WO2018211554A1 - 温度測定装置及び温度測定方法 - Google Patents

温度測定装置及び温度測定方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018211554A1
WO2018211554A1 PCT/JP2017/018169 JP2017018169W WO2018211554A1 WO 2018211554 A1 WO2018211554 A1 WO 2018211554A1 JP 2017018169 W JP2017018169 W JP 2017018169W WO 2018211554 A1 WO2018211554 A1 WO 2018211554A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
transistors
voltage
transistor
current
unit
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/018169
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
寛之 濱野
敬史 宮崎
Original Assignee
株式会社ソシオネクスト
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ソシオネクスト filed Critical 株式会社ソシオネクスト
Priority to JP2019518608A priority Critical patent/JP7006687B2/ja
Priority to EP17910027.6A priority patent/EP3627120B1/en
Priority to PCT/JP2017/018169 priority patent/WO2018211554A1/ja
Priority to CN201780090565.5A priority patent/CN110612436B/zh
Publication of WO2018211554A1 publication Critical patent/WO2018211554A1/ja
Priority to US16/674,928 priority patent/US11268865B2/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K3/00—Thermometers giving results other than momentary value of temperature
    • G01K3/005—Circuits arrangements for indicating a predetermined temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K2219/00—Thermometers with dedicated analog to digital converters

Definitions

  • the present invention relates to a temperature measuring device and a temperature measuring method.
  • a current source unit that generates a current that is a reference for temperature measurement
  • a sensor unit that generates a voltage proportional to the absolute temperature based on the current value
  • an ADC unit that performs A / D conversion of the voltage
  • a temperature measuring device it is known to detect and correct a mismatch between transistors and resistors constituting each of the current source unit, the sensor unit, and the ADC unit by dynamically switching the temperature with a switch and measuring the temperature. Yes.
  • each of the current source unit and the sensor unit outputs a first transistor that passes a first current corresponding to the control voltage, and a second current that is different from the first current. It is known to have two transistors.
  • the second transistor included in the current source section and the second transistor included in the sensor section and between the first transistor included in the current source section and the first transistor included in the sensor section cannot be corrected.
  • the element sizes of the first and second transistors are set large enough to suppress the influence of mismatch in each of the current source unit and the sensor unit. Therefore, further downsizing was difficult.
  • the disclosed technology has been made in view of the above circumstances, and aims to improve the accuracy of temperature measurement and reduce the size.
  • the disclosed technique includes first and second semiconductor elements having a PN junction, and a plurality of transistors whose sources are connected to a power source and whose gates are connected to form a current source.
  • a transistor group that outputs a first current and a second current having a magnitude different from the first current, and at least one first transistor from the plurality of transistors;
  • a plurality of second transistors different from the first transistor are selected, a drain of the first transistor is connected to one of the first and second semiconductor elements, and a drain of the plurality of second transistors Is a temperature measuring device having a selector connected to the other of the first and second semiconductor elements.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a temperature measuring device according to the first embodiment.
  • the temperature measuring apparatus 100 includes a sensor unit 110, an ADC (Analog-to-Digital Converter) unit 120, a digital operation unit 130, and a control unit 140.
  • ADC Analog-to-Digital Converter
  • the sensor unit 110 includes a current source that supplies a current serving as a temperature measurement reference, and converts the temperature into a voltage value.
  • the temperature measuring device 100 is reduced in size by including a current source in the sensor unit 110. Details of the sensor unit 110 will be described later.
  • the ADC unit 120 converts the voltage output from the sensor unit 110 into a digital value by A / D (Analog-to-Digital) conversion.
  • the digital calculation unit 130 calculates the temperature measurement value T by calculating the digital value output from the ADC unit 120.
  • the control unit 140 controls the sensor unit 110, the ADC unit 120, and the digital calculation unit 130.
  • the temperature measurement device 100 includes the ADC unit 120 and the digital calculation unit 130, but is not limited thereto.
  • the ADC unit 120 and the digital calculation unit 130 may be provided outside the temperature measurement device.
  • the sensor unit 110 and the control unit 140 form the temperature measurement device 150. become.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating the configuration of the sensor unit according to the first embodiment.
  • the sensor unit 110 of this embodiment includes transistors Q1 and Q2, a transistor group 111, a resistor R1, a resistor R2, a selector 112, a selector 113, and an amplifier 114.
  • the influence on the temperature measurement due to the mismatch between the transistors included in the transistor group 111 of the sensor unit 110 and the mismatch between the transistors Q1 and Q2 is suppressed by the operation described later. Further, in the temperature measurement device 100 of the present embodiment, the influence on the temperature measurement due to the variation between the resistors R1 and R2 and the offset of the amplifier 114 is suppressed by the operation described later.
  • the base-emitter voltage Vbe1 of the transistor Q1 and the base-emitter voltage Vbe2 of the transistor Q2 caused by a mismatch between the transistors and resistances of the sensor unit 110 due to operations described later. And reduce the difference error.
  • the base-emitter voltage Vbe1 is the forward voltage of the PN junction of the transistor Q1
  • the base-emitter voltage Vbe2 is the forward voltage of the PN junction of the transistor Q2.
  • the influence of mismatch on the temperature measurement value T can be suppressed, and the temperature measurement Accuracy can be improved.
  • the mismatch between the transistors Q1 and Q2 indicates that the current characteristics of the base-emitter voltage are different between the transistors Q1 and Q2.
  • the mismatch between the resistor R1 and the resistor R2 indicates that there is a difference between the resistance value of the resistor R1 and the resistance value of the resistor R2.
  • the mismatch between the transistor M1 and the transistor M2 is a shift between the current ratio between the current flowing through the transistor M1 and the current flowing through the transistor M2 and the designed current ratio. It shows that.
  • mismatch in this embodiment indicates a variation in characteristics when two transistors having the same configuration are arranged adjacent to each other.
  • the accuracy of temperature measurement is improved by suppressing the influence of mismatch between transistors and resistors included in the sensor unit 110 and offset of the amplifier.
  • the sensor unit 110 will be further described.
  • the transistors Q1 and Q2 of this embodiment are a pair of bipolar transistors having a pn junction.
  • the transistors Q1 and Q2 are pnp transistors, but are not limited thereto.
  • Transistors Q1 and Q2 may be npn transistors.
  • a diode may be used instead of the transistors Q1 and Q2.
  • the transistor group 111 of this embodiment includes transistors M1, M2,..., Mn that are field effect transistors.
  • the transistors M1, M2,..., Mn of this embodiment are, for example, p-channel MOSMETs having the same size. Moreover, n can be selected by an arbitrary integer value.
  • the transistor group 111 of the present embodiment is a current source, and constitutes a current source circuit in which the sources of the transistors M1, M2,..., Mn are connected to a power source and the gates of the transistors are connected to each other.
  • the selector 112 of this embodiment includes switches SW1, SW2,..., SWn controlled by a control signal C1 supplied from the control unit 140.
  • the switches SW1, SW2,..., SWn of this embodiment each have a node n1 and a node n2.
  • Node n1 The node connected to the drain of each transistor in the transistor group 111 is a transistor Q1, and the node n2 is a node connected to the drain of each transistor in the transistor group 111 is the transistor Q2.
  • the bases and collectors of the transistors Q1 and Q2 are connected to a common potential (for example, ground potential).
  • the emitter of the transistor Q1 of this embodiment is connected to one end of the resistor R1, and the emitter of the transistor Q2 is connected to one end of the resistor R2.
  • the other end of the resistor R1 is connected to the node n1 of the switches SW1, SW2,..., SWn, and the other end of the resistor R2 is connected to the node n2 of the switches SW1, SW2,. Yes.
  • the other ends of the switches SW1, SW2,..., SWn are connected to the transistors M1, M2,.
  • the selector 113 of this embodiment switches the connection destination of the amplifier 114 by the control signal C2 supplied from the control unit 140. Specifically, the selector 113 sets the connection destination of the non-inverting input terminal and the inverting input terminal of the amplifier 114 to the node n3 and the node n6, or the node n4 and the node n5 according to the control signal C2.
  • the amplifier 114 of the present embodiment has an output that generates a current I in each of the transistors M1, M2,..., Mn so that the voltage at the non-inverting input terminal becomes equal to the voltage at the inverting input terminal due to the negative feedback configuration.
  • the voltage V1 is supplied to the gates of the transistors in the transistor group 111.
  • the output terminal Tout1 is connected to the node n4, and the output terminal Tout2 is connected to the node n6. That is, in the sensor unit 110 of this embodiment, the base-emitter voltage Vbe1 of the transistor Q1 is output from the output terminal Tout1, and the base-emitter voltage Vbe2 of the transistor Q2 is output from the output terminal Tout2.
  • the voltage output from the sensor unit 110 is supplied to the ADC unit 120.
  • the ADC unit 120 outputs a difference voltage between the base-emitter voltage Vbe1 and the base-emitter voltage Vbe2 to the digital operation unit 130 as a digital value.
  • the selector 112 connects the drain of the transistor M1 of the transistor group 111 to the node n1 and the drains of the other transistors M2 to Mn to the node n2 by the control signal C1.
  • the transistor group 111 of this embodiment is controlled by the output voltage V1 of the amplifier 114, the currents flowing through the transistors M1, M2,.
  • the current I1 flowing through the resistor R1 and the transistor Q1 current I
  • the current I2 flowing through the resistor R2 and the transistor Q2 current I ⁇ (n ⁇ 1).
  • the selector 113 connects the non-inverting input terminal and the inverting input terminal of the amplifier 114 to the node n3 and the node n6 by the control signal C2.
  • the amplifier 114 supplies a voltage for generating the current I so that the voltage Va1 at the node n3 becomes the voltage Vbe2 at the node n6 to the gates of the transistors in the transistor group 111.
  • FIG. 3 is a flowchart for explaining the operation of the temperature measuring apparatus according to the first embodiment.
  • the control unit 140 starts the operation (process) shown in FIG. 3 when receiving an instruction to start temperature measurement from a higher-level device of the temperature measurement device 100.
  • the upper device of the temperature measuring device 100 is, for example, a device that executes a predetermined process based on the detected temperature.
  • the control unit 140 when receiving the temperature measurement start instruction, sets the connection state of the selector 113 by the control signal C2 (step S301).
  • the selector 113 sets the connection destination of the amplifier 114 to the node n3 and the node n6.
  • the selector 113 applies the voltage Va1 to the non-inverting input terminal of the amplifier 114 and applies the voltage Vbe2 to the inverting input terminal.
  • the selector 112 connects the transistor Mj to the node n1, and connects the transistors M other than the transistor Mj to the node n2. That is, the selector 113 connects one transistor of the transistor group 111 to the node n1 and connects (n ⁇ 1) transistors to the node n2.
  • control unit 140 converts the voltage ⁇ Vbe1 (j), which is a difference between the voltage Vbe1 (j) and the voltage Vbe2 (j) supplied from the sensor unit 110, into a digital value by the ADC unit 120, and converts the digital value into a digital value.
  • the data is stored in the digital calculation unit 130 (step S304).
  • step S306 when the variable j is larger than n, the control unit 140 sets the connection state of the selector 113 by the control signal C2 (step S307).
  • the selector 113 sets the connection destination of the amplifier 114 to the node n4 and the node n5.
  • the selector 113 applies the voltage Va2 to the non-inverting input terminal of the amplifier 114 and applies the voltage Vbe1 to the inverting input terminal.
  • the selector 112 connects the transistor Ml to the node n2, and connects the transistors M other than the transistor Ml to the node n1. That is, the selector 113 connects one transistor of the transistor group 111 to the node n2 and connects (n ⁇ 1) transistors to the node n1.
  • control unit 140 converts the voltage ⁇ Vbe2 (l), which is the difference between the voltage Vbe1 (l) and the voltage Vbe2 (l) supplied from the sensor unit 110, into a digital value by the ADC unit 120, and converts the digital value into a digital value.
  • the data is stored in the digital calculation unit 130 (step S310).
  • step S312 when the variable l is larger than n, the control unit 140 calculates an average value of the voltage ⁇ Vbe1 (j) and the voltage ⁇ Vbe2 (l) stored in the digital calculation unit 130 (step S313), and this average value. Is used as an error to calculate and output the temperature measurement value T (step S314).
  • the digital calculation unit 130 calculates the average value of the voltage ⁇ Vbe1 (j) and the voltage ⁇ Vbe2 (l), but is not limited thereto.
  • the digital calculation unit 130 may obtain a median value or the like instead of the average value of the voltage ⁇ Vbe1 (j) and the voltage ⁇ Vbe2 (l).
  • the digital calculation unit 130 may calculate the average value of the voltage ⁇ Vbe1 (j) and the voltage ⁇ Vbe2 (l) as a substitute for the average value as long as the error can be smoothed.
  • step S315 the temperature measuring apparatus 100 determines whether or not the measurement end instruction has been received by the control unit 140.
  • step S315 when the measurement end instruction is not accepted, the control unit 140 returns to step S301.
  • step S314 when an instruction to end the measurement is received, the control unit 140 ends the process and stops the operation of the temperature measuring apparatus 100.
  • FIG. 4 is a first diagram for explaining the operation of the temperature measurement device of the first embodiment
  • FIG. 5 is a second diagram for explaining the operation of the temperature measurement device of the first embodiment.
  • the current Im1 of the transistor M1 flows through the transistor Q1, and the current Im2 + Im3 + Im4, which is the total current of the transistors M2, M3, and M4, flows through the transistor Q2.
  • the ADC unit 120 converts the voltage Vbe1 and the voltage Vbe2 generated by this current and the difference voltage ⁇ Vbe1 (1) into a digital value, and stores the conversion result in the subsequent digital operation unit 130.
  • voltage ⁇ Vbe1 (1) voltage Vbe1 (1) ⁇ voltage Vbe2 (1).
  • variable j 2.
  • the transistor M2 is connected to the node 1 of the selector 112, and the transistors M1, M3, and M4 are connected to the node 2.
  • the current Im1 of the transistor M2 flows through the transistor Q1, and the current Im1 + Im3 + Im4, which is the total current of the transistors M1, M3, and M4, flows through the transistor Q2.
  • the ADC unit 120 converts the voltage Vbe1 and the voltage Vbe2 generated by this current and the difference voltage ⁇ Vbe1 (2) into a digital value, and stores the conversion result in the subsequent digital operation unit 130.
  • the ADC unit 120 converts the voltage Vbe1 and the voltage Vbe2 and the difference voltage ⁇ Vbe1 (3) into a digital value, and stores the conversion result in the subsequent digital operation unit 130.
  • the ADC unit 120 converts the voltage Vbe1, the voltage Vbe2, and the difference voltage ⁇ Vbe1 (4) into a digital value, and stores the conversion result in the digital operation unit 130 at the subsequent stage.
  • FIG. 6 is a third diagram for explaining the operation of the temperature measurement device of the first embodiment
  • FIG. 7 is a third diagram for explaining the operation of the temperature measurement device of the first embodiment.
  • the current Im1 of the transistor M1 flows through the transistor Q2, and the current Im2 + Im3 + Im4, which is the total current of the transistors M2, M3, and M4, flows through the transistor Q1.
  • the ADC unit 120 converts the voltage Vbe1 and the voltage Vbe2 generated by the current and the difference voltage ⁇ Vbe2 (1) into a digital value, and stores the conversion result in the subsequent digital operation unit 130.
  • the ADC unit 120 converts the voltage Vbe1, the voltage Vbe2, and the difference voltage ⁇ Vbe2 (2) into a digital value, and stores the conversion result in the digital operation unit 130 at the subsequent stage.
  • the ADC unit 120 converts the voltage Vbe1 and the voltage Vbe2 and the difference voltage ⁇ Vbe2 (3) into a digital value, and stores the conversion result in the subsequent digital operation unit 130.
  • the ADC unit 120 converts the voltage Vbe1, the voltage Vbe2, and the difference voltage ⁇ Vbe2 (4) into a digital value, and stores the conversion result in the digital operation unit 130 at the subsequent stage.
  • the voltage ⁇ Vbe1 (1) to voltage ⁇ Vbe1 (4) and the voltage ⁇ Vbe2 (1) to voltage ⁇ Vbe2 (4) are stored by the operations shown in FIGS.
  • the digital arithmetic unit 130 calculates an average value ⁇ Vave of these voltages, and smoothes an error of the voltage ⁇ Vbe, which is a difference between the voltage Vbe1 and the voltage Vbe2, which is caused by a mismatch between transistors or resistors. A voltage ⁇ Vbe is obtained.
  • the digital calculation unit 130 calculates the temperature measurement value T with the average value ⁇ Vave as the true voltage ⁇ Vbe.
  • the relationship between the temperature measurement value T and the voltage ⁇ Vbe will be described.
  • the voltage Vbe1 is expressed by the following formula (1).
  • Vbe (kTa / e) ⁇ ln (Iq1 / Is) Formula (1)
  • k is a Boltzmann constant
  • e is an elementary electric charge
  • Ta is an absolute temperature
  • Iq1 is a current flowing through the transistor Q1
  • Is is a reverse bias with respect to the transistor Q1. Is the saturation current when.
  • Iq2 is a current flowing through the transistor Q2.
  • an error due to the mismatch occurs in the difference between the current Iq1 and the current Iq2.
  • An error in the difference between the current Iq1 and the current Iq2 caused by the mismatch is an error of ⁇ Vbe.
  • the variables j and l are sequentially set from 1 to n, and the voltages ⁇ Vbe1 (j) and ⁇ Vbe2 (l) including errors caused by mismatch between the transistors of the transistor group 111 are acquired. .
  • the digital operation unit 130 of the present embodiment calculates the absolute temperature Ta by using the average value ⁇ Vave of the voltages ⁇ Vbe1 (j) and ⁇ Vbe2 (l) as the voltage ⁇ Vbe in the equation (2), whereby the transistor group 111 is calculated.
  • the temperature measurement value T in which the error due to the mismatch between the transistors is smoothed is output. At this time, since k and e are physical constants, it can be seen that a highly accurate temperature measurement value T can be obtained.
  • the digital calculation unit 130 of the present embodiment may output the absolute temperature Ta [K] as the temperature measurement value T, or calculate the temperature measurement value T [° C.] from the absolute temperature Ta [K]. It may be output.
  • the digital operation unit 130 has a storage unit in which the equation (2), the Boltzmann constant k, and the electric elementary quantity e are stored in advance.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining the effect of the first embodiment.
  • FIG. 8A is a diagram illustrating an error in the current of the current source in the sensor unit 110.
  • FIG. 8B is a diagram showing a list of the voltage ⁇ Vbe1 (j) and the voltage ⁇ Vbe2 (l) output from the ADC unit 120.
  • FIG. 8 shows a case where only the current flowing through the transistor M1 of the transistor group 111 has an error of 10% due to mismatch between the transistors M, as shown in FIG. 8A.
  • the current flowing through the transistors M2 to M4 is I
  • the current flowing through the transistor M1 is 1.1I.
  • the transistor Q2 is supplied with a current of 3I from the transistors M2 to M4.
  • the voltage ⁇ Vbe1 (1) is (kTa / e) ⁇ (In3I / 1.1I).
  • the digital operation unit 130 receives the voltage ⁇ Vbe1 (1) to the voltage as shown in FIG. 8B.
  • ⁇ Vbe1 (4), voltage ⁇ Vbe2 (1) to voltage ⁇ Vbe2 (4) are stored.
  • the average value of the voltage ⁇ Vbe1 (1) to the voltage ⁇ Vbe1 (4) and the voltage ⁇ Vbe2 (1) to the voltage ⁇ Vbe2 (4) is calculated by the following equation (3).
  • the difference between the voltage Vbe1 and the voltage Vbe2 is expressed as ln (3.000225) / ln (3) ⁇ 1.007 from the ratio of the expressions (3) and (4). That is, it can be seen that it can be reduced to 0.07%.
  • the temperature measuring apparatus 100 of this embodiment is effective, for example, when detecting a plurality of local heat generation points on an LSI (large-scale integrated circuit).
  • the temperature measurement value can be calculated by the averaging process without performing logarithmic approximate calculation or the like, it is possible to reduce the load of digital calculation.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining the configuration of the temperature measuring apparatus according to the second embodiment.
  • the temperature measurement apparatus 100A includes a sensor unit 110A, an ADC unit 120, a digital calculation unit 130, and a control unit 140A.
  • the temperature measuring device 100A includes the ADC unit 120 and the digital calculation unit 130, but is not limited thereto.
  • the ADC unit 120 and the digital calculation unit 130 may be provided outside the temperature measurement device.
  • the sensor unit 110A and the control unit 140A form the temperature measurement device 150A. .
  • the sensor unit 110A of the present embodiment includes transistors Q1 and Q2, a transistor group 111, a resistor R1, a resistor R2, a selector 112, and an amplifier 114.
  • the amplifier 114 of this embodiment has a non-inverting input terminal connected to the node n5 and an inverting input terminal connected to the node n4.
  • the control unit 140A of this embodiment outputs a control signal C1 to the selector 112, and controls the connection destination of each transistor in the transistor group 111. In other words, the control unit 140 only sets the variable j and does not set the variable l.
  • FIG. 10 is a flowchart for explaining the operation of the temperature measuring apparatus according to the second embodiment.
  • control unit 140A starts the operation (process) shown in FIG. 10 when receiving an instruction to start temperature measurement from an upper apparatus of the temperature measurement apparatus 100A.
  • steps S1001 to S1005 in FIG. 10 are the same as the processes from step S302 to step S306 in FIG.
  • step S1005 when ⁇ Vbe (1) to ⁇ Vbe (n) are stored in the digital operation unit 130, the control unit 140A causes the digital operation unit 130 to calculate an average value thereof (step S1006).
  • control unit 140A causes the digital calculation unit 130 to calculate and output the temperature measurement value T using the average value of ⁇ Vbe (1) to ⁇ Vbe (n) (step S1007).
  • the temperature measurement apparatus 100A determines whether or not the measurement end instruction has been received by the control unit 140A (step S1008). If it is determined in step S1008 that an instruction to end measurement is not received, control unit 140A returns to step S1001.
  • step S1008 when an instruction to end the measurement is received, the control unit 140A ends the process and stops the operation of the temperature measuring device 100A.
  • the process of calculating the average value of ⁇ Vbe can be simplified as compared with the first embodiment, the processing load of the digital operation is reduced, and the processing speed is improved. Can be made.
  • the present invention has been described based on each embodiment, but the present invention is not limited to the requirements shown in the above embodiment. With respect to these points, the gist of the present invention can be changed without departing from the scope of the present invention, and can be appropriately determined according to the application form.
  • the transistor Q1 and the transistor Q2 in each embodiment are examples of the first and second semiconductor elements described in the claims, and the transistors M1 to Mn are a plurality of transistors described in the claims.
  • the transistor group 111 is an example, and is an example of a transistor group described in the claims.
  • the selector 112 of each embodiment is an example of a selector described in the claims
  • the selector 113 is an example of a switching unit described in the claims
  • the amplifier 114 is It is an example of description amplifier.
  • resistors R1 and R2 in each embodiment are examples of the first resistor element and the second resistor element described in the claims.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

ＰＮ接合を有する第１及び第２の半導体素子と、ソースが電源に接続され、互いのゲート同士が接続され電流源を構成する複数のトランジスタを有し、前記第１及び第２の半導体素子に対し、第１の電流と、前記第１の電流とは異なる大きさの第２の電流を出力するトランジスタ群と、前記複数のトランジスタから、少なくとも１個の第１のトランジスタと前記第１のトランジスタと異なる複数の第２のトランジスタを選択し、前記第１のトランジスタのドレインを、前記第１及び第２の半導体素子の一方に接続し、前記複数の第２のトランジスタのドレインを、前記第１および第２の半導体素子の他方に接続するセレクタと、を有する温度測定装置である。

Description

温度測定装置及び温度測定方法
　本発明は、温度測定装置及び温度測定方法に関する。
　従来から、面積の増大を抑制しつつ温度の測定の精度を向上させる温度測定装置が提案されている。
　その一例として、従来では、温度測定の基準となる電流を生成する電流源部と、電流値に基づいて絶対温度に比例した電圧を生成するセンサ部と、電圧をＡ／Ｄ変換するＡＤＣ部と、を有する温度測定装置がある。この温度測定装置では、スイッチで動的に切り替えて温度を計測することで、電流源部、センサ部、ＡＤＣ部のそれぞれを構成するトランジスタ、抵抗のミスマッチを検出して補正することが知られている。
　さらに、この温度測定装置では、電流源部とセンサ部のそれぞれが、制御電圧に応じた第一の電流を流す第一のトランジスタと、第一の電流とは異なる第二の電流を出力する第二のトランジスタと、を有することが知られている。
特開２０１５－１９０７９９号公報
　しかしながら、上述した従来の技術では、電流源部の有する第一のトランジスタとセンサ部の有する第一のトランジスタとの間、及び、電流源部の有する第二のトランジスタとセンサ部の有する第二のトランジスタとの間、のミスマッチを補正することができない。
　このため、従来の技術では、温度測定の精度を維持するためには、電流源部とセンサ部のそれぞれにおいて、第一及び第二のトランジスタの素子サイズを、ミスマッチの影響が抑えられる程度の大きさとする必要があり、更なる小型化が困難であった。
　開示の技術は、上記事情に鑑みてなされたものであり、温度測定の精度を向上させ、且つ、小型化することを目的としている。
　開示の技術は、ＰＮ接合を有する第１及び第２の半導体素子と、ソースが電源に接続され、互いのゲート同士が接続され電流源を構成する複数のトランジスタを有し、前記第１及び第２の半導体素子に対し、第１の電流と、前記第１の電流とは異なる大きさの第２の電流を出力するトランジスタ群と、前記複数のトランジスタから、少なくとも１個の第１のトランジスタと前記第１のトランジスタと異なる複数の第２のトランジスタを選択し、前記第１のトランジスタのドレインを、前記第１及び第２の半導体素子の一方に接続し、前記複数の第２のトランジスタのドレインを、前記第１および第２の半導体素子の他方に接続するセレクタと、を有する温度測定装置である。
　温度測定の精度を向上させ、且つ、小型化できる。
第一の実施形態の温度測定装置を説明する図である。 第一の実施形態のセンサ部の構成を説明する図である。 第一の実施形態の温度測定装置の動作を説明するフローチャートである。 第一の実施形態の温度測定装置の動作を説明する第一の図である。 第一の実施形態の温度測定装置の動作を説明する第二の図である。 第一の実施形態の温度測定装置の動作を説明する第三の図である。 第一の実施形態の温度測定装置の動作を説明する第三の図である。 第一の実施形態の効果を説明する図である。 第二の実施形態の温度測定装置の構成を説明する図である。 第二の実施形態の温度測定装置の動作を説明するフローチャートである。
　（第一の実施形態）
　以下に図面を参照して、第一の実施形態について説明する。図１は、第一の実施形態の温度測定装置を説明する図である。
　本実施形態の温度測定装置１００は、センサ部１１０、ＡＤＣ（Analog to Digital Converter）部１２０、デジタル演算部１３０、制御部１４０を有する。
　センサ部１１０は、温度測定の基準となる電流を供給する電流源を含んでおり、温度を電圧値に変換する。本実施形態では、センサ部１１０に電流源を含ませることで、温度測定装置１００の小型化を実現する。センサ部１１０の詳細は後述する。
　ＡＤＣ部１２０は、センサ部１１０から出力される電圧をＡ／Ｄ（Analog to Digital）変換によりデジタル値に変換する。デジタル演算部１３０は、ＡＤＣ部１２０から出力されるデジタル値を演算処理することにより温度測定値Ｔを算出する。制御部１４０は、センサ部１１０、ＡＤＣ部１２０、デジタル演算部１３０を制御する。
　尚、図１の例では、温度測定装置１００は、ＡＤＣ部１２０とデジタル演算部１３０とを含むものとしているが、これに限定されない。例えば、ＡＤＣ部１２０とデジタル演算部１３０とは、温度測定装置の外部に設けられるものであっても良く、この場合には、センサ部１１０と制御部１４０とが温度測定装置１５０を形成することになる。
　次に、図２を参照して、本実施形態のセンサ部１１０について説明する。図２は、第一の実施形態のセンサ部の構成を説明する図である。
　本実施形態のセンサ部１１０は、トランジスタＱ１及びＱ２と、トランジスタ群１１１と、抵抗Ｒ１と、抵抗Ｒ２と、セレクタ１１２と、セレクタ１１３と、アンプ１１４と、を有する。
　本実施形態の温度測定装置１００では、後述する動作によって、センサ部１１０のトランジスタ群１１１の有する各トランジスタ間のミスマッチと、トランジスタＱ１及びトランジスタＱ２間のミスマッチによる、温度測定に対する影響を抑制する。また、本実施形態の温度測定装置１００では、後述する動作によって、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２間のばらつきと、アンプ１１４のオフセットによる、温度測定に対する影響も抑制する。
　より具体的には、本実施形態では、後述する動作によって、センサ部１１０の有するトランジスタ間や抵抗間のミスマッチによって生じる、トランジスタＱ１のベース－エミッタ間電圧Ｖｂｅ１とトランジスタＱ２のベース－エミッタ間電圧Ｖｂｅ２との差分の誤差を低減する。ベース－エミッタ間電圧Ｖｂｅ１とは、トランジスタＱ１のＰＮ接合の順方向電圧であり、ベース－エミッタ間電圧Ｖｂｅ２とは、トランジスタＱ２のＰＮ接合の順方向電圧である。
　本実施形態では、トランジスタＱ１のベース－エミッタ間電圧Ｖｂｅ１とトランジスタＱ２のベース－エミッタ間電圧Ｖｂｅ２との差分の誤差を低減することで、温度測定値Ｔに対するミスマッチの影響を抑制でき、温度測定の精度を向上させることができる。
　尚、本実施形態において、トランジスタＱ１及びトランジスタＱ２間のミスマッチとは、トランジスタＱ１とＱ２との間でベース－エミッタ間電圧の電流特性に差異があることを
示す。また、本実施形態において、抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２間のミスマッチとは、抵抗Ｒ１の抵抗値と抵抗Ｒ２の抵抗値に差異があることを示す。また、本実施形態において、トランジスタＭ１及びトランジスタＭ２間のミスマッチとは、トランジスタＭ１を流れる電流と、トランジスタＭ２を流れる電流との電流比と、設計された電流比との間にずれが生じていることを示す。
　尚、本実施形態のミスマッチとは、同じ構成のトランジスタを２つ隣接して配置した場合の特性のばらつきを示す。
　本実施形態では、このように、センサ部１１０が有するトランジスタ間、抵抗間のミスマッチ、アンプのオフセットによる影響を抑制することで、温度測定の精度を向上させる。以下に、センサ部１１０について、さらに説明する。
　本実施形態のトランジスタＱ１及びＱ２は、ｐｎ接合を有する一対のバイポーラトランジスタである。図２の例では、トランジスタＱ１及びＱ２は、ｐｎｐトランジスタとしたが、これに限定されない。トランジスタＱ１及びＱ２は、ｎｐｎトランジスタであっても良い。また、本実施形態では、トランジスタＱ１及びＱ２の代わりに、ダイオードを用いても良い。
　本実施形態のトランジスタ群１１１は、電界効果トランジスタであるトランジスタＭ１、Ｍ２、・・・、Ｍｎを有する。本実施形態のトランジスタＭ１、Ｍ２、・・・、Ｍｎは、例えば、同じサイズのｐチャネルＭＯＳＭＥＴである。また、ｎは任意の整数値で選択することができる。
　本実施形態のトランジスタ群１１１は、電流源であり、トランジスタＭ１、Ｍ２、・・・、Ｍｎのソースが電源に接続され、互いのゲート同士が接続された電流源回路を構成している。
　本実施形態のセレクタ１１２は、制御部１４０から供給される制御信号Ｃ１によって制御されるスイッチＳＷ１、ＳＷ２、・・・、ＳＷｎを有する。本実施形態のスイッチＳＷ１、ＳＷ２、・・・、ＳＷｎは、それぞれが、ノードｎ１とノードｎ２を有する。ノードｎ１は、
トランジスタ群１１１の各トランジスタのドレインの接続先をトランジスタＱ１とするノードであり、ノードｎ２は、トランジスタ群１１１の各トランジスタのドレインの接続先をトランジスタＱ２とするノードである。
　本実施形態のセンサ部１１０において、トランジスタＱ１及びＱ２は、ベースとコレクタとがそれぞれ共通電位（例えば接地電位）に接続されている。また、本実施形態のトランジスタＱ１のエミッタは、抵抗Ｒ１の一端と接続され、トランジスタＱ２のエミッタは、抵抗Ｒ２の一端と接続されている。
　抵抗Ｒ１の他端は、スイッチＳＷ１、ＳＷ２、・・・、ＳＷｎのノードｎ１と接続されており、抵抗Ｒ２の他端は、スイッチＳＷ１、ＳＷ２、・・・、ＳＷｎのノードｎ２と接続されている。スイッチＳＷ１、ＳＷ２、・・・、ＳＷｎの他端は、トランジスタＭ１、Ｍ２、・・・、Ｍｎと接続されている。
　本実施形態のセレクタ１１３は、制御部１４０から供給される制御信号Ｃ２によって、アンプ１１４の接続先を切り替える。具体的には、セレクタ１１３は、制御信号Ｃ２に応じて、アンプ１１４の非反転入力端子及び反転入力端子の接続先を、ノードｎ３及びノードｎ６、又は、ノードｎ４及びノードｎ５とする。
　本実施形態のアンプ１１４は、負帰還構成によって、非反転入力端子の電圧が反転入力端子の電圧と等しくなるように、トランジスタＭ１、Ｍ２、・・・、Ｍｎのそれぞれに電流Ｉを生成する出力電圧Ｖ１を、トランジスタ群１１１の各トランジスタのゲートに供給する。
　また、センサ部１１０では、ノードｎ４に出力端子Ｔｏｕｔ１が接続され、ノードｎ６に出力端子Ｔｏｕｔ２が接続される。つまり、本実施形態のセンサ部１１０では、トランジスタＱ１のベース－エミッタ間電圧Ｖｂｅ１が出力端子Ｔｏｕｔ１から出力され、トランジスタＱ２のベース－エミッタ間電圧Ｖｂｅ２が出力端子Ｔｏｕｔ２から出力される。センサ部１１０から出力された電圧は、ＡＤＣ部１２０へ供給される。
　ＡＤＣ部１２０では、ベース－エミッタ間電圧Ｖｂｅ１と、のベース－エミッタ間電圧Ｖｂｅ２の差分の電圧をデジタル値としてデジタル演算部１３０に出力する。
　図２の例では、セレクタ１１２は、制御信号Ｃ１によって、トランジスタ群１１１のうち、トランジスタＭ１のドレインをノードｎ１と接続させ、その他のトランジスタＭ２～Ｍｎのドレインをノードｎ２と接続させている。
　ここで、本実施形態のトランジスタ群１１１は、アンプ１１４の出力電圧Ｖ１で制御されるため、トランジスタＭ１、Ｍ２、・・・、Ｍｎに流れる電流はそれぞれ電流Ｉとなる。
　したがって、図２の例では、抵抗Ｒ１とトランジスタＱ１に流れる電流Ｉ１＝電流Ｉとなり、抵抗Ｒ２とトランジスタＱ２に流れる電流Ｉ２＝電流Ｉ×（ｎ－１）となる。
　このとき、セレクタ１１３は、制御信号Ｃ２によって、アンプ１１４の非反転入力端子及び反転入力端子をノードｎ３及びノードｎ６と接続させている。この場合、アンプ１１４は、ノードｎ３の電圧Ｖａ１がノードｎ６の電圧Ｖｂｅ２となるように電流Ｉを発生させる電圧を、トランジスタ群１１１の各トランジスタのゲートに供給する。
　以下に、本実施形態の温度測定装置１００の動作について説明する。図３は、第一の実施形態の温度測定装置の動作を説明するフローチャートである。
　本実施形態の温度測定装置１００において、制御部１４０は、温度測定装置１００の上位の装置から温度測定の開始の指示を受け付けると、図３に示す動作（処理）を開始する。尚、温度測定装置１００の上位の装置とは、例えば、検出された温度に基づき、所定の処理を実行する装置等である。
　本実施形態の温度測定装置１００において、制御部１４０は、温度測定の開始の指示を受け付けると、制御信号Ｃ２によって、セレクタ１１３の接続状態の設定を行う（ステップＳ３０１）。ここでは、セレクタ１１３によって、アンプ１１４の接続先を、ノードｎ３及びノードｎ６に設定する。言い換えれば、セレクタ１１３は、アンプ１１４の非反転入力端子に電圧Ｖａ１を印加させ、反転入力端子に電圧Ｖｂｅ２を印加させる。
　続いて、温度測定装置１００は、制御部１４０により、変数ｊ＝１に設定し（ステップＳ３０２）、制御信号Ｃ１によって、セレクタ１１２の接続状態の設定を行う（ステップＳ３０３）。ここでは、セレクタ１１２は、トランジスタＭｊをノードｎ１と接続させ、トランジスタＭｊ以外のトランジスタＭをノードｎ２と接続させる。つまり、セレクタ１１３は、トランジスタ群１１１のうち、１個のトランジスタをノードｎ１と接続させ、（ｎ－１）個のトランジスタをノードｎ２と接続させる。
　続いて、制御部１４０は、ＡＤＣ部１２０によって、センサ部１１０から供給される電圧Ｖｂｅ１（ｊ）と電圧Ｖｂｅ２（ｊ）の差分である電圧ΔＶｂｅ１（ｊ）をデジタル値へ変換し、デジタル値をデジタル演算部１３０に格納させる（ステップＳ３０４）。
　続いて、温度測定装置１００は、制御部１４０により、変数ｊ＝ｊ＋１とし（ステップＳ３０５）、変数ｊがｎより大きいか否かを判定する（ステップＳ３０６）。ステップＳ３０６において、変数ｊがｎ以下である場合、制御部１４０は、ステップＳ３０３へ戻る。
　ステップＳ３０６において、変数ｊがｎより大きい場合、制御部１４０は、制御信号Ｃ２によって、セレクタ１１３の接続状態の設定を行う（ステップＳ３０７）。ここでは、セレクタ１１３によって、アンプ１１４の接続先を、ノードｎ４及びノードｎ５に設定する。言い換えれば、セレクタ１１３は、アンプ１１４の非反転入力端子に電圧Ｖａ２を印加させ、反転入力端子に電圧Ｖｂｅ１を印加させる。
　続いて、温度測定装置１００は、制御部１４０により、変数ｌ＝１に設定し（ステップＳ３０８）、制御信号Ｃ１によって、セレクタ１１２の接続状態の設定を行う（ステップＳ３０９）。ここでは、セレクタ１１２は、トランジスタＭｌをノードｎ２と接続させ、トランジスタＭｌ以外のトランジスタＭをノードｎ１と接続させる。つまり、セレクタ１１３は、トランジスタ群１１１のうち、１個のトランジスタをノードｎ２と接続させ、（ｎ－１）個のトランジスタをノードｎ１と接続させる。
　続いて、制御部１４０は、ＡＤＣ部１２０によって、センサ部１１０から供給される電圧Ｖｂｅ１（ｌ）と電圧Ｖｂｅ２（ｌ）の差分である電圧ΔＶｂｅ２（ｌ）をデジタル値へ変換し、デジタル値をデジタル演算部１３０に格納させる（ステップＳ３１０）。
　続いて、温度測定装置１００は、制御部１４０により、変数ｌ＝ｌ＋１とし（ステップＳ３１１）、変数ｌがｎより大きいか否かを判定する（ステップＳ３１２）。ステップＳ３１２において、変数ｌがｎ以下である場合、制御部１４０は、ステップＳ３０９へ戻る。
　ステップＳ３１２において、変数ｌがｎより大きい場合、制御部１４０は、デジタル演算部１３０に格納された電圧ΔＶｂｅ１（ｊ）と電圧ΔＶｂｅ２（ｌ）の平均値を算出し（ステップＳ３１３）、この平均値を誤差として、温度測定値Ｔを算出して出力する（ステップＳ３１４）。
　尚、本実施形態では、デジタル演算部１３０は、電圧ΔＶｂｅ１（ｊ）と電圧ΔＶｂｅ２（ｌ）の平均値を算出するものとしたが、これに限定されない。デジタル演算部１３０は、電圧ΔＶｂｅ１（ｊ）と電圧ΔＶｂｅ２（ｌ）の平均値の代わりに、中央値等を求めても良い。デジタル演算部１３０は、電圧ΔＶｂｅ１（ｊ）と電圧ΔＶｂｅ２（ｌ）の平均値の誤差を平滑化することができる値であれば、平均値の代わりとして算出しても良い。
　続いて、温度測定装置１００は、制御部１４０により、測定終了の指示を受け付けたか否かを判定する（ステップＳ３１５）。ステップＳ３１５において、測定終了の指示を受け付けない場合、制御部１４０は、ステップＳ３０１に戻る。
　ステップＳ３１４において、測定終了の指示を受け付けた場合、制御部１４０は、処理を終了し、温度測定装置１００の動作を停止させる。
　以下に、図４乃至図７を参照して、上述した図３の動作について、具体的に説明する。図４は、第一の実施形態の温度測定装置の動作を説明する第一の図であり、図５は、第一の実施形態の温度測定装置の動作を説明する第二の図である。
　図４及び図５では、ｎ＝４であり、アンプ１１４の接続先がノードｎ３及びノードｎ６に設定されたときのセンサ部１１０の動作を説明する。ｎ＝４とは、トランジスタ群１１１が、４つのトランジスタＭ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４を有することを示す。
　図４（Ａ）は、制御部１４０にｊ＝１が設定されたときのセンサ部１１０の状態を示す図である。図４（Ｂ）は、制御部１４０にｊ＝２が設定されたときのセンサ部１１０の状態を示す図である。
　図４（Ａ）では、ｊ＝１であるため、センサ部１１０では、トランジスタＭ１のみがセレクタ１１２のノード１と接続され、トランジスタＭ２、Ｍ３、Ｍ４がノード２と接続される。
　このとき、トランジスタＱ１にはトランジスタＭ１の電流Ｉｍ１が流れ、トランジスタＱ２にはトランジスタＭ２、Ｍ３、Ｍ４の合計電流である電流Ｉｍ２＋Ｉｍ３＋Ｉｍ４が流れる。
　よって、ＡＤＣ部１２０は、この電流によって生じた電圧Ｖｂｅ１と電圧Ｖｂｅ２と差分の電圧ΔＶｂｅ１（１）をデジタル値に変換し、その変換結果を後段のデジタル演算部１３０に格納する。尚、電圧ΔＶｂｅ１（１）＝電圧Ｖｂｅ１（１）－電圧Ｖｂｅ２（１）である。
　次に、変数ｊ＝２とする。この場合、図４（Ｂ）に示すように、センサ部１１０では、トランジスタＭ２のみがセレクタ１１２のノード１と接続され、トランジスタＭ１、Ｍ３、Ｍ４がノード２と接続される。このとき、トランジスタＱ１にはトランジスタＭ２の電流Ｉｍ１が流れ、トランジスタＱ２にはトランジスタＭ１、Ｍ３、Ｍ４の合計電流である電流Ｉｍ１＋Ｉｍ３＋Ｉｍ４が流れる。
　よって、ＡＤＣ部１２０は、この電流によって生じた電圧Ｖｂｅ１と電圧Ｖｂｅ２と差分の電圧ΔＶｂｅ１（２）をデジタル値に変換し、その変換結果を後段のデジタル演算部１３０に格納する。
　図５（Ａ）は、制御部１４０にｊ＝３が設定されたセンサ部１１０の状態を示す図である。図５（Ｂ）は、制御部１４０にｊ＝４が設定されたセンサ部１１０の状態を示す図である。
　図５（Ａ）に示すように、変数ｊ＝３とされると、センサ部１１０では、トランジスタＭ３のみがセレクタ１１２のノード１と接続され、トランジスタＭ１、Ｍ２、Ｍ４がノード２と接続される。そして、ＡＤＣ部１２０は、電圧Ｖｂｅ１と電圧Ｖｂｅ２と差分の電圧ΔＶｂｅ１（３）をデジタル値に変換し、その変換結果を後段のデジタル演算部１３０に格納する。
　また、変数ｊ＝４とされると、図５（Ｂ）に示すように、センサ部１１０では、トランジスタＭ４のみがセレクタ１１２のノード１と接続され、トランジスタＭ１、Ｍ２、Ｍ３がノード２と接続される。そして、ＡＤＣ部１２０は、電圧Ｖｂｅ１と電圧Ｖｂｅ２と差分の電圧ΔＶｂｅ１（４）をデジタル値に変換し、その変換結果を後段のデジタル演算部１３０に格納する。
　図６は、第一の実施形態の温度測定装置の動作を説明する第三の図であり、図７は、第一の実施形態の温度測定装置の動作を説明する第三の図である。
　図６及び図７では、ｎ＝４であり、アンプ１１４の接続先がノードｎ４及びノードｎ５に設定されたときのセンサ部１１０の動作を説明する。
　図６（Ａ）は、制御部１４０にｌ＝１が設定されたセンサ部１１０の状態を示す図である。図６（Ｂ）は、制御部１４０にｌ＝２が設定されたセンサ部１１０の状態を示す図である。
　図６（Ａ）では、ｌ＝１であるため、センサ部１１０では、トランジスタＭ１のみがセレクタ１１２のノード２と接続され、トランジスタＭ２、Ｍ３、Ｍ４がノード１と接続される。
　このとき、トランジスタＱ２にはトランジスタＭ１の電流Ｉｍ１が流れ、トランジスタＱ１にはトランジスタＭ２、Ｍ３、Ｍ４の合計電流である電流Ｉｍ２＋Ｉｍ３＋Ｉｍ４が流れる。
　つまり、この場合、トランジスタＱ１とトランジスタＱ２に流れる電流の大小関係は、ｊ＝１～４の場合と逆の関係となる。
　ＡＤＣ部１２０は、この電流によって生じた電圧Ｖｂｅ１と電圧Ｖｂｅ２と差分の電圧ΔＶｂｅ２（１）をデジタル値に変換し、その変換結果を後段のデジタル演算部１３０に格納する。
　次に、図６（Ｂ）に示すように、変数ｌ＝２とされると、センサ部１１０では、トランジスタＭ２のみがセレクタ１１２のノード２と接続され、トランジスタＭ１、Ｍ３、Ｍ４がノード１と接続される。そして、ＡＤＣ部１２０は、電圧Ｖｂｅ１と電圧Ｖｂｅ２と差分の電圧ΔＶｂｅ２（２）をデジタル値に変換し、その変換結果を後段のデジタル演算部１３０に格納する。
　図７（Ａ）は、制御部１４０にｌ＝３が設定されたセンサ部１１０の状態を示す図である。図７（Ｂ）は、制御部１４０にｌ＝４が設定されたセンサ部１１０の状態を示す図である。
　図７（Ａ）に示すように、変数ｌ＝３とされると、センサ部１１０では、トランジスタＭ３のみがセレクタ１１２のノード２と接続され、トランジスタＭ１、Ｍ２、Ｍ４がノード１と接続される。そして、ＡＤＣ部１２０は、電圧Ｖｂｅ１と電圧Ｖｂｅ２と差分の電圧ΔＶｂｅ２（３）をデジタル値に変換し、その変換結果を後段のデジタル演算部１３０に格納する。
　また、変数ｌ＝４とされると、図７（Ｂ）に示すように、センサ部１１０では、トランジスタＭ４のみがセレクタ１１２のノード２と接続され、トランジスタＭ１、Ｍ２、Ｍ３がノード１と接続される。そして、ＡＤＣ部１２０は、電圧Ｖｂｅ１と電圧Ｖｂｅ２と差分の電圧ΔＶｂｅ２（４）をデジタル値に変換し、その変換結果を後段のデジタル演算部１３０に格納する。
　本実施形態のデジタル演算部１３０では、図４乃至図７で示した動作により、電圧ΔＶｂｅ１（１）～電圧ΔＶｂｅ１（４）、電圧ΔＶｂｅ２（１）～電圧ΔＶｂｅ２（４）が格納される。デジタル演算部１３０は、これらの電圧の平均値ΔＶａｖｅを算出することで、トランジスタ間や抵抗間のミスマッチによって生じる、電圧Ｖｂｅ１と電圧Ｖｂｅ２との差分である電圧ΔＶｂｅの誤差を平滑化した、真の電圧ΔＶｂｅを得る。
　そして、デジタル演算部１３０は、平均値ΔＶａｖｅを真の電圧ΔＶｂｅとし、温度測定値Ｔを算出する。ここで、温度測定値Ｔと、電圧ΔＶｂｅとの関係について説明する。本実施形態において、電圧Ｖｂｅ１は、以下の式（１）によって示される。
　　　Ｖｂｅ＝（ｋＴａ／ｅ）×ｌｎ（Ｉｑ１／Ｉｓ）　　　式（１）
　尚、式（１）において、ｋはボルツマン定数であり、ｅは電気素量であり、Ｔａは絶対温度であり、Ｉｑ１はトランジスタＱ１を流れる電流であり、Ｉｓは、トランジスタＱ１に対して逆バイアスをかけたときの飽和電流である。また、式（２）において、Ｉｑ２は、トランジスタＱ２を流れる電流である。
　この式（１）から、電圧ΔＶｂｅは、以下の式（２）で示される。
　ΔＶｂｅ＝（ｋＴａ／ｅ）×｛ｌｎ（Ｉｑ１）－ｌｎ（Ｉｑ２）｝
　　　　　　＝（ｋＴａ／ｅ）×｛ｌｎ（Ｉｑ２）／（Ｉｑ１）｝
　　　　　　＝（ｋＴａ／ｅ）×｛ｌｎ（ｎ－１）｝　　　　式（２）
　トランジスタ群１１１の各トランジスタ間のミスマッチが存在する場合、電流Ｉｑ１と電流Ｉｑ２との差に、ミスマッチによる誤差が生じる。ミスマッチによって生じる電流Ｉｑ１と電流Ｉｑ２との差の誤差は、ΔＶｂｅの誤差となる。
　そこで、本実施形態では、変数ｊ，ｌに対して１からｎまで順次設定し、トランジスタ群１１１の各トランジスタ間のミスマッチによって生じる誤差を含む電圧ΔＶｂｅ１（ｊ）、電圧ΔＶｂｅ２（ｌ）を取得する。
　そして、本実施形態のデジタル演算部１３０は、式（２）において、電圧ΔＶｂｅ１（ｊ）、電圧ΔＶｂｅ２（ｌ）の平均値ΔＶａｖｅを電圧ΔＶｂｅとして、絶対温度Ｔａを算出することで、トランジスタ群１１１の各トランジスタ間のミスマッチによる誤差が平滑化された温度測定値Ｔを出力する。このとき、ｋ，ｅは物理定数であることから、精度の高い温度測定値Ｔが得られることが分かる。
　尚、本実施形態のデジタル演算部１３０は、絶対温度Ｔａ［Ｋ］を温度測定値Ｔとして出力しても良いし、絶対温度Ｔａ［Ｋ］から、温度測定値Ｔ［℃］を算出して出力しても良い。
　また、デジタル演算部１３０は、式（２）、ボルツマン定数ｋ、電気素量ｅが予め格納された記憶部を有しているものとした。
　以下に、本実施形態の効果について説明する。図８は、第一の実施形態の効果を説明する図である。図８（Ａ）は、センサ部１１０における電流源の電流の誤差を示す図である。図８（Ｂ）は、ＡＤＣ部１２０から出力される電圧ΔＶｂｅ１（ｊ）、電圧ΔＶｂｅ２（ｌ）の一覧を示す図である。
　図８の例では、図８（Ａ）に示すように、トランジスタ群１１１のトランジスタＭ１に流れる電流だけが、トランジスタＭ間のミスマッチにより、１０％の誤差を有している場合を示している。
　この場合、トランジスタＭ２～Ｍ４に流れる電流をＩとした場合、トランジスタＭ１に流れる電流は、１．１Ｉとなる。
　また、図８（Ａ）では、制御部１４０において、変数ｊ＝１が設定された状態を示している。したがって、トランジスタＱ１には、トランジスタＭ１から、１．１Ｉの電流が供給されている。また、トランジスタＱ２には、トランジスタＭ２～Ｍ４から、３Ｉの電流が供給されている。
　この場合、図８（Ｂ）に示すように、電圧ΔＶｂｅ１（１）は、（ｋＴａ／ｅ）×（Ｉｎ３Ｉ／１．１Ｉ）となる。
　このようにして、変数ｊ＝１～４、変数ｌ＝１～４とする処理を行った結果、デジタル演算部１３０には、図８（Ｂ）に示すように、電圧ΔＶｂｅ１（１）～電圧ΔＶｂｅ１（４）、電圧ΔＶｂｅ２（１）～電圧ΔＶｂｅ２（４）が格納される。
　この場合、電圧ΔＶｂｅ１（１）～電圧ΔＶｂｅ１（４）、電圧ΔＶｂｅ２（１）～電圧ΔＶｂｅ２（４）の平均値は、以下の式（３）によって算出される。
　（１／８）×（ｋＴａ／ｅ）×Ｉｎ｛（３／１．１）２×（Ｉｎ３／１．１）６｝
　　＝（ｋＴａ／ｅ）×Ｉｎ｛（３／１．１）２×（３／１．１）６｝１／８
　　　≒（ｋＴａ／ｅ）×ｌｎ（３．００２２９５）　　　　　　　式（３）
　また、トランジスタＭ１～Ｍ４を流れる電流値に誤差がない場合の、電圧ΔＶｂｅ１（１）～電圧ΔＶｂｅ１（４）、電圧ΔＶｂｅ２（１）～電圧ΔＶｂｅ２（４）の期待値は、以下の式（４）となる。
　　（ｋＴａ／ｅ）×ｌｎ（３）　　　　式（４）
　したがって、本実施形態によれば、式（３）と式（４）の比から、電圧Ｖｂｅ１と電圧Ｖｂｅ２との差分の誤差を、ｌｎ（３．００２２９５）／ｌｎ（３）≒１．０００７、つまり、０．０７％まで低減できることがわかる。
　これに対し、本実施形態を適用しない場合には、電圧Ｖｂｅ１と電圧Ｖｂｅ２との差分の誤差は、以下の式（５）によって示される。
　ｌｎ（３．１／１）／ｌｎ（３）≒１．０３［％］　　式（５）
　このことから、本実施形態を適用すれば、センサ部１１０の有するトランジスタ間のミスマッチや抵抗間のばらつき等によって生じる電圧Ｖｂｅ１と電圧Ｖｂｅ２との差分の誤差が、３％程度から０．０７％程度まで低減されることがわかる。
　このように、本実施形態によれば、センサ部１１０に電流源を含めることで、温度測定装置１００の小型化に貢献することができる。したがって、本実施形態の温度測定装置１００は、例えば、ＬＳＩ（large-scale integrated circuit）上において複数の局所的な発熱箇所を検出する場合等に効果的である。
　さらに、本実施形態によれば、対数の近似計算等を行わず、平均処理によって温度測定値を算出できるため、デジタル演算の負荷を低減することができる。
　（第二の実施形態）
　以下に、図面を参照して、第二の実施形態について説明する。第二の実施形態では、センサ部がセレクタ１１３を有していない点が、第一の実施形態と相違する。よって、以下の第二の実施形態の説明では、第一の実施形態との相違点についてのみ説明し、第一の実施形態と同様の機能構成を有するものには、第一の実施形態の説明で用いた符号と同様の符号を付与し、その説明を省略する。
　図９は、第二の実施形態の温度測定装置の構成を説明する図である。本実施形態の温度測定装置１００Ａは、センサ部１１０Ａ、ＡＤＣ部１２０、デジタル演算部１３０、制御部１４０Ａを有する。
　尚、図９の例では、温度測定装置１００Ａは、ＡＤＣ部１２０、デジタル演算部１３０を含む構成としているが、これに限定されない。ＡＤＣ部１２０とデジタル演算部１３０は、温度測定装置の外部に設けられるものであっても良く、この場合には、センサ部１１０Ａと、制御部１４０Ａとが温度測定装置１５０Ａを形成することになる。
　本実施形態のセンサ部１１０Ａは、トランジスタＱ１及びＱ２と、トランジスタ群１１１と、抵抗Ｒ１と、抵抗Ｒ２と、セレクタ１１２と、アンプ１１４と、を有する。
　本実施形態のアンプ１１４は、非反転入力端子がノードｎ５と接続され、反転入力端子がノードｎ４と接続されている。
　本実施形態の制御部１４０Ａは、セレクタ１１２に対して制御信号Ｃ１を出力し、トランジスタ群１１１の各トランジスタの接続先を制御する。言い換えれば、制御部１４０は、変数ｊの設定についてのみ行い、変数ｌの設定は行わない。
　次に、図１０を参照して、本実施形態の温度測定装置１００Ａの動作について説明する。図１０は、第二の実施形態の温度測定装置の動作を説明するフローチャートである。
　本実施形態の温度測定装置１００Ａにおいて、制御部１４０Ａは、温度測定装置１００Ａの上位の装置から温度測定の開始の指示を受け付けると、図１０に示す動作（処理）を開始する。
　図１０のステップＳ１００１からステップＳ１００５は、図３のステップＳ３０２からステップＳ３０６までの処理と同様であるから、説明を省略する。
　ステップＳ１００５において、デジタル演算部１３０に、ΔＶｂｅ（１）～ΔＶｂｅ（ｎ）が格納されると、制御部１４０Ａは、デジタル演算部１３０により、これらの平均値を算出させる（ステップＳ１００６）。
　続いて、制御部１４０Ａは、デジタル演算部１３０により、ΔＶｂｅ（１）～ΔＶｂｅ（ｎ）の平均値を用いて温度測定値Ｔを算出させ、出力させる（ステップＳ１００７）。
　続いて、温度測定装置１００Ａは、制御部１４０Ａにより、測定終了の指示を受け付けたか否かを判定する（ステップＳ１００８）。ステップＳ１００８において、測定終了の指示を受け付けない場合、制御部１４０Ａは、ステップＳ１００１に戻る。
　ステップＳ１００８において、測定終了の指示を受け付けた場合、制御部１４０Ａは、処理を終了し、温度測定装置１００Ａの動作を停止させる。
　以上のように、本実施形態では、第一の実施形態と比較して、ΔＶｂｅの平均値を算出する処理を簡略化することができ、デジタル演算の処理の負荷を軽減し、処理速度を向上させることができる。
　以上、各実施形態に基づき本発明の説明を行ってきたが、上記実施形態に示した要件に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の主旨をそこなわない範囲で変更することができ、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
　尚、各実施形態のトランジスタＱ１及びトランジスタＱ２は、特許請求の範囲の記載の第１及び第２の半導体素子の一例であり、トランジスタＭ１～Ｍｎは、特許請求の範囲の記載の複数のトランジスタの一例であり、トランジスタ群１１１は、特許請求の範囲の記載のトランジスタ群の一例である。また、各実施形態のセレクタ１１２は、特許請求の範囲の記載のセレクタの一例であり、セレクタ１１３は、特許請求の範囲の記載の切り替え部の一例であり、アンプ１１４は、特許請求の範囲の記載のアンプの一例である。
　また、各実施形態の抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２は、特許請求の範囲の記載の第１の抵抗素子と第２の抵抗素子の一例である。
　１００、１００Ａ　温度測定装置
　１１０、１１０Ａ　センサ部
　１１１　トランジスタ群
　１１２、１１３　セレクタ
　１１４　アンプ
　１２０　ＡＤＣ部
　１３０　デジタル演算部
　１４０、１４０Ａ　制御部

Claims (7)

  1. 　ＰＮ接合を有する第１及び第２の半導体素子と、
    　ソースが電源に接続され、互いのゲート同士が接続され電流源を構成する複数のトランジスタを有し、前記第１及び第２の半導体素子に対し、第１の電流と、前記第１の電流とは異なる大きさの第２の電流を出力するトランジスタ群と、
    　前記複数のトランジスタから、少なくとも１個の第１のトランジスタと前記第１のトランジスタと異なる複数の第２のトランジスタを選択し、前記第１のトランジスタのドレインを、前記第１及び第２の半導体素子の一方に接続し、前記複数の第２のトランジスタのドレインを、前記第１および第２の半導体素子の他方に接続するセレクタと、を有する温度測定装置。
  2. 　前記第１の半導体素子のＰＮ接合の順方向電圧と、前記第２の半導体素子のＰＮ接合の順方向電圧の差分をデジタル値に変換して出力するＡＤコンバータと、
    　前記ＡＤコンバータから出力された出力値に基づき演算結果を出力する演算部と、
    を有する、請求項１記載の温度測定装置。
  3. 　前記演算部は、
    　前記ＡＤコンバータの複数の出力値に基づき、前記演算結果を出力することを特徴とする請求項２記載の温度測定装置。
  4. 　前記演算結果は、前記複数の出力値の平均値であることを特徴とする、請求項３記載の温度測定装置。
  5. 　前記第１の半導体素子のＰＮ接合の順方向電圧と、前記第２の半導体素子のＰＮ接合の順方向電圧に基づいて生成した電圧を、前記複数のトランジスタのゲートに供給するアンプを有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の温度測定装置。
  6. 　一端が前記セレクタを介して前記複数のトランジスタの何れかと接続され、他端が前記第１の半導体素子と接続されており、前記第１の半導体素子に流れる電流に応じた電圧降下を生ずる第１の抵抗素子と、
    　一端が前記セレクタを介して前記複数のトランジスタの何れかと接続され、他端が前記第２の半導体素子と接続されており、前記第２の半導体素子に流れる電流に応じた電圧降下を生ずる第２の抵抗素子と、を更に含み、
    　前記第１の抵抗素子と前記複数のトランジスタの何れかとの接続点の電圧及び前記第２の半導体素子のＰＮ接合の順方向電圧、又は、前記第２の抵抗素子と前記複数のトランジスタの何れかとの接続点の電圧及び前記第１の半導体素子のＰＮ接合の順方向電圧の何れか一方を、前記アンプの非反転入力端子及び反転入力端子の入力とする、切り替え部を有することを特徴とする、請求項５記載の温度測定装置。
  7. 　ソースが電源に接続され、互いのゲート同士が接続され電流源を構成する複数のトランジスタを含むトランジスタ群により、ＰＮ接合を有する第１及び第２の半導体素子に対し、第１の電流と、前記第１の電流とは異なる大きさの第２の電流を出力し、
    　前記複数のトランジスタから、少なくとも１個の第１のトランジスタと前記第１のトランジスタと異なる複数の第２のトランジスタを選択し、前記第１のトランジスタのドレインを、前記第１及び第２の半導体素子の一方に接続し、前記複数の第２のトランジスタのドレインを、前記第１および第２の半導体素子の他方に接続する、ことを特徴とする温度測定方法。
PCT/JP2017/018169 2017-05-15 2017-05-15 温度測定装置及び温度測定方法 WO2018211554A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019518608A JP7006687B2 (ja) 2017-05-15 2017-05-15 温度測定装置及び温度測定方法
EP17910027.6A EP3627120B1 (en) 2017-05-15 2017-05-15 Temperature measurement device and temperature measurement method
PCT/JP2017/018169 WO2018211554A1 (ja) 2017-05-15 2017-05-15 温度測定装置及び温度測定方法
CN201780090565.5A CN110612436B (zh) 2017-05-15 2017-05-15 温度测定装置以及温度测定方法
US16/674,928 US11268865B2 (en) 2017-05-15 2019-11-05 Temperature measuring device and method for measuring temperature

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2017/018169 WO2018211554A1 (ja) 2017-05-15 2017-05-15 温度測定装置及び温度測定方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/674,928 Continuation US11268865B2 (en) 2017-05-15 2019-11-05 Temperature measuring device and method for measuring temperature

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018211554A1 true WO2018211554A1 (ja) 2018-11-22

Family

ID=64273462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/018169 WO2018211554A1 (ja) 2017-05-15 2017-05-15 温度測定装置及び温度測定方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11268865B2 (ja)
EP (1) EP3627120B1 (ja)
JP (1) JP7006687B2 (ja)
CN (1) CN110612436B (ja)
WO (1) WO2018211554A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112904924A (zh) * 2019-12-04 2021-06-04 华润微集成电路(无锡)有限公司 用于检测芯片温度的电路及相应的检测芯片温度的方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6962795B2 (ja) * 2017-11-22 2021-11-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および半導体システム

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11211574A (ja) * 1997-12-11 1999-08-06 Natl Semiconductor Corp <Ns> 半導体装置の直接的温度検知
JP2011220777A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 New Japan Radio Co Ltd 電圧発生回路
US20150117495A1 (en) * 2013-10-29 2015-04-30 Maxim Integrated Products, Inc. Systems and methods for on-chip temperature sensor
JP2015190799A (ja) 2014-03-27 2015-11-02 株式会社ソシオネクスト 温度測定装置、集積回路および温度測定方法
US20160178450A1 (en) * 2014-12-23 2016-06-23 Texas Instruments Incorporated On-Chip Circuit and Method for Accurately Measuring Die Temperature of an Integrated Circuit

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1364911A1 (ru) * 1986-07-14 1988-01-07 Институт Электродинамики Ан Усср Способ определени температуры
CN2081530U (zh) * 1990-10-15 1991-07-24 辽宁八达高校科技开发集团 用于测控温的pn结传感器
US7010440B1 (en) * 2003-11-25 2006-03-07 Analog Devices, Inc. Method and a measuring circuit for determining temperature from a PN junction temperature sensor, and a temperature sensing circuit comprising the measuring circuit and a PN junction
TW200524139A (en) * 2003-12-24 2005-07-16 Renesas Tech Corp Voltage generating circuit and semiconductor integrated circuit
JP4808069B2 (ja) * 2006-05-01 2011-11-02 富士通セミコンダクター株式会社 基準電圧発生回路
WO2009017223A1 (ja) * 2007-08-02 2009-02-05 Toppan Printing Co., Ltd. 半導体評価回路
JP2010114877A (ja) * 2008-10-06 2010-05-20 Panasonic Corp 演算増幅回路及び表示装置
JP5213175B2 (ja) * 2008-11-14 2013-06-19 セイコーインスツル株式会社 温度センサ
US8308358B2 (en) * 2009-06-25 2012-11-13 Texas Instruments Incorporated Circuit and method for beta variation compensation in single-transistor temperature sensor
JP2012042241A (ja) * 2010-08-16 2012-03-01 Renesas Electronics Corp リーク電流測定回路およびリーク電流測定方法
JP6126949B2 (ja) * 2013-09-02 2017-05-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 温度センサ
CN104460811B (zh) * 2014-12-26 2016-01-20 昆腾微电子股份有限公司 基准电压温度系数校准电路及其工作方法
JP6426018B2 (ja) * 2015-02-03 2018-11-21 エイブリック株式会社 過熱検出回路及び電源装置
KR102282192B1 (ko) * 2015-07-23 2021-07-27 삼성전자 주식회사 미스매치 검출 및 보상 회로를 갖는 반도체 장치
US10352775B2 (en) * 2015-09-25 2019-07-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for reducing temperature sensor reading variation due to device mismatch
US11231736B2 (en) * 2017-11-17 2022-01-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Reference voltage generating circuit method of generating reference voltage and integrated circuit including the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11211574A (ja) * 1997-12-11 1999-08-06 Natl Semiconductor Corp <Ns> 半導体装置の直接的温度検知
JP2011220777A (ja) * 2010-04-07 2011-11-04 New Japan Radio Co Ltd 電圧発生回路
US20150117495A1 (en) * 2013-10-29 2015-04-30 Maxim Integrated Products, Inc. Systems and methods for on-chip temperature sensor
JP2015190799A (ja) 2014-03-27 2015-11-02 株式会社ソシオネクスト 温度測定装置、集積回路および温度測定方法
US20160178450A1 (en) * 2014-12-23 2016-06-23 Texas Instruments Incorporated On-Chip Circuit and Method for Accurately Measuring Die Temperature of an Integrated Circuit

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3627120A4

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112904924A (zh) * 2019-12-04 2021-06-04 华润微集成电路(无锡)有限公司 用于检测芯片温度的电路及相应的检测芯片温度的方法
CN112904924B (zh) * 2019-12-04 2022-10-18 华润微集成电路(无锡)有限公司 用于检测芯片温度的电路及相应的检测芯片温度的方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2018211554A1 (ja) 2020-05-14
CN110612436B (zh) 2022-01-07
EP3627120A1 (en) 2020-03-25
CN110612436A (zh) 2019-12-24
US11268865B2 (en) 2022-03-08
JP7006687B2 (ja) 2022-01-24
EP3627120A4 (en) 2020-04-29
EP3627120B1 (en) 2021-08-18
US20200064206A1 (en) 2020-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10642305B2 (en) High-accuracy CMOS temperature sensor and operating method
JP6379578B2 (ja) 温度測定装置、集積回路および温度測定方法
TWI418968B (zh) 參考電壓與參考電流產生電路及方法
US20140132241A1 (en) Small-circuit-scale reference voltage generating circuit
US8587368B2 (en) Bandgap reference circuit with an output insensitive to offset voltage
US10234889B2 (en) Low voltage current mode bandgap circuit and method
JP2012174085A (ja) 基準電圧回路および半導体集積回路
CN107861562B (zh) 一种电流产生电路及其实现方法
US20080258804A1 (en) Numerical band gap
KR20120080567A (ko) 보상된 밴드갭
US7082377B1 (en) Apparatus for error cancellation for dual diode remote temperature sensors
JP2006262348A (ja) 半導体回路
JP4636461B2 (ja) 電源電圧監視回路、および該電源電圧監視回路を備える電子回路
CN108334144B (zh) 一种高性能基准电压源及其实现方法
CN111328440A (zh) 电流舵数模转换器
Lee Low voltage CMOS bandgap references with temperature compensated reference current output
WO2018211554A1 (ja) 温度測定装置及び温度測定方法
TWI559115B (zh) Energy gap reference circuit
JP2011215129A (ja) 温度センサと、半導体装置およびその較正方法
US8860392B2 (en) Semiconductor device including voltage generating circuit
JP2001217692A (ja) 電圧比較回路およびこれを用いた基板バイアス調整回路
US9304528B2 (en) Reference voltage generator with op-amp buffer
JP2009277076A (ja) バンドギャップリファレンス回路
JP4167122B2 (ja) 基準電圧発生回路
WO2020105086A1 (ja) オフセット補正回路

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17910027

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019518608

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017910027

Country of ref document: EP

Effective date: 20191216