WO2021054207A1 - 半導体装置 - Google Patents

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WO2021054207A1
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electrode layer
semiconductor device
dielectric film
metal film
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陽平 山口
智行 芦峰
康裕 村瀬
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2019-33154
  • This capacitor structure is provided on the insulating film of the substrate.
  • the capacitor structure consists of a second electrode layer arranged on a part of the insulating film, an interlayer insulating film (dielectric film) covering the second electrode layer, and a metal film arranged on a part of the interlayer insulating film.
  • a first electrode layer arranged on the metal film and a protective insulating film (protective layer) that continuously covers the insulating film from the end of the first electrode layer are provided.
  • an object of the present disclosure is to provide a semiconductor device having high moisture resistance and high dielectric breakdown strength.
  • the present inventors have obtained the following findings as a result of diligent studies to solve the above problems.
  • the present inventors form a first electrode layer on a dielectric film provided on a part of a semiconductor substrate at the center of the dielectric film, and form a first electrode layer. It was confirmed that the moisture resistance can be improved by reducing the thickness of the dielectric film located on the outside of the layer. However, if the thickness of the dielectric film located outside the first electrode layer is reduced, for example, the withstand voltage resistance between the second outer peripheral edge of the first electrode layer and the first main surface of the semiconductor substrate is increased. It turned out to decrease.
  • the protective layer is composed of a first protective layer having a low relative permittivity (hence a high dielectric breakdown strength) and a second protective layer having a higher moisture resistance than the first protective layer. It was found that by configuring the structure, both high moisture resistance and high dielectric breakdown strength can be achieved.
  • the invention according to the present disclosure is based on the above findings independently obtained by the present inventors, and the present disclosure includes the following aspects.
  • the semiconductor device is A semiconductor substrate having a first main surface and a second main surface facing each other, A dielectric film arranged on a part of the first main surface and The first electrode layer arranged on a part of the dielectric film and A protective layer that continuously covers from the end of the first electrode layer to the first outer peripheral edge of the dielectric film is provided.
  • the dielectric film has an electrode layer arrangement portion on which the first electrode layer is arranged and a protective layer coating portion coated on the protective layer. The thickness of the protective layer coating portion of the dielectric film at the first outer peripheral end is smaller than the thickness of the electrode layer arrangement portion of the dielectric film.
  • the protective layer includes a first protective layer that continuously covers the second outer peripheral edge of the first protective layer and at least a part of the protective layer covering portion, and a second protective layer arranged on the first protective layer.
  • the first protective layer has a lower relative permittivity than the second protective layer and has a lower relative permittivity.
  • the second protective layer has higher moisture resistance than the first protective layer.
  • the protective layer is a first protective layer having a lower relative permittivity than the second protective layer, and a second protective layer arranged on the first protective layer and having higher moisture resistance than the first protective layer. And have.
  • the protective layer has a plurality of layers having different functions (high dielectric breakdown strength and moisture resistance).
  • the semiconductor device has both moisture resistance and voltage resistance. More specifically, the thickness of the protective layer coating portion of the dielectric film at the first outer peripheral end is smaller than the thickness of the electrode layer arrangement portion of the dielectric film.
  • the dielectric film is arranged on the end portion (protective layer coating portion) of the dielectric film by having a relatively thin thin film region at least at the first outer peripheral end as the protective layer coating portion thereof.
  • the step of the step portion of the second protective layer can be reduced.
  • the strain of the second protective layer is reduced, and the internal stress generated in the second protective layer around the end portion of the dielectric film can be reduced.
  • the occurrence of cracks in the second protective layer around the end of the dielectric film can be suppressed. Therefore, in the above aspect, it is possible to prevent moisture from entering the dielectric film through cracks and suppress a decrease in the withstand voltage resistance (decrease in dielectric breakdown strength) of the dielectric film.
  • the protective layer coating portion of the dielectric film As described above, the decrease in withstand voltage near the end portion of the dielectric film due to cracks is suppressed, while the dielectric property in the thin film region is suppressed. Since the thickness of the body film is reduced, the withstand voltage resistance between the second outer peripheral edge of the first electrode layer and the first main surface of the semiconductor substrate may be lowered. On the other hand, the relative permittivity is lower than that of the second protective layer, and by providing the first protective layer that covers the second outer peripheral end of the first electrode layer, the second outer peripheral end of the first electrode layer and the semiconductor substrate are provided. It is possible to suppress a decrease in withstand voltage with respect to the first main surface of the above.
  • the protective layer having a low relative permittivity can have a relatively high dielectric breakdown strength, and the first protective layer has a relatively low relative permittivity (relatively high dielectric breakdown strength), so that the first electrode layer Dielectric breakdown between the end portion of the semiconductor substrate and the first main surface of the semiconductor substrate can be effectively suppressed, and dielectric breakdown of the dielectric film can be suppressed.
  • the semiconductor device of the above aspect has both moisture resistance and voltage resistance.
  • the first protective layer is continuously coated from the end portion of the first electrode layer to at least a part of the protective layer coating portion.
  • the first protective layer continuously covers at least a part of the dielectric film from the end portion of the first electrode layer. That is, the first protective layer has a lower relative permittivity than the second protective layer, and the area where the first protective layer covers the first electrode layer increases. Therefore, it is possible to more effectively suppress the dielectric breakdown of the dielectric film between the end portion of the first electrode layer and the first main surface of the semiconductor substrate.
  • the first protective layer is continuously covered from the second outer peripheral end of the first electrode layer to the first outer peripheral end of the protective layer covering portion.
  • the first protective layer continuously covers from the second outer peripheral end of the first electrode layer to the first outer peripheral end of the protective layer covering portion, and the first protective layer covers the first electrode layer. Increase the area. Therefore, it is possible to more effectively suppress the dielectric breakdown of the dielectric film between the end portion of the first electrode layer and the first main surface of the semiconductor substrate.
  • the semiconductor device is further provided with a first metal film which is arranged between the first protective layer and the second protective layer and covers the first protective layer.
  • the semiconductor device further includes a first metal film.
  • the first metal film is arranged between the first protective layer and the second protective layer and covers the first protective layer. Since the first metal film is made of metal, it is difficult for moisture to pass through. Therefore, even if a crack is generated in the second protective layer, it is possible to prevent water from entering the dielectric film through the crack. Therefore, in the above aspect, the dielectric breakdown of the dielectric film between the end portion of the first electrode layer and the first main surface of the semiconductor substrate can be more effectively suppressed. Further, the first metal film is arranged between the first protective layer and the second protective layer. Therefore, the creepage distance on the surface of the protective layer is increased, and the occurrence of creepage discharge on the surface of the protective layer is more effectively suppressed.
  • the first protective layer is covered with the second protective layer and the first metal film.
  • the first protective layer is coated with the second protective layer and the first metal film. Therefore, the first protective layer is protected against moisture by the second protective layer and the first metal film having relatively high moisture resistance over the entire outer surface of the first protective layer. Therefore, in the above aspect, it is possible to prevent external moisture from entering the dielectric film through the first protective layer, and to more effectively suppress the dielectric breakdown of the dielectric film.
  • the first protective layer has a step portion including one or more corner portions, and has a step portion.
  • the first metal film covers at least one of the corners.
  • the first protective layer has a step portion including one or more corners. Therefore, internal stress is likely to occur in the second protective layer around the corner portion. As a result, cracks may occur in the second protective layer.
  • the first metal film since the first metal film has relatively high moisture resistance and covers at least one corner of the first protective layer, moisture penetrates into the dielectric film through cracks. To prevent. Therefore, the above aspect suppresses dielectric breakdown of the dielectric film.
  • the first metal film is arranged so as to straddle the electrode layer arranging portion and the protective layer covering portion.
  • the first metal film by arranging the first metal film so as to straddle the electrode layer arranging portion and the protective layer covering portion, it is possible to effectively prevent the invasion of moisture into the first protective layer. ..
  • the first metal film is arranged inside the boundary between the electrode layer arrangement portion and the protective layer coating portion.
  • the first metal film covers at least one corner portion of the first protective layer and is arranged inside the boundary between the electrode layer arrangement portion and the protection layer coating portion. 1 It is possible to effectively prevent the intrusion of moisture into the protective layer and effectively prevent the occurrence of creeping discharge on the surface of the protective layer.
  • the first electrode layer has the end portion covered with the first protective layer and the central portion.
  • the first metal film is electrically connected to the first electrode layer and is further exposed on the central portion of the first electrode layer.
  • the first metal film is further arranged on the central portion of the first electrode layer. Therefore, the first metal film protects the first protective layer with moisture resistance and suppresses dielectric breakdown of the dielectric film. Further, the first metal film is arranged so as to be exposed on the central portion of the first electrode layer. Therefore, the first metal film functions as an external connection electrode in addition to the function of suppressing dielectric breakdown of the dielectric film.
  • the third outer peripheral edge of the first protective layer is covered with the second protective layer.
  • the first metal film continuously covers the first protective layer other than the third outer peripheral end.
  • the thickness of the first protective layer is equal to or larger than the thickness of the electrode layer arrangement portion of the dielectric film.
  • the thickness of the first protective layer is equal to or larger than the thickness of the electrode layer arrangement portion of the dielectric film.
  • the first protective layer functions as a stress relaxation layer and suppresses peeling and cracking of the second protective layer due to stress. Therefore, in the above aspect, it is possible to further prevent moisture from entering the dielectric film through cracks, and further suppress a decrease in dielectric breakdown strength of the dielectric film.
  • the first metal film is arranged between the first protective layer and the second protective layer, and continuously covers the first protective layer other than the second outer peripheral end. The first protective layer is doubly covered with a first metal film and a second protective layer having relatively high moisture resistance.
  • the decrease in dielectric breakdown strength of the dielectric film can be further suppressed.
  • the first metal film is arranged between the first protective layer and the second protective layer, the creepage distance on the surface of the protective layer is increased, and creepage discharge on the surface of the protective layer is suppressed.
  • the semiconductor device further includes a second metal film, The second metal film covers the third outer peripheral end of the first protective layer and is separated from the first metal film by an opening.
  • a second metal film that covers the third outer peripheral edge of the first protective layer and is separated from the first metal film by an opening is further provided. That is, the first and second metal films continuously cover the first protective layer except for the openings. Further, the second protective layer covers the first and second metal films and the first protective layer. As described above, the first protective layer is doubly covered with the first and second metal films and the second protective layer having relatively high moisture resistance. Therefore, it is prevented that moisture infiltrates into the first protective layer and further infiltrates into the protective layer covering portion of the dielectric film.
  • the embodiment can further suppress dielectric breakdown of the dielectric film. Further, in the above aspect, for example, peeling at the third outer peripheral end of the first protective layer is effectively prevented as compared with the case where the first protective layer is continuously covered with the first metal film except for the third outer peripheral end. be able to.
  • the semiconductor device further includes an anti-diffusion film arranged between the first electrode layer and the first metal film.
  • the diffusion prevention film is arranged between the first electrode layer and the first metal film. That is, since the first electrode layer and the first metal film do not come into contact with each other, it is possible to prevent the components constituting the first electrode layer from diffusing into the first metal film. As a result, the semiconductor device can operate stably.
  • the first electrode layer is made of polysilicon.
  • the diffusion prevention film is made of an Al—Si alloy and is made of an Al—Si alloy.
  • the first metal film is made of Al.
  • the polysilicon (more specifically, SiC of polysilicon) constituting the first electrode layer is prevented from diffusing into Al constituting the first metal film.
  • the semiconductor device can operate stably.
  • the electrical resistivity of the semiconductor substrate is 0.001 ⁇ cm or more and 100 ⁇ cm or less.
  • a CR element in which a semiconductor substrate functions as a resistor can be manufactured.
  • the first protective layer is an oxide and
  • the second protective layer is a nitride.
  • the first protective layer is an oxide and the second protective layer is a nitride. Therefore, the first protective layer has a relatively high dielectric breakdown strength, and the second protective layer has a relatively high moisture resistance. Therefore, the above-described embodiment has both excellent dielectric breakdown strength and excellent moisture resistance.
  • the first protective layer is made of an oxide as a main component of a semiconductor substrate.
  • the second protective layer is made of a nitride as a main component of the semiconductor substrate.
  • the first and second protective layers are each composed of oxides and nitrides, which are the main components of the semiconductor substrate. Therefore, the adhesion between the first protective layer and the second protective layer and the first main surface of the semiconductor substrate is improved.
  • the semiconductor substrate has a trench on the first main surface on which the electrode layer arrangement portion of the dielectric film is arranged.
  • the electrode layer arrangement portion of the dielectric film is continuously arranged on the first main surface so as to cover the inner surface of the trench and form a recess.
  • the first electrode layer has an entry portion that penetrates into the recess.
  • the semiconductor device Since the semiconductor device has a trench structure, the area of the interface between the dielectric film and the first electrode layer is increased as compared with the semiconductor device having no trench structure. As a result, the electric capacity of the semiconductor device can be increased.
  • FIG. 11 is an enlarged view of part B in FIG. It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device. It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device.
  • the semiconductor device according to one aspect of the present disclosure will be described in detail by the illustrated embodiment. It should be noted that the drawings include some schematic ones and may not reflect the actual dimensions and ratios. Further, the dimensions (more specifically, thickness, length, width, etc.) of the components in the semiconductor device were measured based on the SEM image taken by the scanning electron microscope.
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a cross section of a semiconductor device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is an enlarged view of part A of FIG.
  • the semiconductor device 1 has a semiconductor substrate 10 having a first main surface 11 and a second main surface 12 facing each other, and a dielectric arranged on a part of the first main surface 11.
  • a protective layer 90 that continuously covers the first outer peripheral end 26a is provided.
  • the dielectric film 20 has an electrode layer arranging portion 21 on which the first electrode layer 30 is arranged, and a protective layer covering portion 22 coated on the protective layer 90.
  • the direction parallel to the thickness of the semiconductor device 1 is the Z direction
  • the forward Z direction is the upper side
  • the reverse Z direction is the lower side.
  • the direction parallel to the paper surface on which the figure is drawn is defined as the X direction
  • the direction orthogonal to the paper surface on which the figure is drawn is defined as the Y direction.
  • the X, Y, and Z directions are orthogonal to each other.
  • the first outer peripheral end 26a of the protective layer covering portion 22 means the outer peripheral end of the protective layer covering portion 22 when the protective layer covering portion 22 is viewed from the Z direction.
  • the protective layer 90 includes a first protective layer 50 that covers at least a part of the second outer peripheral end 33 of the first electrode layer 30 and the protective layer covering portion 22, and a second protective layer arranged on the first protective layer 50.
  • the first protective layer 50 has a lower relative permittivity than the second protective layer 70.
  • a protective layer having a low relative permittivity has a relatively high dielectric breakdown strength.
  • the second protective layer 70 has higher moisture resistance than the first protective layer 50. That is, the protective layer 90 has a first protective layer 50 having a relatively high dielectric breakdown strength (voltage resistance, electrical insulation) and a second protective layer 70 having a relatively high moisture resistance.
  • the protective layer 90 has a plurality of layers having different functions (dielectric breakdown strength and moisture resistance).
  • the protective layer 90 has functions separated for each layer, so that the protective layer 90 has both dielectric breakdown strength and moisture resistance even under a high voltage.
  • the protective layer is made of a single layer, it is difficult for the protective layer to sufficiently satisfy both dielectric breakdown strength and moisture resistance under high voltage.
  • the protective layer is composed of a single layer, the protective layer is made of a single material (type 1), and there may be a trade-off relationship between dielectric breakdown strength and moisture resistance. This is because although there is a material having excellent dielectric breakdown strength and moisture resistance with one kind of material, both properties cannot be sufficiently satisfied.
  • the thickness of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 at the first outer peripheral end 26a is smaller than the thickness of the electrode layer arranging portion 21 of the dielectric film 20. That is, the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 is understood as a thin film region having a thickness at least at the first outer peripheral end 26a as compared with the electrode layer arranging portion 21.
  • the surface shape of the dielectric film 20 arranged under the protective layer 90 can determine the surface shape of the protective layer 90 laminated on the dielectric film 20.
  • the thickness of the protective layer coating portion is the same as the thickness of the electrode layer arrangement portion, as compared with the case where the first outer circumference of the dielectric film 20 is made the same.
  • the step (more specifically, the length Lb of the second side surface 74b, which will be described later) corresponding to the end 26a of the step portion 71 of the second protective layer 70 is reduced.
  • cracks are generated in the vicinity of the corner portion (more specifically, the second corner portion 75b, which will be described later) of the stepped portion 71 of the second protective layer 70, which corresponds to the first outer peripheral end 26a of the dielectric film 20. It can be suppressed.
  • the surface shape of the second protective layer 70 can be determined by the surface shape of the protective layer coating portion 22 of the dielectric film 20 under the second protective layer 70, the surface shape of the protective layer coating portion 22 of the dielectric film 20 Corresponds to, and is almost the same as this. Therefore, the second upper surface 73b of the second protective layer 70 is ⁇ T lower at least at the first outer peripheral end 26a than in the case where the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 is not formed as a thin film region.
  • the length Lb of the second side surface 74b of the second protective layer 70 corresponds to the above Tb, and the length La of the second side surface 74b when the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 is not formed as a thin film region is described above.
  • Lb is ⁇ T shorter than La (Note that in FIG. 2, when La is the same as the thickness of the first electrode layer 30, in other words, the thickness of the electrode layer arranging portion 21 is the first. Although the case where the thickness is the same as that of the one electrode layer 30 is shown, the present embodiment is not limited to this).
  • the second step which is understood as the second side surface 74b between the second upper surface 73b and the third upper surface 73c which is one step lower than the second upper surface 73b, covers the entire protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 as a thin film region. It will be smaller than when it is not set to. As a result, the proportion of the second step is reduced in the step portion 71 of the second protective layer 70. Since the ratio of the second step in the step portion 71 is reduced, the internal stress generated in the second protective layer 70 is reduced around the second corner portion 75b corresponding to the corner portion 27 of the protective layer covering portion 22.
  • the length Lb of the second side surface 74b is shortened in the second protective layer 70 around the second corner portion 75b composed of the second upper surface 73b and the second side surface 74b of the second protective layer 70.
  • the internal stress generated in the second protective layer 70 around the second corner portion 75b is reduced.
  • the occurrence of cracks is suppressed in the second protective layer 70 around the second corner portion 75b.
  • the occurrence of cracks is suppressed in the second protective layer 70 around the corner portion 27 (corresponding to the second corner portion 75b).
  • the second protective layer 70 cracks occur in the stepped portion 71, and more specifically, the corner portions where stress is easily concentrated (in the illustrated embodiment, the first corner portion 75a, the second corner portion 75b, and the third corner portion 75c). ), It tends to occur typically starting from the corner.
  • moisture more specifically is formed through cracks generated near the corner portion (second corner portion 75b in the illustrated embodiment) corresponding to the first outer peripheral end 26a of the dielectric film 20. Therefore, it is considered that (moisture in the atmosphere) easily invades the dielectric film 20.
  • the dielectric film can be suppressed. It is possible to effectively prevent the intrusion of moisture into the 20 and thus effectively suppress the deterioration of the withstand voltage of the dielectric film 20.
  • the semiconductor device 1 of the present embodiment as described above, the vicinity of the corner portion (second corner portion 75b) of the stepped portion 71 of the second protective layer 70 corresponding to the first outer peripheral end 26a of the dielectric film 20. In, the occurrence of cracks can be suppressed. As a result, in the semiconductor device 1, moisture (more specifically, moisture in the atmosphere) is prevented from entering the dielectric film 20 through the cracks in the second protective layer 70. Therefore, in the present embodiment, the decrease in the dielectric breakdown strength of the dielectric film 20 (deterioration of the withstand voltage resistance of the dielectric film) is suppressed.
  • the first protective layer 50 has a lower relative permittivity than the second protective layer 70, and thus has a higher dielectric breakdown strength than the second protective layer 70, and the second outer peripheral end 33 of the first electrode layer 30 and the protective layer. It continuously covers at least a part of the covering portion 22. Therefore, it is possible to suppress dielectric breakdown between the second outer peripheral end 33 of the first electrode layer 30 and the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10, and to suppress a decrease in dielectric breakdown strength of the dielectric film 20. ..
  • the semiconductor device 1 can suppress the decrease in the dielectric breakdown strength of the dielectric film 20, and therefore operates even when a high voltage of 100 V or more (more specifically, a further high voltage of 600 V or more) is applied. Can be done. That is, the semiconductor device 1 has a withstand voltage that can withstand a rated voltage of 100 V or more and a rated voltage of 600 V or more.
  • the semiconductor device 1 is, for example, a capacitor.
  • the semiconductor device 1 is used, for example, as a decoupling capacitor (bypass capacitor) for a high-frequency digital circuit, and is an electronic device such as a personal computer, a DVD player, a digital camera, a TV, a mobile phone, a car electronics, a medical / industrial / communication machine. Used for.
  • the application of the semiconductor device 1 is not limited to this, and it can also be used, for example, in a filter circuit or a rectifying / smoothing circuit.
  • the semiconductor device 1 may further include a second electrode layer 40 arranged on the second main surface 12 of the semiconductor substrate 10.
  • the first electrode layer 30 and the second electrode layer 40 which function as external connection electrodes, are arranged so as to face each other with the semiconductor substrate 10 interposed therebetween.
  • the semiconductor device 1 may further include external connection electrodes that are electrically connected to the first electrode layer 30 and the second electrode layer 40, respectively.
  • the first electrode layer 30 and the second electrode layer 40 (or the external connection electrode, if present) can be electrically connected to the wiring of a circuit board (not shown) by a wire or a solder bump. ..
  • the second electrode layer 40 may be arranged between the semiconductor substrate 10 and the dielectric film 20.
  • the first electrode layer 30 that functions as the external connection electrode and the external connection electrode that is electrically connected to the second electrode layer 40 may be arranged on the same XY plane so as to be separated from each other.
  • the semiconductor substrate 10 has a first main surface 11 and a second main surface 12 facing each other. As shown in FIG. 1, the cross-sectional shape of the semiconductor substrate 10 is substantially rectangular.
  • the material of the semiconductor substrate 10 can be, for example, silicon (Si), SiC, or GaN.
  • the semiconductor substrate 10 can be doped with impurities (dopants) for the purpose of adjusting the conductivity and the like.
  • the dopant (donor) that supplies electrons is, for example, an element of Group 15 (more specifically, phosphorus or the like).
  • the dopant (acceptor) that supplies holes is an element of Group 13 (more specifically, boron or the like).
  • the semiconductor substrate 10 may be an n-type semiconductor substrate or a p-type semiconductor substrate.
  • the electrical resistivity of the semiconductor substrate 10 is, for example, 0.001 ⁇ cm to 100 ⁇ cm. When the electrical resistivity of the semiconductor substrate 10 is within the above numerical range, the semiconductor device 1 can manufacture a CR element (capacitor-resistive composite element) in which the semiconductor substrate 10 functions as a resistor.
  • the thickness of the semiconductor substrate 10 is, for example, 100 ⁇ m to 700 ⁇ m. In this specification, the thickness means the length in the Z direction.
  • the dielectric film 20 is arranged on a part of the first main surface 11.
  • the dielectric film 20 includes an electrode layer arranging portion 21 on which the first electrode layer 30 is arranged and a protective layer covering portion 22 coated on the protective layer 90 (the second protective layer 70 and the first protective layer 50). Has.
  • the electrode layer arrangement portion 21 of the dielectric film 20 mainly adjusts the electric capacity.
  • the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 mainly secures electrical insulation between the semiconductor substrate 10 and the first electrode layer 30.
  • the material of the dielectric film 20 is, for example, a Si-based substance (more specifically, silicon oxide (SiO 2 ) or the like).
  • the dielectric film 20 is preferably made of silicon oxide. When the dielectric film 20 is made of silicon oxide, the electric capacity of the semiconductor device 1 can be increased.
  • the thickness Tb at the first outer peripheral end 26a of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 is smaller than the thickness Ta of the electrode layer arranging portion 21 of the dielectric film 20.
  • the thickness Ta of the electrode layer arranging portion 21 of the dielectric film 20 is, for example, 0.1 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the cross-sectional shape of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 may be, for example, substantially rectangular.
  • the dielectric film 20 has a thin film region in the entire protective layer covering portion 22.
  • the thickness of the protective layer covering portion 22 at the first outer peripheral end 26a may be smaller than the thickness of the electrode layer arranging portion 21, and the protective layer covering portion 22 is first from the side of the electrode layer arranging portion 21. It may have a cross-sectional shape that gradually becomes thinner (for example, continuously or stepwise) toward the outer peripheral end 26a.
  • the minimum thickness of the electrode layer arranging portion 21 is equal to or greater than the maximum thickness of the protective layer covering portion 22.
  • the thickness of the protective layer covering portion 22 at the first outer peripheral end 26a may be substantially zero.
  • the protective layer covering portion 22 (thin film region) of the dielectric film 20 is formed by, for example, overetching, as will be described later in the manufacturing method of the semiconductor device 1.
  • the upper surface 24 of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 is formed by over-etching, it becomes rougher than when it is formed by a method other than over-etching. Therefore, the upper surface 24 of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 has a large contact area with the protective layer 90, and the adhesion with the protective layer 90 is improved.
  • the width of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 (the length of the upper surface 24) is, for example, 30 ⁇ m or less.
  • the insulating property between the end surface (second outer peripheral end 33) of the first electrode layer 30 and the first main surface 11 is improved. ..
  • the width of the protective layer covering portion 22 is larger than the thickness of the protective layer covering portion 22.
  • the first electrode layer 30 forms an electric field with the second electrode layer 40.
  • the first electrode layer 30 is arranged on the electrode layer arrangement portion 21 which is a part of the dielectric film 20.
  • the first electrode layer 30 faces the second electrode layer 40 with the dielectric film 20 and the semiconductor substrate 10 interposed therebetween.
  • the first electrode layer 30 has an end portion 32 covered with a protective layer 90 and a central portion 31. Since the central portion 31 is not covered with the protective layer 90 and is exposed, it also functions as an external connection electrode.
  • the first electrode layer 30 can be electrically connected to the circuit board by wires or solder bumps.
  • the material of the first electrode layer 30 is, for example, metal and other conductive materials (more specifically, conductive resin, polysilicon, etc.).
  • the metal is, for example, Mo (molybdenum), Al (aluminum), Au (gold), W (tungsten), Pt (platinum), Ti (titanium) and the like, and alloys thereof.
  • the first electrode layer 30 may have a plurality of layers made of these metals.
  • the material of the first electrode layer 30 is preferably metal and polysilicon, and more preferably Al and polysilicon from the viewpoint of enhancing conductivity and moisture resistance. That is, the first electrode layer 30 is preferably made of polysilicon or Al.
  • Increasing the moisture resistance of the first electrode layer 30 means that, for example, the first electrode layer 30 made of polysilicon or Al prevents water from entering the dielectric film 20 via the first electrode layer 30. It means that the decrease in dielectric strength is suppressed.
  • the second electrode layer 40 may be arranged on the second main surface 12 of the semiconductor substrate 10. Since the lower surface of the second electrode layer 40 is exposed, it also functions as an external connection electrode. For example, the second electrode layer 40 can be electrically connected to the circuit board by a wire or a solder bump.
  • the material of the second electrode layer 40 is, for example, metal and other conductive materials (more specifically, conductive resin, polysilicon (polycrystalline silicon), etc.).
  • the metal is, for example, Mo (molybdenum), Al (aluminum), Au (gold), W (tungsten), Pt (platinum), Ni (nickel), Ti (titanium) and the like, and alloys thereof.
  • the second electrode layer 40 may be a multilayer metal film.
  • the multilayer metal film can have a plurality of layers made of these metals.
  • the multilayer metal film is, for example, a second electrode layer composed of a Ti layer, a Ni layer and an Au layer.
  • the second electrode layer 40 may be arranged between the semiconductor substrate 10 and the dielectric film 20.
  • the protective layer 90 continuously covers from the end 32 of the first electrode layer 30 to the first outer peripheral end 26a of the dielectric film 20. That is, the protective layer 90 is the end 32 of the first electrode layer 30 and the protective layer covering portion of the dielectric film 20 in the range from the end 32 of the first electrode layer 30 to the first outer peripheral end 26a of the dielectric film 20. 22 and a part of the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10 are continuously covered without interruption.
  • the protective layer 90 has a first protective layer 50 and a second protective layer 70 arranged on the first protective layer 50.
  • the first protective layer 50 includes a second outer peripheral end 33 of the first electrode layer 30, a fourth outer peripheral end 26b of the dielectric film 20, and a part of the upper surface 24 of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20. It covers continuously without interruption. That is, the first protective layer 50 continuously covers the second outer peripheral end 33 of the first electrode layer 30 and at least a part of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20. As described above, the first protective layer 50 having a relatively high dielectric breakdown strength in the space between the second outer peripheral end 33 of the first electrode layer 30 and the upper surface 24 of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20. By providing the above, it is possible to prevent discharge such as a short circuit between the second outer peripheral end 33 of the first electrode layer 30 and the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10. Therefore, in the present embodiment, the dielectric breakdown strength of the semiconductor device 1 is improved.
  • the thickness of the first protective layer 50 is, for example, 0.1 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the thickness of the first protective layer 50 can be the same as or larger than the thickness of the electrode layer arranging portion 21 of the dielectric film 20.
  • the first protective layer 50 has a lower relative permittivity than the second protective layer 70, and preferably has the same or lower relative permittivity as the dielectric film 20.
  • the relative permittivity can be measured according to JIS C2138. The lower the relative permittivity, the higher the dielectric breakdown strength.
  • the material of such a first protective layer 50 is, for example, a material having a relatively low relative permittivity.
  • the material of the first protective layer 50 is preferably an oxide, and is an oxide (more specifically, silicon oxide (SiO 2 )) which is a main component of the semiconductor substrate 10 described later.
  • the first protective layer 50 is preferably made of a material having a relatively low relative permittivity, more preferably made of an oxide, and more preferably an oxide of the main component of the semiconductor substrate 10 (more specifically, silicon). It is composed of an oxide (SiO 2 )).
  • the first protective layer 50 is made of an oxide, the dielectric breakdown strength of the semiconductor device 1 is improved.
  • the second protective layer 70 includes an end portion 32 of the first electrode layer 30, an upper surface 53 and a side surface 54 of the first protective layer 50, and an upper surface 24 and a first outer peripheral end 26a of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20. And a part of the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10 is continuously covered without interruption. That is, the second protective layer 70 continuously covers from the end portion 32 of the first electrode layer 30 to a part of the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10.
  • the second protective layer 70 mainly protects the protective layer covering portion 22.
  • the second protective layer 70 prevents moisture from entering the protective layer covering portion 22.
  • the second protective layer 70 is formed between the exposed portion of the first electrode layer 30 (or the external connection electrode if present) and the exposed portion of the semiconductor substrate 10 (more specifically, the first main surface 11). Suppress the occurrence of creepage discharge (and in some cases air discharge).
  • the second protective layer 70 has a step portion 71 in which the upper surfaces 73 (first to third upper surfaces 73a to 73c) are lowered stepwise.
  • the stepped portion 71 of the second protective layer 70 is configured to have a corner portion 75 from the upper surface 73 and the side surface 74, and more specifically, the first to third upper surfaces 73a to 73c and the first to third side surfaces 74a to. It is composed of three pairs of 74c having first to third corner portions 75a to 75c.
  • the stepped portion 71 has a first upper surface 73a and a first side surface 74a forming the first corner portion 75a and a second upper surface forming the second corner portion 75b on the surface of the second protective layer 70.
  • the step portion 71 is a first step (corresponding to the first side surface 74a) between the first upper surface 73a and the second upper surface 73b, and a second step between the second upper surface 73b and the third upper surface 73c.
  • the surface of the second protective layer 70 has a step (corresponding to the second side surface 74b) and a third step (corresponding to the third side surface 74c) between the third upper surface 73c and the first main surface 11. It is formed by descending in steps.
  • the shape of the upper surface and the side surface forming the step, and the shape of the corner portion formed by the upper surface and the side surface are not limited to the illustrated mode (cross-sectional shape).
  • the plurality of existing upper surfaces can be parallel to each other (straight lines parallel to each other in the cross section), but are not limited to this, and in reality, they may be inclined, curved, or have irregularities. May be good. Further, the plurality of existing side surfaces may be parallel to each other, but the present invention is not limited to this, and in reality, it may be inclined, curved, or uneven.
  • the upper surface and the side surface forming a pair forming any existing corner portion may be connected at an angle other than substantially vertical (about 90 °), or may be connected at an angle other than substantially vertical (about 90 °).
  • the plurality of corners present can all be at substantially right angles (about 90 °), but are not limited to this, and may actually be rounded or partially chipped.
  • substantially vertical (about 90 °)” and “substantially right angle (about 90 °)” are not limited to 90 °, and are around 90 ° in consideration of a realistic range of variation. Including the angle.
  • the "angle other than approximately vertical (about 90 °)" can be any suitable angle beyond the range of realistic variability.
  • the thickness of the second protective layer 70 is, for example, 0.1 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the thickness of the second protective layer 70 is not the thickness around the corner portion 55, but is, for example, the length in the Z direction between the first upper surface 73a of the second protective layer 70 and the upper surface of the first electrode layer 30.
  • the thickness of the second protective layer 70 can be the same as or larger than the thickness of the electrode layer arranging portion 21 of the dielectric film 20.
  • the second protective layer 70 has higher moisture resistance than the first protective layer 50, and preferably has higher moisture resistance than the dielectric film 20.
  • Various measuring methods are known for the moisture resistance, but by evaluating the second protective layer 70, the first protective layer 50, and the dielectric film 20 by the same measuring method under the same conditions, these moisture resistances are measured. Can be evaluated relatively.
  • the material of the second protective layer 70 is selected from materials having higher moisture resistance than the first protective layer 50.
  • the material of such a second protective layer 70 is, for example, a nitride, preferably a nitride (more specifically, silicon nitride (SiN)) which is a main component of the semiconductor substrate 10 described later.
  • the second protective layer 70 is preferably made of a nitride, more preferably made of a nitride (more specifically, a silicon oxide) as a main component of the semiconductor substrate 10.
  • the second protective layer 70 is made of nitride
  • the dielectric film 20 is provided on the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10
  • the upper surface of the electrode layer arrangement portion 21 is covered with the first electrode layer 30, and the protective layer is formed.
  • a part of the covering portion 22 is indirectly covered with the second protective layer 70 via the end portion 32 of the first electrode layer 30 and the first protective layer 50, and the remaining part of the protective layer covering portion 22 is directly covered.
  • the outer surface of the dielectric film 20 is coated with a material having higher moisture resistance than the dielectric film 20.
  • the moisture resistance of the semiconductor device 1 is improved by suppressing the infiltration of water into the dielectric film 20.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 1 is A part of the semiconductor substrate 10 on the first main surface 11 is a dielectric film 20 (more specifically, a precursor of the dielectric film 20 described above with reference to FIGS. 1 and 2, and an electrode layer arrangement portion 21. And a dielectric film forming step of forming a portion that will later become the protective layer covering portion 22).
  • the first electrode layer 30 is formed on a part of the dielectric film 20, and a part of the dielectric film 20 is removed to form the protective layer covering portion 22 (thin film region) (thus, the electrode layer arranging portion 21).
  • the manufacturing method of the semiconductor device 1 can further include a dicing step of dicing the structure (mother integrated body) having the plurality of semiconductor device structures obtained above.
  • FIGS. 3A to 3F are diagrams for explaining the manufacturing method of the semiconductor device 1.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 1 includes a dielectric film forming step, a first electrode layer forming step, a first protective layer forming step, a second protective layer forming step, a second electrode layer forming step, and a dicing step. including.
  • a mother-integrated body in which the semiconductor devices 1 are integrated is produced from the dielectric film forming step to the second electrode layer forming step, but for convenience of explanation, the manufacturing method will be described by focusing on one semiconductor device 1. ..
  • the dielectric film 20 is formed on a part of the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10.
  • the dielectric film 20 is formed on the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10 and the dielectric film 20 is patterned.
  • a silicon substrate is prepared as the semiconductor substrate 10.
  • CVD method chemical vapor deposition method
  • a dielectric film 20 of SiO 2 is formed on the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10 so as to have a thickness of 0.1 to 3 ⁇ m.
  • the dielectric film 20 formed on the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10 is patterned by a photolithography method and a dry etching method.
  • a photolithography method a liquid resist is spin-coated to form a photoresist film on the dielectric film 20.
  • the photoresist film is exposed through a mask corresponding to a predetermined pattern.
  • the exposed photoresist film is developed.
  • the dry etching method for example, reactive ion etching (RIE) is used to selectively remove the dielectric film 20 that is not coated with the photoresist film. Then, the photoresist film is removed.
  • RIE reactive ion etching
  • the dielectric film 20 having a predetermined pattern (more specifically, it is a precursor of the dielectric film 20 described above with reference to FIGS. 1 and 2, and the electrode layer arrangement portion 21 and later the protective layer coating A portion (including a portion to be a portion 22) is formed on the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10.
  • the first electrode layer 30 is formed on a part of the dielectric film 20, and a part of the dielectric film 20 is removed to cover the protective layer. Part 22 (thin film region) is formed.
  • the first electrode layer forming step for example, the first electrode layer 30 is formed on the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10 on which the dielectric film 20 is arranged, and the first electrode layer 30 is patterned.
  • the thickness of the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10 on which the dielectric film 20 is arranged is 0.1 to 3 ⁇ m by using a sputtering method or a vacuum vapor deposition method.
  • the first electrode layer 30 of Al is formed.
  • the first electrode layer 30 is patterned by a photolithography method and a dry etching method. Specifically, as shown in FIG. 3B, the mask layer (more specifically, the photoresist layer) 80 is patterned and formed on the first electrode layer 30. The first electrode layer 30 is then patterned as shown in FIG. 3C. In the patterning of the first electrode layer 30, unnecessary first electrode layer 30 that does not form a desired pattern is removed. Further, a part of the dielectric film 20 is also removed by overetching. Next, the mask layer 80 is removed. As a result, the first electrode layer 30 having a predetermined pattern is formed, and the protective layer covering portion 22 (thin film region) of the dielectric film 20 is formed.
  • the upper surface 24 of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 is formed by the etching process, it becomes rougher than the case where the etching process is not performed.
  • the contact area between the upper surface 24 and the first and second protective layers 50 and 70 formed in the subsequent first and second protective layer forming steps becomes large, and the protective layer of the dielectric film 20 becomes large. The adhesion between the covering portion 22 and the first and second protective layers 50 and 70 is improved.
  • the first protective layer 50 that continuously covers the second outer peripheral end 33 of the first electrode layer 30 and the fourth outer peripheral end 26b of the dielectric film 20 is provided.
  • the first protective layer 50 of Si ⁇ 2 is formed by using the CVD method, and patterning is performed by using the photolithography method and the dry etching method.
  • the first protective layer 50 is formed as described above. Further, the first protective layer 50 is formed so as to have a thickness of 0.1 to 3 ⁇ m. As a result, the first protective layer 50 is formed.
  • the second protective layer 70 is formed so as to continuously cover from the end portion 32 of the first electrode layer 30 to the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10.
  • the CVD method is used to form, for example, the second protective layer 70 of SiN, and the photolithography method and the wet etching method are used for patterning.
  • the second protective layer 70 is formed as described above.
  • the second protective layer 70 is formed so that the thickness is 0.1 to 3 ⁇ m. As a result, the second protective layer 70 is formed.
  • the second electrode layer 40 is formed on the second main surface 12 of the semiconductor substrate 10.
  • a Ti layer, a Ni layer, and an Au layer are formed on the second main surface 12 of the semiconductor substrate 10 in order by using a sputtering method and a vacuum vapor deposition method.
  • a multilayer metal film composed of three layers is formed.
  • the obtained multilayer metal film forms a three-layer second electrode layer 40 in which a Ti layer, a Ni layer, and an Au layer are laminated in this order from the semiconductor substrate 10 side. In this way, a mother laminate is obtained.
  • the second main surface 12 may be ground and subjected to a grinding process before the second electrode layer 40 is formed on the second main surface 12.
  • the semiconductor device 1 is manufactured by individualizing the mother laminate by dicing.
  • FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view schematically showing a cross section of the semiconductor device 1A according to the second embodiment.
  • the second embodiment is a modification of the first embodiment, and is different from the first embodiment in that the first protective layer is arranged. This different configuration will be described below.
  • the same reference numerals as those in the first embodiment have the same configuration as those in the first embodiment, and thus the description thereof will be omitted.
  • the first protective layer 50A extends from the end portion 32 of the first electrode layer 30 to at least a part of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20. Cover continuously. That is, the first protective layer 50A continuously connects the end portion 32 and the second outer peripheral end 33 of the first electrode layer 30 with the first outer peripheral end 26a and a part of the upper surface 24 of the dielectric film 20 without interruption. Covering. In this way, the first protective layer 50A further covers the end portion 32 of the first electrode layer 30.
  • the first protective layer 50A has a lower relative permittivity than the second protective layer 70A, and the creepage distance of the surface of the protective layer 90 between the first electrode layer 30 and the semiconductor substrate 10 is more detailed. Is an exposed portion of the first electrode layer 30 (a portion not covered with the second protective layer 70A) and an exposed portion of the semiconductor substrate 10 (a portion of the first main surface not covered with the second protective layer 70A).
  • the distance between the surfaces of the second protective layer 70A (typically the shortest distance between them) is increased by the presence of the first protective layer 50A on the end 32 of the first electrode layer 30. To do. Therefore, creeping discharge can be suppressed, and the withstand voltage resistance between the first electrode layer 30 and the semiconductor substrate 10 can be improved.
  • the second protective layer 70A continuously covers from the end 32 of the first electrode layer 30 to the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10. More specifically, the second protective layer 70A includes an end portion 32 of the first electrode layer 30, a second side surface 54b (inner peripheral end) of the first protective layer 50A, a first upper surface 53a, and a first side surface 54a. , The upper surface 24 of the dielectric film 20 and the first outer peripheral end 26a are continuously covered without interruption.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 1A is the method of the first embodiment, except that the pattern of the first protective layer in the first protective layer forming step and, if desired, the pattern of the second protective layer in the second protective layer forming step are changed. The same as the manufacturing method of the semiconductor device 1.
  • FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view schematically showing a cross section of the semiconductor device 1B according to the third embodiment.
  • the third embodiment is a modification of the second embodiment, and is different from the second embodiment in that the first protective layer is arranged. This different configuration will be described below.
  • the same reference numerals as those in the first and second embodiments have the same configuration as those in the first embodiment, and thus the description thereof will be omitted.
  • the first protective layer 50B is the first outer peripheral end of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 from the end portion 32 of the first electrode layer 30. Cover continuously over 26a. That is, the first protective layer 50B includes the end portion 32 and the second outer peripheral end 33 of the first electrode layer 30, the fourth outer peripheral end 26b, the upper surface 24, and the first outer peripheral end 26a of the dielectric film 20, and the semiconductor substrate 10. It continuously covers a part of the first main surface 11 of the above. In this way, the first protective layer 50B further covers the first outer peripheral end 26a of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20, and increases the area where the first protective layer 50B covers the first electrode layer 30. .. Therefore, the dielectric breakdown between the second outer peripheral end 33 of the first electrode layer 30 and the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10 is further suppressed, and the decrease in the dielectric breakdown strength of the dielectric film 20 is further suppressed. Can be done.
  • the first protective layer 50B has a stepped portion 51 whose upper surfaces (first to third upper surfaces 53a to 53c) are lowered stepwise.
  • the stepped portion 51 of the first protective layer 50B has first to third corner portions 55a to 55c from three pairs of first to third upper surfaces 53a to 53c and first to third side surfaces 54a to 54c. It is configured to have a fourth corner portion 55d from one pair of one upper surface 53a and a fourth side surface.
  • the stepped portion 51 has a first upper surface 53a and a first side surface 54a forming the first corner portion 55a and a second upper surface forming the second corner portion 55b on the surface of the first protective layer 50B.
  • the step portion 51 is a first step (corresponding to the first side surface 54a) between the first upper surface 53a and the second upper surface 53b, and a second step between the second upper surface 53b and the third upper surface 53c.
  • the surface of the first protective layer 50B has a step (corresponding to the second side surface 54b) and a third step (corresponding to the third side surface 54c) between the third upper surface 53c and the first main surface 11. It is formed by descending in steps.
  • the shape of the upper surface and the side surface forming the step, and the shape of the corner portion formed by the upper surface and the side surface are not limited to the illustrated embodiment (cross-sectional shape), and the above description for the step in the first embodiment is the same. Can be applied to.
  • the second protective layer 70B continuously covers from the fourth side surface 54d (inner peripheral end) of the first protective layer 50B to the third side surface 54c of the first protective layer 50B. That is, the second protective layer 70B includes a part of the upper surface of the first electrode layer 30, the first to third upper surfaces 53a to 53c and the first to fourth side surfaces 54a to 54d of the first protective layer 50B, and the semiconductor substrate 10. It continuously covers a part of the first main surface 11 of the above.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 1B is the method of the first embodiment, except that the pattern of the first protective layer in the first protective layer forming step and, if desired, the pattern of the second protective layer in the second protective layer forming step are changed. The same as the manufacturing method of the semiconductor device 1.
  • FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view schematically showing a cross section of the semiconductor device 1C according to the fourth embodiment.
  • the fourth embodiment is a modification of the third embodiment, and is different from the third embodiment in that the first metal film is further provided. This different configuration will be described below.
  • the same reference numerals as those in the first to third embodiments have the same configuration as those in the first embodiment, and thus the description thereof will be omitted.
  • the semiconductor device 1C according to the fourth embodiment further includes a first metal film 60.
  • the first metal film 60 is arranged between the first protective layer 50B and the second protective layer 70C.
  • the first metal film 60 covers at least a part of the first protective layer 50B.
  • the first metal film 60 continuously covers the first upper surface 53a, the first corner portion 55a, and the first side surface 54a of the first protective layer 50B. That is, the first metal film 60 is formed in contact with the inner peripheral surface of the second protective layer 70C near the first step. Since the first metal film 60 is made of metal and has low moisture permeability, it is difficult for moisture to pass through, and the first protective layer 60 has higher moisture resistance than the first protective layer 50B.
  • the second protective layer 70C is cracked, particularly in the first corner portion 75a of the second protective layer 70C and the second protective layer 70C around the corner portion 65 of the first metal film 60. , Prevents moisture from entering the dielectric film 20 through cracks. Therefore, it is possible to further suppress the dielectric breakdown between the end portion of the first electrode layer 30 and the first main surface 11 of the semiconductor substrate 10, and further suppress the decrease in the dielectric breakdown strength of the dielectric film 20. Further, since the first metal film 60 is arranged between the first protective layer 50B and the second protective layer 70C, the creepage distance of the surface of the protective layer 90, more specifically, the exposure of the first electrode layer 30.
  • the surface distance (typically the shortest distance between them) is increased and creepage discharge on the surface of the protective layer 90 is suppressed.
  • the first protective layer 50B has a stepped portion 51 including one or more corner portions, and the first metal film 60 covers at least one corner portion of the first protective layer 50B.
  • the first metal film 60 continuously covers the first upper surface 53a, the first corner portion 55a, and the first side surface 54a of the first protective layer 50B.
  • the first metal film 60 preferably covers any of a plurality of corners (first to fourth corners 55a, 55b, 55c, 55d) of the first protective layer 50B, and the first metal film 60 preferably covers the plurality of corners (first). It is more preferable to cover (two or more of the fourth corner portions 55a, 55b, 55c, 55d).
  • the second protective layer 70C has a stepped portion 71, cracks are formed around the outer peripheral corners 75a, 75b, 75c of the second protective layer 70C, and the inner peripheral corners (more specifically, the first metal film). This is because it is likely to occur around the corners 65 of 60 and the corners 55b and 55c of the first protective layer.
  • the first metal film 60 is arranged so as to straddle the electrode layer arranging portion 21 and the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20. More specifically, by making the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 a thin film region, the first upper surface 53a is composed of the first upper surface 53a and the second upper surface 53b which is one step lower than the first upper surface 53a.
  • the first metal film 60 covers the first corner portion 55a of the plurality of corner portions (first to fourth corner portions 55a, 55b, 55c, 55d) of the first protective layer 50B. Is preferable. Since the first metal film 60 is made of metal, it has excellent moisture resistance. Therefore, even if cracks occur around the outer peripheral corners 75a, 75b, 75c of the second protective layer 70C and at the inner peripheral corners, moisture penetrates into the first protective layer 50B by the first metal film 60. Prevent it from happening.
  • the first protective layer 50B is covered with the second protective layer 70C and the first metal film 60. Therefore, the first protective layer 50B is moisture-resistant protected by the second protective layer 70C and the first metal film 60, which have relatively high moisture resistance, over the entire outer surface of the first protective layer 50B. Therefore, it prevents external moisture from entering the dielectric film 20 via the first protective layer 50B, and further suppresses a decrease in the dielectric breakdown strength of the dielectric film 20.
  • the thickness of the first metal film 60 is, for example, 0.1 ⁇ m to 3 ⁇ m.
  • the thickness of the first metal film 60 is 0.1 ⁇ m to 3 ⁇ m, it is possible to prevent moisture from entering the dielectric film 20, and the moisture resistance of the semiconductor device 1C is improved.
  • the material of the first metal film 60 is, for example, a metal (more specifically, Al or the like) from the viewpoint of improving the moisture resistance of the first metal film 60.
  • the material of the first metal film 60 is preferably Al. That is, the first protective layer 50B is preferably made of Al.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 1C is the manufacture of the semiconductor device 1B of the third embodiment except that the first metal film forming step is further included after the first protective layer forming step and before the second protective layer forming step. Do the same as the method.
  • a metal film is formed on the exposed surface of the semiconductor substrate on which the dielectric film, the first electrode layer and the first protective layer are formed by using a sputtering method or a vacuum vapor deposition method, and then a photo
  • the metal film may be patterned on the first metal film 60 by a lithography method and a dry etching method.
  • FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view schematically showing a cross section of the semiconductor device 1D according to the fifth embodiment.
  • the fifth embodiment is a modification of the fourth embodiment, and is different from the fourth embodiment in that the first metal film is arranged. This different configuration will be described below.
  • the same reference numerals as those in the first to fourth embodiments have the same configurations as those in the first to fourth embodiments, and thus the description thereof will be omitted.
  • the first electrode layer 30 has an end portion 32 covered with the first protective layer 50B and a central portion 31.
  • the first metal film 60D is arranged on the first upper surface 53a of the first protective layer 50B. Further, the first metal film 60D is arranged so as to be exposed on the central portion 31 of the first electrode layer 30, and is electrically connected to the first electrode layer 30. Therefore, the first metal film 60D functions as an external connection electrode in addition to the function of suppressing dielectric breakdown of the dielectric film 20 described above.
  • the first metal film 60D continuously extends from the first upper surface 53a of one first protective layer 50B to the first upper surface 53a of the other first protective layer 50B, and the first protective layer 50B and the first one.
  • the central portion 31 of the electrode layer 30 is covered.
  • the first metal film 60D has a central portion 61D that covers the central portion 31 of the first electrode layer 30, and an end portion 62D that covers the first protective layer 50B.
  • the first metal film 60D covers the corner portion 55d of the first protective layer 50B.
  • the second protective layer 70D continuously covers the first protective layer 50B and the end portion 62D of the first metal film 60D from the side surface 64d of the first metal film 60D to the third side surface 54c of the first protective layer 50B. That is, the second protective layer 70D covers a part of the central portion 61D and the end portion 62D of the first metal film 60D, and the first protective layer 50B.
  • the first metal film 60D is arranged inside the boundary between the electrode layer arranging portion 21 of the dielectric film 20 and the protective layer covering portion 22 (in other words, on the central portion 31 side of the first electrode layer 30). Are separated).
  • the first metal film 60D covers the corner portion 55d of the first protective layer 50B and is arranged inside the boundary between the electrode layer arranging portion 21 and the protective layer covering portion 22 to reach the first protective layer 50B. Can effectively prevent the intrusion of moisture. Further, as a result, the creepage distance of the surface of the second protective layer 70D, more specifically, the exposed portion of the first metal film 60D (the portion of the central portion 61D not covered by the second protective layer 70D) and the semiconductor substrate. The distance (typically the shortest distance between them) of the surface of the second protective layer 70D to the exposed portion of 10 (the portion of the first main surface not covered by the second protective layer 70D) is increased. However, it is possible to effectively prevent the occurrence of creeping discharge on the surface of the protective layer.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 1D is the semiconductor device of the fourth embodiment, except that the pattern of the first metal film in the first metal film forming step and the pattern of the second protective layer in the second protective layer forming step are changed. The same as the manufacturing method of 1C.
  • FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view schematically showing a cross section of the semiconductor device 1E according to the sixth embodiment.
  • the sixth embodiment is a modification of the fifth embodiment, and is different from the fifth embodiment in that the first metal film 60E is arranged. This different configuration will be described below.
  • the same reference numerals as those in the first to fifth embodiments have the same configurations as those in the first to fifth embodiments, and thus the description thereof will be omitted.
  • the third outer peripheral end (third side surface 54c) of the first protective layer 50B is covered with the second protective layer 70E.
  • the first metal film 60E continuously covers the central portion 31 of the first electrode layer 30 and the first protective layer 50B other than the third outer peripheral end. That is, in the cross section shown, the first metal film 60E continuously covers from the third upper surface 53c of one first protective layer 50B to the third upper surface 53c of the other first protective layer 50B.
  • the thickness of the first protective layer 50B is equal to or larger than the thickness of the electrode layer arranging portion 21 of the dielectric film 20.
  • the first protective layer 50B functions as a stress relaxation layer and suppresses peeling and cracking of the second protective layer 70E due to stress. Therefore, it is possible to further prevent moisture from entering the dielectric film 20 through the cracks, and further suppress a decrease in the dielectric breakdown strength of the dielectric film 20.
  • the first metal film 60E is arranged between the first protective layer 50B and the second protective layer 70E, and continuously covers the first protective layer 50B other than the third outer peripheral end of the first protective layer 50B. ..
  • the first protective layer 50B is doubly covered with a first metal film 60E and a second protective layer 70E having relatively high moisture resistance. Therefore, it is possible to prevent moisture from infiltrating into the first protective layer 50B and further infiltrating into the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20, further suppressing a decrease in the dielectric breakdown strength of the dielectric film 20.
  • the first metal film 60E continuously covers the first protective layer 50B except for the third outer peripheral end of the first protective layer 50B. Therefore, even if a crack occurs in the second protective layer 70B, it is possible to prevent moisture from entering the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20.
  • the fifth outer peripheral end (corresponding to the side surface 642) of the first metal film 60E is arranged so as to be separated from the first main surface 11. Therefore, the fifth outer peripheral end of the first metal film 60E and the first main surface 11 are not electrically connected. That is, the first electrode layer 30 and the semiconductor substrate 10 are electrically insulated from each other.
  • the second protective layer 70E continuously covers the first protective layer 50B and the first metal film 60E from the side surface 642 of the first metal film 60E to the third side surface 54c of the first protective layer 50B.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 1E is the semiconductor device of the fifth embodiment, except that the pattern of the first metal film in the first metal film forming step and the pattern of the second protective layer in the second protective layer forming step are changed. The same as the 1D manufacturing method.
  • FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view schematically showing a cross section of the semiconductor device 1F according to the seventh embodiment.
  • the seventh embodiment is a modification of the fifth embodiment, and is different from the fifth embodiment in that the first metal film 60F is arranged and the second metal film 63 is further provided. This different configuration will be described below.
  • the same reference numerals as those in the first to fifth embodiments have the same configurations as those in the first to fifth embodiments, and thus the description thereof will be omitted.
  • the semiconductor device 1F according to the seventh embodiment further includes a second metal film 63.
  • the second metal film 63 covers the third outer peripheral end (corresponding to the third side surface 54c) of the first protective layer 50B, and is separated from the first metal film 60F by the opening 64.
  • the opening 64 is arranged so that the second upper surface 53b of the first protective layer 50B comes into contact with the second protective layer 70F. That is, the first metal film 60F and the second metal film 63 are protected first except for the opening 64 so as to cover the first to fourth corner portions 55a, 55b, 55c, 55d of the first protective layer 50B.
  • Layer 50B is continuously coated.
  • first metal film 60F, the second metal film 63, and the first protective layer 50B are covered with the second protective layer 70F.
  • first protective layer 50B is doubly covered with the first metal film 60F, the second metal film 63, and the second protective layer 70F having relatively high moisture resistance. Therefore, even if water infiltrates through the second protective layer 70F, it is prevented from infiltrating into the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20, and dielectric breakdown of the dielectric film 20 can be further suppressed.
  • this embodiment is different from the sixth embodiment in which the first metal film 60E is continuously covered except for the third outer peripheral end of the first protective layer 50B, and the third outer peripheral end of the first protective layer 50B is covered. are doing. Therefore, for example, peeling of the first protective layer 50B at the third outer peripheral end can be effectively prevented.
  • the second metal film 63 is separated from the first metal film 60F by the opening 64. Therefore, the second metal film 63 is not electrically connected to the first metal film 60F. That is, the first electrode layer 30 and the semiconductor substrate 10 are electrically insulated from each other.
  • the opening 64 is provided on the second upper surface 53b of the first protective layer 50B, but is not limited thereto.
  • the opening 64 may be provided on the first upper surface 53a and / or the third upper surface 53c of the first protective layer 50B.
  • the opening 64 is provided on the first to third upper surfaces 53a, 53b, 53c, and the first metal film 60F and the second metal film 63 are the first to fourth corner portions of the first protective layer 50B. All of 55a, 55b, 55c and 55d are covered.
  • the opening 64 is arranged inside the first outer peripheral end 26a of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20 (on the electrode layer arranging portion 21 side of the dielectric film 20) when the semiconductor device 1F is viewed from the Z direction. Has been done.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 1F is the semiconductor device 1D of the fifth embodiment, except that the pattern of the first metal film in the first metal film forming step and the pattern of the second protective layer in the second protective layer forming step are changed. The same as the manufacturing method of.
  • the second metal film 63 can form the second metal film 63 at the same time as the first metal film 60F in the first metal film forming step.
  • FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view schematically showing a cross section of the semiconductor device 1G according to the eighth embodiment.
  • the eighth embodiment is a modification of the fifth embodiment, and is different from the fifth embodiment in that the diffusion prevention film 100 is further provided. This different configuration will be described below.
  • the same reference numerals as those in the first to fifth embodiments have the same configurations as those in the first to fifth embodiments, and thus the description thereof will be omitted.
  • the diffusion prevention film 100 is arranged between the first electrode layer 30 and the first metal film 60G. Since the first electrode layer 30 and the first metal film 60G do not come into contact with each other, it is possible to prevent the components constituting the first electrode layer 30 from diffusing into the first metal film 60G. As a result, the semiconductor device 1G can operate stably.
  • the first electrode layer 30 is made of polysilicon
  • the first metal film 60G is made of Al
  • the diffusion prevention film 100 is made of an Al—Si based alloy
  • the diffusion prevention film 100 constitutes the first electrode layer 30. Polysilicon, which is a component of the material, is prevented from diffusing into the first metal film 60G.
  • the diffusion prevention film 100 is arranged in a part of the first electrode layer 30.
  • the first protective layer 50G extends from the end 101 of the diffusion prevention film 100 to the first outer peripheral end 26a of the protective layer covering portion 22 of the dielectric film 20, and is one of the end 101 of the diffusion prevention film 100 and the first electrode layer 30.
  • the part and the protective layer covering part 22 are continuously covered.
  • the first metal film 60G covers the inner peripheral end (corresponding to the fifth side surface 54e) of the first protective layer 50G and the central portion 102 of the diffusion prevention film 100.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 1G is the same as the method for manufacturing the semiconductor device 1D according to the fifth embodiment, except that the step for forming the diffusion prevention film is further included after the step for forming the first electrode layer and before the step for forming the first protective layer. Do the same.
  • the diffusion prevention film 100 is formed in the central portion 31 of the first electrode layer 30.
  • the diffusion prevention film 100 is formed on the semiconductor substrate 10 on which the first electrode layer 30 is arranged, and the diffusion prevention film 100 is patterned.
  • a diffusion prevention film of an Al—Si alloy is used so that the thickness of the semiconductor substrate 10 on which the first electrode layer 30 is arranged is 0.1 to 3 ⁇ m by using a sputtering or a vapor deposition method.
  • Form 100 is patterned by a photolithography method and a dry etching method.
  • First protective layer forming step In the first protective layer forming step, the first protective layer 50G that continuously covers the end portion 101 of the diffusion prevention film 100, a part of the first electrode layer 30, and the protective layer covering portion 22 is formed.
  • First metal film forming step In the first metal film forming step, the first metal film 60G that covers the inner peripheral end (corresponding to the fifth side surface 54e) of the first protective layer 50G and the central portion 102 of the diffusion prevention film 100 is formed.
  • FIG. 11 is a diagram schematically showing a cross section of the semiconductor device 1H according to the ninth embodiment.
  • the ninth embodiment is a modification of the fourth embodiment and differs from the fourth embodiment in that it has a trench structure (groove structure). This different configuration will be described below.
  • the same reference numerals as those in the first to fourth embodiments have the same configuration as those in the fourth embodiment, and thus the description thereof will be omitted.
  • the semiconductor substrate 10H has a trench 13 on the first main surface 11H in which the electrode layer arrangement portion 21H of the dielectric film 20H is arranged. ..
  • the electrode layer arranging portion 21H of the dielectric film 20H is arranged on the first main surface 11H including the inner surface of the trench 13 so as to cover the inner surface of the trench 13 to form the recess 25.
  • the first electrode layer 30H has an entry portion 36 that penetrates into the recess 25.
  • the semiconductor device 1H Since the semiconductor device 1H has the trench structure 14, the area of the interface composed of the dielectric film 20H and the first electrode layer 30H is increased as compared with the semiconductor device without the trench structure 14. As a result, the semiconductor device 1H can increase the electric capacity.
  • the electrode layer arrangement portion 21H of the dielectric film 20H has a recess 25 that covers the inner surface of the trench 13.
  • the first electrode layer 30H has a flat surface portion 35 and an insertion portion 36.
  • the insertion portion 36 extends from the flat surface portion 35 in the reverse Z direction and fills the recess 25.
  • the first electrode layer 30H has a comb shape.
  • the shape of the insertion portion 36 (cross-sectional shape in the ZX plane) is a rectangular shape extending in the reverse Z direction.
  • the shape of the insertion portion 36 (cross-sectional shape in the XY plane) is, for example, a polygon (more specifically, a quadrangle, a pentagon, a hexagon, etc.), and a circle.
  • the shape of the insertion portion 36 (cross-sectional shape in the ZX plane) is such that the lower end portion has a bottom surface.
  • the shape of the bottom surface is, for example, a polygon (more specifically, a quadrangle, a pentagon, a hexagon), a circle, or the like.
  • the shape of the insertion portion 36 (cross-sectional shape in the ZX plane) is not limited to a shape in which the lower end portion has a bottom surface, and may be, for example, a semicircular arc shape.
  • the insertion portion 36 can have a taper (inclination) on its side surface (inner surface). That is, the insertion portion 36 may have a shape in which the width (length in the X direction) increases or decreases from the lower end portion thereof toward the first main surface 11H.
  • the recess 25 can also be tapered on the outer and inner surfaces of its side surface.
  • the recess 25 and the insertion portion 36 are arranged along the X direction.
  • the recess 25 and the insertion portion 36 may be arranged in a matrix, for example, when the cross section including the recess 25 and the insertion portion 36 (cross section in the XY plane) is viewed from the direction perpendicular to the first main surface 11H. Good.
  • the density of the recess 25 and the insertion portion 36 (the number of trenches 13 per unit area of the first main surface 11H) is, for example, about 15,000 / mm 2.
  • FIG. 12 is an enlarged view of part B of FIG.
  • the length D of the recess 25 is, for example, 10 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the width W2 of the recess 25 in the X direction is, for example, about 5 ⁇ m.
  • the aspect ratio of the outer shape of the recess 25 (the ratio of the length D in the Z direction to the width W2 in the X direction) is, for example, 2 to 10.
  • the distance W3 in the X direction between the recesses 25 is, for example, 3 ⁇ m.
  • the distance W1 from the first outer peripheral end 26 of the dielectric film 20H to the end of the trench structure 14 is, for example, 50 to 200 ⁇ m.
  • the thickness of the dielectric film 20H refers to the thickness of the dielectric film 20H covering the first main surface 11H in which the trench 13 is not formed in the Z direction.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 1H further includes a trench forming step before the dielectric film forming step in the method for manufacturing the semiconductor device 1. That is, the manufacturing method of the semiconductor device 1H is A trench forming step of forming a trench 13 on the first main surface 11H of the semiconductor substrate 10H, and A dielectric film 20H (more specifically, a precursor of the dielectric film 20H described above with reference to FIGS. 11 to 12) is formed on the first main surface 11H so as to cover the inner surface of the trench 13 to form the recess 25. A dielectric film forming step of forming an electrode layer arranging portion 21H and a portion that will later become a protective layer covering portion 22).
  • the first electrode layer 30H is formed on the dielectric film 20H so as to form the insertion portion 36 that has entered the recess 25, and a part of the dielectric film 20H is removed to form the protective layer covering portion 22 (thin film region).
  • the first electrode layer forming step of forming (this forms a dielectric film 20H having an electrode layer arranging portion 21H and a protective layer covering portion 22),
  • the method for manufacturing the semiconductor device 1H can further include a dicing step of dicing the structure (mother aggregate) having the plurality of semiconductor device structures obtained above.
  • FIGS. 13A to 13G are diagrams for explaining a method of manufacturing the semiconductor device 1H.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 1H includes a trench forming step, a dielectric film forming step, a first electrode layer forming step, a first protective layer forming step, a first metal film forming step, and a second protective layer forming step. And a second electrode layer forming step and a dicing step.
  • a mother-integrated body in which the semiconductor devices 1H are integrated is produced from the trench forming step to the second electrode layer forming step, but for convenience of explanation, the manufacturing method will be described by focusing on one semiconductor device 1H.
  • the trench 13 is formed on the first main surface 11H of the semiconductor substrate 10H.
  • a silicon substrate is prepared as the semiconductor substrate 10H.
  • deep etching deep etching
  • the Bosch process so that the distance W2 between the adjacent trenches 13 is 3 ⁇ m and the depth of the trench 13 is 5 ⁇ m.
  • Perform digging RIE reactive ion etching
  • a flattening step may be included after the trench forming step.
  • CMP Chemical Mechanical Polishing
  • the flattening step for example, CMP (Chemical Mechanical Polishing) is used to flatten the first main surface 11H of the semiconductor substrate 10H in which the trench 13 is formed.
  • CMP Chemical Mechanical Polishing
  • the dielectric film 20H is formed on the first main surface 11H so as to cover the inner surface of the trench 13 to form the recess 25.
  • the dielectric film 20H is formed on the first main surface 11H of the semiconductor substrate 10H, and the dielectric film 20H is patterned.
  • a dielectric film 20H of SiO 2 is formed on the first main surface 11H of the semiconductor substrate 10H so as to have a thickness of 0.1 to 3 ⁇ m. As a result, the dielectric film 20H in which the inner surface of the trench 13 is covered and the recess 25 is formed is formed.
  • the dielectric formed on the first main surface 11H of the semiconductor substrate 10H by the same method as the photolithography method and the dry etching method described in the dielectric film forming step of the method for manufacturing the semiconductor device 1 of the first embodiment.
  • the membrane 20H is patterned.
  • the dielectric film 20H having a predetermined pattern more specifically, a precursor of the dielectric film 20H described above with reference to FIGS. 11 to 12, the electrode layer arranging portion 21H, and later the protective layer coating.
  • a portion (including a portion to be a portion 22) is formed on the first main surface 11H of the semiconductor substrate 10H.
  • the first electrode layer 30H is formed on the dielectric film 20H so as to form the insertion portion 36 that has entered the recess 25, and one of the dielectric films 20H. The portion is removed to form the protective layer covering portion 22 (thin film region).
  • the first electrode layer 30H is formed on the first main surface 11H of the semiconductor substrate 10H on which the dielectric film 20H is arranged, and the first electrode layer 30H is patterned.
  • the first electrode layer 30H is formed.
  • the first electrode layer 30H having the flat surface portion 35 and the insertion portion 36 extending in the reverse Z direction from the flat surface portion 35 is formed. That is, a trench structure is formed.
  • the first electrode layer 30H is patterned by a photolithography method and a dry etching method. In the patterning of the first electrode layer 30H, a part of the dielectric film 20H is also removed by overetching. As a result, the first electrode layer 30H having a predetermined pattern is formed, and the protective layer covering portion 22 (thin film region) of the dielectric film 20H is formed.
  • the semiconductor device 1H is manufactured by the first protective layer forming step to the dicing step, which are the same as the first protective layer forming step to the dicing step of the fourth embodiment.
  • the manufacturing conditions in the first to ninth embodiments are such that the step at the first outer peripheral edge of the protective layer coating portion of the dielectric film in the semiconductor device is smaller than the thickness of the electrode layer arrangement portion of the dielectric film.
  • the production conditions are not limited.
  • the present disclosure is not limited to the first to ninth embodiments, and can be implemented in various aspects as long as the gist of the present disclosure is not changed. Further, the configurations shown in the first to ninth embodiments are merely examples and are not particularly limited, and various modifications can be made without substantially deviating from the effects of the present disclosure. For example, the matters described in the first to ninth embodiments can be combined as appropriate.
  • the semiconductor device of the present invention has a capacitor structure by adding a second electrode layer, in other words, has a function as a capacitor.
  • the semiconductor device of the present invention can be widely used for various purposes, and can be mounted on various electronic circuit boards as an electronic component including a capacitor by utilizing, for example, a first electrode layer and a second electrode layer.

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Abstract

誘電体膜の絶縁破壊強度の低下（誘電体膜の耐電圧性の劣化）を抑制する半導体装置を提供する。半導体装置は、互いに対向する第１主面および第２主面を有する半導体基板と、第１主面の一部上に配置された誘電体膜と、誘電体膜の一部上に配置された第１電極層と、第１電極層の端部から誘電体膜の第１外周端にわたり連続的に被覆する保護層とを備える。誘電体膜は、第１電極層が配置されている電極層配置部と、保護層に被覆されている保護層被覆部とを有する。誘電体膜の保護層被覆部の第１外周端における厚みは、誘電体膜の電極層配置部の厚みに比べ小さい。保護層は、第１電極層の第２外周端と保護層被覆部の少なくとも一部とを連続的に被覆する第１保護層と、第１保護層上に配置された第２保護層とを有する。第１保護層は、第２保護層より低い比誘電率を有する。第２保護層は、第１保護層より高い耐湿性を有する。

Description

半導体装置
　本発明は、半導体装置に関する。
　従来、半導体装置におけるキャパシタ構造としては、特開２０１９－３３１５４号公報（特許文献１）に記載されたものがある。このキャパシタ構造は、基板の絶縁膜上に設けられている。キャパシタ構造は、絶縁膜上の一部に配置された第２電極層と、第２電極層を被覆する層間絶縁膜（誘電体膜）と、層間絶縁膜上の一部に配置された金属膜と、金属膜上に配置された第１電極層と、第１電極層の端部から絶縁膜にわたり連続的に被覆する保護絶縁膜（保護層）とを備える。
特開２０１９－３３１５４号公報
　近年、半導体装置に高電圧を印加する機会が増加するに伴い、半導体装置に対して、高耐電圧性（高い絶縁破壊強度）の要求が高まっている。しかしながら、このような高電圧下では、高い耐湿性と高い絶縁破壊強度を実現することは容易ではない。
　そこで、本開示の目的は、高い耐湿性と高い絶縁破壊強度を備えた半導体装置を提供することにある。
　本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果以下の知見を得た。まず、本発明者らは、高い耐湿性を得るために、半導体基板上の一部上に設けた誘電体膜上、該誘電体膜の中央部に第１電極層を形成し、第１電極層の外側に位置する該誘電体膜の厚さを薄くすることにより耐湿性を向上させることができることを確認した。しかしながら、第１電極層の外側に位置する該誘電体膜の厚さを薄くすると、例えば、第１電極層の第２外周端と、半導体基板の第１主面との間の耐電圧性が低下することが分かった。そこで、さらに検討を進めた結果、保護層を、比誘電率が低い（よって、高い絶縁破壊強度を示す）第１保護層と該第１保護層よりも耐湿性が高い第２保護層とにより構成することにより、高い耐湿性と高い絶縁破壊強度を両立できることがわかった。本開示に係る発明は、本発明者らが独自に得た上記知見に基づくものであり本開示は、以下の態様を含む。
　前記課題を解決するため、本開示の一態様である半導体装置は、
　互いに対向する第１主面および第２主面を有する半導体基板と、
　前記第１主面の一部上に配置された誘電体膜と、
　前記誘電体膜の一部上に配置された第１電極層と、
　前記第１電極層の端部から前記誘電体膜の第１外周端にわたり連続的に被覆する保護層と
を備え、
　前記誘電体膜は、前記第１電極層が配置されている電極層配置部と、前記保護層に被覆されている保護層被覆部とを有し、
　前記誘電体膜の前記保護層被覆部の前記第１外周端における厚みは、前記誘電体膜の前記電極層配置部の厚みに比べ小さく、
　前記保護層は、前記第１保護層の第２外周端と前記保護層被覆部の少なくとも一部とを連続的に被覆する第１保護層と、前記第１保護層上に配置された第２保護層とを有し、
　前記第１保護層は、前記第２保護層より低い比誘電率を有し、
　前記第２保護層は、前記第１保護層より高い耐湿性を有する。
　前記態様によれば、保護層は、第２保護層より低い比誘電率を有する第１保護層と、第１保護層上に配置され、第１保護層より高い耐湿性を有する第２保護層とを有する。このように、保護層は、異なる機能（高い絶縁破壊強度および耐湿性）を備える層を複数有する。これにより、半導体装置は耐湿性および耐電圧性を兼ね備える。より具体的に説明すると、誘電体膜の保護層被覆部の第１外周端における厚みは、誘電体膜の電極層配置部の厚みに比べ小さい。このように誘電体膜が、その保護層被覆部として、少なくとも第１外周端において比較的厚みの薄い薄膜領域を有することにより、誘電体膜の端部（保護層被覆部）上に配置される第２保護層の段部の段差を小さくすることができる。段部の段差を小さくすると、第２保護層の歪みが低下し、誘電体膜の端部周辺において第２保護層内に生じる内部応力を低下させることができる。その結果、誘電体膜の端部周辺における第２保護層においてクラックの発生を抑制することができる。よって、前記態様は、クラックを介して水分が誘電体膜へ浸入することを防止し、誘電体膜の耐電圧性の低下（絶縁破壊強度の低下）を抑制することができる。誘電体膜の保護層被覆部を薄膜領域とすることで、上述のように、クラックを起因とする誘電体膜の端部近傍の耐電圧性の低下が抑制される一方で、薄膜領域では誘電体膜の厚みが減少するため、第１電極層の第２外周端と半導体基板の第１主面との間の耐電圧性が低下することがあった。これに対して、第２保護層よりも比誘電率が低く、第１電極層の第２外周端を被覆する第１保護層が設けることにより、第１電極層の第２外周端と半導体基板の第１主面との間の耐電圧性の低下を抑制できる。さらに、低い比誘電率を有する保護層は比較的高い絶縁破壊強度を有し得、第１保護層が比較的低い比誘電率（比較的高い絶縁破壊強度）を有することにより、第１電極層の端部と半導体基板の第１主面との間の絶縁破壊を効果的に抑制でき、誘電体膜の絶縁破壊を抑制することができる。以上から、前記態様の半導体装置は、耐湿性および耐電圧性を兼ね備える。
　また、半導体装置の一態様では、
　前記第１保護層は、前記第１電極層の前記端部から前記保護層被覆部の少なくとも一部にわたり連続的に被覆する。
　前記態様によれば、第１保護層は、第１電極層の端部から誘電体膜の少なくとも一部にわたり連続的に被覆する。つまり、第１保護層は第２保護層よりも低い比誘電率を有し、第１保護層が第１電極層を被覆する面積が増加する。このため、第１電極層の端部と半導体基板の第１主面との間の誘電体膜の絶縁破壊をより効果的に抑制することができる。
　また、半導体装置の一態様では、
　前記第１保護層は、前記第１電極層の前記第２外周端から前記保護層被覆部の前記第１外周端にわたり連続的に被覆する。
　前記態様によれば、第１保護層は、第１電極層の第２外周端から保護層被覆部の第１外周端にわたり連続的に被覆し、第１保護層が第１電極層を被覆する面積を増加させる。このため、第１電極層の端部と半導体基板の第１主面との間の誘電体膜の絶縁破壊をより効果的に抑制することができる。
　また、半導体装置の一態様では、半導体装置は、前記第１保護層と前記第２保護層との間に配置され、前記第１保護層を被覆する第１金属膜をさらに備える。
　前記態様によれば、半導体装置は、第１金属膜をさらに備える。第１金属膜は、第１保護層と第２保護層との間に配置され、第１保護層を被覆する。第１金属膜は、金属からなるため、水分を通過させにくい。よって、第２保護層にクラックが生じた場合であっても、水分がクラックを介して誘電体膜に浸入することを防止する。したがって、前記態様は、第１電極層の端部と半導体基板の第１主面との間の誘電体膜の絶縁破壊をより効果的に抑制することができる。また、第１金属膜は、第１保護層と第２保護層との間に配置される。このため、保護層の表面の沿面距離が増加し、保護層表面での沿面放電の発生がより効果的に抑制される。
　また、半導体装置の一態様では、前記第１保護層は、前記第２保護層および前記第１金属膜で被覆されている。
　前記態様によれば、第１保護層は、第２保護層および第１金属膜で被覆されている。このため、第１保護層は、第１保護層の外面全域において、比較的高い耐湿性を有する第２保護層および第１金属膜により耐湿保護される。よって、前記態様は、外部の水分が第１保護層を介して誘電体膜に浸入することを防止し、誘電体膜の絶縁破壊をより効果的に抑制することができる。
　また、半導体装置の一態様では、
　前記第１保護層は、１以上の角部を含む段部を有し、
　前記第１金属膜は、少なくとも１つの前記角部を被覆する。
　前記態様によれば、第１保護層は１以上の角部を含む段部を有する。このため、該角部の周辺において、第２保護層内に内部応力が生じやすい。その結果、第２保護層にクラックが生じることがある。しかし、前記態様では、第１金属膜は、比較的高い耐湿性を有し、第１保護層の少なくとも１以上の角部を被覆するため、水分がクラックを介して誘電体膜に浸入することを防止する。よって、前記態様は、誘電体膜の絶縁破壊を抑制する。
　また、半導体装置の一態様では、
　前記第１金属膜は、前記電極層配置部と前記保護層被覆部とに跨るように配置される。
　前記態様によれば、第１金属膜が、電極層配置部と保護層被覆部とに跨るように配置されることにより、第１保護層への水分の侵入を効果的に防止することができる。
　また、半導体装置の別の一態様では、
　前記第１金属膜は、前記電極層配置部と前記保護層被覆部との境界よりも内側に配置されている。
　前記態様によれば、第１金属膜が、第１保護層の少なくとも１つの角部を被覆し、電極層配置部と保護層被覆部との境界よりも内側に配置されていることにより、第１保護層への水分侵入を効果的に防止し、保護層表面での沿面放電の発生を効果的に防止することができる。
　また、半導体装置の一態様では、
　前記第１電極層は、前記第１保護層に被覆されている前記端部と、中央部とを有し、
　前記第１金属膜は、前記第１電極層と電気的に接続し、さらに前記第１電極層の前記中央部上に露出している。
　前記態様によれば、第１金属膜は、さらに第１電極層の中央部上に配置される。このため、第１金属膜は、第１保護層を耐湿保護して上記の誘電体膜の絶縁破壊を抑制する。また、第１金属膜は、第１電極層の中央部上に露出するように配置される。このため、第１金属膜は、誘電体膜の絶縁破壊を抑制するとの機能に加え、外部接続電極としても機能する。
　また、半導体装置の一態様によれば、
　前記第１保護層の第３外周端は、前記第２保護層で被覆され、
　前記第１金属膜は、前記第３外周端以外の前記第１保護層を連続的に被覆し、
　前記第１保護層の厚みは、前記誘電体膜の前記電極層配置部の厚みと同じかそれより大きい。
　前記態様によれば、第１保護層の厚みは、誘電体膜の電極層配置部の厚みと同じかそれより大きい。かかる場合、第１保護層が応力緩和層として機能して、応力に起因する第２保護層の剥離やクラックの発生を抑制する。よって、前記態様は、クラックを介して水分が誘電体膜内に浸入することを一層防止し、誘電体膜の絶縁破壊強度の低下を一層抑制することができる。また、第１金属膜は、第１保護層と第２保護層との間に配置され、第２外周端以外の第１保護層を連続的に被覆する。第１保護層は、比較的高い耐湿性を有する第１金属膜および第２保護層で二重に覆われている。よって、水分が第１保護層に浸入してさらに誘電体膜の保護層被覆部に浸入することが防止される。前記態様では、誘電体膜の絶縁破壊強度の低下をさらに抑制することができる。さらに、第１金属膜は、第１保護層と第２保護層との間に配置されるため、保護層の表面の沿面距離が増加し、保護層表面での沿面放電が抑制される。
　また、半導体装置の一態様によれば、
　半導体装置は、第２金属膜をさらに備え、
　前記第２金属膜は、前記第１保護層の第３外周端を被覆し、開口部により前記第１金属膜から離間している。
　前記態様によれば、第１保護層の第３外周端を被覆し、開口部により第１金属膜と離間している第２金属膜をさらに備える。つまり、第１，第２金属膜は、開口部を除き、第１保護層を連続的に被覆する。さらに、第１，第２金属膜および第１保護層を第２保護層が被覆する。このように、第１保護層は、比較的高い耐湿性を有する第１，第２金属膜および第２保護層で二重に覆われている。よって、水分が第１保護層に浸入してさらに誘電体膜の保護層被覆部に浸入することが防止される。前記態様は、誘電体膜の絶縁破壊をさらに抑制することができる。また、前記態様は、第１保護層の第３外周端を除き第１金属膜で連続的に被覆する場合に比べ、例えば、第１保護層の第３外周端における剥がれを効果的に防止することができる。
　また、半導体装置の一態様によれば、
　半導体装置は、前記第１電極層と、前記第１金属膜との間に配置された拡散防止膜をさらに備える。
　前記態様によれば、拡散防止膜が第１電極層と第１金属膜との間に配置される。つまり、第１電極層と第１金属膜とが接触しないため、第１電極層を構成する成分が第１金属膜に拡散することを防止できる。これにより、半導体装置が安定して動作し得る。
　また、半導体装置の一態様によれば、
　前記第１電極層は、ポリシリコンからなり、
　前記拡散防止膜は、Ａｌ－Ｓｉ系合金からなり、
　前記第１金属膜は、Ａｌからなる。
　前記態様によれば、第１電極層を構成するポリシリコン（より詳細には、ポリシリコンのＳｉ）が第１金属膜を構成するＡｌに拡散することを防止する。これにより、半導体装置が安定して動作し得る。
　また、半導体装置の一態様では、
　前記半導体基板の電気抵抗率は、０．００１Ωｃｍ以上１００Ωｃｍ以下である。
　前記態様によれば、半導体基板が抵抗として機能するＣＲ素子を作製することができる。
　また、半導体装置の一態様では、
　前記第１保護層は、酸化物であり、
　前記第２保護層は、窒化物である。
　前記態様によれば、第１保護層は酸化物であり、第２保護層は窒化物である。このため、第１保護層は比較的高い絶縁破壊強度を有し、第２保護層は、比較的高い耐湿性を有する。よって、前記態様は、優れた絶縁破壊強度および優れた耐湿性を兼ね備える。
　また、半導体装置の一態様では、
　前記第１保護層は、半導体基板の主成分の酸化物からなり、
　前記第２保護層は、半導体基板の主成分の窒化物からなる。
　前記態様によれば、第１，第２保護層は、それぞれ半導体基板の主成分の酸化物および窒化物からなる。このため、第１保護層および第２保護層と半導体基板の第１主面との間の密着性が向上する。
　また、半導体装置の一態様では、
　前記半導体基板は、前記誘電体膜の前記電極層配置部が配置された前記第１主面にトレンチを有し、
　前記誘電体膜の前記電極層配置部は、前記トレンチの内面を被覆して凹部を形成するように前記第１主面に連続的に配置され、
　前記第１電極層は、前記凹部に入り込む入込部を有する。
　半導体装置は、トレンチ構造を有するため、トレンチ構造を有しない半導体装置に比べ、誘電体膜と第１電極層との間の界面の面積が増加する。その結果、半導体装置の電気容量を増加させることができる。
　本開示の一態様によれば、高い耐湿性と高い絶縁破壊強度を備えた半導体装置を提供することができる。
半導体装置の第１実施形態を示す断面図である。 図１のＡ部拡大図である。 半導体装置の製造方法について説明する説明図である。 半導体装置の製造方法について説明する説明図である。 半導体装置の製造方法について説明する説明図である。 半導体装置の製造方法について説明する説明図である。 半導体装置の製造方法について説明する説明図である。 半導体装置の製造方法について説明する説明図である。 半導体装置の第２実施形態を示す部分拡大断面図である。 半導体装置の第３実施形態を示す部分拡大断面図である。 半導体装置の第４実施形態を示す部分拡大断面図である。 半導体装置の第５実施形態を示す部分拡大断面図である。 半導体装置の第６実施形態を示す部分拡大断面図である。 半導体装置の第７実施形態を示す部分拡大断面図である。 半導体装置の第８実施形態を示す部分拡大断面図である。 半導体装置の第９実施形態を示す断面図である。 図１１のＢ部拡大図である。 半導体装置の製造方法について説明する説明図である。 半導体装置の製造方法について説明する説明図である。 半導体装置の製造方法について説明する説明図である。 半導体装置の製造方法について説明する説明図である。 半導体装置の製造方法について説明する説明図である。 半導体装置の製造方法について説明する説明図である。 半導体装置の製造方法について説明する説明図である。
　以下、本開示の一態様である半導体装置を図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、図面は一部模式的なものを含み、実際の寸法や比率を反映していない場合がある。また、半導体装置内の構成要素の寸法（より具体的には、厚み、長さおよび幅等）は、走査型電子顕微鏡にて撮影したＳＥＭ画像に基づいて測定した。
＜第１実施形態＞
［構成］
　図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置の断面を模式的に示した図である。図２は、図１のＡ部拡大図である。図１および図２に示すように、半導体装置１は、互いに対向する第１主面１１および第２主面１２を有する半導体基板１０と、第１主面１１の一部上に配置された誘電体膜２０と、誘電体膜２０の（第１主面１１と反対側の）一部上に配置された第１電極層３０と、第１電極層３０の端部３２から誘電体膜２０の第１外周端２６ａにわたり連続的に被覆する保護層９０とを備える。誘電体膜２０は、第１電極層３０が配置されている電極層配置部２１と、保護層９０に被覆されている保護層被覆部２２とを有する。
　なお、図中、半導体装置１の厚みに平行な方向をＺ方向とし、順Ｚ方向を上側、逆Ｚ方向を下側とする。半導体装置１のＺ方向に直交する平面において、図が記載された紙面に平行な方向をＸ方向とし、図が記載された紙面に直交する方向をＹ方向とする。Ｘ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、互いに直交する。
　本明細書において、保護層被覆部２２の第１外周端２６ａとは、Ｚ方向から保護層被覆部２２を見た場合の保護層被覆部２２の外周の端をいう。また、後述する第１電極層３０の第２外周端３３とは、Ｚ方向から第１電極層３０を見た場合の第１電極層３０の外周の端をいう。
　保護層９０は、第１電極層３０の第２外周端３３と保護層被覆部２２の少なくとも一部を被覆する第１保護層５０と、第１保護層５０上に配置された第２保護層７０とを有する。第１保護層５０は、第２保護層７０よりも低い比誘電率を有する。一般的に低い比誘電率を有する保護層は比較的高い絶縁破壊強度を有する。第２保護層７０は、第１保護層５０よりも高い耐湿性を有する。つまり、保護層９０は、比較的高い絶縁破壊強度（耐電圧性、電気絶縁性）を有する第１保護層５０と、比較的高い耐湿性を有する第２保護層７０とを有する。このように、保護層９０は、異なる機能（絶縁破壊強度および耐湿性）を備える層を複数有する。これにより、保護層９０は、層ごとに機能を分離して有するため、保護層９０は、高電圧下であっても絶縁破壊強度および耐湿性を兼ね備える。他方、本発明とは異なり、保護層が単層からなる場合、高電圧下において保護層が絶縁破壊強度および耐湿性をいずれも十分に満足することは困難である。保護層が単層からなる場合、保護層は単一（１種）の材質からなり、絶縁破壊強度および耐湿性はトレードオフの関係にあり得る。１種の材質では、絶縁破壊強度および耐湿性のいずれかに優れる材質はあるものの、両性質を十分に満足できないからである。
　また、誘電体膜２０の保護層被覆部２２の第１外周端２６ａにおける厚みは、誘電体膜２０の電極層配置部２１の厚みに比べ小さい。つまり、誘電体膜２０の保護層被覆部２２は、電極層配置部２１に比べて、少なくとも第１外周端２６ａにおいて厚みの薄い薄膜領域として理解される。ここで、保護層９０の下に配置された誘電体膜２０の表面形状により、その上に積層される保護層９０の表面形状が決定され得る。このため、誘電体膜２０の保護層被覆部２２を薄膜領域にすることにより、保護層被覆部の厚みを電極層配置部の厚みと同じにした場合に比べ、誘電体膜２０の第１外周端２６ａに対応する、第２保護層７０の段部７１の段差（より詳細には、後述する第２側面７４ｂの長さＬｂ）を小さくする。その結果、誘電体膜２０の第１外周端２６ａに対応する、第２保護層７０の段部７１の角部（より詳細には、後述する第２角部７５ｂ）付近において、クラックの発生を抑制することができる。
　より具体的には、誘電体膜２０の保護層被覆部２２の第１外周端２６ａにおけるの厚みＴｂは、誘電体膜２０の電極層配置部２１の厚みＴａ（保護層被覆部２２を薄膜領域にしない場合、より詳細には、誘電体膜２０の保護層被覆部２２の厚みを電極層配置部２１の厚みと同じにした場合での、保護層被覆部２２の第１外周端２６ａにおける厚みとして理解され得る）に比べ、ΔＴ（＝Ｔａ－Ｔｂ）小さい。つまり、保護層被覆部２２は、薄膜領域にしない場合に比べ、少なくとも第１外周端２６ａにおいてΔＴ低い上面２４を有する。
　第２保護層７０の表面形状は、第２保護層７０の下層の誘電体膜２０の保護層被覆部２２の表面形状により決定され得るため、誘電体膜２０の保護層被覆部２２の表面形状に対応し、これと略同一となる。このため、第２保護層７０の第２上面７３ｂは、誘電体膜２０の保護層被覆部２２を薄膜領域にしない場合に比べ、少なくとも第１外周端２６ａにおいてΔＴ低い。
　つまり、第２保護層７０の第２側面７４ｂの長さＬｂは上記Ｔｂに対応し、誘電体膜２０の保護層被覆部２２を薄膜領域にしない場合の第２側面７４ｂの長さＬａは上記Ｔａに対応し、よってＬｂはＬａに比べ、ΔＴ短い（なお、図２においては、Ｌａが第１電極層３０の厚みと同じである場合、換言すれば、電極層配置部２１の厚みが第１電極層３０の厚みと同じである場合を示しているが、本実施形態はこれに限定されない）。第２上面７３ｂと、第２上面７３ｂから１段下がった第３上面７３ｃとの間の第２側面７４ｂとして理解される第２段差は、誘電体膜２０の保護層被覆部２２全体を薄膜領域にしない場合に比べ、小さくなる。その結果、第２保護層７０の段部７１において第２段差の割合が減少する。段部７１における第２段差の割合が減少したことにより、保護層被覆部２２の角部２７に対応する第２角部７５ｂ周辺において、第２保護層７０内に生じる内部応力が減少する。
　これにより、第２保護層７０の第２上面７３ｂと第２側面７４ｂとから構成される第２角部７５ｂ周辺の第２保護層７０で、第２側面７４ｂの長さＬｂを短くしたことにより、第２角部７５ｂ周辺にて第２保護層７０内に生じる内部応力が低減される。これにより、第２角部７５ｂ周辺の第２保護層７０でクラックの発生が抑制される。また、角部２７（第２角部７５ｂに対応する）周辺の第２保護層７０で、クラックの発生が抑制される。
　第２保護層７０において、クラックは段部７１で発生し、より詳細には、応力が集中し易い角部（図示する態様では第１角部７５ａ、第２角部７５ｂ、第３角部７５ｃ）付近において、代表的には角部を起点として、発生する傾向がある。第２保護層７０のこれらクラックのうち、誘電体膜２０の第１外周端２６ａに対応する角部（図示する態様では第２角部７５ｂ）付近に発生したクラックを介して、水分（より具体的には、大気中の水分）が誘電体膜２０に侵入し易いと考えられる。換言すれば、誘電体膜２０の第１外周端２６ａに対応する、第２保護層７０の段部７１の角部（第２角部７５ｂ）付近でのクラックの発生を抑制できれば、誘電体膜２０への水分の侵入を効果的に防止でき、ひいては、誘電体膜２０の耐圧劣化を効果的に抑制できる。
　本実施形態の半導体装置１によれば、上述のように、誘電体膜２０の第１外周端２６ａに対応する、第２保護層７０の段部７１の角部（第２角部７５ｂ）付近において、クラックの発生を抑制することができる。これにより、半導体装置１は、第２保護層７０のクラックを介して水分（より具体的には、大気中の水分）が誘電体膜２０へ浸入することが防止される。よって、本実施形態では、誘電体膜２０の絶縁破壊強度の低下（誘電体膜の耐電圧性の劣化）を抑制する。
　さらに、第１保護層５０は、第２保護層７０より低い比誘電率、ひいては、第２保護層７０より高い絶縁破壊強度を有し、第１電極層３０の第２外周端３３と保護層被覆部２２の少なくとも一部とを連続的に被覆する。このため、第１電極層３０の第２外周端３３と半導体基板１０の第１主面１１との間の絶縁破壊を抑制し、誘電体膜２０の絶縁破壊強度の低下を抑制することができる。
（半導体装置）
　半導体装置１は、上述のように、誘電体膜２０の絶縁破壊強度の低下を抑制できるため、１００Ｖ以上の高電圧（より具体的には、６００Ｖ以上のさらなる高電圧）を印加しても動作し得る。つまり、半導体装置１は、１００Ｖ以上の定格電圧、さらに６００Ｖ以上の定格電圧に耐え得る耐電圧性を有する。
　半導体装置１は、例えば、コンデンサである。半導体装置１は、例えば、高周波デジタル回路のデカップリングコンデンサ（バイパスコンデンサ）として用いられ、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジカメ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクス、医療用・産業用・通信用機械などの電子機器に用いられる。ただし、半導体装置１の用途はこれに限られず、例えば、フィルタ回路や整流平滑回路などにも用いることもできる。
　半導体装置１は、半導体基板１０の第２主面１２に配置された第２電極層４０をさらに備えていてよい。図示する態様では、外部接続電極として機能する第１電極層３０および第２電極層４０は、半導体基板１０を介して互いに対向して配置されている。なお、半導体装置１は、第１電極層３０および第２電極層４０にそれぞれ電気的に接続する外部接続電極をさらに備えてもよい。半導体装置１では、ワイヤまたははんだバンプによって、第１電極層３０および第２電極層４０（あるいは、存在する場合には外部接続電極）を図示しない回路基板の配線に電気的に接続することができる。
　しかしながら、第２電極層４０は、半導体基板１０と誘電体膜２０との間に配置されてもよい。このとき、外部接続電極として機能する第１電極層３０と、第２電極層４０に電気的に接続された外部接続電極とが同一ＸＹ平面上に互いに離間されて配置されてもよい。
（半導体基板）
　半導体基板１０は、互いに対向する第１主面１１と第２主面１２とを有する。半導体基板１０の断面形状は、図１に示すように、略矩形である。
　半導体基板１０の材質は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、ＳｉＣ、およびＧａＮのいずれかであり得る。半導体基板１０は、導電性を調整する等の目的で、不純物（ドーパント）をドーピングすることができる。電子を供給するドーパント（ドナー）は、例えば、１５族の元素（より具体的には、リン等）である。正孔を供給するドーパント（アクセプター）は、１３族の元素（より具体的には、ホウ素等）である。半導体基板１０は、ｎ型半導体基板、またはｐ型半導体基板であってもよい。半導体基板１０の電気抵抗率は、例えば、０．００１Ωｃｍ～１００Ωｃｍである。半導体基板１０の電気抵抗率が上記数値範囲内であると、半導体装置１により、半導体基板１０が抵抗として機能するＣＲ素子（コンデンサ－抵抗複合素子）を作製することができる。
　半導体基板１０の厚みは、例えば、１００μｍ～７００μｍである。
　なお、本明細書において、厚みは、Ｚ方向の長さをいう。
（誘電体膜）
　誘電体膜２０は、第１主面１１の一部上に配置されている。誘電体膜２０は、第１電極層３０が配置されている電極層配置部２１と、保護層９０（第２保護層７０及び第１保護層５０）に被覆されている保護層被覆部２２とを有する。
　誘電体膜２０の電極層配置部２１は、主として電気容量を調整する。誘電体膜２０の保護層被覆部２２は、主として半導体基板１０と、第１電極層３０との間の電気絶縁性を確保する。
　誘電体膜２０の材質は、例えば、Ｓｉ系物質（より具体的には、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）等）である。誘電体膜２０は、好ましくはシリコン酸化物からなる。誘電体膜２０がシリコン酸化物からなると、半導体装置１の電気容量を高めることができる。
　誘電体膜２０の保護層被覆部２２の第１外周端２６ａにおける厚みＴｂは、誘電体膜２０の電極層配置部２１の厚みＴａに比べ小さい。誘電体膜２０の電極層配置部２１の厚みＴａは、例えば、０．１μｍ～３μｍである。
　誘電体膜２０の保護層被覆部２２の断面形状は、図１および図２に示すように、例えば、略矩形であってよい。言い換えれば、図１および図２に示す構成では、誘電体膜２０は、保護層被覆部２２全体に薄膜領域を有する。しかしながら、本発明においては、保護層被覆部２２の第１外周端２６ａにおける厚さが電極層配置部２１の厚さより小さければよく、保護層被覆部２２は電極層配置部２１の側から第１外周端２６ａに向かって徐々に（例えば連続的または階段状に）薄くなるような断面形状であってもよい。より具体的には、電極層配置部２１の最小厚みは、保護層被覆部２２の最大厚み以上である。例えば、保護層被覆部２２の第１外周端２６ａにおける厚みは実質的に０であってよい。誘電体膜２０の保護層被覆部２２（薄膜領域）は、半導体装置１の製造方法で後述するように、例えば、オーバーエッチングにより形成される。誘電体膜２０の保護層被覆部２２の上面２４は、オーバーエッチングにより形成されると、オーバーエッチング以外の方法で形成された場合に比べ、粗くなる。このため、誘電体膜２０の保護層被覆部２２の上面２４は、保護層９０との接触面積が大きくなり、保護層９０との密着性が向上する。
　誘電体膜２０の保護層被覆部２２の幅（上面２４の長さ）は、例えば、３０μｍ以下である。誘電体膜２０の保護層被覆部２２の長さが３０μｍ以下であると、第１電極層３０の端面（第２外周端３３）と、第１主面１１との間の絶縁性が向上する。保護層被覆部２２の幅は、保護層被覆部２２の厚みよりも大きい。
（第１電極層）
　第１電極層３０は、第２電極層４０と電界を形成する。第１電極層３０は、誘電体膜２０の一部である電極層配置部２１上に配置される。第１電極層３０は、誘電体膜２０及び半導体基板１０を挟んで第２電極層４０と対向する。第１電極層３０は、保護層９０に被覆されている端部３２と、中央部３１とを有する。中央部３１は、保護層９０に被覆されておらず露出しているため、外部接続電極としても機能する。例えば、第１電極層３０は、ワイヤやはんだバンプによって回路基板に電気的に接続することができる。
　第１電極層３０の材質は、例えば、金属および他の導電性材料（より具体的には、導電性樹脂、およびポリシリコン等）である。金属は、例えば、Ｍｏ（モリブデン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ｗ（タングステン）、Ｐｔ（プラチナ）、およびＴｉ（チタン）等ならびにこれらの合金である。第１電極層３０は、これらの金属からなる層を複数有することができる。また、これらの金属の中でも、導電性および耐湿性を高める観点から、第１電極層３０の材質は、金属およびポリシリコンが好ましく、Ａｌおよびポリシリコンがより好ましい。すなわち、第１電極層３０は、ポリシリコンまたはＡｌからなることが好ましい。第１電極層３０の耐湿性を高めるとは、例えば、ポリシリコンまたはＡｌからなる第１電極層３０によって、水分が第１電極層３０を介して誘電体膜２０へ浸入することを防止し、絶縁強度の低下を抑制することを意味する。
（第２電極層）
　第２電極層４０は、半導体基板１０の第２主面１２に配置され得る。第２電極層４０は、その下面が露出しているため、外部接続電極としても機能する。例えば、第２電極層４０は、ワイヤやはんだバンプによって回路基板に電気的に接続することができる。第２電極層４０の材質は、例えば、金属および他の導電性材料（より具体的には、導電性樹脂、およびポリシリコン（多結晶シリコン）等）である。金属は、例えば、Ｍｏ（モリブデン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ｗ（タングステン）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｎｉ（ニッケル）およびＴｉ（チタン）等ならびにこれらの合金である。第２電極層４０は、多層金属膜であってもよい。多層金属膜は、これらの金属からなる層を複数有することができる。多層金属膜は、例えば、Ｔｉ層、Ｎｉ層およびＡｕ層からなる第２電極層である。なお、第２電極層４０は、半導体基板１０と誘電体膜２０との間に配置してもよい。
（保護層）
　保護層９０は、第１電極層３０の端部３２から誘電体膜２０の第１外周端２６ａにわたり連続的に被覆する。つまり、保護層９０は、第１電極層３０の端部３２から誘電体膜２０の第１外周端２６ａまでの範囲における第１電極層３０の端部３２及び誘電体膜２０の保護層被覆部２２と、半導体基板１０の第１主面１１の一部とを途切れることなく連続的に覆う。保護層９０は、第１保護層５０と、第１保護層５０上に配置された第２保護層７０とを有する。
（第１保護層）
　第１保護層５０は、第１電極層３０の第２外周端３３と、誘電体膜２０の第４外周端２６ｂと、誘電体膜２０の保護層被覆部２２の上面２４の一部とを途切れることなく連続的に覆っている。つまり、第１保護層５０は、第１電極層３０の第２外周端３３と、誘電体膜２０の保護層被覆部２２の少なくとも一部とを連続的に被覆する。このように、第１電極層３０の第２外周端３３と、誘電体膜２０の保護層被覆部２２の上面２４との間の空間に、比較的高い絶縁破壊強度を有する第１保護層５０を設けることにより、第１電極層３０の第２外周端３３と、半導体基板１０の第１主面１１との間の短絡等の放電を防止することができる。よって、本実施形態では、半導体装置１の絶縁破壊強度を向上する。
　第１保護層５０の厚みは、例えば、０．１μｍ～３μｍである。第１保護層５０の厚みが０．１μｍ～３μｍであると、半導体基板１０の第１主面１１と、第１電極層３０との間の放電の発生をさらに抑制でき、半導体装置１の絶縁破壊強度を向上する。第１保護層５０の厚みは、誘電体膜２０の電極層配置部２１の厚みと同じかそれより大きくすることができる。
　第１保護層５０は、第２保護層７０よりも低い比誘電率を有し、好ましくは誘電体膜２０と同じかそれより低い比誘電率を有する。比誘電率は、ＪＩＳ　Ｃ２１３８に準拠して測定可能である。比誘電率が低いほうが、絶縁破壊強度が高くなり得る。このような第１保護層５０の材質は、例えば、比誘電率の比較的低い材料である。これらの中でも、第１保護層５０の材質は、好ましくは酸化物であり、後述する半導体基板１０の主成分の酸化物（より具体的には、シリコン酸化物（ＳｉＯ２））である。つまり、第１保護層５０は、好ましくは比誘電率の比較的低い材料からなり、より好ましくは酸化物からなり、さらに好ましくは半導体基板１０の主成分の酸化物（より具体的には、シリコン酸化物（ＳｉＯ２））からなる。第１保護層５０が酸化物からなると、半導体装置１の絶縁破壊強度が向上する。
（第２保護層）
　第２保護層７０は、第１電極層３０の端部３２と、第１保護層５０の上面５３および側面５４と、誘電体膜２０の保護層被覆部２２の上面２４および第１外周端２６ａと、半導体基板１０の第１主面１１の一部とを途切れることなく連続的に覆っている。つまり、第２保護層７０は、第１電極層３０の端部３２から半導体基板１０の第１主面１１の一部にわたり連続的に被覆する。第２保護層７０は、主として保護層被覆部２２を保護する。第２保護層７０は、水分が保護層被覆部２２に浸入することを防止する。また、第２保護層７０は、第１電極層３０（または存在する場合には外部接続電極）の露出部と半導体基板１０（より詳細には第１主面１１）の露出部との間で沿面放電（および場合により空気放電）が発生することを抑制する。
　第２保護層７０は、上面７３（第１～第３上面７３ａ～７３ｃ）が階段状に低くなる段部７１を有する。第２保護層７０の段部７１は、上面７３および側面７４から角部７５を有して構成され、より詳細には、第１～第３上面７３ａ～７３ｃおよび第１～第３側面７４ａ～７４ｃの３つの対から第１～第３角部７５ａ～７５ｃを有して構成される。図示する態様では、段部７１は、第２保護層７０の表面にて、第１角部７５ａを形成する第１上面７３ａおよび第１側面７４ａと、第２角部７５ｂを形成する第２上面７３ｂおよび第２側面７４ｂと、第３角部７５ｃを形成する第３上面７３ｃおよび第３側面７４ｃとを有する。換言すれば、段部７１は、第１上面７３ａと第２上面７３ｂとの間の第１段差（第１側面７４ａに対応する）、第２上面７３ｂと第３上面７３ｃとの間の第２段差（第２側面７４ｂに対応する）、第３上面７３ｃと第１主面１１との間の第３段差（第３側面７４ｃに対応する）を有して、第２保護層７０の表面に階段状に順次下がって形成される。
　各段差につき、段差を構成する上面および側面、ならびに上面および側面により形成される角部の形状については、図示する態様（断面形状）に限定されない。存在する複数の上面は、互いに平行（断面においては平行な直線）であり得るが、これに限定されず、実際には、傾斜していたり、湾曲していたり、凹凸が存在していたりしてもよい。また、存在する複数の側面も、互いに平行であり得るが、これに限定されず、実際には、傾斜していたり、湾曲していたり、凹凸が存在していたりしてもよい。存在する任意の角部を形成する対を成す上面と側面とは、それぞれ略垂直（約９０°）で接続してもよく、略垂直（約９０°）以外の角度で接続してもよい。存在する複数の角部は、いずれも、略直角（約９０°）であり得るが、これに限定されず、実際には、丸みを帯びていたり、部分的に欠けていたりしてもよい。なお、本明細書において、「略垂直（約９０°）」および「略直角（約９０°）」は、９０°に限定されず、現実的なばらつきの範囲を考慮して、９０°付近の角度も含む。「略垂直（約９０°）以外の角度」は、現実的なばらつきの範囲を超える任意の適切な角度であり得る。
　第２保護層７０の厚みは、例えば、０．１μｍ～３μｍである。第２保護層７０の厚みが０．１μｍ～３μｍであると、第２保護層７０の耐湿性が向上し、水分が保護層被覆部２２に到達することをさらに防止する。ここで、第２保護層７０の厚みは、角部５５周辺の厚みではなく、例えば、第２保護層７０の第１上面７３ａと第１電極層３０の上面との間のＺ方向の長さ、第２保護層７０の第２上面７３ｂと誘電体膜２０の保護層被覆部２２の上面２４との間のＺ方向の長さ、および第２保護層７０の第３上面７３ｃと半導体基板１０の第１主面１１との間のＺ方向の長さである。第２保護層７０の厚みは、誘電体膜２０の電極層配置部２１の厚みと同じかそれより大きくすることができる。
　第２保護層７０は、第１保護層５０よりも高い耐湿性を有し、好ましくは誘電体膜２０よりも高い耐湿性を有する。耐湿性は、さまざまな測定方法が知られているが、第２保護層７０、第１保護層５０および誘電体膜２０を同一の測定方法により同一条件下で評価することにより、これらの耐湿性を相対的に評価することができる。第２保護層７０の材質は、第１保護層５０よりも耐湿性の高い材料から選択される。このような第２保護層７０の材質は、例えば、窒化物であり、好ましくは、後述する半導体基板１０の主成分の窒化物（より具体的には、シリコン窒化物（ＳｉＮ））である。つまり、第２保護層７０は、好ましくは窒化物からなり、より好ましくは半導体基板１０の主成分の窒化物（より具体的には、シリコン酸化物）からなる。第２保護層７０が窒化物からなると、誘電体膜２０は、半導体基板１０の第１主面１１上に設けられ、電極層配置部２１の上面が第１電極層３０で被覆され、保護層被覆部２２の一部が第１電極層３０の端部３２や第１保護層５０を介して間接的に第２保護層７０に被覆され、保護層被覆部２２の残りの一部が直接的に第２保護層７０に被覆されることにより、誘電体膜２０の外面が、誘電体膜２０よりも耐湿性の高い材料によって被覆される。これにより、誘電体膜２０に水分が浸入することが抑制されることにより、半導体装置１の耐湿性が向上する。
［半導体装置の製造方法］
　次に、半導体装置１の製造方法の一例について説明する。
　半導体装置１の製造方法は、
　半導体基板１０の第１主面１１上の一部に誘電体膜２０（より詳細には、図１～２を参照して上述した誘電体膜２０の前駆体であって、電極層配置部２１と、後に保護層被覆部２２となる部分とを含む）を形成する誘電体膜形成工程と、
　誘電体膜２０の一部上に第１電極層３０を形成し、誘電体膜２０の一部を除去して保護層被覆部２２（薄膜領域）を形成する（これにより、電極層配置部２１および保護層被覆部２２を有する誘電体膜２０が形成される）第１電極層形成工程と、
　第１電極層３０の第２外周端３３と、誘電体膜２０の第４外周端２６ｂとを連続的に被覆する第１保護層５０を形成する第１保護層形成工程と、
　第１電極層３０の端部３２から第１主面１１にわたり連続的に被覆する第２保護層７０を形成する第２保護層形成工程と、
　半導体基板１０の第２主面１２に第２電極層４０を形成する第２電極層形成工程と
を含む。
　半導体装置１の製造方法は、上記で得られた複数の半導体装置構造を有する構造体（マザー集積体）を、ダイシングにより個片化するダイシング工程をさらに含むことができる。
　具体的に、図３Ａ～図３Ｆを参照して、半導体装置１の製造方法の一例について説明する。図３Ａ～図３Ｆは、半導体装置１の製造方法を説明するための図である。半導体装置１の製造方法は、誘電体膜形成工程と、第１電極層形成工程と、第１保護層形成工程と、第２保護層形成工程と、第２電極層形成工程と、ダイシング工程とを含む。なお、誘電体膜形成工程から第２電極層形成工程までに半導体装置１が集積したマザー集積体を作製するが、説明の便宜上、１個の半導体装置１に着目して、製造方法を説明する。
（誘電体膜形成工程）
　誘電体膜形成工程では、図３Ａに示すように、半導体基板１０の第１主面１１の一部上に誘電体膜２０を形成する。誘電体膜形成工程では、例えば、半導体基板１０の第１主面１１上に誘電体膜２０を形成し、誘電体膜２０をパターンニングする。具体的には、半導体基板１０としてシリコン基板を準備する。化学気相成長法（ＣＶＤ法）を用いて、半導体基板１０の第１主面１１上に、厚みが０．１～３μｍとなるように、例えば、ＳｉＯ２の誘電体膜２０を形成する。
　次いで、フォトリソグラフィー法およびドライエッチング法により、半導体基板１０の第１主面１１上に形成された誘電体膜２０をパターンニングする。例えば、フォトリソグラフィー法では、液体レジストをスピンコートして、誘電体膜２０上にフォトレジスト膜を形成する。所定のパターンに対応するマスクを介してフォトレジスト膜を露光する。露光されたフォトレジスト膜を現像する。ドライエッチング法では、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いてフォトレジスト膜によって被覆されていない誘電体膜２０を選択的に除去する。その後、フォトレジスト膜を除去する。これにより、所定のパターンを有する誘電体膜２０（より詳細には、図１～２を参照して上述した誘電体膜２０の前駆体であって、電極層配置部２１と、後に保護層被覆部２２となる部分とを含む）が半導体基板１０の第１主面１１上に形成される。
（第１電極層形成工程）
　第１電極層形成工程では、図３Ｂおよび図３Ｃに示すように、誘電体膜２０上の一部に第１電極層３０を形成し、誘電体膜２０の一部を除去して保護層被覆部２２（薄膜領域）を形成する。第１電極層形成工程では、例えば、誘電体膜２０が配置された半導体基板１０の第１主面１１に第１電極層３０を形成し、第１電極層３０をパターンニングする。具体的には、図３Ｂに示すように、スパッタ法または真空蒸着法を用いて、誘電体膜２０が配置された半導体基板１０の第１主面１１に、厚みが０．１～３μｍとなるように、例えば、Ａｌの第１電極層３０を形成する。
　次いで、フォトリソグラフィー法およびドライエッチング法により、第１電極層３０をパターンニングする。具体的には、図３Ｂに示すように、マスク層（より具体的には、フォトレジスト層）８０を第１電極層３０にパターンニングして形成する。次いで、図３Ｃに示すように、第１電極層３０をパターンニングする。第１電極層３０のパターンニングでは、所望のパターンを構成しない不要な第１電極層３０を除去する。さらに、オーバーエッチングにより、誘電体膜２０の一部も除去する。次いで、マスク層８０を除去する。これにより、所定のパターンを有する第１電極層３０を形成し、誘電体膜２０の保護層被覆部２２（薄膜領域）を形成する。
　誘電体膜２０の保護層被覆部２２の上面２４は、エッチング処理により形成されるため、エッチング処理を行わない場合に比べ、粗くなる。上面２４が粗くなると、上面２４と、後の第１，第２保護層形成工程で形成される第１，第２保護層５０，７０との接触面積が大きくなり、誘電体膜２０の保護層被覆部２２と第１，第２保護層５０，７０との密着性が向上する。
（第１保護層形成工程）
　第１保護層形成工程では、図３Ｄに示すように、第１電極層３０の第２外周端３３と誘電体膜２０の第４外周端２６ｂとを連続的に被覆する第１保護層５０を形成する。具体的には、ＣＶＤ法を用いて、例えば、ＳｉО２の第１保護層５０を形成し、フォトリソグラフィー法およびドライエッチング法を用いてパターンニングする。以上のようにして第１保護層５０を形成する。また、第１保護層５０は、厚みが０．１～３μｍとなるように形成する。これにより、第１保護層５０が形成される。
（第２保護層形成工程）
　第２保護層形成工程では、図３Ｅに示すように、第１電極層３０の端部３２から半導体基板１０の第１主面１１にわたり連続的に被覆する第２保護層７０を形成する。具体的には、ＣＶＤ法を用いて、例えば、ＳｉＮの第２保護層７０を形成し、フォトリソグラフィー法およびウェットエッチング法を用いてパターンニングする。以上のようにして第２保護層７０を形成する。また、第２保護層７０は、厚みが０．１～３μｍとなるように形成する。これにより、第２保護層７０が形成される。
（第２電極層形成工程）
　第２電極層形成工程では、図３Ｆに示すように、半導体基板１０の第２主面１２に第２電極層４０を形成する。具体的には、第２電極層形成工程では、例えば、スパッタ法および真空蒸着法を用いて、半導体基板１０の第２主面１２に順にＴｉ層、Ｎｉ層およびＡｕ層を形成する。これにより、３層からなる多層金属膜が形成される。得られる多層金属膜は、半導体基板１０側から順にＴｉ層、Ｎｉ層、Ａｕ層と積層した３層の第２電極層４０を形成する。このようにしてマザー積層体を得る。第２電極層形成工程では、第２電極層４０を第２主面１２に形成する前に、第２主面１２をグラインドし、研削処理を施してもよい。
（ダイシング工程）
　ダイシング工程では、マザー積層体をダイシングにより個片化して半導体装置１を作製する。
＜第２実施形態＞
［構成］
　図４は、第２実施形態に係る半導体装置１Ａの断面を模式的に示した拡大断面図である。第２実施形態は、第１実施形態の変形例であって、第１保護層の配置箇所の点で第１実施形態と相違する。この相違する構成を以下で説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
　図４に示すように、第２実施形態に係る半導体装置１Ａでは、第１保護層５０Ａは、第１電極層３０の端部３２から誘電体膜２０の保護層被覆部２２の少なくとも一部にわたり連続的に被覆する。つまり、第１保護層５０Ａは、第１電極層３０の端部３２および第２外周端３３と、誘電体膜２０の第１外周端２６ａおよび上面２４の一部とを途切れることなく連続的に覆っている。このように、第１保護層５０Ａは、第１電極層３０の端部３２をさらに被覆する。つまり、第１保護層５０Ａは第２保護層７０Ａよりも低い比誘電率を有し、かつ、第１電極層３０と半導体基板１０との間の保護層９０の表面の沿面距離、より詳細には、第１電極層３０の露出部（第２保護層７０Ａで被覆されていない部分）と半導体基板１０の露出部（第２保護層７０Ａで被覆されていない、第１主面の部分）との間の第２保護層７０Ａ表面の距離（代表的には、これらの間の最短距離）が、第１保護層５０Ａが第１電極層３０の端部３２上に存在していることによって増加する。このため、沿面放電が抑制でき、第１電極層３０と半導体基板１０との間の耐電圧性を向上させることができる。
　第２保護層７０Ａは、第１電極層３０の端部３２から半導体基板１０の第１主面１１にわたり連続的に被覆する。より具体的には、第２保護層７０Ａは、第１電極層３０の端部３２と、第１保護層５０Ａの第２側面５４ｂ（内周端）、第１上面５３ａおよび第１側面５４ａと、誘電体膜２０の上面２４および第１外周端２６ａとを途切れることなく連続的に被覆する。
［半導体装置１Ａの製造方法］
　半導体装置１Ａの製造方法は、第１保護層形成工程における第１保護層のパターン、および所望により第２保護層形成工程における第２保護層のパターンを変更すること以外は、第１実施形態の半導体装置１の製造方法と同様にする。
＜第３実施形態＞
［構成］
　図５は、第３実施形態に係る半導体装置１Ｂの断面を模式的に示した拡大断面図である。第３実施形態は、第２実施形態の変形例であって、第１保護層の配置箇所の点で第２実施形態と相違する。この相違する構成を以下で説明する。なお、第３実施形態において、第１，２実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
　図５に示すように、第３実施形態に係る半導体装置１Ｂでは、第１保護層５０Ｂは、第１電極層３０の端部３２から誘電体膜２０の保護層被覆部２２の第１外周端２６ａにわたり連続的に被覆する。つまり、第１保護層５０Ｂは、第１電極層３０の端部３２および第２外周端３３と、誘電体膜２０の第４外周端２６ｂ、上面２４および第１外周端２６ａと、半導体基板１０の第１主面１１の一部とを途切れることなく連続的に覆っている。このように、第１保護層５０Ｂは、誘電体膜２０の保護層被覆部２２の第１外周端２６ａをさらに被覆し、第１保護層５０Ｂが第１電極層３０を被覆する面積を増加させる。このため、第１電極層３０の第２外周端３３と半導体基板１０の第１主面１１との間の絶縁破壊を一層抑制し、誘電体膜２０の絶縁破壊強度の低下を一層抑制することができる。
　第１保護層５０Ｂは、上面（第１～第３上面５３ａ～５３ｃ）が階段状に低くなる段部５１を有する。第１保護層５０Ｂの段部５１は、第１～第３上面５３ａ～５３ｃおよび第１～第３側面５４ａ～５４ｃの３つの対から第１～第３角部５５ａ～５５ｃを有し、第１上面５３ａと第４側面との１つの対から第４角部５５ｄを有して構成される。図示する態様では、段部５１は、第１保護層５０Ｂの表面にて、第１角部５５ａを形成する第１上面５３ａおよび第１側面５４ａと、第２角部５５ｂを形成する第２上面５３ｂおよび第２側面５４ｂと、第３角部５５ｃを形成する第３上面５３ｃおよび第３側面５４ｃと、第１上面５３ａの内側縁にて第４角部５５ｄを形成する第４側面（内周端）５４ｄとを有する。換言すれば、段部５１は、第１上面５３ａと第２上面５３ｂとの間の第１段差（第１側面５４ａに対応する）、第２上面５３ｂと第３上面５３ｃとの間の第２段差（第２側面５４ｂに対応する）、第３上面５３ｃと第１主面１１との間の第３段差（第３側面５４ｃに対応する）を有して、第１保護層５０Ｂの表面に階段状に順次下がって形成される。
　各段差につき、段差を構成する上面および側面、ならびに上面および側面により形成される角部の形状については、図示する態様（断面形状）に限定されず、実施形態１において段差について上述した説明が同様に当て嵌まり得る。
　第２保護層７０Ｂは、第１保護層５０Ｂの第４側面５４ｄ（内周端）から第１保護層５０Ｂの第３側面５４ｃにわたり連続的に被覆する。つまり、第２保護層７０Ｂは、第１電極層３０の上面の一部と、第１保護層５０Ｂの第１～第３上面５３ａ～５３ｃおよび第１～第４側面５４ａ～５４ｄと半導体基板１０の第１主面１１の一部とを途切れることなく連続的に覆っている。
［半導体装置１Ｂの製造方法］
　半導体装置１Ｂの製造方法は、第１保護層形成工程における第１保護層のパターン、および所望により第２保護層形成工程における第２保護層のパターンを変更すること以外は、第１実施形態の半導体装置１の製造方法と同様にする。
＜第４実施形態＞
［構成］
　図６は、第４実施形態に係る半導体装置１Ｃの断面を模式的に示した拡大断面図である。第４実施形態は、第３実施形態の変形例であって、第１金属膜をさらに備える点で第３実施形態と相違する。この相違する構成を以下で説明する。なお、第４実施形態において、第１～第３実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
　図６に示すように、第４実施形態に係る半導体装置１Ｃは、第１金属膜６０をさらに備える。第１金属膜６０は、第１保護層５０Ｂと第２保護層７０Ｃとの間に配置されている。第１金属膜６０は、第１保護層５０Ｂの少なくとも一部を被覆する。具体的には、第１金属膜６０は、第１保護層５０Ｂの第１上面５３ａと、第１角部５５ａと、第１側面５４ａとを連続的に被覆している。つまり、第１金属膜６０は、第２保護層７０Ｃの第１段差付近の内周面に接して形成されている。第１金属膜６０は、金属からなり透湿性が低いため、水分を通過させにくく、第１保護層５０Ｂよりも耐湿性が高い。これにより、第２保護層７０Ｃに、特に、第２保護層７０Ｃの第１角部７５ａおよび第１金属膜６０の角部６５周辺の第２保護層７０Ｃにクラックが生じた場合であっても、水分がクラックを介して誘電体膜２０に浸入することを防止する。したがって、第１電極層３０の端部と、半導体基板１０の第１主面１１との間の絶縁破壊を一層抑制し、誘電体膜２０の絶縁破壊強度の低下を一層抑制することができる。また、第１金属膜６０は、第１保護層５０Ｂと第２保護層７０Ｃとの間に配置されるため、保護層９０の表面の沿面距離、より詳細には、第１電極層３０の露出部（第２保護層７０Ｃで被覆されていない部分）と半導体基板１０の露出部（第２保護層７０Ｃで被覆されていない、第１主面１１の部分）との間の第２保護層７０Ｃ表面の距離（代表的には、これらの間の最短距離）が増加し、保護層９０表面での沿面放電が抑制される。
　第１保護層５０Ｂは１以上の角部を含む段部５１を有し、第１金属膜６０は、第１保護層５０Ｂの少なくとも１つの角部を被覆する。具体的には、第１金属膜６０は、第１保護層５０Ｂの第１上面５３ａと、第１角部５５ａと、第１側面５４ａとを連続的に被覆する。第１金属膜６０は、第１保護層５０Ｂの複数の角部（第１～第４角部５５ａ，５５ｂ，５５ｃ，５５ｄ）のいずれかを被覆することが好ましく、複数の角部（第１～第４角部５５ａ，５５ｂ，５５ｃ，５５ｄの２つ以上）を被覆することがより好ましい。第２保護層７０Ｃが段部７１を有する場合、クラックは、第２保護層７０Ｃの外周の角部７５ａ，７５ｂ，７５ｃ周辺、および内周の角部（より具体的には、第１金属膜６０の角部６５と接する部分、第１保護層の角部５５ｂ，５５ｃと接する部分）周辺で発生しやすいからである。特に、第１金属膜６０が誘電体膜２０の電極層配置部２１と保護層被覆部２２とに跨るように配置されることが好ましい。より具体的には、誘電体膜２０の保護層被覆部２２を薄膜領域とすることにより、第１上面５３ａと第１上面５３ａから１段分下がった第２上面５３ｂとから構成される第１段差が大きくなるため、第１金属膜６０は、第１保護層５０Ｂの複数の角部（第１～第４角部５５ａ，５５ｂ，５５ｃ，５５ｄ）のうち、第１角部５５ａを被覆することが好ましい。第１金属膜６０は金属からなるため、耐湿性に優れる。このため、第２保護層７０Ｃの外周の角部７５ａ，７５ｂ，７５ｃ周辺、および内周の角部でクラックが発生したとしても、第１金属膜６０により、水分が第１保護層５０Ｂへ浸入することを防止する。
　第１保護層５０Ｂは、第２保護層７０Ｃおよび第１金属膜６０で被覆されている。このため、第１保護層５０Ｂは、第１保護層５０Ｂの外面全域において、比較的高い耐湿性を有する第２保護層７０Ｃおよび第１金属膜６０で耐湿保護されている。よって、外部の水分が第１保護層５０Ｂを介して誘電体膜２０に浸入することを防止し、誘電体膜２０の絶縁破壊強度の低下を一層抑制する。
　第１金属膜６０の厚みは、例えば、０．１μｍ～３μｍである。第１金属膜６０の厚みが０．１μｍ～３μｍであると、水分の誘電体膜２０への浸入を防止することができ、半導体装置１Ｃの耐湿性が向上する。
　第１金属膜６０の材質は、第１金属膜６０の耐湿性を向上させる観点から、例えば、金属（より具体的には、Ａｌ等）である。第１金属膜６０の材質は、これらの中でもＡｌであることが好ましい。つまり、第１保護層５０Ｂは、Ａｌからなることが好ましい。
［半導体装置１Ｃの製造方法］
　半導体装置１Ｃの製造方法は、第１保護層形成工程の後、第２保護層形成工程の前に、第１金属膜形成工程をさらに含むこと以外は、第３実施形態の半導体装置１Ｂの製造方法と同様にする。第１金属膜形成工程は、誘電体膜、第１電極層および第１保護層が形成された半導体基板の露出表面に、スパッタ法または真空蒸着法を用いて金属膜を形成し、次いで、フォトリソグラフィー法およびドライエッチング法により、上記金属膜を第１金属膜６０にパターンニングすることに実施してよい。
＜第５実施形態＞
［構成］
　図７は、第５実施形態に係る半導体装置１Ｄの断面を模式的に示した拡大断面図である。第５実施形態は、第４実施形態の変形例であって、第１金属膜の配置箇所の点で第４実施形態と相違する。この相違する構成を以下で説明する。なお、第５実施形態において、第１～第４実施形態と同一の符号は、第１～第４実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
　図７に示すように、第５実施形態に係る半導体装置１Ｄでは、第１電極層３０は、第１保護層５０Ｂに被覆されている端部３２と、中央部３１とを有する。第１金属膜６０Ｄは、第１保護層５０Ｂの第１上面５３ａ上に配置される。さらに第１金属膜６０Ｄは、第１電極層３０の中央部３１上に露出するように配置され、第１電極層３０と電気的に接続する。よって、第１金属膜６０Ｄは、上記の誘電体膜２０の絶縁破壊を抑制するとの機能に加え、外部接続電極としても機能する。
　第１金属膜６０Ｄは、図示する断面において、一方の第１保護層５０Ｂの第１上面５３ａから、他方の第１保護層５０Ｂの第１上面５３ａにわたり連続的に第１保護層５０Ｂおよび第１電極層３０の中央部３１を被覆する。第１金属膜６０Ｄは、第１電極層３０の中央部３１を被覆する中央部６１Ｄと、第１保護層５０Ｂを被覆する端部６２Ｄとを有する。第１金属膜６０Ｄは、第１保護層５０Ｂの角部５５ｄを被覆する。
　第２保護層７０Ｄは、第１金属膜６０Ｄの側面６４ｄから第１保護層５０Ｂの第３側面５４ｃにわたり第１保護層５０Ｂおよび第１金属膜６０Ｄの端部６２Ｄを連続的に被覆する。つまり、第２保護層７０Ｄは、第１金属膜６０Ｄの中央部６１Ｄの一部および端部６２Ｄと、第１保護層５０Ｂとを被覆する。第１金属膜６０Ｄは、誘電体膜２０の電極層配置部２１と保護層被覆部２２との境界よりも内側に配置されている（換言すれば、第１電極層３０の中央部３１側に離間している）。第１金属膜６０Ｄは、第１保護層５０Ｂの角部５５ｄを被覆し、電極層配置部２１と保護層被覆部２２との境界よりも内側に配置されることにより、第１保護層５０Ｂへの水分侵入を効果的に防止できる。また、これにより、第２保護層７０Ｄの表面の沿面距離、より詳細には、第１金属膜６０Ｄの露出部（第２保護層７０Ｄで被覆されていない、中央部６１Ｄの部分）と半導体基板１０の露出部（第２保護層７０Ｄで被覆されていない、第１主面の部分）との間の第２保護層７０Ｄ表面の距離（代表的には、これらの間の最短距離）が増加し、保護層表面での沿面放電の発生を効果的に防止することができる。
［半導体装置１Ｄの製造方法］
　半導体装置１Ｄの製造方法は、第１金属膜形成工程における第１金属膜のパターン、および第２保護層形成工程における第２保護層のパターンを変更すること以外は、第４実施形態の半導体装置１Ｃの製造方法と同様にする。
＜第６実施形態＞
［構成］
　図８は、第６実施形態に係る半導体装置１Ｅの断面を模式的に示した拡大断面図である。第６実施形態は、第５実施形態の変形例であって、第１金属膜６０Ｅの配置箇所の点で第５実施形態と相違する。この相違する構成を以下で説明する。なお、第６実施形態において、第１～第５実施形態と同一の符号は、それぞれ第１～第５実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
　図８に示すように、第６実施形態に係る半導体装置１Ｅでは、第１保護層５０Ｂの第３外周端（第３側面５４ｃ）は、第２保護層７０Ｅで被覆される。第１金属膜６０Ｅは、第１電極層３０の中央部３１と、第３外周端以外の第１保護層５０Ｂとを連続的に被覆する。つまり、第１金属膜６０Ｅは、図示する断面において、一方の第１保護層５０Ｂの第３上面５３ｃから、他方の第１保護層５０Ｂの第３上面５３ｃにわたり連続的に被覆する。第１保護層５０Ｂの厚みは、誘電体膜２０の電極層配置部２１の厚みと同じかそれよりも大きい。
　このため、第１保護層５０Ｂが応力緩和層として機能して、応力に起因する第２保護層７０Ｅの剥離やクラックの発生を抑制する。よって、クラックを介して水分が誘電体膜２０内に浸入することをさらに防止し、誘電体膜２０の絶縁破壊強度の低下をさらに抑制することができる。
　また、第１金属膜６０Ｅは、第１保護層５０Ｂと第２保護層７０Ｅとの間に配置され、第１保護層５０Ｂの第３外周端以外の第１保護層５０Ｂを連続的に被覆する。第１保護層５０Ｂは、比較的高い耐湿性を有する第１金属膜６０Ｅおよび第２保護層７０Ｅで二重に覆われている。よって、水分が第１保護層５０Ｂに浸入してさらに誘電体膜２０の保護層被覆部２２に浸入することが防止され、誘電体膜２０の絶縁破壊強度の低下をさらに抑制することができる。
　また、第１金属膜６０Ｅは、第１保護層５０Ｂの第３外周端を除き第１保護層５０Ｂを連続的に被覆する。このため、第２保護層７０Ｂでクラックが発生したとしても、水分が誘電体膜２０の保護層被覆部２２に浸入することを防止する。
　第１金属膜６０Ｅの第５外周端（側面６４２に相当）は、第１主面１１と離間して配置されている。このため、第１金属膜６０Ｅの第５外周端と、第１主面１１とが電気的に接続していない。つまり、第１電極層３０と半導体基板１０とは電気的に絶縁している。
　第２保護層７０Ｅは、第１金属膜６０Ｅの側面６４２から第１保護層５０Ｂの第３側面５４ｃにわたり第１保護層５０Ｂおよび第１金属膜６０Ｅを連続的に被覆する。
［半導体装置１Ｅの製造方法］
　半導体装置１Ｅの製造方法は、第１金属膜形成工程における第１金属膜のパターン、および第２保護層形成工程における第２保護層のパターンを変更すること以外は、第５実施形態の半導体装置１Ｄの製造方法と同様にする。
＜第７実施形態＞
［構成］
　図９は、第７実施形態に係る半導体装置１Ｆの断面を模式的に示した拡大断面図である。第７実施形態は、第５実施形態の変形例であって、第１金属膜６０Ｆの配置箇所の点および第２金属膜６３をさらに備える点で第５実施形態と相違する。この相違する構成を以下で説明する。なお、第７実施形態において、第１～第５実施形態と同一の符号は、それぞれ第１～第５実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
　図９に示すように、第７実施形態に係る半導体装置１Ｆは、第２金属膜６３をさらに備える。第２金属膜６３は、第１保護層５０Ｂの第３外周端（第３側面５４ｃに相当）を被覆し、開口部６４により第１金属膜６０Ｆと離間している。開口部６４は、第１保護層５０Ｂの第２上面５３ｂが第２保護層７０Ｆと接触するように、配置される。つまり、第１金属膜６０Ｆおよび第２金属膜６３は、第１保護層５０Ｂの第１～第４角部５５ａ，５５ｂ，５５ｃ、５５ｄを被覆するように、開口部６４を除き、第１保護層５０Ｂを連続的に被覆する。さらに、第１金属膜６０Ｆ、第２金属膜６３および第１保護層５０Ｂを第２保護層７０Ｆが被覆する。このように、第１保護層５０Ｂは、比較的高い耐湿性を有する第１金属膜６０Ｆ、第２金属膜６３および第２保護層７０Ｆで二重に覆われている。よって、水分が第２保護層７０Ｆを介して浸入したとしても、誘電体膜２０の保護層被覆部２２に浸入することが防止され、誘電体膜２０の絶縁破壊をさらに抑制することができる。
　また、本実施形態は、第１保護層５０Ｂの第３外周端を除き第１金属膜６０Ｅで連続的に被覆する第６実施形態とは異なり、第１保護層５０Ｂの第３外周端を被覆している。このため、例えば、第１保護層５０Ｂの第３外周端における剥がれを効果的に防止することができる。
　第２金属膜６３は、開口部６４により第１金属膜６０Ｆから離間している。このため、第２金属膜６３は、第１金属膜６０Ｆと電気的に接続していない。つまり、第１電極層３０と半導体基板１０とは電気的に絶縁している。なお、開口部６４は、第１保護層５０Ｂの第２上面５３ｂ上に設けられているが、これに限定されない。開口部６４は、第１保護層５０Ｂの第１上面５３ａおよび／または第３上面５３ｃ上に設けられてもよい。好ましくは、開口部６４は、第１～第３上面５３ａ，５３ｂ，５３ｃ上に設けられ、かつ第１金属膜６０Ｆおよび第２金属膜６３が第１保護層５０Ｂの第１～第４角部５５ａ，５５ｂ，５５ｃ，５５ｄのすべてを被覆する。
　開口部６４は、半導体装置１ＦをＺ方向から見た場合に、誘電体膜２０の保護層被覆部２２の第１外周端２６ａより内側（誘電体膜２０の電極層配置部２１側）に配置されている。
［半導体装置１Ｆの製造方法］
　半導体装置１Ｆの製造方法は、第１金属膜形成工程における第１金属膜のパターン、および第２保護層形成工程における第２保護層のパターンを変更する以外は、第５実施形態の半導体装置１Ｄの製造方法と同様にする。第２金属膜６３は、第１金属膜形成工程において、第１金属膜６０Ｆと同時に第２金属膜６３を形成することができる。
＜第８実施形態＞
［構成］
　図１０は、第８実施形態に係る半導体装置１Ｇの断面を模式的に示した拡大断面図である。第８実施形態は、第５実施形態の変形例であって、拡散防止膜１００をさらに備える点で第５実施形態と相違する。この相違する構成を以下で説明する。なお、第８実施形態において、第１～第５実施形態と同一の符号は、それぞれ第１～第５実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
　図１０に示すように、第８実施形態に係る半導体装置１Ｇでは、拡散防止膜１００は、第１電極層３０と、第１金属膜６０Ｇとの間に配置されている。第１電極層３０と第１金属膜６０Ｇとが接触しないため、第１電極層３０を構成する成分が第１金属膜６０Ｇに拡散することを防止できる。これにより、半導体装置１Ｇが安定して動作し得る。例えば、第１電極層３０がポリシリコンからなり、第１金属膜６０ＧがＡｌからなり、拡散防止膜１００がＡｌ－Ｓｉ系合金からなる場合、拡散防止膜１００により、第１電極層３０を構成する成分であるポリシリコンが第１金属膜６０Ｇに拡散することが防止される。
　拡散防止膜１００は、第１電極層３０の一部に配置される。第１保護層５０Ｇは、拡散防止膜１００の端部１０１から誘電体膜２０の保護層被覆部２２の第１外周端２６ａにわたり、拡散防止膜１００の端部１０１、第１電極層３０の一部および保護層被覆部２２を連続的に被覆する。第１金属膜６０Ｇは、第１保護層５０Ｇの内周端（第５側面５４ｅに相当）と、拡散防止膜１００の中央部１０２とを被覆する。
［半導体装置１Ｇの製造方法］
　半導体装置１Ｇの製造方法は、第１電極層形成工程の後、第１保護層形成工程の前に、拡散防止膜形成工程をさらに含む以外は、第５実施形態の半導体装置１Ｄの製造方法と同様にする。
（拡散防止膜形成工程）
　拡散防止膜形成工程では、第１電極層３０の中央部３１に拡散防止膜１００を形成する。拡散防止膜形成工程では、例えば、第１電極層３０が配置された半導体基板１０に拡散防止膜１００を形成し、拡散防止膜１００をパターンニングする。具体的には、スパッタまたは蒸着法を用いて、第１電極層３０が配置された半導体基板１０に、厚みが０．１～３μｍとなるように、例えば、Ａｌ－Ｓｉ系合金の拡散防止膜１００を形成する。次いで、フォトリソグラフィー法およびドライエッチング法により、拡散防止膜１００をパターンニングする。
（第１保護層形成工程）
　第１保護層形成工程では、拡散防止膜１００の端部１０１、第１電極層３０の一部および保護層被覆部２２を連続的に被覆する第１保護層５０Ｇを形成する。
（第１金属膜形成工程）
　第１金属膜形成工程では、第１保護層５０Ｇの内周端（第５側面５４ｅに相当）と、拡散防止膜１００の中央部１０２とを被覆する第１金属膜６０Ｇを形成する。
＜第９実施形態＞
［構成］
　図１１は、第９実施形態に係る半導体装置１Ｈの断面を模式的に示した図である。第９実施形態は、第４実施形態の変形例であって、トレンチ構造（溝構造）を有する点で第４実施形態と相違する。この相違する構成を以下で説明する。なお、第９実施形態において、第１～第４実施形態と同一の符号は、第４実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
　図１１に示すように、第９実施形態に係る半導体装置１Ｈでは、半導体基板１０Ｈは、誘電体膜２０Ｈの電極層配置部２１Ｈが配置された第１主面１１Ｈにトレンチ（溝）１３を有する。誘電体膜２０Ｈの電極層配置部２１Ｈは、トレンチ１３の内面を被覆して凹部２５を形成するように、トレンチ１３の内面を含む第１主面１１Ｈに配置される。第１電極層３０Ｈは、凹部２５に入り込む入込部３６を有する。
　半導体装置１Ｈはトレンチ構造１４を有するため、トレンチ構造１４を有しない半導体装置に比べ、誘電体膜２０Ｈと第１電極層３０Ｈとで構成される界面の面積が増加する。これにより、半導体装置１Ｈは、電気容量を増加させることができる。
　誘電体膜２０Ｈの電極層配置部２１Ｈは、トレンチ１３の内面を被覆する凹部２５を有する。第１電極層３０Ｈは、平面部３５と、入込部３６とを有する。入込部３６は、平面部３５から逆Ｚ方向に延在し、凹部２５を充填する。第１電極層３０Ｈは、櫛の形状を有する。
　入込部３６の形状（ＺＸ平面における断面形状）は、図１１に示すように、逆Ｚ方向に延在する矩形状である。また、入込部３６の形状（ＸＹ平面における断面形状）は、例えば、多角形（より具体的には、四角形、五角形、および六角形等）、および円である。
　入込部３６の形状（ＺＸ平面における断面形状）は、その下端部が底面を有する形状となっている。底面の形状は、例えば、多角形（より具体的には、四角形、五角形、六角形）、および円等である。なお、入込部３６の形状（ＺＸ平面における断面形状）は、その下端部が底面を有する形状に限定されず、例えば、半円弧状であってもよい。
　入込部３６は、その側面（内面）にテーパ（傾斜）をつけることができる。つまり、入込部３６は、その下端部から第１主面１１Ｈに向かって幅（Ｘ方向の長さ）が大きくなる形状または小さくなる形状を有してもよい。凹部２５も、その側面の外面および内面にテーパをつけることができる。
　凹部２５および入込部３６は、Ｘ方向に沿って配置されている。凹部２５および入込部３６は、例えば、凹部２５および入込部３６を含む断面（ＸＹ平面による断面）を第１主面１１Ｈに垂直な方向から見た場合に、マトリクス状に配置してもよい。
　凹部２５および入込部３６の密度（第１主面１１Ｈの単位面積当たりのトレンチ１３の個数）は、例えば、１．５万個／ｍｍ２程度である。
　図１２は、図１１のＢ部拡大図である。図１２に示すように、凹部２５の長さＤは、例えば、１０μｍ～５０μｍである。凹部２５のＸ方向の幅Ｗ２は、例えば、５μｍ程度である。凹部２５の外形のアスペクト比（Ｘ方向の幅Ｗ２に対するＺ方向の長さＤの比）は、例えば、２～１０である。凹部２５間のＸ方向の距離Ｗ３は、例えば、３μｍである。誘電体膜２０Ｈの第１外周端２６からトレンチ構造１４の端部までの距離Ｗ１は、例えば、５０～２００μｍである。
　凹部２５の密度、形状、および長さＤ等は、所望の電気容量に合わせて適宜調整することができる。
　また、第９実施形態では、誘電体膜２０Ｈの厚みは、トレンチ１３が形成されていない第１主面１１Ｈを被覆する誘電体膜２０ＨのＺ方向の厚みをいう。
［半導体装置１Ｈの製造方法］
　半導体装置１Ｈの製造方法は、半導体装置１の製造方法における誘電体膜形成工程の前に、トレンチ形成工程をさらに含む。すなわち
　半導体装置１Ｈの製造方法は、
　半導体基板１０Ｈの第１主面１１Ｈにトレンチ１３を形成するトレンチ形成工程と、
　トレンチ１３の内面を被覆して凹部２５を形成するように、第１主面１１Ｈに誘電体膜２０Ｈ（より詳細には、図１１～１２を参照して上述した誘電体膜２０Ｈの前駆体であって、電極層配置部２１Ｈと、後に保護層被覆部２２となる部分とを含む）を形成する誘電体膜形成工程と、
　凹部２５に入り込んだ入込部３６を形成するように、誘電体膜２０Ｈに第１電極層３０Ｈを形成し、誘電体膜２０Ｈの一部を除去して保護層被覆部２２（薄膜領域）を形成する（これにより、電極層配置部２１Ｈおよび保護層被覆部２２を有する誘電体膜２０Ｈが形成される）第１電極層形成工程と、
　第１電極層３０Ｈの端部３２から半導体基板１０Ｈの第１主面１１Ｈにわたり連続的に被覆する第１保護層５０Ｂを形成する第１保護層形成工程と、
　第１保護層５０Ｂの一部を被覆する第１金属膜６０を形成する第１金属膜形成工程と、
　第１保護層５０Ｂの少なくとも一部および第１金属膜６０を連続的に被覆する第２保護層７０Ｃを形成する第２保護層形成工程と
　半導体基板１０Ｈの第２主面１２に第２電極層４０を形成する第２電極層形成工程と
を含む。
　半導体装置１Ｈの製造方法は、上記で得られた複数の半導体装置構造を有する構造体（マザー集積体）を、ダイシングにより個片化するダイシング工程をさらに含むことができる。
　具体的に、図１３Ａ～図１３Ｇを参照して、半導体装置１Ｈの製造方法の一例について説明する。図１３Ａ～図１３Ｇは、半導体装置１Ｈの製造方法を説明するための図である。半導体装置１Ｈの製造方法は、トレンチ形成工程と、誘電体膜形成工程と、第１電極層形成工程と、第１保護層形成工程と、第１金属膜形成工程と、第２保護層形成工程と、第２電極層形成工程と、ダイシング工程とを含む。なお、トレンチ形成工程から第２電極層形成工程までに半導体装置１Ｈが集積したマザー集積体を作製するが、説明の便宜上、１個の半導体装置１Ｈに着目して、製造方法を説明する。
（トレンチ形成工程）
　トレンチ形成工程では、図１３Ａに示すように、半導体基板１０Ｈの第１主面１１Ｈにトレンチ１３を形成する。トレンチ形成工程は、まず、半導体基板１０Ｈとしてシリコン基板を準備する。次いで、例えば、隣り合うトレンチ１３間の距離Ｗ２が３μｍとなり、トレンチ１３の深さが５μｍとなるように、ボッシュ・プロセスを用いて、半導体基板１０Ｈの第１主面１１Ｈに深掘りエッチング（深掘ＲＩＥ（反応性イオンエッチング））を行う。これにより、複数のトレンチ１３が第１主面１１Ｈに形成される。
　トレンチ形成工程の後に、平坦化工程を含んでもよい。平坦化工程では、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）を用いて、トレンチ１３を形成した半導体基板１０Ｈの第１主面１１Ｈを平坦化する。これにより、トレンチのパターンに不要な半導体基板１０Ｈの成分を除去し、均一な厚みを有する半導体基板１０Ｈを与えるため、所望の層構成を形成することができる。
（誘電体膜形成工程）
　誘電体膜形成工程では、図１３Ｂに示すように、トレンチ１３の内面を被覆して凹部２５を形成するように、第１主面１１Ｈに誘電体膜２０Ｈを形成する。誘電体膜形成工程では、例えば、半導体基板１０Ｈの第１主面１１Ｈに誘電体膜２０Ｈを形成し、誘電体膜２０Ｈをパターンニングする。ＣＶＤ法を用いて、半導体基板１０Ｈの第１主面１１Ｈに、厚みが０．１～３μｍとなるように、例えば、ＳｉＯ２の誘電体膜２０Ｈを形成する。これにより、トレンチ１３の内面を被覆して凹部２５が形成された誘電体膜２０Ｈが形成される。
　次いで、第１実施形態の半導体装置１の製造方法の誘電体膜形成工程に記載したフォトリソグラフィー法およびドライエッチング法と同様の方法により、半導体基板１０Ｈの第１主面１１Ｈに形成された誘電体膜２０Ｈをパターンニングする。これにより、所定のパターンを有する誘電体膜２０Ｈ（より詳細には、図１１～１２を参照して上述した誘電体膜２０Ｈの前駆体であって、電極層配置部２１Ｈと、後に保護層被覆部２２となる部分とを含む）が半導体基板１０Ｈの第１主面１１Ｈに形成される。
（第１電極層形成工程）
　第１電極層形成工程では、図１３Ｃに示すように、凹部２５に入り込んだ入込部３６を形成するように、誘電体膜２０Ｈに第１電極層３０Ｈを形成し、誘電体膜２０Ｈの一部を除去して保護層被覆部２２（薄膜領域）を形成する。第１電極層形成工程では、例えば、誘電体膜２０Ｈが配置された半導体基板１０Ｈの第１主面１１Ｈに第１電極層３０Ｈを形成し、第１電極層３０Ｈをパターンニングする。具体的には、スパッタ法または真空蒸着法を用いて、誘電体膜２０Ｈが配置された半導体基板１０Ｈの第１主面１１Ｈに、厚みが０．１～３μｍとなるように、例えば、Ａｌの第１電極層３０Ｈを形成する。これにより、平面部３５と、平面部３５から逆Ｚ方向に延在する入込部３６とを有する第１電極層３０Ｈが形成される。つまり、トレンチ構造が形成される。
　次いで、フォトリソグラフィー法およびドライエッチング法により、第１電極層３０Ｈをパターンニングする。第１電極層３０Ｈのパターンニングでは、オーバーエッチングにより誘電体膜２０Ｈの一部も除去する。これにより、所定のパターンを有する第１電極層３０Ｈを形成し、誘電体膜２０Ｈの保護層被覆部２２（薄膜領域）を形成する。
（第１保護層形成工程～ダイシング工程）
　図１３Ｄ～図１３Ｇに示すように、第４実施形態の第１保護層形成工程～ダイシング工程とそれぞれ同様の第１保護層形成工程～ダイシング工程により、半導体装置１Ｈを作製する。
　なお、第１～第９実施形態における上記製造条件は、半導体装置における誘電体膜の保護層被覆部の第１外周端の段差が誘電体膜の電極層配置部の厚みに比べ小さくなるように、誘電体膜の保護層被覆部が形成されれば、製造条件は限定されない。
　本開示は、第１～第９実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を変更しない限り、種々の態様において実施することができる。また、第１～第９実施形態で示す構成は、一例であり特に限定されるものではなく、本開示の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更をすることができる。例えば、第１～第９実施形態において説明した事項は、適宜組み合わせることができる。
　本発明の半導体装置は、第２電極層を付加することにより、キャパシタ構造を有し、換言すれば、コンデンサとしての機能を有する。本発明の半導体装置は、幅広く種々の用途に利用可能であり、例えば、第１電極層および第２電極層を利用して、コンデンサを含む電子部品として種々の電子回路基板に実装され得る。
　本願は、２０１９年９月２０日付けで日本国にて出願された特願２０１９－１７１５３３に基づく優先権を主張し、その記載内容の全てが、参照することにより本明細書に援用される。
　１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ、１Ｈ　　　　　　半導体装置
　１０，１０Ｈ　　　　　　　　　　　　　半導体基板
　１１，１１Ｈ　　　　　　　　　　　　　第１主面
　１２　　　　　　　　　　　　　　　　　第２主面
　１３　　　　　　　　　　　　　　　　　トレンチ
　２０，２０Ｈ　　　　　　　　　　　　　誘電体膜
　２１，２１Ｈ　　　　　　　　　　　　　誘電体膜の電極層配置部
　２２　　　　　　　　　　　　　　　　　誘電体膜の保護層被覆部
　２５　　　　　　　　　　　　　　　　　誘電体膜の凹部
　２６ａ　　　　　　　　　　　　　　　　誘電体膜の第１外周端
　３０，３０Ｈ　　　　　　　　　　　　　第１電極層
　３１　　　　　　　　　　　　　　　　　第１電極層の中央部
　３２　　　　　　　　　　　　　　　　　第１電極層の端部
　３３　　　　　　　　　　　　　　　　　第１電極層の第２外周端
　３６　　　　　　　　　　　　　　　　　入込部
　５０，５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｇ　　　　　第１保護層
　５１　　　　　　　　　　　　　　　　　段部
　６０，６０Ｄ，６０Ｅ，６０Ｆ，６０Ｇ　第１金属膜
　６３　　　　　　　　　　　　　　　　　第２金属膜
　７０，７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄ，７０Ｅ，７０Ｆ，７０Ｇ　第２保護層
　７１　　　　　　　　　　　　　　　　　段部
　１００　　　　　　　　　　　　　　　　拡散防止膜
　Ｔａ　　　　　　　　　　　　　　　　　誘電体膜の電極層配置部の厚み
　Ｔｂ　　　　　　　　　　　　　　　　　誘電体膜の保護層被覆部の外周端における厚み

Claims (17)

  1. 　互いに対向する第１主面および第２主面を有する半導体基板と、
    　前記第１主面の一部上に配置された誘電体膜と、
    　前記誘電体膜の一部上に配置された第１電極層と、
    　前記第１電極層の端部から前記誘電体膜の第１外周端にわたり連続的に被覆する保護層と
    を備え、
    　前記誘電体膜は、前記第１電極層が配置されている電極層配置部と、前記保護層に被覆されている保護層被覆部とを有し、
    　前記誘電体膜の前記保護層被覆部の前記第１外周端における厚みは、前記誘電体膜の前記電極層配置部の厚みに比べ小さく、
    　前記保護層は、前記第１電極層の第２外周端と前記保護層被覆部の少なくとも一部とを連続的に被覆する第１保護層と、前記第１保護層上に配置された第２保護層とを有し、
    　前記第１保護層は、前記第２保護層より低い比誘電率を有し、
    　前記第２保護層は、前記第１保護層より高い耐湿性を有する、半導体装置。
  2. 　前記第１保護層は、前記第１電極層の前記端部から前記保護層被覆部の少なくとも一部にわたり連続的に被覆する、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記第１保護層は、前記第１電極層の前記第２外周端から前記保護層被覆部の前記第１外周端にわたり連続的に被覆する、請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 　前記第１保護層と前記第２保護層との間に配置され、前記第１保護層の少なくとも一部を被覆する第１金属膜をさらに備える、請求項１～３のいずれかに記載の半導体装置。
  5. 　前記第１保護層は、前記第２保護層および前記第１金属膜で被覆されている、請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　前記第１保護層は、１以上の角部を含む段部を有し、
    　前記第１金属膜は、少なくとも１つの前記角部を被覆する、請求項４または５に記載の半導体装置。
  7. 　前記第１金属膜は、前記電極層配置部と前記保護層被覆部とに跨るように配置される、請求項６に記載の半導体装置。
  8. 　前記第１金属膜は、前記電極層配置部と前記保護層被覆部との境界よりも内側に配置されている、請求項６に記載の半導体装置。
  9. 　前記第１電極層は、前記第１保護層に被覆されている前記端部と、中央部とを有し、
    　前記第１金属膜は、前記第１電極層と電気的に接続し、さらに前記第１電極層の前記中央部上に露出している、請求項４～８のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 　前記第１保護層の第３外周端は、前記第２保護層で被覆され、
    　前記第１金属膜は、前記第３外周端以外の前記第１保護層を連続的に被覆し、
    　前記第１保護層の厚みは、前記誘電体膜の前記電極層配置部の厚みと同じかそれより大きい、請求項４～９のいずれかに記載の半導体装置。
  11. 　第２金属膜をさらに備え、
    　前記第２金属膜は、前記第１保護層の第３外周端を被覆し、開口部により前記第１金属膜から離間している、請求項４～１０のいずれかに記載の半導体装置。
  12. 　前記第１電極層と、前記第１金属膜との間に配置された拡散防止膜をさらに備える、請求項４～１１のいずれかに記載の半導体装置。
  13. 　前記第１電極層は、ポリシリコンからなり、
    　前記拡散防止膜は、Ａｌ－Ｓｉ系合金からなり、
    　前記第１金属膜は、Ａｌからなる、請求項１２に記載の半導体装置。
  14. 　前記半導体基板の電気抵抗率は、０．００１Ωｃｍ以上１００Ωｃｍ以下である、請求項１～１３のいずれかに記載の半導体装置。
  15. 　前記第１保護層は、酸化物であり、
    　前記第２保護層は、窒化物である、請求項１～１４のいずれかに記載の半導体装置。
  16. 　前記第１保護層は、前記半導体基板の主成分の酸化物からなり、
    　前記第２保護層は、前記半導体基板の主成分の窒化物からなる、請求項１～１５のいずれかに記載の半導体装置。
  17. 　前記半導体基板は、前記誘電体膜の前記電極層配置部が配置された前記第１主面にトレンチを有し、
    　前記誘電体膜の前記電極層配置部は、前記トレンチの内面を被覆して凹部を形成するように前記第１主面に連続的に配置され、
    　前記第１電極層は、前記凹部に入り込む入込部を有する、請求項１～１６のいずれかに記載の半導体装置。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018211919A1 (ja) * 2017-05-16 2018-11-22 株式会社村田製作所 キャパシタ及びその製造方法
WO2019021817A1 (ja) * 2017-07-25 2019-01-31 株式会社村田製作所 キャパシタ

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4525947B2 (ja) 2005-04-27 2010-08-18 株式会社村田製作所 薄膜キャパシタの製造方法
JP6880451B2 (ja) 2017-08-07 2021-06-02 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 キャパシタ構造の作製方法
JP7106321B2 (ja) 2018-03-29 2022-07-26 三菱重工業株式会社 工具選定装置、方法、及びプログラム、並びにｎｃプログラム作成システム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018211919A1 (ja) * 2017-05-16 2018-11-22 株式会社村田製作所 キャパシタ及びその製造方法
WO2019021817A1 (ja) * 2017-07-25 2019-01-31 株式会社村田製作所 キャパシタ

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