CN217324293U - 一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置 - Google Patents
一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN217324293U CN217324293U CN202221137774.5U CN202221137774U CN217324293U CN 217324293 U CN217324293 U CN 217324293U CN 202221137774 U CN202221137774 U CN 202221137774U CN 217324293 U CN217324293 U CN 217324293U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- vapor deposition
- chemical vapor
- plasma chemical
- chamber
- microwave plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置，包括反应腔，反应腔的下端面设置有出料口；闭合盖，上下移动安装在反应腔的出料口下方；分隔机构，包含若干按等角度环绕设置在定位件四周的隔离件、隔离件向外分别固接到反应腔的内侧壁，向内分别通过相应的衔接件连通定位件；基底座，安装在所述闭合盖的上部并套装于定位件内部；若干基片台，分别设置在相应的隔离件内、并通过相应的连杆固定安装在基底座的上端部；若干密封机构，闭合盖上升关闭所述反应腔时，通过密封机构分隔隔离件和定位件。本实用新型为结构紧凑的多腔室沉积，便于统一操作，降低生产成本，提高生产效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及化学气相沉积技术领域，具体是指一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置。
背景技术
一般的化学气相沉积系统，其采用的金刚石沉积组件基本上都为单一腔室，即整个沉积系统只设置一个沉积室，这种单一腔室的金刚石沉积组件对于小的炉体来说应用起来比较方便，但是对于应用于大规模的工业化生产上，采用单一腔室的金刚石沉积组件生产成本比较高，且操作起来不方便，造成生产效率低下。
因此，设计一款可降低生产成本，提高生产效率，便捷操作的多个腔室微波等离子体化学气相沉积装置是本实用新型的研究目的。
发明内容
针对上述现有技术存在的问题，本实用新型在于提供一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置，该多腔微波等离子体化学气相沉积装置能够有效解决上述现有技术存在的问题。
本实用新型的技术方案是：
一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置，包括
反应腔，所述反应腔的下端面设置有连通所述反应腔内部的出料口；
闭合盖，上下移动安装在所述反应腔的出料口下方，用于密封关闭所述反应腔；
分隔机构，包含若干按等角度环绕设置在定位件四周的隔离件、所述隔离件向外分别固接到所述反应腔的内侧壁，向内分别通过相应的衔接件连接所述定位件；所述反应腔在位于所述隔离件的顶部设置有相应的介质窗口，且位于所述隔离件侧壁分别设置有相应的进气口和观察窗，所述进气口分别连通至相应的所述隔离件内部，并设置有相应的启闭阀门；
基底座，安装在所述闭合盖的上部，所述闭合盖上移至密封关闭所述出料口时，所述基底座套装于所述定位件内部；
若干基片台，分别设置在相应的所述隔离件内、并通过相应的连杆固定安装在所述基底座的上端部；
若干密封机构，分别设置在所述基底座位于连杆的下方，所述闭合盖上升关闭所述反应腔时，通过密封机构分隔所述隔离件和所述定位件；
若干微波发生器，分别对应设置在各个所述介质窗口的正上方。
所述密封机构包含固接在所述基底座四周并置于所述连杆下方的凸块，所述凸块衔接于所述连杆的下端面；所述凸块是纵向剖切为上窄下宽的等腰梯形结构，所述凸块的两侧壁均安装有相应的第一密封层，所述衔接件的两侧壁均设置有所述凸块相适配的倾斜面。
所述隔离件和定位件均为圆筒状结构，所述凸块的外端部设置为与所述隔离件相适配的弧形面。
所述闭合盖的上表面设置有与所述分隔机构的隔离件和定位件相配合的卡接槽，所述卡接槽的表面设置有第二密封层，所述闭合盖上升关闭所述反应腔时，所述隔离件和定位件分别嵌入相应的卡接槽。
所述气相沉积装置还包括为所述基片台降温的冷却机构，冷却机构包含设置在所述连杆内的冷却水腔室和水冷轴，所述水冷轴的一端连通在所述冷却水腔室内部并置于所述基片台下方，所述水冷轴的另一端延伸于所述基底座内、并分别与所述基底座内的冷却水管路连通，所述冷却水管路与外界的冷却水构成循环水路。
所述气相沉积装置还包括连接于所述闭合盖的第一升降机构，所述第一升降机构驱动所述闭合盖上下移动。
所述气相沉积装置还包括连接于所述基底座的第二升降机构，所述第二升降机构驱动所述基底座上下移动，所述基底座的底部贯穿所述闭合盖，并罩设有伸缩密封罩。
所述微波发生器包含安装在所述介质窗口正上方的耦合转换腔以及微波源，所述微波源通过三销钉调配器、波导管、模式转换天线连接所述耦合转换腔。
所述基片台底部设置有相应的屏蔽挡块，用于隔离所述基片台上下两侧的反应腔。
所述闭合盖上贯穿设置有相应的连通所述隔离件内部和外界真空泵的抽真空孔。
本实用新型的优点：
1)本实用新型是一种结构紧凑的多腔室微波等离子体化学气相沉积装置，通过升降设置和隔离机构配合，在保证设备实用效果的基础上，实现在腔室内设置多个沉积室用于气相沉积，从而降低生产成本，提高生产效率，并且便于统一操作，提高操作的便捷性。
2)本实用新型在隔离件和定位件之间设置密封机构，密封机构包含固接在基底座四周的凸块，凸块是纵向剖切为上窄下宽的等腰梯形结构，衔接件的两侧壁均设置有所述凸块相适配的倾斜面；基底座上移时带动凸块上移与衔接件形成契合连接，并挤压第一密封层使得各个隔离件形成独立的密封空间，利于各个沉积室独立使用；并且基底座上移时因凸块的倾斜面设置，可有效解决移动过程中的较大摩擦力。
3)本实用新型在一个腔体内设置多个沉积室，各个沉积室的基片台设置由冷却水腔室和水冷轴的冷却机构，冷却机构通过基底座的冷却水管路与外界的冷却水构成循环水路，形成共用水路；并且直接在一个反应腔内设置多个连通各个沉积室的进气口，通过进气口和启闭阀连接气体源，可独用或共用气源，从而可将各个部件紧凑设置，便于实际操作。
4)本实用新型利用连接于基底座的第一升降机构，驱动基底座上下移动，统一控制各个沉积室内的基片台同步上下移动，便于人工完成取放料，使得取放料空间大利于操作，并且去除取放料门，腔体结构更对称，更有利于微波谐振产生的离子体，使离子体更均匀、功率密度更均匀。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为图1卸料时的结构示意图。
图3为分隔机构的俯视结构示意图。
图4为基底座的仰视结构示意图。
图5为基底座的侧视结构示意图。
图6为本实用新型实施例二的结构示意图。
图7为图6卸料时的结构示意图。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员理解，现将实施例结合附图对本实用新型的结构作进一步详细描述：
实施例一：
参考图1-5，一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置，包括
反应腔1，所述反应腔1的下端面设置有连通所述反应腔1内部的出料口2；
闭合盖3，上下移动安装在所述反应腔1的出料口2下方，用于密封关闭所述反应腔1；
分隔机构，包含若干按等角度环绕设置在定位件4四周的隔离件5、所述隔离件5向外分别固接到所述反应腔1的内侧壁，向内分别通过相应的衔接件6连接所述定位件4；所述反应腔1在位于所述隔离件5的顶部设置有相应的介质窗口7，且位于所述隔离件5 侧壁分别设置有相应的进气口8和观察窗9，所述进气口8分别连通至相应的所述隔离件 5内部，并设置有相应的启闭阀门；介质窗口7优选石英窗口，可将反应腔体里面的CH4 气体和H2气体限制在反应腔体内，保证气体的利用率。
基底座10，安装在所述闭合盖3的上部，所述闭合盖3上移至密封关闭所述出料口2时，所述基底座10套装于所述定位件4内部；
若干基片台11，分别设置在相应的所述隔离件5内、并通过相应的连杆12固定安装在所述基底座10的上端部；基片台11承接等离子体球，使得金刚石膜更好地沉积；
若干密封机构，分别设置在所述基底座10位于连杆12的下方，所述闭合盖3上升关闭所述反应腔1时，通过密封机构分隔所述隔离件5和所述定位件4；
进一步的，所述连杆12在与所述隔离件5连接的表面均设置有第二密封机构，所述闭合盖3上升关闭所述反应腔1时，第二密封机构确保所述隔离件5于连杆12处的密封性能。
若干微波发生器，分别对应设置在各个所述介质窗口7的正上方。
本实用新型结构紧凑，通过升降设置和隔离机构配合，在保证设备实用效果的基础上，实现在腔室内设置多个沉积室用于气相沉积，从而降低生产成本，提高生产效率，并且便于统一操作，提高操作的便捷性。
所述密封机构包含固接在所述基底座10四周并置于所述连杆12下方的凸块13，所述凸块13衔接于所述连杆12的下端面；所述凸块13是纵向剖切为上窄下宽的等腰梯形结构，所述凸块13的两侧壁均安装有相应的第一密封层24，所述衔接件6的两侧壁均设置有所述凸块13相适配的倾斜面；基底座10上移时带动凸块13上移与衔接件6形成契合连接，并挤压第一密封层24使得各个隔离件形成独立的密封空间，利于各个沉积室独立使用；并且基底座10上移时因凸块13的倾斜面设置，可有效解决移动过程中的较大摩擦力。
所述隔离件5和定位件4均为圆筒状结构，所述凸块13的外端部设置为与所述隔离件5相适配的弧形面。
所述闭合盖3的上表面设置有与所述分隔机构的隔离件5和定位件4相配合的卡接槽，所述卡接槽的表面设置有第二密封层，所述闭合盖3上升关闭所述反应腔1时，所述隔离件5和定位件4分别嵌入相应的卡接槽；进一步提高反应腔1的密封性。
所述气相沉积装置还包括为所述基片台11降温的冷却机构，冷却机构包含设置在所述连杆12内的冷却水腔室14和水冷轴15，所述水冷轴15的一端连通在所述冷却水腔室14内部并置于所述基片台11下方，所述水冷轴15的另一端延伸于所述基底座10内、并分别与所述基底座10内的冷却水管路连通，所述冷却水管路与外界的冷却水构成循环水路。
所述气相沉积装置还包括连接于所述闭合盖3的第一升降机构16，所述第一升降机构 16驱动所述闭合盖3上下移动；利用第一升降机构16驱动闭合盖3进行关闭反应腔，且驱动基底座10上下移动，统一控制各个沉积室内的基片台11同步上下移动，便于人工完成取放料，使得取放料空间大利于操作，并且去除取放料门，腔体结构更对称，更有利于微波谐振产生的离子体，使离子体更均匀、功率密度更均匀。
所述微波发生器包含安装在所述介质窗口7正上方的耦合转换腔18以及微波源23，所述微波源23通过三销钉调配器19、波导管20、模式转换天线21连接所述耦合转换腔18。
所述基片台11底部设置有相应的屏蔽挡块22，用于隔离所述基片台11上下两侧的反应腔1；屏蔽挡块22的设置可避免基片台11升起后，底部空旷空间影响腔结构，导致基片台11上方的离子体不均匀，影响金刚石生长膜厚均匀性。
所述闭合盖3上贯穿设置有相应的连通所述隔离件5内部和外界真空泵的抽真空孔。
实施例二：
参考图6-7，本实施例与实施例一的不同之处在于：所述气相沉积装置还包括连接于所述基底座10的第二升降机构17，所述第二升降机构17驱动所述基底座10上下移动，所述基底座10的底部贯穿所述闭合盖3，并罩设有伸缩密封罩，基底座10上下移动时，确保反应腔1内的密封性，从而确保真空度；利用第二升降机构17可用于基底座10的上下移动，从而控制各个隔离件5和定位件4形成连通或隔离。
需要指出的是，本实施例与实施例一实现原理及产生的技术效果相同，为简要描述，本实施例未提及之处，可参考实施例一中相应内容。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置，其特征在于：包括
反应腔(1)，所述反应腔(1)的下端面设置有连通所述反应腔(1)内部的出料口(2)；
闭合盖(3)，上下移动安装在所述反应腔(1)的出料口(2)下方，用于密封关闭所述反应腔(1)；
分隔机构，包含若干按等角度环绕设置在定位件(4)四周的隔离件(5)、所述隔离件(5)向外分别固接到所述反应腔(1)的内侧壁，向内分别通过相应的衔接件(6)连接所述定位件(4)；所述反应腔(1)在位于所述隔离件(5)的顶部设置有相应的介质窗口(7)，且位于所述隔离件(5)侧壁分别设置有相应的进气口(8)和观察窗(9)，所述进气口(8)分别连通至相应的所述隔离件(5)内部，并设置有相应的启闭阀门；
基底座(10)，安装在所述闭合盖(3)的上部，所述闭合盖(3)上移至密封关闭所述出料口(2)时，所述基底座(10)套装于所述定位件(4)内部；
若干基片台(11)，分别设置在相应的所述隔离件(5)内、并通过相应的连杆(12)固定安装在所述基底座(10)的上端部；
若干密封机构，分别设置在所述基底座(10)位于连杆(12)的下方，所述闭合盖(3)上升关闭所述反应腔(1)时，通过密封机构分隔所述隔离件(5)和所述定位件(4)；
若干微波发生器，分别对应设置在各个所述介质窗口(7)的正上方。
2.根据权利要求1所述的一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置，其特征在于：所述密封机构包含固接在所述基底座(10)四周并置于所述连杆(12)下方的凸块(13)，所述凸块(13)衔接于所述连杆(12)的下端面；所述凸块(13)是纵向剖切为上窄下宽的等腰梯形结构，所述凸块(13)的两侧壁均安装有相应的第一密封层(24)，所述衔接件(6)的两侧壁均设置有所述凸块(13)相适配的倾斜面。
3.根据权利要求2所述的一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置，其特征在于：所述隔离件(5)和定位件(4)均为圆筒状结构，所述凸块(13)的外端部设置为与所述隔离件(5)相适配的弧形面。
4.根据权利要求1所述的一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置，其特征在于：所述闭合盖(3)的上表面设置有与所述分隔机构的隔离件(5)和定位件(4)相配合的卡接槽，所述卡接槽的表面设置有第二密封层，所述闭合盖(3)上升关闭所述反应腔(1)时，所述隔离件(5)和定位件(4)分别嵌入相应的卡接槽。
5.根据权利要求1所述的一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置，其特征在于：所述气相沉积装置还包括为所述基片台(11)降温的冷却机构，冷却机构包含设置在所述连杆(12)内的冷却水腔室(14)和水冷轴(15)，所述水冷轴(15)的一端连通在所述冷却水腔室(14)内部并置于所述基片台(11)下方，所述水冷轴(15)的另一端延伸于所述基底座(10)内、并分别与所述基底座(10)内的冷却水管路连通，所述冷却水管路与外界的冷却水构成循环水路。
6.根据权利要求1所述的一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置，其特征在于：所述气相沉积装置还包括连接于所述闭合盖(3)的第一升降机构(16)，所述第一升降机构(16)驱动所述闭合盖(3)上下移动。
7.根据权利要求1所述的一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置，其特征在于：所述气相沉积装置还包括连接于所述基底座(10)的第二升降机构(17)，所述第二升降机构(17)驱动所述基底座(10)上下移动，所述基底座(10)的底部贯穿所述闭合盖(3)，并罩设有伸缩密封罩。
8.根据权利要求1所述的一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置，其特征在于：所述微波发生器包含安装在所述介质窗口(7)正上方的耦合转换腔(18)以及微波源(23)，所述微波源(23)通过三销钉调配器(19)、波导管(20)、模式转换天线(21)连接所述耦合转换腔(18)。
9.根据权利要求1所述的一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置，其特征在于：所述基片台(11)底部设置有相应的屏蔽挡块(22)，用于隔离所述基片台(11)上下两侧的反应腔(1)。
10.根据权利要求1所述的一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置，其特征在于：所述闭合盖(3)上贯穿设置有相应的连通所述隔离件(5)内部和外界真空泵的抽真空孔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202221137774.5U CN217324293U (zh) | 2022-05-12 | 2022-05-12 | 一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202221137774.5U CN217324293U (zh) | 2022-05-12 | 2022-05-12 | 一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN217324293U true CN217324293U (zh) | 2022-08-30 |
Family
ID=82952796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202221137774.5U Active CN217324293U (zh) | 2022-05-12 | 2022-05-12 | 一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN217324293U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116555735A (zh) * | 2023-05-25 | 2023-08-08 | 杭州超然金刚石有限公司 | 一种等离子化学气相沉积系统 |
-
2022
- 2022-05-12 CN CN202221137774.5U patent/CN217324293U/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116555735A (zh) * | 2023-05-25 | 2023-08-08 | 杭州超然金刚石有限公司 | 一种等离子化学气相沉积系统 |
| CN116555735B (zh) * | 2023-05-25 | 2023-12-05 | 杭州超然金刚石有限公司 | 一种等离子化学气相沉积系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN217324293U (zh) | 一种多腔微波等离子体化学气相沉积装置 | |
| EP2462394B1 (en) | Vacuum insulation member, refrigerator having vacuum insulation member, and method for fabricating vacuum insulation member | |
| CN101097844B (zh) | 半导体处理装置 | |
| CN101248215B (zh) | 批式沉积工具及压缩晶舟 | |
| CN103021916B (zh) | 晶圆传输系统 | |
| CN111354657B (zh) | 半导体多站处理腔体 | |
| CN203639553U (zh) | 具有流量阀门的负载锁定腔室及用于形成器件的装置 | |
| CN109778138B (zh) | 一种微波等离子体金刚石膜沉积设备 | |
| CN114412752B (zh) | 分段式真空作业设备及其使用方法 | |
| CN210341059U (zh) | 一种晶圆镀膜工艺系统及使用其的晶圆镀膜系统 | |
| CN210765501U (zh) | 一种晶圆镀膜工艺装置 | |
| CN116162922A (zh) | 处理腔室、基片处理方法及处理装置 | |
| CN212533121U (zh) | 一种原子层沉积镀膜设备的上下片系统 | |
| CN215481243U (zh) | 一种超硬抗反射玻璃镀膜生产加工上料装置 | |
| CN111850516A (zh) | 一种原子层沉积镀膜设备的上下片系统 | |
| CN112853322A (zh) | 一种ald加工设备以及加工方法 | |
| CN110904429A (zh) | 镀膜装置的镀膜系统 | |
| WO2021036481A1 (zh) | Pdms 基片微通道的超低温辅助微磨料气射流加工装置 | |
| CN215517627U (zh) | 用于perc电池加工用pecvd氮化硅覆膜机 | |
| CN219793098U (zh) | 一种太阳能吸热膜镀膜结构 | |
| CN221071645U (zh) | 一种mpcvd设备用样品升降结构 | |
| CN221297139U (zh) | 传输机构及气相沉积系统 | |
| CN220661429U (zh) | 一种连体烤箱 | |
| CN115594172B (zh) | 一种真空石墨烯转移设备 | |
| CN218568778U (zh) | 质谱仪阶梯式预真空连续进出样品传送装置及质谱仪 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |