WO2019186900A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2019186900A1
WO2019186900A1 PCT/JP2018/013259 JP2018013259W WO2019186900A1 WO 2019186900 A1 WO2019186900 A1 WO 2019186900A1 JP 2018013259 W JP2018013259 W JP 2018013259W WO 2019186900 A1 WO2019186900 A1 WO 2019186900A1
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WO
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layer
electrode
display
display device
film
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PCT/JP2018/013259
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English (en)
French (fr)
Inventor
渡辺　典子
家根田　剛士
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • the flexible display device has a configuration in which an electro-optical element is sandwiched between various functional layers and a support that supports the circuit together with other circuits that drive the electro-optical element.
  • the flexible display device is used as a foldable display device in which the display portion can be flexibly deformed, is thin and light, and can be bent.
  • Examples of the electro-optical element include an EL element that is an optical element using electroluminescence (hereinafter referred to as “EL”) of a luminescent material.
  • EL electroluminescence
  • An EL display device using an EL element has attracted attention as a display device having a higher response speed and a wider viewing angle than a liquid crystal display device.
  • Such a display device has an optical element such as a TFT and an organic EL element, and a sealing layer covering the optical element on a resin layer (resin film substrate) made of polyimide or the like having a barrier layer formed on the surface. And a functional film such as a polarizing film or a cover film provided on the surface of the display panel (see, for example, Patent Document 1).
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2013-109869 (published on June 6, 2013)”
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a flexible display device that equalizes the display luminance of each screen.
  • a display device includes a first electrode provided for each pixel, a second electrode provided in common to a plurality of pixels, and the first electrode.
  • a plurality of optical elements each including a functional layer sandwiched between the second electrode and the first display area, the second display area, and the first display area and the second display area; A curved portion, a frame region surrounding the first display region, the second display region, and the curved portion, a terminal portion on which a terminal of the wiring is formed, and between the frame region and the terminal portion.
  • control circuit is formed and the first table of the second display area is formed.
  • a plurality of second control circuits are formed in the frame area along the opposite side of the side facing the area, and the direction in which the first display area and the second display area are aligned is defined as a first direction, and is perpendicular to the first direction.
  • the first display area is provided with a plurality of first control lines extending in the first direction and a plurality of first data signal lines intersecting with the first control line.
  • a plurality of second control lines extending in the first direction and a plurality of second data signal lines intersecting with the second control line are provided, and the first control is performed.
  • the circuit outputs a control signal to the first control line, the second control circuit outputs a control signal to the second control line, and the first control line and the second control line are formed in the bending portion. Electrical connection is made through the curved portion wiring.
  • Embodiment 1 An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6 as follows.
  • the flexible display device 1 is an organic EL display device that includes an OLED layer including an OLED (Organic Light Emitting Diode) as a light emitting element (optical element). Will be described as an example.
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a main part of a flexible display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration near the bending portion 7 of the flexible display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration in the vicinity of the control circuit 4A ′ of the flexible display device 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration between the first display region 5 and the bent portion 9 of the flexible display device 1 according to the present embodiment. 2 collectively shows a cross-sectional view along the scanning signal line GL and a cross-sectional view along the light emission control line EM.
  • FIG. 3 collectively shows a cross-sectional view along the scanning signal line GL and a cross-sectional view along the light emission control line EM.
  • the control circuit 4A ′ is omitted.
  • 4 corresponds to a cross-sectional view taken along the line CC of the flexible display device 1 shown in FIG. 1 (a cross-sectional view taken along the data signal line SL).
  • the flexible display device 1 is a foldable flexible image display device (foldable display) provided to be foldable (bent) and unfoldable (extendable).
  • the unfolded state indicates a state in which the flexible display device 1 is unfolded by 180 °, that is, a state in which the flexible display device 1 is flattened by opening the flexible display device 1, that is, a so-called full flat state.
  • the flexible display device 1 is a two-fold rectangular display device having two spread screens.
  • the flexible display device 1 includes a first display area 5 (hereinafter simply referred to as “display area 5”) and a second display area 5 ′ that constitute each of two spread screens in a plan view. (Hereinafter simply referred to as “display region 5 ′”), a curved portion 7 provided between the display region 5 and the display region 5 ′, and a peripheral region surrounding the display regions 5 and 5 ′ and the curved portion 7.
  • control circuit 4A A plurality of first control circuits 4A (hereinafter simply referred to as “control circuit 4A”) formed in a certain frame region 6 and a frame region 6 along the opposite side of the side opposite to the display region 5 ′ of the display region 5;
  • a plurality of second control circuits 4A ′ (hereinafter simply referred to as “control circuit 4A ′”) formed in the frame region 6 along the opposite side of the side of the display region 5 ′ facing the display region 5, and terminals of each wiring Terminal portions 3 and 3 ′, display areas 5 and 5 ′, and terminal portions 3 and 3 are formed. It has a bent portion 9 provided between the.
  • control circuit 4A and the control circuit 4A ' are not distinguished from each other, they are expressed as "control circuit 4".
  • planar view shows the time when the OLED panel 2 is seen from the upper surface side, for example.
  • first direction the direction in which the display area 5 and the display area 5 ′ are arranged
  • second direction the direction perpendicular to the first direction
  • the curved portion 7 is a portion that bends the flexible display device 1 provided along a line L extending in the second direction passing through the central portion of each side along the longitudinal direction of the flexible display device 1.
  • the flexible display device 1 has a line-symmetric structure with the line L as an axis.
  • a first trench (digged or recessed portion) 8 (hereinafter simply referred to as “trench 8”) is formed so as to surround the display region 5 and not to cross the curved portion 7. However, the trench 8 is formed avoiding a part between the display region 5 and the terminal portion 3 (that is, divided) in plan view. This is to pass the data signal line SL extending from the terminal portion 3.
  • a second trench 8 ′ (hereinafter simply referred to as “trench 8 ′”) is formed so as to surround the display region 5 ′ and not straddle the curved portion 7. However, the trench 8 ′ is formed so as to avoid a part between the display region 5 ′ and the terminal portion 3 ′ (that is, divided) in plan view. This is for passing the data signal line SL extending from the terminal portion 3 ' ⁇ ⁇ .
  • a frame-shaped bank (wall body, bank) B1 is formed so as to straddle the curved portion 7 so as to surround the display areas 5 and 5 'and the trenches 8 and 8'.
  • the terminal portions 3 and 3 ′ are formed in the frame region 6 at the end in the second direction of the flexible display device 1 so as not to overlap the bent portion 9.
  • both the terminal portion 3 corresponding to the display area 5 and the terminal portion 3 ′ corresponding to the display area 5 ′ are formed at the end on the same side, but one is at the end on the opposite side. It may be formed. Further, only the terminal portion 3 or the terminal portion 3 ′ may be formed.
  • the terminal portions 3 and 3 ′ are bonded to an FPC (flexible printed circuit) substrate with an ACF (Anisotropic Conductive Film).
  • the terminal units 3 and 3 ′ input each signal or reference potential supplied from the display control circuit to the pixel circuit 25.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of the pixel circuit 25 corresponding to m columns and n rows (m and m are natural numbers of 1 or more).
  • the configuration of the pixel circuit 25 described here is an example, and other known configurations may be employed.
  • a plurality of scanning signal lines GL (n) (first control lines) extending in the first direction and a plurality of data signal lines SL (m) extending in the second direction orthogonal to the scanning signal lines GL (n).
  • First data signal line is provided.
  • a plurality of scanning signal lines GL (n) (second control lines) extending in the first direction and a plurality of data signal lines extending in the second direction perpendicular to these lines.
  • SL (m) (second data signal line) is provided.
  • the display area 5 has a plurality of light emission control lines EM (n) (one to one corresponding to the scanning signal lines GL (n) and extending in the first direction in parallel with the scanning signal lines GL (n). A first control line is provided.
  • the display region 5 ′ also has a plurality of light emission control lines EM (n) corresponding to the scanning signal lines GL (n) and extending in the first direction in parallel with the scanning signal lines GL (n). ) (Second control line).
  • the light emission control line EM (n) controls the light emission / non-light emission timing of each OLED 24.
  • the scanning control circuit (first control circuit, second control circuit) constituting the control circuit 4 outputs a control signal to the scanning signal line GL (n).
  • a light emission control circuit (first control circuit, second control circuit) constituting the control circuit 4 outputs a control signal to the light emission control line EM (n).
  • a pixel circuit 25 (sub-pixel circuit) that drives the OLED 24 so as to correspond to the intersections of the plurality of scanning signal lines GL (n) and the plurality of data signal lines SL (m). ) Is provided.
  • a plurality of pixel matrices are formed in the display areas 5 and 5 '.
  • a region defined by the scanning signal line GL (n) and the data signal line SL (m) is a pixel 90, and the pixel 90 of each color (for example, red (R), blue (B), and green (B)). As a set, one picture element is formed.
  • power lines common to the pixel circuits 25 are provided. More specifically, a plurality of high level power supply voltage lines 71 (solid wiring common to the plurality of pixel circuits 25) for supplying a high level power supply voltage (ELVDD) for driving the OLED 24 are disposed in the second direction. A plurality of low level power supply voltage lines 72 for supplying a low level power supply voltage (ELVSS) for driving the OLED 24 are arranged in the first direction, and a power supply line for supplying the initialization voltage Vini is arranged. The high level power supply voltage, the low level power supply voltage, and the initialization voltage Vini are supplied from a power supply circuit (not shown).
  • a power supply circuit not shown.
  • a plurality of high level power supply voltage lines 71 ′ arranged in the first direction may be arranged.
  • the high level power supply voltage line 71 ′ disposed in the first direction is electrically connected to the high level power supply voltage line 71 disposed in the second direction.
  • the pixel circuit 25 includes one OLED 24 and six transistors T1 to T6 (a drive transistor T1, a write control transistor T2, a power supply control transistor T3, a light emission control transistor T4, a threshold voltage compensation transistor T5, and an initialization transistor T6) ( Hereinafter, it is simply referred to as “TFT”) and one capacitor C1.
  • the transistors T1 to T6 are p-channel transistors.
  • the capacitor C1 is a capacitive element composed of two electrodes (first electrode and second electrode).
  • the pixel circuit 25 illustrated in FIG. 5 is an example, and may be formed using an n-channel transistor.
  • the scanning signal line GL (n) and the light emission control line EM (n) are each connected to a gate driver, and the data signal line SL (m) is connected to a source driver.
  • the gate driver drives the scanning signal line GL (n) and the light emission control line EM (n) based on a control signal such as a clock signal received from the display control circuit.
  • the source driver drives the data signal line SL (m) in accordance with a control signal input from the display control circuit.
  • the pixel circuit 25 selects the pixel 90 that inputs a signal through the scanning signal line GL (n), determines the amount of charge that is input into the selected pixel 90 through the data signal line SL (m), and outputs the high-level power supply voltage.
  • a high level potential is supplied from the line 71 to the OLED 24, while a low level potential is supplied from the low level power supply voltage line 72 to the OLED 24.
  • the display control circuit includes an input connector, a timing controller, and a power supply IC (integrated circuit), and supplies a gate driver with timing signals such as a gate start pulse signal and a gate clock signal, a power supply, and an address designation signal if necessary.
  • the source driver is supplied with a source start pulse signal, a source clock signal, a timing signal such as a polarity inversion signal, gradation data, and a power source.
  • each of the gate driver and the source driver may be formed by one IC chip, or may be provided with a plurality of gate drivers or source drivers each made of one IC chip. Further, the configuration of the gate driver may be included in the IC chip including the source driver, or a part of the display control circuit may be included.
  • scanning signal lines GL when a plurality of scanning signal lines GL (n) are expressed without distinction, they are simply referred to as “scanning signal lines GL”, and a plurality of data signal lines SL (m) are expressed without distinction. In this case, it is simply referred to as “data signal line SL”, and when the plurality of light emission control lines EM (n) are expressed without distinction, they are simply referred to as “light emission control lines EM”.
  • the OLED panel 2 includes an OLED layer 20, a sealing film 30, and a cover layer 50 that form the OLED 24 on a TFT (Thin Film Transistor) substrate 10 in this order from the TFT substrate 10 side. It has the structure which was made.
  • TFT Thin Film Transistor
  • the TFT substrate 10 includes an insulating support 11 and a TFT layer 12 provided on the support 11.
  • the support 11 includes a resin layer 11b, a barrier layer 11c (moisture-proof layer) provided on the resin layer 11b, and a base provided on the opposite side of the resin layer 11b from the barrier layer 11c via an adhesive layer. And a flexible laminated film including the film 11a.
  • the base film 11a side of the support 11 is the lower side
  • the cover layer 50 side is the upper side
  • Examples of the resin used for the resin layer 11b include polyimide, polyethylene, and polyamide.
  • the resin layer 11b can be replaced with a two-layer resin film (for example, a polyimide film) and an inorganic insulating film sandwiched between them.
  • the barrier layer 11c is a layer that prevents moisture and impurities from reaching the TFT layer 12 and the OLED layer 20 formed on the support 11, for example, a silicon oxide (SiOx) film formed by a CVD method. , A silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film of these.
  • the barrier layer 11c is provided over the entire surface of the resin layer 11b so that the surface of the resin layer 11b is not exposed. Thereby, even if it is a case where weak resin is used for chemical
  • the base film 11a is attached to the lower surface of the resin layer 11b from which the carrier substrate such as a glass substrate used for the manufacture of the OLED panel 2 is peeled off, so that the flexible film has sufficient strength even when the resin layer 11b is very thin. This is for manufacturing the display device 1.
  • a plastic film made of a flexible resin such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, cycloolefin polymer, polyimide, polycarbonate, polyethylene, aramid, or the like is used.
  • the TFT layer 12 is a semiconductor film 13, a laminated film 17 in which an inorganic insulating layer and a wiring layer are repeatedly laminated (hereinafter simply referred to as “laminated film 17”), and a planarizing film that planarizes the surface of the laminated film 17.
  • laminated film 17 a laminated film 17 in which an inorganic insulating layer and a wiring layer are repeatedly laminated
  • planarizing film that planarizes the surface of the laminated film 17.
  • the organic insulating film 19 used has a configuration provided in this order from below (that is, from the support 11 side).
  • the organic insulating film 19 can be made of a coatable organic material such as polyimide or acrylic.
  • the trench 8 is formed so as to surround the display region 5 as described above, and similarly, the trench 8 'is formed so as to surround the display region 5'.
  • the semiconductor layer 13 is made of, for example, low-temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor (for example, an In—Ga—Zn—O-based semiconductor), and is formed in a plurality of island shapes.
  • LTPS low-temperature polysilicon
  • oxide semiconductor for example, an In—Ga—Zn—O-based semiconductor
  • the laminated film 17 includes a plurality of inorganic insulating layers and a plurality of wiring layers, and has a structure in which a plurality of inorganic insulating layers and wiring layers are alternately stacked.
  • the inorganic insulating layer includes a gate insulating film 14 and inorganic insulating films 15 and 16.
  • a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method. can be configured.
  • the wiring layer includes a first metal layer, a second metal layer, and a third metal layer.
  • the first metal layer includes at least a plurality of gate electrodes G, a plurality of scanning signal lines GL connected to the plurality of gate electrodes G, and a plurality of light emission control lines EM.
  • the second metal layer includes at least a plurality of capacitance lines CL and a plurality of high level power supply voltage lines 71 ′ arranged in the first direction.
  • the third metal layer includes at least a plurality of source electrodes S, a plurality of data signal lines SL connected to the plurality of source electrodes S, a plurality of drain electrodes D, and a plurality of high electrodes disposed in the second direction.
  • a level power supply voltage line 71 and a plurality of low level power supply voltage lines 72 are included.
  • a gate insulating film 14 is formed on the support 11 so as to cover the semiconductor layer 13 formed on the support 11.
  • a first metal layer is formed on the gate insulating film 14.
  • the first metal layer is covered with an inorganic insulating film 15, and a second metal layer is formed on the inorganic insulating film 15.
  • an inorganic insulating film 16 is formed on the inorganic insulating film 15 so as to cover the second metal layer, and a third metal layer is formed on the inorganic insulating film 16.
  • the semiconductor layer 13, the gate electrode G, the inorganic insulating films 15 and 16, the source electrode S, and the drain electrode D constitute a TFT.
  • the TFT has a top gate structure with the semiconductor layer 13 as a channel as an example, but the TFT may have a bottom gate structure.
  • the source electrode S is connected to the semiconductor layer 13 through a contact hole CH1 provided in the gate insulating film 14 and the inorganic insulating films 15 and 16.
  • the drain electrode D is connected to the semiconductor layer 13 through a contact hole CH2 provided in the gate insulating film 14 and the inorganic insulating films 15 and 16.
  • the source electrode S is connected to the data signal line SL.
  • the drain electrode D is connected to the first electrode 21 (anode) of the OLED 24 through a contact hole CH3 that penetrates the organic insulating film 19.
  • the capacitive wiring CL is connected to the high level power supply voltage line 71 through a contact hole CH4 provided in the inorganic insulating film 16.
  • the high level power supply voltage line 71 is connected to the high level power supply circuit section.
  • the low level power supply voltage line 72 is connected to the low level power supply circuit unit.
  • a high-level potential that is higher than the potential is applied.
  • the high level power supply voltage line 71 supplies the OLED 24 with the high level potential supplied from the high level power supply circuit unit.
  • the low-level power supply voltage line 72 supplies the low-level potential supplied from the low-level power supply circuit unit to each OLED 24. Note that each of the high level potential and the low level potential is a fixed potential.
  • the scanning signal line GL in the display region 5 is electrically connected to the lead wiring 29A formed in the same layer as the scanning signal line GL and extending to the curved portion 7 on the display region 5 side from the trench 8.
  • the routing wiring 29A is connected to a bending portion wiring 27A formed in the bending portion 7 through a contact hole.
  • the scanning signal line GL in the display region 5 ′ is electrically connected to the lead wiring 29A ′ formed in the same layer as the scanning signal line GL and extending to the curved portion 7 on the display region 5 ′ side from the trench 8 ′. is doing.
  • the routing wiring 29A ' is connected to the bending portion wiring 27A formed in the bending portion 7 through the contact hole.
  • the routing wirings 29A and 29A ′ are both connected to the bending portion wiring 27A, the scanning signal line GL in the display region 5 and the scanning signal line GL in the display region 5 ′ are connected via the bending portion wiring 27A. Are electrically connected.
  • the routing wiring 29A straddles the lower side of the trench 8, and the trench 8 overlaps with the routing wiring 29A via at least one inorganic film forming the TFT layer 12.
  • the routing wiring 29 ⁇ / b> A ′ extends under the trench 8 ′, and the trench 8 ′ overlaps with the routing wiring 29 ⁇ / b> A ′ via at least one inorganic film forming the TFT layer 12.
  • the light emission control line EM in the display area 5 is electrically connected to the lead wiring 29B formed in the same layer as the light emission control line EM and extending to the curved portion 7 on the display area 5 side from the trench 8.
  • the routing wiring 29B is connected to a bending portion wiring 27B formed in the bending portion 7 through a contact hole.
  • the light emission control line EM in the display region 5 ′ is electrically connected to the lead wiring 29B ′ formed in the same layer as the light emission control line EM and extending to the curved portion 7 on the display region 5 ′ side from the trench 8 ′. is doing.
  • the routing wiring 29B ' is connected to the bending portion wiring 27B formed in the bending portion 7 through the contact hole.
  • the routing wirings 29B and 29B ′ are both connected to the bending portion wiring 27B, the light emission control line EM of the display region 5 and the light emission control line EM of the display region 5 ′ are connected via the bending portion wiring 27B. Are electrically connected.
  • the routing wiring 29B straddles the lower side of the trench 8, and the trench 8 overlaps with the routing wiring 29B via at least one inorganic film forming the TFT layer 12.
  • the routing wiring 29 ⁇ / b> B ′ straddles the lower side of the trench 8 ′, and the trench 8 ′ overlaps with the routing wiring 29 ⁇ / b> B ′ via at least one inorganic film forming the TFT layer 12.
  • the curved portion 7 is formed with a first opening 7A by removing at least one of the inorganic films (gate insulating film 14 and inorganic insulating films 15 and 16) forming the TFT layer 12, and the first opening 7A A first filling film is formed so as to be filled with the planarizing film 18.
  • the curved portion wirings 27A and 27B are formed on the first filling film in the same layer with the same material as the third metal layer.
  • the bent portion 9 has the same structure as the bent portion 7. As shown in FIG. 4, the second opening 9 ⁇ / b> A is also formed in the bent portion 9 by removing at least one of the inorganic films (gate insulating film 14 and inorganic insulating films 15 and 16) that form the TFT layer 12. A second filling film is formed so as to fill the second opening 9 ⁇ / b> A with the planarizing film 18. A bent portion wiring 27C is formed on the second filling film. The bent portion wiring 27C is formed of the same material and in the same layer as the bent portion wirings 27A and 27B. Signals input to the terminal portions 3 and 3 ′ are input from the terminal portions 3 and 3 ′ to the pixel circuit 25 through the bent portion wiring 27 ⁇ / b> C.
  • the OLED layer 20 includes a first electrode 21, an organic EL layer 22 made of an organic layer (functional layer) including at least a light emitting layer, formed on the first electrode 21, and a first electrode formed on the organic EL layer 22.
  • Two electrodes 23 and banks B1 and B2 are included.
  • the first electrode 21, the organic EL layer 22, and the second electrode 23 are pixel circuits that constitute the OLED 24 that constitutes each pixel 90.
  • layers between the first electrode 21 and the second electrode 23 are collectively referred to as an organic EL layer 22.
  • An optical adjustment layer that performs optical adjustment and a protective layer that protects the second electrode 23 and prevents oxygen and moisture from entering the OLED 24 from the outside are formed on the second electrode 23. May be.
  • the adjustment layer and the protective layer are collectively referred to as OLED24.
  • the first electrode 21 injects (supply) holes into the organic EL layer 22, and the second electrode 23 injects electrons into the organic EL layer 22.
  • the holes and electrons injected into the organic EL layer 22 are recombined in the organic EL layer 22 to form excitons.
  • the formed excitons emit light when deactivated from the excited state to the ground state, and the emitted light is emitted from the OLED 24 to the outside.
  • the first electrode 21 is electrically connected to the TFT through a contact hole formed in the organic insulating film 19.
  • the first electrode 21 is a pattern electrode formed in an island shape for each pixel 90, and is formed in a matrix, for example.
  • the second electrode 23 is a solid common electrode common to the pixels 90 in the display areas 5 and 5 ′, and is provided across the curved portion 7 in a plan view.
  • the second electrode 23 is in contact with the intermediate conductive film 26 formed of the same material and in the same layer as the first electrode 21. Further, as shown in FIG. 2, the second electrode 23 and the intermediate conductive film 26 may be stretched while being in contact with each other in the section between the trench 8 and the trench 8 ′. That is, the intermediate conductive film 26 may be provided across the curved portion 7. Further, as shown in FIG. 2, a wiring 61 formed of the same material and the same layer as the third metal layer may be provided below the trenches 8 and 8 '.
  • the second electrode 23 is in contact with the intermediate conductive film 26A ′ formed of the same material and in the same layer as the first electrode 21. ing. Further, as shown in FIG. 3, the intermediate conductive film 26A 'may be provided so as to extend to the bank B1.
  • the third metal layer does not necessarily have to be entirely covered by the intermediate conductive film 26A '. However, it is preferable to cover the end portion of the third metal layer with the intermediate conductive film 26A' in order to prevent moisture penetration.
  • the first electrode 21 is laminated with, for example, ITO (Indium Tin Oxide) and Ag (silver) or an alloy containing Ag.
  • the second electrode 23 is formed of a translucent electrode material such as MgAg alloy (ultra thin film), ITO, or IZO (Indium (zinc Oxide).
  • Each of the first electrode 21 and the second electrode 23 may be a single layer or may have a laminated structure.
  • the OLED 24 is a top emission type OLED
  • the first electrode 21 may have a laminated structure of a reflective electrode and a transparent electrode.
  • the bank B1 is an organic layer stopper that defines the edge of the organic layer 32 by damming the liquid organic material used for the organic layer 32 (in other words, damming the organic layer 32).
  • the liquid organic material used for the organic layer 32 tends to stay on the flat portion on the upper surface of the bank B1, and is dammed by the flat portion. For this reason, the edge of the organic layer 32 overlaps with the upper surface (top surface) of the bank B1, and the organic layer 32 does not exist outside the frame-shaped bank B1.
  • the bank B2 functions as an edge cover that prevents the electrode concentration and the organic EL layer 22 from becoming thin and short-circuiting with the second electrode 23 at the peripheral edge of the first electrode 21, and current leaks to the adjacent pixel 90. It functions as a pixel separation layer that separates the pixels 90 so as not to exist.
  • the sealing film 30 is translucent, and includes a plurality of inorganic layers arranged to overlap each other and at least one organic layer sandwiched between the plurality of inorganic layers.
  • the first inorganic layer 31, the organic layer 32, and the second inorganic layer 33 are stacked in this order from the TFT substrate 10 side.
  • Each of the first inorganic layer 31 and the second inorganic layer 33 is an inorganic insulating film, and is formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film thereof formed by a CVD method. be able to. It has a moisture-proof function that prevents moisture from entering, and functions as a barrier layer that prevents deterioration of the OLED 24 due to moisture and oxygen.
  • the organic layer 32 is a translucent organic film, and can be composed of an organic material that can be applied such as acrylic.
  • the organic layer 32 is used as a buffer layer (stress relaxation layer), stress relaxation of the first inorganic layer 31 and the second inorganic layer 33 having a large film stress, and a step on the surface of the OLED layer 20 in the display regions 5 and 5 ′.
  • stress relaxation layer stress relaxation layer
  • the second inorganic layer 33 is laminated, cracks are generated in the second inorganic layer 33 by flattening by filling a portion or foreign material, filling a pinhole, and further flattening the base of the second inorganic layer 33. Suppress.
  • the first inorganic layer 31 and the second inorganic layer 33 can each be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film formed by CVD.
  • the organic layer 32 is a light-transmitting organic insulating film that is thicker than the first inorganic layer 31 and the second inorganic layer 33.
  • the organic layer 32 is formed, for example, by applying a liquid organic material on the first inorganic layer 31 in the display regions 5 and 5 ′ by an inkjet method or the like and curing the liquid organic material.
  • the organic material include photosensitive resins such as acrylic resin, epoxy resin, and silicon resin.
  • the organic layer 32 can be formed as a liquid organic material, for example, by applying an ink containing such a photosensitive resin onto the first inorganic layer 31 by ink jetting and then curing it with UV (ultraviolet light).
  • a cover layer 50 is provided on the sealing film 30 via an adhesive layer 40.
  • the cover layer 50 is provided so as to avoid the curved portion 7 as shown in FIG. 2, but the cover layer 50 may be provided without avoiding the curved portion 7. Further, the cover layer 50 and the adhesive layer 40 may be provided with notches in the curved portion 7.
  • the cover layer 50 includes a functional film layer having at least one of a protection function, an optical compensation function, and a touch sensor function.
  • the cover layer 50 may be a protective film that functions as a support when a carrier substrate such as a glass substrate is peeled off, or may be a hard coat layer such as a hard coat film, a polarizing film, a touch sensor film, or the like.
  • the functional film may be used.
  • a base film 11a for example, polyimide
  • a translucent support substrate for example, mother glass
  • a buffer inorganic film (not shown) is formed
  • a resin layer 11b for example, polyimide
  • a barrier layer 11c base coat
  • step S5 the semiconductor layer 13 is formed (step S5), photolithography is performed (step S6), and the semiconductor layer 13 is patterned (step S7).
  • step S8 the gate insulating film 14 is formed (step S8).
  • step S9 a first metal layer (gate) is formed (step S9), photolithography is performed (step S10), and the gate is patterned (step S11).
  • step S12 an inorganic insulating film 15 is formed (step S12), photolithography is performed (step S13), and the inorganic insulating film 15 is patterned (a contact hole is generated) (step S14).
  • step S15 a second metal layer is formed (step S15), photolithography is performed (step S16), and the second metal layer is patterned (step S17).
  • step S18 an inorganic insulating film 16 is formed (step S18), and photolithography is performed (step S19).
  • step S20 the inorganic insulating film 16, the inorganic insulating film 15, and the gate insulating film 14 are patterned (contact holes are generated) (step S20).
  • step S21 At least one of the inorganic films (inorganic insulating film 16, inorganic insulating film 15, and gate insulating film 14) formed on the curved portion 7 and the bent portion 9 is etched (step S21). Then, the planarizing film 18 is applied to the first opening 7A and the second opening 9A formed by the etching (step S22), photolithography is performed (step S23), and the planarizing film 18 is patterned (step S22). S24). If the planarizing film 18 is photosensitive, it is patterned in step S23.
  • step S25 a third metal layer (source) is formed (step S25), photolithography is performed (step S26), and the third metal layer is patterned (step S27).
  • step S28 an organic insulating film 19 that is a planarizing film is applied (step S28), photolithography is performed (step S29), and the organic insulating film 19 is patterned (step S30). If the organic insulating film 19 is photosensitive, it is patterned in step S29.
  • the first electrode 21 (reflection electrode) is formed (step S31), photolithography is performed (step S32), and the first electrode 21 is patterned (step S33).
  • step S34 a bank is formed (step S34), photolithography is performed (step S35), and the bank is patterned (step S36). If the bank is photosensitive, patterning is performed in step S35.
  • the scanning signal lines GL of the display area 5 and the display area 5 ′ are electrically connected via the bending portion 7, and the display area 5 and the display area 5 are also connected.
  • the light emission control line EM ' is electrically connected through the bending portion 7. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to suppress the signal of the scanning signal line GL and the signal of the light emission control line EM from varying between the display areas 5 and 5 ′.
  • the brightness can be made uniform.
  • the scanning signal lines GL of the display area 5 and the display area 5 ′ are electrically connected via the bending portion 7, and (2) light emission control of the display area 5 and the display area 5 ′.
  • the line EM is configured to be electrically connected via the bending portion 7, the above (1) and (2) may be only one of them. That is, the scanning signal lines GL in the display area 5 and the display area 5 ′ are electrically connected via the curved wiring 27A, while the light emission control lines EM in the display area 5 and the display area 5 ′ are not electrically connected.
  • the light emission control lines EM of the display area 5 and the display area 5 ′ may be electrically connected via the bending portion wiring 27B while the scanning signal lines GL of the display area 5 and the display area 5 ′ may be used. May not be electrically connected.
  • FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of a main part of the flexible display device 1 according to the present embodiment.
  • 8 is a cross-sectional view (cross-sectional view taken along the line A-A ′) corresponding to the control line in FIG. 7.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing that the second electrodes of the display regions 5 and 5 ′ in FIG. 7 are electrically connected.
  • the second electrode 23 of the flexible display device 1 of the present embodiment overlaps with the display area 5 and is a first second common electrode that is common to each pixel 90 in the display area 5.
  • the electrode 23A is composed of a second second electrode 23B that is a solid common electrode that overlaps the display region 5 ′ and is common to the pixels 90 in the display region 5 ′.
  • a frame-shaped first display bank B11 surrounding the display region 5 and the trench 8 and a frame-shaped second display bank B12 surrounding the display region 5 ′ and the trench 8 ′ are formed. ing.
  • the liquid organic material used for the organic layer 32 of the sealing film 30 is dammed (in other words, the organic layer 32 is dammed), thereby the organic layer 32.
  • the scanning signal lines GL in the display area 5 and the scanning signal lines GL in the display area 5 ′ are also routed wirings 29A, curved part wirings 27A, as shown in FIG. And electrically connected via the lead wiring 29A ′.
  • the light emission control line EM in the display area 5 and the light emission control line EM in the display area 5 ' are electrically connected via the routing wiring 29B, the curved portion wiring 27B, and the routing wiring 29B'.
  • the second electrode 23 and the bank are individually provided in each of the display area 5 and the display area 5 ′.
  • the scanning signal lines GL and the light emission control lines EM the scanning signal lines GL in the display area 5 and the display area 5 ′ are electrically connected via the curved portion 7 as in the first embodiment, and the display area 5
  • the light emission control line EM in the display area 5 ′ is electrically connected via the bending portion 7. Therefore, the display brightness of the display areas 5 and 5 ′ can be made uniform regardless of the configuration of the second electrode 23 and the bank.
  • the second electrode 23 ⁇ / b> A is in contact with the intermediate conductive film 26 ⁇ / b> A formed of the same material and in the same layer as the first electrode 21.
  • the second electrode 23B is in contact with the intermediate conductive film 26B formed of the same material and in the same layer as the first electrode 21.
  • the intermediate conductive film 26 ⁇ / b> A extends to the end of the bending portion 7 and is electrically connected to the bending portion conductive layer 28 formed in the bending portion 7.
  • the intermediate conductive film 26 ⁇ / b> B extends to the end of the bending portion 7 and is electrically connected to the bending portion conductive layer 28.
  • the first second electrode 23A and the second second electrode 23B are electrically connected via the bending portion conductive layer 28.
  • the bending portion conductive layer 28 is formed of the same material and in the same layer as the bending portion wirings 27A and 27B.
  • the intermediate conductive films 26A and 26B are covered with a first inorganic layer 31 and a second inorganic layer 33 for protection.
  • the intermediate conductive films 26 ⁇ / b> A and 26 ⁇ / b> B need only extend to at least the end of the curved portion 7, and do not need to be extended to reach the entire curved portion 7. This is because it is sufficient to prevent moisture from penetrating from the end of the bending portion conductive layer 28.
  • the bending portion wirings 27A and 27B and the bending portion conductive layer 28 are formed adjacent to each other and separated from each other.
  • the bending portion wirings 27A and 27B are concentrated near the center of the bending portion 7.
  • the bending portion wirings 27 ⁇ / b> A and 27 ⁇ / b> B may be formed so as to be adjacent to each other, while the bending portion conductive layer 28 may be formed near the upper end and the lower end of the bending portion 7.
  • the cover layer 50 may be provided without avoiding the curved portion 7.
  • each embodiment the case where the flexible display device 1 is a half-folded rectangular display device and the display area is divided into two display areas 5 and 5 ′ by the bending portion 7 has been described as an example. However, each embodiment is not limited to this.
  • the flexible display device 1 two bending portions 7 are provided along the short direction so that each side along the longitudinal direction of the flexible display device 1 is divided into three equal parts, and the display area is divided into three by the bending portion 7. It may be a tri-fold display. Further, the flexible display device 1 may be a multi-fold display having four or more folds.
  • the flexible display device 1 including the OLED 24 has been described as an example of the display device.
  • the flexible display device 1 according to each embodiment is not particularly limited as long as it is a display device having a flexible and bendable optical element.
  • the optical element include an electro-optical element whose luminance and transmittance are controlled by current, and an electro-optical element whose luminance and transmittance are controlled by voltage.
  • the display panel include an EL display such as an organic EL display including an OLED element, an inorganic EL display including an inorganic light emitting diode element (inorganic EL element), and a QLED (Quantum-dot Light Emitting Diode).
  • Dot light-emitting diode QLED display and the like.
  • An OLED element, an inorganic light-emitting diode element, and a QLED element are light-emitting elements, and for example, luminance and transmittance are controlled by current.
  • the light emitting element is a QLED
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer by the driving current between the first electrode 21 and the second electrode 23, and the exciton generated thereby becomes a conduction band level ( Light (fluorescence) is emitted in the process of transition from the conduction band to the valence band level.
  • the flexible display device 1 includes a first electrode 21 provided for each pixel 90, a second electrode 23 provided in common to the plurality of pixels 90, the first electrode 21, and the first electrode 21.
  • the first display area 5 and the second display area 5 ′ having the plurality of OLEDs 24 (optical elements) each including a functional layer sandwiched between the two electrodes 23, the first display area 5, and the second display A curved portion 7 provided between the region 5 ', a frame region 6 surrounding the first display region 5, the second display region 5', and the curved portion 7, and a terminal on which wiring terminals are formed.
  • Part 3 ⁇ 3 ′ Part 3 ⁇ 3 ′, a bent part 9 provided between the frame region 6 and the terminal part 3 ⁇ 3 ′, and a plurality of pixel circuits 25 corresponding to the plurality of optical elements.
  • the display area 5 is located along the opposite side of the side facing the second display area 5 ′.
  • a plurality of first control circuits 4 ⁇ / b> A are formed in the edge region 6, and a plurality of second control circuits 4 ⁇ / b> A are provided in the frame region 6 along the opposite side of the second display region 5 ′ opposite to the first display region 5.
  • the first display area 5 and the second display area 5 ′ are aligned in the first direction, the direction perpendicular to the first direction is the second direction, and the first display area 5
  • a plurality of first control lines (scanning signal lines GL or light emission control lines EM) extending in the first direction are provided, and a plurality of first data signal lines SL intersecting with the first control lines are provided
  • the second display area 5 ′ is provided with a plurality of second control lines (scanning signal lines GL or light emission control lines EM) extending in the first direction, and a plurality of second control lines intersecting the second control lines.
  • a data signal line SL is provided, and the first control circuit 4A performs the first control.
  • the second control circuit 4A ′ outputs a control signal to the second control line, and the first control line and the second control line are formed in the bending portion wiring formed in the bending portion 7. Electrical connection is made via 27A and 27B.
  • the first opening 7A is formed in at least one inorganic film forming the TFT (Thin Film Transistor) layer 12 in the bending portion 7 in the first aspect.
  • a first filling film may be formed to fill the first opening 7A, and the curved portion wirings 27A and 27B may be formed on the first filling film.
  • the first control circuit 4A and the second control circuit 4A ' are scanning control circuits, and the first control line and the second control circuit 4A'.
  • the control line may be a scanning signal line GL.
  • the first control circuit 4A and the second control circuit 4A ′ are light emission control circuits, and the first control line and the second control circuit 4A ′.
  • the control line may be a light emission control line EM.
  • the second electrode 23 is provided so as to be shared by the first display area 5 and the second display area 5 ′. And may be provided across the bending portion 7.
  • the second electrode 23 includes a first second electrode 23A and a second second electrode 23B.
  • the first second electrode 23A overlaps with the first display area 5
  • the second second electrode 23B overlaps with the second display area 5 ′
  • the first second electrode 23A and the second display area 5 ′ overlap.
  • the second second electrode 23B may be electrically connected to the second electrode 23B via a bent portion conductive layer 28 formed in the same portion and formed of the same material as the bent portion wirings 27A and 27B. .
  • the flexible display device 1 according to aspect 7 of the present invention is the flexible display device 1 according to aspect 2, in which the planarization film forming the TFT layer 12 is first so as to surround the first display region 5 and the second display region 5 ′.
  • a trench 8 and a second trench 8 ′ are provided, and in the first trench 8 and the second trench 8 ′, the second electrode 23 is formed of the same material and in the same layer as the first electrode 21. 26 may be contacted.
  • the first trench 8 and the second trench 8 ′ between the first display region 5 and the second display region 5 ′ are:
  • the wiring lines 29A, 29A ′, 29B, and 29B ′ that electrically connect the first control line and the second control line may overlap with the inorganic film that forms the TFT layer 12.
  • the flexible display device 1 according to the ninth aspect of the present invention is the flexible display device 1 according to the seventh or eighth aspect, wherein the first trench 8 is formed to avoid a part between the terminal portion 3 and the first display region 5. Also good.
  • the flexible display device 1 is the flexible display device 1 according to any one of the first to ninth aspects, wherein the terminal portions 3 and 3 ′ are formed at end portions of the flexible display device 1 in the second direction.
  • a bent portion 9 is provided between the display area 5 and the terminal portion 3, and a second opening 9 ⁇ / b> A is formed in the bent portion 9 in at least one inorganic film forming the TFT layer 12.
  • a second filling film is formed so as to fill the two openings 9A, and a signal input to the terminal part 3 is formed on the second filling film and is made of the same material as the curved portion wirings 27A and 27B. May be input to the pixel circuit 25 via the bent portion wiring 27C formed in the same layer.
  • the flexible display device 1 according to the eleventh aspect of the present invention further includes a sealing film 30 for sealing the plurality of optical elements according to any one of the first to tenth aspects, and the sealing films 30 are arranged to overlap each other. Further, it may include at least one organic layer 32 sandwiched between the plurality of inorganic layers and the plurality of inorganic layers.
  • the frame-shaped bank B1 overlapping the edge of the organic layer 32 in the aspect 11 surrounds the first display area 5 and the second display area 5 ′. In addition, it may be provided across the bending portion 7.
  • the flexible display device 1 includes the adhesive layer 40 provided on the sealing film 30 and the functional film layer provided on the adhesive layer 40 in the aspect 11 described above.
  • the adhesive layer 40 and the cover layer 50 may be provided so as to avoid the curved portion 7 in plan view.
  • the flexible display device 1 according to the fourteenth aspect of the present invention is the flexible display device 1 according to the eleventh aspect, in which the frame-shaped first display bank B11 that overlaps the edge of the organic layer 32 is provided so as to surround the first display region 5; A frame-shaped second display bank B12 that overlaps the edge of the organic layer 32 may be provided so as to surround the second display region 5 ′.

Landscapes

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Abstract

フレキシブル表示装置（１）は、第１表示領域（５）と、第２表示領域（５'）と、第１表示領域（５）と第２表示領域（５'）との間に設けられた湾曲部（７）と、第１表示領域（５）に設けられる、第１表示領域（５）と第２表示領域（５'）とが並ぶ方向である第１方向に延伸する複数の第１制御線（ＧＬ（ＥＭ））と、第２表示領域（５'）に設けられる第１方向に延伸する複数の第２制御線（ＧＬ（ＥＭ））とを備え、第１制御線（ＧＬ（ＥＭ））と第２制御線（ＧＬ（ＥＭ））とは湾曲部（７）に形成された湾曲部配線（２７Ａ（２７Ｂ））を介して電気的に接続する。

Description

表示装置
　本発明は表示装置に関する。
　フレキシブル表示装置は、電気光学素子を、該電気光学素子を駆動する、その他の回路等と一緒に、これら回路を支持する支持体と、各種機能層とで挟んだ構成を有している。
　フレキシブル表示装置は、表示部分が柔軟に変形可能であり、薄くて軽く、折り曲げが可能な折り畳み式の表示装置として用いられる。
　上記電気光学素子としては、例えば、発光材料の電界発光（Electro luminescence；以下、「ＥＬ」と記す）を利用した光学素子であるＥＬ素子等が挙げられる。ＥＬ素子を用いたＥＬ表示装置は、液晶表示装置に比べて応答速度が速く、視野角も広い表示装置として注目されている。
　このような表示装置は、表面にバリア層が形成された、ポリイミド等からなる樹脂層（樹脂フィルム基板）上に、ＴＦＴ、有機ＥＬ素子等の光学素子、および該光学素子を覆う封止層が設けられた表示パネルと、該表示パネルの表面に設けられた、偏光フィルムやカバーフィルム等の機能性フィルムと、を備えている（例えば、特許文献１参照）。
日本国公開特許公報「特開２０１３－１０９８６９号公報（２０１３年６月６日公開）」
　見開きの二画面で構成される二つ折りのフレキシブル表示装置において、走査信号線の信号及び／又は発光制御線の信号が画面単位に配線されている場合、これらの信号が画面間でばらつき、各画面の表示輝度に差異が生じることがある。
　本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、各画面の表示輝度を均等にするフレキシブル表示装置を提供することにある。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる表示装置は、画素毎に設けられた第１電極と、複数の画素に共通に設けられた第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に挟まれる機能層とをそれぞれ含む複数の光学素子を有する、第１表示領域および第２表示領域と、上記第１表示領域と上記第２表示領域との間に設けられた湾曲部と、上記第１表示領域、上記第２表示領域、および上記湾曲部を取り囲む額縁領域と、配線の端子が形成された端子部と、上記額縁領域と上記端子部との間に設けられた折り曲げ部と、複数の上記光学素子に対応する複数の画素回路とを備え、上記第１表示領域の、上記第２表示領域と対向する辺の対辺に沿う上記額縁領域に複数の第１制御回路が形成され、上記第２表示領域の、上記第１表示領域と対向する辺の対辺に沿う上記額縁領域に複数の第２制御回路が形成され、上記第１表示領域と上記第２表示領域とが並ぶ方向を第１方向とし、上記第１方向に垂直な方向を第２方向とし、上記第１表示領域に、上記第１方向に延伸する複数の第１制御線が設けられるとともに、上記第１制御線と交差する複数の第１データ信号線が設けられ、上記第２表示領域に、上記第１方向に延伸する複数の第２制御線が設けられるとともに、上記第２制御線と交差する複数の第２データ信号線が設けられ、上記第１制御回路は上記第１制御線に制御信号を出力し、上記第２制御回路は上記第２制御線に制御信号を出力し、上記第１制御線および上記第２制御線は上記湾曲部に形成された湾曲部配線を介して電気的に接続する。
　各画面の表示輝度を均等にするフレキシブル表示装置を提供することができる。
本発明の実施形態１にかかるフレキシブル表示装置の要部の概略構成を示す平面図である。 本発明の実施形態１にかかるフレキシブル表示装置の湾曲部付近の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施形態１にかかるフレキシブル表示装置の制御回路付近の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施形態１にかかるフレキシブル表示装置の第１表示領域と折り曲げ部との間の概略構成を示す断面図である。 本発明の各実施形態にかかるフレキシブル表示装置の画素回路の構成を示す回路図である。 本発明の各実施形態にかかるフレキシブル表示装置の製造工程の一例を示すフローチャートである。 本発明の実施形態２にかかるフレキシブル表示装置の要部の概略構成を示す平面図である。 本発明の実施形態２にかかるフレキシブル表示装置の湾曲部付近の概略構成を示す断面図である。 本発明の実施形態２にかかるフレキシブル表示装置の湾曲部付近の他の概略構成を示す断面図である。
　〔実施形態１〕
　本発明の実施の一形態について、図１～図６に基づいて説明すれば以下の通りである。
　以下では、本実施形態にかかるフレキシブル表示装置１（表示装置）が、発光素子（光学素子）としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を含むＯＬＥＤ層を備えた有機ＥＬ表示装置である場合を例に挙げて説明する。
　＜フレキシブル表示装置の概略構成＞
　図１は、本実施形態にかかるフレキシブル表示装置１の要部の概略構成を示す平面図である。図２は、本実施形態にかかるフレキシブル表示装置１の湾曲部７付近の概略構成を示す断面図である。図３は、本実施形態にかかるフレキシブル表示装置１の制御回路４Ａ’付近の概略構成を示す断面図である。図４は、本実施形態にかかるフレキシブル表示装置１の第１表示領域５と折り曲げ部９との間の概略構成を示す断面図である。なお、図２は、走査信号線ＧＬに沿った断面図と、発光制御線ＥＭに沿った断面図とを、まとめて一図で示している。図３は、走査信号線ＧＬに沿った断面図と、発光制御線ＥＭに沿った断面図とを、まとめて一図で示している。また、図３では、制御回路４Ａ’を省略している。図４は、図１に示すフレキシブル表示装置１のＣ－Ｃ線断面図（データ信号線ＳＬに沿った断面図）に相当する。
　フレキシブル表示装置１は、折り畳み（屈曲）および展開（伸展）可能に設けられた、折り畳み式の可撓性画像表示装置（フォルダブルディスプレイ）である。展開状態とは、フレキシブル表示装置１を、１８０°展開した状態、すなわち、フレキシブル表示装置１を開くことで平らにする、いわゆるフルフラットにした状態を示す。
　以下では、フレキシブル表示装置１が、見開きの二画面を有する、二つ折りの矩形状の表示装置である場合を例に挙げて説明する。
　フレキシブル表示装置１は、図１に示すように、平面視で、見開きの二画面の各々を構成する第１表示領域５（以下、単に「表示領域５」と称する）および第２表示領域５’（以下、単に「表示領域５’」と称する）と、表示領域５と表示領域５’との間に設けられた湾曲部７と、表示領域５・５’および湾曲部７を取り囲む周辺領域である額縁領域６と、表示領域５の表示領域５’と対向する辺の対辺に沿う額縁領域６に形成された複数の第１制御回路４Ａ（以下、単に「制御回路４Ａ」と称する）と、表示領域５’の表示領域５と対向する辺の対辺に沿う額縁領域６に形成された複数の第２制御回路４Ａ’（以下、単に「制御回路４Ａ’」と称する）と、各配線の端子が形成された端子部３・３’と、表示領域５・５’と端子部３・３’との間に設けられた折り曲げ部９と、を有している。制御回路４Ａと制御回路４Ａ’を区別しないときは「制御回路４」と表記する。なお、平面視とは、例えば、ＯＬＥＤパネル２をその上面側から見たときを示す。
　以下では、表示領域５および表示領域５’が並ぶ方向を「第１方向」と称し、第１方向と垂直な方向を「第２方向」と称する。
　湾曲部７は、フレキシブル表示装置１の長手方向に沿った各辺の中央部を通る第２方向に延伸する線Ｌに沿って設けられた、フレキシブル表示装置１を屈曲させる部分である。フレキシブル表示装置１は線Ｌを軸とした線対称な構造である。
　額縁領域６には、表示領域５を囲み、かつ湾曲部７を跨がないように第１トレンチ（掘り込み、窪部）８（以下、単に「トレンチ８」と称する）が形成されている。ただし、トレンチ８は、平面視で、表示領域５と端子部３との間の一部を避けて形成されている（つまり分断されている）。端子部３から延伸するデータ信号線ＳＬを通すためである。同様に、表示領域５’を囲み、かつ湾曲部７を跨がないように第２トレンチ８’（以下、単に「トレンチ８’」と称する）が形成されている。ただし、トレンチ８’は、平面視で、表示領域５’と端子部３’との間の一部を避けて形成されている（つまり分断されている）。端子部３’ から延伸するデータ信号線ＳＬを通すためである。
　また、額縁領域６には、表示領域５・５’およびトレンチ８・８’を取り囲むように湾曲部７を跨ぐ枠状のバンク（壁体、土手）Ｂ１が形成されている。
　端子部３・３’はフレキシブル表示装置１の第２方向の端部の額縁領域６に、折り曲げ部９と重ならないように形成されている。図１では、表示領域５に対応する端子部３、および、表示領域５’に対応する端子部３’の両方が同じ側の端部に形成されているが、一方が逆側の端部に形成されてもよい。また、端子部３または端子部３’のみが形成されてもよい。なお、端子部３・３’はＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）基板と、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）で貼り合わせられている。端子部３・３’は、表示制御回路から供給された各信号または基準電位を、画素回路２５へ入力する。
　（画素回路２５）
　表示領域５・５’に形成される画素回路２５の構成について図５を参照しながら説明する。図５は、ｍ列ｎ行に対応する画素回路２５の構成を示す回路図である（ｍ、ｍは１以上の自然数）。ここで説明する画素回路２５の構成は一例であって、他の公知の構成を採用することもできる。
　表示領域５には、第１方向に延伸する複数の走査信号線ＧＬ（ｎ）（第１制御線）、および、これらに直交して第２方向に延伸する複数のデータ信号線ＳＬ（ｍ）（第１データ信号線）が配設されている。同様に、表示領域５’にも、第１方向に延伸する複数の走査信号線ＧＬ（ｎ）（第２制御線）、および、これらに直交して第２方向に延伸する複数のデータ信号線ＳＬ（ｍ）（第２データ信号線）が配設されている。
　また、表示領域５には、走査信号線ＧＬ（n）と１対１に対応し、走査信号線ＧＬ（ｎ）と並行して第１方向に延伸する複数の発光制御線ＥＭ（ｎ）（第１制御線）が配設されている。同様に、表示領域５’にも、走査信号線ＧＬ（ｎ）と１対１に対応し、走査信号線ＧＬ（ｎ）と並行して第１方向に延伸する複数の発光制御線ＥＭ（ｎ）（第２制御線）が配設されている。発光制御線ＥＭ（ｎ）は各ＯＬＥＤ２４の発光／非発光のタイミングを制御する。
　制御回路４を構成する走査制御回路（第１制御回路、第２制御回路）が走査信号線ＧＬ（n）に制御信号を出力する。同様に、制御回路４を構成する発光制御回路（第１制御回路、第２制御回路）が発光制御線ＥＭ（ｎ）に制御信号を出力する。
　そして、表示領域５・５’には、複数の走査信号線ＧＬ（ｎ）と複数のデータ信号線ＳＬ（ｍ）との交差点に対応するように、ＯＬＥＤ２４を駆動させる画素回路２５（サブ画素回路）が設けられている。このように画素回路２５が設けられることによって、複数の画素マトリクスが表示領域５・５’に形成されている。走査信号線ＧＬ（ｎ）とデータ信号線ＳＬ（ｍ）とで区画された領域が画素９０であり、各色（例えば、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）、緑色（Ｂ））の画素９０のセットで、一つの絵素が形成されている。
　また、表示領域５・５’には、各画素回路２５に共通の電源線が配設されている。より詳細には、ＯＬＥＤ２４を駆動するためのハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）を供給する複数のハイレベル電源電圧線７１（複数の画素回路２５に共通のベタ配線）が第２方向に配設され、ＯＬＥＤ２４を駆動するためのローレベル電源電圧（ＥＬＶＳＳ）を供給する複数のローレベル電源電圧線７２が第１方向に配設され、および初期化電圧Ｖｉｎｉを供給する電源線が配設されている。ハイレベル電源電圧、ローレベル電源電圧、および初期化電圧Ｖｉｎｉは、図示しない電源回路から供給される。さらに、図示しないが、第１方向に配設される複数のハイレベル電源電圧線７１’を配設してもよい。第１方向に配設されるハイレベル電源電圧線７１’は第２方向に配設されるハイレベル電源電圧線７１と電気的に接続されている。
　画素回路２５は、１個のＯＬＥＤ２４と６個のトランジスタＴ１～Ｔ６（駆動トランジスタＴ１、書き込み制御トランジスタＴ２、電源供給制御トランジスタＴ３、発光制御トランジスタＴ４、閾値電圧補償トランジスタＴ５、初期化トランジスタＴ６）（以下では単に「ＴＦＴ」と称する）と１個のコンデンサＣ１とを含んでいる。トランジスタＴ１～Ｔ６は、ｐチャネル型のトランジスタである。コンデンサＣ１は、２つの電極（第１電極および第２電極）からなる容量素子である。図５に示す画素回路２５は、一例であり、nチャネル型のトランジスタで構成されていてもよい。
　走査信号線ＧＬ（ｎ）および発光制御線ＥＭ（ｎ）は、それぞれゲートドライバに接続され、データ信号線ＳＬ（ｍ）は、ソースドライバに接続されている。ゲートドライバは、表示制御回路から受け取ったクロック信号等の制御信号に基づいて、走査信号線ＧＬ（ｎ）および発光制御線ＥＭ（ｎ）を駆動する。また、ソースドライバは、表示制御回路から入力される制御信号に応じて、データ信号線ＳＬ（ｍ）を駆動する。
　画素回路２５は、走査信号線ＧＬ（ｎ）で信号入力する画素９０を選択し、データ信号線ＳＬ（ｍ）で、選択された画素９０に入力する電荷の量を決定し、ハイレベル電源電圧線７１からＯＬＥＤ２４にハイレベル電位を供給する一方、ローレベル電源電圧線７２からＯＬＥＤ２４にローレベル電位を供給する。
　表示制御回路は、入力コネクタ、タイミングコントローラ、および電源ＩＣ（集積回路）等を備え、ゲートドライバにゲートスタートパルス信号およびゲートクロック信号等のタイミング信号、電源、必要ならばアドレス指定信号等を供給するとともに、ソースドライバに、ソーススタートパルス信号、ソースクロック信号、極性反転信号等のタイミング信号、階調データ、電源等を供給する。
　なお、ゲートドライバおよびソースドライバは、それぞれ、１つのＩＣチップで形成されていてもよいし、１つのＩＣチップからなるゲートドライバまたはソースドライバを複数備えていてもよい。また、ソースドライバを含むＩＣチップの中にゲートドライバの構成が含まれていてもよいし、表示制御回路の一部が含まれていてもよい。
　なお、本明細書において、複数の走査信号線ＧＬ（ｎ）を区別せずに表現するときは単に「走査信号線ＧＬ」と称し、複数のデータ信号線ＳＬ（ｍ）を区別せずに表現するときは単に「データ信号線ＳＬ」と称し、複数の発光制御線ＥＭ（ｎ）を区別せずに表現するときは単に「発光制御線ＥＭ」と称する。
　（ＯＬＥＤパネル２）
　図２に示すように、ＯＬＥＤパネル２は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板１０上に、ＯＬＥＤ２４を構成するＯＬＥＤ層２０、封止膜３０、およびカバー層５０が、ＴＦＴ基板１０側からこの順に設けられた構成を有している。
　（ＴＦＴ基板１０）
　ＴＦＴ基板１０は、絶縁性の支持体１１と、支持体１１上に設けられたＴＦＴ層１２と、を備えている。
　（支持体１１）
　支持体１１は、樹脂層１１ｂと、樹脂層１１ｂ上に設けられたバリア層１１ｃ（防湿層）と、樹脂層１１ｂにおけるバリア層１１ｃとは反対面側に、接着層を介して設けられた下地フィルム１１ａと、を備えた、可撓性を有する積層フィルムである。
　なお、以下では、支持体１１における下地フィルム１１ａ側を下側とし、カバー層５０側を上側として説明する。
　樹脂層１１ｂに使用される樹脂としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレン、ポリアミド等が挙げられる。樹脂層１１ｂを、二層の樹脂膜（例えば、ポリイミド膜）およびこれらに挟まれた無機絶縁膜で置き換えることもできる。
　バリア層１１ｃは、水分や不純物が、支持体１１上に形成されるＴＦＴ層１２およびＯＬＥＤ層２０に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜、またはこれらの積層膜等で形成することができる。
　バリア層１１ｃは、樹脂層１１ｂの表面が露出しないように、樹脂層１１ｂにおける一面全体に渡って設けられる。これにより、樹脂層１１ｂとして、例えばポリイミド等の薬液に弱い樹脂を用いた場合であっても、薬液による上記樹脂の溶出および工程汚染を防止することができる。
　下地フィルム１１ａは、ＯＬＥＤパネル２の製造に使用したガラス基板等のキャリア基板を剥離した樹脂層１１ｂの下面に貼り付けることで、樹脂層１１ｂが非常に薄い場合にも、十分な強度のあるフレキシブル表示装置１を製造するためのものである。下地フィルム１１ａには、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、シクロオレフィンポリマー、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレン、アラミド、等の可撓性を有する樹脂からなるプラスチックフィルムが用いられる。
　（ＴＦＴ層１２）
　ＴＦＴ層１２は、半導体層１３、無機絶縁層と配線層とが繰り返し積層された積層膜１７（以下、単に「積層膜１７」と称する）、積層膜１７の表面を平坦化する平坦化膜として用いられる有機絶縁膜１９が、下から（つまり、支持体１１側から）この順に設けられた構成を有している。
　有機絶縁膜１９は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。有機絶縁膜１９には、上述したとおり表示領域５を囲むようにトレンチ８が形成されており、同様に、表示領域５’を囲むようにトレンチ８’が形成されている。
　半導体層１３は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体（例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体）で構成され、複数の島状に形成されている。
　積層膜１７は、複数の無機絶縁層と複数の配線層とを含み、無機絶縁層と配線層とが、交互に複数層積層された構造を有している。無機絶縁層は、ゲート絶縁膜１４と、無機絶縁膜１５・１６とを含んでおり、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。配線層は、第１金属層と、第２金属層と、第３金属層とを含んでいる。
　第１金属層は、少なくとも、複数のゲート電極Ｇと、複数のゲート電極Ｇに接続された複数の走査信号線ＧＬと、複数の発光制御線ＥＭとを含んでいる。第２金属層は、少なくとも、複数の容量配線ＣＬと、第１方向に配設される複数のハイレベル電源電圧線７１’を含んでいる。第３金属層は、少なくとも、複数のソース電極Ｓと、複数のソース電極Ｓに接続された複数のデータ信号線ＳＬと、複数のドレイン電極Ｄと、第２方向に配設される複数のハイレベル電源電圧線７１と、複数のローレベル電源電圧線７２とを含んでいる。
　支持体１１上には、該支持体１１上に形成された半導体層１３を覆うように、ゲート絶縁膜１４が形成されている。ゲート絶縁膜１４上には第１金属層が形成されている。第１金属層は無機絶縁膜１５で覆われており、該無機絶縁膜１５上に第２金属層が形成されている。さらに、第２金属層を覆うように、無機絶縁膜１５上に無機絶縁膜１６が形成されており、無機絶縁膜１６上に第３金属層が形成されている。
　半導体層１３、ゲート電極Ｇ、無機絶縁膜１５・１６、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、ＴＦＴを構成している。なお、本実施形態では、ＴＦＴが半導体層１３をチャネルとするトップゲート構造を有している場合を例に挙げて図示しているが、ＴＦＴはボトムゲート構造を有していてもよい。
　ソース電極Ｓは、ゲート絶縁膜１４および無機絶縁膜１５・１６に設けられたコンタクトホールＣＨ１を介して、半導体層１３と接続されている。ドレイン電極Ｄは、ゲート絶縁膜１４および無機絶縁膜１５・１６に設けられたコンタクトホールＣＨ２を介して、半導体層１３と接続されている。
　また、ソース電極Ｓは、データ信号線ＳＬと接続されている。ドレイン電極Ｄは、有機絶縁膜１９を貫通するコンタクトホールＣＨ３を介して、ＯＬＥＤ２４の第１電極２１（陽極）と接続されている。容量配線ＣＬは、無機絶縁膜１６に設けられたコンタクトホールＣＨ４を介して、ハイレベル電源電圧線７１と接続されている。
　ハイレベル電源電圧線７１は、ハイレベル電源回路部に接続されている。また、ローレベル電源電圧線７２は、ローレベル電源回路部に接続されている。
　ハイレベル電源電圧線７１には、各ＯＬＥＤ２４の第１電極２１に、表示データに応じて駆動電流（発光電流）を供給するために、ＯＬＥＤ２４の第２電極２３（陰極）に印加されるローレベル電位の電圧よりも電位が高いハイレベル電位の電圧が印加される。
　ハイレベル電源電圧線７１は、ハイレベル電源回路部から供給されたハイレベル電位を、各ＯＬＥＤ２４に供給する。ローレベル電源電圧線７２は、ローレベル電源回路部から供給されたローレベル電位を、各ＯＬＥＤ２４に供給する。なお、ハイレベル電位およびローレベル電位はそれぞれ固定電位である。
　表示領域５の走査信号線ＧＬは、トレンチ８より表示領域５側において、走査信号線ＧＬと同層に形成され湾曲部７まで延伸する引き回し配線２９Ａと電気的に接続している。そして、引き回し配線２９Ａはコンタクトホールを介して湾曲部７に形成された湾曲部配線２７Ａと接続している。
　同様に、表示領域５’の走査信号線ＧＬは、トレンチ８’より表示領域５’側において、走査信号線ＧＬと同層に形成され湾曲部７まで延伸する引き回し配線２９Ａ’と電気的に接続している。そして、引き回し配線２９Ａ’はコンタクトホールを介して湾曲部７に形成された湾曲部配線２７Ａと接続している。
　以上のとおり、引き回し配線２９Ａ・２９Ａ’はいずれも湾曲部配線２７Ａと接続されているから、表示領域５の走査信号線ＧＬと表示領域５’の走査信号線ＧＬとは湾曲部配線２７Ａを介して電気的に接続される。
　引き回し配線２９Ａはトレンチ８の下方を跨いでおり、トレンチ８は引き回し配線２９ＡとＴＦＴ層１２を形成する少なくとも一つの無機膜を介して重畳している。同様に、引き回し配線２９Ａ’はトレンチ８’の下方を跨いでおり、トレンチ８’は引き回し配線２９Ａ’とＴＦＴ層１２を形成する少なくとも一つの無機膜を介して重畳している。
　また、表示領域５の発光制御線ＥＭは、トレンチ８より表示領域５側において、発光制御線ＥＭと同層に形成され湾曲部７まで延伸する引き回し配線２９Ｂと電気的に接続している。そして、引き回し配線２９Ｂはコンタクトホールを介して湾曲部７に形成された湾曲部配線２７Ｂと接続している。
　同様に、表示領域５’の発光制御線ＥＭは、トレンチ８’より表示領域５’側において、発光制御線ＥＭと同層に形成され湾曲部７まで延伸する引き回し配線２９Ｂ’と電気的に接続している。そして、引き回し配線２９Ｂ’はコンタクトホールを介して湾曲部７に形成された湾曲部配線２７Ｂと接続している。
　以上のとおり、引き回し配線２９Ｂ・２９Ｂ’はいずれも湾曲部配線２７Ｂと接続されているから、表示領域５の発光制御線ＥＭと表示領域５’の発光制御線ＥＭとは湾曲部配線２７Ｂを介して電気的に接続される。
　引き回し配線２９Ｂはトレンチ８の下方を跨いでおり、トレンチ８は引き回し配線２９ＢとＴＦＴ層１２を形成する少なくとも一つの無機膜を介して重畳している。同様に、引き回し配線２９Ｂ’はトレンチ８’の下方を跨いでおり、トレンチ８’は引き回し配線２９Ｂ’とＴＦＴ層１２を形成する少なくとも一つの無機膜を介して重畳している。
　湾曲部７には、ＴＦＴ層１２を形成する無機膜（ゲート絶縁膜１４、無機絶縁膜１５・１６）の少なくとも一つを除去して第１開口部７Ａが形成され、第１開口部７Ａを平坦化膜１８で充填するように第１充填膜が形成されている。湾曲部配線２７Ａ・２７Ｂは当該第１充填膜の上に第３金属層と同材料で同一層に形成されている。
　折り曲げ部９は湾曲部７と同様の構造である。図４に示すとおり、折り曲げ部９においても、ＴＦＴ層１２を形成する無機膜（ゲート絶縁膜１４、無機絶縁膜１５・１６）の少なくとも一つを除去して第２開口部９Ａが形成され、第２開口部９Ａを平坦化膜１８で充填するように第２充填膜が形成されている。当該第２充填膜の上に折り曲げ部配線２７Ｃが形成されている。折り曲げ部配線２７Ｃは湾曲部配線２７Ａ・２７Ｂと同材料で同一層に形成されている。端子部３・３’に入力される信号は、端子部３・３’から折り曲げ部配線２７Ｃを介して画素回路２５に入力される。
　（ＯＬＥＤ層２０）
　ＯＬＥＤ層２０は、第１電極２１と、第１電極２１上に形成された、少なくとも発光層を含む有機層（機能層）からなる有機ＥＬ層２２と、有機ＥＬ層２２上に形成された第２電極２３と、バンクＢ１・Ｂ２と、を含んでいる。
　第１電極２１と、有機ＥＬ層２２と、第２電極２３とは、各画素９０を構成するＯＬＥＤ２４を構成する画素回路である。なお、本実施形態では、第１電極２１と第２電極２３との間の層を総称して有機ＥＬ層２２と称する。
　なお、第２電極２３上には、光学的な調整を行う光学調整層や、第２電極２３を保護し、酸素や水分が外部からＯＬＥＤ２４内に浸入することを阻止する保護層が形成されていてもよい。本実施形態では、各画素９０に形成された有機ＥＬ層２２、有機ＥＬ層２２を挟持する一対の電極層（第１電極２１および第２電極２３）、並びに、必要に応じて形成される光学調整層や保護層をまとめて、ＯＬＥＤ２４と称する。
　第１電極２１は、有機ＥＬ層２２に正孔を注入（供給）し、第２電極２３は、有機ＥＬ層２２に電子を注入する。有機ＥＬ層２２に注入された正孔と電子とは、有機ＥＬ層２２において再結合されることによって励起子が形成される。形成された励起子は励起状態から基底状態へと失活する際に光を放出し、その放出された光が、ＯＬＥＤ２４から外部に出射される。
　第１電極２１は、有機絶縁膜１９に形成されたコンタクトホールを介してＴＦＴに電気的に接続されている。
　第１電極２１は、画素９０毎に島状にパターン形成されたパターン電極であり、例えばマトリクス状に形成されている。一方、第２電極２３は、表示領域５・５’の各画素９０に共通するベタ状の共通電極であり、平面視で、湾曲部７を跨いで設けられる。
　図２に示すように、トレンチ８・８’において、第２電極２３は第１電極２１と同材料で同層に形成された中間導電膜２６と接している。さらに、図２に示すように、トレンチ８とトレンチ８’との区間において、第２電極２３と中間導電膜２６とを接したまま延伸してもよい。つまり、中間導電膜２６は湾曲部７を跨いで設けられてもよい。また、図２に示すように、トレンチ８・８’の下方に、第３金属層と同材料で同一層に形成された配線６１が設けられてもよい。
　図３に示すように、Ｂ－Ｂ’線断面図においても、トレンチ８・８’において、第２電極２３は第１電極２１と同材料で同層に形成された中間導電膜２６Ａ’と接している。さらに、図３に示すように、中間導電膜２６Ａ’はバンクＢ１まで延伸するように設けてもよい。必ずしも第３金属層を中間導電膜２６Ａ’がすべて覆わなくてもよいが、第３金属層の端部は、水分の浸透を防止するために、中間導電膜２６Ａ’で覆う方が好ましい。
　フレキシブル表示装置１が、封止膜３０側から光を放出するトップエミッション型である場合には、第１電極２１を例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇ（銀）あるいはＡｇを含む合金との積層によって構成される反射性電極材料で形成し、第２電極２３をＭｇＡｇ合金（極薄膜）、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium zinc Oxide）等の透光性電極材料で形成することが好ましい。第１電極２１および第２電極２３は、それぞれ、単層であってもよいし、積層構造を有していてもよい。例えば、ＯＬＥＤ２４がトップエミッション型のＯＬＥＤである場合、第１電極２１を、反射電極と透明電極との積層構造としてもよい。
　バンクＢ１は、有機層３２に使用される液状の有機材料を堰き止める（言い換えれば、有機層３２を堰き止める）ことで有機層３２のエッジを規定する有機層ストッパである。有機層３２に用いられる液状の有機材料は、バンクＢ１の上面の平坦部で留まり易く、上記平坦部で堰き止められる。このため、有機層３２のエッジは、バンクＢ１の上面（天面）に重なり、枠状のバンクＢ１の外側には有機層３２は存在しない。
　バンクＢ２は、第１電極２１の周縁部で、電極集中や有機ＥＬ層２２が薄くなって第２電極２３と短絡することを防止するエッジカバーとして機能するとともに、隣接する画素９０に電流が漏れないように画素９０を分離する画素分離層として機能する。
　（封止膜３０）
　封止膜３０は、透光性であり、互いに重畳配置された複数の無機層と当該複数の無機層との間に挟持された少なくとも１層の有機層とを含んでいる。例えば、ＴＦＴ基板１０側からこの順に積層された、第１無機層３１と、有機層３２と、第２無機層３３と、を含んでいる。
　第１無機層３１および第２無機層３３はそれぞれ無機絶縁膜であり、例えば、ＣＶＤ法により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。水分の浸入を防ぐ防湿機能を有し、水分や酸素によるＯＬＥＤ２４の劣化を防止するバリア層として機能する。
　有機層３２は、透光性有機膜であり、アクリル等の塗布可能な有機材料によって構成することができる。有機層３２は、バッファ層（応力緩和層）として使用され、膜応力が大きい第１無機層３１および第２無機層３３の応力緩和や、表示領域５・５’におけるＯＬＥＤ層２０の表面の段差部や異物を埋めることによる平坦化やピンホールの穴埋め、さらには、第２無機層３３下地を平坦化させることで、第２無機層３３の積層時に第２無機層３３にクラックが発生することを抑制する。
　第１無機層３１および第２無機層３３は、それぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　有機層３２は、第１無機層３１および第２無機層３３よりも厚い、透光性の有機絶縁膜である。有機層３２は、例えばインクジェット法等により、液状の有機材料を、表示領域５・５’における第１無機層３１上に塗布し、該液状の有機材料を硬化させることで形成される。上記有機材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等の感光性樹脂が挙げられる。有機層３２は、液状の有機材料として、例えば、このような感光性樹脂を含むインクを、第１無機層３１上にインクジェット塗布した後、ＵＶ（紫外線）硬化させることにより形成することができる。
　（カバー層５０）
　封止膜３０上には、接着剤層４０を介してカバー層５０が設けられる。本実施形態では、カバー層５０は図２に示すように湾曲部７を避けるように設けられているが、カバー層５０は湾曲部７を避けずに設けてもよい。また、湾曲部７においてカバー層５０および接着剤層４０に切り欠きが設けられていてもよい。
　カバー層５０は、保護機能、光学補償機能、タッチセンサ機能の少なくとも１つを有する機能性フィルム層を含む。カバー層５０は、ガラス基板等のキャリア基板を剥離したときの支持体として機能する保護フィルムであってもよく、ハードコートフィルム等のハードコート層であってもよく、偏光フィルムおよびタッチセンサフィルム等の機能性フィルムであってもよい。
　＜製造工程の一例＞
　フレキシブル表示装置１の製造工程の一例について、図６に示すフローチャートを参照しながら説明する。
　まず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス）上に下地フィルム１１ａ（例えば、ポリイミド）を塗布する（ステップＳ１）。次に、図示しないバッファ無機膜を成膜する（ステップＳ２）。次に、樹脂層１１ｂ（例えば、ポリイミド）を塗布する（ステップＳ３）。次に、バリア層１１ｃ（ベースコート）を成膜する（ステップＳ４）。
　次に、半導体層１３を成膜し（ステップＳ５）、フォトリソグラフィを施し（ステップＳ６）、半導体層１３をパターニングする（ステップＳ７）。
　次に、ゲート絶縁膜１４を成膜する（ステップＳ８）。次に、第１金属層（ゲート）を成膜し（ステップＳ９）、フォトリソグラフィを施し（ステップＳ１０）、ゲートをパターニングする（ステップＳ１１）。
　次に、無機絶縁膜１５を成膜し（ステップＳ１２）、フォトリソグラフィを施し（ステップＳ１３）、無機絶縁膜１５をパターニングする（コンタクトホールを生成する）（ステップＳ１４）。
　次に、第２金属層を成膜し（ステップＳ１５）、フォトリソグラフィを施し（ステップＳ１６）、第２金属層をパターニングする（ステップＳ１７）。
　次に、無機絶縁膜１６を成膜し（ステップＳ１８）、フォトリソグラフィを行う（ステップＳ１９）。
　次に、無機絶縁膜１６、無機絶縁膜１５、ゲート絶縁膜１４をパターニングする（コンタクトホールを生成する）（ステップＳ２０）。
　次に、湾曲部７および折り曲げ部９に形成された無機膜（無機絶縁膜１６、無機絶縁膜１５、ゲート絶縁膜１４）の少なくとも一つをエッチングする（ステップＳ２１）。そして、当該エッチングにより形成される第１開口部７Ａ・第２開口部９Ａに平坦化膜１８を塗布し（ステップＳ２２）、フォトリソグラフィを施し（ステップＳ２３）、平坦化膜１８をパターニングする（ステップＳ２４）。なお、平坦化膜１８が感光性であればステップＳ２３によりパターニングされる。
　次に、第３金属層（ソース）を成膜し（ステップＳ２５）、フォトリソグラフィを施し（ステップＳ２６）、第３金属層をパターニングする（ステップＳ２７）。
　次に、平坦化膜である有機絶縁膜１９を塗布し（ステップＳ２８）、フォトリソグラフィを施し（ステップＳ２９）、有機絶縁膜１９をパターニングする（ステップＳ３０）。なお、有機絶縁膜１９が感光性であればステップＳ２９によりパターニングされる。
　次に、第１電極２１（反射電極）を成膜し（ステップＳ３１）、フォトリソグラフィを施し（ステップＳ３２）、第１電極２１をパターニングする（ステップＳ３３）。
　最後に、バンクを成膜し（ステップＳ３４）、フォトリソグラフィを施し（ステップＳ３５）、バンクをパターニングする（ステップＳ３６）。なお、バンクが感光性であればステップＳ３５によりパターニングされる。
　＜効果＞
　上述したとおり、本実施形態にかかるフレキシブル表示装置１では、表示領域５および表示領域５’の走査信号線ＧＬが湾曲部７を介して電気的に接続され、また、表示領域５および表示領域５’の発光制御線ＥＭが湾曲部７を介して電気的に接続される。よって、本実施形態によれば、走査信号線ＧＬの信号および発光制御線ＥＭの信号が表示領域５・５’の間でばらつくことを抑制することができるため、表示領域５・５’の表示輝度を均等にすることができる。
　＜実施形態１の変形例＞
　実施形態１では、（１）表示領域５および表示領域５’の走査信号線ＧＬが湾曲部７を介して電気的に接続されるとともに、（２）表示領域５および表示領域５’の発光制御線ＥＭが湾曲部７を介して電気的に接続される構成としたが、上記（１）および上記（２）はいずれか一方のみであってもよい。すなわち、表示領域５および表示領域５’の走査信号線ＧＬが湾曲部配線２７Ａを介して電気的に接続される一方で表示領域５および表示領域５’の発光制御線ＥＭは電気的に接続されない構成であってもよいし、表示領域５および表示領域５’の発光制御線ＥＭが湾曲部配線２７Ｂを介して電気的に接続される一方で表示領域５および表示領域５’の走査信号線ＧＬは電気的に接続されない構成であってもよい。
　〔実施形態２〕
　本発明の実施の他の形態について、図７～図９に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施形態では、実施形態１との相違点について説明するものとし、実施形態１で説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図７は、本実施形態にかかるフレキシブル表示装置１の要部の概略構成を示す平面図である。図８は、図７における制御線に対応する断面図（Ａ－Ａ’線断面図）である。図９は、図７における表示領域５・５’の第２電極が電気的に接続されることを示す断面図である。
　本実施形態にかかるフレキシブル表示装置１について、実施形態１にかかるフレキシブル表示装置１との相違点について説明すれば以下のとおりである。
　図７に示すとおり、本実施形態のフレキシブル表示装置１の第２電極２３は、表示領域５と重畳し、表示領域５の各画素９０に共通するベタ状の共通電極である第１の第２電極２３Ａと、表示領域５’と重畳し、表示領域５’の各画素９０に共通するベタ状の共通電極である第２の第２電極２３Ｂとで構成される。
　本実施形態のフレキシブル表示装置１では、表示領域５およびトレンチ８を取り囲む枠状の第１表示バンクＢ１１と、表示領域５’およびトレンチ８’を取り囲む枠状の第２表示バンクＢ１２とが形成されている。第１表示バンクＢ１１および第２表示バンクＢ１２は、いずれも封止膜３０の有機層３２に使用される液状の有機材料を堰き止める（言い換えれば、有機層３２を堰き止める）ことで有機層３２のエッジを規定する（つまりエッジに重なる）有機層ストッパである。
　そして、図８に示すとおり、本実施形態においても実施形態１と同様に、表示領域５の走査信号線ＧＬと表示領域５’の走査信号線ＧＬとは、引き回し配線２９Ａ、湾曲部配線２７Ａ、および引き回し配線２９Ａ’を介して電気的に接続される。同様に、表示領域５の発光制御線ＥＭと表示領域５’の発光制御線ＥＭとは、引き回し配線２９Ｂ、湾曲部配線２７Ｂ、および引き回し配線２９Ｂ’を介して電気的に接続される。
　以上のとおり、本実施形態では、第２電極２３およびバンクが、表示領域５および表示領域５’の各々に個別に設けられる。走査信号線ＧＬおよび発光制御線ＥＭについては、実施形態１と同様に、表示領域５および表示領域５’の走査信号線ＧＬが湾曲部７を介して電気的に接続され、また、表示領域５および表示領域５’の発光制御線ＥＭが湾曲部７を介して電気的に接続される。したがって、第２電極２３およびバンクの構成にかかわらず、表示領域５・５’の表示輝度を均等にすることができる。
　なお、図９に示すとおり、本実施形態においても実施形態１と同様に、トレンチ８において、第２電極２３Ａは第１電極２１と同材料で同層に形成された中間導電膜２６Ａと接しており、同様に、トレンチ８’において、第２電極２３Ｂは第１電極２１と同材料で同層に形成された中間導電膜２６Ｂと接している。そして、中間導電膜２６Ａは湾曲部７の端部まで延伸しており、湾曲部７に形成された湾曲部導電層２８と電気的に接続されている。同様に、中間導電膜２６Ｂは湾曲部７の端部まで延伸しており、湾曲部導電層２８と電気的に接続されている。これにより、第１の第２電極２３Ａと第２の第２電極２３Ｂとは湾曲部導電層２８を介して電気的に接続される。
　湾曲部導電層２８は、湾曲部配線２７Ａ・２７Ｂと同材料で同層に形成される。また、中間導電膜２６Ａ・２６Ｂは、保護のために、第１無機層３１および第２無機層３３で覆われている。
　なお、中間導電膜２６Ａ・２６Ｂはそれぞれ、少なくとも湾曲部７の端部まで延伸していればよく、湾曲部７の全体に至るように延伸させる必要はない。湾曲部導電層２８の端部から水分が浸透することを防止できれば足りるためである。
　なお、湾曲部７において、湾曲部配線２７Ａ・２７Ｂおよび湾曲部導電層２８は、それぞれ隣接し、かつ、分離されて形成される。しかしながら、湾曲部配線２７Ａ・２７Ｂおよび湾曲部導電層２８をパターニングするときの金属材料の残渣によりリークすることを防止するために、例えば、湾曲部配線２７Ａ・２７Ｂを湾曲部７の中央付近に集約して湾曲部配線２７Ａ・２７Ｂが隣接するように形成し、一方、湾曲部導電層２８を湾曲部７の上端付近および下端付近に配置するよう形成してもよい。
　＜実施形態２の変形例１＞
　実施形態２では、表示領域５に共通する第１の第２電極２３Ａと、表示領域５’に共通する第２の第２電極２３Ｂとで構成される例を説明したが、これに代えて、実施形態１と同様に、表示領域５・５’に共通する第２電極２３を湾曲部７を跨いで設けるように構成してもよい。
　＜実施形態２の変形例２＞
　実施形態２においても、実施形態１と同様に、カバー層５０は湾曲部７を避けずに設けてもよい。
　〔各実施形態の変形例１〕
　各実施形態では、フレキシブル表示装置１が、二つ折りの矩形状の表示装置であり、湾曲部７により表示領域が表示領域５・５’に二分割されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、各実施形態は、これに限定されるものではない。フレキシブル表示装置１は、湾曲部７が、フレキシブル表示装置１の長手方向に沿った各辺を三等分するように短手方向に沿って２つ設けられ、湾曲部７により表示領域が三分割された三つ折りディスプレイであってもよい。また、フレキシブル表示装置１は、四つ折り以上の多重折りディスプレイであってもよい。
　〔各実施形態の変形例２〕
　各実施形態では、表示装置の一例としてＯＬＥＤ２４を含むフレキシブル表示装置１を例に挙げて説明した。しかしながら、各実施形態にかかるフレキシブル表示装置１は、柔軟性を有し、屈曲可能な光学素子を備えた表示装置であれば、特に限定されるものではない。光学素子としては、例えば、電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子や、電圧によって輝度や透過率が制御される電気光学素子等が挙げられる。表示パネル（表示装置）としては、例えば、ＯＬＥＤ素子を備えた有機ＥＬディスプレイ、無機発光ダイオード素子（無機ＥＬ素子）を備えた無機ＥＬディスプレイ等のＥＬディスプレイ、ＱＬＥＤ（Quantum-dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）素子を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。ＯＬＥＤ素子、無機発光ダイオード素子、ＱＬＥＤ素子は、発光素子であり、例えば、電流によって輝度や透過率が制御される。
　発光素子がＱＬＥＤである場合、第１電極２１および第２電極２３間の駆動電流によって正孔と電子が発光層内で再結合し、これによって生じたエキシトンが、量子ドットの伝導帯準位（conduction band）から価電子帯準位（valence band）に遷移する過程で光（蛍光）が放出される。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１にかかるフレキシブル表示装置１は、画素９０毎に設けられた第１電極２１と、複数の画素９０に共通に設けられた第２電極２３と、上記第１電極２１と上記第２電極２３との間に挟まれる機能層とをそれぞれ含む複数のＯＬＥＤ２４（光学素子）を有する、第１表示領域５および第２表示領域５’と、上記第１表示領域５と上記第２表示領域５’との間に設けられた湾曲部７と、上記第１表示領域５、上記第２表示領域５’、および上記湾曲部７を取り囲む額縁領域６と、配線の端子が形成された端子部３・３’と、上記額縁領域６と上記端子部３・３’との間に設けられた折り曲げ部９と、複数の上記光学素子に対応する複数の画素回路２５とを備え、上記第１表示領域５の、上記第２表示領域５’と対向する辺の対辺に沿う上記額縁領域６に複数の第１制御回路４Ａが形成され、上記第２表示領域５’の、上記第１表示領域５と対向する辺の対辺に沿う上記額縁領域６に複数の第２制御回路４Ａ’が形成され、上記第１表示領域５と上記第２表示領域５’とが並ぶ方向を第１方向とし、上記第１方向に垂直な方向を第２方向とし、上記第１表示領域５に、上記第１方向に延伸する複数の第１制御線（走査信号線ＧＬまたは発光制御線ＥＭ）が設けられるとともに、上記第１制御線と交差する複数の第１データ信号線ＳＬが設けられ、上記第２表示領域５’に、上記第１方向に延伸する複数の第２制御線（走査信号線ＧＬまたは発光制御線ＥＭ）が設けられるとともに、上記第２制御線と交差する複数の第２データ信号線ＳＬが設けられ、上記第１制御回路４Ａは上記第１制御線に制御信号を出力し、上記第２制御回路４Ａ’は上記第２制御線に制御信号を出力し、上記第１制御線および上記第２制御線は上記湾曲部７に形成された湾曲部配線２７Ａ・２７Ｂを介して電気的に接続する。
　本発明の態様２にかかるフレキシブル表示装置１は、上記態様１において、上記湾曲部７において、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）層１２を形成する少なくとも一つの無機膜に第１開口部７Ａが形成され、上記第１開口部７Ａを充填するように第１充填膜が形成され、上記湾曲部配線２７Ａ・２７Ｂは上記第１充填膜の上に形成されてもよい。
　本発明の態様３にかかるフレキシブル表示装置１は、上記態様１または２において、上記第１制御回路４Ａおよび上記第２制御回路４Ａ’は走査制御回路であり、上記第１制御線および上記第２制御線は走査信号線ＧＬであってもよい。
　本発明の態様４にかかるフレキシブル表示装置１は、上記態様１または２において、上記第１制御回路４Ａおよび上記第２制御回路４Ａ’は発光制御回路であり、上記第１制御線および上記第２制御線は発光制御線ＥＭであってもよい。
　本発明の態様５にかかるフレキシブル表示装置１は、上記態様１～４の何れかにおいて、上記第２電極２３は上記第１表示領域５と上記第２表示領域５’とに共通するように設けられ、上記湾曲部７を跨いて設けられてもよい。
　本発明の態様６にかかるフレキシブル表示装置１は、上記態様１～４の何れかにおいて、上記第２電極２３は、第１の第２電極２３Ａと第２の第２電極２３Ｂとで構成され、上記第１の第２電極２３Ａは上記第１表示領域５と重畳し、上記第２の第２電極２３Ｂは上記第２表示領域５’と重畳し、上記第１の第２電極２３Ａと上記第２の第２電極２３Ｂとは、上記湾曲部７に形成され、上記湾曲部配線２７Ａ・２７Ｂと同材料で同層に形成された湾曲部導電層２８を介して電気的に接続してもよい。
　本発明の態様７にかかるフレキシブル表示装置１は、上記態様２において、上記ＴＦＴ層１２を形成する平坦化膜は、上記第１表示領域５および上記第２表示領域５’を囲むように第１トレンチ８および第２トレンチ８’が設けられ、上記第１トレンチ８および上記第２トレンチ８’において、上記第２電極２３は上記第１電極２１と同材料で同層に形成された中間導電膜２６と接してもよい。
　本発明の態様８にかかるフレキシブル表示装置１は、上記態様７において、上記第１表示領域５と上記第２表示領域５’との間の上記第１トレンチ８および上記第２トレンチ８’は、上記第１制御線と上記第２制御線とを電気的に接続する引き回し配線２９Ａ・２９Ａ’・２９Ｂ・２９Ｂ’と上記ＴＦＴ層１２を形成する無機膜を介して重畳してもよい。
　本発明の態様９にかかるフレキシブル表示装置１は、上記態様７または８において、上記第１トレンチ８は、上記端子部３と上記第１表示領域５との間の一部を避けて形成されてもよい。
　本発明の態様１０にかかるフレキシブル表示装置１は、上記態様１～９の何れかにおいて、上記端子部３・３’は上記フレキシブル表示装置１の上記第２方向の端部に形成され、上記第１表示領域５と上記端子部３との間に折り曲げ部９が設けられ、上記折り曲げ部９において、上記ＴＦＴ層１２を形成する少なくとも一つの無機膜に第２開口部９Ａが形成され、上記第２開口部９Ａを充填するように第２充填膜が形成され、上記端子部３に入力される信号は、上記第２充填膜の上に形成され、かつ上記湾曲部配線２７Ａ・２７Ｂと同材料で同一層に形成された折り曲げ部配線２７Ｃを介して上記画素回路２５に入力されてもよい。
　本発明の態様１１にかかるフレキシブル表示装置１は、上記態様１～１０の何れかにおいて、上記複数の光学素子を封止する封止膜３０をさらに備え、上記封止膜３０は互いに重畳配置された複数の無機層と上記複数の無機層との間に挟持された少なくとも１層の有機層３２とを含んでもよい。
　本発明の態様１２にかかるフレキシブル表示装置１は、上記態様１１において、上記有機層３２のエッジに重なる枠状のバンクＢ１が、上記第１表示領域５および上記第２表示領域５’を囲むように、上記湾曲部７を跨いで設けられてもよい。
　本発明の態様１３にかかるフレキシブル表示装置１は、上記態様１１において、上記封止膜３０上に設けられた接着剤層４０と、上記接着剤層４０上に設けられた、機能性フィルム層を含むカバー層５０と、を備え、上記接着剤層４０および上記カバー層５０は、平面視で、上記湾曲部７を避けて設けられてもよい。
　本発明の態様１４にかかるフレキシブル表示装置１は、上記態様１１において、上記第１表示領域５を囲むように上記有機層３２のエッジに重なる枠状の第１表示バンクＢ１１が設けられ、および、上記第２表示領域５’を囲むように上記有機層３２のエッジに重なる枠状の第２表示バンクＢ１２が設けられてもよい。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　１　　フレキシブル表示装置（表示装置）
　２　　ＯＬＥＤパネル
　３、３’　端子部
　５　　第１表示領域
　５’　第２表示領域
　６　　額縁領域
　７　　湾曲部
　７Ａ　第１開口部
　８　　第１トレンチ
　８’　第２トレンチ
　９　　折り曲げ部
　９Ａ　第２開口部
１２　　ＴＦＴ層
１３　　半導体層
１４　　ゲート絶縁膜
１５・１６　無機絶縁膜
１７　　積層膜
１８　　平坦化膜
１９　　有機絶縁膜
２１　　第１電極
２２　　有機ＥＬ層（機能層）
２３　　第２電極
２３Ａ　第１の第２電極
２３Ｂ　第２の第２電極
２４　　ＯＬＥＤ（発光素子）
２５　　画素回路
２６、２６Ａ、２６Ｂ　中間導電膜
２７Ａ、２７Ｂ　湾曲部配線
２７Ｃ　折り曲げ部配線
２８　　湾曲部導電層
２９Ａ、２９Ａ’、２９Ｂ、２９Ｂ’　引き回し配線
３０　　封止膜
３１　　第１無機層
３２　　有機層
３３　　第２無機層
４０　　接着剤層
５０　　カバー層
９０　　画素
Ｂ１、Ｂ２　バンク
Ｂ１１　第１表示バンク
Ｂ１２　第２表示バンク
ＥＭ　　発光制御線
ＧＬ　　走査信号線
ＳＬ　　データ信号線

Claims (14)

  1. 　画素毎に設けられた第１電極と、複数の画素に共通に設けられた第２電極と、上記第１電極と上記第２電極との間に挟まれる機能層とをそれぞれ含む複数の光学素子を有する、第１表示領域および第２表示領域と、
    　上記第１表示領域と上記第２表示領域との間に設けられた湾曲部と、
    　上記第１表示領域、上記第２表示領域、および上記湾曲部を取り囲む額縁領域と、
    　配線の端子が形成された端子部と、
    　上記額縁領域と上記端子部との間に設けられた折り曲げ部と、
    　複数の上記光学素子に対応する複数の画素回路とを備え、
    　上記第１表示領域の、上記第２表示領域と対向する辺の対辺に沿う上記額縁領域に複数の第１制御回路が形成され、
    　上記第２表示領域の、上記第１表示領域と対向する辺の対辺に沿う上記額縁領域に複数の第２制御回路が形成され、
    　上記第１表示領域と上記第２表示領域とが並ぶ方向を第１方向とし、上記第１方向に垂直な方向を第２方向とし、
    　上記第１表示領域に、上記第１方向に延伸する複数の第１制御線が設けられるとともに、上記第１制御線と交差する複数の第１データ信号線が設けられ、
    　上記第２表示領域に、上記第１方向に延伸する複数の第２制御線が設けられるとともに、上記第２制御線と交差する複数の第２データ信号線が設けられ、
    　上記第１制御回路は上記第１制御線に制御信号を出力し、
    　上記第２制御回路は上記第２制御線に制御信号を出力し、
    　上記第１制御線および上記第２制御線は上記湾曲部に形成された湾曲部配線を介して電気的に接続することを特徴とする表示装置。
  2. 　上記湾曲部において、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）層を形成する少なくとも一つの無機膜に第１開口部が形成され、
    　上記第１開口部を充填するように第１充填膜が形成され、
    　上記湾曲部配線は上記第１充填膜の上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 　上記第１制御回路および上記第２制御回路は走査制御回路であり、
    　上記第１制御線および上記第２制御線は走査信号線であることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
  4. 　上記第１制御回路および上記第２制御回路は発光制御回路であり、
    　上記第１制御線および上記第２制御線は発光制御線であることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
  5. 　上記第２電極は上記第１表示領域と上記第２表示領域とに共通するように設けられ、上記湾曲部を跨いて設けられることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の表示装置。
  6. 　上記第２電極は、第１の第２電極と第２の第２電極とで構成され、
    　上記第１の第２電極は上記第１表示領域と重畳し、
    　上記第２の第２電極は上記第２表示領域と重畳し、
    　上記第１の第２電極と上記第２の第２電極とは、上記湾曲部に形成され、上記湾曲部配線と同材料で同層に形成された湾曲部導電層を介して電気的に接続することを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の表示装置。
  7. 　上記ＴＦＴ層を形成する平坦化膜は、上記第１表示領域および上記第２表示領域を囲むように第１トレンチおよび第２トレンチが設けられ、
    　上記第１トレンチおよび上記第２トレンチにおいて、上記第２電極は上記第１電極と同材料で同層に形成された中間導電膜と接することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
  8. 　上記第１表示領域と上記第２表示領域との間の上記第１トレンチおよび上記第２トレンチは、上記第１制御線と上記第２制御線とを電気的に接続する引き回し配線と上記ＴＦＴ層を形成する無機膜を介して重畳することを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  9. 　上記第１トレンチは、上記端子部と上記第１表示領域との間の一部を避けて形成されることを特徴とする請求項７または８に記載の表示装置。
  10. 　上記端子部は上記表示装置の上記第２方向の端部に形成され、
    　上記第１表示領域と上記端子部との間に折り曲げ部が設けられ、
    　上記折り曲げ部において、上記ＴＦＴ層を形成する少なくとも一つの無機膜に第２開口部が形成され、
    　上記第２開口部を充填するように第２充填膜が形成され、
    　上記端子部に入力される信号は、上記第２充填膜の上に形成され、かつ上記湾曲部配線と同材料で同一層に形成された折り曲げ部配線を介して上記画素回路に入力されることを特徴とする請求項２、７、８、および９の何れか１項に記載の表示装置。
  11. 　上記複数の光学素子を封止する封止膜をさらに備え、
    　上記封止膜は互いに重畳配置された複数の無機層と上記複数の無機層の間に挟持された少なくとも１層の有機層とを含むことを特徴とする請求項１～１０の何れか１項に記載の表示装置。
  12. 　上記有機層のエッジに重なる枠状のバンクが、上記第１表示領域および上記第２表示領域を囲むように、上記湾曲部を跨いで設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
  13. 　上記封止膜上に設けられた接着剤層と、上記接着剤層上に設けられた、機能性フィルム層を含むカバー層と、を備え、
    　上記接着剤層および上記カバー層は、平面視で、上記湾曲部を避けて設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
  14. 　上記第１表示領域を囲むように上記有機層のエッジに重なる枠状の第１表示バンクが設けられ、および、
    　上記第２表示領域を囲むように上記有機層のエッジに重なる枠状の第２表示バンクが設けられることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
     
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