CN111868809B - 显示装置和显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

在柔性有机EL显示装置(1)中的端子部区域(TMR)的端面(DM)上，多个短路环配线(15D)的每一个与作为树脂层的平坦化膜(21)接触。

Description

显示装置和显示装置的制造方法
技术领域
本发明是关于显示装置和显示装置的制造方法。
背景技术
在专利文献1记载有：在切割具备有机EL元件的大型基板的切割工序中，进行短路环部的切割，并且在可靠地防止由于静电造成的短路的同时，减少切割次数，提高生产率。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本公开专利公报“特开2007-34275”号公报(2007年2月8日公开)
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在专利文献1公开的结构和制造方法的情况下，没有考虑进行短路环部的切割的地方的膜结构。在利用激光切割短路环部时，在切割部分中，由于瞬间产生温度上升，因此在被切割的短路环部由金属膜形成，并且被夹在下层的无机膜和上层的无机膜之间的情况下，由于其线膨胀系数的差，容易产生裂纹。
如此，如果产生裂纹，则由于水分、氧气等通过该裂纹容易渗透到端子部和有机EL元件中，因此存在对端子部和有机EL元件的可靠性产生不利影响的问题。
本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于提供在进行切割的地方，抑制了裂纹的产生的显示装置及显示装置的制造方法。
解决课题所采用的方案
为了解决上述的课题，本发明的显示装置具备显示区域、包围上述显示区域的边框区域、和形成在上述边框区域的端部的端子部区域；其特征在于：上述端子部区域中具备输入来自外部的信号的多个端子部、从上述多个端子部延伸的多个第一引绕配线、从上述多个端子部向上述显示区域延伸的多个第二引绕配线；上述多个第一引绕配线的每一个朝上述多个第二引绕配线的每一个所延伸的方向的相反方向延伸，并与上述端子部区域的端面交叉；在上述端子部区域的端面上，上述多个第一引绕配线的每一个所接触的上层和下层中的至少一个是树脂层。
根据上述结构，在上述端子部区域的端面上，上述多个第一引绕配线的每一个所接触的上层和下层中的至少一个是树脂层，因此能够抑制在上述端子部区域的端面产生裂纹。
为了解决上述的课题，本发明的显示装置的制造方法包括通过上述端子部区域切割显示装置的工序，所述显示装置具备显示区域、包围上述显示区域的边框区域、形成于上述边框区域的端部的端子部区域，其特征在于：在以上述端子部区域进行切割的工序中，在由上述切割而生成的剖面的膜结构中，以多个配线的每一个所接触的上层和下层中的至少一个包括作为树脂层的部分的方式，切割上述端子部区域。
根据上述方法，在以上述端子部区域进行切割的工序中，在由上述切割而生成的剖面的膜结构中，以多个配线的每一个所接触的上层和下层的至少一个包含作为树脂层的部分的方式对上述端子部区域进行切割，所以在进行切割的地方可以抑制裂纹的产生。
发明的效果
根据本发明的一个方面，可以提供一种抑制了在进行切割的地方产生裂纹的显示装置和显示装置的制造方法。
附图说明
图1的(a)是在具备多个有机EL元件的载体玻璃基板上具备有机EL元件的区域的剖视图，图1的(b)是在具备多个有机EL元件的大型薄膜基板上具备有机EL元件的区域的剖视图。图2是用于说明向具有多个有机EL元件的大型薄膜基板的单片化和单片化后的端子部进行安装工序的图。
图3的(a)是用于说明在具备多个有机EL元件的大型薄膜基板的上表面膜上制作切口的工序的图，图3的(b)是用于说明具备多个有机EL元件的大型薄膜基板的单片化工序的图，图3的(c)是用于说明剥离上表面膜的一部分的工序的图，图3的(d)是用于说明切割短路环部，并作为第一实施方式的柔性有机EL显示装置的工序的图。
图4的(a)是图3的(c)中的C部分的局部放大图，图4的(b)是图3的(a)中的D-E线的剖视图，图4的(c)是表示包括端子部区域的端面的柔性有机EL显示装置的概略结构的图，所述端子部区域的端面是利用激光、沿包括短路环部的部分即图中的A’-B’线，对图4的(b)所示的柔性有机EL显示装置进行切割而形成。
图5的(a)是用于说明比较例的柔性有机EL显示装置的概略结构的图，图5的(b)是表示包括端子部区域的端面的柔性有机EL显示装置的概略结构的图，所述端子部区域的端面是利用激光、沿包括短路环部的部分即图中的A’-B’线，对图5的(a)所示的柔性有机EL显示装置进行切割而形成。
图6的(a)是用于说明第二实施方式的柔性有机EL显示装置的概略结构的图，图6的(b)是表示包括端子部区域的端面的柔性有机EL显示装置的概略结构的图，所述端子部区域的端面是利用激光、沿包括短路环部的部分即图中的A’-B’线，对图6的(a)所示的柔性有机EL显示装置进行切割而形成。
图7的(a)是用于说明第三实施方式的柔性有机EL显示装置的概略结构的图，图7的(b)是表示包括端子部区域的端面的柔性有机EL显示装置的概略结构的图，所述端子部区域的端面是利用激光、沿包括短路环部的部分即图中的A’-B’线，对图7的(a)所示的柔性有机EL显示装置进行切割而形成。
用于实施发明的方式
根据图1到图7，对本发明的实施方式进行说明的话，具体如下。以下，为了便于说明，对于具有与在特定实施方式中说明的结构相同的功能的结构，有时会标记相同的附图标记，省略其说明。
另外，在以下的各实施方式中，作为显示元件(光学元件)的一例，以有机EL(Electro luminescence)元件为例进行说明，但不限于此，例如，也可以是通过电压控制亮度和透射率，不需要背光源的反射型液晶显示装置等。
上述显示元件(光学元件)也可以是根据电流控制亮度和透射率的光学元件，作为电流控制的光学元件，有具备OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)的有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器、或者具备无机发光二极管的无机EL显示器等的EL显示器、具备QLED(Quantum dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)的QLED显示器等。
[第一实施方式]
以下，根据图1至图4，对本发明的第一实施方式的柔性有机EL显示装置进行说明，并根据图5对比较例的柔性有机EL显示装置110进行说明。
图1的(a)是在具有多个有机EL元件的载体玻璃基板30中，具备有机EL元件的区域的剖视图，图1的(b)是在具备多个有机EL元件的大型薄膜基板40中，具备有机EL元件的区域的剖视图。
另外，大型薄膜基板40的尺寸只要大于柔性有机EL显示装置1的尺寸即可，从一个大型薄膜基板40取得的柔性有机EL显示装置1的个数可以酌情决定。因此，大型薄膜基板40的尺寸例如可以大于第六代的基板尺寸，也可以小于第六代的基板尺寸。
根据图1的(a)和图1的(b)，说明柔性有机EL显示装置1的制造工序中，直到柔性化工序为止。
首先，在载体玻璃基板2上形成树脂层12，所述载体玻璃基板2是在后工序中被剥离并且被薄膜基板10代替的透光性的支撑基板。之后，形成势垒层3。之后，形成TFT层4。之后，作为显示元件，形成作为发光元件层的有机EL元件层5。然后，形成密封层6。接着，在密封层6上粘贴上表面膜29，作为具备图1的(a)所示的多个有机EL元件的载体玻璃基板30。接着，通过载体玻璃基本2在树脂层12的下表面照射激光，使载体玻璃基板2和树脂层12之间的结合力降低，从树脂层12上剥离载体玻璃基板2。将用于从树脂层12上剥离载体玻璃基板2的多个工序也称为Laser Lift Off工序(LLO工序)。接下来，在树脂层12中，将薄膜基板10经由粘接剂层11粘贴在剥离了载体玻璃基板2的表面上，将其作为具备图1的(b)所示的多个有机EL元件的大型薄膜基板40。
图2是用于说明向具备多个有机EL元件的大型薄膜基板40的单片化及单片化后的端子部进行安装工序的图。
图3的(a)是用于说明在具备多个有机EL元件的大型薄膜基板40的上表面膜29上制作切口的工序的图，图3的(b)是用于说明具备多个有机EL元件的大型薄膜基板40的单片化工序的图，图3的(c)是用于说明剥离上表面膜29的一部分的工序的图，图3的(d)是用于说明切割短路环部，并作为第一实施方式的柔性有机EL显示装置1的工序的图。
另外，短路环部包括图3的(a)所示的框状的短路环7和图4的(a)所示的与短路环7电连接的多个短路环配线15D，且与端子部TM1～TMn电连接，例如，构成为在剥离上表面膜29的一部分的工序中，抑制端子部TM1～TMn中可能发生的静电所引起的短路。
如图2和图3的(a)所示，在具备多个有机EL元件的大型薄膜基板40的端子部TM1～TMn附近的上表面膜29上制作切口HC的工序(步骤S1)中，作为各端子部区域TMR，在端子部TM1～TMn和显示区域DA之间的上表面膜29上制作切口HC。另外，在上表面膜29形成有切口HC的状态下的端子部区域TMR的概略结构是在图4的(b)所示的结构中，平坦化膜21以及端子部TMn上进一步具备上表面膜29的结构。
在本实施方式中，仅在各端子部区域TMR中在上表面膜29制作切口HC，但不限于此，也可以连接在图3的(a)的左右方向，在上表面膜29制作切口HC，形成一条直线形状。
切口HC通过切去上表面膜29的厚度的一部分，例如切去上表面膜29的厚度的一半(半切)，可以切入上表面膜29。
如图3的(a)所示，在各端子部区域TMR中，在端子部TM1～TMn的图中下侧具备包含于短路环部的短路环7，各端子部区域TMR中的切口HC的上侧配置有显示区域DA，在下侧配置有端子部TM1～TMn和显示区域DA。
接着，如图2以及图3的(b)所示，在通过切割具备多个有机EL元件的大型薄膜基板40而进行的单片化工序(步骤S2)中，切割包括薄膜基板10、粘接剂层11、树脂层12、势垒层3、TFT层4的一部分以及上表面膜29的层叠体，获得多个单片化的柔性有机EL显示装置50。柔性有机EL显示装置50上具备显示区域DA和边框区域NA，所述边框区域NA被形成为包围显示区域DA，边框区域NA的一部分(具体而言，边框区域NA的端部)是端子部区域TMR。
在本实施方式中，以一个例子说明了在该单片化工序中，只剩下图3的(a)所示的框状的短路环7的下部部分，上部部分、右侧部分和左侧部分被去除的情况，但不限于此，在单片化工序中，也可以适用如下的方法：图3的(a)所示的框状的短路环7的下部部分、上部部分、右侧部分以及左侧部分全部被留下，仅部分地剥离覆盖端子部TM1～TMn的上表面膜29的一部分后，除去框状的短路环7的下部部分，进行了点亮显示检查后，在将单片化的柔性有机EL显示装置进一步切割成自由的形状时，去除其它短路环部(框状的短路环7的上部部分、右侧部分和左侧部分)的方法。
另外，在本实施方式中，虽然在具备多个有机EL元件的大型薄膜基板40的端子部TM1～TMn附近的上表面膜29制作切口HC的工序(步骤S1)之后，举例说明通过切割具备多个有机EL元件的大型薄膜基板40而进行的单片化工序(步骤S2)的情况，但不限于此，也可以在进行了上述步骤S2之后进行上述步骤S1。
接着，如图2及图3的(c)所示，在剥离端子部TM1～TMn附近的上表面膜29的一部分的工序(步骤S3)中，对与端子部TM1～TMn及短路环7重叠的上表面膜29的一部分进行剥离，使端子部TM1～TMn露出。在该工序中，端子部TM1～TMn与短路环7电连接，因此能够可靠地抑制在该工序中可能产生的静电所引起的短路。
图4的(a)是图3的(c)中的C部分的局部放大图，图4的(b)是图4的(a)中的D-E线的剖视图，图4的(c)是表示包括端子部区域的端面DM的柔性有机EL显示装置1的概略结构的图，所述端子部区域的端面DM是利用激光、沿包括短路环部的部分即图中的A’-B’线，对图4的(b)所示的柔性有机EL显示装置60进行切割而形成。
如图4的(a)和图4的(b)所示，来自显示区域DA的引绕配线TW1～TWn的每一个经由多个第一接触孔CON1分别与每个端子部TM1～TMn电连接。
端子部TM1～TMn中的每一个经由多个第二接触孔CON2分别与多个短路环配线15D的每一个电连接。
多个短路环配线15D中的每一个经由多个第三接触孔CON3分别与短路环7电连接。
在本实施方式中，端子部TM1～TMn及短路环7由与包含TFT层4中的源极·漏极电极的源极·漏极配线SH相同的材料形成，引绕配线TW1～TWn由与TFT层4中的栅极电极GE相同的材料形成，短路环配线15D是以掺杂与TFT层4中的半导体膜15相同的材料而获得的膜的情况为例进行说明，但是不限于此。
如图4的(b)所示，端子部TM1～TMn的每一个都从形成于平坦化膜21的开口21c露出，第一接触孔CON1形成于无机绝缘膜18及无机绝缘膜20，第二接触孔CON2及第三接触孔CON3形成于无机绝缘膜16、无机绝缘膜18以及无机绝缘膜20。
另外，如图4的(a)和图4的(b)所示，在端子部TM1～TMn和短路环7之间，形成有多个短路环配线15D的区域中形成有狭缝K1，所示狭缝K1形成在无机绝缘膜16、无机绝缘膜18以及无机绝缘膜20上。
狭缝K1的图4的(a)的左右方向的宽度优选是从柔性有机EL显示装置60的一侧的端部形成到另一侧的端部，狭缝K1的图4的(a)的上下方向的宽度根据用于短路环部的切割的激光的宽度适当设定即可。
如图4的(b)所示，多个短路环配线15D分别从狭缝K1露出，但被平坦化膜21覆盖。也就是说，包括于短路环部的多个短路环配线15D中的每一个形成在作为无机膜的势垒层3上，多个短路环配线15D中的每一个被作为树脂层的平坦化膜21覆盖。
接着，如图2和图3的(c)中所示，在被单片化的柔性有机EL显示装置60中，在切割短路环部的工序(步骤S4)中，沿着图中的A-B线切割包括短路环7的短路环部，作为图3的(d)所示的柔性有机EL显示装置1。
使用了激光的短路环部的切割位置在图4的(a)中是图中的A-B线，在图4的(b)中是图中的A′-B′线。
在利用激光切割短路环部时，在切割部分中，由于瞬间产生温度上升，因此在被切割的短路环部由金属膜或半导体膜形成，并且被夹在下层的无机膜和上层的无机膜之间的情况下，由于其线膨胀系数的差，容易产生裂纹。
因此，在本实施方式中，在无机绝缘膜16、无机绝缘膜18以及无机绝缘膜20上形成狭缝K1，用作为树脂层的平坦化膜21覆盖作为半导体膜的多个短路环配线15D的每一个。
另外，作为无机膜的势垒层3的线膨胀系数(例如，SiO2的线膨胀系数：0.5E-6/K)和作为半导体膜的多个短路环配线15D的线膨胀系数(例如，Si的线膨胀系数：3.9E-6/K)之间的差比作为无机膜的势垒层3的线膨胀系数(例如，SiO2的线膨胀系数：0.5E-6/K)和金属材料的线膨胀系数(例如，Mo的线膨胀系数：5.1E-6/K)之间的差小，所以优选在作为无机膜的势垒层3上，通过半导体膜形成多个短路环配线15D。
如上所述，在图4的(b)所示的柔性有机EL显示装置60中，沿着图中的A’-B’线用激光切割短路环部，即使作为包括图4的(c)所示的端子部区域的端面DM的柔性有机EL显示装置1，在柔性有机EL显示装置1中，端子部区域的端面DM也难以产生裂纹。
如图4的(c)所示，在柔性有机EL显示装置1的端子部区域中，作为半导体膜的多个短路环配线15D中的每一个的上层，形成有一层以上的作为无机膜的无机绝缘膜16、无机绝缘膜18以及无机绝缘膜20，无机绝缘膜16、无机绝缘膜18以及无机绝缘膜20形成在与多个短路环配线15D分别相交的端子部区域的端面DM的内侧。
接下来，如图2和图3的(d)中所示，在向柔性有机EL显示装置1的端子部TM1～TMn的安装工序(步骤S5)中，在端子部TM1～TMn上，用各向异性导电材(也称为各向异性导电膜(Anisotropic Conductive Film；ACF))压接柔性线路板(未图示)，并安装。
图5的(a)是用于说明比较例的柔性有机EL显示装置100的概略结构的图，图5的(b)是表示包括端子部区域的端面DM的柔性有机EL显示装置110的概略结构的图，所述端子部区域的端面是利用激光、沿着作为包含短路环部的部分的图中的A’-B’线，对图5的(a)所示的柔性有机EL显示装置100进行切割而形成。
在图5的(a)所示的柔性有机EL显示装置100中，沿图中的A’-B’线，用激光切割短路环部，在图5的(b)所示的柔性有机EL显示装置110的情况下，在柔性有机EL显示装置110中，端子部区域的端面DM上容易产生裂纹。
这是因为作为半导体膜的多个短路环配线15D被夹在作为下层的无机膜的势垒层3和作为上层的无机膜的无机绝缘膜16之间。
作为薄膜基板10的材料，例如可以列举聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等，但不限于此。
作为粘接剂层11，可以列举OCA(Optical Clear Adhesive)或OCR(Optical ClearResin)，但不限于此。
作为树脂层12的材料，例如可以列举聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂等，但不限于此。
势垒层3是在使用柔性有机EL显示装置1时，防止水分和杂质到达TFT层4和有机EL元件层5的层，例如，通过CVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜、或者可以由该些的层叠膜构成。
TFT层4设置在树脂层12和势垒层3的上层。TFT层4包括半导体膜15、比半导体膜15更上层的无机绝缘膜(栅极绝缘膜层)16、比无机绝缘膜16更上层的栅极电极GE、比栅极电极GE更上层的无机绝缘膜18、比无机绝缘膜18更上层的电容配线CE、比电容配线CE更上层的无机绝缘膜20、比无机绝缘膜20更上层的、包括源极·漏极电极的源极·漏极配线SH、以及比源极·漏极配线SH更上层的平坦化膜21。
作为有源元件的薄膜晶体管Tr(TFT)被构成为：包括半导体膜15、无机绝缘膜16、栅极电极GE、无机绝缘膜18、无机绝缘膜20以及源极·漏极配线SH。
半导体膜15例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体构成。另外，在图1中，尽管以半导体膜15为沟道的TFT示出为顶栅结构，但也可以是底栅结构(例如，TFT的沟道是氧化物半导体的情况)。
栅极电极GE、电容电极CE、源极·漏极配线SH例如由包含铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)中的至少一个的金属的单层膜或层叠膜而构成。
无机绝缘膜16、18、20可以由例如通过CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或氮氧化硅膜、或者该些的层叠膜构成。
例如，平坦化膜(层间绝缘膜)21可以通过聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等的可涂布的感光性有机材料构成。
另外，在柔性有机EL显示装置1中，显示区域DA和边框区域NA上形成有共用的多层无机膜，该共用的多层无机膜中包括势垒层3、无机绝缘膜16、无机绝缘膜18和无机绝缘膜20。
有机EL元件层5包括比平坦化膜21更上层的阳极22、覆盖阳极22的边缘的堤栏23、比阳极22更上层的EL(电致发光)层24、比EL层24更上层的阴极25，每个子像素SP包括岛状的阳极22、EL层24以及阴极25。堤栏23(阳极边缘罩)例如可以由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等的可涂布的感光性有机材料构成。有机EL元件层5形成显示区域DA，并设置在TFT层4的上层。
EL层24例如通过从下层侧开始依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注入层而构成。发光层通过蒸镀法或喷墨法，按每个子像素呈岛状形成，但是其他层也可以作为整面状的共用层。另外，也可以是不形成空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、电子注入层中的一个以上的层。
阳极22例如通过ITO(Indium Tin Oxide)和包括Ag的合金的层叠而构成，具有光反射性。阴极25可以由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zincum Oxide)等的透光性的导电材料构成。
在有机EL元件层5中，通过阳极22和阴极25之间的驱动电流，空穴和电子在EL层24内复合，由此产生的激子下降到基态，从而释放光。由于阴极25是透光性的，阳极22是光反射性的，所以从EL层24放出的光朝向上方，构成顶部发射。
密封层6是透光性的，包括覆盖阴极25的第一无机密封膜26、形成在第一无机密封膜26的上侧的有机密封膜27、覆盖有机密封膜27的第二无机密封膜28。覆盖有机EL元件层5的密封层6防止水、氧气等的异物渗透入有机EL元件层5。
第一无机密封膜26和第二无机密封膜28可以分别由例如通过CVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜、或者该些的层叠膜构成。有机密封膜27是比第一无机密封膜26和第二无机密封膜28更厚的透光性有机膜，可以由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等的可涂布的感光性有机材料构成。
作为上表面膜29的材料，与薄膜基板10的材料一样，例如可以列举聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等，但不限于此。
另外，上表面膜29考虑剥离上表面膜29的工序，优选使用具有低粘结力的粘接剂层来粘贴上表面膜29。该具有低粘结力的粘接剂层在剥离上表面膜29时，在柔性有机EL显示装置侧，即显示区域DA中，在第二无机密封膜28上，在端子部区域TMR中不残留在平坦化膜21上，与上表面膜29一起被剥离。
[实施方式2]
接着，根据图6，对本发明的第二实施方式进行说明。在本实施方式中，在无机绝缘膜16、无机绝缘膜18以及无机绝缘膜20上形成狭缝K1，在用作为树脂层的平坦化膜21覆盖作为金属膜的多个短路环配线7a中的每一个这点上，与第一实施方式不同，其他是如在第一实施方式中说明的那样。为了便于说明，对与第一实施方式的附图所示的部件具有相同功能的部件标记相同的附图标记，省略其说明。
图6的(a)是用于说明柔性有机EL显示装置60a的概略结构的图，图6的(b)是表示包括端子部区域的端面DM的柔性有机EL显示装置1a的概略结构的图，所述端子部区域的端面DM是利用激光、沿包括短路环部的部分即图中的A’-B’线，对图6的(a)所示的柔性有机EL显示装置60a进行切割而形成。
在图6的(a)所示的柔性有机EL显示装置60a中，利用激光，沿着图中的A’-B’线切割短路环部，在图6的(b)所示的柔性有机EL显示装置1a的情况下，在柔性有机EL显示装置1a中，在端子部区域的端面DM上难以产生裂纹。
这是因为，与第一实施方式一样，在本实施方式中，在无机绝缘膜16、无机绝缘膜18以及无机绝缘膜20上形成狭缝K1，用作为树脂层的平坦化膜21覆盖多个短路环配线7a的每一个。
如图6的5
(a)所示，在柔性有机EL显示装置1a的端子部区域中，作为每个短路环配线7a和相同金属膜的端子部TM1～TMn的每一个的下层，在端子部区域的端面DM上，形成有作为无机层的势垒层3以外的无机绝缘膜16、无机绝缘膜18和无机绝缘膜20，所述无机层包含于多个短路环配线7a的每一个所接触的下层，无机绝缘膜16、无机绝缘膜18和无机绝缘膜20形成在与多个短路环配线7a分别交叉的端子部区域的端面DM的内侧。
在本实施方式中，将端子部TM1～TMn、短路环7和多个短路环配线7a的每一个通过与包含TFT层4中的源极·漏极电极的源极·漏极配线SH相同的材料而形成的情况作为一个例子进行说明，但是不限于此。
另外，短路环部包括短路环7、与短路环7电连接的多个短路环配线7a，并且与端子部TM1～TMn电连接，例如，在剥离上表面膜29的一部分的工序中，抑制由在端子部TM1～TMn中可能发生的静电而造成的短路。
[实施方式3]
接着，根据图7，对本发明的第三实施方式进行说明。在本实施方式中，在作为无机膜的势垒层3、无机绝缘膜16、无机绝缘膜18以及无机绝缘膜20上通过同一工序形成狭缝K1和折弯狭缝CL，用作为树脂层的平坦化膜31填埋狭缝K1，在作为树脂层的平坦化膜31上分别形成作为金属膜的多个短路环配线7a，在用作为树脂层的平坦化膜21覆盖多个短路环配线7a的每一个这点上，与第一实施方式和第二实施方式不同，其他是如第一实施方式和第二实施方式所说明的那样。为了便于说明，对于与第一实施方式和第二实施方式的附图所示的部件具有相同功能的部件，标记相同的标号，省略其说明。
图7的(a)是表示包括折弯狭缝CL的柔性有机EL显示装置60b的概略结构的图，图7的(b)是表示包括端子部区域的端面DM的柔性有机EL显示装置1b的概略结构的图，所述端子部区域的端面DM是沿包括短路环部的部分即图中的A’-B’线，利用激光对图7的(a)所示的柔性有机EL显示装置60b进行切割而形成。
沿包括短路环部的部分即图中的A’-B’线，利用激光对图7的(a)所示的柔性有机EL显示装置60b进行切割，在图7的(b)所示的柔性有机EL显示装置1b的情况下，在柔性有机EL显示装置1b中，在沿着图中的A’-B’线而形成的端子部区域的端面DM上难以产生裂纹。
这是因为作为金属膜的多个短路环配线7a中的每一个被夹在作为下层的树脂层的平坦化膜31和作为上层的树脂层的平坦化膜21之间。
如图7的(b)所示，在柔性有机EL显示装置1b的端子部区域中形成势垒层3、无机绝缘膜16、无机绝缘膜18和无机绝缘膜20，以作为与每个短路环配线7a相同的金属膜的端子部TM1-TMn的各自的下层。势垒层3、无机绝缘膜16、无机绝缘膜18和无机绝缘膜20形成在与多个短路环配线7a分别相交的端子部区域的端面DM的内侧。
本实施方式中，将在作为无机膜的势垒层3、无机绝缘膜16、无机绝缘膜18以及无机绝缘膜20上形成狭缝K1的情况作为一个例子进行了说明，但不限与此，只要填埋狭缝K1的作为树脂层的平坦化膜31与作为金属膜的多个短路环配线7a的每一个接触，狭缝K1的深度可以酌情决定。
本实施方式中，将在显示区域DA和端子部TMn之间，通过与狭缝K1的形成工序相同的工序形成用于折弯折弯柔性有机EL显示装置1b的折弯折弯狭缝CL，将折弯折弯狭缝CL与狭缝K1同样地形成在作为无机膜的势垒层3、无机绝缘膜16、无机绝缘膜18以及无机绝缘膜20的情况作为一个例子进行了说明，但不限于此，形成折弯折弯狭缝CL的工序和狭缝K1的形成工序也可以是不同的工序。另外，折弯折弯狭缝CL的深度可以酌情决定，也可以是与狭缝K1的深度不同的深度。
折弯狭缝CL可以形成为与狭缝K1相同的形状，与狭缝K1的左右方向的宽度(参照图4的(a))相当的折弯狭缝CL的长度优选从柔性有机EL显示装置60b的一侧的端部形成到另一侧的端部，与狭缝K1的上下方向的宽度(参照图4的(a))相当的折弯狭缝CL的宽度根据折弯柔性有机EL显示装置60b折弯时所需的宽度适当地设定即可。
折弯狭缝CL被作为树脂层的平坦化膜31所填埋填埋，在由平坦化膜31所填埋的折弯狭缝CL上，形成有分别呈岛状的导电部件JW1～JWn。导电部件JW1～JWn的每一个经由多个第四接触孔CON4的每一个，与来自显示区域DA的配线HW1～HWn的每一个电性连接，同时经由多个第5接触孔CON5的每一个，与来自显示区域DA的引绕配线TW1～TWn的每一个也电性连接。
本实施方式中，将端子部TM1～TMn、短路环7及多个短路环配线7a的每一个、导电部件JW1～JWn的每一个，通过与包含TFT层4中的源极·漏极电极的源极·漏极配线SH相同的材料而形成的情况作为一个例子进行说明，但不限于此。
另外，短路环部包括短路环7和与短路环7电性连接的多个短路环配线7a，并且与端子部TM1～TMn电性连接，例如，在剥离上表面膜29的一部分的工序中，抑制端子部TM1～TMn中可能发生的静电所造成的短路。
〔总结〕
〔第一方面〕
一种显示装置，具备显示区域、包围上述显示区域的边框区域、和形成在上述边框区域的端部的端子部区域；其特征在于：上述端子部区域中具备输入来自外部的信号的多个端子部、从上述多个端子部延伸的多个第一引绕配线、从上述多个端子部向上述显示区域延伸的多个第二引绕配线；
上述多个第一引绕配线的每一个朝上述多个第二引绕配线的每一个所延伸的方向的相反方向延伸，并与上述端子部区域的端面交叉；
在上述端子部区域的端面上，上述多个第一引绕配线的每一个所接触的上层和下层中的至少一个是树脂层。
〔第二方面〕
如第一方面所述的显示装置，其特征在于：在上述端子部区域的端面上，上述多个第一引绕配线的每一个所接触的上层是第一树脂层，在上述端子部区域的端面上，上述多个第一引绕配线的每一个所接触的下层是无机层和第二树脂层按照该顺序从上面层叠而成的层叠膜。
〔第三方面〕
如第二方面所述的显示装置，其特征在于：在上述端子部区域的端面上，上述多个第一引绕配线的每一个所接触的下层所包含的上述无机层是防潮层。
〔第四方面〕
如第二方面或第三方面所述的显示装置，其特征在于：在上述端子部区域的端面上，上述多个第一引绕配线的每一个所接触的下层所包含的上述第二树脂层是聚酰亚胺膜。
〔第五方面〕
如第一方面1至4的任意一个所述的显示装置，其特征在于：上述多个第一引绕配线分别由半导体膜而形成。
〔第六方面〕
如第五方面所述的显示装置，其特征在于：上述半导体膜是掺杂后的半导体膜。
〔第七方面〕
如第一方面至第四方面中的任意一个所述的显示装置，其特征在于：上述多个第一引绕配线分别由金属膜形成。
〔第八方面〕
如第一方面至第七方面的任意一个所述的显示装置，其特征在于：上述多个第一引绕配线的每一个与上述多个端子部的每一个电性连接。
〔第九方面〕
如第五方面或第六方面所述的显示装置，其特征在于：作为上述半导体膜的更上层，上述端子部区域中形成有一层以上的无机膜，上述一层以上的无机膜形成在与上述多个第一引绕配线分别交叉的上述端子部区域的端面的内侧。
〔第十方面〕
如第二方面至第四方面的任意一个所述的显示装置，其特征在于：上述多个第一引绕配线的每一个由金属膜形成，作为上述金属膜的更上层，上述端子部区域的端面上形成有上述多个第一引绕配线的每一个所接触的下层所包含的上述无机层以外的一层以上的无机膜，上述一层以上的无机膜形成在与上述多个第一引绕配线分别交叉的上述端子部区域的端面的内侧。
〔第十一方面〕
如第一方面所述的显示装置，其特征在于：上述多个第一引绕配线的每一个由金属膜形成，在上述端子部区域的端面上，上述多个第一引绕配线的每一个所接触的上层为第一树脂层，作为上述金属膜的更下层，上述端子部区域中形成有一层以上的无机膜，上述一层以上的无机膜形成在与上述多个第一引绕配线分别交叉的上述端子部区域的端面的内侧，在上述一层以上的无机膜的端部和与上述多个第一引绕配线分别交叉的上述端子部区域的端面之间，以与第二树脂层接触的方式形成有第三树脂层，在上述端子部区域的端面上，上述多个第一引绕配线的每一个所接触的下层为第三树脂层。
〔第十二方面〕
如第十一方面所述的显示装置，其特征在于：在上述显示区域和上述多个端子部之间，具备去除上述一层以上的无机膜而形成的折弯狭缝，上述折弯狭缝被上述第三树脂层所填埋，在被上述第三树脂层所填埋的上述折弯狭缝上，形成有分别呈岛状的多个导电部件，上述多个第二引绕配线的每一个经由上述多个导电部件中的每一个与来自显示区域的多个配线分别电性连接。
〔第十三方面〕
如第十二方面所述的显示装置，其特征在于:上述多个导电部件的每一个和上述第一引绕配线的每一个由同一金属膜形成。
〔第十四方面〕
如第十方面至第十三方面所述的显示装置，其特征在于：上述多个第一引绕配线的每一个和上述多个端子部由同一金属膜形成。
〔第十五方面〕
一种显示装置的制造方法，包括通过上述端子部区域切割显示装置的工序，所述显示装置具备显示区域、包围上述显示区域的边框区域、形成于上述边框区域的端部的端子部区域；其特征在于：在以上述端子部区域进行切割的工序中，在由上述切割而生成的剖面的膜结构中，以多个配线的每一个所接触的上层和下层中的至少一个包括作为树脂层的部分的方式，切割上述端子部区域。
〔第十六方面〕
如第十五方面所述的显示装置的制造方法，其特征在于：在以上述端子部区域进行切割的工序中，在由上述切割而生成的剖面的膜结构中，以多个配线的每一个所接触的上层和下层都包括作为树脂层的部分的方式，切割上述端子部区域。
〔附记事项〕
本发明不限于上述各实施方式，在权利要求所示的范围内可以进行各种各样的变更，对不同实施方式所分别揭示的技术手段进行适当地组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。此外，可以通过组合各实施方式中分别公开的技术手段来形成新的技术特征。
产业上的可利用性
本发明可以用于显示装置或显示装置的制造方法。
附图标记说明
1、1a、1b…柔性有机EL显示装置；30…具备多个有机EL元件的载体玻璃基板；40…具备多个有机EL元件的大型薄膜基板；50、60、60a、60b…单片化后的柔性有机EL显示装置；3…势垒层；4…TFT层；5…有机EL元件层；6…密封层；7短路环；7a短路环配线(第一引绕配线)；10…薄膜基板；11…粘接剂层；12…树脂层(第二树脂层)；15…半导体膜；15D…短路环配线(第一引绕配线)；16、18、20…无机绝缘膜；21…平坦化膜(第一树脂层)；29…上表面膜；31…平坦化膜(第三树脂层)；TMR…端子部区域；TM1～TMn…端子部；TW1～TWn…来自显示区域的引绕配线(第二引绕配线)；HW1～HWn…来自显示区域的配线；JW1～JWn…导电部件；CON1…第一接触孔；CON2…第二接触孔；CON3…第三接触孔；CON4…第四接触孔；CON5…第五接触孔；K1…狭缝；CL…折弯狭缝；DA…显示区域；NA…边框区域

Claims (14)

1.一种显示装置，具备显示区域、包围所述显示区域的边框区域、和形成在所述边框区域的端部的端子部区域；其特征在于，
所述端子部区域中具备输入来自外部的信号的多个端子部、从所述多个端子部延伸的多个第一引绕配线、从所述多个端子部向所述显示区域延伸的多个第二引绕配线；
所述多个第一引绕配线的每一个朝所述多个第二引绕配线的每一个所延伸的方向的相反方向延伸，并与所述端子部区域的端面交叉；
在所述端子部区域的端面上，所述多个第一引绕配线的每一个所接触的上层是第一树脂层，
在所述端子部区域的端面上，所述多个第一引绕配线的每一个所接触的下层是无机层和第二树脂层按照该顺序从上面层叠而成的层叠膜。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述端子部区域的端面上，包含于所述多个第一引绕配线的每一个所接触的下层的所述无机层是防潮层。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的显示装置，其特征在于，在所述端子部区域的端面上，包含于所述多个第一引绕配线的每一个所接触的下层的所述第二树脂层是聚酰亚胺膜。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述多个第一引绕配线分别由半导体膜而形成。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述半导体膜是掺杂后的半导体膜。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述多个第一引绕配线分别由金属膜形成。
7.根据权利要求1、2和5的任意一项所述的显示装置，其特征在于，所述多个第一引绕配线的每一个与所述多个端子部的每一个电性连接。
8.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述端子部区域中形成有一层以上的无机膜，作为所述半导体膜的更上层，
所述一层以上的无机膜形成在与所述多个第一引绕配线分别交叉的所述端子部区域的端面相比的内侧。
9.根据权利要求1或权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述多个第一引绕配线的每一个由金属膜形成，
所述端子部区域中，作为所述金属膜的更下层，在所述端子部区域的端面上，形成有所述多个第一引绕配线的每一个所接触的下层所包含的所述无机层以外的一层以上的无机膜，
所述一层以上的无机膜形成在所述多个第一引绕配线分别交叉的所述端子部区域的端面的内侧。
10.一种显示装置，具备显示区域、包围所述显示区域的边框区域、和形成在所述边框区域的端部的端子部区域；其特征在于，
所述端子部区域中具备输入来自外部的信号的多个端子部、从所述多个端子部延伸的多个第一引绕配线、从所述多个端子部向所述显示区域延伸的多个第二引绕配线；
所述多个第一引绕配线的每一个朝所述多个第二引绕配线的每一个所延伸的方向的相反方向延伸，并与所述端子部区域的端面交叉；
所述多个第一引绕配线的每一个由金属膜形成，
在所述端子部区域的端面上，所述多个第一引绕配线的每一个所接触的上层为第一树脂层，
所述端子部区域中形成有一层以上的无机膜，作为所述金属膜的更下层，
所述一层以上的无机膜形成在与所述多个第一引绕配线分别交叉的所述端子部区域的端面相比的内侧，
在所述一层以上的无机膜的端部和与所述多个第一引绕配线分别交叉的所述端子部区域的端面之间，以与第二树脂层接触的方式形成有第三树脂层，
在所述端子部区域的端面上，所述多个第一引绕配线的每一个所接触的下层为第三树脂层。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，在所述显示区域和所述多个端子部之间，具备去除所述一层以上的无机膜而形成的折弯狭缝，
所述折弯狭缝被所述第三树脂层所填埋，
在被所述第三树脂层所填埋的所述折弯狭缝上，形成有分别呈岛状的多个导电部件，
所述多个第二引绕配线的每一个经由所述多个导电部件中的每一个与来自显示区域的多个配线分别电性连接。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述多个导电部件的每一个和所述第一引绕配线的每一个由同一金属膜形成。
13.根据权利要求10至12任意一项所述的显示装置，其特征在于，所述多个第一引绕配线的每一个和所述多个端子部由同一金属膜形成。
14.一种显示装置的制造方法，包括通过端子部区域切割显示装置的工序，所述显示装置具备显示区域、包围所述显示区域的边框区域、形成于所述边框区域的端部的端子部区域；其特征在于，
在以所述端子部区域进行切割的工序中，在由所述切割而生成的剖面的膜结构中，以多个配线的每一个所接触的上层和下层的双方包括作为树脂层的部分的方式，切割所述端子部区域。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112997235B (zh) 2018-12-06 2023-09-05 株式会社半导体能源研究所 显示装置及显示装置的制造方法
KR20220004856A (ko) * 2020-07-02 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널과, 이의 제조방법
CN113903783A (zh) * 2021-09-29 2022-01-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102376742A (zh) * 2010-08-09 2012-03-14 佳能株式会社 有机电致发光显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5381095A (en) * 1976-12-27 1978-07-18 Toshiba Corp Thin film formation method of semiconductor integrated circuit
JPS5688347A (en) * 1979-12-20 1981-07-17 Nec Corp Semiconductor device
JP2957901B2 (ja) * 1994-10-13 1999-10-06 松下電器産業株式会社 アクティブマトリックスアレイ基板とその製造方法
JPH08179366A (ja) * 1994-12-22 1996-07-12 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ
JP3799915B2 (ja) * 1999-12-08 2006-07-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法並びに半導体基板及び電気光学装置
JP2004354798A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Nec Lcd Technologies Ltd 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JP2007034275A (ja) 2005-06-21 2007-02-08 Canon Inc 電子部品およびその製造方法
JP2007316348A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Canon Inc 薄膜トランジスタ基板の製造方法
US20080204618A1 (en) 2007-02-22 2008-08-28 Min-Kyung Jung Display substrate, method for manufacturing the same, and display apparatus having the same
KR100884477B1 (ko) * 2007-08-08 2009-02-20 삼성모바일디스플레이주식회사 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2009098266A (ja) * 2007-10-15 2009-05-07 Mitsubishi Electric Corp 表示装置
JP5336102B2 (ja) * 2008-04-03 2013-11-06 三菱電機株式会社 Ｔｆｔ基板
JP4911169B2 (ja) 2008-12-25 2012-04-04 三菱電機株式会社 アレイ基板及び表示装置
JP5433487B2 (ja) * 2010-04-12 2014-03-05 株式会社神戸製鋼所 配線構造
KR101094292B1 (ko) * 2010-05-28 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5967887B2 (ja) * 2010-11-24 2016-08-10 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置の減光化方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP6300029B2 (ja) * 2014-01-27 2018-03-28 ソニー株式会社 撮像素子、製造装置、製造方法
KR102341124B1 (ko) * 2017-09-26 2021-12-22 삼성디스플레이 주식회사 전자패널, 표시장치, 및 그 제조 방법
KR102408164B1 (ko) * 2017-10-31 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102376742A (zh) * 2010-08-09 2012-03-14 佳能株式会社 有机电致发光显示装置

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