WO2018164180A1 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
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Definitions
- This specification discloses a semiconductor device manufacturing apparatus for bonding a semiconductor chip to a substrate or another semiconductor chip in order to manufacture the semiconductor device.
- a manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor device includes a bonding stage on which a substrate is placed and a semiconductor chip placed on the substrate or another semiconductor chip provided on the substrate and heated. And a bonding head for pressure bonding. Some semiconductor device manufacturing apparatuses heat not only the bonding head but also the bonding stage in order to melt the solder provided on the semiconductor chip and the adhesive.
- the bonding stage when the bonding stage is heated, the bonding stage is bent and the flatness may be lowered. That is, in the conventional semiconductor device, the bonding stage is often firmly fixed to the base portion of the semiconductor device. In such a case, when the bonding stage is heated, the bonding stage is bent due to the difference in thermal expansion between the bonding stage and the base portion, and the flatness of the bonding stage is reduced. When the flatness of the bonding stage decreases, the distance between the substrate and the like placed on the bonding stage and the bonding head cannot be kept constant, and the heat and pressure bonding is not performed well, resulting in a decrease in mounting quality. It was.
- Patent Document 1 discloses an apparatus that includes a laser length measuring device that measures the height of a plurality of locations on a bonding stage, and that includes tilt adjustment means that adjusts the tilt of the bonding stage based on the measurement result.
- Patent Document 2 includes a jack means for adjusting the height of a workbench (bonding stage) and measures a plurality of times at regular time intervals so that the average value of the measured values becomes constant.
- An apparatus for adjusting the height of a table with jack means is disclosed.
- the parallelism between the bonding stage and the bonding head can be increased.
- none of the conventional techniques is a technique for accurately correcting the parallelism when the parallelism decreases, and is not a technique for suppressing the occurrence of the flatness deterioration itself.
- the conventional technology cannot suppress the occurrence of bending of the bonding stage due to the difference in thermal expansion as described above.
- the present specification discloses a semiconductor device manufacturing apparatus that can more effectively suppress the bending of the bonding stage accompanying thermal expansion.
- a semiconductor device manufacturing apparatus disclosed in this specification includes a base portion, a mounting surface on which a substrate is placed, a bonding stage provided on the base portion, the base portion, and the bonding stage. And at least one of the one or more connecting members is a connecting plate that bends following expansion and contraction in the surface direction of the bonding stage accompanying a temperature change.
- the connecting member may connect the base part and the bonding stage in a state where the bonding stage is separated from the base part.
- Such a configuration can effectively prevent heat from flowing from the bonding stage to the base.
- the bonding stage can be quickly brought to the target temperature, and the influence of heat on the member provided on the base portion can be reduced.
- the connecting plate is a plate that can bend so that one end in the height direction can be displaced in the thickness direction with respect to the other end, and the height direction is substantially perpendicular to the mounting surface. And may be attached to the bonding stage.
- the connecting plate can reliably follow the expansion and contraction in the surface direction of the bonding stage.
- the bonding stage has a fixed point that does not change its position relative to the base portion regardless of expansion or contraction of the bonding stage accompanying a temperature change, and the connection plate is connected to the connection plate from the fixed point. You may attach to the said bonding stage with the attitude
- the connecting plate can reliably follow the expansion / contraction in the surface direction of the bonding stage.
- the fixed point may be set by two or more of the connecting plates regulating each other's bending.
- the base portion includes a base, and an inclination adjustment base that is directly or indirectly installed on the base and is capable of adjusting an inclination of an upper surface
- the connecting member includes the inclination adjustment base and The bonding stage may be connected.
- the base portion includes a base, and two or more linear motion mechanisms that are directly or indirectly installed on the base and are arranged in parallel in a predetermined arrangement direction at intervals.
- the linear motion mechanism has a moving body that moves straight in a moving direction orthogonal to the arrangement direction, and the connecting member connects the moving body of the linear motion mechanism and the bonding stage. Good.
- the bonding stage has a fixed point that does not change the position of the linear motion mechanism relative to the moving body regardless of expansion or contraction of the bonding stage with temperature change.
- the connecting plate that connects the movable body of the linear motion mechanism may be attached to the bonding stage in a posture in which the direction of bending is substantially parallel to the arrangement direction.
- FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a semiconductor device manufacturing apparatus 10.
- FIG. 2 is a top view around the bonding stage 14 of the manufacturing apparatus 10.
- the manufacturing apparatus 10 is also called a bonding apparatus, and bonds the semiconductor chip 110 to the substrate 100 or another semiconductor chip 110 provided on the substrate 100 in order to manufacture a semiconductor device.
- the manufacturing apparatus 10 includes at least a base portion 12, a bonding stage 14, and a bonding head 16.
- the actual manufacturing apparatus 10 further includes a substrate supply mechanism for supplying the substrate 100 to the bonding stage 14, a chip supply mechanism for supplying the semiconductor chip 110 to the bonding head 16, and the like. These descriptions are omitted.
- the base part 12 is a base part on which the bonding stage 14 is installed.
- the configuration of the base portion 12 is not particularly limited as long as it can provide an installation member on which the bonding stage 14 is installed, and may be configured by a single member or a combination of a plurality of members. May be.
- the base portion 12 includes a base 20 and an inclination adjustment base 22 provided on the base 20.
- the base unit 12 is usually provided with various electronic devices necessary for the bonding process, sensors, and the like.
- the tilt adjustment table 22 is a table whose top surface tilt can be changed.
- the bonding stage 14 is connected to the inclination adjusting table 22 by a connecting plate 18 described later. Therefore, the inclination of the upper surface of the bonding stage 14 can be adjusted by adjusting the inclination of the inclination adjusting table 22.
- FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a tilt adjusting mechanism that adjusts the tilt of the tilt adjusting table 22.
- a tapered surface is formed at the bottom end portion of the inclination adjusting base 22 so as to increase toward the outside.
- the tilt adjusting mechanism includes a wedge member 26 having a tapered surface corresponding to the tapered surface of the tilt adjusting table 22.
- the wedge member 26 is installed on the base 20 and advances and retreats in the horizontal direction.
- the inclination adjusting table 22 is placed on the wedge member 26, and the height of the end of the inclination adjusting table 22 and the inclination of the upper surface of the inclination adjusting table 22 are adjusted by moving the wedge member forward and backward. Is done.
- the tilt adjusting base 22 is normally fixed by being pressed against the wedge member 26 by a lock mechanism (not shown). However, when the lock mechanism is released, the wedge member 26 can advance and retreat in the horizontal direction.
- a lock mechanism (not shown).
- the wedge member 26 can advance and retreat in the horizontal direction.
- the rotation of the bevel gears 30a and 30b is transmitted to the screw 28 fixed to the wedge member 26, so that the wedge member 26 is advanced and retracted.
- a screw 28 extending in the horizontal direction (advancing and retracting direction of the wedge member 26) is fixed to the wedge member 26.
- a first bevel gear 30a that rotates about a horizontal axis is screwed to the screw 28, and the screw 28 and the wedge member 26 advance and retreat as the first bevel gear 30a rotates.
- the first bevel gear 30a meshes with a second bevel gear 30b that rotates about a vertical axis, and the second bevel gear 30b has a handle via a shaft member extending in the vertical direction. 32 are connected.
- the wedge member 26 advances and retreats, and the inclination of the inclination adjusting table 22 changes.
- the tilt adjusting mechanism described here is an example, and other configurations may be used as long as the tilt of the upper surface of the tilt adjusting table 22 can be adjusted. For example, you may make it provide the jack which raises / lowers the inclination adjustment stand 22 in multiple places (for example, 3 places). Moreover, the inclination adjustment stand 22 may be placed directly on the base 20 or may be placed via another member, for example, an XY movement table.
- a bonding stage 14 is provided on the base portion 12, more specifically, on the inclination adjusting table 22.
- the bonding stage 14 is a pedestal member on which the substrate 100 is placed, and the upper surface thereof serves as a placement surface 15 on which the substrate 100 is placed.
- the bonding stage 14 incorporates a suction mechanism (not shown) that holds the substrate 100 by suction.
- the bonding stage 14 also includes a heater 36 for heating the substrate 100. The heat of the heater 36 is transmitted to the substrate 100 through the bonding stage 14.
- a bonding head 16 is provided directly above the mounting surface 15.
- the bonding head 16 places the semiconductor chip 110 sucked and held at the tip portion on the substrate 100 or another semiconductor chip 110 provided on the substrate 100 and heats and presses the semiconductor chip 110.
- the solder and adhesive provided on the semiconductor chip 110 are melted and cured, and the semiconductor chip 110 is fixed (bonded) to the substrate 100 or another semiconductor chip 110.
- As the configuration of the bonding head 16 a known conventional technique can be used, and thus detailed description thereof is omitted.
- the bonding stage 14 is connected to the tilt adjustment base 22 (base portion 12) using a substantially flat connecting plate 18.
- the connecting plate 18 functions as a connecting member that connects the base portion 12 and the bonding stage 14.
- the connecting plate 18 is a substantially rectangular flat plate made of stainless steel or the like. Since the thickness of the connecting plate 18 is sufficiently smaller than the height, the connecting plate 18 can be bent (elastically deformed) so that one end in the height direction is displaced in the thickness direction with respect to the other end.
- each connecting plate 18 is fixed to the side surface of the bonding stage 14, and the end in the height direction is fixed to the side surface of the tilt adjusting table 22. Therefore, it can be said that the connecting plate 18 is attached to the bonding stage 14 in a posture in which the height direction thereof is substantially orthogonal to the placement surface 15.
- the connecting plate 18 connects the bonding stage 14 with the bonding stage 14 being separated from the tilt adjusting base 22 (base portion 12). As a result, there is no contact portion between the bonding stage 14 and the tilt adjustment base 22. In addition, an air layer that functions as a heat insulating layer is formed between the bonding stage 14 and the inclination adjusting table 22.
- connection plates 18 are not particularly limited as long as sufficient rigidity can be secured.
- the bonding stage 14 and the base portion are formed using five connection plates 18. 12 are connected.
- the bonding stage 14 incorporates the heater 36 for heating the substrate 100. It is known that the bonding stage 14 expands due to the heat of the heater 36.
- the base portion 12 has a larger heat capacity than the bonding stage 14 and is unlikely to rise in temperature. Further, the base portion 12 often has a material different from that of the bonding stage 14 and often has a different thermal expansion coefficient. For this reason, when the heater 36 is operated, the thermal expansion amount of the bonding stage 14 is often larger than the thermal expansion amount of the base portion 12.
- both ends of the bonding stage 14 are firmly fixed to the base portion 12 (tilt adjustment base 22) using bolts 50.
- the expansion amount in the surface direction of the bonding stage 14 is larger than the expansion amount in the surface direction of the base portion 12.
- both ends of the bonding stage 14 are fixed to the base portion 12, and their positions relative to the base portion 12 are unchanged. For this reason, the bonding stage 14 cannot be displaced even if it is thermally expanded. Therefore, the bonding stage 14 warps (bends) as shown by a two-dot chain line.
- the bonding stage 14 when the bonding stage 14 is warped, the flatness of the bonding stage 14 and consequently the substrate 100 placed on the bonding stage 14 is lowered.
- the flatness of the substrate 100 decreases, the distance between the substrate 100 and the bonding head 16 cannot be kept constant, bonding is not performed well, and the mounting quality is deteriorated.
- the bonding stage 14 when the bonding stage 14 is placed directly on the base portion 12 (tilt adjustment base 22), the heat of the heater 36 easily flows out to the base portion 12.
- the base portion 12 has a larger heat capacity than the bonding stage 14.
- heat flows out to the base portion 12 having a large heat capacity it takes time for the bonding stage 14 to reach the target temperature. As a result, the time until the temperature of the bonding stage 14 is stabilized becomes longer, and the time required for bonding becomes longer.
- other members provided in the base portion 12 such as the tilt adjusting table 22 and the sensor, are also affected by the heat, which is not desirable.
- the bonding stage 14 is coupled to the tilt adjustment base 22 (base portion 12) using a coupling plate 18 that can be bent. Since the height direction of the connecting plate 18 is attached so as to be substantially orthogonal to the mounting surface 15, the connecting plate 18 bends and follows when the bonding stage 14 expands and contracts in the surface direction with a temperature change. Can do.
- FIG. 4 is an image diagram showing the bonding stage 14 being heated and expanded. As shown in FIG. 4, it is assumed that the bonding stage 14 expands in the surface direction due to the heat of the heater 36. At this time, the connecting plate 18 follows the expansion of the bonding stage 14 and bends so that the upper end in the height direction is displaced outward in the surface direction. Thereby, the bonding stage 14 is allowed to expand while the connection between the bonding stage 14 and the base portion 12 is maintained. As a result, warping of the bonding stage 14 is suppressed, and a decrease in flatness of the placement surface 15 is suppressed.
- the bonding stage 14 receives a force in a direction (load direction, Z direction) orthogonal to the mounting surface 15 from the bonding head 16.
- the bonding stage 14 is required to have high rigidity in the load direction so that the bonding stage 14 does not tilt even if it receives a force in the load direction.
- the connecting plate 18 connects the bonding stage 14 with the bonding stage 14 being separated from the tilt adjusting table 22.
- the contact area of the bonding stage 14 and the inclination adjustment stand 22 can be reduced, and the air layer which functions as a heat insulation layer can be formed between both.
- the bonding stage 14 can reach the target temperature quickly, and the time required for bonding can be shortened.
- the influence of the heat which the base part 12 receives can be reduced, and the more stable operation
- heat outflow to the base part 12 can be suppressed, the soaking of the bonding stage can be maintained.
- the fixed point Pf whose position with respect to the base portion 12 does not change regardless of expansion / contraction of the bonding stage 14 due to the temperature change is set on the bonding stage 14 depending on the arrangement of the connecting plates 18.
- the connecting plate 18b attached to the end surface in the Y direction
- the displacement of the fixed point Pf in the Y direction is connected to the connecting plate attached to the end surface in the X direction. It is regulated by 18a.
- the two connecting plates 18a and 18b regulate the other's bending, so that a fixed point Pf that is not displaced with respect to the base portion 12 is set on the bonding stage 14.
- each connecting plate 18 is preferably attached to the bonding stage 14 in a posture in which the direction from the fixed point Pf toward the connecting plate 18 and the thickness direction of the connecting plate 18 are substantially parallel.
- the connecting plate 18c since the connecting plate 18c is positioned in the X direction when viewed from the fixed point Pf, the connecting plate 18c has a posture in which its thickness direction (displacement direction due to bending) is substantially parallel to the X direction. It is attached with. Further, since the connecting plate 18d is positioned in the Y direction when viewed from the fixed point Pf, the connecting plate 18d is attached in such a posture that the thickness direction (the displacement direction due to bending) is substantially parallel to the Y direction. Yes. Furthermore, since the connecting plate 18e is located in the diagonal direction as viewed from the fixed point Pf, the connecting plate 18e is attached in such a posture that its thickness direction (displacement direction due to bending) is substantially parallel to the diagonal direction. Yes.
- the thickness direction of the connecting plate 18 (the displacement direction due to bending) may not necessarily be parallel as long as it is not substantially orthogonal to the direction from the fixed point Pf toward the connecting plate 18.
- the connecting plate 18d may be attached to a position shifted in the X direction, that is, a position of 18d 'in FIG.
- the connecting plate 18 may be arranged as shown in FIG.
- the two connecting plates 18 a and 18 b are disposed on both end surfaces of the bonding stage 14 in the X direction so that the thickness direction thereof is substantially parallel to the X direction.
- the two connecting plates 18c and 18d are disposed on both end surfaces of the bonding stage 14 in the Y direction so that the thickness direction thereof is substantially parallel to the Y direction.
- connection plate 18e is also provided in the vicinity of the fixed point Pf.
- a fixed point Pf that does not change position with respect to the base portion 12 can be set on the bonding stage 14.
- a fixed point Pf is convenient when handling a transparent substrate or the like. That is, in the case of a transparent substrate, a positioning mark is attached to the mounting surface 15 of the bonding stage 14. Then, the semiconductor chip 110 may be positioned with reference to a positioning mark that can be seen through the transparent substrate. When the bonding stage 14 is thermally expanded, the positioning mark attached to the bonding stage 14 is also deformed. When the fixed point Pf is not set, deformation of the positioning mark due to thermal expansion cannot be predicted, and accurate positioning becomes difficult.
- the substrate 100 can be accurately positioned on the bonding stage 14 by placing the substrate 100 on the bonding stage 14 with reference to the connection plates 18a and 18b or the fixed point Pf.
- the bonding stage 14 is warped due to thermal expansion by connecting the bonding stage 14 and the base portion 12 using the connecting plate 18 that can be bent. And the decrease in flatness of the substrate 100 or the like to be placed can be suppressed. As a result, the bonding quality can be further improved.
- all the connecting members that connect the bonding stage 14 and the base portion 12 are the connecting plates 18 that can be bent.
- some of the connecting members are rigid bodies that are not easily bent. Also good.
- a rigid body that is difficult to bend may be used as the connecting member disposed in the vicinity of the fixed point Pf, instead of the connecting plates 18a and 18b.
- the connecting plate 18e provided at the fixed point Pf may be replaced with a rigid body that is difficult to bend.
- FIG. 6 is a schematic cross-sectional view around the bonding stage 14 of another manufacturing apparatus 10
- FIG. 7 is a top view around the bonding stage 14.
- the base unit 12 of the manufacturing apparatus 10 further includes two linear motion mechanisms 40A and 40B in addition to the base 20 and the inclination adjusting base 22.
- the two linear motion mechanisms 40 ⁇ / b> A and 40 ⁇ / b> B are arranged in parallel on the inclination adjusting table 22 with a gap in a predetermined arrangement direction (for example, the X direction).
- 40 A of 1st linear motion mechanisms are provided with the rail 42 extended in the moving direction (for example, Y direction) orthogonal to an arrangement
- the second linear motion mechanism 40B is provided with a rail 42 extending in the movement direction and two moving bodies 44c and 44c.
- the four corners of the bonding stage 14 are connected to the four moving bodies 44a to 44d.
- the bonding stage 14 also moves straight in the moving direction.
- the expansion in the moving direction (Y direction) of the bonding stage 14 can be absorbed by the two moving bodies 44a, 44b or 44c, 44d arranged in the moving direction moving in the moving direction.
- the expansion in the arrangement direction (X direction) of the bonding stage 14 cannot be absorbed by the movement of the moving bodies 44a to 44d.
- the bonding stage 14 is firmly connected to the moving bodies 44a to 44d, the load in the X direction is applied to the two linear motion mechanisms 40A and 40B as the bonding stage 14 expands in the X direction (arrangement direction). Will cause deterioration and breakage of the linear motion mechanisms 40A and 40B.
- the bonding stage 14 and the moving bodies 44a to 44d are connected by a connecting plate 18 that can be bent.
- the moving body 44a of the first linear motion mechanism 40A and the bonding stage 14 are connected by two connection plates 18a and 18b arranged in a substantially L shape.
- the deformation of the two connecting plates 18a and 18b is regulated mutually, so that the vicinity of the two connecting plates 18a and 18b is a fixed point that does not change position with respect to the moving body 44a (base portion 12). Pf.
- the moving body 44b of the first linear motion mechanism 40A and the bonding stage 14 are also connected by two connection plates 18c and 18d arranged in a substantially L shape, and in the vicinity of the two connection plates 18c and 18d, An invariable fixed point Pf is set for the moving body 44b (base portion 12).
- the moving bodies 44c and 44d of the second linear motion mechanism 40B located at a position away from the fixed point Pf in the X direction have the thickness direction of the connecting plates 18e and the posture substantially parallel to the X direction (arrangement direction). It is connected to the bonding stage 14 through 18f.
- the bonding stage 14 When the bonding stage 14 is expanded in the X direction with the fixed point Pf as a reference, only the upper ends of the connecting plates 18e and 18f fixed to the bonding stage 14 are displaced in the X direction following the expansion.
- the lower ends fixed to the moving bodies 44c and 44d bend so as not to be displaced.
- the load in the X direction applied to the second linear motion mechanism 40B is greatly reduced, so that deterioration and breakage of the second linear motion mechanism 40B are effectively prevented. it can.
- the number of linear motion mechanisms arranged in parallel is two, but a larger number of linear motion mechanisms may be provided.
- three linear motion mechanisms that are arranged in parallel with a predetermined arrangement direction may be provided.
- the bonding stage 14 is connected so as not to change its position with respect to the moving body of one linear motion mechanism, and can be displaced in the arrangement direction with respect to the remaining two movable bodies of the linear motion mechanism. In this way, they are connected via the connecting plate 18.
- the connecting plate 18 is all a flat plate shape without bending, but the connecting plate 18 can be bent so that one end in the height direction is displaced in the thickness direction with respect to the other end.
- it may be a substantially L-shaped or substantially U-shaped sheet metal plate that is bent halfway.
- the bonding stage 14 is a member provided on the base portion 12. As long as it is, it may be connected to any member. Therefore, the bonding stage 14 may be coupled to the base 20 that is neither inclined nor moved via the coupling member.
- at least one of the connecting members that connect the bonding stage 14 and the base portion 12 is a connecting plate 18 that flexes following the expansion and contraction in the surface direction of the bonding stage 14 due to a temperature change. In this case, other configurations may be changed as appropriate.
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Abstract
半導体装置の製造装置10は、ベース部12と、基板100が載置される載置面15を有し、前記ベース部12の上に設けられるボンディングステージ14と、前記ベース部12と前記ボンディングステージ14とを連結する1以上の連結部材と、を備え、前記1以上の連結部材の少なくとも一つは、温度変化に伴う前記ボンディングステージ14の面方向の膨縮に追従して撓む連結プレート18である。
Description
本明細書では、半導体装置を製造するために、半導体チップを、基板または他の半導体チップにボンディングする半導体装置の製造装置を開示する。
半導体装置を製造するための製造装置(ボンディング装置ともいう)には、基板が載置されるボンディングステージと、半導体チップを基板または基板上に設けられた他の半導体チップに載置して加熱加圧接合するボンディングヘッドと、が設けられている。かかる半導体装置の製造装置の中には、半導体チップに設けられたハンダや、接着剤を溶融させるために、ボンディングヘッドだけでなく、ボンディングステージも加熱するものがある。
しかし、ボンディングステージを加熱すると、ボンディングステージが撓んでしまい、平面度が低下することがあった。すなわち、従来の半導体装置において、ボンディングステージは、半導体装置のベース部に強固に固着されることが多かった。かかる場合において、ボンディングステージを加熱すると、ボンディングステージとベース部との熱膨張量の差に起因して、ボンディングステージが撓んでしまい、ボンディングステージの平面度が低下していた。ボンディングステージの平面度が低下すると、当該ボンディングステージに載置された基板等とボンディングヘッドとの距離が一定に保てなくなり、加熱加圧接合が良好に実行されず、実装品質の低下を招いていた。
そこで、従来から、ボンディングステージの平面度を高くするための技術が多数提案されている。例えば、特許文献1には、ボンディングステージ上の複数箇所の高さを測定するレーザ測長機を設け、その測定結果に基づいて、ボンディングステージの傾きを調整する傾き調整手段を設けた装置が開示されている。また、特許文献2には、作業台(ボンディングステージ)の高さを調整するためのジャッキ手段を備え、一定時間間隔で複数回測定し、この測定値の平均値が一定になるように、作業台の高さをジャッキ手段で調整する装置が開示されている。
こうした技術によれば、ボンディングステージとボンディングヘッドとの平行度を高くすることができる。しかしながら、従来の技術は、いずれも、平行度が低下した場合に、これを精度よく修正するための技術であり、平面度の低下そのものの発生を抑制する技術では無かった。特に、従来の技術では、上述したような、熱膨張量の差に起因するボンディングステージの撓み発生を抑制することは出来なかった。
そこで、本明細書では、熱膨張に伴うボンディングステージの撓みをより効果的に抑制できる半導体装置の製造装置を開示する。
本明細書で開示する半導体装置の製造装置は、ベース部と、基板が載置される載置面を有し、前記ベース部の上に設けられるボンディングステージと、前記ベース部と前記ボンディングステージとを連結する1以上の連結部材と、を備え、前記1以上の連結部材の少なくとも一つは、温度変化に伴う前記ボンディングステージの面方向の膨縮に追従して撓む連結プレートである。
かかる構成とすることで、ボンディングステージの面方向の膨縮を許容しつつ、ボンディングステージとベース部との連結を維持できる。その結果、ボンディングステージの撓みの発生を効果的に抑制できる。
前記連結部材は、前記ボンディングステージを前記ベース部から離間した状態で、前記ベース部と前記ボンディングステージとを連結してもよい。
かかる構成とすることで、ボンディングステージからベース部への熱の流出を効果的に防止できる。結果として、ボンディングステージを迅速に目標温度にすることができるとともに、ベース部に設けられた部材への熱の影響を低減できる。
また、前記連結プレートは、その高さ方向の一端が他端に対して、その厚み方向に変位可能に撓むことができる板材であり、その高さ方向が前記載置面に略直交する姿勢で前記ボンディングステージに取り付けられてもよい。
かかる構成とすることで、連結プレートが、ボンディングステージの面方向の膨縮により確実に追従できる。
また、前記ボンディングステージには、温度変化に伴う前記ボンディングステージの膨縮に関わらず前記ベース部に対する位置が不変の固定点が設定されており、前記連結プレートは、前記固定点から当該連結プレートに向かう方向と、当該連結プレートの厚み方向とが略平行になる姿勢で前記ボンディングステージに取り付けられていてもよい。
かかる構成とすれば、連結プレートの撓みの方向とボンディングステージの膨縮の方向とが揃うため、連結プレートが、ボンディングステージの面方向の膨縮により確実に追従できる。
また、前記固定点は、2以上の前記連結プレートが、互いに相手の撓みを規制することで設定されてもよい。
かかる構成とすれば、固定点設定のために専用の部材を設ける必要が無い。
また、前記ベース部は、基台と、前記基台の上に直接または間接的に設置され、上面の傾きが調整可能な傾斜調整台と、を含み、前記連結部材は、前記傾斜調整台と前記ボンディングステージとを連結してもよい。
かかる構成とすることで、ボンディングステージの傾き調整を可能としつつ、ボンディングステージの撓みの発生を効果的に抑制できる。
また、前記ベース部は、基台と、前記基台の上に直接または間接的に設置され、規定の配設方向に間隔をあけて平行に並んだ2以上の直動機構と、を含み、前記直動機構は、前記配設方向に対して直交する移動方向に直進する移動体を有しており、前記連結部材は、前記直動機構の移動体と前記ボンディングステージとを連結してもよい。
かかる構成とすることで、ボンディングステージの直進移動を可能としつつ、ボンディングステージの撓みの発生を効果的に抑制できる。
この場合、前記ボンディングステージは、温度変化に伴う前記ボンディングステージの膨縮に関わらず一つの前記直動機構の移動体に対する位置が不変の固定点が設定されており、前記ボンディングステージと他の前記直動機構の移動体とを連結する前記連結プレートは、その撓みの方向が、前記配設方向と略平行になる姿勢で前記ボンディングステージに取り付けられていてもよい。
かかる構成とすることで、ボンディングステージの膨縮に伴い直動機構にかかる配設方向の力を低減でき、直動機構の劣化や破損を効果的に防止できる。
本明細書で開示する半導体装置の製造装置によれば、ボンディングステージの面方向の膨縮を許容しつつ、ボンディングステージとベース部との連結を維持できる。その結果、ボンディングステージの撓みの発生を効果的に抑制できる。
以下、半導体装置の製造装置10について図面を参照して説明する。図1は、半導体装置の製造装置10の構成を示す概略図である。また、図2は、この製造装置10のボンディングステージ14周辺の上面図である。この製造装置10は、ボンディング装置とも呼ばれるもので、半導体装置を製造するために、半導体チップ110を、基板100または基板100上に設けられた他の半導体チップ110にボンディングする。
製造装置10は、少なくとも、ベース部12と、ボンディングステージ14と、ボンディングヘッド16と、を備えている。なお、実際の製造装置10は、これらに加えて、さらに、基板100をボンディングステージ14に供給する基板供給機構や、半導体チップ110をボンディングヘッド16に供給するチップ供給機構等も有しているが、これらの説明は、省略する。
ベース部12は、ボンディングステージ14が設置される土台部分である。このベース部12は、ボンディングステージ14が設置される設置部材を提供できるのであれば、その構成は特に限定されず、単一の部材で構成されてもよいし、複数の部材を組み合わせて構成されてもよい。図示例では、ベース部12は、基台20と、当該基台20の上に設けられた傾斜調整台22と、を備えている。また、図示しないが、通常、ベース部12には、ボンディング処理に必要な各種電子機器や、センサ等も設けられている。
傾斜調整台22は、その上面の傾きが変更可能な台である。ボンディングステージ14は、後述する連結プレート18により、傾斜調整台22に連結されている。そのため、傾斜調整台22の傾きを調整することで、ボンディングステージ14の上面の傾きも調整できる。
図3は、傾斜調整台22の傾きを調整する傾斜調整機構の一例を示す図である。図示例において、傾斜調整台22の底面端部には、外側に近づくほど高くなるテーパ面が形成されている。傾斜調整機構は、この傾斜調整台22のテーパ面に対応するテーパ面を有したくさび部材26を有している。くさび部材26は、基台20上に設置されており、水平方向に進退する。傾斜調整台22は、このくさび部材26の上に載置されており、くさび部材を進退させることで、傾斜調整台22の端部の高さ、ひいては、傾斜調整台22の上面の傾きが調整される。
傾斜調整台22は、通常、ロック機構(図示せず)により、くさび部材26に押し付けて固定されているが、当該ロック機構を解除すると、くさび部材26は、水平方向に進退できる。くさび部材26を進退させる機構としては、種々考えられるが、図示例では、傘歯歯車30a,30bの回転を、くさび部材26に固着した螺子28に伝達することでくさび部材26を進退させている。すなわち、くさび部材26には、水平方向(くさび部材26の進退方向)に延びる螺子28が固着されている。この螺子28には、水平軸回りに自転する第一傘歯歯車30aが螺合されており、第一傘歯歯車30aの自転に伴い、螺子28およびくさび部材26が進退する。また、第一傘歯歯車30aには、鉛直軸回りに自転する第二傘歯歯車30bが歯合しており、第二傘歯歯車30bには、鉛直方向に延びる軸部材を介して、ハンドル32が連結されている。ユーザが、このハンドル32を回せば、くさび部材26が進退し、傾斜調整台22の傾斜が変化する。
なお、ここで説明した傾斜調整機構は、一例であり、傾斜調整台22の上面の傾きを調整できるのであれば、他の構成でもよい。例えば、傾斜調整台22を昇降させるジャッキを、複数箇所(例えば3箇所)に設けるようにしてもよい。また、傾斜調整台22は、基台20の上に直接、載置されてもよいし、他の部材、例えば、XY移動テーブル等を介して載置されてもよい。
再び図1、図2を参照して、製造装置10の構成を説明する。ベース部12、より具体的には、傾斜調整台22の上には、ボンディングステージ14が設けられている。ボンディングステージ14は、基板100が載置される台部材で、その上面は、基板100が載置される載置面15となる。ボンディングステージ14には、基板100を吸引保持する吸引機構(図示せず)が内蔵されている。また、ボンディングステージ14には、基板100を加熱するためのヒータ36も内蔵されている。ヒータ36の熱は、ボンディングステージ14を介して基板100に伝達される。
載置面15の真上には、ボンディングヘッド16が設けられている。ボンディングヘッド16は、先端部で吸着保持した半導体チップ110を、基板100または基板100上に設けられた他の半導体チップ110の上に載置するとともに、当該半導体チップ110を加熱加圧する。これにより、半導体チップ110に設けられたハンダや接着剤が、溶融・硬化して、半導体チップ110が、基板100または他の半導体チップ110に固着(ボンディング)される。こうしたボンディングヘッド16の構成としては、公知の従来技術を利用できるため、ここでの詳説は、省略する。
ここで、図1に示す通り、本明細書で開示する製造装置10では、ボンディングステージ14を、略平板状の連結プレート18を用いて、傾斜調整台22(ベース部12)に連結している。連結プレート18は、ベース部12とボンディングステージ14とを連結する連結部材として機能する。
連結プレート18は、ステンレス鋼等からなる略矩形の平板である。この連結プレート18は、その厚みが高さに比べて十分に小さいため、高さ方向一端が他端に対して、厚み方向に変位するように撓むことができる(弾性変形できる)。
各連結プレート18は、図1に示すように、その高さ方向一端が、ボンディングステージ14の側面に、その高さ方向端が、傾斜調整台22の側面に、それぞれ、固着されている。したがって、連結プレート18は、その高さ方向が、載置面15に対して略直交する姿勢で、ボンディングステージ14に取り付けられていると言える。
連結プレート18は、図1に示すように、ボンディングステージ14を、傾斜調整台22(ベース部12)から離間した状態で、両者を連結している。その結果、ボンディングステージ14と傾斜調整台22との接触部分が無くなる。また、ボンディングステージ14と傾斜調整台22との間には、断熱層として機能する空気層が形成される。
連結プレート18の個数および配置は、十分な剛性を確保できるのであれば、特に限定されないが、本例では、図2に示すように、5つの連結プレート18を用いて、ボンディングステージ14とベース部12とを連結している。
以上のような連結プレート18を用いて、ボンディングステージ14とベース部12とを連結する理由を説明する。既述した通り、ボンディングステージ14には、基板100を加熱するためのヒータ36が内蔵されている。このヒータ36の熱により、ボンディングステージ14が膨張することが知られている。一方、ベース部12は、ボンディングステージ14に比べて熱容量が大きく、温度上昇しにくい。また、ベース部12は、ボンディングステージ14と異なる材料を有していることが多く、熱膨張係数も異なることが多い。そのため、ヒータ36を稼働した際、ボンディングステージ14の熱膨張量は、ベース部12の熱膨張量に比べて大きくなることが多い。
ここで、図8に示すように、ボンディングステージ14の両端を、ボルト50を用いて、ベース部12(傾斜調整台22)に強固に固着した場合を考える。この場合、ボンディングステージ14の面方向の膨張量が、ベース部12の面方向の膨張量よりも大きい。一方、ボンディングステージ14の両端は、ベース部12に固着されており、ベース部12に対する位置が不変となっている。そのため、ボンディングステージ14は、熱膨張しても変位することができないため、その分、二点鎖線で示すように反る(撓む)ことになる。このように、ボンディングステージ14が反ると、ボンディングステージ14、ひいては、当該ボンディングステージ14に載置された基板100の平面度が低下する。そして、基板100の平面度が低下すると、基板100とボンディングヘッド16との距離が一定に保てなくなり、ボンディングが良好に実行されず、実装品質の低下を招く。
また、図8に示すように、ボンディングステージ14を、ベース部12(傾斜調整台22)の上に、直接、載置した場合、ヒータ36の熱が、ベース部12に流出しやすくなる。ここで、ベース部12は、ボンディングステージ14に比して、熱容量が大きい。かかる熱容量の大きいベース部12に熱が流出すると、その分、ボンディングステージ14が目標温度に達するのに時間がかかる。結果として、ボンディングステージ14の温度が安定するまでの時間が長くなり、ボンディングに要する時間が長くなる。また、ベース部12に熱が流出すると、当該ベース部12に設けられた他の部材、例えば、傾斜調整台22やセンサ等も熱の影響を受けることになり、望ましくない。
そこで、本明細書で開示する製造装置10では、ボンディングステージ14を、撓むことができる連結プレート18を用いて、傾斜調整台22(ベース部12)に連結している。連結プレート18は、その高さ方向が、載置面15に略直交する姿勢で取り付けられているため、ボンディングステージ14が温度変化に伴って面方向に膨縮した際、追従して撓むことができる。
図4は、ボンディングステージ14が、加熱されて、膨張した様子を示すイメージ図である。図4に示す通り、ヒータ36の熱により、ボンディングステージ14が、その面方向に膨張したとする。このとき、連結プレート18は、ボンディングステージ14の膨張に追従して、その高さ方向上端が面方向外側に変位するように撓む。これにより、ボンディングステージ14とベース部12との連結が維持されたまま、ボンディングステージ14の膨張が許容される。そして、結果として、ボンディングステージ14の反りが抑制され、載置面15の平面度の低下が抑制される。
ところで、ボンディングステージ14は、ボンディングヘッド16から、載置面15に直交する方向(荷重方向、Z方向)の力を受ける。ボンディングステージ14は、当該荷重方向の力を受けても傾かないように、荷重方向への剛性が高いことが求められる。連結プレート18は、その形状の関係上、厚み方向の力を受けると撓むが、高さ方向(=荷重方向)の力を受けても殆ど変形しない。そのため、かかる連結プレート18を用いて、ボンディングステージ14をベース部12に連結することで、ボンディングステージ14の荷重方向への剛性を高く保つことができる。
また、これまで説明した通り、連結プレート18は、ボンディングステージ14を、傾斜調整台22から離間した状態で、両者を連結している。かかる構成とすることで、ボンディングステージ14と傾斜調整台22との接触面積を低減でき、また、両者の間に、断熱層として機能する空気層が形成できる。その結果、ヒータ36の熱が、ベース部12に流出することが抑制できる。ベース部12への熱流出が抑制されると、ボンディングステージ14が、目標温度に、迅速に、達することができ、ボンディングに要する時間が短縮できる。また、ベース部12が受ける熱の影響を低減でき、より安定した動作が可能となる。さらに、ベース部12への熱流出を抑制できることから、ボンディングステージの均熱を保つことができる。
ところで、連結プレート18の配置の態様によって、ボンディングステージ14には、温度変化に伴う当該ボンディングステージ14の膨縮に関わらずベース部12に対する位置が不変の固定点Pfが設定される。例えば、図2に示すように、ボンディングステージ14の一隅近傍に、その厚み方向が略直交するように二つの連結プレート18a,18bを取り付けた場合、当該一隅近傍が固定点Pfとなる。すなわち、この場合、固定点PfのX方向への変位は、Y方向端面に取り付けられた連結プレート18bにより規制され、固定点PfのY方向への変位は、X方向端面に取り付けられた連結プレート18aにより規制される。換言すれば、二つの連結プレート18a,18bが、互いに相手の撓みを規制することで、ボンディングステージ14には、ベース部12に対して変位しない固定点Pfが設定される。
ボンディングステージ14は、こうした固定点Pfを基準として、膨縮するため、連結プレート18は、固定点Pfまでの距離が可変できるような姿勢でボンディングステージ14に取り付けられることが望ましい。具体的には、各連結プレート18は、固定点Pfから連結プレート18に向かう方向と、当該連結プレート18の厚み方向と、が略平行になる姿勢でボンディングステージ14に取り付けられることが望ましい。
図2の例では、連結プレート18cは、固定点PfからみてX方向に位置しているため、当該連結プレート18cは、その厚み方向(撓みによる変位方向)が、X方向と略平行になる姿勢で取り付けられている。また、連結プレート18dは、固定点PfからみてY方向に位置しているため、当該連結プレート18dは、その厚み方向(撓みによる変位方向)が、Y方向と略平行になる姿勢で取り付けられている。さらに、連結プレート18eは、固定点Pfからみて対角線方向に位置しているため、当該連結プレート18eは、その厚み方向(撓みによる変位方向)が、対角線方向と略平行になる姿勢で取り付けられている。
ただし、連結プレート18の厚み方向(撓みによる変位方向)は、固定点Pfから連結プレート18に向かう方向に対して略直交していないのであれば、必ずしも、平行でなくてもよい。例えば、図2の例で言えば、連結プレート18dは、X方向にずれた位置、すなわち、図2における符号18d’の位置に取り付けられてもよい。
いずれにしても、連結プレート18は、ボンディングステージ14の膨縮を規制しないのであれば、その配置や個数は、適宜、変更されてもよい。したがって、連結プレート18は、図5に示すように、配置されてもよい。図5の例では、二つの連結プレート18a,18bが、その厚み方向がX方向と略平行になる姿勢で、ボンディングステージ14のX方向両端面に配置されている。また、二つの連結プレート18c,18dが、その厚み方向がY方向と略平行になる姿勢で、ボンディングステージ14のY方向両端面に配置されている。この場合、X方向に対向する二つの連結プレート18a,18bを結ぶ直線L1と、Y方向に対向する二つの連結プレート18c,18dを結ぶ直線L2と、の交点が、ベース部12に対して位置不変の固定点Pfとなる。図5の例では、荷重方向への剛性を担保するために、当該固定点Pf近傍にも、連結プレート18eを設けている。
ところで、これまでの説明から明らかな通り、連結プレート18の配置態様によっては、ボンディングステージ14に、ベース部12に対して位置不変の固定点Pfを設定できる。かかる固定点Pfは、透明基板等を取り扱う際に便利となる。すなわち、透明基板の場合、ボンディングステージ14の載置面15に位置決め用マークを付しておく。そして、透明基板を透過して視認できる位置決め用マークを基準として、半導体チップ110の位置決め等を行うことがある。ボンディングステージ14が熱膨張すると、当該ボンディングステージ14に付された位置決めマークも変形する。固定点Pfが設定されない場合、熱膨張に伴う位置決めマークの変形が予測できず、正確な位置決めが困難となる。一方、固定点Pfが設定されていれば、ボンディングステージ14の熱膨張に伴う位置決めマークの変形の方向や量を予測することができ、適切な位置決めが可能となる。また、連結プレート18a,18b、又は固定点Pfを基準に基板100をボンディングステージ14に載置することで、基板100をボンディングステージ14に精度よく位置決めすることができる。
いずれにしても、これまでの説明で明らかな通り、撓むことができる連結プレート18を用いて、ボンディングステージ14とベース部12とを連結することで、熱膨張に起因するボンディングステージ14の反りを抑制でき、載置される基板100等の平面度の低下を抑制できる。そして、結果として、ボンディング品質をより向上できる。
なお、これまでの説明では、ボンディングステージ14とベース部12とを連結する連結部材を、全て、撓むことができる連結プレート18としているが、連結部材の一部は、撓みにくい剛体であってもよい。例えば、図2において、固定点Pf近傍に配される連結部材として、連結プレート18a,18bに替えて、撓みにくい剛体を用いてもよい。また、図5の例では、固定点Pfに設けられる連結プレート18eを、撓みにくい剛体に替えてもよい。
次に、半導体装置の製造装置10の他の例について図6、図7を参照して説明する。図6は、他の製造装置10のボンディングステージ14周辺の概略断面図であり、図7は、ボンディングステージ14周辺の上面図である。
この製造装置10のベース部12は、基台20および傾斜調整台22に加え、さらに、二つの直動機構40A,40Bを備えている。二つの直動機構40A,40Bは、傾斜調整台22の上に、規定の配設方向(例えばX方向)に間隔をあけて、平行に並んでいる。第一直動機構40Aには、配設方向に直交する移動方向(例えばY方向)に延びるレール42と、二つの移動体44a,44bと、が設けられている。第二直動機構40Bには、移動方向に延びるレール42と、二つの移動体44c,44cと、が設けられている。
ボンディングステージ14の四隅は、この四つの移動体44a~44dに連結されており、移動体44a~44dの直進に伴い、ボンディングステージ14も移動方向に直進する。ここで、ボンディングステージ14の移動方向(Y方向)の膨張は、移動方向に並ぶ二つの移動体44a,44bまたは44c,44dが、移動方向に移動することで吸収できる。一方、ボンディングステージ14の配設方向(X方向)の膨張は、移動体44a~44dの移動では吸収できない。そのため、ボンディングステージ14が、移動体44a~44dに強固に連結されていると、ボンディングステージ14のX方向(配設方向)の膨張に伴い、二つの直動機構40A,40BにX方向の負荷がかかり、直動機構40A,40Bの劣化や破損を招く。
そこで、図6、図7に示す製造装置10では、ボンディングステージ14と、移動体44a~44d(ベース部12)とを、撓むことができる連結プレート18で連結している。より具体的には、第一直動機構40Aの移動体44aとボンディングステージ14は、略L字に配した二つの連結プレート18a,18bにより連結されている。この場合、当該二つの連結プレート18a,18bの変形は、相互に規制されるため、当該二つの連結プレート18a,18bの近傍は、移動体44a(ベース部12)に対して位置不変の固定点Pfとなる。同様に、第一直動機構40Aの移動体44bとボンディングステージ14も、略L字に配した二つの連結プレート18c,18dにより連結されており、当該二つの連結プレート18c,18dの近傍に、移動体44b(ベース部12)に対して不変の固定点Pfが設定される。
この固定点PfよりもX方向に離れた位置にある第二直動機構40Bの移動体44c,44dは、その厚み方向が、X方向(配設方向)と略平行な姿勢の連結プレート18e,18fを介して、ボンディングステージ14に連結されている。ボンディングステージ14が固定点Pfを基準として、X方向に膨張した場合、連結プレート18e,18fは、ボンディングステージ14に固着されたその上端のみが、当該膨張に追従してX方向に変位する一方で、移動体44c,44dに固着されたその下端は変位しないように、撓む。その結果、ボンディングステージ14がX方向に膨張した際に、第二直動機構40BにかかるX方向の負荷が大幅に低減されるため、第二直動機構40Bの劣化や破損を効果的に防止できる。
なお、図6、図7の図示例では、平行に並ぶ直動機構の個数を二つとしているが、より多数の直動機構を設けてもよい。例えば、規定の配設方向に平行に並ぶ三つの直動機構を設けてもよい。この場合、ボンディングステージ14は、一つの直動機構の移動体に対しては位置不変となるように連結され、残りの二つの直動機構の移動体に対しては、配設方向に変位可能なように連結プレート18を介して連結される。
また、これまでの説明では、連結プレート18を全て、屈曲のない平板状としているが、連結プレート18は、高さ方向一端が他端に対して厚み方向に変位するように撓むことができるのであれば、途中で屈曲する略L字状や、略コ字状の板金プレートでもよい。
また、これまでは、ボンディングステージ14を、傾斜調整台22や直動機構40A,40Bの移動体44a~44dに連結する構成を例示したが、ボンディングステージ14は、ベース部12に設けられた部材であれば、どの部材に連結されてもよい。したがって、ボンディングステージ14は、傾斜も移動もしない基台20に連結部材を介して連結されてもよい。また、上記に限らず、ボンディングステージ14とベース部12とを連結する連結部材の少なくとも一つを、温度変化に伴うボンディングステージ14の面方向の膨縮に追従して撓む連結プレート18とするのであれば、その他の構成は、適宜、変更されてもよい。
10 製造装置、12 ベース部、14 ボンディングステージ、15 載置面、16 ボンディングヘッド、18 連結プレート、20 基台、22 傾斜調整台、26 くさび部材、28 螺子、30a,30b 傘歯歯車、32 ハンドル、36 ヒータ、40A,40B 直動機構、42 レール、44a~44d 移動体、50 ボルト、100 基板、110 半導体チップ。
Claims (8)
- ベース部と、
基板が載置される載置面を有し、前記ベース部の上に設けられるボンディングステージと、
前記ベース部と前記ボンディングステージとを連結する1以上の連結部材と、
を備え、
前記1以上の連結部材の少なくとも一つは、温度変化に伴う前記ボンディングステージの面方向の膨縮に追従して撓む連結プレートである、
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記連結部材は、前記ボンディングステージを前記ベース部から離間した状態で、前記ベース部と前記ボンディングステージとを連結する、ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記連結プレートは、その高さ方向の一端が他端に対して、その厚み方向に変位可能に撓むことができる板材であり、その高さ方向が前記載置面に略直交する姿勢で前記ボンディングステージに取り付けられている、ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 請求項3に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記ボンディングステージには、温度変化に伴う前記ボンディングステージの膨縮に関わらず前記ベース部に対する位置が不変の固定点が設定されており、
前記連結プレートは、前記固定点から当該連結プレートに向かう方向と、当該連結プレートの厚み方向とが略平行になる姿勢で前記ボンディングステージに取り付けられている、
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 請求項4に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記固定点は、2以上の前記連結プレートが、互いに相手の撓みを規制することで設定される、ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記ベース部は、
基台と、
前記基台の上に直接または間接的に設置され、上面の傾きが調整可能な傾斜調整台と、
を含み、
前記連結部材は、前記傾斜調整台と前記ボンディングステージとを連結する、
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記ベース部は、
基台と、
前記基台の上に直接または間接的に設置され、規定の配設方向に間隔をあけて平行に並んだ2以上の直動機構と、
を含み、
前記直動機構は、前記配設方向に対して直交する移動方向に直進する移動体を有しており、
前記連結部材は、前記直動機構の移動体と前記ボンディングステージとを連結する、
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 請求項7に記載の半導体装置の製造装置であって、
前記ボンディングステージは、温度変化に伴う前記ボンディングステージの膨縮に関わらず一つの前記直動機構の移動体に対する位置が不変の固定点が設定されており、
前記ボンディングステージと他の前記直動機構の移動体とを連結する前記連結プレートは、その撓みの方向が、前記配設方向と略平行になる姿勢で前記ボンディングステージに取り付けられている、
ことを特徴とする半導体装置の製造装置。
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