WO2019080159A1 - 制备oled薄膜封装层的方法、oled薄膜封装结构及oled结构 - Google Patents

制备oled薄膜封装层的方法、oled薄膜封装结构及oled结构

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Definitions

  • the present invention relates to the field of display, and in particular, to a method for preparing an OLED thin film encapsulation layer, an OLED thin film encapsulation structure, and an OLED structure.
  • OLEDs Organic light-emitting diodes
  • the flexible OLED display is also an inevitable trend in the future display industry development. Since the organic light-emitting material is very sensitive to water and oxygen, how to effectively block the damage of the external water and oxygen to the OLED device to ensure the long service life of the device is also one of the hotspots and difficulties in the research of flexible OLED.
  • the more mature flexible packaging process is generally realized by an inorganic/organic multiple alternating thin film structure.
  • the main role of the inorganic layer is to block water and oxygen, to prevent the luminescence caused by water vapor or oxygen intrusion into the OLED device; the main function of the organic layer is to release the stress of the adjacent inorganic layer during bending, and at the same time
  • the surface of the substrate is planarized and covers the contaminating particles.
  • inorganic layer deposition is usually performed by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD), Atomic Layer Deposition (ALD) or Physical Vapor Deposition (PVD).
  • PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
  • ALD Atomic Layer Deposition
  • PVD Physical Vapor Deposition
  • the organic layer is mainly prepared by a method of PECVD or Inkjet printing (IJP).
  • FIG. 1 a schematic structural view of an organic layer obtained by PECVD preparation in the prior art is shown; wherein the inorganic material layer 2 is disposed on the OLED device 1 and the organic material layer 3 is passed through The PECVD process is deposited on the inorganic material layer.
  • the organic layer material prepared by PECVD is usually hexamethyldisiloxane (HMDSO), which has the advantage of coating and fixing the contamination at a relatively thin thickness.
  • HMDSO hexamethyldisiloxane
  • the disadvantage of the particles 4 is that the planarization of the substrate surface is less effective.
  • FIG. 2 is a schematic view showing the structure of an organic layer obtained by IJP preparation in the prior art; wherein the organic material layer 3 is obtained by IJP preparation, and it can be seen that the organic layer prepared by using IJP has a good fluidity of the polymer, so the substrate The surface flattening effect is better, and the disadvantage is that the obtained organic layer can only have a good coating effect on the contaminated particles only when reaching a certain thickness.
  • the organic layer prepared by using LJP can completely cover the pollution. Particles generally have a thickness of 8-10 um. Therefore, the total thickness of the obtained thin film encapsulation layer is thick, which is not conducive to the development of ultra-thin flexible OLED screen.
  • the technical problem to be solved by the present invention is to provide a method for preparing an OLED thin film encapsulation layer, an OLED thin film encapsulation structure and an OLED structure, which can be prepared to obtain a thinner organic layer, thereby reducing the thickness of the OLED thin film encapsulation layer.
  • an aspect of an embodiment of the present invention provides a method for preparing an OLED thin film encapsulation layer, including the steps of:
  • the material of the first inorganic material film layer and the second inorganic material film layer is one of SiNx, SiOx, SiON or Al 2 O 3 , and the thickness thereof is between 0.5 and 1 um.
  • the material used for the first organic material film layer is a hexamethyldisiloxane material, and the thickness thereof is between 1-4 ⁇ m.
  • the second organic material film layer is one of acrylate, hexamethyldisiloxane, polyacrylate, polycarbonate, polystyrene material, and the thickness thereof is between 2-4 ⁇ m.
  • an OLED film package structure is further provided.
  • a second inorganic material film layer is deposited on the second organic material film layer.
  • the material of the first inorganic material film layer and the second inorganic material film layer is one of SiNx, SiOx, SiON or Al 2 O 3 , and the thickness thereof is between 0.5 and 1 um.
  • the material used for the first organic material film layer is a hexamethyldisiloxane material, and the thickness thereof is between 1-4 ⁇ m.
  • the second organic material film layer is one of acrylate, hexamethyldisiloxane, polyacrylate, polycarbonate, polystyrene material, and the thickness thereof is between 2-4 ⁇ m.
  • an OLED structure includes a substrate and an OLED device formed on the substrate, and an OLED film package structure further formed on the OLED device, the OLED film package The structure includes:
  • a second inorganic material film layer is deposited on the second organic material film layer.
  • the material of the first inorganic material film layer and the second inorganic material film layer is one of SiNx, SiOx, SiON or Al 2 O 3 , and the thickness thereof is between 0.5 and 1 um.
  • the material used for the first organic material film layer is a hexamethyldisiloxane material, and the thickness thereof is between 1-4 ⁇ m.
  • the second organic material film layer is one of acrylate, hexamethyldisiloxane, polyacrylate, polycarbonate, polystyrene material, and the thickness thereof is between 2-4 ⁇ m.
  • the method for preparing an OLED thin film encapsulation layer, the OLED thin film encapsulation structure and the OLED structure provided by the embodiments of the present invention, combined with the characteristics of the PECVD and IJP processes, preparing a first organic material film layer by a PECVD process on the first inorganic material film layer And then preparing a second organic material film layer by the IJP process on the first organic material film layer, which can further reduce the thickness of the organic layer under the premise of flattening the substrate and coating the contaminated particles, which is beneficial to Development of ultra-thin OLEDs.
  • 1 is a schematic view showing the structure of an organic layer obtained by PECVD in the prior art
  • FIG. 2 is a schematic view showing the structure of an organic layer obtained by IJP preparation in the prior art
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a main flow of an embodiment of a method for preparing an OLED thin film encapsulation layer provided by the present invention
  • Figure 4 is a schematic view of the structure obtained in step S10 of Figure 3;
  • FIG. 5 is a schematic view of the structure obtained in step S11 of Figure 3;
  • Figure 6 is a schematic view of the structure obtained in step S12 of Figure 3;
  • FIG. 7 is a schematic structural view of FIG. 3 obtained through step S13.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a main flow of an embodiment of a method for preparing an OLED thin film encapsulation layer according to the present invention; as shown in FIG. 4 to FIG. 7 , in the embodiment, the method includes the following step:
  • Step S10 depositing a first inorganic material film layer on the substrate provided with the OLED device, the first inorganic material film layer completely covering the OLED device; it is understood that the first inorganic material film layer is used
  • the material is one of SiNx, SiOx, SiON or Al 2 O 3 , or other inorganic material capable of increasing the water-blocking oxygen property of the device, and the thickness thereof is between 0.5 and 1 um, and the structure obtained by this step is as shown in FIG. 4 .
  • the TFT layer 102 is disposed on the substrate 101
  • the OLED device layer 103 is disposed on the TFT layer 102
  • the first inorganic material film layer 104 is disposed on the OLED device layer 103.
  • the deposition of the step may be performed by PECVD, ALD or a deposition process such as PVD, the first inorganic material film layer 104 may be one or two layers;
  • Step S11 depositing a first organic material film layer on the first inorganic material film layer by a PECVD process; it is understood that, in one example, the first organic material film layer is made of hexamethyl Dimethicone (HMDSO), other materials for covering the stress of the bumper during bending and folding, and covering the particle contaminants, the thickness of which is between 1-4 ⁇ m; the structure obtained through this step is shown in Fig. 5. As shown, wherein the first organic material film layer 105 is disposed over the first inorganic material film layer 104, which can enclose the contaminating particles 108, it being understood that the contaminating particles 108 are merely examples, in some embodiments There may also be no contaminating particles;
  • HMDSO hexamethyl Dimethicone
  • Step S12 depositing a second organic material film layer on the first organic material film layer by an IJP process, specifically, placing the device produced in step S11 into an IJP device to deposit an organic layer;
  • the second organic material film layer is one of Acrylate, hexamethyldisiloxane, polyacrylate, polycarbonate, polystyrene material, or other A material having similar properties, the thickness of which is between 2-4 ⁇ m, specifically, the structure obtained through this step is as shown in FIG. 6, wherein the second organic material film layer 106 is disposed on the first organic material film layer 105.
  • the second organic material film layer 106 is obtained by an IJP process, it has relatively good flatness;
  • Step S13 depositing a second inorganic material film layer on the second organic material film layer.
  • the second inorganic material film layer is made of SiNx, SiOx, SiON or An inorganic material for increasing the water-blocking oxygen resistance of the device, such as Al 2 O 3 , having a thickness of between 0.5 and 1 ⁇ m; the structure obtained by this step is as shown in FIG. 7 , wherein the second inorganic material film layer 107 is disposed in the Above the second organic material film layer 106, similarly, the deposition of this step may be performed by a deposition process such as PECVD, ALD or PVD, and the second inorganic material film layer 107 may be one layer or two layers.
  • another aspect of the embodiments of the present invention further provides an OLED structure, as shown in the structure of FIG. 7, the OLED structure of the present invention, including the substrate 101, and the OLED device 103 formed on the substrate 101, and deposition a thin film package structure on the OLED device 103, the thin film package structure comprising:
  • a first inorganic material film layer 104 which completely covers the OLED device 103 disposed on the substrate;
  • a first organic material film layer 105 is deposited on the first inorganic material film layer 104 by a PECVD process;
  • a second organic material film layer 106 is deposited on the first organic material film layer 105 by an IJP process
  • a second inorganic material film layer 107 is deposited over the second organic material film layer 106.
  • the material of the first inorganic material film layer 104 and the second inorganic material film layer 107 is one of SiNx, SiOx, SiON or Al 2 O 3 , and the thickness thereof is between 0.5 and 1 um.
  • the material used for the first organic material film layer 105 is a hexamethyldisiloxane material, and the thickness thereof is between 1-4 ⁇ m.
  • the second organic material film layer 106 is one of Acrylate, hexamethyldisiloxane, polyacrylate, polycarbonate, and polystyrene materials, and has a thickness of between 2-4 ⁇ m.
  • a first organic material film layer of about 2 um can be prepared by a PECVD process, and then prepared by an IJP process.
  • the second organic material film layer of about 2 um can simultaneously obtain the first organic material film layer fixed and coated with the contaminated particles by the PECVD process, and obtain the excellent planarization effect by using the second organic material film layer obtained by the IJP process, so that the film
  • the thickness of the organic layer in the encapsulation layer is only about 4 um. From ensuring good flattening effect and pollution particles Under the premise of coating, the overall thickness of the film encapsulation layer is further reduced.
  • the method for preparing an OLED thin film encapsulation layer, the OLED thin film encapsulation structure and the OLED structure provided by the embodiments of the present invention combined with the characteristics of the PECVD and IJP processes, preparing a first organic material film layer by a PECVD process on the first inorganic material film layer And then preparing a second organic material film layer by the IJP process on the first organic material film layer, which can further reduce the thickness of the organic layer under the premise of flattening the substrate and coating the contaminated particles, thereby The thickness of the OLED film encapsulation layer is reduced.

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Abstract

一种制备OLED薄膜封装层的方法、OLED薄膜封装结构及OLED结构，在第一无机材料膜层（104）上通过等离子体增强化学气相沉积法工艺制备第一有机材料膜层（105），然后在第一有机材料膜层（105）上通过喷墨打印工艺制备第二有机材料膜层（106），在所述第二有机材料膜层（106）上沉积第二无机材料膜层（107）。可以在保证基板平坦化效果以及对污染颗粒的包覆性的前提下，进一步减薄有机层的厚度，有利于超薄OLED的开发。

Description

制备OLED薄膜封装层的方法、OLED薄膜封装结构及OLED结构
本申请要求于2017年10月23日提交中国专利局、申请号为201710993392.X、发明名称为“制备OLED薄膜封装层的方法、OLED薄膜封装结构及OLED结构”的中国专利申请的优先权，上述专利的全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种制备OLED薄膜封装层的方法、OLED薄膜封装结构及OLED结构。
背景技术
有机发光二极管(OLED)因其在固态照明和平板显示等领域的广泛应用价值而得到了学术界和产业界的极大关注。其中，柔性OLED显示也是未来显示行业发展的必然趋势。由于有机发光材料对水氧十分敏感，因此如何有效的阻隔外界水氧对OLED器件的破坏以保证器件具有较长的使用寿命，也是目前柔性OLED研究的热点和难点之一。目前较为成熟的柔性封装工艺一般采用无机/有机多重交替薄膜结构实现。其中，无机层的主要作用是阻隔水氧，以防止水汽或氧侵入OLED器件而造成的发光变暗；有机层的主要作用是在弯折时缓释相邻无机层的应力，同时也可以使基板表面平坦化并包覆住污染颗粒(particle)。在现有的技术中，无机层沉积通常采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)或物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)等方法，有机层主要通过PECVD或喷墨打印(Inkjet printing，IJP)的方法制备得到。
如图1所示，示出了现有技术中通过PECVD制备获得的有机层结构示意图；其中，无机材料层2设置于OLED器件1之上，有机材料层3通过 PECVD工艺沉积在无机材料层之上，一般地，使用PECVD制备得到的有机层材料通常为六甲基二甲硅醚(HMDSO)，其优点是可以在相对较薄的厚度下包覆并固定污染颗粒4，缺点是基板表面平坦化的效果较差。
图2是现有技术中通过IJP制备获得的有机层结构示意图；其中，有机材料层3通过IJP制备获得，从中可以看出，使用IJP制备得到的有机层因为高分子流动性很好，所以基板表面平坦化效果较好，其缺点是所得到的有机层只有到达一定的厚度才能对污染颗粒有较好的包覆效果，现有的技术中，采用LJP制备得到的有机层为了能完全覆盖污染颗粒，其厚度一般需要达到8-10um。从而使得到的薄膜封装层总厚度较厚，不利于超薄柔性OLED屏的开发。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种制备OLED薄膜封装层的方法、OLED薄膜封装结构及OLED结构，可以制备获得更薄的有机层，从而可以减小OLED薄膜封装层的厚度。
为了解决上述技术问题，本发明的实施例的一方面提供一种制备OLED薄膜封装层方法，包括步骤：
在设置有OLED器件的基板上沉积第一无机材料膜层，所述第一无机材料膜层完全覆盖所述OLED器件；
在所述第一无机材料膜层上通过PECVD工艺沉积第一有机材料膜层；
在所述第一有机材料膜层上通过IJP工艺沉积第二有机材料膜层；
在所述第二有机材料膜层上沉积第二无机材料膜层。
其中，所述第一无机材料膜层和第二无机材料膜层所采用的材料为SiNx、SiOx、SiON或Al2O3中之一种，其厚度处于0.5-1um之间。
其中，所述第一有机材料膜层所采用的材料为六甲基二硅醚材料，其厚度处于1-4μm之间。
其中，所述第二有机材料膜层为丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯材料中之一种，其厚度处于2-4μm之间。
相应地，本发明实施例的另一方面，还提供一种OLED薄膜封装结构， 包括：
第一无机材料膜层，其完全覆盖设置于基板上的OLED器件；
第一有机材料膜层，通过PECVD工艺沉积在所述第一无机材料膜层之上；
第二有机材料膜层，通过IJP工艺沉积在所述第一有机材料膜层之上；
第二无机材料膜层，沉积在所述第二有机材料膜层之上。
其中，所述第一无机材料膜层和第二无机材料膜层所采用的材料为SiNx、SiOx、SiON或Al2O3中之一种，其厚度处于0.5-1um之间。
其中，所述第一有机材料膜层所采用的材料为六甲基二硅醚材料，其厚度处于1-4μm之间。
其中，所述第二有机材料膜层为丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯材料中之一种，其厚度处于2-4μm之间。
相应地，本发明实施例的再一方面，还提供一种OLED结构，包括基板，以及形成于基板上的OLED器件，在所述OLED器件上进一步形成有OLED薄膜封装结构，所述OLED薄膜封装结构包括：
第一无机材料膜层，其完全覆盖设置于基板上的OLED器件；
第一有机材料膜层，通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积在所述第一无机材料膜层之上；
第二有机材料膜层，通过喷墨打印工艺沉积在所述第一有机材料膜层之上；
第二无机材料膜层，沉积在所述第二有机材料膜层之上。
其中，所述第一无机材料膜层和第二无机材料膜层所采用的材料为SiNx、SiOx、SiON或Al2O3中之一种，其厚度处于0.5-1um之间。
其中，所述第一有机材料膜层所采用的材料为六甲基二硅醚材料，其厚度处于1-4μm之间。
其中，所述第二有机材料膜层为丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯材料中之一种，其厚度处于2-4μm之间。
。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
本发明实施例提供的制备OLED薄膜封装层的方法、OLED薄膜封装结构及OLED结构，结合PECVD和IJP两种工艺的特点，在第一无机材料膜层上通过PECVD工艺制备第一有机材料膜层，然后在第一有机材料膜层上通过IJP工艺制备第二有机材料膜层，可以在证基板平坦化效果以及对污染颗粒的包覆性的前提下，进一步减薄有机层的厚度，有利于超薄OLED的开发。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是现有技术中通过PECVD制备获得的有机层结构示意图；
图2是现有技术中通过IJP制备获得的有机层结构示意图；
图3是本发明提供的一种制备OLED薄膜封装层的方法的一个实施例的主流程示意图；
图4是图3中经过步骤S10获得的结构示意图；
图5是图3中经过步骤S11获得的结构示意图；
图6是图3中经过步骤S12获得的结构示意图；
图7是图3中经过步骤S13获得的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在 附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大的其他细节。
如图3所示，是本发明提供的一种制备OLED薄膜封装层的方法的一个实施例的主流程示意图；一并结合图4至图7所示，在该实施例中，该方法包括如下步骤：
步骤S10，在设置有OLED器件的基板上沉积第一无机材料膜层，所述第一无机材料膜层完全覆盖所述OLED器件；可以理解的是，所述第一无机材料膜层所采用的材料为SiNx、SiOx、SiON或Al2O3中之一种，或其他能增加器件阻水氧性能的无机材料，其厚度处于0.5-1um之间，经过该步骤获得结构如图4所示，其中，在基板101上设置有TFT层102，OLED器件层103设置于TFT层102上，第一无机材料膜层104设置于OLED器件层103上，其中，该步骤的沉积可以采用PECVD、ALD或PVD等沉积工艺，该第一无机材料膜层104可以为一层或两层；
步骤S11，在所述第一无机材料膜层上通过PECVD工艺沉积第一有机材料膜层；可以理解的是，在一个例子中，所述第一有机材料膜层所采用的材料为六甲基二硅醚材料(HMDSO)，也可以采用其他用于缓冲器件在弯曲、折叠时的应力以及颗粒污染物的覆盖的材料，其厚度处于1-4μm之间；经过该步骤获得的结构如图5所示，其中第一有机材料膜层105设置于所述第一无机材料膜层104之上，其能包裹住污染颗粒108，可以理解的是，其中污染颗粒108仅为示例，在一些实施例中，也可能不存在污染颗粒；
步骤S12，在所述第一有机材料膜层上通过IJP工艺沉积第二有机材料膜层，具体地，将步骤S11产生的器件放入IJP设备中，沉积一层有机层；可以理解的是，在一个例子中，所述第二有机材料膜层为丙烯酸脂(Acrylate)、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯材料中之一种，也可以是其他具有类似性能的材料，其厚度处于2-4μm之间，具体地，将经过该步骤获得的结构如图6所示，其中第二有机材料膜层106设置于所述第一有机材料膜层105之上，由于该第二有机材料膜层106通过IJP工艺获得，其具有比较好的平坦性；
步骤S13，在所述第二有机材料膜层上沉积第二无机材料膜层，可以理 解的是，在一个例子中，所述第二无机材料膜层所采用的材料为SiNx、SiOx、SiON或Al2O3等用于增加器件阻水氧性能的无机材料，其厚度处于0.5-1um之间；经过该步骤获得的结构如图7所示，其中第二无机材料膜层107设置于所述第二有机材料膜层106之上，同样地，该步骤的沉积可以采用PECVD、ALD或PVD等沉积工艺，该第二无机材料膜层107可以为一层或两层。
相应地，本发明实施例的另一方面，还提供一种OLED结构，如图7中结构所示，本发明的OLED结构，包括基板101，以及形成于基板101上的OLED器件103，以及沉积于OLED器件103上的薄膜封装结构，所述薄膜封装结构包括：
第一无机材料膜层104，其完全覆盖设置于基板上的OLED器件103；
第一有机材料膜层105，通过PECVD工艺沉积在所述第一无机材料膜层104之上；
第二有机材料膜层106，通过IJP工艺沉积在所述第一有机材料膜层105之上；
第二无机材料膜层107，沉积在所述第二有机材料膜层106之上。
其中，所述第一无机材料膜层104和第二无机材料膜层107所采用的材料为SiNx、SiOx、SiON或Al2O3中之一种，其厚度处于0.5-1um之间。
其中，所述第一有机材料膜层105所采用的材料为六甲基二硅醚材料，其厚度处于1-4μm之间。
其中，所述第二有机材料膜层106为Acrylate、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯材料中之一种，其厚度处于2-4μm之间。
更多的细节，可参照前述对图3的描述，在些不进行赘述。
可以理解的是，在一个具体的实施例中，假定污染颗粒的尺寸在2um以下，通过本发明提供的方法，可以采用PECVD工艺先制备2um左右的第一有机材料膜层，然后采用IJP工艺制备2um左右的第二有机材料膜层，可以同时利用PECVD工艺获得第一有机材料膜层固定并包覆污染颗粒，以及利用IJP工艺获得的第二有机材料膜层获得优异的平坦化效果，使得薄膜封装层中的有机层厚度只有4um左右。从在保证良好的平坦化效果和污染颗粒 包覆性的前提下，进一步减薄薄膜封装层的整体厚度。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
本发明实施例提供的制备OLED薄膜封装层的方法、OLED薄膜封装结构及OLED结构，结合PECVD和IJP两种工艺的特点，在第一无机材料膜层上通过PECVD工艺制备第一有机材料膜层，然后在第一有机材料膜层上通过IJP工艺制备第二有机材料膜层，可以在证基板平坦化效果以及对污染颗粒的包覆性的前提下，进一步减薄有机层的厚度，从而可以减小OLED薄膜封装层的厚度。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个......”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (16)

  1. 一种制备OLED薄膜封装层方法，其中，包括步骤：
    在设置有OLED器件的基板上沉积第一无机材料膜层，所述第一无机材料膜层完全覆盖所述OLED器件；
    在所述第一无机材料膜层上通过等离子体增强化学气相沉积法工艺沉积第一有机材料膜层；
    在所述第一有机材料膜层上通过喷墨打印工艺沉积第二有机材料膜层；
    在所述第二有机材料膜层上沉积第二无机材料膜层。
  2. 如权利要求1所述的方法，其中，所述第一无机材料膜层和第二无机材料膜层所采用的材料为SiNx、SiOx、SiON或Al2O3中之一种，其厚度处于0.5-1um之间。
  3. 如权利要求1所述的方法，其中，所述第一有机材料膜层所采用的材料为六甲基二硅醚材料，其厚度处于1-4μm之间。
  4. 如权利要求1所述的方法，其中，所述第二有机材料膜层为丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯材料中之一种，其厚度处于2-4μm之间。
  5. 如权利要求2所述的方法，其中，所述第二有机材料膜层为丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯材料中之一种，其厚度处于2-4μm之间。
  6. 如权利要求3所述的方法，其中，所述第二有机材料膜层为丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯材料中之一种，其厚度处于2-4μm之间。
  7. 一种OLED薄膜封装结构，其中，包括：
    第一无机材料膜层，其完全覆盖设置于基板上的OLED器件；
    第一有机材料膜层，通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积在所述第一无机材料膜层之上；
    第二有机材料膜层，通过喷墨打印工艺沉积在所述第一有机材料膜层之上；
    第二无机材料膜层，沉积在所述第二有机材料膜层之上。
  8. 如权利要求7所述的OLED薄膜封装结构，其中，所述第一无机材料膜层和第二无机材料膜层所采用的材料为SiNx、SiOx、SiON或Al2O3中之一种，其厚度处于0.5-1um之间。
  9. 如权利要求7所述的OLED薄膜封装结构，其中，所述第一有机材料膜层所采用的材料为六甲基二硅醚材料，其厚度处于1-4μm之间。
  10. 如权利要求9所述的OLED薄膜封装结构，其中，所述第二有机材料膜层为丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯材料中之一种，其厚度处于2-4μm之间。
  11. 一种OLED结构，包括基板，以及形成于基板上的OLED器件，其中，在所述OLED器件上进一步形成有OLED薄膜封装结构，所述OLED薄膜封装结构包括：
    第一无机材料膜层，其完全覆盖设置于基板上的OLED器件；
    第一有机材料膜层，通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积在所述第一无机材料膜层之上；
    第二有机材料膜层，通过喷墨打印工艺沉积在所述第一有机材料膜层之上；
    第二无机材料膜层，沉积在所述第二有机材料膜层之上。
  12. 如权利要求11所述的OLED薄膜封装结构，其中，所述第一无机 材料膜层和第二无机材料膜层所采用的材料为SiNx、SiOx、SiON或Al2O3中之一种，其厚度处于0.5-1um之间。
  13. 如权利要求12所述的OLED薄膜封装结构，其中，所述第一有机材料膜层所采用的材料为六甲基二硅醚材料，其厚度处于1-4μm之间。
  14. 如权利要求11所述的OLED薄膜封装结构，其中，所述第二有机材料膜层为丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯材料中之一种，其厚度处于2-4μm之间。
  15. 如权利要求12所述的OLED薄膜封装结构，其中，所述第二有机材料膜层为丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯材料中之一种，其厚度处于2-4μm之间。
  16. 如权利要求13所述的OLED薄膜封装结构，其中，所述第二有机材料膜层为丙烯酸脂、六甲基二硅醚、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯材料中之一种，其厚度处于2-4μm之间。
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