WO2020199395A1 - 金属结构湿制程处理方法、tft制备方法及tft - Google Patents

金属结构湿制程处理方法、tft制备方法及tft Download PDF

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WO2020199395A1
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尹易彪
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深圳市华星光电技术有限公司
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers

Definitions

  • the invention relates to the technical field of semiconductor materials, in particular to a wet process processing method of a metal structure, a TFT preparation method, a TFT and a display device.
  • Metal structure wires are often used in thin film transistors, and can be used as gate electrodes, gate lines, data lines, source/drain electrodes, etc.
  • the metal structure often adopts a multi-metal layer structure.
  • the multi-metal layer structure is prone to some problems.
  • the CuMu metal structure As an example.
  • the existing CuMo metal structure there are the following problems. Due to the difference in potential between Cu and Mo in the electrolyte solution, electrochemical corrosion is inevitable. , And then produce galvanic corrosion, because CuMo galvanic corrosion will lead to Cu hollowing and performance degradation, Cu hollowing will lead to chemical residues, forming a copper ion solution that affects the channel, in addition, severe hollowing or performance degradation will be interrupted Film and generate electrostatic discharge ESD (Electro-Static discharge, ESD) risk.
  • ESD Electro-Static discharge
  • the embodiment of the present invention provides a metal structure wet process processing method, TFT manufacturing method, TFT and display device, which reduces the content of O 2 and CO 2 in the chamber and the solution, so that the "oxygen concentration battery” effect is weakened; Reduce the CO 2 content, make the pH value of the solution closer to neutral, thereby slowing down the dissolution of corrosion products, and achieving the purpose of weakening the galvanic corrosion of metal structures.
  • the present application provides a metal structure wet process processing method, the method includes:
  • the processing the gas or liquid in the chamber of the wet process equipment to reduce the O 2 or/and CO 2 content in the chamber includes:
  • the chamber of the wet process equipment is evacuated and sealed to reduce the air content in the chamber to reduce the O 2 and CO 2 content in the chamber.
  • the processing the gas or liquid in the chamber of the wet process equipment to reduce the O 2 or/and CO 2 content in the chamber includes:
  • the first inactive gas includes nitrogen or argon.
  • the method further includes:
  • the solution of the wet process of the metal structure is filled with a second inactive gas to replace the wet process of the metal structure.
  • the O 2 and CO 2 in the solution reduce the dissolved amount of O 2 and CO 2 in the solution of the metal structure wet process.
  • the method further includes:
  • a gas eliminator is added in the chamber to reduce the O 2 or CO 2 content in the chamber.
  • the gas eliminator is a deoxidizer or a decarbonation agent.
  • the method further includes:
  • the metal structure is a multi-metal layer structure whose internal structure has a potential difference and may easily cause corrosion.
  • the metal structure is Mo/Cu metal structure, Mo/Al/Mo metal structure, Mo/Al metal structure, Nb/Cu metal structure, Ti/Cu metal structure, or Ni/Cu metal structure .
  • the present application also provides a TFT manufacturing method.
  • the TFT manufacturing method includes a metal structure wet processing method, and the metal structure wet processing method includes:
  • the processing the gas or liquid in the chamber of the wet process equipment to reduce the O 2 or/and CO 2 content in the chamber includes:
  • the chamber of the wet process equipment is evacuated and sealed to reduce the air content in the chamber to reduce the O 2 and CO 2 content in the chamber.
  • the processing the gas or liquid in the chamber of the wet process equipment to reduce the O 2 or/and CO 2 content in the chamber includes:
  • the method further includes:
  • the solution of the wet process of the metal structure is filled with a second inactive gas to replace the wet process of the metal structure.
  • the O 2 and CO 2 in the solution reduce the dissolved amount of O 2 and CO 2 in the solution of the metal structure wet process.
  • the method further includes:
  • a gas eliminator is added in the chamber to reduce the O 2 or CO 2 content in the chamber.
  • the gas eliminator is a deoxidizer or a decarbonation agent.
  • the method further includes:
  • the metal structure is a multi-metal layer structure whose internal structure has a potential difference and may easily cause corrosion.
  • the metal structure is Mo/Cu metal structure, Mo/Al/Mo metal structure, Mo/Al metal structure, Nb/Cu metal structure, Ti/Cu metal structure, or Ni/Cu metal structure .
  • the present application also provides a TFT, which is manufactured by the TFT manufacturing method described in the second aspect.
  • the present application also provides a display device including the TFT as described in the third aspect.
  • the method of the embodiment of the present invention processes the gas or liquid in the chamber of the wet process equipment to reduce the O2 or/and CO2 content in the chamber; spray the metal on the substrate to be processed including the metal structure in the chamber
  • the structural wet process solution reduces the O 2 content in the chamber and the solution on the one hand, which weakens the "oxygen concentration battery”effect; on the other hand, it reduces the CO 2 content and makes the solution pH closer to neutral, thereby slowing down corrosion
  • the dissolution of the product achieves the purpose of reducing the galvanic corrosion of the metal structure.
  • Figure 1 is the Cu/Mo metal structure in the existing Cu process. Due to the difference in the corrosion potential of Cu and Mo in the electrolyte solution, electrochemical corrosion will inevitably occur and the structure of Cu hollowed out is formed;
  • FIG. 2 is a schematic flowchart of an embodiment of a wet process processing method for a metal structure provided by an embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a schematic flowchart of another embodiment of a wet process processing method for a metal structure provided by an embodiment of the present invention
  • Figure 4 is a schematic diagram of the oxygen absorption corrosion of Cu/Mo metal structure and the "oxygen concentration battery” effect.
  • first and second are only used for descriptive purposes, and cannot be understood as indicating or implying relative importance or implicitly indicating the number of indicated technical features. Therefore, the features defined with “first” and “second” may explicitly or implicitly include one or more of the features. In the description of the present invention, “plurality” means two or more than two, unless specifically defined otherwise.
  • the metal structure often adopts the multi-metal layer structure, but the multi-metal layer structure is prone to some problems.
  • Cu/Mu metal structure As an example, compared with the existing Cu/Mo
  • electrochemical corrosion will inevitably occur, and then galvanic corrosion will occur, because Cu/Mo galvanic corrosion will lead to Cu hollowing and performance Undercut Phenomenon, as shown in Figure 1, Cu hollowing appears in the circled part of the picture. Cu hollowing will cause the chemical solution to remain, forming a copper ion solution and affecting the channel.
  • serious hollowing or performance degradation will cause film breakage and electrostatic discharge. ESD (Electro-Static discharge, ESD) risk.
  • ESD Electro-Static discharge, ESD
  • the embodiments of the present invention provide a metal structure wet process processing method, a TFT manufacturing method, a TFT and a display device, which will be described in detail below.
  • an embodiment of the present invention provides a metal structure wet process processing method, which includes: processing the gas or liquid in the chamber of the wet process equipment to reduce the O 2 or/and CO 2 content in the chamber, Spraying the solution of the metal structure wet process on the substrate to be processed including the metal structure in the chamber.
  • FIG. 2 it is a schematic flow chart of an embodiment of a wet process processing method for a metal structure in an embodiment of the present invention.
  • the method includes:
  • the wet process is to spray treatment liquids, such as various chemical liquids or water, on the surface of the circuit board to achieve desmear, chemical copper, through-hole plating, etching, development, and film stripping , Organic protective film plating, surface modification or cleaning process.
  • the wet process equipment is the equipment that performs the wet process, and the internal parts of the wet process equipment are the wet process equipment parts.
  • wet process equipment is used in multiple processes.
  • the wet process equipment mainly allows the substrate to be carried on a conveyor belt and is driven by a roller to spray the liquid or the substrate.
  • the water-liquid wet zone allows the sprayed liquid to evenly wash the substrate.
  • the wet process and wet process equipment may be wet process equipment corresponding to any of the wet processes described above, including but not limited to desmearing, electroless copper, through-hole plating, etching, development, film stripping, plating Processes such as organic protective film, surface modification or cleaning, and wet process equipment corresponding to each process.
  • the chamber of the wet processing equipment in the embodiment of the present invention is a chamber for subsequent wet processing of a substrate to be processed including a metal structure.
  • the gas or liquid in the chamber of the wet process equipment is processed to reduce the content of O 2 or/and CO 2 in the chamber; in the chamber, the substrate to be processed including a metal structure is sprayed.
  • the solution of the metal structure wet process reduces the O 2 content in the chamber and the solution, which weakens the "oxygen concentration battery”effect; on the other hand, it reduces the CO 2 content, making the solution pH closer to neutral, thereby reducing
  • the dissolution of slow corrosion products achieves the purpose of reducing galvanic corrosion of metal structures.
  • processing the gas or liquid in the chamber of the wet process equipment in step 201 to reduce the O 2 or/and CO 2 content in the chamber may include one or more implementation methods, which are specifically as follows:
  • FIG. 3 it is a schematic flow chart of another embodiment of a wet process processing method for a metal structure in an embodiment of the present invention.
  • the method includes:
  • the first inactive gas described in the embodiment of the present invention may include one or more inactive gases, such as argon and nitrogen.
  • the first inactive gas may be an inert gas or a current environment.
  • the inactive gas such as the chemically inactive gas at room temperature, such as nitrogen.
  • the metal structure is a multi-layer metal structure.
  • the metal structure is a multi-metal layer structure that has a potential difference in the internal structure and can easily cause corrosion. Because the metal structure in the metal structure has a potential difference in different layers of the metal structure, it is easy to Causing corrosion, this situation needs to be avoided.
  • the metal structure may be Cu/Mo metal structure, Mo/Al/Mo metal structure, Al/Mo metal structure, Cu/Nb metal structure, Cu/Ti metal Structure or Cu/Ni metal structure, etc.
  • the solution for the wet process of the metal structure may be an etching solution, pure water, or a stripping solution depending on the wet process, and it may be determined according to the specific wet process, and will not be described in detail here.
  • the "oxygen concentration cell” effect is the corrosion of the oxygen concentration cell.
  • Different parts of the metal structure are in contact with solutions with different oxygen content to form an oxygen concentration battery (also known as an unevenly charged battery) and cause corrosion.
  • an oxygen concentration battery also known as an unevenly charged battery
  • the oxygen inside and outside the gap is uneven. It is not easy to enter the corrosion cracks, but the oxygen outside the cracks can guarantee sufficient supply.
  • This "imbalance” causes the inside/outside of the cracks to become an "oxygen concentration battery”.
  • the oxygen concentration outside the cracks is high, which is the cathode.
  • the oxygen concentration in the crevice is low, and it is the anode, so that the metal in the crevice is corroded and consumed continuously.
  • the specific corrosion principle is as follows:
  • the junction of Cu metal and Mo metal is a Cu/Mo alloy. Different parts of the Cu/Mo alloy are in contact with a solution with different oxygen content (for example, some parts are deficient in oxygen, and some parts are rich in oxygen) to form an oxygen concentration battery (also Called unevenly charged battery) and cause corrosion.
  • a solution with different oxygen content for example, some parts are deficient in oxygen, and some parts are rich in oxygen
  • an oxygen concentration battery also Called unevenly charged battery
  • the chamber is evacuated and sealed, and the first inactive gas is filled into the chamber to form a positive pressure in the chamber.
  • the O 2 content in the chamber and the solution is reduced, so that the overall solution is The oxygen content is low, the "oxygen concentration battery” effect is weakened; on the other hand, the CO 2 content is reduced, making the pH value of the solution closer to neutral, thereby slowing down the dissolution of corrosion products, and achieving the purpose of reducing galvanic corrosion of metal structures.
  • the metal structure wet process processing method in the embodiments of the present invention may further include: before spraying the metal structure wet process solution on the substrate to be processed including the metal structure in the chamber, in the metal structure wet process was charged into a second inert gas to displace the metal structure wet process solution of O 2 and CO 2, reducing the O 2 and of CO 2 in the metal structure wet process was Dissolved amount.
  • a second inactive gas By filling the solution of the metal structure wet process with a second inactive gas, the dissolved amount of O 2 and CO 2 in the solution of the metal structure wet process is reduced, so that the subsequent spray of the metal structure wet process It can further reduce the "oxygen concentration battery" effect and reduce the galvanic corrosion of metal structures.
  • the second inactive gas described in the embodiment of the present invention may include one or more inactive gases, such as argon and nitrogen, etc.
  • the second inactive gas may be an inert gas or a current environment.
  • the inactive gas such as the chemically inactive gas at room temperature, such as nitrogen.
  • the second inactive gas may be the same as or different from the first inactive gas, and may be specifically determined according to actual application scenarios, which is not limited here.
  • the wet processing method of the metal structure in the embodiment of the present invention may further include: Before spraying the metal structure wet process solution on the substrate to be processed in the chamber, a gas eliminator is added in the chamber to reduce the O 2 or CO 2 content in the chamber. Elimination of O 2 or CO 2 in the chamber by a gas eliminator to reduce the content of O 2 or CO 2 in the chamber. Further, the gas eliminator may be a deoxidizer or a decarbonizer.
  • the deoxidizer is used to eliminate O 2 in the chamber, and the deoxidizer is also known as an oxygen scavenger or an oxygen absorber, and is an additive that can absorb oxygen. It is a group of chemical mixtures that are easy to react with free oxygen or dissolved oxygen. It is installed in a sealed space with a certain degree of air permeability and strength to remove the oxygen remaining in the air in the sealed space.
  • deoxidizers are used not only to maintain the quality of food, but also to preserve, prevent rust, and prevent oxidation of grains, feeds, medicines, clothing, fur, precision instruments and other items.
  • Deoxidizers can be divided into two types according to their composition: (1) Deoxidizers based on inorganic matrix, such as reduced iron powder.
  • the principle is that iron powder is oxidized into iron hydroxide in the presence of oxygen and water vapor.
  • the sulfite-based deoxidizer which is based on dithionite as the main agent, with Ca(OH) 2 and activated carbon as the auxiliary agent, and reacts in a watery environment.
  • Ascorbic acid (AA) itself is a reducing agent.
  • copper ions can be used as a catalyst to be oxidized or dehydroascorbic acid (DHAA) to remove oxygen in the environment. This method is commonly used to remove oxygen in liquid food.
  • Ascorbic acid deoxidizer is one of the most safe deoxidizers currently used.
  • Enzyme-based deoxidizers commonly used are glucose oxidized alcohol, which consumes oxygen when glucose is oxidized to gluconic acid to achieve the purpose of deoxidation.
  • the above-mentioned two types of deoxidizers can be used as the deoxidizer in the embodiment of the present invention, and the specific deoxidizer is not limited here.
  • the carbon dioxide removing agent is also called carbon dioxide removing agent, which is used to remove CO 2 in the chamber.
  • the carbon dioxide removing agent may be calcium oxide, calcium hydroxide, sodium hydroxide, soda lime, etc.
  • the deoxidizer or decarbonization agent needs to use a material that does not react with the solution of the metal structure wet process under the current environment.
  • the deoxidizer may be a combination of multiple deoxidizers, that is, the deoxidizer in the embodiment of the present invention may include multiple deoxidizers.
  • the deoxidizer may be a combination of multiple deoxidizers, that is, in the embodiment of the present invention
  • the decarbonization agent may include a variety of decarbonization agents, which are not specifically limited here.
  • the wet processing method of the metal structure in the embodiment of the present invention may further include: Before spraying the solution of the metal structure wet process on the processing substrate, the solution of the metal structure wet process is stirred to accelerate the migration of O 2 in the solution of the metal structure wet process. Stirring the solution of the metal structure wet process accelerates the migration and escape of O 2 present in the solution of the metal structure wet process, thereby further reducing the O 2 concentration difference inside and outside the corrosion cracks, thereby weakening the "oxygen concentration battery" effect.
  • N 2 is used to remove O 2 and CO 2 in the air, and after being soaked in pure water for 1 hour in the wet process, the gap size in the CuMo metal structure becomes 186nm long and 38nm high, and the gap is greatly reduced.
  • the effect of "oxygen concentration battery” and galvanic corrosion are greatly reduced, achieving the purpose of weakening the effect of "oxygen concentration battery” and reducing galvanic corrosion of metal structures.
  • Thin-film transistors are one of the types of field-effect transistors.
  • the rough manufacturing method is to deposit various thin films on the substrate, such as semiconductor active layers, dielectric layers, and metal electrode layers.
  • Thin film transistors play a very important role in the performance of display devices.
  • the embodiment of the present invention also provides a TFT manufacturing method.
  • the TFT manufacturing method includes the above-mentioned embodiments. Any one of the metal structure wet process treatment methods.
  • the performance of the TFT device prepared by the TFT preparation method is further improved.
  • the embodiment of the present invention also provides a TFT, and the TFT is manufactured by the above TFT manufacturing method.
  • the performance of the TFT device prepared by the TFT manufacturing method is further improved.
  • the embodiment of the present invention also provides a display device, and the display device includes the TFT described in the foregoing embodiment.
  • the display performance of the display device is further improved.
  • each of the above units or structures can be implemented as independent entities, or can be combined arbitrarily, and implemented as the same or several entities.
  • each of the above units or structures please refer to the previous method embodiments. No longer.

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Abstract

本发明实施例公开了一种金属结构湿制程处理方法、TFT制备方法、TFT及显示装置。该金属结构湿制程处理方法包括：对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低腔室内O2或/且CO2含量；在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液。

Description

金属结构湿制程处理方法、TFT制备方法及TFT 技术领域
本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种金属结构湿制程处理方法、TFT制备方法、TFT及显示装置。
 背景技术
现今科技蓬勃发展，信息商品种类推陈出新，满足了大众不同的需求。早期显示器多半为阴极射线管（Cathode Ray Tube，CRT）显示器，由于其体积庞大与耗电量大，而且所产生的辐射对于长时间使用显示器的使用者而言，有危害身体的问题。因此，现今市面上的显示器渐渐将由液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）取代旧有的CRT 显示器，而随着尺寸不停的做大，电极导线的延迟成了急需解决的问题，金属结构导线的开发应运而生。
金属结构导线常用于薄膜晶体管中，可作为栅极电极、栅极线、数据线、 源极/漏极等。目前，在薄膜晶体管（Thin-film transistor，TFT）中，金属结构经常采用多金属层结构。
 技术问题
但多金属层结构容易产生一些问题，以CuMu金属结构为例，对现有的CuMo金属结构来说，存在以下问题由于Cu和Mo在电解质溶液中的电势电位差异，不可避免会形成电化学腐蚀，进而产生电偶腐蚀，因为CuMo电偶腐蚀会导致Cu掏空及性能下降现象，Cu掏空会导致药液残留，形成铜离子溶液影响沟道，此外，严重的掏空或性能下降有断膜及产生静电释放ESD（Electro-Static discharge，ESD）风险。
 技术解决方案
本发明实施例提供一种金属结构湿制程处理方法、TFT制备方法、TFT及显示装置，降低腔室及溶液中O 2和CO 2的含量，使得“氧浓差电池”效应减弱；另一方面降低CO 2含量，使溶液PH值更接近中性，从而减慢腐蚀产物的溶解，达到减弱金属结构电偶腐蚀目的。
为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种金属结构湿制程处理方法，所述方法包括：
对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量；
在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液。
在本申请一些实施例中，所述对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量，包括：
对湿制程设备的腔室进行抽真空及密封，降低所述腔室内空气含量，以降低所述腔室内O 2和CO 2含量。
在本申请一些实施例中，所述对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量，包括：
向所述腔室内充入第一不活泼气体，使所述腔室内形成正压，以防止喷淋金属结构湿制程的溶液时，空气中的O 2和CO 2进入所述腔室内溶解于金属结构湿制程的溶液中。
在本申请一些实施例中，所述第一不活泼气体包括氮气或氩气。
在本申请一些实施例中，所述方法还包括：
在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，在所述金属结构湿制程的溶液中充入第二不活泼气体以置换金属结构湿制程的溶液中的O 2和CO 2，降低O 2和CO 2在所述金属结构湿制程的溶液中的溶解量。
在本申请一些实施例中，所述方法还包括：
在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，在所述腔室内加入气体消除剂，以降低所述腔室内O 2或CO 2含量。
在本申请一些实施例中，所述气体消除剂为脱氧剂或脱二氧化碳剂。
在本申请一些实施例中，所述方法还包括：
在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，搅拌所述金属结构湿制程的溶液，以加快所述金属结构湿制程的溶液中O 2的迁移。
在本申请一些实施例中，所述金属结构为内部结构存在电位差异易引起腐蚀的多金属层结构。
在本申请一些实施例中，所述金属结构为Mo/Cu金属结构、Mo/Al/Mo金属结构、Mo/Al金属结构、Nb/Cu金属结构、Ti/Cu金属结构或者Ni/Cu金属结构。
第二方面，本申请还提供一种TFT制备方法，所述TFT制备方法包括金属结构湿制程处理方法，所述金属结构湿制程处理方法包括：
对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量；
在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液。
在本申请一些实施例中，所述对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量，包括：
对湿制程设备的腔室进行抽真空及密封，降低所述腔室内空气含量，以降低所述腔室内O 2和CO 2含量。
在本申请一些实施例中，所述对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量，包括：
向所述腔室内充入第一不活泼气体，使所述腔室内形成正压，以防止喷淋金属结构湿制程的溶液时，空气中的O 2和CO 2进入所述腔室内溶解于金属结构湿制程的溶液中。
在本申请一些实施例中，所述方法还包括：
在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，在所述金属结构湿制程的溶液中充入第二不活泼气体以置换金属结构湿制程的溶液中的O 2和CO 2，降低O 2和CO 2在所述金属结构湿制程的溶液中的溶解量。
在本申请一些实施例中，所述方法还包括：
在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，在所述腔室内加入气体消除剂，以降低所述腔室内O 2或CO 2含量。
在本申请一些实施例中，所述气体消除剂为脱氧剂或脱二氧化碳剂。
在本申请一些实施例中，所述方法还包括：
在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，搅拌所述金属结构湿制程的溶液，以加快所述金属结构湿制程的溶液中O 2的迁移。
在本申请一些实施例中，所述金属结构为内部结构存在电位差异易引起腐蚀的多金属层结构。
在本申请一些实施例中，所述金属结构为Mo/Cu金属结构、Mo/Al/Mo金属结构、Mo/Al金属结构、Nb/Cu金属结构、Ti/Cu金属结构或者Ni/Cu金属结构。
第三方面，本申请还提供一种TFT，所述TFT采用如第二方面中所述的TFT制备方法制备得到。
第四方面，本申请还提供一种显示装置，所述显示装置中包括如第三方面所述的TFT。
 有益效果
本发明实施例方法通过对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低腔室内O2或/且CO2含量；在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液，一方面降低腔室及溶液中O 2含量，使得“氧浓差电池”效应减弱；另一方面降低了CO 2含量，使溶液PH值更接近中性，从而减慢腐蚀产物的溶解，达到减弱金属结构电偶腐蚀目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有Cu制程中Cu/Mo金属结构，由于Cu和Mo在电解质溶液中的腐蚀电位差异，不可避免会形成电化学腐蚀，形成Cu掏空的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的金属结构湿制程处理方法的一个实施例流程示意图；
图3是本发明实施例提供的金属结构湿制程处理方法的另一个实施例流程示意图；
图4是Cu/Mo金属结构吸氧腐蚀、“氧浓差电池”效应的原理示意图。
 本发明的实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
目前，在薄膜晶体管（Thin-film transistor，TFT）中，金属结构经常采用多金属层结构，但多金属层结构容易产生一些问题，以Cu/Mu金属结构为例，对现有的Cu/Mo金属结构来说，存在以下问题由于Cu和Mo在电解质溶液中的电势电位差异，不可避免会形成电化学腐蚀，进而产生电偶腐蚀，因为Cu/Mo电偶腐蚀会导致Cu掏空及性能Undercut现象，如图1所示， 图中圆圈部分出现Cu掏空，Cu掏空会导致药液残留，形成铜离子溶液影响沟道，此外，严重的掏空或性能下降有断膜及产生静电释放ESD（Electro-Static discharge，ESD）风险。
基于此，本发明实施例中提供一种金属结构湿制程处理方法、TFT制备方法、TFT及显示装置，以下分别进行详细说明。
首先，本发明实施例中提供一种金属结构湿制程处理方法，该方法包括：对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量，在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液。
如图2所示，为本发明实施例中金属结构湿制程处理方法的一个实施例流程示意图，该方法包括：
201、对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量。
湿制程作为制作电路板过程中的制作工序，是将处理液，如各种化学药液或水喷洒于电路基板表面，以实现除胶渣、化学铜、镀通孔、蚀刻、显影、剥膜、镀有机保护膜、表面改性或清洗等工艺流程。湿制程设备就是执行湿制程的设备，湿制程设备内部的配件为湿制程设备配件。在制造显示面板的过程中，有多道制程会使用到湿制程设备，湿制程设备主要是让基板承载于一输送带上，并经由传动机构(roller)的传动，让基板经过喷洒药液或水液的湿区间，以让喷洒的液体均匀冲刷该基板，而依据喷洒的液体的不同，即可以对基板进行不同的湿制程处理作业。本发明实施例中，湿制程及湿制程设备可以是上述任一描述的湿制程对应的湿制程设备，包括但不限于除胶渣、化学铜、镀通孔、蚀刻、显影、剥膜、镀有机保护膜、表面改性或清洗等工艺流程及各工艺流程对应的湿制程设备。
本发明实施例中湿制程设备的腔室是后续对包括金属结构的待处理基板进行湿制程的腔室。
202、在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液。
本发明实施例方法通过对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低腔室内O 2或/且CO 2含量；在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液，一方面降低腔室及溶液中O 2含量，使得“氧浓差电池”效应减弱；另一方面降低了CO 2含量，使溶液PH值更接近中性，从而减慢腐蚀产物的溶解，达到减弱金属结构电偶腐蚀目的。
本发明实施例中，步骤201中对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量可以包括一种或多种实现方式，具体如下：
（1）对湿制程设备的腔室进行抽真空及密封，降低所述腔室内空气含量，以降低所述腔室内O 2和CO 2含量。
（2）向所述腔室内充入第一不活泼气体，使所述腔室内形成正压，以防止喷淋金属结构湿制程的溶液时，空气中的O 2和CO 2进入所述腔室内溶解于金属结构湿制程的溶液中。
（3）在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，在所述金属结构湿制程的溶液中充入第二不活泼气体以置换金属结构湿制程的溶液中的O 2和CO 2，降低O 2和CO 2在所述金属结构湿制程的溶液中的溶解量。
如图3所示，为本发明实施例中金属结构湿制程处理方法的另一个实施例流程示意图，该方法包括：
301、对湿制程设备的腔室进行抽真空及密封，以降低所述腔室内空气含量。
302、向所述腔室内充入第一不活泼气体，使所述腔室内形成正压，以防止空气中的O 2和CO 2进入所述腔室内溶解于金属结构湿制程的溶液中。
具体的，本发明实施例中所描述的第一不活泼气体可以包括一种或多种不活泼气体，例如氩气和氮气等，该第一不活泼气体可以为惰性气体也可以为当前环境下的不活泼气体，例如常温下化学性质不活泼的气体，例如氮气等。
303、在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液。
一般情况下，在显示面板的制备过程中，会在基板上形成金属结构，例如栅极电极、栅极线、数据线、源极/漏极等，然后根据需要会对包括金属结构的待处理基板进行如上所述的一些湿制程工艺。本发明实施例中金属结构为多层金属结构，具体的，该金属结构为内部结构存在电位差异易引起腐蚀的多金属层结构，因为该金属结构中内部不同层的金属结构存在电位差，易引起腐蚀，此种情况需要避免，具体的，例如，所述金属结构可以为Cu/Mo金属结构、Mo/Al/Mo金属结构、Al/Mo金属结构、Cu/Nb金属结构、Cu/Ti金属结构或者Cu/Ni金属结构等。
本发明实施例中，金属结构湿制程的溶液根据湿制程的不同，可以是蚀刻液、纯水或剥离液等，具体可以根据具体湿制程的情况而定，此处不作详细描述。
常规场景下，金属结构在湿制程中易发生吸氧腐蚀，在腐蚀缝隙内外产生“氧浓差电池”效应加剧腐蚀，其中，“氧浓差电池”效应即氧浓差电池腐蚀，  金属结构的不同部位与含氧量不同的溶液相接触，形成氧浓差电池(又称充气不均匀电池)而导致的腐蚀，例如，由于金属结构腐蚀缝隙内外氧气不均匀，由于缝隙小，氧没法很容易进入腐蚀缝隙内，但缝隙外部的氧却能保证充足供应，这样的“不均衡”，导致了缝隙内/外形成了“氧浓差电池”，缝隙外氧浓度高，为阴极，缝隙内氧浓度低，为阳极，这样就使得缝隙内的金属加快腐蚀，不断消耗。如图4所示，以Cu/Mo金属结构为例，具体腐蚀原理如下：
O 2+H 2O+4e -→4OH -；
Cu→CU 2++2e -；
Cu+H 2O+CO 2+O 2=Cu 2（OH） 2CO 3；
Cu金属和Mo金属结合处为Cu/Mo合金，Cu/Mo合金不同部位与含氧量不同（例如有的部位缺氧，有的部位富氧）的溶液相接触，形成氧浓差电池(又称充气不均匀电池)而导致腐蚀。
本发明实施例中通过对腔室进行抽真空及密封，以及向腔室内充入第一不活泼气体，使腔室内形成正压，一方面降低腔室及溶液中O 2含量，使得整体溶液中氧气含量都低，“氧浓差电池”效应减弱；另一方面降低了CO 2含量，使溶液PH值更接近中性，从而减慢腐蚀产物的溶解，达到减弱金属结构电偶腐蚀目的。
在本发明一些实施例中，本发明实施例中金属结构湿制程处理方法还可以进一步包括：在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，在所述金属结构湿制程的溶液中充入第二不活泼气体以置换金属结构湿制程的溶液中的O 2和CO 2，降低O 2和CO 2在所述金属结构湿制程的溶液中的溶解量。通过在所述金属结构湿制程的溶液中充入第二不活泼气体，降低了O 2和CO 2在所述金属结构湿制程的溶液中的溶解量，使得后续喷淋所述金属结构湿制程的溶液时，可以进一步减弱“氧浓差电池”效应，以及减弱金属结构电偶腐蚀。
同样的，本发明实施例中所描述的第二不活泼气体可以包括一种或多种不活泼气体，例如氩气和氮气等，该第二不活泼气体可以为惰性气体也可以为当前环境下的不活泼气体，例如常温下化学性质不活泼的气体，例如氮气等。具体的，该第二不活泼气体可以与第一不活泼气体相同，也可以不同，具体可以根据实际应用场景确定，此处不作限定。
在本发明实施例具体实施时，为了进一步降低所述腔室内O 2或CO 2含量，在本发明一些实施例中，本发明实施例中金属结构湿制程处理方法还可以进一步包括：在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，在所述腔室内加入气体消除剂，以降低所述腔室内O 2或CO 2含量。通过气体消除剂消除所述腔室内O 2或CO 2，以降低所述腔室内O 2或CO 2含量。进一步的，所述气体消除剂可以为脱氧剂或脱二氧化碳剂。
其中，脱氧剂用于消除所述腔室内O 2，脱氧剂又名去氧剂、吸氧剂，是可吸收氧气的添加剂。它是一组易与游离氧或溶解氧起反应的化学混合物，把它装在有一定透气度和强度的密封空间中，能除去密封空间中残留在空气中的氧。目前脱氧剂不但用来保持食品品质，而且也用于谷物、饲料、药品、衣料、皮毛、精密仪器等类物品的保存、防锈、防氧化等。脱氧剂根据其组成可分为两种：（1）是以无机基质为主体的脱氧剂，如还原铁粉。其原理是铁粉在氧气和水蒸气的存在下，被氧化成氢氧化铁。又如亚硫酸盐系脱氧剂，它是以连二亚硫酸盐为主剂，以Ca(OH) 2和活性碳为副剂，在有水的环境中进行反应。（2）是以有机基质为主体，如酶类、抗坏血酸、油酸等。抗坏血酸（AA）本身是还原剂，在有氧的情况下，用铜离子作催化剂可被氧化或脱氢抗坏血酸（DHAA），从而除去环境中的氧，常用此法来除去液态食品中的氧，抗坏血酸脱氧剂是目前使用脱氧剂中安全性较高一种，酶系脱氧剂常用的是葡萄糖氧化醇，是利用葡萄糖氧化成葡萄糖酸时消耗氧来达到脱氧目的的。本发明实施例中脱氧剂可以采用上述两种类型的脱氧剂，具体此处不作限定。
而脱二氧化碳剂又叫二氧化碳脱除剂，用于脱除所述腔室内的CO 2，本发明实施例中脱二氧化碳剂可以采用如氧化钙、氢氧化钙、氢氧化钠、碱石灰等。需要说明的是，在本发明一些实施方式中，脱氧剂或脱二氧化碳剂需要采用在当前环境下与金属结构湿制程的溶液不发生反应的材料。另外，脱氧剂可以是多种脱氧剂的结合，即本发明实施例中脱氧剂可以包括多种脱氧剂，同样的，脱二氧化碳剂可以是多种脱二氧化碳剂的结合，即本发明实施例中脱二氧化碳剂可以包括多种脱二氧化碳剂，具体此处不作限定。
在本发明另一些实施例中，同样为了进一步降低所述腔室内O 2或CO 2含量，本发明实施例中金属结构湿制程处理方法还可以包括：在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，搅拌所述金属结构湿制程的溶液，以加快所述金属结构湿制程的溶液中O 2的迁移。通过搅拌金属结构湿制程的溶液加快金属结构湿制程的溶液中存在的O 2的迁移逸出，从而进一步降低腐蚀缝隙内外的O 2浓度差，从而减弱“氧浓差电池”效应。
下面结合具体实验验证结果进行说明，假设金属结构湿制程的溶液为纯水，以CuMo金属结构为例，通过发明人的实验分析，在湿制程之前，CuMo金属结构缝隙很小，界面只会轻微分离，经过湿制程纯水浸泡1h（小时）后，CuMo金属结构中缝隙大小变为长710nm，高度118nm，缝隙增大明显，“氧浓差电池”效应较强，电偶腐蚀也较强。而采用本实施例中采用N 2排除空气中的O 2和CO 2之后，再经过湿制程纯水浸泡1h后，CuMo金属结构中缝隙大小变为长186nm，高度38nm，缝隙大大减少，证明“氧浓差电池”效应和电偶腐蚀较直接纯水浸泡大大降低，实现了“氧浓差电池”效应减弱，金属结构电偶腐蚀减弱的目的。
薄膜晶体管（Thin-film transistor，TFT）是场效应晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体主动层、介电层和金属电极层等。薄膜晶体管对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。
为了更好实施本发明实施例中金属结构湿制程处理方法，在金属结构湿制程处理方法基础之上，本发明实施例中还提供一种TFT制备方法，所述TFT制备方法包括如上述实施例中任一所述的金属结构湿制程处理方法。
通过采用如上实施例中描述的金属结构湿制程处理方法，进一步提升了该TFT制备方法制备的TFT器件的性能。
为了更好实施本发明实施例中TFT制备方法，在TFT制备方法基础之上，本发明实施例中还提供一种TFT，所述TFT采用上述TFT制备方法制备得到。
通过采用如上实施例中描述的TFT制备方法，进一步提升了该TFT制备方法制备的TFT器件的性能。
为了更好实施本发明实施例中TFT，在TFT基础之上，本发明实施例中还提供一种显示装置，所述显示装置中包括上述实施例中描述的TFT。
通过采用如上实施例中描述的TFT，进一步提升了该显示装置的显示性能。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。
具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的一种金属结构湿制程处理方法、TFT制备方法、TFT及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (20)

  1. 一种金属结构湿制程处理方法，其中，所述方法包括：
    对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量；
    在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液。
  2. 根据权利要求1所述的金属结构湿制程处理方法，其中，所述对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量，包括：
    对湿制程设备的腔室进行抽真空及密封，降低所述腔室内空气含量，以降低所述腔室内O 2和CO 2含量。
  3. 根据权利要求1所述的金属结构湿制程处理方法，其中，所述对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量，包括：
    向所述腔室内充入第一不活泼气体，使所述腔室内形成正压，以防止喷淋金属结构湿制程的溶液时，空气中的O 2和CO 2进入所述腔室内溶解于金属结构湿制程的溶液中。
  4. 根据权利要求3所述的金属结构湿制程处理方法，其中，所述第一不活泼气体包括氮气或氩气。
  5. 根据权利要求1所述的金属结构湿制程处理方法，其中，所述方法还包括：
    在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，在所述金属结构湿制程的溶液中充入第二不活泼气体以置换金属结构湿制程的溶液中的O 2和CO 2，降低O 2和CO 2在所述金属结构湿制程的溶液中的溶解量。
  6. 根据权利要求1所述的金属结构湿制程处理方法，其中，所述方法还包括：
    在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，在所述腔室内加入气体消除剂，以降低所述腔室内O 2或CO 2含量。
  7. 根据权利要求6所述的金属结构湿制程处理方法，其中，所述气体消除剂为脱氧剂或脱二氧化碳剂。
  8. 根据权利要求1所述的金属结构湿制程处理方法，其中，所述方法还包括：
    在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，搅拌所述金属结构湿制程的溶液，以加快所述金属结构湿制程的溶液中O 2的迁移。
  9. 根据权利要求1所述的金属结构湿制程处理方法，其中，所述金属结构为内部结构存在电位差异易引起腐蚀的多金属层结构。
  10. 根据权利要求9所述的金属结构湿制程处理方法，其中，所述金属结构为Mo/Cu金属结构、Mo/Al/Mo金属结构、Mo/Al金属结构、Nb/Cu金属结构、Ti/Cu金属结构或者Ni/Cu金属结构。
  11. 一种TFT制备方法，其中，所述TFT制备方法包括金属结构湿制程处理方法，所述金属结构湿制程处理方法包括：
    对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量；
    在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液。
  12. 根据权利要求11所述的TFT制备方法，其中，所述对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量，包括：
    对湿制程设备的腔室进行抽真空及密封，降低所述腔室内空气含量，以降低所述腔室内O 2和CO 2含量。
  13. 根据权利要求11所述的TFT制备方法，其中，所述对湿制程设备的腔室中气体或液体进行处理，以降低所述腔室内O 2或/且CO 2含量，包括：
    向所述腔室内充入第一不活泼气体，使所述腔室内形成正压，以防止喷淋金属结构湿制程的溶液时，空气中的O 2和CO 2进入所述腔室内溶解于金属结构湿制程的溶液中。
  14. 根据权利要求11所述的TFT制备方法，其中，所述方法还包括：
    在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，在所述金属结构湿制程的溶液中充入第二不活泼气体以置换金属结构湿制程的溶液中的O 2和CO 2，降低O 2和CO 2在所述金属结构湿制程的溶液中的溶解量。
  15. 根据权利要求11所述的金属结构湿制程处理方法，其中，所述方法还包括：
    在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，在所述腔室内加入气体消除剂，以降低所述腔室内O 2或CO 2含量。
  16. 根据权利要求15所述的金属结构湿制程处理方法，其中，所述气体消除剂为脱氧剂或脱二氧化碳剂。
  17. 根据权利要求11所述的金属结构湿制程处理方法，其中，所述方法还包括：
    在所述腔室内向包括金属结构的待处理基板上喷淋所述金属结构湿制程的溶液之前，搅拌所述金属结构湿制程的溶液，以加快所述金属结构湿制程的溶液中O 2的迁移。
  18. 根据权利要求11所述的金属结构湿制程处理方法，其中，所述金属结构为内部结构存在电位差异易引起腐蚀的多金属层结构。
  19. 根据权利要求18所述的金属结构湿制程处理方法，其中，所述金属结构为Mo/Cu金属结构、Mo/Al/Mo金属结构、Mo/Al金属结构、Nb/Cu金属结构、Ti/Cu金属结构或者Ni/Cu金属结构。
  20. 一种TFT，其中，所述TFT采用如权利要求11所述的TFT制备方法制备得到。
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