CN218918805U - 半导体设备的反应腔室 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种半导体设备的反应腔室，包括腔室侧壁、内衬以及内门结构，内衬上设置有内衬传输口，内衬传输口的底部向下贯通内衬；其特征在于，内门结构包括内门、内门支撑件、导向组件、升降驱动源和升降轴，其中，内门支撑件与腔室侧壁连接，且位于内衬下方；升降驱动源设置于内门支撑件上；升降轴的上端与内门固定连接，升降轴的下端与升降驱动源的驱动轴连接，升降轴用于在升降驱动源的驱动下带动内门升降，以开启或者封闭内衬传输口；导向组件设置于内门支撑件上，且与升降轴相配合，用于限制升降轴的转动自由度。本实用新型提供的反应腔室，可以避免因内门与内衬之间的对中误差较大，而导致内门与内衬发生刮擦而产生颗粒物。

Description

半导体设备的反应腔室

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种半导体设备的反应腔室。

背景技术

在集成电路(IC)制造工艺过程中，干法刻蚀是一个越来越重要的环节，随着IC特征尺寸不断降低，干法刻蚀在产线中所占比例越来越高。刻蚀设备的工艺腔室中设置有用于固定、承载晶圆的静电卡盘，用作下电极，其上方设置有用于供给气体的上电极。等离子体分布的均匀性对晶圆工艺结果均匀性有着很大影响；等离子体分布与上电极气体分布以及上、下电极形成的电场分布有关。

为了得到一个气流均匀的环境以及均匀的电场分布，且为保护工艺腔室内壁避免等离子体的直接轰击，一般在工艺腔室的侧壁安装有一个内壁经过特殊材料喷涂的内衬，且为了实现机械手能够将晶圆传入或传出工艺腔室，需要在内衬和腔室侧壁上对应设置传输口，并通过设置一个可运动的内门结构，用于开启或封闭内衬上的传输口，在需要将晶圆传入或传出工艺腔室时，内门结构开启上述传输口，以供机械手通过，在传输完成之后，内门结构封闭上述传输口，以使工艺腔室可以进行刻蚀工艺。

但是，现有技术采用的内门结构，其与内衬之间的对中误差较大，内门的边缘在运动时很容易与内衬发生刮擦，产生颗粒物，造成污染，影响晶圆的生产良率。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体设备的反应腔室，其可以避免因内门与内衬之间的对中误差较大，而导致内门与内衬发生刮擦而产生颗粒物，从而可以实现高精度导向，避免产生污染，提高工艺稳定性。

为实现本实用新型的目的而提供一种半导体设备的反应腔室，包括腔室侧壁和环绕在所述腔室侧壁内侧的内衬，以及内门结构，所述内衬上设置有内衬传输口，所述内衬传输口的底部向下贯通所述内衬；其特征在于，所述内门结构包括内门、内门支撑件、导向组件、升降驱动源和升降轴，其中，

所述内门支撑件与所述腔室侧壁连接，且位于所述内衬下方；所述升降驱动源设置于所述内门支撑件上；

所述升降轴的上端与所述内门固定连接，所述升降轴的下端与所述升降驱动源的驱动轴连接，所述升降轴用于在所述升降驱动源的驱动下带动所述内门升降，以开启或者封闭所述内衬传输口；

所述导向组件设置于所述内门支撑件上，且与所述升降轴相配合，用于限制所述升降轴的转动自由度。

可选的，在所述反应腔室的侧壁上，且位于所述内衬的下方设置有安装开口，所述内门支撑件穿设于所述安装开口中，且一部分延伸至所述反应腔室的侧壁内侧，并且所述内门支撑件与所述反应腔室的侧壁密封连接；

所述内门支撑件中设置有容置空间，所述升降驱动源位于所述容置空间中，且与所述内门支撑件固定连接；所述内门支撑件位于所述反应腔室的侧壁内侧的部分设置有第一通孔，所述升降轴的上端与所述内门固定连接，所述升降轴的下端穿过所述第一通孔，并与所述升降驱动源的驱动轴固定连接。

可选的，所述内门支撑件的形成所述容置空间的内壁上，且位于所述第一通孔的下方设置有导向部，所述导向部中设置有与所述第一通孔同轴的导向槽，且在所述导向槽的底部设置有第二通孔，所述升降轴的下端依次穿过所述第一通孔、所述导向槽和所述第二通孔，并与所述升降驱动源的驱动轴连接；

所述导向组件设置在所述导向槽的内周面与所述升降轴的外周面之间。

可选的，所述升降轴为花键轴；

所述导向组件包括花键母、平键和密封套筒，其中，所述花键母位于所述导向槽中，且套设于所述花键轴上，并与所述花键轴滑动配合；

所述花键母的外周面和所述导向槽的内周面上相对设置有两个限位槽，所述平键设置于两个所述限位槽中，且与二者相配合；

所述密封套筒叠置于所述内门支撑件的所述第一通孔的上端面，且套设于所述花键轴上，所述密封套筒与所述内门支撑件固定连接，并且在所述密封套筒的底部设置有延伸至所述第一通孔和所述导向槽中的延伸部，所述延伸部的下端与所述花键母的上端面相抵；在所述延伸部的外周面与所述第一通孔的内周面之间设置有第一密封件，在所述密封套筒的内周面与所述花键轴的外周面之间设置有至少一个第二密封件。

可选的，所述内门的底部设置有相对于所述内门的内周面凸出的凸台，在所述内门封闭所述内衬传输口时，所述凸台叠置于所述内衬的底部；

在所述凸台的上表面设置有第一安装槽，且在所述第一安装槽中设置有第一诱电线圈，所述第一诱电线圈的一部分位于所述第一安装槽的外部，在所述内门封闭所述内衬传输口时，所述第一诱电线圈与所述内衬电接触。

可选的，所述内门四周除底部之外的外侧面设置有第一凹凸结构，且在所述内衬的位于所述内衬传输口四周除底部之外的内侧面设置有第二凹凸结构；在所述内门封闭所述内衬传输口时，所述第一凹凸结构与所述第二凹凸结构间隙配合。

可选的，所述内门顶部的外侧面和所述内衬的位于所述内衬传输口顶部的内侧面中的一者设置有第二安装槽，且在所述第二安装槽中设置有第二诱电线圈，所述第二诱电线圈的一部分位于所述第二安装槽的外部，在所述内门封闭所述内衬传输口时，所述第二诱电线圈与所述内衬电接触。

可选的，所述第一凹凸结构包括在所述外侧面上形成的第一凸部，所述第二凹凸结构包括在所述内侧面上形成的第二凸部，所述第一凸部和所述第二凸部相互交错，且间隙配合；

所述第二凸部位于所述第一凸部外侧，所述第二安装槽设置于所述内门顶部的外侧面，且位于所述第一凸部外侧与所述第二凸部相对的位置处。

可选的，所述内门中设置有第一加热元件，且在所述升降轴中设置有沿其轴向贯通的第一引线通道，所述容置空间具有与外界连通的开口，所述第一加热元件的接线通过所述第一引线通道和所述开口延伸至外界，并与电源电连接。

可选的，所述反应腔室还包括设置在所述腔室侧壁顶部的上电极，在所述内衬中设置有第二加热元件，且在所述上电极中设置有第二引线通道，所述第二加热元件的接线通过所述第二引线通道延伸至外界，并与电源电连接。

本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供的半导体设备的反应腔室，其通过在利用升降轴在升降驱动源的驱动下带动内门升降，以开启或者封闭内衬传输口的基础上，结合利用设置于内门支撑件上的导向组件，与升降轴相配合，用于限制升降轴的转动自由度，可以使得升降轴能够仅作升降运动，保证将内门限定在一固定角度，从而可以保证内门与内衬之间的对中，进而可以避免因内门与内衬之间的对中误差较大，而导致内门与内衬发生刮擦而产生颗粒物，从而可以实现高精度导向，避免产生污染，提高工艺稳定性。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的半导体设备的反应腔室的剖视图；

图2为本实用新型实施例提供的内门结构的内门的一种局部剖视图；

图3为图2中沿U-U线的局部剖视图；

图4为本实用新型实施例采用的内门结构的结构分解图；

图5为本实用新型实施例提供的内门结构的内门的另一种局部剖视图；

图6为本实用新型实施例采用的第一诱电线圈的结构图；

图7为本实用新型实施例采用的内门支撑件的剖视图；

图8为本实用新型实施例采用的内门支撑件的立体图；

图9为本实用新型实施例提供的内门结构的剖视图；

图10为本实用新型实施例采用的升降机构的局部剖视图；

图11为图10中沿A-A线的剖视图；

图12为本实用新型实施例采用的花键轴和花键母的配合图；

图13为本实用新型实施例采用的第一加热元件的结构图；

图14为本实用新型实施例采用的接地回路的路径图；

图15为本实用新型实施例采用的第二加热元件的结构图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图来对本实用新型提供的半导体设备的反应腔室进行详细描述。

请一并参阅图1至图15，本实用新型实施例提供一种反应腔室100，包括腔室侧壁和环绕在该腔室侧壁内侧的内衬20，以及内门结构200，内衬20上设置有内衬传输口，该内衬传输口的底部向下贯通内衬20，该内衬传输口与腔室侧壁上设置的腔室传输口12相对，以供机械手传入或传出晶圆。通过将上述内衬传输口的底部向下贯通内衬20，可以供内门结构200从下而上进入内衬传输口，并封闭该内衬传输口，或者从上而下移出内衬传输口，以开启该内衬传输口。另外，在反应腔室100内部设置有卡盘44，用于承载晶圆，该卡盘44例如为静电卡盘。

如图4、图9和图10所示，上述内门结构200包括内门51、内门支撑件63、导向组件、升降驱动源65和升降轴61，内门支撑件63、导向组件、升降驱动源65和升降轴61构成了用于驱动内门51升降的升降机构50，以使内门51能够上升并移入至内衬传输口，或者下降并移出内衬传输口，从而实现开启或者封闭内衬传输口。可选的，在内门51移入至内衬传输口时，内门51的内周面与内衬20的内周面相平齐，以构成完整连续的环形内周面，从而可以保证内衬20内侧的气流场分布均匀性，从而可以保证工艺均匀性。进一步可选的，内门51的厚度可以与内衬20的侧壁厚度一致，从而可以使内门51的外周面与内衬20的外周面平齐，进而可以保证腔室侧壁在周向上的结构一致性。

具体地，内门支撑件63与上述腔室侧壁连接，且位于内衬20下方；升降驱动源65设置于内门支撑件63上；升降轴61的上端与内门51固定连接，升降轴61的下端与升降驱动源65的驱动轴连接，升降轴61用于在升降驱动源65的驱动下带动内门51升降，以开启或者封闭上述内衬传输口；导向组件(如图9中虚线框67中所示的结构)设置于内门支撑件63上，且与升降轴61相配合，用于限制升降轴61的转动自由度。

通过在利用升降轴61在升降驱动源65的驱动下带动内门51升降，以开启或者封闭内衬传输口的基础上，结合利用设置于内门支撑件63上的导向组件，与升降轴61相配合，用于限制升降轴61的转动自由度，可以使得升降轴61能够仅作升降运动，保证将内门51限定在一固定角度，从而可以保证内门51与内衬20之间的对中，进而可以避免因内门与内衬之间的对中误差较大，而导致内门与内衬发生刮擦而产生颗粒物，从而可以实现高精度导向，避免产生污染，提高工艺稳定性。

内门支撑件63与上述腔室侧壁连接的方式可以有多种，例如，在反应腔室200的侧壁上，且位于内衬20的下方设置有安装开口，内门支撑件63穿设于该安装开口中，且一部分延伸至反应腔室200的侧壁内侧，并且内门支撑件63与反应腔室200的侧壁密封连接。具体地，如图8所示，该内门支撑件63例如为一端敞开的矩形壳体631，该矩形壳体631敞开的一端设置有环绕在该敞开开口四周的法兰632，且在反应腔室200的侧壁外侧，且环绕在安装开口的四周设置有安装凹部，如图10所示，该法兰632的一部分位于该安装凹部中，且在该法兰632与安装凹部彼此相对的表面之间设置有密封圈623，用以对二者之间的间隙进行密封，从而实现对该安装开口的密封，保证反应腔室200内部的密封性。

如图7和图8所示，上述内门支撑件63中设置有容置空间633，即上述矩形壳体631所限定的内部空间，如图9所示，上述升降驱动源65位于该容置空间633中，且与内门支撑件63固定连接，该升降驱动源65例如通过固定件68与内门支撑件63固定连接。内门支撑件63位于反应腔室200的侧壁内侧的部分设置有第一通孔635，该第一通孔635例如开设于矩形壳体631的上板中；升降轴61的上端与内门51固定连接，升降轴61的下端穿过第一通孔635，并与升降驱动源65的驱动轴固定连接。可选的，升降驱动源65为升降气缸，该升降气缸的驱动轴位于升降气缸的下方，且通过转接件66与升降轴61的下端固定连接。当然，在实际应用中，升降驱动源65也可以为升降电缸或者升降液压缸。另外，升降气缸的驱动轴也可以位于升降气缸的上方、侧方等任意方向，升降气缸的驱动轴也可以直接与升降轴的下端连接，本实用新型实施例对此没有特别的限制。

在一些可选的实施例中，如图7所示，内门支撑件65的形成上述容置空间633的内壁上，且位于第一通孔635的下方设置有导向部634，该导向部634中设置有与第一通孔635同轴的导向槽636，且在该导向槽636的底部设置有第二通孔637；升降轴61的下端依次穿过第一通孔635、导向槽636和第二通孔637，并通过转接件66与升降驱动源65的驱动轴连接；上述导向组件设置在导向槽636的内周面与升降轴61的外周面之间，用于限制升降轴61的转动自由度，从而可以使得升降轴61能够仅作升降运动，保证将内门51限定在一固定角度，从而可以保证内门51与内衬20之间的对中。

上述导向组件的结构可以有多种，例如，如图10至图12所示，升降轴61可以为花键轴，即，花键轴的外周壁上沿其周向均匀分布有多个条形键槽72，每个条形键槽72的长度方向与花键轴的轴向相互平行；如图11所示，上述导向组件包括花键母64、平键70和密封套筒62，其中，花键母64位于导向槽636中，且套设于花键轴上，并与花键轴滑动配合，即在花键母64的内周壁上分布有多个条形键73，各个条形键73一一对应地位于各个条形键槽72中，且滑动配合，以在使花键轴能够作升降直线运动的前提下，限制花键轴与花键母64之间的相对转动。可选的，花键轴和花键母64之间为间隙配合，二者之间的间隙例如为0.015mm，这样花键母64可以对花键轴的升降起到导向作用，确保花键轴在作升降运动时不会发生摇摆。

并且，花键母64的外周面和导向槽636的内周面上相对设置有两个限位槽，即，如图11和图12中示出的花键母64的外周面上的限位槽71，以及如图7和图11示出的导向槽636的内周面上的限位槽638，平键70设置于上述两个限位槽中，且与二者相配合，从而可以限制花键母64和导向槽636之间的相对转动，从而实现升降轴61的转动自由度的限制。可选的，上述平键70可以为多个，且沿升降轴61的轴向间隔设置，以提高连接稳定性，上述限位槽例如为长槽，用于容置上述多个平键70。可选的，花键母64的外周面和导向槽636的内周面之间为间隙配合，二者之间的间隙例如为0.1mm。

而且，如图10所示，密封套筒62叠置于内门支撑件63的第一通孔635的上端面，且套设于花键轴上，该密封套筒62与内门支撑件63固定连接，例如通过螺钉固定在一起。并且，在密封套筒62的底部设置有延伸至第一通孔635和导向槽636中的延伸部，该延伸部的下端与花键母64的上端面相抵，从而可以限制花键母64在花键轴的轴向上的位置；在上述延伸部的外周面与第一通孔635的内周面之间设置有第一密封件621，在密封套筒62的内周面与花键轴的外周面之间设置有至少一个第二密封件622。具体地，如图7所示，在第一通孔635的内周面上设置有环形凹槽639，用于安装上述第一密封件621。

在一些可选的实施例中，为了防止等离子体泄漏，在内门51与内衬20之间还设置有迷宫结构，迷宫结构可以采用多种结构，例如，如图2和图3所示，内门51四周除底部之外的外侧面设置有第一凹凸结构，且在内衬的位于内衬传输口四周除底部之外的内侧面设置有第二凹凸结构，该第一凹凸结构与第二凹凸结构如图2中的虚线框52内和如图3中的虚线框54内的结构所示，在内门51封闭内衬传输口时，上述第一凹凸结构与第二凹凸结构间隙配合，该间隙即为图2和图3中示出的gap1。这样，第一凹凸结构与第二凹凸结构可以在内门51与内衬20之间构成迷宫结构，该迷宫结构可以起到阻挡等离子体的作用，从而可以防止等离子体泄漏至内衬20外侧腐蚀腔室侧壁，产生金属污染；同时，通过使第一凹凸结构与第二凹凸结构间隙配合，可以使内门51在运动过程中与内衬20不相接触，从而可以避免内门51与内衬20发生刮擦而产生颗粒物，进而可以避免产生污染，提高工艺稳定性。

第一凹凸结构与第二凹凸结构可以有多种结构，在一些可选的实施例中，第一凹凸机构包括在内门51四周除底部之外的外侧面上形成的第一凸部，第二凹凸结构包括在内衬传输口四周除底部之外的内侧面上形成的第二凸部，第一凸部和第二凸部相互交错，且间隙配合。通过使第一凸部和第二凸部相互交错，可以使内门51四周除底部之外的外侧面与内衬的位于内衬传输口四周除底部之外的内侧面之间形成非直线间隙(即，迷宫式间隙)，这种非直线间隙可以有效阻挡等离子体移动至内衬外侧，从而可以防止等离子体泄漏至内衬外侧腐蚀腔室侧壁，产生金属污染。可选的，上述非直线间隙大于等于0.8mm，且小于等于1.5mm。

具体地，内门四周除底部之外的外侧面包括上外侧面，和沿内衬圆周方向上，位于内门两侧的左外侧面和右外侧面；对应的，内衬的位于内衬传输口四周除底部之外的内侧面包括上内侧面，和沿内衬圆周方向上，位于内衬传输口两侧的左内侧面和右内侧面，其中，如图2中的虚线框52内的结构所示，上外侧面与上内侧面相对，且上外侧面上设置有第一凸部，上内侧面上设置有第二凸部，且第二凸部与第一凸部在内衬径向上相互重叠，且第二凸部位于第一凸部的外侧，并且第一凸部的上表面和与之相对的内衬的上内侧面之间具有间隙，第二凸部的下表面和与之相对的内门的上外侧面之间具有间隙，第一凸部和第二凸部彼此相对的表面之间具有间隙，这些间隙构成了上述非直线间隙(即，迷宫式间隙)。

类似的，如图3中的虚线框54内的结构所示，上述左外侧面和右外侧面分别与上述左内侧面和右内侧面相对，且左外侧面和右外侧面上均设置有第一凸部，左内侧面和右内侧面上均设置有第二凸部，且第二凸部与第一凸部在内衬径向上相互重叠，且第二凸部位于第一凸部的外侧，并且第一凸部的侧表面和与之相对的内衬的左内侧面或右内侧面之间具有间隙，第二凸部的侧面和与之相对的内门的左外侧面或右外侧面之间具有间隙，第一凸部和第二凸部彼此相对的表面之间具有间隙，这些间隙构成了上述非直线间隙(即，迷宫式间隙)。

需要说明的是，在本实施例中，上述第一凸部和第二凸部均为一个，但是，本实用新型实施例并不局限于此，在实际应用中，上述第一凸部和第二凸部还可以为多个，多个第一凸部和多个第二凸部可以在内衬的径向上交替设置，形成齿状配合结构。此外，上述第一凸部和第二凸部的结构可以是矩形块，或者也可以是梯形块、锥形块、锥台块等等，本实用新型实施例对此没有特别的限制。

在一些可选的实施例中，如图4至图6所示，内门51的底部设置有相对于内门51的内周面凸出的凸台512，在内门51封闭内衬传输口时，如图2所示，凸台512叠置于内衬20的底部，具体地，内衬20的侧壁下端设置有环形栅孔盘57，在内门51封闭内衬传输口时，凸台512叠置于环形栅孔盘57的底部边缘处；并且，如图2中的虚线框53内的结构以及图6所示，在凸台512的上表面设置有第一安装槽56，且在该第一安装槽56中设置有第一诱电线圈513，该第一诱电线圈513的一部分位于第一安装槽56的外部，在内门51封闭内衬传输口时，第一诱电线圈513与内衬20(即，环形栅孔盘57)电接触。通过使第一诱电线圈513与内衬20电接触，不仅可以防止等离子体泄漏至内衬外侧腐蚀腔室侧壁，产生金属污染，而且还可以将内门51通过第一诱电线圈513与内衬20电导通，从而可以使内衬20的周向上各个位置形成的接地回路一致，例如，如图14中的箭头所示，依次从内衬20左侧部分、接地环41、接口盘42、接地套筒43回到射频匹配器45；同时，依次从内衬20右侧部分、内门51、接地环41、接口盘42、接地套筒43回到射频匹配器45，由于内门51与内衬20电导通，内衬20的设置有内门51的半边部分与未设置内门51的半边部分是对称的，二者构成的接地回路一致，从而可以提高工艺均匀性。

在一些可选的实施例中，如图2所示，内门51顶部的外侧面和内衬20的位于内衬传输口顶部的内侧面中的一者设置有第二安装槽55，且在第二安装槽55中设置有第二诱电线圈(与图6中的第一诱电线圈513的结构相同)，第二诱电线圈的一部分位于第二安装槽55的外部，在内门51封闭内衬传输口时，第二诱电线圈与内衬20电接触。通过使第二诱电线圈55与内衬20电接触(例如为弹性接触)，可以进一步保证内门51与内衬20的良好电接触，实现二者的电导通。

进一步可选的，如图2所示，上述第一凹凸机构包括在内门51顶部的外侧面上形成的第一凸部，第二凹凸结构包括在内衬传输口顶部的内侧面上形成的第二凸部，该第二凸部位于第一凸部外侧(即，远离内衬20所围空间的一侧)，第二安装槽55设置于内门51顶部的外侧面，且位于第一凸部外侧与第二凸部相对的位置处，这样，可以使第一凸部能够起到保护第二诱电线圈不被等离子体轰击的作用，从而可以延长第二诱电线圈的使用寿命。当然，在实际应用中，第二安装槽55还可以设置于图2中的第二凸部与内门51顶部的外侧面相对的表面上。需要说明的是，图2示出了上述第一凸部和第二凸部均为一个的情况，但是，本实用新型实施例并不局限于此，在实际应用中，上述第一凸部和第二凸部还可以为多个，多个第一凸部和多个第二凸部可以在内衬的径向上交替设置，形成齿状配合结构。在这种情况下，上述第二安装槽55可以设置于任意一个第一凸部外侧，或者还可以设置于位于任意一个第一凸部和/或第二凸部外侧的相应表面上。

在一些可选的实施例中，如图5所示，内门51中设置有第一加热元件511，且如图10所示，在升降轴61中设置有沿其轴向贯通的第一引线通道611，上述容置空间(例如为矩形壳体631所限定的内部空间)633具有与外界连通的开口(例如矩形壳体朝腔室外侧的敞开开口)，上述第一加热元件511的接线通过第一引线通道611和开口延伸至外界，并与电源电连接。借助第一加热元件511，可以对内门51进行加热，以避免刻蚀副产物沉积在内门51上，在加热时，可选的，加热功率例如为2.5KW，加热电压为208V，加热温度为120℃。

可选的，上述第一加热元件511例如为加热丝，优选在加热丝外部包覆绝缘层，即采用铠装加热丝。上述内门51可以由内、外两个分体对接而成，加热丝内嵌在内、外两个分体之间，再通过钎焊将内、外两个分体连为一体。

进一步可选的，可以在内门51的内表面喷涂抗腐蚀保护层，用于提高内门51的使用寿命，减少颗粒产生。

在一些可选的实施例中，如图15所示，反应腔室100还包括设置在腔室侧壁顶部的上电极30，在内衬20中设置有第二加热元件201，且在上电极30中设置有第二引线通道202，第二加热元件201的接线通过第二引线通道202延伸至外界，并与电源电连接。与上述第一加热元件511相类似的，借助第二加热元件201，可以对内衬20进行加热，以避免刻蚀副产物沉积在内衬20上。第二加热元件201的结构可以采用与上述第一加热元件511相同的结构，由于在上述实施例中已有了详细描述，在此不再赘述。

综上所述，本实用新型实施例提供的反应腔室，其通过在利用升降轴在升降驱动源的驱动下带动内门升降，以开启或者封闭内衬传输口的基础上，结合利用设置于内门支撑件上的导向组件，与升降轴相配合，用于限制升降轴的转动自由度，可以使得升降轴能够仅作升降运动，保证将内门限定在一固定角度，从而可以保证内门与内衬之间的对中，进而可以避免因内门与内衬之间的对中误差较大，而导致内门与内衬发生刮擦而产生颗粒物，从而可以实现高精度导向，避免产生污染，提高工艺稳定性。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

Claims (10)

1.一种半导体设备的反应腔室，包括腔室侧壁和环绕在所述腔室侧壁内侧的内衬，以及内门结构，所述内衬上设置有内衬传输口，所述内衬传输口的底部向下贯通所述内衬；其特征在于，所述内门结构包括内门、内门支撑件、导向组件、升降驱动源和升降轴，其中，

所述内门支撑件与所述腔室侧壁连接，且位于所述内衬下方；所述升降驱动源设置于所述内门支撑件上；

所述升降轴的上端与所述内门固定连接，所述升降轴的下端与所述升降驱动源的驱动轴连接，所述升降轴用于在所述升降驱动源的驱动下带动所述内门升降，以开启或者封闭所述内衬传输口；

所述导向组件设置于所述内门支撑件上，且与所述升降轴相配合，用于限制所述升降轴的转动自由度。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，在所述反应腔室的侧壁上，且位于所述内衬的下方设置有安装开口，所述内门支撑件穿设于所述安装开口中，且一部分延伸至所述反应腔室的侧壁内侧，并且所述内门支撑件与所述反应腔室的侧壁密封连接；

所述内门支撑件中设置有容置空间，所述升降驱动源位于所述容置空间中，且与所述内门支撑件固定连接；所述内门支撑件位于所述反应腔室的侧壁内侧的部分设置有第一通孔，所述升降轴的上端与所述内门固定连接，所述升降轴的下端穿过所述第一通孔，并与所述升降驱动源的驱动轴固定连接。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述内门支撑件的形成所述容置空间的内壁上，且位于所述第一通孔的下方设置有导向部，所述导向部中设置有与所述第一通孔同轴的导向槽，且在所述导向槽的底部设置有第二通孔，所述升降轴的下端依次穿过所述第一通孔、所述导向槽和所述第二通孔，并与所述升降驱动源的驱动轴连接；

所述导向组件设置在所述导向槽的内周面与所述升降轴的外周面之间。

4.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，所述升降轴为花键轴；

所述导向组件包括花键母、平键和密封套筒，其中，所述花键母位于所述导向槽中，且套设于所述花键轴上，并与所述花键轴滑动配合；

所述花键母的外周面和所述导向槽的内周面上相对设置有两个限位槽，所述平键设置于两个所述限位槽中，且与二者相配合；

所述密封套筒叠置于所述内门支撑件的所述第一通孔的上端面，且套设于所述花键轴上，所述密封套筒与所述内门支撑件固定连接，并且在所述密封套筒的底部设置有延伸至所述第一通孔和所述导向槽中的延伸部，所述延伸部的下端与所述花键母的上端面相抵；在所述延伸部的外周面与所述第一通孔的内周面之间设置有第一密封件，在所述密封套筒的内周面与所述花键轴的外周面之间设置有至少一个第二密封件。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述内门的底部设置有相对于所述内门的内周面凸出的凸台，在所述内门封闭所述内衬传输口时，所述凸台叠置于所述内衬的底部；

在所述凸台的上表面设置有第一安装槽，且在所述第一安装槽中设置有第一诱电线圈，所述第一诱电线圈的一部分位于所述第一安装槽的外部，在所述内门封闭所述内衬传输口时，所述第一诱电线圈与所述内衬电接触。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述内门四周除底部之外的外侧面设置有第一凹凸结构，且在所述内衬的位于所述内衬传输口四周除底部之外的内侧面设置有第二凹凸结构；在所述内门封闭所述内衬传输口时，所述第一凹凸结构与所述第二凹凸结构间隙配合。

7.根据权利要求6所述的反应腔室，其特征在于，所述内门顶部的外侧面和所述内衬的位于所述内衬传输口顶部的内侧面中的一者设置有第二安装槽，且在所述第二安装槽中设置有第二诱电线圈，所述第二诱电线圈的一部分位于所述第二安装槽的外部，在所述内门封闭所述内衬传输口时，所述第二诱电线圈与所述内衬电接触。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述第一凹凸结构包括在所述外侧面上形成的第一凸部，所述第二凹凸结构包括在所述内侧面上形成的第二凸部，所述第一凸部和所述第二凸部相互交错，且间隙配合；

所述第二凸部位于所述第一凸部外侧，所述第二安装槽设置于所述内门顶部的外侧面，且位于所述第一凸部外侧与所述第二凸部相对的位置处。

9.根据权利要求2或3所述的反应腔室，其特征在于，所述内门中设置有第一加热元件，且在所述升降轴中设置有沿其轴向贯通的第一引线通道，所述容置空间具有与外界连通的开口，所述第一加热元件的接线通过所述第一引线通道和所述开口延伸至外界，并与电源电连接。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括设置在所述腔室侧壁顶部的上电极，在所述内衬中设置有第二加热元件，且在所述上电极中设置有第二引线通道，所述第二加热元件的接线通过所述第二引线通道延伸至外界，并与电源电连接。

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