WO2019235725A1 - 유기 광전자 소자용 화합물，유기 광전자 소자용 조성물，유기광전자 소자 및 표시 장치 - Google Patents

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    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium

Definitions

  • a compound for organic optoelectronic devices a composition for organic optoelectronic devices, an organic optoelectronic device, and a display device.
  • Organic optoelectronic diodes are devices that can switch electrical energy and light energy.
  • Organic optoelectronic devices can be divided into two types according to the principle of operation.
  • One is an optoelectronic device in which excitons formed by light energy are separated into electrons and holes, and electrons and holes are transferred to different electrodes to generate electrical energy, and the other is electric energy by supplying voltage or current to the electrodes.
  • It is a light emitting device for generating light energy from the.
  • Examples of the organic optoelectronic device may be an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell and an organic photo conductor drum.
  • organic light emitting diodes have attracted much attention in recent years as demand for flat panel displays increases.
  • An organic light emitting device is a device that converts electrical energy into light, and the performance of the organic light emitting device is greatly influenced by the organic material located between the electrodes.
  • One embodiment provides a compound for an organic optoelectronic device capable of implementing high efficiency and long life organic optoelectronic devices.
  • Another embodiment provides a composition for an organic optoelectronic device including the compound.
  • Yet another embodiment provides an organic optoelectronic device comprising the compound for an organic optoelectronic device or a composition for an organic optoelectronic device.
  • Another embodiment provides a display device including the organic optoelectronic device. 2019/235725 2 1 * (: 17X112019 / 00: 2807
  • a compound for an organic optoelectronic device represented by Chemical Formula 1 is provided.
  • ⁇ are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted 06 to 030 arylene group, a substituted or unsubstituted 02 to 020 heterocyclic group, or a combination thereof, and to II 5 are each independently hydrogen, deuterium, cyano group , A substituted or unsubstituted 01 to 030 alkyl group, a substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group, or a combination thereof,
  • Show! 1 and 2 are independently substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl groups, substituted or unsubstituted 02 internal 030 heterocyclic groups, substituted or unsubstituted 06 to 030 arylamine groups, or a combination thereof, respectively.
  • composition for an organic optoelectronic device including the compound for an organic optoelectronic device described above and a compound for a second organic optoelectronic device represented by the following Formula 2 is provided.
  • 3 to X are each independently X or ⁇ : 1;
  • V and I 4 to are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted 06 to 030 arylten group, a substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group, or a combination thereof,
  • ⁇ And Figures 15 to 7 independently represent hydrogen, deuterium, cyano group, substituted or unsubstituted 01 to 030 alkyl group, substituted or unsubstituted 6 to 030 aryl group, substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group, or Combination of these,
  • At least one of the seedlings 15 to 17 is a substituted or unsubstituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, or a substituted or unsubstituted triphenylene group.
  • an organic optoelectronic device comprising an anode and a cathode facing each other, at least one organic layer positioned between the anode and the cathode, the organic layer comprises the composition.
  • a display device including the organic optoelectronic device is provided.
  • FIG. 1 and 2 are cross-sectional views illustrating organic light emitting diodes according to example embodiments. ⁇ Explanation of sign>
  • substituted is a substituent or at least one hydrogen deuterium of the compound, (1 to 030 alkyl group, () 1 to 010 alkylsilyl group, 06 to 030 arylsilyl group, 03 to 030 cycloalkyl group) , 03 to 030 heterocycloalkyl group, 06 to 030 aryl group, and means substituted with 02 to 030 heteroaryl group.
  • substituted means that at least one hydrogen of the substituent or compound is deuterium, (1 to 020 alkyl group, 06 to 030 aryl group, or 2 to 030).
  • Substituted means at least one hydrogenated hydrogen of a substituent or a compound, 05 alkyl group, 06 to 018 aryl group, pyridinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group,
  • substituted means substituted by dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group or carbazolyl group.
  • substituted is substituted with at least one hydrogen deuterium, [] 1 to 05 alkyl group, 06 to 018 aryl group, dibenzofuranyl group or dibenzothiophenyl group of the substituent or compound. It means.
  • substituted is at least one of hydrogen substituted hydrogen, methyl, ethyl, propaneyl, butyl, phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthyl, triphenylenyl group It means what is substituted by the dibenzofuranyl group or the dibenzothiophenyl group.
  • hetero means 0 in one functional group, unless otherwise defined. It means that it contains 1 to 3 hetero atoms selected from the group consisting of e.g., the remainder being carbon.
  • aryl group refers to a group that has at least one hydrocarbon aromatic moiety, wherein all the elements of the hydrocarbon aromatic moiety have an orbital, and these orbitals form a conjugate ( ⁇ mer 3 ⁇ 4 011).
  • Form such as a phenyl group, a naphthyl group, and the like, and two or more hydrocarbon aromatic moieties connected through a sigma bond, such as a biphenyl group, a terphenyl group, a quaterphenyl group, and the like, 2 2019/235725 may include non-aromatic fused rings, such as fluorenyl groups, in which five or more hydrocarbon aromatic moieties are fused directly or indirectly.
  • Aryl groups include monocyclic, polycyclic or fused polycyclic (ie, rings that divide adjacent pairs of carbon atoms) functional groups.
  • a heterocyclic group is a higher concept including a heteroaryl group, and instead of carbon (C) in a ring compound such as an aryl group, a cycloalkyl group, a fused ring thereof, or a combination thereof, N, O, It means that it contains at least one hetero atom selected from the group consisting of S, P, and Si.
  • the heterocyclic group is a fused ring, the heterocyclic group includes one or more heteroatoms in all or each ring can do.
  • heteroaryl group means containing at least one hetero atom selected from the group consisting of N, O, S, P, and Si in the aryl group.
  • the heteroaryl group includes two or more rings, the two or more rings may be fused to each other, or when the heteroaryl group is a fused ring, each ring may include 1 to 3 heteroatoms. .
  • the heterocyclic group may include, for example, a pyridinyl group, a pyrimidinyl group, a pyrazinyl group, a pyridazinyl group, a triazinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group, and the like.
  • the substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group and / or the substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group may be a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthra A senyl group, a substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, a substituted or unsubstituted naphthacenyl group, a substituted or unsubstituted pyrenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted p-terphenyl group, a substituted or unsubstituted group Substituted m-terphenyl group, substituted or unsubstituted 0-terphenyl group, substituted or unsubstituted chrys
  • Thiadiazolyl group substituted or unsubstituted pyridyl group, substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, substituted or unsubstituted pyrazinyl group, substituted or unsubstituted triazinyl group, substituted or unsubstituted benzofuranyl group, substituted Or unsubstituted benzothiophenyl group, substituted or unsubstituted benzimidazolyl group, substituted or unsubstituted indolyl group, substituted or unsubstituted quinolinyl group, substituted or unsubstituted isoquinolinyl group, substituted or unsubstituted A quinazolinyl group, a substituted or unsubstituted quinoxalinyl group, a substituted or unsubstituted naphthyridinyl group, a substituted or unsubstituted benzoxazinyl group,
  • Acridinyl group substituted or unsubstituted phenazineyl group, substituted or unsubstituted phenothiazineyl group, substituted or unsubstituted phenoxazineyl group, substituted or unsubstituted carbazoleyl group, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group Or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, or a combination thereof, but is not limited thereto.
  • the hole characteristic refers to a characteristic capable of forming holes by donating electrons when an electric field is applied, and having a conduction characteristic along the 110140 level, injecting holes formed at the anode into the light emitting layer, and forming holes in the light emitting layer. It means a property that facilitates movement to the anode and movement in the light emitting layer.
  • the electron characteristic refers to a characteristic in which electrons can be received when an electric field is applied, and has conductivity characteristics along the 10 1 level, injecting electrons formed in the cathode into the light emitting layer, moving the electrons formed in the light emitting layer to the cathode, and the light emitting layer. Refers to a property that facilitates movement in.
  • Compound for an organic optoelectronic device is represented by the formula (1).
  • Is 0, ⁇ or NR a , 2019/235725 7 1 »(: 1/10 ⁇ 019/002807 to I? are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted 06 to 030 arylene group, a substituted or unsubstituted 02 to 020 heterocyclic group, or a And II 1 to Fig. 5 are each independently hydrogen, deuterium, cyano group, substituted or unsubstituted 01-030 alkyl group, substituted or unsubstituted 06-030 aryl group, or a combination thereof,
  • the compound represented by the formula (1) has a structure of 1 ⁇ 11 ⁇ 2 wherein the 2,3-position of dibenzofuran, dibenzothiophene or carbazole is further fused.
  • Such a structure can implement a device having high efficiency by increasing the refractive index.
  • Chemical Formula 1 may be represented by Chemical Formula 1-3.
  • the compound represented by Chemical Formula 1-3 is particularly advantageous in terms of efficiency when applied to the device as the form closest to the structure of ni 116 k1.
  • X 1 may be 0 or.
  • X 1 may be NR a , wherein 11 3 may be a substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group, specifically, a substituted or unsubstituted 06 to 020 aryl group, and for example, may be substituted or unsubstituted. Phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, or substituted or unsubstituted naphthyl group.
  • the to 3 may be a single bond or a substituted or unsubstituted 06 to 030 arylene group, and specifically, may be a single bond or a substituted or unsubstituted 06 to 020 arylene group.
  • the to 3 may be a single bond or a substituted or unsubstituted phenylene group.
  • to II 5 may be independently hydrogen, deuterium, cyano group, substituted or unsubstituted 01 to 010 alkyl group, substituted or unsubstituted 06 to 020 aryl group, and specifically, to II 5 may be hydrogen or deuterium.
  • Cyano group substituted or unsubstituted 01 to 010 alkyl group, substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group or substituted or unsubstituted naphthyl group.
  • the II 1 to II 5 may each be hydrogen, but is not limited thereto.
  • Show and Sa 2 are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group , Substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted triphenylene group, substituted or unsubstituted fluorenyl group, substituted or unsubstituted carbazolyl group, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, substituted or unsubstituted It may be a substituted dibenzothiophenyl group, or a substituted or unsubstituted 06 to 030 arylamine group.
  • 1 and 2 are each independently substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted fluorenyl group, substituted or unsubstituted dibenzofuran Diary, substituted or unsubstituted 2019/235725 9 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/002807 dibenzothiophenyl group, or a substituted or unsubstituted 06 to 030 arylamine group.
  • ⁇ / 1 and ⁇ can be independently selected from the groups listed in Group I below.
  • the chemical grinding (1) can be represented by any one of formula (I) (1 for example to the formula, depending on the specific types of the first and shows 1, 2.
  • 3 to 3 each independently represent a single bond, a substituted or unsubstituted 06 to 030 arylene group, a substituted or unsubstituted 02 to 020 heterocyclic group, or a combination thereof,
  • And seedlings 1 to 14 are each independently hydrogen, deuterium, cyano group, substituted or unsubstituted 01 to 030 alkyl group, substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group or a combination thereof,
  • V to 5 each independently represent a substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group, ⁇ ⁇ 0 2019/235725 10 1 » (: 1710 ⁇ 2019/002807 It may be a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group.
  • Show! ⁇ 2 of Formulas ⁇ to Formula may be a substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group.
  • Formula 1 (Form 2 of 1 is a substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group or a substituted or unsubstituted
  • Dibenzothiophenyl group, Show! 4 and Show! 5 may be a substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group.
  • heteroaromatic polycyclic ring may be a carbazolyl group, and may be in the form of being linked at position 9 to 2 of the formula:
  • Formula 2 to Formula 2 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, or a substituted or unsubstituted fluorenyl group,
  • Formula 10 and Formula 1 ( 3 to 5 of 1 are each independently a substituted or unsubstituted phenyl group or a substituted or unsubstituted biphenyl group,
  • Formula 1 (2 of 1 is substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted fluorenyl group, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group or It may be a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group.
  • the formulas 1 to 3 of (show 1, 2) is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group or a substituted or unsubstituted
  • the formula (1) shows a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group
  • the yarns 3 to 5 may each independently represent a substituted or unsubstituted phenyl group or a substituted or unsubstituted biphenyl group.
  • Formula 1 may be represented by Formula ⁇ or Formula 1 (1).
  • ⁇ ⁇ 02019/235725 11 ⁇ ⁇ may be one selected from ego compounds, but is not limited thereto.
  • composition for an organic optoelectronic device includes the aforementioned compound for an organic optoelectronic device (hereinafter, “a compound for the first organic optoelectronic device”) and a compound for the second organic optoelectronic device represented by the following formula (2). 2019/235725 14 1 »(: 1/10 ⁇ 019/002807
  • V and ⁇ to each independently represent a single bond, a substituted or unsubstituted 06 to 030 arylten group, a substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group, or a combination thereof,
  • And 5 to 7 are each independently hydrogen, deuterium, cyano group, substituted or unsubstituted 01 to 030 alkyl group, substituted or unsubstituted 06 to 030 aryl group, substituted or unsubstituted 02 to 030 heterocyclic group or their Combination,
  • At least one of II 15 to 11 17 is a substituted or unsubstituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, or a substituted or unsubstituted triphenylene group.
  • the second compound for an organic optoelectronic device is a compound capable of receiving electrons when subjected to an electric field, that is, a compound having electronic properties, and containing a ring containing nitrogen such as pyrimidine, triazine, etc. It is possible to reduce the driving voltage of the organic optoelectronic device to which the second organic optoelectronic device compound is applied.
  • the compound may be included together with the compound for the first organic optoelectronic device having the hole characteristic to exhibit a bipolar (1 to 01) characteristic.
  • two of the method to ⁇ 3 may be a nitrogen word) and the other may be 0.
  • Nitrogen for example Nitrogen have.
  • the method may be nitrogen).
  • each may independently represent a single bond, a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, a substituted or unsubstituted terphenylene group, a substituted or unsubstituted naphthylene group.
  • ⁇ to may each independently represent a single bond, a substituted or unsubstituted 111-phenyltene group, or a substituted or unsubstituted IVphenylene group.
  • II 15 is a substituted or unsubstituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted
  • parent 15 is a substituted or unsubstituted carbazolyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group
  • 6 and II 17 are each independently Substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted terphenyl group, substituted or unsubstituted carbazolyl group, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, It may be a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group or a combination thereof.
  • Formula 2 may be represented by any one of the following Formulas 2-1 to 2-3. 0 2019/235725 16 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/002807
  • X 3 is 0, 8 or NR f ,
  • Dibenzofuranyl group substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, or substituted or unsubstituted carbazolyl group.
  • Formula 2 may be represented by Formula 2-1 or Formula 2-2.
  • the compound for the second organic optoelectronic device may be, for example, one selected from compounds listed in Group 2, but is not limited thereto. 2]
  • the first compound and the second compound may be included, for example, in a weight ratio of 1:99 to 99: 1.
  • a weight ratio of 1:99 to 99: 1. it is possible to implement the bipolar characteristics by adjusting the appropriate weight ratio by using the hole transporting capacity of the first compound and the electron transporting capacity of the second compound to improve the efficiency and life.
  • it may be included in a weight ratio of about 10:90 to 90:10, about 20:80 to 80:20, about 30:70 to 70:30, about 40:60 to 60:40 or about 50:50. have.
  • it may be included in a weight ratio of 70:30 to 50:50, for example, may be included in a weight ratio of 70:30 or 60:40.
  • the composition for an organic optoelectronic device may be a compound for a first organic optoelectronic device represented by any one of Formulas 1-1 to 1-4 and a second organic optoelectronic device represented by any one of Formulas 2-1 to 2-3.
  • a first organic optoelectronic device represented by any one of Formulas 1-1 to 1-4
  • a second organic optoelectronic device represented by any one of Formulas 2-1 to 2-3.
  • composition for an organic optoelectronic device is represented by the above formula It may include a compound for a first organic optoelectronic device represented by any one of Formula 1 (1) and a compound for a second organic optoelectronic device represented by any one of the formulas 2-1 to 2-3.
  • the first organic optoelectronic device compound may be represented by Chemical Formula 1-3
  • the second organic optoelectronic device compound may be represented by Chemical Formula 2-1 or Chemical Formula 2-2.
  • the compound for the first organic optoelectronic device may be represented by Formula 1 or Formula 1 (1)
  • the compound for the second organic optoelectronic device may be represented by Formula 2-1 or Formula 2-2.
  • the composition for an organic optoelectronic device is a compound for a first organic optoelectronic device of any one of the compounds ⁇ 1 to 11-129 and the compounds Show-1 to Show-44, 8-1 to 6-160, 0-1 to 020, 0-1 to 0-28 and E- ⁇ to 55 may include the compound for the second organic optoelectronic device.
  • the composition for an organic optoelectronic device may further include one or more compounds in addition to the above-mentioned first organic optoelectronic device compound and the second organic optoelectronic device compound.
  • the composition may further comprise a dopant.
  • the dopant may be, for example, a phosphorescent dopant, for example a red, green or blue phosphorescent dopant, for example a red phosphorescent dopant.
  • a dopant is a substance that is lightly mixed with the first organic optoelectronic device compound and the second organic optoelectronic device compound and emits light.
  • the dopant is a metal complex that emits light by multiple excitation which is excited in a triplet state or more. materials such as metal complexes may be used.
  • the dopant may be, for example, an inorganic, organic, or inorganic compound, and may be included in one kind or two or more kinds.
  • a dopant is a phosphorescent dopant
  • examples of the phosphorescent dopant include Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, or a combination thereof.
  • the organometallic compound containing is mentioned.
  • the phosphorescent dopant may be, for example, a compound represented by the following formula, but is not limited thereto.
  • M is a metal
  • L 7 and X a are the same or different and are ligands that form a complex with M.
  • M may be, for example, Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, or a combination thereof, wherein L and X are, for example, bidentate It may be a ligand.
  • the composition may be formed by a dry film forming method such as chemical vapor deposition.
  • the organic optoelectronic device is not particularly limited as long as it is a device capable of converting electrical energy and light energy. Examples thereof include an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell, and an organic photoconductor.
  • an organic optoelectronic device 100 includes an anode 120 and a cathode 110 facing each other, and an organic layer 10 5 positioned between the anode 120 and the cathode 110.
  • the anode 120 may be made of a high work function conductor, for example, to facilitate hole injection, and may be made of metal, metal oxide, and / or conductive polymer, for example.
  • the anode 120 is, for example, a metal such as nickel, platinum, vanadium, chromium, copper, zinc, gold or an alloy thereof; Zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide ( ) ),
  • Metal oxides such as indium zinc oxide (12: 0); Combinations of metals and oxides such as 3 ⁇ 40 and 3 ⁇ 40 2 ; Poly (3-methylthiophene), poly (3,4- ( ethylene- 1,2-dioxy) thiophene) F01> 3 ⁇ 4] 16116 ( ⁇ 0 Table 3 ⁇ ) 116116: Yo!! ' Conductive polymers such as physylpyrrole and delianiline, but are not limited thereto. _
  • the cathode 110 may be made of a low work function conductor, for example, to facilitate electron injection, and may be made of metal, metal oxide and / or conductive polymer, for example.
  • Cathode 110 is, for example, a metal such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, cesium, barium, or an alloy thereof; A substance may be mentioned, but is not limited thereto.
  • the organic layer 105 may include the compound for an organic optoelectronic device or a composition for an organic optoelectronic device.
  • the organic layer 105 may include a light emitting layer 130, and the light emitting layer 130 may include the composition for an organic optoelectronic device described above.
  • composition for organic optoelectronic devices may be, for example, a red light emitting composition.
  • the light emitting layer 130 may include, for example, the above-described compound for the first organic optoelectronic device and the compound for the second organic optoelectronic device as phosphorescent hosts.
  • the organic light emitting element 200 in addition to the auxiliary layer further comprises a hole (1 40), the light-emitting layer 130.
  • the hole auxiliary layer 140 may further increase hole injection and / or hole mobility between the anode 120 and the light emitting layer 130 and block electrons.
  • the hole auxiliary layer 140 may be, for example, a hole transport layer, a hole injection layer, and / or an electron blocking layer, and may include at least one layer.
  • the hole auxiliary layer 140 may be at least two layers, for example, the anode 120 and
  • the hole transport auxiliary layer may include the compound for organic optoelectronic devices or the composition for organic optoelectronic devices.
  • the light emitting layer includes the compound for an organic optoelectronic device or the composition for an organic optoelectronic device, and the hole transport layer or the hole transport auxiliary layer is at least one of the following compounds VII-1 to IV-4 It may include.
  • the cathode 110 and the light emitting layer 130 may further include at least one electron auxiliary layer such as an electron transport layer, an electron injection layer, and / or a hole blocking layer. You may.
  • the electron auxiliary layer may be at least two layers, and may include, for example, an electron transport layer between the cathode 110 and the light emitting layer 130, and an electron transport auxiliary layer between the electron transport layer and the light emitting layer.
  • the electron transport layer or the electron transport auxiliary layer may include at least one of the following Compound Show-1 and Myoshow-2.
  • organic light emitting diodes 100 and 200 form an anode or a cathode on a substrate
  • the organic layer may be formed by a dry film method such as evaporation, sputtering, plasma plating, and ion plating, and then formed by forming a cathode or an anode thereon.
  • the organic light emitting device described above may be applied to an organic light emitting display device.
  • compound 11-42 was synthesized in the same manner as in Synthesis Example 1, using 2-Dibenzofllran-3-yl-4,4,5,5-tetramethyl- [l 5 3 5 2] dioxaborolane.
  • Compound 11-75 was synthesized by the same method as in Synthesis Example 1 using the: 1 equivalent ratio.
  • the intermediate A-8-1 (22g, 90.4mmol) was synthesized in the same manner as in the a) of Synthesis Example 15 to obtain 18g (56.3%) of the intermediate A-25-1.
  • a glass tube coated with ITO (Indium tin oxide) to a thickness of 1500 A was washed with distilled water ultrasonically. After washing the distilled water, ultrasonic washing with a solvent such as isopropyl alcohol, acetone, methanol and the like was dried and then transferred to a plasma cleaner, and then the substrate was cleaned for 10 minutes using an oxygen plasma and then transferred to a vacuum evaporator.
  • Compound A was vacuum deposited on the ITO substrate using the prepared ITO transparent electrode as an anode to form a hole injection layer having a thickness of 700 A, and then compound B was deposited to a thickness of 50 A on the injection layer. Deposition to a thickness to form a hole transport layer.
  • Compound H-1 was deposited to a thickness of 400 A on the hole transport layer to form a hole transport auxiliary layer.
  • Compound seedlings were used as a host on the hole transport layer and doped with [Ir (piq) 2 acac] 2wt% with a dopant to form a light emitting layer having a thickness of 400 A by vacuum deposition.
  • the compound D and Liq were simultaneously vacuum deposited at a ratio of 1: 1 on the emission layer to form an electron transport layer having a thickness of 300 A, and Liq 15 A and A1 1200A were sequentially vacuum deposited on the electron transport layer to form a cathode.
  • a light emitting device was manufactured.
  • the organic light emitting device has a structure having five organic thin film layers, specifically as follows.
  • a hole transport layer was formed on the hole transport layer. deposited to a thickness of 400 ⁇ to form a hole transport assisting layer.
  • the hole transport layer above the secondary compound ⁇ 1, and E 35 in the same time used as a host and a dopant [1) 2 times 2 Doped with ⁇ % to form a 400 ⁇ ⁇ light emitting layer by vacuum evaporation, where compound 11-1 and compound 35 were used in a 7: 3 weight ratio, and in the following examples separately described ratios.
  • 13 and 1 1 were simultaneously vacuum deposited in a 1: 1 ratio to form an electron transport layer having a 300-thick thickness, and an organic light-emitting device was fabricated by sequentially vacuum depositing 1 15 15 and 1200 1200 on the electron transport layer. It was.
  • the organic light emitting device has a structure having five organic thin film layers, 0 2019/235725 55 1 »(: 1 ⁇ 1 ⁇ 2019/002807 Specifically,
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 7 except for changing to the composition shown in Table 3 below. evaluation
  • the voltage The current value flowing through the unit device was measured using a current-voltmeter ( ⁇ 2400) while increasing from 10 ⁇ ⁇ , and the measured current value was divided by the area to obtain a result.
  • the voltage The result was obtained by measuring the luminance at that time using a luminance meter (0 ⁇ 3-1000 hours) while increasing from 10 to 10.
  • the organic light emitting device was manufactured using the Polaronics Lifetime Measurement System, and the devices of Examples 1 to 18, Comparative Examples 1 and 2, and Reference Examples 1 and 2 were obtained with initial luminance (1/111 2 ).

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Abstract

화학식 1로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 (COMPOUND FOR OPTOELECTRONIC DEVICE AND COMPOSITION FOR OPTOELECTRONIC DEVICE AND ORGANIC OPTOELECTRONIC DEVICE AND DISPLAY DEVICE)에 관한 것이다. 화학식 1에 대한 설명은 명세서에서 정의한 바와 같다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
유기 광전자소자용 화합물， 유기 광전자소자용 조성물， 유기 광전자소자 및 표시 장치
【기술분야】
유기 광전자소자용 화합물， 유기 광전자 소자용 조성물， 유기 광전자소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
【배경기술】
유기 광전자소자 (organic optoelectronic diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할수 있는소자이다.
유기 광전자소자는 동작 원리에 따라크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 엑시톤 (exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광소자이다.
유기 광전자소자의 예로는 유기 광전 소자， 유기 발광소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중，유기 발광소자 (organic light emitting diode, OLED)는 근래 평판표시 장치 (flat panel display device)의 수요증가에 따라크게 주목 받고 있다. 유기 발광 소자는 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 유기 발광소자의 성능은 전극 사이에 위치하는 유기 재료에 의해 많은 영향을 받는다.
【발명의 상세한설명】
【기술적 과제】
일 구현예는 고효율 및 장수명 유기 광전자소자를 구현할 수 있는 유기 광전자소자용 화합물을 제공한다.
다른 구현예는상기 화합물을포함하는 유기 광전자소자용 조성물을 제공한다.
또 다른구현예는상기 유기 광전자소자용 화합물 또는유기 광전자소자용 조성물을 포함하는유기 광전자소자를 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기 광전자소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다. 2019/235725 2 1*(:17X112019/00:2807
【기술적 해결방법】
일 구현예에 따르면， 하기 화학식 1로 표현되는 유기 광전자소자용 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure imgf000004_0001
상기 화학식 1에서,
은 0,요 또는 이고,
내지 은 각각독립적으로 단일결합， 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴렌기, 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, 및 내지 II5는 각각독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기 또는 이들의 조합이고，
쇼!·1 및 2는 각각독립적으로 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내자 030헤테로고리기 , 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴아민기 또는 이들의 조합이다.
다른구현예에 따르면, 전술한유기 광전자소자용 화합물, 및 하기 화학식 2로 표현되는 제 2유기 광전자소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자소자용 조성물을 제공한다.
[화학식 2]
Figure imgf000004_0002
상기 화학식 2에서,
내지 3은 각각독립적으로 X또는＜：-1八 이고,
7} 내지 3 중 적어도 둘은 이고， 2019/235725 1»（：1^1{2019/002807
V 및 I4내지 은 각각독립적으로 단일 결합， 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴텐기， 치환또는 비치환된 02 내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
^및 묘15 내지 7은 각각독립적으로 수소, 중수소， 시아노기， 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된  6 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，
묘15 내지 모17중 적어도 하나는 치환또는 비치환된 카바졸일기, 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 치환또는 비치환된 트리페닐렌기이다.
또 다른 구현예에 따르면,서로 마주하는 양극과 음극, 상기 양극과상기 음극사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을포함하고, 상기 유기층은 상기 조성물을포함하는 유기 광전자소자를 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 유기 광전자소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
【발명의 효과】
고효율 장수명 유기 광전자소자를 구현할수 있다.
【도면의 간단한설명】
도 1 및 도 2는 각각 일 구현예에 따른 유기 발광소자를 도시한 단면도이다. ＜부호의 설명＞
100, 200: 유기 발광소자
105: 유기증
110: 음극
120: 양극
130: 발광층
140: 정공 보조층
【발명의 실시를 위한 최선의 형태】
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환”이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 2019/235725 4 1»（그1^1{2019/002807 적어도 하나의 수소가중수소, 할로겐기, 히드록실기, 아미노기, 치환또는 비치환된 01 내지 030 아민기, 니트로기， 치환또는 비치환된 01 내지 040실릴기，＜그1 내지 030
Figure imgf000006_0001
내지 010 알킬실릴기, 06 내지 030 아릴실릴기, 03 내지 030 시클로알킬기, 03 내지 030 헤테로시클로알킬기， 06 내지 030 아릴기, 02 내지 030 헤테로아릴기,（〕1 내지 020 알콕시기,（그1 내지 010트리플루오로알킬기, 시아노기, 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 일 예에서,”치환”은 치환가또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가중수소,（그1 내지 030 알킬기,（〕1 내지 010 알킬실릴기， 06 내지 030 아릴실릴기, 03 내지 030 시클로알킬기, 03 내지 030 헤테로시클로알킬기， 06 내지 030 아릴기， 02 내지 030 헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다. 또한， 본 발명의 구체적인 일 예에서,”치환”은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소,（:1 내지 020 알킬기, 06 내지 030 아릴기， 또는 2 내지 030
헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서，
"치환”은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가중수소,
Figure imgf000006_0002
05 알킬기， 06 내지 018 아릴기, 피리디닐기， 퀴놀리닐기， 이소퀴놀리닐기,
디벤조퓨란일기, 디벤조티오펜일기 또는 카바졸일기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서，”치환”은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가중수소，（〕1 내지 05 알킬기， 06 내지 018 아릴기， 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서, "치환”은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가중수소, 메틸기, 에틸기, 프로판일기,부틸기， 페닐기, 바이페닐기， 터페닐기, 나프틸기， 트리페닐레닐기, 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 ”헤테로”란 별도의 정의가 없는 한， 하나의 작용기 내에 0,
Figure imgf000006_0003
이루아.진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴 ）기”는 탄화수소 방향족모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을총괄하는 개념으로서, 탄화수소 방향족모이어티의 모든 원소가 오비탈을 가지면서， 이들 오비탈이 공액（¥머¾ 011）을 형성하고 있는 형태， 예컨대 페닐기 , 나프틸기 등을 포함하고 , 2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 시그마 결합을 통하여 연결된 형태, 예컨대 바이페닐기, 터페닐기， 쿼터페닐기 등을 포함하며， 2 2019/235725 5 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족융합 고리， 예컨대 플루오레닐기 등을포함할수 있다. 아릴기는모노시클릭 , 폴리시클릭 또는융합고리 폴리시클릭 (즉， 탄소원자들의 인접한쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 "헤테로고리기 (heterocyclic group)”는 헤테로아릴기를 포함하는 상위 개념으로서, 아릴기, 시클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 탄소 (C) 대신 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우,상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할수 있다.
일 예로 "헤테로아릴 (heteroaryl)기”는 아릴기 내에 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한개를 함유하는 것을 의미한다 . 2 이상의 헤테로아릴기는 시그마 결합을통하여 직접 연결되거나, 상기 헤테로아릴기가 2 이상의 고리를 포함할 경우， 2 이상의 고리들은서로 융합될 수 있다. 상기 헤테로아릴기가융합고리인 경우, 각각의 고리마다상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할수 있다.
상기 헤테로고리기는 구체적인 예를 들어, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등을 포함할 수 있다.
보다구체적으로, 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및/또는 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는， 치환또는 비치환된 페닐기, 치환또는 비치환된 나프틸기 , 치환또는 비치환된 안트라세닐기 , 치환또는 비치환된 페난트레닐기, 치환또는 비치환된 나프타세닐기， 치환또는 비치환된 피레닐기， 치환또는 비치환된 바이페닐기， 치환또는 비치환된 p-터페닐기, 치환또는 비치환된 m-터페닐기， 치환또는 비치환된 0-터페닐기， 치환또는 비치환된 크리세닐기， 치환또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환또는 비치환된 페릴레닐기, 치환또는 비치환된 플루오레닐기， 치환또는 비치환된 인데닐기， 치환또는 비치환된 퓨라닐기, 치환또는 비치환된 티오페닐기, 치환또는 비치환된 피롤릴기, 치환또는 비치환된 피라졸릴기, 치환또는 비치환된 이미다졸일기, 치환또는 비치환된 트리아졸일기, 치환또는 비치환된 옥사졸일기, 치환또는 비치환된 0 2019/235725 6 1＞（그1'/10技019/002807 티아졸일기， 치환또는 비치환된 옥사디아졸일기， 치환또는 비치환된
티아디아졸일기, 치환또는 비치환된 피리딜기, 치환또는 비치환된 피리미디닐기, 치환또는 비치환된 피라지닐기, 치환또는 비치환된 트리아지닐기, 치환또는 비치환된 벤조퓨라닐기 , 치환또는 비치환된 벤조티오페닐기， 치환또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환또는 비치환된 인돌일기, 치환또는 비치환된 퀴놀리닐기， 치환또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환또는 비치환된 나프티리디닐기， 치환또는 비치환된 벤즈옥사진일기 , 치환또는 비치환된 벤즈티아진일기， 치환또는 비치환된
아크리디닐기, 치환또는 비치환된 페나진일기， 치환또는 비치환된 페노티아진일기, 치환또는 비치환된 페녹사진일기， 치환또는 비치환된 카바졸일기， 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기,또는 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기，또는 이들의 조합일 수 있으나， 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서, 정공 특성이란， 전기장 到을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할수 있는 특성을 말하는 것으로, 110140준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자특성이란, 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, 1 1 0준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는특성을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른유기 광전자소자용 화합물을 설명한다.
일 구현예에 따른 유기 광전자소자용 화합물은 하기 화학식 1로 표현된다.
[화학식 1]
Figure imgf000008_0001
상기 화학식 1에서,
은 0,公 또는 NRa이고， 2019/235725 7 1»（：1/10公019/002807 내지 I?은 각각 독립적으로 단일결합， 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, 및 II1 내지 묘5는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기 , 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기 또는 이들의 조합이고，
1 및 쇼 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 , 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴아민기 또는 이들의 조합이다.
화학식 1로 표현되는 화합물은 디벤조퓨란, 디벤조티오펜 또는 카바졸의 2,3- 위치가 추가 융합된 1^1½묘1·한 구조를 가진다. 이러한 구조는 굴절율을 높임으로써 높은 효율을 갖는 소자를 구현할 수 있다.
또한， 추가융합되는 말단 고리에 아민기가 1치환됨으로써 크］：한 구조를 유지할 수 있고， 내열 안정성을 높일 수 있으며 적당한 HOMO 에너지를 갖게 되어 수명이 향상된 소자를 구현할 수 있다. !·한 골격 구조를 유지함으로써 높은 1§를 갖고， 소자를 구성할 경우 높은 내열 안정성을 가질 수 있다.
일 예로 아민기의 구체적인 치환위치에 따라 하기 화학식 1-1 내지 화학식
1-4 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
［화학식 1-1］ ［화학식 1-2］
Figure imgf000009_0001
II5, 1 및 2는 전술한 바와 같다. 2019/235725 8 1»（：1^1{2019/002807 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 화학식 1은 상기 화학식 1-3으로 표현될 수 있다.
상기 화학식 1-3으로 표현되는 화합물은 니116크1·한 구조에 가장 가까운 형태로서 소자에 적용되는 경우 효율 측면에서 특히 유리하다.
예컨대 X1은 0 또는 일 수 있다.
예컨대 X1은 NRa일 수 있고， 이 때 113는 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기일 수 있고, 구체적으로 는 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴기일 수 있으며, 예컨대 는 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기일 수 있다.
상기 내지 느3은 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴렌기일 수 있고， 구체적으로는 단일결합이거나 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 내지 느3은 단일결합이거나 치환 또는 비치환된 페닐렌기일 수 있다.
일 예로 상기 내지 II5는 각각 독립적으로 수소， 중수소，시아노기， 치환 또는 비치환된 01 내지 010 알킬기, 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴기일 수 있고, 구체적으로 상기 내지 II5는 수소, 중수소, 시아노기 , 치환 또는 비치환된 01 내지 010 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 II1 내지 II5는 각각 수소일 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
일 예로 상기 쇼 및 사2는 각각 독립적으로치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기， 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 카바졸일기 , 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기， 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴아민기일 수 있다. 구체적으로 상기 1 및 2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 나프틸기 , 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 2019/235725 9 1»（：1^1{2019/002807 디벤조티오펜일기, 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴아민기일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 ·/ 1 및 ^는 각각 독립적으로 하기 그룹 I에 나열된 기에서 선택될 수 있다.
［그룹 I］
Figure imgf000011_0001
한편, 상기 화학삭 1은 1 및 쇼1·2의 구체적인 종류에 따라 예컨대 하기 화학식 화학식 1(1 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
［화학식 1리 ［화학식 1비
Figure imgf000011_0002
내지 3은 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
,：#，! , ^ 및 묘1 내지 묘14는 각각 독립적으로 수소, 중수소， 시아노기, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기 , 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기 또는 이들의 조합이고，
V 내지 5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, \¥0 2019/235725 10 1»(：1710{2019/002807 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비차환된 디벤조티오펜일기일 수 있다.
일 예로 상기 화학식 ^ 내지 화학식 의 쇼!·2는 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기일 수 있다.
일 예로 상기 화학식 1(1의 사2는 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된
디벤조티오펜일기이고，쇼!·4 및 쇼!·5는 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기일 수 있다.
구체적인 일
Figure imgf000012_0001
독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 헤테로방향족의 다환식 고리를 형성할 수도 있다. 예컨대 상기 헤테로방향족의 다환식 고리는 카바졸일기일 수 있으며， 상기 화학식 : 의 2에 9번 위치로 연결된 형태일 수 있다.
일 예로 상기 화학식 내지 화학식 의 2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기， 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이고，
상기 화학식 10 및 화학식 1(1의 3 내지 5는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기이며,
상기 화학식 1(1의 2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 화학식 13 내지 1(：의 쇼1·2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기 또는 치환 또는 비치환된
플루오레닐기이고， 상기 화학식 1(1의 쇼 는 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이며, 상기 사3 내지 5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기 또는 치환또는 비치환된 바이페닐기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 화학식 1은 상기 화학식 ^또는 화학식 1(1로 표현될 수 있다.
전술한 유기 광전자 소자용 화합물은 예컨대 하기 그룹 1에 나열된 \¥02019/235725 11 꾜 뼤 에고 화합물에서 선택된 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 1]
Figure imgf000013_0001
Figure imgf000014_0001
\¥0 2019/235725 13 ?（：171012019/002807
Figure imgf000015_0001
다른 일 구현예에 따른 유기 광전자소자용 조성물은 전술한유기 광전자 소자용 화합물 （이하 "제 1 유기 광전자소자용 화합물”） 및 하기 화학식 2로 표현되는 제 2유기 광전자소자용화합물을 포함한다. 2019/235725 14 1»（：1/10公019/002807
[화학식 2]
»15 »17
、!_4 21 （_6
V 2、 V23
I.5
（¾16
상기 화학식 2에서,
7） 내지 2：3은 각각독립적으로
Figure imgf000016_0001
이고,
내지 7} 중 적어도둘은 이고,
V 및 ^ 내지 은 각각독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴텐기， 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，
및 5 내지 7은각각독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기， 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기， 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
II15 내지 1117중 적어도 하나는 치환또는 비치환된 카바졸일기， 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기 , 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 치환또는 비치환된 트리페닐렌기이다.
제 2 유기 광전자소자용화합물은 전기장을 걸었을 때 전자를 받을수 있는 특성， 즉 전자특성을 가지는 화합물로, 질소를 함유하는 고리, 예컨대 피리미딘， 트리아진 등을포함함으로써 전기장 인가시 전자를 받기 쉬운 구조가 될 수 있고 이에 따라 제 2유기 광전자소자용 화합물을 적용한유기 광전자 소자의 구동 전압을 낮출 수 있다.
또한, 정공 특성을 가지는 제 1 유기 광전자소자용 화합물과 함께 포함되어 바이폴라（1?切01버 특성을 나타낼 수 있다.
일 예로,方 내지 å3 중 둘은 질소어）이고 나머지 하나는 0 일 수 있다. 예컨대 7} 및 는 질소이고 는여1£일 수 있다.
예컨대 7} 및 方는 질소이고
Figure imgf000016_0002
있다.
예컨대
Figure imgf000016_0004
질소이고
Figure imgf000016_0003
있다.
일 예로,方 내지 은 각각 질소 ）일 수 있다.
일 예로， 내지 은 각각독립적으로 단일 결합또는 치환또는 비치환된 2019/235725 15 1»（：1^1{2019/002807
06 내지 020 아릴렌기일 수 있다.
구체적으로 내지 은 각각독립적으로 단일 결합， 치환또는 비치환된 페닐텐기， 치환또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 ^ 내지 은 각각독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 111-페닐텐기 또는 치환또는 비치환된 IV페닐렌기일 수 있다. 일 예로， II15는 치환또는 비치환된 카바졸일기, 치환또는 비치환된
디벤조퓨란일기, 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 치환또는 비치환된 트리페닐레닐기이고, II16 및 II17은 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환또는 비치환된 나프틸기, 치환또는 비치환된 터페닐기, 치환또는 비치환된 안트라세닐기, 치환또는 비치환된 페난트레닐기， 치환또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환또는 비치환된 트리페닐레닐기， 치환또는 비치환된 플루오레닐기， 치환또는 비치환된 피리디닐기, 치환또는 비치환된 피리미디닐기, 치환또는 비치환된 트리아지닐기, 치환또는 비치환된 카바졸일기, 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 이들의 조합일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 모15는 치환또는 비치환된 카바졸일기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고, 6 및 II17은 각각독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기， 치환또는 비치환된 바이페닐기， 치환또는 비치환된 나프틸기, 치환또는 비치환된 터페닐기, 치환또는 비치환된 카바졸일기, 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 이들의 조합일 수 있다.
일 예로상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다. 0 2019/235725 16 1»（：1^1{2019/002807
[화학식 2-1] [화학식 2-2] [화학식 2-3]
Figure imgf000018_0001
정의는 전술한 바와 같고,
X3은 0, 8 또는 NRf이고,
Figure imgf000018_0002
독립적으로 수소， 중수소, 시아노기 , 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기， 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 01 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이다.
일
Figure imgf000018_0003
독립적으로 수소, 시아노기， 치환 또는 비치환된 01 내지 010 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 012 아릴기일 수 있다.
일
Figure imgf000018_0004
적으로 수소， 시아노기, 치환 또는 비치환된
06 내지 012 아릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된
피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된
디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸일기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 화학식 2는 상기 화학식 2-1 또는 화학식 2 - 2로 표현될 수 있다.
제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 예컨대 하기 그룹 2에 나열된 화합물에서 선택된 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 2]
Figure imgf000019_0001
Figure imgf000020_0001
Figure imgf000021_0001
Figure imgf000022_0001
Figure imgf000023_0001
O 2019/235725
Figure imgf000024_0001
Figure imgf000025_0001
Figure imgf000025_0004
Figure imgf000025_0002
Figure imgf000025_0003
Figure imgf000026_0001
Figure imgf000028_0001
Figure imgf000029_0001
2019/235725 28 1»（：1^1{2019/002807
Figure imgf000030_0001
제 1 화합물과 제 2 화합물은 예컨대 1 :99 내지 99:1의 중량비로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 제 1 화합물의 정공 수송 능력과 제 2 화합물의 전자 수송 능력을 이용해 적절한 중량비를 맞추어 바이폴라 특성을 구현하여 효율과 수명을 개선할 수 있다. 상기 범위 내에서 예컨대 약 10:90 내지 90:10, 약 20:80 내지 80:20, 약 30:70 내지 70:30, 약 40:60 내지 60:40 또는 약 50:50의 중량비로 포함될 수 있다. 일 예로, 70:30 내지 50:50의 중량비로 포함될 수 있으며, 예컨대， 70:30 또는 60:40의 중량비로 포함될 수 있다.
일 예로 유기 광전자 소자용 조성물은 상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4 중 어느 하나로 표현되는 제 1 유기 광전자 소자용 화합물과 상기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표현되는 제 2 유기 광전자 소자용 화합물을 포함할 수 있다.
일 예로 유기 광전자 소자용 조성물은 상기 화학식
Figure imgf000030_0002
화학식 1(1 중 어느 하나로 표현되는 제 1 유기 광전자 소자용 화합물과 상기 화학식 2-1 내지 2-3 중 어느 하나로 표현되는 제 2 유기 광전자 소자용 화합물을 포함할 수 있다.
구체적인 일 예로 상기 제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 화학식 1- 3으로 표현되고, 상기 제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2로 표현될 수 있다.
구체적인 일 예로 상기 제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 화학식 또는 화학식 1(1로 표현되고, 상기 제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 화학식 2- 1 또는 화학식 2-2로 표현될 수 있다.
예컨대, 유기 광전자 소자용 조성물은 상기 화합물 ^1 내지 11-129 중 어느 하나의 제 1 유기 광전자 소자용 화합물과 상기 화합물 쇼-1 내지 쇼-44, 8-1 내지 6- 160, 0-1 내지 020, 0-1 내지 0-28 및 E- \ 내지 55 중 어느 하나의 제 2 유기 광전자 소자용 화합물을 포함할 수 있다. 유기 광전자소자용조성물은 전술한 제 1 유기 광전자 소자용 화합물 및 제 2 유기 광전자소자용 화합물 외에 1종 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다.
조성물은 도펀트를 더 포함할수 있다. 도펀트는 예컨대 인광도펀트일 수 있고, 예컨대 적색, 녹색 또는 청색의 인광도펀트일 수 있고, 예컨대 적색 인광 도펀트일 수 있다.
도펀트는 제 1 유기 광전자소자용 화합물과 제 2유기 광전자 소자용 화합물에 미량혼합되어 발광을 일으키는 물질로, 일반적으로 삼중항상태 이상으로 여기시키는 다중항 여기 (multiple excitation)에 의해 발광하는 금속 착체 (metal complex)와 같은 물질이 사용될 수 있다. 도펀트는 예컨대 무기, 유기, 유무기 화합물일 수 있으며, 1종또는 2종 이상포함될 수 있다.
도펀트의 일 예로 인광도펀트를 들 수 있으며, 인광도펀트의 예로는 Ir，Pt， Os, Ti, Zr, Hf， Eu, Tb, Tm, Fe， Co, Ni, Ru, Rh, Pd또는 이들의 조합을 포함하는 유기 금속화합물을 들 수 있다. 인광도펀트는 예컨대 하기 화학식 로 표현되는 화합물을사용할수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 Z]
L7MXa
상기 화학식 Z에서, M은 금속이고， L7 및 Xa는서로 같거나 다르며 M과 착화합물을 형성하는 리간드이다.
상기 M은 예컨대 Ir， Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd또는 이들의 조합일 수 있고,상기 L및 X는 예컨대 바이덴테이트 리간드일 수 있다. 조성물은 화학기상증착과 같은 건식 성막법에 의해 형성될 수 있다.
이하상술한조성물을 적용한유기 광전자소자를 설명한다.
유기 광전자소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자， 유기 발광소자， 유기 태양 전지 및 유기 감광체 등을 들 수 있다.
여기서는유기 광전자소자의 일 예인 유기 발광소자를 도면을 참고하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른유기 발광소자를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 광전자소자 (100)는서로 마주하는 양극 (120)과음극 (110)， 그리고 양극 (120)과 음극 (110)사이에 위치하는 유기층 (105)을 2019/235725 30 1»（：1^1{2019/002807 포함한다.
양극 (120)은 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극 (120)은 예컨대 니켈, 백금, 바나둠， 크롬, 구리, 아연， 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물， 인듐산화물, 인듐주석산화물 ( )),
인듐아연산화물 (12：0)과 같은 금속 산화물; ¾0와시 또는 ¾02와 와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3 -메틸티오펜)， 폴리 (3, 4-(에틸렌- 1,2- 디옥시)티오펜)여01>¾］ 16116(^0표3선^01)116116: 요!)!'), 물리피롤 및 들리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. _
음극 (110)은 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속， 금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 음극 (110)은 예컨대 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄， 인둠, 이트륨， 리륨, 가돌리늄， 알루미늄, 은， 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금;
Figure imgf000032_0001
물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
유기층 (105)은 전술한 유기 광전자 소자용 화합물 또는 유기 광전자 소자용 조성물을 포함할 수 있다.
상기 유기층 (105)는 발광층 (130)을 포함하고， 발광층 (130)은 전술한 유기 광전자 소자용 조성물을 포함할 수 있다.
상기 유기 광전자 소자용 조성물은 예컨대 적색 발광 조성물일 수 있다.
발광층 (130)은 예컨대 전술한 제 1 유기 광전자 소자용 화합물과 제 2 유기 광전자 소자용 화합물을 각각 인광 호스트로서 포함할 수 있다.
도 2를 참고하면， 유기 발광 소자 (200)는 발광층 (130) 외에 정공 보조층 (140)을 더 포함한다. 정공 보조층 (140)은 양극 (120)과 발광층 (130) 사이의 정공 주입 및/또는 정공 이동성을 더욱 높이고 전자를 차단할 수 있다. 정공 보조층 (140)은 예컨대 정공 수송층， 정공 주입층 및/또는 전자 차단층일 수 있으며, 적어도 1층을 포함할 수 있다.
상기 정공 보조층 (140)은 적어도 2층일 수 있고， 예컨대 양극 (120)과
발광층 (130) 사이의 정공 수송층， 그리고 정공 수송층과 발광층 사이의 정공 수송 보조층을 포함할수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면 상기 정공수송 보조층은 전술한유기 광전자 소자용 화합물 또는유기 광전자소자용 조성물을 포함할수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따르면 상기 발광층은 전술한유기 광전자 소자용 화합물 또는 유기 광전자소자용 조성물을 포함하고, 상기 정공 수송층 또는 정공수송 보조층은 하기 화합물ᄊ-1 내지 ᄊ-4중 적어도 하나를 포함할수 있다.
Figure imgf000033_0001
또한,본 발명의 일 구현예에서는 유기층 (105) 외에 음극 (110)과 발광층 (130) 사이에 추가로 전자수송층， 전자주입층 및/또는 정공 차단층등의 전자보조층을 적어도 1층 더 포함할수도 있다.
일 예로 상기 전자보조층은 적어도 2층일 수 있고, 예컨대 음극 (110)과 발광층 (130)사이의 전자수송층, 그리고 전자수송층과 발광층사이의 전자수송 보조층을포함할수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따르면 상기 전자수송층또는 전자수송 보조층은 하기 화합물표쇼-1 및 묘쇼-2 중 적어도 하나를 포함할수 있다.
Figure imgf000033_0002
유기 발광소자 (100, 200)는 기판 위에 양극또는 음극을 형성한후，
진공증착법 (evaporation), 스퍼터링 (sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법 등으로 유기층을 형성한후, 그 위에 음극 또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.
상술한유기 발광소자는 유기 발광표시 장치에 적용될 수 있다.
【발명의 실시를 위한 형태】
이하실시예를 통하여 상술한구현예를보다상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 권리범위를 제한하는 것은 아니다. 이하, 실시예 및 합성예에서 사용된 출발물질 및 반응물질은 특별한 언급이 없는 한, Sigma- Aldrich fch, TCI it, tokyo chemical industry또는 P&H tech에서
구입하였거나, 공지된 방법을 통해 합성하였다. （화합물의 제조）
제 1 유기 광전자소자용화합물
합성예 1: 화합물 11-1의 합성
[반응식 1]
Figure imgf000034_0001
a) 중간체 H-1-1의 합성
둥근바닥플라스크에 9-Phenyl-2-(4,4,5,5-tetramethyl-[l,3,2]dioxaborolan-2-yl)-9H- carbazole 50.00 g (135.41 mmol), 2-Bromo-5-chloro-benzaldehyde 29.72 g (135.41 mmol), Pd(PPh3)4 4.69 g (4.06 mmol), K2C03 37.43 g (270.81 mmol)을 THF 400 mL/증류수 220 mL 의 혼합 용매에 현탁시킨 후 12 시간 동안 상온에서 교반 한다. 반응 종료 후 농축하고 Methylene Chloride로 추줄하여 유기증을 Silicagel columm 하여 목적 화합물인 중간체 H-1-1 45.0 g (Yield 87%)을 수득하였다.
b) 중간체 H-1-2의 합성
중간체 H-1-1 45.00 g (117.9 mmol) 과 (methoxyme仕 iyl)triphenylphosphonium chloride 44.45 g (129.69 mmol) 을 THF 600 ml에 현탁시킨 후 Potassium tert-Butoxide 15.87 g (141.48 mmol) 을 가한 후 12 시간 동안 상온에서 교반 하였다. 반응 종료 후 증류수 400 ml를 첨가한 후 추출하고， 유기층을 농축한 후 Methylene Chloride로 재주줄하고 유기증을 Magnesium Sulfate를 첨가한 후 30분 교반한 후 Filter하고 여액을 농축하였다. 농축한 여액에 다시 Methylene Chloride 100 ml 를 가한 후 Methanesulfonic acid 15 ml를 첨가한 후 1시간 교반하였다.
반응 종료 후 Methyl Alcohol을 첨가하여 고체를 생성하였다. 생성된 고체를 filter 하고 건조하여 목적 화합물인 중간체 H-l-2 30.0 g (67% Yield)를 수득하였다. c) 화합물 H-1의 합성
중간체 H-l-2 (8.85g, 23.45 mmol), bis-biphenyl-4-yl-amine (7.9 lg, 24.62 mmol), 소둠 t_부톡사이드 (NaOffiu) (3.38 g, 35.17 mmol), Pd2(dba)3 (1.28 g, 1.41 mmol), 트리 t- 부틸포스핀 (P(«u)3) (1.71 g，50% in톨루엔)를 자일렌 (120 mL)에 넣고 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 자일렌을 제거한 후， 이로부터 수득한 혼합물에 메탄올 200 mL를 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 톨루엔에 녹여 실리카겔/셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 용축하여 화합물 H-l(12g,
77%)을 수득하였다.
LC/MS calculated for: C50H34N2 Exact Mass: 662.27 found for 662.32 [M+H] 합성예 2: 화합물 H-7의 합성
[반응식 2]
Figure imgf000035_0001
句 중간체 1¾-7-1의 합성
중간체 H-1-2 15.00 g (39.71 mmol), Bis(pinacolato)diboron 12.1 g(47.64 mmol), Pd(dppf)Cl2 1.62 g (1.98 mmol), KOAc 11.69 g (119.09 mmol)을 toluene 150 ml에 현탁시킨 후 12 시간 동안 환류 교반한다. 반응 용매를 농죽한 후 Methylene Chloride로 주줄하여 유기증을 Hexane : EA = 4 : l(v/v) 로 컬럼하여 목적 화합물인 중간체 H-7-1
15.0 g (81% Yield)을 수득하였다.
b) 중간체 H-7-2의 합성
중간체 H-7-1 (13.30g, 28.34 mmol), 1 -Bromo-4-chloro-benzene (6.51g, 34.00 mmol), K2C03 (7.83g? 56.67 mmol) 그리고 Pd(PPh3)4 (0.98g, 0.85 mmol)을 환저플라스크에 넣고 THF(lOOml)와 증류수 (50ml)에 녹인 후 80°C에서 12시간동안교반한다. 반응이 종료되면 물층을 제거한후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 H-7-2를
10.0g(78%)수득하였다.
c) 화합물 H-7의 합성
중간체 H-7-2 (9.2 lg, 20.30 mmol), bis-biphenyl-4-yl-amine (6.85g, 21.32 mmol), 소듐 t_부톡사이드 (NaOiBu) (2.97 g, 30.45 mmol), Pd2(dba)3 (1.11 g, 1.22 mmol), 트리 t- 부틸포스핀 (P(iBu)3) (1.48 g, 50% in톨루엔)를 자일렌 (120 mL)에 넣고 질소 기류 하에서 12시간동안 가열하여 환류하였다. 자일렌을 제거한후， 이로부터 수득한 혼합물에 메탄올 200 mL를 가하여 결정화된 고형분을 여과한후, 톨루엔에 녹여 실리카겔/셀라이트로 여과하고,유기 용매를 적당량용축하여 화합물 H-7(12g,
80%)을 수득하였다. .
LC/MS calculated for: C56H38N2 Exact Mass: 738.30 found for 738.27 [M+H] 합성예 3: 화합물 H-14의 합성
[반응식 3]
Figure imgf000036_0001
중간체 11-1-2, 13¾61170!11 11-3- -1)1 1171- 11^116을 1:1 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 이와 같은 방법으로 화합물쇼-7을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C44H28N20 Exact Mass: 600.22 found for 600.45 [M+H] 합성예 4: 화합물 H-23의 합성
[반응식 4]
Figure imgf000036_0002
2019/235725 35 1»(：1/10公019/002807 반응물질
Figure imgf000037_0001
대신하여
Figure imgf000037_0002
사용하여 상기 합성예 1과 같은 방법으로 화합물 11-23을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C44H29NS Exact Mass: 603.20 found for 603.77 [M+H] 합성예 5: 화합물 H-42의 합성
[반응식 5]
Figure imgf000037_0003
대신하여 2-Dibenzofllran-3-yl-4,4,5,5-tetramethyl-[l5352]dioxaborolane을사용하여 상기 합성예 1과 같은 방법으로 화합물 11-42을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C44H29NO Exact Mass: 587.22 found for 587.71 [M+H] 합성예 6: 화합물 H-43의 합성
[반응식 6]
Figure imgf000037_0004
중간체 H-42-2, Biphenyl-4-yl-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-ami^
Figure imgf000037_0005
1 :1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 이와 같은 방법으로 화합물 H-43을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C47H33NO Exact Mass: 627.26 found for 627.77 [M+H] 합성예 7: 화합물 H-55의 합성 \¥0 2019/235725 36 1»(：1/10公019/002807
[반응식 7]
Figure imgf000038_0001
중간체 H-42-2, (4-Naphthalen-2-yl-phenyl)-phenyl-amine을 1 :1 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 C)와 같은 방법으로 화합물 H-55을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C42H27NO Exact Mass: 561.21 found for 561.67 [M+H] 합성예 8:화합물 H-49의 합성
[반응식 8]
Figure imgf000038_0002
중간체 H-42-2, Biphenyl-4-yl-[4-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)-phenyl]-amine
Figure imgf000038_0003
1 :1 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 화합물 H-49을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C57H37NO Exact Mass: 751.29 found for 751.91 [M+H] 합성예 9:화합물 H-56의 합성
[반응식 9]
Figure imgf000038_0004
중간체 H-l-2, Nl-([l，l’-biphenyl]-4-yl)-N3，N3-diphenylbenzene-l，3-d^
Figure imgf000038_0005
1 :1 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 화합물 H-56을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C56H39N3 Exact Mass: 753.31 found for 753.93 [M+H] 합성예 10:화합물 H-75의 합성 2019/235725 37 1»(：1/10公019/002807
［반응식 1이
Figure imgf000039_0001
:1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 이와 같은 방법으로 화합물 11-75을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C50H34N2O Exact Mass: 678.27 found for 678.82 [M+H] 합성예 11: 화합물 H-85의 합성
[반응식 11]
Figure imgf000039_0002
반응물질 2-81，01110-5-功1101，0七 112 （1611＞，｛ 을 대신하여 2 1_01110-3-（;11101:0 - benzaldehyde을 사용하여 상기 합성예 1과 같은 방법으로 화합물 H-85을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C50H34N2 Exact Mass: 662.27 found for 662.82 [M+H]
합성예 12: 화합물 H-120의 합성
[반응식 12]
Figure imgf000039_0003
반응물질 9-Phenyl-2-(4,4,5,5-tetramethyl-[l53,2]dioxaborolan-2-yl)-9H-carbazole5 2 - 2019/235725 38 1»(：1/10公019/002807
Bromo-5-chloro-benzaldehyde을 대신하여 2-Dibenzothiophen-3-yl-4?4?5,5-tetramethyl- [l，3,2]dioxaborolane, 2-Bromo-4-chloro-benzaldehyde을사용하여 상기 합성예 1과 같은 방법으로 화합물 H-120을 합성하였다.
LC/MS calculated for; C44H29NO Exact Mass: 587.22 found for 587.71 [M+H] 합성예 13: 화합물 H-125의 합성
[반응식 13]
Figure imgf000040_0001
반응물질 9-Phenyl-2-(4?455?5-tetramethyl-[l,3 2]dioxaborolan-2-yl)-9H-carbazole? 2- Bromo-5-chloro-benzaldehyde을 대신하여 2-Dibenzothiophen-3-yl-4,4,5?5-tetramethyl- [l,3,2]dioxaborolane, 2-Bromo-6-chloro-benzaldehyde을사용하여 상기 합성예 1과 같은 방법으로 화합물 H-125를 합성하였다.
LC/MS calculated for: C44H29NO Exact Mass: 587.22 found for 587.78 [M+H] 비교합성예 1： 화합물 V-1의 합성
[반응식 M]
Figure imgf000040_0002
2019/235725 39 1»（그1^112019/002807 둥근바닥플라스크에 3, 7 -다이브로모벤조！＞,到사이오펜 的就146 11111101), 테트라하이드로퓨란 400 11止를 넣고 질소분위기에서 드라이아이스와 아세톤으로 - 78 X：로 냉각하였다. 온도를 유지하면서 1.6 부틸리륨 100.5 0止를 천천히 떨어뜨리고 나서 온도를 유지하면서 2 시간동안 교반하였다. 동일한온도에서 트리메틸보레이트 103 11止를 천천히 떨어뜨리고 나서 온도를 상온으로 올리고 24 시간교반하였다. 반응이 종결된 후 2 N 염산을 넣고 교반하였다. 반응액에 표쇼를 넣어서 교반하고 £ ¾0로 추출한후표쇼층을 1¾ 6~7까지 중화하였다. 유기층을 농축하고 핵산으로 재결정하고, 생성된 결정을 건조하여 중간체 \ 1-1 (29.4 &
65.5%)을수득하였다.
V) 중간체 ¥-1-2의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 ¥-1-1 29.4 ^96 11따101)， 2,5 -다이브로모나이트로벤젠 32.3은(115 11111101), 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 2.2은(1.9 0111101), 탄산칼륨 26.5 192 11111101)， 테트라하이드로퓨란 176.4 11止, 다이옥산 58.8 11止， 물 176.4 II止를 넣고 환류시켰다. 반응을 종결하고 상온으로 식히고
Figure imgf000041_0001
추출하고 유기층을 농축한다음 컬럼 분리하였다. 분리액을농축하고 切01¾로 재결정하고 생성된 결정을 건조하여 중간체 ¥-1-2(28 & 63.1%)을 수득하였다.
중간체 -1-3의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 \^-1-2 28就60 _01)， 염산 170 !1止, 에탄올 560 11止를 넣고 온도를 0 X: 이하로 내린 후 틴 파우더 17.9
Figure imgf000041_0002
조금씩 넣어주고 완전히 녹을 때까지 가열하였다. 반응이 종결되면 상온으로 식히고 40% 수산화나트륨 수용액을
Figure imgf000041_0003
이상으로 만들었다.요쇼로 주줄하고 유기증을 취해 농축하고 MeOH로 재결정하고 생성된 결정을 건조하여 중간체 ¥-1-3(23 &
87.8%)을수득하였다.
(1) 중간체 ¥-1-4의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 ¥-1-3 23 53 _01)， 소둠나이트라이트 9.2 ^133
1x111101),포타슘아이오다이드 22 132.7 11111101)， 아세토나이트라일 228 11止를 넣고 교반하면서 온도를 0
Figure imgf000041_0004
이하로 냉각하고 염산을 천천히 떨어뜨렸다. 반응이 종결되면 온도를 상온으로 올리고 물을 넣고 교반하고 추가로 MC를 넣어서 교반하였다. 소듐사이오설페이트를 반응액이 노란색이 될 때까지 넣어주었다. 추출하고'농축한후 컬럼 분리하고 분리액을 농축해 핵산으로 재결정하고 생성된 결정을 건조하여 중간체 V-l-4(25 g, 86.6%)를 수득하였다.
e) 중간체 V-1-5의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 V-1-4 25 g(46 mmol), 테트라키스 (트리페닐
포스핀)팔라듐 (0) 1.1 g(l mmol), 요오드화구리 0.4 g(2 mmol), 트리에틸아민 200 mL를 넣고상온에서 교반하였다. 서서히 교반하면서 페닐아세틸렌 4.7 tnL(46 mmol)을 천천히 떨어뜨렸다 . 1시간동안교반하고 핵산을부어 반응을 종결하였다. 반응액을 농축하고 컬럼분리하여 중간체 V-l-5(19 g, 79.7%)를 수득하였다.
f) 중간체 V-1-6의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 V-1-5 19 g(37 mmol), 아이론 (III)
트리플루오로메탄설포네이트 1.8 g(4 mmol), 1 ,2 -다이클로로에탄 300 mL를 넣고 24 시간동안환류시켰다. 반응이 종결되면 상온으로 식히고 농축한 뒤 컬럼분리하고 분리액을 농축해서 MeOH로 재결정하고 생성된 결정을 건조하여 중간체 V-l-6(17 g, 89.5%)을 수득하였다.
g) 화합물 V-1의 합성
둥근바닥플라스크에 중간체 V-1-6 17 g(33 mmol), 다이페닐아민 13.3 79 mmol), 팔라듐 (II)아세테이트 0.29 g( 1.3 mmol), 소듐 -t-부톡사이드 12.6 g(l 31 mmol), 톨루엔
200 mL를 넣고 교반하면서 가열하고 60 °C가 되면 트리- 1-부틸포스핀 2.12 g(5.2 mmol)을 넣고 환류시켰다. 반응이 종결되면 상온으로 식히고 반응액을 농축해 컬럼 분리하고 분리액을농축해 재결정하고， 생성된 결정을 여과하고 건조하여 화합물 V- 1(8.6 g, 37.7%)을수득하였다.
LC/MS calculated for: C50H34N2S Exact Mass: 694.24 found for 694.88 [M+H] 비교합성예 2: 화합물 V-2의 합성
2019/235725 41 1»（：1'/10{2019/002807
[반응식 15]
Figure imgf000043_0001
중간체 ¥-2-1의 합성
2 -브로모아이오도벤젠 7.5 1.2 £（!）, 비스（클로로（트리페닐포스핀）） 팔라듐（II） 780
Figure imgf000043_0002
250 1 （0.06。인를 혼합하고, 질소 기류하에서 상기 혼합물에
11伴 70 11止를 넣어 교반하고, 트리에틸아민 1311止（86£1）과 （4 -에틴닐-페닐）-디페닐-아민 6 1 6（0을 천천히 적가한 후 실온 조건에서 2시간 교반하였다. 이로부터 수득한 결과물로부터 용매를 회전증발기를 이용하여 제거하고， 반응액에 물 5011止를 가하고 에틸에테로 5011止로 3회 추출하였다. 이로부터 수득한 유기층을 마그네슘설페이트를 이용하여 건조하고 용매를 증발시켜 수득한 잔류물을 칼럼으로 분리 정제하여 중간체 ¥-2-1 （수율 55%）를 수득하였다.
비 중간체 ¥-2-2의 합성
중간체 ¥-2-1 5.0 1.0 £（1），3-（4,4,5,5-테트라메틸-[1，3,2]디옥사보로란 -2 - ¾）- 디벤조퓨란 4.2
Figure imgf000043_0003
증류수 15 11止와 혼합한 후， 70 °（그까지 가온한 후 환류하면서 24시간 동안 교반하였다. 이로부터 수득한 혼합물을 실온까지 냉각시킨 뒤， 물 10011止와 디에틸에테르 100 11止로 3회 추출하였다. 이로부터 수득한 유기층을 마그네슘설페이트를 이용하여 건조시키고 용매를 증발시키고 수득한 잔류물을 칼럼으로 분리 정제하여 중간체 V- 2-2 3.6 §（수율 60%）를 수득하였다.
화합물 ¥-2의 합성
중간체 ¥-2-2 3.6 1 인을 메틸렌 클로라이드 500 11止와 혼합하고, 2019/235725 42 1»（：1/10公019/002807 트리플루오로아세트산 20 mL(40 eq)를 천천히 적가하고 1시간동안실온에서 교반하였다. 반응 종료후, 물 100 mL와 디에틸에테르 lOO mL를 반응액에 첨가하여 3회 추출하였다. 이로부터 수득한유기층을 마그네슘설페이트를 이용하여 건조하고 용매를 증발시켜 수득한 잔류물을 칼럼으로 분리 정제하여 화합물 V-2 3.2g (수율 90%)를 수득하였다.
LC/MS calculated for: C38H25NO Exact Mass: 511.19 found for 511.61 [M+H] 저 12유기 광전자소자용화합물
합성예 14: 화합물쇼-8의 합성
[반응식 16]
Figure imgf000044_0001
a)중간체 A-8-1의 합성
1 L의 둥근 바닥플라스크에 3-bromocarbazole(35 g， 142 mmol)을
tetrahydrofUran(THF) 0.5 L에 녹인 후, 여기에 phenyl boronic acid(17.3 g， 142 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(8.2 g， 7.1 mmol)을 넣고 교반시켰다. 그리고 물에 포화된 potassium carbonate(49.1 g， 356 mmol)을 넣고 80 °0에서 I2시간동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 magnesium sulfate anhydrous로 수분을 제거한후， 필터하고 감압농축하였다. 이렇게 2019/235725 43 1»(：1/10公019/002807 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 A-8-l를 22.0 g 얻었다.
b) 중간체 A-8-2의 합성
1 L의 둥근 바닥 플라스크에 2-chloro-4,6-diphenyl-[l,3,5]triazine (40 g, 149 mmol)을 tetrahydroforan(THF) 0.5 L에 녹인 후, 여기에 4-chlorophenyl boronic acid (25.7 g,
164 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(8.63 g, 7.5 mmol)을 넣고 교반시켰다. 그리고 물에 포화된 potassium carbonate(51.6 g, 374 mmol)을 넣고 80 °0에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고
dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 magnesium sulfate anhydrous로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 A-8-2를 32.1 g 얻었다
화합물 A-8의 합성
중간체 A-8-1 (22.0g, 90.4 mmol), 중간체 A-8-2 (31.1g, 90.4 mmol), 소듐 t- 부톡사이드 (NaOtBu) (13.01 g, 135.6 mmol), Pd2(dba)3 (2.48 g, 2.7 mmol), 트리 t- 부틸포스핀 (P(tBu)3) (5.49 g, 50% in톨루엔)를 자일렌 (300 mL)에 넣고 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 자일텐을 제거한 후, 이로부터 수득한 혼합물에 메탄올 200 mL를 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후,
모노클로로벤젠 (MCB)에 녹여 실리카겔/셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 용축하여 화합물 A-8(32g, 64.3%)을 수득하였다.
LC/MS calculated for: C39H26N4 Exact Mass: 550.22 found for 550.65 [M+H] 합성예 15: 화합물 A-12의 합성
[반응식 1T|
Figure imgf000045_0001
2019/235725 44 1»（：1/10公019/002807 중간체 쇼-124의 합성
Carbazole(35g, 209.3 mmol), 1 -bromo-4-chloro-benzene(60.11 g 313 98mmol), Cul (3.99g, 20.9 mmol), K2CO3 (43.39g, 313.98 mmol), 1 , 10-phenanthroline (3.77g, 20.9 mmol)을 환저플라스크에 넣고 DMF(700ml)에 녹인다. 180°C에서 18 시간동안교반한다. 반응이 종료되면 반응용매를 감압하에서 제거한후 디클로로메탄에 용해 후 실리카겔 여과한다. 디클로로메탄농축후 핵산으로 재결정하여 중간체 A-12-1를 40.0g (68.8%)수득하였다.
b) 중간체 A-12-2의 합성
중간체 A-12-1 (40g, 144mmol), Bis(pinacolato)diboron (54.86g, 216mmol), Pd(dppf)Cl2 (7.1g, 8.Mmmol), Tricyclohexylphosphine (8.08g, 28.8mmol) 그리고 Potassium acetate (42.4g, 432.04mmo】)을 환저플라스크에 넣고 dioxane(720m】)으로 녹인다.
혼합물을 120°C에서 12시간동안환류교반한다. 반응이 종료되면 과량의 증류수에 혼합물을 붓고 1시간동안교반한다. 고형물을 필터한후 DCM에 녹인다. MgS04로 수분을 제거한후실리카겔 패드를 이용하여 유기용매를 필터한후 감압 하에 제거한다. 고형물을표쇼와 Hexane으로 재결정하여 중간체 A-12-2를 31.3g(58.9%) 수득하였다.
c) 화합물 A-12의 합성
1 L의 둥근 바닥플라스크에 중간체 A- 12-2 (31 g, 83.95 mmol)을
t的· ahydrofiiran(THF) 0.3 L에 녹인 후， 여기에 중간체 A-8-2 (28.86 g, 83.95 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(4.85 g, 4.2 mmol)을 넣고 교반시켰다. 그리고 물에 포화된 potassium carbonate(29.01 g, 209.9 mmol)을 넣고 80 "0에서 12시간동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료후 반응액에 물을 넣고 30분간교반하여 필터한 다음, 얻은 고체를 모노클로로벤젠에 133 °C 온도에서 녹이고 magnesium sulfate anhydrous로 수분을 제거한후,실리카겔을 이용하여 필터하고 여액을 상온으로 식혀서 필터하였다. 이렇게 얻어진 고체를 모노클로로벤젠을 이용하여 반복 정제하여 화합물 A-12를 31.0 g (67.1%) 얻었다.
LC/MS calculated for: C39H26N4 Exact Mass: 550.22 found for 550.75 [M+H] 합성예 16: 화합물 A-25의 합성 2019/235725 45 1»(：1/10公019/002807
[반응식 18]
Figure imgf000047_0002
a) 중간체 A-25-1의 합성
중간체 A-8-1 (22g， 90.4mmol)을 이용하여 상기 합성예 15의 a)와 같은 방법으로 합성하여 중간체 A-25-1를 18g (56.3%)을 얻었다.
b) 중간체 A-25-2의 합성
중간체 A-25-1 (18g, 51mmol)를 이용하여 상기 합성예 15의 비와 같은 방법으로 합성하여 중간체 A-25-2을 14.8g (65.3%)를 얻었다.
c) 화합물 A-25의 합성
중간체 A-25-2 (10.5g 29.3mmol)과 2-Chloro-4-dibenzofuran-3-yl-6-phenyl-
[l,3,5]triazine (14.38g, 32.28mmol)를 상기 합성예 15의 c)와 같은 방법으로 합성하여 화합물 A-25 12.7g(67.5%)를 얻었다
LC/MS calculated for: C45H28N40 Exact Mass: 640.23 found for 640.73 [M+H] 합성예 17: 화합물 B-l의 합성
[반응식 19]
Figure imgf000047_0001
幻 중간체 8-1-1의 합성
500 止둥근바닥플라스크에 시아누릭클로라이드 15 ^81.34 11111101）을 무수 테트라하이드로퓨란 200 11止에 녹이고， 질소 대기 하에서 3 -바이페닐
마그네슘브로마이드 용액 （0.5 테트라하이드로퓨란）1 당량을 0°（:에서 적가하고 \¥0 2019/235725 46 서서히 상온으로 올린다. 상온에서 1 시간 동안 교반한 후, 반응액을 얼음물 500 11止에 넣고 층분리시킨다. 유기층을 분리하고 무수 황산마그네슘을 처리하고 농축한다. 농축된 잔사를 테트라하이드로퓨란과 메탄올로 재결정하여 중간체 6-1 - 1을 17.2은 얻었다.
비 화합물 요-1의 합성
500 11止의 둥근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 8-1-1 17.2§ (56.9 1 1101)을 테트라하이드로퓨란 200 111^ 증류수 100 11止를 넣고, 다이벤조퓨란- 3 -보론산
395087-89-5) 2 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 18 시간 후 반응액을 냉각시키고, 석출된 고체를 여과하고, 물 500 11止로 씻는다. 고체를 모노클로로벤젠 500 II止로 재결정하여 화합물 8-1을 12.87 8 얻었다.
LC/MS calculated for: C39H23N302 Exact Mass: 565.1790 found for: 566.18 [M+H] 합성예 18:화합물 B-3의 합성
[반응식 2이
Figure imgf000048_0001
幻 중간체 8-3-1의 합성
질소 환경에서 magnesium(7.86 g, 323 mmol)과 iodine(1.64 g, 6.46 mmol)을
MrahydrofUran(THF) 0.1 L·^ 넣고 30분간 교반시킨 후， 여기에 THF 0.3 L에 녹아있는 l-bromo-3,5-diphenylbenzene(100 g, 323 mmol)을 0 에서 30분에 걸쳐 천천히 적가한다. 이렇게 만들어진 혼합액을 THF 0.5 L에 녹아있는 시아누릭클로라이드 64.5 g (350 mmol) 용액에 이에서 30분에 걸쳐 천천히 적가한다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농죽하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 B-3-l(79.4 g, 65 %)을 얻었다.
b) 화합물 B-3의 합성
중간체 B-3-1을 사용하여 상기 합성예 17의 비와 같은 방법으로 화합물 B-3를 합성하였다. 2019/235725 47 1»(：1/10公019/002807
LC/MS calculated for: C45H27N302 Exact Mass: 641.2103 found for 642.21 [M+H] 합성예 19: 화합물 B-17의 합성
[반응식 21]
Figure imgf000049_0001
a) 중간체 B-17-1의 합성
500 mL의 둥근 바닥 플라스크에 2,4 -디클로로- 6 -페닐트리아진 22.6g (100 mmol)을 테트라하이드로퓨란 100 mL, 톨루엔 100 mL, 증류수 100 mL를 넣고， 다이벤조퓨란- 3 -보론산 (CAS No.: 395087-89-5) 0.9 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량， 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 6 시간 후 반응액을 냉각시키고， 물층을 제거한 후, 유기층을 감압하에서 건조시킨다. 얻어진 고체를 물과 핵산으로 씻어준 후, 고체를 톨루엔 200 mL로 재결정하여 중간체 B-17-1을 21.4 g(60% 수율) 얻었다.
b) 화합물 B-17의 합성
500 mL의 둥근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 B-17-1 (56.9 mmol)을 테트라하이드로퓨란 200 mL, 증류수 100 mL를 넣고, 3, 5 -다이페닐벤젠보론산 (CAS
No.: 128388-54-5) 1.1 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량， 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 18 시간 후 반응액을 냉각시키고, 석출된 고체를 여과하고, 물 500 mL로 씻는다. 고체를 모노클로로벤젠 500 mL로 재결정하여 화합물 B-17을 얻었다.
LC/MS calculated for: C39H25N30 Exact Mass: 555.1998 found for 556.21 [M+H] 합성예 20: 화합물 8-23의 합성
[반응식 22]
Figure imgf000049_0002
a)중간체 B-23-1의 합성
500 mL둥근바닥플라스크에 시아누릭클로라이드 15 g(81.34 mmol)을무수 테트라하이드로퓨란 200 mL에 녹이고, 질소대기하에서 4 -바이페닐
마그네슘브로마이드 용액 (0.5M 테트라하이드로퓨란 ) 1 당량을이에서 적가하고 서서히 상온으로 올린다. 상온에서 1 시간동안교반한후, 반응액을 얼음물 500 mL에 넣고 증분리시킨다. 유기증을 분리하고 무수 황산마그네슘을 처리하고 농축한다. 농축된 잔사를 테트라하이드로퓨란과 메탄올로 재결정하여 중간체 B-23- 1을 17.2 g 얻었다.
b)중간체 B-23-2의 합성
중간체 B-23-1을사용하여 상기 합성예 19의 a)와 같은 방법을사용하여 중간체 B-23-2을 합성하였다.
c) 화합물 B-23의 합성
중간체 B-23-2와 1.1 당량의 3,5 -다이페닐벤젠보론산을사용하여 상기 합성예 19의 비와 같은 방법으로 화합물 B-23을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C45H29N30 Exact Mass: 627.2311 found for 628.24 [M+H] 합성예 21:화합물 B-129의 합성
[반응식 23]
KOAc/ / PCy3
Figure imgf000050_0001
&) 중간체 8-129-1의 합성
1 61'01110-4-(：11101'0七61떼16과 3 - (1¾611：즈011« 1베)01*011 를 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 19의 비와 같은 방법으로 중간체 129-1을 합성하였다.
비중간체 8-129-2의 합성
중간체 8-129-1와비스피나콜라도 다이보론 1 :1.2 당량비를사용하여 상기 합성예 15의 비와 같은 방법으로 중간체 129-2을 합성하였다.
0)화합물 8-129의 합성 중간체 8-129-2와 2- 1010-4-（ 6 1-4- ）6- 1-1,3,5-1:1 116을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 19의 비와 같은 방법으로 화합물 129을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C39H25N30 Exact Mass: 551.20 found for 551.24 [M+H] 합성예 22: 화합물 8-133의 합성
[반응식 24]
Figure imgf000051_0001
중간체 B-17-1 및 중간체 B-129-2을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 19의 비와 같은 방법으로 화합물 B-133을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C39H23N302 Exact Mass: 565.18 found for 565.22 [M+H] 합성예 23: 화합물 B-135의 합성
[반응식 25]
Figure imgf000051_0002
사용하여 상기 합성예 19의 비와 같은 방법으로 중간체 8-135-1을 합성하였다.
비중간체 135-2의 합성
중간체 8-135-1와 비스피나콜라도 다이보론 1 :1.2 당량비를 사용하여 상기 합성예 15의 切와 같은 방법으로 중간체 묘-135-2을 합성하였다
화합물 8-135의 합성
중간체 묘-135-2와네1을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 19의 버와 같은 방법으로 화합물묘-135을 합성하였다. 2019/235725 50 1»（：1/10公019/002807
LC/MS calculated for: C37H23N30 Exact Mass: 525.18 found for 525.22 [M+H] 합성예 24:화합물 D-25의 합성
[반응식 26]
Figure imgf000052_0001
a)중간체 Int-1의 합성
1 -Bromo-4-chloro-2-fluorobenzene (61g, 291 mmol), 2,6-Dimethoxyphenylboronic Acid (50.4g, 277mmol), K2C03 (60.4g, 437mmol) 그리고 Pd(PPh3)4 (lO.lg, 8.7mmol)을
환저플라스크에 넣고 THF(500ml)와증류수 (200ml) 에 녹인 후 60°C에서 I2시간 동안환류교반시킨다. 반응이 종료되면 물층을 제거한후
컬럼크로마토그래피 (Hexane:DCM(20%))를 이용하여 중간체 Int-1를 38g(51%) 수득하였다.
b) 중간체 Int-2의 합성
중간체 Int-1 (38g, 142mmol)와 Pyridine Hydrochloride(165g, 1425mmol)을 환저플라스크에 넣고 20CTC에서 24시간동안환류교반시킨다. 반응이 종료되면 상온으로 식힌 후증류수에 천천히 붓고 1시간동안교반시킨다. 고형물을 필터하여 중간체 Int-2를 23g(68%)수득하였다.
c)중간체 Int-3의 합성
중간체 Int-2 (23g, 96mmol)와 K2C03 (20g, 144mmol)을 환저플라스크에 넣고 NMP(lOOml)에 녹인 후 180°C에서 12시간 동안환류교반시킨다. 반응이 종료되면 과량의 증류수에 혼합물을붓는다. 고형물을 필터한후 에틸아세테이트에 녹인 후 MgS04로 건조하고 유기층 감압 하에 제거한다.
컬럼크로마토그래피 (Hexane:EA(30%))를 이용하여 중간체 M-3를 16g(76%)
수득하였다.
비 중간체 Int-4의 합성
중간체 Int-3 (16g, 73mmol), Pyridine (12ml, 146mmol)을 환저플라스크에 넣고 2019/235725 51 1»(：1/10公019/002807
DCM(200ml)에 녹인다. 온도를 0°C로 낮춘후 Trifluoromethanesulfonic Anhydride (14.7ml, 88mmol)을 천천히 적가한다. 6시간동안교반한후 반응이 종료되면 과량의 증류수를 넣어 30분간교반한후 DCM으로 추출한다. 유기용매를 감압하에 제거하고 진공건조하여 중간체 Int-4를 22.5g(88%) 수득하였다.
e)중간체 Int-5의 합성
중간체 Int-4 (22.5 g, 64mmol) 와 Phenylboronic acid (7.8g, 64mmol), K2C03 (13.3g, 96mmol)그리고 Pd(PPh3)4 (3.7g, 3.2mmol)을 이용하여 합성예 19의 비와 같은 방법으로 합성하여 중간체 Int-5를 14.4g(81%) 수득하였다.
f)중간체 Int-6의 합성
중간체 Int-5 (22.5g, 80mmol), Bis(pinacolato)diboron (24.6g, 97mmol), Pd(dppf)Cl2
(2g, 2.4mmol), Tricyclohexylphosphine (3.9g, 16mmol) 그리고 Potassium acetate (16g, 161mmol)을 환저플라스크에 넣고 DMF(320ml)으로 녹인다. 혼합물을 120°C에서 10시간동안환류교반한다. 반응이 종료되면 과량의 증류수에 혼합물을 붓고 1시간 동안교반한다. 고형물을 필터한후 DCM에 녹인다. MgS04로 수분을 제거한후 실리카겔 패드를 이용하여 유기용매를 필터한후 감압 하에 제거한다. 고형물을
Figure imgf000053_0001
재결정하여 중간체 1삵-6를 26.9就90%)수득하였다.
0 화합물 1)-25의 합성
질소조건에서 환저플라스크에 중간체 23-2 (15& 3511111101)， 중간체 1 -6 (12.8¾ 35x111X101)， ¾(：03 (7.2& 5211111101)그리고 (1 1¾3)4 (2¾ 1.7·。!)을 이용하여 합성예 19의 비와 같은 방법으로 합성하여 화합물 1)-25 15.5 70%)수득하였다.
LC/MS calculated for: C45H27N302 Exact Mass: 641.21 found for 641.25 [M+H] 합성예 25: 화합물 D-3의 합성
[반응식 27]
Ac
Figure imgf000053_0002
句 중간체 £)-3-1의 합성 2-Bromo-l-chloro-3-fluoro-benzene과 2-hydroxyphenylboronic acid를 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 24의 a)와 같은 방법으로 중간체 D-3-1을 합성하였다. b)중간체 D-3-2의 합성
중간체 D-3-1와 K2C03를 1 :1.5 당량비를사용하여 상기 합성예 24 c)와 같은 방법으로 중간체 D-3-2를 합성하였다.
c)중간체 D-3-3의 합성
중간체 D-3-2와 Bis(pinacolato)diboron를 1 :1.2 당량비를사용하여 상기 합성예 24의 Q와 같은 방법으로 중간체 D-3-3를 합성하였다.
d) 화합물 D-3의 합성
중간체 D-3-3와 2,4- 8([1,1’七切느해 ]-4- )-6-(加이0-1,3，:5-仕 2:¾½을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 19의 비와 같은 방법으로 화합물 D-3을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C39H25N30 Exact Mass: 551.20 found for 551.24 [M+H] 합성예 26내지 29
한국공개특허 제 10-2014-0135524호에 개시된 합성방법을 참고하여 하기 출발물질 1과출발물질 2를사용하여 화합물 E-31, E-33, E-35 및 E-37을 각각 합성하였다.
[표 1]
Figure imgf000054_0001
Figure imgf000055_0001
(유기 발광소자의 제작 I )
실시예 1
ITO (Indium tin oxide)가 1500 A 두께로 박막코팅된 유리 기관을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올， 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간 세정 한후 진공 증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ITO투명 전극을 양극으로사용하여 ITO 기판상부에 화합물 A을 진공 증착하여 700A 두께의 정공주입층을 형성하고 상기 주입층 상부에 화합물 B를 50A의 두께로 증착한후， 화합물 C를 700A의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화합물 H-1을 400 A의 두께로 증착하여 정공수송보조층을 형성하였다. 정공수송층 상부에 화합물묘를 호스트로 사용하고 도판트로 [Ir(piq)2acac] 2wt%로 도핑하여 진공 증착으로 400 A 두께의 발광층을 형성하였다. 이어서 상기 발광층 상부에 화합물 D와 Liq를 동시에 1:1 비율로 진공 증착하여 300 A 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 Liq 15 A과 A1 1200A을 순차적으로 진공 증착 하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다.
상기 유기발광소자는 5층의 유기 박막층을 가지는 구조로 되어 있으며, 구체적으로 다음과 같다.
ITO/화합물 A(700A)/화합물 B(50A)/화합물 C(700A)/화합물 H- 1(400
A)/EML [화합물 E : [Ir(piq)2acac] (2wt%)] (400 A) /화합물 D : Liq(300A) / Liq(15 A) / 2019/235725 54 1»（：1^1{2019/002807 쇼1(1200ᅀ)의 구조로 제작하였다.
화합물ᅀ N4,N4,-diphenyl-N4,N4'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4,- 화합물 6: 1,4,5,8,9,11-116 조7 1 1^11}46116-1½ 1)01^1：1'116 (11쇼1'-0^),
화합물 0: N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-
91¾-:011〔«¾11-2- 11닌116
화합물 I): 8-(4-(4,6-di(naphthalen-2-yl)-l,3,5-triazin-2-yl)phenyl)qumoline
화합물 9- 6 1-9’-(4- 6 1 201 -2- )-9¾9¾-3,3내 3 32;016
실시예 2내지 실시예 6,비교예 1 및 비교예 2
하기 표 2에 기재한바와 같이 본 발명의 정공수송보조층을사용하여 실시예
1과 동일한 방법으로 실시예 2 내지 실시예 6, 비교예 1 및 2의 소자를 제작하였다.
(유기 발광소자의 제작 II)
실시예 7
0 (111(1^111 11 (^( )가 1500ᅀ 두께로 박막코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간 세정 한후 잔공 증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 1X0투명 전극을 양극으로사용하여 110 기판상부에 화합물쇼을 진공 증착하여 700人 두께의 정공 주입층을 형성하고 상기 주입층 상부에 화합물 8를 50入의 두께로 증착한후， 화합물 0를 700人의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층상부에 화합물 ＜：-1을 400入의 두께로 증착하여 정공수송보조층을 형성하였다. 정공수송보조층 상부에 화합물 ^1 및 E 35을동시에 호스트로사용하고 도판트로 [1 )2 배 2\ % 로 도핑하여 진공 증착으로 400ᅀ 두께의 발광층을 형성하였다. 여기서 화합물 11-1과 화합물 35은 7:3 중량비로사용되었으며， 하기 실시예의 경우 별도로 비율을 기술하였다. 이어서 상기 발광층상부에 화합물 13와 1 1를 동시에 1 :1 비율로 진공 증착하여 300入 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 1 1 15入과신 1200入을 순차적으로 진공 증착 하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다.
상기 유기발광소자는 5층의 유기 박막층을 가지는 구조로 되어 있으며, 0 2019/235725 55 1»（：1^1{2019/002807 구체적으로 다음과 같다.
0/화합물사700ᅀ)/화합물可50人)/화합물 (：(700人)/화합물 01(400
A)/EML [화합물 ^1 : £-35 : [1]切 )2 ] (2\ %)] (400人) /화합물 0 : 1 (300入) / 1^(!(15入) /쇼1(1200入)의 구조로 체작하였다.
화합물 0-1: N,N-di([l,G-biphenyl]-4-yl)-7,7-dimethyl-7H-fluoreno[4,3-b]benzofuran-
실시예 8 내지 실시예 18, 참고예 1 및 참고예 2
하기 표 3에 기재된 조성으로 변경한 것을 제외하고는，상기 실시예 7과 동일한방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 평가
실시예 1 내지 실시예 18, 비교예 1 및 비교예 2, 그리고 참고예 1 및 참고예 2에 따른유기발광소자의 전력효율을 평가하였다.
구체적인 측정방법은 하기와 같고， 그 결과는 표 2 및 3과 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을
Figure imgf000057_0001
부터 10\^까지 상승시키면서 전류- 전압계 ( 他 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을
Figure imgf000057_0002
부터 10¥까지 상승시키면서 휘도계 ( 0血 3-1000시를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광효율 측정
상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10111쇼/0112)의 전력 효율 (1111八\0을 계산하였다.
(4)수명 측정
제조된 유기발광소자에 대해 폴라로닉스수명측정 시스템을사용하여 실시예 1 내지 실시예 18, 비교예 1 및 비교예 2 그리고 참고예 1 및 참고예 2의 소자를 초기휘도 (1/1112)를 600此(1/1112로 발광시키고 시간경과에 따른 휘도의 감소를 측정하여 초기 휘도 대비 97%로 휘도가 감소된 시점을 197 수명으로 측정하였다. 2019/235725 56 1»(：1/10公019/002807
[표 2]
Figure imgf000058_0001
[표 3]
Figure imgf000058_0002
2019/235725 1»（：1^1{2019/002807 표 2를 참고하면，실시예 1 내지 6에 따른유기발광소자는 비교예 1 및 비교예 2에 따른유기발광소자와 비교하여 수명이 현저히 개선된 것을 확인할수 있다.
또한, 표 3을 참고하면， 실시예 7 내지 18에 따른 유기발광소자는 참고예 1 및 참고예 2에 따른 유기발광소자와 비교하여 효율 및 수명이 현저히 개선된 것을 확인할수 있다. 이상에서 본 발명의 바람직한실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims

2019/235725 58 1»（：1^1{2019/002807 【청구의 범위】 【청구항 1 ] 하기 화학식 1로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물:
[화학식 1]
Figure imgf000060_0001
상기 화학식 1에서,
X1은 0, 또는 NRa이고,
내지 I?은 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고， 및 II1 내지 II5는 각각 독립적으로 수소， 중수소， 시아노기, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기， 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기 또는 이들의 조합이고,
쇼]·1 및 쇼1·2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴아민기 또는 이들의 조합이다.
【청구항 2】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4 중 어느 하나로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물:
[화학식 1-1] [화학식 1-2]
Figure imgf000060_0002
\¥0 2019/235725 59 꾜 뼤 에고
[화학식 1-3] [화학식 1-4]
Figure imgf000061_0001
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4에서,
X1은 0, 8 또는 NRa이고,
내지 3은 단일결합， 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴텐기, 치환 또는 비치환된 02내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고，
및 II1 내지 ¥는각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기， 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기 또는 이들의 조합이고，
1 및 쇼戶는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기， 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 , 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴아민기 또는 이들의 조합이다.
【청구항 3]
저 11항에 있어서,
Figure imgf000061_0002
적으로 치환또는 비치환된 페닐기 , 치환또는 비치환된 바이페닐기， 치환또는 비치환된 터페닐기, 치환또는 비치환된 나프틸기， 치환또는 비치환된 안트라세닐기， 치환또는 비치환된 페난트레닐기， 치환또는 비치환된 트리페닐텐기, 치환또는 비치환된 플루오레닐기, 치환또는 비치환된 카바졸일기， 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환또는 비치환된
디벤조티오펜일기,또는 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴아민기인 유기 광전자소자용 화합물.
【청구항 4】
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 내지 화학식 1(1중 어느 하나로 표현되는 유기 광전자소자용 화합물: 2019/235725 60 1»（：1'/10{2019/002807
［화학식 1리 ［화학식 1비
Figure imgf000062_0001
상기 화학식 1ᄅ 내지 화학식 1 (1에서，
은 0,요 또는 NRa이고，
X2는 0, 8 ^1 0 또는 NRd이고，
내지 3은 각각 독립적으로 단일결합， 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴렌기 , 치환 또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
Figure imgf000062_0002
적으로 수소， 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기 , 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기 또는 이들의 조합이고,
쇼!·2 내지 5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된
디벤조티오펜일기이며,
쇼!·4 및 쇼1·5는 각각 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 헤테로방향족의 다환식 고리를 형성한다.
【청구항 5】
제 4항에 있어서,
상기 화학식 내지 화학식 의 2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 나프틸기 , 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이고,
상기 화학식 比 및 화학식 1<1의 3 내지 5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐기이며, 2019/235725 61 1»（：1^1{2019/002807 상기 화학식 1(1의 2는 치환또는 비치환된 페닐기， 치환또는 비치환된 바이페닐기， 치환또는 비치환된 나프틸기, 치환또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기인 유기 광전자소자용 화합물.
【청구항 6]
저 11항에 있어서，
상기 1 및 2는 각각 독립적으로 하기 그룹 I에 나열된 기에서 선택된 하나인 유기 광전자소자용 화합물:
[그룹 I ]
Figure imgf000063_0001
상기 그룹 I에서, *은 연결 지점이다.
【청구항 7】
제 1항에 있어서,
하기 그룹 1에 나열된 화합물 중에서 선택된 하나인 유기 광전자소자용 화합물:
[그룹 1]
Figure imgf000063_0002
Figure imgf000064_0001
Figure imgf000065_0001
2019/235725 64 1»（：1/10公019/002807
Figure imgf000066_0001
【청구항 8】
제 1항에 따른 제 1 유기 광전자 소자용 화합물, 및
하기 화학식 2로 표현되는 제 2 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자용 조성물:
[화학식 2]
Figure imgf000066_0002
2019/235725 65 1»（：1^1{2019/002807 상기 화학식 2에서,
내지 은 각각 독립적으로 X또는己 - 이고,
7} 내지 7} 중 적어도 둘은 X이고，
Figure imgf000067_0001
6은 각각독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴텐기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
및 묘15 내지 1117은 각각독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기， 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기， 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
II15 내지 7중 적어도 하나는 치환또는 비치환된 카바졸일기, 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 치환또는 비치환된 트리페닐렌기이다.
【청구항 9】
제 8항에 있어서，
상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3 중 어느 하나로 표현되는 유기 광전자소자용 조성물:
[화학식 2-1] [화학식 2-2] [화학식 2-3]
Figure imgf000067_0002
상기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3에서,
7) 내지 은 각각독립적으로 N또는 己1/-11£이고，
7} 내지 7) 중 적어도 둘은 X이고,
X3은 0, 8 또는 NRf이고，
1/및 내지 은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴렌기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, 2019/235725 66 1»（：1^1{2019/002807
Figure imgf000068_0001
수소， 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 030 아릴기 , 치환 또는 비치환된 02 내자 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이다.
【청구항 10】
제 9항에 있어서,
상기 II16 및 묘17은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기， 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기 또는 이들의 조합인 유기 광전자 소자용 조성물.
【청구항 11】
제 8항에 있어서,
상기 제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 1-3으로 표현되고， 상기 제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2로 표현되는 유기 광전자 소자용 조성물:
[화학식 1-3]
Figure imgf000068_0002
상기 화학식 1-3에서,
은 0, 8 또는 NRa이고,
내지 은 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴렌기이고，
및 내지 모5는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 01 내지 010 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴기이고,
Figure imgf000068_0003
독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 2019/235725 1»（：1^1{2019/002807 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐텐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 카바졸일기 , 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 , 치환 또는 비치환된
디벤조티오펜일기， 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴아민기이고;
[화학식 2-1] [화학식 2-2]
Figure imgf000069_0001
상기 화학식 2-1 및 화학식 2-2에서，
만 내지 은 각각 질소어）이고，
X3은 0, 8 또는 NRf이고,
V 내지 은 각각 독립적으로 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기이고,
II16 및 II17은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기 , 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 터페닐기， 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기， 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 이들의 조합이고,
, ， , 1沙,모1 및 은 각각 독립적으로 수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 01 내지 010 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 012 아릴기이다.
【청구항 12】
제 8항에 있어서,
상기 제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식
Figure imgf000069_0002
화학식 로 2019/235725 68 1»（：1^1{2019/002807 표현되고,
상기 제 2 유가 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2로 표현되는 유기 광전자 소자용 조성물:
［화학식 1리 ［화학식 1(1］
Figure imgf000070_0001
상기 화학식 및 화학식 1(1에서,
은 0, 8 또는 NRa이고,
내지 1/은 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴렌기이고,
^ 및 II1 내지 II7은 각각 독립적으로 수소， 중수소， 시아노기， 치환 또는 비치환된 01 내지 (：10 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴기이고, 쇼!：2, / 및 쇼］·5는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된
디벤조티오펜일기이고;
［화학식 2-1］ ［화학식 2-2］
Figure imgf000070_0002
X3은 0, 8 또는 이고,
내지
Figure imgf000070_0003
독립적으로 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 06 내지
020 아릴렌기이고,
6 및 묘17은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 2019/235725 1»（：1^1{2019/002807 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 , 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 이들의 조합이고，
Figure imgf000071_0001
독립적으로 수소, 시 노기 , 치환 또는 비치환된 01 내지 010 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 012 아릴기이다.
【청구항 13】
제 8항에 있어서，
도펀트를 더 포함하는 유기 광전자 소자용 조성물.
【청구항 14】
서로 마주하는 양극과 음극，
상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을 포함하고， 상기 유기층은 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 따른 유기 광전자 소자용 화합물, 또는 제 8항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 유기 광전자 소자용 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자.
【청구항 15】
제 14항에 있어서,
상기 유기층은 발광층을 포함하고，
상기 발광층은 상기 유기 광전자 소자용 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자.
【청구항 16】
제 15항에 있어서,
상기 제 1 유기 광전자 소자용 화합물과 상기 제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 각각 상기 발광층의 인광 호스트로서 포함되는 유기 광전자 소자.
【청구항 17】
제 15항에 있어서，
상기 유기 광전자 소자용 조성물은 적색 발광 조성물인 유기 광전자 소자. 2019/235725 1»（：1^1{2019/002807
【청구항 18】
제 14항에 있어서,
상기 유기층은 발광층, 및 상기 양극과상기 발광층사이에 위치하는 정공 보조층을포함하고,
상기 정공 보조층은상기 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자소자.
【청구항 19】
제 18항에 있어서,
상기 정공 보조층은상기 양극과상기 발광층사이에 위치하는 정공 수송층， 그리고 상기 정공 수송층과상기 발광층사이에 위치하는 정공 수송 보조층을 포함하며，
상기 정공 수송 보조층은 상기 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자소자.
【청구항 20】
제 14항에 따른 유기 광전자소자를 포함하는 표시 장치.
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