WO2018149001A1 - 薄膜晶体管阵列基板、基板及其制造方法 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to the field of display technologies, and in particular, to a thin film transistor array substrate, a substrate, and a method of fabricating the same.
  • a conventional thin film transistor array substrate generally includes a substrate and a display device, and the display device is disposed on the substrate.
  • the substrate is typically a single layer of glass or plastic.
  • the substrate may be subjected to a large deformation due to the accumulation of stress after being heated.
  • An object of the present invention is to provide a thin film transistor array substrate, a substrate, and a method of fabricating the same, which can effectively reduce the cumulative amount of stress after the substrate is heated, thereby preventing the substrate from undergoing a large deformation after being heated.
  • a substrate comprising: a main body; a first film layer, the first film layer is disposed on the main body, and the first film layer is provided with a recess on a side facing away from the main body
  • An array, the array of depressed portions includes at least two depressed portions; a barrier layer disposed on a side of the first film layer on which the depressed portion is disposed; and a second film layer on the second film layer Provided with an array of raised portions, the raised portion array comprising at least two raised portions, the raised portions facing the barrier layer, the second film layer being disposed on the barrier layer; wherein the convex portion
  • the shape of the rising portion corresponds to the shape of the recessed portion
  • the position of the raised portion in the second film layer corresponds to the position of the depressed portion in the first film layer.
  • the first film layer having the depressed portion is formed by coating a first polyamic acid solution on the main body, and pre-curing the first polyamic acid solution to form a first liquid film, the first liquid film is imprinted with a first platen to form the depressed portion in the first liquid film, and the first portion to which the depressed portion is formed
  • the liquid film is formed by curing; wherein the concentration of the first liquid film is within a first predetermined range.
  • the second film layer having the convex portion is formed by coating a second polyamic acid solution on the barrier layer, and pre-curing the second polyamic acid solution.
  • Forming a second liquid film, imprinting the second liquid film with a second platen to form the raised portion in the second liquid film, and for forming the raised portion The second liquid film is formed by curing; wherein the concentration of the second liquid film is within a second predetermined range.
  • the depressed portion and the raised portion serve to collectively avoid an amount of stress accumulation on the substrate, and are used to collectively reduce a deformation amount of the substrate in a high temperature process.
  • the depressed portion and the raised portion are also used to collectively enhance adhesion of the first film layer, the second film layer, and the barrier layer.
  • the length and/or width of the cross section of the depressed portion is in the range of 10 nm to 1000 nm; the length and/or width of the cross section of the raised portion is in the range of 10 nm to 1000 nm.
  • the ratio of the difference in thickness between any two portions of the barrier layer to the average thickness of the barrier layer is in the range of 0% to 20%.
  • a thin film transistor array substrate includes: a substrate, the substrate includes: a main body; a first film layer, the first film layer is disposed on the main body, the first film layer An array of recesses is disposed on a side facing away from the main body, the array of recesses includes at least two recesses, and a barrier layer disposed on a side of the first film layer on which the recess is disposed a second film layer, the second film layer is provided with an array of protrusions, the array of protrusions comprising at least two protrusions, the protrusions facing the barrier layer, the second film layer Provided on the barrier layer; wherein a shape of the convex portion corresponds to a shape of the concave portion, a position of the convex portion in the second film layer and the concave portion are in the A position in a film layer corresponds to a display device, and the display device is disposed on the second film layer of the substrate.
  • the first film layer having the depressed portion is formed by coating a first polyamic acid solution on the main body and pre-curing the first polyamic acid solution Forming a first liquid film, imprinting the first liquid film with a first platen to form the depressed portion in the first liquid film, and for forming the depressed portion
  • the first liquid film is formed by curing; wherein the concentration of the first liquid film is within a first predetermined range.
  • the second film layer having the convex portion is formed by coating a second polyamic acid solution on the barrier layer and pre-treating the second polyamic acid solution Curing to form a second liquid film, imprinting the second liquid film with a second platen to form the raised portion in the second liquid film, and forming the protrusion
  • the second liquid film of the portion is formed by curing; wherein the concentration of the second liquid film is within a second predetermined range.
  • the depressed portion and the raised portion serve to collectively avoid an amount of stress accumulation on the substrate, and are used to collectively reduce a deformation amount of the substrate in a high temperature process.
  • the depressed portion and the raised portion are also used to collectively enhance adhesion of the first film layer, the second film layer, and the barrier layer.
  • the length and/or width of the cross section of the depressed portion is in the range of 10 nm to 1000 nm; the length and/or width of the cross section of the raised portion is between 10 nm and 1000 nm. Within the range of nanometers.
  • the ratio of the difference in thickness between any two portions of the barrier layer to the average thickness of the barrier layer is in the range of 0% to 20%.
  • a method of manufacturing the above substrate comprising the steps of: A, disposing the first film layer on the main body, wherein the first film layer is disposed on a side facing away from the main body An array of depressed portions, the array of depressed portions including at least two of the depressed portions; B, the barrier layer is disposed on a side of the first film layer where the depressed portion is disposed; C, disposed on the barrier layer
  • the second film layer wherein the second film layer is provided with an array of protrusions, the array of protrusions includes at least two protrusions, the protrusions facing the barrier layer,
  • the shape of the raised portion corresponds to the shape of the depressed portion, and the position of the raised portion in the second film layer corresponds to the position of the depressed portion in the first film layer.
  • the step A includes: a1, coating a first polyamic acid solution on the main body; a2, pre-curing the first polyamic acid solution to form a first a liquid film, wherein a concentration of the first liquid film is within a first predetermined range; a3, imprinting the first liquid film with a first platen to form a first liquid film a depressed portion; a4, curing the first liquid film on which the depressed portion is formed to form the first film layer having the depressed portion.
  • the step B is: depositing a predetermined material on one side of the first film layer on which the recessed portion is provided to form the barrier layer; wherein the predetermined material includes amorphous At least one of silicon, polycrystalline silicon, silicon oxide, aluminum oxide, and titanium oxide.
  • the step C includes: c1, coating a second polyamic acid solution on the barrier layer; c2, pre-curing the second polyamic acid solution to form a second a liquid film, wherein a concentration of the second liquid film is within a second predetermined range; c3, imprinting the second liquid film with a second platen to form a film in the second liquid film a raised portion; c4, curing the second liquid film on which the raised portion is formed to form the second film layer having the raised portion.
  • the depressed portion and the raised portion are also used to collectively avoid an amount of stress accumulation on the substrate, and are used to collectively reduce a deformation amount of the substrate in a high temperature process.
  • the length and/or width of the cross section of the depressed portion is in the range of 10 nm to 1000 nm; the length and/or width of the cross section of the raised portion is between 10 nm and 1000 nm. Within the range of nanometers.
  • the substrate since the substrate includes a main body, a first film layer, a barrier layer, and a second film layer, the first film layer is disposed on the main body, and the barrier layer is disposed. Between the first film layer and the second film layer, the first film layer is provided with a recessed portion, and the second film layer is provided with a convex portion, the concave portion and the convex portion Oppositely, the recessed portion and the raised portion are coupled, and therefore, the substrate can effectively reduce the accumulated amount of stress after being heated, thereby preventing the substrate from being subjected to a large deformation after being heated.
  • FIG. 1 is a schematic view of a thin film transistor array substrate of the present invention
  • FIGS. 2 to 6 are schematic views showing a method of manufacturing a substrate of the present invention.
  • Figure 7 is a flow chart showing a method of manufacturing a substrate of the present invention.
  • Figure 8 is a flow chart showing the steps of providing a first film layer on the main body of Figure 7;
  • Figure 9 is a flow chart showing the steps of providing a second film layer on the barrier layer in Figure 7;
  • FIG. 10 to FIG. 13 are molecular structural diagrams of a polyamic acid corresponding to a first film layer and/or a second film layer in a substrate of the present invention.
  • 14 and 15 are molecular structural views showing the material of the first film layer and/or the second film layer in the substrate of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a thin film transistor array substrate of the present invention.
  • the thin film transistor array substrate of the present invention includes a substrate 101 and a display device 102.
  • the thin film transistor array substrate can be applied to a TFT-LCD (Thin Film) Transistor Liquid Crystal Display, OLED (Organic Light Emitting) Diode, organic light emitting diode display panel) and so on.
  • TFT-LCD Thin Film Transistor Liquid Crystal Display
  • OLED Organic Light Emitting
  • organic light emitting diode display panel organic light emitting diode display panel
  • the display device 102 includes scan lines, data lines, thin film transistor switches, pixel cells, and the like.
  • the substrate 101 includes a main body 1011, a first film layer 1012, a barrier layer 1013, and a second film layer 1014.
  • the material of the main body 1011 may be glass or plastic.
  • the first film layer 1012 is disposed on the main body 1011.
  • the first film layer 1012 is disposed on an opposite side of the main body 1011 with an array of recesses.
  • the array of recesses includes at least two recesses 10121. .
  • the barrier layer 1013 is disposed on a side of the first film layer 1012 on which the recess portion 10121 is disposed.
  • the second film layer 1014 is provided with an array of protrusions, the array of protrusions includes at least two protrusions 10141 facing the barrier layer 1013, and the second film layer 1014 is disposed On the barrier layer 1013.
  • the shape of the convex portion 10141 corresponds to the shape of the concave portion 10121, and the position of the convex portion 10141 in the second film layer 1014 and the concave portion 10121 are in the first film layer.
  • the position in 1012 corresponds.
  • the display device 102 is disposed on the second film layer 1014 of the substrate 101.
  • the first film layer 1012 having the depressed portion 10121 is formed by coating a first polyamic acid solution on the main plate body 1011, and the first polyamic acid solution. Pre-curing to form a first liquid film, imprinting the first liquid film with a first platen to form the depressed portion 10121 in the first liquid film, and forming the The first liquid film of the depressed portion 10121 is formed by curing.
  • the molecular structure of the polyamic acid in the first polyamic acid solution is shown in FIGS. 10 to 13.
  • the concentration of the first liquid film is within a first predetermined range.
  • the second film layer 1014 having the convex portion 10141 is formed by coating a second polyamic acid solution on the barrier layer 1013, and coating the second polyamic acid
  • the solution is pre-cured to form a second liquid film, and the second liquid film is imprinted with a second platen to form the raised portion 10141 in the second liquid film, and the pair is formed
  • the second liquid film of the convex portion 10141 is formed by curing.
  • the molecular structure of the polyamic acid in the second polyamic acid solution is shown in FIGS. 10 to 13.
  • concentration of the second liquid film is within a second predetermined range.
  • the material of the first film layer 1012 and/or the second film layer 1014 is Polyimide (PI), and the material of the first film layer 1012 and/or the second film layer 1014.
  • PI Polyimide
  • the molecular structure is shown in Figures 14 and 15.
  • the recessed portion 10121 and the raised portion 10141 are used to collectively avoid an amount of stress accumulation on the substrate 101, and are used to collectively reduce a deformation amount of the substrate 101 in a high temperature process.
  • the recessed portion 10121 and the raised portion 10141 are also used to collectively enhance the first film layer (polyimide layer) 1012, the second film layer (polyimide layer) 1014 and the barrier
  • the adhesion of the layer 1013 prevents the substrate 101 from being partially peeled off during the bending process.
  • the first embossing plate and/or the second embossing plate is a hard embossing plate, the hard embossing plate has a first rigid strength, and the hard embossing plate is made of silicon, silicon oxide, One or more combinations of quartz.
  • the first platen is provided with a first embossing portion corresponding to the recessed portion 10121, and the first embossing portion is formed by using a laser direct writing technique for the plate body of the first platen
  • the second embossing plate is provided with a second embossing portion corresponding to the convex portion 10141, and the second embossing portion is directly written by laser for the plate body of the first platen Technology to form.
  • the soft platen has a second rigidity, and the second rigidity is less than the first rigidity
  • the soft platen is obtained by coating polydimethylsiloxane (PDMS) on the hard platen, and heating or utilizing the polydimethylsiloxane. Lightly illuminating the polydimethylsiloxane to cure the polydimethylsiloxane, and separating the cured polydimethylsiloxane from the hard plate to form of.
  • PDMS polydimethylsiloxane
  • the barrier layer 1013 is formed by depositing a predetermined material on one side of the first film layer 1012 on which the recess portion 10121 is provided.
  • the predetermined material comprises at least one of amorphous silicon, polycrystalline silicon, silicon oxide, aluminum oxide, and titanium oxide.
  • the length and/or width of the cross section of the depressed portion 10121 is in the range of 10 nm to 1000 nm.
  • the length and/or width of the cross section of the recess 10121 is 10 nm, 50 nm, 100 nm, 150 nm, 200 nm, 250 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1000 nm.
  • the length and/or width of the cross section of the raised portion 10141 is in the range of 10 nanometers to 1000 nanometers.
  • the length and/or width of the cross section of the raised portion 10141 is 10 nm, 50 nm, 100 nm, 150 nm, 200 nm, 250 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm. 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1000 nm.
  • the shape of the recessed portion 10121 and/or the raised portion 10141 is a combination of one or more of a point, a line, a two-dimensional figure, and a three-dimensional figure.
  • the ratio of the difference in thickness between any two portions of the barrier layer 1013 to the average thickness of the barrier layer 1013 is in the range of 0% to 20%.
  • the ratio is 0%, 3%, 6%, 9%, 12%, 15%, 18%, 20%.
  • FIG. 2 to FIG. 9 are schematic diagrams showing a method of manufacturing the substrate 101 of the present invention
  • FIG. 7 is a flowchart of a method of manufacturing the substrate 101 of the present invention
  • FIG. 8 is a schematic diagram of the motherboard body of FIG.
  • FIG. 9 is a flow chart showing the steps of providing the second film layer 1014 on the barrier layer 1013 in FIG.
  • the method of manufacturing the substrate 101 of the present invention includes the following steps:
  • the first film layer 1012 is disposed on the main body 1011, wherein a surface of the first film layer 1012 facing away from the main body 1011 is provided with an array of recesses, the recess
  • the array of parts includes at least two of the recesses 10121;
  • the barrier layer 1013 is disposed on a side of the first film layer 1012 provided with the recess portion 10121;
  • the second film layer 1014 is disposed on the barrier layer 1013, wherein the second film layer 1014 is provided with an array of protrusions, the array of protrusions including at least two a convex portion 10141 facing the barrier layer 1013, the shape of the convex portion 10141 corresponding to the shape of the concave portion 10121, and the convex portion 10141 at the second film layer 1014
  • the position in the middle corresponds to the position of the recess 10121 in the first film layer 1012.
  • the step A includes:
  • step 7011 coating a first polyamic acid solution on the main body 1011;
  • step 7012 pre-curing the first polyamic acid solution to form a first liquid film, wherein the concentration of the first liquid film is within a first predetermined range;
  • step 7013 using the first platen to imprint the first liquid film to form the recess 10121 in the first liquid film;
  • step 7014 curing the first liquid film on which the depressed portion 10121 is formed to form the first film layer 1012 having the depressed portion 10121.
  • the step B is:
  • the predetermined material comprises at least one of amorphous silicon, polycrystalline silicon, silicon oxide, aluminum oxide, and titanium oxide.
  • the step C includes:
  • step 7031 coating a second polyamic acid solution on the barrier layer 1013;
  • step 7032 pre-curing the second polyamic acid solution to form a second liquid film, wherein the concentration of the second liquid film is in a second predetermined range;
  • step 7033 using the second platen to imprint the second liquid film to form the raised portion 10141 in the second liquid film;
  • step 7034 curing the second liquid film on which the convex portion 10141 is formed to form the second film layer 1014 having the convex portion 10141.
  • the recessed portion 10121 and the raised portion 10141 are used to collectively enhance the first film layer (polyimide layer) 1012, the second film layer (polyimide layer) 1014, and the barrier layer
  • the adhesion of 1013 prevents the substrate 101 from being partially peeled off during the bending process.
  • the recessed portion 10121 and the raised portion 10141 are also used to collectively avoid an amount of stress accumulation on the substrate 101, and are used to collectively reduce a deformation amount of the substrate 101 in a high temperature process.
  • the first embossing plate and/or the second embossing plate is a hard embossing plate, the hard embossing plate has a first rigid strength, and the hard embossing plate is made of silicon, silicon oxide, One or more combinations of quartz.
  • the method also includes the following steps:
  • the first embossing portion and/or the second embossing portion correspond to the recessed portion 10121 and/or the raised portion 10141.
  • the first platen and/or the second platen are soft platens, and the soft platen has a second rigidity, and the second rigidity is less than the first rigidity.
  • the method also includes the following steps:
  • the method also includes the following steps:
  • a predetermined material is deposited on one surface of the first film layer 1012 on which the recess portion 10121 is disposed to form the barrier layer 1013.
  • the predetermined material comprises at least one of amorphous silicon, polycrystalline silicon, silicon oxide, aluminum oxide, and titanium oxide.
  • the length and/or width of the cross section of the recess 10121 is in the range of 10 nanometers to 1000 nanometers.
  • the length and/or width of the cross section of the recess 10121 is 10 nm, 50 nm, 100 nm, 150 nm, 200 nm, 250 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm, 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1000 nm.
  • the length and/or width of the cross section of the raised portion 10141 is in the range of 10 nanometers to 1000 nanometers.
  • the length and/or width of the cross section of the raised portion 10141 is 10 nm, 50 nm, 100 nm, 150 nm, 200 nm, 250 nm, 300 nm, 350 nm, 400 nm, 450 nm, 500 nm. 550 nm, 600 nm, 650 nm, 700 nm, 750 nm, 800 nm, 850 nm, 900 nm, 950 nm, 1000 nm.
  • the shape of the recessed portion 10121 and/or the raised portion 10141 is a combination of one or more of a point, a line, a two-dimensional figure, and a three-dimensional figure.
  • the ratio of the difference in thickness between any two portions of the barrier layer 1013 to the average thickness of the barrier layer 1013 is in the range of 0% to 20%.
  • the ratio is 0%, 3%, 6%, 9%, 12%, 15%, 18%, 20%.
  • the substrate 101 since the substrate 101 includes a main body body 1011, a first film layer 1012, a barrier layer 1013, and a second film layer 1014, the first film layer 1012 is disposed on the main body 1011, and the barrier is disposed.
  • the layer 1013 is disposed between the first film layer 1012 and the second film layer 1014.
  • the first film layer 1012 is provided with a recessed portion 10121
  • the second film layer 1014 is provided with a convex portion 10141.
  • the recessed portion 10121 and the raised portion 10141 face each other, and the recessed portion 10121 is coupled with the raised portion 10141. Therefore, the substrate 101 can effectively reduce the accumulated amount of stress after being heated, thereby avoiding the The substrate 101 is subjected to a large deformation after being heated.

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

一种薄膜晶体管阵列基板、基板及其制造方法。基板（101）包括主板体（1011），第一膜层（1012）、第二膜层（1014），阻隔层（1013）。第一膜层设置在主板体上，第一膜层上设置有至少两凹陷部（10121）；阻隔层设置在第一膜层上；第二膜层设置在阻隔层上，第二膜层上设置有朝向阻隔层的至少两凸起部（10141）。能有效减小基板受热后的应力的累积量。

Description

薄膜晶体管阵列基板、基板及其制造方法 技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管阵列基板、基板及其制造方法。
 背景技术
传统的薄膜晶体管阵列基板一般包括基板和显示器件，所述显示器件设置在所述基板上。
所述基板一般为单层的玻璃板或塑料板。
在实践中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
在所述显示器件的制造过程中，所述基板受热后会因应力的累积而产生较大的形变。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
 技术问题
本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板、基板及其制造方法，其能有效减小基板受热后的应力的累积量，从而避免基板受热后产生较大的形变。
 技术解决方案
为解决上述问题，本发明的技术方案如下：
一种基板，所述基板包括：主板体；第一膜层，所述第一膜层设置在所述主板体上，所述第一膜层背向所述主板体的一面上设置有凹陷部阵列，所述凹陷部阵列包括至少两凹陷部；阻隔层，所述阻隔层设置在所述第一膜层设置有所述凹陷部的一面上；第二膜层，所述第二膜层上设置有凸起部阵列，所述凸起部阵列包括至少两凸起部，所述凸起部朝向所述阻隔层，所述第二膜层设置在所述阻隔层上；其中，所述凸起部的形状与所述凹陷部的形状对应，所述凸起部在所述第二膜层中的位置与所述凹陷部在所述第一膜层中的位置对应。
在上述基板中，具有所述凹陷部的所述第一膜层是通过在所述主板体上涂布第一聚酰胺酸溶液，并对所述第一聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第一液膜，利用第一压印板对所述第一液膜进行压印，以在所述第一液膜中形成所述凹陷部，以及对形成有所述凹陷部的所述第一液膜进行固化来形成的；其中，所述第一液膜的浓度处于第一预定范围内。
在上述基板中，具有所述凸起部的所述第二膜层是通过在所述阻隔层上涂布第二聚酰胺酸溶液，并对所述第二聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第二液膜，利用第二压印板对所述第二液膜进行压印，以在所述第二液膜中形成所述凸起部，以及对形成有所述凸起部的所述第二液膜进行固化来形成的；其中，所述第二液膜的浓度处于第二预定范围内。
在上述基板中，所述凹陷部和所述凸起部用于共同避免所述基板上的应力累积量，并用于共同减小所述基板在高温制程中的形变量。
在上述基板中，所述凹陷部和所述凸起部还用于共同增强所述第一膜层、所述第二膜层与所述阻隔层的粘附力。
在上述基板中，所述凹陷部的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内；所述凸起部的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内。
在上述基板中，所述阻隔层中任意两个部位的厚度差占所述阻隔层的平均厚度的比值处于0%至20%的范围内。
一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：基板，所述基板包括：主板体；第一膜层，所述第一膜层设置在所述主板体上，所述第一膜层背向所述主板体的一面上设置有凹陷部阵列，所述凹陷部阵列包括至少两凹陷部；阻隔层，所述阻隔层设置在所述第一膜层设置有所述凹陷部的一面上；第二膜层，所述第二膜层上设置有凸起部阵列，所述凸起部阵列包括至少两凸起部，所述凸起部朝向所述阻隔层，所述第二膜层设置在所述阻隔层上；其中，所述凸起部的形状与所述凹陷部的形状对应，所述凸起部在所述第二膜层中的位置与所述凹陷部在所述第一膜层中的位置对应；显示器件，所述显示器件设置在所述基板的所述第二膜层上。
在上述薄膜晶体管阵列基板中，具有所述凹陷部的所述第一膜层是通过在所述主板体上涂布第一聚酰胺酸溶液，并对所述第一聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第一液膜，利用第一压印板对所述第一液膜进行压印，以在所述第一液膜中形成所述凹陷部，以及对形成有所述凹陷部的所述第一液膜进行固化来形成的；其中，所述第一液膜的浓度处于第一预定范围内。
在上述薄膜晶体管阵列基板中，具有所述凸起部的所述第二膜层是通过在所述阻隔层上涂布第二聚酰胺酸溶液，并对所述第二聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第二液膜，利用第二压印板对所述第二液膜进行压印，以在所述第二液膜中形成所述凸起部，以及对形成有所述凸起部的所述第二液膜进行固化来形成的；其中，所述第二液膜的浓度处于第二预定范围内。
在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述凹陷部和所述凸起部用于共同避免所述基板上的应力累积量，并用于共同减小所述基板在高温制程中的形变量。
在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述凹陷部和所述凸起部还用于共同增强所述第一膜层、所述第二膜层与所述阻隔层的粘附力。
在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述凹陷部的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内；所述凸起部的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内。
在上述薄膜晶体管阵列基板中，所述阻隔层中任意两个部位的厚度差占所述阻隔层的平均厚度的比值处于0%至20%的范围内。
一种上述基板的制造方法，所述方法包括以下步骤：A、在所述主板体上设置所述第一膜层，其中，所述第一膜层背向所述主板体的一面上设置有凹陷部阵列，所述凹陷部阵列包括至少两所述凹陷部；B、在所述第一膜层设置有所述凹陷部的一面上设置所述阻隔层；C、在所述阻隔层上设置所述第二膜层，其中，所述第二膜层上设置有凸起部阵列，所述凸起部阵列包括至少两所述凸起部，所述凸起部朝向所述阻隔层，所述凸起部的形状与所述凹陷部的形状对应，所述凸起部在所述第二膜层中的位置与所述凹陷部在所述第一膜层中的位置对应。
在上述基板的制造方法中，所述步骤A包括：a1、在所述主板体上涂布第一聚酰胺酸溶液；a2、对所述第一聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第一液膜，其中，所述第一液膜的浓度处于第一预定范围内；a3、利用第一压印板对所述第一液膜进行压印，以在所述第一液膜中形成所述凹陷部；a4、对形成有所述凹陷部的所述第一液膜进行固化，以形成具有所述凹陷部的所述第一膜层。
在上述基板的制造方法中，所述步骤B为：在所述第一膜层设置有所述凹陷部的一面上沉积预定材料，以形成所述阻隔层；其中，所述预定材料包括非晶硅、多晶硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛中的至少一者。
在上述基板的制造方法中，所述步骤C包括：c1、在所述阻隔层上涂布第二聚酰胺酸溶液；c2、对所述第二聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第二液膜，其中，所述第二液膜的浓度处于第二预定范围内；c3、利用第二压印板对所述第二液膜进行压印，以在所述第二液膜中形成所述凸起部；c4、对形成有所述凸起部的所述第二液膜进行固化，以形成具有所述凸起部的所述第二膜层。
在上述基板的制造方法中，所述凹陷部和所述凸起部还用于共同避免所述基板上的应力累积量，并用于共同减小所述基板在高温制程中的形变量。
在上述基板的制造方法中，所述凹陷部的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内；所述凸起部的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内。
 有益效果
相对现有技术，在本发明中，由于所述基板包括主板体、第一膜层、阻隔层、第二膜层，所述第一膜层设置在所述主板体上，所述阻隔层设置在所述第一膜层和所述第二膜层之间，所述第一膜层设置有凹陷部，所述第二膜层设置有凸起部，所述凹陷部和所述凸起部相向，所述凹陷部和所述凸起部相耦合，因此，所述基板可以有效减小受热后的应力的累积量，从而避免基板受热后产生较大的形变。
 附图说明
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
图1为本发明的薄膜晶体管阵列基板的示意图；
图2至图6为本发明的基板的制造方法的示意图；
图7为本发明的基板的制造方法的流程图；
图8为图7中在主板体上设置第一膜层的步骤的流程图；
图9为图7中在阻隔层上设置第二膜层的步骤的流程图；
图10至图13为本发明的基板中的第一膜层和/或第二膜层所对应的聚酰胺酸的分子结构图；
图14和图15为本发明的基板中的第一膜层和/或第二膜层的材质的分子结构图。
 本发明的最佳实施方式
本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”，除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。
参考图1，图1为本发明的薄膜晶体管阵列基板的示意图。
本发明的薄膜晶体管阵列基板包括基板101和显示器件102。所述薄膜晶体管阵列基板可以应用于TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示面板）、OLED（Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管显示面板）等。
所述显示器件102包括扫描线、数据线、薄膜晶体管开关、像素单元等。
所述基板101包括主板体1011、第一膜层1012、阻隔层1013、第二膜层1014。
所述主板体1011的材质可以是玻璃，也可以是塑料。
所述第一膜层1012设置在所述主板体1011上，所述第一膜层1012背向所述主板体1011的一面上设置有凹陷部阵列，所述凹陷部阵列包括至少两凹陷部10121。
所述阻隔层1013设置在所述第一膜层1012设置有所述凹陷部10121的一面上。
所述第二膜层1014上设置有凸起部阵列，所述凸起部阵列包括至少两凸起部10141，所述凸起部10141朝向所述阻隔层1013，所述第二膜层1014设置在所述阻隔层1013上。
其中，所述凸起部10141的形状与所述凹陷部10121的形状对应，所述凸起部10141在所述第二膜层1014中的位置与所述凹陷部10121在所述第一膜层1012中的位置对应。
所述显示器件102设置在所述基板101的所述第二膜层1014上。
在本发明的基板101中，具有所述凹陷部10121的所述第一膜层1012是通过在所述主板体1011上涂布第一聚酰胺酸溶液，并对所述第一聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第一液膜，利用第一压印板对所述第一液膜进行压印，以在所述第一液膜中形成所述凹陷部10121，以及对形成有所述凹陷部10121的所述第一液膜进行固化来形成的。所述第一聚酰胺酸溶液中的聚酰胺酸的分子结构如图10至图13所示。
其中，所述第一液膜的浓度处于第一预定范围内。
在本发明的基板101中，具有所述凸起部10141的所述第二膜层1014是通过在所述阻隔层1013上涂布第二聚酰胺酸溶液，并对所述第二聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第二液膜，利用第二压印板对所述第二液膜进行压印，以在所述第二液膜中形成所述凸起部10141，以及对形成有所述凸起部10141的所述第二液膜进行固化来形成的。所述第二聚酰胺酸溶液中的聚酰胺酸的分子结构如图10至图13所示。
其中，所述第二液膜的浓度处于第二预定范围内。
所述第一膜层1012和/或所述第二膜层1014的材质为聚酰亚胺（Polyimide，PI），所述第一膜层1012和/或所述第二膜层1014的材质的分子结构如图14和图15所示。
所述凹陷部10121和所述凸起部10141用于共同避免所述基板101上的应力累积量，并用于共同减小所述基板101在高温制程中的形变量。
所述凹陷部10121和所述凸起部10141还用于共同增强所述第一膜层（聚酰亚胺层）1012、所述第二膜层（聚酰亚胺层）1014与所述阻隔层1013的粘附力，避免所述基板101在弯折过程中所述阻隔层1013出现局部剥落现象。
所述第一压印板和/或第二压印板为硬质压印板，所述硬质压印板具有第一刚性强度，所述硬质压印板的材质为硅、氧化硅、石英中的一者或一者以上的组合。
所述第一压印板上设置有与所述凹陷部10121对应的第一压印部，所述第一压印部是针对所述第一压印板的板体利用激光直写技术来形成的；所述第二压印板上设置有与所述凸起部10141对应的第二压印部，所述第二压印部是针对所述第一压印板的板体利用激光直写技术来形成的。
或者，所述第一压印板和/或第二压印板为软质压印板，所述软质压印板具有第二刚性强度，所述第二刚性强度小于所述第一刚性强度，所述软质压印板是通过在所述硬质压印板上涂布聚二甲基硅氧烷（Polydimethylsiloxane，PDMS），并对所述聚二甲基硅氧烷进行加热或利用紫外光照射所述聚二甲基硅氧烷，以使所述聚二甲基硅氧烷固化，并将固化后的所述聚二甲基硅氧烷与所述硬质压印板分离来形成的。
在本发明的基板101中，所述阻隔层1013是通过在所述第一膜层1012设置有所述凹陷部10121的一面上沉积预定材料来形成的。
其中，所述预定材料包括非晶硅、多晶硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛中的至少一者。
在本发明的基板101中，所述凹陷部10121的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内。例如，所述凹陷部10121的横截面的长度和/或宽度为10纳米、50纳米、100纳米、150纳米、200纳米、250纳米、300纳米、350纳米、400纳米、450纳米、500纳米、550纳米、600纳米、650纳米、700纳米、750纳米、800纳米、850纳米、900纳米、950纳米、1000纳米。
所述凸起部10141的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内。例如，所述凸起部10141的横截面的长度和/或宽度为10纳米、50纳米、100纳米、150纳米、200纳米、250纳米、300纳米、350纳米、400纳米、450纳米、500纳米、550纳米、600纳米、650纳米、700纳米、750纳米、800纳米、850纳米、900纳米、950纳米、1000纳米。
所述凹陷部10121和/或所述凸起部10141的形状为点、线、二维图形、三维图形中的一者或一者以上的组合。
作为一种改进，所述阻隔层1013中任意两个部位的厚度差占所述阻隔层1013的平均厚度的比值处于0%至20%的范围内。例如，所述比值为0%、3%、6%、9%、12%、15%、18%、20%。
参考图2至图9，其中，图2至图6为本发明的基板101的制造方法的示意图，图7为本发明的基板101的制造方法的流程图，图8为图7中在主板体1011上设置第一膜层1012的步骤的流程图，图9为图7中在阻隔层1013上设置第二膜层1014的步骤的流程图。
本发明的基板101的制造方法包括以下步骤：
A（步骤701）、在所述主板体1011上设置所述第一膜层1012，其中，所述第一膜层1012背向所述主板体1011的一面上设置有凹陷部阵列，所述凹陷部阵列包括至少两所述凹陷部10121；
B（步骤702）、在所述第一膜层1012设置有所述凹陷部10121的一面上设置所述阻隔层1013；
C（步骤703）、在所述阻隔层1013上设置所述第二膜层1014，其中，所述第二膜层1014上设置有凸起部阵列，所述凸起部阵列包括至少两所述凸起部10141，所述凸起部10141朝向所述阻隔层1013，所述凸起部10141的形状与所述凹陷部10121的形状对应，所述凸起部10141在所述第二膜层1014中的位置与所述凹陷部10121在所述第一膜层1012中的位置对应。
在本发明的基板101的制造方法中，所述步骤A包括：
a1（步骤7011）、在所述主板体1011上涂布第一聚酰胺酸溶液；
a2（步骤7012）、对所述第一聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第一液膜，其中，所述第一液膜的浓度处于第一预定范围内；
a3（步骤7013）、利用第一压印板对所述第一液膜进行压印，以在所述第一液膜中形成所述凹陷部10121；
a4（步骤7014）、对形成有所述凹陷部10121的所述第一液膜进行固化，以形成具有所述凹陷部10121的所述第一膜层1012。
在本发明的基板101的制造方法中，所述步骤B为：
在所述第一膜层1012设置有所述凹陷部10121的一面上沉积预定材料，以形成所述阻隔层1013；
其中，所述预定材料包括非晶硅、多晶硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛中的至少一者。
在本发明的基板101的制造方法中，所述步骤C包括：
c1（步骤7031）、在所述阻隔层1013上涂布第二聚酰胺酸溶液；
c2（步骤7032）、对所述第二聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第二液膜，其中，所述第二液膜的浓度处于第二预定范围内；
c3（步骤7033）、利用第二压印板对所述第二液膜进行压印，以在所述第二液膜中形成所述凸起部10141；
c4（步骤7034）、对形成有所述凸起部10141的所述第二液膜进行固化，以形成具有所述凸起部10141的所述第二膜层1014。
所述凹陷部10121和所述凸起部10141用于共同增强所述第一膜层（聚酰亚胺层）1012、所述第二膜层（聚酰亚胺层）1014与所述阻隔层1013的粘附力，避免所述基板101在弯折过程中所述阻隔层1013出现局部剥落现象。
所述凹陷部10121和所述凸起部10141还用于共同避免所述基板101上的应力累积量，并用于共同减小所述基板101在高温制程中的形变量。
所述第一压印板和/或第二压印板为硬质压印板，所述硬质压印板具有第一刚性强度，所述硬质压印板的材质为硅、氧化硅、石英中的一者或一者以上的组合。
所述方法还包括以下步骤：
D、利用激光直写技术在所述第一压印板的板体和/或所述第二压印板的板体上形成第一压印部和/或第二压印部；
所述第一压印部和/或所述第二压印部与所述凹陷部10121和/或所述凸起部10141对应。
所述第一压印板和/或第二压印板为软质压印板，所述软质压印板具有第二刚性强度，所述第二刚性强度小于所述第一刚性强度。
所述方法还包括以下步骤：
E、在所述硬质压印板上涂布聚二甲基硅氧烷；
F、对所述聚二甲基硅氧烷进行加热或利用紫外光照射所述聚二甲基硅氧烷，以使所述聚二甲基硅氧烷固化；
G、将固化后的所述聚二甲基硅氧烷与所述硬质压印板分离，以形成所述软质压印板。
所述方法还包括以下步骤：
在所述第一膜层1012设置有所述凹陷部10121的一面上沉积预定材料，以形成所述阻隔层1013。
其中，所述预定材料包括非晶硅、多晶硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛中的至少一者。
所述凹陷部10121的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内。例如，所述凹陷部10121的横截面的长度和/或宽度为10纳米、50纳米、100纳米、150纳米、200纳米、250纳米、300纳米、350纳米、400纳米、450纳米、500纳米、550纳米、600纳米、650纳米、700纳米、750纳米、800纳米、850纳米、900纳米、950纳米、1000纳米。
所述凸起部10141的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内。例如，所述凸起部10141的横截面的长度和/或宽度为10纳米、50纳米、100纳米、150纳米、200纳米、250纳米、300纳米、350纳米、400纳米、450纳米、500纳米、550纳米、600纳米、650纳米、700纳米、750纳米、800纳米、850纳米、900纳米、950纳米、1000纳米。
所述凹陷部10121和/或所述凸起部10141的形状为点、线、二维图形、三维图形中的一者或一者以上的组合。
所述阻隔层1013中任意两个部位的厚度差占所述阻隔层1013的平均厚度的比值处于0%至20%的范围内。例如，所述比值为0%、3%、6%、9%、12%、15%、18%、20%。
在本发明中，由于所述基板101包括主板体1011、第一膜层1012、阻隔层1013、第二膜层1014，所述第一膜层1012设置在所述主板体1011上，所述阻隔层1013设置在所述第一膜层1012和所述第二膜层1014之间，所述第一膜层1012设置有凹陷部10121，所述第二膜层1014设置有凸起部10141，所述凹陷部10121和所述凸起部10141相向，所述凹陷部10121和所述凸起部10141相耦合，因此，所述基板101可以有效减小受热后的应力的累积量，从而避免所述基板101受热后产生较大的形变。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (20)

  1. 一种基板，其中，所述基板包括：
    主板体；
    第一膜层，所述第一膜层设置在所述主板体上，所述第一膜层背向所述主板体的一面上设置有凹陷部阵列，所述凹陷部阵列包括至少两凹陷部；
    阻隔层，所述阻隔层设置在所述第一膜层设置有所述凹陷部的一面上；
    第二膜层，所述第二膜层上设置有凸起部阵列，所述凸起部阵列包括至少两凸起部，所述凸起部朝向所述阻隔层，所述第二膜层设置在所述阻隔层上；
    其中，所述凸起部的形状与所述凹陷部的形状对应，所述凸起部在所述第二膜层中的位置与所述凹陷部在所述第一膜层中的位置对应。
  2. 根据权利要求1所述的基板，其中，具有所述凹陷部的所述第一膜层是通过在所述主板体上涂布第一聚酰胺酸溶液，并对所述第一聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第一液膜，利用第一压印板对所述第一液膜进行压印，以在所述第一液膜中形成所述凹陷部，以及对形成有所述凹陷部的所述第一液膜进行固化来形成的；
    其中，所述第一液膜的浓度处于第一预定范围内。
  3. 根据权利要求1所述的基板，其中，具有所述凸起部的所述第二膜层是通过在所述阻隔层上涂布第二聚酰胺酸溶液，并对所述第二聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第二液膜，利用第二压印板对所述第二液膜进行压印，以在所述第二液膜中形成所述凸起部，以及对形成有所述凸起部的所述第二液膜进行固化来形成的；
    其中，所述第二液膜的浓度处于第二预定范围内。
  4. 根据权利要求1所述的基板，其中，所述凹陷部和所述凸起部用于共同避免所述基板上的应力累积量，并用于共同减小所述基板在高温制程中的形变量。
  5. 根据权利要求4所述的基板，其中，所述凹陷部和所述凸起部还用于共同增强所述第一膜层、所述第二膜层与所述阻隔层的粘附力。
  6. 根据权利要求1所述的基板，其中，所述凹陷部的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内；
    所述凸起部的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内。
  7. 根据权利要求1所述的基板，其中，所述阻隔层中任意两个部位的厚度差占所述阻隔层的平均厚度的比值处于0%至20%的范围内。
  8. 一种薄膜晶体管阵列基板，其中，所述薄膜晶体管阵列基板包括：
    基板，所述基板包括：
    主板体；
    第一膜层，所述第一膜层设置在所述主板体上，所述第一膜层背向所述主板体的一面上设置有凹陷部阵列，所述凹陷部阵列包括至少两凹陷部；
    阻隔层，所述阻隔层设置在所述第一膜层设置有所述凹陷部的一面上；
    第二膜层，所述第二膜层上设置有凸起部阵列，所述凸起部阵列包括至少两凸起部，所述凸起部朝向所述阻隔层，所述第二膜层设置在所述阻隔层上；
    其中，所述凸起部的形状与所述凹陷部的形状对应，所述凸起部在所述第二膜层中的位置与所述凹陷部在所述第一膜层中的位置对应；
    显示器件，所述显示器件设置在所述基板的所述第二膜层上。
  9. 根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，具有所述凹陷部的所述第一膜层是通过在所述主板体上涂布第一聚酰胺酸溶液，并对所述第一聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第一液膜，利用第一压印板对所述第一液膜进行压印，以在所述第一液膜中形成所述凹陷部，以及对形成有所述凹陷部的所述第一液膜进行固化来形成的；
    其中，所述第一液膜的浓度处于第一预定范围内。
  10. 根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，具有所述凸起部的所述第二膜层是通过在所述阻隔层上涂布第二聚酰胺酸溶液，并对所述第二聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第二液膜，利用第二压印板对所述第二液膜进行压印，以在所述第二液膜中形成所述凸起部，以及对形成有所述凸起部的所述第二液膜进行固化来形成的；
    其中，所述第二液膜的浓度处于第二预定范围内。
  11. 根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述凹陷部和所述凸起部用于共同避免所述基板上的应力累积量，并用于共同减小所述基板在高温制程中的形变量。
  12. 根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述凹陷部和所述凸起部还用于共同增强所述第一膜层、所述第二膜层与所述阻隔层的粘附力。
  13. 根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述凹陷部的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内；
    所述凸起部的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内。
  14. 根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述阻隔层中任意两个部位的厚度差占所述阻隔层的平均厚度的比值处于0%至20%的范围内。
  15. 一种如权利要求1所述的基板的制造方法，其中，所述方法包括以下步骤：
    A、在所述主板体上设置所述第一膜层，其中，所述第一膜层背向所述主板体的一面上设置有凹陷部阵列，所述凹陷部阵列包括至少两所述凹陷部；
    B、在所述第一膜层设置有所述凹陷部的一面上设置所述阻隔层；
    C、在所述阻隔层上设置所述第二膜层，其中，所述第二膜层上设置有凸起部阵列，所述凸起部阵列包括至少两所述凸起部，所述凸起部朝向所述阻隔层，所述凸起部的形状与所述凹陷部的形状对应，所述凸起部在所述第二膜层中的位置与所述凹陷部在所述第一膜层中的位置对应。
  16. 根据权利要求15所述的基板的制造方法，其中，所述步骤A包括：
    a1、在所述主板体上涂布第一聚酰胺酸溶液；
    a2、对所述第一聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第一液膜，其中，所述第一液膜的浓度处于第一预定范围内；
    a3、利用第一压印板对所述第一液膜进行压印，以在所述第一液膜中形成所述凹陷部；
    a4、对形成有所述凹陷部的所述第一液膜进行固化，以形成具有所述凹陷部的所述第一膜层。
  17. 根据权利要求15所述的基板的制造方法，其中，所述步骤B为：
    在所述第一膜层设置有所述凹陷部的一面上沉积预定材料，以形成所述阻隔层；
    其中，所述预定材料包括非晶硅、多晶硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛中的至少一者。
  18. 根据权利要求15所述的基板的制造方法，其中，所述步骤C包括：
    c1、在所述阻隔层上涂布第二聚酰胺酸溶液；
    c2、对所述第二聚酰胺酸溶液进行预固化，以形成第二液膜，其中，所述第二液膜的浓度处于第二预定范围内；
    c3、利用第二压印板对所述第二液膜进行压印，以在所述第二液膜中形成所述凸起部；
    c4、对形成有所述凸起部的所述第二液膜进行固化，以形成具有所述凸起部的所述第二膜层。
  19. 根据权利要求15所述的基板的制造方法，其中，所述凹陷部和所述凸起部还用于共同避免所述基板上的应力累积量，并用于共同减小所述基板在高温制程中的形变量。
  20. 根据权利要求15所述的基板的制造方法，其中，所述凹陷部的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内；
    所述凸起部的横截面的长度和/或宽度处于10纳米至1000纳米的范围内。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108258057A (zh) * 2018-01-19 2018-07-06 云谷（固安）科技有限公司 柔性基底结构及其制备方法与柔性器件
CN111129031A (zh) * 2019-12-18 2020-05-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101228033A (zh) * 2005-09-27 2008-07-23 Tdk株式会社 光记录介质
CN102160460A (zh) * 2008-09-22 2011-08-17 富士胶片株式会社 发光装置、其制造方法和包含该发光装置的显示器
CN105009214A (zh) * 2013-02-27 2015-10-28 富士胶片株式会社 光学信息记录介质的制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100604819B1 (ko) 2003-06-12 2006-07-28 삼성전자주식회사 반도체 패키지용 배선 기판, 그 제조방법 및 이를 이용한반도체 패키지
US20100051973A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device
US8654292B2 (en) * 2009-05-29 2014-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
KR102061794B1 (ko) * 2013-04-30 2020-01-03 삼성디스플레이 주식회사 표시장치용 기판 및 이를 구비한 표시장치
CN105702624A (zh) * 2016-03-30 2016-06-22 武汉华星光电技术有限公司 叠层柔性基板及制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101228033A (zh) * 2005-09-27 2008-07-23 Tdk株式会社 光记录介质
CN102160460A (zh) * 2008-09-22 2011-08-17 富士胶片株式会社 发光装置、其制造方法和包含该发光装置的显示器
CN105009214A (zh) * 2013-02-27 2015-10-28 富士胶片株式会社 光学信息记录介质的制造方法

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