WO2019013488A1 - 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 - Google Patents

유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 Download PDF

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WO2019013488A1
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류동완
이상신
이승재
정성현
유은선
허달호
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삼성에스디아이(주)
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    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • compositions for organic optoelectronic devices for organic optoelectronic devices, organic optoelectronic devices and display devices
  • a composition for organic optoelectronic devices, an organic optoelectronic device and a display device is provided.
  • Organic optoelectronic diodes are electrical energy and light energy.
  • Organic optoelectronic diodes are devices that can switch between electrical and optical energy.
  • Organic optoelectronic devices can be roughly classified into two types according to the operating principle.
  • One is an optoelectronic device in which an exciton formed by light energy is separated into an electron and a hole, the electron and hole are transferred to different electrodes to generate electric energy, and the other is a voltage / Emitting device that generates light energy from energy.
  • organic optoelectronic devices examples include organic optoelectronic devices, organic light emitting devices, organic solar cells, and organic photo conductor drums.
  • organic light emitting diodes In recent years, organic light emitting diodes (OLEDs) have attracted considerable attention due to the demand for flat panel display devices.
  • the organic light emitting diode is a device that converts electric energy into light by applying an electric current to the organic light emitting material.
  • the organic light emitting diode has a structure in which an organic layer is inserted between an anode and a cathode
  • the organic layer may include a light emitting layer and an optional auxiliary layer.
  • the auxiliary layer may include, for example, a hole injecting layer, a hole transporting layer, an electron blocking layer, an electron transporting layer, And a hole blocking layer.
  • the performance of the organic light emitting device is greatly influenced by the characteristics of the organic layer, and the organic layer is highly affected by the organic material contained in the organic layer.
  • One embodiment provides a composition for an organic optoelectronic device capable of implementing a high-efficiency and long-lived organic optoelectronic device.
  • Another embodiment provides an organic optoelectronic device comprising the composition.
  • Another embodiment provides a display device comprising the organic opto-electronic device. Yet another embodiment provides a compound for an organic optoelectronic device.
  • X < 1 > is O or S
  • A represents a substituted or unsubstituted pyridinyl group, a substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, a substituted or unsubstituted triazinyl group, a substituted or unsubstituted benzimidazolyl group, a substituted or unsubstituted pyrazinyl group, a substituted or unsubstituted pyrazinyl group, Or an unsubstituted quinolinyl group, a substituted or unsubstituted isoquinolinyl group, a substituted or unsubstituted quinoxalinyl group, or a substituted or unsubstituted quinazolinyl group,
  • L and Y 1 to Y 3 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group,
  • Z 1 to Z 3 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group,
  • R 1 to R 10 are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1-
  • n is an integer of 0 to 2;
  • an organic electroluminescent device including an anode and a cathode facing each other, and at least one organic layer positioned between the anode and the cathode, wherein the organic layer comprises an organic optoelectronic device including the above composition for an organic optoelectronic device do.
  • a display device including the organic optoelectronic device.
  • 1 and 2 are cross-sectional views illustrating an organic light emitting device according to one embodiment, respectively.
  • At least one hydrogen in the substituent or compound is replaced with a substituent selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group, a nitro group, A C1 to C30 alkyl group, a C1 to C10 alkylsilyl group, a C6 to C30 arylsilyl group, a C3 to C30 cycloalkyl group, a C3 to C30 heterocycloalkyl group, a C6 to C30 aryl group, a C2 to C30 aryl group, A C1 to C20 alkoxy group, a C1 to C10 trifluoroalkyl group, a cyano group, or a combination thereof.
  • a substituent selected from the group consisting of deuterium, a halogen group, a hydroxyl group, an amino group, a substituted or unsubstituted C
  • substituted means that at least one of the substituents or the hydrogen in the compound is deuterium, a C1 to C30 alkyl group, a C1 to C10 alkylsilyl group, a C6 to C30 arylsilyl group, a C3 to C30 cycloalkyl group, A heterocycloalkyl group, a C6 to C30 aryl group, or a C2 to C30 heterocyclic group.
  • substituted means that at least one hydrogen in the substituent or compound is deuterium, a C1 to C20 alkyl group, a C6 to C30 aryl group, or a C2 to C30
  • Substituent means that at least one hydrogen in the substituent or compound is replaced by deuterium, a C1 to C5 alkyl group, a C6 to C18 aryl group, a dibenzofuranyl group, a dibenzothiophenyl group, or a carbazolyl group.
  • substituted means that at least one hydrogen in a substituent or a compound is substituted with deuterium, a C1 to C5 alkyl group, a C6 to C18 aryl group, a dibenzofuranyl group or a dibenzothiophenyl group it means.
  • substituted means that at least one hydrogen in the substituent or the compound is substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, methyl, ethyl, propanyl, butyl, phenyl, biphenyl, naphthyl, anthracenyl, , A triphenylenyl group, a fluorenyl group, a dibenzofuranyl group, or a dibenzothiophenyl group.
  • alkyl group As used herein, unless otherwise defined, the term "alkyl group"
  • the alkyl group may be a " saturated alkyl group " which does not contain any double bonds or triple bonds.
  • the alkyl group may be an alkyl group of C1 to C30. More specifically, the alkyl group is
  • C1 to C20 alkyl group or a C1 to C10 alkyl group means that 1 to 4 carbon atoms are included in the alkyl chain, and includes methyl, ethyl, propyl, iso-propyl,? -Butyl, iso-butyl, sec -butyl and t- Indicating that they are selected from the group.
  • alkyl group examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a nucleus group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, And the like.
  • aryl group refers to a grouping of groups having one or more hydrocarbon aromatic moieties
  • All elements of the hydrocarbon aromatic moiety have a P-orbital, a form in which the p-orbitals form a conjugation, such as a phenyl group, a naphthyl group and the like,
  • a structure in which two or more hydrocarbon aromatic moieties are connected through a sigma bond such as a biphenyl group, a terphenyl group, a quarter-phenyl group,
  • Two or more hydrocarbon aromatic moieties may also include non-aromatic fused rings fused directly or indirectly.
  • the aryl group may be monocyclic, polycyclic or fused ring polycyclic (i. E.
  • heterocyclic group is a superordinate concept including a heteroaryl group, and includes N, O, N, and O substituents in a ring compound such as an aryl group, a cycloalkyl group, a fused ring thereof, Means at least one heteroatom selected from the group consisting of S, P and Si.
  • the heterocyclic group is a fused ring, the heterocyclic group may have one or more heteroatoms in total or in each ring.
  • heteroaryl group means containing at least one heteroatom selected from the group consisting of N, O, S, P and Si in the aryl group. Two or more heteroaryl groups may be directly connected through a sigma bond, or when the heteroaryl group includes two or more rings, two or more rings may be fused together. remind
  • each ring may contain 1 to 3 of the above heteroatoms.
  • heterocyclic group examples include : For example, a pyridinyl group, a pyrimidinyl group, a pyrazinyl group, a pyridazinyl group, a triazinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group and the like.
  • a phenanthrenyl group a substituted or unsubstituted naphthacenyl group, a substituted or unsubstituted pyrenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted P-terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthacenyl group,
  • Substituted or unsubstituted phenanthryl groups substituted or unsubstituted phenothiazyl groups, substituted or unsubstituted phenanthryl groups, substituted or unsubstituted dibenzofuranyl groups, or substituted or unsubstituted dibenzoyl groups, Thiophene group, or a combination thereof, but is not limited thereto.
  • the hole property refers to a property of forming holes by donating electrons when an electric field is applied, and has a conduction property along the HOMO level to inject holes formed in the anode into the light emitting layer, Quot; means a property that facilitates movement of holes formed in the light emitting layer to the anode and migration in the light emitting layer.
  • the electron characteristic refers to a characteristic that electrons can be received when an electric field is applied.
  • the electron characteristic has a conduction characteristic along the LUMO level to inject electrons formed in the cathode into the light emitting layer, move electrons formed in the light emitting layer to the cathode, It is a characteristic that facilitates movement.
  • a composition for an organic optoelectronic device according to an embodiment will be described.
  • composition for an organic optoelectronic device is represented by the following formula (1).
  • a compound for a second organic optoelectronic device represented by the following formula (2).
  • X < 1 > is O or S
  • A represents a substituted or unsubstituted pyridinyl group, a substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, a substituted or unsubstituted triazinyl group, a substituted or unsubstituted benzimidazolyl group, a substituted or unsubstituted pyrazinyl group, a substituted or unsubstituted pyrazinyl group, Or an unsubstituted quinolinyl group, a substituted or unsubstituted isoquinolinyl group, a substituted or unsubstituted quinoxalinyl group, or a substituted or unsubstituted quinazolinyl group,
  • L and Y 1 to Y 3 each independently represent a single bond, a substituted or unsubstituted C6-
  • Z 1 to Z 3 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group,
  • R 1 to R 10 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group,
  • n is an integer of 0 to 2;
  • the "substituted" means that at least one hydrogen is substituted with deuterium, a C1 to C20 alkyl group, a C6 to C30 aryl group, or a C2 to C30 heterocyclic group.
  • the "substituted” means that at least one hydrogen is substituted with deuterium, a C1 to C20 alkyl group, a C6 to C30 aryl group, a dibenzofuranyl group, or a dibenzothiophenyl group.
  • substitution means that at least one hydrogen is replaced by deuterium, A phenyl group, an ortho-biphenyl group, a meta-biphenyl group, a pam-biphenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, a phenanthrenyl group, a triphenylrenyl group, a fluorenyl group,
  • composition for an organic optoelectronic device according to the present invention is driven by using an electron transporting host having an indolodibenzofuran (or indolodibenzothiophene) structure and a hole transporting host having a structure in which two carbazoles are connected together as a phosphorescent material It is possible to manufacture a long-life and high-efficiency organic optoelectronic device while lowering the voltage.
  • the substituent A having an electron characteristic in the above indolodibenzofuran (or indolodibenzothiophene) structure is connected to the dibenzofuran (or dibenzothiophene) moiety so that the carbazole moiety in the N-direction
  • the LUMO of the electron-transporting substituent is extended compared to the connected structure to stabilize the injected electrons, so that the OLED device can be advantageously used as an electron-transporting light emitting host.
  • the formula 1 of the present invention can be represented by the following formulas 1-1, 1-2, 1-3 or 1-4, but is not limited thereto.
  • a in Formula 1 is a substituted or unsubstituted pyridinyl group, a substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, a substituted or unsubstituted triazinyl group, a substituted or unsubstituted quinolinyl group, A substituted or unsubstituted quinoxalinyl group, a substituted or unsubstituted quinazolinyl group, and may be selected from the substituents listed in the following Group I, for example.
  • X 2 is O or S
  • * is a connecting point with L.
  • a in Formula 1 is a substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, a substituted or unsubstituted triazinyl group, a substituted or unsubstituted quinolinyl group, a substituted or unsubstituted isoquinoline Or a substituted or unsubstituted quinazolinyl group. More specifically, A in the above formula (1) may be a substituted or unsubstituted triazinyl group, or a substituted or unsubstituted quinazolinyl group.
  • Z 1 in Formula 1 is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthracenyl group, A substituted or unsubstituted phenanthrenyl group,
  • Z 1 in the formula ( 1) is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenylene group. Or an unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group.
  • Z 1 in the formula (1) may be a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a terphenyl group, an anthracene group, a triphenyl group, a phenanthrenyl group fluorenyl group, a dibenzofuranyl group or a dibenzothiophenyl group.
  • Z 1 in the above formula (1) may be a phenyl group, a biphenyl group or a naphthyl group, but is not limited thereto.
  • L in Formula 1 may be a single bond, a phenylene group, a biphenylene group, or a naphthylene group, and more specifically, may be a single bond or a phenylene group, but is not limited thereto.
  • ⁇ 1 in Formula 1 may be a single bond, a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, or a substituted or unsubstituted naphthylene group, It is not.
  • R 1 to R 4 in Formula 1 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, C 1 to C 4 alkyl, phenyl, naphthyl, biphenyl,
  • it may be hydrogen, deuterium, a phenyl group or a naphthyl group, but is not limited thereto.
  • Y 1 in the formula (1) may specifically be a single bond or a substituted or unsubstituted phenylene group
  • Y 1 in Formula 1 is a single bond, a substituted or unsubstituted para-phenylene group, or a substituted or unsubstituted meta-phenylene group, and Z 1 in Formula 1 is substituted Or an unsubstituted C6 to C30 aryl group.
  • Each of R 1 to R 4 in Formula 1 may be independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C20 heterocyclic group, , A substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group , E.g., R 1 to R 4 are all hydrogen; Any one of R 1 to R 4 may be a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a dibenzofuranyl group or a dibenzothiophenyl group.
  • the compound for the first organic optoelectronic device represented by Formula 1 may be represented by, for example, the following Formula 1-1, wherein X 1 , for example, O or S, The ET group (A) is bonded to exhibit a more excellent effect.
  • X < 1 > is O or S
  • A represents a substituted or unsubstituted pyridinyl group, a substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, a substituted or unsubstituted triazinyl group, a substituted or unsubstituted benzimidazolyl group, a substituted or unsubstituted pyrazinyl group, a substituted or unsubstituted pyrazinyl group, Or an unsubstituted quinolinyl group, a substituted or unsubstituted isoquinolinyl group, a substituted or unsubstituted quinoxalinyl group, or a substituted or unsubstituted quinazolinyl group,
  • L is a single bond or an C6 to C30 arylene group
  • Y 1 is a single bond, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group,
  • Z 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group
  • R 1 to R 4 are each independently hydrogen, deuterium, a C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30
  • Y 1 is a single bond, a C 6 to C 30 arylene group, a dibenzothiophenylene group or a dibenzofuranyl group
  • Z 1 is a C 6 to C 30 aryl group, a dibenzothiopheny group, or a dibenzofuranyl group
  • R 1 to R 4 each independently may be hydrogen, deuterium, a C1 to C4 alkyl group, a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a fluorenyl group, a dibenzofuranyl group or a dibenzothiophenyl group, It is not.
  • a in Formula 1-1 is a substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, a substituted or unsubstituted triazinyl group, or a substituted or unsubstituted Quinazolinyl group.
  • L in Formula 1-1 may be a single bond, a phenylene group, a biphenylene group, or a naphthylene group, more specifically, a single bond or a phenylene group.
  • Y 1 in Formula 1-1 may be a single bond, a phenylene group, a biphenylene group, or a naphthylene group.
  • Z 1 in the above formula (1-1) represents a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a terphenyl group, an anthracenyl group, a triphenyl group, a phenanthrenyl group, a fluorenyl group, a dibenzofuranyl group, Thiophene group. More specifically, a phenyl group, a biphenyl group or a naphthyl group.
  • R 1 to R 4 in Formula 1 are each independently selected from the group consisting of hydrogen, deuterium, C 1 to C 4 alkyl, phenyl, naphthyl, biphenyl, terphenyl, fluorenyl, dibenzofurane, Dibenzothiopheny < / RTI > group,
  • it may be hydrogen, deuterium, a phenyl group or a naphthyl group, but is not limited thereto.
  • substituted or unsubstituted in the formula 1-1 is intended at least one hydrogen is selected from the group consisting of heavy hydrogen, C1 to C4 alkyl groups, C6 to C18 aryl group, a dibenzofuran group, or a dibenzothiophene group .
  • the compound for the first organic optoelectronic device represented by Formula 1 may be selected from compounds listed in the following Group 1, but is not limited thereto. .
  • Z 2 and Z 3 in Formula 2 may each independently be a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group, and examples thereof include a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group , Or a substituted or unsubstituted naphthyl group.
  • * is a connection point with Y 2 and Y 3 , respectively.
  • the above-mentioned formula (2) is one of the structures listed in the above group ⁇ , and * - ⁇ 2 - ⁇ 2 and * - ⁇ 3 - ⁇ 3 are each independently a substituent It can be one.
  • m in formula (2) may be 0 and may be represented, for example, by C-6 or C-8 of the group ⁇ , In an embodiment, Formula 2 may be represented by C-8 of the group ⁇ . In the most specific embodiment of the present invention, the formula (2) is represented by C-8 of the group ⁇ , the -Y 2 -Z 2 and * - ⁇ * 3 - ⁇ 3 is of the group B are each independently ⁇ -1 to B-4.
  • R 5 to R 10 in Formula 2 may each independently be hydrogen, hydrogen, or a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, and more specifically, R 5 To R 10 may each independently be hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted phenyl group, or a substituted or unsubstituted naphthyl group, for example, R 5 to R 10 in Formula 2 are all hydrogen; Any one of R 5 to R 7 in Formula 2 is a phenyl group or a naphthyl group, and R 8 to R 10 are all hydrogen; R 5 to R 7 in Formula 2 are all hydrogen, and any one of R 8 to R 10 in Formula 2 is a phenyl group or a naphthyl group; Or any one of R 5 to R 7 in Formula 2 is a phenyl group or a naphthyl group, and any of R 8 to R 10 in Formula 2 may be a phenyl group or a naphthyl
  • the compound for the second organic optoelectronic device represented by Formula 2 may be selected from compounds listed in the following Group 2, but is not limited thereto.
  • the compound for the second organic optoelectronic device may be used in the light emitting layer together with the compound for the first organic optoelectronic device to increase the mobility of the charge and increase the stability, thereby improving the luminous efficiency and lifetime. Further, the charge mobility can be controlled by adjusting the ratio of the compound for the organic double optic device to the compound for the organic optoelectronic device.
  • a compound for a first organic optoelectronic device and a compound for a second organic optoelectronic device at a weight ratio of about 2: 8: 2, about 3: 7 to 7: 3, about 4: 6 to 6: Can be included in the range of about 3: 7. By including it in the above range, the efficiency and the life can be improved at the same time.
  • composition may further include at least one organic compound in addition to the compound for a first organic optoelectronic device and the compound for a second organic optoelectronic device.
  • the compound for an organic optoelectronic device may further include a dopant.
  • the dopant may be a red, green or blue dopant.
  • the dopant may be a material that emits light due to a trace amount of electrons and may be a material such as a metal complex that emits light by multiple excitation which is excited by a triplet state.
  • the interpolymers may be, for example, inorganic, organic, or organic compounds, and may include one kind or two or more kinds.
  • the dopant examples include a phosphorescent dopant such as Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, And the like.
  • the phosphorescent dopant may be, for example, a compound represented by the following formula (Z), but is not limited thereto.
  • M is a metal
  • L and X are the same or different from each other and are ligands which complex with M.
  • the L may be, for example, Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd, Lt; / RTI >
  • Another embodiment provides a compound for an organic optoelectronic device represented by Formula 1-1 described above.
  • the compound for organic optoelectronic device represented by Formula 1-1 is as described above.
  • the organic optoelectronic device includes an anode and a cathode facing each other, and at least one organic layer positioned between the anode and the cathode, and the organic layer may include the composition for the organic optoelectronic device have.
  • the organic layer includes a light emitting layer, and the light emitting layer may include a composition for an organic optoelectronic device of the present invention.
  • composition for the organic optoelectronic device may be included as a host of the light emitting layer, such as a green host or a red host.
  • the organic layer may include at least one auxiliary layer selected from a light emitting layer and a hole injecting layer, a hole transporting layer, an electron blocking layer, an electron transporting layer, an electron injecting layer and a hole blocking layer, ≪ / RTI > composition.
  • the organic optoelectronic device is not particularly limited as long as it is an element capable of converting electric energy and optical energy.
  • Examples of the organic optoelectronic device include organic light emitting devices, organic solar cells, and organic photoconductor drums.
  • an organic light emitting device 100 includes an anode 120 and a cathode 110 facing each other, and an organic layer 105 disposed between the anode 120 and the cathode 110 .
  • the anode 120 may be made of a conductor having a high work function to facilitate, for example, hole injection, and may be made of, for example, a metal, a metal oxide, and / or a conductive polymer.
  • the anode 120 may be formed of a metal such as nickel, platinum, vanadium, chromium, copper, zinc, gold, or an alloy thereof; zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO)
  • Metal oxides such as indium zinc oxide (IZO); ZnO and Al or Sn (combination of metal and oxide such as 3 ⁇ 4 and Sb; poly (3-methylthiophene),
  • the cathode 110 may be made of a conductor having a low work function, for example, to facilitate electron injection, and may be made of, for example, a metal, a metal oxide, and / or a conductive polymer.
  • the cathode 110 is made of a metal such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, cesium or barium or an alloy thereof; Layer structure materials such as LiF / Al, LiO 2 / Al, LiF / Ca, LiF / Al and BaF 2 / Ca.
  • the organic layer 105 includes the light emitting layer 130 including the compound for the organic optoelectronic device described above.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting device according to another embodiment.
  • the organic light emitting diode 200 includes a light emitting layer 130
  • the hole auxiliary layer 140 can further enhance hole injection and / or hole mobility between the anode 120 and the light emitting layer 130 and block electrons.
  • the hole-assist layer 140 may be, for example, a hole transport layer, a hole injection layer, and / or an electron blocking layer, and may include at least one layer.
  • the organic light emitting devices 100 and 200 may be formed by forming an anode or a cathode on a substrate, and thereafter performing a vacuum evaporation, a sputtering,
  • a dry film forming method such as ion plating; Or a wet film formation method such as spin coating, dipping or flow coating, and then forming a cathode or anode on the organic layer.
  • the organic light emitting device described above can be applied to an organic light emitting display.
  • Synthesis Example 6 Synthesis of Synthetic Intermediate M-6 (Molecular weight: 309.5 g / mol)
  • Comparative Compound 1 was synthesized by referring to the synthetic method disclosed in JP-A-2001-0096593.
  • the glass substrate coated with ITO (Indium tin oxide) thin film with a thickness of 1500 A was washed with distilled water ultrasonic wave. After the distilled water was washed, isopropyl alcohol was ultrasonically washed with a solvent such as acetone or methanol, dried, and transferred to a plasma cleaner. Then, the substrate was cleaned using oxygen plasma for 10 minutes, and the substrate was transferred to a vacuum evaporator.
  • Compound A was vacuum-deposited on the ITO substrate using the ⁇ key transparent electrode as an anode to form a hole injection layer having a thickness of 700 A and a compound B was deposited to a thickness of 50 A on the injection layer. To form a hole transporting layer.
  • Compound A-101 of Synthesis Example 9 and Compound C-1 of Synthesis Example 15 were simultaneously used as a host on the hole transport layer,
  • Tris (2-phenylpyridine) iridium (m) [Ir (ppy) 3 ] was doped with 10 wt%
  • the compounds Al (1) and C-1 were used in a weight ratio of about 3: 7, and the ratios were separately described in the following examples.
  • Compound D and Liq were simultaneously vacuum deposited on the light emitting layer at a ratio of 1: 1 to form an electron transport layer having a thickness of 300 A, Liq l5A and Al 1200A were successively vacuum-deposited on the electron transport layer to form a cathode,
  • the device was fabricated.
  • the organic light emitting device has a structure having five organic thin film layers. Specifically, the organic light emitting device has the following structure.
  • Examples 2 to 4 were fabricated in the same manner as in Example 1, using Compound A-101, Compound A-103, and Compound B-1 (l) Examples 5 to 9
  • Example 5 The devices of Examples 5 to 9 were fabricated in the same manner as in Example 1 using the system 1 host and the second host, respectively, as shown in Table 2 below. Comparative Example 1 and Comparative Example 2
  • Comparative Examples 1 and 2 were fabricated in the same manner as in Example 1 except that each of Comparative Compound 1 and Comparative Compound 2 was used independently as shown in Table 1 below. Comparative Example 3 and Comparative Example 4
  • the current flowing through the unit device was measured using a current-voltmeter (Keithley 2400) while raising the voltage from 0 V to 10 V, and the measured current value was divided by the area to obtain the result.
  • the luminance was measured using a luminance meter (Minolta Cs-1000 A) while increasing the voltage from 0 V to 10 V, and the result was obtained.
  • the current efficiency (cd / A) at the same current density (10 mA / cm 2 ) was calculated using the luminance, current density and voltage measured from the above (1) and (2).
  • the initial luminance (cd / m 2) the elements of a 5000cd / m 2 and time for the manufacture of organic light emitting devices And the time point at which the luminance decreased to 90% of the initial luminance was measured as the T90 lifetime.

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Abstract

제 1 유기 광전자 소자용 화합물; 그리고 제2 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자용 조성물, 및 이를 적용한 유기 광전자 소자와 표시 장치에 관한 것이다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
유기 광전자 소자용 조성물， 유기 광전자 소자 및 표시 장치
【기술분야】
유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
【배경기술】
유기 광전자 소자 (organic optoelectronic diode)는 전기 에너지와 광 에너지유기 광전자 소자 (organic optoelectronic diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.
유기 광전자 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 엑시톤 (exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 상기 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압 또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자， 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중, 유기 발광 소자 (organic light emitting diode, OLED)는 근래 평판 표시 장치 (flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목받고 있다. 상기 유기 발광 소자는 유기 발광 재료에 전류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 통상 양극 (anode)과 음극 (cathode) 사이에 유기 층이 삽입된 구조로
이루어져 있다. 여기서 유기 층은 발광층과 선택적으로 보조층을 포함할 수 있으며， 상기 보조층은 예컨대 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위한 정공 주입 층, 정공 수송 층， 전자 차단 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층 및 정공 차단 층에서 선택된 적어도 1층을 포함할 수 있다.
유기 발광 소자의 성능은 상기 유기 층의 특성에 의해 영향을 많이 받으며, 그 중에서도 상기 유기 층에 포함된 유기 재료에 의해 영향을 많이 받는다.
특히 상기 유기 발굉: 소자가 대형 평판 표시 장치에 적용되기 위해서는 정공 및 전자의 이동성을 높이는 동시에 전기화학적 안정성을 높일 수 있는 유기 재료의 개발이 필요하다. 【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제]
일 구현예는 고효율 및 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있는 유기 광전자 소자용 조성물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다. 또 다른 구현예는 유기 광전자 소자용 화합물을 제공한다.
【기술적 해결방법】
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 계 1 유기 광전자 소자용 화합물; 그리고 하기 화학식 2로 표현되는 게 2 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자용 조성물을 제공한다.
1] [화학식 2]
Figure imgf000004_0001
상기 화학식 1 및 화학식 2에서
X1은 O 또는 S이고,
A는 치환 또는 비치환된 피리디닐기， 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기， 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기 , 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기이고,
L 및 Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 단일결합, 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고,
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고，
R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지
C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,
m은 0 내지 2의 정수 중 하나이다.
다른 구현예에 따르면, 서로 마주하는 양극과 음극, 그리고 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고， 상기 유기층은 전술한 유기 광전자 소자용 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면 유기 광전자 소자용 화합물을 제공한다. 【유리한 효과】
고효율 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1 및 도 2는 각각 독립적으로 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도이다.
【발명의 실시를 위한 최선의 형태】
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환 "이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소， 할로겐기， 히드록실기, 아미노기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기， 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기， C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기， C6 내지 C30 아릴실릴기， C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기， C2 내지 C30 헤테로아릴기， C1 내지 C20 알콕시기， C1 내지 C10 트리플루오로알킬기, 시아노기， 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 일 예에서，"치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소， C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C6 내지 C30 아릴실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기， C6 내지 C30 아릴기， C2 내지 C30 헤테로고리기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적안 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소， C1 내지 C20 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C2 내지 C30
헤테로고리기로 치환된 것을 의미한다. 또한， 본 발명의 구체적인 일 예에서,
"치환 "은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C5 알킬기, C6 내지 C18 아릴기， 디벤조퓨란일기, 디벤조티오펜일기 또는 카바졸일기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C5 알킬기, C6 내지 C18 아릴기, 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다. 또한， 본 발명의 구체적인 일 예에서，"치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소， 메틸기, 에틸기， 프로판일기, 부틸기, 페닐기, 바이페닐기， 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기， 트리페닐레닐기， 플루오레닐기, 디벤조퓨란일기， 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한， 하나의 작용기 내에 Ν, Ο, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬 (alkyl)기"이란 별도의 정의가 없는 한, 지방족
탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼증결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬 (saturated alkyl)기 "일 수 있다.
상기 알킬기는 C1 내지 C30인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는
C1 내지 C20 알킬기 또는 C1 내지 C10 알킬기일 수도 있다. 예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며, 메틸, 에틸， 프로필， 이소-프로필 , η-부틸， 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기， 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기， 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 핵실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기， 시클로펜틸기, 시클로핵실기 등을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴 (aryl)기"는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 총괄하는 개념으로서，
탄화수소 방향족 모이어티의 모든 원소가 P-오비탈을 가지면서, 이들 p-오비탈이 공액 (conjugation)을 형성하고 있는 형태, 예컨대 페닐기, 나프틸기 등을 포함하고，
2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 시그마 결합을 통하여 연결된 형태, 예컨대 바이페닐기， 터페닐기, 쿼터페닐기 등을 포함하며,
2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합 고리도 포함할 수 있다. 예컨대, 플루오레닐기 등을 들 수 있다. 아릴기는 모노시클릭, 폴리시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭 (즉,
탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 "헤테로고리기 (heterocyclic group)"는 헤테로아릴기를 포함하는 상위 개념으로서, 아릴기, 시클로알킬기， 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 탄소 (C) 대신 N, 0, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 ᅳ 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다.
일 예로 "헤테로아릴 (heteroaryl)기 "는 아릴기 내에 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 2 이상의 헤테로아릴기는 시그마 결합을 통하여 직접 연결되거나, 상기 헤테로아릴기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기
헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
상기 헤테로고리기는 구체적인 예를.들어, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 /또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는， 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된
페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기， 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 P-터페닐기， 치환 또는
비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 0-터페닐기, 치환 또는 비치환된
크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 인데닐기， 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기， 치환 또는 비치환된 피를릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기， 치환 또는 비치환된 티아졸일기， 치환 또는비치환된 옥사디아졸일기， 치환 또는 비치환된
티아디아졸일기, 치환또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기， 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기， 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기， 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기， 치환 또는 비치환된
아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합일 수 있으나， 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서, 정공 특성이란, 전기장 (electric field)을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성을 말하는 것으로 , HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극.에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란， 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입， 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다. 이하 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 조성물을 설명한다.
일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 조성물은 하기 화학식 1로 표현되는 거 11 유기 광전자 소자용 화합물; 그리고 하기 화학식 2로 표현되는 제 2 유기 광전자 소자용 화합물을 포함할 수 있다. 화학식 1] [화학식 2]
Figure imgf000009_0001
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
X1은 0 또는 S이고,
A는 치환또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기 , 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기， 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기이고,
L 및 Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 단일결합， 치환 또는 비치환된 C6 내지
C30 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고,
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,
R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고，
m은 0 내지 2의 정수 중 하나이다.
상기 화학식 1 및 화학식 2의 "치환"이란， 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C20 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C2 내지 C30 헤테로고리기로 치환된 것을 의미한다. 본 발명의 구체적인 일예에서， 상기 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C20 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 디벤조퓨란일기， 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 일 예에서, 상기 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소, 페닐기， ortho-바이페닐기， meta-바이페닐기, pam-바이페닐기, 나프틸기， 안트라세닐기 , 페난트레닐기, 트리페닐레닐기, 플루오레닐기， 디벤조퓨란일기, 또는
디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다.
본 발명에 따른 유기 광전자 소자용 조성물은 인돌로디벤조퓨란 (또는 인돌로디벤조티오펜) 구조를 갖는 전자 수송성 호스트와 2개의 카바졸이 연결된 구조를 갖는 정공 수송성 호스트를 함께 인광 발광 물질로 사용함으로써 구동 전압을 저하시킴과 동시에 장수명 및 고효율 유기 광전자 소자를 제작할 수 있다. 특히 , 상기 인돌로디벤조퓨란 (또는 인돌로디벤조티오펜) 구조에서 전자 특성을 갖는 치환기 A가 디벤조퓨란 (또는 디벤조티오펜) 모이어티 방향에 연결됨으로써, 카바졸 모이어티의 N-방향에 연결된 구조 대비 전자 수송성 치환기의 LUMO가 확장되어 주입된 전자를 보다 안정화 시켜 OLED 소자에서 전자수송성 발광 호스트로 적용할 경우 저구동， 장수명의 유리한 효과를 기대할 수 있다.
예컨대, 본 발명의 화학식 1은 하기 화학식 1-1, 화학식 1-2, 화학식 1-3 또는 화학식 1_4로 표현될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
-1] [화학식 I-2]
Figure imgf000010_0001
상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-4에서 X1, A, L, Y1, Z1 및 R1 내지 R4은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 화학식 1의 A는 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기일 수 있고， 예컨대 하기 그룹 I에 나열된 치환기에서 선택될 수 있다.
[그룹 I ]
Figure imgf000011_0001
Figure imgf000012_0001
상기 그룹 I에서, X2는 O 또는 S이고, *는 L과의 연결 지점이다.
본 발명의 구체적인 일 실시예에서, 상기 화학식 1의 A는 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기， 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기일 수 있고， 더욱 구체적으로, 상기 화학식 1의 A는 치환 또는 비치환된 트리아지닐기， 또는 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 화학식 1의 Z1은 치환 또는 비치환된 페닐기 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기 , 치환 또는 비치환된 페난트레닐기， 치환 또는 비치환된
트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된
디벤조퓨란일기 또는 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있고, 구체적으로 상기 화학식 1의 Z1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기일 수 있다. 보다 구체적으로 상기 화학식 1의 Z1은 페닐기， 비페닐기, 나프틸기, 터페닐기, 안트라센일기, 트리펜일기, 펜난트렌일기 플루오렌일기, 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기일 수 있다. 보다 더
구체적으로 상기 화학식 1의 Z1은 페닐기 , 비페닐기 또는 나프틸기 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 화학식 1의 L은 단일결합, 페닐렌기, 비페닐렌기, 또는 나프틸렌기 일 수 있으며, 보다 구체적으로 단일결합 또는 페닐렌기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 화학식 1의 γ1은 단일결합， 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 화학식 1의 R1 내지 R4은 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1 내지 C4 알킬기， 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 터페닐기,
플루오렌일기, 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기일 수 있으며, 보다
구체적으로 수소, 중수소, 페닐기 또는 나프틸기 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 상기 화학식 1의 Y1은 구체적으로 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기일 수 있으며，
본 발명의 가장 구체적인 일 실시예에서, 상기 화학식 1의 Y1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 para-페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 meta-페닐렌기이고, 상기 화학식 1의 Z1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기일 수 있다. 또한, 상기 화학식 1의 R1 내지 R4는 각각 독립적으로， 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기， 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기일 수 있고， 구체적으로, 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있으며， 예컨대 R1 내지 R4가 모두 수소이거나; R1 내지 R4 중 어느 하나가 페닐기, 바이페닐기, 나프틸기， 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기일 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 예컨대 하기 화학식 1-1로 표시될 수 있으며 X1, 예컨대 O 또는 S 의 ortho 위치에 전자수송기인 ET기 (A)가 결합됨으로서 보다 우수한 효과를 나타낼 수 있다.
[ 1-1]
Figure imgf000014_0001
상기 화학식 1-1에서
X1은 O 또는 S이고,
A는 치환 또는 비치환된 피리디닐기， 치환 또는 비치환된 피리미디닐기， 치환 또는 비치환된 트리아지닐기， 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기， 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기이고,
L은 단일결합 또는 C6 내지 C30의 아릴렌기이고，
Y1은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고,
Z1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고，
R1 내지 R4은 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30
헤테로고리기이다.
예컨대, 상기 Y1은 단일결합, C6 내지 C30 아릴렌기， 디벤조티오펜일기 또는 디벤조퓨란일기이고， 상기 Z1은 C6 내지 C30 아릴기， 디벤조티오펜일기， 또는 디벤조퓨란일기이고, 상기 R1 내지 R4은 각각 독립적으로 수소, 중수소， C1 내지 C4 알킬기, 페닐기, 나프틸기, 비페닐기, 터페닐기, 플루오렌일기, 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기일 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 화학식 1-1의 A는 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기 또는 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서， 상기 화학식 1-1의 L은 단일결합, 페닐렌기, 비페닐렌기, 또는 나프틸렌기 일 수 있으며, 보다 구체적으로 단일결합 또는 페닐렌기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 화학식 1-1의 Y1은 단일결합， 페닐렌기， 비페닐렌기, 또는 나프틸렌기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서， 상기 화학식 1-1의 Z1은 페닐기， 비페닐기， 나프틸기, 터페닐기， 안트라센일기, 트리펜일기, 펜난트렌일기, 플루오렌일기, 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기일 수 있다. 보다 구체적으로 페닐기, 비페닐기 또는 나프틸기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 화학식 1의 R1 내지 R4은 각각 독립적으로 수소， 중수소, C1 내지 C4 알킬기, 페닐기， 나프틸기， 비페닐기, 터페닐기, 플루오렌일기， 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기일 수 있으며, 보다
구체적으로 수소, 중수소, 페닐기 또는 나프틸기 일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대， 상기 화학식 1-1에서 치환 또는 비치환된의 "치환 "은 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C4 알킬기， C6 내지 C18 아릴기, 디벤조퓨란일기 '또는 디벤조티오펜일기 중에서 선택된 것일 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 제 1 유기 광전자 소자용 화합물은 예컨대 하기 그룹 1에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. .
[그룹 1]
[A-1] [A-2] [A-3] [A-4]
Figure imgf000015_0001
Figure imgf000016_0001
08SZ.00/8T0ZaM/X3d 88 I0/6I0Z OAV
Figure imgf000017_0001
-V] [ss-v] 1>ς-ν] [ες-ν]
οτ
Figure imgf000017_0002
[017-V] [6£-V] [8£-V] [li-y]
Figure imgf000017_0003
5T
SZ.00/8T0ZaM/X3d 88 I0/6I0Z OAV
Figure imgf000018_0001
91
SZ.00/8T0ZaM/X3d 88 I0/6I0Z OAV
Figure imgf000019_0001
[WH-V] [εοΐ-ν] [而 -v] [KH-V]
Figure imgf000019_0002
I 8-V] [£8-V] [18-V]
ZT SZ.00/8T0ZaM/X3d 88 I0/6I0Z OAV
Figure imgf000020_0001
νϋ: _sVJ--
Figure imgf000021_0001
//:/ O8SSMl><i6ϊοζAV
Figure imgf000022_0001
1V:- _:98ΐν81¥5 ---
Figure imgf000023_0001
[17-e] . [ε-el 2-el Li-e]
Figure imgf000023_0002
-Vl [ίΟΖ-Ύ] -V] -γ]
Figure imgf000023_0003
-Y] uos-v]
Figure imgf000023_0004
[ -V] [661-V] [861-V] [/.61-V]
Figure imgf000023_0005
[961-V] [561-V] [ 61'Y] [£6l
Figure imgf000023_0006
[乙 61-V] [I6I-V] [06I-V] [681-V]
IZ
08SZ.00/8T0ZaM/X3d 88 I0/6I0Z OAV
Figure imgf000024_0001
L
889¾£--
Figure imgf000025_0001

Figure imgf000026_0001
Figure imgf000026_0002
Figure imgf000027_0001
//:/ O8SSMl><i6ϊοζAV
【寸 πώ
Figure imgf000028_0001
o
//:/ O8SSMl><i6ϊοζAV
Figure imgf000029_0001
LO
//:/ O8SSMl><i6ϊοζAV
Figure imgf000030_0001
£ 8Ia---
Figure imgf000031_0001
상기 화학식 2의 Z2 및 Z3은 각각 독립적으로， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기일 수 있고, 예컨대 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 화학식 2의 m은 0 또는 1의 정수일 수 있고, 예컨대 상기 화학식 2는 하기 그룹 Π에 나열된 구조에서 선택될 수 있다.
그룹 Π ]
Figure imgf000032_0001
상기 그룹 Π에서, *은 각각 Y2 및 Y3와의 연결 지점이다.
본 발명의 구체적인 일 실시예에서, 상기 화학식 2는 상기 그룹 Π에 나열된 구조 중 하나이고, 상기 *-γ2-ζ2 및 *-γ3-ζ3는 각각 독립적으로 하기 그룹 m에 나열된 치환기 중 하나일 수 있다.
그룹 m]
Figure imgf000032_0002
상기 그룹 m에서, *은 카바졸의 N과 연결되는 지점이다.
본 발명의 더욱 구체적인 일 실시예에서, 상기 화학식 2의 m은 0일 수 있고 예컨대, 상기 그룹 Π의 C-6 또는 C-8로 표현될 수 있으며， 가장 구체적인 일 실시예에서， 상기 화학식 2는 상기 그룹 Π의 C-8로 표현될 수 있다. 본 발명의 가장 구체적인 일 실시예에서， 상기 화학식 2는 상기 그룹 Π의 C-8로 표현되고, 상기 *-Y2-Z2 및 *-Υ3-Ζ3는 각각 독립적으로 상기 그룹 ΠΙ의 B-1 내지 B-4로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
한편， 본 발명의 일 실시예에서 상기 화학식 2의 R5 내지 R10은 각각 독립적으로, 수소, 증수소, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기일 수 있고 더욱 구체적으로 상기 화학식 2의 R5 내지 R10은 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 페닐기， 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기일 수 있으며, 예컨대， 상기 화학식 2의 R5 내지 R10은 모두 수소이거나; 상기 화학식 2의 R5 내지 R7 중 어느 하나가 페닐기 또는 나프틸기이고， R8 내지 R10은 모두 수소이거나; 상기 화학식 2의 R5 내지 R7은 모두 수소이고 상기 화학식 2의 R8 내지 R10 중 어느 하나가 페닐기 또는 나프틸기이거나; 또는 상기 화학식 2의 R5 내지 R7 중 어느 하나가 페닐기 또는 나프틸기이고， 상기 화학식 2의 R8 내지 R10 중 어느 하나가 페닐기 또는 나프틸기일 수 있다.
상기 화학식 2로 표현되는 제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 예컨대 하기 그룹 2에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 2]
-2] [C-3] [C-4]
Figure imgf000033_0001
[C-9]
Figure imgf000034_0001
[C-33] [C-34] [C-35] [C-36]
Figure imgf000035_0001
[C-37] -38] [C-39] [C-40]
[C-53] [C-54] [C-55] -56]
Figure imgf000035_0002
상기 제 2 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 제 1 유기 광전자 소자용 화합물과 함께 발광층에 사용되어 전하의 이동성을 높이고 안정성을 높임으로써 발광 효율 및 수명 특성을 개선시킬 수 있다. 또한 상기 게 2 유기 광전자 소자용 화합물과 상기 게 1 유기 광전자 소자용 화합물의 비율을 조절함으로써 전하의 이동성을 조절할 수 있다.
예컨대 약 1 :9 내지 9:1의 중량비로 포함될 수 있고, 구체적으로 약 2:8 내지 8:2, 약 3:7 내지 7:3, 약 4:6 내지 6:4， 그리고 약 5:5의 중량비로 포함될 수 있으며, 예컨대 제 1 유기 광전자 소자용 화합물 및 제 2 유기 광전자 소자용 화합물이 약 3:7의 범위로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 효율과 수명을 동시에 개선할 수 있다.
상기 조성물은 전술한 제 1 유기 광전자 소자용 화합물과 게 2 유기 광전자 소자용 화합물 외에 1종 이상의 유기 화합물을 더 포함할 수 있다.
상기 유기 광전자 소자용 화합물은 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 도펀트는 적색, 녹색 또는 청색의 도펀트일 수 있다.
상기 도펀트는 미량 흔합되어 발광을 일으키는 물질로, 일반적으로 삼중항 상태 이상으로 여기시키는 다중항 여기 (multiple excitation)에 의해 발광하는 금속 착체 (metal complex)와 같은 물질이 사용될 수 있다. 상기 도편트는 예컨대 무기, 유기, 유무기 화합물일 수 있으며 , 1종 또는 2종 이상 포함될 수 있다.
상기 도펀트의 일 예로 인광 도편트를 들 수 있으며, 인광 도편트의 예로는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd또는 이들의 조합을 포함하는 유기 금속화합물을 들 수 있다. 상기 인광 도펀트는 예컨대 하기 화학식 Z로 표현되는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 Z]
L2MX
상기 화학식 Z에서 , Μ은 금속이고， L 및 X는 서로 같거나 다르며 Μ과 착화합물을 형성하는 리간드이다.
상기 Μ은 예컨대 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd 또는 이들의 조합일 수 있고, 상기 L 및 X는 예컨대 바이덴테이트 리간드일 수 있다. 또 다른 구현예는 전술한 화학식 1-1로 표시되는 유기 광전자 소자용 화합물을 제공한다. 상기 화학식 1-1로 표시되는 유기 광전자 소자용 화합물에 대해서는 전술한 바와 같다.
이하 전술한 유기 광전자 소자용 조성물을 적용한 유기 광전자 소자를 설명한다.
또 다른 구현예에 따른 유기 광전자 소자는 서로 마주하는 양극과 음극， 그리고 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고， 상기 유기층은 전술한 유기 광전자 소자용 조성물을 포함할 수 있다. 일 예로 상기 유기층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 본 발명의 유기 광전자 소자용 조성물을 포함할 수 있다.
. 구체적으로, 상기 유기 광전자 소자용 조성물은 상기 발광층의 호스트, 예컨대 그린 호스트 또는 레드 호스트로서 포함될 수 있다.
또한, 상기 유기층은 발광층, 및 정공주입층， 정공수송¾， 전자차단층, 전자수송층, 전자주입층 및 정공차단층에서 선택된 적어도 하나의 보조층을 포함하고， 상기 보조층은 상기 유기 광전자 소자용 조성물을 포함할 수 있다.
상기 유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자, 유기 발광 소자， 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다.
여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 도면을 참고하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광 소자 (100)는 서로 마주하는 양극 (120)과 음극 (110)， 그리고 양극 (120)과 음극 (110) 사이에 위치하는 유기층 (105)을 포함한다.
양극 (120)은 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며， 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극 (120)은 예컨대 니켈， 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연， 금과 같은 금속 또는 이들의 합금;아연산화물， 인듐산화물, 인듐주석산화물 (ITO),
인듐아연산화물 (IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 A1 또는 Sn(¾와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3-메틸티오펜),
폴리 (3，4- (에틸렌 -I,2-디옥시)티오펜 Xpolyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피를 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 음극 (110)은 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 음극 (110)은 예컨대 마그네슘, 칼슘, 나트륨， 칼륨， 타이타늄, 인듐, 이트륨， 리튬, 가돌리늄， 알루미늄， 은， 주석, 납, 세슘, 바륨 둥과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, Li02/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 유기층 (105)은 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 발광층 (130)을 포함한다.
도 2는 다른 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다.
도 2를 참고하면， 유기 발광 소자 (200)는 발광층 (130) 외에 정공
보조층 (140)을 더 포함한다. 정공 보조층 (140)은 양극 (120)과 발광층 (130)사이의 정공 주입 및 /또는 정공 이동성을 더욱 높이고 전자를 차단할 수 있다. 정공 보조층 (140)은 예컨대 정공 수송층, 정공 주입층 및 /또는 전자 차단층일 수 있으며, 적어도 1층을 포함할 수 있다.
도 1 또는 도 2의 유기층 (105)은 도시하지는 않았지만， 전자주입층, 전자수송층, 전자수송보조층， 정공수송층， 정공수송보조층, 정공주입층 또는 이들의 조합층을 추가로 더 포함할 수 있다. 본 발명의 유기 광전자 소자용 화합물은 이들 유기층에 포함될 수 있다. 유기 발광 소자 (100， 200)는 기판 위에 양극 또는 음극을 형성한 후， 진공증착법 (evaporation), 스퍼터링 (sputtering), 플라즈마 도금 및
이온도금과 같은 건식성막법 ; 또는 스핀코팅 (spin coating), 침지법 (dipping), 유동코팅법 (flow coating)과 같은 습식성막법 등으로 유기층을 형성한 후， 그 위에 음극 또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.
전술한 유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.
【발명의 실시를 위한 형태】
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며， 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
이하, 실시예 및 합성예에서 사용된 출발물질 및 반웅물질은 특별한 언급이 없는 한, Sigma-Aldrich 社 또는 TCI社에서 구입하였거나， 공지된 방법을 통해 합성하였다.
(유기 광전자소자용화합물의 제조)
본 발명의 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 화합물을 하기 단계를 통해 합성하였다.
(제 1 유기 광전자소자용화합물) 합성예 1 : 합성 중간체 M-1의 합성
반웅식 1
Figure imgf000039_0001
등근 바닥 플라스크에 4-디벤조퓨란보론산 20g(94.3mmol),
2-브로모니트로 -벤젠 19.05g (94.3mmol)을 넣고 를루엔 (313ml)을 가하여 용해시킨 후 탄산칼륨 19.5g (141.5mmol)을 녹인 수용액 117ml를 첨가시키고 교반하였다. 여기에 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 1.09g(0.94mmol)을 가한 후 질소분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반웅 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-1을 25.4g (수율 93%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 289.07g/mol, 측정치： M+1 = 290.16g/mol) 합성예 2： 합성 중간체 M-2의 합성
반웅식 2
Figure imgf000039_0002
등근 바닥 플라스크에 중간체 M-1 25g(86.4mmol), 트리페닐포스핀 45.3g (173mmol)을 넣고 디클로로벤젠 (260ml)을 가하여 용해시킨 후 질소 분위기 하에서 24시간 동안 170°C로 교반하였다. 반웅 종료 후 를루엔과 증류수로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-2를 16.7g (수율 75%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 257.08g/mol, 측정치： M+1 = 258.2 lg/mol)
NaOtBu：
Toluene, reflux
Figure imgf000040_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-2 16g(62.2mmol)과 브로모벤젠 14.6g(93.3mmol), 소디움 t-부록사이드 9.0g(93.3mmol)을 넣고 를루엔 190 ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 1.07g (1.87mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀 1.13g(5.60mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반 시킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조， 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (8:2 부피비)으로 실리카 겔 컬럼
크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 M-3을 17.6g (수율 85%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 333.12g/mol, 측정치: M+1 = 334.16g/mol) 4： 합성 중간체 M-4의 합성
Figure imgf000040_0002
가열 감압 건조한 등근 바닥 플라스크에 M-3 21.1g(63.3mmol)을 넣고 무수 테트라하이드로퓨란 (190ml)을 가하여 용해시키고 -20°C로 냉각한 후 질소분위기 하에서 교반하였다. 여기에 2.5M n-부틸리튬 노르말 핵산 용액 31ml(76mmol)을 천천히 가한 후 상온, 질소분위기 하에서 6시간 동안 교반하였다. 반웅액을 -20°C로 냉각하고 여기에 트리이소프로필보레이트 14.3g(76mmol)을 천천히 가한 후 상은， 질소분위기 하에서 6시간 동안 교반하였다. 반웅액을 0°C로 냉각하고 여기에 소량의 증류수를 가하여 반응을 종료시킨 후 2.0M 염산 수용액 114ml를 가하고
디에틸에테르로 추출 후 추출액을 마그네슘 설페이트로 건조 및 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 잔사를 아세톤에 녹인 후 n-핵산을 가하여 재결정하였다. 생성된 고체를 감압 여과하여 목적 화합물인 증간체 M-4를 .Og (수율 71%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 37그 12g/mol, 측정치: M+1 = 378.15g/mol) 합성예 5： 합성 중간체 M-5의 합성
반웅식 5
Figure imgf000041_0001
합성예 1에서 4-디벤조퓨란 보론산 대신 4-디벤조티오펜보론산
21.5g(94.3mmol)을 사용하여 동일한 방법으로 중간체 M-5를 27.4g (수율 95%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 305.05g/mol, 측정치： M+1 = 306.29g/mol) 합성예 6 : 합성 중간체 M-6의 합성
반웅식 6
Figure imgf000041_0002
W-5 ' Μ- '
합성예 2에서 중간체 M-1 대신 중간체 Μ-5를 26.4g(86.4mmol) 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 중간체 M-6을 17.5g (수율 74%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 273.06^1끄01， 측정치: M+1 = 274.19g/mol) 합성예 7 : 합성 중간체 M-7의 합성
Figure imgf000042_0001
합성예 3에서 중간체 Μ-2 대신 중간체 M-6 17g(62.2mmol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 M-7을 18g (수율 83%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 349.09g/mol, 측정치： M+1 = 350.13g/mol) 합성예 8： 합성 중간체 M-8의 합성
반웅식 8
Figure imgf000042_0002
M-7
합성예 4에서 중간체 M-3 대신 중간체 M-7 22.1g(63.3mmol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 중간체 M-8을 18.4g (수율 74%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 393.10g/mol, 측정치: M+1 = 394.21g/mol) 합성예 9: 화합물 A-1이의 합성
반웅식 9
Figure imgf000042_0003
등근 바닥 플라스크에 중간체 M-4 10g(26.5mmol), 증간체 M-9 7.1g (26.5mmol)을 넣고 테트라하이드로퓨란 (133ml)을 가하여 용해시킨 후 탄산칼륨 5.5g (39.8mmol)을 녹인 수용액 55ml를 첨가시키고 교반하였다. 여기에
테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 으 31g(0.265mmol)을 가한 후 질소분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반웅 종료 .후 반웅물을 여과하고 증류수로
세척하였다. 생성물을 자일렌에 녹여 실리카겔 패드에 여과한 후 여과액을 감압 농축하고 자일렌에 재결정하여 목적 화합물인 A-101을 13.8g (수율 92%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 564.20g/mol, 측정치： M+1 = 565.16g/mol) 합성예 10： 화합물의 A-103 합성
반웅식 10
Figure imgf000043_0001
합성예 9에서 중간체 M-9 대신 중간체 M-9 9.1g(26.5mmol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 A-103을 15.1g (수율 89%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 640.23g/mol, 측정치： M+1 = 641.41g/mol) 합성예 11： 화합물의 A-153 합성
Figure imgf000043_0002
합성예 9에서 중간체 M-9 대신 중간체 M-11 10.3g(26.5mmol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 A-183을 15.3g (수율 90%)을 수득하였다. LC-Mass (이론치： 640.23g/mol, 즉정치： M+1 = 641.3 lg/mol) 합성예 12 : 화합물의 A-183 합성
반웅식 12
Figure imgf000044_0001
M-4, 합성예 9에서 중간체 M-9 대신 중간체 M-12 8.4g(26.5mmol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 A-183을 15.0g (수율 92%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 613.22g/mol, 측정치: M+1 = 614.39g/mol) 합성예 13 : 화합물의 B-101 합성
Figure imgf000044_0002
합성예 9에서 중간체 M-4 대신 중간체 M-8 10.4g(26.5mmol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 B-l()l을 14.2g (수율 92%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 580.17g/mol, 측정치: M+1 = 581.5 lg/mol)
Figure imgf000044_0003
합성예 9에서 중간체 M-4 대신 중간체 M-8 10.4g(26.5mmol)을 사용하고 중간체 M-9 대신 중간체 M-13 6.4g(26.5mmol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 B-181을 12.8g (수율 90%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치 : 53그 18g/mol, 측정치: M+1 = 538.3 lg/mol) 비교 합성예 1: 비교 화합물 1의 합성
[비교화합물 1]
Figure imgf000045_0001
비교 화합물 1의 합성
공개공보 KR2015-0096593에 기재된 합성법을 참고하여 비교화합물 1을 합성하였다.
Figure imgf000045_0002
등근 바닥 플라스크에 소디움하이드라이드 0.48g(20.0mmol),
디메틸포름아미드 (100ml)을 넣고 상온에서 질소 하에 교반한다. 여기에 중간체 M-2 5.1g(20.0mmol)를 넣고 상온에서 30분간 교반한다. 여기에 중간체 M-9 5.4g
(20.0mmol)을 추가로 넣고 80°C에서 12시간 동안 교반하였다. 반웅 종료 후 0°C에서 반웅물에 메탄올과 증류수를 넣고 교반한 후 반웅물을 여과하고 증류수로
세척하였다. 생성물을 자일렌에 녹여 실리카겔 패드에 여과한 후 여과액을 감압 농축하고 자일렌에 재결정하여 목적 화합물인 비교화합물 2를 8.3g (수율 85%)을 수득하였다. LC-Mass (이론치： 488.16g/mol, 즉정치： M+1 =^ 489.32g/mol)
(제 2 유기 광전자소자용화합물의 합성)
합성예 15 : 화합물 C-1의 합성
15
Figure imgf000046_0001
등근바닥플라스크에 중간체 M-13 12.7g(31.1mmol)과 브로모벤젠
7.3g(46.6mmol), 소디움 t-부록사이드 4.5g(46.6mmol)을 넣고 를루엔 190 ml을 가하여 용해 시켰다. 여기에 Pd(dba)2 0.54g (0.94mmol)과 트리-터셔리 -부틸포스핀
0.57g(2.8mmol)을 차례로 넣은 후 질소 분위기 하에서 12시간 동안 환류 교반시킨다. 반웅 종료 를루엔과 증류수로 추출 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-핵산 /디클로로메탄 (7:3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 C-1을 13.6g (수율 90%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 484.19g/mol, 측정치： M+1 = 485.24g/mol) 합성예 16： 화합물 C-2의 합성
Figure imgf000046_0002
합성예 15에서 브로모벤젠 대신 4-bromobenzene 10.9g(46.6mmol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 C-2을 15.9g (수율 91%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 560.23g/mol, 측정치： M+1 = 561.49g/mol) 17： 화합물 C-10의 합성
Figure imgf000047_0001
합성예 15에서 중간체 M-13 대신 중간체 M-14 15.1g(31.1mmol), 브로모벤젠 대신 4-bromobenzene 10.9g(46.6mmol)을 사용하여 동일한 방법으로 목적 화합물인 C-10을 17.6g (수율 89%)을 수득하였다.
LC-Mass (이론치： 636.26g/mol, 측정치： M+1 = 637.5 lg/mol) (유기 발광소자의 제작)
실시예 1
ITO (Indium tin oxide)가 1500 A 두께로 박막 코팅된.유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코을, 아세톤， 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ΠΌ 투명 전극을 양극으로 사용하여 ITO 기판 상부에 화합물 A을 진공 증착하여 700A 두께의 정공 주입층을 형성하고 상기 주입층 상부에 화합물 B를 50A의 두께로 증착한 후， 화합물 C를 1020A의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 정공수송층 상부에 합성예 9의 화합물 A-101 및 합성예 15의 화합물 C-1을 동시에 호스트로 사용하고 도판트로
트리스 (2-페닐피리딘)이리듐 (m) [Ir(ppy)3]를 10wt%로 도핑하여 진공 증착으로 400A 두께의 발광충을 형성하였다. 여기서 화합물 A-l()l과 화합물 C-1은 약 3:7 중량비로 사용되었으며, 하기 실시예의 경우 별도로 비율을 기술하였다. 이어서 상기 발광층 상부에 화합물 D와 Liq를 동시에 1 : 1 비율로 진공 증착하여 300 A 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 Liq l5A과 Al 1200A을 순차적으로 진공 증착 하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다. 상기 유기발광소자는 5층의 유기 박막층을 가지는 구조로 되어 있으며, 구체적으로 다음과 같다.
ITO/화합물 A(700A)/화합물 B(50A)/화합물 C(1020A)/EML [화합물
A-101 :C-l :Ir(ppy)3 =
27wt%:63wt%:10wt%](400A)/화합물 D:Liq(300A)/Liq(l5A?)/Al(12^ 구조로 제작하였다.
화합물 A:
N4,N4'-diphenyl-N4,N4'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine
화합물 B: 1 ,4,5,8,9, 11 -hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT-CN),
화합물
C:N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluoren-2-amin e
화합물 D: 8-(4-(4,6-di(naphthalen-2-yl)-l,3,5-triazin-2-yl)phenyl)quinoline 실시예 2 내지 실시예 4
하기 표 1에 기재된 바와 같이 화합물 A-101, 화합물 A-103, 화합물 B-l()l을 각각 단독으로사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 실시예 2 내지 실시예 4의 소자를 제작하였다. 실시예 5 내지 실시예 9
하기 표 2에 기재된 바와 같이 계 1 호스트 및 제 2 호스트를 각각 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 실시예 5 내지 실시예 9의 소자를 제작하였다. 비교예 1 및 비교예 2
하기 표 1에 기재된 바와 같이 비교 화합물 1， 비교 화합물 2를 각각 단독으로사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 1 및 비교예 2의 소자를 제작하였다. 비교예 3 및 비교예 4
하기 표 2에 기재된 바와 같이 실시예 1에서 화합물 A-101 대신 비교 화합물
1 내지 비교 화합물 2를 각각 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 3 및 비교예 4의 소자를 제작하였다. 평가
상기 실시예 1 내지 실시예 9 및 비교예 1 내지 비교예 4에 따른
유기발광소자의 발광효율 및 수명 특성을 평가하였다. 구체적인 측정방법은 하기와 같고， 그 결과는 표 1 및 표 2와 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해， 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류-전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해， 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs- 1000 A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광효율 측정 '
상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10 mA/cm2)의 전류 효율 (cd/A)을 계산하였다.
(4) 수명 측정
제조된 유기발광소자에 대해 폴라로닉스 수명측정 시스템을 사용하여 실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 비교예 7의 소자를 초기휘도 (cd/m2)를 5000cd/m2로 발광시키고 시간경과에 따른 휘도의 감소를 측정하여 초기 휘도 대비 90%로 휘도가 감소된 시점을 T90 수명으로 측정하였다.
【표 1】
단독 호스트 소자
효율 구동 수명
호스트 ΛΑ
—1
Cd/A (Vd) (T90)
실시예 2 화합물 A-101 노 Afl
- 1 - 1 43 4.8 100
실시예 3 화합물 A-103 노 Afl
ᄀ 1 45 4.6 120
실시예 4 화합물 B-101 노시
ᄀ — 11 43 4.9 95
비교예 1 비교 화합물 1 노시
ᄀ — 1 31 5.6 70 비교예 2 비교 화합물 2 노 fl
， 39 5.0 85 표 1을 참고하면, 단독 호스트인 경우 실시예 2 내지 실시예 4와 비교예 1 및 2을 비교해보면， 트리아진 전자 수송성 치환기가 디벤조퓨란 또는
디벤조티오펜에 연결되어 실시예 2 내지 4가 카바졸 질소에 연결되어 있는 비교예 1 내지 2와 비교 했을 때 보다 고효율, 저구동, 장수명을 나타냄을 알 수 있다.
【표 2】
Mixed host소자 효과
Figure imgf000050_0001
표 2를 참고하면, 본 발명에 따른 제 1 호스트와 게 2 호스트를 사용한 경우, 동일한 제 2 호스트를 사용한 mixed host의 비교예에 비해, 트리아진과 같은 전자 수송성 치환기가 디벤조퓨란 또는 디벤조티오펜에 연결되어 있는 실시예 1 및 실시예 5 내지 실시예 9가， 보다 고효율, 저구동, 장수명을 나타냄을 알 수 있다. 이러한 효과는 트리아진과 같은 전자 수송성기가 인돌로디벤조퓨란이나 인돌로디벤조티오펜의 디벤조퓨란 또는 디벤조티오펜 부분에 연결될 때 트리아진과 같은 전자 수송성기의 LUMO가 디벤조퓨란 또는 디벤조티오펜 부분까지 확장되어 전자를 안정화시켜 주는 효과가 일어나기 때문에 보다 저구동， 장수명 효과가 나타나는 것으로 추정된다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
【부호의 설명】
100, 200: 유기 발광 소자
105: 유기층
110: 음극
120: 양극
130: 발광층
140: 정공 보조층

Claims

【청구의 범위】
【청구항 1】
하기 화학식 1로 표현되는 제 1 유기 광전자 소자용 화합물; 그리고
하기 화학식 2로 표현되는 게 2 유기 광전자 소자용 화합물
을 포함하는 유기 광전자 소자용 조성물:
화학식 1] [화학식 2]
Figure imgf000052_0001
상기 화학식 1 및 화학식 2에서，
X1은 0 또는 S이고,
A는 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기 , 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된
이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기이고,
L 및 Y1 내지 Y3은 각각 독립적으로 단일결합， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고,
Z1 내지 Z3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,
R1 내지 R10은 각각 독립적으로 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고，
m은 0 내지 2의 정수 중 하나이다.
【청구항 2】
게 1항에 있어서，
상기 A는 치환 또는 비치환된 피리디닐기， 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환또는 비치환된 트리아지닐기， 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기인 유기 광전자 소자용 조성물.
【청구항 3】
제 1항에 있어서，
상기 A는 하기 그룹 I에 나열된 치환기에서 선택된 어느 하나인 유기 광전자 소자용 조성물:
[그룹 I ]
Figure imgf000053_0001
Figure imgf000054_0001
상기 그룹 I에서,
X2는 O또는 S이고，
*는 L과의 연결 지점이다.
【청구항 4】
겨 U항에 있어서,
상기 Z1은 치환 또는 비치환된 페닐기 , 치환 또는 비치환된 바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기 , 치환 또는 비치환된 페난트레닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기， 치환 또는 비치환된
플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기인 유기 광전자 소자용 조성물.
【청구항 5】
제 1항에 있어서，
상기 Z2 및 Z3은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기， 또는 치환 또는 비치환된 나프틸기인 유기 광전자 소자용 조성물.
【청구항 6】
제 1항에 있어서，
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1로 표시되는 유기 광전자 소자용 조성물:
[ 1-1] -
Figure imgf000055_0001
상기 화학식 1-1에서,
X1은 O 또는 S이고,
A는 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기 , 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기， 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기 , 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기 , 또는 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기이고,
L은 단일결합 또는 C6 내지 C30의 아릴렌기이고，
Y1은 단일결합， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고,
Z1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고，
R1 내지 R4은 각각 독립적으로 수소， 중수소, C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30
헤테로고리기이다.
【청구항 7]
제 1항에 있어서，'
상기 화학식 2는 하기 그룹 Π에 나열된 구조 중 하나이고, 상기 *-γ2-ζ2 및 *-γ3-ζ3는 각각 독립적으로 하기 그룹 m에 나열된 치환기 중 하나인 유기 광전자 소자용 조성물:
그룹 π]
Figure imgf000056_0001
상기 그룹 π 및 그룹 in에서， *은 연결 지점이다.
[청구항 8】
제 7항에 있어서,
상기 화학식 2는 상기 그룹 Π의 C-8로 표현되고，
상기 *_γ2-ζ2 및 *-Υ3-Ζ3는 각각 독립적으로 상기 그룹 ΠΙ의 B-1 내지 B-4로 이루어진 군에서 선택되는 유기 광전자 소자용 조성물.
【청구항 9】
서로 마주하는 양극과 음극， 그리고
상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고， 상기 유기층은 상기 게 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 따른 유기 광전자 소자용 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자.
.
【청구항 10】
제 9항에 있어서,
상기 유기층은 발광층을 포함하고,
상기 발광층은 상기 유기 광전자 소자용 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자.
[청구항 11】
제 10항에 있어서，
상기 유기 광전자 소자용 조성물은 상기 발광층의 호스트로서 포함되는 유기 광전자 소자.
【청구항 12]
거 19항에 따른 유기 광전자 소자를 포함하는 표시장치 .
【청구항 13】
하기 화학식 1-1로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물:
[ -1]
Figure imgf000057_0001
상기 화학식 1-1에서,
X1은 O 또는 S이고，
A는 치환 또는 비치환된 피리디닐기， 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기 , 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기 , 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 또는 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기이고，
L은 단일결합 또는 C6 내지 C30의 아릴렌기이고, γι은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기이고,
Ζ1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고， -
R1 내지 R4은 각각 독립적으로 수소, 중수소， C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30
헤테로고리기이다.
【청구항 14】
제 13항에 있어서,
상기 Υ1은 단일결합, C6 내지 C30 아릴렌기， 디벤조티오펜일기 또는
디벤조퓨란일기이고,
상기 Ζ1은 C6 내지 C30 아릴기, 디벤조티오펜일기， 또는 디벤조퓨란일기이고, 상기 R1 내지 R4은 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1 내지 C4 알킬기, 페닐기 나프틸기, 비페닐기, 터페닐기， 플루오렌일기， 디벤조퓨란일기 또는
디벤조티오펜일기인 유기 광전자 소자용 화합물.
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