WO2019116880A1 - 回路構成体及び電気接続箱 - Google Patents

回路構成体及び電気接続箱 Download PDF

Info

Publication number
WO2019116880A1
WO2019116880A1 PCT/JP2018/043503 JP2018043503W WO2019116880A1 WO 2019116880 A1 WO2019116880 A1 WO 2019116880A1 JP 2018043503 W JP2018043503 W JP 2018043503W WO 2019116880 A1 WO2019116880 A1 WO 2019116880A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
heat transfer
substrate
chip
heat
conductive
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/043503
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
幸貴 内田
Original Assignee
株式会社オートネットワーク技術研究所
住友電装株式会社
住友電気工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社オートネットワーク技術研究所, 住友電装株式会社, 住友電気工業株式会社 filed Critical 株式会社オートネットワーク技術研究所
Priority to CN201880076227.0A priority Critical patent/CN111373525B/zh
Priority to US16/772,345 priority patent/US20200404803A1/en
Priority to DE112018006380.1T priority patent/DE112018006380T5/de
Priority to JP2019559528A priority patent/JP6780792B2/ja
Publication of WO2019116880A1 publication Critical patent/WO2019116880A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
    • H05K7/205—Heat-dissipating body thermally connected to heat generating element via thermal paths through printed circuit board [PCB]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/047—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being parallel to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
    • H05K1/0206—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate by printed thermal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
    • H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
    • H05K7/1427—Housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02G—INSTALLATION OF ELECTRIC CABLES OR LINES, OR OF COMBINED OPTICAL AND ELECTRIC CABLES OR LINES
    • H02G3/00—Installations of electric cables or lines or protective tubing therefor in or on buildings, equivalent structures or vehicles
    • H02G3/02—Details
    • H02G3/08—Distribution boxes; Connection or junction boxes
    • H02G3/086—Assembled boxes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10409—Screws
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink

Definitions

  • a heat sink is superimposed on the lead frame connected to the lower surface of the chip by a solder layer, and a heat dissipating gel is sandwiched between the lead frame and the heat sink. The heat of the semiconductor package mounted on the substrate is dissipated from the heat sink via the heat dissipating gel.
  • the technology described in the present specification is completed based on the above circumstances, and a circuit capable of radiating the heat of the semiconductor package from the heat dissipation member while suppressing the enlargement of the device. It is an object to provide a structure and an electrical connection box.
  • a heat transfer portion having thermal conductivity is formed to penetrate in the plate thickness direction, and a substrate having a conductive path, a chip, a resin portion covering the chip, and A first lead portion connected to the chip and exposed to the substrate side with respect to the resin portion, and a second lead portion connected to the chip and exposed to the opposite side to the substrate side with respect to the resin portion
  • the heat of the chip in the semiconductor package can be dissipated from the heat dissipation member through the second lead portion, the conductive member, and the heat transfer portion.
  • the heat transmitted from the chip to the second lead portion can be dissipated from the heat radiating member without necessarily providing the heat radiating member on the second lead portion side, so that the semiconductor package can be suppressed while the enlargement of the device is suppressed. It is possible to dissipate heat from the heat dissipation member.
  • the semiconductor package includes a plurality of third lead portions, and the plurality of third lead portions have a control terminal and a power terminal having a larger current flow than the control terminal, and the conductive member is the power terminal And a cutaway portion not to cover the control terminal.
  • the conductive member covers the power terminal, thereby increasing the area of the plate surface of the conductive member to improve the thermal conductivity and the heat dissipation, and by the notch portion, between the control terminal and the conductive member. It is possible to secure insulation.
  • the semiconductor package includes a plurality of the semiconductor packages, and the conductive member connects the second lead portions of the plurality of semiconductor packages and the heat transfer portion in parallel. According to this configuration, since the heat of the plurality of semiconductor packages can be dissipated by the conductive members connected in parallel, the manufacturing cost can be reduced as compared with the configuration in which the conductive members are individually provided to the semiconductor packages. Can.
  • the rivet has a shaft portion and a head having a diameter larger than the shaft portion, the substrate has a heat transfer hole penetrating in the plate thickness direction, and the shaft portion of the rivet is in the heat transfer hole
  • the heat transfer part is formed by insertion, and the head of the rivet is thermally connected to the heat dissipation member.
  • FIG. 1 A plan view showing a circuit configuration body of Embodiment 1
  • the figure which expanded the vicinity of the electrically-conductive member of FIG. 1 Sectional view of the electrical connection box at the position of AA in FIG. 1
  • the figure which expanded the vicinity of the electrically-conductive member of FIG. 3 Exploded perspective view of the electrical connection box Sectional view of the electrical connection box of the second embodiment Sectional drawing which expanded the vicinity of the electrically-conductive member of FIG. 6
  • a plan view enlarging the vicinity of the conductive member A plan view showing a circuit configuration body of Embodiment 3. Top view showing the conductive member
  • the electric connection box 10 is disposed in a power supply path between, for example, a power source such as a battery of a vehicle and a load including an on-vehicle electrical component such as a lamp or a wiper or a motor. be able to.
  • the electrical connection box 10 can be disposed in any orientation, but in the following description, the X direction in FIG. 1 will be described as the front, the Y direction in FIG. 3 as the left, and the Z direction as the upper.
  • the electrical connection box 10 is provided with the circuit structure 20 and the case 11 which covers the circuit structure 20, as shown in FIG.
  • the case 11 is in the form of a box whose lower side opens, and is made of metal such as aluminum or aluminum alloy or synthetic resin.
  • circuit assembly 20 The circuit configuration body 20 is disposed to face the substrate 21, the semiconductor package 30 mounted on the substrate 21, and the lower side of the substrate 21 (the opposite side of the substrate 21 with respect to the semiconductor package 30 side). And a plate-like conductive member 50 for connecting the upper surface of the semiconductor package 30 to the upper surface of the substrate 21.
  • conductive paths 22 made of copper foil or the like are formed on an insulating plate made of an insulating material on both upper and lower surfaces of the insulating plate by printed wiring technology.
  • a pair of (a plurality of) circular heat transfer holes 24 (through holes) and a 4 (a plurality of) circular screw holes 25 are formed through the substrate 21 in the vertical direction (plate thickness direction). .
  • the shank of the screw 55 is inserted through the screw hole 25.
  • a pair of left and right heat transfer holes 24 are provided on the central portion side of the substrate 21 so that the shaft portions 27A of the rivets 27 are inserted. Etc. are in close contact with each other.
  • the conductive walls 23 are continuous with the upper and lower conductive paths 22 of the substrate 21, and the upper and lower conductive paths 22 of the substrate 21 are electrically connected via the conductive walls 23.
  • the rivet 27 is made of, for example, a metal such as copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, iron, stainless steel, etc., and is provided on one side of the cylindrical shaft portion 27A and the shaft portion 27A in the axial direction. And a cylindrical head 27B having a diameter larger than the diameter of The shaft portion 27A has a diameter slightly smaller than the diameter of the heat transfer hole 24, and in a state where the shaft portion 27A is inserted into the heat transfer hole 24, the outer peripheral surface of the shaft portion 27A and the conductive wall 23
  • the solder 28 is disposed as a bonding material in the space between the heat hole 24 and the space between the upper end surface of the shaft 27A and the conductive member 50, and the space between the adjacent members is solder 28 It is joined.
  • the conductive wall 23, the rivet 27, and the solder 28 form a heat transfer portion 29 that enhances the thermal conductivity between the conductive member 50 and the heat dissipation member 40.
  • the semiconductor package 30 is an electronic component that generates a large amount of heat when it is energized, and is, for example, a FET (Field Effect Transistor).
  • the semiconductor package 30 includes a chip 31 as an integrated circuit, a first lead portion 32 connected to the lower surface of the chip 31 by solder, and a second lead portion 33 connected to the upper surface of the chip 31 by solder or an adhesive.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the third lead portion 37 and the like may be exposed from the resin portion 35 without protruding from the side surface of the resin portion 35 It is also good.
  • the first lead portion 32 is provided on the lower surface of the semiconductor package 30 in close contact with the resin portion 35, and a flat lead surface 32A is exposed from the resin portion 35.
  • the second lead portion 33 is provided on the upper surface of the semiconductor package 30 in close contact with the resin portion 35, and the flat lead surface 33A is exposed from the resin portion 35.
  • the end of the side (the left side in FIG. 4) of the first lead portion 32 is made up of four (plural) terminals 32 B disposed in the region outside the resin portion 35 and the conductive member 50.
  • the terminal 32B is connectable to the conductive path 22 on the upper surface of the substrate 21 by soldering or the like. As shown in FIG.
  • control terminal 37A and three (plural) power terminals 37B having a larger conduction current than the control terminal 37A are arranged in a row on one side surface of the resin portion 35. Lined up.
  • the number of control terminals 37A and power terminals 37B is not limited to the above configuration on the other side surface of resin portion 35.
  • one power terminal or a plurality of control terminals may be provided on one side surface of resin portion 35. May be
  • the control terminal 37 ⁇ / b> A is disposed at an end of the third lead portion 37 in the arrangement direction.
  • the power terminal 37 ⁇ / b> B is electrically connected to the second lead portion 33 inside the resin portion 35.
  • the plurality of power terminals 37B arranged on the control terminal 37A side with respect to the resin portion 35 are source electrodes of the FET, the first lead portion 32 is a drain electrode, and the control terminal 37A is a gate electrode. It is assumed.
  • the lower surfaces of the plurality of third lead portions 37 are located on the same plane as one another, and are soldered to lands as conductive paths 22 formed on the surface of the substrate 21.
  • the resin portion 35 is made of insulating synthetic resin, and for example, in a state where the chip 31 and the respective lead portions 32, 33, 37A, 37B are disposed in the mold, the liquid resin is injected into the mold and solidified. It can form by carrying out (mold molding).
  • the heat radiating member 40 is made of a metal having high thermal conductivity such as aluminum or aluminum alloy, and as shown in FIG. 3, a plurality of flat upper surfaces are arranged in a comb-like shape on the lower surface side.
  • the radiation fin 43 of In a region of the upper surface of the heat dissipation member 40 where the heat transfer portion 29 on the central portion side is disposed, a pedestal portion 41 which protrudes upward with a constant thickness is provided in a rectangular region. Further, a boss portion 42 projecting upward is formed on the top surface of the heat dissipation member 40 near the peripheral edge. In the upper surface of the boss portion 42, a screw hole 42A capable of screwing the screw 55 is formed.
  • the heat dissipation grease 45 is disposed between the head 27 B of the rivet 27 and the upper surface of the heat dissipation member 40.
  • the heat dissipation grease 45 is superimposed on the entire area of the pedestal portion 41 of the heat dissipation member 40, and for example, a material having high thermal conductivity such as silicone grease and having an insulating property is used.
  • the heat transmitted from the conductive member 50 to the rivet 27 on the right side is transmitted to the heat dissipating member 40 through the heat dissipating grease 45 and is dissipated from the heat dissipating member 40 to the outside.
  • the conductive member 50 is made of metal having high thermal conductivity such as copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, etc. and low electric resistance, and is connected to the semiconductor package 30 as shown in FIGS. 2 and 4.
  • a first connection portion 51, a second connection portion 52 connected to the heat transfer portion 29, and a connection portion 50A connecting the first connection portion 51 and the second connection portion 52 are provided.
  • the first connection portion 51 is formed in a rectangular plate shape
  • the second connection portion 52 is formed in a rectangular plate shape having a smaller dimension in the front-rear direction than the first connection portion 51.
  • the rear side of the connecting portion 50A and the second connection portion 52 is a notch 53 cut out in a step-like manner.
  • conductive member 50 In the state where conductive member 50 is disposed at the regular position where it is connected to the upper surface of semiconductor package 30 and the upper surface of heat transfer portion 29, a plurality of power terminals 37B aligned on the control terminal 37A side of third lead portion 37.
  • the upper side of the conductive member 50 is covered by the conductive member 50, and the upper side of the control terminal 37A of the third lead portion 37 is exposed without being covered by the conductive member 50 by the notch 53, whereby the conductive member 50 and the control terminal 37A are exposed. Insulating properties are secured.
  • the conductive member 50 is solder-plated, but the present invention is not limited thereto.
  • a conductive adhesive may be applied to the conductive member.
  • the circuit assembly 20 is connected to the substrate 21 having the conductive path 22 and the resin portion 35 covering the chip 31 and the chip 31 and the chip 31 in which the heat transfer portion 29 having thermal conductivity is formed to penetrate in the plate thickness direction. And the first lead portion 32 exposed to the substrate 21 side with respect to the resin portion 35 and the second lead portion 33 connected to the chip 31 and exposed to the opposite side to the substrate 21 side with respect to the resin portion 35.
  • the semiconductor package 30 mounted on the substrate 21 and the heat dissipating member 40 disposed opposite to the substrate 21 opposite to the semiconductor package 30 and thermally connected to the heat transfer portion 29 And a conductive member 50 connecting the second lead portion 33 and the heat transfer portion 29.
  • the heat of the chip 31 in the semiconductor package 30 can be dissipated from the heat dissipation member 40 via the second lead portion 33, the conductive member 50 and the heat transfer portion 29.
  • the heat transmitted from the chip 31 to the second lead portion 33 can be dissipated from the heat radiating member 40 without necessarily providing the heat radiating member on the second lead portion 33 side, so the enlargement of the device can be suppressed.
  • the heat of the semiconductor package 30 can be dissipated from the heat dissipation member 40.
  • the semiconductor package 30 further includes a plurality of third lead portions 37 protruding outward, and the plurality of third lead portions 37 have the control terminal 37A and the power terminal 37B having a larger current flow than the control terminal 37A.
  • the conductive member 50 covers the power terminal 37B and has a cutout 53 cut out so as not to cover the control terminal 37A. In this manner, the conductive member 50 covers the power terminal 37B, thereby increasing the area of the plate surface of the conductive member 50 to improve the thermal conductivity and the heat dissipation, and the conductive portion 50 is electrically connected to the control terminal 37A. The insulation between the member 50 can be secured.
  • the plurality of semiconductor packages 30 are provided, and the conductive members 50 connect the second lead portions 33 of the plurality of semiconductor packages 30 and the heat transfer portion 29 in parallel. In this way, the heat of the plurality of semiconductor packages 30 can be dissipated by the conductive members 50 connected in parallel, so that the manufacturing cost can be increased compared to the configuration in which the conductive members 50 are individually provided on the semiconductor package 30. Can be reduced.
  • the substrate 21 is provided with a rivet 27 having a shaft 27A and a head 27B larger in diameter than the shaft 27A, and the substrate 21 has a heat transfer hole 24 penetrating in the thickness direction.
  • the heat transfer hole 24 is inserted into the heat transfer hole 24 to form the heat transfer portion 29, and the head 27 B of the rivet 27 is thermally connected to the heat dissipation member 40. In this way, generally it is possible to use an inexpensive rivet 27 for the heat transfer section 29, so that the manufacturing cost can be reduced.
  • the second embodiment will be described with reference to FIGS. 6 to 8.
  • the second connection portion 52 of the conductive member 50 is connected onto the thermal via 62 of the substrate 61.
  • the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the thermal vias 62 are provided with a plurality of heat transfer holes 63 penetrating the substrate 21 vertically and horizontally, and the hole walls of the heat transfer holes 63 are made of copper foil or the like.
  • a conductive wall 64 made of metal is in close contact.
  • Solder 65 is filled in the heat transfer holes 63 (conductive walls 64). The upper end of the solder 65 is connected to the second connection portion 52 of the conductive member 50, and the lower end is in close contact with the heat dissipation grease 45 on the heat dissipation member 40.
  • the conductive wall 64 and the solder 65 form a heat transfer portion 66 that enhances the thermal conductivity between the conductive member 50 and the heat dissipation member 40.
  • the heat dissipation of the heat of the semiconductor package 30 can be improved by the thermal vias 62 of the substrate 61.
  • Embodiment 3 Next, the third embodiment will be described with reference to FIGS. 9 and 10.
  • the circuit assembly 70 according to the third embodiment as shown in FIG. 9, the plurality of semiconductor packages 30 and the heat transfer portion 29 are connected in parallel by the conductive member 71.
  • the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the conductive member 71 includes a plurality of first connection portions 72 connected to two (plural) semiconductor packages 30, a plurality of second connection portions 73 connected to one heat transfer portion 29, and a plurality of second connection portions 73.
  • the first conductive portion 74 and the second conductive portion 75 are connected in parallel to each other between the second lead portions 33 and the heat transfer portion 29 of the semiconductor package 30 of FIG.
  • the first conductive portion 74 and the second conductive portion 75 extend in the left-right direction with substantially the same width, and expose the control terminal 37A between the first conductive portion 74 and the second conductive portion 75. Notches 77 and 78 are formed to penetrate.
  • the cutaway portion 77 is a rectangular through hole, and the cutaway portion 78 is cut out at the outer peripheral edge of the conductive member 71 in a step-like manner.
  • the upper side of the plurality of power terminals 37B is covered by the conductive member 50 and the notches 77 and 78 Since the control terminal 37A is exposed without being covered by the conductive member 50, insulation between the conductive member 50 and the control terminal 37A can be secured.
  • the substrates 21 and 61 are made of an insulating substrate. However, the present invention is not limited to this. A bus bar made of a metal plate such as copper may be overlapped on the insulating substrate. Further, the substrate 21 is not limited to a single-layer substrate, and a multilayer substrate in which a multilayer conductive path is formed in an insulating plate may be used.
  • the heat transfer parts 29, 66 in which the heat transfer holes 24, 63 of the substrates 21, 61 are filled with the solder 28, 65 are not limited to this, for example, the inside of the heat transfer holes 24, 63 Alternatively, the solders 28 and 65 may not be filled, and heat may be transmitted from the conductive members 50 and 71 to the heat dissipation member 40 with only the conductive walls 23 and 64 as heat transfer portions.
  • the number of semiconductor packages 30 is not limited to the number of the above embodiments, and can be changed as appropriate.
  • the heat of the three or more semiconductor packages 30 may be transferred to the heat transfer portion by the conductive members configured in parallel.
  • the heat transfer holes 24, the shaft portions 27A, and the conductive walls 23 and 64 have a circular shape, but the invention is not limited thereto.
  • the heat transfer holes 24 may have an oval shape or a polygonal shape.
  • the conductive members 50 and 71 are configured to include the notches 53, 77, and 78, but may be conductive members that do not include the notches. For example, a rectangular conductive member without a notch may be used.
  • the conductive members 50 and 71 are configured to cover the plurality of power terminals 37B arranged on the control terminal 37A side with respect to the resin portion 35.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the power terminal 37B (and the control terminal 37A) may be exposed without covering 37A.
  • the conductive member is a shape extending to the side not having the power terminal 37B (and the control terminal 37A) with respect to the semiconductor package (for example, the conductive member is rotated 90 degrees on the horizontal surface), and the conductive member is the power terminal 37B and the control terminal It is good also as composition which does not cover 37A.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

回路構成体２０は、熱伝導性を有する伝熱部２９が板厚方向に貫通形成され、かつ、導電路２２を有する基板２１と、基板２１と、チップ３１とチップ３１を覆う樹脂部３５とチップ３１に接続されて樹脂部３５に対して基板２１側に露出する第１リード部３２とチップ３１に接続されて樹脂部３５に対して基板２１側とは反対側に露出する第２リード部３３とを有し、基板２１に実装される半導体パッケージ３０と、基板２１に対して半導体パッケージ３０側とは反対側に対向して配され、伝熱部２９に対して伝熱的に接続される放熱部材４０と、第２リード部３３と伝熱部２９とを接続する導電部材５０と、を備える。

Description

回路構成体及び電気接続箱
　本明細書では、回路構成体及び電気接続箱に関する技術を開示する。
　従来、基板に実装された電子部品の熱を金属製の放熱部材から放熱する技術が知られている。特許文献１の電子装置における基板の面に配列された半導体パッケージは、チップと、チップの上下両面にはんだ層により接続されたリードフレームと、チップを覆うモールド樹脂とが一体的に形成されている。チップの上面に接続されたリードフレームの上面は、はんだ層により基板に接続され、チップの下面に接続されたリードフレームの上面は、リード端子に接続されている。また、チップの下面にはんだ層により接続されたリードフレームには、ヒートシンクが重ねられており、リードフレームとヒートシンクとの間には、放熱ゲルが挟まれている。基板に実装された半導体パッケージの熱は、放熱ゲルを介してヒートシンクから放熱される。
特開２０１５－５６４３号公報（図６）
　ところで、特許文献１の構成では、半導体パッケージに対して基板とは反対側に設けたヒートシンクを介して放熱する構成であるため、例えば半導体パッケージに対して基板側にヒートシンクが重ねられる構成と比較して、基板とヒートシンクとが離間した配置になることで基板とヒートシンクとの間にスペースが生じるため、装置が大型化しやすいという問題がある。
　本明細書に記載された技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、装置の大型化を抑制しつつ、半導体パッケージの熱を放熱部材から放熱させることが可能な回路構成体及び電気接続箱を提供することを目的とする。
　本明細書に記載された回路構成体は、熱伝導性を有する伝熱部が板厚方向に貫通して形成され、かつ、導電路を有する基板と、チップと前記チップを覆う樹脂部と前記チップに接続されて前記樹脂部に対して前記基板側に露出する第１リード部と前記チップに接続されて前記樹脂部に対して前記基板側とは反対側に露出する第２リード部とを有し、前記基板に実装される半導体パッケージと、前記基板に対して前記半導体パッケージ側とは反対側に対向して配され、前記伝熱部に対して伝熱的に接続される放熱部材と、前記第２リード部と前記伝熱部とを接続する導電部材と、を備える。
　本構成によれば、半導体パッケージにおけるチップの熱を、第２リード部、導電部材及び伝熱部を介して放熱部材から放熱することができる。これにより、必ずしも第２リード部側に放熱部材を設けなくてもチップから第２リード部に伝達された熱を放熱部材から放熱することができるため、装置の大型化を抑制しつつ、半導体パッケージの熱を放熱部材から放熱させることが可能となる。
　本明細書に記載された技術の実施態様としては以下の態様が好ましい。
　前記半導体パッケージは、複数の第３リード部を備え、前記複数の第３リード部は、制御端子と前記制御端子よりも通電電流が大きい電力端子とを有し、前記導電部材は、前記電力端子を覆うとともに、前記制御端子を覆わないように切り欠かれた切欠部を有する。
　このようにすれば、導電部材が電力端子を覆うことにより導電部材の板面の面積を大きくして熱伝導性及び放熱性を良好にしつつ、切欠部により、制御端子と導電部材との間の絶縁性を確保することができる。
　複数の前記半導体パッケージを備え、前記導電部材は、前記複数の半導体パッケージの各前記第２リード部と前記伝熱部との間を並列に接続している。
　このようにすれば、並列に接続された導電部材により複数の半導体パッケージの熱を放熱することができるため、半導体パッケージに対して個別に導電部材を設ける構成と比較して製造コストを低減することができる。
　軸部と前記軸部よりも径の大きい頭部とを有するリベットを備え、前記基板は、前記板厚方向に貫通する伝熱孔を有し、前記リベットの軸部は、前記伝熱孔に挿通されて前記伝熱部を構成し、前記リベットの頭部は、前記放熱部材に対して伝熱的に接続されている。
　このようにすれば、一般に安価なリベットを伝熱部に用いることが可能になるため、製造コストを低減することができる。
　前記回路構成体と、前記回路構成体を収容するケースとを備える電気接続箱とする。
　本明細書に記載された技術によれば、装置の大型化を抑制しつつ、半導体パッケージの熱を放熱部材から放熱させることが可能となる。
実施形態１の回路構成体を示す平面図 図１の導電部材の近傍を拡大した図 図１のＡ－Ａの位置における電気接続箱の断面図 図３の導電部材の近傍を拡大した図 電気接続箱の分解斜視図 実施形態２の電気接続箱の断面図 図６の導電部材の近傍を拡大した断面図 導電部材の近傍を拡大した平面図 実施形態３の回路構成体を示す平面図 導電部材を示す平面図
　＜実施形態１＞
　実施形態１について、図１～図５を参照しつつ説明する。
　電気接続箱１０は、例えば車両のバッテリ等の電源と、ランプ、ワイパー等の車載電装品やモータ等からなる負荷との間の電力供給経路に配され、例えばＤＣ－ＤＣコンバータやインバータ等に用いることができる。電気接続箱１０は任意の向きで配置することができるが、以下では、説明上、図１のＸ方向を前方、図３のＹ方向を左方、Ｚ方向を上方として説明する。
（電気接続箱１０）
　電気接続箱１０は、図３に示すように、回路構成体２０と、回路構成体２０を覆うケース１１とを備えている。ケース１１は、下方側が開口する箱形であって、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属製又は合成樹脂製とされている。
（回路構成体２０）
　回路構成体２０は、基板２１と、基板２１に実装される半導体パッケージ３０と、基板２１の下側（基板２１に対して半導体パッケージ３０側とは反対側）に対向して配され、半導体パッケージ３０等から伝達された熱を外部に放熱する放熱部材４０と、半導体パッケージ３０の上面と基板２１の上面との間を接続する板状の導電部材５０とを備える。
（基板２１）
　基板２１は、絶縁材料からなる絶縁板に銅箔等からなる導電路２２が絶縁板の上下両面にプリント配線技術により形成されている。基板２１には、一対（複数）の円形状の伝熱孔２４（貫通孔）と、４個（複数）の円形状のネジ孔２５とが上下方向（板厚方向）に貫通形成されている。ネジ孔２５は、ネジ５５の軸部が挿通される。伝熱孔２４は、図４に示すように、基板２１の中央部側に左右一対設けられてリベット２７の軸部２７Ａが挿通されており、伝熱孔２４の孔壁の全体には銅箔等からなる導電壁２３が密着している。導電壁２３は、基板２１の上下の導電路２２に連なっており、基板２１の上下の導電路２２間は、導電壁２３を介して電気的に接続されている。
　リベット２７は、例えば、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、ステンレス鋼等の金属からなり、円柱状の軸部２７Ａと、軸部２７Ａの軸方向の一方側に設けられ、軸部２７Ａの径よりも大きい径を有する円柱状の頭部２７Ｂとを有する。軸部２７Ａは、伝熱孔２４の直径よりもわずかに小さい直径を有しており、伝熱孔２４に軸部２７Ａが挿通された状態で、軸部２７Ａの外周面と導電壁２３（伝熱孔２４の孔壁）との間の隙間、及び、軸部２７Ａの上端面と導電部材５０との間の隙間には、接合材として半田２８が配され、近接する部材間が半田２８により接合される。導電壁２３とリベット２７と半田２８とは、導電部材５０と放熱部材４０との間の熱伝導性を高める伝熱部２９とされる。
（半導体パッケージ３０）
　半導体パッケージ３０は、通電による発熱の大きい電子部品であり、例えばＦＥＴ（Field effect transistor）とされる。半導体パッケージ３０は、集積回路としてのチップ３１と、チップ３１の下面に半田により接続された第１リード部３２と、チップ３１の上面に半田や接着剤等により接続された第２リード部３３と、チップ３１の全体を覆う樹脂部３５と、樹脂部３５内で第２リード部３３に電気的に接続され、樹脂部３５の側面から外方に並んで突出する複数の第３リード部３７とを備えている。なお、第３リード部３７等は樹脂部３５から突出させる構成としたが、これに限られず、第３リード部３７等を樹脂部３５の側面から突出させずに樹脂部３５から露出させる構成としてもよい。
　第１リード部３２は、半導体パッケージ３０の下面に樹脂部３５に対して密着状態で設けられ、平坦なリード面３２Ａが樹脂部３５から露出している。第２リード部３３は、半導体パッケージ３０の上面に樹脂部３５に対して密着状態で設けられ、平坦なリード面３３Ａが樹脂部３５から露出している。第１リード部３２の側方側（図４の左方側）の端部は、樹脂部３５及び導電部材５０の外側の領域に配された４本（複数）の端子３２Ｂとされている。端子３２Ｂは、基板２１の上面の導電路２２に半田付け等により接続可能とされている。第３リード部３７は、図２に示すように、樹脂部３５の一方の側面に１本の制御端子３７Ａと制御端子３７Ａよりも通電電流が大きい３本（複数）の電力端子３７Ｂとが一列に並んでいる。樹脂部３５の他方の側面になお、制御端子３７Ａや電力端子３７Ｂの数は上記構成に限られず、例えば、樹脂部３５の一側面に、一つの電力端子を設けたり、複数の制御端子を設けてもよい。制御端子３７Ａは、第３リード部３７の並び方向の端部に配されている。電力端子３７Ｂは、樹脂部３５の内部で第２リード部３３と電気的に接続されている。本実施形態では、樹脂部３５に対して制御端子３７Ａ側に並んだ複数の電力端子３７Ｂは、ＦＥＴのソース電極とされ、第１リード部３２は、ドレイン電極とされ、制御端子３７Ａはゲート電極とされている。複数の第３リード部３７の下面は、互いに同一平面上に位置しており、基板２１の表面に形成された導電路２２としてのランドに半田付けされる。樹脂部３５は、絶縁性の合成樹脂からなり、例えば、金型内にチップ３１及び各リード部３２，３３，３７Ａ，３７Ｂを配した状態で、金型内に液状の樹脂を注入して固化させる（モールド成形）ことにより形成することができる。
（放熱部材４０）
　放熱部材４０は、アルミニウム、アルミニウム合金等の熱伝導性が高い金属類製であって、図３に示すように、平坦な上面を有し、下面側に櫛刃状に並んで配された複数の放熱フィン４３を有している。放熱部材４０の上面における中央部側の伝熱部２９が配される領域には、一定の厚みで上方側に突出する台部４１が長方形状の領域に設けられている。また、放熱部材４０の上面における周縁部寄りには、上方に突出するボス部４２が形成されている。ボス部４２の上面には、ネジ５５をネジ留め可能なネジ孔４２Ａが形成されている。
　リベット２７の頭部２７Ｂと放熱部材４０の上面との間には、放熱グリス４５が配されている。放熱グリス４５は、放熱部材４０の台部４１の領域の全体に重ねられており、例えば、シリコーングリスなどの熱伝導性が高く、絶縁性を有する材料が用いられている。導電部材５０から右方側のリベット２７に伝達された熱は放熱グリス４５を介して放熱部材４０に伝わり、放熱部材４０から外部に放熱される。
（導電部材５０）
　導電部材５０は、銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の熱伝導性が高く、電気抵抗が小さい金属類製であって、図２，図４に示すように、半導体パッケージ３０に接続される第１接続部５１と、伝熱部２９に接続される第２接続部５２と、第１接続部５１と第２接続部５２とを連結する連結部５０Ａとを備える。第１接続部５１は、長方形の板状とされ、第２接続部５２は、第１接続部５１よりも前後方向の寸法が小さい長方形の板状とされている。第１接続部５１と第２接続部５２との間は、連結部５０Ａ及び第２接続部５２の後方側が段差状に切り欠かれた切欠部５３とされている。導電部材５０が半導体パッケージ３０の上面と伝熱部２９の上面とに接続される正規位置に配された状態では、第３リード部３７のうちの制御端子３７Ａ側に並んだ複数の電力端子３７Ｂの上方側が導電部材５０に覆われるとともに、切欠部５３により、第３リード部３７のうちの制御端子３７Ａの上方側が導電部材５０に覆われずに露出することで、導電部材５０と制御端子３７Ａとの絶縁性が確保されている。導電部材５０は、半田めっきされたものが用いられているが、これに限られず、例えば、導電部材に導電性接着剤が塗布されていてもよい。
　本実施形態によれば、以下の作用、効果を奏する。
　回路構成体２０は、熱伝導性を有する伝熱部２９が板厚方向に貫通形成され、かつ、導電路２２を有する基板２１と、チップ３１とチップ３１を覆う樹脂部３５とチップ３１に接続されて樹脂部３５に対して基板２１側に露出する第１リード部３２とチップ３１に接続されて樹脂部３５に対して基板２１側とは反対側に露出する第２リード部３３とを有し、基板２１に実装される半導体パッケージ３０と、基板２１に対して半導体パッケージ３０側とは反対側に対向して配され、伝熱部２９に対して伝熱的に接続される放熱部材４０と、第２リード部３３と伝熱部２９とを接続する導電部材５０と、を備える。
　本実施形態によれば、半導体パッケージ３０におけるチップ３１の熱を、第２リード部３３、導電部材５０及び伝熱部２９を介して放熱部材４０から放熱することができる。これにより、必ずしも第２リード部３３側に放熱部材を設けなくてもチップ３１から第２リード部３３に伝達された熱を放熱部材４０から放熱することができるため、装置の大型化を抑制しつつ、半導体パッケージ３０の熱を放熱部材４０から放熱させることが可能となる。
　また、半導体パッケージ３０は、外方に突出する複数の第３リード部３７を備え、複数の第３リード部３７は、制御端子３７Ａと制御端子３７Ａよりも通電電流が大きい電力端子３７Ｂとを有し、導電部材５０は、電力端子３７Ｂを覆うとともに、制御端子３７Ａを覆わないように切り欠かれた切欠部５３を有する。
　このようにすれば、導電部材５０が電力端子３７Ｂを覆うことにより導電部材５０の板面の面積を大きくして熱伝導性及び放熱性を良好にしつつ、切欠部５３により、制御端子３７Ａと導電部材５０との間の絶縁性を確保することができる。
　また、複数の半導体パッケージ３０を備え、導電部材５０は、複数の半導体パッケージ３０の各第２リード部３３と伝熱部２９との間を並列に接続している。
　このようにすれば、並列に接続された導電部材５０により複数の半導体パッケージ３０の熱を放熱することができるため、半導体パッケージ３０に対して個別に導電部材５０を設ける構成と比較して製造コストを低減することができる。
　また、軸部２７Ａと当該軸部２７Ａよりも径の大きい頭部２７Ｂとを有するリベット２７を備え、基板２１は、板厚方向に貫通する伝熱孔２４を有し、リベット２７の軸部２７Ａは、伝熱孔２４に挿通されて伝熱部２９を構成し、リベット２７の頭部２７Ｂは、放熱部材４０に対して伝熱的に接続されている。
　このようにすれば、一般に安価なリベット２７を伝熱部２９に用いることが可能になるため、製造コストを低減することができる。
　＜実施形態２＞
　次に、実施形態２について、図６～図８を参照しつつ説明する。
　実施形態２の電気接続箱６０は、導電部材５０の第２接続部５２を基板６１のサーマルビア６２の上に接続したものである。以下では、実施形態１と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
　図７，図８に示すように、サーマルビア６２は、基板２１を貫通する複数の伝熱孔６３が縦横に並んで設けられており、伝熱孔６３の孔壁には、銅箔等の金属からなる導電壁６４が密着している。伝熱孔６３（導電壁６４）内には、半田６５が充填されている。半田６５は、上端が導電部材５０の第２接続部５２に接続されるとともに、下端が放熱部材４０の上の放熱グリス４５に密着している。導電壁６４と半田６５とにより、導電部材５０と放熱部材４０との間の熱伝導性を高める伝熱部６６が形成される。
　実施形態２によれば、基板６１のサーマルビア６２により、半導体パッケージ３０の熱の放熱性を向上させることができる。
　＜実施形態３＞
　次に、実施形態３について、図９，図１０を参照しつつ説明する。
　実施形態３の回路構成体７０は、図９に示すように、複数の半導体パッケージ３０と伝熱部２９との間が導電部材７１により並列に接続されるものである。以下では、実施形態１と同一の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
　基板２１には、２個（複数）の半導体パッケージ３０が前後に並んで実装されている。導電部材７１は、図１０に示すように、２つ（複数）の半導体パッケージ３０に接続される第１接続部７２と、１つの伝熱部２９に接続される第２接続部７３と、複数の半導体パッケージ３０の各第２リード部３３と伝熱部２９との間を互いに並列に接続する第１導電部７４及び第２導電部７５とを有する。第１導電部７４と第２導電部７５とはほぼ同じ幅寸法で左右方向に延びており、第１導電部７４と第２導電部７５との間には、制御端子３７Ａを露出させるように切り欠いた切欠部７７，７８が貫通形成されている。切欠部７７は、長方形状の貫通孔であり、切欠部７８は、導電部材７１の外周縁に段差状に切り欠かれている。導電部材７１が複数の半導体パッケージ３０と伝熱部２９とに対して正規位置で接続された状態では、複数の電力端子３７Ｂの上方側が導電部材５０により覆われるとともに、切欠部７７，７８により、制御端子３７Ａについては、導電部材５０に覆われずに露出するため、導電部材５０と制御端子３７Ａとの絶縁性を確保することができる。
　＜他の実施形態＞
　本明細書に記載された技術は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本明細書に記載された技術の技術的範囲に含まれる。
（１）基板２１，６１は、絶縁基板からなる構成としたが、これに限られず、絶縁基板に銅等の金属板材からなるバスバーが重ねられていてもよい。また、基板２１は、単層基板に限られず、絶縁板に多層の導電路が形成された多層基板を用いてもよい。
（２）基板２１，６１の伝熱孔２４，６３に半田２８，６５が充填された伝熱部２９，６６を備える構成としたが、これに限られず、例えば、伝熱孔２４，６３内に半田２８，６５が充填されず、導電壁２３，６４のみを伝熱部として、導電部材５０，７１から放熱部材４０に熱を伝達する構成としてもよい。
（３）半導体パッケージ３０の数は、上記実施形態の数に限られず、適宜変更することができる。例えば、３個以上の半導体パッケージ３０の熱を並列に構成された導電部材により伝熱部に伝達する構成としてもよい。
（４）伝熱孔２４、軸部２７Ａ、導電壁２３，６４は円形状としたが、これに限られず、例えば長円形状や多角形状としてもよい。
（５）導電部材５０，７１は、切欠部５３，７７，７８を備える構成としたが、切欠部を備えない導電部材としてもよい。例えば、切欠部を有さない長方形状の導電部材としてもよい。
（６）導電部材５０，７１は、樹脂部３５に対して制御端子３７Ａ側に並んだ複数の電力端子３７Ｂを覆う構成としたが、これに限られず、導電部材が電力端子３７Ｂ（及び制御端子３７Ａ）を覆わず、電力端子３７Ｂ（及び制御端子３７Ａ）を露出させる構成としてもよい。例えば、導電部材を半導体パッケージに対して電力端子３７Ｂ（及び制御端子３７Ａ）を有さない側に延びる形状とし（例えば導電部材を水平面上で９０度回転）、導電部材が電力端子３７Ｂ及び制御端子３７Ａを覆わない構成としてもよい。
１０，６０：　電気接続箱
１１：　ケース
２０，７０：　回路構成体
２１，６１：　基板
２２：　導電路
２３，６４：　導電壁
２４，６３：　伝熱孔
２７：　リベット
２７Ａ：　軸部
２７Ｂ：　頭部
２８，６５：　半田
２９，６６：　伝熱部
３０：　半導体パッケージ
３１：　チップ
３２：　第１リード部
３３：　第２リード部
３５：　樹脂部　
３７：　第３リード部
３７Ａ：　制御端子
３７Ｂ：　電力端子
４０：　放熱部材
４５：　放熱グリス
５０，７１：　導電部材
５３，７７，７８：　切欠部

Claims (5)

  1. 熱伝導性を有する伝熱部が板厚方向に貫通して形成され、かつ、導電路を有する基板と、
    　チップと前記チップを覆う樹脂部と前記チップに接続されて前記樹脂部に対して前記基板側に露出する第１リード部と前記チップに接続されて前記樹脂部に対して前記基板側とは反対側に露出する第２リード部とを有し、前記基板に実装される半導体パッケージと、
    　前記基板に対して前記半導体パッケージ側とは反対側に対向して配され、前記伝熱部に対して伝熱的に接続される放熱部材と、
    　前記第２リード部と前記伝熱部とを接続する導電部材と、を備える回路構成体。
  2. 前記半導体パッケージは、複数の第３リード部を備え、
    　前記複数の第３リード部は、制御端子と前記制御端子よりも通電電流が大きい電力端子とを有し、
    　前記導電部材は、前記電力端子を覆うとともに、前記制御端子を覆わないように切り欠かれた切欠部を有する請求項１に記載の回路構成体。
  3. 複数の前記半導体パッケージを備え、
    　前記導電部材は、前記複数の半導体パッケージの各前記第２リード部と前記伝熱部との間を並列に接続している請求項１又は請求項２に記載の回路構成体。
  4. 軸部と前記軸部よりも径の大きい頭部とを有するリベットを備え、
    　前記基板は、前記板厚方向に貫通する伝熱孔を有し、
    　前記リベットの軸部は、前記伝熱孔に挿通されて前記伝熱部を構成し、前記リベットの頭部は、前記放熱部材に対して伝熱的に接続されている請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の回路構成体。
  5. 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の回路構成体と、前記回路構成体を収容するケースとを備える電気接続箱。
PCT/JP2018/043503 2017-12-14 2018-11-27 回路構成体及び電気接続箱 WO2019116880A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201880076227.0A CN111373525B (zh) 2017-12-14 2018-11-27 电路结构体及电接线盒
US16/772,345 US20200404803A1 (en) 2017-12-14 2018-11-27 Circuit assembly and electrical junction box
DE112018006380.1T DE112018006380T5 (de) 2017-12-14 2018-11-27 Schaltungsanordnung und elektrischer Verteilerkasten
JP2019559528A JP6780792B2 (ja) 2017-12-14 2018-11-27 回路構成体及び電気接続箱

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-239352 2017-12-14
JP2017239352 2017-12-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019116880A1 true WO2019116880A1 (ja) 2019-06-20

Family

ID=66819586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/043503 WO2019116880A1 (ja) 2017-12-14 2018-11-27 回路構成体及び電気接続箱

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20200404803A1 (ja)
JP (1) JP6780792B2 (ja)
CN (1) CN111373525B (ja)
DE (1) DE112018006380T5 (ja)
WO (1) WO2019116880A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210296202A1 (en) * 2020-03-20 2021-09-23 Lyft, Inc. Motor controller heat dissipating systems and methods
JP2021182574A (ja) * 2020-05-18 2021-11-25 矢崎総業株式会社 回路接続モジュール

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4863244U (ja) * 1971-11-19 1973-08-11
JPH10284654A (ja) * 1997-04-11 1998-10-23 Nec Corp 半導体装置の冷却構造
JPH1154673A (ja) * 1997-07-31 1999-02-26 Nec Kansai Ltd 半導体装置
JP2002043779A (ja) * 2000-07-21 2002-02-08 Denso Corp 電子部品の組み付け構造
JP2010161131A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール及びパワー半導体装置
JP2010219569A (ja) * 2010-07-09 2010-09-30 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2016111117A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 オムロンオートモーティブエレクトロニクス株式会社 回路基板、回路基板の放熱構造、回路基板の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150715A (ja) * 1998-11-09 2000-05-30 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 金属板入りプリント配線板用銅張板の製造方法
JP4646642B2 (ja) * 2005-01-27 2011-03-09 京セラ株式会社 半導体素子用パッケージ
JP4817796B2 (ja) * 2005-10-18 2011-11-16 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置及びその製造方法
CN102714267B (zh) * 2009-11-19 2015-05-20 住友化学株式会社 半导体用封装以及散热形引线框架
JP5418851B2 (ja) * 2010-09-30 2014-02-19 株式会社デンソー 電子制御ユニット
JP2012169330A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Renesas Electronics Corp 電子装置
JP2013004953A (ja) * 2011-06-22 2013-01-07 Denso Corp 電子制御装置
WO2014050081A1 (ja) * 2012-09-25 2014-04-03 株式会社デンソー 電子装置
JP6413249B2 (ja) * 2014-02-03 2018-10-31 住友ベークライト株式会社 熱伝導性シートおよび半導体装置
CN106206332B (zh) * 2016-07-17 2019-04-05 山东华芯电子有限公司 一种集成电路封装结构的制造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4863244U (ja) * 1971-11-19 1973-08-11
JPH10284654A (ja) * 1997-04-11 1998-10-23 Nec Corp 半導体装置の冷却構造
JPH1154673A (ja) * 1997-07-31 1999-02-26 Nec Kansai Ltd 半導体装置
JP2002043779A (ja) * 2000-07-21 2002-02-08 Denso Corp 電子部品の組み付け構造
JP2010161131A (ja) * 2009-01-07 2010-07-22 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール及びパワー半導体装置
JP2010219569A (ja) * 2010-07-09 2010-09-30 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2016111117A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 オムロンオートモーティブエレクトロニクス株式会社 回路基板、回路基板の放熱構造、回路基板の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210296202A1 (en) * 2020-03-20 2021-09-23 Lyft, Inc. Motor controller heat dissipating systems and methods
JP2021182574A (ja) * 2020-05-18 2021-11-25 矢崎総業株式会社 回路接続モジュール
JP7074798B2 (ja) 2020-05-18 2022-05-24 矢崎総業株式会社 回路接続モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
CN111373525A (zh) 2020-07-03
JP6780792B2 (ja) 2020-11-04
JPWO2019116880A1 (ja) 2020-10-01
CN111373525B (zh) 2023-07-18
DE112018006380T5 (de) 2020-08-27
US20200404803A1 (en) 2020-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3958589B2 (ja) 電気接続箱
JP6981564B2 (ja) 金属部材付き基板、回路構成体及び電気接続箱
CN110915312B (zh) 电路结构体及电气连接箱
JP2018186143A (ja) 回路基板モジュール、電子装置
WO2017047373A1 (ja) 回路構成体および電気接続箱
JP6432792B2 (ja) 回路構成体及び電気接続箱
JP3958590B2 (ja) 電気接続箱用配電ユニット及び電気接続箱
WO2019116880A1 (ja) 回路構成体及び電気接続箱
TWI746899B (zh) 電路組件以及安裝單元
JP2017174951A (ja) 半導体装置
JP2020047765A (ja) 電気機器及び放熱器
WO2022004332A1 (ja) 回路構成体
WO2020080248A1 (ja) 回路構造体及び電気接続箱
US11342734B2 (en) Circuit assembly and electrical junction box
WO2019216238A1 (ja) 回路構成体、及び電気接続箱
JP6321883B2 (ja) 電子部品ユニット及び熱伝導載置部材
JP6600743B2 (ja) 高伝導性放熱パッドを用いたプリント回路基板の放熱システム
WO2023276647A1 (ja) 回路構成体及び電気接続箱
WO2020246224A1 (ja) 回路構成体及び電気接続箱
JP2019087729A (ja) 回路組立体及び実装ユニット
JP2011066281A (ja) 発熱デバイス
JP2009188192A (ja) 回路装置
JP2016152290A (ja) 熱伝導基板及び電子部品実装方法
JP2011066282A (ja) 発熱デバイス装置
JP2019033168A (ja) 電子制御装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18889078

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019559528

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18889078

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1