WO2019114702A1 - 聚硅氧烷及太阳能、半导体用掺杂浆料 - Google Patents

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WO2019114702A1
WO2019114702A1 PCT/CN2018/120329 CN2018120329W WO2019114702A1 WO 2019114702 A1 WO2019114702 A1 WO 2019114702A1 CN 2018120329 W CN2018120329 W CN 2018120329W WO 2019114702 A1 WO2019114702 A1 WO 2019114702A1
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polysiloxane
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solar energy
cellulose
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PCT/CN2018/120329
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徐芳荣
李平
池田武史
金光男
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东丽先端材料研究开发（中国）有限公司
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    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/38—Polysiloxanes modified by chemical after-treatment
    • C08G77/382—Polysiloxanes modified by chemical after-treatment containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen or silicon
    • C08G77/398—Polysiloxanes modified by chemical after-treatment containing atoms other than carbon, hydrogen, oxygen or silicon containing boron or metal atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/48—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/56—Boron-containing linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/04—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the liquid state

Definitions

  • This invention relates to polysiloxanes, and materials for solar and semiconductors.
  • the present invention relates to the organic synthesis of a series of substituents containing borate-containing polysiloxanes, and dopant materials for solar and semiconductors.
  • the n-type impurity diffusion layer employs different processes.
  • such a method has a problem that the number of processes increases. If a spin-on type slurry having a barrier property, that is, a mask function, is used for the diffusion process, the effect of reducing the cost of the process can be reduced, but the spin-on type slurry needs to waste >50% of the slurry in the spin coating process. Intangible increases the cost.
  • boron source gas dopant As a boron source gas dopant, it is generally a highly toxic substance such as boron tribromide.
  • the requirements for piping and exhaust gas absorption equipment are high, and once a leak occurs, there is a possibility of a major accident and pollution to the surrounding environment.
  • Patent Document [1] Chinese patent application publication CN104538501A, Wei Qingzhu, Lu Junyu, Lian Weifei, Ni Zhichun, N-type double-sided battery and its manufacturing method, the application date is 2015-01-15.
  • the present invention provides a polysiloxane, and a doping paste for solar energy and a semiconductor prepared using the polysiloxane.
  • the doping slurry of the present invention Since the doping slurry of the present invention has a great reduction in the cost of the raw material compared to the fine particles, it is prepared into a printing type boron source slurry or a spin coating type boron source slurry, regardless of whether it is used in the entire surface. Both the coating process and the partial coating process have good diffusion uniformity and low cost relative to the existing slurry, and can achieve market competitiveness of related products.
  • the present invention discloses a polysiloxane containing at least one molecular structure fragment selected from the following formula 1,
  • Q is an organic group containing a boric acid ester
  • T is an organic group containing a boric acid ester, an alkyl group, an organic group having an alcoholic hydroxyl group or a hydroxyl group
  • X is an alkyl group or an aryl group
  • Y is an alkane A group, an aryl group or a hydroxyl group
  • the alkyl group and the aryl group described above preferably do not contain boron.
  • the Q is preferably a structural fragment represented by Formula 2 for the purpose of cost reduction and stability for ease of preparation.
  • Z is an alkylene group having 7 or less carbon atoms or an alkylene group having a main chain having a hydrogen atom number of 7 or less and containing a hetero atom; and R is an aryl group having a carbon atom bonded to the B atom,
  • the atom connected to the B atom is an alkyl group of a carbon atom
  • the atom connected to the B atom is an aryl group of an oxygen atom
  • the atom connected to the B atom is an alkyl group of an oxygen atom or a hydroxyl group
  • R1, R2 and R3 are each independently hydrogen.
  • An atom or an organic group having 3 or less carbon atoms or R2 is bonded to a carbon atom at Z to form a ring.
  • an organic group having a carbon atom in a predetermined range or a predetermined value, for example, a common substituent having a carbon atom in a prescribed range or a predetermined value, such as a hydrocarbon substituent such as an alkyl group or a ring.
  • a common substituent having a carbon atom in a prescribed range or a predetermined value such as a hydrocarbon substituent such as an alkyl group or a ring.
  • the Z is preferably a main chain having a non-hydrogen atom number of 7 or less and containing a hetero atom in order to make the polysiloxane easy to thermally decompose and to make the silicon content capable of achieving barrier properties and suppressing diffusion in the gas.
  • Alkylene a main chain having a non-hydrogen atom number of 7 or less and containing a hetero atom in order to make the polysiloxane easy to thermally decompose and to make the silicon content capable of achieving barrier properties and suppressing diffusion in the gas.
  • in-gas diffusion means that during the diffusion process, the dopant component in the dopant slurry or mask material volatilizes into the gas surrounding it and diffuses in the gas.
  • R 1 , R 2 , and R 3 are each independently a hydrogen atom and have a carbon number of 1 due to solubility in water and a requirement to ensure that the silicon content can achieve barrier properties and inhibit gas diffusion.
  • An organic group, or R 2 is bonded to a carbon atom on X to form a ring. More preferably, each of R 1 , R 2 and R 3 is a hydrogen atom.
  • T is a hydroxyl group, an alkyl group having 8 or less carbon atoms or containing Formula 3 Structure,
  • W is an alkylene group having 7 or less carbon atoms or an alkylene group having a main chain having a hydrogen atom number of 7 or less and containing a hetero atom
  • R7 is an aryl group having a carbon atom bonded to the B atom
  • the atom to which the B atom is bonded is an alkyl group of a carbon atom
  • the atom to which the atom B is bonded is an aryl group of an oxygen atom
  • the atom to which the atom to which B is bonded is an alkyl group of an oxygen atom or a hydroxyl group
  • R4, R5 and R6 are each independently a hydrogen atom.
  • An organic group having 3 or less carbon atoms or R5 and a carbon atom on W are bonded to form a ring.
  • the W is preferably a main chain having a non-hydrogen atom number of 7 or less and containing a hetero atom in order to make the polysiloxane easy to thermally decompose and to make the silicon content capable of achieving barrier properties and inhibiting diffusion in the gas.
  • Alkylene a main chain having a non-hydrogen atom number of 7 or less and containing a hetero atom in order to make the polysiloxane easy to thermally decompose and to make the silicon content capable of achieving barrier properties and inhibiting diffusion in the gas.
  • the T is preferably a hydroxyl group in view of the requirement that the silicon content in the polysiloxane can achieve barrier properties and inhibit the diffusion in the gas.
  • the required barrier properties and the properties of suppressing diffusion in the gas are adjusted.
  • the polysiloxane has a weight average molecular weight of 500 to 50,000.
  • the polysiloxane has a weight average molecular weight of 1,000 to 13,000 for the purpose of not causing local unevenness even if the molecular weight is increased during storage.
  • the polysiloxane preferably has a weight average molecular weight of 1,500 to 6,500 for the purpose of extending the shelf life.
  • the polysiloxane of the present invention is not particularly limited as long as it contains the molecular structure fragment of the above formula 1, and specific examples of the molecular structure fragment of the above formula 1 include the following examples.
  • the actual arrangement of the repeating unit structure is not limited to the following structural examples.
  • the present invention also discloses a doping paste for solar energy and a semiconductor (hereinafter, also simply referred to as "the doping paste of the present invention") containing a polysiloxane as described above as a dopant.
  • a tackifier which improves coating properties may be added to the doping paste of the present invention, making it suitable for screen printing.
  • the tackifier is not particularly limited, and in view of balance of cost and performance, methyl cellulose, ethyl cellulose, propyl cellulose, hydroxymethyl cellulose, hydroxyethyl cellulose, hydroxypropyl cellulose is preferable.
  • carboxymethyl cellulose methyl hydroxyethyl cellulose, ethyl hydroxyethyl cellulose, methyl hydroxypropyl cellulose, cellulose acetate, cellulose acetate butyrate, polyacrylamide, polyvinyl alcohol, poly Vinyl pyrrolidone, polyethylene oxide, carbo resin, polyacrylic acid, polyacrylate or polyurethane.
  • the doping paste for solar energy and semiconductor preferably further contains a solvent (hereinafter also referred to as "solvent (A)").
  • the solvent (A) is composed of 0 to 10% of water and 90 to 100% of an organic solvent.
  • the solvent (A) is composed of 0 to 5% of water and 95 to 100% of an organic solvent.
  • the organic solvent is preferably an organic solvent having a boiling point of 50 to 300 degrees Celsius.
  • the organic solvent is not particularly limited, and preferably 1-methoxy-2-propanol, diacetone alcohol, 2-propanol, n-butanol, 3-methoxy-3-methylbutanol, diethylene glycol Methyl ether, propylene glycol, diethylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, alpha-terpineol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol, methanol, ethanol, 1,4-dioxane Hexacyclic, acetone, methyl ethyl ketone, methyl lactate or ethyl lactate.
  • the total weight of the polysiloxane of the invention is 2 to 35% by weight of the slurry.
  • the dopant preferably contains only the polysiloxane described above.
  • Figure 1 is a schematic illustration of the placement of silicon wafers in a barrier evaluation experiment.
  • Figure 2 is a schematic diagram of diffusion performance and placement of silicon wafers in a gas diffusion evaluation experiment.
  • the repeating unit structure of the polysiloxane of the present embodiment contains a borate ester structure which is suitable for, but not limited to, the doping paste for solar energy and semiconductor of the present invention.
  • polysiloxane (1), organic solvent (2), and acid catalyst (3) can be used, and monitoring of the reaction can be used.
  • Gel permeation chromatography (GPC) was used to determine the molecular weight to determine the endpoint of the reaction.
  • GPC gel permeation chromatography
  • the polysiloxane (1) may be one or more, but its molecular structure must contain an alcoholic hydroxyl group or a functional group (4) which can be completely hydrolyzed to form an alcoholic hydroxyl group after the reaction.
  • the functional group (4) include an ester functional group, an ethylene oxide, a propylene oxide functional group, or an easily hydrolyzable ether functional group.
  • Examples of the polysiloxane (1) include 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexane)ethyltrimethoxysilane, and 3-glycidyl group. Trimethoxysilane, 3-(methacryloyloxy)propyltrimethoxysilane, 3-(methacryloyloxy)propyltrimethoxysilane, triethoxy(3-epoxypropylpropoxy) Silane, diethoxy(3-glycidyloxypropyl)methylsilane, 3-glycidoxypropyl (dimethoxy)methylsilane or [8-(epoxypropyloxy)- A polysiloxane obtained by polymerizing a monomer such as n-octyl]trimethoxysilane.
  • the organic solvent (2) is an organic solvent having a boiling point higher than 110 ° C while being difficult to hydrolyze under strong acid conditions at 110 ° C or lower.
  • Examples of the organic solvent (2) include 1-methoxy-2-propanol, diacetone alcohol, 2-propanol, n-butanol, 3-methoxy-3-methylbutanol, and diethylene glycol.
  • the acid catalyst (3) is used as a reaction for dehydrating the alcoholic hydroxyl group and the boric acid compound in the polysiloxane (1) to form a boric acid ester, and the polysiloxane (1) containing the aforementioned hydrolyzable alcohol group is formed.
  • Examples of the acid catalyst (3) include hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, and super acid.
  • GPC Gel permeation chromatography
  • the test conditions were as follows: mobile phase tetrahydrofuran, flow rate 0.2 ml/min, column temperature 40 ° C, and single sample run time 30 minutes.
  • the standard sample used to make the standard curve is polystyrene.
  • the polysiloxane of the present invention can be used to prepare the doping paste for solar energy and semiconductor of the present invention.
  • the dope paste may contain a solvent (A) in addition to the polysiloxane. Further, the dope paste may further contain a polymer binder (B). Further, the doping paste may further contain a tackifier.
  • A solvent
  • B polymer binder
  • B polymer binder
  • tackifier tackifier
  • the solvent (A) may be a mixed solvent of a single organic solvent or an organic solvent to which no water is added, or may be a mixed solvent of an organic solvent and water.
  • a single solvent an organic solvent having a boiling point higher than 100 ° C is preferable, thereby preventing the solvent from volatilizing and affecting the quality of the coating film.
  • a mixed solvent an organic solvent having a boiling point of less than 100 ° C may be used. If an organic solvent having a boiling point of less than 100 ° C is used, it is desirable to have a boiling point of 40% by mass or more relative to the total mass of the solvent.
  • a mixed solvent of an organic solvent and water at 100 °C In order to prevent the solvent from volatilizing too quickly to affect the performance in the coating process, a solvent having a boiling point higher than 100 ° C is also preferable even in a mixed solvent.
  • the solvent (A) is composed of 0 to 10% of water and 90 to 100% of an organic solvent. In still another preferred embodiment, the solvent (A) is composed of 0 to 5% of water and 95 to 100% of an organic solvent. In a further preferred embodiment, the organic solvent is an organic solvent having a boiling point of 50 to 300 degrees Celsius.
  • Examples of the organic solvent contained in the solvent (A) include 1-methoxy-2-propanol, diacetone alcohol, 2-propanol, n-butanol, and 3-methoxy-3-methylbutyl.
  • Alcohol diethylene glycol methyl ether, propylene glycol, diethylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, alpha-terpineol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol, methanol, ethanol, 1,4-dioxane, acetone, methyl ethyl ketone, methyl lactate, ethyl lactate, xylene, dipropylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, cyclohexanone, anisole, phenethyl ether, Isobutyl ether, ethylbenzene, and the like.
  • the polymer binder (B) has a function of uniformly distributing the above dopant components in the solid component formed after the doping paste and the mask material are dried, thereby contributing to the doping of the target semiconductor substrate. Evenly.
  • the polymer binder (B) is a polyacrylic non-silicon polymer or a non-silicon polymer having a repeating unit containing an alcoholic hydroxyl group.
  • a non-silicon polymer containing an alcoholic hydroxyl group in the repeating unit such as polyvinyl alcohol or polypropylene alcohol, is preferable.
  • the tackifier may be a single polymer or a mixture of two or more kinds of tackifiers.
  • the tackifier is in a dissolved state or in a gel state.
  • tackifier examples include methyl cellulose, ethyl cellulose, propyl cellulose, hydroxymethyl cellulose, hydroxyethyl cellulose, hydroxypropyl cellulose, carboxymethyl cellulose, and methyl hydroxy group.
  • the present synthesis method as described below is a general method, and specific actual monomers, monomer ratios, solvents, and the like can be adjusted according to the target compound.
  • the starting material 352 can be prepared by a method known in the art, such as the method described above, depending on the specific structure, in a solvent, a raw material (including a raw material ratio), a catalyst (for example, a strong acid for epoxy ring opening, If you do not open the ring, use a weak acid, such as benzoic acid, etc., and adjust accordingly.
  • the raw material 019, the raw material 038, the raw material 163, the raw material 274, and the raw material 352 can be synthesized by the following method.
  • starting material 019 7.13 g of 2,3-epoxypropyltrimethoxysilane, 42.55 g of methyltrimethoxysilane and 49.28 g of 3-methoxy-3-methylbutane were sequentially added to a suitably sized reactor. alcohol. The temperature was raised to 40 ° C by heating, and then a mixed solution of concentrated sulfuric acid (0.20 g) and water (24.55 g) was added dropwise. After the completion of the dropwise addition, stirring was continued at 40 ° C for 1 hour. The temperature was then raised to 70 ° C and stirred for 1 hour and 20 minutes. It was then warmed to 100 ° C and stirred for 1 hour.
  • the doping paste for solar energy and semiconductor of the present invention is the doping paste for solar energy and semiconductor of the present invention.
  • Example A obtained A279. After the completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at room temperature for 1 hour, transferred to another container and stored at -20 to 40 °C. A material for solar energy and semiconductors provided by the present invention is obtained.
  • Example A obtained A279. After the completion of the dropwise addition, the mixture was stirred at room temperature for 1 hour, transferred to another container and stored at -20 to 40 °C. A material for solar energy and semiconductors provided by the present invention is obtained.
  • the doping pastes and mask materials prepared according to Examples 1 to 29 and Comparative Example 1 were coated on a 6-inch N-type single crystal silicon wafer using spin coating conditions, respectively, and then thermally diffused to evaluate the related properties.
  • the slurry coating conditions were as follows: A) the low viscosity slurry was spin-coated at 2000 rpm for 10 seconds; B) the high viscosity slurry was screen printed.
  • Wafer A Single-sided polishing of semiconductor, CZ Czochralski doped N-type single crystal silicon wafer, crystal orientation 100, resistivity 0.5-6 ⁇ cm, thickness 625 ⁇ m.
  • Wafer B Double-sided fleece for solar cells, CZ Czochralski doped N-type single crystal silicon wafer, crystal orientation 100, resistivity 1-7 ⁇ .cm, thickness 180 microns.
  • the placement of the silicon wafer is as shown in Fig. 1 of the specification, and the placement of the silicon wafer in the evaluation of diffusivity in the gas is as shown in Fig. 2 of the specification.
  • Resistance tester Japan NAPSON four-probe resistivity tester, manual version RT-70V/RG-7. The performance evaluation results are as follows:
  • the polysiloxane provided by the present invention can be used in doping pastes, semiconductors (including solar cells).

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Abstract

一种聚硅氧烷，含有至少一种选自下式1所示的分子结构片段，(I) 式1中，Q为含有硼酸酯的有机基团；T为含有硼酸酯的有机基团、烷基、含有醇羟基的有机基团或者羟基；X为烷基或者芳基；Y为烷基、芳基或者羟基；n和m为整数，并且m与n的比例为m∶n＝0∶100～90∶10。使用该聚硅氧烷制备的掺杂浆料在具有优良扩散性的基础上，同时还具有优良的阻隔性和极小的气中扩散。同时由于该聚硅氧烷本身含有含硼取代基团，可以不需要添加其它硼类化合物，并且由于该聚硅氧烷为脂溶性，可以制备成印刷型的浆料。

Description

聚硅氧烷及太阳能、半导体用掺杂浆料 技术领域
本发明涉及聚硅氧烷、及用于太阳能和半导体的材料。具体而言，本发明涉及一系列取代基含有硼酸酯的聚硅氧烷的有机合成、及用于太阳能和半导体的掺杂材料。
背景技术
在以往的半导体或者太阳能电池的制造中，在半导体基板中形成p型或者n型杂质扩散层的情况下，使用气体掺杂剂或者掺杂浆料的方法均被提出过。但是，使用前述现有气体掺杂剂或者掺杂浆料进行高温热扩散时，需要在非扩散面形成阻隔层。从而导致工艺过程冗长、复杂，同时成本也相应提高。如果使用离子注入方法，所需设备成本、维护成本都比较高。而且，现有浆料的性能、成本等难以达到一个有力平衡，导致其在太阳能电池产业中不具市场竞争力(参见专利文献[1])。
对于两面都可以受光发电的双面电池的制造工艺中，在太阳能电池所使用的半导体基板中使得p型以及n型的杂质扩散以形成杂质扩散层的工艺中，分别针对p型杂质扩散层以及n型杂质扩散层采用不同的工序。但是这样的方法存在工序数增加的问题。如果采用具有阻隔性，即掩膜作用的旋涂型浆料来进行扩散工艺，可以达到减少工序降低成本的作用，但是旋涂型浆料在 旋转涂布过程中需要浪费＞50％的浆料，无形之中增加了成本。同时虽然市面上有公司在推进具有阻隔性，即掩膜作用的印刷型硼源浆料，但是因为使用了高成本的微粒子等原料，导致价格远远高于市场的需求，虽然退而求其次，将其应用在激光等方法的局部扩散工艺中，但是仍然改变不了高成本带来的量产困难。而且，采用两片一组的方式涂布了硼源的一侧贴合放置在石英舟的一个凹槽内，并在同一个炉管中进行硼磷共扩散的工艺后，两片硅片由于微粒子的熔融粘在一起，从而导致不能分离硅片。
另外作为硼源气体掺杂剂一般为三溴化硼这样的剧毒物质，对管路、尾气吸收设备的要求较高，而且一旦泄露有发生大事故的可能、以及对周围环境产生污染。
专利文献[1]：中国专利申请公开文本CN104538501A，魏青竹、陆俊宇、连维飞、倪志春，N型双面电池及其制作方法，申请日为2015-01-15。
发明内容
为了解决现有半导体掺杂(包括太阳能电池p型和n型掺杂)中高成本、所使用的掺杂材料高毒性和环境污染性、掺杂的不均匀性而导致的良品率低下的缺陷，本发明提供一种聚硅氧烷、以及使用该聚硅氧烷制备的用于太阳能和半导体的掺杂浆料。
本发明的掺杂浆料，由于原料成本较之微粒子等有了极大的降低，所以不论是制备成印刷型硼源浆料，还是制备成旋涂型硼源浆料，不论使用在整面涂布的工艺，还是局部涂布的工艺中，都具有很好的扩散均匀性以及相对于现有浆料的低成本，可以实现相关产品的市场竞争力。
本发明公开了一种聚硅氧烷，含有至少一种选自下式1所示的分子结构片段，
Figure PCTCN2018120329-appb-000001
式1中，Q为含有硼酸酯的有机基团；T为含有硼酸酯的有机基团、烷基、含有醇羟基的有机基团或者羟基；X为烷基或者芳基；Y为烷基、芳基或者羟基；n和m为整数，并且m与n的比例为m∶n＝0∶100～90∶10。
上文所述的烷基、芳基中优选不含有硼。
出于为了易于制备降低成本、稳定性的考虑，所述Q优选为式2所示的结构片段，
Figure PCTCN2018120329-appb-000002
式2中，Z为碳原子数为7以下的亚烷基或者主链非氢原子数为7以下且含杂原子的亚烷基；R为与B原子相连的原子为碳原子的芳基、与B原子相连的原子为碳原子的烷基、与B原子相连的原子为氧原子的芳基、与B原子相连的原子为氧原子的烷基或者羟基；R1、R2、R3分别独立为氢原子、碳原子数为3以下的有机基团或者R2与Z上的碳原子连接成环。
本文中提到“有机基团”时，表示碳原子为规定范围或规定值的有机基团，例如碳原子为规定范围或规定值的常见取代基，例如烃类取代基，例如烷基、环烷基、烯基、炔基等。
在本文中使用时，“以上”、“以上”表示包括该记载之前的数值在内的范围。并且，在本文中，记载为“某数值以上”，也表示并列地记载了“等于某 数值”和“比某数值更高”的方案。类似地，记载为“某数值以下”，也表示并列地记载了“等于某数值”和“比某数值更低”的方案。
出于为了使得聚硅氧烷易于热分解、并且使得硅含量能够使阻隔性和抑制气中扩散的性能达到要求的考虑，所述Z优选为主链非氢原子数为7以下且含杂原子的亚烷基。
在本文中使用时，“气中扩散”表示：在扩散过程中，掺杂浆料或者掩膜材料中的扩散剂成分向其周围的气体中挥发，并在气体中扩散。
出于水中溶解性、以及使得确保硅含量能够使阻隔性、抑制气中扩散的性能达到要求的考虑，优选所述R 1、R 2、R 3分别独立为氢原子、碳原子数为1的有机基团，或者R 2与X上的碳原子连接成环。进一步优选所述R 1、R 2、R 3均为氢原子。
出于为了增加硼含量从而提高扩散性、又或者增加硅含量从而提高阻隔性和抑制气中扩散的性的考虑，优选T为羟基、碳原子数为8以下的烷基或者含有式3所示的结构，
Figure PCTCN2018120329-appb-000003
式3中W为碳原子数为7以下的亚烷基或者主链非氢原子数为7以下且含杂原子的亚烷基；R7为与B原子相连的原子为碳原子的芳基、与B原子相连的原子为碳原子的烷基、与B原子相连的原子为氧原子的芳基、与B原子相连的原子为氧原子的烷基或者羟基；R4、R5、R6分别独立为氢原子、碳原子数为3以下的有机基团或者R5与W上的碳原子连接成环。
出于为了使得聚硅氧烷易于热分解、并且使得硅含量能够使阻隔性和抑 制气中扩散的性能达到要求的考虑，所述W优选为主链非氢原子数为7以下且含杂原子的的亚烷基。
出于为了使得聚硅氧烷中硅含量能够使阻隔性和抑制气中扩散的性能达到要求的考虑，所述T优选为羟基。
出于为了保持阻隔性和抑制气中扩散的性能的平衡。优选m与n的比例为m∶n＝0∶100～50∶50。
出于为了可以有效调节硅的含量来调节所需的阻隔性和抑制气中扩散的性能。优选m与n的比例为m∶n＝1∶99～50∶50。
由于分子量过高溶解性总体降低，同时胶体化也容易发生，优选所述聚硅氧烷的重均分子量为500～50000。
出于存放使用中即使分子量增大也不会导致局部不均匀的考虑，优选所述聚硅氧烷的重均分子量为1000～13000。
出于延长保质期的考虑，优选所述聚硅氧烷的重均分子量为1500～6500。
本发明的聚硅氧烷只要含有上述式1的分子结构片段即可，没有特别限定，作为上述式1的分子结构片段，具体可列举如下的例子。重复单元结构的实际排列方式并不限于下述结构例所示。
Figure PCTCN2018120329-appb-000004
Figure PCTCN2018120329-appb-000005
Figure PCTCN2018120329-appb-000006
Figure PCTCN2018120329-appb-000007
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本发明还公开了一种用于太阳能和半导体的掺杂浆料(以下，也简称为“本发明的掺杂浆料”)，其含有作为掺杂剂的前文所述的聚硅氧烷。
为了满足图案掺杂的需要，本发明的掺杂浆料中还可添加作为改善涂布性能的增粘剂，使其适用于丝网印刷。对于增粘剂没有特别的限定，考虑到成本和性能的平衡，优选甲基纤维素、乙基纤维素、丙基纤维素、羟甲基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、羧甲基纤维素、甲基羟乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、甲基羟丙基纤维素、醋酸纤维素、醋酸丁酸纤维素、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧化乙烯、卡波树脂、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯或聚氨酯等。
所述的用于太阳能和半导体的掺杂浆料，优选还含有溶剂(以下也称为“溶剂(A)”)。
出于本发明所述聚硅氧烷在溶剂中的溶解性的考虑，优选所述溶剂(A)由0～10％的水以及90～100％有机溶剂组成。
为了进一步提升本发明所述聚硅氧烷在溶剂中的溶解性，优选所述溶剂(A)由0～5％的水以及95～100％有机溶剂组成。
为了更好地适用于旋转涂布和印刷涂布，所述有机溶剂优选为沸点50～300摄氏度的有机溶剂。
对于有机溶剂没有特别的限定，优选1-甲氧基-2-丙醇、二丙酮醇、2-丙醇、正丁醇、3-甲氧基-3-甲基丁醇、二乙二醇甲乙醚、丙二醇、二乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、alpha-松油醇、二乙二醇单甲醚、一缩二乙二醇、甲醇、乙醇、1，4-二氧六环、丙酮、丁酮、乳酸甲酯或乳酸乙酯等。
出于对前述用于太阳能和半导体的掺杂浆料的保存稳定性以及成本控制方面的考虑，优选发明所述聚硅氧烷的总重量为浆料重量的2～35％。
出于控制成本，在必要的时候可以选择不含有其它用于改善粘度的高分子化合物或微粒子。
出于成本控制以及确保扩散均匀性的考虑。所述掺杂剂优选仅含有上述所述的聚硅氧烷。
附图说明
图1为阻隔性评价实验中硅片放置方式的示意图。
图2为扩散性能以及气中扩散评测实验中硅片放置方式的示意图。
具体实施方式
下面参照优选的实施方式对本发明进行说明。实施方式仅作例示之用，并不对发明加以限制，本发明的本质性内容并不必须具有实施方式中记述的所有特征。
本实施方式的聚硅氧烷的重复单元结构中含有硼酸酯结构，其适用于(但不仅限于)本发明的用于太阳能和半导体的掺杂浆料。前述重复单元中含硼酸酯结构的聚硅氧烷的合成中，可使用聚硅氧烷(1)、有机溶剂(2)、酸催化剂(3)(参见后述)，反应的监控可使用凝胶渗透色谱(GPC)测试分子量来判断反应终点。下面对本实施方式的聚硅氧烷的合成所涉及的化学品及凝胶渗透色谱(GPC)进行说明。
《聚硅氧烷(1)》
聚硅氧烷(1)可以为一种或者多种，但是其分子结构中必须含有醇羟基或者含有反应后可完全水解生成醇羟基的官能团(4)。作为官能团(4)可列举出酯官能团、环氧乙烷、环氧丙烷官能团或易水解醚类官能团等。
作为聚硅氧烷(1)可列举出由3-缩水甘油基氧丙基三甲氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油基三甲氧基硅烷、3-(异丁烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、三乙氧基(3-环氧丙基丙氧基)硅烷、二乙氧基(3-缩水甘油基氧基丙基)甲基硅烷、3-环氧丙氧丙基(二甲氧基)甲基硅烷或[8-(环氧丙基氧)-正辛基]三甲氧基硅烷等单体聚合成的聚硅氧烷。
《有机溶剂(2)》
有机溶剂(2)为在110℃以下时于强酸条件下不易水解的同时沸点高于110℃的有机溶剂。
作为有机溶剂(2)可列举出1-甲氧基-2-丙醇、二丙酮醇、2-丙醇、正丁醇、3-甲氧基-3-甲基丁醇、二乙二醇甲乙醚、丙二醇、二乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、alpha-松油醇、二乙二醇单甲醚、一缩二乙二醇、二丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二甲苯、二丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、环己酮、苯甲醚、苯乙醚、异丁醚或乙基苯等。
《酸催化剂(3)》
酸催化剂(3)，用作为催化聚硅氧烷(1)中醇羟基与硼酸类化合物的脱水形成硼酸酯的反应、含有前述可水解生成醇羟基基团的聚硅氧烷(1)中可水解基团的水解以及水解生成的醇羟基与硼酸类化合物的脱水形成硼酸酯的反应。
作为酸催化剂(3)可列举出盐酸、硫酸、硝酸或超强酸等。
《凝胶渗透色谱(GPC)》
凝胶渗透色谱(GPC)作为反应监控手段，使用的凝胶渗透色谱仪器为岛津(shimazu)S3-4100。色谱柱：TSKgel SuperHM-H、尺寸6.0mmI.D.×15cm、部件号0018001，微粒子尺寸3&5微米。测试条件为：流动相四氢呋喃、流量0.2毫升/分、柱温40℃、单个样品运行时间30分。制作标准曲线所使用的标准样品为聚苯乙烯。
可使用本发明的聚硅氧烷来制备本发明的用于太阳能和半导体的掺杂浆料。所述掺杂浆料除了含有聚硅氧烷之外，还可以含有溶剂(A)。此外，所述掺杂浆料还可以含有高分子粘结剂(B)。进而，所述掺杂浆料还可以含有增粘剂。下面，对本发明的用于太阳能和半导体的掺杂浆料中除了聚硅氧烷之外还可含有的各成分进行说明。
《溶剂(A)》
溶剂(A)可以是不添加水的单一有机溶剂、有机溶剂的混合溶剂，也可以是有机溶剂与水的混合溶剂。单一溶剂的情况下优选沸点高于100℃的有机溶剂，从而防止溶剂挥发过而影响涂膜的质量。在混合溶剂的情况下也可以选用沸点低于100℃的有机溶剂，如果使用了沸点低于100℃的有机溶剂，理想的是，同时其中含有相对于溶剂总质量达到40质量％以上的沸点高于100℃的有机溶剂与水的混合溶剂。为了防止在涂膜工艺中，溶剂挥发过快影响性能，即使在混合溶剂中同样优选沸点高于100℃的溶剂。
在一种优选的方案中，所述溶剂(A)由0～10％的水、以及90～100％有机溶剂组成。在又一优选的方案中，所述溶剂(A)由0～5％的水、以及95～100％有机溶剂组成。在进一步优选的方案中，所述有机溶剂为沸点50～300摄氏度的有机溶剂。
作为溶剂(A)中所含有的有机溶剂，可列举出1-甲氧基-2-丙醇、二丙酮醇、2-丙醇、正丁醇、3-甲氧基-3-甲基丁醇、二乙二醇甲乙醚、丙二醇、二乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、alpha-松油醇、二乙二醇单甲醚、一缩二乙二醇、甲醇、乙醇、1，4-二氧六环、丙酮、丁酮、乳酸甲酯、乳酸乙酯、二甲苯、二丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、环己酮、苯甲醚、苯乙醚、异丁醚、乙基苯等。
《高分子粘结剂(B)》
高分子粘结剂(B)具有将上述掺杂剂成分均匀分布在掺杂浆料以及掩膜材料烘干后所形成的固体成分里的功能，这样有助于对目标半导体基板的掺杂更均匀。
上述高分子粘结剂(B)为聚丙烯酸系非硅高分子，或者重复单元含有醇羟基的非硅系高分子。其中优选重复单元含有醇羟基的非硅系高分子，例如聚乙烯醇、聚丙烯醇等。
《增粘剂》
增粘剂可以是单一的高分子，也可以是2种以上增粘剂的混合物。在本发明掺杂浆料中，增粘剂为溶解状态、或者为凝胶状态。
作为增粘剂，可以列举出甲基纤维素、乙基纤维素、丙基纤维素、羟甲基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、羧甲基纤维素、甲基羟乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、甲基羟丙基纤维素、醋酸纤维素、醋酸丁酸纤维素、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧化乙烯、卡波树脂、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯或聚氨酯等。
《非含硼酸酯聚硅氧烷的合成(即原料的合成)》
如下所述的本合成方法为通用方法，具体实际的单体、单体比例、溶剂等根据目标化合物可以进行相应调整。
室温下，在大小合适的反应器中依次加入41.21克3-缩水甘油基氧丙基三甲氧基硅烷、95.02克甲基三甲氧基硅烷和130.47克二乙二醇单甲醚。加热升温至40℃，然后滴加浓硫酸(0.44克)和水(78.47克)的混合溶液。滴加完成后继续在40℃搅拌1小时。然后升温至70℃，并搅拌1小时20分钟。然后升温至100℃，并搅拌1小时。之后升高油浴温度至120度，搅拌。油浴升温至120℃之后使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量4500±200克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到用于合成本发明的硼酸酯聚硅氧烷的聚硅氧烷原料。
以下制备例中使用的原料019、原料038、原料045、原料089、原料127、原料130、原料163、原料235、原料244、原料271、原料274、原料278、原料279、原料286、原料287、原料352均可由本领域已知的方法(例如上文所述的方法)制得，根据具体结构，在溶剂、原料(包含原料配比)、催化剂(例如，对于环氧开环用强酸，不开环时使用弱酸，例如苯甲酸等)部分做相应调整即可。例如，原料019、原料038、原料163、原料274、原料352可按下述方法来合成。
原料019制备：在大小合适的反应器中依次加入7.13克2，3-环氧丙基三甲氧基硅烷、42.55克甲基三甲氧基硅烷和49.28克3-甲氧基-3-甲基丁醇。加热升温至40℃，然后滴加浓硫酸(0.20克)和水(24.55克)的混合溶液。滴加完成后继续在40℃搅拌1小时。然后升温至70℃，并搅拌1小时20分钟。然后升温至100℃，并搅拌1小时。之后升高油浴温度至120度，搅拌。油浴升温至120℃之后使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量4500±200克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。
原料038制备：在大小合适的反应器中依次加入35.65克2，3-环氧丙基三甲氧基硅烷、23.25克二甲基二甲氧基硅烷和63.10克3-甲氧基-3-甲基丁醇。加热升温至40℃，然后滴加浓硫酸(0.20克)和水(19.80克)的混合溶液。滴加完成后继续在40℃搅拌1小时。然后升温至70℃，并搅拌1小时20分钟。然后升温至100℃，并搅拌1小时。之后升高油浴温度至120度，搅拌。油浴升温至120℃之后使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量4500±200克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。
原料163制备：在大小合适的反应器中依次加入30.04克2，3-环氧丙基 三甲氧基硅烷、54.96克二甲基二甲氧基硅烷和91.46克二乙二醇单甲醚。加热升温至40℃，然后滴加苯甲酸(0.49克)和水(20.59克)的混合溶液。滴加完成后继续在40℃搅拌1小时。然后升温至70℃，并搅拌1小时20分钟。然后升温至100℃，并搅拌1小时。之后升高油浴温度至120度，搅拌。油浴升温至120℃之后使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量4500±200克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。
原料274制备：在大小合适的反应器中依次加入94.54克3-缩水甘油基氧丙基三甲氧基硅烷和116.56克苯乙醚。加热升温至40℃，然后滴加浓硫酸(0.20克)和水(31.68克)的混合溶液。滴加完成后继续在40℃搅拌1小时。然后升温至70℃，并搅拌1小时20分钟。然后升温至100℃，并搅拌1小时。之后升高油浴温度至120度，搅拌。油浴升温至120℃之后使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量4500±200克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。
原料352制备：在大小合适的反应器中依次加入98.55克2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷和122.58克苯乙醚。加热升温至40℃，然后滴加浓硫酸(0.20克)和水(31.68克)的混合溶液。滴加完成后继续在40℃搅拌1小时。然后升温至70℃，并搅拌1小时20分钟。然后升温至100℃，并搅拌1小时。之后升高油浴温度至120度，搅拌。油浴升温至120℃之后使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量4500±200克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。
《含硼酸酯聚硅氧烷的合成》
制备例1：
Figure PCTCN2018120329-appb-000030
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料019(n∶m＝10∶90)的40％的3-甲氧基-3-甲基丁醇溶液、2.92克甲基硼酸。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应2小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量30000克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A019。
制备例2：
Figure PCTCN2018120329-appb-000031
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料038(n∶m＝50∶50)的40％的3-甲氧基-3-甲基丁醇溶液、14.05克乙基硼酸。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应1.5小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量20000克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A038。
制备例3：
Figure PCTCN2018120329-appb-000032
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料045(n∶m＝90∶10)的40％的3-甲氧基-3-甲基丁醇溶液、17.13克硼酸。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应3小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量50000克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A045。
制备例4：
Figure PCTCN2018120329-appb-000033
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料089(n∶m＝80∶20)的40％的二乙二醇二甲醚溶液、11.62克硼酸、24.43克3-甲氧基-3-甲基丁醇。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应2小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量23000克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A089。
制备例5：
Figure PCTCN2018120329-appb-000034
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料127(n∶m＝70∶30)的40％的二丙二醇二甲醚溶液、9.55克甲基硼酸。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应1.6小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量17000克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A127。
制备例6：
Figure PCTCN2018120329-appb-000035
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料130(n∶m＝60∶40)的40％的苯甲醚溶液、17.23克苯基硼酸。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应2.1小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量21000克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A130。
制备例7：
Figure PCTCN2018120329-appb-000036
室温下，在大小合适的反应器中依次加入37克原料163(n∶m＝30∶70)、60克二乙二醇单甲醚。加热升温至40℃，然后滴加浓硫酸(0.05克)和水(9.5克)的混合溶液。滴加完成后继续在40℃搅拌1小时。然后升温至70℃，并 搅拌1小时20分钟。然后升温至100℃，并搅拌1小时。之后加入4.71克甲基硼酸，继续维持反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应2小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量16000克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A163。
制备例8：
Figure PCTCN2018120329-appb-000037
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料235的40％的苯乙醚溶液、12.33克甲基硼酸。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应2.1小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量8000克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A235。
制备例9：
Figure PCTCN2018120329-appb-000038
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料244的40％的苯乙醚溶液、15.43克甲基硼酸。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应3小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量40000克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容 器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A244。
制备例10：
Figure PCTCN2018120329-appb-000039
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料271(n∶m＝95∶5)的40％的苯乙醚溶液、11.71克甲基硼酸。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应1.5小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量5200克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A271。
制备例11：
Figure PCTCN2018120329-appb-000040
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料274(n∶m＝90∶10)的40％的苯乙醚溶液、22.60克苯基硼酸。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应2小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量6600克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A274。
制备例12：
Figure PCTCN2018120329-appb-000041
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料278(n∶m＝99∶1)的40％的苯乙醚溶液、12.60克硼酸。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应2小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量6000克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A278。
制备例13：
Figure PCTCN2018120329-appb-000042
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料279(n∶m＝80∶20)的40％的苯乙醚溶液、10.19克硼酸。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应2小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量5800克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A279。
制备例14：
Figure PCTCN2018120329-appb-000043
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料286(n∶m＝90∶10)的40％的苯乙醚溶液、11.04克硼酸。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应2.4小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量5800克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A286。
制备例15：
Figure PCTCN2018120329-appb-000044
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料287(n∶m＝90∶10)的40％的苯乙醚溶液、11.62克硼酸。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应2.5小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量6300克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A287。
制备例16：
Figure PCTCN2018120329-appb-000045
室温下，向大小合适的反应器中依次加入100克原料352的40％的苯乙醚溶液、11.72克甲基硼酸。加热升温至反应液100℃左右(油浴120℃)，并且通入氮气流，除去反应中生成的水。反应2小时后，使用GPC检测反应直至达到目标重均分子量6700克/摩尔。冷却到40℃以下后，转移到其它容器-20～40℃保存。得到本发明提供的聚硅氧烷A352。
《用于太阳能和半导体的掺杂浆料的制备》
本发明的用于太阳能和半导体的掺杂浆料。
实施例1：
室温下，在大小合适的反应器中加入20克制备例1所得A019，边搅拌边滴加由72克3-甲氧基-3-甲基丁醇与8克纯净水组成的混合溶剂。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例2：
室温下，在大小合适的反应器中加入25克制备例2所得A038，边搅拌边滴加75克3-甲氧基-3-甲基丁醇。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例3：
室温下，在大小合适的反应器中加入20克制备例3所得A045，边搅拌边滴加由76克3-甲氧基-3-甲基丁醇与4克纯净水组成的混合溶剂。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例4：
室温下，在大小合适的反应器中加入25克制备例4所得A089，边搅拌边滴加75克二乙二醇二甲醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例5：
室温下，在大小合适的反应器中加入25克制备例5所得A127，边搅拌边滴加75克二丙二醇二甲醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例6：
室温下，在大小合适的反应器中加入20克制备例6所得A130，边搅拌边滴加80克苯甲醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例7：
室温下，在大小合适的反应器中加入20克制备例7所得A163，边搅拌边滴加72克二乙二醇单甲醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的 材料。
实施例8：
室温下，在大小合适的反应器中加入30克制备例8所得A235，边搅拌边滴加50克二乙二醇单甲醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例9：
室温下，在大小合适的反应器中加入20克制备例8所得A235，边搅拌边滴加80克二乙二醇单甲醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例10：
室温下，在大小合适的反应器中加入20克制备例9所得A244，边搅拌边滴加72克苯乙醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例11：
室温下，在大小合适的反应器中加入25克制备例10所得A271，边搅拌边滴加75克苯乙醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例12：
室温下，在大小合适的反应器中加入25克制备例11所得A274，边搅拌边滴加75克苯乙醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并 在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例13：
室温下，在大小合适的反应器中加入20克制备例12所得A278，边搅拌边滴加80克苯乙醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例14：
室温下，在大小合适的反应器中加入25克制备例13所得A279，边搅拌边滴加75克一缩二乙二醇二甲醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例15：
室温下，在大小合适的反应器中加入30克制备例14所得A286，边搅拌边滴加50克苯乙醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例16：
室温下，在大小合适的反应器中加入25克制备例15所得A287，边搅拌边滴加75克苯乙醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例17：
室温下，在大小合适的反应器中加入25克制备例16所得A352，边搅拌边滴加75克苯乙醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例18：
室温下，在大小合适的反应器中加入76克二乙二醇单甲醚，边搅拌边加入4克聚乙二醇(聚环氧乙烷)，室温下搅拌待完全溶解后，边搅拌边滴加20克制备例8所得A235。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例19：
室温下，在大小合适的反应器中加入77克苯乙醚，边搅拌边加入3克乙基纤维素，室温下搅拌待完全溶解后，边搅拌边滴加20克制备例10所得A271。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例20：
室温下，在大小合适的反应器中加入75克苯乙醚，边搅拌边加入5克聚氨酯，室温下搅拌待完全溶解后，边搅拌边滴加20克制备例12所得A278。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例21：
室温下，在大小合适的反应器中加入76克苯乙醚，边搅拌边加入4克聚乙二醇(聚环氧乙烷)，室温下搅拌待完全溶解后，边搅拌边滴加20克制备例13所得A279。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例22：
室温下，在大小合适的反应器中加入77克苯乙醚，边搅拌边加入3克聚乙二醇(聚环氧乙烷)，室温下搅拌待完全溶解后，边搅拌边滴加20克制备例13所得A279。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例23：
室温下，在大小合适的反应器中加入80克二乙二醇二甲醚，边搅拌边滴加20克制备例17所得A397。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例24：
室温下，在大小合适的反应器中加入80克二乙二醇二甲醚，边搅拌边滴加20克其中A403重量含量为40％(其中m∶n＝15∶85)的二乙二醇二甲醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例25：
室温下，在大小合适的反应器中加入80克二乙二醇二甲醚，边搅拌边滴加20克其中A404重量含量为39％(其中m∶n＝10∶90)的二乙二醇二甲醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例26：
室温下，在大小合适的反应器中加入80克二乙二醇二甲醚，边搅拌边滴加20克其中A405重量含量为39％(其中m∶n＝10∶90)的二乙二醇二甲醚。 滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例27：
室温下，在大小合适的反应器中加入80克二乙二醇二甲醚，边搅拌边滴加20克其中A404重量含量为41％(其中m∶n＝5∶95)的二乙二醇二甲醚。滴加完成后继续室温搅拌1小时后，转移到其它容器并在-20～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例28：
室温下，在大小合适的反应器中加入20克制备例6所得A130，边搅拌边滴加80克苯甲醚。然后分批加入10克聚环氧丙烷。然后40～50℃搅拌2小时，自然冷却至室温后，转移到其它容器并在0～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
实施例29：
室温下，在大小合适的反应器中加入20克制备例6所得A284，边搅拌边滴加80克苯甲醚。然后分批加入8克聚乙烯吡咯烷酮。然后50～60℃搅拌2小时，自然冷却至室温后，转移到其它容器并在0～40℃保存。得到本发明提供的的一种用于太阳能和半导体的材料。
对比例1：
室温下，在大小合适的反应器中依次加入58.55克3-甲氧基-3-甲基丁醇和4.22克聚乙烯醇。加热升温至80℃，然后滴加36.00克水。滴加完成后继续在80℃搅拌直至聚乙烯醇完全溶解。然后添加0.73克三氧化二硼，并在80℃继续搅拌1小时。冷却至40℃以下，转移到其它容器并在-20～40℃保 存。得到掺杂浆料。
对比例2：
室温下，在大小合适的反应器中依次加入58.55克3-甲氧基-3-甲基丁醇和4.22克聚乙烯醇。加热升温至80℃，然后滴加36.00克水。滴加完成后继续在80℃搅拌直至聚乙烯醇完全溶解。然后添加0.73克三氧化二硼，并在80℃继续搅拌1小时。然后滴加重均分子量4400克/摩尔的聚二甲基硅氧烷40质量％二乙二醇单甲醚溶液16.67克。持续搅拌1小时。冷却至40℃以下，有油状物析出。得到掺杂浆料均匀性不足，无法用于后续测试。
《掺杂浆料以及掩膜材料的性能评测》
根据实施例1～29以及对比例1所制备的掺杂浆料及掩膜材料，分别使用旋转涂布条件涂布在6英寸N型单晶硅片上，然后进行热扩散来评测相关性能。浆料涂布条件分别为：A)低粘度浆料采用旋转涂布法转速2000rpm持续10秒；B)高粘度浆料采用丝网印刷法。硅片A：半导体用单面抛光，CZ直拉法掺磷N型单晶硅片，晶向100，电阻率0.5-6Ω.cm，厚度625微米。硅片B：太阳能电池用双面制绒，CZ直拉法掺磷N型单晶硅片，晶向100，电阻率1-7Ω.cm，厚度180微米。阻隔性评价时硅片放置方式如说明书附图1，气中扩散性评价时硅片放置方式如说明书附图2。电阻测试仪：日本NAPSON四探针电阻率测试仪，手动版RT-70V/RG-7。性能测评结果如下：
表1
Figure PCTCN2018120329-appb-000046
Figure PCTCN2018120329-appb-000047
表2
Figure PCTCN2018120329-appb-000048
Figure PCTCN2018120329-appb-000049
从上述表1和表2中的测评结果可以发现，与对比例1的性能相比，添加了本发明所提供的聚硅氧烷的掺杂浆料在保持同等程度的扩散性的基础上，阻隔性和对气中扩散的抑制均得到了大幅度的提高。
实际应用包含但并不仅限于：上述实施例所述的聚合物结构、分子量，掺杂浆料的组成成分、含量，适用的半导体基材，涂布的条件，扩散条件等。
《工业上的可利用性》
本发明所提供的聚硅氧烷可以用于掺杂浆料、、半导体(包含太阳能电池)中。
本申请要求以中国专利申请号CN201711313794.7作为优先权申请的所有权益，该优先权申请的全部记载内容均通过参照并入本文，与将该优先权 申请文件的所有记载直接记载于本申请文件中的情况一样。

Claims (21)

  1. 一种聚硅氧烷，其特征在于：含有至少一种选自下式1所示的分子结构片段，
    Figure PCTCN2018120329-appb-100001
    式1中，Q为含有硼酸酯的有机基团；T为含有硼酸酯的有机基团、烷基、含有醇羟基的有机基团或者羟基；X为烷基或者芳基；Y为烷基、芳基或者羟基；n和m为整数，并且m与n的比例为m∶n＝0∶100～90∶10。
  2. 根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述Q为式2所示的结构片段，
    Figure PCTCN2018120329-appb-100002
    式2中，Z为碳原子数为7以下的亚烷基或者主链非氢原子数为7以下且含杂原子的亚烷基；R为与B原子相连的原子为碳原子的芳基、与B原子相连的原子为碳原子的烷基、与B原子相连的原子为氧原子的芳基、与B原子相连的原子为氧原子的烷基或者羟基；R1、R2、R3分别独立为氢原子、碳原子数为3以下的有机基团，或者R2与Z上的碳原子连接成环。
  3. 根据权利要求2所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述Z为主链非氢原子数为7以下且含杂原子的亚烷基。
  4. 根据权利要求2所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述R1、R2、R3分别独立为氢原子、碳原子数为1的有机基团，或者R2与Z上的碳原子连接成环。
  5. 根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：T为羟基、碳原子数为8以下的烷基，或者T含有式3所示的结构，
    Figure PCTCN2018120329-appb-100003
    式3中W为碳原子数为7以下的亚烷基或者主链非氢原子数为7以下且含杂原子的亚烷基；R7为与B原子相连的原子为碳原子的芳基、与B原子相连的原子为碳原子的烷基、与B原子相连的原子为氧原子的芳基、与B原子相连的原子为氧原子的烷基或者羟基；R4、R5、R6分别独立为氢原子、碳原子数为3以下的有机基团或者R5与W上的碳原子连接成环。
  6. 根据权利要求5所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述W为主链非氢原子数为7以下且含杂原子的亚烷基。
  7. 根据权利要求5所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述T为羟基。
  8. 根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：m与n的比例为m∶n＝0∶100～50∶50。
  9. 根据权利要求8所述的聚硅氧烷，其特征在于：m与n的比例为m∶n＝1∶99～50∶50。
  10. 根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷的重均分子量为500～50000。
  11. 根据权利要求10所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷的重均分子量为1000～13000。
  12. 根据权利要求11所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷的重均分子量为1500～6500。
  13. 一种用于太阳能和半导体的掺杂浆料，其特征在于：含有作为掺杂剂的权利要求1～12任意一项所述聚硅氧烷。
  14. 根据权利要求13所述的用于太阳能和半导体的掺杂浆料，其特征在于：还含有增粘剂。
  15. 根据权利要求13所述的用于太阳能和半导体的掺杂浆料，其特征在于：还含有溶剂。
  16. 根据权利要求15所述的用于太阳能和半导体的掺杂浆料，其特征在于：所述溶剂由0～10％的水、以及90～100％有机溶剂组成。
  17. 根据权利要求16所述的用于太阳能和半导体的掺杂浆料，其特征在于：所述溶剂由0～5％的水、以及95～100％有机溶剂组成。
  18. 根据权利要求17所述的用于太阳能和半导体的掺杂浆料，其特征在于：所述有机溶剂为沸点50～300摄氏度的有机溶剂。
  19. 根据权利要求18所述的用于太阳能和半导体的掺杂浆料，其特征在于：所述聚硅氧烷的总重量为浆料重量的2～35％。
  20. 根据权利要求14所述的用于太阳能和半导体的掺杂浆料，其特征在于：所述增粘剂为选自甲基纤维素、乙基纤维素、丙基纤维素、羟甲基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、羧甲基纤维素、甲基羟乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素、甲基羟丙基纤维素、醋酸纤维素、醋酸丁酸纤维素、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧化乙烯、卡波树脂、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯或聚氨酯中的一种或多种。
  21. 根据权利要求14～20中任一项所述的用于太阳能和半导体的掺杂浆料，其特征在于：所述掺杂剂仅含有权利要求1～12任意一项所述的聚硅 氧烷。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2644805A (en) * 1951-05-15 1953-07-07 Gen Electric Boric acid-methyl polysiloxane composition
US4425387A (en) * 1981-10-26 1984-01-10 Wacker-Chemie Gmbh Method for preparing solid objects
WO2003011986A1 (en) * 2001-07-31 2003-02-13 Ppg Industries Ohio, Inc. Multi-layer composites formed from compositions having improved adhesion, coating compositions, and methods related thereto
WO2003011984A2 (en) * 2001-07-31 2003-02-13 Ppg Industries Ohio, Inc. Weldable coating compositions having improved intercoat adhesion
CN101033330A (zh) * 2007-04-09 2007-09-12 杭州师范学院 用于聚碳酸酯的聚硅硼氧烷阻燃剂及其制备方法
CN101805171A (zh) * 2010-04-30 2010-08-18 哈尔滨工业大学 SiBOC先驱体的制备方法
US20130123046A1 (en) * 2011-11-16 2013-05-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Coating compositions for golf balls and coated golf balls
CN103739848A (zh) * 2013-12-25 2014-04-23 北京化工大学 加成型有机硅封装胶用增粘剂及其制备方法
CN104884685A (zh) * 2012-12-28 2015-09-02 默克专利股份有限公司 用于硅晶片的局部掺杂的掺杂介质
CN105175732A (zh) * 2015-07-22 2015-12-23 东莞市柏力有机硅科技有限公司 一种硅硼聚合物及其制备方法和应用
CN107446135A (zh) * 2016-06-01 2017-12-08 翁秋梅 一种具有动态交联结构的动态聚合物

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2644805A (en) * 1951-05-15 1953-07-07 Gen Electric Boric acid-methyl polysiloxane composition
US4425387A (en) * 1981-10-26 1984-01-10 Wacker-Chemie Gmbh Method for preparing solid objects
WO2003011986A1 (en) * 2001-07-31 2003-02-13 Ppg Industries Ohio, Inc. Multi-layer composites formed from compositions having improved adhesion, coating compositions, and methods related thereto
WO2003011984A2 (en) * 2001-07-31 2003-02-13 Ppg Industries Ohio, Inc. Weldable coating compositions having improved intercoat adhesion
CN101033330A (zh) * 2007-04-09 2007-09-12 杭州师范学院 用于聚碳酸酯的聚硅硼氧烷阻燃剂及其制备方法
CN101805171A (zh) * 2010-04-30 2010-08-18 哈尔滨工业大学 SiBOC先驱体的制备方法
US20130123046A1 (en) * 2011-11-16 2013-05-16 Ppg Industries Ohio, Inc. Coating compositions for golf balls and coated golf balls
CN104884685A (zh) * 2012-12-28 2015-09-02 默克专利股份有限公司 用于硅晶片的局部掺杂的掺杂介质
CN103739848A (zh) * 2013-12-25 2014-04-23 北京化工大学 加成型有机硅封装胶用增粘剂及其制备方法
CN105175732A (zh) * 2015-07-22 2015-12-23 东莞市柏力有机硅科技有限公司 一种硅硼聚合物及其制备方法和应用
CN107446135A (zh) * 2016-06-01 2017-12-08 翁秋梅 一种具有动态交联结构的动态聚合物

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