WO2018179134A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2018179134A1
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WO
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power supply
display device
electrode
pixel
level power
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PCT/JP2017/012892
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English (en)
French (fr)
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彬 野村
中野　武俊
Original Assignee
シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • a plurality of scanning electrodes connected to the scanning driver IC and a plurality of driving electrodes connected to the driving driver IC cross each other.
  • the wiring resistance of the drive electrode is a relatively large resistance on the side close to the scan driver IC, and a relatively small resistance on the side far from the scan driver IC.
  • a power supply circuit that supplies a constant voltage for generating a voltage corresponding to the gradation of each pixel is disposed.
  • a plurality of power supply lines are connected to the power supply circuit, and each power supply line extends in a direction away from the power supply circuit.
  • the voltage is adjusted for each pixel from a constant voltage supplied to each power line, and the adjusted voltage is supplied to each pixel electrode.
  • the organic EL display device 101 shown in FIG. 8 includes a driver 102 on which a power supply circuit for supplying a constant voltage to each pixel is mounted adjacent to the display region 105 in which the pixels are arranged in a matrix. Has been placed. Although not shown in the figure, the display area 105 is connected to the driver 102 at one end, and extends from the other end to the direction away from the driver 102, and each power line is arranged.
  • the area of the light emitting part included in each pixel and emitting light by the applied voltage from the pixel electrode is all constant from the side closer to the driver 102 to the side farther from the driver 102, and the width of each power supply line is the side farther from the side closer to the driver 102 Keep constant over time. Then, in each power supply line, the resistance value increases in the vicinity of the side farther than the side near the driver 102 by adding the wiring resistance, and the voltage value supplied to the pixel electrode increases. As a result, the luminance of the pixel is dark in the area Z far from the driver 102 in the display area 105. As a result, luminance variation occurs in the entire display area 105.
  • Patent Document 1 no consideration is given to the wiring resistance of the power supply line. For example, if the resistance value in the vicinity of the end near the power supply circuit (the end on the side to which the voltage is supplied) of the both ends of the power supply line is relatively increased, the power is supplied for each power supply line. The value of the constant voltage becomes unstable, and the luminance variation of each pixel increases.
  • the present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and an object thereof is to obtain a display device in which variation in luminance of each pixel is suppressed.
  • a display device includes a display region in which pixels having first and second electrodes that are opposed to each other with an electro-optic element interposed therebetween are arranged in a matrix direction.
  • a power supply circuit that is a supply source of a voltage supplied to each of the first electrodes, a power supply line that is connected to the power supply circuit and is supplied with a constant voltage from the power supply circuit,
  • a pixel circuit that is disposed in each of the pixels, is supplied with the constant voltage from the power line, and controls a signal applied to the electro-optic element, and the power line is arranged in the row direction or the column direction.
  • each power line is connected to the first end portion from the first end.
  • the resistance per unit length characterized in that is smaller toward the second end side from the first end portion side.
  • a display device includes a display region in which pixels having first and second electrodes that are opposed to each other with an electro-optic element interposed therebetween are arranged in a matrix direction.
  • a power supply circuit that is a supply source of a voltage supplied to each of the first electrodes, a power supply line that is connected to the power supply circuit and is supplied with a constant voltage from the power supply circuit,
  • a pixel circuit that is disposed in each of the pixels, is supplied with the constant voltage from the power line, and controls a signal applied to the electro-optic element, and the power line is arranged in the row direction or the column direction.
  • Embodiment 1 Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • an organic EL display device will be described as an example of the display device according to the present embodiment.
  • the display device according to the present embodiment is not particularly limited to the organic EL display device as long as the display device includes a plurality of electro-optic elements.
  • the electro-optical element includes an electro-optical element whose luminance or transmittance is controlled by current and an electro-optical element whose luminance or transmittance is controlled by voltage.
  • Display devices equipped with current-controlled electro-optic elements include organic EL (Electro Luminescence) display devices with OLEDs (Organic Light Emitting Diodes) or inorganic EL displays with inorganic light emitting diodes.
  • QLED display device equipped with an EL display QLED (Quantum dot Light Emitting Diode).
  • a display device including a voltage-controlled electro-optical element there is a liquid crystal display device or the like. The same applies to the second and subsequent embodiments.
  • FIG. 1 is a plan view showing a configuration of an organic EL display device 1 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the organic EL display device 1 according to the first embodiment of the invention.
  • the organic EL display device 1 has a display area which is an area for displaying an image by pixels PIX arranged in a matrix. Furthermore, the organic EL display device 1 has a frame region (not shown) that is a peripheral region surrounding the display region and in which the pixels PIX are not arranged.
  • the organic EL display device 1 may be a display device having flexibility (a display device that can be bent), or a display device that does not have flexibility (a display device that cannot be bent). Good.
  • the organic EL display device 1 includes a first electrode 21, a light emitting unit (electro-optic element) 22, an edge cover 25, a second electrode 23, and a sealing layer 30 on a TFT (Thin Film Transistor) substrate 10. Is formed.
  • the organic EL display device 1 includes a drive circuit (not shown) for driving each pixel PIX.
  • the organic EL display device 1 may further include a touch panel.
  • the TFT substrate 10 includes a support 11, a transistor T 2, a data line S (m), a scanning signal line G (n), a high level power supply line 15, a passivation film 16, and an interlayer insulating film 17. .
  • m and n are natural numbers.
  • the support 11 is made of a transparent insulating material such as a plastic film or a glass substrate.
  • the support 11 may be configured from a plastic film. Or what is necessary is just to comprise the support body 11 from a glass substrate, when comprising the organic EL display apparatus 1 as a display apparatus which does not have flexibility.
  • the transistor T2 the data line S (m), the scanning signal line G (n), and the high level power supply line 15 are formed on the support 11.
  • the transistor T2 is a transistor that controls writing of a data signal from the data line S (m) by a scanning signal from the scanning signal line G (n).
  • the transistor T2 is formed in each pixel PIX on the support 11 or through another layer.
  • the transistor T2 includes a semiconductor layer, a gate electrode, a drain electrode, and a source electrode.
  • the data line S (m) is formed in the same layer as the drain electrode and the source electrode of the transistor T2, and is connected to the source electrode.
  • the m data lines S (m) are formed to be parallel to each other.
  • the scanning signal property G (n) is formed in the same layer as the gate electrode of the transistor T2, and is connected to the gate electrode. N scanning signal characteristics G (n) are formed so as to be parallel to each other.
  • a pixel PIX is formed by being partitioned by the data line S (m) and the scanning signal line G (n).
  • a source driver 2 is connected to one end of the data line S (m), and a gate driver is connected to one end of the scanning signal line G (n).
  • the high level power supply line 15 is formed in parallel with the data line S (m) in this embodiment. N high-level power supply lines 15 are also formed so as to be parallel to each other.
  • the high level power supply line 15 is a wiring for supplying a high level power supply voltage ELVDD which is a constant voltage to each pixel PIX.
  • Each high-level power supply line 15 has a first end 15a and a second end 15b which are both ends.
  • the first end portions 15a are connected to the power supply bus line 5, so that the adjacent first end portions 15a are connected to each other. That is, each first end portion 15 a is an end portion closer to the power supply bus line 5.
  • Each high-level power supply line 15 extends from the first end 15 a in a direction away from the power supply bus line 5.
  • the second end portions 15b are connected to the connection line 6 so that the adjacent second end portions 15b are connected to each other.
  • Each second end 15b is an end opposite to the first end 15a, and is an end far from the power supply bus line 5 to which the first end 15a is connected. That is, of the both ends of the high-level power supply line 15, the first end 15 a is an end near the high-level power supply circuit 4, and the second end 15 b is an end far from the high-level power supply circuit 4. It is.
  • the power supply bus line 5 is connected to the high level power supply circuit 4 and extends so as to connect the first end 15a of each high level power supply line 15.
  • a high level power supply voltage ELVDD is supplied from the high level power supply circuit 4 to the power supply bus line 5, and the high level power supply voltage ELVDD is supplied to each high level power supply line 15 through the power supply bus line 5.
  • Each pixel PIX is formed with a pixel circuit including the data line S (m), the scanning signal line G (n), the high-level power supply line 15, and the transistor T2.
  • a transistor and a capacitor are formed in the pixel circuit. A detailed configuration of this pixel circuit will be described later with reference to FIG.
  • the passivation film 16 prevents peeling of the metal film in the transistor T2 and the like, and protects each transistor such as the transistor T2.
  • the passivation film 16 is formed on the support 11 or through another layer and covers each transistor such as the transistor T2.
  • the passivation film 16 is an inorganic insulating film made of silicon nitride, silicon oxide, or the like.
  • the interlayer insulating film 17 flattens the unevenness on the passivation film 16.
  • the interlayer insulating film 17 is formed on the passivation film 16.
  • the interlayer insulating film 17 is an organic insulating film made of a photosensitive resin such as acrylic or polyimide.
  • the first electrode 21 and the second electrode 23 are a pair of electrodes.
  • the first electrode 21 is an anode
  • the second electrode 23 is a cathode.
  • the first electrode 21 is formed on the interlayer insulating film 17.
  • the first electrode 21 injects (supply) holes into the light emitting unit 22, and the second electrode 23 injects electrons into the light emitting unit 22.
  • the first electrode 21 and the second electrode 23 are disposed to face each other with the light emitting unit 22 interposed therebetween.
  • the light emitting unit 22 is a light emitting element capable of high luminance light emission by low voltage DC driving.
  • the light emitting unit 22 is formed between the first electrode 21 and the second electrode 23.
  • the luminance of light emission is controlled by a pixel circuit described later.
  • positioned in the pixel PIX and contains the 1st electrode 21, the light emission part 22, and the 2nd electrode 23 may be called organic EL element OLED.
  • the holes and electrons injected into the light emitting unit 22 are recombined in the light emitting unit 22 to form excitons.
  • light such as red light, green light, or blue light is emitted, and the emitted light is emitted from the light emitting unit 22 to the second electrode 23.
  • the light passes through the sealing layer 30 and is emitted to the outside of the organic EL display device 1.
  • the light emitting unit 22 is disposed in a region surrounded by the edge cover 25 when the substrate surface is viewed from the normal direction.
  • the light emitting unit 22 is a light emitting unit that actually emits light (contributes to image display) when displaying an image, and does not include a light emitting unit that is formed as a dummy and does not emit light (does not contribute to image display).
  • the light emitting unit 22 includes light emitting units 22a and 22b arranged at both ends.
  • the light emitting units 22a and 22b are light emitting units located at both ends that actually emit light when displaying an image.
  • the light emitting unit 22a is the side closest to the power supply bus line 5 to which the high level power supply line 15 is connected among the light emitting units 22 arranged side by side along the high level power supply line 15 (that is, the high level power supply circuit).
  • 4 is a light emitting part located at the end of the side closest to 4.
  • the light emitting unit 22b is the farthest side from the power bus line 5 to which the high level power line 15 is connected among the light emitting units 22 arranged side by side along the high level power line 15 (that is, the high level power circuit). It is a light emitting part located at the end of the farthest side from 4).
  • the vicinity of the first end 15a of the high-level power supply line 15 is a region adjacent to the light emitting unit 22a in the high-level power supply line 15.
  • the vicinity of the second end 15b of the high-level power supply line 15 is an area adjacent to the light emitting unit 22b in the high-level power supply line 15.
  • the area of the light emitting part 22b is larger than the area of the light emitting part 22a.
  • the area of each light emitting unit 22 gradually increases from the light emitting unit 22b to the light emitting unit 22a.
  • the first electrode 21 is electrically connected to the drain electrode of the transistor T2 through a contact hole formed in the interlayer insulating film 17 and the passivation film 16.
  • the first electrode 21 is a pixel electrode that is formed in an island shape for each pixel PIX, and is patterned in a matrix.
  • the first electrode 21 is a reflective electrode.
  • the first electrode 21 reflects the light emitted from the light emitting unit 22 in the direction in which the first electrode 21 is disposed, and transmits the light through the light emitting unit 22, the second electrode 23, and the sealing layer 30. Then, the light is emitted to the outside of the organic EL display device 1.
  • the first electrode 21 can be made of a conductive material having a high reflectance.
  • the first electrode 21 can be formed of silver or a silver alloy such as a silver-palladium-copper alloy.
  • a conductive film made of, for example, ITO or IZO (Indium Zinc Oxide) is used between the first electrode 21 and the interlayer insulating film 17 to improve the adhesion between the first electrode 21 and the interlayer insulating film 17. It may be formed. Furthermore, a conductive film made of, for example, ITO or IZO may be formed on the first electrode 21 to protect the first electrode 21 during the manufacturing process of the organic EL display device 1.
  • the edge cover 25 is formed in a lattice shape on the interlayer insulating film 17 so as to cover the edge of the first electrode 21.
  • the edge cover 25 is disposed between adjacent pixels PIX. That is, the edge cover 25 separates adjacent pixels PIX.
  • the edge cover 25 prevents the first electrode 21 and the second electrode 23 from being short-circuited even when the edge of the light emitting unit 22 is formed thin. Further, by providing the edge cover 25, electric field concentration at the edge of the first electrode 21 is prevented. Thereby, deterioration of the light emission part 22 can be prevented.
  • the edge cover 25 can be made of a photosensitive resin such as acrylic or polyimide.
  • the light emitting part 22 is formed in a region surrounded by the edge cover 25.
  • the light emitting unit 22 is in contact with the inner wall of the edge cover 25.
  • the edge cover 25 functions as a bank (bank) for damming the liquid material that becomes the light emitting unit 22.
  • the light emitting part 22 can be formed by a vapor deposition method, an ink jet method or the like.
  • the light emitting unit 22 has a configuration in which, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like are stacked in this order from the first electrode 21 side.
  • one layer may have a plurality of functions.
  • a hole injection layer / hole transport layer having the functions of both layers may be provided.
  • an electron injection layer / electron transport layer having the functions of both layers may be provided.
  • a carrier blocking layer may be appropriately provided between the layers.
  • the second electrode 23 is formed on the entire display area including the light emitting unit 22 and the edge cover 25. That is, the second electrode 23 is continuously formed across each pixel PIX.
  • the second electrode 23 may be formed in an island shape for each pixel PIX.
  • the second electrode 23 is made of a transparent conductive material.
  • the second electrode 23 can be made of ITO or IZO.
  • the sealing layer 30 is formed on the second electrode 23 and the edge cover 25.
  • the sealing layer 30 seals the entire display area and frame area.
  • the sealing layer 30 prevents the light emitting unit 22 from being deteriorated by moisture or oxygen that has entered from the outside by thin film sealing (TFE: Thin Film Encapsulation) of the light emitting unit 22.
  • the sealing layer 30 can have a three-layer structure in which an inorganic layer, an organic layer, and an inorganic layer are stacked in this order.
  • the material for the organic layer include organic insulating materials (resin materials) such as polysiloxane, silicon oxide carbide (SiOC), acrylate, polyurea, parylene, polyimide, and polyamide.
  • the material for the inorganic layer include inorganic insulating materials such as silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, and Al 2 O 3 . Note that the structure of the sealing layer 30 is not limited to the three-layer structure described above.
  • the first electrode 21 is described as an anode (pattern electrode, pixel electrode), and the second electrode 23 is described as a cathode (common electrode).
  • the first electrode 21 may be a cathode and the second electrode 23 may be an anode.
  • the order of the layers constituting the light emitting unit 22 is reversed.
  • the organic EL display device 1 is described as being a top emission type that emits light emitted from the light emitting unit 22 to the outside from the sealing layer 30 side.
  • the second electrode 23 is connected to the first electrode 21.
  • the first electrode 21 is made of a transparent electrode or a translucent electrode made of a transparent or translucent translucent electrode material.
  • FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the pixel circuit 52 of the organic EL display device 1 according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 3 shows a configuration of the pixel circuit 52 corresponding to m columns and n rows. Note that the configuration of the pixel circuit 52 described here is merely an example, and other known configurations may be employed.
  • a plurality of data lines S (m) and a plurality of scanning signal lines G (n) orthogonal thereto are arranged.
  • a plurality of light emission control lines EM (n) are arranged so as to correspond to the plurality of scanning signal lines G (n) on a one-to-one basis.
  • a pixel circuit 52 is provided in the display area so as to correspond to the intersections of the plurality of data lines S (m) and the plurality of scanning signal lines G (n).
  • a power line common to the pixel circuits 52 is formed. More specifically, a high level power supply line 15 that supplies a high level power supply voltage ELVDD for driving the organic EL element, and a power supply line (hereinafter referred to as “low level power supply voltage ELVSS for driving the organic EL element). And a power supply line (hereinafter referred to as “initialization power supply line”) for supplying an initialization voltage Vini.
  • the high level power supply voltage ELVDD is supplied from the high level power supply circuit 4.
  • the low level power supply voltage ELVSS and the initialization voltage Vini are supplied from a power supply circuit (not shown).
  • the pixel circuit 52 is supplied with the high-level power supply voltage ELVDD from the high-level power supply line 15 and controls a signal applied to the light emitting unit 22 (see FIGS. 1 and 2) included in the organic EL element OLED.
  • the pixel circuit 52 includes one organic EL element OLED, six transistors T1 to T6, and one capacitor C1.
  • the transistors T1 to T6 are p-channel transistors.
  • the capacitor C1 is a capacitive element composed of two electrodes (first electrode and second electrode).
  • the transistor T1 is a drive transistor
  • the transistor T2 is a write control transistor
  • the transistor T3 is a power supply control transistor
  • the transistor T4 is a light emission control transistor
  • the transistor T5 is a threshold voltage compensation transistor
  • the transistor T6 is an initial transistor. Transistor.
  • the high level power supply circuit 4 is connected to the capacitor C1 and the transistor T3 via the power supply bus line 5 and the high level power supply circuit 4.
  • the organic EL element OLED can be considered as a diode having the first electrode 21 (see FIG. 2) as an anode and the second electrode 23 (see FIG. 2) as a cathode. A voltage corresponding to an image to be displayed is applied to the first electrode 21.
  • the second electrode 23 is supplied with a low level power supply voltage ELVSS which is a constant voltage different from the high level power supply voltage ELVDD.
  • the anode (first electrode 21) of the organic EL element OLED is connected to the transistor T4, the transistor T4 is connected to the transistor T5, and the transistor T5 is connected to the capacitor C1.
  • the data line S (m) is connected to the transistor T2, the transistor T2 is connected to the transistor T3, and the transistor T3 is connected to the high-level power line 15 and the capacitor C1.
  • the capacitor C1 and the transistors T1 to T5 constitute a voltage conversion circuit 53.
  • the voltage conversion circuit 53 is connected to the high-level power supply line 15 and the anode (first electrode 21) of the organic EL element OLED.
  • the voltage conversion circuit 53 converts the high level power supply voltage ELVDD supplied from the high level power supply line 15 into a voltage corresponding to the gradation level of the image (display image) to be displayed, and the voltage corresponding to the converted display image. Is supplied to the anode (first electrode 21) of the organic EL element OLED.
  • the transistor T6 When a scanning signal is input from the scanning signal line G (n ⁇ 1), the transistor T6 whose gate electrode is connected to the scanning signal line G (n ⁇ 1) is switched from off to on and is supplied to the transistor T6.
  • the capacitor C1 is initialized by the initialization voltage Vini.
  • the transistor T6 is switched from on to off.
  • the high level power supply voltage ELVDD is supplied from the high level power supply circuit 4 to the capacitor C1 via the high level power supply line 15, and electric charges are accumulated in the capacitor C1.
  • the transistors T4 and T3 having the gate electrode connected to the light emission control line EM (n) are switched from off to on.
  • the organic EL element OLED the voltage corresponding to the display image supplied to the anode (first electrode 21) and the low level power supply voltage ELVSS which is a constant voltage supplied to the cathode (second electrode 23).
  • the light emitting portion L in the organic EL element OLED emits light.
  • the organic EL display device 1 includes the high-level power supply lines 15 connected to the high-level power supply circuit 4 and the pixel circuits 52 arranged in the pixels PIX.
  • the pixel circuit 52 is supplied with the high level power supply voltage ELVDD supplied from the high level power supply line 15, and emits the light emitting unit 22 included in the organic EL element OLED with a predetermined luminance according to the display image. To do.
  • the first end 15 a is an end closer to the power supply bus line 5 connected to the power supply bus line 5, and the second end 15 b on the opposite side. Is an end portion on the side far from the power supply bus line 5.
  • a high level power supply voltage ELVDD that is a constant voltage is supplied to each high level power supply line 15 from the high level power supply circuit 4 via the power supply bus line 5.
  • each high-level power supply line if the resistance of the first end on the side to which the high-level power supply voltage ELVDD is supplied is larger than the second end on the opposite side, both ends are constant.
  • the voltage value of the high-level power supply voltage ELVDD which is a voltage, easily varies from one high-level power supply line to another.
  • the organic EL display device 1 in each high-level power supply line 15, the first end portion on the side to which the high-level power supply voltage ELVDD is supplied among both ends.
  • the resistance value per unit length in the vicinity of 15a is made smaller than the resistance value per unit length in the vicinity of the second end 15b on the opposite side.
  • each high-level power supply line 15 has an area per unit length in the vicinity of the first end portion 15a and the second end portion 15b. It is larger than the area per unit length in the vicinity.
  • each high-level power supply line 15 has a width Wva in the vicinity of the first end 15a and a width in the vicinity of the second end 15b. Thicker than Wvb.
  • the high level power supply voltage ELVDD which is a constant voltage
  • the voltage conversion circuit 53 can accurately set the gradation voltage from the supplied high-level power supply voltage ELVDD and supply it to the first electrode 21. As a result, it is possible to suppress variation in luminance of each pixel PIX over the entire display area.
  • the width Wv of the high-level power supply line 15 gradually increases from the second end 15b side to the first end 15a side.
  • the resistance value in the vicinity of the second end portion 15 b where the resistance value becomes high due to the wiring resistance can be sufficiently lowered. Therefore, in each high level power supply line 15, the high level power supply voltage ELVDD can be stably supplied from the high level power supply circuit 4 from the first end 15a to the second end 15b.
  • the resistance value tends to be higher in the vicinity of the second end portion 15b where the resistance value is integrated by the wiring resistance than in the vicinity of the first end portion 15a.
  • the voltage supplied from the voltage conversion circuit 53 to the first electrode 21 included in the pixel PIX near the second end 15b becomes higher than the voltage corresponding to the display image.
  • the light amount per unit area of the light emitting unit 22b in the vicinity of the second end 15b tends to be lower than the light amount per unit area of the light emitting unit 22a in the vicinity of the first end 15a.
  • the resistance value of the second end 15b is also set to the normal high level. It becomes smaller than the power line.
  • a panel for an organic EL display device of 5.5 inches, 1440 (pix) ⁇ 2560 (pix), a pen tile type is taken as an example.
  • the wiring width of the high level power supply line is 4 ⁇ m, and the length per pixel in the direction orthogonal to the wiring width of the high level power supply line is 48 ⁇ m.
  • a high-level power line in a conventional organic EL display device has a width of 4 ⁇ m from one end that is connected to the power supply bus line to the other end that is connected to the opposite connection line. It is constant at. For this reason, the area per pixel of the high-level power supply line in the organic EL display device is 192 ⁇ m 2 .
  • a voltage drop of 0.021 mV / pix occurs at one end with respect to the other end. Therefore, at the other end of the high-level power supply line, the resistance value is integrated from one end, resulting in a voltage drop of 53.76 mV.
  • the luminance of 1 cd / m 2 decreases. That is, in the conventional organic EL display device, the luminance of the pixel near the connection line on the opposite side is reduced by about 53.75 cd / m 2 as compared with the luminance of the pixel near the power supply bus line.
  • the width of the first end portion 15a on the side connected to the power supply bus line 5 in the high level power supply line 15 is wider than that of the conventional one.
  • the width of the first end 15a is about 6 ⁇ m.
  • the width of the second end portion 15b on the side connected to the connection line 6 on the opposite side of the high-level power supply line 15 is set to be approximately the same as the conventional one.
  • the width of the second end 15b is about 4 ⁇ m.
  • the wiring area of the high level power supply line 15 is 1.25 times the wiring area of the conventional high level power supply line described above.
  • the resistance value of the high-level power supply line is 0.8 times that of the conventional organic EL display device. Therefore, in the organic EL display device 1 according to the present embodiment, the luminance of the pixel PIX near the opposite connection line 6 is reduced to about 43 cd / m 2 with respect to the luminance of the pixel PIX near the power supply bus line 5. be able to.
  • the area of the light emitting unit 22b in the vicinity of the second end 15b is the area of the light emitting unit 22a in the vicinity of the first end 15a. Is bigger than. For this reason, the difference between the luminance of the entire light emitting unit 22b in the vicinity of the second end 15b and the luminance of the entire light emitting unit 22a in the vicinity of the first end 15a can be suppressed. As a result, it is possible to suppress variation in luminance of each pixel PIX over the entire display area.
  • the organic EL display device 1 since the area gradually increases from the light emitting portion 22a to the light emitting portion 22b, it is possible to suppress variation in luminance of each pixel PIX in the entire display region of the organic EL display device 1.
  • the width Wv of the high-level power supply line 15 is gradually narrowed from the width Wva to the width Vb. For this reason, it is possible to secure a space along the high-level power supply line 15 for gradually increasing the area of the light emitting unit 22 from the light emitting unit 22a to the light emitting unit 22b.
  • the width of the edge cover 25 extending along the high-level power supply line 15 is defined as a width We.
  • the width between the light emitting portions 22a adjacent to each other is defined as a width Wea
  • the width between the light emitting portions 22b adjacent to each other is defined as a width Web.
  • the width is gradually increased for each light emitting unit 22 from the width Wea to the width Web.
  • the area of the light emitting unit 22 is gradually increased from the light emitting unit 22a to the light emitting unit 22b.
  • Each high-level power supply line 15 has a resistance value per unit length in at least a partial section from the first end 15a to the second end 15b, and the second end 15b from the first end 15a side. It only needs to be smaller toward the side. Specifically, each high-level power supply line 15 has an area per unit length of the section on the first end 15a side in at least a part of the section from the first end 15a to the second end 15b. It may be larger than the area per unit length of the section on the 2 end 15b side. More specifically, when the display area of the organic EL display device 1 is viewed from the normal direction, each high-level power line 15 is in at least a partial section from the first end 15a to the second end 15b. The width of the section on the first end 15a side may be larger than the width of the section on the second end 15b side.
  • each high-level power supply line 15 is gradually connected to the high-level power supply line 15 from the first end 15a side to the second end 15b side in at least a partial section from the first end 15a to the second end 15b.
  • the width may be increased.
  • the resistance value in the vicinity of the second end portion 15b where the resistance value becomes high due to the wiring resistance can be sufficiently lowered.
  • This also enables the high level power supply voltage ELVDD to be stably supplied from the high level power supply circuit 4 in each high level power supply line 15 from the first end 15a to the second end 15b.
  • the light emitting units 22 arranged along the high-level power supply lines 15 among the pixels PIX arranged adjacent to at least a part of the high-level power supply line 15 from the first end 15 a to the second end 15 b.
  • the area of the light emitting unit 22 included in the pixel PIX on the second end 15b side may be larger than the area of the light emitting unit 22 included in the pixel PIX on the first end side.
  • This also includes the luminance of the light emitting unit 22 included in the pixel PIX on the second end 15b side and the pixel PIX on the first end 15a side among the pixels PIX arranged adjacent to at least the partial section.
  • the brightness variation of each pixel PIX can be suppressed as the whole display area.
  • the light emitting unit 22 included in the pixel PIX arranged adjacent to at least a partial section is included in the pixel PIX on the second end 15b side from the light emitting unit 22 included on the pixel PIX on the first end 15a side.
  • the area may gradually increase over the light emitting portion 22 to be displayed. This also makes it possible to suppress variations in the luminance of each pixel PIX over the entire display area of the organic EL display device 1.
  • the high-level power supply line 15 is connected to the pixel from the power supply circuit even when a display device other than the organic EL display device 1, for example, an inorganic EL display device or a liquid crystal display device is used as the display device according to this embodiment. Any wiring may be used as long as it supplies voltage or current to the pixel electrodes arranged every time.
  • the electro-optical element is a liquid crystal layer sandwiched between a pixel electrode and a counter electrode.
  • the transmittance for transmitting light from the backlight is controlled by the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode.
  • FIG. 4 is a plan view showing the configuration of an organic EL display device 1A according to Embodiment 2 of the present invention.
  • the organic EL display device (display device) 1 ⁇ / b> A includes a high level power supply line 15 ⁇ / b> A instead of the high level power supply line 15 of the organic EL display device 1.
  • Other configurations of the organic EL display device 1A are the same as those of the organic EL display device 1.
  • the width Wv of the high-level power supply line 15A is the same as the width WvaA near the first end 15a and the width WvbA near the second end 15b. That is, the high-level power supply line 15A has a constant width Wv from the vicinity of the first end 15a to the vicinity of the second end 15b. Furthermore, the width Wv is constant from the first end 15a to the second end 15b.
  • the area of the light emitting unit 22b in the vicinity of the second end 15b is larger than the area of the light emitting unit 22a in the vicinity of the first end 15a.
  • the area gradually increases from the light emitting portion 22a to the light emitting portion 22b.
  • FIG. 5 is a plan view showing a configuration of an organic EL display device 1B according to Embodiment 3 of the present invention.
  • the organic EL display device (display device) 1B includes a light emitting unit 22B instead of the light emitting unit 22 of the organic EL display device 1.
  • Other configurations of the organic EL display device 1B are the same as those of the organic EL display device 1.
  • the area of the light emitting unit 22aB near the first end 15a of the high level power line 15 and the light emitting unit near the second end 15b of the high level power line 15 are shown.
  • the area of 22bB is the same. That is, the light emitting unit 22B has the same area from the light emitting unit 22aB to the light emitting unit 22bB.
  • the width We of the edge cover 25 is also constant from the width Wea between the adjacent light emitting portions 22aB to the width Web between the adjacent light emitting portions 22bB.
  • Each high-level power supply line 15 has a width in the vicinity of the first end portion 15a that is wider than a width in the vicinity of the second end portion 15b. Further, also in the organic EL display device 1B, as in the organic EL display device 1 (see FIG. 1), the width Wv of each high-level power supply line 15 is changed from the width Wvb in the vicinity of the second end portion 15b to the first end portion 15a. It gradually becomes wider over the neighborhood width Wva.
  • Embodiment 4 of the present invention will be described as follows. For convenience of explanation, members having the same functions as those described in the first to third embodiments are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • FIG. 6 is a plan view showing the configuration of an organic EL display device 1C according to Embodiment 4 of the present invention.
  • the organic EL display device (display device) 1C includes high-level power supply lines 15C1 and 15C2 instead of the high-level power supply line 15, the power supply bus line 5, the high-level power supply circuit 4, and the light emitting unit 22 of the organic EL display device 1.
  • Bus lines 5C1 and 5C2, high level power supply circuits 4C1 and 4C2, and light emitting units 22C1 and 22C2 are provided.
  • Other configurations of the organic EL display device 1C are the same as those of the organic EL display device 1.
  • the high level power supply line 15C1 and the high level power supply line 15C2 are alternately arranged.
  • the high-level power supply line 15C1 is an odd-numbered column high-level power supply line
  • the high-level power supply line 15C2 is an even-numbered column high-level power supply line.
  • Each high-level power supply line 15C1 has a first end 15aC1 and a second end 15bC1 which are both ends.
  • the first end portions 15aC1 are connected to each other by being connected to the power supply bus line 5C1. That is, each first end portion 15aC1 is an end portion on the side close to the power supply bus line 5C1.
  • Each high-level power supply line 15C1 extends from the first end 15aC1 in a direction away from the power supply bus line 5C1.
  • the second end portions 15bC1 are connected to each other by being connected to the connection line 6C1.
  • Each second end 15bC1 is an end opposite to the first end 15aC1, and is an end far from the power supply bus line 5C1 to which the first end 15aC1 is connected.
  • the power supply bus line 5C1 is connected to the high level power supply circuit 4C1 and extends so as to connect the first end 15aC1 of each high level power supply line 15C1.
  • a high level power supply voltage ELVDD is supplied from the high level power supply circuit 4C1 to the power supply bus line 5C1, and the high level power supply voltage ELVDD is supplied to each high level power supply line 15C1 through the power supply bus line 5C1.
  • each high-level power supply line 15C1 gradually increases from the width Wvb near the second end 15bC1 to the width Wva near the first end 15aC1. Furthermore, each high-level power supply line 15C1 gradually becomes wider from the second end 15bC1 to the first end 15aC1.
  • Each high-level power supply line 15C2 has a first end 15aC2 and a second end 15bC2 which are both ends.
  • the first end portions 15aC2 are connected to each other by being connected to the power supply bus line 5C2. That is, each first end portion 15aC2 is an end portion on the side close to the power supply bus line 5C2.
  • Each high-level power supply line 15C2 extends from the first end 15aC2 in a direction away from the power supply bus line 5C2.
  • the second end portions 15bC2 are connected to each other by being connected to the connection line 6C2.
  • Each second end 15bC2 is an end opposite to the first end 15aC2, and is an end far from the power supply bus line 5C2 to which the first end 15aC2 is connected.
  • the power supply bus line 5C2 is connected to the high-level power supply circuit 4C2, and extends so as to connect the first end 15aC2 of each high-level power supply line 15C2.
  • a high level power supply voltage ELVDD is supplied from the high level power supply circuit 4C2 to the power supply bus line 5C2, and the high level power supply voltage ELVDD is supplied to each high level power supply line 15C2 via the power supply bus line 5C2.
  • each high-level power line 15C2 gradually increases from the width Wvb near the second end 15bC2 to the width Wva near the first end 15aC2. Further, each high-level power supply line 15C2 gradually becomes wider from the second end 15bC2 to the first end 15aC2.
  • the power supply bus line 5C1 and the power supply bus line 5C2 are arranged to face each other via the pixels PIX arranged in a matrix.
  • the adjacent high-level power supply line 15C1 and high-level power supply line 15C2 are formed in a comb blade shape in which the positions of the first end portions 15aC1 and 15aC2 and the second end portions 15bC1 and 15bC2 are reversed. That is, the first end 15aC1 of the high level power supply line 15C1 and the second end 15bC2 of the high level power supply line 15C2 are adjacent to each other, the second end 15bC1 of the high level power supply line 15C1 and the high level power supply line 15C2 The first end 15aC2 is adjacent.
  • the high-level power supply voltage ELVDD which is a constant voltage in which variations in voltage values are suppressed, is supplied to each pixel PIX from both directions of the pixels PIX arranged in a matrix.
  • the high level power supply voltage ELVDD can be supplied from the plurality of high level power supply circuits 4C1 and 4C2 to the high level power supply lines 15C1 and 15C2.
  • the high level power supply voltage ELVDD can be stably supplied to the high level power supply lines 15C1 and 15C2.
  • each of the high-level power supply circuits 4C1 and 4C2 can be reduced in size compared to the case where the high-level power supply voltage ELVDD is supplied from one power supply circuit to all the high-level power supply lines. For this reason, the freedom degree of the position which arrange
  • a light emitting unit 22C1 to which the high level power supply voltage ELVDD is supplied from the high level power supply line 15C1 is arranged along the high level power supply line 15C1.
  • the area of the light emitting unit 22bC1 in the vicinity of the second end 15bC1 of the high-level power supply line 15C1 is larger than the area of the light emitting unit 22aC1 in the vicinity of the first end 15aC1. Furthermore, the area gradually increases from the light emitting part 22aC1 to the light emitting part 22bC1.
  • a light emitting section 22C2 to which the high level power supply voltage ELVDD is supplied from the high level power supply line 15C2 is arranged side by side along the high level power supply line 15C2.
  • the area of the light emitting unit 22bC2 in the vicinity of the second end 15bC2 of the high-level power line 15C2 is larger than the area of the light emitting unit 22aC2 in the vicinity of the first end 15aC2. Furthermore, the area gradually increases from the light emitting portion 22aC2 to the light emitting portion 22bC2.
  • the width We of the edge cover 25 is constant from the width WeaC between the adjacent light emitting units 22aC1 and 22bC2 to the width WebC between the adjacent light emitting units 22bC1 and 22aC2.
  • FIG. 7 is a plan view showing the configuration of the high-level power supply line 15D of the organic EL display device according to Embodiment 5 of the present invention.
  • the organic EL display device 1 may include a high level power supply line 15D shown in FIG. 7 instead of the high level power supply line 15.
  • a high level power supply line 15D shown in FIG. 7 instead of the high level power supply line 15.
  • FIG. 7 only one high-level power supply line 15 ⁇ / b> D is shown for simplification, but it is assumed that m lines are arranged in parallel like the high-level power supply line 15.
  • the high-level power supply line 15D has a constant width Wv, but has a plurality of cutouts 15Da for adjusting a resistance value in at least a partial section from the first end 15a to the second end 15b. .
  • the area of the plurality of notches 15Da included per unit length P in the vicinity of the first end 15a of the high-level power supply line 15D is included per unit length P in the vicinity of the second end 15b of the high-level power supply line 15D. Smaller than the area of the plurality of notches 15Da.
  • the area of each notch 15Da is the same when the substrate surface is viewed from the normal direction, and the notch 15Da included per unit length P in the vicinity of the first end 15a of the high-level power supply line 15D.
  • the number is smaller than the number of notches 15Da included per unit length P in the vicinity of the second end 15b of the high-level power supply line 15D.
  • each high-level power supply line 15D has a configuration in which the area per unit length P near the first end 15a is larger than the area per unit length P near the second end 15b. Therefore, the high level power supply voltage ELVDD can be stably supplied from the high level power supply circuit 4 to each high level power supply line 15D.
  • Each high-level power supply line 15D has a notch 15Da included in a unit length P of the section on the first end 15a side in at least a partial section from the first end 15a to the second end 15b.
  • the area only needs to be smaller than the area of the notch 15Da included per unit length P in the section on the second end 15b side.
  • a display device is a display device having a display region in which pixels having first and second electrodes arranged opposite to each other with an electro-optic element interposed therebetween are arranged in a matrix direction.
  • a power supply circuit that is a supply source of a voltage supplied to each first electrode, a power supply line that is connected to the power supply circuit so that a constant voltage is supplied from the power supply circuit, and each of the pixels,
  • a pixel circuit that includes an optical element, the first electrode, and the second electrode, is supplied with the constant voltage from the power line, and controls a signal applied to the electro-optic element, and each power line includes the row Extending along each pixel lined up in the direction or the column direction, and a first end that is an end to which the constant voltage is supplied from the power supply circuit, and a side opposite to the first end
  • Each of the power supplies has a second end that is an end.
  • the resistance value per unit length decreases from the first end side to the second end side in at least a part of the
  • each of the power supply lines has a first end that is an end on the side to which the constant voltage is supplied from the power supply circuit, and an end that is opposite to the first end.
  • the resistance value per unit length near the first end portion is smaller than the resistance value per unit length near the second end portion. Therefore, the constant voltage can be stably supplied from the power supply circuit to each of the power supply lines via the first end portion. Thereby, the gradation voltage can be accurately set and supplied to the first electrode. As a result, it is possible to suppress variation in luminance of each pixel in the entire display area.
  • each power line has a gradually decreasing resistance value from the second end portion to the first end portion.
  • the resistance value in the vicinity of the second end can be sufficiently lowered. Therefore, in each of the power supply lines, the constant voltage can be stably supplied from the power supply circuit from the first end to the second end.
  • each of the power supply lines is a section on the first end side in the at least some section. It is preferable that the area per unit length is larger than the area per unit length of the section on the second end side.
  • each power line is connected to the first end side section in the at least some section. Is preferably wider than the width of the section on the second end side.
  • each of the power supply lines is notched so that a resistance value in at least a part of the section is adjusted. .
  • the display device includes the display device according to aspect 5 described above, wherein the display area is included per unit length of the first end side section in the at least some section when viewed from the normal direction. It is preferable that the area of the cutout is smaller than the area of the cutout included per unit length in the section on the second end side.
  • the resistance value near the first end can be made smaller than the resistance value near the second end.
  • the display device is the display device according to aspects 1 to 6, wherein each of the power supply lines is a comb in which the positions of the first end portion and the second end portion are inverted between adjacent power supply lines. It is preferably formed in a blade shape. According to the above configuration, the constant voltage can be supplied from the plurality of power supply circuits to the power supply lines. As a result, the constant voltage can be supplied to the power lines more stably.
  • a display device is the display device according to the first to seventh aspects, wherein the electric power included in the pixel on the second end side among the pixels arranged adjacent to the at least some section of the power line.
  • the area of the optical element is preferably larger than the area of the electro-optical element included in the pixel on the first end side.
  • a display device is a display device having a display region in which pixels having first and second electrodes arranged opposite to each other with an electro-optic element interposed therebetween are arranged in a matrix direction.
  • a power supply circuit that is a supply source of a voltage supplied to each first electrode, a power supply line that is connected to the power supply circuit so that a constant voltage is supplied from the power supply circuit, and each of the pixels,
  • a pixel circuit that includes an optical element, the first electrode, and the second electrode, is supplied with the constant voltage from the power line, and controls a signal applied to the electro-optic element, and each power line includes the row Extending along each pixel lined up in the direction or the column direction, and a first end that is an end to which the constant voltage is supplied from the power supply circuit, and a side opposite to the first end A second end that is an end, and Of the pixels arranged adjacent to at least a part of the line from the first end to the second end, the area of the electro-optic element included in the
  • the resistance value tends to be higher in the vicinity of the second end portion where the resistance value is integrated than in the vicinity of the first end portion of the power supply lines.
  • the gradation voltage supplied to the first electrode included in the pixel in the vicinity of the second end increases, and the light emitting unit in the vicinity of the second end.
  • the luminance per unit area is more likely to be lower than the luminance per unit area of the light emitting part in the vicinity of the first end.
  • the area of the electro-optic element on the second end side among the pixels arranged adjacent to the at least some section is larger than the area of the electro-optic element on the first end side.
  • the display device according to aspect 10 of the present invention is the display device according to aspect 8 or 9, wherein the electric optical element included in the pixel on the second end side is connected with the electric optical element included in the pixel on the first end side. It is preferable that the area gradually increases from the optical element. According to the above configuration, it is possible to suppress variation in luminance of each pixel in the entire display area.
  • the power supply lines are connected to the first end portions adjacent to each other.
  • the second end portions adjacent to each other are connected to each of the power supply lines.
  • the first electrode is formed in an island shape for each pixel, and the second electrode is formed continuously over each pixel.
  • the second electrode is supplied with a constant voltage different from the constant voltage. According to the above configuration, it is possible to obtain a display device in which variation in luminance of each pixel is suppressed as the entire display region.
  • the display device according to aspect 14 of the present invention preferably includes an organic EL element as the electro-optical element in the above aspects 1 to 13. According to the above configuration, it is possible to obtain an organic EL display device in which variation in luminance of each pixel is suppressed as the entire display region.

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Abstract

有機ＥＬ表示装置（１）は、各ハイレベル電源線（１５）の両端部のうち、電源回路（４）からハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が供給されてくる側の第１端部（１５ａ）から第２端部（１５ｂ）へ至る少なくとも一部区間において、第１端部（１５ａ）側から第２端部（１５ｂ）側にかけて小さい。これにより、各画素の輝度のバラツキを抑制する。

Description

表示装置
　本発明は、表示装置に関する。
　特許文献１のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルでは、走査ドライバＩＣに接続された複数の走査電極と、駆動ドライバＩＣに接続された複数の駆動電極とが交差している。そして、駆動電極の配線抵抗を、走査ドライバＩＣに近い側では相対的に大きい抵抗とし、走査ドライバＩＣに遠い側では相対的に小さい抵抗としている。
　特許文献１によると、これにより、走査ドライバＩＣに接続されている走査電極の配線抵抗によって生じる、矩形波である上記駆動ドライバＩＣの出力電圧の波形のなまりを抑制できるとされている。
日本国公開特許公報「特開２００１‐８３９３４号」
　有機ＥＬ表示装置等の各種表示装置では、走査ドライバＩＣおよび駆動ドライバＩＣ以外にも、各画素の階調に応じた電圧を生成するための一定電圧を供給する電源回路が配置される。電源回路には、複数の電源線が接続されており、各電源線は、電源回路から離れる方向に延伸する。
　そして、各電源線に供給される一定電圧から、画素毎に電圧が調整されて、当該調整された電圧が各画素電極に供給される。
　図８に示す有機ＥＬ表示装置１０１には、画素がマトリクス状に配置された表示領域１０５に隣接して、各画素に一定電圧を各画素に供給するための電源回路が搭載されたドライバ１０２が配置されている。図示しないが、表示領域１０５には、ドライバ１０２と一方の端部が接続され、他方の端部にかけてドライバ１０２から離れる方向に延伸して各電源線が配置されている。
　各画素に含まれ画素電極からの印加電圧によって発光する発光部の面積を、ドライバ１０２に近い側から遠い側にかけて全て一定にし、また、各電源線の幅を、ドライバ１０２に近い側から遠い側にかけて一定にする。すると、各電源線において、ドライバ１０２に近い側近傍よりも遠い側近傍の方が、配線抵抗が加算されることで抵抗値が上昇し、画素電極に供給される電圧値が上昇する。この結果、表示領域１０５における、ドライバ１０２から遠い側の領域Ｚでは画素の輝度が暗くなる。この結果、表示領域１０５全体として輝度バラツキが生じる。
　特許文献１では、この電源線の配線抵抗について何ら考慮されていない。例えば、電源線の両端部のうち、電源回路に近い側の端部（電圧が供給されてくる側の端部）近傍の抵抗値を相対的に大きくすると、電源線毎に、供給されてくる一定電圧の値が不安定となってしまい、各画素の輝度のバラツキが増大してしまうことになる。
　本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、各画素の輝度のバラツキが抑制された表示装置を得ることである。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示装置は、電気光学素子を介在させて対向配置された第１電極および第２電極を有する画素が行列方向に配置された表示領域を有する表示装置であって、上記各第１電極に供給される電圧の供給源である電源回路と、上記電源回路と接続されることで当該電源回路から一定電圧が供給される電源線と、上記各画素に配置され、上記電源線から上記一定電圧が供給され、上記電気光学素子に与える信号を制御する画素回路とを備え、上記各電源線は、上記行方向または列方向に並ぶ各画素に沿って延伸しており、上記電源回路から上記一定電圧が供給されてくる側の端部である第１端部と、当該第１端部とは逆側の端部である第２端部とを有し、上記各電源線は、上記第１端部から上記第２端部へ至る少なくとも一部区間において、単位長さ当たりの抵抗値が、上記第１端部側から上記第２端部側にかけて小さくなっていることを特徴とする。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示装置は、電気光学素子を介在させて対向配置された第１電極および第２電極を有する画素が行列方向に配置された表示領域を有する表示装置であって、上記各第１電極に供給される電圧の供給源である電源回路と、上記電源回路と接続されることで当該電源回路から一定電圧が供給される電源線と、上記各画素に配置され、上記電源線から上記一定電圧が供給され、上記電気光学素子に与える信号を制御する画素回路とを備え、上記各電源線は、上記行方向または列方向に並ぶ各画素に沿って延伸しており、上記電源回路から上記一定電圧が供給されてくる側の端部である第１端部と、当該第１端部とは逆側の端部である第２端部とを有し、上記各電源線における上記第１端部から上記第２端部へ至る少なくとも一部区間に隣接して並ぶ画素のうち、上記第２端部側の上記画素に含まれる上記電気光学素子の面積は、上記第１端部側の上記画素に含まれる上記電気光学素子の面積より大きいことを特徴とする。
　本発明の一態様によれば、各画素の輝度のバラツキが抑制された表示装置を得るという効果を奏する。
本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す平面図である。 本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す断面図である。 本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の画素回路の構成を表す図である。 本発明の実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す平面図である。 本発明の実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す平面図である。 本発明の実施形態４に係る有機ＥＬ表示装置の構成を表す平面図である。 本発明の実施形態５に係る有機ＥＬ表示装置の電源線の構成を表す図である。 従来の有機ＥＬ表示装置の構成を表す図である。
　〔実施形態１〕
　本発明の実施形態１について、図１～図３に基づいて説明する。
　なお、本実施形態に係る表示装置として、有機ＥＬ表示装置を一例にして説明する。しかし、本実施形態にかかる表示装置は、複数の電気光学素子を備えた表示装置であれば、特に、有機ＥＬ表示装置に限定されるものではない。上記電気光学素子としては、電流によって輝度または透過率が制御される電気光学素子と、電圧によって輝度または透過率が制御される電気光学素子とがある。電流制御の電気光学素子を備えた表示装置としては、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）表示装置、又は無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬ表示装置等のＥＬディスプレイＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤ表示装置等がある。また、電圧制御の電気光学素子を備えた表示装置としては、液晶表示装置等がある。実施形態２以降についても同様である。
　（有機ＥＬ表示装置１の全体構成）
　図１および図２を用いて、有機ＥＬ表示装置（表示装置）１の全体構成について説明する。図１は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成を表す平面図である。図２は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成を表す断面図である。
　図１および図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、マトリクス状に配置された画素ＰＩＸによって画像を表示する領域である表示領域を有する。さらに、有機ＥＬ表示装置１は、表示領域の周囲を囲み画素ＰＩＸが配置されていない周辺領域である額縁領域（不図示）を有している。有機ＥＬ表示装置１はフレキシブル性を有する表示装置（湾曲させることが可能な表示装置）であってもよいし、フレキシブル性を有さない表示装置（湾曲させることができない表示装置）であってもよい。
　有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板１０上に、第１電極２１と、発光部（電気光学素子）２２と、エッジカバー２５と、第２電極２３と、封止層３０とが形成された構成を有している。有機ＥＬ表示装置１は、各画素ＰＩＸを駆動させるための図示しない駆動回路を備えている。有機ＥＬ表示装置１は、さらに、タッチパネルを備えていてもよい。
　ＴＦＴ基板１０は、支持体１１と、トランジスタＴ２と、データ線Ｓ（ｍ）と、走査信号線Ｇ（ｎ）と、ハイレベル電源線１５と、パッシベーション膜１６と、層間絶縁膜１７とを有する。なお、ｍ、ｎは自然数である。
　支持体１１は、プラスチックフィルム、またはガラス基板などの透明な絶縁性の材料からなる。有機ＥＬ表示装置１を、フレキシブル性を有する表示装置として構成する場合は、支持体１１をプラスチックフィルムから構成すればよい。または、有機ＥＬ表示装置１を、フレキシブル性を有さない表示装置として構成する場合は、支持体１１をガラス基板からから構成すればよい。
　トランジスタＴ２、データ線Ｓ（ｍ）、走査信号線Ｇ（ｎ）およびハイレベル電源線１５は支持体１１に形成されている。
　トランジスタＴ２は、走査信号線Ｇ（ｎ）からの走査信号により、データ線Ｓ（ｍ）からのデータ信号の書き込みを制御するトランジスタである。トランジスタＴ２は、支持体１１上又は他の層を介して、各画素ＰＩＸに形成されている。トランジスタＴ２は、図示しないが、半導体層、ゲート電極、ドレイン電極およびソース電極を有している。
　データ線Ｓ（ｍ）は、トランジスタＴ２のドレイン電極およびソース電極と同層に形成され、ソース電極と接続されている。データ線Ｓ（ｍ）は、互いに平行になるようにｍ本形成されている。走査信号性Ｇ（ｎ）は、トランジスタＴ２のゲート電極と同層に形成され、ゲート電極と接続されている。走査信号性Ｇ（ｎ）は互いに平行になるようにｎ本形成されている。
　データ線Ｓ（ｍ）と走査信号線Ｇ（ｎ）とは交差している。データ線Ｓ（ｍ）と走査信号線Ｇ（ｎ）とによって区画されることで画素ＰＩＸが形成されている。
　データ線Ｓ（ｍ）の一方の端部にはソースドライバ２が接続されており、走査信号線Ｇ（ｎ）の一方の端部にはゲートドライバが接続されている。
　ハイレベル電源線１５は、本実施形態ではデータ線Ｓ（ｍ）と平行に形成されている。ハイレベル電源線１５も互いに平行になるようにｎ本形成されている。ハイレベル電源線１５は、各画素ＰＩＸに、一定電圧であるハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給するための配線である。
　各ハイレベル電源線１５は、両端部である第１端部１５ａおよび第２端部１５ｂを有する。各第１端部１５ａは電源バスライン５に接続されることで、隣接する第１端部１５ａ同士が互いに接続されている。すなわち、各第１端部１５ａは電源バスライン５に近い側の端部である。各ハイレベル電源線１５は、第１端部１５ａから、電源バスライン５から離れる方向に延伸している。
　各第２端部１５ｂは接続ライン６に接続されることで、隣接する第２端部１５ｂ同士が互いに接続されている。各第２端部１５ｂは第１端部１５ａとは逆側の端部であり、第１端部１５ａが接続されている電源バスライン５から遠い側の端部である。すなわち、ハイレベル電源線１５の両端部のうち、第１端部１５ａはハイレベル電源回路４に近い側の端部であり、第２端部１５ｂはハイレベル電源回路４から遠い側の端部である。
　電源バスライン５はハイレベル電源回路４と接続されており、各ハイレベル電源線１５の第１端部１５ａを接続するように延伸している。電源バスライン５には、ハイレベル電源回路４からハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが供給され、この電源バスライン５を介して、各ハイレベル電源線１５にハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが供給される。
　各画素ＰＩＸは、このデータ線Ｓ（ｍ）、走査信号線Ｇ（ｎ）、ハイレベル電源線１５およびトランジスタＴ２を含む画素回路が形成されている。画素回路には、これ以外にも、トランジスタおよびコンデンサが形成されている。この画素回路についての詳細な構成は図３を用いて後述する。
　パッシベーション膜１６はトランジスタＴ２等における金属膜の剥離を防止し、トランジスタＴ２等の各トランジスタを保護する。パッシベーション膜１６は支持体１１上又は他の層を介して形成されており、トランジスタＴ２等の各トランジスタを覆っている。パッシベーション膜１６は、窒化シリコンや酸化シリコンなどからなる無機絶縁性膜である。
　層間絶縁膜１７は、パッシベーション膜１６上の凹凸を平坦化する。層間絶縁膜１７はパッシベーション膜１６上に形成されている。層間絶縁膜１７はアクリルまたはポリイミドなどの感光性樹脂からなる有機絶縁膜である。
　第１電極２１と第２電極２３とは一対の電極である。本実施形態では、第１電極２１は陽極であり、第２電極２３は陰極であるものとする。
　第１電極２１は、層間絶縁膜１７上に形成されている。第１電極２１は、発光部２２に正孔（ホール）を注入（供給）し、第２電極２３は、発光部２２に電子を注入する。第１電極２１と第２電極２３とは、発光部２２を介在させて対向配置されている。
　発光部２２は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子である。発光部２２は、第１電極２１と第２電極２３との間に形成されている。発光部２２は、後述する画素回路によって、発光する輝度が制御される。なお、画素ＰＩＸ内に配置され、第１電極２１と発光部２２と第２電極２３とを含む構成を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと称する場合がある。
　発光部２２に注入された正孔と電子とは、発光部２２において再結合されることによって、励起子が形成される。形成された励起子は励起状態から基底状態へと失活する際に、赤色光、緑色光、または青色光などの光を放出し、その放出された光が、発光部２２から第２電極２３および封止層３０を透過して有機ＥＬ表示装置１の外部に出射される。
　発光部２２は、基板面を法線方向から見た場合、エッジカバー２５に囲まれた領域内に配置されている。なお、発光部２２は、画像を表示する際、実際に発光する（画像表示に寄与する）発光部であって、ダミーとして形成された発光しない（画像表示に寄与しない）発光部は含まないものとする。
　発光部２２は、両端に配置された発光部２２ａ・２２ｂを含む。発光部２２ａ・２２ｂは、画像を表示する際、実際に発光する両端に位置する発光部である。
　発光部２２ａは、ハイレベル電源線１５に沿って並んで配置されている発光部２２のうち、ハイレベル電源線１５が接続されている電源バスライン５に一番近い側（すなわちハイレベル電源回路４に一番近い側）の端に位置する発光部である。発光部２２ｂは、ハイレベル電源線１５に沿って並んで配置されている発光部２２のうち、ハイレベル電源線１５が接続されている電源バスライン５から一番遠い側（すなわちハイレベル電源回路４から一番遠い側）の端に位置する発光部である。
　なお、ハイレベル電源線１５の第１端部１５ａ近傍とは、ハイレベル電源線１５のうち発光部２２ａと隣接する領域である。ハイレベル電源線１５の第２端部１５ｂ近傍とは、ハイレベル電源線１５のうち発光部２２ｂと隣接する領域である。
　本実施形態では、発光部２２ｂの面積は、発光部２２ａの面積より大きい。特に本実施形態では、各発光部２２の面積は、発光部２２ｂから発光部２２ａにかけて次第に大きくなっている。
　第１電極２１は、層間絶縁膜１７およびパッシベーション膜１６に形成されたコンタクトホールを介して、トランジスタＴ２のドレイン電極と電気的に接続されている。第１電極２１は、画素ＰＩＸ毎に島状に形成されており、マトリクス状に並んでパターン形成された画素電極である。
　また、第１電極２１は反射電極である。第１電極２１は、発光部２２から発光された光のうち、第１電極２１が配置されている方向に向かう光を反射し、発光部２２、第２電極２３および封止層３０を透過させて、有機ＥＬ表示装置１の外部へ出射させる。
　第１電極２１は、反射率が高い導電材料から構成することができる。一例として、第１電極２１は、銀、または、銀-パラジウム-銅合金などの銀合金から形成することができる。
　なお、第１電極２１と層間絶縁膜１７との間に、第１電極２１と層間絶縁膜１７との密着性を向上させるための、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ(Indium Zinc Oxide)などからなる導電膜を形成してもよい。さらに、第１電極２１上に、有機ＥＬ表示装置１の製造過程において第１電極２１を保護するための、例えばＩＴＯまたはＩＺＯなどからなる導電膜を形成してもよい。
　エッジカバー２５は、第１電極２１の縁を覆うように層間絶縁膜１７上に格子状に形成されている。
　エッジカバー２５は、隣接する画素ＰＩＸ間に配置される。つまり、エッジカバー２５は隣接する画素ＰＩＸ間を区切る。エッジカバー２５は、発光部２２の縁が薄く形成された場合であっても第１電極２１と第２電極２３とが短絡することを防止する。また、エッジカバー２５を設けることによって、第１電極２１の縁における電界集中を防ぐ。これにより、発光部２２の劣化を防止することができる。エッジカバー２５は、アクリルまたはポリイミドなどの感光性樹脂から構成することができる。
　発光部２２は、エッジカバー２５に囲まれた領域内に形成されている。発光部２２は、エッジカバー２５の内壁と接触している。発光部２２をインクジット法にて形成する場合、エッジカバー２５は、発光部２２となる液状材料を堰き止めるバンク（土手）として機能する。
　発光部２２は、蒸着法、インクジェット法などによって形成することができる。発光部２２は、第１電極２１側から、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等が、この順に積層された構成を有している。なお、一つの層が複数の機能を有していてもよい。例えば、正孔注入層および正孔輸送層に代えて、これら両層の機能を有する正孔注入層兼正孔輸送層が設けられていてもよい。また、電子注入層および電子輸送層に代えて、これら両層の機能を有する電子注入層兼電子輸送層が設けられていてもよい。また、各層の間に、適宜、キャリアブロッキング層が設けられていてもよい。
　第２電極２３は、発光部２２上およびエッジカバー２５上を含む表示領域全面に形成されている。すなわち、第２電極２３は各画素ＰＩＸに跨って連続して形成されている。なお、第２電極２３は画素ＰＩＸ毎に島状にパターン形成してもよい。第２電極２３は、透明な導電材料から構成されている。第２電極２３は、一例として、ＩＴＯまたはＩＺＯなどから構成することができる。
　封止層３０は、第２電極２３上およびエッジカバー２５上に形成されている。封止層３０は、表示領域および額縁領域の全面を封止する。封止層３０は、発光部２２を薄膜封止（TFE：Thin Film Encapsulation）することで、外部から浸入した水分や酸素によって発光部２２が劣化するのを防止する。
　封止層３０は、一例として、無機層、有機層、および無機層がこの順に積層された３層構造とすることができる。上記有機層の材料としては、例えば、ポリシロキサン、酸化炭化シリコン（ＳｉＯＣ）、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機絶縁材料（樹脂材料）が挙げられる。上記無機層の材料としては、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、Ａｌ２Ｏ３等の無機絶縁材料が挙げられる。なお、封止層３０の構造は、上述した３層構造に限定されるものではない。
　本実施形態では、第１電極２１が陽極（パターン電極、画素電極）であり、第２電極２３が陰極（共通電極）であるものとして説明している。しかし、第１電極２１が陰極であり、第２電極２３が陽極であってもよい。但し、この場合、発光部２２を構成する各層の順序は反転する。
　さらに、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置１を、発光部２２から発光された光を、封止層３０側から外部へ出射させるトップエミッション型であるものとして説明している。しかし、有機ＥＬ表示装置１が、発光部２２から発光された光を、支持体１１の裏面側から外部へ出射させるボトムエミッション型である場合には、第２電極２３を、第１電極２１と同様の構成にし、第１電極２１を、透明または半透明の透光性電極材料からなる、透明電極または半透明電極で構成する。
　（画素回路）
　図１及び図３を用いて、有機ＥＬ表示装置１の画素回路５２の構成について説明する。
　図３は、本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の画素回路５２の構成を表す図である。図３では、ｍ列ｎ行に対応する画素回路５２の構成を示している。なお、ここで説明する画素回路５２の構成は一例であって、他の公知の構成を採用することもできる。
　上述のように、有機ＥＬ表示装置１の表示領域には、複数のデータ線Ｓ（ｍ）およびこれらに直交する複数の走査信号線Ｇ（ｎ）が配設されている。また、表示領域には、複数の走査信号線Ｇ（ｎ）と１対１で対応するように、複数の発光制御線ＥＭ（n）が配設されている。さらに、表示領域には複数のデータ線Ｓ（ｍ）と複数の走査信号線Ｇ（n）との交差点に対応するように、画素回路５２が設けられている。このように画素回路５２が設けられることによって、複数の画素ＰＩＸがマトリクス状に表示領域に形成されている。
　表示領域には、各画素回路５２に共通の電源線が形成されている。より詳細には、有機ＥＬ素子を駆動するためのハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給するハイレベル電源線１５、有機ＥＬ素子を駆動するためのローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する電源線（以下、「ローレベル電源線」という。）、および初期化電圧Ｖｉｎｉを供給する電源線（以下、「初期化電源線」という。）が形成されている。ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤはハイレベル電源回路４から供給される。ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳおよび初期化電圧Ｖｉｎｉは、図示しない電源回路から供給される。
　画素回路５２は、ハイレベル電源線１５からハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが供給され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに含まれる発光部２２（図１、図２参照）に与える信号を制御する。
　画素回路５２は、１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと６個のトランジスタＴ１～Ｔ６と１個のコンデンサＣ１とを含んでいる。トランジスタＴ１～Ｔ６は、ｐチャネル型のトランジスタである。コンデンサＣ１は、２つの電極（第１電極および第２電極）からなる容量素子である。トランジスタＴ１は駆動トランジスタであり、トランジスタＴ２は書き込み制御トランジスタであり、トランジスタＴ３は電源供給制御トランジスタであり、トランジスタＴ４は発光制御トランジスタであり、トランジスタＴ５は閾値電圧補償トランジスタであり、トランジスタＴ６は初期化トランジスタである。
　ハイレベル電源回路４は、電源バスライン５及びハイレベル電源回路４を介して、コンデンサＣ１およびトランジスタＴ３と接続されている。
　有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、第１電極２１（図２参照）をアノードとし、第２電極２３（図２参照）をカソードとするダイオードであると考えることができる。第１電極２１には表示する画像に応じた電圧が印加される。第２電極２３には、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤとは異なる一定電圧であるローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳが供給される。
　有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード（第１電極２１）は、トランジスタＴ４と接続されており、トランジスタＴ４はトランジスタＴ５と接続されており、トランジスタＴ５はコンデンサＣ１と接続されている。
　データ線Ｓ（ｍ）は、トランジスタＴ２と接続されており、トランジスタＴ２はトランジスタＴ３と接続されており、トランジスタＴ３はハイレベル電源線１５およびコンデンサＣ１と接続されている。
　コンデンサＣ１と、トランジスタＴ１～Ｔ５は、電圧変換回路５３を構成している。電圧変換回路５３は、ハイレベル電源線１５および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード（第１電極２１）と接続されている。電圧変換回路５３は、ハイレベル電源線１５から供給されるハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを、表示する画像（表示画像）の階調レベルに応じた電圧に変換し、この変換した表示画像に応じた電圧を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード（第１電極２１）に供給する。
　走査信号線Ｇ（ｎ－１）から走査信号が入力されると、走査信号線Ｇ（ｎ－１）にゲート電極が接続されたトランジスタＴ６がオフからオンへ切り換わり、トランジスタＴ６に供給される初期化電圧ＶｉｎｉによりコンデンサＣ１が初期化される。そして、トランジスタＴ６はオンからオフへと切り換わる。これにより、ハイレベル電源線１５を介してハイレベル電源回路４から、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤがコンデンサＣ１に供給され、コンデンサＣ１に電荷が蓄積される。
　そして、発光制御線ＥＭ（ｎ）から発光制御信号が入力されると、発光制御線ＥＭ（ｎ）にゲート電極が接続されたトランジスタＴ４・Ｔ３がオフからオンへと切り換わる。
　次いで、走査信号線Ｇ（ｎ）から走査信号が入力されると、走査信号線Ｇ（ｎ）にゲート電極が接続されたトランジスタＴ５・Ｔ２がオフからオンへと切り換わる。これにより、コンデンサＣ１に蓄積された電荷がトランジスタＴ３・Ｔ２を介してデータ線Ｓ（ｍ）へ所定量引き抜かれ、コンデンサＣ１に蓄積された残りの電荷によって、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへ出力されるべき表示画像に応じた電圧が、トランジスタＴ５・Ｔ４を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへ供給される。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおいて、アノード（第１電極２１）に供給される表示画像に応じた電圧と、カソード（第２電極２３）に供給されている一定電圧であるローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳとによって、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ内の発光部Ｌが発光する。
　（効果）
　このように、有機ＥＬ表示装置１は、ハイレベル電源回路４に接続された各ハイレベル電源線１５と、各画素ＰＩＸに配置された画素回路５２とを有する。各画素ＰＩＸにおいて、画素回路５２は、ハイレベル電源線１５から供給されるハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが供給され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに含まれる発光部２２を、表示画像に応じた所定の輝度で発光する。
　ここで、各ハイレベル電源線１５の両端部のうち、第１端部１５ａは電源バスライン５に接続された電源バスライン５に近い側の端部であり、逆側の第２端部１５ｂは電源バスライン５から遠い側の端部である。各ハイレベル電源線１５には、電源バスライン５を介して、ハイレベル電源回路４から、一定電圧であるハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが供給される。
　このため、各ハイレベル電源線において、両端部のうち、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが供給されてくる側の第１端部の方が、逆側の第２端部よりも抵抗が大きい場合、一定電圧であるハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの電圧値が、ハイレベル電源線毎にバラツキ易くなる。
　そこで、図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、各ハイレベル電源線１５において、両端部のうち、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが供給されてくる側の第１端部１５ａ近傍の単位長さ当たりの抵抗値を、逆側の第２端部１５ｂ近傍の当該単位長さ当たりの抵抗値よりも小さくしている。
　具体的には、有機ＥＬ表示装置１の表示領域を法線方向から見たとき、各ハイレベル電源線１５は、第１端部１５ａ近傍の単位長さ当たりの面積が、第２端部１５ｂ近傍の当該単位長さ当たりの面積よりも大きくなっている。
　さらに具体的には、有機ＥＬ表示装置１の表示領域を法線方向から見たとき、各ハイレベル電源線１５は、第１端部１５ａ近傍の幅Ｗｖａが、第２端部１５ｂ近傍の幅Ｗｖｂよりも太い。
　このため、ハイレベル電源回路４から一定電圧であるハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを、第１端部１５ａを介して各ハイレベル電源線１５それぞれに安定して供給することができる。これにより、電圧変換回路５３は、供給されてきたハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤから、階調電圧を正確に設定して第１電極２１に供給することができる。この結果、表示領域全体として各画素ＰＩＸの輝度のバラツキを抑えることができる。
　特に、本実施形態においては、各ハイレベル電源線１５において、第２端部１５ｂ側から第１端部１５ａ側にかけて次第にハイレベル電源線１５の幅Ｗｖが太くなっている。これにより、各ハイレベル電源線１５において、配線抵抗によって抵抗値が高くなる第２端部１５ｂ近傍の抵抗値を十分に下げることができる。このため、各ハイレベル電源線１５において、第１端部１５ａから第２端部１５ｂに至るまで安定してハイレベル電源回路４からハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給することができる。
　ここで、各ハイレベル電源線１５のうち、第１端部１５ａ近傍よりも、配線抵抗により抵抗値が積算される第２端部１５ｂ近傍の方が、抵抗値が高くなりやすい。第２端部１５ｂ近傍の抵抗値が高くなると、電圧変換回路５３から第２端部１５ｂ近傍の画素ＰＩＸに含まれる第１電極２１へ供給される電圧は表示画像に応じた電圧よりも高くなり、第２端部１５ｂ近傍の発光部２２ｂの単位面積当たりの光量は、第１端部１５ａ近傍の発光部２２ａの単位面積当たりの光量よりも低下しやすい。
　しかし、本実施形態においては、各ハイレベル電源線１５において、第１端部１５ａ近傍の幅を通常の幅よりも太くしているため、第２端部１５ｂの抵抗値も、通常のハイレベル電源線よりも小さくなる。
　例えば、５．５インチ、１４４０（ｐｉｘ）×２５６０（ｐｉｘ）、ペンタイル方式の有機ＥＬ表示装置用のパネルを例に挙げる。ハイレベル電源線の配線幅を４μｍ、ハイレベル電源線の配線幅と直交する方向における１画素当たりの長さを４８μｍとする。
　従来の有機ＥＬ表示装置におけるハイレベル電源線は、電源バスラインと接続された側である一方の端部から、逆側の接続ラインに接続された側である他方の端部にかけて、幅が４μｍで一定である。このため、有機ＥＬ表示装置におけるハイレベル電源線の１画素当たりの面積は１９２μｍ２となる。そして、ハイレベル電源線において、一方の端部に対して他方の端部は０．０２１ｍＶ／ｐｉｘの電圧降下が生じる。よって、ハイレベル電源線のうち他方の端部では、一方の端部から抵抗値が積算されて、５３．７６ｍＶの電圧降下が生じる。
　また、例えば、４００ｃｄ／ｍ２のパネルにおいて１ｍＶ電圧降下が生じると、１ｃｄ／ｍ２の輝度が低下する。つまり、従来の有機ＥＬ表示装置においては、電源バスライン近傍の画素の輝度と比べて、逆側の接続ライン近傍の画素の輝度は、５３．７５ｃｄ／ｍ２程度低下する。
　一方、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１によると、ハイレベル電源線１５において、電源バスライン５と接続されている側である第１端部１５ａの幅を従来よりも広い幅とする。一例として第１端部１５ａの幅を６μｍ程度とする。そして、ハイレベル電源線１５における逆側の接続ライン６と接続されている側である第２端部１５ｂの幅を、従来と同程度とする。一例として第２端部１５ｂの幅を４μｍ程度とする。これにより、ハイレベル電源線１５の配線の面積は、上述した従来のハイレベル電源線の配線の面積よりも、１．２５倍となる。つまり、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１によると、従来の有機ＥＬ表示装置に比べて、ハイレベル電源線の抵抗値が０．８倍となる。このため、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１においては、電源バスライン５近傍の画素ＰＩＸの輝度に対する、逆側の接続ライン６近傍の画素ＰＩＸの輝度の低下、４３ｃｄ／ｍ２程度に抑えることができる。
　さらに、本実施形態においては、各ハイレベル電源線１５に沿って並ぶ発光部２２のうち、第２端部１５ｂ近傍の発光部２２ｂの面積は、第１端部１５ａ近傍の発光部２２ａの面積よりも大きくなっている。このため、第２端部１５ｂ近傍の発光部２２ｂ全体としての輝度と、第１端部１５ａ近傍の発光部２２ａ全体としての輝度との差を抑えることができる。この結果、表示領域全体として各画素ＰＩＸの輝度のバラツキを抑えることができる。
　有機ＥＬ表示装置１においては、発光部２２ａから、発光部２２ｂにかけて次第に面積が大きくなっているため、有機ＥＬ表示装置１の表示領域全体として、各画素ＰＩＸの輝度のバラツキを抑えることができる。
　本実施形態では、ハイレベル電源線１５の幅Ｗｖを、幅Ｗｖａから幅Ｖｂにかけて次第に細くしている。このため、ハイレベル電源線１５に沿って、発光部２２の面積を発光部２２ａから発光部２２ｂにかけて次第に大きくするスペースを確保することができる。
　ハイレベル電源線１５に沿って延伸するエッジカバー２５の幅を幅Ｗｅとする。そして、幅Ｗｅのうち、互いに隣接する発光部２２ａ同士の幅を幅Ｗｅａとし、互いに隣接する発光部２２ｂ同士の幅を幅Ｗｅｂとする。本実施の形態においては、幅Ｗｅａから、幅Ｗｅｂにかけて、発光部２２毎に、次第に幅を広くしている。これによって、発光部２２の面積を、発光部２２ａから発光部２２ｂにかけて次第に広くする構成としている。
　なお、各ハイレベル電源線１５は、第１端部１５ａから第２端部１５ｂへ至る少なくとも一部区間において、単位長さ当たりの抵抗値が、第１端部１５ａ側から第２端部１５ｂ側にかけて小さくなっていればよい。具体的には、各ハイレベル電源線１５は、第１端部１５ａから第２端部１５ｂへ至る少なくとも一部区間において、第１端部１５ａ側の区間の単位長さ当たりの面積が、第２端部１５ｂ側の区間の当該単位長さ当たりの面積よりも大きくてもよい。さらに具体的には、有機ＥＬ表示装置１の表示領域を法線方向から見たとき、各ハイレベル電源線１５は、第１端部１５ａから第２端部１５ｂへ至る少なくとも一部区間において、第１端部１５ａ側の区間の幅が、第２端部１５ｂ側の区間の幅よりも太くてもよい。
　これによっても、各ハイレベル電源線１５において、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが供給されてくる側である第１端部１５ａ側の抵抗値を下げることができるため、画素回路５２は、発光部２２を表示画像に応じた輝度に、安定して発光させることができる。
　特に、各ハイレベル電源線１５は、第１端部１５ａから第２端部１５ｂへ至る少なくとも一部区間において、第１端部１５ａ側から第２端部１５ｂ側にかけて次第にハイレベル電源線１５の幅を太くしてもよい。これにより、上記少なくとも一部区間を含む上記ハイレベル電源線１５において、配線抵抗によって抵抗値が高くなる第２端部１５ｂ近傍の抵抗値を十分に下げることができる。これによっても、各ハイレベル電源線１５において、第１端部１５ａから第２端部１５ｂに至るまで安定してハイレベル電源回路４からハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給することができる。
　さらに、各ハイレベル電源線１５に沿って並ぶ発光部２２のうち、ハイレベル電源線１５における第１端部１５ａから第２端部１５ｂへ至る少なくとも一部区間に隣接して並ぶ画素ＰＩＸのうち、第２端部１５ｂ側の画素ＰＩＸに含まれる発光部２２の面積は、第１端部側の画素ＰＩＸに含まれる発光部２２の面積より大きくてもよい。これによっても、上記少なくとも一部区間に隣接して並ぶ画素ＰＩＸのうち、第２端部１５ｂ側の画素ＰＩＸに含まれる発光部２２の輝度と、第１端部１５ａ側の画素ＰＩＸに含まれる発光部２２の輝度との差を抑えることができるため、表示領域全体として各画素ＰＩＸの輝度バラツキを抑えることができる。また、上記少なくとも一部区間に隣接して並ぶ画素ＰＩＸに含まれる発光部２２は、第１端部１５ａ側の画素ＰＩＸに含まれる発光部２２から、第２端部１５ｂ側の画素ＰＩＸに含まれる発光部２２にかけて次第に面積が大きくなっていてもよい。これによっても、有機ＥＬ表示装置１の表示領域全体として、各画素ＰＩＸの輝度のバラツキを抑えることができる。
　なお、ハイレベル電源線１５は、本実施形態に係る表示装置として有機ＥＬ表示装置１以外の表示装置、例えば、無機ＥＬ表示装置または液晶表示装置を用いる場合であっても、電源回路から、画素毎に配置された画素電極に、電圧または電流を供給するための配線であればよい。
　また、表示装置を、有機ＥＬ表示装置ではなく、液晶表示装置を用いて構成する場合、電気光学素子は、画素電極と対向電極とに挟まれた液晶層である。この画素電極と対向電極に挟まれた液晶層は、画素電極と対向電極との間の電位差によって、バックライトからの光を透過する透過率が制御される。
　〔実施形態２〕
　本発明の実施形態２について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図４は、本発明の実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置１Ａの構成を表す平面図である。有機ＥＬ表示装置（表示装置）１Ａは、有機ＥＬ表示装置１のハイレベル電源線１５に換えて、ハイレベル電源線１５Ａを備えている。有機ＥＬ表示装置１Ａの他の構成は、有機ＥＬ表示装置１と同様である。
　ハイレベル電源線１５Ａの幅Ｗｖは、第１端部１５ａ近傍の幅ＷｖａＡと、第２端部１５ｂ近傍の幅ＷｖｂＡとが同じである。すなわち、ハイレベル電源線１５Ａは、第１端部１５ａ近傍から第２端部１５ｂ近傍にかけて幅Ｗｖが一定である。さらに、第１端部１５ａから第２端部１５ｂにかけて幅Ｗｖが一定である。
　各ハイレベル電源線１５Ａに沿って並ぶ発光部２２のうち、第２端部１５ｂ近傍の発光部２２ｂの面積は、第１端部１５ａ近傍の発光部２２ａの面積よりも大きくなっている。
　さらに、有機ＥＬ表示装置１Ａにおいても、有機ＥＬ表示装置１と同様に、発光部２２ａから、発光部２２ｂにかけて次第に面積が大きくなっている。
　このような有機ＥＬ表示装置１Ａによっても、表示領域全体として、各画素ＰＩＸの輝度のバラツキを抑えることができる。
　〔実施形態３〕
　本発明の実施形態３について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１、２にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図５は、本発明の実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置１Ｂの構成を表す平面図である。
　有機ＥＬ表示装置（表示装置）１Ｂは、有機ＥＬ表示装置１の発光部２２に換えて、発光部２２Ｂを備えている。有機ＥＬ表示装置１Ｂの他の構成は、有機ＥＬ表示装置１と同様である。
　ハイレベル電源線１５に沿って並ぶ発光部２２Ｂのうち、ハイレベル電源線１５の第１端部１５ａ近傍の発光部２２ａＢの面積と、ハイレベル電源線１５の第２端部１５ｂ近傍の発光部２２ｂＢの面積とが同じである。すなわち、発光部２２Ｂは、発光部２２ａＢから発光部２２ｂＢにかけて面積が同じである。
　エッジカバー２５の幅Ｗｅも、隣接する発光部２２ａＢ間の幅Ｗｅａから、隣接する発光部２２ｂＢ間の幅Ｗｅｂにかけて一定である。
　各ハイレベル電源線１５は、第１端部１５ａ近傍の幅は、第２端部１５ｂ近傍の幅よりも広くなっている。さらに、有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいても、有機ＥＬ表示装置１（図１参照）と同様に、各ハイレベル電源線１５の幅Ｗｖは、第２端部１５ｂ近傍の幅Ｗｖｂから第１端部１５ａ近傍の幅Ｗｖａにかけて次第に広くなっている。
　このような有機ＥＬ表示装置１Ｂによっても、表示領域全体として、各画素ＰＩＸの輝度のバラツキを抑えることができる。
　〔実施形態４〕
　本発明の実施形態４について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１～３にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図６は、本発明の実施形態４に係る有機ＥＬ表示装置１Ｃの構成を表す平面図である。
　有機ＥＬ表示装置（表示装置）１Ｃは、有機ＥＬ表示装置１のハイレベル電源線１５、電源バスライン５、ハイレベル電源回路４および発光部２２に換えて、ハイレベル電源線１５Ｃ１・１５Ｃ２、電源バスライン５Ｃ１・５Ｃ２、ハイレベル電源回路４Ｃ１・４Ｃ２、発光部２２Ｃ１・２２Ｃ２を備えている。有機ＥＬ表示装置１Ｃの他の構成は有機ＥＬ表示装置１と同様である。
　ハイレベル電源線１５Ｃ１と、ハイレベル電源線１５Ｃ２とは交互に並んで配置されている。ハイレベル電源線１５Ｃ１は奇数列のハイレベル電源線であり、ハイレベル電源線１５Ｃ２は偶数列のハイレベル電源線である。
　各ハイレベル電源線１５Ｃ１は、両端部である第１端部１５ａＣ１および第２端部１５ｂＣ１を有する。各第１端部１５ａＣ１は電源バスライン５Ｃ１に接続されることで互いに接続されている。すなわち、各第１端部１５ａＣ１は電源バスライン５Ｃ１に近い側の端部である。各ハイレベル電源線１５Ｃ１は、第１端部１５ａＣ１から、電源バスライン５Ｃ１から離れる方向に延伸している。
　各第２端部１５ｂＣ１は接続ライン６Ｃ１に接続されることで互いに接続されている。各第２端部１５ｂＣ１は第１端部１５ａＣ１とは逆側の端部であり、第１端部１５ａＣ１が接続されている電源バスライン５Ｃ１から遠い側の端部である。
　電源バスライン５Ｃ１はハイレベル電源回路４Ｃ１と接続されており、各ハイレベル電源線１５Ｃ１の第１端部１５ａＣ１を接続するように延伸している。電源バスライン５Ｃ１には、ハイレベル電源回路４Ｃ１からハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが供給され、この電源バスライン５Ｃ１を介して、各ハイレベル電源線１５Ｃ１にハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが供給される。
　各ハイレベル電源線１５Ｃ１の幅Ｗｖは、第２端部１５ｂＣ１近傍の幅Ｗｖｂから第１端部１５ａＣ１近傍の幅Ｗｖａにかけて次第に広くなっている。さらには、各ハイレベル電源線１５Ｃ１は、第２端部１５ｂＣ１から第１端部１５ａＣ１にかけて次第に幅が広くなっている。
　各ハイレベル電源線１５Ｃ２は、両端部である第１端部１５ａＣ２および第２端部１５ｂＣ２を有する。各第１端部１５ａＣ２は電源バスライン５Ｃ２に接続されることで互いに接続されている。すなわち、各第１端部１５ａＣ２は電源バスライン５Ｃ２に近い側の端部である。各ハイレベル電源線１５Ｃ２は、第１端部１５ａＣ２から、電源バスライン５Ｃ２から離れる方向に延伸している。
　各第２端部１５ｂＣ２は接続ライン６Ｃ２に接続されることで互いに接続されている。各第２端部１５ｂＣ２は第１端部１５ａＣ２とは逆側の端部であり、第１端部１５ａＣ２が接続されている電源バスライン５Ｃ２から遠い側の端部である。
　電源バスライン５Ｃ２はハイレベル電源回路４Ｃ２と接続されており、各ハイレベル電源線１５Ｃ２の第１端部１５ａＣ２を接続するように延伸している。電源バスライン５Ｃ２には、ハイレベル電源回路４Ｃ２からハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが供給され、この電源バスライン５Ｃ２を介して、各ハイレベル電源線１５Ｃ２にハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが供給される。
　各ハイレベル電源線１５Ｃ２の幅Ｗｖは、第２端部１５ｂＣ２近傍の幅Ｗｖｂから第１端部１５ａＣ２近傍の幅Ｗｖａにかけて次第に広くなっている。さらには、各ハイレベル電源線１５Ｃ２は、第２端部１５ｂＣ２から第１端部１５ａＣ２にかけて次第に幅が広くなっている。
　電源バスライン５Ｃ１と、電源バスライン５Ｃ２とは、マトリクス状に配置された画素ＰＩＸを介して対向配置されている。
　互いに隣接するハイレベル電源線１５Ｃ１およびハイレベル電源線１５Ｃ２は、第１端部１５ａＣ１・１５ａＣ２と、第２端部１５ｂＣ１・１５ｂＣ２との位置が反転している櫛刃状に形成されている。すなわち、ハイレベル電源線１５Ｃ１の第１端部１５ａＣ１と、ハイレベル電源線１５Ｃ２の第２端部１５ｂＣ２とが隣接し、ハイレベル電源線１５Ｃ１の第２端部１５ｂＣ１と、ハイレベル電源線１５Ｃ２の第１端部１５ａＣ２とが隣接している。
　これにより、マトリクス状に配置された画素ＰＩＸの両方向から、電圧値のバラツキが抑制された一定電圧であるハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが各画素ＰＩＸに供給される。
　これによると、複数のハイレベル電源回路４Ｃ１・４Ｃ２から、各ハイレベル電源線１５Ｃ１・１５Ｃ２にハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給することができる。これにより、安定して、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを各ハイレベル電源線１５Ｃ１・１５Ｃ２に供給することができる。また、１つの電源回路から全てのハイレベル電源線にハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する場合と比べて、ハイレベル電源回路４Ｃ１・４Ｃ２それぞれの大きさを小さくすることができる。このため、ハイレベル電源回路４Ｃ１・４Ｃ２を配置する位置の自由度を高めることができる。換言すると、回路設計の自由度を高めることができる。
　ハイレベル電源線１５Ｃ１からハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの供給がされる発光部２２Ｃ１が、ハイレベル電源線１５Ｃ１に沿って、並んで配置されている。そして、発光部２２Ｃ１のうち、ハイレベル電源線１５Ｃ１の第２端部１５ｂＣ１近傍の発光部２２ｂＣ１の面積は、第１端部１５ａＣ１近傍の発光部２２ａＣ１の面積よりも大きくなっている。さらに、発光部２２ａＣ１から、発光部２２ｂＣ１にかけて次第に面積が大きくなっている。
　ハイレベル電源線１５Ｃ２からハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの供給がされる発光部２２Ｃ２が、ハイレベル電源線１５Ｃ２に沿って、並んで配置されている。そして、発光部２２Ｃ２のうち、ハイレベル電源線１５Ｃ２の第２端部１５ｂＣ２近傍の発光部２２ｂＣ２の面積は、第１端部１５ａＣ２近傍の発光部２２ａＣ２の面積よりも大きくなっている。さらに、発光部２２ａＣ２から、発光部２２ｂＣ２にかけて次第に面積が大きくなっている。
　このため、有機ＥＬ表示装置１Ｃの表示領域全体として、各画素ＰＩＸの輝度のバラツキを抑えることができる。
　エッジカバー２５の幅Ｗｅは、隣接する発光部２２ａＣ１および発光部２２ｂＣ２間の幅ＷｅａＣから、隣接する発光部２２ｂＣ１および発光部２２ａＣ２間の幅ＷｅｂＣにかけて一定である。
　〔実施形態５〕
　本発明の実施形態５について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施形態１～４にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
　図７は、本発明の実施形態５に係る有機ＥＬ表示装置のハイレベル電源線１５Ｄの構成を表す平面図である。
　有機ＥＬ表示装置１（図１参照）は、ハイレベル電源線１５に換えて、図７に示すハイレベル電源線１５Ｄを備えていてもよい。なお、図７では、簡略化のため、ハイレベル電源線１５Ｄは１本しか記載していないが、ハイレベル電源線１５と同様にｍ本平行に並んで配置されているものとする。
　ハイレベル電源線１５Ｄは、幅Ｗｖが一定であるが、第１端部１５ａから第２端部１５ｂまでの少なくとも一部区間における抵抗値を調整するための複数の切り欠き１５Ｄａが形成されている。
　ハイレベル電源線１５Ｄの第１端部１５ａ近傍における単位長さＰ当たりに含まれる複数の切り欠き１５Ｄａの面積が、ハイレベル電源線１５Ｄの第２端部１５ｂ近傍における単位長さＰ当たりに含まれる複数の切り欠き１５Ｄａの面積よりも小さい。図７では、基板面を法線方向から見たときの各切り欠き１５Ｄａの面積は同じで、ハイレベル電源線１５Ｄの第１端部１５ａ近傍における単位長さＰ当たりに含まれる切り欠き１５Ｄａの個数が、ハイレベル電源線１５Ｄの第２端部１５ｂ近傍における単位長さＰ当たりに含まれる切り欠き１５Ｄａの個数よりも少ない例を表している。
　これにより、各ハイレベル電源線１５Ｄは、第１端部１５ａ近傍の単位長さＰ当たりの面積が、第２端部１５ｂ近傍の単位長さＰ当たりの面積よりも大きい構成となっている。このため、ハイレベル電源回路４から各ハイレベル電源線１５Ｄに、安定してハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給することができる。
　なお、各ハイレベル電源線１５Ｄは、第１端部１５ａから第２端部１５ｂまでの少なくとも一部区間において、第１端部１５ａ側の区間の単位長さＰ当たりに含まれる切り欠き１５Ｄａの面積が、第２端部１５ｂ側の区間における単位長さＰ当たりに含まれる切り欠き１５Ｄａの面積よりも小さければよい。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１に係る表示装置は、電気光学素子を介在させて対向配置された第１電極および第２電極を有する画素が行列方向に配置された表示領域を有する表示装置であって、上記各第１電極に供給される電圧の供給源である電源回路と、上記電源回路と接続されることで当該電源回路から一定電圧が供給される電源線と、上記各画素に配置され、上記電気光学素子、上記第１電極および上記第２電極を含み、上記電源線から上記一定電圧が供給され、上記電気光学素子に与える信号を制御する画素回路とを備え、上記各電源線は、上記行方向または列方向に並ぶ各画素に沿って延伸しており、上記電源回路から上記一定電圧が供給されてくる側の端部である第１端部と、当該第１端部とは逆側の端部である第２端部とを有し、上記各電源線は、上記第１端部から上記第２端部へ至る少なくとも一部区間において、単位長さ当たりの抵抗値が、上記第１端部側から上記第２端部側にかけて小さくなっていることを特徴とする。
　上記構成によると、上記各電源線は、上記電源回路から上記一定電圧が供給されてくる側の端部である第１端部と、当該第１端部とは逆側の端部である第２端部とのうち、上記第１端部近傍の単位長さ当たりの抵抗値が、上記第２端部近傍の上記単位長さ当たりの抵抗値よりも小さい。このため、上記電源回路から上記一定電圧を、上記第１端部を介して上記各電源線それぞれに安定して供給することができる。これにより、上記階調電圧を正確に設定して上記第１電極に供給することができる。この結果、上記表示領域全体として各画素の輝度のバラツキを抑えることができる。
　本発明の態様２に係る表示装置は、上記態様１において、上記各電源線は、上記第２端部から上記第１端部にかけて次第に抵抗値が小さくなっていることが好ましい。これにより、上記第２端部近傍の抵抗値を十分に下げることができる。このため、上記各電源線において、上記第１端部から上記第２端部に至るまで安定して上記電源回路から上記一定電圧を供給することができる。
　本発明の態様３に係る表示装置は、上記態様１または２において、上記表示領域を法線方向から見たとき、上記各電源線は、上記少なくとも一部区間における上記第１端部側の区間の単位長さ当たりの面積が、上記第２端部側の区間の単位長さ当たりの面積よりも大きいことが好ましい。
　本発明の態様４に係る表示装置は、上記態様１～３において、上記表示領域を法線方向から見たとき、上記各電源線は、上記少なくとも一部区間における上記第１端部側の区間の幅が、上記第２端部側の区間の幅よりも太いことが好ましい。
　本発明の態様５に係る表示装置は、上記態様１～４において、上記各電源線は、切り欠きが形成されていることで、上記少なくとも一部区間における抵抗値が調整されていることが好ましい。
　本発明の態様６に係る表示装置は、上記態様５において、上記表示領域を法線方向から見たとき、上記少なくとも一部区間における、上記第１端部側の区間の単位長さ当たりに含まれる上記切り欠きの面積が、上記第２端部側の区間における上記単位長さ当たりに含まれる上記切り欠きの面積よりも小さいことが好ましい。
　これにより、上記第１端部近傍の抵抗値を、上記第２端部近傍の抵抗値よりも小さくすることができる。
　本発明の態様７に係る表示装置は、上記態様１～６において、上記各電源線は、隣接する電源線同士で上記第１端部と上記第２端部との位置が反転している櫛刃状に形成されていることが好ましい。上記構成によると、複数の電源回路から上記各電源線に上記一定電圧を供給することができる。これにより、さらに安定して、上記一定電圧を上記各電源線に供給することができる。
　本発明の態様８に係る表示装置は、上記態様１～７において、上記電源線の上記少なくとも一部区間に隣接して並ぶ画素のうち、上記第２端部側の上記画素に含まれる上記電気光学素子の面積は、上記第１端部側の上記画素に含まれる上記電気光学素子の面積より大きいことが好ましい。
　本発明の態様９に係る表示装置は、電気光学素子を介在させて対向配置された第１電極および第２電極を有する画素が行列方向に配置された表示領域を有する表示装置であって、上記各第１電極に供給される電圧の供給源である電源回路と、上記電源回路と接続されることで当該電源回路から一定電圧が供給される電源線と、上記各画素に配置され、上記電気光学素子、上記第１電極および上記第２電極を含み、上記電源線から上記一定電圧が供給され、上記電気光学素子に与える信号を制御する画素回路とを備え、上記各電源線は、上記行方向または列方向に並ぶ各画素に沿って延伸しており、上記電源回路から上記一定電圧が供給されてくる側の端部である第１端部と、当該第１端部とは逆側の端部である第２端部とを有し、上記各電源線における上記第１端部から上記第２端部へ至る少なくとも一部区間に隣接して並ぶ画素のうち、上記第２端部側の上記画素に含まれる上記電気光学素子の面積は、上記第１端部側の上記画素に含まれる上記電気光学素子の面積より大きいことを特徴とする。
　ここで、上記各電源線のうち上記第１端部近傍よりも、抵抗値が積算される上記第２端部近傍の方が抵抗値が高くなりやすい。上記第２端部近傍の抵抗値が高くなると、上記第２端部近傍の上記画素に含まれる上記第１電極へ供給される上記階調電圧が高くなり、当該第２端部近傍の発光部の単位面積当たりの輝度は、上記第１端部近傍の発光部の単位面積当たりの輝度よりも低下しやすい。しかし、上記構成によると、上記少なくとも一部区間に隣接して並ぶ画素のうち、上記第２端部側の電気光学素子の面積が、上記第１端部側の電気光学素子の面積よりも大きいため、上記第２端部側の電気光学素子全体としての輝度と、上記第１端部側の電気光学素子全体としての輝度との差を抑えることができる。この結果、上記表示領域全体として各画素の輝度のバラツキを抑えることができる。
　本発明の態様１０に係る表示装置は、上記態様８または９において、上記第１端部側の上記画素に含まれる上記電気光学素子から、上記第２端部側の上記画素に含まれる上記電気光学素子にかけて次第に面積が大きくなっていることが好ましい。上記構成によると、上記表示領域全体として、各画素の輝度のバラツキを抑えることができる。
　本発明の態様１１に係る表示装置は、上記態様１～１０において、上記各電源線は、隣接する上記第１端部同士が接続されていることが好ましい。
　本発明の態様１２に係る表示装置は、上記態様１～１１において、上記各電源線は、隣接する上記第２端部同士が接続されていることが好ましい。
　本発明の態様１３に係る表示装置は、上記態様１～１２において、上記第１電極は画素毎に島状に形成されており、上記第２電極は、各画素に跨って連続して形成されており、上記第２電極には、上記一定電圧とは異なる一定電圧が供給されることが好ましい。上記構成によると、上記表示領域全体として、各画素の輝度のバラツキが抑えられた表示装置を得ることができる。
　本発明の態様１４に係る表示装置は、上記態様１～１３において、上記電気光学素子として有機ＥＬ素子を備えていることが好ましい。上記構成によると、上記表示領域全体として、各画素の輝度のバラツキが抑えられた有機ＥＬ表示装置を得ることができる。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
１、１Ａ～１Ｃ　有機ＥＬ表示装置（表示装置）
２　ソースドライバ
４、４Ｃ１、４Ｃ２　ハイレベル電源回路（電源回路）
５、５Ｃ１、５Ｃ２　電源バスライン
６、６Ｃ１、６Ｃ２　接続ライン
１０　ＴＦＴ基板
１１　支持体
１５、１５Ａ、１５Ｃ１、１５Ｃ２、１５Ｄ　ハイレベル電源線（電源線）
１５ａ、１５ａＣ１、１５ａＣ２　第１端部
１５ｂ、１５ｂＣ１、１５ｂＣ２　第２端部
１６　パッシベーション膜
１７　層間絶縁膜
２１、２５　エッジカバー
２１　第１電極
２２、２２ａ、２２ｂ　発光部（電気光学素子）
２２Ｂ、２２ａＢ、２２ｂＢ　発光部（電気光学素子）
２２Ｃ１、２２ａＣ１、２２ｂＣ１　発光部（電気光学素子）
２２Ｃ２、２２ａＣ２、２２ｂＣ２　発光部（電気光学素子）
２３　第２電極
３０　封止層
５２　画素回路
５３　電圧変換回路
Ｃ１　コンデンサ
Ｔ１～Ｔ６　トランジスタ

Claims (14)

  1. 　電気光学素子を介在させて対向配置された第１電極および第２電極を有する画素が行列方向に配置された表示領域を有する表示装置であって、
    　上記各第１電極に供給される電圧の供給源である電源回路と、
    　上記電源回路と接続されることで当該電源回路から一定電圧が供給される電源線と、
    　上記各画素に配置され、上記電気光学素子、上記第１電極および上記第２電極を含み、上記電源線から上記一定電圧が供給され、上記電気光学素子に与える信号を制御する画素回路とを備え、
    　上記各電源線は、上記行方向または列方向に並ぶ各画素に沿って延伸しており、上記電源回路から上記一定電圧が供給されてくる側の端部である第１端部と、当該第１端部とは逆側の端部である第２端部とを有し、
    　上記各電源線は、上記第１端部から上記第２端部へ至る少なくとも一部区間において、単位長さ当たりの抵抗値が、上記第１端部側から上記第２端部側にかけて小さくなっていることを特徴とする表示装置。
  2. 　上記各電源線は、上記第２端部から上記第１端部にかけて次第に抵抗値が小さくなっていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 　上記表示領域を法線方向から見たとき、上記各電源線は、上記少なくとも一部区間における上記第１端部側の区間の単位長さ当たりの面積が、上記第２端部側の区間の単位長さ当たりの面積よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
  4. 　上記表示領域を法線方向から見たとき、上記各電源線は、上記少なくとも一部区間における上記第１端部側の区間の幅が、上記第２端部側の区間の幅よりも太いことを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の表示装置。
  5. 　上記各電源線は、切り欠きが形成されていることで、上記少なくとも一部区間における抵抗値が調整されていることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の表示装置。
  6. 　上記表示領域を法線方向から見たとき、上記少なくとも一部区間における、上記第１端部側の区間の単位長さ当たりに含まれる上記切り欠きの面積が、上記第２端部側の区間における上記単位長さ当たりに含まれる上記切り欠きの面積よりも小さいことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
  7. 　上記各電源線は、隣接する電源線同士で上記第１端部と上記第２端部との位置が反転している櫛刃状に形成されていることを特徴とする請求項１～６の何れか１項に記載の表示装置。
  8. 　上記電源線の上記少なくとも一部区間に隣接して並ぶ画素のうち、上記第２端部側の上記画素に含まれる上記電気光学素子の面積は、上記第１端部側の上記画素に含まれる上記電気光学素子の面積より大きいことを特徴とする請求項１～７の何れか１項に記載の表示装置。
  9. 　電気光学素子を介在させて対向配置された第１電極および第２電極を有する画素が行列方向に配置された表示領域を有する表示装置であって、
    　上記各第１電極に供給される電圧の供給源である電源回路と、
    　上記電源回路と接続されることで当該電源回路から一定電圧が供給される電源線と、
    　上記各画素に配置され、上記電気光学素子、上記第１電極および上記第２電極を含み、上記電源線から上記一定電圧が供給され、上記電気光学素子に与える信号を制御する画素回路とを備え、
    　上記各電源線は、上記行方向または列方向に並ぶ各画素に沿って延伸しており、上記電源回路から上記一定電圧が供給されてくる側の端部である第１端部と、当該第１端部とは逆側の端部である第２端部とを有し、
    　上記各電源線における上記第１端部から上記第２端部へ至る少なくとも一部区間に隣接して並ぶ画素のうち、上記第２端部側の上記画素に含まれる上記電気光学素子の面積は、上記第１端部側の上記画素に含まれる上記電気光学素子の面積より大きいことを特徴とする表示装置。
  10. 　上記第１端部側の上記画素に含まれる上記電気光学素子から、上記第２端部側の上記画素に含まれる上記電気光学素子にかけて次第に面積が大きくなっていることを特徴とする請求項８または９に記載の表示装置。
  11. 　上記各電源線は、隣接する上記第１端部同士が接続されていることを特徴とする請求項１～１０の何れか１項に記載の表示装置。
  12. 　上記各電源線は、隣接する上記第２端部同士が接続されていることを特徴とする請求項１～１１の何れか１項に記載の表示装置。
  13. 　上記第１電極は画素毎に島状に形成されており、
    　上記第２電極は、各画素に跨って連続して形成されており、
    　上記第２電極には、上記一定電圧とは異なる一定電圧が供給されることを特徴とする請求項１～１２の何れか１項に記載の表示装置。
  14. 　上記電気光学素子として有機ＥＬ素子を備えていることを特徴とする請求項１～１３の何れか１項に記載の表示装置。
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