WO2020017047A1 - 蒸着装置 - Google Patents

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WO2020017047A1
WO2020017047A1 PCT/JP2018/027373 JP2018027373W WO2020017047A1 WO 2020017047 A1 WO2020017047 A1 WO 2020017047A1 JP 2018027373 W JP2018027373 W JP 2018027373W WO 2020017047 A1 WO2020017047 A1 WO 2020017047A1
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WO
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opening
vapor deposition
nozzle
deposition apparatus
conduction
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PCT/JP2018/027373
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English (en)
French (fr)
Inventor
裕士 今田
優人 塚本
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition apparatus for forming a film on a substrate.
  • Display devices having OLEDs (Organic Light Emitting Diodes), inorganic light emitting diodes or QLEDs (Quantum dot Light Emitting Diodes) have been developed.
  • Display devices equipped with such devices have been receiving a great deal of attention because they can achieve low power consumption, thinness, high image quality, and the like.
  • a large-sized mother substrate which is a large-area substrate, is often used as a substrate from the viewpoint of increasing the size of a display screen and suppressing manufacturing costs.
  • a line source deposition source also referred to as a linear source deposition source
  • Scan deposition is performed in which one of a substrate and a line source vapor deposition source is scanned with respect to the other while performing vapor deposition (for example, see Patent Document 1 below).
  • the conventional vapor deposition apparatus as described above is provided with a quartz oscillator for measuring the deposition rate of the evaporated particles, and the quartz oscillator is caused to fly the evaporated particles from a nozzle and adhere thereto. The deposition process was performed accurately while monitoring the deposition rate.
  • the accuracy of detecting the vapor deposition rate may be reduced.
  • the vapor deposition particles may be deposited in a part of the path from the nozzle to the quartz oscillator.
  • the vapor deposition particles cannot be appropriately attached to the crystal resonator due to the vapor deposition particles deposited in the middle of the path from the nozzle to the crystal resonator. That is, a smaller amount of vapor-deposited particles than the amount of vapor-deposited particles to be originally adhered to the crystal unit may cause a reduction in the accuracy of detecting the vapor-deposition rate.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and provides a vapor deposition apparatus capable of preventing a decrease in the accuracy of detecting a vapor deposition rate even when performing a vapor deposition process continuously for a long time.
  • the purpose is to:
  • the vapor deposition device of the present invention in order to solve the above problems, An evaporation source having a plurality of nozzles for injecting evaporation particles, and a crystal oscillator for measuring the evaporation rate of the evaporation particles, a deposition apparatus that performs film formation on a substrate, A first nozzle that is provided between a first nozzle, which is a part of the plurality of nozzles, and the quartz oscillator, and that guides the vapor-deposited particles from the first nozzle to the quartz oscillator; Pipe section, A deposition prevention plate for preventing the deposition particles from flying to a film formation unnecessary area, The first nozzle side of the pipe portion is connected to the deposition prevention plate, A second conduction opening is formed in the attachment-preventing plate, At least a part of the second conduction opening is larger than the first conduction opening.
  • the vapor deposition apparatus can prevent the accuracy of detecting the vapor deposition rate from lowering even when the vapor deposition processing is continuously performed for a long time.
  • a vapor deposition apparatus capable of preventing a decrease in the accuracy of detecting a vapor deposition rate even when a vapor deposition process is continuously performed for a long time.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a schematic configuration of a deposition-preventing plate provided in a vapor deposition device of Embodiment 3.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a schematic configuration of a deposition-preventing plate and a revolver-type crystal resonator provided in a vapor deposition apparatus of Embodiment 5. It is a figure for explaining a problem of a vapor deposition device of a comparative example.
  • FIG. 1A is a diagram illustrating a schematic configuration of the vapor deposition device 3
  • FIG. 1B is a diagram illustrating a schematic configuration of a deposition prevention plate 6 provided in the vapor deposition device 3.
  • a vapor deposition apparatus 3 includes a line source vapor deposition source 1 having a plurality of nozzles 1S and 2N for ejecting vapor deposition particles, and a vapor deposition of the vapor deposition particles.
  • the line source evaporation source 1 includes first and second nozzles 5S and 5N for ejecting evaporation particles in a line shape in a direction perpendicular to the scanning direction of the line source evaporation source 1 (the left-right direction in the drawing). They are provided in a line.
  • first and second nozzles 5S and 5N for ejecting evaporation particles in a line shape in a direction perpendicular to the scanning direction of the line source evaporation source 1 (the left-right direction in the drawing). They are provided in a line.
  • an FMM Feine Metal Mask
  • the vapor deposition particles ejected from the plurality of first nozzles 5S and the second nozzles 5N of the line source vapor deposition source 1 form a vapor deposition film of a predetermined pattern on the substrate 52 through a mask opening of a vapor deposition mask (not shown). Filmed.
  • first nozzle 5S and the second nozzle 5N for ejecting the vapor deposition particles are provided in a line in a line.
  • the present invention is not limited thereto. May be provided in a plurality of rows.
  • the line source deposition source 1 includes a crucible 4 in which a deposition material is stored, and a first nozzle 5S and a second nozzle 5N from which the heated deposition material flies out are disposed on the top surface of the crucible 4. Have been.
  • the line source vapor deposition source 1 further includes a deposition preventing plate 6.8 for preventing the vapor deposition material from flying to a film unnecessary area, and angle limiting plates 9 and 10 for restricting a flight angle of the vapor deposition material. I have.
  • the vapor deposition device 3 includes the quartz oscillator 2 for measuring the vapor deposition rate of the vapor deposition particles.
  • the deposition-preventing plate 6 adjacent to the crystal unit 2 is provided between the first nozzle 5S, which is a part of the plurality of nozzles, and the crystal unit 2, and the first unit 5 Is provided with a tube portion 7 having a first conduction opening 7K for guiding the vapor deposition particles.
  • the first nozzle 5S is a nozzle arranged in the vicinity of the crystal unit 2, and in the present embodiment, the first nozzle 5S is formed to be inclined toward the crystal unit 2, but is not limited thereto. None. In this way, by forming the first nozzle 5S inclined toward the quartz oscillator 2, the deposited particles can be reliably attached to the quartz oscillator 2.
  • the second nozzle 5N is a nozzle arranged at a position farther from the crystal unit 2 than the first nozzle 5S.
  • a plurality of (three in the present embodiment) perforated sheets 12 provided with a plurality of (three in this embodiment) perforated plates 6 adjacent to the crystal unit 2. 13 and 14 and a connecting member 11 for connecting the perforated sheets 12, 13 and 14 and the pipe 7.
  • the perforated sheet 12 has one opening 12K
  • the perforated sheet 13 has one opening 13K
  • the perforated sheet 14 has one opening 14K.
  • these three openings 12K, 13K, and 14K constitute a second conduction opening DK.
  • the attachment-preventing plate 6 includes the perforated sheet 12 disposed on the tube portion 7 side, the perforated sheet 14 disposed on the first nozzle 5S side, and the perforated sheet 12 and the perforated sheet 14. And a perforated sheet 13 arranged. Further, in the attachment-preventing plate 6, the openings 11K, 12K, 13K, and 14K of the connection member 11 are arranged so as to overlap.
  • the perforated sheets 12, 13, and 14 and the connecting member 11 having the opening 11K are closely arranged in an airtight manner, and the pipe 7 is inserted into the opening 11K of the connecting member 11 so that the pipe 7 is inserted. And the attachment-preventing plate 6 can be connected in an airtight manner.
  • the case where three perforated sheets 12, 13, and 14 are used has been described as an example.
  • the present invention is not limited to this, and the number of perforated sheets to be used is one or The number may be two or four or more.
  • the case where one opening 12K, 13K, 14K is provided in each of the three perforated sheets 12, 13, 14 is described as an example, but the present invention is not limited to this.
  • the number of openings formed per sheet can be determined as appropriate.
  • the perforated sheets 12, 13 and 14 may be, for example, metal sheets punched for perforation.
  • the vapor deposition device 3 since at least a part of the second conduction opening DK is larger than the first conduction opening 7K, it is possible to prevent the second conduction opening DK from being easily narrowed by the deposits 25a and 25b of the deposition particles. it can. Therefore, the vapor deposition device 3 can prevent the detection accuracy of the vapor deposition rate from being lowered even when the vapor deposition process is continuously performed for a long time.
  • the opening 13K of the perforated sheet 13 is increased. Is larger than the size of the opening 12K of the perforated sheet 12, and the size of the opening 14K of the perforated sheet 14 is the size of the opening 12K of the perforated sheet 12 and the size of the opening 13K of the perforated sheet 13. It was formed larger than the size. Therefore, the second conduction opening DK is formed wider from the tube portion 7 side to the first nozzle 5S side, and is formed in a stepped shape.
  • the present embodiment the case has been described as an example where the width of the second conduction opening DK is gradually increased as going from the tube portion 7 side to the first nozzle 5S side.
  • the present invention is not limited to this as long as the surface area of the two conduction openings DK can be increased.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a problem of the vapor deposition apparatus of the comparative example.
  • the pipe portion 7 having the first conduction opening 7K is inserted into the opening 61K of the connection member 61 serving as the deposition-preventing plate, and the pipe portion 7 and the connection member 61 serving as the deposition-preventing plate are connected. It is airtightly connected.
  • the opening 61K that guides the vapor-deposited particles formed on the connection member 61, which is the adhesion-preventing plate, to the first conduction opening 7K is connected to the vapor-deposited particles.
  • the attachments 62a and 62b attached to the periphery of the opening 61K of the member 61 easily narrow the member 61.
  • the amount of the vapor deposition particles adhering to the crystal unit 2 is significantly reduced with the elapse of use time as compared with the initial stage of use. It is difficult to perform monitoring with high accuracy.
  • the surface area of the second conduction opening DK is equal to the surface area of the connection member 61 which is the adhesion preventing plate illustrated in FIG. It is larger than the surface area of the opening 61. Therefore, in the case of the vapor deposition device 3 shown in FIGS. 1A and 1B, the vapor deposition process was continuously performed for a longer time than in the case of the vapor deposition device shown in FIG. Even in this case, it is possible to prevent the detection accuracy of the deposition rate from being lowered.
  • the tube portion 7 is formed of a cylindrical member, and the first conductive opening 7K is also formed in a cylindrical shape, and the opening 11K and the second conductive opening DK are formed according to this shape.
  • the case where the opening 12K, the opening 13K, and the opening 14K are formed as circular openings will be described as an example.
  • the shape of the tube portion 7, the shape of the first conduction opening 7K, the shape of the opening 11K, and the second The shape of the opening 12K, the shape of the opening 13K, and the shape of the opening 14K constituting the conduction opening DK are not limited to these.
  • the three perforated sheets 12, 13, and 14 included in the attachment-preventing plate 6 can be individually separated, so that they can be replaced one by one as needed.
  • the size of one crystal unit 2 and the size of the first conduction opening 7K in the tube 7 are formed to be equal, but the invention is not limited to this.
  • the vapor deposition apparatus 3 ′ of the present embodiment is provided with a revolver-type quartz resonator 50 in which a plurality of quartz oscillators 51 a to 51 l are rotatably arranged with respect to the tube 7.
  • the other components are the same as those described in the first embodiment.
  • members having the same functions as those shown in the drawings of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • FIG. 2A is a diagram illustrating a schematic configuration of a vapor deposition device 3 ′
  • FIG. 2B is a diagram illustrating a schematic configuration of a revolver-type crystal resonator 50 provided in the vapor deposition device 3 ′. is there.
  • quartz oscillators 51 a to 51 l are arranged rotatably with respect to the tube 7.
  • the revolver type quartz oscillator 50 twelve quartz oscillators 51a to 51l are arranged along the circumference, and vapor deposition emitted from the tube portion 7 is applied to each of the quartz oscillators 51a to 51l.
  • the deposition rate is detected by changing the vibration frequency as particles are deposited (laminated). Further, for example, when an undetectable amount of vapor-deposited particles adheres to the crystal unit 51a, the adjacent crystal unit 51b is arranged on the circumference so as to face the tube part 7, that is, the revolver is arranged in the direction of the arrow in the drawing.
  • the quartz crystal resonator 50 is rotated to detect the deposition rate.
  • the deposition rate can be detected for a longer time without replacing the crystal unit.
  • the revolver-type crystal unit 50 includes twelve crystal units 51a to 51l has been described as an example.
  • the number of crystal units included in the element may be 2 or more and less than 12, or may be 13 or more.
  • the second conduction opening DK 'in the deposition-preventing plate 21 provided in the vapor deposition apparatus of the present embodiment is different from the first and second embodiments in that the second conduction opening DK' is uneven, and the other parts are described in the first and second embodiments. It is as follows. For convenience of explanation, members having the same functions as the members shown in the drawings of Embodiments 1 and 2 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.
  • FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of the deposition-preventing plate 21 provided in the vapor deposition apparatus of the third embodiment.
  • a plurality of (five in this embodiment) perforated sheets 22, 23, 24 on which a plurality of (five in the present embodiment) perforations are formed are provided on the deposition-inhibiting plate 21 adjacent to the crystal unit 2.
  • the perforated sheet 22 has one opening 22K
  • the perforated sheet 23 has one opening 23K
  • the perforated sheet 24 has one opening 24K.
  • One opening 25K is formed in the sheet 25, and one opening 26K is formed in the perforated sheet 26, and these five perforated sheets 22, 23, 24, 25, and 26 are brought into close contact with each other.
  • these five openings 22K, 23K, 24K, 25K, 26K constitute a second conduction opening DK '.
  • the openings 11K, 22K, 23K, 24K, 25K, and 26K of the connection member 11 are arranged so as to overlap.
  • the perforated sheets 22, 23, 24, 25, and 26 and the connecting member 11 having the opening 11K are closely arranged in an air-tight manner, and the pipe 7 is inserted into the opening 11K of the connecting member 11. ,
  • the pipe portion 7 and the deposition-preventing plate 21 can be airtightly connected.
  • the size of the opening 23K is set to increase the surface area of the second conduction opening DK 'for guiding the vapor deposition particles from the first nozzle 5S to the first conduction opening 7K of the tube portion 7.
  • the size of the opening 22K is smaller than the size of the opening 23K
  • the size of the opening 24K is larger than the size of the opening 23K
  • the size of the opening 25K is smaller than the size of the opening 24K
  • the size of the opening 26K is the size of the opening 25K.
  • the second conductive opening DK ′ for guiding the vapor-deposited particles to the first conductive opening 7K was formed in an uneven shape. Note that the shape of the openings 22K, 23K, 24K, 25K, and 26K is limited to the shape shown in FIG. Not done.
  • the surface area of the second conduction opening DK 'in the deposition-preventing plate 21 shown in FIG. 3 is larger than the surface area of the opening 61K of the connection member 61 in the case of the vapor deposition apparatus of the comparative example shown in FIG. Therefore, the vapor deposition apparatus provided with the deposition-preventing plate 21 shown in FIG. 3 can prevent the detection accuracy of the vapor deposition rate from lowering even when the vapor deposition processing is continuously performed for a long time.
  • the case where five perforated sheets 22, 23, 24, 25, and 26 are used has been described as an example.
  • the present invention is not limited to this, and the number of perforated sheets to be used is as follows. If the second conductive opening DK ′ can be formed in an uneven shape, it can be determined appropriately.
  • the case where one opening 22K, 23K, 24K, 25K, 26K is provided in each of the five perforated sheets 22, 23, 24, 25, 26 has been described as an example.
  • the present invention is not limited to this, and the number of openings to be formed per sheet can be determined as appropriate.
  • the perforated sheets 22, 23, 24, 25, and 26 may be, for example, metal sheets punched for perforation.
  • the tube portion 7 is formed of a cylindrical member, and the first conductive opening 7K is also formed in a cylindrical shape, and the opening 11K and the second conductive opening DK ′ are formed in accordance with this shape.
  • the opening 22K, the opening 23K, the opening 24K, the opening 25K, and the opening 26K to be formed will be described by way of example as a circular opening, but the shape of the tube portion 7, the shape of the first conduction opening 7K, and the opening
  • the second conduction opening 30K in the deposition-preventing plate 31 provided in the vapor deposition apparatus of the present embodiment is different from the first to third embodiments in that the second conduction opening 30K is formed of one perforated sheet 30. 3 as described above.
  • members having the same functions as the members shown in the drawings of Embodiments 1 to 3 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.
  • FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of the deposition-inhibiting plate 31 provided in the vapor deposition apparatus of the fourth embodiment.
  • the second conduction opening 30K in the deposition-preventing plate 31 is formed of one perforated sheet 30, and guides the vapor deposition particles provided in the deposition-preventing plate 31 to the first conduction opening 7K.
  • Second conductive opening 30 ⁇ / b> K is an opening of one perforated sheet 30.
  • the second conduction opening 30K for guiding the vapor deposition particles provided on the deposition-inhibiting plate 31 to the first conduction opening 7K, that is, the opening of one perforated sheet 30 is provided by the first nozzle 5S from the pipe portion 7 side. On the side, it is widely formed.
  • the second conduction opening 30K that is, the opening of one perforated sheet 30 is formed in a tapered shape.
  • the present invention is not limited to this. None.
  • the opening 11K of the connection member 11 and the second conduction opening 30K that is, the opening of one perforated sheet 30 are arranged so as to overlap.
  • the perforated sheet 30 and the connection member 11 having the opening 11K are closely arranged in an airtight manner, and the pipe portion 7 is inserted into the opening 11K of the connection member 11, thereby preventing the pipe portion 7 from adhering.
  • the board 31 can be airtightly connected.
  • the surface area of the second conduction opening 30K illustrated in FIG. 4 is larger than the surface area of the opening 61K of the connection member 61 in the case of the vapor deposition apparatus as the comparative example illustrated in FIG. Therefore, the vapor deposition apparatus provided with the deposition preventing plate 31 shown in FIG. 4 can prevent the accuracy of detecting the vapor deposition rate from lowering even when the vapor deposition processing is continuously performed for a long time.
  • the second conduction opening DK ′′ including the opening 31K, the opening 32K, and the opening 33K is formed from the upper side of the first conduction path 7K to the first conduction opening 7K.
  • the fourth embodiment is different from the first to fourth embodiments in that the lower side is formed larger, and the others are as described in the first to fourth embodiments.
  • members having the same functions as the members shown in the drawings of Embodiments 1 to 4 are given the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.
  • FIG. 5 is a view showing a schematic configuration of the deposition-preventing plate 40 provided in the vapor deposition apparatus of the fifth embodiment.
  • the opening 31 ⁇ / b> K is formed in consideration of the fact that the deposition particles are more likely to adhere (accumulate) below the protection plate 40 than above the protection plate 40.
  • the second conductive opening DK ′′ including the opening 32K and the opening 33K is formed such that the area above the first conductive path 7K and the area below the first conductive opening 7K are larger.
  • a plurality of (three in this embodiment) perforated sheets 31 and 32 on which a plurality of (three in this embodiment) perforations are formed are provided on the deposition-preventing plate 40 adjacent to the revolver-type quartz resonator 50. 33, and a connecting member 11 for connecting the perforated sheets 31, 32, 33 and the pipe section 7.
  • the perforated sheet 31 has one opening 31K
  • the perforated sheet 32 has one opening 32K
  • the perforated sheet 33 has one opening 33K.
  • these three openings 31K, 32K, and 33K constitute a second conduction opening DK ''.
  • the opening 11K, the opening 31K, the opening 32K, and the opening 33K of the connecting member 11 are arranged so as to overlap.
  • the perforated sheets 31, 32, and 33 and the connecting member 11 having the opening 11K are closely arranged in an airtight manner, and the pipe 7 is inserted into the opening 11K of the connecting member 11, whereby the pipe 7 is inserted.
  • the attachment-preventing plate 40 can be airtightly connected.
  • the surface area of the second conduction opening DK ′′ illustrated in FIG. 5 is larger than the surface area of the opening 61K of the connection member 61 in the case of the vapor deposition apparatus that is the comparative example illustrated in FIG. Therefore, the vapor deposition apparatus provided with the anti-adhesion plate 40 shown in FIG. 5 can prevent the detection accuracy of the vapor deposition rate from lowering even when the vapor deposition processing is continuously performed for a long time.
  • the case where three perforated sheets 31, 32, and 33 are used has been described as an example.
  • the present invention is not limited to this, and the number of perforated sheets to be used is one or The number may be two or four or more.
  • the case where one opening 31K, 32K, 33K is provided in each of the three perforated sheets 31, 32, 33 has been described as an example, but the present invention is not limited to this.
  • the number of openings formed per sheet can be determined as appropriate.
  • the perforated sheets 31, 32, and 33 may be, for example, metal sheets punched for perforation.
  • An evaporation source having a plurality of nozzles for injecting evaporation particles, and a crystal oscillator for measuring the evaporation rate of the evaporation particles, a deposition apparatus that performs film formation on a substrate, A first nozzle that is provided between a first nozzle, which is a part of the plurality of nozzles, and the quartz oscillator, and that guides the vapor-deposited particles from the first nozzle to the quartz oscillator; Pipe section, A deposition prevention plate for preventing the deposition particles from flying to a film formation unnecessary area, The first nozzle side of the pipe portion is connected to the deposition prevention plate, A second conduction opening is formed in the attachment-preventing plate, At least a part of the second conduction opening is larger than the first conduction opening.
  • the plurality of nozzles include the first nozzle arranged near the crystal oscillator, and at least one second nozzle arranged at a position farther than the first nozzle from the crystal oscillator,
  • the adhesion-preventing plate includes a perforated sheet on which a plurality of perforations are performed, Each of the plurality of perforated sheets has an opening,
  • the adhesion-preventing plate includes a perforated sheet subjected to one perforation process,
  • the second conduction opening is constituted by an opening of the one perforated sheet,
  • the pipe portion is constituted by a cylindrical member, The vapor deposition apparatus according to aspect 1, wherein a circular opening is formed as the second conduction opening in the adhesion preventing plate.
  • the present invention can be used for a vapor deposition device.

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Abstract

ラインソース蒸着源(1)と、水晶振動子(2)とを備えた蒸着装置(3)であって、第1ノズル(5S)から水晶振動子(2)に蒸着粒子を導く第1導通開口(7K)を有する管部(7)と、防着板(6・8)とを備え、管部(7)の第1ノズル(5S)側は、防着板(6)に接続されており、防着板(6)には、第2導通開口(DK)が形成されており、第2導通開口(DK)の少なくとも一部は、第1導通開口(7K)より大きい。

Description

蒸着装置
 本発明は、基板に対して成膜を行う蒸着装置に関する。
 近年、さまざまな表示デバイスが開発されており、特に、OLED(Organic Light Emitting Diode:有機発光ダイオード)を備えた表示デバイスや、無機発光ダイオードまたはQLED(Quantum dot Light Emitting Diode:量子ドット発光ダイオード)を備えた表示デバイスは、低消費電力化、薄型化および高画質化などを実現できる点から、高い注目を浴びている。
 このような表示デバイスの製造工程においては、表示画面の大型化、製造コストの抑制、等の観点から、多くの場合、基板として、大面積基板である大型のマザー基板が用いられる。このような大型の基板に蒸着膜の成膜を行う場合、ラインソース蒸着源(リニアソース蒸着源とも称する)を使用し、基板とラインソース蒸着源との相対位置を変化させることにより、例えば、基板及びラインソース蒸着源の何れか一方を他方に対して走査しながら蒸着を行うスキャン蒸着が行われる(例えば、下記特許文献1参照)。
日本国公開特許公報「特開2014‐077193号」公報(2014年05月01日公開)
 ところで、前記のような従来の蒸着装置は、蒸着粒子の蒸着レートを測定するための水晶振動子を備えており、当該水晶振動子に対し、ノズルから蒸着粒子を飛翔させて付着させることによって、蒸着レートをモニタリングしながら、蒸着処理を精度よく行うようになっていた。
 しかしながら、前記のような従来の蒸着装置では、蒸着レートの検出精度が低下することがあった。特に、前記のような従来の蒸着装置では、長時間、蒸着処理を連続的に行った場合に、ノズルから水晶振動子に至る経路の途中部分に蒸着粒子が堆積されることがあった。このため、従来の蒸着装置では、ノズルから水晶振動子に至る経路の途中部分に堆積された蒸着粒子に起因して、水晶振動子に適切に蒸着粒子を付着することができない。すなわち、水晶振動子に、本来、付着されるべき蒸着粒子の量より少ない量の蒸着粒子が付着され、蒸着レートの検出精度の低下を招いてしまうことがあった。
 本発明は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、長時間、蒸着処理を連続的に行った場合でも、蒸着レートの検出精度が低下するのを防ぐことができる蒸着装置を提供することを目的とする。
 本発明の蒸着装置は、前記の課題を解決するために、
 蒸着粒子を射出する複数のノズルを有する蒸着源と、前記蒸着粒子の蒸着レートを測定するための水晶振動子と、を備え、基板に対して成膜を行う蒸着装置であって、
 前記複数のノズル中の一部のノズルである第1ノズルと前記水晶振動子との間に設けられ、かつ、前記第1ノズルから前記水晶振動子に前記蒸着粒子を導く第1導通開口を有する管部と、
 成膜不要領域への前記蒸着粒子の飛翔を防止する防着板と、を備え、
 前記管部の前記第1ノズル側は、前記防着板に接続されており、
 前記防着板には、第2導通開口が形成されており、
 前記第2導通開口の少なくとも一部は、前記第1導通開口より大きい。
 前記蒸着装置は、長時間、蒸着処理を連続的に行った場合でも、蒸着レートの検出精度が低下するのを防ぐことができる。
 本発明の一態様によれば、長時間、蒸着処理を連続的に行った場合でも、蒸着レートの検出精度が低下するのを防ぐことができる蒸着装置を提供できる。
(a)は、実施形態1の蒸着装置の概略構成を示す図であり、(b)は、実施形態1の蒸着装置に備えられた防着板の概略構成を示す図である。 (a)は、実施形態2の蒸着装置の概略構成を示す図であり、(b)は、実施形態2の蒸着装置に備えられたレボルバー型水晶振動子の概略構成を示す図である。 実施形態3の蒸着装置に備えられた防着板の概略構成を示す図である。 実施形態4の蒸着装置に備えられた防着板の概略構成を示す図である。 実施形態5の蒸着装置に備えられた防着板及びレボルバー型水晶振動子の概略構成を示す図である。 比較例の蒸着装置の問題点を説明するための図である。
 本発明の実施の形態について図1から図6に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。
 〔実施形態1〕
 図1(a)は、蒸着装置3の概略構成を示す図であり、図1の(b)は、蒸着装置3に備えられた防着板6の概略構成を示す図である。
 図1の(a)に図示するように、蒸着装置3は、蒸着粒子を射出する複数のノズルである第1ノズル5S及び第2ノズル5Nを有するラインソース蒸着源1と、前記蒸着粒子の蒸着レートを測定するための水晶振動子2と、を備え、基板52に対して成膜を行う蒸着装置である。
 ラインソース蒸着源1には、蒸着粒子を射出する第1ノズル5S及び第2ノズル5Nが、ラインソース蒸着源1の走査方向に直交する方向(図中の左右方向)に沿って、ライン状に一列で設けられている。そして、例えば、カラー表示を行う表示デバイスを製造するためには、発光色が異なる発光層を、画素毎に塗り分ける必要がある。このとき、高精細化のためには、図示していない蒸着マスクとして、高精度なマスク開口が設けられたFMM(Fine Metal Mask;ファインメタルマスク)が使用される。ラインソース蒸着源1の複数の第1ノズル5S及び第2ノズル5Nから射出された蒸着粒子は、図示していない蒸着マスクのマスク開口を介して、基板52に、所定のパターンの蒸着膜として成膜される。
 本実施形態においては、蒸着粒子を射出する第1ノズル5S及び第2ノズル5Nを、ライン状に一列で設けた場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、蒸着粒子を射出する第1ノズル5S及び第2ノズル5Nは、複数列で設けてもよい。
 ラインソース蒸着源1は、蒸着材料が格納された坩堝4を含み、坩堝4の天面には、加熱された前記蒸着材料が飛翔して出てくる第1ノズル5S及び第2ノズル5Nが配置されている。
 ラインソース蒸着源1は、さらに、成膜不要領域への前記蒸着材料の飛翔防止用の防着板6・8と、前記蒸着材料の飛翔角度を制限する角度制限板9・10とを備えている。
 そして、蒸着装置3は、前記蒸着粒子の蒸着レートを測定するための水晶振動子2を備えている。水晶振動子2に隣接する防着板6には、複数のノズル中の一部である第1ノズル5Sと水晶振動子2との間に設けられ、かつ、第1ノズル5Sから水晶振動子2に前記蒸着粒子を導く第1導通開口7Kを有する管部7が備えられている。
 第1ノズル5Sは、水晶振動子2の近傍に配置されたノズルであり、本実施形態においては、第1ノズル5Sを水晶振動子2に向けて傾けて形成しているが、これに限定されることはない。このように、第1ノズル5Sを水晶振動子2に向けて傾けて形成することで、水晶振動子2により確実に蒸着粒子を付着できる。なお、第2ノズル5Nは、水晶振動子2から第1ノズル5Sよりも離れた位置に配置されたノズルである。
 図1の(b)に図示しているように、水晶振動子2に隣接する防着板6は、複数枚(本実施形態においては3枚)の孔開け加工が施された孔開きシート12・13・14と、孔開きシート12・13・14と管部7とを接続するための接続部材11とを含む。
 孔開きシート12には一つの開口12Kが形成されており、孔開きシート13には一つの開口13Kが形成されており、孔開きシート14には一つの開口14Kが形成されており、これらの3枚の孔開きシート12・13・14を密接して気密に配置したときに、これらの3つの開口12K・13K・14Kが第2導通開口DKを構成する。
 すなわち、防着板6は、管部7側に配置された孔開きシート12と、第1ノズル5S側に配置された孔開きシート14と、孔開きシート12と孔開きシート14との間に配置された孔開きシート13とを備えている。また、防着板6においては、接続部材11の開口11K、開口12K、開口13K及び開口14Kが重畳するように配置されている。
 そして、孔開きシート12・13・14と、開口11Kを有する接続部材11とを密接して気密に配置するとともに、接続部材11の開口11K内に管部7を挿入することで、管部7と、防着板6とを気密に接続できる。
 本実施形態においては、3枚の孔開きシート12・13・14を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、用いる孔開きシートの枚数は、1枚または、2枚であっても、4枚以上であってもよい。また、本実施形態においては、3枚の孔開きシート12・13・14のそれぞれに、一つの開口12K・13K・14Kを設けた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、1枚当たりに形成する開口の数などは適宜決定することができる。なお、孔開きシート12・13・14は、例えば、孔開けのためにパンチングされたメタルシートなどであってもよい。
 蒸着装置3においては、第2導通開口DKの少なくとも一部が第1導通開口7Kより大きいので、第2導通開口DKが、蒸着粒子の付着物25a・25bにより容易に狭められてしまうのを抑制できる。したがって、蒸着装置3は、長時間、蒸着処理を連続的に行った場合でも、蒸着レートの検出精度が低下するのを防ぐことができる。
 また、本実施形態においては、第1ノズル5Sからの蒸着粒子を、管部7の第1導通開口7Kに導くための第2導通開口DKの表面積を増加させるため、孔開きシート13の開口13Kの大きさは、孔開きシート12の開口12Kの大きさより大きく形成し、孔開きシート14の開口14Kの大きさは、孔開きシート12の開口12Kの大きさ及び孔開きシート13の開口13Kの大きさより大きく形成した。したがって、第2導通開口DKは、管部7側より第1ノズル5S側において、広く形成されているとともに、階段状に形成されている。
 本実施形態においては、第2導通開口DKが、管部7側から第1ノズル5S側に行く程、その広さが段階的に大きくなるようにした場合を一例に挙げて説明したが、第2導通開口DKの表面積を増加できるのであれば、これに限定されることはない。
 図6は、比較例の蒸着装置の問題点を説明するための図である。
 図6に図示する蒸着装置の場合、第1導通開口7Kを有する管部7が防着板である接続部材61の開口61Kに挿入され、管部7と防着板である接続部材61とが気密に接続されている。しかしながら、このような構成の場合、比較的短時間の蒸着によっても、防着板である接続部材61に形成された前記蒸着粒子を第1導通開口7Kに導く開口61Kが、前記蒸着粒子の接続部材61の開口61K周辺部分への付着物62a・62bにより容易に狭められてしまう。
 したがって、図6に図示する蒸着装置の場合、使用初期に比べると、使用時間の経過に伴い、水晶振動子2へ付着する前記蒸着粒子の量が著しく減少するため、前記蒸着粒子の蒸着レートのモニタリングを精度高く行うのは困難である。
 以上のように、図1の(a)及び図1の(b)に図示する蒸着装置3においては、第2導通開口DKの表面積は、図6に図示する防着板である接続部材61の開口61の表面積より大きい。したがって、図1の(a)及び図1の(b)に図示する蒸着装置3の場合は、図6に図示する蒸着装置の場合と比較すると、より長時間、蒸着処理を連続的に行った場合でも、蒸着レートの検出精度が低下するのを防ぐことができる。
 なお、本実施形態においては、管部7は、円筒状部材により構成され、第1導通開口7Kも円筒状に形成され、この形状に合わせて、開口11Kと、第2導通開口DKを構成する開口12K、開口13K及び開口14Kとを、円形の開口に形成した場合を一例に挙げて説明するが、管部7の形状及び第1導通開口7Kの形状と、開口11Kの形状と、第2導通開口DKを構成する開口12Kの形状、開口13Kの形状及び開口14Kの形状がこれに限定されることはない。
 また、防着板6に含まれる3枚の孔開きシート12・13・14は、それぞれ個別に分離することができるので、必要に応じて、1枚ずつ交換することができる。
 また、本実施形態においては、1つの水晶振動子2の大きさと、管部7における第1導通開口7Kの大きさとを等しく形成したが、これに限定されることはない。
 〔実施形態2〕
 次に、図2に基づき、本発明の実施形態2について説明する。本実施形態の蒸着装置3’には、複数の水晶振動子51a~51lが、管部7に対して、回転可能に配列されたレボルバー型水晶振動子50が備えられている点において、実施形態1とは異なり、その他については実施形態1において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態1の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
 図2の(a)は、蒸着装置3’の概略構成を示す図であり、図2の(b)は、蒸着装置3’に備えられたレボルバー型水晶振動子50の概略構成を示す図である。
 図示しているように、レボルバー型水晶振動子50には、12個の水晶振動子51a~51lが、管部7に対して、回転可能に配列されている。
 レボルバー型水晶振動子50には、12個の水晶振動子51a~51lが円周上に沿って配置されており、水晶振動子51a~51lの各々に対して、管部7から放出された蒸着粒子が蒸着(積層)していくことで振動周波数が変化することにより蒸着レートを検出するようになっている。また、例えば、水晶振動子51aに検出不可能な量の蒸着粒子が付着すると、円周上で隣の水晶振動子51bが管部7と対向するよう配置、すなわち、図中の矢印方向にレボルバー型水晶振動子50が回転して蒸着レートの検出するようになっている。
 12個の水晶振動子51a~51lを備えたレボルバー型水晶振動子50を備えた蒸着装置3’の場合、1つの水晶振動子2を備えた上述した実施形態1の蒸着装置3と比較すると、水晶振動子を交換することなく、より長時間、蒸着レートの検出を行うことができる。
 なお、本実施形態においては、レボルバー型水晶振動子50が12個の水晶振動子51a~51lを備えた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、レボルバー型水晶振動子が備える水晶振動子の数は、2個以上12個未満であってもよく、13個以上であってもよい。
 〔実施形態3〕
 次に、図3に基づき、本発明の実施形態3について説明する。本実施形態の蒸着装置に備えられた防着板21における第2導通開口DK’は、凹凸状である点において、実施形態1及び2とは異なり、その他については実施形態1及び2において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態1及び2の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
 図3は、実施形態3の蒸着装置に備えられた防着板21の概略構成を示す図である。
 図3に図示しているように、水晶振動子2に隣接する防着板21は、複数枚(本実施形態においては5枚)の孔開け加工が施された孔開きシート22・23・24・25・26と、孔開きシート22・23・24・25・26と管部7とを接続するための接続部材11とを含む。
 孔開きシート22には一つの開口22Kが形成されており、孔開きシート23には一つの開口23Kが形成されており、孔開きシート24には一つの開口24Kが形成されており、孔開きシート25には一つの開口25Kが形成されており、孔開きシート26には一つの開口26Kが形成されており、これらの5枚の孔開きシート22・23・24・25・26を密接して気密に配置したときに、これらの5つの開口22K・23K・24K・25K・26Kが第2導通開口DK’を構成する。
 防着板21においては、接続部材11の開口11K、開口22K、開口23K、開口24K、開口25K及び開口26Kが重畳するように配置されている。
 そして、孔開きシート22・23・24・25・26と、開口11Kを有する接続部材11とを密接して気密に配置するとともに、接続部材11の開口11K内に管部7を挿入することで、管部7と、防着板21とを気密に接続できる。
 防着板21においては、第1ノズル5Sからの蒸着粒子を、管部7の第1導通開口7Kに導くための第2導通開口DK’の表面積を増加させるため、開口23Kの大きさは、開口22Kの大きさより小さく形成し、開口24Kの大きさは、開口23Kの大きさより大きく形成し、開口25Kの大きさは、開口24Kの大きさより小さく形成し、開口26Kの大きさは、開口25Kの大きさより大きく形成し、蒸着粒子を第1導通開口7Kに導く第2導通開口DK’を凹凸状に形成した。なお、蒸着粒子を第1導通開口7Kに導く第2導通開口DK’を凹凸状に形成できるのであれば、開口22K・23K・24K・25K・26Kの形状は、図3に図示した形状に限定されない。
 以上のように、図3に図示する防着板21における第2導通開口DK’の表面積は、図6に図示する比較例である蒸着装置の場合の接続部材61の開口61Kの表面積より大きい。したがって、図3に図示する防着板21を備えた蒸着装置は、長時間、蒸着処理を連続的に行った場合でも、蒸着レートの検出精度が低下するのを防ぐことができる。
 本実施形態においては、5枚の孔開きシート22・23・24・25・26を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、用いる孔開きシートの枚数は、第2導通開口DK’を凹凸状に形成できるのであれば、適宜決定することができる。また、本実施形態においては、5枚の孔開きシート22・23・24・25・26のそれぞれに、一つの開口22K・23K・24K・25K・26Kを設けた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、1枚当たりに形成する開口の数などは適宜決定することができる。なお、孔開きシート22・23・24・25・26は、例えば、孔開けのためにパンチングされたメタルシートなどであってもよい。
 なお、本実施形態においては、管部7は、円筒状部材により構成され、第1導通開口7Kも円筒状に形成され、この形状に合わせて、開口11Kと、第2導通開口DK’を構成する開口22K、開口23K、開口24K、開口25K及び開口26Kとを、円形の開口に形成した場合を一例に挙げて説明するが、管部7の形状及び第1導通開口7Kの形状と、開口11Kの形状と、第2導通開口DK’を構成する開口22Kの形状、開口23Kの形状、開口24Kの形状、開口25Kの形状及び開口26Kの形状がこれに限定されることはない。
 〔実施形態4〕
 次に、図4に基づき、本発明の実施形態4について説明する。本実施形態の蒸着装置に備えられた防着板31における第2導通開口30Kは、1枚の孔開きシート30からなる点において、実施形態1から3とは異なり、その他については実施形態1から3において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態1から3の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
 図4は、実施形態4の蒸着装置に備えられた防着板31の概略構成を示す図である。
 図4に図示しているように、防着板31における第2導通開口30Kは、1枚の孔開きシート30からなり、防着板31に備えられた蒸着粒子を第1導通開口7Kに導くための第2導通開口30Kは、1枚の孔開きシート30の開口である。
 そして、防着板31に備えられた蒸着粒子を第1導通開口7Kに導くための第2導通開口30K、すなわち、1枚の孔開きシート30の開口は、管部7側より第1ノズル5S側において、広く形成されている。
 なお、本実施形態においては、第2導通開口30Kの表面積を増加させるため、第2導通開口30K、すなわち、1枚の孔開きシート30の開口を、テーパー形状に形成したが、これに限定されることはない。
 防着板31においては、接続部材11の開口11Kと、第2導通開口30K、すなわち、1枚の孔開きシート30の開口とが重畳するように配置されている。
 そして、孔開きシート30と、開口11Kを有する接続部材11とを密接して気密に配置するとともに、接続部材11の開口11K内に管部7を挿入することで、管部7と、防着板31とを気密に接続できる。
 以上のように、図4に図示する第2導通開口30Kの表面積は、図6に図示する比較例である蒸着装置の場合の接続部材61の開口61Kの表面積より大きい。したがって、図4に図示する防着板31を備えた蒸着装置は、長時間、蒸着処理を連続的に行った場合でも、蒸着レートの検出精度が低下するのを防ぐことができる。
 〔実施形態5〕
 次に、図5に基づき、本発明の実施形態5について説明する。本実施形態の蒸着装置に備えられた防着板40においては、開口31K、開口32K及び開口33Kからなる第2導通開口DK’’が、第1導通路7Kより上側より、第1導通開口7Kより下側が大きく形成されている点において、実施形態1から4とは異なり、その他については実施形態1から4において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態1から4の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
 図5は、実施形態5の蒸着装置に備えられた防着板40の概略構成を示す図である。
 図5に図示するように、防着板40においては、防着板40の下の方が、防着板40の上の方より蒸着粒子が付着(蓄積)しやすい点を考慮し、開口31K、開口32K及び開口33Kからなる第2導通開口DK’’を、第1導通路7Kより上側より、第1導通開口7Kより下側が大きくなるように形成した。
 図5に図示しているように、レボルバー型水晶振動子50に隣接する防着板40は、複数枚(本実施形態においては3枚)の孔開け加工が施された孔開きシート31・32・33と、孔開きシート31・32・33と管部7とを接続するための接続部材11とを含む。
 孔開きシート31には一つの開口31Kが形成されており、孔開きシート32には一つの開口32Kが形成されており、孔開きシート33には一つの開口33Kが形成されており、これらの3枚の孔開きシート31・32・33を密接して気密に配置したときに、これらの3つの開口31K・32K・33Kが第2導通開口DK’’を構成する。
 防着板40においては、接続部材11の開口11K、開口31K、開口32K及び開口33Kが重畳するように配置されている。
 そして、孔開きシート31・32・33と、開口11Kを有する接続部材11とを密接して気密に配置するとともに、接続部材11の開口11K内に管部7を挿入することで、管部7と、防着板40とを気密に接続できる。
 以上のように、図5に図示する第2導通開口DK’’の表面積は、図6に図示する比較例である蒸着装置の場合の接続部材61の開口61Kの表面積より大きい。したがって、図5に図示する防着板40を備えた蒸着装置は、長時間、蒸着処理を連続的に行った場合でも、蒸着レートの検出精度が低下するのを防ぐことができる。
 本実施形態においては、3枚の孔開きシート31・32・33を用いた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、用いる孔開きシートの枚数は、1枚または、2枚であっても、4枚以上であってもよい。また、本実施形態においては、3枚の孔開きシート31・32・33のそれぞれに、一つの開口31K・32K・33Kを設けた場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、1枚当たりに形成する開口の数などは適宜決定することができる。なお、孔開きシート31・32・33は、例えば、孔開けのためにパンチングされたメタルシートなどであってもよい。
 〔まとめ〕
 〔態様1〕
 蒸着粒子を射出する複数のノズルを有する蒸着源と、前記蒸着粒子の蒸着レートを測定するための水晶振動子と、を備え、基板に対して成膜を行う蒸着装置であって、
 前記複数のノズル中の一部のノズルである第1ノズルと前記水晶振動子との間に設けられ、かつ、前記第1ノズルから前記水晶振動子に前記蒸着粒子を導く第1導通開口を有する管部と、
 成膜不要領域への前記蒸着粒子の飛翔を防止する防着板と、を備え、
 前記管部の前記第1ノズル側は、前記防着板に接続されており、
 前記防着板には、第2導通開口が形成されており、
 前記第2導通開口の少なくとも一部は、前記第1導通開口より大きい蒸着装置。
 〔態様2〕
 前記複数のノズルは、前記水晶振動子の近傍に配置された前記第1ノズルと、前記水晶振動子から当該第1ノズルよりも離れた位置に配置された少なくとも一つの第2ノズルとを含み、
 前記第1ノズルは、前記水晶振動子に向けて傾けて形成されている態様1に記載の蒸着装置。
 〔態様3〕
 前記防着板は、複数枚の孔開け加工が施された孔開きシートを含み、
 前記複数枚の孔開きシートの各々は、開口を有し、
 前記第2導通開口は、前記複数枚の孔開きシートの開口により構成されている態様1または2に記載の蒸着装置。
 〔態様4〕
 前記第2導通開口は、前記管部側より前記第1ノズル側において、広く形成されている態様1から3の何れかに記載の蒸着装置。
 〔態様5〕
 前記第2導通開口は、階段状である態様4に記載の蒸着装置。
 〔態様6〕
 前記第2導通開口は、凹凸状である態様4に記載の蒸着装置。
 〔態様7〕
 前記防着板は、1枚の孔開け加工が施された孔開きシートを含み、
 前記第2導通開口は、前記1枚の孔開きシートの開口により構成され、
 前記第2導通開口は、前記管部側より前記第1ノズル側において、広く形成されている態様1に記載の蒸着装置。
 〔態様8〕
 前記管部は、円筒状部材により構成され、
 前記防着板には、前記第2導通開口として円形の開口が形成されている態様1に記載の蒸着装置。
 〔態様9〕
 前記第2導通開口では、前記第1導通開口より上側より、前記第1導通開口より下側が大きく形成されている態様1から8の何れかに記載の蒸着装置。
 〔態様10〕
 前記水晶振動子は、前記管部に対して、回転可能に複数個配列されている態様1から9の何れかに記載の蒸着装置。
 〔付記事項〕
 本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
 本発明は、蒸着装置に利用することができる。
 1            ラインソース蒸着源(蒸着源)
 2            水晶振動子
 3、3’         蒸着装置
 4            坩堝
 5S           第1ノズル
 5N           第2ノズル
 6、8、21、31、40 防着板
 7            管部
 7K           第1導通開口
 9、10         角度制限板
 11           接続部材
 11K          接続部材の開口
 12~14        孔開きシート
 12K~14K      孔開きシートの開口
 22~26        孔開きシート
 22K~26K      孔開きシートの開口
 30           孔開きシート
 30K          孔開きシートの開口
 31~33        孔開きシート
 31K~33K      孔開きシートの開口
 DK           第2導通開口
 DK’          第2導通開口
 DK’’         第2導通開口
 50       レボルバー型水晶振動子
 51a~51l  水晶振動子
 52       基板

Claims (10)

  1.  蒸着粒子を射出する複数のノズルを有する蒸着源と、前記蒸着粒子の蒸着レートを測定するための水晶振動子と、を備え、基板に対して成膜を行う蒸着装置であって、
     前記複数のノズル中の一部のノズルである第1ノズルと前記水晶振動子との間に設けられ、かつ、前記第1ノズルから前記水晶振動子に前記蒸着粒子を導く第1導通開口を有する管部と、
     成膜不要領域への前記蒸着粒子の飛翔を防止する防着板と、を備え、
     前記管部の前記第1ノズル側は、前記防着板に接続されており、
     前記防着板には、第2導通開口が形成されており、
     前記第2導通開口の少なくとも一部は、前記第1導通開口より大きいことを特徴とする蒸着装置。
  2.  前記複数のノズルは、前記水晶振動子の近傍に配置された前記第1ノズルと、前記水晶振動子から当該第1ノズルよりも離れた位置に配置された少なくとも一つの第2ノズルとを含み、
     前記第1ノズルは、前記水晶振動子に向けて傾けて形成されていることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
  3.  前記防着板は、複数枚の孔開け加工が施された孔開きシートを含み、
     前記複数枚の孔開きシートの各々は、開口を有し、
     前記第2導通開口は、前記複数枚の孔開きシートの開口により構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の蒸着装置。
  4.  前記第2導通開口は、前記管部側より前記第1ノズル側において、広く形成されていることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の蒸着装置。
  5.  前記第2導通開口は、階段状であることを特徴とする請求項4に記載の蒸着装置。
  6.  前記第2導通開口は、凹凸状であることを特徴とする請求項4に記載の蒸着装置。
  7.  前記防着板は、1枚の孔開け加工が施された孔開きシートを含み、
     前記第2導通開口は、前記1枚の孔開きシートの開口により構成され、
     前記第2導通開口は、前記管部側より前記第1ノズル側において、広く形成されていることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
  8.  前記管部は、円筒状部材により構成され、
     前記防着板には、前記第2導通開口として円形の開口が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
  9.  前記第2導通開口では、前記第1導通開口より上側より、前記第1導通開口より下側が大きく形成されていることを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載の蒸着装置。
  10.  前記水晶振動子は、前記管部に対して、回転可能に複数個配列されていることを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の蒸着装置。
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