WO2019159775A1 - チップ抵抗器 - Google Patents

チップ抵抗器 Download PDF

Info

Publication number
WO2019159775A1
WO2019159775A1 PCT/JP2019/004171 JP2019004171W WO2019159775A1 WO 2019159775 A1 WO2019159775 A1 WO 2019159775A1 JP 2019004171 W JP2019004171 W JP 2019004171W WO 2019159775 A1 WO2019159775 A1 WO 2019159775A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
pair
electrodes
protective film
resistor
insulating substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/004171
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
猛 河野
一宏 神田
高梨　慶太
山田　孝一
孝志 大林
Original Assignee
パナソニックＩｐマネジメント株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by パナソニックＩｐマネジメント株式会社 filed Critical パナソニックＩｐマネジメント株式会社
Priority to JP2020500425A priority Critical patent/JPWO2019159775A1/ja
Publication of WO2019159775A1 publication Critical patent/WO2019159775A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material

Definitions

  • This disclosure relates to a chip resistor used in various electronic devices.
  • a chip resistor mounted on a component-embedded printed circuit board is known (for example, see Patent Document 1).
  • the chip resistor described in Patent Document 1 includes an insulating substrate, a resistor, a pair of electrode portions, a cover coat, and a protective film.
  • the electrode portion is provided at each end of the insulating substrate in the inter-electrode direction, and has an upper surface electrode (electrode), an auxiliary electrode, a lower surface electrode, a side electrode (end surface electrode), and a plating (plating layer). ing.
  • the upper surface electrode is formed of a silver-based thick film (silver-based metal glaze thick film).
  • the upper surface electrode is made of silver, when water enters between the plating and the protective film in a state where a voltage is applied, it is a phenomenon of silver migration due to electrolysis. There was a problem that could cause migration.
  • An object of the present disclosure is to solve the above-described conventional problems and to provide a chip resistor that can suppress the occurrence of migration.
  • a chip resistor includes an insulating substrate, a pair of electrodes, a resistor, a protective film, a pair of end surface electrodes, and a plating layer.
  • the pair of electrodes contains silver provided on one surface of the insulating substrate.
  • the resistor is electrically connected to the pair of electrodes and formed on one surface of the insulating substrate.
  • the protective film is formed so as to cover the first portion which is a part of the pair of electrodes and the resistor.
  • the pair of end surface electrodes cover at least a part of a second portion that is a portion exposed from the protective film in the pair of electrodes, and are electrically connected to the pair of electrodes. It is provided on both end faces.
  • the plating layer is formed on the surface of the pair of end face electrodes.
  • the protective film contains an inorganic ion scavenger.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a chip resistor according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the content of the inorganic ion scavenger in the protective film of the chip resistor and the resistance value change rate of the resistor.
  • the thickness direction of the insulating substrate 1 is defined as the vertical direction, and the direction in which the pair of electrodes 2 are arranged is defined as the horizontal direction. However, these directions are not intended to limit the usage direction of the chip resistor.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a chip resistor according to an embodiment of the present disclosure.
  • a chip resistor 10 includes an insulating substrate 1, a pair of electrodes 2, a resistor 3, a protective film 4, a pair of end surface electrodes 5, and plating. Layer 6.
  • the pair of electrodes 2 are provided at both ends in the left-right direction on the upper surface of the insulating substrate 1.
  • the resistor 3 is provided on the upper surface of the insulating substrate 1, and the protective film 4 formed between the pair of electrodes 2 covers the first portion 21 that is a part of the resistor 3 and the pair of electrodes 2. Is provided.
  • the pair of end surface electrodes 5 are provided on both end surfaces of the insulating substrate 1 so as to be electrically connected to the pair of electrodes 2.
  • the plating layer 6 is formed on the surface of the pair of end face electrodes 5.
  • the insulating substrate 1 is made of alumina and has a rectangular shape.
  • the pair of electrodes 2 is provided at both ends in the left-right direction on the upper surface of the insulating substrate 1 and is formed by printing and baking a thick film material containing silver such as silver or silver palladium.
  • the pair of electrodes 2 includes a first part 21 and a second part 22.
  • the first part 21 is a part covered with the protective film 4.
  • the second part 22 is a part exposed from the protective film 4, in other words, a part not covered with the protective film 4.
  • FIG. 1 you may form a pair of back surface electrode 2a in the both ends of the left-right direction in the back surface (lower surface) of the insulated substrate 1.
  • the resistor 3 is baked after printing a conductive paste made of copper nickel, silver palladium, ruthenium oxide or the like on the upper surface of the insulating substrate 1 between the pair of electrodes 2 on the upper surface of the insulating substrate 1. It is formed by.
  • a protective glass layer such as precoat glass may be provided so as to cover the resistor 3.
  • a trimming groove for adjusting a resistance value (hereinafter not shown) may be provided in the resistor 3.
  • the protective film 4 is formed so as to cover the entire first part 21 and the resistor 3 that are part of the pair of electrodes 2 in the left-right direction, and includes an epoxy resin, an inorganic filler, a pigment, and an inorganic ion scavenger. It consists of As the inorganic ion scavenger, zirconium phosphate can be used. Zirconium phosphate functions as a cation exchanger.
  • the inorganic ion scavenger is contained in an amount of 0.5 wt% to 10 wt% with respect to the protective film 4. If it is less than 0.5 wt%, the ion trapping function is not exhibited, and if it is more than 10 wt%, functions such as curability as the protective film 4 may be impaired. More preferably, the content of the inorganic ion scavenger in the protective film 4 is 0.5 wt% or more and 3.0 wt% or less.
  • the particle size of the inorganic ion scavenger is 0.1 ⁇ m to 6.0 ⁇ m in terms of median diameter. By making the particle size finer, the surface area can be increased and the capture function can be enhanced. If the particle size is too fine, handling in the process becomes difficult.
  • the pH of the paste of the protective film 4 containing the inorganic ion scavenger is preferably 4 or more.
  • the pair of end face electrodes 5 are provided at both ends in the left-right direction of the insulating substrate 1 and cover at least a part of the second portion 22 that is a portion exposed from the protective film 4 in the pair of electrodes 2. .
  • the pair of end face electrodes 5 are formed by printing a material made of Ag and resin so as to be electrically connected to the pair of electrodes 2. Note that each of the second portions 22 of the pair of electrodes 2 may be entirely covered with the corresponding end surface electrode 5 of the pair of end surface electrodes 5.
  • a plating layer 6 is formed on the surface of the pair of end face electrodes 5.
  • the plating layer 6 has a first plating layer 61 made of a nickel plating layer and a second plating layer 62 made of a tin plating layer.
  • the first plating layer 61 covers the end face electrode 5, and the second plating layer 62 covers the first plating layer 61.
  • the protective film 4 contains an inorganic ion scavenger, even if silver contained in the pair of electrodes 2 is ionized by a potential difference and moisture, silver ions are generated. Silver ions can be captured by the inorganic ion scavenger in the protective film 4. Thereby, since migration of silver ions can be prevented, the occurrence of migration can be suppressed. As a result, it is possible to improve the long-term reliability such as prevention of short circuit, moisture resistance, and moisture load resistance.
  • the protective film 4 does not contain an inorganic ion scavenger, the potential difference between the pair of electrodes 2 generated when a current is passed and the moisture that has entered between the plating layer 6 and the protective film 4 cause a pair.
  • Silver contained in the electrode 2 is ionized to generate silver ions (positive ions, Ag + ), move to the negative electrode side, and cause ion migration.
  • the protective film 4 contains an inorganic ion scavenger as a cation exchanger, whereby the silver ions are captured inside the protective film 4 and moved to the negative electrode side.
  • cations (Pb 2+ , Sn 2+ ) generated in the protective glass layer and the plating layer 6 are also captured by the inorganic ion scavenger, and migration due to the cations can be prevented.
  • a hydrotalcite compound may be further contained as an anion exchanger.
  • the inorganic ion scavenger is not added to the pair of electrodes 2 itself. This is because a low resistance value is required for the electrode.
  • the inorganic ion scavenger in the present disclosure is not used as an electronic component sealant that simply covers the periphery of an electronic component, but is used to prevent migration that becomes a problem as an electronic component, particularly a resistor. Used in addition to.
  • FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the content of the inorganic ion scavenger in the protective film 4 and the resistance value change rate of the resistor 3.
  • the resistance value of the resistor 3 is 100 k ⁇ , and after the paste-like protective film 4 is cured, it is left for 3000 hours in an environment of overload, high temperature, and high humidity.
  • the resistance value of the resistor 3 is measured.
  • the measurement sample having the largest change in resistance value among the 20 measurement samples is shown.
  • the greater the rate of change of the resistance value of the resistor 3 the more silver ions migrate.
  • the content of the inorganic ion scavenger in the protective film 4 is preferably 0.5 wt% or more and 3.0 wt% or less. Note that when the content of the inorganic ion scavenger in the protective film 4 is less than 0.5 wt%, the ion trapping function is not exhibited and the resistance value of the resistor 3 changes greatly. On the other hand, when the content of the inorganic ion scavenger in the protective film 4 is larger than 3.0 wt%, the curing of the protective film 4 is inhibited and the function as the protective film 4 is impaired.
  • the chip resistor (10) includes the insulating substrate (1), the pair of electrodes (2), the resistor (3), the protective film (4), and the pair.
  • the end surface electrode (5) and the plating layer (6) are provided.
  • the pair of electrodes (2) contains silver provided on one surface of the insulating substrate (1).
  • the resistor (3) is electrically connected to the pair of electrodes (2) and is formed on one surface of the insulating substrate (1).
  • the protective film (4) is formed so as to cover the first part (21) and the resistor (3) which are part of the pair of electrodes (2).
  • the pair of end surface electrodes (5) cover at least a part of the second portion (22), which is a portion exposed from the protective film (4) in the pair of electrodes (2), and electrically Are provided on both end faces of the insulating substrate (1) so as to be connected to each other.
  • the plating layer (6) is formed on the surface of the pair of end face electrodes (5).
  • the protective film (4) contains an inorganic ion scavenger.
  • the occurrence of migration can be suppressed.
  • the content of the inorganic ion scavenger in the protective film (4) is 0.5 wt% or more and 3.0 wt% or less.
  • the ion trapping function can be exhibited without impairing the functions such as curability as the protective film (4).
  • the configuration according to the second aspect is not an essential configuration for the chip resistor (10) and can be omitted as appropriate.
  • the chip resistor according to the present disclosure has an effect of suppressing the occurrence of migration, and is particularly useful in a chip resistor used in various electronic devices.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Details Of Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

本開示の目的は、マイグレーションの発生を抑制できるチップ抵抗器を提供することである。本開示のチップ抵抗器（１０）は、絶縁基板（１）と、一対の電極（２）と、抵抗体（３）と、保護膜（４）と、一対の端面電極（５）と、めっき層（６）とを備える。一対の電極（２）は、絶縁基板（１）の一面に設けられた銀を含有する。抵抗体（３）は、一対の電極（２）と電気的に接続され、絶縁基板（１）の一面に形成されている。保護膜（４）は、一対の電極（２）の一部である第１部位（２１）と抵抗体（３）を覆うように形成されている。一対の端面電極（５）は、一対の電極（２）における保護膜（４）から露出している部位である第２部位（２２）の少なくとも一部を覆い、一対の電極（２）と電気的に接続されるように絶縁基板（１）の両端面に設けられている。めっき層（６）は、一対の端面電極（５）の表面に形成されている。保護膜（４）には、無機イオン捕捉剤が含有されている。

Description

チップ抵抗器
　本開示は、各種電子機器に使用されるチップ抵抗器に関する。
　従来、部品内蔵型プリント基板に実装されるチップ抵抗器が知られている（例えば特許文献１参照）。特許文献１に記載のチップ抵抗器は、絶縁基板と、抵抗体と、一対の電極部と、カバーコートと、保護膜と、を有している。電極部は、絶縁基板における電極間方向の端部にそれぞれ設けられ、上面電極（電極）と、補助電極と、下面電極と、側面電極（端面電極）と、メッキ（めっき層）とを有している。上面電極は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。
　上記した従来のチップ抵抗器においては、上面電極が銀で構成されているため、電圧が印加された状態でメッキと保護膜との間から水分が浸入すると、電解作用による銀の移行現象であるマイグレーションを起こす可能性があるという課題を有していた。
特開２０１１－１９９１８８号公報
　本開示の目的は上記従来の課題を解決するもので、マイグレーションの発生を抑制できるチップ抵抗器を提供することである。
　本開示の一態様に係るチップ抵抗器は、絶縁基板と、一対の電極と、抵抗体と、保護膜と、一対の端面電極と、めっき層とを備える。前記一対の電極は、前記絶縁基板の一面に設けられた銀を含有する。前記抵抗体は、前記一対の電極と電気的に接続され、前記絶縁基板の一面に形成されている。前記保護膜は、前記一対の電極の一部である第１部位と前記抵抗体を覆うように形成されている。前記一対の端面電極は、前記一対の電極における前記保護膜から露出している部位である第２部位の少なくとも一部を覆い、前記一対の電極と電気的に接続されるように前記絶縁基板の両端面に設けられている。前記めっき層は、前記一対の端面電極の表面に形成されている。前記保護膜には、無機イオン捕捉剤が含有されている。
図１は、本開示の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図である。 図２は、同上のチップ抵抗器の保護膜における無機イオン捕捉剤の含有量と、抵抗体の抵抗値変化率との関係を示す図である。
　以下、本開示の一実施の形態におけるチップ抵抗器について、図面を参照しながら説明する。以下の説明では、絶縁基板１の厚さ方向を上下方向、一対の電極２が並ぶ方向を左右方向と規定する。ただし、これらの方向はチップ抵抗器の使用方向を限定する趣旨ではない。
　図１は本開示の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図である。
　本開示の一実施の形態におけるチップ抵抗器１０は、図１に示すように、絶縁基板１と、一対の電極２と、抵抗体３と、保護膜４と、一対の端面電極５と、めっき層６とを備えている。一対の電極２は、絶縁基板１の上面における左右方向の両端部に設けられている。抵抗体３は、絶縁基板１の上面に設けられ、かつ一対の電極２間に形成されている保護膜４は、抵抗体３と一対の電極２の一部である第１部位２１を覆うように設けられている。一対の端面電極５は、一対の電極２と電気的に接続されるように絶縁基板１の両端面に設けられている。めっき層６は、一対の端面電極５の表面に形成されている。
　上記構成において、絶縁基板１は、アルミナで構成され、その形状は矩形状となっている。
　また、一対の電極２は、絶縁基板１の上面における左右方向の両端部に設けられ、銀、銀パラジウム等の銀を含有する厚膜材料を印刷、焼成することによって形成されている。一対の電極２は、第１部位２１と、第２部位２２と、を含む。第１部位２１は、保護膜４により覆われている部位である。第２部位２２は、保護膜４から露出している部位、言い換えると保護膜４により覆われていない部位である。なお、図１に示すように、絶縁基板１の裏面（下面）における左右方向の両端部に一対の裏面電極２ａを形成してもよい。
　さらに、抵抗体３は、絶縁基板１の上面において、一対の電極２間に、銅ニッケル、銀パラジウム、酸化ルテニウム等で構成された導電性ペーストを絶縁基板１の上面に印刷した後、焼成することによって形成されている。
　そして、抵抗体３を覆うようにプリコートガラスなどの保護ガラス層を設けてもよい。さらに、抵抗体３に抵抗値調整用のトリミング溝（以下、図示せず）を設けてもよい。
　また、保護膜４は、左右方向において、一対の電極２の一部である第１部位２１と抵抗体３の全体を覆うように形成され、エポキシ樹脂、無機フィラー、顔料、および無機イオン捕捉剤で構成されている。無機イオン捕捉剤としては、リン酸ジルコニウムを使用することできる。リン酸ジルコニウムは陽イオン交換体として機能する。
　無機イオン捕捉剤は、保護膜４に対して０．５ｗｔ％～１０ｗｔ％含有されている。０．５ｗｔ％より少ないとイオン捕捉機能が発揮されず、１０ｗｔ％より多いと保護膜４としての硬化性等の機能を損なう恐れがある。より好ましくは、保護膜４における無機イオン捕捉剤の含有量は、０．５ｗｔ％以上で、３．０ｗｔ％以下であるのがよい。
　また、無機イオン捕捉剤の粒径は、メジアン径で０．１μｍ～６．０μｍである。粒径を細かくすることによって表面積を大きくし、捕捉機能を高めることができる。なお、粒径を細かくし過ぎると、工程での扱いが難しくなる。
　そして、無機イオン捕捉剤を含有した保護膜４のペーストのｐＨは４以上とするのが好ましい。
　さらに、一対の端面電極５は、絶縁基板１の左右方向における両端部に設けられ、一対の電極２における保護膜４から露出している部位である第２部位２２の少なくとも一部を覆っている。一対の端面電極５は、一対の電極２と電気的に接続されるように、Ａｇと樹脂からなる材料を印刷することによって形成されている。なお、一対の電極２の各々の第２部位２２は、一対の端面電極５のうち対応する端面電極５により全体が覆われていてもよい。
　さらに、この一対の端面電極５の表面には、めっき層６が形成されている。めっき層６は、ニッケルめっき層からなる第１めっき層６１と、すずめっき層からなる第２めっき層６２と、を有している。第１めっき層６１は、端面電極５を覆い、第２めっき層６２は、第１めっき層６１を覆っている。
　上記したように一実施の形態においては、保護膜４に無機イオン捕捉剤が含有されているため、一対の電極２に含まれる銀が、電位差と水分によって電離して銀イオンが生成されても、銀イオンを保護膜４中の無機イオン捕捉剤で捕捉できる。これにより、銀イオンの移行を阻止できるため、マイグレーションの発生を抑制できる。この結果、短絡の防止や耐湿性、耐湿負荷特性等の長期信頼性を向上させることができるという効果が得られる。
　すなわち、保護膜４に無機イオン捕捉剤を含有させていない場合、電流を流したときに生じる一対の電極２間の電位差と、めっき層６と保護膜４との間から浸入した水分によって、一対の電極２に含まれる銀が電離して銀イオン（陽イオン、Ａｇ＋）が発生し、陰電極側に移動し、イオンマイグレーションを発生させてしまう。これに対して、本開示のように保護膜４に、陽イオン交換体としての無機イオン捕捉剤を含有させることによって、上記銀イオンを保護膜４の内部に捕捉し、陰電極側への移動を阻止し、これにより、短絡したり耐湿性、耐湿負荷特性等の長期信頼性が悪化したりするのを防止できる。
　また、保護ガラス層やめっき層６で発生する陽イオン（Ｐｂ２＋、Ｓｎ２＋）についても無機イオン捕捉剤に捕捉され、この陽イオンによるマイグレーションの発生を防止できる。
　さらに、保護膜４中の陰イオンも捕捉する必要がある場合は、陰イオン交換体としてハイドロタルサイト系化合物をさらに含有してもよい。
　なお、無機イオン捕捉剤は、一対の電極２自体には添加しない。電極として低い抵抗値が必要になるからである。
　また、本開示での無機イオン捕捉剤は、単なる電子部品の周囲を覆う電子部品封止剤に使用するのではなく、電子部品、特に抵抗器として問題となるマイグレーションを防止するために保護膜４に添加して使用される。
　図２は、保護膜４における無機イオン捕捉剤の含有量と、抵抗体３の抵抗値変化率との関係を示す図である。図２に示す例では、例えば、抵抗体３の抵抗値が１００ｋΩであり、ペースト状の保護膜４を硬化してから、過負荷、高温、及び高湿度の環境下で３０００時間放置した後の抵抗体３の抵抗値を測定している。図２に示す例では、２０個の測定サンプルのうち抵抗値が最も大きく変化した測定サンプルを表している。ここで、抵抗体３の抵抗値の変化率が大きいほど、銀イオンのマイグレーションが多く発生していることになる。
　したがって、図２によれば、保護膜４における無機イオン捕捉剤の含有量は、０．５ｗｔ％以上で、３．０ｗｔ％以下であることが好ましい。なお、保護膜４における無機イオン捕捉剤の含有量が０．５ｗｔ％よりも小さい場合にはイオン捕捉機能が発揮されず、抵抗体３の抵抗値が大きく変化してしまう。一方、保護膜４における無機イオン捕捉剤の含有量が３．０ｗｔ％よりも大きい場合には保護膜４の硬化が阻害され、保護膜４としての機能が損なわれてしまう。
　（まとめ）
　以上説明したように、第１の態様に係るチップ抵抗器（１０）は、絶縁基板（１）と、一対の電極（２）と、抵抗体（３）と、保護膜（４）と、一対の端面電極（５）と、めっき層（６）とを備える。一対の電極（２）は、絶縁基板（１）の一面に設けられた銀を含有する。抵抗体（３）は、一対の電極（２）と電気的に接続され、絶縁基板（１）の一面に形成されている。保護膜（４）は、一対の電極（２）の一部である第１部位（２１）と抵抗体（３）を覆うように形成されている。一対の端面電極（５）は、一対の電極（２）における保護膜（４）から露出している部位である第２部位（２２）の少なくとも一部を覆い、一対の電極（２）と電気的に接続されるように絶縁基板（１）の両端面に設けられている。めっき層（６）は、一対の端面電極（５）の表面に形成されている。保護膜（４）には、無機イオン捕捉剤が含有されている。
　この態様によれば、マイグレーションの発生を抑制できる。
　第２の態様に係るチップ抵抗器（１０）では、第１の態様において、保護膜（４）における無機イオン捕捉剤の含有量は、０．５ｗｔ％以上で、３．０ｗｔ％以下である。
　この態様によれば、保護膜（４）としての硬化性等の機能を損なうことなくイオン捕捉機能を発揮することができる。
　第２の態様に係る構成については、チップ抵抗器（１０）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
　本開示に係るチップ抵抗器は、マイグレーションの発生を抑制できるという効果を有するものであり、特に、各種電子機器に使用されるチップ抵抗器等において有用となるものである。
　１　絶縁基板
　２　一対の電極
　２１　第１部位
　２２　第２部位
　３　抵抗体
　４　保護膜
　５　一対の端面電極
　６　めっき層
　１０　チップ抵抗器

Claims (2)

  1. 　絶縁基板と、
    　前記絶縁基板の一面に設けられた銀を含有する一対の電極と、
    　前記一対の電極と電気的に接続され、前記絶縁基板の一面に形成された抵抗体と、
    　前記一対の電極の一部である第１部位と前記抵抗体を覆うように形成された保護膜と、
    　前記一対の電極における前記保護膜から露出している部位である第２部位の少なくとも一部を覆い、前記一対の電極と電気的に接続されるように前記絶縁基板の両端面に設けられた一対の端面電極と、
    　前記一対の端面電極の表面に形成されためっき層とを備え、
    　前記保護膜に無機イオン捕捉剤が含有されている、
    　チップ抵抗器。
  2. 　前記保護膜における前記無機イオン捕捉剤の含有量は、０．５ｗｔ％以上で、３．０ｗｔ％以下である、
    　請求項１に記載のチップ抵抗器。
PCT/JP2019/004171 2018-02-15 2019-02-06 チップ抵抗器 WO2019159775A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020500425A JPWO2019159775A1 (ja) 2018-02-15 2019-02-06 チップ抵抗器

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018024602 2018-02-15
JP2018-024602 2018-02-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019159775A1 true WO2019159775A1 (ja) 2019-08-22

Family

ID=67621019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/004171 WO2019159775A1 (ja) 2018-02-15 2019-02-06 チップ抵抗器

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2019159775A1 (ja)
WO (1) WO2019159775A1 (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10256001A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Hokuriku Electric Ind Co Ltd チップ電子部品
WO2010150818A1 (ja) * 2009-06-25 2010-12-29 パナソニック電工株式会社 液状エポキシ樹脂組成物及びその製造方法
JP2015071792A (ja) * 2011-12-27 2015-04-16 日立化成株式会社 電子部品用液状樹脂組成物及びその製造方法、並びに電子部品装置
JP2017041633A (ja) * 2015-08-17 2017-02-23 積水化学工業株式会社 半導体装置及び半導体素子保護用材料

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10256001A (ja) * 1997-03-12 1998-09-25 Hokuriku Electric Ind Co Ltd チップ電子部品
WO2010150818A1 (ja) * 2009-06-25 2010-12-29 パナソニック電工株式会社 液状エポキシ樹脂組成物及びその製造方法
JP2015071792A (ja) * 2011-12-27 2015-04-16 日立化成株式会社 電子部品用液状樹脂組成物及びその製造方法、並びに電子部品装置
JP2017041633A (ja) * 2015-08-17 2017-02-23 積水化学工業株式会社 半導体装置及び半導体素子保護用材料

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019159775A1 (ja) 2021-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8584348B2 (en) Method of making a surface coated electronic ceramic component
WO2007037279A1 (ja) チップ状電気部品の端子構造
JPWO2012114874A1 (ja) 電子部品の実装構造
WO2017002566A1 (ja) 配線基板およびサーマルヘッド
JPH03173402A (ja) チップバリスタ
WO2019159775A1 (ja) チップ抵抗器
CN104396103A (zh) 静电保护元件及其制造方法
JP2010153719A (ja) 過電圧保護部品およびその製造方法
US9795020B2 (en) ESD protection component
US10839989B2 (en) Chip resistor
JPH056805A (ja) チツプ型バリスタ
CN110620012A (zh) 多层陶瓷电子组件以及用于多层陶瓷电子组件的安装的板
WO2017033793A1 (ja) チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法
JPS6155064B2 (ja)
JP4295202B2 (ja) チップ部品及びチップ部品の製造方法
GB1143208A (en) Electronic component
US11688533B2 (en) Chip resistor structure
JP6311115B2 (ja) 回路保護素子およびその製造方法
JP7365539B2 (ja) チップ抵抗器
CN115803830A (zh) 电阻器
JP3343464B2 (ja) 積層チップバリスタ
JP3356508B2 (ja) サーミスタセンサ
JP2010182916A (ja) 過電圧保護部品
JP6574975B2 (ja) チップ抵抗器の製造方法
JP2002134306A (ja) チップ型電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19754322

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020500425

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19754322

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1