JP2017011270A - 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図1に示すように、本発明による荷電粒子ビーム描画装置1は、シリコンウエハやフォトマスク等の被照射体を露光してパターンを形成するために用いられるものであり、照明系2と、PD(Pattern Definition 、パターン決定)系3と、投影系4と、基板(被照射体)13を保持する基板ステージ14を含む基板ステーション5とを備えている。そして荷電粒子ビーム描画装置1の全体は、ビーム1a、1b、1cが、装置の光学軸cxに沿って妨げられずに確実に伝播するように、高真空に保持された真空筐体(図示せず)の中に収容される。
1a ビーム
1b ビーム
1c マルチビーム
1d 微小ビーム
2 照明系
3 PD系
4 投影系
5 基板ステーション
6 集光レンズ
7 電子銃
9 集光レンズ系
10 吸収プレート
11 第1の偏向手段
12 第2の偏向手段
13 基板
14 基板ステージ
16 アパーチャプレート
17 ブランキングプレート
17A ブランキング装置
17a 開口部
22、23 開口
30 アパーチャ装置
35 制御装置
Claims (10)
- 荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、
前記荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、
前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は描画データから前記マルチビームのブランキング密度の分布を含むブランキング密度マップを取得し、予め求められたブランキング密度マップと、前記偏向装置の前記電子レンズの最適制御パラメータとの関係を示すパラメータリストに基づいて、前記描画データのブランキング密度マップから前記電子レンズの最適制御パラメータを選択して前記電子レンズを制御することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記ブランキング密度マップは、前記マルチビームを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたブランキング割合をもつマップであることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記電子レンズは多極をもった静電偏向器を含み、最適制御パラメータは各極に付与される偏向電圧であることを特徴とする請求項1または2記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記電極レンズの前記制御パラメータに基づいて前記電極レンズを制御して、歪んだマルチビームアレイを理想格子状に補正することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記パラメータリストは、ブランキング密度マップに対応するマルチビームの位置ずれ量を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記荷電粒子ビームを生成する荷電粒子ビーム生成部と、
荷電粒子ビームを通過させて複数の微小ビームを含むマルチビームを生成するとともに、複数の開口を有するアパーチャを含むアパーチャ装置と、
前記マルチビームを偏向させて被照射体へ照射する電子レンズを含む偏向装置と、
前記アパーチャ装置と前記偏向装置との間に介在され、所定の微小ビームを外方へ除去し、他の微小ビームを前記偏向装置へ導くブランキング装置と、
これら電子ビーム生成部、前記アパーチャ装置、前記偏向装置および前記ブランキング装置を制御する制御装置とを備えた荷電粒子ビーム描画装置の制御方法において、
描画データから前記マルチビームのブランキング密度の分布を含むブランキング密度マップを取得する工程と、
予め求められたブランキング密度マップと、前記偏向装置の前記電子レンズの最適制御パラメータとの関係を示すパラメータリストに基づいて、前記描画データのブランキング密度マップから前記電子レンズの最適制御パラメータを選択して前記電子レンズを制御する工程と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。 - 前記ブランキング密度マップは、前記マルチビームを複数領域に区画し、各領域が割り当てられたブランキング割合をもつマップであることを特徴とする請求項6記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
- 前記電子レンズは多極をもった静電偏向器を含み、最適制御パラメータは各極に付与される偏向電圧であることを特徴とする請求項6または7記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
- 前記電子レンズの最適制御パラメータに基づいて前記電子レンズを制御して、歪んだマルチビームアレイを理想格子状に補正することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
- 前記パラメータリストは、ブランキング密度マップに対応するマルチビームの位置ずれ量を含むことを特徴とする請求項6乃至9のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置の制御方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022030064A1 (ja) * | 2020-08-06 | 2022-02-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10308341A (ja) * | 1997-05-08 | 1998-11-17 | Canon Inc | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
JP2014007379A (ja) * | 2012-06-01 | 2014-01-16 | Nuflare Technology Inc | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2015109323A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
-
2016
- 2016-06-17 JP JP2016121093A patent/JP6951673B2/ja active Active
Patent Citations (3)
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