WO2020147204A1 - Oled 显示面板及其制作方法 - Google Patents

Oled 显示面板及其制作方法 Download PDF

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WO2020147204A1
WO2020147204A1 PCT/CN2019/080727 CN2019080727W WO2020147204A1 WO 2020147204 A1 WO2020147204 A1 WO 2020147204A1 CN 2019080727 W CN2019080727 W CN 2019080727W WO 2020147204 A1 WO2020147204 A1 WO 2020147204A1
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layer
transparent conductive
located above
area
conductive layer
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PCT/CN2019/080727
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English (en)
French (fr)
Inventor
唐甲
任章淳
Original Assignee
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers

Definitions

  • the invention relates to the field of electronic display, in particular to an OLED display panel and a manufacturing method thereof.
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • the invention provides an OLED display panel and a manufacturing method thereof to increase the capacitance of the OLED panel.
  • an OLED display panel which includes:
  • a gate stack located above the active area
  • a second buffer layer covering the color filter layer and the planarization layer
  • the projection of the color film layer on the horizontal plane, the projection of the first region on the horizontal plane, and the projection of the first active region on the horizontal plane coincide.
  • the active region includes a first active region and a second active region, the first active region is located above the first region, and the second active region is located on the Above the second area.
  • the display panel further includes a light-shielding metal layer located between the first transparent conductive layer and the buffer layer, and the projection of the light-shielding metal layer on the horizontal plane and the second active area The projections on the horizontal plane coincide.
  • the display panel further includes a metal layer located above the second transparent conductive layer, and the projection of the metal layer on the horizontal plane coincides with the projection of the second active area on the horizontal plane.
  • the material forming the metal layer is a light-shielding metal.
  • an OLED display panel which includes:
  • a gate stack located above the active area
  • a second buffer layer covering the color filter layer and the planarization layer
  • the light emitting structure covering the pixel definition layer and the anode.
  • the projection of the color filter layer on the horizontal plane, the projection of the first region on the horizontal plane, and the projection of the first active region on the horizontal plane coincide.
  • the active region includes a first active region and a second active region, the first active region is located above the first region, and the second active region is located on the Above the second area.
  • the display panel further includes a light-shielding metal layer located between the first transparent conductive layer and the buffer layer, and the projection of the light-shielding metal layer on the horizontal plane and the second active area The projections on the horizontal plane coincide.
  • the display panel further includes a metal layer located above the second transparent conductive layer, and the projection of the metal layer on the horizontal plane coincides with the projection of the second active area on the horizontal plane.
  • the material forming the metal layer is a light-shielding metal.
  • the present invention also provides a manufacturing method of an OLED display panel, which includes the following steps:
  • a first transparent conductive layer is formed above the substrate, the first transparent conductive layer includes a first region and a second region, the first region covers the color filter layer, and the second region is used to form a gate Pole stack
  • a light emitting structure covering the pixel definition layer and the anode is formed.
  • the projection of the color filter layer on the horizontal plane, the projection of the first region on the horizontal plane, and the projection of the first active region on the horizontal plane coincide.
  • the active region includes a first active region and a second active region, the first active region is located above the first region, and the second active region is located on the Above the second area.
  • the method further includes the following steps:
  • the light-shielding metal layer is patterned so that its projection on the horizontal plane coincides with the projection of the second active area on the horizontal plane.
  • the method of patterning the light-shielding metal layer and the first transparent conductive layer includes:
  • the mask having a first pattern for forming a first transparent conductive layer and a second pattern for forming the light-shielding metal layer;
  • a mask is used to pattern the photoresist to form a first photoresist located above the first transparent conductive layer and a second photoresist located above the light-shielding metal layer, the first photoresist The thickness is less than the thickness of the second photoresist;
  • the light-shielding metal layer and the first transparent conductive layer are patterned.
  • the first pattern and the second pattern of the mask have different light transmittance, and the light transmittance of the first pattern is less than the light transmittance of the second pattern.
  • the method further includes the following steps:
  • a metal layer located above the second transparent conductive layer is formed, and the projection of the metal layer on the horizontal plane coincides with the projection of the second active area on the horizontal plane.
  • the material forming the metal layer is a light-shielding metal.
  • the OLED display panel provided by the present invention has a first transparent conductive layer located in a substrate, a first active area located above the first transparent conductive layer, and a second transparent conductive layer located above the first active area,
  • the first transparent conductive layer, the first active region, and the second transparent conductive layer are separated by a buffer layer and an interlayer dielectric layer respectively, thereby forming a three-layer parallel capacitor structure, which can effectively increase the capacitance of the display panel , Eliminate the pressure drop phenomenon.
  • FIGS. 1 to 11 are schematic structural diagrams of the OLED display panel in different process steps in a specific embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 to FIG. 11 are schematic structural diagrams of an OLED display panel in different process steps in a specific embodiment of the present invention.
  • the present invention provides an OLED display panel, which includes:
  • the first transparent conductive layer 16 is located above the substrate 10; the first transparent conductive layer 16 includes a first area and a second area.
  • the first area corresponds to the area used to form the color filter layer, and the second The area corresponds to the area used to form the gate stack;
  • the active region 24 is located above the first buffer layer 20.
  • the active region 24 includes a first active region and a second active region.
  • the first active region is located above the first region.
  • the second active area is located above the second area;
  • a gate stack located above the second active region
  • the interlayer dielectric layer 30 covering the first buffer layer 20, the active region 24 and the gate stack, the interlayer dielectric layer 30 having a plurality of through holes;
  • the second buffer layer 44 covering the color filter layer 12 and the planarization layer 40;
  • the pixel defining layer 48 of the anode 46 is exposed.
  • the light emitting structure covering the pixel defining layer 48 and the anode 46.
  • the projection of the color filter layer 12 on the horizontal plane, the projection of the first region on the horizontal plane, and the projection of the first active region 24 on the horizontal plane coincide.
  • the display panel further includes a light-shielding metal layer 18 located between the first transparent conductive layer 16 and the buffer layer 20, and the projection of the light-shielding metal layer 18 on the horizontal plane corresponds to the second active area 24.
  • the projections on the horizontal plane coincide.
  • the first transparent area of the active area, the first active area, and the second transparent area, the anode, and the insulating layer between them form a plurality of capacitors connected in series. Structure to increase the capacitance of the OLED panel.
  • the display panel further includes a metal layer 34 located above the second transparent conductive layer 32, and the projection of the metal layer 34 on the horizontal plane is similar to that of the second active region 24 on the horizontal plane.
  • the projections coincide.
  • the material forming the metal layer is light-shielding metal.
  • the light-shielding metal layer 18 and the metal layer 34 can block the light emitted by the light-emitting structure, prevent it from entering the light sensor under the display panel, and eliminate the interference of the light from the panel on the sensor.
  • the present invention also provides a method for manufacturing an OLED display panel, which will be described in detail below.
  • the substrate 10 may be a rigid substrate, such as glass, or a flexible substrate, such as PI.
  • the substrate 10 further includes: forming a buffer layer 14 on the substrate 10 to improve the interface state between the substrate 10 and the first transparent conductive layer 16.
  • a first transparent conductive layer 16 is formed on the substrate 10.
  • the first transparent conductive layer 16 includes a first area and a second area, and the first area covers the color filter layer 12, The upper part of the second area is used to form a gate stack.
  • the transparent conductive layer 16 further includes: forming a light-shielding metal layer 18 covering the first transparent conductive layer 16; and patterning the light-shielding metal layer 18 so that the projection on the horizontal plane is consistent with the The projections of the second active area on the horizontal plane coincide. After that, the light shielding metal layer 18 and the first transparent conductive layer 16 are patterned, as shown in FIG. 4.
  • a mask which has both a first pattern for forming the first transparent conductive layer 16 and a second pattern for forming the light-shielding metal layer;
  • a photoresist covering the light-shielding metal layer and the first transparent conductive layer 16 is formed, and the photoresist has a first thickness; a mask is used to pattern the photoresist to form a photoresist located at the first The first photoresist above the transparent conductive layer 16 and the second photoresist above the light-shielding metal layer, the thickness of the first photoresist is smaller than the thickness of the second photoresist; The adhesive and the second photoresist are masks, and the light-shielding metal layer and the first transparent conductive layer 16 are patterned, as shown in FIG. 3.
  • the first pattern and the second pattern of the mask have different light transmittance, and the light transmittance of the first pattern is smaller than the light transmittance of the second pattern.
  • it is implemented here by the Halftonemask process.
  • the first pattern and the second pattern of the mask have different light transmittance, and the light transmittance of the first pattern is less than the light transmittance of the second pattern.
  • the light transmittance of the first pattern and the second pattern is adjusted according to the thickness requirement of the photoresist.
  • the Halftonemask technology is a conventional technical means in this field, and will not be repeated here.
  • a first buffer layer 20 covering the first transparent conductive layer 16 is formed, and an active region is formed above the first buffer layer 20.
  • the active area 24 includes a first active area and a second active area, the first active area is located above the first area, and the second active area is located above the second area.
  • the laminated structure includes a gate dielectric layer 26 and a metal layer 28 in order from bottom to top.
  • an interlayer dielectric layer 30 covering the first buffer layer 20, the first active region and the gate stack is formed, and the interlayer dielectric layer 30 has through holes.
  • the through holes include: a first through hole exposing the source electrode, a second through hole exposing the drain electrode, and a third through hole exposing the entire metal layer 18.
  • a second transparent conductive layer 32 located above the interlayer dielectric layer 30 is formed.
  • the second transparent conductive layer 32 is located above the first region and the second region and passes through the The hole realizes the electrical connection of the source and drain regions.
  • the method further includes: forming a metal 34 located above the second transparent conductive layer 32, and the projection of the metal layer 34 on the horizontal plane is similar to the The projections of the second active area on the horizontal plane coincide.
  • the material forming the metal layer 34 is light-shielding metal, as shown in FIG. 9.
  • a planarization layer 40 covering the interlayer dielectric layer 30 and the second transparent conductive layer 32, and a color film layer 12 located above the planarization layer 40 are formed. 12 is located above the first area.
  • the color film layer is composed of three colors of red, green and blue color films arranged regularly. The projection of the color filter layer 12 on the horizontal plane, the projection of the first region on the horizontal plane, and the projection of the first active region on the horizontal plane coincide.
  • a second buffer layer 44 covering the color filter layer 12 and the planarization layer 40, an anode 46 located above the second buffer layer 44, and pixels exposing the anode 46 are formed.
  • the layer 48 is defined, and finally, an OLED display panel as shown in FIG. 11 is formed.
  • the OLED display panel provided by the present invention has a first transparent conductive layer 16 located in the substrate 10, a first active region 24 located above the first transparent conductive layer 16, and a first active region 24 located above the first active region 24.
  • Two transparent conductive layers 32, the first transparent conductive layer 16, the first active region 24 and the second transparent conductive layer 32 are separated by the buffer layer 20 and the interlayer dielectric layer 30 respectively, thereby forming a three-layer parallel capacitor
  • the structure can effectively increase the capacitance of the display panel and eliminate the voltage drop phenomenon.

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种OLED显示面板及其制作方法。所述显示面板包括：基板，所述基板包括彩膜层和第一透明导电层；所述第一透明导电层包括第一区域和第二区域；覆盖所述第一透明导电层的第一缓冲层和有源区，所述有源区包括位于所述第一区域上方的第一有源区和位于所述第二区域上方的第二有源区；位于所述第二有源区上方的栅极叠层、层间介质层、的第二透明导电层、平坦化层、彩膜层、第二缓冲层、阳极、像素定义层以及的发光结构。

Description

OLED显示面板及其制作方法 技术领域
本发明涉及电子显示领域，尤其涉及一种OLED显示面板及其制作方法。
 背景技术
随着显示技术的发展，有机发光二极管（OrganicLightEmittingDiode，OLED）显示技术发展突飞猛进，OLED产品由于具有轻薄、响应快、广视角、高对比度、可弯折等优点，受到了越来越多的关注和应用，主要应用在手机、平板、电视等显示技术领域。
 技术问题
随着面板尺寸的增大，讯号线的电阻变的不可忽略，导致压降现象随之增大，使显示面板亮度不均，制约了大尺寸OLED显示面板的量产化。因此，急需解决这一问题。
 技术解决方案
本发明提供一种OLED显示面板及其制作方法，以增大OLED面板的电容。
为解决上述问题，本发明提供了一种OLED显示面板，其包括：
基板；
位于所述基板上方的第一透明导电层；所述第一透明导电层包括第一区域和第二区域，所述第一区域对应用于形成彩膜层的区域，所述第二区域对应用于形成栅极叠层的区域；
覆盖所述第一透明导电层的第一缓冲层；
位于所述第一缓冲层上方的有源区；
位于所述有源区上方的栅极叠层；
覆盖所述第一缓冲层、有源区和栅极叠层的层间介质层，所述层间介质层具有多个通孔；
位于所述层间介质层上方的第二透明导电层，所述第二透明导电层覆盖所述有源区，并通过通孔实现源漏区的电连接；
覆盖所述层间介质层和第二透明导电层的平坦化层；
位于所述平坦化层上方的彩膜层，所述彩膜层位于所述第一区域上方；
覆盖所述彩膜层和平坦化层的第二缓冲层；
位于所述第二缓冲层上方的阳极；
暴露出所述阳极的像素定义层；以及
覆盖所述像素定义层和阳极的发光结构；其中，
所述彩膜层在水平面上的投影、所述第一区域在水平面上的投影和所述第一有源区在水平面上的投影重合。
根据本发明的其中一个方面，所述有源区包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区位于所述第一区域上方，所述第二有源区位于所述第二区域上方。
根据本发明的其中一个方面，所述显示面板还包括位于所述第一透明导电层和缓冲层之间的遮光金属层，所述遮光金属层在水平面上的投影与所述第二有源区在水平面上的投影重合。
根据本发明的其中一个方面，所述显示面板还包括位于所述第二透明导电层上方的金属层，所述金属层在水平面上的投影与所述第二有源区在水平面上的投影重合。
根据本发明的其中一个方面，形成所述金属层的材料为遮光金属。
为解决上述问题，本发明提供了一种OLED显示面板，其包括：
基板；
位于所述基板上方的第一透明导电层；所述第一透明导电层包括第一区域和第二区域，所述第一区域对应用于形成彩膜层的区域，所述第二区域对应用于形成栅极叠层的区域；
覆盖所述第一透明导电层的第一缓冲层；
位于所述第一缓冲层上方的有源区；
位于所述有源区上方的栅极叠层；
覆盖所述第一缓冲层、有源区和栅极叠层的层间介质层，所述层间介质层具有多个通孔；
位于所述层间介质层上方的第二透明导电层，所述第二透明导电层覆盖所述有源区，并通过通孔实现源漏区的电连接；
覆盖所述层间介质层和第二透明导电层的平坦化层；
位于所述平坦化层上方的彩膜层，所述彩膜层位于所述第一区域上方；
覆盖所述彩膜层和平坦化层的第二缓冲层；
位于所述第二缓冲层上方的阳极；
暴露出所述阳极的像素定义层；以及
覆盖所述像素定义层和阳极的发光结构。
根据本发明的其中一个方面，所述彩膜层在水平面上的投影、所述第一区域在水平面上的投影和所述第一有源区在水平面上的投影重合。
根据本发明的其中一个方面，所述有源区包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区位于所述第一区域上方，所述第二有源区位于所述第二区域上方。
根据本发明的其中一个方面，所述显示面板还包括位于所述第一透明导电层和缓冲层之间的遮光金属层，所述遮光金属层在水平面上的投影与所述第二有源区在水平面上的投影重合。
根据本发明的其中一个方面，所述显示面板还包括位于所述第二透明导电层上方的金属层，所述金属层在水平面上的投影与所述第二有源区在水平面上的投影重合。
根据本发明的其中一个方面，形成所述金属层的材料为遮光金属。
相应的，本发明还提供了一种OLED显示面板的制造方法，其包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板上方形成第一透明导电层，所述第一透明导电层包括第一区域和第二区域，所述第一区域覆盖所述彩膜层，所述第二区域上方用于形成栅极叠层；
形成覆盖所述第一透明导电层的缓冲层；
在所述缓冲层上方形成有源区；
在所述第二有源区上方形成栅极叠层；
形成覆盖所述第二缓冲层、第一有源区和栅极叠层的层间介质层，所述层间介质层具有通孔；
形成位于所述层间介质层上方的第二透明导电层，所述第二透明导电层位于所述第一区域和第二区域上方，通过所述通孔实现所述源漏区的电连接；
形成覆盖所述层间介质层和第二透明导电层的平坦化层；
形成位于所述平坦化层上方的彩膜层，所述彩膜层位于所述第一区域上方；
形成覆盖所述彩膜层和平坦化层的第二缓冲层；
形成位于所述第二缓冲层上方的阳极；
形成暴露出所述阳极的像素定义层；
形成覆盖所述像素定义层和阳极的发光结构。
根据本发明的其中一个方面，所述彩膜层在水平面上的投影、所述第一区域在水平面上的投影和所述第一有源区在水平面上的投影重合。
根据本发明的其中一个方面，所述有源区包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区位于所述第一区域上方，所述第二有源区位于所述第二区域上方。
根据本发明的其中一个方面，形成所述第一透明导电层之后，还包括以下步骤：
形成覆盖所述第一透明导电层的遮光金属层；
将所述遮光金属层图形化，使其在水平面上的投影与所述第二有源区在水平面上的投影重合。
根据本发明的其中一个方面，将所述遮光金属层与所述第一透明导电层图形化的方法包括：
提供掩膜版，所述掩膜版同时具有用于形成第一透明导电层的第一图形和用于形成所述遮光金属层的第二图形；
形成覆盖所述遮光金属层与所述第一透明导电层的光刻胶，所述光刻胶具有第一厚度；
采用一张掩膜版将所述光刻胶图形化，形成位于第一透明导电层上方的第一光刻胶和位于遮光金属层上方的第二光刻胶，所述第一光刻胶的厚度小于所述第二光刻胶厚度；
以所述第一光刻胶和第二光刻胶为掩膜，将所述遮光金属层与所述第一透明导电层图形化。
根据本发明的其中一个方面，所述掩膜版的第一图形和第二图形具有不同的透光率，所述第一图形的透光率小于所述第二图形的透光率。
根据本发明的其中一个方面，在形成所述第二透明导电层之后，还包括以下步骤：
形成位于所述第二透明导电层上方的金属层，所述金属层在水平面上的投影与所述第二有源区在水平面上的投影重合。
根据本发明的其中一个方面，形成所述金属层的材料为遮光金属。
 有益效果
本发明提供的OLED显示面板具有位于基板中的第一透明导电层、位于所述第一透明导电层上方的第一有源区和位于所述第一有源区上方的第二透明导电层，所述第一透明导电层、第一有源区和第二透明导电层分别被缓冲层和层间介质层隔开，从而形成了三层并联的电容结构，能够有效的增大显示面板的电容，消除压降现象。
 附图说明
图1至图11为本发明的一个具体实施例中的处于不同的工艺步骤中的OLED显示面板的结构示意图。
 本发明的实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明提供一种OLED显示面板及其制作方法，以增大OLED面板的电容。下面将结合附图对本发明进行详细说明。具体的，参见图1至图11，图1至图11为本发明的一个具体实施例中的处于不同的工艺步骤中的OLED显示面板的结构示意图。
参见图11，本发明提供了一种OLED显示面板，其包括：
基板10；
位于所述基板10上方的第一透明导电层16；所述第一透明导电层16包括第一区域和第二区域，所述第一区域对应用于形成彩膜层的区域，所述第二区域对应用于形成栅极叠层的区域；
覆盖所述第一透明导电层16的第一缓冲层20；
位于所述第一缓冲层20上方的有源区24，所述有源区24包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区位于所述第一区域上方，所述第二有源区位于所述第二区域上方；
位于所述第二有源区上方的栅极叠层；
覆盖所述第一缓冲层20、有源区24和栅极叠层的层间介质层30，所述层间介质层30具有多个通孔；
位于所述层间介质层30上方的第二透明导电层32，所述第二透明导电层32覆盖所述有源区24，并通过通孔实现源漏区的电连接；
覆盖所述层间介质层30和第二透明导电层32的平坦化层40；
位于所述平坦化层40上方的彩膜层12，所述彩膜层12位于所述第一区域上方；
覆盖所述彩膜层12和平坦化层40的第二缓冲层44；
位于所述第二缓冲层44上方的阳极46；
暴露出所述阳极46的像素定义层48；以及
覆盖所述像素定义层48和阳极46的发光结构。
根据本发明的其中一个方面，所述彩膜层12在水平面上的投影、所述第一区域在水平面上的投影和所述第一有源区24在水平面上的投影重合。
优选的，所述显示面板还包括位于所述第一透明导电层16和缓冲层20之间的遮光金属层18，所述遮光金属层18在水平面上的投影与所述第二有源区24在水平面上的投影重合。从而使得所述有源区的第一透明到电层的第一区域、第一有源区和、所述第二透明到电层和所属阳极以及它们之间的绝缘层构成多个串联的电容结构，增大OLED面板的电容。
在本实施例中，所述显示面板还包括位于所述第二透明导电层32上方的金属层34，所述金属层34在水平面上的投影与所述第二有源区24在水平面上的投影重合。形成所述金属层的材料为遮光金属。
遮光金属层18和金属层34能够遮挡发光结构发出的光线，避免其进入显示面板下方的光传感器中，消除了面板的光线对传感器的干扰。
相应的，本发明还提供了一种OLED显示面板的制造方法，下面将对该方法进行详细说明。
首先，参见图1，提供基板10，所述基板10可以为硬质基板，例如玻璃，也可以是柔性基板，例如PI。
优选的，在形成基板10之后，还包括：在所述基板10上方形成缓冲层14，用于改善基板10和第一透明导电层16之间的界面态。
之后，参见图2，在所述基板10上方形成第一透明导电层16，所述第一透明导电层16包括第一区域和第二区域，所述第一区域覆盖所述彩膜层12，所述第二区域上方用于形成栅极叠层。
优选的，形成所述透明导电层16之后，还包括：形成覆盖所述第一透明导电层16的遮光金属层18；将所述遮光金属层18图形化，使其在水平面上的投影与所述第二有源区在水平面上的投影重合。之后，将所述遮光金属层18与所述第一透明导电层16图形化，如图4所示。
具体的，提供掩膜版，所述掩膜版同时具有用于形成第一透明导电层16的第一图形和用于形成所述遮光金属层的第二图形；
形成覆盖所述遮光金属层与所述第一透明导电层16的光刻胶，所述光刻胶具有第一厚度；采用一张掩膜版将所述光刻胶图形化，形成位于第一透明导电层16上方的第一光刻胶和位于遮光金属层上方的第二光刻胶，所述第一光刻胶的厚度小于所述第二光刻胶厚度；以所述第一光刻胶和第二光刻胶为掩膜，将所述遮光金属层与所述第一透明导电层16图形化，如图3所示。
本实施例中，所述掩膜版的第一图形和第二图形具有不同的透光率，所述第一图形的透光率小于所述第二图形的透光率。具体的，在此处通过Halftonemask工艺实现。其中，所述掩膜版的第一图形和第二图形具有不同的透光率，所述第一图形的透光率小于所述第二图形的透光率。在实际中，根据对光刻胶的厚度需求调整所述第一图形和第二图形的透光率。Halftonemask技术是本领域的常规技术手段，在此不再赘述。
之后，如图5所示，形成覆盖所述第一透明导电层16的第一缓冲层20，并在所述第一缓冲层20上方形成有源区。所述有源区24包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区位于所述第一区域上方，所述第二有源区位于所述第二区域上方。
之后，如图6所示，在所述第二有源区上方形成栅极叠层。所述叠层结构自下到上依次包括栅极介质层26和金属层28。
之后，如图7所示，形成覆盖所述第一缓冲层20、第一有源区和栅极叠层的层间介质层30，所述层间介质层30具有通孔。具体的，所述通孔包括：暴露出源极的第一通孔、暴露出漏极的第二通孔以及暴露出所述整个金属层18的第三通孔。
之后，如图8所示，形成位于所述层间介质层30上方的第二透明导电层32，所述第二透明导电层32位于所述第一区域和第二区域上方，通过所述通孔实现所述源漏区的电连接。
优选的，参见图8，在形成所述第二透明导电层32之后，还包括：形成位于所述第二透明导电层32上方的金属34，所述金属层34在水平面上的投影与所述第二有源区在水平面上的投影重合。形成所述金属层34的材料为遮光金属，如图9所示。
之后，如图10所示，形成覆盖所述层间介质层30和第二透明导电层32的平坦化层40、以及位于所述平坦化层40上方的彩膜层12，所述彩膜层12位于所述第一区域上方。所述彩膜层由红、绿、蓝三种颜色的彩膜规律性排布组成。所述彩膜层12在水平面上的投影、所述第一区域在水平面上的投影和所述第一有源区在水平面上的投影重合。
之后，如图11所示，形成覆盖所述彩膜层12和平坦化层40的第二缓冲层44、位于所述第二缓冲层44上方的阳极46、以及暴露出所述阳极46的像素定义层48，最后，形成如图11所示的OLED显示面板。
本发明提供的OLED显示面板具有位于基板10中的第一透明导电层16、位于所述第一透明导电层16上方的第一有源区24和位于所述第一有源区24上方的第二透明导电层32，所述第一透明导电层16、第一有源区24和第二透明导电层32分别被缓冲层20和层间介质层30隔开，从而形成了三层并联的电容结构，能够有效的增大显示面板的电容，消除压降现象。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (19)

  1. 一种OLED显示面板，其包括：
    基板；
    位于所述基板上方的第一透明导电层；所述第一透明导电层包括第一区域和第二区域，所述第一区域对应用于形成彩膜层的区域，所述第二区域对应用于形成栅极叠层的区域；
    覆盖所述第一透明导电层的第一缓冲层；
    位于所述缓冲层上方的有源区；
    位于所述有源区上方的栅极叠层；
    覆盖所述第一缓冲层、有源区和栅极叠层的层间介质层，所述层间介质层具有多个通孔；
    位于所述层间介质层上方的第二透明导电层，所述第二透明导电层覆盖所述有源区，并通过通孔实现源漏区的电连接；
    覆盖所述层间介质层和第二透明导电层的平坦化层；
    位于所述平坦化层上方的彩膜层，所述彩膜层位于所述第一区域上方；
    覆盖所述彩膜层和平坦化层的第二缓冲层；
    位于所述第二缓冲层上方的阳极；
    暴露出所述阳极的像素定义层；以及
    覆盖所述像素定义层和阳极的发光结构；其中，
    所述有源区包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区位于所述第一区域上方，所述第二有源区位于所述第二区域上方。
  2. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述彩膜层在水平面上的投影、所述第一区域在水平面上的投影和所述第一有源区在水平面上的投影重合。
  3. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述显示面板还包括位于所述第一透明导电层和第一缓冲层之间的遮光金属层，所述遮光金属层在水平面上的投影与所述第二有源区在水平面上的投影重合。
  4. 根据权利要求1所述的OLED显示面板，其中，所述显示面板还包括位于所述第二透明导电层上方的金属层，所述金属层在水平面上的投影与所述第二有源区在水平面上的投影重合。
  5. 根据权利要求4所述的OLED显示面板，其中，形成所述金属层的材料为遮光金属。
  6. 一种OLED显示面板，其包括：
    基板；
    位于所述基板上方的第一透明导电层；所述第一透明导电层包括第一区域和第二区域，所述第一区域对应用于形成彩膜层的区域，所述第二区域对应用于形成栅极叠层的区域；
    覆盖所述第一透明导电层的缓冲层；
    位于所述缓冲层上方的有源区；
    位于所述第二有源区上方的栅极叠层；
    覆盖所述第二缓冲层、有源区和栅极叠层的层间介质层，所述层间介质层具有多个通孔；
    位于所述层间介质层上方的第二透明导电层，所述第二透明导电层覆盖所述有源区，并通过通孔实现所述源漏区的电连接；
    覆盖所述层间介质层和第二透明导电层的平坦化层；
    位于所述平坦化层上方的彩膜层，所述彩膜层位于所述第一区域上方；
    覆盖所述彩膜层和平坦化层的第二缓冲层；
    位于所述第二缓冲层上方的阳极；
    暴露出所述阳极的像素定义层；以及
    覆盖所述像素定义层和阳极的发光结构。
  7. 根据权利要求6所述的OLED显示面板，其中，所述有源区包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区位于所述第一区域上方，所述第二有源区位于所述第二区域上方。
  8. 根据权利要求6所述的OLED显示面板，其中，所述彩膜层在水平面上的投影、所述第一区域在水平面上的投影和所述第一有源区在水平面上的投影重合。
  9. 根据权利要求6所述的OLED显示面板，其中，所述显示面板还包括位于所述第一透明导电层和缓冲层之间的遮光金属层，所述遮光金属层在水平面上的投影与所述第二有源区在水平面上的投影重合。
  10. 根据权利要求6所述的OLED显示面板，其中，所述显示面板还包括位于所述第二透明导电层上方的金属层，所述金属层在水平面上的投影与所述第二有源区在水平面上的投影重合。
  11. 根据权利要求10所述的OLED显示面板，其中，形成所述金属层的材料为遮光金属。
  12. 一种OLED显示面板的制造方法，其包括以下步骤：
    提供基板；
    在所述基板上方形成第一透明导电层，所述第一透明导电层包括第一区域和第二区域，所述第一区域上方用于形成彩膜层，所述第二区域上方用于形成栅极叠层；
    形成覆盖所述第一透明导电层的第一缓冲层；
    在所述第一缓冲层上方形成有源区；
    在所述有源区上方形成栅极叠层；
    形成覆盖所述第一缓冲层、有源区和栅极叠层的层间介质层，所述层间介质层具有通孔；
    形成位于所述层间介质层上方的第二透明导电层，所述第二透明导电层位于所述第一区域和第二区域上方，通过所述通孔实现所述源漏区的电连接；
    形成覆盖所述层间介质层和第二透明导电层的平坦化层；
    形成位于所述平坦化层上方的彩膜层，所述彩膜层位于所述第一区域上方；
    形成覆盖所述彩膜层和平坦化层的第二缓冲层；
    形成位于所述第二缓冲层上方的阳极；
    形成暴露出所述阳极的像素定义层；
    形成覆盖所述像素定义层和阳极的发光结构。
  13. 根据权利要求12所述的OLED显示面板的制造方法，其中，所述有源区包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区位于所述第一区域上方，所述第二有源区位于所述第二区域上方。
  14. 根据权利要求12所述的OLED显示面板的制造方法，其中，所述彩膜层在水平面上的投影、所述第一区域在水平面上的投影和所述第一有源区在水平面上的投影重合。
  15. 根据权利要求12所述的OLED显示面板的制造方法，其中，形成所述第一透明导电层之后，还包括以下步骤：
    形成覆盖所述第一透明导电层的遮光金属层；
    将所述遮光金属层图形化，使其在水平面上的投影与所述第二有源区在水平面上的投影重合。
  16. 根据权利要求12所述的OLED显示面板的制造方法，其中，将所述遮光金属层与所述第一透明导电层图形化的方法包括：
    提供掩膜版，所述掩膜版同时具有用于形成第一透明导电层的第一图形和用于形成所述遮光金属层的第二图形；
    形成覆盖所述遮光金属层与所述第一透明导电层的光刻胶，所述光刻胶具有第一厚度；
    采用一张掩膜版将所述光刻胶图形化，形成位于第一透明导电层上方的第一光刻胶和位于遮光金属层上方的第二光刻胶，所述第一光刻胶的厚度小于所述第二光刻胶厚度；
    以所述第一光刻胶和第二光刻胶为掩膜，将所述遮光金属层与所述第一透明导电层图形化。
  17. 根据权利要求16所述的OLED显示面板的制造方法，其中，所述掩膜版的第一图形和第二图形具有不同的透光率，所述第一图形的透光率小于所述第二图形的透光率。
  18. 根据权利要求12所述的OLED显示面板的制造方法，其中，在形成所述第二透明导电层之后，还包括以下步骤：
    形成位于所述第二透明导电层上方的金属层，所述金属层在水平面上的投影与所述第二有源区在水平面上的投影重合。
  19. 根据权利要求18所述的OLED显示面板的制造方法，其中，形成所述金属层的材料为遮光金属。
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