KR20200143879A - 슬롯 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

슬롯 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20200143879A
KR20200143879A KR1020190071491A KR20190071491A KR20200143879A KR 20200143879 A KR20200143879 A KR 20200143879A KR 1020190071491 A KR1020190071491 A KR 1020190071491A KR 20190071491 A KR20190071491 A KR 20190071491A KR 20200143879 A KR20200143879 A KR 20200143879A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
blade
opening
chamber
process chamber
slot valve
Prior art date
Application number
KR1020190071491A
Other languages
English (en)
Inventor
이용현
양근수
유광수
정철우
Original Assignee
주성엔지니어링(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주성엔지니어링(주) filed Critical 주성엔지니어링(주)
Priority to KR1020190071491A priority Critical patent/KR20200143879A/ko
Priority to PCT/KR2020/004671 priority patent/WO2020256259A1/ko
Priority to TW109120369A priority patent/TW202100897A/zh
Publication of KR20200143879A publication Critical patent/KR20200143879A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K27/00—Construction of housing; Use of materials therefor
    • F16K27/04—Construction of housing; Use of materials therefor of sliding valves
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K3/00—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing
    • F16K3/02—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K3/00—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing
    • F16K3/02—Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor
    • F16K3/0281—Guillotine or blade-type valves, e.g. no passage through the valve member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

일 실시 예에 의한 슬롯 밸브는, 챔버의 측벽에 형성된 개구부를 개폐하는 블레이드; 상기 챔버의 측벽 내에 수용되어 상기 블레이드를 수평 방향으로 왕복 운동시키는 구동부; 및 상기 블레이드와 상기 구동부를 연결하는 샤프트;를 포함하고, 상기 블레이드는, 상기 구동부의 밀폐 동작에 의해 상기 챔버의 내면과 동일면이 될 수 있다.

Description

슬롯 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{SLOT VALVE AND APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 슬롯 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하는데 사용되는 반도체 제조 장비는, 다수의 기판을 처리하는 공정 챔버; 진공 상태와 대기압 상태를 교차하는 로드락 챔버; 및 공정 챔버와 로드락 챔버 사이에서 기판을 반입 내지 반송하는 이송 챔버;를 포함하고, 공정 챔버 및 로드락 챔버와 이송 챔버 사이에는 통로 역할을 수행하는 슬롯 밸브가 구비된다.
도 1은 일반적인 슬롯 밸브에 의해 체결되는 반도체 제조 장비의 개략적인 구조도이다.
도 1을 참조하면, 일반적인 슬롯 밸브(30)는 격벽에 기판 이송 통로(11, 21)가 각각 개구된 공정 챔버(10)와 이송 챔버(20) 사이에 설치되며, 수평 구동 소자(31); 상기 수평 구동 소자(31)의 일단과 타단에 각각 연결되는 복수의 플레이트(32); 상기 복수의 플레이트(32)를 승강시키는 수직 구동부(33); 상기 플레이트(32)의 일 측면에 결합되는 오링(34); 및 상기 구성 요소들을 내부에 격납하는 하우징(35)을 포함한다.
기판 이송 통로(11, 21)가 개방된 상태에서 기판(S)이 공정 챔버(10)의 내부로 이송되면 기판 처리 공정이 진행되고, 이때 공정 챔버(10)의 내부를 진공 상태로 만들기 위해 기판 이송 통로(11, 21)를 폐쇄할 필요가 있다. 기판 이송 통로(11, 21)는 수직 구동부(33)에 의해 복수의 플레이트(32)가 소정의 높이로 상승된 상태에서 수평 구동 소자(31)가 복수의 플레이트(32)를 하우징(35)의 양 측면으로 가압함에 따라 폐쇄되며, 오링(34)에 의해 공정 챔버(10)의 내부가 진공 상태로 유지된다.
그러나, 전술한 일반적인 슬롯 밸브(30)는, 공정 챔버(10)의 외측에 결합되어 공정 챔버(10)의 격벽에 형성된 기판 이송 통로(11)를 폐쇄하므로, 기판 이송 통로(11) 내에는 공정 챔버(10) 및 슬롯 밸브(30) 각각의 격벽 두께에 대응하는 더미 공간(40)이 형성된다. 이러한 더미 공간(40)은 공정 챔버(10) 내부의 공간적 불균형을 초래하므로, 기판 처리 공정 시 가스 및/또는 플라즈마의 흐름이 교란되어 박막의 이상 증착이 야기된다.
또한, 상기 더미 공간(40) 내에는 기판 처리 공정에 따른 파티클(particle, 50)이 퇴적되고, 상기 파티클(50)은 이송되는 기판(S)에 전사되어 제품의 불량을 초래한다. 이를 방지하기 위해 더미 공간(40)에 대한 세정 작업을 진행할 경우 공정 챔버(10)의 가동이 일시적으로 중단되는 등 장비 가동율이 저하되고, 그 결과 생산성이 떨어지는 문제가 발생된다.
게다가, 공정 챔버(10)의 내부를 진공 상태로 유지하기 위해 플레이트(31)의 일 측면에 오링(34)을 결합하여 밀폐시키고 있으나, 밀폐된 공정 챔버(10)의 내부에는 플라즈마 상태의 가스 전하가 집중되어 외부로 빠져나가지 못하므로 플라즈마에 의한 이상 방전 현상이 초래된다.
실시 예는, 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 슬롯 밸브를 챔버의 일 측벽 내에 실장시켜 챔버 내부의 공간적 불균형을 해소하고, 밀봉 부재를 개재하여 플라즈마에 의한 이상 방전을 방지할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
실시 예에서 해결하고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제는 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
일 실시 예는, 챔버의 측벽에 형성된 개구부를 개폐하는 블레이드; 상기 챔버의 측벽 내에 수용되어 상기 블레이드를 수평 방향으로 왕복 운동시키는 구동부; 및 상기 블레이드와 상기 구동부를 연결하는 샤프트;를 포함하고, 상기 블레이드는, 상기 구동부의 밀폐 동작에 의해 상기 챔버의 내면과 동일면이 되는 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브를 제공한다.
상기 블레이드는, 상기 챔버의 내부에 배치되는 제1 블레이드; 및 상기 제1 블레이드와 마주하는 제2 블레이드;를 포함할 수 있다.
이때, 상기 챔버의 외측에 형성되어 상기 제2 블레이드를 수용하되, 적어도 일측에 출입구가 형성되는 하우징;을 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 블레이드는 서로 반대 방향으로 구동될 수 있다.
또는, 상기 제2 블레이드는 상기 챔버의 측벽 내에 배치되고, 상기 제1 및 제2 블레이드는 서로 동일한 방향으로 구동될 수도 있다.
상기 샤프트는, 상기 제1 블레이드와 연결되는 제1 샤프트; 및 상기 제2 블레이드와 연결되는 제2 샤프트;를 포함하고, 상기 제1 및 제2 샤프트의 길이는 서로 다를 수 있다.
다른 실시 예는, 적어도 일 측벽에 개구부가 형성된 챔버; 및 상기 챔버의 적어도 일 측벽에 실장되는 슬롯 밸브;를 포함하고, 상기 슬롯 밸브는, 상기 개구부를 선택적으로 개폐하는 블레이드; 상기 적어도 일 측벽 내에 수용되어 제1 방향으로 승강 또는 하강하고, 상기 블레이드를 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 왕복 운동시키는 구동부; 및 상기 블레이드와 상기 구동부를 연결하는 샤프트;를 포함하고, 상기 블레이드는, 상기 구동부의 밀폐 동작에 의해 상기 챔버의 내면과 동일면이 되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치를 제공한다.
상기 적어도 일 측벽은, 상기 개구부의 둘레를 따라 상기 제2 방향으로 단차지게 함몰 형성되는 절곡부;를 포함하고, 상기 밀폐 동작에 의해 상기 샤프트가 상기 구동부의 내측으로 이동됨에 따라, 상기 블레이드의 일면은 상기 절곡부와 접촉하고, 상기 일면의 반대측인 타면은 상기 측벽의 내면과 동일면상에 위치할 수 있다.
이때, 상기 블레이드의 폭은 상기 절곡부의 폭과 대응될 수 있다.
상기 블레이드와 상기 적어도 일 측벽 사이에 개재되는 밀봉 부재;를 더 포함할 수 있다.
상기 적어도 일 측벽은, 상기 구동부를 실장하는 수용부; 및 상기 수용부와 상기 챔버의 내면 사이에서 상기 샤프트를 수용하는 오목부;를 포함하고, 상기 오목부의 형상은 상기 샤프트의 형상과 대응될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 슬롯 밸브를 챔버의 측벽 내에 실장하되 당김 동작에 의해 개구부를 밀폐하므로, 챔버 내부의 공간적 불균형이 해소되고 그 결과 이상 증착이 개선되며 장비 가동율의 저하를 방지할 수 있으므로 제품의 수율 내지 생산성이 향상될 수 있다.
또한, 슬롯 밸브와 챔버의 측벽이 접촉하는 부분에 밀봉 부재를 개재하여 서로 통전시킴에 따라, 챔버 내부에 플라즈마 상태로 여기된 이온들의 전하를 외부로 배출시켜 플라즈마에 의한 이상 방전 현상을 방지할 수 있다.
본 실시 예에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며 언급하지 않은 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 슬롯 밸브에 의해 체결되는 반도체 제조 장비의 개략적인 구조도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 개방된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 폐쇄된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 이송 챔버가 체결된 구조의 개략적인 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 C 영역의 개략적인 확대 사시도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 개방된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 폐쇄된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 8은 도 3 및 도 7에 각각 도시된 D 영역의 다른 실시 예를 설명하기 위한 부분 단면도이다.
도 9는 도 3 및 도 7에 각각 도시된 D 영역의 또 다른 실시 예를 설명하기 위한 부분 단면도이다.
도 10의 (a) 내지 (b)는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
이하, 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 실시 예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다.
"제1", "제2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 이러한 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 또한, 이하에서 이용되는 "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서 이용될 수도 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다.
이하, 실시 예에 의한 기판 처리 장치를 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 개방된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 2를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000A)는 공정 챔버(100); 및 공정 챔버(100)의 적어도 일 측벽(110) 내에 실장되는 슬롯 밸브(200);를 포함할 수 있다.
공정 챔버(100)는 이송된 기판의 처리를 위한 일련의 단위 공정(이하, 편의상 '기판 처리 공정'이라 칭한다)-예컨대, 증착, 포토, 및 식각 공정 등-을 수행하기 위하여 내부에 반응 공간이 구비되고, 상기 반응 공간은 내면(110a)과 외면(110b)의 이중구조로 이루어진 측벽(110)에 의해 들러싸여 형성된다.
공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에는, 기판의 이송 통로인 개구부(OP); 슬롯 밸브(200)를 실장하기 위한 수용부(111); 및 개구부(OP)의 둘레를 따라 일 측벽(110)의 내면(110a) 측으로 갈수록 내경이 확장되도록 계단 모양으로 단차지는 절곡부(112)가 형성될 수 있다.
슬롯 밸브(200)는 승강 장치(210); 개폐 장치(230); 및 공정 챔버(100)의 외측에 마련되어 개폐 장치(230)의 적어도 일 구성 요소를 수용하는 하우징 (250);을 포함할 수 있다.
승강 장치(210)는, 공정 챔버(100)의 외부에 설치되어 개폐 장치(230)를 제1 방향으로 승강시키는 제1 구동부(211); 제1 구동부(211)와 개폐 장치(230)를 상호 연결하는 승강바(212); 및 공정 챔버(100)의 외부로 노출되는 승강바(212)의 기밀을 유지하는 벨로우즈(bellows, 213);를 포함할 수 있다.
제1 구동부(211)는 공압식, 유압식, 또는 전기식 선형 액츄에이터 (actuator)를 사용하여 1축 구동되며, 개폐 장치(230)가 제1 방향으로 승강 또는 하강되도록 승강바(213)에 동력을 전달할 수 있다.
승강바(212)는 제1 구동부(211)의 동작에 의해 압축(compression) 또는 신장(expanding)되며, 공정 챔버(100)의 하부벽(120)에 형성되는 관통홀(hole, H)에 인입되어 상하로 이동할 수 있다. 이때, 관통홀(H)은 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에 구비되는 개구부(OP)와 제1 방향으로 중첩되되, 수용부(111)의 적어도 일 영역으로부터 하측으로 연장되어 형성될 수 있다.
벨로우즈(213)는 공정 챔버(100)의 외측에 마련되되, 관통홀(H)이 밀폐되도록 공정 챔버(100)와 제1 구동부(211) 사이에 개재될 수 있다. 상기 벨로우즈(213)에 의해 공정 챔버(100)의 내부는 외부와 차단되어 공정 상에 요구되는 진공 상태를 유지할 수 있다.
개폐 장치(230)는, 개구부(OP)를 선택적으로 개폐하는 블레이드(blade, 231); 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 내에 수용되어 블레이드(231)를 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 왕복 운동시키는 제2 구동부(232); 및 블레이드(231)와 제2 구동부(232)를 연결하는 샤프트(shaft, 233)를 포함할 수 있다.
블레이드(231)는 제2 구동부(232)의 일단과 타단에 각각 연결되는 제1 블레이드(231a) 및 제2 블레이드(231b)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)는 서로 평행하게 이격되어 배치되고, 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에 형성된 개구부(OP)와 대응되는 형상을 가질 수 있다.
이때, 제1 블레이드(231a)는 공정 챔버(100)의 내부에 구비되고, 제2 블레이드(231b)는 하우징(250)의 내부에 구비되며, 승강 장치(210)에 의해 개폐 장치(230)가 승강된 상태에서 제2 구동부(232)의 푸쉬-풀(push-pull) 동작에 의해 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)는 서로 반대 방향으로 구동되어 개구부(OP)를 개방 또는 폐쇄할 수 있다.
제1 블레이드(231a)의 폭(w1)은 절곡부(112)의 폭(w2)과 대응되도록 형성될 수 있다. 여기서, 절곡부(112)의 폭(w2)은, 개구부(OP)의 둘레를 따라 제2 방향으로 단차지게 함몰 형성되는 절곡부(112)의 두께를 의미하고, 바람직하게는 제1 블레이드(231a)와 절곡부(112)의 폭은 서로 동일할 수 있다(w1=w2).
제2 구동부(232)는 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 중 개구부(OP)의 하측에 형성되는 수용부(111)에 구비되며, 승강 장치(210)와 연결되되 푸쉬-풀 동작에 의해 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b) 각각이 제2 방향을 따라 직선 왕복 운동하도록 동력을 제공하는 실린더(232a); 및 실린더(232a)의 일면 및 타면과 접속되어 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)의 이동을 안내하는 한 쌍의 가이드 부재(232b);를 포함할 수 있다.
샤프트(233)는, 일단이 제1 블레이드(231a)와 연결되고 타단이 제2 구동부(232)와 접속되는 제1 샤프트(233a); 및 일단이 제2 구동부(232)와 접속되고 타단이 제2 블레이드(231b)와 연결되는 제2 샤프트(233b)를 포함하며, 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b) 각각은 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)의 중심축을 따라 한 쌍의 가이드 부재(232b)에 의해 얼라인(align)되어 좌우로 이동할 수 있다.
이때, 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b)의 길이는 서로 다르게 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 샤프트(233a)의 길이(d1)는 제2 샤프트(233b)의 길이 (d2)보다 크거나 작게 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것에 불과하고, 공정 챔버(100)의 측벽(110) 내에 마련되는 수용부(111)의 폭과 위치에 따라 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b)의 길이가 서로 동일하게 형성될 수도 있다.
하우징(250)은 공정 챔버(100)의 외측에 마련되어 개폐 장치(230)의 일 구성 요소인 제2 블레이드(231b) 및 제2 샤프트(233b)를 수용하며, 공정 챔버(100)와 인접하는 일측과 이송 챔버(미도시)와 인접하는 타측에 기판의 이송 통로인 복수의 출입구(251, 252)가 관통되어 형성될 수 있다.
이때, 복수의 출입구(251, 252)는 서로 마주하여 배치되되, 각각의 개구 면적은 서로 다르게 형성될 수 있다. 예를 들면, 공정 챔버(100)와 인접한 제1 출입구(251)의 개구 면적은 이송 챔버(미도시)와 인접한 제2 출입구(252)의 개구 면적 보다 크게 형성될 수 있다. 그 이유는, 제1 출입구(251)의 하단은 개폐 장치(230)가 하강된 상태에서 제2 샤프트(233b)를 안착시키기 위한 최대 지점과 대응되고, 제2 출입구(252)의 하단은 개폐 장치(230)가 하강된 상태에서 제2 블레이드(231b)의 선단이 이송 챔버(미도시)에 구비된 이송 수단(예컨대, 로봇 암 등을 포함한다)에 의해 간섭되지 아니하는 최소 지점에 대응되며, 제1 출입구(251)의 하단은 제2 출입구(252)의 하단 보다 더 낮은 지점에 위치하기 때문이다.
그리고, 블레이드(231)와 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 사이에는 밀봉 부재(270)가 개재될 수 있다.
밀봉 부재(270)는 오링(O-ring)과 같이 밀봉 기능을 수행하는 부재에 전기 전도성 물질을 포함하여 형성되며, 블레이드(231)의 일면 가장자리 또는 블레이드(231)의 일면과 접촉되는 일 측벽(110)의 절곡부(112) 중 적어도 하나에 설치될 수 있다.
도 2의 A 영역을 참조하면, 개구부(OP)와 대면하는 제2 블레이드(231b)의 일면 가장자리에는 도브테일(dovetail) 형상의 그루브(290a)가 형성되고, 밀봉 부재(270)는 상기 그루브(290a) 내에 인입되어 설치될 수 있다.
도 2의 B 영역을 참조하면, 제1 블레이드(231a)의 일면과 접촉되는 일 측벽(110)의 절곡부(112)에는 도브테일(dovetail) 형상의 그루브(290b)가 형성되고, 밀봉 부재(270)는 상기 그루브(290a) 내에 인입되어 설치될 수 있다.
다만, 전술한 밀봉 부재(270)의 설치 위치는 예시적인 것으로, 도 2의 A 영역에 도시된 바와 유사하게 제1 블레이드(231a)의 일면 가장자리에 그루브(290b)가 형성되거나, 도 2의 B 영역에 도시된 바와 유사하게 제1 출입구(251)의 테두리 영역에 그루브(290a)가 형성될 수 있으며, 각각의 그루브(290a, 290b) 내에는 밀봉 부재(270)가 인입될 수 있다.
상기 밀봉 부재(270)는 블레이드(231)에 의해 개구부(100)가 폐쇄될 경우, 공정 챔버(100)의 내부 압력을 유지하고 슬롯 밸브(200)의 내부로 가스의 유입을 차단하며, 공정 챔버(100)의 측벽과 등전위를 이루어 플라즈마 상태로 여기된 이온이 그라운드(ground, 미도시)로 빠져나가도록 유도하는 역할을 수행할 수 있다. 즉, 밀봉 부재(270)는 공정 챔버(100)의 내부를 밀폐함과 동시에 공정 챔버(100) 내부의 이상 방전-또는, 아킹(arcking)- 현상을 방지하는 효과를 제공할 수 있다.
이하에서는, 도 3을 참조하여 공정 챔버(100)에 형성된 개구부(OP)를 밀폐하는 동작을 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 폐쇄된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 3을 참조하면, 점선으로 도시된 개폐 장치(230)는 승강 장치(210)에 의해 소정의 높이로 승강된 상태를 나타내고, 실선으로 도시된 개폐 장치(230)는 공정 챔버(100)에 형성된 개구부(OP)를 폐쇄한 상태를 나타낸다.
슬롯 밸브(200)는, 기판의 이송을 위하여 개구부(OP)를 개방하고(도 2 참조), 기판 처리 공정을 수행하기 위하여 개구부(OP)를 폐쇄할 수 있다(도 3 참조).
도 2에 도시된 바와 같이, 승강 장치(210)는 이송 챔버(미도시)와 인접하여 마련되는 하우징(250)의 제2 출입구(252)와 블레이드(231)가 제2 방향으로 중첩되지 않도록 샤프트(233)를 최저 높이에 위치시켜 개구부(OP)를 개방할 수 있다. 이처럼, 개구부(OP)가 개방됨에 따라 이송 챔버(미도시)와 공정 챔버(100) 사이로 기판이 이송될 수 있다. 한편, 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에 형성되는 수용부(111)와 절곡부(112) 사이에는, 개폐 장치(230)가 하강된 상태에서 샤프트(233)를 안착시키기 위한 오목부(미도시)가 구비될 수 있으며, 이에 대한 설명은 도 5를 참조하여 후술하기로 한다.
공정 챔버(100)의 내부로 기판이 이송되면, 반응 공간에서 기판 처리 공정을 수행하기 위하여 슬롯 밸브(200)는 다음과 같이 개구부(OP)를 폐쇄한다.
승강 장치(210)는 블레이드(231)의 단부가 공정 챔버(100)의 절곡부(112)와 제2 방향으로 서로 중첩되도록 샤프트(233)를 최고 높이에 위치시켜 개폐 장치(210)를 승강할 수 있다. 승강바(212)는 제1 구동부(211)에 의해 동력을 전달 받아 제1 방향으로 소정의 높이만큼 신장되며, 여기서 소정의 높이는 샤프트(233)의 최저 높이에서 최고 높이에 이르는 거리를 말한다.
개폐 장치(230)가 승강된 상태에서, 제2 구동부(232)는 풀(pull, 당김) 동작에 의해 제2 방향을 따라 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b) 각각을 제2 구동부(232)의 내측으로 이동시켜 개구부(OP)를 폐쇄할 수 있다.
이때, 제1 블레이드(231a)는 공정 챔버(100)의 절곡부(112)에 인입되어 직접 접촉되고, 제2 블레이드(231b)는 제1 출입구(251)의 테두리 영역을 따라 균일하게 접촉되며, 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)는 서로 반대 방향으로 구동될 수 있다.
이처럼, 제2 구동부(232)의 풀(pull, 당김) 동작에 의해 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)는 개구부(OP) 및 제1 출입구(251)의 둘레를 따라 균일하게 접촉되므로, 정압과 역압이 서로 상쇄되어 작동 부분에 과도한 압력을 가할 필요 없이 안정적으로 개구부(OP)를 폐쇄할 수 있다.
이때, 제1 블레이드(231a)의 일면은 공정 챔버(100)의 절곡부(112)에 인입되어 접촉되고, 제1 블레이드(231a)의 타면은 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 중 내면(110a)과 동일면상에 위치할 수 있다. 이에 따라, 공정 챔버(100)의 반응 공간이 공간적으로 대칭을 이루게 되므로, 기판 처리 공정을 수행할 때 가스 및/또는 플라즈마의 흐름이 교란되지 아니하여 박막의 이상 증착이 방지되고 그 결과 제조되는 제품의 수율 및 품질이 향상될 수 있다.
게다가, 도 1에 도시된 바와 달리, 공정 챔버(100)의 개구부(OP) 내에 별도의 더미(dummy) 공간이 형성되지 아니하므로, 파티클(particle) 축적으로 인한 장비 가동률 저하를 방지할 수 있고, 제품 생산성을 극대화할 수 있다.
그리고, 제1 블레이드(231a)와 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)이 서로 접촉하는 위치에 밀폐 가능한 밀봉 부재(270)가 개재되므로, 기밀이 유지되어 공정 챔버(100)의 내부 압력을 유지할 수 있고, 슬롯 밸브(200)의 내부로 유입되는 가스를 차단하여 부식을 방지할 수 있다.
한편, 기판 처리 공정이 완료되면, 공정 챔버(100)의 외부로 기판을 반송하기 위하여 슬롯 밸브(200)는 개구부(OP)를 다시 개방하며, 전술한 폐쇄 동작의 역순으로 개방 동작을 실행할 수 있다.
개폐 장치(230)는 제2 구동부(232)의 푸쉬(push, 밀림) 동작에 의해 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b) 각각을 제2 방향을 따라 제2 구동부(232)의 외측으로 이동시키고, 승강 장치(210)는 승강바(212)를 소정의 높이만큼 제1 방향으로 압축시켜 개폐 장치(200)를 하강할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 이송 챔버가 체결된 구조의 개략적인 단면도이다.
도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1000A)의 일측에는 이송 챔버(200)가 체결되고, 이송 챔버(200)의 내부에 구비된 이송 수단(2500)에 의해 기판(S)이 파지(把持)되어 공정 챔버(100)의 내부로 이송된다.
공정 챔버(100)의 내부에는 다수의 분사홀이 구비된 샤워 헤드(130); 및 샤워 헤드(130)와 일정 간격을 두고 대향 배치되어 기판(S)을 안치하는 서셉터(140);가 설치되고, 공정 챔버(100)의 외측에는 반응 공간으로 기판 처리 공정을 위한 가스를 공급하는 가스 공급 장치(300); 및 샤워 헤드(130)에 고주파 RF(Radio Frequency) 전력을 인가하는 플라즈마 발생 장치(400)가 연결될 수 있다.
기판 처리 장치(1000A)는 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에 형성된 개구부 (OP)가 슬롯 밸브(200)에 의해 폐쇄되면, 공정 챔버(100)의 반응 공간 내에서 기판 처리 공정을 수행한다. 가스 공급 장치(300)를 통해 샤워 헤드(130)의 내부로 가스가 유입되고, 샤워 헤드(130)에 플라즈마 발생 장치(400)가 접속되면 고주파 RF 전력에 의해 상기 가스가 플라즈마 상태로 여기(또는, 점화)되며, 샤워 헤드(130)에 구비된 다수의 분사홀을 통해 가스 또는 플라즈마 상태로 여기된 이온들이 기판(S) 상에 분사되어 증착, 포토, 및 식각 공정이 진행된다.
이때, 기판 처리 장치(1000A)는 블레이드(231)의 일면이 밀봉 부재(270)에 의해 개구부(OP)의 외측 둘레에 형성되는 절곡부(112)와 기밀하게 접촉되므로, 공정 챔버(100)의 내부를 공정 압력 상태로 일정하게 유지함과 동시에 플라즈마에 의한 이상 방전-또는, 아킹(arcking)-을 방지할 수 있다. 그 이유는, 블레이드(231)와 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 사이에 전기 전도성을 갖는 밀봉 부재(270)가 개재될 경우, 블레이드(231)와 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)은 통전 상태로 등전위를 이루게 되며, 공정 챔버(100)의 내부에 모여드는 플라즈마 상태로 여기된 이온들의 전하가 밀봉 부재(270)를 경유하여 그라운드(ground, 450)로 빠져나갈 수 있기 때문이다.
또한, 기판 처리 장치(1000A)는 블레이드(231)의 타면이 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 중 내면(110a)과 동일면상에 위치하게 되므로, 공정 챔버(100) 내부의 공간적 불균형을 해소하여 가스 및/또는 플라즈마 흐름의 교란으로 인한 이상 증착을 방지하고, 제조되는 제품의 수율 및 품질을 향상시킬 수 있다. 그 이유는, 슬롯 밸브(200)에 의해 개구부(OP)가 밀폐될 경우, 샤워 헤드(130)와 서셉터(140) 사이의 반응 공간이 대칭을 이루므로 공정 수행에 필요한 플라즈마 상태의 가스가 기판(S) 상으로 균일하게 공급되기 때문이다. 아울러, 도 1에 도시된 일반적인 슬롯 밸브(30)와 달리, 공정 챔버(100)의 개구부(OP)에 대응되는 별도의 더미 공간이 형성되지 아니하므로, 파티클(particle) 축적으로 인한 장비 가동률의 저하를 방지하고 생산성을 극대화할 수 있다.
도 5는 도 4에 도시된 C 영역의 개략적인 확대 사시도이다.
도 5를 참조하면, 한 쌍의 가이드 부재(232b)의 일단 및 타단에는 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b)가 각각 구비되고, 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b) 각각은 제1 및 제2 방향과 교차하는 제3 방향으로 서로 이격되어 배치되는 복수 개의 샤프트를 포함할 수 있다.
공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에는 수용부(111)를 중심으로 좌우 양측에 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b)를 수용 또는 안착시키기 위한 오목부(113)가 구비될 수 있다. 오목부(113)는 일 측벽(110)의 내면(110a)과 수용부(111) 사이-또는, 절곡부(112)와 수용부(111) 사이- 및 일 측벽(110)의 외면(110b)과 수용부(111) 사이 중 적어도 하나의 위치에 배치될 수 있다.
오목부(113)는 복수 개의 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b) 각각과 대응되도록 제3 방향으로 서로 이격되어 형성되는 복수 개의 홈을 포함하고, 복수 개의 홈 각각은 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b) 각각과 대응되는 형상을 가질 수 있다.
이때, 오목부(113)의 깊이는 샤프트(233)의 외경과 동일하거나 크게 형성될 수 있으며, 이에 따라 개폐 장치(230)가 하강된 상태에서 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 내에 샤프트(233)가 인입 내지 수용될 수 있다.
이처럼, 수용부(111)를 중심으로 일 측벽(110)의 내면(110a)과 외면(110b) 사이에 오목부(113)를 형성할 경우, 하부벽(120)의 두께를 종전과 동일하게 유지한 채 일 측벽(110) 내에 슬롯 밸브(200)를 실장시킬 수 있다.
한편, 이하에서는 도 6 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000B)를 설명하기로 한다.
도 6 내지 도 7에 도시된 기판 처리 장치(1000B)는, 도 2 내지 도 3에 도시된 기판 처리 장치(1000A)와 달리, 슬롯 밸브(200)의 모든 구성 요소가 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 내에 실장되고 하우징(250)이 생략되는 형태의 구조를 가질 수 있다. 이하에서는 중복되는 설명의 기재를 피하기 위하여, 도 2 내지 도 4에 도시된 기판 처리 장치(1000A)와의 차이점 위주로 설명하되, 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 사용하여 표기하기로 한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 개방된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 6을 참조하면, 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000B)는 공정 챔버(100); 및 공정 챔버(100)의 적어도 일 측벽(110) 내에 실장되고, 승강 장치(210) 및 개폐 장치(230)가 구비되는 슬롯 밸브(200);를 포함할 수 있다.
공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에는, 기판의 이송 통로인 개구부(OP); 슬롯 밸브(200)를 실장하기 위한 수용부(111); 및 개구부(OP)의 둘레를 따라 일 측벽(110)의 내면(110a) 측으로 갈수록 내경이 확장되도록 계단 모양으로 단차지는 절곡부(112)가 형성될 수 있다.
수용부(111)는, 개구부(OP)의 하측으로 함몰 형성되는 제1 수용부(111a); 및 개구부(OP)의 상측으로 함몰 형성되는 제2 수용부(111b)를 포함하고, 제1 및 제2 수용부(111a, 111b) 각각은 개구부(OP)가 개방 또는 폐쇄된 상태에서 개폐 장치(230)를 수용할 수 있을 정도의 크기로 형성될 수 있다.
승강 장치(210)는, 공정 챔버(100)의 외부에 설치되어 개폐 장치(230)를 제1 방향으로 승강시키는 제1 구동부(211); 제1 구동부(211)와 개폐 장치(230)를 상호 연결하는 승강바(212); 및 공정 챔버(100)의 외부로 노출되는 승강바(212)의 기밀을 유지하는 벨로우즈(213);를 포함할 수 있다.
개폐 장치(230)는, 개구부(OP)를 선택적으로 개폐하는 블레이드(blade, 231); 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 내에 수용되어 블레이드(231)를 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 왕복 운동시키는 제2 구동부(232); 및 블레이드(231)와 제2 구동부(232)를 연결하는 샤프트(233)를 포함할 수 있다.
블레이드(231)는 공정 챔버(100) 내부의 반응 공간에 구비되는 제1 블레이드(231a); 및 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 내-예컨대, 수용부(111)-에 구비되는 제2 블레이드(231b);를 포함하고, 승강 장치(210)에 의해 개폐 장치(230)가 승강된 상태에서 제2 구동부(232)의 푸쉬-풀(push-pull) 동작에 의해 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)는 서로 동일한 방향으로 구동되어 개구부(OP)를 개방 또는 폐쇄할 수 있다.
이때, 제1 블레이드(231a)의 폭(w1)은 절곡부(112)의 폭(w2)과 대응되도록 형성될 수 있다. 여기서, 절곡부(112)의 폭(w2)은, 개구부(OP)의 둘레를 따라 제2 방향으로 단차지게 함몰 형성되는 절곡부(112)의 두께를 의미하고, 바람직하게는 제1 블레이드(231a)와 절곡부(112)의 폭은 서로 동일할 수 있다(w1=w2).
제2 구동부(232)는 공정 챔버(100)의 수용부(111) 내에 구비되며, 승강 장치(210)와 연결되되 푸쉬-풀 동작에 의해 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b) 각각이 제2 방향을 따라 직선 왕복 운동하도록 동력을 제공하는 실린더(232a); 및 실린더(232a)의 일면 및 타면과 접속되어 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)의 이동을 안내하는 한 쌍의 가이드 부재(232b);를 포함할 수 있다.
샤프트(233)는, 일단이 제1 블레이드(231a)와 연결되고 타단이 제2 구동부(232)와 접속되는 제1 샤프트(233a); 및 일단이 제2 구동부(232)와 접속되고 타단이 제2 블레이드(231b)와 연결되는 제2 샤프트(233b)를 포함하며, 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b)의 길이는 서로 다르게 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 샤프트(233a)의 길이(d1)는 제2 샤프트(233b)의 길이 (d2)보다 작거나 크게 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것에 불과하고, 공정 챔버(100)의 측벽(110) 내에 마련되는 수용부(111)의 폭과 위치에 따라 제1 및 제2 샤프트(233a, 233b)의 길이가 서로 동일하게 형성될 수도 있다.
그리고, 블레이드(231)와 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 사이에는 밀봉 부재(270)가 개재될 수 있다. 이때, 밀봉 부재(270)는 블레이드(231)의 일면 가장자리 또는 블레이드(231)의 일면과 접촉되는 일 측벽(110) 중 적어도 하나에 설치될 수 있다.
이하에서는, 도 7을 참조하여 공정 챔버(100)에 형성된 개구부(OP)를 밀폐하는 동작을 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 슬롯 밸브에 의해 개구부가 폐쇄된 상태의 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 7을 참조하면, 점선으로 도시된 개폐 장치(230)는 승강 장치(210)에 의해 소정의 높이로 승강된 상태를 나타내고, 실선으로 도시된 개폐 장치(230)는 공정 챔버(100)에 형성된 개구부(OP)를 폐쇄한 상태를 나타낸다.
슬롯 밸브(200)는, 기판의 이송을 위하여 개구부(OP)를 개방하고(도 6 참조), 기판 처리 공정을 수행하기 위하여 개구부(OP)를 폐쇄할 수 있다(도 7 참조).
도 6에 도시된 바와 같이, 승강 장치(210)는 개폐 장치(230)를 하강한 상태에서 블레이드(231)의 선단이 이송 챔버(미도시)에 구비된 이송 수단에 의해 간섭되지 않도록 샤프트(233)를 최저 높이에 위치시켜 개구부(OP)를 개방하고, 이에 따라 이송 챔버(미도시)와 공정 챔버(100) 사이로 기판이 이송될 수 있다. 이때, 공정 챔버(100)의 제1 수용부(111)와 절곡부(112) 사이에는, 도 5에서 전술한 바와 같이 개폐 장치(230)가 하강된 상태에서 샤프트(233)를 안착시키기 위한 오목부(미도시)가 형성될 수 있다.
공정 챔버(100)의 내부로 기판이 이송되면, 반응 공간에서 기판 처리 공정을 수행하기 위하여 슬롯 밸브(200)는 다음과 같이 개구부(OP)를 폐쇄한다.
승강 장치(210)는 블레이드(231)의 단부가 공정 챔버(100)의 절곡부(112)와 제2 방향으로 서로 중첩되도록 샤프트(233)를 최고 높이에 위치시켜 개폐 장치(210)를 승강할 수 있다. 승강바(212)는 제1 구동부(211)에 의해 동력을 전달 받아 제1 방향으로 소정의 높이만큼 신장되며, 여기서 소정의 높이는 샤프트(233)의 최저 높이에서 최고 높이에 이르는 거리를 말한다.
개폐 장치(230)가 승강된 상태에서, 제2 구동부(232)는 제2 방향을 따라 풀(pull, 당김) 동작에 의해 제1 샤프트(233a)를 제2 구동부(232)의 내측으로 이동시키고, 푸쉬(push, 밀림) 동작에 의해 제2 샤프트(233b)를 제2 구동부(232)의 외측으로 이동시켜 개구부(OP)를 폐쇄할 수 있다.
이때, 제1 블레이드(231a)는 공정 챔버(100)의 절곡부(112)에 인입되어 직접 접촉되고, 제2 블레이드(231b)는 일 측벽(110)의 외면(110b)와 대향하는 제1 및 제2 수용부(111a, 111b)의 일 측면을 따라 균일하게 접촉되며, 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)는 서로 동일한 방향으로 구동될 수 있다.
이처럼, 제2 구동부(232)의 풀(pull, 당김) 및 푸쉬(push, 밀림) 동작의 상호 연동에 의해 제1 및 제2 블레이드(231a, 231b)는 개구부(OP)의 둘레를 따라 균일하게 접촉되므로, 정압과 역압이 서로 상쇄되어 작동 부분에 과도한 압력을 가할 필요 없이 안정적으로 개구부(OP)를 폐쇄할 수 있다.
이때, 제1 블레이드(231a)의 일면은 공정 챔버(100)의 절곡부(112)에 인입되어 접촉되고, 제1 블레이드(231a)의 타면은 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 중 내면(110a)과 동일면상에 위치할 수 있다. 이에 따라, 공정 챔버(100)의 반응 공간이 공간적으로 대칭을 이루게 되므로, 기판 처리 공정을 수행할 때 가스 및/또는 플라즈마의 흐름이 교란되지 아니하여 박막의 이상 증착이 방지되고 그 결과 제조되는 제품의 수율 및 품질이 향상될 수 있다.
한편, 기판 처리 공정이 완료되면, 공정 챔버(100)의 외부로 기판을 반송하기 위하여 슬롯 밸브(200)는 개구부(OP)를 다시 개방하며, 전술한 폐쇄 동작의 역순으로 개방 동작을 실행할 수 있다.
개폐 장치(230)는 제2 구동부(232)의 푸쉬(push, 밀림) 및 풀(pull, 당김) 동작의 상호 연동에 의해 각각 제1 샤프트(233a)를 제2 구동부(232)의 외측으로, 제2 샤프트(233b)를 제2 구동부(232)의 내측으로 이동시키고, 승강 장치(210)는 승강바(212)를 소정의 높이만큼 제1 방향으로 압축시켜 개폐 장치(200)를 하강할 수 있다.
전술한 바와 같이, 도 6 내지 도 7에 도시된 기판 처리 장치(1000B)는 도 2 내지 도 3에 도시된 기판 처리 장치(1000A)와 달리, 슬롯 밸브(200)를 공정 챔버(100)의 일 측벽(100) 내에 온전히 실장시켜 하우징(250)을 제거할 수 있으므로, 전체적인 장비의 레이아웃을 축소시키는 효과를 제공할 수도 있다.
한편, 공정 챔버(100)의 측벽(110)과 블레이드(231)의 형상은 전술한 도 2 내지 도 7에 반드시 한정되는 것은 아니며, 후술하는 바와 같이 다양하게 제작될 수 있다.
도 8은 도 3 및 도 7에 각각 도시된 D 영역의 다른 실시 예를 설명하기 위한 부분 단면도이다.
도 8의 (a)는 개구부(OP)가 개방된 상태를, (b)는 개구부(OP)가 폐쇄된 상태를 각각 나타내며, 이하에서는 도 3 및 도 7의 도시 사항과 차이점 위주로 설명하되 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 표기하여 설명하기로 한다.
도 8의 (a)를 참조하면, 다른 실시 예에 따른 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에는 경사부(114)가 형성되고, 블레이드(231)는 사다리꼴 형태의 단면 형상을 가질 수 있다.
경사부(114)는 개구부(OP)의 둘레를 따라 일 측벽(110)의 내면(110a) 측으로 갈수록 내경이 확장되되, 기판의 이송 방향인 제2 방향에 대하여 소정의 제1 각도(θ1)로 경사지게 형성될 수 있다. 여기서, 소정의 제1 각도(θ1)는 0° 내지 90° 사이의 범위에서 임의로 설정될 수 있다.
공정 챔버(100) 측에 인접한 블레이드(231a)는, 샤프트(233a)와 연결되는 일면; 일면의 반대측에 위치하는 타면; 및 일면과 타면 사이에서 개구부(OP)의 내측을 향하여 소정의 제2 각도(θ2)로 경사지게 형성되는 경사면;을 포함할 수 있다. 이때, 소정의 제2 각도(θ2)는 0° 내지 90° 사이의 범위에서 임의로 설정되되, 바람직하게는 소정의 제1 각도(θ1)와 동일하게 형성될 수 있다.
그리고, 블레이드(231a)에 형성된 경사면의 너비(w3)는 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에 형성된 경사부(114)의 너비(w4)와 대응되며, 바람직하게는 경사면의 너비(w3)와 경사부(114)의 너비(w4)는 서로 동일할 수 있다(w3=w4).
공정 챔버(100)의 일 측벽(110)과 블레이드(231a) 사이에는 공정 챔버(100)의 내부를 밀폐하기 위한 밀봉 부재(270)가 개재되고, 블레이드(231a)의 경사면에는 밀봉 부재(270)를 수용하기 위한 그루브(290c)가 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것에 불과하고, 상기 그루브(290c)는 공정 챔버(100)의 경사부(114)에 형성될 수도 있다.
밀봉 부재(270)는 플라즈마에 의한 이상 방전을 억제하기 위해 전기 전도성 물질을 포함하며, 기판 처리 공정이 실행되면 밀봉 부재(270)는 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)과 블레이드(231a)를 전기적으로 커플링(coupling) 시킴으로써 RF 전류의 리턴 경로(return path)를 형성할 수 있다. 이때, 파장이 짧은 고주파 영역에서는 RF 전류의 리턴 경로(return path)가 길어질 경우 임피던스의 진폭 및 위상이 변화되어 EMI(Electromagnetic Interference, 전자기 간섭) 노이즈가 악화되고 반사 손실이 증가되는 문제점을 초래한다.
이에, 본 발명은 도 8에 도시된 바와 같이, 밀봉 부재(270)를 블레이드(231a)의 경사면-또는, 공정 챔버(100)의 경사부(114)-에 개재하여 RF 전류의 리턴 경로를 단축시킴으로써 EMI 노이즈 내지 반사 손실을 저감하는 효과를 제공할 수 있다. 부연하면, 플라즈마 발생 장치(400)를 통해 공정 챔버(100)의 내부로 인가된 RF 전류는 밀봉 부재(270)를 경유하여 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)을 따라 그라운드(450)로 되돌아가며, RF 전류의 리턴 경로는 블레이드(231a)의 경사면-또는, 공정 챔버(100)의 경사부(114)-을 따라 형성되므로 리턴 경로의 길이가 짧게 형성될 수 있다.
도 8의 (b)를 참조하면, 개폐 장치(미도시)가 승강된 상태에서(도 8의 (a) 참조) 제2 구동부(미도시)의 풀(pull, 당김) 동작에 의해 샤프트(233a)가 제2 방향을 따라 개구부(OP)의 내측으로 이동됨에 따라, 공정 챔버(100)에 형성된 개구부(OP)는 폐쇄될 수 있다. 이때, 블레이드(231s)의 경사면과 공정 챔버(100)의 경사부(114)는 그 너비와 경사각이 서로 동일하기 때문에 서로 면 접촉되고, 블레이드(231a)의 타면은 공정 챔버(100)의 일 측벽(110) 중 내면(110a)과 동일면상에 위치하게 되므로 공정 챔버(100) 내부의 공간적 불균형이 해소될 수 있다.
도 9는 도 3 및 도 7에 각각 도시된 D 영역의 또 다른 실시 예를 설명하기 위한 부분 단면도이며, 도 9의 (a)는 개구부(OP)가 개방된 상태를, (b)는 개구부(OP)가 폐쇄된 상태를 각각 나타낸다.
도 9의 (a) 내지 (b)를 참조하면, 또 다른 실시 예에 따른 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)은, 경사부(114)의 선단에서 개구부(OP)의 중심을 향하여 돌출되는 스토퍼(116);를 더 포함할 수 있다.
스토퍼(116)는, 개구부(OP)가 폐쇄될 때 챔버 간의 압력 차이로 인해 이송 챔버(미도시) 방향으로 블레이드(231a)가 밀리는 현상을 방지함과 동시에, 공정 챔버(100)의 경사부(114)와 블레이드(231a)의 경사면 사이의 접촉면에 미세한 틈새가 발생되지 않도록 블레이드(231a)를 고정하는 역할을 수행한다.
이처럼, 도 9에 도시된 기판 처리 장치는 공정 챔버(100)의 일 측벽(110)에 경사부(114)이외에 스토퍼(116)가 더 구비되는 점을 제외하고는 도 8에 도시된 기판 처리 장치와 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 10의 (a) 내지 (b)는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 부분 단면도이다.
도 10의 (a)를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000C)는 공정 챔버(100) 및 슬롯 밸브(200)를 포함할 수 있다.공정 챔버(100)의 내부에는 반응 공간이 구비되고, 상기 반응 공간은 내면(110a)과 외면(110b)의 이중구조로 이루어진 측벽(110)에 의해 들러싸여 형성된다.
공정 챔버(100)의 측벽(110)에는, 공정 챔버(100)의 반응 공간으로 갈수록 내경이 축소되도록 소정의 각도로 경사지고, 기판의 이송을 허용하는 개구부(OP)가 형성될 수 있다.
슬롯 밸브(200)는 공정 챔버(100)의 외부에 설치되어 개구부(OP)를 선택적으로 개폐하며, 승강 장치(210) 및 개폐 장치(230)를 포함할 수 있다.
승강 장치(210)는 개폐 장치(230)를 제1 방향으로 승강시키는 제1 구동부(211) 및 제1 구동부(211)와 개폐 장치(230)를 상호 연결하는 승강바(212)를 포함하고, 승강바(212)는 제1 구동부(211)의 동작에 의해 압축(compression) 또는 신장(expanding)될 수 있다.
개폐 장치(230)는, 개구부(OP)를 선택적으로 개폐하는 블레이드(231), 블레이드(231)를 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 직선 운동시키는 제2 구동부(232), 및 블레이드(231)와 제2 구동부(232) 사이를 연결하는 샤프트(233)를 포함하고, 블레이드(231)는 승강 장치(210)에 의해 소정의 높이로 승강된 상태에서 제2 구동부(232)의 동작에 의해 샤프트(233)가 압축 또는 신장됨에 따라 개구부(OP)를 개방 또는 폐쇄할 수 있다.
이때, 블레이드(231)는 공정 챔버(100)의 측벽(110)에 형성된 개구부(OP)와 대응되는 형상을 가지며, 예를 들어 사다리꼴 형태의 단면 형상을 가질 수 있다.
일 실시 예에 따른 블레이드(231)는 샤프트(233)와 연결되는 일면; 일면의 반대측에 위치하는 타면 및 일면과 타면 사이에서 개구부(OP)의 내측을 향하여 소정의 각도로 경사지게 형성되는 경사면을 포함하며, 상기 경사면은 공정 챔버(100)의 반응 공간으로 갈수록 내경이 축소되도록 형성될 수 있다.
블레이드(231)의 경사면은 개구부(OP)의 둘레를 따라 공정 챔버(100)의 측벽과 밀착 접촉함에 따라 개구부(OP)를 폐쇄할 수 있다. 이때, 블레이드(231)의 타면과 공정 챔버(100)의 반응 공간에 인접한 개구부(OP)는 동일한 높이를 가지며, 블레이드(231)의 폭(w5)은 측벽(110)의 폭(w6) 보다 작거나 동일하게 형성될 수 있다(w5≤w6). 이에 따라, 블레이드(231)의 타면은 공정 챔버(100)의 내면(110a)과 동일면상에 위치하게 되므로 공정 챔버(100) 내부의 공간적 불균형이 해소될 수 있다.
또한, 블레이드(231)와 공정 챔버(100)의 측벽(110) 사이에는 밀봉 부재(270)가 개재되고, 블레이드(231)의 경사면에는 밀봉 부재(270)를 수용하기 위한 그루브(290d)가 형성될 수 있다. 이때, 밀봉 부재(270)는 전술한 바와 같이, 공정 챔버(100)의 내부 압력을 유지하되 플라즈마에 의한 이상 방전을 억제하기 위하여, 밀봉 기능을 수행하는 부재에 전기 전도성 물질을 부여하여 형성된다. 이처럼, 밀봉 부재(270)를 블레이드(231)의 경사면에 인입시킬 경우, RF 전류의 리턴 경로가 단축됨으로써 EMI 노이즈 내지 반사 손실이 저감될 수 있으며, 이에 대한 상세한 설명은 도 8에서 전술하였는 바 중복되는 내용은 생략하기로 한다.
한편, 전술한 슬롯 밸브(200)는 승강 장치(210) 및 개폐 장치(230)에 각각 구비된 복수의 구동부(211, 232)에 의하여 블레이드(231)를 제1 또는 제2 방향으로 왕복 운동시키는 일 예가 도시되어 있으나, 본 발명의 범주가 이에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 본 발명의 슬롯 밸브(200)는 블레이드(231)를 수평 및 수직 방향으로 왕복 운동시키는 하나의 구동부에 의하여 구현될 수도 있다.
그리고, 블레이드(231)의 형상은 이에 국한되지 아니하고 다양한 형태로 제작될 수 있으며, 일 예로 도 10의 (b)를 참조하여 이하에서 설명한다.
도 10의 (b)를 참조하면, 다른 실시 예에 따른 블레이드(231)는, 샤프트(233)와 연결되어 공정 챔버(100)의 외면(110b) 중 적어도 일부를 포위하는 고정부(2311); 및 고정부(2311)의 두께 방향으로 연장되어 개구부(OP)의 둘레를 따라 경사지게 형성되는 돌출부(2313);를 포함할 수 있다.
고정부(2311)는 개구부(OP)가 폐쇄될 때 챔버 간의 압력 차이로 인해 공정 챔버(100) 방향으로 블레이드(231a)가 밀리는 현상을 방지함으로써 블레이드(231)를 안정적으로 고정하는 역할을 수행한다.
돌출부(2313)는 고정부(2311)와 접촉하는 일면, 일면의 반대측에 위치하는 타면, 및 일면과 타면 사이에서 개구부(OP)의 내측을 향하여 소정의 각도로 경사지게 형성되는 경사면을 포함하며, 상기 경사면은 공정 챔버(100)의 반응 공간으로 갈수록 내경이 축소되도록 형성될 수 있다. 이때, 돌출부(2313)는 고정부(2311)와 일체로 형성될 수 있다.
돌출부(2313)의 경사면은 개구부(OP)의 둘레를 따라 공정 챔버(100)의 측벽과 밀착 접촉함에 따라 개구부(OP)를 폐쇄하며, 돌출부(2313)는 공정 챔버(100)의 측벽(110)과 서로 동일한 폭을 가질 수 있다. 이에 따라, 돌출부(2313)의 타면은 공정 챔버(100)의 내면(110a)과 동일면상에 위치하게 되므로 공정 챔버(100) 내부의 공간적 불균형이 해소될 수 있다.
실시 예와 관련하여 전술한 바와 같이 몇 가지만을 기술하였지만, 이외에도 다양한 형태의 실시가 가능하다. 앞서 설명한 실시 예들의 기술적 내용들은 서로 양립할 수 없는 기술이 아닌 이상은 다양한 형태로 조합될 수 있으며, 이를 통해 새로운 실시 형태로 구현될 수도 있다.
전술한 도 2 내지 도 10에 도시된 실시 예에 의한 기판 처리 장치(1000A, 1000B)는 공정 챔버(Process Chamber)를 일 예로 들어 설명하였으나, 본 발명의 범주가 반드시 이에 국한되는 것은 아니고 공정 챔버 이외에도 이송 챔버(Transfer Chamber), 로드락 챔버(Load-lock Chamber), 버퍼 챔버(Buffer Chamber), 및 EFEM(Equipment Front End Module) 등 기판의 이송이 요구되는 반도체 제조 장비 등에 적용될 수 있다.
본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 통상의 기술자에게 자명하다. 따라서, 상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.
100: 공정 챔버 200: 슬롯 밸브
110: 일 측벽 210: 승강 장치
111: 수용부 211: 제1 구동부
112: 절곡부 212: 승강바
113: 오목부 213: 벨로우즈
120: 하부벽 230: 개폐 장치
130: 샤워 헤드 231: 블레이드
140: 서셉터 232: 제2 구동부
233: 샤프트 250: 하우징
300: 가스 공급 장치 400: 플라즈마 발생 장치

Claims (17)

  1. 챔버의 측벽에 형성된 개구부를 개폐하는 블레이드;
    상기 챔버의 측벽 내에 수용되어 상기 블레이드를 수평 방향으로 왕복 운동시키는 구동부; 및
    상기 블레이드와 상기 구동부를 연결하는 샤프트;를 포함하고,
    상기 블레이드는, 상기 구동부의 밀폐 동작에 의해 상기 챔버의 내면과 동일면이 되는 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 블레이드는,
    상기 챔버의 내부에 배치되는 제1 블레이드; 및
    상기 제1 블레이드와 마주하는 제2 블레이드;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 챔버의 외측에 형성되어 상기 제2 블레이드를 수용하되, 적어도 일측에 출입구가 형성되는 하우징;을 더 포함하고,
    상기 제1 및 제2 블레이드는 서로 반대 방향으로 구동되는 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 블레이드는 상기 챔버의 측벽 내에 배치되고,
    상기 제1 및 제2 블레이드는 서로 동일한 방향으로 구동되는 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 샤프트는,
    상기 제1 블레이드와 연결되는 제1 샤프트; 및
    상기 제2 블레이드와 연결되는 제2 샤프트;를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 샤프트의 길이는 서로 다른 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
  6. 적어도 일 측벽에 개구부가 형성된 챔버; 및
    상기 챔버의 적어도 일 측벽에 실장되는 슬롯 밸브;를 포함하고,
    상기 슬롯 밸브는,
    상기 개구부를 선택적으로 개폐하는 블레이드;
    상기 적어도 일 측벽 내에 수용되어 제1 방향으로 승강 또는 하강하고, 상기 블레이드를 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 왕복 운동시키는 구동부; 및
    상기 블레이드와 상기 구동부를 연결하는 샤프트;를 포함하고,
    상기 블레이드는, 상기 구동부의 밀폐 동작에 의해 상기 챔버의 내면과 동일면이 되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 적어도 일 측벽은, 상기 개구부의 둘레를 따라 상기 제2 방향으로 단차지게 함몰 형성되는 절곡부;를 포함하고,
    상기 밀폐 동작에 의해 상기 샤프트가 상기 구동부의 내측으로 이동됨에 따라, 상기 블레이드의 일면은 상기 절곡부와 접촉하고, 상기 일면의 반대측인 타면은 상기 측벽의 내면과 동일면상에 위치하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 블레이드의 폭은 상기 절곡부의 폭과 대응되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  9. 제6 항에 있어서,
    상기 적어도 일 측벽은, 상기 개구부의 둘레를 따라 상기 챔버의 내면 측으로 갈수록 내경이 확장되되, 상기 제2 방향에 대하여 제1 각도로 경사지게 형성되는 경사부;를 포함하고,
    상기 블레이드는,
    상기 샤프트와 연결되는 일면;
    상기 일면의 반대측에 위치하는 타면; 및
    상기 일면과 상기 타면 사이에서 상기 개구부의 내측을 향하여 제2 각도로 경사지게 형성되는 경사면;을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 각도는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 적어도 일 측벽은, 상기 경사부의 선단에서 상기 개구부의 중심을 향하여 돌출되는 스토퍼;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  11. 제9 항 또는 제10 항에 있어서,
    상기 경사부의 너비와 상기 경사면의 너비는 서로 동일한 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  12. 제6 항에 있어서,
    상기 블레이드와 상기 적어도 일 측벽 사이에 개재되는 밀봉 부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 밀봉 부재는, 상기 챔버와 상기 블레이드가 등전위를 이루도록 전기 전도성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  14. 제6 항에 있어서,
    상기 적어도 일 측벽은,
    상기 구동부를 실장하는 수용부; 및
    상기 수용부와 상기 챔버의 내면 사이에서 상기 샤프트를 수용하는 오목부;를 포함하고,
    상기 오목부의 형상은 상기 샤프트의 형상과 대응되는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  15. 챔버의 측벽에 형성된 개구부를 개폐하는 블레이드;
    상기 블레이드를 수평 및 수직 방향으로 왕복 운동시키는 구동부; 및
    상기 블레이드와 상기 구동부를 연결하는 샤프트;를 포함하고,
    상기 챔버의 측벽에 형성된 개구부에는 경사부가 형성되고,
    상기 블레이드는 상기 경사부에 대응되는 경사면을 가지며,
    상기 블레이드는, 상기 구동부의 밀폐 동작에 의해 상기 챔버의 내면과 동일면이 되는 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 블레이드의 폭은 상기 측벽의 폭과 같거나 작게 형성된 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 경사부와 상기 경사면 사이에 개재되는 밀봉 부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 슬롯 밸브.
KR1020190071491A 2019-06-17 2019-06-17 슬롯 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 KR20200143879A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190071491A KR20200143879A (ko) 2019-06-17 2019-06-17 슬롯 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
PCT/KR2020/004671 WO2020256259A1 (ko) 2019-06-17 2020-04-07 슬롯 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
TW109120369A TW202100897A (zh) 2019-06-17 2020-06-17 槽閥及包含其之基板加工裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190071491A KR20200143879A (ko) 2019-06-17 2019-06-17 슬롯 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20200143879A true KR20200143879A (ko) 2020-12-28

Family

ID=74040192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190071491A KR20200143879A (ko) 2019-06-17 2019-06-17 슬롯 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20200143879A (ko)
TW (1) TW202100897A (ko)
WO (1) WO2020256259A1 (ko)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050062751A (ko) * 2003-12-22 2005-06-27 어댑티브프라즈마테크놀로지 주식회사 이중 도어 게이트 밸브를 가지는 챔버 장비
KR100857232B1 (ko) * 2007-03-02 2008-09-05 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리장치의 공정챔버에 형성된 통로를개폐하는 방법, 그리고 기판을 처리하는 방법
KR101468388B1 (ko) * 2008-02-15 2014-12-05 엘아이지에이디피 주식회사 게이트 밸브 및 이것을 포함하는 평판표시소자 제조장비
KR101027325B1 (ko) * 2008-11-24 2011-04-06 주식회사 아토 기판처리장치
KR101479933B1 (ko) * 2012-12-27 2015-01-12 주식회사 에스에프에이 게이트 밸브

Also Published As

Publication number Publication date
TW202100897A (zh) 2021-01-01
WO2020256259A1 (ko) 2020-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7690881B2 (en) Substrate-processing apparatus with buffer mechanism and substrate-transferring apparatus
KR100638917B1 (ko) 처리 장치 부품의 조립 기구 및 그 조립 방법
CN101097844B (zh) 半导体处理装置
US8414702B2 (en) Plasma processing apparatus
JP5399245B2 (ja) 処理システムでワークピースを扱うための装置及び方法
TW202008456A (zh) 反應腔室以及等離子體設備
CN104282610A (zh) 承载装置及等离子体加工设备
KR101568735B1 (ko) 엘시디용 서셉터 및 섀도우프레임 기능을 구비한 히터
US10483141B2 (en) Semiconductor process equipment
KR102643212B1 (ko) 공정 챔버 및 반도체 공정 디바이스
KR20200143879A (ko) 슬롯 밸브 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN217324293U (zh) 一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置
CN213212104U (zh) 等离子体处理装置
JP2015115604A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US20050150458A1 (en) Reduced volume reactor
KR20230022228A (ko) 라디오 주파수 접지 시스템 및 방법
KR20180038217A (ko) 기판처리장치
KR20220148661A (ko) 반도체 및 평판 디스플레이 장비용 게이트 밸브
TWI665751B (zh) 具有反應式離子蝕刻功能的連續式鍍膜系統
JPH11260881A (ja) 処理装置
KR102540773B1 (ko) 패러데이 실드 및 기판 처리 장치
KR100501618B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 실드 링
CN218918805U (zh) 半导体设备的反应腔室
US20230420222A1 (en) Gas distribution ring for process chamber
CN114566415A (zh) 等离子体处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal