KR20150034333A - 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 특정 조합의 도판트 화합물 및 호스트 화합물을 함유하는 발광층을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 도판트 화합물 및 호스트 화합물을 사용함으로써, 종래의 발광 재료에 비해 유기 전계 발광 소자의 전류 특성이 개선되어 낮은 구동 전압에서도 전력 효율이 향상된다.
Description
본 발명은 도판트 화합물 및 호스트 화합물을 함유하는 발광층을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
전계 발광 소자(electroluminescence device: EL 소자)는 자체 발광형 표시 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있다. 1987년 이스트만 코닥(Eastman Kodak)사는 발광층 형성용 재료로서 저분자인 방향족 다이아민과 알루미늄 착물을 이용하는 유기 EL 소자를 처음으로 개발하였다[참조: Appl. Phys. Lett. 51, 913, 987].
유기 EL 소자는 유기 발광 재료에 전기를 가해 전기 에너지를 빛으로 바꾸는 소자로서, 통상 애노드 및 캐소드와 이들 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 유기 EL 소자의 유기물층은 정공주입층, 정공전달층, 전자차단층, 발광층(호스트 및 도판트 재료 포함), 전자전달층, 정공차단층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있으며, 유기물층에 사용되는 재료는 기능에 따라 정공주입 재료, 정공전달 재료, 전자차단 재료, 발광 재료, 전자전달 재료, 정공차단 재료, 전자주입 재료 등으로 나뉜다. 이러한 유기 EL 소자에서는 전압 인가에 의해 애노드에서 정공이, 캐소드에서 전자가 발광층에 주입되고, 정공과 전자의 재결합에 의해 에너지가 높은 엑시톤이 형성된다. 이 에너지에 의해 발광 유기 화합물이 여기 상태로 되며, 발광 유기 화합물의 여기 상태가 기저 상태로 돌아가면서 에너지를 빛으로 방출하여 발광하게 된다.
유기 EL 소자의 발광 재료는 소자의 발광 효율을 결정하는 가장 중요한 요인으로서, 발광 재료는 양자 효율이 높고 전자와 정공의 이동도가 커야 하고, 형성된 발광 재료층은 균일하고 안정해야 한다. 이러한 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색 또는 적색 발광 재료로 나뉘고, 추가로 노란색 또는 주황색 발광 재료도 있다. 또한, 발광 재료는 기능적인 측면에서 호스트 재료와 도판트 재료로 구분될 수 있는데 일반적으로 EL 특성이 가장 우수한 소자 구조로는 호스트에 도판트를 도핑하여 발광층을 만드는 것으로 알려져 있다. 최근에 고효율 및 장수명의 유기 EL 소자의 개발이 시급한 과제로 대두되고 있는데, 특히 중대형 OLED 패널에서 요구하고 있는 EL 특성 수준을 고려해 볼 때 기존의 발광 재료에 비해 매우 우수한 재료의 개발이 시급한 실정이다. 이를 위하여 고체 상태의 용매 및 에너지 전달자 역할을 하는 호스트 물질의 바람직한 특성은 순도가 높아야 하며, 진공증착이 가능하도록 적당한 분자량을 가져야 한다. 또한 유리 전이온도와 열분해온도가 높아 열적 안정성을 확보해야 하며, 장수명화를 위해 높은 전기화학적 안정성이 요구되며, 무정형 박막을 형성하기 용이해야 하며, 인접한 다른 층의 재료들과는 접착력이 좋은 반면 층간 이동은 하지 않아야 한다.
발광 재료는 여기 상태에 따라 형광 발광 재료(일중항 여기상태) 및 인광 발광 재료(삼중항 여기상태)로 분류된다. 초기의 유기 EL 소자는 형광 발광 재료를 주로 사용하였으나, 인을 주성분으로 하는 인광 발광 재료가 형광 재료에 비해 전기를 빛으로 바꾸는 효율(발광 효율)이 4배 이상 높고 소비전력 절감이 가능해 상대적으로 수명이 길어지는 효과가 있다는 점에서 인광 발광 재료의 개발 연구가 널리 수행되고 있다.
현재까지 이리듐(III) 착물 계열이 인광 발광 재료의 도판트로 널리 알려져 있으며, 각각의 적색, 녹색 및 청색 발광별로 (acac)Ir(btp)2(비스(2-(2'-벤조티에닐)-피리디네이토-N,C-3')이리듐(아세틸아세토네이트)), Ir(ppy)3(트리스(2-페닐피리딘)이리듐) 및 Firpic(비스(4,6-다이플루오로페닐피리디네이토-N,C2)피콜리네이토이리듐) 등의 재료가 알려져 있다.
발광 재료는 색순도, 발광 효율 및 안정성을 향상시키기 위해 호스트와 도판트를 혼합하여 사용할 수 있다. 일반적으로, EL 특성이 우수한 소자는 호스트에 도판트를 도핑하여 만들어진 발광층을 포함하는 구조이다. 이와 같은 도판트/호스트 재료 체계를 사용할 때, 호스트 재료는 발광 소자의 효율과 성능에 큰 영향을 미치므로, 그 선택이 중요하다. 종래 기술에서, 인광용 호스트 재료로는 4,4'-N,N'-다이카바졸-바이페닐(CBP)가 가장 널리 알려져 있었다. 최근에는, 일본의 파이오니어 등이 정공차단층의 재료로 사용되던 바토큐프로인(Bathocuproine, BCP) 및 알루미늄(III)비스(2-메틸-8-퀴놀리네이트)(4-페닐페놀레이트)(Balq) 등을 호스트 재료로 이용해 고성능의 유기 EL 소자를 개발한 바 있다.
그러나, 기존의 이러한 인광용 호스트 재료들은 발광 특성 측면에서는 유리한 면이 있으나, 다음과 같은 단점이 있다: (1) 유리 전이 온도가 낮고 열적 안정성이 낮아서, 진공 하에서 고온 증착 공정을 거칠 때, 물질이 변한다. (2) 유기 EL 소자에서 전력 효율 = [(π/전압) × 전류효율]의 관계에 있으므로 전력 효율은 전압에 반비례한다. 인광용 호스트 재료를 사용한 유기 EL 소자는 형광 호스트 재료를 사용한 유기 EL 소자에 비해 전류 효율(cd/A)은 높으나, 구동 전압 역시 상당히 높기 때문에 전력 효율(lm/w) 면에서 큰 이점이 없다. (3) 유기 EL 소자에 사용할 경우, 작동 수명 측면에서도 만족스럽지 못하며, 발광 효율도 여전히 개선이 요구된다.
이에, 기존의 도판트 화합물과 호스트 화합물을 함유하는 발광 재료를 유기 전계 발광 소자에 적용하는 경우, 전력 효율이 좋지 못하고 작동 수명 측면에서도 만족스럽지 못하여 발광 효율 면에서 문제점을 나타내었다.
대한민국 공개특허공보 제10-2013-0054205호 및 제10-2011-0130475호와 미국 공개특허공보 제2013/0026452호는 유기 전계 발광 소자에 발광 재료로서 포함되는 도판트 화합물로서 페닐피리딘 및 디벤조-함유 리간드를 갖는 헤테로렙틱(heteroleptic) 이리듐 착물을 언급하고 있으나, 이러한 도판트에 적합한 특정 호스트 화합물과의 조합에 대하여 언급하고 있지 않다.
본 발명자들은 특정 조합의 도판트 화합물 및 호스트 화합물을 함유하는 발광 재료가 기존의 발광 재료에 비해 유기 전계 발광 소자의 전력 효율 및 발광 효율을 개선시키는데 효과적임을 밝혀내고 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명의 목적은 소자의 구동 전압을 저하시킴으로써 전력 효율이 개선된 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 도판트 화합물 하나 이상과 하기 화학식 2로 표시되는 호스트 화합물 하나 이상이 함유된 발광층을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
[화학식 1]
IrL1L2L3
상기 화학식 1에서,
L1 내지 L3은 각각 독립적으로 하기의 구조에서 선택되고,
단, L1 내지 L3 중 적어도 하나는 A-1, A-2 또는 A-3의 구조를 가져야 하며,
X는 O 또는 S이고,
R1 내지 R11은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴이며,
a 내지 h는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, a 내지 h가 2 이상의 정수인 경우, 각각의 R1 내지 각각의 R8은 동일하거나 상이할 수 있다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
Y1은 O, S, NR31 또는 CR32R33이고,
L4는 단일결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴이며,
R21 내지 R23은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 실릴, 또는 치환 또는 비치환된 아미노이고,
Ar1은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 질소를 포함하는, 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴이며,
R31 내지 R33은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴이거나, 서로 결합하여 (3-30원) 단일환 또는 다환의 지방족 또는 방향족 환을 형성할 수 있고, 상기 형성된 지방족 또는 방향족 환의 탄소원자는 질소, 산소 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 대체될 수 있고,
m 및 o는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이며, m 또는 o가 2 이상의 정수인 경우, 각각의 R21 또는 각각의 R23은 동일하거나 상이할 수 있고,
n은 0 내지 2의 정수이며, n이 2인 경우, 각각의 R22는 동일하거나 상이할 수 있고,
상기 헤테로아릴은 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 발광 특성이 뛰어나고, 소자의 구동 전압을 저하시킴으로써 전력 효율을 상승시킨다.
이하에서 본 발명을 더욱 상세히 설명하나, 이는 설명을 위한 것으로 본 발명의 범위를 제한하는 방법으로 해석되어서는 안된다.
본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 도판트 화합물 하나 이상과 상기 화학식 2 로 표시되는 호스트 화합물 하나 이상이 함유된 발광층을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
상기 화학식 1의 화합물에서, 바람직하게는, R1 내지 R11은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 (C1-C10)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C10)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-20원)헤테로아릴이다. 또한, 상기 화학식 2의 화합물에서, 바람직하게는, L4는 단일결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-20원)헤테로아릴이며, R21 내지 R23은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 (C1-C10)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴, 치환 또는 비치환된 (5-20원)헤테로아릴, 또는 치환 또는 비치환된 실릴이고, Ar1은 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴, 또는 질소를 포함하는, 치환 또는 비치환된 (5-20원)헤테로아릴이다.
상기 화학식 1로 표시되는 도판트 화합물은 하기 화학식 3 내지 5로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
[화학식 4]
[화학식 5]
상기 화학식 3 내지 5에서,
R1 내지 R6, a 내지 f, X, L2 및 L3은 상기 화학식 1에서의 정의와 동일하다.
상기 화학식 3의 화합물은 보다 구체적으로 하기의 화합물로 예시될 수 있다.
상기 화학식 4의 화합물은 보다 구체적으로 하기의 화합물로 예시될 수 있다.
상기 화학식 5의 화합물은 보다 구체적으로 하기의 화합물로 예시될 수 있다.
상기 화학식 2로 표시되는 호스트 화합물은 하기 화학식 6 내지 11로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
[화학식 10]
[화학식 11]
상기 화학식 6 내지 11에서,
R21 내지 R23, Y1, L4, Ar1, m, n 및 o은 화학식 2에서의 정의와 동일하다.
상기 화학식 6 내지 11의 화합물은 보다 구체적으로 하기의 화합물로 예시될 수 있다.
본원에 기재되어 있는 "(C1-C30)알킬(렌)"은 탄소수가 1 내지 30개인 직쇄 또는 분지쇄 알킬(렌)을 의미하고, 여기에서 탄소수가 1 내지 20개인 것이 바람직하고, 1 내지 10개인 것이 더 바람직하다. 상기 알킬의 구체적인 예로서, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸 및 3급-부틸 등이 있다. 본원에서 "(C2-C30)알케닐"은 탄소수가 2 내지 30개인 직쇄 또는 분지쇄 알케닐을 의미하고, 여기에서 탄소수가 2 내지 20개인 것이 바람직하고, 2 내지 10개인 것이 더 바람직하다. 상기 알케닐의 구체적인 예로서, 비닐, 1-프로페닐, 2-프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 2-메틸부트-2-에닐 등이 있다. 본원에서 "(C2-C30)알키닐"은 탄소수가 2 내지 30개인 직쇄 또는 분지쇄 알키닐을 의미하고, 여기에서 탄소수가 2 내지 20개인 것이 바람직하고, 2 내지 10개인 것이 더 바람직하다. 상기 알키닐의 예로서, 에티닐, 1-프로피닐, 2-프로피닐, 1-부티닐, 2-부티닐, 3-부티닐, 1-메틸펜트-2-이닐 등이 있다. 본원에서 "(C3-C30)시클로알킬"은 탄소수가 3 내지 30개인 단일환 또는 다환 탄화수소를 의미하고, 여기에서 탄소수가 3 내지 20개인 것이 바람직하고, 3 내지 7개인 것이 더 바람직하다. 상기 시클로알킬의 예로서, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실 등이 있다. 본원에서 "(3-7원)헤테로시클로알킬"은 환 골격 원자수가 3 내지 7개, 바람직하게는 5 내지 7개이고, B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자, 바람직하게는 O, S 및 N에서 선택되는 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 시클로알킬을 의미하고, 예를 들어, 테트라히드로푸란, 피롤리딘, 티올란, 테트라히드로피란 등이 있다. 본원에서 "(C6-C30)아릴(렌)"은 탄소수가 6 내지 30개인 방향족 탄화수소에서 유래된 단일환 또는 융합환계 라디칼을 의미하고, 여기에서 환 골격 탄소수가 6 내지 20개인 것이 바람직하고, 6 내지 15개인 것이 더 바람직하다. 상기 아릴의 예로서, 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프틸, 플루오레닐, 페난트레닐, 안트라세닐, 인데닐, 트리페닐레닐, 피레닐, 테트라세닐, 페릴레닐, 크라이세닐, 나프타세닐, 플루오란테닐 등이 있다. 본원에서 "(3-30원)헤테로아릴(렌)"은 환 골격 원자수가 3 내지 30개이고, B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 아릴기를 의미한다. 여기에서 환 골격 원자수가 3 내지 20개인 것이 바람직하고, 3 내지 15개인 것이 더 바람직하다. 헤테로원자수는 바람직하게는 1 내지 4개이고, 단일 환계이거나 하나 이상의 벤젠환과 축합된 융합환계일 수 있으며, 부분적으로 포화될 수도 있다. 또한, 본원에서 상기 헤테로아릴(렌)은 하나 이상의 헤테로아릴 또는 아릴기가 단일 결합에 의해 헤테로아릴기와 연결된 형태도 포함한다. 상기 헤테로아릴의 예로서, 푸릴, 티오펜일, 피롤릴, 이미다졸릴, 피라졸릴, 티아졸릴, 티아디아졸릴, 이소티아졸릴, 이속사졸릴, 옥사졸릴, 옥사디아졸릴, 트리아진일, 테트라진일, 트리아졸릴, 테트라졸릴, 푸라잔일, 피리딜, 피라진일, 피리미딘일, 피리다진일 등의 단일 환계 헤테로아릴, 벤조푸란일, 벤조티오펜일, 이소벤조푸란일, 디벤조푸란일, 디벤조티오펜일, 벤조이미다졸릴, 벤조티아졸릴, 벤조이소티아졸릴, 벤조이속사졸릴, 벤조옥사졸릴, 이소인돌릴, 인돌릴, 인다졸릴, 벤조티아디아졸릴, 퀴놀릴, 이소퀴놀릴, 신놀리닐, 퀴나졸리닐, 퀴녹살리닐, 카바졸릴, 페녹사진일, 페난트리딘일, 벤조디옥솔릴 등의 융합 환계 헤테로아릴 등이 있다. 본원에서 "할로겐"은 F, Cl, Br 및 I 원자를 포함한다.
또한, 본원에 기재되어 있는 "치환 또는 비치환"이라는 기재에서 "치환″은 어떤 작용기에서 수소 원자가 다른 원자 또는 다른 작용기(즉, 치환체)로 대체되는 것을 뜻한다. 본 발명의 상기 화학식에서 치환 (C1-C30)알킬, 치환 (C3-C30)시클로알킬, 치환 (C6-C30)아릴 및 치환 (5-30원)헤테로아릴의 치환체는 각각 독립적으로, 중수소, 할로겐, 시아노, 카르복실, 니트로, 히드록시, (C1-C30)알킬, 할로(C1-C30)알킬, (C2-C30)알케닐, (C2-C30)알키닐, (C1-C30)알콕시, (C1-C30)알킬티오, (C3-C30)시클로알킬, (C3-C30)시클로알케닐, (3-7원)헤테로시클로알킬, (C6-C30)아릴옥시, (C6-C30)아릴티오, (C6-C30)아릴로 치환되거나 비치환된 (3-30원)헤테로아릴, (3-30원)헤테로아릴로 치환되거나 비치환된 (C6-C30)아릴, 트리(C1-C30)알킬실릴, 트리(C6-C30)아릴실릴, 디(C1-C30)알킬(C6-C30)아릴실릴, (C1-C30)알킬디(C6-C30)아릴실릴, 아미노, 모노 또는 디(C1-C30)알킬아미노, 모노 또는 디(C6-C30)아릴아미노, (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴아미노, (C1-C30)알킬카보닐, (C1-C30)알콕시카보닐, (C6-C30)아릴카보닐, 디(C6-C30)아릴보로닐, 디(C1-C30)알킬보로닐, (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴보로닐, (C6-C30)아르(C1-C30)알킬 및 (C1-C30)알킬(C6-C30)아릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 것이다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극 및 제2전극 사이에 개재되는 1층 이상의 유기물층을 가지며, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 도판트 화합물 하나 이상 및 상기 화학식 2로 표시되는 호스트 화합물 하나 이상을 포함한다.
상기 발광층의 의미는 발광이 이루어지는 층으로서 단일층일 수 있으며, 또한 2개 이상의 층이 적층된 복수의 층일 수 있다. 상기 발광층의 호스트 화합물에 대한 도판트 화합물의 도핑 농도가 20 중량 % 미만인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 양태에 의하면, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 하나 이상의 도판트 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 하나 이상의 호스트 화합물의 호스트/도판트 조합을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 호스트/도판트 조합을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 또 다른 양태에 의하면, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 하나 이상의 도판트 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 하나 이상의 호스트 화합물을 함유하는 유기물층을 제공한다. 상기 유기물층은 복수의 층을 포함하며, 상기 도판트 화합물과 상기 호스트 화합물은 동일한 층에 포함될 수도 있고, 각각 서로 다른 층에 포함될 수도 있다. 또한, 본 발명은 상기 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 유기물층에 아릴아민계 화합물 및 스티릴아릴아민계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 추가로 포함할 수도 있다.
또한, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 유기물층은 1족, 2족, 4주기 전이금속, 5주기 전이금속, 란탄 계열 금속 및 d-전이원소의 유기금속으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 금속, 또는 이러한 금속을 포함하는 하나 이상의 착체 화합물을 추가로 포함할 수도 있다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 한 쌍의 전극의 적어도 한쪽의 내측 표면에, 칼코제나이드(chalcogenide)층, 할로겐화 금속층 및 금속 산화물층으로부터 선택되는 하나 이상의 층(이하, 이들을 “표면층”이라고 지칭함)을 배치하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 발광 매체층 측의 양극 표면에 규소 및 알루미늄의 칼코제나이드(산화물을 포함한다)층을, 또한 발광 매체층 측의 음극 표면에 할로겐화 금속층 또는 금속 산화물층을 배치하는 것이 바람직하다. 상기 표면층에 의해 유기 전계 발광 소자의 구동 안정화를 얻을 수 있다. 상기 칼코제나이드의 바람직한 예로는 SiOX(1≤X≤2), AlOX(1≤X≤1.5), SiON 또는 SiAlON 등이 있고, 할로겐화 금속의 바람직한 예로는 LiF, MgF2, CaF2, 불화 희토류 금속 등이 있으며, 금속 산화물의 바람직한 예로는 Cs2O, Li2O, MgO, SrO, BaO, CaO 등이 있다.
또한, 본 발명의 유기 전계 발광 소자에 있어서, 한 쌍의 전극의 적어도 한쪽의 표면에 전자 전달 화합물과 환원성 도판트의 혼합 영역, 또는 정공 전달 화합물과 산화성 도판트의 혼합 영역을 배치하는 것도 바람직하다. 이러한 방식에 의해 전자 전달 화합물이 음이온으로 환원되므로 혼합 영역으로부터 발광 매체에 전자를 주입 및 전달하기 용이해진다. 또한, 정공 전달 화합물은 산화되어 양이온으로 되므로 혼합 영역으로부터 발광 매체에 정공을 주입 및 전달하기 용이해진다. 바람직한 산화성 도판트로서는 각종 루이스산 및 억셉터(acceptor) 화합물을 들 수 있고, 바람직한 환원성 도판트로는 알칼리 금속, 알칼리 금속 화합물, 알칼리 토류 금속, 희토류 금속 및 이들의 혼합물을 들 수 있다. 또한 환원성 도판트층을 전하생성층으로 사용하여 두 개 이상의 발광층을 가진, 백색 발광을 하는 유기 전계 발광소자를 제작할 수 있다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자의 각 층의 형성은 진공증착, 스퍼터링, 플라즈마, 이온플레이팅 등의 건식 성막법이나, 스핀코팅, 침지 코팅(dip coating), 플로우 코팅 등의 습식 성막법 중 어느 하나의 방법을 적용할 수 있다.
습식 성막법의 경우, 각 층을 형성하는 재료를 에탄올, 클로로포름, 테트라하이드로푸란, 디옥산 등의 적절한 용매에 용해 또는 분산시켜 박막을 형성하는데, 그 용매는 각 층을 형성하는 재료가 용해 또는 분산될 수 있고, 성막성에 문제가 없는 것이라면 어느 것이어도 된다.
[실시예 1] 화합물 D-2의 제조
화합물 1-1의 제조
2-페닐피리딘(10g, 32mmol)과 이리듐(III) 클로라이드 하이드레이트(IrCl3·xH2O)(8.1g, 29mmol), 2-에톡시 에탄올(220mL) 및 H2O(74mL)를 140℃에서 24시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 실온으로 식히고, 물 및 메탄올(MeOH)로 세척한 후 건조시켜 화합물 1-1(11g, 71%)을 얻었다.
화합물 1-2의 제조
화합물 1-1(10g, 9 mmol)을 메틸렌 클로라이드(MC) 4L에 녹이고 여기에 은 트리플루오로메탄설페이트(AgOTf)(5g, 19mmol)를 MeOH(400 mL)에 녹인 것을 천천히 가한후 12시간 동안 실온에서 교반하였다. 반응 종료 후 반응 혼합물을 여과한 후 여액을 건조시켜 화합물 1-2(12g, 94%)를 얻었다.
화합물 1-3의 제조
2-브로모피리딘(10g, 63mmol), 다이벤조[b,d]푸란-4-일 보론산(16g, 76mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(O)[Pd(PPh3)4](2.2g, 2mmol), Na2CO3(20g, 19mmol), 톨루엔(300mL), 에탄올(EtOH)(150 mL) 및 H2O(10mL)를 넣고, 100℃에서 2시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 실온에서 식히고, 에틸 아세테이트(EA)로 추출한 다음 MgSO4로 수분을 제거한 후, 감압증류하였다. MC/헥산(Hx) = 1/3으로 컬럼 크로마토그래피하여 백색 고체의 화합물 1-3(10g, 63%)을 얻었다.
화합물 D-2의 제조
화합물 1-3(7g, 28mmol)과 화합물 1-2(10g, 14mmol)에 MeOH(200mL)을 가하고 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종료 후 실온으로 냉각시킨 후 여과하고 클로로포름(CHCl3)으로 컬럼 크로마토그래피하여 화합물 D-2(2g, 17%)를 얻었다.
mp 400℃ 이상, UV 292nm, PL 525nm, LC 99.06%
[실시예 2] 화합물 D-3의 제조
화합물 2-1의 제조
2-브로모-5-메틸피리딘(15g, 87mmol), 페닐보론산(14g, 114mmol), Pd(PPh3)4(3g, 2.6mmol), Na2CO3(36g, 260mmol), 톨루엔(300mL), EtOH(150mL) 및 H2O(130mL)를 넣고, 100℃에서 3시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 EA로 추출하고 MgSO4로 수분을 제거한 후, 감압증류하였다. 그리고 MC/Hx = 1/2로 컬럼 크로마토그래피하여 백색 고체의 화합물 2-1(10g, 68%)을 얻었다.
화합물 2-2의 제조
화합물 2-1(10g, 30mmol)과 IrCl3·xH2O(8g, 27mmol), 2-에톡시 에탄올(200mL) 및 H2O(70mL)를 140℃에서 24시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 실온으로 식히고 H2O 및 MeOH로 세척한 후 건조시켜 화합물 2-2(11g, 75%)를 얻었다.
화합물 2-3의 제조
화합물 2-2(11g, 10mmol)를 MC 4L에 녹이고 여기에 AgOTf(5g, 20mmol)를 MeOH(400mL)에 녹인 것을 천천히 가한 후 12시간 동안 실온에서 교반하였다. 반응 종료 후 혼합물을 여과한 후 여액을 건조시켜 화합물 2-3(13g, 89%)을 얻었다.
화합물 D-3의 제조
화합물 1-3(7g, 28mmol)과 화합물 2-3(10g, 14mmol)에 MeOH(200mL)을 가하고 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종료 후 실온으로 냉각시킨 후 여과하고 CHCl3으로 컬럼 크로마토그래피하여 화합물 D-3(3.5g, 33%)을 얻었다.
mp 400℃ 이상, UV 292nm, PL 527nm, LC 99.19%
[실시예 3] 화합물 D-95의 제조
화합물 3-1의 제조
2-브로모-4-메틸피리딘(10g, 63mmol), 다이벤조[b,d]푸란-4-일 보론산(15g, 76mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(O)[Pd(PPh3)4](2.2g, 2mmol), Na2CO3(20g, 19mmol), 톨루엔(300mL), 에탄올(EtOH)(150mL) 및 H2O(10mL)를 넣고, 100℃에서 2시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 실온에서 식히고, 에틸 아세테이트(EA)로 추출한 다음 MgSO4로 수분을 제거한 후, 감압증류하였다. MC/헥산(Hx) = 1/3으로 컬럼 크로마토그래피하여 백색 고체의 화합물 3-1(11g, 67%)을 얻었다.
화합물 D-95의 제조
화합물 3-1(7g, 28mmol)과 화합물 2-3(10g, 14mmol)에 MeOH(200mL)을 가하고 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종료 후 실온으로 냉각시킨 후 여과하고 클로로포름(CHCl3)으로 컬럼 크로마토그래피하여 화합물 D-95(1.5g, 15%)를 얻었다.
mp 400℃ 이상, UV 292nm, PL 519nm, LC 99.12%
[실시예 4] 화합물 D-96의 제조
화합물 4-1의 제조
2-브로모-5-메틸피리딘(10g, 63mmol), 다이벤조[b,d]푸란-4-일 보론산(15g, 76mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(O)[Pd(PPh3)4](2.2g, 2mmol), Na2CO3(20g, 19mmol), 톨루엔(300mL), 에탄올(EtOH)(150mL) 및 H2O(10mL)를 넣고, 100℃에서 2시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 실온에서 식히고, 에틸 아세테이트(EA)로 추출한 다음 MgSO4로 수분을 제거한 후, 감압증류하였다. MC/헥산(Hx) = 1/3으로 컬럼 크로마토그래피하여 백색 고체의 화합물 4-1(13g, 80%)을 얻었다.
화합물 D-96의 제조
화합물 4-1(7g, 28mmol)과 화합물 2-3(10g, 14mmol)에 MeOH(200mL)을 가하고 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응 종료 후 실온으로 냉각시킨 후 여과하고 클로로포름(CHCl3)으로 컬럼 크로마토그래피하여 화합물 D-96(3.0g, 30%)를 얻었다.
mp 390℃, UV 290nm, PL 521nm, LC 96.31%
[실시예 5] 화합물 H-33의 제조
화합물 5-1의 제조
1-브로모-2-나이트로벤젠 39g(0.19mol), 디벤조[b,d]퓨란-4-일보론산45g(0.21mol), Pd(PPh3)4 11.1g(0.0096mol), 2M K2CO3 수용액 290mL, EtOH 290mL 및 톨루엔 580mL를 혼합한 후 120℃로 가열시키면서 4시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 증류수로 씻어주고 EA로 추출한 뒤 유기층을 무수 MgSO4로 건조시킨 후 회전 증발기로 용매를 제거한 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 5-1, 47g(85%)을 얻었다.
화합물 5-2의 제조
화합물 5-1, 47g(0.16mol), 트리에틸포스파이트 600mL 및 1,2-디클로로벤젠 300mL를 혼합한 후 150℃로 가열하여 12시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 증류(distillation) 장치를 이용해서 미반응 트리에틸포스파이트와 1,2-디클로로벤젠을 제거한 후, 증류수로 씻어주고 EA로 추출한 뒤 유기층을 무수 MgSO4로 건조시켰다. 회전 증발기로 용매를 제거한 후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 5-2, 39g(81%)을 얻었다.
화합물 H-33의 제조
NaH(1.9mg, 42.1mmol)을 디메틸포름아미드(DMF)에 녹여 교반시켰다. 화합물5-2(7g, 27.2mmol)를 DMF에 녹인 후, 교반시킨 NaH 용액에 첨가하여 1시간 동안 교반하였다. 2-클로로-4,6-디페닐피리미딘(8.7g, 32.6mmol)을 DMF에 녹인 후 교반시키고 1시간 동안 교반시킨 반응물을 첨가하고 실온에서 24시간 동안 교반시켰다. 반응이 끝나면 생성된 고체를 거른 후, 에틸 아세테이트로 씻어주고 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물 H-33(3.5g, 25%)을 얻었다.
[실시예 6] 화합물 H-45의 제조
화합물 6-1의 제조
디벤조[b,d]티오펜-4-일보론산 10g(43.84mmol)을 사용하여 화합물 3-1과 동일한 방법으로 제조하여 화합물 6-1, 10g(32.74mmol, 74.68%)을 얻었다.
화합물 6-2의 제조
화합물 6-1, 10g(32.74mmol)을 사용하여 화합물 5-2와 동일한 방법으로 제조하여 화합물 6-2, 7g(25.60mmol, 78.19%)을 얻었다.
화합물 H-45의 제조
화합물 6-2(7g, 25.6mmol)와 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진(8.7g, 32.6mmol)을 사용하여 화합물 H-33과 동일한 방법으로 제조하여 H-45(5.6g, 40%)를 얻었다.
[실시예 7] 화합물 H-60의 제조
화합물 6-2(7g, 25.6mmol)와 화합물 7-1(8.2g, 32.6mmol)을 사용하여 화합물 H-33과 동일한 방법으로 제조하여 목적 화합물 H-60(5.3g, 49%)을 얻었다.
[실시예 8] 화합물 H-110의 제조
화합물 8-1의 제조
2-브로모-9,9-다이메틸-9H-플루오렌 80g(291mmol), 2-클로로벤젠아민 45mL(437mmol), 팔라듐(II) 아세테이트[Pd(OAc)2] 2.6g(12mmol), 트리 3급-부틸포스핀[P(t-Bu)3] 12mL(24mmol), 나트륨 3급-부톡사이드(NaOt-Bu) 70g(728mmol) 및 톨루엔 800mL를 혼합한 후 120℃로 가열시키면서 9시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 실온으로 식힌 후 에틸 아세테이트 1.5L로 추출하여, 얻어진 유기층을 증류수 400mL로 씻어 주었다. 그 후 감압하에서 용매를 제거하여 얻어진 고체를 헥산으로 씻어 여과한 후 건조시켰다. 실리카겔 컬럼크로마토그래피와 재결정법으로 분리하여 화합물 8-1, 70g(75%)을 얻었다.
화합물 8-2의 제조
화합물 8-1, 70g(218mmol), Pd(OAc)2 2.4g(11mmol), 트리사이클로헥실포스핀 테트라플루오로보레이트(PCy3HBF4) 8g(22mmol), Na2CO3 70g(654mmol) 및 디메틸아세트아마이드(DMA) 1.2L를 혼합하고 190℃에서 3시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 에틸 아세테이트 1L로 추출한 후, 얻어진 유기층을 증류수 200mL로 씻어준 다음, 무수 황산마그네슘으로 건조시키고, 유기 용매는 감압하에서 제거하였다. 얻어진 고체는 실리카겔 컬럼크로마토그래피와 재결정법으로 분리하여 화합물 8-2, 22g(36%)을 얻었다.
화합물 8-3의 제조
화합물 8-2, 15g(53mmol), 1,4-다이브로모벤젠 32mL(265mmol), Pd(OAc)2 1.2g(5mmol), P(t-Bu)3 30mL(64mmol), NaOt-Bu 25g(265mmol) 및 톨루엔 300mL를 혼합하고 120℃에서 24시간 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 실온으로 식힌 후 에틸 아세테이트 1.5L 로 추출하여, 얻어진 유기층을 증류수 400mL로 씻어 주었다. 그 후 감압하에서 용매를 제거하여 얻어진 고체를 헥산으로 씻어 여과한 후 건조시켰다. 실리카겔 컬럼크로마토그래피와 재결정법으로 분리하여 화합물 8-3, 7g(30%)을 얻었다.
화합물 8-4의 제조
화합물 8-3, 7g(16mmol)을 테트라하이드로퓨란(THF) 100mL에 녹인 후 -78℃에서 n-부틸리튬(n-BuLi)(헥산 내 2.5 M) 10mL(24mmol)를 첨가하였다. 이 혼합물을 -78℃에서 1시간 동안 교반한 후 붕소 트리-이소프로폭사이드[B(Oi-Pr)3] 6mL(24mmol)를 첨가하였다. 전체 반응물을 2시간 동안 교반한 후 염화암모늄 수용액 20mL로 반응을 종결시킨 후 에틸 아세테이트 500mL로 추출하고, 얻어진 유기층을 증류수 200mL로 씻어 주었다. 유기층을 무수 황산마그네슘으로 건조시키고, 유기 용매는 감압하에서 제거하였다. 얻어진 고체는 재결정방법으로 분리하여 화합물 8-4, 5g(75%)을 얻었다.
화합물 H-110의 제조
플라스크에 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 6.5g(0.03mol), 화합물 8-4, 19.2g(0.036mol), Pd(PPh3)4 1.6g(0.001mol), K2CO3 11g(0.08mol), 톨루엔 140mL, EtOH 35mL 및 H2O 40mL를 넣은 후 120℃에서 12시간 동안 교반하였다. 반응 종결 후 에틸 아세테이트를 사용하여 추출한 뒤 유기층을 MgSO4로 건조시키고, 여과한 후 감압 하에서 용매를 제거한 후, 칼럼 클로마토그래피하여 목적 화합물 H-110(5.7g, 27%)을 얻었다.
[실시예 9] 화합물 H-135의 제조
5-페닐-5,7-다이하이드로인돌로[2,3-b]카바졸(3.65g, 10.9mmol), 2-(3-브로모페닐)-4,6-다이페닐-1,3,5-트리아진(4.9g, 12.6mmol), Pd(OAc)2(0.12g, 0.55mmol), S-Phos(2-디사이클로포스피노-2',6'-디메톡시바이페닐)(0.45g, 1.1mmol), 나트륨 3급 부톡사이드(Nat-BuO)(2.6g, 27.4mmol)에 o-크실렌 110mL를 투입한 후 하루 동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각 시킨 뒤 증류수와 EA로 추출하였다. 유기층을 감압증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피하여 화합물 H-135(3.7g, 52%)를 얻었다.
[실시예 10] 화합물 H-176의 제조
화합물 10-1의 제조
5-페닐-5,7-다이하이드로인돌로[2,3-b]카바졸(10g, 30.1mmol)과 1-브로모-3-요오도벤젠(12.8g, 45.1mmol), CuI(2.9g, 15.05mmol), 에틸렌다이아민(EDA)(2mL, 30.1mmol) 및 K3PO4(16g, 75.25mmol)를 톨루엔 150mL에 투입한 후 하루 동안 환류 교반하였다. MC로 추출한 후 감압 증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피하여 화합물 10-1(13.2g, 87%)을 얻었다.
화합물 10-2의 제조
화합물 10-1(13.2g, 27.1mmol), 비스(트리페닐포스핀)팔라듐(II) 디클로라이드[PdCl2(PPh3)2] (0.95g, 1.35mmol), 비스(피나콜라토)다이보론 (8.25g, 32.5mmol), 칼륨 아세테이트(KOAc)(5.3g, 54.2mmol) 및 1,4-디옥산 140mL를 첨가한 후 120℃로 하루 동안 교반하였다. 반응이 끝나면 증류수로 씻어 주고 MC로 추출한 뒤 유기층을 MgSO4로 건조시킨 후 감압 증류하여 용매를 제거한다.이후 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 화합물 10-2(8.5g,59%)를 얻었다.
화합물 H-176의 제조
화합물 10-2(5.0g, 9.36mmol), 트리아진(3.5g, 10.3mmol), Pd(PPh3)4 (0.54g, 0.5mmol) 및 K2CO3 (3.2g, 23.4mmol)에 톨루엔 48mL, EtOH 6mL 및 정제수 12mL 를 투입한 후 하루 동안 환류 교반하였다. 반응 종결 후 실온으로 냉각시킨 뒤 증류수와 EA로 추출하였다. 유기층을 감압 증류한 후 MC/Hex으로 컬럼 크로마토그래피하여 화합물 H-176(4.3g, 64%)을 얻었다.
상기 실시예 5 내지 8에서 제조된 도판트 화합물 및 이로부터 용이하게 제조할 수 있는 다른 도판트 화합물에 대한 데이터를 하기 표 1에 나타내었다.
<표 1>
[소자 실시예 1] 본 발명에 따른 유기 전계 발광 화합물을 이용한 OLED 소자 제작
본 발명의 발광 재료를 이용한 구조의 OLED 소자를 제작하였다. 우선, OLED용 글래스(삼성-코닝사 제조)로부터 얻어진 투명 전극 ITO 박막(15Ω/□)을, 트리클로로에틸렌, 아세톤, 에탄올 및 증류수를 순차적으로 사용하여 초음파 세척을 실시한 후, 이소프로판올에 넣어 보관한 후 사용하였다. 다음으로 진공 증착 장비의 기판 홀더에 ITO기판을 장착한 후, 진공 증착장비 내의 셀에 N1,N1'-([1,1'-바이페닐]-4,4'-다이일)비스(N1-(나프탈렌-1-일)-N4,N4-다이페닐 벤젠-1,4-다이아민)을 넣고 챔버 내의 진공도가 10-6 torr에 도달할 때까지 배기시킨 후, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 ITO 기판 위에 60nm 두께의 정공주입층을 증착하였다. 이어서, 진공 증착 장비 내의 다른 셀에 N,N'-다이(4-바이페닐)-N,N'-다이(4-바이페닐)-4,4'-다이아미노바이페닐을 넣고, 셀에 전류를 인가하여 증발시켜 정공주입층 위에 20nm 두께의 정공전달층을 증착하였다. 진공 증착 장비 내의 한쪽 셀에 호스트로서 본 발명의 화합물 H-60을 넣고, 또 다른 셀에는 도판트로서 화합물 D-3을 각각 넣은 후, 두 물질을 다른 속도로 증발시켜 각각15중량%의 양으로 도핑함으로써 상기 정공전달층위에 30nm 두께의 발광층을 증착하였다. 이어서, 한쪽 셀에 2-(4-(9,10-다이(나프탈렌-2-일)안트라센-2-일)페닐)-1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸을 넣고, 또 다른 셀에는 리튬 퀴놀레이트(Lithium quinolate)를 넣은 후, 두 물질을 같은 속도로 증발시켜 각각 50중량%의 양으로 도핑함으로써 상기 발광층 위에 30nm의 전자전달층을 증착하였다. 이어서 전자주입층으로 리튬 퀴놀레이트(Lithium quinolate)를 2nm 두께로 증착한 후, 다른 진공 증착 장비를 이용하여 Al 음극을 150nm의 두께로 증착하여 OLED 소자를 제작하였다. 재료 별로 각 화합물은 10-6 torr 하에서 진공 승화 정제하여 사용하였다.
그 결과, 3.6V의 전압에서 44.0lm/W의 전력 효율을 보였으며, 1620 cd/m2의 녹색 발광이 확인되었다.
[소자 실시예 2] 본 발명에 따른 유기 전계 발광 화합물을 이용한 OLED 소자 제작
발광 재료로서 호스트에는 화합물 H-135를, 도판트에는 화합물 D-3을 사용한 것 외에는 소자 실시예 1과 동일한 방법으로 OLED 소자를 제작하였다.
그 결과, 2.6V의 전압에서 56.6lm/W의 전력 효율을 보였으며, 2190 cd/m2의 녹색 발광이 확인되었다.
[소자 실시예 3] 본 발명에 따른 유기 전계 발광 화합물을 이용한 OLED 소자 제작
발광 재료로서 호스트에는 화합물 H-176을, 도판트에는 화합물 D-3을 사용한 것 외에는 소자 실시예 1과 동일한 방법으로 OLED 소자를 제작하였다.
그 결과, 2.6V의 전압에서 51.9lm/W의 전력 효율을 보였으며, 2510 cd/m2의 녹색 발광이 확인되었다.
[소자 실시예 4] 본 발명에 따른 유기 전계 발광 화합물을 이용한 OLED 소자 제작
발광 재료로서 호스트에는 화합물 H-135를, 도판트에는 화합물 D-96 을 사용한 것 외에는 소자 실시예 1과 동일한 방법으로 OLED 소자를 제작하였다.
그 결과, 2.6V의 전압에서 47.7lm/W의 전력 효율을 보였으며, 3140 cd/m2의 녹색 발광이 확인되었다.
[비교예 1] 종래의 발광 재료를 이용한 OLED 소자 제작
발광 재료로서 호스트에는 하기 화학식의 비교 화합물 1을, 도판트로는 화합물 D-2를 사용하고, 정공전달층 위에 30nm 두께의 발광층을 증착하고, 정공 저지층으로 4-(3-(트리페닐렌-2-일)페닐)다이벤조[b,d]티오펜을 10nm 두께로 증착한 것 외에는 소자 실시예 1과 동일한 방법으로 OLED 소자를 제작하였다.
그 결과, 6.9V의 전압에서 16.8lm/W의 전력 효율을 보였으며, 3000 cd/m2의 녹색 발광이 확인되었다.
< 비교 화합물 1>
본 발명의 유기 전계 발광 소자는 특정 도판트 화합물과 호스트 화합물의 조합을 함유하는 발광층을 포함함으로써, 종래의 발광 재료를 이용한 소자보다 더 낮은 구동 전압에서 더 높은 발광 효율 및 전력 효율을 나타내며, 이로써 소비 전력을 개선시킬 수 있다.
Claims (8)
- 기판 상의 양극과 음극 사이에 유기물층이 삽입된 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 유기물층은 하기 화학식 1로 표시되는 도판트 화합물 하나 이상과 하기 화학식 2로 표시되는 호스트 화합물 하나 이상이 함유된 발광층을 포함하는, 유기 전계 발광 소자.
[화학식 1]
IrL1L2L3
상기 화학식 1에서,
L1 내지 L3은 각각 독립적으로 하기의 구조에서 선택되고,
단, L1 내지 L3 중 적어도 하나는 A-1, A-2 또는 A-3의 구조를 가져야 하며,
X는 O 또는 S이고,
R1 내지 R11은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C30)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴이며,
a 내지 h는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, a 내지 h가 2 이상의 정수인 경우, 각각의 R1 내지 각각의 R8은 동일하거나 상이할 수 있다.
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
Y1은 O, S, NR31 또는 CR32R33이고,
L4는 단일결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴이며,
R21 내지 R23은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 시아노, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴, 치환 또는 비치환된 실릴, 또는 치환 또는 비치환된 아미노이고,
Ar1은 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 질소를 포함하는, 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴이며,
R31 내지 R33은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 (C1-C30)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C30)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-30원)헤테로아릴이거나, 서로 결합하여 (3-30원) 단일환 또는 다환의 지방족 또는 방향족 환을 형성할 수 있고, 상기 형성된 지방족 또는 방향족 환의 탄소원자는 질소, 산소 및 황으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로원자로 대체될 수 있고,
m 및 o는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이며, m 또는 o가 2 이상의 정수인 경우, 각각의 R21 또는 각각의 R23은 동일하거나 상이할 수 있고,
n은 0 내지 2의 정수이며, n이 2인 경우, 각각의 R22는 동일하거나 상이할 수 있고,
상기 헤테로아릴은 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함한다. - 제1항에 있어서, 화학식 1의 화합물에서, R1 내지 R11이 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 (C1-C10)알킬, 치환 또는 비치환된 (C3-C10)시클로알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-20원)헤테로아릴이고, 화학식 2의 화합물에서, L4가 단일결합, 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴, 또는 치환 또는 비치환된 (5-20원)헤테로아릴이며, R21 내지 R23이 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 (C1-C10)알킬, 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴, 치환 또는 비치환된 (5-20원)헤테로아릴, 또는 치환 또는 비치환된 실릴이고, Ar1이 치환 또는 비치환된 (C6-C20)아릴, 또는 질소를 포함하는, 치환 또는 비치환된 (5-20원)헤테로아릴인, 유기 전계 발광 소자.
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