WO2020107726A1 - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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WO2020107726A1
WO2020107726A1 PCT/CN2019/075724 CN2019075724W WO2020107726A1 WO 2020107726 A1 WO2020107726 A1 WO 2020107726A1 CN 2019075724 W CN2019075724 W CN 2019075724W WO 2020107726 A1 WO2020107726 A1 WO 2020107726A1
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display device
display panel
cathode
array substrate
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李朝
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武汉华星光电半导体显示技术有限公司
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    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/128—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two independent displays, e.g. for emitting information from two major sides of the display
    • G—PHYSICS
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    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
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    • G—PHYSICS
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    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
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    • G06F1/1601—Constructional details related to the housing of computer displays, e.g. of CRT monitors, of flat displays
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/28—Adhesive materials or arrangements

Definitions

  • the present application relates to the display field, and in particular to a display device with a double-sided display function and a manufacturing method thereof.
  • a display device with a double-sided display function usually requires two independent light-emitting diode displays, liquid crystal displays, or organic light-emitting diode displays to be arranged back-to-back.
  • the independent display back-to-back arrangement results in a thicker display device with double-sided display function, which does not meet the current consumer demand for thin and light display devices. Therefore, how to provide a thin display with double-sided display function
  • the device and its manufacturing method are currently urgent problems to be solved.
  • the present application provides a display device and a manufacturing method thereof to provide a thin-thick display device with a double-sided display function and a manufacturing method thereof.
  • the present application provides a display device.
  • the display device includes:
  • a first display panel including a first array substrate and a first anode layer, a first hole transport layer, a first light-emitting layer, and a first electron transport layer that are sequentially disposed on the first array substrate And a first cathode layer, the light exit surface of the first display panel is located on the first array substrate;
  • a second display panel including a second array substrate and a second anode layer, a second hole transport layer, a second light-emitting layer, and a second electron transport layer that are sequentially disposed on the second array substrate And a second cathode layer, the light exit surface of the second display panel is located on the second array substrate;
  • An adhesive layer is located between the first display panel and the second display panel, and the adhesive layer is adhered between the first cathode layer and the second cathode layer.
  • the first anode layer and the second anode layer use transparent indium tin oxide.
  • the first anode layer and the second anode layer are 20 nm-200 nm.
  • the first cathode layer is a first reflective layer to reflect light emitted by the first light-emitting layer
  • the second cathode layer is a second reflective layer to reflect the second The light from the luminescent layer.
  • the first cathode layer and the second cathode layer use metal materials, and the metal materials use silver or aluminum.
  • the thickness of the first cathode layer and the second cathode layer is 20 nm-200 nm.
  • the adhesive layer uses a photo-curable material.
  • the adhesive layer is made of acrylic resin, and the thickness of the adhesive layer is 1 ⁇ m-20 ⁇ m.
  • the present application provides a method for manufacturing a display device.
  • the method includes:
  • first anode layer Forming a first anode layer, a first hole transport layer, a first light emitting layer, a first electron transport layer, and a first cathode layer on the first array substrate in sequence to form a first display panel;
  • An adhesive layer is provided on the first cathode layer of the first display panel
  • the second cathode layer of the second display panel is adhered to the adhesive layer.
  • the step of sequentially forming a first anode layer, a first hole transport layer, a first light emitting layer, a first electron transport layer and a first on the first array substrate A cathode layer, forming a first display panel and the step of sequentially forming a second anode layer, a second hole transport layer, a second light emitting layer, a second electron transport layer and a second cathode layer on the second array substrate to form the second display panel in a vacuum environment.
  • an adhesive layer is provided on the first cathode layer of the first display panel by inkjet printing.
  • the method further includes:
  • the adhesive layer is cured using ultraviolet light.
  • the first anode layer and the second anode layer use transparent indium tin oxide.
  • the first anode layer and the second anode layer are 20 nm-200 nm.
  • the first cathode layer and the second cathode layer use metal materials, and the metal materials use silver or aluminum.
  • the thickness of the first cathode layer and the second cathode layer is 20 nm-200 nm.
  • the adhesive layer uses a photo-curable material.
  • the adhesive layer is made of acrylic resin, and the thickness of the adhesive layer is 1 ⁇ m-20 ⁇ m.
  • the display device includes a first display panel and a second display panel
  • the first display panel includes a first array substrate and is arranged in sequence A first anode layer, a first hole transport layer, a first light emitting layer, a first electron transport layer and a first cathode layer on the first array substrate
  • the second display panel includes a second array substrate and The second anode layer, the second hole transport layer, the second light emitting layer, the second electron transport layer and the second cathode layer provided on the second array substrate are bonded to the first cathode layer and Between the second cathode layers, the display device provided with the double-sided display function provided by the present application does not require a packaging structure, thereby reducing the thickness of the display device, and realizing a thin display with double-sided display function Device.
  • FIG. 1 is a first schematic structural diagram of a display device provided by this application.
  • FIG. 2 is a second schematic structural diagram of a display device provided by this application.
  • FIG. 3 is a schematic flowchart of a method for manufacturing a display device provided by an embodiment of the present application.
  • FIG. 4 is a schematic structural diagram of a first display panel of a display device provided by an embodiment of the present application.
  • FIG. 5 is a schematic structural diagram of a second display panel of a display device provided by an embodiment of the present application.
  • FIG. 1 is a first schematic structural diagram of a display device provided by this application.
  • the present application provides a display device 10.
  • the display device 10 includes a first display panel 100, a second display panel 200 and an adhesive layer 300.
  • the adhesive layer 300 is located between the first display panel 100 and the second display panel 200.
  • the first display panel 100 includes a first array substrate 101, a first anode layer 102, a first hole transport layer 103, a first light emitting layer 104, a first electron transport layer 105, and a first cathode layer 106.
  • the first anode layer 102, the first hole transport layer 103, the first light emitting layer 104, the first electron transport layer 105, and the first cathode layer 106 are sequentially disposed on the first array substrate 101.
  • the first cathode layer 106 is a first reflective layer to reflect the light emitted by the first light-emitting layer 104. Another part of the light emitted by the first light-emitting layer 104 is reflected by the first cathode layer 106 and then exits the first display panel 100 by the first array substrate 101.
  • the first anode layer 102 may use a transparent material.
  • the transparent material may be transparent indium tin oxide.
  • the thickness of the first anode layer 102 is 20 ⁇ m-200 ⁇ m. In some embodiments, the thickness of the first anode layer 102 may be 50 microns, 70 microns, 100 microns, 140 microns, or 160 microns.
  • the first cathode layer 106 is a first reflective layer, which is made of a conductive reflective material.
  • the first cathode layer 106 may use silver or copper.
  • the thickness of the first cathode layer 106 is 20 ⁇ m-200 ⁇ m. In some embodiments, the thickness of the first cathode layer 106 may be 50 microns, 80 microns, 100 microns, 120 microns, or 180 microns.
  • the second display panel 200 includes a second array substrate 201, a second anode layer 202, a second hole transport layer 203, a second light emitting layer 204, a second electron transport layer 205, and a second cathode layer 206.
  • the second anode layer 202, the second hole transport layer 203, the second light emitting layer 204, the second electron transport layer 205, and the second cathode layer 206 are sequentially disposed on the second array substrate 201.
  • the second cathode layer 206 is a second reflective layer to reflect the light emitted by the second light-emitting layer 204. Another part of the light emitted by the second light emitting layer 204 is reflected by the second cathode layer 206 and then exits the second display panel 200 by the second array substrate 201.
  • the second anode layer 202 may use a transparent material.
  • the transparent material may be transparent indium tin oxide.
  • the thickness of the second anode layer 202 is 20 microns to 200 microns. In some embodiments, the thickness of the second anode layer 202 may be 50 microns, 70 microns, 100 microns, 140 microns, or 160 microns.
  • the second cathode layer 206 is a second reflective layer made of conductive reflective material.
  • the second cathode layer 206 may use silver or copper.
  • the thickness of the second cathode layer 206 is 20 ⁇ m-200 ⁇ m. In some embodiments, the thickness of the second cathode layer 206 may be 50 microns, 80 microns, 100 microns, 120 microns, or 180 microns.
  • the bonding layer 300 is bonded between the first cathode layer 106 and the second cathode layer 206.
  • the adhesive layer 300 uses a photo-curable material.
  • the adhesive layer 300 may use an ultraviolet curing material.
  • the adhesive layer 300 may use acrylic resin.
  • the thickness of the adhesive layer 300 is 1 ⁇ m-20 ⁇ m. In some embodiments, the thickness of the adhesive layer 300 is 2 microns, 5 microns, 8 microns, 10 microns, or 18 microns.
  • FIG. 2 is a second schematic structural diagram of a display device provided by this application.
  • the display device 10 further includes a supporting structure.
  • the support structure surrounds the first display panel 100, the second display panel 200, and the adhesive layer 300.
  • the supporting structure may include a plastic frame surrounding the first display panel 100, the second display panel 200, and the adhesive layer 300, and an outer frame of the display, so as to protect the display device 10 from water and moisture Shock effect.
  • FIG. 3 is a schematic flowchart of a manufacturing method of a display device provided by an embodiment of the present application.
  • the present application also provides a method of manufacturing a display device. The method includes:
  • the first array substrate 101 includes a base substrate and a thin film transistor array disposed on the base substrate.
  • first anode layer 102 Form a first anode layer 102, a first hole transport layer 103, a first light emitting layer 104, a first electron transport layer 105, and a first cathode layer 106 on the first array substrate 101 in sequence to form a first display Panel 100.
  • FIG. 4 is a schematic structural diagram of a first display panel of a display device provided by an embodiment of the present application.
  • Part of the light emitted by the first light-emitting layer 104 directly exits the first display panel 100 from the first array substrate 101.
  • the first cathode layer 106 is a first reflective layer to reflect the light emitted by the first light-emitting layer 104.
  • Another part of the light emitted by the first light-emitting layer 104 is reflected by the first cathode layer 106 and then exits the first display panel 100 by the first array substrate 101.
  • the first anode layer 102 may use a transparent material.
  • the transparent material may be transparent indium tin oxide.
  • the thickness of the first anode layer 102 is 20 ⁇ m-200 ⁇ m. In some embodiments, the thickness of the first anode layer 102 may be 50 microns, 70 microns, 100 microns, 140 microns, or 160 microns.
  • the first cathode layer 106 is a first reflective layer, which is made of a conductive reflective material.
  • the first cathode layer 106 may use silver or copper.
  • the thickness of the first cathode layer 106 is 20 ⁇ m-200 ⁇ m. In some embodiments, the thickness of the first cathode layer 106 may be 50 microns, 80 microns, 100 microns, 120 microns, or 180 microns.
  • the second array substrate 201 includes a base substrate and a thin film transistor array disposed on the base substrate.
  • FIG. 5 is a schematic structural diagram of a second display panel of a display device provided by an embodiment of the present application.
  • Part of the light emitted by the second light-emitting layer 204 directly exits the second display panel 200 from the second array substrate 201.
  • the second cathode layer 206 is a second reflective layer to reflect the light emitted by the second light-emitting layer 204.
  • Another part of the light emitted by the second light emitting layer 204 is reflected by the second cathode layer 206 and then exits the second display panel 200 by the second array substrate 201.
  • the second anode layer 202 may use a transparent material.
  • the transparent material may be transparent indium tin oxide.
  • the thickness of the second anode layer 202 is 20 microns to 200 microns. In some embodiments, the thickness of the second anode layer 202 may be 50 microns, 70 microns, 100 microns, 140 microns, or 160 microns.
  • the second cathode layer 206 is a second reflective layer made of conductive reflective material.
  • the second cathode layer 206 may use silver or copper.
  • the thickness of the second cathode layer 206 is 20 ⁇ m-200 ⁇ m. In some embodiments, the thickness of the second cathode layer 206 may be 50 microns, 80 microns, 100 microns, 120 microns, or 180 microns.
  • the steps 301, 302, 303, and 304 may be performed in the order of 301, 302, 303, and 304, or in the order of 303, 304, 301, and 302.
  • a first anode layer 102, a first hole transport layer 103, a first light-emitting layer 104, a first electron transport layer 105, and a first cathode layer 106 are formed on the first array substrate 101 in sequence to form a first
  • the display panel 100 and the above steps sequentially form a second anode layer 202, a second hole transport layer 203, a second light emitting layer 204, a second electron transport layer 205, and a second cathode layer 206 on the second array substrate 201 To form the second display panel 200 in a vacuum environment.
  • An adhesive layer 300 is provided on the first cathode layer 106 of the first display panel 100.
  • an inkjet printing method is used to provide an adhesive layer 300 on the first cathode layer 106 of the first display panel 100.
  • the adhesive layer 300 uses a photo-curable material.
  • the adhesive layer 300 may use an ultraviolet curing material.
  • the adhesive layer 300 may use acrylic resin.
  • the thickness of the adhesive layer 300 is 1 ⁇ m-20 ⁇ m. In some embodiments, the thickness of the adhesive layer 300 is 2 microns, 5 microns, 8 microns, 10 microns, or 18 microns.
  • the adhesive layer 300 is irradiated with ultraviolet light, so that the adhesive layer 300 is cured to fixedly connect the first display panel 100 and the second display panel 200.
  • ultraviolet light may be irradiated from the side of the adhesive layer 300 to cure the adhesive layer 300.
  • the adhesive layer 300 may also be a thermosetting material.
  • the adhesive layer 300 is cured by heating.
  • the step of disposing an adhesive layer 300 on the first cathode layer 106 of the first display panel 100 and the step of adhering the second cathode layer 206 of the second display panel 200 to the adhesive Layer 300 is performed in a nitrogen atmosphere.
  • the display device includes a first display panel and a second display panel.
  • the first display panel includes a first array substrate and is sequentially disposed on the first array substrate A first anode layer, a first hole transport layer, a first light-emitting layer, a first electron transport layer and a first cathode layer
  • the second display panel includes a second array substrate and sequentially disposed on the second array substrate
  • the second anode layer, the second hole transport layer, the second light-emitting layer, the second electron transport layer and the second cathode layer on the top are bonded between the first cathode layer and the second cathode layer using an adhesive layer Therefore, the display device provided with the double-sided display function provided by the present application does not require a packaging structure, thereby reducing the thickness of the display device, and realizing a thin display device with a double-sided display function.

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Abstract

显示装置（10）及其制造方法，显示装置（10）包括第一显示面板（100）和第二显示面板（200），采用黏合层（300）黏合于第一阴极层（106）和第二阴极层（206）之间以使得具有双面显示功能的显示装置（10）无需封装结构，从而减少了显示装置（10）的厚度，实现了一种厚度薄的、具有双面显示功能的显示装置（10）。

Description

显示装置及其制造方法 技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种具有双面显示功能的显示装置及其制造方法。
 背景技术
在现有技术中，具有双面显示功能的显示装置通常需要将两个独立的发光二极管显示器、液晶显示器或者有机发光二极管显示器背靠背设置，每个独立的显示器在阴极外侧均需要设置封装结构，两个独立的显示器背靠背设置导致具有双面显示功能的显示装置的厚度较大，不符合当前消费者对显示装置轻薄化的需求，因此，如何提供一种厚度薄的、具有双面显示功能的显示装置及其制造方法是目前亟待解决的问题。
 技术问题
本申请提供一种显示装置及其制造方法，以提供一种厚度薄的、具有双面显示功能的显示装置及其制造方法。
 技术解决方案
本申请提供一种显示装置，所述显示装置包括：
第一显示面板，所述第一显示面板包括第一阵列基板以及依次设置于所述第一阵列基板上的第一阳极层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一阴极层，所述第一显示面板的出光面位于所述第一阵列基板；
第二显示面板，所述第二显示面板包括第二阵列基板以及依次设置于所述第二阵列基板上的第二阳极层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二阴极层，所述第二显示面板的出光面位于所述第二阵列基板；
黏合层，所述黏合层位于所述第一显示面板和第二显示面板之间，所述黏合层黏合于所述第一阴极层和所述第二阴极层之间。
在本申请所提供的显示装置中，所述第一阳极层和所述第二阳极层采用透明的氧化铟锡。
在本申请所提供的显示装置中，所述第一阳极层和所述第二阳极层为20纳米-200纳米。
在本申请所提供的显示装置中，所述第一阴极层为第一反光层以反射所述第一发光层发出的光线，所述第二阴极层为第二反光层以反射所述第二发光层发出的光线。
在本申请所提供的显示装置中，所述第一阴极层和第二阴极层采用金属材料，所述金属材料采用银或铝。
在本申请所提供的显示装置中，所述第一阴极层和第二阴极层的厚度为20纳米-200纳米。
在本申请所提供的显示装置中，所述黏合层采用光固化材料。
在本申请所提供的显示装置中，所述黏合层采用亚克力树脂，所述黏合层的厚度为1微米-20微米。
本申请提供一种显示装置的制造方法，所述方法包括：
提供一第一阵列基板；
在所述第一阵列基板上依次形成第一阳极层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一阴极层，形成第一显示面板；
提供一第二阵列基板；
在所述第二阵列基板上依次形成第二阳极层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二阴极层，形成第二显示面板；
在所述第一显示面板的所述第一阴极层上设置一黏合层；
将所述第二显示面板的所述第二阴极层黏合于所述黏合层。
在本申请所提供的显示装置的制造方法中，所述步骤在所述第一阵列基板上依次形成第一阳极层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一阴极层，形成第一显示面板和所述步骤在所述第二阵列基板上依次形成第二阳极层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二阴极层，形成第二显示面板在真空环境进行。
在本申请所提供的显示装置的制造方法中，采用喷墨打印的方法在所述第一显示面板的所述第一阴极层上设置一黏合层。
在本申请所提供的显示装置的制造方法中，在所述步骤将所述第二显示面板的所述第二阴极层黏合于所述黏合层之后，还包括：
采用紫外光对所述黏合层进行固化。
在本申请所提供的显示装置的制造方法中，所述第一阳极层和所述第二阳极层采用透明的氧化铟锡。
在本申请所提供的显示装置的制造方法中，所述第一阳极层和所述第二阳极层为20纳米-200纳米。
在本申请所提供的显示装置的制造方法中，所述第一阴极层和第二阴极层采用金属材料，所述金属材料采用银或铝。
在本申请所提供的显示装置的制造方法中，所述第一阴极层和第二阴极层的厚度为20纳米-200纳米。
在本申请所提供的显示装置的制造方法中，所述黏合层采用光固化材料。
在本申请所提供的显示装置的制造方法中，所述黏合层采用亚克力树脂，所述黏合层的厚度为1微米-20微米。
 有益效果
本申请的有益效果是：在本申请所提供的显示装置及其制造方法中，所述显示装置包括第一显示面板和第二显示面板，所述第一显示面板包括第一阵列基板以及依次设置于所述第一阵列基板上的第一阳极层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一阴极层，所述第二显示面板包括第二阵列基板以及依次设置于所述第二阵列基板上的第二阳极层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二阴极层，采用黏合层黏合于所述第一阴极层和所述第二阴极层之间以使得本申请所提供的具有双面显示功能的显示装置无需封装结构，从而减少了显示装置的厚度，实现了一种厚度薄的、具有双面显示功能的显示装置。
 附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请所提供的显示装置的第一种结构示意图。
图2为本申请所提供的显示装置的第二种结构示意图。
图3为本申请实施例所提供的显示装置的制造方法的流程示意图。
图4为本申请实施例所提供的显示装置的第一显示面板的结构示意图。
图5为本申请实施例所提供的显示装置的第二显示面板的结构示意图。
 本发明的实施方式
请参阅图1，图1为本申请所提供的显示装置的第一种结构示意图。本申请提供一种显示装置10。所述显示装置10包括第一显示面板100、第二显示面板200和黏合层300。所述黏合层300位于所述第一显示面板100和第二显示面板200之间。
所述第一显示面板100包括第一阵列基板101、第一阳极层102、第一空穴传输层103、第一发光层104、第一电子传输层105和第一阴极层106。所述第一阳极层102、第一空穴传输层103、第一发光层104、第一电子传输层105和第一阴极层106依次设置于所述第一阵列基板101上。
所述第一发光层104发出的光线部分直接由所述第一阵列基板101射出所述第一显示面板100。所述第一阴极层106为第一反光层以反射所述第一发光层104发出的光线。所述第一发光层104发出的光线另一部分经过所述第一阴极层106反射后由所述第一阵列基板101射出所述第一显示面板100。
为保证所述第一阳极层102具有良好的透光性和导电性，所述第一阳极层102可以采用透明材料。所述透明材料可以为透明的氧化铟锡。所述第一阳极层102的厚度为20微米-200微米。在一些实施例中，所述第一阳极层102的厚度为可以为50微米、70微米、100微米、140微米或者160微米。
所述第一阴极层106为一第一反光层，采用导电反光材料制成。所述第一阴极层106可以采用银或者铜。为了保证所述第一阴极层106具有良好的反光性和导电性，所述第一阴极层106的厚度为20微米-200微米。在一些实施例中，所述第一阴极层106的厚度为可以为50微米、80微米、100微米、120微米或者180微米。
所述第二显示面板200包括第二阵列基板201、第二阳极层202、第二空穴传输层203、第二发光层204、第二电子传输层205和第二阴极层206。所述第二阳极层202、第二空穴传输层203、第二发光层204、第二电子传输层205和第二阴极层206依次设置于所述第二阵列基板201上。
所述第二发光层204发出的光线部分直接由所述第二阵列基板201射出所述第二显示面板200。所述第二阴极层206为第二反光层以反射所述第二发光层204发出的光线。所述第二发光层204发出的光线另一部分经过所述第二阴极层206反射后由所述第二阵列基板201射出所述第二显示面板200。
为保证所述第二阳极层202具有良好的透光性和导电性，所述第二阳极层202可以采用透明材料。所述透明材料可以为透明的氧化铟锡。所述第二阳极层202的厚度为20微米-200微米。在一些实施例中，所述第二阳极层202的厚度为可以为50微米、70微米、100微米、140微米或者160微米。
所述第二阴极层206为一第二反光层，采用导电反光材料制成。所述第二阴极层206可以采用银或者铜。为了保证所述第二阴极层206具有良好的反光性和导电性，所述第二阴极层206的厚度为20微米-200微米。在一些实施例中，所述第二阴极层206的厚度为可以为50微米、80微米、100微米、120微米或者180微米。
所述黏合层300黏合于所述第一阴极层106和所述第二阴极层206之间。在一种实施例中，所述黏合层300采用光固化材料。所述黏合层300可以采用紫外固化材料。所述黏合层300可以采用亚克力树脂。为保证所述黏合层300具有较高的黏合力和具有较小的厚度，所述黏合层300的厚度为1微米-20微米。在一些实施例中，所述黏合层300的厚度为2微米、5微米、8微米、10微米或18微米。
请参阅图2，图2为本申请所提供的显示装置的第二种结构示意图。所述显示装置10还包括支撑结构。所述支撑结构围绕所述第一显示面板100、所述第二显示面板200和所述黏合层300。所述支撑结构可以包括围绕所述第一显示面板100、所述第二显示面板200和所述黏合层300的胶框和显示器的外边框，以起到对所述显示装置10的防水和防冲击作用。
请参阅图3，图3为本申请实施例所提供的显示装置的制造方法的流程示意图。本申请还提供一种显示装置的制造方法。所述方法包括：
301：提供一第一阵列基板101。
所述第一阵列基板101为包括衬底基板以及设置于衬底基板上的薄膜晶体管阵列。
302：在所述第一阵列基板101上依次形成第一阳极层102、第一空穴传输层103、第一发光层104、第一电子传输层105和第一阴极层106，形成第一显示面板100。
请参阅图4，图4为本申请实施例所提供的显示装置的第一显示面板的结构示意图。所述第一发光层104发出的光线部分直接由所述第一阵列基板101射出所述第一显示面板100。所述第一阴极层106为第一反光层以反射所述第一发光层104发出的光线。所述第一发光层104发出的光线另一部分经过所述第一阴极层106反射后由所述第一阵列基板101射出所述第一显示面板100。
为保证所述第一阳极层102具有良好的透光性和导电性，所述第一阳极层102可以采用透明材料。所述透明材料可以为透明的氧化铟锡。所述第一阳极层102的厚度为20微米-200微米。在一些实施例中，所述第一阳极层102的厚度为可以为50微米、70微米、100微米、140微米或者160微米。
所述第一阴极层106为一第一反光层，采用导电反光材料制成。所述第一阴极层106可以采用银或者铜。为了保证所述第一阴极层106具有良好的反光性和导电性，所述第一阴极层106的厚度为20微米-200微米。在一些实施例中，所述第一阴极层106的厚度为可以为50微米、80微米、100微米、120微米或者180微米。
303：提供一第二阵列基板201。
所述第二阵列基板201为包括衬底基板以及设置于衬底基板上的薄膜晶体管阵列。
304：在所述第二阵列基板201上依次形成第二阳极层202、第二空穴传输层203、第二发光层204、第二电子传输层205和第二阴极层206，形成第二显示面板200。
请参阅图5，图5为本申请实施例所提供的显示装置的第二显示面板的结构示意图。所述第二发光层204发出的光线部分直接由所述第二阵列基板201射出所述第二显示面板200。所述第二阴极层206为第二反光层以反射所述第二发光层204发出的光线。所述第二发光层204发出的光线另一部分经过所述第二阴极层206反射后由所述第二阵列基板201射出所述第二显示面板200。
为保证所述第二阳极层202具有良好的透光性和导电性，所述第二阳极层202可以采用透明材料。所述透明材料可以为透明的氧化铟锡。所述第二阳极层202的厚度为20微米-200微米。在一些实施例中，所述第二阳极层202的厚度为可以为50微米、70微米、100微米、140微米或者160微米。
所述第二阴极层206为一第二反光层，采用导电反光材料制成。所述第二阴极层206可以采用银或者铜。为了保证所述第二阴极层206具有良好的反光性和导电性，所述第二阴极层206的厚度为20微米-200微米。在一些实施例中，所述第二阴极层206的厚度为可以为50微米、80微米、100微米、120微米或者180微米。
在一种实施例中，所述步骤301、302、303和304可以按照301、302、303和304的顺序进行，还可以按照303、304、301和302的顺序进行。
所述步骤在所述第一阵列基板101上依次形成第一阳极层102、第一空穴传输层103、第一发光层104、第一电子传输层105和第一阴极层106，形成第一显示面板100和所述步骤在所述第二阵列基板201上依次形成第二阳极层202、第二空穴传输层203、第二发光层204、第二电子传输层205和第二阴极层206，形成第二显示面板200在真空环境进行。
305：在所述第一显示面板100的所述第一阴极层106上设置一黏合层300。
在一种实施例中，采用喷墨打印的方法在所述第一显示面板100的所述第一阴极层106上设置一黏合层300。
在一种实施例中，所述黏合层300采用光固化材料。所述黏合层300可以采用紫外固化材料。所述黏合层300可以采用亚克力树脂。为保证所述黏合层300具有较高的黏合力和具有较小的厚度，所述黏合层300的厚度为1微米-20微米。在一些实施例中，所述黏合层300的厚度为2微米、5微米、8微米、10微米或18微米。
306：将所述第二显示面板200的所述第二阴极层206黏合于所述黏合层300（如图1所示）。
在黏合完成后，采用紫外光照射所述黏合层300，以使得所述黏合层300固化以固定连接所述第一显示面板100和所述第二显示面板200。在固化过程中，由于所述第一阴极层106和第二阴极层206对光线的反射作用，因此，可以采用紫外光从所述黏合层300的侧面进行照射以固化所述黏合层300。
在其他实施例中，所述黏合层300还可以为热固化性材料。通过加热的方式使得所述黏合层300固化。
所述步骤在所述第一显示面板100的所述第一阴极层106上设置一黏合层300和所述步骤将所述第二显示面板200的所述第二阴极层206黏合于所述黏合层300在氮气气氛中进行。
本申请所提供的显示装置及其制造方法中，所述显示装置包括第一显示面板和第二显示面板，所述第一显示面板包括第一阵列基板以及依次设置于所述第一阵列基板上的第一阳极层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一阴极层，所述第二显示面板包括第二阵列基板以及依次设置于所述第二阵列基板上的第二阳极层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二阴极层，采用黏合层黏合于所述第一阴极层和所述第二阴极层之间以使得本申请所提供的具有双面显示功能的显示装置无需封装结构，从而减少了显示装置的厚度，实现了一种厚度薄的、具有双面显示功能的显示装置。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (19)

  1. 一种显示装置，其中，包括：
    第一显示面板，所述第一显示面板包括第一阵列基板以及依次设置于所述第一阵列基板上的第一阳极层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一阴极层，所述第一显示面板的出光面位于所述第一阵列基板；
    第二显示面板，所述第二显示面板包括第二阵列基板以及依次设置于所述第二阵列基板上的第二阳极层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二阴极层，所述第二显示面板的出光面位于所述第二阵列基板；
    黏合层，所述黏合层位于所述第一显示面板和第二显示面板之间，所述黏合层黏合于所述第一阴极层和所述第二阴极层之间。
  2. 如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一阳极层和所述第二阳极层采用透明的氧化铟锡。
  3. 如权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一阳极层和所述第二阳极层为20纳米-200纳米。
  4. 如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一阴极层为第一反光层以反射所述第一发光层发出的光线，所述第二阴极层为第二反光层以反射所述第二发光层发出的光线。
  5. 如权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一阴极层和第二阴极层采用金属材料，所述金属材料采用银或铝。
  6. 如权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一阴极层和第二阴极层的厚度为20纳米-200纳米。
  7. 如权利要求1所述的显示装置，其中，所述黏合层采用光固化材料。
  8. 如权利要求7所述的显示装置，其中，所述黏合层采用亚克力树脂，所述黏合层的厚度为1微米-20微米。
  9. 一种显示装置的制造方法，其中，包括：
    提供一第一阵列基板；
    在所述第一阵列基板上依次形成第一阳极层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一阴极层，形成第一显示面板；
    提供一第二阵列基板；
    在所述第二阵列基板上依次形成第二阳极层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二阴极层，形成第二显示面板；
    在所述第一显示面板的所述第一阴极层上设置一黏合层；
    将所述第二显示面板的所述第二阴极层黏合于所述黏合层。
  10. 如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，所述步骤在所述第一阵列基板上依次形成第一阳极层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层和第一阴极层，形成第一显示面板和所述步骤在所述第二阵列基板上依次形成第二阳极层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层和第二阴极层，形成第二显示面板在真空环境进行。
  11. 如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，采用喷墨打印的方法在所述第一显示面板的所述第一阴极层上设置一黏合层。
  12. 如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，所述步骤在所述第一显示面板的所述第一阴极层上设置一黏合层和所述步骤将所述第二显示面板的所述第二阴极层黏合于所述黏合层在氮气气氛中进行。
  13. 如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，在所述步骤将所述第二显示面板的所述第二阴极层黏合于所述黏合层，还包括：
    采用紫外光对所述黏合层进行固化。
  14. 如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，所述第一阳极层和所述第二阳极层采用透明的氧化铟锡。
  15. 如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，所述第一阳极层和所述第二阳极层为20纳米-200纳米。
  16. 如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，所述第一阴极层和第二阴极层采用金属材料，所述金属材料采用银或铝。
  17. 如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，所述第一阴极层和第二阴极层的厚度为20纳米-200纳米。
  18. 如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，所述黏合层采用光固化材料。
  19. 如权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，所述黏合层采用亚克力树脂，所述黏合层的厚度为1微米-20微米。
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