JP6143971B2 - 同軸マイクロストリップ線路変換回路 - Google Patents

Description

この発明は、マイクロ波、ミリ波帯のレーダ装置、通信機器など電子装置の入出力部に用いられる同軸マイクロストリップ線路変換回路に関するものである。

レーダ装置や通信機器などの電子装置において、高周波信号の入出力インタフェースとして同軸コネクタが多く用いられている。また、電子装置内部で高周波信号を伝播する手段としては、マイクロストリップ線路をはじめとするストリップ線路が多く用いられている。

同軸コネクタとマイクロストリップ線路の接続方法として実開平２−３６２０２号公報、図１（特許文献１参照）には、同軸コネクタのコネクタ芯線とマイクロストリップ線路とを金リボンで接続した構成が記載されている。
しかし、同軸コネクタが取り付けられた筐体とマイクロストリップ線路が形成された基板とは温度変動時の線膨張差による変形等を考慮し、特許文献１の図２に示すように筐体と基板との間に間隙が設けられているため、この間隙より高周波信号（電波）が漏洩する懸念がある。
この問題を解決する手段として、特開平５−２５９７１３号公報、図１、図２（特許文献２参照）のように閉空間内で同軸コネクタの中心導体とマイクロストリップ線路とを直接接続する方法が用いられている。

実開平２−３６２０２号公報（第１図、第２図） 特開平５−２５９７１３号公報（第１図、第２図）

しかしながら、特許文献２に記載した方法では、温度変化による同軸コネクタの中心導体、誘電体基板等の変形で同軸コネクタの中心導体とマイクロストリップ線路との接続部に応力が集中し破壊に至る課題がある。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、同軸コネクタとマイクロストリップ線路とを接続する同軸マイクロストリップ線路変換回路において、筐体と基板との間隙からの高周波信号の漏洩をなくし、かつ、同軸コネクタとマイクロストリップ線路との接続部への応力の発生がなく、この接続部の信頼性を向上させる同軸マイクロストリップ線路変換回路を提供することを目的とする。

この発明に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路は、第１の貫通穴と第１の貫通穴から離間して設けられ、かつ使用する周波数をカットオフする寸法を有する第２の貫通穴とを有する導波管と、外導体と外導体の軸方向の端部から突出した突出部を有する中心導体と外導体と中心導体との間に設けられた絶縁体とを有する同軸線路と、絶縁性基板の一方の面に設けられた接地導体と絶縁性基板の一方の面の反対側の他方の面に設けられ接地導体から軸方向に突出した突出部を有するストリップ線路とを有するマイクロストリップ線路と、を備え、同軸線路において、外導体が導波管の外壁に接続され、中心導体の突出部が、第１の貫通穴を通して導波管の内部に挿入されており、マイクロストリップ線路において、接地導体が、第２の貫通穴の内壁に接続され、ストリップ線路の突出部が、第２の貫通穴を通して導波管の内部に挿入されている。

この発明による同軸マイクロストリップ線路変換回路は、導波管部を介して同軸線路とマイクロストリップ線路とを接続したので、筐体と基板との間隙からの高周波信号の漏洩をなくし、かつ、同軸コネクタとマイクロストリップ線路との接続部への応力の発生がなく、電子装置の信頼性を向上させることができる。

この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の構成を説明する図である。 図１ＡのＢ−Ｂ′断面図である。 この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の同軸導波管変換部の上面図である。 図２ＡのＡ−Ａ′断面図である。 図２ＡのＢ−Ｂ′断面図である。 この発明の実施の形態１のマイクロストリップ線路を有する基板を上方から見た図である。 この発明の実施の形態１のマイクロストリップ線路を有する基板を側方から見た図である。 この発明の実施の形態１のマイクロストリップ線路を有する基板を下方から見た図である。 この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の同軸導波管変換部のシミュレーションモデルを説明する図である。 図４のシミュレーションモデルのシミュレーション結果を説明する図である。 この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の導波管マイクロストリップ変換部のシミュレーションモデルを説明する図である。 図６のシミュレーションモデルのシミュレーション結果を説明する図である。 この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路のシミュレーションモデルを説明する図である。 図８のシミュレーションモデルのシミュレーション結果を説明する図である。 この発明の実施の形態２に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の上面図である。 図１０ＡのＢ−Ｂ′から見た側面図である。 この発明の実施の形態３に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の上面図である。 図１１ＡのＢ−Ｂ′断面図である。 この発明の実施の形態３のマイクロストリップ線路を有する基板を上方から見た図である。 この発明の実施の形態３のマイクロストリップ線路を有する基板を側方から見た図である。 この発明の実施の形態３のマイクロストリップ線路を有する基板を下方から見た図である。 この発明の実施の形態４に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の上面図である。 は、図１３ＡのＢ−Ｂ′断面図である。 この発明の実施の形態５に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の構成を説明する図である。 この発明の実施の形態６に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の同軸導波管変換部の構成を説明する図である。 図１５ＡのＡ−Ａ′断面図である。 図１５ＡのＢ−Ｂ′断面図である。

この発明の全ての実施の形態において、図１Ａ、図１Ｂの全てを参照する場合は図１と記載し、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃの全てを参照する場合は図２と記載することがある。他の図面についても、同様である。

実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１について図１を用いて説明する。図１は、この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の構成を説明する図である。図１において、図１Ａは、この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の上面図、図１Ｂは、図１ＡのＢ−Ｂ′断面図である。

この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路は、第１の貫通穴である同軸コネクタ挿入孔１１９を有する第１の導波管１０２と、同軸コネクタ挿入孔１１９から離間して設けられ使用する周波数をカットオフする寸法を有する第２の貫通穴であるマイクロストリップ線路挿入孔１１１を有する第２の導波管１０９とから成る導波管部を備える。同軸マイクロストリップ線路変換回路は、さらに、外導体と、外導体の軸方向の端部から突出した突出部を有する中心導体１１２と、外導体と中心導体１１２との間に設けられた絶縁体とを有する同軸コネクタ１０４を備える。同軸マイクロストリップ線路変換回路は、さらに、誘電体基板１１８の一方の面に設けられた接地導体１１５と、絶縁性の誘電体基板１１８の一方の面の反対側の他方の面に設けられ、かつ接地導体１１５から軸方向に突出した突出部を有するストリップ線路で形成された信号線路１１３とで構成されたマイクロストリップ線路を有する基板１０６を備える。

同軸線路である同軸コネクタ１０４において、外導体であるフランジが、ネジ１０５にて同軸コネクタ挿入孔１１９の周囲の、第１の導波管１０２の外壁に接続され、中心導体１１２の突出部が、同軸コネクタ挿入孔１１９を通して導波管部の第１の導波管１０２の内部に挿入されている。マイクロストリップ線路を有する基板１０６は、接地導体１１５がマイクロストリップ線路挿入孔１１１の内壁に接続されている。ストリップ線路で形成された信号線路１１３の突出部が、マイクロストリップ線路挿入孔１１１を通して導波管部である第２の導波管１０９の内部に挿入されている。なお、接地導体１１５は、第２の導波管１０９の内部には挿入されていなく、信号線路１１３の突出部のみが第２の導波管１０９の内部に挿入されている。ここで、同軸コネクタ挿入孔１１９は、第１の導波管１０２のＨ面の外壁に設けられている。マイクロストリップ線路挿入孔１１１は、第２の導波管１０９のＨ面の外壁に設けられている。同軸コネクタ挿入孔１１９とマイクロストリップ線路挿入孔１１１は、第１の導波管１０２と第２の導波管１０９から成る導波管部の管軸方向に離間している。

この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路は、大きく同軸線路−導波管変換部１と、導波管−マイクロストリップ線路変換部２とから成ることを特徴とする。同軸線路−導波管変換部１において、アルミニウム、ステンレス等の金属又は金属材料でめっきされた樹脂、などの導電性材料で形成される第１の筐体１０１には、第１の導波管１０２が形成され、その管軸方向の一方の端部はショート板１０３となっている。また、第１の筐体１０１には、同軸コネクタ１０４がネジ１０５にて固定されている。一方、導波管−マイクロストリップ線路変換部２は、マイクロストリップ線路を有する基板１０６と第２の筐体１０７からなる。第２の筐体１０７は、第１の筐体１０１と同様に、アルミニウム、ステンレス等の金属又は金属材料でめっきされた樹脂、などの導電性材料で形成されている。第２の筐体１０７は、第１の導波管１０２と管軸方向に見た断面形状が同形状でかつ、その管軸方向の一方の端部にショート板１０８を有する第２の導波管１０９と、電子装置内部空間１１０と電気的なアイソレーションをとるために使用する周波数をカットオフする寸法であるマイクロストリップ線路挿入孔１１１とを有する。言い換えると、マイクロストリップ線路挿入孔１１１は、使用する周波数の高周波信号がマイクロストリップ線路挿入孔１１１の空間部分を導波管モードで伝搬することが抑制される寸法となっている。なお、使用する周波数の高周波信号は、マイクロストリップ線路を有する基板１０６に形成されたマイクロストリップ線路でマイクロストリップ線路挿入孔１１１の内部を伝送するので、高周波信号の伝送は問題無い。

マイクロストリップ線路挿入孔１１１における高周波信号の伝送（伝搬）方向の空間アイソレーションは、次式（１）で簡易表現される。なお、マイクロストリップ線路挿入孔１１１における高周波信号の伝送（伝搬）方向とは、マイクロストリップ線路挿入孔１１１の第２の導波管１０９側の開口と電子装置内部空間１１０側の開口とを結ぶ方向である。

ここで、αは単位長さあたりの空間アイソレーション量［ｄＢ／ｍｍ］であり、λｃはカットオフ周波数の波長［ｍｍ］であり、λは通過周波数の波長［ｍｍ］である。

式（１）において、マイクロストリップ線路挿入孔１１１のカットオフ周波数の波長λｃは、高周波信号の進行方向に対して直交する方向の間隔すなわちマイクロストリップ線路挿入孔１１１の内部の対面する壁面の間隔で決まるので、カットオフ周波数の波長はλｃ＝２×”高周波信号の進行方向に対して直交する方向の間隔すなわちマイクロストリップ線路挿入孔１１１の内部の対面する壁面の間隔”で表される。ここで、カットオフ周波数はｆｃ＝光速／λｃで求められる。よって、単位長さあたりの空間アイソレーション量をできるだけ大きくするためには、マイクロストリップ線路挿入孔１１１の内部の対面する壁面の間隔を小さくすることは重要である。

図２に、同軸線路−導波管変換部１の詳細を示す。図２は、この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の同軸導波管変換部の構成を説明する図である。図２Ａは、この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の同軸導波管変換部の上面図、図２Ｂは、図２ＡのＡ−Ａ′断面図、図２Ｃは、図２ＡのＢ−Ｂ′断面図である。同軸コネクタ１０４の中心導体１１２は、ショート板１０３から距離ａでかつ、導波管断面の長手寸法の中心位置ｂを中心とするよう配置されている。中心導体１１２は、第１の導波管１０２の内壁から距離ｃとなるように配置されている。距離ａ、ｂ、ｃは使用する周波数で最適なインピーダンスとなるよう任意に設定する。

図３に、マイクロストリップ線路を有する基板１０６の詳細を示す。図３は、この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路のマイクロストリップ線路を有する基板を説明する図である。図３Ａは、実施の形態１のマイクロストリップ線路を有する基板を上方から見た図、図３Ｂは、実施の形態１のマイクロストリップ線路を有する基板を側方から見た図、図３Ｃは、実施の形態１のマイクロストリップ線路を有する基板を下方から見た図である。誘電体基板１１８の上にストリップ線路で形成された信号線路１１３が配置され、信号線路１１３の先端１１４は、使用する周波数で広帯域に良好な反射特性がとれるようにＴ字型となっている。また、信号線路１１３の裏面に配置される接地導体１１５と、信号線路１１３と同一平面に形成される導体１１６とは、スルーホール１１７で接続されており、導体１１６も接地導体として機能する。図３の距離ｅ、ｆ、ｇ及び図１の距離ｄを任意に設定することで使用する周波数で最適なインピーダンスとなる。

マイクロストリップ線路を有する基板１０６の接地導体１１５と導体１１６とがスルーホール１１７で接続されているため、図１において、第１の筐体１０１と第２の筐体１０７とが電気的に接続されることになり、第１の導波管１０２と第２の導波管１０９とで形成される空間が、電気的に閉空間となる。

図４及び図５に、同軸線路−導波管変換部１の電磁界計算モデル及び計算結果を示す。図４は、この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の同軸導波管変換部のシミュレーションモデルを説明する図である。図５は、図４のシミュレーションモデルのシミュレーション結果を説明する図である。図４において、電磁界計算モデルは計算時間短縮のため図１のＢ−Ｂ′断面を対称境界としている。寸法諸元は、１３．７５ＧＨｚ〜１４．５ＧＨｚの範囲で、反射特性−２０ｄＢ未満の良好な特性となるよう決定した。

また、図６及び図７に、導波管−マイクロストリップ線路変換部２の電磁界計算モデル及び計算結果を示す。図６は、この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の導波管マイクロストリップ変換部のシミュレーションモデルを説明する図である。図７は、図６のシミュレーションモデルのシミュレーション結果を説明する図である。図６において、電磁界計算モデルは計算時間短縮のため図１のＢ−Ｂ′断面を対称境界としている。寸法諸元は、１３．７５ＧＨｚ〜１４．５ＧＨｚの範囲で、反射特性が−２０ｄＢ未満の良好な特性となるよう決定した。

次に、図４と図６のモデルを組み合わせた実施の形態１の電磁界計算モデルと計算結果を図８及び図９に示す。図８は、この発明の実施の形態１に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路のシミュレーションモデルを説明する図である。図９は、図８のシミュレーションモデルのシミュレーション結果を説明する図である。図８において、電磁界計算モデルは、計算時間短縮のため図１のＢ−Ｂ′断面を対称境界としている。各構成要素の寸法諸元は、図４、図６から変更なく、中心導体１１２の中心とマイクロストリップ線路を有する基板１０６の信号線路１１３との距離ｈを７ｍｍとしている。距離ｈは７ｍｍより大きくとも、小さくともしてよいが、同軸線路−導波管変換部１と導波管−マイクロストリップ線路変換部２を別々に設計し、そのまま組み合わせる場合、ｈを小さくしすぎると、同軸の伝送モード（ＴＥＭモード）から導波管のＴＥモード等へ変換される電磁界分布と導波管のＴＥモードからマイクロストリップ線路の伝送モード（ＴＥＭモード）へ変換される電磁界分布が干渉し、分布が乱れることによる反射特性の劣化が発生する為、ｈ＞λ／４とすることが望ましい。ここで、λは使用する周波数の波長である。

このように、同軸コネクタ１０４の中心導体１１２とマイクロストリップ線路を有する基板１０６の信号線路１１３とは、機械的に接続されておらず、同軸コネクタ１０４とマイクロストリップ線路を有する基板１０６の温度変化に対する収縮及び膨張に対して同軸コネクタの１０４の中心導体１１２とマイクロストリップ線路を有する基板１０６の信号線路１１３は、お互いにフリーの状態である。したがって、同軸コネクタ１０４とマイクロストリップ線路を有する基板１０６の温度変化に対する収縮及び膨張に対して、同軸コネクタの１０４の中心導体１１２とマイクロストリップ線路を有する基板１０６の信号線路１１３との間には、応力が発生しないので、断線等の機械的破損は発生しなく、信頼性の高い同軸線路とマイクロストリップ線路との変換回路が実現される。

また、間隙となる第２の貫通穴であるマイクロストリップ線路挿入孔１１１は、使用する周波数をカットオフする寸法を有する構造としたので、電子装置内部空間１１０に設けた増幅器からこの同軸マイクロストリップ線路変換回路への不要な高周波信号の漏洩が防止できる。

実施の形態２．
この発明の実施の形態２について図１０を用いて説明する。図１０は、この発明の実施の形態２に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の構成を説明する図である。図１０において、図１０Ａは、この発明の実施の形態２に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の上面図、図１０Ｂは、図１０ＡのＢ−Ｂ′から見た側面図である。
図１０Ｂに示すように、マイクロストリップ線路を有する基板１０６が多層となっていることが特徴である。図１０Ａ、Ｂにおいて、図１から図３と同一若しくは同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

図１０において、マイクロストリップ線路を有する基板１０６の接地導体１１５と接地導体１１５側と反対側の表面に形成された導体１１６とはスルーホール１１７で接続されている。
接地導体１１５は、ストリップ線路の突出部に対応する以外の箇所に設けられる。導体１１６は、ストリップ線路で形成された信号線路の周囲に設けられる。第１の導波管１０２と第２の導波管１０９とは、基板１０６を挟んで固定される。第１の導波管１０２は、接地導体１１５と電気的に接続され、第２の導波管１０９は、導体１１６と電気的に接続される。したがって、この発明の実施の形態１と同様に、第１の筐体１０１と第２の筐体１０７とが電気的に接続され、第１の導波管１０２と第２の導波管１０９とで形成される空間が、電気的に閉空間となり、この場合もこの発明の実施の形態１と同様の作用、効果が得られる。

実施の形態３．
この発明の実施の形態３について図１１を用いて説明する。図１１は、この発明の実施の形態３に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の構成を説明する図である。図１１において、図１１Ａは、実施の形態３に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の上面図、図１１Ｂは、図１１ＡのＢ−Ｂ′断面図である。また、図１２は、この発明の実施の形態３に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路のマイクロストリップ線路を有する基板１０６を説明する図である。図１２Ａは、実施の形態３のマイクロストリップ線路を有する基板を上方から見た図、図１２Ｂは、実施の形態３のマイクロストリップ線路を有する基板を側方から見た図、図１２Ｃは、実施の形態３のマイクロストリップ線路を有する基板を下方から見た図である。
図１１Ａ、Ｂ及び図１２Ａ、Ｂ、Ｃにおいて、図１から図３と同一若しくは同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。

図１１及び図１２に示すように、実施の形態３のマイクロストリップ線路を有する基板１０６は、信号線路１１３と同一平面に形成される導体１１６を有せず、第１の筐体１０１と第２の筐体１０７とはマイクロストリップ線路を有する基板１０６を介さず、直接接触している。したがって、第１の筐体１０１と第２の筐体１０７の電気的な接続状態が、この発明の実施の形態１またはこの発明の実施の形態２より強固になる。これにより、この実施の形態の場合においても、実施の形態１と同様の作用、効果が得られるが、実施の形態１よりも高周波信号（電波）の漏洩を小さくできるという特徴がある。

実施の形態４．
この発明の実施の形態４について図１３を用いて説明する。図１３は、この発明の実施の形態４に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の同軸導波管変換部の構成を説明する図である。図１３Ａは、この発明の実施の形態４に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の上面図、図１３Ｂは、図１３ＡのＢ−Ｂ′断面図である。図１３Ａ、Ｂにおいて、図１と同一若しくは同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図１３は実施の形態１の同軸線路−導波管変換部１において、同軸コネクタ１０４を第１の導波管１０２のＨ面ではなくＥ面に配置したエンドランチ型としたことを特徴とする。この場合も実施の形態１と同様の作用、効果が得られる。なお、図１３において、中心導体１１２と第１の導波管１０２の内壁との間に、変成部１２０を備えている。変成部１２０は金属で形成され、中心導体１１２と第１の導波管１０２の内壁とに接続されており、中心導体１１２の先端から先は、階段状に小さくなる形状を成している。変成部１２０は、同軸コネクタ１０４と第１の導波管１０２とを、広帯域に良好な整合特性を得る作用を奏する。

実施の形態５．
この発明の実施の形態５について図１４を用いて説明する。図１４は、この発明の実施の形態５に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の構成を説明する図である。図１４において、図１と同一若しくは同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。図１４は実施の形態５の側面図である。
実施の形態５は、同軸コネクタ１０４と同軸コネクタ挿入孔１１９も第２の筐体１０７に設けて、同軸線路−導波管変換部１も第２の導波管１０９に設けたものである。即ち、実施の形態５は実施の形態１における同軸線路−導波管変換部１をマイクロストリップ線路を有する基板１０６の信号線路１１３側とし、逆にショート板１０３を有する第１の導波管１０２をマイクロストリップ線路を有する基板１０６の接地導体１１５側としたことを特徴とする。

実施の形態５において、同軸コネクタ１０４の中心導体１１２とショート板１０８との間隔ａ、中心導体１１２の側面と第２の導波管１０９の壁面との間隔ｂ、中心導体１１２の先端と第２の導波管１０９の内壁との間隔ｃの寸法関係は、実施の形態１と同様である。また、信号線路１１３とショート板１０３との間隔ｄ、信号線路１１３と中心導体１１２との間隔ｈも実施の形態１と同様である。この実施の形態５の場合も実施の形態１と同様の作用、効果が得られる。

実施の形態６．
この発明の実施の形態６について、図１５を用いて説明する。図１５Ａは、この発明の実施の形態６に係る同軸マイクロストリップ線路変換回路の同軸導波管変換部の構成を説明する図である。図１５Ｂは、図１５ＡのＡ−Ａ′断面図である。図１５Ｃは、図１５ＡのＢ−Ｂ′断面図である。図１５Ａ、Ｂ、Ｃにおいて、図２と同一若しくは同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
実施の形態６において、同軸コネクタ１０４の中心導体１１２の内部に突出した突出部の先端に、中心導体１１２を径方向に太くした形状を有する円盤１１２ａを設けたものである。円盤１１２ａは、同軸コネクタ１０４が使用する周波数で広帯域に良好な反射特性がとれる効果を奏するものである。

今回開示された各実施の形態は、適宜組合わせて実施することも予定されている。そして、今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ 同軸線路−導波管変換部、２ 導波管−マイクロストリップ線路変換部、１０１ 第１の筐体、１０２ 第１の導波管、１０３ ショート板、１０４ａ フランジ、１０４ 同軸コネクタ、１０５ ネジ、１０６ マイクロストリップ線路を有する基板、１０７ ２の筐体、１０８ ショート板、１０９ 第２の導波管、１１０ 電子装置内部空間、１１１ マイクロストリップ線路挿入孔（第２の貫通穴）、１１２ 中心導体、１１３ 信号線路（ストリップ線路）、１１４ 信号線路の先端（ストリップ線路の先端）、１１５ 接地導体、１１６ 導体、１１７ スルーホール、１１８ 誘電体基板、１１９ 同軸コネクタ挿入孔（第１の貫通穴）、１２０ 変成部。

Claims (8)

1. 第１の貫通穴と、前記第１の貫通穴から離間して設けられ、かつ内部を伝搬する使用する周波数をカットオフする寸法を有する第２の貫通穴とを有する導波管と、
   外導体と、前記外導体の軸方向の端部から突出した突出部を有する中心導体と、前記外導体と中心導体との間に設けられた絶縁体とを有する同軸線路と、
   絶縁性基板の一方の面に設けられた接地導体と、前記絶縁性基板の一方の面の反対側の他方の面に設けられ、かつ前記接地導体から軸方向に突出した突出部を有するストリップ線路とを有するマイクロストリップ線路と、を備え、
   前記同軸線路において、前記外導体が、前記導波管の外壁に接続され、前記中心導体の突出部が、前記第１の貫通穴を通して前記導波管の内部に挿入されており、
   前記マイクロストリップ線路において、前記接地導体が、前記第２の貫通穴の内壁に接続され、前記ストリップ線路の突出部が、前記第２の貫通穴を通して前記導波管の内部に挿入されており、
   前記中心導体と前記ストリップ線路との管軸方向の間隔は、使用する周波数の波長の１／４よりも長い、同軸マイクロストリップ線路変換回路。
2. 第１の貫通穴と、前記第１の貫通穴から離間して設けられ、かつ内部を伝搬する使用する周波数をカットオフする寸法を有する第２の貫通穴とを有する導波管と、
   外導体と、前記外導体の軸方向の端部から突出した突出部を有する中心導体と、前記外導体と中心導体との間に設けられた絶縁体とを有する同軸線路と、
   絶縁性基板の一方の面に設けられた接地導体と、前記絶縁性基板の一方の面の反対側の他方の面に設けられ、かつ前記接地導体から軸方向に突出した突出部を有するストリップ線路とを有するマイクロストリップ線路と、を備え、
   前記同軸線路において、前記外導体が、前記導波管の外壁に接続され、前記中心導体の突出部が、前記第１の貫通穴を通して前記導波管の内部に挿入されており、
   前記マイクロストリップ線路において、前記接地導体が、前記第２の貫通穴の内壁に接続され、前記ストリップ線路の突出部が、前記第２の貫通穴を通して前記導波管の内部に挿入されており、
   前記第１の貫通穴と前記第２の貫通穴は、共に前記導波管のＨ面の外壁に設けられている、同軸マイクロストリップ線路変換回路。
3. 第１の貫通穴と、前記第１の貫通穴から離間して設けられ、かつ内部を伝搬する使用する周波数をカットオフする寸法を有する第２の貫通穴とを有する導波管と、
   外導体と、前記外導体の軸方向の端部から突出した突出部を有する中心導体と、前記外導体と中心導体との間に設けられた絶縁体とを有する同軸線路と、
   絶縁性基板の一方の面に設けられた接地導体と、前記絶縁性基板の一方の面の反対側の他方の面に設けられ、かつ前記接地導体から軸方向に突出した突出部を有するストリップ線路とを有するマイクロストリップ線路と、を備え、
   前記同軸線路において、前記外導体が、前記導波管の外壁に接続され、前記中心導体の突出部が、前記第１の貫通穴を通して前記導波管の内部に挿入されており、
   前記マイクロストリップ線路において、前記接地導体が、前記第２の貫通穴の内壁に接続され、前記ストリップ線路の突出部が、前記第２の貫通穴を通して前記導波管の内部に挿入されており、
   前記第１の貫通穴は、前記導波管のＥ面の外壁に設けられており、
   前記第２の貫通穴は、前記導波管のＨ面の外壁に設けられており、
   前記同軸線路の前記導波管の内部に挿入された箇所は、エンドランチ型構造を有する、同軸マイクロストリップ線路変換回路。
4. 第１の貫通穴と、前記第１の貫通穴から離間して設けられ、かつ内部を伝搬する使用する周波数をカットオフする寸法を有する第２の貫通穴とを有する導波管と、
   外導体と、前記外導体の軸方向の端部から突出した突出部を有する中心導体と、前記外導体と中心導体との間に設けられた絶縁体とを有する同軸線路と、
   絶縁性基板の一方の面に設けられた接地導体と、前記絶縁性基板の一方の面の反対側の他方の面に設けられ、かつ前記接地導体から軸方向に突出した突出部を有するストリップ線路とを有するマイクロストリップ線路と、を備え、
   前記同軸線路において、前記外導体が、前記導波管の外壁に接続され、前記中心導体の突出部が、前記第１の貫通穴を通して前記導波管の内部に挿入されており、
   前記マイクロストリップ線路において、前記接地導体が、前記第２の貫通穴の内壁に接続され、前記ストリップ線路の突出部が、前記第２の貫通穴を通して前記導波管の内部に挿入されており、
   前記導波管は、管軸方向に見た断面形状が同一である第１の筐体と第２の筐体とで構成され、
   前記マイクロストリップ線路を有する絶縁性基板上において、前記一方の面において前記ストリップ線路の突出部に対応する以外の箇所に前記接地導体が設けられており、前記他方の面において前記ストリップ線路の周囲に前記接地導体と電気的に接続された第２の接地導体が設けられており、
   前記第１の筐体が、前記接地導体に電気的に接続され、前記第２の筐体が、前記第２の接地導体に電気的に接続されて、前記第１の筐体と前記第２の筐体は、前記マイクロストリップ線路の絶縁性基板を挟んで固定されている、同軸マイクロストリップ線路変換回路。
5. 前記マイクロストリップ線路を有する絶縁性基板は、多層基板である、請求項４に記載の同軸マイクロストリップ線路変換回路。
6. 前記導波管の管軸方向の両端部は、短絡構造である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の同軸マイクロストリップ線路変換回路。
7. 前記ストリップ線路の突出部の先端は、Ｔ字型形状である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の同軸マイクロストリップ線路変換回路。
8. 前記中心導体の突出部の先端に、前記中心導体を径方向に太くした形状を有する円盤を備えた、請求項１〜４のいずれか１項に記載の同軸マイクロストリップ線路変換回路。

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