WO2020175363A1 - 裏面研削用粘着シート及び半導体ウエハの製造方法 - Google Patents

裏面研削用粘着シート及び半導体ウエハの製造方法 Download PDF

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Definitions

  • the present invention relates to an adhesive sheet for backside grinding and a method for manufacturing a semiconductor wafer using the adhesive sheet.
  • an adhesive sheet is attached to protect it from damage.
  • the back surface grinding (back grinding) process when processing semiconductor wafers and adhesive sheets are attached to protect the pattern surface.
  • Adhesive sheets are required to have conformability (step conformability) to irregularities on the pattern surface from the viewpoint of adhesiveness to the pattern surface having irregularities such as bump electrodes (bumps) and reliability of pattern surface protection.
  • an adhesive sheet is configured such that a non-adhesive portion having a diameter smaller than the outer diameter of a semiconductor wafer to be attached and an adhesive portion surrounding the non-adhesive portion are formed on one surface of a base material sheet.
  • the adhesive strength of the adhesive part at 23 ° ⁇ to be not less than 5 0 0 1 ⁇ 1, the adhesive function is prevented and the deterioration of the protective function is prevented.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2 0 1 3 _ 2 1 1 4 3 8
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an adhesive sheet for backside grinding capable of appropriately performing backside grinding while appropriately protecting convex portions provided on a semiconductor wafer. Is provided.
  • a pressure-sensitive adhesive sheet for backside grinding of a semiconductor wafer having a convex portion comprising a non-adhesive cushion layer and an adhesive layer provided on the cushion layer,
  • a pressure-sensitive adhesive sheet is provided, which has a Shore hardness after curing of the curable resin of 5 to 72 and satisfies at least one of the following conditions (1) to (2).
  • the cushion layer is punched out using a dumbbell conforming to “3 172 0 2”, and the distance between marked lines is 4 0 01 111, and the pulling speed is 3 0 0 111 111/111 ⁇ 2 5
  • the cushion layer has a melt flow rate (" 1 2
  • thermoplastic resin whose temperature is ⁇ to 110°.
  • the inventors of the present invention conducted extensive studies and found that the tensile force of the cushion layer of the pressure-sensitive adhesive sheet was set in the above range or the IV! and viscosity of the thermoplastic resin constituting the cushion layer of the pressure-sensitive adhesive sheet were set in the above range.
  • the back surface grinding is properly performed while properly protecting the convex portions provided on the semiconductor wafer. They have found that they can be carried out, and have completed the present invention.
  • the adhesive layer has an opening having a diameter smaller than that of the semiconductor wafer, and the convex portion of the semiconductor wafer is arranged in the opening. ⁇ 0 2020/175363 3 (:171? 2020/007031
  • the pressure-sensitive adhesive sheet includes a curable resin layer containing the curable resin, and the support film, the curable resin layer on the surface opposite to the pressure-sensitive adhesive layer, the cushion layer and the The pressure-sensitive adhesive sheet as described above, which is provided between support films.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet is the pressure-sensitive adhesive sheet as described above, comprising a cured resin layer provided so as to surround the curable resin layer.
  • the method for manufacturing a semiconductor wafer using the above-mentioned pressure-sensitive adhesive sheet comprising a frame attaching step, a wafer attaching step, a cutting step, a resin curing step, a grinding step, and a peeling step
  • the frame attaching step the adhesive sheet is attached to a ring frame
  • the wafer attaching step the adhesive sheet is attached to the outer peripheral portion of the semiconductor wafer under reduced pressure on the surface of the semiconductor wafer on which the convex portion is provided.
  • the cutting step the adhesive sheet is cut along the outer periphery of the semiconductor wafer, and in the resin curing step, the curable resin is cured while the cushion layer is in contact with the curable resin.
  • the grinding step the back surface of the semiconductor wafer is ground, in the peeling step, the adhesive sheet is peeled from the semiconductor wafer, and at least one of the following conditions (8) to (M) is satisfied: It is a method of manufacturing a semiconductor wafer. (8) The above condition (1) is satisfied. (Mitsumi) It comprises a heating step of satisfying the condition (2) and heating the cushion layer to 60 to 150°.
  • a press step is provided between the wafer attaching step and the resin curing step, and in the press step, the pressure-sensitive adhesive sheet is placed in a state where the curable resin supplied onto a support film faces the pressure-sensitive adhesive sheet.
  • the adhesive layer has an opening having a diameter smaller than the diameter of the semiconductor wafer, and the outer peripheral portion of the semiconductor wafer is the adhesive so that a convex portion of the semiconductor wafer is arranged in the opening.
  • FIGs. 18 to 10 are cross-sectional views showing a method for manufacturing a semiconductor wafer using the pressure-sensitive adhesive sheets 10 of the first and third embodiments of the present invention.
  • FIG. 28 to FIG. 2 are cross-sectional views showing a method for manufacturing a semiconductor wafer using the pressure-sensitive adhesive sheet 10 of the first and third embodiments of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a PSA sheet 10 according to second and fourth embodiments of the present invention.
  • FIGS. 48 to 40 are cross-sectional views showing a method for producing the pressure-sensitive adhesive sheet 10 according to the second and fourth embodiments of the present invention.
  • FIGS. 58 to 50 are cross-sectional views showing a method for manufacturing a semiconductor wafer using the pressure-sensitive adhesive sheets 10 according to the second and fourth embodiments of the present invention.
  • FIGS. 68 to 60 are cross-sectional views showing a method for manufacturing a semiconductor wafer using the pressure-sensitive adhesive sheets 10 according to the second and fourth embodiments of the present invention. MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 of the present embodiment is a pressure-sensitive adhesive sheet for grinding the back surface of a semiconductor wafer having a convex portion, and is a “non-heated” type that is expected to be used without heating.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 of the present embodiment includes the non-tacky cushion layer 1 and the pressure-sensitive adhesive layer 2 provided thereon, and is used when grinding the back surface 4 of the semiconductor wafer 4 having the protrusions 5.
  • This adhesive sheet 10 is used by laminating a curable resin 8 and a support film 7 on the cushion layer 1 side. Each configuration will be described below.
  • the cushion layer 1 is a layer for protecting the convex portions 5 of the semiconductor wafer 4, and is configured to have a tensile stress of 2 to 301 ⁇ 1/1. Tensile stress is 2
  • the handleability of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 will be good.
  • Tensile stress In the following cases, the convex portion 5 of the semiconductor wafer 4 is easily embedded in the cushion layer 1 and the convex portion 5 can be protected appropriately.
  • the tensile stress of the cushion layer 1 is Good
  • Tensile stress is measured by punching out the cushion layer 1 using a dumbbell conforming to ”3 1 1 702, distance between marked lines 4001111, and tensile speed 300111111/111 ⁇
  • the thickness of the cushion layer 1 is preferably 50 to 3,000, and more preferably 50 to 100.
  • the cushion layer 1 is preferably made of a thermoplastic resin.
  • the composition of the thermoplastic resin is not particularly limited, but is a simple substance such as an ethylene-methacrylic acid-acrylic acid ester terpolymer, an ethylene-methacrylic acid copolymer, an ethylene-acrylic acid copolymer, and/or the like.
  • metal ions such as sodium ion
  • the weight average molecular weight (IV) of the thermoplastic resin is 10,000 to 1.00.
  • the weight average molecular weight (IV!) is the gel permeation chromatograph. ⁇ 0 2020/175363 6 ⁇ (: 171? 2020 /007031
  • Calibration curve Standard polystyrene (3) (manufactured by !_) was used.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 2 is a layer for sticking the pressure-sensitive adhesive sheet 10 to the semiconductor wafer 4, and is formed of a pressure-sensitive adhesive.
  • the shape of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited, but it is preferable that the pressure-sensitive adhesive layer 2 has an opening 23 having a diameter smaller than that of the semiconductor wafer 4. That is, the pressure-sensitive adhesive layer 2 is preferably formed in a ring shape. Opening 2 3 is a portion adhesive is not provided, has a smaller diameter than the diameter of the semiconductor wafer 4.
  • the diameter of the opening 23 /the diameter of the semiconductor wafer 4 is preferably 0.950 to 0.995, and more preferably 0.960 to 0.990.
  • protrusions 5 of the semiconductor wafer 4 is an outer peripheral portion 4 3 of the semiconductor wafer 4 to be positioned in the opening 2 3 is adhered to the adhesive layer 2. For this reason, the convex portion 5 does not come into contact with the adhesive, so that the adhesive residue on the convex portion 5 is prevented.
  • the width of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is preferably 10 to 10000! Is more preferable.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is preferably from 1 to 100, and more preferably from 5 to 5001.
  • the pressure-sensitive adhesive is preferably an acrylic pressure-sensitive adhesive, and its composition is not particularly limited.
  • the curing agent examples include a polyfunctional isocyanate curing agent and a polyfunctional epoxy curing agent.
  • a cohesive force of the pressure-sensitive adhesive increases by adopting a cross-linking structure with the functional group as a starting point, and adhesive residue can be suppressed.
  • One or more (meth) acryloylated (meth) acrylates are used at the terminal or side chain. May be used.
  • the adhesive layer 2 is formed by applying an adhesive on the cushion layer 1 by a general coating method such as comma coating, gravure coating, mouth coating, screen coating and the like. Alternatively, it can be formed by applying it on a release film and transferring it to the cushion layer 1.
  • the semiconductor wafer 4 has a convex portion 5.
  • the convex portion 5 is an arbitrary structure that projects outward from the semiconductor wafer 4. Examples of the convex portion 5 include a protruding electrode and a convex portion of a circuit having irregularities.
  • Examples of the semiconductor wafer 4 include not only a silicon wafer, but also a germanium wafer, a gallium-arsenic wafer, a gallium-phosphorus wafer, a gallium-arsenic-aluminum wafer, and the like.
  • the diameter of the semiconductor wafer 4 is preferably 1 to 16 inches, preferably 4 to 12 inches.
  • the thickness of the semiconductor wafer 4 is not particularly limited, but is preferably 500 to 800, and more preferably 520 to 775 0 1.
  • the height of the convex portion 5 is preferably from 10 to 500,01, and more preferably from 100 to 300.
  • the protrusions 5 are preferably formed of solder.
  • the semiconductor wafer 4 preferably has an outer peripheral portion 43 where the convex portions 5 are not provided.
  • the width of the outer peripheral portion 43 is 1.0 to 3. Is preferred, 1.5 to 2
  • the final product using the semiconductor wafer 4 having the convex portions 5 includes electronic components for logic, memory, sensors, power supplies and the like.
  • Curable resin 8 is a resin that hardens due to energy rays (eg, ultraviolet rays) and heat.
  • the curable resin 8 is arranged between the cushion layer 1 and the support film 7.
  • the curable resin 8 has a viscosity before curing of 100 to 3000 3 ⁇ 3, and
  • Viscosity is measured using a Mitsumi viscometer under the conditions of 23 and 50 " ⁇ !.
  • the curable resin 8 has a Shorea hardness of 5 to 72 after curing and a hardness of 5 to 70. ⁇ 0 2020/175363 9 9 (:171? 2020 /007031
  • the Shore hardness is 5 or more, the grindability is excellent because the retention of the convex portion 5 is high.
  • the Shore hardness is 72 or less, the adhesive sheet 10 is likely to be curved when the adhesive sheet 10 is peeled from the semiconductor wafer 4.
  • the Shorea hardness is "" 3 ⁇ 6
  • the curable resin 8 is preferably a photocurable resin, and more preferably an ultraviolet curable resin.
  • the curable resin 8 is preferably one based on an acrylic resin, and the composition thereof is not particularly limited, and examples thereof include butyl (meth)acrylate, 2-butyl (meth)acrylate, and _butyl (meth).
  • bifunctional (meth)acrylate monomers 1,3-butylene glycol di(meth)acrylate, 1,4-butanedioldi(meth)acrylate, 1,6-hexadiol di(meth)acrylate, 1,9-nonane Diol di (meth) acrylate, neopentyl glyco ⁇ 0 2020/175363 10 10 (:171?2020/007031
  • tetrafunctional or higher (meth)acrylate monomers include dimethylolpropane tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, pentaerythritol ethoxytetra(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dimethacrylate.
  • examples include pentaerythritol hexa(meth)acrylate.
  • a curable resin containing 1,2-hydrogenated polybutadiene-terminated urethane (meth)acrylate, isobornyl acrylate, and diethyl acryl amide can improve the adhesion between the cushion layer 1 and the supporting film 7. I like it.
  • the curing shrinkage ratio of the curable resin 8 is preferably 7% or less.
  • the supporting film 7 is an arbitrary film that can support the curable resin 8, and includes, in addition to polyolefins such as ethylene vinyl acetate, polyethylene, polypropylene, polybutene, and polybutadiene, polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, and polyethylene naphthalene. It can be made of phthalate, polystyrene, polycarbonate, polyimide, etc.
  • the thickness of the support film 7 is preferably from 10 to 300, more preferably from 30 to 25001.
  • a method for manufacturing a semiconductor wafer using the adhesive sheet 10 will be described with reference to FIGS. 18 and 2.
  • This manufacturing method includes a frame attaching step, a wafer attaching step, a cutting step, a press step, a resin curing step, a grinding step, and a peeling step.
  • the order of performing these steps is not limited to this order, and the order can be changed as appropriate. Hereinafter, each step will be described.
  • the adhesive sheet 10 is attached to the ring frame 3.
  • the ring frame 3 has an opening 33 having a diameter larger than that of the opening 23 of the adhesive layer 2, and the ring frame 3 can be attached to the adhesive layer 2.
  • the adhesive sheet 10 is stably held by the ring frame 3, and the adhesive sheet 10 can be easily handled.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is attached to the outer peripheral portion 43 of the semiconductor wafer 4 under reduced pressure on the surface of the semiconductor wafer 4 on which the convex portions 5 are provided.
  • the width of the sticking surface on which the semiconductor wafer 4 is stuck to the adhesive layer 2 is preferably 1.0 to 3.0, and! .5 ⁇ 2 .. More preferable.
  • the semiconductor wafer 4 is attached to the adhesive sheet 1 in the decompression chamber 16. ⁇ 0 2020/175363 12 12 (:171?2020/007031
  • the pressure in the decompression chamber 16 may be lower than the atmospheric pressure, preferably 1003 or less, more preferably 5003 or less, still more preferably 1003 or less.
  • the lower limit of the pressure in the decompression chamber 16 is not particularly specified, but is 10 3 for example.
  • the cushion layer 1 was pressed by the atmospheric pressure. 2 Enter into the closed space. Therefore, the convex portion 5 is embedded in the cushion layer 1, and the convex portion 5 is protected by the cushion layer 1.
  • the ratio of the height of the embedded portion of the convex portion 5 / the height of the entire convex portion 5 is preferably 0.2 to 1, more preferably 0.5 to 1, and further preferably 0.8 to 1. ..
  • the adhesive sheet 10 is cut along the outer periphery of the semiconductor wafer 4. As a result, the adhesive sheet 10 to which the semiconductor wafer 4 is attached is separated from the ring frame 3.
  • the curable resin 8 supplied on the supporting film 7 is moved by moving the adhesive sheet 10 with the adhesive sheet 10 facing the curable resin 8. Push out resin 8.
  • the semiconductor wafer 4 is adsorbed to the decompression unit 6 having the decompression hole 63, and the adhesive sheet 10 is pressed against the curable resin 8 in that state.
  • the curable resin 8 is spread by moving the pressure-sensitive adhesive sheet 10 along the surface of the support film 7.
  • the cushion layer 1 is cured. ⁇ 0 2020/175363 13 ⁇ (: 171? 2020 /007031
  • the curable resin 8 is cured while being in contact with the curable resin 8.
  • the curable resin 8 can be cured by irradiating the curable resin 8 with energy rays 9 such as ultraviolet rays through the support film 7.
  • energy rays 9 such as ultraviolet rays
  • the pressure sensitive adhesive sheet 10 is stably held on the support film 7.
  • the back surface of the semiconductor wafer 4 is ground.
  • the back surface 4 of the semiconductor wafer 4 is the surface opposite to the surface on which the convex portion 5 is provided.
  • the method of grinding the back surface of the wafer is not particularly limited, and a known grinding method is used. Grinding is preferably performed while water is applied to the wafer and the grindstone (diamond or the like) to cool them.
  • the thickness of the thinned wafer is preferably 300 or less, more preferably 50 or less.
  • the convex portions 5 When the back surface is ground, a load in the in-plane direction of the semiconductor wafer 4 is applied to the convex portions 5, so the convex portions 5 are easily damaged.
  • the convex portion 5 since at least a part of the convex portion 5 is embedded in the cushion layer 1 and the cured curable resin 8, the convex portion 5 is stabilized by the cushion layer 1 and the cured curable resin 8. The convex portion 5 is less likely to be damaged because it is supported.
  • the adhesive sheet 10 is peeled from the semiconductor wafer 4.
  • the peeling of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 can be performed by bending the pressure-sensitive adhesive sheet 10 in a direction in which the pressure-sensitive adhesive sheet 10 separates from the semiconductor wafer 4.
  • the back surface grinding step of the semiconductor wafer 4 is completed.
  • the adhesive may adhere to the convex portions 5, but in the present embodiment, the convex portions 5 are Since the pressure-sensitive adhesive layer 2 does not come into contact with the pressure-sensitive adhesive layer 2, adhesion of the pressure-sensitive adhesive to the convex portions 5 is suppressed.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 was composed of the cushion layer 1 and the pressure-sensitive adhesive layer 2, but as shown in FIG. 3, in the second embodiment, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 was cured. Further comprises a conductive resin layer 12 and a support film 7.
  • the curable resin layer 12 is uncured and is made of the same curable resin as in the first embodiment.
  • the support film 7 is the same as the support film 7 of the first embodiment.
  • An annular curable resin layer 22 is provided around the curable resin layer 12.
  • the cured resin layer 22 can be formed by curing a curable resin. Assuming that the height of the convex portion 5 is D (), the thickness of the curable resin layer 12 and the cured resin layer 22 is preferably (D +20) to (D +200), and (D + 50) to (Ding + 150) are more preferable.
  • a curable resin layer 12, cushion layer 1, pressure-sensitive adhesive layer 2, and release liner 13 are laminated on a support film 7 in this order to form a laminate.
  • the release liner 13 is for protecting the pressure-sensitive adhesive layer 2, and is peeled off when the adhesive sheet 10 is used.
  • the mask 14 is for shielding the energy rays 9 in the area covered by the mask 14.
  • a mask 14 is placed on the release liner 13 and the curable resin layer 12 is irradiated with energy rays 9 through the mask 14.
  • the mask 14 is for shielding the energy rays 9 in the area covered by the mask 14.
  • the curable resin layer 12 is cured in the region not covered with the mask 14 to become the cured resin layer 22.
  • the support film 7 and the cushion layer 1 are bonded by the cured resin layer 22.
  • the curable resin layer 12 is provided in the space surrounded by the support film 7, the curable resin layer 22 and the cushion layer 1.
  • the mask 14 may be arranged on the support film 7 side, and the energy beam 9 may be irradiated from the support film 7 side.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 according to the present embodiment is obtained by cutting the laminated body along the periphery of the pressure-sensitive adhesive layer 2. ⁇ 0 2020/175363 15 ⁇ (: 171? 2020 /007031
  • This manufacturing method includes a frame attaching step, a wafer attaching step, a resin curing step, a cutting step, a grinding step, and a peeling step.
  • the order of performing these steps is not limited to this order, and the order can be changed as appropriate.
  • each step will be described. In the following description, the description of common parts with the first embodiment will not be repeated.
  • the adhesive sheet 10 is attached to the ring frame 3 as in the first embodiment.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is depressurized (in the depressurizing chamber 16) on the outer peripheral portion 4 3 of the semiconductor wafer 4 on the surface of the semiconductor wafer 4 on which the convex portions 5 are provided. paste.
  • the adhesive sheet 10 By sticking the semiconductor wafer 4 to the adhesive sheet 10 under reduced pressure, the inside of the closed space 2 surrounded by the semiconductor wafer 4 and the adhesive sheet 10 is depressurized.
  • the curable resin layer 12 is cured while the cushion layer 1 is in contact with the curable resin layer 12.
  • the curable resin layer 12 is irradiated with energy rays 9 such as ultraviolet rays through the support film 7. By doing so, the curable resin layer 12 can be cured. As a result, the curable resin layer 12 becomes the cured resin layer 22. ⁇ 0 2020/175363 16 ⁇ (: 171? 2020/007031
  • the cushion layer 1 is stably held.
  • the decompression unit 6 of the first embodiment can be used as the pressing unit 26.
  • the adhesive sheet 10 is cut along the outer periphery of the semiconductor wafer 4. As a result, the adhesive sheet 10 to which the semiconductor wafer 4 is attached is separated from the ring frame 3.
  • the back surface 4 of the semiconductor wafer 4 is ground.
  • the adhesive sheet 10 is peeled from the semiconductor wafer 4 as in the first embodiment.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 of this embodiment has the same basic configuration as that of the first embodiment, but the pressure-sensitive adhesive sheet 10 of this embodiment is assumed to be heated and used “with heating”. It is a type.
  • the adhesive sheet 10 of the present embodiment is different from that of the first embodiment in the thermoplastic resin forming the cushion layer 1.
  • the thermoplastic resin that constitutes the cushion layer 1 of the present embodiment is a melt flow resin (IV! n.
  • IV! is 0.2 ⁇ / 1 ⁇ ⁇ n or more, the followability to the convex portion 5 is excellent and the grindability is good.
  • 1 ⁇ /1 [3 ⁇ 4 is less than 309/1001.1 n, the followability to the convex portion 5 does not become too high, and the releasability is excellent.
  • IV! It is, ⁇ . 3-2 0 9/1 ⁇ n is good Masui. Measured under load conditions.
  • the melting point of the thermoplastic resin is 60 to 110 ° .
  • the melting point is 60 ° or higher, the followability to the convex portion 5 does not become too high and the peeling property is excellent.
  • the melting point is 100 ° C. or less, the followability to the convex portion 5 is excellent, and the grindability is good.
  • the melting point is 70 ⁇ 02020/175363 17 ⁇ (: 171? 2020/007031
  • ⁇ 90° ⁇ is preferable.
  • the melting point is measured under the conditions according to "3 [ ⁇ 7 1 2 1].
  • the thickness of the cushion layer 1 is preferably 50 to 300, more preferably 70 to 25001.
  • the composition of the thermoplastic resin is not particularly limited, and may be, for example, an ethylene-methacrylic acid-acrylic acid ester terpolymer, an ethylene-methacrylic acid copolymer, an ethylene-acrylic acid copolymer, or the like.
  • Ionomer resin obtained by cross-linking the carboxyl group of a simple substance and/or a complex with metal ions such as sodium ion, lithium ion, magnesium ion, etc., polypropylene resin with styrene-butadiene rubber, styrene-butadiene-styrene block copolymer rubber , Soft polypropylene resin blended with styrene-isoprene-styrene block copolymer rubber, ethylene-propylene rubber, etc., low density polyethylene, ethylene-propylene block copolymer, ethylene-propylene random copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer Polymers, ethylene-methacrylic acid copolymers, ethylene _1 octene copolymers, polybutene, etc. can be used. Of these, ionomer resins are preferred.
  • the weight average molecular weight (IV) of the above-mentioned thermoplastic resin is 10,000 to 1.00.
  • 0,000 is preferable, and 50,000 to 500,000 is more preferable.
  • the softening temperature (“3” ⁇ 7206) of the thermoplastic resin is preferably 45 to 85 ° , more preferably 55 to 75 ° .
  • the melting point (" 3 ⁇ 711 2 1) of the thermoplastic resin is preferably 60 to 110°, and more preferably 80 to 100°.
  • This manufacturing method consists of a frame attaching step, a wafer attaching step, and a heating ⁇ 0 2020/175363 18 18 (:171? 2020/007031
  • a cutting step, a resin hardening step, a grinding step, and a peeling step are not limited to this order, and the order can be changed as appropriate.
  • each step will be described. In the following description, the description of common parts with the first embodiment will not be repeated. Further, the description of the frame attaching step, the cutting step, the resin curing step, the grinding step, and the peeling step is the same as that in the first embodiment, and will not be repeated here.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is placed under reduced pressure on the adhesive sheet 10 on the surface of the semiconductor wafer 4 on which the convex portions 5 are provided. Attach it to the outer circumference 4 3 of 4.
  • the ratio of the height of the portion where the convex portion 5 is embedded/the height of the entire convex portion 5 is preferably 0.2 to 1, more preferably 0.5 to 1, and further preferably 0.8 to 1.
  • the heating temperature of the cushion layer 1 is preferably 80 to 120 ° .
  • the heating time of the cushion layer 1 is preferably 3 to 120 seconds, more preferably 5 to 60 seconds.
  • the heating of the cushion layer 1 may be performed before the semiconductor wafer 4 is attached to the adhesive sheet 10, or may be performed after the attachment. The heating may be performed inside the decompression chamber 16 or outside the decompression chamber 16.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 of this embodiment has the same basic configuration as that of the second embodiment, ⁇ 0 2020/175363 19 ⁇ (: 171? 2020 /007031
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 according to the present embodiment is a “with heating” type that is supposed to be used after being heated.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 of the present embodiment is different from that of the second embodiment in the thermoplastic resin constituting the cushion layer 1, and is the same thermoplastic resin as described in the third embodiment.
  • This manufacturing method includes a frame attaching step, a wafer attaching step, a heating step, a resin curing step, a cutting step, a grinding step, and a peeling step.
  • the order of performing these steps is not limited to this order, and the order can be changed as appropriate.
  • each step will be described. In the following description, the description of common parts with the second embodiment will not be repeated.
  • the description of the frame attaching step, the resin curing step, the cutting step, the grinding step, and the peeling step is the same as that in the first embodiment, and will not be repeated here.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is depressurized (in the depressurizing chamber 16) on the outer peripheral portion 4 3 of the semiconductor wafer 4 on the surface of the semiconductor wafer 4 on which the convex portions 5 are provided. paste.
  • the adhesive sheet 10 By sticking the semiconductor wafer 4 to the adhesive sheet 10 under reduced pressure, the inside of the closed space 2 surrounded by the semiconductor wafer 4 and the adhesive sheet 10 is depressurized.
  • the cushion layer 1 is heated to 60 to 150° ⁇ , and the adhesive sheet 10 to which the semiconductor wafer 4 is attached is taken out from the decompression chamber 16 and exposed to atmospheric pressure. As shown in 50, the cushion layer 1 is pushed by the atmospheric pressure and enters the closed space 2. Therefore, the convex portion 5 is embedded in the cushion layer 1, and the convex portion 5 is protected by the cushion layer 1.
  • the tensile stress of the thermoplastic resin, the viscosity and the Shore hardness of the II V cured resin were changed as follows, ⁇ 0 2020/175363 20 (: 17 2020 /007031 Conductor wafer 4 backside grinding, bump followability, bubble inclusion, peeling, grindability (handling), handling, and evaluation of overall judgment at that time. I went.
  • thermoplastic resin was an ethylene-styrene copolymer, and the tensile stress was changed by changing the content ratio of each constituent unit of the ethylene monomer unit and the styrene monomer unit. ..
  • composition of the pressure-sensitive adhesive forming the pressure-sensitive adhesive layer 2 was 1,2-hydrogenated polybutadiene-terminated urethane (meth)acrylate.
  • the thickness of the cushion layer 1 was 50.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is 10, and the width of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is And
  • the back surface of the semiconductor wafer 4 was ground by the following method.
  • the adhesive sheet 10 was attached to the ring frame 3.
  • the adhesive sheet 10 was attached to the outer peripheral portion 43 of the semiconductor wafer 4 in the decompression chamber 16 on the surface of the semiconductor wafer 4 on which the convex portions 5 were provided.
  • the bumps having a diameter of 8 inches and a thickness of 725,01 and a height of 231 are formed on the outer peripheral region other than 3.
  • the width of the sticking surface where the semiconductor wafer 4 is stuck to the adhesive layer 2 was set to 2.0.
  • the pressure in the decompression chamber 16 was 1003.
  • the adhesive sheet 10 was cut along the outer periphery of the semiconductor wafer 4 to separate the ring frame 3 from the adhesive sheet 10.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 facing the curable resin 8 supplied onto the support film 7, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is moved in the in-plane direction of the support film 7 to move the curable resin 8.
  • the curable resin 8 one having the viscosity and the Shore 0 hardness shown in Table 1 was used.
  • the viscosity of the curable resin 8 before curing was measured using a Mitsumi-type viscometer under the conditions of 23° and 50°.
  • the Shorea hardness after curing of the curable resin 8 is: 1 3 ⁇ 6 It was measured under the condition of 2 53.
  • the composition of the curable resin 8 is composed of 1,2-hydrogenated polybutadiene-terminated urethane (meth)acrylate, isobornyl acrylate and decyl acrylate, and the viscosity can be changed by changing each constituent And, the Shoreo hardness was changed.
  • the curable resin 8 was cured while the cushion layer 1 was in contact with the curable resin 8.
  • the curable resin 8 is applied to the curable resin from the support film 7 side.
  • the curable resin was cured by irradiating ultraviolet rays so that
  • the back surface of the semiconductor wafer 4 was ground until the thickness of the semiconductor wafer 4 reached 2000.
  • the back side grinding was performed using a polishing machine (Back Grinder 0 0-841 manufactured by Disco Corporation).
  • the adhesive sheet 10 was peeled off from the semiconductor wafer 4.
  • Aeration is 01 The following criteria were used to evaluate the number of bubbles.
  • the peelability was evaluated according to the following criteria from the adhesive force to the mirror surface of the silicon wafer, which was measured in accordance with “3 10237”.
  • Adhesive strength 1.01 ⁇ 1/20 ⁇ 1 ⁇ 1 or less
  • the grindability (chome: maximum thickness-minimum thickness) was determined by measuring the thickness accuracy of the wafer surface using a 36 (thickness accuracy measuring device, manufactured by ⁇ 3I3), and evaluated according to the following criteria.
  • the handling property was evaluated by measuring the width of the sticking surface when the pressure-sensitive adhesive sheet 10 was stuck to the semiconductor wafer 4 and evaluating the difference from the set width according to the following criteria.
  • the 1 ⁇ /18 and melting point of the thermoplastic resin, the viscosity and the Shore hardness of the rev-cured resin were changed as follows to obtain The back surface was ground and the bump followability, air bubble inclusion, peeling property, grindability (claw), and comprehensive judgment were evaluated.
  • thermoplastic resin is a metal ion bridge of an ethylene-methacrylic acid copolymer, and IV! is changed by changing the copolymerization composition and the weight average molecular weight. And the melting point was changed.
  • composition of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 2 was 1,2-hydrogenated polybutadiene-terminated urethane (meth)acrylate.
  • the thickness of the cushion layer 1 was 150.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 was 1001, and the width of the pressure-sensitive adhesive layer 2 was 3711111.
  • the back surface of the semiconductor wafer 4 was ground by the following method.
  • the adhesive sheet 10 was attached to the outer peripheral portion 43 of the semiconductor wafer 4 in the decompression chamber 16 on the surface of the semiconductor wafer 4 on which the convex portions 5 were provided.
  • the semiconductor wafer 4 has a diameter of 8 inches, a thickness of 725, and a height of 231. ⁇ 0 2020/175 363 27 ⁇ (: 171? 2020 /007031
  • the (protruding electrode) used was formed on the area other than 3 on the outer circumference.
  • the width of the sticking surface where the semiconductor wafer 4 is stuck to the adhesive layer 2 was set to 2.0.
  • the pressure in the decompression chamber 16 was 1003.
  • the cushion layer 1 was heated to 100° in the decompression chamber 16.
  • the adhesive sheet 10 was cut along the outer periphery of the semiconductor wafer 4 to separate the ring frame 3 from the adhesive sheet 10.
  • the composition of the curable resin 8 is composed of 1,2-hydrogenated polybutadiene-terminated urethane (meth)acrylate, isobornyl acrylate and decyl acrylate, and the viscosity and The Shoreo hardness was changed.
  • the curable resin 8 was cured while the cushion layer 1 was in contact with the curable resin 8.
  • the curable resin 8 is 3 65 n
  • the accumulated light intensity of the wavelength is 200
  • the curable resin was cured by irradiating it with ultraviolet rays as shown in.
  • backside grinding of the semiconductor wafer 4 was performed until the thickness of the semiconductor wafer 4 reached 2000.
  • the back surface grinding was performed using a polishing machine (Back Grinder 0 0-841 manufactured by Disco Corporation).
  • the adhesive sheet 10 was peeled off from the semiconductor wafer 4. ⁇ 02020/175363 28 ⁇ (: 17 2020 /007031

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Abstract

半導体ウエハに設けられた凸部を適切に保護しつつ、裏面研削を適切に行うことが可能な裏面研削用粘着シートを提供する。　本発明によれば、凸部を有する半導体ウエハの裏面研削用粘着シートであって、非粘着性のクッション層と、前記クッション層上に設けられた粘着剤層を備え、前記クッション層側に硬化性樹脂と支持フィルムを積層して使用することを特徴とする粘着シートであり、前記硬化性樹脂の硬化前の粘度が１００～３０００ｍＰａ・ｓ、前記硬化性樹脂の硬化後のショアＤ硬度が５～７２であり、以下の条件（１）～（２）の少なくとも一方を充足する、粘着シートが提供される。 （１）前記クッション層は、ＪＩＳＺ１７０２に準じたダンベルを用いて打ち抜き、標線間距離４０ｍｍ、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎで２５％伸張した時の引張応力が２～３０Ｎ／１０ｍｍとなるように構成される。 （２）前記クッション層は、メルトフローレート（ＪＩＳＫ７２１０、１２５℃／１０．０ｋｇ荷重）が０．２～３０ｇ／１０ｍｉｎであり、融点が６０～１１０℃である熱可塑性樹脂で構成される。

Description

\¥0 2020/175363 1 卩（：17 2020 /007031 明 細 書
発明の名称 ： 裏面研削用粘着シート及び半導体ウェハの製造方法 技術分野
[0001 ] 本発明は、 裏面研削用粘着シート及びこれを用いた半導体ウェハの製造方 法に関する。
背景技術
[0002] 半導体ウェハを加工する際、 破損から保護するため、 粘着シートが貼着さ れる。 例えば、 半導体ウェハを加工する際の裏面研削 （バックグラインド） 工程、 粘着シートを貼着して、 パターン面を保護している。 粘着シートには 、 突起電極 （バンプ） のような凹凸を有するバターン面に対する粘着性、 パ ターン面保護の信頼性の観点から、 パターン面の凹凸に対する追従性 （段差 追従性） が求められる。
[0003] 粘着シートに追従性を持たせるために、 粘着剤厚の厚化や基材フィルムと 粘着剤の間にクッション性のある柔軟な樹脂層を設けたものが市場では一般 的であるが、 バターン面の凹凸が大きい場合は追従性不足や糊残りのリスク が高まる。
[0004] 特許文献 1では、 基材シートの片面に、 貼付する半導体ウェハの外径より も小径の非粘着部と、 該非粘着部を囲繞する粘着部とを有するように粘着シ —卜を構成し、 粘着部の 2 3 °〇における粘着力を 5 0 0 1\1以上にすること によって、 糊残りを防ぎつつ、 保護機能の低下を防止している。
先行技術文献
特許文献
[0005] 特許文献 1 :特開 2 0 1 3 _ 2 1 1 4 3 8号公報
発明の概要
発明が解決しようとする課題
[0006] 特許文献 1の構成では、 半導体ウェハに設けられた突起電極の先端のみが 基材シートに当接した状態で半導体ウェハの裏面研削が行われるので、 裏面 \¥0 2020/175363 2 卩（：171? 2020 /007031
研削の際に突起電極に過大な負荷が加わって突起電極が破損する虞がある。
[0007] 本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、 半導体ウェハに設 けられた凸部を適切に保護しつつ、 裏面研削を適切に行うことが可能な裏面 研削用粘着シートを提供するものである。
課題を解決するための手段
[0008] 本発明によれば、 凸部を有する半導体ウェハの裏面研削用粘着シートであ って、 非粘着性のクッション層と、 前記クッション層上に設けられた粘着剤 層を備え、 前記クッション層側に硬化性樹脂と支持フィルムを積層して使用 することを特徴とする粘着シートであり、 前記硬化性樹脂の硬化前の粘度が
Figure imgf000004_0001
3、 前記硬化性樹脂の硬化後のショァロ硬度が 5 〜 7 2であり、 以下の条件 （1） 〜 （2） の少なくとも一方を充足する、 粘 着シートが提供される。
（1） 前記クッション層は、 」 丨 3 1 7 0 2に準じたダンべルを用いて打 ち抜き、 標線間距離 4 0 01 111、 引張速度 3 0 0 111 111 / 111 丨 で 2 5 %伸張し た時の引張応力が 2〜 3 0 1\1 / 1 0
Figure imgf000004_0002
となるように構成される。
（2） 前記クッション層は、 メルトフローレート （」
Figure imgf000004_0003
1 2
5 °0 / 1 〇.
Figure imgf000004_0005
荷重） が〇.
Figure imgf000004_0004
であり、 融点が 6
〇〜 1 1 0 °〇である熱可塑性樹脂で構成される。
[0009] 本発明らが鋭意検討を行ったところ、 粘着シートのクッション層の引張応 力を上記範囲にするか又は粘着シートのクッション層を構成する熱可塑性樹 脂の IV! 及び粘度を上記範囲にした上で、 クッション層側に積層して使用 する硬化性樹脂の粘度及びショアロ硬度を上記範囲にすることによって、 半 導体ウェハに設けられた凸部を適切に保護しつつ、 裏面研削を適切に行うこ とができることを見出し、 本発明の完成に到った。
[0010] 以下、 本発明の種々の実施形態を例示する。 以下に示す実施形態は互いに 組み合わせ可能である。
好ましくは、 前記粘着剤層は、 前記半導体ウェハの直径よりも小径の開口 部を有し、 前記半導体ウェハの凸部が前記開口部内に配置されるように前記 \¥0 2020/175363 3 卩（：171? 2020 /007031
半導体ウェハの外周部が前記粘着剤層に貼着される、 前記記載の粘着シート である。
好ましくは、 前記粘着シートは、 前記硬化性樹脂を含む硬化性樹脂層と、 前記支持フィルムを備え、 前記硬化性樹脂層は、 前記粘着剤層とは反対側の 面において、 前記クッション層と前記支持フィルムの間に設けられる、 前記 記載の粘着シートである。
好ましくは、 前記粘着シートは、 前記硬化性樹脂層を取り囲むように設け られた硬化樹脂層を備える、 前記記載の粘着シートである。
好ましくは、 前記記載の粘着シートを用いた半導体ウェハの製造方法であ って、 フレーム貼付工程と、 ウェハ貼付工程と、 切断工程と、 樹脂硬化工程 と、 研削工程と、 剥離工程を備え、 前記フレーム貼付工程では、 リングフレ —ムに前記粘着シートを貼り付け、 前記ウェハ貼付工程では、 前記半導体ウ ェハの凸部が設けられた面に前記粘着シートを減圧下で半導体ウェハの外周 部に貼り付け、 前記切断工程では、 前記粘着シートを前記半導体ウェハの外 周に沿って切断し、 前記樹脂硬化工程では、 前記クッション層を硬化性樹脂 に当接させた状態で前記硬化性樹脂を硬化させ、 前記研削工程では、 前記半 導体ウェハの裏面を研削し、 前記剥離工程では、 前記半導体ウェハから前記 粘着シートを剥離し、 以下の条件 （八） 〜 （巳） の少なくとも一方を充足す る、 半導体ウェハの製造方法である。 （八） 前記条件 （1） を充足するであ る。 （巳） 前記条件 （2） を充足し、 且つ前記クッション層を 6 0〜 1 5 0 °〇に加温する加温工程を備えるである。
好ましくは、 前記ウェハ貼付工程と前記樹脂硬化工程の間にプレスエ程を 備え、 前記プレスエ程では、 支持フィルム上に供給した前記硬化性樹脂に前 記粘着シートを対面させた状態で前記粘着シートを移動させることによって 前記硬化性樹脂を押し広げる、 前記記載の半導体ウェハの製造方法である。 好ましくは、 前記粘着剤層は、 前記半導体ウェハの直径よりも小径の開口 部を有し、 前記半導体ウェハの凸部が前記開口部内に配置されるように前記 半導体ウェハの外周部が前記粘着剤層に貼着される、 前記記載の粘着シート \¥0 2020/175363 4 卩（：171? 2020 /007031
である。
図面の簡単な説明
［001 1］ ［図 1］図 1 八〜図 1 0は、 本発明の第 1及び第 3実施形態の粘着シート 1 0を 用いた半導体ウェハの製造方法を示す断面図である。
［図 2］図 2八〜図 2巳は、 本発明の第 1及び第 3実施形態の粘着シート 1 0を 用いた半導体ウェハの製造方法を示す断面図である。
［図 3］本発明の第 2及び第 4実施形態の粘着シート 1 0を示す断面図である。 ［図 4］図 4八~図 4〇は、 本発明の第 2及び第 4実施形態の粘着シート 1 0の 製造方法を示す断面図である。
［図 5］図 5八〜図 5 0は、 本発明の第 2及び第 4実施形態の粘着シート 1 0を 用いた半導体ウェハの製造方法を示す断面図である。
［図 6］図 6八〜図 6 0は、 本発明の第 2及び第 4実施形態の粘着シート 1 0を 用いた半導体ウェハの製造方法を示す断面図である。 発明を実施するための形態
［0012］ 以下、 本発明の実施形態について説明する。 以下に示す実施形態中で示し た各種特徴事項は、 互いに組み合わせ可能である。 また、 各特徴事項につい て独立して発明が成立する。
［0013］ 1 . 第 1実施形態
1 - 1 . 粘着シート
図 1 八~図 2巳を用いて、 本発明の第 1実施形態の粘着シート 1 0につい て説明する。 本実施形態の粘着シート 1 〇は、 凸部を有する半導体ウェハの 裏面研削用粘着シートであり、 加温なしで利用することが想定されている 「 加温なし」 タイプである。 本実施形態の粘着シート 1 〇は、 非粘着性のクッ ション層 1 とこの上に設けられた粘着剤層 2を備え、 凸部 5を有する半導体 ウェハ 4の裏面 4匕を研削する際に用いられる。 この粘着シート 1 0は、 ク ッション層 1側に硬化性樹脂 8と支持フィルム 7を積層して使用される。 以 下、 各構成について説明する。
［0014］ <クッション層 1 > \¥02020/175363 5 卩（：171? 2020 /007031
クッション層 1は、 半導体ウェハ 4の凸部 5を保護するための層であり、 引張応力が 2〜 301\1/1 となるように構成される。 引張応力が 2
/ 1 0
Figure imgf000007_0001
以上の場合に粘着シート 1 0のハンドリング性が良好になる。 引 張応力が
Figure imgf000007_0002
以下の場合に半導体ウェハ 4の凸部 5がクッショ ン層 1 に埋入されやすくなり、 凸部 5を適切に保護することが可能になる。 クッション層 1の引張応力は、
Figure imgf000007_0003
しい。 引張応力 は、 」 丨 3 1 1 702に準じたダンべルを用いてクッション層 1 を打ち 抜き、 標線間距離 4001111、 引張速度 300111111/111 丨
Figure imgf000007_0004
時の引張応力を意味する。
[0015] クッション層 1の厚さは、 50〜 300 〇1が好ましく、 50〜 1 00 がさらに好ましい。
[0016] クッション層 1は、 熱可塑性樹脂で構成されることが好ましい。 この熱可塑 性樹脂の組成は、 特に限定されないが、 ェチレンーメタクリル酸ーアクリル 酸ェステルの 3元共重合体、 ェチレンーメタクリル酸共重合体、 ェチレンー アクリル酸共重合体等の単体及び/又は複合体のカルボキシル基をナトリウ ムイオン、 リチウムイオン、 マグネシウムイオン等の金属イオンで架橋した アイオノマ樹脂、 ポリプロピレン樹脂にスチレンーブタジェン共重合ゴム、 スチレンーブタジェンースチレンブロック共重合ゴム、 スチレンーイソプレ ンースチレンブロック共重合ゴム、 ェチレンープロピレンゴム等をブレンド した軟質ポリプロピレン樹脂、 ポリウレタン、 低密度ポリェチレン、 ェチレ ンープロピレンブロック共重合体、 ェチレンープロピレンランダム共重合体 、 ェチレンー酢酸ビニル共重合体、 ェチレンーメタクリル酸共重合体、 ェチ レンー 1オクテン共重合体、 ェチレンースチレン共重合体、 ェチレンースチ レンージェン共重合体、 ポリブテンなどが使用可能である。 中でもェチレン —スチレン共重合体が好ましい。
[0017] 上記熱可塑性樹脂の重量平均分子量 （IV! ） は、 1 0, 000〜 1 , 00
0, 000が好ましく、 30, 000〜 500, 000がさらに好ましい。 なお、 重量平均分子量 （IV! ） とは、 ゲルパーミェーションクロマトグラフ \¥0 2020/175363 6 卩（：171? 2020 /007031
イー （〇 〇） にて測定されるポリスチレン換算の値であり、 下記記載の測 定条件における測定値である。
装置名 ： 3丫3丁巳1\/1 - 2 1 3 〇 6父 （昭和電工社製）
カラム： !_ 9 6 I 1\/1 丨 乂巳 0 _巳を 3本直列
温度： 4 0 °0
検出：示差屈折率
溶媒：テトラヒドロフラン
濃度 ·· 2質量％
検量線：標準ポリスチレン （ 3） （ !_社製） を用いて作製した。
[0018] <粘着剤層 2 >
粘着剤層 2は、 粘着シート 1 0を半導体ウェハ 4に貼着させるための層で あり、 粘着剤によって形成される。 粘着剤層 2の形状は、 特に限定されない が、 半導体ウェハ 4の直径よりも小径の開口部 2 3を有する構成が好ましい 。 つまり、 粘着剤層 2は、 環状に形成することが好ましい。 開口部 2 3は、 粘着剤が設けられていない部位であり、 半導体ウェハ 4の直径よりも小径で ある。 開口部 2 3の直径/半導体ウェハ 4の直径は、 〇. 9 5 0〜 0 . 9 9 5が好ましく、 〇. 9 6 0〜〇. 9 9 0がさらに好ましい。
[0019] 半導体ウェハ 4の凸部 5が開口部 2 3内に配置されるように半導体ウェハ 4の外周部 4 3が粘着剤層 2に貼着される。 このため、 凸部 5は粘着剤には 接触しないので、 凸部 5への糊残りが防止される。
[0020] 粘着剤層 2の幅は、 1 〇〜 1 0 0〇!〇!が好ましく、
Figure imgf000008_0001
がさら に好ましい。 粘着剤層 2の厚さは、 1〜 1 〇〇 が好ましく、 5〜 5 0 01がさらに好ましい。
[0021 ] 粘着剤は、 アクリル系粘着剤が好ましく、 その組成は特に限定されないが 、 例えばプチル （メタ） アクリレート、 2—ブチル （メタ） アクリレート、 1：—プチル （メタ） アクリレート、 ペンチル （メタ） アクリレート、 オクチ ル （メタ） アクリレート、 2—ェチルヘキシル （メタ） アクリレート、 ノニ ル （メタ） アクリレート、 デシル （メタ） アクリレート、 ラウリル （メタ） \¥0 2020/175363 7 卩（：171? 2020 /007031
アクリレート、 メチル （メタ） アクリレート、 ェチル （メタ） アクリレート 、 イソプロピル （メタ） アクリレート、 トリデシル （メタ） アクリレート、 ミリスチル （メタ） アクリレート、 セチル （メタ） アクリレート、 ステアリ ル （メタ） アクリレート、 シクロヘキシル （メタ） アクリレート、 ベンジル （メタ） アクリレート、 ジメチルアクリルアミ ド、 ジェチルアクリルアミ ド 、 アクリロイルモルフオリン、 イソボルニルアクリレート等の （メタ） アク リル単量体や官能基含有単量体として、 ヒドロキシル基を有する 2—ヒドロ キシェチル （メタ） アクリレート、 2—ヒドロキシプロピル （メタ） アクリ レート、 及び 2—ヒドロキシブチル （メタ） アクリレート等、 カルボキシル 基を有する （メタ） アクリル酸、 クロトン酸、 マレイン酸、 イタコン酸、 フ マール酸、 アクリルアミ ド 1\1 _グリコール酸、 及びケイ皮酸等、 ェポキシ基 を有するアリルグリシジルェーテル、 及び （メタ） アクリル酸グリシジルェ —テル等が挙げられる。 粘着剤には硬化剤を配合することが好ましい。 硬化 剤としては多官能イソシアネート硬化剤や多官能ェポキシ硬化剤等が挙げら れる。 硬化剤が官能基と反応すると、 官能基を基点とした架橋構造を取るこ とで粘着剤の凝集力が上がり、 糊残りを抑制できる。 さらに、 1 , 2 -ポリブ タジェン末端ウレタン （メタ） アクリレート、 前記水素添加物、 1 , 4—ポ リブタジェン末端ウレタン （メタ） アクリレート、 ポリイソプレン末端 （メ 夕） アクリレート、 ポリェステル系ウレタン （メタ） アクリート、 ポリェー テル系ウレタン （メタ） アクリレート、 ポリエステル （メタ） アクリレート 、 ビス八型ェポキシ （メタ） アクリレートなどのオリゴマー/ポリマーを末 端又は側鎖に 1個以上 （メタ） アクロイル化した （メタ） アクリレートを使 用してもよい。
[0022] 粘着剤層 2は、 例えば一般的なコンマ塗工、 グラビア塗工、 口ール塗工、 スクリーン塗工などの塗工方式によって、 粘着剤をクッション層 1上に塗工 することによって又は剥離フィルム上に塗布し、 クッション層 1 に転写する ことによつて形成することができる。
[0023] <半導体ウェハ 4 > \¥02020/175363 8 卩（：171? 2020 /007031
半導体ウェハ 4は、 凸部 5を有する。 凸部 5は、 半導体ウェハ 4の面外方 向に突出する任意の構造体である。 凸部 5の例としては、 突起電極や、 凹凸 を有する回路の凸部などが挙げられる。
[0024] 半導体ウェハ 4としては、 シリコンウェハのみならず、 ゲルマニウムウェ ハ、 ガリウムーヒ素ウェハ、 ガリウムーリンウェハ、 ガリウムーヒ素ーアル ミニウムウェハ等が挙げられる。 半導体ウェハ 4の直径は、 好ましくは、 1 〜 1 6インチであり、 4〜 1 2インチが好ましい。 半導体ウェハ 4の厚さは 、 特に制限はないが、 500〜 800 が好ましく、 520〜 775 〇1 がより好ましい。
[0025] 凸部 5の高さは、 1 0〜 500 〇1が好ましく、 1 00〜 300 がさ らに好ましい。 凸部 5は、 ハンダによって形成されることが好ましい。
[0026] 半導体ウェハ 4は、 凸部 5が設けられていない外周部 43を有することが 好ましい。 外周部 43の幅は、 1. 〇〜 3.
Figure imgf000010_0001
が好ましく、 1. 5〜 2
. らに好ましい。
[0027] 凸部 5を有する半導体ウェハ 4を用いた最終製品としては、 ロジック用、 メモリ用、 センサー用、 電源用等の電子部品が挙げられる。
[0028] <硬化性樹脂 8 >
硬化性樹脂 8は、 ェネルギー線 （例：紫外線） や熱などの刺激によって硬 化する樹脂である。 硬化性樹脂 8は、 クッション層 1 と支持フィルム 7の間 に配置される。
[0029] 硬化性樹脂 8は、 硬化前の粘度が 1 00〜 3000 3 · 3であり、 2
00〜 1 000
Figure imgf000010_0002
3であることが好ましい。 粘度が 1 0001 3 3 以上である場合に硬化性樹脂 8が面接触ではなく点接触となり、 プレスエ程 で気泡が混入することが抑制され、 研削性が優れる。 粘度が 3000 3 - 3以下である場合、 硬化性樹脂 8が隣接する凸部 5の間を流れる際に気泡 を巻き込みにくいので研削性が優れる。 粘度は、 巳型粘度計を用いて、 23 及び 50 「 〇!の条件で測定する。
[0030] 硬化性樹脂 8は、 硬化後のショアロ硬度が 5〜 72であり、 5〜 70であ \¥0 2020/175363 9 卩（：171? 2020 /007031
ることが好ましく、 1 0〜 6 0であることがさらに好ましい。 ショアロ硬度 が 5以上である場合、 凸部 5の保持性が高いために研削性が優れる。 ショア 口硬度が 7 2以下である場合、 粘着シート 1 0を半導体ウェハ 4から剥離す る際に粘着シート 1 〇を湾曲させやすい。 ショアロ硬度は、 」 丨 3 < 6
2 5 3に準拠した条件で測定する。
[0031 ] 硬化性樹脂 8は、 光硬化性樹脂が好ましく、 紫外線硬化性樹脂がさらに好 ましい。
[0032] 硬化性樹脂 8は、 アクリル系樹脂をベースとするものが好ましく、 その組 成は、 特に限定されないが、 例えばプチル （メタ） アクリレート、 2 -プチ ル （メタ） アクリレート、 _ブチル （メタ） アクリレート、 ペンチル （メ 夕） アクリレート、 オクチル （メタ） アクリレート、 2—ェチルヘキシル （ メタ） アクリレート、 ノニル （メタ） アクリレート、 デシル （メタ） アクリ レート、 ラウリル （メタ） アクリレート、 メチル （メタ） アクリレート、 ェ チル （メタ） アクリレート、 イソプロピル （メタ） アクリレート、 トリデシ ル （メタ） アクリレート、 ミリスチル （メタ） アクリレート、 セチル （メタ ） アクリレート、 ステアリル （メタ） アクリレート、 シクロヘキシル （メタ ） アクリレート、 ベンジル （メタ） アクリレート、 ジメチルアクリルアミ ド 、 ジエチルアクリルアミ ド、 アクリロイルモルフオリン、 イソボルニルアク リレート、 2—ヒドロキシエチル （メタ） アクリレート、 2—ヒドロキシプ ロピル （メタ） アクリレート、 2—ヒドロキシブチル （メタ） アクリレート 、 （メタ） アクリル酸、 クロトン酸、 マレイン酸、 イタコン酸、 フマール酸 、 アクリルアミ ド 1\1 -グリコール酸、 ケイ皮酸、 アリルグリシジルェーテル 、 （メタ） アクリル酸グリシジルエーテル、 ジメチルアクリルアミ ド、 ジェ チルアクリルアミ ド、 アクリロイルモルフオリン、 イソボルニルアクリレー 卜等が挙げられる。 さらに 2官能 （メタ） アクリレートモノマーとして、 1 , 3—ブチレングリコールジ （メタ） アクリレート、 1 , 4—ブタンジオー ルジ （メタ） アクリレート、 1 , 6—へキサジオールジ （メタ） アクリレー 卜、 1 , 9—ノナンジオールジ （メタ） アクリレート、 ネオペンチルグリコ \¥0 2020/175363 10 卩（：171? 2020 /007031
—ルジ （メタ） アクリレート、 ジシクロペンタニルジ （メタ） アクリレート 、 2—エチルー 2—ブチループロパンジオール （メタ） アクリレート、 ネオ ペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ （メタ） アクリレート、 ステアリン酸変性ペンタエリストールジアクリレート、 ポリプロピレングリ コールジ （メタ） アクリレート、 2 , 2—ビス （4— （メタ） アクリロキシ ジエトキシフエニル） プロパン、 2 , 2—ビス （4— （メタ） アクリロキシ プロポキシフエニル） プロパン、 2 , 2—ビス （4— （メタ） アクリロキシ テトラエトキシフエニル） プロパン等が挙げられ、 3官能 （メタ） アクリレ —トモノマーとしては、 トメチロールプロパントリ （メタ） アクリレート、 トリス ［ （メタ） アクリロイキシエチル］ イソシアヌレート等が挙げられ、
4官能以上の （メタ） アクリレートモノマーとしては、 ジメチロールプロパ ンテトラ （メタ） アクリレート、 ペンタエリスリ トールテトラ （メタ） アク リレート、 ペンタエリスリ トールエトキシテトラ （メタ） アクリレート、 ジ ペンタエリストールペンタ （メタ） アクリレート、 ジペンタエリストールへ キサ （メタ） アクリレート等が挙げられる。 さらに、 1 , 2 -ポリブタジエン 末端ウレタン （メタ） アクリレート、 前記水素添加物、 1 , 4—ポリブタジ エン末端ウレタン （メタ） アクリレート、 ポリイソプレン末端 （メタ） アク リレート、 ポリエステル系ウレタン （メタ） アクリート、 ポリエーテル系ウ レタン （メタ） アクリレート、 ポリエステル （メタ） アクリレート、 ビス八 型エポキシ （メタ） アクリレートなどのオリゴマー/ポリマーを末端又は側 鎖に 1個以上 （メタ） アクロイル化した （メタ） アクリレートが挙げられる 。 中でも 1 , 2 -水添ポリブタジエン末端ウレタン （メタ） アクリレート、 イ ソボルニルアクリレート、 ジエチルアクリルアミ ドを含む硬化性樹脂がクッ シヨン層 1 と支持フィルム 7との接着性を向上させることができるため好ま しい。
［0033］ 硬化性樹脂 8の硬化収縮率は、 7 %以下であることが好ましい。
［0034］ 凸部 5の高さを丁 （ ） とすると、 硬化性樹脂 8の厚さは、 （丁 十
2 0） 〜 （丁 + 2 0 0） が好ましく、 （丁 + 5 0） 〜 （丁 + 1 5 \¥0 2020/175363 1 1 2020 /007031
0） がさらに好ましい。
[0035] ＜支持フィルム 7＞
支持フィルム 7は、 硬化性樹脂 8を支持可能な任意のフィルムであり、 ェ チレンビニルアセテート、 ポリェチレン、 ポリプロピレン、 ポリブテン、 ポ リブタジェン等のポリオレフィン類の他、 ポリ塩化ビニル、 ポリェチレンテ レフタレート、 ポリェチレンナフタレート、 ポリスチレン、 ポリカーボネー 卜、 ポリイミ ド等で形成可能である。
[0036] 支持フィルム 7の厚さは、 1 0〜 3 0 0 が好ましく、 3 0〜 2 5 0 01がさらに好ましい。
[0037] 1 - 2 . 半導体ウェハの製造方法
図 1 八 ~図 2巳を用いて、 粘着シート 1 0を用いた半導体ウェハの製造方 法について説明する。 この製造方法は、 フレーム貼付工程と、 ウェハ貼付エ 程と、 切断工程と、 プレスエ程と、 樹脂硬化工程と、 研削工程と、 剥離工程 を備える。 これらの工程を実施する順序は、 この順に限定されず、 順序を適 宜入れ替えることも可能である。 以下、 各工程について説明する。
[0038] ＜フレーム貼付工程＞
図 1 八~図 1 巳に示すように、 フレーム貼付工程では、 リングフレーム 3 に粘着シート 1 〇を貼り付ける。 リングフレーム 3は、 粘着剤層 2の開口部 2 3よりも直径が大きい開口部 3 3を有しており、 リングフレーム 3は、 粘 着剤層 2に貼り付けることができる。 これによって、 粘着シート 1 0がリン グフレーム 3に安定して保持されて、 粘着シート 1 0の取り扱いが容易にな る。
[0039] ＜ウェハ貼付工程＞
図 1
Figure imgf000013_0001
図 1 〇に示すように、 ウェハ貼付工程では、 半導体ウェハ 4の凸 部 5が設けられた面に粘着シート 1 0を減圧下で半導体ウェハ 4の外周部 4 3に貼り付ける。 半導体ウェハ 4が粘着剤層 2に貼着される貼付面の幅は、 1 . 0 ~ 3 . 0 が好ましく、 ·！ . 5 ~ 2 .
Figure imgf000013_0002
さらに好ましい。
[0040] この工程は、 減圧チャンバ 1 6内において半導体ウェハ 4を粘着シート 1 \¥0 2020/175363 12 卩（：171? 2020 /007031
0に貼り付けることによって行うことができる。 減圧チャンバ 1 6内の圧力 は、 大気圧よりも低ければよく、 1 0 0 0 3以下が好ましく、 5 0 0 3 以下がさらに好ましく、 1 0 0 3以下がさらに好ましい。 減圧チャンバ 1 6内の圧力の下限は、 特に規定されないが、 例えば 1 0 3である。
[0041 ] このように減圧下で半導体ウェハ 4を粘着シート 1 0に貼り付けることに よって、 半導体ウェハ 4と粘着シート 1 0で囲まれた密閉空間 2匕内が減圧 された状態になる。
[0042] その状態で半導体ウェハ 4が貼り付けられた粘着シート 1 0を減圧チャン バ 1 6から取り出して大気圧にさらすと、 図 1 0に示すように、 クッション 層 1が大気圧によって押されて密閉空間 2匕内に入り込む。 このため、 凸部 5がクッション層 1 に埋入された状態になり、 凸部 5がクッション層 1 によ って保護される。 凸部 5の埋入された部位の高さ/凸部 5全体の高さの比は 、 〇. 2〜 1が好ましく、 〇. 5〜 1がさらに好ましく、 〇. 8〜 1がさら に好ましい。
[0043] ＜切断工程＞
図 1 0〜図 2八に示すように、 切断工程では、 粘着シート 1 0を半導体ウ ェハ 4の外周に沿って切断する。 これによって、 半導体ウェハ 4が貼り付け られた粘着シート 1 0がリングフレーム 3から分離される。
[0044] ＜プレスエ程＞
図 2八~図 2巳に示すように、 プレスエ程では、 支持フィルム 7上に供給 した硬化性樹脂 8に粘着シート 1 0を対面させた状態で粘着シート 1 0を移 動させることによって硬化性樹脂 8を押し広げる。
[0045] —例では、 減圧孔 6 3を有する減圧ユニッ ト 6に半導体ウェハ 4を吸着さ せ、 その状態で粘着シート 1 〇を硬化性樹脂 8に対して押し付ける。 その状 態で、 粘着シート 1 0を支持フィルム 7の表面に沿って移動させることによ って硬化性樹脂 8が押し広げられる。
[0046] ＜樹脂硬化工程＞
図 2巳〜図 2〇に示すように、 樹脂硬化工程では、 クッション層 1 を硬化 \¥0 2020/175363 13 卩（：171? 2020 /007031
性樹脂 8に当接させた状態で硬化性樹脂 8を硬化させる。
[0047] —例では、 支持フィルム 7を通じて紫外線などのェネルギー線 9を硬化性 樹脂 8に照射することによって、 硬化性樹脂 8を硬化させることができる。 これによって、 粘着シート 1 0が支持フィルム 7上で安定して保持される。
[0048] ＜研削工程＞
Figure imgf000015_0001
研削工程では、 半導体ウェハ 4の裏面 4匕 を研削する。
[0049] 半導体ウェハ 4の裏面 4匕とは、 凸部 5が設けられた面とは反対側の面で ある。 ウェハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、 公知の研削方式が 採用される。 研削は、 ウェハと砥石 （ダイヤモンド等） に水をかけて冷却し ながら行うことが好ましい。 薄型化されたウェハの厚さは、 3 0 0 以下 が好ましく、 5 0 以下がより好ましい。
[0050] 裏面研削の際には、 凸部 5に対して半導体ウェハ 4の面内方向の荷重が加 わるので凸部 5が破損しやすい。 しかし、 本実施形態では、 凸部 5の少なく とも一部がクッション層 1及び硬化した硬化性樹脂 8に埋入されているので 、 凸部 5がクッション層 1及び硬化した硬化性樹脂 8によって安定して支持 されるために凸部 5が破損しにくい。
[0051 ] ＜剥離工程＞
図 2 0〜図 2巳に示すように、 剥離工程では、 半導体ウェハ 4から粘着シ —卜 1 0を剥離する。 粘着シート 1 0の剥離は、 粘着シート 1 0が半導体ウ ェハ 4から離れる方向に粘着シート 1 0を湾曲させることによって行うこと ができる。
[0052] これによって、 半導体ウェハ 4の裏面研削工程が完了する。 凸部 5が粘着 剤に接触しているような形態の粘着シートを用いて裏面研削を行った場合、 凸部 5に粘着剤が付着する場合があるが、 本実施形態では、 凸部 5は粘着剤 層 2に接触しないので、 凸部 5に粘着剤が付着することが抑制される。
[0053] 2 . 第 2実施形態
2 - 1 . 粘着シート \¥0 2020/175363 14 卩（：171? 2020 /007031
第 1実施形態では、 粘着シート 1 〇は、 クッション層 1 と粘着剤層 2によ って構成されていたが、 図 3に示すように、 第 2実施形態では、 粘着シート 1 〇は、 硬化性樹脂層 1 2と、 支持フィルム 7をさらに備える。
[0054] 硬化性樹脂層 1 2は、 未硬化であり、 第 1実施形態と同様の硬化性樹脂に よって構成される。 支持フィルム 7は、 第 1実施形態の支持フィルム 7と同 様である。 硬化性樹脂層 1 2の周囲には、 環状の硬化樹脂層 2 2が設けられ る。 硬化樹脂層 2 2は、 硬化性樹脂を硬化させることによって形成可能であ る。 凸部 5の高さを丁 （ ） とすると、 硬化性樹脂層 1 2及び硬化樹脂 層 2 2の厚さは、 （丁 + 2 0） 〜 （丁 + 2 0 0） が好ましく、 （丁 + 5 0） 〜 （丁 + 1 5 0） がさらに好ましい。
[0055] ここで、 図 4 ~図 4（3を用いて、 本実施形態の粘着シート 1 〇の製造方 法について説明する。
まず、 図 4八に示すように、 支持フィルム 7上に硬化性樹脂層 1 2、 クッ ション層 1、 粘着剤層 2、 剥離ライナー 1 3をこの順に積層して積層体を形 成する。 剥離ライナー 1 3は、 粘着剤層 2を保護するためのものであり、 粘 着シート 1 0の使用時に剥離される。 マスク 1 4は、 マスク 1 4で被覆され た領域においてエネルギー線 9を遮蔽するためのものである。
[0056] 次に、 剥離ライナー 1 3上にマスク 1 4を配置し、 マスク 1 4を介して硬 化性樹脂層 1 2に対してエネルギー線 9を照射する。 マスク 1 4は、 マスク 1 4で被覆された領域においてエネルギー線 9を遮蔽するためのものである 。 これによって、 図 4巳に示すように、 マスク 1 4で覆われていない領域に おいて硬化性樹脂層 1 2が硬化して硬化樹脂層 2 2となる。 硬化樹脂層 2 2 によって、 支持フィルム 7とクッション層 1が結合される。 また、 支持フィ ルム 7と、 硬化樹脂層 2 2とクッション層 1で囲まれた空間内に硬化性樹脂 層 1 2が設けられる。 なお、 マスク 1 4を支持フィルム 7側に配置して、 支 持フィルム 7側からエネルギー線 9の照射を行ってもよい。
[0057] 次に、 図 4（3に示すように、 積層体を粘着剤層 2の周縁に沿って切断する ことによって、 本実施形態の粘着シート 1 〇が得られる。 \¥0 2020/175363 15 卩（：171? 2020 /007031
[0058] 2 - 2 . 半導体ウェハの製造方法
図 5八~図 6 0を用いて、 本実施形態の粘着シート 1 0を用いた半導体ウ ェハの製造方法について説明する。 この製造方法は、 フレーム貼付工程と、 ウェハ貼付工程と、 樹脂硬化工程と、 切断工程と、 研削工程と、 剥離工程を 備える。 これらの工程を実施する順序は、 この順に限定されず、 順序を適宜 入れ替えることも可能である。 以下、 各工程について説明する。 以下の説明 では、 第 1実施形態との共通部分については、 説明を繰り返さない。
[0059] ＜フレーム貼付工程＞
図 5八~図 5巳に示すように、 フレーム貼付工程では、 第 1実施形態と同 様に、 リングフレーム 3に粘着シート 1 0を貼り付ける。
[0060] ＜ウェハ貼付工程＞
Figure imgf000017_0001
ウェハ貼付工程では、 第 1実施形態と同様 に、 半導体ウェハ 4の凸部 5が設けられた面に粘着シート 1 0を減圧下で （ 減圧チャンバ 1 6で） 半導体ウェハ 4の外周部 4 3に貼り付ける。 減圧下で 半導体ウェハ 4を粘着シート 1 0に貼り付けることによって、 半導体ウェハ 4と粘着シート 1 0で囲まれた密閉空間 2匕内が減圧された状態になる。
[0061 ] その状態で半導体ウェハ 4が貼り付けられた粘着シート 1 0を減圧チャン バ 1 6から取り出して大気圧にさらすと、 図 5 0に示すように、 クッション 層 1が大気圧によって押されて密閉空間 2匕内に入り込む。 このため、 凸部 5がクッション層 1 に埋入された状態になり、 凸部 5がクッション層 1 によ って保護される。
[0062] ＜樹脂硬化工程＞
図 6八〜図 6巳に示すように、 樹脂硬化工程では、 クッション層 1 を硬化 性樹脂層 1 2に当接させた状態で硬化性樹脂層 1 2を硬化させる。
[0063] —例では、 押圧ュニッ ト 2 6を用いて半導体ウェハ 4を硬化性樹脂層 1 2 に押し付けた状態で、 支持フィルム 7を通じて紫外線などのェネルギー線 9 を硬化性樹脂層 1 2に照射することによって、 硬化性樹脂層 1 2を硬化させ ることができる。 これによって、 硬化性樹脂層 1 2が硬化樹脂層 2 2となり \¥0 2020/175363 16 卩（：171? 2020 /007031
、 クッション層 1が安定して保持される。 なお、 第 1実施形態の減圧ュニッ 卜 6を押圧ユニッ ト 2 6として利用することができる。
[0064] ＜切断工程＞
図 6巳〜図 6〇に示すように、 切断工程では、 粘着シート 1 0を半導体ウ ェハ 4の外周に沿って切断する。 これによって、 半導体ウェハ 4が貼り付け られた粘着シート 1 0がリングフレーム 3から分離される。
[0065] ＜研削工程＞
図 6 (3に示すように、 研削工程では、 第 1実施形態と同様に、 半導体ウェ ハ 4の裏面 4匕を研削する。
[0066] ＜剥離工程＞
図 6〇〜図 6 0に示すように、 剥離工程では、 第 1実施形態と同様に、 半 導体ウェハ 4から粘着シート 1 0を剥離する。
[0067] 3 . 第 3実施形態
3 - 1 . 粘着シート
本実施形態の粘着シート 1 〇は、 基本構成は第 1実施形態と同じであるが 、 本実施形態の粘着シート 1 〇は、 加温して利用することが想定されている 「加温あり」 タイプである。 本実施形態の粘着シート 1 0は、 クッション層 1 を構成する熱可塑性樹脂が第 1実施形態とは異なっている。
[0068] 本実施形態のクッション層 1 を構成する熱可塑性樹脂は、 メルトフローレ —卜 ( IV! が〇.
Figure imgf000018_0001
nである。 IV! が〇. 2 ^ / 1 〇 丨 n以上である場合、 凸部 5への追従性に優れて、 研削性が良好にな る。 1\/1 [¾が3〇 9 / 1 0〇1 丨 n以下である場合、 凸部 5への追従性が高く なりすぎず、 剥離性に優れる。 IV! は、 〇. 3〜 2 0 9 / 1 〇 丨 nが好 ましい。
Figure imgf000018_0002
荷重の条 件で測定される。
[0069] 熱可塑性樹脂の融点は、 6 0〜 1 1 0 °〇である。 融点が 6 0 °〇以上の場合 、 凸部 5への追従性が高くなりすぎず、 剥離性に優れる。 融点が 1 0 0 °〇以 下の場合、 凸部 5への追従性に優れて、 研削性が良好になる。 融点は、 7 0 \¥02020/175363 17 卩（：171? 2020 /007031
〜 90°〇が好ましい。 融点は、 」 丨 3 [< 7 1 2 1 に準拠した条件で測定さ れる。
[0070] クッション層 1の厚さは、 50〜 300 が好ましく、 70~250 01がさらに好ましい。
[0071] 上記熱可塑性樹脂の組成は、 特に限定されないが、 ェチレンーメタクリル 酸ーアクリル酸ェステルの 3元共重合体、 ェチレンーメタクリル酸共重合体 、 ェチレンーアクリル酸共重合体等の単体及び/又は複合体のカルボキシル 基をナトリウムイオン、 リチウムイオン、 マグネシウムイオン等の金属イオ ンで架橋したアイオノマ樹脂、 ポリプロピレン樹脂にスチレンーブタジェン 共重合ゴム、 スチレンーブタジェンースチレンブロック共重合ゴム、 スチレ ンーイソプレンースチレンブロック共重合ゴム、 ェチレンープロピレンゴム 等をブレンドした軟質ポリプロピレン樹脂、 低密度ポリェチレン、 ェチレン —プロピレンブロック共重合体、 ェチレンープロピレンランダム共重合体、 ェチレンー酢酸ビニル共重合体、 ェチレンーメタクリル酸共重合体、 ェチレ ン _ 1オクテン共重合体、 ポリブテンなどが使用可能である。 中でもアイオ ノマ樹脂が好ましい。
[0072] 上記熱可塑性樹脂の重量平均分子量 （IV! ） は、 1 0, 000〜 1 , 00
0, 000が好ましく、 50, 000〜 500, 000がさらに好ましい。
[0073] 上記熱可塑性樹脂の軟化温度 （」 丨 3 < 7206） は、 45〜 85°〇が 好ましく、 55〜 75°〇がさらに好ましい。
[0074] 上記熱可塑性樹脂の融点 （」 丨 3 < 7 1 2 1） は、 60〜 1 1 0°〇が好 ましく、 80〜 1 00°〇がさらに好ましい。
[0075] 上記熱可塑性樹脂のメルトフローレート （IV! [¾） （」 I 3
Figure imgf000019_0001
、 1 25。〇/ 1 〇.
Figure imgf000019_0002
荷重） は、 〇. 2〜 309 / 1 0 1 门好ましく
、 〇. 3〜 209/1 〇 丨 nがさらに好ましい。
[0076] 3-2. 半導体ウェハの製造方法
本実施形態の粘着シート 1 〇を用いた半導体ウェハの製造方法について説 明する。 この製造方法は、 フレーム貼付工程と、 ウェハ貼付工程と、 加温エ \¥0 2020/175363 18 卩（：171? 2020 /007031
程と、 切断工程と、 樹脂硬化工程と、 研削工程と、 剥離工程を備える。 これ らの工程を実施する順序は、 この順に限定されず、 順序を適宜入れ替えるこ とも可能である。 以下、 各工程について説明する。 以下の説明では、 第 1実 施形態との共通部分については、 説明を繰り返さない。 また、 フレーム貼付 工程と、 切断工程と、 樹脂硬化工程と、 研削工程と、 剥離工程の説明は、 第 1実施形態と同様であるので、 ここでは、 繰り返さない。
[0077] <ウェハ貼付工程 ·加温工程 >
図 1 巳〜図 1 (3に示すように、 ウェハ貼付工程では、 第 1実施形態と同様 に、 半導体ウェハ 4の凸部 5が設けられた面に粘着シート 1 0を減圧下で半 導体ウェハ 4の外周部 4 3に貼り付ける。
[0078] その状態で半導体ウェハ 4が貼り付けられた粘着シート 1 0を減圧チャン バ 1 6から取り出して大気圧にさらすと、 クッション層 1が大気圧によって 押されて密閉空間 2 13内に入り込もうとする。 クッション層 1は加温されて いない状態では剛性が高く、 クッション層 1は密閉空間 2匕にほとんど入り 込まない。 一方、 加温工程において、 クッション層 1 を 6 0〜 1 5 0 °〇に加 温すると、 クッション層 1が軟化されて、 図
Figure imgf000020_0001
に示すように、 クッション 層 1が密閉空間 2匕内に入り込む。 このため、 凸部 5がクッション層 1 に埋 入された状態になり、 凸部 5がクッション層 1 によって保護される。 凸部 5 の埋入された部位の高さ/凸部 5全体の高さの比は、 〇. 2〜 1が好ましく 、 〇. 5〜 1がさらに好ましく、 〇. 8〜 1がさらに好ましい。 クッション 層 1の加温温度は、 8 0〜 1 2 0 °〇が好ましい。 クッション層 1の加温時間 は、 3〜 1 2 0秒が好ましく、 5〜 6 0秒がさらに好ましい。
[0079] クッション層 1の加温は、 半導体ウェハ 4を粘着シート 1 0に貼り付ける 前に行ってもよく、 貼り付けた後に行ってもよい。 また、 この加温は、 減圧 チャンバ 1 6内で行ってもよく、 減圧チャンバ 1 6外で行ってもよい。
[0080] 4 . 第 4実施形態
4 - 1 . 粘着シート
本実施形態の粘着シート 1 〇は、 基本構成は第 2実施形態と同じであるが \¥0 2020/175363 19 卩（：171? 2020 /007031
、 本実施形態の粘着シート 1 〇は、 加温して利用することが想定されている 「加温あり」 タイプである。 本実施形態の粘着シート 1 0は、 クッション層 1 を構成する熱可塑性樹脂が第 2実施形態とは異なっており、 第 3実施形態 で説明したものと同様の熱可塑性樹脂である。
[0081 ] 4 - 2 . 半導体ウェハの製造方法
本実施形態の粘着シート 1 〇を用いた半導体ウェハの製造方法について説 明する。 この製造方法は、 フレーム貼付工程と、 ウェハ貼付工程と、 加温エ 程と、 樹脂硬化工程と、 切断工程と、 研削工程と、 剥離工程を備える。 これ らの工程を実施する順序は、 この順に限定されず、 順序を適宜入れ替えるこ とも可能である。 以下、 各工程について説明する。 以下の説明では、 第 2実 施形態との共通部分については、 説明を繰り返さない。 また、 フレーム貼付 工程と、 樹脂硬化工程と、 切断工程と、 研削工程と、 剥離工程の説明は、 第 1実施形態と同様であるので、 ここでは、 繰り返さない。
[0082] <ウェハ貼付工程 ·加温工程 >
Figure imgf000021_0001
ウェハ貼付工程では、 第 1実施形態と同様 に、 半導体ウェハ 4の凸部 5が設けられた面に粘着シート 1 0を減圧下で （ 減圧チャンバ 1 6で） 半導体ウェハ 4の外周部 4 3に貼り付ける。 減圧下で 半導体ウェハ 4を粘着シート 1 0に貼り付けることによって、 半導体ウェハ 4と粘着シート 1 0で囲まれた密閉空間 2匕内が減圧された状態になる。
[0083] その状態でクッション層 1 を 6 0〜 1 5 0 °〇に加温し、 半導体ウェハ 4が 貼り付けられた粘着シート 1 〇を減圧チャンバ 1 6から取り出して大気圧に さらすと、 図 5 0に示すように、 クッション層 1が大気圧によって押されて 密閉空間 2匕内に入り込む。 このため、 凸部 5がクッション層 1 に埋入され た状態になり、 凸部 5がクッション層 1 によって保護される。
実施例
[0084] 1 . 粘着シート （加温なしタイプ） の実施例
第 1実施形態と同様の構成の粘着シート 1 〇を用い、 熱可塑性樹脂の引張 応力と、 II V硬化樹脂の粘度及びショア硬度を以下のように変化させて、 半 \¥0 2020/175363 20 卩（：17 2020 /007031 導体ウェハ 4の裏面研削を行い、 その際のバンプ追従性、 気泡混入、 剥離性 、 研削性 （丁丁 ） 、 ハンドリング性、 及び総合判定の評価を行った。
[0085] [表 1 ]
Figure imgf000022_0001
\¥0 2020/175363 21 卩（：171? 2020 /007031
[0086] [表 2]
Figure imgf000023_0003
[0087] 1 - 1 . 粘着シート 1 0の製造
クッション層 1上に、 開口部 2 3を有する環状の粘着剤層 2を形成するこ とによって実施例 ·比較例の粘着シート 1 0を製造した。 クッション層 1 を 構成する熱可塑性樹脂は、 」 丨 3 1 1 7 0 2に準じたダンべルを用いて クッション層 1 を打ち抜き、 標線間距離 4 0
Figure imgf000023_0001
〇1、 引張速度 3 0 0 111 111 / 111
I 门で 2 5 %伸張した時の引張応力が表 1〜表 2の値になるように適宜変更 した。
[0088] 熱可塑性樹脂の組成は、 ェチレンースチレン共重合体であり、 ェチレン単 量体単位とスチレン単量体単位の各構成単位の含有割合を変化させることに よって引張応力を変化させた。
粘着剤層 2を構成する粘着剤の組成は、 1 , 2 -水添ポリブタジェン末端ウ レタン (メタ) アクリレートとした。
[0089] クッション層 1の厚さは、 5 0 とした。 粘着剤層 2の厚さは、 1 〇 、 粘着剤層 2の幅は、
Figure imgf000023_0002
とした。
[0090] 1 - 2 . 半導体ウェハの裏面研削
上記作製した粘着シート 1 〇を用いて、 以下の方法によって半導体ウェハ 4の裏面研削を行った。
[0091 ] まず、 リングフレーム 3に粘着シート 1 0を貼り付けた。
次に、 半導体ウェハ 4の凸部 5が設けられた面に粘着シート 1 0を減圧チ ャンバ 1 6内で半導体ウェハ 4の外周部 4 3に貼り付けた。 半導体ウェハ 4 \¥0 2020/175363 22 卩（：171? 2020 /007031
としては、 直径 8インチ、 厚さ 7 2 5 〇1であり、 高さ 2 3 0 〇1のバンプ （突起電極） が、 外周の 3 . 以外の領域に形成されているものを用い た。 半導体ウェハ 4が粘着剤層 2に貼着されている貼付面の幅は、 2 . 〇 とした。 減圧チャンバ 1 6内の圧力は、 1 0 0 3であった。
[0092] 次に、 半導体ウェハ 4が貼り付けられた粘着シート 1 0を減圧チャンバ 1
6から取り出した。
[0093] 次に、 粘着シート 1 0を半導体ウェハ 4の外周に沿って切断して、 リング フレーム 3を粘着シート 1 0から分離した。
[0094] 次に、 支持フィルム 7上に供給した硬化性樹脂 8に粘着シート 1 0を対面 させた状態で、 支持フィルム 7の面内方向に粘着シート 1 0を移動させるこ とによって硬化性樹脂 8を押し広げた。 硬化性樹脂 8は、 表 1 に示す粘度及 びショア 0硬度を有するものを用いた。 硬化性樹脂 8の硬化前の粘度は、 巳 型粘度計を用いて、 2 3 °◦及び 5 0 「 の条件で測定した。 硬化性樹脂 8 の硬化後のショアロ硬度は、 」 1 3 ＜ 6 2 5 3という条件で測定した。
[0095] 硬化性樹脂 8の組成は、 1 , 2 -水添ポリブタジェン末端ウレタン （メタ） ア クリレート、 イソボルニルアクリレート、 ジェチルアクリルアミ ドで構成さ れ、 各構成成分を変化させることによって粘度及びショアロ硬度を変化させ た。
[0096] 次に、 クッション層 1 を硬化性樹脂 8に当接させた状態で硬化性樹脂 8を硬 化させた。 硬化性樹脂 8は、 支持フィルム 7側から硬化性樹脂に対して 3 6
Figure imgf000024_0001
となるように紫外線を照射 して、 硬化性樹脂を硬化させた。
[0097] 次に、 半導体ウェハ 4の厚さが 2 0 0 〇1になるまで、 半導体ウェハ 4の裏 面研削を行った。 裏面研削は、 研磨機 （株式会社ディスコ製バックグライン ダー 0 0— 8 4 1） を用いて行った。
[0098] ＜剥離工程＞
次に、 半導体ウェハ 4から粘着シート 1 0を剥離した。
[0099] 1 - 3 . 評価 \¥02020/175363 23 卩（：17 2020 /007031
以下の方法で、 バンプ追従性、 気泡混入、 剥離性、 研削性 （丁丁 ） 、 ハン ドリング性、 及び総合判定の評価を行った。 評価結果は、 表 1〜表 2に示す
〇
[0100] ＜バンプ追従性＞
バンプ追従性は、 追従率 （追従率 = （クッション層 1がバンプ間に追従し た距離/バンプの高さ） ） から、 以下の基準で評価した。
◎ :追従率 80 %以上
〇：追従率 7 1〜 79 %
X :追従率 70 %以下
[0101] ＜気泡混入＞
気泡混入は、 01
Figure imgf000025_0001
以上の気泡の個数から、 以下の基準で評価した。
◎ :気泡の個数 1 〇個以下
〇：気泡の個数 1 1〜 30個
X :気泡の個数 3 1個以上
[0102] ＜剥離性＞
剥離性は、 」 丨 3 1 0237に準拠して測定したシリコンウェハの鏡 面に対する粘着力から、 以下の基準で評価した。
◎ :粘着力 1. 01\1/20〇1〇1以下
〇：粘着力 1. 1〜 2. 01\1/20〇1〇1
X :粘着力 2.
Figure imgf000025_0002
[0103] ＜研削性 （丁丁 ） ＞
研削性 （丁丁 ：最大厚み一最小厚み） は、 ウェハ面の厚み精度を、 36 （厚み精度測定装置、 丨 3 I 3社製） を用いて測定し、 以下の基準 で評価した。
◎ : 丁丁 V 5 [X〇!以下
〇： 丁丁\/ 6〜 1 5 111
X ： t t y 1 6 以上
[0104] ＜ハンドリング性＞ \¥0 2020/175363 24 卩（：171? 2020 /007031
ハンドリング性は、 粘着シート 1 0を半導体ウェハ 4に貼着した時の貼付 面の幅を測定し、 設定幅からの差から以下の基準で評価した。
◎ :設定幅一貼付面の幅 一〇.
Figure imgf000026_0001
5〇!〇!以下
〇：設定幅一貼付面の幅 一 1 . 0 111 111以上一〇. 5〇!〇!未満、 + 0 . 5〇1
〇!超 + 1 . 0 〇!以下
X :設定幅一貼付面の幅 _ 1 . 0 111〇!未満、 + 1 . 0 〇!超
[0105] ＜総合判定＞
総合判定は、 以下の基準で判定した。
◎ :全ての項目で©
〇：いずれかの項目で〇、 かつ を含まない
X :いずれかの項目で X
[0106] 1 - 4 . 考察
全ての実施例は、 全ての評価項目において優れた結果であった。 一方、 全 ての比較例は、 少なくとも 1つの評価項目で満足のいく結果が得られなかっ た。
[0107] 2 . 粘着シート （加温ありタイプ） の実施例
第 3実施形態と同様の構成の粘着シート 1 0を用い、 熱可塑性樹脂の 1\/1 8及び融点と、 リ V硬化樹脂の粘度及びショァ硬度を以下のように変化させ て、 半導体ウェハ 4の裏面研削を行い、 その際のバンプ追従性、 気泡混入、 剥離性、 研削性 （丁丁 ） 、 及び総合判定の評価を行った。
[01 08]
1
Figure imgf000027_0001
\¥0 2020/175363 26 卩(：171? 2020 /007031
[0109] [表 4]
Figure imgf000028_0002
[01 10] 2 - 1 . 粘着シート 1 0の製造
クッション層 1上に、 開口部 2 3を有する環状の粘着剤層 2を形成するこ とによって実施例 ·比較例の粘着シート 1 0を製造した。 クッション層 1 を 構成する熱可塑性樹脂は、 IV! 及び融点が表 3〜表 4の値になるように適 宜変更した。
[01 1 1 ] 熱可塑性樹脂の組成は、 ェチレンー メタクリル酸共重合体の金属イオン架 橋であり、 共重合組成及び重量平均分子量を変化させることによって IV!
Figure imgf000028_0001
及び融点を変化させた。
粘着剤層 2を構成する粘着剤の組成は、 1 , 2 -水添ポリブタジェン末端ウ レタン （メタ） アクリレートとした。
[01 12] クッション層 1の厚さは、 1 5 0 とした。 粘着剤層 2の厚さは、 1 0 〇1、 粘着剤層 2の幅は、 3 7 111 111とした。
[01 13] 2 - 2 . 半導体ウェハの裏面研削
上記作製した粘着シート 1 〇を用いて、 以下の方法によって半導体ウェハ 4の裏面研削を行った。
[01 14] まず、 リングフレーム 3に粘着シート 1 0を貼り付けた。
次に、 半導体ウェハ 4の凸部 5が設けられた面に粘着シート 1 0を減圧チ ャンバ 1 6内で半導体ウェハ 4の外周部 4 3に貼り付けた。 半導体ウェハ 4 としては、 直径 8インチ、 厚さ 7 2 5 〇1であり、 高さ 2 3 0 〇1のバンプ \¥0 2020/175363 27 卩（：171? 2020 /007031
（突起電極） が、 外周の 3 . 以外の領域に形成されているものを用い た。 半導体ウェハ 4が粘着剤層 2に貼着されている貼付面の幅は、 2 . 〇 とした。 減圧チャンバ 1 6内の圧力は、 1 0 0 3であった。 減圧チャン バ 1 6内ではクッション層 1 を 1 0 0 °〇に加温した。
[01 15] 次に、 半導体ウェハ 4が貼り付けられた粘着シート 1 0を減圧チャンバ 1
6から取り出した。
[01 16] 次に、 粘着シート 1 0を半導体ウェハ 4の外周に沿って切断して、 リング フレーム 3を粘着シート 1 0から分離した。
[01 17] 次に、 支持フィルム 7上に供給した硬化性樹脂 8に粘着シート 1 0を対面 させた状態で、 支持フィルム 7の面内方向に粘着シート 1 0を移動させるこ とによって硬化性樹脂 8を押し広げた。 硬化性樹脂 8は、 表 3に示す粘度及 びショア 0硬度を有するものを用いた。 硬化性樹脂 8の硬化前の粘度は、 巳 型粘度計を用いて、 2 3 °◦及び 5 0 「 の条件で測定した。 硬化性樹脂 8 の硬化後のショアロ硬度は、 」 1 3 ＜ 6 2 5 3に準拠したという条件で 測定した。
[01 18] 硬化性樹脂 8の組成は、 1 , 2 -水添ポリブタジェン末端ウレタン （メタ） アクリレート、 イソボルニルアクリレート、 ジェチルアクリルアミ ドで構成 され、 各構成成分を変化させることによって粘度及びショアロ硬度を変化さ せた。
[01 19] 次に、 クッション層 1 を硬化性樹脂 8に当接させた状態で硬化性樹脂 8を 硬化させた。 硬化性樹脂 8は、 支持フィルム 7側から硬化性樹脂に対して 3 6 5 n
Figure imgf000029_0002
の波長の積算光量が 2 0 0
Figure imgf000029_0001
でとなるように紫外線を照 射して、 硬化性樹脂を硬化させた。
[0120] 次に、 半導体ウェハ 4の厚さが 2 0 0 〇1になるまで、 半導体ウェハ 4の裏 面研削を行った。 裏面研削は、 研磨機 （株式会社ディスコ製バックグライン ダー 0 0— 8 4 1） を用いて行った。
[0121 ] ＜剥離工程＞
次に、 半導体ウェハ 4から粘着シート 1 0を剥離した。 \¥02020/175363 28 卩（：17 2020 /007031
[0122] 2-3. 評価
以下の方法で、 バンプ追従性、 気泡混入、 剥離性、 研削性 （丁丁 ） 、 及 び総合判定の評価を行った。 評価基準は、 「1 _3. 評価」 で説明した通り である。 @平価結果は、 表 3〜表 4に す。
[0123] 2-4. 考察
全ての実施例は、 全ての評価項目において優れた結果であった。 一方、 全 ての比較例は、 少なくとも 1つの評価項目で満足のいく結果が得られなかっ た。
符号の説明
[0124] 1 : クッション層、 2 :粘着剤層、 23 :開口咅1
Figure imgf000030_0001
密閉空間、 3 : リ ングフレーム、 33 :開口部、 4 :半導体ウェハ、 43 :外周部、 4匕 ：裏 面、 5 :凸部、 6 :減圧ユニッ ト、 68 :減圧孔、 7 :支持フィルム、 8 : 硬化性樹脂、 9 :ェネルギー線、 1 0 :粘着シート、 1 2 :硬化性樹脂層、 1 3 :剥離ライナー、 1 4 :マスク、 1 6 :減圧チャンバ、 22 :硬化樹脂 層、 26 :押圧ユニッ ト

Claims

\¥02020/175363 29 卩（：17 2020 /007031 請求の範囲
[請求項 1] 凸部を有する半導体ウェハの裏面研削用粘着シートであって、 非粘着性のクッション層と、 前記クッション層上に設けられた粘着 剤層を備え、 前記クッション層側に硬化性樹脂と支持フィルムを積層 して使用することを特徴とする粘着シートであり、
前記硬化性樹脂の硬化前の粘度が 1 00〜 3000
Figure imgf000031_0001
前 記硬化性樹脂の硬化後のショァロ硬度が 5〜 72であり、
以下の条件 （1） 〜 （2） の少なくとも一方を充足する、 粘着シー 卜。
（1） 前記クッション層は、 」 丨 3 1 702に準じたダンべル を用いて打ち抜き、 標線間距離 4001111、 引張速度 300111111/111 1 nで 25%伸張した時の引張応力が 2〜 301\1/1 〇 となるよう に構成される。
（2） 前記クッション層は、 メルトフローレート （」 I 3 < 72
1 0、 1 25 °0 / 1 0. 01< 9荷重） が〇. 2〜 3〇 9/1 0〇1 1 门 であり、 融点が 60〜 1 1 0°〇である熱可塑性樹脂で構成される。
[請求項 2] 前記粘着剤層は、 前記半導体ウェハの直径よりも小径の開口部を有 し、 前記半導体ウェハの凸部が前記開口部内に配置されるように前記 半導体ウェハの外周部が前記粘着剤層に貼着される、 請求項 1 に記載 の粘着シート。
[請求項 3] 前記粘着シートは、 前記硬化性樹脂を含む硬化性樹脂層と、 前記支 持フィルムを備え、
前記硬化性樹脂層は、 前記粘着剤層とは反対側の面において、 前記 クッション層と前記支持フィルムの間に設けられる、 請求項 1又は請 求項 2に記載の粘着シート。
[請求項 4] 前記粘着シートは、 前記硬化性樹脂層を取り囲むように設けられた 硬化樹脂層を備える、 請求項 3に記載の粘着シート。
[請求項 5] 請求項 1〜請求項 4の何れか 1つに記載の粘着シートを用いた半導 \¥0 2020/175363 30 卩（：171? 2020 /007031
体ウェハの製造方法であって、
フレーム貼付工程と、 ウェハ貼付工程と、 切断工程と、 樹脂硬化工 程と、 研削工程と、 剥離工程を備え、
前記フレーム貼付工程では、 リングフレームに前記粘着シートを貼 り付け、
前記ウェハ貼付工程では、 前記半導体ウェハの凸部が設けられた面 に前記粘着シートを減圧下で半導体ウェハの外周部に貼り付け、 前記切断工程では、 前記粘着シートを前記半導体ウェハの外周に沿 って切断し、
前記樹脂硬化工程では、 前記クッション層を硬化性樹脂に当接させ た状態で前記硬化性樹脂を硬化させ、
前記研削工程では、 前記半導体ウェハの裏面を研削し、
前記剥離工程では、 前記半導体ウェハから前記粘着シートを剥離し 以下の条件 （八） 〜 （巳） の少なくとも一方を充足する、 半導体ウ ェハの製造方法。
（八） 前記条件 （1） を充足する。
（B）前記条件 （2） を充足し、 且つ前記クッション層を 6 0〜 1 5 〇°〇に加温する加温工程を備える。
[請求項 6] 前記ウェハ貼付工程と前記樹脂硬化工程の間にプレスエ程を備え、 前記プレスエ程では、 支持フィルム上に供給した前記硬化性樹脂に 前記粘着シートを対面させた状態で前記粘着シートを移動させること によって前記硬化性樹脂を押し広げる、 請求項 5に記載の半導体ウェ ハの製造方法。
[請求項 7] 前記粘着剤層は、 前記半導体ウェハの直径よりも小径の開口部を有 し、 前記半導体ウェハの凸部が前記開口部内に配置されるように前記 半導体ウェハの外周部が前記粘着剤層に貼着される、 請求項 5又は請 求項 6に記載の粘着シート。
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