relay wiring 69B are provided with first resistors 38A and 38B constituting the first interface circuit 6A, and first switching.
  • the element 39A is mounted.
  • the first switching element 39A is electrically connected to the first control wiring 63A, the second control power supply wiring 66B, and the second relay wiring 69B. More specifically, the drain electrode 39d of the first switching element 39A is connected to the first control wiring 63A. The source electrode 39s of the first switching element 39A is connected to the second wiring portion 66pb of the second control power supply wiring 66B. The gate electrode 39g of the first switching element 39A is connected to the second relay wiring 69B. In the present embodiment, the first switching element 39A is arranged closer to the first semiconductor element 10A than the first low withstand voltage diodes 36A and 36B, the first resistor 38A, and the first resistor 38B.
  • the first resistor 38A and the first resistor 38B are connected between the second control power supply wiring 66B and the second relay wiring 69B via the first interface wiring 68A.
  • the first terminal of the first resistor 38A is connected to the second relay wiring 69B.
  • the second terminal of the first resistor 38A is connected to the wiring 68A for the first interface.
  • the first terminal of the first resistor 38B is connected to the wiring 68A for the first interface.
  • the second terminal of the first resistor 38B is connected to the first wiring portion 66pa of the second control power supply wiring 66B.
  • the first resistor 38A is arranged so that the first terminal and the second terminal are arranged along the lateral direction X. Further, the first resistor 38B is arranged so that the first terminal and the second terminal are arranged along the lateral direction X. In addition, the first resistor 38A and the first resistor 38B are arranged apart from each other in the horizontal direction X in a state of being aligned in the vertical direction Y.
  • the second control wiring 63B, the second control wiring 64B, and the second control power supply as the wiring constituting the second surge absorption circuit 5B and the second interface circuit 6B in the second wiring area 70B.
  • the configurations of the second control wiring 63B and the second control wiring 64B of the wiring 66D, the second interface wiring 68B, the third relay wiring 69C, and the fourth relay wiring 69D are different.
  • the shape of the second control wiring 63B in a plan view is L-shaped.
  • the second control wiring 63B is provided with a through hole 63qz.
  • the through hole 63qz penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 63qz are filled with through electrodes 217.
  • the through electrode 217 is not filled in the through hole 63qz, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 63qz.
  • Through electrodes 217 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the second control wiring 63B and the plurality of conductor portions 181G are electrically connected via through electrodes 195C (see FIG. 49) and 217.
  • the second control wiring 64B extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the second control wiring 64B in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the second control wiring 64B is provided with a through hole 64qz.
  • the through hole 64qz penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 64qz are filled with through electrodes 218.
  • the through electrode 218 is not filled in the through hole 64qz, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 64qz.
  • Through electrodes 218 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the second control wiring 64B and the plurality of conductor portions 181H are electrically connected via through electrodes 195D (see FIG. 49) and 218.
  • the second low withstand voltage diodes 37A and 37B constituting the second surge absorption circuit 5B are mounted on the second control wiring 63B, the second control wiring 64B, and the fourth relay wiring 69D.
  • the second low withstand voltage diodes 37A and 37B are connected in reverse series between the second control wiring 63B and the second control wiring 64B via the fourth relay wiring 69D. More specifically, the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 37A is connected to the second control wiring 63B.
  • the anode electrode of the second low withstand voltage diode 37B is connected to the fourth relay wiring 69D.
  • the anode electrode of the second low withstand voltage diode 37B is connected to the fourth relay wiring 69D.
  • the cathode electrode of the second low withstand voltage diode 37B is connected to the second control wiring 64B.
  • the second low withstand voltage diode 37A is arranged so that the anode electrode and the cathode electrode are arranged along the lateral direction X.
  • the second low withstand voltage diode 37B is arranged so that the anode electrode and the cathode electrode are arranged along the lateral direction X.
  • the second low withstand voltage diode 37A and the second low withstand voltage diode 37B are arranged apart from each other in the horizontal direction X in a state of being aligned in the vertical direction Y.
  • the second control wiring 63B, the second control power supply wiring 66D, the second interface wiring 68B, and the third relay wiring 69C are provided with the second resistors 38C and 38D constituting the second interface circuit 6B, and the second switching.
  • the element 39B is mounted.
  • the second switching element 39B is electrically connected to the second control wiring 63B, the second control power supply wiring 66D, and the third relay wiring 69C. More specifically, the drain electrode 39d of the second switching element 39B is connected to the second control wiring 63B. The source electrode 39s of the second switching element 39B is connected to the second control power supply wiring 66D. The gate electrode 39g of the second switching element 39B is connected to the third relay wiring 69C.
  • the second switching element 39B is arranged closer to the second semiconductor element 10B than the second low withstand voltage diodes 37A and 37B and the second resistor 38D. Seen from the lateral direction X, the second switching element 39B overlaps with the second resistor 38C.
  • the second resistors 38C and 38D are connected to the second control power supply wiring 66D, the third relay wiring 69C, and the second interface wiring 68B.
  • the first terminal of the second resistor 38C is connected to the third relay wiring 69C.
  • the second terminal of the second resistor 38C is connected to the wiring 68B for the second interface.
  • the first terminal of the second resistor 38D is connected to the wiring 68B for the second interface.
  • the second terminal of the second resistor 38D is connected to the second control power supply wiring 66D.
  • the second resistor 38C is arranged so that the first terminal and the second terminal are arranged along the vertical direction Y. Further, the second resistor 38D is arranged so that the first terminal and the second terminal are arranged along the lateral direction X. The second resistor 38C is arranged closer to the second semiconductor element 10B than the second resistor 38D. Seen from the vertical direction Y, the second resistor 38C and the second resistor 38D partially overlap each other.
  • the resin member 50 of the semiconductor device 1H has a first control side opening 58A, a second control side opening 58B, and a first drive side opening, similarly to the semiconductor device 1F of the sixth embodiment.
  • a portion 59A and a second drive side opening 59B are formed.
  • the first drive side opening 59A and the second drive side opening 59B are the same as the first drive side opening 59A and the second drive side opening 59B of the sixth embodiment.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are provided separately.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged side by side so as to be separated from each other in the direction along one side of the resin member 50.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged side by side in a lateral direction X so as to be separated from each other.
  • the first control side opening 58A exposes a part of the first wiring region 70A of the conductive substrate 180.
  • the first control side opening 58A exposes two types of circuits that are electrically connected to the first semiconductor element 10A.
  • the first control side opening 58A exposes the first interface circuit 6A and the first surge absorption circuit 5A. More specifically, as shown in FIG. 50, the first control side opening 58A is a part of the first control wiring 63A, a part of the first control wiring 64A, the first relay wiring 69A, and the second control.
  • the first control side opening 58A does not expose the first drive wiring 62A.
  • the shape of the first control side opening 58A in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the first control side opening 58A is a void.
  • the second control side opening 58B exposes a part of the second wiring region 70B of the conductive substrate 180.
  • the second control side opening 58B exposes two types of circuits that are electrically connected to the second semiconductor element 10B.
  • the second control side opening 58B exposes the second interface circuit 6B and the second surge absorption circuit 5B. More specifically, as shown in FIG. 51, the second control side opening 58B is a part of the second control wiring 63B, a part of the second control wiring 64B, the fourth relay wiring 69D, and the second control.
  • the second control side opening 58B does not expose the second drive wiring 62B.
  • the shape of the second control side opening 58B in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the second control side opening 58B is a void. According to the semiconductor device 1G of the present embodiment, the same effect as the effect of the semiconductor device 1F of the sixth embodiment and the same effect as the effect of the semiconductor device 1C of the third embodiment can be obtained.
  • the semiconductor device 1J of the ninth embodiment will be described with reference to FIGS. 52 to 57.
  • the semiconductor device 1J of the present embodiment is mainly different from the semiconductor device 1F of the sixth embodiment in the mounting mode of the first wiring region 70A and the second wiring region 70B.
  • components common to the semiconductor device 1F of the sixth embodiment may be designated by the same reference numerals, and the description thereof may be omitted.
  • the semiconductor device 1J of the present embodiment includes a first current detection circuit 7A instead of the first short circuit detection circuit 3A and a second short circuit detection circuit 3B instead of the second short circuit detection circuit 3B with respect to the semiconductor device 1F of the sixth embodiment.
  • the difference is that the current detection circuit 7B is provided.
  • the first current detection circuit 7A is a circuit for detecting the current flowing through the first semiconductor element 10A
  • the second current detection circuit 7B is a circuit for detecting the current flowing through the second semiconductor element 10B.
  • the circuit configuration of the current detection circuits 7A and 7B is the same as that of the current detection circuits 7A and 7B of the fourth embodiment shown in FIG. 29.
  • the semiconductor device 1J of the present embodiment has a configuration in which the current detection circuits 7A and 7B of the semiconductor device 1D of the fourth embodiment are combined with the semiconductor device 1F of the sixth embodiment.
  • the semiconductor device 1J includes conductor portions 181N and 181Q constituting the first overcurrent detection wiring 160A of the fourth embodiment and conductors constituting the second overcurrent detection wiring 160B. It has parts 181P and 181R. Both the conductor portions 181N and 181Q and the conductor portions 181P and 181R are formed in the wiring layer 180A. Further, the semiconductor device 1J has a first overcurrent detection lead 87C instead of the first short circuit detection lead 87A and replaces the second short circuit detection lead 87B, similarly to the semiconductor device 1D of the fourth embodiment. It also has a second overcurrent detection lead 87D.
  • the leads 80 electrically connected to the first semiconductor element 10A are the first control lead 84A, the first control lead 85A, the first control power supply lead 86A, and the first control power supply. It has a lead 86B and a first overcurrent detection lead 87C. In the present embodiment, from the first resin side surface 51 to the second resin side surface 52, the first overcurrent detection lead 87C, the first control power supply lead 86B, the first control power supply lead 85A, and the first control power supply lead The 86A and the first control lead 84A are arranged in this order.
  • the leads 80 electrically connected to the second semiconductor element 10B include a second control lead 84B, a second control lead 85B, a second control power supply lead 86C, a second control power supply lead 86D, and a second overcurrent. It has a current detection lead 87D.
  • the first overcurrent detection lead 87D, the second control power supply lead 86D, the second control power supply lead 85B, and the second control power supply lead are directed from the second resin side surface 52 to the first resin side surface 51.
  • the 86C and the second control lead 84B are arranged in this order.
  • the conductor portion 181N is a conductor portion for electrically connecting the current sense electrode 17 (see FIG. 54) of each first semiconductor element 10A and the first overcurrent detection lead 87C.
  • three conductor portions 181N are provided, and each of the three conductor portions 181N is arranged in the three openings 181c.
  • the conductor portion 181N is arranged so as to be adjacent to the conductor portion 181E in the vertical direction Y. More specifically, the conductor portion 181N is arranged on the side opposite to the conductor portion 181F with respect to the conductor portion 181E in the vertical direction Y.
  • the conductor portion 181N is arranged closer to the fourth resin side surface 54 than the conductor portion 181E in the vertical direction Y.
  • each conductor portion 181N extends in the lateral direction X.
  • the shape of the conductor portion 181N in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the conductor portion 181N is provided with a through hole 185S.
  • the through hole 185S penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 185S are filled with through electrodes 226.
  • the through electrode 226 is not filled in the through hole 185S, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 185S.
  • Through electrodes 226 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that three conductor portions 181N are electrically connected to each other via a through electrode 226.
  • the conductor portion 181N is formed with a first drive detection connecting member 171 so as to be electrically connected to the current sense electrode 17 of each first semiconductor element 10A.
  • the first drive detection connecting member 171 is a wire formed by, for example, wire bonding.
  • the arrangement relationship and shape of the conductor portion 181E and the conductor portion 181F are different from those of the conductor portion 181E and the conductor portion 181F of the sixth embodiment.
  • the conductor portion 181F is arranged closer to the third resin side surface 53 than the conductor portion 181E in the vertical direction Y.
  • Each conductor portion 181E extends in the lateral direction X.
  • the shape of the conductor portion 181E in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • Each conductor portion 181F extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the conductor portion 181F in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction. Further, the length of the conductor portion 181E in the lateral direction X is shorter than the length of the conductor portion 181N in the lateral direction X. In other words, the length of the conductor portion 181N in the lateral direction X is longer than the length of the conductor portion 181E in the lateral direction X.
  • the conductor portion 181P electrically connects the current sense electrode 17 (see FIG. 55) of each second semiconductor element 10B and the second overcurrent detection lead 87D. It is the conductor part of.
  • three conductor portions 181P are provided, and each of the three conductor portions 181P is arranged in the three openings 181f.
  • the conductor portion 181P is arranged so as to be adjacent to the conductor portion 181G in the vertical direction Y.
  • the conductor portion 181P is arranged closer to the third resin side surface 53 than the conductor portion 181G in the vertical direction Y.
  • each conductor portion 181P extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the conductor portion 181P in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the conductor portion 181P is provided with a through hole 185T.
  • the through hole 185T penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • the through hole 185T is filled with a through electrode 227.
  • the through electrode 227 is not filled in the through hole 185T, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 185T. Through electrodes 227 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the three conductor portions 181P are electrically connected to each other via the through electrodes 227.
  • the conductor portion 181P is formed with a second drive detection connecting member 172 so as to be electrically connected to the current sense electrode 17 of each second semiconductor element 10B.
  • the second drive detection connecting member 172 is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the arrangement relationship and shape of the conductor portion 181G and the conductor portion 181H are different from those of the conductor portion 181G and the conductor portion 181H of the sixth embodiment.
  • the conductor portion 181H is arranged on the side opposite to the conductor portion 181P with respect to the conductor portion 181G in the vertical direction Y.
  • Each conductor portion 181H of the present embodiment extends in the lateral direction X.
  • the shape of the conductor portion 181H in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the shape of the conductor portion 181G in a plan view is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction.
  • the length of the conductor portion 181G in the lateral direction X is shorter than the length of the conductor portion 181H in the lateral direction X. In other words, the length of the conductor portion 181H in the lateral direction X is longer than the length of the conductor portion 181G in the lateral direction X.
  • the conductor portion 181Q is provided in the first wiring region 70A. More specifically, the conductor portion 181Q is arranged at the end portion of the insulating portion 181X near the side surface 51 of the first resin in the lateral direction X. The conductor portion 181Q is arranged so as to be adjacent to the first control power supply wiring 66A in the lateral direction X.
  • the conductor portion 181Q extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the conductor portion 181Q in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the conductor portion 181Q is provided with a through hole 185U.
  • the through hole 185U penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 185U are filled with through electrodes 228.
  • the through electrode 228 is not filled in the through hole 185U, but may be a normal one that covers the inner surface of the through hole 185U.
  • Through electrodes 228 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that each conductor portion 181N and the conductor portion 181Q (see FIG. 54) are electrically connected to each other via through electrodes 228 and 226 (see FIG. 54). In this way, the conductor portion 181Q and each conductor portion 181N constitute the first overcurrent detection wiring 160A of the fourth embodiment.
  • the conductor portion 181Q is formed with a first overcurrent detection connecting member 173 so as to be electrically connected to the first overcurrent detection lead 87C.
  • the first overcurrent detection connecting member 173 is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the conductor portion 181R is provided in the second wiring region 70B. More specifically, the conductor portion 181R is arranged at the end portion of the insulating portion 181X near the side surface 52 of the second resin in the lateral direction X. The conductor portion 181R is arranged so as to be adjacent to the second control power supply wiring 66B in the lateral direction X.
  • the conductor portion 181R extends in the vertical direction Y.
  • the shape of the conductor portion 181R in a plan view is a rectangular shape in which the vertical direction Y is the long side direction and the horizontal direction X is the short side direction.
  • the conductor portion 181R is provided with a through hole of 185V.
  • the through hole 185V penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 185V are filled with through electrodes 229.
  • the through electrode 229 is not filled in the through hole 185V, but may be a normal one that covers the inner surface of the through hole 185V. Through electrodes 229 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that each conductor portion 181P and the conductor portion 181R (see FIG. 55) are electrically connected to each other via through electrodes 229 and 227 (see FIG. 55). In this way, the conductor portion 181P and each conductor portion 181R constitute the second overcurrent detection wiring 160B of the fourth embodiment.
  • the conductor portion 181R is formed with a second overcurrent detection connecting member 174 so as to be electrically connected to the second overcurrent detecting lead 87D.
  • the second overcurrent detection connecting member 174 is, for example, a wire formed by wire bonding.
  • the detection connecting members 171 and 172 and the overcurrent detection connecting members 173 and 174 are the same as the detection connecting members 171 and 172 and the overcurrent detecting connecting members 173 and 174 of the fourth embodiment, respectively. ..
  • the shape of the first control wiring 64A in a plan view is different. More specifically, the shape of the first control wiring 64A in a plan view is substantially L-shaped.
  • the first control wiring 64A has a first wiring portion 64pa extending in the vertical direction Y and a second wiring portion 64pb extending in the horizontal direction X.
  • the first wiring portion 64pa is arranged between the first control power supply wiring 65A and the first control power supply wiring 66A in the lateral direction X.
  • the first capacitors 33A and 33B are mounted on the first wiring portion 64pa.
  • the second wiring portion 64pb is arranged closer to the fourth resin side surface 54 (closer to the conductor portion 181A) than the first control power supply wirings 65A and 66A.
  • the second wiring portion 64pb extends from the first wiring portion 64pa toward the first resin side surface 51 side.
  • the second wiring portion 64pb is provided with a through hole 64pz.
  • the through hole 64pz penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 64pz are filled with through electrodes 208.
  • the through electrode 208 is not filled in the through hole 64pz, but may have a tubular shape that covers the inner surface of the through hole 64pz. Through electrodes 208 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the first control wiring 64A and the plurality of conductor portions 181F (see FIG. 54) are electrically connected via through electrodes 195B (see FIG. 54) and 208. ing. Seen from the vertical direction Y, the tip of the second wiring portion 64pb overlaps with the conductor portion 181Q.
  • the first resistor 151 is connected to the second wiring portion 64pb and the conductor portion 181Q. In the present embodiment, the first resistor 151 is arranged so that the first terminal and the second terminal are arranged along the vertical direction Y.
  • the shape of the second control wiring 64B in a plan view is different. More specifically, the shape of the second control wiring 64B in a plan view is substantially L-shaped.
  • the second control wiring 64B has a first wiring portion 64qa extending in the vertical direction Y and a second wiring portion 64qb extending in the horizontal direction X.
  • the first wiring portion 64qa is arranged between the second control power supply wiring 65B and the second control power supply wiring 66B in the lateral direction X.
  • the second capacitors 35A and 35B are mounted on the first wiring portion 64qa.
  • the second wiring portion 64qb is arranged closer to the fourth resin side surface 54 (closer to the conductor portion 181B) than the second control power supply wirings 65B and 66B.
  • the second wiring portion 64qb extends from the first wiring portion 64qa toward the second resin side surface 52 side.
  • the second wiring portion 64qb is provided with a through hole 64qz.
  • the through hole 64qz penetrates the conductive substrate 180 in the thickness direction Z.
  • Through holes 64qz are filled with through electrodes 218.
  • the through electrode 218 is not filled in the through hole 64qz, but may be a tubular one that covers the inner surface of the through hole 64qz. Through electrodes 218 conduct the wiring layers 180A and 180E.
  • the wiring layer 180E is configured such that the second control wiring 64B and the plurality of conductor portions 181H (see FIG. 55) are electrically connected via through electrodes 195D (see FIG. 55) and 218. ing. Seen from the vertical direction Y, the tip of the second wiring portion 64qb overlaps with the conductor portion 181R.
  • the second resistor 152 is connected to the second wiring portion 64qb and the conductor portion 181R. In the present embodiment, the second resistor 152 is arranged so that the first terminal and the second terminal are arranged along the vertical direction Y.
  • the resin member 50 is provided with a first control side opening 58A and a second control side opening 58B as two resin openings that expose the conductive substrate 180 from the resin top surface 55 side. There is. As can be seen from FIG. 52, the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are provided separately.
  • the first control side opening 58A is arranged at a position overlapping the plurality of first semiconductor elements 10A and closer to the third resin side surface 53 than the plurality of first semiconductor elements 10A when viewed from the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B is arranged at a position overlapping the plurality of second semiconductor elements 10B and closer to the third resin side surface 53 than the plurality of second semiconductor elements 10B when viewed from the vertical direction Y.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged side by side so as to be separated from each other in the direction along one side of the resin member 50.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged so as to be aligned in the vertical direction Y and separated from each other in the horizontal direction X.
  • the control side openings 58A and 58B are arranged at the ends of the resin top surface 55 near the third resin side surface 53.
  • the first control side opening 58A is arranged closer to the first resin side surface 51 than the second control side opening 58B.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 84t of the first control lead 84A in the vertical direction.
  • the first control side opening 58A is between the plurality of first semiconductor elements 10A and the pad portion 84p of the first control lead 84A in the vertical direction Y. Is located in.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 85t of the first control lead 85A in the vertical direction.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the pad portion 85p of the first control lead 85A in the vertical direction Y.
  • the first control side opening 58A exposes a part of the first wiring region 70A of the conductive substrate 180.
  • the first control side opening 58A covers a part of the mounting region in which the electronic components other than the first semiconductor element 10A are mounted in the portion of the conductive substrate 180 near the first resin side surface 51 in the lateral direction X. It is exposed.
  • the first control side opening 58A exposes a region of the first wiring region 70A near the third resin side surface 53.
  • the first control side opening 58A exposes the first surge reduction circuit 4A and the first current detection circuit 7A electrically connected to the first semiconductor element 10A.
  • the first control side opening 58A includes first low withstand voltage diodes 32A and 32B, first capacitors 33A and 33B, first control wiring 63A, first control wiring 64A, and first control power supply wiring. 65A and the first control power supply wiring 66A are exposed. Further, the first control side opening 58A exposes the first resistor 151 and the conductor portion 181Q. Further, in the present embodiment, the first control side opening 58A exposes the first control lead connection members 94A and 95A, the first control power supply connection members 96A and 96B, and the first overcurrent detection connection member 173. Not done.
  • the shape of the first control side opening 58A in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the first control side opening 58A is a void.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the terminal portion 84t of the second control lead 84B in the vertical direction. ..
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the pad portion 84p of the second control lead 84B in the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the terminal portion 85t of the second control lead 85B in the vertical direction.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the pad portion 85p of the second control lead 85B in the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B exposes a part of the second wiring region 70B of the conductive substrate 180.
  • the second control side opening 58B covers a part of the mounting region in which the electronic components other than the second semiconductor element 10B are mounted in the portion of the conductive substrate 180 near the second resin side surface 52 in the lateral direction X. It is exposed.
  • the second control side opening 58B exposes a region of the second wiring region 70B near the third resin side surface 53.
  • the second control side opening 58B exposes the second surge reduction circuit 4B and the second current detection circuit 7B electrically connected to the second semiconductor element 10B.
  • the second control side opening 58B includes the second low withstand voltage diodes 34A and 34B, the second capacitors 35A and 35B, the second control wiring 63B, the second control wiring 64B, and the second control power supply wiring. 65B and the wiring 66B for the second control power supply are exposed. Further, the second control side opening 58B exposes the second resistor 152 and the conductor portion 181R. In the present embodiment, the second control side opening 58B exposes the second control lead connection members 94B and 95B, the second control power supply connection members 96C and 96D, and the second overcurrent detection connection member 174. Absent.
  • the shape of the second control side opening 58B in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the second control side opening 58B is a void. According to the semiconductor device 1J of the present embodiment, the same effect as the effect of the semiconductor device 1F of the sixth embodiment and the same effect as the effect of the semiconductor device 1D of the fourth embodiment can be obtained.
  • the semiconductor device 1K of the tenth embodiment will be described with reference to FIGS. 58 to 61.
  • the semiconductor device 1K of the present embodiment is different from the semiconductor device 1F of the sixth embodiment mainly in the mounting mode of the first wiring region 70A and the second wiring region 70B. Further, the semiconductor device 1K of the present embodiment uses the semiconductor elements 10A and 10B of the fourth embodiment.
  • components common to the semiconductor device 1F of the sixth embodiment may be designated by the same reference numerals, and the description thereof may be omitted.
  • the semiconductor device 1K of the present embodiment includes a first current detection circuit 7A instead of the first short circuit detection circuit 3A and a second short circuit detection circuit 3B instead of the second short circuit detection circuit 3B with respect to the semiconductor device 1F of the sixth embodiment.
  • the difference is that the current detection circuit 7B is provided.
  • the semiconductor device 1K includes the first surge absorption circuit 5A and the first interface circuit 6A of the third embodiment in place of the first surge reduction circuit 4A with respect to the semiconductor device 1F of the sixth embodiment. 2
  • the second surge absorption circuit 5B and the second interface circuit 6B of the third embodiment are provided instead of the surge reduction circuit 4B.
  • the semiconductor device 1K of the present embodiment has a configuration in which the surge absorption circuits 5A and 5B and the interface circuits 6A and 6B of the semiconductor device 1E of the fifth embodiment are combined with the semiconductor device 1F of the sixth embodiment. is there.
  • the semiconductor device 1K of the present embodiment constitutes the first overcurrent detection wiring 160A and the second overcurrent detection wiring 160B, similarly to the semiconductor device 1J of the ninth embodiment. That is, the semiconductor device 1K has conductor portions 181N, 181P, 181Q, 181R. Further, the arrangement relationship and shape of the conductor portions 181E and 181F and the arrangement relationship and shape of the conductor portions 181G and 181H are the arrangement relationship and shape of the conductor portions 181E and 181F of the ninth embodiment and the arrangement relationship and shape of the conductor portions 181G and 181H, respectively. It is the same as the arrangement relationship and shape of.
  • the first resistor 151 is connected to the conductor portion 181Q and the first control power supply wiring 66A.
  • the first resistor 151 is arranged closer to the conductor portion 181A than the first low withstand voltage diodes 36A and 36B and the first resistors 38A and 38B.
  • the first resistor 151 is arranged so as to overlap the first switching element 39A when viewed from the lateral direction X.
  • the second resistor 152 is connected to the conductor portion 181R and the second control power supply wiring 66B.
  • the second resistor 152 is arranged closer to the conductor portion 181B (see FIG. 57) than the second low withstand voltage diodes 37A and 37B and the second resistors 38C and 38D.
  • the second resistor 152 is arranged so as to overlap the second switching element 39B when viewed from the lateral direction X.
  • the resin member 50 is provided with a first control side opening 58A and a second control side opening 58B as two resin openings that expose the conductive substrate 180 from the resin top surface 55 side. There is. As can be seen from FIG. 58, the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are provided separately.
  • the first control side opening 58A is arranged at a position overlapping the plurality of first semiconductor elements 10A and closer to the third resin side surface 53 than the plurality of first semiconductor elements 10A when viewed from the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B is arranged at a position overlapping the plurality of second semiconductor elements 10B and closer to the third resin side surface 53 than the plurality of second semiconductor elements 10B when viewed from the vertical direction Y.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged side by side so as to be separated from each other in the direction along one side of the resin member 50.
  • the first control side opening 58A and the second control side opening 58B are arranged so as to be aligned in the vertical direction Y and separated from each other in the horizontal direction X.
  • the control side openings 58A and 58B are arranged at the ends of the resin top surface 55 near the third resin side surface 53.
  • the first control side opening 58A is arranged closer to the first resin side surface 51 than the second control side opening 58B.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 84t of the first control lead 84A in the vertical direction.
  • the first control side opening 58A is between the plurality of first semiconductor elements 10A and the pad portion 84p of the first control lead 84A in the vertical direction Y. Is located in.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the terminal portion 85t of the first control lead 85A in the vertical direction.
  • the first control side opening 58A is arranged between the plurality of first semiconductor elements 10A and the pad portion 85p of the first control lead 85A in the vertical direction Y.
  • the first control side opening 58A exposes a part of the first wiring region 70A of the conductive substrate 180.
  • the first control side opening 58A exposes a part of the mounting region on the conductive substrate 180 on which electronic components other than the first semiconductor element 10A are mounted.
  • the first control side opening 58A exposes a region of the first wiring region 70A near the third resin side surface 53.
  • the first control side opening 58A exposes the first interface circuit 6A, the first surge absorption circuit 5A, and the first current detection circuit 7A.
  • the first control side opening 58A is a part of the first control wiring 63A, a part of the first control wiring 64A, a part of the first relay wiring 69A, and a part of the second control power supply wiring 66B.
  • a part of the first interface wiring 68A, the second relay wiring 69B, the first low withstand voltage diodes 36A and 36B, the first resistor 38A, the first resistor 38B, and the first switching element 39A are exposed.
  • the first control side opening 58A exposes the first resistor 151 and the conductor portion 181Q. In the present embodiment, the first control side opening 58A does not expose the first drive wiring 62A.
  • the shape of the first control side opening 58A in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the first control side opening 58A is a void.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the terminal portion 84t of the second control lead 84B in the vertical direction. ..
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the pad portion 84p of the second control lead 84B in the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the terminal portion 85t of the second control lead 85B in the vertical direction.
  • the second control side opening 58B is arranged between the plurality of second semiconductor elements 10B and the pad portion 85p of the second control lead 85B in the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B exposes a part of the second wiring region 70B of the conductive substrate 180.
  • the second control side opening 58B exposes two types of circuits that are electrically connected to the second semiconductor element 10B.
  • the second control side opening 58B exposes the second interface circuit 6B, the second surge absorption circuit 5B, and the second current detection circuit 7B. More specifically, the second control side opening 58B is a part of the second control wiring 63B, a part of the second control wiring 64B, a fourth relay wiring 69D, and a part of the second control power supply wiring 66D.
  • the second control side opening 58B exposes the second resistor 152 and the second overcurrent detection wiring 160B.
  • the second control side opening 58B does not expose the second drive wiring 62B.
  • the shape of the second control side opening 58B in a plan view is not particularly limited, but is a rectangular shape in which the horizontal direction X is the long side direction and the vertical direction Y is the short side direction. Further, the inside of the second control side opening 58B is a void. According to the semiconductor device 1K of the present embodiment, the same effect as the effect of the semiconductor device 1F of the sixth embodiment and the same effect as the effect of the semiconductor device 1E of the fifth embodiment can be obtained.
  • Each of the above embodiments is an example of possible embodiments of the semiconductor device according to the present disclosure, and is not intended to limit the embodiments.
  • the semiconductor device according to the present disclosure may take a form different from the form exemplified in each of the above-described embodiments.
  • One example thereof is a form in which a part of the configuration of each of the above embodiments is replaced, changed, or omitted, or a new configuration is added to each of the above embodiments.
  • the parts common to each of the above embodiments are designated by the same reference numerals as those of the above embodiments, and the description thereof will be omitted.
  • the drive connecting members 91A and 91B, the control connecting members 92A and 92B, the control connecting members 93A and 93B, and the control lead connecting members 94A and 94B respectively.
  • the control lead connection members 95A and 95B, the control power supply connection members 96A to 96D, and the short circuit detection connection members 97A and 97B may be made of the same material and have the same wire diameter. According to this configuration, it is not necessary to switch the type of wire in the wire forming step, so that the wire forming step can be simplified.
  • the connection members 141A and 141B and the short circuit detection connection members 142A and 142B may be made of the same material and have the same wire diameter. According to this configuration, it is not necessary to switch the type of wire in the wire forming step, so that the wire forming step can be simplified.
  • the drive connection members 91A and 91B, the control connection members 92A and 92B, the control connection members 93A and 93B, and the control lead connection members 94A and 94B respectively.
  • the control lead connection members 95A and 95B, the control power supply connection members 96B and 96D, the short circuit detection connection members 97A and 97B, and the interface connection members 98A and 98B are made of the same material and have the same wire diameter. You may. According to this configuration, it is not necessary to switch the type of wire in the wire forming step, so that the wire forming step can be simplified.
  • the wire diameter of each drive connecting member 91A, 91B may be larger than the wire diameter of the other connecting member.
  • the shape of the first control side opening 58A in a plan view can be arbitrarily changed.
  • the shape of the first control side opening 58A in a plan view may be a convex shape protruding toward the conductive substrate 60 in the vertical direction Y.
  • the first control side opening 58A can be formed so as not to expose the first control connecting member 141A.
  • the shape of the second control side opening 58B in a plan view can be arbitrarily changed.
  • the shape of the second control side opening 58B in a plan view may be a convex shape protruding toward the conductive substrate 60 in the vertical direction Y.
  • the second control side opening 58B can be formed so as not to expose the second control connecting member 141B.
  • An insulating substrate or an insulating sheet (not shown) having electrical insulation may be bonded to at least one of the portions near the side surface 53 of the third resin.
  • at least one of the portion of the first conductive member 42A closer to the third resin side surface 53 than the conductive substrate 60 and the portion of the second conductive member 42B closer to the third resin side surface 53 than the conductive substrate 60 An insulating film having electrical insulating properties may be formed.
  • the connection structure between the first control power supply lead 86B and the first low withstand voltage diode 32B can be arbitrarily changed.
  • the first control power supply reed 86B bypasses the first control power supply lead 85A and extends to the first low withstand voltage diode 32B, so that the first control power supply reed 86B and the first low A withstand voltage diode 32B is connected.
  • the length of the second portion 111b of the second wiring portion 111 of the first control lead 85A in the lateral direction X is made shorter than the length of the second portion 111b of the second embodiment in the lateral direction X.
  • the circuit configuration of the semiconductor device 1C of the third embodiment may be applied to the semiconductor device 1B of the second embodiment.
  • the semiconductor device 1C of the third embodiment like the semiconductor device 1B of the second embodiment, the low withstand voltage diodes 36A, 36B, 37A, 37B, the resistors 38A to 38D, and the switching elements 39A, 39B, respectively. It may be arranged outside the conductive substrate 60.
  • the arrangement mode of the input leads 81, 82 and the output leads 83 can be arbitrarily changed.
  • the input leads 81, 82 and the output leads 83 may be arranged so that the input leads 81, 82 and the output leads 83 project from the same resin side surface of the resin member 50.
  • the input leads 81 and 82 and the output leads 83 project from the fourth resin side surface 54.
  • the input leads 81 and 82 and the output leads 83 are arranged so as to be separated from each other in the lateral direction X.
  • one insulating substrate that supports the first conductive member 42A and the second conductive member 42B instead of the first insulating substrate 41A and the second insulating substrate 41B. May be provided.
  • the number of layers of the conductive substrate 60 can be arbitrarily changed.
  • the fourth layer substrates 60D and 60E may be integrally formed. In this case, in the fourth layer substrates 60D and 60E, the exposed portion 82d of the second input lead 82 is not exposed, and the conductor portion is formed so as to cover the exposed portion 82d.
  • the fifth layer substrates 60F and 60G may be integrally formed in the semiconductor devices 1A to 1E of the first to fifth embodiments.
  • a conductor portion that covers the conductor portions of the fourth layer substrates 60D and 60D may be formed.
  • At least one of the insulating material 71 filled in the first drive side opening 59A and the insulating material 72 filled in the second drive side opening 59B. May be omitted.
  • at least one of the first high withstand voltage diodes 30A and 30B arranged in the first drive side opening 59A and the second high withstand voltage diodes 31A and 31B arranged in the second drive side opening 59B is used. It can be easily removed from the conduction board 60.
  • a high withstand voltage diode having electrical characteristics different from those of the high withstand voltage diodes 30A, 30B, 31A, and 31B can be mounted on at least one of the first drive side opening 59A and the second drive side opening 59B. Therefore, the electrical characteristics of the semiconductor devices 1A to 1C can be easily adjusted. Further, also in the sixth to eighth embodiments 1F to 1H, at least one of the insulating material 71 filled in the first drive side opening 59A and the insulating material 72 filled in the second drive side opening 59B is used. It may be omitted.
  • the drive side openings 59A and 59B and the control side openings 58A and 58B are made of at least a metal layer. It is sufficient that the wiring portion or the wiring portion of the lead is exposed, and the electronic component may not be mounted on the wiring portion made of a metal layer or the wiring portion of the lead.
  • the drive-side openings 59A and 59B and the control-side openings 58A and 58B will be described individually as in (A) to (F).
  • the insulating material 71 and the first high withstand voltage diodes 30A and 30B are omitted from the first drive side opening 59A. You may.
  • the first drive side opening 59A is suitable for the electrical characteristics of the electric circuit.
  • Electronic components such as high withstand voltage diodes can be mounted inside. Thereby, the electrical characteristics of the semiconductor devices 1A to 1C can be adjusted so as to be suitable for the electrical characteristics of the electric circuit such as the inverter circuit.
  • the insulating material 72 and the second high withstand voltage diodes 31A and 31B are omitted from the second drive side opening 59B. You may.
  • the second drive side opening 59B is suitable for the electrical characteristics of the electric circuit.
  • Electronic components such as high withstand voltage diodes can be mounted inside. Thereby, the electrical characteristics of the semiconductor devices 1A to 1C can be adjusted so as to be suitable for the electrical characteristics of the electric circuit such as the inverter circuit.
  • the withstand voltage is low in the first control side opening 58A so as to be suitable for the electrical characteristics of the electric circuit.
  • Electronic components such as diodes can be mounted. Thereby, the electrical characteristics of the semiconductor devices 1C and 1H can be adjusted so as to be suitable for the electrical characteristics of the electric circuit such as the inverter circuit. This change can also be applied to the semiconductor device 1K of the tenth embodiment.
  • FIG. 64 shows that the first low withstand voltage diodes 32A and 32B and the first capacitors 33A and 33B are mounted on the first control side opening 58A of the semiconductor device 1A.
  • An example shows a state in which the second low withstand voltage diodes 34A and 34B and the second capacitors 35A and 35B are not mounted in the second control side opening 58B.
  • the electrical characteristics of the surge reduction circuits 4A and 4B are adjusted according to the electrical characteristics of the electric circuit formed on the conductive substrate. Can be adjusted.
  • the semiconductor devices 1A to 1C and 1F to 1H of the first to third and sixth to eighth embodiments at least one of the first drive side opening 59A and the second drive side opening 59B is omitted from the resin member 50. You may.
  • the semiconductor device 1A in which the first drive side opening 59A and the second drive side opening 59B are omitted from the resin member 50 is shown.
  • the first high withstand voltage diodes 30A and 30B and the second high withstand voltage diodes 31A and 31B may be arranged in the resin member 50
  • the first high withstand voltage diodes 30A and 30B and the second high withstand voltage diodes 31A and 31B may be arranged. May be omitted.
  • the electrode configurations of the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B are the same, but the present invention is not limited to this, and the first The electrode configurations of the semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B can be arbitrarily changed.
  • the electrode configuration of the first semiconductor element 10A and the electrode configuration of the second semiconductor element 10B may be symmetrical with respect to the center line along the vertical direction Y.
  • the current sense electrode 17 of the second semiconductor element 10B is connected to the conductor portion 181P via the second drive connecting member 172. It is electrically connected.
  • the second source electrode 12B of the second semiconductor element 10B is electrically connected to the conductor portion 181H via the second control connecting member 93B.
  • the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B are not limited to transistors such as MOSFETs.
  • transistors such as MOSFETs.
  • it may be a diode or an LSI.
  • the control electrodes are omitted from each of the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B. That is, the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B each have an anode electrode as a first driving electrode and a cathode electrode as a second driving electrode. In this case, the first control wiring 63A and the second control wiring 63B are omitted. Along with this, the first control lead 84A and the second control lead 84B are omitted. The first control wiring 64A and the second control wiring 64B may be left for detecting the amount of current flowing through the first semiconductor element 10A and the second semiconductor element 10B, respectively.
  • first control wiring 64A and the second control wiring 64B may be omitted.
  • first control lead 85A and the second control lead 85B may be omitted.
  • either the first semiconductor element 10A or the second semiconductor element 10B may be omitted.
  • the second semiconductor element 10B is omitted, the second insulating substrate 41B, the second conductive member 42B, the portion of the conductive substrate 60 supported by the second conductive member 42B, and the vertical direction of the second conductive member 42B.
  • the leads arranged next to the direction Y may be omitted.
  • the first semiconductor element 10A is omitted, the first insulating substrate 41A, the first conductive member 42A, the portion of the conductive substrate 60 supported by the first conductive member 42A, and the vertical direction of the first conductive member 42A.
  • the leads arranged next to the direction Y may be omitted.
  • the conductive substrates 60 and 180 may be single-layer substrates. -In the semiconductor devices 1A to 1H, 1J, 1K of each embodiment, the conductive substrates 60 and 180 may be omitted. In this case, for example, an insulating layer is formed on the main surfaces 42sa and 42sb of the conductive members 42A and 42B, and a wiring portion made of a metal layer or a metal plate is formed on the insulating layer.
  • the first input lead 81 is joined to the main surface 42sa of the first conductive member 42A, and the output lead 83. May be joined to the main surface 42sb of the second conductive member 42B, and then the conductive substrate 60 may be joined to the main surface 42sa of the first conductive member 42A and the main surface 42sb of the second conductive member 42B.
  • the semiconductor device includes, as the conductor, a conductive substrate in which a conductor portion made of a metal layer is formed on a substrate having electrical insulation.
  • the semiconductor element is electrically connected to the conductor portion of the conductive substrate.
  • the support substrate supports the conductive substrate, and the support substrate supports the conductive substrate.
  • Appendix 3 The semiconductor device according to Appendix 2, wherein the conductor portion for mounting the electronic component is formed in the mounting region.
  • the semiconductor element has a first drive electrode and a second drive electrode, and has a first drive electrode and a second drive electrode.
  • the conductor portion has a drive conductor portion that is electrically connected to the first drive electrode.
  • the semiconductor device according to Appendix 3, wherein the resin opening has a drive-side opening that exposes a part of the drive conductor.
  • Appendix 5 The semiconductor device according to Appendix 4, wherein the electronic component for detecting a short circuit of the semiconductor element is mounted on a part of the driving conductor portion.
  • Appendix 6 The semiconductor device according to Appendix 5, wherein the electronic component includes a diode.
  • Appendix 8 The semiconductor device according to Appendix 7, wherein the resin material is different from the resin material constituting the resin member.
  • the semiconductor element has a control electrode that controls a current supplied to the semiconductor element.
  • the conductor portion has a control conductor portion electrically connected to the control electrode.
  • the semiconductor element is a transistor having a first drive electrode, a second drive electrode, and a control electrode.
  • the conductor portion is A driving conductor portion electrically connected to the first driving electrode and A control conductor portion electrically connected to the control electrode and Have,
  • the resin opening has a drive side opening that exposes a part of the drive conductor portion and a control side opening that exposes a part of the control conductor portion.
  • the semiconductor element is a transistor having a first drive electrode, a second drive electrode, and a control electrode.
  • the conductor portion is A control conductor portion electrically connected to the control electrode and A reference conductor portion that is electrically connected to the second drive electrode and for setting a voltage applied to the control electrode by a potential difference between the control conductor portion and the control conductor portion.
  • the semiconductor element is a transistor having a first drive electrode, a second drive electrode, and a control electrode.
  • the conductor portion is A control conductor that is electrically connected to the control electrode
  • a reference conductor portion that is electrically connected to the second drive electrode and for setting a voltage applied to the control electrode by a potential difference between the control conductor portion and the control conductor portion.
  • the resin opening has a control-side opening in which a part of the control conductor portion and a part of the reference conductor portion are exposed.
  • Appendix 14 The semiconductor according to Appendix 11 or 12, wherein the electronic component for reducing a surge of a voltage applied to the second drive electrode is mounted on the reference conductor portion exposed by the control side opening. apparatus.
  • the semiconductor element has a control electrode that controls a voltage supplied to the semiconductor element.
  • the semiconductor device has a control lead made of a metal plate electrically connected to the control electrode.
  • the control lead is A control terminal protruding from the surface of the resin member, A control conductor portion that is arranged inside the surface of the resin member and is electrically connected to the control terminal.
  • the semiconductor element is a transistor having a first drive electrode, a second drive electrode, and a control electrode.
  • the semiconductor device is A control lead made of a metal plate electrically connected to the control electrode, It has a reference lead that is electrically connected to the second drive electrode and is made of a metal plate for setting a voltage applied to the control electrode by a potential difference with the control lead.
  • the reference lead is A reference terminal protruding from the surface of the resin member and A reference conductor portion that is arranged inside the surface of the resin member and is electrically connected to the reference terminal.
  • the semiconductor element is a transistor having a first drive electrode, a second drive electrode, and a control electrode.
  • the semiconductor device is A control lead made of a metal plate electrically connected to the control electrode, A reference lead that is electrically connected to the second drive electrode and is made of a metal plate for setting a voltage applied to the control electrode by a potential difference between the control lead and the control lead.
  • the control lead is A control terminal protruding from the surface of the resin member, A control conductor portion that is arranged inside the surface of the resin member and is electrically connected to the control terminal.
  • the reference lead is A reference terminal protruding from the surface of the resin member and A reference conductor portion that is arranged inside the surface of the resin member and is electrically connected to the reference terminal.
  • the semiconductor device according to any one of Supplementary note 2 to 8, wherein the resin opening has a control-side opening in which a part of the control conductor portion and a part of the reference conductor portion are exposed.
  • Appendix 18 The semiconductor device according to Appendix 15 or 17, wherein the electronic component for reducing a surge of a voltage applied to the control electrode is mounted on the control conductor portion exposed by the control side opening.
  • Appendix 19 The semiconductor according to Appendix 16 or 17, wherein the electronic component for reducing a surge of a voltage applied to the second drive electrode is mounted on the reference conductor portion exposed by the control side opening. apparatus.
  • the semiconductor element has a first drive electrode and a second drive electrode, and has a first drive electrode and a second drive electrode.
  • the conductor portion has a drive conductor portion that is electrically connected to the first drive electrode.
  • the resin opening has a drive-side opening that exposes a part of the drive conductor portion.
  • Appendix 21 The semiconductor device according to Appendix 15 or 17, wherein the control-side opening is arranged between the semiconductor element and the control terminal of the control lead when viewed from the thickness direction of the support substrate.
  • Appendix 22 The semiconductor device according to Appendix 16, wherein the control-side opening is arranged between the semiconductor element and the reference terminal of the reference lead when viewed from the thickness direction of the support substrate.
  • the support substrate has a conductive member made of metal and has a conductive member.
  • the conductive substrate is laminated on the conductive member, and is laminated on the conductive member.
  • the conductive substrate is provided with a substrate opening that penetrates the conductive substrate in the thickness direction of the conductive substrate.
  • the semiconductor element includes a first semiconductor element and a second semiconductor element connected in series with each other.
  • the first semiconductor element and the second semiconductor element have a first driving electrode and a second driving electrode, respectively.
  • the second drive electrode of the first semiconductor element is connected to the first drive electrode of the second semiconductor element.
  • the conductor portion is A first driving conductor portion electrically connected to the first driving electrode of the first semiconductor element, A second driving conductor portion electrically connected to the first driving electrode of the second semiconductor element, and Have,
  • the resin opening is A first drive side opening that exposes a part of the first drive conductor portion, and A second drive side opening that exposes a part of the second drive conductor portion,
  • the semiconductor device according to any one of Supplementary Provisions 2 to 24.
  • the first semiconductor element and the second semiconductor element each have a control electrode.
  • the conductor portion is A first control conductor portion electrically connected to the control electrode of the first semiconductor element, A second control conductor portion electrically connected to the control electrode of the second semiconductor element, Have,
  • the resin opening is A first control side opening that exposes a part of the first control conductor portion, A second control side opening which is formed apart from the first control side opening and exposes a part of the second control conductor portion, and a second control side opening. 25.
  • the semiconductor device is A first control lead made of a metal plate electrically connected to the control electrode of the first semiconductor element, A second control lead made of a metal plate electrically connected to the control electrode of the second semiconductor element, Have, A part of the first control conductor portion is arranged between the first semiconductor element and the first control lead when viewed from the thickness direction of the support substrate.
  • the first control side opening is arranged between the first semiconductor element and the first control lead when viewed from the thickness direction.
  • the conductor portion is It is electrically connected to the second drive electrode of the first semiconductor element, and is used to set the voltage applied to the control electrode of the first semiconductor element by the potential difference between the first control conductor portion and the second drive electrode.
  • the conductor part for the first reference and It is electrically connected to the second drive electrode of the second semiconductor element, and is used to set the voltage applied to the control electrode of the second semiconductor element by the potential difference between the second control conductor portion and the second drive electrode.
  • the semiconductor device according to any one of Appendix 26 to 28, wherein the second control side opening exposes a part of the second reference conductor portion.
  • the semiconductor device is A first reference lead made of a metal plate electrically connected to the second drive electrode of the first semiconductor element, A second reference lead made of a metal plate electrically connected to the second driving electrode of the second semiconductor element, Have, A part of the first reference conductor portion is arranged between the first semiconductor element and the first reference lead when viewed from the thickness direction of the support substrate.
  • the shape of the support substrate is rectangular when viewed from the thickness direction of the support substrate. Seen from the thickness direction, the first control-side opening and the second control-side opening are arranged side by side in a direction along one side of the support substrate so as to be separated from each other.
  • the semiconductor device according to any one of the items.
  • Appendix 32 Each of the first control conductor portion exposed by the first control side opening and the second control conductor portion exposed by the second control side opening is applied to the control electrode.
  • the semiconductor element includes a first semiconductor element and a second semiconductor element connected in series with each other.
  • the first semiconductor element and the second semiconductor element are transistors having a first driving electrode, a second driving electrode, and a control electrode, respectively.
  • the second drive electrode of the first semiconductor element is connected to the first drive electrode of the second semiconductor element.
  • the semiconductor device is A first control lead electrically connected to the control electrode of the first semiconductor element, A second control lead electrically connected to the control electrode of the second semiconductor element, Have,
  • the first control lead is The first control terminal protruding from the surface of the resin member and A first control conductor portion that is arranged inside the resin member and is electrically connected to the first control terminal.
  • the second control lead is A second control terminal protruding from the surface of the resin member, A second control conductor portion that is arranged inside the surface of the resin member and is electrically connected to the second control terminal.
  • the resin opening is The first control side opening that exposes a part of the first control conductor portion and A second control side opening which is formed apart from the first control side opening and exposes a part of the second control conductor portion.
  • the shape of the resin member is rectangular when viewed from the thickness direction of the resin member.
  • the appendix 34 wherein the first control-side opening and the second control-side opening are arranged side by side in a direction along one side of the resin member so as to be separated from each other when viewed from the thickness direction.
  • Semiconductor device Semiconductor device.
  • the semiconductor element includes a first semiconductor element and a second semiconductor element connected in series with each other.
  • the first semiconductor element and the second semiconductor element have a first driving electrode and a second driving electrode, respectively.
  • the second drive electrode of the first semiconductor element is connected to the first drive electrode of the second semiconductor element.
  • the semiconductor device is A first reference lead electrically connected to the second drive electrode of the first semiconductor element, A second reference lead electrically connected to the second drive electrode of the second semiconductor element, Have,
  • the lead for the first reference is The first reference terminal protruding from the surface of the resin member and A conductor portion for the first reference, which is arranged inside the surface of the resin member and is electrically connected to the terminal for the first reference.
  • the second reference lead is A second reference terminal protruding from the surface of the resin member, A second reference conductor portion that is arranged inside the surface of the resin member and is electrically connected to the second reference terminal.
  • the resin opening is The first control side opening that exposes a part of the first reference conductor portion and A second control side opening that exposes a part of the second reference conductor portion, and The semiconductor device according to any one of Appendix 2 to 8.
  • the semiconductor element includes a first semiconductor element and a second semiconductor element connected in series with each other.
  • the first semiconductor element and the second semiconductor element are transistors having a first driving electrode, a second driving electrode, and a control electrode, respectively.
  • the second drive electrode of the first semiconductor element is connected to the first drive electrode of the second semiconductor element.
  • the semiconductor device is A first control lead electrically connected to the control electrode of the first semiconductor element, A second control lead electrically connected to the control electrode of the second semiconductor element, A first reference lead electrically connected to the second drive electrode of the first semiconductor element, A second reference lead electrically connected to the second drive electrode of the second semiconductor element, Have,
  • the first control lead is The first control terminal protruding from the surface of the resin member and A first control conductor portion that is arranged inside the resin member and is electrically connected to the first control terminal.
  • the second control lead is A second control terminal protruding from the surface of the resin member, A second control conductor portion that is arranged inside the surface of the resin member and is electrically connected to the second control terminal.
  • the lead for the first reference is A first reference terminal protruding from the surface of the resin member, A conductor portion for the first reference, which is arranged inside the surface of the resin member and is electrically connected to the terminal for the first reference.
  • the second reference lead is A second reference terminal protruding from the surface of the resin member, A second reference conductor portion that is arranged inside the surface of the resin member and is electrically connected to the second reference terminal.
  • the resin opening is A first control side opening that exposes a part of the first control conductor part and a part of the first reference conductor part, and A second control side opening that exposes a part of the second control conductor part and a part of the second reference conductor part, and The semiconductor device according to any one of Appendix 2 to 8.
  • the support substrate is The first conductive member on which the first semiconductor element is mounted and The second conductive member on which the second semiconductor element is mounted and Have, The first conductive member and the second conductive member are arranged in a state of being separated from each other in the first direction orthogonal to the thickness direction when viewed from the thickness direction of the support substrate.
  • the semiconductor device according to any one of Appendix 25 to 37, wherein the conductive substrate is arranged over the first conductive member and the second conductive member.
  • the conductive substrate has a conductor portion for mounting the electronic component, and has a conductor portion.
  • Appendix 41 The semiconductor device according to any one of Appendix 1 to 40, wherein the electronic component includes a Schottky barrier diode.
  • Appendix 42 The semiconductor device according to any one of Appendix 1 to 40, wherein the electronic component includes two Schottky barrier diodes connected to each other in anti-series.
  • Appendix 43 The semiconductor device according to any one of Appendix 1 to 42, wherein the electronic component includes a transistor.
  • Appendix 44 The semiconductor device according to any one of Appendix 1 to 43, wherein the electronic component includes a capacitor.
  • Appendix 45 The semiconductor device according to any one of Appendix 2 to 23 and 25 to 37, wherein the semiconductor element is mounted on the conductor portion.
  • Second switching element (electronic component, transistor) 40 Support substrate 42A ... First conductive member (conductive member) 42B ... Second conductive member (conductive member) 50 ... Resin member 50X ... Resin opening 51 ... First resin side surface (surface) 52 ... Second resin side surface (surface) 53 ... Third resin side surface (surface) 54 ... Fourth resin side surface (surface) 58A ... First control side opening (resin opening, control side opening) 58B ... Second control side opening (resin opening, control side opening) 59A ... 1st drive side opening (resin opening, drive side opening) 59B ... Second drive side opening (resin opening, drive side opening) 60 ... Conductive substrate (conductor) 61A ...
  • Second control wiring (reference conductor, second reference conductor, conductor of conductive substrate) 71 ... Insulating material (resin material) 72 ... Insulating material (resin material) 84A ... 1st control lead (control lead) 84B ... Second control lead (control lead) 84t ... Terminal unit (control terminal, first control terminal, second control terminal) 85A ... 1st control lead (reference lead) 85B ... Second control lead (reference lead) 85t ... Terminal part (reference terminal, first reference terminal, second reference terminal) 100 ... 1st wiring part (control conductor part, 1st control conductor part, conductor part) 101 ... Second wiring section (control conductor section, first control conductor section, conductor section) 102 ...

Abstract

半導体装置（１Ａ）は、半導体素子と、半導体素子を支持する支持基板と、半導体素子と電気的に接続される配線部と、半導体素子を封止する樹脂部材（５０）とを備える。樹脂部材（５０）には、配線部の一部が露出されており、配線部と電気的に接続される電子部品が実装可能である第１駆動側開口部（５９Ａ）、第２駆動側開口部（５９Ｂ）、第１制御側開口部（５８Ａ）、及び第２制御側開口部（５８Ｂ）が設けられている。

Description

半導体装置
　本開示は、半導体装置に関する。
　インバータ回路などに用いられる半導体装置は、導電部材としてのアイランドと、アイランドにドレイン電極が接続されるトランジスタと、トランジスタと電気的に接続される複数の端子と、トランジスタ及び複数の端子の一部を封止する樹脂部材とを備える（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１４－９３３７３号公報
　ところで、半導体装置がインバータ回路に用いられた場合、インバータ回路に起因するサージや外乱が半導体装置に影響を与える場合がある。そこで、インバータ回路が形成され、半導体装置が実装される制御基板には、トランジスタのゲート電極のサージを低減するためのサージ低減回路やトランジスタを含む回路の短絡を保護するための短絡保護回路が設けられる。しかし、サージ低減回路が制御基板に設けられるため、サージ低減回路と半導体装置との間の距離が長くなることによって、サージ低減回路とトランジスタとを接続する導体部（配線）のインダクタンスが増加してしまう。また、短絡保護回路が制御基板に設けられるため、短絡保護回路と半導体装置の信号端子間の絶縁距離の確保が必要になり、短絡保護回路周辺の設計自由度が制約される。
　そこで、サージ低減回路及び短絡保護回路の一部分を内蔵した半導体装置が考えられる。この構成によれば、半導体装置の外部にサージ低減回路及び短絡保護回路が形成される場合と比較して、サージ低減回路とトランジスタとの間の距離が短くなるため、サージ低減回路とトランジスタとを接続する導体部の長さが短くなる。加えて、短絡保護回路と信号端子間の絶縁距離の確保が不要となるため、制御基板のレイアウトが容易になる。
　しかし、サージ低減回路及び短絡保護回路の一部分を半導体装置に内蔵すると、サージ低減回路の電気的特性の調整及び短絡保護回路の電気的特性の調整がそれぞれ樹脂部材の形成後にできず、半導体装置の使い勝手が悪くなる。なお、サージ低減回路および短絡保護回路以外のトランジスタに電気的に接続される電気回路が半導体装置に内蔵された場合でも同様の課題が生じ得る。
　本開示の目的は、インダクタンスを低減できるとともに制御基板のレイアウトが容易になり、使い勝手の良い半導体装置を提供することである。
　本開示の一態様による半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子を支持する支持基板と、前記半導体素子と電気的に接続される導電体と、前記半導体素子を封止する樹脂部材と、を備え、前記導電体は、電子部品が実装される実装領域を有し、前記樹脂部材は、前記実装領域を露出する樹脂開口部を有する。
　この構成によれば、例えばサージ低減回路を構成する電子部品を接続するための導電体が半導体装置に内蔵されているため、導電体が半導体装置の外部に配置される場合と比較して、導電体の長さが短くなる。したがって、導電体のインダクタンスを低減できる。
　また、短絡保護回路等の電気回路を構成する電子部品の一部分が半導体装置に内蔵されているため、短絡保護回路等の電気回路を半導体装置の外部に配置される場合と比較して、制御基板のレイアウトが容易になる。
　また、樹脂開口部を介して例えばサージ低減回路や短絡保護回路等の半導体素子に電気的に接続される電気回路を構成する電子部品を導電体の実装領域に実装することによって、樹脂部材の形成後に上記電気回路の電気的特性を調整できる。したがって、例えば制御基板に半導体装置を実装した後、半導体装置に適用する電気回路に適した電気的特性となるように半導体装置の電気的特性を調整できるため、半導体装置の使い勝手が良くなる。
　上記半導体装置によれば、インダクタンスを低減できるとともに制御基板のレイアウトが容易になり、使い勝手が良くなる。
第１実施形態の半導体装置の平面図。 第１実施形態の半導体装置の斜視図。 図１の半導体装置の底面図。 図１の半導体装置の側面図。 図１の半導体装置の回路図。 図１の半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の斜視図。 樹脂部材を二点鎖線で示した半導体装置の平面図。 図７Ａの１個の第１半導体素子及びその周辺の拡大図。 図７Ａの半導体装置の第１配線領域及びその周辺の拡大図。 図７Ａの半導体装置の第３配線領域及びその周辺の拡大図。 図７Ａの半導体装置の第２配線領域及びその周辺の拡大図。 半導体装置の断面図。 図１１Ａの１個の第１半導体素子の拡大図。 図７Ａの半導体装置の導通基板の断面図。 第１実施形態の半導体装置の製造方法を示すフローチャート。 半導体装置の製造方法について、基板接合工程を説明するための工程図。 第２実施形態の半導体装置の平面図。 第２実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。 図１６の半導体装置の第１配線領域及びその周辺の拡大図。 図１６の半導体装置の第２配線領域及びその周辺の拡大図。 第２実施形態の半導体装置の製造方法を示すフローチャート。 第３実施形態の半導体装置の平面図。 図２０の半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。 図２１の半導体装置の第１配線領域及びその周辺の拡大図。 図２１の半導体装置の第２配線領域及びその周辺の拡大図。 第３実施形態の半導体装置の回路図。 第４実施形態の半導体装置の平面図。 第４実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。 図２６Ａの半導体素子及びその周辺の拡大図。 図２６Ａの半導体装置の第１配線領域及びその周辺の拡大図。 図２６Ａの半導体装置の第２配線領域及びその周辺の拡大図。 図２６Ａの半導体装置の回路図。 第５実施形態の半導体装置の平面図。 第５実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。 図３１の半導体装置の第１配線領域及びその周辺の拡大図。 図３２の半導体装置の第２配線領域及びその周辺の拡大図。 図３０の半導体装置の回路図。 第６実施形態の半導体装置の平面図。 第６実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。 図３６の３７－３７線に沿った断面図。 電子部品が実装されていない状態の導通基板の平面図。 図３６の第１半導体素子及びその周辺の拡大図。 図３６の第２半導体素子及びその周辺の拡大図。 図３６の半導体装置の第１配線領域及びその周辺の拡大図。 図３６の半導体装置の第３配線領域及びその周辺の拡大図。 図３６の半導体装置の第２配線領域及びその周辺の拡大図。 第７実施形態の半導体装置の平面図。 第７実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。 図４５の半導体装置の第１配線領域及びその周辺の拡大図。 図４５の半導体装置の第２配線領域及びその周辺の拡大図。 第８実施形態の半導体装置の平面図。 第８実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。 図４９の半導体装置の第１配線領域及びその周辺の拡大図。 図４９の半導体装置の第２配線領域及びその周辺の拡大図。 第９実施形態の半導体装置の平面図。 第９実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。 図５３の半導体装置の第１半導体素子及びその周辺の拡大図。 図５３の半導体装置の第２半導体素子及びその周辺の拡大図。 図５３の半導体装置の第１配線領域及びその周辺の拡大図。 図５３の半導体装置の第２配線領域及びその周辺の拡大図。 第１０実施形態の半導体装置の平面図。 第１０実施形態の半導体装置について、半導体装置から樹脂部材を取り除いた状態の平面図。 図５７の半導体装置の第１配線領域及びその周辺の拡大図。 図５７の半導体装置の第２配線領域及びその周辺の拡大図。 変更例の半導体装置の第１配線領域及びその周辺の拡大図。 変更例の半導体装置の平面図。 変更例の半導体装置の平面図。 変更例の半導体装置の平面図。
　以下、半導体装置の実施形態について図面を参照して説明する。以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための構成や方法を例示するものであり、各構成部品の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに限定するものではない。以下の実施形態は、種々の変更を加えることができる。
　［第１実施形態］
　図１～図１４を参照して、第１実施形態の半導体装置について説明する。なお、図１１Ａの半導体装置の断面図、及び図１１Ｂの半導体素子の断面図では、便宜上、断面を示すハッチングを省略している。
　（半導体装置の概略構成）
　図１に示すように、半導体装置１Ａは、半導体素子としての第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂと、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを支持する支持基板４０と、支持基板４０及び各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを封止する樹脂部材５０と、樹脂部材５０から突出する部分を有する複数のリード８０を有する。樹脂部材５０は、電子部品を実装可能とする樹脂開口部５０Ｘを有する。この半導体装置１Ａは、樹脂開口部５０Ｘによって実装される電子部品３０Ｘに応じて動作する。
　ここで、半導体装置１Ａの回路構成の一例を説明する。
　（半導体装置の回路構成）
　図５に示すように、半導体装置１Ａは、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂが直列接続されたハーフブリッジ型のスイッチング回路２と、複数の端子２０と、を備える。半導体装置１Ａは、例えば、モータの駆動源、様々な電子機器のインバータ装置、及び様々な電子機器のＤＣ／ＤＣコンバータなどに用いられる電力変換装置（パワーモジュール）である。
　各半導体素子１０Ａ，１０Ｂは、スイッチング素子として用いられている。各半導体素子１０Ａ，１０Ｂは、例えばＳｉ（シリコン）やＳｉＣ（炭化シリコン）又は、ＧａＮ（窒化ガリウム）やＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、あるいは、Ｇａ２Ｏ３（酸化ガリウム）等からなるトランジスタが用いられている。各半導体素子１０Ａ，１０ＢがＳｉＣからなる場合、スイッチングの高速化に適している。本実施形態では、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂは、ＳｉＣからなるＮ型のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）が用いられている。なお、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂは、ＭＯＳＦＥＴに限定されず、ＭＩＳＦＥＴ（Metal-Insulator-Semiconductor FET）を含む電界効果トランジスタ、又は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を含むバイポーラトランジスタなどのトランジスタであってもよい。各半導体素子１０Ａ，１０Ｂは、ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴであってもよいし、ｐチャネル型であってもよい。
　各半導体素子１０Ａ，１０Ｂは、第１駆動電極の一例であるドレイン電極１１、第２駆動電極の一例であるソース電極１２、及び制御電極の一例であるゲート電極１３を備える。第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３は、第１半導体素子１０Ａに供給される電圧を制御する。第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３は、第２半導体素子１０Ｂに供給される電圧を制御する。図５に示すとおり、本実施形態では、第１半導体素子１０Ａのソース電極１２が第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１に接続されることによって、スイッチング回路２が構成されている。すなわち、第１半導体素子１０Ａはスイッチング回路２の上側アームを構成し、第２半導体素子１０Ｂはスイッチング回路２の下側アームを構成している。
　半導体装置１Ａは、第１半導体素子１０Ａの短絡を検出するための第１短絡検出回路３Ａと、第２半導体素子１０Ｂの短絡を検出するための第２短絡検出回路３Ｂとを備える。第１短絡検出回路３Ａ及び第２短絡検出回路３Ｂはそれぞれ、後段の短絡保護回路（図示略）を構成する際の一部分を構成する。短絡保護回路は、各半導体素子１０Ａと各半導体素子１０Ｂとの短絡を保護するための回路であり、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ以外の回路部分は、半導体装置１Ａの外部に設けられている。
　より詳細には、半導体装置１Ａは、第１半導体素子１０Ａを保護するための電子部品の一例である第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂと、第２半導体素子１０Ｂを保護するための電子部品の一例である第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂとを含む。これら高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂはそれぞれ、樹脂開口部５０Ｘによって実装される電子部品３０Ｘを構成している。
　第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂは互いに直列に接続されている。第１高耐圧ダイオード３０Ａのカソード電極は第１高耐圧ダイオード３０Ｂのアノード電極に電気的に接続されており、第１高耐圧ダイオード３０Ｂのアノード電極は第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１に電気的に接続されている。これにより、第１短絡検出回路３Ａが構成されている。
　第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂは互いに直列に接続されている。第２高耐圧ダイオード３１Ａのカソード電極は第２高耐圧ダイオード３１Ｂのアノード電極に電気的に接続されており、第２高耐圧ダイオード３１Ｂのアノード電極は第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１に電気的に接続されている。これにより、第２短絡検出回路３Ｂが構成されている。
　また、半導体装置１Ａは、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３の電圧Ｖｇｓに掛かるサージを低減する第１サージ低減回路４Ａと、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３の電圧Ｖｇｓに掛かるサージを低減する第２サージ低減回路４Ｂとを備える。より詳細には、半導体装置１Ａは、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に印加される電圧Ｖｇｓに掛かるサージを低減するための電子部品の一例である第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂと、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に印加される電圧Ｖｇｓに掛かるサージを低減するための電子部品の一例である第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂとを含む。本実施形態では、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂには、ショットキーバリアダイオードが用いられている。これら低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及びコンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂはそれぞれ、樹脂開口部５０Ｘによって実装される電子部品３０Ｘを構成している。
　第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂは互いに直列に接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ｂのカソード電極は第１低耐圧ダイオード３２Ａのアノード電極に電気的に接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ａのアノード電極と第１低耐圧ダイオード３２Ｂのカソード電極との間のノードＮ２は、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に接続されている。
　第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは互いに直列に接続されており、かつ第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂと並列に接続されている。第１コンデンサ３３Ａの第１端子は第１低耐圧ダイオード３２Ａのカソード電極に電気的に接続されており、第１コンデンサ３３Ａの第２端子は第１コンデンサ３３Ｂの第１端子に接続されている。第１コンデンサ３３Ｂの第２端子は、第１低耐圧ダイオード３２Ｂのアノード電極に接続されている。第１コンデンサ３３Ａの第２端子と第１コンデンサ３３Ｂの第１端子との間のノードＮ３は、第１半導体素子１０Ａのソース電極１２に電気的に接続されている。このように、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂが接続されることによって、第１サージ低減回路４Ａが構成されている。
　第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂは互いに直列に接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ｂのカソード電極は第２低耐圧ダイオード３４Ａのアノード電極に電気的に接続されており、第２低耐圧ダイオード３４Ａのアノード電極と第２低耐圧ダイオード３４Ｂのカソード電極との間のノードＮ４は、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に接続されている。
　第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは互いに直列に接続されており、かつ第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂに並列に接続されている。第２コンデンサ３５Ａの第１端子は第２低耐圧ダイオード３４Ａのカソード電極に電気的に接続されており、第２コンデンサ３５Ａの第２端子は第２コンデンサ３５Ｂの第１端子に接続されている。第２コンデンサ３５Ｂの第２端子は、第２低耐圧ダイオード３４Ｂのアノード電極に接続されている。第２コンデンサ３５Ａの第２端子と第２コンデンサ３５Ｂの第１端子との間のノードＮ５は、第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２に電気的に接続されている。このように、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂが接続されることによって、第２サージ低減回路４Ｂが構成されている。
　複数の端子２０は、第１電力端子２１Ａ、第２電力端子２１Ｂ、出力端子２２、第１制御端子２３Ａ、第２制御端子２３Ｂ、第１ソース端子２４Ａ、第２ソース端子２４Ｂ、第１制御電力端子２５Ａ、第１制御電力端子２５Ｂ、第２制御電力端子２５Ｃ、第２制御電力端子２５Ｄ、第１短絡検出端子２６Ａ、及び第２短絡検出端子２６Ｂを有する。第１短絡検出端子２６Ａ及び第２短絡検出端子２６Ｂは、いわゆる負荷短絡を検出するＤＥＳＡＴ制御電力端子である。
　第１電力端子２１Ａは、第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１に電気的に接続されている。第２電力端子２１Ｂは、第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２に電気的に接続されている。出力端子２２は、第１半導体素子１０Ａのソース電極１２と第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１との間のノードＮ１に電気的に接続されている。
　第１制御端子２３Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ａのアノード電極と第１低耐圧ダイオード３２Ｂのカソード電極との間のノードＮ２に電気的に接続されており、ノードＮ２を介して第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３と電気的に接続されている。
　第１ソース端子２４Ａは、第１コンデンサ３３Ａの第２端子と第１コンデンサ３３Ｂの第１端子との間のノードＮ３に電気的に接続されており、ノードＮ３を介して第１半導体素子１０Ａのソース電極１２に電気的に接続されている。
　第１制御電力端子２５Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ａのカソード電極と第１コンデンサ３３Ａの第１端子のそれぞれに電気的に接続されている。第１制御電力端子２５Ｂは、第１低耐圧ダイオード３２Ｂのアノード電極と第１コンデンサ３３Ｂの第２端子のそれぞれに電気的に接続されている。このように、第１サージ低減回路４Ａは、第１制御電力端子２５Ａと第１制御電力端子２５Ｂに電気的に接続されている。
　第２制御電力端子２５Ｃは、第２低耐圧ダイオード３４Ａのカソード電極と第２コンデンサ３５Ａの第１端子のそれぞれに電気的に接続されている。第２制御電力端子２５Ｄは、第２低耐圧ダイオード３４Ｂのアノード電極と第２コンデンサ３５Ｂの第２端子のそれぞれに電気的に接続されている。このように、第２サージ低減回路４Ｂは、第２制御電力端子２５Ｃと第２制御電力端子２５Ｄに電気的に接続されている。
　第１短絡検出端子２６Ａは、第１高耐圧ダイオード３０Ａのアノード電極に電気的に接続されている。すなわち第１短絡検出端子２６Ａは、第１短絡検出回路３Ａを介して第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１に電気的に接続されている。第２短絡検出端子２６Ｂは、第２高耐圧ダイオード３１Ａのアノード電極に電気的に接続されている。すなわち第２短絡検出端子２６Ｂは、第２短絡検出回路３Ｂを介して第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１に電気的に接続されている。
　（半導体装置の構成）
　半導体装置１Ａには、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂ、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂが上述の電子部品３０Ｘとして実装される。なお、半導体装置１Ａとしては、上述した電子部品のうちの少なくとも１つの電子部品が既に実装されている場合もある。
　次に、半導体装置１Ａの詳細な構成について説明する。なお、図１、図２、図６、及び図７Ａでは、既に電子部品が実装されている半導体装置１Ａを示している。
　図１～図４、図６、及び、図７Ａに示すように、半導体装置１Ａは、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを支持する支持基板４０と、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを封止する樹脂部材５０とを備える。本実施形態では、支持基板４０と樹脂部材５０とによってパッケージが構成されている。以降の説明において、説明の便宜上、互いに直交する方向を、横方向Ｘ、縦方向Ｙ、及び厚さ方向Ｚと定義する。厚さ方向Ｚは、支持基板４０の厚さ方向であって、支持基板４０と樹脂部材５０とが配列される方向である。横方向Ｘは、例えば半導体装置１Ａにおいて、後述する第１入力リード８１及び第２入力リード８２と、出力リード８３とが配列される方向を示す。縦方向Ｙは、半導体装置１Ａを厚さ方向Ｚからみて（以下、「平面視」という）、横方向Ｘと直交する方向を示す。
　図１～図４に示すように、樹脂部材５０は、略平板状に形成されている。図１に示すように、平面視における樹脂部材５０の形状は、矩形状である。本実施形態では、平面視における樹脂部材５０の形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。なお、平面視における樹脂部材５０の形状は任意に変更可能である。例えば平面視における樹脂部材５０の形状は正方形であってもよい。また、樹脂部材５０を構成する材料としては、熱硬化性樹脂が用いられている。本実施形態では、樹脂部材５０を構成する材料として、黒色のエポキシ樹脂が用いられている。
　樹脂部材５０は、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く樹脂天面５５及び樹脂裏面５６と、樹脂天面５５と樹脂裏面５６との厚さ方向Ｚの間に形成され、樹脂天面５５及び樹脂裏面５６と交差する面である第１樹脂側面５１、第２樹脂側面５２、第３樹脂側面５３、及び第４樹脂側面５４とを有する。本実施形態では、第１樹脂側面５１及び第２樹脂側面５２は、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向いている。平面視において、第１樹脂側面５１及び第２樹脂側面５２はそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。第３樹脂側面５３及び第４樹脂側面５４は、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向いている。平面視において、第３樹脂側面５３及び第４樹脂側面５４はそれぞれ、横方向Ｘに沿って延びている。本実施形態では、平面視において、第１樹脂側面５１及び第２樹脂側面５２は樹脂部材５０の短辺となり、第３樹脂側面５３及び第４樹脂側面５４は樹脂部材５０の長辺となる。
　図３及び図４に示すように、樹脂部材５０のうちの樹脂裏面５６寄りの部分には、樹脂裏面５６から厚さ方向Ｚに凹む溝５７Ａ，５７Ｂが形成されている。溝５７Ａは、横方向Ｘにおいて樹脂部材５０のうちの第１樹脂側面５１寄りの端部に設けられている。溝５７Ａは、横方向Ｘに互いに離間して複数個（本実施形態では３個）設けられている。溝５７Ｂは、横方向Ｘにおいて樹脂部材５０のうちの第２樹脂側面５２寄りの端部に設けられている。溝５７Ｂは、横方向Ｘに互いに離間して複数個（本実施形態では３個）設けられている。溝５７Ａ，５７Ｂはそれぞれ、縦方向Ｙに沿って延びている。一例では、溝５７Ａ，５７Ｂは、樹脂部材５０の第３樹脂側面５３から第４樹脂側面５４までにわたり形成されている。なお、溝５７Ａ，５７Ｂの個数はそれぞれ任意に変更可能である。また、樹脂部材５０から溝５７Ａ，５７Ｂの少なくとも一方を省略してもよい。
　支持基板４０は、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂに電気的に接続される導電経路を構成するとともに各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを支持している。支持基板４０は、第１絶縁基板４１Ａ、第２絶縁基板４１Ｂ、第１導電部材４２Ａ、及び第２導電部材４２Ｂを備える。支持基板４０は、厚さ方向Ｚにおいて、各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂ及び各導電部材４２Ａ，４２Ｂがこの順に積層された構成である。
　各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂは、電気的絶縁性を有する。各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂは、例えば熱伝導性に優れたセラミックスである。このようなセラミックスとしては、例えばＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）などが挙げられる。本実施形態では、平面視における各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１絶縁基板４１Ａの横方向Ｘの長さは、第２絶縁基板４１Ｂの横方向Ｘの長さよりも短い。第１絶縁基板４１Ａの縦方向Ｙの長さは、第２絶縁基板４１Ｂの縦方向Ｙの長さと等しい。第１絶縁基板４１Ａの厚さ（厚さ方向Ｚにおける第１絶縁基板４１Ａの寸法）は、第２絶縁基板４１Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚにおける第２絶縁基板４１Ｂの寸法）と等しい。図１１Ａに示すように、第１絶縁基板４１Ａは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く基板主面４１ｓａ及び基板裏面４１ｒａを有する。第２絶縁基板４１Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く基板主面４１ｓｂ及び基板裏面４１ｒｂを有する。第１絶縁基板４１Ａ及び第２絶縁基板４１Ｂは、横方向Ｘに間隔をあけて配列されている。第１絶縁基板４１Ａの基板主面４１ｓａには、第１導電部材４２Ａが配置されている。第２絶縁基板４１Ｂの基板主面４１ｓｂには第２導電部材４２Ｂが配置されている。第１導電部材４２Ａ及び第２導電部材４２Ｂは、厚さ方向Ｚと直交する第１方向に離間した状態で配置されている。本実施形態では、第１導電部材４２Ａ及び第２導電部材４２Ｂは、縦方向Ｙに間隔をあけて配置されている。各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂの基板主面４１ｓａ，４１ｓｂは、各導電部材４２Ａ，４２Ｂとともに樹脂部材５０によって封止されている。一方、図３に示すように、各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂの基板裏面４１ｒａ，４１ｒｂは、樹脂部材５０から露出している。各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂの基板裏面４１ｒａ，４１ｒｂには、例えば図示しないヒートシンクなどが接続される。各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂの基板裏面４１ｒａ，４１ｒｂは、横方向Ｘにおいて樹脂部材５０の溝５７Ａと溝５７Ｂとの間に配置されている。
　第１導電部材４２Ａ及び第２導電部材４２Ｂはそれぞれ、金属板である。金属板の構成材料は、Ｃｕ（銅）又はＣｕ合金である。各導電部材４２Ａ，４２Ｂは、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂとの導電経路を構成している。各導電部材４２Ａ，４２Ｂは、例えば銀ペースト、半田などの接合材によって各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂの基板主面４１ｓａ，４１ｓｂに接合されている。なお、接合材は、銀ペーストや半田などの導電性材料であってもよいし、電気的絶縁性材料であってもよい。また、各導電部材４２Ａ，４２Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）は、各絶縁基板４１Ａ，４１Ｂの厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）よりも厚く、例えば０．４ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である。なお、各導電部材４２Ａ，４２Ｂの表面は、銀めっきで覆われていてもよい。
　平面視における第１導電部材４２Ａの形状及び第２導電部材４２Ｂの形状はそれぞれ、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。平面視における第１導電部材４２Ａの形状及び第２導電部材４２Ｂの形状は互いに異なる。詳述すると、第１導電部材４２Ａの横方向Ｘの長さは、第２導電部材４２Ｂの横方向Ｘの長さよりも小さい。第１導電部材４２Ａの縦方向Ｙの長さは、第２導電部材４２Ｂの縦方向Ｙの長さと等しい。
　図１１Ａに示すように、第１導電部材４２Ａは、横方向Ｘにおいて第２導電部材４２Ｂよりも樹脂部材５０の第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第１導電部材４２Ａは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面４２ｓａ及び裏面４２ｒａを有する。主面４２ｓａは、厚さ方向Ｚにおいて第１絶縁基板４１Ａの基板主面４１ｓａと同じ方向を向いている。裏面４２ｒａは、厚さ方向Ｚにおいて第１絶縁基板４１Ａの基板裏面４１ｒａと同じ方向を向いている。裏面４２ｒａは、接合材を介して第１絶縁基板４１Ａの基板主面４１ｓａに接続されている。本実施形態では、図６及び図７Ａに示すように、主面４２ｓａには、３個の第１半導体素子１０Ａが実装されている。３個の第１半導体素子１０Ａは、横方向Ｘにおいて第１導電部材４２Ａの中央部に配置されている。３個の第１半導体素子１０Ａは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。
　図１１Ａに示すように、第２導電部材４２Ｂは、横方向Ｘにおいて第１導電部材４２Ａよりも樹脂部材５０の第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第２導電部材４２Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く主面４２ｓｂ及び裏面４２ｒｂを有する。主面４２ｓｂは、厚さ方向Ｚにおいて第２絶縁基板４１Ｂの基板主面４１ｓｂと同じ方向を向いている。裏面４２ｒｂは、厚さ方向Ｚにおいて第２絶縁基板４１Ｂの基板裏面４１ｒｂと同じ方向を向いている。裏面４２ｒｂは、接合材を介して第２絶縁基板４１Ｂの基板主面４１ｓｂに接続されている。本実施形態では、図６及び図７Ａに示すように、主面４２ｓｂには、３個の第２半導体素子１０Ｂが実装されている。３個の第２半導体素子１０Ｂは、横方向Ｘにおいて第２導電部材４２Ｂの中央部に配置されている。３個の第２半導体素子１０Ｂは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。横方向Ｘからみて、３個の第２半導体素子１０Ｂはそれぞれ、３個の第１半導体素子１０Ａと重ならないようにずれて配置されている。３個の第２半導体素子１０Ｂ及び３個の第１半導体素子１０Ａは、縦方向Ｙにおいて交互に配置されている。
　第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂは互いに同一の構成である。このため、以下では、第１半導体素子１０Ａの構成について説明し、第２半導体素子１０Ｂについては、第１半導体素子１０Ａと同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
　第１半導体素子１０Ａは、平板状に形成されている。図７Ａに示すように、平面視における第１半導体素子１０Ａの形状は、正方形である。なお、平面視における各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの形状はそれぞれ任意に変更可能である。例えば、平面視における各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの形状は、横方向Ｘ及び縦方向Ｙの一方が長辺方向となり、横方向Ｘ及び縦方向Ｙの他方が短辺方向となる矩形状であってもよい。
　図１１Ｂに示すように、第１半導体素子１０Ａは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く素子主面１０ｓ及び素子裏面１０ｒを有する。図７Ｂ及び図１１Ｂに示すように、素子主面１０ｓには、ソース電極１２とゲート電極１３とが設けられ、素子裏面１０ｒにはドレイン電極１１が設けられている。ゲート電極１３には、第１半導体素子１０Ａを駆動させるためのゲート電圧が印加される。第１半導体素子１０Ａは、ゲート電圧が予め設定されたしきい値以上になると、ドレイン電極１１にドレイン電流が流れ、ソース電極１２にソース電流が流れる。
　図７Ｂに示すように、平面視において、ソース電極１２が形成される領域は、ゲート電極１３が形成される領域よりも大きい。ソース電極１２は、素子主面１０ｓの大部分にわたり形成されている。ゲート電極１３は、ソース電極１２に形成された凹部１２ａ内に配置されている。図１１Ｂに示すように、ドレイン電極１１は、素子裏面１０ｒの全体にわたり形成されている。
　図７Ｂに示すように、ソース電極１２及びゲート電極１３上には、絶縁膜１６が設けられている。絶縁膜１６は、電気的絶縁性を有する。平面視において、絶縁膜１６は、ソース電極１２及びゲート電極１３を取り囲んでいる。絶縁膜１６は、例えばＳｉＯ２（二酸化シリコン）層、ＳｉＮ４（窒化シリコン）層、及びポリベンゾオキサゾール層が、素子主面１０ｓからこの順番で積層されたものである。なお、絶縁膜１６は、ポリベンゾオキサゾール層に代えて、ポリイミド層であってもよい。
　図１～図４、図６、図７Ａ、図８、及び図１０に示すように、半導体装置１Ａは、図５の複数の端子２０を構成する複数のリード８０を備える。複数のリード８０は、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂ、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂ、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂと電気的に接続されている。
　複数のリード８０は、第１入力リード８１、第２入力リード８２、出力リード８３、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄ、第１短絡検出用リード８７Ａ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂを有する。
　第１電力端子２１Ａは第１入力リード８１によって構成され、第２電力端子２１Ｂは第２入力リード８２によって構成されている。出力端子２２は出力リード８３によって構成されている。第１制御端子２３Ａは第１制御用リード８４Ａによって構成され、第２制御端子２３Ｂは第２制御用リード８４Ｂによって構成されている。第１ソース端子２４Ａは第１制御用リード８５Ａによって構成され、第２ソース端子２４Ｂは第２制御用リード８５Ｂによって構成されている。第１制御電力端子２５Ａは第１制御電源用リード８６Ａによって構成され、第１制御電力端子２５Ｂは第１制御電源用リード８６Ｂによって構成され、第２制御電力端子２５Ｃは第２制御電源用リード８６Ｃによって構成され、第２制御電力端子２５Ｄは第２制御電源用リード８６Ｄによって構成されている。第１短絡検出端子２６Ａは第１短絡検出用リード８７Ａによって構成され、第２短絡検出端子２６Ｂは第２短絡検出用リード８７Ｂによって構成されている。
　第１半導体素子１０Ａは、第１入力リード８１、出力リード８３、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａと電気的に接続されている。第２半導体素子１０Ｂは、第２入力リード８２、出力リード８３、第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂと電気的に接続されている。
　各入力リード８１，８２は第１導電部材４２Ａによって支持され、出力リード８３は第２導電部材４２Ｂによって支持されている。一方、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂは、各導電部材４２Ａ，４２Ｂの外部に配置されているため、各導電部材４２Ａ，４２Ｂによって支持されていない。
　図１～図４に示すように、各入力リード８１，８２はそれぞれ、樹脂部材５０の第１樹脂側面５１から突出している。出力リード８３は、樹脂部材５０の第２樹脂側面５２から突出している。
　各入力リード８１，８２はそれぞれ、金属板から形成されている。金属板の構成材料は、例えばＣｕ（銅）又はＣｕ合金である。本実施形態では、各入力リード８１，８２の厚さ（厚さ方向Ｚの寸法）は、０．８ｍｍであるが、これに限られない。各入力リード８１，８２はそれぞれ、樹脂部材５０の第１樹脂側面５１寄りとなるように配置されている。各入力リード８１，８２にはそれぞれ、例えば電源電圧が印加される。本実施形態では、第１入力リード８１に第１電源電圧が印加され、第２入力リード８２に第１電源電圧よりも低い第２電源電圧が印加される。厚さ方向Ｚにおいて第１入力リード８１と第２入力リード８２とは互いに重なる位置に配置されている。また厚さ方向Ｚにおいて第１入力リード８１と第２入力リード８２とは、離間して配置されている。
　出力リード８３は、金属板である。金属板の構成材料は、例えばＣｕ又はＣｕ合金である。出力リード８３は、樹脂部材５０の第２樹脂側面５２寄りに配置されている。各半導体素子１０Ａ，１０Ｂによって電力変換された交流電力（電圧）は、出力リード８３から出力される。
　本実施形態では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ，８６Ｃ，８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂはそれぞれ、樹脂部材５０の第３樹脂側面５３から突出している。なお、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ，８６Ｃ，８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂのそれぞれが樹脂部材５０の樹脂側面から突出する位置は任意に変更可能である。例えば、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ，８６Ｃ，８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂの一部が樹脂部材５０の第３樹脂側面５３から突出し、残りが第４樹脂側面５４から突出してもよい。
　各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ，８６Ｃ，８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂは、横方向Ｘに沿って配列されている。より詳細には、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａは、支持基板４０の第１導電部材４２Ａの縦方向Ｙの隣に位置している。第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂは、支持基板４０の第２導電部材４２Ｂの縦方向Ｙの隣に位置している。第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａからなる一群の第１リードと、第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂからなる一群の第２リードとの横方向Ｘの間隔は、一群の第１リードにおける第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａのうちの横方向Ｘに隣り合うリードの間隔、及び一群の第２リードにおける第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂのうちの横方向Ｘに隣り合うリードの間隔よりも大きい。また、本実施形態では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ，８６Ｃ，８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂは、同一のリードフレームから形成されている。このリードフレームを構成する材料は、Ｃｕ（銅）又はＡｌ（アルミニウム）である。本実施形態では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ，８６Ｃ，８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂの形状は、互いに同じである。
　一群の第１リードは、平面視において、横方向Ｘにおいて各入力リード８１，８２から出力リード８３に向かうにつれて、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、第１制御用リード８４Ａ、及び第１短絡検出用リード８７Ａの順に配列されている。一群の第２リードは、平面視において、横方向Ｘにおいて各入力リード８１，８２から出力リード８３に向かうにつれて、第２短絡検出用リード８７Ｂ、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御用リード８５Ｂ、及び第２制御電源用リード８６Ｃの順に配列されている。以下、一群の第１リード及び第２リードの各リードの構成について説明する。
　第１制御用リード８４Ａには、複数の第１半導体素子１０Ａを駆動させるためのゲート電圧が印加される。第２制御用リード８４Ｂには、複数の第２半導体素子１０Ｂを駆動させるためのゲート電圧が印加される。第１制御用リード８５Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａのソース電極１２と電気的に接続されている。第１制御用リード８５Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａのソース電極１２の電圧を検出するためのリードである。第２制御用リード８５Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２と電気的に接続されている。第２制御用リード８５Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２の電圧を検出するためのリードである。第１制御電源用リード８６Ａには、図示しない第１制御電源の第１制御電圧ＶＡ１が印加される。第１制御電源用リード８６Ｂには、第１制御電源における第１制御電圧ＶＡ１よりも低い第１制御電圧ＶＢ１が印加される。第２制御電源用リード８６Ｃには、図示しない第２制御電源の第２制御電圧ＶＡ２が印加される。第２制御電源用リード８６Ｄには、第２制御電源における第２制御電圧ＶＡ２よりも低い第２制御電圧ＶＢ２が印加される。なお、第１制御電源と第２制御電源とは互いに絶縁されている。第１短絡検出用リード８７Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１と電気的に接続されている。第１短絡検出用リード８７Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１の非飽和状態を検出するためのリードである。第２短絡検出用リード８７Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と電気的に接続されている。第２短絡検出用リード８７Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１の非飽和状態を検出するためのリードである。
　各制御用リード８４Ａ，８４Ｂは、パッド部８４ｐ及び端子部８４ｔを有する。本実施形態では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂは、パッド部８４ｐ及び端子部８４ｔが一体形成された単一部品である。各制御用リード８５Ａ，８５Ｂは、パッド部８５ｐ及び端子部８５ｔを有する。本実施形態では、各制御用リード８５Ａ，８５Ｂは、パッド部８５ｐ及び端子部８５ｔが一体形成された単一部品である。各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄは、パッド部８６ｐ及び端子部８６ｔを有する。本実施形態では、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄはパッド部８６ｐ及び端子部８６ｔが一体形成された単一部品である。各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂは、パッド部８７ｐ及び端子部８７ｔを有する。本実施形態では、各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂは、パッド部８７ｐ及び端子部８７ｔが一体形成された単一部品である。
　各パッド部８４ｐ，８５ｐ，８６ｐ，８７ｐは、樹脂部材５０によって覆われている。これにより、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂはそれぞれ、樹脂部材５０によって支持されている。なお、各パッド部８４ｐ，８５ｐ，８６ｐ，８７ｐの表面には、例えば銀めっきが施されてもよい。各パッド部８４ｐ，８５ｐ，８６ｐ，８７ｐには、貫通孔８４ｈ，８５ｈ，８６ｈ，８７ｈが設けられている。貫通孔８４ｈ，８５ｈ，８６ｈ，８７ｈは、厚さ方向Ｚにおいてパッド部８４ｐ，８５ｐ，８６ｐ，８７ｐを貫通している。貫通孔８４ｈ，８５ｈ，８６ｈ，８７ｈにはそれぞれ、樹脂部材５０の一部が入り込んでいる。これにより、樹脂部材５０と、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂとが分離し難くなる。
　各端子部８４ｔ，８５ｔ，８６ｔ，８７ｔは、樹脂部材５０の第３樹脂側面５３から突出している。このように、第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔによって第１制御端子２３Ａ（図５参照）が構成され、第２制御用リード８４Ｂの端子部８４ｔによって第２制御端子２３Ｂ（図５参照）が構成されている。第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔによって第１ソース端子２４Ａ（図５参照）が構成され、第２制御用リード８５Ｂの端子部８５ｔによって第２ソース端子２４Ｂ（図５参照）が構成されている。第１制御電源用リード８６Ａの端子部８６ｔによって第１制御電力端子２５Ａ（図５参照）が構成され、第１制御電源用リード８６Ｂの端子部８６ｔによって第１制御電力端子２５Ｂ（図５参照）が構成され、第２制御電源用リード８６Ｃの端子部８６ｔによって第２制御電力端子２５Ｃ（図５参照）が構成され、第２制御電源用リード８６Ｄの端子部８６ｔによって第２制御電力端子２５Ｄ（図５参照）が構成されている。第１短絡検出用リード８７Ａの端子部８７ｔによって第１短絡検出端子２６Ａ（図５参照）が構成され、第２短絡検出用リード８７Ｂの端子部８７ｔによって第２短絡検出端子２６Ｂ（図５参照）が構成されている。
　図６及び図１１Ａに示すように、第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ及び第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂには、導電体の一例である導通基板６０が搭載されている。すなわち、導通基板６０は、第１導電部材４２Ａと第２導電部材４２Ｂとの間の隙間を跨るように、第１導電部材４２Ａ及び第２導電部材４２Ｂにわたり配置されている。導通基板６０は、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂと複数のリード８０とを電気的に接続するための基板である。すなわち、導通基板６０は、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂと複数のリード８０との間の導電経路を構成している。導通基板６０は、多層基板からなる。導通基板６０は、電気絶縁性を有する樹脂材料の基板と、基板に設けられた金属箔とを有する。基板を構成する材料としては、例えばガラスエポキシ樹脂が用いられる。金属箔を構成する材料としては、例えば銅箔が用いられる。なお、金属箔を構成する材料として、Ａｇ（銀）ペーストを用いてもよい。なお、基板を構成する材料として、Ｓｉ（シリコン）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）、ＡｌＮ、プリプレグ等が用いられてもよい。
　導通基板６０は、第１半導体素子１０Ａを収容するような複数（本実施形態では３個）の第１基板開口部６１Ａ及び第１基板凹部６１Ｃと、第２半導体素子１０Ｂを収容するような複数（本実施形態では３個）の第２基板開口部６１Ｂとを有する。各基板開口部６１Ａ，６１Ｂ及び第１基板凹部６１Ｃは、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの個数に応じて設けられている。各基板開口部６１Ａ，６１Ｂはそれぞれ、厚さ方向Ｚにおいて導通基板６０を貫通している。第１基板凹部６１Ｃは、複数の第１基板開口部６１Ａのうちの縦方向Ｙにおいて最も樹脂部材５０の第４樹脂側面５４寄りの第１基板開口部６１Ａに設けられている。第１基板凹部６１Ｃは、第４樹脂側面５４側が開口する凹状に形成されている。第１基板開口部６１Ａ及び第２基板開口部６１Ｂはそれぞれ、導通基板６０を厚さ方向Ｚに貫通する貫通孔である。また、導通基板６０には、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂ、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂがそれぞれ実装されている。
　各入力リード８１，８２及び出力リード８３は、導通基板６０と一体化されている。図１１Ａに示すように、第１入力リード８１は、第１導電部材４２Ａと導通基板６０とによって挟み込まれている。第２入力リード８２は、導通基板６０によって挟み込まれている。出力リード８３は、第２導電部材４２Ｂと導通基板６０とによって挟み込まれている。
　次に、導通基板６０、各入力リード８１，８２、及び出力リード８３のそれぞれの詳細な構成について説明する。
　図１２に示すように、本実施形態の導通基板６０は、第１層基板６０Ａ、第２層基板６０Ｂ、第３層基板６０Ｃ、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅ、及び第５層基板６０Ｆ，６０Ｇの５層の基板が厚さ方向Ｚに積層された多層基板である。導通基板６０は、各導電部材４２Ａ，４２Ｂに対して第１層基板６０Ａ、第２層基板６０Ｂ、第３層基板６０Ｃ、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅ、及び第５層基板６０Ｆ，６０Ｇの順で積層されている。第４層基板６０Ｄと第４層基板６０Ｅとは、横方向Ｘにおいて間隔をあけて配置されている。第５層基板６０Ｆと第５層基板６０Ｇとは、横方向Ｘにおいて間隔をあけて配置されている。
　第１層基板６０Ａには、第１入力リード８１及び出力リード８３が取り付けられている。
　図１１Ａに示すように、第１入力リード８１は、支持基板４０の第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａに例えば半田や銀ペースト等の導電性接合材によって接合されている。図４に示すように、第１入力リード８１は、第１層基板６０Ａから横方向Ｘに突出する突出部８１ａを有する。平面視における突出部８１ａの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。突出部８１ａは、樹脂部材５０の内部に位置する中間部８１ｂと、樹脂部材５０の第１樹脂側面５１から突出する端子部８１ｃとに区分できる。端子部８１ｃは、第１電力端子２１Ａ（図５参照）を構成している。
　図１１Ａに示すように、出力リード８３は、支持基板４０の第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに例えば半田や銀ペースト等の導電性接合材によって接合されている。図４に示すように、出力リード８３は、第１層基板６０Ａから横方向Ｘに突出する突出部８３ａを有する。平面視における突出部８３ａの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。突出部８３ａは、樹脂部材５０の内部に位置する中間部８３ｂと、樹脂部材５０の第２樹脂側面５２から突出する端子部８３ｃとに区分できる。端子部８３ｃは、出力端子２２（図５参照）を構成している。
　図６及び図７Ａに示すように、横方向Ｘにおいて出力リード８３のうちの突出部８３ａとは反対側の端部には、導通基板６０から露出する複数（本実施形態では３個）の露出部８３ｄが設けられている。複数の露出部８３ｄは、横方向Ｘにおいて揃った状態で縦方向Ｙにおいて離間して配列されている。平面視において、各露出部８３ｄは、第１導電部材４２Ａと第２導電部材４２Ｂとの横方向Ｘの間に位置している。厚さ方向Ｚからみて、露出部８３ｄは、その一部が横方向Ｘにおける第２導電部材４２Ｂの第１導電部材４２Ａ寄りの端部と重なるように配置されている。また、各露出部８３ｄは、第１導電部材４２Ａに対して横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。平面視における各露出部８３ｄの形状は、正方形である。
　なお、平面視における各露出部８３ｄの形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における各露出部８３ｄの形状は、横方向Ｘ及び縦方向Ｙの一方が長辺方向となり、横方向Ｘ及び縦方向Ｙの他方が短辺方向となる矩形状である。
　図１２に示すように、第２層基板６０Ｂは、第１入力リード８１及び出力リード８３を第３層基板６０Ｃから電気的に絶縁するための基板である。第２層基板６０Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて第１入力リード８１の突出部８１ａ及び第１入力リード８１のうちの第１層基板６０Ａに取り付けられた部分をそれぞれ覆っている。また第２層基板６０Ｂは、厚さ方向Ｚにおいて出力リード８３のうちの第１層基板６０Ａに取り付けられた部分を覆っている。
　第３層基板６０Ｃには、第２入力リード８２が取り付けられている。第２入力リード８２は、第２層基板６０Ｂによって第１入力リード８１に対して電気的に絶縁されている。第２入力リード８２は、第３層基板６０Ｃから横方向Ｘに突出する突出部８２ａを有する。平面視における突出部８２ａの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。本実施形態では、平面視における突出部８２ａの形状が第１入力リード８１の平面視における突出部８１ａの形状と同じである。突出部８２ａは、樹脂部材５０の内部に位置する中間部８２ｂと、樹脂部材５０の第１樹脂側面５１から突出する端子部８２ｃとに区分できる。端子部８２ｃは、第２電力端子２１Ｂ（図５参照）を構成している。
　図７Ａに示すように、横方向Ｘにおいて第２入力リード８２のうちの突出部８２ａとは反対側の端部には、導通基板６０から露出する複数（本実施形態では３個）の露出部８２ｄが設けられている。平面視において、各露出部８２ｄは、第１導電部材４２Ａと第２導電部材４２Ｂとの横方向Ｘの間に位置している。厚さ方向Ｚからみて、露出部８２ｄは、その一部が横方向Ｘにおける第２導電部材４２Ｂの第１導電部材４２Ａ寄りの端部と重なるように配置されている。また、各露出部８２ｄは、第１導電部材４２Ａに対して横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。平面視における各露出部８２ｄの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。各露出部８２ｄの横方向Ｘの長さは、出力リード８３の露出部８３ｄの横方向Ｘの長さよりも長い。各露出部８２ｄの縦方向Ｙの長さは、露出部８３ｄの縦方向Ｙの長さよりも短い。複数の露出部８２ｄは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙにおいて離間して配列されている。縦方向Ｙからみて、各露出部８２ｄは、出力リード８３の各露出部８３ｄと重なるように配置されている。縦方向Ｙにおいて、複数の露出部８２ｄは、複数の露出部８３ｄと交互に配置されている。
　図１２に示すように、第４層基板６０Ｄは、第２入力リード８２を第５層基板６０Ｆから電気的に絶縁するための基板である。第４層基板６０Ｄは、第３層基板６０Ｃのうちの第１導電部材４２Ａ寄りの部分に積層されている。換言すると、第４層基板６０Ｄは、その横方向Ｘの大きさが第１～第３層基板６０Ａ～６０Ｃの横方向Ｘの大きさよりも小さく、第２導電部材４２Ｂ寄りには設けられていない。
　第４層基板６０Ｅは、第３層基板６０Ｃのうちの第２導電部材４２Ｂ寄り（出力リード８３寄り）の部分を第５層基板６０Ｇから電気的に絶縁するための基板である。第４層基板６０Ｅは、厚さ方向Ｚにおいて第４層基板６０Ｄと揃った状態で第４層基板６０Ｄに対して横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。第４層基板６０Ｅは、第３層基板６０Ｃのうちの第２導電部材４２Ｂ寄りの部分に積層されている。換言すると、第４層基板６０Ｅは、その横方向Ｘの大きさが第１～第３層基板６０Ａ～６０Ｃの横方向Ｘの大きさよりも小さく、第１導電部材４２Ａ寄りには設けられていない。
　図７Ａに示すように、第５層基板６０Ｆは、導通基板６０の最表層の基板であり、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂがそれぞれ実装される基板である。第５層基板６０Ｆは、第４層基板６０Ｄに積層されている。換言すると、第５層基板６０Ｆは、その横方向Ｘの大きさが第１～第３層基板６０Ａ～６０Ｃの横方向Ｘの大きさよりも小さく、第２導電部材４２Ｂ寄りには設けられていない。第５層基板６０Ｆは、図５に示す第１短絡検出回路３Ａ及び第１サージ低減回路４Ａを構成している。
　第５層基板６０Ｆは、導通基板６０の最表層の基板であり、第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ，６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａ、及び第１配線片６７Ａを有する。平面視において、導通基板６０（第５層基板６０Ｆ）は、横方向Ｘにおいて複数の第１半導体素子１０Ａよりも樹脂部材５０の第３樹脂側面５３側に延びる第１配線領域７０Ａを有する。第１配線領域７０Ａは、導通基板６０（第５層基板６０Ｆ）において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域である。
　第１駆動用配線６２Ａ、及び第１制御用配線６３Ａ，６４Ａはそれぞれ、第５層基板６０Ｆの第１配線領域７０Ａ以外の領域から第１配線領域７０Ａまで延びている。第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａ、及び第１配線片６７Ａは、第１配線領域７０Ａに配置されている。第１配線領域７０Ａには、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂがそれぞれ実装されている。このため、第１配線領域７０Ａには、第１短絡検出回路３Ａ及び第１サージ低減回路４Ａが形成されている。すなわち、第５層基板６０Ｆには、複数の第１半導体素子１０Ａに対して縦方向Ｙの一方側（本実施形態では複数の第１半導体素子１０Ａに対して樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄り）に偏って配線領域が形成されている。
　第１駆動用配線６２Ａは、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１（図１１Ｂ参照）に電気的に接続されている。また第１駆動用配線６２Ａは、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを介して第１短絡検出用リード８７Ａと電気的に接続されている。すなわち、第１駆動用配線６２Ａを介して各第１半導体素子１０Ａの短絡が検出される。このように、第１駆動用配線６２Ａは、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１と第１短絡検出用リード８７Ａとを電気的に接続するための配線部である。
　図７Ａ及び図８に示すように、第１駆動用配線６２Ａは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６２ｐａと、第１配線部分６２ｐａから横方向Ｘに延びる複数（本実施形態では２個）の第２配線部分６２ｐｂと、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを接続するための第３配線部分６２ｐｃと、第１高耐圧ダイオード３０Ｂと第１短絡検出用リード８７Ａとを接続するための第４配線部分６２ｐｄとを有する。
　第１配線部分６２ｐａは、横方向Ｘにおいて各第１半導体素子１０Ａよりも第２導電部材４２Ｂ寄りに配置されている。第１配線部分６２ｐａは、横方向Ｘにおいて第５層基板６０Ｆのうちの第２導電部材４２Ｂ（図７Ａ参照）寄りの端部に配置されている。第１配線部分６２ｐａは、横方向Ｘからみて、各第１半導体素子１０Ａと重なるように延びている。第２配線部分６２ｐｂは、縦方向Ｙにおいて隣り合う第１半導体素子１０Ａの間に配置されている。
　図８に示すように、縦方向Ｙにおける第１配線部分６２ｐａのうちの樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄りの端部６２ｐｘは、第１配線領域７０Ａに配置されている。端部６２ｐｘの横方向Ｘの幅は、第１配線部分６２ｐａのうちの端部６２ｐｘ以外の部分の横方向Ｘの幅よりも小さい。第３配線部分６２ｐｃは、縦方向Ｙにおいて端部６２ｐｘと揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。本実施形態では、第３配線部分６２ｐｃの縦方向Ｙの長さは、端部６２ｐｘの縦方向Ｙの長さと等しい。また、第３配線部分６２ｐｃの横方向Ｘの幅は、端部６２ｐｘの横方向Ｘの幅よりも大きい。
　第４配線部分６２ｐｄは、横方向Ｘにおいて第３配線部分６２ｐｃに対して端部６２ｐｘとは反対側に離間して配置される第１部分６２ｐｙと、第１部分６２ｐｙから第１短絡検出用リード８７Ａに向けて延びる第２部分６２ｐｚとを有する。
　第１部分６２ｐｙは、縦方向Ｙに延びている。第１部分６２ｐｙの横方向Ｘの幅は、端部６２ｐｘの横方向Ｘの幅よりも大きい。本実施形態では、第１部分６２ｐｙの横方向Ｘの幅は、第３配線部分６２ｐｃの横方向Ｘの幅と等しい。平面視における第２部分６２ｐｚの形状は、Ｌ字状である。具体的には、第２部分６２ｐｚは、縦方向Ｙにおける第１部分６２ｐｙのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部から第２導電部材４２Ｂ側に向けて横方向Ｘに沿って延びて、第１短絡検出用リード８７Ａと横方向Ｘに揃った位置から第１短絡検出用リード８７Ａに向けて縦方向Ｙに沿って延びている。第２部分６２ｐｚは、横方向Ｘにおいて第１配線部分６２ｐａの端部６２ｐｘよりも樹脂部材５０の第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
　第２部分６２ｐｚのうちの第１短絡検出用リード８７Ａ寄りの端部と、第１短絡検出用リード８７Ａのパッド部８７ｐとは、第１短絡検出用接続部材９７Ａによって接続されている。第１短絡検出用接続部材９７Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第１駆動用配線６２Ａには、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂが実装されている。より詳細には、第１配線部分６２ｐａの端部６２ｐｘと第３配線部分６２ｐｃとには、第１高耐圧ダイオード３０Ａが接続されている。具体的には、第１高耐圧ダイオード３０Ａのカソード電極が端部６２ｐｘに接続され、第１高耐圧ダイオード３０Ａのアノード電極が第３配線部分６２ｐｃに接続されている。また、第３配線部分６２ｐｃと第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙとには、第１高耐圧ダイオード３０Ｂが接続されている。具体的には、第１高耐圧ダイオード３０Ｂのカソード電極が第３配線部分６２ｐｃに接続され、第１高耐圧ダイオード３０Ｂのアノード電極が第１部分６２ｐｙに接続されている。このように、第１配線部分６２ｐａ、第３配線部分６２ｐｃ、及び第４配線部分６２ｐｄによって、第１高耐圧ダイオード３０Ａと第１高耐圧ダイオード３０Ｂとが直列接続されている。
　本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１高耐圧ダイオード３０Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１高耐圧ダイオード３０Ｂが配置されている。加えて、第１高耐圧ダイオード３０Ａと第１高耐圧ダイオード３０Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配置されている。
　図７Ａ及び図７Ｂに示すように、第１制御用配線６３Ａは、各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３と第１制御用リード８４Ａとを電気的に接続するための配線部である。第１制御用配線６３Ａと各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３とは、図７Ｂに示すように、第１制御用接続部材９２Ａによって接続されている。第１制御用接続部材９２Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。図８に示すように、第１制御用配線６３Ａは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６３ｐａと、第１配線部分６３ｐａから縦方向Ｙに向かうにつれて第２導電部材４２Ｂ（図７Ａ参照）側に向けて斜めに延びる第２配線部分６３ｐｂと、第２配線部分６３ｐｂから第１制御用リード８４Ａに向けて延びる第３配線部分６３ｐｃとを有する。
　図７Ａに示すように、第１配線部分６３ｐａは、横方向Ｘにおいて各第１半導体素子１０Ａよりも第１樹脂側面５１寄りに各第１半導体素子１０Ａと隣り合うように配置されている。第１配線部分６３ｐａは、横方向Ｘからみて、各第１半導体素子１０Ａと重なるように延び、かつ、縦方向Ｙにおいて各第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３側まで延びている。図８に示すように、縦方向Ｙにおける第１配線部分６３ｐａのうちの第３樹脂側面５３側の端部は、横方向Ｘからみて、第３配線部分６２ｐｃ及び第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙと重なるように配置されている。
　第２配線部分６３ｐｂ及び第３配線部分６３ｐｃはそれぞれ、第１配線領域７０Ａに配置されている。すなわち、平面視において、第２配線部分６３ｐｂ及び第３配線部分６３ｐｃはそれぞれ、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　第２配線部分６３ｐｂは、横方向Ｘからみて、第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙ及び第２部分６２ｐｚと重なるように配置されている。
　第３配線部分６３ｐｃは、第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。平面視における第３配線部分６３ｐｃの形状は、Ｌ字状である。第３配線部分６３ｐｃは、第２配線部分６２ｐｂから第２導電部材４２Ｂ側に向けて横方向Ｘに沿って延びる第１部分６３ｐｘと、横方向Ｘにおける第１部分６３ｐｘのうちの第２導電部材４２Ｂ側の端部から第１制御用リード８４Ａに向けて縦方向Ｙに沿って延びる第２部分６３ｐｙとを有する。第３配線部分６３ｐｃの幅（平面視において第３配線部分６３ｐｃが延びる方向と直交する方向の寸法）は、第１配線部分６３ｐａの横方向Ｘの幅よりも大きい。第３配線部分６３ｐｃのうちの第１制御用リード８４Ａ側の端部と第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとは、第１制御リード用接続部材９４Ａによって接続されている。第１制御リード用接続部材９４Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　図７Ａに示すように、第１制御用配線６４Ａは、各第１半導体素子１０Ａのソース電極１２と第１制御用リード８５Ａとを接続するための配線部である。第１制御用配線６４Ａは、各第１半導体素子１０Ａのソース電極１２を外部へ引き出し、各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３とソース電極１２との間にゲート電圧を供給するための配線部である。第１制御用配線６４Ａと各第１半導体素子１０Ａのソース電極１２とは、第１制御用接続部材９３Ａによって接続されている。第１制御用接続部材９３Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。図８に示すように、第１制御用配線６４Ａは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６４ｐａと、第１配線部分６４ｐａから縦方向Ｙに向かうにつれて第２導電部材４２Ｂ側に向けて斜めに延びる第２配線部分６４ｐｂと、第２配線部分６４ｐｂから第１制御用リード８５Ａに向けて延びる第３配線部分６４ｐｃとを有する。
　第１配線部分６４ｐａは、横方向Ｘにおいて第１制御用配線６３Ａに対して各第１半導体素子１０Ａとは反対側に配置されている。第１配線部分６４ｐａは、横方向Ｘにおける第５層基板６０Ｆのうちの第１樹脂側面５１側の端部に形成されている。本実施形態では、第１配線部分６４ｐａの縦方向Ｙの長さは、第１制御用配線６３Ａの第１配線部分６３ｐａの縦方向Ｙの長さと等しい（図７Ａ参照）。第２配線部分６４ｐｂは、第１制御用配線６３Ａの第２配線部分６３ｐｂと平行である。第２配線部分６４ｐｂは、横方向Ｘからみて、第２配線部分６３ｐｂと重なるように配置されている。また、第２配線部分６４ｐｂは、縦方向Ｙからみて、第２配線部分６３ｐｂと重なるように配置されている。第３配線部分６４ｐｃは、横方向Ｘにおいて第１制御用リード８５Ａよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第３配線部分６４ｐｃは、第２配線部分６３ｐｂから縦方向Ｙに沿って延びる第１部分６４ｐｘと、第２部分６４ｐｙとを有する。第２部分６４ｐｙは、縦方向Ｙにおいて第１部分６４ｐｘよりも第３樹脂側面５３寄りに位置している。第２部分６４ｐｙの横方向Ｘの幅は、第１部分６４ｐｘの横方向Ｘの幅よりも大きい。第２部分６４ｐｙと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとは、第１制御リード用接続部材９５Ａによって接続されている。第１制御リード用接続部材９５Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第１制御電源用配線６５Ａは、第１制御用配線６３Ａと第１制御用配線６４Ａとの横方向Ｘの間に配置されている。具体的には、第１制御電源用配線６５Ａは、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃの第２部分６３ｐｙと、第１制御用配線６４Ａの第３配線部分６４ｐｃの第２部分６４ｐｙとの横方向Ｘの間に配置されている。縦方向Ｙにおいて第１制御電源用配線６５Ａは、第５層基板６０Ｆのうちの第３樹脂側面５３側の端部に配置されている。第１制御電源用配線６５Ａは、縦方向Ｙに沿って延びている。第１制御電源用配線６５Ａの横方向Ｘの幅は、第１駆動用配線６２Ａにおける第４配線部分６２ｐｄの第２部分６２ｐｚの幅（平面視において第２部分６２ｐｚが延びる方向と直交する方向の寸法）よりも大きい。本実施形態では、第１制御電源用配線６５Ａの横方向Ｘの幅は、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃの幅（平面視において第３配線部分６３ｐｃが延びる方向と直交する方向の寸法）と等しい。第１制御電源用配線６５Ａと第１制御電源用リード８６Ａのパッド部８６ｐとは、第１制御電源用接続部材９６Ａによって接続されている。第１制御電源用接続部材９６Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第１制御電源用配線６６Ａは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６６ｐａと、第１配線部分６６ｐａから離間して設けられており、縦方向Ｙに延びる第２配線部分６６ｐｂと、第１配線部分６６ｐａと第２配線部分６６ｐｂとを接続する第３配線部分６６ｐｃとを有する。第１配線部分６６ｐａは、第５層基板６０Ｆのうちの横方向Ｘにおける第１樹脂側面５１側の端部かつ縦方向Ｙにおける第３樹脂側面５３側の端部に配置されている。第１配線部分６６ｐａは、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃの第１部分６３ｐｘよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。横方向Ｘからみて、第１配線部分６６ｐａは、第１制御用配線６４Ａの第３配線部分６４ｐｃと重なるように配置されている。第１配線部分６６ｐａの縦方向Ｙの長さは、第３配線部分６３ｐｃの第２部分６３ｐｙの縦方向Ｙの長さよりも長い。第１配線部分６６ｐａの横方向Ｘの幅は、第１制御電源用配線６５Ａの横方向Ｘの幅よりも小さい。本実施形態では、第１配線部分６６ｐａの横方向Ｘの幅は、第１駆動用配線６２Ａにおける第４配線部分６２ｐｄの第２部分６２ｐｚの幅（平面視において第２部分６２ｐｚが延びる方向と直交する方向の寸法）と等しい。第１配線部分６６ｐａと第１制御電源用リード８６Ｂとは、第１制御電源用接続部材９６Ｂによって接続されている。第１制御電源用接続部材９６Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第２配線部分６６ｐｂは、横方向Ｘにおいて第１配線部分６６ｐａよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第２配線部分６６ｐｂは、縦方向Ｙにおいて第１配線部分６６ｐａよりも第４樹脂側面５４寄り（第１半導体素子１０Ａ寄り）に配置されている。縦方向Ｙからみて、第２配線部分６６ｐｂは、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃ、第１制御用配線６４Ａの第２部分６４ｐｙ、及び第１制御電源用リード８６Ｂと重なるように配置されている。第２配線部分６６ｐｂは、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃの第１部分６３ｐｘと、第１制御用配線６４Ａの第２配線部分６２ｐｂとの間に配置されている。
　第３配線部分６６ｐｃは、第３層基板６０Ｃ（図６参照）に設けられている。すなわち、第３配線部分６６ｐｃは、平面視において露出していない。第３配線部分６６ｐｃは、第１配線部分６６ｐａに設けられた貫通電極によって第１配線部分６６ｐａと電気的に接続されており、第２配線部分６６ｐｂに設けられた貫通電極によって第２配線部分６６ｐｂと電気的に接続されている。平面視における第３配線部分６６ｐｃの形状は、例えばＬ字状である。なお、平面視における第３配線部分６６ｐｃの形状は、Ｌ字状に限られず、第１樹脂側面５１に向かうにつれて第３樹脂側面５３に向けて斜めに延びる形状であってもよい。
　第１サージ低減回路４Ａを構成する第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１制御用配線６３Ａ，６４Ａ、及び第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａに接続されている。
　第１低耐圧ダイオード３２Ａは、第１制御用配線６３Ａと第１制御電源用配線６５Ａとに接続されている。具体的には、第１低耐圧ダイオード３２Ａのアノード電極は、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃにおける第１制御用リード８４Ａ寄りの部分に接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ａのカソード電極は、第１制御電源用配線６５Ａに接続されている。
　第１低耐圧ダイオード３２Ｂは、第１制御用配線６３Ａと第１制御電源用配線６６Ａとに接続されている。具体的には、第１低耐圧ダイオード３２Ｂのカソード電極は、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃにおける第２配線部分６３ｐｂ側の端部に接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ｂのアノード電極は、第１制御電源用配線６６Ａの第２配線部分６６ｐｂに接続されている。このように、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂは、第１制御電源用配線６６Ａと第１制御電源用配線６５Ａとの間で第１制御用配線６３Ａを介して直列接続されている。
　本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１低耐圧ダイオード３２Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１低耐圧ダイオード３２Ｂが配置されている。加えて、第１低耐圧ダイオード３２Ａと第１低耐圧ダイオード３２Ｂとは、縦方向Ｙにおいて異なる位置に配置されている。縦方向Ｙにおいて、第１低耐圧ダイオード３２Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。横方向Ｘにおいて、第１低耐圧ダイオード３２Ｂは、第１低耐圧ダイオード３２Ａよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
　第１コンデンサ３３Ａは、第１制御電源用配線６５Ａと第１制御用配線６４Ａとに接続されている。具体的には、第１コンデンサ３３Ａの第１端子は、第１制御電源用配線６５Ａに接続されている。第１コンデンサ３３Ａの第２端子は、第１制御用配線６４Ａにおける第２部分６４ｐｙに接続されている。
　第１コンデンサ３３Ｂは、第１制御電源用配線６６Ａと第１制御用配線６４Ａとに接続されている。具体的には、第１コンデンサ３３Ｂの第１端子は、第１制御電源用配線６６Ａの第１配線部分６６ｐａに接続されている。第１コンデンサ３３Ｂの第２端子は、第１制御用配線６４Ａにおける第２部分６４ｐｙに接続されている。このように、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１制御電源用配線６５Ａと第１制御電源用配線６６Ａとの間で第１制御用配線６４Ａを介して直列接続されている。
　本実施形態では、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１コンデンサ３３Ａが配置されている。また、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１コンデンサ３３Ｂが配置されている。加えて、第１コンデンサ３３Ａと第１コンデンサ３３Ｂとは、縦方向Ｙにおいて互いに重なった状態で横方向Ｘに離間して配列されている。また横方向Ｘからみて、各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１低耐圧ダイオード３２Ａと重なるように配置されている。また縦方向Ｙからみて、第１コンデンサ３３Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ｂと重なるように配置されている。横方向Ｘにおいて、第１コンデンサ３３Ｂは、第１低耐圧ダイオード３２Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
　第１配線片６７Ａは、第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙと、第１制御用配線６３Ａの第１配線部分６３ｐａのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３側の端部との横方向Ｘの間に配置されている。すなわち、第１配線片６７Ａは、第１配線領域７０Ａに配置されている。平面視における第１配線片６７Ａの形状は、Ｌ字状である。
　図６及び図７Ａに示すように、第５層基板６０Ｇは、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂ、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂがそれぞれ実装される基板である。第５層基板６０Ｇは、第４層基板６０Ｅに積層されている。換言すると、第５層基板６０Ｇは、その横方向Ｘの大きさが第１～第３層基板６０Ａ～６０Ｃの横方向Ｘの大きさよりも小さく、第１導電部材４２Ａ側には設けられていない。第５層基板６０Ｇは、図５に示す第２短絡検出回路３Ｂ及び第２サージ低減回路４Ｂを構成している。
　第５層基板６０Ｇは、第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、第２制御電源用配線６６Ｂ、及び第２配線片６７Ｂを有する。平面視において、導通基板６０（第５層基板６０Ｇ）は、横方向Ｘにおいて複数の第２半導体素子１０Ｂよりも樹脂部材５０の第３樹脂側面５３側に延びる第２配線領域７０Ｂと、横方向Ｘにおいて複数の第２半導体素子１０Ｂよりも樹脂部材５０の第４樹脂側面５４側に延びる第３配線領域７０Ｃとを有する。すなわち、第５層基板６０Ｇは、縦方向Ｙにおいて複数の第２半導体素子１０Ｂの両側に配線領域が形成されている。第２配線領域７０Ｂ及び第３配線領域７０Ｃはそれぞれ、導通基板６０（第５層基板６０Ｇ）において第２半導体素子１０Ｂ以外の電子部品が実装される実装領域である。
　第２駆動用配線６２Ｂ、及び第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂはそれぞれ、第５層基板６０Ｇの第２配線領域７０Ｂ以外の領域から第２配線領域７０Ｂまで延びている。第２制御電源用配線６５Ｂ、第２制御電源用配線６６Ｂ、及び第２配線片６７Ｂは、第２配線領域７０Ｂに配置されている。第２配線領域７０Ｂには、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂがそれぞれ実装されている。このため、第２配線領域７０Ｂには、第２サージ低減回路４Ｂが形成されている。
　また、第２駆動用配線６２Ｂは、第５層基板６０Ｇの第３配線領域７０Ｃ以外の領域から第３配線領域７０Ｃまで延びている。第３配線領域７０Ｃには、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂが実装されている。このため、第３配線領域７０Ｃには、第２短絡検出回路３Ｂが形成されている。このように、第５層基板６０Ｇは、第５層基板６０Ｆと異なり、第２サージ低減回路４Ｂ（図５参照）が形成される配線領域（第２配線領域７０Ｂ）と、第２短絡検出回路３Ｂ（図５参照）が形成される配線領域（第３配線領域７０Ｃ）とが個別に形成されている。また本実施形態では、縦方向Ｙにおいて第２配線領域７０Ｂと第３配線領域７０Ｃとは、複数の第２半導体素子１０Ｂを挟むように配置されている。
　第２駆動用配線６２Ｂは、第２短絡検出用リード８７Ｂと電気的に接続されている。また、第２駆動用配線６２Ｂは、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを介して各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１に電気的に接続されている。すなわち、第２駆動用配線６２Ｂを介して各第２半導体素子１０Ｂの短絡が検出される。このように、第２駆動用配線６２Ｂは、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と第２短絡検出用リード８７Ｂとを電気的に接続するための配線部である。
　図７Ａ及び図９に示すように、第２駆動用配線６２Ｂは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６２ｑａと、第１配線部分６２ｑａから横方向Ｘに延びる複数（本実施形態では２個）の第２配線部分６２ｑｂと、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを接続するための第３配線部分６２ｑｃと、第２高耐圧ダイオード３１Ｂと各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１とを電気的に接続するための第４配線部分６２ｑｄとを有する。
　第１配線部分６２ｑａは、横方向Ｘにおいて各第２半導体素子１０Ｂよりも第１導電部材４２Ａ寄りに配置されている。第１配線部分６２ｑａは、横方向Ｘにおいて第５層基板６０Ｆのうちの第１導電部材４２Ａ側の端部に配置されている。第１配線部分６２ｑａは、横方向Ｘからみて、各第２半導体素子１０Ｂと重なるように延びている。第２配線部分６２ｑｂは、縦方向Ｙにおいて隣り合う第２半導体素子１０Ｂの間に配置されている。図１０に示すように、縦方向Ｙにおける第１配線部分６２ｑａのうちの第３樹脂側面５３側の第１端部６２ｑｘは、第２配線領域７０Ｂまで延びている。第１端部６２ｑｘと第２短絡検出用リード８７Ｂのパッド部８７ｐとは、第２短絡検出用接続部材９７Ｂによって接続されている。第２短絡検出用接続部材９７Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　図９に示すように、縦方向Ｙにおける第１配線部分６２ｑａのうちの第４樹脂側面５４側の第２端部６２ｑｙは、第３配線領域７０Ｃまで延びている。第２端部６２ｑｙの横方向Ｘの幅は、第１配線部分６２ｑａのうちの第２端部６２ｑｙ以外の部分の横方向Ｘの幅よりも小さい。第３配線部分６２ｑｃは、縦方向Ｙにおいて第２端部６２ｑｙと揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。すなわち、第３配線部分６２ｑｃは、第３配線領域７０Ｃに配置されている。本実施形態では、第３配線部分６２ｑｃの縦方向Ｙの長さは、第２端部６２ｑｙの縦方向Ｙの長さと等しい。また、第３配線部分６２ｑｃの横方向Ｘの幅は、第２端部６２ｑｙの横方向Ｘの幅よりも大きい。
　第４配線部分６２ｑｄは、横方向Ｘにおいて第３配線部分６２ｑｃに対して第２端部６２ｑｙとは反対側に離間して配置されている。すなわち、第４配線部分６２ｑｄは、第３配線領域７０Ｃに配置されている。第３配線部分６２ｑｃ及び第４配線部分６２ｑｄは、縦方向Ｙからみて、各第２半導体素子１０Ｂと重なるように配置されている。第３配線部分６２ｑｃ及び第４配線部分６２ｑｄはそれぞれ、縦方向Ｙにおける最も第４樹脂側面５４寄りの第２半導体素子１０Ｂよりも第４樹脂側面５４寄りであって、第２半導体素子１０Ｂと縦方向Ｙに隣り合うように配置されている。
　第２駆動用配線６２Ｂには、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂが実装されている。より詳細には、第２端部６２ｑｙと第３配線部分６２ｑｃとには、第２高耐圧ダイオード３１Ａが接続されている。具体的には、第２高耐圧ダイオード３１Ａのアノード電極が第２端部６２ｑｙに接続され、第２高耐圧ダイオード３１Ａのカソード電極が第３配線部分６２ｑｃに接続されている。第３配線部分６２ｑｃと第４配線部分６２ｑｄとには、第２高耐圧ダイオード３１Ｂが接続されている。具体的には、第２高耐圧ダイオード３１Ｂのアノード電極が第３配線部分６２ｑｃに接続され、第２高耐圧ダイオード３１Ｂのカソード電極が第４配線部分６２ｑｄに接続されている。このように、第１配線部分６２ｑａ、第３配線部分６２ｑｃ、及び第４配線部分６２ｑｄによって、第２高耐圧ダイオード３１Ａと第２高耐圧ダイオード３１Ｂとが直列接続されている。
　本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２高耐圧ダイオード３１Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２高耐圧ダイオード３１Ｂが配置されている。加えて、第２高耐圧ダイオード３１Ａと第２高耐圧ダイオード３１Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配置されている。
　図７Ａ及び図１０に示すように、第２制御用配線６３Ｂは、各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３と第２制御用リード８４Ｂとを電気的に接続するための配線部である。第２制御用配線６３Ｂと各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３とは、第２制御用接続部材９２Ｂによって接続されている。第２制御用接続部材９２Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。第２制御用配線６３Ｂは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６３ｑａと、第１配線部分６３ｑａから縦方向Ｙの第３樹脂側面５３側に向かうにつれて第１導電部材４２Ａ側に向けて斜めに延びる第２配線部分６３ｑｂと、第２配線部分６３ｑｂから第２制御用リード８４Ｂに向けて延びる第３配線部分６３ｑｃとを有する。
　第１配線部分６３ｑａは、横方向Ｘにおいて各第２半導体素子１０Ｂよりも第２樹脂側面５２寄りであって、各第２半導体素子１０Ｂと隣り合うように配置されている。第１配線部分６３ｑａは、横方向Ｘからみて、各第２半導体素子１０Ｂと重なるように延びている。本実施形態では、第１配線部分６３ｑａは、第２配線領域７０Ｂに配置されていない。
　第２配線部分６３ｑｂ及び第３配線部分６３ｑｃはそれぞれ、第２配線領域７０Ｂに配置されている。換言すると、平面視において、第２配線部分６３ｑｂ及び第３配線部分６３ｑｃはそれぞれ、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　縦方向Ｙにおいて、第２配線部分６３ｑｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂのうちの最も第３樹脂側面５３寄りの第２半導体素子１０Ｂと隣り合うように配置されている。
　平面視における第３配線部分６３ｑｃの形状は、Ｌ字状である。第３配線部分６３ｑｃは、第２配線部分６２ｑｂから第１導電部材４２Ａ側に向けて横方向Ｘに沿って延びる第１部分６３ｑｘと、縦方向Ｙからみて第２制御用リード８４Ｂと重なる位置から第２制御用リード８４Ｂに向けて縦方向Ｙに沿って延びる第２部分６３ｑｙとを有する。第３配線部分６３ｑｃの第１部分６３ｑｘの縦方向Ｙの幅は、第２制御用配線６３Ｂのうちの第１部分６３ｑｘ以外の部分の幅（平面視において第２制御用配線６３Ｂが延びる方向と直交する方向の寸法）よりも大きい。縦方向Ｙにおける第２部分６３ｑｙのうちの第３樹脂側面５３側の端部と第２制御用リード８４Ｂとは、第２制御リード用接続部材９４Ｂによって接続されている。第２制御リード用接続部材９４Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第２制御用配線６４Ｂは、各第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２と第２制御用リード８５Ｂとを接続するための配線部である。本実施形態では、第２制御用配線６４Ｂは、各第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２を外部へ引き出し、各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３とソース電極１２との間にゲート電圧を供給するための配線部である。第２制御用配線６４Ｂと各第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２とは、第２制御用接続部材９３Ｂによって接続されている。第２制御用接続部材９３Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。第２制御用配線６４Ｂは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６４ｑａと、第１配線部分６４ｑａから縦方向Ｙに向かうにつれて第１導電部材４２Ａ側に向けて斜めに延びる第２配線部分６４ｑｂと、第２配線部分６４ｑｂから第２制御用リード８５Ｂに向けて延びる第３配線部分６４ｑｃとを有する。
　第１配線部分６４ｑａは、横方向Ｘにおいて第２制御用配線６３Ｂに対して各第２半導体素子１０Ｂとは反対側に配置されている。第１配線部分６４ｑａは、横方向Ｘにおいて第５層基板６０Ｇのうちの第２樹脂側面５２側の端部に形成されている。本実施形態では、第１配線部分６４ｑａの縦方向Ｙの長さは、第２制御用配線６３Ｂの第１配線部分６３ｑａの縦方向Ｙの長さと等しい。
　第２配線部分６４ｑｂは、第２制御用配線６３Ｂの第２配線部分６３ｑｂと平行である。第２配線部分６４ｑｂは、横方向Ｘからみて、第２配線部分６３ｑｂと重なるように配置されている。また、第２配線部分６４ｑｂは、縦方向Ｙからみて、第２配線部分６３ｑｂと重なるように配置されている。
　第３配線部分６４ｑｃは、横方向Ｘにおいて第２制御用リード８５Ｂに対して第２樹脂側面５２寄りとなるように配置されている。第３配線部分６４ｑｃは、縦方向Ｙに延びている。第３配線部分６４ｑｃの横方向Ｘの幅は、第２制御用配線６４Ｂのうちの第３配線部分６４ｑｃ以外の部分の幅（平面視における第２制御用配線６４Ｂが延びる方向と直交する方向の寸法）よりも大きい。縦方向Ｙにおける第３配線部分６４ｑｃのうちの第３樹脂側面５３側の端部と第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとは、第２制御リード用接続部材９５Ｂによって接続されている。第２制御リード用接続部材９５Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第２制御電源用配線６５Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御用配線６４Ｂとの横方向Ｘの間に配置されている。具体的には、第２制御電源用配線６５Ｂは、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｑｃの第２部分６３ｑｙと、第２制御用配線６４Ｂの第３配線部分６４ｑｃとの横方向Ｘの間に配置されている。第２制御電源用配線６５Ｂは、縦方向Ｙにおける第５層基板６０Ｇの第３樹脂側面５３側の端部に配置されている。第２制御電源用配線６５Ｂは、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｑｃの第１部分６３ｑｘよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２制御電源用配線６５Ｂは、縦方向Ｙに沿って延びている。第２制御電源用配線６５Ｂの横方向Ｘの幅は、第２制御用配線６３Ｂにおける第３配線部分６２ｑｃの第２端部６２ｑｙの横方向Ｘの幅よりも大きい。第２制御電源用配線６５Ｂと第２制御電源用リード８６Ｃのパッド部８６ｐとは、第２制御電源用接続部材９６Ｃによって接続されている。第２制御電源用接続部材９６Ｃは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第２制御電源用配線６６Ｂは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６６ｑａと、第１配線部分６６ｑａから離間して設けられており、縦方向Ｙに延びる第２配線部分６６ｑｂと、第１配線部分６６ｑａと第２配線部分６６ｑｂとを接続する第３配線部分６６ｑｃとを有する。第１配線部分６６ｑａは、第５層基板６０Ｇのうちの横方向Ｘにおける第２樹脂側面５２側の端部かつ縦方向Ｙにおける第３樹脂側面５３側の端部に配置されている。第１配線部分６６ｑａは、縦方向Ｙに沿って延びている。横方向Ｘからみて、第１配線部分６６ｑａは、第２制御用配線６４Ｂの第３配線部分６４ｑｃと重なるように配置されている。第１配線部分６６ｑａは、の縦方向Ｙの長さは、第３配線部分６３ｑｃの縦方向Ｙの長さよりも短い。本実施形態では、第１配線部分６６ｑａの横方向Ｘの幅は、第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂの幅（平面視において各配線が延びる方向と直交する方向の寸法）よりも小さい。第２制御電源用配線６６Ｂと第２制御電源用リード８６Ｄとは、第２制御電源用接続部材９６Ｄによって接続されている。第２制御電源用接続部材９６Ｄは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第２配線部分６６ｑｂは、横方向Ｘにおいて第１配線部分６６ｑａよりも第１樹脂側面５１寄り（第２駆動用配線６２Ｂの第１配線部分６２ｑａ寄り）に配置されている。第２配線部分６６ｑｂは、縦方向Ｙにおいて第１配線部分６６ｑａよりも第４樹脂側面５４寄り（第２半導体素子１０Ｂ寄り）に配置されている。縦方向Ｙからみて、第２配線部分６６ｑｂは、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｑｃの第１部分６３ｑｘ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御用リード８５Ｂと重なるように配置されている。第２配線部分６６ｑｂは、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｑｃの第２部分６３ｑｙと、第２制御用配線６４Ｂの第３配線部分６２ｑｃとの間に配置されている。
　第３配線部分６６ｑｃは、第３層基板６０Ｃ（図６参照）に設けられている。すなわち、第３配線部分６６ｑｃは、平面視において露出していない。第３配線部分６６ｑｃは、第１配線部分６６ｑａに設けられた貫通電極によって第１配線部分６６ｑａと電気的に接続されており、第２配線部分６６ｑｂに設けられた貫通電極によって第２配線部分６６ｑｂと電気的に接続されている。平面視における第３配線部分６６ｑｃの形状は、例えばＬ字状である。なお、平面視における第３配線部分６６ｑｃの形状は、Ｌ字状に限られず、第２樹脂側面５２に向かうにつれて第３樹脂側面５３に向けて斜めに延びる形状であってもよい。
　第２サージ低減回路４Ｂを構成する第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂに接続されている。
　第２低耐圧ダイオード３４Ａは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御電源用配線６５Ｂとに接続されている。具体的には、第２低耐圧ダイオード３４Ｂのアノード電極は、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｑｃの第２部分６３ｑｙに接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ｂのカソード電極は、第２制御電源用配線６５Ｂに接続されている。
　第２低耐圧ダイオード３４Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御電源用配線６６Ｂとに接続されている。具体的には、第２低耐圧ダイオード３４Ａのカソード電極は、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｑｃの第１部分６３ｑｘに接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ａのアノード電極は、第２制御電源用配線６６Ｂの第２配線部分６４ｑｂに接続されている。このように、第２低耐圧ダイオード３４Ｂ，３４Ｂは、第２制御電源用配線６６Ｂと第２制御電源用配線６５Ｂとの間で第２制御用配線６３Ｂを介して直列接続されている。
　本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２低耐圧ダイオード３４Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２低耐圧ダイオード３４Ｂが配置されている。加えて、第２低耐圧ダイオード３４Ａと第２低耐圧ダイオード３４Ｂとは、縦方向Ｙにおいて異なる位置に配置されている。縦方向Ｙからみて、第２低耐圧ダイオード３４Ａと第２低耐圧ダイオード３４Ｂとは、互いに重なるように配置されている。縦方向Ｙにおいて、第２低耐圧ダイオード３４Ａは、第２低耐圧ダイオード３４Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。
　第２コンデンサ３５Ａは、第２制御電源用配線６５Ｂと第２制御用配線６４Ｂとに接続されている。具体的には、第２コンデンサ３５Ａの第１端子は、第２制御電源用配線６５Ｂに接続されている。第２コンデンサ３５Ａの第２端子は、第２制御用配線６４Ｂにおける第３配線部分６３ｑｃに接続されている。
　第２コンデンサ３５Ｂは、第２制御電源用配線６６Ｂと第２制御用配線６４Ｂとに接続されている。具体的には、第２コンデンサ３５Ｂの第１端子は、第２制御電源用配線６６Ｂの第１配線部分６６ｑａに接続されている。第２コンデンサ３５Ｂの第２端子は、第２制御用配線６４Ｂの第３配線部分６４ｑｃに接続されている。このように、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第２制御電源用配線６５Ｂと第２制御電源用配線６６Ｂとの間で第２制御用配線６４Ｂを介して直列接続されている。
　本実施形態では、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２コンデンサ３５Ａが配置されている。また、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２コンデンサ３５Ｂが配置されている。加えて、第２コンデンサ３５Ａと第２コンデンサ３５Ｂとは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配列されている。また横方向Ｘからみて、各コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第２低耐圧ダイオード３４Ａと重なるように配置されている。また横方向Ｘにおいて、各コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、各低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。
　上述した各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄ、及び各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂはそれぞれ、例えばＡｕ（金）又はＣｕ（銅）からなる。また、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄ、及び各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂのそれぞれの線径は、互いに等しい。
　図７Ａに示すように、第２配線片６７Ｂは、第５層基板６０Ｇのうちの横方向Ｘにおける出力リード８３寄りの端部、かつ、縦方向Ｙにおける第３樹脂側面５３側とは反対側の端部に配置されている。平面視における第２配線片６７Ｂの形状は、Ｌ字状である。
　図６及び図７Ａに示すように、導通基板６０の第１基板開口部６１Ａ及び第１基板凹部６１Ｃに収容された複数の第１半導体素子１０Ａは、第１導電部材４２Ａと出力リード８３とに電気的に接続されている。第１導電部材４２Ａは第１入力リード８１と電気的に接続されているため、複数の第１半導体素子１０Ａは、第１入力リード８１と電気的に接続されているとも言える。具体的には、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１は、半田や銀ペースト等の導電性接合材によって第１導電部材４２Ａに接合されている。各第１半導体素子１０Ａのソース電極１２は、複数本（本実施形態では４本）の第１駆動用接続部材９１Ａによって出力リード８３の露出部８３ｄに接合されている。第１駆動用接続部材９１Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。第１駆動用接続部材９１Ａは、第１駆動用配線６２Ａの第１配線部分６２ｐａを跨ぐように形成されている。なお、第１駆動用接続部材９１Ａの本数は４本に限られず、任意に変更可能である。
　導通基板６０の第２基板開口部６１Ｂに収容された複数の第２半導体素子１０Ｂは、第２導電部材４２Ｂと第２入力リード８２とに電気的に接続されている。第２導電部材４２Ｂは出力リード８３と電気的に接続されているため、複数の第２半導体素子１０Ｂは出力リード８３と電気的に接続されているとも言える。具体的には、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１は、半田や銀ペースト等の導電性接合材によって第２導電部材４２Ｂに接合されている。各第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２は、複数本（本実施形態では４本）の第２駆動用接続部材９１Ｂによって第２入力リード８２の露出部８２ｄに接合されている。第２駆動用接続部材９１Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。第２駆動用接続部材９１Ｂは、第２駆動用配線６２Ｂの第１配線部分６２ｑａを跨ぐように形成されている。なお、第２駆動用接続部材９１Ｂの本数は４本に限られず、任意に変更可能である。
　各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂは、例えばＣｕ（銅）又はＡｌ（アルミニウム）からなる。本実施形態では、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂの構成材料は、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄ、及び各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂのそれぞれの構成材料と同じである。また、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂの線径は互いに等しい。本実施形態では、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂの線径は、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄ、及び各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂのそれぞれの線径と等しい。
　図１及び図２に示すように、樹脂部材５０には、樹脂天面５５側から導通基板６０を露出する４つの樹脂開口部として第１制御側開口部５８Ａ、第２制御側開口部５８Ｂ、第１駆動側開口部５９Ａ、及び第２駆動側開口部５９Ｂが設けられている。図１及び図２から分かるとおり、第１制御側開口部５８Ａと第１駆動側開口部５９Ａとは個別に設けられている。第２制御側開口部５８Ｂと第２駆動側開口部５９Ｂとは個別に設けられている。
　第１制御側開口部５８Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。このように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。換言すると、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。平面視において、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂは、樹脂天面５５のうちの第３樹脂側面５３寄りの端部に配置されている。第１制御側開口部５８Ａは、第２制御側開口部５８Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
　平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　第１駆動側開口部５９Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。また第１駆動側開口部５９Ａは、縦方向Ｙにおいて第１制御側開口部５８Ａよりも複数の第１半導体素子１０Ａ寄りに配置されている。換言すると、平面視において、第１駆動側開口部５９Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。第１駆動側開口部５９Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１駆動側開口部５９Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御側開口部５８Ａとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　第２駆動側開口部５９Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第４樹脂側面５４寄りに配置されている。換言すると、平面視において、第１駆動側開口部５９Ａは、第２制御側開口部５８Ｂ及び第２駆動側開口部５９Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第１駆動側開口部５９Ａは、第１制御側開口部５８Ａに対して第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第１駆動側開口部５９Ａは、第２制御側開口部５８Ｂ及び第２駆動側開口部５９Ｂよりも第１制御側開口部５８Ａの近くに配置されている。平面視において、第２駆動側開口部５９Ｂは、樹脂天面５５のうちの第４樹脂側面５４寄りの端部に配置されている。第２駆動側開口部５９Ｂは、第２制御側開口部５８Ｂに対して第１樹脂側面５１寄りに配置されている。平面視における各駆動側開口部５９Ａ，５９Ｂの面積は、平面視における各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂの面積よりも小さい。
　図８に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。換言すると、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０（第５層基板６０Ｆ）において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの第３樹脂側面５３側の領域を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続された第１サージ低減回路４Ａを露出している。より詳細には、図８に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃ、第１制御用配線６４Ａの第３配線部分６４ｐｃ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａを露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御リード用接続部材９４Ａ，９５Ａ、第１制御電源用接続部材９６Ａ，９６Ｂ、及び第１短絡検出用接続部材９７Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
　図１０に示すように、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板６０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。換言すると、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板６０（第５層基板６０Ｇ）において第２半導体素子１０Ｂ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２配線領域７０Ｂのうちの第３樹脂側面５３側の領域を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続された第２サージ低減回路４Ｂを露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂ、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｐｃ、第２制御用配線６４Ｂの第３配線部分６４ｑｃ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御リード用接続部材９４Ｂ，９５Ｂ、第２制御電源用接続部材９６Ｃ，９６Ｄ、及び第２短絡検出用接続部材９７Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。
　第１駆動側開口部５９Ａは、第１配線領域７０Ａにおいて第１制御側開口部５８Ａが露出する領域とは異なる領域を露出している。換言すると、第１駆動側開口部５９Ａは、導通基板６０（第５層基板６０Ｆ）において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域のうちの第１制御側開口部５８Ａで露出されている電子部品以外の電子部品が実装される部分を露出している。第１駆動側開口部５９Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの複数の第１半導体素子１０Ａ側の領域を露出している。本実施形態では、第１駆動側開口部５９Ａは、第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１に接続された第１短絡検出回路３Ａを露出している。より詳細には、図８に示すように、第１駆動側開口部５９Ａは、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、第１駆動用配線６２Ａの端部６２ｐｘ、第３配線部分６２ｐｃ、及び第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙを露出している。本実施形態では、第１駆動側開口部５９Ａは、第１半導体素子１０Ａを露出していない。平面視における第１駆動側開口部５９Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１駆動側開口部５９Ａ内には、電気的絶縁性を有する絶縁材７１が充填されている。絶縁材７１の一例は、シリコーン樹脂である。
　図９に示すように、第２駆動側開口部５９Ｂは、導通基板６０の第３配線領域７０Ｃの一部を露出している。換言すると、第２駆動側開口部５９Ｂは、導通基板６０（第５層基板６０Ｇ）において第２半導体素子１０Ｂ以外の電子部品が実装される実装領域のうちの第２制御側開口部５８Ｂで露出されている実装領域とは異なる実装領域の一部を露出している。第２駆動側開口部５９Ｂは、第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１に接続された第２短絡検出回路３Ｂを露出している。より詳細には、第２駆動側開口部５９Ｂは、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂ、第２駆動用配線６２Ｂの第２端部６２ｑｙ、第３配線部分６２ｑｃ、及び第４配線部分６２ｑｄを露出している。本実施形態では、第２駆動側開口部５９Ｂは、第２半導体素子１０Ｂを露出していない。平面視における第２駆動側開口部５９Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２駆動側開口部５９Ｂ内には、電気的絶縁性を有する絶縁材７２が充填されている。絶縁材７２の一例は、シリコーン樹脂である。
　（製造方法）
　本実施形態の半導体装置１Ａの製造方法について説明する。
　図１３に示すように、半導体装置１Ａの製造方法は、支持基板準備工程（ステップＳ１１）、導通基板準備工程（ステップＳ１２）、半導体素子実装工程（ステップＳ１３）、基板接合工程（ステップＳ１４）、ワイヤ形成工程（ステップＳ１５）、及び封止工程（ステップＳ１６）を備える。本実施形態では、支持基板準備工程、導通基板準備工程、半導体素子実装工程、基板接合工程、ワイヤ形成工程、及び封止工程の順に実施することによって半導体装置１Ａが製造される。
　支持基板準備工程では、支持基板４０を製造する。具体的には、第１絶縁基板４１Ａの基板主面４１ｓａに第１導電部材４２Ａを銀ペーストや半田などの導電性接合材を用いて接合する。第２導電部材４２Ｂを第２絶縁基板４１Ｂの基板主面４１ｓｂに導電性接合材を用いて接合する。第１絶縁基板４１Ａ及び第１導電部材４２Ａの組立体と、第２絶縁基板４１Ｂ及び第２導電部材４２Ｂの組立体とは、横方向Ｘに間隔をあけて配置される。
　導通基板準備工程では、導通基板６０と各入力リード８１，８２及び出力リード８３との組立体を製造する。具体的には、まず、ガラスエポキシ樹脂によって形成された第１層基板６０Ａ、第２層基板６０Ｂ、第３層基板６０Ｃ、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅ、及び第５層基板６０Ｆ，６０Ｇを用意する。次に、第１層基板６０Ａと第１入力リード８１及び出力リード８３とを組み合せる。次に、第１層基板６０Ａに第２層基板６０Ｂを積層する。次に、第３層基板６０Ｃに第２入力リード８２を組み合わせた後、第２層基板６０Ｂに第３層基板６０Ｃを積層する。次に、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅを第３層基板６０Ｃに積層する。次に、第５層基板６０Ｆを第４層基板６０Ｄに積層し、第５層基板６０Ｇを第４層基板６０Ｅに積層する。次に、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂを第５層基板６０Ｆに実装し、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂ、第２低耐圧ダイオード３４Ａ,３４Ｂ、及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂを第５層基板６０Ｇに実装する。
　なお、支持基板準備工程では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂが形成される前のリードフレームが第１導電部材４２Ａ及び第２導電部材４２Ｂに接合される。これにより、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂが支持基板４０から離間した状態で支持基板４０に支持される。
　半導体素子実装工程では、例えば図１４に示すように、各第１半導体素子１０Ａを銀ペーストや半田などの導電性接合材を用いて第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合し、導電性接合材を用いて各第２半導体素子１０Ｂを第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合する。各第１半導体素子１０Ａは、そのドレイン電極１１が第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａと対面した状態で導電性接合材によって主面４２ｓａに接合される。この場合、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１と第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａとの間には、導電性接合材が介在する。これにより、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１と第１導電部材４２Ａとが電気的に接続される。また、各第２半導体素子１０Ｂは、そのドレイン電極１１が第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂと対面した状態で導電性接合材によって主面４２ｓｂに接合される。この場合、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂとの間には、導電性接合材が介在する。これにより、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と第２導電部材４２Ｂとが電気的に接続される。
　図１４に示すように、基板接合工程では、第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ及び第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに導通基板６０と各入力リード８１，８２及び出力リード８３との組立体を銀ペーストや半田などの導電性接合材を用いて接合する。この場合、第１入力リード８１が第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合され、出力リード８３が第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合される。これにより、第１入力リード８１と第１導電部材４２Ａとが電気的に接続され、出力リード８３と第２導電部材４２Ｂとが電気的に接続される。その結果、第１入力リード８１は、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１と電気的に接続され、出力リード８３は、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と電気的に接続される。
　ワイヤ形成工程では、ボンディング装置（図示略）によって、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄ、及び各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂを形成する。
　具体的には、ボンディング装置は、所定の第１半導体素子１０Ａのソース電極１２にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら出力リード８３のうちの所定の第１半導体素子１０Ａに対応する露出部８３ｄまで横方向Ｘに沿って移動し、その露出部８３ｄにワイヤを接合する。ボンディング装置は、上記動作を４回繰り返す。これにより、所定の第１半導体素子１０Ａのソース電極１２と出力リード８３のうちの所定の第１半導体素子１０Ａに対応する露出部８３ｄとを繋ぐ４本の第１駆動用接続部材９１Ａが形成される。この場合、第１駆動用接続部材９１Ａは、導通基板６０の第１駆動用配線６２Ａを跨ぐように形成される。ボンディング装置は、残りの第１半導体素子１０Ａのソース電極１２及び出力リード８３のうちの第１半導体素子１０Ａに対応する露出部８３ｄについても同様に、４本の第１駆動用接続部材９１Ａを形成する。
　次に、ボンディング装置は、所定の第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御用配線６３Ａまで横方向Ｘに沿って移動し、第１制御用配線６３Ａの第１配線部分６３ｐａにワイヤを接合する。これにより、所定の第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３と第１制御用配線６３Ａとを繋ぐ第１制御用接続部材９２Ａが形成される。ボンディング装置は、残りの第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３及び第１制御用配線６３Ａについても同様に、第１制御用接続部材９２Ａを形成する。
　次に、ボンディング装置は、所定の第１半導体素子１０Ａのソース電極１２にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御用配線６４Ａまで横方向Ｘに沿って移動し、第１制御用配線６４Ａの第１配線部分６４ｐａにワイヤを接合する。これにより、所定の第１半導体素子１０Ａのソース電極１２と第１制御用配線６４Ａとを繋ぐ第１制御用接続部材９３Ａが形成される。ボンディング装置は、残りの第１半導体素子１０Ａのソース電極１２及び第１制御用配線６４Ａについても同様に、第１制御用接続部材９３Ａを形成する。
　次に、ボンディング装置は、所定の第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２入力リード８２のうちの所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する露出部８２ｄまで移動し、その露出部８２ｄにワイヤを接合する。ボンディング装置は、上記動作を４回繰り返す。これにより、所定の第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２と第２入力リード８２のうちの所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する露出部８２ｄとを繋ぐ４本の第２駆動用接続部材９１Ｂが形成される。この場合、第２駆動用接続部材９１Ｂは、導通基板６０の第２駆動用配線６２Ｂを跨ぐように形成される。ボンディング装置は、残りの第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２及び第２入力リード８２のうちの第２半導体素子１０Ｂに対応する露出部８２ｄについても同様に、４本の第２駆動用接続部材９１Ｂを形成する。
　次に、ボンディング装置は、所定の第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御用配線６３Ｂまで横方向Ｘに沿って移動し、第２制御用配線６３Ｂの第１配線部分６３ｑａにワイヤを接合する。これにより、所定の第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３と第２制御用配線６３Ｂとを繋ぐ第２制御用接続部材９２Ｂが形成される。ボンディング装置は、残りの第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３及び第２制御用配線６３Ｂについても同様に、第２制御用接続部材９２Ｂを形成する。
　次に、ボンディング装置は、所定の第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御用配線６４Ｂまで横方向Ｘに沿って移動し、第２制御用配線６４Ｂの第１配線部分６４ｑａにワイヤを接合する。これにより、所定の第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２と第２制御用配線６４Ｂとを繋ぐ第２制御用接続部材９３Ｂが形成される。ボンディング装置は、残りの第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２及び第２制御用配線６４Ｂについても同様に、第２制御用接続部材９３Ｂを形成する。
　次に、ボンディング装置は、第１短絡検出用リード８７Ａのパッド部８７ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１駆動用配線６２Ａのうちの第４配線部分６２ｐｄの第２部分６２ｐｚまで移動し、第２部分６２ｐｚにワイヤを接合する。これにより、第１短絡検出用リード８７Ａと第１駆動用配線６２Ａとを繋ぐ第１短絡検出用接続部材９７Ａが形成される。
　次に、ボンディング装置は、第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御用配線６３Ａのうちの第３配線部分６３ｐｃまで移動し、第３配線部分６３ｐｃにワイヤを接合する。これにより、第１制御用リード８４Ａと第１制御用配線６３Ａとを繋ぐ第１制御リード用接続部材９４Ａが形成される。
　次に、ボンディング装置は、第１制御電源用リード８６Ａのパッド部８６ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御電源用配線６５Ａまで移動し、第１制御電源用配線６５Ａにワイヤを接合する。これにより、第１制御電源用リード８６Ａと第１制御電源用配線６５Ａとを繋ぐ第１制御電源用接続部材９６Ａが形成される。
　次に、ボンディング装置は、第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御用配線６４Ａの第２部分６４ｐｙまで移動し、第２部分６４ｐｙにワイヤを接合する。これにより、第１制御用リード８５Ａと第１制御用配線６４Ａとを繋ぐ第１制御リード用接続部材９５Ａが形成される。
　次に、ボンディング装置は、第１制御電源用リード８６Ｂのパッド部８６ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御電源用配線６６Ａの第１配線部分６６ｐａまで移動し、第１配線部分６６ｐａにワイヤを接合する。これにより、第１制御電源用リード８６Ｂと第１制御電源用配線６６Ａとを繋ぐ第１制御電源用接続部材９６Ｂが形成される。
　次に、ボンディング装置は、第２短絡検出用リード８７Ｂのパッド部８７ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２駆動用配線６２Ｂのうちの第１配線部分６２ｑａの第１端部６２ｑｘまで移動し、第１端部６２ｑｘにワイヤを接合する。これにより、第２短絡検出用リード８７Ｂと第２駆動用配線６２Ｂとを繋ぐ第２短絡検出用接続部材９７Ｂが形成される。
　次に、ボンディング装置は、第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御用配線６３Ｂのうちの第３配線部分６３ｑｃの第２部分６３ｑｙまで移動し、第２部分６３ｑｙにワイヤを接合する。これにより、第２制御用リード８４Ｂと第２制御用配線６３Ｂとを繋ぐ第２制御リード用接続部材９４Ｂが形成される。
　次に、ボンディング装置は、第２制御電源用リード８６Ｃのパッド部８６ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御電源用配線６５Ｂまで移動し、第２制御電源用配線６５Ｂにワイヤを接合する。これにより、第２制御電源用リード８６Ｃと第２制御電源用配線６５Ｂとを繋ぐ第２制御電源用接続部材９６Ｃが形成される。
　次に、ボンディング装置は、第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御用配線６４Ｂの第３配線部分６４ｑｃまで移動し、第３配線部分６４ｑｃにワイヤを接合する。これにより、第２制御用リード８５Ｂと第２制御用配線６４Ｂとを繋ぐ第２制御リード用接続部材９５Ｂが形成される。
　最後に、ボンディング装置は、第２制御電源用リード８６Ｄのパッド部８６ｐにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御電源用配線６６Ｂの第１配線部分６６ｑａまで移動し、第１配線部分６６ｑａにワイヤを接合する。これにより、第２制御電源用リード８６Ｄと第２制御電源用配線６６Ｂとを繋ぐ第２制御電源用接続部材９６Ｄが形成される。
　封止工程では、樹脂部材５０を形成する。具体的には、例えば黒色のエポキシ樹脂を用いて、トランスファーモールドによって樹脂部材５０が形成される。この場合、トランスファーモールドに用いられた金型は、第１制御側開口部５８Ａ、第２制御側開口部５８Ｂ、第１駆動側開口部５９Ａ、及び第２駆動側開口部５９Ｂを一体に形成する。また金型は、溝５７Ａ，５７Ｂを一体に形成する。次に、第１駆動側開口部５９Ａに絶縁材７１を充填し、第２駆動側開口部５９Ｂに絶縁材７２を充填する。絶縁材７１，７２には、シリコーン樹脂が用いられる。
　その後、リードフレーム切断工程及び端子形成工程を経て、半導体装置１Ａが製造される。リードフレーム切断工程は、リードフレームから各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂを切断する工程である。端子形成工程は、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂを折り曲げて端子部８４ｔ，８５ｔ，８６ｔ，８７ｔを形成する工程である。
　なお、半導体素子実装工程は、支持基板準備工程よりも後、かつ導通基板準備工程よりも前に実施してもよい。また半導体素子実装工程は、基板接合工程の後、かつワイヤ形成工程の前に実施してもよい。導通基板準備工程は、支持基板準備工程よりも前に実施してもよい。
　ワイヤ形成工程において、駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄ、及び各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂを形成する順番は任意に変更可能である。
　また、本実施形態では、導通基板準備工程において、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂを構成する各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装したが、これに限られない。例えば、導通基板準備工程において、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装しなくてもよい。各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂは、封止工程の後に第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂによって実装されてもよい。この場合、絶縁材７１は、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを導通基板６０に実装した後に第１駆動側開口部５９Ａに充填する。絶縁材７２は、各高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装した後に第２駆動側開口部５９Ｂに充填する。また、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂを実装しない状態で半導体装置１Ａを出荷してもよい。この場合、半導体装置１Ａを用いるユーザが、第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂによって各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装する。
　また、本実施形態では、導通基板準備工程において、各サージ低減回路４Ａ，４Ｂを構成する各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂを導通基板６０に実装したが、これに限られない。例えば、導通基板準備工程において、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂを導通基板６０に実装しなくてもよい。各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂは、封止工程の後に第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂによって導通基板６０に実装されてもよい。また、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂを導通基板６０に実装しない状態で半導体装置１Ａを出荷してもよい。この場合、半導体装置１Ａを用いるユーザが、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂによって各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂを導通基板６０に実装する。
　（作用）
　本実施形態の半導体装置１Ａの作用について説明する。
　半導体装置１Ａが各短絡検出回路３Ａ，３Ｂを備えていないと仮定した場合、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂのドレイン電極１１を半導体装置の外部に引き出す必要があり、ドレイン電極１１は例えば短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに直接接続される。この場合、高圧端子となる各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂと、低圧端子となる各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄとの絶縁距離を確保するため、各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂと、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄとの間隔を大きくする必要がある。また、半導体装置１Ａの外部に短絡保護回路を構成する場合、すなわち半導体装置１Ａが実装される制御基板に短絡保護回路が設けられる場合についても、制御基板における各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに電気的に接続された配線と、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄに電気的に接続された配線との絶縁距離を確保する必要がある。
　この点、本実施形態では、短絡検出回路における高圧端子の電圧を低圧端子の電圧に降圧するための高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂが半導体装置１Ａに内蔵されている。これにより、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１の電圧は高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂによって降圧された後に第１短絡検出用リード８７Ａから半導体装置１Ａの外部に取り出され、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１の電圧は高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂによって降圧された後に第２短絡検出用リード８７Ｂから半導体装置１Ａの外部に取り出される。このため、半導体装置１Ａにおいて、短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂと、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄとの絶縁距離を確保する必要がない。つまり、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄの端子間隔で、短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂを配置できる。また、制御基板において各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに電気的に接続された配線は低電圧となるため、各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに電気的に接続された配線と、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄに電気的に接続された配線との絶縁距離を確保する必要がなくなる。その結果、制御基板における回路設計の自由度が向上する。
　また、一般的に、第１サージ低減回路４Ａは各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３の近くに配置することが好ましく、第２サージ低減回路４Ｂは各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３の近くに配置することが好ましい。ここで、各サージ低減回路４Ａ，４Ｂを半導体装置１Ａの外部に配置したと仮定した場合、第１サージ低減回路４Ａが各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に印加されるサージを低減する効果、及び第２サージ低減回路４Ｂが各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に印加されるサージを低減する効果がそれぞれ減少してしまう。この効果の減少を抑制するため、各サージ低減回路４Ａ，４Ｂを半導体装置１Ａの外部かつ各リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ，８６Ａ～８６Ｄの端子部８４ｔ，８５ｔ，８６ｔの近くに形成する場合、制御設計上、様々な制約が発生し、回路設計が困難なものになる。
　この点、本実施形態では、各サージ低減回路４Ａ，４Ｂが半導体装置１Ａに内蔵されているため、第１サージ低減回路４Ａが各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３の近くに配置されており、第２サージ低減回路４Ｂが各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３の近くに配置されている。これにより、第１サージ低減回路４Ａが各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に印加されるサージを低減する効果、及び第２サージ低減回路４Ｂが各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に印加されるサージを低減する効果がそれぞれ減少することを抑制できる。加えて、各サージ低減回路４Ａ，４Ｂを半導体装置１Ａの外部かつ各リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ，８６Ａ～８６Ｄの端子部８４ｔ，８５ｔ，８６ｔの近くに形成する必要がなくなるため、制御基板における回路設計が容易になる。
　ところで、半導体装置１Ａを用いる種々の回路では、各回路の電気的特性に応じて必要となる各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂの電気的特性が異なる場合がある。したがって、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂの電気的特性及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂの電気的特性をそれぞれ調整することが好ましい。しかし、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂが単に半導体装置に内蔵されると、樹脂部材によって各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂをそれぞれ構成する電子部品を交換できないため、電気的特性を調整できない。
　そこで、本実施形態では、樹脂部材５０には、第１配線領域７０Ａの一部を露出する第１制御側開口部５８Ａと、第２配線領域７０Ｂの一部を露出する第２制御側開口部５８Ｂとが設けられている。第１制御側開口部５８Ａには、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂが露出している。第２制御側開口部５８Ｂには、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂが露出している。このように、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂには電子部品が露出していることによって、その電子部品を取り替えることができる。このため、半導体装置１Ａを適用する電気回路の電気的特性に対して半導体装置１Ａの電気的特性が適したものとなるように、電子部品を含む電気回路の電気的特性を調整できる。
　また、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂ及び各駆動側開口部５９Ａ，５９Ｂが設けられることによって、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂ、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂが導通基板６０に予め実装された状態の半導体装置１Ａと、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂ、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂが導通基板６０に実装されていない状態の半導体装置１Ａとを、半導体装置１Ａを用いるユーザのニーズに応じて変更して出荷することができる。
　（効果）
　本実施形態の半導体装置１Ａによれば、以下の効果が得られる。
　（１－１）半導体装置１Ａは、第１配線領域７０Ａ、第２配線領域７０Ｂ、及び第３配線領域７０Ｃを有する。第１配線領域７０Ａには、第１短絡検出回路３Ａを構成するための第１駆動用配線６２Ａと第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂとが設けられている。また、第１配線領域７０Ａには、第１サージ低減回路４Ａを構成するための第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ，６４Ａ、及び第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａと、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂとが設けられている。第２配線領域７０Ｂには、第２サージ低減回路４Ｂを構成するための第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、及び第２制御電源用配線６５Ｂ，６６Ｂと、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂとが設けられている。第３配線領域７０Ｃには、第２短絡検出回路３Ｂを構成するための第２駆動用配線６２Ｂと第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂとが設けられている。このように、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂが半導体装置１Ａに内蔵されているため、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂが半導体装置１Ａの外部に設けられる構成と比較して、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂと各半導体素子１０Ａ，１０Ｂとの間の配線の長さを短くできる。したがって、半導体装置１Ａのインダクタンスを低減できる。
　（１－２）短絡保護回路における高圧端子の電圧を低圧端子の電圧に降圧するための高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂが半導体装置１Ａに内蔵されている。これにより、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１の電圧は高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂによって降圧された後に第１短絡検出用リード８７Ａから半導体装置１Ａの外部に取り出され、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１の電圧は高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂによって降圧された後に第２短絡検出用リード８７Ｂから半導体装置１Ａの外部に取り出される。このため、半導体装置１Ａにおいて、短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂと、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄとの絶縁距離を確保する必要がない。したがって、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄの端子間隔で、短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂを配置できる。また、制御基板において各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに電気的に接続された配線は低電圧となるため、各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに電気的に接続された配線と、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ及び各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄに電気的に接続された配線との絶縁距離を確保する必要がなくなる。その結果、制御基板における回路設計の自由度が向上する。このため、使い勝手のよい半導体装置１Ａを提供できる。
　（１－３）樹脂部材５０には、第１駆動側開口部５９Ａ、第２駆動側開口部５９Ｂ、第１制御側開口部５８Ａ、及び第２制御側開口部５８Ｂが設けられている。第１駆動側開口部５９Ａは、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂと、第１駆動用配線６２Ａのうちの第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂが実装される部分とを露出している。第２駆動側開口部５９Ｂは、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂと、第２駆動用配線６２Ｂのうちの第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂが実装される部分とを露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂと、第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、及び第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａのそれぞれのうちの第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂが実装される部分とを露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂと、第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、及び第２制御電源用配線６５Ｂ，６６Ｂのうちの第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂが実装される部分とを露出している。このように、樹脂部材５０の形成後に、第１駆動側開口部５９Ａを介して、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを取り替えることができるため、樹脂部材５０の形成後に第１短絡検出回路３Ａの電気的特性を調整できる。また、樹脂部材５０の形成後に、第２駆動側開口部５９Ｂを介して、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを取り替えることができるため、樹脂部材５０の形成後に第２短絡検出回路３Ｂの電気的特性を調整できる。また、樹脂部材５０の形成後に、第１制御側開口部５８Ａを介して、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂを取り替えることができるため、樹脂部材５０の形成後に第１サージ低減回路４Ａの電気的特性を調整できる。また、樹脂部材５０の形成後に、第２制御側開口部５８Ｂを介して、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂを取り替えることができるため、樹脂部材５０の形成後に第２サージ低減回路４Ｂの電気的特性を調整できる。
　（１－４）導通基板６０は、第１配線領域７０Ａ、第２配線領域７０Ｂ、及び第３配線領域７０Ｃを有する。この構成によれば、導通基板６０に形成された配線部によって、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂの配線を形成するため、例えば各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂの配線を金属板のリードで形成する場合と比較して、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂの配線を容易に形成できる。
　（１－５）第１駆動側開口部５９Ａは絶縁材７１によって充填されており、第２駆動側開口部５９Ｂは絶縁材７２によって充填されている。この構成によれば、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂの短絡を抑制できる。
　（１－６）第１駆動側開口部５９Ａと第１制御側開口部５８Ａとは個別に設けられており、第２駆動側開口部５９Ｂと第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。この構成によれば、各駆動側開口部５９Ａ，５９Ｂのみに絶縁材７１，７２を充填できる。
　（１－７）第１半導体素子１０Ａは第１導電部材４２Ａに実装されており、第２半導体素子１０Ｂは第２導電部材４２Ｂに実装されている。この構成によれば、第１導電部材４２Ａを介して第１半導体素子１０Ａを効率よく放熱でき、第２導電部材４２Ｂを介して第２半導体素子１０Ｂを効率よく放熱できる。
　（１－８）第１半導体素子１０Ａは導通基板６０の第１基板開口部６１Ａに収容されており、第２半導体素子１０Ｂは導通基板６０の第２基板開口部６１Ｂに収容されている。この構成によれば、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂと導通基板６０とを横方向Ｘ及び縦方向Ｙに重ねて配置できるため、半導体装置１Ａを横方向Ｘ及び縦方向Ｙに小型化できる。
　（１－９）第１配線領域７０Ａは、導通基板６０のうちの複数の第１半導体素子１０Ａと、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａとの間に設けられている。この構成によれば、第１配線領域７０Ａに設けられた第１サージ低減回路４Ａを構成する配線の長さが短くなるため、第１サージ低減回路４Ａのインダクタンスを低減できる。また、第１配線領域７０Ａに設けられた第１短絡検出回路３Ａを構成する配線の長さが短くなるため、第１短絡検出回路３Ａのインダクタンスを低減できる。
　第２配線領域７０Ｂは、導通基板６０のうちの複数の第２半導体素子１０Ｂと、第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂとの間に設けられている。この構成によれば、第２配線領域７０Ｂに設けられた第２サージ低減回路４Ｂを構成する配線の長さが短くなるため、第２サージ低減回路４Ｂのインダクタンスを低減できる。
　（１－１０）第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、横方向Ｘに離間した状態で並んで配置されている。この構成によれば、第１制御側開口部５８Ａが第１サージ低減回路４Ａの第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂを露出し、第２制御側開口部５８Ｂが第２サージ低減回路４Ｂの第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂを露出し、半導体装置１Ａのうちの第１サージ低減回路４Ａと第２サージ低減回路４Ｂとの横方向Ｘの間の部分を露出していない。すなわち、第１制御側開口部５８Ａは第１サージ低減回路４Ａの電気的特性の調整に必要な部分のみ露出しており、第２制御側開口部５８Ｂは第２サージ低減回路４Ｂの電気的特性の調整に必要な部分のみ露出している。このため、半導体装置１Ａの内部に異物の進入のおそれを低減できる。
　（１－１１）導通基板６０は、多層導通基板である。この構成によれば、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂと複数のリード８０とを電気的に接続するための配線部を多層に配線できるため、導通基板が１層の構成と比較して、導通基板６０を横方向Ｘ及び縦方向Ｙに小型化できる。したがって、半導体装置１Ａを横方向Ｘ及び縦方向Ｙに小型化できる。
　（１－１２）第１短絡検出回路３Ａを構成する配線部である第１駆動用配線６２Ａは導通基板６０の最表層の基板である第５層基板６０Ｆに形成されており、第２短絡検出回路３Ｂを構成する配線部である第２駆動用配線６２Ｂは導通基板６０の最表層の基板である第５層基板６０Ｇに形成されている。この構成によれば、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂが第５層基板６０Ｆに実装され、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂが第５層基板６０Ｇに実装されるため、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ及び第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂをそれぞれ容易に取り替えることができる。したがって、第１短絡検出回路３Ａ及び第２短絡検出回路３Ｂの電気的特性をそれぞれ容易に調整できる。
　第１サージ低減回路４Ａを構成する配線部である第１制御用配線６３Ａ，６４Ａ、及び第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａはそれぞれ第５層基板６０Ｆに形成されており、第２サージ低減回路４Ｂを構成する配線部である第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、及び第２制御電源用配線６５Ｂ，６６Ｂはそれぞれ第５層基板６０Ｇに形成されている。この構成によれば、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂが第５層基板６０Ｆに実装され、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂが第５層基板６０Ｇに実装されるため、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂをそれぞれ容易に取り替えることができる。したがって、第１サージ低減回路４Ａ及び第２サージ低減回路４Ｂの電気的特性をそれぞれ容易に調整できる。
　（１－１３）第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂは、そのアノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように導通基板６０に実装されている。この構成によれば、導通基板６０を縦方向Ｙに小型化できるため、半導体装置１Ａを縦方向Ｙに小型化できる。
　また、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂは、そのアノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように導通基板６０に実装されている。この構成によれば、導通基板６０を縦方向Ｙに小型化できるため、半導体装置１Ａを縦方向Ｙに小型化できる。
　（１－１４）第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂは、そのアノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように導通基板６０に実装されている。この構成によれば、導通基板６０を縦方向Ｙに小型化できるため、半導体装置１Ａを縦方向Ｙに小型化できる。
　また、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂは、そのアノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように導通基板６０に実装されている。この構成によれば、導通基板６０を縦方向Ｙに小型化できるため、半導体装置１Ａを縦方向Ｙに小型化できる。
　（１－１５）第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、その第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように導通基板６０に実装されている。この構成によれば、導通基板６０を縦方向Ｙに小型化できるため、半導体装置１Ａを縦方向Ｙに小型化できる。
　また、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ａは、その第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように導通基板６０に実装されている。この構成によれば、導通基板６０を縦方向Ｙに小型化できるため、半導体装置１Ａを縦方向Ｙに小型化できる。
　（１－１６）第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐ、第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐ、第１制御電源用リード８６Ａのパッド部８６ｐ、第１制御電源用リード８６Ｂのパッド部８６ｐ、及び第１短絡検出用リード８７Ａのパッド部８７ｐはそれぞれ、第５層基板６０Ｆと縦方向Ｙに隣り合うように配置されている。また、第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ，６４Ａ、及び第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａはそれぞれ、第５層基板６０Ｆのうちの樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄りの端部まで形成されている。この構成によれば、第１駆動用配線６２Ａと第１短絡検出用リード８７Ａのパッド部８７ｐとを接続する第１短絡検出用接続部材９７Ａの長さを短くできる。また、第１制御用配線６３Ａと第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとを接続する第１制御リード用接続部材９４Ａの長さを短くできる。また、第１制御用配線６４Ａと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとを接続する第１制御リード用接続部材９５Ａの長さを短くできる。また、第１制御電源用配線６５Ａと第１制御電源用リード８６Ａのパッド部８６ｐとを接続する第１制御電源用接続部材９６Ａの長さを短くできる。また、第１制御電源用配線６６Ａと第１制御電源用リード８６Ｂのパッド部８６ｐとを接続する第１制御電源用接続部材９６Ｂの長さを短くできる。したがって、各接続部材９４Ａ，９５Ａ，９６Ａ，９６Ｂ，９７Ａに起因するインダクタンスを低減できる。
　また、第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐ、第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐ、第２制御電源用リード８６Ｃのパッド部８６ｐ、第２制御電源用リード８６Ｄのパッド部８６ｐ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂのパッド部８７ｐはそれぞれ、第５層基板６０Ｇと縦方向Ｙに隣り合うように配置されている。また、第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、及び第２制御電源用配線６５Ｂ，６６Ｂはそれぞれ、第５層基板６０Ｇのうちの樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄りの端部まで形成されている。この構成によれば、第２駆動用配線６２Ｂと第２短絡検出用リード８７Ｂのパッド部８７ｐとを接続する第２短絡検出用接続部材９７Ｂの長さを短くできる。また、第２制御用配線６３Ｂと第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとを接続する第２制御リード用接続部材９４Ｂの長さを短くできる。また、第２制御用配線６４Ｂと第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとを接続する第２制御リード用接続部材９５Ｂの長さを短くできる。また、第２制御電源用配線６５Ｂと第２制御電源用リード８６Ｃのパッド部８６ｐとを接続する第２制御電源用接続部材９６Ｃの長さを短くできる。また、第２制御電源用配線６６Ｂと第２制御電源用リード８６Ｄのパッド部８６ｐとを接続する第２制御電源用接続部材９６Ｄの長さを短くできる。したがって、各接続部材９４Ｂ，９５Ｂ，９６Ｃ，９６Ｄ，９７Ｂに起因するインダクタンスを低減できる。
　［第２実施形態］
　図１５～図１９を参照して、第２実施形態の半導体装置１Ｂについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｂは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、導通基板６０の構成、及び複数のリード８０のうちの一部の構成が異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
　（半導体装置の構成）
　図１６に示すように、本実施形態の導通基板６０の縦方向Ｙの長さは、第１実施形態の導通基板６０の縦方向Ｙの長さよりも短い。具体的には、本実施形態の導通基板６０は、第１実施形態の導通基板６０の第１配線領域７０Ａの一部及び第２配線領域７０Ｂが省略されている。本実施形態では、第１配線領域７０Ａの一部として、第１サージ低減回路４Ａが形成される領域が導通基板６０から省略されている。換言すれば、第１配線領域７０Ａの一部として第１サージ低減回路４Ａが形成される領域は、導通基板６０の外部に設けられている。一方、第１配線領域７０Ａの一部として第１短絡検出回路３Ａが形成される領域は、導通基板６０に設けられている。第２配線領域７０Ｂは、導通基板６０の外部に設けられている。このような導通基板６０の構成によれば、第１導電部材４２Ａは、導通基板６０に対して樹脂部材５０の第３樹脂側面５３側に突出している。そしてその突出した部分に第１配線領域７０Ａの一部として第１サージ低減回路４Ａが形成されている。また、第２導電部材４２Ｂは、導通基板６０に対して第３樹脂側面５３側に突出している。そしてその突出した部分に第２配線領域７０Ｂが形成されている。
　図１７に示すように、導通基板６０の第５層基板６０Ｆに形成された第１駆動用配線６２Ａは、第１実施形態の第１駆動用配線６２Ａと比較して、第４配線部分６２ｐｄの形状が異なる。具体的には、本実施形態の第４配線部分６２ｐｄは、第１実施形態の第４配線部分６２ｐｄの第２部分６２ｐｚを有していない。本実施形態の第４配線部分６２ｐｄは、縦方向Ｙに沿って延びている。第４配線部分６２ｐｄの縦方向Ｙの長さは、第３配線部分６２ｐｃの縦方向Ｙの長さよりも長い。また、上述のように第１サージ低減回路４Ａが導通基板６０の外部に設けられているため、導通基板６０には、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂが実装されていない。すなわち、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂは、導通基板６０の外部に配置されている。
　第５層基板６０Ｆに形成された第１制御用配線６３Ａ，６４Ａは、第１実施形態の第１制御用配線６３Ａ，６４Ａと異なる。
　具体的には、図１６及び図１７に示すように、本実施形態の第１制御用配線６３Ａは、第１実施形態の第１制御用配線６３Ａの第２配線部分６３ｐｂ及び第３配線部分６３ｐｃを有していない。本実施形態の第１制御用配線６３Ａは、横方向Ｘにおいて各第１半導体素子１０Ａよりも樹脂部材５０の第１樹脂側面５１寄りに各第１半導体素子１０Ａと隣り合うように配置されている。第１制御用配線６３Ａは、縦方向Ｙに沿って延びている。第１制御用配線６３Ａは、縦方向Ｙにおいて各第１半導体素子１０Ａのうちの最も樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄りの第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３側まで延びている。
　本実施形態の第１制御用配線６４Ａは、第１実施形態の第１制御用配線６４Ａの第２配線部分６４ｐｂ及び第３配線部分６４ｐｃを有していない。本実施形態の第１制御用配線６４Ａは、横方向Ｘにおいて第１制御用配線６３Ａに対して各第１半導体素子１０Ａ側とは反対側に第１制御用配線６３Ａと隣り合うように配置されている。第１制御用配線６４Ａは、縦方向Ｙに沿って延びている。第１制御用配線６４Ａの縦方向Ｙの長さは、第１制御用配線６３Ａの縦方向Ｙの長さと等しい。第１制御用配線６４Ａの横方向Ｘの幅は、第１制御用配線６３Ａの横方向Ｘの幅と等しい。
　図１６及び図１８に示すように、導通基板６０の第５層基板６０Ｇに形成された第２駆動用配線６２Ｂは、第１実施形態の第２駆動用配線６２Ｂと比較して、第１配線部分６２ｑａの縦方向Ｙの長さが短くなった点が異なる。
　第５層基板６０Ｇに形成された第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂは、第１実施形態の第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂと異なる。
　具体的には、本実施形態の第２制御用配線６３Ｂは、第１実施形態の第２制御用配線６３Ｂの第２配線部分６３ｑｂ及び第３配線部分６３ｑｃを有していない。本実施形態の第２制御用配線６３Ｂは、横方向Ｘにおいて各第２半導体素子１０Ｂよりも樹脂部材５０の第２樹脂側面５２寄りであって、各第２半導体素子１０Ｂと隣り合うように配置されている。第２制御用配線６３Ｂは、縦方向Ｙに沿って延びている。第２制御用配線６３Ｂは、縦方向Ｙからみて、各第２半導体素子１０Ｂのうちの最も第４樹脂側面５４寄りの第２半導体素子１０Ｂと重なる位置から最も第３樹脂側面５３寄りの第２半導体素子１０Ｂと重なる位置まで延びている。
　本実施形態の第２制御用配線６４Ｂは、第１実施形態の第２制御用配線６４Ｂの第２配線部分６４ｑｂ及び第３配線部分６４ｑｃを有していない。本実施形態の第２制御用配線６４Ｂは、横方向Ｘにおいて第２制御用配線６３Ｂに対して各第２半導体素子１０Ｂ側とは反対側に第２制御用配線６３Ｂと隣り合うように配置されている。第２制御用配線６４Ｂは、縦方向Ｙに沿って延びている。第２制御用配線６４Ｂの縦方向Ｙの長さは、第２制御用配線６３Ｂの縦方向Ｙの長さと等しい。第２制御用配線６４Ｂの横方向Ｘの幅は、第２制御用配線６３Ｂの横方向Ｘの幅と等しい。
　このように各制御用配線６３Ａ，６３Ｂ，６４Ａ，６４Ｂの形状が変更されたことによって、各制御用配線６３Ａ，６３Ｂ，６４Ａ，６４Ｂと、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂのパッド部８４ｐ，８５ｐ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄのパッド部８６ｐ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂのパッド部８７ｐとの相対的な位置関係が異なる。具体的には、図１７に示すように、横方向Ｘにおいて、第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐ、第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐ、第１制御電源用リード８６Ａのパッド部８６ｐ、第１制御電源用リード８６Ｂのパッド部８６ｐ、及び第１短絡検出用リード８７Ａのパッド部８７ｐはそれぞれ、第１制御用配線６３Ａ，６４Ａよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。また図１８に示すように、横方向Ｘにおいて、第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐ、第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐ、第２制御電源用リード８６Ｃのパッド部８６ｐ、第２制御電源用リード８６Ｄのパッド部８６ｐ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂのパッド部８７ｐはそれぞれ、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂよりも第１樹脂側面５１（図１６参照）寄りに配置されている。
　図１５～図１８に示すように、本実施形態の各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂの構成はそれぞれ、第１実施形態の各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂの構成と異なる。本実施形態の各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂはそれぞれ、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂに形成された回路を構成する配線部を有する。このため、本実施形態では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂがそれぞれ導電体を構成している。そして、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂのそれぞれが第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂに配置される部分が、電子部品が実装される実装領域となる。ここで、第１配線領域７０Ａに形成された回路は第１サージ低減回路４Ａであり、第２配線領域７０Ｂに形成された回路は第２サージ低減回路４Ｂである。
　具体的には、図１７に示すように、第１制御用リード８４Ａは、縦方向Ｙにおいて第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１００と、第１配線部１００から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１０１とを有する。本実施形態では、第１制御用リード８４Ａは、第１配線部１００、第２配線部１０１、パッド部８４ｐ、及び端子部８４ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１００は、パッド部８４ｐから第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１００の横方向Ｘの幅は、パッド部８４ｐの横方向Ｘの幅よりも小さい。第２配線部１０１は、その全体が第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ上に配置されている。平面視において第２配線部１０１の形状は、Ｌ字状である。第２配線部１０１は、第１部分１０１ａ及び第２部分１０１ｂを有する。第１部分１０１ａは、第１配線部１００から縦方向Ｙに沿って延びる部分である。第２部分１０１ｂは、第１部分１０１ａから横方向Ｘに沿って延びる部分である。第２部分１０１ｂは、横方向Ｘにおいて第１樹脂側面５１側に向けて延びている。第２部分１０１ｂの縦方向Ｙの幅は、第１部分１０１ａの横方向Ｘの幅よりも大きい。縦方向Ｙからみて、第２部分１０１ｂは、第１半導体素子１０Ａと重なるように配置されている。縦方向Ｙからみて、第２部分１０１ｂは、第１制御電源用リード８６Ａのパッド部８６ｐと重なるように配置されている。また、第１制御用リード８４Ａは、横方向Ｘにおいて第１制御用配線６３Ａよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。
　第１制御用リード８４Ａと第１制御用配線６３Ａとは、第１制御用接続部材１４０Ａによって接続されている。具体的には、第１制御用接続部材１４０Ａは、第１制御用リード８４Ａのうちの第２部分１０１ｂのうちの縦方向Ｙの導通基板６０寄りの端部と、縦方向Ｙにおける第１制御用配線６３Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部とに接続されている。第１制御用接続部材１４０Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第１制御用リード８５Ａは、縦方向Ｙにおいて第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１１０と、第１配線部１１０から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１１１とを有する。本実施形態では、第１制御用リード８５Ａは、第１配線部１１０、第２配線部１１１、パッド部８５ｐ、及び端子部８５ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１１０は、パッド部８５ｐから第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１１０は、導通基板６０側に向かうにつれて第１樹脂側面５１側に向けて斜めに延びている。第２配線部１１１は、第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ上に配置されている。平面視において第２配線部１１１の形状は、Ｌ字状である。第２配線部１１１は、第１部分１１１ａ及び第２部分１１１ｂを有する。第１部分１１１ａは、第１配線部１１０から縦方向Ｙに沿って延びる部分である。第２部分１１１ｂは、第１部分１１１ａから横方向Ｘに沿って延びる部分である。第２部分１１１ｂの先端部は、第１導電部材４２Ａから横方向Ｘに向けて突出している。第２部分１１１ｂは、縦方向Ｙにおいて第１制御用リード８４Ａの第２配線部１０１の第２部分１０１ｂと揃った状態で第２部分１０１ｂに対して横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。第２部分１１１ｂは、第１制御用リード８４Ａの第２部分１０１ｂと横方向Ｘに隣り合うように配置されている。縦方向Ｙからみて、第２部分１１１ｂは、第１制御用配線６３Ａ及び第１制御用配線６４Ａと重なっている。
　第１制御用リード８５Ａと第１制御用配線６４Ａとは、第１制御用接続部材１４１Ａによって接続されている。具体的には、第１制御用接続部材１４１Ａは、第１制御用リード８５Ａの第２部分１１１ｂの先端部と、縦方向Ｙにおける第１制御用配線６４Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部とに接続されている。第１制御用接続部材１４１Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第１制御電源用リード８６Ａは、縦方向Ｙにおいて第１制御電源用リード８６Ａのパッド部８６ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１２０と、第１配線部１２０から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１２１とを有する。本実施形態では、第１制御電源用リード８６Ａは、第１配線部１２０、第２配線部１２１、パッド部８６ｐ、及び端子部８６ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１２０は、パッド部８６ｐから第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１２０は、導通基板６０側に向かうにつれて第１樹脂側面５１側に向けて斜めに延びている。第２配線部１２１は、その全体が第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ上となるように配置されている。平面視において第２配線部１２１の形状は、特に限定されないが、正方形である。第２配線部１２１は、横方向Ｘにおいて第１制御用リード８４Ａの第１配線部１００と第１制御用リード８５Ａの第１配線部１１０との間に配置されている。第２配線部１２１は、縦方向Ｙにおいて第１制御用リード８４Ａの第２配線部１０１よりもパッド部８６ｐ寄りに配置されている。第２配線部１２１の横方向Ｘの幅は、第１配線部１２０の幅（平面視において第１配線部１２０が延びる方向と直交する方向の寸法）よりも大きい。
　第１制御電源用リード８６Ｂは、縦方向Ｙにおいて第１制御電源用リード８６Ｂのパッド部８６ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１２２と、第１配線部１２２から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１２３とを有する。本実施形態では、第１制御電源用リード８６Ｂは、第１配線部１２２、第２配線部１２３、パッド部８６ｐ、及び端子部８６ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１２２は、パッド部８６ｐから第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１２２は、導通基板６０側に向かうにつれて第１樹脂側面５１側に向けて斜めに延びている。第１配線部１２２のうちの第２配線部１２３寄りの端部の一部は、第１導電部材４２Ａよりも第１樹脂側面５１側に突出している。第２配線部１２３は、第１配線部１２２から縦方向Ｙに沿って延びている。第２配線部１２３は、縦方向Ｙにおいて第１制御用リード８５Ａの第２配線部１１１の第２部分１１１ｂよりもパッド部８６ｐ寄りに配置されている。
　第１短絡検出用リード８７Ａは、縦方向Ｙにおいて第１短絡検出用リード８７Ａのパッド部８７ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１３０と、第１配線部１３０から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１３１とを有する。本実施形態では、第１短絡検出用リード８７Ａは、第１配線部１３０、第２配線部１３１、パッド部８７ｐ、及び端子部８７ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１３０及び第２配線部１３１はともに縦方向Ｙに沿って延びている。第１配線部１３０は、パッド部８７ｐから第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第２配線部１３１は、その全体が第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ上に配置されている。第２配線部１３１の横方向Ｘの幅は、第１配線部１３０の横方向Ｘの幅よりも大きい。第２配線部１３１は、横方向Ｘにおいて、第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄよりも第２樹脂側面５２（図１６参照）寄りに配置されている。本実施形態では、第２配線部１３１は、縦方向Ｙからみて、第１駆動用配線６２Ａの第１配線部分６２ｐａ及び第３配線部分６２ｐｃと重なっている。
　第１短絡検出用リード８７Ａと第１駆動用配線６２Ａとは、第１短絡検出用接続部材１４２Ａによって接続されている。具体的には、第１短絡検出用接続部材１４２Ａは、第１短絡検出用リード８７Ａの第２配線部１３１のうちの導通基板６０寄りの端部と、第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部とに接続されている。第１短絡検出用接続部材１４２Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。第１短絡検出用接続部材１４２Ａは、第４配線部分６２ｐｄのうちの第１高耐圧ダイオード３０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りの部分に接続されている。
　第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、及び第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂには、第１サージ低減回路４Ａを構成する第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂが実装されている。このため、本実施形態では、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、及び第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂは、第１サージ低減回路４Ａを構成する導電路（配線部）となる。
　第１制御用リード８４Ａと第１制御用リード８５Ａとには、第１低耐圧ダイオード３２Ａが実装されている。具体的には、第１低耐圧ダイオード３２Ａの第１端子は、第１制御用リード８４Ａの第２配線部１０１のうちの第２部分１０１ｂに接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ａの第２端子は、第１制御電源用リード８６Ａのうちの第２配線部１２１に接続されている。
　第１制御用リード８４Ａと第１制御電源用リード８６Ａとには、第１低耐圧ダイオード３２Ｂが電気的に接続されるように構成されている。具体的には、第１制御電源用リード８６Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ｂが実装されるランド部１２３ａと、ランド部１２３ａと第１制御電源用リード８６Ａの第２配線部１２３とを接続する配線接続部材１２８とを有する。ランド部１２３ａ及び第２配線部１２３は個別に設けられている。ランド部１２３ａは、第２配線部１２３から離間して配置されている。より詳細には、ランド部１２３ａは、縦方向Ｙにおいて、第２配線部１２３よりも第４樹脂側面５４寄り（第１半導体素子１０Ａ寄り）に配置されている。横方向Ｘからみて、ランド部１２３ａは、第１制御用リード８４Ａの第２配線部１０１の第２部分１０１ｂと第１制御用リード８５Ａの第２配線部１１１の第２部分１１１ｂとに重なるように配置されている。横方向Ｘにおいて、ランド部１２３ａは、第１制御用リード８４Ａの第２配線部１０１の第２部分１０１ｂと第１制御用リード８５Ａの第２配線部１１１の第２部分１１１ｂとの間に配置されている。平面視において、配線接続部材１２８は、第１樹脂側面５１に向かうにつれて第３樹脂側面５３に向けて斜めに延びている。配線接続部材１２８は、第１制御用リード８５Ａの第２配線部１１１を跨ぐように形成されている。第１低耐圧ダイオード３２Ｂのアノード電極は、第１制御用リード８４Ａの第２配線部１０１のうちの第２部分１０１ｂに接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ｂのカソード電極は、ランド部１２３ａに接続されている。このように、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂは、第１制御電源用リード８６Ａと第１制御電源用リード８６Ｂとの間で第１制御用リード８４Ａを介して直列接続されている。
　第１制御電源用リード８６Ａと第１制御用リード８５Ａとには、第１コンデンサ３３Ａが実装されている。具体的には、第１コンデンサ３３Ａの第１端子は、第１制御電源用リード８６Ａの第２配線部１２１に接続されている。第１コンデンサ３３Ａの第２端子は、第１制御用リード８５Ａの第２配線部１１１のうちの第１部分１１１ａに接続されている。
　第１制御用リード８５Ａと第１制御電源用リード８６Ｂとには、第１コンデンサ３３Ｂが実装されている。具体的には、第１コンデンサ３３Ｂの第１端子は、第１制御用リード８５Ａのうちの第２配線部１１１の第１部分１１１ａに接続されている。第１コンデンサ３３Ｂの第２端子は、第１制御電源用リード８６Ｂの第２配線部１２３に接続されている。このように、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１制御電源用リード８６Ａと第１制御電源用リード８６Ｂとの間で第１制御用リード８５Ａを介して直列接続されている。
　図１８に示すように、第２制御用リード８４Ｂは、縦方向Ｙにおいて第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１０２と、第１配線部１０２から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１０３と、第２配線部１０３から分岐して横方向Ｘに沿って延びる第３配線部１０４とを有する。本実施形態では、第２制御用リード８４Ｂは、第１配線部１０２、第２配線部１０３、第３配線部１０４、パッド部８４ｐ、及び端子部８４ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１０２は、パッド部８４ｐから第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１０２は、導通基板６０に向かうにつれて樹脂部材５０の第２樹脂側面５２に向けて斜めに延びている。第１配線部１０２の幅（平面視において第１配線部１０２が延びる方向と直交する方向の寸法）は、パッド部８４ｐの横方向Ｘの幅よりも小さい。第２配線部１０３は、その全体が第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂ上に配置されている。平面視において第２配線部１０３の形状は、Ｌ字状である。第２配線部１０３は、第１部分１０３ａ及び第２部分１０３ｂを有する。第１部分１０３ａは、第１配線部１０２から縦方向Ｙに沿って延びる部分である。第２部分１０３ｂは、第１部分１０３ａの導通基板６０寄りの端部から横方向Ｘに沿って延びる部分である。第２部分１０３ｂは、横方向Ｘにおいて第２樹脂側面５２側に向けて延びている。第１部分１０３ａの横方向Ｘの幅は、第２部分１０３ｂの縦方向Ｙの幅よりも大きい。第２部分１０３ｂは、縦方向Ｙからみて、第２制御用配線６３Ｂと重なる位置まで延びている。第３配線部１０４は、縦方向Ｙにおいて第２配線部１０３の第２部分１０３ｂよりもパッド部８４ｐ（第３樹脂側面５３）寄りに配置されている。第３配線部１０４は、第２配線部１０３の第１部分１０３ａから第２樹脂側面５２側に向けて横方向Ｘに沿って延びている。第３配線部１０４は、縦方向Ｙにおいて第２部分１０３ｂと間隔をあけて第２部分１０３ｂと隣り合うように配置されている。
　第２制御用リード８４Ｂと第２制御用配線６３Ｂとは、第２制御用接続部材１４０Ｂによって接続されている。具体的には、第２制御用接続部材１４０Ｂは、第２制御用リード８４Ｂのうちの第２配線部１０３の第２部分１０３ｂにおける第２樹脂側面５２寄りの端部と、第２制御用配線６３Ｂのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部とに接続されている。第２制御用接続部材１４０Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第２制御用リード８５Ｂは、縦方向Ｙにおいて第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１１２と、第１配線部１１２から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１１３とを有する。本実施形態では、第１配線部１１２、第２配線部１１３、パッド部８５ｐ、及び端子部８５ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１１２は、パッド部８５ｐから第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１１２は、導通基板６０側に向かうにつれて第２樹脂側面５２側に向けて斜めに延びている。第２配線部１１３は、その全体が第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂ上に位置するように配置されている。平面視において第２配線部１１３の形状は、Ｌ字状である。第２配線部１１３は、第１部分１１３ａ及び第２部分１１３ｂを有する。第１部分１１３ａは、第１配線部１１２から縦方向Ｙに沿って延びる部分である。第２部分１１３ｂは、第１部分１１３ａから第２樹脂側面５２に向けて横方向Ｘに沿って延びる部分である。第２部分１１３ｂは、縦方向Ｙにおいて第２制御用リード８４Ｂの第３配線部１０４と揃った状態で第３配線部１０４に対して横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。第２部分１１３ｂは、第２制御用リード８４Ｂの第３配線部１０４と横方向Ｘに隣り合うように配置されている。縦方向Ｙからみて、第２部分１１３ｂは、第２制御用配線６３Ｂ及び第２制御用配線６４Ｂと重なっている。
　第２制御用リード８５Ｂと第２制御用配線６４Ｂとは、第２制御用接続部材１４１Ｂによって接続されている。具体的には、第２制御用接続部材１４１Ｂは、第２制御用リード８５Ｂの第２部分１１３ｂと、第２制御用配線６４Ｂのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部とに接続されている。第２制御用接続部材１４１Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第２制御電源用リード８６Ｃは、縦方向Ｙにおいて第２制御電源用リード８６Ｃのパッド部８６ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１２４と、第１配線部１２４から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１２５とを有する。本実施形態では、第２制御電源用リード８６Ｃは、第１配線部１２４、第２配線部１２５、パッド部８６ｐ、及び端子部８６ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１２４は、パッド部８６ｐから第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１２４は、導通基板６０側に向かうにつれて第２樹脂側面５２側に向けて斜めに延びている。第２配線部１２５は、その全体が第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂ上に位置するように配置されている。平面視において第２配線部１２５の形状は、特に限定されないが、正方形である。第２配線部１２５は、横方向Ｘにおいて第２制御用リード８４Ｂの第１配線部１０２と第２制御用リード８５Ｂの第１配線部１１２との間に配置されている。第２配線部１２５は、縦方向Ｙにおいて第２制御用リード８４Ｂの第３配線部１０４よりもパッド部８６ｐ寄りに配置されている。第２配線部１２５の横方向Ｘの幅は、第１配線部１２４の幅（平面視において第１配線部１２４が延びる方向と直交する方向の寸法）よりも大きい。
　第２制御電源用リード８６Ｄは、縦方向Ｙにおいて第２制御電源用リード８６Ｄのパッド部８６ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１２６と、第１配線部１２６から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１２７とを有する。本実施形態では、第２制御電源用リード８６Ｄは、第１配線部１２６、第２配線部１２７、パッド部８６ｐ、及び端子部８６ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１２６は、パッド部８６ｐから第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第１配線部１２６は、導通基板６０側に向かうにつれて第２樹脂側面５２側に向けて斜めに延びている。第２配線部１２７は、その全体が第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂ上に位置するように配置されている。第２配線部１２７は、第１配線部１２６から縦方向Ｙに沿って延びている。第２配線部１２７は、縦方向Ｙにおいて第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３の第２部分１１３ｂよりもパッド部８６ｐ寄りに配置されている。第２配線部１２７は、横方向Ｘにおいて第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３の第１部分１１３ａよりも第２樹脂側面５２寄りに第１部分１１３ａと横方向Ｘに間隔をあけて配置されている。
　第２短絡検出用リード８７Ｂは、縦方向Ｙにおいて第２短絡検出用リード８７Ｂのパッド部８７ｐから導通基板６０に向けて延びる第１配線部１３２と、第１配線部１３２から導通基板６０に向けて延びる第２配線部１３３とを有する。本実施形態では、第２短絡検出用リード８７Ｂは、第１配線部１３２、第２配線部１３３、パッド部８７ｐ、及び端子部８７ｔが一体形成された単一部品である。第１配線部１３２及び第２配線部１３３はともに縦方向Ｙに沿って延びている。第１配線部１３２は、パッド部８７ｐから第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部まで延びている。第２配線部１３３は、その全体が第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂ上に配置されている。第２配線部１３３の横方向Ｘの幅は、第１配線部１３２の横方向Ｘの幅よりも大きい。第２配線部１３３は、横方向Ｘからみて、第２駆動用配線６２Ｂの第１配線部分６２ｐａと重なるように配置されている。
　第２短絡検出用リード８７Ｂと第２駆動用配線６２Ｂとは、第２短絡検出用接続部材１４２Ｂによって接続されている。具体的には、第２短絡検出用接続部材１４２Ｂは、第２短絡検出用リード８７Ｂの第２配線部１３３のうちの導通基板６０寄りの端部と、第２駆動用配線６２Ｂの第１配線部分６２ｐａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部とに接続されている。第２短絡検出用接続部材１４２Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、及び第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄには、第２サージ低減回路４Ｂを構成する第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂが実装されている。このため、本実施形態では、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、及び第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄは、第２サージ低減回路４Ｂを構成する導電路（配線部）となる。
　第２制御用リード８４Ｂと第２制御電源用リード８６Ｃとには、第２低耐圧ダイオード３４Ａが実装されている。具体的には、第２低耐圧ダイオード３４Ａのアノード電極は、第２制御用リード８４Ｂの第２配線部１０３のうちの第１部分１０３ａに接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ａのカソード電極は、第２制御電源用リード８６Ｃの第２配線部１２５に接続されている。
　第２制御用リード８４Ｂと第２制御電源用リード８６Ｄとには、第２低耐圧ダイオード３４Ｂが電気的に接続されるように構成されている。具体的には、第２制御電源用リード８６Ｄは、第２低耐圧ダイオード３４Ｂが実装されるランド部１２７ａと、ランド部１２７ａと第２制御電源用リード８６Ｄの第２配線部１２７とを接続する配線接続部材１２９とを有する。ランド部１２７ａは、縦方向Ｙにおいて、第２配線部１２７よりも第４樹脂側面５４寄り（第２半導体素子１０Ｂ寄り）に配置されている。横方向Ｘからみて、ランド部１２７ａは、第２制御用リード８４Ｂの第３配線部１０４と第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３の第２部分１１３ｂとに重なるように配置されている。横方向Ｘにおいて、ランド部１２７ａは、第２制御用リード８４Ｂの第３配線部１０４と第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３の第２部分１１３ｂとの間に配置されている。平面視において、配線接続部材１２９は、第２樹脂側面５２に向かうにつれて第３樹脂側面５３に向けて斜めに延びている。配線接続部材１２９は、第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３を跨ぐように形成されている。第２低耐圧ダイオード３４Ｂのカソード電極は、第２制御用リード８４Ｂのうちの第３配線部１０４の先端部に接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ｂのアノード電極は、第２制御電源用リード８６Ｄのランド部１２７ａに接続されている。このように、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂは、第２制御電源用リード８６Ｃと第２制御電源用リード８６Ｄとの間で第２制御用リード８４Ｂを介して直列接続されている。
　第２制御電源用リード８６Ｃと第２制御用リード８５Ｂとには、第２コンデンサ３５Ａが実装されている。具体的には、第２コンデンサ３５Ａの第１端子は、第２制御電源用リード８６Ｃの第２配線部１２５に接続されている。第２コンデンサ３５Ａの第２端子は、第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３のうちの第１部分１１３ａに接続されている。
　第２制御用リード８５Ｂと第２制御電源用リード８６Ｄとには、第２コンデンサ３５Ｂが実装されている。具体的には、第２コンデンサ３５Ｂの第１端子は、第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３のうちの第１部分１１３ａに接続されている。第２コンデンサ３５Ｂの第２端子は、第２制御電源用リード８６Ｄの第２配線部１２７に接続されている。このように、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第２制御電源用リード８６Ｃと第２制御電源用リード８６Ｄとの間で第２制御用リード８５Ｂを介して直列接続されている。
　図１５に示すように、樹脂部材５０には、第１制御側開口部５８Ａ、第２制御側開口部５８Ｂ、第１駆動側開口部５９Ａ、及び第２駆動側開口部５９Ｂが形成されている。なお、第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂは、第１実施形態の第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂと同じである。第１制御側開口部５８Ａと第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、横方向Ｘにおいて、互いに離間した状態で並んで配置されている。
　第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０（第５層基板６０Ｆ）よりも縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの部分を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１導電部材４２Ａのうちの導通基板６０から第３樹脂側面５３側に突出した部分を露出している。より詳細には、第１制御側開口部５８Ａは、第１実施形態の第１制御側開口部５８Ａと同様に、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続された第１サージ低減回路４Ａを露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、及び第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂのそれぞれの一部と、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ、及び第１導電部材４２Ａの一部を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１短絡検出用リード８７Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
　第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板６０（第５層基板６０Ｇ）よりも縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの部分を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２導電部材４２Ｂのうちの導通基板６０から第３樹脂側面５３側に突出した部分を露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第１実施形態の第２制御側開口部５８Ｂと同様に、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続された第２サージ低減回路４Ｂを露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、及び第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄのそれぞれの一部と、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂ、及び第２導電部材４２Ｂの一部を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２短絡検出用リード８７Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。
　（製造方法）
　図１９に示すように、本実施形態の半導体装置１Ｂの製造方法は、支持基板準備工程（ステップＳ２１）、リード接合工程（ステップＳ２２）、電子部品実装工程（ステップＳ２３）、半導体素子実装工程（ステップＳ２４）、導通基板準備工程（ステップＳ２５）、基板接合工程（ステップＳ２６）、ワイヤ形成工程（ステップＳ２７）、及び封止工程（ステップＳ２８）を有する。支持基板準備工程、リード接合工程、電子部品実装工程、半導体素子実装工程、導通基板準備工程、基板接合工程、ワイヤ形成工程、及び封止工程の順に実施することによって、半導体装置１Ｂが製造される。
　支持基板準備工程では、第１実施形態の支持基板準備工程と同様に、第１絶縁基板４１Ａに第１導電部材４２Ａを接合し、第２絶縁基板４１Ｂに第２導電部材４２Ｂを接合する。
　リード接合工程では、リードフレームを第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ及び第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに例えば電気的絶縁性を有する接合材を用いて接合する。このリードフレームには、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂの構成要素が形成されている。
　電子部品実装工程では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂに各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂが銀ペーストや半田などの導電性接合材を用いて実装される。
　半導体素子実装工程では、第１実施形態の半導体素子実装工程と同様に、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１と第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａとを接合し、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂとを接合する。
　導通基板準備工程では、第１実施形態の配線準備工程と同様に、導通基板６０と各入力リード８１，８２及び出力リード８３との組立体を製造する。そして、導通基板６０の第５層基板６０Ｆに第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを実装し、第５層基板６０Ｇに第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを実装する。一方、導通基板準備工程では、第１実施形態の配線準備工程とは異なり、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂを導通基板６０に実装しない。
　基板接合工程では、第１実施形態の基板接合工程と同様に、導通基板６０と各入力リード８１，８２及び出力リード８３との組立体を第１導電部材４２Ａ及び第２導電部材４２Ｂに接合する。
　ワイヤ形成工程では、ボンディング装置によって各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ、及び各制御用接続部材９３Ａ，９３Ｂが第１実施形態と同様に形成される。
　ワイヤ形成工程では、ボンディング装置は、第１制御用リード８５Ａの第２配線部１１１の第２部分１１１ｂにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御用配線６４Ａまで移動し、第１制御用配線６４Ａにワイヤを接合する。これにより、第１制御用リード８５Ａと第１制御用配線６４Ａとを繋ぐ第１制御用接続部材１４１Ａが形成される。
　次に、ボンディング装置は、第１制御用リード８４Ａの第２配線部１０１の第２部分１０１ｂにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１制御用配線６３Ａまで移動し、第１制御用配線６３Ａにワイヤを接合する。これにより、第１制御用リード８４Ａと第１制御用配線６３Ａとを繋ぐ第１制御用接続部材１４０Ａが形成される。
　次に、ボンディング装置は、第１短絡検出用リード８７Ａの第２配線部１３１にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄまで移動し、第４配線部分６２ｐｄにワイヤを接合する。これにより、第１短絡検出用リード８７Ａと第１駆動用配線６２Ａとを繋ぐ第１短絡検出用接続部材１４２Ａが形成される。
　次に、ボンディング装置は、第２短絡検出用リード８７Ｂの第２配線部１３３にワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２駆動用配線６２Ｂの第１配線部分６２ｑａまで移動し、第１配線部分６２ｑａにワイヤを接合する。これにより、第２短絡検出用リード８７Ｂと第２駆動用配線６２Ｂとを繋ぐ第２短絡検出用接続部材１４２Ｂが形成される。
　次に、ボンディング装置は、第２制御用リード８４Ｂの第２配線部１０３の第２部分１０３ｂにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御用配線６３Ｂまで移動し、第２制御用配線６３Ｂにワイヤを接合する。これにより、第２制御用リード８４Ｂと第２制御用配線６３Ｂとを繋ぐ第２制御用接続部材１４０Ｂが形成される。
　最後に、ボンディング装置は、第２制御用リード８５Ｂの第２配線部１１３の第２部分１１３ｂにワイヤを接合した後、ワイヤを引き出しながら第２制御用配線６４Ｂまで移動し、第２制御用配線６４Ｂにワイヤを接合する。これにより、第２制御用リード８５Ｂと第２制御用配線６４Ｂとを繋ぐ第２制御用接続部材１４１Ｂが形成される。
　封止工程では、第１実施形態の封止工程と同様に、樹脂部材５０を形成する。この工程において、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂ及び各駆動側開口部５９Ａ，５９Ｂが形成される。その後、第１実施形態と同様にリードフレーム切断工程及びリード形成工程を経て、半導体装置１Ｂが製造される。
　なお、ワイヤ形成工程において、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御用接続部材１４０Ａ，１４０Ｂ，１４１Ａ，１４１Ｂ、及び各短絡検出用接続部材１４２Ａ，１４２Ｂが形成される順番は任意に変更可能である。
　また、本実施形態では、導通基板準備工程において、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂを構成する各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装したが、これに限られない。例えば、導通基板準備工程において、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装しなくてもよい。各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、３１Ａ，３１Ｂは、封止工程の後に第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂによって実装されてもよい。この場合、絶縁材７１は、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを導通基板６０に実装した後に第１駆動側開口部５９Ａに充填する。絶縁材７２は、各高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装した後に第２駆動側開口部５９Ｂに充填する。また、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂを導通基板６０に実装しない状態で半導体装置１Ｂを出荷してもよい。この場合、半導体装置１Ｂを用いるユーザが、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂを第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂによって導通基板６０に実装する。
　また、本実施形態では、電子部品工程が封止工程の前に実施されているが、これに限られない。例えば、電子部品工程は、封止工程の後に実施されてもよい。また半導体装置１Ｂの製造方法から電子部品工程を省略してもよい。この場合、半導体装置１Ｂの出荷後、半導体装置１Ｂを用いるユーザが、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂを導通基板６０に実装しなくてもよい。各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂを第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂによって導通基板６０に実装する。
　本実施形態の半導体装置１Ｂによれば、第１実施形態の半導体装置１Ａと同様の効果に加え、以下の効果が得られる。
　（２－１）第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、及び第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂに直接的に接続されている。この構成によれば、第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂと導通基板６０とを接続する接続部材（ワイヤ）を省略できる。したがって、接続部材の本数を減らすことができ、接続部材に起因する半導体装置１Ｂのインダクタンスを低減できる。
　第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、及び第２制御電源用リード８６Ｄに直接的に接続されている。この構成によれば、第２制御電源用リード８６Ｃ及び第２制御電源用リード８６Ｄと導通基板６０とを接続する接続部材（ワイヤ）を省略できる。したがって、接続部材の本数を減らすことができ、接続部材に起因する半導体装置１Ｂのインダクタンスを低減できる。
　（２－２）第１制御用接続部材１４０Ａは、第１制御用配線６３Ａのうちの樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄りの端部と、第１制御用リード８４Ａのうちの導通基板６０寄りの端部とに接続されている。このため、第１制御用接続部材１４０Ａの長さが短くなるため、第１制御用接続部材１４０Ａに起因するインダクタンスを低減できる。
　第２制御用接続部材１４０Ｂは、第２制御用配線６３Ｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第２制御用リード８４Ｂのうちの導通基板６０寄りかつ第２樹脂側面５２寄りの端部とに接続されている。このため、第２制御用接続部材１４０Ｂの長さが短くなるため、第２制御用接続部材１４０Ｂに起因するインダクタンスを低減できる。
　（２－３）第１制御用接続部材１４１Ａは、第１制御用配線６４Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第１制御用リード８５Ａのうちの導通基板６０寄りの端部とに接続されている。このため、第１制御用接続部材１４１Ａの長さが短くなるため、第１制御用接続部材１４１Ａに起因するインダクタンスを低減できる。
　第２制御用接続部材１４１Ｂは、第２制御用配線６４Ｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第２制御用リード８５Ｂのうちの導通基板６０寄りかつ第２樹脂側面５２寄りの端部とに接続されている。このため、第２制御用接続部材１４１Ｂの長さが短くなるため、第２制御用接続部材１４１Ｂに起因するインダクタンスを低減できる。
　（２－４）各サージ低減回路４Ａ，４Ｂの導電路（配線部）を構成する各リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ，８６Ａ～８６Ｄは、配線部、パッド部、及び端子部が一体形成された単一部品である。この構成によれば、例えば配線部とパッド部とがワイヤで接続される場合と比較して、各サージ低減回路４Ａ，４Ｂから各リードの端子部までの間のインダクタンスを低減できる。
　［第３実施形態］
　図２０～図２４を参照して、第３実施形態の半導体装置１Ｃについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｃは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、複数の端子２０、導通基板６０の配線部、及び回路構成が異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
　（半導体装置の回路構成）
　図２４に示すように、半導体装置１Ｃの複数の端子２０は、第１実施形態の半導体装置１Ａの複数の端子２０と比較して、第１制御電力端子２５Ａに代えて、第１インターフェース端子２７Ａを備え、第２制御電力端子２５Ｃに代えて、第２インターフェース端子２７Ｂを備える点が異なる。
　第１インターフェース端子２７Ａには、下側アームのスイッチング回路がオン状態時に、第１制御端子２３Ａに供給される制御信号がオフ状態を保つように、半導体装置１Ｃの外部に設けられたゲートドライブ回路（図示略）から信号が供給される。
　第２インターフェース端子２７Ｂには、上側アームのスイッチング回路がオン状態時に、第２制御端子２３Ｂに供給される制御信号がオフ状態を保つように、半導体装置１Ｃの外部に設けられたゲートドライブ回路から信号が供給される。
　第１半導体素子１０Ａと第２半導体素子１０Ｂとの接続構成は、第１実施形態の第１半導体素子１０Ａと第２半導体素子１０Ｂとの接続構成と同じである。また、半導体装置１Ｃは、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂ、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、３４Ａ，３４Ｂ、及び各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ，３５Ａ，３５Ｂに代えて、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ、第１抵抗３８Ａ，第１抵抗３８Ｂ、第２抵抗３８Ｃ、第２抵抗３８Ｄ、第１スイッチング素子３９Ａ、及び第２スイッチング素子３９Ｂが実装可能なように構成されている。以下、各低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ，３７Ａ，３７Ｂ、各抵抗３８Ａ～３８Ｄ、及び各スイッチング素子３９Ａ，３９Ｂを備えている状態の半導体装置１Ｃについて説明する。
　本実施形態では、第１半導体素子１０Ａのゲートソース間において、互いに逆直列に接続された第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂによって、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に発生するサージ電圧を吸収する第１サージ吸収回路５Ａを構成している。より詳細には、第１低耐圧ダイオード３６Ａのカソード電極は、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に電気的に接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ａのアノード電極は、第１低耐圧ダイオード３６Ｂのアノード電極と電気的に接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ｂのカソード電極は、第１半導体素子１０Ａのソース電極１２に電気的に接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂはそれぞれ、ショットキーバリアダイオードが用いられている。
　また、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に電気的に接続される第１スイッチング素子３９Ａと、第１抵抗３８Ａ及び第１抵抗３８Ｂとによって、第１半導体素子１０Ａを駆動させるための第１インターフェース回路６Ａを構成している。より詳細には、第１スイッチング素子３９Ａは、例えばＭＯＳＦＥＴが用いられている。第１スイッチング素子３９Ａのドレイン電極３９ｄは、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に電気的に接続されている。第１スイッチング素子３９Ａのソース電極３９ｓは、第１制御電力端子２５Ｂに電気的に接続されている。第１スイッチング素子３９Ａのゲート電極３９ｇは、第１インターフェース端子２７Ａに電気的に接続されている。
　第１抵抗３８Ａは、第１インターフェース端子２７Ａと第１スイッチング素子３９Ａのゲート電極３９ｇとの間に設けられている。第１抵抗３８Ａの第１端子は第１インターフェース端子２７Ａに接続されており、第２端子は第１スイッチング素子３９Ａのゲート電極３９ｇに接続されている。第１抵抗３８Ｂは、第１スイッチング素子３９Ａのゲートソース間に設けられている。第１抵抗３８Ｂの第１端子は第１インターフェース端子２７Ａ及び第１抵抗３８Ａの第１端子に接続されており、第２端子は第１スイッチング素子３９Ａのソース電極３９ｓに接続されている。
　本実施形態では、第２半導体素子１０Ｂのゲートソース間において、互いに逆直列に接続された第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂによって、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に発生するサージ電圧を吸収する第２サージ吸収回路５Ｂを構成している。より詳細には、第２低耐圧ダイオード３４Ａのカソード電極は、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に電気的に接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ａのアノード電極は、第２低耐圧ダイオード３４Ｂのアノード電極と電気的に接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ｂのカソード電極は、第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２に電気的に接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂはそれぞれ、ショットキーバリアダイオードが用いられている。
　また、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に電気的に接続される第２スイッチング素子３９Ｂと、第２抵抗３８Ｃ及び第２抵抗３８Ｄとによって、第２半導体素子１０Ｂを駆動させるための第２インターフェース回路６Ｂを構成している。より詳細には、第２スイッチング素子３９Ｂは、例えばＭＯＳＦＥＴが用いられている。第２スイッチング素子３９Ｂのドレイン電極３９ｄは、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に電気的に接続されている。第２スイッチング素子３９Ｂのソース電極３９ｓは、第２制御電力端子２５Ｄに電気的に接続されている。第２スイッチング素子３９Ｂのゲート電極３９ｇは、第２インターフェース端子２７Ｂに電気的に接続されている。
　第２抵抗３８Ｃは、第２インターフェース端子２７Ｂと第２スイッチング素子３９Ｂのゲート電極３９ｇとの間に設けられている。第２抵抗３８Ｃの第１端子は第２インターフェース端子２７Ｂに接続され、第２端子は第２スイッチング素子３９Ｂのゲート電極３９ｇに接続されている。第２抵抗３８Ｄは、第２スイッチング素子３９Ｂのゲートソース間に設けられている。第２抵抗３８Ｄの第１端子は第２インターフェース端子２７Ｂ及び第２抵抗３８Ｃの第１端子に接続され、第２端子は第２スイッチング素子３９Ｂのソース電極３９ｓに接続されている。
　（半導体装置の構成）
　図２０～図２３に示すように、本実施形態の半導体装置１Ｃは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、複数のリード８０の配列態様、第１配線領域７０Ａの一部、及び第２配線領域７０Ｂが異なる。
　半導体装置１Ｃは、第１配線領域７０Ａの縦方向Ｙの隣に配置されたリード８０として、第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、第１インターフェース用リード８８Ａ、及び第１短絡検出用リード８７Ａを備える。横方向Ｘにおいて各入力リード８１，８２から出力リード８３に向けて、第１制御用リード８５Ａ、第１制御用リード８４Ａ、第１インターフェース用リード８８Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａの順に配列されている。第１インターフェース用リード８８Ａは、例えば第１制御用リード８５Ａと同じ形状である。第１インターフェース用リード８８Ａは、パッド部８８ｐと端子部８８ｔとを有する。本実施形態では、第１インターフェース用リード８８Ａは、パッド部８８ｐと端子部８８ｔとが一体形成された単一部品である。パッド部８８ｐには、パッド部８８ｐを厚さ方向Ｚに貫通する貫通孔８８ｈが設けられている。貫通孔８８ｈには、樹脂部材５０の一部が入り込んでいる。
　半導体装置１Ｃは、第２配線領域７０Ｂの縦方向Ｙの隣に配置されたリード８０として、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｄ、第２インターフェース用リード８８Ｂ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂを備える。横方向Ｘにおいて出力リード８３から各入力リード８１，８２に向けて、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｄ、第２インターフェース用リード８８Ｂ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂの順に配列されている。第２インターフェース用リード８８Ｂは、例えば第２制御用リード８５Ｂと同じ形状である。第２インターフェース用リード８８Ｂは、パッド部８８ｐと端子部８８ｔとを有する。本実施形態では、第２インターフェース用リード８８Ｂは、パッド部８８ｐと端子部８８ｔとが一体形成された単一部品である。パッド部８８ｐには、パッド部８８ｐを厚さ方向Ｚに貫通する貫通孔８８ｈが設けられている。貫通孔８８ｈには、樹脂部材５０の一部が入り込んでいる。
　第１駆動用配線６２Ａのうちの第１配線部分６２ｐａ、第２配線部分６２ｐｂ、第３配線部分６２ｐｃ、及び第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙは、第１実施形態の第１駆動用配線６２Ａと同じである。第１駆動用配線６２Ａのうちの第４配線部分６２ｐｄの第２部分６２ｐｚが第１実施形態の第１駆動用配線６２Ａと異なる。具体的には、第２部分６２ｐｚのうちの横方向Ｘに沿って延びる部分の横方向Ｘの長さが第１実施形態の第２部分６２ｐｚのうちの横方向Ｘに沿って延びる部分の横方向Ｘの長さよりも長い。このため、第２部分６２ｐｚのうちの縦方向Ｙに沿って延びる部分が横方向Ｘにおいて第５層基板６０Ｆのうちの出力リード８３寄りの端部に配置されている。このため、縦方向Ｙからみて、第２部分６２ｐｚのうちの縦方向Ｙに沿って延びる部分は、第１駆動用配線６２Ａの第１配線部分６２ｐａと重なるように配置されている。
　第１駆動用配線６２Ａと第１短絡検出用リード８７Ａとは、第１短絡検出用接続部材９７Ａによって電気的に接続されている。第１短絡検出用接続部材９７Ａは、第１駆動用配線６２Ａのうちの第４配線部分６２ｐｄの第２部分６２ｐｚにおける縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第１短絡検出用リード８７Ａのパッド部８７ｐとに接続されている。
　第１制御用配線６３Ａのうちの第１配線部分６３ｐａ及び第２配線部分６３ｐｂは、第１実施形態の第１制御用配線６３Ａと同じである。第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃが第１実施形態の第１制御用配線６３Ａと異なる。具体的には、第３配線部分６３ｐｃは、第２配線部分６３ｐｂから縦方向Ｙの第３樹脂側面５３側に向けて縦方向Ｙに沿って延びている。
　第１制御用配線６３Ａと第１制御用リード８４Ａとは、第１制御リード用接続部材９４Ａによって電気的に接続されている。第１制御リード用接続部材９４Ａは、第１制御用配線６３Ａのうちの第３配線部分６３ｐｃにおける縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとに接続されている。
　第１制御用配線６４Ａは、第１実施形態の第１制御用配線６４Ａと比較して、第２配線部分６４ｐｂ及び第３配線部分６４ｐｃを有していない。第１制御用配線６４Ａは、縦方向Ｙに沿って延びている。第１制御用配線６４Ａの縦方向Ｙの長さは、第１実施形態の第１制御用配線６４Ａにおける第１配線部分６４ｐａの縦方向Ｙの長さよりも長い。
　第１制御用配線６４Ａと第１制御用リード８５Ａとは、第１制御リード用接続部材９５Ａによって電気的に接続されている。第１制御リード用接続部材９５Ａは、第１制御用配線６４Ａのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとに接続されている。
　平面視における第１制御電源用配線６６Ａの形状は、Ｌ字状である。第２制御電源用配線６６Ｂは、第１配線部分６６ｐａ及び第２配線部分６６ｐｂを有する。第１配線部分６６ｐａは、第５層基板６０Ｆのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部から第１半導体素子１０Ａに向けて縦方向Ｙに沿って延びている。第１配線部分６６ｐａは、第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄの第２部分６２ｐｚよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第２配線部分６６ｐｂは、第１配線部分６６ｐａのうちの縦方向Ｙの第１半導体素子１０Ａ寄りの端部から横方向Ｘに沿って延びている。第２配線部分６６ｐｂは、第１樹脂側面５１に向けて延びている。第２配線部分６６ｐｂは、第１駆動用配線６２Ａの第４配線部分６２ｐｄの第１部分６２ｐｙよりも横方向Ｘの第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２配線部分６６ｐｂの先端部は、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃと横方向Ｘに近接している。
　第１制御電源用配線６６Ａと第１制御電源用リード８６Ｂとは、第１制御電源用接続部材９６Ｂによって電気的に接続されている。第１制御電源用接続部材９６Ｂは、第１制御電源用配線６６Ａの第１配線部分６６ｐａのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第１制御電源用リード８６Ｂのパッド部８６ｐとに接続されている。
　第１インターフェース用配線６８Ａは、横方向Ｘにおいて第１制御電源用配線６６Ａの第１配線部分６６ｐａと、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃとの間に配置されている。また、第１インターフェース用配線６８Ａは、縦方向Ｙにおいて第１制御電源用配線６６Ａの第２配線部分６６ｐｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第１インターフェース用配線６８Ａは、縦方向Ｙに延びている。
　第１インターフェース用配線６８Ａと第１インターフェース用リード８８Ａとは、第１インターフェース用接続部材９８Ａによって接続されている。第１インターフェース用接続部材９８Ａは、第１インターフェース用配線６８Ａのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第１インターフェース用リード８８Ａのパッド部８８ｐとに接続されている。第１インターフェース用接続部材９８Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃと第１制御用配線６４Ａとの横方向Ｘの間には、第１中継配線６９Ａが設けられている。第１中継配線６９Ａは、縦方向Ｙに沿って延びている。
　第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃと第２制御電源用配線６６Ｂとの横方向Ｘの間には、第２中継配線６９Ｂが設けられている。平面視における第２中継配線６９Ｂの形状は、Ｌ字状である。第２中継配線６９Ｂは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６９ｐａと、横方向Ｘに延びる第２配線部分６９ｐｂとを有する。第２配線部分６９ｐｂは、第１配線部分６９ｐａのうちの縦方向Ｙの第１半導体素子１０Ａ寄りの端部から出力リード８３側に向けて延びている。
　第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、及び第１中継配線６９Ａには、第１サージ吸収回路５Ａを構成する第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂが実装されている。
　第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂは、第１制御用配線６３Ａと第１制御用配線６４Ａとの間において第１中継配線６９Ａを介して逆直列に接続されている。より詳細には、第１低耐圧ダイオード３６Ａのカソード電極は、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ａのアノード電極は、第１中継配線６９Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ｂのアノード電極は、第１中継配線６９Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ｂのカソード電極は、第１制御用配線６４Ａに接続されている。
　本実施形態では、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１低耐圧ダイオード３６Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１低耐圧ダイオード３６Ｂが配置されている。加えて、第１低耐圧ダイオード３６Ａと第１低耐圧ダイオード３６Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間するように配列されている。
　第１制御用配線６３Ａ、第２制御電源用配線６６Ｂ、第１インターフェース用配線６８Ａ、及び第２中継配線６９Ｂには、第１インターフェース回路６Ａを構成する第１抵抗３８Ａ，３８Ｂ、及び第１スイッチング素子３９Ａが実装されている。
　第１スイッチング素子３９Ａは、第１制御用配線６３Ａと、第２制御電源用配線６６Ｂと、第２中継配線６９Ｂとに電気的に接続されている。より詳細には、第１スイッチング素子３９Ａのドレイン電極３９ｄは、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃに接続されている。第１スイッチング素子３９Ａのソース電極３９ｓは、第２制御電源用配線６６Ｂのうちの第２配線部分６６ｐｂに接続されている。第１スイッチング素子３９Ａのゲート電極３９ｇは、第２中継配線６９Ｂに接続されている。本実施形態では、第１スイッチング素子３９Ａは、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第１抵抗３８Ａ、及び第１抵抗３８Ｂよりも第１半導体素子１０Ａ寄りに配置されている。
　第１抵抗３８Ａ及び第１抵抗３８Ｂは、第２制御電源用配線６６Ｂと第２中継配線６９Ｂとの間において第１インターフェース用配線６８Ａを介して接続されている。第１抵抗３８Ａの第１端子は、第２中継配線６９Ｂに接続されている。第１抵抗３８Ａの第２端子は、第１インターフェース用配線６８Ａに接続されている。第１抵抗３８Ｂの第１端子は、第１インターフェース用配線６８Ａに接続されている。第１抵抗３８Ｂの第２端子は、第２制御電源用配線６６Ｂの第１配線部分６６ｐａに接続されている。
　本実施形態では、第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１抵抗３８Ａが配置されている。また、第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１抵抗３８Ｂが配置されている。加えて、第１抵抗３８Ａと第１抵抗３８Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配列されている。
　第２駆動用配線６２Ｂは、第１実施形態の第２駆動用配線６２Ｂと同じである。第２短絡検出用接続部材９７Ｂは、第１実施形態と同様に、第２駆動用配線６２Ｂと第２短絡検出用リード８７Ｂとに接続されている。
　第２制御用配線６３Ｂのうちの第１配線部分６３ｑａは、第１実施形態の第１制御用配線６３Ａと同じである。本実施形態の第２制御用配線６３Ｂでは、第１実施形態の第１制御用配線６３Ａの第２配線部分６３ｑｂ及び第３配線部分６３ｑｃが省略される代わりに、第４配線部分６３ｑｄが追加されている。平面視における第４配線部分６３ｑｄの形状は、Ｌ字状である。第４配線部分６３ｑｄは、第１部分６３ｑｖ及び第２部分６３ｑｗを有する。第１部分６３ｑｖは、第１配線部分６３ｑａのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部から横方向Ｘの各入力リード８１，８２側に延びている。第２部分６３ｑｗは、第１部分６３ｑｖの横方向Ｘの各入力リード８１，８２寄りの端部から縦方向Ｙの第３樹脂側面５３側に延びている。
　第２制御用配線６３Ｂと第２制御用リード８４Ｂとは、第２制御リード用接続部材９４Ｂによって電気的に接続されている。第２制御リード用接続部材９４Ｂは、第２制御用配線６３Ｂのうちの第４配線部分６３ｑｄの第２部分６３ｑｗにおける縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとに接続されている。
　第２制御用配線６４Ｂは、第１実施形態の第２制御用配線６４Ｂと比較して、第２配線部分６４ｑｂ及び第３配線部分６４ｑｃを有していない。第２制御用配線６４Ｂは、縦方向Ｙに沿って延びている。第２制御用配線６４Ｂの縦方向Ｙの長さは、第１実施形態の第２制御用配線６４Ｂにおける第１配線部分６４ｑａの縦方向Ｙの長さよりも長い。
　第２制御用配線６４Ｂと第２制御用リード８５Ｂとは、第２制御リード用接続部材９５Ｂによって電気的に接続されている。第２制御リード用接続部材９５Ｂは、第２制御用配線６４Ｂのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとに接続されている。
　第２制御電源用配線６６Ｄ及び第２インターフェース用配線６８Ｂはそれぞれ、第２駆動用配線６２Ｂの第１配線部分６２ｑａと、第２制御用配線６３Ｂの第４配線部分６３ｑｄの第２部分６３ｑｗとの横方向Ｘの間に配置されている。第２制御電源用配線６６Ｄは、横方向Ｘにおいて第２制御用配線６３Ｂの第２部分６３ｑｗ寄りに配置されている。第２インターフェース用配線６８Ｂは、横方向Ｘにおいて第２駆動用配線６２Ｂの第１配線部分６２ｑａ寄りに配置されている。第２制御電源用配線６６Ｄ及び第２インターフェース用配線６８Ｂはそれぞれ、縦方向Ｙに延びている。
　第２制御電源用配線６６Ｄと第２制御電源用リード８６Ｄとは、第２制御電源用接続部材９６Ｄによって電気的に接続されている。第２制御電源用接続部材９６Ｄは、第２制御電源用配線６６Ｄのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と、第２制御電源用リード８６Ｄのパッド部８６ｐとに接続されている。
　第２インターフェース用配線６８Ｂと第２インターフェース用リード８８Ｂとは、第２インターフェース用接続部材９８Ｂによって電気的に接続されている。第２インターフェース用接続部材９８Ｂは、第２インターフェース用配線６８Ｂのうちの縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの端部と第２インターフェース用リード８８Ｂのパッド部８８ｐとに接続されている。第２インターフェース用接続部材９８Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　縦方向Ｙにおいて第２制御電源用配線６６Ｄ及び第２インターフェース用配線６８Ｂと第２半導体素子１０Ｂとの間には、第３中継配線６９Ｃが設けられている。第３中継配線６９Ｃは、横方向Ｘに沿って延びている。縦方向Ｙからみて、第３中継配線６９Ｃは、第２制御電源用配線６６Ｄ及び第２インターフェース用配線６８Ｂに重なっている。
　縦方向Ｙにおいて第２制御用配線６３Ｂの第４配線部分６３ｑｄのうちの第２部分６３ｑｗと第２制御用配線６４Ｂとの間には、第４中継配線６９Ｄが設けられている。第４中継配線６９Ｄは、縦方向Ｙに延びている。第４中継配線６９Ｄは、第２制御用配線６３Ｂの第４配線部分６３ｑｄのうちの第１部分６３ｑｖよりも縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りに配置されている。
　第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、及び第４中継配線６９Ｄには、第２サージ吸収回路５Ｂを構成する第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂが実装されている。
　第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御用配線６４Ｂとの間において第４中継配線６９Ｄを介して逆直列に接続されている。より詳細には、第２低耐圧ダイオード３７Ａのカソード電極は、第２制御用配線６３Ｂの第４配線部分６３ｑｄの第２部分６３ｑｗに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのアノード電極は、第４中継配線６９Ｄに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのアノード電極は、第４中継配線６９Ｄに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのカソード電極は、第２制御用配線６４Ｂに接続されている。
　本実施形態では、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第２低耐圧ダイオード３７Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第２低耐圧ダイオード３７Ｂが配置されている。加えて、第２低耐圧ダイオード３７Ａと第２低耐圧ダイオード３７Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配列されている。
　第２制御用配線６３Ｂ、第２制御電源用配線６６Ｄ、第２インターフェース用配線６８Ｂ、及び第３中継配線６９Ｃには、第２インターフェース回路６Ｂを構成する第２抵抗３８Ｃ，３８Ｄ、及び第２スイッチング素子３９Ｂが実装されている。
　第２スイッチング素子３９Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと、第２制御電源用配線６６Ｄと、第３中継配線６９Ｃとに電気的に接続されている。より詳細には、第２スイッチング素子３９Ｂのドレイン電極３９ｄは、第２制御用配線６３Ｂの第４配線部分６３ｑｄに接続されている。第２スイッチング素子３９Ｂのソース電極３９ｓは、第２制御電源用配線６６Ｄに接続されている。第２スイッチング素子３９Ｂのゲート電極３９ｇは、第３中継配線６９Ｃに接続されている。
　本実施形態では、第２スイッチング素子３９Ｂは、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ及び第２抵抗３８Ｄよりも第２半導体素子１０Ｂ寄りに配置されている。横方向Ｘからみて、第２スイッチング素子３９Ｂは、第２抵抗３８Ｃと重なっている。
　第２抵抗３８Ｃ，３８Ｄは、第２制御電源用配線６６Ｄ、第３中継配線６９Ｃ、及び第２インターフェース用配線６８Ｂに接続されている。第２抵抗３８Ｃの第１端子は、第３中継配線６９Ｃに接続されている。第２抵抗３８Ｃの第２端子は、第２インターフェース用配線６８Ｂに接続されている。第２抵抗３８Ｄの第１端子は、第２インターフェース用配線６８Ｂに接続されている。第２抵抗３８Ｄの第２端子は、第２制御電源用配線６６Ｄに接続されている。
　本実施形態では、第１端子と第２端子とが縦方向Ｙに沿って配列されるように第２抵抗３８Ｃが配置されている。また、第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように第２抵抗３８Ｄが配置されている。第２抵抗３８Ｃは、第２抵抗３８Ｄよりも第２半導体素子１０Ｂ寄りに配置されている。縦方向Ｙからみて、第２抵抗３８Ｃと第２抵抗３８Ｄとは、部分的に重なっている。
　図２０に示すように、半導体装置１Ｃの樹脂部材５０には、第１制御側開口部５８Ａ、第２制御側開口部５８Ｂ、第１駆動側開口部５９Ａ、及び第２駆動側開口部５９Ｂが形成されている。なお、第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂは、第１実施形態の第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂと同じである。第１制御側開口部５８Ａと第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、横方向Ｘにおいて、互いに離間した状態で並んで配置されている。
　第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続される２種類の回路を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１インターフェース回路６Ａ及び第１サージ吸収回路５Ａを露出している。より詳細には、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御用配線６３Ａの一部、第１制御用配線６４Ａの一部、第１中継配線６９Ａ、第２制御電源用配線６６Ｂの一部、第１インターフェース用配線６８Ａの一部、第２中継配線６９Ｂ、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第１抵抗３８Ａ、第１抵抗３８Ｂ、及び第１スイッチング素子３９Ａを露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１駆動用配線６２Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
　第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板６０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続される２種類の回路を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２インターフェース回路６Ｂ及び第２サージ吸収回路５Ｂを露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御用配線６３Ｂの一部、第２制御用配線６４Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２制御電源用配線６６Ｄの一部、第２インターフェース用配線６８Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ、第２抵抗３８Ｃ、第２抵抗３８Ｄ、及び第２スイッチング素子３９Ｂを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２駆動用配線６２Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。
　本実施形態の半導体装置１Ｃによれば、以下の効果が得られる。
　（３－１）半導体装置１Ｃは、第１インターフェース回路６Ａ及び第２インターフェース回路６Ｂを備える。この構成によれば、第１インターフェース回路６Ａの第１スイッチング素子３９Ａのオンオフを制御することによって、下側アームのスイッチング回路がオン状態時に各第１半導体素子１０Ａがサージ（ノイズ）の影響で誤オン状態とならないように好適に切り替えることができる。また、第２インターフェース回路６Ｂの第２スイッチング素子３９Ｂのオンオフを制御することによって、上側アームのスイッチング回路がオン状態時に各第２半導体素子１０Ｂがサージ（ノイズ）の影響で誤オン状態とならないように好適に切り替えることができる。
　（３－２）半導体装置１Ｃは、第１サージ吸収回路５Ａ及び第２サージ吸収回路５Ｂを備える。この構成によれば、第１サージ吸収回路５Ａの第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂによって、第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３に印加される電圧のうちのサージ電圧を吸収できる。また、第２サージ吸収回路５Ｂの第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂによって、第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３に印加される電圧のうちのサージ電圧を吸収できる。
　［第４実施形態］
　図２５～図２９を参照して、第４実施形態の半導体装置１Ｄについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｄは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、第１短絡検出回路３Ａ及び第２短絡検出回路３Ｂに代えて、第１電流検出回路７Ａ及び第２電流検出回路７Ｂを備える点が主に異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
　（半導体装置の回路構成）
　図２９に示すように、端子２０は、第１短絡検出端子２６Ａ及び第２短絡検出端子２６Ｂに代えて、第１過電流検出用端子２６Ｃ及び第２過電流検出用端子２６Ｄを有する。第１過電流検出用端子２６Ｃは、第１半導体素子１０Ａに過電流が流れるか否かを検出する端子であり、第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。第２過電流検出用端子２６Ｄは、第２半導体素子１０Ｂに過電流が流れるか否かを検出する端子であり、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。
　第１電流検出回路７Ａは、第１半導体素子１０Ａに流れる電流を検出する回路であり、第１抵抗１５１を有する。第１抵抗１５１の第１端子は、第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。第１抵抗１５１の第２端子は、第１コンデンサ３３Ａと第１コンデンサ３３Ｂとの間のノードＮ３に電気的に接続されている。第１過電流検出用端子２６Ｃは、第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７と第１抵抗１５１の第１端子との間のノードＮ６に電気的に接続されている。
　第２電流検出回路７Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに流れる電流を検出する回路であり、第２抵抗１５２を有する。第２抵抗１５２の第１端子は、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。第２抵抗１５２の第２端子は、第２コンデンサ３５Ａと第２コンデンサ３５Ｂとの間のノードＮ５に電気的に接続されている。第２過電流検出用端子２６Ｄは、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７と第２抵抗１５２の第１端子との間のノードＮ７に電気的に接続されている。
　（半導体装置の構成）
　図２６Ａに示すように、半導体装置１Ｄは、第１過電流検出用配線１６０Ａ及び第２過電流検出用配線１６０Ｂを有する。第１過電流検出用配線１６０Ａは第５層基板６０Ｆに形成されており、第２過電流検出用配線１６０Ｂは第５層基板６０Ｇに形成されている。また、半導体装置１Ｄは、第１短絡検出用リード８７Ａに代えて第１過電流検出用リード８７Ｃを有し、第２短絡検出用リード８７Ｂに代えて第２過電流検出用リード８７Ｄを有する。第１過電流検出用リード８７Ｃは図２９の第１過電流検出用端子２６Ｃを構成しており、第２過電流検出用リード８７Ｄは図２９の第２過電流検出用端子２６Ｄを構成している。
　図２６Ａ及び図２６Ｂに示すように、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの素子主面１０ｓの電極構成は、第１実施形態の各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの素子主面１０ｓの電極構成とは異なる。以下、本実施形態の各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの素子主面１０ｓの電極構成について説明する。なお、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの素子主面１０ｓの電極構成は同一であるため、第１半導体素子１０Ａの素子主面１０ｓの電極構成について説明し、第２半導体素子１０Ｂの素子主面１０ｓの電極構成の説明を省略する。
　図２６Ｂに示すように、本実施形態の第１半導体素子１０Ａは、４つの素子側面１０ａ～１０ｄを有する。４つの素子側面１０ａ～１０ｄはそれぞれ、厚さ方向Ｚにおいて第１半導体素子１０Ａの素子主面１０ｓ及び素子裏面１０ｒ（図１１Ｂ参照）との間に設けられ、素子主面１０ｓ及び素子裏面１０ｒと交差する方向を向く面である。素子側面１０ａ及び素子側面１０ｂは、横方向Ｘにおいて互いに離間して配置されており、横方向Ｘにおいて互いに反対側を向く面である。素子側面１０ａは、素子側面１０ｂに対して第１制御用配線６３Ａ寄りに配置されている。素子側面１０ｃ及び素子側面１０ｄは、縦方向Ｙにおいて互いに離間して配置されており、縦方向Ｙにおいて互いに反対側を向く面である。
　素子主面１０ｓには、ソース電極１２、ゲート電極１３、及びカレントセンス電極１７が形成されている。ソース電極１２は、第１ソース電極１２Ａ、第２ソース電極１２Ｂ、及び第３ソース電極１２Ｃを含む。第１ソース電極１２Ａは、横方向Ｘにおいて素子主面１０ｓのうちの横方向Ｘの中央部よりも素子側面１０ｂ側に配置されている。また、第１ソース電極１２Ａは、縦方向Ｙにおいて素子主面１０ｓの中央部に配置されている。平面視における第１ソース電極１２Ａの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。第２ソース電極１２Ｂは、縦方向Ｙにおいて第１ソース電極１２Ａに対して素子側面１０ｄ側となるように配置されている。第３ソース電極１２Ｃは、縦方向Ｙにおいて第１ソース電極１２Ａに対して素子側面１０ｃ側となるように配置されている。つまり、縦方向Ｙにおいて、第１ソース電極１２Ａは、第２ソース電極１２Ｂと第３ソース電極１２Ｃとの間に配置されている。平面視における第２ソース電極１２Ｂの形状は、第１ソース電極１２Ａを素子側面１０ｄ側及び素子側面１０ａ側から取り囲むようなＬ字状である。平面視における第３ソース電極１２Ｃの形状は、第１ソース電極１２Ａを素子側面１０ｃ側及び素子側面１０ａ側から取り囲むような略Ｌ字状である。第３ソース電極１２Ｃのうちの素子側面１０ａ寄りかつ素子側面１０ｃ寄りの端部には、切欠部１２ｘが形成されている。切欠部１２ｘには、カレントセンス電極１７が配置されている。カレントセンス電極１７は、ソース電極１２に流れる電流を検出するための電極であり、素子主面１０ｓのうちの素子側面１０ａ寄りかつ素子側面１０ｃ寄りの隅に配置されている。
　縦方向Ｙにおいて第２ソース電極１２Ｂと第３ソース電極１２Ｃとの間には、ゲート電極１３が配置されている。ゲート電極１３は、縦方向Ｙにおいて素子主面１０ｓの中央部に配置されている。ゲート電極１３は、横方向Ｘにおいて素子主面１０ｓのうちの素子側面１０ａ寄りに配置されている。つまり、ゲート電極１３は、横方向Ｘにおいて第１ソース電極１２Ａから離間して配置されている。
　各ソース電極１２Ａ～１２Ｃには、第１駆動用接続部材９１Ａが接続されている。第２ソース電極１２Ｂに接続された第１駆動用接続部材９１Ａは、横方向Ｘにおいて第２ソース電極１２Ｂのうちの素子側面１０ｂ寄りの部分に接続されている。第３ソース電極１２Ｃに接続された第１駆動用接続部材９１Ａは、横方向Ｘにおいて第３ソース電極１２Ｃのうちの素子側面１０ｂ寄りの部分に接続されている。第２ソース電極１２Ｂのうちの素子側面１０ａ寄りの部分には、第１制御用接続部材９３Ａが接続されている。ゲート電極１３には、第１制御用接続部材９２Ａが接続されている。カレントセンス電極１７には、第１駆動検出用接続部材１７１が接続されている。
　図２６Ａに示すように、第１半導体素子１０Ａの配置向きと第２半導体素子１０Ｂの配置向きとは、横方向Ｘにおいて反対向きとなる。より詳細には、第１半導体素子１０Ａはカレントセンス電極１７及びゲート電極１３が第１制御用配線６３Ａ寄り（樹脂部材５０の第１樹脂側面５１寄り）となるように配置されており、第２半導体素子１０Ｂはカレントセンス電極１７及びゲート電極１３が第２制御用配線６３Ｂ寄り（樹脂部材５０の第２樹脂側面５２寄り）となるように配置されている。
　第５層基板６０Ｆに電気的に接続されるリード８０は、第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１過電流検出用リード８７Ｃを有する。本実施形態では、第１樹脂側面５１から第２樹脂側面５２に向けて、第１過電流検出用リード８７Ｃ、第１制御電源用リード８６Ｂ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、及び第１制御用リード８４Ａの順に配列されている。
　第５層基板６０Ｇに電気的に接続されるリード８０は、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２過電流検出用リード８７Ｄを有する。本実施形態では、第２樹脂側面５２から第１樹脂側面５１に向けて、第２過電流検出用リード８７Ｄ、第２制御電源用リード８６Ｄ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、及び第２制御用リード８４Ｂの順に配列されている。
　第１過電流検出用配線１６０Ａは、各第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７と第１過電流検出用リード８７Ｃとを電気的に接続するための配線部である。第１過電流検出用配線１６０Ａは、横方向Ｘにおいて、第５層基板６０Ｆのうちの第１樹脂側面５１寄りの端部に配置されている。第１過電流検出用配線１６０Ａは、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６４Ａに対して第１制御用配線６３Ａとは反対側に配置されている。第１過電流検出用配線１６０Ａは、第１制御用配線６４Ａと横方向Ｘに隣り合うように配置されている。
　第１過電流検出用配線１６０Ａは、第５層基板６０Ｆのうちの第４樹脂側面５４寄りの端部から第３樹脂側面５３寄りの端部までにわたり形成されている。すなわち、横方向Ｘからみて、第１過電流検出用配線１６０Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと重なるように形成されている。
　図２６Ａ及び図２７に示すように、第１過電流検出用配線１６０Ａは、第１配線部分１６１、第２配線部分１６２、及び第３配線部分１６３を有する。本実施形態では、第１過電流検出用配線１６０Ａは、第１配線部分１６１、第２配線部分１６２、及び第３配線部分１６３が一体に形成された単一部材である。
　第１配線部分１６１は、縦方向Ｙに延びている。横方向Ｘからみて、第１配線部分１６１は、複数の第１半導体素子１０Ａと重なるように延びている。第１配線部分１６１は、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６４Ａの第１配線部分６４ｐａと隣り合うように配置されている。第１配線部分１６１は、縦方向Ｙにおいて、第１配線領域７０Ａの外部から第１配線領域７０Ａの内部までにわたり形成されている。第１配線部分１６１には、各第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７と電気的に接続するように第１駆動検出用接続部材１７１が形成されている。第１駆動検出用接続部材１７１は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。平面視において、各第１駆動検出用接続部材１７１は、横方向Ｘに沿って延びている。
　第２配線部分１６２及び第３配線部分１６３はそれぞれ、第１配線領域７０Ａに配置されている。すなわち、平面視において、第２配線部分１６２及び第３配線部分１６３はそれぞれ、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２配線部分１６２及び第３配線部分１６３はそれぞれ、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａとの縦方向Ｙの間に配置されているともいえる。要するに、平面視において、第２配線部分１６２及び第３配線部分１６３はそれぞれ、複数の第１半導体素子１０Ａとリード８０との間に配置されているといえる。
　第２配線部分１６２は、第３樹脂側面５３側に向かうにつれて第２樹脂側面５２側に向けて斜めに延びている。横方向Ｘからみて、第２配線部分１６２は、第１制御用配線６４Ａの第２配線部分６４ｐｂと重なるように形成されている。第２配線部分１６２と第２配線部分６４ｐｂとには、第１抵抗１５１が実装されている。具体的には、第１抵抗１５１の第１端子が第２配線部分１６２に接続されており、第１抵抗１５１の第２端子が第２配線部分６４ｐｂに接続されている。
　第３配線部分１６３は、縦方向Ｙに延びている。第３配線部分１６３は、第１制御電源用配線６６Ａよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第３配線部分１６３は、横方向Ｘにおいて第１制御電源用配線６６Ａの第１配線部分６６ｐａと隣り合うように配置されている。第３配線部分１６３には、第１過電流検出用リード８７Ｃと電気的に接続するように第１過電流検出用接続部材１７３が形成されている。第１過電流検出用接続部材１７３は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　図２６Ａに示すように、第２過電流検出用配線１６０Ｂは、各第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７と第２過電流検出用リード８７Ｄとを電気的に接続するための配線部である。第２過電流検出用配線１６０Ｂは、横方向Ｘにおいて、第５層基板６０Ｇのうちの第２樹脂側面５２寄りの端部に配置されている。第２過電流検出用配線１６０Ｂは、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６４Ｂに対して第２制御用配線６３Ｂとは反対側に配置されている。第２過電流検出用配線１６０Ｂは、第２制御用配線６４Ｂと横方向Ｘに隣り合うように配置されている。
　第２過電流検出用配線１６０Ｂは、第５層基板６０Ｇのうちの第４樹脂側面５４寄りの端部から第３樹脂側面５３寄りの端部までにわたり形成されている。すなわち、横方向Ｘからみて、第２過電流検出用配線１６０Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なるように形成されている。
　図２６Ａ及び図２８に示すように、第２過電流検出用配線１６０Ｂは、第１配線部分１６４、第２配線部分１６５、及び第３配線部分１６６を有する。本実施形態では、第２過電流検出用配線１６０Ｂは、第１配線部分１６４、第２配線部分１６５、及び第３配線部分１６６が一体に形成された単一部材である。
　第１配線部分１６４は、縦方向Ｙに延びている。横方向Ｘからみて、第１配線部分１６４は、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なるように延びている。第１配線部分１６４は、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６４Ｂの第１配線部分６４ｑａと隣り合うように配置されている。第１配線部分１６４は、縦方向Ｙにおいて、第２配線領域７０Ｂの外部から第２配線領域７０Ｂの内部までにわたり形成されている。第１配線部分１６４には、各第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７と電気的に接続するように第２駆動検出用接続部材１７２が形成されている。第２駆動検出用接続部材１７２は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。平面視において、各第２駆動検出用接続部材１７２は、横方向Ｘに沿って延びている。
　第２配線部分１６５及び第３配線部分１６６はそれぞれ、第２配線領域７０Ｂに配置されている。すなわち、平面視において、第２配線部分１６５及び第３配線部分１６６はそれぞれ、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２配線部分１６５及び第３配線部分１６６はそれぞれ、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂとの縦方向Ｙの間に配置されているともいえる。要するに、平面視において、第２配線部分１６５及び第３配線部分１６６はそれぞれ、複数の第２半導体素子１０Ｂとリード８０との縦方向Ｙの間に配置されているといえる。
　第２配線部分１６５は、第３樹脂側面５３側に向かうにつれて第１樹脂側面５１側に向けて斜めに延びている。横方向Ｘからみて、第２配線部分１６５は、第２制御用配線６４Ｂの第２配線部分６４ｑｂと重なるように形成されている。
　第３配線部分１６６は、縦方向Ｙに延びている。第３配線部分１６６は、第２制御電源用配線６６Ｂよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第３配線部分１６６は、横方向Ｘにおいて第２制御電源用配線６６Ｂの第１配線部分６６ｑａと隣り合うように配置されている。第３配線部分１６６と第２配線部分６４ｑｂとには、第２抵抗１５２が実装されている。具体的には、第２抵抗１５２の第１端子が第３配線部分１６６に接続されており、第２抵抗１５２の第２端子が第２配線部分６４ｑｂに接続されている。第３配線部分１６６には、第２過電流検出用リード８７Ｄと電気的に接続するように第２過電流検出用接続部材１７４が形成されている。第２過電流検出用接続部材１７４は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４はそれぞれ、例えばＣｕ（銅）又はＡｌ（アルミニウム）からなる。本実施形態では、各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４のそれぞれの構成材料は、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、及び各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄのそれぞれの構成材料と同じである。また、各検出用接続部材１７１，１７２の線径は互いに等しい。各過電流検出用接続部材１７３，１７４の線径は互いに等しい。各検出用接続部材１７１，１７２の線径と各過電流検出用接続部材１７３，１７４の線径とは互いに等しい。本実施形態では、各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４のそれぞれの線径は、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、及び各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄのそれぞれの線径と等しい。
　図２５に示すように、樹脂部材５０には、樹脂天面５５側から導通基板６０を露出する２つの樹脂開口部として第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂが設けられている。図２５から分かるとおり、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。
　第１制御側開口部５８Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。このように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。換言すると、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。平面視において、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂは、樹脂天面５５のうちの第３樹脂側面５３寄りの端部に配置されている。第１制御側開口部５８Ａは、第２制御側開口部５８Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
　平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、図２７に示すように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　図２７に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。換言すると、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０（第５層基板６０Ｆ）において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続された第１サージ低減回路４Ａ及び第１電流検出回路７Ａを露出している。より詳細には、図２７に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ、第１制御用配線６３Ａの第３配線部分６３ｐｃ、第１制御用配線６４Ａの第３配線部分６４ｐｃ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａを露出している。また第１制御側開口部５８Ａは、第１抵抗１５１と、第１過電流検出用配線１６０Ａの第２配線部分１６２及び第３配線部分１６３とを露出している。また、本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御リード用接続部材９４Ａ，９５Ａ、第１制御電源用接続部材９６Ａ，９６Ｂ、及び第１過電流検出用接続部材１７３を露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
　平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、図２８に示すように、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　図２８に示すように、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板６０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。換言すると、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板６０（第５層基板６０Ｇ）において第２半導体素子１０Ｂ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２配線領域７０Ｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続された第２サージ低減回路４Ｂ及び第２電流検出回路７Ｂを露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂ、第２制御用配線６３Ｂの第３配線部分６３ｐｃ、第２制御用配線６４Ｂの第３配線部分６４ｑｃ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂを露出している。また、第２制御側開口部５８Ｂは、第２抵抗１５２と、第２過電流検出用配線１６０Ｂの第２配線部分１６５及び第３配線部分１６６とを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御リード用接続部材９４Ｂ，９５Ｂ、第２制御電源用接続部材９６Ｃ，９６Ｄ、及び第２過電流検出用接続部材１７４を露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。
　本実施形態の半導体装置１Ｄによれば、第１実施形態の半導体装置１Ａの効果に加え、以下の効果が得られる。
　（４－１）半導体装置１Ｄは、第１電流検出回路７Ａ及び第２電流検出回路７Ｂを備える。この構成によれば、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂに流れる電流を検出することによって、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂに過電流が流れる場合において第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂをオフ状態にする等の制御を行うことができる。これにより、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂの故障の発生を抑制できる。
　［第５実施形態］
　図３０～図３４を参照して、第５実施形態の半導体装置１Ｅについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｅは、第３実施形態の半導体装置１Ｃと比較して、短絡検出回路３Ａ，３Ｂに代えて、電流検出回路７Ａ，７Ｂを備える点と、第４実施形態の各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを用いる点とが主に異なる。以下の説明において、第３実施形態の半導体装置１Ｃと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
　（半導体装置の回路構成）
　図３４に示すように、端子２０は、第１短絡検出端子２６Ａ及び第２短絡検出端子２６Ｂに代えて、第１過電流検出用端子２６Ｃ及び第２過電流検出用端子２６Ｄを有する。第１過電流検出用端子２６Ｃは、第１半導体素子１０Ａに過電流が流れるか否かを検出する端子であり、第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。第２過電流検出用端子２６Ｄは、第２半導体素子１０Ｂに過電流が流れるか否かを検出する端子であり、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。
　第１電流検出回路７Ａは、第１半導体素子１０Ａに流れる電流を検出する回路であり、第１抵抗１５１を有する。第１抵抗１５１の第１端子は、第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。第１抵抗１５１の第２端子は、第２低耐圧ダイオード３７Ａのカソード電極と第１ソース端子２４Ａとの間のノードＮ８に電気的に接続されている。第１過電流検出用端子２６Ｃは、第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７と第１抵抗１５１の第１端子との間のノードＮ９に電気的に接続されている。
　第２電流検出回路７Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに流れる電流を検出する回路であり、第２抵抗１５２を有する。第２抵抗１５２の第１端子は、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７に電気的に接続されている。第２抵抗１５２の第２端子は、第２低耐圧ダイオード３７Ｂのカソード電極と第２ソース端子２４Ｂとの間のノードＮ１０に電気的に接続されている。第２過電流検出用端子２６Ｄは、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７と第２抵抗１５２の第１端子との間のノードＮ１１に電気的に接続されている。
　（半導体装置の構成）
　図３１に示すように、半導体装置１Ｅは、第１過電流検出用配線１６０Ａ及び第２過電流検出用配線１６０Ｂを有する。第１過電流検出用配線１６０Ａは第５層基板６０Ｆに形成されており、第２過電流検出用配線１６０Ｂは第５層基板６０Ｇに形成されている。また、半導体装置１Ｅは、第１短絡検出用リード８７Ａに代えて第１過電流検出用リード８７Ｃを有し、第２短絡検出用リード８７Ｂに代えて第２過電流検出用リード８７Ｄを有する。第１過電流検出用リード８７Ｃは図３４の第１過電流検出用端子２６Ｃを構成しており、第２過電流検出用リード８７Ｄは図３４の第２過電流検出用端子２６Ｄを構成している。
　第５層基板６０Ｆに電気的に接続されるリード８０は、第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、第１インターフェース用リード８８Ａ、及び第１過電流検出用リード８７Ｃを有する。本実施形態では、第１樹脂側面５１から第２樹脂側面５２に向けて、第１過電流検出用リード８７Ｃ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御用リード８４Ａ、第１インターフェース用リード８８Ａ、及び第１制御電源用リード８６Ｂの順に配列されている。
　第５層基板６０Ｇに電気的に接続されるリード８０は、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｄ、第２インターフェース用リード８８Ｂ、及び第２過電流検出用リード８７Ｄを有する。本実施形態では、第２樹脂側面５２から第１樹脂側面５１に向けて、第２過電流検出用リード８７Ｄ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２インターフェース用リード８８Ｂの順に配列されている。
　第１過電流検出用配線１６０Ａは、各第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７と第１過電流検出用リード８７Ｃとを電気的に接続するための配線部である。第１過電流検出用配線１６０Ａは、横方向Ｘにおいて、第５層基板６０Ｆのうちの第１樹脂側面５１寄りの端部に配置されている。第１過電流検出用配線１６０Ａは、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６４Ａに対して第１制御用配線６３Ａとは反対側に配置されている。第１過電流検出用配線１６０Ａは、第１制御用配線６４Ａと横方向Ｘに隣り合うように配置されている。
　第１過電流検出用配線１６０Ａは、第５層基板６０Ｆのうちの第４樹脂側面５４寄りの端部から第３樹脂側面５３寄りの端部までにわたり形成されている。すなわち、横方向Ｘからみて、第１過電流検出用配線１６０Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと重なるように形成されている。また、第１過電流検出用配線１６０Ａは、縦方向Ｙにおいて、第１配線領域７０Ａの外部から第１配線領域７０Ａの内部までにわたり形成されている。
　第１過電流検出用配線１６０Ａのうちの横方向Ｘにおいて複数の第１半導体素子１０Ａと対向する部分には、各第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７と電気的に接続するように第１駆動検出用接続部材１７１が形成されている。第１駆動検出用接続部材１７１は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。平面視において、各第１駆動検出用接続部材１７１は、横方向Ｘに沿って延びている。
　第１過電流検出用配線１６０Ａのうちの第１配線領域７０Ａに対応する部分と、第１制御用配線６４Ａのうちの第１配線領域７０Ａに対応する部分とには、第１抵抗１５１が実装されている。第１抵抗１５１の第１端子は第１過電流検出用配線１６０Ａに接続されており、第１抵抗１５１の第２端子は第１制御用配線６４Ａに接続されている。第１抵抗１５１は、縦方向Ｙにおいて、各低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂよりも第４樹脂側面５４寄り（第１半導体素子１０Ａ寄り）に配置されている。横方向Ｘからみて、第１抵抗１５１は、第１スイッチング素子３９Ａと重なるように配置されている。横方向Ｘにおいて、第１抵抗１５１は、第１低耐圧ダイオード３６Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
　縦方向Ｙにおける第１過電流検出用配線１６０Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部には、第１過電流検出用リード８７Ｃと電気的に接続するように第１過電流検出用接続部材１７３が形成されている。第１過電流検出用接続部材１７３は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　図３３に示すように、第２過電流検出用配線１６０Ｂは、各第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７と第２過電流検出用リード８７Ｄとを電気的に接続するための配線部である。第２過電流検出用配線１６０Ｂは、横方向Ｘにおいて、第５層基板６０Ｇのうちの第２樹脂側面５２寄りの端部に配置されている。第２過電流検出用配線１６０Ｂは、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６４Ｂに対して第２制御用配線６３Ｂとは反対側に配置されている。第２過電流検出用配線１６０Ｂは、第２制御用配線６４Ｂと横方向Ｘに隣り合うように配置されている。
　第２過電流検出用配線１６０Ｂは、第５層基板６０Ｇのうちの第４樹脂側面５４寄りの端部から第３樹脂側面５３寄りの端部までにわたり形成されている。すなわち、横方向Ｘからみて、第２過電流検出用配線１６０Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なるように形成されている。また、第２過電流検出用配線１６０Ｂは、縦方向Ｙにおいて、第２配線領域７０Ｂの外部から第２配線領域７０Ｂの内部までにわたり形成されている。
　第２過電流検出用配線１６０Ｂのうちの横方向Ｘにおいて複数の第２半導体素子１０Ｂと対向する部分には、各第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７と電気的に接続するように第２駆動検出用接続部材１７２が形成されている。第２駆動検出用接続部材１７２は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。平面視において、各第２駆動検出用接続部材１７２は、横方向Ｘに沿って延びている。
　第２過電流検出用配線１６０Ｂのうちの第２配線領域７０Ｂに対応する部分と、第２制御用配線６４Ｂのうちの第２配線領域７０Ｂに対応する部分とには、第２抵抗１５２が実装されている。第２抵抗１５２の第１端子は第２過電流検出用配線１６０Ｂに接続されており、第２抵抗１５２の第２端子は第２制御用配線６４Ｂに接続されている。第２抵抗１５２は、縦方向Ｙにおいて、各低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂよりも第４樹脂側面５４寄り（第２半導体素子１０Ｂ寄り）に配置されている。横方向Ｘからみて、第２抵抗１５２は、第２スイッチング素子３９Ｂ及び第２抵抗３８Ｃと重なるように配置されている。横方向Ｘにおいて、第１抵抗１５１は、第２低耐圧ダイオード３７Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
　縦方向Ｙにおける第２過電流検出用配線１６０Ｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの端部には、第２過電流検出用リード８７Ｄと電気的に接続するように第２過電流検出用接続部材１７４が形成されている。第２過電流検出用接続部材１７４は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４はそれぞれ、例えばＣｕ（銅）又はＡｌ（アルミニウム）からなる。本実施形態では、各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４のそれぞれの構成材料は、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、及び各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄのそれぞれの構成材料と同じである。また、各検出用接続部材１７１，１７２の線径は互いに等しい。各過電流検出用接続部材１７３，１７４の線径は互いに等しい。各検出用接続部材１７１，１７２の線径と各過電流検出用接続部材１７３，１７４の線径とは互いに等しい。本実施形態では、各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４のそれぞれの線径は、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂ、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ，９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ，９５Ａ，９５Ｂ、及び各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄのそれぞれの線径と等しい。
　図３０に示すように、樹脂部材５０には、樹脂天面５５側から導通基板６０を露出する２つの樹脂開口部として第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂが設けられている。図３０から分かるとおり、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。
　第１制御側開口部５８Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。このように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。換言すると、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。平面視において、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂは、樹脂天面５５のうちの第３樹脂側面５３寄りの端部に配置されている。第１制御側開口部５８Ａは、第２制御側開口部５８Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
　平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、図３２に示すように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。換言すると、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板６０（第５層基板６０Ｆ）において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１インターフェース回路６Ａ、第１サージ吸収回路５Ａ、及び第１電流検出回路７Ａを露出している。より詳細には、図３２に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御用配線６３Ａの一部、第１制御用配線６４Ａの一部、第１中継配線６９Ａ、第２制御電源用配線６６Ｂの一部、第１インターフェース用配線６８Ａの一部、第２中継配線６９Ｂ、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第１抵抗３８Ａ、第１抵抗３８Ｂ、及び第１スイッチング素子３９Ａを露出している。また第１制御側開口部５８Ａは、第１抵抗１５１及び第１過電流検出用配線１６０Ａを露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１駆動用配線６２Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
　平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、図３３に示すように、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板６０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続される２種類の回路を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２インターフェース回路６Ｂ、第２サージ吸収回路５Ｂ、及び第２電流検出回路７Ｂを露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御用配線６３Ｂの一部、第２制御用配線６４Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２制御電源用配線６６Ｄの一部、第２インターフェース用配線６８Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ、第２抵抗３８Ｃ、第２抵抗３８Ｄ、及び第２スイッチング素子３９Ｂを露出している。また、第２制御側開口部５８Ｂは、第２抵抗１５２及び第２過電流検出用配線１６０Ｂを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２駆動用配線６２Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。
　本実施形態の半導体装置１Ｅによれば、第３実施形態の半導体装置１Ｃの効果に加え、以下の効果が得られる。
　（５－１）半導体装置１Ｅは、第１電流検出回路７Ａ及び第２電流検出回路７Ｂを備える。この構成によれば、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂに流れる電流を検出することによって、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂに過電流が流れる場合において第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂをオフ状態にする等の制御を行うことができる。これにより、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂの故障の発生を抑制できる。
　［第６実施形態］
　図３５～図４３を参照して、第６実施形態の半導体装置１Ｆについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｆは、第１実施形態の半導体装置１Ａと比較して、導通基板の構成及び導通基板に対する各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの実装態様が主に異なる。以下の説明において、第１実施形態の半導体装置１Ａと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
　図３６に示すように、本実施形態の半導体装置１Ｆは、絶縁基板４１Ａ，４１Ｂに代えて絶縁基板４１Ｃを備え、導通基板６０に代えて、導通基板１８０を備える。また、図３９及び図４０に示すように、半導体装置１Ｆは、複数の金属部材１９１及び複数の金属部材１９２と、複数の挿通部材１９３及び複数の挿通部材１９４と、複数の貫通電極１９５Ａ～１９５Ｄとを備える。
　図３６に示すように、絶縁基板４１Ｃは、複数の金属部材１９１、複数の金属部材１９２、複数の挿通部材１９３、複数の挿通部材１９４、複数の貫通電極１９５Ａ～１９５Ｄ（図３９及び図４０参照）、及び導通基板１８０を支持する１枚の基板である。絶縁基板４１Ｃの構成材料は、例えば、熱伝導性に優れたセラミックスである。このようなセラミックスとしては、例えばＡｌＮが挙げられる。本実施形態では、平面視における絶縁基板４１Ｃの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。絶縁基板４１Ｃの構成は、図３６に示す例示に限定されず、半導体装置１Ｆの製品仕様などに応じて、形状、大きさ、及び個数などを適宜変更可能である。
　図３７に示すように、絶縁基板４１Ｃは、厚さ方向Ｚにおいて互いに反対側を向く基板主面４１ｓｃ及び基板裏面４１ｒｃを有する。基板主面４１ｓｃと基板裏面４１ｒｃとは、厚さ方向Ｚにおいて離間している。基板裏面４１ｒｃは、樹脂部材５０から露出している。基板裏面４１ｒｃには、例えば図示しないヒートシンクなどの冷却器が接続されてもよい。
　導通基板１８０は、半導体装置１Ｆにおける内部配線を構成している。導通基板１８０は、絶縁基板４１Ｃの基板主面４１ｓｃ上に配置されており、接合材（図示略）によって、絶縁基板４１Ｃに接合されている。この接合材は、導電性材料からなるものであってもよいし、絶縁性材料からなるものであってもよい。
　導通基板１８０は、複数の配線層と複数の絶縁層とが厚さ方向Ｚに交互に積層された積層基板である。本実施形態では、導通基板１８０は、３つの配線層１８０Ａ，１８０Ｃ、１８０Ｅ、及び２つの絶縁層１８０Ｂ，１８０Ｄを有する。なお、配線層の層数及び絶縁層の層数はそれぞれ、上記したものに限定されず、半導体装置１Ｆの製品仕様に応じて、適宜変更可能である。導通基板１８０は、厚さ方向Ｚにおいて絶縁基板４１Ｃの反対側から絶縁基板４１Ｃ側に向けて、配線層１８０Ａ、絶縁層１８０Ｂ、配線層１８０Ｃ、絶縁層１８０Ｄ、及び配線層１８０Ｅの順に積層されている。すなわち、絶縁層１８０Ｂは、配線層１８０Ａと配線層１８０Ｃとを絶縁しており、絶縁層１８０Ｄは、配線層１８０Ｃと配線層１８０Ｅとを絶縁している。配線層１８０Ｅは、絶縁基板４１Ｃの基板主面４１ｓｃに配置されている。
　図３６に示すように、配線層１８０Ａは、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈ、及び絶縁部１８１Ｘを有する。平面視において、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈは互いに離間して配置されており、絶縁部１８１Ｘによって互いに絶縁されている。なお、配線層１８０Ａから絶縁部１８１Ｘを省略してもよい。但し、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈの意図しない短絡を抑制するうえでは、絶縁部１８１Ｘを設けるほうが好ましい。
　図３７に示すように、配線層１８０Ｃは、複数の導体部１８３及び絶縁部１８２Ｘを有する。複数の導体部１８３は互いに離間して配置されており、絶縁部１８２Ｘによって互いに絶縁されている。なお、配線層１８０Ｃから絶縁部１８２Ｘを省略してもよい。但し、複数の導体部１８３の意図しない短絡を抑制するうえでは、絶縁部１８２Ｘを設けるほうが好ましい。
　配線層１８０Ｅは、複数の導体部１８４及び絶縁部１８３Ｘを有する。複数の導体部１８３は互いに離間して配置されており、絶縁部１８３Ｘによって互いに絶縁されている。なお、配線層１８０Ｅから絶縁部１８３Ｘを省略してもよい。但し、複数の導体部１８４の意図しない短絡を抑制するうえでは、絶縁部１８３Ｘを設けるほうが好ましい。
　図３６及び図３７に示すように、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈ、複数の導体部１８３、及び複数の導体部１８４はそれぞれ、例えばＣｕ（銅）を含む金属からなる板状部材（厚銅板）である。絶縁部１８１Ｘ，１８２Ｘ，１８３Ｘはそれぞれ、例えばプリプレグからなる。複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈのそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法、複数の導体部１８３の厚さ方向Ｚの寸法、及び複数の導体部１８４の厚さ方向Ｚの寸法は、互いに等しい。複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈのそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法、複数の導体部１８３のそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法、及び複数の導体部１８４のそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法は、例えば１２５μｍ（一般的なプリント基板における配線パターンの厚み（Ｃｕ厚））よりも大きい。好ましくは、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈのそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法、複数の導体部１８３のそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法、及び複数の導体部１８４のそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法は、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの厚さ方向Ｚの寸法よりも大きく、かつ、各絶縁層１８０Ｂ，１８０Ｄの厚さ方向Ｚの寸法よりも大きい。つまり、各配線層１８０Ａ，１８０Ｃ，１８０Ｅの厚さ方向Ｚの寸法は、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの厚さ方向Ｚの寸法よりも大きく、かつ、各絶縁層１８０Ｂ，１８０Ｄの厚さ方向Ｚの寸法よりも大きい。なお、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈのそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法、複数の導体部１８３のそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法、及び複数の導体部１８４のそれぞれの厚さ方向Ｚの寸法は、各絶縁層１８０Ｂ，１８０Ｄの厚さ方向Ｚの寸法以下であってもよい。
　なお、導通基板１８０の構成は、図３６及び図３７に示す例示に限定されず、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈ、複数の導体部１８３、及び複数の導体部１８４は、半導体装置１Ｆの仕様に応じて、形状、大きさ、配置など、適宜変更されうる。
　図３７に示すように、導通基板１８０は、第１入力リード８１、第２入力リード８２、及び出力リード８３を有する。第１入力リード８１及び出力リード８３は、配線層１８０Ａに設けられている。すなわち、複数の導体部１８１Ａ～１８１Ｈのうちの１つが第１入力リード８１を構成しており、別の１つが出力リード８３を構成している。より詳細には、導体部１８１Ａが第１入力リード８１を構成しており、導体部１８１Ｂが出力リード８３を構成している。導体部１８１Ａのうちの樹脂部材５０から突出した部分が第１電力端子２１Ａを構成している。導体部１８１Ｂのうちの樹脂部材５０から突出した部分が出力端子２２を構成している。導体部１８１Ａ（第１入力リード８１）と第２入力リード８２を構成する導体部１８３とは、平面視において、互いに重なり合っている。
　第２入力リード８２は、配線層１８０Ｃに設けられている。すなわち、配線層１８０Ｃの複数の導体部１８３のうちの１つが第２入力リード８２を構成している。第２入力リード８２を構成する導体部１８３のうちの樹脂部材５０から突出した部分が第２電力端子２１Ｂを構成している。
　厚さ方向Ｚにおいて、導体部１８１Ａ（第１入力リード８１）と導体部１８３（第２入力リード８２）との間には、絶縁層１８０Ｂが介在している。導体部１８１Ａにおける第１電力端子２１Ａを構成する部分の厚さ方向Ｚの表面のうちの絶縁層１８０Ｂとは反対側の表面、及び第２入力リード８２を構成する導体部１８３における第２電力端子２１Ｂを構成する部分の表面のうちの絶縁層１８０Ｂとは反対側の表面はそれぞれ、半導体装置１Ｆの外部に露出している。一方、導体部１８１Ａにおける第１電力端子２１Ａを構成する部分の厚さ方向Ｚの表面のうちの絶縁層１８０Ｂ側の表面、及び第２入力リード８２を構成する導体部１８３における第２電力端子２１Ｂを構成する部分の表面のうちの絶縁層１８０Ｂ側の表面はそれぞれ、絶縁層１８０Ｂと接触している。すなわち、第１入力リード８１及び第２入力リード８２は、絶縁層１８０Ｂによって絶縁されている。このため、第１電力端子２１Ａと第２電力端子２１Ｂとは、絶縁層１８０Ｂによって絶縁されている。
　導体部１８１Ａ及び導体部１８１Ｂは、横方向Ｘにおいて互いに反対側に配置されている。より詳細には、導体部１８１Ａは、導通基板１８０のうちの第１樹脂側面５１寄りの端部に配置されている。導体部１８１Ｂは、導通基板１８０のうちの第２樹脂側面５２寄りの端部に配置されている。横方向Ｘにおいて、導体部１８１Ａと導体部１８１Ｂとの間には、導体部１８１Ｃ及び導体部１８１Ｄが配置されている。
　図３８に示すように、平面視における導体部１８１Ａの形状は、略Ｔ字状である。導体部１８１Ａは、縦方向Ｙに延びる基部１８１ａと、基部１８１ａから横方向Ｘに向けて延びる突出部１８１ｂとを有する。本実施形態では、導体部１８１Ａは、基部１８１ａと突出部１８１ｂとが一体に形成された単一部材である。基部１８１ａは、樹脂部材５０内に設けられている。突出部１８１ｂの先端部は、樹脂部材５０から突出している。突出部１８１ｂのうちの樹脂部材５０から突出した部分（先端部）が第１電力端子２１Ａを構成している。
　基部１８１ａには、複数（本実施形態では３個）の開口部１８１ｃが形成されている。複数の開口部１８１ｃはそれぞれ、横方向Ｘにおいて基部１８１ａのうちの第１樹脂側面５１寄り（図３６参照）の端部に設けられている。複数の開口部１８１ｃは、縦方向Ｙにおいて互いに離間して形成されている。複数の開口部１８１ｃにはそれぞれ、導体部１８１Ｅ及び導体部１８１Ｆが配置されている。各開口部１８１ｃにおける導体部１８１Ｅ及び導体部１８１Ｆは、縦方向Ｙにおいて離間して配列されている。縦方向Ｙにおいて、導体部１８１Ｅが導体部１８１Ｆよりも第３樹脂側面５３（図３６参照）寄りとなるように各開口部１８１ｃ内に配置されている。平面視における導体部１８１Ｅの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。平面視における導体部１８１Ｆの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。
　導体部１８１Ｃは、横方向Ｘにおいて導体部１８１Ａの基部１８１ａと隣り合うように配置されている。導体部１８１Ｃは、縦方向Ｙに延びている。平面視における導体部１８１Ｃの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。
　平面視における導体部１８１Ｂの形状は、略Ｔ字状である。導体部１８１Ｂは、縦方向Ｙに延びる基部１８１ｄと、基部１８１ｄから横方向Ｘに向けて延びる突出部１８１ｅとを有する。本実施形態では、導体部１８１Ｂは、基部１８１ｄと突出部１８１ｅとが一体に形成された単一部材である。基部１８１ｄは、樹脂部材５０内に設けられている。突出部１８１ｅの先端部は、樹脂部材５０から突出している。突出部１８１ｅのうちの樹脂部材５０から突出した部分（先端部）が第２電力端子２１Ｂを構成している。
　基部１８１ｄには、複数（本実施形態では３個）の開口部１８１ｆが形成されている。複数の開口部１８１ｆはそれぞれ、横方向Ｘにおいて基部１８１ｄのうちの第２樹脂側面５２寄り（図３６参照）の端部に設けられている。複数の開口部１８１ｆは、縦方向Ｙにおいて互いに離間して形成されている。複数の開口部１８１ｆにはそれぞれ、導体部１８１Ｇ及び導体部１８１Ｈが配置されている。
　導体部１８１Ｄは、横方向Ｘにおいて導体部１８１Ｂの基部１８１ｄと隣り合うように配置されている。導体部１８１Ｄは、横方向Ｘにおいて導体部１８１Ｂと導体部１８１Ｃとの間に配置されている。換言すると、導体部１８１Ｃは、導体部１８１Ｄと導体部１８１Ａとの間に配置されている。導体部１８１Ｄは縦方向Ｙに延びている。平面視における導体部１８１Ｄの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。本実施形態では、導体部１８１Ｄの縦方向Ｙの長さは、導体部１８１Ｃの縦方向Ｙの長さよりも長い。導体部１８１Ｄの幅寸法（導体部１８１Ｄの横方向Ｘの寸法）は、導体部１８１Ｃの幅寸法（導体部１８１Ｃの横方向Ｘの寸法）と等しい。
　図３８～図４０に示すように、導通基板１８０には、複数の貫通孔１８５Ａ～１８５Ｈが形成されている。各貫通孔１８５Ａ～１８５Ｈは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。つまり、各貫通孔１８５Ａ～１８５Ｈは、配線層１８０Ａ，１８０Ｃ，１８０Ｅ、及び絶縁層１８０Ｂ，１８０Ｄを厚さ方向Ｚに貫通している。
　複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ａはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ａの基部１８１ａが形成される部分に設けられている。複数の貫通孔１８５Ａは、横方向Ｘにおいて揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。平面視における各貫通孔１８５Ａの形状は、例えば略円形状である。各貫通孔１８５Ａの内面には、複数の凹部が形成されている。この凹部の数は任意に変更可能である。
　図３９に示すように、複数の貫通孔１８５Ａにはそれぞれ、複数の金属部材１９１がそれぞれ１つずつ挿入されている。複数の金属部材１９１はそれぞれ、柱状の導電部材である。本実施形態においては、各金属部材１９１は、厚さ方向Ｚに直交する断面形状が略円形である。つまり、各金属部材１９１は、円柱状である。平面視において、各金属部材１９１の周縁には、複数の凹部が形成されている。なお、この凹部の数は特に限定されない。また、上記断面は、略円形に限定されず、略楕円形、略多角形であってもよい。各金属部材１９１の構成材料は、例えばＣｕあるいはＣｕ合金である。各金属部材１９１は、絶縁基板４１Ｃと接触している（図３７参照）。
　本実施形態では、各貫通孔１８５Ａは、複数の凹部を除く円形部分の直径が、各金属部材１９１の直径と略同じであるか、あるいは、大きい。本実施形態では、各貫通孔１８５Ａへの各金属部材１９１の挿入（嵌め込み）は、例えば圧入である。
　図３９に示すように、各金属部材１９１が各貫通孔１８５Ａに挿入された状態において、各貫通孔１８５Ａの内面に形成された複数の凹部と、各金属部材１９１の側方表面に形成された複数の凹部とによって、複数の非接触空間Ｇ１が形成されている。各非接触空間Ｇ１は、平面視において円形となり、厚さ方向Ｚにおいて導通基板１８０を貫通する空間である。各非接触空間Ｇ１には、例えば半田が充填されている。このように非接触空間Ｇ１を設け、その非接触空間Ｇ１に半田を充填させることによって、導通基板１８０と各金属部材１９１との接合強度を高めるとともに、各金属部材１９１と配線層１８０Ａ，１８０Ｅとの導通を図っている。また、設計上では、各金属部材１９１と各貫通孔１８５Ａとの平面視の直径が同じであれば、上記各凹部を除く部分に、隙間が生じないが、実際には、製造誤差によって微細な隙間が形成されうる。また、金属部材１９１の挿入を容易にするために、貫通孔１８５Ａの平面視の直径を金属部材１９１の平面視の直径よりも大きくした場合にも、微細な隙間が形成されうる。この微細な隙間は、接合強度の低下及び導通不良の原因である。しかしながら、非接触空間Ｇ１を設け、非接触空間Ｇ１に半田を充填させることによって、非接触空間Ｇ１に半田を充填する際に、上記隙間にも半田が流れ込む。これにより、半田が上記隙間を充填し、各金属部材１９１と導通基板１８０との接合強度の低下、及び各金属部材１９１と配線層１８０Ａ，１８０Ｅとの導通不良を抑制できる。なお、各金属部材１９１と配線層１８０Ｃとは導通されていない。すなわち、各金属部材１９１は、配線層１８０Ｃの絶縁部１８２Ｘとの間で非接触空間Ｇ１が形成されており、導体部１８３と接触していない。
　図４０に示すように、複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ｂはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ｂの基部１８１ｄが形成される部分に設けられている。複数の貫通孔１８５Ｂは、横方向Ｘにおいて揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。横方向Ｘにおいて、複数の貫通孔１８５Ｂは、複数の貫通孔１８５Ａと異なる位置に配置されている。平面視における各貫通孔１８５Ｂの形状は、例えば略円形状である。各貫通孔１８５Ｂの内面には、複数の凹部が形成されている。この凹部の数は任意に変更可能である。
　複数の貫通孔１８５Ｂにはそれぞれ、複数の金属部材１９２がそれぞれ１つずつ挿入されている。複数の金属部材１９２はそれぞれ、柱状の導電部材である。本実施形態においては、各金属部材１９２は、厚さ方向Ｚに直交する断面形状が略円形である。つまり、各金属部材１９２は、円柱状である。平面視において、各金属部材１９２の周縁には、複数の凹部が形成されている。なお、この凹部の数は特に限定されない。また、上記断面は、略円形に限定されず、略楕円形、略多角形であってもよい。各金属部材１９２の構成材料は、例えばＣｕあるいはＣｕ合金である。各金属部材１９２は、絶縁基板４１Ｃと接触している（図３７参照）。
　本実施形態では、各貫通孔１８５Ｂは、複数の凹部を除く円形部分の直径が、各金属部材１９２の直径と略同じであるか、あるいは、大きい。本実施形態では、各貫通孔１８５Ｂへの各金属部材１９２の挿入（嵌め込み）は、例えば圧入である。
　各金属部材１９２が各貫通孔１８５Ｂに挿入された状態において、各貫通孔１８５Ｂの内面に形成された複数の凹部と、各金属部材１９２の側方表面に形成された複数の凹部とによって、複数の非接触空間Ｇ２が形成されている。各非接触空間Ｇ２は、平面視において円形となり、厚さ方向Ｚにおいて導通基板１８０を貫通する空間である。各非接触空間Ｇ２には、例えば半田が充填されている。このように非接触空間Ｇ２を設け、その非接触空間Ｇ２に半田を充填させることによって、導通基板１８０と各金属部材１９２との接合強度を高めるとともに、各金属部材１９２と配線層１８０Ａ，１８０Ｃ，１８０Ｅとの導通を図っている。
　図３９に示すように、複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ｃはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ｃが形成される部分に設けられている。複数の貫通孔１８５Ｃは、横方向Ｘにおいて揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。また、各貫通孔１８５Ｃは、縦方向Ｙにおいて各貫通孔１８５Ｂと揃った状態で横方向Ｘに各貫通孔１８５Ｂから離間して配置されている。換言すると、各貫通孔１８５Ｃは、縦方向Ｙにおいて各貫通孔１８５Ａとは異なる位置に配置されている。
　平面視における各貫通孔１８５Ｃの形状は、例えば略円形状である。各貫通孔１８５Ｃの内面には、複数の凹部が形成されている。この凹部の数は任意に変更可能である。平面視における各貫通孔１８５Ｃの面積は、平面視における各貫通孔１８５Ａ，１８５Ｂの面積よりも小さい。
　複数の貫通孔１８５Ｃにはそれぞれ、複数の挿通部材１９３がそれぞれ１つずつ挿入されている。複数の挿通部材１９３はそれぞれ、柱状の導電部材である。本実施形態においては、各挿通部材１９３は、厚さ方向Ｚに直交する断面形状が略円形である。つまり、各挿通部材１９３は、円柱状である。平面視において、各挿通部材１９３の周縁には、複数の凹部が形成されている。なお、この凹部の数は特に限定されない。また、上記断面は、略円形に限定されず、略楕円形、略多角形であってもよい。各挿通部材１９３の構成材料は、例えばＣｕあるいはＣｕ合金である。各挿通部材１９３は、絶縁基板４１Ｃと接触している。
　本実施形態では、各貫通孔１８５Ｃは、複数の凹部を除く円形部分の直径が、各挿通部材１９３の直径と略同じであるか、あるいは、大きい。本実施形態では、各貫通孔１８５Ｃへの各挿通部材１９３の挿入（嵌め込み）は、例えば圧入である。
　各挿通部材１９３が各貫通孔１８５Ｃに挿入された状態において、各貫通孔１８５Ｃの内面に形成された複数の凹部と、各挿通部材１９３の側方表面に形成された複数の凹部とによって、複数の非接触空間Ｇ３が形成されている。各非接触空間Ｇ３は、平面視において円形となり、厚さ方向Ｚにおいて導通基板１８０を貫通する空間である。各非接触空間Ｇ３には、例えば半田が充填されている。このように非接触空間Ｇ３を設け、その非接触空間Ｇ３に半田を充填させることによって、導通基板１８０と各挿通部材１９３との接合強度を高めるとともに、各挿通部材１９３と配線層１８０Ａ，１８０Ｅとの導通を図っている。なお、各挿通部材１９３と配線層１８０Ｃとは導通されていない。すなわち、各挿通部材１９３は、配線層１８０Ｃの絶縁部１８２Ｘとの間で非接触空間Ｇ３が形成されており、導体部１８３と接触していない。
　図４０に示すように、複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ｄはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ｄが形成される部分に設けられている。複数の貫通孔１８５Ｄは、横方向Ｘにおいて揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。また、各貫通孔１８５Ｄは、縦方向Ｙにおいて各貫通孔１８５Ａと揃った状板で横方向Ｘに各貫通孔１８５Ａから離間して配置されている。換言すると、各貫通孔１８５Ｄは、縦方向Ｙにおいて各貫通孔１８５Ｂとは異なる位置に配置されている。
　平面視における各貫通孔１８５Ｄの形状は、例えば略円形状である。各貫通孔１８５Ｄの内面には、複数の凹部が形成されている。この凹部の数は任意に変更可能である。平面視における各貫通孔１８５Ｄの面積は、平面視における各貫通孔１８５Ａ，１８５Ｂの面積よりも小さい。平面視における各貫通孔１８５Ｄの面積は、平面視における各貫通孔１８５Ｃの面積と等しい。
　複数の貫通孔１８５Ｄにはそれぞれ、複数の挿通部材１９４がそれぞれ１つずつ挿入されている。複数の挿通部材１９４はそれぞれ、柱状の導電部材である。本実施形態においては、各挿通部材１９４は、厚さ方向Ｚに直交する断面形状が略円形である。つまり、各挿通部材１９４は、円柱状である。平面視において、各挿通部材１９４の周縁には、複数の凹部が形成されている。なお、この凹部の数は特に限定されない。また、上記断面は、略円形に限定されず、略楕円形、略多角形であってもよい。各挿通部材１９４の構成材料は、例えばＣｕあるいはＣｕ合金である。各挿通部材１９４は、絶縁基板４１Ｃと接触している。
　本実施形態では、各貫通孔１８５Ｄは、複数の凹部を除く円形部分の直径が、各挿通部材１９４の直径と略同じであるか、あるいは、大きい。本実施形態では、各貫通孔１８５Ｄへの各挿通部材１９４の挿入（嵌め込み）は、例えば圧入である。
　各挿通部材１９４が各貫通孔１８５Ｄに挿入された状態において、各貫通孔１８５Ｄの内面に形成された複数の凹部と、各挿通部材１９４の側方表面に形成された複数の凹部とによって、複数の非接触空間Ｇ４が形成されている。各非接触空間Ｇ４は、平面視において円形となり、厚さ方向Ｚにおいて導通基板１８０を貫通する空間である。各非接触空間Ｇ４には、例えば半田が充填されている。このように非接触空間Ｇ４を設け、その非接触空間Ｇ４に半田を充填させることによって、導通基板１８０と各挿通部材１９４との接合強度を高めるとともに、各挿通部材１９４と配線層１８０Ａ，１８０Ｃとの導通を図っている。なお、各挿通部材１９４と配線層１８０Ｅとは導通されていない。すなわち、各挿通部材１９４は、配線層１８０Ｅの絶縁部１８３Ｘとの間で非接触空間Ｇ４が形成されており、導体部１８４と接触していない。
　図３９に示すように、複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ｅはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ｅが形成される部分に設けられている。複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ｆはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ｆが形成される部分に設けられている。横方向Ｘにおいて貫通孔１８５Ｆは、貫通孔１８５Ｅとは異なる位置に配置されている。
　図４０に示すように、複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ｇはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ｇが形成される部分に設けられている。複数（本実施形態では３個）の貫通孔１８５Ｈはそれぞれ、導通基板１８０における導体部１８１Ｈが形成される部分に設けられている。横方向Ｘにおいて貫通孔１８５Ｈは、貫通孔１８５Ｇとは異なる位置に配置されている。
　図３９及び図４０に示すように、複数の貫通電極１９５Ａ～１９５Ｄはそれぞれ、導電性材料から構成されており、例えばＣｕ又はＣｕ合金からなる。平面視における複数の貫通電極１９５Ａ～１９５Ｄのそれぞれの形状は、円形である。平面視における複数の貫通電極１９５Ａ～１９５Ｄの面積は、平面視における複数の挿通部材１９３，１９４の面積よりも小さい。
　図３９に示すように、複数の貫通電極１９５Ａは、複数の貫通孔１８５Ｅにそれぞれ１つずつ充填されている。各貫通電極１９５Ａは、各貫通孔１８５Ｅに充填されたものではなく、各貫通孔１８５Ｅの内面を覆う筒状のものであってもよい。
　複数の貫通電極１９５Ｂは、複数の貫通孔１８５Ｆにそれぞれ１つずつ充填されている。各貫通電極１９５Ｂは、各貫通孔１８５Ｆに充填されたものではなく、各貫通孔１８５Ｆの内面を覆う筒状のものであってもよい。
　図４０に示すように、複数の貫通電極１９５Ｃは、複数の貫通孔１８５Ｇにそれぞれ１つずつ充填されている。各貫通電極１９５Ｃは、各貫通孔１８５Ｇに充填されたものではなく、各貫通孔１８５Ｇの内面を覆う筒状のものであってもよい。
　複数の貫通電極１９５Ｄは、複数の貫通孔１８５Ｈにそれぞれ１つずつ充填されている。各貫通電極１９５Ｄは、各貫通孔１８５Ｈに充填されたものではなく、各貫通孔１８５Ｈの内面を覆う筒状のものであってもよい。
　図３９及び図４０に示すように、各貫通電極１９５Ａ～１９５Ｄはそれぞれ、配線層１８０Ａ，１８０Ｅ（図３７参照）を互いに導通させる。換言すると、各貫通電極１９５Ａ～１９５Ｄはそれぞれ、配線層１８０Ｃと導通していない。図示していないが、配線層１８０Ｅでは、複数の貫通電極１９５Ａを介して複数の導体部１８１Ｅが互いに電気的に接続されており、複数の貫通電極１９５Ｂを介して複数の導体部１８１Ｆが互いに電気的に接続されている。また、配線層１８０Ｅでは、複数の貫通電極１９５Ｃを介して複数の導体部１８１Ｇが互いに電気的に接続されており、複数の貫通電極１９５Ｄを介して複数の導体部１８１Ｈが互いに電気的に接続されている。
　図３９に示すように、各金属部材１９１の厚さ方向Ｚにおける絶縁基板４１Ｃ側とは反対側の端面には、各第１半導体素子１０Ａが配置されている。より詳細には、図３７に示すように、第１半導体素子１０Ａは、その素子裏面１０ｒが金属部材１９１の上記端面と対向するように金属部材１９１の上記端面に配置されている。第１半導体素子１０Ａは、例えば銀ペーストや半田等の導電性接合材によって金属部材１９１の上記端面に接合されている。このように、第１半導体素子１０Ａの素子裏面１０ｒに形成されたドレイン電極１１は、金属部材１９１と電気的に接続されている。
　図３９に示すように、各第１半導体素子１０Ａのソース電極１２は、導体部１８１Ｃと電気的に接続されている。より詳細には、第１半導体素子１０Ａのソース電極１２と導体部１８１Ｃとには、複数本の第１駆動用接続部材９１Ａが接続されている。第１駆動用接続部材９１Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　また各第１半導体素子１０Ａのソース電極１２は、各導体部１８１Ｆと電気的に接続されている。すなわち、所定の第１半導体素子１０Ａのソース電極１２は、その所定の第１半導体素子１０Ａに対応する導体部１８１Ｆと電気的に接続されている。所定の第１半導体素子１０Ａに対応する導体部１８１Ｆとは、所定の第１半導体素子１０Ａに最も近い導体部１８１Ｆである。本実施形態では、所定の第１半導体素子１０Ａに対応する導体部１８１Ｆは、横方向Ｘからみて、所定の第１半導体素子１０Ａと重なるように配置されている。
　第１半導体素子１０Ａのソース電極１２と導体部１８１Ｆとには、第１制御用接続部材９３Ａが接続されている。第１制御用接続部材９３Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　また各第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３は、導体部１８１Ｅと電気的に接続されている。すなわち、所定の第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３は、その所定の第１半導体素子１０Ａに対応する導体部１８１Ｅと電気的に接続されている。所定の第１半導体素子１０Ａに対応する導体部１８１Ｅとは、所定の第１半導体素子１０Ａに最も近い導体部１８１Ｅである。本実施形態では、所定の第１半導体素子１０Ａに対応する導体部１８１Ｅは、横方向Ｘからみて、所定の第１半導体素子１０Ａと重なるように配置されている。
　第１半導体素子１０Ａのゲート電極１３と導体部１８１Ｅとには、第１制御用接続部材９２Ａが接続されている。第１制御用接続部材９２Ａは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　図４０に示すように、各金属部材１９２の厚さ方向Ｚにおける絶縁基板４１Ｃ側とは反対側の端面には、各第２半導体素子１０Ｂが配置されている。より詳細には、図３７に示すように、第２半導体素子１０Ｂは、その素子裏面１０ｒが金属部材１９２の上記端面と対向するように金属部材１９２の上記端面に配置されている。第２半導体素子１０Ｂは、例えば銀ペーストや半田等の導電性接合材によって金属部材１９２の上記端面に接合されている。このように、第２半導体素子１０Ｂの素子裏面１０ｒに形成されたドレイン電極１１は、金属部材１９２と電気的に接続されている。
　図４０に示すように、各第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２は、導体部１８１Ｄと電気的に接続されている。より詳細には、第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２と導体部１８１Ｄとには、複数本の第２駆動用接続部材９１Ｂが接続されている。第２駆動用接続部材９１Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　また各第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２は、各導体部１８１Ｈと電気的に接続されている。すなわち、所定の第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２は、その所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する導体部１８１Ｈと電気的に接続されている。所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する導体部１８１Ｈとは、所定の第２半導体素子１０Ｂに最も近い導体部１８１Ｈである。本実施形態では、所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する導体部１８１Ｈは、横方向Ｘからみて、所定の第２半導体素子１０Ｂと重なるように配置されている。
　第２半導体素子１０Ｂのソース電極１２と導体部１８１Ｈとには、第２制御用接続部材９３Ｂが接続されている。第２制御用接続部材９３Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　また各第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３は、各導体部１８１Ｇと電気的に接続されている。すなわち、所定の第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３は、その所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する導体部１８１Ｇと電気的に接続されている。所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する導体部１８１Ｇとは、所定の第２半導体素子１０Ｂに最も近い導体部１８１Ｇである。本実施形態では、所定の第２半導体素子１０Ｂに対応する導体部１８１Ｇは、横方向Ｘからみて、所定の第２半導体素子１０Ｂと重なるように配置されている。
　第２半導体素子１０Ｂのゲート電極１３と導体部１８１Ｇとには、第２制御用接続部材９２Ｂが接続されている。第２制御用接続部材９２Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　図３６に示すように、導通基板１８０は、第１配線領域７０Ａ、第２配線領域７０Ｂ、及び第３配線領域７０Ｃを有する。また、導通基板１８０には、第１実施形態と同様に、第１短絡検出回路３Ａ及び第２短絡検出回路３Ｂと、第１サージ低減回路４Ａ及び第２サージ低減回路４Ｂとが設けられている。
　第１配線領域７０Ａは、縦方向Ｙにおいて導通基板１８０のうちの複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りの部分、かつ横方向Ｘにおいて導通基板１８０の中央部よりも第１樹脂側面５１側の部分から形成される領域である。
　第２配線領域７０Ｂは、縦方向Ｙにおいて導通基板１８０のうちの複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りの部分、かつ横方向Ｘにおいて導通基板１８０の中央部よりも第２樹脂側面５２側の部分から形成される領域である。
　第３配線領域７０Ｃは、横方向Ｘにおいて導通基板１８０のうちの複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第４樹脂側面５４寄りの部分、かつ横方向Ｘにおいて導通基板１８０の中央部よりも第２樹脂側面５２側の部分から形成される領域である。
　図４１に示すように、第１配線領域７０Ａには、第１短絡検出回路３Ａ及び第１サージ低減回路４Ａが設けられている。図４１は、第１短絡検出回路３Ａ及び第１サージ低減回路４Ａの配線構成の一例を示す。第１短絡検出回路３Ａ及び第１サージ低減回路４Ａの配線構成は、図４１に示す配線構成に限られず、任意に変更可能である。
　第１短絡検出回路３Ａは、平面視において、導体部１８１Ａの内部に配置されている。具体的には、第１短絡検出回路３Ａは、導体部１８１Ａに形成された開口部１８１ｇの内部に配置されている。開口部１８１ｇは、複数の第１半導体素子１０Ａのうちの最も第３樹脂側面５３寄りの第１半導体素子１０Ａと縦方向Ｙにおいて隣り合うように形成されている。
　開口部１８１ｇ内には、第１配線部分２０１、第２配線部分２０２、及び第３配線部分２０３が配置されている。第１配線部分２０１、第２配線部分２０２、及び第３配線部分２０３は、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。第２配線部分２０２は、横方向Ｘにおいて第１配線部分２０１と第３配線部分２０３との間に配置されている。第１配線部分２０１は横方向Ｘにおいて第２配線部分２０２に対して第１樹脂側面５１寄りに配置されており、第３配線部分２０３は横方向Ｘにおいて第２配線部分２０２に対して第２樹脂側面５２寄りに配置されている。平面視における各配線部分２０１～２０３の形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。
　第１配線部分２０１は、各第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１と電気的に接続するための配線である。第１配線部分２０１には、貫通孔２０１ａが設けられている。貫通孔２０１ａは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔２０１ａには貫通電極２０４が充填されている。貫通電極２０４は、貫通孔２０１ａに充填されるものではなく、貫通孔２０１ａの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０４は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２０４と第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１とが電気的に接続されるように構成されている。
　第３配線部分２０３は、第１短絡検出用リード８７Ａと電気的に接続するための配線である。第３配線部分２０３には、貫通孔２０３ａが設けられている。貫通孔２０３ａは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔２０３ａには貫通電極２０５が充填されている。貫通電極２０５は、貫通孔２０３ａに充填されるものではなく、貫通孔２０３ａの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０５は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２０５と第１短絡検出用リード８７Ａと電気的に接続される配線部分とが電気的に接続されるように構成されている。
　第１短絡検出回路３Ａは、第１実施形態の第１短絡検出回路３Ａと同じであり、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを有する。
　第１高耐圧ダイオード３０Ａは、第２配線部分２０２と第３配線部分２０３とに接続されている。具体的には、第１高耐圧ダイオード３０Ａのカソード電極が第３配線部分２０３に接続され、第１高耐圧ダイオード３０Ａのアノード電極が第２配線部分２０２に接続されている。また、第１高耐圧ダイオード３０Ｂは、第１配線部分２０１と第２配線部分２０２とに接続されている。具体的には、第１高耐圧ダイオード３０Ｂのカソード電極が第１配線部分２０１に接続され、第１高耐圧ダイオード３０Ｂのアノード電極が第２配線部分２０２に接続されている。このように、第１配線部分２０１、第２配線部分２０２、及び第３配線部分２０３によって、第１高耐圧ダイオード３０Ａと第１高耐圧ダイオード３０Ｂとが直列接続されている。
　本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１高耐圧ダイオード３０Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１高耐圧ダイオード３０Ｂが配置されている。加えて、第１高耐圧ダイオード３０Ａと第１高耐圧ダイオード３０Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配置されている。
　第１サージ低減回路４Ａは、第１配線領域７０Ａにおける導体部１８１Ａとリード８０との縦方向Ｙの間の部分に設けられている。この部分には、第１実施形態と同様に、第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａが設けられている。本実施形態の第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａの配置態様及び形状は、第１実施形態の第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａの配置態様及び形状とは異なる。
　第１駆動用配線６２Ａは、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第１駆動用配線６２Ａは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第１駆動用配線６２Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１駆動用配線６２Ａには、貫通孔６２ｐｗが設けられている。貫通孔６２ｐｗは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６２ｐｗには貫通電極２０６が充填されている。貫通電極２０６は、貫通孔６２ｐｗに充填されるものではなく、貫通孔６２ｐｗの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０６は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２０５，２０６を介して第１駆動用配線６２Ａと、第１短絡検出回路３Ａにおける第３配線部分２０３とが電気的に接続されるように構成されている。
　第１制御用配線６３Ａは、横方向Ｘにおいて、第１駆動用配線６２Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第１制御用配線６３Ａは、縦方向Ｙに延びている。第１制御用配線６３Ａの縦方向Ｙの長さは、第１駆動用配線６２Ａの縦方向Ｙの長さよりも長い。平面視における第１制御用配線６３Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１制御用配線６３Ａには、貫通孔６３ｐｚが設けられている。貫通孔６３ｐｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６３ｐｚには貫通電極２０７が充填されている。貫通電極２０７は、貫通孔６３ｐｚに充填されるものではなく、貫通孔６３ｐｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０７は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ａ（図３９参照），２０７を介して第１制御用配線６３Ａと複数の導体部１８１Ｅとが電気的に接続されるように構成されている。
　第１制御用配線６４Ａは、横方向Ｘにおいて、第１駆動用配線６２Ａと第１制御用配線６３Ａとの間に配置されている。第１制御用配線６４Ａは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第１制御用配線６４Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１制御用配線６４Ａの縦方向Ｙの長さは、第１制御用配線６３Ａの縦方向Ｙの長さよりも短い。第１制御用配線６４Ａには、貫通孔６４ｐｚが設けられている。貫通孔６４ｐｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６４ｐｚには貫通電極２０８が充填されている。貫通電極２０８は、貫通孔６４ｐｚに充填されるものではなく、貫通孔６４ｐｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０８は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｂ（図３９参照），２０８を介して第１制御用配線６４Ａと複数の導体部１８１Ｆとが電気的に接続されるように構成されている。
　第１制御電源用配線６５Ａは、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６４Ａと隣り合うように配置されている。第１制御電源用配線６５Ａは、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６４Ａと第１制御用配線６３Ａとの間に配置されている。第１制御電源用配線６５Ａは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第１制御電源用配線６５Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。
　第１制御電源用配線６６Ａは、第１実施形態と同様に、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６６ｐａと、第１配線部分６６ｐａから離間して設けられており、縦方向Ｙに延びる第２配線部分６６ｐｂと、第１配線部分６６ｐａと第２配線部分６６ｐｂとを接続する第３配線部分６６ｐｃとを有する。第１配線部分６６ｐａは、横方向Ｘにおいて第１制御用配線６４Ａと隣り合うように配置されている。具体的には、第１配線部分６６ｐａは、横方向Ｘにおいて第１制御用配線６４Ａに対して第１制御電源用配線６５Ａとは反対側に配置されている。すなわち第１配線部分６６ｐａは、横方向Ｘにおいて第１駆動用配線６２Ａと第１制御用配線６４Ａとの間に配置されている。横方向Ｘからみて、第１配線部分６６ｐａは、第１制御用配線６４Ａ及び第１制御電源用配線６５Ａと重なるように配置されている。第１配線部分６６ｐａと第１制御電源用リード８６Ｂとは、第１制御電源用接続部材９６Ｂによって接続されている。第１制御電源用接続部材９６Ｂは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第２配線部分６６ｐｂは、横方向Ｘにおいて第１制御用配線６４Ａよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第２配線部分６６ｐｂは、縦方向Ｙにおいて第１配線部分６６ｐａよりも第４樹脂側面５４寄り（導体部１８１Ａ寄り）に配置されている。縦方向Ｙからみて、第２配線部分６６ｐｂは、第１制御電源用配線６５Ａと重なるように配置されている。第２配線部分６６ｐｂは、横方向Ｘにおいて、第１制御用配線６３Ａと重なるように配置されている。
　第３配線部分６６ｐｃは、第１配線部分６６ｐａと第２配線部分６６ｐｂとを接続している。平面視における第３配線部分６６ｐｃの形状は、例えばＬ字状である。なお、平面視における第３配線部分６６ｐｃの形状は、Ｌ字状に限られず、第２樹脂側面５２に向かうにつれて第３樹脂側面５３に向けて斜めに延びる形状であってもよい。
　第１サージ低減回路４Ａを構成する第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１実施形態と同様に、第１制御用配線６３Ａ，６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａに接続されている。
　第１低耐圧ダイオード３２Ａは、第１制御用配線６３Ａと第１制御電源用配線６５Ａとに接続されている。具体的には、第１低耐圧ダイオード３２Ａのアノード電極は、第１制御用配線６３Ａにおける第１制御用リード８４Ａ寄りの部分に接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ａのカソード電極は、第１制御電源用配線６５Ａに接続されている。
　第１低耐圧ダイオード３２Ｂは、第１制御用配線６３Ａと第１制御電源用配線６６Ａとに接続されている。具体的には、第１低耐圧ダイオード３２Ｂのカソード電極は、第１制御用配線６３Ａにおける導体部１８１Ａ寄りの部分に接続されている。第１低耐圧ダイオード３２Ｂのアノード電極は、第１制御電源用配線６６Ａの第２配線部分６６ｐｂに接続されている。このように、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂは、第１制御電源用配線６６Ａと第１制御電源用配線６５Ａとの間で第１制御用配線６３Ａを介して直列接続されている。
　本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１低耐圧ダイオード３２Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１低耐圧ダイオード３２Ｂが配置されている。加えて、第１低耐圧ダイオード３２Ａと第１低耐圧ダイオード３２Ｂとは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。縦方向Ｙにおいて、第１低耐圧ダイオード３２Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。
　第１コンデンサ３３Ａは、第１制御電源用配線６５Ａと第１制御用配線６４Ａとに接続されている。具体的には、第１コンデンサ３３Ａの第１端子は、第１制御電源用配線６５Ａに接続されている。第１コンデンサ３３Ａの第２端子は、第１制御用配線６４Ａに接続されている。
　第１コンデンサ３３Ｂは、第１制御電源用配線６６Ａと第１制御用配線６４Ａとに接続されている。具体的には、第１コンデンサ３３Ｂの第１端子は、第１制御電源用配線６６Ａの第１配線部分６６ｐａに接続されている。第１コンデンサ３３Ｂの第２端子は、第１制御用配線６４Ａに接続されている。このように、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１制御電源用配線６５Ａと第１制御電源用配線６６Ａとの間で第１制御用配線６４Ａを介して直列接続されている。
　本実施形態では、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１コンデンサ３３Ａが配置されている。また、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第１コンデンサ３３Ｂが配置されている。加えて、第１コンデンサ３３Ａと第１コンデンサ３３Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配列されている。また横方向Ｘからみて、各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、第１低耐圧ダイオード３２Ａと重なるように配置されている。また縦方向Ｙからみて、各コンデンサ３３Ａ，３３Ｂは、各低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。
　図４２に示すように、第３配線領域７０Ｃには、第２短絡検出回路３Ｂが設けられている。図４２は、第１短絡検出回路３Ａの配線構成の一例を示す。第１短絡検出回路３Ａの配線構成は、図４２に示す配線構成に限られず、任意に変更可能である。
　第２短絡検出回路３Ｂは、平面視において、導体部１８１Ｂの内部に配置されている。具体的には、第２短絡検出回路３Ｂは、導体部１８１Ｂに形成された開口部１８１ｈの内部に配置されている。開口部１８１ｈは、複数の第２半導体素子１０Ｂのうちの最も第４樹脂側面５４寄りの第２半導体素子１０Ｂと縦方向Ｙにおいて隣り合うように形成されている。
　開口部１８１ｈ内には、第１配線部分２１１、第２配線部分２１２、及び第３配線部分２１３が配置されている。第１配線部分２１１、第２配線部分２１２、及び第３配線部分２１３は、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。第２配線部分２１２は、横方向Ｘにおいて第１配線部分２１１と第３配線部分２１３との間に配置されている。第１配線部分２１１は横方向Ｘにおいて第２配線部分２１２に対して第２樹脂側面５２寄りに配置されており、第３配線部分２１３は横方向Ｘにおいて第２配線部分２１２に対して第１樹脂側面５１寄りに配置されている。平面視における各配線部分２１１～２１３の形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。
　第１配線部分２１１は、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と電気的に接続するための配線である。第１配線部分２１１には、貫通孔２１１ａが設けられている。貫通孔２１１ａは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔２１１ａには貫通電極２１４が充填されている。貫通電極２１４は、貫通孔２１１ａに充填されるものではなく、貫通孔２１１ａの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１４は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２１４と第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１とが電気的に接続されるように構成されている。
　第３配線部分２１３は、第１短絡検出用リード８７Ａと電気的に接続するための配線である。第３配線部分２１３には、貫通孔２１３ａが設けられている。貫通孔２１３ａは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔２１３ａには貫通電極２１５が充填されている。貫通電極２１５は、貫通孔２１３ａに充填されるものではなく、貫通孔２１３ａの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１５は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２１５と第１短絡検出用リード８７Ａと電気的に接続される配線部分とが電気的に接続されるように構成されている。
　第２短絡検出回路３Ｂは、第１実施形態の第２短絡検出回路３Ｂと同じであり、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを有する。
　第２高耐圧ダイオード３１Ａは、第２配線部分２１２と第３配線部分２１３とに接続されている。具体的には、第２高耐圧ダイオード３１Ａのカソード電極が第３配線部分２１３に接続され、第２高耐圧ダイオード３１Ａのアノード電極が第２配線部分２１２に接続されている。また、第２高耐圧ダイオード３１Ｂは、第１配線部分２１１と第２配線部分２１２とに接続されている。具体的には、第２高耐圧ダイオード３１Ｂのカソード電極が第１配線部分２１１に接続され、第２高耐圧ダイオード３１Ｂのアノード電極が第２配線部分２１２に接続されている。このように、第１配線部分２１１、第２配線部分２１２、及び第３配線部分２１３によって、第２高耐圧ダイオード３１Ａと第２高耐圧ダイオード３１Ｂとが直列接続されている。
　本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２高耐圧ダイオード３１Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２高耐圧ダイオード３１Ｂが配置されている。加えて、第２高耐圧ダイオード３１Ａと第２高耐圧ダイオード３１Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配置されている。
　図４３に示すように、第２配線領域７０Ｂには、第２サージ低減回路４Ｂが設けられている。図４３は、第２サージ低減回路４Ｂの配線構成の一例を示す。第２サージ低減回路４Ｂの配線構成は、図４３に示す配線構成に限られず、任意に変更可能である。
　第２サージ低減回路４Ｂは、第２配線領域７０Ｂにおける導体部１８１Ｂとリード８０との縦方向Ｙの間の部分に設けられている。この部分には、第１実施形態と同様に、第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂが設けられている。本実施形態の第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂのそれぞれの配置態様及び形状は、第１実施形態の第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂの配置態様及び形状と異なる。
　第２駆動用配線６２Ｂは、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｄよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第２駆動用配線６２Ｂは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第２駆動用配線６２Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第２駆動用配線６２Ｂには、貫通孔６２ｑｚが設けられている。貫通孔６２ｑｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６２ｑｚには貫通電極２１６が充填されている。貫通電極２１６は、貫通孔６２ｑｚに充填されるものではなく、貫通孔６２ｑｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１６は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２１５，２１６を介して第２駆動用配線６２Ｂと、第２短絡検出回路３Ｂにおける第３配線部分２１３とが電気的に接続されるように構成されている。
　第２制御用配線６３Ｂは、横方向Ｘにおいて、第２駆動用配線６２Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第２制御用配線６３Ｂは、縦方向Ｙに延びている。第２制御用配線６３Ｂの縦方向Ｙの長さは、第２駆動用配線６２Ｂの縦方向Ｙの長さよりも長い。平面視における第２制御用配線６３Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第２制御用配線６３Ｂには、貫通孔６３ｑｚが設けられている。貫通孔６３ｑｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６３ｑｚには貫通電極２１７が充填されている。貫通電極２１７は、貫通孔６３ｑｚに充填されるものではなく、貫通孔６３ｑｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１７は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｃ（図４０参照），２１７を介して第２制御用配線６３Ｂと複数の導体部１８１Ｇとが電気的に接続されるように構成されている。
　第２制御用配線６４Ｂは、横方向Ｘにおいて、第２駆動用配線６２Ｂと第２制御用配線６３Ｂとの間に配置されている。第２制御用配線６４Ｂは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第２制御用配線６４Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第２制御用配線６４Ｂの縦方向Ｙの長さは、第２制御用配線６３Ｂの縦方向Ｙの長さよりも短い。第２制御用配線６４Ｂには、貫通孔６４ｑｚが設けられている。貫通孔６４ｑｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６４ｑｚには貫通電極２１８が充填されている。貫通電極２１８は、貫通孔６４ｑｚに充填されるものではなく、貫通孔６４ｑｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１８は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｄ（図４０参照），２１８を介して第２制御用配線６４Ｂと複数の導体部１８１Ｈとが電気的に接続されるように構成されている。
　第２制御電源用配線６５Ｂは、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６４Ｂと隣り合うように配置されている。第２制御電源用配線６５Ｂは、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６３Ｂと第２制御用配線６４Ｂとの間に配置されている。第２制御電源用配線６５Ｂは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第２制御電源用配線６５Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。
　第２制御電源用配線６６Ｂは、第１実施形態と同様に、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６６ｑａと、第１配線部分６６ｑａから離間して設けられており、縦方向Ｙに延びる第２配線部分６６ｑｂと、第１配線部分６６ｑａと第２配線部分６６ｑｂとを接続する第３配線部分６６ｑｃとを有する。第１配線部分６６ｑａは、横方向Ｘにおいて第２制御用配線６４Ｂと隣り合うように配置されている。具体的には、第１配線部分６６ｑａは、横方向Ｘにおいて第２制御用配線６４Ｂに対して第２制御電源用配線６５Ｂとは反対側に配置されている。すなわち第１配線部分６６ｑａは、横方向Ｘにおいて第２制御用配線６４Ｂと第２駆動用配線６２Ｂとの間に配置されている。横方向Ｘからみて、第１配線部分６６ｑａは、第２制御用配線６４Ｂ及び第２制御電源用配線６５Ｂと重なるように配置されている。第１配線部分６６ｑａと第２制御電源用リード８６Ｄとは、第２制御電源用接続部材９６Ｄによって接続されている。第２制御電源用接続部材９６Ｄは、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　第２配線部分６６ｑｂは、横方向Ｘにおいて第２制御用配線６４Ｂ及び第２制御電源用配線６５Ｂよりも第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第２配線部分６６ｑｂは、縦方向Ｙにおいて第１配線部分６６ｑａよりも第４樹脂側面５４寄り（導体部１８１Ｂ寄り）に配置されている。縦方向Ｙからみて、第２配線部分６６ｑｂは、第２制御電源用配線６５Ｂと重なるように配置されている。第２配線部分６６ｑｂは、横方向Ｘにおいて、第２制御用配線６３Ｂと重なるように配置されている。
　第３配線部分６６ｑｃは、第１配線部分６６ｑａと第２配線部分６６ｑｂとを接続している。平面視における第３配線部分６６ｑｃの形状は、例えばＬ字状である。なお、平面視における第３配線部分６６ｑｃの形状は、Ｌ字状に限られず、第１樹脂側面５１に向かうにつれて第３樹脂側面５３に向けて斜めに延びる形状であってもよい。
　第２サージ低減回路４Ｂを構成する第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第１実施形態と同様に、第２制御用配線６３Ｂ，６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂに接続されている。
　第２低耐圧ダイオード３４Ａは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御電源用配線６５Ｂとに接続されている。具体的には、第２低耐圧ダイオード３４Ａのアノード電極は、第２制御用配線６３Ｂにおける第２制御用リード８４Ｂ寄りの部分に接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ａのカソード電極は、第２制御電源用配線６５Ｂに接続されている。
　第２低耐圧ダイオード３４Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御電源用配線６６Ｂとに接続されている。具体的には、第２低耐圧ダイオード３４Ｂのカソード電極は、第２制御用配線６３Ｂにおける導体部１８１Ｂ寄りの部分に接続されている。第２低耐圧ダイオード３４Ｂのアノード電極は、第２制御電源用配線６６Ｂの第２配線部分６６ｑｂに接続されている。このように、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂは、第２制御電源用配線６６Ｂと第２制御電源用配線６５Ｂとの間で第２制御用配線６３Ｂを介して直列接続されている。
　本実施形態では、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２低耐圧ダイオード３４Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２低耐圧ダイオード３４Ｂが配置されている。加えて、第２低耐圧ダイオード３４Ａと第２低耐圧ダイオード３４Ｂとは、横方向Ｘに揃った状態で縦方向Ｙに離間して配列されている。縦方向Ｙにおいて、第２低耐圧ダイオード３４Ａは、第２低耐圧ダイオード３４Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。
　第２コンデンサ３５Ａは、第２制御電源用配線６５Ｂと第２制御用配線６４Ｂとに接続されている。具体的には、第２コンデンサ３５Ａの第１端子は、第２制御電源用配線６５Ｂに接続されている。第２コンデンサ３５Ａの第２端子は、第２制御用配線６４Ｂに接続されている。
　第２コンデンサ３５Ｂは、第２制御電源用配線６６Ｂと第２制御用配線６４Ｂとに接続されている。具体的には、第２コンデンサ３５Ｂの第１端子は、第２制御電源用配線６６Ｂの第１配線部分６６ｑａに接続されている。第２コンデンサ３５Ｂの第２端子は、第２制御用配線６４Ｂに接続されている。このように、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第２制御電源用配線６５Ｂと第２制御電源用配線６６Ｂとの間で第２制御用配線６４Ｂを介して直列接続されている。
　本実施形態では、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２コンデンサ３５Ａが配置されている。また、第１端子と第２端子との配列方向が横方向Ｘに沿うように第２コンデンサ３５Ｂが配置されている。加えて、第２コンデンサ３５Ａと第２コンデンサ３５Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘに離間して配列されている。また横方向Ｘからみて、各コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、第２低耐圧ダイオード３４Ａと重なるように配置されている。また縦方向Ｙからみて、各コンデンサ３５Ａ，３５Ｂは、各低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
　図３５に示すように、樹脂部材５０には、第１実施形態と同様に、樹脂天面５５側から導通基板１８０を露出する４つの樹脂開口部として第１制御側開口部５８Ａ、第２制御側開口部５８Ｂ、第１駆動側開口部５９Ａ、及び第２駆動側開口部５９Ｂが設けられている。図３５から分かるとおり、第１制御側開口部５８Ａと第１駆動側開口部５９Ａとは個別に設けられている。第２制御側開口部５８Ｂと第２駆動側開口部５９Ｂとは個別に設けられている。第１制御側開口部５８Ａと第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。
　第１制御側開口部５８Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。このように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。換言すると、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。平面視において、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂは、樹脂天面５５のうちの第３樹脂側面５３寄りの端部に配置されている。第１制御側開口部５８Ａは、第２制御側開口部５８Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
　図４１に示すように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　図４３に示すように、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　図３５に示すように、第１駆動側開口部５９Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。また第１駆動側開口部５９Ａは、縦方向Ｙにおいて第１制御側開口部５８Ａよりも複数の第１半導体素子１０Ａ寄りに配置されている。換言すると、平面視において、第１駆動側開口部５９Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。第１駆動側開口部５９Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１駆動側開口部５９Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御側開口部５８Ａとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　図３５に示すように、第２駆動側開口部５９Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第４樹脂側面５４寄りに配置されている。換言すると、平面視において、第１駆動側開口部５９Ａは、第２制御側開口部５８Ｂ及び第２駆動側開口部５９Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。第１駆動側開口部５９Ａは、第１制御側開口部５８Ａに対して第２樹脂側面５２寄りに配置されている。第１駆動側開口部５９Ａは、第２制御側開口部５８Ｂ及び第２駆動側開口部５９Ｂよりも第１制御側開口部５８Ａの近くに配置されている。平面視において、第２駆動側開口部５９Ｂは、樹脂天面５５のうちの第４樹脂側面５４寄りの端部に配置されている。第２駆動側開口部５９Ｂは、第２制御側開口部５８Ｂに対して第１樹脂側面５１寄りに配置されている。平面視における各駆動側開口部５９Ａ，５９Ｂの面積は、平面視における各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂの面積よりも小さい。
　図４１に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。換言すると、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続された第１サージ低減回路４Ａを露出している。より詳細には、図４１に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ、第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａの第１配線部分６６ｐａ及び第２配線部分６６ｐｂを露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御リード用接続部材９４Ａ，９５Ａ、第１制御電源用接続部材９６Ａ，９６Ｂ、及び第１短絡検出用接続部材９７Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
　図４３に示すように、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板１８０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。換言すると、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板１８０において第２半導体素子１０Ｂ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２配線領域７０Ｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続された第２サージ低減回路４Ｂを露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂの第１配線部分６６ｑａ及び第２配線部分６６ｑｂを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御リード用接続部材９４Ｂ，９５Ｂ、第２制御電源用接続部材９６Ｃ，９６Ｄ、及び第２短絡検出用接続部材９７Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。
　図４１に示すように、第１駆動側開口部５９Ａは、第１配線領域７０Ａにおいて第１制御側開口部５８Ａが露出する領域とは異なる領域を露出している。換言すると、第１駆動側開口部５９Ａは、導通基板１８０において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域のうちの第１制御側開口部５８Ａで露出されている電子部品以外の電子部品が実装される部分を露出している。第１駆動側開口部５９Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの複数の第１半導体素子１０Ａ寄りの領域を露出している。本実施形態では、第１駆動側開口部５９Ａは、第１半導体素子１０Ａのドレイン電極１１に接続された第１短絡検出回路３Ａを露出している。より詳細には、図４１に示すように、第１駆動側開口部５９Ａは、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ、第１配線部分２０１、第２配線部分２０２、及び第３配線部分２０３を露出している。本実施形態では、第１駆動側開口部５９Ａは、第１半導体素子１０Ａを露出していない。平面視における第１駆動側開口部５９Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１駆動側開口部５９Ａ内には、第１実施形態と同様に、電気的絶縁性を有する絶縁材７１が充填されている。絶縁材７１の一例は、シリコーン樹脂である。
　図３５に示すように、第２駆動側開口部５９Ｂは、導通基板１８０の第３配線領域７０Ｃの一部を露出している。換言すると、第２駆動側開口部５９Ｂは、導通基板１８０において第２半導体素子１０Ｂ以外の電子部品が実装される実装領域のうちの第２制御側開口部５８Ｂで露出されている実装領域とは異なる実装領域の一部を露出している。第２駆動側開口部５９Ｂは、第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１に接続された第２短絡検出回路３Ｂを露出している。より詳細には、図４２に示すように、第２駆動側開口部５９Ｂは、第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂ、第１配線部分２１１、第２配線部分２１２、及び第３配線部分２１３を露出している。本実施形態では、第２駆動側開口部５９Ｂは、第２半導体素子１０Ｂを露出していない。平面視における第２駆動側開口部５９Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２駆動側開口部５９Ｂ内には、第１実施形態と同様に、電気的絶縁性を有する絶縁材７２が充填されている。絶縁材７２の一例は、シリコーン樹脂である。
　本実施形態の半導体装置１Ｆによれば、以下の効果が得られる。
　（６－１）半導体装置１Ｆは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通する複数の金属部材１９１及び複数の金属部材１９２を備える。複数の金属部材１９１にはそれぞれ第１半導体素子１０Ａが搭載されており、複数の金属部材１９２にはそれぞれ第２半導体素子１０Ｂが搭載されている。この構成によれば、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの通電時に生じる半導体素子１０Ａ，１０Ｂからの熱を効率的に逃がすことができる。したがって、半導体装置１Ｆは、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂのジャンクション温度の上昇を抑制できるため、各半導体素子１０Ａ，１０Ｂの熱破壊を抑制できる。
　（６－２）平面視における各挿通部材１９３，１９４の面積は、平面視における各貫通電極２０４～２０８，２１４～２１８の面積よりも大きい。この構成によれば、挿通部材１９３，１９４の寄生抵抗及び寄生インダクタンスを、貫通電極２０４～２０８，２１４～２１８の寄生抵抗及び寄生インダクタンスよりも低減できる。各挿通部材１９３，１９４は、半導体装置１Ｆが行う電力変換における電流経路の一部であり、貫通電極２０４～２０８，２１４～２１８は、半導体装置１Ｆが行う電力変換における信号経路の一部である。つまり、比較的大きな電流が流れる各挿通部材１９３，１９４の寄生抵抗や寄生インダクタンスを抑制し、各挿通部材１９３，１９４での導通損失を抑制できる。上記電流経路には、例えば、４００Ａ以上６００Ａ以下の電流が流れることがある。
　（６－３）平面視における各金属部材１９１，１９２の面積は、平面視における各挿通部材１９３，１９４の面積よりも大きい。この構成によれば、各金属部材１９１，１９２の熱伝導性を、各挿通部材１９３，１９４の熱伝導性よりも向上できる。したがって、半導体装置１Ｆは、各金属部材１９１，１９２において、適度な導電性を確保しつつ、熱伝導性を向上できる。
　［第７実施形態］
　図４４～図４７を参照して、第７実施形態の半導体装置１Ｇについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｇは、第６実施形態の半導体装置１Ｆと比較して、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂの実装態様が主に異なる。以下の説明において、第６実施形態の半導体装置１Ｆと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
　図４５に示すように、本実施形態の半導体装置１Ｇは、絶縁基板４１Ｃにおける導通基板１８０の外部の部分に各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂを設けている。本実施形態では、導通基板１８０の縦方向Ｙの長さを第６実施形態の導通基板１８０の縦方向Ｙの長さよりも短くして、各短絡検出回路３Ａ，３Ｂ及び各サージ低減回路４Ａ，４Ｂを設けるためのスペースを確保している。導通基板１８０は、第６実施形態の導通基板１８０から第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂが省略されており、その分のスペースだけ縦方向Ｙに短くなる。
　また、本実施形態の半導体装置１Ｇでは、リード８０の配置構成が第６実施形態の半導体装置１Ｆのリード８０の配置構成と異なる。図４４に示すとおり、半導体装置１Ｇのリード８０の配置構成は、第２実施形態の半導体装置１Ｂのリード８０の配置構成（図１６参照）と同じである。
　図４５に示すように、本実施形態の半導体装置１Ｇにおいて、絶縁部１８１Ｘにおける第３樹脂側面５３寄りの部分かつ第１樹脂側面５１寄りの端部には、導体部１８１Ｉ及び導体部１８１Ｊが配置されている。導体部１８１Ｉ及び導体部１８１Ｊはそれぞれ、導体部１８１Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。導体部１８１Ｉ及び導体部１８１Ｊはそれぞれ、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ａと隣り合うように配置されている。導体部１８１Ｉ及び導体部１８１Ｊは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配列されている。導体部１８１Ｊは、導体部１８１Ｉよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。平面視における導体部１８１Ｉ及び導体部１８１Ｊの形状はそれぞれ、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。
　図４６に示すように、導体部１８１Ｉは、複数の導体部１８１Ｅと電気的に接続するための導体部である。導体部１８１Ｉには、貫通孔１８５Ｍが設けられている。貫通孔１８５Ｍは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｍには貫通電極２２１が充填されている。貫通電極２２１は、貫通孔１８５Ｍに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｍの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２２１は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ａ（図４５参照），２２１を介して導体部１８１Ｉと導体部１８１Ｅとが電気的に接続されるように構成されている。
　導体部１８１Ｊは、複数の導体部１８１Ｆと電気的に接続するための導体部である。導体部１８１Ｊには、貫通孔１８５Ｎが設けられている。貫通孔１８５Ｎは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｎには貫通電極２２２が充填されている。貫通電極２２２は、貫通孔１８５Ｎに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｎの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２２２は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｂ（図４５参照），２２２を介して導体部１８１Ｊと導体部１８１Ｆとが電気的に接続されるように構成されている。
　図４５に示すように、絶縁部１８１Ｘにおける第３樹脂側面５３寄りの部分かつ第２樹脂側面５２寄りの端部には、導体部１８１Ｋ、導体部１８１Ｌ、及び導体部１８１Ｍが配置されている。導体部１８１Ｋ，１８１Ｌ，１８１Ｍはそれぞれ、導体部１８１Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。導体部１８１Ｋ，１８１Ｌ，１８１Ｍはそれぞれ、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｂと隣り合うように配置されている。導体部１８１Ｋ，１８１Ｌ，１８１Ｍは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配列されている。導体部１８１Ｋ，１８１Ｌ，１８１Ｍは、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｉ及び導体部１８１Ｊと揃っている。導体部１８１Ｌは、横方向Ｘにおいて導体部１８１Ｋと導体部１８１Ｍとの間に配置されている。導体部１８１Ｋは、導体部１８１Ｌに対して第２樹脂側面５２寄りに配置されており、導体部１８１Ｍは、導体部１８１Ｌに対して第１樹脂側面５１寄りに配置されている。平面視における導体部１８１Ｋ，１８１Ｌ，１８１Ｍの形状はそれぞれ、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。
　図４７に示すように、導体部１８１Ｋは、複数の導体部１８１Ｇと電気的に接続するための導体部である。導体部１８１Ｋには、貫通孔１８５Ｐが設けられている。貫通孔１８５Ｐは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｐには貫通電極２２３が充填されている。貫通電極２２３は、貫通孔１８５Ｐに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｐの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２２３は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｃ，２２３を介して導体部１８１Ｋと導体部１８１Ｇとが電気的に接続されるように構成されている。
　導体部１８１Ｌは、複数の導体部１８１Ｈと電気的に接続するための導体部である。導体部１８１Ｌには、貫通孔１８５Ｑが設けられている。貫通孔１８５Ｑは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｑには貫通電極２２４が充填されている。貫通電極２２４は、貫通孔１８５Ｑに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｑの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２２４は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｄ，２２４を介して導体部１８１Ｌと導体部１８１Ｈとが電気的に接続されるように構成されている。
　導体部１８１Ｍは、各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１と電気的に接続するための導体部である。導体部１８１Ｍには、貫通孔１８５Ｒが設けられている。貫通孔１８５Ｒは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｒには貫通電極２２５が充填されている。貫通電極２２５は、貫通孔１８５Ｒに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｒの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２２５は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２２５を介して導体部１８１Ｍと各第２半導体素子１０Ｂのドレイン電極１１とが電気的に接続されるように構成されている。
　図４６及び図４７に示すように、本実施形態の各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂの構成はそれぞれ、第６実施形態の各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂの構成と異なる。本実施形態の各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂはそれぞれ、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂに形成された回路を構成する配線部を有する。このため、本実施形態では、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂがそれぞれ導電体を構成している。そして、各制御用リード８４Ａ，８４Ｂ，８５Ａ，８５Ｂ、各制御電源用リード８６Ａ～８６Ｄ、及び各短絡検出用リード８７Ａ，８７Ｂのそれぞれが第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂに配置される部分が、電子部品が実装される実装領域となる。ここで、第１配線領域７０Ａに形成された回路は第１サージ低減回路４Ａであり、第２配線領域７０Ｂに形成された回路は第２サージ低減回路４Ｂである。
　図４６に示すように、第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａは、図１７に示す第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａと同様の構成である。また、第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａへの第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂの実装態様は、第２実施形態の第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａへの第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂの実装態様と同様である。
　一方、第１制御用接続部材１４０Ａ、第１制御用接続部材１４１Ａ、及び第１短絡検出用接続部材１４２Ａの接続態様が図１７に示す第２実施形態の第１制御用接続部材１４０Ａ、第１制御用接続部材１４１Ａ、及び第１短絡検出用接続部材１４２Ａの接続態様と異なる。
　より詳細には、第１制御用接続部材１４０Ａは、第１制御用リード８４Ａにおける第２配線部１０１の第２部分１０１ｂと、導体部１８１Ｉとを接続している。第１制御用接続部材１４１Ａは、第１制御用リード８５Ａにおける第２配線部１１１の第２部分１１１ｂと、導体部１８１Ｊとを接続している。第１短絡検出用接続部材１４２Ａは、第１短絡検出用リード８７Ａの第２配線部１３１と、第１短絡検出回路３Ａの第３配線部分２０３とを接続している。本実施形態では、第２配線部１３１の縦方向Ｙの長さは、第１短絡検出用接続部材１４２Ａを接続する領域を確保するため、第６実施形態の第２配線部１３１の縦方向Ｙの長さよりも長い。
　図４７に示すように、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂは、図１８に示す第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂと同様の構成である。また、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂへの第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂの実装態様は、第２実施形態の第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂへの第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂの実装態様と同様である。
　一方、第２制御用接続部材１４０Ｂ、第２制御用接続部材１４１Ｂ、及び第２短絡検出用接続部材１４２Ｂの接続態様が図１８に示す第２実施形態の第２制御用接続部材１４０Ｂ、第２制御用接続部材１４１Ｂ、及び第２短絡検出用接続部材１４２Ｂの接続態様と異なる。
　より詳細には、第２制御用接続部材１４０Ｂは、第２制御用リード８４Ｂのうちの第２配線部１０３の第２部分１０３ｂにおける第２樹脂側面５２寄りの部分と、導体部１８１Ｌとに接続されている。第２制御用接続部材１４１Ｂは、第２制御用リード８５Ｂの第２部分１１３ｂと、導体部１８１Ｋとに接続されている。第２短絡検出用接続部材１４２Ｂは、第２短絡検出用リード８７Ｂの第２配線部１３３と導体部１８１Ｍとに接続されている。
　図４４に示すように、樹脂部材５０には、第６実施形態と同様に、第１制御側開口部５８Ａ、第２制御側開口部５８Ｂ、第１駆動側開口部５９Ａ、及び第２駆動側開口部５９Ｂが形成されている。なお、第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂは、第６実施形態の第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂと同じである。
　第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０よりも縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの部分かつ絶縁基板４１Ｃの横方向Ｘの中央部よりも第１樹脂側面５１側の部分を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、絶縁基板４１Ｃのうちの導通基板１８０から第３樹脂側面５３側に突出した部分のうちの横方向Ｘの中央部よりも第１樹脂側面５１側の部分を露出している。より詳細には、第１制御側開口部５８Ａは、第１実施形態の第１制御側開口部５８Ａと同様に、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続された第１サージ低減回路４Ａを露出している。図４６に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御用リード８４Ａ，８５Ａ、及び第１制御電源用リード８６Ａ，８６Ｂのそれぞれの一部と、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ、及び絶縁基板４１Ｃの一部を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１短絡検出用リード８７Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
　図４４に示すように、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板１８０よりも縦方向Ｙの第３樹脂側面５３寄りの部分かつ絶縁基板４１Ｃの横方向Ｘの中央部よりも第２樹脂側面５２側の部分を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、絶縁基板４１Ｃのうちの導通基板１８０から第３樹脂側面５３側に突出した部分のうちの横方向Ｘの中央部よりも第２樹脂側面５２側の部分を露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第１実施形態の第２制御側開口部５８Ｂと同様に、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続された第２サージ低減回路４Ｂを露出している。図４７に示すように、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御用リード８４Ｂ，８５Ｂ、及び第２制御電源用リード８６Ｃ，８６Ｄのそれぞれの一部と、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂ、及び第２導電部材４２Ｂの一部を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２短絡検出用リード８７Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。なお、本実施形態の半導体装置１Ｇによれば、第６実施形態の半導体装置１Ｆの効果と同様の効果と、第２実施形態の半導体装置１Ｂの効果と同様の効果が得られる。
　［第８実施形態］
　図４８～図５１を参照して、第８実施形態の半導体装置１Ｈについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｈは、第６実施形態の半導体装置１Ｆと比較して、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂの実装態様が主に異なる。また、本実施形態の半導体装置１Ｈは、第４実施形態の各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを用いている。以下の説明において、第６実施形態の半導体装置１Ｆと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
　本実施形態の半導体装置１Ｈは、第６実施形態の半導体装置１Ｆに対して、第１サージ低減回路４Ａに代えて、第３実施形態の第１サージ吸収回路５Ａ及び第１インターフェース回路６Ａを備え、第２サージ低減回路４Ｂに代えて、第３実施形態の第２サージ吸収回路５Ｂ及び第２インターフェース回路６Ｂを備える点が異なる。また、本実施形態の半導体装置１Ｈでは、第６実施形態の半導体装置１Ｆのリード８０の構成から第３実施形態の半導体装置１Ｃのリード８０の構成に変更される。すなわち、半導体装置１Ｈは、第１配線領域７０Ａの縦方向Ｙの隣に配置されたリード８０として、第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、第１インターフェース用リード８８Ａ、及び第１短絡検出用リード８７Ａを備える。横方向Ｘにおいて各入力リード８１，８２から出力リード８３に向けて、第１制御用リード８５Ａ、第１制御用リード８４Ａ、第１インターフェース用リード８８Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１短絡検出用リード８７Ａの順に配列されている。
　半導体装置１Ｈは、第２配線領域７０Ｂの縦方向Ｙの隣に配置されたリード８０として、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｄ、第２インターフェース用リード８８Ｂ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂを備える。横方向Ｘにおいて出力リード８３から各入力リード８１，８２に向けて、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｄ、第２インターフェース用リード８８Ｂ、及び第２短絡検出用リード８７Ｂの順に配列されている。
　図５０に示すように、第１配線領域７０Ａにおける第１サージ吸収回路５Ａ及び第１インターフェース回路６Ａを構成する配線としての第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第２制御電源用配線６６Ｂ、第１インターフェース用配線６８Ａ、第１中継配線６９Ａ、及び第２中継配線６９Ｂのうちの第１制御用配線６３Ａ及び第１制御用配線６４Ａの構成が異なる。
　第１制御用配線６３Ａは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第１制御用配線６３Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１制御用配線６３Ａには、貫通孔６３ｐｚが設けられている。貫通孔６３ｐｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６３ｐｚには貫通電極２０７が充填されている。貫通電極２０７は、貫通孔６３ｐｚに充填されるものではなく、貫通孔６３ｐｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０７は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ａ（図４９参照），２０７を介して第１制御用配線６３Ａと複数の導体部１８１Ｅとが電気的に接続されるように構成されている。
　第１制御用配線６４Ａは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第１制御用配線６４Ａの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第１制御用配線６４Ａには、貫通孔６４ｐｚが設けられている。貫通孔６４ｐｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６４ｐｚには貫通電極２０８が充填されている。貫通電極２０８は、貫通孔６４ｐｚに充填されるものではなく、貫通孔６４ｐｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０８は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｂ（図４９参照），２０８を介して第１制御用配線６４Ａと複数の導体部１８１Ｆとが電気的に接続されるように構成されている。
　第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、及び第１中継配線６９Ａには、第１サージ吸収回路５Ａを構成する第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂが実装されている。
　第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂは、第１制御用配線６３Ａと第１制御用配線６４Ａとの間において第１中継配線６９Ａを介して逆直列に接続されている。より詳細には、第１低耐圧ダイオード３６Ａのカソード電極は、第１制御用配線６３Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ａのアノード電極は、第１中継配線６９Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ｂのアノード電極は、第１中継配線６９Ａに接続されている。第１低耐圧ダイオード３６Ｂのカソード電極は、第１制御用配線６４Ａに接続されている。
　本実施形態では、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１低耐圧ダイオード３６Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１低耐圧ダイオード３６Ｂが配置されている。加えて、第１低耐圧ダイオード３６Ａと第１低耐圧ダイオード３６Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間するように配列されている。
　第１制御用配線６３Ａ、第２制御電源用配線６６Ｂ、第１インターフェース用配線６８Ａ、及び第２中継配線６９Ｂには、第１インターフェース回路６Ａを構成する第１抵抗３８Ａ，３８Ｂ、及び第１スイッチング素子３９Ａが実装されている。
　第１スイッチング素子３９Ａは、第１制御用配線６３Ａと、第２制御電源用配線６６Ｂと、第２中継配線６９Ｂとに電気的に接続されている。より詳細には、第１スイッチング素子３９Ａのドレイン電極３９ｄは、第１制御用配線６３Ａに接続されている。第１スイッチング素子３９Ａのソース電極３９ｓは、第２制御電源用配線６６Ｂのうちの第２配線部分６６ｐｂに接続されている。第１スイッチング素子３９Ａのゲート電極３９ｇは、第２中継配線６９Ｂに接続されている。本実施形態では、第１スイッチング素子３９Ａは、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第１抵抗３８Ａ、及び第１抵抗３８Ｂよりも第１半導体素子１０Ａ寄りに配置されている。
　第１抵抗３８Ａ及び第１抵抗３８Ｂは、第２制御電源用配線６６Ｂと第２中継配線６９Ｂとの間において第１インターフェース用配線６８Ａを介して接続されている。第１抵抗３８Ａの第１端子は、第２中継配線６９Ｂに接続されている。第１抵抗３８Ａの第２端子は、第１インターフェース用配線６８Ａに接続されている。第１抵抗３８Ｂの第１端子は、第１インターフェース用配線６８Ａに接続されている。第１抵抗３８Ｂの第２端子は、第２制御電源用配線６６Ｂの第１配線部分６６ｐａに接続されている。
　本実施形態では、第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１抵抗３８Ａが配置されている。また、第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように第１抵抗３８Ｂが配置されている。加えて、第１抵抗３８Ａと第１抵抗３８Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配列されている。
　図５１に示すように、第２配線領域７０Ｂにおける第２サージ吸収回路５Ｂ及び第２インターフェース回路６Ｂを構成する配線としての第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６６Ｄ、第２インターフェース用配線６８Ｂ、第３中継配線６９Ｃ、及び第４中継配線６９Ｄのうちの第２制御用配線６３Ｂ及び第２制御用配線６４Ｂの構成が異なる。
　平面視における第２制御用配線６３Ｂの形状は、Ｌ字状である。第２制御用配線６３Ｂには、貫通孔６３ｑｚが設けられている。貫通孔６３ｑｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６３ｑｚには貫通電極２１７が充填されている。貫通電極２１７は、貫通孔６３ｑｚに充填されるものではなく、貫通孔６３ｑｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１７は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｃ（図４９参照），２１７を介して第２制御用配線６３Ｂと複数の導体部１８１Ｇとが電気的に接続されるように構成されている。
　第２制御用配線６４Ｂは、縦方向Ｙに延びている。平面視における第２制御用配線６４Ｂの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。第２制御用配線６４Ｂには、貫通孔６４ｑｚが設けられている。貫通孔６４ｑｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６４ｑｚには貫通電極２１８が充填されている。貫通電極２１８は、貫通孔６４ｑｚに充填されるものではなく、貫通孔６４ｑｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１８は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｄ（図４９参照），２１８を介して第２制御用配線６４Ｂと複数の導体部１８１Ｈとが電気的に接続されるように構成されている。
　第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、及び第４中継配線６９Ｄには、第２サージ吸収回路５Ｂを構成する第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂが実装されている。
　第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと第２制御用配線６４Ｂとの間において第４中継配線６９Ｄを介して逆直列に接続されている。より詳細には、第２低耐圧ダイオード３７Ａのカソード電極は、第２制御用配線６３Ｂに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのアノード電極は、第４中継配線６９Ｄに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのアノード電極は、第４中継配線６９Ｄに接続されている。第２低耐圧ダイオード３７Ｂのカソード電極は、第２制御用配線６４Ｂに接続されている。
　本実施形態では、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第２低耐圧ダイオード３７Ａが配置されている。また、アノード電極とカソード電極とが横方向Ｘに沿って配列されるように第２低耐圧ダイオード３７Ｂが配置されている。加えて、第２低耐圧ダイオード３７Ａと第２低耐圧ダイオード３７Ｂとは、縦方向Ｙに揃った状態で横方向Ｘにおいて離間して配列されている。
　第２制御用配線６３Ｂ、第２制御電源用配線６６Ｄ、第２インターフェース用配線６８Ｂ、及び第３中継配線６９Ｃには、第２インターフェース回路６Ｂを構成する第２抵抗３８Ｃ，３８Ｄ、及び第２スイッチング素子３９Ｂが実装されている。
　第２スイッチング素子３９Ｂは、第２制御用配線６３Ｂと、第２制御電源用配線６６Ｄと、第３中継配線６９Ｃとに電気的に接続されている。より詳細には、第２スイッチング素子３９Ｂのドレイン電極３９ｄは、第２制御用配線６３Ｂに接続されている。第２スイッチング素子３９Ｂのソース電極３９ｓは、第２制御電源用配線６６Ｄに接続されている。第２スイッチング素子３９Ｂのゲート電極３９ｇは、第３中継配線６９Ｃに接続されている。
　本実施形態では、第２スイッチング素子３９Ｂは、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ及び第２抵抗３８Ｄよりも第２半導体素子１０Ｂ寄りに配置されている。横方向Ｘからみて、第２スイッチング素子３９Ｂは、第２抵抗３８Ｃと重なっている。
　第２抵抗３８Ｃ，３８Ｄは、第２制御電源用配線６６Ｄ、第３中継配線６９Ｃ、及び第２インターフェース用配線６８Ｂに接続されている。第２抵抗３８Ｃの第１端子は、第３中継配線６９Ｃに接続されている。第２抵抗３８Ｃの第２端子は、第２インターフェース用配線６８Ｂに接続されている。第２抵抗３８Ｄの第１端子は、第２インターフェース用配線６８Ｂに接続されている。第２抵抗３８Ｄの第２端子は、第２制御電源用配線６６Ｄに接続されている。
　本実施形態では、第１端子と第２端子とが縦方向Ｙに沿って配列されるように第２抵抗３８Ｃが配置されている。また、第１端子と第２端子とが横方向Ｘに沿って配列されるように第２抵抗３８Ｄが配置されている。第２抵抗３８Ｃは、第２抵抗３８Ｄよりも第２半導体素子１０Ｂ寄りに配置されている。縦方向Ｙからみて、第２抵抗３８Ｃと第２抵抗３８Ｄとは、部分的に重なっている。
　図４８に示すように、半導体装置１Ｈの樹脂部材５０には、第６実施形態の半導体装置１Ｆと同様に、第１制御側開口部５８Ａ、第２制御側開口部５８Ｂ、第１駆動側開口部５９Ａ、及び第２駆動側開口部５９Ｂが形成されている。なお、第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂは、第６実施形態の第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂと同じである。第１制御側開口部５８Ａと第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、横方向Ｘにおいて、互いに離間した状態で並んで配置されている。
　第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続される２種類の回路を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１インターフェース回路６Ａ及び第１サージ吸収回路５Ａを露出している。より詳細には、図５０に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御用配線６３Ａの一部、第１制御用配線６４Ａの一部、第１中継配線６９Ａ、第２制御電源用配線６６Ｂの一部、第１インターフェース用配線６８Ａの一部、第２中継配線６９Ｂ、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第１抵抗３８Ａ、第１抵抗３８Ｂ、及び第１スイッチング素子３９Ａを露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１駆動用配線６２Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
　第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板１８０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続される２種類の回路を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２インターフェース回路６Ｂ及び第２サージ吸収回路５Ｂを露出している。より詳細には、図５１に示すように、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御用配線６３Ｂの一部、第２制御用配線６４Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２制御電源用配線６６Ｄの一部、第２インターフェース用配線６８Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ、第２抵抗３８Ｃ、第２抵抗３８Ｄ、及び第２スイッチング素子３９Ｂを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２駆動用配線６２Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。なお、本実施形態の半導体装置１Ｇによれば、第６実施形態の半導体装置１Ｆの効果と同様の効果と、第３実施形態の半導体装置１Ｃの効果と同様の効果が得られる。
　［第９実施形態］
　図５２～図５７を参照して、第９実施形態の半導体装置１Ｊについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｊは、第６実施形態の半導体装置１Ｆと比較して、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂの実装態様が主に異なる。以下の説明において、第６実施形態の半導体装置１Ｆと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
　本実施形態の半導体装置１Ｊは、第６実施形態の半導体装置１Ｆに対して、第１短絡検出回路３Ａに代えて第１電流検出回路７Ａを備え、第２短絡検出回路３Ｂに代えて第２電流検出回路７Ｂを備える点が異なる。第１電流検出回路７Ａは第１半導体素子１０Ａに流れる電流を検出するための回路であり、第２電流検出回路７Ｂは第２半導体素子１０Ｂに流れる電流を検出するための回路である。各電流検出回路７Ａ，７Ｂの回路構成は、図２９に示す第４実施形態の各電流検出回路７Ａ，７Ｂと同じである。このように、本実施形態の半導体装置１Ｊは、第６実施形態の半導体装置１Ｆに第４実施形態の半導体装置１Ｄの各電流検出回路７Ａ，７Ｂを組み合せた構成である。
　図５３～図５７に示すように、半導体装置１Ｊは、第４実施形態の第１過電流検出用配線１６０Ａを構成する導体部１８１Ｎ，１８１Ｑと、第２過電流検出用配線１６０Ｂを構成する導体部１８１Ｐ，１８１Ｒとを有する。導体部１８１Ｎ，１８１Ｑ及び導体部１８１Ｐ，１８１Ｒはともに配線層１８０Ａに形成されている。また、半導体装置１Ｊは、第４実施形態の半導体装置１Ｄと同様に、第１短絡検出用リード８７Ａに代えて第１過電流検出用リード８７Ｃを有し、第２短絡検出用リード８７Ｂに代えて第２過電流検出用リード８７Ｄを有する。
　図５３に示すように、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続されるリード８０は、第１制御用リード８４Ａ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、第１制御電源用リード８６Ｂ、及び第１過電流検出用リード８７Ｃを有する。本実施形態では、第１樹脂側面５１から第２樹脂側面５２に向けて、第１過電流検出用リード８７Ｃ、第１制御電源用リード８６Ｂ、第１制御用リード８５Ａ、第１制御電源用リード８６Ａ、及び第１制御用リード８４Ａの順に配列されている。
　第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続されるリード８０は、第２制御用リード８４Ｂ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、第２制御電源用リード８６Ｄ、及び第２過電流検出用リード８７Ｄを有する。本実施形態では、第２樹脂側面５２から第１樹脂側面５１に向けて、第１過電流検出用リード８７Ｄ、第２制御電源用リード８６Ｄ、第２制御用リード８５Ｂ、第２制御電源用リード８６Ｃ、及び第２制御用リード８４Ｂの順に配列されている。
　導体部１８１Ｎは、各第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７（図５４参照）と第１過電流検出用リード８７Ｃとを電気的に接続するための導体部である。本実施形態では、導体部１８１Ｎは、３個設けられており、３個の開口部１８１ｃ内にそれぞれ配置されている。開口部１８１ｃ内において、導体部１８１Ｎは、導体部１８１Ｅと縦方向Ｙに隣り合うように配置されている。より詳細には、導体部１８１Ｎは、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｅに対して導体部１８１Ｆとは反対側に配置されている。導体部１８１Ｎは、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｅよりも第４樹脂側面５４寄りに配置されている。
　図５４に示すように、各導体部１８１Ｎは、横方向Ｘに延びている。平面視における導体部１８１Ｎの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。導体部１８１Ｎには、貫通孔１８５Ｓが設けられている。貫通孔１８５Ｓは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｓには貫通電極２２６が充填されている。貫通電極２２６は、貫通孔１８５Ｓに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｓの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２２６は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２２６を介して３個の導体部１８１Ｎが互いに電気的に接続されるように構成されている。導体部１８１Ｎには、各第１半導体素子１０Ａのカレントセンス電極１７と電気的に接続するように第１駆動検出用接続部材１７１が形成されている。第１駆動検出用接続部材１７１は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　また、本実施形態では、導体部１８１Ｅ及び導体部１８１Ｆの配置関係及び形状が、第６実施形態の導体部１８１Ｅ及び導体部１８１Ｆとは異なる。具体的には、開口部１８１ｃ内において、導体部１８１Ｆは、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｅよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。各導体部１８１Ｅは、横方向Ｘに延びている。平面視における導体部１８１Ｅの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。各導体部１８１Ｆは、縦方向Ｙに延びている。平面視における導体部１８１Ｆの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。また、横方向Ｘにおける導体部１８１Ｅの長さは、横方向Ｘにおける導体部１８１Ｎの長さよりも短い。換言すると、横方向Ｘにおける導体部１８１Ｎの長さは、横方向Ｘにおける導体部１８１Ｅの長さよりも長い。
　図５３に示すように、本実施形態では、導体部１８１Ｐは、各第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７（図５５参照）と第２過電流検出用リード８７Ｄとを電気的に接続するための導体部である。本実施形態では、導体部１８１Ｐは、３個設けられており、３個の開口部１８１ｆ内にそれぞれ配置されている。導体部１８１Ｐは、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｇと隣り合うように配置されている。導体部１８１Ｐは、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｇよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。
　図５５に示すように、各導体部１８１Ｐは、縦方向Ｙに延びている。平面視における導体部１８１Ｐの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。導体部１８１Ｐには、貫通孔１８５Ｔが設けられている。貫通孔１８５Ｔは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｔには貫通電極２２７が充填されている。貫通電極２２７は、貫通孔１８５Ｔに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｔの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２２７は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２２７を介して３個の導体部１８１Ｐが互いに電気的に接続されるように構成されている。導体部１８１Ｐには、各第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７と電気的に接続するように第２駆動検出用接続部材１７２が形成されている。第２駆動検出用接続部材１７２は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　また、本実施形態では、導体部１８１Ｇ及び導体部１８１Ｈの配置関係及び形状が、第６実施形態の導体部１８１Ｇ及び導体部１８１Ｈとは異なる。具体的には、開口部１８１ｆ内において、導体部１８１Ｈは、縦方向Ｙにおいて導体部１８１Ｇに対して導体部１８１Ｐとは反対側に配置されている。本実施形態の各導体部１８１Ｈは、横方向Ｘに延びている。平面視における導体部１８１Ｈの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。平面視における導体部１８１Ｇの形状は、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。横方向Ｘにおける導体部１８１Ｇの長さは、横方向Ｘにおける導体部１８１Ｈの長さよりも短い。換言すると、横方向Ｘにおける導体部１８１Ｈの長さは、横方向Ｘにおける導体部１８１Ｇの長さよりも長い。
　図５６に示すように、導体部１８１Ｑは、第１配線領域７０Ａに設けられている。より詳細には、導体部１８１Ｑは、横方向Ｘにおいて絶縁部１８１Ｘのうちの第１樹脂側面５１寄りの端部に配置されている。導体部１８１Ｑは、横方向Ｘにおいて第１制御電源用配線６６Ａと隣り合うように配置されている。
　導体部１８１Ｑは、縦方向Ｙに延びている。平面視における導体部１８１Ｑの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。導体部１８１Ｑには、貫通孔１８５Ｕが設けられている。貫通孔１８５Ｕは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｕには貫通電極２２８が充填されている。貫通電極２２８は、貫通孔１８５Ｕに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｕの内面を覆う通常のものであってもよい。貫通電極２２８は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２２８，２２６（図５４参照）を介して各導体部１８１Ｎと導体部１８１Ｑ（図５４参照）とが互いに電気的に接続されるように構成されている。このように、導体部１８１Ｑと各導体部１８１Ｎとによって第４実施形態の第１過電流検出用配線１６０Ａを構成している。
　導体部１８１Ｑには、第１過電流検出用リード８７Ｃと電気的に接続するように第１過電流検出用接続部材１７３が形成されている。第１過電流検出用接続部材１７３は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　図５７に示すように、導体部１８１Ｒは、第２配線領域７０Ｂに設けられている。より詳細には、導体部１８１Ｒは、横方向Ｘにおいて絶縁部１８１Ｘのうちの第２樹脂側面５２寄りの端部に配置されている。導体部１８１Ｒは、横方向Ｘにおいて第２制御電源用配線６６Ｂと隣り合うように配置されている。
　導体部１８１Ｒは、縦方向Ｙに延びている。平面視における導体部１８１Ｒの形状は、縦方向Ｙが長辺方向となり、横方向Ｘが短辺方向となる矩形状である。導体部１８１Ｒには、貫通孔１８５Ｖが設けられている。貫通孔１８５Ｖは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔１８５Ｖには貫通電極２２９が充填されている。貫通電極２２９は、貫通孔１８５Ｖに充填されるものではなく、貫通孔１８５Ｖの内面を覆う通常のものであってもよい。貫通電極２２９は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極２２９，２２７（図５５参照）を介して各導体部１８１Ｐと導体部１８１Ｒ（図５５参照）とが互いに電気的に接続されるように構成されている。このように、導体部１８１Ｐと各導体部１８１Ｒとによって第４実施形態の第２過電流検出用配線１６０Ｂを構成している。
　導体部１８１Ｒには、第２過電流検出用リード８７Ｄと電気的に接続するように第２過電流検出用接続部材１７４が形成されている。第２過電流検出用接続部材１７４は、例えばワイヤボンディングによって形成されたワイヤである。
　各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４はそれぞれ、第４実施形態の各検出用接続部材１７１，１７２及び各過電流検出用接続部材１７３，１７４と同じである。
　図５６に示すように、本実施形態では、平面視における第１制御用配線６４Ａの形状が異なる。より詳細には、平面視における第１制御用配線６４Ａの形状は、略Ｌ字状である。第１制御用配線６４Ａは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６４ｐａと、横方向Ｘに延びる第２配線部分６４ｐｂとを有する。第１配線部分６４ｐａは、横方向Ｘにおいて第１制御電源用配線６５Ａと第１制御電源用配線６６Ａとの間に配置されている。第１配線部分６４ｐａには、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂが実装されている。第２配線部分６４ｐｂは、第１制御電源用配線６５Ａ，６６Ａよりも第４樹脂側面５４寄り（導体部１８１Ａ寄り）に配置されている。第２配線部分６４ｐｂは、第１配線部分６４ｐａから第１樹脂側面５１側に向けて延びている。第２配線部分６４ｐｂには、貫通孔６４ｐｚが設けられている。貫通孔６４ｐｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６４ｐｚには貫通電極２０８が充填されている。貫通電極２０８は、貫通孔６４ｐｚに充填されるものではなく、貫通孔６４ｐｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２０８は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｂ（図５４参照），２０８を介して第１制御用配線６４Ａと複数の導体部１８１Ｆ（図５４参照）とが電気的に接続されるように構成されている。縦方向Ｙからみて、第２配線部分６４ｐｂの先端部は、導体部１８１Ｑと重なっている。第１抵抗１５１は、第２配線部分６４ｐｂと導体部１８１Ｑとに接続されている。本実施形態では、第１抵抗１５１は、第１端子及び第２端子が縦方向Ｙに沿って配列されるように配置されている。
　図５７に示すように、本実施形態では、平面視における第２制御用配線６４Ｂの形状が異なる。より詳細には、平面視における第２制御用配線６４Ｂの形状は、略Ｌ字状である。第２制御用配線６４Ｂは、縦方向Ｙに延びる第１配線部分６４ｑａと、横方向Ｘに延びる第２配線部分６４ｑｂとを有する。第１配線部分６４ｑａは、横方向Ｘにおいて第２制御電源用配線６５Ｂと第２制御電源用配線６６Ｂとの間に配置されている。第１配線部分６４ｑａには、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂが実装されている。第２配線部分６４ｑｂは、第２制御電源用配線６５Ｂ，６６Ｂよりも第４樹脂側面５４寄り（導体部１８１Ｂ寄り）に配置されている。第２配線部分６４ｑｂは、第１配線部分６４ｑａから第２樹脂側面５２側に向けて延びている。第２配線部分６４ｑｂには、貫通孔６４ｑｚが設けられている。貫通孔６４ｑｚは、導通基板１８０を厚さ方向Ｚに貫通している。貫通孔６４ｑｚには貫通電極２１８が充填されている。貫通電極２１８は、貫通孔６４ｑｚに充填されるものではなく、貫通孔６４ｑｚの内面を覆う筒状のものであってもよい。貫通電極２１８は、配線層１８０Ａ，１８０Ｅを導通させる。図示しないが、配線層１８０Ｅにおいて貫通電極１９５Ｄ（図５５参照），２１８を介して第２制御用配線６４Ｂと複数の導体部１８１Ｈ（図５５参照）とが電気的に接続されるように構成されている。縦方向Ｙからみて、第２配線部分６４ｑｂの先端部は、導体部１８１Ｒと重なっている。第２抵抗１５２は、第２配線部分６４ｑｂと導体部１８１Ｒとに接続されている。本実施形態では、第２抵抗１５２は、第１端子及び第２端子が縦方向Ｙに沿って配列されるように配置されている。
　図５２に示すように、樹脂部材５０には、樹脂天面５５側から導通基板１８０を露出する２つの樹脂開口部として第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂが設けられている。図５２から分かるとおり、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。
　第１制御側開口部５８Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。このように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。換言すると、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。平面視において、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂは、樹脂天面５５のうちの第３樹脂側面５３寄りの端部に配置されている。第１制御側開口部５８Ａは、第２制御側開口部５８Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
　平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、図２７に示すように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　図５６に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。換言すると、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０のうちの横方向Ｘにおける第１樹脂側面５１寄りの部分において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１半導体素子１０Ａに電気的に接続された第１サージ低減回路４Ａ及び第１電流検出回路７Ａを露出している。より詳細には、第１制御側開口部５８Ａは、第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ、第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂ、第１制御用配線６３Ａ、第１制御用配線６４Ａ、第１制御電源用配線６５Ａ、及び第１制御電源用配線６６Ａを露出している。また第１制御側開口部５８Ａは、第１抵抗１５１及び導体部１８１Ｑを露出している。また、本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御リード用接続部材９４Ａ，９５Ａ、第１制御電源用接続部材９６Ａ，９６Ｂ、及び第１過電流検出用接続部材１７３を露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
　図５７に示すように、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板１８０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。換言すると、第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板１８０のうちの横方向Ｘにおける第２樹脂側面５２寄りの部分において第２半導体素子１０Ｂ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２配線領域７０Ｂのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続された第２サージ低減回路４Ｂ及び第２電流検出回路７Ｂを露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ、第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂ、第２制御用配線６３Ｂ、第２制御用配線６４Ｂ、第２制御電源用配線６５Ｂ、及び第２制御電源用配線６６Ｂを露出している。また、第２制御側開口部５８Ｂは、第２抵抗１５２及び導体部１８１Ｒを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御リード用接続部材９４Ｂ，９５Ｂ、第２制御電源用接続部材９６Ｃ，９６Ｄ、及び第２過電流検出用接続部材１７４を露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。なお、本実施形態の半導体装置１Ｊによれば、第６実施形態の半導体装置１Ｆの効果と同様の効果と、第４実施形態の半導体装置１Ｄの効果と同様の効果が得られる。
　［第１０実施形態］
　図５８～図６１を参照して、第１０実施形態の半導体装置１Ｋについて説明する。本実施形態の半導体装置１Ｋは、第６実施形態の半導体装置１Ｆと比較して、第１配線領域７０Ａ及び第２配線領域７０Ｂの実装態様が主に異なる。また、本実施形態の半導体装置１Ｋは、第４実施形態の各半導体素子１０Ａ，１０Ｂを用いている。以下の説明において、第６実施形態の半導体装置１Ｆと共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
　本実施形態の半導体装置１Ｋは、第６実施形態の半導体装置１Ｆに対して、第１短絡検出回路３Ａに代えて第１電流検出回路７Ａを備え、第２短絡検出回路３Ｂに代えて第２電流検出回路７Ｂを備える点が異なる。また、半導体装置１Ｋは、第６実施形態の半導体装置１Ｆに対して、第１サージ低減回路４Ａに代えて、第３実施形態の第１サージ吸収回路５Ａ及び第１インターフェース回路６Ａを備え、第２サージ低減回路４Ｂに代えて、第３実施形態の第２サージ吸収回路５Ｂ及び第２インターフェース回路６Ｂを備える点が異なる。このように、本実施形態の半導体装置１Ｋは、第６実施形態の半導体装置１Ｆに第５実施形態の半導体装置１Ｅの各サージ吸収回路５Ａ，５Ｂ及び各インターフェース回路６Ａ，６Ｂを組み合せた構成である。
　また、本実施形態の半導体装置１Ｋは、第９実施形態の半導体装置１Ｊと同様に第１過電流検出用配線１６０Ａ及び第２過電流検出用配線１６０Ｂを構成している。すなわち、半導体装置１Ｋは、導体部１８１Ｎ，１８１Ｐ，１８１Ｑ，１８１Ｒを有する。また、導体部１８１Ｅ，１８１Ｆの配置関係及び形状と、導体部１８１Ｇ，１８１Ｈの配置関係及び形状とはそれぞれ、第９実施形態の導体部１８１Ｅ，１８１Ｆの配置関係及び形状と、導体部１８１Ｇ，１８１Ｈの配置関係及び形状と同様である。
　図６０に示すように、第１抵抗１５１は、導体部１８１Ｑと第１制御電源用配線６６Ａとに接続されている。縦方向Ｙにおいて、第１抵抗１５１は、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ及び第１抵抗３８Ａ，３８Ｂよりも導体部１８１Ａ寄りに配置されている。横方向Ｘからみて、第１抵抗１５１は、第１スイッチング素子３９Ａと重なるように配置されている。
　図６１に示すように、第２抵抗１５２は、導体部１８１Ｒと第２制御電源用配線６６Ｂとに接続されている。縦方向Ｙにおいて、第２抵抗１５２は、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ及び第２抵抗３８Ｃ，３８Ｄよりも導体部１８１Ｂ（図５７参照）寄りに配置されている。横方向Ｘからみて、第２抵抗１５２は、第２スイッチング素子３９Ｂと重なるように配置されている。
　図５８に示すように、樹脂部材５０には、樹脂天面５５側から導通基板１８０を露出する２つの樹脂開口部として第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂが設けられている。図５８から分かるとおり、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂとは個別に設けられている。
　第１制御側開口部５８Ａは、縦方向Ｙからみて、複数の第１半導体素子１０Ａと重なる位置、かつ複数の第１半導体素子１０Ａよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙからみて、複数の第２半導体素子１０Ｂと重なる位置、かつ複数の第２半導体素子１０Ｂよりも第３樹脂側面５３寄りに配置されている。このように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、樹脂部材５０の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている。換言すると、平面視において、第１制御側開口部５８Ａ及び第２制御側開口部５８Ｂは、縦方向Ｙにおいて揃った状態で横方向Ｘに離間して配置されている。平面視において、各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂは、樹脂天面５５のうちの第３樹脂側面５３寄りの端部に配置されている。第１制御側開口部５８Ａは、第２制御側開口部５８Ｂよりも第１樹脂側面５１寄りに配置されている。
　平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、図３２に示すように、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８４Ａのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第１制御側開口部５８Ａは、複数の第１半導体素子１０Ａと第１制御用リード８５Ａのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　図６０に示すように、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０の第１配線領域７０Ａの一部を露出している。換言すると、第１制御側開口部５８Ａは、導通基板１８０において第１半導体素子１０Ａ以外の電子部品が実装される実装領域の一部を露出している。第１制御側開口部５８Ａは、第１配線領域７０Ａのうちの第３樹脂側面５３寄りの領域を露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１インターフェース回路６Ａ、第１サージ吸収回路５Ａ、及び第１電流検出回路７Ａを露出している。より詳細には、第１制御側開口部５８Ａは、第１制御用配線６３Ａの一部、第１制御用配線６４Ａの一部、第１中継配線６９Ａ、第２制御電源用配線６６Ｂの一部、第１インターフェース用配線６８Ａの一部、第２中継配線６９Ｂ、第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第１抵抗３８Ａ、第１抵抗３８Ｂ、及び第１スイッチング素子３９Ａを露出している。また第１制御側開口部５８Ａは、第１抵抗１５１及び導体部１８１Ｑを露出している。本実施形態では、第１制御側開口部５８Ａは、第１駆動用配線６２Ａを露出していない。平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第１制御側開口部５８Ａの内部は空隙である。
　図６１に示すように、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂの端子部８４ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８４Ｂのパッド部８４ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。また、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂの端子部８５ｔとの縦方向Ｙの間に配置されている。本実施形態では、平面視において、第２制御側開口部５８Ｂは、複数の第２半導体素子１０Ｂと第２制御用リード８５Ｂのパッド部８５ｐとの縦方向Ｙの間に配置されている。
　第２制御側開口部５８Ｂは、導通基板１８０の第２配線領域７０Ｂの一部を露出している。第２制御側開口部５８Ｂは、第２半導体素子１０Ｂに電気的に接続される２種類の回路を露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２インターフェース回路６Ｂ、第２サージ吸収回路５Ｂ、及び第２電流検出回路７Ｂを露出している。より詳細には、第２制御側開口部５８Ｂは、第２制御用配線６３Ｂの一部、第２制御用配線６４Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２制御電源用配線６６Ｄの一部、第２インターフェース用配線６８Ｂの一部、第４中継配線６９Ｄ、第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ、第２抵抗３８Ｃ、第２抵抗３８Ｄ、及び第２スイッチング素子３９Ｂを露出している。また、第２制御側開口部５８Ｂは、第２抵抗１５２及び第２過電流検出用配線１６０Ｂを露出している。本実施形態では、第２制御側開口部５８Ｂは、第２駆動用配線６２Ｂを露出していない。平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、特に限定されないが、横方向Ｘが長辺方向となり、縦方向Ｙが短辺方向となる矩形状である。また、第２制御側開口部５８Ｂの内部は空隙である。なお、本実施形態の半導体装置１Ｋによれば、第６実施形態の半導体装置１Ｆの効果と同様の効果と、第５実施形態の半導体装置１Ｅの効果と同様の効果が得られる。
　［変更例］
　上記各実施形態は本開示に関する半導体装置が取り得る形態の例示であり、その形態を制限することを意図していない。本開示に関する半導体装置は、上記各実施形態に例示された形態とは異なる形態を取り得る。その一例は、上記各実施形態の構成の一部を置換、変更、もしくは、省略した形態、又は上記各実施形態に新たな構成を付加した形態である。以下の変更例において、上記各実施形態と共通する部分については、上記各実施形態と同一の符号を付してその説明を省略する。
　・第１実施形態の半導体装置１Ａにおいて、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂと、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ、各制御用接続部材９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ、各制御リード用接続部材９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ａ～９６Ｄ、及び各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂとが互いに同じ材料、かつ線径が互いに等しくてもよい。この構成によれば、ワイヤ形成工程において、ワイヤの種類を切り替える必要がなくなるため、ワイヤ形成工程を簡略化できる。
　・第２実施形態の半導体装置１Ｂにおいて、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂと、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ、各制御用接続部材９３Ａ，９３Ｂ、各制御用接続部材１４０Ａ，１４０Ｂ、各制御用接続部材１４１Ａ，１４１Ｂ、及び各短絡検出用接続部材１４２Ａ，１４２Ｂとが互いに同じ材料、かつ線径が互いに等しくてもよい。この構成によれば、ワイヤ形成工程において、ワイヤの種類を切り替える必要がなくなるため、ワイヤ形成工程を簡略化できる。
　・第３実施形態の半導体装置１Ｃにおいて、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂと、各制御用接続部材９２Ａ，９２Ｂ、各制御用接続部材９３Ａ，９３Ｂ、各制御リード用接続部材９４Ａ，９４Ｂ、各制御リード用接続部材９５Ａ，９５Ｂ、各制御電源用接続部材９６Ｂ，９６Ｄ、各短絡検出用接続部材９７Ａ，９７Ｂ、及び各インターフェース用接続部材９８Ａ，９８Ｂとが互いに同じ材料、かつ線径が互いに等しくてもよい。この構成によれば、ワイヤ形成工程において、ワイヤの種類を切り替える必要がなくなるため、ワイヤ形成工程を簡略化できる。
　・各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｈ，１Ｊ，１Ｋにおいて、各駆動用接続部材９１Ａ，９１Ｂの線径が他の接続部材の線径よりも大きくてもよい。
　・第２実施形態の半導体装置１Ｂにおいて、平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における第１制御側開口部５８Ａの形状は、縦方向Ｙにおいて導通基板６０側に突出する凸形状であってもよい。この場合、第１制御側開口部５８Ａが第１制御用接続部材１４１Ａを露出しないように形成できる。
　・第２実施形態の半導体装置１Ｂにおいて、平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は任意に変更可能である。一例では、平面視における第２制御側開口部５８Ｂの形状は、縦方向Ｙにおいて導通基板６０側に突出する凸形状であってもよい。この場合、第２制御側開口部５８Ｂが第２制御用接続部材１４１Ｂを露出しないように形成できる。
　・第２実施形態の半導体装置１Ｂにおいて、第１導電部材４２Ａのうちの導通基板６０よりも樹脂部材５０の第３樹脂側面５３寄りの部分及び第２導電部材４２Ｂのうちの導通基板６０よりも第３樹脂側面５３寄りの部分の少なくとも一方には、電気的絶縁性を有する絶縁基板又は絶縁シート（図示略）が接合されてもよい。また、第１導電部材４２Ａのうちの導通基板６０よりも第３樹脂側面５３寄りの部分及び第２導電部材４２Ｂのうちの導通基板６０よりも第３樹脂側面５３寄りの部分の少なくとも一方には、電気的絶縁性を有する絶縁膜が形成されてもよい。
　・第２実施形態の半導体装置１Ｂにおいて、第１制御電源用リード８６Ｂと第１低耐圧ダイオード３２Ｂとの接続構造は、任意に変更可能である。一例では、図６２に示すように、第１制御電源用リード８６Ｂが第１制御用リード８５Ａを迂回して第１低耐圧ダイオード３２Ｂまで延びることによって、第１制御電源用リード８６Ｂと第１低耐圧ダイオード３２Ｂとが接続されている。この場合、第１制御用リード８５Ａの第２配線部１１１のうちの第２部分１１１ｂの横方向Ｘの長さを第２実施形態の第２部分１１１ｂの横方向Ｘの長さよりも短くしている。
　・第２実施形態の半導体装置１Ｂに第３実施形態の半導体装置１Ｃの回路構成を適用してもよい。
　・第３実施形態の半導体装置１Ｃにおいて、第２実施形態の半導体装置１Ｂのように、各低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ，３７Ａ，３７Ｂ、各抵抗３８Ａ～３８Ｄ、各スイッチング素子３９Ａ，３９Ｂをそれぞれ、導通基板６０の外部に配置してもよい。
　・各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｈ，１Ｊ，１Ｋにおいて、各入力リード８１，８２及び出力リード８３の配置態様は任意に変更可能である。一例では、各入力リード８１，８２及び出力リード８３が樹脂部材５０の同じ樹脂側面から突出するように、各入力リード８１，８２及び出力リード８３が配置されてもよい。図６３では、各入力リード８１，８２及び出力リード８３は、第４樹脂側面５４から突出している。各入力リード８１，８２と出力リード８３とは、横方向Ｘにおいて離間して配列されている。
　・第１～第５実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｅは、第１絶縁基板４１Ａ及び第２絶縁基板４１Ｂに代えて、第１導電部材４２Ａ及び第２導電部材４２Ｂを支持する一枚の絶縁基板を備えてもよい。
　・第１～第５実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｅにおいて、導通基板６０の層数は任意に変更可能である。
　・第１～第５実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｅにおいて、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅが一体に形成されてもよい。この場合、第４層基板６０Ｄ，６０Ｅは、第２入力リード８２の露出部８２ｄが露出されず、露出部８２ｄを覆うように導体部が形成される。
　・第１～第５実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｅにおいて、第５層基板６０Ｆ，６０Ｇが一体に形成されてもよい。この場合、第４層基板６０Ｄ，６０Ｄの導体部を覆う導体部が形成されてもよい。
　・第１～第３実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｃにおいて、第１駆動側開口部５９Ａに充填される絶縁材７１と、第２駆動側開口部５９Ｂに充填される絶縁材７２との少なくとも一方を省略してもよい。この場合、第１駆動側開口部５９Ａ内に配置される第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂと、第２駆動側開口部５９Ｂ内に配置される第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂとの少なくとも一方を導通基板６０から容易に取り外すことができる。このため、各高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ，３１Ａ，３１Ｂとは電気的特性が異なる高耐圧ダイオードを第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂの少なくとも一方に実装できる。したがって、半導体装置１Ａ～１Ｃの電気的特性を容易に調整できる。また、第６～第８実施形態１Ｆ～１Ｈにおいても、第１駆動側開口部５９Ａに充填される絶縁材７１と、第２駆動側開口部５９Ｂに充填される絶縁材７２との少なくとも一方を省略してもよい。
　・第１～第３及び第６～第８実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｃ，１Ｆ～１Ｈにおいて、各駆動側開口部５９Ａ，５９Ｂ及び各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂは、少なくとも金属層からなる配線部又はリードの配線部が露出していればよく、金属層からなる配線部又はリードの配線部に電子部品が実装されていなくてもよい。以下、各駆動側開口部５９Ａ，５９Ｂ及び各制御側開口部５８Ａ，５８Ｂについて、（Ａ）～（Ｆ）のように個別に説明する。
　（Ａ）第１～第３及び第６～第８実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｃ，１Ｆ～１Ｈにおいて、第１駆動側開口部５９Ａから絶縁材７１及び第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂを省略してもよい。この構成によれば、例えばインバータ回路などの電気回路に各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｃを適用する場合、その電気回路の電気的特性に対して好適となるように第１駆動側開口部５９Ａ内に高耐圧ダイオードなどの電子部品を実装できる。これにより、インバータ回路などの電気回路の電気的特性に対して好適となるように半導体装置１Ａ～１Ｃの電気的特性を調整できる。
　（Ｂ）第１～第３及び第６～第８実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｃ，１Ｆ～１Ｈにおいて、第２駆動側開口部５９Ｂから絶縁材７２及び第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを省略してもよい。この構成によれば、例えばインバータ回路などの電気回路に各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｃを適用する場合、その電気回路の電気的特性に対して好適となるように第２駆動側開口部５９Ｂ内に高耐圧ダイオードなどの電子部品を実装できる。これにより、インバータ回路などの電気回路の電気的特性に対して好適となるように半導体装置１Ａ～１Ｃの電気的特性を調整できる。
　（Ｃ）第１、第２、及び第６実施形態の半導体装置１Ａ，１Ｂ，１Ｆにおいて、第１制御側開口部５８Ａから第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂの少なくとも一方を省略してもよい。この構成によれば、例えばインバータ回路などの電気回路に第１、第２、及び第６実施形態の半導体装置１Ａ，１Ｂ，１Ｆを適用する場合、その電気回路の電気的特性に対して好適となるように第１制御側開口部５８Ａ内に低耐圧ダイオードやコンデンサなどの電子部品を実装できる。これにより、インバータ回路などの電気回路の電気的特性に対して好適となるように半導体装置１Ａ，１Ｂ，１Ｆの電気的特性を調整できる。なお、この変更は、第９実施形態の半導体装置１Ｊにも適用できる。
　（Ｄ）第３及び第８実施形態の半導体装置１Ｃ，１Ｈにおいて、第１制御側開口部５８Ａから第１低耐圧ダイオード３６Ａ，３６Ｂ、第１抵抗３８Ａ、第１抵抗３８Ｂ、及び第１スイッチング素子３９Ａのうちの少なくとも１つを省略してもよい。この構成によれば、例えばインバータ回路などの電気回路に半導体装置１Ｃ，１Ｈを適用する場合、その電気回路の電気的特性に対して好適となるように第１制御側開口部５８Ａ内に低耐圧ダイオードなどの電子部品を実装できる。これにより、インバータ回路などの電気回路の電気的特性に対して好適となるように半導体装置１Ｃ，１Ｈの電気的特性を調整できる。なお、この変更は、第１０実施形態の半導体装置１Ｋにも適用できる。
　（Ｅ）第１、第２、及び第６実施形態の半導体装置１Ａ，１Ｂ，１Ｆにおいて、第２制御側開口部５８Ｂから第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂの少なくとも一方を省略してもよい。この構成によれば、例えばインバータ回路などの電気回路に第１、第２、及び第６実施形態の半導体装置１Ａ，１Ｂ，１Ｆを適用する場合、その電気回路の電気的特性に対して好適となるように第２制御側開口部５８Ｂ内に低耐圧ダイオードやコンデンサなどの電子部品を実装できる。これにより、インバータ回路などの電気回路の電気的特性に対して好適となるように半導体装置１Ａ，１Ｂ，１Ｆの電気的特性を調整できる。なお、この変更は、第９実施形態の半導体装置１Ｊにも適用できる。
　（Ｆ）第３及び第８実施形態の半導体装置１Ｃ，１Ｈにおいて、第２制御側開口部５８Ｂから第２低耐圧ダイオード３７Ａ，３７Ｂ、第２抵抗３８Ｃ，３８Ｄ、及び第２スイッチング素子３９Ｂのうちの少なくとも１つを省略してもよい。この構成によれば、例えばインバータ回路などの電気回路に半導体装置１Ｃ，１Ｈを適用する場合、その電気回路の電気的特性に対して好適となるように第２制御側開口部５８Ｂ内に低耐圧ダイオードなどの電子部品を実装できる。これにより、インバータ回路などの電気回路の電気的特性に対して好適となるように半導体装置１Ｃ，１Ｈの電気的特性を調整できる。なお、この変更は、第１０実施形態の半導体装置１Ｋにも適用できる。
　上記（Ａ）～（Ｆ）の変更例の一例として、図６４は、半導体装置１Ａの第１制御側開口部５８Ａに第１低耐圧ダイオード３２Ａ，３２Ｂ及び第１コンデンサ３３Ａ，３３Ｂが実装されていない状態、及び第２制御側開口部５８Ｂに第２低耐圧ダイオード３４Ａ，３４Ｂ及び第２コンデンサ３５Ａ，３５Ｂが実装されていない状態を例示する。この場合、例えば、半導体装置１Ａを適用する導通基板に半導体装置１Ａを実装した後、導通基板に形成された電気回路の電気的特性に合わせて、各サージ低減回路４Ａ，４Ｂの電気的特性を調整できる。
　・第１～第３及び第６～第８実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｃ，１Ｆ～１Ｈにおいて、樹脂部材５０から第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂの少なくとも一方を省略してもよい。一例では、図６５に示すように、樹脂部材５０から第１駆動側開口部５９Ａ及び第２駆動側開口部５９Ｂを省略した半導体装置１Ａを示している。この場合、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ及び第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂは樹脂部材５０内に配置されてもよいし、第１高耐圧ダイオード３０Ａ，３０Ｂ及び第２高耐圧ダイオード３１Ａ，３１Ｂを省略してもよい。
　・第４～第６及び第１０実施形態の半導体装置１Ｄ～１Ｆ，１Ｋでは、第１半導体素子１０Ａと第２半導体素子１０Ｂとの電極構成が同一であったが、これに限られず、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂの電極構成は任意に変更可能である。例えば、第１半導体素子１０Ａの電極構成と第２半導体素子１０Ｂの電極構成とが縦方向Ｙに沿う中心線に対して対称となる構成であってもよい。この場合、第５、第６、及び第１０実施形態の半導体装置１Ｅ，１Ｆ，１Ｋでは、第２半導体素子１０Ｂのカレントセンス電極１７は、第２駆動用接続部材１７２を介して導体部１８１Ｐと電気的に接続される。第２半導体素子１０Ｂの第２ソース電極１２Ｂは、第２制御用接続部材９３Ｂを介して導体部１８１Ｈと電気的に接続される。
　・各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｈ，１Ｊ，１Ｋにおいて、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０ＢはＭＯＳＦＥＴ等のトランジスタに限られない。例えば、ダイオードやＬＳＩであってもよい。
　第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂがダイオードの場合、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂのそれぞれから制御電極が省略される。すなわち第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂはそれぞれ、第１駆動電極としてのアノード電極と、第２駆動電極としてのカソード電極とを有する。この場合、第１制御用配線６３Ａ及び第２制御用配線６３Ｂが省略される。これにともない、第１制御用リード８４Ａ及び第２制御用リード８４Ｂを省略される。第１制御用配線６４Ａ及び第２制御用配線６４Ｂはそれぞれ、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂに流れる電流量を検出するために残しておいてもよい。
　また、第１制御用配線６４Ａ及び第２制御用配線６４Ｂを省略してもよい。これにともない、第１制御用リード８５Ａ及び第２制御用リード８５Ｂを省略してもよい。
　第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０ＢがＬＳＩの場合、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂのそれぞれから第１駆動電極及び第２駆動電極が省略される。すなわち第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂはそれぞれ、制御電極を有する。
　・各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｈ，１Ｊ，１Ｋにおいて、第１半導体素子１０Ａ及び第２半導体素子１０Ｂのいずれかを省略してもよい。第２半導体素子１０Ｂを省略した場合、第２絶縁基板４１Ｂと、第２導電部材４２Ｂと、導通基板６０のうちの第２導電部材４２Ｂに支持されている部分と、第２導電部材４２Ｂの縦方向Ｙの隣に配列されたリードとを省略してもよい。第１半導体素子１０Ａを省略した場合、第１絶縁基板４１Ａと、第１導電部材４２Ａと、導通基板６０のうちの第１導電部材４２Ａに支持されている部分と、第１導電部材４２Ａの縦方向Ｙの隣に配列されたリードとを省略してもよい。
　・各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｈ，１Ｊ，１Ｋにおいて、導通基板６０，１８０が単層基板であってもよい。
　・各実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｈ，１Ｊ，１Ｋにおいて、導通基板６０，１８０を省略してもよい。この場合、例えば、各導電部材４２Ａ，４２Ｂの主面４２ｓａ，４２ｓｂに絶縁層を形成し、その絶縁層上に金属層や金属板からなる配線部を形成する。
　・第１～第５実施形態の半導体装置１Ａ～１Ｅの製造方法の導通基板準備工程及び基板接合工程において、第１入力リード８１を第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａに接合し、出力リード８３を第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合した後、導通基板６０を第１導電部材４２Ａの主面４２ｓａ及び第２導電部材４２Ｂの主面４２ｓｂに接合してもよい。
　上記実施形態および変更例から把握することができる技術的思想について以下に記載する。
　（付記１）
　半導体素子と、
　前記半導体素子を支持する支持基板と、
　前記半導体素子と電気的に接続される導電体と、
　前記半導体素子を封止する樹脂部材と、
を備え、
　前記導電体は、電子部品が実装される実装領域を有し、
　前記樹脂部材は、前記実装領域を露出する樹脂開口部を有する
　半導体装置。
　（付記２）
　前記半導体装置は、前記導電体として、電気的絶縁性を有する基板に金属層からなる導体部が形成された導通基板を備え、
　前記半導体素子は、前記導通基板の前記導体部と電気的に接続されており、
　前記支持基板は、前記導通基板を支持しており、
　前記樹脂部材は、前記導通基板を封止している
　付記１に記載の半導体装置。
　（付記３）
　前記実装領域には、前記電子部品を実装するための前記導体部が形成されている
　付記２に記載の半導体装置。
　（付記４）
　前記半導体素子は、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
　前記導体部は、前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部を有し、
　前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部を有する
　付記３に記載の半導体装置。
　（付記５）
　前記駆動用導体部の一部には、前記半導体素子の短絡を検出するための前記電子部品が実装されている
　付記４に記載の半導体装置。
　（付記６）
　前記電子部品は、ダイオードを含む
　付記５に記載の半導体装置。
　（付記７）
　前記駆動側開口部は、電気的絶縁性を有する樹脂材料によって充填されている
　付記４～６のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記８）
　前記樹脂材料は、前記樹脂部材を構成する樹脂材料とは異なる
　付記７に記載の半導体装置。
　（付記９）
　前記半導体素子は、前記半導体素子に供給される電流を制御する制御電極を有し、
　前記導体部は、前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部を有し、
　前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部を露出する制御側開口部を有する
　付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記１０）
　前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
　前記導体部は、
　前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部と、
　前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部と、
を有し、
　前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部と、前記制御用導体部の一部を露出している制御側開口部とを有し、
　前記駆動側開口部と前記制御側開口部とは個別に設けられている
　付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記１１）
　前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
　前記導体部は、
　前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部と、
　前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用導体部との間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための基準用導体部と、
を有し、
　前記樹脂開口部は、前記基準用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
　付記２～１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記１２）
　前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
　前記導体部は、
　前記制御電極に電気的に接続される制御用導体部と、
　前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用導体部との間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための基準用導体部と、
を有し、
　前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部及び前記基準用導体部の一部をそれぞれ露出している制御側開口部を有する
　付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記１３）
　前記制御側開口部によって露出された前記制御用導体部には、前記制御電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
　付記９、１０、及び１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記１４）
　前記制御側開口部によって露出された前記基準用導体部には、前記第２駆動電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
　付記１１又は１２に記載の半導体装置。
　（付記１５）
　前記半導体素子は、前記半導体素子に供給される電圧を制御する制御電極を有し、
　前記半導体装置は、前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードを有し、
　前記制御用リードは、
　前記樹脂部材の表面から突出した制御用端子と、
　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記制御用端子と電気的に接続された制御用導体部と、
を有し、
　前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
　付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記１６）
　前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
　前記半導体装置は、
　前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードと、
　前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用リードとの間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための金属板からなる基準用リードを有し、
　前記基準用リードは、
　前記樹脂部材の表面から突出した基準用端子と、
　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記基準用端子と電気的に接続された基準用導体部と、
を有し、
　前記樹脂開口部は、前記基準用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
　付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記１７）
　前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
　前記半導体装置は、
　前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードと、
　前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用リードとの間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための金属板からなる基準用リードと、
を有し、
　前記制御用リードは、
　前記樹脂部材の表面から突出している制御用端子と、
　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記制御用端子と電気的に接続されている制御用導体部と、
を有し、
　前記基準用リードは、
　前記樹脂部材の表面から突出している基準用端子と、
　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記基準用端子と電気的に接続されている基準用導体部と、
を有し、
　前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部及び前記基準用導体部の一部をそれぞれ露出している制御側開口部を有する
　付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記１８）
　前記制御側開口部によって露出された前記制御用導体部には、前記制御電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
　付記１５又は１７に記載の半導体装置。
　（付記１９）
　前記制御側開口部によって露出された前記基準用導体部には、前記第２駆動電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
　付記１６又は１７に記載の半導体装置。
　（付記２０）
　前記半導体素子は、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
　前記導体部は、前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部を有し、
　前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部を有し、
　前記制御側開口部は、前記駆動側開口部から離間して設けられている
　付記１５～１９のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記２１）
　前記制御側開口部は、前記支持基板の厚さ方向からみて、前記半導体素子と前記制御用リードの前記制御用端子との間に配置されている
　付記１５又は１７に記載の半導体装置。
　（付記２２）
　前記制御側開口部は、前記支持基板の厚さ方向からみて、前記半導体素子と前記基準用リードの前記基準用端子との間に配置されている
　付記１６に記載の半導体装置。
　（付記２３）
　前記支持基板は、金属製の導電部材を有し、
　前記導通基板は、前記導電部材に積層されており、
　前記半導体素子は、前記導電部材に実装されている
　付記２～２２のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記２４）
　前記導通基板には、前記導通基板の厚さ方向に前記導通基板を貫通する基板開口部が設けられており、
　前記半導体素子は、前記基板開口部内に配置されている
　付記２３に記載の半導体装置。
　（付記２５）
　前記半導体素子は、互いに直列に接続されている第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
　前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
　前記第１半導体素子の第２駆動電極が前記第２半導体素子の第１駆動電極に接続されており、
　前記導体部は、
　前記第１半導体素子の第１駆動電極と電気的に接続された第１駆動用導体部と、
　前記第２半導体素子の第１駆動電極と電気的に接続された第２駆動用導体部と、
を有し、
　前記樹脂開口部は、
　前記第１駆動用導体部の一部を露出する第１駆動側開口部と、
　前記第２駆動用導体部の一部を露出する第２駆動側開口部と、
を有する
　付記２～２４のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記２６）
　前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、制御電極を有し、
　前記導体部は、
　前記第１半導体素子の制御電極と電気的に接続された第１制御用導体部と、
　前記第２半導体素子の制御電極と電気的に接続された第２制御用導体部と、
を有し、
　前記樹脂開口部は、
　前記第１制御用導体部の一部を露出する第１制御側開口部と、
　前記第１制御側開口部から離間して形成されており、前記第２制御用導体部の一部を露出する第２制御側開口部と、
を有する
　付記２５に記載の半導体装置。
　（付記２７）
　前記半導体装置は、
　前記第１半導体素子の前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる第１制御用リードと、
　前記第２半導体素子の前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる第２制御用リードと、
を有し、
　前記第１制御用導体部の一部は、前記支持基板の厚さ方向からみて、前記第１半導体素子と前記第１制御用リードとの間に配置されており、
　前記第２制御用導体部の一部は、前記厚さ方向からみて、前記第２半導体素子と前記第２制御用リードとの間に配置されている
　付記２６に記載の半導体装置。
　（付記２８）
　前記第１制御側開口部は、前記厚さ方向からみて、前記第１半導体素子と前記第１制御用リードとの間に配置されており、
　前記第２制御側開口部は、前記厚さ方向からみて、前記第２半導体素子と前記第２制御用リードとの間に配置されている
　付記２７に記載の半導体装置。
　（付記２９）
　前記導体部は、
　前記第１半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続されており、前記第１制御用導体部との間の電位差によって前記第１半導体素子の制御電極に印加される電圧を設定するための第１基準用導体部と、
　前記第２半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続されており、前記第２制御用導体部との間の電位差によって前記第２半導体素子の制御電極に印加される電圧を設定するための第２基準用導体部と、
を有し、
　前記第１制御側開口部は、前記第１基準用導体部の一部を露出しており、
　前記第２制御側開口部は、前記第２基準用導体部の一部を露出している
　付記２６～２８のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記３０）
　前記半導体装置は、
　前記第１半導体素子の前記第２駆動電極に電気的に接続された金属板からなる第１基準用リードと、
　前記第２半導体素子の前記第２駆動電極に電気的に接続された金属板からなる第２基準用リードと、
を有し、
　前記第１基準用導体部の一部は、前記支持基板の厚さ方向からみて、前記第１半導体素子と前記第１基準用リードとの間に配置されており、
　前記第２基準用導体部の一部は、前記厚さ方向からみて、前記第２半導体素子と前記第２基準用リードとの間に配置されている
　付記２９に記載の半導体装置。
　（付記３１）
　前記支持基板の厚さ方向からみて、前記支持基板の形状は矩形状であり、
　前記厚さ方向からみて、前記第１制御側開口部及び前記第２制御側開口部は、前記支持基板の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている
　付記２６～３０のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記３２）
　前記第１制御側開口部によって露出された前記第１制御用導体部、及び前記第２制御側開口部によって露出された前記第２制御用導体部のそれぞれには、前記制御電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
　付記２６～３１のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記３３）
　前記第１制御側開口部によって露出された前記第１基準用導体部、及び前記第２制御側開口部によって露出された前記第２基準用導体部のそれぞれには、前記第２駆動電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
　付記２９又は３０に記載の半導体装置。
　（付記３４）
　前記半導体素子は、互いに直列に接続されている第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
　前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
　前記第１半導体素子の第２駆動電極が前記第２半導体素子の第１駆動電極に接続されており、
　前記半導体装置は、
　前記第１半導体素子の制御電極と電気的に接続された第１制御用リードと、
　前記第２半導体素子の制御電極と電気的に接続された第２制御用リードと、
を有し、
　前記第１制御用リードは、
　前記樹脂部材の表面から突出している第１制御用端子と、
　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第１制御用端子と電気的に接続されている第１制御用導体部と、
を有し、
　前記第２制御用リードは、
　前記樹脂部材の表面から突出している第２制御用端子と、
　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第２制御用端子と電気的に接続されている第２制御用導体部と、
を有し、
　前記樹脂開口部は、
　前記第１制御用導体部の一部を露出している第１制御側開口部と、
　前記第１制御側開口部から離間して形成されており、前記第２制御用導体部の一部を露出している第２制御側開口部と、
を有する
　付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記３５）
　前記樹脂部材の厚さ方向からみて、前記樹脂部材の形状は矩形状であり、
　前記厚さ方向からみて、前記第１制御側開口部及び前記第２制御側開口部は、前記樹脂部材の一辺に沿う方向において、互いに離間した状態で並んで配置されている
　付記３４に記載の半導体装置。
　（付記３６）
　前記半導体素子は、互いに直列に接続されている第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
　前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
　前記第１半導体素子の第２駆動電極が前記第２半導体素子の第１駆動電極に接続されており、
　前記半導体装置は、
　前記第１半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続された第１基準用リードと、
　前記第２半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続された第２基準用リードと、
を有し、
　前記第１基準用リードは、
　前記樹脂部材の表面から突出している第１基準用端子と、
　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第１基準用端子と電気的に接続されている第１基準用導体部と、
を有し、
　前記第２基準用リードは、
　前記樹脂部材の前記表面から突出している第２基準用端子と、
　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第２基準用端子と電気的に接続されている第２基準用導体部と、
を有し、
　前記樹脂開口部は、
　前記第１基準用導体部の一部を露出している第１制御側開口部と、
　前記第２基準用導体部の一部を露出している第２制御側開口部と、
を有する
　付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記３７）
　前記半導体素子は、互いに直列に接続されている第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、
　前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子はそれぞれ、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
　前記第１半導体素子の第２駆動電極が前記第２半導体素子の第１駆動電極に接続されており、
　前記半導体装置は、
　前記第１半導体素子の制御電極と電気的に接続された第１制御用リードと、
　前記第２半導体素子の制御電極と電気的に接続された第２制御用リードと、
　前記第１半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続された第１基準用リードと、
　前記第２半導体素子の第２駆動電極と電気的に接続された第２基準用リードと、
を有し、
　前記第１制御用リードは、
　前記樹脂部材の表面から突出している第１制御用端子と、
　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第１制御用端子と電気的に接続されている第１制御用導体部と、
を有し、
　前記第２制御用リードは、
　前記樹脂部材の前記表面から突出している第２制御用端子と、
　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第２制御用端子と電気的に接続されている第２制御用導体部と、
を有し、
　前記第１基準用リードは、
　前記樹脂部材の前記表面から突出している第１基準用端子と、
　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第１基準用端子と電気的に接続されている第１基準用導体部と、
を有し、
　前記第２基準用リードは、
　前記樹脂部材の前記表面から突出している第２基準用端子と、
　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記第２基準用端子と電気的に接続されている第２基準用導体部と、
を有し、
　前記樹脂開口部は、
　前記第１制御用導体部の一部及び前記第１基準用導体部の一部を露出している第１制御側開口部と、
　前記第２制御用導体部の一部及び前記第２基準用導体部の一部を露出している第２制御側開口部と、
を有する
　付記２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記３８）
　前記支持基板は、
　前記第１半導体素子が実装されている第１導電部材と、
　前記第２半導体素子が実装されている第２導電部材と、
を有し、
　前記支持基板の厚さ方向からみて、前記第１導電部材及び前記第２導電部材は、前記厚さ方向と直交する第１方向に離間した状態で配置されており、
　前記導通基板は、前記第１導電部材及び前記第２導電部材にわたり配置されている
　付記２５～３７のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記３９）
　前記導通基板は、多層導通基板である
　付記２～３８のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記４０）
　前記導通基板は、前記電子部品を実装するための導体部を有し、
　前記導体部は、前記多層導通基板の最表層に形成されている
　付記３９に記載の半導体装置。
　（付記４１）
　前記電子部品は、ショットキーバリアダイオードを含む
　付記１～４０のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記４２）
　前記電子部品は、逆直列に互いに接続された２個のショットキーバリアダイオードを含む
　付記１～４０のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記４３）
　前記電子部品は、トランジスタを含む
　付記１～４２のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記４４）
　前記電子部品は、コンデンサを含む
　付記１～４３のいずれか一項に記載の半導体装置。
　（付記４５）
　前記半導体素子は、前記導体部に実装されている
　付記２～２３及び２５～３７のいずれか一項に記載の半導体装置。
　１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１Ｈ，１Ｊ，１Ｋ…半導体装置
　１０Ａ…第１半導体素子（半導体素子、トランジスタ）
　１０Ｂ…第２半導体素子（半導体素子、トランジスタ）
　１１…ドレイン電極（第１駆動電極）
　１２…ソース電極（第２駆動電極）
　１３…ゲート電極（制御電極）
　３０Ｘ…電子部品
　３０Ａ，３０Ｂ…第１高耐圧ダイオード（電子部品、保護ダイオード）
　３１Ａ，３１Ｂ…第２高耐圧ダイオード（電子部品、保護ダイオード）
　３２Ａ，３２Ｂ…第１低耐圧ダイオード（電子部品）
　３３Ａ，３３Ｂ…第１コンデンサ（電子部品）
　３４Ａ，３４Ｂ…第２低耐圧ダイオード（電子部品）
　３５Ａ，３５Ｂ…第２コンデンサ（電子部品）
　３６Ａ，３６Ｂ…第１低耐圧ダイオード（電子部品）
　３７Ａ，３７Ｂ…第２低耐圧ダイオード（電子部品）
　３８Ａ…第１抵抗（電子部品）
　３８Ｂ…第１抵抗（電子部品）
　３８Ｃ…第２抵抗（電子部品）
　３８Ｄ…第２抵抗（電子部品）
　３９Ａ…第１スイッチング素子（電子部品、トランジスタ）
　３９Ｂ…第２スイッチング素子（電子部品、トランジスタ）
　４０…支持基板
　４２Ａ…第１導電部材（導電部材）
　４２Ｂ…第２導電部材（導電部材）
　５０…樹脂部材
　５０Ｘ…樹脂開口部
　５１…第１樹脂側面（表面）
　５２…第２樹脂側面（表面）
　５３…第３樹脂側面（表面）
　５４…第４樹脂側面（表面）
　５８Ａ…第１制御側開口部（樹脂開口部、制御側開口部）
　５８Ｂ…第２制御側開口部（樹脂開口部、制御側開口部）
　５９Ａ…第１駆動側開口部（樹脂開口部、駆動側開口部）
　５９Ｂ…第２駆動側開口部（樹脂開口部、駆動側開口部）
　６０…導通基板（導電体）
　６１Ａ…第１基板開口部（基板開口部）
　６１Ｂ…第２基板開口部（基板開口部）
　６２Ａ…第１駆動用配線（駆動用導体部、第１駆動用導体部、導通基板の導体部）
　６２Ｂ…第２駆動用配線（駆動用導体部、第２駆動用導体部、導通基板の導体部）
　６３Ａ…第１制御用配線（制御用導体部、第１制御用導体部、導通基板の導体部）
　６３Ｂ…第２制御用配線（制御用導体部、第２制御用導体部、導通基板の導体部）
　６４Ａ…第１制御用配線（基準用導体部、第１基準用導体部、導通基板の導体部）
　６４Ｂ…第２制御用配線（基準用導体部、第２基準用導体部、導通基板の導体部）
　７１…絶縁材（樹脂材料）
　７２…絶縁材（樹脂材料）
　８４Ａ…第１制御用リード（制御用リード）
　８４Ｂ…第２制御用リード（制御用リード）
　８４ｔ…端子部（制御用端子、第１制御用端子、第２制御用端子）
　８５Ａ…第１制御用リード（基準用リード）
　８５Ｂ…第２制御用リード（基準用リード）
　８５ｔ…端子部（基準用端子、第１基準用端子、第２基準用端子）
　１００…第１配線部（制御用導体部、第１制御用導体部、導体部）
　１０１…第２配線部（制御用導体部、第１制御用導体部、導体部）
　１０２…第１配線部（制御用導体部、第２制御用導体部、導体部）
　１０３…第２配線部（制御用導体部、第２制御用導体部、導体部）
　１０４…第３配線部（制御用導体部、第２制御用導体部、導体部）
　１１０…第１配線部（基準用導体部、第１基準用導体部、導体部）
　１１１…第２配線部（基準用導体部、第１基準用導体部、導体部）
　１１２…第１配線部（基準用導体部、第２基準用導体部、導体部）
　１１３…第２配線部（基準用導体部、第２基準用導体部、導体部）
　１８０…導通基板
　１８１Ａ～１８１Ｎ，１８１Ｐ～１８１Ｒ…導体部
　１８３…導体部
　１８４…導体部
　Ｘ…横方向
　Ｙ…縦方向
　Ｚ…厚さ方向

Claims (20)

  1. 　半導体素子と、
    　前記半導体素子を支持する支持基板と、
    　前記半導体素子と電気的に接続される導電体と、
    　前記半導体素子を封止する樹脂部材と、
    を備え、
    　前記導電体は、電子部品が実装される実装領域を有し、
    　前記樹脂部材は、前記実装領域を露出する樹脂開口部を有する
    　半導体装置。
  2. 　前記半導体装置は、前記導電体として、電気的絶縁性を有する基板に金属層からなる導体部が形成された導通基板を備え、
    　前記半導体素子は、前記導通基板の前記導体部と電気的に接続されており、
    　前記支持基板は、前記導通基板を支持しており、
    　前記樹脂部材は、前記導通基板を封止している
    　請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記実装領域には、前記電子部品を実装するための前記導体部が形成されている
    　請求項２に記載の半導体装置。
  4. 　前記半導体素子は、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
    　前記導体部は、前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部を有し、
    　前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部を有する
    　請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　前記駆動用導体部の一部には、前記半導体素子の短絡を検出するための前記電子部品が実装されている
    　請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　前記電子部品は、ダイオードを含む
    　請求項５に記載の半導体装置。
  7. 　前記駆動側開口部は、電気的絶縁性を有する樹脂材料によって充填されている
    　請求項４～６のいずれか一項に記載の半導体装置。
  8. 　前記樹脂材料は、前記樹脂部材を構成する樹脂材料とは異なる
    　請求項７に記載の半導体装置。
  9. 　前記半導体素子は、前記半導体素子に供給される電流を制御する制御電極を有し、
    　前記導体部は、前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部を有し、
    　前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部を露出する制御側開口部を有する
    　請求項２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
  10. 　前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
    　前記導体部は、
    　前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部と、
    　前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部と、
    を有し、
    　前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部と、前記制御用導体部の一部を露出している制御側開口部とを有し、
    　前記駆動側開口部と前記制御側開口部とは個別に設けられている
    　請求項２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
  11. 　前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
    　前記導体部は、
    　前記制御電極に電気的に接続された制御用導体部と、
    　前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用導体部との間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための基準用導体部と、
    を有し、
    　前記樹脂開口部は、前記基準用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
    　請求項２～１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
  12. 　前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
    　前記導体部は、
    　前記制御電極に電気的に接続される制御用導体部と、
    　前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用導体部との間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための基準用導体部と、
    を有し、
    　前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部及び前記基準用導体部の一部をそれぞれ露出している制御側開口部を有する
    　請求項２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
  13. 　前記制御側開口部によって露出された前記制御用導体部には、前記制御電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
    　請求項９、１０、及び１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
  14. 　前記制御側開口部によって露出された前記基準用導体部には、前記第２駆動電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
    　請求項１１又は１２に記載の半導体装置。
  15. 　前記半導体素子は、前記半導体素子に供給される電圧を制御する制御電極を有し、
    　前記半導体装置は、前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードを有し、
    　前記制御用リードは、
    　前記樹脂部材の表面から突出した制御用端子と、
    　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記制御用端子と電気的に接続された制御用導体部と、
    を有し、
    　前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
    　請求項２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
  16. 　前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
    　前記半導体装置は、
    　前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードと、
    　前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用リードとの間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための金属板からなる基準用リードを有し、
    　前記基準用リードは、
    　前記樹脂部材の表面から突出した基準用端子と、
    　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記基準用端子と電気的に接続された基準用導体部と、
    を有し、
    　前記樹脂開口部は、前記基準用導体部の一部を露出している制御側開口部を有する
    　請求項２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
  17. 　前記半導体素子は、第１駆動電極、第２駆動電極、及び制御電極を有するトランジスタであり、
    　前記半導体装置は、
    　前記制御電極と電気的に接続された金属板からなる制御用リードと、
    　前記第２駆動電極に電気的に接続されており、前記制御用リードとの間の電位差によって前記制御電極に印加される電圧を設定するための金属板からなる基準用リードと、
    を有し、
    　前記制御用リードは、
    　前記樹脂部材の表面から突出している制御用端子と、
    　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記制御用端子と電気的に接続されている制御用導体部と、
    を有し、
    　前記基準用リードは、
    　前記樹脂部材の表面から突出している基準用端子と、
    　前記樹脂部材の前記表面よりも内部に配置されており、かつ前記基準用端子と電気的に接続されている基準用導体部と、
    を有し、
    　前記樹脂開口部は、前記制御用導体部の一部及び前記基準用導体部の一部をそれぞれ露出している制御側開口部を有する
    　請求項２～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
  18. 　前記制御側開口部によって露出された前記制御用導体部には、前記制御電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
    　請求項１５又は１７に記載の半導体装置。
  19. 　前記制御側開口部によって露出された前記基準用導体部には、前記第２駆動電極に印加される電圧のサージを低減するための前記電子部品が実装されている
    　請求項１６又は１７に記載の半導体装置。
  20. 　前記半導体素子は、第１駆動電極及び第２駆動電極を有し、
    　前記導体部は、前記第１駆動電極に電気的に接続された駆動用導体部を有し、
    　前記樹脂開口部は、前記駆動用導体部の一部を露出している駆動側開口部を有し、
    　前記制御側開口部は、前記駆動側開口部から離間して設けられている
    　請求項１５～１９のいずれか一項に記載の半導体装置。
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