JP2020043030A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
すなわち、特許文献1〜4の装置は、給電線とアンテナとが繋がっているので、各部品において熱膨張による変位が生じる。その結果、特許文献5の段落番号「0010」にも記載されているように、マイクロ波のモードが不安定になり、プラズマの不均一を招く。特許文献5の装置は、給電線とアンテナとが物理的に非接触であるので、熱膨張による変位を弾性体が吸収することができる。しかし、特許文献5の装置では、弾性体を介して給電線とアンテナとを電気的に接続するので、必ず弾性体を設けなければならず、装置が製作しにくくなるという主たる課題がある。
すなわち、本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、マイクロ波によるプラズマ処理を行うマイクロ波プラズマ処理装置であって、周波数を可変にして特定の周波数のマイクロ波を発振する半導体発振器と、当該半導体発振器から発振したマイクロ波を伝送する同軸ケーブルと、当該同軸ケーブルに電気的に接続された給電線,マイクロ波放射によりプラズマを発生するアンテナ,プラズマ励起ガスを通す誘電体管およびそれらを収容する導体製の筐体からなる共振器とを備え、前記給電線と前記アンテナとが物理的に非接触であって、共振周波数のときのみ前記給電線を介して前記半導体発振器が前記アンテナに磁界結合されるように構成されたものである。
図1は、実施例に係るマイクロ波プラズマ処理装置の概略図であり、図2は、放電管を十字型に開口したときの共振器の概略図であって、図2(a)は、共振器の平面図であり、図2(b)は、図2(a)のA−A矢視断面図であり、図3は、放電管を楕円形状に開口し、アンテナの先端を楕円形状としたときの共振器の概略図であって、図3(a)は、共振器の平面図であり、図3(b)は、図3(a)のB−B矢視断面図であり、図4は、放電管を楕円形状に開口し、アンテナの先端を楕円形状としたときの共振器を複数並べたライン型マイクロ波プラズマ処理装置の平面図である。なお、図1では、同軸コネクタを除く共振器のみ断面図で図示する。
例えば、図2に示すように放電管43を十字型に開口してもよい。図2の場合には、十字型の開口を通して、アンテナ42から発生したプラズマを十字形状にすることができる。また、図3に示すように放電管43を楕円形状に開口し、アンテナ42の先端を楕円形状としてもよい。図3の場合には、アンテナ42の楕円形状の先端から発生したプラズマを、楕円形状の開口を通して楕円形状にすることができる。
・放電管43からのプラズマ噴出(プラズマジェット)の強度を、電力だけでなく、アンテナ42の共振特性を利用して半導体発振器2の周波数調整により変化させることができる。
・発熱による損傷が少ない。発熱は主にアンテナ42の先端部であるが、放電管43の内部とアンテナ42との間の空間に対してプラズマ励起ガスを流しているので、当該プラズマ励起ガスの吹き付けによって冷却することが可能である。
・長時間のプラズマの点灯が可能である。なお、10分程度のプラズマ点灯の実績が確認されている。
・共振器4におけるリアクタ(reactor)内部(主に給電線41やアンテナ42や放電管43)も簡易な構成であるので、装置のメンテナンス性に優れている。給電線41とアンテナ42とが物理的に非接触であることによる非接触給電の場合、各部品(給電線41,アンテナ42,放電管43)が分解可能な構造であり、各部品の交換が容易である。
・放電管43の開口部を直径1mm(Φ1mm)以下にすると、Φ1mm以下のプラズマを発生することができる。したがって、ブラインド・ビア・ホール(BVH: Blind Via Hole)やスルーホール・ビア(THV: Through Hole Via)のような基板加工時に発生するスミア除去や樹脂材の切断加工時に発生するバリ取りなど微小な領域に対する処理に活用することができる。
ここで、「スミア」とは、多層基板のドリル工程で、樹脂が溶けてスルホール内部に付着したものである。スミアを除去せずにそのままスルーホールメッキをすると表層と内層パターンとの導通がとれなくなる。そこで、メッキ前にスミア除去を行う。「バリ取り」とは、樹脂や金属の加工時に発生する不要な突起を研磨する作業のことである。
2 … 半導体発振器
3 … 同軸ケーブル
4 … 共振器
41 … 給電線
42 … アンテナ
43 … 放電管
44 … 外部導体
5 … 検波器
6 … コントローラ
Claims (3)
- マイクロ波によるプラズマ処理を行うマイクロ波プラズマ処理装置であって、
周波数を可変にして特定の周波数のマイクロ波を発振する半導体発振器と、
当該半導体発振器から発振したマイクロ波を伝送する同軸ケーブルと、
当該同軸ケーブルに電気的に接続された給電線,マイクロ波放射によりプラズマを発生するアンテナ,プラズマ励起ガスを通す誘電体管およびそれらを収容する導体製の筐体からなる共振器と
を備え、
前記給電線と前記アンテナとが物理的に非接触であって、
共振周波数のときのみ前記給電線を介して前記半導体発振器が前記アンテナに磁界結合されるように構成された
マイクロ波プラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のマイクロ波プラズマ処理装置において、
前記共振器の反射電力を測定する検波器と、
周波数を掃引しながら得られた前記検波器による反射電力の測定結果から、プラズマ着火時の周波数になるように前記半導体発振器を制御する制御手段と
を備えた
マイクロ波プラズマ処理装置。 - 請求項2に記載のマイクロ波プラズマ処理装置において、
前記検波器によって反射電力を測定し、プラズマ着火時の反射電力が極小となる周波数になるように前記制御手段は前記半導体発振器を制御する
マイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
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JP2018171481A JP7093552B2 (ja) | 2018-09-13 | 2018-09-13 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
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JP2020043030A true JP2020043030A (ja) | 2020-03-19 |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004172044A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-06-17 | Aet Japan:Kk | マイクロ波プラズマ発生装置 |
JP2010192421A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Pohang Univ Of Science & Technology Academy-Industry Cooperation | マイクロ波励起マイクロプラズマ生成のための携帯用電力供給装置 |
WO2016002590A1 (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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