WO2020256259A1 - 슬롯 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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WO2020256259A1 PCT/KR2020/004671 KR2020004671W WO2020256259A1 WO 2020256259 A1 WO2020256259 A1 WO 2020256259A1 KR 2020004671 W KR2020004671 W KR 2020004671W WO 2020256259 A1 WO2020256259 A1 WO 2020256259A1
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opening
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process chamber
slot valve
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이용현
양근수
유광수
정철우
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주성엔지니어링(주)
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Definitions

  • the present invention relates to a slot valve and a substrate processing apparatus including the same.
  • semiconductor manufacturing equipment used to manufacture a semiconductor device includes: a process chamber for processing a plurality of substrates; A load lock chamber crossing a vacuum state and an atmospheric pressure state; And a transfer chamber for carrying in or transferring a substrate between the process chamber and the load lock chamber, and a slot valve serving as a passage is provided between the process chamber and the load lock chamber and the transfer chamber.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of a semiconductor manufacturing equipment fastened by a general slot valve.
  • a general slot valve 30 is installed between a process chamber 10 and a transfer chamber 20 in which substrate transfer passages 11 and 21 are respectively opened in a partition wall, and a horizontal driving element 31; A plurality of plates 32 respectively connected to one end and the other end of the horizontal driving element 31; A vertical driving unit 33 for elevating the plurality of plates 32; O-ring 34 coupled to one side of the plate 32; And a housing 35 for storing the components therein.
  • the substrate processing process proceeds, and at this time, the substrate is used to make the inside of the process chamber 10 in a vacuum state. It is necessary to close the conveying passages 11 and 21.
  • the horizontal drive element 31 connects the plurality of plates 32 to the housing 35 while the plurality of plates 32 are raised to a predetermined height by the vertical drive unit 33. It is closed by pressing to both sides, and the inside of the process chamber 10 is maintained in a vacuum state by the O-ring 34.
  • the above-described general slot valve 30 is coupled to the outside of the process chamber 10 to close the substrate transfer passage 11 formed in the partition wall of the process chamber 10, the process within the substrate transfer passage 11 A dummy space 40 corresponding to the thickness of the partition walls of the chamber 10 and the slot valve 30 is formed. Since the dummy space 40 causes a spatial imbalance inside the process chamber 10, the flow of gas and/or plasma is disturbed during the substrate processing process, causing abnormal deposition of a thin film.
  • particles 50 according to a substrate processing process are deposited in the dummy space 40, and the particles 50 are transferred to the transferred substrate S, resulting in product defects.
  • the operation of the process chamber 10 is temporarily stopped, and the equipment operation rate is lowered, resulting in a problem of lowering productivity.
  • the O-ring 34 is coupled to one side of the plate 31 to be sealed.
  • the gas charge in the plasma state inside the sealed process chamber 10 Is concentrated and cannot escape to the outside, resulting in an abnormal discharge phenomenon due to plasma.
  • the embodiment was conceived to solve the above-described problem, and the slot valve is mounted in one side wall of the chamber to resolve the spatial imbalance inside the chamber, and a substrate capable of preventing abnormal discharge due to plasma through the sealing member It relates to a processing device.
  • a blade for opening and closing an opening formed in a side wall of a chamber A driving unit accommodated in the sidewall of the chamber to reciprocate the blade in a horizontal direction; And a shaft connecting the blade and the driving unit, wherein the blade is formed on the same surface as the inner surface of the chamber by the sealing operation of the driving unit.
  • the blade may include a first blade disposed inside the chamber; And a second blade facing the first blade.
  • the housing is formed outside the chamber to accommodate the second blade, but at least one side of the housing is formed with an entrance; further comprising, the first and second blades may be driven in opposite directions.
  • the second blade may be disposed within a sidewall of the chamber, and the first and second blades may be driven in the same direction.
  • the shaft may include a first shaft connected to the first blade; And a second shaft connected to the second blade, and the first and second shafts may have different lengths.
  • a chamber having an opening formed in at least one sidewall; And a slot valve mounted on at least one sidewall of the chamber, wherein the slot valve comprises: a blade selectively opening and closing the opening; A driving unit accommodated in the at least one sidewall to lift or descend in a first direction, and reciprocate the blade in a second direction perpendicular to the first direction; And a shaft connecting the blade and the driving unit, wherein the blade becomes the same surface as the inner surface of the chamber by the sealing operation of the driving unit.
  • the at least one side wall includes a bent portion that is stepped and depressed in the second direction along the circumference of the opening, and as the shaft is moved to the inside of the driving unit by the sealing operation, one surface of the blade Is in contact with the bent portion, and the other surface opposite to the one surface may be located on the same surface as the inner surface of the sidewall.
  • the width of the blade may correspond to the width of the bent portion.
  • It may further include a sealing member interposed between the blade and the at least one side wall.
  • the at least one side wall may include a receiving part for mounting the driving part; And a concave portion for receiving the shaft between the receiving portion and an inner surface of the chamber, wherein the shape of the concave portion may correspond to a shape of the shaft.
  • the slot valve is mounted in the sidewall of the chamber and the opening is closed by a pulling operation, the spatial imbalance inside the chamber is resolved, resulting in an improvement in abnormal deposition, and a decrease in equipment operation rate. Can be prevented, the yield or productivity of the product can be improved.
  • FIG. 1 is a schematic structural diagram of a semiconductor manufacturing equipment fastened by a general slot valve.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view of a substrate processing apparatus in a state in which an opening is opened by a slot valve according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG 3 is a partial cross-sectional view of a substrate processing apparatus in a state in which an opening is closed by a slot valve according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a structure in which a transfer chamber is fastened to a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic enlarged perspective view of area C shown in FIG. 4.
  • FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a substrate processing apparatus in a state in which an opening is opened by a slot valve according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a partial cross-sectional view of a substrate processing apparatus in a state in which an opening is closed by a slot valve according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • FIGS. 3 and 7 are partial cross-sectional views illustrating another embodiment of region D illustrated in FIGS. 3 and 7, respectively.
  • FIG. 9 is a partial cross-sectional view illustrating another embodiment of region D shown in FIGS. 3 and 7, respectively.
  • 10A to 10B are partial cross-sectional views of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view of a substrate processing apparatus in a state in which an opening is opened by a slot valve according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • a substrate processing apparatus 1000A includes a process chamber 100; And a slot valve 200 mounted in at least one sidewall 110 of the process chamber 100.
  • the process chamber 100 has a reaction space therein to perform a series of unit processes (hereinafter, referred to as a'substrate processing process' for convenience) for processing the transferred substrate -for example, deposition, photo, and etching processes. It is provided, and the reaction space is formed by being surrounded by a side wall 110 made of a dual structure of an inner surface 110a and an outer surface 110b.
  • an opening OP which is a transfer passage for a substrate;
  • a bent part 112 stepped in a step shape may be formed along the circumference of the opening OP to increase the inner diameter toward the inner surface 110a of the side wall 110.
  • the slot valve 200 includes an elevating device 210; Opening and closing device 230; And a housing 250 provided outside the process chamber 100 and accommodating at least one component of the opening/closing device 230.
  • the lifting device 210 includes a first driving unit 211 installed outside the process chamber 100 to lift the opening and closing device 230 in a first direction; A lifting bar 212 interconnecting the first driving part 211 and the opening/closing device 230; And bellows 213 for maintaining airtightness of the lifting bar 212 exposed to the outside of the process chamber 100.
  • the first driving unit 211 is driven one axis using a pneumatic, hydraulic, or electric linear actuator, and can transmit power to the lifting bar 213 so that the opening and closing device 230 moves up or down in the first direction. have.
  • the lifting bar 212 is compressed or expanded by the operation of the first driving unit 211 and is drawn into a through hole (H) formed in the lower wall 120 of the process chamber 100 Can be moved up and down.
  • the through hole H overlaps in the first direction with the opening OP provided in the one side wall 110 of the process chamber 100, and extends downward from at least one region of the receiving part 111 to be formed. I can.
  • the bellows 213 is provided outside the process chamber 100 and may be interposed between the process chamber 100 and the first driving unit 211 so that the through hole H is sealed. The inside of the process chamber 100 is blocked from the outside by the bellows 213 to maintain a vacuum state required for the process.
  • the opening and closing device 230 may include a blade 231 for selectively opening and closing the opening OP; A second driving unit 232 accommodated in one side wall 110 of the process chamber 100 to reciprocate the blade 231 in a second direction perpendicular to the first direction; And a shaft 233 connecting the blade 231 to the second driving unit 232.
  • the blade 231 may include a first blade 231a and a second blade 231b respectively connected to one end and the other end of the second driving unit 232.
  • the first and second blades 231a and 231b are disposed to be spaced apart from each other in parallel, and may have a shape corresponding to the opening OP formed in one sidewall 110 of the process chamber 100.
  • the first blade 231a is provided inside the process chamber 100
  • the second blade 231b is provided inside the housing 250
  • the opening/closing device 230 is provided by the lifting device 210
  • the first and second blades 231a and 231b are driven in opposite directions by a push-pull operation of the second driving unit 232 to open or close the opening OP. have.
  • the width w1 of the first blade 231a may be formed to correspond to the width w2 of the bent portion 112.
  • the width w2 of the bent part 112 refers to the thickness of the bent part 112 that is stepped in a second direction along the circumference of the opening OP, and preferably, the first blade 231a )
  • the second driving unit 232 is provided in the receiving unit 111 formed under the opening OP among one side wall 110 of the process chamber 100, and is connected to the lifting device 210, but is used in a push-pull operation.
  • a cylinder (232a) providing power so that each of the first and second blades (231a, 231b) linearly reciprocates along the second direction;
  • a pair of guide members 232b connected to one surface and the other surface of the cylinder 232a to guide the movement of the first and second blades 231a and 231b.
  • the shaft 233 includes: a first shaft 233a having one end connected to the first blade 231a and the other end connected to the second driving part 232; And a second shaft 233b having one end connected to the second driving part 232 and the other end connected to the second blade 231b, and each of the first and second shafts 233a and 233b is 2 It is aligned by a pair of guide members 232b along the central axis of the blades 231a and 231b, so that it can move left and right.
  • first and second shafts 233a and 233b may have different lengths.
  • the length d1 of the first shaft 233a may be larger or smaller than the length d2 of the second shaft 233b.
  • the housing 250 is provided outside the process chamber 100 and accommodates the second blade 231b and the second shaft 233b, which are components of the opening and closing device 230, and one side adjacent to the process chamber 100
  • a plurality of entrances 251 and 252, which are transfer passages for the substrate, may be formed through the other side adjacent to the transfer chamber (not shown).
  • the plurality of entrances 251 and 252 are disposed to face each other, but each opening area may be formed differently.
  • the opening area of the first entrance 251 adjacent to the process chamber 100 may be larger than the opening area of the second entrance 252 adjacent to the transfer chamber (not shown).
  • the lower end of the first entrance 251 corresponds to the maximum point for seating the second shaft 233b in the lowered state of the opening and closing device 230
  • the lower end of the second entrance 252 is the opening and closing device In the lowered state of 230
  • the tip of the second blade 231b corresponds to the minimum point that is not interfered by the transfer means (eg, including a robot arm) provided in the transfer chamber (not shown), This is because the lower end of the first entrance 251 is located at a lower point than the lower end of the second entrance 252.
  • a sealing member 270 may be interposed between the blade 231 and one side wall 110 of the process chamber 100.
  • the sealing member 270 is formed by including an electrically conductive material in a member performing a sealing function, such as an O-ring, and one side wall in contact with the edge of one surface of the blade 231 or the one surface of the blade 231 ( It may be installed in at least one of the bent portions 112 of 110).
  • a sealing function such as an O-ring
  • a dovetail-shaped groove 290a is formed at an edge of one side of the second blade 231b facing the opening OP, and the sealing member 270 is the groove 290a. ) Can be inserted and installed.
  • a dovetail-shaped groove 290b is formed in a bent portion 112 of one side wall 110 in contact with one surface of the first blade 231a, and a sealing member 270 ) May be inserted and installed in the groove 290a.
  • a groove 290b is formed at the edge of one surface of the first blade 231a, similar to that shown in area A of FIG. 2, or B of FIG. Similar to that shown in the region, a groove 290a may be formed in an edge region of the first entrance 251, and a sealing member 270 may be inserted into each of the grooves 290a and 290b.
  • the sealing member 270 When the opening 100 is closed by the blade 231, the sealing member 270 maintains the internal pressure of the process chamber 100 and blocks the inflow of gas into the slot valve 200. By forming an equipotential with the sidewall of (100), it may serve to induce the ions excited in the plasma state to escape to the ground (not shown). That is, the sealing member 270 may provide an effect of sealing the inside of the process chamber 100 and preventing an abnormal discharge-or arcing-phenomenon in the process chamber 100.
  • FIG 3 is a partial cross-sectional view of a substrate processing apparatus in a state in which an opening is closed by a slot valve according to an exemplary embodiment of the present invention.
  • the opening/closing device 230 illustrated by a dotted line represents a state raised to a predetermined height by the lifting device 210, and the opening and closing device 230 illustrated by a solid line is formed in the process chamber 100. It shows a state in which the opening OP is closed.
  • the slot valve 200 may open the opening OP for transferring the substrate (see FIG. 2) and close the opening OP for performing a substrate processing process (see FIG. 3 ).
  • the lifting device 210 is a shaft so that the second entrance 252 and the blade 231 of the housing 250 provided adjacent to the transfer chamber (not shown) do not overlap in the second direction.
  • the opening OP may be opened by positioning 233 at the lowest height. In this way, as the opening OP is opened, a substrate may be transferred between the transfer chamber (not shown) and the process chamber 100. Meanwhile, between the receiving portion 111 and the bent portion 112 formed on one side wall 110 of the process chamber 100, a concave portion for seating the shaft 233 in a lowered state of the opening and closing device 230 (Not shown) may be provided, and a description thereof will be described later with reference to FIG. 5.
  • the slot valve 200 closes the opening OP as follows in order to perform the substrate processing process in the reaction space.
  • the lifting device 210 positions the shaft 233 at the highest height so that the ends of the blades 231 overlap each other in the second direction with the bent portion 112 of the process chamber 100 to lift the opening and closing device 210.
  • the lifting bar 212 receives power by the first driving unit 211 and extends by a predetermined height in the first direction, wherein the predetermined height refers to a distance from the lowest height to the highest height of the shaft 233.
  • the second driving unit 232 moves each of the first and second shafts 233a and 233b along the second direction by a pull operation. ) To close the opening OP.
  • first blade 231a is brought into the bent portion 112 of the process chamber 100 and directly contacts, and the second blade 231b is uniformly contacted along the edge region of the first entrance 251,
  • the first and second blades 231a and 231b may be driven in opposite directions.
  • first and second blades 231a and 231b are uniformly contacted along the perimeter of the opening OP and the first entrance 251 by the pull operation of the second driving unit 232, The positive pressure and the back pressure cancel each other, so that the opening OP can be stably closed without applying excessive pressure to the operating part.
  • one surface of the first blade 231a is inserted into the bent portion 112 of the process chamber 100 and comes into contact, and the other surface of the first blade 231a is an inner surface of one side wall 110 of the process chamber 100 It can be located on the same plane as (110a). Accordingly, since the reaction space of the process chamber 100 is spatially symmetric, the flow of gas and/or plasma is not disturbed when performing the substrate processing process, thereby preventing abnormal deposition of the thin film and resulting product The yield and quality of can be improved.
  • sealing member 270 is interposed at a position where the first blade 231a and one side wall 110 of the process chamber 100 contact each other, airtightness is maintained to reduce the internal pressure of the process chamber 100. It can be maintained, and it is possible to prevent corrosion by blocking the gas flowing into the inside of the slot valve 200.
  • the slot valve 200 opens the opening OP again to transfer the substrate to the outside of the process chamber 100, and the opening operation may be performed in the reverse order of the closing operation described above. .
  • the opening/closing device 230 moves each of the first and second shafts 233a and 233b to the outside of the second driving unit 232 along the second direction by a push operation of the second driving unit 232 And, the lifting device 210 can lower the opening and closing device 200 by compressing the lifting bar 212 in the first direction by a predetermined height.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a structure in which a transfer chamber is fastened to a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • a transfer chamber 200 is fastened to one side of the substrate processing apparatus 1000A, and a substrate S is gripped by a transfer means 2500 provided in the transfer chamber 200. It is transferred to the inside of the process chamber 100.
  • a shower head 130 provided with a plurality of injection holes in the process chamber 100; And a susceptor 140 disposed opposite to the shower head 130 at a predetermined interval to place the substrate S; is installed, and a gas for the substrate processing process is supplied to the reaction space outside the process chamber 100
  • a gas supply device 300; And a plasma generating device 400 for applying a high frequency radio frequency (RF) power to the shower head 130 may be connected.
  • RF radio frequency
  • the substrate processing apparatus 1000A When the opening (OP) formed in one side wall 110 of the process chamber 100 is closed by the slot valve 200, the substrate processing apparatus 1000A performs a substrate processing process within the reaction space of the process chamber 100 do.
  • gas is introduced into the shower head 130 through the gas supply device 300 and the plasma generating device 400 is connected to the shower head 130, the gas is excited in a plasma state by high frequency RF power (or , Ignition), and the ions excited in a gas or plasma state through a plurality of injection holes provided in the shower head 130 are sprayed onto the substrate S to perform deposition, photo, and etching processes.
  • the process chamber 100 It is possible to prevent abnormal discharge-or arcing-due to plasma while maintaining the interior at a constant process pressure state.
  • the sealing member 270 having electrical conductivity is interposed between the blade 231 and one side wall 110 of the process chamber 100, the blade 231 and one side wall of the process chamber 100 ( This is because the electric charge of the ions excited in the plasma state collected in the process chamber 100 can escape to the ground 450 via the sealing member 270. to be.
  • the spatial imbalance inside the process chamber 100 is reduced. By eliminating, it is possible to prevent abnormal deposition due to disturbance of gas and/or plasma flow, and to improve the yield and quality of manufactured products.
  • the reason is that when the opening OP is closed by the slot valve 200, the reaction space between the shower head 130 and the susceptor 140 is symmetric, so that the gas in the plasma state required for performing the process is This is because it is uniformly supplied to the (S) phase.
  • the equipment operation rate is reduced due to particle accumulation. And maximize productivity.
  • FIG. 5 is a schematic enlarged perspective view of area C shown in FIG. 4.
  • first and second shafts 233a and 233b are provided at one end and the other end of a pair of guide members 232b, respectively, and each of the first and second shafts 233a and 233b is And a plurality of shafts disposed to be spaced apart from each other in a third direction crossing the second direction.
  • One side wall 110 of the process chamber 100 may be provided with concave portions 113 for receiving or seating the first and second shafts 233a and 233b on both left and right sides with the receiving portion 111 as the center.
  • the concave portion 113 is between the inner surface 110a of the side wall 110 and the receiving portion 111 -or, between the bent portion 112 and the receiving portion 111-and the outer surface 110b of one side wall 110 It may be disposed in at least one position between the and the receiving part 111.
  • the concave portion 113 includes a plurality of grooves spaced apart from each other in a third direction so as to correspond to each of the plurality of first and second shafts 233a and 233b, and each of the plurality of grooves includes a first and a second shaft It may have a shape corresponding to each of the 233a and 233b.
  • the depth of the concave portion 113 may be formed equal to or larger than the outer diameter of the shaft 233, and accordingly, the shaft in one side wall 110 of the process chamber 100 when the opening and closing device 230 is lowered. 233 may be incoming or accommodated.
  • the slot valve 200 may be mounted in one side wall 110 while maintaining the same.
  • the substrate processing apparatus 1000B illustrated in FIGS. 6 to 7 unlike the substrate processing apparatus 1000A illustrated in FIGS. 2 to 3, all components of the slot valve 200 are one of the process chamber 100. It may have a structure in which the sidewall 110 is mounted and the housing 250 is omitted.
  • the same components will be indicated using the same reference numerals.
  • FIG. 6 is a partial cross-sectional view of a substrate processing apparatus in a state in which an opening is opened by a slot valve according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • a substrate processing apparatus 1000B includes a process chamber 100; And a slot valve 200 mounted in at least one sidewall 110 of the process chamber 100 and provided with an elevating device 210 and an opening/closing device 230.
  • an opening OP which is a transfer passage for a substrate;
  • a bent part 112 stepped in a step shape may be formed along the circumference of the opening OP to increase the inner diameter toward the inner surface 110a of the side wall 110.
  • the accommodating portion 111 includes a first accommodating portion 111a that is recessed toward the lower side of the opening OP; And a second accommodating portion 111b recessed toward the upper side of the opening OP, and each of the first and second accommodating portions 111a and 111b includes an opening/closing device in a state in which the opening OP is opened or closed ( 230) may be formed in a size that can accommodate.
  • the lifting device 210 includes a first driving unit 211 installed outside the process chamber 100 to lift the opening and closing device 230 in a first direction; A lifting bar 212 interconnecting the first driving part 211 and the opening/closing device 230; And a bellows 213 for maintaining airtightness of the lifting bar 212 exposed to the outside of the process chamber 100.
  • the opening and closing device 230 may include a blade 231 for selectively opening and closing the opening OP; A second driving unit 232 accommodated in one side wall 110 of the process chamber 100 to reciprocate the blade 231 in a second direction perpendicular to the first direction; And a shaft 233 connecting the blade 231 and the second driving unit 232 to each other.
  • the blade 231 includes a first blade 231a provided in a reaction space inside the process chamber 100; And a second blade 231b provided in one side wall 110 of the process chamber 100-for example, the receiving part 111 -, and the opening/closing device 230 is lifted by the lifting device 210 In this state, the first and second blades 231a and 231b are driven in the same direction by a push-pull operation of the second driving unit 232 to open or close the opening OP. .
  • the width w1 of the first blade 231a may be formed to correspond to the width w2 of the bent portion 112.
  • the width w2 of the bent part 112 refers to the thickness of the bent part 112 that is stepped in a second direction along the circumference of the opening OP, and preferably, the first blade 231a )
  • the second driving unit 232 is provided in the receiving unit 111 of the process chamber 100 and is connected to the lifting device 210, but each of the first and second blades 231a and 231b is controlled by a push-pull operation.
  • a cylinder (232a) providing power to linearly reciprocate along two directions; And a pair of guide members 232b connected to one surface and the other surface of the cylinder 232a to guide the movement of the first and second blades 231a and 231b.
  • the shaft 233 includes: a first shaft 233a having one end connected to the first blade 231a and the other end connected to the second driving part 232; And a second shaft 233b having one end connected to the second driving part 232 and the other end connected to the second blade 231b, and the first and second shafts 233a and 233b have different lengths.
  • the length d1 of the first shaft 233a may be smaller or larger than the length d2 of the second shaft 233b.
  • a sealing member 270 may be interposed between the blade 231 and one side wall 110 of the process chamber 100.
  • the sealing member 270 may be installed on at least one of the edge of one surface of the blade 231 or the side wall 110 in contact with one surface of the blade 231.
  • FIG. 7 is a partial cross-sectional view of a substrate processing apparatus in a state in which an opening is closed by a slot valve according to another exemplary embodiment of the present invention.
  • the opening/closing device 230 illustrated by a dotted line represents a state raised to a predetermined height by the lifting device 210, and the opening/closing device 230 illustrated by a solid line is formed in the process chamber 100. It shows a state in which the opening OP is closed.
  • the slot valve 200 may open the opening OP for transferring the substrate (see FIG. 6) and close the opening OP for performing a substrate processing process (see FIG. 7 ).
  • the lifting device 210 has the shaft 233 so that the tip of the blade 231 is not interfered by the transfer means provided in the transfer chamber (not shown) in the lowered state of the opening/closing device 230.
  • the substrate may be transferred between the transfer chamber (not shown) and the process chamber 100.
  • a concave for seating the shaft 233 in the lowered state of the opening and closing device 230 as described above in FIG. A portion (not shown) may be formed.
  • the slot valve 200 closes the opening OP as follows in order to perform the substrate processing process in the reaction space.
  • the lifting device 210 positions the shaft 233 at the highest height so that the ends of the blades 231 overlap each other in the second direction with the bent portion 112 of the process chamber 100 to lift the opening and closing device 210.
  • the lifting bar 212 receives power by the first driving unit 211 and extends by a predetermined height in the first direction, wherein the predetermined height refers to a distance from the lowest height to the highest height of the shaft 233.
  • the second driving unit 232 moves the first shaft 233a to the inside of the second driving unit 232 by a pull operation along the second direction.
  • the opening OP may be closed by moving the second shaft 233b to the outside of the second driving unit 232 by a push operation.
  • the first blade 231a is inserted into the bent portion 112 of the process chamber 100 and is in direct contact
  • the second blade 231b is the first and second blades facing the outer surface 110b of the side wall 110.
  • the second accommodating portions 111a and 111b are uniformly contacted along one side surface, and the first and second blades 231a and 231b may be driven in the same direction.
  • the first and second blades 231a and 231b uniformly along the circumference of the opening OP by mutual interlocking of the pull (pull) and push (push) operations of the second driving unit 232. Since they are in contact, the positive pressure and the reverse pressure cancel each other, and the opening OP can be stably closed without applying excessive pressure to the operating part.
  • one surface of the first blade 231a is inserted into the bent portion 112 of the process chamber 100 and comes into contact, and the other surface of the first blade 231a is an inner surface of one side wall 110 of the process chamber 100 It can be located on the same plane as (110a). Accordingly, since the reaction space of the process chamber 100 is spatially symmetric, the flow of gas and/or plasma is not disturbed when performing the substrate processing process, thereby preventing abnormal deposition of the thin film and resulting product The yield and quality of can be improved.
  • the slot valve 200 opens the opening OP again to transfer the substrate to the outside of the process chamber 100, and the opening operation may be performed in the reverse order of the closing operation described above. .
  • the opening and closing device 230 moves the first shaft 233a to the outside of the second driving part 232 by mutual interlocking of the push (push) and pull (pull) operations of the second driving part 232,
  • the second shaft 233b is moved to the inside of the second driving unit 232, and the lifting device 210 compresses the lifting bar 212 in the first direction by a predetermined height to lower the opening/closing device 200.
  • the substrate processing apparatus 1000B illustrated in FIGS. 6 to 7 is different from the substrate processing apparatus 1000A illustrated in FIGS. 2 to 3, and the slot valve 200 is one of the process chamber 100. Since the housing 250 can be removed by completely mounting in the sidewall 100, an effect of reducing the overall layout of the equipment may be provided.
  • the shapes of the sidewalls 110 and the blades 231 of the process chamber 100 are not necessarily limited to those of FIGS. 2 to 7 described above, and may be variously manufactured as described later.
  • FIGS. 3 and 7 are partial cross-sectional views illustrating another embodiment of region D illustrated in FIGS. 3 and 7, respectively.
  • FIG. 8 shows a state in which the opening (OP) is open, and (b) shows a state in which the opening (OP) is closed, respectively.
  • Elements are described by denoting the same reference numerals.
  • an inclined portion 114 is formed on one sidewall 110 of the process chamber 100 according to another embodiment, and the blade 231 may have a trapezoidal cross-sectional shape. .
  • the inclined portion 114 has an inner diameter extending toward the inner surface 110a of one side wall 110 along the periphery of the opening OP, but at a predetermined first angle ⁇ 1 with respect to the second direction, which is the transfer direction of the substrate. It can be formed to be inclined.
  • the predetermined first angle ⁇ 1 may be arbitrarily set in a range between 0° and 90°.
  • the blade 231a adjacent to the process chamber 100 side includes one surface connected to the shaft 233a; The other side located on the opposite side of one side; And an inclined surface formed to be inclined at a second predetermined angle ⁇ 2 between one surface and the other surface toward the inside of the opening OP.
  • the second predetermined angle ⁇ 2 is arbitrarily set in a range between 0° and 90°, and preferably, may be formed equal to the predetermined first angle ⁇ 1.
  • a sealing member 270 for sealing the inside of the process chamber 100 is interposed between the one side wall 110 of the process chamber 100 and the blade 231a, and a sealing member 270 is provided on the inclined surface of the blade 231a.
  • a groove 290c for accommodating the may be formed. However, this is only an example, and the groove 290c may be formed in the inclined portion 114 of the process chamber 100.
  • the sealing member 270 includes an electrically conductive material to suppress abnormal discharge due to plasma, and when the substrate processing process is performed, the sealing member 270 is formed on one sidewall 110 and the blade 231a of the process chamber 100.
  • electrically coupling (coupling) the RF current can be formed a return path (return path).
  • the present invention shortens the return path of the RF current by interposing the sealing member 270 on the inclined surface of the blade 231a-or the inclined portion 114 of the process chamber 100-as shown in FIG. 8. By doing so, it is possible to provide an effect of reducing EMI noise or return loss.
  • the RF current applied to the inside of the process chamber 100 through the plasma generating device 400 passes through the sealing member 270 to the ground 450 along one side wall 110 of the process chamber 100.
  • the return path of the RF current is formed along the inclined surface of the blade 231a-or the inclined portion 114 of the process chamber 100-the length of the return path may be short.
  • the shaft 233a by a pull operation of the second driving unit (not shown) in a state in which the opening/closing device (not shown) is elevated (refer to (a) of FIG. 8).
  • the opening OP formed in the process chamber 100 may be closed.
  • the inclined surface of the blade 231s and the inclined portion 114 of the process chamber 100 are in contact with each other because the width and the inclination angle are the same, and the other surface of the blade 231a is a side wall of the process chamber 100 Since it is located on the same surface as the inner surface 110a of 110, a spatial imbalance inside the process chamber 100 may be eliminated.
  • FIG. 9 is a partial cross-sectional view for explaining another embodiment of a region D shown in FIGS. 3 and 7, respectively,
  • FIG. 9(a) is a state in which the opening OP is opened, and
  • (b) is the opening ( OP) represents a closed state, respectively.
  • one sidewall 110 of the process chamber 100 protrudes toward the center of the opening OP from the tip of the inclined portion 114 It may further include a stopper 116;
  • the stopper 116 prevents the blade 231a from being pushed in the direction of the transfer chamber (not shown) due to a pressure difference between the chambers when the opening OP is closed, and at the same time, the inclined portion of the process chamber 100 ( 114) and the inclined surface of the blade 231a serves to fix the blade 231a so that a fine gap is not generated in the contact surface.
  • the substrate processing apparatus shown in FIG. 9 is the substrate processing apparatus shown in FIG. 8 except that a stopper 116 is further provided in addition to the inclined portion 114 on one side wall 110 of the process chamber 100. Since it is substantially the same as, overlapping description will be omitted.
  • 10A to 10B are partial cross-sectional views of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
  • a substrate processing apparatus 1000C may include a process chamber 100 and a slot valve 200. Inside the process chamber 100 A reaction space is provided in the reaction space, and the reaction space is formed by being surrounded by side walls 110 made of a double structure of an inner surface 110a and an outer surface 110b.
  • An opening OP may be formed in the sidewall 110 of the process chamber 100 to be inclined at a predetermined angle so that the inner diameter decreases toward the reaction space of the process chamber 100 and to allow the transfer of the substrate.
  • the slot valve 200 is installed outside the process chamber 100 to selectively open and close the opening OP, and may include an elevating device 210 and an opening and closing device 230.
  • the lifting device 210 includes a first driving part 211 for lifting the opening and closing device 230 in a first direction, and a lifting bar 212 interconnecting the first driving part 211 and the opening and closing device 230,
  • the lifting bar 212 may be compressed or expanded by the operation of the first driving unit 211.
  • the opening and closing device 230 includes a blade 231 for selectively opening and closing the opening OP, a second driving unit 232 for linearly moving the blade 231 in a second direction perpendicular to the first direction, and the blade 231 ) And a shaft 233 connecting between the second drive unit 232, and the blade 231 is lifted to a predetermined height by the lifting device 210, and the second drive unit 232 operates. As the shaft 233 is compressed or elongated, the opening OP may be opened or closed.
  • the blade 231 has a shape corresponding to the opening OP formed in the sidewall 110 of the process chamber 100, and may have, for example, a trapezoidal cross-sectional shape.
  • the blade 231 has one surface connected to the shaft 233; The other surface located on the opposite side of one surface and an inclined surface formed to be inclined at a predetermined angle toward the inside of the opening OP between the surface and the other surface, the inclined surface so that the inner diameter decreases toward the reaction space of the process chamber 100 Can be formed.
  • the inclined surface of the blade 231 may close the opening OP by in close contact with the sidewall of the process chamber 100 along the periphery of the opening OP.
  • the other surface of the blade 231 and the opening OP adjacent to the reaction space of the process chamber 100 have the same height, and the width w5 of the blade 231 is less than the width w6 of the sidewall 110. Or may be formed identically (w5 ⁇ w6). Accordingly, since the other surface of the blade 231 is located on the same surface as the inner surface 110a of the process chamber 100, a spatial imbalance inside the process chamber 100 can be eliminated.
  • a sealing member 270 is interposed between the blade 231 and the side wall 110 of the process chamber 100, and a groove 290d for accommodating the sealing member 270 is formed on the inclined surface of the blade 231 Can be.
  • the sealing member 270 is formed by imparting an electrically conductive material to a member performing a sealing function in order to maintain the internal pressure of the process chamber 100 and suppress abnormal discharge due to plasma.
  • the sealing member 270 is introduced into the inclined surface of the blade 231, the return path of the RF current can be shortened, thereby reducing EMI noise or return loss, and detailed descriptions thereof are repeated as described above in FIG. It is decided to omit the content.
  • the above-described slot valve 200 moves the blade 231 reciprocating in the first or second direction by a plurality of driving units 211 and 232 provided in the lifting device 210 and the opening and closing device 230, respectively.
  • the slot valve 200 of the present invention may be implemented by one driving unit that reciprocates the blade 231 in the horizontal and vertical directions.
  • the shape of the blade 231 is not limited thereto, and may be manufactured in various forms, and will be described below with reference to FIG. 10B as an example.
  • the blade 231 includes: a fixing part 2311 connected to the shaft 233 and surrounding at least a part of the outer surface 110b of the process chamber 100; And a protrusion 2313 extending in the thickness direction of the fixing part 2311 and formed to be inclined along the circumference of the opening OP.
  • the fixing part 2311 plays a role of stably fixing the blade 231 by preventing the blade 231a from being pushed toward the process chamber 100 due to a pressure difference between the chambers when the opening OP is closed. .
  • the protrusion 2313 includes one surface in contact with the fixing part 2311, the other surface located on the opposite side of the one surface, and an inclined surface formed to be inclined at a predetermined angle toward the inside of the opening OP between the one surface and the other surface.
  • the inclined surface may be formed such that the inner diameter decreases toward the reaction space of the process chamber 100.
  • the protrusion 2313 may be integrally formed with the fixing part 2311.
  • the inclined surface of the protrusion 2313 closes the opening OP by in close contact with the sidewall of the process chamber 100 along the circumference of the opening OP, and the protrusion 2313 is the sidewall 110 of the process chamber 100 And may have the same width as each other. Accordingly, since the other surface of the protrusion 2313 is located on the same surface as the inner surface 110a of the process chamber 100, a spatial imbalance inside the process chamber 100 can be eliminated.
  • the substrate processing apparatuses 1000A and 1000B according to the embodiment shown in FIGS. 2 to 10 described above have been described using a process chamber as an example, but the scope of the present invention is not limited thereto, and It can be applied to semiconductor manufacturing equipment requiring transfer of substrates such as a transfer chamber, a load-lock chamber, a buffer chamber, and an EFEM (Equipment Front End Module).
  • a transfer chamber such as a transfer chamber, a load-lock chamber, a buffer chamber, and an EFEM (Equipment Front End Module).
  • EFEM Equipment Front End Module
  • the slot valve and the substrate processing apparatus including the same according to the embodiment may be used in manufacturing equipment such as semiconductor devices or solar cells.

Abstract

일 실시 예에 의한 슬롯 밸브는, 챔버의 측벽에 형성된 개구부를 개폐하는 블레이드; 상기 챔버의 측벽 내에 수용되어 상기 블레이드를 수평 방향으로 왕복 운동시키는 구동부; 및 상기 블레이드와 상기 구동부를 연결하는 샤프트;를 포함하고, 상기 블레이드는, 상기 구동부의 밀폐 동작에 의해 상기 챔버의 내면과 동일면이 될 수 있다.

Description

슬롯 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
본 발명은 슬롯 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하는데 사용되는 반도체 제조 장비는, 다수의 기판을 처리하는 공정 챔버; 진공 상태와 대기압 상태를 교차하는 로드락 챔버; 및 공정 챔버와 로드락 챔버 사이에서 기판을 반입 내지 반송하는 이송 챔버;를 포함하고, 공정 챔버 및 로드락 챔버와 이송 챔버 사이에는 통로 역할을 수행하는 슬롯 밸브가 구비된다.
도 1은 일반적인 슬롯 밸브에 의해 체결되는 반도체 제조 장비의 개략적인 구조도이다.
도 1을 참조하면, 일반적인 슬롯 밸브(30)는 격벽에 기판 이송 통로(11, 21)가 각각 개구된 공정 챔버(10)와 이송 챔버(20) 사이에 설치되며, 수평 구동 소자(31); 상기 수평 구동 소자(31)의 일단과 타단에 각각 연결되는 복수의 플레이트(32); 상기 복수의 플레이트(32)를 승강시키는 수직 구동부(33); 상기 플레이트(32)의 일 측면에 결합되는 오링(34); 및 상기 구성 요소들을 내부에 격납하는 하우징(35)을 포함한다.
기판 이송 통로(11, 21)가 개방된 상태에서 기판(S)이 공정 챔버(10)의 내부로 이송되면 기판 처리 공정이 진행되고, 이때 공정 챔버(10)의 내부를 진공 상태로 만들기 위해 기판 이송 통로(11, 21)를 폐쇄할 필요가 있다. 기판 이송 통로(11, 21)는 수직 구동부(33)에 의해 복수의 플레이트(32)가 소정의 높이로 상승된 상태에서 수평 구동 소자(31)가 복수의 플레이트(32)를 하우징(35)의 양 측면으로 가압함에 따라 폐쇄되며, 오링(34)에 의해 공정 챔버(10)의 내부가 진공 상태로 유지된다.
그러나, 전술한 일반적인 슬롯 밸브(30)는, 공정 챔버(10)의 외측에 결합되어 공정 챔버(10)의 격벽에 형성된 기판 이송 통로(11)를 폐쇄하므로, 기판 이송 통로(11) 내에는 공정 챔버(10) 및 슬롯 밸브(30) 각각의 격벽 두께에 대응하는 더미 공간(40)이 형성된다. 이러한 더미 공간(40)은 공정 챔버(10) 내부의 공간적 불균형을 초래하므로, 기판 처리 공정 시 가스 및/또는 플라즈마의 흐름이 교란되어 박막의 이상 증착이 야기된다.
또한, 상기 더미 공간(40) 내에는 기판 처리 공정에 따른 파티클(particle, 50)이 퇴적되고, 상기 파티클(50)은 이송되는 기판(S)에 전사되어 제품의 불량을 초래한다. 이를 방지하기 위해 더미 공간(40)에 대한 세정 작업을 진행할 경우 공정 챔버(10)의 가동이 일시적으로 중단되는 등 장비 가동율이 저하되고, 그 결과 생산성이 떨어지는 문제가 발생된다.
게다가, 공정 챔버(10)의 내부를 진공 상태로 유지하기 위해 플레이트(31)의 일 측면에 오링(34)을 결합하여 밀폐시키고 있으나, 밀폐된 공정 챔버(10)의 내부에는 플라즈마 상태의 가스 전하가 집중되어 외부로 빠져나가지 못하므로 플라즈마에 의한 이상 방전 현상이 초래된다.
실시 예는, 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 슬롯 밸브를 챔버의 일 측벽 내에 실장시켜 챔버 내부의 공간적 불균형을 해소하고, 밀봉 부재를 개재하여 플라즈마에 의한 이상 방전을 방지할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
실시 예에서 해결하고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제는 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
일 실시 예는, 챔버의 측벽에 형성된 개구부를 개폐하는 블레이드; 상기 챔버의 측벽 내에 수용되어 상기 블레이드를 수평 방향으로 왕복 운동시키는 구동부; 및 상기 블레이드와 상기 구동부를 연결하는 샤프트;를 포함하고, 상기 블레이드는, 상기 구동부의 밀폐 동작에 의해 상기 챔버의 내면과 동일면이 되는 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브를 제공한다.
상기 블레이드는, 상기 챔버의 내부에 배치되는 제1 블레이드; 및 상기 제1 블레이드와 마주하는 제2 블레이드;를 포함할 수 있다.
이때, 상기 챔버의 외측에 형성되어 상기 제2 블레이드를 수용하되, 적어도 일측에 출입구가 형성되는 하우징;을 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 블레이드는 서로 반대 방향으로 구동될 수 있다.
또는, 상기 제2 블레이드는 상기 챔버의 측벽 내에 배치되고, 상기 제1 및 제2 블레이드는 서로 동일한 방향으로 구동될 수도 있다.
상기 샤프트는, 상기 제1 블레이드와 연결되는 제1 샤프트; 및 상기 제2 블레이드와 연결되는 제2 샤프트;를 포함하고, 상기 제1 및 제2 샤프트의 길이는 서로 다를 수 있다.
다른 실시 예는, 적어도 일 측벽에 개구부가 형성된 챔버; 및 상기 챔버의 적어도 일 측벽에 실장되는 슬롯 밸브;를 포함하고, 상기 슬롯 밸브는, 상기 개구부를 선택적으로 개폐하는 블레이드; 상기 적어도 일 측벽 내에 수용되어 제1 방향으로 승강 또는 하강하고, 상기 블레이드를 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 왕복 운동시키는 구동부; 및 상기 블레이드와 상기 구동부를 연결하는 샤프트;를 포함하고, 상기 블레이드는, 상기 구동부의 밀폐 동작에 의해 상기 챔버의 내면과 동일면이 되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 적어도 일 측벽은, 상기 개구부의 둘레를 따라 상기 제2 방향으로 단차지게 함몰 형성되는 절곡부;를 포함하고, 상기 밀폐 동작에 의해 상기 샤프트가 상기 구동부의 내측으로 이동됨에 따라, 상기 블레이드의 일면은 상기 절곡부와 접촉하고, 상기 일면의 반대측인 타면은 상기 측벽의 내면과 동일면상에 위치할 수 있다.
이때, 상기 블레이드의 폭은 상기 절곡부의 폭과 대응될 수 있다.
상기 블레이드와 상기 적어도 일 측벽 사이에 개재되는 밀봉 부재;를 더 포함할 수 있다.
상기 적어도 일 측벽은, 상기 구동부를 실장하는 수용부; 및 상기 수용부와 상기 챔버의 내면 사이에서 상기 샤프트를 수용하는 오목부;를 포함하고, 상기 오목부의 형상은 상기 샤프트의 형상과 대응될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 슬롯 밸브를 챔버의 측벽 내에 실장하되 당김 동작에 의해 개구부를 밀폐하므로, 챔버 내부의 공간적 불균형이 해소되고 그 결과 이상 증착이 개선되며 장비 가동율의 저하를 방지할 수 있으므로 제품의 수율 내지 생산성이 향상될 수 있다.
또한, 슬롯 밸브와 챔버의 측벽이 접촉하는 부분에 밀봉 부재를 개재하여 서로 통전시킴에 따라, 챔버 내부에 플라즈마 상태로 여기된 이온들의 전하를 외부로 배출시켜 플라즈마에 의한 이상 방전 현상을 방지할 수 있다.
본 실시 예에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며 언급하지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 슬롯 밸브에 의해 체결되는 반도체 제조 장비의 개략적인 구조도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 개방된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 폐쇄된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 이송 챔버가 체결된 구조의 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 C 영역의 개략적인 확대 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 개방된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 폐쇄된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 8은 도 3 및 도 7에 각각 도시된 D 영역의 다른 실시 예를 설명하기 위한 부분 단면도이다.
도 9는 도 3 및 도 7에 각각 도시된 D 영역의 또 다른 실시 예를 설명하기 위한 부분 단면도이다.
도 10의 (a) 내지 (b)는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
이하, 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 실시 예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다.
"제1", "제2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 이러한 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 또한, 이하에서 이용되는 "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서 이용될 수도 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다.
이하, 실시 예에 의한 기판 처리 장치를 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 개방된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 2를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000A)는 공정 챔버(100); 및 공정 챔버(100)의 적어도 일 측벽(110) 내에 실장되는 슬롯 밸브(200);를 포함할 수 있다.
공정 챔버(100)는 이송된 기판의 처리를 위한 일련의 단위 공정(이하, 편의상 '기판 처리 공정'이라 칭한다)-예컨대, 증착, 포토, 및 식각 공정 등-을 수행하기 위하여 내부에 반응 공간이 구비되고, 상기 반응 공간은 내면(110a)과 외면(110b)의 이중구조로 이루어진 측벽(110)에 의해 들러싸여 형성된다.
공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에는, 기판의 이송 통로인 개구부(OP); 슬롯 밸브(200)를 실장하기 위한 수용부(111); 및 개구부(OP)의 둘레를 따라 일 측벽(110)의 내면(110a) 측으로 갈수록 내경이 확장되도록 계단 모양으로 단차지는 절곡부(112)가 형성될 수 있다.
슬롯 밸브(200)는 승강 장치(210); 개폐 장치(230); 및 공정 챔버(100)의 외측에 마련되어 개폐 장치(230)의 적어도 일 구성 요소를 수용하는 하우징 (250);을 포함할 수 있다.
승강 장치(210)는, 공정 챔버(100)의 외부에 설치되어 개폐 장치(230)를 제1 방향으로 승강시키는 제1 구동부(211); 제1 구동부(211)와 개폐 장치(230)를 상호 연결하는 승강바(212); 및 공정 챔버(100)의 외부로 노출되는 승강바(212)의 기밀을 유지하는 벨로우즈(bellows, 213);를 포함할 수 있다.
제1 구동부(211)는 공압식, 유압식, 또는 전기식 선형 액츄에이터 (actuator)를 사용하여 1축 구동되며, 개폐 장치(230)가 제1 방향으로 승강 또는 하강되도록 승강바(213)에 동력을 전달할 수 있다.
승강바(212)는 제1 구동부(211)의 동작에 의해 압축(compression) 또는 신장(expanding)되며, 공정 챔버(100)의 하부벽(120)에 형성되는 관통홀(hole, H)에 인입되어 상하로 이동할 수 있다. 이때, 관통홀(H)은 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에 구비되는 개구부(OP)와 제1 방향으로 중첩되되, 수용부(111)의 적어도 일 영역으로부터 하측으로 연장되어 형성될 수 있다.
벨로우즈(213)는 공정 챔버(100)의 외측에 마련되되, 관통홀(H)이 밀폐되도록 공정 챔버(100)와 제1 구동부(211) 사이에 개재될 수 있다. 상기 벨로우즈(213)에 의해 공정 챔버(100)의 내부는 외부와 차단되어 공정 상에 요구되는 진공 상태를 유지할 수 있다.
개폐 장치(230)는, 개구부(OP)를 선택적으로 개폐하는 블레이드(blade, 231); 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 내에 수용되어 블레이드(231)를 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 왕복 운동시키는 제2 구동부(232); 및 블레이드(231)와 제2 구동부(232)를 연결하는 샤프트(shaft, 233)를 포함할 수 있다.
블레이드(231)는 제2 구동부(232)의 일단과 타단에 각각 연결되는 제1 블레이드(231a) 및 제2 블레이드(231b)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)는 서로 평행하게 이격되어 배치되고, 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에 형성된 개구부(OP)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.
이때, 제1 블레이드(231a)는 공정 챔버(100)의 내부에 구비되고, 제2 블레이드(231b)는 하우징(250)의 내부에 구비되며, 승강 장치(210)에 의해 개폐 장치(230)가 승강된 상태에서 제2 구동부(232)의 푸쉬-풀(push-pull) 동작에 의해 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)는 서로 반대 방향으로 구동되어 개구부(OP)를 개방 또는 폐쇄할 수 있다.
제1 블레이드(231a)의 폭(w1)은 절곡부(112)의 폭(w2)과 대응되도록 형성될 수 있다. 여기서, 절곡부(112)의 폭(w2)은, 개구부(OP)의 둘레를 따라 제2 방향으로 단차지게 함몰 형성되는 절곡부(112)의 두께를 의미하고, 바람직하게는 제1 블레이드(231a)와 절곡부(112)의 폭은 서로 동일할 수 있다(w1=w2).
제2 구동부(232)는 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 중 개구부(OP)의 하측에 형성되는 수용부(111)에 구비되며, 승강 장치(210)와 연결되되 푸쉬-풀 동작에 의해 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b) 각각이 제2 방향을 따라 직선 왕복 운동하도록 동력을 제공하는 실린더(232a); 및 실린더(232a)의 일면 및 타면과 접속되어 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)의 이동을 안내하는 한 쌍의 가이드 부재(232b);를 포함할 수 있다.
샤프트(233)는, 일단이 제1 블레이드(231a)와 연결되고 타단이 제2 구동부(232)와 접속되는 제1 샤프트(233a); 및 일단이 제2 구동부(232)와 접속되고 타단이 제2 블레이드(231b)와 연결되는 제2 샤프트(233b)를 포함하며, 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b) 각각은 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)의 중심축을 따라 한 쌍의 가이드 부재(232b)에 의해 얼라인(align)되어 좌우로 이동할 수 있다.
이때, 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b)의 길이는 서로 다르게 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 샤프트(233a)의 길이(d1)는 제2 샤프트(233b)의 길이 (d2)보다 크거나 작게 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것에 불과하고, 공정 챔버(100)의 측벽(110) 내에 마련되는 수용부(111)의 폭과 위치에 따라 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b)의 길이가 서로 동일하게 형성될 수도 있다.
하우징(250)은 공정 챔버(100)의 외측에 마련되어 개폐 장치(230)의 일 구성 요소인 제2 블레이드(231b) 및 제2 샤프트(233b)를 수용하며, 공정 챔버(100)와 인접하는 일측과 이송 챔버(미도시)와 인접하는 타측에 기판의 이송 통로인 복수의 출입구(251, 252)가 관통되어 형성될 수 있다.
이때, 복수의 출입구(251, 252)는 서로 마주하여 배치되되, 각각의 개구 면적은 서로 다르게 형성될 수 있다. 예를 들면, 공정 챔버(100)와 인접한 제1 출입구(251)의 개구 면적은 이송 챔버(미도시)와 인접한 제2 출입구(252)의 개구 면적 보다 크게 형성될 수 있다. 그 이유는, 제1 출입구(251)의 하단은 개폐 장치(230)가 하강된 상태에서 제2 샤프트(233b)를 안착시키기 위한 최대 지점과 대응되고, 제2 출입구(252)의 하단은 개폐 장치(230)가 하강된 상태에서 제2 블레이드(231b)의 선단이 이송 챔버(미도시)에 구비된 이송 수단(예컨대, 로봇 암 등을 포함한다)에 의해 간섭되지 아니하는 최소 지점에 대응되며, 제1 출입구(251)의 하단은 제2 출입구(252)의 하단 보다 더 낮은 지점에 위치하기 때문이다.
그리고, 블레이드(231)와 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 사이에는 밀봉 부재(270)가 개재될 수 있다.
밀봉 부재(270)는 오링(O-ring)과 같이 밀봉 기능을 수행하는 부재에 전기 전도성 물질을 포함하여 형성되며, 블레이드(231)의 일면 가장자리 또는 블레이드(231)의 일면과 접촉되는 일 측벽(110)의 절곡부(112) 중 적어도 하나에 설치될 수 있다.
도 2의 A 영역을 참조하면, 개구부(OP)와 대면하는 제2 블레이드(231b)의 일면 가장자리에는 도브테일(dovetail) 형상의 그루브(290a)가 형성되고, 밀봉 부재(270)는 상기 그루브(290a) 내에 인입되어 설치될 수 있다.
도 2의 B 영역을 참조하면, 제1 블레이드(231a)의 일면과 접촉되는 일 측벽(110)의 절곡부(112)에는 도브테일(dovetail) 형상의 그루브(290b)가 형성되고, 밀봉 부재(270)는 상기 그루브(290a) 내에 인입되어 설치될 수 있다.
다만, 전술한 밀봉 부재(270)의 설치 위치는 예시적인 것으로, 도 2의 A 영역에 도시된 바와 유사하게 제1 블레이드(231a)의 일면 가장자리에 그루브(290b)가 형성되거나, 도 2의 B 영역에 도시된 바와 유사하게 제1 출입구(251)의 테두리 영역에 그루브(290a)가 형성될 수 있으며, 각각의 그루브(290a, 290b) 내에는 밀봉 부재(270)가 인입될 수 있다.
상기 밀봉 부재(270)는 블레이드(231)에 의해 개구부(100)가 폐쇄될 경우, 공정 챔버(100)의 내부 압력을 유지하고 슬롯 밸브(200)의 내부로 가스의 유입을 차단하며, 공정 챔버(100)의 측벽과 등전위를 이루어 플라즈마 상태로 여기된 이온이 그라운드(ground, 미도시)로 빠져나가도록 유도하는 역할을 수행할 수 있다. 즉, 밀봉 부재(270)는 공정 챔버(100)의 내부를 밀폐함과 동시에 공정 챔버(100) 내부의 이상 방전-또는, 아킹(arcking)- 현상을 방지하는 효과를 제공할 수 있다.
이하에서는, 도 3을 참조하여 공정 챔버(100)에 형성된 개구부(OP)를 밀폐하는 동작을 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 폐쇄된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 3을 참조하면, 점선으로 도시된 개폐 장치(230)는 승강 장치(210)에 의해 소정의 높이로 승강된 상태를 나타내고, 실선으로 도시된 개폐 장치(230)는 공정 챔버(100)에 형성된 개구부(OP)를 폐쇄한 상태를 나타낸다.
슬롯 밸브(200)는, 기판의 이송을 위하여 개구부(OP)를 개방하고(도 2 참조), 기판 처리 공정을 수행하기 위하여 개구부(OP)를 폐쇄할 수 있다(도 3 참조).
도 2에 도시된 바와 같이, 승강 장치(210)는 이송 챔버(미도시)와 인접하여 마련되는 하우징(250)의 제2 출입구(252)와 블레이드(231)가 제2 방향으로 중첩되지 않도록 샤프트(233)를 최저 높이에 위치시켜 개구부(OP)를 개방할 수 있다. 이처럼, 개구부(OP)가 개방됨에 따라 이송 챔버(미도시)와 공정 챔버(100) 사이로 기판이 이송될 수 있다. 한편, 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에 형성되는 수용부(111)와 절곡부(112) 사이에는, 개폐 장치(230)가 하강된 상태에서 샤프트(233)를 안착시키기 위한 오목부(미도시)가 구비될 수 있으며, 이에 대한 설명은 도 5를 참조하여 후술하기로 한다.
공정 챔버(100)의 내부로 기판이 이송되면, 반응 공간에서 기판 처리 공정을 수행하기 위하여 슬롯 밸브(200)는 다음과 같이 개구부(OP)를 폐쇄한다.
승강 장치(210)는 블레이드(231)의 단부가 공정 챔버(100)의 절곡부(112)와 제2 방향으로 서로 중첩되도록 샤프트(233)를 최고 높이에 위치시켜 개폐 장치(210)를 승강할 수 있다. 승강바(212)는 제1 구동부(211)에 의해 동력을 전달 받아 제1 방향으로 소정의 높이만큼 신장되며, 여기서 소정의 높이는 샤프트(233)의 최저 높이에서 최고 높이에 이르는 거리를 말한다.
개폐 장치(230)가 승강된 상태에서, 제2 구동부(232)는 풀(pull, 당김) 동작에 의해 제2 방향을 따라 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b) 각각을 제2 구동부(232)의 내측으로 이동시켜 개구부(OP)를 폐쇄할 수 있다.
이때, 제1 블레이드(231a)는 공정 챔버(100)의 절곡부(112)에 인입되어 직접 접촉되고, 제2 블레이드(231b)는 제1 출입구(251)의 테두리 영역을 따라 균일하게 접촉되며, 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)는 서로 반대 방향으로 구동될 수 있다.
이처럼, 제2 구동부(232)의 풀(pull, 당김) 동작에 의해 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)는 개구부(OP) 및 제1 출입구(251)의 둘레를 따라 균일하게 접촉되므로, 정압과 역압이 서로 상쇄되어 작동 부분에 과도한 압력을 가할 필요 없이 안정적으로 개구부(OP)를 폐쇄할 수 있다.
이때, 제1 블레이드(231a)의 일면은 공정 챔버(100)의 절곡부(112)에 인입되어 접촉되고, 제1 블레이드(231a)의 타면은 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 중 내면(110a)과 동일면상에 위치할 수 있다. 이에 따라, 공정 챔버(100)의 반응 공간이 공간적으로 대칭을 이루게 되므로, 기판 처리 공정을 수행할 때 가스 및/또는 플라즈마의 흐름이 교란되지 아니하여 박막의 이상 증착이 방지되고 그 결과 제조되는 제품의 수율 및 품질이 향상될 수 있다.
게다가, 도 1에 도시된 바와 달리, 공정 챔버(100)의 개구부(OP) 내에 별도의 더미(dummy) 공간이 형성되지 아니하므로, 파티클(particle) 축적으로 인한 장비 가동률 저하를 방지할 수 있고, 제품 생산성을 극대화할 수 있다.
그리고, 제1 블레이드(231a)와 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)이 서로 접촉하는 위치에 밀폐 가능한 밀봉 부재(270)가 개재되므로, 기밀이 유지되어 공정 챔버(100)의 내부 압력을 유지할 수 있고, 슬롯 밸브(200)의 내부로 유입되는 가스를 차단하여 부식을 방지할 수 있다.
한편, 기판 처리 공정이 완료되면, 공정 챔버(100)의 외부로 기판을 반송하기 위하여 슬롯 밸브(200)는 개구부(OP)를 다시 개방하며, 전술한 폐쇄 동작의 역순으로 개방 동작을 실행할 수 있다.
개폐 장치(230)는 제2 구동부(232)의 푸쉬(push, 밀림) 동작에 의해 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b) 각각을 제2 방향을 따라 제2 구동부(232)의 외측으로 이동시키고, 승강 장치(210)는 승강바(212)를 소정의 높이만큼 제1 방향으로 압축시켜 개폐 장치(200)를 하강할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 이송 챔버가 체결된 구조의 개략적인 단면도이다.
도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1000A)의 일측에는 이송 챔버(200)가 체결되고, 이송 챔버(200)의 내부에 구비된 이송 수단(2500)에 의해 기판(S)이 파지(把持)되어 공정 챔버(100)의 내부로 이송된다.
공정 챔버(100)의 내부에는 다수의 분사홀이 구비된 샤워 헤드(130); 및 샤워 헤드(130)와 일정 간격을 두고 대향 배치되어 기판(S)을 안치하는 서셉터(140);가 설치되고, 공정 챔버(100)의 외측에는 반응 공간으로 기판 처리 공정을 위한 가스를 공급하는 가스 공급 장치(300); 및 샤워 헤드(130)에 고주파 RF(Radio Frequency) 전력을 인가하는 플라즈마 발생 장치(400)가 연결될 수 있다.
기판 처리 장치(1000A)는 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에 형성된 개구부 (OP)가 슬롯 밸브(200)에 의해 폐쇄되면, 공정 챔버(100)의 반응 공간 내에서 기판 처리 공정을 수행한다. 가스 공급 장치(300)를 통해 샤워 헤드(130)의 내부로 가스가 유입되고, 샤워 헤드(130)에 플라즈마 발생 장치(400)가 접속되면 고주파 RF 전력에 의해 상기 가스가 플라즈마 상태로 여기(또는, 점화)되며, 샤워 헤드(130)에 구비된 다수의 분사홀을 통해 가스 또는 플라즈마 상태로 여기된 이온들이 기판(S) 상에 분사되어 증착, 포토, 및 식각 공정이 진행된다.
이때, 기판 처리 장치(1000A)는 블레이드(231)의 일면이 밀봉 부재(270)에 의해 개구부(OP)의 외측 둘레에 형성되는 절곡부(112)와 기밀하게 접촉되므로, 공정 챔버(100)의 내부를 공정 압력 상태로 일정하게 유지함과 동시에 플라즈마에 의한 이상 방전-또는, 아킹(arcking)-을 방지할 수 있다. 그 이유는, 블레이드(231)와 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 사이에 전기 전도성을 갖는 밀봉 부재(270)가 개재될 경우, 블레이드(231)와 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)은 통전 상태로 등전위를 이루게 되며, 공정 챔버(100)의 내부에 모여드는 플라즈마 상태로 여기된 이온들의 전하가 밀봉 부재(270)를 경유하여 그라운드(ground, 450)로 빠져나갈 수 있기 때문이다.
또한, 기판 처리 장치(1000A)는 블레이드(231)의 타면이 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 중 내면(110a)과 동일면상에 위치하게 되므로, 공정 챔버(100) 내부의 공간적 불균형을 해소하여 가스 및/또는 플라즈마 흐름의 교란으로 인한 이상 증착을 방지하고, 제조되는 제품의 수율 및 품질을 향상시킬 수 있다. 그 이유는, 슬롯 밸브(200)에 의해 개구부(OP)가 밀폐될 경우, 샤워 헤드(130)와 서셉터(140) 사이의 반응 공간이 대칭을 이루므로 공정 수행에 필요한 플라즈마 상태의 가스가 기판(S) 상으로 균일하게 공급되기 때문이다. 아울러, 도 1에 도시된 일반적인 슬롯 밸브(30)와 달리, 공정 챔버(100)의 개구부(OP)에 대응되는 별도의 더미 공간이 형성되지 아니하므로, 파티클(particle) 축적으로 인한 장비 가동률의 저하를 방지하고 생산성을 극대화할 수 있다.
도 5는 도 4에 도시된 C 영역의 개략적인 확대 사시도이다.
도 5를 참조하면, 한 쌍의 가이드 부재(232b)의 일단 및 타단에는 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b)가 각각 구비되고, 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b) 각각은 제1 및 제2 방향과 교차하는 제3 방향으로 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 샤프트를 포함할 수 있다.
공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에는 수용부(111)를 중심으로 좌우 양측에 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b)를 수용 또는 안착시키기 위한 오목부(113)가 구비될 수 있다. 오목부(113)는 일 측벽(110)의 내면(110a)과 수용부(111) 사이-또는, 절곡부(112)와 수용부(111) 사이- 및 일 측벽(110)의 외면(110b)과 수용부(111) 사이 중 적어도 하나의 위치에 배치될 수 있다.
오목부(113)는 복수 개의 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b) 각각과 대응되도록 제3 방향으로 서로 이격되어 형성되는 복수 개의 홈을 포함하고, 복수 개의 홈 각각은 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b) 각각과 대응되는 형상을 가질 수 있다.
이때, 오목부(113)의 깊이는 샤프트(233)의 외경과 동일하거나 크게 형성될 수 있으며, 이에 따라 개폐 장치(230)가 하강된 상태에서 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 내에 샤프트(233)가 인입 내지 수용될 수 있다.
이처럼, 수용부(111)를 중심으로 일 측벽(110)의 내면(110a)과 외면(110b) 사이에 오목부(113)를 형성할 경우, 하부벽(120)의 두께를 종전과 동일하게 유지한 채 일 측벽(110) 내에 슬롯 밸브(200)를 실장시킬 수 있다.
한편, 이하에서는 도 6 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000B)를 설명하기로 한다.
도 6 내지 도 7에 도시된 기판 처리 장치(1000B)는, 도 2 내지 도 3에 도시된 기판 처리 장치(1000A)와 달리, 슬롯 밸브(200)의 모든 구성 요소가 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 내에 실장되고 하우징(250)이 생략되는 형태의 구조를 가질 수 있다. 이하에서는 중복되는 설명의 기재를 피하기 위하여, 도 2 내지 도 4에 도시된 기판 처리 장치(1000A)와의 차이점 위주로 설명하되, 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 사용하여 표기하기로 한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 개방된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 6을 참조하면, 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000B)는 공정 챔버(100); 및 공정 챔버(100)의 적어도 일 측벽(110) 내에 실장되고, 승강 장치(210) 및 개폐 장치(230)가 구비되는 슬롯 밸브(200);를 포함할 수 있다.
공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에는, 기판의 이송 통로인 개구부(OP); 슬롯 밸브(200)를 실장하기 위한 수용부(111); 및 개구부(OP)의 둘레를 따라 일 측벽(110)의 내면(110a) 측으로 갈수록 내경이 확장되도록 계단 모양으로 단차지는 절곡부(112)가 형성될 수 있다.
수용부(111)는, 개구부(OP)의 하측으로 함몰 형성되는 제1 수용부(111a); 및 개구부(OP)의 상측으로 함몰 형성되는 제2 수용부(111b)를 포함하고, 제1 및 제2 수용부(111a, 111b) 각각은 개구부(OP)가 개방 또는 폐쇄된 상태에서 개폐 장치(230)를 수용할 수 있을 정도의 크기로 형성될 수 있다.
승강 장치(210)는, 공정 챔버(100)의 외부에 설치되어 개폐 장치(230)를 제1 방향으로 승강시키는 제1 구동부(211); 제1 구동부(211)와 개폐 장치(230)를 상호 연결하는 승강바(212); 및 공정 챔버(100)의 외부로 노출되는 승강바(212)의 기밀을 유지하는 벨로우즈(213);를 포함할 수 있다.
개폐 장치(230)는, 개구부(OP)를 선택적으로 개폐하는 블레이드(blade, 231); 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 내에 수용되어 블레이드(231)를 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 왕복 운동시키는 제2 구동부(232); 및 블레이드(231)와 제2 구동부(232)를 연결하는 샤프트(233)를 포함할 수 있다.
블레이드(231)는 공정 챔버(100) 내부의 반응 공간에 구비되는 제1 블레이드(231a); 및 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 내-예컨대, 수용부(111)-에 구비되는 제2 블레이드(231b);를 포함하고, 승강 장치(210)에 의해 개폐 장치(230)가 승강된 상태에서 제2 구동부(232)의 푸쉬-풀(push-pull) 동작에 의해 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)는 서로 동일한 방향으로 구동되어 개구부(OP)를 개방 또는 폐쇄할 수 있다.
이때, 제1 블레이드(231a)의 폭(w1)은 절곡부(112)의 폭(w2)과 대응되도록 형성될 수 있다. 여기서, 절곡부(112)의 폭(w2)은, 개구부(OP)의 둘레를 따라 제2 방향으로 단차지게 함몰 형성되는 절곡부(112)의 두께를 의미하고, 바람직하게는 제1 블레이드(231a)와 절곡부(112)의 폭은 서로 동일할 수 있다(w1=w2).
제2 구동부(232)는 공정 챔버(100)의 수용부(111) 내에 구비되며, 승강 장치(210)와 연결되되 푸쉬-풀 동작에 의해 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b) 각각이 제2 방향을 따라 직선 왕복 운동하도록 동력을 제공하는 실린더(232a); 및 실린더(232a)의 일면 및 타면과 접속되어 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)의 이동을 안내하는 한 쌍의 가이드 부재(232b);를 포함할 수 있다.
샤프트(233)는, 일단이 제1 블레이드(231a)와 연결되고 타단이 제2 구동부(232)와 접속되는 제1 샤프트(233a); 및 일단이 제2 구동부(232)와 접속되고 타단이 제2 블레이드(231b)와 연결되는 제2 샤프트(233b)를 포함하며, 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b)의 길이는 서로 다르게 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 샤프트(233a)의 길이(d1)는 제2 샤프트(233b)의 길이 (d2)보다 작거나 크게 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것에 불과하고, 공정 챔버(100)의 측벽(110) 내에 마련되는 수용부(111)의 폭과 위치에 따라 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b)의 길이가 서로 동일하게 형성될 수도 있다.
그리고, 블레이드(231)와 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 사이에는 밀봉 부재(270)가 개재될 수 있다. 이때, 밀봉 부재(270)는 블레이드(231)의 일면 가장자리 또는 블레이드(231)의 일면과 접촉되는 일 측벽(110) 중 적어도 하나에 설치될 수 있다.
이하에서는, 도 7을 참조하여 공정 챔버(100)에 형성된 개구부(OP)를 밀폐하는 동작을 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 폐쇄된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 7을 참조하면, 점선으로 도시된 개폐 장치(230)는 승강 장치(210)에 의해 소정의 높이로 승강된 상태를 나타내고, 실선으로 도시된 개폐 장치(230)는 공정 챔버(100)에 형성된 개구부(OP)를 폐쇄한 상태를 나타낸다.
슬롯 밸브(200)는, 기판의 이송을 위하여 개구부(OP)를 개방하고(도 6 참조), 기판 처리 공정을 수행하기 위하여 개구부(OP)를 폐쇄할 수 있다(도 7 참조).
도 6에 도시된 바와 같이, 승강 장치(210)는 개폐 장치(230)를 하강한 상태에서 블레이드(231)의 선단이 이송 챔버(미도시)에 구비된 이송 수단에 의해 간섭되지 않도록 샤프트(233)를 최저 높이에 위치시켜 개구부(OP)를 개방하고, 이에 따라 이송 챔버(미도시)와 공정 챔버(100) 사이로 기판이 이송될 수 있다. 이때, 공정 챔버(100)의 제1 수용부(111)와 절곡부(112) 사이에는, 도 5에서 전술한 바와 같이 개폐 장치(230)가 하강된 상태에서 샤프트(233)를 안착시키기 위한 오목부(미도시)가 형성될 수 있다.
공정 챔버(100)의 내부로 기판이 이송되면, 반응 공간에서 기판 처리 공정을 수행하기 위하여 슬롯 밸브(200)는 다음과 같이 개구부(OP)를 폐쇄한다.
승강 장치(210)는 블레이드(231)의 단부가 공정 챔버(100)의 절곡부(112)와 제2 방향으로 서로 중첩되도록 샤프트(233)를 최고 높이에 위치시켜 개폐 장치(210)를 승강할 수 있다. 승강바(212)는 제1 구동부(211)에 의해 동력을 전달 받아 제1 방향으로 소정의 높이만큼 신장되며, 여기서 소정의 높이는 샤프트(233)의 최저 높이에서 최고 높이에 이르는 거리를 말한다.
개폐 장치(230)가 승강된 상태에서, 제2 구동부(232)는 제2 방향을 따라 풀(pull, 당김) 동작에 의해 제1 샤프트(233a)를 제2 구동부(232)의 내측으로 이동시키고, 푸쉬(push, 밀림) 동작에 의해 제2 샤프트(233b)를 제2 구동부(232)의 외측으로 이동시켜 개구부(OP)를 폐쇄할 수 있다.
이때, 제1 블레이드(231a)는 공정 챔버(100)의 절곡부(112)에 인입되어 직접 접촉되고, 제2 블레이드(231b)는 일 측벽(110)의 외면(110b)와 대향하는 제1 및 제2 수용부(111a, 111b)의 일 측면을 따라 균일하게 접촉되며, 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)는 서로 동일한 방향으로 구동될 수 있다.
이처럼, 제2 구동부(232)의 풀(pull, 당김) 및 푸쉬(push, 밀림) 동작의 상호 연동에 의해 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)는 개구부(OP)의 둘레를 따라 균일하게 접촉되므로, 정압과 역압이 서로 상쇄되어 작동 부분에 과도한 압력을 가할 필요 없이 안정적으로 개구부(OP)를 폐쇄할 수 있다.
이때, 제1 블레이드(231a)의 일면은 공정 챔버(100)의 절곡부(112)에 인입되어 접촉되고, 제1 블레이드(231a)의 타면은 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 중 내면(110a)과 동일면상에 위치할 수 있다. 이에 따라, 공정 챔버(100)의 반응 공간이 공간적으로 대칭을 이루게 되므로, 기판 처리 공정을 수행할 때 가스 및/또는 플라즈마의 흐름이 교란되지 아니하여 박막의 이상 증착이 방지되고 그 결과 제조되는 제품의 수율 및 품질이 향상될 수 있다.
한편, 기판 처리 공정이 완료되면, 공정 챔버(100)의 외부로 기판을 반송하기 위하여 슬롯 밸브(200)는 개구부(OP)를 다시 개방하며, 전술한 폐쇄 동작의 역순으로 개방 동작을 실행할 수 있다.
개폐 장치(230)는 제2 구동부(232)의 푸쉬(push, 밀림) 및 풀(pull, 당김) 동작의 상호 연동에 의해 각각 제1 샤프트(233a)를 제2 구동부(232)의 외측으로, 제2 샤프트(233b)를 제2 구동부(232)의 내측으로 이동시키고, 승강 장치(210)는 승강바(212)를 소정의 높이만큼 제1 방향으로 압축시켜 개폐 장치(200)를 하강할 수 있다.
전술한 바와 같이, 도 6 내지 도 7에 도시된 기판 처리 장치(1000B)는 도 2 내지 도 3에 도시된 기판 처리 장치(1000A)와 달리, 슬롯 밸브(200)를 공정 챔버(100)의 일 측벽(100) 내에 온전히 실장시켜 하우징(250)을 제거할 수 있으므로, 전체적인 장비의 레이아웃을 축소시키는 효과를 제공할 수도 있다.
한편, 공정 챔버(100)의 측벽(110)과 블레이드(231)의 형상은 전술한 도 2 내지 도 7에 반드시 한정되는 것은 아니며, 후술하는 바와 같이 다양하게 제작될 수 있다.
도 8은 도 3 및 도 7에 각각 도시된 D 영역의 다른 실시 예를 설명하기 위한 부분 단면도이다.
도 8의 (a)는 개구부(OP)가 개방된 상태를, (b)는 개구부(OP)가 폐쇄된 상태를 각각 나타내며, 이하에서는 도 3 및 도 7의 도시 사항과 차이점 위주로 설명하되 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 표기하여 설명하기로 한다.
도 8의 (a)를 참조하면, 다른 실시 예에 따른 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에는 경사부(114)가 형성되고, 블레이드(231)는 사다리꼴 형태의 단면 형상을 가질 수 있다.
경사부(114)는 개구부(OP)의 둘레를 따라 일 측벽(110)의 내면(110a) 측으로 갈수록 내경이 확장되되, 기판의 이송 방향인 제2 방향에 대하여 소정의 제1 각도(θ1)로 경사지게 형성될 수 있다. 여기서, 소정의 제1 각도(θ1)는 0° 내지 90° 사이의 범위에서 임의로 설정될 수 있다.
공정 챔버(100) 측에 인접한 블레이드(231a)는, 샤프트(233a)와 연결되는 일면; 일면의 반대측에 위치하는 타면; 및 일면과 타면 사이에서 개구부(OP)의 내측을 향하여 소정의 제2 각도(θ2)로 경사지게 형성되는 경사면;을 포함할 수 있다. 이때, 소정의 제2 각도(θ2)는 0° 내지 90° 사이의 범위에서 임의로 설정되되, 바람직하게는 소정의 제1 각도(θ1)와 동일하게 형성될 수 있다.
그리고, 블레이드(231a)에 형성된 경사면의 너비(w3)는 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에 형성된 경사부(114)의 너비(w4)와 대응되며, 바람직하게는 경사면의 너비(w3)와 경사부(114)의 너비(w4)는 서로 동일할 수 있다(w3=w4).
공정 챔버(100)의 일 측벽(110)과 블레이드(231a) 사이에는 공정 챔버(100)의 내부를 밀폐하기 위한 밀봉 부재(270)가 개재되고, 블레이드(231a)의 경사면에는 밀봉 부재(270)를 수용하기 위한 그루브(290c)가 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것에 불과하고, 상기 그루브(290c)는 공정 챔버(100)의 경사부(114)에 형성될 수도 있다.
밀봉 부재(270)는 플라즈마에 의한 이상 방전을 억제하기 위해 전기 전도성 물질을 포함하며, 기판 처리 공정이 실행되면 밀봉 부재(270)는 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)과 블레이드(231a)를 전기적으로 커플링(coupling) 시킴으로써 RF 전류의 리턴 경로(return path)를 형성할 수 있다. 이때, 파장이 짧은 고주파 영역에서는 RF 전류의 리턴 경로(return path)가 길어질 경우 임피던스의 진폭 및 위상이 변화되어 EMI(Electromagnetic Interference, 전자기 간섭) 노이즈가 악화되고 반사 손실이 증가되는 문제점을 초래한다.
이에, 본 발명은 도 8에 도시된 바와 같이, 밀봉 부재(270)를 블레이드(231a)의 경사면-또는, 공정 챔버(100)의 경사부(114)-에 개재하여 RF 전류의 리턴 경로를 단축시킴으로써 EMI 노이즈 내지 반사 손실을 저감하는 효과를 제공할 수 있다. 부연하면, 플라즈마 발생 장치(400)를 통해 공정 챔버(100)의 내부로 인가된 RF 전류는 밀봉 부재(270)를 경유하여 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)을 따라 그라운드(450)로 되돌아가며, RF 전류의 리턴 경로는 블레이드(231a)의 경사면-또는, 공정 챔버(100)의 경사부(114)-을 따라 형성되므로 리턴 경로의 길이가 짧게 형성될 수 있다.
도 8의 (b)를 참조하면, 개폐 장치(미도시)가 승강된 상태에서(도 8의 (a) 참조) 제2 구동부(미도시)의 풀(pull, 당김) 동작에 의해 샤프트(233a)가 제2 방향을 따라 개구부(OP)의 내측으로 이동됨에 따라, 공정 챔버(100)에 형성된 개구부(OP)는 폐쇄될 수 있다. 이때, 블레이드(231s)의 경사면과 공정 챔버(100)의 경사부(114)는 그 너비와 경사각이 서로 동일하기 때문에 서로 면 접촉되고, 블레이드(231a)의 타면은 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 중 내면(110a)과 동일면상에 위치하게 되므로 공정 챔버(100) 내부의 공간적 불균형이 해소될 수 있다.
도 9는 도 3 및 도 7에 각각 도시된 D 영역의 또 다른 실시 예를 설명하기 위한 부분 단면도이며, 도 9의 (a)는 개구부(OP)가 개방된 상태를, (b)는 개구부(OP)가 폐쇄된 상태를 각각 나타낸다.
도 9의 (a) 내지 (b)를 참조하면, 또 다른 실시 예에 따른 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)은, 경사부(114)의 선단에서 개구부(OP)의 중심을 향하여 돌출되는 스토퍼(116);를 더 포함할 수 있다.
스토퍼(116)는, 개구부(OP)가 폐쇄될 때 챔버 간의 압력 차이로 인해 이송 챔버(미도시) 방향으로 블레이드(231a)가 밀리는 현상을 방지함과 동시에, 공정 챔버(100)의 경사부(114)와 블레이드(231a)의 경사면 사이의 접촉면에 미세한 틈새가 발생되지 않도록 블레이드(231a)를 고정하는 역할을 수행한다.
이처럼, 도 9에 도시된 기판 처리 장치는 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에 경사부(114)이외에 스토퍼(116)가 더 구비되는 점을 제외하고는 도 8에 도시된 기판 처리 장치와 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 10의 (a) 내지 (b)는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 10의 (a)를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000C)는 공정 챔버(100) 및 슬롯 밸브(200)를 포함할 수 있다.공정 챔버(100)의 내부에는 반응 공간이 구비되고, 상기 반응 공간은 내면(110a)과 외면(110b)의 이중구조로 이루어진 측벽(110)에 의해 들러싸여 형성된다.
공정 챔버(100)의 측벽(110)에는, 공정 챔버(100)의 반응 공간으로 갈수록 내경이 축소되도록 소정의 각도로 경사지고, 기판의 이송을 허용하는 개구부(OP)가 형성될 수 있다.
슬롯 밸브(200)는 공정 챔버(100)의 외부에 설치되어 개구부(OP)를 선택적으로 개폐하며, 승강 장치(210) 및 개폐 장치(230)를 포함할 수 있다.
승강 장치(210)는 개폐 장치(230)를 제1 방향으로 승강시키는 제1 구동부(211) 및 제1 구동부(211)와 개폐 장치(230)를 상호 연결하는 승강바(212)를 포함하고, 승강바(212)는 제1 구동부(211)의 동작에 의해 압축(compression) 또는 신장(expanding)될 수 있다.
개폐 장치(230)는, 개구부(OP)를 선택적으로 개폐하는 블레이드(231), 블레이드(231)를 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 직선 운동시키는 제2 구동부(232), 및 블레이드(231)와 제2 구동부(232) 사이를 연결하는 샤프트(233)를 포함하고, 블레이드(231)는 승강 장치(210)에 의해 소정의 높이로 승강된 상태에서 제2 구동부(232)의 동작에 의해 샤프트(233)가 압축 또는 신장됨에 따라 개구부(OP)를 개방 또는 폐쇄할 수 있다.
이때, 블레이드(231)는 공정 챔버(100)의 측벽(110)에 형성된 개구부(OP)와 대응되는 형상을 가지며, 예를 들어 사다리꼴 형태의 단면 형상을 가질 수 있다.
일 실시 예에 따른 블레이드(231)는 샤프트(233)와 연결되는 일면; 일면의 반대측에 위치하는 타면 및 일면과 타면 사이에서 개구부(OP)의 내측을 향하여 소정의 각도로 경사지게 형성되는 경사면을 포함하며, 상기 경사면은 공정 챔버(100)의 반응 공간으로 갈수록 내경이 축소되도록 형성될 수 있다.
블레이드(231)의 경사면은 개구부(OP)의 둘레를 따라 공정 챔버(100)의 측벽과 밀착 접촉함에 따라 개구부(OP)를 폐쇄할 수 있다. 이때, 블레이드(231)의 타면과 공정 챔버(100)의 반응 공간에 인접한 개구부(OP)는 동일한 높이를 가지며, 블레이드(231)의 폭(w5)은 측벽(110)의 폭(w6) 보다 작거나 동일하게 형성될 수 있다(w5≤w6). 이에 따라, 블레이드(231)의 타면은 공정 챔버(100)의 내면(110a)과 동일면상에 위치하게 되므로 공정 챔버(100) 내부의 공간적 불균형이 해소될 수 있다.
또한, 블레이드(231)와 공정 챔버(100)의 측벽(110) 사이에는 밀봉 부재(270)가 개재되고, 블레이드(231)의 경사면에는 밀봉 부재(270)를 수용하기 위한 그루브(290d)가 형성될 수 있다. 이때, 밀봉 부재(270)는 전술한 바와 같이, 공정 챔버(100)의 내부 압력을 유지하되 플라즈마에 의한 이상 방전을 억제하기 위하여, 밀봉 기능을 수행하는 부재에 전기 전도성 물질을 부여하여 형성된다. 이처럼, 밀봉 부재(270)를 블레이드(231)의 경사면에 인입시킬 경우, RF 전류의 리턴 경로가 단축됨으로써 EMI 노이즈 내지 반사 손실이 저감될 수 있으며, 이에 대한 상세한 설명은 도 8에서 전술하였는 바 중복되는 내용은 생략하기로 한다.
한편, 전술한 슬롯 밸브(200)는 승강 장치(210) 및 개폐 장치(230)에 각각 구비된 복수의 구동부(211, 232)에 의하여 블레이드(231)를 제1 또는 제2 방향으로 왕복 운동시키는 일 예가 도시되어 있으나, 본 발명의 범주가 이에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 본 발명의 슬롯 밸브(200)는 블레이드(231)를 수평 및 수직 방향으로 왕복 운동시키는 하나의 구동부에 의하여 구현될 수도 있다.
그리고, 블레이드(231)의 형상은 이에 국한되지 아니하고 다양한 형태로 제작될 수 있으며, 일 예로 도 10의 (b)를 참조하여 이하에서 설명한다.
도 10의 (b)를 참조하면, 다른 실시 예에 따른 블레이드(231)는, 샤프트(233)와 연결되어 공정 챔버(100)의 외면(110b) 중 적어도 일부를 포위하는 고정부(2311); 및 고정부(2311)의 두께 방향으로 연장되어 개구부(OP)의 둘레를 따라 경사지게 형성되는 돌출부(2313);를 포함할 수 있다.
고정부(2311)는 개구부(OP)가 폐쇄될 때 챔버 간의 압력 차이로 인해 공정 챔버(100) 방향으로 블레이드(231a)가 밀리는 현상을 방지함으로써 블레이드(231)를 안정적으로 고정하는 역할을 수행한다.
돌출부(2313)는 고정부(2311)와 접촉하는 일면, 일면의 반대측에 위치하는 타면, 및 일면과 타면 사이에서 개구부(OP)의 내측을 향하여 소정의 각도로 경사지게 형성되는 경사면을 포함하며, 상기 경사면은 공정 챔버(100)의 반응 공간으로 갈수록 내경이 축소되도록 형성될 수 있다. 이때, 돌출부(2313)는 고정부(2311)와 일체로 형성될 수 있다.
돌출부(2313)의 경사면은 개구부(OP)의 둘레를 따라 공정 챔버(100)의 측벽과 밀착 접촉함에 따라 개구부(OP)를 폐쇄하며, 돌출부(2313)는 공정 챔버(100)의 측벽(110)과 서로 동일한 폭을 가질 수 있다. 이에 따라, 돌출부(2313)의 타면은 공정 챔버(100)의 내면(110a)과 동일면상에 위치하게 되므로 공정 챔버(100) 내부의 공간적 불균형이 해소될 수 있다.
실시 예와 관련하여 전술한 바와 같이 몇 가지만을 기술하였지만, 이외에도 다양한 형태의 실시가 가능하다. 앞서 설명한 실시 예들의 기술적 내용들은 서로 양립할 수 없는 기술이 아닌 이상은 다양한 형태로 조합될 수 있으며, 이를 통해 새로운 실시 형태로 구현될 수도 있다.
전술한 도 2 내지 도 10에 도시된 실시 예에 의한 기판 처리 장치(1000A, 1000B)는 공정 챔버(Process Chamber)를 일 예로 들어 설명하였으나, 본 발명의 범주가 반드시 이에 국한되는 것은 아니고 공정 챔버 이외에도 이송 챔버(Transfer Chamber), 로드락 챔버(Load-lock Chamber), 버퍼 챔버(Buffer Chamber), 및 EFEM(Equipment Front End Module) 등 기판의 이송이 요구되는 반도체 제조 장비 등에 적용될 수 있다.
본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 통상의 기술자에게 자명하다. 따라서, 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.
실시 예에 따른 슬롯 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치는, 반도체 소자나 태양 전지 등의 제조 장비에 이용될 수 있다.

Claims (17)

  1. 챔버의 측벽에 형성된 개구부를 개폐하는 블레이드;
    상기 챔버의 측벽 내에 수용되어 상기 블레이드를 수평 방향으로 왕복 운동시키는 구동부; 및
    상기 블레이드와 상기 구동부를 연결하는 샤프트;를 포함하고,
    상기 블레이드는, 상기 구동부의 밀폐 동작에 의해 상기 챔버의 내면과 동일면이 되는 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 블레이드는,
    상기 챔버의 내부에 배치되는 제1 블레이드; 및
    상기 제1 블레이드와 마주하는 제2 블레이드;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 챔버의 외측에 형성되어 상기 제2 블레이드를 수용하되, 적어도 일측에 출입구가 형성되는 하우징;을 더 포함하고,
    상기 제1 및 제2 블레이드는 서로 반대 방향으로 구동되는 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 블레이드는 상기 챔버의 측벽 내에 배치되고,
    상기 제1 및 제2 블레이드는 서로 동일한 방향으로 구동되는 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 샤프트는,
    상기 제1 블레이드와 연결되는 제1 샤프트; 및
    상기 제2 블레이드와 연결되는 제2 샤프트;를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 샤프트의 길이는 서로 다른 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
  6. 적어도 일 측벽에 개구부가 형성된 챔버; 및
    상기 챔버의 적어도 일 측벽에 실장되는 슬롯 밸브;를 포함하고,
    상기 슬롯 밸브는,
    상기 개구부를 선택적으로 개폐하는 블레이드;
    상기 적어도 일 측벽 내에 수용되어 제1 방향으로 승강 또는 하강하고, 상기 블레이드를 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 왕복 운동시키는 구동부; 및
    상기 블레이드와 상기 구동부를 연결하는 샤프트;를 포함하고,
    상기 블레이드는, 상기 구동부의 밀폐 동작에 의해 상기 챔버의 내면과 동일면이 되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 적어도 일 측벽은, 상기 개구부의 둘레를 따라 상기 제2 방향으로 단차지게 함몰 형성되는 절곡부;를 포함하고,
    상기 밀폐 동작에 의해 상기 샤프트가 상기 구동부의 내측으로 이동됨에 따라, 상기 블레이드의 일면은 상기 절곡부와 접촉하고, 상기 일면의 반대측인 타면은 상기 측벽의 내면과 동일면상에 위치하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 블레이드의 폭은 상기 절곡부의 폭과 대응되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 적어도 일 측벽은, 상기 개구부의 둘레를 따라 상기 챔버의 내면 측으로 갈수록 내경이 확장되되, 상기 제2 방향에 대하여 제1 각도로 경사지게 형성되는 경사부;를 포함하고,
    상기 블레이드는,
    상기 샤프트와 연결되는 일면;
    상기 일면의 반대측에 위치하는 타면; 및
    상기 일면과 상기 타면 사이에서 상기 개구부의 내측을 향하여 제2 각도로 경사지게 형성되는 경사면;을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 각도는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 적어도 일 측벽은, 상기 경사부의 선단에서 상기 개구부의 중심을 향하여 돌출되는 스토퍼;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  11. 제9 항 또는 제10 항에 있어서,
    상기 경사부의 너비와 상기 경사면의 너비는 서로 동일한 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  12. 제6 항에 있어서,
    상기 블레이드와 상기 적어도 일 측벽 사이에 개재되는 밀봉 부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 밀봉 부재는, 상기 챔버와 상기 블레이드가 등전위를 이루도록 전기 전도성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  14. 제6 항에 있어서,
    상기 적어도 일 측벽은,
    상기 구동부를 실장하는 수용부; 및
    상기 수용부와 상기 챔버의 내면 사이에서 상기 샤프트를 수용하는 오목부;를 포함하고,
    상기 오목부의 형상은 상기 샤프트의 형상과 대응되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  15. 챔버의 측벽에 형성된 개구부를 개폐하는 블레이드;
    상기 블레이드를 수평 및 수직 방향으로 왕복 운동시키는 구동부; 및
    상기 블레이드와 상기 구동부를 연결하는 샤프트;를 포함하고,
    상기 챔버의 측벽에 형성된 개구부에는 경사부가 형성되고,
    상기 블레이드는 상기 경사부에 대응되는 경사면을 가지며,
    상기 블레이드는, 상기 구동부의 밀폐 동작에 의해 상기 챔버의 내면과 동일면이 되는 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 블레이드의 폭은 상기 측벽의 폭과 같거나 작게 형성된 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 경사부와 상기 경사면 사이에 개재되는 밀봉 부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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