WO2019031991A1 - Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой - Google Patents

Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой Download PDF

Info

Publication number
WO2019031991A1
WO2019031991A1 PCT/RU2018/050093 RU2018050093W WO2019031991A1 WO 2019031991 A1 WO2019031991 A1 WO 2019031991A1 RU 2018050093 W RU2018050093 W RU 2018050093W WO 2019031991 A1 WO2019031991 A1 WO 2019031991A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
perovskite
component
reagent
layer
substrate
Prior art date
Application number
PCT/RU2018/050093
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Алексей Борисович ТАРАСОВ
Николай Андреевич БЕЛИЧ
Евгений Алексеевич ГУДИЛИН
Андрей Андреевич ПЕТРОВ
Алексей Юрьевич ГРИШКО
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова"
Priority to CA3072159A priority Critical patent/CA3072159C/en
Priority to AU2018312837A priority patent/AU2018312837B2/en
Priority to JP2020530414A priority patent/JP7161535B2/ja
Priority to US16/637,724 priority patent/US11081292B2/en
Priority to ES18796147T priority patent/ES2906881T3/es
Priority to CN201880051659.6A priority patent/CN111051560B/zh
Priority to EP18796147.9A priority patent/EP3666921B1/en
Priority to KR1020207003939A priority patent/KR102306250B1/ko
Publication of WO2019031991A1 publication Critical patent/WO2019031991A1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H01G9/2009—Solid electrolytes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0694—Halides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C22/02—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using non-aqueous solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5846—Reactive treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/0029—Processes of manufacture
    • H01G9/0036—Formation of the solid electrolyte layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/441—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour in the presence of solvent vapors, e.g. solvent vapour annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/811—Controlling the atmosphere during processing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the invention relates to methods for producing organic-inorganic light-absorbing material with a perovskite-like structure, which can be used, for example, in the manufacture of perovskite solar cells.
  • the disadvantage of the above methods is the impossibility of obtaining a layer of the original component (Pb1 2 ) or perovskite from a solution on a large area substrate and, accordingly, the impossibility of obtaining a large area perovskite solar cells.
  • Metallic lead in the form of an even layer is sprayed onto the nonporous surface of the electron-conducting layer by magnetron deposition and then brought into contact with an organic solvent containing molecular iodine and methyl ammonium iodide.
  • an organic solvent containing molecular iodine and methyl ammonium iodide As a result, a continuous nonporous layer of lead turns into a continuous nonporous perovskite layer
  • the disadvantage of the above methods is the need to use a solvent and poor control of the morphology of the perovskite layer obtained, which complicates and slows down the technological process of the formation of organic-inorganic perovskite, leads to production risks, health risks and ecology.
  • the disadvantage of the known method is the difficulty of achieving uniform distribution of a viscous polyiodide (polyhalide) reagent over a large the area of the substrate, as well as the lack of control and failure to comply with the stoichiometry of the interaction, which, in particular, can lead to the formation of a lead iodide sublayer.
  • the reagents applied to the substrate are liquid melt, which leads to a certain complexity in controlling the stoichiometric ratio of precursors during the film formation reaction of the final product.
  • the quality (in particular, the homogeneity of the thickness and phase composition) of the resulting film decreases, which, accordingly, adversely affects the efficiency of the final product based on the films obtained, for example, the solar cell. Disclosure of the invention
  • a technical problem solved by the claimed invention is the creation of a technologically advanced method for producing light-absorbing organic-inorganic materials with a perovskite-like structure on large area substrates without using a solvent.
  • the technical result achieved when using the claimed invention is to provide the possibility of obtaining a single-phase film without through holes with a high degree of uniformity, which will allow to use the material obtained in a large area of solar cells.
  • the method is also characterized by manufacturability and ease of implementation, which makes it more accessible for use in industrial production.
  • the inventive method is carried out without the use of a solvent, which contributes to improving the quality of the final product by eliminating the possibility of its undesirable interaction with the components of the perovskite obtained, and also potentially allows for greater environmental friendliness of production.
  • the liquid medium is characterized by the insolubility of the reagent AB in it and the solubility of B2 .
  • Reagents C and AB are applied per unit area in a stoichiometric amount, ensuring the production of a film of a given thickness.
  • the gaseous phase can be dry air, argon, nitrogen containing iodine containing iodine vapors (halogen or mixtures thereof), iodine vapors without carrier gas, and CC1 4 , toluene can act as a liquid phase containing iodine (halogen or their mixture) , diethyl ether and other organic solvents.
  • the achievement of a technical result namely, the production of single-phase, highly homogeneous films of a light-absorbing material of a large area, is achieved by controlling the stoichiometry of the reaction by forming a film of a light-absorbing material.
  • the main parameters affecting the achievement of the technical result are the thickness and uniformity of C and AB films applied to the substrate, as well as the conditions for further interaction of the resulting composite film with a solution or gas containing component B 2 .
  • FIG. 1 shows a diagram of the proposed method for the synthesis of films of light absorbing materials of ASVZ composition.
  • FIG. 2 shows micrographs of a film of light absorbing organo-inorganic perovskite SNZ! CHNRRYZ, obtained according to the claimed method.
  • the claimed invention can be implemented using known means and methods, including, in conditions of industrial production.
  • any conductive or non-conductive material can be used, as well as their combination.
  • Area and material selection Substrates may be limited by the specifics of further specific technological stages of formation of the light absorbing layer, however, they can potentially be arbitrary.
  • a reagent C is applied to the selected substrate by known methods.
  • oxides or salts of component C in addition to the above, it is also possible to use other methods of forming films, for example, spincoating, spraying the solution on a substrate, spray pyrolysis, chemical deposition from the gas phase (CVD), etc. AB using methods such as sputtering (including vacuum), spincoating, spraying the solution on the substrate.
  • a composite film is formed with two successively applied layers of C and AB.
  • the obtained substrate with the applied layers is placed in a liquid or gaseous medium, which contains B2 .
  • iodine vapors without carrier gas can act as iodine vapors (other halogens or their mixtures), and CC1 4 can act as a liquid phase containing iodine (other halogens or their mixtures).
  • iodine vapors with any of the above carrier gases, or in their absence, as well as solutions of iodine in toluene and CC1 4 have the optimal characteristics for carrying out the described reaction.
  • the recommended reaction temperature is 0-150 ° C.
  • the duration of the process is determined by the rate at which the full chemical reaction proceeds.
  • the completeness of the process can be monitored by X-ray phase analysis, etc.
  • the resulting film on the substrate is removed from the chamber containing the medium with the component B 2 .
  • the quality of the obtained film is determined by electron microscopy, where in the course of research such parameters as the continuity of the film (the absence of through holes) and the average crystallite size are determined. Visually found that film of light absorbing compound obtained by the method described
  • ChNZRYz has a uniform structure, as can be seen in figure 2, is characterized by the absence of through holes and an average crystallite size of about 800 nm.
  • a layer of lead 60 nm thick was deposited by vacuum thermal spraying.
  • a layer of MAI was deposited on the lead layer by vacuum thermal sputtering in an amount corresponding to the equimolar ratio of copper to the amounts of metallic lead and MAI per unit area of the substrate.
  • the substrate with the deposited layers was introduced into saturated iodine vapor in argon and maintained at a temperature of 40 ° C for 10–30 minutes. As a result, a perovskite-like structure of MARYz was formed on the substrate.
  • the control of the morphology and phase composition of the film was determined by the methods of scanning electron microscopy (Fig. 2) and X-ray phase analysis.
  • the substrate which is a blocking layer of TiO 2 deposited on the conductive substrate FTO (fluorinated tin oxide) or CGO (indium doped tin oxide), deposited by vacuum thermal deposition of lead layer 250 nm thick.
  • FTO fluorinated tin oxide
  • CGO indium doped tin oxide
  • a layer of MAI was deposited on the lead layer by vacuum thermal sputtering in an amount corresponding to the equimolar ratio of copper to the amounts of metallic lead and MAI per unit area of the substrate.
  • the substrate with the applied layers was placed in a solution of iodine in CC1 4 with a content of 1 2 10 mg / ml and kept at room temperature for 1.5 minutes.
  • a perovskite-like structure of MARYz was formed on the substrate.
  • the control of the morphology and phase composition of the film was determined by scanning electron microscopy and X-ray phase analysis.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способу получения органо-неорганического светопоглощающего материала со перовскитоподобной структурой, который может быть использован при изготовлении перовскитных солнечных ячеек. Способ получения светопоглощающего материала со перовскитоподобной структурой со структурной формулой АСВ3, заключается в нанесении на слой реагента С слоя реагента АВ, толщины заданной стехиометрией реакции, и последующего помещения слоев в жидкую или газообразную среду, содержащую реагент В2, где в качестве компонента А может быть CH3NH3+, (NH2)2CH+, C(NH2)3+, Cs+ или их смесь, в качестве компонента В может быть С1-, Вr-, I- или их смесь, а в качестве компонента С выступают металлы Sn, Pb и Bi, их сплавы, оксиды, соли. Техническим результатом, достигаемым при использовании заявляемого изобретения, является простой и быстрый способ получения однородного за счет формирования пленки промежуточной фазы АВ-В2 слоя светопоглощающего органо-неорганического материала со перовскитоподобной структурой с улучшенной за счет быстрой кристаллизации морфологией на поверхностях большой площади, который позволит использовать полученный материал в солнечных ячейках большой площади.

Description

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ СВЕТОПОГЛОЩАЮЩЕГО МАТЕРИАЛА С ПЕРОВСКИТОПОДОБНОЙ СТРУКТУРОЙ
Область техники
Изобретение относится к способам получения органо-неорганического светопоглощающего материала со перовскитоподобной структурой, который может быть использован, например, при изготовлении перовскитных солнечных ячеек.
Уровень техники
Из уровня техники известны способы получения светопоглощающих материалов с перовскитоподобной структурой.
Под такими структурами в рамках настоящей заявки понимают, как непосредственно перовскитные структуры, так и структуры, имеющие определенные структурные отклонения (подробнее термин обоснован в источнике информации Attfield J.P., Lightfoot P., Morris R.E. Perovskites // Dalt. Trans. 2015. Vol. 44, JVfe 23. P. 10541-10542).
Так в статье [Burschka J. et al. Sequential deposition as a route to high- performance perovskite-sensitized solar cells //Nature. - 2013. - T. 499. - N° 7458. - C. 316.] описывается формирование тонкого слоя перовскита СНз1ЧН3РЬ1з в две стадии посредством нанесения раствора РЬ12 на подложку слоем необходимой толщины посредством приведения ее во вращение на высокой скорости вокруг оси перпендикулярной ее плоскости (метод вращающейся подложки, spin-coating) с последующим погружением полученного тонкого слоя РЫ2 в раствор MAI в изопропаноле.
В статье [Saliba М. et al. Incorporation of rubidium cations into perovskite solar cells improves photovoltaic performance // Science (80-. ). 2016. Vol. 354, No 6309. P. 206-209.] описывается формирование тонкого слоя перовскита CH3NH3Pbb в одну стадию посредством нанесения раствора перовскита в смеси органических растворителей на подложку тонким слоем посредством приведения ее во вращение на высокой скорости вокруг оси перпендикулярной ее плоскости.
Недостатком вышеуказанных методов является невозможность получения слоя исходного компонента (РЬ12) или перовскита из раствора на подложках большой площади и, соответственно, невозможность получения перовскитных солнечных ячеек большой площади. Известен патент CN104250723, 09/09/2014, Zhi Zheng, Cheng Camry, Lei Yan, Jia Huimin, Ho Wei Wei, He Yingying "Chemical method for in-situ large-area controlled synthesis of perovskite type СНз1ЧНзРЫз membrane material based on lead simple- substance membrane", в котором описан способ изготовления перовскита СНз1ЧНзРЫз в результате погружения пленок металлического свинца, легко наносимых равномерно с контролируемой толщиной на большие площади, в раствор йода и йодида метиламмония в органическом растворителе, например, этаноле. Металлический свинец в виде ровного слоя напыляют магнетронным напылением на непористую поверхность электрон-проводящего слоя после чего приводят во взаимодействие с органическим растворителем, содержащим молекулярный иод и метиламмоний иодид, в результате сплошной непористый слой свинца превращается в сплошной непористый слой перовскита
В патенте CN105369232, 16/02/2015, Zhi Zheng, Не Yingying, Lei Yan, Cheng Camry, Jia Huimin, Ho Wei Wei, "Lead-based perovskite-type composite elemental thin- film in-situ wide area control СНз1ЧНзРЬВгз film material chemical method" описывается способ изготовления перовскита СНз1ЧНзРЬВгз в результате погружения пленок металлического свинца, легко наносимых равномерно с контролируемой толщиной на большие площади в раствор бромида метиламмония в органическом растворителе, например, изопропаноле.
Недостатком вышеуказанных методов является необходимость использования растворителя и плохой контроль морфологии получаемого слоя перовскита, что усложняет и замедляет технологический процесс формирования органо- неорганического перовскита, приводит к производственным рискам, рискам для здоровья и экологии.
В статье Mater. Horiz., 2017,4, 625-632, Petrov Andrey A., Belich Nikolai A.,
Grishko Aleksei Y., Stepanov Nikita M., Dorofeev Sergey G., Maksimov Eugene G., Shevelkov Andrei V., Zakeeruddin Shaik M., Michael Graetzel, Tarasov Alexey В., Goodilin Eugene A., «A new formation strategy of hybrid perovskites via room temperature reactive polyiodide melts» описывается способ формирования слоя перовскита без растворителей в результате реакции слоя металлического свинца и нанесенного на него реагента с общим составом МА1з+х.
Недостатком известного метода является сложность достижения однородного распределения вязкого полииодидного (полигалидного) реагента по большой площади подложки, а также отсутствие контроля и несоблюдение стехиометрии взаимодействия, что, в частности, может привести к формированию подслоя иодида свинца. Наносимые на подложку реагенты представляют собой жидкий расплав, что приводит к определенной сложности контроля стехиометрического соотношения прекурсоров в ходе реакции образования плёнки конечного продукта. Таким образом, в результате снижается качество (в частности, однородность толщины и фазовый состав) получаемой пленки, что, соответственно, негативно сказывается на эффективности конечного продукта на основе полученных пленок, например, солнечной ячейки. Раскрытие сущности изобретения
Технической проблемой, решаемой посредством заявляемого изобретения, является создание технологичного способа получения светопоглощающих органо- неорганических материалов с перовскитоподобной структурой на подложках большой площади без использования растворителя.
Технический результат, достигаемый при использовании заявляемого изобретения, заключается в обеспечении возможности получения однофазной пленки без сквозных отверстий с высокой степенью равномерности, что позволит использовать полученный материал в солнечных ячейках большой площади. Способ также характеризуется технологичностью и простотой реализации, что делает его более доступным для применения в промышленном производстве. Заявляемый способ осуществляют без использования растворителя, что способствует повышению качества конечного продукта за счет исключения возможности его нежелательного взаимодействия с компонентами получаемого перовскита, а также потенциально позволяет добиться большей экологичности производства.
Поставленная задача решается тем, что для реализации способа получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой, имеющего структурную формулу АСВз, согласно техническому решению, на подложку последовательно наносят слой реагента С и слой реагента АВ, после чего подложку с нанесенными слоями помещают в жидкую или газообразную среду, содержащую реагент В2, на период, необходимый и достаточный для протекания реакции С+АВ+В2=АСВз+Х, при этом в качестве компонента А используют CH3NH3+ или (NH2)2CH+ или C(NH2)3 + или Cs+ или их смесь, в качестве компонента В используют С или Вг" или Г или их смесь, в качестве компонента С выступают металлы Sn, Pb или Bi или их сплавы или оксиды или соли, а X представляет собой продукт разложения компонента С при использовании в качестве него оксида или соли. Жидкая среда характеризуется нерастворимостью в ней реагента АВ и растворимостью В2. Реагенты С и АВ наносят на единицу площади в стехиометрическом количестве, обеспечивающем получение пленки заданной толщины. Компоненты С и АВ наносят методом вакуумного напыления, электрохимического осаждения, аэрозольного напыления раствора или спинкоатинга. Избыток компонента В по завершении реакции может быть удален промыванием в растворителе, накалыванием растворителя на поверхность, прокаливанием при повышенной температуре, испарением при пониженном давлении. Дополнительно, обеспечивают удаление компонента X после протекания реакции С+АВ+В2=АСВз+Х в случае использования в качестве компонента С оксида или соли. В качестве газообразной фазы могут выступать содержащие пары йода (галогена или их смеси) сухой воздух, аргон, азот, пары йода без газа - носителя, а в качестве жидкой фазы, содержащей йод (галогена или их смеси), могут выступать СС14, толуол, диэтиловый эфир и другие органические растворители.
В отличие от прототипа в рамках заявляемого изобретения возможен тонкий контроль стехиометрии реакции формировании плёнки светопоглощающего материала за счёт предварительного контролируемого нанесения на подложку плёнок прекурсоров (АВ и С) в строго определённом параметрами нанесения соотношении. При дальнейшем воздействии на составную плёнку, содержащую компоненты АВ и С, раствора или газа, содержащего компонент В2, на её поверхности происходит образование однородной плёнки реакционной смеси АВ-В2 в строго определённом количеством нанесённого ранее компонента АВ количестве. Далее данная реакционная смесь реагирует со слоем компонента С с образованием конечного продукта, что позволяет достичь высокой однородности плёнок на большой площади.
При помещении подложки со слоем реагента С и нанесенным на него стехиометрическим количеством реагента АВ в жидкую или газообразную среду, содержащую реагент В2, происходит взаимодействие реагента АВ с реагентом В2 и образование композиции АВ-пВ2 (п>1), реагирующей с реагентом С с образованием перовскита состава АСВз по следующей промежуточной реакции: АВ - пВ2 + С = АСВз + [(п-3)/2]В2. В рамках заявляемого метода достижение технического результата, а именно получение однофазных высокооднородных плёнок светопоглощающего материала большой площади, достигается за счёт контроля стехиометрии реакции формировании плёнки светопоглощающего материала. Основными параметрами, влияющими на достижение технического результата, являются толщина и однородность наносимых на подложку плёнок С и АВ, а также условия дальнейшего взаимодействия полученной составной плёнки с раствором или газом, содержащего компонент В2. Для получения наиболее однородных однофазных плёнок АСВз рекомендуется нанесение однородных по толщине плёнок компонентов АВ и С с толщиной, соответствующей эквимолярному соотношению количеств компонентов АВ и С на единицу площади. В случае существенных отклонений в соотношении компонентов возможно образование неоднофазных плёнок конечного продукта.
Краткое описание чертежей
Заявляемое изобретение поясняется следующими чертежами и изображениями, отражающими в том числе и результаты реализации заявляемого способа для конкретных составов.
На фиг. 1 изображена схема заявляемого способа синтеза плёнок светопоглощающих материалов состава АСВз.
На фиг. 2 изображены микрофотографии плёнки светопоглощающего органо- неорганического перовскита СНз!ЧНзРЫз, полученной согласно заявляемой методике.
Позициями на фигурах обозначены:
1 - подложка,
2 - этап нанесения реагента С,
3 - этап нанесения реагента АВ,
4 - газовая среда или раствор, содержащий В2.
Осуществление изобретения
Заявляемое изобретение может быть реализовано с использованием известных средств и методов, в том числе, и в условиях промышленного производства.
В качестве подложки может быть использован любой проводящий или непроводящий материал, а также их комбинация. Площадь и выбор материала подложки могут быть ограничены спецификой дальнейших конкретных технологических стадий формирования светопоглощающего слоя, однако, потенциально могут быть произвольными. Исходя из площади подложки и требуемой толщины формируемой пленки, определяют необходимое количество реагентов С и АВ. Для реализации способа на выбранную подложку известными способами наносят реагент С. Наиболее оптимальным является использование в качестве С металлического свинца, олова или висмута, которые наносят, например, вакуумным напылением или электрохимическим осаждением. В случае использования оксидов или солей компонента С, помимо вышеупомянутых, также возможно использование прочих методов формирования плёнок, например, спинкоатинга, распыления раствора на подложку, спрей-пиролиза, химического нанесения из газовой фазы (CVD) и пр. На слой С наносят слой компонента АВ с помощью таких методов как напыление (в том числе, вакуумное), спинкоатинг, распыление раствора на подложку. Таким образом, формируется составная плёнка с двумя последовательно нанесенными слоями С и АВ. Для проведения реакции формирования плёнки светопоглощающего материала со перовскитоподобной структурой, полученную подложку с нанесенными слоями помещают в жидкую или газообразную среду, которая содержит В2. В качестве газообразной фазы могут выступать содержащие пары йода (других галогенов или их смеси) сухой воздух, аргон, азот, пары йода без газа - носителя, а в качестве жидкой фазы, содержащей йод (другие галогены или их смеси), могут выступать СС14, толуол, диэтиловый эфир и другие органические растворители. В результате проведенных экспериментов установлено, что оптимальными характеристиками для проведения описанной реакции обладают пары йода с любым из перечисленных газов-носителей или в их отсутствии, а также растворы йода в толуоле и СС14. Рекомендуемая температура проведения реакции составляет 0-150°С. Для каждого конкретного случая длительность проведения процесса определяется скоростью протекания полной химической реакции. Полнота протекания процесса может контролироваться методом рентгенофазового анализа и пр. По окончании реакции полученную пленку на подложке изымают из камеры, содержащей среду с компонентом В2. Качество полученной пленки определяют посредством электронной микроскопии, где в ходе исследований определяются такие параметры как сплошность плёнки (отсутствие сквозных отверстий) и средний размер кристаллитов. Визуально установлено, что полученная описанным способом пленка светопоглощающего соединения
СНз!ЧНзРЫз имеет равномерную структуру, что видно на фиг.2, характеризуется отсутствием сквозных отверстий и средним размером кристаллитов около 800 нм.
Примеры конкретного выполнения
В качестве примеров конкретного выполнения приведены сведения о реализации заявляемого способа и получении пленки светопоглощающего соединения СНз!ЧНзРЫз с использованием различных компонентов в качестве реагентов:
Пример 1.
На подложку, представляющую собой блокирующий слой Ti02, нанесённый на проводящую подложку FTO (fluorinated tin oxide) или ГГО (indium doped tin oxide), вакуумным термическим напылением наносился слой свинца толщиной 60 нм. Затем на слой свинца вакуумным термическим напылением наносился слой MAI в количестве, соответствующем эквимолярному соотношению меду количествами металлического свинца и MAI на единицу площади подложки. После этого подложка с нанесенными слоями вносилась в насыщенные пары йода в аргоне и выдерживалась при температуре 40°С в течение 10 - 30 минут. В результате на подложке образовался слой перовскитоподобной структуры МАРЫз. Контроль морфологии и фазового состава плёнки определялся методами растровой электронной микроскопии (фиг. 2) и рентгенофазового анализа.
Пример 2.
На подложку, представляющую собой блокирующий слой ТЮ2, нанесённый на проводящую подложку FTO (fluorinated tin oxide) или ГГО (indium doped tin oxide), вакуумным термическим напылением наносился слой свинца толщиной 250 нм. Затем на слой свинца вакуумным термическим напылением наносился слой MAI в количестве, соответствующем эквимолярному соотношению меду количествами металлического свинца и MAI на единицу площади подложки. После этого подложка с нанесенными слоями помещалась в раствор йода в СС14 с содержанием 12 10 мг/мл и выдерживалась при комнатной температуре в течение 1.5 минут. В результате на подложке образовался слой перовскитоподобной структуры МАРЫз. Контроль морфологии и фазового состава плёнки определялся методами растровой электронной микроскопии и рентгенофазового анализа.
Пример 3. На подложку, представляющую собой блокирующий слой Т1О2, нанесённый на проводящую подложку FTO (fluorinated tin oxide) или ГГО (indium doped tin oxide), вакуумным термическим напылением наносился слой свинца толщиной 250 нм. Затем на слой свинца вакуумным термическим напылением наносился слой смеси MAI и FAI в мольном соотношении 1 : 1 в количестве, соответствующем соотношению меду количествами металлического свинца и MAI = 2: 1 на единицу площади подложки. После этого подложка с нанесенными слоями помещалась в раствор йода в СС14 с содержанием 12 10 мг/мл и выдерживалась при комнатной температуре в течение 1.5 минут. В результате на подложке образовался слой перовскитоподобной структуры состава MAo.sFAo.sPbb. Контроль морфологии и фазового состава плёнки определялся методами растровой электронной микроскопии и рентгенофазового анализа.
Ниже представлены примеры реализации способа с различными
соединениями в качестве реагентов.
Таблица 1.
Figure imgf000010_0001
В описанных выше примерах (Таблица 1) реализации методики были получены высокооднородные плёнки светопоглощающего материала АСВз с перовскитоподобной структурой методом, обеспечивающим возможность производства соответствующих плёнок большой площади.

Claims

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой, имеющего структурную формулу АСВз, отличающийся тем, что на подложку последовательно наносят слой реагента С и слой реагента АВ, после чего подложку с нанесенными слоями помещают в жидкую или газообразную среду, содержащую реагент В2, на период, необходимый и достаточный для протекания реакции С+АВ+В2=АСВз+Х, при этом в качестве компонента А используют CH3NH3+ или (NH2)2CH+ или C(NH2)3 + или Cs+ или их смесь, в качестве компонента В используют С или Вг" или Г или их смесь, в качестве компонента С выступают металлы Sn, Pb или Bi или их сплавы или оксиды или соли, а X представляет собой продукт разложения компонента С при использовании в качестве него оксида или соли.
Способ по п. 1, отличающийся тем, что жидкая среда характеризуется нерастворимостью в ней реагента АВ и растворимостью В2.
Способ по п. 1, отличающийся тем, что реагенты С и АВ наносят на единицу площади в стехиометрическом количестве, обеспечивающем получение пленки заданной толщины.
Способ по п. 1, отличающийся тем, что компоненты С и АВ наносят методом напыления (в том числе, вакуумного), спинкоатинга, распыления раствора на подложку.
Способ по п. 1, отличающийся тем, что обеспечивают удаление компонента X после протекания реакции С+АВ+В2=АСВ3+Х в случае использования в качестве компонента С оксида или соли.
Способ по п. 1, отличающийся тем, что избыток компонента В по завершении реакции удаляют промыванием в растворителе, накапыванием растворителя на поверхность, прокаливанием при повышенной температуре, испарением при пониженном давлении.
PCT/RU2018/050093 2017-08-10 2018-08-06 Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой WO2019031991A1 (ru)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CA3072159A CA3072159C (en) 2017-08-10 2018-08-06 Method for synthesis of films made of light-absorbing material with perovskite-like structure
AU2018312837A AU2018312837B2 (en) 2017-08-10 2018-08-06 Method for producing a film of light-absorbing material with a perovskite-like structure
JP2020530414A JP7161535B2 (ja) 2017-08-10 2018-08-06 ペロブスカイト様構造を有する光吸収材料で作られるフィルムを合成するための方法
US16/637,724 US11081292B2 (en) 2017-08-10 2018-08-06 Method for producing a film of light-absorbing material with a perovskite-like structure
ES18796147T ES2906881T3 (es) 2017-08-10 2018-08-06 Método para producir una película de material absorbente de luz con una estructura similar a la perovskita
CN201880051659.6A CN111051560B (zh) 2017-08-10 2018-08-06 生产具有钙钛矿状结构的吸光材料的膜的方法
EP18796147.9A EP3666921B1 (en) 2017-08-10 2018-08-06 Method for producing a film of light-absorbing material with a perovskite-like structure
KR1020207003939A KR102306250B1 (ko) 2017-08-10 2018-08-06 페로브스카이트 유사 구조를 갖는 광-흡수 재료로 된 필름의 제조방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017128559 2017-08-10
RU2017128559A RU2675610C1 (ru) 2017-08-10 2017-08-10 Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019031991A1 true WO2019031991A1 (ru) 2019-02-14

Family

ID=64051653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2018/050093 WO2019031991A1 (ru) 2017-08-10 2018-08-06 Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой

Country Status (10)

Country Link
US (1) US11081292B2 (ru)
EP (1) EP3666921B1 (ru)
JP (1) JP7161535B2 (ru)
KR (1) KR102306250B1 (ru)
CN (1) CN111051560B (ru)
AU (1) AU2018312837B2 (ru)
CA (1) CA3072159C (ru)
ES (1) ES2906881T3 (ru)
RU (1) RU2675610C1 (ru)
WO (1) WO2019031991A1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110993804A (zh) * 2019-12-16 2020-04-10 合肥工业大学 一种无铅稳定甲胺锡碘薄膜的制备方法及基于其的光伏器件
CN111081880A (zh) * 2019-11-22 2020-04-28 武汉理工大学 一种用于钙钛矿气相生长的中间相及其制备方法与应用
WO2020256594A3 (en) * 2019-06-19 2021-02-11 Joint Stock Company Krasnoyarsk Hydropower Plant (Jsc Krasnoyarsk Hpp) A method for producing a semiconducting film of organic-inorganic metal-halide compound with perovskite-like structure

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2685296C1 (ru) * 2017-12-25 2019-04-17 АО "Красноярская ГЭС" Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой
RU2708365C1 (ru) * 2018-12-27 2019-12-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Способ получения тонкопленочных структур галогенидных полупроводников (варианты)
RU2714273C1 (ru) * 2018-12-29 2020-02-13 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Способ формирования двухслойной светопоглощающей электропроводящей структуры
EP4319538A1 (en) * 2021-11-22 2024-02-07 Contemporary Amperex Technology Co., Limited Preparation method for perovskite thin film, and perovskite thin film and solar cell related thereto

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9391287B1 (en) * 2013-12-19 2016-07-12 The Board Of Regents Of The University Of Nebraska Photovoltaic perovskite material and method of fabrication

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2347299C1 (ru) * 2007-07-28 2009-02-20 Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению" (ГО "НПЦ НАН Беларуси по материаловедению") СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОГЛОЩАЮЩЕГО СЛОЯ Cu2ZnSnS4 ДЛЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
FI20096154A0 (fi) * 2009-11-06 2009-11-06 Beneq Oy Menetelmä kalvon muodostamiseksi, kalvo ja sen käyttöjä
JP6362868B2 (ja) * 2014-01-21 2018-07-25 国立大学法人京都大学 高効率ペロブスカイト型太陽電池の製造方法
CN104250723B (zh) * 2014-09-09 2017-02-15 许昌学院 一种基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbI3薄膜材料的化学方法
EP3024042B1 (en) * 2014-11-21 2017-07-19 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG PEDOT in perovskite solar cells
AU2015367228B2 (en) * 2014-12-19 2017-04-20 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Process of forming a photoactive layer of an optoelectronic device
CN105369232B (zh) * 2015-02-16 2018-09-28 许昌学院 基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbBr3薄膜材料的化学方法
WO2017009688A1 (en) * 2015-07-13 2017-01-19 Tubitak Perovskite thin film production method and optoelectronic device
CN106676631A (zh) * 2016-11-28 2017-05-17 昆明理工大学 一种制备abx3钙钛矿单晶薄膜的方法
CN106611819A (zh) * 2017-01-10 2017-05-03 太原理工大学 太阳能电池用钙钛矿薄膜的微纳结构界面诱导生长方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9391287B1 (en) * 2013-12-19 2016-07-12 The Board Of Regents Of The University Of Nebraska Photovoltaic perovskite material and method of fabrication

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ANDREY A. PETROV ET AL: "A new formation strategy of hybrid perovskites via room temperature reactive polyiodide melts", MATER. HORIZ., vol. 4, no. 4, 28 April 2017 (2017-04-28), pages 625 - 632, XP055480432, ISSN: 2051-6347, DOI: 10.1039/C7MH00201G *
YINGYING HE ET AL: "Using elemental Pb surface as a precursor to fabricate large area CH 3 NH 3 PbI 3 perovskite solar cells", APPLIED SURFACE SCIENCE, vol. 389, 14 July 2016 (2016-07-14), AMSTERDAM, NL, pages 540 - 546, XP055532865, ISSN: 0169-4332, DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.07.072 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020256594A3 (en) * 2019-06-19 2021-02-11 Joint Stock Company Krasnoyarsk Hydropower Plant (Jsc Krasnoyarsk Hpp) A method for producing a semiconducting film of organic-inorganic metal-halide compound with perovskite-like structure
JP2022541992A (ja) * 2019-06-19 2022-09-29 ジョイント ストック カンパニー クラスノヤルスク ハイドロパワー プラント（ジェーエスシー クラスノヤルスク エイチピーピー） ペロブスカイト様構造を有する有機－無機金属－ハロゲン化物化合物の半導体膜の生産方法
CN111081880A (zh) * 2019-11-22 2020-04-28 武汉理工大学 一种用于钙钛矿气相生长的中间相及其制备方法与应用
CN111081880B (zh) * 2019-11-22 2021-10-29 武汉理工大学 一种用于钙钛矿气相生长的中间相及其制备方法与应用
CN110993804A (zh) * 2019-12-16 2020-04-10 合肥工业大学 一种无铅稳定甲胺锡碘薄膜的制备方法及基于其的光伏器件
CN110993804B (zh) * 2019-12-16 2023-02-28 合肥工业大学 一种无铅稳定甲胺锡碘薄膜的制备方法及基于其的光伏器件

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200028989A (ko) 2020-03-17
US11081292B2 (en) 2021-08-03
AU2018312837A1 (en) 2020-02-27
CN111051560B (zh) 2022-04-22
AU2018312837B2 (en) 2021-10-14
EP3666921A1 (en) 2020-06-17
KR102306250B1 (ko) 2021-09-28
JP2020532882A (ja) 2020-11-12
JP7161535B2 (ja) 2022-10-26
EP3666921B1 (en) 2021-11-17
CA3072159A1 (en) 2019-02-14
US20210020383A1 (en) 2021-01-21
CA3072159C (en) 2022-05-31
CN111051560A (zh) 2020-04-21
ES2906881T3 (es) 2022-04-20
RU2675610C1 (ru) 2018-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2019031991A1 (ru) Способ получения пленки светопоглощающего материала с перовскитоподобной структурой
AU2018393752B2 (en) Method for producing a light absorbing film with a perovskite-like structure
Nia et al. Solution-based heteroepitaxial growth of stable mixed cation/anion hybrid perovskite thin film under ambient condition via a scalable crystal engineering approach
JP6853382B2 (ja) ペロブスカイト構造を有する光吸収材料を生成するための方法、及びそれを実施するための可変組成の液体ポリハロゲン化物
US20220263025A1 (en) A method for producing a semiconducting film of organic-inorganic metal-halide compound with perovskite-like structure
Ngqoloda et al. Mixed-halide perovskites solar cells through PbICl and PbCl2 precursor films by sequential chemical vapor deposition
Clark et al. Carrier-gas assisted vapor deposition for highly tunable morphology of halide perovskite thin films
Ndione et al. Monitoring the stability of organometallic perovskite thin films
RU2708365C1 (ru) Способ получения тонкопленочных структур галогенидных полупроводников (варианты)
RU2779016C2 (ru) Способ получения плёнки кристаллического материала на основе комплексных галогенидов с перовскитоподобной структурой
Mortan et al. Preparation of methylammonium lead iodide (CH₃NH₃PbI₃) thin film perovskite solar cells by chemical vapor deposition using methylamine gas (CH₃NH₂) and hydrogen iodide gas
WO2023144799A1 (en) Process for the production of nanocrystals of metal chalcohalides
CN115353876A (zh) 一种增强钙钛矿太阳能电池热稳定性的方法
CN114373869A (zh) 全绿色溶剂制备有机-无机杂化钙钛矿薄膜的方法及应用
Claudiu Preparation of methylammonium lead iodide (CH₃NH₃PbI₃) thin film perovskite solar cells by chemical vapor deposition using methylamine gas (CH₃NH₂) and hydrogen iodide gas

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18796147

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 3072159

Country of ref document: CA

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20207003939

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

Ref document number: 2020530414

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018312837

Country of ref document: AU

Date of ref document: 20180806

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018796147

Country of ref document: EP

Effective date: 20200310