WO2021038785A1 - 支持片の製造方法、半導体装置の製造方法、及び支持片形成用積層フィルム - Google Patents

支持片の製造方法、半導体装置の製造方法、及び支持片形成用積層フィルム Download PDF

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support
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慎太郎 橋本
達也 矢羽田
義信 尾崎
圭 板垣
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昭和電工マテリアルズ株式会社
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Definitions

  • the present disclosure is supported and first by a substrate, a first chip arranged on the substrate, a plurality of support pieces arranged on the substrate and around the first chip, and a plurality of support pieces.
  • the present invention relates to a method for manufacturing a support piece used in a manufacturing process of a semiconductor device having a dolmen structure including a second chip arranged so as to cover the chip.
  • the present disclosure also relates to a method for manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure and a laminated film for forming a support piece.
  • a dolmen (dolmen) is a kind of stone tomb, and has a plurality of pillar stones and a plate-shaped rock placed on the pillar stone.
  • a support piece corresponds to a "dolmen"
  • a second chip corresponds to a "plate-shaped rock”.
  • Patent Document 1 discloses a semiconductor die assembly including a controller die and a memory die supported by a support member on the controller die. It can be said that the semiconductor assembly 100 illustrated in FIG. 1A of Patent Document 1 has a dolmen structure.
  • the semiconductor assembly 100 includes the package substrate 102, the controller dies 103 arranged on the surface of the package substrate 102, the memory dies 106a and 106b arranged above the controller dies 103, and the support members 130a and 130b for supporting the memory dies 106a. To be equipped.
  • Patent Document 1 discloses that a semiconductor material such as silicon can be used as a support member (support piece), and more specifically, a fragment of the semiconductor material obtained by dicing a semiconductor wafer can be used (Patent Document 1). 1 [0012], [0014] and FIG. 2).
  • a support piece for a dolmen structure using a semiconductor chip for example, the following steps are required as in the case of manufacturing a normal semiconductor chip. (1) A process of attaching a back grind tape to a semiconductor wafer (2) A process of back grinding a semiconductor wafer (3) An adhesive layer and an adhesive layer are applied to a dicing ring and a semiconductor wafer after back grinding arranged therein.
  • the process of manufacturing a support piece in the manufacturing process of a semiconductor device having a dolmen structure can be simplified by using a material other than the semiconductor chip (for example, a resin material). ..
  • a material other than the semiconductor chip for example, a resin material.
  • the present disclosure provides a method for manufacturing a support piece that efficiently manufactures a support piece having excellent visibility by a camera.
  • the present disclosure also provides a method for manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure, and a laminated film for forming a support piece.
  • One aspect of the present disclosure relates to a method of manufacturing a support piece used in a manufacturing process of a semiconductor device having a dolmen structure.
  • the method for manufacturing the support piece includes the following steps.
  • B) Individual pieces of the support piece forming film A step of forming a plurality of support pieces on the surface of the adhesive layer
  • C a step of picking up the support pieces from the adhesive layer.
  • the support piece forming film can be made into individual pieces to obtain a support piece.
  • the step of manufacturing the support piece can be simplified as compared with the conventional manufacturing method in which a fragment of the semiconductor material obtained by dicing a semiconductor wafer is used as the support piece. That is, while the above-mentioned steps (1) to (6) have been conventionally required, since the support piece forming film does not include the semiconductor wafer, the back grind of the semiconductor wafer (1), (2) and The step (4) can be omitted. In addition, since a semiconductor wafer, which is more expensive than a resin material, is not used, the cost can be reduced.
  • the method for manufacturing a support piece it is possible to efficiently manufacture a support piece having excellent visibility by a camera.
  • the reason why the visibility by the camera is improved is that, for example, the support piece forming film has a color difference from the base film and the adhesive layer, so that when the support piece forming film is individualized, it is used for forming the support piece. This is considered to be because the optical contrast between the film and the base film and the adhesive layer becomes higher.
  • the support piece forming film may be a film composed of a thermosetting resin layer containing a colorant, or may be a multilayer film having a thermosetting resin layer and a resin layer containing a colorant.
  • the method for manufacturing a support piece according to the present disclosure may include a step of recognizing the position of the support piece with a camera between the steps (B) and (C).
  • the adhesive layer of the laminated film prepared in the step (A) may be a pressure-sensitive type or an ultraviolet curable type. That is, the adhesive layer may or may not be cured by ultraviolet irradiation, in other words, it may or may not contain a resin having a carbon-carbon double bond having photoreactivity. It does not have to be.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may contain a resin having a carbon-carbon double bond having photoreactivity.
  • the adhesive layer may be one in which the adhesiveness of the predetermined region is lowered by irradiating the predetermined region with ultraviolet rays, and for example, a resin having a carbon-carbon double bond having photoreactivity may be used. It may remain.
  • the adhesive layer is an ultraviolet curable type, the adhesiveness of the adhesive layer can be reduced by carrying out a step of irradiating the adhesive layer with ultraviolet rays between the steps (B) and (C).
  • One aspect of the present disclosure is supported by a substrate, a first chip arranged on the substrate, a plurality of support pieces arranged on the substrate and around the first chip, and a plurality of support pieces.
  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure including a second chip arranged so as to cover the first chip.
  • the method for manufacturing a semiconductor device includes the following steps.
  • the step of heating the support piece forming film or the support piece to cure the thermosetting resin layer or the adhesive piece may be carried out at an appropriate timing, for example, may be carried out before the step (G).
  • the thermosetting resin layer is already cured to prevent the support pieces from being deformed with the arrangement of the chips with adhesive pieces. it can. Since the thermosetting resin layer has adhesiveness to other members (for example, a substrate), it is not necessary to separately provide an adhesive layer or the like on the support piece.
  • the present disclosure is supported by a substrate, a first chip arranged on the substrate, a plurality of support pieces arranged on the substrate and around the first chip, and a plurality of support pieces.
  • the present invention relates to a laminated film for forming a support piece used in a manufacturing process of a semiconductor device having a dolmen structure including a second chip arranged so as to cover the first chip.
  • the support piece forming laminated film includes a base film, an adhesive layer, and a support piece forming film having a color difference from the base film and the adhesive layer in this order.
  • the thickness of the support piece forming film may be, for example, 5 to 180 ⁇ m or 20 to 120 ⁇ m.
  • a dolmen structure having an appropriate height with respect to the first chip (for example, a controller chip) can be constructed.
  • the support piece forming film may be a film composed of a thermosetting resin layer containing a colorant, or may be a multilayer film having a thermosetting resin layer and a resin layer containing a colorant.
  • the support piece forming film may include a thermosetting resin layer.
  • the thermosetting resin layer preferably contains, for example, an epoxy resin.
  • the method for producing a laminated film for forming a support piece includes a step of preparing an adhesive film having a base film and an adhesive layer formed on one surface of the base film, and a base film and adhesive on the surface of the adhesive layer. It includes a step of laminating a support piece forming film having a color difference from the layer.
  • a method for manufacturing a support piece that efficiently manufactures a support piece having excellent visibility by a camera. Further, according to the present disclosure, a method for manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure and a laminated film for forming a support piece are provided.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a first embodiment of a semiconductor device.
  • 2 (a), 2 (b), and 2 (c) are plan views schematically showing an example of the positional relationship between the first chip and the plurality of support pieces.
  • FIG. 3A is a plan view schematically showing an embodiment of a laminated film for forming a support piece
  • FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line bb of FIG. 3A.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a step of bonding the adhesive layer and the support piece forming film.
  • 5 (a), 5 (b), 5 (c), and 5 (d) are cross-sectional views schematically showing an embodiment of a method for manufacturing a support piece.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a first embodiment of a semiconductor device.
  • 2 (a), 2 (b), and 2 (c) are plan views schematically showing an example of the positional relationship between the first chip and the
  • FIG. 6A is a plan view schematically showing an embodiment of a support piece forming film after individualization
  • FIG. 6B is an enlarged view of a portion E of FIG. 6A. is there.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a state in which a plurality of support pieces are arranged on the substrate and around the first chip.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing an example of a chip with an adhesive piece.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a dolmen structure formed on the substrate.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a second embodiment of the semiconductor device.
  • 11 (a) and 11 (b) are cross-sectional views schematically showing other embodiments of a laminated film for forming a support piece.
  • (meth) acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid
  • (meth) acrylate means acrylate or the corresponding methacrylate
  • a or B may include either A or B, or both.
  • the term “layer” includes not only a structure having a shape formed on the entire surface but also a structure having a shape partially formed when observed as a plan view.
  • the term “process” is used not only as an independent process but also as a term as long as the desired action of the process is achieved even when it cannot be clearly distinguished from other processes. included.
  • the numerical range indicated by using "-” indicates a range including the numerical values before and after "-" as the minimum value and the maximum value, respectively.
  • the content of each component in the composition is the total amount of the plurality of substances present in the composition unless otherwise specified, when a plurality of substances corresponding to each component are present in the composition. means.
  • the exemplary materials may be used alone or in combination of two or more unless otherwise specified.
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range of one step may be replaced with the upper limit value or the lower limit value of the numerical range of another step.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a first embodiment of a semiconductor device.
  • the semiconductor device 100 shown in FIG. 1 includes a substrate 10, a chip T1 (first chip) arranged on the surface of the substrate 10, and a plurality of chips T1 (first chip) arranged on the surface of the substrate 10 and around the chip T1.
  • the support piece Dc, the chip T2 (second chip) arranged above the chip T1, the adhesive piece Tc sandwiched between the chip T2 and the plurality of support pieces Dc, and the chip T2 are laminated.
  • a stopper 50 is provided.
  • a dolmen structure is formed on the substrate 10 by a plurality of support pieces Dc, a chip T2, and an adhesive piece Tc located between the support piece Dc and the chip T2.
  • the chip T1 is separated from the adhesive piece Tc.
  • the substrate 10 may be an organic substrate or a metal substrate such as a lead frame. From the viewpoint of suppressing the warp of the semiconductor device 100, the thickness of the substrate 10 is, for example, 90 to 300 ⁇ m, and may be 90 to 210 ⁇ m.
  • the chip T1 is, for example, a controller chip, which is adhered to the substrate 10 by an adhesive piece Tc and electrically connected to the substrate 10 by a wire w.
  • the shape of the chip T1 in a plan view is, for example, a rectangle (square or rectangle).
  • the length of one side of the chip T1 is, for example, 5 mm or less, and may be 2 to 5 mm or 1 to 5 mm.
  • the thickness of the chip T1 is, for example, 10 to 150 ⁇ m, and may be 20 to 100 ⁇ m.
  • the chip T2 is, for example, a memory chip, and is adhered onto the support piece Dc via the adhesive piece Tc. In plan view, the chip T2 has a larger size than the chip T1.
  • the shape of the chip T2 in a plan view is, for example, a rectangle (square or rectangle).
  • the length of one side of the chip T2 is, for example, 20 mm or less, and may be 4 to 20 mm or 4 to 12 mm.
  • the thickness of the chip T2 is, for example, 10 to 170 ⁇ m, and may be 20 to 120 ⁇ m.
  • the chips T3 and T4 are also memory chips, for example, and are adhered onto the chip T2 via an adhesive piece Tc.
  • the length of one side of the chips T3 and T4 may be the same as that of the chip T2, and the thickness of the chips T3 and T4 may be the same as that of the chip T2.
  • the support piece Dc acts as a spacer that forms a space around the chip T1.
  • the support piece Dc includes a cured product (cured product of a thermosetting resin composition) of a support piece forming film having a color difference from the base film and the adhesive layer.
  • the support piece Dc preferably does not contain a metal layer made of a metal material (for example, copper, nickel, titanium, stainless steel, aluminum, etc.).
  • a metal layer made of a metal material (for example, copper, nickel, titanium, stainless steel, aluminum, etc.).
  • two support pieces Dc shape: rectangle
  • One support piece Dc shape: square, 4 in total
  • One support piece Dc (shape: rectangle, total of 4 pieces) may be arranged in each.
  • the length of one side of the support piece Dc in a plan view is, for example, 20 mm or less, and may be 1 to 20 mm or 1 to 12 mm.
  • the thickness (height) of the support piece Dc is, for example, 10 to 180 ⁇ m, and may be 20 to 120 ⁇ m.
  • the manufacturing method according to the present embodiment includes the following steps (A) to (C).
  • a support piece forming laminated film 20 (hereinafter, depending on the case) including a base film 1, an adhesive layer 2, and a support piece forming film D having a color difference from the base film 1 and the adhesive layer 2 in this order. Step of preparing "laminated film 20" (see FIGS. 3 and 4)
  • C A step of picking up the support piece Da from the adhesive layer 2 (see FIG. 5D).
  • the support piece Dc shown in FIG. 1 is after the adhesive piece (thermosetting tree composition) contained therein has been cured.
  • the support piece Da is in a state before the adhesive piece (thermosetting tree composition) contained therein is completely cured (see, for example, FIG. 5B).
  • steps (A) to (C) are processes for manufacturing a plurality of support pieces Da.
  • steps (A) to (C) will be described with reference to FIGS. 3 to 5.
  • the step (A) is a step of preparing the laminated film 20.
  • the laminated film 20 includes a base film 1, an adhesive layer 2, and a support piece forming film D having a color difference from the base film 1 and the adhesive layer 2.
  • the base film 1 is, for example, a polyethylene terephthalate film (PET film).
  • the adhesive layer 2 is formed in a circular shape by punching or the like (see FIG. 3A).
  • the pressure-sensitive adhesive layer 2 may be made of a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive or an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive. When the adhesive layer 2 is made of an ultraviolet curable adhesive, the adhesive layer 2 has a property that the adhesiveness is lowered by being irradiated with ultraviolet rays.
  • the support piece forming film D is formed in a circular shape by punching or the like, and has a diameter smaller than that of the adhesive layer 2 (see FIG. 3A).
  • the support piece forming film D may be made of a thermosetting resin composition.
  • thermosetting resin composition constituting the support piece forming film D can be in a semi-cured (B stage) state and then in a completely cured product (C stage) state by a subsequent curing treatment.
  • the thermosetting resin composition contains an epoxy resin, a curing agent, and an elastoma (for example, an acrylic resin) from the viewpoint that the shear viscosity can be easily adjusted within a predetermined range and a color difference between the base film and the adhesive layer is exhibited. , A colorant, and if necessary, an inorganic filler, a curing accelerator, and the like may be further contained. Details of the thermosetting resin composition constituting the support piece forming film D will be described later.
  • the thickness of the support piece forming film D may be, for example, 5 to 180 ⁇ m or 20 to 120 ⁇ m.
  • a dolmen structure having an appropriate height with respect to the first chip (for example, a controller chip) can be constructed.
  • the laminated film 20 is, for example, a second laminated film having a base film 1 and an adhesive layer 2 on the surface thereof, and a cover film 3 and a support piece forming film D on the surface thereof. It can be produced by laminating with a film (see FIG. 4).
  • the first laminated film is obtained through a step of forming an adhesive layer on the surface of the base film 1 by coating and a step of processing the adhesive layer into a predetermined shape (for example, circular shape) by punching or the like.
  • the second laminated film has a step of forming a support piece forming film on the surface of the cover film 3 (for example, PET film or polyethylene film) by coating, and a predetermined shape (for example, by punching the support piece forming film). For example, it is obtained through a process of processing into a circular shape.
  • the cover film 3 is peeled off at an appropriate timing.
  • the step (B) is a step of forming a plurality of support pieces Da on the surface of the adhesive layer 2 by individualizing the support piece forming film D.
  • the dicing ring DR is attached to the laminated film 20. That is, the dicing ring DR is attached to the adhesive layer 2 of the laminated film 20, and the support piece forming film D is arranged inside the dicing ring DR.
  • the support piece forming film D is individualized by dicing (see FIG. 5B). As a result, a large number of support pieces Da can be obtained from the support piece forming film D.
  • the step (C) is a step of picking up the support piece Da from the adhesive layer 2. As shown in FIG. 5C, the support pieces Da are separated from each other by expanding the base film 1. Next, as shown in FIG. 5D, the support piece Da is peeled off from the adhesive layer 2 by pushing up the support piece Da with the push-up jig 42, and the support piece Da is picked up by suction with the suction collet 44. ..
  • FIG. 6A is a plan view schematically showing an embodiment of a film for forming a support piece after individualization
  • FIG. 6B is an enlarged view of a portion E of FIG. 6A. is there.
  • "visibility by a camera” refers to when the film for forming a support piece after individualization is observed by a camera attached to an apparatus (for example, a die bonder) used for manufacturing a normal semiconductor chip.
  • the color of the support piece Da is not particularly limited as long as it can exhibit an optical contrast with these.
  • the color of the support piece Da is preferably black because the optical contrast becomes clearer.
  • the color of the support piece Da can be adjusted to a desired color by adjusting the components (particularly, the colorant) contained in the thermosetting resin composition described later.
  • the method for manufacturing a support piece according to the present embodiment may include a step of recognizing the position of the support piece with a camera between the steps (B) and (C).
  • the laminated film 20 includes a base film 1, an adhesive layer 2, and a support piece forming film D having a color difference from the base film 1 and the adhesive layer 2. Therefore, due to the color difference between the support piece forming film and the base film and the adhesive layer, the optical contrast becomes higher, the visibility of the support piece Da by the camera is improved, and the support piece Da is picked up more efficiently. It becomes possible.
  • the manufacturing method according to this embodiment includes the following steps (D) to (H).
  • G A step of constructing a dolmen structure by arranging a chip T2a with an adhesive piece on the surface of a plurality of support pieces Dc (see FIG. 9).
  • steps (D) to (H) are processes in which a dolmen structure is constructed on the substrate 10 by using a plurality of support pieces Da.
  • steps (D) to (H) will be described with reference to FIGS. 7 to 9.
  • the step (D) is a step of arranging the first chip T1 on the substrate 10. For example, first, the chip T1 is arranged at a predetermined position on the substrate 10 via the adhesive layer T1c. After that, the chip T1 is electrically connected to the substrate 10 by the wire w.
  • the step (E) is a step of arranging a plurality of support pieces Da on the substrate 10 around the first chip T1.
  • the structure 30 includes a substrate 10, a chip T1 arranged on the surface thereof, and a plurality of support pieces Da.
  • the support piece Da may be arranged by crimping. The crimping treatment is preferably carried out, for example, under the conditions of 80 to 180 ° C. and 0.01 to 0.50 MPa for 0.5 to 3.0 seconds.
  • the support piece Da may be a support piece Dc in which the adhesive piece 5p contained therein is completely cured at the time of the step (E), and may not be completely cured at this time. It is preferable that the adhesive piece 5p contained in the support piece Da is completely cured before the start of the step (G) to become the adhesive piece 5c.
  • the step (F) is a step of preparing the adhesive chip T2a shown in FIG.
  • the adhesive piece T2a includes a chip T2 and an adhesive piece Ta provided on the surface of one of the chips T2.
  • the chip T2a with an adhesive piece can be obtained through a dicing step and a pick-up step using, for example, a semiconductor wafer and a dicing / die bonding integrated film.
  • the step (G) is a step of arranging the chip T2a with the adhesive piece above the chip T1 so that the adhesive piece Ta is in contact with the upper surface of the plurality of support pieces Dc.
  • the chip T2 is crimped to the upper surface of the support piece Dc via the adhesive piece Ta.
  • This crimping treatment is preferably carried out for 0.5 to 3.0 seconds under the conditions of, for example, 80 to 180 ° C. and 0.01 to 0.50 MPa.
  • the adhesive piece Ta is cured by heating. This curing treatment is preferably carried out for 5 minutes or more under the conditions of, for example, 60 to 175 ° C. and 0.01 to 1.0 MPa. As a result, the adhesive piece Ta is cured to become the adhesive piece Tc.
  • a dolmen structure is constructed on the substrate 10 (see FIG. 9).
  • the chip T3 is placed on the chip T2 via the adhesive piece, and further, the chip T4 is placed on the chip T3 via the adhesive piece.
  • the adhesive piece may be any thermosetting resin composition similar to the above-mentioned adhesive piece Ta, and becomes an adhesive piece Tc by heat curing (see FIG. 1).
  • the chips T2, T3 and T4 and the substrate 10 are electrically connected by wires w.
  • the number of chips stacked above the chip T1 is not limited to the three in this embodiment, and may be appropriately set.
  • Step (H) The step (H) is a step of sealing the gap between the chip T1 and the chip T2 with the sealing material 50. Through this step, the semiconductor device 100 shown in FIG. 1 is completed.
  • thermosetting resin composition As described above, the thermosetting resin composition constituting the support piece forming film D contains an epoxy resin, a curing agent, an elastomer, and a coloring agent, and if necessary, an inorganic filler, a curing accelerator, or the like. Further includes. -Characteristic 1: When the support piece Da is thermocompression-bonded to a predetermined position on the substrate 10, misalignment is unlikely to occur (the melt viscosity (shear viscosity) of the adhesive piece 5p at 120 ° C.
  • -Characteristic 2 The adhesive piece 5c exhibits stress relaxation property in the semiconductor device 100 (the thermosetting resin composition contains an elastomer (rubber component)).
  • -Characteristic 3 Die-share strength of a chip with an adhesive piece having a sufficiently high adhesive strength with the adhesive piece Tc (adhesive piece 5c with respect to the adhesive piece Tc (that is, a cured product of a film made of a thermosetting resin layer)). (Share strength) is, for example, 2.0 to 7.0 Mpa or 3.0 to 6.0 Mpa)
  • -Characteristic 4 The shrinkage rate due to curing is sufficiently small.
  • -Characteristic 5 The adhesive piece 5c has sufficient mechanical strength.
  • Epoxy resin The epoxy resin is not particularly limited as long as it is cured and has an adhesive action.
  • Bifunctional epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, and bisphenol S type epoxy resin, novolak type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resin and cresol novolac type epoxy resin can be used.
  • novolak type epoxy resins such as phenol novolac type epoxy resin and cresol novolac type epoxy resin
  • generally known ones such as a polyfunctional epoxy resin, a glycidylamine type epoxy resin, a heterocyclic epoxy resin, and an alicyclic epoxy resin can be applied. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the curing agent include phenol resins, ester compounds, aromatic amines, aliphatic amines, acid anhydrides and the like. Of these, phenolic resins are preferable from the viewpoint of achieving high die shear strength (share strength).
  • Examples of commercially available phenolic resins include LF-4871 (trade name, BPA novolac type phenol resin) manufactured by DIC Co., Ltd. and HE-100C-30 (trade name, phenylarakil type phenol) manufactured by Air Water Co., Ltd. Resin), Phenolite KA and TD series manufactured by DIC Co., Ltd., Millex XLC-series and XL series manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd.
  • the blending amount of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that the equivalent ratio of the epoxy equivalent and the hydroxyl group equivalent is 0.6 to 1.5, and 0.7 to 0.7, respectively, from the viewpoint of achieving high die shear strength (share strength). It is more preferably 1.4, and even more preferably 0.8 to 1.3. When the compounding ratio is within the above range, it is easy to achieve both curability and fluidity at a sufficiently high level.
  • Examples of the elastoma include acrylic resin, polyester resin, polyamide resin, polyimide resin, silicone resin, polybutadiene, acrylonitrile, epoxy-modified polybutadiene, maleic anhydride-modified polybutadiene, phenol-modified polybutadiene, and carboxy-modified acrylonitrile.
  • an acrylic resin is preferable as the elastoma, and a functional monomer having an epoxy group such as glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate or a glycidyl group as a crosslinkable functional group is polymerized.
  • An acrylic resin such as an epoxy group-containing (meth) acrylic copolymer is more preferable.
  • an epoxy group-containing (meth) acrylic acid ester copolymer and an epoxy group-containing acrylic rubber are preferable, and an epoxy group-containing acrylic rubber is more preferable.
  • the epoxy group-containing acrylic rubber is a rubber having an epoxy group, which is mainly composed of an acrylic acid ester as a main component, a copolymer such as butyl acrylate and acrylonitrile, and a copolymer such as ethyl acrylate and acrylonitrile.
  • the acrylic resin may have not only an epoxy group but also a crosslinkable functional group such as an alcoholic or phenolic hydroxyl group or a carboxyl group.
  • acrylic resin products examples include SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, and SG-P3 solvent-modified products manufactured by Nagase Chemtech Co., Ltd. (trade name, acrylic rubber, Weight average molecular weight: 800,000, Tg: 12 ° C., solvent is cyclohexanone) and the like.
  • the glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably ⁇ 50 to 50 ° C., more preferably ⁇ 30 to 30 ° C. from the viewpoint of achieving high die shear strength (share strength).
  • the weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 100,000 to 3 million, more preferably 500,000 to 2 million, from the viewpoint of achieving high die share strength (share strength).
  • Mw means a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using a calibration curve using standard polystyrene.
  • the amount of elastomer contained in the thermosetting resin composition shall be 10 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total of the epoxy resin and the epoxy resin curing agent from the viewpoint of achieving high die shear strength (share strength). Is preferable, and it is more preferably 20 to 100 parts by mass.
  • the colorant is not particularly limited as long as it can exhibit a color difference between the base film and the adhesive layer, and known pigments, dyes and the like can be used. Since the base film is usually white and the adhesive layer is a transparent color, the colorant can be used without particular limitation as long as it is a colorant having a color capable of exhibiting an optical contrast with these.
  • the color of the colorant is preferably black, as the optical contrast becomes clearer. Examples of the black colorant include carbon black and the like.
  • the amount of the colorant contained in the thermosetting resin composition is 0.1 to 10% by mass with respect to 100 parts by mass of the resin component of the thermosetting resin composition from the viewpoint of expressing a higher color difference from the adhesive layer. It is preferably parts, and more preferably 0.1 to 5 parts by mass.
  • inorganic filler examples include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whisker, boron nitride, and crystals. Examples thereof include sex silica and amorphous silica. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the average particle size of the inorganic filler is preferably 0.005 ⁇ m to 1.0 ⁇ m, more preferably 0.05 to 0.5 ⁇ m, from the viewpoint of achieving high die shear strength (share strength).
  • the surface of the inorganic filler is preferably chemically modified from the viewpoint of achieving high die shear strength (share strength).
  • Examples of the material that chemically modifies the surface include a silane coupling agent and the like.
  • the functional group of the silane coupling agent include a vinyl group, an acryloyl group, an epoxy group, a mercapto group, an amino group, a diamino group, an alkoxy group, an ethoxy group and the like.
  • the content of the inorganic filler is preferably 20 to 200 parts by mass, preferably 30 to 100 parts by mass, based on 100 parts by mass of the resin component of the thermosetting resin composition. It is more preferable that it is a part.
  • curing accelerator examples include imidazoles and derivatives thereof, organophosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, quaternary ammonium salts and the like. From the viewpoint of achieving high die shear strength (share strength), imidazole-based compounds are preferable.
  • imidazoles include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the curing accelerator in the thermosetting resin composition is 0.04 to 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total of the epoxy resin and the epoxy resin curing agent from the viewpoint of achieving high die shear strength (share strength). Is preferable, and 0.04 to 0.2 parts by mass is more preferable.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing a second embodiment of the semiconductor device.
  • the chip T1 is separated from the adhesive piece Tc, whereas in the semiconductor device 200 according to the present embodiment, the chip T1 is in contact with the adhesive piece Tc. That is, the adhesive piece Tc is in contact with the upper surface of the chip T1 and the upper surface of the support piece Dc.
  • the thickness of the support piece forming film D the position of the upper surface of the chip T1 and the position of the upper surface of the support piece Dc can be matched.
  • the chip T1 is connected to the substrate 10 by a flip chip instead of wire bonding. If the chip T2 is embedded in the adhesive piece Ta constituting the adhesive piece T2a together with the chip T2, the chip T1 is in contact with the adhesive piece Tc even in the mode in which the chip T1 is wire-bonded to the substrate 10. Can be in the state of
  • a support piece forming laminated film 20 including a support piece forming film D made of a thermosetting resin layer containing a colorant has been exemplified.
  • the piece-forming laminated film may include a multilayer film having a thermosetting resin layer and a resin layer containing a colorant (a resin layer made of a resin containing a colorant).
  • 11 (a) and 11 (b) are cross-sectional views schematically showing other embodiments of a laminated film for forming a support piece.
  • thermosetting resin layer 5 has a two-layer film D2 (support piece forming film) having a thermosetting resin layer 5 and a resin layer 6 containing a colorant. That is, in the support piece forming laminated film 20A, the thermosetting resin layer 5 is arranged between the adhesive layer 2 and the resin layer 6 containing the colorant on the outermost surface.
  • the thermosetting resin layer 5 may consist of the thermosetting resin composition constituting the support piece forming film D according to the first embodiment, but the thermosetting resin composition contains a colorant. It does not have to be included.
  • the thickness of the thermosetting resin layer 5 may be the same as the thickness of the support piece forming film D.
  • the thickness of the resin layer 6 containing the colorant is, for example, 5 to 100 ⁇ m, and may be 10 to 90 ⁇ m or 20 to 80 ⁇ m.
  • the colorant is not particularly limited as long as it is a colorant having a color capable of exhibiting an optical contrast with these.
  • the color of the colorant is preferably black, as the contrast is more pronounced.
  • the black colorant the same black colorant as those exemplified above can be exemplified.
  • the resin containing a colorant is made of a resin containing a colorant, and can be formed by using a commercially available resin containing a colorant.
  • the resin layer containing a black colorant is made of a resin containing a black colorant, and can be formed by using a commercially available resin containing a black colorant.
  • the resin containing the black colorant may be, for example, black polyimide because it has sufficient mechanical strength.
  • the laminated film 20B for forming a support piece shown in FIG. 11B is a three-layer film D3 having a resin layer 6 containing a colorant and a two-layer thermosetting resin layer 5 sandwiching the resin layer 6 containing a colorant. (Film for forming support pieces).
  • the three-layer film D3 is arranged on the surface of the adhesive layer 2.
  • the laminated film 20A for forming the support piece contains the resin layer 6 containing the colorant, so that the optical contrast between the film for forming the support piece and the adhesive layer becomes higher, so that the support piece is more visible to the camera. Can be efficiently manufactured.
  • the laminated film 20A for forming a support piece can be manufactured, for example, through the following steps. -A step of preparing a laminated film including a base film 1, an adhesive layer 2, and a thermosetting resin layer 5 in this order.-A step of laminating a resin layer 6 containing a colorant on the surface of the laminated film.
  • the support piece forming laminated film 20B can be manufactured, for example, by further including a step of providing a thermosetting resin layer 5 on a resin layer 6 containing a colorant in a method for manufacturing the support piece forming laminated film 20A. it can.
  • a method for manufacturing a support piece that efficiently manufactures a support piece having excellent visibility by a camera. Further, according to the present disclosure, a method for manufacturing a semiconductor device having a dolmen structure and a laminated film for forming a support piece are provided.

Abstract

基板と、基板上に配置された第一のチップと、基板上であって第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、複数の支持片によって支持され且つ第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造プロセスにおいて使用される支持片の製造方法であって、（Ａ）基材フィルムと、粘着層と、基材フィルム及び粘着層と色差を有する支持片形成用フィルムとをこの順序で備える積層フィルムを準備する工程と、（Ｂ）支持片形成用フィルムを個片化することによって、粘着層の表面上に複数の支持片を形成する工程と、（Ｃ）粘着層から支持片をピックアップする工程とを含む、支持片の製造方法が開示される。

Description

支持片の製造方法、半導体装置の製造方法、及び支持片形成用積層フィルム
　本開示は、基板と、基板上に配置された第一のチップと、基板上であって第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、複数の支持片によって支持され且つ第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造プロセスにおいて使用される支持片の製造方法に関する。また、本開示は、ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法及び支持片形成用積層フィルムに関する。なお、ドルメン（ｄｏｌｍｅｎ、支石墓）は、石墳墓の一種であり、複数の支柱石と、その上に載せられた板状の岩とを備える。ドルメン構造を有する半導体装置において、支持片が「支柱石」に相当し、第二のチップが「板状の岩」に相当する。
　近年、半導体装置の分野において、高集積、小型化及び高速化が求められている。半導体装置の一態様として、基板上に配置されたコントローラーチップの上に半導体チップを積層させる構造が注目を集めている。例えば、特許文献１は、コントローラダイと、コントローラダイの上に支持部材によって支持されたメモリダイとを含む半導体ダイアセンブリを開示している。特許文献１の図１Ａに図示された半導体アセンブリ１００はドルメン構造を有するということができる。すなわち、半導体アセンブリ１００は、パッケージ基板１０２と、その表面上に配置されたコントローラダイ１０３と、コントローラダイ１０３の上方に配置されたメモリダイ１０６ａ，１０６ｂと、メモリダイ１０６ａを支持する支持部材１３０ａ，１３０ｂとを備える。
特表２０１７－５１５３０６号公報
　特許文献１は、支持部材（支持片）として、シリコン等の半導体材料を使用できること、より具体的には半導体ウェハをダイシングして得られる半導体材料の断片を使用できることを開示している（特許文献１の［００１２］、［００１４］及び図２参照）。半導体チップを使用してドルメン構造用の支持片を製造するには、通常の半導体チップの製造と同様、例えば、以下の各工程が必要である。
（１）半導体ウェハにバックグラインドテープを貼り付ける工程
（２）半導体ウェハをバックグラインドする工程
（３）ダイシングリングとその中に配置されたバックグラインド後の半導体ウェハに対し、粘着層と接着剤層とを有するフィルム（ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム）を貼り付ける工程
（４）半導体ウェハからバックグラインドテープを剥がす工程
（５）半導体ウェハを個片化する工程
（６）半導体チップと接着剤片の積層体からなる支持片を粘着層からピックアップする工程
　本発明者らの検討によると、半導体チップ以外の材料（例えば、樹脂材料）を用いることによって、ドルメン構造を有する半導体装置の製造プロセスにおいて支持片を作製する工程を簡略化できることが見出された。ところで、通常の半導体チップの製造に用いられる装置（例えば、ダイボンダ等）を使用して、粘着層から支持片をピックアップすると、ピックアップ対象である支持片を効率よくピックアップできない場合がある。この理由の１つとして、粘着層から支持片をピックアップする工程の前において、支持片のダイボンダ等の装置に付属されるカメラによる視認性が充分でないことが挙げられる。
　そこで、本開示は、カメラによる視認性に優れる支持片を効率的に製造する支持片の製造方法を提供する。また、本開示は、ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法、並びに、支持片形成用積層フィルムを提供する。
　本開示の一側面は、ドルメン構造を有する半導体装置の製造プロセスにおいて使用される支持片の製造方法に関する。支持片の製造方法は以下の工程を含む。
（Ａ）基材フィルムと、粘着層と、基材フィルム及び粘着層と色差を有する支持片形成用フィルムとをこの順序で備える積層フィルムを準備する工程
（Ｂ）支持片形成用フィルムを個片化することによって、粘着層の表面上に複数の支持片を形成する工程
（Ｃ）粘着層から支持片をピックアップする工程
　本開示の一側面に係る支持片の製造方法によれば、支持片形成用フィルムを個片化して支持片を得ることができる。これによって、支持片として、半導体ウェハをダイシングして得られる半導体材料の断片を使用する従来の製造方法と比較すると、支持片を作製する工程を簡略化できる。すなわち、従来、上述の（１）～（６）の工程を必要としていたのに対し、支持片形成用フィルムは半導体ウェハを含まないため、半導体ウェハのバックグラインドに関する（１）、（２）及び（４）の工程を省略できる。また、樹脂材料と比較して高価な半導体ウェハを使用しないため、コストも削減できる。
　また、本開示の一側面に係る支持片の製造方法によれば、カメラによる視認性に優れる支持片を効率的に製造することが可能となる。カメラによる視認性が向上する理由としては、例えば、上記支持片形成用フィルムが基材フィルム及び粘着層と色差を有することによって、支持片形成用フィルムを個片化したときに、支持片形成用フィルムと基材フィルム及び粘着層との光学的なコントラストがより高くなるためであると考えられる。
　支持片形成用フィルムは、着色料を含む熱硬化性樹脂層からなるフィルムであってもよく、熱硬化性樹脂層と着色料を含む樹脂層とを有する多層フィルムであってもよい。これらの支持片形成用フィルムを用いることによって、カメラによる視認性に優れる支持片をより効率的に製造することが可能となる。
　本開示に係る支持片の製造方法は、（Ｂ）工程と（Ｃ）工程の間に、支持片の位置をカメラで認識する工程を含んでいてもよい。
　（Ａ）工程で準備する積層フィルムの粘着層は、感圧型であっても、紫外線硬化型であってもよい。すなわち、粘着層は、紫外線照射によって硬化するものであっても、そうでなくてもよく、換言すれば、光反応性を有する炭素－炭素二重結合を有する樹脂を含有しても、含有しなくてもよい。なお、感圧型の粘着層が光反応性を有する炭素－炭素二重結合を有する樹脂を含有してもよい。例えば、粘着層は、その所定の領域に紫外線を照射することによって当該領域の粘着性を低下させたものであってもよく、例えば、光反応性を有する炭素－炭素二重結合を有する樹脂が残存していてもよい。粘着層が紫外線硬化型である場合、（Ｂ）工程と（Ｃ）工程の間に、粘着層に紫外線を照射する工程を実施することで粘着層の粘着性を低下させることができる。
　本開示の一側面は、基板と、基板上に配置された第一のチップと、基板上であって第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、複数の支持片によって支持され且つ第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造方法に関する。半導体装置の製造方法は以下の工程を含む。
（Ｄ）基板上に第一のチップを配置する工程
（Ｅ）基板上であって第一のチップの周囲に上記の製造方法によって得られる複数の支持片を配置する工程
（Ｆ）第二のチップと、第二のチップの一方の面上に設けられた接着剤片とを備える接着剤片付きチップを準備する工程
（Ｇ）複数の支持片の表面上に接着剤片付きチップを配置することによってドルメン構造を構築する工程
　支持片形成用フィルム又は支持片を加熱して熱硬化性樹脂層又は接着剤片を硬化させる工程は適切なタイミングで実施すればよく、例えば、（Ｇ）工程よりも前に実施すればよい。複数の支持片の表面に接するように接着剤片付きチップを配置する段階において、熱硬化性樹脂層が既に硬化していることで接着剤片付きチップの配置に伴って支持片が変形することを抑制できる。なお、熱硬化性樹脂層は他の部材（例えば、基板）に対して接着性を有するため、支持片に接着剤層等を別途設けなくてもよい。
　本開示の一側面は、基板と、基板上に配置された第一のチップと、基板上であって第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、複数の支持片によって支持され且つ第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造プロセスにおいて使用される支持片形成用積層フィルムに関する。支持片形成用積層フィルムは、基材フィルムと、粘着層と、基材フィルム及び粘着層と色差を有する支持片形成用フィルムとをこの順序で備える。
　上記支持片形成用フィルムの厚さは、例えば、５～１８０μｍ又は２０～１２０μｍであってよい。支持片形成用フィルムの厚さがこの範囲であることで、第一のチップ（例えば、コントローラチップ）に対して適度な高さのドルメン構造を構築できる。
　支持片形成用フィルムは、着色料を含む熱硬化性樹脂層からなるフィルムであってもよく、熱硬化性樹脂層と着色料を含む樹脂層とを有する多層フィルムであってもよい。支持片形成用フィルムは熱硬化性樹脂層を含んでもよい。熱硬化性樹脂層は、例えば、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。
　本開示の一側面は、支持片形成用積層フィルムの製造方法に関する。支持片形成用積層フィルムの製造方法は、基材フィルムと、その一方の面上に形成された粘着層とを有する粘着フィルムを準備する工程と、粘着層の表面上に、基材フィルム及び粘着層と色差を有する支持片形成用フィルムを積層する工程とを含む。
　本開示によれば、カメラによる視認性に優れる支持片を効率的に製造する支持片の製造方法が提供される。また、本開示によれば、ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法及び支持片形成用積層フィルムが提供される。
図１は、半導体装置の第一実施形態を模式的に示す断面図である。 図２（ａ）、図２（ｂ）、及び図２（ｃ）は、第一のチップと複数の支持片との位置関係の例を模式的に示す平面図である。 図３（ａ）は、支持片形成用積層フィルムの一実施形態を模式的に示す平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のｂ－ｂ線における断面図である。 図４は、粘着層と支持片形成用フィルムとを貼り合わせる工程を模式的に示す断面図である。 図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）、及び図５（ｄ）は、支持片の製造方法の一実施形態を模式的に示す断面図である。 図６（ａ）は、個片化後の支持片形成用フィルムの一実施形態を模式的に示す平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の部分Ｅにおける拡大図である。 図７は、基板上であって第一のチップの周囲に複数の支持片を配置した状態を模式的に示す断面図である。 図８は、接着剤片付きチップの一例を模式的に示す断面図である。 図９は、基板上に形成されたドルメン構造を模式的に示す断面図である。 図１０は、半導体装置の第二実施形態を模式的に示す断面図である。 図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、支持片形成用積層フィルムの他の実施形態をそれぞれ模式的に示す断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本開示の実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味し、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。「Ａ又はＢ」とは、ＡとＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。
　本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。また、本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
　本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。また、例示材料は特に断らない限り単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。
＜第一実施形態＞
（半導体装置）
　図１は、半導体装置の第一実施形態を模式的に示す断面図である。図１に示す半導体装置１００は、基板１０と、基板１０の表面上に配置されたチップＴ１（第一のチップ）と、基板１０の表面上であってチップＴ１の周囲に配置された複数の支持片Ｄｃと、チップＴ１の上方に配置されたチップＴ２（第二のチップ）と、チップＴ２と複数の支持片Ｄｃとによって挟まれている接着剤片Ｔｃと、チップＴ２上に積層されたチップＴ３，Ｔ４と、基板１０の表面上の電極（不図示）とチップＴ１～Ｔ４とをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤｗと、チップＴ１とチップＴ２との隙間等に充填された封止材５０とを備える。
　本実施形態においては、複数の支持片Ｄｃと、チップＴ２と、支持片ＤｃとチップＴ２との間に位置する接着剤片Ｔｃとによって基板１０上にドルメン構造が構成されている。チップＴ１は、接着剤片Ｔｃと離間している。支持片Ｄｃの厚さを適宜設定することで、チップＴ１の上面と基板１０とを接続するワイヤｗのためのスペースを確保することができる。
　基板１０は、有機基板であってもよく、リードフレーム等の金属基板であってもよい。基板１０は、半導体装置１００の反りを抑制する観点から、基板１０の厚さは、例えば、９０～３００μｍであり、９０～２１０μｍであってもよい。
　チップＴ１は、例えば、コントローラーチップであり、接着剤片Ｔｃによって基板１０に接着され且つワイヤｗによって基板１０と電気的に接続されている。平面視におけるチップＴ１の形状は、例えば矩形（正方形又は長方形）である。チップＴ１の一辺の長さは、例えば、５ｍｍ以下であり、２～５ｍｍ又は１～５ｍｍであってもよい。チップＴ１の厚さは、例えば、１０～１５０μｍであり、２０～１００μｍであってもよい。
　チップＴ２は、例えば、メモリチップであり、接着剤片Ｔｃを介して支持片Ｄｃの上に接着されている。平面視でチップＴ２は、チップＴ１よりも大きいサイズを有する。平面視におけるチップＴ２の形状は、例えば、矩形（正方形又は長方形）である。チップＴ２の一辺の長さは、例えば、２０ｍｍ以下であり、４～２０ｍｍ又は４～１２ｍｍであってもよい。チップＴ２の厚さは、例えば、１０～１７０μｍであり、２０～１２０μｍであってもよい。なお、チップＴ３，Ｔ４も、例えば、メモリチップであり、接着剤片Ｔｃを介してチップＴ２の上に接着されている。チップＴ３，Ｔ４の一辺の長さは、チップＴ２と同様であればよく、チップＴ３，Ｔ４の厚さもチップＴ２と同様であればよい。
　支持片Ｄｃは、チップＴ１の周囲に空間を形成するスペーサーの役割を果たす。支持片Ｄｃは、基材フィルム及び粘着層と色差を有する支持片形成用フィルムの硬化物（熱硬化性樹脂組成物の硬化物）を含む。支持片Ｄｃは、金属材料（例えば、銅、ニッケル、チタン、ステンレス、アルミニウム等）からなる金属層を含まないことが好ましい。なお、図２（ａ）に示すように、チップＴ１の両側の離れた位置に、二つの支持片Ｄｃ（形状：長方形）を配置してもよいし、図２（ｂ）に示すように、チップＴ１の角に対応する位置にそれぞれ一つの支持片Ｄｃ（形状：正方形、計４個）を配置してもよいし、図２（ｃ）に示すように、チップＴ１の辺に対応する位置にそれぞれ一つの支持片Ｄｃ（形状：長方形、計４個）を配置してもよい。平面視における支持片Ｄｃの一辺の長さは、例えば、２０ｍｍ以下であり、１～２０ｍｍ又は１～１２ｍｍであってもよい。支持片Ｄｃの厚さ（高さ）は、例えば、１０～１８０μｍであり、２０～１２０μｍであってもよい。
（支持片の製造方法）
　支持片の製造方法の一例について説明する。本実施形態に係る製造方法は、以下の（Ａ）～（Ｃ）の工程を含む。
（Ａ）基材フィルム１と、粘着層２と、基材フィルム１及び粘着層２と色差を有する支持片形成用フィルムＤとをこの順序で備える支持片形成用積層フィルム２０（以下、場合により「積層フィルム２０」という。）を準備する工程（図３、図４参照）
（Ｂ）支持片形成用フィルムＤを個片化することによって、粘着層２の表面上に複数の支持片Ｄａを形成する工程（図５（ｂ）参照）
（Ｃ）粘着層２から支持片Ｄａをピックアップする工程（図５（ｄ）参照）
　なお、図１に示す支持片Ｄｃは、これに含まれる接着剤片（熱硬化性樹組成物）が硬化した後のものである。一方、支持片Ｄａは、これに含まれる接着剤片（熱硬化性樹組成物）が完全に硬化する前の状態のものである（例えば、図５（ｂ）参照）。
　（Ａ）～（Ｃ）の工程は、複数の支持片Ｄａを製造するプロセスである。以下、図３～５を参照しながら、（Ａ）～（Ｃ）工程について説明する。
［（Ａ）工程］
　（Ａ）工程は、積層フィルム２０を準備する工程である。積層フィルム２０は、基材フィルム１と、粘着層２と、基材フィルム１及び粘着層２と色差を有する支持片形成用フィルムＤとを備える。基材フィルム１は、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）である。粘着層２は、パンチング等によって円形に形成されている（図３（ａ）参照）。粘着層２は、感圧型の粘着剤からなるものであっても、紫外線硬化型の粘着剤からなるものであってもよい。粘着層２が紫外線硬化型の粘着剤からなるものである場合、粘着層２は紫外線が照射されることによって粘着性が低下する性質を有する。支持片形成用フィルムＤは、パンチング等によって円形に形成されており、粘着層２よりも小さい直径を有する（図３（ａ）参照）。支持片形成用フィルムＤは、熱硬化性樹脂組成物からなるものであってよい。
　支持片形成用フィルムＤを構成する熱硬化性樹脂組成物は、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、その後の硬化処理によって完全硬化物（Ｃステージ）状態となり得るものである。熱硬化性樹脂組成物は、ずり粘度を所定の範囲に調整し易く、基材フィルム及び粘着層との色差を発現させる観点から、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマ（例えば、アクリル樹脂）と、着色料とを含み、必要に応じて、無機フィラー及び硬化促進剤等を更に含むものであってよい。支持片形成用フィルムＤを構成する熱硬化性樹脂組成物の詳細については後述する。
　支持片形成用フィルムＤの厚さは、例えば、５～１８０μｍ又は２０～１２０μｍであってよい。支持片形成用フィルムの厚さがこの範囲であることで、第一のチップ（例えば、コントローラチップ）に対して適度な高さのドルメン構造を構築できる。
　積層フィルム２０は、例えば、基材フィルム１とその表面上に粘着層２とを有する第１の積層フィルムと、カバーフィルム３とその表面上に支持片形成用フィルムＤとを有する第２の積層フィルムとを貼り合わせることによって作製することができる（図４参照）。第１の積層フィルムは、基材フィルム１の表面上に粘着層を塗工によって形成する工程と、粘着層をパンチング等によって所定の形状（例えば、円形）に加工する工程を経て得られる。第２の積層フィルムは、カバーフィルム３（例えば、ＰＥＴフィルム又はポリエチレンフィルム）の表面上に支持片形成用フィルムを塗工によって形成する工程と、支持片形成用フィルムをパンチング等によって所定の形状（例えば、円形）に加工する工程を経て得られる。積層フィルム２０を使用するに際し、カバーフィルム３は適当なタイミングで剥がされる。
［（Ｂ）工程］
　（Ｂ）工程は、支持片形成用フィルムＤを個片化することによって、粘着層２の表面上に複数の支持片Ｄａを形成する工程である。図５（ａ）に示されるように、積層フィルム２０にダイシングリングＤＲを貼り付ける。すなわち、積層フィルム２０の粘着層２にダイシングリングＤＲを貼り付け、ダイシングリングＤＲの内側に支持片形成用フィルムＤが配置された状態にする。支持片形成用フィルムＤをダイシングによって個片化する（図５（ｂ）参照）。これによって、支持片形成用フィルムＤから多数の支持片Ｄａが得られる。
［（Ｃ）工程］
　（Ｃ）工程は、粘着層２から支持片Ｄａをピックアップする工程である。図５（ｃ）に示されるように、基材フィルム１をエキスパンドすることで、支持片Ｄａを互いに離間させる。次いで、図５（ｄ）に示されるように、支持片Ｄａを突き上げ治具４２で突き上げることによって粘着層２から支持片Ｄａを剥離させるとともに、吸引コレット４４で吸引して支持片Ｄａをピックアップする。
　図６（ａ）は、個片化後の支持片形成用フィルムの一実施形態を模式的に示す平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の部分Ｅにおける拡大図である。本明細書において、「カメラによる視認性」は、個片化後の支持片形成用フィルムを通常の半導体チップの製造に用いられる装置（例えば、ダイボンダ等）に付属されるカメラによって観察したときに、基材フィルム１及び粘着層２に対する支持片Ｄａの確認のし易さを意味する。この確認のし易さは、例えば、基材フィルム１及び粘着層２と支持片Ｄａとの光学的なコントラストを高くする（大きくする）ことによって向上し得る。通常、基材フィルム１は白色であり、粘着層２は透明色であることから、支持片Ｄａの色は、これらと光学的なコントラストを発現できる色であれば特に制限されない。光学的なコントラストがより明確になることから、支持片Ｄａの色は、好ましくは黒色である。支持片Ｄａの色は、後述の熱硬化性樹脂組成物の含有成分（特に、着色料）を調整することによって、所望の色に調整することができる。
　本実施形態に係る支持片の製造方法は、（Ｂ）工程と（Ｃ）工程の間に、支持片の位置をカメラで認識する工程を含んでいてもよい。
　本実施形態に係る支持片の製造方法によれば、積層フィルム２０が基材フィルム１と、粘着層２と、基材フィルム１及び粘着層２と色差を有する支持片形成用フィルムＤとを含むことから、支持片形成用フィルムと基材フィルム及び粘着層との色差によって、光学的なコントラストがより高くなり、支持片Ｄａのカメラによる視認性が向上し、支持片Ｄａをより効率よくピックアップすることが可能となる。
（半導体装置の製造方法）
　半導体装置１００の製造方法について説明する。本実施形態に係る製造方法は、以下の（Ｄ）～（Ｈ）の工程を含む。
（Ｄ）基板１０上に第一のチップＴ１を配置する工程
（Ｅ）基板１０上であって第一のチップＴ１の周囲に上記の製造方法によって得られる複数の支持片Ｄａを配置する工程（図７参照）
（Ｆ）第二のチップＴ２と、第二のチップＴ２の一方の面上に設けられた接着剤片Ｔａとを備える接着剤片付きチップＴ２ａを準備する工程（図８参照）
（Ｇ）複数の支持片Ｄｃの表面上に接着剤片付きチップＴ２ａを配置することによってドルメン構造を構築する工程（図９参照）
（Ｈ）チップＴ１とチップＴ２との隙間等を封止材５０で封止する工程（図１参照）
　（Ｄ）～（Ｈ）工程は、複数の支持片Ｄａを使用してドルメン構造を基板１０上に構築していくプロセスである。以下、図７～９を参照しながら、（Ｄ）～（Ｈ）工程について説明する。
［（Ｄ）工程］
　（Ｄ）工程は、基板１０上に第一のチップＴ１を配置する工程である。例えば、まず、基板１０上の所定の位置に接着剤層Ｔ１ｃを介してチップＴ１を配置する。その後、チップＴ１はワイヤｗで基板１０と電気的に接続される。
［（Ｅ）工程］
　（Ｅ）工程は、基板１０上であって第一のチップＴ１の周囲に複数の支持片Ｄａを配置する工程である。この工程を経て、図７に示す構造体３０が作製される。構造体３０は、基板１０と、その表面上に配置されたチップＴ１と、複数の支持片Ｄａとを備える。支持片Ｄａの配置は圧着処理によって行えばよい。圧着処理は、例えば、８０～１８０℃、０．０１～０．５０ＭＰａの条件で、０．５～３．０秒間にわたって実施することが好ましい。なお、支持片Ｄａは、これに含まれる接着剤片５ｐが（Ｅ）工程の時点で完全に硬化して支持片Ｄｃとなっていてもよく、この時点では完全硬化していなくてもよい。支持片Ｄａに含まれる接着剤片５ｐは（Ｇ）工程の開始前の時点で完全硬化して接着剤片５ｃとなっていることが好ましい。
［（Ｆ）工程］
　（Ｆ）工程は、図８に示す接着剤片付きチップＴ２ａを準備する工程である。接着剤片付きチップＴ２ａは、チップＴ２と、その一方の表面に設けられた接着剤片Ｔａとを備える。接着剤片付きチップＴ２ａは、例えば、半導体ウェハ及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを使用し、ダイシング工程及びピックアップ工程を経て得ることができる。
［（Ｇ）工程］
　（Ｇ）工程は、複数の支持片Ｄｃの上面に接着剤片Ｔａが接するように、チップＴ１の上方に接着剤片付きチップＴ２ａを配置する工程である。具体的には、支持片Ｄｃの上面に接着剤片Ｔａを介してチップＴ２を圧着する。この圧着処理は、例えば、８０～１８０℃、０．０１～０．５０ＭＰａの条件で、０．５～３．０秒間にわたって実施することが好ましい。次に、加熱によって接着剤片Ｔａを硬化させる。この硬化処理は、例えば、６０～１７５℃、０．０１～１．０ＭＰａの条件で、５分間以上にわたって実施することが好ましい。これによって、接着剤片Ｔａが硬化して接着剤片Ｔｃとなる。この工程を経て、基板１０上にドルメン構造が構築される（図９参照）。
　（Ｇ）工程後であって（Ｈ）工程前に、チップＴ２の上に接着剤片を介してチップＴ３を配置し、更に、チップＴ３の上に接着剤片を介してチップＴ４を配置する。接着剤片は上述の接着剤片Ｔａと同様の熱硬化性樹脂組成物であればよく、加熱硬化によって接着剤片Ｔｃとなる（図１参照）。他方、チップＴ２，Ｔ３，Ｔ４と基板１０とをワイヤｗで電気的にそれぞれ接続する。なお、チップＴ１の上方に積層するチップの数は本実施形態の三つに限定されず、適宜設定すればよい。
［（Ｈ）工程］
　（Ｈ）工程は、チップＴ１とチップＴ２との隙間等を封止材５０で封止する工程である。この工程を経て図１に示す半導体装置１００が完成する。
（熱硬化性樹脂組成物）
　支持片形成用フィルムＤを構成する熱硬化性樹脂組成物は、上述のとおり、エポキシ樹脂と、硬化剤と、エラストマと、着色料とを含み、必要に応じて、無機フィラー及び硬化促進剤等を更に含む。
・特性１：基板１０の所定の位置に支持片Ｄａを熱圧着したとき位置ずれが生じにくいこと（１２０℃における接着剤片５ｐの溶融粘度（ずり粘度）が、例えば、４３００～５００００Ｐａ・ｓ又は５０００～４００００Ｐａ・ｓであること）
・特性２：半導体装置１００内において接着剤片５ｃが応力緩和性を発揮すること（熱硬化性樹脂組成物がエラストマ（ゴム成分）を含むこと）
・特性３：接着剤片付きチップの接着剤片Ｔｃとの接着強度が充分に高いこと（接着剤片Ｔｃに対する接着剤片５ｃ（すなわち、熱硬化性樹脂層からなるフィルムの硬化物）のダイシェア強度（シェア強度）が、例えば、２．０～７．０Ｍｐａ又は３．０～６．０Ｍｐａであること）
・特性４：硬化に伴う収縮率が充分に小さいこと
・特性５：接着剤片５ｃが充分な機械的強度を有すること
［エポキシ樹脂］
　エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
［硬化剤］
　硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂、エステル化合物、芳香族アミン、脂肪族アミン、酸無水物等が挙げられる。これらのうち、高いダイシェア強度（シェア強度）を達成する観点から、フェノール樹脂が好ましい。フェノール樹脂の市販品としては、例えば、ＤＩＣ株式会社製のＬＦ－４８７１（商品名、ＢＰＡノボラック型フェノール樹脂）、エア・ウォーター株式会社製のＨＥ－１００Ｃ－３０（商品名、フェニルアラキル型フェノール樹脂）、ＤＩＣ株式会社製のフェノライトＫＡ及びＴＤシリーズ、三井化学株式会社製のミレックスＸＬＣ－シリーズとＸＬシリーズ（例えば、ミレックスＸＬＣ－ＬＬ）、エア・ウォーター株式会社製のＨＥシリーズ（例えば、ＨＥ１００Ｃ－３０）、明和化成株式会社製のＭＥＨＣ－７８００シリーズ（例えばＭＥＨＣ－７８００－４Ｓ）、ＪＥＦケミカル株式会社製のＪＤＰＰシリーズ、群栄化学工業株式会社製のＰＳＭシリーズ（例えば、ＰＳＭ－４３２６）等が挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
　エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合量は、高いダイシェア強度（シェア強度）を達成する観点から、それぞれエポキシ当量と水酸基当量の当量比が０．６～１．５であることが好ましく、０．７～１．４であることがより好ましく、０．８～１．３であることが更に好ましい。配合比が上記範囲内であることで、硬化性及び流動性の両方を充分に高水準に達成し易い。
［エラストマ］
　エラストマとしては、例えば、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン、アクリロニトリル、エポキシ変性ポリブタジエン、無水マレイン酸変性ポリブタジエン、フェノール変性ポリブタジエン、カルボキシ変性アクリロニトリルが挙げられる。
　高いダイシェア強度（シェア強度）を達成する観点から、エラストマとしてアクリル系樹脂が好ましく、更に、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等のエポキシ基又はグリシジル基を架橋性官能基として有する官能性モノマーを重合して得たエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体等のアクリル系樹脂がより好ましい。アクリル系樹脂のなかでもエポキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル共重合体及びエポキシ基含有アクリルゴムが好ましく、エポキシ基含有アクリルゴムがより好ましい。エポキシ基含有アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重合体などからなる、エポキシ基を有するゴムである。なお、アクリル系樹脂は、エポキシ基だけでなく、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有していてもよい。
　アクリル樹脂の市販品としては、例えば、ナガセケムテック株式会社製のＳＧ－７０Ｌ、ＳＧ－７０８－６、ＷＳ－０２３　ＥＫ３０、ＳＧ－２８０　ＥＫ２３、ＳＧ－Ｐ３溶剤変更品（商品名、アクリルゴム、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：１２℃、溶剤はシクロヘキサノン）等が挙げられる。
　アクリル樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、高いダイシェア強度（シェア強度）を達成する観点から、－５０～５０℃であることが好ましく、－３０～３０℃であることがより好ましい。アクリル樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、高いダイシェア強度（シェア強度）を達成する観点から、１０万～３００万であることが好ましく、５０万～２００万であることがより好ましい。ここで、Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。なお、分子量分布の狭いアクリル樹脂を用いることによって、高弾性の接着剤片を形成できる傾向にある。
　熱硬化性樹脂組成物に含まれるエラストマの量は、高いダイシェア強度（シェア強度）を達成する観点から、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤の合計１００質量部に対して１０～２００質量部であることが好ましく、２０～１００質量部であることがより好ましい。
　着色料は、基材フィルム及び粘着層との色差を発現させることができるものであれば特に制限されず、公知の顔料、染料等を用いることができる。通常、基材フィルムが白色であり、粘着層が透明色であることから、着色料は、これらと光学的なコントラストを発現できる色の着色料であれば特に制限なく用いることができる。光学的なコントラストがより明確になることから、着色料の色は、好ましくは黒色である。黒色着色料としては、例えば、カーボンブラック等が挙げられる。
　熱硬化性樹脂組成物に含まれる着色料の量は、粘着層とのより高い色差を発現させる観点から、熱硬化性樹脂組成物の樹脂成分１００質量部に対して、０．１～１０質量部であることが好ましく、０．１～５質量部であることがより好ましい。
［無機フィラー］
　無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
　無機フィラーの平均粒径は、高いダイシェア強度（シェア強度）を達成する観点から、０．００５μｍ～１．０μｍが好ましく、０．０５～０．５μｍがより好ましい。無機フィラーの表面は、高いダイシェア強度（シェア強度）を達成する観点から、化学修飾されていることが好ましい。表面を化学修飾する材料としては、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。シランカップリング剤の官能基の種類としては、例えば、ビニル基、アクリロイル基、エポキシ基、メルカプト基、アミノ基、ジアミノ基、アルコキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
　高いダイシェア強度（シェア強度）を達成する観点から、熱硬化性樹脂組成物の樹脂成分１００質量部に対して、無機フィラーの含有量は２０～２００質量部であることが好ましく、３０～１００質量部であることがより好ましい。
［硬化促進剤］
　硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。高いダイシェア強度（シェア強度）を達成する観点から、イミダゾール系の化合物が好ましい。イミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。
　熱硬化性樹脂組成物における硬化促進剤の含有量は、高いダイシェア強度（シェア強度）を達成する観点から、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤の合計１００質量部に対して０．０４～３質量部が好ましく、０．０４～０．２質量部がより好ましい。
＜第二実施形態＞
　図１０は、半導体装置の第二実施形態を模式的に示す断面図である。第一実施形態に係る半導体装置１００はチップＴ１が接着剤片Ｔｃと離間している態様であるのに対し、本実施形態に係る半導体装置２００はチップＴ１が接着剤片Ｔｃと接している。つまり、接着剤片Ｔｃは、チップＴ１の上面及び支持片Ｄｃの上面に接している。例えば、支持片形成用フィルムＤの厚さを適宜設定することで、チップＴ１の上面の位置と支持片Ｄｃの上面の位置を一致させることができる。
　半導体装置２００においては、チップＴ１が基板１０に対し、ワイヤボンディングではなく、フリップチップ接続されている。なお、チップＴ２とともに接着剤片付きチップＴ２ａを構成する接着剤片Ｔａに埋め込まれる構成とすれば、基板１０にチップＴ１がワイヤボンディングされた態様であっても、チップＴ１が接着剤片Ｔｃと接した状態とすることができる。
　以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態においては、図３（ｂ）に示すように、着色料を含む熱硬化性樹脂層からなる支持片形成用フィルムＤを備える支持片形成用積層フィルム２０を例示したが、支持片形成用積層フィルムは、熱硬化性樹脂層と着色料を含む樹脂層（着色料を含む樹脂からなる樹脂層）とを有する多層フィルムを備えたものであってもよい。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、支持片形成用積層フィルムの他の実施形態をそれぞれ模式的に示す断面図である。図１１（ａ）に示す支持片形成用積層フィルム２０Ａは、熱硬化性樹脂層５と、着色料を含む樹脂層６とを有する二層フィルムＤ２（支持片形成用フィルム）を有する。すなわち、支持片形成用積層フィルム２０Ａにおいては、粘着層２と最外面の着色料を含む樹脂層６との間に熱硬化性樹脂層５が配置されている。なお、熱硬化性樹脂層５は、第一実施形態に係る支持片形成用フィルムＤを構成する熱硬化性樹脂組成物からなるものであり得るが、熱硬化性樹脂組成物は、着色料を含んでいなくてもよい。熱硬化性樹脂層５の厚さは、支持片形成用フィルムＤの厚さと同様であってよい。着色料を含む樹脂層６の厚さは、例えば、５～１００μｍであり、１０～９０μｍ又は２０～８０μｍであってもよい。着色料は、通常、基材フィルムが白色であり、粘着層が透明色であることから、着色料は、これらと光学的なコントラストを発現できる色の着色料であれば特に制限されないが、光学的なコントラストがより明確になることから、着色料の色は、好ましくは黒色である。黒色着色料は、上記で例示した黒色着色料と同じものが例示できる。着色料を含む樹脂は、着色料を含む樹脂からなるものであり、市販の着色料を含む樹脂を用いて形成することができる。例えば、黒色着色料を含む樹脂層は、黒色着色料を含む樹脂からなるものであり、市販の黒色着色料を含む樹脂を用いて形成することができる。黒色着色料を含む樹脂は、充分な機械的強度を有することから、例えば、黒色ポリイミドであってよい。
　図１１（ｂ）に示す支持片形成用積層フィルム２０Ｂは、着色料を含む樹脂層６と、着色料を含む樹脂層６を挟む二層の熱硬化性樹脂層５とを有する三層フィルムＤ３（支持片形成用フィルム）を有する。支持片形成用積層フィルム２０Ｂにおいては、粘着層２の表面上に三層フィルムＤ３が配置されている。
　支持片形成用積層フィルム２０Ａは、着色料を含む樹脂層６を含むことで、支持片形成用フィルムと粘着層との光学的なコントラストがより高くなることから、カメラによる視認性により優れる支持片を効率的に製造することが可能となる。
　支持片形成用積層フィルム２０Ａは、例えば、以下の工程を経て製造することができる。
・基材フィルム１と、粘着層２と、熱硬化性樹脂層５とをこの順序で備える積層フィルムを準備する工程
・上記積層フィルムの表面に着色料を含む樹脂層６を貼り合わせる工程
　支持片形成用積層フィルム２０Ｂは、例えば、支持片形成用積層フィルム２０Ａの製造方法に、着色料を含む樹脂層６上に熱硬化性樹脂層５を設ける工程をさらに備えることによって製造することができる。
　本開示によれば、カメラによる視認性に優れる支持片を効率的に製造する支持片の製造方法が提供される。また、本開示によれば、ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法及び支持片形成用積層フィルムが提供される。
１…基材フィルム、２…粘着層、５…熱硬化性樹脂層、６…樹脂層、１０…基板、２０，２０Ａ，２０Ｂ…支持片形成用積層フィルム、５０…封止材、１００，２００…半導体装置、Ｄ…支持片形成用フィルム、Ｄ２…二層フィルム（支持片形成用フィルム）、Ｄａ，Ｄｃ…支持片、Ｔ１…第一のチップ、Ｔ２…第二のチップ、Ｔ２ａ…接着剤片付きチップ、Ｔａ，Ｔｃ…接着剤片。

Claims (9)

  1. 　基板と、前記基板上に配置された第一のチップと、前記基板上であって前記第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、前記複数の支持片によって支持され且つ前記第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造プロセスにおいて使用される支持片の製造方法であって、
    （Ａ）基材フィルムと、粘着層と、前記基材フィルム及び前記粘着層と色差を有する支持片形成用フィルムとをこの順序で備える積層フィルムを準備する工程と、
    （Ｂ）前記支持片形成用フィルムを個片化することによって、前記粘着層の表面上に複数の支持片を形成する工程と、
    （Ｃ）前記粘着層から前記支持片をピックアップする工程と、
    を含む、支持片の製造方法。
  2. 　前記支持片形成用フィルムが着色料を含む熱硬化性樹脂層からなるフィルムである、請求項１に記載の支持片の製造方法。
  3. 　前記支持片形成用フィルムが熱硬化性樹脂層と着色料を含む樹脂層とを有する多層フィルムである、請求項１に記載の支持片の製造方法。
  4. 　（Ｂ）工程と（Ｃ）工程の間に、前記支持片の位置をカメラで認識する工程を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の支持片の製造方法。
  5. 　基板と、前記基板上に配置された第一のチップと、前記基板上であって前記第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、前記複数の支持片によって支持され且つ前記第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造方法であって、
    （Ｄ）基板上に第一のチップを配置する工程と、
    （Ｅ）前記基板上であって前記第一のチップの周囲に請求項１～４のいずれか一項に記載の製造方法によって得られる複数の支持片を配置する工程と、
    （Ｆ）第二のチップと、前記第二のチップの一方の面上に設けられた接着剤片とを備える接着剤片付きチップを準備する工程と、
    （Ｇ）複数の前記支持片の表面上に前記接着剤片付きチップを配置することによってドルメン構造を構築する工程と、
    を含む、半導体装置の製造方法。
  6. 　（Ｇ）工程よりも前に、前記支持片形成用フィルム又は前記支持片を加熱する工程を含む、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 　基板と、前記基板上に配置された第一のチップと、前記基板上であって前記第一のチップの周囲に配置された複数の支持片と、前記複数の支持片によって支持され且つ前記第一のチップを覆うように配置された第二のチップとを含むドルメン構造を有する半導体装置の製造プロセスにおいて使用される支持片形成用積層フィルムであって、
    　基材フィルムと、
    　粘着層と、
    　前記基材フィルム及び前記粘着層と色差を有する支持片形成用フィルムと、
    をこの順序で備える、支持片形成用積層フィルム。
  8. 　前記支持片形成用フィルムが着色料を含む熱硬化性樹脂層からなるフィルムである、請求項７に記載の支持片形成用積層フィルム。
  9. 　前記支持片形成用フィルムが熱硬化性樹脂層と着色料を含む樹脂層とを有する多層フィルムである、請求項７に記載の支持片形成用積層フィルム。
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