WO2020166648A1 - 波長可変レーザ装置及び波長制御方法 - Google Patents

波長可変レーザ装置及び波長制御方法 Download PDF

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田中 正長
賢宜 木村
晃久 金堂
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古河電気工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a wavelength tunable laser device and a wavelength control method.
  • a wavelength tunable laser device that makes the oscillation wavelength of laser light tunable by utilizing the vernier effect (see, for example, Patent Document 1).
  • the wavelength tunable laser device described in Patent Document 1 uses a vernier effect to tune the oscillation wavelength of laser light, and a cycle of the wavelength of the laser light output from the wavelength tunable light source.
  • An optical filter such as an etalon having a transparent transmission characteristic, a light receiving element for acquiring the intensity of the laser light transmitted through the optical filter, and a control device for controlling the operation of the variable wavelength light source unit.
  • the control device calculates a monitor value corresponding to the wavelength of the laser light based on the intensity of the laser light acquired by the light receiving element.
  • the control device provides wavelength control information in which the reference wavelength, the control reference value that is derived from the transmission characteristic of the optical filter and serves as the reference value of the monitor value, and the initial power supplied to the heater of the variable wavelength light source unit are associated with each other.
  • a plurality of data are stored at predetermined wavelength intervals.
  • the control device uses the plurality of wavelength control information to correspond to the target wavelength.
  • a control target value that is the target value of the monitor value is calculated. Then, the control device controls the operation of the variable wavelength light source unit so that the monitor value matches the control target value.
  • the wavelength tunable laser device described in Patent Document 1 two reflection peaks are arranged periodically on the wavelength axis, and two reflection spectra are generated, each of which has a different wavelength interval between the reflection peaks.
  • wavelength tunability in a wide band is realized by the vernier effect shown below.
  • the two reflection spectra generated by the two reflection elements have different wavelength intervals between reflection peaks. Therefore, only one of the plurality of reflection peaks possessed by both simultaneously coincides. Then, an optical resonator is formed at the wavelengths of the matching reflection peaks, whereby laser oscillation occurs (one super mode is determined).
  • the reflection peak that coincides with the other reflection spectrum has a different wavelength.
  • an optical resonator is formed with a wavelength different from the wavelength up to that point, and laser oscillation is generated (a super mode different from the above-mentioned super mode is determined).
  • the wavelength tunable laser device described in Patent Document 1 when setting the target wavelength between the reference wavelengths at which the super modes are switched, it is not possible to calculate an appropriate control target value corresponding to the target wavelength.
  • a first super mode a reference wavelength that becomes the first super mode will be referred to as a first reference wavelength
  • a control reference corresponding to the first reference wavelength will be described.
  • the value is described as a first control reference value.
  • the other super mode is referred to as a second super mode
  • a reference wavelength that becomes the second super mode is referred to as a second reference wavelength
  • a control reference value corresponding to the second reference wavelength is referred to as a second reference wavelength. It is described as the control reference value of 2.
  • the initial power corresponding to the first reference wavelength (the initial power supplied to the heater of the wavelength tunable light source unit)
  • the initial power corresponding to the second reference wavelength has a large difference compared to the case where the super modes are the same. That is, the transmission characteristics of the optical filter when the wavelength of the laser light is the first reference wavelength (hereinafter referred to as the first transmission characteristics) and the transmission characteristics of the optical filter when the wavelength of the laser light is the second reference wavelength.
  • the control target value corresponding to the target wavelength between the first and second reference wavelengths is set according to the first control reference value and the second transmission characteristic set according to the first transmission characteristic.
  • the control target value is calculated from the first and second transmission characteristics that are deviated from each other, so that an appropriate control target value cannot be calculated. Therefore, there is a demand for a technique capable of calculating an appropriate control target value and accurately controlling the wavelength of the laser light to the target wavelength.
  • the present invention has been made in view of the above, and provides a wavelength tunable laser device and a wavelength control method capable of calculating an appropriate control target value and accurately controlling the wavelength of laser light to the target wavelength.
  • the purpose is to
  • a wavelength tunable laser device includes a wavelength tunable light source unit that tunable an oscillation wavelength of laser light by using a vernier effect, and the wavelength tunable light source unit.
  • An optical filter having a periodic transmission characteristic with respect to the wavelength of the laser light output from the light source, a light receiving element for acquiring the intensity of the laser light transmitted through the optical filter, and an operation of the variable wavelength light source unit.
  • a control value calculation unit that calculates a monitor value corresponding to the wavelength of the laser light based on the intensity of the laser light acquired by the light receiving element, and a plurality of wavelength control units.
  • a storage unit that stores information, a target value calculation unit that calculates a control target value that corresponds to the target wavelength and is a target value of the monitor value, based on the wavelength control information and the target wavelength of the laser light.
  • a wavelength control unit for controlling the wavelength of the laser light to the target wavelength based on the control target value and the monitor value, wherein the wavelength control information is a wavelength and the monitor value corresponding to the wavelength.
  • the control reference value which is a reference value
  • mode identification information for identifying a super mode determined when the control reference value is the control target value is information associated with the target value calculation unit
  • the control target value is calculated based on the wavelength control information.
  • the target value calculation unit is adjacent to either one of the short-wave side and the long-wave side with respect to the target wavelength among the plurality of wavelength control information.
  • the mode identification information is different between the first wavelength control information including the wavelength and the second wavelength control information including the wavelength adjacent to the target wavelength on the other side of the shortwave side and the longwave side.
  • the control target value is calculated using a plurality of the control reference values associated with the same mode identification information as one of the first wavelength control information and the second wavelength control information. It is characterized by
  • the target value calculation unit is adjacent to either one of the short-wave side and the long-wave side with respect to the target wavelength among the plurality of wavelength control information.
  • the mode identification information is the same between the first wavelength control information including the wavelength and the second wavelength control information including the wavelength adjacent to the target wavelength on the other side of the shortwave side and the longwave side.
  • the control target value is calculated using the plurality of control reference values associated with the same mode identification information.
  • the target value calculation unit when changing the wavelength of the laser light output by the wavelength tunable light source unit to the target wavelength, the wavelength Using the plurality of control reference values associated with the same mode identification information as the wavelength control information used when calculating the control target value corresponding to the wavelength of the laser light output by the variable light source unit Then, the control target value corresponding to the target wavelength is calculated.
  • the plurality of wavelength control information is a plurality of third wavelength control information in which a first mode identification information is associated with the wavelength in the first wavelength range.
  • the wavelength control information partially overlaps with the first wavelength range, and a second wavelength different from the first mode identification information with respect to the wavelength in the second wavelength range different from the first wavelength range.
  • a plurality of fourth wavelength control information associated with the mode identification information.
  • the target value calculation unit determines from the wavelength of the laser light output by the tunable light source unit in the first wavelength range to the first And when changing to the target wavelength in the range where the second wavelength range overlaps, the control target value corresponding to the target wavelength is calculated based on the control reference value of the plurality of third wavelength control information. It is characterized by doing.
  • the wavelength control information is associated with the wavelength, the control reference value, the mode identification information, and power supplied to the tunable light source unit.
  • the target value calculation unit associates the same mode identification information with the wavelength control information with the lower power among the first wavelength control information and the second wavelength control information.
  • the control target value corresponding to the target wavelength is calculated using the plurality of control reference values thus obtained.
  • the wavelength control information is associated with the wavelength, the control reference value, the mode identification information, and power supplied to the tunable light source unit.
  • the target value calculation unit is the laser output by the wavelength variable light source unit when changing the wavelength of the laser light output by the wavelength variable light source unit to the target wavelength.
  • a first calculation process or a second calculation process is executed based on the electric power associated with the wavelength of light, and the first calculation process is performed on the laser light output from the wavelength tunable light source unit.
  • the wavelength control information used in calculating the control target value corresponding to the wavelength of the laser light output by the wavelength tunable light source unit Is a process of calculating the control target value corresponding to the target wavelength by using the plurality of control reference values associated with the same mode identification information as the above, and the second calculation process is the wavelength variable light source.
  • the power associated with the wavelength of the laser light output by the unit is equal to or greater than the specific threshold value, the power is low among the first wavelength control information and the second wavelength control information. It is a process of calculating the control target value corresponding to the target wavelength using the plurality of control reference values associated with the same mode identification information as the one of the wavelength control information.
  • the wavelength tunable light source unit and the optical filter further include a temperature controller having an installation surface on which the tunable light source unit and the optical filter are provided.
  • the temperature controllers are installed on the same installation surface.
  • a wavelength control method is a wavelength control method executed by a controller of a wavelength tunable laser device, wherein the wavelength tunable laser device tunable oscillates a laser beam by utilizing a vernier effect.
  • a controller for controlling the operation of the variable wavelength light source unit the controller includes a storage unit for storing a plurality of wavelength control information, the wavelength control method, the laser light acquired by the light receiving element
  • Identification information is associated information, and in the target value calculation step, when the same wavelength as the target wavelength is different from the plurality of wavelength control information stored in the storage unit, the storage unit The control target value is calculated on the basis of a plurality of wavelength control information pieces associated with the same mode identification information pieces stored in the.
  • the wavelength tunable laser device and the wavelength control method according to the present invention it is possible to calculate an appropriate control target value and accurately control the wavelength of the laser light to the target wavelength.
  • FIG. 1 is a diagram showing the configuration of the wavelength tunable laser device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the variable wavelength light source unit.
  • FIG. 3A is a diagram showing first and second comb-shaped reflection spectra.
  • FIG. 3B is a diagram showing the first and second comb-shaped reflection spectra.
  • FIG. 4 is a diagram corresponding to FIG. 3A and showing overlapping of the first and second comb-shaped reflection spectra.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing the relationship between the refractive index of the diffraction grating layer and the ring-shaped waveguide and the supermode and the cavity mode.
  • FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of the control device.
  • FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of the control device.
  • FIG. 7 is a diagram showing a plurality of wavelength control information stored in the storage unit.
  • FIG. 8 is a flowchart showing the wavelength control method.
  • FIG. 9 is a flowchart showing the target value calculation step (step S2).
  • FIG. 10 is a diagram illustrating step S216.
  • FIG. 11 is a flowchart showing a target value calculation step (step S2A) according to the second embodiment.
  • FIG. 12 is a flowchart showing a target value calculation step (step S2B) according to the third embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram showing a plurality of wavelength control information stored in the storage unit in the fourth embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram showing the configuration of the wavelength tunable laser device 1 according to the first embodiment.
  • the tunable laser device 1 includes a tunable laser module 2 that is modularized, and a control device 3 that controls the operation of the tunable laser module 2.
  • the wavelength tunable laser module 2 and the control device 3 are separately configured, but the respective members 2 and 3 may be integrated into a module.
  • the wavelength tunable laser module 2 tunes the wavelength of the laser light to be output to an arbitrary target wavelength and outputs the laser light of the target wavelength.
  • the wavelength tunable laser module 2 includes a wavelength tunable light source unit 4, a semiconductor optical amplifier (SOA) 5, a planar lightwave circuit (PLC) 6, a light detection unit 7, and a temperature sensor 8. And a temperature controller 9.
  • FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the variable wavelength light source unit 4.
  • the wavelength tunable light source unit 4 is a wavelength tunable laser utilizing the vernier effect, and outputs the laser light L1 under the control of the control device 3.
  • the wavelength tunable light source unit 4 has a light source unit 41 for varying the wavelength of the laser beam L1 to be output, and three micro heaters 421 to 423 that generate heat according to the electric power supplied from the control device 3.
  • a wavelength tunable unit 42 that changes the wavelength of the laser light L1 output from the light source unit 41 by locally heating 41.
  • the light source section 41 includes first and second waveguide sections 43 and 44 formed on a common base B1.
  • the base B1 is made of, for example, n-type InP.
  • an n-side electrode 45 that is configured to include, for example, AuGeNi and is in ohmic contact with the base portion B1 is formed.
  • the first waveguide section 43 has a buried waveguide structure.
  • the first waveguide section 43 includes a waveguide section 431, a semiconductor laminated section 432, and a p-side electrode 433.
  • the waveguide portion 431 is formed in the semiconductor laminated portion 432 so as to extend in the z direction.
  • a gain section 431a and a DBR (Distributed Bragg Reflector) type diffraction grating layer 431b are arranged in the first waveguide section 43.
  • the gain section 431a is an active layer having a multiple quantum well structure made of InGaAsP and an optical confinement layer.
  • the diffraction grating layer 431b is composed of a sampled diffraction grating made of InGaAsP and InP.
  • the semiconductor laminated portion 432 is formed by laminating InP-based semiconductor layers, and has a function of a clad portion with respect to the waveguide portion 431.
  • the p-side electrode 433 is arranged on the semiconductor laminated portion 432 along the gain portion 431a.
  • a SiN protective film (not shown) is formed on the semiconductor laminated portion 432. Then, the p-side electrode 433 is in contact with the semiconductor laminated portion 432 through the opening (not shown) formed in the SiN protective film.
  • the micro-heater 421 is arranged on the SiN protective film of the semiconductor laminated portion 432 along the diffraction grating layer 431b.
  • the micro-heater 421 generates heat according to the electric power supplied from the control device 3 to heat the diffraction grating layer 431b. Further, the temperature of the diffraction grating layer 431b changes due to the control device 3 controlling the electric power supplied to the micro heater 421, and the refractive index thereof changes.
  • the second waveguide section 44 includes a two-branch section 441, two arm sections 442 and 443, and a ring-shaped waveguide 444.
  • the 2-branching unit 441 is configured by a 1 ⁇ 2 type branching waveguide including a 1 ⁇ 2 type multimode interference (MMI) waveguide 441a, and the 2-port side is connected to each of the two arm units 442 and 443.
  • the 1-port side is connected to the first waveguide section 43 side. That is, by the two-branching portion 441, one ends of the two arm portions 442 and 443 are integrated and optically coupled to the diffraction grating layer 431b.
  • Each of the arm portions 442 and 443 extends in the z direction and is arranged so as to sandwich the ring-shaped waveguide 444.
  • the arm portions 442 and 443 are optically coupled to the ring-shaped waveguide 444 with the same coupling coefficient ⁇ as that of the ring-shaped waveguide 444.
  • the value of ⁇ is 0.2, for example.
  • the arm portions 442 and 443 and the ring-shaped waveguide 444 form a ring resonator filter RF1. Further, the ring resonator filter RF1 and the two-branching portion 441 form a reflection mirror M1.
  • the micro-heater 422 has a ring shape and is arranged on a SiN protective film (not shown) formed so as to cover the ring-shaped waveguide 444. Then, the micro-heater 422 generates heat according to the electric power supplied from the control device 3, and heats the ring-shaped waveguide 444. Further, the temperature of the ring-shaped waveguide 444 changes due to the control device 3 controlling the electric power supplied to the micro-heater 422, and the refractive index thereof changes.
  • the above-described two-branching portion 441, the arm portions 442 and 443, and the ring-shaped waveguide 444 all have a high-mesa waveguide structure in which the optical waveguide layer 44a made of InGaAsP is sandwiched by the cladding layers made of InP. ..
  • the micro-heater 423 is arranged on a SiN protective film (not shown) of a part of the arm portion 443.
  • a region of the arm portion 443 below the micro heater 423 functions as a phase adjustment unit 445 that changes the phase of light.
  • the micro-heater 423 generates heat according to the electric power supplied from the control device 3, and heats the phase adjustment unit 445.
  • the controller 3 controls the electric power supplied to the micro-heater 423, so that the temperature of the phase adjusting unit 445 changes and the refractive index thereof changes.
  • the first and second waveguide portions 43 and 44 described above constitute an optical resonator C1 including a diffraction grating layer 431b and a reflection mirror M1 which are optically connected to each other.
  • the gain unit 431a and the phase adjustment unit 445 are arranged in the optical resonator C1.
  • FIGS. 3A and 3B are diagrams showing the first and second comb-shaped reflection spectra.
  • the horizontal axis represents wavelength and the vertical axis represents reflectance.
  • FIG. 3B is an enlarged view of the vicinity of 1550 nm of the first and second comb-shaped reflection spectra of FIG. 3A.
  • FIG. 4 is a diagram corresponding to FIG. 3A and showing overlapping of the first and second comb-shaped reflection spectra.
  • the diffraction grating layer 431b generates a first comb-shaped reflection spectrum having a periodic reflection characteristic at a predetermined wavelength interval, as indicated by a curve indicated by legend "SG” in FIG.
  • the ring resonator filter RF1 generates a second comb-shaped reflection spectrum having a periodic reflection characteristic at a predetermined wavelength interval, as indicated by the curve indicated by the legend "Ring” in FIG.
  • the second comb-shaped reflection spectrum has a peak SC2 (FIG. 3B) having a full width at half maximum narrower than the full width at half maximum of peak SC1 (FIG. 3B) of the first comb-shaped reflection spectrum. It has a periodic reflection characteristic at a wavelength interval different from the wavelength interval of the spectrum.
  • the peaks SC1 (SC2) are not strictly equal wavelength intervals.
  • the wavelength interval (free spectrum region: FSR) between the peaks SC1 of the first comb-shaped reflection spectrum is 373 GHz when expressed by the frequency of light.
  • the full width at half maximum of the peak SC1 is 43 GHz in terms of light frequency.
  • the wavelength interval (FSR) between the peaks SC2 of the second comb-shaped reflection spectrum is 400 GHz in terms of light frequency.
  • the full width at half maximum of the peak SC2 is 25 GHz in terms of light frequency.
  • the wavelength interval (400 GHz) between the peaks SC2 of the second comb-shaped reflection spectrum is wider than the wavelength interval (373 GHz) between the peaks SC1 of the first comb-shaped reflection spectrum.
  • the full width at half maximum (25 GHz) of the peak SC2 of the second comb-shaped reflection spectrum is narrower than the full width at half maximum (43 GHz) of the peak SC1 of the first comb-shaped reflection spectrum.
  • one of the peaks SC1 of the first comb-shaped reflection spectrum and one of the peaks SC2 of the second comb-shaped reflection spectrum can be superimposed on the wavelength axis. It is configured.
  • the curve indicated by the legend “Overlap” indicates the overlap between the first and second comb-shaped reflection spectra. In the example shown in FIG. 4, the overlap is largest at the wavelength of 1550 nm.
  • a peak SC1 overlapping with one of the peaks SC2 of the second comb-shaped reflection spectrum at a wavelength of 1550 nm is referred to as a peak SC1A.
  • the peak SC2A overlapping the peak SC1A is referred to as the peak SC2A.
  • at least one of the micro-heaters 421 and 422 is used to heat the diffraction grating layer 431b by the micro-heater 421 to change the refractive index thereof by the thermo-optical effect and thereby the first comb.
  • the entire circular reflection spectrum on the wavelength axis to change it hereinafter referred to as the first refractive index changing process
  • the micro-heater 422 heats the ring-shaped waveguide 444 to change its refractive index.
  • moving the second comb-shaped reflection spectrum as a whole on the wavelength axis to change it hereinafter referred to as the second refractive index changing processing). You can
  • the cavity length of the optical resonator C1 is set so that the cavity mode spacing (longitudinal mode spacing) is 25 GHz or less. With this setting, the resonator length of the optical resonator C1 is 1800 ⁇ m or more, and it can be expected that the line width of the oscillated laser light is narrowed.
  • the wavelength of the cavity mode of the optical resonator C1 is obtained by heating the phase adjusting unit 445 using the micro heater 423 to change the refractive index thereof and moving the wavelength of the cavity mode as a whole on the wavelength axis. Can be fine-tuned. That is, the phase adjuster 445 is a part for actively controlling the optical path length of the optical resonator C1.
  • the wavelength tunable light source section 4 causes the peak SC1 of the first comb-shaped reflection spectrum, It is configured such that the laser beam oscillates at a wavelength at which the peak SC2 of the second comb-shaped reflection spectrum and one of the cavity modes of the optical resonator C1 coincide with each other and outputs the laser beam L1.
  • FIG. 5 is a diagram schematically showing the relationship between the refractive index of the diffraction grating layer 431b and the ring-shaped waveguide 444 and the supermode and cavity mode.
  • the horizontal axis represents the refractive index of the ring-shaped waveguide 444
  • the vertical axis represents the refractive index of the diffraction grating layer 431b.
  • a plurality of figures shown as squares continuous in an oblique direction from the lower left to the upper right mean that the determined super modes are the same. Note that, in FIG. 5, for convenience of description, only the first and second super modes SM1 and SM2 among the plurality of super modes are represented by diagonal lines.
  • FIG. 5 for convenience of description, only the first and second super modes SM1 and SM2 among the plurality of super modes are represented by diagonal lines.
  • FIG. 5 for convenience of description, only the first and second super modes SM1 and SM2 among the plurality of super modes are represented by diagonal lines.
  • points CM1 to CM6 in the figure shown by the square indicate one of the cavity modes. More specifically, the point CM1 indicates the cavity mode CM1 of 1550 nm shown in FIG. 3B.
  • the point CM2 indicates the cavity mode CM2 of 1549.8 nm shown in FIG. 3B.
  • the point CM3 indicates the cavity mode CM3 of 1549.9 nm shown in FIG. 3B.
  • Point CM4 indicates the cavity mode CM4 of 1550.1 nm shown in FIG. 3B.
  • Point CM5 indicates the cavity mode CM5 of 1550.2 nm shown in FIG. 3B.
  • the lasing wavelength can be selected by utilizing the vernier effect as shown below. For example, by performing at least one of the first and second refractive index changing processes, as shown in FIGS. 3 and 4, the first comb-shaped reflection spectrum peak SC1A and the second comb at 1550 nm are obtained. The peak SC2A of the linear reflection spectrum. As a result, the first supermode SM1 for laser oscillation at 1550 nm is determined.
  • phase adjusting unit 445 is tuned to finely adjust the cavity mode, and the cavity mode CM1 is superposed on the peaks SC1A and SC2A overlapping each other at 1550 nm, whereby laser oscillation at 1550 nm can be realized.
  • the first and second refractive index changing processes can be entirely reflected on the wavelength axis.
  • the overlapping peaks SC1A and SC2A are respectively overlapped with the cavity modes CM2 to CM5, laser oscillations at 1549.8 nm, 1549.9 nm, 1550.1 nm, and 1550.2 nm can be realized respectively. ..
  • the super mode is also maintained in the first super mode SM1.
  • the first super mode SM1 laser oscillation can be realized in a specific oscillation wavelength range (hereinafter referred to as the first oscillation wavelength range).
  • the “super mode” in the present specification refers to a state in which one of the peaks SC1 of the first comb-shaped reflection spectrum and one of the peaks SC2 of the second comb-shaped reflection spectrum overlap each other. It means laser oscillation.
  • the boundaries (points) between the square figures that are diagonally adjacent to each other from the lower left to the upper right are the squares where the overlapping peaks SC1 and SC2 in the first and second comb-shaped reflection spectra are adjacent to each other.
  • laser oscillation occurs at each wavelength of each cavity mode.
  • the boundary BD1 means that the overlapping peaks SC1A and SC2A are located in the middle of the cavity modes CM1 and CM4.
  • laser oscillation occurs at 1550 nm in the cavity mode CM1 and 1550.1 nm in the cavity mode CM4.
  • another laser oscillation that can realize laser oscillation in an oscillation wavelength range different from the first oscillation wavelength range is performed.
  • a transition is made to a super mode (for example, a second super mode SM2 for oscillating laser at 1553 nm (a super mode capable of realizing laser oscillation in the second oscillation wavelength range)).
  • tuning is performed by the phase adjusting unit 445 to finely adjust the cavity mode, and one of the cavity modes is overlapped with another peak SC1 and SC2 that are overlapped with each other to realize laser oscillation in the other super mode.
  • the boundary (line) between the square figures adjacent to each other in the up-down direction or the left-right direction is the two pairs of peaks SC1, SC1 among the peaks SC1, SC2 in the first and second comb-shaped reflection spectra.
  • SC1 substantially coincides with each cavity mode in the adjacent square figure.
  • laser oscillation occurs at each wavelength of each cavity mode.
  • the boundary BD2 means a case where two sets of peaks SC1 and SC2 and two cavity modes substantially match at 1550 nm and 1553 nm, respectively.
  • laser oscillation occurs at 1550 nm and 1553 nm.
  • the laser oscillation wavelength is made variable by utilizing the thermo-optical effect of the micro-heater, but the present invention is not limited to this, and the laser oscillation wavelength may be made variable by utilizing the carrier plasma effect by current injection. I do not care.
  • the semiconductor optical amplifier 5 has a buried waveguide structure including an active core layer made of the same material and structure as the first waveguide section 43. However, the diffraction grating layer 431b is not provided.
  • the semiconductor optical amplifier 5 is optically coupled to the variable wavelength light source section 4 by a spatial coupling optical system (not shown).
  • the laser light L1 output from the variable wavelength light source unit 4 is input to the semiconductor optical amplifier 5. Further, the semiconductor optical amplifier 5 amplifies the laser light L1 and outputs it as the laser light L2.
  • the semiconductor optical amplifier 5 may be monolithically configured with the wavelength variable light source unit 4 on the base B1.
  • the planar lightwave circuit 6 is optically coupled to the arm portion 442 by a spatial coupling optical system (not shown). Then, like the laser light L1, a part of the laser light L3 generated by the laser oscillation in the wavelength variable light source unit 4 is input to the planar lightwave circuit 6 via the arm portion 442.
  • the laser light L3 has the same wavelength as the wavelength of the laser light L1.
  • the planar lightwave circuit 6 includes an optical branching portion 61, an optical waveguide 62, an optical waveguide 63 having a ring resonator type optical filter 63a, and an optical waveguide 64 having a ring resonator type optical filter 64a.
  • the light branching unit 61 branches the input laser light L3 into three laser lights L4 to L6. Then, the optical waveguide 62 guides the laser light L4 to a PD (Photo Diode) 71 described later in the photodetector 7. Further, the optical waveguide 63 guides the laser light L5 to the PD 72, which will be described later, in the photodetector 7. Further, the optical waveguide 64 guides the laser light L6 to the PD 73, which will be described later, in the photodetector 7.
  • the ring resonator type optical filters 63a and 64a each have a periodic transmission characteristic with respect to the wavelength of the incident light, and selectively select the laser beams L5 and L6 with a transmittance according to the transmission characteristic.
  • the laser beams L5 and L6 transmitted through the ring resonator type optical filters 63a and 64a are input to the PDs 72 and 73, respectively. That is, the ring resonator type optical filters 63a and 64a correspond to optical filters.
  • the ring resonator type optical filter 63a is referred to as optical filters 63a and 64a, respectively.
  • the optical filters 63a and 64a have transmission characteristics having different phases in the range of, for example, 1/3 to 1/5 of one cycle.
  • the light detection unit 7 includes PDs 71 to 73.
  • the PD 71 receives a laser beam L4 (a laser beam equivalent to the laser beam L1 output from the variable wavelength light source unit 4) and outputs an electric signal corresponding to the intensity of the laser beam L4 to the control device 3.
  • the PD 72 corresponds to a light receiving element.
  • the PD 72 receives the laser light L5 that has passed through the optical filter 63a and outputs an electric signal according to the intensity of the laser light L5 to the control device 3.
  • the PD 73 corresponds to a light receiving element.
  • the PD 73 receives the laser light L6 that has passed through the optical filter 64a and outputs an electric signal corresponding to the intensity of the laser light L6 to the control device 3.
  • the electric signals output from the PDs 71 to 73 are used for the wavelength locking process (the process of setting the laser light L1 output from the wavelength tunable light source unit 4 to the target wavelength) by the control device 3.
  • the temperature sensor 8 is composed of, for example, a thermistor or the like, and detects the ambient temperature of the planar lightwave circuit 6.
  • the temperature controller 9 is composed of, for example, a TEC (Thermo Electric Cooler) including a Peltier element.
  • a wavelength variable light source unit 4, a semiconductor optical amplifier 5, a planar lightwave circuit 6, a light detection unit 7, and a temperature sensor 8 are mounted on the temperature controller 9. Then, the temperature controller 9 adjusts the temperature of each of the members 4 to 8 according to the supplied electric power.
  • the installation surface 91 on which the members 4 to 8 are mounted is provided with the first region Ar1 on which the variable wavelength light source unit 4 and the semiconductor optical amplifier 5 are mounted, the planar lightwave circuit 6 and
  • the temperature sensor 8 is placed in the second region Ar2. That is, the temperature sensor 8 is arranged close to the planar lightwave circuit 6.
  • FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of the control device 3.
  • the control device 3 is connected to, for example, a higher-level control device (not shown) having a user interface, and controls the operation of the tunable laser module 2 according to an instruction from the user via the higher-level control device. ..
  • the wavelength lock processing by the control device 3 will be mainly described.
  • FIG. 6, for convenience of explanation as the configuration of the control device 3, only the configuration for executing the wavelength lock processing is illustrated. Further, in the wavelength locking process described below, for convenience of description, among the electric signals output from the PDs 72 and 73, the electric signal output from the PD 72 is used.
  • the control device 3 includes a control unit 31 and a storage unit 32.
  • the storage unit 32 includes a ROM or the like that stores various programs, data, and the like used when performing arithmetic processing for implementing each functional unit included in the control unit 31. Further, the storage unit 32 includes a work space when the control unit 31 performs the arithmetic processing, a RAM used for recording the result of the arithmetic processing of the control unit 31, and the like.
  • the control unit 31 is configured using an arithmetic device such as a CPU (Central Processing Unit).
  • the control unit 31 includes a monitor value calculation unit 311, a target value calculation unit 312, and a wavelength control unit 313.
  • the monitor value calculation unit 311 calculates a monitor value corresponding to the wavelength of the laser light L1 based on the output values of the electric signals output from the PDs 71, 72, 73, respectively. Specifically, the monitor value calculation unit 311 calculates the ratio of the output value of the electric signal output from the PD 72 to the output value of the electric signal output from the PD 71 as a monitor value (hereinafter, referred to as PD ratio A). Similarly, the ratio of the output value of the electric signal output from the PD 73 to the output value of the electric signal output from the PD 71 is calculated as a monitor value (hereinafter, referred to as PD ratio B).
  • PD ratio A is the ratio of the intensity (second intensity) detected by PD72 to the intensity (first intensity) detected by PD71. Further, as a value corresponding to the ratio, a ratio of the intensity obtained by applying the correction coefficient to the first intensity detected by the PD 71 to the intensity obtained by applying the correction coefficient to the second intensity detected by the PD 72 may be used. Further, as the amount corresponding to the ratio, the ratio may be calculated using the intensity obtained by applying the correction coefficient to either the first intensity or the second intensity.
  • PD ratio B is the ratio of the intensity (third intensity) detected by PD73 to the intensity (first intensity) detected by PD71. Further, as a value corresponding to the ratio, a ratio of the intensity obtained by applying the correction coefficient to the first intensity detected by the PD 71 to the intensity obtained by applying the correction coefficient to the third intensity detected by the PD 73 may be used. Further, as the amount corresponding to the ratio, the ratio may be calculated using the intensity obtained by applying the correction coefficient to either the first intensity or the third intensity.
  • the correction coefficient for the first intensity, the second intensity, or the third intensity is acquired in advance by an experiment or the like and is stored in the storage unit 32 in the form of table data, a relational expression, or the like. Read and use.
  • the correction coefficient may be determined, for example, according to the operating conditions of the laser device 1, the temperature detected by the temperature sensor 8, and the like. Further, the correction coefficient may be set to be suitable for fitting to the standardized frequency discrimination curve.
  • the application of the correction coefficient to the first intensity, the second intensity, or the third intensity is, for example, application by any operation of addition, subtraction, multiplication, and division. In controlling the wavelength, either the PD ratio A or the PD ratio B may be used, and hereinafter, the PD ratio A and the PD ratio B may be collectively referred to as the PD ratio.
  • the target value calculation unit 312 calculates various target values based on the target wavelength acquired from a higher-order control device (not shown) and the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32.
  • FIG. 7 is a diagram showing a plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32.
  • the control reference value which is the reference value of the PD ratio in the above, is associated with the mode identification information for identifying the super mode determined when the wavelength locking process is executed using the plurality of powers and the control reference value. It is information.
  • each wavelength control information of 1 to X-1, X, X+1, X+2,... Reference wavelengths ⁇ 1 to ⁇ X-1 , ⁇ X , ⁇ X+1 , ⁇ X+2 ,... [nm] are As the number of the subscript attached to the letter " ⁇ " increases, the number gradually increases at a specific wavelength interval. And the said reference wavelength means a grid wavelength. Further, in FIG. In the wavelength control information of 1 to X-1, X, X+1, X+2,..., the total power of the plurality of powers supplied to the micro heaters 421 to 423 is calculated as the reference power PW 1 to PW X-1 , PW.
  • each reference power PW 1 to PW X-1 , PW X [W] becomes larger as the number of the subscript attached to the letter "PW" increases. It will gradually grow.
  • the reference powers PW X+1 , PW X+2 ,... [W] are sequentially increased as the number of the subscript attached to the character of “PW” increases. , It is getting bigger.
  • the same mode identification information is provided, and if the difference is not less than the threshold, different mode identification information is provided. It is possible to associate each wavelength control information with each mode identification information corresponding to the super mode that realizes the reference wavelength in each wavelength control information.
  • the target value calculation unit 312 calculates, as various target values used in the wavelength lock processing, a control target value that is a target value of the PD ratio, initial power supplied to the microheaters 421 to 423, and the like. More specifically, the target value calculation unit 312 determines that the reference wavelength that is the same as the target wavelength acquired from a higher-order control device (not shown) is included in the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32. Calculates the control reference value associated with the reference wavelength as the control target value and the reference power associated with the reference wavelength as the initial power.
  • the target value calculation unit 312 when the reference wavelength that is the same as the target wavelength acquired from the higher-level control device (not shown) is not included in the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, The control target value and the initial power are calculated using a plurality of wavelength control information.
  • the wavelength control unit 313 supplies a plurality of powers to the micro heaters 421 to 423 based on the PD ratio calculated by the monitor value calculation unit 311, the control target value calculated by the target value calculation unit 312, and the initial power. Of the laser light L1 is controlled to the target wavelength.
  • FIG. 8 is a flowchart showing the wavelength control method.
  • laser oscillation is performed at the reference wavelength ⁇ S currently included in the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and the laser wavelength is changed from the reference wavelength ⁇ S to the target wavelength ⁇ .
  • a wavelength control method when changing the oscillation wavelength of the light L1 will be described.
  • the reference wavelength that is the same as the target wavelength ⁇ is not included in the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32.
  • the control device 3 acquires the target wavelength ⁇ input to a higher-order control device (not shown) via the user interface from the higher-order control device (step S1).
  • step S2 the target value calculation unit 312, based on the target wavelength ⁇ acquired in step S1 and the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, sets various target values ( Control target value and initial power) are calculated (step S2: target value calculation step).
  • FIG. 9 is a flowchart showing the target value calculation step (step S2).
  • the target value calculation unit 312 sets a variable Z, which is a subscript shown below for identifying the reference wavelength, to S indicating the wavelength (reference wavelength ⁇ S ) of the laser light L1 currently output by the wavelength tunable light source unit 4. Yes (step S211).
  • the target value calculation unit 312 determines whether the target wavelength ⁇ acquired in step S1 is larger than the reference wavelength ⁇ Z (step S212).
  • the target value calculation unit 312 determines whether the target wavelength ⁇ is smaller than the reference wavelength ⁇ Z+1 (step S213). .. When it is determined to be “No” in step S213, the target value calculation unit 312 increments the variable Z by 1 (step S214) and returns to step S213. On the other hand, when it is determined to be “Yes” in step S213 (that is, when the variable Z that satisfies ⁇ Z ⁇ Z+1 is specified), the target value calculation unit 312 executes the following processing (step S215).
  • the target value calculation unit 312 refers to the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and the mode identification information associated with the reference wavelength ⁇ Z and the mode identification information associated with the reference wavelength ⁇ Z+1. To determine if and are different.
  • step S215 Yes the target value calculation unit 312, the following process It is executed (step S216).
  • the target value calculation unit 312 refers to the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and sets the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z ⁇ 1 and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z. From this, various target values (control target value and initial power) are calculated.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating step S216. Specifically, in FIG. 10, the horizontal axis represents wavelength and the vertical axis represents PD ratio. Further, in FIG. 10, the curve CL1 shows the behavior of the PD ratio with respect to the wavelength when the optical filter 63a is set to the first temperature (transmission characteristic of the optical filter 63a at the first temperature). The curve CL2 shows the behavior of the PD ratio with respect to the wavelength (transmission characteristic of the optical filter 63a at the second temperature) when the optical filter 63a is set to the second temperature higher than the first temperature. There is.
  • the difference between the reference power PW X-1 and the reference power PW X supplied to the microheaters 421 to 423 is relatively small. That is, when the reference power PW X-1 is supplied to the micro heaters 421 to 423 and the reference power PW X is supplied to the micro heaters 421 to 423, respectively, the temperature of the optical filter 63a is The temperatures are substantially the same, for example, the first temperature. For this reason, CHNo.
  • the reference wavelength ⁇ X and the control reference value Pd X in the X wavelength control information are points on the curve CL1. That is, in the case of the same supermode defined by the mode identification information “A”, the reference wavelength and the control reference value in each wavelength control information are points on the same curve CL1.
  • the difference between the reference power PW X+1 and the reference power PW X+2 supplied to the microheaters 421 to 423 is the difference between the reference power PW X-1 and the reference power PW X described above. It is also small.
  • the reference powers PW X+1 and PW X+2 are powers relatively larger than the reference powers PW X-1 and PW X. That is, the temperature of the optical filter 63a is substantially the same when the reference power PW X+1 is supplied to the micro heaters 421 to 423 and when the reference power PW X+2 is supplied to the micro heaters 421 to 423, respectively.
  • the reference wavelength ⁇ X+2 and the control reference value Pd X+2 in the wavelength control information of X+2 are points on the curve CL2. That is, in the case of the same super mode defined by the mode identification information “B”, the reference wavelength and the control reference value in each wavelength control information are points on the same curve CL2.
  • the wavelength (reference wavelength ⁇ Z ) of the laser light L1 output by the wavelength tunable light source unit 4 at the present time is the reference wavelength ⁇ X , and ⁇ X ⁇ ⁇ X+1 .
  • the X+1 wavelength control information is wavelength control information including the wavelength ⁇ X+1 adjacent to the target wavelength ⁇ on the long-wave side.
  • CH No. The wavelength control information of X is wavelength control information including the wavelength ⁇ X adjacent to the target wavelength ⁇ on the short wave side. For this reason, CHNo. X+1 and CH No. Each wavelength control information of X corresponds to the first and second wavelength control information.
  • the reference wavelength ⁇ X and the control reference value Pd X and the reference wavelength ⁇ X+1 and the control reference value Pd X+1 are points on the different curves CL1 and CL2, respectively.
  • the control target value corresponding to the target wavelength ⁇ is calculated, the control target value is calculated from the mutually deviated curves CL1 and CL2, and thus an inappropriate value is calculated as the control target value.
  • the wavelength locking process is executed using the control target value, the wavelength of the laser light L1 cannot be controlled to the target wavelength ⁇ .
  • the target value calculation unit 312 determines in step S216 that the CH No. including the wavelength ⁇ X-1 at which the reference wavelength and the control reference value are points on the same curve CL1. CH No. including the wavelength control information of X-1 and the wavelength ⁇ X.
  • Various target values are calculated from the X wavelength control information. Specifically, as shown in FIG. 10, the target value calculation unit 312 uses extrapolation from the reference wavelength ⁇ X-1 and the control reference value Pd X-1 and the reference wavelength ⁇ X and the control reference value Pd X to obtain A control target value Pd1 corresponding to the target wavelength ⁇ is calculated.
  • the target value calculation unit 312 calculates the initial power corresponding to the target wavelength ⁇ by extrapolation from the reference wavelength ⁇ X-1 and the reference power PW X-1 and the reference wavelength ⁇ X and the reference power PW X. To do. As described above, in step S216, the target value calculation unit 312 does not include the reference wavelength that is the same as the target wavelength ⁇ in the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32. When the mode identification information differs between the wavelength control information (CH No. X+1 and each wavelength control information of CH No.
  • the wavelength ⁇ X of the laser light L1 currently output by the wavelength tunable light source unit 4 is set to
  • the control target value Pd1 corresponding to the target wavelength ⁇ is determined by using a plurality of control reference values Pd X-1 and Pd X associated with the same mode identification information as the included wavelength control information (CH No. X wavelength control information). calculate.
  • This step S216 is an example of the step of calculating the control target value based on a plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32 and associated with the same mode identification information. Then, after step S216, the control device 3 returns to the main routine shown in FIG.
  • step S215 the case where the reference wavelength lambda mode identification information associated Z and the mode identification information associated with a reference wavelength lambda Z + 1 is determined to be identical (step S215: No), the calculated target value
  • the unit 312 executes the following processing (step S217).
  • step S217 the target value calculation unit 312 refers to the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and selects various wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z+1 and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z.
  • a target value (control target value and initial power) is calculated.
  • the case of determining “No” in step S215 and executing step S217 is assumed to be, for example, the following case. That is, it is assumed that the wavelength (reference wavelength ⁇ Z ) of the laser light L1 output by the wavelength tunable light source unit 4 at the present time is the reference wavelength ⁇ X-1 , and ⁇ X-1 ⁇ ⁇ X. It In this case, since the reference wavelength ⁇ X-1 and the control reference value Pd X-1 and the reference wavelength ⁇ X and the control reference value Pd X are associated with the same mode identification information, respectively, on the same curve CL1. Points (Figs. 7 and 10).
  • the target value calculation unit 312 uses the reference wavelength ⁇ X-1 and the control reference value Pd X-1 and the reference wavelength ⁇ X and the control reference value Pd X by interpolation to control the target wavelength ⁇ corresponding to the target wavelength ⁇ . Calculate the value. Similarly, the target value calculation unit 312 calculates the initial power corresponding to the target wavelength ⁇ by interpolation from the reference wavelength ⁇ X-1 and the reference power PW X-1 and the reference wavelength ⁇ X and the reference power PW X. To do.
  • This step S217 is an example of the step of calculating the control target value based on the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32 and associated with the same mode identification information. Then, after step S217, the control device 3 returns to the main routine shown in FIG.
  • step S212 if it is determined “No” in step S212, the target value calculation unit 312 determines whether the target wavelength ⁇ is larger than the reference wavelength ⁇ Z ⁇ 1 (step S218). When it is determined to be “No” in step S218, the target value calculation unit 312 decrements the variable Z by 1 (step S219) and returns to step S218. On the other hand, if it is determined "Yes” in step S218 (i.e., if the variable Z that satisfies ⁇ Z-1 ⁇ ⁇ Z is specified), the target value calculation unit 312 executes the following process (Step S220).
  • the target value calculation unit 312 refers to the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and identifies the mode identification information associated with the reference wavelength ⁇ Z and the mode associated with the reference wavelength ⁇ Z ⁇ 1. It is determined whether the identification information is different.
  • the target value calculation unit 312 refers to the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and selects various types from the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z+1 and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z.
  • the target value (control target value and initial power) of is calculated.
  • step S220 and step S221 The case where it is determined to be "Yes" in step S220 and step S221 is executed is assumed to be, for example, the following case. That is, it is assumed that the wavelength (reference wavelength ⁇ Z ) of the laser light L1 output by the wavelength tunable light source unit 4 at the present time is the reference wavelength ⁇ X+1 , and ⁇ X ⁇ X+1 .
  • the X+1 wavelength control information is wavelength control information including the wavelength ⁇ X+1 adjacent to the target wavelength ⁇ on the long-wave side.
  • the wavelength control information of X is wavelength control information including the wavelength ⁇ X adjacent to the target wavelength ⁇ on the short wave side. That is, CH No.
  • each wavelength control information of X corresponds to the first and second wavelength control information.
  • the reference wavelength ⁇ X and the control reference value Pd X and the reference wavelength ⁇ X+1 and the control reference value Pd X+1 are points on different curves CL1 and CL2, respectively. Therefore, as in step S216, the target value calculation unit 312 determines in step S221 the wavelength ⁇ X+1 of the laser light L1 currently output by the wavelength tunable light source unit 4 and the control reference value Pd X+1, and the wavelength ⁇ . CH No. including X+1 . CH No. associated with the same mode identification information “B” as the wavelength control information of X+1.
  • the control target value Pd2 (FIG.
  • step S221 is an example of a step of calculating the control target value based on a plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32 and associated with the same mode identification information. Then, after step S221, the control device 3 returns to the main routine shown in FIG.
  • step S220 if the reference wavelength lambda mode identification information associated Z and the mode identification information associated with a reference wavelength lambda Z-1 is determined to be identical: (step S220 No), the target The value calculation unit 312 executes the following processing (step S222).
  • the target value calculation unit 312 refers to the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and determines from the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z ⁇ 1 and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z.
  • Various target values control target value and initial power
  • This step S222 is an example of the step of calculating the control target value based on a plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32 and associated with the same mode identification information.
  • step S220 and step S222 are assumed to be, for example, the following case. That is, it is assumed that the wavelength (reference wavelength ⁇ Z ) of the laser light L1 output by the wavelength tunable light source unit 4 at the present time is the reference wavelength ⁇ X+2 , and ⁇ X+1 ⁇ X+2 . In this case, since the reference wavelength ⁇ X+2 and the control reference value Pd X+2 and the reference wavelength ⁇ X+1 and the control reference value Pd X+1 are associated with the same mode identification information, they are points on the same curve CL2. (FIGS. 7 and 10).
  • the target value calculation unit 312 calculates the control target value corresponding to the target wavelength ⁇ by interpolation from the reference wavelength ⁇ X+2 and the control reference value Pd X+2 and the reference wavelength ⁇ X+1 and the control reference value Pd X+1. .. Similarly, the target value calculation unit 312 calculates the initial power corresponding to the target wavelength ⁇ by interpolation from the reference wavelength ⁇ X+2 and the reference power PW X+2 and the reference wavelength ⁇ X+1 and the reference power PW X+1 . Then, after step S222, the control device 3 returns to the main routine shown in FIG.
  • step S2 the wavelength controller 313 supplies the initial electric power calculated in step S2 to the microheaters 421 to 423, respectively (step S3).
  • step S3 the monitor value calculation unit 311 starts calculation of the PD ratio (step S4: monitor value calculation step).
  • step S4 monitor value calculation step.
  • step S4 the wavelength controller 313 supplies electric power to the microheaters 421 to 423 so that the latest PD ratio calculated after step S4 matches the control target value calculated at step S2.
  • step S5 wavelength control step.
  • step S5 the wavelength controller 313 monitors whether or not the latest PD ratio calculated after step S4 matches the control target value calculated at step S2 by executing step S5. (Step S6). When it is determined that the PD ratio does not match the control target value (step S6: No), the wavelength controller 313 returns to step S5. On the other hand, when it is determined that the PD ratio matches the control target value (step S6: Yes), the control device 3 ends this control flow.
  • the target value calculation unit 312 does not include the same wavelength as the target wavelength ⁇ in the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and thus the first and second wavelength control information.
  • the mode identification information is different between the two, it is the same as the wavelength control information including the wavelength ⁇ Z of the laser light L1 currently output by the wavelength tunable light source unit 4 among the first and second wavelength control information.
  • the control target values (Pd1, Pd2) corresponding to the target wavelength ⁇ are calculated using the plurality of control reference values associated with the mode identification information (steps S216, S221).
  • control target values (Pd1, Pd2) are calculated from the points on the same transmission characteristic (curve CL1 or curve CL2), appropriate control target values (Pd1, Pd2) can be calculated. Therefore, the wavelength of the laser light L1 can be accurately controlled to the target wavelength ⁇ by executing the wavelength locking process using the appropriate control target values (Pd1, Pd2).
  • the target value calculation unit 312 controls the wavelength including the wavelength ⁇ Z of the laser light L1 currently output by the wavelength tunable light source unit 4 among the first and second wavelength control information.
  • the control target values (Pd1, Pd2) corresponding to the target wavelength ⁇ are calculated using a plurality of control reference values associated with the same mode identification information as the information. Therefore, when the oscillation wavelength of the laser light L1 is changed from the wavelength ⁇ Z of the laser light L1 output by the wavelength tunable light source unit 4 to the target wavelength ⁇ at the present time, the power supplied to the microheaters 421 to 423 is changed. It is possible to reduce the change and the change in the transmission characteristic of the optical filter 63a. Therefore, a more appropriate control target value (Pd1, Pd2) can be calculated.
  • the temperature of the variable wavelength light source unit 4 and the planar lightwave circuit 6 is adjusted by only one temperature adjuster 9.
  • the wavelength tunable unit 42 uses microheaters 421 to 423 that locally heat the light source unit 41. Since it is configured, a temperature distribution is likely to occur in the surface of the installation surface 91, and the transmission characteristics of the optical filter 63a are likely to change. In other words, the structure is such that problems are likely to occur. Therefore, by adopting the first embodiment in the structure, it is possible to preferably solve the problem that an appropriate control target value can be calculated.
  • the target value calculation unit 312 executes the following target value calculation step (step S2A) instead of the target value calculation step (step S2) described in the first embodiment.
  • FIG. 11 is a flowchart showing a target value calculation step (step S2A) according to the second embodiment.
  • step S2A target value calculation step according to the present second embodiment
  • steps S223 to S225 are adopted, and steps S226 to S228 are adopted instead of step S221. Therefore, only steps S223 to S228 will be described below.
  • Step S223 the reference wavelength lambda mode identification information associated Z and the mode identification information associated with a reference wavelength lambda Z + 1 is when it is different from the judgment: is executed (step S215 Yes).
  • the target value calculation unit 312 refers to the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and the reference power PW Z associated with the reference wavelength ⁇ Z is associated with the reference wavelength ⁇ Z+1. It is determined whether it is larger than PW Z+1 .
  • the target value calculation unit 312 executes the following processing (step S224).
  • the target value calculation unit 312 refers to the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and selects various wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z+1 and wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z+2. The target value (control target value and initial power) of is calculated.
  • the target value calculation unit 312 executes the following processing (step S225).
  • the target value calculation unit 312 refers to the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and determines the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z ⁇ 1 and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z. From this, various target values (control target value and initial power) are calculated.
  • ⁇ Z ⁇ ⁇ has a lambda Z + 1 relationship and association mode identification information associated with the reference wavelength lambda Z and the reference wavelength lambda Z + 1
  • the target wavelength ⁇ is a wavelength between the wavelengths ⁇ Z+1 and ⁇ Z at which the super mode is switched. Therefore, from each wavelength control information (corresponding to the first and second wavelength control information) including the reference wavelength ⁇ Z+1 and the reference wavelength ⁇ Z , various target values (control target value and initial power) corresponding to the target wavelength ⁇ are obtained. ), an inappropriate value is calculated as the target value as described in the first embodiment.
  • the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z+1 and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z+2 include the same mode identification information.
  • the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z-1 and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z include the same mode identification information. That is, similar to steps S216 and S223 described in the first embodiment, various target values corresponding to the target wavelength ⁇ are obtained from the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z+1 and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z+2. (Control target value and initial power) is calculated (step S224), or various targets corresponding to the target wavelength ⁇ based on the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z ⁇ 1 and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z. By calculating the values (control target value and initial power) (step S225), it is possible to calculate appropriate target values (control target value and initial power).
  • the target value calculation unit 312 executes step S223 to perform the wavelength control information including the first and second wavelength control information (the reference wavelength ⁇ Z+1 and the reference wavelength ⁇ Z , respectively). ), the wavelength control information with the lower reference power is selected. Further, the target value calculation unit 312 uses the wavelength control information in which the same mode identification information as the selected wavelength control information is associated, and uses the various target values (control target value and initial power) corresponding to the target wavelength ⁇ . Is calculated (steps S224 and S225). Then, after step S224 or step S225, the control device 3 returns to the main routine shown in FIG.
  • Step S226, the reference wavelength lambda mode identification information associated Z and the mode identification information associated with a reference wavelength lambda Z-1 is when it is different from the judgment: is executed (step S220 Yes).
  • the target value calculation unit 312 refers to the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and the reference power PW Z associated with the reference wavelength ⁇ Z is associated with the reference wavelength ⁇ Z ⁇ 1 . It is determined whether or not it is smaller than the reference power PW Z-1 .
  • the target value calculation unit 312 executes the following processing (step S227).
  • the target value calculation unit 312 refers to the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and selects various wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z+1 and wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z.
  • the target value (control target value and initial power) of is calculated.
  • the target value calculation unit 312 executes the following processing (step S228).
  • the target value calculation unit 312 refers to the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z ⁇ 1 and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z ⁇ 2.
  • Various target values are calculated from the information.
  • ⁇ Z-1 ⁇ ⁇ has a relationship of Z, and reference wavelength lambda mode identification information associated with the Z and the reference wavelength lambda Z
  • the target wavelength ⁇ is a wavelength between the wavelengths ⁇ Z and ⁇ Z-1 at which the super mode is switched. Therefore, from each wavelength control information (corresponding to the first and second wavelength control information) including the reference wavelength ⁇ Z and the reference wavelength ⁇ Z-1 , various target values (control target value and initial value) corresponding to the target wavelength ⁇ are obtained. When the electric power) is calculated, an inappropriate value is calculated as the target value, as described in the first embodiment.
  • the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z+1 and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z include the same mode identification information.
  • the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z-1 and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z-2 include the same mode identification information. That is, similar to steps S216 and S221 described in the first embodiment, various target values corresponding to the target wavelength ⁇ are calculated from the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z+1 and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z. (Control target value and initial power) is calculated (step S227), or various types of wavelengths corresponding to the target wavelength ⁇ are calculated from the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z-1 and the wavelength control information including the reference wavelength ⁇ Z-2 . By calculating the target value (control target value and initial power) (step S228), an appropriate target value (control target value and initial power) can be calculated.
  • the target value calculation unit 312 executes step S226 to perform the first and second wavelength control information (each wavelength including the reference wavelength ⁇ Z and the reference wavelength ⁇ Z ⁇ 1 , respectively). Control information), the wavelength control information having the lower reference power is selected. Further, the target value calculation unit 312 uses the wavelength control information in which the same mode identification information as the selected wavelength control information is associated, and uses the various target values (control target value and initial power) corresponding to the target wavelength ⁇ . Is calculated (steps S227 and S228). Then, after step S227 or step S228, the control device 3 returns to the main routine shown in FIG.
  • the target value calculation unit 312 selects the wavelength control information having the lower reference power from the first and second wavelength control information, and the same mode identification information as the selected wavelength control information.
  • the control target value corresponding to the target wavelength ⁇ is calculated using the wavelength control information associated with (steps S223 to S225, S226 to S228). Therefore, it is possible to calculate an appropriate control target value and reduce the power consumption of the wavelength tunable laser device 1.
  • the target value calculation unit 312 executes the following target value calculation step (step S2B) instead of the target value calculation step (step S2) described in the first embodiment.
  • FIG. 12 is a flowchart showing a target value calculation step (step S2B) according to the third embodiment.
  • the target value calculation unit 312 refers to the plurality of wavelength control information stored in the storage unit 32, and the tunable light source unit 4 at this time It is determined whether or not the reference power PW Z associated with the wavelength (reference wavelength ⁇ Z ) of the output laser light L1 is greater than or equal to a specific threshold (step S231). When it is determined that the reference power PW Z is less than the specific threshold value (step S231: No), the target value calculation unit 312 performs the process of step S2 shown in FIG. 9 (corresponding to the first calculation process). Execute.
  • step S231 when it is determined that the reference power PW Z is equal to or higher than the specific threshold value (step S231: Yes), the target value calculation unit 312 performs the process of step S2A illustrated in FIG. 11 (corresponding to the second calculation process). ) Is executed.
  • the target value calculation unit 312 determines that the reference power PW Z associated with the wavelength (reference wavelength ⁇ Z ) of the laser light L1 currently output by the wavelength tunable light source unit 4 is less than a specific threshold value. If it is, the first calculation process is executed, and if it is greater than or equal to the specific threshold value, the second calculation process is executed. Therefore, the second calculation process can be executed only when the power consumption at the present time is relatively high, and it is possible to prevent unnecessary large changes in the power supplied to the microheaters 421 to 423. be able to.
  • the storage unit 32 stores the wavelength control information shown in FIG. 13 as an example instead of the wavelength control information shown in FIG. 7.
  • m and n used for subscripts such as CH No. are integers of 4 or more, for example.
  • the plurality of wavelength control information shown in FIG. 13 includes a plurality of reference wavelengths and a plurality of pieces of supply to the microheaters 421 to 423 for controlling the wavelength of the laser light L1 to the reference wavelength.
  • the power and the control reference value that is the reference value of the PD ratio when the wavelength of the laser light L1 is set to the reference wavelength
  • the wavelength lock process using the plurality of powers and the control reference value are executed. This is information associated with the mode identification information for identifying the determined super mode.
  • the plurality of wavelength control information includes a plurality of third wavelength control information and a plurality of fourth wavelength control information.
  • Examples of the plurality of third wavelength control information are CHNo. It is the wavelength control information from 1 to CHNo.X+n-1.
  • the mode identification information “A” is associated with the wavelength range from the reference wavelengths ⁇ 1 to ⁇ X+n ⁇ 1 (an example of the first wavelength range).
  • Examples of the plurality of fourth wavelength control information are CHNo. X ⁇ m+1 to at least a predetermined CH No. larger than CH No. X+n+1 (not shown). It is the wavelength control information up to.
  • the mode identification information “B” is associated with the wavelength range (example of the second wavelength range) in the predetermined wavelength longer than the reference wavelength ⁇ X ⁇ m+1 and at least ⁇ X+n+1. Has been. It should be noted that the first wavelength range and the second wavelength range in this example partially overlap. The overlapping wavelength range is from ⁇ X ⁇ m+1 to ⁇ X+n ⁇ 1 .
  • Each wavelength control information for each wavelength includes each reference power as the total power of the plurality of powers supplied to the micro heaters 421 to 423 for each mode, and also refers to the target wavelength of the laser light L1 for each reference.
  • a control reference value that is a reference value of the PD ratio when the wavelength is set is included. For example, CHNo.
  • the mode identification information “A” is associated with the PDA X and PWA X [W]
  • the mode identification information “B” is associated with the PDB X and PWB X [W]. ..
  • the storage unit 32 also stores wavelength control information associated with the mode identification information “C”, which is different from the mode identification information “A” and “B”.
  • the mode identification information “C” is associated with each wavelength (for example, grid wavelength) in the wavelength range that partially overlaps with the second wavelength range, and constitutes the wavelength control information.
  • reference wavelength range of the mode identification information "A” is associated, as compared to the case of FIG. 7, from the range of lambda X from the reference wavelength lambda 1, from the reference wavelength ⁇ 1 ⁇ X + It can be said that the range (n-1) is expanded by the expanded range.
  • the wavelength range of the reference wavelength mode identification information "B” is associated, as compared to the case of FIG. 7, the range from the reference wavelength lambda X, in the range from the reference wavelength ⁇ X-m + 1, extension It can be said that the range has been expanded.
  • the expansion range can be expanded to a range in which the electric power supplied to the micro heater 421 or the micro heater 422 becomes zero.
  • the control unit 31 executes the control method as in the case shown in FIGS. Note that in step S215 in FIG. 9, when the reference wavelength lambda mode identification information associated Z and the mode identification information associated with a reference wavelength lambda Z + 1 to determine whether different or not, the reference wavelength lambda Z or reference even mode identification information associated with the wavelength lambda Z + 1 there are a plurality, if the same mode identification information associated with each of the reference wavelength lambda Z and the reference wavelength lambda Z + 1 is determined as "No" at step S215 To be done.
  • the control device 3 controls the variable wavelength light source unit 4 to Consider a case where the wavelength of the output laser light L1 is changed to a target wavelength included in the wavelength range from ⁇ X ⁇ m+1 to ⁇ X+n ⁇ 1 and having no corresponding wavelength control information in the storage unit 32.
  • the wavelength range from ⁇ X ⁇ m+1 to ⁇ X+n ⁇ 1 is an example of a range in which the first and second wavelength ranges overlap.
  • the target value calculation unit 312 calculates the control target value corresponding to the target wavelength by using the control reference values of the plurality of third wavelength control information associated with the mode identification information “A”.
  • the change from the wavelength of the laser light L1 output by the wavelength tunable light source unit 4 to the target wavelength can be realized only in the super mode corresponding to the mode identification information "A". Control can be omitted.
  • the wavelength control information as shown in FIG. 7 when changing the wavelength of the laser light L1 from the wavelength ⁇ 1 to the wavelength ⁇ x+2 as the target wavelength, it is necessary to switch the super mode.
  • the wavelength control information as shown in FIG. 13 when the wavelength of the laser light L1 is changed from the wavelength ⁇ 1 to the wavelength ⁇ x+2 as the target wavelength, super mode switching is unnecessary. ..
  • the fourth embodiment using the wavelength control information as shown in FIG. 13 can be suitably used, for example, when performing control called a fine tuning frequency (FTF).
  • the FTF is a control that continuously changes the wavelength of the laser light L1 to the target wavelength while maintaining the state where the wavelength variable light source unit 4 outputs the laser light L1 and the laser device 1 outputs the laser light L2. is there.
  • different mode identification information may not be stored in association with all reference wavelengths in the overlapping wavelength ranges stored in the storage unit 32.
  • the storage unit 32 associates the mode identification information “B” with one or more reference wavelengths ⁇ k (X ⁇ m+1 ⁇ k ⁇ X+n ⁇ 1).
  • the wavelength control information associated with the mode identification information “A” and the PDA k and PWA k [W] may be stored instead of storing the associated wavelength control information.
  • the mode identification information “B” stored in the storage unit 32 is associated. The calculation may be performed based on the wavelength control information of the other plural reference wavelengths.
  • the present invention should not be limited only by the above-described first to fourth embodiments.
  • the two optical filters 63a and 64a are provided in the above-described first to fourth embodiments, the present invention is not limited to this, and only one optical filter 63a may be provided, or three or more optical filters may be provided. It may be provided.
  • the ring resonator type optical filters 63a and 64a are adopted as the optical filter according to the present invention, but the present invention is not limited to this.
  • optical filters such as an etalon may be adopted as the optical filter according to the present invention as long as the optical filter has a periodic transmission characteristic with respect to the wavelength of incident light.
  • the flow showing the wavelength control method executed by the control device 3 is not limited to the order of the processes in the flow charts (FIGS. 8, 9, 11, and 12) described in the above-described first to fourth embodiments, and the contradiction may occur. It may be changed within the range without.
  • Z 0 different from S may be set and the flow of Embodiments 1 to 4 may be executed.
  • the Z 0 is, for example, CH No. stored in the storage unit 32. The smallest one, the largest one, or the one corresponding to the predetermined wavelength control information may be used.
  • the present invention is suitable for application to, for example, a wavelength tunable laser device for communication.
  • Wavelength tunable laser device 2 Wavelength tunable laser module 3
  • Control device 4 Wavelength tunable light source unit 5
  • Semiconductor optical amplifier 6 Planar lightwave circuit 7
  • Photodetector unit 8 Temperature sensor 9
  • Temperature controller 31 Control unit 32 Storage unit 41
  • Light source unit 42 Wavelength tunable unit 43 1st waveguide part 44 2nd waveguide part 44a Optical waveguide layer 45 n side electrode 61
  • Optical branching part 62-64 Optical waveguide 63a, 64a Ring resonator type optical filter 71-73 PD 91
  • Installation surface 311 Monitor value calculation unit 312
  • Target value calculation unit 313 Wavelength control unit 421 to 423
  • Micro heater 431 Waveguide unit 431a Gain unit 431b Diffraction grating layer 432 Semiconductor laminated unit 433 P-side electrode 441

Landscapes

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Abstract

制御装置は、複数の波長制御情報を記憶する記憶部と、目標波長に対応した制御目標値を算出する目標値算出部とを備える。波長制御情報は、波長と、当該波長に対応しモニタ値の参照値となる制御参照値と、当該制御参照値を制御目標値とした場合に決定されるスーパーモードを識別するモード識別情報とが関連付けられた情報である。目標値算出部は、目標波長と同一の波長が記憶部に記憶された複数の波長制御情報と異なっている場合に、記憶部に記憶された互いに同一のモード識別情報が関連付けられた複数の波長制御情報に基づいて、制御目標値を算出する。

Description

波長可変レーザ装置及び波長制御方法
 本発明は、波長可変レーザ装置及び波長制御方法に関する。
 従来、バーニア効果を利用してレーザ光の発振波長を可変とする波長可変レーザ装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
 特許文献1に記載の波長可変レーザ装置は、バーニア効果を利用してレーザ光の発振波長を可変とする波長可変光源部と、当該波長可変光源部から出力されるレーザ光の波長に対して周期的な透過特性を有するエタロン等の光フィルタと、当該光フィルタを透過したレーザ光の強度を取得する受光素子と、当該波長可変光源部の動作を制御する制御装置とを備える。
 ここで、制御装置は、受光素子が取得したレーザ光の強度に基づいて、当該レーザ光の波長に対応するモニタ値を算出する。また、制御装置は、参照波長と、光フィルタの透過特性から導かれモニタ値の参照値となる制御参照値と、波長可変光源部のヒータに供給する初期電力とが関連付けられた波長制御情報を所定の波長間隔で複数、記憶している。さらに、制御装置は、当該記憶した複数の波長制御情報にレーザ光の目標波長と同一の参照波長が含まれていない場合には、当該複数の波長制御情報を用いて、当該目標波長に対応し、モニタ値の目標値となる制御目標値を算出する。そして、制御装置は、モニタ値が当該制御目標値に合致するように、波長可変光源部の動作を制御する。
特許第6241931号公報
 ところで、特許文献1に記載の波長可変レーザ装置では、波長軸上で周期的に反射ピークが配置されているとともに当該反射ピーク間の波長間隔が互いに異なる2つの反射スペクトルをそれぞれ生成する2つの反射要素を組み合わせて用いることで、以下に示すバーニア効果により、広い帯域の波長可変を実現している。
 上述したように2つの反射要素がそれぞれ生成する2つの反射スペクトルは、反射ピーク間の波長間隔が互いに異なる。このため、両者が有する複数の反射ピークのうち、同時に一致するのはいずれか一つのみとなる。そして、当該一致した反射ピーク同士の波長で光共振器が形成されることにより、レーザ発振が発生する(一のスーパーモードが決定された状態となる)。さらに、この状態から、一方の反射スペクトルの波長を屈折率変化によって変更すると、他方の反射スペクトルと一致する反射ピークが別の波長のものとなる。これにより、それまでの波長とは異なる波長で光共振器が形成され、レーザ発振が発生するようになる(上述したスーパーモードとは異なるスーパーモードが決定された状態となる)。
 そして、特許文献1に記載の波長可変レーザ装置では、スーパーモードが切り替わる参照波長間に目標波長を設定する場合において、当該目標波長に対応した適切な制御目標値を算出することができない、という問題がある。なお、以下では、一方のスーパーモードを第1のスーパーモードと記載し、当該第1のスーパーモードとなる参照波長を第1の参照波長と記載し、当該第1の参照波長に対応する制御参照値を第1の制御参照値と記載する。また、他方のスーパーモードを第2のスーパーモードと記載し、当該第2のスーパーモードとなる参照波長を第2の参照波長と記載し、当該第2の参照波長に対応する制御参照値を第2の制御参照値と記載する。
 第1,第2の参照波長が互いに近接した波長同士であっても、スーパーモードが互いに異なるため、第1の参照波長に対応する初期電力(波長可変光源部のヒータに供給する初期電力)と第2の参照波長に対応する初期電力(波長可変光源部のヒータに供給する初期電力)とは、スーパーモードが同一である場合と比較して大きな差となる。すなわち、レーザ光の波長を第1の参照波長にした場合での光フィルタの透過特性(以下、第1の透過特性と記載)と、第2の参照波長とした場合での光フィルタの透過特性(以下、第2の透過特性と記載)とは、当該初期電力に大きな差があるため(ヒータから光フィルタに流入する熱量に差があるため)、波長軸方向に大きくずれることがある。このため、第1,第2の参照波長間の目標波長に対応する制御目標値を第1の透過特性に応じて設定された第1の制御参照値と第2の透過特性に応じて設定された第2の制御参照値とから算出した場合には、互いにずれた第1,第2の透過特性から制御目標値を算出することとなるため、適切な制御目標値を算出することができない。
 そこで、適切な制御目標値を算出し、レーザ光の波長を精度良く目標波長に制御することができる技術が要望されている。
 本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、適切な制御目標値を算出し、レーザ光の波長を精度良く目標波長に制御することができる波長可変レーザ装置及び波長制御方法を提供することを目的とする。
 上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る波長可変レーザ装置は、バーニア効果を利用してレーザ光の発振波長を可変とする波長可変光源部と、前記波長可変光源部から出力される前記レーザ光の波長に対して周期的な透過特性を有する光フィルタと、前記光フィルタを透過した前記レーザ光の強度を取得する受光素子と、前記波長可変光源部の動作を制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記受光素子が取得した前記レーザ光の強度に基づいて、前記レーザ光の波長に対応するモニタ値を算出するモニタ値算出部と、複数の波長制御情報を記憶する記憶部と、前記波長制御情報と前記レーザ光の目標波長とに基づいて、前記目標波長に対応し、前記モニタ値の目標値となる制御目標値を算出する目標値算出部と、前記制御目標値と前記モニタ値とに基づいて、前記レーザ光の波長を前記目標波長に制御する波長制御部とを備え、前記波長制御情報は、波長と、前記波長に対応し前記モニタ値の参照値となる制御参照値と、前記制御参照値を前記制御目標値とした場合に決定されるスーパーモードを識別するモード識別情報とが関連付けられた情報であり、前記目標値算出部は、前記目標波長と同一の前記波長が前記記憶部に記憶された前記複数の波長制御情報と異なっている場合に、前記記憶部に記憶された互いに同一の前記モード識別情報が関連付けられた複数の前記波長制御情報に基づいて、前記制御目標値を算出することを特徴とする。
 また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、前記目標値算出部は、前記複数の波長制御情報のうち、前記目標波長に対して短波側及び長波側のいずれか一方で隣接した前記波長を含む第1の波長制御情報と、前記目標波長に対して短波側及び長波側のいずれか他方で隣接した前記波長を含む第2の波長制御情報との間で前記モード識別情報が異なっている場合に、前記第1の波長制御情報及び前記第2の波長制御情報の一方と同一の前記モード識別情報が関連付けられた複数の前記制御参照値を用いて、前記制御目標値を算出することを特徴とする。
 また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、前記目標値算出部は、前記複数の波長制御情報のうち、前記目標波長に対して短波側及び長波側のいずれか一方で隣接した前記波長を含む第1の波長制御情報と、前記目標波長に対して短波側及び長波側のいずれか他方で隣接した前記波長を含む第2の波長制御情報との間で前記モード識別情報が同一である場合に、当該同一の前記モード識別情報が関連付けられた複数の前記制御参照値を用いて、前記制御目標値を算出することを特徴とする。
 また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、前記目標値算出部は、前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長を前記目標波長に変更する場合に、前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長に対応した前記制御目標値を算出する際に用いた前記波長制御情報と同一の前記モード識別情報が関連付けられた前記複数の制御参照値を用いて、前記目標波長に対応する前記制御目標値を算出することを特徴とする。
 また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、前記複数の波長制御情報は、第1の波長範囲における前記波長に対して第1のモード識別情報が関連付けられた複数の第3の波長制御情報と、前記第1の波長範囲と一部が重複するとともに、前記第1の波長範囲と異なる第2の波長範囲における前記波長に対して、前記第1のモード識別情報と異なる第2のモード識別情報が関連付けられた複数の第4の波長制御情報と、を含むことを特徴とする。
 また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、前記目標値算出部は、前記第1の波長範囲において前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長から、前記第1および第2の波長範囲が重複する範囲の前記目標波長に変更する場合に、複数の前記第3の波長制御情報の前記制御参照値に基づいて、前記目標波長に対応する前記制御目標値を算出することを特徴とする。
 また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、前記波長制御情報は、前記波長と、前記制御参照値と、前記モード識別情報と、前記波長可変光源部に供給する電力とが関連付けられた情報であり、前記目標値算出部は、前記第1の波長制御情報及び前記第2の波長制御情報のうち、前記電力が低い方の前記波長制御情報と同一の前記モード識別情報が関連付けられた前記複数の制御参照値を用いて、前記目標波長に対応する前記制御目標値を算出することを特徴とする。
 また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、前記波長制御情報は、前記波長と、前記制御参照値と、前記モード識別情報と、前記波長可変光源部に供給する電力とが関連付けられた情報であり、前記目標値算出部は、前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長を前記目標波長に変更する場合に、前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長に関連付けられた前記電力に基づいて、第1の算出処理または第2の算出処理を実行し、前記第1の算出処理は、前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長に関連付けられた前記電力が特定の閾値未満である場合に、前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長に対応した前記制御目標値を算出する際に用いた前記波長制御情報と同一の前記モード識別情報が関連付けられた前記複数の制御参照値を用いて、前記目標波長に対応する前記制御目標値を算出する処理であり、前記第2の算出処理は、前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長に関連付けられた前記電力が前記特定の閾値以上である場合に、前記第1の波長制御情報及び前記第2の波長制御情報のうち、前記電力が低い方の前記波長制御情報と同一の前記モード識別情報が関連付けられた前記複数の制御参照値を用いて、前記目標波長に対応する前記制御目標値を算出する処理であることを特徴とする。
 また、本発明に係る波長可変レーザ装置では、上記発明において、前記波長可変光源部及び前記光フィルタが設置される設置面を有する温度調節器をさらに備え、前記波長可変光源部及び前記光フィルタは、前記温度調節器の同一の前記設置面に設置されることを特徴とする。
 本発明に係る波長制御方法は、波長可変レーザ装置の制御装置が実行する波長制御方法であって、前記波長可変レーザ装置は、バーニア効果を利用してレーザ光の発振波長を可変とする波長可変光源部と、前記波長可変光源部から出力される前記レーザ光の波長に対して周期的な透過特性を有する光フィルタと、前記光フィルタを透過した前記レーザ光の強度を取得する受光素子と、前記波長可変光源部の動作を制御する前記制御装置とを備え、前記制御装置は、複数の波長制御情報を記憶する記憶部を備え、前記波長制御方法は、前記受光素子が取得した前記レーザ光の強度に基づいて、前記レーザ光の波長に対応するモニタ値を算出するモニタ値算出ステップと、前記波長制御情報と前記レーザ光の目標波長とに基づいて、前記目標波長に対応し、前記モニタ値の目標値となる制御目標値を算出する目標値算出ステップと、前記制御目標値と前記モニタ値とに基づいて、前記レーザ光の波長を前記目標波長に制御する波長制御ステップとを備え、前記波長制御情報は、波長と、前記波長に対応して前記モニタ値の参照値となる制御参照値と、前記制御参照値を前記制御目標値とした場合に決定されるスーパーモードを識別するモード識別情報とが関連付けられた情報であり、前記目標値算出ステップでは、前記目標波長と同一の前記波長が前記記憶部に記憶された前記複数の波長制御情報と異なっている場合に、前記記憶部に記憶された互いに同一の前記モード識別情報が関連付けられた複数の前記波長制御情報に基づいて、前記制御目標値を算出することを特徴とする。
 本発明に係る波長可変レーザ装置及び波長制御方法によれば、適切な制御目標値を算出し、レーザ光の波長を精度良く目標波長に制御することができる。
図1は、実施の形態1に係る波長可変レーザ装置の構成を示す図である。 図2は、波長可変光源部の構成を示す図である。 図3Aは、第1,第2の櫛状反射スペクトルを示す図である。 図3Bは、第1,第2の櫛状反射スペクトルを示す図である。 図4は、図3Aに対応した図であって、第1,第2の櫛状反射スペクトルの重なりを示す図である。 図5は、回折格子層及びリング状導波路の屈折率と、スーパーモード及びキャビティモードとの関係を模式的に示した図である。 図6は、制御装置の構成を示すブロック図である。 図7は、記憶部に記憶された複数の波長制御情報を示す図である。 図8は、波長制御方法を示すフローチャートである。 図9は、目標値算出ステップ(ステップS2)を示すフローチャートである。 図10は、ステップS216を説明する図である。 図11は、実施の形態2に係る目標値算出ステップ(ステップS2A)を示すフローチャートである。 図12は、実施の形態3に係る目標値算出ステップ(ステップS2B)を示すフローチャートである。 図13は、実施の形態4において記憶部に記憶された複数の波長制御情報を示す図である。
 以下に、図面を参照して、本発明を実施するための形態(以下、実施の形態)について説明する。なお、以下に説明する実施の形態によって本発明が限定されるものではない。さらに、図面の記載において、同一の部分には同一の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実と異なる場合がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。また、図中で適宜xyz座標軸を示し、これにより方向を説明する。
(実施の形態1)
 〔波長可変レーザ装置の概略構成〕
 図1は、本実施の形態1に係る波長可変レーザ装置1の構成を示す図である。
 波長可変レーザ装置1は、モジュール化された波長可変レーザモジュール2と、当該波長可変レーザモジュール2の動作を制御する制御装置3とを備える。
 なお、図1では、波長可変レーザモジュール2と制御装置3とを別体で構成しているが、当該各部材2,3を一体にモジュール化しても構わない。
 〔波長可変レーザモジュールの構成〕
 波長可変レーザモジュール2は、制御装置3による制御の下、出力するレーザ光の波長を任意の目標波長に可変とし、当該目標波長のレーザ光を出力する。この波長可変レーザモジュール2は、波長可変光源部4と、半導体光増幅器(Semiconductor Optical Amplifier:SOA)5と、平面光波回路(Planar Lightwave Circuit:PLC)6と、光検出部7と、温度センサ8と、温度調節器9とを備える。
 図2は、波長可変光源部4の構成を示す図である。
 波長可変光源部4は、バーニア効果を利用した波長可変レーザであり、制御装置3による制御の下、レーザ光L1を出力する。この波長可変光源部4は、出力するレーザ光L1の波長を可変とする光源部41と、制御装置3から供給される電力に応じて発熱する3つのマイクロヒータ421~423を有し、光源部41を局所的に加熱することで、光源部41から出力されるレーザ光L1の波長を変更する波長可変部42とを備える。
 光源部41は、共通の基部B1上にそれぞれ形成された第1,第2の導波路部43,44を備える。ここで、基部B1は、例えばn型InPからなる。そして、基部B1の裏面には、例えばAuGeNiを含んで構成され、当該基部B1とオーミック接触するn側電極45が形成されている。
 第1の導波路部43は、埋め込み導波路構造を有している。この第1の導波路部43は、導波路部431と、半導体積層部432と、p側電極433とを備える。
 導波路部431は、半導体積層部432内にz方向に延伸するように形成されている。
 また、第1の導波路部43内には、利得部431aと、DBR(Distributed Bragg Reflector)型の回折格子層431bとが配置されている。
 ここで、利得部431aは、InGaAsPからなる多重量子井戸構造と光閉じ込め層とを有する活性層である。また、回折格子層431bは、InGaAsPとInPとからなる標本化回折格子で構成されている。
 半導体積層部432は、InP系半導体層が積層して構成されており、導波路部431に対してクラッド部の機能等を備える。
 p側電極433は、半導体積層部432上において、利得部431aに沿うように配置されている。なお、半導体積層部432上には、SiN保護膜(図示略)が形成されている。そして、p側電極433は、当該SiN保護膜に形成された開口部(図示略)を介して半導体積層部432に接触している。
 ここで、マイクロヒータ421は、半導体積層部432のSiN保護膜上において、回折格子層431bに沿うように配置されている。そして、マイクロヒータ421は、制御装置3から供給される電力に応じて発熱し、回折格子層431bを加熱する。また、制御装置3がマイクロヒータ421に供給する電力を制御することによって回折格子層431bの温度が変化し、その屈折率が変化する。
 第2の導波路部44は、2分岐部441と、2つのアーム部442,443と、リング状導波路444とを備える。
 2分岐部441は、1×2型の多モード干渉型(MMI)導波路441aを含む1×2型の分岐型導波路で構成され、2ポート側が2つのアーム部442,443のそれぞれに接続されるとともに1ポート側が第1の導波路部43側に接続されている。すなわち、2分岐部441により、2つのアーム部442,443は、その一端が統合され、回折格子層431bと光学的に結合される。
 アーム部442,443は、いずれもz方向に延伸し、リング状導波路444を挟むように配置されている。これらアーム部442,443は、リング状導波路444といずれも同一の結合係数κでリング状導波路444と光学的に結合している。κの値は、例えば0.2である。そして、アーム部442,443とリング状導波路444とは、リング共振器フィルタRF1を構成している。また、リング共振器フィルタRF1と2分岐部441とは、反射ミラーM1を構成している。
 ここで、マイクロヒータ422は、リング状であり、リング状導波路444を覆うように形成されたSiN保護膜(図示略)上に配置されている。そして、マイクロヒータ422は、制御装置3から供給される電力に応じて発熱し、リング状導波路444を加熱する。また、制御装置3がマイクロヒータ422に供給する電力を制御することによってリング状導波路444の温度が変化し、その屈折率が変化する。
 上述した2分岐部441、アーム部442,443、及びリング状導波路444は、いずれも、InGaAsPからなる光導波層44aがInPからなるクラッド層によって挟まれたハイメサ導波路構造を有している。
 ここで、マイクロヒータ423は、アーム部443の一部のSiN保護膜(図示略)上に配置されている。当該アーム部443のうちマイクロヒータ423の下方の領域は、光の位相を変化させる位相調整部445として機能する。そして、マイクロヒータ423は、制御装置3から供給される電力に応じて発熱し、位相調整部445を加熱する。また、制御装置3がマイクロヒータ423に供給する電力を制御することによって位相調整部445の温度が変化し、その屈折率が変化する。
 以上説明した第1,第2の導波路部43,44は、互いに光学的に接続された回折格子層431bと反射ミラーM1とにより構成される光共振器C1を構成している。また、利得部431aと位相調整部445とは、光共振器C1内に配置される。
 図3A、3Bは、第1,第2の櫛状反射スペクトルを示す図である。具体的に、図3A、3Bにおいて、横軸は波長を示し、縦軸は反射率(Reflectance)を示している。なお、図3Bは、図3Aの第1,第2の櫛状反射スペクトルの1550nm近傍を拡大した図である。図4は、図3Aに対応した図であって、第1,第2の櫛状反射スペクトルの重なりを示す図である。
 次に、回折格子層431b及びリング共振器フィルタRF1の反射特性について図3及び図4を参照しつつ説明する。
 回折格子層431bは、図3に凡例「SG」で示す曲線のように、所定の波長間隔で周期的な反射特性を有する第1の櫛状反射スペクトルを生成する。一方、リング共振器フィルタRF1は、図3に凡例「Ring」で示す曲線のように、所定の波長間隔で周期的な反射特性を有する第2の櫛状反射スペクトルを生成する。
 ここで、第2の櫛状反射スペクトルは、第1の櫛状反射スペクトルのピークSC1(図3B)の半値全幅より狭い半値全幅のピークSC2(図3B)を有し、第1の櫛状反射スペクトルの波長間隔とは異なる波長間隔で周期的な反射特性を有する。但し、屈折率の波長分散を考慮すると、ピークSC1(SC2)は厳密には等波長間隔になっていないことに注意が必要である。
 第1,第2の櫛状反射スペクトルの特性について例示すると、第1の櫛状反射スペクトルのピークSC1間の波長間隔(自由スペクトル領域:FSR)は、光の周波数で表すと373GHzである。また、第1の櫛状反射スペクトルにおいて、ピークSC1の半値全幅は、光の周波数で表すと43GHzである。一方、第2の櫛状反射スペクトルのピークSC2間の波長間隔(FSR)は、光の周波数で表すと400GHzである。また、第2の櫛状反射スペクトルにおいて、ピークSC2の半値全幅は、光の周波数で表すと25GHzである。すなわち、第2の櫛状反射スペクトルのピークSC2間の波長間隔(400GHz)は、第1の櫛状反射スペクトルのピークSC1間の波長間隔(373GHz)より広い。また、第2の櫛状反射スペクトルのピークSC2の半値全幅(25GHz)は、第1の櫛状反射スペクトルのピークSC1の半値全幅(43GHz)より狭い。
 波長可変光源部4では、レーザ発振を実現するために、第1の櫛状反射スペクトルのピークSC1の一つと第2の櫛状反射スペクトルのピークSC2の一つとを波長軸上で重ね合わせ可能に構成されている。図4では、凡例「Overlap」で示す曲線が第1,第2の櫛状反射スペクトルの重なりを示している。図4に示す例では、波長1550nmにて重なりが最も大きくなっている。図3Bでは、説明の便宜上、第1の櫛状反射スペクトルのピークSC1のうち、波長1550nmにて第2の櫛状反射スペクトルのピークSC2の一つと重なり合ったピークSC1をピークSC1Aとしている。同様に、第2の櫛状反射スペクトルのピークSC2のうち、ピークSC1Aと重なり合ったピークSC2をピークSC2Aとしている。
 なお、上記のような重ね合わせは、マイクロヒータ421,422の少なくとも一つを用いて、マイクロヒータ421により回折格子層431bを加熱して熱光学効果によりその屈折率を変化させて第1の櫛状反射スペクトルを波長軸上で全体的に移動させて変化させる(以下、第1の屈折率変更処理と記載)、及び、マイクロヒータ422によりリング状導波路444を加熱してその屈折率を変化させて第2の櫛状反射スペクトルを波長軸上で全体的に移動させて変化させる(以下、第2の屈折率変更処理と記載)、の少なくともいずれか一つを行うことにより、実現することができる。
 一方、波長可変光源部4において、図3Bに凡例「Mode」で示すように、光共振器C1によるキャビティモード(縦モード)が存在する。なお、当該キャビティモードは、少なくとも図3Aに示す1530nm~1570nmの波長範囲に亘って存在しているが、図面では一部のみ示している。そして、波長可変光源部4において、キャビティモードの間隔(縦モードの間隔)は、25GHz以下となるように光共振器C1の共振器長が設定されている。この設定の場合、光共振器C1の共振器長は、1800μm以上となり、発振するレーザ光の狭線幅化を期待することができる。なお、光共振器C1のキャビティモードの波長は、マイクロヒータ423を用いて位相調整部445を加熱してその屈折率を変化させてキャビティモードの波長を波長軸上で全体的に移動させることにより微調整することができる。すなわち、位相調整部445は、光共振器C1の光路長を能動的に制御するための部分である。
 波長可変光源部4は、制御装置3により、n側電極45及びp側電極433から利得部431aへ電流を注入し、利得部431aを発光させると、第1の櫛状反射スペクトルのピークSC1、第2の櫛状反射スペクトルのピークSC2、及び光共振器C1のキャビティモードの一つが一致した波長でレーザ発振し、レーザ光L1を出力するように構成されている。
 図5は、回折格子層431b及びリング状導波路444の屈折率と、スーパーモード及びキャビティモードとの関係を模式的に示した図である。具体的に、図5において、横軸はリング状導波路444の屈折率を示し、縦軸は回折格子層431bの屈折率を示している。また、図5において、左下から右上への斜め方向に連続した正方形で示した複数の図形は、決定されるスーパーモードが同一であることを意味する。なお、図5では、説明の便宜上、複数のスーパーモードのうち、第1,第2のスーパーモードSM1,SM2のみをそれぞれ斜線で表現している。また、図5において、正方形で示した図形内に付した点CM1~CM6は、キャビティモードの一つをそれぞれ示している。より具体的に、点CM1は、図3Bに示した1550nmのキャビティモードCM1を示している。点CM2は、図3Bに示した1549.8nmのキャビティモードCM2を示している。点CM3は、図3Bに示した1549.9nmのキャビティモードCM3を示している。点CM4は、図3Bに示した1550.1nmのキャビティモードCM4を示している。点CM5は、図3Bに示した1550.2nmのキャビティモードCM5を示している。
 次に、波長可変光源部4におけるレーザ発振波長の選択方法について図3ないし図5を参照しつつ説明する。
 波長可変光源部4では、以下に示すように、バーニア効果を利用してレーザ発振波長を選択することができる。
 例えば、第1,第2の屈折率変更処理の少なくともいずれか一つを行うことにより、図3及び図4に示すように、1550nmで第1の櫛状反射スペクトルのピークSC1Aと第2の櫛状反射スペクトルのピークSC2Aとを重ねる。その結果、1550nmでレーザ発振するための第1のスーパーモードSM1が決定された状態となる。さらに、位相調整部445をチューニングしてキャビティモードを微調し、キャビティモードCM1を1550nmで互いに重なり合った各ピークSC1A,SC2Aに重ねることで、1550nmでのレーザ発振を実現することができる。
 また、ピークSC1A,SC2Aが互いに重なり合った状態を維持しつつ、第1,第2の屈折率変更処理の双方を行うことにより、第1,第2の櫛状反射スペクトルを波長軸上で全体的に移動させ、互いに重なり合った各ピークSC1A,SC2AをキャビティモードCM2~CM5にそれぞれ重ねることで、1549.8nm、1549.9nm、1550.1nm、1550.2nmでのレーザ発振をそれぞれ実現することができる。この際、ピークSC1A,SC2Aが互いに重なり合った状態が維持されているため、スーパーモードも第1のスーパーモードSM1に維持される。すなわち、第1のスーパーモードSM1では、特定の発振波長範囲(以下、第1の発振波長範囲と記載)において、レーザ発振を実現することができる。
 以上のように、本明細書における「スーパーモード」とは、第1の櫛状反射スペクトルのピークSC1の一つと、第2の櫛状反射スペクトルのピークSC2の一つとが互いに重なり合った状態でのレーザ発振を意味する。
 なお、図5中、左下から右上への斜め方向に隣接する正方形の図形同士の境界(点)は、第1,第2の櫛状反射スペクトルにおける互いに重なり合ったピークSC1,SC2が当該隣接する正方形の図形内の各キャビティモードの中間に位置した場合を意味する。そして、当該場合には、当該各キャビティモードの各波長でレーザ発振(マルチモード発振)が発生する。例えば、境界BD1は、互いに重なり合った各ピークSC1A,SC2AがキャビティモードCM1,CM4の中間に位置した場合を意味する。そして、当該場合には、キャビティモードCM1における1550nmとキャビティモードCM4における1550.1nmとでレーザ発振(マルチモード発振)が発生する。
 さらに、例えば、図3B及び図4に示した状態から第1,第2の屈折率変更処理のいずれか一方を行うと、第1,第2の櫛状反射スペクトルのいずれか一方は、図3B及び図4に示した状態から全体的に長波側または短波側にシフトする。その結果、第1,第2の櫛状反射スペクトルは、各ピークSC1A,SC2Aの重なりが解かれ、別のピークSC1,SC2同士が互いに重なる。すなわち、1550nmでレーザ発振するための第1のスーパーモードSM1が決定された状態(図3B,図4)から、第1の発振波長範囲とは異なる発振波長範囲においてレーザ発振を実現可能な別のスーパーモード(例えば1553nmでレーザ発振するための第2のスーパーモードSM2(第2の発振波長範囲においてレーザ発振を実現可能なスーパーモード))に遷移する。さらに、位相調整部445でチューニングしてキャビティモードを微調し、キャビティモードの一つを互いに重なり合った別のピークSC1,SC2同士に重ねることで、当該別のスーパーモードでのレーザ発振を実現することができる。すなわち、図5中、上下方向または左右方向に位置する正方形の図形への移動は、スーパーモードの遷移を意味する。
 なお、図5中、上下方向または左右方向に隣接する正方形の図形同士の境界(線)は、第1,第2の櫛状反射スペクトルにおける各ピークSC1,SC2のうち、2組のピークSC1,SC2が当該隣接する正方形の図形内の各キャビティモードのそれぞれと略一致した場合を意味する。そして、当該場合には、当該各キャビティモードの各波長でレーザ発振(マルチモード発振)が発生する。例えば、境界BD2は、1550nmと1553nmとにおいて、2組のピークSC1,SC2とキャビティモードの2つとがそれぞれ略一致した場合を意味する。そして、当該場合には、1550nmと1553nmとでレーザ発振(マルチモード発振)が発生する。
 なお、本実施の形態1では、マイクロヒータによる熱光学効果を利用してレーザ発振波長を可変としているが、これに限らず、電流注入によるキャリアプラズマ効果も利用してレーザ発振波長を可変としても構わない。
 半導体光増幅器5は、具体的な図示は省略したが、第1の導波路部43と同様の材料及び構造からなる活性コア層を備える埋め込み導波路構造を有する。但し、回折格子層431bは設けられていない。この半導体光増幅器5は、空間結合光学系(図示略)により波長可変光源部4に対して光学的に結合している。そして、波長可変光源部4から出力されたレーザ光L1は、半導体光増幅器5に入力される。また、半導体光増幅器5は、レーザ光L1を増幅してレーザ光L2として出力する。なお、半導体光増幅器5は、基部B1上に、波長可変光源部4とモノリシックに構成されていてもよい。
 平面光波回路6は、空間結合光学系(図示略)によりアーム部442に光学的に結合している。そして、レーザ光L1と同様に波長可変光源部4におけるレーザ発振により発生したレーザ光L3の一部は、アーム部442を介して平面光波回路6に入力される。なお、レーザ光L3は、レーザ光L1の波長と同一の波長を有する。この平面光波回路6は、光分岐部61と、光導波路62と、リング共振器型光フィルタ63aを有する光導波路63と、リング共振器型光フィルタ64aを有する光導波路64とを備える。
 光分岐部61は、入力したレーザ光L3を3つのレーザ光L4~L6に分岐する。
 そして、光導波路62は、レーザ光L4を光検出部7における後述するPD(Photo Diode)71に導波する。また、光導波路63は、レーザ光L5を光検出部7における後述するPD72に導波する。さらに、光導波路64は、レーザ光L6を光検出部7における後述するPD73に導波する。
 ここで、リング共振器型光フィルタ63a,64aは、入射する光の波長に対して周期的な透過特性をそれぞれ有し、当該透過特性に応じた透過率でレーザ光L5,L6をそれぞれ選択的に透過する。そして、リング共振器型光フィルタ63a,64aを透過したレーザ光L5,L6は、PD72,73にそれぞれ入力する。すなわち、リング共振器型光フィルタ63a,64aは、光フィルタに相当する。以下では、説明の便宜上、リング共振器型光フィルタ63aを光フィルタ63a,64aとそれぞれ記載する。
 なお、光フィルタ63a,64aは、例えば、1周期の1/3~1/5の範囲で互いに位相が異なる透過特性を有する。
 光検出部7は、PD71~73を備える。
 PD71は、レーザ光L4(波長可変光源部4から出力されたレーザ光L1と同等のレーザ光)を受光し、当該レーザ光L4の強度に応じた電気信号を制御装置3に出力する。
 PD72は、受光素子に相当する。このPD72は、光フィルタ63aを透過したレーザ光L5を受光し、当該レーザ光L5の強度に応じた電気信号を制御装置3に出力する。
 PD73は、受光素子に相当する。このPD73は、光フィルタ64aを透過したレーザ光L6を受光し、当該レーザ光L6の強度に応じた電気信号を制御装置3に出力する。
 そして、PD71~73からそれぞれ出力された電気信号は、制御装置3による波長ロック処理(波長可変光源部4から出力されるレーザ光L1を目標波長にする処理)に用いられる。
 温度センサ8は、例えばサーミスタ等で構成され、平面光波回路6の周囲温度を検出する。
 温度調節器9は、例えばペルチェ素子を含むTEC(Thermo Electric Cooler)等で構成されている。この温度調節器9には、波長可変光源部4、半導体光増幅器5、平面光波回路6、光検出部7、及び温度センサ8が載置される。そして、温度調節器9は、供給された電力に応じて当該各部材4~8の温度を調節する。
 なお、温度調節器9において、当該各部材4~8が載置される設置面91を波長可変光源部4及び半導体光増幅器5が載置される第1の領域Ar1と、平面光波回路6及び光検出部7が載置される第2の領域Ar2との2つの領域に区画した場合には、温度センサ8は、第2の領域Ar2に載置される。すなわち、温度センサ8は、平面光波回路6に近接して配置されている。
 〔制御装置の構成〕
 次に、制御装置3の構成について説明する。
 図6は、制御装置3の構成を示すブロック図である。
 制御装置3は、例えばユーザインターフェースを備えた上位の制御装置(図示略)と接続されており、当該上位の制御装置を介したユーザからの指示にしたがって、波長可変レーザモジュール2の動作を制御する。
 なお、以下では、制御装置3による波長ロック処理を主に説明する。また、図6では、説明の便宜上、制御装置3の構成として、波長ロック処理を実行する構成のみを図示している。さらに、以下で説明する波長ロック処理では、説明の便宜上、PD72,73からそれぞれ出力された電気信号のうち、PD72から出力された電気信号を用いることとする。
 この制御装置3は、制御部31と、記憶部32とを備える。
 記憶部32は、制御部31が備える各機能部の実現のための演算処理を行う際に使用する各種プログラムやデータ等が格納されるROMなどを備えている。また、記憶部32は、制御部31が演算処理を行う際の作業スペースや制御部31の演算処理の結果等を記録する等のために使用されるRAMなどを備えている。
 制御部31は、CPU(Central Processing Unit)等の演算装置を用いて構成されている。この制御部31は、モニタ値算出部311と、目標値算出部312と、波長制御部313とを備える。
 モニタ値算出部311は、PD71,72,73からそれぞれ出力された電気信号の出力値に基づいて、レーザ光L1の波長に対応したモニタ値を算出する。具体的に、モニタ値算出部311は、PD71から出力された電気信号の出力値に対するPD72から出力された電気信号の出力値の比率をモニタ値(以下、PD比Aと記載)として算出する。同様に、PD71から出力された電気信号の出力値に対するPD73から出力された電気信号の出力値の比率をモニタ値(以下、PD比Bと記載)として算出する。
 PD比Aは、PD71が検出した強度(第1強度)に対するPD72が検出した強度(第2強度)の比である。また、当該比に相当するものとして、PD71が検出した第1強度に補正係数を適用した強度に対する、PD72が検出した第2強度に補正係数を適用した強度の比でもよい。また、当該比に相当する量として、第1強度または第2強度のいずれか一方に補正係数を適用した強度を用いて比を算出したものでもよい。
 PD比Bは、PD71が検出した強度(第1強度)に対するPD73が検出した強度(第3強度)の比である。また、当該比に相当するものとして、PD71が検出した第1強度に補正係数を適用した強度に対する、PD73が検出した第3強度に補正係数を適用した強度の比でもよい。また、当該比に相当する量として、第1強度または第3強度のいずれか一方に補正係数を適用した強度を用いて比を算出したものでもよい。
 第1強度、第2強度、または第3強度に対する補正係数は、実験等によって予め取得され、テーブルデータや関係式などの形式にて記憶部32に記憶されており、モニタ値算出部311が適宜読み出して使用する。補正係数は、たとえばレーザ装置1の動作条件や、温度センサ8が検出した温度等に応じて定められていてもよい。また、補正係数は、規格化された周波数弁別カーブに当てはめるのに適するように定められていてもよい。第1強度、第2強度、または第3強度に対する補正係数の適用は、たとえば、加算、減算、乗算、除算のいずれかの演算による適用である。波長制御に際してはPD比A、PD比Bのいずれを用いても良く、以下PD比A、PD比Bを総称してPD比という場合がある。
 目標値算出部312は、上位の制御装置(図示略)から取得した目標波長と、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報とに基づいて、各種の目標値を算出する。
 図7は、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報を示す図である。
 波長制御情報は、参照波長と、レーザ光L1の波長を当該参照波長に制御するためにマイクロヒータ421~423にそれぞれ供給する複数の電力と、レーザ光L1の波長を当該参照波長に設定した場合でのPD比の参照値となる制御参照値と、当該複数の電力及び当該制御参照値を用いて波長ロック処理を実行した場合に決定されるスーパーモードを識別するモード識別情報とが関連付けられた情報である。
 なお、CHNo.1~X-1,X,X+1,X+2,・・・の各波長制御情報において、各参照波長λ~λX-1,λ,λX+1,λX+2,・・・[nm]は、「λ」の文字に付した下付き文字の数字が大きくなるにしたがって特定の波長間隔で順次、大きくなっていくものである。そして、当該参照波長は、グリッド波長を意味する。また、図7では、説明の便宜上、CHNo.1~X-1,X,X+1,X+2,・・・の各波長制御情報において、マイクロヒータ421~423にそれぞれ供給する複数の電力の総電力を各参照電力PW~PWX-1,PW,PWX+1,PWX+2,・・・[W]として記載している。また、モード識別情報「A」が関連付けられたCHNo.1~X-1,Xの各波長制御情報では、各参照電力PW~PWX-1,PW[W]は、「PW」の文字に付した下付き文字の数字が大きくなるにしたがって順次、大きくなっていくものである。また、モード識別情報「B」が関連付けられたCHNo.X+1,X+2,・・・の各波長制御情報では、各参照電力PWX+1,PWX+2,・・・[W]は、「PW」の文字に付した下付き文字の数字が大きくなるにしたがって順次、大きくなっていくものである。
 なお、隣接するCHNo.の各波長制御情報に関連付けられた参照電力間の差が、所定の閾値未満であれば同一のモード識別情報を有し、当該閾値以上であれば互いに異なるモード識別情報を有するようにすることで、各波長制御情報における参照波長を実現するスーパーモードに対応して、各波長制御情報に各モード識別情報を関連付けることができる。
 そして、目標値算出部312は、波長ロック処理で用いられる各種の目標値として、PD比の目標値となる制御目標値と、マイクロヒータ421~423にそれぞれ供給する初期電力等を算出する。
 より具体的に、目標値算出部312は、上位の制御装置(図示略)から取得した目標波長と同一の参照波長が記憶部32に記憶された複数の波長制御情報に含まれている場合には、当該参照波長に関連付けられた制御参照値を制御目標値として算出するとともに、当該参照波長に関連付けられた参照電力を初期電力として算出する。
 一方、目標値算出部312は、上位の制御装置(図示略)から取得した目標波長と同一の参照波長が記憶部32に記憶された複数の波長制御情報に含まれていない場合には、当該複数の波長制御情報を用いて、制御目標値及び初期電力をそれぞれ算出する。
 波長制御部313は、モニタ値算出部311にて算出されたPD比と目標値算出部312にて算出された制御目標値及び初期電力とに基づいて、マイクロヒータ421~423にそれぞれ供給する複数の電力を変化させ、レーザ光L1の波長を目標波長に制御する。
 〔波長制御方法〕
 次に、上述した制御装置3が実行する波長制御方法について説明する。
 図8は、波長制御方法を示すフローチャートである。
 なお、以下では、説明の便宜上、現時点において記憶部32に記憶された複数の波長制御情報に含まれる参照波長λでレーザ発振しているものとし、当該参照波長λから目標波長λにレーザ光L1の発振波長を変更する場合での波長制御方法について説明する。また、目標波長λと同一の参照波長は、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報に含まれていないものとする。
 先ず、制御装置3は、ユーザインターフェースを介して上位の制御装置(図示略)に入力された目標波長λを当該上位の制御装置から取得する(ステップS1)。
 ステップS1の後、目標値算出部312は、ステップS1で取得した目標波長λと、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報とに基づいて、以下に示すように、各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する(ステップS2:目標値算出ステップ)。
 図9は、目標値算出ステップ(ステップS2)を示すフローチャートである。
 目標値算出部312は、参照波長を識別する以下に示す下付き文字の変数Zを現時点で波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長(参照波長λ)を示すSに設定する(ステップS211)。
 ステップS211の後、目標値算出部312は、ステップS1で取得した目標波長λが参照波長λより大きいか否かを判断する(ステップS212)。
 目標波長λが参照波長λより大きいと判断した場合(ステップS212:Yes)には、目標値算出部312は、目標波長λが参照波長λZ+1より小さいか否かを判断する(ステップS213)。そして、ステップS213で「No」と判断した場合には、目標値算出部312は、変数Zを1だけインクリメントし(ステップS214)、ステップS213に戻る。一方、ステップS213で「Yes」と判断した場合(すなわち、λ<λ<λZ+1を満たす変数Zが特定された場合)には、目標値算出部312は、以下の処理を実行する(ステップS215)。
 目標値算出部312は、ステップS215において、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報を参照し、参照波長λに関連付けられたモード識別情報と参照波長λZ+1に関連付けられたモード識別情報とが異なるか否かを判断する。
 参照波長λに関連付けられたモード識別情報と参照波長λZ+1に関連付けられたモード識別情報とが異なると判断した場合(ステップS215:Yes)には、目標値算出部312は、以下の処理を実行する(ステップS216)。
 目標値算出部312は、ステップS216において、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報を参照し、参照波長λZ-1を含む波長制御情報と、参照波長λを含む波長制御情報とから各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する。
 図10は、ステップS216を説明する図である。具体的に、図10において、横軸は波長を示し、縦軸はPD比を示している。また、図10において、曲線CL1は、光フィルタ63aが第1の温度に設定された場合での波長に対するPD比の挙動(第1の温度での光フィルタ63aの透過特性)を示している。また、曲線CL2は、光フィルタ63aが第1の温度より高い第2の温度に設定された場合での波長に対するPD比の挙動(第2の温度での光フィルタ63aの透過特性)を示している。
 例えば、図7に示したCHNo.X-1及びCHNo.Xの各波長制御情報において、マイクロヒータ421~423に対してそれぞれ供給する参照電力PWX-1と参照電力PWとの差は、比較的に小さい。すなわち、参照電力PWX-1をマイクロヒータ421~423に対してそれぞれ供給した場合と、参照電力PWをマイクロヒータ421~423に対してそれぞれ供給した場合とにおいて、光フィルタ63aの温度は、略同一の例えば第1の温度となる。このため、CHNo.X-1の波長制御情報における参照波長λX-1及び制御参照値PdX-1と、CHNo.Xの波長制御情報における参照波長λ及び制御参照値Pdとは、それぞれ曲線CL1上の点となる。すなわち、モード識別情報「A」で規定される同一のスーパーモードであれば、各波長制御情報における参照波長及び制御参照値は、同一の曲線CL1上の点となる。
 また、図7に示したCHNo.X+1及びCHNo.X+2の各波長制御情報において、マイクロヒータ421~423に対してそれぞれ供給する参照電力PWX+1と参照電力PWX+2との差は、上述した参照電力PWX-1と参照電力PWとの差と同様に小さいものである。しかしながら、参照電力PWX+1,PWX+2は、参照電力PWX-1,PWより比較的に大きな電力である。すなわち、参照電力PWX+1をマイクロヒータ421~423に対してそれぞれ供給した場合と、参照電力PWX+2をマイクロヒータ421~423に対してそれぞれ供給した場合とにおいて、光フィルタ63aの温度は、略同一の例えば第2の温度となる。このため、CHNo.X+1の波長制御情報における参照波長λX+1及び制御参照値PdX+1と、CHNo.X+2の波長制御情報における参照波長λX+2及び制御参照値PdX+2とは、それぞれ曲線CL2上の点となる。すなわち、モード識別情報「B」で規定される同一のスーパーモードであれば、各波長制御情報における参照波長及び制御参照値は、同一の曲線CL2上の点となる。
 ここで、現時点で波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長(参照波長λ)が参照波長λであり、λ<λ<λX+1である場合を想定する。この場合、CHNo.X+1の波長制御情報は、目標波長λに対して長波側で隣接した波長λX+1を含む波長制御情報である。また、CHNo.Xの波長制御情報は、目標波長λに対して短波側で隣接した波長λを含む波長制御情報である。このため、CHNo.X+1及びCHNo.Xの各波長制御情報は、第1,第2の波長制御情報に相当する。
 CHNo.Xの波長制御情報におけるモード識別情報「A」と、CHNo.X+1の波長制御情報におけるモード識別情報「B」とは互いに異なる。このため、上述したように、参照波長λ及び制御参照値Pdと参照波長λX+1及び制御参照値PdX+1とはそれぞれ異なる曲線CL1,CL2上の点となる。すなわち、スーパーモードが切り替わる波長λX+1,λ間の波長を目標波長λとする場合に、参照波長λ及び制御参照値Pdと参照波長λX+1及び制御参照値PdX+1とから補間により、目標波長λに対応する制御目標値を算出した場合には、互いにずれた曲線CL1,CL2から制御目標値を算出することとなるため、制御目標値として不適切な値を算出することとなる。そして、当該制御目標値を用いて波長ロック処理を実行した場合には、レーザ光L1の波長を目標波長λに制御することができない。
 そして、本実施の形態1では、目標値算出部312は、ステップS216において、参照波長及び制御参照値が同一の曲線CL1上の点となる波長λX-1を含むCHNo.X-1の波長制御情報と波長λを含むCHNo.Xの波長制御情報とから各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する。
 具体的に、目標値算出部312は、図10に示すように、参照波長λX-1及び制御参照値PdX-1と参照波長λ及び制御参照値Pdとから外挿補間により、目標波長λに対応する制御目標値Pd1を算出する。同様に、目標値算出部312は、参照波長λX-1及び参照電力PWX-1と参照波長λ及び参照電力PWとから外挿補間により、目標波長λに対応する初期電力を算出する。
 以上のように、ステップS216では、目標値算出部312は、目標波長λと同一の参照波長が記憶部32に記憶された複数の波長制御情報に含まれておらず、第1,第2の波長制御情報(CHNo.X+1及びCHNo.Xの各波長制御情報)の間でモード識別情報が異なっている場合に、現時点で波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長λを含む波長制御情報(CHNo.Xの波長制御情報)と同一のモード識別情報が関連付けられた複数の制御参照値PdX-1,Pdを用いて、目標波長λに対応する制御目標値Pd1を算出する。このステップS216は、記憶部32に記憶された互いに同一のモード識別情報が関連付けられた複数の波長制御情報に基づいて制御目標値を算出するステップの一例である。
 そして、ステップS216の後、制御装置3は、図8に示したメインルーチンに戻る。
 ステップS215に戻って、参照波長λに関連付けられたモード識別情報と参照波長λZ+1に関連付けられたモード識別情報とが同一であると判断した場合(ステップS215:No)には、目標値算出部312は、以下の処理を実行する(ステップS217)。
 目標値算出部312は、ステップS217において、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報を参照し、参照波長λZ+1を含む波長制御情報と参照波長λを含む波長制御情報とから各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する。
 なお、ステップS215で「No」と判断し、ステップS217を実行する場合とは、例えば、以下の場合が想定される。
 すなわち、現時点で波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長(参照波長λ)が参照波長λX-1であり、λX-1<λ<λである場合が想定される。この場合、参照波長λX-1及び制御参照値PdX-1と参照波長λ及び制御参照値Pdとは、同一のモード識別情報がそれぞれ関連付けられているため、それぞれ同一の曲線CL1上の点となる(図7,10)。このため、目標値算出部312は、参照波長λX-1及び制御参照値PdX-1と参照波長λ及び制御参照値Pdとから内挿補間により、目標波長λに対応する制御目標値を算出する。同様に、目標値算出部312は、参照波長λX-1及び参照電力PWX-1と参照波長λ及び参照電力PWとから内挿補間により、目標波長λに対応する初期電力を算出する。このステップS217は、記憶部32に記憶された互いに同一のモード識別情報が関連付けられた複数の波長制御情報に基づいて制御目標値を算出するステップの一例である。
 そして、ステップS217の後、制御装置3は、図8に示したメインルーチンに戻る。
 ステップS212に戻って、当該ステップS212で「No」と判断した場合には、目標値算出部312は、目標波長λが参照波長λZ-1より大きいか否かを判断する(ステップS218)。そして、ステップS218で「No」と判断した場合には、目標値算出部312は、変数Zを1だけデクリメントし(ステップS219)、ステップS218に戻る。一方、ステップS218で「Yes」と判断した場合(すなわち、λZ-1<λ<λを満たす変数Zが特定された場合)には、目標値算出部312は、以下の処理を実行する(ステップS220)。
 目標値算出部312は、ステップS220において、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報を参照し、参照波長λに関連付けられたモード識別情報と参照波長λZ-1に関連付けられたモード識別情報とが異なるか否かを判断する。
 参照波長λに関連付けられたモード識別情報と参照波長λZ-1に関連付けられたモード識別情報とが異なると判断した場合(ステップS220:Yes)には、目標値算出部312は、以下の処理を実行する(ステップS221)。
 目標値算出部312は、ステップS221において、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報を参照し、参照波長λZ+1を含む波長制御情報と、参照波長λを含む波長制御情報とから各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する。
 なお、ステップS220で「Yes」と判断し、ステップS221を実行する場合とは、例えば、以下の場合が想定される。
 すなわち、現時点で波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長(参照波長λ)が参照波長λX+1であり、λ<λ<λX+1である場合が想定される。この場合、上述したステップS216と同様に、CHNo.X+1の波長制御情報は、目標波長λに対して長波側で隣接した波長λX+1を含む波長制御情報である。また、CHNo.Xの波長制御情報は、目標波長λに対して短波側で隣接した波長λを含む波長制御情報である。すなわち、CHNo.X+1及びCHNo.Xの各波長制御情報は、第1,第2の波長制御情報に相当する。また、参照波長λ及び制御参照値Pdと参照波長λX+1及び制御参照値PdX+1とはそれぞれ異なる曲線CL1,CL2上の点となる。このため、目標値算出部312は、ステップS216と同様に、ステップS221において、現時点で波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長λX+1及び制御参照値PdX+1と、当該波長λX+1を含むCHNo.X+1の波長制御情報と同一のモード識別情報「B」が関連付けられたCHNo.X+2の波長制御情報における波長λX+2及び制御参照値PdX+2とから外挿補間により、目標波長λに対応する制御目標値Pd2(図7)を算出する。同様に、目標値算出部312は、波長λX+1及び参照電力PWX+1と波長λX+2及び参照電力PWX+2とから外挿補間により、目標波長λに対応する初期電力を算出する。このステップS221は、記憶部32に記憶された互いに同一のモード識別情報が関連付けられた複数の波長制御情報に基づいて制御目標値を算出するステップの一例である。
 そして、ステップS221の後、制御装置3は、図8に示したメインルーチンに戻る。
 ステップS220に戻って、参照波長λに関連付けられたモード識別情報と参照波長λZ-1に関連付けられたモード識別情報とが同一であると判断した場合(ステップS220:No)には、目標値算出部312は、以下の処理を実行する(ステップS222)。
 目標値算出部312は、ステップS222において、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報を参照し、参照波長λZ-1を含む波長制御情報と参照波長λを含む波長制御情報とから各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する。このステップS222は、記憶部32に記憶された互いに同一のモード識別情報が関連付けられた複数の波長制御情報に基づいて制御目標値を算出するステップの一例である。
 なお、ステップS220で「No」と判断し、ステップS222を実行する場合とは、例えば、以下の場合が想定される。
 すなわち、現時点で波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長(参照波長λ)が参照波長λX+2であり、λX+1<λ<λX+2である場合が想定される。この場合、参照波長λX+2及び制御参照値PdX+2と参照波長λX+1及び制御参照値PdX+1とは、同一のモード識別情報がそれぞれ関連付けられているため、それぞれ同一の曲線CL2上の点となる(図7,10)。このため、目標値算出部312は、参照波長λX+2及び制御参照値PdX+2と参照波長λX+1及び制御参照値PdX+1とから内挿補間により、目標波長λに対応する制御目標値を算出する。同様に、目標値算出部312は、参照波長λX+2及び参照電力PWX+2と参照波長λX+1及び参照電力PWX+1とから内挿補間により、目標波長λに対応する初期電力を算出する。
 そして、ステップS222の後、制御装置3は、図8に示したメインルーチンに戻る。
 ステップS2の後、波長制御部313は、ステップS2で算出された初期電力をマイクロヒータ421~423にそれぞれ供給する(ステップS3)。
 ステップS3の後、モニタ値算出部311は、PD比の算出を開始する(ステップS4:モニタ値算出ステップ)。
 ステップS4の後、波長制御部313は、ステップS2で算出された制御目標値に対してステップS4以降に算出された最新のPD比が合致するように、マイクロヒータ421~423にそれぞれ供給する電力を変化させる波長ロック処理を実行する(ステップS5:波長制御ステップ)。
 ステップS5の後、波長制御部313は、ステップS5を実行することでステップS2で算出された制御目標値に対してステップS4以降に算出された最新のPD比が合致したか否かを監視する(ステップS6)。
 制御目標値に対してPD比が合致していないと判断した場合(ステップS6:No)には、波長制御部313は、ステップS5に戻る。
 一方、制御目標値に対してPD比が合致したと判断した場合(ステップS6:Yes)には、制御装置3は、本制御フローを終了する。
 以上説明した実施の形態1によれば、以下の効果を奏する。
 本実施の形態1では、目標値算出部312は、目標波長λと同一の波長が記憶部32に記憶された複数の波長制御情報に含まれておらず、第1,第2の波長制御情報間でモード識別情報が異なっている場合に、当該第1,第2の波長制御情報のうち現時点で波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長λを含む波長制御情報と同一のモード識別情報が関連付けられた複数の制御参照値を用いて、目標波長λに対応する制御目標値(Pd1,Pd2)を算出する(ステップS216,S221)。
 すなわち、同一の透過特性(曲線CL1または曲線CL2)上の点から制御目標値(Pd1,Pd2)を算出することとなるため、適切な制御目標値(Pd1,Pd2)を算出することができる。したがって、適切な制御目標値(Pd1,Pd2)を用いて波長ロック処理を実行することで、レーザ光L1の波長を精度良く目標波長λに制御することができる。
 特に、本実施の形態1では、目標値算出部312は、第1,第2の波長制御情報のうち現時点で波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長λを含む波長制御情報と同一のモード識別情報が関連付けられた複数の制御参照値を用いて、目標波長λに対応する制御目標値(Pd1,Pd2)を算出している。
 このため、現時点で波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長λから目標波長λにレーザ光L1の発振波長を変更した場合に、マイクロヒータ421~423にそれぞれ供給する電力の変化を少なくし、光フィルタ63aの透過特性の変化を少なくすることができる。したがって、より適切な制御目標値(Pd1,Pd2)を算出することができる。
 また、本実施の形態1では、1つのみの温度調節器9により、波長可変光源部4及び平面光波回路6の温度を調節している。このように1つのみの温度調節器9により当該各部材4,6の温度を調節する構造とした場合には、波長可変部42が光源部41を局所的に加熱するマイクロヒータ421~423で構成されているため、設置面91の面内に温度分布が生じ易く、光フィルタ63aの透過特性が変化し易い。言い換えれば、課題が生じ易い構造となっている。
 したがって、当該構造において、本実施の形態1を採用することにより、適切な制御目標値を算出することができるという課題を好適に解決することができる。
(実施の形態2)
 次に、本実施の形態2について説明する。
 以下の説明では、上述した実施の形態1と同様の構成には同一符号を付し、その詳細な説明は省略または簡略化する。
 本実施の形態2では、目標値算出部312は、上述した実施の形態1で説明した目標値算出ステップ(ステップS2)の代わりに、以下に示す目標値算出ステップ(ステップS2A)を実行する。
 図11は、本実施の形態2に係る目標値算出ステップ(ステップS2A)を示すフローチャートである。
 本実施の形態2に係る目標値算出ステップ(ステップS2A)では、図11に示すように、上述した実施の形態1で説明した目標値算出ステップ(ステップS2)に対して、ステップS216の代わりにステップS223~S225が採用され、ステップS221の代わりにステップS226~S228が採用されている。このため、以下では、ステップS223~S228のみを説明する。
 ステップS223は、参照波長λに関連付けられたモード識別情報と参照波長λZ+1に関連付けられたモード識別情報とが異なると判断された場合(ステップS215:Yes)に実行される。
 目標値算出部312は、ステップS223において、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報を参照し、参照波長λに関連付けられた参照電力PWが参照波長λZ+1に関連付けられた参照電力PWZ+1より大きいか否かを判断する。
 参照電力PWが参照電力PWZ+1より大きいと判断した場合(ステップS223:Yes)には、目標値算出部312は、以下の処理を実行する(ステップS224)。
 目標値算出部312は、ステップS224において、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報を参照し、参照波長λZ+1を含む波長制御情報と、参照波長λZ+2を含む波長制御情報とから各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する。
 一方、参照電力PWが参照電力PWZ+1より小さいと判断した場合(ステップS223:No)には、目標値算出部312は、以下の処理を実行する(ステップS225)。
 目標値算出部312は、ステップS225において、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報を参照し、参照波長λZ-1を含む波長制御情報と、参照波長λを含む波長制御情報とから各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する。
 ここで、ステップS215で「Yes」と判断された場合とは、λ<λ<λZ+1の関係を有し、かつ、参照波長λに関連付けられたモード識別情報と参照波長λZ+1に関連付けられたモード識別情報とが異なる場合である。すなわち、目標波長λは、スーパーモードが切り替わる波長λZ+1,λ間の波長である。このため、参照波長λZ+1及び参照波長λをそれぞれ含む各波長制御情報(第1,第2の波長制御情報に相当)から目標波長λに対応する各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出すると、上述した実施の形態1で説明したように、目標値として不適切な値を算出してしまう。
 また、参照波長λZ+1を含む波長制御情報と参照波長λZ+2を含む波長制御情報とは、同一のモード識別情報を含む。同様に、参照波長λZ-1を含む波長制御情報と参照波長λを含む波長制御情報とは、同一のモード識別情報を含む。すなわち、上述した実施の形態1で説明したステップS216,S223と同様に、参照波長λZ+1を含む波長制御情報と参照波長λZ+2を含む波長制御情報とから目標波長λに対応する各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する(ステップS224)、あるいは、参照波長λZ-1を含む波長制御情報と参照波長λを含む波長制御情報とから目標波長λに対応する各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する(ステップS225)ことによって、適切な目標値(制御目標値及び初期電力)を算出することができる。
 そして、本実施の形態2では、目標値算出部312は、ステップS223を実行することにより、第1,第2の波長制御情報(参照波長λZ+1及び参照波長λをそれぞれ含む各波長制御情報)のうち、参照電力が低い方の波長制御情報を選択する。また、目標値算出部312は、当該選択した波長制御情報と同一のモード識別情報が関連付けられた波長制御情報を用いて、目標波長λに対応する各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する(ステップS224,S225)。
 そして、ステップS224またはステップS225の後、制御装置3は、図8に示したメインルーチンに戻る。
 ステップS226は、参照波長λに関連付けられたモード識別情報と参照波長λZ-1に関連付けられたモード識別情報とが異なると判断された場合(ステップS220:Yes)に実行される。
 目標値算出部312は、ステップS226において、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報を参照し、参照波長λに関連付けられた参照電力PWが参照波長λZ-1に関連付けられた参照電力PWZ-1より小さいか否かを判断する。
 参照電力PWが参照電力PWZ-1より小さいと判断した場合(ステップS226:Yes)には、目標値算出部312は、以下の処理を実行する(ステップS227)。
 目標値算出部312は、ステップS227において、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報を参照し、参照波長λZ+1を含む波長制御情報と、参照波長λを含む波長制御情報とから各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する。
 一方、参照電力PWが参照電力PWZ-1より大きいと判断した場合(ステップS226:No)には、目標値算出部312は、以下の処理を実行する(ステップS228)。
 目標値算出部312は、ステップS228において、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報を参照し、参照波長λZ-1を含む波長制御情報と、参照波長λZ-2を含む波長制御情報とから各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する。
 ここで、ステップS220で「Yes」と判断された場合とは、λZ-1<λ<λの関係を有し、かつ、参照波長λに関連付けられたモード識別情報と参照波長λZ-1に関連付けられたモード識別情報とが異なる場合である。すなわち、目標波長λは、スーパーモードが切り替わる波長λ,λZ-1間の波長である。このため、参照波長λ及び参照波長λZ-1を含む各波長制御情報(第1,第2の波長制御情報に相当)から目標波長λに対応する各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出すると、上述した実施の形態1で説明したように、目標値として不適切な値を算出してしまう。
 また、参照波長λZ+1を含む波長制御情報と参照波長λを含む波長制御情報とは、同一のモード識別情報を含む。同様に、参照波長λZ-1を含む波長制御情報と参照波長λZ-2を含む波長制御情報とは、同一のモード識別情報を含む。すなわち、上述した実施の形態1で説明したステップS216,S221と同様に、参照波長λZ+1を含む波長制御情報と参照波長λを含む波長制御情報とから目標波長λに対応する各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する(ステップS227)、あるいは、参照波長λZ-1を波長制御情報と参照波長λZ-2を含む波長制御情報とから目標波長λに対応する各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する(ステップS228)ことによって、適切な目標値(制御目標値及び初期電力)を算出することができる。
 そして、本実施の形態2では、目標値算出部312は、ステップS226を実行することにより、第1,第2の波長制御情報(参照波長λ及び参照波長λZ-1をそれぞれ含む各波長制御情報)のうち、参照電力が低い方の波長制御情報を選択する。また、目標値算出部312は、当該選択した波長制御情報と同一のモード識別情報が関連付けられた波長制御情報を用いて、目標波長λに対応する各種の目標値(制御目標値及び初期電力)を算出する(ステップS227,S228)。
 そして、ステップS227またはステップS228の後、制御装置3は、図8に示したメインルーチンに戻る。
 以上説明した実施の形態2によれば、上述した実施の形態1と同様の効果の他、以下の効果を奏する。
 本実施の形態2では、目標値算出部312は、第1,第2の波長制御情報のうち参照電力が低い方の波長制御情報を選択し、当該選択した波長制御情報と同一のモード識別情報が関連付けられた波長制御情報を用いて、目標波長λに対応する制御目標値を算出する(ステップS223~S225,S226~S228)。
 このため、適切な制御目標値を算出することができるとともに、波長可変レーザ装置1の低消費電力化を図ることができる。
(実施の形態3)
 次に、本実施の形態3について説明する。
 以下の説明では、上述した実施の形態1と同様の構成には同一符号を付し、その詳細な説明は省略または簡略化する。
 本実施の形態3では、目標値算出部312は、上述した実施の形態1で説明した目標値算出ステップ(ステップS2)の代わりに、以下に示す目標値算出ステップ(ステップS2B)を実行する。
 図12は、本実施の形態3に係る目標値算出ステップ(ステップS2B)を示すフローチャートである。
 本実施の形態3に係る目標値算出ステップ(ステップS2B)では、先ず、目標値算出部312は、記憶部32に記憶された複数の波長制御情報を参照し、現時点で波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長(参照波長λ)に関連付けられた参照電力PWが特定の閾値以上であるか否かを判断する(ステップS231)。
 参照電力PWが特定の閾値未満であると判断した場合(ステップS231:No)には、目標値算出部312は、図9に示したステップS2の処理(第1の算出処理に相当)を実行する。
 一方、参照電力PWが特定の閾値以上であると判断した場合(ステップS231:Yes)には、目標値算出部312は、図11に示したステップS2Aの処理(第2の算出処理に相当)を実行する。
 以上説明した実施の形態3によれば、上述した実施の形態1,2と同様の効果の他、以下の効果を奏する。
 本実施の形態3では、目標値算出部312は、現時点で波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長(参照波長λ)に関連付けられた参照電力PWが特定の閾値未満である場合に第1の算出処理を実行し、当該特定の閾値以上である場合に第2の算出処理を実行する。
 このため、現時点での消費電力が比較的に高い場合に限り、第2の算出処理を実行することができ、マイクロヒータ421~423にそれぞれ供給する電力の大きな変化が不要に生じることを抑制することができる。
(実施の形態4)
 次に、本実施の形態4について説明する。
 以下の説明では、上述した実施の形態1と同様の構成には同一符号を付し、その詳細な説明は省略または簡略化する。
 本実施の形態4では、記憶部32は、図7に示す波長制御情報に換えて、例として図13に示す波長制御情報を記憶している。
 図13において、CHNo.などの下付き文字に使用されているm、nは、例えば4以上の整数である。
 図7の場合と同様に、図13に示す複数の波長制御情報は、それぞれ、参照波長と、レーザ光L1の波長を当該参照波長に制御するためにマイクロヒータ421~423にそれぞれ供給する複数の電力と、レーザ光L1の波長を当該参照波長に設定した場合でのPD比の参照値となる制御参照値と、当該複数の電力及び当該制御参照値を用いて波長ロック処理を実行した場合に決定されるスーパーモードを識別するモード識別情報とが関連付けられた情報である。
 ただし、図13では、複数の波長制御情報には、複数の第3の波長制御情報と、複数の第4の波長制御情報とがある。
 複数の第3の波長制御情報の例は、CHNo.1からCHNo.X+n-1までの波長制御情報である。これらの第3の波長制御情報は、参照波長λからλX+n-1までの波長範囲(第1の波長範囲の例)に対して、モード識別情報「A」が関連付けられている。
 複数の第4の波長制御情報の例は、CHNo.X-m+1から、少なくともCHNo.X+n+1(不図示)より大きい所定のCHNo.までの波長制御情報である。これらの第4の波長制御情報は、参照波長λX-m+1から少なくともλX+n+1より長い所定の波長での波長範囲(第2の波長範囲の例)に対して、モード識別情報「B」が関連付けられている。
 なお、この例における第1の波長範囲と第2の波長範囲とは、その一部が重複している。重複している波長範囲はλX-m+1からλX+n-1までである。
 各波長における各波長制御情報には、モード毎に、マイクロヒータ421~423にそれぞれ供給する複数の電力の総電力として、各参照電力が含まれているとともに、レーザ光L1の目標波長を各参照波長に設定した場合でのPD比の参照値となる制御参照値が含まれている。例えば、CHNo.Xの波長制御情報では、モード識別情報「A」とPDAおよびPWA[W]とが関連付けられており、モード識別情報「B」とPDBおよびPWB[W]とが関連付けられている。
 なお、図示しないが、記憶部32には、モード識別情報「A」、「B」とは別のモード識別情報「C」、・・・に関連付けられた波長制御情報も記憶されている。例えばモード識別情報「C」は、第2波長範囲と一部が重複している波長範囲の各波長(例えばグリッド波長)に対して関連付けられて、波長制御情報を構成している。
 図7では、隣接するCHNo.の各波長制御情報に関連付けられた参照電力間の差が、所定の閾値未満であれば同一のモード識別情報を有し、当該閾値以上であれば互いに異なるモード識別情報を有するようにしている。
 これに対して、図13の場合は、例えばCHNo.XとCHNo.X+1との各波長制御情報に関連付けられた参照電力間の差が所定の閾値以上であっても、同一のモード識別情報「A」に関連付けている。同様に、例えばCHNo.XとCHNo.X+1との各波長制御情報に関連付けられた参照電力間の差が所定の閾値以上であっても、同一のモード識別情報「B」に関連付けている。
 したがって、図13において、モード識別情報「A」が関連付けられた参照波長の波長範囲は、図7の場合と比較して、参照波長λからλの範囲から、参照波長λからλX+(n-1)の範囲に、拡張範囲だけ拡張されていると言える。同様に、モード識別情報「B」が関連付けられた参照波長の波長範囲は、図7の場合と比較して、参照波長λからの範囲から、参照波長λX-m+1からの範囲に、拡張範囲だけ拡張されていると言える。
 なお、拡張範囲は、マイクロヒータ421またはマイクロヒータ422に供給する電力がゼロになる範囲まで拡張できる。
 本実施の形態4では、制御部31は、図8、9に示す場合と同様に制御方法を実行する。
 なお、図9のステップS215において、参照波長λに関連付けられたモード識別情報と参照波長λZ+1に関連付けられたモード識別情報とが異なるか否かを判断する際に、参照波長λまたは参照波長λZ+1に関連付けられたモード識別情報が複数あったとしても、参照波長λと参照波長λZ+1とのそれぞれに関連付けられた同一のモード識別情報があれば、ステップS215で「No」と判断される。
 以上説明した実施の形態4によれば、上述した実施の形態1と同様の効果の他、以下の効果を奏する。
 例えば、制御装置3が、モード識別情報「A」に関連付けられた第1の波長範囲の例である参照波長λからλX+(n-1)までの波長範囲において、波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長から、λX-m+1からλX+n-1までの波長範囲に含まれかつ記憶部32には対応する波長制御情報が無い目標波長に変更する場合を考える。λX-m+1からλX+n-1までの波長範囲は、第1および第2の波長範囲が重複する範囲の一例である。
 この場合、目標値算出部312は、モード識別情報「A」に関連付けられた複数の第3の波長制御情報の制御参照値を用いて、目標波長に対応する制御目標値を算出する。
 これにより、波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長から目標波長までの変更を、モード識別情報「A」に対応するスーパーモードのみで実現できるので、スーパーモードの切り換えのための制御を省略できる。
 例えば、図7に示すような波長制御情報を用いた場合は、レーザ光L1の波長を波長λから目標波長としての波長λx+2まで変化させる場合、スーパーモードの切り換えが必要である。
 これに対して、図13に示すような波長制御情報を用いた場合は、レーザ光L1の波長を波長λから目標波長としての波長λx+2まで変化させる場合、スーパーモードの切り換えが不要である。
 図13に示すような波長制御情報を用いる実施の形態4は、例えば、ファインチューニング周波数(FTF)と呼ばれる制御を行う場合に好適に利用できる。FTFは、波長可変光源部4がレーザ光L1を出力しかつレーザ装置1がレーザ光L2を出力している状態を維持しながら、レーザ光L1の波長を目標波長まで連続的を変化させる制御である。
 尚、記憶部32が記憶する、波長範囲が重複する範囲における全ての参照波長に対して異なるモード識別情報を関連づけて記憶しなくともよい。例えば、λX-m+1からλX+n-1までの波長範囲において、記憶部32が一または複数の参照波長λ(X-m+1<k<X+n―1)について、モード識別情報「B」が関連づけられた波長制御情報を記憶せず、モード識別情報「A」とPDAおよびPWA[W]とが関連付けられた波長制御情報を記憶する様にしてもよい。この様な場合に、モード識別情報「B」が関連付けられた参照波長λの波長制御情報を新たに算出する場合には、記憶部32が記憶している、モード識別情報「B」が関連づけられた他の複数の参照波長の波長制御情報に基づいて算出する様にしてもよい。
(その他の実施形態)
 ここまで、本発明を実施するための形態を説明してきたが、本発明は上述した実施の形態1~4によってのみ限定されるべきものではない。
 上述した実施の形態1~4では、2つの光フィルタ63a,64aが設けられていたが、これに限らず、光フィルタ63aを1つのみ設けてもよく、あるいは、3つ以上の光フィルタを設けても構わない。
 上述した実施の形態1~4では、本発明に係る光フィルタとして、リング共振器型光フィルタ63a,64aを採用していたが、これに限らない。入射する光の波長に対して周期的な透過特性を有する光フィルタであれば、エタロン等のその他の光フィルタを本発明に係る光フィルタとして採用しても構わない。
 また、制御装置3が実行する波長制御方法を示すフローは、上述した実施の形態1~4で説明したフローチャート(図8,図9,図11,図12)における処理の順序に限らず、矛盾のない範囲で変更しても構わない。
 また、実施の形態1~4では、ステップS211において波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長となっている参照波長λに対応してZ=Sと設定しているが、これに限らない。当該ステップS211においてSと異なるZを設定し実施の形態1~4のフローを実施してもよい。当該Zとしては、例えば、記憶部32に記憶されているCHNo.のうち最も小さい、最も大きい、またはいずれか所定の波長制御情報に対応するものを用いるようしてもよい。一方で、Z=Sと設定した場合には、現時点で波長可変光源部4が出力しているレーザ光L1の波長と目標波長λとの差が小さい場合(例えばλ<λ<λS+1またはλS-1<λ<λを満たす場合)には、ステップS211においてZ=Sと設定することで目標値算出に要する時間を短縮することができるため好ましい。
 本発明は、例えば、通信用の波長可変レーザ装置に適用して好適なものである。
 1 波長可変レーザ装置
 2 波長可変レーザモジュール
 3 制御装置
 4 波長可変光源部
 5 半導体光増幅器
 6 平面光波回路
 7 光検出部
 8 温度センサ
 9 温度調節器
 31 制御部
 32 記憶部
 41 光源部
 42 波長可変部
 43 第1の導波路部
 44 第2の導波路部
 44a 光導波層
 45 n側電極
 61 光分岐部
 62~64 光導波路
 63a,64a リング共振器型光フィルタ
 71~73 PD
 91 設置面
 311 モニタ値算出部
 312 目標値算出部
 313 波長制御部
 421~423 マイクロヒータ
 431 導波路部
 431a 利得部
 431b 回折格子層
 432 半導体積層部
 433 p側電極
 441 2分岐部
 441a 多モード干渉型導波路
 442,443 アーム部
 444 リング状導波路
 445 位相調整部
 Ar1 第1の領域
 Ar2 第2の領域
 B1 基部
 BD1,BD2 境界
 C1 光共振器
 CL1,CL2 曲線
 CM1~CM5 キャビティモード
 L1~L6 レーザ光
 M1 反射ミラー
 RF1 リング共振器フィルタ
 SC1,SC1A,SC2,SC2A ピーク
 SM1 第1のスーパーモード
 SM2 第2のスーパーモード

Claims (10)

  1.  バーニア効果を利用してレーザ光の発振波長を可変とする波長可変光源部と、
     前記波長可変光源部から出力される前記レーザ光の波長に対して周期的な透過特性を有する光フィルタと、
     前記光フィルタを透過した前記レーザ光の強度を取得する受光素子と、
     前記波長可変光源部の動作を制御する制御装置とを備え、
     前記制御装置は、
     前記受光素子が取得した前記レーザ光の強度に基づいて、前記レーザ光の波長に対応するモニタ値を算出するモニタ値算出部と、
     複数の波長制御情報を記憶する記憶部と、
     前記波長制御情報と前記レーザ光の目標波長とに基づいて、前記目標波長に対応し、前記モニタ値の目標値となる制御目標値を算出する目標値算出部と、
     前記制御目標値と前記モニタ値とに基づいて、前記レーザ光の波長を前記目標波長に制御する波長制御部とを備え、
     前記波長制御情報は、
     波長と、前記波長に対応し前記モニタ値の参照値となる制御参照値と、前記制御参照値を前記制御目標値とした場合に決定されるスーパーモードを識別するモード識別情報とが関連付けられた情報であり、
     前記目標値算出部は、
     前記目標波長と同一の前記波長が前記記憶部に記憶された前記複数の波長制御情報と異なっている場合に、前記記憶部に記憶された互いに同一の前記モード識別情報が関連付けられた複数の前記波長制御情報に基づいて、前記制御目標値を算出する
     ことを特徴とする波長可変レーザ装置。
  2.  前記目標値算出部は、
     前記複数の波長制御情報のうち、前記目標波長に対して短波側及び長波側のいずれか一方で隣接した前記波長を含む第1の波長制御情報と、前記目標波長に対して短波側及び長波側のいずれか他方で隣接した前記波長を含む第2の波長制御情報との間で前記モード識別情報が異なっている場合に、前記第1の波長制御情報及び前記第2の波長制御情報の一方と同一の前記モード識別情報が関連付けられた複数の前記制御参照値を用いて、前記制御目標値を算出する
     ことを特徴とする請求項1に記載の波長可変レーザ装置。
  3.  前記目標値算出部は、
     前記複数の波長制御情報のうち、前記目標波長に対して短波側及び長波側のいずれか一方で隣接した前記波長を含む第1の波長制御情報と、前記目標波長に対して短波側及び長波側のいずれか他方で隣接した前記波長を含む第2の波長制御情報との間で前記モード識別情報が同一である場合に、当該同一の前記モード識別情報が関連付けられた複数の前記制御参照値を用いて、前記制御目標値を算出する
     ことを特徴とする請求項1に記載の波長可変レーザ装置。
  4.  前記目標値算出部は、
     前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長を前記目標波長に変更する場合に、前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長に対応した前記制御目標値を算出する際に用いた前記波長制御情報と同一の前記モード識別情報が関連付けられた前記複数の制御参照値を用いて、前記目標波長に対応する前記制御目標値を算出する
     ことを特徴とする請求項1~3のいずれか一つに記載の波長可変レーザ装置。
  5.  前記複数の波長制御情報は、
     第1の波長範囲における前記波長に対して第1のモード識別情報が関連付けられた複数の第3の波長制御情報と、
     前記第1の波長範囲と一部が重複するとともに、前記第1の波長範囲と異なる第2の波長範囲における前記波長に対して、前記第1のモード識別情報と異なる第2のモード識別情報が関連付けられた複数の第4の波長制御情報と、
     を含む
     ことを特徴とする請求項1~4のいずれか一つに記載の波長可変レーザ装置。
  6.  前記目標値算出部は、
     前記第1の波長範囲において前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長から、前記第1および第2の波長範囲が重複する範囲の前記目標波長に変更する場合に、複数の前記第3の波長制御情報の前記制御参照値に基づいて、前記目標波長に対応する前記制御目標値を算出する
     ことを特徴とする請求項5に記載の波長可変レーザ装置。
  7.  前記波長制御情報は、
     前記波長と、前記制御参照値と、前記モード識別情報と、前記波長可変光源部に供給する電力とが関連付けられた情報であり、
     前記目標値算出部は、
     前記第1の波長制御情報及び前記第2の波長制御情報のうち、前記電力が低い方の前記波長制御情報と同一の前記モード識別情報が関連付けられた前記複数の制御参照値を用いて、前記目標波長に対応する前記制御目標値を算出する
     ことを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載の波長可変レーザ装置。
  8.  前記波長制御情報は、
     前記波長と、前記制御参照値と、前記モード識別情報と、前記波長可変光源部に供給する電力とが関連付けられた情報であり、
     前記目標値算出部は、
     前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長を前記目標波長に変更する場合に、前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長に関連付けられた前記電力に基づいて、第1の算出処理または第2の算出処理を実行し、
     前記第1の算出処理は、
     前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長に関連付けられた前記電力が特定の閾値未満である場合に、前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長に対応した前記制御目標値を算出する際に用いた前記波長制御情報と同一の前記モード識別情報が関連付けられた前記複数の制御参照値を用いて、前記目標波長に対応する前記制御目標値を算出する処理であり、
     前記第2の算出処理は、
     前記波長可変光源部が出力している前記レーザ光の波長に関連付けられた前記電力が前記特定の閾値以上である場合に、前記第1の波長制御情報及び前記第2の波長制御情報のうち、前記電力が低い方の前記波長制御情報と同一の前記モード識別情報が関連付けられた前記複数の制御参照値を用いて、前記目標波長に対応する前記制御目標値を算出する処理である
     ことを特徴とする請求項1~6のいずれか一つに記載の波長可変レーザ装置。
  9.  前記波長可変光源部及び前記光フィルタが設置される設置面を有する温度調節器をさらに備え、
     前記波長可変光源部及び前記光フィルタは、
     前記温度調節器の同一の前記設置面に設置される
     ことを特徴とする請求項1~8のいずれか一つに記載の波長可変レーザ装置。
  10.  波長可変レーザ装置の制御装置が実行する波長制御方法であって、
     前記波長可変レーザ装置は、
     バーニア効果を利用してレーザ光の発振波長を可変とする波長可変光源部と、前記波長可変光源部から出力される前記レーザ光の波長に対して周期的な透過特性を有する光フィルタと、前記光フィルタを透過した前記レーザ光の強度を取得する受光素子と、前記波長可変光源部の動作を制御する前記制御装置とを備え、
     前記制御装置は、
     複数の波長制御情報を記憶する記憶部を備え、
     前記波長制御方法は、
     前記受光素子が取得した前記レーザ光の強度に基づいて、前記レーザ光の波長に対応するモニタ値を算出するモニタ値算出ステップと、
     前記波長制御情報と前記レーザ光の目標波長とに基づいて、前記目標波長に対応し、前記モニタ値の目標値となる制御目標値を算出する目標値算出ステップと、
     前記制御目標値と前記モニタ値とに基づいて、前記レーザ光の波長を前記目標波長に制御する波長制御ステップとを備え、
     前記波長制御情報は、
     波長と、前記波長に対応して前記モニタ値の参照値となる制御参照値と、前記制御参照値を前記制御目標値とした場合に決定されるスーパーモードを識別するモード識別情報とが関連付けられた情報であり、
     前記目標値算出ステップでは、
     前記目標波長と同一の前記波長が前記記憶部に記憶された前記複数の波長制御情報と異なっている場合に、前記記憶部に記憶された互いに同一の前記モード識別情報が関連付けられた複数の前記波長制御情報に基づいて、前記制御目標値を算出する
     ことを特徴とする波長制御方法。
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