KR20210158874A - 접합 층 보호가 개선된 기판 지지 캐리어 - Google Patents

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Abstract

기판 지지 페디스털은 정전 척, 냉각 베이스, 가스 유동 통로, 다공성 플러그 및 밀폐 부재를 포함한다. 정전 척은 공동을 갖는 바디를 포함한다. 냉각 베이스는 접합 층을 통해 정전 척에 결합된다. 가스 유동 통로는 정전 척의 최상부 표면과 냉각 베이스의 바닥 표면 사이에 형성된다. 가스 유동 통로는 공동을 더 포함한다. 다공성 플러그는 가스 유동 통로를 통한 가스의 유동을 제어하도록 공동 내에 포지셔닝된다. 밀폐 부재는 다공성 플러그에 인접하게 포지셔닝되며, 다공성 플러그와 공동 사이의 반경 방향 밀폐부 및 다공성 플러그와 냉각 베이스 사이의 축 방향 밀폐부 중 하나 이상을 형성하도록 구성된다.

Description

접합 층 보호가 개선된 기판 지지 캐리어
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 기판 프로세스 챔버에서 사용하기 위한 보호된 접합 층을 갖는 기판 지지 페디스털(pedestal)에 관한 것이다.
[0002] 기판 지지 페디스털들은 기판 프로세싱 동안 반도체 프로세싱 시스템들 내에서 기판들을 지지하는 데 널리 사용된다. 기판 지지 페디스털들은 일반적으로, 접합 층으로 냉각 베이스에 접합된 정전 척(electrostatic chuck)을 포함한다. 정전 척은 일반적으로, 프로세싱 동안 정전 척에 대해 기판을 홀딩하기 위한 전위로 구동되는 하나 이상의 매립형 전극들을 포함한다. 냉각 베이스는 통상적으로 하나 이상의 냉각 채널들을 포함하고, 프로세싱 동안 기판의 온도를 제어하는 것을 보조한다. 추가로, 정전 척은, 프로세스 동안 기판의 온도를 제어하는 것을 보조하기 위해 정전 척과 기판 사이에서 가스가 유동할 수 있게 하는 하나 이상의 가스 유동 통로들을 포함할 수 있다. 가스는 정전 척과 기판 사이의 영역을 채워, 기판과 기판 지지부 사이의 열 전달률을 향상시킨다. 그러나 기판이 존재하지 않을 때, 가스 유동 통로들은 또한, 접합 층이 위치되는 냉각 베이스와 정전 척 사이의 영역 내로 프로세스 가스들이 유동하기 위한 경로를 제공한다. 결과적으로, 접합 층은 프로세스 가스들에 의해 부식된다.
[0003] 접합 층의 부식은 적어도 두 가지 이유들로 문제가 된다. 첫째, 접합 층으로부터 부식된 재료는, 결함들을 생성하고 제품 수율들을 감소시키는 프로세스 오염물이 된다. 둘째, 접합 층이 부식됨에 따라, 정전 척과 냉각 베이스 사이의 국소적인 열 전달률이 변화함으로써, 기판 상의 바람직하지 않은 온도 불균일성들 및 프로세스 드리프트를 생성한다.
[0004] 따라서 개선된 기판 지지 페디스털이 필요하다.
[0005] 일례로, 정전 척은 최상부 표면과 공동(cavity)을 포함하는 바디, 가스 유동 통로 및 다공성 플러그(porous plug)를 갖는다. 가스 유동 통로는 최상부 표면과 공동 사이에 형성된다. 다공성 플러그는 공동 내에 포지셔닝된다. 밀폐 부재가 다공성 플러그에 인접하게 포지셔닝되며, 다공성 플러그와 공동 사이의 반경 방향 밀폐부, 및 정전 척에 접합된 냉각 베이스와 다공성 플러그 사이의 축 방향 밀폐부 중 하나 이상을 형성하도록 구성된다.
[0006] 일례로, 정전 척, 냉각 베이스, 가스 유동 통로, 다공성 플러그 및 밀폐 부재를 포함하는 기판 지지 페디스털이 제공된다. 정전 척은 공동을 포함하는 바디를 갖는다. 냉각 베이스는 접합 층을 통해 정전 척에 결합된다. 가스 유동 통로는 정전 척의 최상부 표면과 냉각 베이스의 바닥 표면 사이에 형성된다. 가스 유동 통로는 공동을 더 포함한다. 다공성 플러그는 공동 내에 포지셔닝된다. 밀폐 부재는 다공성 플러그에 인접하게 포지셔닝되며, 다공성 플러그와 공동 사이의 반경 방향 밀폐부 및 다공성 플러그와 냉각 베이스 사이의 축 방향 밀폐부 중 하나 이상을 형성하도록 구성된다.
[0007] 일례로, 프로세스 챔버는 챔버 바디, 정전 척, 냉각 베이스, 가스 유동 통로, 다공성 플러그 및 밀폐 부재를 포함한다. 챔버 바디는 프로세싱 볼륨을 갖는다. 정전 척은 프로세싱 볼륨에 배치되고, 프로세싱 동안 기판을 지지하도록 구성된 최상부 표면을 갖는다. 정전 척은 바닥 표면 및 공동을 더 포함한다. 냉각 베이스는 접합 층을 통해 정전 척에 결합된다. 가스 유동 통로는 정전 척의 최상부 표면과 냉각 베이스의 바닥 표면 사이에 형성된다. 추가로, 가스 유동 통로는 공동을 통과한다. 다공성 플러그는 공동 내에 포지셔닝된다. 밀폐 부재는 다공성 플러그에 인접하게 포지셔닝되며, 다공성 플러그와 공동 사이의 반경 방향 밀폐부 및 다공성 플러그와 냉각 베이스 사이의 축 방향 밀폐부 중 하나 이상을 형성하도록 구성된다.
[0008] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 달성되고 상세히 이해될 수 있는 방식으로 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 그 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들은 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 실시예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 하나 이상의 실시예들에 따른 기판 지지 페디스털을 갖는 프로세스 챔버의 개략도를 도시한다.
[0010] 도 2는 하나 이상의 실시예들에 따른 기판 지지 페디스털의 부분 단면도를 도시한다.
[0011] 도 3, 도 4, 도 5, 도 6, 도 7, 도 8 및 도 9는 하나 이상의 실시예들에 따른 기판 지지 페디스털의 부분 단면도들이다.
[0012] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해, 가능한 경우 동일한 참조 부호들이 사용되었다.
[0013] 본 명세서에서 논의되는 시스템들 및 방법들은 접합 층을 통해 함께 접합된 냉각 베이스와 정전 척을 갖는 기판 지지 페디스털들을 이용한다. 냉각 베이스 및 정전 척에 형성된 가스 유동 통로에 다공성 플러그가 포지셔닝된다. 다공성 플러그의 제약은 기판 프로세싱 동안 이용되는 프로세스 가스들로부터 접합 층을 보호한다. 유리하게, 다음의 실시예들은 다공성 플러그 주위에서의 가스 유동을 실질적으로 방지하는 반경 방향 밀폐부의 이용을 통해 접합 층의 열화를 방지하도록 가스 유동 통로 내에 다공성 플러그를 고정시키기 위한 개선된 기법들을 논의한다.
[0014] 도 1은 하나 이상의 실시예들에 따른 프로세스 챔버(100)의 개략도를 도시한다. 프로세스 챔버(100)는, 둘 다 유전체 천장(120) 외부에 포지셔닝된 적어도 유도성 코일 안테나 세그먼트(112A) 및 전도성 코일 안테나 세그먼트(112B)를 포함한다. 유도성 코일 안테나 세그먼트(112A) 및 전도성 코일 안테나 세그먼트(112B)는 각각, RF 신호를 생성하는 RF(radio-frequency) 소스(118)에 결합된다. RF 소스(118)는 정합 네트워크(119)를 통해 유도성 코일 안테나 세그먼트(112A)에 그리고 전도성 코일 안테나 세그먼트(112B)에 결합된다. 프로세스 챔버(100)는 또한, RF 신호를 생성하는 RF 소스(122)에 결합된 기판 지지 페디스털(116)을 포함한다. RF 소스(122)는 정합 네트워크(124)를 통해 기판 지지 페디스털(116)에 결합된다. 프로세스 챔버(100)는 또한, 전도성이며 전기 접지(134)에 연결된 챔버 벽(130)을 포함한다.
[0015] 제어기(140)는 CPU(central processing unit)(144), 메모리(142) 및 지원 회로들(146)을 포함한다. 제어기(140)는 기판 프로세싱 프로세스의 제어를 가능하게 하도록 프로세스 챔버(100)의 다양한 컴포넌트들에 결합된다.
[0016] 동작 시에, 반도체 기판(114)은 기판 지지 페디스털(116) 상에 배치되고, 가스 성분들이 가스 패널(138)로부터 진입 포트들(126)을 통해 프로세스 챔버(100)에 공급되어, 프로세스 챔버(100)의 프로세싱 볼륨(150)에 가스 혼합물을 형성한다. 프로세싱 볼륨(150) 내의 가스 혼합물은, 각각 RF 소스들(118, 122)로부터의 RF 전력을 유도성 코일 안테나 세그먼트(112A), 전도성 코일 안테나 세그먼트(112B) 및 기판 지지 페디스털(116)에 인가함으로써, 프로세스 챔버(100) 내의 플라즈마로 점화된다. 추가로, 화학적으로 반응성인 이온들이 플라즈마로부터 방출되어 기판을 타격하며; 이로써 노출된 재료가 기판의 표면으로부터 제거된다.
[0017] 프로세스 챔버(100)의 내부 내의 압력은 프로세스 챔버(100)와 진공 펌프(136) 사이에 위치된 스로틀 밸브(127)를 사용하여 제어된다. 챔버 벽들(130)의 표면에서의 온도는 프로세스 챔버(100)의 챔버 벽들(130)에 위치되는 (도시되지 않은) 액체 함유 도관들을 사용하여 제어된다.
[0018] 기판 지지 페디스털(116)은 냉각 베이스(104) 상에 배치된 정전 척(102)을 포함한다. 기판 지지 페디스털(116)은 일반적으로, 냉각 베이스(104)에 결합된 샤프트(107)에 의해 프로세스 챔버(100)의 바닥 위에 지지된다. 기판 지지 페디스털(116)이 샤프트(107)로부터 제거되고, 재정비(refurbish)되고, 샤프트(107)에 다시 체결될 수 있도록 기판 지지 페디스털(116)이 샤프트(107)에 체결된다. 샤프트(107)는 냉각 베이스(104)에 대해 밀폐되어, 다양한 도관들 및 도관들 내에 배치된 전기 리드(electrical lead)들을 프로세스 챔버(100) 내의 프로세스 환경으로부터 격리시킨다. 대안으로, 정전 척(102) 및 냉각 베이스(104)는 접지 플레이트 또는 섀시에 부착되는 절연 플레이트 상에 배치될 수 있다. 추가로, 접지 플레이트는 챔버 벽들(130) 중 하나 이상에 부착될 수 있다.
[0019] 반도체 기판(114)의 온도는 정전 척(102)의 온도를 안정화함으로써 제어된다. 예를 들어, 정전 척(102)의 지지면(106)과 반도체 기판(114) 사이에 한정된 플리넘(plenum)에 배면 가스(예컨대, 헬륨 또는 다른 가스)가 가스 소스(148)에 의해 제공될 수 있다. 배면 가스는, 반도체 기판(114)과 기판 지지 페디스털(116) 사이의 열 전달을 가능하게 하여 프로세싱 동안 기판(114)의 온도를 제어하는 데 사용된다. 정전 척(102)은 하나 이상의 가열기들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 가열기들은 전기 가열기들 등일 수 있다.
[0020] 도 2는 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 1에 도시된 기판 지지 페디스털(116)의 일부의 수직 단면도를 도시한다. 위에서 논의된 바와 같이, 기판 지지 페디스털(116)은 정전 척(102)에 고정된 냉각 베이스(104)를 갖는다. 도 2에 도시된 예에서, 냉각 베이스(104)는 접합 층(204)에 의해 정전 척(102)에 고정된다.
[0021] 접합 층(204)은 하나 이상의 재료들, 이를테면 아크릴 또는 실리콘계 접착제, 에폭시, 네오프렌계 접착제, 투명 아크릴 접착제와 같은 광학적으로 투명한 접착제, 또는 다른 적절한 접착 재료들을 포함한다.
[0022] 냉각 베이스(104)는 일반적으로, 다른 적절한 재료들 중에서도 스테인리스 강, 알루미늄, 알루미늄 합금들과 같은 금속성 재료로 제작된다. 추가로, 냉각 베이스(104)는 그 내부에 배치된 하나 이상의 냉각 채널들(212)을 포함하는데, 이러한 냉각 채널들(212)은 기판 지지 페디스털(116) 및 기판(114)의 열 제어를 유지하도록 열 전달 유체를 순환시킨다.
[0023] 정전 척(102)은 일반적으로 형태가 원형이지만, 대안으로 비-원형 기판들을 수용하도록 다른 기하학적 구조들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 정전 척(102)은 평판 디스플레이들을 위한 유리와 같은 디스플레이 유리를 프로세싱하는 데 사용될 때 정사각형 또는 직사각형 기판을 포함할 수 있다. 정전 척(102)은 일반적으로, 하나 이상의 전극들(208)을 포함하는 바디(206)를 포함한다. 전극들(208)은 구리, 흑연, 텅스텐, 몰리브덴 등과 같은 전기 전도성 재료로 구성된다. 전극 구조들의 다양한 실시예들은, 한 쌍의 동일 평면 상의 D 형상 전극들, 동일 평면 상의 인터디지털(interdigital) 전극들, 복수의 동축 환형 전극들, 단일 원형 전극 또는 다른 구조를 포함한다(그러나 이에 제한되지 않음). 전극들(208)은 기판 지지 페디스털(116)에 배치된 피드 스루(feed through)(209)에 의해 전력 공급부(125)에 결합된다. 전력 공급부(125)는 양의 또는 음의 전압으로 전극(208)을 구동할 수 있다. 예를 들어, 전력 공급부(125)는 약 -1000볼트의 전압 또는 약 2500볼트의 전압으로 전극(208)을 구동할 수 있다. 대안으로, 다른 음의 전압들 또는 다른 양의 전압들이 이용될 수 있다.
[0024] 정전 척(102)의 바디(206)는 세라믹 재료로 제작될 수 있다. 예를 들어, 정전 척(102)의 바디(206)는 저 저항률 세라믹 재료(즉, 약 1×E9 내지 약 1×E11Ω-㎝의 저항률을 갖는 재료)로 제작될 수 있다. 저 저항률 재료들의 예들은 티타늄 산화물 또는 크롬 산화물로 도핑된 알루미나, 도핑된 알루미늄 산화물, 도핑된 붕소 질화물 등과 같은 도핑된 세라믹들을 포함한다. 유사한 저항률의 다른 재료들, 예를 들어 알루미늄 질화물이 또한 사용될 수 있다. 비교적 낮은 저항률을 갖는 그러한 세라믹 재료들은 일반적으로, 전극들(208)에 전력이 인가될 때 기판과 정전 척(102) 사이의 존슨-라벡 인력(Johnsen-Rahbek attractive force)을 촉진한다. 대안으로, 1×E11Ω-㎝ 이상의 저항률을 갖는 세라믹 재료들을 포함하는 바디(206)가 또한 사용될 수 있다. 추가로, 정전 척(102)의 바디(206)는 알루미늄 산화물로 제작될 수 있다.
[0025] 바디(206)의 지지면(106)은 지지면(106) 상에 형성된 (도시되지 않은) 밀폐 링의 내측에 배치된 복수의 메사(mesa)들(216)을 포함한다. 밀폐 링은 바디(206)를 구성하는 것과 동일한 재료로 구성되지만, 대안으로 다른 유전체 재료들로 구성될 수 있다. 메사들(216)은 일반적으로, 약 5 내지 약 10의 범위의 유전 상수를 갖는 전기 절연 재료의 하나 이상의 층들로 형성된다. 그러한 절연 재료들의 예들은 실리콘 질화물, 실리콘 이산화물, 알루미늄 산화물, 탄탈륨 오산화물, 폴리이미드 등을 포함한다(그러나 이에 제한되지 않음). 대안으로, 메사들(216)은 바디(206)와 동일한 재료로 형성될 수 있고, 이어서 고 저항률 유전체 막으로 코팅될 수 있다.
[0026] 동작 동안, 전극들(208)을 구동함으로써 생성된 전기장이 클램핑력(clamping force)으로 지지면(106) 상에 기판(114)을 홀딩한다. 클램핑력은 각각의 메사(216)에서 가장 크다. 추가로, 메사들(216)은 기판의 배면에 걸쳐 균일한 전하 분포를 달성하도록 포지셔닝될 수 있고 그리고/또는 크기가 정해질 수 있다.
[0027] 기판(114)이 정전 척(102)에 의해 유지될 때 기판(114)에 걸친 온도의 제어를 돕기 위해, 가스 소스(148)에 의해 플리넘(280)에 배면 가스(예컨대, 헬륨, 질소 또는 아르곤)가 유입된다. 플리넘(280)은 정전 척(102)의 지지면(106)과 기판(114) 사이에 한정된다. 추가로, 플리넘(280) 내의 배면 가스는 정전 척(102)과 기판(114) 사이에 열 전달 매체를 제공한다. 배면 가스는 일반적으로, 바디(206) 및 냉각 베이스(104)를 관통하여 형성된 하나 이상의 가스 유동 통로들(270)을 통해 플리넘(280)에 제공된다. 또한, 각각의 가스 유동 통로(270)는 바디(206)의 지지면(106)을 관통하여 형성된 대응하는 개구(210)에서 종결된다.
[0028] 가스 유동 통로(270)는 바디(206)의 지지면(106)으로부터 냉각 베이스(104)의 바닥 표면(284)까지 연장된다. 가스 유동 통로(270)는 정전 척(102)의 개구(210), 냉각 베이스(104)의 개구(209), 및 정전 척(102)의 바디(206)에 형성된 공동(211)을 포함한다. 공동(211)은 개구(210) 및 개구(209) 중 적어도 하나의 개구의 단면적보다 더 큰 단면적, 이를테면 직경을 가질 수 있다. 개구(209)는 개구(210)의 직경보다 더 크거나, 더 작거나, 동일한 직경을 가질 수 있다. 추가로, 단일 가스 유동 통로(270)가 도 2에 예시되지만, 기판 지지 페디스털(116)은 다수의 가스 유동 통로들을 포함할 수 있다.
[0029] 가스 유동 통로(270)는 가스 소스(148)에 결합된다. 추가로, 가스 유동 통로(270) 각각은 단일 포트(272)를 통해 가스 소스(148)에 결합될 수 있다. 대안으로, 각각의 가스 유동 통로(270)는 별개의 포트들(272)을 통해 가스 소스(148)에 개별적으로 결합될 수 있다.
[0030] 다공성 플러그(244)가 가스 유동 통로(270)의 일부를 형성하도록 일반적으로, (공동(211) 내의) 가스 유동 통로(270) 내에 다공성 플러그(244)가 배치된다. 다공성 플러그(244)는 가압된 가스가 상이한 전위의 2개의 표면들 사이에서 유동하기 위한 경로를 제공한다. 예를 들어, 다공성 플러그(244)는, 가압된 가스가 정전 척(102)의 제1 표면과 제2 표면 사이에서 그리고 정전 척(102)의 제1 표면과 냉각 베이스(104)의 제1 표면 사이에서 유동하기 위한 경로를 제공한다. 추가로, 다공성 플러그(244)는, 다공성 플러그(244)를 포함하지 않는 설계와 비교하여, 정전 척(102)과 냉각 베이스(104) 사이의 갭(204A)에서 플라즈마가 점화될 확률을 감소시키는 복수의 작은 통로들을 포함한다. 다공성 플러그(244)는 일반적으로, 알루미늄 산화물 또는 알루미늄 질화물과 같은 세라믹 재료로 구성된다. 대안으로, 다공성 플러그(244)는 다른 다공성 재료들로 구성될 수 있다. 추가로, 다공성 플러그(244)는 약 30% 내지 약 80%의 다공성을 가질 수 있다. 대안으로, 다공성 플러그는 30% 미만 또는 80% 초과의 다공성을 가질 수 있다. 추가로, 다공성 플러그(244)는 공동(211)의 최상부를 한정하는 스텝(250)에 접한다.
[0031] 다공성 플러그(244)는 t자 형상을 갖는다. t자 형상의 다공성 플러그는 다른 형상들의 다공성 플러그들과 비교하여 증가된 가스 유동을 제공하고, 다른 형상들의 다공성 플러그들보다 공동(211) 내에 설치하기가 더 쉽다. 다공성 플러그(244)는 헤드(251) 및 샤프트(252)를 포함할 수 있다. 헤드(251)는 직경(253)을 갖고, 샤프트(252)는 직경(254)을 갖는다. 또한, 직경(253)은 직경(254)보다 더 크다. 추가로, 헤드는 샤프트(252)와 만나는 바닥 표면(255)을 포함한다. 헤드(251)는 공동(211)의 측벽(205)을 향하는 표면(256)을 더 포함한다. 또한, 샤프트(252)는 공동(211)의 측벽(205)을 향하는 표면(257)을 포함한다. 다양한 실시예들에서, 다공성 플러그(244)는 특히, 압입(press fitting), 슬립 피팅(slip fitting), 클리어런스 피팅(clearance fitting), 핀 고정(pinning) 및 접합과 같은 다양한 기법들을 사용하여 공동(211) 내에 포지셔닝될 수 있다. 예를 들어, 다공성 플러그(244)는, 헤드(251)의 표면(256)이 측벽(205)과 접촉하도록 또는 헤드(251)의 표면(256)과 측벽(205) 사이에 갭이 있도록 공동 내에 포지셔닝될 수 있다.
[0032] 밀폐 부재(245)는 다공성 플러그(244)에 인접하게 배치된다. 밀폐 부재(245)는 다공성 플러그(244)의 표면(257)과 공동(211)의 측벽(205) 사이에 밀폐부를 형성한다. 밀폐 부재(245)는 다공성 플러그(244)와 공동(211) 사이의 반경 방향 밀폐부 및 다공성 플러그(244)와 냉각 베이스(104) 사이의 축 방향 밀폐부 중 적어도 하나를 형성할 수 있다. 추가로, 밀폐 부재(245)는 공동(211) 내에 다공성 플러그(244)를 고정할 수 있다. 예를 들어, 밀폐 부재(245)는 특히, 압입, 핀 고정 및 접합과 같은 다양한 기법들을 사용하여 공동(211)의 측벽(205) 및 다공성 플러그(244) 중 적어도 하나에 결합될 수 있다. 밀폐 부재(245)는 다공성 플러그(244)를 공동(211)의 측벽(205)에 기계적으로 고정할 수 있다.
[0033] 밀폐 부재(245)는 탄성 중합체 재료, 이를테면 엘라스토머로 구성될 수 있다. 추가로, 밀폐 부재(245)는 플루오로엘라스토머 재료(예컨대, FKM), 퍼플루오로엘라스토머 재료(예컨대, FFKM) 및 고순도 세라믹 중 하나 이상으로 구성될 수 있다. 고순도 세라믹은 99% 초과의 순도일 수 있고, 세라믹 페이스트 또는 용액에 부유된 고체일 수 있다. 추가로, 밀폐 부재(245)는 프로세스 가스들에 대해 내부식성인 재료로 구성될 수 있다. 예를 들어, 내부식성 재료들은 프로세스 가스들의 존재 시에 부식되지 않는다. 추가로 또는 대안으로, 밀폐 부재(245)의 재료는, 재료가 다공성 플러그(244)를 관통하지 않도록 선택된다. 밀폐 부재(245)는 O-링, 원통형 개스킷(gasket), 또는 다른 링 형상의 밀폐부일 수 있다. 대안으로, 밀폐 부재(245)는 액체, 페이스트 및/또는 겔 중 하나로 도포되고 상태를 실질적으로 고체 또는 겔 형태로 변화시키는 재료로 형성될 수 있다. 추가로, 밀폐 부재(245)는 실질적으로 비-접착성 재료로 구성될 수 있다.
[0034] 접합 층(204)은 바디(206)를 냉각 베이스(104)에 고정한다. 추가로, 갭(204A)이 접합 층(204)에 형성되고, 가스 유동 통로(270)의 일부이다. 접합 층(204)을 통상적으로 구성하는 재료 또는 재료들이 기판 프로세싱 동안 사용되는 프로세스 가스들의 존재 시에 부식되기 쉽기 때문에, 프로세스 가스들로부터 접합 층(204)을 보호하기 위한 다양한 방법들이 연구되었다. 유리하게는, 프로세스 가스들에 대해 내부식성이 상당한 밀폐 부재, 예컨대 밀폐 부재(245)를 이용함으로써, 프로세스 가스가 다공성 플러그(244)를 통과하는 것이 방지될 수 있다. 따라서 접합 층(204)의 수명이 증가된다. 추가로, 기판 지지 페디스털(116)의 유용한 서비스 수명이 증가된다.
[0035] 도 3은 하나 이상의 실시예들에 따른 기판 지지 페디스털(116)의 부분(201)의 개략적인 단면도이다. 위에서 설명된 바와 같이, 다공성 플러그(244)는 헤드(251) 및 샤프트(252)를 가져, 다공성 플러그(244)의 t자 형상을 형성한다. t자 형상의 다공성 플러그는 다른 형상들의 다공성 플러그들보다 더 양호한 가스 유동을 제공할 수 있으며, 다른 형상들의 다공성 플러그들보다 공동(211) 내에 설치하기가 더 쉬울 수 있다. 추가로, 다공성 플러그(244)는 배면 가스가 정전 척(102)과 냉각 베이스(104) 사이의 갭 내로 유동하여 접합 층(204)에 부정적으로 영향을 미치는(예컨대, 부식시키는) 것을 방지한다.
[0036] 다공성 플러그(244)는 공동(211)의 제1 단부(302)로부터 공동(211)의 제2 단부(304)로 연장될 수 있다. 예를 들어, 다공성 플러그(244)의 표면(306)은 공동의 표면(309)과 접촉할 수 있고, 다공성 플러그(244)의 표면(308)과 정전 척(102)의 표면(307)은 동일 평면에 있을 수 있어, 표면(308)은 정전 척(102)과 냉각 베이스(104) 사이의 갭(305) 내로 연장된다. 대안으로, 표면(308)은 정전 척(102)과 냉각 베이스(104) 사이의 갭(305) 내로 연장될 수 있다. 또한, 표면(308)은 표면(309)과 표면(307) 사이에 있을 수 있다.
[0037] 도 2와 관련하여 위에서 언급된 바와 같이, 다공성 플러그(244)는 개구(210)의 직경(332)보다 더 큰 직경(253)을 포함한다. 또한, 다공성 플러그(244)와 개구(210)는 동심이다. 추가로 또는 대안으로, 다공성 플러그(244)와 개구(209)는 동심이다.
[0038] 공동(211)은 측벽(205)이 정전 척(102)의 바닥 표면(307)과 만나는 곳에 형성된 챔퍼형 에지(chamfered edge)(310)를 포함한다. 또한, 다공성 플러그(244)는 표면(306)이 표면(256)과 만나는 챔퍼형 에지를 가질 수 있다. 공동(211)의 챔퍼형 에지(310) 및 다공성 플러그(244)의 챔퍼형 에지(320)는 공동(211) 내에 다공성 플러그(244)를 삽입하는 것을 돕는다. 추가로, 챔퍼형 에지(310)는, 밀폐 부재(245)가 다공성 플러그(244) 주위의 공동 내로 삽입될 때, 또는 기판 프로세싱 동안 밀폐 부재(245)가 팽창될 때, 밀폐 부재(245)에 야기될 수 있는 가능한 손상을 감소시킨다.
[0039] 밀폐 부재(245)는 다공성 플러그(244)에 인접한다. 밀폐 부재(245)는 다공성 플러그(244)와 공동(211) 사이에 반경 방향 밀폐부를 형성한다. 예를 들어, 밀폐 부재(245)는 다공성 플러그(244)의 표면(257) 및 공동(211)의 측벽(205)과 접촉하여, 프로세스 가스들이 다공성 플러그(244)의 측면들을 따라 유동하는 것을 방지할 수 있다. 추가로, 밀폐 부재(245)는 공동(211) 내에 다공성 플러그(244)를 고정할 수 있다. 예를 들어, 밀폐 부재(245)는, 다공성 플러그(244)가 공동(211) 내에 홀딩되도록 공동(211)의 측벽(205) 및 다공성 플러그(244)의 표면(257) 상에 힘을 가할 수 있다. 추가로, 밀폐 부재(245)는 표면들(356, 357)을 포함한다. 표면들(356, 357) 중 하나 이상은 실질적으로 만곡된 형상을 가질 수 있다. 실질적으로 만곡된 형상은 볼록하거나 오목할 수 있다. 추가로, 표면들(356, 357) 중 하나 이상은 실질적으로 평평한 형상을 가질 수 있다.
[0040] 밀폐 부재(245)는 완전히 공동(211) 내에 상주할 수 있거나, 밀폐 부재(245)는 정전 척(102)과 냉각 베이스(104) 사이의 갭(305) 내로 적어도 부분적으로 연장될 수 있다. 추가로, 밀폐 부재(245)는, 밀폐 부재(245)가 다공성 플러그(244)의 표면(255), 샤프트(252)의 표면(257), 정전 척(102)의 표면(307) 그리고 공동(211)의 측벽(205) 사이에 한정된 공동(211)의 개구를 초과하지 않도록 크기가 정해질 수 있다. 추가로 또는 대안으로, 접합 층(204)은, 접합 층(204)이 밀폐 부재(245)와 적어도 부분적으로 접촉하도록 갭(305) 내로 연장될 수 있다.
[0041] 도 4는 상이한 밀폐 부재(445)를 갖는, 기판 지지 페디스털(116)의 부분(201)의 개략적인 단면도이다. 도 3의 밀폐 부재(245)와 비교하여, 도 4의 밀폐 부재(445)는 샤프트(252)의 표면(257)과 공동(211)의 측벽(205) 사이의 반경 방향 밀폐부 및 다공성 플러그(244)의 표면(255)과 냉각 베이스(104)의 표면(404) 사이의 축 방향 밀폐부를 형성한다. 예를 들어, 밀폐 부재(245)는 다공성 플러그(244)의 표면(257)과 표면(255), 공동(211)의 측벽(205) 및 냉각 베이스(104)의 표면(404)과 접촉할 수 있다. 밀폐 부재(445)는 다공성 플러그(244)에 인접하게 포지셔닝된다. 예를 들어, 밀폐 부재(445)는 공동(211)의 측벽과 다공성 플러그(244) 사이에 포지셔닝된다. 추가로, 밀폐 부재는 다공성 플러그(244)와 냉각 베이스(104) 사이에 포지셔닝된다. 추가로, 밀폐 부재(445)는 밀폐 부재(245)와 유사하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 밀폐 부재(445)는 O-링, 원통형 개스킷, 또는 다른 링 형상의 밀폐부일 수 있다. 추가로, 밀폐 부재(245)는 밀폐 부재(245)와 관련하여 위에서 설명된 바와 같이 기판 프로세싱 동안 사용되는 프로세스 가스들의 존재 시에 내부식성인 재료로 형성될 수 있다. 추가로, 밀폐 부재(445)는 표면들(456, 457)을 포함한다. 표면들(456, 457) 중 하나 이상은 실질적으로 만곡된 형상을 가질 수 있다. 실질적으로 만곡된 형상은 볼록하거나 오목할 수 있다. 추가로, 표면들(456, 457) 중 하나 이상은 실질적으로 평평한 형상을 가질 수 있다. 추가로, 접합 층(204)은 밀폐 부재(445)와 적어도 부분적으로 접촉할 수 있다.
[0042] 도 5는 상이한 밀폐 부재(545) 및 다공성 플러그(544)를 갖는, 기판 지지 페디스털(116)의 부분(201)의 개략적인 단면도이다. 다공성 플러그(544)는 도 2 및 도 3의 다공성 플러그(244)와 유사하게 구성되지만, 다공성 플러그(544)는 t자 형상을 포함하는 대신에 원통 형상을 포함한다. 밀폐 부재(545)는 다공성 플러그(544)에 인접하게 포지셔닝된다. 예를 들어, 밀폐 부재(545)는 공동(211)의 측벽과 다공성 플러그(544) 사이에 포지셔닝된다. 추가로, 밀폐 부재는 공동(211)의 표면(309)과 냉각 베이스(104) 사이에 포지셔닝될 수 있다. 다공성 플러그(544)는 직경(530), 최상부 표면(506), 바닥 표면(508) 및 표면(550)을 갖는다. 최상부 표면(506)은 공동(211)의 표면(309)과 접촉한다. 추가로, 표면(508)은 공동(211) 내에서 리세스될 수 있거나, 정전 척(102)의 표면(307)과 동일 평면 상에 있거나, 정전 척의 표면(307)과 냉각 베이스(104)의 표면(404) 사이에 형성된 갭(305) 내로 연장될 수 있다. 다공성 플러그(544)의 직경(530)은 개구(210)의 직경(532)보다 더 크다.
[0043] 밀폐 부재(545)는 밀폐 부재(245)와 유사하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 밀폐 부재(545)는 O-링, 원통형 개스킷, 또는 다른 링 형상의 밀폐부일 수 있다. 추가로, 밀폐 부재(545)는 밀폐 부재(245)와 관련하여 위에서 설명된 바와 같이 기판 프로세싱 동안 사용되는 프로세스 가스들의 존재 시에 내부식성인 재료로 형성될 수 있다. 밀폐 부재(545)는 다공성 플러그(544)의 표면(550)과 공동(211)의 측벽(205) 사이에 반경 방향 밀폐부를 형성한다. 예를 들어, 밀폐 부재(545)는 다공성 플러그(544)의 표면(550) 및 공동(211)의 측벽(205), 이를테면 도 4에 예시된 밀폐 부재(445)와 접촉한다. 추가로, 밀폐 부재(545)는 공동(211)의 표면(309)과 냉각 베이스(104)의 표면(404) 사이에 축 방향 밀폐부를 형성할 수 있다. 예를 들어, 밀폐 부재(545)는 공동(211)의 표면(309)과 접촉할 수 있고 냉각 베이스(104)의 표면(404)과 접촉할 수 있다. 밀폐 부재(545)는 표면들(556, 557)을 포함한다. 표면들(556, 557) 중 하나 이상은 실질적으로 만곡된 형상을 가질 수 있다. 실질적으로 만곡된 형상은 볼록하거나 오목할 수 있다. 표면들(556, 557) 중 하나 이상은 실질적으로 평평한 형상을 가질 수 있다. 추가로, 접합 층(204)은, 접합 층(204)이 밀폐 부재(545)와 적어도 부분적으로 접촉하도록 갭(305) 내로 돌출될 수 있다.
[0044] 도 6은 하나 이상의 실시예들에 따른, 상이한 밀폐 부재(645)를 갖는, 기판 지지 페디스털(116)의 부분(201)의 개략적인 단면도이다. 도 3의 밀폐 부재(245)와 비교하여, 도 6의 밀폐 부재(645)는, 실질적으로 고체 또는 겔 형태로 상태를 변화시키는, 액체, 페이스트 또는 겔 형태로 도포된 재료로 형성된다. 예를 들어, 밀폐 부재(645)는 특히, 더 고체이고 실질적으로 움직이지 않는 형태로 상태를 변화시키는 액체 또는 점성 상태로 공동(211) 내에서 다공성 플러그(244) 주위에 유동될 수 있거나 달리 배치될 수 있는 플루오로엘라스토머 재료, 퍼플루오로엘라스토머 재료 및 고순도 세라믹 포팅(potting) 재료 중 하나로 형성될 수 있다. 밀폐 부재(645)는, 재료가 다공성 플러그(244)의 표면(255) 및 표면(257)과 공동(211)의 측벽(205) 사이에 배치되도록 다공성 플러그(244)에 인접하게 배치된다. 추가로, 재료는 미리 결정된 압력, 온도 및/또는 에너지 소스에 노출되어, 재료를 실질적으로 움직이지 않는 형태로 변화시키고 밀폐 부재(645)를 생성할 수 있다. 재료를 실질적으로 움직이지 않는 형태로 변화시키는 데 사용되는 온도들은 약 300℃ 미만일 수 있다. 대안으로, 다른 온도들이 이용될 수 있다. 추가로, 밀폐 부재(645)는 다공성 플러그(244)를 공동(211)에 고정하여, 다공성 플러그(244)의 표면(257)과 공동(211)의 측벽(205) 사이에 반경 방향 밀폐부를 형성한다. 추가로, 접합 층(204)은, 접합 층(204)이 밀폐 부재(645)와 적어도 부분적으로 접촉하도록 갭(305) 내로 돌출될 수 있다.
[0045] 도 7은 하나 이상의 실시예들에 따른, 상이한 밀폐 부재(745)를 갖는, 기판 지지 페디스털(116)의 부분(201)의 개략적인 단면도이다. 도 5의 밀폐 부재(545)와 비교하여, 도 7의 밀폐 부재(745)는, 실질적으로 고체 또는 겔 형태로 상태를 변화시키는, 액체, 페이스트 또는 겔 형태로 도포된 재료로 형성된다. 예를 들어, 밀폐 부재(745)는 특히, 더 고체이고 실질적으로 움직이지 않는 형태로 상태를 변화시키는 액체 또는 점성 상태로 공동(211) 내에서 다공성 플러그(544) 주위에 유동될 수 있거나 달리 배치될 수 있는 플루오로엘라스토머 재료, 퍼플루오로엘라스토머 재료 및 고순도 세라믹 포팅 재료 중 하나로 형성될 수 있다. 재료는 다공성 플러그(544)의 표면(550)과 공동(211)의 표면(309)과 측벽(205) 사이에 배치될 수 있다. 추가로, 재료는 미리 결정된 압력, 온도 및/또는 에너지 소스에 노출되어, 재료를 실질적으로 움직이지 않는 형태로 변화시키고 밀폐 부재(745)를 생성한다. 추가로, 밀폐 부재(745)는 다공성 플러그(544)의 표면(550) 그리고 공동(211)의 표면(309) 및 측벽(205)과 접촉하여, 다공성 플러그(544)를 공동(211)에 고정시킨다. 추가로, 밀폐 부재(745)는 다공성 플러그(544)의 표면(550)과 공동(211)의 측벽(205) 사이에 반경 방향 밀폐부를 형성한다. 추가로, 접합 층(204)은, 접합 층(204)이 밀폐 부재(745)와 적어도 부분적으로 접촉하도록 갭(305) 내로 돌출될 수 있다.
[0046] 도 8은 도 2의 실시예와 비교하여 상이한 다공성 플러그(844) 및 상이한 밀폐 부재(845)를 갖는, 기판 지지 페디스털(116)의 부분(201)의 개략적인 단면도이다. 예를 들어, 도 2의 다공성 플러그(244)와 비교하여, 다공성 플러그(844)는 원통 형상을 포함한다. 또한, 도 5의 다공성 플러그(544)와 비교하여, 다공성 플러그(844)의 직경(830)은, 다공성 플러그(844)가 다공성 플러그(544)보다 공동(211)을 더 많이 채우도록 다공성 플러그(544)의 직경(530)보다 더 크다. 다공성 플러그(844)의 직경은 개구(210)의 직경(832)보다 더 크다. 최상부 표면(806)은 공동(211)의 표면(309)과 접촉한다. 표면(808)은 정전 척(102)의 표면(307)과 동일 평면 상에 있을 수 있다. 다공성 플러그(844)는 도 3의 다공성 플러그(244)와 유사하게 표면(806)을 따라 챔퍼형 에지를 가질 수 있다.
[0047] 밀폐 부재(845)는 밀폐 부재(245)와 유사하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 밀폐 부재(845)는 O-링, 원통형 개스킷, 또는 다른 링 형상의 밀폐부일 수 있다. 추가로, 밀폐 부재(845)는 밀폐 부재(245)와 관련하여 위에서 설명된 바와 같이 기판 프로세싱 동안 사용되는 프로세스 가스들의 존재 시에 내부식성인 재료로 형성될 수 있다. 밀폐 부재(845)는 다공성 플러그(844)의 표면(808)과 정전 척(102)의 표면(307) 그리고 냉각 베이스(104)의 표면(809) 사이에 축 방향 밀폐부를 형성한다. 예를 들어, 밀폐 부재(845)는 다공성 플러그(844)의 표면(809) 및 정전 척(102)의 표면(307)과 접촉한다. 또한, 밀폐 부재(845)는 냉각 베이스(104)의 표면(809)과 접촉한다.
[0048] 밀폐 부재(845)는 다공성 플러그(844)에 인접하게 포지셔닝된다. 예를 들어, 밀폐 부재(845)는 다공성 플러그(844)와 냉각 베이스(104) 사이에 포지셔닝된다.
[0049] 냉각 베이스(104)는 홈(810)을 포함할 수 있다. 냉각 베이스(104)의 표면(809)은 홈(810)의 바닥을 형성한다. 밀폐 부재(845)는 홈(810) 내에 그리고 냉각 베이스(104)와 정전 척(102) 사이에 포지셔닝된다. 홈(810)은 공동(211)의 일부 및 정전 척(102)의 일부와 적어도 부분적으로 중첩하여, 홈(810)이 다공성 플러그(844)와 정전 척(102) 사이에 한정된 갭을 가로질러 밀폐 부재(845)를 효과적으로 포지셔닝할 수 있게 하고 갭을 밀폐한다. 홈(810)을 포함하지 않는 실시예들과 비교하여, 홈(810)은 접합 층의 두께를 증가시키지 않으면서 더 큰 단면 밀폐부를 가능하게 한다. 추가로, 홈(810)은 제조 공차들의 영향들을 감소시키고, 더 넓은 범위의 온도들에 걸쳐 밀폐를 가능하게 한다. 하나 이상의 실시예들에서, 냉각 베이스(104)는 홈(810)을 포함하지 않으며, 밀폐 부재(845)는 정전 척(102) 및 공동(211)의 일부와 중첩되는 영역에서 표면(809)과 접촉한다.
[0050] 밀폐 부재(845)는 공동(211) 내에 다공성 플러그(844)를 고정할 수 있다. 예를 들어, 밀폐 부재(845)는, 다공성 플러그(844)가 공동(211) 내에 홀딩되도록, 다공성 플러그(844)의 표면(808) 및 냉각 베이스(104)의 표면(809)에 힘을 가할 수 있다.
[0051] 밀폐 부재(845)는 표면들(856, 857)을 포함한다. 표면들(856, 857) 중 하나 이상은 실질적으로 만곡된 형상을 가질 수 있다. 실질적으로 만곡된 형상은 볼록하거나 오목할 수 있다. 추가로, 표면들(856, 857) 중 하나 이상은 실질적으로 평평한 형상을 가질 수 있다. 추가로, 접합 층(204)은 밀폐 부재(845)와 적어도 부분적으로 접촉할 수 있다.
[0052] 도 9는 하나 이상의 실시예들에 따른, 다공성 플러그(944) 및 밀폐 부재(845)를 갖는, 기판 지지 페디스털(116)의 부분(201)의 개략적인 단면도이다. 밀폐 부재(845)는 도 8과 관련하여 보다 상세히 설명된다. 도 8과 관련하여 설명된 바와 같이, 냉각 베이스(104)는 홈(810)을 포함하며, 밀폐 부재(845)의 적어도 일부가 홈(810) 내에 포지셔닝된다.
[0053] 도 8의 실시예의 다공성 플러그(844)와 비교하여, 다공성 플러그(944)는 정전 척(102)과 냉각 베이스(104) 사이의 갭(305) 내로 연장되는 표면(908)을 포함한다. 갭(305) 내로 연장되는 다공성 플러그(944)의 부분의 직경(931)은 공동(211) 내에 포지셔닝되는 다공성 플러그(944)의 부분의 직경(930)보다 더 작다. 직경(930)은 개구(210)의 직경(832)보다 더 크다. 대안으로, 직경(930)은 직경(832) 이하이다. 또한, 다공성 플러그(944)의 최상부 표면(906)은 공동(211)의 표면(309)과 접촉한다. 다공성 플러그(944)는 도 3의 다공성 플러그(244)와 유사하게 표면(906)을 따라 챔퍼형 에지를 가질 수 있다.
[0054] 밀폐 부재(845)는 다공성 플러그(944)에 인접하게 포지셔닝된다. 예를 들어, 밀폐 부재(845)는 다공성 플러그(944)와 냉각 베이스(104) 사이에 포지셔닝된다. 밀폐 부재(845)는 정전 척(102)의 표면(307), 다공성 플러그(944)의 표면(907), 및 냉각 베이스(104)의 표면(809)과 접촉하여, 정전 척(102)과 냉각 베이스(104) 사이에 축 방향 밀폐부를 형성한다. 밀폐 부재(845)는 공동(211) 내에 다공성 플러그(944)를 고정할 수 있다. 예를 들어, 밀폐 부재(845)는, 다공성 플러그(944)가 공동(211) 내에 홀딩되도록, 다공성 플러그(944)의 표면(907) 및 냉각 베이스(104)의 표면(809)에 힘을 가할 수 있다. 추가로, 밀폐 부재(845)는 다공성 플러그(944)의 표면(909)과 접촉할 수 있다.
[0055] 본 명세서에서 설명되는 밀폐 부재들 및 다공성 플러그들은, 정전 척과 냉각 베이스를 접합하는 접합 층을 프로세스 가스들로부터 보호하기 위해 기판 지지 페디스털들에서 사용하기에 적합하다. 유리하게, 프로세스 가스들로부터 접합 층을 보호하는 것은 접합 층의 부식을 감소시키고, 기판 상에 실질적으로 균일한 온도를 유지한다. 예를 들어, 프로세스 가스들에 대해 내부식성인 밀폐 부재들이 정전 척의 다공성 플러그들 사이에 반경 방향 밀폐부 및/또는 수직 밀폐부를 형성하는 데 이용될 수 있다. 그러한 밀폐 부재들은 정전 척과 냉각 베이스 사이의 갭 내로의 프로세스 가스들의 유동을 방지하고, 접합 층의 부식을 감소시킨다. 이에 따라, 냉각 베이스와 정전 척 사이의 실질적으로 균일한 열 전달 및 기판 상의 균일한 온도가 유지된다.
[0056] 전술한 내용은 본 명세서에서 설명된 실시예들에 관한 것이지만, 그 실시예들의 기본 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예들 및 추가 실시예들이 안출될 수 있으며, 그 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 정전 척(electrostatic chuck)으로서,
    바디 ― 상기 바디는:
    최상부 표면; 및
    공동(cavity)을 포함함 ―;
    상기 최상부 표면과 상기 공동 사이에 형성된 가스 유동 통로; 및
    상기 공동 내에 포지셔닝된 다공성 플러그(porous plug)를 포함하며,
    밀폐 부재가 상기 다공성 플러그에 인접하게 포지셔닝되고, 상기 다공성 플러그와 상기 공동 사이의 반경 방향 밀폐부, 및 상기 정전 척에 접합된 냉각 베이스와 상기 다공성 플러그 사이의 축 방향 밀폐부 중 하나 이상을 형성하도록 구성되는,
    정전 척.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 상기 공동의 측벽과 상기 다공성 플러그 사이에 포지셔닝되는,
    정전 척.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 상기 다공성 플러그와 상기 냉각 베이스 사이에 포지셔닝되는,
    정전 척.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 상기 공동 내에 상기 다공성 플러그를 고정시키는,
    정전 척.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 O-링 또는 원통형 개스킷(gasket)인,
    정전 척.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 플루오로엘라스토머 재료, 퍼플루오로엘라스토머 재료 및 고순도 세라믹 중 하나인,
    정전 척.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 다공성 플러그는 t자 형상 및 원통 형상 중 하나를 갖는,
    정전 척.
  8. 공동을 포함하는 바디를 갖는 정전 척;
    접합 층을 통해 상기 정전 척에 결합된 냉각 베이스;
    상기 정전 척의 최상부 표면과 상기 냉각 베이스의 바닥 표면 사이에 형성된 가스 유동 통로 ― 상기 가스 유동 통로는 상기 공동을 포함함 ―;
    상기 공동 내에 포지셔닝된 다공성 플러그; 및
    상기 다공성 플러그에 인접하게 포지셔닝되며, 상기 다공성 플러그와 상기 공동 사이의 반경 방향 밀폐부 및 상기 다공성 플러그와 상기 냉각 베이스 사이의 축 방향 밀폐부 중 하나 이상을 형성하도록 구성된 밀폐 부재를 포함하는,
    기판 지지 페디스털.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 상기 공동의 측벽과 상기 다공성 플러그 사이에 포지셔닝되는,
    기판 지지 페디스털.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 상기 다공성 플러그와 상기 냉각 베이스 사이에 포지셔닝되는,
    기판 지지 페디스털.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 상기 공동 내에 상기 다공성 플러그를 고정시키는,
    기판 지지 페디스털.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 냉각 베이스는 홈을 포함하고, 상기 밀폐 부재는 상기 홈 내에 포지셔닝되는,
    기판 지지 페디스털.
  13. 프로세싱 볼륨을 갖는 챔버 바디;
    상기 프로세싱 볼륨에 배치된 정전 척 ― 상기 정전 척은 프로세싱 동안 기판을 지지하도록 구성된 최상부 표면, 바닥 표면 및 공동을 가짐 ―;
    접합 층을 통해 상기 정전 척에 결합된 냉각 베이스;
    상기 정전 척의 최상부 표면과 상기 냉각 베이스의 바닥 표면 사이에 형성된 가스 유동 통로 ― 상기 가스 유동 통로는 상기 공동을 통과함 ―;
    상기 공동 내에 포지셔닝된 다공성 플러그; 및
    상기 다공성 플러그에 인접하게 포지셔닝되며, 상기 다공성 플러그와 상기 공동 사이의 반경 방향 밀폐부 및 상기 다공성 플러그와 상기 냉각 베이스 사이의 축 방향 밀폐부 중 하나 이상을 형성하도록 구성된 밀폐 부재를 포함하는,
    프로세스 챔버.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 상기 공동의 측벽과 상기 다공성 플러그 사이에 포지셔닝되는,
    프로세스 챔버.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 밀폐 부재는 상기 다공성 플러그와 상기 냉각 베이스 사이에 포지셔닝되는,
    프로세스 챔버.
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