WO2020179759A1 - 成形はんだおよびその製造方法、並びにはんだ接合方法 - Google Patents

成形はんだおよびその製造方法、並びにはんだ接合方法 Download PDF

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WO2020179759A1
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solder
phase
melting point
molded
powder
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PCT/JP2020/008801
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坂本 伊佐雄
健 中野
裕亮 谷口
清田 達也
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株式会社タムラ製作所
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/40Making wire or rods for soldering or welding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
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    • B23K35/26Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C13/00Alloys based on tin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C28/00Alloys based on a metal not provided for in groups C22C5/00 - C22C27/00

Definitions

  • the present invention relates to a molded solder, a method for producing the same, and a solder joining method.
  • the forming solder is formed into various shapes such as a circular shape, a rectangular shape or a washer shape according to the shape of the soldering portion.
  • a mixed mother alloy containing high melting point metal particles, a liquid flux and a solder alloy is put into molten solder, stirred and then cast into a mold, and then formed from a billet obtained by rapid cooling.
  • Has been proposed see Patent Document 1).
  • Molded solder is solder-bonded by reflow processing, etc., but it is desirable that the solder melting point is low in order to reduce the load on the mounted parts.
  • devices using molded solder are often used in situations where they are exposed to high temperatures, so it is desirable that the solder has a high melting point. That is, it is desirable to use a molding solder that can raise the melting point of the solder at the same time as lowering the temperature of the reflow treatment, but these requirements are in a trade-off relationship, so it was difficult to satisfy them at the same time.
  • the present invention is capable of solder joining, and after solder joining, provides a forming solder that becomes a solder alloy having a melting point higher than the processing temperature at the time of solder joining, and a method for manufacturing the forming solder, and a solder joining method. With the goal.
  • the forming solder of the present invention is a forming solder containing a solder alloy and a high melting point metal having a melting point higher than the melting point of the solder alloy, wherein a cross section of the forming solder is measured by an energy dispersive X-ray spectrometer.
  • the cross section of the molded solder the first phase consisting of a solder alloy, a second phase consisting of a high melting point metal, and a third phase consisting of a solder alloy and a high melting point metal, the first phase,
  • the area ratio of one phase is 15% or more with respect to 100% of the total area of the first phase, the second phase and the third phase, and the area ratio of the second phase is the first phase. , 25% or more with respect to 100% of the total area of the second phase and the third phase.
  • the area ratio of the third phase is preferably 60% or less with respect to 100% of the total area of the first phase, the second phase and the third phase.
  • the solder alloy contains tin and has a melting point of 230° C. or less, and the high melting point metal can form a solder alloy with tin, and has a melting point of 300. It is preferably a metal having a temperature of ° C or higher.
  • the method for producing a molded solder of the present invention is a method for producing a molded solder for producing the molded solder, wherein the solder powder comprising the solder alloy and the high melting point metal powder comprising the high melting point metal are electrically conductive. This method is characterized in that the powder is compressed to form a molded solder.
  • a powder filling section is formed on the first pressure plate by using a molding device capable of compression molding powder between the first pressure plate and the second pressure plate. It is preferable to include a step, a step of filling the powder filling portion with the conductive powder, and a step of compressing the conductive powder with the second pressure plate to form a molded solder.
  • the refractory metal powder has an average particle size of 0.1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the temperature at which the conductive powder is compressed is preferably ⁇ 5 ° C. or lower.
  • the solder joining method of the present invention is a method characterized by using the above-mentioned forming solder.
  • the molded solder of the present invention solder bonding is possible, and after solder bonding, the reason why the solder alloy has a melting point higher than the processing temperature at the time of solder bonding is not always clear, but the present inventors Infer as follows. That is, the molded solder of the present invention is not composed of a single solder alloy, but is composed of a first phase composed of a solder alloy, a second phase composed of a refractory metal, and a third phase composed of a solder alloy and a refractory metal. It has three phases in a specific proportion.
  • soldering when soldering is performed by a reflow process or the like, the presence of a certain amount of the first phase makes the first phase molten solder, which enables solder joining.
  • the refractory metal diffuses into the molten solder due to reflow treatment, etc., so that a new solder alloy (three phases consisting of the solder alloy and the refractory metal) is formed.
  • the solder is formed by the second phase and the third phase.
  • the molded solder as described above can be produced, for example, by compressing a mixed powder containing a solder powder made of a solder alloy and a refractory metal powder made of a refractory metal. The inventors speculate that the reason for this is as follows. That is, when the mixed powder containing the solder powder (large particles in FIG. 1A) and the refractory metal powder (small particles in FIG. 1A) shown in FIG.
  • the solder powder and the refractory metal powder and the high melting point are as shown in FIG. 1B. While the metal powder is deformed, each powder is crimped to each other. At this time, at the portion where the solder powder and the refractory metal powder are in contact with each other, the refractory metal diffuses into the solder alloy and becomes the third phase P3. Further, the portion made of the solder powder becomes the first phase P1, and the portion made of the refractory metal powder becomes the second phase P2.
  • the solder alloy and the refractory metal easily interact with each other, and because of the high temperature, the refractory metal diffuses and the solder alloy Most are third phase P3.
  • the molded solder having the first phase, the second phase and the third phase in a specific ratio can be manufactured.
  • the solder joining is possible, and after the solder joining, the present inventors will be a solder alloy having a melting point higher than the processing temperature during the solder joining. Guess.
  • solder joining it is possible to perform solder joining, and after solder joining, a forming solder that becomes a solder alloy having a melting point higher than the processing temperature at the time of solder joining, and a method of manufacturing the forming solder, and a solder joining method are provided. it can.
  • the forming solder of the present embodiment contains a solder alloy and a refractory metal having a melting point higher than that of the solder alloy. Then, the cross section of the forming solder is subjected to elemental analysis by an energy dispersive X-ray spectroscope (in some cases, referred to as "EDS"), and the cross section of the forming solder is made of a first phase made of a solder alloy and a refractory metal When classified into the second phase and the third phase composed of a solder alloy and a refractory metal, it is necessary to satisfy the following conditions (i) and (ii).
  • EDS energy dispersive X-ray spectroscope
  • condition (iii) The area ratio of the first phase is 15% or more with respect to 100% of the total area of the first phase, the second phase and the third phase.
  • the area ratio of the first phase is 20% or more and 60% or more with respect to 100% of the total area of the first phase, the second phase and the third phase. It is preferably not more than 25%, more preferably not less than 25% and not more than 55%, still more preferably not less than 30% and not more than 50%, particularly preferably not less than 35% and not more than 45%.
  • the area ratio of the second phase is 28% or more and 60% or more with respect to 100% of the total area of the first phase, the second phase and the third phase. It is preferably the following or less, more preferably 32% or more and 55% or less, still more preferably 36% or more and 50% or less, and particularly preferably 40% or more and 45% or less.
  • the area ratio of the third phase exceeds 60%, the solder bondability tends to be insufficient.
  • the area ratio of the third phase is 5% or more and 55% or more with respect to 100% of the total area of the first phase, the second phase and the third phase. It is more preferably 10% or more and 50% or less, and particularly preferably 15% or more and 30% or less.
  • Elemental analysis by an energy dispersive X-ray spectroscope can be performed using an energy dispersive X-ray spectroscope equipped with a scanning electron microscope or the like and an analyzer.
  • the scanning electron microscope the energy dispersive X-ray spectroscope, and the analyzer, known devices can be appropriately used.
  • the scanning electron microscope include “FE-SEM JSM-7001F” manufactured by JEOL Ltd.
  • Examples of the energy dispersive X-ray spectrometer and analyzer include "EDS NoranSystem 7" manufactured by Thermo Fisher Scientific.
  • Examples of the method for adjusting the area ratio of the first phase, the second phase, and the third phase within the above-mentioned range include the following methods.
  • the first phase and the second phase can be adjusted by changing the compounding ratio of the solder alloy and the refractory metal.
  • the ratio of the third phase increases as the diffusion of the refractory metal into the first phase progresses.
  • the ratio of the first phase and the second phase decreases.
  • the diffusion of the high melting point metal into the first phase tends to proceed when pressure or temperature is applied to the solder alloy and the high melting point metal, for example, and particularly when the solder is melted There is a tendency.
  • the area ratio of the first phase, the second phase and the third phase can be easily adjusted within the above range.
  • solder alloy used in the present embodiment is preferably a solder alloy containing tin (Sn), and more preferably a solder alloy containing tin as a main component.
  • Tin can form various solder alloys with other elements, and for example, the melting point of the solder alloy can be changed by changing the type and ratio of other elements. Then, for example, as the solder alloy, it is preferable to use a solder alloy whose melting point is low, but the melting point is increased by adding a refractory metal as another element.
  • the melting point of the solder alloy is preferably 230° C. or lower, more preferably 100° C. or higher and 180° C. or lower, and 100° C. or higher and 150° C.
  • solder alloy examples include silver (Ag), copper (Cu), zinc (Zn), bismuth (Bi), indium (In), antimony (Sb), and the like. Further, other element (third element or later) may be added to this alloy, if necessary. Other elements include copper, silver, bismuth, antimony, aluminum (Al), indium and the like.
  • solder alloy examples include Sn-In-based solder alloy, Sn-Ag-based solder alloy, Sn-Ag-Cu-based solder alloy, Sn-Cu-based solder alloy, Sn-Ag-Bi-based solder alloy, and Sn-Bi-based.
  • Solder alloys Sn-Ag-Cu-Bi type solder alloys, Sn-Sb type solder alloys, Sn-Zn-Bi type solder alloys, Sn-Zn type solder alloys, Sn-Zn-Al type solder alloys, Sn-Ag- Examples thereof include Bi—In based solder alloys and Sn—Ag—Cu—Bi—In—Sb based solder alloys.
  • the refractory metal used in this embodiment is a metal having a melting point higher than that of the solder alloy.
  • the high melting point metal may be a solder alloy having a melting point higher than that of the solder alloy.
  • the melting point of the high melting point metal is preferably 200° C. or higher, and more preferably 300° C. or higher.
  • Examples of the high melting point metal include copper, silver, gold, Sn—Ag—Cu solder alloy, and Sn—Sb solder alloy.
  • Examples of the combination of the solder alloy and the refractory metal in the present embodiment include a combination of a Sn—In based solder alloy and copper, a combination of a Sn—In based solder alloy and a Sn—Ag—Cu based solder alloy, and a Sn—Ag.
  • Examples include a combination of a Cu-based solder alloy and copper, a combination of tin and copper, and the like.
  • the method for manufacturing the molded solder of the present embodiment is characterized in that the conductive powder containing the solder powder composed of the solder alloy and the high melting point metal powder composed of the high melting point metal is compressed to form the molded solder. Is the method. In this embodiment, since the molten solder is not formed by heat treatment but the powder is formed by compression, the refractory metal does not diffuse too much into the solder alloy.
  • the first phase made of the solder alloy can be left to some extent, and a molded solder satisfying the above condition (i) and the like can be obtained.
  • a known compression device can be appropriately adopted.
  • the compression device include a compression device having a rolling roll and a compression device having a flat plate (such as a briquette machine).
  • a molding device (briquette machine) capable of compression-molding powder between the first pressure plate 11 and the second pressure plate 12 is used. I will explain.
  • the method of manufacturing the molded solder of the present embodiment includes a step of forming the powder filling portion 13 on the first pressure plate 11 (filling portion forming step) and a step of forming the powder filling portion 13.
  • the powder filling portion 13 is formed on the first pressure plate 11.
  • the powder filling portion 13 is formed by disposing the tubular member 8 shown in FIG. 3B on the first pressure plate 11 shown in FIG. 3A.
  • Two or more tubular members 8 may be used. Thereby, two or more forming solders 3a can be simultaneously produced.
  • the shape of the tubular member 8 is not particularly limited.
  • the powder filling portion 13 is formed by the tubular member 8 and the first pressure plate 11. That is, the inner shape of the tubular member 8 is the shape of the obtained molded solder 3a.
  • the material of the tubular member 8 is not particularly limited.
  • the material of the tubular member 8 is, for example, aluminum, stainless steel, and the like.
  • the thickness of the tubular member 8 is not particularly limited, but is usually 100 ⁇ m or more and 5000 ⁇ m or less.
  • the thickness of about 70% or more and 100% or less of the thickness of the tubular member 8 is the thickness of the obtained molded solder 3a.
  • the thickness of the obtained molded solder 3a becomes thin. That is, by adjusting the thickness and the material of the tubular member 8, the thickness of the obtained molded solder 3a can be adjusted.
  • the thickness of the tubular member 8 is more preferably 200 ⁇ m or more, further preferably 300 ⁇ m or more, and particularly preferably 400 ⁇ m or more, from the viewpoint of increasing the thickness of the molding solder 3a.
  • the thickness of the tubular member 8 is more preferably 1000 ⁇ m or less, further preferably 500 ⁇ m or less, and more preferably 200 ⁇ m from the viewpoint of workability and the viewpoint of making the thickness of the molding solder 3a thinner. The following is particularly preferable.
  • solder powder filling process In the solder powder filling step, as shown in FIG. 3C, the powder filling portion 13 is filled with the conductive powder 3.
  • the conductive powder 3 is filled in a larger volume than the volume of the powder filling portion 13. By doing so, the conductive powder 3 can be more reliably compression-molded.
  • the conductive powder 3 used in this embodiment contains solder powder made of the solder alloy and refractory metal powder made of the refractory metal. The solder alloy and the refractory metal are as described above.
  • the average particle diameter of the solder powder is preferably 1 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less, more preferably 2 ⁇ m or more and 35 ⁇ m or less, and particularly preferably 3 ⁇ m or more and 25 ⁇ m or less.
  • the average particle size can be measured by a dynamic light scattering type particle size measuring device.
  • the average particle diameter of the high melting point metal powder is preferably 0.1 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less, more preferably 0.5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, still more preferably 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, and 2 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less. Is particularly preferable.
  • the average particle diameter of the refractory metal powder is within the above range, the refractory metal can be diffused into the solder alloy during solder joining, and the melting point of the solder alloy after solder joining can be further increased.
  • the conductive powder 3 is compressed by the second pressure plate 12, and the forming solder 3a is formed as shown in FIG. 3E.
  • the load at the time of molding is preferably 100 kN or more and 1000 kN or less, more preferably 150 kN or more and 500 kN or less, and particularly preferably 200 kN or more and 400 kN or less, from the viewpoint of obtaining an appropriate molded solder.
  • the molding time is not particularly limited, but is usually 10 seconds or more and 120 seconds or less.
  • the temperature during molding is not particularly limited, but is usually 15° C. or higher and 40° C. or lower.
  • the molded solder 3a thus obtained can be taken out and used as shown in FIG. 3F.
  • a release agent treatment may be performed before the solder powder filling step.
  • the release agent include a fluorine-based release agent and a silicone-based release agent.
  • solder joining method Next, a solder joining method using the molded solder of the present embodiment will be described.
  • An example of the solder joining method of this embodiment is as follows. First, a semiconductor element such as a Si element and a SiC element is prepared, flux is applied on a DCB (Direct Copper Bond) substrate, and the molding solder of this embodiment is placed on the DCB (Direct Copper Bond) substrate. Next, a flux is further applied to the surface of the forming solder (the surface which is not in contact with the DCB substrate), the semiconductor element is placed on this, and this is heated at a temperature higher than the melting point of the solder powder used for forming the forming solder. , The semiconductor element is soldered on the DCB substrate. Flux may be applied to both sides of the molded solder of the present embodiment in advance.
  • the heating temperature at the time of solder joining can be appropriately adjusted depending on the DCB substrate, the type of semiconductor element to be mounted, and the type of solder powder used for forming solder, but is preferably 150° C. or higher. Since the molded solder of the present embodiment does not involve heating during pressure molding, the high melting point metal powder has not yet been melted and diffused in the molded solder before solder joining, and the solder alloy has not had a high melting point. Therefore, when soldering is performed using the forming solder, the solder alloy contained therein can be sufficiently melted even at the heating temperature at the time of joining using a general lead-free solder having a peak temperature of about 250° C., for example.
  • the power semiconductor can be solder-bonded onto the DCB substrate even when heated at a peak temperature of about 250 ° C.
  • the solder alloy has a high melting point due to the heating at the time of solder joining. Therefore, after solder joining, the solder alloy has a melting point higher than the processing temperature at the time of solder joining, and a solder joint having high reliability can be provided.
  • the flux used in the above-described solder joining method examples include a flux containing a resin, a solvent, an activator, and a thixotropic agent.
  • the types of these components, the blending amounts, and the like can be appropriately adjusted.
  • the molded solder of the present embodiment can be soldered by using, for example, a reflow process.
  • a heat treatment is lower than the melting point of the high melting point metal, more preferably 200° C. or lower, and particularly preferably 190° C. or lower.
  • the heat treatment time is preferably 1 hour or more and 20 hours or less, more preferably 3 hours or more and 15 hours or less, and particularly preferably 5 hours or more and 12 hours or less.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and modifications and improvements within the range in which the object of the present invention can be achieved are included in the present invention.
  • the briquette machine is used in the method for manufacturing the molded solder, but the method is not limited to this.
  • a compression device including a rolling roll may be used in a method for producing molded solder.
  • the conductive powder containing the solder powder and the refractory metal powder can be compressed by a compression device equipped with a rolling roll to form a band-shaped forming solder.
  • the strip-shaped molded solder may be further compressed by a compression device provided with a rolling roll.
  • the load at the time of molding is preferably 10 kN or more and 100 kN or less, and more preferably 20 kN or more and 60 kN or less, from the viewpoint of obtaining an appropriate molding solder.
  • the temperature during molding is not particularly limited, but is preferably ⁇ 5° C. or lower, more preferably ⁇ 10° C. or lower, and particularly preferably ⁇ 20° C. or lower. If the temperature at the time of molding is equal to or lower than the above upper limit, it is possible to suppress excessive diffusion of refractory metal due to compression.
  • Example 1 As a conductive powder, a mixed powder containing 50 parts by mass of solder powder (Sn-50In, particle size: 15 to 25 ⁇ m) and 50 parts by mass of refractory metal powder (copper powder, average particle size: 3 ⁇ m) was prepared. .. Then, as shown in FIG. 3B, a tubular member 8 (washer, shape: circular, inner diameter: 15 mm, outer diameter: 23 mm, thickness: 200 ⁇ m) is arranged on the first pressure plate 11 to form the powder filling portion 13. Formed. Next, as shown in FIG. 3C, the prepared conductive powder 3 was filled.
  • solder powder Sn-50In, particle size: 15 to 25 ⁇ m
  • refractory metal powder copper powder, average particle size: 3 ⁇ m
  • the conductive powder 3 is compressed by the second pressure plate 12 under the condition of a load of about 300 kN for 30 seconds to form a molding solder as shown in FIGS. 3E and 3F.
  • the shape of the obtained molded solder was a circle with a diameter of 15 mm and a thickness of 200 ⁇ m.
  • the obtained molded solder was subjected to elemental analysis by an energy dispersive X-ray spectrometer. Specifically, first, "FE-SEM JSM-7001F” manufactured by JEOL Ltd. was used as a scanning electron microscope, and "Fermo Fisher Scientific” manufactured by Thermo Fisher Scientific Co., Ltd.
  • the cross section of the molded solder was classified into a first phase made of a solder alloy, a second phase made of a refractory metal, and a third phase made of a solder alloy and a refractory metal.
  • the obtained results are shown in FIG.
  • the cross section of the molded solder is classified into a first phase (Phase1) shown in blue, a second phase (Phase2) shown in yellow, and a third phase (Phase3) shown in red. ..
  • the area ratios of the first phase, the second phase and the third phase are calculated respectively, and the obtained results are shown in Table 1.
  • Example 2 As a conductive powder, a mixed powder containing 50 parts by mass of solder powder (Sn-50In, particle size: 15 to 25 ⁇ m) and 50 parts by mass of refractory metal powder (copper powder, average particle size: 3 ⁇ m) was prepared. .. Then, using a compression device equipped with a rolling roll (manufactured by Ohno Roll Co., Ltd., "Desktop type ⁇ 63 mm type 2 powder rolling mill"), the prepared conductive powder is compressed under the condition of a rolling load of about 40 kN to form a strip. Molded solder was produced. The thickness of the obtained strip-shaped molded solder was 200 ⁇ m.
  • the obtained strip-shaped molded solder was subjected to elemental analysis by an energy dispersive X-ray spectroscope in the same manner as in Example 1.
  • the obtained results are shown in FIG.
  • the area ratios of the first phase, the second phase and the third phase are calculated respectively, and the obtained results are shown in Table 1.
  • Example 3 Using a compression device equipped with a rolling roll (manufactured by Ohno Roll Co., Ltd., "Desktop type ⁇ 63 mm 2 type powder rolling mill"), the strip-shaped molded solder obtained in Example 2 is further compressed under the condition of a rolling load of about 25 kN. Then, a strip-shaped molded solder was produced. The thickness of the obtained strip-shaped molded solder was 100 ⁇ m. Further, the band-shaped molded solder thus obtained was subjected to elemental analysis by an energy dispersive X-ray spectrometer in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in FIG. Further, the area ratios of the first phase, the second phase and the third phase are calculated respectively, and the obtained results are shown in Table 1.
  • Example 1 The band-shaped forming solder obtained in Example 3 was further compressed under a rolling load of about 15 kN by using a compression device equipped with a rolling roll (Ono Roll Co., Ltd., "table type ⁇ 63 mm 2 type powder rolling machine"). Then, a band-shaped forming solder was produced. The thickness of the obtained strip-shaped molded solder was 75 ⁇ m. Further, the obtained strip-shaped molded solder was subjected to elemental analysis by an energy dispersive X-ray spectroscope in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in FIG. 7. Further, the area ratios of the first phase, the second phase, and the third phase were calculated, and the obtained results are shown in Table 1.
  • Bonding strength Flux (“TAF” manufactured by Tamura Corporation) is applied on the substrate, molded solder is placed, and a copper plate (5 mm x 5 mm) is placed, and the preheat temperature is 90 at 140 to 150 ° C. Reflow treatment was performed under conditions of a holding time of 200° C. or higher for 3 minutes for 120 seconds, a peak temperature of 250° C., and a test substrate was prepared. Then, using a shear tester (“Dage 4000” manufactured by Nordson DAGE, load cell: DS100), a shear test was performed in a state where the test substrate was heated to 150°C.
  • TAF Bonding strength Flux
  • the joint strength was evaluated according to the following criteria.
  • Example 4 Flux (manufactured by Tamura Corporation, "TAF") is applied on a DCB substrate, the molded solder obtained in Example 2 is placed on the DCB substrate, and the preheat temperature is maintained at 140 to 150 ° C. for 90 to 120 seconds at 200 ° C. or higher. A reflow process was performed under conditions of a peak temperature of 250° C. for 3 minutes to prepare a test substrate. This test substrate was heat-treated at a temperature of 190 ° C. for 10 hours. The interface portion of the solder joint in the test substrate after the heat treatment was observed with a microscope, and the joint state was evaluated according to the standard in (1) Joint state. The results obtained are shown in Table 2.
  • a test substrate was prepared by performing a reflow process under the conditions of 90 to 120 seconds, a holding time of 200 ° C. or higher for 3 minutes, and a peak temperature of 250 ° C. This test substrate was heat-treated at a temperature of 190 ° C. for 10 hours. The test substrate after the heat treatment was subjected to a shear test in (2) bonding strength, and the bonding strength was evaluated from the strength in the shear test according to the criteria in (2) bonding strength. The results obtained are shown in Table 2.
  • Example 5 A strip-shaped molded solder was produced in the same manner as in Example 2 except that the ambient temperature during compression was set to ⁇ 20 ° C. The thickness of the obtained strip-shaped molded solder was 200 ⁇ m. Further, a strip-shaped molded solder was produced in the same manner as in Example 3 except that the ambient temperature at the time of compression was set to ⁇ 20° C. and the strip-shaped molded solder obtained here was further compressed. The thickness of the obtained strip-shaped molded solder was 100 ⁇ m. Further, a strip-shaped molded solder was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that the ambient temperature at the time of compression was set to ⁇ 20° C. and the strip-shaped molded solder obtained here was further compressed. The thickness of the obtained strip-shaped molded solder was 75 ⁇ m.
  • Example 2 As the high melting point metal powder, the same as in Example 2 except that the high melting point metal powder (copper powder, average particle size: 11 ⁇ m) was used instead of the high melting point metal powder (copper powder, average particle size: 3 ⁇ m). As a result, band-shaped molded solder was produced. The thickness of the obtained strip-shaped molded solder was 200 ⁇ m.
  • Example 4 the test substrate using the band-shaped forming solder obtained in Example 2 was heat-treated at a temperature of 190° C. for 10 hours. From the results shown in Table 2, it was found that this heat treatment can improve the bonding strength of the molded solder.
  • the band-shaped forming solder obtained in Example 5 was rolled three times in an environment of a temperature of ⁇ 20° C. However, it was found that the bonding state and the bonding strength were better than those of the band-shaped forming solder obtained in Comparative Example 1 which was also rolled three times. From these results, the present inventors presume that compression in a low-temperature environment can prevent excessive diffusion of the refractory metal and facilitate the maintenance of the first phase and second phase portions.
  • the band-shaped molding solder obtained in Comparative Example 2 is different from the band-shaped molding solder obtained in Example 2 in that the average particle diameter of the refractory metal powder used was increased to 11 ⁇ m. However, it was found that the strip-shaped molded solder obtained in Comparative Example 2 was evaluated as D in both the bonding state and the bonding strength. From these results, the present inventors presume that when the average particle diameter of the refractory metal powder is too large, the balance between the first phase, the second phase and the third phase cannot be adjusted well.
  • the forming solder of the present invention is useful as a technique for producing electronic boards such as printed wiring boards and semiconductor element boards.

Abstract

本発明の成形はんだは、はんだ合金と、前記はんだ合金の融点よりも高い融点を有する高融点金属とを含有する成形はんだであって、前記成形はんだの断面について、エネルギー分散型X線分光器による元素分析を行い、前記成形はんだの断面を、はんだ合金からなる第一相、高融点金属からなる第二相、並びに、はんだ合金および高融点金属からなる第三相に分類した場合に、前記第一相の面積比率が、前記第一相、前記第二相および前記第三相の合計の面積100%に対して、15%以上であり、前記第二相の面積比率が、前記第一相、前記第二相および前記第三相の合計の面積100%に対して、25%以上であることを特徴とするものである。

Description

成形はんだおよびその製造方法、並びにはんだ接合方法
 本発明は、成形はんだおよびその製造方法、並びにはんだ接合方法に関する。
 成形はんだは、はんだ付け部の形状に合わせて、円形、矩形またはワッシャー状など、各種の形状に成形されたものである。
 成形はんだとしては、例えば、高融点金属粒、液状フラックスおよびはんだ合金を含有する混合母合金を、溶融はんだ中に投入して攪拌後、鋳型に鋳込み、急冷して得たビレットから作製した成形はんだが提案されている(特許文献1参照)。
特開2013-099789号公報
 成形はんだは、リフロー処理などにより、はんだ接合を行うが、実装部品への負荷を低減するため、はんだ融点が低い方が望ましい。一方で、成形はんだを用いるデバイスは、高温に暴露される状況で使用されることも多いため、はんだ融点が高い方が望ましい。すなわち、リフロー処理の温度を下げると同時に、はんだ融点を高めることができるような成形はんだが望ましいが、これらの要求は、トレードオフの関係にあるため、同時に満たすことが困難であった。
 本発明は、はんだ接合が可能であり、はんだ接合後には、はんだ接合時の処理温度よりも高い融点を有するはんだ合金となる成形はんだ、および成形はんだの製造方法、並びにはんだ接合方法を提供することを目的とする。
 本発明の成形はんだは、はんだ合金と、前記はんだ合金の融点よりも高い融点を有する高融点金属とを含有する成形はんだであって、前記成形はんだの断面について、エネルギー分散型X線分光器による元素分析を行い、前記成形はんだの断面を、はんだ合金からなる第一相、高融点金属からなる第二相、並びに、はんだ合金および高融点金属からなる第三相に分類した場合に、前記第一相の面積比率が、前記第一相、前記第二相および前記第三相の合計の面積100%に対して、15%以上であり、前記第二相の面積比率が、前記第一相、前記第二相および前記第三相の合計の面積100%に対して、25%以上であることを特徴とするものである。
 本発明の成形はんだにおいては、前記第三相の面積比率が、前記第一相、前記第二相および前記第三相の合計の面積100%に対して、60%以下であることが好ましい。
 本発明の成形はんだにおいては、前記はんだ合金が、スズを含有し、かつ融点が230℃以下のはんだ合金であり、前記高融点金属が、スズとはんだ合金を形成可能であり、かつ融点が300℃以上の金属であることが好ましい。
 本発明の成形はんだの製造方法は、前記成形はんだを製造する成形はんだの製造方法であって、前記はんだ合金からなるはんだ粉末と、前記高融点金属からなる高融点金属粉末とを含有する導電性粉末を圧縮して、成形はんだを成形することを特徴とする方法である。
 本発明の成形はんだの製造方法においては、第1加圧板と、第2加圧板との間で、粉末を圧縮成形できる成形装置を用い、前記第1加圧板上に、粉末充填部を形成する工程と、前記粉末充填部に、前記導電性粉末を充填する工程と、前記第2加圧板により、前記導電性粉末を圧縮して、成形はんだを成形する工程と、を備えることが好ましい。
 本発明の成形はんだの製造方法においては、前記高融点金属粉末の平均粒子径が、0.1μm以上10μm以下であることが好ましい。
 本発明の成形はんだの製造方法においては、前記導電性粉末を圧縮する際の温度が、-5℃以下であることが好ましい。
 本発明のはんだ接合方法は、前記成形はんだを用いることを特徴とする方法である。
 本発明のはんだ接合方法においては、はんだ接合後に、前記高融点金属の融点未満の温度で熱処理を施す工程を、備えることが好ましい。
 本発明の成形はんだによれば、はんだ接合が可能であり、はんだ接合後には、はんだ接合時の処理温度よりも高い融点を有するはんだ合金となる理由は必ずしも定かではないが、本発明者らは以下のように推察する。
 すなわち、本発明の成形はんだは、単独のはんだ合金からなるわけではなく、はんだ合金からなる第一相、高融点金属からなる第二相、並びに、はんだ合金および高融点金属からなる第三相の3つの相を、特定の割合で有する。そして、リフロー処理などではんだ接合する際には、ある程度の第一相が存在することにより、第一相が溶融はんだとなり、はんだ接合が可能となる。一方で、はんだ接合後には、リフロー処理などにより、溶融はんだ内に高融点金属が拡散していくため、新たなはんだ合金(はんだ合金および高融点金属からなる第三相の3つの相)が形成され、ほぼ第二相と第三相とで形成された成形はんだとなる。この新たなはんだ合金の融点が、当初のはんだ合金の融点よりも高くなるような、はんだ合金および高融点金属の組合せを選択すれば、はんだ接合後には、はんだ接合時の処理温度よりも高い融点のはんだ合金となる。
 なお、上記のような成形はんだは、例えば、はんだ合金からなるはんだ粉末と、高融点金属からなる高融点金属粉末とを含有する混合粉末を圧縮することで作製できる。この理由については、次のようなメカニズムであると発明者らは推察する。
 すなわち、図1Aに示す、はんだ粉末(図1Aにおける大きな粒子)と高融点金属粉末(図1Aにおける小さな粒子)とを含有する混合粉末を圧縮すると、図1Bに示すように、はんだ粉末および高融点金属粉末が変形しながら、それぞれの粉末同士が圧着される。このとき、はんだ粉末と高融点金属粉末とが接触している部分では、高融点金属がはんだ合金中に拡散していき、第三相P3となる。また、はんだ粉末からなる部分は、第一相P1となり、高融点金属粉末からなる部分は、第二相P2となる。一方で、溶融はんだ中で高融点金属を混合した場合には、はんだ合金と高融点金属が、相互作用しやすくなり、また、高温であるために、高融点金属の拡散が進み、はんだ合金のほとんどが第三相P3となる。以上のようなメカニズムにより、第一相、第二相および第三相を特定の割合で有する成形はんだを作製できる。
 以上のようにして、本発明の成形はんだによれば、はんだ接合が可能であり、はんだ接合後には、はんだ接合時の処理温度よりも高い融点を有するはんだ合金となるものと本発明者らは推察する。
 本発明によれば、はんだ接合が可能であり、はんだ接合後には、はんだ接合時の処理温度よりも高い融点を有するはんだ合金となる成形はんだ、および成形はんだの製造方法、並びにはんだ接合方法を提供できる。
本発明の成形はんだの効果が発揮されるメカニズムを説明するための図である。 本発明の成形はんだの効果が発揮されるメカニズムを説明するための図である。 成形装置における第1加圧板および第2加圧板を示す概略図である。 本発明の実施形態の成形はんだの製造方法を説明するための図である。 本発明の実施形態の成形はんだの製造方法を説明するための図である。 本発明の実施形態の成形はんだの製造方法を説明するための図である。 本発明の実施形態の成形はんだの製造方法を説明するための図である。 本発明の実施形態の成形はんだの製造方法を説明するための図である。 本発明の実施形態の成形はんだの製造方法を説明するための図である。 実施例1で得られた成形はんだについてのエネルギー分散型X線分光器による元素分析の結果が表示された画像を示す写真である。 実施例2で得られた成形はんだについてのエネルギー分散型X線分光器による元素分析の結果が表示された画像を示す写真である。 実施例3で得られた成形はんだについてのエネルギー分散型X線分光器による元素分析の結果が表示された画像を示す写真である。 比較例1で得られた成形はんだについてのエネルギー分散型X線分光器による元素分析の結果が表示された画像を示す写真である。
 [成形はんだ]
 先ず、本実施形態の成形はんだについて説明する。
 本実施形態の成形はんだは、はんだ合金と、前記はんだ合金の融点よりも高い融点を有する高融点金属とを含有するものである。そして、成形はんだの断面について、エネルギー分散型X線分光器(場合により、「EDS」と称する)による元素分析を行い、成形はんだの断面を、はんだ合金からなる第一相、高融点金属からなる第二相、並びに、はんだ合金および高融点金属からなる第三相に分類した場合に、下記の条件(i)および条件(ii)を満たすことが必要である。また、この場合に、下記の条件(iii)をさらに満たすことが好ましい。
条件(i):第一相の面積比率が、第一相、第二相および第三相の合計の面積100%に対して、15%以上である。
条件(ii):第二相の面積比率が、第一相、第二相および第三相の合計の面積100%に対して、25%以上である。
条件(iii):第三相の面積比率が、第一相、第二相および第三相の合計の面積100%に対して、60%以下である。
 第一相の面積比率が15%未満であると、はんだ接合性が不十分となる。また、はんだ接合性およびはんだ合金の高融点化の観点から、第一相の面積比率は、第一相、第二相および第三相の合計の面積100%に対して、20%以上60%以下であることが好ましく、25%以上55%以下であることがより好ましく、30%以上50%以下であることがさらに好ましく、35%以上45%以下であることが特に好ましい。
 第二相の面積比率が25%未満であると、はんだ接合性が不十分となる。また、はんだ接合性およびはんだ合金の高融点化の観点から、第二相の面積比率は、第一相、第二相および第三相の合計の面積100%に対して、28%以上60%以下であることが好ましく、32%以上55%以下であることがより好ましく、36%以上50%以下であることがさらに好ましく、40%以上45%以下であることが特に好ましい。
 第三相の面積比率が60%を超えると、はんだ接合性が不十分となる傾向にある。また、はんだ接合性およびはんだ合金の高融点化の観点から、第三相の面積比率は、第一相、第二相および第三相の合計の面積100%に対して、5%以上55%以下であることがより好ましく、10%以上50%以下であることがさらに好ましく、15%以上30%以下であることが特に好ましい。
 エネルギー分散型X線分光器による元素分析については、走査型電子顕微鏡などを備えるエネルギー分散型X線分光器と、分析装置を用いて行うことができる。走査型電子顕微鏡、エネルギー分散型X線分光器および分析装置については、適宜公知のものを使用できる。
 走査型電子顕微鏡としては、例えば、日本電子社製の「FE-SEM JSM-7001F」が挙げられる。
 エネルギー分散型X線分光器および分析装置としては、例えば、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製の「EDS NoranSystem7」が挙げられる。
 なお、第一相、第二相および第三相の面積比率を上述した範囲に調整する方法としては、以下のような方法が挙げられる。
 例えば、第一相および第二相は、はんだ合金および高融点金属の配合比率を変更することで調整できる。
 また、第三相の比率は、第一相への高融点金属の拡散が進むほど、大きくなる。このとき、第三相の比率が大きくなるにつれて、第一相および第二相の比率は小さくなる。なお、第一相への高融点金属の拡散は、例えば、はんだ合金および高融点金属に対し、圧力や温度をかけた場合に進む傾向にあり、はんだが溶融した場合には、特に進みやすくなる傾向にある。
 また、後述する本実施形態の成形はんだの製造方法によれば、容易に、第一相、第二相および第三相の面積比率を上述した範囲に調整できる。
 (はんだ合金)
 本実施形態に用いるはんだ合金は、スズ(Sn)を含有するはんだ合金であることが好ましく、スズを主成分とするはんだ合金であることがより好ましい。スズは、他の元素と様々なはんだ合金を形成でき、例えば、他の元素の種類や比率を変更することで、はんだ合金の融点を変更できる。そして、例えば、はんだ合金として、その融点は低いが、他の元素として高融点金属を加えることで、融点が高まるようなはんだ合金を用いることが好ましい。
 はんだ合金の融点は、リフロー処理の温度をより低温にできるという観点から、230℃以下であることが好ましく、100℃以上180℃以下であることが好ましく、100℃以上150℃以下であることが特に好ましい。
 はんだ合金の第二元素としては、銀(Ag)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ビスマス(Bi)、インジウム(In)、およびアンチモン(Sb)などが挙げられる。さらに、この合金には、必要に応じて他の元素(第三元素以降)を添加してもよい。他の元素としては、銅、銀、ビスマス、アンチモン、アルミニウム(Al)、およびインジウムなどが挙げられる。
 はんだ合金としては、例えば、Sn-In系はんだ合金、Sn-Ag系はんだ合金、Sn-Ag-Cu系はんだ合金、Sn-Cu系はんだ合金、Sn-Ag-Bi系はんだ合金、Sn-Bi系はんだ合金、Sn-Ag-Cu-Bi系はんだ合金、Sn-Sb系はんだ合金、Sn-Zn-Bi系はんだ合金、Sn-Zn系はんだ合金、Sn-Zn-Al系はんだ合金、Sn-Ag-Bi-In系はんだ合金、および、Sn-Ag-Cu-Bi-In-Sb系はんだ合金などが挙げられる。
 (高融点金属)
 本実施形態に用いる高融点金属は、前記はんだ合金の融点よりも高い融点を有する金属である。なお、高融点金属は、前記はんだ合金の融点よりも高い融点を有するはんだ合金であってもよい。または、高融点金属の融点は、200℃以上であることが好ましく、300℃以上であることがより好ましい。
 高融点金属としては、銅、銀、金、Sn-Ag-Cu系はんだ合金、およびSn-Sb系はんだ合金などが挙げられる。
 本実施形態におけるはんだ合金と高融点金属との組合せとしては、Sn-In系はんだ合金と銅との組合せ、Sn-In系はんだ合金とSn-Ag-Cu系はんだ合金との組合せ、Sn-Ag-Cu系はんだ合金と銅との組合せ、および、スズと銅との組合せなどが挙げられる。
 [成形はんだの製造方法]
 次に、本実施形態の成形はんだの製造方法を、図面に基づいて説明する。なお、図面においては、説明を容易にするために拡大または縮小をして図示した部分がある。
 本実施形態の成形はんだの製造方法は、前記はんだ合金からなるはんだ粉末と、前記高融点金属からなる高融点金属粉末とを含有する導電性粉末を圧縮して、成形はんだを成形することを特徴とする方法である。
 なお、本実施形態においては、加熱処理による溶融はんだの成形ではなく、圧縮による粉末の成形であるため、高融点金属がはんだ合金中に拡散し過ぎることがない。結果、はんだ合金からなる第一相をある程度残すことができ、前記条件(i)などを満たすような成形はんだが得られるものと推察される。
 導電性粉末の圧縮方法としては、適宜公知の圧縮装置を採用できる。圧縮装置としては、圧延ロールを備える圧縮装置、および、平板を備える圧縮装置(ブリケットマシンなど)などが挙げられる。
 ここでは、圧縮装置として、図2に示すように、第1加圧板11と、第2加圧板12との間で、粉末を圧縮成形できる成形装置(ブリケットマシン)を用いた場合を例に挙げて、説明する。
 本実施形態の成形はんだの製造方法は、図3A~図3Fに示すように、第1加圧板11上に、粉末充填部13を形成する工程(充填部形成工程)と、粉末充填部13に、導電性粉末3を充填する工程(はんだ粉末充填工程)と、第2加圧板12により、導電性粉末3を圧縮して、成形はんだ3aを成形する工程(成形工程)と、を備える。
 (充填部形成工程)
 充填部形成工程においては、第1加圧板11上に、粉末充填部13を形成する。
 この充填部形成工程では、図3Aに示す第1加圧板11上に、図3Bに示す筒状部材8を配置することで、粉末充填部13を形成する。
 筒状部材8は、2つ以上用いてもよい。これにより、2以上の成形はんだ3aを同時に作製できる。
 筒状部材8の形状は、特に限定されない。筒状部材8と、第1加圧板11とにより、粉末充填部13が形成される。すなわち、筒状部材8の内側の形状が、得られる成形はんだ3aの形状となる。
 筒状部材8の材質は、特に限定されない。筒状部材8の材質は、例えば、アルミニウム、およびステンレスなどである。
 筒状部材8の厚みとしては、特に限定されないが、通常、100μm以上5000μm以下である。この筒状部材8の厚みの約70%以上100%以下の厚みが、得られる成形はんだ3aの厚みとなる。また、筒状部材8の材質が、アルミニウムなどの柔らかい材質である場合には、得られる成形はんだ3aの厚みが薄くなる。すなわち、筒状部材8の厚みおよび材質を調整することで、得られる成形はんだ3aの厚みを調整できる。また、筒状部材8の厚みは、成形はんだ3aの厚みをより厚くするという観点から、200μm以上であることがより好ましく、300μm以上であることがさらに好ましく、400μm以上であることが特に好ましい。一方で、筒状部材8の厚みは、作業性の観点、および、成形はんだ3aの厚みをより薄くするという観点から、1000μm以下であることがより好ましく、500μm以下であることがさらに好ましく、200μm以下であることが特に好ましい。
 (はんだ粉末充填工程)
 はんだ粉末充填工程においては、図3Cに示すように、粉末充填部13に、導電性粉末3を充填する。
 ここで、導電性粉末3は、粉末充填部13の容積よりも多めに充填することが好ましい。このようにすれば、導電性粉末3をより確実に圧縮成形できる。
 本実施形態に用いる導電性粉末3は、前記はんだ合金からなるはんだ粉末と、前記高融点金属からなる高融点金属粉末とを含有するものである。はんだ合金および高融点金属については、前述の通りである。
 はんだ粉末の平均粒子径は、1μm以上40μm以下であることが好ましく、2μm以上35μm以下であることがより好ましく、3μm以上25μm以下であることが特に好ましい。なお、平均粒子径は、動的光散乱式の粒子径測定装置により測定できる。
 高融点金属粉末の平均粒子径は、0.1μm以上40μm以下であることが好ましく、0.5μm以上20μm以下であることがより好ましく、1μm以上10μm以下であることがさらに好ましく、2μm以上5μm以下であることが特に好ましい。高融点金属粉末の平均粒子径が前記範囲内であれば、はんだ接合時に高融点金属をはんだ合金中により拡散させることができ、はんだ接合後のはんだ合金の融点を更に高めることができる。
 (成形工程)
 成形工程においては、図3Dに示すように、第2加圧板12により、導電性粉末3を圧縮して、図3Eに示すように、成形はんだ3aを成形する。
 成形時の荷重としては、適正な成形はんだを得るという観点から、100kN以上1000kN以下であることが好ましく、150kN以上500kN以下であることがより好ましく、200kN以上400kN以下であることが特に好ましい。
 成形時の時間は、特に限定されないが、通常、10秒間以上120秒間以下である。
 成形時の温度は、特に限定されないが、通常、15℃以上40℃以下である。
 このようにして得られた成形はんだ3aは、図3Fに示すように、取り出して使用できる。なお、成形はんだ3aを取り出しやすくするという観点から、はんだ粉末充填工程の前に、剥離剤処理を施してもよい。剥離剤としては、フッ素系剥離剤およびシリコーン系剥離剤などが挙げられる。
 [はんだ接合方法]
 次に、本実施形態の成形はんだを用いたはんだ接合方法について、説明する。本実施形態のはんだ接合方法の一例は、以下の通りである。
 先ず、Si素子、およびSiC素子などの半導体素子を準備し、DCB(Direct Copper Bond)基板上にフラックスを塗布して、本実施形態の成形はんだを載せる。
 次いで、成形はんだの表面(DCB基板に接していない面)に更にフラックスを塗布し、これに半導体素子を載せて、これを成形はんだの成形に用いるはんだ粉末の融点より高い温度で加熱することにより、DCB基板上に半導体素子をはんだ接合する。
 なお、予め、本実施形態の成形はんだの両面にフラックスを塗布しておいてもよい。
 はんだ接合時の加熱温度は、DCB基板、搭載する半導体素子の種類、および成形はんだに用いるはんだ粉末の種類によって適宜調整できるが、150℃以上であることが好ましい。
 本実施形態の成形はんだは、加圧成形時に加熱を伴わないため、はんだ接合前の成形はんだにおいて、高融点金属粉末は未だ溶融拡散しておらず、はんだ合金が高融点化していない。
 そのため、成形はんだを用いてはんだ接合を行う際、これに含まれるはんだ合金は、例えばピーク温度250℃程度の一般的な鉛フリーはんだを使用した接合時の加熱温度でも十分に溶融し得るため、ピーク温度250℃程度での加熱であってもパワー半導体をDCB基板上にはんだ接合することができる。
 さらに、本実施形態の成形はんだは、はんだ接合時の加熱によって、はんだ合金が高融点化する。そのため、はんだ接合後には、はんだ接合時の処理温度よりも高い融点を有するはんだ合金となり、信頼性の高いはんだ接合部を提供できる。
 なお、上述のはんだ接合方法に使用するフラックスとしては、例えば、樹脂、溶剤、活性剤およびチクソ剤を含むフラックスが挙げられる。これらの成分の種類、および配合量などは、適宜調整できる。
 また、本実施形態の成形はんだは、例えば、リフロー処理などを用いることではんだ接合を行うことも可能である。
 本実施形態においては、はんだ接合後に、前記高融点金属の融点未満の温度で熱処理(アニール処理)を施す工程を、備えることがより好ましい。このような熱処理工程により、成形はんだによる接合強度をさらに向上できる。
 熱処理の温度は、前記高融点金属の融点未満であり、200℃以下であることがより好ましく、190℃以下であることが特に好ましい。
 熱処理の時間は、1時間以上20時間以下であることが好ましく、3時間以上15時間以下であることがより好ましく、5時間以上12時間以下であることが特に好ましい。
 [実施形態の変形]
 本発明は前述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれる。
 例えば、前述の実施形態では、成形はんだの製造方法において、ブリケットマシンを用いたが、これに限定されない。例えば、成形はんだの製造方法において、圧延ロールを備える圧縮装置を用いてもよい。
 このような場合、はんだ粉末と、高融点金属粉末とを含有する導電性粉末を、圧延ロールを備える圧縮装置により圧縮して、帯状の成形はんだを成形できる。また、帯状の成形はんだを、圧延ロールを備える圧縮装置により、さらに圧縮してもよい。
 ここで、成形時の荷重としては、適正な成形はんだを得るという観点から、10kN以上100kN以下であることが好ましく、20kN以上60kN以下であることがより好ましい。
 成形時の温度は、特に限定されないが、-5℃以下であることが好ましく、-10℃以下であることがより好ましく、-20℃以下であることが特に好ましい。成形時の温度が前記上限以下であれば、圧縮により、高融点金属の拡散が進み過ぎることを抑制できる。
 次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
 [実施例1]
 導電性粉末として、はんだ粉末(Sn-50In、粒子径:15~25μm)50質量部と、高融点金属粉末(銅粉末、平均粒子径:3μm)50質量部とを含有する混合粉末を準備した。
 そして、図3Bに示すように、第1加圧板11上に筒状部材8(ワッシャー、形状:円形、内径:15mm、外径:23mm、厚み:200μm)を配置して、粉末充填部13を形成した。
 次に、図3Cに示すように、準備した導電性粉末3を充填した。その後、図3Dに示すように、第2加圧板12により、荷重約300kNで30秒間の条件にて、導電性粉末3を圧縮して、図3Eおよび図3Fに示すように、成形はんだを形成し、取り出した。
 得られた成形はんだの形状は、直径15mmの円形で、かつ、厚みは200μmであった。
 また、得られた成形はんだについて、エネルギー分散型X線分光器による元素分析を行った。具体的には、まず、走査型電子顕微鏡として、日本電子社製の「FE-SEM JSM-7001F」を用い、エネルギー分散型X線分光器および分析装置として、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製の「EDS NoranSystem7」を用い、成形はんだの断面について、元素分析を行った。そして、元素分析の結果から、成形はんだの断面を、はんだ合金からなる第一相、高融点金属からなる第二相、並びに、はんだ合金および高融点金属からなる第三相に分類した。
 得られた結果を図4に示す。図4に示すように、成形はんだの断面を、青色で示す第一相(Phase1)と、黄色で示す第二相(Phase2)と、赤色で示す第三相(Phase3)とに分類している。そして、第一相、第二相および第三相の面積比率を、それぞれ算出し、得られた結果を表1に示す。
 [実施例2]
 導電性粉末として、はんだ粉末(Sn-50In、粒子径:15~25μm)50質量部と、高融点金属粉末(銅粉末、平均粒子径:3μm)50質量部とを含有する混合粉末を準備した。
 そして、圧延ロールを備える圧縮装置(大野ロール社製、「卓上型Φ63mm 2型粉末圧延機」)を用いて、圧延荷重約40kNの条件にて、準備した導電性粉末を圧縮して、帯状の成形はんだを作製した。得られた帯状の成形はんだの厚みは、200μmであった。
 また、得られた帯状の成形はんだについて、実施例1と同様に、エネルギー分散型X線分光器による元素分析を行った。得られた結果を図5に示す。さらに、第一相、第二相および第三相の面積比率を、それぞれ算出し、得られた結果を表1に示す。
 [実施例3]
 圧延ロールを備える圧縮装置(大野ロール社製、「卓上型Φ63mm 2型粉末圧延機」)を用いて、圧延荷重約25kNの条件にて、実施例2で得られた帯状の成形はんだをさらに圧縮して、帯状の成形はんだを作製した。得られた帯状の成形はんだの厚みは、100μmであった。
 また、得られた帯状の成形はんだについて、実施例1と同様に、エネルギー分散型X線分光器による元素分析を行った。得られた結果を図6に示す。さらに、第一相、第二相および第三相の面積比率を、それぞれ算出し、得られた結果を表1に示す。
 [比較例1]
 圧延ロールを備える圧縮装置(大野ロール社製、「卓上型Φ63mm 2型粉末圧延機」)を用いて、圧延荷重約15kNの条件にて、実施例3で得られた帯状の成形はんだをさらに圧縮して、帯状の成形はんだを作製した。得られた帯状の成形はんだの厚みは、75μmであった。
 また、得られた帯状の成形はんだについて、実施例1と同様に、エネルギー分散型X線分光器による元素分析を行った。得られた結果を図7に示す。さらに、第一相、第二相および第三相の面積比率を、それぞれ算出し、得られた結果を表1に示す。
 <成形はんだの評価>
 成形はんだの評価(接合状態、接合強度)を以下のような方法で行った。得られた結果を表1に示す。
(1)接合状態
 DCB基板上にフラックス(タムラ製作所社製、「TAF」)を塗布して、成形はんだを載せ、プリヒート温度を140~150℃で90~120秒間、200℃以上の保持時間を3分間、ピーク温度を250℃とする条件でリフロー処理を行い、試験基板を作製した。得られた試験基板におけるはんだ接合の界面部分を顕微鏡にて観察し、以下の基準に従って、接合状態を評価した。
B:界面部分に未接合部がない。
C:界面部分に、僅かに未接合部がある。
D:界面部分に、未接合部がある。
(2)接合強度
 基板上にフラックス(タムラ製作所社製、「TAF」)を塗布して、成形はんだを載せ、さらに、銅板(5mm×5mm)を載せて、プリヒート温度を140~150℃で90~120秒間、200℃以上の保持時間を3分間、ピーク温度を250℃とする条件でリフロー処理を行い、試験基板を作製した。
 そして、シェア試験機(ノードソンDAGE社製の「Dage 4000」、ロードセル:DS100)を用いて、試験基板を150℃に加熱した状態でのシェア試験を行った。シェア試験での強度から、以下の基準に従って、接合強度を評価した。
A:強度が、300N以上である。
B:強度が、200N以上300N未満である。
C:強度が、100N以上200N未満である。
D:強度が、100N未満である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 表1に示す結果からも明らかなように、本発明の成形はんだを用いてはんだ接合を行った場合(実施例1~3)には、接合状態、および接合強度が良好であることが確認された。なお、接合強度は、Sn-50Inはんだ合金の融点(118℃)よりも高い温度での接合強度を評価している。そのため、本発明の成形はんだを用いてはんだ接合を行った場合(実施例1~3)には、はんだ溶融時の温度(118℃)よりも高い温度での接合強度が高いことが分かった。よって、本発明の成形はんだによれば、はんだ接合が可能であり、はんだ接合後には、はんだ接合時の処理温度よりも高い融点を有するはんだ合金となることが確認された。
 [実施例4]
 DCB基板上にフラックス(タムラ製作所社製、「TAF」)を塗布して、実施例2で得られた成形はんだを載せ、プリヒート温度を140~150℃で90~120秒間、200℃以上の保持時間を3分間、ピーク温度を250℃とする条件でリフロー処理を行い、試験基板を作製した。この試験基板に対し、温度190℃にて10時間の熱処理を施した。熱処理後の試験基板におけるはんだ接合の界面部分を顕微鏡にて観察し、前記(1)接合状態における基準に従って、接合状態を評価した。得られた結果を表2に示す。
 基板上にフラックス(タムラ製作所社製、「TAF」)を塗布して、実施例2で得られた成形はんだを載せ、さらに、銅板(5mm×5mm)を載せて、プリヒート温度を140~150℃で90~120秒間、200℃以上の保持時間を3分間、ピーク温度を250℃とする条件でリフロー処理を行い、試験基板を作製した。この試験基板に対し、温度190℃にて10時間の熱処理を施した。熱処理後の試験基板に対し、前記(2)接合強度におけるシェア試験を行い、シェア試験での強度から、前記(2)接合強度における基準に従って、接合強度を評価した。得られた結果を表2に示す。
 [実施例5]
 圧縮する際の周囲の温度を-20℃とした以外は、実施例2と同様にして、帯状の成形はんだを作製した。得られた帯状の成形はんだの厚みは、200μmであった。
 また、圧縮する際の周囲の温度を-20℃とし、ここで得られた帯状の成形はんだをさらに圧縮した以外は、実施例3と同様にして、帯状の成形はんだを作製した。得られた帯状の成形はんだの厚みは、100μmであった。
 さらに、圧縮する際の周囲の温度を-20℃とし、ここで得られた帯状の成形はんだをさらに圧縮した以外は、比較例1と同様にして、帯状の成形はんだを作製した。得られた帯状の成形はんだの厚みは、75μmであった。
 [比較例2]
 高融点金属粉末として、高融点金属粉末(銅粉末、平均粒子径:3μm)に代えて、高融点金属粉末(銅粉末、平均粒子径:11μm)を用いた以外は、実施例2と同様にして、帯状の成形はんだを作製した。得られた帯状の成形はんだの厚みは、200μmであった。
 <成形はんだの評価>
 成形はんだの評価(接合状態、接合強度)を前記のような方法で行った。実施例5および比較例2について、得られた結果を表2に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 実施例4では、実施例2で得られた帯状の成形はんだを用いた試験基板に対し、温度190℃にて10時間の熱処理を施している。表2に示す結果から、この熱処理により、成形はんだによる接合強度を向上できることが分かった。
 実施例5で得られた帯状の成形はんだは、温度-20℃の環境下において、3回の圧延を行ったものである。しかし、同じく3回の圧延を行っている比較例1で得られた帯状の成形はんだよりも、接合状態および接合強度が良好であることが分かった。この結果から、低温環境下において圧縮すれば、高融点金属の拡散が進み過ぎることを抑制でき、第一相および第二相の部分を維持しやすいものと本発明者らは推察している。
 比較例2で得られた帯状の成形はんだは、使用した高融点金属粉末の平均粒子径を11μmと大きくした点で、実施例2で得られた帯状の成形はんだと異なる。しかし、比較例2で得られた帯状の成形はんだは、接合状態および接合強度がいずれもD評価となることが分かった。この結果から、高融点金属粉末の平均粒子径が大き過ぎる場合には、第一相、第二相および第三相のバランスを上手く調整できないものと本発明者らは推察している。
 本発明の成形はんだは、プリント配線基板、および半導体素子用基板などの電子基板を作製する技術として有用である。
  11…第1加圧板
  12…第2加圧板
  13…粉末充填部
  3…導電性粉末
  3a…成形はんだ
  8…筒状部材

Claims (9)

  1.  はんだ合金と、前記はんだ合金の融点よりも高い融点を有する高融点金属とを含有する成形はんだであって、
     前記成形はんだの断面について、エネルギー分散型X線分光器による元素分析を行い、前記成形はんだの断面を、はんだ合金からなる第一相、高融点金属からなる第二相、並びに、はんだ合金および高融点金属からなる第三相に分類した場合に、
     前記第一相の面積比率が、前記第一相、前記第二相および前記第三相の合計の面積100%に対して、15%以上であり、
     前記第二相の面積比率が、前記第一相、前記第二相および前記第三相の合計の面積100%に対して、25%以上である
     ことを特徴とする成形はんだ。
  2.  請求項1に記載の成形はんだにおいて、
     前記第三相の面積比率が、前記第一相、前記第二相および前記第三相の合計の面積100%に対して、60%以下である
     ことを特徴とする成形はんだ。
  3.  請求項1または請求項2に記載の成形はんだにおいて、
     前記はんだ合金が、スズを含有し、かつ融点が230℃以下のはんだ合金であり、
     前記高融点金属が、スズとはんだ合金を形成可能であり、かつ融点が300℃以上の金属である
     ことを特徴とする成形はんだ。
  4.  請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の成形はんだを製造する成形はんだの製造方法であって、
     前記はんだ合金からなるはんだ粉末と、前記高融点金属からなる高融点金属粉末とを含有する導電性粉末を圧縮して、成形はんだを成形する
     ことを特徴とする成形はんだの製造方法。
  5.  請求項4に記載の成形はんだの製造方法において、
     第1加圧板と、第2加圧板との間で、粉末を圧縮成形できる成形装置を用い、
     前記第1加圧板上に、粉末充填部を形成する工程と、
     前記粉末充填部に、前記導電性粉末を充填する工程と、
     前記第2加圧板により、前記導電性粉末を圧縮して、成形はんだを成形する工程と、を備える
     ことを特徴とする成形はんだの製造方法。
  6.  請求項4または請求項5に記載の成形はんだの製造方法において、
     前記高融点金属粉末の平均粒子径が、0.1μm以上10μm以下である
     ことを特徴とする成形はんだの製造方法。
  7.  請求項4~請求項6のいずれか1項に記載の成形はんだの製造方法において、
     前記導電性粉末を圧縮する際の温度が、-5℃以下である
     ことを特徴とする成形はんだの製造方法。
  8.  請求項1~請求項3のいずれか1項に記載の成形はんだを用いることを特徴とするはんだ接合方法。
  9.  請求項8に記載のはんだ接合方法において、
     はんだ接合後に、前記高融点金属の融点未満の温度で熱処理を施す工程を、備える
     ことを特徴とするはんだ接合方法。
     
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