WO2020054754A1 - マイクロ波加熱装置 - Google Patents

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insulator
center conductor
heating device
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幹男 福井
高史 夘野
小笠原　史太佳
基良 岩田
伸司 高野
大介 細川
平本　雅祥
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パナソニックＩｐマネジメント株式会社
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    • H05B6/70—Feed lines
    • H05B6/707—Feed lines using waveguides

Definitions

  • the present disclosure relates to a microwave heating device.
  • a coaxial connector is usually arranged in a power transmission path between a microwave generation unit and a heating chamber (for example, see Patent Document 1).
  • the output end of the microwave generation unit is connected to the center conductor of the coaxial connector by soldering or the like, and the outer conductor of the coaxial connector is attached to the outer periphery of the microwave generation unit.
  • the center conductor of a coaxial connector is held by an insulator provided between the outer conductor and itself.
  • the center conductor of the coaxial connector expands due to the heat generated in the microwave generator. For this reason, stress is applied to the soldered portion between the microwave generating portion and the center conductor of the coaxial connector, and a crack may occur.
  • a microwave heating device includes a heating chamber that stores an object to be heated, a microwave generation unit that generates a microwave, and a coaxial connector.
  • the coaxial connector has a center conductor, an insulator and an outer conductor.
  • the center conductor is connected to the output end of the microwave generator.
  • An air gap is provided between the center conductor and the insulator.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the microwave heating device according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line 2-2 in FIG.
  • FIG. 3 is a partially enlarged view of a portion A in FIG.
  • FIG. 4 is a graph showing the results of electromagnetic field analysis on microwave transmission in the coaxial connector.
  • a microwave heating device includes a heating chamber that stores an object to be heated, a microwave generation unit that generates a microwave, and a coaxial connector.
  • the coaxial connector has a center conductor, an insulator and an outer conductor.
  • the center conductor is connected to the output end of the microwave generator.
  • An air gap is provided between the center conductor and the insulator.
  • the air gap is a discontinuous space.
  • the air gap has a size of 0.4 mm or more and 0.8 mm or less.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the microwave heating device according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line 2-2 in FIG.
  • FIG. 3 is a partially enlarged view of a portion A in FIG.
  • the microwave heating apparatus has a heating chamber 1 for accommodating an object to be heated.
  • a door 1 a is provided at the front opening of the heating chamber 1.
  • a waveguide 2 having a rectangular cross section is attached to the top surface of the heating chamber 1.
  • the waveguide 2 has a bent shape including a horizontal portion extending substantially horizontally with respect to the top surface of the heating chamber 1 and a vertical portion extending substantially vertically.
  • One end of the waveguide 2 is connected to the heating chamber 1 via a power supply port 1b formed on the top surface of the heating chamber 1, and the other end is closed.
  • a microwave generator 4 is attached to the upper surface of the horizontal portion of the waveguide 2 via a coaxial connector 3.
  • the coaxial connector 3 has an outer conductor 3a, an insulator 3b, and a center conductor 3c.
  • the outer conductor 3a holds the insulator 3b.
  • a flange-shaped positioning portion 3f is formed between the insulator 3b and the center conductor 3c so as to protrude from the surface of the insulator 3b.
  • the insulator 3b holds the center conductor 3c via the positioning part 3f.
  • An air gap 3d is formed between the insulator 3b excluding the positioning portion 3f and the center conductor 3c. The end of the center conductor 3c on the waveguide 2 side protrudes into the waveguide 2 and functions as an antenna.
  • the microwave generator 4 has a substrate 4a on which an oscillator system composed of a semiconductor device is arranged.
  • the oscillator system generates electromagnetic waves at frequencies within the microwave frequency range (eg, 2.45 GHz).
  • the soldering part 3e connects the substrate 4a to the end of the center conductor 3c of the coaxial connector 3 on the microwave generating part 4 side.
  • the air gap 3d is a discontinuous space divided into two.
  • the air gap 3d may be one continuous space.
  • the microwave power generated by the substrate 4a propagates through the coaxial connector 3 and the waveguide 2, and is radiated from the power supply port 1b into the heating chamber 1.
  • FIG. 4 shows the results of electromagnetic field analysis on microwave transmission in the coaxial connector 3. Specifically, FIG. 4 shows the reflection coefficient S11 (dB) and the optimized outer diameter dimension OD (mm) of the insulator 3b with respect to the dimension GAP (mm) of the air gap 3d shown in FIG. .
  • the reflection coefficient S11 As shown in FIG. 4, as the dimension GAP of the air gap 3d increases, the reflection coefficient S11 increases, and the outer diameter dimension OD of the insulator 3b decreases.
  • the outer diameter dimension OD of the insulator 3b is set to a dimension such that the reflection coefficient S11 is less than ⁇ 30 dB. Thereby, the reflected power becomes 1/1000 or less of the incident power.
  • the contact area between the central conductor 3c and the insulator 3b is made as small as possible, and the central conductor 3c is not fixed in the waveguide 2.
  • the internal stress generated by the thermal expansion of the center conductor 3c can be released to the waveguide 2.
  • the stress applied to the soldering portion 3e can be reduced.
  • the dimension GAP of the air gap 3d is set to 0.4 mm or more and 0.8 mm or less, the stress applied to the soldered portion 3e can be reduced without increasing the reflected power.
  • the outer diameter dimension OD of the insulator 3b is smaller than when the dimension GAP of the air gap 3d is 0 mm.
  • the outer diameter of the coaxial connector 3 can be reduced.
  • the present embodiment it is possible to suppress the occurrence of cracks in the soldering portion between the microwave generation unit 4 and the coaxial connector 3. As a result, the reliability of the microwave heating device can be improved.
  • microwave heating devices such as microwave ovens, plasma generation devices, and drying devices.

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Abstract

マイクロ波加熱装置は、被加熱物を収容する加熱室と、マイクロ波を生成するマイクロ波発生部と、同軸コネクタとを備える。同軸コネクタは、中心導体、絶縁体および外部導体を有する。中心導体は、マイクロ波発生部の出力端に接続される。中心導体と絶縁体との間には、エアギャップが設けられる。本態様によれば、マイクロ波発生部と同軸コネクタとの間の半田付け部における熱応力による半田クラックの発生を抑制することができる。

Description

マイクロ波加熱装置
　本開示はマイクロ波加熱装置に関する。
　近年、マグネトロンの代りに半導体素子をマイクロ波発生部として用いたマイクロ波加熱装置が開発されている。このマイクロ波加熱装置においては、マイクロ波発生部と加熱室との間の電力伝送経路中に、通常、同軸コネクタが配置される（例えば、特許文献１参照）。
特開平６－２７５３４５号公報
　しかしながら、従来のマイクロ波加熱装置では、マイクロ波発生部の出力端は、同軸コネクタの中心導体に半田付けなどで接続され、同軸コネクタの外部導体は、マイクロ波発生部の外郭に取り付けられる。
　一般的に、同軸コネクタの中心導体は、外部導体とそれ自体との間に設けられた絶縁体で保持される。この構成では、マイクロ波発生部で発生する熱により、同軸コネクタの中心導体が膨張する。このため、マイクロ波発生部と同軸コネクタの中心導体との間の半田付け部に応力がかかり、クラックが発生する可能性がある。
　本開示の一態様のマイクロ波加熱装置は、被加熱物を収容する加熱室と、マイクロ波を生成するマイクロ波発生部と、同軸コネクタとを備える。同軸コネクタは、中心導体、絶縁体および外部導体を有する。中心導体は、マイクロ波発生部の出力端に接続される。中心導体と絶縁体との間には、エアギャップが設けられる。
　本態様は、マイクロ波発生部と同軸コネクタとの間の半田付け部におけるクラック発生を抑制することができる。これにより、マイクロ波加熱装置の信頼性を向上させることができる。
図１は、本開示の実施の形態に係るマイクロ波加熱装置の断面図である。 図２は、図１における２－２線に沿った断面図である。 図３は、図１におけるＡ部の部分拡大図である。 図４は、同軸コネクタにおけるマイクロ波の伝送に対する電磁界解析の結果を示すグラフである。
　本開示の第１の態様のマイクロ波加熱装置は、被加熱物を収容する加熱室と、マイクロ波を生成するマイクロ波発生部と、同軸コネクタとを備える。同軸コネクタは、中心導体、絶縁体および外部導体を有する。中心導体は、マイクロ波発生部の出力端に接続される。中心導体と絶縁体との間には、エアギャップが設けられる。
　本開示の第２の態様のマイクロ波加熱装置において、第１の態様に加えて、エアギャップは不連続な空間である。
　本開示の第３の態様のマイクロ波加熱装置において、第１の態様に加えて、エアギャップは、０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下の寸法を有する。
　以下、本開示に係る実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
　図１は、本実施の形態に係るマイクロ波加熱装置の断面図である。図２は、図１における２－２線に沿った断面図である。図３は、図１におけるＡ部の部分拡大図である。
　図１に示すように、本実施の形態のマイクロ波加熱装置は、被加熱物を収容する加熱室１を有する。加熱室１の前面開口には、ドア１ａが設けられる。加熱室１の天面には、断面が矩形状の導波管２が取り付けられる。
　導波管２は、加熱室１の天面に対し略水平に延在する水平部と、略垂直に延在する垂直部とを含む、屈曲した形状を有する。導波管２の一端は、加熱室１の天面に形成された給電口１ｂを介して加熱室１に接続され、他端は閉塞される。導波管２の水平部の上面には、同軸コネクタ３を介して、マイクロ波発生部４が取り付けられる。
　図２、図３に示すように、同軸コネクタ３は、外部導体３ａと絶縁体３ｂと中心導体３ｃとを有する。外部導体３ａは絶縁体３ｂを保持する。絶縁体３ｂと中心導体３ｃとの間には、鍔状の位置決め部３ｆが、絶縁体３ｂの表面から突出するように形成される。絶縁体３ｂは、位置決め部３ｆを介して中心導体３ｃを保持する。位置決め部３ｆを除く絶縁体３ｂと中心導体３ｃとの間には、エアギャップ３ｄが形成される。中心導体３ｃの導波管２側の端部は、導波管２内に突出しアンテナとして機能する。
　マイクロ波発生部４は、半導体素子で構成された発振器システムが配置された基板４ａを有する。この発振器システムは、マイクロ波の周波数範囲内の周波数（例えば、２．４５ＧＨｚ）の電磁波を生成する。半田付け部３ｅは、基板４ａを、同軸コネクタ３の中心導体３ｃのマイクロ波発生部４側の端部と接続する。
　図２、図３において、エアギャップ３ｄは、二つに分割された不連続な空間である。しかし、本開示はこれに限定されるものではない。エアギャップ３ｄは、連続した一つの空間でもよい。
　本実施の形態のマイクロ波加熱装置において、基板４ａで生成されたマイクロ波電力が、同軸コネクタ３、導波管２を伝播し、給電口１ｂから加熱室１内に放射される。
　図４は、同軸コネクタ３におけるマイクロ波の伝送に対する電磁界解析の結果である。具体的には、図４は、図３に示すエアギャップ３ｄの寸法ＧＡＰ（ｍｍ）に対する、反射係数Ｓ１１（ｄＢ）と、最適化された絶縁体３ｂの外径寸法ＯＤ（ｍｍ）とを示す。反射係数Ｓ１１が小さいほど、反射電力は減少し、良好な伝送状態となる。
　図４に示すように、エアギャップ３ｄの寸法ＧＡＰが大きくなるにつれ、反射係数Ｓ１１は大きくなり、絶縁体３ｂの外径寸法ＯＤは小さくなる。反射係数Ｓ１１は、Ｓ１１（ｄＢ）＝１０×ｌｏｇ（反射電力／入射電力）で計算される。Ｓ１１＝－３０ｄＢの時、反射電力／入射電力は０．１％である。一般的に、反射係数Ｓ１１が－３０ｄＢを下回ると、実用上、その反射電力は問題とならない。
　本実施の形態では、絶縁体３ｂの外径寸法ＯＤは、反射係数Ｓ１１が－３０ｄＢを下回る程度の寸法に設定される。これにより、反射電力は入射電力の１／１０００以下となる。中心導体３ｃと絶縁体３ｂとの接触面積をできる限り小さくし、中心導体３ｃを導波管２内で固定しない。
　本実施の形態によれば、中心導体３ｃの熱膨張により発生する内部応力を導波管２側に逃がすことができる。その結果、半田付け部３ｅにかかる応力を低減することができる。特に、エアギャップ３ｄの寸法ＧＡＰを、０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下に設定すると、反射電力を増加させることなく、半田付け部３ｅにかかる応力を低減することができる。
　図４に示すように、絶縁体３ｂの外径寸法ＯＤは、エアギャップ３ｄの寸法ＧＡＰが０ｍｍの時より小さくなる。これにより、同軸コネクタ３の外径寸法を小さくすることができる。
　本実施の形態によれば、マイクロ波発生部４と同軸コネクタ３との間の半田付け部におけるクラック発生を抑制することがでる。その結果、マイクロ波加熱装置の信頼性を向上させることができる。
　以上のように、本開示は、電子レンジ、プラズマ発生装置、乾燥装置などのマイクロ波加熱装置に適用可能である。
　１　加熱室
　１ａ　ドア
　１ｂ　給電口
　２　導波管
　３　同軸コネクタ
　３ａ　外部導体
　３ｂ　絶縁体
　３ｃ　中心導体
　３ｄ　エアギャップ
　３ｅ　半田付け部
　３ｆ　位置決め部
　４　マイクロ波発生部
　４ａ　基板

Claims (3)

  1. 　被加熱物を収容する加熱室と、
    　マイクロ波を生成するマイクロ波発生部と、
    　中心導体、絶縁体および外部導体を有し、前記マイクロ波発生部の出力端に前記中心導体が接続された、同軸コネクタと、を備え、
    　前記同軸コネクタは、前記中心導体と前記絶縁体との間に設けられたエアギャップを有する、マイクロ波加熱装置。
  2. 　前記エアギャップが不連続な空間である、請求項１に記載のマイクロ波加熱装置。
  3. 　前記エアギャップが、０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下の寸法を有する、請求項１に記載のマイクロ波加熱装置。
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