KR101486561B1 - 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자 - Google Patents
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Abstract
유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자에 관한 것으로, 하기 화학식 1; 및 화학식 2 또는 3의 조합으로 표시되는 유기광전소자용 화합물을 제공하여, 우수한 전기화학적 및 열적 안정성으로 수명 특성이 우수하고, 낮은 구동전압에서도 높은 발광효율을 가지는 유기광전소자를 제조할 수 있다.
[화학식 1] [화학식 2] [화학식 3]
상기 화학식 1, 2 및 3의 정의는 본 명세서에 기재된 바와 같다.
[화학식 1] [화학식 2] [화학식 3]
상기 화학식 1, 2 및 3의 정의는 본 명세서에 기재된 바와 같다.
Description
수명, 효율, 전기화학적 안정성 및 열적 안정성이 우수한 유기광전소자를 제공할 수 있는 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자에 관한 것이다.
유기광전소자(organic photoelectric device)라 함은 정공 또는 전자를 이용한 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다.
유기광전소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exciton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자소자이다.
둘째는 2 개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자소자이다.
유기광전소자의 예로는 유기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체 드럼(organic photo conductor drum), 유기트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다.
특히, 유기발광소자(organic light emitting diodes, OLED)는 최근 평판 디스플레이(flat panel display)의 수요가 증가함에 따라 주목받고 있다. 일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다.
이러한 유기발광소자는 유기발광재료에 전류를 가하여 전기에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서 통상 양극(anode)과 음극(cathode) 사이에 기능성 유기물 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다. 여기서 유기물층은 유기광전소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
이러한 유기발광소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공(hole)이, 음극에서는 전자(electron)가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만나 재결합(recombination)에 의해 에너지가 높은 여기자를 형성하게 된다. 이때 형성된 여기자가 다시 바닥상태(ground state)로 이동하면서 특정한 파장을 갖는 빛이 발생하게 된다.
최근에는, 형광 발광물질뿐 아니라 인광 발광물질도 유기광전소자의 발광물질로 사용될 수 있음이 알려졌으며, 이러한 인광 발광은 바닥상태(ground state)에서 여기상태(excited state)로 전자가 전이한 후, 계간 전이(intersystem crossing)를 통해 단일항 여기자가 삼중항 여기자로 비발광 전이된 다음, 삼중항 여기자가 바닥상태로 전이하면서 발광하는 메카니즘으로 이루어진다.
상기한 바와 같이 유기발광소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.
또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.
한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율과 안정성을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다.
유기발광소자가 전술한 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질, 발광 재료 중 호스트 및/또는 도판트 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하며, 아직까지 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다. 이와 같은 재료 개발의 필요성은 전술한 다른 유기광전소자에서도 마찬가지이다.
또한, 저분자 유기발광소자는 진공 증착법에 의해 박막의 형태로 소자를 제조하므로 효율 및 수명성능이 좋으며, 고분자 유기 발광 소자는 잉크젯(Inkjet) 또는 스핀코팅(spin coating)법을 사용하여 초기 투자비가 적고 대면적화가 유리한 장점이 있다.
저분자 유기발광소자 및 고분자 유기발광소자는 모두 자체발광, 고속응답, 광시야각, 초박형, 고화질, 내구성, 넓은 구동온도범위 등의 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이로 주목을 받고 있다.특히 기존의 LCD(liquid crystal display)와 비교하여 자체발광형으로서 어두운 곳이나 외부의 빛이 들어와도 시안성이 좋으며, 백라이트가 필요 없어 LCD의 1/3수준으로 두께 및 무게를 줄일 수 있다.
또한, 응답속도가 LCD에 비해 1000배 이상 빠른 마이크로 초 단위여서 잔상이 없는 완벽한 동영상을 구현할 수 있다. 따라서, 최근 본격적인 멀티미디어 시대에 맞춰 최적의 디스플레이로 각광받을 것으로 기대되며, 이러한 장점을 바탕으로 1980년대 후반 최초 개발 이후 효율 80배, 수명 100배 이상에 이르는 급격한 기술발전을 이루어 왔고, 최근에는 40인치 유기발광소자 패널이 발표되는 등 대형화가 급속히 진행되고 있다.
대형화를 위해서는 발광 효율의 증대 및 소자의 수명 향상이 수반되어야 한다. 이때, 소자의 발광 효율은 발광층 내의 정공과 전자의 결합이 원활히 이루어져야 한다. 그러나, 일반적으로 유기물의 전자 이동도는 정공 이동도에 비해 느리므로, 발광층 내의 정공과 전자의 결합이 효율적으로 이루어지기 위해서는, 효율적인 전자 수송층을 사용하여 음극으로부터의 전자 주입 및 이동도를 높이는 동시에, 정공의 이동을 차단할 수 있어야 한다.
또한, 수명 향상을 위해서는 소자의 구동시 발생하는 줄열(Joule heat)로 인해 재료가 결정화되는 것을 방지하여야 한다. 따라서, 전자의 주입 및 이동성이 우수하며, 전기화학적 안정성이 높은 유기 화합물에 대한 개발이 필요하다.
유기광전소자(organic photoelectric device)라 함은 정공 또는 전자를 이용한 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다.
유기광전소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exciton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자소자이다.
둘째는 2 개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자소자이다.
유기광전소자의 예로는 유기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체 드럼(organic photo conductor drum), 유기트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다.
특히, 유기발광소자(organic light emitting diodes, OLED)는 최근 평판 디스플레이(flat panel display)의 수요가 증가함에 따라 주목받고 있다. 일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다.
이러한 유기발광소자는 유기발광재료에 전류를 가하여 전기에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서 통상 양극(anode)과 음극(cathode) 사이에 기능성 유기물 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다. 여기서 유기물층은 유기광전소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
이러한 유기발광소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공(hole)이, 음극에서는 전자(electron)가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만나 재결합(recombination)에 의해 에너지가 높은 여기자를 형성하게 된다. 이때 형성된 여기자가 다시 바닥상태(ground state)로 이동하면서 특정한 파장을 갖는 빛이 발생하게 된다.
최근에는, 형광 발광물질뿐 아니라 인광 발광물질도 유기광전소자의 발광물질로 사용될 수 있음이 알려졌으며, 이러한 인광 발광은 바닥상태(ground state)에서 여기상태(excited state)로 전자가 전이한 후, 계간 전이(intersystem crossing)를 통해 단일항 여기자가 삼중항 여기자로 비발광 전이된 다음, 삼중항 여기자가 바닥상태로 전이하면서 발광하는 메카니즘으로 이루어진다.
상기한 바와 같이 유기발광소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.
또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.
한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율과 안정성을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다.
유기발광소자가 전술한 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질, 발광 재료 중 호스트 및/또는 도판트 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하며, 아직까지 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다. 이와 같은 재료 개발의 필요성은 전술한 다른 유기광전소자에서도 마찬가지이다.
또한, 저분자 유기발광소자는 진공 증착법에 의해 박막의 형태로 소자를 제조하므로 효율 및 수명성능이 좋으며, 고분자 유기 발광 소자는 잉크젯(Inkjet) 또는 스핀코팅(spin coating)법을 사용하여 초기 투자비가 적고 대면적화가 유리한 장점이 있다.
저분자 유기발광소자 및 고분자 유기발광소자는 모두 자체발광, 고속응답, 광시야각, 초박형, 고화질, 내구성, 넓은 구동온도범위 등의 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이로 주목을 받고 있다.특히 기존의 LCD(liquid crystal display)와 비교하여 자체발광형으로서 어두운 곳이나 외부의 빛이 들어와도 시안성이 좋으며, 백라이트가 필요 없어 LCD의 1/3수준으로 두께 및 무게를 줄일 수 있다.
또한, 응답속도가 LCD에 비해 1000배 이상 빠른 마이크로 초 단위여서 잔상이 없는 완벽한 동영상을 구현할 수 있다. 따라서, 최근 본격적인 멀티미디어 시대에 맞춰 최적의 디스플레이로 각광받을 것으로 기대되며, 이러한 장점을 바탕으로 1980년대 후반 최초 개발 이후 효율 80배, 수명 100배 이상에 이르는 급격한 기술발전을 이루어 왔고, 최근에는 40인치 유기발광소자 패널이 발표되는 등 대형화가 급속히 진행되고 있다.
대형화를 위해서는 발광 효율의 증대 및 소자의 수명 향상이 수반되어야 한다. 이때, 소자의 발광 효율은 발광층 내의 정공과 전자의 결합이 원활히 이루어져야 한다. 그러나, 일반적으로 유기물의 전자 이동도는 정공 이동도에 비해 느리므로, 발광층 내의 정공과 전자의 결합이 효율적으로 이루어지기 위해서는, 효율적인 전자 수송층을 사용하여 음극으로부터의 전자 주입 및 이동도를 높이는 동시에, 정공의 이동을 차단할 수 있어야 한다.
또한, 수명 향상을 위해서는 소자의 구동시 발생하는 줄열(Joule heat)로 인해 재료가 결정화되는 것을 방지하여야 한다. 따라서, 전자의 주입 및 이동성이 우수하며, 전기화학적 안정성이 높은 유기 화합물에 대한 개발이 필요하다.
본 발명의 일 측면에서는, 하기 화학식 1; 및 화학식 2 또는 3;의 조합으로 표시되는 유기광전소자용 화합물을 제공한다.
[화학식 1] [화학식 2] [화학식 3]
상기 화학식 1 내지 3에서, 상기 X는 O, Se, S, SO2(O=S=O), PO(P=O) 또는 CO(C=O)이고, 상기 Y는 CR'R＂ 또는 NR*이고, 상기 a*, b*, R', R＂, R1, R2 및 R*는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 카르복실기, 치환 또는 비치환된 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고, 상기 화학식 1의 인접한 두 개의 *는, 상기 화학식 2 또는 3의 인접한 두 개의 *와 결합하여 융합고리를 형성하고, 상기 a*, b* 또는 R* 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 4로 표시되는 치환기이고,
[화학식 4]
상기 화학식 4에서, 상기 ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, 상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, 상기 n은 0 내지 2 중 어느 하나의 정수이다.
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 5로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 5]
상기 화학식 5에서, 상기 X는 O, Se, S, SO2(O=S=O), PO(P=O) 또는 CO(C=O)이고, 상기 Y는 CR'R＂ 또는 NR*이고, 상기 a*, b*, R', R＂, R1, R2 및 R*는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 카르복실기, 치환 또는 비치환된 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고, 상기 a*, b* 또는 R* 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 4로 표시되는 치환기이고,
[화학식 4]
상기 화학식 4에서, 상기 ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, 상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, 상기 n은 0 내지 2 중 어느 하나의 정수이다.
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 6으로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 6]
상기 화학식 6에서, 상기 X는 O, Se, S, SO2(O=S=O), PO(P=O) 또는 CO(C=O)이고, 상기 Y는 CR'R＂ 또는 NR*이고, 상기 R', R＂, R1, R2 및 R*는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 카르복실기, 치환 또는 비치환된 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고, 상기 ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, 상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, 상기 n은 0 내지 2 중 어느 하나의 정수이다.
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 7로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 7]
상기 화학식 7에서, 상기 X는 O, Se, S, SO2(O=S=O), PO(P=O) 또는 CO(C=O)이고, 상기 Y는 CR'R＂ 또는 NR*이고, 상기 R', R＂, R1, R2 및 R*는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 카르복실기, 치환 또는 비치환된 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고, 상기 ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, 상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, 상기 n은 0 내지 2 중 어느 하나의 정수이다.
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 8로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 8]
상기 화학식 8에서, 상기 X는 O, Se, S, SO2(O=S=O), PO(P=O) 또는 CO(C=O)이고, 상기 Y는 CR'R＂ 또는 NR*이고, 상기 R', R＂, R1, R2 및 R*는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 카르복실기, 치환 또는 비치환된 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고, 상기 ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, 상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, 상기 n은 0 내지 2 중 어느 하나의 정수이다.
상기 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기는 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 플로레닐기, 치환 또는 비치환된 스피로플로레닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기 또는 이들의 조합인 것일 수 있다.
상기 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기는 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 테트라졸릴기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사다이아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 퓨리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기 또는 이들의 조합인 것일 수 있다.
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 A-1 내지 A-55 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 A-1] [화학식 A-2] [화학식 A-3]
[화학식 A-4] [화학식 A-5] [화학식 A-6]
[화학식 A-7] [화학식 A-8] [화학식 A-9]
[화학식 A-10] [화학식 A-11] [화학식 A-12]
[화학식 A-13] [화학식 A-14] [화학식 A-15]
[화학식 A-16] [화학식 A-17] [화학식 A-18]
[화학식 A-22] [화학식 A-23] [화학식 A-24]
[화학식 A-25] [화학식 A-26] [화학식 A-27]
[화학식 A-28] [화학식 A-29] [화학식 A-30]
[화학식 A-31] [화학식 A-32] [화학식 A-33]
[화학식 A-34] [화학식 A-35] [화학식 A-36]
[화학식 A-37] [화학식 A-38] [화학식 A-39]
[화학식 A-40] [화학식 A-41] [화학식 A-42]
[화학식 A-43] [화학식 A-44] [화학식 A-45]
[화학식 A-46] [화학식 A-47] [화학식 A-48]
[화학식 A-49] [화학식 A-51] [화학식 A-52]
[화학식 A-53] [화학식 A-54] [화학식 A-55]
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 B-1 내지 B-44 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 B-1] [화학식 B-2] [화학식 B-3]
[화학식 B-4] [화학식 B-5] [화학식 B-6]
[화학식 B-7] [화학식 B-8] [화학식 B-9]
[화학식 B-10] [화학식 B-11]
[화학식 B-12] [화학식 B-13] [화학식 B-14]
[화학식 B-15] [화학식 B-16] [화학식 B-17]
[화학식 B-18] [화학식 B-19] [화학식 B-20]
[화학식 B-21] [화학식 B-22]
[화학식 B-23] [화학식 B-24] [화학식 B-25]
[화학식 B-26] [화학식 B-27] [화학식 B-28]
[화학식 B-29] [화학식 B-30] [화학식 B-31]
[화학식 B-32] [화학식 B-33]
[화학식 B-34] [화학식 B-35] [화학식 B-36]
[화학식 B-37] [화학식 B-38] [화학식 B-39]
[화학식 B-40] [화학식 B-41] [화학식 B-42]
[화학식 B-43] [화학식 B-44]
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 C-1 내지 C-12 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 C-1] [화학식 C-2] [화학식 C-3]
[화학식 C-4] [화학식 C-5] [화학식 C-6]
[화학식 C-7] [화학식 C-8] [화학식 C-9]
[화학식 C-10] [화학식 C-11] [화학식 C-12]
[화학식 C-13] [화학식 C-14] [화학식 C-15]
[화학식 C-16] [화학식 C-17] [화학식 C-18]
[화학식 C-19] [화학식 C-20]
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 D-1 내지 D-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 D-1] [화학식 D-2] [화학식 D-3]
[화학식 D-4] [화학식 D-5] [화학식 D-6]
[화학식 D-7] [화학식 D-8]
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 E-1 내지 E-6 중 어느 하나로 표시되는 유기광전소자용 화합물.
[화학식 E-1] [화학식 E-2] [화학식 E-3]
[화학식 E-4] [화학식 E-5] [화학식 E-6]
[화학식 E-7] [화학식 E-8]
[화학식 E-9]
상기 유기광전소자용 화합물은 유기발광소자의 발광 재료로 이용될 수 있는 것일 수 있다.
상기 유기광전소자용 화합물은 3중항 여기에너지(T1) 2.0eV 이상인 것일 수 있다.
상기 유기광전소자는 유기발광소자, 유기태양전지, 유기트랜지스터, 유기 감광체 드럼 및 유기메모리소자로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에서는, 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재되는 적어도 한 층 이상의 유기박막층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 유기박막층 중 적어도 어느 한 층은 전술한 유기광전소자용 화합물을 포함하는 것인 유기발광소자를 제공한다.
상기 유기박막층은 발광층, 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층 및 이들의 조합을 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.
상기 유기광전소자용 화합물은 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층 또는 전자주입층 내에 포함되는 것일 수 있다.
상기 유기광전소자용 화합물은 발광층 내에 포함되는 것일 수 있다.
상기 유기광전소자용 화합물은 발광층 내에 인광 또는 형광 호스트 재료로서 사용되는 것일 수 있다.
상기 유기광전소자용 화합물은 발광층 내에 형광 청색 도펀트 재료로서 사용되는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에서는 전술한 유기발광소자를 포함하는 것인 표시장치를 제공한다.
높은 정공 또는 전자 수송성, 막 안정성 열적 안정성 및 높은 3중항 여기에너지를 가지는 화합물을 제공할 수 있다.
이러한 화합물은 발광층의 정공 주입/수송 재료, 호스트 재료, 또는 전자 주입/수송 재료로 이용될 수 있다. 이를 이용한 유기광전소자는 우수한 전기화학적 및 열적 안정성을 가지게 되어 수명 특성이 우수하고, 낮은 구동전압에서도 높은 발광효율을 가질 수 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전소자용 화합물을 이용하여 제조될 수 있는 유기광전소자에 대한 다양한 구현예들을 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기, 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "이들의 조합"이란 별도의 정의가 없는 한, 둘 이상의 치환기가 연결기로 결합되어 있거나, 둘 이상의 치환기가 축합하여 결합되어 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬(alkyl)기"이란 별도의 정의가 없는 한, 지방족 탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 알켄기나 알킨기를 포함하고 있지 않음을 의미하는 "포화 알킬(saturated alkyl)기"일 수 있다. 알킬기는 적어도 하나의 알켄기 또는 알킨기를 포함하고 있음을 의미하는 "불포화 알킬(unsaturated alkyl)기"일 수도 있다. "알켄(alkene)기"는 적어도 두 개의 탄소원자가 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합으로 이루어진 작용기를 의미하며, "알킨(alkyne)기" 는 적어도 두 개의 탄소원자가 적어도 하나의 탄소-탄소 삼중 결합으로 이루어진 작용기를 의미한다. 포화이든 불포화이든 간에 알킬기는 분지형, 직쇄형 또는 환형일 수 있다.
알킬기는 C1 내지 C20인 알킬기일 수 있다. 알킬기는 C1 내지 C10인 중간 크기의 알킬기일 수도 있다. 알킬기는 C1 내지 C6인 저급 알킬기일 수도 있다.
예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자, 즉, 알킬쇄는 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
전형적인 알킬기에는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등으로부터 개별적으로 그리고 독립적으로 선택된 하나 또는 그 이상의 그룹들로 치환될 수도 있는 작용기임을 의미한다.
"방향족기"는 고리 형태인 작용기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 작용기를 의미한다. 구체적인 예로 아릴기와 헤테로아릴기가 있다.
"아릴(aryl)기"는 모노시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
"헤테로아릴(heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
본 명세서에서 카바졸계 유도체라함은 치환 또는 비치환된 카바졸릴기의 질소원자가 질소가 아닌 헤테로 원자로 치환된 구조를 의미한다. 구체적인 예를 들어, 디벤조퓨란(디벤조퓨라닐기), 디벤조티오펜(디벤조티오페닐기) 등 이다.
본 명세서에서, 정공 특성이란, HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전소자용 화합물은 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하는 융합 고리에 전자 특성을 가지는 치환기가 결합된 코어 구조를 가질 수 있다.
상기 코어 구조는 정공 특성이 뛰어난 헤테로 융합고리에 전자 특성이 뛰어난 치환기를 포함하기 때문에 유기발광소자의 발광 재료, 정공주입재료 또는 정공수송재료로 이용될 수 있다. 특히 발광 재료에 적합할 수 있다.
또한, 상기 융합 고리로 인해 분자 내 대칭성이 감소되어 화합물의 결정화도가 낮아질 수 있고 따라서 소자 내에서 재결정화가 억제되는 장점이 있다.
상기 코어에 결합된 치환기 중 적어도 하나는 전자 특성을 가지는 치환기일 수 있다. 따라서, 상기 화합물은 정공 특성이 우수한 카바졸 구조에 전자 특성을 보강하여 발광층에서 요구되는 조건을 만족시킬 수 있다. 보다 구체적으로 발광층의 호스트 재료로 이용이 가능하다.
또한, 상기 유기광전소자용 화합물은 코어 부분과 코어 부분에 치환된 치환기에 다양한 또 다른 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드 갭을 갖는 화합물이 될 수 있다.
상기 화합물의 치환기에 따라 적절한 에너지 준위를 가지는 화합물을 유기광전소자에 사용함으로써, 정공전달 능력 또는 전자전달 능력이 강화되어 효율 및 구동전압 면에서 우수한 효과를 가지고, 전기화학적 및 열적 안정성이 뛰어나 유기광전소자 구동시 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
이러한 본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 1; 및 화학식 2 또는 3;의 조합으로 표시되는 유기광전소자용 화합물일 수 있다.
[화학식 1] [화학식 2] [화학식 3]
상기 화학식 1 내지 3에서, 상기 X는 O, Se, S, SO2(O=S=O), PO(P=O) 또는 CO(C=O)이고, 상기 Y는 CR'R＂ 또는 NR*이고, 상기 a*, b*, R', R＂, R1, R2 및 R*는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 카르복실기, 치환 또는 비치환된 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고, 상기 화학식 1의 인접한 두 개의 *는, 상기 화학식 2 또는 3의 인접한 두 개의 *와 결합하여 융합고리를 형성하고, 상기 a*, b* 또는 R* 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 4로 표시되는 치환기이고,
[화학식 4]
상기 화학식 4에서, 상기 ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, 상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, 상기 n은 0 내지 2 중 어느 하나의 정수이다.
상기 화학식들의 적절한 조합에 의해 발광, 정공 또는 전자 특성, 막 안정성, 열적 안정성 및 높은 3중항 여기에너지(T1)을 가지는 유기광전소자용 화합물을 제조할 수 있다.
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 5로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 5]
상기 화학식 5에서, 상기 X는 O, Se, S, SO2(O=S=O), PO(P=O) 또는 CO(C=O)이고, 상기 Y는 CR'R＂ 또는 NR*이고, 상기 a*, b*, R', R＂, R1, R2 및 R*는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 카르복실기, 치환 또는 비치환된 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고, 상기 a*, b* 또는 R* 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 4로 표시되는 치환기이고,
[화학식 4]
상기 화학식 4에서, 상기 ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, 상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, 상기 n은 0 내지 2 중 어느 하나의 정수이다.
상기 치환기의 적절한 조합에 의해 열적 안정성 또는 산화에 대한 저항성이 우수한 구조의 화합물을 제조할 수 있다.
상기와 같이 R1 및 R2의 치환기 중 어느 하나가 수소가 아닌 전술한 치환기 중 어느 하나인 경우 치환기가 없는 화합물의 기본적인 특성을 유지하면서 유기광전소자용 재료로서 성능을 최적화하기 위한 전기광학적 특성, 박막 특성을 미세하게 조절할 수 있는 장점이 있다.
또한, 상기 화학식 5와 같은 구조의 경우 화합물의 합성 측면에서 유리할 수 있으며, 주쇄에 메타로 연결 되어 있기 때문에 삼중항 에너지가 높은 장점이 있다.
보다 구체적으로 상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 6, 7 또는 8 중 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
상기 화학식 6, 7 및 8에서, 상기 X는 O, Se, S, SO2(O=S=O), PO(P=O) 또는 CO(C=O)e이고, 상기 Y는 CR'R＂ 또는 NR*이고, 상기 R', R＂, R1, R2 및 R*는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 카르복실기, 치환 또는 비치환된 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고, 상기 ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, 상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고, 상기 n은 0 내지 2 중 어느 하나의 정수이다.
상기 화학식 6과 같은 구조로 전자 특성을 가지는 치환기가 결합하는 경우 분자 구조가 구형에 가까워 비결정질의(amorphous) 박막을 잘 만들수 있어 소자 안정성을 높일 수 있는 장점이 있다.
상기 화학식 7 및 8과 같은 구조로 전자 특성을 가지는 치환기가 결합하는 경우 전체 분자내 전자 밀도(electron density)에 영향을 많이 줄 수 위치이기 때문에 HOMO 준위과 LUMO 준위를 치환체의 종류 및 크기에 따라 손쉽게 변화를 줄 수 있다. 따라서, 이를 통해서 전기화학적 안정성, 디바이스 효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
상기 치환기의 적절한 조합에 의해 비대칭 바이폴라(bipolar)특성의 구조를 제조할 수 있으며, 상기 비대칭 바이폴라특성의 구조는 정공과 전자 전달 능력을 향상시켜 소자의 발광효율과 성능 향상을 기대할 수 있다.
또한, 치환기의 조절로 화합물의 구조를 벌크하게 제조할 수 있으며, 이로 인해 결정화도를 낮출 수 있다. 화합물의 결정화도가 낮아지게 되면 소자의 수명이 길어질 수 있다.
상기 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기는 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 플로레닐기, 치환 또는 비치환된 스피로플로레닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 파이레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기 또는 이들의 조합일 수 있다.
또한, 상기 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기는 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 테트라졸릴기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사다이아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 퓨리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기 또는 이들의 조합일 수 있다. 다만, 상기 치환기에 제한되는 것은 아니다.
상기와 같이 Y가 탄소일 경우 플로렌 화화물의 특성을 이용 할 수 있는 장점이 있다.
상기와 같이 Y가 질소인 경우 카바졸 화합물의 특성을 이용 할 수 있는 장점이 있다.
상기 화학식 4의 L의 길이 조절로 인해 전체의 파이공액길이(π-conjugation length)가 조절되며, 이로 인해 삼중항 에너지 밴드갭을 조절함으로써 인광호스트로 유기광전소자의 발광층에 매우 유용하게 적용될 수 있도록 하는 역할을 할 수 있다. 또한 헤테로아릴기가 도입될 경우 분자구조에 바이폴라 특성이 구현되어 인광호스트로서 고효율을 나타낼 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전소자용 화합물은 상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 A-1 내지 A-55 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하기와 같은 구조의 경우 분자 구조가 구형에 가까워 공정 온도를 낮출 수 있고, 비결정질의 박막을 만들수 있어 소자 안정성을 높일 수 있는 장점이 있다.
[화학식 A-1] [화학식 A-2] [화학식 A-3]
[화학식 A-4] [화학식 A-5] [화학식 A-6]
[화학식 A-7] [화학식 A-8] [화학식 A-9]
[화학식 A-10] [화학식 A-11] [화학식 A-12]
[화학식 A-13] [화학식 A-14] [화학식 A-15]
[화학식 A-16] [화학식 A-17] [화학식 A-18]
[화학식 A-22] [화학식 A-23] [화학식 A-24]
[화학식 A-25] [화학식 A-26] [화학식 A-27]
[화학식 A-28] [화학식 A-29] [화학식 A-30]
[화학식 A-31] [화학식 A-32] [화학식 A-33]
[화학식 A-34] [화학식 A-35] [화학식 A-36]
[화학식 A-37] [화학식 A-38] [화학식 A-39]
[화학식 A-40] [화학식 A-41] [화학식 A-42]
[화학식 A-43] [화학식 A-44] [화학식 A-45]
[화학식 A-46] [화학식 A-47] [화학식 A-48]
[화학식 A-49] [화학식 A-51] [화학식 A-52]
[화학식 A-53] [화학식 A-54] [화학식 A-55]
본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전소자용 화합물은 상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 B-1 내지 B-44 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하기와 같은 구조의 경우 HOMO 준위와 LUMO 준위를 치환체의 종류 및 크기에 따라 손쉽게 변화를 줄 수 있어서 전기화학적 안정성, 디바이스 효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
[화학식 B-1] [화학식 B-2] [화학식 B-3]
[화학식 B-4] [화학식 B-5] [화학식 B-6]
[화학식 B-7] [화학식 B-8] [화학식 B-9]
[화학식 B-10] [화학식 B-11]
[화학식 B-12] [화학식 B-13] [화학식 B-14]
[화학식 B-15] [화학식 B-16] [화학식 B-17]
[화학식 B-18] [화학식 B-19] [화학식 B-20]
[화학식 B-21] [화학식 B-22]
[화학식 B-23] [화학식 B-24] [화학식 B-25]
[화학식 B-26] [화학식 B-27] [화학식 B-28]
[화학식 B-29] [화학식 B-30] [화학식 B-31]
[화학식 B-32] [화학식 B-33]
[화학식 B-34] [화학식 B-35] [화학식 B-36]
[화학식 B-37] [화학식 B-38] [화학식 B-39]
[화학식 B-40] [화학식 B-41] [화학식 B-42]
[화학식 B-43] [화학식 B-44]
[화학식 B-1] [화학식 B-2] [화학식 B-3]
[화학식 B-4] [화학식 B-5] [화학식 B-6]
[화학식 B-7] [화학식 B-8] [화학식 B-9]
[화학식 B-10] [화학식 B-11]
[화학식 B-12] [화학식 B-13] [화학식 B-14]
[화학식 B-15] [화학식 B-16] [화학식 B-17]
[화학식 B-18] [화학식 B-19] [화학식 B-20]
[화학식 B-21] [화학식 B-22]
[화학식 B-23] [화학식 B-24] [화학식 B-25]
[화학식 B-26] [화학식 B-27] [화학식 B-28]
[화학식 B-29] [화학식 B-30] [화학식 B-31]
[화학식 B-32] [화학식 B-33]
[화학식 B-34] [화학식 B-35] [화학식 B-36]
[화학식 B-37] [화학식 B-38] [화학식 B-39]
[화학식 B-40] [화학식 B-41] [화학식 B-42]
[화학식 B-43] [화학식 B-44]
본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전소자용 화합물은 상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 C-1 내지 C-12 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하기와 같은 구조의 경우 HOMO 준위와 LUMO 준위를 치환체의 종류 및 크기에 따라 손쉽게 변화를 줄 수 있어서 전기화학적 안정성, 디바이스 효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
[화학식 C-1] [화학식 C-2] [화학식 C-3]
[화학식 C-4] [화학식 C-5] [화학식 C-6]
[화학식 C-7] [화학식 C-8] [화학식 C-9]
[화학식 C-10] [화학식 C-11] [화학식 C-12]
[화학식 C-13] [화학식 C-14] [화학식 C-15]
[화학식 C-16] [화학식 C-17] [화학식 C-18]
[화학식 C-19] [화학식 C-20]
본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전소자용 화합물은 상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 D-1 내지 D-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하기와 같은 구조의 경우 HOMO 호모 준위와 LUMO 준위를 치환체의 종류 및 크기에 따라 손쉽게 변화를 줄 수 있어서 전기화학적 안정성, 디바이스 효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
[화학식 D-1] [화학식 D-2] [화학식 D-3]
[화학식 D-4] [화학식 D-5] [화학식 D-6]
[화학식 D-7] [화학식 D-8]
본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전소자용 화합물은 상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 E-1 내지 E-6 중 어느 하나로 표시될 수 있다. 하기와 같은 구조의 경우 HOMO 준위롸 LUMO 준위를 치환체의 종류 및 크기에 따라 손쉽게 변화를 줄 수 있어서 전기화학적 안정성, 디바이스 효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
[화학식 E-1] [화학식 E-2] [화학식 E-3]
[화학식 E-4] [화학식 E-5] [화학식 E-6]
[화학식 E-7] [화학식 E-8]
[화학식 E-9]
전술한 본 발명의 일 구현예에 따른 화합물이 전자특성, 정공특성 양쪽을 모두 요구하는 경우에는 상기 전자특성을 가지는 작용기를 도입하는 것이 유기발광소자의 수명 향상 및 구동 전압 감소에 효과적이다.
전술한 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전소자용 화합물은 최대 발광 파장이 약 320 내지 500 nm 범위를 나타내고, 3중항 여기에너지(T1)가 2.0 eV 이상, 보다 구체적으로 2.0 내지 4.0 eV 범위인 것으로, 높은 3중항 여기 에너지를 가지는 호스트의 전하가 도판트에 잘 전달되어 도판트의 발광효율을 높일 수 있고, 재료의 호모(HOMO)와 루모(LUMO) 에너지 준위를 자유롭게 조절하여 구동전압을 낮출 수 있는 이점이 있기 때문에 호스트 재료 또는 전하수송재료로 매우 유용하게 사용될 수 있다.
뿐만 아니라, 상기 유기광전소자용 화합물은 광활성 및 전기적인 활성을 갖고 있으므로, 비선형 광학소재, 전극 재료, 변색재료, 광 스위치, 센서, 모듈, 웨이브 가이드, 유기 트렌지스터, 레이저, 광 흡수체, 유전체 및 분리막(membrane) 등의 재료로도 매우 유용하게 적용될 수 있다.
상기와 같은 화합물을 포함하는 유기광전소자용 화합물은 유리전이온도가 90℃ 이상이며, 열분해온도가 400℃이상으로 열적 안정성이 우수하다. 이로 인해 고효율의 유기광전소자의 구현이 가능하다.
상기와 같은 화합물을 포함하는 유기광전소자용 화합물은 발광, 또는 전자 주입 및/또는 수송역할을 할 수 있으며, 적절한 도판트와 함께 발광 호스트로서의 역할도 할 수 있다. 즉, 상기 유기광전소자용 화합물은 인광 또는 형광의 호스트 재료, 청색의 발광도펀트 재료, 또는 전자수송 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전소자용 화합물은 유기박막층에 사용되어 유기광전소자의 수명 특성, 효율 특성, 전기화학적 안정성 및 열적 안정성을 향상시키며, 구동전압을 낮출 수 있다.
이에 따라 본 발명의 일 구현예는 상기 유기광전소자용 화합물을 포함하는 유기광전소자를 제공한다. 이 때, 상기 유기광전소자라 함은 유기발광소자, 유기 태양 전지, 유기 트랜지스터, 유기 감광체 드럼, 유기 메모리 소자 등을 의미한다. 특히, 유기 태양 전지의 경우에는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전소자용 화합물이 전극이나 전극 버퍼층에 포함되어 양자 효율을 증가시키며, 유기 트랜지스터의 경우에는 게이트, 소스-드레인 전극 등에서 전극 물질로 사용될 수 있다.
이하에서는 유기광전소자에 대하여 구체적으로 설명한다.
본 발명의 다른 일 구현예는 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재되는 적어도 한 층 이상의 유기박막층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 유기박막층 중 적어도 어느 한 층은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전소자용 화합물을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
상기 유기광전소자용 화합물을 포함할 수 있는 유기박막층으로는 발광층, 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 층을 포함할 수 있는 바, 이 중에서 적어도 어느 하나의 층은 본 발명에 따른 유기광전소자용 화합물을 포함한다. 특히, 정공수송층 또는 정공주입층에 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전소자용 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기광전소자용 화합물이 발광층 내에 포함되는 경우 상기 유기광전소자용 화합물은 인광 또는 형광호스트로서 포함될 수 있고, 특히, 형광 청색 도펀트 재료로서 포함될 수 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전소자용 화합물을 포함하는 유기발광소자의 단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전소자(100, 200, 300, 400 및 500)는 양극(120), 음극(110) 및 이 양극과 음극 사이에 개재된 적어도 1층의 유기박막층(105)을 포함하는 구조를 갖는다.
상기 양극(120)은 양극 물질을 포함하며, 이 양극 물질로는 통상 유기박막층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고, 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물을 들 수 있고, ZnO와 Al 또는 SnO2와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합을 들 수 있고, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](polyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 상기 양극으로 ITO(indium tin oxide)를 포함하는 투명전극을 사용할 수 있다.
상기 음극(110)은 음극 물질을 포함하여, 이 음극 물질로는 통상 유기박막층으로 전자주입이 용이하도록 일 함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고, LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 상기 음극으로 알루미늄 등과 같은 금속전극을 사용할 수 있다.
먼저 도 1을 참조하면, 도 1은 유기박막층(105)으로서 발광층(130)만이 존재하는 유기광전소자(100)를 나타낸 것으로, 상기 유기박막층(105)은 발광층(130)만으로 존재할 수 있다.
도 2를 참조하면, 도 2는 유기박막층(105)으로서 전자수송층을 포함하는 발광층(230)과 정공수송층(140)이 존재하는 2층형 유기광전소자(200)를 나타낸 것으로, 도 2에 나타난 바와 같이, 유기박막층(105)은 발광층(230) 및 정공 수송층(140)을 포함하는 2층형일 수 있다. 이 경우 발광층(130)은 전자 수송층의 기능을 하며, 정공 수송층(140)은 ITO와 같은 투명전극과의 접합성 및 정공수송성을 향상시키는 기능을 한다.
도 3을 참조하면, 도 3은 유기박막층(105)으로서 전자수송층(150), 발광층(130) 및 정공수송층(140)이 존재하는 3층형 유기광전소자(300)로서, 상기 유기박막층(105)에서 발광층(130)은 독립된 형태로 되어 있고, 전자수송성이나 정공수송성이 우수한 막(전자수송층(150) 및 정공수송층(140))을 별도의 층으로 쌓은 형태를 나타내고 있다.
도 4를 참조하면, 도 4는 유기박막층(105)으로서 전자주입층(160), 발광층(130), 정공수송층(140) 및 정공주입층(170)이 존재하는 4층형 유기광전소자(400)로서, 상기 정공주입층(170)은 양극으로 사용되는 ITO와의 접합성을 향상시킬 수 있다.
도 5를 참조하면, 도 5는 유기박막층(105)으로서 전자주입층(160), 전자수송층(150), 발광층(130), 정공수송층(140) 및 정공주입층(170)과 같은 각기 다른 기능을 하는 5개의 층이 존재하는 5층형 유기광전소자(500)를 나타내고 있으며, 상기 유기광전소자(500)는 전자주입층(160)을 별도로 형성하여 저전압화에 효과적이다.
상기 도 1 내지 도 5에서 상기 유기박막층(105)을 이루는 전자 수송층(150), 전자 주입층(160), 발광층(130, 230), 정공 수송층(140), 정공 주입층(170) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나는 상기 유기광전소자용 화합물을 포함한다. 이 때 상기 유기광전소자용 화합물은 상기 전자 수송층(150) 또는 전자주입층(160)을 포함하는 전자수송층(150)에 사용될 수 있으며, 그중에서도 전자수송층에 포함될 경우 정공 차단층(도시하지 않음)을 별도로 형성할 필요가 없어 보다 단순화된 구조의 유기광전소자를 제공할 수 있어 바람직하다.
또한, 상기 유기 광전 소자용 화합물이 발광층(130, 230) 내에 포함되는 경우 상기 유기 광전 소자용 화합물은 인광 또는 형광호스트로서 포함될 수 있으며, 또는 형광 청색 도펀트로서 포함될 수 있다.
상기에서 설명한 유기발광소자는, 기판에 양극을 형성한 후, 진공증착법(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법; 또는 스핀코팅(spin coating), 침지법(dipping), 유동코팅법(flow coating)과 같은 습식성막법 등으로 유기박막층을 형성한 후, 그 위에 음극을 형성하여 제조할 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에 따르면, 상기 유기광전소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
(
유기광전소자용
화합물의 제조)
중간체의 합성
중간체 M-1의 합성
[반응식 1]
(4-디벤조퓨라닐)보론산((4-dibenzofuranyl)boronic acid) 30g (141.5mmol), 메틸-2-브로모-5-클로로벤조에이트(methyl-2-bromo-5-chlorobenzoate) 37.1g (148.6 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 8.2 g (7.1 mmol)을 플라스크에 넣고 질소 분위기 하에 톨루엔 550 ml에 용해 시킨 후 포타슘 카보네이트(potassium carbonate) 104.2 g (707.51 mmol) 을 녹인 수용액 353.8 ml를 첨가 시킨 후 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-헥산/디클로로메탄(7 : 3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-1을 흰색 고체로 38.2 g (수율 80%) 을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치: 336.06 g/mol, 측정치: M+1 = 336 g/mol)
중간체 M-2의 합성
[반응식 2]
중간체 M-1 38.18 g (113.37mmol)을 플라스크에 넣고 질소 분위기 하에 무수 에테르 500 ml에 용해시킨 후 0℃로 냉각, 교반하였다. 여기에 3M 메틸마그네슘브로마이드 110mL(in diethyl ether, 340.1 mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 질소 분위기 하에 5시간 교반하였다. 반응 종료 후 용액을 감압 농축하여 용매를 제거한 후 증류수와 디클로로메탄으로 추출 후 추출액을 무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하여 목적화합물인 중간체 M-2을 점성이 큰 액체형태로 수득하였다.
중간체 M-3의 합성
[반응식 3]
중간체 M-3를 디클로로메탄 250 ml에 용해시킨 후 0℃로 냉각, 교반하였다. 여기에 디클로로메탄 20 mL에 녹인 보로니트릴플루오라이드(borontrifluoride), 디에틸에터(diethyl ether complex) 15.18 g(56.7mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 5시간 교반하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-Hexane 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-3을 흰색 고체로 29 g (수율 80%)을 수득 하였다.
GC-Mass (이론치: 318.8 g/mol, 측정치: M+1 = 318 g/mol)
중간체 M-4의 합성
[반응식 4]
중간체 (4-dibenzofuranyl)boronic acid 30g (141.5mmol), 메틸-2-브로모-5-클로로벤조에이트(methyl-2-bromo-5-chlorobenzoate) 37.1 g (148.6 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 8.2 g (7.1 mmol)을 플라스크에 넣고 질소 분위기 하에 톨루엔 550 ml에 용해 시킨 후 포타슘 카보네이트(potassium carbonate) 104.2 g (707.51 mmol) 을 녹인 수용액 353.8 ml를 첨가 시킨 후 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-헥산/디클로로메탄(7 : 3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-1을 흰색 고체로 38.2 g (수율 80%) 을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치: 336.06 g/mol, 측정치: M+1 = 336 g/mol)
중간체 M-5의 합성
[반응식 5]
중간체 M-4 38.2 g (113.37mmol)을 플라스크에 넣고 질소 분위기 하에 무수 에테르 500 ml에 용해시킨 후 0℃로 냉각, 교반하였다. 여기에 3M 메틸마그네슘브로마이드(methylmagnesiumbromide) 110mL(in diethyl ether, 324.63 mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 질소 분위기 하에 5시간 교반하였다. 반응 종료 후 용액을 감압 농축하여 용매를 제거한 후 증류수와 디클로로메탄으로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하여 목적화합물인 중간체 M-2을 점성이 큰 액체형태로 수득하였다.
중간체 M-6의 합성
[반응식 6]
중간체 M-5를 디클로로메탄 250 ml에 용해시킨 후 0℃로 냉각, 교반하였다. 여기에 디클로로메탄 20 mL에 녹인 보로니트릴플루오라이드(borontrifluoride), 디에틸에터(diethyl ether complex) 14.5 g(54.1mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 5시간 교반하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-Hexane 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-6을 흰색 고체로 31 g (수율 85.5%) 을 수득 하였다.
GC-Mass (이론치: 334.86 g/mol, 측정치: 335 g/mol)
중간체 M-7의 합성
[반응식 7]
중간체 (4-dibenzofuranyl)boronic acid 23g (108.5 mmol), 메틸-2-브로모-벤조에이트(methyl-2-bromo-benzoate) 24.5 g (113.9 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 6.3 g (5.47 mmol)을 플라스크에 넣고 질소 분위기 하에 톨루엔 500 ml에 용해 시킨 후 포타슘 카보네이트(potassium carbonate) 79.9 g (542.4 mmol) 을 녹인 수용액 271.2 ml를 첨가 시킨 후 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-헥산/디클로로메탄(7 : 3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-7을 흰색 고체로 31 g (수율 94.5 %) 을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치: 302.32 g/mol, 측정치: M+1 = 303 g/mol)
중간체 M-8의 합성
[반응식 8]
중간체 M-7 29 g (95.92mmol)을 플라스크에 넣고 질소 분위기 하에 무수 테트라히드로퓨란(tetrahydrofuran, THF) 400 ml에 용해시킨 후 0℃로 냉각, 교반하였다. 여기에 3M 메틸마그네슘브로마이드(methylmagnesiumbromide) 95.9mL(in diethyl ether, 287.8 mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 질소 분위기 하에 5시간 교반하였다. 반응 종료 후 용액을 감압 농축하여 용매를 제거한 후 증류수와 디클로로메탄으로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하여 목적화합물인 중간체 M-8을 점성이 큰 액체형태로 수득하였다.
중간체 M-9의 합성
[반응식 9]
중간체 M-8를 디클로로메탄 250 ml에 용해시킨 후 0℃로 냉각, 교반하였다. 여기에 디클로로메탄 20 mL에 녹인 보로니트릴플루오라이드(borontrifluoride), 디에틸에터(diethyl ether complex) 12.84 g(47.5mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 5시간 교반하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-Hexane 으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-9을 흰색 고체로 22 g (수율 71.9%) 을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치: 284.35 g/mol, 측정치: M+1 = 284 g/mol)
중간체 M-10의 합성
[반응식 10]
진공 하에서 가열 건조한 2구 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 중간체 M-9 10g (59.5mmol)을 넣고 무수 테트라히드로퓨란 119mL를 가하여 용해시킨 후 -40℃로 냉각, 교반하였다. 여기에 1.6M n-부틸리튬 26mL(in Hexane, 65.5mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 질소 분위기 하에 5시간 교반하였다. 반응액을 -78℃로 냉각한 후 여기에 무수 테트라히드로퓨란 10mL에 녹인 1,2-디브로모에탄 22.4g (119mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 5시간 교반하였다. 반응 종료 후 용액을 감압 농축하여 용매를 제거한 후 증류수와 디클로로메탄으로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 반응액을 n-헥산으로 재결정하여 목적화합물인 중간체 M-10을 흰색고체로 11g (수율 75%)을 수득하였다.
GC-Mass (이론치: 245.97 g/mol, 측정치: 246 g/mol)
중간체 M-11의 합성
[반응식 11]
중간체 M-10 11g (30.28mmol), 4-클로로페닐보론산(4-chlorophenylboronic acid) 5.0 g (31.8 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 1.8 g (1.5 mmol)을 플라스크에 넣고 질소 분위기 하에 톨루엔 120 ml에 용해 시킨 후 포타슘 카보네이트(potassium carbonate) 22.3 g (151.4 mmol) 을 녹인 수용액 75.7ml를 첨가 시킨 후 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-헥산/디클로로메탄(7 : 3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-11을 흰색 고체로 8.0 g (수율 66.7%) 을 수득 하였다.
GC-Mass (이론치: 394.89 g/mol, 측정치: 395 g/mol)
중간체 M-12의 합성
[반응식 12]
중간체 (4-dibenzothiophenyl)boronic acid 25g (109.62 mmol), 메틸-2-브로모-벤조에이트(methyl-2-bromo-benzoate) 24.8 g (115.1 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 6.3 g (5.48 mmol)을 플라스크에 넣고 질소 분위기 하에 톨루엔 500 ml에 용해 시킨 후 포타슘 카보네이트(potassium carbonate) 80.7 g (548.1 mmol) 을 녹인 수용액 274 ml를 첨가 시킨 후 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-헥산/디클로로메탄(7 : 3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-12을 흰색 고체로 31 g (수율 88.8 %) 을 수득 하였다.
GC-Mass (이론치: 318.39 g/mol, 측정치: M+1 = 318 g/mol)
중간체 M-13의 합성
[반응식 13]
중간체 M-12 15.4 g (47.1mmol)을 플라스크에 넣고 질소 분위기 하에 무수 테트라히드로퓨란 400 ml에 용해시킨 후 0℃로 냉각, 교반하였다. 여기에 3M 메틸마그네슘브로마이드(methylmagnesiumbromide) 50mL(in diethyl ether, 141.34 mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 질소 분위기 하에 5시간 교반하였다. 반응 종료 후 용액을 감압 농축하여 용매를 제거한 후 증류수와 디클로로메탄으로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하여 목적화합물인 중간체 M-13을 점성이 큰 액체 형태로 수득하였다.
중간체 M-14의 합성
[반응식 14]
중간체 M-13를 디클로로메탄 250 ml에 용해시킨 후 0℃로 냉각, 교반하였다. 여기에 디클로로메탄 20 mL에 녹인 보로니트릴플루오라이드(borontrifluoride), 디에틸에터(diethyl ether complex) 12.6 g(47.1mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 5시간 교반하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-헥산으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-14을 흰색 고체로 10.5 g (수율 74.3%) 을 수득 하였다.
LC-Mass (이론치: 300.42 g/mol, 측정치: M+1 = 300 g/mol)
중간체
M-15
의 합성
[반응식 15]
진공 하에서 가열 건조한 2구 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 중간체 M14 9.6g (31.79mmol)을 넣고 무수 테트라히드로퓨란 100mL를 가하여 용해시킨 후 40℃로 냉각, 교반하였다. 여기에 1.6M n부틸리튬 20.7mL(in Hexane, 63.6mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 질소 분위기 하에 5시간 교반하였다. 반응액을 78℃로 냉각한 후 여기에 무수 테트라히드로퓨란 10mL에 녹인 1,2디브로모에탄 11.9g (63.58mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 5시간 교반하였다. 반응 종료 후 용액을 감압 농축하여 용매를 제거한 후 증류수와 디클로로메탄으로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다.반응액을 n헥산으로 재결정하여 목적화합물인 중간체 M15을 흰색고체로 9.5g (수율 78.8%)을 수득하였다.
GCMass (이론치: 379.31/mol, 측정치:/mol)
중간체 M-16의 합성
[반응식 16]
중간체 M-15 9.5g (26.4mmol), 4-클로로페닐보론산(4-chlorophenylboronic acid) 4.3 g (27.7 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 1.5 g (1.3 mmol)을 플라스크에 넣고 질소 분위기 하에 톨루엔 150 ml에 용해 시킨 후 포타슘 카보네이트(potassium carbonate) 19.4 g (130.9 mmol) 을 녹인 수용액 64.9 ml를 첨가 시킨 후 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-헥산/디클로로메탄(7 : 3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-16을 흰색 고체로 5.3 g (수율 48.5%) 을 수득 하였다.
GC-Mass (이론치: 394.89 g/mol, 측정치: 395 g/mol)
중간체 M-17의 합성
[반응식 17]
500 ㎖의 둥근 바닥 플라스크 질소 분위기에서 물질 디벤조퓨란 보로닉에시드 (15.0 g, 70.7 mmol), 물질 1-브로모-2-니트로 벤젠(19.38 g, 77.83 mmol), 및 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(2.46g, 2.12 mmol)을 200 mL 톨루엔에 녹이고, 포타슘아세테이트 (19.56 g, 141 mmol), 물 70 ㎖을 넣은 다음 90 ℃에서 24 시간 동안 교반시켰다. 반응이 끝나면 반응물을 실온으로 냉각시키고, 톨루엔과 물로 추출한 후 반응물을 무수 황산마그네슘으로 수분을 제거하고 이를 거른 후 용매를 제거하였다. 상기 용매를 제거한 다음 메틸렌클로라이드/헥산(1:1) 혼합 용매로 실리카켈 칼럼을 통해 정제 하여 중간체 M-17를 15 g (수율: 73.3 %) 얻었다.
중간체 M-18의 합성
[반응식 18]
500 ㎖의 둥근 바닥 플라스크 질소 분위기에서 M-17 (15.0 g, 51.8 mmol), 트리페닐포스핀 (36 g, 137.5 mmol)을 디클로로벤젠에 녹인 후 160 ℃에서 24 시간 동안 교반시켰다. 반응이 끝나면 반응물을 실온으로 냉각시키고, 디클로로벤젠을 감압하에서 제거 하였다. 반응물을 메틸렌클로라이드/헥산(1:1) 혼합 용매로 실리카켈 칼럼을 통해 정제 하여 중간체 M-18를 9.1 g (수율: 68.2 %) 얻었다.
중간체 M-19의 합성
[반응식 19]
250㎖ 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 M-18 (9g, 34.9 mmol), 브로모벤젠 (10.9 g, 69.9 mmol), 염화구리 (1.6g, 17.4 mmol), 포타슘하이드옥사이드 (20g, 356.4 mmol)을 자일렌 100㎖에 녹인 다음 150℃에서 48시간 동안 교반 시킨 다음 반응물을 상온으로 내리고 감압 하에서 자일렌을 제거 한다. 남은 고체를 메틸렌클로라이드에 녹인 다음 물로 여러번 세척 한 다음 무수 황산마그네슘으로 수분을 제거하고 이를 거른 후 용매를 제거한다. 용매를 제거한 다음 핵산/메틸렌클로라이드(1:2) 용매로 실리카겔 칼럼 정제 하여 목적 화합물 M-19을 10 g(86 %) 얻었다.
중간체 M-20의 합성
[반응식 20]
진공 하에서 가열 건조한 2구 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 중간체 M-19 10.0g (30.0mmol)을 넣고 무수 테트라하이드로퓨란 100mL를 가하여 용해시킨 후 -40℃로 냉각, 교반하였다. 여기에 1.6M n-부틸리튬 10.4 mL(in Hexane, 31.20mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 질소 분위기 하에 5시간 교반하였다. 반응액을 -78℃로 냉각한 후 여기에 무수 테트라히드로퓨란 10mL에 녹인 1,2-dibromoethane 11.3g (60.0mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 5시간 교반하였다. 반응 종료 후 용액을 감압 농축하여 용매를 제거한 후 증류수와 디클로로메탄으로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 반응액을 n-Hexane으로 재결정하여 목적화합물인 중간체 M-20을 흰색고체로 9.7g (수율 78.4%)을 수득하였다.
GC-Mass (이론치: 412.28 g/mol, 측정치: 412 g/mol)
중간체 M-21의 합성
[반응식 21]
중간체 M-20 9.7g (23.5mmol), 4-클로로페닐보로닉에시드 3.9 g (24.7 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 1.4 g (1.2 mmol)을 플라스크에 넣고 질소 분위기 하에 톨로엔 100 ml에 용해 시킨 후 포타슘카보네이트 17.3 g (117.6 mmol) 을 녹인 수용액 58.8 ml를 첨가 시킨 후 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 무수황산마그네슘으로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 노말헥산/메틸렌클로라이드(7 : 3 부피비)으로 실리카켈 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-21을 흰색 고체로 7.0 g (수율 67.0%) 을 수득 하였다.
GC-Mass (이론치:443.92 g/mol, 측정치: 444 g/mol)
중간체 M-22의 합성
[반응식 22]
500 ㎖의 둥근 바닥 플라스크 질소 분위기에서 물질 디벤조퓨란 보로닉에시드 (15.0 g, 65.7 mmol), 물질 1-브로모-2-니트로 벤젠(18.0 g, 72.3 mmol), 및 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(2.3g, 1.97 mmol)을 200 mL 톨루엔에 녹이고, 포타슘아세테이트 (18.2 g, 131.5 mmol), 물 70 ㎖을 넣은 다음 90 ℃에서 24 시간 동안 교반시켰다. 반응이 끝나면 반응물을 실온으로 냉각시키고, 톨루엔과 물로 추출한 후 반응물을 무수 황산마그네슘으로 수분을 제거하고 이를 거른 후 용매를 제거하였다. 상기 용매를 제거한 다음 메틸렌클로라이드/헥산(1:1) 혼합 용매로 실리카켈 칼럼을 통해 정제 하여 중간체 M-22를 14 g (수율: 69.7 %) 얻었다.
중간체 M-23의 합성
[반응식 23]
500 ㎖의 둥근 바닥 플라스크 질소 분위기에서 M-22 (14.0 g, 45.8 mmol), 트리페닐포스핀 (36 g, 137.5 mmol)을 디클로로벤젠에 녹인 후 160 ℃에서 24 시간 동안 교반시켰다. 반응이 끝나면 반응물을 실온으로 냉각시키고, 디클로로벤젠을 감압하에서 제거 하였다. 반응물을 메틸렌클로라이드/헥산(1:1) 혼합 용매로 실리카켈 칼럼을 통해 정제 하여 중간체 M-23 를 9.7 g (수율: 77.6 %) 얻었다.
중간체 M-24의 합성
[반응식 24]
250㎖ 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 M-23 (9.7g, 35.4 mmol), 브로모벤젠 (11.1 g, 70.9 mmol), 염화구리 (1.6g, 17.4 mmol), 포타슘하이드옥사이드 (20g, 356.4 mmol)을 자일렌 100㎖에 녹인 다음 150℃에서 48시간 동안 교반 시킨 다음 반응물을 상온으로 내리고 감압 하에서 자일렌을 제거 한다. 남은 고체를 메틸렌클로라이드에 녹인 다음 물로 여러번 세척 한 다음 무수 황산마그네슘으로 수분을 제거하고 이를 거른 후 용매를 제거한다. 용매를 제거한 다음 핵산/메틸렌클로라이드(1:2) 용매로 실리카겔 칼럼 정제 하여 목적 화합물 M-24을 11 g(89 %) 얻었다.
중간체 M-25의 합성
[반응식 25]
진공 하에서 가열 건조한 2구 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 중간체 M-24 10.0g (28.6mmol)을 넣고 무수 테트라히드로퓨란 100mL를 가하여 용해시킨 후 -40℃로 냉각, 교반하였다. 여기에 1.6M n-부틸리튬 9.92 mL(in Hexane, 29.76mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 질소 분위기 하에 5시간 교반하였다. 반응액을 -78℃로 냉각한 후 여기에 무수 테트라히드로퓨란 10mL에 녹인 1,2-디브로모에탄 10.8g (57.2mmol)을 천천히 가한 후 상온에서 5시간 교반하였다. 반응 종료 후 용액을 감압 농축하여 용매를 제거한 후 증류수와 디클로로메탄으로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 반응액을 n-헥산으로 재결정하여 목적화합물인 중간체 M-25을 흰색고체로 9.8g (수율 79.9%)을 수득하였다.
GC-Mass (이론치: 428.34 g/mol, 측정치: 428 g/mol)
중간체 M-26의 합성
[반응식 26]
중간체 M-25 9.8g (22.9mmol), 4-클로로페닐보론산(4-chlorophenylboronic acid) 3.8 g (24.0 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐 1.3 g (1.1 mmol)을 플라스크에 넣고 질소 분위기 하에 톨루엔 100 ml에 용해 시킨 후 포타슘 카보네이트(potassium carbonate) 16.8 g (114.4 mmol) 을 녹인 수용액 57.2ml를 첨가 시킨 후 12시간 동안 환류 교반 하였다. 반응 종료 후 에틸아세테이트로 추출 후 추출액을 마그네슘 설파이트(magnesium sulphate)로 건조, 여과하고 여과액을 감압 농축하였다. 생성물을 n-헥산/디클로로메탄(7 : 3 부피비)으로 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 목적 화합물인 중간체 M-26을 흰색 고체로 6.0 g (수율 57.0%) 을 수득 하였다.
GC-Mass (이론치:459.99 g/mol, 측정치: 460 g/mol)
중간체 M-27의 합성
[반응식 27]
1L의 둥근 바닥 플라스크 질소 분위기에서 물질 디벤조퓨란 보로닉에시드 (20.0 g, 94.3 mmol), 물질 2-브로모-5-클로로나이트로벤젠(24.5 g, 103.7 mmol), 및 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(3.28 g, 2.83 mmol)을 300 mL 톨루엔에 녹이고, 포타슘아세테이트 (26 g, 188.6 mmol), 물 100 ㎖을 넣은 다음 90 ℃에서 24 시간 동안 교반시켰다. 반응이 끝나면 반응물을 실온으로 냉각시키고, 톨루엔과 물로 추출한 후 반응물을 무수 황산마그네슘으로 수분을 제거하고 이를 거른 후 용매를 제거하였다. 상기 용매를 제거한 다음 메틸렌클로라이드/헥산(1:1) 혼합 용매로 실리카켈 칼럼을 통해 정제 하여 중간체 M-27를 20 g (수율: 65.49 %) 얻었다.
중간체 M-28의 합성
[반응식 28]
500 ㎖의 둥근 바닥 플라스크 질소 분위기에서 M-27 (20.0 g, 61.7 mmol), 트리페닐포스핀 (48.6 g, 185.3 mmol)을 디클로로벤젠에 녹인 후 160 ℃에서 24 시간 동안 교반시켰다. 반응이 끝나면 반응물을 실온으로 냉각시키고, 디클로로벤젠을 감압하에서 제거 하였다. 반응물을 메틸렌클로라이드/헥산(1:1) 혼합 용매로 실리카켈 칼럼을 통해 정제 하여 중간체 M-28 를 14.5 g (수율: 81 %) 얻었다.
중간체 M-29의 합성
[반응식 29]
250㎖ 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 M-28 (14 g, 47.9 mmol), 브로모벤젠 (15 g, 95.9 mmol), 염화구리 (3.2g, 34.8 mmol), 포타슘하이드옥사이드 (30g, 535.7 mmol)을 자일렌 200㎖에 녹인 다음 150℃에서 48시간 동안 교반 시킨 다음 반응물을 상온으로 내리고 감압 하에서 자일렌을 제거 한다. 남은 고체를 메틸렌클로라이드에 녹인 다음 물로 여러번 세척 한 다음 무수 황산마그네슘으로 수분을 제거하고 이를 거른 후 용매를 제거한다. 용매를 제거한 다음 핵산/메틸렌클로라이드(1:2) 용매로 실리카겔 칼럼 정제 하여 목적 화합물 M-29을 14 g(79.5 %) 얻었다.
중간체 M-30의 합성
[반응식 30]
1L의 둥근 바닥 플라스크 질소 분위기에서 물질 디벤조티오펜 보로닉에시드 (20.0 g, 87.6 mmol), 물질 2-브로모-5-클로로나이트로벤젠(22.8 g, 96.4 mmol), 및 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(3 g, 2.63 mmol)을 300 mL 톨루엔에 녹이고, 포타슘아세테이트 (24.2 g, 175.3 mmol), 물 100 ㎖을 넣은 다음 90 ℃에서 24 시간 동안 교반시켰다. 반응이 끝나면 반응물을 실온으로 냉각시키고, 톨루엔과 물로 추출한 후 반응물을 무수 황산마그네슘으로 수분을 제거하고 이를 거른 후 용매를 제거하였다. 상기 용매를 제거한 다음 메틸렌클로라이드/헥산(1:1) 혼합 용매로 실리카켈 칼럼을 통해 정제 하여 중간체 M-27를 23 g (수율: 77.2 %) 얻었다.
중간체 M-31의 합성
[반응식 31]
500 ㎖의 둥근 바닥 플라스크 질소 분위기에서 M-30 (20.0 g, 58.8 mmol), 트리페닐포스핀 (48.6 g, 185.3 mmol)을 디클로로벤젠에 녹인 후 160 ℃에서 24 시간 동안 교반시켰다. 반응이 끝나면 반응물을 실온으로 냉각시키고, 디클로로벤젠을 감압하에서 제거 하였다. 반응물을 메틸렌클로라이드/헥산(1:1) 혼합 용매로 실리카켈 칼럼을 통해 정제 하여 중간체 M-31 를 14 g (수율: 77.3%) 얻었다.
중간체 M-32의 합성
[반응식 32]
250㎖ 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 M-31 (14 g, 45.4 mmol), 브로모벤젠 (14.2 g, 90.9 mmol), 염화구리 (3.2g, 34.8 mmol), 포타슘하이드옥사이드 (30g, 535.7 mmol)을 자일렌 200㎖에 녹인 다음 150℃에서 48시간 동안 교반 시킨 다음 반응물을 상온으로 내리고 감압 하에서 자일렌을 제거 한다. 남은 고체를 메틸렌클로라이드에 녹인 다음 물로 여러번 세척 한 다음 무수 황산마그네슘으로 수분을 제거하고 이를 거른 후 용매를 제거한다. 용매를 제거한 다음 핵산/메틸렌클로라이드(1:2) 용매로 실리카겔 칼럼 정제 하여 목적 화합물 M-32을 13 g(74.6 %) 얻었다.
중간체 M-33의 합성
[반응식 33]
1L의 둥근 바닥 플라스크 질소 분위기에서 물질 디벤조퓨란 보로닉에시드 (20.0 g, 94.3 mmol), 물질 2-브로모-5-클로로나이트로벤젠(24.5 g, 103.7 mmol), 및 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(3.28 g, 2.83 mmol)을 300 mL 톨루엔에 녹이고, 포타슘아세테이트 (26 g, 188.6 mmol), 물 100 ㎖을 넣은 다음 90 ℃에서 24 시간 동안 교반시켰다. 반응이 끝나면 반응물을 실온으로 냉각시키고, 톨루엔과 물로 추출한 후 반응물을 무수 황산마그네슘으로 수분을 제거하고 이를 거른 후 용매를 제거하였다. 상기 용매를 제거한 다음 메틸렌클로라이드/헥산(1:1) 혼합 용매로 실리카켈 칼럼을 통해 정제 하여 중간체 M-33을 21 g (수율: 68.7 %) 얻었다.
중간체 M-34의 합성
[반응식 34]
500 ㎖의 둥근 바닥 플라스크 질소 분위기에서 M-33 (20.0 g, 61.7 mmol), 트리페닐포스핀 (48.6 g, 185.3 mmol)을 디클로로벤젠에 녹인 후 160 ℃에서 24 시간 동안 교반시켰다. 반응이 끝나면 반응물을 실온으로 냉각시키고, 디클로로벤젠을 감압하에서 제거 하였다. 반응물을 메틸렌클로라이드/헥산(1:1) 혼합 용매로 실리카켈 칼럼을 통해 정제 하여 중간체 M-34 를 14 g (수율: 77.7 %) 얻었다.
중간체 M-35의 합성
[반응식 35]
250㎖ 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 M-34 (14 g, 47.9 mmol), 브로모벤젠 (15 g, 95.9 mmol), 염화구리 (3.2g, 34.8 mmol), 포타슘하이드옥사이드 (30g, 535.7 mmol)을 자일렌 200㎖에 녹인 다음 150℃에서 48시간 동안 교반 시킨 다음 반응물을 상온으로 내리고 감압 하에서 자일렌을 제거 한다. 남은 고체를 메틸렌클로라이드에 녹인 다음 물로 여러번 세척 한 다음 무수 황산마그네슘으로 수분을 제거하고 이를 거른 후 용매를 제거한다. 용매를 제거한 다음 핵산/메틸렌클로라이드(1:2) 용매로 실리카겔 칼럼 정제 하여 목적 화합물 M-35을 14.5 g(82.3 %) 얻었다.
중간체 M-36의 합성
[반응식 36]
1L의 둥근 바닥 플라스크 질소 분위기에서 물질 디벤조티오펜 보로닉에시드 (20.0 g, 87.6 mmol), 물질 2-브로모-5-클로로나이트로벤젠(22.8 g, 96.4 mmol), 및 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(3 g, 2.63 mmol)을 300 mL 톨루엔에 녹이고, 포타슘아세테이트 (24.2 g, 175.3 mmol), 물 100 ㎖을 넣은 다음 90 ℃에서 24 시간 동안 교반시켰다. 반응이 끝나면 반응물을 실온으로 냉각시키고, 톨루엔과 물로 추출한 후 반응물을 무수 황산마그네슘으로 수분을 제거하고 이를 거른 후 용매를 제거하였다. 상기 용매를 제거한 다음 메틸렌클로라이드/헥산(1:1) 혼합 용매로 실리카켈 칼럼을 통해 정제 하여 중간체 M-36를 22 g (수율: 73.8 %) 얻었다.
중간체 M-37의 합성
[반응식 37]
500 ㎖의 둥근 바닥 플라스크 질소 분위기에서 M-36 (20.0 g, 58.8 mmol), 트리페닐포스핀 (48.6 g, 185.3 mmol)을 디클로로벤젠에 녹인 후 160 ℃에서 24 시간 동안 교반시켰다. 반응이 끝나면 반응물을 실온으로 냉각시키고, 디클로로벤젠을 감압하에서 제거 하였다. 반응물을 메틸렌클로라이드/헥산(1:1) 혼합 용매로 실리카켈 칼럼을 통해 정제 하여 중간체 M-37 를 14.5 g (수율: 80.5%) 얻었다.
중간체 M-38의 합성
[반응식 38]
250㎖ 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 M-37 (14 g, 45.4 mmol), 브로모벤젠 (14.2 g, 90.9 mmol), 염화구리 (3.2g, 34.8 mmol), 포타슘하이드옥사이드 (30g, 535.7 mmol)을 자일렌 200㎖에 녹인 다음 150℃에서 48시간 동안 교반 시킨 다음 반응물을 상온으로 내리고 감압 하에서 자일렌을 제거 한다. 남은 고체를 메틸렌클로라이드에 녹인 다음 물로 여러번 세척 한 다음 무수 황산마그네슘으로 수분을 제거하고 이를 거른 후 용매를 제거한다. 용매를 제거한 다음 핵산/메틸렌클로라이드(1:2) 용매로 실리카겔 칼럼 정제 하여 목적 화합물 M-38을 13.5 g(77.5 %) 얻었다.
중간체 M-39의 합성
[반응식 39]
메틸마그네슘브로마이드 대신 페닐마그네슘브로마이드를 사용 한 것을 제외하고는 중간체 M-2의 합성법과 동일한 방법에 의해서 목적 화합물 M-39를 합성 하였다.
중간체 M-40의 합성
[반응식 40]
중간체 M-3과 동일한 방법에 의해 목적 화합물 M-40를 20 g (82 %) 합성하였다.
중간체 M-41의 합성
[반응식 41]
메틸마그네슘브로마이드 대신 페닐마그네슘브로마이드를 사용 한 것을 제외하고는 중간체 M-5의 합성법과 동일한 방법에 의해서 목적 화합물 M-41를 합성 하였다.
중간체 M-42의 합성
[반응식 42]
중간체 M-6과 동일한 방법에 의해 목적 화합물 M-42를 22 g (81 %) 합성하였다.
중간체 M-43의 합성
[반응식 42]
M-11 M-43
250㎖ 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 M-11 (10 g, 25.3 mmol)과 I2 10 mg과 마그네슘 (3.0 g, 126.6 mmol)을 THF 50 mL에 넣은 후, 환류기 존재하에서 까지 온도를 올린다. 75 oC에서 약 1시간 정도 교반한 다음 온도를 다시 O oC까지 내린다. O oC에서 Trimethyl borate (2.9 g, 27.9 mmol)를 적가하였다.
온도를 상온으로 올린 후 약 2시간 교반 한 다음, 반응물에 2N HCl을 적가하여 pH 테스트기를 이용하여 반응액이 산성을 띄는 것을 확인한 후 유기층만을 모아 감압 농축하였다. 이렇게 얻은 반응물을 소량의 메틸렌클로라이드에 녹인 후, 헥산 용매에서 침전을 시켰다. 침전물을 필터하여, 얻은 고체를 헥산/아세톤 조건에서 재결정하여 원하는 목적 화합물 M-43을 7.2g (70.3%) 얻었다.
중간체 M-44 내지 M-54의 합성
상기 중간체 M-1 내지 M-43의 합성 방법을 이용하고, 출발물질을 하기 표 1과 같이 변경하여 중간체 M-44 내지 M-54를 제조하였다. M-51 내지 M-53의 경우, 디벤조퓨란 또는 디벤조티오펜 을 출발 물질로 하여 합성된 중간체 M-3, M-6, M-34 또는 M-37를 합성하는 방법을 동일하게 사용하여 합성하였다.
| 출발 물질 | 생성물 Boronic acid |
수율 |
 |
 |
71% |
 |
 |
69% |
 |
 |
80% |
 |
 |
85% |
 |
 |
88% |
 |
 |
73% |
 |
 |
77% |
 M-51 |
 M-52 |
65% |
 M-53 |
 M-54 |
67% |
실시예
1: 화합물
A-4
의 제조
[반응식 43]
M-43 W-1 A-4
250㎖ 둥근 바닥 플라스크에 질소 분위기 하에서 boronic acid인 M-43 (6 g, 14.84 mmol)과 할로겐 화합물 W-1 (4.4 g, 14.84 mmol), Pd2(dba)3 (0.136 g, 1 mol%), KF, potassium fluoride (2.85 g, 48.98 mmol)을 THF 100 mL에 녹인 후, 환류기 존재하에서 P(tBu)3 (0.060 g, 2 mol%)넣은 후 75 oC로 온도를 올린다. 75 oC 에서 약 24시간 정도 교반한 다음, 감압 농축하였다. 남은 고체를 메틸렌클로라이드에 녹인 다음 물로 여러번 세척 한 다음 무수 황산마그네슘으로 수분을 제거하고 이를 거른 후 용매를 제거한다. 용매를 제거한 다음 핵산/메틸렌클로라이드(1:2) 용매로 실리카겔 칼럼 정제 하여 목적 화합물 7 g (88.7%, LC Mass M+H+ = 591.4)을 얻었다.
실시예
2 내지 26: 화합물들의 제조
실시예 1의 출발 물질 M-43(하기 표 2의 출발물질 1에 대응)과 W-1(하기 표 2의 출발물질 2에 대응)을 대신 하기 표 2에 나와있는 두 출발물질 사용한 것을 제외하고는 모든 합성 과정을 동일하게 하여 화합물들을 제조하였다.
| 실시예 | 출발물질 1 | 출발물질 2 | 생성물 | 수율(%) LC-Mass (M+H+) |
| 2 |
 |
 |
 A-12 |
78% 756.31 |
| 3 |
 |
 |
 A-21 |
80% 772.30 |
| 4 |
 |
 |
 C-9 |
75% 680.27 |
| 5 |
 |
 |
 C-10 |
68% 696.25 |
| 6 |
 |
 |
 D-3 |
66% 729.27 |
| 7 |
 |
 |
 D-4 |
78% 744.24 |
| 8 |
 |
 |
 A-14 |
80% 756.30 |
| 9 |
 |
 |
 A-23 |
82% 773.28 |
| 10 |
 |
 |
 C-11 |
80% 681.27 |
| 11 |
 |
 |
 C-12 |
75% 697.24 |
| 12 |
 |
 |
 C-13 |
56% 693.27 |
| 13 |
 |
 |
 C-14 |
60% 712.24 |
| 14 |
 |
 |
 C-15 |
67% 745.19 |
| 15 |
 |
 |
 C-16 |
91% 511.21 |
| 16 |
 |
 |
 C-17 |
85% 756.31 |
| 17 |
 |
 |
 C-18 |
78% 602.25 |
| 18 |
 |
 |
 C-19 |
72% 618.23 |
| 19 |
 |
 |
 C-20 |
70% 665.16 |
| 20 |
 |
 |
 D-7 |
75% 651.25 |
| 21 |
 |
 |
 D-8 |
77% 667.22 |
| 22 |
 |
 |
 E-1 |
80% 729.27 |
| 23 |
 |
 |
 E-5 |
75% 745.24 |
| 24 |
 |
 |
 E-9 |
82% 793.19 |
| 25 |
 |
 |
 E-3 |
77% 745.24 |
| 26 |
 |
 |
 |
80% 793.19 |
| 27 |
 |
 |
 B-3 |
87% 805.30 |
실시예
28 :
유기광전소자의
제조
상기 실시예 2에서 합성된 화합물을 호스트로 사용하고, Ir(PPy)3를 도펀트로 사용하여 유기광전소자를 제작하였다. 양극으로는 ITO를 1000 Å의 두께로 사용하였고, 음극으로는 알루미늄(Al)을 1000 Å의 두께로 사용하였다.
구체적으로, 유기광전소자의 제조방법을 설명하면, 양극은 15 Ω/cm2의 면저항값을 가진 ITO 유리 기판을 50 mm × 50 mm × 0.7 mm의 크기로 잘라서 아세톤과 이소프로필알코올과 순수물 속에서 각 15 분 동안 초음파 세정한 후, 30 분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다.
상기 기판 상부에 진공도 650×10-7 Pa, 증착속도 0.1 내지 0.3 nm/s의 조건으로 N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘 (NPB) (70 nm) 및 4,4',4"-트리(N-카바졸일)트리페닐아민 (TCTA) (10 nm)를 증착하여 800 Å의 정공수송층을 형성하였다.
이어서, 동일한 진공 증착조건에서 상기 실시예 1에서 합성된 화합물을 이용하여 막 두께 300 Å의 발광층을 형성하였고, 이 때, 인광 도펀트인 Ir(PPy)3을 동시에 증착하였다. 이 때, 인광 도펀트의 증착속도를 조절하여, 발광층의 전체량을 100 중량%로 하였을 때, 인광 도펀트의 배합량이 7 중량%가 되도록 증착하였다.
상기 발광층 상부에 동일한 진공 증착조건을 이용하여 비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀리나토)-알루미늄비페녹시드(BAlq)를 증착하여 막 두께 50 Å의 정공저지층을 형성하였다.
이어서, 동일한 진공 증착조건에서 Alq3를 증착하여, 막 두께 200 Å의 전자수송층을 형성하였다.
상기 전자수송층 상부에 음극으로서 LiF와 Al을 순차적으로 증착하여 유기광전소자를 제작하였다.
상기 유기광전소자의 구조는 ITO/ NPB (70 nm)/ TCTA (10 nm)/ EML (실시예 1의 화합물(93 중량%) + Ir(PPy)3(7 중량%), 30 nm)/ Balq (5 nm)/ Alq3 (20 nm)/ LiF (1 nm) / Al (100 nm) 의 구조로 제작하였다.
실시예
29 :
유기광전소자의
제조
상기 실시예 27에서, 실시예 2 대신 실시예 3을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예
30 :
유기광전소자의
제조
상기 실시예 27에서, 실시예 2 대신 실시예 4을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예
31 :
유기광전소자의
제조
상기 실시예 27에서, 실시예 2 대신 실시예 5을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예
32 :
유기광전소자의
제조
상기 실시예 27에서, 실시예 2 대신 실시예 6을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예
33 :
유기광전소자의
제조
상기 실시예 27에서, 실시예 2 대신 실시예 7을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예
34 :
유기광전소자의
제조
상기 실시예 27에서, 실시예 2 대신 실시예 10을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예
35 :
유기광전소자의
제조
상기 실시예 27에서, 실시예 2 대신 실시예 11을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예
36 :
유기광전소자의
제조
상기 실시예 27에서, 실시예 2 대신 실시예 12을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예
37 :
유기광전소자의
제조
상기 실시예 27에서, 실시예 2 대신 실시예 13을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예
38 :
유기광전소자의
제조
상기 실시예 27에서, 실시예 2 대신 실시예 14을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예
39 :
유기광전소자의
제조
상기 실시예 27에서, 실시예 2 대신 실시예 22을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
실시예
40 :
유기광전소자의
제조
상기 실시예 27에서, 실시예 2 대신 실시예 27을 사용한 점을 제외하고는 동일한 방법으로 유기발광소자를 제조하였다.
비교예
1 :
유기광전소자의
제조
상기 실시예 2에서 합성된 화합물을 발광층의 호스트로 사용한 것을 대신하여, 4,4-N,N-다이카바졸바이페닐(CBP)를 발광층의 호스트로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 27와 동일한 방법으로 유기광전소자를 제작하였다.
(유기발광소자의 성능 측정)
상기 실시예 28 내지 40 및 비교예 1에서 제조된 각각의 유기발광소자에 대하여 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도변화 및 발광효율을 측정하였다. 구체적인 측정방법은 하기과 같고, 그 결과는 하기 표 3에 나타내었다
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0 V 부터 10 V까지 상승시키면서 전류-전압계(Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0 V 부터 10 V까지 상승시키면서 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광효율 측정
상기(1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도(10 mA/cm2)의 전류 효율(cd/A) 을 계산하였다.
| 실시예 | 발광층 호스트 재료 | @ 1000 cd/m2 | ||
| 구동전압 | 발광효율 | 전력효율 | ||
| 27 | 실시예 2의 화합물 (A-12) |
6.7 | 50.3 | 23.6 |
| 28 | 실시예 3의 화합물 (A-21) |
7.0 | 49.2 | 22.1 |
| 29 | 실시예 4의 화합물 (C-9) |
6.8 | 48.0 | 22.2 |
| 30 | 실시예 5의 화합물 (C-10) |
6.6 | 55.2 | 26.3 |
| 31 | 실시예 6의 화합물 (D-3) |
6.5 | 57.2 | 27.6 |
| 32 | 실시예 7의 화합물 (D-4) |
6.3 | 60.1 | 30.0 |
| 33 | 실시예 10의 화합물 (C-11) |
7.1 | 63.5 | 28.1 |
| 34 | 실시예 11의 화합물 (C-12) |
7.2 | 49.3 | 21.5 |
| 35 | 실시예 12의 화합물 (C-13) |
6.9 | 58.2 | 26.5 |
| 36 | 실시예 13의 화합물 (C-14) |
7.3 | 59.3 | 25.5 |
| 37 | 실시예 14의 화합물 (C-15) |
6.6 | 51.9 | 24.7 |
| 38 | 실시예 22의 화합물 (E-1) |
6.5 | 58.4 | 28.2 |
| 40 | 실시예 27의 화합물 (B-3) |
6.3 | 60.4 | 30.1 |
| 비교 예 1 | CBP | 7.6 | 42.7 | 17.6 |
상기 표 1을 참조하면, 실시예 27 내지 38의 경우 기준 물질인 CBP 에 비해 구동전압 및 효율에서 더 우수하다는 것을 알 수 있다. 이는 실시예 2 내지 7, 10 내지 14 및 22에서 제조된 화합물이 양호한 유기광전소자용 재료로 사용될 수 있는 가능성을 보여준다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100 : 유기광전소자 110 : 음극
120 : 양극 105 : 유기박막층
130 : 발광층 140 : 정공 수송층
150 : 전자수송층 160 : 전자주입층
170 : 정공주입층 230 : 발광층 + 전자수송층
120 : 양극 105 : 유기박막층
130 : 발광층 140 : 정공 수송층
150 : 전자수송층 160 : 전자주입층
170 : 정공주입층 230 : 발광층 + 전자수송층
Claims (21)
- 삭제
- 하기 화학식 5로 표시되는 유기광전소자용 화합물:
[화학식 5]
상기 화학식 5에서,
상기 X는 O, Se, S, SO2(O=S=O), PO(P=O) 또는 CO(C=O)이고,
상기 Y는 CR'R＂ 또는 NR*이고,
상기 a*, b*, R', R＂, R1, R2 및 R*는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 카르복실기, 치환 또는 비치환된 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
상기 a*, b* 또는 R* 중 적어도 어느 하나는 하기 화학식 4로 표시되는 치환기이고,
[화학식 4]
상기 화학식 4에서,
상기 ETU는 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 테트라졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사다이아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 퓨리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기 또는 이들의 조합이고,
상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
상기 n은 0 내지 2 중 어느 하나의 정수이다.
- 제 2 항에 있어서,
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 6으로 표시되는 것인 유기광전소자용 화합물:
[화학식 6]
상기 화학식 6에서,
상기 X는 O, Se, S, SO2(O=S=O), PO(P=O) 또는 CO(C=O)이고,
상기 Y는 CR'R＂ 또는 NR*이고,
상기 R', R＂, R1, R2 및 R*는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 카르복실기, 치환 또는 비치환된 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
상기 ETU는 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 테트라졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사다이아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 퓨리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기 또는 이들의 조합이고,
상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
상기 n은 0 내지 2 중 어느 하나의 정수이다.
- 제 2 항에 있어서,
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 7로 표시되는 것인 유기광전소자용 화합물:
[화학식 7]
상기 화학식 7에서,
상기 X는 O, Se, S, SO2(O=S=O), PO(P=O) 또는 CO(C=O)이고,
상기 Y는 CR'R＂ 또는 NR*이고,
상기 R', R＂, R1, R2 및 R*는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 카르복실기, 치환 또는 비치환된 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
상기 ETU는 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 테트라졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사다이아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 퓨리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기 또는 이들의 조합이고,
상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
상기 n은 0 내지 2 중 어느 하나의 정수이다.
- 제 2 항에 있어서,
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 8로 표시되는 것인 유기광전소자용 화합물:
[화학식 8]
상기 화학식 8에서,
상기 X는 O, Se, S, SO2(O=S=O), PO(P=O) 또는 CO(C=O)이고,
상기 Y는 CR'R＂ 또는 NR*이고,
상기 R', R＂, R1, R2 및 R*는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 카르복실기, 치환 또는 비치환된 페로세닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아실기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알콕시카르보닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 아실옥시기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 아실아미노기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20의 알콕시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴옥시카르보닐아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술파모일아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 술포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 알킬티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로시클로티올기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20의 우레이드기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기 또는 이들의 조합이고,
상기 ETU는 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 테트라졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사다이아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 퓨리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기 또는 이들의 조합이고,
상기 L은 단일결합, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C6 알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
상기 n은 0 내지 2 중 어느 하나의 정수이다.
- 삭제
- 삭제
- 제 2 항에 있어서,
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 A-2 내지 A-55 중 어느 하나로 표시되는 유기광전소자용 화합물.
[화학식 A-2] [화학식 A-3]
[화학식 A-4] [화학식 A-5] [화학식 A-6]
[화학식 A-7] [화학식 A-8] [화학식 A-9]
[화학식 A-10] [화학식 A-11] [화학식 A-12]
[화학식 A-13] [화학식 A-14] [화학식 A-15]
[화학식 A-16] [화학식 A-17] [화학식 A-18]
[화학식 A-19] [화학식 A-20] [화학식 A-21]
[화학식 A-22] [화학식 A-23] [화학식 A-24]
[화학식 A-25] [화학식 A-26] [화학식 A-27]
[화학식 A-28] [화학식 A-29] [화학식 A-30]
[화학식 A-31] [화학식 A-32] [화학식 A-33]
[화학식 A-34] [화학식 A-35] [화학식 A-36]
[화학식 A-37] [화학식 A-38] [화학식 A-39]
[화학식 A-40] [화학식 A-41] [화학식 A-42]
[화학식 A-43] [화학식 A-44] [화학식 A-45]
[화학식 A-46] [화학식 A-47] [화학식 A-48]
[화학식 A-49] [화학식 A-51] [화학식 A-52]
[화학식 A-53] [화학식 A-54] [화학식 A-55]
- 제 2 항에 있어서,
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 B-1 내지 B-44 중 어느 하나로 표시되는 유기광전소자용 화합물.
[화학식 B-1] [화학식 B-2] [화학식 B-3]
[화학식 B-4] [화학식 B-5] [화학식 B-6]
[화학식 B-7] [화학식 B-8] [화학식 B-9]
[화학식 B-10] [화학식 B-11]
[화학식 B-12] [화학식 B-13] [화학식 B-14]
[화학식 B-15] [화학식 B-16] [화학식 B-17]
[화학식 B-18] [화학식 B-19] [화학식 B-20]
[화학식 B-21] [화학식 B-22]
[화학식 B-23] [화학식 B-24] [화학식 B-25]
[화학식 B-26] [화학식 B-27] [화학식 B-28]
[화학식 B-29] [화학식 B-30] [화학식 B-31]
[화학식 B-32] [화학식 B-33]
[화학식 B-34] [화학식 B-35] [화학식 B-36]
[화학식 B-37] [화학식 B-38] [화학식 B-39]
[화학식 B-40] [화학식 B-41] [화학식 B-42]
[화학식 B-43] [화학식 B-44]
- 제 2 항에 있어서,
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 C-1 내지 C-4, 및 C-9 내지 C-15 중 어느 하나로 표시되는 유기광전소자용 화합물.
[화학식 C-1] [화학식 C-2] [화학식 C-3]
[화학식 C-4] [화학식 C-9] [화학식 C-10]
[화학식 C-11] [화학식 C-12]
[화학식 C-13] [화학식 C-14] [화학식 C-15]
- 제 2 항에 있어서,
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 D-3 또는 D-4로 표시되는 유기광전소자용 화합물.
[화학식 D-3] [화학식 D-4]
- 제 2 항에 있어서,
상기 유기광전소자용 화합물은 하기 화학식 E-1 내지 E-9 중 어느 하나로 표시되는 유기광전소자용 화합물.
[화학식 E-1] [화학식 E-2] [화학식 E-3]
[화학식 E-4] [화학식 E-5] [화학식 E-6]
[화학식 E-7] [화학식 E-8]
[화학식 E-9]
- 제 2 항에 있어서,
상기 유기광전소자용 화합물은 유기발광소자의 발광 재료로 이용될 수 있는 것인 유기광전소자용 화합물.
- 제 2 항에 있어서,
상기 유기광전소자용 화합물은 3중항 여기에너지(T1) 2.0eV 이상인 것인 유기광전소자용 화합물.
- 제 2 항에 있어서,
상기 유기광전소자는 유기발광소자, 유기태양전지, 유기트랜지스터, 유기 감광체 드럼 및 유기메모리소자로 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기광전소자용 화합물.
- 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재되는 적어도 한 층 이상의 유기박막층을 포함하는 유기발광소자에 있어서,
상기 유기박막층 중 적어도 어느 한 층은 상기 제 2 항 내지 제 5 항, 및 제 8 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 유기광전소자용 화합물을 포함하는 것인 유기발광소자.
- 제 16 항에 있어서,
상기 유기박막층은 발광층, 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층 및 이들의 조합을 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기발광소자.
- 제 16 항에 있어서,
상기 유기광전소자용 화합물은 정공수송층 또는 정공주입층 내에 포함되는 것인 유기발광소자.
- 제 16 항에 있어서,
상기 유기광전소자용 화합물은 발광층 내에 포함되는 것인 유기발광소자.
- 제 16 항에 있어서,
상기 유기광전소자용 화합물은 발광층 내에 인광 또는 형광 호스트 재료로서 사용되는 것인 유기발광소자.
- 제 16 항의 유기발광소자를 포함하는 것인 표시장치.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150021563A1 (en) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | Compound for organic optoelectronic device, organic light emitting diode including the same and display including the organic light emitting diode |
| US11690288B2 (en) | 2017-07-14 | 2023-06-27 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for organic optoelectronic diode, organic optoelectronic diode, and display device |
| US12030894B2 (en) | 2020-09-04 | 2024-07-09 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for organic optoelectronic device, organic optoelectronic device and display device |
Families Citing this family (29)
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|---|---|---|---|---|
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| JP6165746B2 (ja) * | 2011-10-20 | 2017-07-19 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機エレクトロルミッセンス素子のための材料 |
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| KR20130112342A (ko) * | 2012-04-03 | 2013-10-14 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 신규한 카바졸 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| WO2013179645A1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-12-05 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN104583202B (zh) * | 2012-08-21 | 2018-08-10 | 第一毛织株式会社 | 用于有机光电装置的化合物、包含其的有机发光二极管和包括有机发光二极管的显示器 |
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| KR101627755B1 (ko) * | 2013-06-13 | 2016-06-07 | 제일모직 주식회사 | 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 |
| KR101653338B1 (ko) | 2013-08-05 | 2016-09-01 | 제일모직 주식회사 | 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 |
| KR101686078B1 (ko) * | 2013-08-12 | 2016-12-13 | 제일모직 주식회사 | 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 |
| KR102116495B1 (ko) | 2013-08-28 | 2020-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 축합환 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| US10297762B2 (en) | 2014-07-09 | 2019-05-21 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| KR20160010333A (ko) * | 2014-07-17 | 2016-01-27 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 전자전달재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| US10749113B2 (en) | 2014-09-29 | 2020-08-18 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US10361375B2 (en) | 2014-10-06 | 2019-07-23 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| US9406892B2 (en) | 2015-01-07 | 2016-08-02 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| KR102424977B1 (ko) | 2015-04-14 | 2022-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
| CN104926785B (zh) * | 2015-07-06 | 2018-10-09 | 盐城工学院 | 一种硒杂芳环衍生物及其制备方法 |
| US11522140B2 (en) | 2015-08-17 | 2022-12-06 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| KR102630644B1 (ko) | 2015-12-17 | 2024-01-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
| US11075343B2 (en) * | 2016-01-18 | 2021-07-27 | Sfc Co., Ltd. | Organic light emitting compounds and organic light emitting devices including the same |
| US11476426B2 (en) * | 2016-02-03 | 2022-10-18 | Sfc Co., Ltd. | Organic light emitting compounds and organic light emitting devices including the same |
| KR101928934B1 (ko) * | 2016-02-23 | 2018-12-13 | 주식회사 엘지화학 | 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
| KR101959047B1 (ko) * | 2016-07-15 | 2019-03-18 | 주식회사 엘지화학 | 신규한 헤테로 고리 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자 |
| CN109053745A (zh) * | 2018-07-09 | 2018-12-21 | 宇瑞(上海)化学有限公司 | 一种咔唑并杂环化合物及其在有机电子元件中的应用 |
| KR102541446B1 (ko) * | 2019-01-22 | 2023-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN116283932A (zh) * | 2023-03-27 | 2023-06-23 | 阜阳欣奕华材料科技有限公司 | 一种吡啶取代的杂芳基化合物及其应用 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080055891A (ko) * | 2005-09-08 | 2008-06-19 | 도레이 가부시끼가이샤 | 발광 소자 재료 및 발광 소자 |
-
2010
- 2010-12-31 KR KR20100140562A patent/KR101486561B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080055891A (ko) * | 2005-09-08 | 2008-06-19 | 도레이 가부시끼가이샤 | 발광 소자 재료 및 발광 소자 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150021563A1 (en) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | Compound for organic optoelectronic device, organic light emitting diode including the same and display including the organic light emitting diode |
| US11690288B2 (en) | 2017-07-14 | 2023-06-27 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for organic optoelectronic diode, organic optoelectronic diode, and display device |
| US12030894B2 (en) | 2020-09-04 | 2024-07-09 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for organic optoelectronic device, organic optoelectronic device and display device |
Also Published As
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