WO2019180927A1

WO2019180927A1 - 表示デバイスの製造方法

Info

Publication number: WO2019180927A1
Application number: PCT/JP2018/011779
Authority: WO
Inventors: 圭司青田; 雄一郎勝間; 塩田　素二
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2018-03-23
Filing date: 2018-03-23
Publication date: 2019-09-26

Abstract

表示デバイスの製造方法は、個片化された表示デバイスの外形をフルカットする（Ｓ１）工程と、表示パネル及び第２フィルムをカット（ハーフカット）する（Ｓ２）工程と、個片化された表示デバイスからフルカットされた外形部分を除去する（Ｓ３）工程と、タブ部をつまんで第１フィルム及びタブ部を剥離する（Ｓ４）工程とを含む。

Description

表示デバイスの製造方法

　本発明は、表示デバイスの製造方法に関する。

　特許文献１には、表示デバイスの対向する両面に第１基板と、第２基板とを備えた状態で、レーザー光を用いたLaser Lift Off工程（ＬＬＯ工程）を２回行い、両方の基板を剥離することについて記載されている。

日本国公開特許公報「特開２０１５‐１９４６４２号」公報（２０１５年１１月５日公開）

　しなしながら、特許文献１に開示されている製造方法の場合、ＬＬＯ工程を２回行う必要があるので、生産性の低下及び製造単価の上昇を招いてしまうという問題がある。

　そこで、近年では、ＬＬＯ工程の回数を減らす試みがなされている。

　図１１及び図１２は、低粘着力を有する接着剤層を用いて、表示デバイスの一方側の面に基板（フィルム）を貼り付けた後、後から剥がす工程を含む従来の表示デバイスの製造方法を説明するための図である。

　図１１に図示するように、従来の表示デバイスの製造方法においては、先ず、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス基板）上に樹脂層（例えば、ポリイミド層）を形成する（Ｓ１０１）。次いで、バリア層を形成する（Ｓ１０２）。次いで、ＴＦＴ層を形成する（Ｓ１０３）。次いで、表示素子として、発光素子層（例えば、有機ＥＬ素子層）を形成する（Ｓ１０４）。次いで、封止層を形成する（Ｓ１０５）。次いで、封止層が形成された側に、低粘着力を有する接着剤層を用いて、第１フィルムを貼り付ける（Ｓ１０６）。次いで、上記支持基板越しに上記樹脂層にレーザー光を照射して上記支持基板及び上記樹脂層間の結合力を低下させ、上記支持基板を上記樹脂層から剥離する（Ｓ１０７；ＬＬＯ工程）。次いで、上記樹脂層において、上記支持基板を剥離した面に、接着剤層を介して、第２フィルムを貼り付ける（Ｓ１０８）。次いで、第２フィルム、樹脂層、バリア層、ＴＦＴ層、発光素子層、封止層及び第１フィルムを含む積層体（母基板ともいう）を分断し、複数に個片化する（Ｓ１０９）。その後、端子部を覆う第１フィルムの部分を剥離する（Ｓ１１０）。

　図１２の（ａ）は、上述した（Ｓ１０１）～（Ｓ１１０）までの工程によって得られた個片化された表示デバイス１０１の概略構成を示す図である。

　図示されているように、上記樹脂層と、上記バリア層と、上記ＴＦＴ層と、上記発光素子層と、上記封止層とを含む表示パネル１０２は、第１フィルム１０３と第２フィルム１０４とに覆われているが、表示パネル１０２に備えられた端子部ＴＭは、第１フィルム１０３によって覆われていない。

　次いで、露出している端子部ＴＭを用いて、個片化された表示デバイス１０１の電気的な検査を行う（Ｓ１１１）。次いで、端子部ＴＭにチップや電子回路基板を実装する（Ｓ１１２）。その後、レーザー光で個片化された表示デバイス１０１の外形をフルカットする（Ｓ１１３）。

　図１２の（ｂ）は、個片化された表示デバイス１０１の外形をレーザー光でフルカットした状態を示す。なお、フルカットとは、表示パネル１０２、第１フィルム１０３及び第２フィルム１０４の全体を、図１２の（ｂ）に図示したレーザー光が通るラインＦＣで切断したことを意味する。

　図１２の（ｂ）に図示した個片化された表示デバイス１０１においては、レーザー光が通るラインＦＣの内側は表示領域を含む要部領域であり、レーザー光が通るラインＦＣの外側は表示領域を含まない非要部領域である。

　次いで、個片化された表示デバイス１０１からフルカットされた外形部分（非要部領域）を除去する（Ｓ１１４）。

　図１２の（ｃ）は、個片化された表示デバイス１０１からフルカットされた外形部分を除去して得られた所定形状の表示デバイス１１０の平面図である。

　所定形状の表示デバイス１１０は、レーザー光のフルカットで所定形状に形成された、表示パネル１０２ａと、第１フィルム１０３ａと、第２フィルム（図示せず）とを含む。

　次いで、図１２の（ｃ）に図示する残りの第１フィルム１０３ａを剥離する（Ｓ１１５）。しかし、第１フィルム１０３ａの形状は、端子部ＴＭ以外の部分では、表示パネル１０２ａと同一形状である。したがって、第１フィルム１０３ａをつまんだり、押したりして、容易に剥離することが困難であるので、生産性の低下を招いてしまう。

　次いで、所定形状の表示デバイス１１０から第１フィルム１０３ａを剥離した面に接着剤層を形成する（Ｓ１１６）。その後、上記接着剤層を介して機能層（例えば、タッチパネルやカバーガラスや偏光板など）を貼り付ける（Ｓ１１７）。

　なお、上記においては、第２フィルム１０４がＬＬＯ工程で形成される場合を一例に挙げて説明したが、第２フィルム１０４がＬＬＯ工程以外の方法で形成されている場合においても、第１フィルム１０３ａの形状が、端子部ＴＭ以外の部分で、表示パネル１０２ａと同一形状である場合には、第１フィルム１０３ａは、つまんだり、押したりして、容易に剥離することが困難である。

　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、表示パネルに貼り付けられた基板（フィルム）を、容易に剥離することができる表示デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

　本発明の表示デバイスの製造方法は、上記の課題を解決するために、第１可撓性基板と、可撓性表示基板と、第２可撓性基板とがこの順に積層された積層可撓性基板を含む表示デバイスの製造方法であって、上記積層可撓性基板をレーザーにより、表示領域を含む要部積層可撓性基板と、上記表示領域を含まない非要部積層可撓性基板とに切断する外形切断工程と、上記非要部積層可撓性基板を除去する非要部除去工程と、上記要部積層可撓性基板から上記第１可撓性基板を剥離する剥離工程と、を含み、上記剥離工程より前には、レーザーにより、上記積層可撓性基板の可撓性表示基板と第２可撓性基板とを切断し、タブ部を形成する工程が含まれ、上記剥離工程においては、上記第１可撓性基板と共に、上記タブ部の可撓性表示基板及び第２可撓性基板を剥離することを特徴としている。

　本発明の表示デバイスの製造方法は、上記の課題を解決するために、第１可撓性基板と、可撓性表示基板と、第２可撓性基板とがこの順に積層された積層可撓性基板を含む表示デバイスの製造方法であって、上記積層可撓性基板をレーザーにより、表示領域を含む要部積層可撓性基板と、上記表示領域を含まない非要部積層可撓性基板とに切断する外形切断工程と、上記非要部積層可撓性基板を除去する非要部除去工程と、上記要部積層可撓性基板から上記第１可撓性基板を剥離する剥離工程と、を含み、上記剥離工程より前には、レーザーにより、上記積層可撓性基板の可撓性表示基板と第２可撓性基板とを切断し、上記表示領域内に島状部を形成する工程が含まれ、上記剥離工程においては、上記第１可撓性基板と共に、上記島状部の可撓性表示基板及び第２可撓性基板を剥離し、上記可撓性表示基板及び上記第２可撓性基板に開口を形成することを特徴としている。

　本発明の表示デバイスの製造方法は、上記の課題を解決するために、第１可撓性基板と、可撓性表示基板と、第２可撓性基板とがこの順に積層された積層可撓性基板を含む表示デバイスの製造方法であって、上記積層可撓性基板の可撓性表示基板と第２可撓性基板とをレーザーにより、表示領域を含む要部と、上記表示領域を含まない非要部とに切断するタブ部を形成する工程と、上記第１可撓性基板と共に、上記非要部である上記タブ部の可撓性表示基板及び第２可撓性基板を剥離する剥離工程と、を含むことを特徴としている。

　本発明の一態様によれば、表示パネルに貼り付けられた基板（フィルム）を、容易に剥離することができる表示デバイスの製造方法を提供できる。

実施形態１の表示デバイスの製造方法を説明するための図である。（ａ）は、個片化された表示デバイスの概略構成を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）で図示したＨ部分の部分拡大図であり、（ｃ）は、所定形状の表示デバイスから第１フィルムを剥離する工程を説明するための図である。（ａ）は、図２の（ｃ）に図示した所定形状の表示デバイスを第２フィルム側から見た平面図であり、（ｂ）は、図２の（ｃ）に図示した所定形状の表示デバイスを第１フィルム側から見た平面図であり、（ｃ）は、図２の（ｃ）に図示した所定形状の表示デバイスから第１フィルムを剥離した場合を示す図である。接着剤層を介して機能層が貼り付けられた表示デバイスの表示領域の概略構成を示す図である。実施形態１の表示デバイスの他の製造方法を説明するための図である。（ａ）は、実施形態２の表示デバイスの製造方法において、個片化された表示デバイスの概略構成を示す図であり、（ｂ）は、実施形態２の表示デバイスの製造方法において、所定形状の表示デバイスから第１フィルムを剥離した状態を示す図であり、（ｃ）は、実施形態２の変形例の表示デバイスの製造方法において、個片化された表示デバイスの概略構成を示す図である。（ａ）は、実施形態３の表示デバイスの製造方法において、個片化された表示デバイスの概略構成を示す図であり、（ｂ）は、実施形態３の表示デバイスの製造方法によって得られた表示デバイスの平面図である。（ａ）は、実施形態４の表示デバイスの製造方法において、個片化された表示デバイスの概略構成を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）で図示したＩ部分の部分拡大図であり、（ｃ）は、実施形態４の表示デバイスの製造方法において、所定形状の表示デバイスから第１フィルムを剥離する工程を説明するための図である。（ａ）は、図８の（ｃ）に図示した所定形状の表示デバイスを第２フィルム側から見た平面図であり、（ｂ）は、図８の（ｃ）に図示した所定形状の表示デバイスを第１フィルム側から見た平面図であり、（ｃ）は、図８の（ｃ）に図示した所定形状の表示デバイスから第１フィルムを剥離した場合を示す図である。（ａ）は、実施形態５の表示デバイスの製造方法において、個片化された表示デバイスの概略構成を示す図であり、（ｂ）は、実施形態５の表示デバイスの製造方法において、所定形状の表示デバイスから第１フィルムを剥離した状態を示す図である。従来の表示デバイスの製造方法を説明するための図である。従来の個片化された表示デバイスの概略構成及び従来の所定形状の表示デバイスの概略構成を示す図である。

　本発明の実施の形態について図１から図１０に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。

　なお、以下の各実施形態においては、表示素子（光学素子）の一例として、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、例えば、電圧によって輝度や透過率が制御され、バックライトを必要としない、反射型の液晶表示素子等であってもよい。

　上記表示素子（光学素子）は、電流によって輝度や透過率が制御される光学素子であってもよく、電流制御の光学素子としては、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、又は無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ等のＥＬディスプレイ、ＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等がある。

　〔実施形態１〕
　以下においては、図１から図５に基づき、本発明の実施形態１の表示デバイス４０について説明する。

　図１は、表示デバイス４０の製造方法を説明するための図である。

　図２の（ａ）は、個片化された表示デバイス３１（積層可撓性基板）の概略構成を示す図であり、図２の（ｂ）は、図２の（ａ）で図示したＨ部分の部分拡大図であり、図２の（ｃ）は、所定形状の表示デバイス３１ａ（要部積層可撓性基板）から第１フィルム３３ａ（第１可撓性基板）を剥離する工程を説明するための図である。

　図３の（ａ）は、所定形状の表示デバイス３１ａを第２フィルム３４ａ（第２可撓性基板）側から見た平面図であり、図３の（ｂ）は、所定形状の表示デバイス３１ａを第１フィルム３３ａ側から見た平面図であり、図３の（ｃ）は、所定形状の表示デバイス３１ａから第１フィルム３３ａを剥離した場合を示す図である。

　図１に図示する表示デバイス４０の製造方法には、図１１に図示した（Ｓ１０１）～（Ｓ１１２）の工程が含まれるが、これらの工程については、既に説明をしているので、ここでの説明は省略する。

　（Ｓ１１２）の工程の後に、個片化された表示デバイス３１における第２フィルム３４側からレーザー光で個片化された表示デバイス３１の外形をフルカットする（Ｓ１；外形切断工程）。

　図２の（ａ）及び図２の（ｂ）は、個片化された表示デバイス３１の外形をレーザー光でフルカットした状態を示す。なお、フルカットとは、表示パネル３２（可撓性表示基板）、第１フィルム３３及び第２フィルム３４の全体を、図２の（ａ）に図示したレーザー光が通るラインＦＣで切断したことを意味する。

　図２の（ａ）及び図２の（ｂ）に図示した個片化された表示デバイス３１においては、レーザー光が通るラインＦＣの内側は表示領域を含む要部領域であり、レーザー光が通るラインＦＣの外側は表示領域を含まない非要部領域である。

　次いで、個片化された表示デバイス３１における第２フィルム３４側からレーザー光で個片化された表示デバイス３１のタブ部（プルタブ部ともいう）３５を形成するように、表示パネル３２及び第２フィルム３４をカット（ハーフカットともいう）する（Ｓ２；プルタブ部形成工程）。すなわち、（Ｓ２）に工程においては、第１フィルム３３を除いた表示パネル３２及び第２フィルム３４のみが、図２の（ａ）及び図２の（ｂ）に図示したレーザー光が通るラインＨＣで切断される。

　したがって、タブ部３５の図中、上側の端部及び下側の端部において、レーザー光が通るラインＦＣと接する部分より左側はフルカットされており、それ以外の端部はハーフカットされている。

　タブ部３５の端部は上述したように切断されるので、タブ部３５は、第１フィルム３３上に島状に形成されている。

　なお、（Ｓ１）の工程及び（Ｓ２）の工程において用いるレーザーとしては、ＵＶレーザーやＣＯ_２レーザーやＧｒｅｅｎレーザーなどを使用することができ、レーザーの材料構成やレーザー出力は適宜調整することができる。

　レーザーを用いた切断方法には、レーザー光を複数回照射して切断する方法であるマルチカットと、レーザー光を１回のみ照射して切断する方法である一括カットとがある。マルチカットの場合には、フルカットする箇所のレーザー光の照射回数が、ハーフカットする箇所のレーザー光の照射回数より大きくなるように適宜設定すればよい。一方、一括カットの場合には、フルカットする箇所のレーザー光の照射出力が、ハーフカットする箇所のレーザー光の照射出力より大きくなるように適宜設定してもよく、フルカットする箇所のレーザー光のスキャン速度（走査速度）が、ハーフカットする箇所のレーザー光のスキャン速度より小さくなるように適宜設定してもよい。

　本実施形態においては、図２の（ａ）に図示する幅Ａを１ｍｍで形成し、幅Ｂを４ｍｍで形成したが、これは一例であって、幅Ａ及び幅Ｂは、必要に応じて適宜設定することができる。

　また、本実施形態においては、（Ｓ１）の工程を行った後に、（Ｓ２）の工程を行った場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、（Ｓ２）の工程を先に行った後に、（Ｓ１）の工程を行ってもよい。（Ｓ２）の工程は、後述する（Ｓ４）の工程より先に行うのであれば、その順番は特に限定されない。

　次いで、個片化された表示デバイス３１からフルカットされた外形部分（非要部領域）を除去する（Ｓ３；非要部除去工程）。

　図２の（ｃ）、図３の（ａ）及び図３の（ｂ）は、個片化された表示デバイス３１からフルカットされた外形部分を除去して得られた所定形状の表示デバイス３１ａを示す図である。

　図３の（ａ）に図示するように、所定形状の表示デバイス３１ａに備えられた第２フィルム３４ａには、ハーフカットされた部分がある。一方、図３の（ｂ）に図示するように、所定形状の表示デバイス３１ａに備えられた第１フィルム３３ａには、ハーフカットされた部分がない。

　次いで、タブ部３５をつまんで第１フィルム３３ａ及びタブ部３５を剥離する（Ｓ４；剥離工程）。

　図２の（ｃ）は、タブ部３５をつまんで、第１フィルム３３ａ及びタブ部３５を剥離する場合を示す図である。

　タブ部３５は、第１フィルム３３ａ上に凸状及び島状に形成されているので、第１フィルム３３ａとタブ部３５とは同時に剥離することができる。なお、タブ部３５は、第１フィルム３３ａと、互いに重畳し、除去されてノッチ部Ｋ１を形成する、表示パネル３２ａの一部及び第２フィルム３４ａの一部とで構成される。なお、タブ部３５は、所定形状の表示デバイス３１ａ（要部積層可撓性基板）に形成されている。

　図２の（ｃ）に図示するように、第１フィルム３３ａ及びタブ部３５を剥離した場合、図３の（ｃ）に図示するノッチ部Ｋ１を有する表示デバイス４０を得ることができる。すなわち、表示デバイス４０に備えられた表示パネル３２ａにノッチ部Ｋ１（切り欠き部）が形成される。図３の（ｃ）に図示する表示デバイス４０は、表示デバイス４０を表示パネル３２ａ側から見た平面図であり、表示パネル３２ａの裏面には、図示してないが第２フィルム３４ａがある。

　次いで、表示デバイス４０に接着剤層２９を形成する（Ｓ１１６）。その後、接着剤層２９を介して機能層３０（例えば、タッチパネルやカバーガラスや偏光板など）を貼り付ける（Ｓ１１７）。

　なお、第１フィルム３３ａの材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等を挙げることができるが、これに限定されることはない。また、第１フィルム３３ａは、第１フィルム３３ａを剥離する工程を考慮し、低粘着力を有する接着剤層を用いて貼り付けられることが好ましい。この低粘着力を有する接着剤層は、第１フィルム３３ａを剥がす際に、下面には残らず、第１フィルム３３ａとともに剥がれることが好ましい。

　図４は、接着剤層２９を介して機能層３０が貼り付けられた表示デバイス４０の表示領域ＤＡの概略構成を示す図である。

　図示されているように、表示デバイス４０には、第２フィルム３４ａ及び表示パネル３２ａと、接着剤層２９を介して貼り付けられた機能層３０とが備えられている。なお、接着剤層２９及び機能層３０は、必要に応じて備えればよいので、不要である場合には、備えなくてもよい。

　本実施形態において、表示パネル３２ａとして、フレキシブル有機ＥＬ表示パネルを一例に挙げて説明するがこれに限定されることはない。

　表示パネル３２ａは、樹脂層１２と、バリア層３と、ＴＦＴ層４と、有機ＥＬ素子層５と、封止層６とを含む。

　第２フィルム３４ａの材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等を挙げることができるが、これに限定されることはない。

　接着剤層２９としては、例えば、ＯＣＡ（Optical Clear Adhesive）またはＯＣＲ（Optical Clear Resin）を挙げることができるが、これに限定されることはない。

　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂等を挙げることができるが、これに限定されることはない。

　バリア層３は、フレキシブル有機ＥＬ表示装置１の使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や有機ＥＬ素子層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。

　ＴＦＴ層４は、樹脂層１２及びバリア層３の上層に設けられている。ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層の無機絶縁膜（ゲート絶縁膜層）１６と、無機絶縁膜１６よりも上層のゲート電極ＧＥと、ゲート電極ＧＥよりも上層の無機絶縁膜１８と、無機絶縁膜１８よりも上層の容量配線ＣＥと、容量配線ＣＥよりも上層の無機絶縁膜２０と、無機絶縁膜２０よりも上層の、ソース・ドレイン電極を含むソース・ドレイン配線ＳＨと、ソース・ドレイン配線ＳＨよりも上層の平坦化膜２１とを含む。

　半導体膜１５、無機絶縁膜１６、ゲート電極ＧＥ、無機絶縁膜１８、無機絶縁膜２０及びソース・ドレイン配線ＳＨを含むように、アクティブ素子としての薄膜トランジスタＴｒ（ＴＦＴ）が構成される。

　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図４では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。

　ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、ソース・ドレイン配線ＳＨは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。

　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜あるいは酸窒化シリコン膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。

　平坦化膜（層間絶縁膜）２１は、例えば、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　有機ＥＬ素子層５は、平坦化膜２１よりも上層のアノード２２と、アノード２２のエッジを覆うバンク２３と、アノード２２よりも上層のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層のカソード２５とを含み、サブピクセルＳＰごとに、島状のアノード２２、ＥＬ層２４、及びカソード２５を含む。バンク２３（アノードエッジカバー）２３は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。有機ＥＬ素子層５は、表示領域ＤＡを形成し、ＴＦＴ層４の上層に設けられている。

　ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。発光層は、蒸着法あるいはインクジェット法によって、サブピクセルごとに島状に形成されるが、その他の層はベタ状の共通層とすることもできる。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうち１以上の層を形成しない構成も可能である。

　アノード（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。カソード２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透光性の導電材で構成することができる。

　有機ＥＬ素子層５においては、アノード２２及びカソード２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。カソード２５が透光性であり、アノード２２が光反射性であるため、ＥＬ層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。

　封止層６は透光性であり、カソード２５を覆う第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上側に形成される有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う第２無機封止膜２８とを含む。有機ＥＬ素子層５を覆う封止層６は、水、酸素等の異物の有機ＥＬ素子層５への浸透を防いでいる。

　第１無機封止膜２６及び第２無機封止膜２８はそれぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、第１無機封止膜２６及び第２無機封止膜２８よりも厚い、透光性有機膜であり、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。

　以上のように、表示デバイス４０の製造方法においては、タブ部３５をつまんで第１フィルム３３ａ及びタブ部３５を容易に剥離できるので、表示デバイス４０の生産性を向上できる。

　図５は、表示デバイス４０の他の製造方法を説明するための図である。

　上述した図１に図示する表示デバイス４０の製造方法においては、母基板の分断による個片化（Ｓ１０９）の工程後に、上記（Ｓ１）の工程と、上記（Ｓ２）の工程とを行うので、上記（Ｓ１）の工程及び上記（Ｓ２）の工程において用いるレーザー装置のサイズを大型化する必要がないというメリットがある。

　一方、図５に図示する表示デバイス４０の製造方法の場合、母基板の分断による個片化（Ｓ１０９）の工程の前に、第２フィルム側からレーザー光で母基板における各表示デバイスの外形をフルカットする（Ｓ１０）の工程と、第２フィルム側からレーザー光で母基板における各表示デバイスのタブ部を形成するように、表示パネル及び第２フィルムをカット（ハーフカットともいう）する（Ｓ１１；プルタブ部形成工程）の工程とを行う点で、図１に図示する表示デバイス４０の製造方法とは異なる。

　図５に図示する表示デバイス４０の製造方法の場合、図１に図示する表示デバイス４０の製造方法と比較すると、上記（Ｓ１０）の工程及び上記（Ｓ１１）の工程において用いるレーザー装置のサイズを大型化する必要がある。

　なお、本実施形態においては、タブ部３５が、除去されてノッチ部Ｋ１を形成する、表示パネル３２ａの一部及び第２フィルム３４ａの一部を含む場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、後述する実施形態２のように、タブ部３５には、除去されて表示デバイスのノッチ部を形成する部分が含まれてなくてもよい。

　なお、本実施形態においては、第２フィルム３４がＬＬＯ工程で形成される場合を一例に挙げて説明したが、第２フィルム３４は、ＬＬＯ工程以外の方法で形成されてもよい。

　〔実施形態２〕
　次に、図６に基づき、本発明の実施形態２について説明する。本実施形態においては、タブ部３５ａ及びタブ部３５ａ’には、除去されて表示デバイスのノッチ部を形成する部分が含まれていない点において、実施形態１とは異なり、その他については実施形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図６の（ａ）は、個片化された表示デバイス５１（積層可撓性基板）の概略構成を示す図であり、図６の（ｂ）は、所定形状の表示デバイス（要部積層可撓性基板）から第１フィルム（第１可撓性基板）を剥離した表示デバイス４１を示す図である。

　図６の（ｂ）に図示する表示デバイス４１に備えられた表示パネル３２ｂ及び第２フィルム（図示せず）には、ノッチ部が形成されていない。

　図６の（ａ）に図示するように、個片化された表示デバイス５１において、タブ部３５ａは、除去されて表示デバイスのノッチ部を形成する、表示パネル３２（可撓性表示基板）の一部及び第２フィルム３４（第２可撓性基板）の一部を含まない。

　タブ部３５ａの図中、上側の端部はハーフカットされており、左側の端面及び右側の端面はフルカットされているので、タブ部３５ａは、第１フィルム３３上に島状に形成されている。

　よって、タブ部３５ａをつまんで、第１フィルムとタブ部３５ａとを同時に容易に剥離することができるので、表示デバイスの生産性を向上できる。

　なお、本実施形態においては、図６の（ａ）に図示する幅Ｃを４ｍｍで形成したが、これは一例であって、幅Ｃは、必要に応じて適宜設定することができる。

　タブ部３５ａは、図６の（ａ）に図示する個片化された表示デバイス５１における外形部分（第１フィルム３３と共に剥離される部分）を除去し、図６の（ｂ）に図示する表示デバイス４１とする際に、除去される外形部分中の直線状に切断された部分を含む場合であるが、これに限定されることはなく、図６の（ｃ）に図示するように、タブ部３５ａ’は、図６の（ｃ）に図示する個片化された表示デバイス５１ａにおける外形部分（第１フィルム３３と共に剥離される部分）を除去し、図６の（ｂ）に図示する表示デバイス４１とする際に、除去される外形部分中の曲線状に切断された部分（ラウンド形状の部分）を含んでいてもよい。

　なお、タブ部３５ａ’の図中、上側の端部は曲線状にハーフカットされており、左側の端面及び右側の端面はフルカットされているので、タブ部３５ａ’は、第１フィルム３３上に島状に形成されている。

　〔実施形態３〕
　次に、図７に基づき、本発明の実施形態３について説明する。本実施形態においては、タブ部３５ｂは、表示パネル３２及び第２フィルム３４の一部であるハーフカットされた外形部分（非要部）全体を含んでいる点において、実施形態１及び２とは異なり、その他については実施形態１及び２において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１及び２の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図７の（ａ）は、個片化された表示デバイス５２（積層可撓性基板）の概略構成を示す図であり、図７の（ｂ）は、表示デバイス４２の平面図である。

　図７の（ａ）に図示するように、個片化された表示デバイス５２において、タブ部３５ｂは、表示パネル３２（可撓性表示基板）及び第２フィルム３４（第２可撓性基板）の一部であるハーフカットされた外形部分（非要部）全体を含む。すなわち、個片化された表示デバイス５２においては、表示パネル３２と第２フィルム３４とをレーザーにより、表示領域を含む要部（図中のレーザー光が通るラインＨＣの内側の領域）と、表示領域を含まない非要部（図中のレーザー光が通るラインＨＣの外側の領域）とに切断している。

　タブ部３５ｂの端部は、ハーフカットされているので、タブ部３５ｂは、第１フィルム３３上に島状に形成されている。

　なお、個片化された表示デバイス５２においては、第１フィルム３３と重畳しない、表示パネル３２及び第２フィルム３４の一部が存在するが、この部分は、タブ部３５ｂをつまんで、第１フィルム３３とタブ部３５ｂとを剥離する際に一緒に剥離することができるので、表示デバイスの生産性を向上できる。

　図７の（ｂ）に図示する表示デバイス４２に備えられた表示パネル３２ｃには、ノッチ部が形成されていない。

　なお、本実施形態においては、図７の（ａ）に図示する幅Ｄを４ｍｍで形成したが、これは一例であって、幅Ｄは、必要に応じて適宜設定することができる。

　また、本実施形態の表示デバイスの製造方法の場合、上述した図１に図示する表示デバイス４０の製造方法における上記（Ｓ１）の工程と、上記（Ｓ３）の工程とを省くことができるメリットがある。

　すなわち、本実施形態の表示デバイスの製造方法の場合、ハーフカットを行うタブ部３５ｂを形成する工程と、第１フィルム３３とタブ部３５ｂとを剥離する剥離工程とを含む。

　なお、本実施形態においては、タブ部３５ｂが、除去されて表示デバイスのノッチ部を形成する部分を含まない場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、タブ部３５ｂは、除去されて表示デバイスのノッチ部を形成する部分を含むように形成されてもよい。

　〔実施形態４〕
　次に、図８及び図９に基づき、本発明の実施形態４について説明する。本実施形態においては、所定形状の表示デバイス５３ａに、除去されてノッチ部Ｋ１を形成する表示パネル３２ｄの一部及び第２フィルム３４ｂの一部を含むタブ部３５と、除去されて開口Ｋ２を形成する表示パネル３２ｄの一部及び第２フィルム３４ｂの一部を含むタブ部（島状部）３５ｃとが備えられている点において、実施形態１～３とは異なり、その他については実施形態１～３において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１～３の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図８の（ａ）は、個片化された表示デバイス５３（積層可撓性基板）の概略構成を示す図であり、図８の（ｂ）は、（ａ）で図示したＩ部分の部分拡大図であり、図８の（ｃ）は、所定形状の表示デバイス５３ａ（要部積層可撓性基板）から第１フィルム３３ａ（第１可撓性基板）を剥離する工程を説明するための図である。

　図８の（ａ）及び図８の（ｂ）に図示するように、個片化された表示デバイス５３においは、その外形をレーザー光でフルカットし、タブ部３５及びタブ部３５ｃを形成するように、表示パネル３２（可撓性表示基板）及び第２フィルム３４（第２可撓性基板）をカット（ハーフカット）した。

　図８の（ｃ）に図示するように、タブ部３５及びタブ部３５ｃは、第１フィルム３３ａ上に島状に形成されているので、タブ部３５をつまんで、第１フィルム３３ａとタブ部３５及びタブ部３５ｃとを同時に容易に剥離することができる。

　図９の（ａ）は、所定形状の表示デバイス５３ａを第２フィルム３４ｂ側から見た平面図であり、図９の（ｂ）は、所定形状の表示デバイス５３ａを第１フィルム３３ａ側から見た平面図であり、図９の（ｃ）は、所定形状の表示デバイス５３ａから第１フィルム３３ａを剥離した表示デバイス４３を示す図である。

　図９の（ａ）に図示するように、所定形状の表示デバイス５３ａに備えられた第２フィルム３４ｂには、ハーフカットされた部分がある。一方、図９の（ｂ）に図示するように、所定形状の表示デバイス５３ａに備えられた第１フィルム３３ａには、ハーフカットされた部分がない。

　図８の（ｃ）に図示するように、第１フィルム３３ａとタブ部３５とタブ部３５ｃとを剥離した場合、図９の（ｃ）に図示するノッチ部Ｋ１と開口Ｋ２とを有する表示デバイス４３を得ることができる。図９の（ｃ）に図示する表示デバイス４３は、表示デバイス４３を表示パネル３２ｄ側から見た平面図であり、表示パネル３２ｄの裏面には、図示してないが第２フィルム３４ｂがある。

　なお、タブ部３５及びタブ部３５ｃは、レーザー光が通るラインＦＣの内側である、表示領域を含む所定形状の表示デバイス５３ａ（要部積層可撓性基板）に形成されており、本実施形態においては、開口Ｋ２を円形に形成するため、タブ部３５ｃも円形に形成したが、タブ部３５ｃの形状はこれに限定されることはない。

　〔実施形態５〕
　次に、図１０に基づき、本発明の実施形態５について説明する。本実施形態においては、個片化された表示デバイス５４には、除去されて開口Ｋ２を形成する表示パネル３２の一部及び第２フィルム３４の一部を含むタブ部（島状部）３５ｃと、除去されて開口Ｋ３を形成する表示パネル３２の一部及び第２フィルム３４の一部を含むタブ部（島状部）３５ｄとが備えられている点において、実施形態１～４とは異なり、その他については実施形態１～４において説明したとおりである。説明の便宜上、実施形態１～４の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。

　図１０の（ａ）は、個片化された表示デバイス５４（積層可撓性基板）の概略構成を示す図であり、図１０の（ｂ）は、所定形状の表示デバイス（要部積層可撓性基板）から第１フィルムを剥離した表示デバイス４４の平面図である。

　図１０の（ａ）に図示するように、個片化された表示デバイス５４においは、その外形をレーザー光でフルカットし、タブ部３５ｃ及びタブ部３５ｄを形成するように、表示パネル３２（可撓性表示基板）及び第２フィルム３４（第２可撓性基板）をカット（ハーフカット）した。

　タブ部３５ｃ及びタブ部３５ｄは、第１フィルム３３（第１可撓性基板）上に島状に形成されているので、タブ部３５ｃ及びタブ部３５ｄを押すことで、第１フィルム３３とタブ部３５ｃ及びタブ部３５ｄとを同時に容易に剥離することができる。すなわち、島状部であるタブ部３５ｃ及びタブ部３５ｄを起点に第１フィルム３３を剥離することができる。

　以上のように、第１フィルム３３とタブ部３５ｃとタブ部３５ｄとを剥離した場合、図１０の（ｂ）に図示する開口Ｋ２と開口Ｋ３とを有する表示デバイス４４を得ることができる。図１０の（ｂ）に図示する表示デバイス４４は、表示デバイス４４を表示パネル３２ｅ側から見た平面図であり、表示パネル３２ｅの裏面には、図示してないが第２フィルムがある。

　なお、タブ部３５ｃ及びタブ部３５ｄは、レーザー光が通るラインＦＣの内側である、表示領域を含む所定形状の表示デバイス（要部積層可撓性基板）に形成されており、本実施形態においては、開口Ｋ２及び開口Ｋ３を円形に形成するため、タブ部３５ｃ及びタブ部３５ｄも円形に形成したが、タブ部３５ｃ及びタブ部３５ｄの形状はこれに限定されることはなく、タブ部３５ｃの形状とタブ部３５ｄの形状とは異なっていてもよい。

　〔まとめ〕
　〔態様１〕
　第１可撓性基板と、可撓性表示基板と、第２可撓性基板とがこの順に積層された積層可撓性基板を含む表示デバイスの製造方法であって、上記積層可撓性基板をレーザーにより、表示領域を含む要部積層可撓性基板と、上記表示領域を含まない非要部積層可撓性基板とに切断する外形切断工程と、上記非要部積層可撓性基板を除去する非要部除去工程と、上記要部積層可撓性基板から上記第１可撓性基板を剥離する剥離工程と、を含み、上記剥離工程より前には、レーザーにより、上記積層可撓性基板の可撓性表示基板と第２可撓性基板とを切断し、タブ部を形成する工程が含まれ、
　上記剥離工程においては、上記第１可撓性基板と共に、上記タブ部の可撓性表示基板及び第２可撓性基板を剥離することを特徴とする表示デバイスの製造方法。

　〔態様２〕
　第１可撓性基板と、可撓性表示基板と、第２可撓性基板とがこの順に積層された積層可撓性基板を含む表示デバイスの製造方法であって、上記積層可撓性基板をレーザーにより、表示領域を含む要部積層可撓性基板と、上記表示領域を含まない非要部積層可撓性基板とに切断する外形切断工程と、上記非要部積層可撓性基板を除去する非要部除去工程と、上記要部積層可撓性基板から上記第１可撓性基板を剥離する剥離工程と、を含み、上記剥離工程より前には、レーザーにより、上記積層可撓性基板の可撓性表示基板と第２可撓性基板とを切断し、上記表示領域内に島状部を形成する工程が含まれ、上記剥離工程においては、上記第１可撓性基板と共に、上記島状部の可撓性表示基板及び第２可撓性基板を剥離し、上記可撓性表示基板及び上記第２可撓性基板に開口を形成することを特徴とする表示デバイスの製造方法。

　〔態様３〕
　第１可撓性基板と、可撓性表示基板と、第２可撓性基板とがこの順に積層された積層可撓性基板を含む表示デバイスの製造方法であって、上記積層可撓性基板の可撓性表示基板と第２可撓性基板とをレーザーにより、表示領域を含む要部と、上記表示領域を含まない非要部とに切断するタブ部を形成する工程と、上記第１可撓性基板と共に、上記非要部である上記タブ部の可撓性表示基板及び第２可撓性基板を剥離する剥離工程と、を含むことを特徴とする表示デバイスの製造方法。

　〔態様４〕
　上記タブ部は、互いに重畳する、上記可撓性表示基板の一部と、上記第２可撓性基板の一部とを含み、
　上記剥離工程において、上記第１可撓性基板と共に、上記可撓性表示基板の一部と、上記第２可撓性基板の一部とを剥離し、上記可撓性表示基板及び上記第２可撓性基板に切り欠き部を形成することを特徴とする態様１に記載の表示デバイスの製造方法。

　〔態様５〕
　上記剥離工程においては、上記タブ部を起点に上記第１可撓性基板を剥離することを特徴とする態様１、３、４の何れかに記載の表示デバイスの製造方法。

　〔態様６〕
　上記剥離工程においては、上記タブ部が剥離され、上記可撓性表示基板の切り欠き部が形成されることを特徴とする態様５に記載の表示デバイスの製造方法。

　〔態様７〕
　上記タブ部は、上記タブ部を形成する工程において、上記レーザーにより曲線状に切断された部分を含むことを特徴とする態様５に記載の表示デバイスの製造方法。

　〔態様８〕
　上記タブ部は、上記第１可撓性基板上に凸状に形成されていることを特徴とする態様１、３～７の何れかに記載の表示デバイスの製造方法。

　〔態様９〕
　上記剥離工程においては、上記島状部を起点に上記第１可撓性基板を剥離することを特徴とする態様２に記載の表示デバイスの製造方法。

　〔態様１０〕
　上記第１可撓性基板は、上記可撓性表示基板における上記表示領域及び端子部側に備えられていることを特徴とする態様１から９の何れかに記載の表示デバイスの製造方法。

　〔態様１１〕
　支持基板上に、樹脂層を含む上記可撓性表示基板を形成する工程と、上記可撓性表示基板に上記第１可撓性基板を貼り付ける工程と、レーザー光を照射し、上記支持基板を上記樹脂層から剥離する工程と、上記樹脂層において上記支持基板を剥離した面に、上記第２可撓性基板を貼り付ける工程と、上記積層可撓性基板を個片化する工程と、上記可撓性表示基板の端子部を覆う上記第１可撓性基板の一部を剥離する工程と、上記端子部に電子回路基板を実装する工程と、を含むことを特徴とする態様１から１０の何れかに記載の表示デバイスの製造方法。

　〔付記事項〕
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　本発明は、表示デバイスの製造方法に利用することができる。

　３　バリア層
　４　ＴＦＴ層
　５　有機ＥＬ素子層
　６　封止層
　２９　接着剤層
　３０　機能層
　３１・５１・５１ａ・５２・５３・５４個片化された表示デバイス（積層可撓性基板）
　３１ａ・５３ａ　所定形状の表示デバイス（要部積層可撓性基板）
　３２　表示パネル（可撓性表示基板）
　３２ａ・３２ｂ・３２ｃ・３２ｄ・３２ｅ　表示パネル
　３３・３３ａ・　第１フィルム（第１可撓性基板）
　３４・３４ａ・３４ｂ　第２フィルム（第２可撓性基板）
　３５・３５ａ・３５ａ’・３５ｂ・３５ｃ・３５ｄ　タブ部
　４０・４１・４２・４３・４４　表示デバイス
　ＴＭ　端子部
　Ｋ１　ノッチ部（切り欠き部）
　Ｋ２・Ｋ３　開口
　ＤＡ　表示領域

Claims

　第１可撓性基板と、可撓性表示基板と、第２可撓性基板とがこの順に積層された積層可撓性基板を含む表示デバイスの製造方法であって、
　上記積層可撓性基板をレーザーにより、表示領域を含む要部積層可撓性基板と、上記表示領域を含まない非要部積層可撓性基板とに切断する外形切断工程と、
　上記非要部積層可撓性基板を除去する非要部除去工程と、
　上記要部積層可撓性基板から上記第１可撓性基板を剥離する剥離工程と、を含み、
　上記剥離工程より前には、レーザーにより、上記積層可撓性基板の可撓性表示基板と第２可撓性基板とを切断し、タブ部を形成する工程が含まれ、
　上記剥離工程においては、上記第１可撓性基板と共に、上記タブ部の可撓性表示基板及び第２可撓性基板を剥離することを特徴とする表示デバイスの製造方法。
　第１可撓性基板と、可撓性表示基板と、第２可撓性基板とがこの順に積層された積層可撓性基板を含む表示デバイスの製造方法であって、
　上記積層可撓性基板をレーザーにより、表示領域を含む要部積層可撓性基板と、上記表示領域を含まない非要部積層可撓性基板とに切断する外形切断工程と、
　上記非要部積層可撓性基板を除去する非要部除去工程と、
　上記要部積層可撓性基板から上記第１可撓性基板を剥離する剥離工程と、を含み、
　上記剥離工程より前には、レーザーにより、上記積層可撓性基板の可撓性表示基板と第２可撓性基板とを切断し、上記表示領域内に島状部を形成する工程が含まれ、
　上記剥離工程においては、上記第１可撓性基板と共に、上記島状部の可撓性表示基板及び第２可撓性基板を剥離し、上記可撓性表示基板及び上記第２可撓性基板に開口を形成することを特徴とする表示デバイスの製造方法。
　第１可撓性基板と、可撓性表示基板と、第２可撓性基板とがこの順に積層された積層可撓性基板を含む表示デバイスの製造方法であって、
　上記積層可撓性基板の可撓性表示基板と第２可撓性基板とをレーザーにより、表示領域を含む要部と、上記表示領域を含まない非要部とに切断するタブ部を形成する工程と、
　上記第１可撓性基板と共に、上記非要部である上記タブ部の可撓性表示基板及び第２可撓性基板を剥離する剥離工程と、を含むことを特徴とする表示デバイスの製造方法。
　上記タブ部は、互いに重畳する、上記可撓性表示基板の一部と、上記第２可撓性基板の一部とを含み、
　上記剥離工程において、上記第１可撓性基板と共に、上記可撓性表示基板の一部と、上記第２可撓性基板の一部とを剥離し、上記可撓性表示基板及び上記第２可撓性基板に切り欠き部を形成することを特徴とする請求項１に記載の表示デバイスの製造方法。
　上記剥離工程においては、上記タブ部を起点に上記第１可撓性基板を剥離することを特徴とする請求項１、３、４の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　上記剥離工程においては、上記タブ部が剥離され、上記可撓性表示基板の切り欠き部が形成されることを特徴とする請求項５に記載の表示デバイスの製造方法。
　上記タブ部は、上記タブ部を形成する工程において、上記レーザーにより曲線状に切断された部分を含むことを特徴とする請求項５に記載の表示デバイスの製造方法。
　上記タブ部は、上記第１可撓性基板上に凸状に形成されていることを特徴とする請求項１、３～７の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　上記剥離工程においては、上記島状部を起点に上記第１可撓性基板を剥離することを特徴とする請求項２に記載の表示デバイスの製造方法。
　上記第１可撓性基板は、上記可撓性表示基板における上記表示領域及び端子部側に備えられていることを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　支持基板上に、樹脂層を含む上記可撓性表示基板を形成する工程と、
　上記可撓性表示基板に上記第１可撓性基板を貼り付ける工程と、
　レーザー光を照射し、上記支持基板を上記樹脂層から剥離する工程と、
　上記樹脂層において上記支持基板を剥離した面に、上記第２可撓性基板を貼り付ける工程と、
　上記積層可撓性基板を個片化する工程と、
　上記可撓性表示基板の端子部を覆う上記第１可撓性基板の一部を剥離する工程と、
　上記端子部に電子回路基板を実装する工程と、を含むことを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載の表示デバイスの製造方法。