WO2018131109A1 - 三次元積層造形装置の電子ビームカラム、三次元積層造形装置、および三次元積層造形方法 - Google Patents

三次元積層造形装置の電子ビームカラム、三次元積層造形装置、および三次元積層造形方法 Download PDF

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新一 濱口
慎二 菅谷
高橋 正幸
昌弘 瀧澤
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株式会社アドバンテスト
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Definitions

  • the present invention relates to an electron beam column of a three-dimensional additive manufacturing apparatus, a three-dimensional additive manufacturing apparatus, and a three-dimensional additive manufacturing method.
  • a three-dimensional structure is formed by irradiating a predetermined area on the surface of a powder layer made of a metal material with an electron beam to form a cross-sectional layer obtained by melting and solidifying a part of the powder layer and stacking the cross-sectional layers.
  • a three-dimensional additive manufacturing apparatus is known (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
  • the structural example of the electron beam column with which a three-dimensional layered modeling apparatus is provided is known (for example, refer patent document 3, 4).
  • pre-irradiation is performed by pre-heating by irradiating the surface of the powder layer with an electron beam with a strength that does not melt, and then irradiating with an electron beam with a strength that melts the powder layer (melting irradiation) ) To form a cross-sectional layer.
  • the irradiation conditions differ greatly. For example, measures are taken such as changing the beam current value by controlling the voltage of the control electrode of the electron gun. (For example, refer to Patent Document 3).
  • a first electron source that outputs a first electron beam accelerated to a predetermined acceleration voltage
  • a second electron beam that outputs a second electron beam accelerated to a predetermined acceleration voltage
  • Two electron sources a first beam shape deforming element that deforms a cross-sectional shape of the first electron beam
  • a second beam shape deforming element that deforms a cross-sectional shape of the second electron beam
  • the first An electromagnetic lens for converging the first electron beam and the second electron beam, and the first electron beam and the second electron beam within a deflectable range wider than the distance between the first electron beam and the second electron beam.
  • an electron beam column for a three-dimensional stacking apparatus having a deflector for adjusting an irradiation position of the electron beam.
  • the electron beam column a modeling container that holds the powder layer, a powder supply device that supplies a new powder layer to the surface of the modeling container, and a three-dimensional structure And a control unit that simultaneously irradiates the first electron beam and the second electron beam based on the modeling data to melt and solidify a predetermined range of the powder layer.
  • a step of supplying a powder layer, and a first electron beam having an electron beam density capable of melting the powder layer is scanned and melted and irradiated with the first region.
  • a first irradiation step of pre-irradiating a region wider than the modeling region with a second electron beam shaped into a cross section wider than the electron beam, and electrons capable of melting the powder layer by narrowing down the second electron beam There is provided a three-dimensional additive manufacturing method for performing a second irradiation step of performing edge irradiation of the modeling region by scanning the beam density along the edge of the modeling region.
  • FIG. 1 shows a configuration example of a three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the first embodiment.
  • FIG. 2 shows a configuration example of the electron source 20 and the electron source control unit 120 according to the first embodiment.
  • FIGS. 3A to 3C are diagrams showing a configuration example of the cathode portion 22, the electron emission surface 23, and the heating portion 26 of the electron source 20 according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a bottom view showing a configuration example of the cathode portion 22, the electron emission surface 23, and the control electrode 24 of the electron source 20 according to the present embodiment.
  • FIG. 5 is a geometric optical diagram of an electron beam output from the electron source 20.
  • FIG. 6 is a diagram showing a cross-sectional shape of an electron beam that irradiates the surface of the powder layer.
  • FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a deformation element control unit 130 that controls the beam shape deformation element.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a range in which the first electron beam and the second electron beam are deflected in the in-surface direction of the powder layer by the common deflector 50.
  • FIGS. 9A and 9B are views showing the cross-sectional shapes of the first electron beam and the second electron beam.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating the range of the surface of the powder layer irradiated by the electron beam and the electron beam that irradiates the range.
  • FIG. 11 is a flowchart showing the additive manufacturing operation of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100.
  • FIG. 12 is a flowchart of the first irradiation process of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100.
  • FIG. 13 is a flowchart of the second irradiation process of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100.
  • FIGS. 14A and 14B are views showing the cross-sectional shapes of the first electron beam and the second electron beam of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the second embodiment.
  • FIG. 15 is a diagram showing the range of the surface of the powder layer irradiated by the electron beam and the electron beam that irradiates the range in the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the second embodiment.
  • FIG. 16 is a flowchart of the first irradiation process of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the second embodiment.
  • FIG. 17 is a flowchart of the second irradiation process of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the second embodiment.
  • FIGS. 18A and 18B are views showing the cross-sectional shapes of the first electron beam and the second electron beam of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the third embodiment.
  • FIG. 19 is a diagram showing the range of the surface of the powder layer irradiated by the electron beam and the electron beam that irradiates the range in the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the third embodiment.
  • FIG. 20 is a flowchart of the first irradiation process of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the third embodiment.
  • FIG. 21 is a flowchart of the second irradiation process of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the third embodiment.
  • FIG. 22 is a diagram illustrating a configuration example of the electron beam column 210 of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the fourth embodiment.
  • FIG. 23 is a diagram illustrating a configuration example of the electron beam column 220 of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 500 according to the fifth embodiment.
  • FIG. 24 is a diagram showing an irradiation range of the electron beam column 220 of FIG.
  • FIG. 1 shows a configuration example of a three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the present embodiment.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 includes an electron beam column 200, a modeling unit 300, and a control unit 400.
  • the control unit 400 outputs a control signal to control the electron beam output from the electron beam column 200, so that a predetermined range of the surface 63 of the powder layer 62 made of, for example, a metal material powder installed in the modeling unit 300 is electronically generated. Irradiate with a beam.
  • the electron beam column 200 includes a plurality of electron sources 20 that output electron beams.
  • the electron source 20 generates electrons by the action of heat or an electric field.
  • the electron source 20 accelerates the generated electrons in the ⁇ Z direction with a predetermined acceleration voltage (for example, 60 KV), and outputs the electron beam as an electron beam.
  • the electron beam column 200 shown in FIG. 1 shows an example in which two electron sources 20 output a first electron beam and a second electron beam, respectively.
  • the number of electron sources 20 is not limited to two, and may be three or more.
  • the first electron beam means an electron beam mainly used for melting and solidifying the cross-sectional layer of the powder layer 62
  • the second electron beam is used for bordering irradiation or preliminary irradiation.
  • An interval in the XY plane direction between the first electron beam and the second electron beam is, for example, 60 mm or less, and is approximately 30 mm as an example.
  • the electron source 20 includes a thermionic emission type electron gun that emits electrons from the tip of an electrode heated to a high temperature, and the tip of the electrode of the electron gun has a short direction perpendicular to the longitudinal direction.
  • An anisotropic electron emission surface having a width different from that in the hand direction.
  • An electron beam emitted from such an electron gun has an anisotropic cross-sectional shape.
  • both the electron source 20 that outputs the first electron beam and the second electron beam is an electron source 20 having an anisotropic electron emission surface.
  • either one of the electron sources 20 may be an electrode having an isotropic electron emission surface such as a circle or a square.
  • An electron beam emitted from the electron source 20 including an electrode having an isotropic electron emission surface has an isotropic cross-sectional shape.
  • the beam shape deforming element 30 deforms the cross-sectional shape of the electron beam output from the electron source 20. In the example shown in FIG. 1, the cross section of the electron beam output from the anisotropic electron source 20 is deformed by the beam shape deforming element 30.
  • the beam shape changing element 30 may be an element in which a plurality of multipoles are arranged along the traveling direction of the electron beam passing in the Z-axis direction.
  • the center of symmetry of the electric field (or magnetic field) formed by the multipole in the XY plane coincides with the passage path of the electron beam.
  • an electrostatic quadrupole can be used as the multipole element.
  • the electrostatic quadrupole includes two electrodes that generate an electric field facing each other in the X-axis direction and two electrodes that generate an electric field facing each other in the Y-axis direction.
  • the multipole may be an electromagnetic quadrupole instead of the electrostatic quadrupole.
  • the electromagnetic quadrupole has two electromagnetic coils that generate a magnetic field facing in the (X + Y) direction and two magnetic fields that generate a magnetic field facing in the (XY) direction across the Z axis through which the electron beam passes. What is necessary is just to provide an electromagnetic coil.
  • the electron lens 40 includes a coil wound around a lens axis, and a magnetic body portion (yoke) that surrounds the coil and has an axisymmetric gap with respect to the lens axis.
  • the electromagnetic lens 40 generates a local magnetic field facing the lens axis direction on the lens axis.
  • Each of the first electron beam and the second electron beam shown in FIG. 1 passes through the electron beam column 200 along the lens axis of the electromagnetic lens 40.
  • the lens magnetic field excited by the electromagnetic lens 40 exerts a lens action for converging an electron beam passing along a path substantially coincident with the lens axis.
  • the deflector 50 adjusts the irradiation position of the electron beam inside the surface 63 of the powder layer 62 installed in the modeling unit 300 by deflecting the electron beam.
  • the deflector 50 may be a common deflector that simultaneously deflects a plurality of electron beams. Alternatively, the deflector 50 may be a separate deflector for each electron beam that individually deflects a plurality of electron beams (see FIG. 22).
  • the common deflector 50 that simultaneously deflects a plurality of electron beams is preferably an electromagnetic deflector 50.
  • the deflection coil of the electromagnetic deflector 50 includes two sets of deflection coils that generate independent deflection magnetic fields in the X direction and the Y direction.
  • Each of the deflection coils may be a saddle type deflection coil having an arcuate winding disposed on a circumference having a diameter of about 100 mm in the XY plane. This is because each of the first electron beam and the second electron beam is deflected in approximately the same direction and approximately the same distance with an error of about several ⁇ m within the surface 63 of the powder layer 62 by the magnetic field generated by the deflection coil. .
  • the electromagnetic deflector 50 also has the number of windings of the deflection coil and the value of the current flowing through the deflection coil so as to deflect each of the first electron beam and the second electron beam by 150 mm or more within the surface 63 of the powder layer 62. May be set.
  • the upper limit of the deflection distance may be 150 mm or more.
  • the upper limit of the deflection distance is the distance between the beam irradiation positions on the surface 63 of the powder layer 62 when the electron beam is not deflected and when it is deflected to the greatest extent.
  • the upper limit (150 mm in this case) of the distance by which the electron beams output from each of the plurality of electron sources 20 are deflected inward in the surface 63 of the powder layer 62 is set from the plurality of electron sources 20 before passing through the deflector 50. It is made larger than the beam interval (30 mm in this case) between the output electron beams.
  • the common part (overlapping part) of the deflection ranges of the plurality of electron beams can be irradiated by each of the plurality of electron beams.
  • the powder sample 68 supplied from the powder supply unit 64 is held in a modeling container.
  • the modeling container includes a bottom surface portion 72 and a side wall portion 74.
  • the powder sample 68 supplied from the powder supply unit 64 is flattened inside the side wall portion 74 by the scraping operation of the powder supply unit 64 to form a powder layer 62 substantially parallel to the upper surface of the bottom surface portion 72.
  • a surface that is the upper surface of the powder layer 62 and is irradiated with the electron beam is referred to as a surface 63.
  • the height of the bottom surface portion 72 is movable in the Z-axis direction by the drive portion 82 and the drive rod 84.
  • the height of the bottom surface portion 72 in the Z-axis direction is set so that the surface 63 of the powder layer 62 covering the three-dimensional structure 66 has substantially the same height when irradiated with an electron beam.
  • a part of the powder layer 62 melted and solidified by the electron beam irradiation forms a cross-sectional layer 65 and is laminated on the three-dimensional structure 66.
  • the powder layer 62 other than the cross-sectional layer 65 to be stacked is accumulated as a powder sample 68 around the three-dimensional structure 66.
  • the internal space of the electron beam column 200 through which the electron beam passes and the space near the surface 63 of the powder layer 62 irradiated by the electron beam are exhausted to a predetermined degree of vacuum. This is because the electron beam collides with gas molecules in the atmosphere and loses energy.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 includes an exhaust unit (not shown) to exhaust the electron beam passage path.
  • the CPU 110 included in the control unit 400 of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 controls the overall operation of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100.
  • the CPU 110 may be a computer or a workstation having a function of an input terminal for inputting an operation instruction from a user.
  • the CPU 110 is connected to the electron source control unit 120, the deformation element control unit 130, the lens control unit 140, the deflection control unit 150, and the height control unit 160 included in the control unit 400 via the bus 112.
  • Each control unit included in the control unit 400 individually controls each part of the electron beam column 200 and the modeling unit 300 in accordance with a control signal received from the CPU 110.
  • each control unit included in the control unit 400 is connected to the external storage unit 114 via the bus 112, and exchanges modeling data stored in the external storage unit 114.
  • the modeling data corresponds to the cross-sectional shape obtained when the structure 66 is cut along a plane orthogonal to the height direction of the three-dimensional structure 66 to be modeled by the apparatus 100. This is data defining the range in which the surface 63 of the powder layer 62 is irradiated and melted by an electron beam.
  • the height direction of the three-dimensional structure 66 corresponds to the Z-axis direction of FIG.
  • a plane orthogonal to the height direction corresponds to a plane parallel to the XY plane of FIG.
  • the electron source control unit 120 applies an acceleration voltage of an electron beam to the electron source 20.
  • the electron source control unit 120 outputs a heating current of a heater for causing the electron source 20 to generate, for example, thermoelectrons.
  • the electron source control unit 120 outputs an electron beam control voltage to the electron source 20.
  • the configurations of the electron source control unit 120 and the electron source 20 will be described in detail later.
  • the deformation element control unit 130 outputs a voltage or a current to the multipole element of the beam shape deformation element 30.
  • the deformation element control unit 130 outputs a voltage to, for example, two electrodes facing in the X-axis direction and two electrodes facing in the Y-axis direction.
  • the deforming element control unit 130 causes the currents to flow through the two electromagnetic coils facing in the (X + Y) direction and the two electromagnetic coils facing in the (XY) direction. Is output.
  • the deformation element control unit 130 sets the cross-sectional shape of the electron beam that irradiates the surface 63 of the powder layer 62 of the modeling unit 300 by setting the magnitude of the output voltage or output current.
  • the lens control unit 140 outputs a current that flows through the coil portion of the electromagnetic lens 40.
  • the lens control unit 140 sets the lens strength of the electromagnetic lens by setting the magnitude of the output current that flows through the coil section.
  • the deflection control unit 150 generates electron beam deflection data for each powder layer 62 based on the modeling data stored in the external storage unit 114.
  • the deflection control unit 150 drives, for example, two sets of deflection coils related to deflection in the X-axis direction and the Y-axis direction of the electromagnetic deflector 50 shown in FIG. 1 and is determined by deflection data in the surface 63 of the powder layer 62.
  • a deflection magnetic field for irradiating the position with the electron beam is generated.
  • the height control unit 160 controls the drive unit 82 and sets the length of the drive rod 84 in the Z-axis direction and the height of the bottom surface part 72.
  • the height control unit 160 lowers the bottom surface portion 72 by the thickness of the new layer each time a new powder layer 62 is supplied after the formation of the cross-sectional layer 65 by melting and solidification of the powder layer 62 is completed.
  • the height of the beam irradiation surface which is the surface 63 of the new powder layer 62 covering the three-dimensional structure 66 is maintained at a substantially constant height. This is because the height of the three-dimensional structure 66 in the Z-axis direction increases every time the cross-sectional layer 65 is stacked.
  • the beam shape deformation element 30 is composed of an electrostatic quadrupole that includes two electrodes that generate an electric field facing in the X-axis direction and two electrodes that generate an electric field facing in the Y-axis direction.
  • a description will be given of the case.
  • the multipole constituting the beam shape deforming element 30 includes two electromagnetic coils that generate a magnetic field facing in the (X + Y) direction and two electromagnetic coils that generate a magnetic field facing in the (XY) direction, By replacing the electrode with an electromagnetic coil and the voltage with a current or the like, the following description is applied almost as it is.
  • the electron source 20 includes a cathode portion 22, an electron emission surface 23 that generates electrons at the tip of the cathode portion 22, and a heating portion 26 that emits electrons from the electron emission surface 23.
  • the heating unit 26 is a heater made of graphite, for example, and heats the entire cathode unit 22 to generate thermoelectrons.
  • the electron source 20 has a control electrode 24 provided with an opening 25 for allowing electrons to pass in the vicinity of the electron emission surface 23.
  • the control electrode 24 controls the amount of electron beam that passes through the opening 25.
  • An acceleration voltage for accelerating the electron beam is applied between the cathode portion 22 and the ground portion 27.
  • the grounding unit 27 has an opening 28 for allowing the electron beam to pass therethrough.
  • the opening 28 passes an electron beam having a radiation angle within a predetermined range among electron beams accelerated toward the grounding portion 27 after passing through the opening 25 of the control electrode 24.
  • the electron source 20 outputs the electron beam that has passed through the opening 28 of the ground portion 27 to the electron beam column 200 after the electron source 20.
  • the electron source control unit 120 includes an acceleration voltage power source.
  • the accelerating voltage power supply applies an accelerating voltage to the cathode part 22, the heating part 26, and the control electrode 24 that are insulated by the insulating part 29.
  • the acceleration voltage in this embodiment is, for example, 60 KV.
  • the electron beam output from the electron source 20 is accelerated to 60 KV.
  • the electron source control unit 120 includes a heating current power source.
  • the heating current power source outputs a current to a circuit including a heating unit 26 sandwiching the cathode unit 22 from both sides in order to heat the cathode unit 22 of the electron source 20.
  • the electron source control unit 120 may detect the current output to the heating unit 26 and the voltage generated at both ends of the heating unit 26 to control the heating current power source.
  • the electron source control unit 120 includes a control electrode power source.
  • the control electrode power supply outputs, for example, a voltage for controlling the amount of electron beam to the control electrode 24 on the potential to which the acceleration voltage is applied.
  • FIG. 3 shows a configuration example of the cathode part 22, the electron emission surface 23, and the heating part 26 of the electron source 20.
  • FIG. 3A is a front view in the XZ plane showing a part of the cathode portion 22, the electron emission surface 23, and the heating portion 26.
  • FIG. 3B is a perspective view showing a part of the cathode part 22, the electron emission surface 23, and the heating part 26.
  • FIG. 3C is a bottom view showing a part of the cathode portion 22, the electron emission surface 23, and the heating portion 26 as seen from the direction in which the electron beam travels.
  • FIG. 3A is a front view in the XZ plane showing a part of the cathode portion 22, the electron emission surface 23, and the heating portion 26.
  • FIG. 3B is a perspective view showing a part of the cathode part 22, the electron emission surface 23, and the heating part 26.
  • FIG. 3C is a bottom view showing a part of the cathode portion 22, the electron emission surface 23,
  • the cathode portion 22 is made of, for example, a material obtained by forming a crystal of lanthanum hexaboride (LaB6) into a cylindrical shape.
  • the cathode portion 22 has a shape in which the end of a cylinder is processed into a wedge shape.
  • the tip of the wedge has an anisotropic electron emission surface 23 having different widths in the longitudinal direction and the transverse direction perpendicular thereto.
  • the electron emission surface 23 having different widths in the longitudinal direction and the short direction perpendicular thereto generates, for example, thermoelectrons.
  • the generated electrons are controlled by the control electrode 24, accelerated by the acceleration voltage applied to the ground portion 27, passed through the opening 28 of the ground portion 27, and output from the electron source 20.
  • the electron source 20 has an anisotropic electron emission surface 23 having different widths in the longitudinal direction and the transverse direction perpendicular thereto, whereby an electron having an isotropic generation portion having a width substantially equal to the transverse direction. A larger electron beam current value can be output compared to the source.
  • the electron source 20 having the anisotropic electron emission surface 23 has a larger area for generating an electron beam than an electron source having an isotropic electron emission surface having a width substantially equal to the lateral direction. This is because the current value of the electron beam increases.
  • the diameter of the column of the cathode portion 22 is desirably 500 ⁇ m or more. This is because when heated through the heating unit 26, the temperature of the electron emission surface 23 at the tip of the cathode portion 22 is raised substantially uniformly, and electrons are generated from the electron emission surface 23 substantially uniformly. Thereby, the long side width
  • the short side width of the electron emission surface 23 is defined by conditions for processing the tip of the cathode portion 22 in a wedge shape without chipping or peeling. Further, it is desirable that the short side width of the electron emission surface 23 has a width that can maintain the shape of the electron emission surface 23 for a predetermined period even when the tip of the cathode portion 22 is consumed by outputting electrons.
  • the short side width of the electron emission surface 23 is, for example, 300 ⁇ m or less.
  • the electron source 20 outputs an electron beam current value of 50 mA, for example.
  • the heating unit 26 dynamically supports the cathode unit 22 with the side surface of the cylinder sandwiched from both sides.
  • the cathode portion 22 having a cylindrical shape may be cut out at two portions on the side surface.
  • the heating unit 26 may sandwich the cathode unit 22 from the short side direction of the electron emission surface 23. Instead of this, the heating unit 26 may sandwich the cathode unit 22 from the long side direction of the electron emission surface 23.
  • FIG. 3 shows an example in which the heating unit 26 dynamically supports the cathode unit 22 across the cathode unit 22 from the short side direction of the electron emission surface 23. A current is passed through the left and right heating units 26 sandwiching the cathode unit 22 to cause the heating unit 26 to generate heat and heat the cathode unit 22.
  • FIG. 3 shows an example in which the heating unit 26 dynamically supports the cathode unit 22 across the cathode unit 22 from the short side direction of the electron emission surface 23. A current is passed through the left and right heating units 26 sandwiching the cathode unit 22 to cause the heating unit 26 to generate heat and heat the cathode unit 22.
  • FIG. 4 is a bottom view of the configuration example of the cathode unit 22 and the control electrode 24 according to the present embodiment as viewed from the direction in which the electron beam is output.
  • the short direction of the electron emission surface 23 is indicated by the X-axis direction
  • the longitudinal direction of the electron emission surface 23 is indicated by the Y-axis direction
  • the output direction of the electron beam is indicated by the Z-axis direction.
  • the electrons generated from the electron emission surface 23 pass through the opening 25 of the control electrode 24 while being accelerated toward the front side of the paper.
  • the electron beam passing through the opening 25 is strongly influenced by the electrostatic field of the control electrode 24 that forms the short-side end of the opening 25.
  • the electron beam passing through the opening 25 is hardly affected by the control electrode 24 that forms the longitudinal end of the opening 25.
  • the width in the short direction of the opening 25 is set to be narrower than the width in the long direction, and the distance between the short direction end of the opening 25 and the electron beam passing through the opening 25 is the distance between the long end of the opening 25 and the opening 25. This is because it is smaller than the distance between the passing electron beam.
  • the electron source 20 controls electrons generated from the anisotropic electron emission surface 23 having different widths in the longitudinal direction and the transverse direction perpendicular thereto by the control electrode 24 having the anisotropic opening 25.
  • FIG. 5 is a geometric optical diagram of an electron beam output from the electron source 20.
  • the figure shown on the right side of the vertical Z-axis described in the approximate center of the figure is a plane (XZ plane) formed by the Z-axis direction which is the traveling direction of the electron beam and the X-axis which is the short direction of the electron emission surface 23. ) Shows a geometrical optical diagram of the electron beam.
  • the figure shown on the left side of the Z-axis shows a geometric optical diagram of the electron beam in a plane (YZ plane) formed by the Z-axis direction that is the traveling direction of the electron beam and the Y-axis that is the longitudinal direction of the electron emission surface 23. .
  • the Z-axis symmetric electromagnetic lens 40 converges an electron beam that passes along a path that substantially coincides with the Z-axis.
  • the broken line in FIG. 5 indicates the imaging relationship of the electron beam by the electromagnetic lens 40 when the beam shape deformation element 30 is not driven.
  • the electromagnetic lens 40 images the electron beam emitted from the point O in the XZ plane including the lateral direction of the electron emission surface 23 at a point P on the surface 63 of the powder layer 62.
  • the electromagnetic lens 40 images the electron beam emitted from the point O in the YZ plane including the longitudinal direction of the electron emission surface 23 at a point P on the surface 63 of the powder layer 62.
  • the electromagnetic lens 40 forms an image of the electron emission surface 23 on the surface 63 of the powder layer 62 at the same magnification in both the XZ plane and the YZ plane.
  • the exit angle ⁇ 1 of the electron beam exiting the point O in the XZ plane and the YZ plane is equal, the convergence angle ⁇ 2 of the electron beam at the point P is the same in both the XZ plane and the YZ plane. Become. Next, the case where the beam shape deformation element 30 is driven will be described.
  • the beam shape deformation element 30 shows an example in which two stages of electrostatic quadrupoles 31 and 32 are arranged along the Z-axis direction.
  • Each of the electrostatic quadrupoles 31 and 32 includes two electrodes that generate an electric field facing in the X-axis direction and two electrodes that generate an electric field facing in the Y-axis direction. That is, the electrostatic quadrupoles 31 and 32 are arranged so that the two sets of poles are aligned in the same direction as the longitudinal direction and the short direction of the electron emission surface 23 of the electron source 20.
  • the electron beam passes through the centers of the four electrodes in the Z-axis direction.
  • the plus (+) and minus ( ⁇ ) signs on the electrodes indicate the polarity of the voltage applied to each electrode.
  • the electrostatic quadrupoles 31 and 32 diverge the opening angle of the electron beam in the X-axis direction and converge in the Y-axis direction by applying voltages having different polarities to the X-axis direction electrode and the Y-axis direction electrode. Or converge in the X-axis direction and diverge in the Y-axis direction.
  • FIG. 5 shows that the divergence direction and the convergence direction of the electron beam by the electrostatic quadrupole substantially coincide with the X-axis direction that is the short direction of the electron emission surface 23 of the electron beam or the Y-axis direction that is the long direction.
  • An example of arrangement is shown below. The case where a voltage is applied to the electrostatic quadrupole with the polarity shown in FIG.
  • the opening angle changes in the direction of divergence and passes through the quadrupole 32
  • the opening angle changes in the direction of convergence by receiving repulsive force from the two negative electrodes in the Y-axis direction.
  • the electron beam emitted from the electron emission surface 23 at the same emission angle ⁇ 1 is applied with a voltage to the electrostatic quadrupole, thereby causing the powder layer 62 at different convergence angles ⁇ 3 and ⁇ 4 in the XZ plane and YZ plane, respectively.
  • the imaging magnification in the XZ plane is enlarged and the imaging magnification in the YZ plane is reduced.
  • the imaging magnification in the XZ plane is reduced and the imaging magnification in the YZ plane is increased. That is, the electrostatic quadrupoles 31 and 32 change the polarity and magnitude of the voltage applied to the electrodes, so that the powder layer 62 has a lateral direction and a longitudinal direction of the electron emission surface 23.
  • the ratio of the width in the longitudinal direction and the width in the short direction of the electron beam imaged on the surface 63 can be changed.
  • the cross-sectional shape and size of the electron beam can be changed without changing the current value of the electron beam. As will be described later, this facilitates switching of beam sizes suitable for melting irradiation, bordering irradiation, and preliminary irradiation. Also, it is possible to irradiate while changing the beam width when performing melt irradiation. According to the electrostatic quadrupole elements 31 and 32 of the present embodiment, such a deformation operation of the cross-sectional shape of the electron beam is completed in about several microseconds to several tens of microseconds.
  • the beam shape deformation element 30 may arrange three or more stages of electrostatic quadrupoles along the Z-axis direction.
  • the multi-stage electrostatic quadrupole individually controls the amount of off-axis from the Z axis and the angle between the Z axis and the beam traveling direction for the electron beams emitted in the XZ plane and the YZ plane. .
  • the multi-stage electrostatic quadrupole individually sets the convergence angle at which the electron beams emitted at the same emission angle in the XZ plane and the YZ plane converge at the point P.
  • the beam shape deforming element 30 having a plurality of stages of electrostatic quadrupoles forms an image of the electron emission surface 23 on the surface 63 of the powder layer 62 at different magnifications in the XZ plane and the YZ plane.
  • the beam shape deformation element 30 in which a plurality of stages of electrostatic quadrupoles are arranged has an electron beam imaged on the surface 63 of the powder layer 62 in the short direction of the electron emission surface 23 and the long direction of the electron emission surface 23.
  • FIG. 6 shows an example of the cross-sectional shape of the electron beam applied to the surface 63 of the powder layer 62.
  • the electron beam B shown at the left end of FIG. 6 applies a predetermined voltage to the electrodes of the electrostatic quadrupoles 31 and 32, and determines the ratio of the longitudinal direction width and the short direction width of the electron beam to the electron emission surface 23.
  • a predetermined size close to the ratio of the width in the longitudinal direction and the width in the short direction is set.
  • the beam width S in the longitudinal direction of the electron beam B can be associated with the polarity and magnitude of the voltage applied to the electrodes of the electrostatic quadrupoles 31 and 32.
  • the electron beams Bs and Bt shown at the center and the right end in FIG. 6 are voltages applied to the electrodes of the electrostatic quadrupoles 31 and 32, and the ratio of the longitudinal width to the lateral width of the electron beam is the electron emission surface.
  • An example is shown in which the polarity and size are set so as to be greatly different from the ratio of the longitudinal width and the lateral width of 23.
  • the electron beam Bs is an example in which an electron beam having a narrowed cross-sectional shape having substantially the same width in the vertical and horizontal directions is formed by reducing the beam width in the longitudinal direction.
  • the electron beam Bt is an example in which a long and narrow beam having a cross-sectional shape is formed by extending the beam width in the longitudinal direction.
  • FIG. 7 shows a configuration example of a deformation element control unit 130 that controls the beam shape deformation element 30.
  • the arithmetic circuit 131 included in the deformation element control unit 130 is based on the input data S of the beam width in the longitudinal direction, and the electron beam B whose beam width in the long side direction is substantially equal to the input data S on the surface 63 of the powder layer 62.
  • the deformation element control unit 130 uses the electrostatic quadruple of the beam shape deformation element 30 from the input data of the beam widths corresponding to the electron beams Bs and Bt.
  • An arithmetic circuit for calculating voltage data output to each of the poles 31 and 32 may be provided.
  • the deformable element control unit 130 uses the voltage data D1s and D2s of the electrostatic quadrupoles 31 and 32 for forming the electron beam Bs and the electrostatic quadrupole 31 for forming the electron beam Bt.
  • 32 voltage data D1t and D2t may be measured and stored in advance.
  • the memory circuit 132 included in the deformation element control unit 130 outputs voltage data output to each of the electrostatic quadrupole elements 31 and 32 of the beam shape deformation element 30 in order to form the electron beam Bs on the surface 63 of the powder layer 62.
  • the memory circuit 133 included in the deformation element control unit 130 outputs the electron beam Bt to the electrostatic quadrupole elements 31 and 32 of the beam shape deformation element 30 in order to form the electron beam Bt on the surface 63 of the powder layer 62.
  • This circuit measures and stores voltage data D1t and D2t in advance.
  • the switching unit 134 included in the deformation element control unit 130 uses the voltage data output to the electrostatic quadrupoles 31 and 32 of the beam shape deformation element 30 as the calculation value of the calculation circuit 131 or the stored value of the storage circuit 132. Or a value to be stored in the storage circuit 133.
  • the switching unit 134 switches the output of the circuit 131, 132, or 133 to switch the shape of the electron beam imaged on the surface 63 of the powder layer 62 to each of the shapes shown in FIG.
  • the switching unit 134 may switch the shape of the electron beam imaged on the surface 63 of the powder layer 62 according to the irradiation conditions for the surface 63 of the powder layer 62.
  • a digital-analog (DA) conversion unit 135 included in the deformation element control unit 130 converts the output data of the circuit 131, 132, or 133 switched by the switching unit 134 into a voltage value, and outputs the electrostatic four of the beam shape deformation element 30. Output to the electrodes of the multipole elements 31 and 32.
  • DA digital-analog
  • FIG. 8 indicate that the first electron beam and the second electron beam output from the electron beam column 200 having two electron sources 20 (see FIG. 1) are formed into a powder layer by a common deflector 50.
  • a range in which the surface 62 is deflected in the surface 63 is shown.
  • the upper limit of the distance that the deflector 50 deflects the first electron beam and the second electron beam is approximately 150 mm.
  • the distance in the XY plane direction between the first electron beam and the second electron beam is approximately 30 mm.
  • the first electron beam and the second electron beam irradiate the surface 63 of the powder layer 62 in common with an overlapping portion of two circles having a diameter of about 300 mm and a center of about 30 mm apart.
  • FIG. 9A shows an example of the cross-sectional shape of the first electron beam that irradiates the surface 63 of the powder layer 62
  • FIG. 9B shows the cross-sectional shape of the second electron beam.
  • Both the first electron beam and the second electron beam are output from two electron sources 20 each having an elongated anisotropic electron emission surface 23.
  • the longitudinal directions of the electron emission surfaces 23 of the two electron sources 20 are both in the Y-axis direction, and the longitudinal directions of the electron emission surfaces 23 of the two electron sources 20 are substantially parallel to each other.
  • the beam shape deformation elements 30 that deform the beam shapes of the first electron beam and the second electron beam are controlled independently by the deformation element control unit 130. Therefore, the deformation element control unit 130 shown in FIG.
  • the first electron beam is the surface 63 of the powder layer 62, the electron beam Bv having a longitudinal beam width substantially equal to the input data Sv, and the narrowed cross-sectional electron beam Bvs having substantially the same width in both the longitudinal and lateral directions, Then, it is deformed into an elongated beam Bvt having a cross-sectional shape elongated in the longitudinal direction.
  • the second electron beam is the surface 63 of the powder layer 62, and independently of the first beam, the electron beam Bv whose beam width is substantially equal to the input data Sv, and the electron having the narrowed cross-sectional shape having substantially the same width in both the vertical and horizontal directions. It is deformed into a beam Bvs and an elongated beam Bvt having a cross-sectional shape stretched in the longitudinal direction.
  • These first electron beam and second electron beam irradiate the overlapping portion of the two circles shown in FIG. 8 on the surface 63 of the powder layer 62.
  • FIG. 10 shows an example of the range irradiated by the electron beam on the surface 63 of the powder layer 62 and an example of the electron beam that irradiates the range.
  • the range of the powder layer 62 that is melted and solidified by the electron beam is specified by a modeling region having a cross-sectional shape when the three-dimensional structure 66 is cut along a plane orthogonal to the height direction of the three-dimensional structure 66.
  • the Z-shaped range is a modeling region corresponding to the range to be melted and solidified. This modeling region is included in the deflection range common to the first beam and the second beam having a diameter of 300 mm on the surface 63 of the powder layer 62.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 sets the electron beam to a beam Bv having an appropriate beam width Sv, and within a Z-shaped range of the surface 63 of the powder layer 62 at a predetermined beam moving speed. By scanning without a gap, the powder layer 62 within the range is melted. Further, the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 sets the electron beam to a narrowed cross-sectional beam Bvs having substantially equal vertical and horizontal widths, and performs edge scanning around the Z-shaped range at another predetermined beam moving speed. By doing so, the periphery of the Z-shaped range of the powder layer 62 is melted.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 has an electron beam in a wider range including the melting range of the surface 63 of the powder layer 62. Is pre-irradiated with a low dose density.
  • the irradiation density represents the amount of irradiation with an electron beam per unit area of the surface 63 of the powder layer 62.
  • a range indicated by a broken line is a preliminary irradiation region 63a to be preliminarily irradiated.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 uses the elongated beam Bvt stretched in the longitudinal direction for preliminary irradiation.
  • the beam Bvt Even if the beam Bv or beam Bvs scans the beam under the same conditions as the beam Bv or beam Bvs is melted and irradiated in the Z-shaped modeling region shown in the example of FIG. 10, the beam Bvt has a stretched cross section. The beam is irradiated to a wider area than the area with a low dose density. The beam Bvt has substantially the same total beam current value as the beam Bv or the beam Bvs, but since the irradiation range is wide under the same scanning conditions, the temperature rise of the powder layer 62 can be suppressed. Thereby, the beam Bvt can preheat the powder layer 62 to a temperature below the melting point.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 sets the length of the elongated beam Bvt in the longitudinal direction appropriately so that the beam Bv or the beam Bvs melts and irradiates the modeling region that is a part of the surface 63 of the powder layer 62. Under the same scanning conditions, the irradiation amount for preliminary irradiation can be set in a wider range including the modeling area. The preliminary irradiation may be performed simultaneously with the beam irradiation for melting or prior to the beam irradiation for melting.
  • Pre-irradiation heats (preheats) the powder layer 62 including the modeling region to a temperature slightly lower than the melting point of the powder to facilitate melting by melting irradiation, and to relieve distortion of the modeled object caused by the temperature gradient.
  • the preliminary irradiation can suppress the raw material powder constituting the powder layer 62 from being scattered by the beam irradiation, and can impart a preliminary charge (charge imparting) to suppress the charge-up.
  • FIG. 11 shows an example of an operation flow showing the additive manufacturing operation of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100.
  • the three-dimensional layered modeling apparatus 100 supplies the powder sample 68 from the sample supply unit 64 of the modeling unit 300 and is planarized substantially parallel to the bottom surface part 72 surrounded by the side wall part 74.
  • the powder layer 62 is supplied (S1110).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 irradiates the surface 63 of the powder layer 62 with the electron beam output from the electron beam column 200.
  • the step of irradiating the surface 63 of the powder layer 62 with an electron beam is performed in two steps, a first irradiation step (S1120) and a second irradiation step (S1130).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 melts and solidifies a predetermined range of the powder layer 62 by these irradiation processes, and forms a cross-sectional layer 65 that becomes a part of the three-dimensional structure 66.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 determines whether or not the lamination of the cross-sectional layers 65 constituting the three-dimensional structure 66 has been completed (S1140).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 operates the driving unit 82 and the driving rod 84 to drive the bottom surface portion 72 in the Z-axis direction and is melted and solidified.
  • the height of the surface 63 of the powder layer 62 is lowered (S1150).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 returns to the step (S1110) of supplying the powder layer 62 corresponding to the amount by which the height of the surface 63 of the powder layer 62 is lowered. If the lamination of all layers has been completed (S1140; Yes), the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 ends the additive manufacturing operation.
  • 12 and 13 show a first irradiation step (S1120) and a second irradiation step (S1120) in which the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 irradiates the surface 63 of the powder layer 62 with the electron beam output from the electron beam column 200.
  • movement flow of S1130) is shown.
  • 12 and 13 correspond to the first irradiation step (S1120) and the second irradiation step (S1130), respectively.
  • the first irradiation process (S1222 to 1228) shown in FIG. 12 is started, the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 uses one of the two electron beams, for example, the shape deforming element 30 of the second electron beam.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 changes the other of the two electron beams, for example, the shape deforming element 30 of the first electron beam, into a beam Bv having a predetermined beam width Sv in the longitudinal direction. Is set to the output of the arithmetic circuit 131 shown in FIG. 7 (S1224). Further, the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 deflects the deflector 50 common to the first electron beam and the second electron beam to the deflection position (x, y) for the first electron beam to melt irradiation. (S1224).
  • the beam width Sv of the first electron beam and the deflection position (x, y) for melting irradiation are determined based on modeling data representing the shape of the molten portion (modeling region) of the surface 63 of the powder layer 62.
  • the The three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 performs melt irradiation with the first electron beam (S1226). At this time, the second electron beam is deflected to the deflection position (x, y) for the second beam by the common deflector 50, and simultaneously with the melt irradiation by the first electron beam, the second electron beam is deflected. Preliminary irradiation is performed.
  • the second electron beam irradiates a position separated from the first electron beam by an interval (for example, 30 mm) between the electron beams. Since the deflection position of the second electron beam is also set with the deflection position (x, y) of the first electron beam to be melted and irradiated, the second electron beam is a powder irradiated by the first electron beam. The region that substantially overlaps the area of the layer 62 is preliminarily irradiated. The three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 determines whether or not the melt irradiation with respect to the surface 63 of the powder layer 62 has been completed (S1228).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 moves the first electron beam shape deforming element 30 and the deflector 50 to the beam width Sv and the change position for the next melt irradiation ( The value of x, y) is set (S1224), and the melt irradiation with the first electron beam is performed (S1226). The melt irradiation with the first electron beam and the preliminary irradiation with the second electron beam proceed simultaneously. If the melt irradiation with respect to the melted portion of the surface 63 of the powder layer 62 has been completed (S1228; Yes), the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 ends the first irradiation process (S1222 to 1228).
  • the first electron beam repeats the operation of staying at the set deflection position (x, y) for a certain period of time and then moving to the next change position.
  • the beam width in the longitudinal direction of the first electron beam is appropriately changed according to the shape of the pattern, for example, an oblique portion of the illustrated Z-shaped pattern.
  • the time required for changing the beam width is as short as several microseconds to several tens of microseconds by using an electrostatic quadrupole as the beam shape deforming element 30, the beam width is changed in step S1224. Even if it occurs frequently, the processing speed is unlikely to decrease.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 uses one of the two electron beams, the first beam
  • the electron beam shape deforming element 30 is set to be a beam Bvt for preliminary irradiation.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 sets the other electron beam of the two electron beams and the shape deforming element 30 of the second electron beam to be a beam Bvs for edge irradiation.
  • the first electron beam and the second electron beam are set to output the respective beams Bvt and Bvs until the second irradiation step is completed (S1232).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 causes the deflector 50 common to the first electron beam and the second electron beam to be deflected to a deflection position (x, y) for edging the second electron beam. (S1234).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 performs bordering irradiation with the second electron beam (S1236).
  • the first electron beam is deflected to the deflection position (x, y) for the first beam by the common deflector 50, and simultaneously with the edge irradiation by the second electron beam, the first electron beam is deflected.
  • Preliminary irradiation is performed.
  • the first electron beam irradiates a position separated from the second electron beam by an electron beam interval (for example, 30 mm).
  • the first electron beam is a powder layer that is bordered by the second beam.
  • the region that substantially overlaps the range 62 is preliminarily irradiated.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 determines whether the edging of the melted portion of the surface 63 of the powder layer 62 has been completed (S1238). If the edging has not been completed (S1238; No), the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 sets the deflector 50 common to the first electron beam and the second electron beam to the next edging by the second electron beam.
  • the edge irradiation by the second electron beam is performed (S1236).
  • the preliminary irradiation with the first electron beam and the edge irradiation with the second electron beam proceed simultaneously by the common deflector 50. If the edging of the melted portion of the surface 63 of the powder layer 62 has been completed (S1238; Yes), the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 ends the second irradiation step (S1132 to 1138).
  • the second electron beam having a cross-sectional shape narrowed down along the edge of the modeling region is irradiated.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 changes the first electron beam by changing the voltage applied to the electrostatic quadrupole electrode constituting the beam shape deforming element 30 in the steps shown in FIGS.
  • the shape of the second electron beam is set to electron beams Bv, Bvs, and Bvt suitable for melting irradiation, bordering irradiation, and preliminary irradiation, respectively.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 only deforms the beam shape by setting a voltage on the electrode of the electrostatic quadrupole, for example, compared with the case where the irradiation condition is set by changing the operating condition of the electron source 20.
  • the state of the electron beam in each irradiation can be set stably and with good reproducibility.
  • the first electron beam and the second electron beam are applied to the substantially same range of the surface 63 of the powder layer 62 by melting irradiation and preliminary irradiation, or border irradiation and preliminary irradiation. Irradiate simultaneously under different irradiation conditions.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 can shorten the time of the whole irradiation process compared with the case where melting irradiation, bordering irradiation, and preliminary irradiation are implemented separately.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the embodiment is configured so that the first electron beam and the second electron beam are set to electron beams Bv, Bvs, or Bvt suitable for melting irradiation, edge irradiation, or preliminary irradiation.
  • the melt irradiation and the fringe irradiation shown by the loop of FIG. 12 or FIG. 13 they are outputted without changing them.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 can omit the waiting time until the beam state is stabilized by switching the current value of the electron beam during the irradiation process or performing a large size change.
  • the first irradiation step is performed by the first electron beam performing the melt irradiation and the second electron beam performing the preliminary irradiation
  • the second irradiation step is performed by the first irradiation step.
  • the electron beam was subjected to preliminary irradiation and the second electron beam was subjected to edge irradiation.
  • the first electron beam is subjected to preliminary irradiation and the second electron beam is subjected to melting irradiation
  • the first electron beam is subjected to edge irradiation and
  • the second electron beam may perform pre-irradiation.
  • the first irradiation process is performed by melting irradiation and preliminary irradiation
  • the second irradiation process is performed by bordering irradiation and preliminary irradiation. .
  • the first irradiation step may be performed with bordering irradiation and preliminary irradiation, and then the second irradiation step may be performed with melting irradiation and preliminary irradiation. Furthermore, in the example shown in FIGS. 12 and 13, preliminary irradiation is performed in both the first irradiation step and the second irradiation step.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 sets the beam Bvt so as to give the irradiation amount necessary for the preliminary irradiation in either the first irradiation process or the second irradiation process, so that the first irradiation process or the second irradiation process is performed.
  • the preliminary irradiation may be performed in either one of the irradiation steps.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the second embodiment includes at least two electron sources 20 having anisotropic electron emission surfaces 23 having different widths in the longitudinal direction and the transverse direction perpendicular thereto.
  • the longitudinal direction of the electron emission surface 23 of one electron source 20 faces the Y-axis direction
  • the longitudinal direction of the electron emission surface 23 of the other electron source 20 faces the X-axis direction. That is, the longitudinal directions of the electron emission surfaces of the two electron sources are substantially orthogonal to each other.
  • the beam shape deforming element 30 is an electrostatic quadruple having a divergence direction and a convergence direction substantially coincident with the longitudinal direction or the short direction of the anisotropic electron emission surface 23 of the electron source 20 that outputs each electron beam. Consists of poles.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the second embodiment has a configuration equivalent to that of FIG. Parts having substantially the same functions as those of the apparatus configuration and apparatus operation already described will be described using the same reference numerals.
  • FIGS. 14A and 14B correspond to FIGS. 9A and 9B described above, and the first electron beam and the second electron beam of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the second embodiment. The example of the beam shape of an electron beam is shown.
  • the first electron beam is converted into an electron beam Bv having a beam width in the Y-axis direction substantially equal to the input data Sv by the beam shape deforming element 30, and an electron beam Bvs having a narrowed sectional shape having substantially the same width in both the vertical and horizontal directions. And it is deformed into an elongated beam Bvt stretched in the Y-axis direction.
  • the second electron beam is narrowed down by the beam shape deforming element 30 independently of the first beam, the electron beam Bh having a beam width in the X-axis direction substantially equal to the input data Sh, and having substantially the same width in both the vertical and horizontal directions.
  • FIG. 15 corresponds to FIG. 10 that has already been described, and in the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the second embodiment, the range irradiated by the electron beam on the surface 63 of the powder layer 62 and the electrons that irradiate the range.
  • An example of a beam is shown.
  • the Z-shaped range corresponds to a modeling region to be melted and solidified. In the example of FIG.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 sets the first electron beam to the beam Bv, sets the second electron beam to the beam Bh, and falls within the Z-shaped range of the surface 63 of the powder layer 62. Is scanned without a gap at a predetermined beam moving speed, thereby melting the powder layer 62 within the range. Further, in the example of FIG. 15, the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 scans the periphery of the Z-shaped range with the electron beam Bhs at another predetermined beam movement speed, so that the Z-shaped range of the powder layer 62 is obtained. Melt the surroundings. The three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 uses the elongated beam Bvt stretched in the Y-axis direction for preliminary irradiation.
  • a region 63a to be preliminarily irradiated is indicated by a broken line.
  • the positional relationship between the preliminary irradiation region 63a indicated by the broken line and the Z-shaped melted and solidified range is described so as to be slightly different between FIG. 15 and FIG.
  • FIG. 10 the case where both the first electron beam and the second electron beam are used for preliminary irradiation is shown, whereas in the example shown in FIG. 15, for example, only the first electron beam is preliminary irradiated. It is because the case where it uses for is shown.
  • FIGS. 16 and 17 correspond to FIGS.
  • the beam Bvt for preliminary irradiation is set, and the other beam, for example, the shape deforming element 30 of the second electron beam is set to the beam Bhs for fringing.
  • the first electron beam and the second electron beam are set so as to output the beams Bvt and Bhs, respectively, until the first irradiation step is completed (S1522).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 causes the deflector 50 common to the first electron beam and the second electron beam to be deflected to a deflection position (x, y) for edging the second electron beam. (S1524).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 performs bordering irradiation with the second electron beam (S1526).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 determines whether the edging of the melted portion of the surface 63 of the powder layer 62 has been completed (S1528). If the edging is not completed (S1528; No), the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 sets the deflector 50 common to the first electron beam and the second electron beam to the next edging by the second electron beam. Is set to the value of the part (S1524), and edge irradiation by the second electron beam is performed (S1526).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 ends the first irradiation step (S1120).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 has a beam width in the Y-axis direction of one of the two electron beams, for example, the first electron beam.
  • the output of the arithmetic circuit 131 shown in FIG. 7 is set so that the beam Bv has a predetermined beam width Sv (S1532).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 deflects the deflector 50 common to the first electron beam and the second electron beam to a deflection position (x, y) for the first electron beam to melt irradiation. (S1532).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 performs melt irradiation with the first electron beam (S1533). At this time, a value that does not allow the second electron beam to reach the surface 63 of the powder layer 62 is set in the beam shape deforming element 30 of the second electron beam.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 determines whether or not the melt irradiation with the first electron beam is completed (S1534).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 applies the first electron beam shape deforming element 30 and the common deflector 50 to the next melt irradiation by the first electron beam. (S1532), and melt irradiation with the first electron beam is performed (S1533). If the melt irradiation with the first electron beam has been completed (S1534; Yes), the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 uses the other of the two electron beams, for example, the second electron beam shape deforming element 30.
  • the output of the arithmetic circuit 131 shown in FIG. 7 is set so that the beam width in the X-axis direction becomes a beam Bh having a predetermined beam width Sh (S1536).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 deflects the deflector 50 common to the first electron beam and the second electron beam to the deflection position (x, y) for the second electron beam to melt irradiation. (S1536).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 performs melt irradiation with the second electron beam (S1537). At this time, a value that does not allow the first electron beam to reach the surface 63 of the powder layer 62 is set in the beam shape deforming element 30 of the first electron beam.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 determines whether the melt irradiation by the second electron beam is completed (S1538).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 applies the second electron beam shape deforming element 30 and the common deflector 50 to the next melt irradiation by the second electron beam. (S1536), and melt irradiation with the second electron beam is performed (S1537). If the melt irradiation with the second electron beam has been completed (S1538; Yes), the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 ends the second irradiation step (S1130).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the second embodiment changes the voltage applied to the electrostatic quadrupole electrode constituting the beam shape deforming element 30 to change the first electron beam and the second electron beam.
  • the shape is set to electron beams Bv, Bvs, and Bvt, and Bh, Bhs, and Bht suitable for melting irradiation, bordering irradiation, and preliminary irradiation, respectively.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 can set the state of the electron beam with respect to each irradiation condition stably and with good reproducibility.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the second embodiment applies both a first electron beam having a beam width in the Y-axis direction and a second electron beam having a beam width in the X-axis direction to the powder layer 62. Used to irradiate substantially the same area of the surface 63.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 can appropriately select the first electron beam and the second electron beam according to the shape of the surface 63 of the powder layer 62 to be melted and solidified, and is formed by melting and solidifying. The shape accuracy of the cross-sectional layer 65 is improved.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the third embodiment includes at least two electron sources.
  • One of the two electron sources 20 includes an anisotropic electron emission surface 23 having different widths in the longitudinal direction and the transverse direction perpendicular thereto.
  • the other electron source 21 of the two electron sources has an isotropic electron emission surface in which the width of the electron emission surface is substantially equal regardless of the direction.
  • the beam shape deforming element 30 is composed of an electrostatic quadrupole having a divergence direction and a convergence direction substantially coincident with the longitudinal direction or the short direction of the anisotropic electron emission surface 23.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the third embodiment has a configuration equivalent to that of FIG. Parts having substantially the same functions as those of the apparatus configuration and apparatus operation already described will be described using the same reference numerals.
  • FIG. 18 corresponds to FIG. 9 described above, and shows an example of the beam shapes of the first electron beam and the second electron beam of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the third embodiment.
  • the second electron beam forms a beam Bp having an isotropic sectional shape output from an isotropic electron emission surface.
  • FIG. 19 corresponds to FIG. 10 described above, and in the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the third embodiment, the preliminary irradiation region 63a irradiated with the electron beam on the surface 63 of the powder layer 62 and the range thereof are shown. The example of the electron beam to irradiate is shown. Also in the example of FIG.
  • the Z-shaped range corresponds to a modeling region to be melted and solidified.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 sets the first electron beam as the electron beam Bv, and scans the Z-shaped range of the surface 63 of the powder layer 62 at a predetermined beam moving speed without gaps. The powder layer 62 within the range is melted.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 melts the Z-shaped periphery of the powder layer 62 by performing edge scanning around the Z-shaped range with another predetermined beam movement speed by the electron beam Bp having substantially the same vertical and horizontal widths. Let In addition, the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 preliminarily irradiates with the elongated beam Bvt obtained by extending the first electron beam in the Y-axis direction.
  • FIGS. 20 and 21 correspond to FIGS. 12 and 13 described above, and examples of the operation flow of the first irradiation process and the second irradiation process of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the third embodiment. Show. The steps in which the first irradiation step and the second irradiation step occupy the entire operation flow of the apparatus are shown in S1120 and S1130 of FIG. When the first irradiation step (S1822 to 1828) shown in FIG. 20 is started, the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 sets the first electron beam shape deforming element 30 to the beam Bvt for preliminary irradiation. .
  • the second electron beam outputs a beam Bp for fringing.
  • the first electron beam and the second electron beam are set so as to output beams Bvt and Bp, respectively, until the first irradiation step is finished (S1822).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 deflects the deflector 50 common to the first electron beam and the second electron beam to a deflection position (x, y) for edging the second electron beam Bp. (S1824).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 performs bordering irradiation with the second electron beam Bp (S1826). At this time, the preliminary irradiation with the first electron beam and the edge irradiation with the second electron beam proceed simultaneously.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 determines whether the edging of the melted portion of the surface 63 of the powder layer 62 has been completed (S1828). If the edging is not completed (S1828; No), the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 sets the common deflector 50 to the value of the next edging portion by the second electron beam Bp (S1824), Edge irradiation with the electron beam Bp of 2 is performed (S1826). If the edging of the melted portion of the surface 63 of the powder layer 62 has been completed (S1828; Yes), the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 ends the first irradiation step (S1120). When the second irradiation process (S1832 to 1838) shown in FIG.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 moves the first electron beam shape deforming element 30 to a beam having a predetermined beam width in the Y-axis direction.
  • the output of the arithmetic circuit 131 shown in FIG. 7 is set so that the beam Bv has the width Sv (S1832).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 deflects the deflector 50 common to the first electron beam and the second electron beam to a deflection position (x, y) for the first electron beam to melt irradiation. (S1832).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 performs melt irradiation with the first electron beam (S1834).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 determines whether the melt irradiation with the first electron beam is completed (S1836). If the melt irradiation has not been completed (S1836; No), the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 applies the first electron beam shape deforming element 30 and the common deflector 50 to the next melt irradiation by the first electron beam. (S1832), and melt irradiation with the first electron beam is performed (S1834).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 ends the second irradiation step (S1130).
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the third embodiment changes the voltage applied to the electrostatic quadrupole electrode constituting the beam shape deforming element 30 to change the shape of the first electron beam to melt irradiation and The electron beams Bv and Bvt suitable for the preliminary irradiation are set.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 can maintain the state of the electron beam with respect to each irradiation condition stably and with good reproducibility.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 performs preliminary irradiation with the first electron beam at the same time as performing edge irradiation with the second electron beam.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 can shorten the entire irradiation process time compared with the case where the melt irradiation, the edge irradiation, and the preliminary irradiation are individually performed with a single beam.
  • FIG. 22 shows a configuration example of the electron beam column 210 of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the fourth embodiment.
  • the electron beam column 210 includes at least two electron sources 20 and 21.
  • Both of the two electron sources 20 and 21 may include an anisotropic electron emission surface 23 having different widths in the longitudinal direction and the transverse direction perpendicular thereto. Instead, one of the two electron sources 20 and 21 includes an anisotropic electron emission surface 23 having different widths in the longitudinal direction and the transverse direction perpendicular thereto, and the other electron source. 21 may include an isotropic electron emission surface in which the width of the electron emission surface is substantially equal regardless of the direction.
  • the electron sources 20 and 21 generate a first electron beam and a second electron beam, respectively.
  • the beam shape deforming element 30 is composed of an electrostatic quadrupole having a divergence direction and a convergence direction substantially coincident with the longitudinal direction or the short direction of the anisotropic electron emission surface 23 of the electron source 20.
  • the electromagnetic lens 40 converges the first electron beam and the second electron beam that pass along a path that substantially matches the lens axis.
  • the electron beam column 210 shown in FIG. 22 includes a plurality of deflectors 55 that individually deflect the first electron beam and the second electron beam.
  • the deflector 55 individually sets the irradiation position of the surface 63 of the powder layer 62 of the first electron beam and the second electron beam.
  • the deflector 55 that individually deflects a plurality of electron beams is preferably an electrostatic deflector. Even if the distance between the first electron beam and the second electron beam before passing through the deflector is approximately 30 mm, the deflecting electrode of the electrostatic deflector can be arranged so as to surround the passage path of each beam. Because.
  • the control unit 400 that controls the electron beam column 210 shown in FIG. 22 includes a deflection control unit 150 that outputs deflection data to each of the plurality of deflectors 55.
  • the deflection control unit 150 individually outputs deflection data for irradiating the surface 63 of the powder layer 62 with the first electron beam and the second electron beam to the deflector 55.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the fourth embodiment has a configuration and functions equivalent to those in FIG. Parts having the same configuration and function as those of the electron beam column of FIG.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 sets the first electron beam and the second electron beam to, for example, the beam Bv by the beam shape deforming element 30, and the beam corresponding to each of the first electron beam and the second electron beam.
  • the shaping region corresponding to the melting range of the surface 63 of the powder layer 62 is irradiated by the deflector 55.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 sets the first electron beam and the second electron beam to, for example, the beam Bvs by the beam shape deforming element 30, and the deflection corresponding to each of the first electron beam and the second electron beam.
  • the edge position of the surface 63 of the powder layer 62 is irradiated with the vessel 55.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 sets the first electron beam and the second electron beam to, for example, the beam Bvt by the beam shape deforming element 30, and the deflection corresponding to each of the first electron beam and the second electron beam.
  • the pre-irradiation region on the surface 63 of the powder layer 62 is irradiated with the vessel 55.
  • the upper limit of the distance that the deflector 55 deflects the first electron beam and the second electron beam is approximately 150 mm, for example.
  • the deflector 55 can deflect the first electron beam and the second electron beam by approximately 150 mm. Since the distance between the first electron beam and the second electron beam in the XY plane direction is, for example, approximately 30 mm, the first electron beam and the second electron beam are also centered on the surface 63 of the powder layer 62 in this case. Irradiates two overlapping circles having a diameter of approximately 300 mm and approximately 30 mm apart.
  • the first electron beam and the second electron beam are applied to the powder layer 62.
  • the substantially same area of the surface 63 is irradiated simultaneously under different electron beam conditions.
  • the second beam may be edged or pre-irradiated.
  • the second beam may be melted or pre-irradiated.
  • the second beam may be melted or bordered at the same time as the first electron beam is pre-irradiated.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 changes the voltage applied to the electrostatic quadrupole electrode constituting the beam shape deforming element 30 to change the shape of the beam to melt irradiation, border irradiation, and The electron beams Bv, Bvs, and Bvt suitable for the preliminary irradiation are set.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 according to the fourth embodiment uses the first electron beam and the second electron beam, and includes two of melting irradiation, bordering irradiation, and preliminary irradiation. By performing the types of irradiation simultaneously, it is possible to reduce the time required for the entire irradiation process.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 100 may add a third electron beam in addition to the first electron beam and the second electron beam.
  • each electron beam may be assigned to melt irradiation, fringe irradiation, and preliminary irradiation.
  • the three-dimensional additive manufacturing apparatus 10 can further reduce the time required for the entire irradiation process by simultaneously performing the three irradiations of the melting irradiation, the edge irradiation, and the preliminary irradiation with the three electron beams. . (Fifth embodiment)
  • a configuration example of the three-dimensional additive manufacturing apparatus 500 according to the fifth embodiment will be described. FIG.
  • the electron beam column 220 includes a plurality of modules 220a including at least two electron sources. In the illustrated example, a module including four such modules 220a is shown.
  • the configuration of each module 220a is the same as that of the electron beam column 200 of FIG. 1, and the module 220a simultaneously irradiates, for example, a first electron beam and a second electron beam.
  • Each module 220a uses, for example, a substantially circular area having a diameter of about 300 mm as an irradiation area (deflection area).
  • FIG. 24A is a plan view showing a range in which the electron beam column 220 performs irradiation
  • FIG. 24B is a plan view showing a range in which the electron beam column 200 performs irradiation.
  • FIG. 24A a case where four modules 220a are arranged is shown.
  • each module 220a of the electron beam column 220 is arranged so that the irradiation ranges 501, 502, 503, and 504 are connected without gaps, and is reserved in a range corresponding to a rectangular region 505 indicated by a broken line. Irradiation, melting irradiation and bordering irradiation can be performed.
  • FIG. 24B shows the irradiable region 510 of the electron beam column 200 of the first embodiment for comparison.
  • the irradiable region is wider than that of the electron beam column 200 of the first embodiment, and more A large-sized model can be layered.
  • Electron source 22 ... Cathode part, 23 ... Electron emission surface, 24 ... Control electrode, 25 ... Opening, 26 ... Heating part, 27 ... Grounding part, 28 ... Opening, 29 ... Insulating part, 30 ... Beam shape Deformation element 31, 32 ... Electrostatic quadrupole, 40 ... Electromagnetic lens, 50, 55 ... Deflector, 62 ... Powder layer, 63 ... Surface, 63a ... Pre-irradiation area, 64 ... Powder supply section, 65 ... Cross-section layer , 66 ... Three-dimensional structure, 68 ... Powder sample, 72 ... Bottom part, 74 ... Side wall part, 82 ... Drive part, 84 ... Drive rod, 100, 500 ...
  • Three-dimensional additive manufacturing apparatus 110 ... CPU, 112 ... Bus , 114 ... external storage unit, 120 ... electron source control unit, 130 ... deformation element control unit, 131 ... arithmetic circuit, 132, 133 ... storage circuit, 134 ... switching unit, 135 ... digital / analog conversion unit, 140 ... lens control unit 1 DESCRIPTION OF SYMBOLS 0 ... Deflector control unit, 160 ... Height control unit, 200, 210, 220 ... Electron beam column, 220a ... Module, 300 ... Modeling part, 400 ... Control part, 501, 502, 503, 504 ... Irradiation range, 505 , 510 ... area, 509 ... irradiation range.

Abstract

【課題】ビーム形状が異なる複数の電子ビームで、粉末層の表面の略同じ範囲を同時に照射する三次元積層造形装置を提供する。【解決手段】三次元積層造形装置(100)の電子ビームカラム(200)は、異方的なビーム発生部を有する電子源を含む複数の電子源(20)と、電子源(20)から出力された電子ビームの粉末層(62)の表面(63)におけるビーム形状を変形させるビーム形状変形素子(30)とを備える。電子ビームカラム(200)が備える偏向器(50)は、複数の電子源(20)のそれぞれから出力された電子ビームを、偏向器(50)を通過する前の電子ビームのビーム間隔より大きい距離で偏向する。これらにより、当該電子ビームカラム(200)を備える三次元積層造形装置(100)は、粉末層(62)の表面(63)の略同一の範囲をビーム形状が異なる複数の電子ビームで同時に照射しながら、粉末層(62)を溶融凝固させて三次元構造物(66)を形成する。

Description

三次元積層造形装置の電子ビームカラム、三次元積層造形装置、および三次元積層造形方法
本発明は、三次元積層造形装置の電子ビームカラム、三次元積層造形装置、および三次元積層造形方法に関する。
金属材料などからなる粉末層の表面の所定範囲に電子ビームを照射して、粉末層の一部を溶融凝固させた断面層を形成し、その断面層を積み重ねることで三次元構造物を造形する三次元積層造形装置が知られている(例えば、特許文献1、2参照)。
また、三次元積層造形装置が備える電子ビームカラムの構成例が知られている(例えば、特許文献3、4参照)。
米国特許第7,454,262号 米国特許第8,187,521号 特開2015-167125号公報 特開2015-193883号公報 米国特許第9,415,443号
従来の三次元積層造形装置では、粉末層の表面を溶融しない程度の強度の電子ビームで照射して予熱を行う予備照射を行なった後、粉末層を溶融させる強度の電子ビームを照射(溶融照射)させて断面層を形成している。
電子ビームによる予備照射及び溶融照射を行う場合には、照射条件が大きく異なるため、例えば電子銃の制御電極の電圧を制御することによりビーム電流値を変えて対応するなどの手段がとられている(例えば、特許文献3参照)。
しかし、電子源のビーム電流値を変えると電子ビームの発生に係る電子源の特性が複雑に変化し電子ビームの再現性が低下してしまうこと、及び電子ビームが安定化するまでに待ち時間が必要となり処理速度が低下するといった課題があった。
本発明の第1の様態においては、所定の加速電圧に加速された第1の電子ビームを出力する第1の電子源と、所定の加速電圧に加速された第2の電子ビームを出力する第2の電子源と、前記第1の電子ビームの断面形状を変形させる第1のビーム形状変形素子と、前記第2の電子ビームの断面形状を変形させる第2のビーム形状変形素子と、前記第1の電子ビーム及び第2の電子ビームを収束させる電磁レンズと、前記第1の電子ビームと第2の電子ビームの間隔よりも広い偏向可能範囲の中で前記第1の電子ビーム及び第2の電子ビームの照射位置を調整する偏向器と、を有する三次元積層装置用の電子ビームカラムが提供される。
また、本発明の第2の様態においては、上記の電子ビームカラムと、粉末層を保持する造形容器と、前記造形容器の表面に新たな粉末層を供給する粉末供給装置と、三次元構造物の造形データをもとに前記第1の電子ビーム及び第2の電子ビームを同時に照射して前記粉末層の所定範囲を溶融凝固させる制御部と、を備える三次元積層造形装置が提供される。
本発明の第3の様態においては、粉末層を供給する工程と、前記粉末層を溶融可能な電子ビーム密度の第1の電子ビームで造形領域を走査させて溶融照射させつつ、前記第1の電子ビームよりも広い断面に整形した第2の電子ビームで前記造形領域よりも広い領域を予備照射する第1の照射工程と、前記第2の電子ビームを絞り込んで前記粉末層を溶融可能な電子ビーム密度として前記造形領域の縁に沿って走査させることで前記造形領域の縁取り照射する第2の照射工程と、を行う三次元積層造形方法が提供される。
尚、上記の発明の概要は、本発明に必要な特徴の全てを列挙したものではない。これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
図1は、第1実施形態に係る三次元積層造形装置100の構成例を示す。 図2は、第1実施形態に係る電子源20および電子源制御ユニット120の構成例を示す。 図3(a)~(c)は、第1実施形態に係る電子源20のカソード部22、電子放出面23、および加熱部26の構成例を示す図である。 図4は、本実施形態に係る電子源20のカソード部22、電子放出面23および制御電極24の構成例を示す底面図である。 図5は、電子源20から出力された電子ビームの幾何光学図である。 図6は、粉末層の表面を照射する電子ビームの断面形状を示す図である。 図7は、ビーム形状変形素子を制御する変形素子制御ユニット130の構成を示す図である。 図8は、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームが、共通な偏向器50によって粉末層の表面内方向に偏向される範囲を示す図である。 図9(a)、(b)は第1の電子ビーム及び第2の電子ビームの断面形状を示す図である。 図10は、電子ビームによって照射される粉末層の表面の範囲、及びその範囲を照射する電子ビームを示す図である。 図11は、三次元積層造形装置100の積層造形動作を示すフローチャートである。 図12は、三次元積層造形装置100の第1の照射工程のフローチャートである。 図13は、三次元積層造形装置100の第2の照射工程のフローチャートである。 図14(a)、(b)は、第2の実施形態に係る三次元積層造形装置100の第1の電子ビームおよび第2の電子ビームの断面形状を示す図である。 図15は、第2の実施形態に係る三次元積層造形装置100において、電子ビームによって照射される粉末層の表面の範囲、及びその範囲を照射する電子ビームを示す図である。 図16は、第2の実施形態に係る三次元積層造形装置100の第1の照射工程のフローチャートである。 図17は、第2の実施形態に係る三次元積層造形装置100の第2の照射工程のフローチャートである。 図18(a)、(b)は、第3の実施形態に係る三次元積層造形装置100の第1の電子ビームおよび第2の電子ビームの断面形状を示す図である。 図19は、第3の実施形態に係る三次元積層造形装置100において、電子ビームによって照射される粉末層の表面の範囲、及びその範囲を照射する電子ビームを示す図である。 図20は、第3の実施形態に係る三次元積層造形装置100の第1の照射工程のフローチャートである。 図21は、第3の実施形態に係る三次元積層造形装置100の第2の照射工程のフローチャートである。 図22は、第4の実施形態に係る三次元積層造形装置100の電子ビームカラム210の構成例を示す図である。 図23は、第5の実施形態に係る三次元積層造形装置500の電子ビームカラム220の構成例を示す図である。 図24は、図23の電子ビームカラム220の照射範囲を示す図である。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
図1は、本実施形態に係る三次元積層造形装置100の構成例を示す。三次元積層造形装置100は、電子ビームカラム200、造形部300、および制御部400を備える。
制御部400は、制御信号を出力して、電子ビームカラム200が出力する電子ビームを制御し、造形部300に設置された例えば金属材料の粉末からなる粉末層62の表面63の所定範囲を電子ビームで照射する。
このようにして照射された電子ビームで粉末層62の一部を溶融凝固させて断面層65を形成し、断面層65を積層してゆくことによって三次元構造物66を造形する。
電子ビームカラム200は、電子ビームを出力する複数の電子源20を備える。電子源20は、熱または電界の作用によって電子を発生する。電子源20は、発生された電子を予め定められた加速電圧(一例として、60KV)で-Z方向に加速し、電子ビームとして出力する。図1に示す電子ビームカラム200では、2個の電子源20がそれぞれ第1の電子ビームおよび第2の電子ビームを出力する例を示す。
なお、本実施形態において電子源20の数は2個に限定されるものではなく、3個以上であってもよい。この場合には、第1の電子ビームとは、主に粉末層62の断面層を溶融凝固させるために用いられる電子ビームをいうものとし、第2の電子ビームは縁取り照射又は予備照射を行うために用いられる電子ビームをいうものとする。
以下、説明の簡単のために、電子源20及び電子ビームの数が2である場合を例に説明する。
第1の電子ビームおよび第2の電子ビームのXY面内方向の間隔は例えば60mm以下であり、一例として略30mmである。2個の電子源20に印加される高電圧はともに60KVであり、等しい加速電圧であるため、電子源20を略30mmの間隔に近接させて配置することが可能である。
後述するように、電子源20は、高温に加熱された電極の先端から電子を放出する熱電子放出型の電子銃を備え、その電子銃の電極の先端部は、長手方向とそれに直交する短手方向とで幅が異なる異方的な電子放出面を有する。このような電子銃から放出される電子ビームは異方的な断面形状を有している。
図1に示す例では、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームを出力する電子源20はともに、異方的な電子放出面を有する電子源20である。
なお、電子源20の何れか一方は、例えば円形や正方形などの等方的な形状の電子放出面を有する電極としてもよい。等方的な形状の電子放出面を有する電極を備えた電子源20から放出される電子ビームは、等方的な断面形状となる。
本実施形態では、2つの電子源20が共に異方的な電子放出面から電子を放出する電子源20である例で説明する。
ビーム形状変形素子30は、電子源20から出力された電子ビームの断面形状を変形させる。図1に示す例では、異方的な電子源20から出力された電子ビームは、ビーム形状変形素子30によって、その断面形状が変形される。
このビーム形状変形素子30は、Z軸方向に通過する電子ビームの進行方向に沿って、多重極子を複数段配置した素子であってよい。多重極子が形成する電場(または磁場)のXY面内における対称の中心は、電子ビームの通過経路と一致する。
多重極子としては、例えば、静電四重極を用いることができる。静電四重極子は、X軸方向に対向する電場を発生する2つの電極とY軸方向に対向する電場を発生する2つの電極とを備える。
なお、多重極子は静電四重極子に代えて電磁四重極子であってもよい。その電磁四重極子は、電子ビームが通過するZ軸を挟んで、(X+Y)方向に対向する磁場を発生する2つの電磁コイル、および(X-Y)方向に対向する磁場を発生する2つの電磁コイルを備えるものであればよい。
電子レンズ40は、レンズ軸の回りに巻いたコイルと、コイルを取り囲みレンズ軸に関して軸対称な間隙を有する磁性体部(ヨーク)とから構成される。この電磁レンズ40は、レンズ軸上にレンズ軸方向を向いた局所的な磁場を発生する。図1に示す第1の電子ビームおよび第2の電子ビームのそれぞれは、電磁レンズ40のレンズ軸に沿って電子ビームカラム200を通過する。電磁レンズ40が励磁するレンズ磁場は、レンズ軸に略一致する経路に沿って通過する電子ビームを収束させるレンズ作用を及ぼす。
偏向器50は、電子ビームを偏向することにより造形部300に設置された粉末層62の表面63内方向の電子ビームの照射位置を調整する。偏向器50は、複数の電子ビームを同時に偏向する共通の偏向器であってよい。これに代えて、偏向器50は、複数の電子ビームを個別に偏向する、電子ビーム毎に別々の偏向器であってもよい(図22参照)。
複数の電子ビームを同時に偏向する共通の偏向器50は、電磁偏向器50であることが望ましい。複数の電子ビームを同時に偏向するためには、それぞれの電子ビームの通過経路であるZ軸方向に沿って、略同じ強度で略同じ向きのXY面内方向の偏向場を発生する必要がある。電磁偏向器50の場合、このような偏向場を発生するには、複数の電子ビームの通過経路の回りにそれら全体を取り囲むように偏向コイルを配置すればよいからである。
電磁偏向器50の偏向コイルは、X方向およびY方向に独立な偏向磁場を発生する2組の偏向コイルを備える。それぞれの偏向コイルは、XY面内で、直径略100mmの円周上に配置された円弧状の巻線を有するサドル型の偏向コイルであってよい。第1の電子ビームおよび第2の電子ビームのそれぞれは、偏向コイルが作る磁場により、粉末層62の表面63内で数μm程度の誤差で略同じ方向および略同じ距離に偏向されるからである。
また、電磁偏向器50は、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームのそれぞれを粉末層62の表面63内で150mm以上偏向するように、偏向コイルの巻線数および偏向コイルに流す電流値を設定してよい。即ち、偏向距離の上限が150mm以上であってよい。偏向距離の上限とは、電子ビームが偏向されていないとき、および最も大きく偏向されたとき、のそれぞれにおける粉末層62の表面63のビーム照射位置間の距離である。
複数の電子源20のそれぞれから出力された電子ビームが粉末層62の表面63内方向に偏向される距離の上限(この場合150mm)を、偏向器50を通過する前の複数の電子源20から出力された電子ビームどうしのビーム間隔(この場合30mm)より大きくする。
これにより、当該複数の電子ビームの偏向範囲のうち共通する部分(重なり部分)は、複数の電子ビームのそれぞれによって照射可能となる。このように、共通する偏向範囲を有する複数の電子ビームを予備照射と溶融照射とに使い分けることで、頻繁に電子ビームの形状を変形する必要がなくなり、ビームの安定性及び再現性を高めることができる。
図1に断面の構成例を示す造形部300は、粉末供給部64から供給される粉末試料68は造形容器に保持される。造形容器は、底面部72および側壁部74を備える。粉末供給部64から供給される粉末試料68は、粉末供給部64の摺り切り動作により側壁部74の内側で平坦化されて、底面部72の上面と略平行な粉末層62を形成する。粉末層62の上面であって電子ビームで照射される面を表面63と呼ぶ。
底面部72の高さは、駆動部82と駆動棒84とによってZ軸方向に可動となっている。底面部72のZ軸方向の高さは、三次元構造物66を覆う粉末層62の表面63が電子ビームで照射される時には略同じ高さになるように設定される。電子ビームの照射によって溶融凝固された粉末層62の一部は断面層65を形成し、三次元構造物66に積層される。積層される断面層65以外の粉末層62は、三次元構造物66の回りに粉末試料68のまま蓄積される。
電子ビームが通過する電子ビームカラム200の内部空間、および電子ビームによって照射される粉末層62の表面63付近の空間は、所定の真空度に排気される。電子ビームは、大気中では気体分子と衝突してエネルギーを失ってしまうからである。
三次元積層造形装置100は、電子ビームの通過経路を排気するために排気ユニット(図示せず)を備える。
三次元積層造形装置100の制御部400に含まれるCPU110は、三次元積層造形装置100の全体の動作を制御する。CPU110は、ユーザからの操作指示を入力する入力端末の機能を有するコンピュータまたはワークステーション等であってよい。CPU110は、バス112を介して、制御部400に含まれる電子源制御ユニット120、変形素子制御ユニット130、レンズ制御ユニット140、偏向制御ユニット150、および高さ制御ユニット160と接続される。
制御部400に含まれるそれぞれの制御ユニットは、CPU110から受けとる制御信号等に応じて、電子ビームカラム200および造形部300の各部分を個別に制御する。また、制御部400に含まれるそれぞれの制御ユニットは、バス112を介して外部記憶部114と接続されており、外部記憶部114に記憶された造形データを授受する。造形データは、装置100が造形すべき三次元構造物66の高さ方向と直交する平面で構造物66を切断したときに得られる断面の形状と対応しており、三次元構造物66の断面ごとに電子ビームによって粉末層62の表面63を照射して溶融凝固させる範囲を規定するデータである。ここで、三次元構造物66の高さ方向は、図1のZ軸方向と対応する。また、高さ方向と直交する平面は、図1のXY平面に平行な平面と対応する。
電子源制御ユニット120は、電子源20に電子ビームの加速電圧を印加する。電子源制御ユニット120は、電子源20に例えば熱電子を発生させるためのヒータの加熱電流を出力する。電子源制御ユニット120は、電子源20に電子ビームの制御電圧を出力する。電子源制御ユニット120および電子源20の構成は、後程詳しく説明する。
変形素子制御ユニット130は、ビーム形状変形素子30の多重極子に電圧または電流を出力する。ビーム形状変形素子が静電四重極子の場合、変形素子制御ユニット130は、例えば、X軸方向に対向する2つの電極およびY軸方向に対向する2つの電極に電圧を出力する。また、ビーム形状変形素子が電磁四重極子の場合、変形素子制御ユニット130は、(X+Y)方向に対向する2つの電磁コイル、および(X-Y)方向に対向する2つの電磁コイルに流す電流を出力する。変形素子制御ユニット130は、出力電圧または出力電流の大きさを設定することによって、造形部300の粉末層62の表面63を照射する電子ビームの断面形状を設定する。
レンズ制御ユニット140は、電磁レンズ40のコイル部に流す電流を出力する。レンズ制御ユニット140は、コイル部に流す出力電流の大きさを設定することによって、電磁レンズのレンズ強度を設定する。
偏向制御ユニット150は、外部記憶部114に記憶された造形データをもとに、粉末層62ごとの電子ビームの偏向データを生成する。偏向制御ユニット150は、例えば、図1に示す電磁偏向器50のX軸方向およびY軸方向への偏向に係る2組の偏向コイルを駆動し、粉末層62の表面63内の偏向データで決まる位置に電子ビームを照射するための偏向磁場を発生させる。
高さ制御ユニット160は駆動部82を制御し、駆動棒84のZ軸方向の長さと底面部72の高さとを設定する。高さ制御ユニット160は、粉末層62の溶融凝固による断面層65の形成が終わったあと、新たな粉末層62を供給するたびに、その新たな層の厚さ分だけ底面部72を下げて、三次元構造物66を覆う新たな粉末層62の表面63であるビーム照射面の高さを略一定の高さに維持する。三次元構造物66のZ軸方向の高さは、断面層65が積層されるごとに増加するためである。
複数の電子源20を有する電子ビームカラム200を備える三次元積層造形装置100の実施形態を説明する前に、長手方向とそれに直交する短手方向とで幅が異なる異方的な電子放出面を有する一つの電子源20と、それに付随するカラム構成および電子ビームの特性とについて説明する。
以降の説明では、ビーム形状変形素子30は、X軸方向に対向する電場を発生する2つの電極とY軸方向に対向する電場を発生する2つの電極とを備える静電四重極子から構成される場合について説明する。ビーム形状変形素子30を構成する多重極子が(X+Y)方向に対向する磁場を発生する2つの電磁コイルと(X-Y)方向に対向する磁場を発生する2つの電磁コイルとを備える場合も、電極を電磁コイル、および電圧を電流などと読み替えることによって、以降の説明が略そのまま適用される。
図2は、電子源20の構成例、および電子源20を制御する電子源制御ユニット120を示す。電子源20は、カソード部22と、カソード部22の先端に電子を発生する電子放出面23と、電子放出面23から電子を放出させるための加熱部26と、を有する。加熱部26は、例えばグラファイトからなるヒータであり、カソード部22全体を加熱し熱電子を発生させる。電子源20は、電子放出面23に近接して、電子を通過させるための開口25を備えた制御電極24を有する。制御電極24は、開口25を通過する電子ビーム量を制御する。
電子源20のこれらの構成要素は、接地部27から、絶縁部29によって絶縁されている。カソード部22と接地部27との間には、電子ビームを加速するための加速電圧が印加される。接地部27は、電子ビームを通過させるための開口28を有する。開口28は、制御電極24の開口25を通過後、接地部27に向けて加速された電子ビームのうち、放射角度が所定の範囲内にある電子ビームを通過させる。電子源20は、接地部27の開口28を通過した電子ビームを、電子源20以降の電子ビームカラム200に出力する。
電子源制御ユニット120は加速電圧電源を備える。加速電圧電源は、絶縁部29で絶縁されたカソード部22、加熱部26および制御電極24の全体に加速電圧を印加する。本実施形態における加速電圧は、例えば60KVである。電子源20から出力される電子ビームは、60KVに加速される。
電子源制御ユニット120は加熱電流電源を備える。加熱電流電源は、電子源20のカソード部22を加熱するため、カソード部22を両側から挟んでいる加熱部26を含む回路に電流を出力する。電子源制御ユニット120は、加熱部26に出力される電流および加熱部26の両端に発生する電圧を検出し、加熱電流電源を制御してよい。
電子源制御ユニット120は制御電極電源を備える。制御電極電源は、加速電圧が印加された電位上で、例えば電子ビーム量を制御するための電圧を制御電極24に出力する。制御電極電源は、電子源20が出力する電子ビーム電流値を検出し、ビーム電流値を一定にするように制御電極24を制御してよい。
図3は、電子源20のカソード部22、電子放出面23、および加熱部26の構成例を示す。図3(a)は、カソード部22、電子放出面23、および加熱部26の一部を示すXZ面内の正面図である。図3(b)は、カソード部22、電子放出面23、および加熱部26の一部を示す斜視図である。さらに、図3(c)は、電子ビームが進行する方向から見た、カソード部22、電子放出面23、および加熱部26の一部を示す底面図である。図3は、電子放出面23の短手方向をX軸方向に、電子放出面23の長手方向をY軸方向に、および電子ビームの出射方向をZ軸方向に示した。
カソード部22は、例えば、六ほう化ランタン(LaB6)の結晶を円柱形に成形したものを材料とする。カソード部22は、円柱の端部が楔状に加工された形状を有する。楔の先端は、長手方向とそれに直交する短手方向とで幅が異なる、異方的な電子放出面23を有する。
このような形状を有するカソード部22を、加熱部26を通して加熱したとき、長手方向とそれに直交する短手方向とで異なる幅を有する電子放出面23は、例えば熱電子を発生する。発生された電子は、制御電極24で制御され、接地部27との間に印加された加速電圧によって加速され、接地部27の開口28を通過して、電子源20から出力される。
電子源20は、長手方向とそれに直交する短手方向とで幅が異なる異方的な電子放出面23を有することによって、当該短手方向と略等しい幅の等方的な発生部を有する電子源に比べて、より大きな電子ビーム電流値を出力できる。異方的な電子放出面23を有する電子源20は、短手方向と略等しい幅の等方的な電子放出面を有する電子源よりも、電子ビームを発生する部分の面積が大きく、発生される電子ビームの電流値も大きくなるからである。
カソード部22の円柱の直径は、500μm以上であることが望ましい。加熱部26を通して加熱したとき、カソード部22の先端の電子放出面23の温度を略一様に上昇させ、電子放出面23から略均一に電子を発生させるためである。これにより、電子放出面23の長辺幅は、例えば500μm以上である。
電子放出面23の短辺幅は、欠けや剥がれなく楔状にカソード部22の先端を加工する条件によって規定される。また、電子放出面23の短辺幅は、電子を出力することによりカソード部22の先端が消耗しても、所定の期間電子放出面23の形状を維持できる幅を持つことが望ましい。電子放出面23の短辺幅は、例えば300μm以下である。電子源20は、例えば50mAの電子ビーム電流値を出力する。
加熱部26は、円柱の側面を両側からはさんで、カソード部22を力学的に支持する。このため、円柱形状を有するカソード部22は、側面の2カ所が切り欠かれていてよい。加熱部26は、電子放出面23の短辺方向からカソード部22をはさんでいてよい。これに代えて、加熱部26は、電子放出面23の長辺方向からカソード部22をはさんでいてよい。図3は、加熱部26が、電子放出面23の短辺方向からカソード部22をはさんで、カソード部22を力学的に支持している例を示す。カソード部22はさむ左右の加熱部26を通して電流を流し、加熱部26を発熱させ、カソード部22を加熱する。
図4は、本実施形態に係るカソード部22および制御電極24の構成例を、電子ビームが出力される方向から見た底面図を示す。図3と同様に、電子放出面23の短手方向はX軸方向、電子放出面23の長手方向はY軸方向、および電子ビームの出力方向はZ軸方向で示した。
電子放出面23から発生された電子は、紙面の手前方向に向かって加速されながら、制御電極24の開口25を通過する。開口25を通過する電子ビームは、開口25の短手方向端を形成する制御電極24の静電界の影響を強く受ける。
一方、開口25を通過する電子ビームは、開口25の長手方向端を形成する制御電極24からの影響はほとんど受けない。開口25の短手方向の幅は長手方向の幅より狭く設定され、開口25の短手方向端と開口25を通過する電子ビームとの間の距離は、開口25の長手方向端と開口25を通過する電子ビームとの間の距離に比べて小さいからである。
電子源20は、長手方向とそれに直交する短手方向とで幅が異なる異方的な電子放出面23から発生された電子を、異方的な開口25を有する制御電極24で制御する。長手方向の幅と略等しい等方的な開口を有する制御電極で制御する場合に比べて、電子源20は、電子放出面23の全面から発生される電子ビームを有効に制御することが可能である。これにより、発生した電子を効率よく電子ビームに利用することが可能となる。
図5は、電子源20から出力された電子ビームの幾何光学図である。図の略中央に記載した上下方向のZ軸より右側に示す図は、電子ビームの進行方向であるZ軸方向と、電子放出面23の短手方向であるX軸とが作る平面(XZ面)内における電子ビームの幾何光学図を示す。Z軸より左側に示す図は、電子ビームの進行方向であるZ軸方向と、電子放出面23の長手方向であるY軸とが作る平面(YZ面)内における電子ビームの幾何光学図を示す。
Z軸対称な電磁レンズ40は、Z軸に略一致する経路に沿って通過する電子ビームを収束させる。図5の破線は、ビーム形状変形素子30を駆動させていないときに電磁レンズ40による電子ビームの結像関係を示す。電磁レンズ40は、電子放出面23の短手方向を含むXZ面内に点Oから出射された電子ビームを、粉末層62の表面63の点Pに結像させる。電磁レンズ40は、電子放出面23の長手方向を含むYZ面内に点Oから出射された電子ビームを、粉末層62の表面63の点Pに結像させる。
電磁レンズ40は、電子放出面23の像を、XZ面内およびYZ面内ともに等しい倍率で粉末層62の表面63に結像する。図5の破線において、点OをXZ面内およびYZ面内に出射する電子ビームの出射角度θ1が等しい時、点Pにおける当該電子ビームの収束角度θ2は、XZ面内およびYZ面内ともに等しくなる。
次に、ビーム形状変形素子30を駆動する場合を説明する。ビーム形状変形素子30は、Z軸方向に沿って静電四重極子31および32を2段配置した例を示す。静電四重極子31および32のそれぞれは、X軸方向に対向する電場を発生する2つの電極とY軸方向に対向する電場を発生する2つの電極とを備える。
すなわち、静電四重極子31、32は、その2組の極子は電子源20の電子放出面23の長手方向及び短手方向と同じ方向に揃うように配置されている。
電子ビームは、4個の電極の中心をZ軸方向に通過する。電極上に記載したプラス(+)およびマイナス(-)の符号は、それぞれの電極に印加する電圧の極性を示す。静電四重極子31および32は、X軸方向電極とY軸方向電極とに互いに異なる極性の電圧を与えることによって、電子ビームの開き角を、X軸方向に発散させてY軸方向に収束させたり、X軸方向に収束させてY軸方向に発散させたりする。図5は、静電四重極子による電子ビームの発散方向および収束方向を、電子ビームの電子放出面23の短手方向であるX軸方向、または長手方向であるY軸方向と略一致するように配置した例を示す。
図5に示す極性で静電四重極子に電圧を印加する場合を説明する。電子放出面23の短手方向を含むXZ面内に点Oから出射された電子ビームは、静電四重極子31を通過するときには、X軸方向の2つの-極性電極から斥力を受けて、開き角が収束する方向に変化し、四重極子32を通過するときには、X軸方向の2つの+極性電極から引力を受けて、開き角が発散する方向に変化する。
一方、電子放出面23の長手方向を含むYZ面内に点Oから出射された電子ビームは、静電四重極子31を通過するときには、Y軸方向の2つの+極性電極から引力を受けて、開き角が発散する方向に変化し、四重極子32を通過するときには、Y軸方向の2つの-極性電極から斥力を受けて、開き角が収束する方向に変化する。
同じ出射角度θ1で電子放出面23から出射された電子ビームは、静電四重極子に電圧を印加することによって、XZ面内およびYZ面内において、それぞれ異なる収束角度θ3およびθ4で粉末層62の表面63の点Pに収束できる。即ち、電子放出面23の像は、XZ面内およびYZ面内において、異なる倍率で粉末層62の表面63に結像可能である。
収束角度の関係がθ4>θ2>θ3の場合、XZ面内の結像倍率は拡大し、YZ面内の結像倍率は縮小する。収束角度の関係がθ3>θ2>θ4の場合、XZ面内の結像倍率は縮小し、YZ面内の結像倍率は拡大する。即ち、静電四重極子31および32は、電極に印加する電圧の極性および大きさを変えることにより、電子放出面23の短手方向と電子放出面23の長手方向とで、粉末層62の表面63に結像される電子ビームの長手方向幅と短手方向幅との比を変えることができる。この機能を利用すれば、電子ビームの電流値を変更することなく、電子ビームの断面形状及びサイズを変えることができる。後に説明するように、これにより溶融照射、縁取り照射及び予備照射に好適なビームサイズの切り替えが容易になる。また、溶融照射を行う際にビーム幅を変えながら照射することも可能となる。
このような電子ビームの断面形状の変形動作は、本実施形態の静電四重極子31、32によれば、数μ秒~数十μ秒程度で完了するため、電子ビームの照射条件を頻繁に行ないながら照射を行うことができる。
そのため、例えば粉末層を溶融しない程度の密度に拡散した電子ビームを照射(予備照射)して予熱を行ないつつ、所定の断面層を形成するための溶融照射を行うことも可能である。
尚、ビーム形状変形素子30は、Z軸方向に沿って静電四重極子を3段以上配置してもよい。複数段の静電四重極子は、XZ面内およびYZ面内に出射された電子ビームについて、Z軸からの離軸量、およびZ軸とビーム進行方向との間の角度を個別に制御する。複数段の静電四重極子は、XZ面内およびYZ面内に同じ出射角度で出射された電子ビームがP点で収束する収束角度を個別に設定する。複数段の静電四重極子を配置したビーム形状変形素子30は、電子放出面23の像を、XZ面内およびYZ面内で異なる倍率で粉末層62の表面63に結像する。複数段の静電四重極子を配置したビーム形状変形素子30は、電子放出面23の短手方向と電子放出面23の長手方向とで、粉末層62の表面63に結像される電子ビームの長手方向幅と短手方向幅との比(即ち、長手方向幅/短手方向幅)を変える。
図6は、粉末層62の表面63に照射される電子ビームの断面形状の例を示す。図6の左端に示す電子ビームBは、静電四重極子31および32の電極に所定の電圧を印加して、電子ビームの長手方向幅と短手方向幅との比を、電子放出面23の長手方向幅と短手方向幅との比に近い所定の大きさに設定する例を示す。電子ビームBの長手方向のビーム幅Sは、静電四重極子31および32の電極に印加する電圧の極性および大きさと対応づけることができる。
図6の中央および右端に示す電子ビームBsおよびBtは、静電四重極子31および32の電極に印加する電圧を、電子ビームの長手方向幅と短手方向幅との比が、電子放出面23の長手方向幅と短手方向幅との比から大きく異なる値になるような極性および大きさに設定する例を示す。電子ビームBsは、長手方向のビーム幅を縮小して縦横方向に略同じ幅を有する、絞り込まれた断面形状の電子ビームを形成した例である。電子ビームBtは、長手方向のビーム幅を拡大して引き伸ばされた断面形状の細長い形のビームを形成した例である。
図7は、ビーム形状変形素子30を制御する変形素子制御ユニット130の構成例を示す。
変形素子制御ユニット130に含まれる演算回路131は、長手方向のビーム幅の入力データSをもとに、粉末層62の表面63で長辺方向のビーム幅が入力データSと略等しい電子ビームBを形成するために、ビーム形状変形素子30の静電四重極子31および32のそれぞれに出力する電圧データD1およびD2を演算する回路である。
変形素子制御ユニット130は、粉末層62の表面63で電子ビームBsおよびBtを形成するために、電子ビームBsおよびBtに対応するビーム幅の入力データから、ビーム形状変形素子30の静電四重極子31および32のそれぞれに出力する電圧データを演算する演算回路を備えてよい。これに代えて、変形素子制御ユニット130は、電子ビームBsを形成するための静電四重極子31および32の電圧データD1sおよびD2s、ならび電子ビームBtを形成するための静電四重極子31および32の電圧データD1tおよびD2tをあらかじめ測定し記憶しておいてもよい。
変形素子制御ユニット130に含まれる記憶回路132は、粉末層62の表面63で電子ビームBsを形成するために、ビーム形状変形素子30の静電四重極子31および32のそれぞれに出力する電圧データD1sおよびD2sをあらかじめ測定して記憶する回路である。
また、変形素子制御ユニット130に含まれる記憶回路133は、粉末層62の表面63で電子ビームBtを形成するために、ビーム形状変形素子30の静電四重極子31および32のそれぞれに出力する電圧データD1tおよびD2tをあらかじめ測定して記憶する回路である。
変形素子制御ユニット130に含まれる切替部134は、ビーム形状変形素子30の静電四重極子31および32に出力する電圧データを、演算回路131の演算値とするか、記憶回路132の記憶値とするか、または記憶回路133の記憶値とするかを切替える回路である。
切替部134は、回路131、132、または133の出力を切り替えることによって、粉末層62の表面63に結像される電子ビームの形状を、図6に示す形状のそれぞれに切替える。切替部134は、粉末層62の表面63に対する照射条件に応じて、粉末層62の表面63に結像される電子ビームの形状を切替えてよい。
変形素子制御ユニット130に含まれるデジタルアナログ(DA)変換部135は、切替部134が切り替えた回路131、132、または133の出力データを電圧値に変換し、ビーム形状変形素子30の静電四重極子31および32の電極に出力する。
以上の長手方向とそれに直交する短手方向とで幅が異なる異方的な電子放出面23を有する一つの電子源20と、それに付随するカラム構成および電子ビーム特性についての説明とを前提に、複数の電子源20を有する電子ビームカラム200を備える三次元積層造形装置100の実施形態について説明する。
図8に示す2つの円は、2個の電子源20を有する電子ビームカラム200(図1参照)が出力する第1の電子ビームおよび第2の電子ビームが、共通な偏向器50により粉末層62の表面63内方向に偏向される範囲を示す。偏向器50が第1の電子ビームおよび第2の電子ビームを偏向する距離の上限は略150mmである。第1の電子ビームおよび第2の電子ビームのXY面内方向の間隔は略30mmである。第1の電子ビームおよび第2の電子ビームは、粉末層62の表面63で、中心が略30mm離れた直径略300mmの2つの円の重なり部分を共通して照射する。
図9(a)は、粉末層62の表面63を照射する第1の電子ビームの断面形状の例を示し、図9(b)は第2の電子ビームの断面形状を示す図である。
第1の電子ビームおよび第2の電子ビームは両方とも、細長い異方的な電子放出面23を有する2つの電子源20から出力されている。2つの電子源20の電子放出面23の長手方向はともにY軸方向を向いており、2つの電子源20の電子放出面23の長手方向は、互いに略平行となっている。
第1の電子ビームおよび第2の電子ビームのビーム形状を変形させるビーム形状変形素子30は、変形素子制御ユニット130によってそれぞれ独立に制御される。このため図1に示す変形素子制御ユニット130は、ビーム形状変形素子30への制御出力を、異方的な電子放出面23を有する電子源20の数に応じて出力する。
したがって、第1の電子ビームは粉末層62の表面63で、長手方向のビーム幅が入力データSvと略等しい電子ビームBv、縦横方向ともに略同じ幅を有する絞り込まれた断面形状の電子ビームBvs、および長手方向に引き伸ばされた断面形状の細長ビームBvtに変形される。第2の電子ビームは粉末層62の表面63で、第1ビームとは独立に、ビーム幅が入力データSvと略等しい電子ビームBv、縦横方向ともに略同じ幅を有する絞り込まれた断面形状の電子ビームBvs、および長手方向に引き伸ばされた断面形状の細長ビームBvtに変形される。
これらの第1の電子ビームおよび第2の電子ビームは、粉末層62の表面63において、図8に示す2つの円の重なり部分を照射する。
図10は、粉末層62の表面63の電子ビームによって照射される範囲、およびその範囲を照射する電子ビームの例を示す。電子ビームによって溶融凝固される粉末層62の範囲は、三次元構造物66の高さ方向と直交する平面で三次元構造物66を切断した場合の断面形状の造形領域で指定される。図10の例ではZ字形の範囲が、溶融凝固される範囲に相当する造形領域である。この造形領域は、粉末層62の表面63における直径300mmの第1のビーム及び第2のビームとの共通な偏向範囲内に含まれる。
図示の例で三次元積層造形装置100は、電子ビームを適切なビーム幅Svを有するビームBvに設定して、粉末層62の表面63のZ字形の範囲内を、所定のビーム移動の速度で隙間なく走査することにより、当該範囲内の粉末層62を溶融させる。また、三次元積層造形装置100は、電子ビームを略等しい縦横幅を有する絞り込まれた断面形状のビームBvsに設定して、Z字形の範囲の周囲を別の所定のビーム移動の速度で縁取り走査することにより、粉末層62のZ字形の範囲の周囲を溶融させる。
三次元積層造形装置100は、上記の粉末層62を溶融凝固させるためのビーム照射、および縁取りするためのビーム照射の他に、粉末層62の表面63の溶融範囲を含むより広い範囲に電子ビームを低い照射量密度で照射する予備照射を行う。ここで、照射量密度とは、粉末層62の表面63の単位面積当たりに電子ビームを照射する量を表す。
図10の例で、破線で示す範囲が予備照射する予備照射領域63aである。三次元積層造形装置100は、長手方向に引き伸ばされた細長ビームBvtを予備照射に用いる。図10の例に示すZ字形の造形領域をビームBvまたはビームBvsが溶融照射するのと同じ条件でビームを走査しても、ビームBvtの場合は、ビームの断面が引き伸ばされているため、造形領域より広い範囲にビームを低い照射量密度で照射することになる。ビームBvtは、ビームBvまたはビームBvsと略同じ総ビーム電流値を有しているが、同じ走査条件で照射する範囲が広いため、粉末層62の温度上昇を抑えることができる。これにより、ビームBvtは、粉末層62を融点以下の温度に予熱することができる。
三次元積層造形装置100は、細長ビームBvtの長手方向の長さを適切に設定することによって、粉末層62の表面63の一部である造形領域をビームBvまたはビームBvsが溶融照射するのと同じ走査条件で、造形領域を含むより広い範囲に予備照射のための照射量を設定できる。
予備照射は、溶融のためのビーム照射と同時に、または溶融のためのビーム照射に先立って行われてよい。予備照射は、造形領域を含む粉末層62を粉末の融点よりわずかに低い温度まで加熱(予熱)し、溶融照射による溶融を容易にするとともに、温度勾配よって発生する造形物の歪を緩和するために行う。
また、予備照射は、粉末層62を構成する原料粉末がビーム照射によって飛散することを抑制するとともに、予備的な電荷を付与(電荷付与)してチャージアップを抑制できる。
図11は、三次元積層造形装置100の積層造形動作を示す動作フローの例を示す。積層造形動作が開始されると、三次元積層造形装置100は、造形部300の試料供給部64から粉末試料68を供給し、側壁部74で囲まれた底面部72と略平行に平坦化された粉末層62を供給する(S1110)。
三次元積層造形装置100は、電子ビームカラム200から出力された電子ビームにより粉末層62の表面63を照射する。電子ビームにより粉末層62の表面63を照射する工程は、第1の照射工程(S1120)および第2の照射工程(S1130)の2工程に分けて実施される。三次元積層造形装置100が、第1の照射工程(S1120)および第2の照射工程(S1130)で実施する動作フローの例を後程説明する。三次元積層造形装置100は、これらの照射工程によって、粉末層62の所定範囲を溶融凝固させて、三次元構造物66の一部となる断面層65を形成する。
次に、三次元積層造形装置100は、三次元構造物66を構成する断面層65の積層が全層完了したかを判断する(S1140)。全層の積層が完了していなければ(S1140;No)、三次元積層造形装置100は、駆動部82と駆動棒84とを操作して底面部72をZ軸方向に駆動し、溶融凝固された粉末層62の表面63の高さを下げる(S1150)。三次元積層造形装置100は、粉末層62の表面63の高さを下げた分に相当する粉末層62を供給する工程(S1110)に戻る。全層の積層が完了していれば(S1140;Yes)、三次元積層造形装置100は積層造形動作を終了する。
図12及び図13は、三次元積層造形装置100が、電子ビームカラム200から出力された電子ビームにより粉末層62の表面63を照射する第1の照射工程(S1120)および第2の照射工程(S1130)の動作フローの例を示す。図12及び図13は、それぞれ第1の照射工程(S1120)および第2の照射工程(S1130)と対応する。
図12に示す第1の照射工程(S1222~1228)が開始されると、三次元積層造形装置100は、2本の電子ビームのうち一方のビーム、例えば第2の電子ビームの形状変形素子30を、予備照射のためのビームBvtとなるように設定する。第2の電子ビームは、第1の照射工程が終了するまでビームBvtを出力するように設定される(S1222)。
三次元積層造形装置100は、2本の電子ビームのうち他方のビーム、例えば第1の電子ビームの形状変形素子30を、長手方向のビーム幅が所定のビーム幅Svを有するビームBvとなるように図7に示す演算回路131の出力を設定する(S1224)。
また、三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームと第2の電子ビームとに共通な偏向器50を、第1の電子ビームが溶融照射のための偏向位置(x,y)に偏向されるように設定する(S1224)。第1の電子ビームのビーム幅Sv、および溶融照射のための偏向位置(x,y)は、粉末層62の表面63の溶融部分(造形領域)の形状を表す造形データをもとに決定される。
三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームによって溶融照射を行う(S1226)。この時、第2の電子ビームは、共通な偏向器50によって第2ビームにとっての偏向位置(x、y)に偏向されており、第1の電子ビームによる溶融照射と同時に、第2の電子ビームによる予備照射が行われる。第2の電子ビームは、第1の電子ビームとは電子ビーム間の間隔(例えば、30mm)だけ離れた位置を照射する。溶融照射する第1の電子ビームの偏向位置(x、y)に伴って第2の電子ビームの偏向位置も設定されるため、第2の電子ビームは、第1の電子ビームによって照射される粉末層62の範囲に略重なった領域を予備照射することになる。
三次元積層造形装置100は、粉末層62の表面63に対する溶融照射が完了したかを判断する(S1228)。溶融照射が完了していなければ(S1228;No)、三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームの形状変形素子30および偏向器50を、次の溶融照射に対するビーム幅Svおよび変更位置(x,y)の値に設定して(S1224)、第1の電子ビームによる溶融照射を行う(S1226)。第1の電子ビームによる溶融照射と第2の電子ビームによる予備照射とは同時に進行する。粉末層62の表面63の溶融部分に対する溶融照射が完了していれば(S1228;Yes)、三次元積層造形装置100は、第1の照射工程(S1222~1228)を終了する。
上記のステップS1224~S1228の照射動作によって、第1の電子ビームは、設定された偏向位置(x,y)に一定時間滞在した後、次の変更位置に移動するといった動作を繰り返えす。その間、例えば図示のZ型のパターンの斜めの部分のように、パターンの形状に応じて第1の電子ビームの長手方向のビーム幅が適宜変更される。
本実施形態においては、ビーム形状変形素子30に静電四重極子を用いることにより、ビーム幅の変更に要する時間が数μ秒~数十μ秒と短いため、ステップS1224によるビーム幅の変更が頻繁に生じても処理速度が低下しにくい。
第1の照射工程に続いて、図13に示す第2の照射工程(S1232~1238)が開始されると、三次元積層造形装置100は、2本の電子ビームのうち一方のビーム、第1の電子ビームの形状変形素子30を、予備照射のためのビームBvtとなるように設定する。
また、三次元積層造形装置100は、2本の電子ビームのうち他方のビーム、第2の電子ビームの形状変形素子30を、縁取り照射のためのビームBvsとなるように設定する。第1の電子ビームおよび第2の電子ビームは、第2の照射工程が終了するまで、それぞれのビームBvtおよびビームBvsを出力するように設定される(S1232)。
三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームと第2の電子ビームとに共通な偏向器50を、第2の電子ビームが縁取りのための偏向位置(x、y)に偏向されるように設定する(S1234)。
三次元積層造形装置100は、第2の電子ビームによって縁取り照射を行う(S1236)。この時、第1の電子ビームは、共通な偏向器50によって第1ビームにとっての偏向位置(x、y)に偏向されており、第2の電子ビームによる縁取り照射と同時に、第1の電子ビームによる予備照射が行われる。
第1の電子ビームは、第2の電子ビームとは電子ビームの間隔(例えば、30mm)だけ離れた位置を照射する。縁取り照射する第2の電子ビームの偏向位置(x、y)に伴って第1の電子ビームの偏向位置も設定されるため、第1の電子ビームは、第2ビームによって縁取り照射される粉末層62の範囲に略重なった領域を予備照射することになる。
三次元積層造形装置100は、粉末層62の表面63の溶融部分に対する縁取りが完了したかを判断する(S1238)。縁取りが完了していなければ(S1238;No)、三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームと第2の電子ビームとに共通な偏向器50を、第2の電子ビームによる次の縁取り部の値に設定して(S1234)、第2の電子ビームによる縁取り照射を行う(S1236)。第1の電子ビームによる予備照射と第2の電子ビームによる縁取り照射とは、共通な偏向器50によって同時に進行する。粉末層62の表面63の溶融部分に対する縁取りが完了していれば(S1238;Yes)、三次元積層造形装置100は、第2の照射工程(S1132~1138)を終了する。
上記のステップS1232~S1238の縁取り照射では、造形領域の縁にそって絞り込まれた断面形状の第2の電子ビームが照射される。このように絞り込まれた電子ビームの照射をおこなうと溶融照射のときよりも急峻な温度勾配が生じることで、シャープな輪郭の溶融層を形成することができ、仕上がる造形物の表面の粗さを減少させて精度が向上する。
実施形態に係る三次元積層造形装置100は、図12、図13に示す工程において、ビーム形状変形素子30を構成する静電四重極子電極に印加する電圧を変えることによって、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームの形状を、溶融照射、縁取り照射、および予備照射のそれぞれに適した電子ビームBv,Bvs,およびBvtに設定する。三次元積層造形装置100は、静電四重極子の電極に電圧を設定することによってビーム形状を変形するだけであるから、例えば電子源20の動作条件を変更して照射条件を設定する場合よりも、それぞれの照射における電子ビームの状態を安定かつ再現性良く設定することができる。
実施形態に係る三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームが、粉末層62の表面63の略同一の範囲を、溶融照射および予備照射、または縁取り照射および予備照射といった異なる照射条件で同時に照射する。これにより三次元積層造形装置100は、溶融照射、縁取り照射、および予備照射を個別に実施する場合より、照射工程全体の時間を短縮することができる。
また、実施形態に係る三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームを溶融照射、縁取り照射または予備照射に適した電子ビームBv,Bvs,またはBvtに設定したら、図12又は図13のループで示された溶融照射および縁取り照射を行う工程の間はそれらを変えないで出力する。これにより三次元積層造形装置100は、照射工程の途中で電子ビームの電流値を切り替えや、大幅なサイズ変更を行うことによるビーム状態が安定化するまでの待ち時間を省くことができる。
尚、図12、図13に示す例では、第1の照射工程は、第1の電子ビームが溶融照射および第2の電子ビームが予備照射を実施し、第2の照射工程は、第1の電子ビームが予備照射および第2の電子ビームが縁取り照射を実施するものとした。これに代えて、第1の照射工程は、第1の電子ビームが予備照射および第2の電子ビームが溶融照射を実施して、第2の照射工程は、第1の電子ビームが縁取り照射および第2の電子ビームが予備照射を実施してよい。
また、図12、図13に示す例では、第1の照射工程は、溶融照射と予備照射とを実施し、その後に第2の照射工程は、縁取り照射と予備照射とを実施するものとした。これに代えて、第1の照射工程は、縁取り照射と予備照射とを実施し、その後に第2の照射工程は、溶融照射と予備照射とを実施してもよい。
更に、図12、図13に示す例では、第1の照射工程および第2の照射工程の両方で予備照射を実施するものとした。三次元積層造形装置100は、第1の照射工程または第2の照射工程のどちらかで予備照射に必要な照射量を与えるようにビームBvtを設定することによって、第1の照射工程または第2の照射工程のどちらか片方で予備照射を実施してもよい。
(第2の実施形態)
第2の実施形態に係る三次元積層造形装置100の構成例を説明する。第2の実施形態に係る三次元積層造形装置100は、長手方向とそれに直交する短手方向とで幅が異なる異方的な電子放出面23を有する少なくとも2つの電子源20を備える。2つの電子源20のうち、一方の電子源20の電子放出面23の長手方向はY軸方向を向き、他方の電子源20の電子放出面23の長手方向はX軸方向を向いている。即ち、2つの電子源の電子放出面の長手方向は、互いに略直交する。また、ビーム形状変形素子30は、それぞれの電子ビームを出力する電子源20の異方的な電子放出面23の長手方向または短手方向と略一致する発散方向および収束方向を有する静電四重極子から構成される。
第2の実施形態に係る三次元積層造形装置100は、上記以外の部分は図1と同等な構成を有する。既に説明した装置構成や装置動作と略同じ機能を有する箇所は、同じ符号を使って説明する。
図14(a)、(b)は、既に説明した図9(a)、(b)と対応し、第2の実施形態に係る三次元積層造形装置100の第1の電子ビームおよび第2の電子ビームのビーム形状の例を示す。第1の電子ビームは、ビーム形状変形素子30によって、入力データSvと略等しいY軸方向のビーム幅を有する電子ビームBv、縦横方向ともに略同じ幅を有する絞り込まれた断面形状の電子ビームBvs、およびY軸方向に引き伸ばされた細長ビームBvtに変形される。
第2の電子ビームは、ビーム形状変形素子30によって、第1ビームとは独立に、入力データShと略等しいX軸方向のビーム幅を有する電子ビームBh、縦横方向ともに略同じ幅を有する絞り込まれた断面形状の電子ビームBhs、およびX軸方向に引き伸ばされた断面形状の細長ビームBhtに変形される。
図15は、既に説明した図10と対応し、第2の実施形態に係る三次元積層造形装置100において、粉末層62の表面63の電子ビームによって照射される範囲、およびその範囲を照射する電子ビームの例を示す。図15の例でも、Z字形の範囲が溶融凝固される造形領域に相当する。
図15の例で三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームをビームBvに設定し、第2の電子ビームをビームBhに設定して、粉末層62の表面63のZ字形の範囲内を、所定のビーム移動の速度で隙間なく走査することにより、当該範囲内の粉末層62を溶融させる。また、図15の例で三次元積層造形装置100は、電子ビームBhsでZ字形の範囲の周囲を別の所定のビーム移動の速度で縁取り走査することにより、粉末層62のZ字形の範囲の周囲を溶融させる。
三次元積層造形装置100は、Y軸方向に引き伸ばされた細長ビームBvtを予備照射に用いる。予備照射される領域63aを破線で示す。破線で示す予備照射領域63aとZ字形の溶融凝固範囲との位置関係が、図15と図10とで少し異なるように記載した。図10に示す例では、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームの両方を予備照射に用いる場合を示すのに対して、図15に示す例では、例えば第1の電子ビームのみを予備照射に用いる場合を示しているからである。
図16、図17は、既に説明した図12、図13と対応し、第2の実施形態に係る三次元積層造形装置100の第1の照射工程および第2の照射工程の動作フローの例を示す。第1の照射工程(S1120)および第2の照射工程(S1130)が装置の動作フロー全体に占める工程については図11のステップS1120、1130で示した。
図16に示す第1の照射工程(S1522~S1528)が開始されると、三次元積層造形装置100は、2本の電子ビームのうち一方のビーム例えば第1の電子ビームの形状変形素子30を、予備照射のためのビームBvtに設定し、他方のビーム例えば第2の電子ビームの形状変形素子30を、縁取りのためのビームBhsに設定する。第1の電子ビームおよび第2の電子ビームは、第1の照射工程が終了するまで、それぞれビームBvtおよびBhsを出力するように設定される(S1522)。
三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームと第2の電子ビームとに共通な偏向器50を、第2の電子ビームが縁取りのための偏向位置(x、y)に偏向されるように設定する(S1524)。三次元積層造形装置100は、第2の電子ビームによって縁取り照射を行う(S1526)。この時、第1の電子ビームによる予備照射と第2の電子ビームによる縁取り照射とは同時に進行する。三次元積層造形装置100は、粉末層62の表面63の溶融部分に対する縁取りが完了したかを判断する(S1528)。
縁取りが完了していなければ(S1528;No)、三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームと第2の電子ビームとに共通な偏向器50を、第2の電子ビームによる次の縁取り部の値に設定して(S1524)、第2の電子ビームによる縁取り照射を行う(S1526)。粉末層62の表面63の溶融部分に対する縁取りが完了していれば(S1528;Yes)、三次元積層造形装置100は、第1の照射工程(S1120)を終了する。
図17に示す第2の照射工程(S1120)が開始されると、三次元積層造形装置100は、2本の電子ビームのうち一方のビーム例えば第1の電子ビームのY軸方向のビーム幅が、所定のビーム幅Svを有するビームBvとなるように、図7に示す演算回路131の出力を設定する(S1532)。
また、三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームと第2の電子ビームとに共通な偏向器50を、第1の電子ビームが溶融照射のための偏向位置(x、y)に偏向されるように設定する(S1532)。三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームによって溶融照射を行う(S1533)。この時、第2の電子ビームのビーム形状変形素子30には、第2の電子ビームを粉末層62の表面63に到達させないような値を設定する。
三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームによる溶融照射が完了したかを判断する(S1534)。溶融照射が完了していなければ(S1534;No)、三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームの形状変形素子30および共通な偏向器50を、第1の電子ビームによる次の溶融照射に対する値に設定して(S1532)、第1の電子ビームによる溶融照射を行う(S1533)
第1の電子ビームによる溶融照射が完了していれば(S1534;Yes)、三次元積層造形装置100は、2本の電子ビームのうち他方のビーム例えば第2の電子ビームの形状変形素子30のX軸方向のビーム幅が、所定のビーム幅Shを有するビームBhとなるように図7に示す演算回路131の出力を設定する(S1536)。
また、三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームと第2の電子ビームとに共通な偏向器50を、第2の電子ビームが溶融照射のための偏向位置(x、y)に偏向されるように設定する(S1536)。三次元積層造形装置100は、第2の電子ビームによって溶融照射を行う(S1537)。この時、第1の電子ビームのビーム形状変形素子30には、第1の電子ビームを粉末層62の表面63に到達させないような値を設定する。
三次元積層造形装置100は、第2の電子ビームによる溶融照射が完了したかを判断する(S1538)。溶融照射が完了していなければ(S1538;No)、三次元積層造形装置100は、第2の電子ビームの形状変形素子30および共通な偏向器50を、第2の電子ビームによる次の溶融照射に対する値に設定して(S1536)、第2の電子ビームによる溶融照射を行う(S1537)。第2の電子ビームによる溶融照射が完了していれば(S1538;Yes)、三次元積層造形装置100は、第2の照射工程(S1130)を終了する。
第2の実施形態に係る三次元積層造形装置100は、ビーム形状変形素子30を構成する静電四重極子電極に印加する電圧を変えることによって、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームの形状を、溶融照射、縁取り照射、および予備照射のそれぞれに適した電子ビームBv,Bvs,およびBvt、ならびにBh,Bhs,およびBhtに設定する。三次元積層造形装置100は、それぞれの照射条件に対する電子ビームの状態を安定かつ再現性良く設定することができる。
第2の実施形態に係る三次元積層造形装置100は、Y軸方向のビーム幅を有する第1の電子ビームおよびX軸方向のビーム幅を有する第2の電子ビームの両方を、粉末層62の表面63の略同一の範囲に対する照射に用いる。三次元積層造形装置100は、粉末層62の表面63の溶融凝固される範囲の形状に合わせて、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームを適切に選ぶことができ、溶融凝固して形成される断面層65の形状精度が向上する。
(第3の実施形態)
第3の実施形態に係る三次元積層造形装置100の構成例を説明する。第3の実施形態に係る三次元積層造形装置100は、少なくとも2つの電子源を備える。2つの電子源のうち一方の電子源20は、長手方向とそれに直交する短手方向とで幅が異なる異方的な電子放出面23を備える。2つの電子源のうち他方の電子源21は、電子放出面の幅が方向によらず略等しい等方的な電子放出面を備える。ビーム形状変形素子30は、異方的な電子放出面23の長手方向または短手方向と略一致する発散方向および収束方向を有する静電四重極子から構成される。
第3の実施形態に係る三次元積層造形装置100は、上記以外の部分は図1と同等な構成を有する。既に説明した装置構成や装置動作と略同じ機能を有する箇所は、同じ符号を使って説明する。
図18は、既に説明した図9と対応し、第3の実施形態に係る三次元積層造形装置100の第1の電子ビームおよび第2の電子ビームのビーム形状の例を示す。第1の電子ビームは、ビーム形状変形素子30によって、入力データSvと略等しい長手方向のビーム幅を有する電子ビームBv、縦横方向ともに略同じ幅を有する絞り込まれた断面形状の電子ビームBvs、およびY軸方向に引き伸ばされた細長ビームBvtに変形される。第2の電子ビームは、等方的な電子放出面から出力された等方的な断面形状を有するビームBpを形成する。
図19は、既に説明した図10と対応し、第3の実施形態に係る三次元積層造形装置100において、粉末層62の表面63の電子ビームによって照射される予備照射領域63a、およびその範囲を照射する電子ビームの例を示す。図17の例でも、Z字形の範囲が溶融凝固される造形領域に相当する。
三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームを電子ビームBvに設定して、粉末層62の表面63のZ字形の範囲内を、所定のビーム移動の速度で隙間なく走査することにより、当該範囲内の粉末層62を溶融させる。三次元積層造形装置100は、略同じ縦横幅を有する電子ビームBpによってZ字形の範囲の周囲を別の所定のビーム移動の速度で縁取り走査することにより、粉末層62のZ字形の周囲を溶融させる。また、三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームをY軸方向に引き伸ばした細長ビームBvtで予備照射する。予備照射される領域63aを破線で示す。
図20、図21は、既に説明した図12、図13と対応し、第3の実施形態に係る三次元積層造形装置100の第1の照射工程および第2の照射工程の動作フローの例を示す。第1の照射工程および第2の照射工程が装置の動作フロー全体に占める工程については図11のS1120、S1130で示した。
図20に示す第1の照射工程(S1822~1828)が開始されると、三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームの形状変形素子30を、予備照射のためのビームBvtに設定する。第2の電子ビームは、縁取りのためのビームBpを出力する。第1の電子ビームおよび第2の電子ビームは、第1の照射工程が終了するまで、それぞれビームBvtおよびBpを出力するように設定される(S1822)。
三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームと第2の電子ビームとに共通な偏向器50を、第2の電子ビームBpが縁取りのための偏向位置(x、y)に偏向されるように設定する(S1824)。三次元積層造形装置100は、第2の電子ビームBpによって縁取り照射を行う(S1826)。この時、第1の電子ビームによる予備照射と第2の電子ビームによる縁取り照射とは同時に進行する。三次元積層造形装置100は、粉末層62の表面63の溶融部分に対する縁取りが完了したかを判断する(S1828)。
縁取りが完了していなければ(S1828;No)、三次元積層造形装置100は、共通な偏向器50を、第2の電子ビームBpによる次の縁取り部の値に設定して(S1824)、第2の電子ビームBpによる縁取り照射を行う(S1826)。粉末層62の表面63の溶融部分に対する縁取りが完了していれば(S1828;Yes)、三次元積層造形装置100は、第1の照射工程(S1120)を終了する。
図21に示す第2の照射工程(S1832~1838)が開始されると、三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームの形状変形素子30を、Y軸方向のビーム幅が所定のビーム幅Svを有するビームBvとなるように図7に示す演算回路131の出力を設定する(S1832)。また、三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームと第2の電子ビームとに共通な偏向器50を、第1の電子ビームが溶融照射のための偏向位置(x、y)に偏向されるように設定する(S1832)。三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームによって溶融照射を行う(S1834)。この時、第2の電子ビームに対する、素子30に相当する電極には、第2の電子ビームを粉末層62の表面63に到達させないような値を設定する。
三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームによる溶融照射が完了したかを判断する(S1836)。溶融照射が完了していなければ(S1836;No)、三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームの形状変形素子30および共通な偏向器50を、第1の電子ビームによる次の溶融照射に対する値に設定して(S1832)、第1の電子ビームによる溶融照射を行う(S1834)。第1の電子ビームによる溶融照射が完了していれば(S1836;Yes)、三次元積層造形装置100は、第2の照射工程(S1130)を終了する。
第3の実施形態に係る三次元積層造形装置100は、ビーム形状変形素子30を構成する静電四重極子電極に印加する電圧を変えることによって、第1の電子ビームの形状を、溶融照射および予備照射のそれぞれに適した電子ビームBvおよびBvtに設定する。三次元積層造形装置100は、それぞれの照射条件に対する電子ビームの状態を安定かつ再現性良く保つことができる。
第3の実施形態に係る三次元積層造形装置100は、第2の電子ビームによる縁取り照射を実施するのと同時に、第1の電子ビームによる予備照射を実施する。三次元積層造形装置100は、単一のビームで溶融照射、縁取り照射および予備照射を個別に実施する場合より、照射工程全体の時間を短縮することができる。
(第4の実施形態)
第4の実施形態に係る三次元積層造形装置100の構成例を説明する。
図22は、第4の実施形態に係る三次元積層造形装置100の電子ビームカラム210の構成例を示す。
電子ビームカラム210は、少なくとも2つの電子源20、21を備える。2つの電子源20、21は両方とも、長手方向とそれに直交する短手方向とで幅が異なる異方的な電子放出面23を備えてよい。これに代えて、2つの電子源20、21のうち一方の電子源20は、長手方向とそれに直交する短手方向とで幅が異なる異方的な電子放出面23を備え、他方の電子源21は、電子放出面の幅が方向によらず略等しい等方的な電子放出面を備えてよい。電子源20、21は、それぞれ第1の電子ビームおよび第2の電子ビームを発生する。
ビーム形状変形素子30は、電子源20の異方的な電子放出面23の長手方向または短手方向と略一致する発散方向および収束方向を有する静電四重極子から構成される。電磁レンズ40は、レンズ軸に略一致する経路に沿って通過する第1の電子ビームおよび第2の電子ビームを収束させる。
図22に示す電子ビームカラム210は、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームを個別に偏向させる複数の偏向器55を備える。偏向器55は、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームの粉末層62の表面63の照射位置を個別に設定する。複数の電子ビームを個別に偏向させる偏向器55は、静電偏向器であることが望ましい。偏向器を通過する前の第1の電子ビームおよび第2の電子ビーム間の間隔が略30mmであっても、それぞれのビームの通過経路を取り囲むように、静電偏向器の偏向電極を配置できるからである。
図22に示す電子ビームカラム210を制御する制御部400は、複数の偏向器55のそれぞれに偏向データを出力する偏向制御ユニット150を備える。偏向制御ユニット150は、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームが粉末層62の表面63を照射するための偏向データを偏向器55に個別に出力する。
第4の実施形態に係る三次元積層造形装置100は、上記以外の部分は図1と同等な構成および機能を有する。図1の電子ビームカラムと同等な構成および機能を有する部分は、同じ符号を付して説明を省略する。
三次元積層造形装置100は、ビーム形状変形素子30によって第1の電子ビームおよび第2の電子ビームを例えばビームBvに設定し、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームのそれぞれと対応するビーム偏向器55で、粉末層62の表面63の溶融範囲に相当する造形領域を照射する。三次元積層造形装置100は、ビーム形状変形素子30によって第1の電子ビームおよび第2の電子ビームを例えばビームBvsに設定し、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームのそれぞれと対応する偏向器55で粉末層62の表面63の縁取り位置を照射する。三次元積層造形装置100は、ビーム形状変形素子30によって第1の電子ビームおよび第2の電子ビームを例えばビームBvtに設定し、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームのそれぞれと対応する偏向器55で粉末層62の表面63の予備照射領域を照射する。
偏向器55が第1の電子ビームおよび第2の電子ビームを偏向する距離の上限は、例えば略150mmである。静電偏向器55に適切な偏向電圧を与えることにより、偏向器55は、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームを略150mm偏向できる。第1の電子ビームおよび第2の電子ビームのXY面内方向の間隔は例えば略30mmであるから、この場合も第1の電子ビームおよび第2の電子ビームは、粉末層62の表面63の中心が略30mm離れた直径略300mmの2つの円の重なり部分を共通して照射する。
三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームの偏向器55に独立な偏向出力を設定するため、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームは、粉末層62の表面63の略同一の範囲を、異なる電子ビームの条件で同時に照射する。第1の電子ビームが溶融照射をするのと同時に、第2ビームは、縁取り照射もしくは予備照射をしてよい。第1の電子ビームが縁取り照射をするのと同時に、第2ビームは、溶融照射もしくは予備照射をしてよい。または、第1の電子ビームが予備照射をするのと同時に、第2ビームは、溶融照射もしくは縁取り照射をしてよい。
第4の実施形態に係る三次元積層造形装置100は、ビーム形状変形素子30を構成する静電四重極子電極に印加する電圧を変えることによって、ビームの形状を、溶融照射、縁取り照射、および予備照射のそれぞれに適した電子ビームBv、BvsおよびBvtに設定する。
また、他の実施形態と同様に、第4の実施形態に係る三次元積層造形装置100は、第1の電子ビームおよび第2の電子ビームで、溶融照射、縁取り照射、および予備照射のうち2種類の照射を同時に実施することによって、照射工程の全体に要する時間を削減することが可能である。
なお、第4の実施形態に係る三次元積層造形装置100は、第1の電子ビーム及び第2の電子ビームに加えて第3の電子ビームを加えてもよい。その場合は、それぞれの電子ビームを溶融照射、縁取り照射、および予備照射に割り当ててよい。3本の電子ビームが、溶融照射、縁取り照射、および予備照射の3通りの照射を同時に実施することによって、三次元積層造形装置10は、照射工程の全体に要する時間を更に削減することができる。
(第5実施形態)
第5実施形態に係る三次元積層造形装置500の構成例について説明する。
図23は、第5実施形態に係る三次元積層造形装置500の電子ビームカラム220の構成を示すブロック図である。
電子ビームカラム220は、少なくとも2つの電子源を備えたモジュール220aを複数本備える。図示の例では、このようなモジュール220aを4つ備えたものを示している。
各モジュール220aの構成は図1の電子ビームカラム200と同様であり、モジュール220aは、例えば第1の電子ビーム及び第2の電子ビームを同時に照射する。各モジュール220aは、例えば直径300mm程度の略円形の領域を照射領域(偏向領域)とする。
本実施形態の電子ビームカラム220では、各モジュール220aが各々のモジュール220aの偏向範囲が隙間なくつながる程度の間隔をあけて配置されている。
図24(a)は、電子ビームカラム220が照射を行う範囲を示す平面図であり、図24(b)は電子ビームカラム200が照射を行う範囲を示す平面図である。
図24(a)に示す例では、4つのモジュール220aを配置した場合を示している。図示のように、電子ビームカラム220の各モジュール220aは、その照射範囲501、502、503、504が隙間なくつながるように配置されており、破線で示す矩形状の領域505に対応する範囲に予備照射、溶融照射及び縁取り照射を行うことができる。
一方、図24(b)は、比較のため第1実施形態の電子ビームカラム200の照射可能な領域510を示したものである。
図24(a)、(b)から明らかなように、本実施形態の電子ビームカラム220によれば、第1実施形態の電子ビームカラム200よりも、照射可能な領域が広くなっており、より大きなサイズの造形物を積層造形することができる。
以上は、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現し得ることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
20、21…電子源、22…カソード部、23…電子放出面、24…制御電極、25…開口、26…加熱部、27…接地部、28…開口、29…絶縁部、30…ビーム形状変形素子、31、32…静電四重極子、40…電磁レンズ、50、55…偏向器、62…粉末層、63…表面、63a…予備照射領域、64…粉末供給部、65…断面層、66…三次元構造体、68…粉末試料、72…底面部、74…側壁部、82…駆動部、84…駆動棒、100、500…三次元積層造形装置、110…CPU、112…バス、114…外部記憶部、120…電子源制御ユニット、130…変形素子制御ユニット、131…演算回路、132、133…記憶回路、134…切替部、135…デジタルアナログ変換部、140…レンズ制御ユニット、150…偏向器制御ユニット、160…高さ制御ユニット、200、210、220…電子ビームカラム、220a…モジュール、300…造形部、400…制御部、501、502、503、504…照射範囲、505、510…領域、509…照射範囲。

Claims (15)

  1.  所定の加速電圧に加速された第1の電子ビームを出力する第1の電子源と、
     所定の加速電圧に加速された第2の電子ビームを出力する第2の電子源と、
     前記第1の電子ビームの断面形状を変形させる第1のビーム形状変形素子と、
     前記第2の電子ビームの断面形状を変形させる第2のビーム形状変形素子と、
     前記第1の電子ビーム及び第2の電子ビームを収束させる電磁レンズと、
     前記第1の電子ビームと第2の電子ビームの間隔よりも広い偏向可能範囲の中で前記第1の電子ビーム及び第2の電子ビームの照射位置を調整する偏向器と、
     を有することを特徴とする三次元積層装置用の電子ビームカラム。
  2.  前記第1の電子源及び第2の電子源は、異方的な形状の電子放出面を有することを特徴とする請求項1に記載の三次元積層装置用の電子ビームカラム。
  3.  前記第1の電子源及び第2の電子源は、前記第1の電子源の電子放出面の長手方向と前記第2の電子源の電子放出面の長手方向とが略平行な向きに配置されていることを特徴とする請求項2に記載の三次元積層装置用の電子ビームカラム。
  4.  前記第1の電子源及び第2の電子源は、前記第1の電子源の電子放出面の長手方向と、前記第2の電子源の電子放出面の長手方向とが略直交する向きに配置されていることを特徴とする請求項2に記載の三次元積層装置用の電子ビームカラム。
  5.  前記第1の電子源が細長い異方的な形状の電子放出面を有し、前記第2の電子源が等方的な形状の電子放出面を有することを特徴とする請求項1に記載の三次元積層装置用の電子ビームカラム。
  6.  前記第1のビーム変形素子及び第2のビーム変形素子は、前記電子ビームの進行方向に沿って複数段配置された多重極子を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか1項に記載の三次元積層装置用の電子ビームカラム。
  7.  前記多重極子は静電四重極子よりなり、該静電四重極子の一対の極子の向きは前記電子放出面の長手方向と一致し、もう一対の極子は前記電子放出面の短手方向と一致する向きに配置されていることを特徴とする請求項6に記載の三次元積層装置用の電子ビームカラム。
  8.  前記第1の電子ビーム及び第2の電子ビームは共通の偏向器により偏向されることを特徴とする請求項1乃至請求項7の何れか1項に記載の三次元積層装置用の電子ビームカラム。
  9.  前記第1の電子ビーム及び第2の電子ビームがそれぞれ別々の偏向器によって偏向されることを特徴とする請求項1乃至請求項7の何れか1項に記載の三次元積層装置用の電子ビームカラム。
  10.  前記偏向器の偏向可能範囲は、前記第1の電子ビームと第2の電子ビームとの間隔よりも広い範囲に設定されており、前記第1の電子ビームと第2の電子ビームとを同時に粉末層に照射することを特徴とする請求項1乃至請求項9の何れか1項に記載の三次元積層装置用の電子ビームカラム。
  11.  所定の加速電圧に加速された第1の電子ビームを出力する第1の電子源と、所定の加速電圧に加速された第2の電子ビームを出力する第2の電子源と、前記第1の電子ビームの断面形状を変形させる第1のビーム形状変形素子と、前記第2の電子ビームの断面形状を変形させる第2のビーム形状変形素子と、前記第1の電子ビームと第2の電子ビームの間隔よりも広い偏向可能範囲の中で前記第1の電子ビーム及び第2の電子ビームの照射位置を調整する偏向器と、を有する電子ビームカラムと、
     粉末層を保持する造形容器と、
     前記造形容器の表面に新たな粉末層を供給する粉末供給装置と、
     三次元構造物の造形データをもとに前記第1の電子ビーム及び第2の電子ビームを同時に照射して前記粉末層の所定範囲を溶融凝固させる制御部と、
     を備えることを特徴とする三次元積層造形装置。
  12.  更に前記第1のビーム形状変形素子と第2のビーム形状変形素子とに制御信号を出力する変形素子制御ユニットを備え、該変形素子制御ユニットは、
     予備照射用の引き伸ばされた断面形状の電子ビームを生じさせる制御出力を格納した予備照射用データ記憶回路と、
     縁取り照射用の絞り込まれた断面形状の電子ビームを生じさせる制御出力を格納した縁取り照射用データ記憶回路と、
     前記制御部から要求されたサイズのビームを生じさせるのに必要な制御出力を算出する溶融照射用データ演算回路と、
     制御部の制御信号に基づいて、予備照射用データ記憶回路の出力、縁取り照射用データ記憶回路の出力及び溶融照射用データ演算回路の出力の何れかを選択して出力する切替部と、
     を有することを特徴とする請求項11に記載の三次元積層造形装置。
  13.  粉末層を供給する工程と、
     第1の電子ビームで前記粉末層の表面の一部である造形領域を走査させて溶融照射させつつ、同時に引き伸ばされた断面形状の第2の電子ビームで前記造形領域よりも広い領域を予備照射する第1の照射工程と、
     前記第2の電子ビームの断面形状を絞り込んで前記造形領域の縁に沿って走査させることで前記造形領域の縁取り照射する第2の照射工程と、
     を行うことを特徴とする三次元積層造形方法。
  14.  前記第2の照射工程において、引き伸ばされた断面形状の前記第1の電子ビームで前記第2の電子ビームが縁取り照射する領域よりも広い領域を予備照射することを特徴とする請求項13に記載の三次元積層造形方法。
  15.  所定の加速電圧に加速された第1の電子ビームを出力する第1の電子源と、所定の加速電圧に加速された第2の電子ビームを出力する第2の電子源と、前記第1の電子ビームの断面形状を変形させる第1のビーム形状変形素子と、前記第2の電子ビームの断面形状を変形させる第2のビーム形状変形素子と、前記第1の電子ビームと第2の電子ビームの間隔よりも広い偏向可能範囲の中で前記第1の電子ビーム及び第2の電子ビームの照射位置を調整する偏向器と、を有する電子ビームカラムと、
     粉末層を保持する造形容器と、
     前記造形容器の表面に新たな粉末層を供給する粉末供給装置と、
     三次元構造物の造形データをもとに前記第1の電子ビーム及び第2の電子ビームを同時に照射して前記粉末層の所定範囲を溶融凝固させる制御部と、
     を備える三次元積層造形装置を用いた三次元積層造形方法であって、
     前記造形容器の上面に粉末層を供給する工程と、
     前記第2のビーム形状変形素子により前記第2の電子ビームを所定の引き伸ばされた断面形状に設定するステップと、
     前記第1のビーム形状変形素子により前記第1の電子ビームのサイズを所定の範囲で変化させるステップと、
     前記第1の電子ビームを造形領域の照射対象位置に移動させるステップと、
     前記第1の電子ビームを一定時間時間照射対象位置に滞在させて前記粉末層を溶解させつつ、前記第2の電子ビームを予備照射するステップと、
     を有することを特徴とする三次元積層造形方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106825567B (zh) * 2017-01-22 2018-12-11 清华大学 电子束选区熔化与电子束切割复合的增材制造方法
SI25442A (sl) * 2017-06-13 2018-12-31 Mušević Nataša Naprava in postopek za aditivno izdelovanje tridimenzionalnih objektov
CN112024875B (zh) * 2020-08-18 2021-05-07 清华大学 一种粉末床同步加热熔化增材制造方法
JP2024004588A (ja) * 2022-06-29 2024-01-17 日本電子株式会社 3次元積層造形装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58193541U (ja) * 1982-06-18 1983-12-23 日本電気株式会社 線状電子ビ−ム発生装置
JPS6264036A (ja) * 1985-09-13 1987-03-20 Nec Corp 電子ビ−ム装置
JPS62194614A (ja) * 1986-02-20 1987-08-27 Nec Corp 線状電子ビ−ムアニ−ル装置
JPS62213051A (ja) * 1986-03-14 1987-09-18 Nec Corp 線状電子線発生装置
WO2007086400A1 (ja) * 2006-01-25 2007-08-02 Ebara Corporation 試料表面検査方法及び検査装置
JP2008155538A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Aspect Inc 粉末焼結積層造形装置及び粉末焼結積層造形方法
JP2015170571A (ja) * 2014-03-10 2015-09-28 日本電子株式会社 3次元積層造形装置及び3次元積層造形方法
JP2015193883A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 日本電子株式会社 3次元積層造形装置及び3次元積層造形方法
JP2016529389A (ja) * 2013-06-28 2016-09-23 ア−カム アーベー 付加製造のための方法および装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3519873A (en) * 1968-12-18 1970-07-07 Westinghouse Electric Corp Multiple beam electron source for pattern generation
US4075488A (en) * 1974-09-06 1978-02-21 Agency Of Industrial Science & Technology Pattern forming apparatus using quadrupole lenses
US4468586A (en) * 1981-05-26 1984-08-28 International Business Machines Corporation Shaped electron emission from single crystal lanthanum hexaboride with intensity distribution
JPH0610964B2 (ja) * 1986-03-06 1994-02-09 日本電気株式会社 線状電子線発生装置
SE524439C2 (sv) 2002-12-19 2004-08-10 Arcam Ab Anordning samt metod för framställande av en tredimensionell produkt
KR101271243B1 (ko) 2006-07-27 2013-06-07 아르켐 에이비 3차원 물체 생성방법 및 장치
FR2984779B1 (fr) 2011-12-23 2015-06-19 Michelin Soc Tech Procede et appareil pour realiser des objets tridimensionnels
US9415443B2 (en) 2013-05-23 2016-08-16 Arcam Ab Method and apparatus for additive manufacturing
JP6437316B2 (ja) 2014-02-14 2018-12-12 日本電子株式会社 電子銃、三次元積層造形装置及び電子銃制御方法
KR20150115596A (ko) 2014-04-04 2015-10-14 가부시키가이샤 마쓰우라 기카이 세이사쿠쇼 3차원 조형 장치 및 3차원 형상 조형물의 제조 방법
US9981312B2 (en) * 2015-05-11 2018-05-29 Wisconsin Alumni Research Foundation Three-dimension printer with mechanically scanned cathode-comb
CN105195742B (zh) 2015-11-03 2017-06-23 西安赛隆金属材料有限责任公司 一种高能束选区熔化成形的熔化路径设计方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58193541U (ja) * 1982-06-18 1983-12-23 日本電気株式会社 線状電子ビ−ム発生装置
JPS6264036A (ja) * 1985-09-13 1987-03-20 Nec Corp 電子ビ−ム装置
JPS62194614A (ja) * 1986-02-20 1987-08-27 Nec Corp 線状電子ビ−ムアニ−ル装置
JPS62213051A (ja) * 1986-03-14 1987-09-18 Nec Corp 線状電子線発生装置
WO2007086400A1 (ja) * 2006-01-25 2007-08-02 Ebara Corporation 試料表面検査方法及び検査装置
JP2008155538A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Aspect Inc 粉末焼結積層造形装置及び粉末焼結積層造形方法
JP2016529389A (ja) * 2013-06-28 2016-09-23 ア−カム アーベー 付加製造のための方法および装置
JP2015170571A (ja) * 2014-03-10 2015-09-28 日本電子株式会社 3次元積層造形装置及び3次元積層造形方法
JP2015193883A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 日本電子株式会社 3次元積層造形装置及び3次元積層造形方法

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