WO2020084400A1 - 金属酸化物の作製方法、半導体装置の作製方法 - Google Patents

金属酸化物の作製方法、半導体装置の作製方法 Download PDF

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Definitions

  • One embodiment of the present invention relates to a metal oxide, a transistor, a semiconductor device, and an electronic device. Further, one embodiment of the present invention relates to a method for manufacturing a metal oxide and a method for manufacturing a semiconductor device. Further, one embodiment of the present invention relates to a semiconductor wafer and a module.
  • a semiconductor device refers to all devices that can function by utilizing semiconductor characteristics.
  • a semiconductor circuit such as a transistor, a semiconductor circuit, an arithmetic device, and a memory device are one mode of a semiconductor device.
  • a display device (a liquid crystal display device, a light-emitting display device, or the like), a projection device, a lighting device, an electro-optical device, a power storage device, a storage device, a semiconductor circuit, an imaging device, an electronic device, or the like can be said to have a semiconductor device.
  • one embodiment of the present invention is not limited to the above technical field.
  • One embodiment of the invention disclosed in this specification and the like relates to an object, a method, or a manufacturing method. Further, one embodiment of the present invention relates to a process, a machine, a manufacture, or a composition (composition of matter).
  • CMOS complementary metal-oxide-semiconductor
  • IC integrated circuit
  • image display device also simply referred to as a display device
  • Silicon-based semiconductor materials are widely known as semiconductor thin films applicable to transistors, but oxide semiconductors are drawing attention as other materials.
  • CAAC c-axis aligned crystalline
  • nc nanocrystalline
  • Non-Patent Document 1 and Non-Patent Document 2 disclose a technique for manufacturing a transistor using an oxide semiconductor having a CAAC structure.
  • One object of one embodiment of the present invention is to provide a highly reliable semiconductor device. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a semiconductor device having favorable electric characteristics. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a semiconductor device with high on-state current. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a semiconductor device which can be miniaturized or highly integrated. Another object of one embodiment of the present invention is to provide a semiconductor device with low power consumption.
  • One embodiment of the present invention includes a first step of forming a metal oxide having indium on a substrate and a second step of performing microwave treatment on the metal oxide, and the second step. It is under reduced pressure, and is performed using a gas containing oxygen, the second step, the defect containing the hydrogen to oxygen vacancies in the metal oxide (V O H), and oxygen vacancy (V O)
  • the process defects containing the hydrogen to oxygen vacancies in the metal oxide (V O H), divided into oxygen deficiency and (V O) and hydrogen (H), the third step, the metal oxide It is a method for producing a metal oxide, which reduces the oxygen deficiency (V 2 O 3 ) of.
  • a first step of forming a metal oxide containing indium over a substrate and a second step of forming a first conductor and a second conductor over the metal oxide are performed.
  • a third step of performing microwave treatment on the metal oxide, and a fourth step of performing heat treatment on the metal oxide are performed.
  • the third step is under reduced pressure, and is carried out using a gas containing oxygen
  • the fourth step is performed under reduced pressure
  • the third step the defect containing the hydrogen to oxygen vacancies in the metal oxide (V O H)
  • by the fourth step oxygen deficiency (V O ) in the metal oxide is reduced, and hydrogen (H) in the metal oxide is reduced.
  • a first step of forming a metal oxide containing indium over a substrate and a second step of forming a first conductor and a second conductor over the metal oxide are performed.
  • a fifth step of performing heat treatment the fourth step is performed under reduced pressure and using a gas containing oxygen, and the fifth step is performed under reduced pressure.
  • the temperature of the heat treatment is preferably 300 ° C. or higher and 500 ° C. or lower.
  • the pressure of the microwave treatment is preferably 133 Pa or higher.
  • the first step be performed by a sputtering method using an oxide target containing indium.
  • a semiconductor device with favorable reliability can be provided. Further, according to one embodiment of the present invention, a semiconductor device having favorable electric characteristics can be provided. According to one embodiment of the present invention, a semiconductor device with high on-state current can be provided. Further, according to one embodiment of the present invention, a semiconductor device which can be miniaturized or highly integrated can be provided. Further, according to one embodiment of the present invention, a low power consumption semiconductor device can be provided.
  • FIG. 1A is a top view of a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • 1B to 1D are cross-sectional views of a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is a diagram illustrating the behavior of ⁇ Vsh in the + GBT test.
  • FIG. 2B is a diagram illustrating a drain current of a transistor.
  • FIG. 3A is a diagram illustrating an energy diagram of a metal oxide.
  • 3B and 3C are diagrams for explaining electron conduction.
  • 4A and 4B is a schematic diagram of a V O H and, V O and H and reaction on energy of transition.
  • FIG. 5A is a top view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 5B to 5D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 6A is a top view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • 6B to 6D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • 7A is a top view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • 7B to 7D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 8A is a top view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 8B to 8D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 9A is a top view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • 9B to 9D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 10A is a top view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • 10B to 10D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 11A is a top view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 11B to 11D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 12A is a top view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • 12B to 12D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 13A is a top view illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • 13B to 13D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 14A is a top view of a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 14B to 14D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 15A is a top view of a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • 15B to 15D are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a top view illustrating a microwave processing device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating a microwave processing device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view illustrating a microwave processing device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view illustrating the structure of the memory device according to one embodiment of the present invention.
  • 20 is a cross-sectional view illustrating the structure of the memory device according to one embodiment of the present invention.
  • 21 is a cross-sectional view illustrating the structure of the memory device according to one embodiment of the present invention.
  • 22A and 22B are block diagrams illustrating a structural example of a memory device according to one embodiment of the present invention.
  • 23A to 23H are circuit diagrams each illustrating a structural example of a memory device according to one embodiment of the present invention.
  • 24A and 24B are schematic views of a semiconductor device according to one embodiment of the present invention.
  • 25A to 25E are schematic views of a memory device according to one embodiment of the present invention.
  • 26A to 26H are diagrams illustrating electronic devices according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 27 is a diagram illustrating a market image.
  • the size, the layer thickness, or the region may be exaggerated for clarity. Therefore, it is not necessarily limited to that scale.
  • the drawings schematically show ideal examples, and are not limited to the shapes or values shown in the drawings.
  • a layer, a resist mask, or the like may be unintentionally reduced due to a process such as etching, but this may not be reflected in the drawing for easy understanding.
  • the same reference numerals are commonly used in different drawings for the same portions or portions having similar functions, and repeated description thereof may be omitted.
  • the hatch pattern may be the same and may not be given a reference numeral.
  • top views also referred to as “plan views”
  • perspective views description of some components may be omitted.
  • description of some hidden lines may be omitted.
  • the ordinal numbers given as the first, second, etc. are used for convenience, and do not indicate the process order or the stacking order. Therefore, for example, “first” can be replaced with “second” or “third” as appropriate.
  • the ordinal numbers described in this specification and the like may be different from the ordinal numbers used to specify one embodiment of the present invention.
  • X and Y are connected, the case where X and Y are electrically connected and the case where X and Y function And the case where X and Y are directly connected are disclosed in this specification and the like. Therefore, it is not limited to a predetermined connection relation, for example, the connection relation shown in the drawing or the text, and other than the connection relation shown in the drawing or the text is also disclosed in the drawing or the text.
  • X and Y are objects (for example, devices, elements, circuits, wirings, electrodes, terminals, conductive films, layers, etc.).
  • a transistor is an element having at least three terminals including a gate, a drain, and a source. And a region (hereinafter, also referred to as a channel formation region) in which a channel is formed between the drain (drain terminal, drain region or drain electrode) and the source (source terminal, source region or source electrode), A current can flow between the source and the drain via the channel formation region.
  • a channel formation region refers to a region in which a current mainly flows.
  • the functions of the source and drain may be switched when adopting transistors of different polarities or when the direction of current changes in circuit operation. Therefore, in this specification and the like, the terms “source” and “drain” can be interchanged in some cases.
  • the channel length means, for example, in a top view of a transistor, a region where a semiconductor (or a portion where current flows in the semiconductor when the transistor is on) and a gate electrode overlap with each other or a source in a channel formation region.
  • the channel length does not necessarily have the same value in all regions. That is, the channel length of one transistor may not be set to one value. Therefore, in this specification, the channel length is any one value, the maximum value, the minimum value, or the average value in the channel formation region.
  • the channel width is, for example, in a top view of a transistor, a region in which a semiconductor (or a portion of a semiconductor in which a current flows) and a gate electrode overlap with each other in a top view of the transistor, or a channel formation direction in a channel formation region. Is the length of the channel formation region in the vertical direction. Note that in one transistor, the channel width does not necessarily have the same value in all regions. That is, the channel width of one transistor may not be set to one value. Therefore, in this specification, the channel width is any one value, the maximum value, the minimum value, or the average value in the channel formation region.
  • a channel width in a region where a channel is actually formed (hereinafter also referred to as an “effective channel width”) and a channel width shown in a top view of the transistor. (Hereinafter, also referred to as “apparent channel width”).
  • the effective channel width becomes larger than the apparent channel width, and the effect thereof may not be negligible.
  • the proportion of the channel formation region formed in the side surface of the semiconductor may be large. In that case, the effective channel width is larger than the apparent channel width.
  • channel width when simply described as channel width, it may indicate an apparent channel width.
  • channel width may mean an effective channel width. Note that the channel length, channel width, effective channel width, apparent channel width, and the like can be determined by analyzing a cross-sectional TEM image or the like.
  • the impurities of the semiconductor refer to, for example, components other than the main constituents of the semiconductor.
  • an element having a concentration of less than 0.1 atomic% can be said to be an impurity. Due to the inclusion of impurities, for example, the defect level density of the semiconductor may increase and the crystallinity may decrease.
  • examples of impurities that change the characteristics of the semiconductor include a Group 1 element, a Group 2 element, a Group 13 element, a Group 14 element, a Group 15 element, and an oxide semiconductor.
  • transition metals other than the main component such as hydrogen, lithium, sodium, silicon, boron, phosphorus, carbon, and nitrogen. Water may also function as an impurity.
  • oxygen vacancies may be referred to as V 2 O ) may be formed in the oxide semiconductor due to the mixture of impurities, for example.
  • silicon oxynitride has a higher oxygen content than nitrogen as its composition. Further, silicon oxynitride has a composition containing more nitrogen than oxygen.
  • the term “insulator” can be restated as an insulating film or an insulating layer.
  • the term “conductor” can be referred to as a conductive film or a conductive layer.
  • the term “semiconductor” can be restated as a semiconductor film or a semiconductor layer.
  • parallel means a state in which two straight lines are arranged at an angle of ⁇ 10 degrees to 10 degrees. Therefore, the case of -5 degrees or more and 5 degrees or less is also included.
  • substantially parallel means a state in which two straight lines are arranged at an angle of -30 degrees or more and 30 degrees or less.
  • vertical means a state in which two straight lines are arranged at an angle of 80 degrees or more and 100 degrees or less. Therefore, a case of 85 degrees or more and 95 degrees or less is also included.
  • generally vertical means a state in which two straight lines are arranged at an angle of 60 degrees or more and 120 degrees or less.
  • a metal oxide is a metal oxide in a broad sense. Metal oxides are classified into oxide insulators, oxide conductors (including transparent oxide conductors), oxide semiconductors (Oxide Semiconductor or simply OS), and the like. For example, when a metal oxide is used for a semiconductor layer of a transistor, the metal oxide may be referred to as an oxide semiconductor. That is, the term “OS transistor” can be rephrased as a transistor including a metal oxide or an oxide semiconductor.
  • normally-off means that when a potential is not applied to the gate or a ground potential is applied to the gate, the drain current per channel width of 1 ⁇ m flowing in the transistor is 1 ⁇ 10 ⁇ at room temperature. It is 20 A or less, 1 ⁇ 10 ⁇ 18 A or less at 85 ° C., or 1 ⁇ 10 ⁇ 16 A or less at 125 ° C.
  • FIG. 1A to 1D are a top view and a cross-sectional view of a semiconductor device including a transistor 200 according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a top view of the semiconductor device.
  • 1B, 1C, and 1D are cross-sectional views of the semiconductor device.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view of a portion indicated by dashed-dotted line A1-A2 in FIG. 1A and also a cross-sectional view of the transistor 200 in the channel length direction.
  • 1C is a cross-sectional view of a portion indicated by dashed-dotted line A3-A4 in FIG. 1A and is also a cross-sectional view of the transistor 200 in the channel width direction.
  • FIG. 1D is a cross-sectional view of a portion indicated by dashed-dotted line A5-A6 in FIG. 1A and is also a cross-sectional view of the transistor 200 in the channel width direction. In the top view of FIG. 1A, some elements are omitted for the sake of clarity.
  • the semiconductor device of one embodiment of the present invention includes the transistor 200, the insulator 214 functioning as an interlayer film, the insulator 216, the insulator 280, the insulator 282, and the insulator 284.
  • the transistor 200 includes a conductor 205 provided over a substrate (not shown) and embedded in an insulator 216, and an insulator 216 and an insulator 216.
  • the insulator 222 over the 205, the insulator 224 over the insulator 222, and the oxide 230 over the insulator 224 (the oxide 230a, the oxide 230b, and the oxide).
  • 230c) the insulator 250 disposed on the oxide 230, the conductor 260 (the conductor 260a and the conductor 260b) disposed on the insulator 250, and part of the upper surface of the oxide 230b.
  • the conductor 240a and the conductor 240b are in contact with each other, the insulator 245a over the conductor 240a, and the insulator 245b over the conductor 240b.
  • the oxide 230 (the oxide 230a, the oxide 230b, and the oxide 230c) including a region where a channel is formed (hereinafter also referred to as a channel formation region) is added to a metal oxide (hereinafter referred to as a metal oxide) functioning as a semiconductor. , Also referred to as an oxide semiconductor).
  • the metal oxide that functions as a semiconductor preferably has a bandgap of 2 eV or more, more preferably 2.5 eV or more. By using a metal oxide having a wide band gap in this manner, off-state current of the transistor can be reduced.
  • Examples of the oxide 230 include In-M-Zn oxide (the element M is aluminum, gallium, yttrium, tin, copper, vanadium, beryllium, boron, titanium, iron, nickel, germanium, zirconium, molybdenum, lanthanum, cerium). , One kind or a plurality of kinds selected from neodymium, hafnium, tantalum, tungsten, magnesium, etc.) may be used. Alternatively, as the oxide 230, an In—Ga oxide or an In—Zn oxide may be used.
  • the transistor 200 including a metal oxide in a channel formation region has an extremely small leakage current in a non-conduction state, so that a semiconductor device with low power consumption can be provided. Since the metal oxide can be formed by a sputtering method or the like, it can be used for the transistor 200 included in the highly integrated semiconductor device.
  • a metal oxide having a low carrier concentration is preferably used for the channel formation region.
  • the concentration of impurities in the metal oxide may be lowered and the density of defect states may be lowered.
  • low impurity concentration and low defect level density are referred to as high-purity intrinsic or substantially high-purity intrinsic.
  • the case where the carrier concentration of the metal oxide in the channel formation region is 1 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 or lower is defined as substantially high-purity intrinsic. Details of the carrier concentration of the metal oxide will be described later.
  • the impurities in the metal oxide include, for example, hydrogen, nitrogen, alkali metals, alkaline earth metals, iron, nickel, silicon and the like.
  • hydrogen contained in a metal oxide reacts with oxygen bonded to a metal atom to be water, which may cause oxygen vacancies in the metal oxide. If the channel formation region in the metal oxide contains oxygen vacancies, the transistor might have normally-on characteristics. Further, when containing the hydrogen to oxygen vacancies in the metal oxide, there is a case where oxygen vacancies and hydrogen combine to form a V O H. Defects containing hydrogen to an oxygen vacancy (V O H) serves as a donor, sometimes electrons serving as carriers are generated.
  • part of hydrogen may be bonded to oxygen which is bonded to a metal atom to generate an electron which is a carrier. Therefore, a transistor including a metal oxide containing a large amount of hydrogen is likely to have normally-on characteristics. Further, hydrogen in the metal oxide easily moves due to stress such as heat and an electric field; therefore, when a large amount of hydrogen is contained in the metal oxide, reliability of the transistor might be deteriorated.
  • Defects containing hydrogen to an oxygen vacancy (V O H) can function as a donor of the metal oxide.
  • the metal oxide may be evaluated by the carrier concentration instead of the donor concentration. Therefore, in this specification and the like, the carrier concentration which is assumed to be a state where no electric field is applied may be used as the parameter of the metal oxide, instead of the donor concentration. That is, the “carrier concentration” described in this specification and the like can be called the “donor concentration” in some cases.
  • Hydrogen in the metal oxide is preferably reduced as much as possible.
  • the hydrogen concentration obtained by secondary ion mass spectrometry is less than 1 ⁇ 10 20 atoms / cm 3 , preferably 1 ⁇ 10 19 atoms / cm 3. It is less than 3 , more preferably less than 5 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 , and even more preferably less than 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 .
  • the carrier concentration of the metal oxide in the channel formation region is preferably 1 ⁇ 10 18 cm ⁇ 3 or less, more preferably 1 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3 or less, and 1 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3. It is more preferably the following or less, further preferably less than 1 ⁇ 10 13 cm ⁇ 3 , and further preferably less than 1 ⁇ 10 12 cm ⁇ 3 .
  • the lower limit of the carrier concentration of the metal oxide in the channel formation region is not particularly limited, but can be set to 1 ⁇ 10 ⁇ 9 cm ⁇ 3 , for example.
  • the highly purified intrinsic or substantially highly purified intrinsic it is preferable that the highly purified intrinsic or substantially highly purified intrinsic.
  • the V O H to obtain a sufficiently reduced metal oxide, to remove moisture in the metal oxide, the impurities such as hydrogen (dehydration, may be described as dehydrogenation.)
  • the metal oxide impurities is sufficiently reduced such V O H By using the channel formation region of the transistor, it is possible to have stable electrical characteristics.
  • the oxide 230 it is preferable to perform microwave treatment on the oxide 230 in an atmosphere containing oxygen and under reduced pressure.
  • the microwave treatment By performing the microwave treatment, the electric field due to microwave, given the oxide 230, it is possible to separate the V O H in the oxide 230 on the V O and hydrogen. At this time, a part of the hydrogen separated may be combined with oxygen and removed as H 2 O from the oxide 230. Further, part of hydrogen may be gettered to the conductor 240a and the conductor 240b.
  • the microwave treatment the hydrogen concentration in the oxide 230 can be reduced. Further, V O in the oxide 230 is divided into V O and hydrogen, and then V O that may exist can be repaired or supplemented by supplying oxygen to V O.
  • an apparatus having a power source for generating high-density plasma or an apparatus having a power source for applying RF (Radio Frequency) to the substrate side.
  • RF Radio Frequency
  • a gas containing oxygen and by using high-density plasma, high-density oxygen radicals can be generated, and by applying RF to the substrate side, oxygen radicals generated by high-density plasma can be generated. It can be efficiently introduced into the oxide 230 or the insulator near the oxide 230.
  • the heat treatment may be performed while maintaining the reduced pressure state after the microwave treatment.
  • hydrogen in the oxide 230 can be efficiently removed.
  • hydrogen in the oxide 230 can be removed more efficiently.
  • the heat treatment temperature is preferably 300 ° C. or higher and 500 ° C. or lower. Note that the step of performing heat treatment may be repeated a plurality of times while maintaining the reduced pressure state after the microwave treatment.
  • the microwave treatment is preferably performed on the oxide 230.
  • oxygen in the oxide 230 is mainly bonded to any one or more of In, the element M, and Zn.
  • the bond between indium and oxygen tends to be weaker than the bond between element M or zinc and oxygen. Therefore, it is presumed that oxygen bound to indium is likely to be deficient. In other words, it is presumed that oxygen vacancies are likely to be formed near indium.
  • V O H from being formed by entering the hydrogen to oxygen vacancies, V O H is easily formed indium vicinity.
  • Indium is also a metal element that enhances the conductivity of the oxide 230. Therefore, the on-state current of the transistor 200 tends to increase as the atomic ratio of indium contained in the oxide 230 is higher. On the other hand, the higher the atomic ratio of indium contained in the oxide 230, V O H is estimated to easily formed. Therefore, the oxide 230, in the case of using an oxide containing indium, by performing the microwave treatment on the oxide 230 can reduce the V O H in the oxide 230. Therefore, the on-state current of the transistor 200 can be increased and stable electric characteristics can be given.
  • hydrogen may diffuse into the metal oxide as the metal oxide film is formed.
  • a deposition gas containing hydrogen may be used. It is highly possible that hydrogen contained in the film forming gas diffuses into the oxide 230.
  • impurities such as hydrogen, nitrogen, and carbon exist in the atmosphere during the formation of the insulating film to be the insulator 250 or in the formed insulator 250.
  • impurities such as hydrogen, nitrogen, and carbon exist in the atmosphere during the formation of the insulating film to be the insulator 250 or in the formed insulator 250.
  • impurities such as hydrogen, nitrogen, and carbon exist in the atmosphere during the formation of the insulating film to be the insulator 250 or in the formed insulator 250.
  • microwave treatment is preferably performed in an atmosphere containing oxygen and under reduced pressure after the insulator 250 is formed over the oxide 230.
  • an electric field due to microwaves is applied to the insulator 250 and the oxide 230, whereby hydrogen bonded to a silicon atom in the insulator 250 can be separated from the silicon atom.
  • the V O H in 230 can be divided into the V O and hydrogen.
  • a part of the hydrogen separated may be combined with oxygen and removed as H 2 O from the insulator 250 and the oxide 230.
  • part of hydrogen may be gettered to the conductor 240a and the conductor 240b.
  • microwave treatment in this manner, hydrogen concentration in the insulator 250 and the oxide 230 can be reduced.
  • V O in the oxide 230 is divided into V O and hydrogen, and then V O that may exist can be repaired or supplemented by supplying oxygen to V O.
  • the heat treatment may be performed while maintaining the reduced pressure state after the microwave treatment. By performing such treatment, hydrogen in the insulator 250 and the oxide 230 can be efficiently removed.
  • the step of performing heat treatment may be repeated a plurality of times while maintaining the reduced pressure state after the microwave treatment. For example, after microwave treatment is performed for 10 seconds or more and 300 seconds or less, preferably 30 seconds or more and 60 seconds or less, heat treatment for 30 seconds or more and 3000 seconds or less, preferably 300 seconds or a time in the vicinity thereof while maintaining a reduced pressure state. The step of performing may be performed 2 to 10 times. By repeating the heat treatment, hydrogen in the insulator 250 and the oxide 230 can be removed more efficiently.
  • the heat treatment temperature is preferably 300 ° C. or higher and 500 ° C. or lower.
  • the film quality of the insulator 250 is modified, so that diffusion of hydrogen, water, impurities, or the like can be suppressed. Therefore, diffusion of hydrogen, water, or impurities into the oxide 230 through the insulator 250 is suppressed by a post-process such as formation of a conductive film to be the conductor 260 or a post-process such as heat treatment. be able to.
  • the binding energy of hydrogen atoms and silicon atoms in solid silicon oxide is 3.3 eV
  • the binding energy of carbon atoms and silicon atoms is 3.4 eV
  • the binding energy of nitrogen atoms and silicon atoms is 3.5 eV. Therefore, in order to remove the hydrogen atom bonded to the silicon atom, at least a radical or ion having an energy of 3.3 eV or more is caused to collide with the bonding portion between the hydrogen atom and the silicon atom, whereby the hydrogen atom and the silicon atom are separated from each other. A bond with an atom can be broken.
  • radicals or ions having at least energy higher than binding energy are made to collide with the bond portion between the impurity atom and the silicon atom, so that It is possible to break the bond with the silicon atom.
  • radicals and ions generated by plasma excited by microwaves a ground state O ( 3 P) of an oxygen atom radical, a first excited state O ( 1 D) of an oxygen atom radical, and a monovalent oxygen molecule Cation O 2 + and the like.
  • the energy of O ( 3 P) is 2.42 eV and the energy of O ( 1 D) is 4.6 eV.
  • O 2 + has an electric charge and is accelerated by the potential distribution in the plasma and the bias, the energy is not uniquely determined, but at least the internal energy alone has a higher energy than that of O ( 1 D). To have.
  • radicals and ions such as O ( 1 D) and O 2 + cut the bonds between hydrogen atoms, nitrogen atoms, and carbon atoms in the insulator 250 and the silicon atoms, and bond with the silicon atoms. Hydrogen atoms, nitrogen atoms, and carbon atoms can be removed. Further, impurities such as hydrogen, nitrogen, and carbon can be reduced also by heat energy applied to the substrate when performing microwave-excited plasma treatment.
  • O ( 3 P) since O ( 3 P) has low reactivity, it does not react with the insulator 250 and diffuses deep into the film. Further, O ( 3 P) reaches the oxide 230 through the insulator 250 and diffuses into the oxide 230.
  • O ( 3 P) diffused in the oxide 230 approaches the oxygen deficiency containing hydrogen, hydrogen in the oxygen deficiency is released from the oxygen deficiency, and O ( 3 P) enters the oxygen deficiency instead. , Oxygen deficiency is compensated. Therefore, generation of electrons that are carriers can be suppressed in the oxide 230.
  • the ratio of O ( 3 P) to the total radicals and ionic species is increased by performing microwave treatment under high pressure conditions.
  • the pressure may be 133 Pa or higher, preferably 200 Pa or higher, more preferably 400 Pa or higher.
  • oxygen and argon are used, and an oxygen flow rate ratio (O 2 / (O 2 + Ar)) is 50% or less, preferably 10% or more 30 % Or less is recommended.
  • a transistor including such a metal oxide as a channel formation region can have normally-off characteristics, and a semiconductor device having favorable electric characteristics and reliability can be formed.
  • the ⁇ Vsh measured in the + GBT (Gate Bias Temperature) stress test can be reduced. Therefore, reliability of the transistor can be improved.
  • the model of the behavior of ⁇ Vsh will be described later.
  • a semiconductor device with good reliability.
  • a semiconductor device having favorable electrical characteristics can be provided.
  • a semiconductor device which can be miniaturized or highly integrated can be provided.
  • a semiconductor device with low power consumption can be provided.
  • ⁇ + Vsh behavior in + GBT stress test> The behavior of the off-current in the OS transistor and the ⁇ Vsh in the + GBT stress test will be described below.
  • the metal oxide used for the channel formation region is described as an In—Ga—Zn oxide.
  • ⁇ Vsh may shift in the negative direction over time. Further, ⁇ Vsh may exhibit a behavior that it does not fluctuate in the ⁇ direction (for example, the negative direction) but fluctuates in both the negative direction and the positive direction. In addition, in this specification etc., the said behavior may be called the jagged behavior in a + GBT stress test.
  • FIG. 2A a schematic diagram for explaining the behavior of ⁇ Vsh in the + GBT test is shown in FIG. 2A.
  • the vertical axis represents ⁇ Vsh [mV] and the horizontal axis represents time (hr) [hr].
  • ⁇ Vsh is both a positive drift (arrow ⁇ in FIG. 2A) and a negative drift (arrow ⁇ in FIG. 2A). Fluctuates while having. As shown in FIG. 2A, ⁇ Vsh generally fluctuates in the negative direction while having the drifts indicated by arrows ⁇ and ⁇ .
  • the OS transistor has a gate electrode, a gate insulating layer, a metal oxide layer having a channel formation region, a source region, and a drain region.
  • FIG. 2B is a schematic diagram of the Id-Vg characteristic of the OS transistor.
  • the horizontal axis represents changes in the voltage (Vg) [V] applied to the gate electrode, and the vertical axis represents changes in the drain current (Id) [A].
  • FIG. 2B is a semilogarithmic graph with the vertical axis being the logarithmic axis (log).
  • One of the currents is a current related to an on-current and the other current is a current related to an off-current.
  • the current A shown by the solid line in FIG. 2B is a current related to the on-current. Further, the current B shown by a broken line in FIG. 2B is a current related to off current.
  • the voltage Vab shown in FIG. 2B is the value of the gate voltage at which the value of the current A and the value of the current B are the same.
  • the drain current of the OS transistor is observed as the sum of the current A and the current B shown in FIG. 2B.
  • the ratio of the current B to the drain current is high, and when the value of the gate voltage Vg is higher than the voltage Vab, the ratio of the current A to the drain current is high.
  • the carriers related to the off current are presumed to be electrons due to V OH .
  • V O H acts as a donor, to emit electrons serving as carriers.
  • carriers are generated by doping phosphorus (P) or boron (B).
  • the carriers are related to the current flowing between the source region and the drain region. That is, it is presumed that one type of carrier determines the on-current and the off-current in silicon.
  • FIG. 3A is a schematic diagram of an energy diagram of a metal oxide.
  • the vertical axis represents energy.
  • the horizontal direction indicates the density of the V O H.
  • E CBM shown in FIG. 3A is energy at the bottom of the conduction band
  • E VBM is energy at the top of the valence band
  • E i is energy at the center of the energy gap (also referred to as a midgap).
  • E 1 and E 2 are energies, and the value of E 2 is closer to the value of E i than the value of E 1 .
  • the value of E 1 is closer to the value of E CBM than the value of E 2 .
  • V O H which serves as a donor
  • level caused by V O H it is estimated to be close to the conduction band minimum. Therefore, as shown in FIG. 3A, the density distribution of the V O H is presumed to be located near the conduction band minimum.
  • the carrier about off-current may be bound or released into levels or trapping centers due to V O H (trap centers). Further, it is assumed that the levels and trap centers due to V OH exist discretely.
  • V OH disappears and V OH decreases.
  • V O density of H is high closer to the conduction band bottom, and lower closer to the mid-gap (E i).
  • V O H is easily formed indium vicinity. That, V O H is easily formed InO.
  • the V O H conduction carriers caused by V O H is suppressed, it is possible to reduce the off current.
  • carriers related to off current can be reduced.
  • the off-state current carriers can be brought closer to the presence of so-called natural carriers.
  • the carrier concentration of the metal oxide intrinsic carrier concentration e.g., if the band gap of the metal oxide of 3.3eV, 1 ⁇ 10 -9 cm -3 ) to You can get closer.
  • the off-state current is increased and a high density of V O H, off-current decreases as the density of the V O H low.
  • the V O H is generated off-current becomes large, off-current decreases as V O H disappears.
  • the OS transistor has characteristics that the off current is unlikely to increase even at high temperature and the ratio of on current to off current is large even at high temperature.
  • the OS transistor can perform good switching operation even at a high temperature of 125 ° C. or higher and 150 ° C. or lower.
  • Off current at high temperatures mainly be due to the carrier conduction through the V O H, by reducing the V O H, it is possible to further reduce the off current at high temperatures.
  • the jagged behavior of ⁇ Vsh may occur due to the current related to the on-current or may occur due to the current related to the off-current.
  • the jagged behavior of DerutaVsh occurs due to the current related to the on-current, by V O H there are many, jagged behavior is likely to occur in DerutaVsh.
  • the carriers related to the on-current are trapped in the level due to V OH , or the trapped carriers are released to the conduction band. If the energy of the Fermi level close to E 1, as compared with the case where the energy of the Fermi level close to the E 2, high density of the V O H, high density of states due to V O H.
  • the carrier related to the on-state current is trapped in the level due to V OH , or the trapped carrier is released to the conduction band more frequently. Therefore, the variation of the on-current is likely to occur, and the jagged behavior of ⁇ Vsh is more likely to occur.
  • a positive potential is applied to the gate electrode.
  • an electric field generated from the gate electrode is applied to the metal oxide channel formation region.
  • FIG. 4A and 4B is a schematic diagram of a V O H and, shed V O and H and reaction on energy of transition.
  • the application model applied to the + GBT stress test of the OS transistor will be described in detail with reference to FIG. 4A.
  • the vertical axis represents energy.
  • the state A in FIG. 4A, and 4B a state where the V O and H are present as V O H
  • the state B in FIG. 4A, and 4B are separated and the V O and H It is in a closed state (denoted as V O + H).
  • the energy ⁇ E required to change (react) state 1 to state 2 is the difference between the energy of state 1 and the maximum energy located in the middle of the reaction. That is, it can be said that the larger the energy ⁇ E required for the reaction, the less likely the reaction occurs.
  • V O H rather than shed V O and H, easily exist stably, energy is estimated to be low.
  • FIG. 4A The transition of energy for the above reaction when no electric field is applied to the metal oxide is shown in FIG. 4A by the dotted line P.
  • Delta] E 2 is the energy required to condition A is changed to the state B (V O H is divided into a V O and H).
  • ⁇ E 1 is the energy required for the state B to change to the state A (V O and H combine to form V OH ).
  • V O H orientation is changed, or V O H is rearranged.
  • V O H, and shed V O and H a change in energy of the transition for the reaction of.
  • V O H and a shed V O and H the reaction, there are one or more metastable states. That is, the reaction of V O H is divided into a V O and H, and, in each of the reactions and the V O and H linked to form a V O H, energy ⁇ E required for the reaction is, there exist a plurality.
  • the V O H, and shed V O and H, the course of reactions illustrates the transition of the energy when one metastable state (state C) is present.
  • the state C is a metastable state regarding V O and H, and may or may not function as a donor.
  • Delta] E AC is the energy required to state A (V O H) is changed to a state C
  • Delta] E CB the state C is a state B (shed V O and H ) Is the energy required to change to.
  • ⁇ E BC is the energy required for changing the state B (divided V O and H) to the state C
  • ⁇ E CA is the energy required for changing the state C to the state A (V O H).
  • Delta] E BA the state B (shed V O and H) of the energy required for the change in state a (V O H).
  • ⁇ E AC and ⁇ E CB are smaller than ⁇ E 2 . Therefore, when an electric field is applied to the metal oxide, the reaction in which V OH in the metal oxide is divided into V O and H becomes easy to proceed. Note that even if the electric field applied to the metal oxide is weak, a reaction in which V OH in the metal oxide is divided into V O and H can proceed.
  • ⁇ E BA is smaller than ⁇ E 1 .
  • ⁇ E BC is smaller than ⁇ E BA . Therefore, by an electric field is applied to the metal oxide, the state in the metal oxide B (shed V O and H) are likely to change to state A (V O H). That the number of V O H increases, varies ⁇ Vsh in the negative direction.
  • ⁇ E AC is smaller than ⁇ E 2 and ⁇ E CB is smaller than ⁇ E AC . Therefore, when an electric field is applied to the metal oxide, V OH in the metal oxide easily returns to the state B (separated V O and H). V O H is, by returning to the shed V O and H, the number of V O H decreases.
  • the number of V O H decreases, increasing the probability of ⁇ Vsh varies in the positive direction. That is, the reaction between the cut V O and H and V O H causes the energy to become unstable, resulting in a jagged behavior of ⁇ Vsh.
  • FIG. 4A illustrates a schematic diagram of energy transition when one metastable state exists
  • FIG. 4B a schematic diagram of energy transition when multiple metastable states exist is shown in FIG. 4B.
  • a dotted line P shown in FIG. 4B is a transition of energy related to the above reaction when an electric field is not applied to the metal oxide, as in FIG. 4A.
  • the solid line Q illustrated in Figure 4B three metastable state when (state C, the state D, and the state E) are present, V O H and a shed V O and H, the energy for the reaction of Is the transition.
  • V O H, and shed V O and H tends to occur in the reaction, in the + GBT stress test, jagged behavior ⁇ Vsh occurs.
  • Delta] E 2 is the energy required to state A (V O H) is changed to the state B (shed V O and H)
  • Delta] E 1 is the state B It is the energy required for (divided V O and H) to change to state A (V O H).
  • Delta] E AD is the energy required to state A (V O H) is changed to the state D
  • Delta] E AC is state A (V O H) is in the state C
  • ⁇ E CE is the energy required to change state C to state E
  • ⁇ E EB is the energy required to change state E to state B (divided V O and H) It is the energy required to do.
  • ⁇ E BE is the energy required for changing the state B (divided V O and H) to the state E
  • ⁇ E BC is the state B (divided V O and H) changed to the state C.
  • ⁇ E BD is the energy required to change state B (dissociated V O and H) to state D
  • ⁇ E DA is the energy required to change state D to state A
  • V is the energy required for the change in O H
  • Delta] E BA is the energy required to state B (shed V O and H) are changed to the state A (V O H)
  • ⁇ E CD is to state C is changed to the state D It is the required energy.
  • the transition of energy with respect to can also change due to the difference in crystallinity of the metal oxide.
  • the dotted line P shown in FIGS. 4A and 4B is referred to as a transition of energy relating to the reaction in a single crystal metal oxide
  • the solid line Q shown in FIGS. 4A and 4B is a metal oxide having a CAAC structure or an nc structure. In some cases, it can be translated into the transition of energy related to the reaction in an object.
  • V O H is sometimes easier reaction proceeds to divide into a V O and H.
  • the transition of energy relating to the reaction in the metal oxide having the nc structure may be more complicated than the solid line Q shown in FIGS. 4A and 4B.
  • V O H in the metal oxide is presumed to be repeat product and the disappearance. With other words, V O H drifts depending on the electric field, or V O H By repeatedly and the generation and disappearance are presumed jagged behavior occurs at + GBT stress test.
  • the generation and disappearance of the V O H in the metal oxide may be one of various unstable factors.
  • the phenomenon of varying off current every time measuring the OS transistor is believed to be due to the generation and disappearance of the V O H in the metal oxide.
  • the OS transistor since carriers related to the short channel effect and carriers derived from V OH are different, an effect that the short channel effect is unlikely to occur may be considered.
  • one of the short channel effects is an increase in the S value of the OS transistor. S value is related to on-current, the carrier is on the on-current, different from the V O H caused the carrier. Therefore, even if the generation and disappearance of V OH are repeated, the short channel effect is not affected or hardly affected. That is, it is presumed that the OS transistor has a device structure in which the short channel effect is unlikely to occur.
  • V OH disappearance of V OH can be expressed as separating into V O and H.
  • the separation of V 2 O and H can occur in the manufacturing process of the OS transistor by applying an electric field to the metal oxide by microwave treatment or by heat treatment such as dehydration treatment or dehydrogenation treatment. Therefore, it can be understood that microwave treatment or heat treatment is an important step in the manufacturing process of the OS transistor. Further, as the heat treatment, in addition to the above-mentioned heat treatment, oxygenation treatment is also important.
  • Oxygenation treatment is performed in a process of manufacturing an OS transistor, in which heat treatment is performed in an oxygen atmosphere or heat treatment is performed in a state where an insulating film having excess oxygen is in contact with a metal oxide, This is a process for repairing the formed V 2 O with oxygen.
  • Equation (1) is the disappearance of V O H, that is, represents the state in which V O H is separated into V O and H
  • the formula (2) represents the state of being repaired by oxygen V O.
  • an OS transistor when a conductor functioning as a source electrode or a drain electrode is in contact with a metal oxide, oxygen in the metal oxide may diffuse into the conductor and the conductor may be oxidized. It is highly probable that the electrical conductivity of the conductor will decrease due to the oxidation of the conductor. Note that diffusion of oxygen in the metal oxide into the conductor can be restated as absorption of oxygen in the metal oxide by the conductor.
  • the three-layer structure of the source or drain electrode, the layer, and the metal oxide can be regarded as a three-layer structure including a metal-insulator-semiconductor, and has a MIS (Metal-Insulator-Semiconductor) structure. , Or a diode junction structure mainly composed of a MIS structure.
  • V O H includes a gather at the interface between the layer and the metal oxide To be done. That is, the existence probability of the V O H at the interface between the layer and the metal oxide is presumed to be higher. By V O H collects in the interface, the energy is stabilized. Further, V O H is that collects in the interface is presumed that the low-resistance region is formed in the metal oxide near the interface.
  • hydrogen due to V OH collected at the interface may diffuse to the source electrode or the drain electrode.
  • hydrogen due to V OH collected at the interface easily diffuses into the source electrode or the drain electrode, and the diffused hydrogen is absorbed by the source electrode.
  • it may combine with nitrogen contained in the drain electrode. That is, hydrogen due to V OH collected at the interface may be absorbed by the source electrode or the drain electrode.
  • an oxygen-deficient region is formed in the metal oxide near the interface.
  • V O H in the metal oxide is also likely to move in an electric field of low region in the MIS structure, the metal oxide near the interface, the low-resistance region is formed.
  • the insulator 214 preferably functions as an insulating barrier film which suppresses diffusion of impurities such as water and hydrogen from the substrate side into the transistor 200. Therefore, the insulator 214 has a function of suppressing diffusion of impurities such as hydrogen atoms, hydrogen molecules, water molecules, nitrogen atoms, nitrogen molecules, nitric oxide molecules (N 2 O, NO, NO 2, etc.), and copper atoms. It is preferable to use an insulating material. Alternatively, an insulating material having a function of suppressing diffusion of oxygen (eg, at least one of oxygen atoms and oxygen molecules) is preferably used.
  • the function of suppressing the diffusion of impurities or oxygen means the function of suppressing the diffusion of any one or all of the impurities or oxygen.
  • a film having a function of suppressing diffusion of hydrogen or oxygen may be a film that hardly permeates hydrogen or oxygen, a film that has low hydrogen or oxygen permeability, a film that has a barrier property against hydrogen or oxygen, or hydrogen or oxygen. May be called a barrier film or the like.
  • the barrier film may be referred to as a conductive barrier film.
  • the insulator 214 it is preferable to use aluminum oxide, silicon nitride, or the like as the insulator 214. Accordingly, impurities such as water and hydrogen can be suppressed from diffusing from the substrate side to the transistor 200 side with respect to the insulator 214. Further, oxygen contained in the insulator 224 and the like can be suppressed from diffusing toward the substrate side of the insulator 214.
  • the insulator 214 may have a stacked structure including two or more layers. In that case, the laminated structure is not limited to the same material, and may be a laminated structure made of different materials. For example, a stacked layer of aluminum oxide and silicon nitride may be used.
  • the insulator 214 it is preferable to use silicon nitride formed by a sputtering method. Accordingly, the concentration of hydrogen in the insulator 214 can be reduced, and impurities such as water and hydrogen can be further suppressed from diffusing from the substrate side of the insulator 214 to the transistor 200 side.
  • the insulator 216 functioning as an interlayer film preferably has a lower dielectric constant than the insulator 214.
  • a material having a low dielectric constant as the interlayer film, it is possible to reduce the parasitic capacitance generated between the wirings.
  • silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride oxide, silicon nitride, silicon oxide added with fluorine, silicon oxide added with carbon, silicon oxide added with carbon and nitrogen, silicon oxide having holes Etc. may be used as appropriate.
  • the insulator 216 preferably has a low hydrogen concentration and has an excess oxygen region or oxygen that is released by heating (hereinafter also referred to as excess oxygen).
  • excess oxygen for example, silicon oxide formed by a sputtering method is preferably used. Accordingly, hydrogen can be prevented from entering the oxide 230. Further, oxygen can be supplied to the oxide 230 to reduce oxygen vacancies in the oxide 230. Therefore, it is possible to provide a transistor in which variations in electrical characteristics are suppressed, stable electrical characteristics are obtained, and reliability is improved.
  • the insulator 216 may have a laminated structure.
  • the insulator 216 may be provided with an insulator similar to the insulator 214 at least in a portion in contact with the side surface of the conductor 205.
  • oxidation of the conductor 205 due to oxygen contained in the insulator 216 can be suppressed.
  • the conductor 205 can suppress a decrease in the amount of oxygen contained in the insulator 216.
  • the conductor 205 may function as a second gate (also referred to as a bottom gate) electrode.
  • the threshold voltage (Vth) of the transistor 200 can be controlled by changing the potential applied to the conductor 205 independently of the potential applied to the conductor 260, without changing the potential.
  • Vth of the transistor 200 can be further increased and off-state current can be reduced. Therefore, applying a negative potential to the conductor 205 can reduce the drain current when the potential applied to the conductor 260 is 0 V, as compared to the case where no potential is applied.
  • the conductor 205 is arranged so as to overlap with the oxide 230 and the conductor 260. Further, the conductor 205 is preferably embedded in the insulator 214 or the insulator 216 and provided.
  • the conductor 205 is preferably provided larger than a channel formation region in the oxide 230 as illustrated in FIG. 1B.
  • the conductor 205 extend in a region outside the end portion of the oxide 230 which intersects with the channel width direction. That is, it is preferable that the conductor 205 and the conductor 260 overlap with each other with the insulator provided outside the side surface of the oxide 230 in the channel width direction.
  • the electric field of the conductor 260 functioning as the first gate electrode and the electric field of the conductor 205 functioning as the second gate electrode electrically surround the channel formation region of the oxide 230.
  • a structure of a transistor in which a channel formation region is electrically surrounded by an electric field of a first gate and a second gate is referred to as a surrounded channel (S-channel) structure.
  • a transistor having an S-channel structure refers to a transistor structure that electrically surrounds a channel formation region by electric fields of one and the other of a pair of gate electrodes.
  • the side surface and the periphery of the oxide 230 which is in contact with the conductors 240a and 240b functioning as a source electrode and a drain electrode are i-type as in the channel formation region. It has characteristics. Further, the side surface and the periphery of the oxide 230 which is in contact with the conductor 240a and the conductor 240b is in contact with the insulator 280, and thus can be i-type as in the channel formation region.
  • the I-form can be treated as the same as the high-purity intrinsic described above.
  • the S-channel structure disclosed in this specification and the like is different from the Fin-type structure and the planar-type structure.
  • FIG. 1C is a cross-sectional view of a region where the oxide 230 and the conductor 260 overlap.
  • FIG. 1D is a cross-sectional view of a region where the oxide 230 and the conductor 260 do not overlap with each other.
  • the top end portion of the oxide 230 is formed to have a curvature so that one of the conductor 260 functioning as a first gate electrode and the conductor 205 functioning as a second gate electrode.
  • both electric fields can be suitably applied to the oxide 230.
  • FIG. 1C is a cross-sectional view of a region where the oxide 230 and the conductor 260 overlap.
  • FIG. 1D is a cross-sectional view of a region where the oxide 230 and the conductor 260 do not overlap with each other.
  • the top end portion of the oxide 230 is formed to have a curvature so that one of the conductor 260 functioning as a first gate electrode and the conductor 205 functioning as a second gate electrode.
  • both electric fields can
  • the upper end portion of the oxide 230 has a shape having no curvature, whereby the adhesion between the oxide 230 and the conductor 240b can be improved and the insulating property can be improved. It is preferable because the coverage of the body 280 can be improved.
  • the conductor 205 is stretched to function as a wiring.
  • the invention is not limited to this, and a conductor functioning as a wiring may be provided below the conductor 205. Further, it is not always necessary to provide one conductor 205 for each transistor. For example, the conductor 205 may be shared by a plurality of transistors.
  • the transistor 200 has a structure in which the first conductor of the conductor 205 and the second conductor of the conductor 205 are stacked, but the present invention is not limited to this.
  • the conductor 205 may have a single-layer structure or a stacked structure including three or more layers.
  • an ordinal number may be given in the order of formation to distinguish them.
  • the first conductor of the conductor 205 is an impurity such as a hydrogen atom, a hydrogen molecule, a water molecule, a nitrogen atom, a nitrogen molecule, a nitric oxide molecule (N 2 O, NO, NO 2, or the like), a copper atom, or the like. It is preferable to use a conductive material having a function of suppressing diffusion. Alternatively, a conductive material having a function of suppressing diffusion of oxygen (eg, at least one of oxygen atoms and oxygen molecules) is preferably used.
  • the first conductor of the conductor 205 may be a single layer or a stacked layer of the above conductive material.
  • the first conductor of the conductor 205 may be a stack of tantalum, tantalum nitride, ruthenium, or ruthenium oxide and titanium or titanium nitride.
  • the second conductor of the conductor 205 is illustrated as a single layer, it may have a stacked structure, for example, a stack of titanium or titanium nitride and the conductive material.
  • the insulator 222 and the insulator 224 function as a gate insulator.
  • the insulator 222 preferably has a function of suppressing diffusion of hydrogen (for example, at least one of a hydrogen atom and a hydrogen molecule). Further, the insulator 222 preferably has a function of suppressing diffusion of oxygen (eg, at least one of oxygen atoms and oxygen molecules). For example, the insulator 222 preferably has a function of suppressing diffusion of one or both of hydrogen and oxygen as compared with the insulator 224.
  • an insulator containing an oxide of one or both of aluminum and hafnium, which are insulating materials may be used.
  • the insulator it is preferable to use aluminum oxide, hafnium oxide, an oxide containing aluminum and hafnium (hafnium aluminate), or the like.
  • the insulator 222 releases oxygen from the oxide 230 to the substrate side and diffuses impurities such as hydrogen from the peripheral portion of the transistor 200 to the oxide 230.
  • the conductor 205 can be prevented from reacting with the insulator 224 and oxygen contained in the oxide 230.
  • the insulator 222 is made of, for example, aluminum oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, zirconium oxide, lead zirconate titanate (PZT), strontium titanate (SrTiO 3 ), or (Ba, Sr) TiO 3 (BST).
  • An insulator including a so-called high-k material may be used in a single layer or a stacked layer. As transistors become finer and more highly integrated, thinning of the gate insulator may cause problems such as leakage current. By using a high-k material for the insulator functioning as a gate insulator, it is possible to reduce the gate potential during transistor operation while maintaining the physical film thickness.
  • the insulator 224 in contact with the oxide 230 desorb oxygen by heating.
  • the insulator 224 may be formed using silicon oxide, silicon oxynitride, or the like as appropriate.
  • an oxide material from which part of oxygen is released by heating that is, an insulator material having an excess oxygen region is preferably used.
  • An oxide film that desorbs oxygen by heating means that the amount of desorbed oxygen molecules is 1.0 ⁇ 10 18 molecules / cm 3 or more, preferably 1.0 ⁇ 10 19 molecules, in TDS (Thermal Desorption Spectroscopy) analysis. / Cm 3 or more, more preferably 2.0 ⁇ 10 19 molecules / cm 3 or more, or 3.0 ⁇ 10 20 molecules / cm 3 or more.
  • the surface temperature of the film during the TDS analysis is preferably 100 ° C. or higher and 700 ° C. or lower, or 100 ° C. or higher and 400 ° C. or lower.
  • any one or more of heat treatment, microwave treatment, and RF treatment may be performed by contacting the oxide 230 with the insulator having the excess oxygen region.
  • water or hydrogen in the oxide 230 can be removed.
  • reactions occur which bonds VoH is disconnected, when other words happening reaction of "V O H ⁇ V O + H", can be dehydrogenated.
  • Part of the hydrogen generated at this time may be combined with oxygen and removed as H 2 O from the oxide 230 or the insulator in the vicinity of the oxide 230.
  • Part of hydrogen may be diffused or captured (also referred to as gettering) in the conductor 240a and the conductor 240b.
  • the microwave treatment can use the treatment conditions described above.
  • heat treatment is preferably performed with the surface of the oxide 230 exposed.
  • the heat treatment may be performed at 100 ° C to 450 ° C inclusive, more preferably 350 ° C to 400 ° C inclusive, for example.
  • the heat treatment is performed in an atmosphere of a nitrogen gas or an inert gas, or an atmosphere containing an oxidizing gas at 10 ppm or more, 1% or more, or 10% or more.
  • the heat treatment is preferably performed in an oxygen atmosphere. Accordingly, oxygen can be supplied to the oxide 230 to reduce oxygen vacancies (V 2 O 3 ).
  • the heat treatment may be performed under reduced pressure.
  • the heat treatment may be performed in an atmosphere containing an oxidizing gas in an amount of 10 ppm or higher, 1% or higher, or 10% or higher in order to supplement desorbed oxygen after the heat treatment is performed in a nitrogen gas or inert gas atmosphere.
  • the heat treatment may be performed in an atmosphere containing an oxidizing gas in an amount of 10 ppm or more, 1% or more, or 10% or more, and then continuously performed in a nitrogen gas or inert gas atmosphere.
  • the insulator 224 preferably has a low hydrogen concentration and has an excess oxygen region or excess oxygen.
  • the same material as that of the insulator 216 may be used.
  • the insulator 222 and the insulator 224 may have a laminated structure of two or more layers.
  • the laminated structure is not limited to the same material, and may be a laminated structure made of different materials.
  • the oxide 230 is, for example, an oxide 230a that is disposed on the insulator 224, an oxide 230b that is disposed on the oxide 230a, and an oxide 230b that is at least partially oxidized. And an oxide 230c in contact with the upper surface of 230b. With the oxide 230a below the oxide 230b, diffusion of impurities from the structure formed below the oxide 230a into the oxide 230b can be suppressed. In addition, by including the oxide 230c over the oxide 230b, diffusion of impurities into the oxide 230b from a structure formed above the oxide 230c can be suppressed.
  • the oxide 230 has a structure in which three layers of the oxide 230a, the oxide 230b, and the oxide 230c are stacked; however, the present invention is not limited to this.
  • a single layer of the oxide 230b, a two-layer structure of the oxide 230a and the oxide 230b, a two-layer structure of the oxide 230b and the oxide 230c, or a stacked structure of four or more layers may be provided, or oxidation may be performed.
  • Each of the object 230a, the oxide 230b, and the oxide 230c may have a laminated structure.
  • oxygen in the metal oxide is gradually absorbed by the conductor 240a and the conductor 240b included in the transistor, which causes oxygen deficiency as one of the temporal changes.
  • oxidation of the conductor 240a and the conductor 240b might increase the contact resistance between the transistor 200 and the wiring.
  • an insulator containing oxygen is used for the insulator 280 which functions as an interlayer film provided in contact with the oxide 230.
  • the insulator 280 it is preferable to use an oxide containing more oxygen than the stoichiometric composition. That is, it is preferable that the insulator 280 be formed with a region in which oxygen is present in excess of the stoichiometric composition (hereinafter also referred to as an excess oxygen region).
  • an insulator 245a and an insulator 245b which function as barrier layers may be provided over the conductor 240a and the conductor 240b, respectively.
  • the insulator 245a and the insulator 245b are preferably in contact with the top surface of the conductor 240a and the top surface of the conductor 240b, respectively.
  • absorption of excess oxygen included in the insulator 280 by the conductor 240a and the conductor 240b can be suppressed.
  • an increase in contact resistance between the transistor 200 and the wiring can be suppressed. Therefore, the transistor 200 can have favorable electric characteristics and reliability.
  • the insulator 245a and the insulator 245b have a function of suppressing diffusion of oxygen.
  • the insulator 245a and the insulator 245b preferably have a function of suppressing diffusion of oxygen as compared with the insulator 280.
  • an insulator containing an oxide of one or both of aluminum and hafnium may be formed.
  • an insulator containing aluminum nitride may be used as the insulator 245a and the insulator 245b.
  • the side surface of the oxide 230b, the side surface of the conductor 240a, and the side surface of the conductor 240b are substantially perpendicular to a surface where the insulator 224 and the oxide 230a are in contact with each other.
  • the angle ⁇ shown in FIG. 1D is 60 degrees or more and 95 degrees or less, and preferably 88 degrees or more and 92 degrees or less.
  • the side surface of the oxide 230a does not necessarily have to have an angle with the insulator 224.
  • part of the side surface of the oxide 230a may have a depression (also referred to as an undercut shape).
  • the side surface of the oxide 230b, the side surface of the conductor 240a, and the side surface of the conductor 240b are processed into a shape substantially perpendicular to the surface where the insulator 224 and the oxide 230a are in contact with each other, the above-described undercut shape is formed. May be. With the undercut shape, the contact area of the insulator 280 in contact with the oxide 230a may be increased, so that oxygen can be preferably supplied from the insulator 280 to the oxide 230b.
  • FIG. 1D illustrates a cross section of a region where the oxide 230a and the oxide 230b and a conductor (here, the conductor 240b) which functions as one of a source electrode and a drain electrode overlap with each other in the channel width direction of the transistor. It is a figure.
  • the length of the conductor 240b with respect to the lower surface of the conductor 240b is The length ratio (L 1T / L 1B ) of the upper surface is preferably 0.7 or more and 1.3 or less.
  • the length (L 1T ) of the upper surface of the conductor 240b is 42 nm or more and 78 nm or less.
  • the length (L 1T ) of the upper surface of the conductor 240b may be longer than the above range, but the length (L 1T ) of the upper surface of the conductor 240b is within the above range.
  • the covering property (also referred to as step coverage) of the insulator 280 is deteriorated. Therefore, the ratio (L 1T / L 1B ) of the length of the upper surface of the conductor 240b to the length of the lower surface of the conductor 240b is preferably 0.7 or more and 1.0 or less, more preferably 0.8 or more and 0 or less. It is less than or equal to 0.95.
  • the length of the channel width of the transistor and the conductivity is not particularly limited.
  • the channel width of the transistor is preferably 5 nm to 100 nm, more preferably 10 nm to 75 nm.
  • the thickness of the conductor 240a and the conductor 240b is preferably 5 nm or more and 100 nm or less, more preferably 10 nm or more and 50 nm or less.
  • a channel width of the transistor in the above range and thicknesses of the conductors 240a and 240b in the above range are expected to have significant effects.
  • the length of the channel length of the transistor is not particularly limited, but can be set to a range equivalent to the above channel width.
  • the oxide 230 preferably has a laminated structure due to oxides having different chemical compositions.
  • the atomic ratio of the element M with respect to the metal element serving as the main component of the element M with respect to the metal element serving as the main component with respect to the metal oxide used for the oxide 230b is preferably larger than the atomic number ratio.
  • the atomic ratio of the element M to In is preferably higher than the atomic ratio of the element M to In in the metal oxide used for the oxide 230b.
  • the atomic ratio of In to the element M is preferably higher than the atomic ratio of In to the element M in the metal oxide used for the oxide 230a.
  • a metal oxide that can be used for the oxide 230a or the oxide 230b can be used.
  • the oxide 230b and the oxide 230c preferably have crystallinity.
  • a CAAC-OS c-axis aligned crystalline oxide semiconductor
  • An oxide having crystallinity such as CAAC-OS has a dense structure with few impurities and defects (such as oxygen vacancies) and high crystallinity. Therefore, extraction of oxygen from the oxide 230b by the source electrode or the drain electrode can be suppressed. Accordingly, even if heat treatment is performed, oxygen extraction from the oxide 230b can be reduced, so that the transistor 200 is stable against a high temperature (so-called thermal budget) in a manufacturing process.
  • CAAC-OS As the oxide 230c, it is preferable to use CAAC-OS as the oxide 230c, and it is preferable that a c-axis of a crystal included in the oxide 230c is oriented substantially perpendicular to a formation surface or an upper surface of the oxide 230c.
  • the CAAC-OS has a property of easily moving oxygen in a direction perpendicular to the c-axis. Therefore, the oxygen contained in the oxide 230c can be efficiently supplied to the oxide 230b.
  • the bottoms of the conduction bands of the oxides 230a and 230c are preferably closer to the vacuum level than the bottoms of the conduction bands of the oxide 230b.
  • the electron affinity of the oxide 230a and the oxide 230c is preferably smaller than that of the oxide 230b.
  • the oxide 230c is preferably a metal oxide that can be used for the oxide 230a.
  • the main path of carriers is the oxide 230b.
  • the lower end of the conduction band changes gently at the junction of the oxide 230a, the oxide 230b, and the oxide 230c.
  • the bottom of the conduction band at the junction of the oxide 230a, the oxide 230b, and the oxide 230c is continuously changed or continuously joined.
  • the oxide 230a and the oxide 230b and the oxide 230b and the oxide 230c have a common element other than oxygen as a main component, whereby a mixed layer with low defect level density can be formed.
  • the oxide 230b is an In—Ga—Zn oxide
  • an In—Ga—Zn oxide, a Ga—Zn oxide, gallium oxide, or the like may be used as the oxide 230a and the oxide 230c.
  • the above atomic ratio is not limited to the atomic ratio of the formed metal oxide, and the atomic ratio of a sputtering target used for forming the metal oxide is not limited. May be
  • the defect level density at the interface between the oxide 230a and the oxide 230b and the interface between the oxide 230b and the oxide 230c can be reduced. Therefore, the influence of interface scattering on carrier conduction is reduced, and the transistor 200 can have high on-state current and high frequency characteristics.
  • the oxide 230c may have a laminated structure of two or more layers. For example, it may have a first oxide of the oxide 230c and a second oxide of the oxide 230c disposed on the first oxide of the oxide 230c.
  • the first oxide of the oxide 230c preferably contains at least one of the metal elements forming the metal oxide used for the oxide 230b, and more preferably contains all the metal elements.
  • an In—Ga—Zn oxide is used as the first oxide of the oxide 230c
  • an In—Ga—Zn oxide, a Ga—Zn oxide, or an oxide is used as the second oxide of the oxide 230c. It is preferable to use gallium. Accordingly, the defect level density at the interface between the oxide 230b and the first oxide of the oxide 230c can be reduced.
  • the second oxide of the oxide 230c is preferably a metal oxide which suppresses diffusion or permeation of oxygen more than the first oxide of the oxide 230c.
  • the conduction band bottoms of the second oxides of the oxides 230a and 230c be closer to the vacuum level than the conduction band bottoms of the first oxides of the oxides 230b and 230c.
  • the electron affinity of the second oxide of the oxide 230a and the oxide 230c is preferably smaller than the electron affinity of the first oxide of the oxide 230b and the oxide 230c.
  • the second oxide of the oxide 230c is a metal oxide that can be used for the oxide 230a
  • the first oxide of the oxide 230c is a metal oxide that can be used for the oxide 230b. Is preferably used. At this time, not only the oxide 230b but also the first oxide of the oxide 230c may be the main carrier route.
  • the atomic ratio of In to the main metal element is the main component in the metal oxide used for the first oxide of the oxide 230c. It is possible to suppress In from diffusing to the insulator 250 side by making the atomic number ratio of In to the metal element that is.
  • the insulator 250 functions as a gate insulator; therefore, when In is mixed in the insulator 250 or the like, the characteristics of the transistor are deteriorated. Therefore, a stacked-layer structure of the oxide 230c makes it possible to provide a highly reliable semiconductor device.
  • Examples of the conductor 240a and the conductor 240b include a nitride containing tantalum, a nitride containing titanium, a nitride containing molybdenum, a nitride containing tungsten, a nitride containing tantalum and aluminum, and a nitride containing titanium and aluminum. It is preferable to use a thing. In one aspect of the present invention, a nitride containing tantalum is particularly preferable. Further, for example, ruthenium oxide, ruthenium nitride, an oxide containing strontium and ruthenium, an oxide containing lanthanum and nickel, or the like may be used. These materials are preferable because they are conductive materials that are difficult to oxidize or materials that maintain conductivity even when absorbing oxygen.
  • the insulator 250 functions as a gate insulator.
  • the insulator 250 is preferably provided in contact with at least part of the oxide 230c.
  • the insulator 250 is formed of silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride oxide, silicon nitride, fluorine-added silicon oxide, carbon-added silicon oxide, carbon-nitrogen-added silicon oxide, vacant silicon oxide, or the like. Can be used. In particular, silicon oxide and silicon oxynitride are preferable because they are stable to heat.
  • the insulator 250 is preferably formed using an insulator from which oxygen is released by heating.
  • An insulator from which oxygen is released by heating is provided as the insulator 250 in contact with at least part of the oxide 230c, so that oxygen is effectively supplied to the channel formation region of the oxide 230b and the oxide 230b is removed. Oxygen deficiency in the channel formation region can be reduced. Therefore, it is possible to provide a transistor in which variations in electrical characteristics are suppressed, stable electrical characteristics are obtained, and reliability is improved.
  • the concentration of impurities such as water and hydrogen in the insulator 250 be reduced.
  • the thickness of the insulator 250 is preferably 1 nm or more and 20 nm or less.
  • a metal oxide may be provided between the insulator 250 and the conductor 260.
  • the metal oxide preferably suppresses diffusion of oxygen from the insulator 250 to the conductor 260.
  • oxygen diffusion from the insulator 250 to the conductor 260 is suppressed. That is, a decrease in the amount of oxygen supplied to the oxide 230 can be suppressed.
  • oxidation of the conductor 260 due to oxygen in the insulator 250 can be suppressed.
  • the above metal oxide may have a function as a part of the gate insulator. Therefore, when silicon oxide, silicon oxynitride, or the like is used for the insulator 250, the metal oxide is preferably a high-k material having a high relative dielectric constant.
  • the gate insulator has a stacked structure of the insulator 250 and the above metal oxide, a stacked structure having high heat stability and a high relative dielectric constant can be obtained. Therefore, it is possible to reduce the gate potential applied during the operation of the transistor while maintaining the physical film thickness of the gate insulator. Further, it is possible to reduce the equivalent oxide film thickness (EOT) of the insulator functioning as the gate insulator.
  • EOT equivalent oxide film thickness
  • a metal oxide containing one kind or two or more kinds selected from hafnium, aluminum, gallium, yttrium, zirconium, tungsten, titanium, tantalum, nickel, germanium, magnesium and the like can be used.
  • an insulator containing an oxide of one or both of aluminum and hafnium it is preferable to use an insulator containing an oxide of one or both of aluminum and hafnium.
  • the metal oxide may have a function as a part of the first gate electrode.
  • a metal oxide that can be used as the oxide 230 can be used as the above metal oxide.
  • the conductor 260 by a sputtering method, the electric resistance value of the metal oxide can be reduced and the conductor can be used.
  • the on-state current of the transistor 200 can be improved without weakening the influence of the electric field from the conductor 260.
  • the leakage current between the conductor 260 and the oxide 230 is maintained. Can be suppressed.
  • the physical distance between the conductor 260 and the oxide 230 and the electric field strength applied from the conductor 260 to the oxide 230 can be reduced. It can be easily adjusted appropriately.
  • the conductor 260 preferably has a conductor 260a and a conductor 260b arranged on the conductor 260a.
  • the conductor 260a is preferably arranged so as to surround the bottom surface and the side surface of the conductor 260b.
  • a conductive material having a function of suppressing diffusion of impurities such as hydrogen atoms, hydrogen molecules, water molecules, nitrogen atoms, nitrogen molecules, nitric oxide molecules, and copper atoms.
  • a conductive material having a function of suppressing diffusion of oxygen eg, at least one of oxygen atoms and oxygen molecules is preferably used.
  • the conductor 260a has a function of suppressing diffusion of oxygen, it is possible to prevent oxygen contained in the insulator 250 from oxidizing the conductor 260b to reduce the conductivity.
  • a conductive material having a function of suppressing diffusion of oxygen for example, tantalum, tantalum nitride, ruthenium, ruthenium oxide, or the like is preferably used.
  • the conductor 260 also functions as a wiring, it is preferable to use a conductor having high conductivity.
  • the conductor 260b can be formed using a conductive material containing tungsten, copper, or aluminum as its main component.
  • the conductor 260b may have a stacked structure, for example, a stacked structure of titanium or titanium nitride and the above conductive material.
  • the conductor 260 is shown as a two-layer structure of a conductor 260a and a conductor 260b, but may have a single-layer structure or a laminated structure of three or more layers.
  • the conductor 260 is formed in a self-aligned manner so as to fill the opening formed in the insulator 280 or the like.
  • the conductor 260 can be reliably arranged in the region between the conductor 240a and the conductor 240b without alignment.
  • the top surface of the conductor 260 is substantially aligned with the top surface of the insulator 250 and the top surface of the oxide 230c.
  • a bottom surface of a region of the conductor 260 where the conductor 260 and the oxide 230b do not overlap is preferably lower than a bottom surface of the oxide 230b.
  • the conductor 260 functioning as a gate electrode covers the side surface and the upper surface of the channel formation region of the oxide 230b with the insulator 250 or the like interposed therebetween, so that the electric field of the conductor 260 is applied to the channel formation region of the oxide 230b. It becomes easy to act on the whole. Therefore, the on-state current of the transistor 200 can be increased and the frequency characteristics can be improved.
  • Is T1 and T1 is 0 nm or more and 100 nm or less, preferably 3 nm or more and 50 nm or less, and more preferably 5 nm or more and 20 nm or less.
  • the insulator 280 is provided on the insulator 224, the oxide 230, the conductor 240a, and the conductor 240b.
  • the insulator 280 is provided at least in contact with the side surface of the oxide 230. Further, the upper surface of the insulator 280 may be flattened.
  • the insulator 280 functioning as an interlayer film preferably has a low dielectric constant.
  • the insulator 280 is preferably provided using a material similar to that of the insulator 216, for example.
  • silicon oxide and silicon oxynitride are preferable because they are thermally stable.
  • a material such as silicon oxide, silicon oxynitride, or silicon oxide having pores is preferable because a region containing oxygen which is released by heating can be easily formed.
  • the concentration of impurities such as water and hydrogen in the insulator 280 is reduced.
  • the insulator 280 preferably has a low hydrogen concentration and has an excess oxygen region or excess oxygen; for example, a material similar to that of the insulator 216 may be used.
  • the insulator 280 may have a stacked structure including two or more layers.
  • the insulator 282 preferably functions as an insulating barrier film that suppresses diffusion of impurities such as water and hydrogen from above into the insulator 280.
  • the insulator 282 preferably has a low hydrogen concentration and has a function of suppressing diffusion of hydrogen, like the insulator 214 and the like.
  • the insulator 282 is preferably in contact with the top surfaces of the conductor 260, the insulator 250, and the oxide 230c.
  • impurities such as hydrogen contained in the insulator 284 and the like can be prevented from entering the insulator 250. Therefore, adverse effects on the electrical characteristics of the transistor and the reliability of the transistor can be suppressed.
  • the insulator 284 preferably has a low dielectric constant similarly to the insulator 216 and the like.
  • the insulator 284 preferably has a reduced concentration of impurities such as water and hydrogen in the film, like the insulator 224 and the like.
  • the resistivity is 1.0 ⁇ 10 13 ⁇ cm or more and 1.0 ⁇ 10 15 ⁇ cm or less, preferably 5.0 ⁇ 10 13 ⁇ cm or more and 5.0 ⁇ 10 14 so as to cover the conductor. It is preferable to provide an insulator having an ⁇ cm or less. By providing an insulator having the above resistivity on the conductor, the insulator disperses charges accumulated between wirings of the transistor 200, the conductor, and the like while maintaining insulating property. This is preferable because it can suppress characteristic defects and electrostatic breakdown of the transistor and the electronic device including the transistor due to the charge.
  • ⁇ substrate As a substrate for forming the transistor 200, for example, an insulator substrate, a semiconductor substrate, or a conductor substrate may be used.
  • the insulating substrate include a glass substrate, a quartz substrate, a sapphire substrate, a stabilized zirconia substrate (such as a yttria-stabilized zirconia substrate), and a resin substrate.
  • the semiconductor substrate include a semiconductor substrate made of silicon and germanium, a compound semiconductor substrate made of silicon carbide, silicon germanium, gallium arsenide, indium phosphide, zinc oxide, and gallium oxide.
  • a semiconductor substrate having an insulator region inside the above-mentioned semiconductor substrate for example, an SOI (Silicon On Insulator) substrate.
  • the conductor substrate include a graphite substrate, a metal substrate, an alloy substrate, and a conductive resin substrate.
  • a substrate including a metal nitride, a substrate including a metal oxide, or the like can be given.
  • a substrate in which a conductor or a semiconductor is provided on an insulator substrate a substrate in which a conductor or an insulator is provided in a semiconductor substrate, a substrate in which a semiconductor or an insulator is provided on a conductor substrate, and the like.
  • a substrate provided with an element may be used.
  • the elements provided on the substrate include a capacitance element, a resistance element, a switch element, a light emitting element, a storage element, and the like.
  • insulator examples include an insulating oxide, a nitride, an oxynitride, a nitrided oxide, a metal oxide, a metal oxynitride, and a metal nitride oxide.
  • the gate insulator may cause problems such as leakage current.
  • a high-k material for the insulator functioning as a gate insulator it is possible to reduce the voltage during transistor operation while maintaining the physical film thickness.
  • a material having a low relative dielectric constant for the insulator functioning as the interlayer film it is possible to reduce the parasitic capacitance generated between the wirings. Therefore, the material may be selected depending on the function of the insulator.
  • gallium oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, an oxide containing aluminum and hafnium, an oxynitride containing aluminum and hafnium, an oxide containing silicon and hafnium, and silicon and hafnium are given. And the like, or a nitride containing silicon and hafnium.
  • silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride oxide, silicon nitride, silicon oxide added with fluorine, silicon oxide added with carbon, silicon oxide added with carbon and nitrogen, empty Silicon oxide having holes, resin, or the like is used as the insulator having a low relative dielectric constant.
  • a transistor including a metal oxide is an insulator having a function of suppressing permeation of impurities such as hydrogen and oxygen (an insulator 214, an insulator 222, an insulator 245a, an insulator 245b, an insulator 282, or the like).
  • impurities such as hydrogen and oxygen
  • Examples of the insulator having a function of suppressing the penetration of impurities such as hydrogen and oxygen include boron, carbon, nitrogen, oxygen, fluorine, magnesium, aluminum, silicon, phosphorus, chlorine, argon, gallium, germanium, yttrium, and zirconium.
  • Insulators containing lanthanum, lanthanum, neodymium, hafnium, or tantalum may be used in a single layer or stacked layers.
  • an insulator having a function of suppressing permeation of impurities such as hydrogen and oxygen aluminum oxide, magnesium oxide, gallium oxide, germanium oxide, yttrium oxide, zirconium oxide, lanthanum oxide, neodymium oxide, hafnium oxide
  • a metal oxide such as tantalum oxide, a metal nitride such as aluminum nitride, silicon nitride oxide, or silicon nitride can be used.
  • the insulator functioning as a gate insulator is preferably an insulator having a region containing oxygen which is released by heating.
  • the structure in which silicon oxide or silicon oxynitride having a region containing oxygen which is released by heating is in contact with the oxide 230, oxygen vacancies in the oxide 230 can be compensated.
  • ⁇ conductor aluminum, chromium, copper, silver, gold, platinum, tantalum, nickel, titanium, molybdenum, tungsten, hafnium, vanadium, niobium, manganese, magnesium, zirconium, beryllium, indium, ruthenium, iridium, strontium, lanthanum. It is preferable to use a metal element selected from the above, an alloy containing the above metal element as a component, an alloy in which the above metal elements are combined, or the like.
  • tantalum nitride, titanium nitride, tungsten, nitride containing titanium and aluminum, nitride containing tantalum and aluminum, ruthenium oxide, ruthenium nitride, oxide containing strontium and ruthenium, oxide containing lanthanum and nickel, or the like is used. It is preferable. Further, tantalum nitride, titanium nitride, nitride containing titanium and aluminum, nitride containing tantalum and aluminum, ruthenium oxide, ruthenium nitride, oxide containing strontium and ruthenium, and oxide containing lanthanum and nickel are difficult to oxidize.
  • a conductive material or a material that maintains conductivity even when absorbing oxygen is preferable.
  • a semiconductor having high electric conductivity which is typified by polycrystalline silicon containing an impurity element such as phosphorus, or silicide such as nickel silicide may be used.
  • a plurality of conductive layers formed of the above materials may be laminated and used.
  • a stacked structure in which the above-described material containing a metal element and a conductive material containing oxygen are combined may be used.
  • a stacked structure in which the above-described material containing a metal element and a conductive material containing nitrogen are combined may be used.
  • a stacked structure in which the above-described material containing a metal element, a conductive material containing oxygen, and a conductive material containing nitrogen are combined may be used.
  • a stacked-layer structure in which the above-described material containing a metal element and a conductive material containing oxygen are combined is used for a conductor functioning as a gate electrode.
  • a conductive material containing oxygen is preferably provided on the channel formation region side.
  • a conductive material containing oxygen and a metal element contained in a metal oxide in which a channel is formed as a conductor functioning as a gate electrode.
  • a conductive material containing the above metal element and nitrogen may be used.
  • a conductive material containing nitrogen such as titanium nitride or tantalum nitride may be used.
  • indium tin oxide, indium oxide containing tungsten oxide, indium zinc oxide containing tungsten oxide, indium oxide containing titanium oxide, indium tin oxide containing titanium oxide, indium zinc oxide, and silicon were added.
  • Indium tin oxide may be used.
  • indium gallium zinc oxide containing nitrogen may be used.
  • metal oxide As the oxide 230, a metal oxide (oxide semiconductor) which functions as a semiconductor is preferably used.
  • the metal oxide applicable to the oxide 230 according to the present invention will be described below.
  • the metal oxide preferably contains at least indium or zinc. In particular, it is preferable to contain indium and zinc. In addition to these, it is preferable that aluminum, gallium, yttrium, tin, and the like are contained. Further, one or more selected from boron, titanium, iron, nickel, germanium, zirconium, molybdenum, lanthanum, cerium, neodymium, hafnium, tantalum, tungsten, magnesium and the like may be contained.
  • the metal oxide is an In-M-Zn oxide containing indium, the element M, and zinc.
  • the element M is aluminum, gallium, yttrium, or tin.
  • Other elements applicable to the element M include boron, titanium, iron, nickel, germanium, zirconium, molybdenum, lanthanum, cerium, neodymium, hafnium, tantalum, tungsten and magnesium.
  • a combination of a plurality of the above-mentioned elements may be used as the element M.
  • metal oxides having nitrogen may be collectively referred to as metal oxides. Further, the metal oxide containing nitrogen may be referred to as a metal oxynitride.
  • Oxide semiconductors are classified into single crystal oxide semiconductors and non-single crystal oxide semiconductors other than those.
  • the non-single-crystal oxide semiconductor for example, a CAAC-OS, a polycrystalline oxide semiconductor, an nc-OS (nanocrystal oxide semiconductor), a pseudo-amorphous oxide semiconductor (a-like OS: amorphous-like oxide semiconductor), And amorphous oxide semiconductors.
  • CAAC-OS has a crystal structure having a c-axis orientation and a plurality of nanocrystals connected in the ab plane direction and having a strain.
  • the strain refers to a portion in which the orientation of the lattice arrangement is changed between a region where the lattice arrangement is uniform and another region where the lattice arrangement is uniform in the region where a plurality of nanocrystals are connected.
  • Nanocrystals are basically hexagonal, but they are not limited to regular hexagons and may be non-regular hexagons.
  • the strain may have a lattice arrangement such as a pentagon and a heptagon. Note that in the CAAC-OS, it is difficult to confirm a clear crystal grain boundary (grain boundary) even in the vicinity of strain. That is, it is understood that the distortion of the lattice arrangement suppresses the formation of crystal grain boundaries. This is because the CAAC-OS can tolerate strain due to a non-dense arrangement of oxygen atoms in the ab plane direction, a change in bond distance between atoms due to substitution with a metal element, or the like. This is because.
  • the CAAC-OS is a layered crystal in which a layer containing indium and oxygen (hereinafter, an In layer) and a layer containing elements M, zinc, and oxygen (hereinafter, a (M, Zn) layer) are stacked. It tends to have a structure (also called a layered structure).
  • indium and the element M can be replaced with each other, and when the element M of the (M, Zn) layer is replaced with indium, it can be expressed as an (In, M, Zn) layer.
  • the indium in the In layer is replaced with the element M, it can be expressed as an (In, M) layer.
  • CAAC-OS is a metal oxide with high crystallinity.
  • the CAAC-OS since it is difficult to confirm a clear crystal grain boundary, it can be said that a decrease in electron mobility due to the crystal grain boundary is unlikely to occur.
  • the crystallinity of a metal oxide might be lowered due to the inclusion of impurities, the generation of defects, or the like; therefore, the CAAC-OS can be referred to as a metal oxide with few impurities and defects (such as oxygen vacancies). Therefore, the metal oxide having CAAC-OS has stable physical properties. Therefore, the metal oxide having CAAC-OS is highly heat resistant and highly reliable.
  • Nc-OS has a periodic atomic arrangement in a minute region (for example, a region of 1 nm or more and 10 nm or less, particularly a region of 1 nm or more and 3 nm or less). Moreover, in the nc-OS, no regularity is found in the crystal orientation between different nanocrystals. Therefore, no orientation is seen in the entire film. Therefore, the nc-OS may be indistinguishable from the a-like OS or the amorphous oxide semiconductor depending on the analysis method.
  • In-Ga-Zn oxide which is a kind of metal oxide containing indium, gallium, and zinc, may have a stable structure by using the above-described nanocrystal. is there.
  • IGZO tends to have difficulty in crystal growth in the atmosphere, and thus a smaller crystal (for example, the above-mentioned nanocrystal) is used than a large crystal (here, a crystal of several mm or a crystal of several cm).
  • a large crystal here, a crystal of several mm or a crystal of several cm.
  • it may be structurally stable.
  • the a-like OS is a metal oxide having a structure between the nc-OS and the amorphous oxide semiconductor.
  • the a-like OS has a void or a low density region. That is, the crystallinity of the a-like OS is lower than that of the nc-OS and the CAAC-OS.
  • Oxide semiconductors have various structures, and each has different characteristics.
  • the oxide semiconductor of one embodiment of the present invention may include two or more of an amorphous oxide semiconductor, a polycrystalline oxide semiconductor, an a-like OS, an nc-OS, and a CAAC-OS.
  • the transistor When impurities are mixed in the oxide semiconductor, defect levels or oxygen vacancies may be formed. Therefore, when impurities are mixed in the channel formation region of the oxide semiconductor, the electrical characteristics of the transistor including the oxide semiconductor are likely to change and reliability may be deteriorated. If the channel formation region contains oxygen vacancies, the transistor is likely to have normally-on characteristics.
  • the above defect levels may include trap levels.
  • the charge trapped in the trap level of the metal oxide takes a long time to disappear and may behave like a fixed charge. Therefore, a transistor including a metal oxide with a high trap level density in a channel formation region might have unstable electrical characteristics.
  • the crystallinity of the channel formation region may be lowered, and the crystallinity of the oxide provided in contact with the channel formation region may be lowered.
  • the stability or reliability of the transistor tends to be deteriorated.
  • the crystallinity of the oxide provided in contact with the channel formation region is low, an interface state is formed, which might deteriorate the stability or reliability of the transistor.
  • Impurities include hydrogen, nitrogen, alkali metals, alkaline earth metals, iron, nickel, silicon and the like.
  • the concentration of the above impurity obtained by SIMS is 1 ⁇ 10 18 atoms / cm 3 or less, preferably 2 ⁇ 10 16 atoms / cm 3 or less.
  • the concentration of the impurity obtained by elemental analysis using energy dispersive X-ray spectroscopy is 1.0 atomic%.
  • the concentration ratio of the impurity to the element M in the channel formation region of the oxide semiconductor and the vicinity thereof is less than 0.10, preferably 0.05. Less than Here, the concentration of the element M used when calculating the concentration ratio may be the concentration in the same region as the region in which the impurity concentration is calculated, or may be the concentration in the oxide semiconductor.
  • the trap level density may be low.
  • FIGS. 5A, 6A, 7A, 8A, 9A, 10A, 11A, 12A, and 13A show top views. Further, FIGS. 5B, 6B, 7B, 8B, 9B, 10B, 11B, 12B, and 13B are shown in FIGS. 5A, 6A, 7A, 8A, 9A, and 10A, respectively.
  • 11A, FIG. 12A, and FIG. 13A are cross-sectional views corresponding to the portion indicated by dashed-dotted line A1-A2 in FIG. 11A, and are also cross-sectional views in the channel length direction of the transistor 200. Further, FIGS. 5C, 6C, 7C, 8C, 9C, 10C, 11C, 12C, and 13C are shown in FIGS.
  • FIG. 12A, and FIG. 13A are cross-sectional views corresponding to the portion indicated by dashed-dotted line A3-A4 in FIG. 11A, and are also cross-sectional views of the transistor 200 in the channel width direction.
  • 5D, 6D, 7D, 8D, 9D, 10D, 11D, 12D, and 13D are shown in FIGS. 5A, 6A, 7A, 8A, 9A, and 10A, respectively.
  • 11A, FIG. 12A, and FIG. 13A are cross-sectional views of a portion indicated by a chain line A5-A6 in FIG.
  • FIGS. 5A, 6A, 7A, 8A, 9A, 10A, 11A, 12A, and 13A some elements are omitted for the sake of clarity.
  • a substrate (not shown) is prepared, and an insulator 214 is formed on the substrate.
  • the insulator 214 is formed by a sputtering method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a molecular beam epitaxy (MBE) method, a pulsed laser deposition (PLD: Pulsed Laser Deposition) method. It can be performed using a deposition (ALD: Atomic Layer Deposition) method or the like.
  • the CVD method can be classified into a plasma CVD (PECVD: Plasma Enhanced CVD) method that uses plasma, a thermal CVD (TCVD: Thermal CVD) method that uses heat, and a photo CVD (Photo CVD) method that uses light. . Further, it can be divided into a metal CVD (MCVD: Metal CVD) method and an organic metal CVD (MOCVD: Metal Organic CVD) method depending on the raw material gas used.
  • PECVD Plasma Enhanced CVD
  • TCVD Thermal CVD
  • Photo CVD Photo CVD
  • MCVD Metal CVD
  • MOCVD Metal Organic CVD
  • the plasma CVD method can obtain a high quality film at a relatively low temperature.
  • the thermal CVD method is a film forming method that does not cause plasma damage to an object to be processed because plasma is not used.
  • a wiring, an electrode, an element (a transistor, a capacitor, or the like) included in a semiconductor device might be charged up by receiving electric charge from plasma. At this time, the accumulated charges may destroy wirings, electrodes, elements, and the like included in the semiconductor device.
  • the thermal CVD method that does not use plasma, such plasma damage does not occur, so that the yield of semiconductor devices can be increased.
  • plasma damage does not occur during film formation, so that a film with few defects can be obtained.
  • the ALD method utilizes the self-controllability, which is a property of atoms, and allows atoms to be deposited one by one. Therefore, it is possible to form an extremely thin film and to form a film with a high aspect ratio. It is possible to form a film with few defects such as holes, form a film with excellent coverage, and form a film at a low temperature.
  • the ALD method also includes a PEALD (Plasma Enhanced ALD) method using plasma. By using plasma, film formation at a lower temperature becomes possible, which may be preferable. Note that some precursors used in the ALD method include impurities such as carbon.
  • a film formed by the ALD method may contain a large amount of impurities such as carbon as compared with a film formed by another film formation method.
  • the impurities can be quantified by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS: X-ray Photoelectron Spectroscopy).
  • the CVD method and the ALD method are film forming methods in which a film is formed by a reaction on the surface of an object to be processed, unlike the film forming method in which particles emitted from a target or the like are deposited. Therefore, the film forming method is not easily affected by the shape of the object to be processed and has good step coverage.
  • the ALD method has excellent step coverage and excellent thickness uniformity, and thus is suitable for coating the surface of the opening having a high aspect ratio.
  • the ALD method since the ALD method has a relatively low film forming speed, it may be preferable to use it in combination with another film forming method such as a CVD method having a high film forming speed.
  • the composition of the obtained film can be controlled by the flow rate ratio of the source gas.
  • a film having an arbitrary composition can be formed depending on the flow rate ratio of the source gas.
  • a film having a continuously changed composition can be formed by changing the flow rate ratio of the source gas during film formation.
  • a silicon nitride film is formed as the insulator 214 by a sputtering method. Further, the insulator 214 may have a multi-layer structure.
  • the insulator 216 is formed over the insulator 214.
  • the insulator 216 can be formed by a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like.
  • silicon oxynitride is formed by a CVD method.
  • an opening reaching the insulator 214 is formed in the insulator 216.
  • the openings include, for example, grooves and slits.
  • the area where the opening is formed may be referred to as an opening.
  • the opening may be formed by wet etching, but dry etching is preferable for fine processing.
  • the insulator 214 it is preferable to select an insulator that functions as an etching stopper film when the insulator 216 is etched to form a groove. For example, when silicon oxynitride is used for the insulator 216 which forms the groove, silicon nitride, aluminum oxide, or hafnium oxide is preferably used for the insulator 214.
  • a capacitively coupled plasma (CCP) etching device having parallel plate electrodes can be used as the dry etching device.
  • the capacitively coupled plasma etching apparatus having the parallel plate electrodes may be configured to apply a high frequency voltage to one of the parallel plate electrodes.
  • a plurality of different high frequency voltages may be applied to one of the parallel plate electrodes.
  • the high frequency voltage of the same frequency may be applied to each of the parallel plate electrodes.
  • a configuration may be adopted in which high frequency voltages having different frequencies are applied to the parallel plate electrodes.
  • a dry etching device having a high-density plasma source can be used.
  • an inductively coupled plasma (ICP: Inductively Coupled Plasma) etching apparatus can be used as a dry etching apparatus having a high-density plasma source.
  • a conductive film to be the first conductor of the conductor 205 is formed.
  • the conductive film preferably contains a conductor having a function of suppressing permeation of oxygen.
  • a conductor having a function of suppressing permeation of oxygen for example, tantalum nitride, tungsten nitride, titanium nitride, or the like can be used.
  • a stacked film of a conductor having a function of suppressing permeation of oxygen and tantalum, tungsten, titanium, molybdenum, aluminum, copper, or a molybdenum-tungsten alloy can be used.
  • the conductive film can be formed by a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like.
  • a tantalum nitride film or a film in which titanium nitride is stacked over tantalum nitride is formed by a sputtering method as a conductive film to be the first conductor of the conductor 205.
  • a conductive film to be the second conductor of the conductor 205 is formed over the conductive film to be the first conductor of the conductor 205.
  • the conductive film can be formed by a plating method, a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like.
  • a tungsten film is formed as the conductive film.
  • a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process is performed to remove a part of the conductive film to be the first conductor of the conductor 205 and the conductive film to be the second conductor of the conductor 205.
  • the insulator 216 is exposed.
  • the conductive film that serves as the first conductor of the conductor 205 and the conductive film that serves as the second conductor of the conductor 205 remain only in the opening. Accordingly, the conductor 205 including the first conductor of the conductor 205 and the second conductor of the conductor 205 whose top surface is flat can be formed (see FIGS. 5A to 5C).
  • the conductor 205 is formed, part of the second conductor of the conductor 205 is removed, a groove is formed in the second conductor of the conductor 205, and the conductor is formed so as to fill the groove.
  • a step of forming a conductive film over the 205 and the insulator 216 and performing CMP treatment may be performed. By the CMP treatment, part of the conductive film is removed and the insulator 216 is exposed. Note that part of the second conductor of the conductor 205 may be removed by a dry etching method or the like.
  • the conductor 205 including the conductive film having a flat upper surface can be formed.
  • crystallinity of the oxide 230a, the oxide 230b, and the oxide 230c can be improved.
  • the conductive film may be formed using the same material as the first conductor of the conductor 205 or the second conductor of the conductor 205.
  • a conductive film to be the conductor 205 is formed over the insulator 214.
  • the conductive film can be formed by a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like. Further, the conductive film can be a multilayer film. For example, a tungsten film is formed as the conductive film.
  • the conductive film to be the conductor 205 is processed by a lithography method to form the conductor 205.
  • the resist is exposed through the mask.
  • the exposed region is removed or left using a developing solution to form a resist mask.
  • the conductor, the semiconductor, the insulator, or the like can be processed into a desired shape by etching through the resist mask.
  • the resist mask may be formed by exposing the resist using KrF excimer laser light, ArF excimer laser light, EUV (Extreme Ultraviolet) light, or the like.
  • an immersion technique may be used in which a liquid (for example, water) is filled between the substrate and the projection lens for exposure.
  • an electron beam or an ion beam may be used instead of the above-mentioned light.
  • the resist mask can be removed by performing dry etching treatment such as ashing, performing wet etching treatment, performing wet etching treatment after dry etching treatment, or performing dry etching treatment after wet etching treatment.
  • a hard mask made of an insulator or a conductor may be used instead of the resist mask.
  • a hard mask an insulating film or a conductive film serving as a hard mask material is formed over a conductive film serving as a conductor 205, a resist mask is formed thereover, and the hard mask material is etched to have a desired shape.
  • a hard mask can be formed.
  • the etching of the conductive film to be the conductor 205 may be performed after removing the resist mask, or may be performed with the resist mask left. In the latter case, the resist mask may disappear during etching.
  • the hard mask may be removed by etching.
  • the material of the hard mask does not affect the post-process or can be used in the post-process, it is not always necessary to remove the hard mask.
  • an insulating film to be the insulator 216 is formed over the insulator 214 and the conductor 205.
  • the insulating film is formed so as to be in contact with the top surface and the side surface of the conductor 205.
  • the insulating film can be formed by a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like.
  • the thickness of the insulating film to be the insulator 216 be equal to or larger than that of the conductor 205.
  • the film thickness of the conductor 205 is 1, the film thickness of the insulating film to be the insulator 216 is 1 or more and 3 or less.
  • the conductor 205 and the insulator 216 each having a flat upper surface can be formed.
  • the above is a different method for forming the conductor 205.
  • the insulator 222 is formed over the insulator 216 and the conductor 205.
  • the insulator 222 can be formed by a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like.
  • hafnium oxide or aluminum oxide is formed by an ALD method.
  • the heat treatment may be performed at 250 ° C to 650 ° C inclusive, preferably 300 ° C to 500 ° C inclusive, and more preferably 320 ° C to 450 ° C inclusive.
  • the heat treatment is performed in an atmosphere of a nitrogen gas or an inert gas, or an atmosphere containing an oxidizing gas at 10 ppm or more, 1% or more, or 10% or more.
  • the heat treatment may be performed under reduced pressure.
  • the heat treatment is performed in an atmosphere of nitrogen gas or an inert gas, and then is performed in an atmosphere containing an oxidizing gas at 10 ppm or more, 1% or more, or 10% or more in order to supplement desorbed oxygen. May be.
  • the treatment is performed in a nitrogen atmosphere at a temperature of 400 ° C. for one hour, and then continuously in an oxygen atmosphere at a temperature of 400 ° C. for one hour. Perform processing.
  • impurities such as water and hydrogen contained in the insulator 222 can be removed. Further, the heat treatment can be performed at a timing after the insulator 224 is formed.
  • the insulator 224 is formed over the insulator 222.
  • the insulator 224 can be formed by a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like.
  • silicon oxynitride is formed by a CVD method.
  • plasma treatment containing oxygen may be performed under reduced pressure.
  • the plasma treatment containing oxygen it is preferable to use an apparatus having a power source for generating high-density plasma using microwaves, for example.
  • the substrate may have a power source for applying RF.
  • high-density plasma high-density oxygen radicals can be generated, and by applying RF to the substrate side, oxygen radicals generated by high-density plasma can be efficiently introduced into the insulator 224. it can.
  • plasma treatment containing oxygen may be performed to supplement desorbed oxygen. Note that impurities such as water and hydrogen contained in the insulator 224 can be removed by appropriately selecting the conditions of the plasma treatment. In that case, heat treatment may not be performed.
  • CMP treatment may be performed until the insulator 224 is reached.
  • the surface of the insulator 224 can be planarized and smoothed.
  • the end point of the CMP process can be easily detected.
  • the insulator 224 may be partially polished by the CMP treatment to reduce the thickness of the insulator 224, the thickness may be adjusted when the insulator 224 is formed.
  • oxygen can be added to the insulator 224 by depositing aluminum oxide over the insulator 224 by a sputtering method, which is preferable.
  • an oxide film 230A and an oxide film 230B are sequentially formed over the insulator 224 (see FIGS. 5B to 5D).
  • the oxide film 230A and the oxide film 230B are preferably formed continuously without being exposed to the atmospheric environment. By forming the film without exposing to the atmosphere, it is possible to prevent impurities or moisture from the atmospheric environment from adhering to the oxide film 230A and the oxide film 230B, and to prevent the vicinity of the interface between the oxide film 230A and the oxide film 230B. Can be kept clean.
  • the oxide film 230A and the oxide film 230B can be formed by a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like.
  • oxygen or a mixed gas of oxygen and a rare gas is used as a sputtering gas.
  • a sputtering gas By increasing the proportion of oxygen contained in the sputtering gas, excess oxygen in the oxide film to be formed can be increased.
  • the above oxide film is formed by the sputtering method, the above In-M-Zn oxide target or the like can be used.
  • part of oxygen contained in the sputtering gas may be supplied to the insulator 224 when the oxide film 230A is formed. Therefore, the proportion of oxygen contained in the sputtering gas may be 70% or higher, preferably 80% or higher, more preferably 100%.
  • the oxide film 230B is formed by a sputtering method
  • the ratio of oxygen contained in the sputtering gas is greater than 30% and 100% or less, preferably 70% or more and 100% or less
  • the oxygen excess type oxidation is performed.
  • a physical semiconductor is formed.
  • a transistor including an oxygen-excess oxide semiconductor in a channel formation region has relatively high reliability.
  • one embodiment of the present invention is not limited to this.
  • the oxide film 230B is formed by a sputtering method, if the proportion of oxygen contained in the sputtering gas is 1% to 30% inclusive, preferably 5% to 20% inclusive, an oxygen-deficient oxide semiconductor is formed. It A transistor including an oxygen-deficient oxide semiconductor in a channel formation region can have relatively high field-effect mobility. Further, by forming the film while heating the substrate, the crystallinity of the oxide film can be improved.
  • the insulator 222, the insulator 224, the oxide film 230A, and the oxide film 230B are preferably formed without being exposed to the air.
  • a multi-chamber deposition apparatus may be used.
  • heat treatment may be performed.
  • the heat treatment conditions described above can be used for the heat treatment.
  • impurities such as water and hydrogen in the oxide film 230A and the oxide film 230B can be removed.
  • a treatment at a temperature of 400 ° C. for 1 hour is continuously performed in an oxygen atmosphere.
  • a conductive film 240A is formed on the oxide film 230B.
  • the conductive film 240A can be formed by a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like (see FIGS. 5B to 5D).
  • heat treatment may be performed before the formation of the conductive film 240A.
  • the heat treatment may be performed under reduced pressure, and the conductive film 240A may be continuously formed without being exposed to the air.
  • moisture and hydrogen adsorbed on the surface of the oxide film 230B or the like can be removed, and the moisture concentration and the hydrogen concentration in the oxide film 230A and the oxide film 230B can be further reduced.
  • the temperature of the heat treatment is preferably 100 ° C or higher and 400 ° C or lower. In this embodiment mode, the temperature of the heat treatment is 200 ° C.
  • an insulating film 245A which functions as a barrier layer is formed (see FIGS. 5B to 5D).
  • an aluminum oxide film may be formed by the ALD method as the insulating film 245A.
  • ALD method a dense film can be formed in which defects such as cracks and pinholes are reduced or which has a uniform thickness.
  • a film 290A serving as a hard mask is formed over the insulating film 245A (see FIGS. 5B to 5D).
  • a tungsten film or a tantalum nitride film may be formed by a sputtering method as the hard mask film 290A.
  • a resist mask 292 is formed over the film 290A serving as a hard mask by a photolithography method (see FIGS. 5A to 5D).
  • the hard mask 290B and the insulating layer 245B are formed by selectively removing part of the hard mask film 290A and the insulating film 245A using the resist mask 292 (see FIGS. 6A to 6D). .
  • part of the conductive film 240A is selectively removed using the hard mask 290B and the insulating layer 245B to form an island-shaped conductive layer 240B (see FIGS. 7A to 7D). At this time, part or all of the hard mask 290B may be removed.
  • the oxide film 230A and part of the oxide film 230B are selectively removed using the island-shaped conductive layer 240B, the insulating layer 245B, and the hard mask 290B as masks. Note that in this step, part of the insulator 224 may be removed at the same time. After that, the hard mask 290B is removed, whereby a stacked structure of the island-shaped oxide 230a, the island-shaped oxide 230b, the island-shaped conductive layer 240B, and the island-shaped insulating layer 245B can be formed (FIG. 8A). See FIG. 8D.).
  • the side surfaces of the oxide 230b and the conductive layer 240B are preferably substantially perpendicular to the upper surface of the insulator 224.
  • the angle ⁇ shown in FIG. 1D is 60 degrees or more and 95 degrees or less, and preferably 88 degrees or more and 92 degrees or less. Since the side surfaces of the oxide 230b and the conductive layer 240B are substantially perpendicular to the top surface of the insulator 224, a small area and high density can be achieved when the plurality of transistors 200 are provided. Further, by forming the conductive layer 240B into the above-described shape, a contact area with a wiring layer to be formed later can be increased. Therefore, it is possible to suppress an increase in contact resistance between the conductive layer 240B and the wiring layer.
  • the mask when a resist mask is used, the mask may be side-etched during etching, exposing the end surface of the workpiece and rounding the corners.
  • the defect is large in the conductor 240a and the conductor 240b, the volume of the conductor 240a and the conductor 240b may be smaller than the design value, and the on-state current may be small.
  • the shape of the hard mask is maintained during etching, and it is possible to prevent the work piece from having a defective shape.
  • the etch rate of the material used for the hard mask is 1, the material having the etch rate of 5 or more, preferably 10 or more is preferably used as the mask.
  • an insulating film to be the insulator 280 is formed over the stacked structure of the island-shaped oxide 230a, the island-shaped oxide 230b, the island-shaped conductive layer 240B, and the island-shaped insulating layer 245B.
  • the insulating film can be formed by a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like.
  • a silicon oxide film is formed as the insulating film by a CVD method or a sputtering method.
  • heat treatment may be performed before the formation of the insulating film. The heat treatment may be performed under reduced pressure, and the insulating film may be continuously formed without being exposed to the air.
  • the insulating film serving as the insulator 280 may have a multi-layer structure.
  • a structure in which a silicon oxide film is formed by a sputtering method and a silicon oxide film is formed over the silicon oxide film by a CVD method may be employed.
  • the insulating film to be the insulator 280 is subjected to CMP treatment to form the insulator 280 having a flat upper surface (see FIGS. 8B to 8D).
  • part of the insulator 280, part of the insulating layer 245B, and part of the conductive layer 240B are processed to form an opening reaching the oxide 230b. It is preferable that the opening be formed so as to overlap with the conductor 205. By forming the opening, the conductor 240a, the conductor 240b, the insulator 245a, and the insulator 245b are formed. At this time, the thickness of a region of the oxide 230b which overlaps with the opening may be thin (see FIGS. 9A to 9C).
  • part of the insulator 280, part of the insulating layer 245B, and part of the conductive layer 240B may be processed under different conditions.
  • part of the insulator 280 may be processed by dry etching
  • part of the insulating layer 245B may be processed by wet etching
  • part of the conductive layer 240B may be processed by dry etching.
  • the impurities such as the oxide 230a and the oxide 230b that are attached to the surface or diffused inside.
  • the impurities a component contained in the insulator 280, the insulating layer 245B, and the conductive layer 240B, a component contained in a member used in a device used for forming the opening, a gas or a liquid used for etching.
  • the components include the components contained in.
  • the impurities include aluminum, silicon, tantalum, fluorine and chlorine.
  • -A cleaning process may be performed to remove the above impurities.
  • the cleaning method include wet cleaning using a cleaning liquid, plasma treatment using plasma, cleaning by heat treatment, and the like, and the above cleaning may be performed in appropriate combination.
  • cleaning treatment may be performed using an aqueous solution of ammonia water, oxalic acid, phosphoric acid, hydrofluoric acid, etc. diluted with carbonated water or pure water, pure water, carbonated water, or the like. Further, ultrasonic cleaning using these aqueous solution, pure water, or carbonated water may be performed. In addition, these washings may be combined appropriately.
  • heat treatment may be performed.
  • the heat treatment is preferably performed in an atmosphere containing oxygen.
  • the heat treatment may be performed under reduced pressure, and the oxide film 230C may be continuously formed without being exposed to the air (see FIGS. 10A to 10D).
  • the temperature of the heat treatment is preferably 100 ° C or higher and 400 ° C or lower. In this embodiment mode, the temperature of the heat treatment is 200 ° C.
  • the oxide film 230C can be formed by a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like.
  • the oxide film 230C may be formed by using a film formation method similar to that of the oxide film 230A or the oxide film 230B in accordance with characteristics required for the oxide 230c.
  • the film is formed using an In-Ga-Zn oxide target.
  • part of oxygen contained in the sputtering gas may be supplied to the oxide 230a and the oxide 230b when the oxide film 230C is formed. Therefore, the proportion of oxygen contained in the sputtering gas of the oxide film 230C may be 70% or higher, preferably 80% or higher, more preferably 100%.
  • heat treatment may be performed.
  • the heat treatment may be performed under reduced pressure, and the insulating film 250A may be continuously formed without being exposed to the air.
  • moisture and hydrogen adsorbed on the surface of the oxide film 230C or the like are removed, and the moisture concentration and hydrogen concentration in the oxide 230a, the oxide 230b, and the oxide film 230C are further reduced. be able to.
  • the temperature of the heat treatment is preferably 100 ° C or higher and 400 ° C or lower.
  • the insulating film 250A can be formed by a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like (see FIGS. 10A to 10D).
  • a silicon oxynitride film is formed by a CVD method.
  • the film forming temperature for forming the insulating film 250A is preferably 350 ° C. or higher and lower than 450 ° C., and more preferably around 400 ° C. By forming the insulating film 250A at 400 ° C., an insulating film containing few impurities can be formed.
  • microwave treatment may be performed in an atmosphere containing oxygen and under reduced pressure (see FIGS. 11B to 11D).
  • an electric field generated by the microwave 291 is applied to the insulating film 250A, the oxide 230a, the oxide 230b, and the oxide film 230C, so that the oxide 230a, the oxide 230b, and the oxide film 230C are exposed.
  • V OH can be split into V O and hydrogen.
  • a part of the hydrogen separated may be combined with oxygen to be H 2 O, which is removed from the insulating film 250A, the oxide 230a, the oxide 230b, and the oxide film 230C.
  • part of hydrogen may be gettered to the conductor 240a and the conductor 240b.
  • the hydrogen concentration in the insulating film 250A, the oxide 230a, the oxide 230b, and the oxide film 230C can be reduced.
  • oxygen is supplied to V O that may exist after the V O H in the oxide 230a, the oxide 230b, and the V O H in the oxide film 230C is divided into V O and hydrogen, so that V O is repaired or supplemented. can do.
  • the heat treatment may be performed while maintaining the reduced pressure state after the microwave treatment.
  • hydrogen in the insulating film 250A, the oxide 230a, the oxide 230b, and the oxide film 230C can be efficiently removed.
  • part of hydrogen may be gettered to the conductor 240a and the conductor 240b.
  • the step of performing heat treatment may be repeated a plurality of times while maintaining the reduced pressure state after the microwave treatment. By repeating the heat treatment, hydrogen in the insulating film 250A, the oxide 230a, the oxide 230b, and the oxide film 230C can be removed more efficiently.
  • the heat treatment temperature is preferably 300 ° C. or higher and 500 ° C. or lower.
  • the quality of the insulating film 250A is modified, so that diffusion of hydrogen, water, impurities, and the like can be suppressed. Therefore, diffusion of hydrogen, water, impurities, or the like to the oxide 230 through the insulator 250 is suppressed by a post-process such as formation of a conductive film to be the conductor 260 or a post-process such as heat treatment. be able to.
  • a post-process such as formation of a conductive film to be the conductor 260 or a post-process such as heat treatment.
  • the conductive films 260A and 260B are sequentially formed.
  • the conductive films 260A and 260B can be formed by a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like.
  • the conductive film 260A is formed by an ALD method and the conductive film 260B is formed by a CVD method (see FIGS. 12A to 12D).
  • the oxide film 230C, the insulating film 250A, the conductive film 260A, and the conductive film 260B are polished by CMP treatment until the insulator 280 is exposed.
  • the body 260a and the conductor 260b) are formed (see FIGS. 13A to 13C).
  • the oxide 230c is arranged so as to cover the inner wall (side wall and bottom surface) of the opening reaching the oxide 230b.
  • the insulator 250 is arranged so as to cover the inner wall of the opening via the oxide 230c.
  • the conductor 260 is arranged so as to fill the opening with the oxide 230c and the insulator 250 interposed therebetween.
  • heat treatment may be performed.
  • the treatment is performed at a temperature of 400 ° C. for one hour in a nitrogen atmosphere.
  • moisture concentration and hydrogen concentration in the insulator 250 and the insulator 280 can be reduced.
  • an insulator 282 is formed over the oxide 230c, the insulator 250, the conductor 260, and the insulator 280.
  • the insulator 282 can be formed by a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like.
  • aluminum oxide or silicon nitride is preferably formed by a sputtering method. By forming a film of aluminum oxide or silicon nitride by a sputtering method, diffusion of hydrogen contained in the insulator 284 into the oxide 230 can be suppressed. Further, it is preferable to form the insulator 282 so as to be in contact with the conductor 260 because oxidation of the conductor 260 can be suppressed.
  • oxygen can be supplied to the insulator 280 by forming aluminum oxide as the insulator 282 by a sputtering method.
  • the oxygen supplied to the insulator 280 may be supplied to the channel formation region included in the oxide 230b through the oxide 230c.
  • oxygen contained in the insulator 280 before the insulator 282 is formed is supplied to the channel formation region included in the oxide 230b through the oxide 230c. There are cases.
  • the insulator 282 may have a multi-layer structure.
  • a structure in which aluminum oxide is formed by a sputtering method and silicon nitride is formed over the aluminum oxide by a sputtering method may be employed.
  • heat treatment may be performed.
  • the heat treatment conditions described above can be used for the heat treatment.
  • the moisture concentration and the hydrogen concentration of the insulator 280 can be reduced.
  • oxygen included in the insulator 282 can be injected into the insulator 280.
  • an aluminum oxide film is formed over the insulator 280 or the like by a sputtering method, and then heat treatment is performed using the above-described heat treatment conditions. Further, a step of removing the aluminum oxide film by CMP treatment may be performed. By the step, more oxygen regions can be formed in the insulator 280. Note that in this step, part of the insulator 280, part of the conductor 260, part of the insulator 250, and part of the oxide 230c may be removed.
  • An insulator may be provided between the insulator 280 and the insulator 282.
  • the insulator for example, silicon oxide formed by a sputtering method may be used. By providing the insulator, an excess oxygen region can be formed in the insulator 280.
  • the insulator 284 may be formed over the insulator 282.
  • the insulator 284 can be formed by a sputtering method, a CVD method, an MBE method, a PLD method, an ALD method, or the like (see FIGS. 1B to 1D).
  • a semiconductor device including the transistor 200 illustrated in FIGS. 1A to 1D can be manufactured.
  • an opening may be formed so as to surround the transistor 200, and an insulator having a high barrier property against hydrogen or water may be formed so as to cover the opening.
  • an insulator having a high barrier property against hydrogen or water By wrapping the transistor 200 with the above insulator having a high barrier property, moisture and hydrogen can be prevented from entering from the outside.
  • the plurality of transistors 200 may be collectively wrapped with an insulator having a high barrier property against hydrogen or water.
  • the opening reaching the insulator 214 or the insulator 222 is formed, and the above-described insulator having a high barrier property is provided so as to be in contact with the insulator 214 or the insulator 222.
  • the formation is preferable because it can serve as part of a manufacturing process of the transistor 200.
  • the insulator having a high barrier property against hydrogen or water a material similar to that of the insulator 222 may be used, for example.
  • a semiconductor device with favorable reliability can be provided. Further, according to one embodiment of the present invention, a semiconductor device having favorable electric characteristics can be provided. Further, according to one embodiment of the present invention, a semiconductor device with high on-state current can be provided. Further, according to one embodiment of the present invention, a semiconductor device which can be miniaturized or highly integrated can be provided. Further, according to one embodiment of the present invention, a low power consumption semiconductor device can be provided.
  • FIG. 14A and FIG. 15A show a top view.
  • 14B and FIG. 15B are cross-sectional views corresponding to the portions indicated by the alternate long and short dash line A1-A2 in FIGS. 14A and 15A, respectively.
  • 14C and 15C are cross-sectional views corresponding to the portions indicated by the alternate long and short dash line A3-A4 in FIGS. 14A and 15A, respectively.
  • 14D and 15D are cross-sectional views corresponding to the portions indicated by the alternate long and short dash line A5-A6 in FIGS. 14A and 15A, respectively.
  • FIGS. 14A and 15A some elements are omitted for clarity.
  • FIGS. 14A to 15D structures having the same functions as those of the semiconductor device shown in ⁇ Structure example of semiconductor device> are denoted by the same reference numerals. Also in this item, as the constituent material of the semiconductor device, the materials described in detail in ⁇ Structure example of semiconductor device> can be used.
  • the semiconductor device shown in FIGS. 14A to 14D is different from the semiconductor device shown in FIGS. The difference is that it is provided so as to be in contact with the top surface and side surface of the body 240b, the side surface of the oxide 230b, the side surface of the oxide 230a, and the top surface of the insulator 224.
  • the insulator 254 preferably has a function of suppressing diffusion of one or both of hydrogen and oxygen.
  • the insulator 254 preferably has a function of suppressing diffusion of one or both of hydrogen and oxygen as compared with the insulator 224 and the insulator 280. Accordingly, hydrogen contained in the insulator 280 can be suppressed from diffusing into the oxide 230a and the oxide 230b. Further, by surrounding the insulator 224, the oxide 230, and the like with the insulator 254, impurities such as water and hydrogen can be suppressed from being diffused from the outside to the insulator 224 and the oxide 230. Therefore, the transistor 200 can have favorable electric characteristics and reliability.
  • the insulator 254 is preferably formed by a sputtering method.
  • oxygen can be added in the vicinity of a region of the insulator 224 which is in contact with the insulator 254. Accordingly, oxygen can be supplied to the oxide 230 from the region through the insulator 224.
  • the insulator 254 has a function of suppressing upward diffusion of oxygen, whereby oxygen can be prevented from diffusing from the oxide 230 to the insulator 280.
  • the insulator 222 has a function of suppressing downward diffusion of oxygen, whereby oxygen can be prevented from diffusing from the oxide 230 to the substrate side. In this manner, oxygen is supplied to the channel formation region of the oxide 230. Accordingly, oxygen vacancies in the oxide 230 can be reduced and the normally-on state of the transistor can be suppressed.
  • the insulator 254 for example, an insulator containing an oxide of one or both of aluminum and hafnium may be formed.
  • the insulator 254 is preferably formed by an ALD method. Since the ALD method is a film formation method with good coverage, it is possible to prevent step breaks and the like from being formed due to unevenness of the insulator 254.
  • an insulator containing aluminum nitride may be used. Accordingly, a film having excellent insulating properties and excellent thermal conductivity can be obtained, so that heat dissipation of heat generated when the transistor 200 is driven can be improved.
  • silicon nitride, silicon nitride oxide, or the like can be used.
  • an oxide containing gallium may be used as the insulator 254.
  • An oxide containing gallium is preferable because it may have a function of suppressing diffusion of one or both of hydrogen and oxygen.
  • gallium oxide, gallium zinc oxide, indium gallium zinc oxide, or the like can be used as the oxide containing gallium.
  • indium gallium zinc oxide is used for the insulator 254, a higher atomic ratio of gallium to indium is preferable. By increasing the atomic ratio, the insulating property of the oxide can be increased.
  • the semiconductor device illustrated in FIGS. 15A to 15D is different from the semiconductor devices illustrated in FIGS. 14A to 14D in that the oxide 230c is not provided, and the insulator 254 has a stacked-layer structure of an insulator 254a and an insulator 254b. The points are different.
  • the above-described method can be used for forming the insulator 254a and the insulator 254b, and the insulator 254a and the insulator 254b can be formed as follows.
  • the same method may be used or different methods may be used.
  • the insulator 254a may be formed by a sputtering method in an atmosphere containing oxygen, and then the insulator 254b may be formed by an ALD method. Since the ALD method is a film forming method with good coverage, it is possible to prevent step breaks and the like from being formed due to the unevenness of the first layer.
  • the above materials can be used for the insulator 254a and the insulator 254b, and the insulator 254a and the insulator 254b may be the same material or different materials.
  • a stacked-layer structure of silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride oxide, or silicon nitride and an insulator having a function of suppressing permeation of impurities such as hydrogen and oxygen may be employed.
  • an insulator having a function of suppressing permeation of impurities such as hydrogen and oxygen an insulator containing an oxide of one or both of aluminum and hafnium can be used, for example.
  • a semiconductor device with good reliability.
  • a semiconductor device having favorable electrical characteristics can be provided.
  • a semiconductor device which can be miniaturized or highly integrated can be provided.
  • a semiconductor device with low power consumption can be provided.
  • FIG. 16 schematically shows a top view of a single-wafer multi-chamber manufacturing apparatus 2700.
  • the manufacturing apparatus 2700 includes an atmosphere-side substrate supply chamber 2701 that includes a cassette port 2761 that accommodates a substrate and an alignment port 2762 that performs substrate alignment, and an atmosphere-side substrate transfer that transfers a substrate from the atmosphere-side substrate supply chamber 2701.
  • a chamber 2702, a load lock chamber 2703a for loading a substrate and switching the pressure in the chamber from atmospheric pressure to a reduced pressure or from a reduced pressure to the atmospheric pressure, and a substrate are carried out and the pressure in the chamber is reduced to a atmospheric pressure, or
  • An unload lock chamber 2703b for switching from atmospheric pressure to reduced pressure, a transfer chamber 2704 for transferring a substrate in a vacuum, a chamber 2706a, a chamber 2706b, a chamber 2706c, and a chamber 2706d are provided.
  • the atmosphere-side substrate transfer chamber 2702 is connected to the load lock chamber 2703a and the unload lock chamber 2703b, the load lock chamber 2703a and the unload lock chamber 2703b are connected to the transfer chamber 2704, and the transfer chamber 2704 is the chamber 2706a. , Chamber 2706b, chamber 2706c and chamber 2706d.
  • a gate valve GV is provided at the connecting portion of each chamber, and each chamber can be independently maintained in a vacuum state except for the atmosphere-side substrate supply chamber 2701 and the atmosphere-side substrate transfer chamber 2702.
  • a transfer robot 2763a is provided in the atmosphere-side substrate transfer chamber 2702, and a transfer robot 2763b is provided in the transfer chamber 2704.
  • a substrate can be transferred in the manufacturing apparatus 2700 by the transfer robot 2763a and the transfer robot 2763b.
  • the back pressure (total pressure) of the transfer chamber 2704 and each chamber is, for example, 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less, preferably 3 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa or less, and more preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa or less.
  • the partial pressure of gas molecules (atoms) having a mass-to-charge ratio (m / z) of 18 in the transfer chamber 2704 and each chamber is, for example, 3 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa or less, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa or less. And more preferably 3 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa or less.
  • the partial pressure of the gas molecules (atoms) whose m / z is 28 in the transfer chamber 2704 and each chamber is, for example, 3 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa or less, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa or less, and more preferably 3 It is set to ⁇ 10 ⁇ 6 Pa or less.
  • the partial pressure of gas molecules (atoms) whose m / z is 44 in the transfer chamber 2704 and each chamber is, for example, 3 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa or less, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa or less, and further preferably 3 It is set to ⁇ 10 ⁇ 6 Pa or less.
  • the total pressure and partial pressure in the transfer chamber 2704 and each chamber can be measured using a mass spectrometer.
  • a mass spectrometer also called Q-mass
  • Qulee CGM-051 manufactured by ULVAC, Inc. may be used.
  • the transfer chamber 2704 and each chamber have a structure with less external leakage or internal leakage.
  • the leak rate of the transfer chamber 2704 and each chamber is 3 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa ⁇ m 3 / s or less, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa ⁇ m 3 / s or less.
  • the leak rate of gas molecules (atoms) having m / z of 18 is 1 ⁇ 10 ⁇ 7 Pa ⁇ m 3 / s or less, preferably 3 ⁇ 10 ⁇ 8 Pa ⁇ m 3 / s or less.
  • the leak rate of gas molecules (atoms) having m / z of 28 is 1 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa ⁇ m 3 / s or less, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa ⁇ m 3 / s or less.
  • the leak rate of gas molecules (atoms) having m / z of 44 is 3 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa ⁇ m 3 / s or less, preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 6 Pa ⁇ m 3 / s or less.
  • the leak rate may be derived from the total pressure and partial pressure measured using the mass spectrometer described above.
  • the leak rate depends on the external and internal leaks.
  • External leakage is the inflow of gas from outside the vacuum system due to minute holes or poor sealing.
  • the internal leak is caused by a leak from a partition such as a valve in a vacuum system or a gas released from an internal member.
  • a partition such as a valve in a vacuum system or a gas released from an internal member.
  • the transfer chamber 2704 and the opening / closing part of each chamber may be sealed with a metal gasket.
  • a metal gasket it is preferable to use a metal coated with iron fluoride, aluminum oxide, chromium oxide or the like.
  • the metal gasket has higher adhesion than the O-ring and can reduce external leakage. Further, by using the passivation of the metal coated with iron fluoride, aluminum oxide, chromium oxide, etc., the released gas containing the impurities released from the metal gasket is suppressed, and the internal leak can be reduced.
  • aluminum, chromium, titanium, zirconium, nickel, or vanadium, which emits a small amount of gas containing impurities, is used as a member constituting the manufacturing apparatus 2700.
  • the above-mentioned member may be used by being coated with an alloy containing iron, chromium, nickel and the like. Alloys containing iron, chromium, nickel, etc. are rigid, heat-resistant, and suitable for processing.
  • the surface irregularities of the member are reduced by polishing or the like to reduce the surface area, the released gas can be reduced.
  • the members of the manufacturing apparatus 2700 described above may be coated with iron fluoride, aluminum oxide, chromium oxide or the like.
  • the members of the manufacturing apparatus 2700 are made of only metal as much as possible.
  • the surface of the members is made of iron fluoride, aluminum oxide, or oxide in order to suppress the released gas. A thin coat of chrome is recommended.
  • the adsorbed substances existing in the transfer chamber 2704 and each chamber do not affect the pressure in the transfer chamber 2704 and each chamber because they are adsorbed on the inner wall and the like, but cause the gas release when the transfer chamber 2704 and each chamber are exhausted. Becomes Therefore, although there is no correlation between the leak rate and the exhaust speed, it is important to use a pump having a high exhaust capacity to desorb the adsorbed substances existing in the transfer chamber 2704 and each chamber as much as possible, and to exhaust them in advance.
  • the transfer chamber 2704 and each chamber may be baked in order to promote desorption of the adsorbate. By baking, the desorption rate of the adsorbate can be increased about 10 times. The baking may be performed at 100 ° C. or higher and 450 ° C.
  • the desorption rate of the adsorbate can be further increased by heating the introduced inert gas to the same temperature as the baking temperature.
  • the pressure in the transfer chamber 2704 and each chamber be increased by introducing an inert gas such as a heated rare gas or oxygen, and the transfer chamber 2704 and each chamber be exhausted again after a certain period of time.
  • an inert gas such as a heated rare gas or oxygen
  • the transfer chamber 2704 and each chamber be exhausted again after a certain period of time.
  • the heated gas adsorbed substances in the transfer chamber 2704 and each chamber can be desorbed, and impurities existing in the transfer chamber 2704 and each chamber can be reduced.
  • it is effective to repeat this treatment twice or more and 30 times or less, preferably 5 times or more and 15 times or less.
  • an inert gas or oxygen whose temperature is 40 ° C. or higher and 400 ° C. or lower, preferably 50 ° C. or higher and 200 ° C.
  • the pressure in the transfer chamber 2704 and each chamber is adjusted to 0.1 Pa or higher and 10 kPa or lower.
  • the pressure is preferably maintained at 1 Pa or more and 1 kPa or less, more preferably 5 Pa or more and 100 Pa or less, and the pressure maintaining period may be 1 minute or more and 300 minutes or less, preferably 5 minutes or more and 120 minutes or less.
  • the transfer chamber 2704 and each chamber are evacuated for 5 minutes to 300 minutes, preferably 10 minutes to 120 minutes.
  • the chamber 2706b and the chamber 2706c are chambers that can perform microwave processing on an object to be processed, for example. Note that the chambers 2706b and 2706c are different only in the atmosphere in which microwave treatment is performed. Since other configurations are common, they will be collectively described below.
  • the chambers 2706b and 2706c have a slot antenna plate 2808, a dielectric plate 2809, a substrate holder 2812, and an exhaust port 2819. Further, outside the chambers 2706b and 2706c, etc., a gas supply source 2801, a valve 2802, a high frequency generator 2803, a waveguide 2804, a mode converter 2805, a gas pipe 2806, and a waveguide 2807. A matching box 2815, a high frequency power supply 2816, a vacuum pump 2817, and a valve 2818 are provided.
  • the high frequency generator 2803 is connected to the mode converter 2805 via the waveguide 2804.
  • the mode converter 2805 is connected to the slot antenna plate 2808 via the waveguide 2807.
  • the slot antenna plate 2808 is arranged in contact with the dielectric plate 2809.
  • the gas supply source 2801 is connected to the mode converter 2805 via the valve 2802.
  • the gas is sent to the chambers 2706b and 2706c by the gas pipe 2806 passing through the mode converter 2805, the waveguide 2807 and the dielectric plate 2809.
  • the vacuum pump 2817 has a function of exhausting gas or the like from the chambers 2706b and 2706c through the valve 2818 and the exhaust port 2819.
  • the high frequency power supply 2816 is connected to the substrate holder 2812 via the matching box 2815.
  • the board holder 2812 has a function of holding the board 2811. For example, it has a function of electrostatically chucking or mechanically chucking the substrate 2811. In addition, it also has a function as an electrode supplied with power from the high-frequency power source 2816. Further, it has a heating mechanism 2813 inside and has a function of heating the substrate 2811.
  • the vacuum pump 2817 for example, a dry pump, a mechanical booster pump, an ion pump, a titanium sublimation pump, a cryopump or a turbo molecular pump can be used.
  • a cryotrap may be used in addition to the vacuum pump 2817. The use of a cryopump and a cryotrap is particularly preferable because water can be efficiently exhausted.
  • the heating mechanism 2813 may be, for example, a heating mechanism that heats using a resistance heating element or the like.
  • a heating mechanism for heating by heat conduction or heat radiation from a medium such as a heated gas may be used.
  • RTA Rapid Thermal Annealing
  • GRTA Gas Rapid Thermal Annealing
  • LRTA Low Rapid Thermal Annealing
  • GRTA heat-treats using high temperature gas.
  • An inert gas is used as the gas.
  • the gas supply source 2801 may be connected to a refiner via a mass flow controller. It is preferable to use a gas having a dew point of ⁇ 80 ° C. or lower, preferably ⁇ 100 ° C. or lower. For example, oxygen gas, nitrogen gas, and rare gas (argon or the like) gas may be used.
  • the dielectric plate 2809 for example, silicon oxide (quartz), aluminum oxide (alumina), yttrium oxide (yttria), or the like may be used. Further, another protective layer may be formed on the surface of the dielectric plate 2809. As the protective layer, magnesium oxide, titanium oxide, chromium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, silicon oxide, aluminum oxide, yttrium oxide, or the like may be used. Since the dielectric plate 2809 is exposed to a particularly high-density region of the high-density plasma 2810 described later, damage can be mitigated by providing the protective layer. As a result, it is possible to suppress an increase in particles during processing.
  • the high frequency generator 2803 has a function of generating a microwave of 0.3 GHz or more and 3.0 GHz or less, 0.7 GHz or more and 1.1 GHz or less, or 2.2 GHz or more and 2.8 GHz or less, for example.
  • the microwave generated by the high frequency generator 2803 is transmitted to the mode converter 2805 via the waveguide 2804.
  • the microwave transmitted as the TE mode is converted into the TEM mode.
  • the microwave is transmitted to the slot antenna plate 2808 through the waveguide 2807.
  • the slot antenna plate 2808 is provided with a plurality of slot holes, and microwaves pass through the slot holes and the dielectric plate 2809. Then, an electric field can be generated below the dielectric plate 2809 to generate high density plasma 2810.
  • ions and radicals corresponding to the gas species supplied from the gas supply source 2801 exist. For example, oxygen radicals or nitrogen radicals exist.
  • the film and the like on the substrate 2811 can be modified by the ions and radicals generated on the substrate 2811 by the high-density plasma 2810.
  • a bias to the substrate 2811 side by using the high frequency power source 2816.
  • the high frequency power supply 2816 for example, an RF (Radio Frequency) power supply having a frequency of 13.56 MHz, 27.12 MHz or the like may be used.
  • the ions in the high-density plasma 2810 can efficiently reach deep inside an opening such as a film on the substrate 2811.
  • oxygen radical treatment using high-density plasma 2810 is performed by introducing oxygen from the gas supply source 2801, and in the chamber 2706c, nitrogen is introduced from the gas supply source 2801 to generate high-density plasma 2810.
  • the used nitrogen radical treatment can be performed.
  • the chamber 2706a and the chamber 2706d are chambers capable of irradiating an object with electromagnetic waves, for example. Note that the chambers 2706a and 2706d are different only in the type of electromagnetic wave. Since the other configurations have a lot in common, they will be collectively described below.
  • the chambers 2706a and 2706d each include one or a plurality of lamps 2820, a substrate holder 2825, a gas introduction port 2823, and an exhaust port 2830.
  • a gas supply source 2821, a valve 2822, a vacuum pump 2828, and a valve 2829 are provided outside the chambers 2706a and 2706d.
  • the gas supply source 2821 is connected to the gas inlet 2823 via the valve 2822.
  • the vacuum pump 2828 is connected to the exhaust port 2830 via a valve 2829.
  • the lamp 2820 is arranged so as to face the substrate holder 2825.
  • the substrate holder 2825 has a function of holding the substrate 2824.
  • the substrate holder 2825 has a heating mechanism 2826 inside and has a function of heating the substrate 2824.
  • a light source having a function of emitting an electromagnetic wave such as visible light or ultraviolet light
  • a light source having a function of emitting an electromagnetic wave having a peak at a wavelength of 10 nm to 2500 nm, 500 nm to 2000 nm, or 40 nm to 340 nm may be used.
  • a light source such as a halogen lamp, a metal halide lamp, a xenon arc lamp, a carbon arc lamp, a high pressure sodium lamp or a high pressure mercury lamp may be used.
  • part or all of the electromagnetic wave emitted from the lamp 2820 is absorbed by the substrate 2824, so that the film or the like over the substrate 2824 can be modified.
  • defects can be generated or reduced, or impurities can be removed. Note that when the substrate 2824 is heated, it is possible to efficiently generate or reduce defects, remove impurities, or the like.
  • electromagnetic waves emitted from the lamp 2820 may heat the substrate holder 2825 and heat the substrate 2824.
  • the heating mechanism 2826 may not be provided inside the substrate holder 2825.
  • the vacuum pump 2828 refers to the description of the vacuum pump 2817.
  • the heating mechanism 2826 the description of the heating mechanism 2813 is referred to.
  • the gas supply source 2821 the description of the gas supply source 2801 is referred to.
  • FIG. 19 illustrates an example of a memory device including the semiconductor device which is one embodiment of the present invention.
  • the transistor 200 is provided above the transistor 300 and the capacitor 100 is provided above the transistor 200. At least part of the capacitor 100 or the transistor 300 preferably overlaps with the transistor 200. Accordingly, the occupied area of the capacitor 100, the transistor 200, and the transistor 300 in top view can be reduced, so that the memory device according to this embodiment can be miniaturized or highly integrated.
  • the storage device is, for example, a logic circuit represented by a CPU (Central Processing Unit) or a GPU (Graphics Processing Unit), or a DRAM (Dynamic Random Access Memory) or a NVM (Non-Volume Memory). Can be applied to the memory circuit represented by.
  • a logic circuit represented by a CPU Central Processing Unit
  • a GPU Graphics Processing Unit
  • DRAM Dynamic Random Access Memory
  • NVM Non-Volume Memory
  • the transistor 200 described in any of the above embodiments can be used as the transistor 200. Therefore, for the transistor 200 and the layer including the transistor 200, the description in the above embodiment can be referred to.
  • the transistor 200 is a transistor in which a channel is formed in a semiconductor layer including an oxide semiconductor. Since the off-state current of the transistor 200 is small, the memory content can be held for a long time by using the transistor 200 in a memory device. That is, the refresh operation is not required or the frequency of the refresh operation is extremely low, so that the power consumption of the memory device can be sufficiently reduced.
  • the transistor 200 has favorable electric characteristics at high temperature as compared with a transistor including silicon for a semiconductor layer. For example, the transistor 200 exhibits favorable electric characteristics even in the temperature range of 125 ° C to 150 ° C. In the temperature range of 125 ° C. to 150 ° C., the transistor 200 has a transistor on / off ratio of 10 digits or more. In other words, as compared with a transistor using silicon for a semiconductor layer, the transistor 200 has better characteristics as the on-state current, frequency characteristics, and the like which are examples of transistor characteristics, become higher.
  • the wiring 1001 is electrically connected to the source of the transistor 300
  • the wiring 1002 is electrically connected to the drain of the transistor 300
  • the wiring 1007 is electrically connected to the gate of the transistor 300.
  • the wiring 1003 is electrically connected to one of a source and a drain of the transistor 200
  • the wiring 1004 is electrically connected to a first gate of the transistor 200
  • the wiring 1006 is electrically connected to a second gate of the transistor 200. It is connected to the.
  • the other of the source and the drain of the transistor 200 is electrically connected to one of the electrodes of the capacitor 100 and the wiring 1005 is electrically connected to the other of the electrodes of the capacitor 100.
  • the semiconductor device illustrated in FIG. 19 can write, hold, and read data because it has a characteristic that electric charge charged in one of the electrodes of the capacitor 100 can be held by switching of the transistor 200.
  • the transistor 200 is an element provided with a back gate in addition to a source, a gate (top gate), and a drain. That is, since it is a four-terminal element, MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), ReRAM (Resistive Random Memory-Physical Memory) such as MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), which uses MTJ (Magnetic Tunnel Junction) characteristics.
  • MRAM Magneticoresistive Random Access Memory
  • ReRAM Resistive Random Memory-Physical Memory
  • MRAM Magnetic Random Memory
  • MTJ Magnetic Tunnel Junction
  • the structure may change at the atomic level when rewriting information.
  • the semiconductor device illustrated in FIGS. 19A and 19B has characteristics that it is excellent in repeated rewriting resistance and has little structural change because it operates by charge or discharge of electrons using a transistor and a capacitor when rewriting information.
  • the semiconductor device shown in FIG. 19 can be arranged in a matrix to form a memory cell array.
  • the transistor 300 can be used as a reading circuit connected to the memory cell array, a driver circuit, or the like.
  • an operating frequency of 200 MHz or higher can be realized in a range where the driving voltage is 2.5 V and the evaluation environment temperature is ⁇ 40 ° C. to 85 ° C.
  • the transistor 300 is provided over the substrate 311 and serves as a conductor 316 serving as a gate electrode, an insulator 315 serving as a gate insulator, a semiconductor region 313 formed by part of the substrate 311, and a source region or a drain region.
  • the low resistance region 314a and the low resistance region 314b are included.
  • the insulator 315 is arranged on the semiconductor region 313, and the conductor 316 is arranged on the insulator 315.
  • the transistors 300 formed in the same layer are electrically separated by an insulator 312 which functions as an element isolation insulating layer.
  • an insulator similar to the insulator 326 described later and the like can be used as the insulator 312, an insulator similar to the insulator 326 described later and the like can be used.
  • the transistor 300 may be either a p-channel type or an n-channel type.
  • the substrate 311 includes a semiconductor such as a silicon-based semiconductor in a region where a channel of the semiconductor region 313 is formed, a region in the vicinity thereof, a low resistance region 314a serving as a source region or a drain region, a low resistance region 314b, or the like.
  • a semiconductor such as a silicon-based semiconductor in a region where a channel of the semiconductor region 313 is formed, a region in the vicinity thereof, a low resistance region 314a serving as a source region or a drain region, a low resistance region 314b, or the like.
  • a material containing Ge (germanium), SiGe (silicon germanium), GaAs (gallium arsenide), GaAlAs (gallium aluminum arsenide), or the like may be used. It is also possible to adopt a configuration using silicon in which the effective mass is controlled by applying stress to the crystal lattice and changing the lattice spacing.
  • the transistor 300 may be a HEMT (High Electron
  • the low-resistance region 314a and the low-resistance region 314b impart an n-type conductivity imparting element such as arsenic or phosphorus, or a p-type conductivity imparting boron, in addition to the semiconductor material applied to the semiconductor region 313. Including the element to do.
  • the conductor 316 functioning as a gate electrode is a semiconductor material such as silicon, a metal material, or an alloy containing an element imparting n-type conductivity such as arsenic or phosphorus, or an element imparting p-type conductivity such as boron. Materials or conductive materials such as metal oxide materials can be used.
  • the work function is determined by the material of the conductor, so the threshold voltage can be adjusted by changing the material of the conductor. Specifically, it is preferable to use a material such as titanium nitride or tantalum nitride for the conductor. Further, in order to achieve both conductivity and embedding properties, it is preferable to use a metal material such as tungsten or aluminum as a laminate for the conductor, and it is particularly preferable to use tungsten in terms of heat resistance.
  • a semiconductor region 313 (a part of the substrate 311) in which a channel is formed has a convex shape. Further, the side surface and the upper surface of the semiconductor region 313 are provided so as to cover the conductor 316 with the insulator 315 interposed therebetween.
  • Such a transistor 300 is also called a FIN-type transistor because it uses a convex portion of a semiconductor substrate. Note that an insulator which functions as a mask for forming the protrusion may be provided in contact with the top of the protrusion.
  • an SOI substrate may be processed to form a semiconductor film having a convex shape.
  • the transistor 300 illustrated in FIG. 19 is an example, and the structure thereof is not limited, and an appropriate transistor may be used depending on a circuit configuration or a driving method.
  • the semiconductor device includes a transistor 300 and a transistor 200 which are stacked.
  • the transistor 300 can be formed using a silicon-based semiconductor material and the transistor 200 can be formed using an oxide semiconductor.
  • the semiconductor device illustrated in FIG. 19 can be formed by mixing the silicon-based semiconductor material and the oxide semiconductor in different layers.
  • the semiconductor device illustrated in FIG. 19 can be manufactured by a process similar to a process using a semiconductor device manufacturing apparatus in which a silicon-based semiconductor material is used, and high integration can be achieved.
  • the capacitive element 100 includes an insulator 114 on an insulator 160, an insulator 140 on the insulator 114, a conductor 110 arranged in an insulator 114 and an opening formed in the insulator 140, and a conductor.
  • An insulator 130 over the insulator 110 and the insulator 140, a conductor 120 over the insulator 130, and an insulator 150 over the conductor 120 and the insulator 130.
  • at least a part of the conductor 110, the insulator 130, and the conductor 120 is arranged in the openings formed in the insulator 114 and the insulator 140.
  • the conductor 110 functions as a lower electrode of the capacitor 100
  • the conductor 120 functions as an upper electrode of the capacitor 100
  • the insulator 130 functions as a dielectric of the capacitor 100.
  • the upper electrode and the lower electrode face each other across the dielectric not only on the bottom surface but also on the side surface.
  • the capacity can be increased. Therefore, the capacitance of the capacitive element 100 can be increased as the depth of the opening is increased. By thus increasing the capacitance per unit area of the capacitive element 100, miniaturization or high integration of the semiconductor device can be promoted.
  • an insulator that can be used for the insulator 280 may be used.
  • the insulator 140 preferably functions as an etching stopper when the opening of the insulator 114 is formed, and an insulator that can be used for the insulator 214 may be used.
  • the shape of the openings formed in the insulator 114 and the insulator 140 as viewed from above may be a quadrangle, a polygonal shape other than the quadrangle, or a shape in which the corners of the polygonal shape are curved.
  • the shape may be circular including an ellipse.
  • it is preferable that the area where the opening and the transistor 200 overlap with each other in the top view is large. With such a structure, the area occupied by the semiconductor device including the capacitor 100 and the transistor 200 can be reduced.
  • the conductor 110 is arranged in contact with the openings formed in the insulator 140 and the insulator 114. It is preferable that the top surface of the conductor 110 substantially coincides with the top surface of the insulator 140. Further, the lower surface of the conductor 110 is in contact with the conductor 152 provided over the insulator 160.
  • the conductor 110 is preferably formed by an ALD method, a CVD method, or the like. For example, a conductor that can be used for the conductor 205 may be used.
  • the insulator 130 is arranged so as to cover the conductor 110 and the insulator 140.
  • the insulator 130 is, for example, silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride oxide, silicon nitride, zirconium oxide, aluminum oxide, aluminum oxynitride, aluminum nitride oxide, aluminum nitride, hafnium oxide, hafnium oxynitride, hafnium nitride oxide, or nitride.
  • Hafnium or the like may be used and can be provided as a stacked layer or a single layer.
  • an insulating film in which zirconium oxide, aluminum oxide, and zirconium oxide are stacked in this order can be used.
  • a material having a high dielectric strength such as silicon oxynitride or a material having a high dielectric constant (high-k) for the insulator 130.
  • a stacked structure of a material having high dielectric strength and a high dielectric constant (high-k) material may be used.
  • examples of the high dielectric constant (high-k) material include gallium oxide, hafnium oxide, zirconium oxide, oxides containing aluminum and hafnium, oxynitrides containing aluminum and hafnium, silicon, and There are oxides having hafnium, oxynitrides having silicon and hafnium, nitrides having silicon and hafnium, and the like.
  • silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride oxide, silicon nitride, silicon oxide added with fluorine, silicon oxide added with carbon, silicon oxide added with carbon and nitrogen, and holes are used as materials having high dielectric strength.
  • silicon oxide, resin, and the like are used as materials having high dielectric strength.
  • silicon oxide, resin, and the like laminated in the order of silicon nitride was deposited using ALD (SiN x), silicon oxide was deposited using PEALD method (SiO x), silicon nitride was deposited using ALD (SiN x) Insulated film can be used.
  • the conductor 120 is arranged so as to fill the openings formed in the insulator 140 and the insulator 114.
  • the conductor 120 is electrically connected to the wiring 1005 through the conductor 112 and the conductor 153.
  • the conductor 120 is preferably formed by an ALD method, a CVD method, or the like.
  • a conductor that can be used as the conductor 205 may be used.
  • the transistor 200 since the transistor 200 is configured to use an oxide semiconductor, it has excellent compatibility with the capacitor 100. Specifically, since the off-state current of the transistor 200 including an oxide semiconductor is small, the memory content can be held for a long time by using the transistor 200 in combination with the capacitor 100.
  • a wiring layer provided with an interlayer film, a wiring, a plug, and the like may be provided between the structures. Further, a plurality of wiring layers can be provided according to the design.
  • the conductor functioning as a plug or a wiring may have a plurality of structures collectively given the same reference numeral. Further, in this specification and the like, the wiring and the plug electrically connected to the wiring may be integrated. That is, part of the conductor may function as a wiring, and part of the conductor may function as a plug.
  • an insulator 320, an insulator 322, an insulator 324, and an insulator 326 are sequentially stacked over the transistor 300 as an interlayer film. Further, in the insulator 320, the insulator 322, the insulator 324, and the insulator 326, a conductor 328 electrically connected to the conductor 153 functioning as a terminal, a conductor 330, and the like are embedded. Note that the conductor 328 and the conductor 330 function as a plug or a wiring.
  • the insulator functioning as an interlayer film may function as a flattening film that covers the uneven shape below the insulator.
  • the upper surface of the insulator 322 may be planarized by a planarization treatment using a chemical mechanical polishing (CMP) method or the like in order to enhance planarity.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • a wiring layer may be provided on the insulator 326 and the conductor 330.
  • an insulator 350, an insulator 352, and an insulator 354 are sequentially stacked and provided.
  • a conductor 356 is formed over the insulator 350, the insulator 352, and the insulator 354.
  • the conductor 356 functions as a plug or a wiring.
  • the insulator 210, the insulator 212, the insulator 214, and the insulator 216 are sequentially stacked on the insulator 354 and the conductor 356.
  • a conductor 218, a conductor (conductor 205) included in the transistor 200, and the like are embedded. Note that the conductor 218 functions as a plug or a wiring which is electrically connected to the transistor 300.
  • the conductor 112 functions as a plug or a wiring which electrically connects the capacitor 100, the transistor 200, or the transistor 300 to the conductor 153 functioning as a terminal.
  • the conductor 153 is provided on the insulator 154, and the conductor 153 is covered with the insulator 156.
  • the conductor 153 is in contact with the top surface of the conductor 112 and functions as a terminal of the capacitor 100, the transistor 200, or the transistor 300.
  • examples of insulators that can be used as the interlayer film include oxides, nitrides, oxynitrides, nitride oxides, metal oxides, metal oxynitrides, and metal nitride oxides having an insulating property.
  • the material may be selected depending on the function of the insulator.
  • the insulator 320, the insulator 322, the insulator 326, the insulator 352, the insulator 354, the insulator 212, the insulator 114, the insulator 150, the insulator 156, and the like have insulators with low relative permittivity.
  • the insulator is silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride oxide, silicon nitride, silicon oxide added with fluorine, silicon oxide added with carbon, silicon oxide added with carbon and nitrogen, silicon oxide having holes. , Resin or the like is preferable.
  • the insulator is silicon oxide, silicon oxynitride, silicon nitride oxide, silicon nitride, silicon oxide containing fluorine, silicon oxide containing carbon, silicon oxide containing carbon and nitrogen, or silicon oxide having holes. It is preferable to have a laminated structure of a resin. Since silicon oxide and silicon oxynitride are thermally stable, by combining with a resin, a laminated structure having thermal stability and a low relative dielectric constant can be obtained. Examples of the resin include polyester, polyolefin, polyamide (nylon, aramid, etc.), polyimide, polycarbonate, acrylic and the like.
  • the resistivity of the insulator provided over or below the conductor 152 or the conductor 153 is 1.0 ⁇ 10 12 ⁇ cm or more and 1.0 ⁇ 10 15 ⁇ cm or less, preferably 5.0 ⁇ 10 12 ⁇ cm or more 1. It is preferably 0.0 ⁇ 10 14 ⁇ cm or less, more preferably 1.0 ⁇ 10 13 ⁇ cm or more and 5.0 ⁇ 10 13 ⁇ cm or less.
  • the insulator maintains the insulating property and the transistor 200, the transistor 300, the capacitor 100, Further, charges accumulated between wirings of the conductor 152 and the like can be dispersed, and characteristic defects and electrostatic breakdown of a transistor and a semiconductor device including the transistor due to the charges can be suppressed, which is preferable.
  • silicon nitride or silicon nitride oxide can be used as such an insulator.
  • the resistivity of the insulator 160 or the insulator 154 may be set within the above range.
  • a transistor including an oxide semiconductor can have stable electrical characteristics by being surrounded by an insulator having a function of suppressing permeation of impurities such as hydrogen and oxygen. Therefore, an insulator having a function of suppressing permeation of impurities such as hydrogen and oxygen may be used for the insulator 324, the insulator 350, the insulator 210, and the like.
  • Examples of the insulator having a function of suppressing the penetration of impurities such as hydrogen and oxygen include boron, carbon, nitrogen, oxygen, fluorine, magnesium, aluminum, silicon, phosphorus, chlorine, argon, gallium, germanium, yttrium, and zirconium.
  • the insulator containing lanthanum, lanthanum, neodymium, hafnium, or tantalum may be used as a single layer or as a stacked layer.
  • an insulator having a function of suppressing permeation of impurities such as hydrogen and oxygen
  • a metal oxide such as tantalum oxide, silicon nitride oxide, silicon nitride, or the like can be used.
  • Conductors that can be used for wiring and plugs include aluminum, chromium, copper, silver, gold, platinum, tantalum, nickel, titanium, molybdenum, tungsten, hafnium, vanadium, niobium, manganese, magnesium, zirconium, beryllium, indium.
  • a material containing one or more metal elements selected from ruthenium, ruthenium, and the like can be used.
  • a semiconductor having high electric conductivity which is typified by polycrystalline silicon containing an impurity element such as phosphorus, or silicide such as nickel silicide may be used.
  • a metal material, an alloy material, a metal nitride material formed of any of the above materials can be used as the conductor 328, the conductor 330, the conductor 356, the conductor 218, the conductor 112, the conductor 152, the conductor 153, or the like.
  • a conductive material such as a metal oxide material can be used as a single layer or a stacked layer. It is preferable to use a high melting point material such as tungsten or molybdenum, which has both heat resistance and conductivity, and it is preferable to use tungsten.
  • it is preferably formed of a low resistance conductive material such as aluminum or copper. Wiring resistance can be reduced by using a low-resistance conductive material.
  • an insulator having an excess oxygen region may be provided in the vicinity of the oxide semiconductor.
  • an insulator having a barrier property is preferably provided between the insulator having the excess oxygen region and the conductor provided in the insulator having the excess oxygen region.
  • an insulator 247 may be provided between the insulator 280 having excess oxygen and the conductor 248.
  • the conductor 248 and the transistor 200 can be sealed with an insulator having a barrier property.
  • the insulator 247 it is possible to prevent the excess oxygen of the insulator 280 from being absorbed by the conductor 248. Further, with the insulator 247, hydrogen which is an impurity can be suppressed from diffusing into the transistor 200 through the conductor 248.
  • the conductor 248 has a function as a plug or a wiring which is electrically connected to the transistor 200 or the transistor 300.
  • the insulator 247 is provided in contact with the sidewalls of the openings of the insulator 284, the insulator 282, and the insulator 280, and the conductor 248 is formed in contact with the side surface of the insulator 247.
  • the conductor 240a or the conductor 240b is positioned at least at part of the bottom of the opening, and the conductor 248 is in contact with the conductor 240a or the conductor 240b.
  • the conductor 248 is preferably made of a conductive material containing tungsten, copper, or aluminum as a main component. Further, the conductor 248 may have a stacked structure. Note that the transistor 200 has the structure in which the conductor 248 is provided as a two-layer stacked structure; however, the present invention is not limited to this. For example, the conductor 248 may have a single-layer structure or a stacked structure including three or more layers.
  • the conductor which is in contact with the conductor 240a or the conductor 240b and which is in contact with the insulator 280, the insulator 282, and the insulator 284 with the insulator 247 interposed therebetween is It is preferable to use a conductive material having a function of suppressing permeation of impurities such as water and hydrogen.
  • a conductive material having a function of suppressing permeation of impurities such as water and hydrogen.
  • the conductive material having a function of suppressing permeation of impurities such as water and hydrogen may be used as a single layer or a stacked layer.
  • oxygen added to the insulator 280 can be prevented from being absorbed by the conductor 248.
  • impurities such as water and hydrogen contained in a layer above the insulator 284 can be suppressed from diffusing into the oxide 230 through the conductor 248.
  • the insulator 247 for example, an insulator that can be used for the insulator 214 and the like may be used.
  • the insulator 247 can suppress impurities such as water and hydrogen contained in the insulator 280 and the like from diffusing into the oxide 230 through the conductor 248.
  • oxygen contained in the insulator 280 can be prevented from being absorbed by the conductor 248.
  • the conductor 152 that functions as a wiring may be arranged in contact with the top surface of the conductor 248.
  • a conductive material containing tungsten, copper, or aluminum as its main component is preferably used.
  • the conductor may have a laminated structure, for example, a laminate of titanium or titanium nitride and the above conductive material. Note that the conductor may be formed so as to be embedded in the opening provided in the insulator.
  • a semiconductor device including a transistor including an oxide semiconductor can be miniaturized or highly integrated.
  • variation in electric characteristics can be suppressed and reliability can be improved.
  • a transistor including an oxide semiconductor with high on-state current can be provided.
  • a transistor including an oxide semiconductor with low off-state current can be provided.
  • a semiconductor device with reduced power consumption can be provided.
  • FIG. 20 illustrates an example of a semiconductor device (memory device) using the semiconductor device which is one embodiment of the present invention.
  • the semiconductor device illustrated in FIG. 20 includes the transistor 200, the transistor 300, and the capacitor 100 similarly to the semiconductor device illustrated in FIG.
  • the semiconductor device illustrated in FIG. 20 is different from the semiconductor device illustrated in FIG. 19 in that the capacitor 100 is a planar type and the transistors 200 and 300 are electrically connected.
  • the transistor 200 is provided above the transistor 300 and the capacitor 100 is provided above the transistor 300 and the transistor 200. At least part of the capacitor 100 or the transistor 300 preferably overlaps with the transistor 200. Accordingly, the occupied area of the capacitor 100, the transistor 200, and the transistor 300 in top view can be reduced, so that the semiconductor device according to this embodiment can be miniaturized or highly integrated.
  • transistor 200 and the transistor 300 described above can be used as the transistor 200 and the transistor 300. Therefore, the above description can be referred to for the transistor 200, the transistor 300, and layers including these.
  • the wiring 2001 is electrically connected to the source of the transistor 300 and the wiring 2002 is electrically connected to the drain of the transistor 300.
  • the wiring 2003 is electrically connected to one of a source and a drain of the transistor 200
  • the wiring 2004 is electrically connected to a first gate of the transistor 200
  • the wiring 2006 is electrically connected to a second gate of the transistor 200. It is connected to the.
  • the gate of the transistor 300 and the other of the source and the drain of the transistor 200 are electrically connected to one of the electrodes of the capacitor 100 and the wiring 2005 is electrically connected to the other of the electrodes of the capacitor 100.
  • a node in which the gate of the transistor 300, the other of the source and the drain of the transistor 200, and one of the electrodes of the capacitor 100 are connected to each other may be referred to as a node FG.
  • the semiconductor device illustrated in FIG. 20 has a characteristic that the potential of the gate (node FG) of the transistor 300 can be held by switching the transistor 200, and thus data can be written, held, and read.
  • the semiconductor devices shown in FIG. 20 can be arranged in a matrix to form a memory cell array.
  • the layer including the transistor 300 has a structure similar to that of the semiconductor device illustrated in FIG. 19, the above description can be referred to for the structure below the insulator 354.
  • the insulator 210, the insulator 212, the insulator 214, and the insulator 216 are arranged on the insulator 354.
  • the insulator 210 like the insulator 350, an insulator having a function of suppressing permeation of impurities such as hydrogen and oxygen may be used.
  • a conductor 218 is embedded in the insulator 210, the insulator 212, the insulator 214, and the insulator 216.
  • the conductor 218 functions as a plug or a wiring which is electrically connected to the capacitor 100, the transistor 200, or the transistor 300.
  • the conductor 218 is electrically connected to the conductor 316 which functions as a gate electrode of the transistor 300.
  • the conductor 248 also functions as a plug or a wiring which is electrically connected to the transistor 200 or the transistor 300.
  • the conductor 248 electrically connects the conductor 240b which functions as the other of the source and the drain of the transistor 200 and the conductor 110 which functions as one of the electrodes of the capacitor 100.
  • the planar-type capacitance element 100 is provided above the transistor 200.
  • the capacitor 100 includes a conductor 110 that functions as a first electrode, a conductor 120 that functions as a second electrode, and an insulator 130 that functions as a dielectric. Note that as the conductor 110, the conductor 120, and the insulator 130, those described in the above memory device 1 can be used.
  • the conductor 153 and the conductor 110 are provided in contact with the upper surface of the conductor 248.
  • the conductor 153 is in contact with the top surface of the conductor 248 and functions as a terminal of the transistor 200 or the transistor 300.
  • the conductor 153 and the conductor 110 are covered with the insulator 130, and the conductor 120 is arranged so as to overlap the conductor 110 via the insulator 130. Further, the insulator 114 is provided over the conductor 120 and the insulator 130.
  • FIG. 20 shows an example in which a planar capacitor is used as the capacitor 100
  • the semiconductor device described in this embodiment is not limited to this.
  • the capacitive element 100 a cylinder type capacitive element 100 as shown in FIG. 19 may be used.
  • FIG. 21 illustrates an example of a memory device using the semiconductor device which is one embodiment of the present invention.
  • the memory device illustrated in FIG. 21 includes a transistor 400 in addition to the semiconductor device including the transistor 200, the transistor 300, and the capacitor 100 illustrated in FIG.
  • the transistor 400 can control the second gate voltage of the transistor 200.
  • the first gate and the second gate of the transistor 400 are diode-connected to the source, and the source of the transistor 400 is connected to the second gate of the transistor 200.
  • the negative potential of the second gate of the transistor 200 is held in this structure, the first gate-source voltage and the second gate-source voltage of the transistor 400 are 0V.
  • the second gate of the transistor 200 can be supplied without power supply to the transistor 200 and the transistor 400.
  • the negative potential can be maintained for a long time. Accordingly, the memory device including the transistor 200 and the transistor 400 can hold the memory content for a long time.
  • the wiring 2001 is electrically connected to the source of the transistor 300, and the wiring 2002 is electrically connected to the drain of the transistor 300.
  • the wiring 2003 is electrically connected to one of a source and a drain of the transistor 200, the wiring 2004 is electrically connected to a gate of the transistor 200, and the wiring 2006 is electrically connected to a second gate of the transistor 200.
  • the gate of the transistor 300 and the other of the source and the drain of the transistor 200 are electrically connected to one of the electrodes of the capacitor 100 and the wiring 2005 is electrically connected to the other of the electrodes of the capacitor 100. .
  • the wiring 2007 is electrically connected to a source of the transistor 400
  • the wiring 2008 is electrically connected to a first gate of the transistor 400
  • the wiring 2009 is electrically connected to a second gate of the transistor 400
  • a wiring 2010. Are electrically connected to the drain of the transistor 400.
  • the wiring 2006, the wiring 2007, the wiring 2008, and the wiring 2009 are electrically connected.
  • the memory device shown in FIG. 21 can form a memory cell array by arranging the memory device in a matrix, as in the memory devices shown in FIGS. Note that one transistor 400 can control the second gate voltage of the plurality of transistors 200. Therefore, the transistor 400 may be provided in a smaller number than the transistor 200.
  • the transistor 400 is formed in the same layer as the transistor 200 and can be manufactured in parallel.
  • the transistor 400 includes a conductor 460 (a conductor 460a and a conductor 460b) which functions as a first gate electrode, a conductor 405 (a conductor 405a, and a conductor 405b) which functions as a second gate electrode, An insulator 222, an insulator 224, and an insulator 450 which function as gate insulating layers, an oxide 430c having a region where a channel is formed, a conductor 440a which functions as one of a source and a drain, an oxide 431b, and The oxide 431a, the conductor 440b that functions as the other of the source and the drain, the oxide 432b, and the oxide 432a, the insulator 445a that functions as a barrier layer, and the insulator 445b.
  • the conductor 405 and the conductor 205 are formed in the same layer.
  • the oxide 431a and the oxide 432a and the oxide 230a are formed in the same layer, and the oxide 431b and the oxide 432b and the oxide 230b are formed in the same layer.
  • the conductor 440a and the conductor 440b, and the conductor 240a and the conductor 240b are formed in the same layer.
  • the insulator 445a and the insulator 445b, and the insulator 245a and the insulator 245b are formed in the same layer.
  • the oxide 430c and the oxide 230c are formed in the same layer.
  • the insulator 450 and the insulator 250 are formed in the same layer.
  • the conductor 460 and the conductor 260 are formed in the same layer.
  • the oxide 430c can be formed by processing an oxide film to be the oxide 230c.
  • the oxide 430c functioning as an active layer of the transistor 400 has reduced oxygen vacancies and reduced impurities such as hydrogen and water. Accordingly, the threshold voltage of the transistor 400 can be further increased, the off-state current can be reduced, and the drain current when the second gate voltage and the first gate voltage are 0 V can be extremely reduced.
  • a transistor including an oxide as a semiconductor (hereinafter also referred to as an OS transistor) and a capacitor according to one embodiment of the present invention are applied with reference to FIGS. 22A to 23H.
  • a storage device (hereinafter, sometimes referred to as an OS memory device) that is installed will be described.
  • An OS memory device is a storage device including at least a capacitor and an OS transistor which controls charge and discharge of the capacitor. Since the off-state current of the OS transistor is extremely small, the OS memory device has excellent retention characteristics and can function as a nonvolatile memory.
  • FIG. 22A shows an example of the configuration of the OS memory device.
  • the memory device 1400 includes a peripheral circuit 1411 and a memory cell array 1470.
  • the peripheral circuit 1411 includes a row circuit 1420, a column circuit 1430, an output circuit 1440, and a control logic circuit 1460.
  • the column circuit 1430 has, for example, a column decoder, a precharge circuit, a sense amplifier, a write circuit, and the like.
  • the precharge circuit has a function of precharging the wiring.
  • the sense amplifier has a function of amplifying the data signal read from the memory cell. Note that the wiring is a wiring connected to a memory cell included in the memory cell array 1470 and will be described later in detail.
  • the amplified data signal is output to the outside of the storage device 1400 as the data signal RDATA via the output circuit 1440.
  • the row circuit 1420 has a row decoder, a word line driver circuit, and the like, for example, and can select a row to be accessed.
  • a low power supply voltage (VSS), a high power supply voltage (VDD) for the peripheral circuit 1411, and a high power supply voltage (VIL) for the memory cell array 1470 are externally supplied to the memory device 1400 as power supply voltages. Further, a control signal (CE, WE, RE), an address signal ADDR, and a data signal WDATA are externally input to the memory device 1400.
  • the address signal ADDR is input to the row decoder and the column decoder, and the data signal WDATA is input to the write circuit.
  • the control logic circuit 1460 processes control signals (CE, WE, RE) input from the outside to generate control signals for the row decoder and the column decoder.
  • the control signal CE is a chip enable signal
  • the control signal WE is a write enable signal
  • the control signal RE is a read enable signal.
  • the signal processed by the control logic circuit 1460 is not limited to this, and another control signal may be input as necessary.
  • the memory cell array 1470 has a plurality of memory cells MC and a plurality of wirings arranged in a matrix. Note that the number of wirings connecting the memory cell array 1470 and the row circuit 1420 is determined by the structure of the memory cells MC, the number of memory cells MC in one column, and the like. The number of wirings connecting the memory cell array 1470 and the column circuit 1430 is determined by the configuration of the memory cell MC, the number of memory cells MC in one row, and the like.
  • FIG. 22A shows an example in which the peripheral circuit 1411 and the memory cell array 1470 are formed on the same plane
  • the present embodiment is not limited to this.
  • a memory cell array 1470 may be provided so as to overlap part of the peripheral circuit 1411.
  • a sense amplifier may be provided so as to overlap under the memory cell array 1470.
  • [DOSRAM] 23A to 23C show examples of circuit configurations of DRAM memory cells.
  • a DRAM including a 1-OS transistor 1-capacitive element memory cell may be referred to as a DOSRAM (Dynamic Oxide Semiconductor Random Access Memory).
  • the memory cell 1471 illustrated in FIG. 23A includes the transistor M1 and the capacitor CA. Note that the transistor M1 has a gate (sometimes referred to as a top gate) and a back gate.
  • the first terminal of the transistor M1 is connected to the first terminal of the capacitor CA, the second terminal of the transistor M1 is connected to the wiring BIL, the gate of the transistor M1 is connected to the wiring WOL, and the back gate of the transistor M1 is connected.
  • the second terminal of the capacitor CA is connected to the wiring CAL.
  • the wiring BIL functions as a bit line
  • the wiring WOL functions as a word line.
  • the wiring CAL functions as a wiring for applying a predetermined potential to the second terminal of the capacitor CA. It is preferable to apply a low-level potential to the wiring CAL at the time of writing and reading data.
  • the wiring BGL functions as a wiring for applying a potential to the back gate of the transistor M1. By applying an arbitrary potential to the wiring BGL, the threshold voltage of the transistor M1 can be increased or decreased.
  • the memory cell 1471 shown in FIG. 23A corresponds to the storage device shown in FIG. That is, the transistor M1 corresponds to the transistor 200, the capacitor CA corresponds to the capacitor 100, the wiring BIL corresponds to the wiring 1003, the wiring WOL corresponds to the wiring 1004, the wiring BGL corresponds to the wiring 1006, and the wiring CAL corresponds to the wiring 1005.
  • the transistor 300 illustrated in FIG. 19 corresponds to the transistor provided in the peripheral circuit 1411 of the memory device 1400 illustrated in FIGS. 22A and 22B.
  • the memory cell MC is not limited to the memory cell 1471, and the circuit configuration can be changed.
  • the memory cell MC may have a structure in which the back gate of the transistor M1 is connected to the wiring WOL instead of the wiring BGL like the memory cell 1472 illustrated in FIG. 23B.
  • the memory cell MC may be a memory cell including a transistor having a single gate structure, that is, a transistor M1 having no back gate, like the memory cell 1473 illustrated in FIG. 23C.
  • the transistor 200 can be used as the transistor M1 and the capacitor 100 can be used as the capacitor CA.
  • the leak current of the transistor M1 can be made extremely small. That is, since the written data can be held for a long time by the transistor M1, the frequency of refreshing the memory cell can be reduced. Alternatively, the refresh operation of the memory cell can be made unnecessary. Further, since the leak current is extremely small, multi-valued data or analog data can be held in the memory cell 1471, the memory cell 1472, and the memory cell 1473.
  • the sense amplifier is provided so as to overlap the memory cell array 1470 as described above, the bit line can be shortened. As a result, the bit line capacity is reduced and the storage capacity of the memory cell can be reduced.
  • [NOSRAM] 23D to 23G show circuit configuration examples of gain cell type memory cells each having two transistors and one capacitor.
  • the memory cell 1474 illustrated in FIG. 23D includes a transistor M2, a transistor M3, and a capacitor CB. Note that the transistor M2 has a top gate (may be simply referred to as a gate) and a back gate.
  • a memory device including a gain cell type memory cell in which an OS transistor is used as the transistor M2 may be referred to as a NOSRAM (Nonvolatile Oxide Semiconductor RAM).
  • the first terminal of the transistor M2 is connected to the first terminal of the capacitor CB, the second terminal of the transistor M2 is connected to the wiring WBL, the gate of the transistor M2 is connected to the wiring WOL, and the back gate of the transistor M2 is connected.
  • the second terminal of the capacitor CB is connected to the wiring CAL.
  • the first terminal of the transistor M3 is connected to the wiring RBL, the second terminal of the transistor M3 is connected to the wiring SL, and the gate of the transistor M3 is connected to the first terminal of the capacitive element CB.
  • the wiring WBL functions as a write bit line
  • the wiring RBL functions as a read bit line
  • the wiring WOL functions as a word line.
  • the wiring CAL functions as a wiring for applying a predetermined potential to the second terminal of the capacitor CB. It is preferable that a low-level potential be applied to the wiring CAL during data writing, during data retention, and during data reading.
  • the wiring BGL functions as a wiring for applying a potential to the back gate of the transistor M2. By applying an arbitrary potential to the wiring BGL, the threshold voltage of the transistor M2 can be increased or decreased.
  • the memory cell 1474 shown in FIG. 23D corresponds to the storage device shown in FIG. That is, the transistor M2 is the transistor 200, the capacitor CB is the capacitor 100, the transistor M3 is the transistor 300, the wiring WBL is the wiring 2003, the wiring WOL is the wiring 2004, the wiring BGL is the wiring 2006, and the wiring CAL is the wiring. 2005, the wiring RBL corresponds to the wiring 2002, and the wiring SL corresponds to the wiring 2001.
  • the memory cell MC is not limited to the memory cell 1474, and the circuit configuration can be changed as appropriate.
  • the back gate of the transistor M2 may be connected to the wiring WOL instead of the wiring BGL.
  • the memory cell MC may be a memory cell including a transistor having a single gate structure, that is, a transistor M2 having no back gate, like the memory cell 1476 shown in FIG. 23F.
  • the memory cell MC may have a configuration in which the wiring WBL and the wiring RBL are combined into one wiring BIL like the memory cell 1477 illustrated in FIG. 23G.
  • the transistor 200 can be used as the transistor M2
  • the transistor 300 can be used as the transistor M3
  • the capacitor 100 can be used as the capacitor CB.
  • an OS transistor as the transistor M2
  • the leak current of the transistor M2 can be made extremely small. Accordingly, the written data can be held for a long time by the transistor M2, so that the frequency of refreshing the memory cell can be reduced. Alternatively, the refresh operation of the memory cell can be made unnecessary. Further, since the leak current is extremely small, multi-valued data or analog data can be held in the memory cell 1474. The same applies to the memory cells 1475 to 1477.
  • the transistor M3 may be a transistor having silicon in the channel formation region (hereinafter may be referred to as a Si transistor).
  • the conductivity type of the Si transistor may be an n-channel type or a p-channel type.
  • the Si transistor may have higher field effect mobility than the OS transistor. Therefore, a Si transistor may be used as the transistor M3 that functions as a read transistor.
  • the transistor M2 can be provided over the transistor M3 so that the area occupied by the memory cell can be reduced and high integration of the memory device can be achieved.
  • the transistor M3 may be an OS transistor.
  • OS transistors are used for the transistors M2 and M3, the memory cell array 1470 can be formed using only n-type transistors.
  • FIG. 23H shows an example of a gain cell type memory cell having three transistors and one capacitor.
  • the memory cell 1478 illustrated in FIG. 23H includes transistors M4 to M6 and a capacitor CC.
  • the capacitive element CC is provided as appropriate.
  • the memory cell 1478 is electrically connected to the wiring BIL, the wiring RWL, the wiring WWL, the wiring BGL, and the wiring GNDL.
  • the wiring GNDL is a wiring which gives a low-level potential. Note that the memory cell 1478 may be electrically connected to the wiring RBL and the wiring WBL instead of the wiring BIL.
  • the transistor M4 is an OS transistor having a back gate, and the back gate is electrically connected to the wiring BGL. Note that the back gate and the gate of the transistor M4 may be electrically connected to each other. Alternatively, the transistor M4 may not have a back gate.
  • the transistors M5 and M6 may be n-channel Si transistors or p-channel Si transistors, respectively.
  • the transistors M4 to M6 may be OS transistors.
  • the memory cell array 1470 can be configured using only n-type transistors.
  • the transistor 200 can be used as the transistor M4, the transistor 300 can be used as the transistors M5 and M6, and the capacitor 100 can be used as the capacitor CC.
  • the leak current of the transistor M4 can be made extremely small.
  • peripheral circuit 1411 the memory cell array 1470, and the like shown in this embodiment are not limited to the above. Arrangement or function of these circuits and wirings, circuit elements, and the like connected to the circuits may be changed, deleted, or added as necessary.
  • FIGS. 24A and 24B An example of a chip 1200 in which a semiconductor device of the present invention is mounted is shown with reference to FIGS. 24A and 24B.
  • a plurality of circuits (systems) are mounted on the chip 1200.
  • the technique of integrating a plurality of circuits (systems) into one chip in this way may be referred to as system on chip (SoC).
  • SoC system on chip
  • the chip 1200 includes a CPU 1211, a GPU 1212, one or more analog arithmetic units 1213, one or more memory controllers 1214, one or more interfaces 1215, one or more network circuits 1216, and the like.
  • Bumps (not shown) are provided on the chip 1200, and are connected to the first surface of a printed circuit board (Printed Circuit Board: PCB) 1201, as shown in FIG. 24B. Further, a plurality of bumps 1202 are provided on the back surface of the first surface of the PCB 1201 and are connected to the mother board 1203.
  • PCB printed Circuit Board
  • the motherboard 1203 may be provided with a storage device such as a DRAM 1221 and a flash memory 1222.
  • a storage device such as a DRAM 1221 and a flash memory 1222.
  • the DOSRAM described in any of the above embodiments can be used as the DRAM 1221.
  • the NOSRAM described in any of the above embodiments can be used for the flash memory 1222.
  • the CPU 1211 preferably has a plurality of CPU cores.
  • the GPU 1212 preferably has a plurality of GPU cores.
  • the CPU 1211 and the GPU 1212 may each have a memory that temporarily stores data.
  • a memory common to the CPU 1211 and the GPU 1212 may be provided in the chip 1200.
  • the memory the above-mentioned NOSRAM or DOSRAM can be used.
  • the GPU 1212 is suitable for parallel calculation of a large number of data and can be used for image processing and product-sum calculation. By providing the GPU 1212 with an image processing circuit using the oxide semiconductor of the present invention or a product-sum operation circuit, image processing and product-sum operation can be performed with low power consumption.
  • the CPU 1211 and the GPU 1212 are provided in the same chip, wiring between the CPU 1211 and the GPU 1212 can be shortened, data transfer from the CPU 1211 to the GPU 1212, data transfer between the memories included in the CPU 1211 and the GPU 1212, Further, after the calculation in the GPU 1212, the calculation result can be transferred from the GPU 1212 to the CPU 1211 at high speed.
  • the analog operation unit 1213 has one or both of an A / D (analog / digital) conversion circuit and a D / A (digital / analog) conversion circuit. Further, the analog-calculation unit 1213 may be provided with the above product-sum calculation circuit.
  • the memory controller 1214 has a circuit that functions as a controller of the DRAM 1221 and a circuit that functions as an interface of the flash memory 1222.
  • the interface 1215 has an interface circuit with externally connected devices such as a display device, a speaker, a microphone, a camera, and a controller.
  • the controller includes a mouse, a keyboard, a game controller, and the like.
  • USB Universal Serial Bus
  • HDMI registered trademark
  • High-Definition Multimedia Interface or the like can be used.
  • the network circuit 1216 has a network circuit such as a LAN (Local Area Network). Further, a circuit for network security may be included.
  • LAN Local Area Network
  • the above circuit (system) can be formed on the chip 1200 by the same manufacturing process. Therefore, even if the number of circuits required for the chip 1200 increases, it is not necessary to increase the manufacturing process, and the chip 1200 can be manufactured at low cost.
  • the PCB 1201 provided with the chip 1200 having the GPU 1212, the DRAM 1221, and the motherboard 1203 provided with the flash memory 1222 can be called a GPU module 1204.
  • the GPU module 1204 Since the GPU module 1204 has the chip 1200 using the SoC technology, its size can be reduced. Further, since it is excellent in image processing, it is suitable for use in portable electronic devices such as smartphones, tablet terminals, laptop PCs, portable (carry-out) game machines, and the like. Further, a product-sum operation circuit using the GPU 1212 allows deep neural networks (DNN), convolutional neural networks (CNN), recurrent neural networks (RNN), self-encoders, deep Boltzmann machines (DBM), deep belief networks ( The chip 1200 can be used as an AI chip, or the GPU module 1204 can be used as an AI system module because a technique such as DBN) can be performed.
  • DNN deep neural networks
  • CNN convolutional neural networks
  • RNN recurrent neural networks
  • DBM deep Boltzmann machines
  • the chip 1200 can be used as an AI chip, or the GPU module 1204 can be used as an AI system module because a technique such as DBN) can be performed.
  • the semiconductor device described in the above embodiment is, for example, a storage device of various electronic devices (eg, information terminals, computers, smartphones, electronic book terminals, digital cameras (including video cameras), recording / playback devices, navigation systems, and the like).
  • the computer includes a tablet computer, a notebook computer, a desktop computer, and a large computer such as a server system.
  • the semiconductor device described in any of the above embodiments is applied to various removable storage devices such as a memory card (eg, an SD card), a USB memory, and an SSD (solid state drive).
  • 25A to 25E schematically show some configuration examples of the removable storage device.
  • the semiconductor device described in any of the above embodiments is processed into a packaged memory chip and used for various storage devices and removable memories.
  • FIG. 25A is a schematic diagram of a USB memory.
  • the USB memory 1100 has a housing 1101, a cap 1102, a USB connector 1103, and a substrate 1104.
  • the substrate 1104 is housed in the housing 1101.
  • a memory chip 1105 and a controller chip 1106 are attached to the substrate 1104.
  • the semiconductor device described in any of the above embodiments can be incorporated in the memory chip 1105 or the like.
  • FIG. 25B is a schematic diagram of the external appearance of the SD card
  • FIG. 25C is a schematic diagram of the internal structure of the SD card.
  • the SD card 1110 has a housing 1111, a connector 1112, and a board 1113.
  • the substrate 1113 is housed in the housing 1111.
  • a memory chip 1114 and a controller chip 1115 are attached to the substrate 1113.
  • the capacity of the SD card 1110 can be increased.
  • a wireless chip having a wireless communication function may be provided over the substrate 1113.
  • the data in the memory chip 1114 can be read and written by wireless communication between the host device and the SD card 1110.
  • the semiconductor device described in any of the above embodiments can be incorporated in the memory chip 1114 or the like.
  • FIG. 25D is a schematic diagram of the external appearance of the SSD
  • FIG. 25E is a schematic diagram of the internal structure of the SSD.
  • the SSD 1150 has a housing 1151, a connector 1152, and a board 1153.
  • the substrate 1153 is housed in the housing 1151.
  • the memory chip 1154, the memory chip 1155, and the controller chip 1156 are attached to the substrate 1153.
  • the memory chip 1155 is a work memory of the controller chip 1156, and for example, a DOSRAM chip may be used.
  • the capacity of the SSD 1150 can be increased.
  • the semiconductor device described in any of the above embodiments can be incorporated in the memory chip 1154 or the like.
  • the semiconductor device can be used for a processor such as a CPU or a GPU, or a chip.
  • 26A to 26H show specific examples of electronic devices each including a processor such as a CPU or a GPU, or a chip according to one embodiment of the present invention.
  • the GPU or the chip according to one embodiment of the present invention can be mounted on various electronic devices.
  • electronic devices include relatively large screens such as television devices, monitors for desktop or notebook information terminals, digital signage (digital signage), and large game machines such as pachinko machines.
  • digital signage digital signage
  • large game machines such as pachinko machines.
  • the electronic device including, a digital camera, a digital video camera, a digital photo frame, an electronic book reader, a mobile phone, a portable game machine, a personal digital assistant, a sound reproducing device, and the like.
  • artificial intelligence can be mounted on the electronic device.
  • the electronic device of one embodiment of the present invention may include an antenna.
  • the display portion can display images, information, and the like.
  • the antenna may be used for contactless power transmission.
  • the electronic device includes a sensor (force, displacement, position, velocity, acceleration, angular velocity, rotation speed, distance, light, liquid, magnetism, temperature, chemical substance, voice, time, hardness, electric field, current, (Including the function of measuring voltage, power, radiation, flow rate, humidity, gradient, vibration, odor or infrared rays).
  • a sensor force, displacement, position, velocity, acceleration, angular velocity, rotation speed, distance, light, liquid, magnetism, temperature, chemical substance, voice, time, hardness, electric field, current, (Including the function of measuring voltage, power, radiation, flow rate, humidity, gradient, vibration, odor or infrared rays).
  • the electronic device of one embodiment of the present invention can have various functions. For example, a function of displaying various information (still images, moving images, text images, etc.) on the display unit, a touch panel function, a function of displaying a calendar, date or time, a function of executing various software (programs), wireless communication It can have a function, a function of reading a program or data recorded in a recording medium, and the like.
  • 26A to 26H show examples of electronic devices.
  • the information terminal 5100 includes a housing 5101 and a display portion 5102, and a touch panel is provided in the display portion 5102 and a button is provided in the housing 5101 as an input interface.
  • the information terminal 5100 can execute an application utilizing artificial intelligence.
  • an application using artificial intelligence for example, an application for recognizing a conversation and displaying the content of the conversation on the display unit 5102, a character input by a user on a touch panel included in the display unit 5102, a graphic, etc. are recognized, An application displayed on the display portion 5102, an application for performing biometric authentication such as a fingerprint or a voiceprint, and the like can be given.
  • FIG. 26B shows a notebook information terminal 5200.
  • the laptop information terminal 5200 includes a main body 5201 of the information terminal, a display portion 5202, and a keyboard 5203.
  • the notebook information terminal 5200 can execute an application utilizing artificial intelligence by applying the chip of one embodiment of the present invention.
  • applications using artificial intelligence include design support software, text correction software, and menu automatic generation software. Further, by using the notebook information terminal 5200, new artificial intelligence can be developed.
  • a smartphone and a notebook information terminal are shown as examples of electronic devices in FIGS. 26A and 26B, but information terminals other than the smartphone and the notebook information terminal can be applied.
  • Examples of information terminals other than smartphones and notebook information terminals include PDAs (Personal Digital Assistants), desktop information terminals, workstations, and the like.
  • FIG. 26C shows a portable game machine 5300 which is an example of a game machine.
  • the portable game machine 5300 includes a housing 5301, a housing 5302, a housing 5303, a display portion 5304, a connection portion 5305, operation keys 5306, and the like.
  • the housings 5302 and 5303 can be removed from the housing 5301.
  • an image output to the display portion 5304 can be output to another video device (not shown). it can.
  • the housing 5302 and the housing 5303 can each function as an operation portion. This allows a plurality of players to play the game at the same time.
  • the chip described in any of the above embodiments can be incorporated in chips provided on the substrates of the housings 5301, 5302, and 5303.
  • FIG. 26D shows a stationary game machine 5400 which is an example of a game machine.
  • a controller 5402 is connected to the stationary game machine 5400 wirelessly or by wire.
  • the mobile game machine 5300 having artificial intelligence can be realized.
  • expressions such as the progress of the game, the behaviors of the creatures appearing in the game, and the phenomena occurring in the game are determined by the program included in the game.
  • expressions not limited to game programs are possible. For example, it is possible to express that the contents of the question asked by the player, the progress of the game, the time, and the behavior of the person appearing in the game change.
  • the artificial intelligence can configure the game player as an anthropomorphic person. You can play games.
  • 26C and 26D illustrate a portable game machine and a stationary game machine as examples of the game machine
  • the game machine to which the GPU or the chip of one embodiment of the present invention is applied is not limited thereto.
  • a game machine to which the GPU or the chip of one embodiment of the present invention is applied for example, an arcade game machine installed in an entertainment facility (a game center, an amusement park, etc.), a batting practice pitching machine installed in a sports facility, etc. Is mentioned.
  • the GPU or chip of one embodiment of the present invention can be applied to a large computer.
  • FIG. 26E is a diagram showing a supercomputer 5500, which is an example of a large computer.
  • FIG. 26F is a diagram showing a rack mount computer 5502 included in the super computer 5500.
  • the super computer 5500 has a rack 5501 and a plurality of rack mount computers 5502.
  • the plurality of computers 5502 are stored in the rack 5501. Further, the computer 5502 is provided with a plurality of boards 5504, and the GPU or the chip described in any of the above embodiments can be mounted on the boards.
  • Supercomputer 5500 is a large computer mainly used for scientific and technological calculations. Scientific and technological calculations require huge amounts of calculations to be processed at high speed, resulting in high power consumption and large chip heat generation.
  • the GPU or the chip of one embodiment of the present invention to the supercomputer 5500, a supercomputer with low power consumption can be realized.
  • heat generation from a circuit can be reduced by low power consumption, the influence of the heat generation on the circuit itself, peripheral circuits, and modules can be reduced.
  • 26E and 26F show a supercomputer as an example of a large computer, but a large computer to which the GPU or the chip of one embodiment of the present invention is applied is not limited to this.
  • Examples of large-sized computers to which the GPU or chip of one embodiment of the present invention is applied include computers (servers) that provide services, large-sized general-purpose computers (mainframes), and the like.
  • the GPU or the chip of one embodiment of the present invention can be applied to an automobile that is a moving object and around a driver's seat of the automobile.
  • FIG. 26G is a diagram showing the vicinity of a windshield inside a vehicle, which is an example of a moving body.
  • FIG. 26G shows the display panel 5701, the display panel 5702, and the display panel 5703 attached to the dashboard, and the display panel 5704 attached to the pillar.
  • Display panel 5701 to display panel 5703 can provide various other information by displaying speedometer, tachometer, mileage, fuel gauge, gear status, air conditioner settings, and the like. Further, the display items and layout displayed on the display panel can be appropriately changed according to the preference of the user, and the designability can be improved.
  • the display panels 5701 to 5703 can also be used as a lighting device.
  • the field of view (blind spot) blocked by the pillars can be complemented. That is, by displaying the image from the image pickup device provided outside the automobile, the blind spot can be compensated and the safety can be improved. In addition, by displaying an image that complements the invisible portion, it is possible to confirm the safety more naturally and comfortably.
  • the display panel 5704 can also be used as a lighting device.
  • the GPU or the chip of one embodiment of the present invention can be applied as a component of artificial intelligence
  • the chip can be used, for example, in an automatic driving system of an automobile.
  • the chip can be used in a system that performs road guidance, risk prediction, and the like. Information such as road guidance and risk prediction may be displayed on the display panels 5701 to 5704.
  • a car is described as an example of the moving body, but the moving body is not limited to the car.
  • the moving object a train, a monorail, a ship, a flying object (a helicopter, an unmanned aerial vehicle (drone), an airplane, a rocket), or the like can be given, and the chip of one embodiment of the present invention is applied to these moving objects.
  • a system using artificial intelligence can be added.
  • FIG. 26H shows an electric refrigerator-freezer 5800 which is an example of an electric appliance.
  • the electric refrigerator-freezer 5800 includes a housing 5801, a refrigerator compartment door 5802, a freezer compartment door 5803, and the like.
  • the electric refrigerator-freezer 5800 having artificial intelligence can be realized.
  • the electric refrigerator-freezer 5800 has a function of automatically generating a menu based on the food items stored in the electric refrigerator-freezer 5800, the expiration date of the foodstuff, and the electric refrigerator-freezer 5800. It can have a function of automatically adjusting the temperature according to the food.
  • an electric refrigerator-freezer is described as an example of the electric appliance
  • other electric appliances include, for example, a vacuum cleaner, a microwave oven, a microwave oven, a rice cooker, a water heater, an IH cooker, a water server, an air conditioner including an air conditioner, Examples include washing machines, dryers and audiovisual equipment.
  • the electronic device described in this embodiment the function of the electronic device, the application example of the artificial intelligence, the effect, and the like can be appropriately combined with the description of other electronic devices.
  • FIG. 27 shows a market image in which an OS transistor can be used.
  • a region 701 represents a product region (OS Display) applicable to a display (Display) using an OS transistor
  • a region 702 represents an LSI (Large Scale Integration) using an OS transistor as an analog.
  • a product area (OS LSI analog) applicable to processing is represented
  • an area 703 is a product area (OS LSI digital) applicable to digital processing of an LSI including an OS transistor.
  • the OS transistor can be suitably used for the three regions of the region 701, the region 702, and the region 703 shown in FIG. 27, in other words, for three large markets.
  • a region 704 represents a region in which the region 701 and the region 702 overlap
  • a region 705 represents a region in which the region 702 and the region 703 overlap
  • a region 706 represents a region 701.
  • An area 703 represents an overlapping area
  • an area 707 represents an overlapping area of the area 701, the area 702, and the area 703.
  • FET structures such as a Bottom Gate type OS FET (BG OSFET) and a Top Gate type OS FET (TG OSFET) can be preferably used.
  • BG OSFET Bottom Gate type OS FET
  • TG OSFET Top Gate type OS FET
  • the Bottom Gate type OS FET includes a channel etch type FET and a channel protection type FET.
  • the Top Gate type OS FET includes a TGSA (Top Gate Self-Aligned) type FET.
  • a Gate Last type OS FET GL OS FET
  • GL OS FET Gate Last type OS FET
  • each of the above transistors includes a single gate structure transistor having one gate electrode, a dual gate structure transistor having two gate electrodes, or a transistor having three or more gate electrodes. Further, among the transistors having the Dual Gate structure, it is preferable to use the transistor having the S-channel structure.
  • products included in the OS Display include products having an LCD (liquid crystal display), an EL (Electro Luminescence), and an LED (Light Emitting Diode) as a display device.
  • LCD liquid crystal display
  • EL Electro Luminescence
  • LED Light Emitting Diode
  • EL includes organic EL and inorganic EL.
  • the LED includes a micro LED, a mini LED, and a macro LED. Note that in this specification and the like, the area of the chip 10000 2 below the light emitting diodes micro LED, mini LED greatly 1 mm 2 or less of light-emitting diodes than the area of the chip 10000 2, the chip area is 1 mm 2 larger than the light-emitting diodes May be referred to as a macro LED.
  • a sound source localization device corresponding to a sound range of various frequencies (for example, an audible sound having a frequency of 20 Hz or more and less than 20 kHz, or an ultrasonic wave of 20 kHz or more), or Examples thereof include a battery control device (battery control IC, battery protection IC, or battery management system).
  • the products included in the OS LSI digital include a memory device, a CPU (Central Processing Unit) device, a GPU (Graphics Processing Unit) device, an FPGA (field-programmable gate array) device, a power device, and an OS LSI.
  • a memory device a central processing Unit
  • a GPU Graphics Processing Unit
  • FPGA field-programmable gate array
  • a power device and an OS LSI.
  • the products included in the area 704 include a display device having an infrared sensor or a near infrared sensor in the display area, a signal processing device with a sensor having an OS FET, or an embedded biosensor device.
  • Examples of products included in the area 705 include a processing circuit having an A / D (analog / digital) conversion circuit or the like, or an AI (Artificial Intelligence) device having the processing circuit.
  • examples of products included in the area 706 include a display device to which Pixel AI technology is applied.
  • the Pixel AI technology refers to a technology of utilizing a memory including an OS FET mounted in a pixel circuit of a display.
  • the semiconductor device of one embodiment of the present invention can be applied to all product regions as illustrated in FIG. That is, the semiconductor device of one embodiment of the present invention can be applied to many markets.
  • This embodiment can be implemented in appropriate combination with any of the structures described in the other embodiments.

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Abstract

信頼性が良好な半導体装置を提供する。 基板上に、インジウムを有する金属酸化物を形成する第１の工程と、金属酸化物上からマイクロ波処理を行う第２の工程と、を有し、第１の工程は、インジウムを有する酸化物ターゲットを用いて、スパッタリング法によって行われ、第２の工程は、減圧下、かつ、酸素を含むガスを用いて行われ、第２の工程により、金属酸化物中の酸素欠損に水素が入った欠陥（ＶoＨ）を、酸素欠損（Ｖo）と水素（Ｈ）とに分断する。

Description

金属酸化物の作製方法、半導体装置の作製方法
　本発明の一態様は、金属酸化物、トランジスタ、半導体装置、および電子機器に関する。また、本発明の一態様は、金属酸化物の作製方法、および半導体装置の作製方法に関する。また、本発明の一態様は、半導体ウエハ、およびモジュールに関する。
　なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能し得る装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶装置は、半導体装置の一態様である。表示装置（液晶表示装置、発光表示装置など）、投影装置、照明装置、電気光学装置、蓄電装置、記憶装置、半導体回路、撮像装置、電子機器などは、半導体装置を有すると言える場合がある。
　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様は、物、方法、または、製造方法に関するものである。また、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。
　絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を用いてトランジスタを構成する技術が注目されている。当該トランジスタは集積回路（ＩＣ）や画像表示装置（単に表示装置とも表記する。）のような電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体薄膜としてシリコン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料として酸化物半導体が注目されている。
　酸化物半導体において、単結晶でも非晶質でもない、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ　ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造およびｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造が見出されている（非特許文献１及び非特許文献２参照）。
　非特許文献１および非特許文献２では、ＣＡＡＣ構造を有する酸化物半導体を用いてトランジスタを作製する技術が開示されている。
Ｓ．Ｙａｍａｚａｋｉ　ｅｔ　ａｌ．，"ＳＩＤ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　Ｄｉｇｅｓｔ　ｏｆ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐａｐｅｒｓ"，２０１２，ｖｏｌｕｍｅ　４３，ｉｓｓｕｅ　１，ｐ．１８３−１８６ Ｓ．Ｙａｍａｚａｋｉ　ｅｔ　ａｌ．，"Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ"，２０１４，ｖｏｌｕｍｅ　５３，Ｎｕｍｂｅｒ　４Ｓ，ｐ．０４ＥＤ１８−１−０４ＥＤ１８−１０
　本発明の一態様は、信頼性が良好な半導体装置を提供することを課題の一つとする。また、本発明の一態様は、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することを課題の一つとする。また、本発明の一態様は、オン電流が大きい半導体装置を提供することを課題の一つとする。また、本発明の一態様は、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供することを課題の一つとする。また、本発明の一態様は、低消費電力の半導体装置を提供することを課題の一つとする。
　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
　本発明の一態様は、基板上に、インジウムを有する金属酸化物を形成する第１の工程と、金属酸化物上からマイクロ波処理を行う第２の工程と、を有し、第２の工程は、減圧下、かつ、酸素を含むガスを用いて行われ、第２の工程により、金属酸化物中の酸素欠損に水素が入った欠陥（ＶＯＨ）を、酸素欠損（ＶＯ）と水素（Ｈ）とに分断する、金属酸化物の作製方法である。
　また、本発明の一態様は、基板上に、インジウムを有する金属酸化物を形成する第１の工程と、金属酸化物上からマイクロ波処理を行う第２の工程と、金属酸化物に対して、加熱処理を行う第３の工程と、を有し、第２の工程は、減圧下、かつ、酸素を含むガスを用いて行われ、第３の工程は、減圧下で行われ、第２の工程により、金属酸化物中の酸素欠損に水素が入った欠陥（ＶＯＨ）を、酸素欠損（ＶＯ）と水素（Ｈ）とに分断し、第３の工程により、金属酸化物中の酸素欠損（ＶＯ）を低減する、金属酸化物の作製方法である。
　また、本発明の一態様は、基板上に、インジウムを有する金属酸化物を形成する第１の工程と、金属酸化物上に、第１の導電体および第２の導電体を形成する第２の工程と、金属酸化物上からマイクロ波処理を行う第３の工程と、金属酸化物に対して、加熱処理を行う第４の工程と、を有し、第３の工程は、減圧下、かつ、酸素を含むガスを用いて行われ、第４の工程は、減圧下で行われ、第３の工程により、金属酸化物中の酸素欠損に水素が入った欠陥（ＶＯＨ）を、酸素欠損（ＶＯ）と水素（Ｈ）とに分断し、第４の工程により、金属酸化物中の酸素欠損（ＶＯ）を低減し、かつ、金属酸化物中の水素（Ｈ）が、第１の導電体および第２の導電体へ拡散する、金属酸化物の作製方法である。
　また、本発明の一態様は、基板上に、インジウムを有する金属酸化物を形成する第１の工程と、金属酸化物上に、第１の導電体および第２の導電体を形成する第２の工程と、金属酸化物上に、絶縁膜を成膜する第３の工程と、絶縁膜上からマイクロ波処理を行う第４の工程と、金属酸化物および絶縁膜の一方または双方に対して、加熱処理を行う第５の工程と、を有し、第４の工程は、減圧下、かつ、酸素を含むガスを用いて行われ、第５の工程は、減圧下で行われ、第４の工程により、金属酸化物中の酸素欠損に水素が入った欠陥（ＶＯＨ）を、酸素欠損（ＶＯ）と水素（Ｈ）とに分断し、第５の工程により、金属酸化物中の酸素欠損（ＶＯ）を低減し、かつ、金属酸化物中の水素（Ｈ）が、第１の導電体および第２の導電体へ拡散する、金属酸化物の作製方法である。
　上記作製方法において、加熱処理の温度は、３００℃以上５００℃以下である、ことが好ましい。
　また、上記作製方法において、マイクロ波処理の圧力は、１３３Ｐａ以上である、ことが好ましい。
　また、上記作製方法において、第１の工程は、インジウムを有する酸化物ターゲットを用いて、スパッタリング法によって行われる、ことが好ましい。
　本発明の一態様により、信頼性が良好な半導体装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、オン電流が大きい半導体装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、低消費電力の半導体装置を提供することができる。
　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
図１Ａは、本発明の一態様に係る半導体装置の上面図である。図１Ｂ乃至図１Ｄは、本発明の一態様に係る半導体装置の断面図である。
図２Ａは、＋ＧＢＴ試験におけるΔＶｓｈの挙動を説明する図である。図２Ｂは、トランジスタのドレイン電流を説明する図である。
図３Ａは、金属酸化物のエネルギーダイアグラムを説明する図である。図３Ｂ、および図３Ｃは、電子の伝導を説明する図である。
図４Ａ、および図４Ｂは、ＶＯＨと、ＶＯおよびＨと、の反応に関するエネルギーの推移の模式図である。
図５Ａは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図である。図５Ｂ乃至図５Ｄは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図である。
図６Ａは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図である。図６Ｂ乃至図６Ｄは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図である。
図７Ａは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図である。図７Ｂ乃至図７Ｄは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図である。
図８Ａは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図である。図８Ｂ乃至図８Ｄは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図である。
図９Ａは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図である。図９Ｂ乃至図９Ｄは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図である。
図１０Ａは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図である。図１０Ｂ乃至図１０Ｄは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図である。
図１１Ａは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図である。図１１Ｂ乃至図１１Ｄは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図である。
図１２Ａは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図である。図１２Ｂ乃至図１２Ｄは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図である。
図１３Ａは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図である。図１３Ｂ乃至図１３Ｄは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図である。
図１４Ａは、本発明の一態様に係る半導体装置の上面図である。図１４Ｂ乃至図１４Ｄは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図である。
図１５Ａは、本発明の一態様に係る半導体装置の上面図である。図１５Ｂ乃至図１５Ｄは、本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す断面図である。
図１６は、本発明の一態様に係るマイクロ波処理装置を説明する上面図である。
図１７は、本発明の一態様に係るマイクロ波処理装置を説明する断面図である。
図１８は、本発明の一態様に係るマイクロ波処理装置を説明する断面図である。
図１９は、本発明の一態様に係る記憶装置の構成を示す断面図である。
図２０は、本発明の一態様に係る記憶装置の構成を示す断面図である。
図２１は、本発明の一態様に係る記憶装置の構成を示す断面図である。
図２２Ａ、および図２２Ｂは、本発明の一態様に係る記憶装置の構成例を示すブロック図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｈは、本発明の一態様に係る記憶装置の構成例を示す回路図である。
図２４Ａ、および図２４Ｂは、本発明の一態様に係る半導体装置の模式図である。
図２５Ａ乃至図２５Ｅは、本発明の一態様に係る記憶装置の模式図である。
図２６Ａ乃至図２６Ｈは、本発明の一態様に係る電子機器を示す図である。
図２７は、市場イメージを説明する図である。
　以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
　また、図面において、大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお、図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。例えば、実際の製造工程において、エッチングなどの処理により層やレジストマスクなどが意図せずに目減りすることがあるが、理解を容易とするため、図に反映しないことがある。また、図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
　また、特に上面図（「平面図」ともいう。）や斜視図などにおいて、発明の理解を容易とするため、一部の構成要素の記載を省略する場合がある。また、一部の隠れ線などの記載を省略する場合がある。
　また、本明細書等において、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順または積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
　また、本明細書等において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
　例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接的に接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されているものとする。ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
　また、本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域またはドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域またはソース電極）の間にチャネルが形成される領域（以下、チャネル形成領域ともいう。）を有しており、チャネル形成領域を介して、ソースとドレインとの間に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル形成領域とは、電流が主として流れる領域をいう。
　また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができる場合がある。
　なお、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重なる領域、またはチャネル形成領域における、ソース（ソース領域またはソース電極）とドレイン（ドレイン領域またはドレイン電極）との間の距離をいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。すなわち、一つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル長は、チャネル形成領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。
　チャネル幅とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重なる領域、またはチャネル形成領域における、チャネル長方向を基準として垂直方向のチャネル形成領域の長さをいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限らない。すなわち、一つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル幅は、チャネル形成領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。
　なお、本明細書等において、トランジスタの構造によっては、実際にチャネルの形成される領域におけるチャネル幅（以下、「実効的なチャネル幅」ともいう。）と、トランジスタの上面図において示されるチャネル幅（以下、「見かけ上のチャネル幅」ともいう。）と、が異なる場合がある。例えば、ゲート電極が半導体の側面を覆う場合、実効的なチャネル幅が、見かけ上のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる場合がある。例えば、微細かつゲート電極が半導体の側面を覆うトランジスタでは、半導体の側面に形成されるチャネル形成領域の割合が大きくなる場合がある。その場合は、見かけ上のチャネル幅よりも、実効的なチャネル幅の方が大きくなる。
　このような場合、実効的なチャネル幅の、実測による見積もりが困難となる場合がある。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積もるためには、半導体の形状が既知という仮定が必要である。したがって、半導体の形状が正確にわからない場合には、実効的なチャネル幅を正確に測定することは困難である。
　本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、見かけ上のチャネル幅を指す場合がある。または、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実効的なチャネル幅を指す場合がある。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル幅、見かけ上のチャネル幅などは、断面ＴＥＭ像などを解析することなどによって、値を決定することができる。
　なお、半導体の不純物とは、例えば、半導体を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物と言える。不純物が含まれることにより、例えば、半導体の欠陥準位密度が高くなることや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１４族元素、第１５族元素、酸化物半導体の主成分以外の遷移金属などがあり、例えば、水素、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。なお、水も不純物として機能する場合がある。また、例えば不純物の混入によって、酸化物半導体に酸素欠損（ＶＯと表記する場合がある）が形成される場合がある。
　なお、本明細書等において、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものである。また、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものである。
　また、本明細書等において、「絶縁体」という用語を、絶縁膜または絶縁層と言い換えることができる。また、「導電体」という用語を、導電膜または導電層と言い換えることができる。また、「半導体」という用語を、半導体膜または半導体層と言い換えることができる。
　また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０度以上１０度以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５度以上５度以下の場合も含まれる。また、「概略平行」とは、二つの直線が−３０度以上３０度以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が８０度以上１００度以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５度以上９５度以下の場合も含まれる。また、「概略垂直」とは、二つの直線が６０度以上１２０度以下の角度で配置されている状態をいう。
　本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅ）とは、広い意味での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む。）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう。）などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、ＯＳトランジスタと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
　また、本明細書等において、ノーマリーオフとは、ゲートに電位を印加しない、またはゲートに接地電位を与えたときに、トランジスタに流れるチャネル幅１μｍあたりのドレイン電流が、室温において１×１０−２０Ａ以下、８５℃において１×１０−１８Ａ以下、または１２５℃において１×１０−１６Ａ以下であることをいう。
（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様に係るトランジスタを有する半導体装置の一例について説明する。
＜半導体装置の構成例＞
　図１Ａ乃至図１Ｄは、本発明の一態様に係るトランジスタ２００を有する半導体装置の上面図および断面図である。図１Ａは、当該半導体装置の上面図である。また、図１Ｂ、図１Ｃ、および図１Ｄは、当該半導体装置の断面図である。ここで、図１Ｂは、図１ＡにＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００のチャネル長方向の断面図でもある。また、図１Ｃは、図１ＡにＡ３−Ａ４の一点鎖線で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００のチャネル幅方向の断面図でもある。また、図１Ｄは、図１ＡにＡ５−Ａ６の一点鎖線で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００のチャネル幅方向の断面図でもある。なお、図１Ａの上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いている。
　本発明の一態様の半導体装置は、トランジスタ２００と、層間膜として機能する絶縁体２１４、絶縁体２１６、絶縁体２８０、絶縁体２８２、および絶縁体２８４と、を有する。
［トランジスタ２００］
　図１Ａ乃至図１Ｄに示すように、トランジスタ２００は、基板（図示せず。）の上、かつ、絶縁体２１６に埋め込まれるように配置された導電体２０５と、絶縁体２１６の上および導電体２０５の上に配置された絶縁体２２２と、絶縁体２２２の上に配置された絶縁体２２４と、絶縁体２２４の上に配置された酸化物２３０（酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃ）と、酸化物２３０の上に配置された絶縁体２５０と、絶縁体２５０上に配置された導電体２６０（導電体２６０ａ、および導電体２６０ｂ）と、酸化物２３０ｂの上面の一部と接する導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂと、導電体２４０ａ上の絶縁体２４５ａと、導電体２４０ｂ上の絶縁体２４５ｂと、を有する。
　トランジスタ２００は、チャネルが形成される領域（以下、チャネル形成領域ともいう。）を含む酸化物２３０（酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃ）に、半導体として機能する金属酸化物（以下、酸化物半導体ともいう。）を用いることが好ましい。
　また、半導体として機能する金属酸化物は、バンドギャップが２ｅＶ以上のものを用いることが好ましく、２．５ｅＶ以上のものを用いることがより好ましい。このように、バンドギャップの大きい金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
　酸化物２３０として、例えば、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、錫、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種）等の金属酸化物を用いるとよい。また、酸化物２３０として、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物を用いてもよい。
　チャネル形成領域に金属酸化物を用いたトランジスタ２００は、非導通状態においてリーク電流が極めて小さいため、低消費電力の半導体装置を提供できる。また、金属酸化物は、スパッタリング法などを用いて成膜できるため、高集積型の半導体装置を構成するトランジスタ２００に用いることができる。
　一方、金属酸化物を用いたトランジスタは、金属酸化物中の不純物及び酸素欠損によって、その電気特性が変動し、ノーマリーオン特性（ゲート電極に電圧を印加しなくてもチャネルが存在し、トランジスタに電流が流れる特性）となりやすい。また、金属酸化物中に、適量値を超えた過剰な酸素を有した状態で、該トランジスタを駆動した場合、過剰な酸素原子の価数が変化し、該トランジスタの電気特性が変動することで、信頼性が悪くなる場合がある。
　なお、本発明の一態様のＯＳトランジスタには、キャリア濃度の低い金属酸化物をチャネル形成領域に用いることが好ましい。金属酸化物のキャリア濃度を低くする場合においては、金属酸化物中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性という。なお、本明細書等においては、チャネル形成領域の金属酸化物のキャリア濃度が１×１０１６ｃｍ−３以下の場合を実質的に高純度真性として定義する。金属酸化物のキャリア濃度の詳細については、後述する。
　なお、金属酸化物中の不純物としては、例えば、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。特に、金属酸化物に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、金属酸化物中に酸素欠損を形成する場合がある。金属酸化物中のチャネル形成領域に酸素欠損が含まれていると、トランジスタはノーマリーオン特性となる場合がある。さらに、金属酸化物中の酸素欠損に水素が入った場合、酸素欠損と水素とが結合しＶＯＨを形成する場合がある。酸素欠損に水素が入った欠陥（ＶＯＨ）はドナーとして機能し、キャリアである電子が生成されることがある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成する場合がある。従って、水素が多く含まれている金属酸化物を用いたトランジスタは、ノーマリーオン特性となりやすい。また、金属酸化物中の水素は、熱、電界などのストレスによって動きやすいため、金属酸化物に多くの水素が含まれると、トランジスタの信頼性が悪化する恐れもある。
　酸素欠損に水素が入った欠陥（ＶＯＨ）は、金属酸化物のドナーとして機能しうる。しかしながら、当該欠陥を定量的に評価することは困難である。そこで、金属酸化物においては、ドナー濃度ではなく、キャリア濃度で評価される場合がある。よって、本明細書等では、金属酸化物のパラメータとして、ドナー濃度ではなく、電界が印加されない状態を想定したキャリア濃度を用いる場合がある。つまり、本明細書等に記載の「キャリア濃度」は、「ドナー濃度」と言い換えることができる場合がある。
　金属酸化物中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、金属酸化物において、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度を、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、より好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とする。水素などの不純物が十分に低減された金属酸化物をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。
　また、チャネル形成領域の金属酸化物のキャリア濃度は、１×１０１８ｃｍ−３以下であることが好ましく、１×１０１７ｃｍ−３以下であることがより好ましく、１×１０１６ｃｍ−３以下であることがさらに好ましく、１×１０１３ｃｍ−３未満であることがさらに好ましく、１×１０１２ｃｍ−３未満であることがさらに好ましい。なお、チャネル形成領域の金属酸化物のキャリア濃度の下限値については、特に限定は無いが、例えば、１×１０−９ｃｍ−３とすることができる。
　本発明の一態様においては、酸化物２３０中のＶＯＨをできる限り低減し、高純度真性または実質的に高純度真性にすることが好ましい。このように、ＶＯＨが十分低減された金属酸化物を得るには、金属酸化物中の水分、水素などの不純物を除去すること（脱水、脱水素化処理と記載する場合がある。）と、金属酸化物に酸素を供給して酸素欠損を補填すること（加酸素化処理と記載する場合がある。）が重要である。ＶＯＨなどの不純物が十分に低減された金属酸化物をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。
　そこで、酸化物２３０に、酸素を含む雰囲気下、および減圧下にて、マイクロ波処理を行うことが好ましい。特に、酸化物２３０のチャネル形成領域に、酸素を含む雰囲気下、および減圧下にて、マイクロ波処理を行うことが好ましい。マイクロ波処理を行うことにより、マイクロ波による電界が、酸化物２３０に与えられ、酸化物２３０中のＶＯＨをＶＯと水素とに分断することができる。この時分断された水素の一部は、酸素と結合して、Ｈ２Ｏとして酸化物２３０から除去される場合がある。また、水素の一部は、導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂにゲッタリングされる場合がある。このように、マイクロ波処理を行うことで、酸化物２３０中の水素濃度を低減することができる。また、酸化物２３０中のＶＯＨをＶＯと水素とに分断した後に存在しうるＶＯに酸素が供給されることでＶＯを修復または補填することができる。
　上記マイクロ波処理は、例えば、高密度プラズマを発生させる電源を有する装置、または、基板側にＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を印加する電源を有する装置を用いると好適である。例えば、酸素を含むガスを用い、且つ高密度プラズマを用いることより、高密度の酸素ラジカルを生成することができ、基板側にＲＦを印加することで、高密度プラズマによって生成された酸素ラジカルを、効率よく酸化物２３０、または酸化物２３０近傍の絶縁体中に導入することができる。
　また、マイクロ波処理後に減圧状態を保ったままで、加熱処理を行ってもよい。このような処理を行うことで、酸化物２３０中の水素を効率よく除去することができる。また、加熱処理を繰り返し行うことで、酸化物２３０中の水素をさらに効率よく除去することができる。なお、加熱処理温度は、３００℃以上５００℃以下とすることが好ましい。なお、マイクロ波処理後に減圧状態を保ったままで、加熱処理を行うステップを複数回繰り返して行ってもよい。
　特に、酸化物２３０に、インジウムを含む酸化物を用いる場合、酸化物２３０に上記マイクロ波処理を行うことが好ましい。例えば、酸化物２３０にＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を用いる場合、酸化物２３０中の酸素は、主にＩｎ、元素Ｍ、Ｚｎのいずれか一種または複数種と結合している。インジウムと酸素との結合は、元素Ｍまたは亜鉛と酸素との結合よりも弱い傾向がある。よって、インジウムと結合している酸素は欠損しやすいと推定される。換言すると、酸素欠損はインジウム近傍に形成されやすいと推定される。また、ＶＯＨは酸素欠損に水素が入ることで形成されることから、ＶＯＨはインジウム近傍に形成されやすい。
　また、インジウムは、酸化物２３０の導電性を高める金属元素でもある。よって、酸化物２３０中に含まれるインジウムの原子数比が高いほど、トランジスタ２００のオン電流が大きくなる傾向がある。一方、酸化物２３０中に含まれるインジウムの原子数比が高いほど、ＶＯＨが形成されやすいと推定される。よって、酸化物２３０に、インジウムを含む酸化物を用いる場合、酸化物２３０に上記マイクロ波処理を行うことで、酸化物２３０中のＶＯＨを低減できる。したがって、トランジスタ２００のオン電流を大きくし、安定した電気特性を付与することができる。
　また、金属酸化物を成膜後の工程を経るに伴い、金属酸化物へ水素が拡散する場合がある。一例として、酸化物２３０に接して、ゲート絶縁体として機能する絶縁体２５０を成膜する場合、水素が含まれている成膜ガスを用いる場合がある。当該成膜ガスに含まれる水素が酸化物２３０へと拡散する蓋然性が高い。
　例えば、絶縁体２５０となる絶縁膜を成膜中の雰囲気、または成膜された絶縁体２５０中には、水素、窒素、炭素などといった不純物が存在する。特に、シリコン原子と結合した不純物を除去するには、不純物原子と、シリコン原子との結合を切断する必要があるため、加熱処理による不純物の除去は難しい。
　そこで、酸化物２３０上に、絶縁体２５０を成膜した後に、酸素を含む雰囲気下、および減圧下にて、マイクロ波処理を行うとよい。マイクロ波処理を行うことにより、マイクロ波による電界が絶縁体２５０、および酸化物２３０に与えられ、絶縁体２５０中の、シリコン原子と結合した水素を、シリコン原子から分断することができ、酸化物２３０中のＶＯＨをＶＯと水素とに分断することができる。この時分断された水素の一部は、酸素と結合して、Ｈ２Ｏとして絶縁体２５０および酸化物２３０から除去される場合がある。また、水素の一部は、導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂにゲッタリングされる場合がある。このように、マイクロ波処理を行うことで、絶縁体２５０中および酸化物２３０中の水素濃度を低減することができる。また、酸化物２３０中のＶＯＨをＶＯと水素とに分断した後に存在しうるＶＯに酸素が供給されることでＶＯを修復または補填することができる。
　また、マイクロ波処理後に減圧状態を保ったままで、加熱処理を行ってもよい。このような処理を行うことで、絶縁体２５０中、および酸化物２３０中の水素を効率よく除去することができる。または、マイクロ波処理後に減圧状態を保ったままで、加熱処理を行うステップを複数回繰り返して行ってもよい。例えば、マイクロ波処理を１０秒以上３００秒以下、好ましくは３０秒以上６０秒以下行った後に、減圧状態を保ったまま３０秒以上３０００秒以下、好ましくは３００秒またはその近傍の時間の加熱処理を行うステップを２回乃至１０回行ってもよい。加熱処理を繰り返し行うことで、絶縁体２５０中、および酸化物２３０中の水素をさらに効率よく除去することができる。なお、加熱処理温度は、３００℃以上５００℃以下とすることが好ましい。
　また、マイクロ波処理を行うことにより、絶縁体２５０の膜質を改質することで、水素、水、または不純物等の拡散を抑制することができる。従って、導電体２６０となる導電膜の成膜などの後工程、または熱処理などの後処理により、絶縁体２５０を介して、水素、水、または不純物が、酸化物２３０へ拡散することを抑制することができる。
　例えば、固体の酸化シリコンにおける水素原子とシリコン原子の結合エネルギーは３．３ｅＶ、炭素原子とシリコン原子の結合エネルギーは３．４ｅＶ、窒素原子とシリコン原子の結合エネルギーは３．５ｅＶ、である。従って、シリコン原子と結合した水素原子を取り除くには、少なくとも、３．３ｅＶ以上のエネルギーを持つラジカル、またはイオンを、水素原子とシリコン原子との結合部に衝突させることで、水素原子と、シリコン原子との結合を切断することができる。
　なお、窒素、および炭素などの他の不純物についても、同様に、少なくとも、結合エネルギー以上のエネルギーを持つラジカル、またはイオンを、不純物原子とシリコン原子との結合部に衝突させることで、不純物原子とシリコン原子との結合を切断することができる。
　ここで、マイクロ波で励起したプラズマにより発生するラジカル、およびイオンとして、酸素原子ラジカルの基底状態Ｏ（３Ｐ）、酸素原子ラジカルの第一励起状態Ｏ（１Ｄ）、および酸素分子の一価のカチオンＯ２＋等がある。Ｏ（３Ｐ）のエネルギーは、２．４２ｅＶ、Ｏ（１Ｄ）のエネルギーは、４．６ｅＶ、である。また、Ｏ２＋は電荷をもつために、プラズマ中の電位分布、およびバイアスにより加速されるため、エネルギーは一意に定まらないが、少なくとも、内部エネルギーのみでも、Ｏ（１Ｄ）より高いエネルギーを持つ。
　つまり、Ｏ（１Ｄ）、およびＯ２＋等のラジカル、およびイオンは、絶縁体２５０中の水素原子、窒素原子、および炭素原子と、シリコン原子との結合を切断し、シリコン原子と結合した水素原子、窒素原子、および炭素原子を除去することができる。また、マイクロ波励起プラズマ処理を行う際に、基板に加わる熱エネルギー等によっても、水素、窒素、および炭素などの不純物を低減することができる。
　一方、Ｏ（３Ｐ）は、反応性が低いため、絶縁体２５０では反応せず、膜中深くまで拡散する。また、Ｏ（３Ｐ）は絶縁体２５０を介して、酸化物２３０へと到達し、酸化物２３０中に拡散する。酸化物２３０中に拡散したＯ（３Ｐ）が、水素が入った酸素欠損に近接すると、酸素欠損中の水素は酸素欠損から放出され、代わりにＯ（３Ｐ）が酸素欠損に入ることで、酸素欠損は補償される。従って、酸化物２３０中で、キャリアである電子の生成を抑制することができる。
　なお、全体のラジカル、およびイオン種に対するＯ（３Ｐ）の割合は、圧力が高い条件でマイクロ波処理を行うことにより、増加する。酸化物２３０中の酸素欠損を補償するためには、Ｏ（３Ｐ）の割合が多い方が好ましい。従って、マイクロ波処理は、圧力を１３３Ｐａ以上、好ましくは２００Ｐａ以上、さらに好ましくは４００Ｐａ以上とすればよい。また、マイクロ波処理を行う装置内に導入するガスとしては、例えば、酸素と、アルゴンとを用い、酸素流量比（Ｏ２／（Ｏ２＋Ａｒ））が５０％以下、好ましくは１０％以上３０％以下で行うとよい。
　以上のようにして、金属酸化物中でドナーとして機能するＶＯＨを低減することができるので、チャネル形成領域として機能する金属酸化物のキャリア濃度を低くすることができる。このような金属酸化物をチャネル形成領域として用いたトランジスタは、ノーマリーオフ特性にすることができ、良好な電気特性および信頼性を有する半導体装置を構成することができる。
　また、トランジスタのチャネル形成領域に上記金属酸化物を用いることで、＋ＧＢＴ（Ｇａｔｅ　Ｂｉａｓ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験で測定されるΔＶｓｈを小さくすることができる。よって、トランジスタの信頼性を向上させることができる。なお、ΔＶｓｈの挙動のモデルについては後述する。
　以上より、信頼性が良好な半導体装置を提供することができる。また、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することができる。また、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供することができる。また、低消費電力の半導体装置を提供することができる。
＜＋ＧＢＴストレス試験におけるΔＶｓｈの挙動について＞
　以下では、ＯＳトランジスタにおけるオフ電流、および、＋ＧＢＴストレス試験におけるΔＶｓｈの挙動について、説明を行う。ここでは、チャネル形成領域に用いる金属酸化物を、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物として説明する。
　なお、以下の説明においては、シフト電圧（Ｖｓｈ）は、トランジスタのドレイン電流（Ｉｄ）−ゲート電圧（Ｖｇ）カーブにおいて、カーブ上の傾きが最大である点における接線が、Ｉｄ＝１ｐＡの直線と交差するＶｇで定義される。また、シフト電圧の変化量をΔＶｓｈとして表す。
　ＯＳトランジスタの＋ＧＢＴストレス試験において、ΔＶｓｈは、時間経過に伴い負方向へシフトする場合がある。また、ΔＶｓｈは、−方向（例えば、負方向）に変動するのではなく、負方向と正方向との双方に変動する挙動を示す場合がある。なお、本明細書等において、上記挙動を＋ＧＢＴストレス試験における、ギザギザ挙動と呼称する場合がある。
　ここで、＋ＧＢＴ試験におけるΔＶｓｈの挙動を説明する模式図を図２Ａに示す。図２Ａにおいて、縦軸はΔＶｓｈ［ｍＶ］を、横軸は時間（ｔｉｍｅ）［ｈｒ］を、それぞれ表す。
　図２Ａに示すように、ＯＳトランジスタの＋ＧＢＴストレス試験において、ΔＶｓｈは、正方向へのドリフト（図２Ａ中の矢印α）と、負方向へのドリフト（図２Ａ中の矢印β）と、の双方を有しながら変動する。なお、図２Ａに示すように、ΔＶｓｈは、矢印α及び矢印βで示すドリフトを有しながら、大局的には負方向に変動する。
　上記の＋ＧＢＴストレス試験における、ギザギザ挙動については、金属酸化物のチャネル形成領域における、酸素欠損（ＶＯ）、水素（Ｈ）、及び酸素欠損と水素とが結合した欠陥（ＶＯＨ）に起因して発生していると考えられる。つまり、金属酸化物のチャネル形成領域における、Ｖｏ、Ｈ、及びＶＯＨを低減させることで、＋ＧＢＴ試験における、ギザギザ挙動についても低減させることができる。
＜基本モデルについて＞
　ここで、＋ＧＢＴストレス試験におけるΔＶｔｈのギザギザ挙動については、下記に示す基本モデルを用いることで、解釈することができる。
　はじめに、ＯＳトランジスタにおける、ソースからドレインに流れる電流（ドレイン電流）について、図２Ｂを用いて説明する。なお、当該ＯＳトランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル形成領域を有する金属酸化物層、ソース領域、およびドレイン領域を有する。
　図２Ｂは、ＯＳトランジスタのＩｄ−Ｖｇ特性の模式図である。図２Ｂにおいて、横軸はゲート電極に与える電圧（Ｖｇ）［Ｖ］の変化を示し、縦軸はドレイン電流（Ｉｄ）［Ａ］の変化を示している。なお、図２Ｂは、縦軸が対数軸（ｌｏｇ）の片対数グラフである。
　ここで、ＯＳトランジスタのドレイン電流には、２種類の電流がある。一方の電流は、オン電流に関する電流であり、他方の電流は、オフ電流に関する電流である。
　図２Ｂに実線で示す電流Ａは、オン電流に関する電流である。また、図２Ｂに破線で示す電流Ｂは、オフ電流に関する電流である。また、図２Ｂに示す電圧Ｖａｂは、電流Ａの値と電流Ｂの値とが同じとなるゲート電圧の値である。
　ＯＳトランジスタのドレイン電流は、図２Ｂに示す、電流Ａと、電流Ｂとの和として観測される。ゲート電圧Ｖｇの値が電圧Ｖａｂ未満である場合、ドレイン電流に対する電流Ｂの比率が高く、ゲート電圧Ｖｇの値が電圧Ｖａｂより大きい場合、ドレイン電流に対する電流Ａの比率が高い。
　金属酸化物において、オン電流に関するキャリア（電子）は、主として重金属（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物では、例えば、Ｉｎ）のｓ軌道が寄与して伝導すると推測される。別言すると、主として、ＩｎＯに起因して電気伝導が行なわれることで、オン電流が流れると推測される。また、金属酸化物の全体に渡って空乏層は広がるため、十分な電気伝導がある。
　また、オフ電流に関するキャリアは、ＶＯＨに起因する電子であると推測される。なお、ＶＯＨはドナーとして機能し、キャリアである電子を放出する。
　なお、シリコンでは、リン（Ｐ）やホウ素（Ｂ）をドープすることで、キャリアが生成される。当該キャリアは、ソース領域とドレイン領域との間に流れる電流に関係している。つまり、シリコンでは、１種類のキャリアでオン電流およびオフ電流が決められていると推測される。
　次に、ＯＳトランジスタにおいて、ＶＯＨを介したキャリア伝導について、図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｃを用いて説明する。
　図３Ａは、金属酸化物のエネルギーダイアグラムの模式図である。図３Ａにおいて、縦軸は、エネルギーである。また、横方向はＶＯＨの密度を示す。図３Ａに示すＥＣＢＭは伝導帯下端のエネルギーであり、ＥＶＢＭは、価電子帯上端のエネルギーであり、Ｅｉはエネルギーギャップの中央（ミッドギャップともいう。）のエネルギーである。また、Ｅ１およびＥ２はエネルギーであり、Ｅ２の値は、Ｅ１の値と比べて、Ｅｉの値に近い。また、Ｅ１の値は、Ｅ２の値と比べて、ＥＣＢＭの値に近い。
　ＶＯＨはドナーとして機能するため、ＶＯＨに起因する準位は伝導帯下端の近くに位置すると推定される。よって、図３Ａに示すように、ＶＯＨの密度分布は、伝導帯下端の近くに位置すると推測される。なお、オフ電流に関するキャリアは、ＶＯＨに起因する準位や捕獲中心（トラップセンター）に束縛または放出される場合がある。また、ＶＯＨに起因する準位や捕獲中心は離散的に存在すると推測される。
　ここで、フェルミ準位がミッドギャップ（Ｅｉ）に近づくと、ＶＯＨが消滅して、ＶＯＨが減少するとする。例えば、図３Ａに示すように、ＶＯＨの密度は、伝導帯下端に近いほど高く、ミッドギャップ（Ｅｉ）に近いほど低いとする。
　上述したように、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物において、ＶＯＨは、インジウム近傍に形成されやすい。つまり、ＶＯＨは、ＩｎＯに形成されやすい。
　すなわち、キャリアはＩｎＯに起因して電気伝導をすることから、ＶＯＨに起因するキャリアがＶＯＨを経由して伝導することで、オフ電流が流れると推測される。よって、ＶＯＨを低減することで、ＶＯＨに起因するキャリアの伝導が抑制され、オフ電流を低減することができる。また、オフ電流に関するキャリアを低減することができる。オフ電流が低下することで、キャリアを、いわゆる自然のキャリアの存在に近づけることができる。金属酸化物中のＶＯＨを低減することで、金属酸化物のキャリア濃度を真性キャリア濃度（例えば、バンドギャップが３．３ｅＶの金属酸化物の場合、１×１０−９ｃｍ−３）に近づけることができる。
　フェルミ準位のエネルギーがＥ１に近い場合、別言すると、フェルミ準位が伝導帯に近い場合、フェルミ準位のエネルギーがＥ２に近い場合と比べて、ＶＯＨが多く存在する、または、ＶＯＨの密度が高い。すると、図３Ｂに示すように、オフ電流に関するキャリアｅ−がＶＯＨを経由して伝導する頻度は高くなり、オフ電流が大きくなる。
　一方、フェルミ準位のエネルギーがＥ２に近い場合、別言すると、フェルミ準位がミッドギャップ（Ｅｉ）に近い場合、フェルミ準位のエネルギーがＥ１に近い場合と比べて、ＶＯＨが少ない、またはＶＯＨの密度が低い。すると、図３Ｃに示すように、ＶＯＨの間隔が広がるため、オフ電流に関するキャリアｅ−のＶＯＨを経由して伝導する頻度は低下し、オフ電流が小さくなる。
　つまり、ＶＯＨの密度が高いとオフ電流が大きくなり、ＶＯＨの密度が低いとオフ電流が小さくなる。別言すると、ＶＯＨが生成するとオフ電流が大きくなり、ＶＯＨが消滅するとオフ電流が小さくなる。
　また、ＯＳトランジスタは、高温下でもオフ電流が増加しにくい、高温下でもオン電流とオフ電流の比が大きい、という特徴を有する。例えば、１２５℃以上１５０℃以下の高温下においても、ＯＳトランジスタは良好なスイッチング動作を行うことができる。高温下でのオフ電流が、主にＶＯＨを経由したキャリア伝導に起因する場合、ＶＯＨを低減することで、高温下でのオフ電流をさらに低減することができる。
　また、ΔＶｓｈのギザギザ挙動は、オン電流に関する電流に起因して生じる場合と、オフ電流に関する電流に起因して生じる場合とがある。特に、ΔＶｓｈのギザギザ挙動がオン電流に関する電流に起因して生じる場合、ＶＯＨが多く存在することで、ΔＶｓｈのギザギザ挙動が生じやすい。図３Ａに示すように、オン電流に関するキャリアがＶＯＨに起因する準位に捕獲される、または、捕獲されたキャリアが伝導帯に放出される。フェルミ準位のエネルギーがＥ１に近い場合、フェルミ準位のエネルギーがＥ２に近い場合と比べて、ＶＯＨの密度が高く、ＶＯＨに起因する準位の密度が高い。よって、オン電流に関するキャリアがＶＯＨに起因する準位に捕獲される、または、捕獲されたキャリアが伝導帯へ放出される頻度が高くなる。したがって、オン電流の変動が生じやすく、ΔＶｓｈのギザギザ挙動がより生じやすくなる。
＜応用モデルについて＞
　次に、上記基本モデルを、ＯＳトランジスタの＋ＧＢＴストレス試験に適用した応用モデルについて、図４Ａ、および図４Ｂを用いて説明を行う。
　なお、ＯＳトランジスタの＋ＧＢＴストレス試験では、ゲート電極に正の電位が印加される。ゲート電極に正の電位が印加される場合、ゲート電極から生じる電界が、金属酸化物のチャネル形成領域に印加される。
　図４Ａ、および図４Ｂは、ＶＯＨと、分断されたＶＯおよびＨと、の反応に関するエネルギーの推移の模式図である。まず、図４Ａを用いて、ＯＳトランジスタの＋ＧＢＴストレス試験に適用した応用モデルについて、詳細に説明を行う。
　図４Ａ、および図４Ｂにおいて、縦軸はエネルギーである。また、図４Ａ、および図４Ｂ中の状態Ａは、ＶＯとＨとがＶＯＨとして存在する状態であり、図４Ａ、および図４Ｂ中の状態Ｂは、ＶＯとＨとが分断された状態（ＶＯ＋Ｈと表記する）である。なお、状態１が状態２に変化する（反応する）のに必要なエネルギーΔＥを、状態１のエネルギーと、当該反応の途中に位置する最大のエネルギーとの差とする。つまり、反応に必要なエネルギーΔＥが大きいほど、当該反応は起こり難いといえる。
　図４Ａに示すように、ＶＯＨは、分断されたＶＯおよびＨよりも、安定に存在しやすく、エネルギーは低いと推測される。ＶＯＨが金属酸化物に加わる電界によって少しずつ新たに生成されることで、ΔＶｓｈは時間経過に伴い負方向へシフトする場合がある。つまり、ＶｏおよびＨは、ＶＯとＨとが分断されて存在するよりも、ＶＯＨとして存在する方が安定である。
　電界が金属酸化物に印加されない場合の、上記反応に関するエネルギーの推移を、図４Ａに点線Ｐで示す。図４Ａに示す点線Ｐにおいて、ΔＥ２は、状態Ａが状態Ｂに変化する（ＶＯＨがＶＯとＨとに分断される）のに必要なエネルギーである。また、ΔＥ１は、状態Ｂが状態Ａに変化する（ＶＯとＨとが結合しＶＯＨを形成する）のに必要なエネルギーである。
　電界が金属酸化物に印加されない場合、ＶＯＨと、分断されたＶＯおよびＨと、の反応に必要なエネルギー（ΔＥ１およびΔＥ２）は、比較的大きい。よって、ＶＯＨをＶＯとＨとに分断する反応の頻度は、低温ほど低くなり、高温ほど高くなる。例えば、４００℃の温度で４時間の熱処理を行うことで、ＶＯＨがＶＯとＨとに分断する反応が進み、さらに、加酸素化処理を行うことで、酸素欠損が修復され、水素が酸素と反応してＨ２Ｏとして除去され、ＶＯＨが再形成されるのを抑制し、ＶＯＨを低減することができる。
　次に、電界が金属酸化物に印加された場合の、上記反応に関するエネルギーの推移を、図４Ａに実線Ｑで示す。
　電界が金属酸化物に印加されることで、ＶＯＨの向きが変化する、またはＶＯＨが再配列する場合がある。これにより、ＶＯＨと、分断されたＶＯおよびＨと、の反応に関するエネルギーの推移が変化する。例えば、ＶＯＨと、分断されたＶＯおよびＨと、の反応において、一または複数の準安定状態が存在する。つまり、ＶＯＨがＶＯとＨとに分断される反応、および、ＶＯとＨとが結合しＶＯＨを形成する反応のそれぞれにおいて、反応に必要なエネルギーΔＥが、複数存在する。
　図４Ａでは、ＶＯＨと、分断されたＶＯおよびＨと、の反応の途中に、１つの準安定状態（状態Ｃ）が存在する場合のエネルギーの推移を示している。ここで、状態Ｃは、ＶＯとＨとに関する準安定状態であり、ドナーとして機能する場合と、機能しない場合とがある。
　図４Ａに示す実線Ｑにおいて、ΔＥＡＣは、状態Ａ（ＶＯＨ）が状態Ｃに変化するのに必要なエネルギーであり、ΔＥＣＢは、状態Ｃが状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）に変化するのに必要なエネルギーである。また、ΔＥＢＣは、状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）が状態Ｃに変化するのに必要なエネルギーであり、ΔＥＣＡは、状態Ｃが状態Ａ（ＶＯＨ）に変化するのに必要なエネルギーであり、ΔＥＢＡは、状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）が状態Ａ（ＶＯＨ）に変化するのに必要なエネルギーである。
　なお、図４Ａでは、ΔＥＣＡが、ΔＥＢＣよりも大きい例を示しているが、これに限られない。ΔＥＣＡが、ΔＥＢＣよりも小さい場合もあれば、ΔＥＣＡとΔＥＢＣとが等しい場合もある。なお、以下では、ΔＥＣＡが、ΔＥＢＣよりも大きいとして、説明する。
　図４Ａに示すように、ΔＥＡＣ、およびΔＥＣＢは、ΔＥ２と比べて小さい。よって、電界が金属酸化物に印加されることで、金属酸化物中のＶＯＨが、ＶＯとＨとに分断する反応が進み易くなる。なお、金属酸化物に印加される電界が弱くても、金属酸化物中のＶＯＨが、ＶＯとＨとに分断する反応が進みうる。
　また、図４Ａに示すように、ΔＥＢＣは、ΔＥ１と比べて小さいため、状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）は、状態Ｃへと変化しやすい。また、ΔＥＣＡは、ΔＥＢＣと比べて大きいため、状態Ｃが状態Ａ（ＶＯＨ）に変化する頻度は小さい。よって、電界が金属酸化物に印加されることで、金属酸化物中のＶＯおよびＨが状態Ｃへと変化しやすい。状態Ｃが、ドナーとして機能する、または、オフ電流に関するキャリアの伝導に寄与する場合、状態Ｃの数が増加することで、ΔＶｓｈが負方向へ変動する。また、ΔＥＣＢも小さいため、状態Ｃが、状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）に戻りやすい。状態Ｃが、状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）に戻ることで、状態Ｃの数が減少する。なお、状態Ｃの数の減少は、ΔＶｓｈに対して、正方向への変動には影響を与えるが、負方向への変動には影響を与えない。つまり、状態Ｃと、状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）と、の反応が生じることで、エネルギーが不安定となり、ΔＶｓｈのギザギザ挙動が生じる。
　また、図４Ａに示すように、ΔＥＢＡは、ΔＥ１と比べて小さい。また、ΔＥＢＣは、ΔＥＢＡと比べて小さい。よって、電界が金属酸化物に印加されることで、金属酸化物中の状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）が、状態Ａ（ＶＯＨ）へと変化しやすい。ＶＯＨの数が増加することで、ΔＶｓｈが負方向へ変動する。また、ΔＥＡＣは、ΔＥ２と比べて小さく、ΔＥＣＢは、ΔＥＡＣと比べて小さい。よって、電界が金属酸化物に印加されることで、金属酸化物中のＶＯＨが、状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）へと戻りやすい。ＶＯＨが、分断されたＶＯおよびＨに戻ることで、ＶＯＨの数が減少する。なお、ＶＯＨの数が減少することで、ΔＶｓｈが正方向へ変動する確率が高まる。つまり、切断されたＶＯおよびＨと、ＶＯＨとの反応が生じることで、エネルギーが不安定となり、ΔＶｓｈのギザギザ挙動が生じる。
　以上より、＋ＧＢＴストレス試験におけるΔＶｓｈのギザギザ挙動が、ＶＯＨに起因して生じることが理解できる。
　上述したように、電界が金属酸化物に印加されることで、ＶＯＨと、ＶＯＨが分断されたＶＯおよびＨと、の反応において、一または複数の準安定状態が存在する。なお、図４Ａにおいては、一の準安定状態が存在する場合のエネルギー推移の模式図を例示したが、複数の準安定状態が存在する場合のエネルギー推移の模式図を図４Ｂに示す。図４Ｂに示す点線Ｐは、図４Ａと同様に、電界が金属酸化物に印加されない場合の、上記反応に関するエネルギーの推移である。また、図４Ｂに示す実線Ｑは、３つの準安定状態（状態Ｃ、状態Ｄ、および状態Ｅ）が存在する場合の、ＶＯＨと、分断されたＶＯおよびＨと、の反応に関するエネルギーの推移である。準安定状態が１つ存在する場合と同様に、ＶＯＨと、分断されたＶＯおよびＨと、の反応が起こり易く、＋ＧＢＴストレス試験において、ΔＶｓｈのギザギザ挙動が生じる。
　なお、図４Ｂに示す点線Ｐにおいて、ΔＥ２は、状態Ａ（ＶＯＨ）が状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）に変化するのに必要なエネルギーであり、ΔＥ１は、状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）が状態Ａ（ＶＯＨ）に変化するのに必要なエネルギーである。
　また、図４Ｂに示す実線Ｑにおいて、ΔＥＡＤは、状態Ａ（ＶＯＨ）が状態Ｄに変化するのに必要なエネルギーであり、ΔＥＡＣは、状態Ａ（ＶＯＨ）が状態Ｃに変化するのに必要なエネルギーであり、ΔＥＣＥは、状態Ｃが状態Ｅに変化するのに必要なエネルギーであり、ΔＥＥＢは、状態Ｅが状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）に変化するのに必要なエネルギーである。また、ΔＥＢＥは、状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）が状態Ｅに変化するのに必要なエネルギーであり、ΔＥＢＣは、状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）が状態Ｃに変化するのに必要なエネルギーであり、ΔＥＢＤは、状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）が状態Ｄに変化するのに必要なエネルギーであり、ΔＥＤＡは、状態Ｄが状態Ａ（ＶＯＨ）に変化するのに必要なエネルギーである。また、ΔＥＢＡは、状態Ｂ（分断されたＶＯおよびＨ）が状態Ａ（ＶＯＨ）に変化するのに必要なエネルギーであり、ΔＥＣＤは、状態Ｃが状態Ｄに変化するのに必要なエネルギーである。
　図４Ａおよび図４Ｂにおいては、金属酸化物に印加される電界の有無による、ＶＯＨと、分断されたＶＯおよびＨと、の反応に関するエネルギーの推移の模式図を例示したが、当該反応に関するエネルギーの推移は金属酸化物の結晶性の違いによっても変化しうる。例えば、図４Ａおよび図４Ｂに示す点線Ｐを、単結晶の金属酸化物における、当該反応に関するエネルギーの推移と言い換え、図４Ａおよび図４Ｂに示す実線Ｑを、ＣＡＡＣ構造またはｎｃ構造を有する金属酸化物における、当該反応に関するエネルギーの推移と言い換えることができる場合がある。つまり、ＣＡＡＣ構造またはｎｃ構造を有する金属酸化物は、単結晶の金属酸化物に比べて、ＶＯＨが、ＶＯとＨとに分断する反応が進みやすい場合がある。なお、ｎｃ構造を有する金属酸化物における、当該反応に関するエネルギーの推移は、図４Ａおよび図４Ｂに示す実線Ｑよりも複雑である場合がある。
　以上の説明のように、金属酸化物中のＶＯＨは、生成と消滅とを繰り返していると推測される。別言すると、ＶＯＨが電界に依存してドリフトする、またはＶＯＨが生成と消滅とを繰り返すことで、＋ＧＢＴストレス試験におけるギザギザ挙動が生じると推測される。
　なお、金属酸化物中のＶＯＨの生成と消滅は、上述したΔＶｓｈのギザギザ挙動以外にも、様々な不安定要因の一つとなりうる。例えば、ＯＳトランジスタを測定する度にオフ電流が変動する現象についても、金属酸化物中のＶＯＨの生成と消滅に起因していると考えられる。
　一方で、ＯＳトランジスタにおいて、短チャネル効果に関するキャリアとＶＯＨに由来するキャリアとは異なるため、短チャネル効果が生じにくい効果も考えられる。なお、短チャネル効果の一つとして、ＯＳトランジスタのＳ値の増加がある。Ｓ値はオン電流に関係しており、オン電流に関するキャリアは、ＶＯＨ起因のキャリアとは異なる。よって、ＶＯＨの生成と消滅とを繰り返しても、短チャネル効果には影響しない、あるいは影響を与えにくい。つまり、ＯＳトランジスタは、短チャネル効果が生じにくいデバイス構造であると推測される。
　なお、上述のＶＯＨの消滅とは、ＶＯとＨとに分離すると表現することも可能である。ＶＯとＨとの分離は、ＯＳトランジスタの作製工程において、金属酸化物にマイクロ波処理による電界の印加、または脱水化処理、脱水素化処理、などの加熱処理によって、起こりうる。したがって、ＯＳトランジスタの作製工程中において、マイクロ波処理、または加熱処理が重要な工程であることが理解できる。また、加熱処理としては、上述の加熱処理の他に、加酸素化処理も重要である。加酸素化処理とは、ＯＳトランジスタの作製工程において、酸素雰囲気下で熱処理を行う、または過剰酸素を有する絶縁膜が金属酸化物に接した状態で加熱処理を行うことにより、金属酸化物中に形成されたＶＯを酸素により修復する処理である。
　また、上述のＶＯＨの消滅と、ＶＯの酸素による修復とは、以下に示す式（１）及び式（２）で表すことができる。式（１）はＶＯＨの消滅、すなわちＶＯＨがＶＯとＨとに分離する状態を表しており、式（２）はＶＯを酸素により修復された状態を表している。
・ＶＯＨ→ＶＯ＋Ｈ（１）
　・ＶＯ＋Ｏ→ｎｕｌｌ（２）
＜金属酸化物中における、ＶＯＨの存在確率について＞
　次に、金属酸化物中における、ＶＯＨの存在確率について以下に説明を行う。
　ＯＳトランジスタにおいて、ソース電極またはドレイン電極として機能する導電体と金属酸化物とが接することで、金属酸化物中の酸素が当該導電体へ拡散し、当該導電体が酸化する場合がある。当該導電体が酸化することで、当該導電体の導電率が低下する蓋然性が高い。なお、金属酸化物中の酸素が導電体へ拡散することを、導電体が金属酸化物中の酸素を吸収する、と言い換えることができる。
　また、金属酸化物中の酸素がソース電極およびドレイン電極へ拡散することで、ソース電極と金属酸化物との間、および、ドレイン電極と金属酸化物との間に層が形成される場合がある。当該層は、ソース電極またはドレイン電極よりも酸素を多く含むため、当該層は絶縁性を有すると推定される。このとき、ソース電極またはドレイン電極と、当該層と、金属酸化物との３層構造は、金属−絶縁体−半導体からなる３層構造とみなすことができ、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造、またはＭＩＳ構造を主としたダイオード接合構造とみることができる。
　上記ＭＩＳ構造において、ソース電極またはドレイン電極と、上記層との間に形成される電位障壁φＢに従ってバンドが曲がることで、ＶＯＨは、上記層と金属酸化物との界面に集まると推測される。すなわち、上記層と金属酸化物との界面におけるＶＯＨの存在確率は高くなると推測される。ＶＯＨが当該界面に集まることで、エネルギーが安定になる。さらに、ＶＯＨが当該界面に集まることで、上記界面近傍の金属酸化物に低抵抗領域が形成されると推測される。
　なお、当該界面に集まったＶＯＨに起因する水素が、ソース電極またはドレイン電極に拡散する場合がある。特に、ソース電極およびドレイン電極に、タンタルを含む窒化物を用いることで、当該界面に集まったＶＯＨに起因する水素は、ソース電極またはドレイン電極に拡散しやすく、拡散した水素は、ソース電極またはドレイン電極が有する窒素と結合することがある。つまり、当該界面に集まったＶＯＨに起因する水素は、ソース電極またはドレイン電極に吸い取られる場合がある。
　例えば、４００℃の温度で４時間の熱処理を行うことで、上記界面近傍の金属酸化物には、酸素欠乏状態の領域が形成される。このとき、金属酸化物中のＶＯＨは、ＭＩＳ構造における電界の低い領域でも移動しやすくなり、上記界面近傍の金属酸化物には、低抵抗領域が形成される。
＜半導体装置の詳細な構成＞
　以下では、本発明の一態様に係るトランジスタ２００を有する半導体装置の詳細な構成について説明する。
　絶縁体２１４は、水、水素などの不純物が、基板側からトランジスタ２００に拡散するのを抑制する絶縁性バリア膜として機能することが好ましい。したがって、絶縁体２１４は、水素原子、水素分子、水分子、窒素原子、窒素分子、酸化窒素分子（Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２など）、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する絶縁性材料を用いることが好ましい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有する絶縁性材料を用いることが好ましい。
　なお、本明細書において、不純物、または酸素の拡散を抑制する機能とは、当該不純物、または当該酸素のいずれか一またはすべての拡散を抑制する機能とする。また、水素または酸素の拡散を抑制する機能を有する膜を、水素または酸素が透過しにくい膜、水素または酸素の透過性が低い膜、水素または酸素に対してバリア性を有する膜、水素または酸素に対するバリア膜などと呼ぶ場合がある。また、バリア膜に導電性を有する場合、当該バリア膜を導電性バリア膜と呼ぶことがある。
　例えば、絶縁体２１４として、酸化アルミニウム、窒化シリコンなどを用いることが好ましい。これにより、水、水素などの不純物が、絶縁体２１４よりも基板側からトランジスタ２００側に拡散するのを抑制することができる。また、絶縁体２２４などに含まれる酸素が、絶縁体２１４よりも基板側に、拡散するのを抑制することができる。なお、絶縁体２１４は、２層以上の積層構造を有していてもよい。その場合、同じ材料からなる積層構造に限定されず、異なる材料からなる積層構造でもよい。例えば、酸化アルミニウムと窒化シリコンとの積層としてもよい。
　また、例えば、絶縁体２１４として、スパッタリング法を用いて成膜した、窒化シリコンを用いることが好ましい。これにより、絶縁体２１４中の水素濃度を低くことができ、水、水素などの不純物が、絶縁体２１４よりも基板側からトランジスタ２００側に拡散するのをより抑制することができる。
　層間膜として機能する絶縁体２１６は、絶縁体２１４よりも誘電率が低いことが好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。例えば、絶縁体２１６として、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコンなどを適宜用いればよい。
　また、絶縁体２１６は、水素濃度が低く、過剰酸素領域、または加熱により離脱する酸素（以下、過剰酸素ともいう。）を有することが好ましい。例えば、絶縁体２１６として、スパッタリング法を用いて成膜した酸化シリコンを用いることが好ましい。これにより、酸化物２３０への水素の混入を抑制することができる。また、酸化物２３０に酸素を供給し、酸化物２３０中の酸素欠損を低減することができる。したがって、電気特性の変動が抑制され、安定した電気特性を有するとともに、信頼性を向上させたトランジスタを提供することができる。
　なお、絶縁体２１６を積層構造にしてもよい。例えば、絶縁体２１６において、少なくとも導電体２０５の側面と接する部分に、絶縁体２１４と同様の絶縁体を設ける構成にしてもよい。このような構成にすることで、絶縁体２１６に含まれる酸素によって、導電体２０５が酸化するのを抑制することができる。また、導電体２０５により、絶縁体２１６に含まれる酸素量が減少するのを抑制することができる。
　導電体２０５は、第２のゲート（ボトムゲートともいう。）電極として機能する場合がある。その場合、導電体２０５に印加する電位を、導電体２６０に印加する電位と、連動させず、独立して変化させることで、トランジスタ２００のしきい値電圧（Ｖｔｈ）を制御することができる。特に、導電体２０５に負の電位を印加することにより、トランジスタ２００のＶｔｈをより大きくし、オフ電流を低減することが可能となる。したがって、導電体２０５に負の電位を印加したほうが、印加しない場合よりも、導電体２６０に印加する電位が０Ｖのときのドレイン電流を小さくすることができる。
　導電体２０５は、酸化物２３０、および導電体２６０と、重なるように配置する。また、導電体２０５は、絶縁体２１４または絶縁体２１６に埋め込まれて設けることが好ましい。
　なお、導電体２０５は、図１Ｂに示すように、酸化物２３０におけるチャネル形成領域よりも、大きく設けるとよい。特に、図１Ｃに示すように、導電体２０５は、酸化物２３０のチャネル幅方向と交わる端部よりも外側の領域においても、延伸していることが好ましい。つまり、酸化物２３０のチャネル幅方向における側面の外側において、導電体２０５と、導電体２６０とは、絶縁体を介して重畳していることが好ましい。当該構成を有することで、第１のゲート電極として機能する導電体２６０の電界と、第２のゲート電極として機能する導電体２０５の電界によって、酸化物２３０のチャネル形成領域を電気的に取り囲むことができる。本明細書において、第１のゲート、および第２のゲートの電界によって、チャネル形成領域を電気的に取り囲むトランジスタの構造を、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ　ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。
　なお、本明細書等において、Ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造のトランジスタとは、一対のゲート電極の一方および他方の電界によって、チャネル形成領域を電気的に取り囲むトランジスタの構造を表す。また、本明細書等において、Ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造は、ソース電極およびドレイン電極として機能する導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂに接する酸化物２３０の側面及び周辺が、チャネル形成領域と同じくＩ型であるといった特徴を有する。また、導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂに接する酸化物２３０の側面及び周辺は、絶縁体２８０と接しているため、チャネル形成領域と同様にＩ型となりうる。なお、本明細書等において、Ｉ型とは先に記載の高純度真性と同様として扱うことができる。また、本明細書等で開示するＳ−ｃｈａｎｎｅｌ構造は、Ｆｉｎ型構造およびプレーナ型構造とは異なる。Ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を採用することで、短チャネル効果に対する耐性を高める、別言すると短チャネル効果が発生し難いトランジスタとすることができる。
　図１Ｃは、酸化物２３０と、導電体２６０と、が重なる領域の断面図である。また、図１Ｄは、酸化物２３０と、導電体２６０と、が重ならない領域の断面図である。図１Ｃに示すように、酸化物２３０の上端部は、曲率を有する形状とすることで、第１のゲート電極として機能する導電体２６０、および第２のゲート電極として機能する導電体２０５の一方または双方の電界を酸化物２３０に好適に与えることができる。一方で、図１Ｄに示すように、酸化物２３０の上端部は、曲率を有さない形状とすることで、酸化物２３０と導電体２４０ｂとの密着性を向上させることができ、また、絶縁体２８０の被覆性を向上させることができるため好適である。
　また、図１Ｃに示すように、導電体２０５は延伸させて、配線としても機能させている。ただし、これに限られることなく、導電体２０５の下に、配線として機能する導電体を設ける構成にしてもよい。また、導電体２０５は、必ずしも各トランジスタに一個ずつ設ける必要はない。例えば、導電体２０５を複数のトランジスタで共有する構成にしてもよい。
　なお、トランジスタ２００では、導電体２０５の第１の導電体と導電体２０５の第２の導電体とを積層する構成について示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体２０５は、単層、または３層以上の積層構造として設ける構成にしてもよい。構造体が積層構造を有する場合、形成順に序数を付与し、区別する場合がある。
　ここで、導電体２０５の第１の導電体は、水素原子、水素分子、水分子、窒素原子、窒素分子、酸化窒素分子（Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２など）、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。
　導電体２０５の第１の導電体に、酸素の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることにより、導電体２０５の第２の導電体が酸化して導電率が低下することを抑制することができる。酸素の拡散を抑制する機能を有する導電性材料としては、例えば、タンタル、窒化タンタル、ルテニウム、酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。したがって、導電体２０５の第１の導電体としては、上記導電性材料を単層または積層とすればよい。例えば、導電体２０５の第１の導電体は、タンタル、窒化タンタル、ルテニウム、または酸化ルテニウムと、チタンまたは窒化チタンとの積層としてもよい。
　また、導電体２０５の第２の導電体は、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることが好ましい。なお、導電体２０５の第２の導電体を単層で図示したが、積層構造としてもよく、例えば、チタンまたは窒化チタンと、当該導電性材料との積層としてもよい。
　絶縁体２２２、および絶縁体２２４は、ゲート絶縁体として機能する。
　絶縁体２２２は、水素（例えば、水素原子、水素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。また、絶縁体２２２は、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。例えば、絶縁体２２２は、絶縁体２２４よりも水素および酸素の一方または双方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。
　絶縁体２２２は、絶縁性材料であるアルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体を用いるとよい。当該絶縁体として、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。このような材料を用いて絶縁体２２２を形成した場合、絶縁体２２２は、酸化物２３０から基板側への酸素の放出や、トランジスタ２００の周辺部から酸化物２３０への水素等の不純物の拡散を抑制する層として機能する。よって、絶縁体２２２を設けることで、水素等の不純物が、トランジスタ２００の内側へ拡散することを抑制し、酸化物２３０中の酸素欠損の生成を抑制することができる。また、導電体２０５が、絶縁体２２４や、酸化物２３０が有する酸素と反応することを抑制することができる。
　または、上記絶縁体に、例えば、酸化アルミニウム、酸化ビスマス、酸化ゲルマニウム、酸化ニオブ、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムを添加してもよい。または、これらの絶縁体を窒化処理してもよい。また、絶縁体２２２は、これらの絶縁体に酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化シリコンを積層して用いてもよい。
　また、絶縁体２２２は、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３（ＢＳＴ）などのいわゆるｈｉｇｈ−ｋ材料を含む絶縁体を単層または積層で用いてもよい。トランジスタの微細化、および高集積化が進むと、ゲート絶縁体の薄膜化により、リーク電流などの問題が生じる場合がある。ゲート絶縁体として機能する絶縁体にｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることで、物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時のゲート電位の低減が可能となる。
　酸化物２３０と接する絶縁体２２４は、加熱により酸素を脱離することが好ましい。例えば、絶縁体２２４は、酸化シリコン、酸化窒化シリコンなどを適宜用いればよい。酸素を含む絶縁体を酸化物２３０に接して設けることにより、酸化物２３０中の酸素欠損を低減し、トランジスタ２００の信頼性を向上させることができる。
　絶縁体２２４として、具体的には、加熱により一部の酸素が脱離する酸化物材料、別言すると、過剰酸素領域を有する絶縁体材料を用いることが好ましい。加熱により酸素を脱離する酸化膜とは、ＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析にて、酸素分子の脱離量が１．０×１０１８ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ３以上、好ましくは１．０×１０１９ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ３以上、さらに好ましくは２．０×１０１９ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ３以上、または３．０×１０２０ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ３以上である酸化膜である。なお、上記ＴＤＳ分析時における膜の表面温度としては１００℃以上７００℃以下、または１００℃以上４００℃以下の範囲が好ましい。
　また、上記過剰酸素領域を有する絶縁体と、酸化物２３０と、を接して加熱処理、マイクロ波処理、またはＲＦ処理のいずれか一または複数の処理を行っても良い。当該処理を行うことで、酸化物２３０中の水、または水素を除去することができる。例えば、酸化物２３０において、ＶｏＨの結合が切断される反応が起きる、別言すると「ＶＯＨ→ＶＯ＋Ｈ」という反応が起きて、脱水素化することができる。このとき発生した水素の一部は、酸素と結合して、Ｈ２Ｏとして酸化物２３０、または酸化物２３０近傍の絶縁体から除去される場合がある。また、水素の一部は、導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂに拡散または捕獲（ゲッタリングともいう）される場合がある。なお、当該マイクロ波処理は、上述した処理条件を用いることができる。
　また、トランジスタ２００の作製工程中において、酸化物２３０の表面が露出した状態で、加熱処理を行うと好適である。当該加熱処理は、例えば、１００℃以上４５０℃以下、より好ましくは３５０℃以上４００℃以下で行えばよい。なお、加熱処理は、窒素ガスもしくは不活性ガスの雰囲気、または酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上、もしくは１０％以上含む雰囲気で行う。例えば、加熱処理は酸素雰囲気で行うことが好ましい。これにより、酸化物２３０に酸素を供給して、酸素欠損（ＶＯ）の低減を図ることができる。また、加熱処理は減圧状態で行ってもよい。または、加熱処理は、窒素ガスもしくは不活性ガスの雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために、酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上、または１０％以上含む雰囲気で行ってもよい。または、酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上、または１０％以上含む雰囲気で加熱処理した後に、連続して窒素ガスもしくは不活性ガスの雰囲気で加熱処理を行っても良い。
　なお、酸化物２３０に加酸素化処理を行うことで、酸化物２３０中の酸素欠損を、供給された酸素により修復させる、別言すると「ＶＯ＋Ｏ→ｎｕｌｌ」という反応を促進させることができる。さらに、酸化物２３０中に残存した水素に供給された酸素が反応することで、当該水素をＨ２Ｏとして除去する（脱水化する）ことができる。これにより、酸化物２３０中に残存していた水素が酸素欠損に再結合してＶＯＨが形成されるのを抑制することができる。
　また、絶縁体２２４は、水素濃度が低く、過剰酸素領域または過剰酸素を有することが好ましく、例えば、絶縁体２１６と同様の材料を用いて設けてもよい。
　なお、絶縁体２２２、および絶縁体２２４が、２層以上の積層構造を有していてもよい。その場合、同じ材料からなる積層構造に限定されず、異なる材料からなる積層構造でもよい。
　酸化物２３０は、例えば、絶縁体２２４の上に配置された酸化物２３０ａと、酸化物２３０ａの上に配置された酸化物２３０ｂと、酸化物２３０ｂの上に配置され、少なくとも一部が酸化物２３０ｂの上面に接する酸化物２３０ｃと、を有することが好ましい。酸化物２３０ｂ下に酸化物２３０ａを有することで、酸化物２３０ａよりも下方に形成された構造物から、酸化物２３０ｂへの不純物の拡散を抑制することができる。また、酸化物２３０ｂ上に酸化物２３０ｃを有することで、酸化物２３０ｃよりも上方に形成された構造物から、酸化物２３０ｂへの不純物の拡散を抑制することができる。
　なお、トランジスタ２００では、酸化物２３０が、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃの３層を積層する構成について示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、酸化物２３０ｂの単層、酸化物２３０ａと酸化物２３０ｂの２層構造、酸化物２３０ｂと酸化物２３０ｃの２層構造、または４層以上の積層構造を設ける構成にしてもよいし、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、酸化物２３０ｃのそれぞれが積層構造を有していてもよい。
　金属酸化物を用いたトランジスタにおいて、トランジスタを構成する導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂに、金属酸化物の酸素が徐々に吸収され、継時的変化の一つとして、酸素欠損を生じる場合がある。また、導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂが酸化することで、トランジスタ２００と配線とのコンタクト抵抗が増加する場合がある。
　そこで、酸化物２３０と接して設けられる層間膜として機能する絶縁体２８０に、酸素を含む絶縁体を用いる。特に、絶縁体２８０には、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物を用いることが好ましい。つまり、絶縁体２８０には、化学量論的組成よりも酸素が過剰に存在する領域（以下、過剰酸素領域ともいう）が形成されていることが好ましい。
　また、導電体２４０ａ上、および導電体２４０ｂ上に、それぞれ、バリア層として機能する絶縁体２４５ａ、および絶縁体２４５ｂを設けるとよい。絶縁体２４５ａおよび絶縁体２４５ｂは、図１Ｂに示すように、それぞれ導電体２４０ａの上面、および導電体２４０ｂの上面に接することが好ましい。当該構成にすることで、導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂによる、絶縁体２８０が有する過剰酸素の吸収を抑制することができる。また、導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂの酸化を抑制することで、トランジスタ２００と配線とのコンタクト抵抗の増加を抑制することができる。よって、トランジスタ２００に良好な電気特性および信頼性を与えることができる。
　従って、絶縁体２４５ａおよび絶縁体２４５ｂは、酸素の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。例えば、絶縁体２４５ａおよび絶縁体２４５ｂは、絶縁体２８０よりも酸素の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。
　絶縁体２４５ａおよび絶縁体２４５ｂとしては、例えば、アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体を成膜するとよい。または、絶縁体２４５ａおよび絶縁体２４５ｂとしては、例えば、窒化アルミニウムを含む絶縁体を用いればよい。
　ここで、図１Ｄに示すように、少なくとも酸化物２３０ｂの側面、導電体２４０ａの側面、および導電体２４０ｂの側面は、絶縁体２２４と酸化物２３０ａとが接する面に対し、概略垂直であることが好ましい。具体的には、図１Ｄで示す角θは、６０度以上９５度以下、好ましくは、８８度以上９２度以下とするとよい。
　また、酸化物２３０ａの側面は、必ずしも絶縁体２２４と角度を有する必要はない。例えば、酸化物２３０ａは、側面の一部が凹部を有していてもよい（アンダーカット形状ともいう）。酸化物２３０ｂの側面、導電体２４０ａの側面、および導電体２４０ｂの側面を、絶縁体２２４と酸化物２３０ａとが接する面に対し、概略垂直の形状に加工する際に、上述のアンダーカット形状となる場合がある。当該アンダーカット形状とすることで、酸化物２３０ａに接する絶縁体２８０の接触面積を増加させられる場合があるため、絶縁体２８０から酸化物２３０ｂに好適に酸素を供給することができる。
　なお、図１Ｄは、トランジスタのチャネル幅方向における、酸化物２３０ａ、及び酸化物２３０ｂと、ソース電極およびドレイン電極の一方として機能する導電体（ここでは、導電体２４０ｂ）と、が重なる領域の断面図である。
　また、図１Ｄに示すように、導電体２４０ｂの下面の長さをＬ１Ｂ、導電体２４０ｂの上面の長さをＬ１Ｔとしてそれぞれ表すと、導電体２４０ｂの下面の長さに対する導電体２４０ｂの上面の長さの比（Ｌ１Ｔ／Ｌ１Ｂ）が０．７以上１．３以下であると好適である。例えば、導電体２４０ｂの下面の長さ（Ｌ１Ｂ）が６０ｎｍである場合、導電体２４０ｂの上面の長さ（Ｌ１Ｔ）は４２ｎｍ以上７８ｎｍ以下である。導電体２４０ｂの下面の長さ（Ｌ１Ｂ）に対して、導電体２４０ｂの上面の長さ（Ｌ１Ｔ）を上述の範囲とすることで、のちに形成される配線との接触抵抗を低減させることができる。
　なお、上述の接触抵抗のみ考慮した場合、導電体２４０ｂの上面の長さ（Ｌ１Ｔ）を、上記範囲よりも長くすればよいが、導電体２４０ｂの上面の長さ（Ｌ１Ｔ）が上記範囲を超えると、絶縁体２８０の被覆性（ステップカバレッジともいう）が悪くなる。したがって、導電体２４０ｂの下面の長さに対する導電体２４０ｂの上面の長さの比（Ｌ１Ｔ／Ｌ１Ｂ）としては、好ましくは０．７以上１．０以下、さらに好ましくは０．８以上０．９５以下である。
　なお、上述の範囲としては、トランジスタのチャネル幅の長さ、または導電体２４０ａもしくは導電体２４０ｂの厚さに依存するが、本発明の一態様においては、トランジスタのチャネル幅の長さ、ならびに導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂの厚さに特に限定はない。ただし、トランジスタのチャネル幅の長さとしては、好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上７５ｎｍ以下である。また、導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂの厚さとしては、好ましくは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。本発明の一態様のトランジスタとしては、上記範囲のトランジスタのチャネル幅、及び上記範囲の導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂの厚さであると、著しい効果が期待される。また、トランジスタのチャネル長の長さについても特に限定は無いが、上記チャネル幅と同等の範囲とすることができる。
　また、ここでは、酸化物２３０と、ソース電極およびドレイン電極の他方として機能する導電体（ここでは、導電体２４０ａ）と、が重なる領域の断面図を明示しないが、概ね図１Ｄに示す断面と同様となる。
　酸化物２３０は、化学組成が異なる酸化物により、積層構造を有することが好ましい。具体的には、酸化物２３０ａに用いる金属酸化物において、主成分である金属元素に対する元素Ｍの原子数比が、酸化物２３０ｂに用いる金属酸化物における、主成分である金属元素に対する元素Ｍの原子数比より、大きいことが好ましい。また、酸化物２３０ａに用いる金属酸化物において、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比が、酸化物２３０ｂに用いる金属酸化物における、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物２３０ｂに用いる金属酸化物において、元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、酸化物２３０ａに用いる金属酸化物における、元素Ｍに対するＩｎの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物２３０ｃは、酸化物２３０ａまたは酸化物２３０ｂに用いることができる金属酸化物を、用いることができる。
　また、酸化物２３０ｂおよび酸化物２３０ｃは、結晶性を有することが好ましい。例えば、後述するＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ　ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いることが好ましい。ＣＡＡＣ−ＯＳなどの結晶性を有する酸化物は、不純物や欠陥（酸素欠損など）が少なく、結晶性の高い、緻密な構造を有している。よって、ソース電極またはドレイン電極による、酸化物２３０ｂからの酸素の引き抜きを抑制することができる。これにより、熱処理を行っても、酸化物２３０ｂから酸素が引き抜かれることを低減できるので、トランジスタ２００は、製造工程における高い温度（所謂サーマルバジェット）に対して安定である。
　また、酸化物２３０ｃとして、ＣＡＡＣ−ＯＳを用いることが好ましく、酸化物２３０ｃが有する結晶のｃ軸が、酸化物２３０ｃの被形成面または上面に概略垂直な方向を向いていることが好ましい。ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸と垂直方向に酸素を移動させやすい性質を有する。したがって、酸化物２３０ｃが有する酸素を、酸化物２３０ｂに効率的に供給することができる。
　また、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｃの伝導帯下端は、酸化物２３０ｂの伝導帯下端より真空準位に近いことが好ましい。言い換えると、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｃの電子親和力は、酸化物２３０ｂの電子親和力より小さいことが好ましい。この場合、酸化物２３０ｃは、酸化物２３０ａに用いることができる金属酸化物を用いることが好ましい。このとき、キャリアの主たる経路は酸化物２３０ｂとなる。
　ここで、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃの接合部において、伝導帯下端はなだらかに変化する。換言すると、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃの接合部における伝導帯下端は、連続的に変化または連続接合するともいうことができる。このようにするためには、酸化物２３０ａと酸化物２３０ｂとの界面、および酸化物２３０ｂと酸化物２３０ｃとの界面に形成される混合層の欠陥準位密度を低くするとよい。
　具体的には、酸化物２３０ａと酸化物２３０ｂ、酸化物２３０ｂと酸化物２３０ｃが、酸素以外に共通の元素を主成分として有することで、欠陥準位密度が低い混合層を形成することができる。例えば、酸化物２３０ｂがＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の場合、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｃとして、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、酸化ガリウムなどを用いてもよい。
　具体的には、酸化物２３０ａとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］、または１：１：０．５［原子数比］の金属酸化物を用いればよい。また、酸化物２３０ｂとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］、またはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］の金属酸化物を用いればよい。また、酸化物２３０ｃとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］、Ｇａ：Ｚｎ＝２：１［原子数比］、またはＧａ：Ｚｎ＝２：５［原子数比］の金属酸化物を用いればよい。
　なお、金属酸化物をスパッタリング法により成膜する場合、上記の原子数比は、成膜された金属酸化物の原子数比に限られず、金属酸化物の成膜に用いるスパッタリングターゲットの原子数比であってもよい。
　酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｃを上述の構成とすることで、酸化物２３０ａと酸化物２３０ｂとの界面、および酸化物２３０ｂと酸化物２３０ｃとの界面における欠陥準位密度を低くすることができる。そのため、界面散乱によるキャリア伝導への影響が小さくなり、トランジスタ２００は高いオン電流、および高い周波数特性を得ることができる。
　また、酸化物２３０ｃは、２層以上の積層構造を有していてもよい。例えば、酸化物２３０ｃの第１の酸化物と、酸化物２３０ｃの第１の酸化物の上に配置された酸化物２３０ｃの第２の酸化物と、を有していてもよい。
　酸化物２３０ｃの第１の酸化物は、酸化物２３０ｂに用いられる金属酸化物を構成する金属元素の少なくとも一つを含むことが好ましく、当該金属元素を全て含むことがより好ましい。例えば、酸化物２３０ｃの第１の酸化物として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用い、酸化物２３０ｃの第２の酸化物として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、または酸化ガリウムを用いるとよい。これにより、酸化物２３０ｂと酸化物２３０ｃの第１の酸化物との界面における欠陥準位密度を低くすることができる。また、酸化物２３０ｃの第２の酸化物は、酸化物２３０ｃの第１の酸化物より、酸素の拡散または透過を抑制する金属酸化物であることが好ましい。絶縁体２５０と酸化物２３０ｃの第１の酸化物との間に酸化物２３０ｃの第２の酸化物を設けることで、絶縁体２８０に含まれる酸素が、絶縁体２５０に拡散するのを抑制することができる。したがって、当該酸素は、酸化物２３０ｃの第１の酸化物を介して、酸化物２３０ｂに供給されやすくなる。
　また、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｃの第２の酸化物の伝導帯下端が、酸化物２３０ｂおよび酸化物２３０ｃの第１の酸化物の伝導帯下端より真空準位に近いことが好ましい。また、言い換えると、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｃの第２の酸化物の電子親和力は、酸化物２３０ｂおよび酸化物２３０ｃの第１の酸化物の電子親和力より小さいことが好ましい。この場合、酸化物２３０ｃの第２の酸化物は、酸化物２３０ａに用いることができる金属酸化物を用い、酸化物２３０ｃの第１の酸化物は、酸化物２３０ｂに用いることができる金属酸化物を用いることが好ましい。このとき、キャリアの主たる経路は酸化物２３０ｂだけでなく、酸化物２３０ｃの第１の酸化物もキャリアの主たる経路となる場合がある。
　具体的には、酸化物２３０ｃの第１の酸化物として、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］の金属酸化物を用い、酸化物２３０ｃの第２の酸化物として、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］、Ｇａ：Ｚｎ＝２：１［原子数比］、もしくはＧａ：Ｚｎ＝２：５［原子数比］の金属酸化物または酸化ガリウムを用いればよい。これにより、酸化物２３０ｃの第１の酸化物と酸化物２３０ｃの第２の酸化物との界面における欠陥準位密度を低くすることができる。
　また、酸化物２３０ｃの第２の酸化物に用いる金属酸化物において、主成分である金属元素に対するＩｎの原子数比が、酸化物２３０ｃの第１の酸化物に用いる金属酸化物における、主成分である金属元素に対するＩｎの原子数比より小さくすることで、Ｉｎが絶縁体２５０側に拡散するのを抑制することができる。絶縁体２５０は、ゲート絶縁体として機能するため、Ｉｎが絶縁体２５０などに混入した場合、トランジスタの特性不良となる。したがって、酸化物２３０ｃを積層構造とすることで、信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。
　導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂとしては、例えば、タンタルを含む窒化物、チタンを含む窒化物、モリブデンを含む窒化物、タングステンを含む窒化物、タンタルおよびアルミニウムを含む窒化物、チタンおよびアルミニウムを含む窒化物などを用いることが好ましい。本発明の一態様においては、タンタルを含む窒化物が特に好ましい。また、例えば、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物などを用いてもよい。これらの材料は、酸化しにくい導電性材料、または、酸素を吸収しても導電性を維持する材料であるため、好ましい。
　絶縁体２５０は、ゲート絶縁体として機能する。絶縁体２５０は、酸化物２３０ｃの少なくとも一部に接して配置することが好ましい。絶縁体２５０は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコンなどを用いることができる。特に、酸化シリコン、および酸化窒化シリコンは熱に対し安定であるため好ましい。
　絶縁体２５０は、絶縁体２２４と同様に、加熱により酸素が放出される絶縁体を用いて形成することが好ましい。加熱により酸素が放出される絶縁体を、絶縁体２５０として、酸化物２３０ｃの少なくとも一部に接して設けることにより、酸化物２３０ｂのチャネル形成領域に効果的に酸素を供給し、酸化物２３０ｂのチャネル形成領域の酸素欠損を低減することができる。したがって、電気特性の変動が抑制され、安定した電気特性を有するとともに、信頼性を向上させたトランジスタを提供することができる。また、絶縁体２２４と同様に、絶縁体２５０中の水、水素などの不純物濃度が低減されていることが好ましい。絶縁体２５０の膜厚は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下とするのが好ましい。
　また、絶縁体２５０と導電体２６０との間に金属酸化物を設けてもよい。当該金属酸化物は、絶縁体２５０から導電体２６０への酸素の拡散を抑制することが好ましい。酸素の拡散を抑制する金属酸化物を設けることで、絶縁体２５０から導電体２６０への酸素の拡散が抑制される。つまり、酸化物２３０へ供給する酸素量の減少を抑制することができる。また、絶縁体２５０の酸素による導電体２６０の酸化を抑制することができる。
　なお、上記金属酸化物は、ゲート絶縁体の一部としての機能を有する場合がある。したがって、絶縁体２５０に酸化シリコンや酸化窒化シリコンなどを用いる場合、上記金属酸化物は、比誘電率が高いｈｉｇｈ−ｋ材料である金属酸化物を用いることが好ましい。ゲート絶縁体を、絶縁体２５０と上記金属酸化物との積層構造とすることで、熱に対して安定、かつ比誘電率の高い積層構造とすることができる。したがって、ゲート絶縁体の物理膜厚を保持したまま、トランジスタ動作時に印加するゲート電位の低減化が可能となる。また、ゲート絶縁体として機能する絶縁体の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）の薄膜化が可能となる。
　具体的には、ハフニウム、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、マグネシウムなどから選ばれた一種、または二種以上が含まれた金属酸化物を用いることができる。特に、アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体を用いることが好ましい。
　また、上記金属酸化物は、第１のゲート電極の一部としての機能を有してもよい。例えば、酸化物２３０として用いることができる金属酸化物を、上記金属酸化物として用いることができる。その場合、導電体２６０をスパッタリング法で成膜することで、上記金属酸化物の電気抵抗値を低下させて導電体とすることができる。
　上記金属酸化物を有することで、導電体２６０からの電界の影響を弱めることなく、トランジスタ２００のオン電流の向上を図ることができる。また、絶縁体２５０と、上記金属酸化物との物理的な厚みにより、導電体２６０と、酸化物２３０との間の距離を保つことで、導電体２６０と酸化物２３０との間のリーク電流を抑制することができる。また、絶縁体２５０、および上記金属酸化物との積層構造を設けることで、導電体２６０と酸化物２３０との間の物理的な距離、および導電体２６０から酸化物２３０へかかる電界強度を、容易に適宜調整することができる。
　導電体２６０は、導電体２６０ａと、導電体２６０ａの上に配置された導電体２６０ｂと、を有することが好ましい。例えば、導電体２６０ａは、導電体２６０ｂの底面および側面を包むように配置されることが好ましい。
　導電体２６０ａは、水素原子、水素分子、水分子、窒素原子、窒素分子、酸化窒素分子、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。
　また、導電体２６０ａが酸素の拡散を抑制する機能を持つことにより、絶縁体２５０に含まれる酸素により、導電体２６０ｂが酸化して導電率が低下することを抑制することができる。酸素の拡散を抑制する機能を有する導電性材料としては、例えば、タンタル、窒化タンタル、ルテニウム、酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。
　また、導電体２６０は、配線としても機能するため、導電性が高い導電体を用いることが好ましい。例えば、導電体２６０ｂは、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることができる。また、導電体２６０ｂは積層構造としてもよく、例えば、チタン又は窒化チタンと上記導電性材料との積層構造としてもよい。
　図１Ｂ、および図１Ｃでは、導電体２６０は、導電体２６０ａと導電体２６０ｂの２層構造として示しているが、単層構造でもよいし、３層以上の積層構造であってもよい。
　また、トランジスタ２００では、導電体２６０は、絶縁体２８０などに形成されている開口を埋めるように自己整合的に形成される。導電体２６０をこのように形成することにより、導電体２４０ａと導電体２４０ｂとの間の領域に、導電体２６０を位置合わせすることなく確実に配置することができる。
　また、図１Ｂに示すように、導電体２６０の上面は、絶縁体２５０の上面および酸化物２３０ｃの上面と略一致している。
　また、図１Ｃに示すように、トランジスタ２００のチャネル幅方向において、導電体２６０の、導電体２６０と酸化物２３０ｂとが重ならない領域の底面は、酸化物２３０ｂの底面より低いことが好ましい。ゲート電極として機能する導電体２６０が、絶縁体２５０などを介して、酸化物２３０ｂのチャネル形成領域の側面および上面を覆う構成とすることで、導電体２６０の電界を酸化物２３０ｂのチャネル形成領域全体に作用させやすくなる。よって、トランジスタ２００のオン電流を増大させ、周波数特性を向上させることができる。絶縁体２２２の底面を基準としたとき、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂと、導電体２６０とが、重ならない領域における導電体２６０の底面の高さと、酸化物２３０ｂの底面の高さと、の差をＴ１とすると、Ｔ１は、０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下とする。
　絶縁体２８０は、絶縁体２２４、酸化物２３０、導電体２４０ａ、および導電体２４０ｂ上に設けられる。また、絶縁体２８０は、少なくとも、酸化物２３０の側面と接して設けられる。また、絶縁体２８０の上面は、平坦化されていてもよい。
　層間膜として機能する絶縁体２８０は、誘電率が低いことが好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。絶縁体２８０は、例えば、絶縁体２１６と同様の材料を用いて設けることが好ましい。特に、酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため好ましい。特に、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、空孔を有する酸化シリコンなどの材料は、加熱により脱離する酸素を含む領域を容易に形成することができるため好ましい。
　絶縁体２８０中の水、水素などの不純物濃度は低減されていることが好ましい。また、絶縁体２８０は、水素濃度が低く、過剰酸素領域または過剰酸素を有することが好ましく、例えば、絶縁体２１６と同様の材料を用いて設けてもよい。なお、絶縁体２８０は、２層以上の積層構造を有していてもよい。
　絶縁体２８２は、絶縁体２１４などと同様に、水、水素などの不純物が、上方から絶縁体２８０に拡散するのを抑制する絶縁性バリア膜として機能することが好ましい。また、絶縁体２８２は、絶縁体２１４などと同様に、水素濃度が低く、水素の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。
　また、図１Ｂに示すように、絶縁体２８２は、導電体２６０、絶縁体２５０、および酸化物２３０ｃのそれぞれの上面と接することが好ましい。これにより、絶縁体２８４などに含まれる水素などの不純物が、絶縁体２５０へ混入することを抑えることができる。したがって、トランジスタの電気特性およびトランジスタの信頼性への悪影響を抑制することができる。
　絶縁体２８２の上に、層間膜として機能する絶縁体２８４を設けることが好ましい。絶縁体２８４は、絶縁体２１６などと同様に、誘電率が低いことが好ましい。また、絶縁体２８４は、絶縁体２２４などと同様に、膜中の水、水素などの不純物濃度が低減されていることが好ましい。
　また、図示しないが、上記導電体を覆うように、抵抗率が１．０×１０１３Ωｃｍ以上１．０×１０１５Ωｃｍ以下、好ましくは５．０×１０１３Ωｃｍ以上５．０×１０１４Ωｃｍ以下の絶縁体を設けることが好ましい。上記導電体上に上記のような抵抗率を有する絶縁体を設けることで、当該絶縁体は、絶縁性を維持しつつ、トランジスタ２００、上記導電体等の配線間に蓄積される電荷を分散し、該電荷によるトランジスタや、該トランジスタを有する電子機器の特性不良や静電破壊を抑制することができ、好ましい。
＜半導体装置の構成材料＞
　以下では、半導体装置に用いることができる構成材料について説明する。
＜＜基板＞＞
　トランジスタ２００を形成する基板としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板、または導電体基板を用いればよい。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコニア基板（イットリア安定化ジルコニア基板など）、樹脂基板などがある。また、半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムからなる半導体基板、または炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウムからなる化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領域を有する半導体基板、例えば、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板などがある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。さらには、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体または絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が設けられた基板などがある。または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
＜＜絶縁体＞＞
　絶縁体としては、絶縁性を有する酸化物、窒化物、酸化窒化物、窒化酸化物、金属酸化物、金属酸化窒化物、金属窒化酸化物などがある。
　例えば、トランジスタの微細化、および高集積化が進むと、ゲート絶縁体の薄膜化により、リーク電流などの問題が生じる場合がある。ゲート絶縁体として機能する絶縁体に、ｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることで物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時の低電圧化が可能となる。一方、層間膜として機能する絶縁体には、比誘電率が低い材料を用いることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。したがって、絶縁体の機能に応じて、材料を選択するとよい。
　また、比誘電率の高い絶縁体としては、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化物、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化窒化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化窒化物、またはシリコンおよびハフニウムを有する窒化物などがある。
　また、比誘電率が低い絶縁体としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、または樹脂などがある。
　また、金属酸化物を用いたトランジスタは、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体（絶縁体２１４、絶縁体２２２、絶縁体２４５ａ、絶縁体２４５ｂ、および絶縁体２８２など）で囲うことによって、トランジスタの電気特性を安定にすることができる。水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウム、またはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい。具体的には、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体として、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどの金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化酸化シリコン、窒化シリコンなどの金属窒化物を用いることができる。
　また、ゲート絶縁体として機能する絶縁体は、加熱により脱離する酸素を含む領域を有する絶縁体であることが好ましい。例えば、加熱により脱離する酸素を含む領域を有する酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを酸化物２３０と接する構造とすることで、酸化物２３０が有する酸素欠損を補償することができる。
＜＜導電体＞＞
　導電体としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタンなどから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いることが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化チタン、タングステン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物などを用いることが好ましい。また、窒化タンタル、窒化チタン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物は、酸化しにくい導電性材料、または、酸素を吸収しても導電性を維持する材料であるため、好ましい。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。
　また、上記の材料で形成される導電層を複数積層して用いてもよい。例えば、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい。また、前述した金属元素を含む材料と、窒素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい。また、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、窒素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい。
　なお、トランジスタのチャネル形成領域に酸化物を用いる場合において、ゲート電極として機能する導電体には、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造を用いることが好ましい。この場合は、酸素を含む導電性材料をチャネル形成領域側に設けるとよい。酸素を含む導電性材料をチャネル形成領域側に設けることで、当該導電性材料から離脱した酸素がチャネル形成領域に供給されやすくなる。
　特に、ゲート電極として機能する導電体として、チャネルが形成される金属酸化物に含まれる金属元素および酸素を含む導電性材料を用いることが好ましい。また、前述した金属元素および窒素を含む導電性材料を用いてもよい。例えば、窒化チタン、窒化タンタルなどの窒素を含む導電性材料を用いてもよい。また、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、シリコンを添加したインジウム錫酸化物を用いてもよい。また、窒素を含むインジウムガリウム亜鉛酸化物を用いてもよい。このような材料を用いることで、チャネルが形成される金属酸化物に含まれる水素を捕獲することができる場合がある。または、外方の絶縁体などから混入する水素を捕獲することができる場合がある。
＜＜金属酸化物＞＞
　酸化物２３０として、半導体として機能する金属酸化物（酸化物半導体）を用いることが好ましい。以下では、本発明に係る酸化物２３０に適用可能な金属酸化物について説明する。
　金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特に、インジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、錫などが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
　ここでは、金属酸化物が、インジウム、元素Ｍおよび亜鉛を有するＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物である場合を考える。なお、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、または錫とする。そのほかの元素Ｍに適用可能な元素としては、ホウ素、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどがある。ただし、元素Ｍとして、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。
　なお、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ　ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
［金属酸化物の構造］
　酸化物半導体（金属酸化物）は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、および非晶質酸化物半導体などがある。
　ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ−ｂ面方向において複数のナノ結晶が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。なお、歪みとは、複数のナノ結晶が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。
　ナノ結晶は、六角形を基本とするが、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合がある。また、歪みにおいて、五角形、および七角形などの格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリー）を確認することは難しい。すなわち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためである。
　また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム、および酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛、および酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能であり、（Ｍ，Ｚｎ）層の元素Ｍがインジウムと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ）層と表すこともできる。また、Ｉｎ層のインジウムが元素Ｍと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ）層と表すこともできる。
　ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶性の高い金属酸化物である。一方、ＣＡＡＣ−ＯＳは、明確な結晶粒界を確認することが難しいため、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、金属酸化物の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損など）の少ない金属酸化物ともいえる。したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する金属酸化物は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する金属酸化物は熱に強く、信頼性が高い。
　ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したがって、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳや非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。
　なお、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有する金属酸化物の一種である、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（以下、ＩＧＺＯ）は、上述のナノ結晶とすることで安定な構造をとる場合がある。特に、ＩＧＺＯは、大気中では結晶成長がし難い傾向があるため、大きな結晶（ここでは、数ｍｍの結晶、または数ｃｍの結晶）よりも小さな結晶（例えば、上述のナノ結晶）とする方が、構造的に安定となる場合がある。
　ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する金属酸化物である。ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。すなわち、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。
　酸化物半導体（金属酸化物）は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。
［不純物］
　ここで、金属酸化物中における各不純物の影響について説明する。
　酸化物半導体に不純物が混入すると、欠陥準位または酸素欠損が形成される場合がある。よって、酸化物半導体のチャネル形成領域に不純物が混入することで、酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性が変動しやすく、信頼性が悪くなる場合がある。また、チャネル形成領域に酸素欠損が含まれていると、トランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。
　また、上記欠陥準位には、トラップ準位が含まれる場合がある。金属酸化物のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い金属酸化物をチャネル形成領域に有するトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。
　また、酸化物半導体のチャネル形成領域に不純物が存在すると、チャネル形成領域の結晶性が低くなる場合がある、また、チャネル形成領域に接して設けられる酸化物の結晶性が低くなる場合がある。チャネル形成領域の結晶性が低いと、トランジスタの安定性または信頼性が悪化する傾向がある。また、チャネル形成領域に接して設けられる酸化物の結晶性が低いと、界面準位が形成され、トランジスタの安定性または信頼性が悪化する場合がある。
　したがって、トランジスタの安定性または信頼性を向上させるには、酸化物半導体のチャネル形成領域およびその近傍の不純物濃度を低減することが有効である。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。
　具体的には、当該酸化物半導体のチャネル形成領域およびその近傍において、ＳＩＭＳにより得られる上記不純物の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。または、当該酸化物半導体のチャネル形成領域およびその近傍において、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ−ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いた元素分析により得られる上記不純物の濃度を、１．０ａｔｏｍｉｃ％以下にする。なお、当該酸化物半導体として元素Ｍを含む酸化物を用いる場合、当該酸化物半導体のチャネル形成領域およびその近傍において、元素Ｍに対する上記不純物の濃度比を、０．１０未満、好ましくは０．０５未満にする。ここで、上記濃度比を算出する際に用いる元素Ｍの濃度は、上記不純物の濃度を算出した領域と同じ領域の濃度でもよいし、当該酸化物半導体中の濃度でもよい。
　また、不純物濃度を低減した金属酸化物は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。
＜半導体装置の作製方法＞
　次に、図１Ａ乃至図１Ｄに示す、本発明の一態様に係るトランジスタ２００を有する半導体装置の作製方法を、図５Ａ乃至図１３Ｄを用いて説明する。
　図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ、図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａ、図１２Ａ、および図１３Ａは上面図を示す。また、図５Ｂ、図６Ｂ、図７Ｂ、図８Ｂ、図９Ｂ、図１０Ｂ、図１１Ｂ、図１２Ｂ、および図１３Ｂはそれぞれ、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ、図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａ、図１２Ａ、および図１３ＡにＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ２００のチャネル長方向の断面図でもある。また、図５Ｃ、図６Ｃ、図７Ｃ、図８Ｃ、図９Ｃ、図１０Ｃ、図１１Ｃ、図１２Ｃ、および図１３Ｃはそれぞれ、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ、図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａ、図１２Ａ、および図１３ＡにＡ３−Ａ４の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ２００のチャネル幅方向の断面図でもある。また、図５Ｄ、図６Ｄ、図７Ｄ、図８Ｄ、図９Ｄ、図１０Ｄ、図１１Ｄ、図１２Ｄ、および図１３Ｄはそれぞれ、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ、図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａ、図１２Ａ、および図１３ＡにＡ５−Ａ６の一点鎖線で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００のチャネル幅方向の断面図でもある。なお、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ、図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａ、図１２Ａ、および図１３Ａの上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いている。
　まず、基板（図示しない。）を準備し、当該基板上に絶縁体２１４を成膜する。絶縁体２１４の成膜は、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法、パルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用いて行うことができる。
　なお、ＣＶＤ法は、プラズマを利用するプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、熱を利用する熱ＣＶＤ（ＴＣＶＤ：Ｔｈｅｒｍａｌ　ＣＶＤ）法、光を利用する光ＣＶＤ（Ｐｈｏｔｏ　ＣＶＤ）法などに分類できる。さらに用いる原料ガスによって金属ＣＶＤ（ＭＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　ＣＶＤ）法、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法に分けることができる。
　プラズマＣＶＤ法は、比較的低温で高品質の膜が得られる。また、熱ＣＶＤ法は、プラズマを用いないため、被処理物へのプラズマダメージが生じない成膜方法である。例えば、半導体装置に含まれる配線、電極、素子（トランジスタ、容量素子など）などは、プラズマから電荷を受け取ることでチャージアップする場合がある。このとき、蓄積した電荷によって、半導体装置に含まれる配線、電極、素子などが破壊される場合がある。一方、プラズマを用いない熱ＣＶＤ法の場合、こういったプラズマダメージが生じないため、半導体装置の歩留まりを高くすることができる。また、熱ＣＶＤ法では、成膜中のプラズマダメージが生じないため、欠陥の少ない膜が得られる。
　また、ＡＬＤ法は、原子の性質である自己制御性を利用し、一層ずつ原子を堆積することができるので、極薄の成膜が可能、アスペクト比の高い構造への成膜が可能、ピンホールなどの欠陥の少ない成膜が可能、被覆性に優れた成膜が可能、低温での成膜が可能、などの効果がある。また、ＡＬＤ法には、プラズマを利用するＰＥＡＬＤ（Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＡＬＤ）法も含まれる。プラズマを利用することで、より低温での成膜が可能となり好ましい場合がある。なお、ＡＬＤ法で用いるプリカーサには炭素などの不純物を含むものがある。このため、ＡＬＤ法により設けられた膜は、他の成膜法により設けられた膜と比較して、炭素などの不純物を多く含む場合がある。なお、不純物の定量は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ−ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて行うことができる。
　ＣＶＤ法およびＡＬＤ法は、ターゲットなどから放出される粒子が堆積する成膜方法とは異なり、被処理物の表面における反応により膜が形成される成膜方法である。したがって、被処理物の形状の影響を受けにくく、良好な段差被覆性を有する成膜方法である。特に、ＡＬＤ法は、優れた段差被覆性と、優れた厚さの均一性を有するため、アスペクト比の高い開口部の表面を被覆する場合などに好適である。ただし、ＡＬＤ法は、比較的成膜速度が遅いため、成膜速度の速いＣＶＤ法などの他の成膜方法と組み合わせて用いることが好ましい場合もある。
　ＣＶＤ法およびＡＬＤ法は、原料ガスの流量比によって、得られる膜の組成を制御することができる。例えば、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法では、原料ガスの流量比によって、任意の組成の膜を成膜することができる。また、例えば、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法では、成膜しながら原料ガスの流量比を変化させることによって、組成が連続的に変化した膜を成膜することができる。原料ガスの流量比を変化させながら成膜する場合、複数の成膜室を用いて成膜する場合と比べて、搬送や圧力調整に掛かる時間を要さない分、成膜に掛かる時間を短くすることができる。したがって、半導体装置の生産性を高めることができる場合がある。
　本実施の形態では、絶縁体２１４として、スパッタリング法によって窒化シリコンを成膜する。また、絶縁体２１４は、多層構造としてもよい。
　次に、絶縁体２１４上に絶縁体２１６を成膜する。絶縁体２１６の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁体２１６として、ＣＶＤ法によって酸化窒化シリコンを成膜する。
　次に、絶縁体２１６に絶縁体２１４に達する開口を形成する。開口とは、例えば、溝やスリットなども含まれる。また、開口が形成された領域を指して開口部とする場合がある。開口の形成はウェットエッチングを用いてもよいが、ドライエッチングを用いるほうが微細加工には好ましい。また、絶縁体２１４は、絶縁体２１６をエッチングして溝を形成する際のエッチングストッパ膜として機能する絶縁体を選択することが好ましい。例えば、溝を形成する絶縁体２１６に酸化窒化シリコンを用いた場合は、絶縁体２１４は窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウムを用いるとよい。
　ドライエッチング装置としては、平行平板型電極を有する容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。平行平板型電極を有する容量結合型プラズマエッチング装置は、平行平板型電極の一方の電極に高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極の一方の電極に複数の異なった高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに同じ周波数の高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに周波数の異なる高周波電圧を印加する構成でもよい。または高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置は、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置などを用いることができる。
　開口の形成後に、導電体２０５の第１の導電体となる導電膜を成膜する。該導電膜は、酸素の透過を抑制する機能を有する導電体を含むことが望ましい。たとえば、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタンなどを用いることができる。または、酸素の透過を抑制する機能を有する導電体と、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、モリブデンタングステン合金との積層膜とすることができる。該導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
　本実施の形態では、導電体２０５の第１の導電体となる導電膜として、スパッタリング法によって窒化タンタル膜、または、窒化タンタルの上に窒化チタンを積層した膜を成膜する。このような金属窒化物を導電体２０５の第１の導電体に用いることにより、後述する導電体２０５の第２の導電体として銅などの拡散しやすい金属を用いても、当該金属が導電体２０５の第１の導電体から外に拡散するのを防ぐことができる。
　次に、導電体２０５の第１の導電体となる導電膜上に、導電体２０５の第２の導電体となる導電膜を成膜する。該導電膜の成膜は、メッキ法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、該導電膜として、タングステン膜を成膜する。
　次に、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を行うことで、導電体２０５の第１の導電体となる導電膜、および導電体２０５の第２の導電体となる導電膜の一部を除去し、絶縁体２１６を露出する。その結果、開口部のみに、導電体２０５の第１の導電体となる導電膜、および導電体２０５の第２の導電体となる導電膜が残存する。これにより、上面が平坦な、導電体２０５の第１の導電体および導電体２０５の第２の導電体を含む導電体２０５を形成することができる（図５Ａ乃至図５Ｃ参照。）。
　なお、導電体２０５を形成した後に、導電体２０５の第２の導電体の一部を除去して、導電体２０５の第２の導電体に溝を形成し、当該溝を埋め込むように導電体２０５および絶縁体２１６上に導電膜を成膜し、ＣＭＰ処理を行う工程を行ってもよい。当該ＣＭＰ処理により、当該導電膜の一部を除去し、絶縁体２１６を露出する。なお、導電体２０５の第２の導電体の一部は、ドライエッチング法などを用いて除去するとよい。
　上記工程により、上面が平坦な、上記導電膜を含む導電体２０５を形成することができる。絶縁体２１６と導電体２０５の上面の平坦性を向上させることにより、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃの結晶性の向上を図ることができる。なお、当該導電膜には、導電体２０５の第１の導電体または導電体２０５の第２の導電体と同様の材料を用いるとよい。
　ここからは、上記と異なる導電体２０５の形成方法について以下に説明する。
　絶縁体２１４上に、導電体２０５となる導電膜を成膜する。該導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。また、該導電膜は、多層膜とすることができる。例えば、該導電膜としてタングステン膜を成膜する。
　次に、リソグラフィー法を用いて、導電体２０５となる導電膜を加工し、導電体２０５を形成する。
　なお、リソグラフィー法では、まず、マスクを介してレジストを露光する。次に、露光された領域を、現像液を用いて除去または残存させてレジストマスクを形成する。次に、当該レジストマスクを介してエッチング処理することで導電体、半導体、絶縁体などを所望の形状に加工することができる。例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光などを用いて、レジストを露光することでレジストマスクを形成すればよい。また、基板と投影レンズとの間に液体（例えば水）を満たして露光する、液浸技術を用いてもよい。また、前述した光に代えて、電子ビームやイオンビームを用いてもよい。なお、電子ビームやイオンビームを用いる場合には、マスクは不要となる。なお、レジストマスクは、アッシングなどのドライエッチング処理を行う、ウェットエッチング処理を行う、ドライエッチング処理後にウェットエッチング処理を行う、またはウェットエッチング処理後にドライエッチング処理を行うことで、除去することができる。
　また、レジストマスクの代わりに絶縁体や導電体からなるハードマスクを用いてもよい。ハードマスクを用いる場合、導電体２０５となる導電膜上にハードマスク材料となる絶縁膜や導電膜を形成し、その上にレジストマスクを形成し、ハードマスク材料をエッチングすることで所望の形状のハードマスクを形成することができる。導電体２０５となる導電膜のエッチングは、レジストマスクを除去してから行っても良いし、レジストマスクを残したまま行っても良い。後者の場合、エッチング中にレジストマスクが消失することがある。導電体２０５となる導電膜のエッチング後にハードマスクをエッチングにより除去しても良い。一方、ハードマスクの材料が後工程に影響が無い、あるいは後工程で利用できる場合、必ずしもハードマスクを除去する必要は無い。
　次に、絶縁体２１４、および導電体２０５上に絶縁体２１６となる絶縁膜を成膜する。当該絶縁膜は、導電体２０５の上面、および側面と接するように形成する。当該絶縁膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
　ここで、絶縁体２１６となる絶縁膜の膜厚は、導電体２０５の膜厚以上とすることが好ましい。例えば、導電体２０５の膜厚を１とすると、絶縁体２１６となる絶縁膜の膜厚は、１以上３以下とする。
　次に、絶縁体２１６となる絶縁膜にＣＭＰ処理を行うことで、当該絶縁膜の一部を除去し、導電体２０５の表面を露出させる。これにより、上面が平坦な、導電体２０５と、絶縁体２１６とを形成することができる。以上が、導電体２０５の異なる形成方法である。
　次に、絶縁体２１６、および導電体２０５上に絶縁体２２２を成膜する。絶縁体２２２の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁体２２２として、ＡＬＤ法によって、酸化ハフニウムまたは酸化アルミニウムを成膜する。
　続いて、加熱処理を行うと好ましい。加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下、さらに好ましくは３２０℃以上４５０℃以下で行えばよい。なお、加熱処理は、窒素ガスもしくは不活性ガスの雰囲気、または酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上、もしくは１０％以上含む雰囲気で行う。また、加熱処理は減圧状態で行ってもよい。または、加熱処理は、窒素ガスもしくは不活性ガスの雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上、または１０％以上含む雰囲気で加熱処理を行ってもよい。
　本実施の形態では、加熱処理として、絶縁体２２２の成膜後に窒素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行った後に、連続して酸素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行う。当該加熱処理によって、絶縁体２２２に含まれる水、水素などの不純物を除去することなどができる。また、加熱処理は、絶縁体２２４の成膜後などのタイミングで行うこともできる。
　次に、絶縁体２２２上に絶縁体２２４を成膜する。絶縁体２２４の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁体２２４として、ＣＶＤ法によって酸化窒化シリコンを成膜する。
　ここで、絶縁体２２４に過剰酸素領域を形成するために、減圧状態で酸素を含むプラズマ処理を行ってもよい。酸素を含むプラズマ処理は、例えばマイクロ波を用いた高密度プラズマを発生させる電源を有する装置を用いることが好ましい。または、基板側にＲＦを印加する電源を有してもよい。高密度プラズマを用いることより、高密度の酸素ラジカルを生成することができ、基板側にＲＦを印加することで、高密度プラズマによって生成された酸素ラジカルを効率よく絶縁体２２４内に導くことができる。または、この装置を用いて不活性ガスを含むプラズマ処理を行った後に、脱離した酸素を補うために酸素を含むプラズマ処理を行ってもよい。なお、当該プラズマ処理の条件を適宜選択することにより、絶縁体２２４に含まれる水、水素などの不純物を除去することができる。その場合、加熱処理は行わなくてもよい。
　ここで、絶縁体２２４上に、例えば、スパッタリング法によって、酸化アルミニウムを成膜した後、絶縁体２２４に達するまで、ＣＭＰ処理を行ってもよい。当該ＣＭＰ処理を行うことで絶縁体２２４表面の平坦化および平滑化を行うことができる。当該酸化アルミニウムを絶縁体２２４上に配置してＣＭＰ処理を行うことで、ＣＭＰ処理の終点検出が容易となる。また、ＣＭＰ処理によって、絶縁体２２４の一部が研磨されて、絶縁体２２４の膜厚が薄くなることがあるが、絶縁体２２４の成膜時に膜厚を調整すればよい。絶縁体２２４表面の平坦化および平滑化を行うことで、後に成膜する酸化物の被覆率の悪化を防止し、半導体装置の歩留りの低下を防ぐことができる場合がある。また、絶縁体２２４上に、スパッタリング法によって、酸化アルミニウムを成膜することにより、絶縁体２２４に酸素を添加することができるので好ましい。
　次に、絶縁体２２４上に、酸化膜２３０Ａ、酸化膜２３０Ｂを順に成膜する（図５Ｂ乃至図５Ｄ参照。）。なお、酸化膜２３０Ａおよび酸化膜２３０Ｂは、大気環境にさらさずに連続して成膜することが好ましい。大気開放せずに成膜することで、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂ上に大気環境からの不純物または水分が付着することを防ぐことができ、酸化膜２３０Ａと酸化膜２３０Ｂとの界面近傍を清浄に保つことができる。
　酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂの成膜はスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
　例えば、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂをスパッタリング法によって成膜する場合は、スパッタリングガスとして酸素、または、酸素と希ガスの混合ガスを用いる。スパッタリングガスに含まれる酸素の割合を高めることで、成膜される酸化膜中の過剰酸素を増やすことができる。また、上記の酸化膜をスパッタリング法によって成膜する場合は、上記のＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物ターゲットなどを用いることができる。
　特に、酸化膜２３０Ａの成膜時に、スパッタリングガスに含まれる酸素の一部が絶縁体２２４に供給される場合がある。したがって、当該スパッタリングガスに含まれる酸素の割合は７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは１００％とすればよい。
　また、酸化膜２３０Ｂをスパッタリング法で形成する場合、スパッタリングガスに含まれる酸素の割合を、３０％を超えて１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下として成膜すると、酸素過剰型の酸化物半導体が形成される。酸素過剰型の酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、比較的高い信頼性が得られる。ただし、本発明の一態様はこれに限定されない。酸化膜２３０Ｂをスパッタリング法で形成する場合、スパッタリングガスに含まれる酸素の割合を１％以上３０％以下、好ましくは５％以上２０％以下として成膜すると、酸素欠乏型の酸化物半導体が形成される。酸素欠乏型の酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られる。また、基板を加熱しながら成膜を行うことによって、当該酸化膜の結晶性を向上させることができる。
　本実施の形態では、酸化膜２３０Ａとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲットを用いて成膜する。また、酸化膜２３０Ｂとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲットを用いて成膜する。なお、各酸化膜は、成膜条件、および原子数比を適宜選択することで、酸化物２３０に求める特性に合わせて形成するとよい。
　なお、絶縁体２２２、絶縁体２２４、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂを、大気に暴露することなく成膜することが好ましい。例えば、マルチチャンバー方式の成膜装置を用いればよい。
　次に、加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理は、上述した加熱処理条件を用いることができる。当該加熱処理によって、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂ中の水、水素などの不純物を除去することなどができる。本実施の形態では、窒素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行った後に、連続して酸素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行う。
　次に、酸化膜２３０Ｂ上に導電膜２４０Ａを成膜する。導電膜２４０Ａの成膜はスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる（図５Ｂ乃至図５Ｄ参照。）。なお、導電膜２４０Ａの成膜前に、加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理は、減圧下で行い、大気に暴露することなく、連続して導電膜２４０Ａを成膜してもよい。このような処理を行うことによって、酸化膜２３０Ｂの表面などに吸着している水分および水素を除去し、さらに酸化膜２３０Ａおよび酸化膜２３０Ｂ中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。加熱処理の温度は、１００℃以上４００℃以下が好ましい。本実施の形態では、加熱処理の温度を２００℃とする。
　続いて、バリア層として機能する絶縁膜２４５Ａを形成する（図５Ｂ乃至図５Ｄ参照。）。
　例えば、絶縁膜２４５Ａとして、ＡＬＤ法により酸化アルミニウム膜を形成するとよい。ＡＬＤ法を用いて形成することで、緻密な、クラックやピンホールなどの欠陥が低減された、または均一な厚さを備える膜を形成することができる。
　次に、絶縁膜２４５Ａ上に、ハードマスクとなる膜２９０Ａを形成する（図５Ｂ乃至図５Ｄ参照。）。例えば、ハードマスクとなる膜２９０Ａとして、タングステン膜、または窒化タンタル膜をスパッタリング法で形成するとよい。
　次に、ハードマスクとなる膜２９０Ａ上にフォトリソグラフィ法によりレジストマスク２９２を形成する（図５Ａ乃至図５Ｄ参照。）。レジストマスク２９２を用いて、ハードマスクとなる膜２９０Ａ、および絶縁膜２４５Ａの一部を選択的に除去することで、ハードマスク２９０Ｂ、および絶縁層２４５Ｂを形成する（図６Ａ乃至図６Ｄ参照。）。
　次に、ハードマスク２９０Ｂ、および絶縁層２４５Ｂを用いて、導電膜２４０Ａの一部を選択的に除去し、島状の導電層２４０Ｂを形成する（図７Ａ乃至図７Ｄ参照。）。なお、このとき、ハードマスク２９０Ｂの一部、または全部が除去されてもよい。
　続いて、島状の導電層２４０Ｂ、絶縁層２４５Ｂ、ハードマスク２９０Ｂをマスクとして酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂの一部を選択的に除去する。なお、本工程において、同時に絶縁体２２４の一部も除去される場合がある。その後、ハードマスク２９０Ｂを除去することにより、島状の酸化物２３０ａ、島状の酸化物２３０ｂ、島状の導電層２４０Ｂ、島状の絶縁層２４５Ｂの積層構造を形成することができる（図８Ａ乃至図８Ｄ参照。）。
　ここで、酸化物２３０ｂ、および導電層２４０Ｂの側面は、絶縁体２２４の上面に対し、概略垂直であることが好ましい。具体的には、図１Ｄで示す角θは、６０度以上９５度以下、好ましくは、８８度以上９２度以下とするとよい。酸化物２３０ｂ、および導電層２４０Ｂの側面が、絶縁体２２４の上面に対し、概略垂直であることで、複数のトランジスタ２００を設ける際に、小面積化、高密度化が可能となる。また、導電層２４０Ｂを上記の形状とすることで、のちに形成される配線層との接触面積を向上させることができる。したがって、導電層２４０Ｂと、配線層とのコンタクト抵抗の上昇を抑制することができる。
　また、本工程において、ハードマスク２９０Ｂを用いて導電膜２４０Ａの加工を行うことで、導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂの形状に不要なエッチング（ＣＤロスともいう）の形成を抑制することができる。
　例えば、レジストマスクを用いた場合、エッチング時にマスクがサイドエッチングされて、被加工物の端部表面が露出し、角部が丸くなる場合がある。導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂにおいて、当該不良が大きい場合、導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂの体積が、設計値よりも減少し、オン電流が小さくなる場合がある。
　そこで、ハードマスクに対するエッチレートの選択比が大きい材質を被加工物として用いることで、エッチング時にハードマスクの形状が維持され、被加工物が形状不良となることを抑制できる。具体的には、ハードマスクに用いる材質のエッチレートを１とした場合、被加工物のエッチレートは５以上、好ましくは１０以上の材質をマスクとして用いるとよい。
　次に、島状の酸化物２３０ａ、島状の酸化物２３０ｂ、島状の導電層２４０Ｂ、島状の絶縁層２４５Ｂの積層構造上に、絶縁体２８０となる絶縁膜を成膜する。当該絶縁膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、当該絶縁膜として、ＣＶＤ法、またはスパッタリング法によって酸化シリコン膜を成膜する。なお、当該絶縁膜の成膜前に、加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、減圧下で行い、大気に暴露することなく、連続して当該絶縁膜を成膜してもよい。このような処理を行うことによって、絶縁体２２４の表面などに吸着している水分および水素を除去し、さらに酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および絶縁体２２４中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。上述した加熱処理条件を用いることができる。
　また、絶縁体２８０となる絶縁膜は、多層構造としてもよい。例えば、スパッタリング法によって酸化シリコン膜を成膜し、当該酸化シリコン膜上に、ＣＶＤ法によって酸化シリコン膜を成膜する構造としてもよい。
　次に、絶縁体２８０となる絶縁膜にＣＭＰ処理を行い、上面が平坦な絶縁体２８０を形成する（図８Ｂ乃至図８Ｄ参照。）。
　次に、絶縁体２８０の一部、絶縁層２４５Ｂの一部、および導電層２４０Ｂの一部を加工して、酸化物２３０ｂに達する開口を形成する。当該開口は、導電体２０５と重なるように形成することが好ましい。当該開口の形成によって、導電体２４０ａ、導電体２４０ｂ、絶縁体２４５ａ、および絶縁体２４５ｂを形成する。このとき、酸化物２３０ｂの当該開口と重なる領域の膜厚が薄くなる場合がある（図９Ａ乃至図９Ｃ参照。）。
　また、絶縁体２８０の一部、絶縁層２４５Ｂの一部、および導電層２４０Ｂの一部の加工は、それぞれ異なる条件で加工してもよい。例えば、絶縁体２８０の一部をドライエッチング法で加工し、絶縁層２４５Ｂの一部をウェットエッチング法で加工し、導電層２４０Ｂの一部をドライエッチング法で加工してもよい。
　ここで、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂなどの表面に付着または内部に拡散した不純物を除去することが好ましい。当該不純物としては、絶縁体２８０、絶縁層２４５Ｂ、および導電層２４０Ｂに含まれる成分、上記開口を形成する際に用いられる装置に使われている部材に含まれる成分、エッチングに使用するガスまたは液体に含まれる成分などに起因したものが挙げられる。当該不純物としては、例えば、アルミニウム、シリコン、タンタル、フッ素、塩素などがある。
　上記の不純物などを除去するために、洗浄処理を行ってもよい。洗浄方法としては、洗浄液など用いたウェット洗浄、プラズマを用いたプラズマ処理、熱処理による洗浄などがあり、上記洗浄を適宜組み合わせて行ってもよい。
　ウェット洗浄としては、アンモニア水、シュウ酸、リン酸、フッ化水素酸などを炭酸水または純水で希釈した水溶液、純水、炭酸水などを用いて洗浄処理を行ってもよい。また、これらの水溶液、純水、または炭酸水を用いた超音波洗浄を行ってもよい。また、これらの洗浄を適宜組み合わせて行ってもよい。
　次に加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理は、酸素を含む雰囲気下で行うと好適である。また、当該加熱処理は、減圧下で行い、大気に暴露することなく、連続して酸化膜２３０Ｃを成膜してもよい（図１０Ａ乃至図１０Ｄ参照。）。このような処理を行うことによって、酸化物２３０ｂの表面などに吸着している水分および水素を除去し、さらに酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂ中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。加熱処理の温度は、１００℃以上４００℃以下が好ましい。本実施の形態では、加熱処理の温度を２００℃とする。
　酸化膜２３０Ｃの成膜はスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。酸化物２３０ｃに求める特性に合わせて、酸化膜２３０Ａ、または酸化膜２３０Ｂと同様の成膜方法を用いて、酸化膜２３０Ｃを成膜すればよい。本実施の形態では、酸化膜２３０Ｃとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］、またはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲットを用いて成膜する。または、酸化膜２３０Ｃとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲットを用いて成膜し、その上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲットを用いて成膜する。
　特に、酸化膜２３０Ｃの成膜時に、スパッタリングガスに含まれる酸素の一部が酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂに供給される場合がある。したがって、酸化膜２３０Ｃのスパッタリングガスに含まれる酸素の割合は７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは１００％とすればよい。
　次に加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、減圧下で行い、大気に暴露することなく、連続して絶縁膜２５０Ａを成膜してもよい。このような処理を行うことによって、酸化膜２３０Ｃの表面などに吸着している水分および水素を除去し、さらに酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化膜２３０Ｃ中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。加熱処理の温度は、１００℃以上４００℃以下が好ましい。
　絶縁膜２５０Ａは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて成膜することができる（図１０Ａ乃至図１０Ｄ参照。）。本実施の形態では、絶縁膜２５０Ａとして、ＣＶＤ法により、酸化窒化シリコン膜を成膜する。なお、絶縁膜２５０Ａを成膜する際の成膜温度は、３５０℃以上４５０℃未満、特に４００℃前後とすることが好ましい。絶縁膜２５０Ａを、４００℃で成膜することで、不純物が少ない絶縁膜を成膜することができる。
　ここで、絶縁膜２５０Ａを成膜後に、酸素を含む雰囲気下、および減圧下にて、マイクロ波処理を行ってもよい（図１１Ｂ乃至図１１Ｄ参照。）。マイクロ波処理を行うことにより、マイクロ波２９１による電界が絶縁膜２５０Ａ、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化膜２３０Ｃに与えられ、酸化物２３０ａ中、酸化物２３０ｂ中、および酸化膜２３０Ｃ中のＶＯＨをＶＯと水素とに分断することができる。この時分断された水素の一部は、酸素と結合してＨ２Ｏとして、絶縁膜２５０Ａ、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化膜２３０Ｃから除去される場合がある。また、水素の一部は、導電体２４０ａ、および導電体２４０ｂにゲッタリングされる場合がある。このように、マイクロ波処理を行うことで、絶縁膜２５０Ａ中、酸化物２３０ａ中、酸化物２３０ｂ中、および酸化膜２３０Ｃ中の水素濃度を低減することができる。また、酸化物２３０ａ中、酸化物２３０ｂ中、および酸化膜２３０Ｃ中のＶＯＨをＶＯと水素とに分断した後に存在しうるＶＯに酸素が供給されることでＶＯを修復または補填することができる。
　また、マイクロ波処理後に減圧状態を保ったままで、加熱処理を行ってもよい。このような処理を行うことで、絶縁膜２５０Ａ中、酸化物２３０ａ中、酸化物２３０ｂ中、および酸化膜２３０Ｃ中の水素を効率よく除去することができる。また、水素の一部は、導電体２４０ａ、および導電体２４０ｂにゲッタリングされる場合がある。または、マイクロ波処理後に減圧状態を保ったままで、加熱処理を行うステップを複数回繰り返して行ってもよい。加熱処理を繰り返し行うことで、絶縁膜２５０Ａ中、酸化物２３０ａ中、酸化物２３０ｂ中、酸化膜２３０Ｃ中の水素をさらに効率よく除去することができる。なお、加熱処理温度は、３００℃以上５００℃以下とすることが好ましい。
　また、マイクロ波処理を行うことにより、絶縁膜２５０Ａの膜質を改質することで、水素、水、不純物等の拡散を抑制することができる。従って、導電体２６０となる導電膜の成膜などの後工程、または熱処理などの後処理により、絶縁体２５０を介して、水素、水、不純物等が、酸化物２３０へ拡散することを抑制することができる。なお、マイクロ波処理装置の構成については後述する。
　次に、導電膜２６０Ａ、導電膜２６０Ｂを順に成膜する。導電膜２６０Ａおよび導電膜２６０Ｂの成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、ＡＬＤ法を用いて、導電膜２６０Ａを成膜し、ＣＶＤ法を用いて導電膜２６０Ｂを成膜する（図１２Ａ乃至図１２Ｄ参照。）。
　次に、ＣＭＰ処理によって、酸化膜２３０Ｃ、絶縁膜２５０Ａ、導電膜２６０Ａ、および導電膜２６０Ｂを絶縁体２８０が露出するまで研磨することによって、酸化物２３０ｃ、絶縁体２５０、および導電体２６０（導電体２６０ａ、および導電体２６０ｂ）を形成する（図１３Ａ乃至図１３Ｃ参照。）。これにより、酸化物２３０ｃは、酸化物２３０ｂに達する開口の内壁（側壁、および底面）を覆うように配置される。また、絶縁体２５０は、酸化物２３０ｃを介して、上記開口の内壁を覆うように配置される。また、導電体２６０は、酸化物２３０ｃおよび絶縁体２５０を介して、上記開口を埋め込むように配置される。
　次に、加熱処理を行ってもよい。本実施の形態では、窒素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行う。該加熱処理によって、絶縁体２５０および絶縁体２８０中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。
　次に、酸化物２３０ｃ、絶縁体２５０、導電体２６０、および絶縁体２８０上に、絶縁体２８２を成膜する。絶縁体２８２の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。絶縁体２８２としては、例えば、スパッタリング法によって、酸化アルミニウム、または窒化シリコンを成膜することが好ましい。スパッタリング法によって、酸化アルミニウム、または窒化シリコンを成膜することによって、絶縁体２８４が有する水素を酸化物２３０へ拡散することを抑制することができる。また、導電体２６０と接するように絶縁体２８２を形成することで、導電体２６０の酸化を抑制することができ、好ましい。
　また、絶縁体２８２として、スパッタリング法によって、酸化アルミニウムを形成することで、絶縁体２８０に酸素を供給することができる。絶縁体２８０に供給された酸素は、酸化物２３０ｃを介して、酸化物２３０ｂが有するチャネル形成領域に供給される場合がある。また、絶縁体２８０に酸素が供給されることで、絶縁体２８２形成前に絶縁体２８０に含まれていた酸素が、酸化物２３０ｃを介して、酸化物２３０ｂが有するチャネル形成領域に供給される場合がある。
　また、絶縁体２８２は、多層構造としてもよい。例えば、スパッタリング法によって酸化アルミニウムを成膜し、当該酸化アルミニウム上に、スパッタリング法によって窒化シリコンを成膜する構造としてもよい。
　次に、加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、前述の加熱処理条件を用いることができる。当該加熱処理によって、絶縁体２８０の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。また、絶縁体２８２が有する酸素を絶縁体２８０に注入することができる。
　なお、絶縁体２８２を成膜する前に、はじめに、絶縁体２８０などの上に、スパッタリング法によって酸化アルミニウム膜を成膜し、次に、上述した加熱処理条件を用いて加熱処理を行い、次に、ＣＭＰ処理によって、当該酸化アルミニウム膜を除去する工程を行ってもよい。当該工程により、絶縁体２８０に過剰酸素領域をより多く形成することができる。なお、当該工程において、絶縁体２８０の一部、導電体２６０の一部、絶縁体２５０の一部、および酸化物２３０ｃの一部が除去される場合がある。
　また、絶縁体２８０と絶縁体２８２との間に、絶縁体を設けてもよい。当該絶縁体として、例えば、スパッタリング法を用いて成膜した酸化シリコンを用いればよい。当該絶縁体を設けることで、絶縁体２８０に過剰酸素領域を形成することができる。
　次に絶縁体２８２上に、絶縁体２８４を成膜してもよい。絶縁体２８４の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる（図１Ｂ乃至図１Ｄ参照。）。
　以上により、図１Ａ乃至図１Ｄに示すトランジスタ２００を有する半導体装置を作製することができる。
　また、トランジスタ２００の形成後、トランジスタ２００を囲むように開口を形成し、当該開口を覆うように、水素、または水に対するバリア性が高い絶縁体を形成してもよい。上述のバリア性の高い絶縁体でトランジスタ２００を包み込むことで、外部から水分、および水素が侵入するのを防止することができる。または、複数のトランジスタ２００をまとめて、水素、または水に対するバリア性が高い絶縁体で包み込んでもよい。なお、トランジスタ２００を囲むように開口を形成する場合、例えば、絶縁体２１４または絶縁体２２２に達する開口を形成し、絶縁体２１４または絶縁体２２２に接するように上述のバリア性の高い絶縁体を形成すると、トランジスタ２００の作製工程の一部を兼ねられるため、好適である。なお、水素、または水に対するバリア性が高い絶縁体としては、例えば、絶縁体２２２と同様の材料を用いればよい。
　本発明の一態様により、信頼性が良好な半導体装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、オン電流の大きい半導体装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、低消費電力の半導体装置を提供することができる。
＜半導体装置の変形例＞
　以下では、図１４Ａ乃至図１５Ｄを用いて、本発明の一態様に係るトランジスタ２００を有する半導体装置の一例について説明する。
　ここで、図１４Ａ、および図１５Ａは、上面図を示す。また、図１４Ｂ、および図１５Ｂはそれぞれ、図１４Ａ、および図１５ＡにＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位に対応する断面図である。また、図１４Ｃ、および図１５Ｃはそれぞれ、図１４Ａ、および図１５ＡにＡ３−Ａ４の一点鎖線で示す部位に対応する断面図である。また、図１４Ｄ、および図１５Ｄはそれぞれ、図１４Ａ、および図１５ＡにＡ５−Ａ６の一点鎖線で示す部位に対応する断面図である。図１４Ａ、および図１５Ａの上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いている。
　なお、図１４Ａ乃至図１５Ｄに示す半導体装置において、＜半導体装置の構成例＞に示した半導体装置を構成する構造と同機能を有する構造には、同符号を付記する。なお、本項目においても、半導体装置の構成材料については＜半導体装置の構成例＞で詳細に説明した材料を用いることができる。
［半導体装置の変形例１］
　図１４Ａ乃至図１４Ｄに示す半導体装置は、図１Ａ乃至図１Ｄに示した半導体装置とは、絶縁体２４５ａおよび絶縁体２４５ｂを設けない点、絶縁体２５４を、導電体２４０ａの上面および側面、導電体２４０ｂの上面および側面、酸化物２３０ｂの側面、酸化物２３０ａの側面、ならびに、絶縁体２２４の上面に接するように設ける点が異なる。
　絶縁体２５４は、水素および酸素の一方または双方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。例えば、絶縁体２５４は、絶縁体２２４、および絶縁体２８０よりも水素および酸素の一方または双方の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。これにより、絶縁体２８０に含まれる水素が、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂに拡散するのを抑制することができる。さらに、絶縁体２５４によって、絶縁体２２４、酸化物２３０などを囲むことにより、水、水素などの不純物が、外方から絶縁体２２４、および酸化物２３０に拡散することを抑制することができる。よって、トランジスタ２００に良好な電気特性および信頼性を与えることができる。
　絶縁体２５４は、スパッタリング法を用いて成膜されることが好ましい。絶縁体２５４を、酸素を含む雰囲気でスパッタリング法を用いて成膜することで、絶縁体２２４の絶縁体２５４と接する領域近傍に酸素を添加することができる。これにより、当該領域から、絶縁体２２４を介して酸化物２３０中に酸素を供給することができる。ここで、絶縁体２５４が、上方への酸素の拡散を抑制する機能を有することで、酸素が酸化物２３０から絶縁体２８０へ拡散することを防ぐことができる。また、絶縁体２２２が、下方への酸素の拡散を抑制する機能を有することで、酸素が酸化物２３０から基板側へ拡散することを防ぐことができる。このようにして、酸化物２３０のチャネル形成領域に酸素が供給される。これにより、酸化物２３０の酸素欠損を低減し、トランジスタのノーマリーオン化を抑制することができる。
　絶縁体２５４としては、例えば、アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体を成膜するとよい。この場合、絶縁体２５４は、ＡＬＤ法を用いて成膜されることが好ましい。ＡＬＤ法は、被覆性の良好な成膜法なので、絶縁体２５４の凹凸によって、段切れなどが形成されるのを防ぐことができる。
　また、絶縁体２５４としては、例えば、窒化アルミニウムを含む絶縁体を用いればよい。これにより、絶縁性に優れ、且つ熱伝導性に優れた膜とすることができるため、トランジスタ２００を駆動したときに生じる熱の放熱性を高めることができる。また、窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどを用いることもできる。
　また、絶縁体２５４としては、例えば、ガリウムを含む酸化物を用いてもよい。ガリウムを含む酸化物は、水素および酸素の一方または双方の拡散を抑制する機能を有する場合があるため好ましい。なお、ガリウムを含む酸化物として、酸化ガリウム、ガリウム亜鉛酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などを用いることができる。なお、絶縁体２５４としてインジウムガリウム亜鉛酸化物を用いる場合、インジウムに対するガリウムの原子数比は大きい方が好ましい。当該原子数比を大きくすることで、当該酸化物の絶縁性を高くすることができる。
［半導体装置の変形例２］
　図１５Ａ乃至図１５Ｄに示す半導体装置は、図１４Ａ乃至図１４Ｄに示した半導体装置とは、酸化物２３０ｃを設けない点、絶縁体２５４を、絶縁体２５４ａと絶縁体２５４ｂとの積層構造とする点が異なる。
　絶縁体２５４を２層の積層構造とする場合、絶縁体２５４ａ、および絶縁体２５４ｂの成膜には、上記方法を用いて行うことができ、絶縁体２５４ａ、および絶縁体２５４ｂの成膜は、同じ方法を用いてもよいし、異なる方法を用いてもよい。例えば、絶縁体２５４ａとして、酸素を含む雰囲気でスパッタリング法を用いて成膜し、次にＡＬＤ法を用いて絶縁体２５４ｂを成膜してもよい。ＡＬＤ法は、被覆性の良好な成膜法なので、１層目の凹凸によって、段切れなどが形成されるのを防ぐことができる。
　また、絶縁体２５４ａ、および絶縁体２５４ｂには上記材料を用いることができ、絶縁体２５４ａ、および絶縁体２５４ｂは同じ材料としてもよいし、異なる材料としてもよい。例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンと、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体と、の積層構造としてもよい。また、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体として、例えば、アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体を用いることができる。
　以上より、信頼性が良好な半導体装置を提供することができる。また、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することができる。また、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供することができる。また、低消費電力の半導体装置を提供することができる。
＜マイクロ波処理装置＞
　以下では、本発明の一態様に係るマイクロ波処理装置について説明する。
　まずは、半導体装置などの製造時に不純物の混入が少ない製造装置の構成について図１６乃至図１８を用いて説明する。
　図１６は、枚葉式マルチチャンバーの製造装置２７００の上面図を模式的に示している。製造装置２７００は、基板を収容するカセットポート２７６１と、基板のアライメントを行うアライメントポート２７６２と、を備える大気側基板供給室２７０１と、大気側基板供給室２７０１から、基板を搬送する大気側基板搬送室２７０２と、基板の搬入を行い、かつ室内の圧力を大気圧から減圧、または減圧から大気圧へ切り替えるロードロック室２７０３ａと、基板の搬出を行い、かつ室内の圧力を減圧から大気圧、または大気圧から減圧へ切り替えるアンロードロック室２７０３ｂと、真空中の基板の搬送を行う搬送室２７０４と、チャンバー２７０６ａと、チャンバー２７０６ｂと、チャンバー２７０６ｃと、チャンバー２７０６ｄと、を有する。
　また、大気側基板搬送室２７０２は、ロードロック室２７０３ａおよびアンロードロック室２７０３ｂと接続され、ロードロック室２７０３ａおよびアンロードロック室２７０３ｂは、搬送室２７０４と接続され、搬送室２７０４は、チャンバー２７０６ａ、チャンバー２７０６ｂ、チャンバー２７０６ｃおよびチャンバー２７０６ｄと接続する。
　なお、各室の接続部にはゲートバルブＧＶが設けられており、大気側基板供給室２７０１と、大気側基板搬送室２７０２を除き、各室を独立して真空状態に保持することができる。また、大気側基板搬送室２７０２には搬送ロボット２７６３ａが設けられており、搬送室２７０４には搬送ロボット２７６３ｂが設けられている。搬送ロボット２７６３ａおよび搬送ロボット２７６３ｂによって、製造装置２７００内で基板を搬送することができる。
　搬送室２７０４および各チャンバーの背圧（全圧）は、例えば、１×１０−４Ｐａ以下、好ましくは３×１０−５Ｐａ以下、さらに好ましくは１×１０−５Ｐａ以下とする。また、搬送室２７０４および各チャンバーの質量電荷比（ｍ／ｚ）が１８である気体分子（原子）の分圧は、例えば、３×１０−５Ｐａ以下、好ましくは１×１０−５Ｐａ以下、さらに好ましくは３×１０−６Ｐａ以下とする。また、搬送室２７０４および各チャンバーのｍ／ｚが２８である気体分子（原子）の分圧は、例えば、３×１０−５Ｐａ以下、好ましくは１×１０−５Ｐａ以下、さらに好ましくは３×１０−６Ｐａ以下とする。また、搬送室２７０４および各チャンバーのｍ／ｚが４４である気体分子（原子）の分圧は、例えば、３×１０−５Ｐａ以下、好ましくは１×１０−５Ｐａ以下、さらに好ましくは３×１０−６Ｐａ以下とする。
　なお、搬送室２７０４および各チャンバー内の全圧および分圧は、質量分析計を用いて測定することができる。例えば、株式会社アルバック製四重極形質量分析計（Ｑ−ｍａｓｓともいう。）Ｑｕｌｅｅ　ＣＧＭ−０５１を用いればよい。
　また、搬送室２７０４および各チャンバーは、外部リークまたは内部リークが少ない構成とすることが望ましい。例えば、搬送室２７０４および各チャンバーのリークレートは、３×１０−６Ｐａ・ｍ３／ｓ以下、好ましくは１×１０−６Ｐａ・ｍ３／ｓ以下とする。また、例えば、ｍ／ｚが１８である気体分子（原子）のリークレートが１×１０−７Ｐａ・ｍ３／ｓ以下、好ましくは３×１０−８Ｐａ・ｍ３／ｓ以下とする。また、例えば、ｍ／ｚが２８である気体分子（原子）のリークレートが１×１０−５Ｐａ・ｍ３／ｓ以下、好ましくは１×１０−６Ｐａ・ｍ３／ｓ以下とする。また、例えば、ｍ／ｚが４４である気体分子（原子）のリークレートが３×１０−６Ｐａ・ｍ３／ｓ以下、好ましくは１×１０−６Ｐａ・ｍ３／ｓ以下とする。
　なお、リークレートに関しては、前述の質量分析計を用いて測定した全圧および分圧から導出すればよい。リークレートは、外部リークおよび内部リークに依存する。外部リークは、微小な穴やシール不良などによって真空系外から気体が流入することである。内部リークは、真空系内のバルブなどの仕切りからの漏れや内部の部材からの放出ガスに起因する。リークレートを上述の数値以下とするために、外部リークおよび内部リークの両面から対策をとる必要がある。
　例えば、搬送室２７０４および各チャンバーの開閉部分はメタルガスケットでシールするとよい。メタルガスケットは、フッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどによって被覆された金属を用いると好ましい。メタルガスケットはＯリングと比べ密着性が高く、外部リークを低減できる。また、フッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどによって被覆された金属の不動態を用いることで、メタルガスケットから放出される不純物を含む放出ガスが抑制され、内部リークを低減することができる。
　また、製造装置２７００を構成する部材として、不純物を含む放出ガスの少ないアルミニウム、クロム、チタン、ジルコニウム、ニッケルまたはバナジウムを用いる。また、前述の部材を鉄、クロムおよびニッケルなどを含む合金に被覆して用いてもよい。鉄、クロムおよびニッケルなどを含む合金は、剛性があり、熱に強く、また加工に適している。ここで、表面積を小さくするために部材の表面凹凸を研磨などによって低減しておくと、放出ガスを低減できる。
　または、前述の製造装置２７００の部材をフッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどで被覆してもよい。
　製造装置２７００の部材は、極力金属のみで構成することが好ましく、例えば石英などで構成される覗き窓などを設置する場合も、放出ガスを抑制するために表面をフッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどで薄く被覆するとよい。
　搬送室２７０４および各チャンバーに存在する吸着物は、内壁などに吸着しているために搬送室２７０４および各チャンバーの圧力に影響しないが、搬送室２７０４および各チャンバーを排気した際のガス放出の原因となる。そのため、リークレートと排気速度に相関はないものの、排気能力の高いポンプを用いて、搬送室２７０４および各チャンバーに存在する吸着物をできる限り脱離し、あらかじめ排気しておくことは重要である。なお、吸着物の脱離を促すために、搬送室２７０４および各チャンバーをベーキングしてもよい。ベーキングすることで吸着物の脱離速度を１０倍程度大きくすることができる。ベーキングは１００℃以上４５０℃以下で行えばよい。このとき、不活性ガスを搬送室２７０４および各チャンバーに導入しながら吸着物の除去を行うと、排気するだけでは脱離しにくい水などの脱離速度をさらに大きくすることができる。なお、導入する不活性ガスをベーキングの温度と同程度に加熱することで、吸着物の脱離速度をさらに高めることができる。ここで不活性ガスとして希ガスを用いると好ましい。
　または、加熱した希ガスなどの不活性ガスまたは酸素などを導入することで搬送室２７０４および各チャンバー内の圧力を高め、一定時間経過後に再び搬送室２７０４および各チャンバーを排気する処理を行うと好ましい。加熱したガスの導入により搬送室２７０４および各チャンバー内の吸着物を脱離させることができ、搬送室２７０４および各チャンバー内に存在する不純物を低減することができる。なお、この処理は２回以上３０回以下、好ましくは５回以上１５回以下の範囲で繰り返し行うと効果的である。具体的には、温度が４０℃以上４００℃以下、好ましくは５０℃以上２００℃以下である不活性ガスまたは酸素などを導入することで搬送室２７０４および各チャンバー内の圧力を０．１Ｐａ以上１０ｋＰａ以下、好ましくは１Ｐａ以上１ｋＰａ以下、さらに好ましくは５Ｐａ以上１００Ｐａ以下とし、圧力を保つ期間を１分以上３００分以下、好ましくは５分以上１２０分以下とすればよい。その後、搬送室２７０４および各チャンバーを５分以上３００分以下、好ましくは１０分以上１２０分以下の期間排気する。
　次に、チャンバー２７０６ｂおよびチャンバー２７０６ｃについて図１７に示す断面模式図を用いて説明する。
　チャンバー２７０６ｂおよびチャンバー２７０６ｃは、例えば、被処理物にマイクロ波処理を行うことが可能なチャンバーである。なお、チャンバー２７０６ｂと、チャンバー２７０６ｃと、はマイクロ波処理を行う際の雰囲気が異なるのみである。そのほかの構成については共通するため、以下ではまとめて説明を行う。
　チャンバー２７０６ｂおよびチャンバー２７０６ｃは、スロットアンテナ板２８０８と、誘電体板２８０９と、基板ホルダ２８１２と、排気口２８１９と、を有する。また、チャンバー２７０６ｂおよびチャンバー２７０６ｃの外などには、ガス供給源２８０１と、バルブ２８０２と、高周波発生器２８０３と、導波管２８０４と、モード変換器２８０５と、ガス管２８０６と、導波管２８０７と、マッチングボックス２８１５と、高周波電源２８１６と、真空ポンプ２８１７と、バルブ２８１８と、が設けられる。
　高周波発生器２８０３は、導波管２８０４を介してモード変換器２８０５と接続している。モード変換器２８０５は、導波管２８０７を介してスロットアンテナ板２８０８に接続している。スロットアンテナ板２８０８は、誘電体板２８０９と接して配置される。また、ガス供給源２８０１は、バルブ２８０２を介してモード変換器２８０５に接続している。そして、モード変換器２８０５、導波管２８０７および誘電体板２８０９を通るガス管２８０６によって、チャンバー２７０６ｂおよびチャンバー２７０６ｃにガスが送られる。また、真空ポンプ２８１７は、バルブ２８１８および排気口２８１９を介して、チャンバー２７０６ｂおよびチャンバー２７０６ｃからガスなどを排気する機能を有する。また、高周波電源２８１６は、マッチングボックス２８１５を介して基板ホルダ２８１２に接続している。
　基板ホルダ２８１２は、基板２８１１を保持する機能を有する。例えば、基板２８１１を静電チャックまたは機械的にチャックする機能を有する。また、高周波電源２８１６から電力を供給される電極としての機能を有する。また、内部に加熱機構２８１３を有し、基板２８１１を加熱する機能を有する。
　真空ポンプ２８１７としては、例えば、ドライポンプ、メカニカルブースターポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプ、クライオポンプまたはターボ分子ポンプなどを用いることができる。また、真空ポンプ２８１７に加えて、クライオトラップを用いてもよい。クライオポンプおよびクライオトラップを用いると、水を効率よく排気できて特に好ましい。
　また、加熱機構２８１３としては、例えば、抵抗発熱体などを用いて加熱する加熱機構とすればよい。または、加熱されたガスなどの媒体からの熱伝導または熱輻射によって、加熱する加熱機構としてもよい。例えば、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ　Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）またはＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ　Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）などのＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）を用いることができる。ＧＲＴＡは、高温のガスを用いて熱処理を行う。ガスとしては、不活性ガスが用いられる。
　また、ガス供給源２８０１は、マスフローコントローラを介して、精製機と接続されていてもよい。ガスは、露点が−８０℃以下、好ましくは−１００℃以下であるガスを用いることが好ましい。例えば、酸素ガス、窒素ガス、および希ガス（アルゴンなど）のガスを用いればよい。
　誘電体板２８０９としては、例えば、酸化シリコン（石英）、酸化アルミニウム（アルミナ）または酸化イットリウム（イットリア）などを用いればよい。また、誘電体板２８０９の表面に、さらに別の保護層が形成されていてもよい。保護層としては、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化シリコン、酸化アルミニウムまたは酸化イットリウムなどを用いればよい。誘電体板２８０９は、後述する高密度プラズマ２８１０の特に高密度領域に曝されることになるため、保護層を設けることで損傷を緩和することができる。その結果、処理時のパーティクルの増加などを抑制することができる。
　高周波発生器２８０３は、例えば、０．３ＧＨｚ以上３．０ＧＨｚ以下、０．７ＧＨｚ以上１．１ＧＨｚ以下、または２．２ＧＨｚ以上２．８ＧＨｚ以下のマイクロ波を発生させる機能を有する。高周波発生器２８０３で発生させたマイクロ波は、導波管２８０４を介してモード変換器２８０５に伝わる。モード変換器２８０５では、ＴＥモードとして伝わったマイクロ波がＴＥＭモードに変換される。そして、マイクロ波は、導波管２８０７を介してスロットアンテナ板２８０８に伝わる。スロットアンテナ板２８０８は、複数のスロット孔が設けられており、マイクロ波は該スロット孔および誘電体板２８０９を通過する。そして、誘電体板２８０９の下方に電界を生じさせ、高密度プラズマ２８１０を生成することができる。高密度プラズマ２８１０には、ガス供給源２８０１から供給されたガス種に応じたイオンおよびラジカルが存在する。例えば、酸素ラジカルまたは窒素ラジカルなどが存在する。
　このとき、基板２８１１が高密度プラズマ２８１０で生成されたイオンおよびラジカルによって、基板２８１１上の膜などを改質することができる。なお、高周波電源２８１６を用いて、基板２８１１側にバイアスを印加すると好ましい場合がある。高周波電源２８１６には、例えば、１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚなどの周波数のＲＦ（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源を用いればよい。基板側にバイアスを印加することで、高密度プラズマ２８１０中のイオンを基板２８１１上の膜などの開口部の奥まで効率よく到達させることができる。
　例えば、チャンバー２７０６ｂでは、ガス供給源２８０１から酸素を導入することで高密度プラズマ２８１０を用いた酸素ラジカル処理を行い、チャンバー２７０６ｃでは、ガス供給源２８０１から窒素を導入することで高密度プラズマ２８１０を用いた窒素ラジカル処理を行うことができる。
　次に、チャンバー２７０６ａおよびチャンバー２７０６ｄについて図１８に示す断面模式図を用いて説明する。
　チャンバー２７０６ａおよびチャンバー２７０６ｄは、例えば、被処理物に電磁波の照射を行うことが可能なチャンバーである。なお、チャンバー２７０６ａと、チャンバー２７０６ｄと、は電磁波の種類が異なるのみである。そのほかの構成については共通する部分が多いため、以下ではまとめて説明を行う。
　チャンバー２７０６ａおよびチャンバー２７０６ｄは、一または複数のランプ２８２０と、基板ホルダ２８２５と、ガス導入口２８２３と、排気口２８３０と、を有する。また、チャンバー２７０６ａおよびチャンバー２７０６ｄの外などには、ガス供給源２８２１と、バルブ２８２２と、真空ポンプ２８２８と、バルブ２８２９と、が設けられる。
　ガス供給源２８２１は、バルブ２８２２を介してガス導入口２８２３に接続している。真空ポンプ２８２８は、バルブ２８２９を介して排気口２８３０に接続している。ランプ２８２０は、基板ホルダ２８２５と向かい合って配置されている。基板ホルダ２８２５は、基板２８２４を保持する機能を有する。また、基板ホルダ２８２５は、内部に加熱機構２８２６を有し、基板２８２４を加熱する機能を有する。
　ランプ２８２０としては、例えば、可視光または紫外光などの電磁波を放射する機能を有する光源を用いればよい。例えば、波長１０ｎｍ以上２５００ｎｍ以下、５００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下、または４０ｎｍ以上３４０ｎｍ以下にピークを有する電磁波を放射する機能を有する光源を用いればよい。
　例えば、ランプ２８２０としては、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプまたは高圧水銀ランプなどの光源を用いればよい。
　例えば、ランプ２８２０から放射される電磁波は、その一部または全部が基板２８２４に吸収されることで基板２８２４上の膜などを改質することができる。例えば、欠陥の生成もしくは低減、または不純物の除去などができる。なお、基板２８２４を加熱しながら行うと、効率よく、欠陥の生成もしくは低減、または不純物の除去などができる。
　または、例えば、ランプ２８２０から放射される電磁波によって、基板ホルダ２８２５を発熱させ、基板２８２４を加熱してもよい。その場合、基板ホルダ２８２５の内部に加熱機構２８２６を有さなくてもよい。
　真空ポンプ２８２８は、真空ポンプ２８１７についての記載を参照する。また、加熱機構２８２６は、加熱機構２８１３についての記載を参照する。また、ガス供給源２８２１は、ガス供給源２８０１についての記載を参照する。
　以上の製造装置を用いることで、被処理物への不純物の混入を抑制しつつ、膜の改質などが可能となる。
　以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態２）
　本実施の形態では、半導体装置（記憶装置）の一形態を、図１９乃至図２１を用いて説明する。
［記憶装置１］
　本発明の一態様である半導体装置を使用した、記憶装置の一例を図１９に示す。本実施の形態に係る記憶装置は、トランジスタ２００はトランジスタ３００の上方に設けられ、容量素子１００はトランジスタ２００の上方に設けられている。容量素子１００、またはトランジスタ３００は、少なくとも一部がトランジスタ２００と重畳することが好ましい。これにより、容量素子１００、トランジスタ２００、およびトランジスタ３００の上面視における占有面積を低減することができるので、本実施の形態に係る記憶装置を微細化または高集積化させることができる。なお、本実施の形態に係る記憶装置は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）またはＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）に代表されるロジック回路、あるいはＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）またはＮＶＭ（Ｎｏｎ−Ｖｏｌａｔｉｌｅ　Ｍｅｍｏｒｙ）に代表されるメモリ回路に適用することができる。
　なお、トランジスタ２００として、先の実施の形態で説明したトランジスタ２００を用いることができる。よって、トランジスタ２００、およびトランジスタ２００を含む層については、先の実施の形態の記載を参酌することができる。
　トランジスタ２００は、酸化物半導体を有する半導体層にチャネルが形成されるトランジスタである。トランジスタ２００は、オフ電流が小さいため、これを記憶装置に用いることにより長期にわたり記憶内容を保持することが可能である。つまり、リフレッシュ動作を必要としない、あるいは、リフレッシュ動作の頻度が極めて少ないため、記憶装置の消費電力を十分に低減することができる。また、半導体層にシリコンを用いるトランジスタと比較して、トランジスタ２００は、高温における電気特性が良好である。例えば、トランジスタ２００は、１２５℃乃至１５０℃の温度範囲においても良好な電気特性を示す。また、１２５℃乃至１５０℃の温度範囲において、トランジスタ２００は、トランジスタのオン／オフ比が１０桁以上を有する。別言すると、半導体層にシリコンを用いるトランジスタと比較して、トランジスタ２００は、トランジスタ特性の一例であるオン電流、周波数特性などが高温になるほど優れた特性を有する。
　図１９に示す半導体装置において、配線１００１はトランジスタ３００のソースと電気的に接続され、配線１００２はトランジスタ３００のドレインと電気的に接続され、配線１００７はトランジスタ３００のゲートと電気的に接続されている。また、配線１００３はトランジスタ２００のソースおよびドレインの一方と電気的に接続され、配線１００４はトランジスタ２００の第１のゲートと電気的に接続され、配線１００６はトランジスタ２００の第２のゲートと電気的に接続されている。そして、トランジスタ２００のソースおよびドレインの他方は、容量素子１００の電極の一方と電気的に接続され、配線１００５は容量素子１００の電極の他方と電気的に接続されている。
　図１９に示す半導体装置は、トランジスタ２００のスイッチングによって、容量素子１００の電極の一方に充電された電荷が保持可能という特性を有することで、情報の書き込み、保持、読み出しが可能である。また、トランジスタ２００は、ソース、ゲート（トップゲート）、ドレインに加え、バックゲートが設けられた素子である。すなわち、４端子素子であるため、ＭＴＪ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｔｕｎｎｅｌ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）特性を利用したＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）、相変化メモリ（Ｐｈａｓｅ−ｃｈａｎｇｅ　ｍｅｍｏｒｙ）などに代表される２端子素子と比較して、入出力の独立制御が簡便に行うことができるといった特徴を有する。また、ＭＲＡＭ、ＲｅＲＡＭ、相変化メモリは、情報の書き換えの際に、原子レベルで構造変化が生じる場合がある。一方で図１９に示す半導体装置は、情報の書き換えの際にトランジスタ及び容量素子を利用した電子のチャージ、またはディスチャージにより動作するため、繰り返し書き換え耐性に優れ、構造変化も少ないといった特徴を有する。
　また、図１９に示す半導体装置は、マトリクス状に配置することで、メモリセルアレイを構成することができる。この場合、トランジスタ３００は、当該メモリセルアレイに接続される読み出し回路、または駆動回路などとして用いることができる。図１９に示す半導体装置をメモリ素子として用いた場合、例えば、駆動電圧が２．５Ｖ、評価環境温度が−４０℃乃至８５℃の範囲において、２００ＭＨｚ以上の動作周波数を実現することができる。
＜トランジスタ３００＞
　トランジスタ３００は、基板３１１上に設けられ、ゲート電極として機能する導電体３１６、ゲート絶縁体として機能する絶縁体３１５、基板３１１の一部からなる半導体領域３１３、ならびにソース領域またはドレイン領域として機能する低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂを有する。
　ここで、半導体領域３１３の上に絶縁体３１５が配置され、絶縁体３１５の上に導電体３１６が配置される。また、同じ層に形成されるトランジスタ３００は、素子分離絶縁層として機能する絶縁体３１２によって、電気的に分離されている。絶縁体３１２は、後述する絶縁体３２６などと同様の絶縁体を用いることができる。トランジスタ３００は、ｐチャネル型、あるいはｎチャネル型のいずれでもよい。
　基板３１１は、半導体領域３１３のチャネルが形成される領域、その近傍の領域、ソース領域、またはドレイン領域となる低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂなどにおいて、シリコン系半導体などの半導体を含むことが好ましく、単結晶シリコンを含むことが好ましい。または、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）、ＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミニウムヒ素）などを有する材料で形成してもよい。結晶格子に応力を与え、格子間隔を変化させることで有効質量を制御したシリコンを用いた構成としてもよい。またはＧａＡｓとＧａＡｌＡｓ等を用いることで、トランジスタ３００をＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｏｂｉｌｉｔｙ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）としてもよい。
　低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂは、半導体領域３１３に適用される半導体材料に加え、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する元素、またはホウ素などのｐ型の導電性を付与する元素を含む。
　ゲート電極として機能する導電体３１６は、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する元素、もしくはホウ素などのｐ型の導電性を付与する元素を含むシリコンなどの半導体材料、金属材料、合金材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を用いることができる。
　なお、導電体の材料により、仕事関数が定まるため、導電体の材料を変更することで、しきい値電圧を調整することができる。具体的には、導電体に窒化チタンや窒化タンタルなどの材料を用いることが好ましい。さらに導電性と埋め込み性を両立するために導電体にタングステンやアルミニウムなどの金属材料を積層として用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが耐熱性の点で好ましい。
　ここで、図１９に示すトランジスタ３００はチャネルが形成される半導体領域３１３（基板３１１の一部）が凸形状を有する。また、半導体領域３１３の側面および上面を、絶縁体３１５を介して、導電体３１６が覆うように設けられている。このようなトランジスタ３００は半導体基板の凸部を利用していることからＦＩＮ型トランジスタとも呼ばれる。なお、凸部の上部に接して、凸部を形成するためのマスクとして機能する絶縁体を有していてもよい。また、ここでは半導体基板の一部を加工して凸部を形成する場合を示したが、ＳＯＩ基板を加工して凸形状を有する半導体膜を形成してもよい。
　なお、図１９に示すトランジスタ３００は一例であり、その構造に限定されず、回路構成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。
　また、図１９に示すように半導体装置は、トランジスタ３００と、トランジスタ２００とを、積層して設けている。例えば、トランジスタ３００をシリコン系半導体材料で形成し、トランジスタ２００を酸化物半導体で形成することができる。このように、図１９に示す半導体装置は、シリコン系半導体材料と、酸化物半導体とを、異なるレイヤーに混載して形成することが可能である。また、図１９に示す半導体装置は、シリコン系半導体材料を用いる半導体装置の製造装置を使用するプロセスと同様のプロセスで作製することが可能であり、高集積化することも可能である。
＜容量素子＞
　容量素子１００は、絶縁体１６０上の絶縁体１１４と、絶縁体１１４上の絶縁体１４０と、絶縁体１１４および絶縁体１４０に形成された開口の中に配置された導電体１１０と、導電体１１０および絶縁体１４０上の絶縁体１３０と、絶縁体１３０上の導電体１２０と、導電体１２０および絶縁体１３０上の絶縁体１５０と、を有する。ここで、絶縁体１１４および絶縁体１４０に形成された開口の中に導電体１１０、絶縁体１３０、および導電体１２０の少なくとも一部が配置される。
　導電体１１０は容量素子１００の下部電極として機能し、導電体１２０は容量素子１００の上部電極として機能し、絶縁体１３０は、容量素子１００の誘電体として機能する。容量素子１００は、絶縁体１１４および絶縁体１４０の開口において、底面だけでなく、側面においても上部電極と下部電極とが誘電体を挟んで対向する構成となっており、単位面積当たりの静電容量を大きくすることができる。よって、当該開口の深さを深くするほど、容量素子１００の静電容量を大きくすることができる。このように容量素子１００の単位面積当たりの静電容量を大きくすることにより、半導体装置の微細化または高集積化を推し進めることができる。
　絶縁体１１４、および絶縁体１５０は、絶縁体２８０に用いることができる絶縁体を用いればよい。また、絶縁体１４０は、絶縁体１１４の開口を形成するときのエッチングストッパとして機能することが好ましく、絶縁体２１４に用いることができる絶縁体を用いればよい。
　絶縁体１１４および絶縁体１４０に形成された開口を上面から見た形状は、四角形としてもよいし、四角形以外の多角形状としてもよいし、多角形状において角部を湾曲させた形状としてもよいし、楕円を含む円形状としてもよい。ここで、上面視において、当該開口とトランジスタ２００の重なる面積が多い方が好ましい。このような構成にすることにより、容量素子１００とトランジスタ２００を有する半導体装置の占有面積を低減することができる。
　導電体１１０は、絶縁体１４０、および絶縁体１１４に形成された開口に接して配置される。導電体１１０の上面は、絶縁体１４０の上面と略一致することが好ましい。また、導電体１１０の下面には、絶縁体１６０上に設けられた導電体１５２が接する。導電体１１０は、ＡＬＤ法またはＣＶＤ法などを用いて成膜することが好ましく、例えば、導電体２０５に用いることができる導電体を用いればよい。
　絶縁体１３０は、導電体１１０および絶縁体１４０を覆うように配置される。例えば、ＡＬＤ法またはＣＶＤ法などを用いて絶縁体１３０を成膜することが好ましい。絶縁体１３０は、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム、窒化酸化ハフニウム、窒化ハフニウムなどを用いればよく、積層または単層で設けることができる。例えば、絶縁体１３０として、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムの順番で積層された絶縁膜を用いることができる。
　また、絶縁体１３０には、酸化窒化シリコンなどの絶縁耐力が大きい材料、または高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）材料を用いることが好ましい。または、絶縁耐力が大きい材料と高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）材料の積層構造を用いてもよい。
　なお、高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）材料（高い比誘電率の材料）としては、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化物、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化窒化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化窒化物、シリコンおよびハフニウムを有する窒化物などがある。このようなｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることで、絶縁体１３０を厚くしても容量素子１００の静電容量を十分確保することができる。絶縁体１３０を厚くすることにより、導電体１１０と導電体１２０の間に生じるリーク電流を抑制することができる。
　一方、絶縁耐力が大きい材料としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、樹脂などがある。例えば、ＡＬＤ法を用いて成膜した窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、ＰＥＡＬＤ法を用いて成膜した酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、ＡＬＤ法を用いて成膜した窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の順番で積層された絶縁膜を用いることができる。このような、絶縁耐力が大きい絶縁体を用いることで、絶縁耐力が向上し、容量素子１００の静電破壊を抑制することができる。
　導電体１２０は、絶縁体１４０および絶縁体１１４に形成された開口を埋めるように配置される。また、導電体１２０は、導電体１１２、および導電体１５３を介して配線１００５と電気的に接続している。導電体１２０は、ＡＬＤ法またはＣＶＤ法などを用いて成膜することが好ましく、例えば、導電体２０５に用いることができる導電体を用いればよい。
　また、トランジスタ２００は、酸化物半導体を用いる構成であるため、容量素子１００との相性が優れている。具体的には、酸化物半導体を用いるトランジスタ２００は、オフ電流が小さいため、容量素子１００と組み合わせて用いることで長期にわたり記憶内容を保持することが可能である。
＜配線層＞
　各構造体の間には、層間膜、配線、およびプラグ等が設けられた配線層が設けられていてもよい。また、配線層は、設計に応じて複数層設けることができる。ここで、プラグまたは配線として機能する導電体は、複数の構造をまとめて同一の符号を付与する場合がある。また、本明細書等において、配線と、配線と電気的に接続するプラグとが一体物であってもよい。すなわち、導電体の一部が配線として機能する場合、および導電体の一部がプラグとして機能する場合もある。
　例えば、トランジスタ３００上には、層間膜として、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６が順に積層して設けられている。また、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６には、端子として機能する導電体１５３と電気的に接続する導電体３２８、および導電体３３０等が埋め込まれている。なお、導電体３２８、および導電体３３０はプラグ、または配線として機能する。
　また、層間膜として機能する絶縁体は、その下方の凹凸形状を被覆する平坦化膜として機能してもよい。例えば、絶縁体３２２の上面は、平坦性を高めるために化学機械研磨（ＣＭＰ）法等を用いた平坦化処理により平坦化されていてもよい。
　絶縁体３２６、および導電体３３０上に、配線層を設けてもよい。例えば、図１９において、絶縁体３５０、絶縁体３５２、および絶縁体３５４が順に積層して設けられている。また、絶縁体３５０、絶縁体３５２、および絶縁体３５４には、導電体３５６が形成されている。導電体３５６は、プラグ、または配線として機能する。
　絶縁体３５４、および導電体３５６上には、絶縁体２１０、絶縁体２１２、絶縁体２１４、および絶縁体２１６が順に積層して設けられている。また、絶縁体２１０、絶縁体２１２、絶縁体２１４、および絶縁体２１６には、導電体２１８、及びトランジスタ２００を構成する導電体（導電体２０５）等が埋め込まれている。なお、導電体２１８は、トランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線として機能する。
　また、絶縁体１１４、絶縁体１４０、絶縁体１３０、絶縁体１５０、および絶縁体１５４には、導電体１１２、および容量素子１００を構成する導電体（導電体１２０、導電体１１０）等が埋め込まれている。なお、導電体１１２は、容量素子１００、トランジスタ２００、またはトランジスタ３００と、端子として機能する導電体１５３と、を電気的に接続するプラグ、または配線として機能する。
　また、絶縁体１５４上に導電体１５３が設けられ、導電体１５３は、絶縁体１５６に覆われている。ここで、導電体１５３は導電体１１２の上面に接しており、容量素子１００、トランジスタ２００、またはトランジスタ３００の端子として機能する。
　なお、層間膜として用いることができる絶縁体としては、絶縁性を有する酸化物、窒化物、酸化窒化物、窒化酸化物、金属酸化物、金属酸化窒化物、金属窒化酸化物などがある。例えば、層間膜として機能する絶縁体は、比誘電率が低い材料を用いることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。したがって、絶縁体の機能に応じて、材料を選択するとよい。
　例えば、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２６、絶縁体３５２、絶縁体３５４、絶縁体２１２、絶縁体１１４、絶縁体１５０、絶縁体１５６等は、比誘電率の低い絶縁体を有することが好ましい。例えば、当該絶縁体は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、樹脂などを有することが好ましい。または、当該絶縁体は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコンまたは空孔を有する酸化シリコンと、樹脂と、の積層構造を有することが好ましい。酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため、樹脂と組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電率の低い積層構造とすることができる。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミドなど）、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリルなどがある。
　また、導電体１５２または導電体１５３の上または下に設けられる絶縁体の抵抗率が１．０×１０１２Ωｃｍ以上１．０×１０１５Ωｃｍ以下、好ましくは５．０×１０１２Ωｃｍ以上１．０×１０１４Ωｃｍ以下、より好ましくは１．０×１０１３Ωｃｍ以上５．０×１０１３Ωｃｍ以下であることが好ましい。導電体１５２または導電体１５３の上または下に設けられる絶縁体の抵抗率を上記の範囲にすることで、当該絶縁体は、絶縁性を維持しつつ、トランジスタ２００、トランジスタ３００、容量素子１００、および導電体１５２等の配線間に蓄積される電荷を分散し、該電荷によるトランジスタ、該トランジスタを有する半導体装置の特性不良や静電破壊を抑制することができ、好ましい。このような絶縁体として、窒化シリコン、または窒化酸化シリコンを用いることができる。例えば、絶縁体１６０または絶縁体１５４の抵抗率を上記の範囲にすればよい。
　また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体で囲うことによって、トランジスタの電気特性を安定にすることができる。従って、絶縁体３２４、絶縁体３５０、絶縁体２１０等には、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体を用いればよい。
　水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい。具体的には、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体として、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルなどの金属酸化物、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンなどを用いることができる。
　配線、プラグに用いることができる導電体としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウムなどから選ばれた金属元素を１種以上含む材料を用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。
　例えば、導電体３２８、導電体３３０、導電体３５６、導電体２１８、導電体１１２、導電体１５２、導電体１５３等としては、上記の材料で形成される金属材料、合金材料、金属窒化物材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を、単層または積層して用いることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましく、タングステンを用いることが好ましい。または、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。低抵抗導電性材料を用いることで配線抵抗を低くすることができる。
＜酸化物半導体が設けられた層の配線、またはプラグ＞
　なお、トランジスタ２００に、酸化物半導体を用いる場合、酸化物半導体の近傍に過剰酸素領域を有する絶縁体が設けられることがある。その場合、該過剰酸素領域を有する絶縁体と、該過剰酸素領域を有する絶縁体に設ける導電体との間に、バリア性を有する絶縁体を設けることが好ましい。
　例えば、図１９では、過剰酸素を有する絶縁体２８０と、導電体２４８との間に、絶縁体２４７を設けるとよい。絶縁体２４７と、絶縁体２８２とが接して設けられることで、導電体２４８、およびトランジスタ２００が、バリア性を有する絶縁体によって、封止される構造とすることができる。
　つまり、絶縁体２４７を設けることで、絶縁体２８０が有する過剰酸素が、導電体２４８に吸収されることを抑制することができる。また、絶縁体２４７を有することで、不純物である水素が、導電体２４８を介して、トランジスタ２００へ拡散することを抑制することができる。
　ここで、導電体２４８は、トランジスタ２００、またはトランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線としての機能を有する。
　具体的には、絶縁体２８４、絶縁体２８２、および絶縁体２８０の開口の側壁に接して、絶縁体２４７が設けられ、その側面に接して導電体２４８が形成されている。当該開口の底部の少なくとも一部には導電体２４０ａまたは導電体２４０ｂが位置しており、導電体２４８が導電体２４０ａまたは導電体２４０ｂと接する。
　導電体２４８は、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることが好ましい。また、導電体２４８は積層構造としてもよい。なお、トランジスタ２００では、導電体２４８を、２層の積層構造として設ける構成について示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体２４８を単層、または３層以上の積層構造として設ける構成にしてもよい。
　また、導電体２４８を積層構造とする場合、導電体２４０ａまたは導電体２４０ｂと接し、かつ、絶縁体２８０、絶縁体２８２、および絶縁体２８４と、絶縁体２４７を介して接する導電体には、水、水素などの不純物の透過を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。例えば、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、ルテニウム、酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。また、水、水素などの不純物の透過を抑制する機能を有する導電性材料は、単層または積層で用いてもよい。当該導電性材料を用いることで、絶縁体２８０に添加された酸素が導電体２４８に吸収されるのを防ぐことができる。また、絶縁体２８４より上層に含まれる、水、水素などの不純物が、導電体２４８を通じて酸化物２３０に拡散するのを抑制することができる。
　絶縁体２４７としては、例えば、絶縁体２１４等に用いることができる絶縁体を用いればよい。絶縁体２４７は、絶縁体２８０などに含まれる水、水素などの不純物が、導電体２４８を通じて酸化物２３０に拡散するのを抑制することができる。また、絶縁体２８０に含まれる酸素が導電体２４８に吸収されるのを防ぐことができる。
　また、導電体２４８の上面に接して配線として機能する導電体１５２を配置してもよい。配線として機能する導電体は、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることが好ましい。また、当該導電体は、積層構造としてもよく、例えば、チタン又は窒化チタンと上記導電性材料との積層としてもよい。なお、当該導電体は、絶縁体に設けられた開口に埋め込むように形成してもよい。
　以上が構成例についての説明である。本構成を用いることで、酸化物半導体を有するトランジスタを用いた半導体装置を微細化または高集積化させることができる。また、酸化物半導体を有するトランジスタを用いた半導体装置において、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させることができる。また、オン電流が大きい酸化物半導体を有するトランジスタを提供することができる。また、オフ電流が小さい酸化物半導体を有するトランジスタを提供することができる。また、消費電力が低減された半導体装置を提供することができる。
［記憶装置２］
　本発明の一態様である半導体装置を使用した、半導体装置（記憶装置）の一例を図２０に示す。図２０に示す半導体装置は、図１９で示した半導体装置と同様に、トランジスタ２００、トランジスタ３００、および容量素子１００を有する。ただし、図２０に示す半導体装置は、容量素子１００がプレーナ型である点、およびトランジスタ２００とトランジスタ３００が電気的に接続されている点において、図１９に示す半導体装置と異なる。
　本発明の一態様の半導体装置は、トランジスタ２００はトランジスタ３００の上方に設けられ、容量素子１００はトランジスタ３００、およびトランジスタ２００の上方に設けられている。容量素子１００、またはトランジスタ３００は、少なくとも一部がトランジスタ２００と重畳することが好ましい。これにより、容量素子１００、トランジスタ２００、およびトランジスタ３００の上面視における占有面積を低減することができるので、本実施の形態に係る半導体装置を微細化または高集積化させることができる。
　なお、トランジスタ２００およびトランジスタ３００として、上記のトランジスタ２００およびトランジスタ３００を用いることができる。よって、トランジスタ２００、トランジスタ３００、およびこれらを含む層については、上記の記載を参酌することができる。
　図２０に示す半導体装置において、配線２００１はトランジスタ３００のソースと電気的に接続され、配線２００２はトランジスタ３００のドレインと電気的に接続されている。また、配線２００３はトランジスタ２００のソースおよびドレインの一方と電気的に接続され、配線２００４はトランジスタ２００の第１のゲートと電気的に接続され、配線２００６はトランジスタ２００の第２のゲートと電気的に接続されている。そして、トランジスタ３００のゲート、およびトランジスタ２００のソースおよびドレインの他方は、容量素子１００の電極の一方と電気的に接続され、配線２００５は容量素子１００の電極の他方と電気的に接続されている。なお、以下において、トランジスタ３００のゲートと、トランジスタ２００のソースおよびドレインの他方と、容量素子１００の電極の一方と、が接続されたノードをノードＦＧと呼ぶ場合がある。
　図２０に示す半導体装置は、トランジスタ２００のスイッチングによって、トランジスタ３００のゲート（ノードＦＧ）の電位が保持可能という特性を有することで、情報の書き込み、保持、読み出しが可能である。
　また、図２０に示す半導体装置は、マトリクス状に配置することで、メモリセルアレイを構成することができる。
　トランジスタ３００を含む層は、図１９に示す半導体装置と同様の構造を有するので、絶縁体３５４より下の構造は、上記の記載を参酌することができる。
　絶縁体３５４の上に、絶縁体２１０、絶縁体２１２、絶縁体２１４、および絶縁体２１６が配置される。ここで、絶縁体２１０は、絶縁体３５０などと同様に、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体を用いればよい。
　絶縁体２１０、絶縁体２１２、絶縁体２１４、および絶縁体２１６には、導電体２１８が埋め込まれている。導電体２１８は、容量素子１００、トランジスタ２００、またはトランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線として機能する。例えば、導電体２１８は、トランジスタ３００のゲート電極として機能する導電体３１６と電気的に接続されている。
　また、導電体２４８は、トランジスタ２００、またはトランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線として機能する。例えば、導電体２４８は、トランジスタ２００のソースおよびドレインの他方として機能する導電体２４０ｂと、容量素子１００の電極の一方として機能する導電体１１０とを、電気的に接続している。
　また、プレーナ型の容量素子１００は、トランジスタ２００の上方に設けられる。容量素子１００は、第１の電極として機能する導電体１１０、第２の電極として機能する導電体１２０、および誘電体として機能する絶縁体１３０を有する。なお、導電体１１０、導電体１２０、および絶縁体１３０は、上述の記憶装置１で記載したものを用いることができる。
　導電体２４８の上面に接して導電体１５３および導電体１１０が設けられる。導電体１５３は、導電体２４８の上面に接しており、トランジスタ２００またはトランジスタ３００の端子として機能する。
　導電体１５３および導電体１１０は絶縁体１３０に覆われており、絶縁体１３０を介して導電体１１０と重なるように導電体１２０が配置される。さらに、導電体１２０、および絶縁体１３０上には、絶縁体１１４が配置されている。
　また、図２０において、容量素子１００として、プレーナ型の容量素子を用いる例について示したが、本実施の形態に示す半導体装置はこれに限られるものではない。例えば、容量素子１００として、図１９に示すようなシリンダ型の容量素子１００を用いてもよい。
［記憶装置３］
　本発明の一態様である半導体装置を使用した、記憶装置の一例を図２１に示す。図２１に示す記憶装置は、図２０で示したトランジスタ２００、トランジスタ３００、および容量素子１００を有する半導体装置に加え、トランジスタ４００を有している。
　トランジスタ４００は、トランジスタ２００の第２のゲート電圧を制御することができる。例えば、トランジスタ４００の第１のゲート及び第２のゲートをソースとダイオード接続し、トランジスタ４００のソースと、トランジスタ２００の第２のゲートを接続する構成とする。当該構成でトランジスタ２００の第２のゲートの負電位を保持するとき、トランジスタ４００の第１のゲート−ソース間の電圧および、第２のゲート−ソース間の電圧は、０Ｖになる。トランジスタ４００において、第２のゲート電圧及び第１のゲート電圧が０Ｖのときのドレイン電流が非常に小さいため、トランジスタ２００およびトランジスタ４００に電源供給をしなくても、トランジスタ２００の第２のゲートの負電位を長時間維持することができる。これにより、トランジスタ２００、およびトランジスタ４００を有する記憶装置は、長期にわたり記憶内容を保持することが可能である。
　従って、図２１において、配線２００１はトランジスタ３００のソースと電気的に接続され、配線２００２はトランジスタ３００のドレインと電気的に接続されている。また、配線２００３はトランジスタ２００のソースおよびドレインの一方と電気的に接続され、配線２００４はトランジスタ２００のゲートと電気的に接続され、配線２００６はトランジスタ２００の第２のゲートと電気的に接続されている。そして、トランジスタ３００のゲート、およびトランジスタ２００のソースおよびドレインの他方は、容量素子１００の電極の一方と電気的に接続され、配線２００５は容量素子１００の電極の他方と電気的に接続されている。配線２００７はトランジスタ４００のソースと電気的に接続され、配線２００８はトランジスタ４００の第１のゲートと電気的に接続され、配線２００９はトランジスタ４００の第２のゲートと電気的に接続され、配線２０１０はトランジスタ４００のドレインと電気的に接続されている。ここで、配線２００６、配線２００７、配線２００８、及び配線２００９が電気的に接続されている。
　また、図２１に示す記憶装置は、図１９及び図２０に示す記憶装置と同様に、マトリクス状に配置することで、メモリセルアレイを構成することができる。なお、１個のトランジスタ４００は、複数のトランジスタ２００の第２のゲート電圧を制御することができる。そのため、トランジスタ４００は、トランジスタ２００よりも、少ない個数を設けるとよい。
＜トランジスタ４００＞
　トランジスタ４００は、トランジスタ２００と、同じ層に形成されており、並行して作製することができるトランジスタである。トランジスタ４００は、第１のゲート電極として機能する導電体４６０（導電体４６０ａ、および導電体４６０ｂ）と、第２のゲート電極として機能する導電体４０５（導電体４０５ａ、および導電体４０５ｂ）と、ゲート絶縁層として機能する絶縁体２２２、絶縁体２２４、および絶縁体４５０と、チャネルが形成される領域を有する酸化物４３０ｃと、ソースまたはドレインの一方として機能する導電体４４０ａ、酸化物４３１ｂ、および酸化物４３１ａと、ソースまたはドレインの他方として機能する導電体４４０ｂ、酸化物４３２ｂ、および酸化物４３２ａと、バリア層として機能する絶縁体４４５ａ、および絶縁体４４５ｂと、を有する。
　導電体４０５と、導電体２０５とは、同じ層に形成される。酸化物４３１ａ、および酸化物４３２ａと、酸化物２３０ａとは、同じ層に形成され、酸化物４３１ｂ、および酸化物４３２ｂと、酸化物２３０ｂとは、同じ層に形成される。導電体４４０ａ、および導電体４４０ｂと、導電体２４０ａ、および導電体２４０ｂとは、同じ層に形成される。絶縁体４４５ａ、および絶縁体４４５ｂと、絶縁体２４５ａ、および絶縁体２４５ｂとは、同じ層に形成される。酸化物４３０ｃと、酸化物２３０ｃとは、同じ層に形成される。絶縁体４５０と、絶縁体２５０とは、同じ層に形成される。導電体４６０と、導電体２６０とは、同じ層に形成される。
　なお、同じ層に形成された構造体は、同時に形成することができる。例えば、酸化物４３０ｃは、酸化物２３０ｃとなる酸化膜を加工することで、形成することができる。
　トランジスタ４００の活性層として機能する酸化物４３０ｃは、酸化物２３０などと同様に、酸素欠損が低減され、水素または水などの不純物が低減されている。これにより、トランジスタ４００のしきい値電圧をより大きくし、オフ電流を低減し、第２のゲート電圧及び第１のゲート電圧が０Ｖのときのドレイン電流を非常に小さくすることができる。
　本実施の形態は、他の実施の形態などに記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態３）
　本実施の形態では、図２２Ａ乃至図２３Ｈを用いて、本発明の一態様に係る、酸化物を半導体に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタと呼ぶ場合がある。）、および容量素子が適用されている記憶装置（以下、ＯＳメモリ装置と呼ぶ場合がある。）について説明する。ＯＳメモリ装置は、少なくとも容量素子と、容量素子の充放電を制御するＯＳトランジスタを有する記憶装置である。ＯＳトランジスタのオフ電流は極めて小さいので、ＯＳメモリ装置は優れた保持特性をもち、不揮発性メモリとして機能させることができる。
＜記憶装置の構成例＞
　図２２ＡにＯＳメモリ装置の構成の一例を示す。記憶装置１４００は、周辺回路１４１１、およびメモリセルアレイ１４７０を有する。周辺回路１４１１は、行回路１４２０、列回路１４３０、出力回路１４４０、およびコントロールロジック回路１４６０を有する。
　列回路１４３０は、例えば、列デコーダ、プリチャージ回路、センスアンプ、書き込み回路等を有する。プリチャージ回路は、配線をプリチャージする機能を有する。センスアンプは、メモリセルから読み出されたデータ信号を増幅する機能を有する。なお、上記配線は、メモリセルアレイ１４７０が有するメモリセルに接続されている配線であり、詳しくは後述する。増幅されたデータ信号は、出力回路１４４０を介して、データ信号ＲＤＡＴＡとして記憶装置１４００の外部に出力される。また、行回路１４２０は、例えば、行デコーダ、ワード線ドライバ回路等を有し、アクセスする行を選択することができる。
　記憶装置１４００には、外部から電源電圧として低電源電圧（ＶＳＳ）、周辺回路１４１１用の高電源電圧（ＶＤＤ）、メモリセルアレイ１４７０用の高電源電圧（ＶＩＬ）が供給される。また、記憶装置１４００には、制御信号（ＣＥ、ＷＥ、ＲＥ）、アドレス信号ＡＤＤＲ、データ信号ＷＤＡＴＡが外部から入力される。アドレス信号ＡＤＤＲは、行デコーダおよび列デコーダに入力され、データ信号ＷＤＡＴＡは書き込み回路に入力される。
　コントロールロジック回路１４６０は、外部から入力される制御信号（ＣＥ、ＷＥ、ＲＥ）を処理して、行デコーダ、列デコーダの制御信号を生成する。制御信号ＣＥは、チップイネーブル信号であり、制御信号ＷＥは、書き込みイネーブル信号であり、制御信号ＲＥは、読み出しイネーブル信号である。コントロールロジック回路１４６０が処理する信号は、これに限定されるものではなく、必要に応じて、他の制御信号を入力すればよい。
　メモリセルアレイ１４７０は、行列状に配置された、複数個のメモリセルＭＣと、複数の配線を有する。なお、メモリセルアレイ１４７０と行回路１４２０とを接続している配線の数は、メモリセルＭＣの構成、一列に有するメモリセルＭＣの数などによって決まる。また、メモリセルアレイ１４７０と列回路１４３０とを接続している配線の数は、メモリセルＭＣの構成、一行に有するメモリセルＭＣの数などによって決まる。
　なお、図２２Ａにおいて、周辺回路１４１１とメモリセルアレイ１４７０を同一平面上に形成する例について示したが、本実施の形態はこれに限られるものではない。例えば、図２２Ｂに示すように、周辺回路１４１１の一部の上に、メモリセルアレイ１４７０が重なるように設けられてもよい。例えば、メモリセルアレイ１４７０の下に重なるように、センスアンプを設ける構成にしてもよい。
　図２３Ａ乃至図２３Ｈに上述のメモリセルＭＣに適用できるメモリセルの構成例について説明する。
［ＤＯＳＲＡＭ］
　図２３Ａ乃至図２３Ｃに、ＤＲＡＭのメモリセルの回路構成例を示す。本明細書等において、１ＯＳトランジスタ１容量素子型のメモリセルを用いたＤＲＡＭを、ＤＯＳＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）と呼ぶ場合がある。図２３Ａに示す、メモリセル１４７１は、トランジスタＭ１と、容量素子ＣＡと、を有する。なお、トランジスタＭ１は、ゲート（トップゲートと呼ぶ場合がある。）、及びバックゲートを有する。
　トランジスタＭ１の第１端子は、容量素子ＣＡの第１端子と接続され、トランジスタＭ１の第２端子は、配線ＢＩＬと接続され、トランジスタＭ１のゲートは、配線ＷＯＬと接続され、トランジスタＭ１のバックゲートは、配線ＢＧＬと接続されている。容量素子ＣＡの第２端子は、配線ＣＡＬと接続されている。
　配線ＢＩＬは、ビット線として機能し、配線ＷＯＬは、ワード線として機能する。配線ＣＡＬは、容量素子ＣＡの第２端子に所定の電位を印加するための配線として機能する。データの書き込み時、及び読み出し時において、配線ＣＡＬには、低レベル電位を印加するのが好ましい。配線ＢＧＬは、トランジスタＭ１のバックゲートに電位を印加するための配線として機能する。配線ＢＧＬに任意の電位を印加することによって、トランジスタＭ１のしきい値電圧を増減することができる。
　ここで、図２３Ａに示すメモリセル１４７１は、図１９に示す記憶装置に対応している。つまり、トランジスタＭ１はトランジスタ２００に、容量素子ＣＡは容量素子１００に、配線ＢＩＬは配線１００３に、配線ＷＯＬは配線１００４に、配線ＢＧＬは配線１００６に、配線ＣＡＬは配線１００５に対応している。なお、図１９に記載のトランジスタ３００は、図２２Ａ、および図２２Ｂに示す記憶装置１４００の周辺回路１４１１に設けられるトランジスタに対応する。
　また、メモリセルＭＣは、メモリセル１４７１に限定されず、回路構成の変更を行うことができる。例えば、メモリセルＭＣは、図２３Ｂに示すメモリセル１４７２のように、トランジスタＭ１のバックゲートが、配線ＢＧＬでなく、配線ＷＯＬと接続される構成にしてもよい。また、例えば、メモリセルＭＣは、図２３Ｃに示すメモリセル１４７３のように、シングルゲート構造のトランジスタ、つまりバックゲートを有さないトランジスタＭ１で構成されたメモリセルとしてもよい。
　上記実施の形態に示す半導体装置をメモリセル１４７１等に用いる場合、トランジスタＭ１としてトランジスタ２００を用い、容量素子ＣＡとして容量素子１００を用いることができる。トランジスタＭ１としてＯＳトランジスタを用いることによって、トランジスタＭ１のリーク電流を非常に小さくすることができる。つまり、書き込んだデータをトランジスタＭ１によって長時間保持することができるため、メモリセルのリフレッシュの頻度を少なくすることができる。または、メモリセルのリフレッシュ動作を不要にすることができる。また、リーク電流が非常に小さいため、メモリセル１４７１、メモリセル１４７２、メモリセル１４７３に対して多値データ、又はアナログデータを保持することができる。
　また、ＤＯＳＲＡＭにおいて、上記のように、メモリセルアレイ１４７０の下に重なるように、センスアンプを設ける構成にすると、ビット線を短くすることができる。これにより、ビット線容量が小さくなり、メモリセルの保持容量を低減することができる。
［ＮＯＳＲＡＭ］
　図２３Ｄ乃至図２３Ｇに、２トランジスタ１容量素子のゲインセル型のメモリセルの回路構成例を示す。図２３Ｄに示す、メモリセル１４７４は、トランジスタＭ２と、トランジスタＭ３と、容量素子ＣＢと、を有する。なお、トランジスタＭ２は、トップゲート（単にゲートと呼ぶ場合がある。）、及びバックゲートを有する。本明細書等において、トランジスタＭ２にＯＳトランジスタを用いたゲインセル型のメモリセルを有する記憶装置を、ＮＯＳＲＡＭ（Ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ＲＡＭ）と呼ぶ場合がある。
　トランジスタＭ２の第１端子は、容量素子ＣＢの第１端子と接続され、トランジスタＭ２の第２端子は、配線ＷＢＬと接続され、トランジスタＭ２のゲートは、配線ＷＯＬと接続され、トランジスタＭ２のバックゲートは、配線ＢＧＬと接続されている。容量素子ＣＢの第２端子は、配線ＣＡＬと接続されている。トランジスタＭ３の第１端子は、配線ＲＢＬと接続され、トランジスタＭ３の第２端子は、配線ＳＬと接続され、トランジスタＭ３のゲートは、容量素子ＣＢの第１端子と接続されている。
　配線ＷＢＬは、書き込みビット線として機能し、配線ＲＢＬは、読み出しビット線として機能し、配線ＷＯＬは、ワード線として機能する。配線ＣＡＬは、容量素子ＣＢの第２端子に所定の電位を印加するための配線として機能する。データの書き込み時、データ保持の最中、データの読み出し時において、配線ＣＡＬには、低レベル電位を印加するのが好ましい。配線ＢＧＬは、トランジスタＭ２のバックゲートに電位を印加するための配線として機能する。配線ＢＧＬに任意の電位を印加することによって、トランジスタＭ２のしきい値電圧を増減することができる。
　ここで、図２３Ｄに示すメモリセル１４７４は、図２０に示す記憶装置に対応している。つまり、トランジスタＭ２はトランジスタ２００に、容量素子ＣＢは容量素子１００に、トランジスタＭ３はトランジスタ３００に、配線ＷＢＬは配線２００３に、配線ＷＯＬは配線２００４に、配線ＢＧＬは配線２００６に、配線ＣＡＬは配線２００５に、配線ＲＢＬは配線２００２に、配線ＳＬは配線２００１に対応している。
　また、メモリセルＭＣは、メモリセル１４７４に限定されず、回路の構成を適宜変更することができる。例えば、メモリセルＭＣは、図２３Ｅに示すメモリセル１４７５のように、トランジスタＭ２のバックゲートが、配線ＢＧＬでなく、配線ＷＯＬと接続される構成にしてもよい。また、例えば、メモリセルＭＣは、図２３Ｆに示すメモリセル１４７６のように、シングルゲート構造のトランジスタ、つまりバックゲートを有さないトランジスタＭ２で構成されたメモリセルとしてもよい。また、例えば、メモリセルＭＣは、図２３Ｇに示すメモリセル１４７７のように、配線ＷＢＬと配線ＲＢＬを一本の配線ＢＩＬとしてまとめた構成であってもよい。
　上記実施の形態に示す半導体装置をメモリセル１４７４等に用いる場合、トランジスタＭ２としてトランジスタ２００を用い、トランジスタＭ３としてトランジスタ３００を用い、容量素子ＣＢとして容量素子１００を用いることができる。トランジスタＭ２としてＯＳトランジスタを用いることによって、トランジスタＭ２のリーク電流を非常に小さくすることができる。これにより、書き込んだデータをトランジスタＭ２によって長時間保持することができるため、メモリセルのリフレッシュの頻度を少なくすることができる。または、メモリセルのリフレッシュ動作を不要にすることができる。また、リーク電流が非常に小さいため、メモリセル１４７４に多値データ、又はアナログデータを保持することができる。メモリセル１４７５乃至メモリセル１４７７も同様である。
　なお、トランジスタＭ３は、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタ（以下、Ｓｉトランジスタと呼ぶ場合がある）であってもよい。Ｓｉトランジスタの導電型は、ｎチャネル型としてもよいし、ｐチャネル型としてもよい。Ｓｉトランジスタは、ＯＳトランジスタよりも電界効果移動度が高くなる場合がある。よって、読み出しトランジスタとして機能するトランジスタＭ３として、Ｓｉトランジスタを用いてもよい。また、トランジスタＭ３にＳｉトランジスタを用いることで、トランジスタＭ３の上に積層してトランジスタＭ２を設けることができるので、メモリセルの占有面積を低減し、記憶装置の高集積化を図ることができる。
　また、トランジスタＭ３はＯＳトランジスタであってもよい。トランジスタＭ２およびトランジスタＭ３にＯＳトランジスタを用いた場合、メモリセルアレイ１４７０をｎ型トランジスタのみを用いて回路を構成することができる。
　また、図２３Ｈに３トランジスタ１容量素子のゲインセル型のメモリセルの一例を示す。図２３Ｈに示すメモリセル１４７８は、トランジスタＭ４乃至トランジスタＭ６、および容量素子ＣＣを有する。容量素子ＣＣは適宜設けられる。メモリセル１４７８は、配線ＢＩＬ、配線ＲＷＬ、配線ＷＷＬ、配線ＢＧＬ、および配線ＧＮＤＬに電気的に接続されている。配線ＧＮＤＬは低レベル電位を与える配線である。なお、メモリセル１４７８を、配線ＢＩＬに代えて、配線ＲＢＬ、配線ＷＢＬに電気的に接続してもよい。
　トランジスタＭ４は、バックゲートを有するＯＳトランジスタであり、バックゲートは配線ＢＧＬに電気的に接続されている。なお、トランジスタＭ４のバックゲートとゲートとを互いに電気的に接続してもよい。あるいは、トランジスタＭ４はバックゲートを有さなくてもよい。
　なお、トランジスタＭ５、トランジスタＭ６はそれぞれ、ｎチャネル型Ｓｉトランジスタまたはｐチャネル型Ｓｉトランジスタでもよい。或いは、トランジスタＭ４乃至トランジスタＭ６がＯＳトランジスタでもよい。この場合、メモリセルアレイ１４７０をｎ型トランジスタのみを用いて回路を構成することができる。
　上記実施の形態に示す半導体装置をメモリセル１４７８に用いる場合、トランジスタＭ４としてトランジスタ２００を用い、トランジスタＭ５、トランジスタＭ６としてトランジスタ３００を用い、容量素子ＣＣとして容量素子１００を用いることができる。トランジスタＭ４としてＯＳトランジスタを用いることによって、トランジスタＭ４のリーク電流を非常に小さくすることができる。
　なお、本実施の形態に示す、周辺回路１４１１、メモリセルアレイ１４７０等の構成は、上記に限定されるものではない。これらの回路、および当該回路に接続される配線、回路素子等の、配置または機能は、必要に応じて、変更、削除、または追加してもよい。
　本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態などに示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態４）
　本実施の形態では、図２４Ａ、および図２４Ｂを用いて、本発明の半導体装置が実装されたチップ１２００の一例を示す。チップ１２００には、複数の回路（システム）が実装されている。このように、複数の回路（システム）を一つのチップに集積する技術を、システムオンチップ（Ｓｙｓｔｅｍ　ｏｎ　Ｃｈｉｐ：ＳｏＣ）と呼ぶ場合がある。
　図２４Ａに示すように、チップ１２００は、ＣＰＵ１２１１、ＧＰＵ１２１２、一または複数のアナログ演算部１２１３、一または複数のメモリコントローラ１２１４、一または複数のインターフェース１２１５、一または複数のネットワーク回路１２１６等を有する。
　チップ１２００には、バンプ（図示しない）が設けられ、図２４Ｂに示すように、プリント基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　Ｂｏａｒｄ：ＰＣＢ）１２０１の第１の面と接続する。また、ＰＣＢ１２０１の第１の面の裏面には、複数のバンプ１２０２が設けられており、マザーボード１２０３と接続する。
　マザーボード１２０３には、ＤＲＡＭ１２２１、フラッシュメモリ１２２２等の記憶装置が設けられていてもよい。例えば、ＤＲＡＭ１２２１に先の実施の形態に示すＤＯＳＲＡＭを用いることができる。また、例えば、フラッシュメモリ１２２２に先の実施の形態に示すＮＯＳＲＡＭを用いることができる。
　ＣＰＵ１２１１は、複数のＣＰＵコアを有することが好ましい。また、ＧＰＵ１２１２は、複数のＧＰＵコアを有することが好ましい。また、ＣＰＵ１２１１、およびＧＰＵ１２１２は、それぞれ一時的にデータを格納するメモリを有していてもよい。または、ＣＰＵ１２１１、およびＧＰＵ１２１２に共通のメモリが、チップ１２００に設けられていてもよい。該メモリには、前述したＮＯＳＲＡＭや、ＤＯＳＲＡＭを用いることができる。また、ＧＰＵ１２１２は、多数のデータの並列計算に適しており、画像処理や積和演算に用いることができる。ＧＰＵ１２１２に、本発明の酸化物半導体を用いた画像処理回路や、積和演算回路を設けることで、画像処理、および積和演算を低消費電力で実行することが可能になる。
　また、ＣＰＵ１２１１、およびＧＰＵ１２１２が同一チップに設けられていることで、ＣＰＵ１２１１およびＧＰＵ１２１２間の配線を短くすることができ、ＣＰＵ１２１１からＧＰＵ１２１２へのデータ転送、ＣＰＵ１２１１、およびＧＰＵ１２１２が有するメモリ間のデータ転送、およびＧＰＵ１２１２での演算後に、ＧＰＵ１２１２からＣＰＵ１２１１への演算結果の転送を高速に行うことができる。
　アナログ演算部１２１３はＡ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換回路、およびＤ／Ａ（デジタル／アナログ）変換回路の一、または両方を有する。また、アナログ演算部１２１３に上記積和演算回路を設けてもよい。
　メモリコントローラ１２１４は、ＤＲＡＭ１２２１のコントローラとして機能する回路、およびフラッシュメモリ１２２２のインターフェースとして機能する回路を有する。
　インターフェース１２１５は、表示装置、スピーカー、マイクロフォン、カメラ、コントローラなどの外部接続機器とのインターフェース回路を有する。コントローラとは、マウス、キーボード、ゲーム用コントローラなどを含む。このようなインターフェースとして、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ　Ｓｅｒｉａｌ　Ｂｕｓ）、ＨＤＭＩ（登録商標）（Ｈｉｇｈ−Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ　Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）などを用いることができる。
　ネットワーク回路１２１６は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）などのネットワーク用の回路を有する。また、ネットワークセキュリティー用の回路を有してもよい。
　チップ１２００には、上記回路（システム）を同一の製造プロセスで形成することが可能である。そのため、チップ１２００に必要な回路の数が増えても、製造プロセスを増やす必要が無く、チップ１２００を低コストで作製することができる。
　ＧＰＵ１２１２を有するチップ１２００が設けられたＰＣＢ１２０１、ＤＲＡＭ１２２１、およびフラッシュメモリ１２２２が設けられたマザーボード１２０３は、ＧＰＵモジュール１２０４と呼ぶことができる。
　ＧＰＵモジュール１２０４は、ＳｏＣ技術を用いたチップ１２００を有しているため、そのサイズを小さくすることができる。また、画像処理に優れていることから、スマートフォン、タブレット端末、ラップトップＰＣ、携帯型（持ち出し可能な）ゲーム機などの携帯型電子機器に用いることが好適である。また、ＧＰＵ１２１２を用いた積和演算回路により、ディープニューラルネットワーク（ＤＮＮ）、畳み込みニューラルネットワーク（ＣＮＮ）、再帰型ニューラルネットワーク（ＲＮＮ）、自己符号化器、深層ボルツマンマシン（ＤＢＭ）、深層信念ネットワーク（ＤＢＮ）などの手法を実行することができるため、チップ１２００をＡＩチップ、またはＧＰＵモジュール１２０４をＡＩシステムモジュールとして用いることができる。
　本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態などに示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態５）
　本実施の形態では、先の実施の形態に示す半導体装置を用いた記憶装置の応用例について説明する。先の実施の形態に示す半導体装置は、例えば、各種電子機器（例えば、情報端末、コンピュータ、スマートフォン、電子書籍端末、デジタルカメラ（ビデオカメラも含む）、録画再生装置、ナビゲーションシステムなど）の記憶装置に適用できる。なお、ここで、コンピュータとは、タブレット型のコンピュータ、ノート型のコンピュータ、デスクトップ型のコンピュータの他、サーバシステムのような大型のコンピュータを含むものである。または、先の実施の形態に示す半導体装置は、メモリカード（例えば、ＳＤカード）、ＵＳＢメモリ、ＳＳＤ（ソリッド・ステート・ドライブ）等の各種のリムーバブル記憶装置に適用される。図２５Ａ乃至図２５Ｅにリムーバブル記憶装置の幾つかの構成例を模式的に示す。例えば、先の実施の形態に示す半導体装置は、パッケージングされたメモリチップに加工され、様々なストレージ装置、リムーバブルメモリに用いられる。
　図２５ＡはＵＳＢメモリの模式図である。ＵＳＢメモリ１１００は、筐体１１０１、キャップ１１０２、ＵＳＢコネクタ１１０３および基板１１０４を有する。基板１１０４は、筐体１１０１に収納されている。例えば、基板１１０４には、メモリチップ１１０５、コントローラチップ１１０６が取り付けられている。メモリチップ１１０５などに先の実施の形態に示す半導体装置を組み込むことができる。
　図２５ＢはＳＤカードの外観の模式図であり、図２５Ｃは、ＳＤカードの内部構造の模式図である。ＳＤカード１１１０は、筐体１１１１、コネクタ１１１２および基板１１１３を有する。基板１１１３は筐体１１１１に収納されている。例えば、基板１１１３には、メモリチップ１１１４、コントローラチップ１１１５が取り付けられている。基板１１１３の裏面側にもメモリチップ１１１４を設けることで、ＳＤカード１１１０の容量を増やすことができる。また、無線通信機能を備えた無線チップを基板１１１３に設けてもよい。これによって、ホスト装置とＳＤカード１１１０間の無線通信によって、メモリチップ１１１４のデータの読み出し、書き込みが可能となる。メモリチップ１１１４などに先の実施の形態に示す半導体装置を組み込むことができる。
　図２５ＤはＳＳＤの外観の模式図であり、図２５Ｅは、ＳＳＤの内部構造の模式図である。ＳＳＤ１１５０は、筐体１１５１、コネクタ１１５２および基板１１５３を有する。基板１１５３は筐体１１５１に収納されている。例えば、基板１１５３には、メモリチップ１１５４、メモリチップ１１５５、コントローラチップ１１５６が取り付けられている。メモリチップ１１５５はコントローラチップ１１５６のワークメモリであり、例えばＤＯＳＲＡＭチップを用いればよい。基板１１５３の裏面側にもメモリチップ１１５４を設けることで、ＳＳＤ１１５０の容量を増やすことができる。メモリチップ１１５４などに先の実施の形態に示す半導体装置を組み込むことができる。
　本実施の形態は、他の実施の形態などに記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態６）
　本発明の一態様に係る半導体装置は、ＣＰＵやＧＰＵなどのプロセッサ、またはチップに用いることができる。図２６Ａ乃至図２６Ｈに、本発明の一態様に係るＣＰＵやＧＰＵなどのプロセッサ、またはチップを備えた電子機器の具体例を示す。
＜電子機器・システム＞
　本発明の一態様に係るＧＰＵまたはチップは、様々な電子機器に搭載することができる。電子機器の例としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型またはノート型の情報端末用などのモニタ、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、パチンコ機などの大型ゲーム機、などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、電子ブックリーダー、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。また、本発明の一態様に係るＧＰＵまたはチップを電子機器に設けることにより、電子機器に人工知能を搭載することができる。
　本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
　本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
　本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。図２６Ａ乃至図２６Ｈに、電子機器の例を示す。
［情報端末］
　図２６Ａには、情報端末の一種である携帯電話（スマートフォン）が図示されている。情報端末５１００は、筐体５１０１と、表示部５１０２と、を有しており、入力用インターフェースとして、タッチパネルが表示部５１０２に備えられ、ボタンが筐体５１０１に備えられている。
　情報端末５１００は、本発明の一態様のチップを適用することで、人工知能を利用したアプリケーションを実行することができる。人工知能を利用したアプリケーションとしては、例えば、会話を認識してその会話内容を表示部５１０２に表示するアプリケーション、表示部５１０２に備えるタッチパネルに対してユーザが入力した文字、図形などを認識して、表示部５１０２に表示するアプリケーション、指紋や声紋などの生体認証を行うアプリケーションなどが挙げられる。
　図２６Ｂには、ノート型情報端末５２００が図示されている。ノート型情報端末５２００は、情報端末の本体５２０１と、表示部５２０２と、キーボード５２０３と、を有する。
　ノート型情報端末５２００は、先述した情報端末５１００と同様に、本発明の一態様のチップを適用することで、人工知能を利用したアプリケーションを実行することができる。人工知能を利用したアプリケーションとしては、例えば、設計支援ソフトウェア、文章添削ソフトウェア、献立自動生成ソフトウェアなどが挙げられる。また、ノート型情報端末５２００を用いることで、新規の人工知能の開発を行うことができる。
　なお、上述では、電子機器としてスマートフォン、およびノート型情報端末を例として、それぞれ図２６Ａ、図２６Ｂに図示したが、スマートフォン、およびノート型情報端末以外の情報端末を適用することができる。スマートフォン、およびノート型情報端末以外の情報端末としては、例えば、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デスクトップ型情報端末、ワークステーションなどが挙げられる。
［ゲーム機］
　図２６Ｃは、ゲーム機の一例である携帯ゲーム機５３００を示している。携帯ゲーム機５３００は、筐体５３０１、筐体５３０２、筐体５３０３、表示部５３０４、接続部５３０５、操作キー５３０６等を有する。筐体５３０２、および筐体５３０３は、筐体５３０１から取り外すことが可能である。筐体５３０１に設けられている接続部５３０５を別の筐体（図示せず）に取り付けることで、表示部５３０４に出力される映像を、別の映像機器（図示せず）に出力することができる。このとき、筐体５３０２、および筐体５３０３は、それぞれ操作部として機能することができる。これにより、複数のプレイヤーが同時にゲームを行うことができる。筐体５３０１、筐体５３０２、および筐体５３０３の基板に設けられているチップなどに先の実施の形態に示すチップを組み込むことができる。
　また、図２６Ｄは、ゲーム機の一例である据え置き型ゲーム機５４００を示している。据え置き型ゲーム機５４００には、無線または有線でコントローラ５４０２が接続されている。
　携帯ゲーム機５３００、据え置き型ゲーム機５４００などのゲーム機に本発明の一態様のＧＰＵまたはチップを適用することによって、低消費電力のゲーム機を実現することができる。また、低消費電力により、回路からの発熱を低減することができるため、発熱によるその回路自体、周辺回路、およびモジュールへの影響を少なくすることができる。
　更に、携帯ゲーム機５３００に本発明の一態様のＧＰＵまたはチップを適用することによって、人工知能を有する携帯ゲーム機５３００を実現することができる。
　本来、ゲームの進行、ゲーム上に登場する生物の言動、ゲーム上で発生する現象などの表現は、そのゲームが有するプログラムによって定められているが、携帯ゲーム機５３００に人工知能を適用することにより、ゲームのプログラムに限定されない表現が可能になる。例えば、プレイヤーが問いかける内容、ゲームの進行状況、時刻、ゲーム上に登場する人物の言動が変化するといった表現が可能となる。
　また、携帯ゲーム機５３００で複数のプレイヤーが必要なゲームを行う場合、人工知能によって擬人的にゲームプレイヤーを構成することができるため、対戦相手を人工知能によるゲームプレイヤーとすることによって、１人でもゲームを行うことができる。
　図２６Ｃ、図２６Ｄでは、ゲーム機の一例として携帯ゲーム機、および据え置き型ゲーム機を図示しているが、本発明の一態様のＧＰＵまたはチップを適用するゲーム機はこれに限定されない。本発明の一態様のＧＰＵまたはチップを適用するゲーム機としては、例えば、娯楽施設（ゲームセンター、遊園地など）に設置されるアーケードゲーム機、スポーツ施設に設置されるバッティング練習用の投球マシンなどが挙げられる。
［大型コンピュータ］
　本発明の一態様のＧＰＵまたはチップは、大型コンピュータに適用することができる。
　図２６Ｅは、大型コンピュータの一例である、スーパーコンピュータ５５００を示す図である。図２６Ｆは、スーパーコンピュータ５５００が有するラックマウント型の計算機５５０２を示す図である。
　スーパーコンピュータ５５００は、ラック５５０１と、複数のラックマウント型の計算機５５０２と、を有する。なお、複数の計算機５５０２は、ラック５５０１に格納されている。また、計算機５５０２には、複数の基板５５０４が設けられ、当該基板上に上記実施の形態で説明したＧＰＵまたはチップを搭載することができる。
　スーパーコンピュータ５５００は、主に科学技術計算に利用される大型コンピュータである。科学技術計算では、膨大な演算を高速に処理する必要があるため、消費電力が高く、チップの発熱が大きい。スーパーコンピュータ５５００に本発明の一態様のＧＰＵまたはチップを適用することによって、低消費電力のスーパーコンピュータを実現することができる。また、低消費電力により、回路からの発熱を低減することができるため、発熱によるその回路自体、周辺回路、およびモジュールへの影響を少なくすることができる。
　図２６Ｅ、図２６Ｆでは、大型コンピュータの一例としてスーパーコンピュータを図示しているが、本発明の一態様のＧＰＵまたはチップを適用する大型コンピュータはこれに限定されない。本発明の一態様のＧＰＵまたはチップを適用する大型コンピュータとしては、例えば、サービスを提供するコンピュータ（サーバー）、大型汎用コンピュータ（メインフレーム）などが挙げられる。
［移動体］
　本発明の一態様のＧＰＵまたはチップは、移動体である自動車、および自動車の運転席周辺に適用することができる。
　図２６Ｇは、移動体の一例である自動車の室内におけるフロントガラス周辺を示す図である。図２６Ｇでは、ダッシュボードに取り付けられた表示パネル５７０１、表示パネル５７０２、表示パネル５７０３の他、ピラーに取り付けられた表示パネル５７０４を図示している。
　表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０３は、スピードメーターやタコメーター、走行距離、燃料計、ギア状態、エアコンの設定などを表示することで、その他様々な情報を提供することができる。また、表示パネルに表示される表示項目やレイアウトなどは、ユーザの好みに合わせて適宜変更することができ、デザイン性を高めることが可能である。表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０３は、照明装置として用いることも可能である。
　表示パネル５７０４には、自動車に設けられた撮像装置（図示しない。）からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界（死角）を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像装置からの画像を表示することによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。表示パネル５７０４は、照明装置として用いることもできる。
　本発明の一態様のＧＰＵまたはチップは人工知能の構成要素として適用できるため、例えば、当該チップを自動車の自動運転システムに用いることができる。また、当該チップを道路案内、危険予測などを行うシステムに用いることができる。表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０４には、道路案内、危険予測などの情報を表示する構成としてもよい。
　なお、上述では、移動体の一例として自動車について説明しているが、移動体は自動車に限定されない。例えば、移動体としては、電車、モノレール、船、飛行体（ヘリコプター、無人航空機（ドローン）、飛行機、ロケット）なども挙げることができ、これらの移動体に本発明の一態様のチップを適用して、人工知能を利用したシステムを付与することができる。
［電化製品］
　図２６Ｈは、電化製品の一例である電気冷凍冷蔵庫５８００を示している。電気冷凍冷蔵庫５８００は、筐体５８０１、冷蔵室用扉５８０２、冷凍室用扉５８０３等を有する。
　電気冷凍冷蔵庫５８００に本発明の一態様のチップを適用することによって、人工知能を有する電気冷凍冷蔵庫５８００を実現することができる。人工知能を利用することによって電気冷凍冷蔵庫５８００は、電気冷凍冷蔵庫５８００に保存されている食材、その食材の消費期限などを基に献立を自動生成する機能や、電気冷凍冷蔵庫５８００に保存されている食材に合わせた温度に自動的に調節する機能などを有することができる。
　電化製品の一例として電気冷凍冷蔵庫について説明したが、その他の電化製品としては、例えば、掃除機、電子レンジ、電子オーブン、炊飯器、湯沸かし器、ＩＨ調理器、ウォーターサーバ、エアーコンディショナーを含む冷暖房器具、洗濯機、乾燥機、オーディオビジュアル機器などが挙げられる。
　本実施の形態で説明した電子機器、その電子機器の機能、人工知能の応用例、その効果などは、他の電子機器の記載と適宜組み合わせることができる。
　本実施の形態は、他の実施の形態などに記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態７）
　本実施の形態では、ＯＳトランジスタを用いることができる市場イメージについて説明する。
＜市場イメージ＞
　まず、ＯＳトランジスタを用いることができる市場イメージを図２７に示す。図２７において、領域７０１は、ＯＳトランジスタを用いたディスプレイ（Ｄｉｓｐｌａｙ）に応用可能な製品領域（ＯＳ　Ｄｉｓｐｌａｙ）を表し、領域７０２は、ＯＳトランジスタを用いたＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ　Ｓｃａｌｅ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）をアナログ（ａｎａｌｏｇ）処理に応用可能な製品領域（ＯＳ　ＬＳＩ　ａｎａｌｏｇ）を表し、領域７０３は、ＯＳトランジスタを用いたＬＳＩをデジタル（ｄｉｇｉｔａｌ）処理に応用可能な製品領域（ＯＳ　ＬＳＩ　ｄｉｇｉｔａｌ）を表す。ＯＳトランジスタは、図２７に示す領域７０１、領域７０２、および領域７０３の３つの領域、別言すると３つの大きな市場に好適に用いることができる。
　また、図２７において、領域７０４は、領域７０１と、領域７０２とが重なった領域を表し、領域７０５は、領域７０２と、領域７０３とが重なった領域を表し、領域７０６は、領域７０１と、領域７０３とが重なった領域を表し、領域７０７は、領域７０１と、領域７０２と、領域７０３とが、それぞれ重なった領域を表す。
　ＯＳ　Ｄｉｓｐｌａｙでは、例えば、Ｂｏｔｔｏｍ　Ｇａｔｅ型のＯＳ　ＦＥＴ（ＢＧ　ＯＳＦＥＴ）、Ｔｏｐ　Ｇａｔｅ型のＯＳ　ＦＥＴ（ＴＧ　ＯＳ　ＦＥＴ）などのＦＥＴ構造を好適に用いることができる。なお、Ｂｏｔｔｏｍ　Ｇａｔｅ型のＯＳ　ＦＥＴには、チャネルエッチ型のＦＥＴ、およびチャネル保護型のＦＥＴも含まれる。また、Ｔｏｐ　Ｇａｔｅ型のＯＳ　ＦＥＴには、ＴＧＳＡ（Ｔｏｐ　Ｇａｔｅ　Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ）型のＦＥＴも含まれる。
　また、ＯＳ　ＬＳＩ　ａｎａｌｏｇおよびＯＳ　ＬＳＩ　ｄｉｇｉｔａｌでは、例えば、Ｇａｔｅ　Ｌａｓｔ型のＯＳ　ＦＥＴ（ＧＬ　ＯＳ　ＦＥＴ）を好適に用いることができる。
　なお、上述のトランジスタは、それぞれ、ゲート電極が１つのＳｉｎｇｌｅ　Ｇａｔｅ構造のトランジスタ、ゲート電極が２つのＤｕａｌ　Ｇａｔｅ構造のトランジスタ、またはゲート電極が３つ以上のトランジスタを含む。また、Ｄｕａｌ　Ｇａｔｅ構造のトランジスタの中でも特に、Ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造のトランジスタを用いると好適である。
　また、ＯＳ　Ｄｉｓｐｌａｙ（領域７０１）に含まれる製品としては、ＬＣＤ（ｌｉｑｕｉｄ　ｃｒｙｓｔａｌ　ｄｉｓｐｌａｙ）、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、およびＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）を表示デバイスに有する製品が挙げられる。または、上記表示デバイスと、Ｑ−Ｄｏｔ（Ｑｕａｎｔｕｍ　Ｄｏｔ）とを組み合わせることも好適である。
　なお、本実施の形態において、ＥＬとは、有機ＥＬ、および無機ＥＬを含む。また、本実施の形態において、ＬＥＤとは、マイクロＬＥＤ、ミニＬＥＤ、およびマクロＬＥＤを含む。なお、本明細書等において、チップの面積が１００００μｍ２以下の発光ダイオードをマイクロＬＥＤ、チップの面積が１００００μｍ２より大きく１ｍｍ２以下の発光ダイオードをミニＬＥＤ、チップの面積が１ｍｍ２より大きい発光ダイオードをマクロＬＥＤと記す場合がある。
　また、ＯＳ　ＬＳＩ　ａｎａｌｏｇ（領域７０２）に含まれる製品としては、様々な周波数の音域（例えば、周波数が２０Ｈｚ以上２０ｋＨｚ未満の可聴音、または２０ｋＨｚ以上の超音波など）に対応する音源定位デバイス、あるいはバッテリ制御用デバイス（バッテリ制御用ＩＣ、バッテリ保護用ＩＣ、またはバッテリマネジメントシステム）などが挙げられる。
　また、ＯＳ　ＬＳＩ　ｄｉｇｉｔａｌ（領域７０３）に含まれる製品としては、メモリーデバイス、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）デバイス、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）デバイス、ＦＰＧＡ（ｆｉｅｌｄ−ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　ｇａｔｅ　ａｒｒａｙ）デバイス、パワーデバイス、ＯＳ　ＬＳＩと、Ｓｉ　ＬＳＩとを積層または混在させたハイブリッドデバイス、発光デバイスなどが挙げられる。
　また、領域７０４に含まれる製品としては、表示領域に赤外線センサ、または近赤外線センサを有する表示デバイス、あるいはＯＳ　ＦＥＴを有するセンサ付き信号処理デバイス、または埋め込み型バイオセンサデバイスなどが挙げられる。また、領域７０５に含まれる製品としては、Ａ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換回路などを有する処理回路、あるいは、当該処理回路を有するＡＩ（Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ　Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ）デバイスなどが挙げられる。また、領域７０６に含まれる製品としては、Ｐｉｘｅｌ　ＡＩ技術が適用された表示デバイスなどが挙げられる。なお、本明細書等において、Ｐｉｘｅｌ　ＡＩ技術とは、ディスプレイの画素回路に搭載されたＯＳ　ＦＥＴなどにより構成されるメモリを活用する技術をいう。
　また、領域７０７に含まれる製品としては、上記領域７０１乃至領域７０６に含まれる、あらゆる製品を組み合わせた複合的な製品が挙げられる。
　以上のように、本発明の一態様の半導体装置は、図２７に示すように、あらゆる製品領域に適用することが可能である。すなわち、本発明の一態様の半導体装置は、多くの市場に適用することが可能である。
　本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
：１００：容量素子、１１０：導電体、１１２：導電体、１１４：絶縁体、１２０：導電体、１３０：絶縁体、１４０：絶縁体、１５０：絶縁体、１５２：導電体、１５３：導電体、１５４：絶縁体、１５６：絶縁体、１６０：絶縁体、２００：トランジスタ、２０５：導電体、２１０：絶縁体、２１２：絶縁体、２１４：絶縁体、２１６：絶縁体、２１８：導電体、２２２：絶縁体、２２４：絶縁体、２３０：酸化物、２３０ａ：酸化物、２３０Ａ：酸化膜、２３０ｂ：酸化物、２３０Ｂ：酸化膜、２３０ｃ：酸化物、２３０Ｃ：酸化膜、２４０ａ：導電体、２４０Ａ：導電膜、２４０ｂ：導電体、２４０Ｂ：導電層、２４５ａ：絶縁体、２４５Ａ：絶縁膜、２４５ｂ：絶縁体、２４５Ｂ：絶縁層、２４７：絶縁体、２４８：導電体、２５０：絶縁体、２５０Ａ：絶縁膜、２５４：絶縁体、２５４ａ：絶縁体、２５４ｂ：絶縁体、２６０：導電体、２６０ａ：導電体、２６０Ａ：導電膜、２６０ｂ：導電体、２６０Ｂ：導電膜、２８０：絶縁体、２８２：絶縁体、２８４：絶縁体、２９０Ａ：膜、２９０Ｂ：ハードマスク、２９１：マイクロ波、２９２：レジストマスク、３００：トランジスタ、３１１：基板、３１２：絶縁体、３１３：半導体領域、３１４ａ：低抵抗領域、３１４ｂ：低抵抗領域、３１５：絶縁体、３１６：導電体、３２０：絶縁体、３２２：絶縁体、３２４：絶縁体、３２６：絶縁体、３２８：導電体、３３０：導電体、３５０：絶縁体、３５２：絶縁体、３５４：絶縁体、３５６：導電体、４００：トランジスタ、４０５：導電体、４０５ａ：導電体、４０５ｂ：導電体、４３０ｃ：酸化物、４３１ａ：酸化物、４３１ｂ：酸化物、４３２ａ：酸化物、４３２ｂ：酸化物、４４０ａ：導電体、４４０ｂ：導電体、４４５ａ：絶縁体、４４５ｂ：絶縁体、４５０：絶縁体、４６０：導電体、４６０ａ：導電体、４６０ｂ：導電体、１００１：配線、１００２：配線、１００３：配線、１００４：配線、１００５：配線、１００６：配線、１００７：配線、２００１：配線、２００２：配線、２００３：配線、２００４：配線、２００５：配線、２００６：配線、２００７：配線、２００８：配線、２００９：配線、２０１０：配線、２７００：製造装置、２７０１：大気側基板供給室、２７０２：大気側基板搬送室、２７０３ａ：ロードロック室、２７０３ｂ：アンロードロック室、２７０４：搬送室、２７０６ａ：チャンバー、２７０６ｂ：チャンバー、２７０６ｃ：チャンバー、２７０６ｄ：チャンバー、２７６１：カセットポート、２７６２：アライメントポート、２７６３ａ：搬送ロボット、２７６３ｂ：搬送ロボット、２８０１：ガス供給源、２８０２：バルブ、２８０３：高周波発生器、２８０４：導波管、２８０５：モード変換器、２８０６：ガス管、２８０７：導波管、２８０８：スロットアンテナ板、２８０９：誘電体板、２８１０：高密度プラズマ、２８１１：基板、２８１２：基板ホルダ、２８１３：加熱機構、２８１５：マッチングボックス、２８１６：高周波電源、２８１７：真空ポンプ、２８１８：バルブ、２８１９：排気口、２８２０：ランプ、２８２１：ガス供給源、２８２２：バルブ、２８２３：ガス導入口、２８２４：基板、２８２５：基板ホルダ、２８２６：加熱機構、２８２８：真空ポンプ、２８２９：バルブ、２８３０：排気口

Claims (7)

  1. 　基板上に、インジウムを有する金属酸化物を形成する第１の工程と、
    　前記金属酸化物上からマイクロ波処理を行う第２の工程と、
    　を有し、
    　前記第２の工程は、減圧下、かつ、酸素を含むガスを用いて行われ、
    　前記第２の工程により、前記金属酸化物中の酸素欠損に水素が入った欠陥（ＶＯＨ）を、酸素欠損（ＶＯ）と水素（Ｈ）とに分断する、
    　金属酸化物の作製方法。
  2. 　基板上に、インジウムを有する金属酸化物を形成する第１の工程と、
    　前記金属酸化物上からマイクロ波処理を行う第２の工程と、
    　前記金属酸化物に対して、加熱処理を行う第３の工程と、
    　を有し、
    　前記第２の工程は、減圧下、かつ、酸素を含むガスを用いて行われ、
    　前記第３の工程は、減圧下で行われ、
    　前記第２の工程により、前記金属酸化物中の酸素欠損に水素が入った欠陥（ＶＯＨ）を、酸素欠損（ＶＯ）と水素（Ｈ）とに分断し、
    　前記第３の工程により、前記金属酸化物中の酸素欠損（ＶＯ）を低減する、
    　金属酸化物の作製方法。
  3. 　基板上に、インジウムを有する金属酸化物を形成する第１の工程と、
    　前記金属酸化物上に、第１の導電体および第２の導電体を形成する第２の工程と、
    　前記金属酸化物上からマイクロ波処理を行う第３の工程と、
    　前記金属酸化物に対して、加熱処理を行う第４の工程と、
    　を有し、
    　前記第３の工程は、減圧下、かつ、酸素を含むガスを用いて行われ、
    　前記第４の工程は、減圧下で行われ、
    　前記第３の工程により、前記金属酸化物中の酸素欠損に水素が入った欠陥（ＶＯＨ）を、酸素欠損（ＶＯ）と水素（Ｈ）とに分断し、
    　前記第４の工程により、前記金属酸化物中の酸素欠損（ＶＯ）を低減し、かつ、前記金属酸化物中の水素（Ｈ）が、前記第１の導電体および前記第２の導電体へ拡散する、
    　金属酸化物の作製方法。
  4. 　基板上に、インジウムを有する金属酸化物を形成する第１の工程と、
    　前記金属酸化物上に、第１の導電体および第２の導電体を形成する第２の工程と、
    　前記金属酸化物上に、絶縁膜を成膜する第３の工程と、
    　前記絶縁膜上からマイクロ波処理を行う第４の工程と、
    　前記金属酸化物および前記絶縁膜の一方または双方に対して、加熱処理を行う第５の工程と、
    　を有し、
    　前記第４の工程は、減圧下、かつ、酸素を含むガスを用いて行われ、
    　前記第５の工程は、減圧下で行われ、
    　前記第４の工程により、前記金属酸化物中の酸素欠損に水素が入った欠陥（ＶＯＨ）を、酸素欠損（ＶＯ）と水素（Ｈ）とに分断し、
    　前記第５の工程により、前記金属酸化物中の酸素欠損（ＶＯ）を低減し、かつ、前記金属酸化物中の水素（Ｈ）が、前記第１の導電体および前記第２の導電体へ拡散する、
    　金属酸化物の作製方法。
  5. 　請求項２乃至請求項４のいずれか一において、
    　前記加熱処理の温度は、３００℃以上５００℃以下である、
    　金属酸化物の作製方法。
  6. 　請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
    　前記マイクロ波処理の圧力は、１３３Ｐａ以上である、
    　金属酸化物の作製方法。
  7. 　請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    　前記第１の工程は、インジウムを有する酸化物ターゲットを用いて、スパッタリング法によって行われる、
    　金属酸化物の作製方法。
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