WO2019212287A1 - 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents

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Definitions

  • the present specification relates to a compound represented by Chemical Formula 1 and an organic light emitting device including the same.
  • organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon of converting electrical energy into light energy using an organic material.
  • An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon usually has a structure including an anode, a cathode and an organic material layer therebetween.
  • the organic material layer is often formed of a multi-layered structure composed of different materials to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, for example, it may be made of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer.
  • An exemplary embodiment of the present specification provides a compound represented by the following formula (1).
  • X is O or S
  • A1 and A2 are each independently CH or N,
  • At least one of A1 and A2 is N,
  • L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
  • R1 to R3 are each independently a cyano group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted alkyl group; A substituted or unsubstituted cycloalkyl group; Substituted or unsubstituted amine group; Substituted or unsubstituted arylamine group; Substituted or unsubstituted alkylamine group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroring group.
  • an exemplary embodiment of the present specification is an organic light emitting device including a first electrode, a second electrode, and at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, wherein at least one layer of the organic layer is It provides an organic light emitting device comprising a compound represented by the formula (1).
  • the compound described herein can be used as the material of the organic material layer of the organic light emitting device.
  • the compound according to at least one exemplary embodiment may improve efficiency, low driving voltage, and lifetime characteristics in the organic light emitting diode.
  • the compounds described herein can be used as the material of the light emitting layer.
  • the compound according to the exemplary embodiment of the present invention has a structure having a high electron accepting ability, and excellent heat resistance to maintain an appropriate deposition temperature when fabricating an organic light emitting device.
  • the sublimation temperature is high, high purity can be achieved by the sublimation refining method, and it does not cause contamination to the deposition apparatus or the organic light emitting device for deposition in manufacturing the organic light emitting device.
  • FIG. 1 shows an example of an organic light emitting element composed of a substrate 1, an anode 2, a light emitting layer 3, and a cathode 4.
  • FIG. 2 shows an example of an organic light emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a light emitting layer 3, an electron transport layer 7 and a cathode 4. It is.
  • the substrate 1 shows the substrate 1, the anode 2, the hole injection layer 5, the hole transport layer 6, the electron suppression layer 8, the light emitting layer 3, the hole suppression layer 9, electron injection and transport
  • the example of the organic light emitting element which consists of the layer 10 and the cathode 4 which are performed simultaneously is shown.
  • FIG. 4 shows a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a first hole transport layer 6a, a second hole transport layer 6b, a light emitting layer 3, a hole suppression layer 9, and an electron transport layer.
  • An example of an organic light emitting element consisting of 7 and a cathode 4 is shown.
  • An exemplary embodiment of the present specification provides a compound represented by Chemical Formula 1.
  • the term "substituted or unsubstituted” is deuterium; Halogen group; Nitrile group; Nitro group; Hydroxyl group; Amino group; Phosphine oxide groups; An alkoxy group; Aryloxy group; Alkyl thioxy group; Arylthioxy group; Alkyl sulfoxy groups; Aryl sulfoxy group; Silyl groups; Boron group; An alkyl group; Cycloalkyl group; Alkenyl groups; Aryl group; Aralkyl group; Ar alkenyl group; Alkylaryl group; Alkylamine group; Aralkyl amine groups; Heteroarylamine group; Arylamine group; Aryl phosphine group; And it is substituted with one or more substituents selected from the group consisting of a heterocyclic group, or two or more substituents selected from the group selected from the group means a substituted or unsubstituted with any substituent.
  • a substituent to which two or more substituents are linked may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent to which two phenyl groups are linked.
  • adjacent The group may mean a substituent substituted with an atom directly connected to an atom in which the corresponding substituent is substituted, a substituent positioned closest in structural conformation to the substituent, or another substituent substituted in an atom in which the substituent is substituted.
  • two substituents substituted at the ortho position in the benzene ring and two substituents substituted at the same carbon in the aliphatic ring may be interpreted as “adjacent” to each other.
  • a substituent substituted for N in carbazole and a substituent of carbon 1 or carbon 8 of carbazole may be interpreted as “adjacent group”.
  • examples of the halogen group include fluorine (-F), chlorine (-Cl), bromine (-Br) or iodine (-I).
  • the silyl group may be represented by the formula of -SiR a R b R c , wherein R a , R b and R c are each independently hydrogen; Substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • Specific examples of the silyl group include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, vinyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, diphenylsilyl group, and phenylsilyl group. Do not.
  • the boron group may be represented by the formula of -BR d R e , wherein R d and R e are each independently hydrogen; Substituted or unsubstituted alkyl group; Or a substituted or unsubstituted aryl group.
  • the boron group may include, but is not limited to, a dimethyl boron group, a diethyl boron group, a t-butyl methyl boron group, a diphenyl boron group, a phenyl boron group, and the like.
  • the alkyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to an exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms.
  • alkyl group examples include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methylbutyl, 1-ethylbutyl, pentyl, n-pentyl Isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, Cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl,
  • the alkoxy group may be linear, branched or cyclic. Although carbon number of an alkoxy group is not specifically limited, It is preferable that it is C1-C40. Specifically, methoxy, ethoxy, n-propoxy, isopropoxy, i-propyloxy, n-butoxy, isobutoxy, tert-butoxy, sec-butoxy, n-pentyloxy, neopentyloxy, Isopentyloxy, n-hexyloxy, 3,3-dimethylbutyloxy, 2-ethylbutyloxy, n-octyloxy, n-nonyloxy, n-decyloxy, benzyloxy, p-methylbenzyloxy and the like It may be, but is not limited thereto.
  • Substituents comprising alkyl groups, alkoxy groups and other alkyl group moieties described herein include both straight and pulverized forms.
  • the alkenyl group may be linear or branched, and the carbon number is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to an exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms.
  • Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2- ( Naphthyl-1-yl) vinyl-1-yl, 2,2-bis (diphenyl-1-yl) vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group and the like, but are not limited thereto.
  • the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to one embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 40 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 6 carbon atoms.
  • the alkylamine group is not particularly limited in carbon number, but is preferably 1 to 40.
  • Specific examples of the alkylamine group include a methylamine group, a dimethylamine group, an ethylamine group, a diethylamine group, and the like, but are not limited thereto.
  • examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group or a substituted or unsubstituted diarylamine group.
  • the aryl group in the arylamine group may be a monocyclic aryl group, may be a polycyclic aryl group.
  • the arylamine group including two or more aryl groups may simultaneously include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group.
  • arylamine group examples include a phenylamine group, naphthylamine group, biphenylamine group, anthracenylamine group, 3-methylphenylamine group, 4-methylnaphthylamine group, 2-methylbiphenylamine group, 9- Methyl anthracenylamine group, diphenylamine group, phenylnaphthylamine group, ditolylamine group, phenyltolylamine group and the like, but is not limited thereto.
  • examples of the heteroarylamine group include a substituted or unsubstituted monoheteroarylamine group or a substituted or unsubstituted diheteroarylamine group.
  • the heteroaryl group in the heteroarylamine group may be a monocyclic heteroaryl group, may be a polycyclic heteroaryl group.
  • the heteroarylamine group including two or more heteroaryl groups may simultaneously include a monocyclic heteroaryl group, a polycyclic heteroaryl group, or a monocyclic heteroaryl group and a polycyclic heteroaryl group.
  • the arylheteroarylamine group means an amine group substituted with an aryl group and a heteroaryl group.
  • examples of the arylphosphine group include a substituted or unsubstituted monoarylphosphine group, a substituted or unsubstituted diarylphosphine group, or a substituted or unsubstituted triarylphosphine group.
  • the aryl group in the arylphosphine group may be a monocyclic aryl group, may be a polycyclic aryl group.
  • the arylphosphine group including the two or more aryl groups may include a monocyclic aryl group, a polycyclic aryl group, or a monocyclic aryl group and a polycyclic aryl group at the same time.
  • the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to an exemplary embodiment, the aryl group has 6 to 30 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the aryl group has 6 to 20 carbon atoms.
  • the monocyclic aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, etc., but is not limited thereto.
  • the polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, pyrenyl group, peryllenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.
  • the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure.
  • Spirofluorenyl groups such as (9,9-dimethylfluorenyl group), and It may be a substituted fluorenyl group such as (9,9-diphenyl fluorenyl group).
  • the present invention is not limited thereto.
  • the heterocyclic group is a ring group containing one or more of N, O, P, S, Si, and Se as hetero atoms, and carbon number is not particularly limited, but is preferably 1 to 60 carbon atoms. According to an exemplary embodiment, the heterocyclic group has 1 to 30 carbon atoms.
  • heterocyclic group examples include, for example, pyridinyl group, pyrrolyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, furanyl group, thiophenyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, thiazolyl Group, isothiazolyl group, triazolyl group, oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, dithiazolyl group, tetrazolyl group, pyranyl group, thiopyranyl group, pyrazinyl group, oxazinyl group, thiazinyl group, di Oxynyl group, triazinyl group, tetrazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinazolinyl group, quinoxalinyl group, naphthyridinyl group, acridinyl group
  • the number of atoms constituting the ring of the heterocyclic group is 3 to 25. In another embodiment, the number of atoms constituting the ring of the heterocyclic group is 5 to 17.
  • heterocyclic group may be applied except that the heteroaryl group is aromatic.
  • the aryl group in the aryloxy group, arylthioxy group, aryl sulfoxy group, aryl phosphine group, aralkyl group, aralkylamine group, aralkenyl group, alkylaryl group, arylamine group, arylheteroarylamine group is described above.
  • the description of one aryl group may apply.
  • the alkyl group of the alkylthioxy group, the alkyl sulfoxy group, the aralkyl group, the aralkylamine group, the alkylaryl group and the alkylamine group may be applied to the description of the alkyl group described above.
  • heteroaryl group described above may be applied to the heteroaryl group among the heteroaryl group, the heteroarylamine group, and the arylheteroarylamine group.
  • alkenyl group of the alkenyl group may be applied to the description of the alkenyl group described above.
  • the description of the aryl group described above may be applied except that the arylene group is a divalent group.
  • the description regarding the aromatic heterocyclic group may be applied except that the heteroarylene group is a divalent group.
  • the meaning of combining with adjacent groups to form a ring means combining with adjacent groups with each other for a substituted or unsubstituted aliphatic hydrocarbon ring; Substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon rings; Substituted or unsubstituted aliphatic hetero ring; Substituted or unsubstituted aromatic hetero rings; Or to form a condensed ring thereof.
  • the aliphatic hydrocarbon ring means a ring composed only of carbon and hydrogen atoms as a ring which is not aromatic.
  • examples of the aliphatic hydrocarbon ring include cyclopropane, cyclobutane, cyclobutene, cyclopentane, cyclopentene, cyclohexane, cyclohexene, 1,4-cyclohexadiene, cycloheptane, cycloheptene, cyclooctane, cyclooctene, and the like. There is, but is not limited to these.
  • the aromatic hydrocarbon ring means an aromatic ring composed only of carbon and hydrogen atoms.
  • examples of the aromatic hydrocarbon ring include benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, perylene, fluoranthene, triphenylene, penalene, pyrene, tetracene, chrysene, pentacene, fluorene, indene, acenaph Butylene, benzofluorene, spirofluorene and the like, but is not limited thereto.
  • the aliphatic hetero ring means an aliphatic ring including at least one of heteroatoms.
  • examples of aliphatic hetero rings include oxirane, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, pyrrolidine, piperidine, morpholine, oxepan, Azocaine, thiocaine and the like, but are not limited to these.
  • the aromatic hetero ring means an aromatic ring including at least one of heteroatoms.
  • aromatic hetero rings include pyridine, pyrrole, pyrimidine, pyridazine, furan, thiophene, imidazole, pyrazole, oxazole, isoxazole, thiazole, isothiazole, triazole, oxadiazole , Thiadiazole, dithiazole, tetrazole, pyran, thiopyran, diazine, oxazine, thiazine, dioxin, triazine, tetrazine, isoquinoline, quinoline, quinol, quinazoline, quinoxaline, naphthyridine, azine Cridine, phenanthridine, diazanaphthalene, triazaindene, indole, indolizine, benzothiazole, benzoxazole, benzimid
  • the aliphatic hydrocarbon ring, aromatic hydrocarbon ring, aliphatic hetero ring and aromatic hetero ring may be monocyclic or polycyclic.
  • X is O or S
  • A1 and A2 are each independently CH or N
  • at least one of A1 and A2 is N.
  • any one of A1 and A2 is CH, the other is N.
  • A1 is N
  • A2 is CH
  • A1 is CH
  • A2 is N
  • L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group.
  • L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms.
  • L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.
  • L is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 15 carbon atoms.
  • L is a direct bond; Or an arylene group having 6 to 15 carbon atoms.
  • L is a direct bond; Or an arylene group having 6 to 12 carbon atoms.
  • L is a direct bond; Or a phenylene group.
  • L is a direct bond; Or p-phenylene group.
  • L is a direct bond
  • L is a p-phenylene group.
  • the R1 to R3 are each independently, a cyano group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted amine group; Substituted or unsubstituted arylamine group; Substituted or unsubstituted alkylamine group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroring group.
  • R1 to R3 are each independently, a substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted amine group; Substituted or unsubstituted arylamine group; Substituted or unsubstituted alkylamine group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroring group.
  • R1 to R3 are each independently, a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroring group.
  • R1 to R3 are each independently, an aryl group unsubstituted or substituted with an alkyl group, cyano group or heterocyclic group; Or a heterocyclic group which is unsubstituted or substituted with an alkyl group, cyano group or aryl group.
  • R1 to R3 are each independently, an aryl group having 6 to 60 carbon atoms unsubstituted or substituted with an alkyl group, cyano group or heterocyclic group; Or a heterocyclic group having 2 to 60 carbon atoms unsubstituted or substituted with an alkyl group, cyano group, or aryl group.
  • R1 to R3 are each independently, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with an alkyl group, cyano group or heterocyclic group; Or a heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms unsubstituted or substituted with an alkyl group, cyano group, or aryl group.
  • R1 to R3 are each independently, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms unsubstituted or substituted with an alkyl group, cyano group or heterocyclic group; Or a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms unsubstituted or substituted with an alkyl group, cyano group, or aryl group.
  • R2 and R3 are the same as or different from each other, and each independently an aryl group unsubstituted or substituted with a cyano group, an aryl group, or a heteroaryl group; Or a heteroaryl group unsubstituted or substituted with an aryl group.
  • R2 and R3 are the same as or different from each other, and each independently C 6- unsubstituted or substituted with a cyano group, an aryl group of C 6-12 or a heteroaryl group of C 2-12 An aryl group of 12 ; Or a C 2-12 heteroaryl group unsubstituted or substituted with a C 6-12 aryl group.
  • the R2 and R3 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted phenyl group; A substituted or unsubstituted biphenyl group; Or a substituted or unsubstituted carbazolyl group.
  • the R2 and R3 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group; A biphenyl group unsubstituted or substituted with a cyano group; Phenyl group substituted with dibenzothiophenyl group; Phenyl group substituted with dibenzofuranyl group; A phenyl group substituted with a carbazole-9-yl group; Or 9-phenylcarbazolyl group.
  • the R2 and R3 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group; 3-phenylphenyl group; 4-phenylphenyl group; 4- (2-cyanophenyl) phenyl group; 3-dibenzofuranylphenyl group; 3-dibenzothiophenylphenyl group; 4- (carbazol-9-yl) phenyl group; 3- (carbazol-9-yl) phenyl group; Or 9-phenylcarbazol-2-yl group.
  • R1 is a substituted or unsubstituted cyclohexyl group; Substituted or unsubstituted triphenylsilyl group; Substituted or unsubstituted phenyl group; A substituted or unsubstituted biphenyl group; Substituted or unsubstituted terphenyl group; Substituted or unsubstituted naphthyl group; Substituted or unsubstituted phenanthrenyl group; Substituted or unsubstituted triphenylenyl group; Substituted or unsubstituted anthracenyl group; A substituted or unsubstituted fluorenyl group; A substituted or unsubstituted 9,9'-spirobi [fluorene] yl group; A substituted or unsubstituted carbazole-c1-yl group (c
  • R1 is-(L11) a11 -Ar11
  • L11 is a direct bond
  • Ar11 is a substituted or unsubstituted cycloalkyl group
  • Si R 11) (R 12) (R 13)
  • R11 to R13 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Alkyl groups; Or an aryl group, a11 is an integer of 0 to 3, and when a11 is 2 or more, L11 is the same as or different from each other.
  • R1 is-(L11) a11 -Ar11
  • L11 is a direct bond
  • Ar 11 is a cycloalkyl group
  • a heterocyclic group unsubstituted or substituted with R 23, and R 11 to R 13 are the same as or different from each other, and are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Alkyl groups;
  • an aryl group, a11 is an integer of 0 to 3, and when a11 is 2 or more, L11 is the same as or different from each other.
  • Ar11 is a substituted or unsubstituted C 6-10 cycloalkyl group; Si (R 11) (R 12) (R 13); A substituted or unsubstituted C 6-18 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C 3-25 heterocyclic group, R 11 to R 13 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; An alkyl group of C 1-6 ; Or C 6-15 aryl group.
  • the a11 is 0 or 1.
  • the L11 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted phenylene group; Or a substituted or unsubstituted divalent naphthyl group.
  • R21 is deuterium; Or cyano group.
  • the- (L11) a11 - is a direct bond; p-phenylene group; m-phenylene group; ; or to be.
  • R22 is deuterium; Cyano group; Aryl group; Or a heteroaryl group.
  • R23 is an alkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
  • R23 is an alkyl group; An aryl group unsubstituted or substituted with deuterium, cyano group, alkyl group, haloalkyl group or cycloalkyl group; Or a heteroaryl group unsubstituted or substituted with an aryl group.
  • Ar11 is a substituted or unsubstituted cyclohexyl group; Substituted or unsubstituted triphenylsilyl group; Substituted or unsubstituted phenyl group; A substituted or unsubstituted biphenyl group; Substituted or unsubstituted terphenyl group; Substituted or unsubstituted triphenylenyl group; Substituted or unsubstituted phenanthrenyl group; Substituted or unsubstituted anthracenyl group; Substituted or unsubstituted naphthyl group; Or any group selected from the groups of group A below.
  • R31 to R54 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Cyano group; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
  • a31 is an integer of 0 to 5, and when a31 is 2 or more, R31 is the same as or different from each other,
  • a36, a37, a38, a48, a50, a52 and a53 are each independently an integer of 0 to 7, when a36 is 2 or more, R36 is the same as or different from each other, and when a37 is 2 or more, R37 is the same or different from each other, R38 is the same or different when a38 is 2 or more, R48 is the same or different when a48 is 2 or more, R50 is the same or different when a50 is 2 or more, and R52 is the same or different when a52 is 2 or more When a53 is 2 or more, R53 is the same as or different from each other,
  • a39, a40, a42 and a43 are each independently an integer of 0 to 10, when a39 is 2 or more, R39 is the same as or different from each other; when a40 is 2 or more, R40 is the same or different from each other, and a42 is 2 or more, R42 Are the same as or different from each other, and when a43 is 2 or more, R43 is the same as or different from each other,
  • a34, a49, a51 and a54 are each independently an integer of 0 to 8, when a34 is 2 or more, R34 is the same as or different from each other; when a49 is 2 or more, R49 is the same or different from each other, and a51 is 2 or more, R51 Are the same as or different from each other, and when a54 is 2 or more, R54 is the same as or different from each other.
  • R31 is hydrogen; heavy hydrogen; Cyano group; Substituted or unsubstituted alkyl group; Aryl group; Or a heteroaryl group which is unsubstituted or substituted with an aryl group and contains at least one N.
  • R31 is a 9-phenylcarbazolyl group, a31 is 1.
  • R32 and R33 are the same as or different from each other, and each independently an aryl group unsubstituted or substituted with a cyano group.
  • the R32 and R33 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group; Or 2-cyanophenyl group.
  • R34 is an alkyl group; Or a heteroaryl group which is unsubstituted or substituted with an aryl group and contains at least one N.
  • the R34 is a methyl group; t-butyl group; Or 9-phenylcarbazolyl group.
  • the a34 is 0, 1 or 2.
  • the Is And R34 are the same as or different from each other.
  • R35 is an alkyl group; An aryl group unsubstituted or substituted with deuterium, an alkyl group, a haloalkyl group, a cyano group or an aryl group; Or a heteroaryl group containing O or S.
  • R35 is an alkyl group of C 1-6 ; C 3-10 cycloalkyl group; Deuterium, a C 1-6 alkyl group, a C 1-6 haloalkyl group, a cyano group or a phenyl group unsubstituted or substituted with a phenyl group; Naphthyl group; Dibenzofuranyl group; Dibenzothiophenyl group; Triphenylenyl group; Or a phenanthrenyl group.
  • R35 is a phenyl group; Phenyl (d5) group; 4-trifluoromethylphenyl group; 4-cyanophenyl group; Naphthalen-1-yl group; Cyclohexyl group; Methyl group; t-butyl group; Dibenzofuranyl group; Dibenzothiophenyl group; 3, 5-di (t-butyl) phenyl group; 3,5-diphenylphenyl group; Triphenylenyl group; Phenanthrene-9-diary; Or a phenanthrene-3-yl group.
  • R36 is hydrogen; Or deuterium.
  • R36 is hydrogen
  • the a36 is zero.
  • R37 is hydrogen; Or deuterium.
  • R37 is hydrogen
  • the a37 is hydrogen.
  • R38 is hydrogen; Or deuterium.
  • R38 is hydrogen
  • the a38 is 0.
  • R39 is hydrogen; Or deuterium.
  • R39 is hydrogen
  • the a39 is zero.
  • R40 is hydrogen; Or deuterium.
  • R40 is hydrogen
  • the a40 is zero.
  • R42 is hydrogen; Or deuterium.
  • R42 is hydrogen
  • the a42 is 0.
  • R43 is hydrogen; Or deuterium.
  • R43 is hydrogen
  • the a43 is zero.
  • the R44 and R45 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; An alkyl group; Or an aryl group.
  • the R44 and R45 are the same as or different from each other, and each independently a methyl group; Or a phenyl group.
  • the R46 and R47 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; An alkyl group; Or an aryl group.
  • the R46 and R47 are the same as or different from each other, and each independently a methyl group; Or a phenyl group.
  • R48 is hydrogen; Or deuterium.
  • R48 is hydrogen
  • the a48 is zero.
  • R49 is hydrogen; Or deuterium.
  • R49 is hydrogen
  • the a49 is zero.
  • the R50 is hydrogen; Or deuterium.
  • R50 is hydrogen
  • the a50 is zero.
  • the R51 is hydrogen; Or deuterium.
  • R51 is hydrogen
  • the a51 is 0.
  • R52 is hydrogen; Or deuterium.
  • R52 is hydrogen
  • the a52 is zero.
  • R53 is hydrogen; Or deuterium.
  • R53 is hydrogen
  • the a53 is zero.
  • R54 is hydrogen; Or deuterium.
  • R54 is hydrogen
  • the a54 is zero.
  • Ar11 is a cycloalkyl group; Triarylsilyl group; Phenyl group substituted with cyano group, triarylsilyl group or aryl group; C 10 or more aryl group unsubstituted or substituted with an aryl group; Or any group selected from the group A group.
  • Ar11 is a substituted or unsubstituted cyclohexyl group; Triphenylsilyl group; A phenyl group unsubstituted or substituted with a cyano group or a triarylphenylsilyl group; Biphenyl group; Terphenyl group; Triphenylenyl group; Phenanthrenyl group; Anthracenyl group unsubstituted or substituted with an aryl group; A naphthyl group unsubstituted or substituted with an aryl group; Or any group selected from the group A group.
  • Ar11 is a substituted or unsubstituted cyclohexyl group; Triphenylsilyl group; Phenyl group substituted with cyano group or triphenylsilyl group; Biphenyl group; Terphenyl group; Triphenylenyl group; Phenanthrenyl group; Anthracenyl group unsubstituted or substituted with an aryl group; A naphthyl group unsubstituted or substituted with an aryl group; Or any group selected from the group A group.
  • the compound represented by Formula 1 may be any one selected from the following compounds.
  • the compounds of formula 1 described above may be prepared using materials and reaction conditions known in the art.
  • the organic light emitting device is an organic light emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and at least one organic layer disposed between the first electrode and the second electrode, at least one of the organic layer It is characterized by including a compound represented by the formula (1).
  • the organic light emitting device of the present invention may be manufactured by a conventional method and material for manufacturing an organic light emitting device, except that at least one organic material layer is formed using the above-described compound.
  • the organic material layer includes a light emitting layer
  • the light emitting layer includes a first host
  • the first host includes a compound represented by Chemical Formula 1 according to an exemplary embodiment of the present specification.
  • the light emitting layer further includes a second host, and the second host is represented by the following Chemical Formula 2.
  • Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group,
  • L 1 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group,
  • G1 and G2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Cyano group; Substituted or unsubstituted silyl group; Substituted or unsubstituted alkyl group; Substituted or unsubstituted aryl group; Or a substituted or unsubstituted heteroaryl group,
  • b1 is an integer of 0 to 7, and when b1 is 2 or more, G1 is the same as or different from each other,
  • b2 is an integer of 0-7, and when b2 is 2 or more, G2 is same or different from each other.
  • the weight ratio of the first host and the second host is 1: 9 to 9: 1; 2; 8 to 8: 2; Or 3: 7 to 7: 3.
  • the sum of the content of the first host and the content of the second host may be 50 wt% or more and 100 wt% or less with respect to 100 wt% of the light emitting layer.
  • Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 60 carbon atoms.
  • Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 30 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 30 carbon atoms.
  • Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 15 carbon atoms; Or a substituted or unsubstituted heterocyclic group having 2 to 15 carbon atoms.
  • Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted C 6-18 aryl group.
  • Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently an aryl group unsubstituted or substituted with a cyano group, an alkyl group, an aryl group, or a triarylsilyl group.
  • Ar1 and Ar2 are the same as or different from each other, and each independently a phenyl group; (Triphenylsilyl) phenyl group; Naphthyl group; (Triphenylsilyl) naphthyl group; Cyanonaphthyl group; Cyanophenyl group; Ethylphenyl group; Naphthylphenyl group; Biphenyl groups substituted with triphenylsilyl; A biphenyl group substituted with a cyano group; Biphenyl group; Terphenyl group; Fluorophenyl group; 9,9-dimethyl fluorenyl group; 11,11-dimethylbenzofluorenyl group; Or a phenylnaphthyl group.
  • the L1 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 carbon atoms.
  • the L1 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 30 carbon atoms.
  • the L1 is a direct bond; Or a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 15 carbon atoms.
  • the L1 is a direct bond; Or an arylene group unsubstituted or substituted with an alkyl group, cyano group, or triarylsilyl group.
  • the L1 is a direct bond; Or a C 1-10 alkyl group, a cyano group or tri (C 6-12 aryl) silyl groups substituted or unsubstituted aryl group of C 6-12 ring.
  • L is a direct bond; A phenylene group unsubstituted or substituted with an alkyl group, cyano group or triarylsilyl group; Divalent naphthyl group; Or a biphenylene group.
  • the L1 is a direct bond; o-phenylene group; P-phenylene group unsubstituted or substituted with a methyl group; M-phenylene group unsubstituted or substituted with a methyl group, cyano group or triphenylsilyl group; Divalent naphthyl group; Or a biphenylene group.
  • the G1 and G2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Cyano group; Si (R51) (R52) (R53); A substituted or unsubstituted C 1-10 alkyl group; A substituted or unsubstituted C 6-20 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C 2-14 heteroaryl group, R 51 to R 53 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; An alkyl group of C 1-10 ; Or C 6-12 aryl group.
  • the G1 and G2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; heavy hydrogen; Cyano group; Triarylsilyl group; An aryl group unsubstituted or substituted with a cyano group or an aryl group; Or a heteroaryl group.
  • the G1 and G2 are the same as or different from each other, and each independently hydrogen; Cyano group; Triphenylsilyl group; Phenyl group; Naphthyl group; Dibenzofuranyl group; Dibenzothiophenyl group; Biphenyl group; Terphenyl group; Or a biphenyl group unsubstituted or substituted with a cyano group or a phenyl group.
  • the compound represented by Formula 2 is at least one of the following structures.
  • the organic material layer of the organic light emitting device of the present specification may be formed of a single layer structure, but may be formed of a multilayer structure in which two or more organic material layers are stacked.
  • the organic light emitting device of the present specification may further have a structure including at least one of a hole injection layer, a hole buffer layer, a hole transport layer, an electron suppression layer, a hole suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in addition to the light emitting layer as the organic layer. have.
  • the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include a smaller number of organic layers.
  • the organic light emitting device may be a normal type organic light emitting device in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate.
  • the organic light emitting device may be an organic light emitting device having an inverted type in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate.
  • the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by materials and methods known in the art, except that at least one layer of the organic material layer includes the compound represented by Chemical Formula 1, that is, the compound represented by Chemical Formula 1.
  • the organic light emitting device of the present specification may be manufactured by sequentially stacking a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate.
  • a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation
  • a metal or conductive metal oxide or an alloy thereof is deposited on the substrate to form an anode.
  • PVD physical vapor deposition
  • an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer and an electron transport layer thereon it can be prepared by depositing a material that can be used as a cathode thereon.
  • an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
  • the compound of Formula 1 may be formed of an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method in the manufacture of the organic light emitting device.
  • the solution coating method means spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spray method, roll coating, etc., but is not limited thereto.
  • an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material on a substrate (International Patent Application Publication No. 2003/012890).
  • the manufacturing method is not limited thereto.
  • the first electrode is an anode
  • the second electrode is a cathode
  • the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode.
  • the organic light emitting diode may have a laminated structure as described below, but is not limited thereto.
  • FIG. 1 shows an example of an organic light emitting element composed of a substrate 1, an anode 2, a light emitting layer 3, and a cathode 4.
  • the compound represented by Formula 1 may be included in the light emitting layer.
  • FIG. 2 shows an example of an organic light emitting device comprising a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 5, a hole transport layer 6, a light emitting layer 3, an electron transport layer 7 and a cathode 4. It is.
  • the compound represented by Formula 1 may be included in the light emitting layer.
  • the substrate 1 shows the substrate 1, the anode 2, the hole injection layer 5, the hole transport layer 6, the electron suppression layer 8, the light emitting layer 3, the hole suppression layer 9, electron injection and transport
  • the example of the organic light emitting element which consists of the layer 10 and the cathode 4 which are performed simultaneously is shown.
  • the compound represented by Formula 1 may be included in the light emitting layer.
  • the substrate 4 shows the substrate 1, the anode 2, the hole injection layer 5, the first hole transport layer 6a, the second hole transport layer 6b, the light emitting layer 3, the hole suppression layer 9, and the electron transport layer.
  • An example of an organic light emitting element consisting of 7 and a cathode 4 is shown. In such a structure, the compound represented by Formula 1 may be included in the light emitting layer.
  • the anode may be any one of an indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or zinc oxide (ZnO) having a high work function.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • ZnO zinc oxide
  • the anode 2 is a reflective electrode
  • the anode further includes a reflective layer made of any one of aluminum (Al), silver (Ag), or nickel (Ni) under a layer made of any one of ITO, IZO, and ZnO. can do.
  • the hole injection layer may play a role of smoothly injecting holes from the anode to the light emitting layer.
  • the hole injection layer may have a thickness of 1 nm to 150 nm.
  • the thickness of the hole injection layer is 1 nm or more, there is an advantage that the hole injection characteristics can be prevented from being lowered.
  • the thickness of the hole injection layer is 150 nm or less, the thickness of the hole injection layer is too thick, so that the driving voltage can be improved. There is an advantage that can be prevented from being raised.
  • As the hole injection layer material a hole injection material known in the art may be used.
  • hexaazatriphenylene derivative as a hole injection layer material
  • One or more selected from the group consisting of CuPc (cupper phthalocyanine), PEDOT (poly (3,4) -ethylenedioxythiophene), PANI (polyaniline), and NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine) can be used.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the hole transport layer may serve to facilitate the transport of holes.
  • hole transport layer material hole transport materials known in the art may be used.
  • the hole transport layer may be NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenylbenzidine), TPD (N, N'-bis- (3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD and MTDATA (4,4 ', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine) may be composed of one or more selected from the group consisting of, but not limited thereto.
  • Triazole derivatives Triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkaine derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrene as transporting layer materials
  • Rylanthracene derivatives fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silasein derivatives, polysilane-based, aniline-based copolymers, conductive polymer oligomers (particularly thiophene oligomers) and the like.
  • the organic light emitting device may include two or more hole transport layers, and the two or more hole transport layers may be formed of the same or different materials.
  • a hole buffer layer may be further provided between the hole injection layer and the hole transport layer.
  • the hole buffer layer may comprise a hole injection or transport material known in the art.
  • An electron suppression layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer, and a material known in the art may be used.
  • a material known in the art may be used.
  • the electron suppressing material a compound having the ability to prevent the inflow of electrons from the light emitting layer to the anode and to control the flow of holes injected to the light emitting layer or the light emitting material is preferable.
  • an arylamine-based or carbazole derivative may be used as the electron suppression layer, but is not limited thereto.
  • the electron suppression layer is provided in contact with the light emitting layer.
  • the hole transport layer; Hole injection layer; And a layer that may be provided between the anode and the light emitting layer, such as an electron suppression layer, may further include a p-type dopant.
  • a p-type dopant those known in the art may be used, for example, an arylamine-based derivative and a compound including a cyano group. The content of the p-type dopant may be appropriately selected.
  • a hole suppression layer may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer, and a material known in the art may be used.
  • a hole suppressing material a compound having the ability to prevent the inflow of holes from the light emitting layer to the cathode and to control the electrons injected into the light emitting layer or the light emitting material is preferable.
  • an appropriate material may be used depending on the structure of the organic material layer used in the device, and in one embodiment, a 1,10-phenanthrosine derivative may be used.
  • the hole suppression layer is positioned between the light emitting layer and the cathode, and is preferably provided in direct contact with the light emitting layer.
  • the electron transport layer may serve to facilitate the transport of electrons.
  • Materials known in the art such as Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, SAlq can be used.
  • the electron transport layer may have a thickness of about 1 nm to about 50 nm. In this case, when the thickness of the electron transport layer is 1 nm or more, there is an advantage in that the electron transport characteristics are prevented from being lowered. There is an advantage that can be prevented.
  • the electron injection layer may play a role of smoothly injecting electrons.
  • Alq 3 tris (8-hydroxyquinolino) aluminum
  • PBD tris (8-hydroxyquinolino) aluminum
  • TAZ tris (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum
  • spiro-PBD BAlq or SAlq
  • Metal compounds include metal halides, and storage can be used, for example, can be used LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF 2, MgF 2, CaF 2, SrF 2, BaF 2 and RaF 2 and the like.
  • the electron injection layer may have a thickness of about 1 nm to about 50 nm.
  • the thickness of the electron injection layer is 1 nm or more, there is an advantage that the electron injection characteristics can be prevented from being lowered.
  • the thickness of the electron injection layer is 50 nm or less, the thickness of the electron injection layer is so thick that the driving voltage is increased to improve the movement of electrons. There is an advantage that can be prevented from being raised.
  • the organic light emitting device may include a layer for simultaneously injecting and transporting electrons.
  • the above-described electron transport layer and electron injection layer material may be used as the layer for simultaneously injecting and transporting the electrons.
  • the electron transport layer; An electron injection layer; And an organic material layer provided between the cathode and the light emitting layer such as the hole suppression layer may further include an n-type dopant.
  • the n-type dopant those known in the art may be used, for example, an alkali metal, an alkaline earth metal, an alkali metal compound, an alkaline earth metal compound, an alkali metal complex or an alkaline earth metal complex may be used.
  • An oxide, a halide, or the like may be used as the metal compound, and the complex may further include an organic ligand.
  • LiQ or the like can be used.
  • the content of n-type dopant may be appropriately selected.
  • the cathode is an electron injection electrode, and may be made of magnesium (Mg), calcium (Ca), aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof.
  • the cathode may be formed to a thickness thin enough to transmit light when the organic light emitting device is a front or double-sided light emitting structure, and is formed thick enough to reflect light when the organic light emitting device is a bottom emitting structure. can do.
  • the light emitting layer may include the compound of Formula 1 as a first host.
  • the light emitting layer may be made of only the compound of Formula 1, but the compound of Formula 1 may be present in a mixed or doped state to another light emitting layer material known in the art.
  • the compound of Formula 1 may account for 100% by weight of the light emitting layer, but may be doped with 0.1% to 50% by weight.
  • the light emitting layer may include the compound of Formula 1 as a first host and the compound of Formula 2 as a second host.
  • the organic material layer may include two or more light emitting layers, and may include a charge generation layer provided between at least two light emitting layers of the two or more light emitting layers.
  • one of the light emitting layers emits blue light and the other emits yellow light, thereby manufacturing an organic light emitting device that emits white light.
  • One or more organic material layers such as the above-described hole injection layer, hole buffer layer, hole transport layer, electron suppression layer, hole suppression layer, electron transport layer, electron injection layer, between the light emitting layer and the anode or cathode, and between the light emitting layer and the charge generation layer May be included.
  • the charge generation layer (Charge Generating layer) means a layer in which holes and electrons are generated when a voltage is applied.
  • the charge generation layer may be an N-type charge generation layer or a P-type charge generation layer.
  • the N-type charge generation layer means a charge generation layer located closer to the anode than the P-type charge generation layer
  • the P-type charge generation layer means a charge generation layer located closer to the cathode than the N-type charge generation layer.
  • the light emitting layer when the organic light emitting device includes two or more light emitting layers, the light emitting layer may be provided vertically or horizontally. That is, the arrangement of the light emitting layer is not limited.
  • the light emitting material is a material capable of emitting light in the visible region by transporting and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency with respect to fluorescence or phosphorescence is preferable.
  • Specific examples thereof include 8-hydroxyquinoline aluminum complex (Alq 3 ); Carbazole series compounds; Dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compound; Benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series compounds; Poly (p-phenylenevinylene) (PPV) -based polymers; Spiro compounds; Polyfluorene, rubrene and the like, but are not limited thereto.
  • the light emitting layer may further include a dopant.
  • the dopant may be a phosphorescent dopant, a fluorescent dopant, a delayed fluorescent dopant, or the like, and may be used without limitation as long as it is suitable for use with the compound represented by Formula 1 of the present invention or other light emitting materials.
  • the content of the dopant may be 1 wt% to 50 wt% with respect to 100 wt% of the light emitting layer.
  • Examples of the dopant material include aromatic amine derivatives and carbazole derivatives; Styryl amine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, metal complexes and the like.
  • the aromatic amine derivatives include condensed aromatic ring derivatives having a substituted or unsubstituted arylamino group, and include pyrene, anthracene, chrysene, and periplanthene having an arylamino group.
  • the styrylamine compound is a compound in which at least one arylvinyl group is substituted with a substituted or unsubstituted arylamine, and one or two selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group and an arylamino group.
  • One or more substituents may be substituted or unsubstituted.
  • styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine and the like but is not limited thereto.
  • the metal complex includes, but is not limited to, an iridium complex, a platinum complex, and the like.
  • the dopant is benzene substituted with a cyano group and carbazole; Or iridium complexes.
  • the organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a bottom emission type or a double-sided emission type depending on the material used.
  • Compound represented by the formula (1) is introduced into a bromo group of bromochlorobenzofuropyridine or bromochlorobenzothienopyridine as described below, and after replacing the chloro group with borate by borylation reaction finally tria It can manufacture by the method of introduce
  • the method for synthesizing the compound represented by Formula 1 of the present invention is described in the following procedure, the synthesis method of the compound of the present invention is not limited thereto.
  • a glass substrate coated with a thickness of 100 nm of ITO (indium tin oxide) was placed in distilled water in which detergent was dissolved and ultrasonically washed.
  • Fischer Co. product was used as a detergent
  • distilled water filtered secondly as a filter of Millipore Co. product was used as distilled water.
  • ultrasonic washing was performed twice with distilled water for 10 minutes.
  • ultrasonic washing with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, methanol, dried and transported to a plasma cleaner.
  • the substrate was cleaned for 5 minutes using an oxygen plasma, and then the substrate was transferred to a vacuum evaporator.
  • HAT-CN hexanitrile hexaazatriphenylene
  • NPB N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl
  • Compound 1 and the following Compound 4CzIPN (Delayed Fluorescent Dopant) were vacuum-deposited at a weight ratio of 70:30 on the electron suppression layer to form a light emitting layer at 30 nm.
  • Compound HB1 was vacuum deposited on the emission layer to a thickness of 10 nm to form a hole suppression layer.
  • Compound ET1 and compound LiQ were vacuum deposited on the hole suppression layer at a weight ratio of 1: 1 to form an electron injection and transport layer at a thickness of 30 nm.
  • Lithium fluoride (LiF) and aluminum at a thickness of 200 nm were sequentially deposited on the electron injection and transport layer to form a cathode.
  • the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 nm / sec to 0.07 nm / sec, the lithium fluoride of the cathode was maintained at 0.03 nm / sec, and the deposition rate of aluminum was 0.2 nm / sec.
  • the organic light emitting device was manufactured by maintaining 2 ⁇ 10 ⁇ 7 torr to 5 ⁇ 10 ⁇ 6 torr.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1-1 except for using the compound of Table 1 in place of Compound 1 in Example 1-1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1-1 except for using the compound of Table 1 in place of Compound 1 in Example 1-1.
  • Example 1-1 One 3.9 22 (0.34, 0.63) Example 1-2 2 4.0 21 (0.33, 0.63) Example 1-3 3 4.0 21 (0.33, 0.62) Example 1-4 4 4.1 20 (0.33, 0.62) Example 1-5 5 4.0 22 (0.34, 0.62) Example 1-6 6 4.1 21 (0.33, 0.63) Example 1-7 7 3.9 21 (0.34, 0.63) Example 1-8 8 4.0 22 (0.34, 0.62) Example 1-9 9 4.0 20 (0.34, 0.62) Example 1-10 10 4.1 21 (0.34, 0.63) Example 1-11 11 4.0 21 (0.34, 0.63) Example 1-12 12 3.9 22 (0.33, 0.63) Comparative Example 1-1 GH3 4.8 16 (0.33, 0.60) Comparative Example 1-2 GH4 4.7 15 (0.34, 0.61) Comparative Example 1-3 GH5 4.7 16 (0.34,
  • the compound represented by Formula 1 according to the present invention was excellent in the ability to transfer electrons and holes to the dopant was found to be applicable to the delayed fluorescent organic light emitting device.
  • a glass substrate coated with a thickness of 130 nm of ITO (indium tin oxide) was placed in distilled water in which detergent was dissolved and ultrasonically cleaned.
  • ITO indium tin oxide
  • Fischer Co. product was used as the detergent
  • distilled water filtered secondly as a filter of Millipore Co. product was used as the distilled water.
  • ultrasonic washing was performed twice with distilled water for 10 minutes.
  • ultrasonic washing with a solvent of isopropyl alcohol, acetone, methanol dried and transported to a plasma cleaner.
  • the substrate was cleaned for 5 minutes using an oxygen plasma, and then the substrate was transferred to a vacuum evaporator.
  • the following compound HAT-CN was thermally vacuum deposited to a thickness of 5 nm on the prepared ITO transparent electrode to form a hole injection layer.
  • the following compound NPB is thermally vacuum-deposited to a thickness of 80 nm on the hole injection layer to form a first hole transport layer, and the compound HT-3 is vacuum deposited to a thickness of 50 nm on the first hole transport layer to form a second hole transport layer. It was.
  • Compound 1 Compound GH-1, and Compound GD-1 (phosphorescent dopant) were vacuum deposited on the second hole transport layer at a weight ratio of 47.5: 47.5: 5 to form a light emitting layer having a thickness of 40 nm.
  • a transport layer was formed.
  • Lithium fluoride (LiF) having a thickness of 1 nm was sequentially deposited on the electron transport layer, and aluminum was deposited at a thickness of 100 nm thereon to form a cathode.
  • the deposition rate of the organic material was maintained at 0.04 nm / sec to 0.07 nm / sec
  • the lithium fluoride of the cathode was 0.03 nm / sec
  • the aluminum was maintained at a deposition rate of 0.2 nm / sec. 1 ⁇ 10 ⁇ 7 torr to 5 ⁇ 10 ⁇ 6 torr were maintained.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 2-1 except for using the compound of Table 2 instead of compound 1 in Example 2-1.
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 2-1 except for using the compound of Table 2 below instead of compound 1 in Example 2-1.
  • Example 2-1 One 4.0 22 (0.33, 0.63)
  • Example 2-2 2 3.9 21 (0.34, 0.64)
  • Example 2-3 3 3.9 23 (0.34, 0.64)
  • Example 2-4 4 4.0 23 (0.33, 0.64)
  • Example 2-5 5 4.0 22 (0.33, 0.63)
  • Example 2-6 6 3.9 22 (0.33, 0.64)
  • Example 2-7 7 3.9 21 (0.33, 0.64)
  • Example 2-8 8 4.0 23 (0.33, 0.63)
  • Example 2-10 10 3.9 22 (0.34, 0.64)
  • Example 2-12 12 3.9 21 (0.33, 0.64)
  • Comparative Example 2-2 GH-3 4.5 16 0.3, 0.62)
  • Comparative Example 2-3 GH-4 4.4 15 33, 0.61) Comparative
  • the compound of Formula 1 according to the present invention was found to be excellent in the ability to transfer electrons and holes to the dopant and applicable to the green phosphorescent organic light emitting device.

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Abstract

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
본 명세서는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
본 출원은 2018년 5월 3일 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2018-0051409호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
<선행기술문헌> KR 10-2015-0003566 A
본 명세서에는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자가 기재된다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2019005327-appb-I000001
상기 화학식 1에 있어서,
X는 O 또는 S이고,
A1 및 A2는 각각 독립적으로, CH 또는 N이며,
A1 및 A2 중 적어도 하나는 N이며,
L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,
R1 내지 R3는 각각 독립적으로, 시아노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 전술한 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서에 기재된 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있다. 적어도 하나의 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동 전압 및 수명 특성을 향상시킬 수 있다. 특히, 본 명세서에 기재된 화합물은 발광층의 재료로 사용될 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명의 일 실시상태에 따른 화합물은 전자 수용 능력이 높은 구조를 가지고 있으며, 내열성이 우수하여 유기 발광 소자 제작시 적절한 증착 온도를 유지할 수 있다. 또한, 승화 온도가 높아 승화 정제 방법으로 고순도화가 가능하며, 유기 발광 소자 제조시 증착용 성막 장치 또는 유기 발광 소자에 오염을 일으키지 않는다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(3), 전자수송층(7) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 3은 기판(1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자억제층(8), 발광층(3), 정공억제층(9), 전자 주입과 수송을 동시에 하는 층(10) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 4는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(5), 제1 정공수송층(6a), 제2 정공수송층(6b), 발광층(3), 정공억제층(9), 전자 수송층(7) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
<부호의 설명>
1: 기판
2: 양극
3: 발광층
4: 음극
5: 정공주입층
6: 정공수송층
6a: 제1 정공수송층
6b: 제2 정공수송층
7: 전자수송층
8: 전자억제층
9: 정공억제층
10: 전자 주입과 수송을 동시에 하는 층
이하 본 명세서에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 및 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 군에서 선택된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 기로 치환되거나, 어떠한 치환기로도 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 바이페닐기일 수 있다. 즉, 바이페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한"기로 해석될 수 있다. 또는, 카바졸에서 N에 치환된 치환기와 카바졸의 1번 탄소 또는 8번 탄소의 치환기가 "인접한 기"로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소(-F), 염소(-Cl), 브롬(-Br) 또는 요오드(-I)가 있다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 -SiRaRbRc의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BRdRe의 화학식으로 표시될 수 있고, 상기 Rd 및 Re는 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 아릴기일 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 디메틸붕소기, 디에틸붕소기, t-부틸메틸붕소기, 디페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸부틸, 1-에틸부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸프로필, 1,1-디메틸프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 기재된 알킬기, 알콕시기 및 그 외 알킬기 부분을 포함하는 치환체는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함한다.
본 명세서에 있어서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 40이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 시클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알킬아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 40인 것이 바람직하다. 알킬아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기 또는 치환 또는 비치환된 디아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 2 이상의 아릴기를 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.
아릴아민기의 구체적인 예로는 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 3-메틸페닐아민기, 4-메틸나프틸아민기, 2-메틸비페닐아민기, 9-메틸안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기 또는 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 단환식 헤테로아릴기일 수 있고, 다환식 헤테로아릴기일 수 있다. 상기 2 이상의 헤테로아릴기를 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로아릴기, 다환식 헤테로아릴기, 또는 단환식 헤테로아릴기와 다환식 헤테로아릴기를 동시에 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴헤테로아릴아민기는 아릴기 및 헤테로아릴기로 치환된 아민기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 아릴포스핀기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴포스핀기, 치환 또는 비치환된 디아릴포스핀기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴포스핀기가 있다. 상기 아릴포스핀기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 2 이상의 아릴기를 포함하는 아릴포스핀기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우,
Figure PCTKR2019005327-appb-I000002
,
Figure PCTKR2019005327-appb-I000003
등의 스피로플루오레닐기,
Figure PCTKR2019005327-appb-I000004
(9,9-디메틸플루오레닐기), 및
Figure PCTKR2019005327-appb-I000005
(9,9-디페닐플루오레닐기) 등의 치환된 플루오레닐기가 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, P, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 고리기로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 1 내지 60인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 헤테로고리기의 탄소수는 1 내지 30이다. 헤테로고리기의 예로는 예로는 피리디닐기, 피롤릴기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퓨라닐기, 티오페닐기, 이미다졸릴기, 피라졸릴기, 옥사졸릴기, 이소옥사졸릴기, 티아졸릴기, 이소티아졸릴기, 트리아졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 디티아졸릴기, 테트라졸릴기, 피라닐기, 티오피라닐기, 피라지닐기, 옥사지닐기, 티아지닐기, 디옥시닐기, 트리아지닐기, 테트라지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 나프티리디닐기, 아크리디닐기, 크산테닐기, 디아자나프탈레닐기, 트리아자인데닐기, 인돌릴기, 인돌리닐기, 인돌리지닐기, 프탈라지닐기, 피리도피리미디닐기, 피리도피라지닐기, 피라지노피라지닐기, 벤조티아졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티오페닐기, 벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 디벤조퓨라닐기, 카바졸릴기, 벤조카바졸릴기, 디벤조카바졸릴기, 인돌로카바졸릴기, 인데노카바졸릴기, 페나지닐기, 이미다조피리디닐기, 페녹사지닐기, 페난트리디닐기, 페난트롤리닐(phenanthrolinyl)기, 페노티아지닐(phenothiazinyl)기, 이미다조피리디닐기, 이미다조페난트리디닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기의 고리를 구성하는 원자수는 3 내지 25이다. 또 하나의 실시상태에 있어서, 헤테로고리기의 고리를 구성하는 원자수는 5 내지 17이다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기, 아릴술폭시기, 아릴포스핀기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기, 알킬술폭시기, 아르알킬기, 아랄킬아민기, 알킬아릴기 및 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기, 헤테로아릴아민기 및 아릴헤테로아릴아민기 중 헤테로아릴기에는 전술한 헤테로아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 2가기인 것을 제외하고는 방향족 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 인접하는 기와 서로 결합하여 고리를 형성한다는 의미는 인접하는 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소 고리; 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리; 치환 또는 비치환된 지방족 헤테로 고리; 치환 또는 비치환된 방향족 헤테로 고리; 또는 이들의 축합고리를 형성하는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소 고리란 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미한다. 구체적으로, 지방족 탄화수소 고리의 예로는 시클로프로판, 시클로부탄, 시클로부텐, 시클로펜탄, 시클로펜텐, 시클로헥산, 시클로헥센, 1,4-시클로헥사디엔, 시클로헵탄, 시클로헵텐, 시클로옥탄, 시클로옥텐 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 방향족 탄화수소 고리란 탄소와 수소 원자로만 이루어진 방향족의 고리를 의미한다. 구체적으로, 방향족 탄화수소 고리의 예로는 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 페릴렌, 플루오란텐, 트리페닐렌, 페날렌, 피렌, 테트라센, 크라이센, 펜타센, 플루오렌, 인덴, 아세나프틸렌, 벤조플루오렌, 스피로플루오렌 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로 고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족 고리를 의미한다. 구체적으로, 지방족 헤테로 고리의 예로는 옥시레인(oxirane), 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린(morpholine), 옥세판, 아조케인, 티오케인 등이 있으나 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 방향족 헤테로 고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족 고리를 의미한다. 구체적으로, 방향족 헤테로 고리의 예로는 피리딘, 피롤, 피리미딘, 피리다진, 퓨란, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 트리아졸, 옥사디아졸, 티아디아졸, 디티아졸, 테트라졸, 피란, 티오피란, 디아진, 옥사진, 티아진, 다이옥신, 트리아진, 테트라진, 이소퀴놀린, 퀴놀린, 퀴놀, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프티리딘, 아크리딘, 페난트리딘, 디아자나프탈렌, 트리아자인덴, 인돌, 인돌리진, 벤조티아졸, 벤즈옥사졸, 벤즈이미다졸, 벤조티오펜, 벤조퓨란, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 카바졸, 벤조카바졸, 디벤조카바졸, 페나진, 이미다조피리딘, 페녹사진, 페난트리딘, 인돌로카바졸, 인데노카바졸 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 지방족 탄화수소 고리, 방향족 탄화수소 고리, 지방족 헤테로 고리 및 방향족 헤테로 고리는 단환 또는 다환일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, X는 O 또는 S이고, A1 및 A2는 각각 독립적으로, CH 또는 N이며, A1 및 A2 중 적어도 하나는 N이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1 및 A2 중 어느 하나는 CH이고, 다른 하나는 N이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 N이고, A2는 CH이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A1은 CH이고, A2는 N이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L은 직접결합; 또는 탄소수 6 내지 15의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L은 직접결합; 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L은 직접결합; 또는 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L은 직접결합; 또는 p-페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L은 직접결합이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L은 p-페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R3는 각각 독립적으로, 시아노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R3는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R3는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R3는 각각 독립적으로, 알킬기, 시아노기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 알킬기, 시아노기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R3는 각각 독립적으로, 알킬기, 시아노기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 알킬기, 시아노기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R3는 각각 독립적으로, 알킬기, 시아노기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 알킬기, 시아노기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 내지 R3는 각각 독립적으로, 알킬기, 시아노기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기; 또는 알킬기, 시아노기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 시아노기, 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 시아노기, C6-12의 아릴기 또는 C2-12의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 C6-12의 아릴기; 또는 C6-12의 아릴기로 치환 또는 비치환된 C2-12의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 또는 치환 또는 비치환된 카바졸릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 시아노기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 디벤조티오페닐기로 치환된 페닐기; 디벤조퓨라닐기로 치환된 페닐기; 카바졸-9-일기로 치환된 페닐기; 또는 9-페닐카바졸일기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R2 및 R3는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 3-페닐페닐기; 4-페닐페닐기; 4-(2-시아노페닐)페닐기; 3-디벤조퓨라닐페닐기; 3-디벤조티오페닐페닐기; 4-(카바졸-9-일)페닐기; 3-(카바졸-9-일)페닐기; 또는 9-페닐카바졸-2-일기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1은 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 치환 또는 비치환된 트리페닐실릴기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기; 치환 또는 비치환된 안트라세닐기; 치환 또는 비치환된 플루오레닐기; 치환 또는 비치환된 9,9'-스피로바이[플루오렌]일기; 치환 또는 비치환된 카바졸-c1-일기(c1은 1 내지 8의 정수이다); 치환 또는 비치환된 카바졸-9-일기; 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기; 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기; 치환 또는 비치환된 트리아지닐기; 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기; 치환 또는 비치환된 인돌로카바졸릴기; 치환 또는 비치환된 벤조퓨로카바졸릴기; 치환 또는 비치환된 벤조싸이에노카바졸릴기; 또는 치환 또는 비치환된 인데노카바졸릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1은 -(L11)a11-Ar11이며, L11은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고, Ar11은 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; -Si(R11)(R12)(R13); 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며, R11 내지 R13은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 알킬기; 또는 아릴기이며, a11은 0 내지 3의 정수이며, a11이 2 이상인 경우 L11은 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1은 -(L11)a11-Ar11이며, L11은 직접결합; 또는 R21로 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고, Ar11은 시클로알킬기; -Si(R11)(R12)(R13); R22로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 R23으로 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며, R11 내지 R13은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 알킬기; 또는 아릴기이며, a11은 0 내지 3의 정수이며, a11이 2 이상인 경우 L11은 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar11은 치환 또는 비치환된 C6-10의 시클로알킬기; -Si(R11)(R12)(R13); 치환 또는 비치환된 C6-18의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C3-25의 헤테로고리기이며, R11 내지 R13은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; C1-6의 알킬기; 또는 C6-15의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a11은 0 또는 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L11은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R21은 중수소; 또는 시아노기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 -(L11)a11-은 직접결합; p-페닐렌기; m-페닐렌기;
Figure PCTKR2019005327-appb-I000006
; 또는
Figure PCTKR2019005327-appb-I000007
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R22는 중수소; 시아노기; 아릴기; 또는 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R23은 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R23은 알킬기; 중수소, 시아노기, 알킬기, 할로알킬기 또는 시클로알킬기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar11은 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 치환 또는 비치환된 트리페닐실릴기; 치환 또는 비치환된 페닐기; 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 치환 또는 비치환된 터페닐기; 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기; 치환 또는 비치환된 페난트레닐기; 치환 또는 비치환된 안트라세닐기; 치환 또는 비치환된 나프틸기; 또는 하기 그룹 A의 기들 중에서 선택된 어느 하나의 기이다.
[그룹 A]
Figure PCTKR2019005327-appb-I000008
상기 그룹 A의 기들에 있어서,
R31 내지 R54는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
a31은 0 내지 5의 정수이며, a31이 2 이상인 경우 R31은 서로 같거나 상이하고,
a36, a37, a38, a48, a50, a52 및 a53은 각각 독립적으로 0 내지 7의 정수이며, a36이 2 이상인 경우 R36은 서로 같거나 상이하고, a37이 2 이상인 경우 R37은 서로 같거나 상이하고, a38이 2 이상인 경우 R38은 서로 같거나 상이하고, a48이 2 이상인 경우 R48은 서로 같거나 상이하고, a50이 2 이상인 경우 R50은 서로 같거나 상이하고, a52가 2 이상인 경우 R52는 서로 같거나 상이하고, a53이 2 이상인 경우 R53은 서로 같거나 상이하고,
a39, a40, a42 및 a43은 각각 독립적으로 0 내지 10의 정수이며, a39가 2 이상인 경우 R39는 서로 같거나 상이하고, a40이 2 이상인 경우 R40은 서로 같거나 상이하고, a42가 2 이상인 경우 R42는 서로 같거나 상이하고, a43이 2 이상인 경우 R43은 서로 같거나 상이하고,
a34, a49, a51 및 a54는 각각 독립적으로 0 내지 8의 정수이며, a34가 2 이상인 경우 R34는 서로 같거나 상이하고, a49가 2 이상인 경우 R49는 서로 같거나 상이하고, a51이 2 이상인 경우 R51은 서로 같거나 상이하고, a54가 2 이상인 경우 R54는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R31은 수소; 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환되고 적어도 1개의 N을 포함하는 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R31은 9-페닐카바졸릴기이고, a31은 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R32 및 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 시아노기로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R32 및 R33은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 또는 2-시아노페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R34는 알킬기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환되고 적어도 1개의 N을 포함하는 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R34는 메틸기; t-부틸기; 또는 9-페닐카바졸릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a34는 0, 1 또는 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기
Figure PCTKR2019005327-appb-I000009
는
Figure PCTKR2019005327-appb-I000010
로 표시되고, R34는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R35는 알킬기; 중수소, 알킬기, 할로알킬기, 시아노기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 O 또는 S를 포함하는 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R35는 C1-6의 알킬기; C3-10의 시클로알킬기; 중수소, C1-6의 알킬기, C1-6의 할로알킬기, 시아노기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 나프틸기; 디벤조퓨라닐기; 디벤조티오페닐기; 트리페닐레닐기; 또는 페난트레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R35는 페닐기; 페닐(d5)기; 4-트리플루오로메틸페닐기; 4-시아노페닐기; 나프탈렌-1-일기; 시클로헥실기; 메틸기; t-부틸기; 디벤조퓨라닐기; 디벤조티오페닐기; 3,5-디(t-부틸)페닐기; 3,5-디페닐페닐기; 트리페닐레닐기; 페난트렌-9-일기; 또는 페난트렌-3-일기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R36은 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R36은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a36은 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R37은 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R37은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a37은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R38은 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R38은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a38은 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R39는 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R39는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a39는 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R40은 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R40은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a40은 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R42는 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R42는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a42는 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R43는 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R43는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a43은 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R44 및 R45는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 알킬기; 또는 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R44 및 R45는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R46 및 R47은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 알킬기; 또는 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R46 및 R47은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 또는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R48은 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R48은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a48은 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R49는 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R49는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a49는 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R50은 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R50은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a50은 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R51은 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R51은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a51은 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R52는 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R52는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a52는 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R53은 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R53은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a53은 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R54는 수소; 또는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R54는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 a54는 0이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar11은 시클로알킬기; 트리아릴실릴기; 시아노기, 트리아릴실릴기 또는 아릴기로 치환된 페닐기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 C10 이상의 아릴기; 또는 상기 그룹 A의 기들 중에서 선택된 어느 하나의 기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar11은 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 트리페닐실릴기; 시아노기 또는 트리아릴페닐실릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 트리페닐레닐기; 페난트레닐기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 안트라세닐기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 또는 상기 그룹 A의 기들 중에서 선택된 어느 하나의 기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar11은 치환 또는 비치환된 시클로헥실기; 트리페닐실릴기; 시아노기 또는 트리페닐실릴기로 치환된 페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 트리페닐레닐기; 페난트레닐기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 안트라세닐기; 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 또는 상기 그룹 A의 기들 중에서 선택된 어느 하나의 기이다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물들 중에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
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전술한 화학식 1의 화합물은 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 반응 조건을 이용하여 제조될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 유기 발광 소자는 전술한 화합물을 이용하여 한 층 이상의 유기물층을 형성하는 것을 제외하고는, 통상의 유기 발광 소자의 제조방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하며, 상기 발광층은 제1 호스트를 포함하며, 상기 제1 호스트는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면 상기 발광층은 제2 호스트를 추가로 더 포함하며, 상기 제2 호스트는 하기 화학식 2로 표시된다.
[화학식 2]
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상기 화학식 2에 있어서,
Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
L1은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,
G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
b1은 0 내지 7의 정수이고, b1이 2 이상인 경우 G1은 서로 같거나 상이하며,
b2는 0 내지 7의 정수이고, b2가 2 이상인 경우 G2는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 호스트와 상기 제2 호스트의 중량비는 1:9 내지 9:1; 2;8 내지 8:2; 또는 3:7 내지 7:3일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 호스트의 함량과 상기 제2 호스트의 함량의 합은, 발광층 중량 100 중량%에 대하여 50 중량% 이상 100 중량% 이하일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 60의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 15의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-18의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 시아노기, 알킬기, 아릴기 또는 트리아릴실릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; (트리페닐실릴)페닐기; 나프틸기; (트리페닐실릴)나프틸기; 시아노나프틸기; 시아노페닐기; 에틸페닐기; 나프틸페닐기; 트리페닐실릴로 치환된 바이페닐기; 시아노기로 치환된 바이페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 플루오로페닐기; 9,9-디메틸플루오레닐기; 11,11-디메틸벤조플루오레닐기; 또는 페닐나프틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 60의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 15의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 직접결합; 또는 알킬기, 시아노기 또는 트리아릴실릴기로 치환 또는 비치환된 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 직접결합; 또는 C1-10의 알킬기, 시아노기 또는 트리(C6-12아릴)실릴기로 치환 또는 비치환된 C6-12의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L은 직접결합; 알킬기, 시아노기 또는 트리아릴실릴기로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 2가의 나프틸기; 또는 바이페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 직접결합; o-페닐렌기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 p-페닐렌기; 메틸기, 시아노기 또는 트리페닐실릴기로 치환 또는 비치환된 m-페닐렌기; 2가의 나프틸기; 또는 바이페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; -Si(R51)(R52)(R53); 치환 또는 비치환된 C1-10의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6-20의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2-14의 헤테로아릴기이며, R51 내지 R53은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; C1-10의 알킬기; 또는 C6-12의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 트리아릴실릴기; 시아노기 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 시아노기; 트리페닐실릴기; 페닐기; 나프틸기; 디벤조퓨라닐기; 디벤조티오페닐기; 바이페닐기; 터페닐기; 또는 시아노기 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 구조들 중 적어도 하나이다.
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Figure PCTKR2019005327-appb-I000110
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Figure PCTKR2019005327-appb-I000115
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 발광층 외에, 정공주입층, 정공버퍼층, 정공수송층, 전자억제층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 한 층을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
일 예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 노말 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 다른 예에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1의 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
상기 유기 발광 소자는 예컨대 하기와 같은 적층 구조를 가질 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
(1) 양극/정공수송층/발광층/음극
(2) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/음극
(3) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/음극
(4) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/음극
(5) 양극/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극
(6) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극
(7) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극
(8) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/음극
(9) 양극/정공주입층/정공버퍼층/정공수송층/발광층/전자수송층/전자주입층 /음극
(10) 양극/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극
(11) 양극/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극
(12) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/음극
(13) 양극/정공주입층/정공수송층/전자억제층/발광층/전자수송층/전자주입 층/음극
(14) 양극/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극
(15) 양극/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/전자주입층/음극
(16) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/음극
(17) 양극/정공주입층/정공수송층/발광층/정공억제층/전자수송층/전자주입 층/음극
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 내지 4에 예시되어 있다.
도 1은 기판(1), 양극(2), 발광층(3) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 발광층(3), 전자수송층(7) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.
도 3은 기판(1), 양극(2), 정공주입층(5), 정공수송층(6), 전자억제층(8), 발광층(3), 정공억제층(9), 전자 주입과 수송을 동시에 하는 층(10) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.
도 4는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(5), 제1 정공수송층(6a), 제2 정공수송층(6b), 발광층(3), 정공억제층(9), 전자수송층(7) 및 음극(4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다.
양극은 정공을 주입하는 전극으로 일함수가 높은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나일 수 있다. 또한, 상기 양극(2)이 반사 전극일 경우에 양극은 ITO, IZO 및 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어 진 반사층을 더 포함할 수 있다.
정공주입층은 양극으로부터 발광층으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공주입층의 두께는 1 nm 내지 150 nm일 수 있다. 여기서, 상기 정공주입층의 두께가 1nm 이상이면, 정공 주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 150 nm 이하이면, 정공주입층의 두께가 너무 두꺼워 정공의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다. 정공주입층 재료로는 당기술분야에 알려져 있는 정공 주입 재료를 사용할 수 있다. 예컨대, 정공주입층 재료로서 헥사아자트리페닐렌 유도체; CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
정공수송층은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. 정공수송층 재료로는 당기술분야에 알려져 있는 정공 수송 재료를 사용할 수 있다. 예컨대, 정공수송층은 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"- Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 예컨대 정공수송층 재료로서 트라이아졸 유도체, 옥사다이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 폴리아릴알케인 유도체, 피라졸린 유도체 및 피라졸론 유도체, 페닐렌다이아민 유도체, 아릴아민 유도체, 아미노 치환 칼콘 유도체, 옥사졸 유도체, 스타이릴안트라센 유도체, 플루오렌온 유도체, 하이드라존 유도체, 스틸벤 유도체, 실라제인 유도체, 폴리실레인계, 아닐린계 공중합체, 도전성 고분자 올리고머(특히 싸이오펜 올리고머) 등을 들 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 2층 이상의 정공수송층을 포함할 수 있으며, 2층 이상의 정공수송층은 서로 같거나 상이한 재료로 이루어질 수 있다.
정공주입층과 정공수송층 사이에 추가로 정공버퍼층이 구비될 수 있다. 정공버퍼층은 당 기술분야에 알려져 있는 정공 주입 또는 수송 재료를 포함될 수 있다.
정공수송층과 발광층 사이에 전자억제층이 구비될 수 있으며, 당기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. 상기 전자 억제 물질로는 발광층으로부터 양극으로의 전자의 유입을 방지하고, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 주입되는 정공의 흐름을 조절하는 능력을 갖는 화합물이 바람직하다. 일 실시상태에 있어서, 전자억제층에는 아릴아민 계열, 또는 카바졸 유도체 등이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시상태에 있어서, 상기 전자억제층은 발광층에 접하여 구비된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 정공수송층; 정공주입층; 및 전자억제층 등 양극과 발광층 사이에 구비될 수 있는 층은 p-형 도펀트를 더 포함할 수 있다. p-형 도펀트로는 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 사용될 수 있으며, 예컨대 아릴아민계 유도체와 시아노기를 포함하는 화합물 등일 수 있다. p-형 도판트의 함량은 적절히 선택될 수 있다.
전자수송층과 발광층 사이에 정공억제층이 구비될 수 있으며, 당 기술분야에 알려져 있는 재료가 사용될 수 있다. 상기 정공 억제 물질로는 발광층으로부터 음극으로의 정공의 유입을 방지하고, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 주입되는 전자를 조절하는 능력을 갖는 화합물이 바람직하다. 정공 억제 물질로는 소자 내 사용되는 유기물층의 구성에 따라 적절한 물질을 사용할 수 있으며, 일 실시상태에 있어서, 1,10-페난쓰롤린 유도체를 사용할 수 있다. 상기 정공억제층은 발광층과 음극 사이에 위치하며, 바람직하게는 발광층에 직접 접하여 구비된다.
전자수송층은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, SAlq와 같은 당기술분야에 알려진 재료가 사용될 수 있다. 상기 전자수송층의 두께는 1 nm 내지 50 nm일 수 있다. 여기서, 상기 전자수송층의 두께가 1nm 이상이면, 전자수송 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자수송층의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
상기 전자주입층은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있다. Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq과 같은 당기술분야에 알려져 있는 유기물이나 착체 또는 금속화합물로 이루어질 수 있다. 금속화합물로는 금속 할로겐화물이 사용될 수 있으며, 예컨대 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2 등이 사용될 수 있다. 상기 전자주입층의 두께는 1 nm 내지 50 nm일 수 있다. 여기서, 상기 전자주입층의 두께가 1nm 이상이면, 전자 주입 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있고, 50nm 이하이면, 전자주입층의 두께가 너무 두꺼워 전자의 이동을 향상시키기 위해 구동전압이 상승되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 전자 주입과 수송을 동시에 하는 층을 포함할 수 있다. 상기 전자 주입과 수송을 동시에 하는 층에는 전술한 전자수송층 및 전자주입층 재료를 사용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전자 수송층; 전자 주입층; 및 정공억제층 등 음극과 발광층 사이에 구비되는 유기물층은 n-형 도펀트를 더 포함할 수 있다. n-형 도펀트로는 당 기술분야에 알려져 있는 것들이 사용될 수 있으며, 예컨대 알칼리 금속, 알칼리토금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리토금속 화합물, 알칼리 금속 착체 또는 알칼리토금속 착체 등이 사용될 수 있다. 상기 금속 화합물로는 산화물, 할로겐화물 등이 사용될 수 있으며, 상기 착체는 유기 리간드를 더 포함할 수 있다. 예컨대, LiQ 등이 사용될 수 있다. n-형 도판트의 함량은 적절히 선택될 수 있다.
상기 음극은 전자주입 전극으로, 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 여기서, 음극은 유기 발광 소자가 전면 또는 양면 발광 구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 유기 발광 소자가 배면 발광 구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 제1 호스트로 포함할 수 있다. 이 경우, 발광층은 상기 화학식 1의 화합물만으로 이루어질 수도 있으나, 상기 화학식 1의 화합물은 당기술분야에 알려져 있는 다른 발광층 재료에 혼합 또는 도핑된 상태로 존재할 수도 있다. 상기 화학식 1의 화합물은 발광층의 100 중량%를 차지할 수도 있으나, 0.1 중량% 내지 50 중량%로 도핑될 수도 있다.
본 명세서의 일 실시상태로는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 발광층은 상기 화학식 1의 화합물을 제1 호스트로, 상기 화학식 2의 화합물을 제2 호스트로 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 따르면 상기 유기물층은 2층 이상의 발광층을 포함하고, 상기 2층 이상의 발광층 중 적어도 2개의 발광층 사이에 구비된 전하생성층(charge generation layer)을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 발광층 중 하나는 청색을 발광하고, 다른 하나는 노란색 발광을 하도록 함으로써 백색 발광을 하는 유기 발광 소자를 제작할 수 있다. 상기 발광층과 양극 또는 음극 사이, 상기 발광층과 전하생성층 사이에는 전술한 정공주입층, 정공버퍼층, 정공수송층, 전자억제층, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층과 같은 1층 이상의 유기물층이 더 포함될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 전하생성층(Charge Generating layer)이란 전압을 걸면 정공과 전자가 발생하는 층을 의미한다. 상기 전하생성층은 N형 전하생성층 또는 P형 전하생성층일 수 있다. 본 명세서에서, N형 전하생성층이란 P형 전하생성층보다 양극에 가깝게 위치한 전하생성층을 의미하고, P형 전하생성층이란 N형 전하생성층보다 음극에 가깝게 위치한 전하생성층을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자가 2개 이상의 발광층을 포함하는 경우, 상기 발광층은 수직 또는 수평으로 구비될 수 있다. 즉, 발광층의 배열은 한정되지 않는다.
상기 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시상태에 있어서, 상기 발광층은 도판트를 더 포함할 수 있다. 상기 도판트는 인광 도판트, 형광 도판트, 지연 형광 도판트 등일 수 있으며, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물이나 또는 기타 발광 물질과 사용하기 적합한 것이라면 제한 없이 사용할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 도판트의 함량은 발광층의 중량 100 중량%에 대하여 1 중량% 내지 50 중량%일 수 있다.
상기 도판트 재료로는 방향족 아민 유도체, 카바졸 유도체; 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 상기 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 파이렌, 안트라센, 크라이센, 페리플란텐 등이 있다. 상기 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 선택되는 1개 또는 2개 이상의 치환기가 치환 또는 비치환된 것을 사용할 수 있다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 일 실시상태에 있어서, 상기 도판트는 시아노기 및 카바졸이 치환된 벤젠; 또는 이리듐 착제일 수 있다.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
이하, 본 발명에 따르는 실시예 및 본 발명에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
<제조예>
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기와 같이 브로모클로로벤조퓨로피리딘 또는 브로모클로로벤조싸이에노피리딘의 브로모기에 치환기를 도입하고, 보릴레이션 반응으로 클로로기를 보레이트로 치환한 후 최종적으로 트리아지닐기를 도입하는 등의 방법으로 제조할 수 있다. 하기 과정에 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물의 합성 방법을 기재하였으나, 본 발명 화합물의 합성 방법은 이에 한정되지 않는다.
제조예 1-1: 화합물 1-A의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000116
6-브로모-4-클로로벤조퓨로[2,3-c]피리딘 30g(106.2mmol), 페닐보로닉액시드 111.5mmol, 테트라하이드로퓨란 200mL 및 물 100mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(318.6mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(2.1mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-A(26.4g)를 얻었다(수율 89%).
MS[M+H]+ = 280
제조예 1-2: 화합물 1-B의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000117
6-브로모-4-클로로벤조퓨로[2,3-c]피리딘 30g(106.2mmol), (4-(9H-카바졸-9-일)페닐)보로닉액시드 111.5mmol, 테트라하이드로퓨란 200mL 및 물 100mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(318.6mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(2.1mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-B(41.1g)를 얻었다(수율 87%).
MS[M+H]+ = 445
제조예 1-3: 화합물 1-C의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000118
6-브로모-4-클로로벤조퓨로[2,3-c]피리딘 30g(106.2mmol), 9-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸 111.5mmol 및 톨루엔 300mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 소듐터트뷰톡사이드(212.4mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(2.1mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 농축하고, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-C(53.8g)를 얻었다(수율 83%).
MS[M+H]+ = 610
제조예 1-4: 화합물 1-D의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000119
6-브로모-4-클로로벤조퓨로[2,3-c]피리딘 30g(106.2mmol), (9,9-다이페닐-9H-플루오렌-2-일)보로닉액시드 111.5mmol, 테트라하이드로퓨란 200mL 및 물 100mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(318.6mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(2.1mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-D(48.6g)를 얻었다(수율 88%).
MS[M+H]+ = 520
제조예 1-5: 화합물 1-E의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000120
6-브로모-4-클로로벤조퓨로[2,3-c]피리딘 30g(106.2mmol), 7,7-다이메틸-5,7-다이하이드로인데노[2,1-b]카바졸 111.5mmol 및 톨루엔 300mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 소듐터트뷰톡사이드(212.4mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(2.1mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 농축하고, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-E(43.8g)를 얻었다(수율 85%).
MS[M+H]+ = 485
제조예 1-6: 화합물 1-F의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000121
6-브로모-4-클로로벤조퓨로[2,3-c]피리딘 30g(106.2mmol), 7H-벤조[4,5]싸이에노[2,3-b]카바졸 111.5mmol 및 톨루엔 300mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 소듐터트뷰톡사이드(212.4mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(2.1mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액을 농축하고, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-F(41.4g)를 얻었다(수율 82%).
MS[M+H]+ = 475
제조예 1-7: 화합물 1-G의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000122
6-브로모-4-클로로벤조퓨로[2,3-c]피리딘 30g(106.2mmol), (9-(페닐-d5)-9H-카바졸-3-일)보로닉액시드 111.5mmol, 테트라하이드로퓨란 200mL 및 물 100mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(318.6mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(2.1mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-G(40.1g)를 얻었다(수율 84%).
MS[M+H]+ = 450
제조예 1-8: 화합물 1-H의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000123
8-브로모-1-클로로벤조퓨로[3,2-c]피리딘 30g(106.2mmol), 사이클로헥실보로닉액시드 111.5mmol, 테트라하이드로퓨란 200mL 및 물 100mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(318.6mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(2.1mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-H(26.4g)를 얻었다(수율 87%).
MS[M+H]+ = 286
제조예 1-9: 화합물 1-I의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000124
8-브로모-1-클로로벤조퓨로[3,2-c]피리딘 30g(106.2mmol) 및 테트라하이드로퓨란 300mL 혼합하고 -78℃에서 n-뷰틸리튬 106.2mmol을 첨가하였다. 1시간 교반 후 -78℃에서 트라이페닐실릴클로라이드 111.5mmol을 첨가하여 상온에서 2시간 교반하였다. 반응 후 반응 용액을 농축하고 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-I(37.8g)를 얻었다(수율 77%).
MS[M+H]+ = 462
제조예 1-10: 화합물 1-J의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000125
6-브로모-4-클로로벤조[4,5]싸이에노[2,3-c]피리딘 30g(106.2mmol), (3-시아노-5-(다이벤조[b,d]사이오펜-4-일)페닐)보로닉액시드 111.5mmol, 테트라하이드로퓨란 200mL 및 물 100mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(318.6mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(2.1mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-J(43.8g)를 얻었다(수율 82%).
MS[M+H]+ = 503
제조예 1-11: 화합물 1-K의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000126
6-브로모-4-클로로벤조[4,5]싸이에노[2,3-c]피리딘 30g(106.2mmol), (4-(4-(2-시아노페닐)-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)페닐)보로닉액시드 111.5mmol, 테트라하이드로퓨란 200mL 및 물 100mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(318.6mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(2.1mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-K(46.9g)를 얻었다(수율 80%).
MS[M+H]+ = 552
제조예 1-12: 화합물 1-L의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000127
8-브로모-1-클로로벤조[4,5]싸이에노[3,2-c]피리딘 30g(106.2mmol), 트라이페닐렌-2-일보로닉액시드 111.5mmol, 테트라하이드로퓨란 200mL 및 물 100mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘카보네이트(318.6mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(2.1mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1-L(39.3g)을 얻었다(수율 83%).
MS[M+H]+ = 446
제조예 2-1
화합물 2-A의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000128
화합물 1-A 19.6 g(70 mmol), 비스(피나코락토)다이보론 70 mmol, 포타슘아세테이트 140 mmol 및 1,4-다이옥산 250 mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 2-A 22.3 g(수율 86%)을 얻었다.
MS[M+H]+ = 372
제조예 2-2
화합물 2-B의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000129
화합물 1-B 31.1 g(70 mmol), 비스(피나코락토)다이보론 70 mmol, 포타슘아세테이트 140 mmol 및 1,4-다이옥산 250 mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 2-B 31.2 g(수율 83%)을 얻었다.
MS[M+H]+ = 537
제조예 2-3
화합물 2-C의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000130
화합물 1-C 42.7 g(70 mmol), 비스(피나코락토)다이보론 70 mmol, 포타슘아세테이트 140 mmol 및 1,4-다이옥산 250 mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 2-C 39.8 g(수율 81%)을 얻었다.
MS[M+H]+ = 702
제조예 2-4
화합물 2-D의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000131
화합물 1-D 36.4 g(70 mmol), 비스(피나코락토)다이보론 70 mmol, 포타슘아세테이트 140 mmol 및 1,4-다이옥산 250 mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 2-D 35.9 g(수율 84%)을 얻었다.
MS[M+H]+ = 612
제조예 2-5
화합물 2-E의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000132
화합물 1-E 33.9 g(70 mmol), 비스(피나코락토)다이보론 70 mmol, 포타슘아세테이트 140 mmol 및 1,4-다이옥산 250 mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 2-E 32.3 g(수율 80%)을 얻었다.
MS[M+H]+ = 577
제조예 2-6
화합물 2-F의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000133
화합물 1-F 33.2 g(70 mmol), 비스(피나코락토)다이보론 70 mmol, 포타슘아세테이트 140 mmol 및 1,4-다이옥산 250 mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 2-F 33.3 g(수율 84%)을 얻었다.
MS[M+H]+ = 567
제조예 2-7
화합물 2-G의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000134
화합물 1-G 31.5 g(70 mmol), 비스(피나코락토)다이보론 70 mmol, 포타슘아세테이트 140 mmol 및 1,4-다이옥산 250 mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 2-G 31.1 g(수율 82%)을 얻었다.
MS[M+H]+ = 542
제조예 2-8
화합물 2-H의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000135
화합물 1-H 20 g(70 mmol), 비스(피나코락토)다이보론 70 mmol, 포타슘아세테이트 140 mmol 및 1,4-다이옥산 250 mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 2-H 21.1 g(수율 80%)을 얻었다.
MS[M+H]+ = 378
제조예 2-9
화합물 2-I의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000136
화합물 1-I 32.3 g(70 mmol), 비스(피나코락토)다이보론 70 mmol, 포타슘아세테이트 140 mmol 및 1,4-다이옥산 250 mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 2-I 32.2 g(수율 83%)을 얻었다.
MS[M+H]+ = 554
제조예 2-10
화합물 2-J의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000137
화합물 1-J 35.2 g(70 mmol), 비스(피나코락토)다이보론 70 mmol, 포타슘아세테이트 140 mmol 및 1,4-다이옥산 250 mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 2-J 35.4 g(수율 85%)을 얻었다.
MS[M+H]+ = 595
제조예 2-11
화합물 2-K의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000138
화합물 1-K 38.6 g(70 mmol), 비스(피나코락토)다이보론 70 mmol, 포타슘아세테이트 140 mmol 및 1,4-다이옥산 250 mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 2-K 36.5 g(수율 81%)을 얻었다.
MS[M+H]+ = 644
제조예 2-12
화합물 2-L의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000139
화합물 1-L 31.2 g(70 mmol), 비스(피나코락토)다이보론 70 mmol, 포타슘아세테이트 140 mmol 및 1,4-다이옥산 250 mL를 혼합하고 100℃로 가열했다. 여기에 팔라듐아세테이트 1mmol%를 첨가하여 리플럭스 상태로 12시간 동안 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응용액을 물로 추출하고 유기층을 증류하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 클로로포름/헥산으로 컬럼 크로마토그래피를 이용하여 정제하여 화합물 2-L 32.3 g(수율 86%)을 얻었다.
MS[M+H]+ = 538
제조예 3-1
화합물 1의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000140
화합물 2-A 11.1 g(30mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 30mmol, 1,4-다이옥산 100 mL 및 물 50 mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘포스페이트(90mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.4mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 1(10.4g)을 얻었다(수율 73%).
MS[M+H]+ = 477
제조예 3-2
화합물 2의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000141
화합물 2-B 16.1 g(30mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 30mmol, 1,4-다이옥산 100 mL 및 물 50 mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘포스페이트(90mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.4mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 2(14.1g)를 얻었다(수율 76%).
MS[M+H]+ = 642
제조예 3-3
화합물 3의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000142
화합물 2-C 21 g(30mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 30mmol, 1,4-다이옥산 100 mL 및 물 50 mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘포스페이트(90mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.4mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 3(19.6g)을 얻었다(수율 81%).
MS[M+H]+ = 807
제조예 3-4
화합물 4의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000143
화합물 2-D 18.3 g(30mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 30mmol, 1,4-다이옥산 100 mL 및 물 50 mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘포스페이트(90mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.4mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 4(16.5g)를 얻었다(수율 77%).
MS[M+H]+ = 717
제조예 3-5
화합물 5의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000144
화합물 2-E 17.3 g(30mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 30mmol, 1,4-다이옥산 100 mL 및 물 50 mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘포스페이트(90mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.4mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 5(16.2g)를 얻었다(수율 79%).
MS[M+H]+ = 682
제조예 3-6
화합물 6의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000145
화합물 2-F 17 g(30mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 30mmol, 1,4-다이옥산 100 mL 및 물 50 mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘포스페이트(90mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.4mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 6(15.7g)을 얻었다(수율 78%).
MS[M+H]+ = 672
제조예 3-7
화합물 7의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000146
화합물 2-G 16.2 g(30mmol), 2-(4-클로로-6-페닐-1,3,5-트리아진-2-일)-9-페닐-9H-카바졸 30mmol, 1,4-다이옥산 100 mL 및 물 50 mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘포스페이트(90mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.4mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 7(19.5g)을 얻었다(수율 80%).
MS[M+H]+ = 812
제조예 3-8
화합물 8의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000147
화합물 2-H 11.3 g(30mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 30mmol, 1,4-다이옥산 100 mL 및 물 50 mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘포스페이트(90mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.4mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 8(11.7g)을 얻었다(수율 81%).
MS[M+H]+ = 483
제조예 3-9
화합물 9의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000148
화합물 2-I 16.6 g(30mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 30mmol, 1,4-다이옥산 100 mL 및 물 50 mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘포스페이트(90mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.4mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 9(16.6g)를 얻었다(수율 84%).
MS[M+H]+ = 659
제조예 3-10
화합물 10의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000149
화합물 2-J 17.8 g(30mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 30mmol, 1,4-다이옥산 100 mL 및 물 50 mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘포스페이트(90mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.4mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 10(17g)을 얻었다(수율 81%).
MS[M+H]+ = 700
제조예 3-11
화합물 11의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000150
화합물 2-K 19.3 g(30mmol), 2-클로로-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 30mmol, 1,4-다이옥산 100 mL 및 물 50 mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘포스페이트(90mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.4mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 11(17.9g)을 얻었다(수율 80%).
MS[M+H]+ = 749
제조예 3-12
화합물 12의 합성
Figure PCTKR2019005327-appb-I000151
화합물 2-L 16.1 g(30mmol), 2-(4-브로모페닐)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진 30mmol, 1,4-다이옥산 100 mL 및 물 50 mL를 혼합하고 60℃로 가열하였다. 포타슘포스페이트(90mmol) 및 테트라키스트라이페닐포스핀팔라듐(0.4mmol)을 첨가하여 리플럭스 상태로 3시간 교반하였다. 반응 후 실온으로 되돌린 반응 용액에서 유기층을 추출한 후, 클로로포름과 헥산으로 2회 재결정을 실시하여, 화합물 12(17.9g)를 얻었다(수율 83%).
MS[M+H]+ = 719
<실시예 1-1>
ITO(indium tin oxide)가 100 nm의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 각 박막을 진공 증착법(진공도 5Х10-4㎩)으로 적층하였다. 먼저, ITO 상에 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌(hexanitrile hexaazatriphenylene; HAT-CN)을 50 nm의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다.
상기 정공주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화합물 4-4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB)를 진공 증착하여 정공수송층(30 nm)을 형성하였다.
상기 정공수송층 위에 막 두께 10 nm로 하기 화합물 N-([1,1'-비스페닐]-4-일)-N-(4-(11-([1,1'-비페닐]-4-일)-11H-벤조[a]카바졸-5-일)페닐)-[1,1'-비페닐]-4-아민(EB1)를 진공 증착하여 전자억제층(10 nm)을 형성하였다.
이어서, 상기 전자억제층 위에 막 두께 30 nm로 화합물 1과 하기 화합물 4CzIPN(지연형광 도판트)을 70:30의 중량비로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다.
상기 발광층 위에 막 두께 10 nm로 화합물 HB1을 진공 증착하여 정공억제층을 형성하였다.
상기 정공억제층 위에 화합물 ET1과 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공 증착하여 30 nm의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 1.2 nm두께로 리튬플루오라이드(LiF)와 200 nm 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 nm/sec 내지 0.07 nm/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.03 nm/sec, 알루미늄은 0.2nm/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2×10-7 torr 내지 5×10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure PCTKR2019005327-appb-I000152
<실시예 1-2 내지 1-12>
상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 하기 표 1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-1 내지 1-8>
상기 실시예 1-1에서 화합물 1 대신 하기 표 1의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure PCTKR2019005327-appb-I000153
실시예 1-1 내지 1-12 및 비교예 1-1 내지 1-8에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 하기 [표 1]의 결과를 얻었다.
구분 화합물 전압(V@10mA/cm2) 효율(cd/A@10mA/cm2) 색좌표(x,y)
실시예 1-1 1 3.9 22 (0.34, 0.63)
실시예 1-2 2 4.0 21 (0.33, 0.63)
실시예 1-3 3 4.0 21 (0.33, 0.62)
실시예 1-4 4 4.1 20 (0.33, 0.62)
실시예 1-5 5 4.0 22 (0.34, 0.62)
실시예 1-6 6 4.1 21 (0.33, 0.63)
실시예 1-7 7 3.9 21 (0.34, 0.63)
실시예 1-8 8 4.0 22 (0.34, 0.62)
실시예 1-9 9 4.0 20 (0.34, 0.62)
실시예 1-10 10 4.1 21 (0.34, 0.63)
실시예 1-11 11 4.0 21 (0.34, 0.63)
실시예 1-12 12 3.9 22 (0.33, 0.63)
비교예 1-1 GH3 4.8 16 (0.33, 0.60)
비교예 1-2 GH4 4.7 15 (0.34, 0.61)
비교예 1-3 GH5 4.7 16 (0.34, 0.61)
비교예 1-4 GH6 4.7 14 (0.34, 0.62)
비교예 1-5 GH7 4.8 16 (0.33, 0.61)
비교예 1-6 GH8 4.7 15 (0.34, 0.61)
비교예 1-7 GH9 4.8 14 (0.33, 0.62)
비교예 1-8 m-CBP 4.7 16 (0.34, 0.62)
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 화학식 1의 화합물을 사용한 실시예 1-1 내지 1-12 의 소자 모두 비교예 1-8과 같이 화합물 m-CBP의 물질을 사용한 소자보다 전압이 낮고, 효율이 올라가는 결과를 얻었다.
또한, 실시예 1-1 내지 1-12와 비교예 1-1 내지 1-7의 소자를 비교해보면, 본 화학식 1의 화합물을 발광층에 사용할 경우 소자의 구동 전압 및 효율 면에서 특성이 모두 향상됨을 알 수 있었다.
상기 표 1의 결과와 같이, 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 전자 및 정공을 도펀트로 전달하는 능력이 우수하여 지연 형광 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다.
<실시예 2-1>
ITO(indium tin oxide)가 130 nm의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 HAT-CN을 5 nm의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 위에 하기 화합물 NPB를 80 nm의 두께로 열 진공증착하여 제1 정공수송층을 형성하고, 상기 제1 정공 수송층 위에 화합물 HT-3를 50 nm 두께로 진공 증착하여 제2 정공수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 제2 정공수송층 위에 화합물 1, 하기 화합물 GH-1, 및 하기 화합물 GD-1(인광 도펀트)을 47.5:47.5:5의 중량비로 진공 증착하여 40 nm 두께의 발광층을 형성하였다.
상기 발광층 위에 하기 화합물 ET-3를 5 nm의 두께로 진공 증착하여 정공 억제층을 형성하고, 상기 정공억제층 위에 하기 화합물 ET-4 및 LiQ를 1:1의 중량비로 진공 증착하여 25 nm의 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 위에 순차적으로 1 nm 두께의 리튬플루오라이드(LiF)를 증착하고, 이 위에 100 nm 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.04 nm/sec 내지 0.07 nm/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.03 nm/sec, 알루미늄은 0.2 nm/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1×10-7 torr 내지 5×10-6 torr를 유지하였다.
Figure PCTKR2019005327-appb-I000154
<실시예 2-2 내지 2-12>
상기 실시예 2-1에서 화합물 1 대신 하기 표 2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 2-1 내지 2-8>
상기 실시예 2-1에서 화합물 1 대신 하기 표 2의 화합물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
Figure PCTKR2019005327-appb-I000155
실시예 2-1 내지 2-12 및 비교예 2-1 내지 2-8에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 하기 [표 2]의 결과를 얻었다.
구분 화합물 전압(V@10mA/cm2) 효율(cd/A@10mA/cm2) 색좌표(x,y)
실시예 2-1 1 4.0 22 (0.33, 0.63)
실시예 2-2 2 3.9 21 (0.34, 0.64)
실시예 2-3 3 3.9 23 (0.34, 0.64)
실시예 2-4 4 4.0 23 (0.33, 0.64)
실시예 2-5 5 4.0 22 (0.33, 0.63)
실시예 2-6 6 3.9 22 (0.33, 0.64)
실시예 2-7 7 3.9 21 (0.33, 0.64)
실시예 2-8 8 4.0 23 (0.33, 0.63)
실시예 2-9 9 3.9 23 (0.34, 0.63)
실시예 2-10 10 3.9 22 (0.34, 0.64)
실시예 2-11 11 4.0 23 (0.34, 0.64)
실시예 2-12 12 3.9 21 (0.33, 0.64)
비교예 2-1 GH-2 4.4 17 (0.34, 0.63)
비교예 2-2 GH-3 4.5 16 (0.33, 0.62)
비교예 2-3 GH-4 4.4 15 (0.33, 0.61)
비교예 2-4 GH-5 4.4 16 (0.34, 0.61)
비교예 2-5 GH-6 4.5 15 (0.34, 0.61)
비교예 2-6 GH-7 4.5 15 (0.33, 0.62)
비교예 2-7 GH-8 4.4 14 (0.34, 0.62)
비교예 2-8 GH-9 4.5 15 (0.33, 0.63)
상기 표 2에서 보는 바와 같이, 화학식 1의 화합물을 사용한 실시예 2-1 내지 2-12의 소자 모두 비교예 2-1처럼 화합물 GH-2의 물질을 사용한 소자보다 전압이 낮고, 효율이 올라가는 결과를 얻었다.
또한, 실시예 2-1 내지 2-12의 소자와 비교예 2-2 내지 2-8의 소자를 비교해보면 본 화학식 1의 화합물을 사용한 소자가 전압 및 효율 면에서 특성이 모두 향상됨을 알 수 있었다.
상기 표 2의 결과와 같이, 본 발명에 따른 화학식 1의 화합물은 전자 및 정공을 도펀트로 전달하는 능력이 우수하고 녹색 인광 유기 발광 소자에 적용 가능함을 확인할 수 있었다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.

Claims (7)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000156
    상기 화학식 1에 있어서,
    X는 O 또는 S이고,
    A1 및 A2는 각각 독립적으로, CH 또는 N이며,
    A1 및 A2 중 적어도 하나는 N이며,
    L은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,
    R1 내지 R3는 각각 독립적으로, 시아노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 알킬아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    R1은 -(L11)a11-Ar11이며,
    L11은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이고,
    Ar11은 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; -Si(R11)(R12)(R13); 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
    R11 내지 R13은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 알킬기; 또는 아릴기이며,
    a11은 0 내지 3의 정수이며, a11이 2 이상인 경우 L11은 서로 같거나 상이한 것인 화합물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 구조들 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000157
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000158
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000159
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000160
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000161
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    Figure PCTKR2019005327-appb-I000210
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000211
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000212
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000213
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    Figure PCTKR2019005327-appb-I000216
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000217
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000218
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    Figure PCTKR2019005327-appb-I000221
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000222
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000223
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000224
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    Figure PCTKR2019005327-appb-I000227
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000228
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    Figure PCTKR2019005327-appb-I000247
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000248
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    Figure PCTKR2019005327-appb-I000250
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000251
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000252
    .
  4. 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 3 중 어느 하나의 항에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 유기물층은 발광층을 포함하며,
    상기 발광층은 제1 호스트를 포함하며,
    상기 제1 호스트는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 발광층은 제2 호스트를 추가로 더 포함하며,
    상기 제2 호스트는 하기 화학식 2로 표시되는 것인 유기 발광 소자:
    [화학식 2]
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000253
    상기 화학식 2에 있어서,
    Ar1 및 Ar2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이며,
    L1은 직접결합; 또는 치환 또는 비치환된 아릴렌기이며,
    G1 및 G2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이며,
    b1은 0 내지 7의 정수이고, b1이 2 이상인 경우 G1은 서로 같거나 상이하며,
    b2는 0 내지 7의 정수이고, b2가 2 이상인 경우 G2는 서로 같거나 상이하다.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 구조들 중 적어도 하나인 것인 유기 발광 소자:
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000254
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000255
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000256
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000257
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000258
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000259
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000260
    Figure PCTKR2019005327-appb-I000261
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