JP2006080304A - 荷電粒子ビーム露光装置 - Google Patents
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Abstract
マルチビーム型露光装置において、マルチビームを平行に照射し、歪が少ない配列で、ビームアライメントを効率よく行なうことができる荷電粒子ビームを提供する。
【解決手段】
マルチビームと同じ間隔の開口を有する絞り板33を設置し、マルチビームをまとめて絞り板上を走査し、検出された像が極小になるようにコリメータレンズ21のレンズ値を設定する。また、検出像が所望の対称性をもつように、非点補正器22を調整する。検出結果を表示機構において、像を視野中心に設定することにより、ビーム検出を可能とするビームアライメント条件を導出する。
【選択図】 図1
Description
Claims (7)
- 荷電粒子源から放射される荷電粒子ビームを複数の荷電粒子ビームに形成するためのマルチビーム形成部を有し、前記マルチビーム形成部により形成された複数の荷電粒子ビームを用いて被露光基板を露光する荷電粒子ビーム露光装置において、前記荷電粒子源から放射される荷電粒子ビームを光軸に対して略平行に形成して、前記マルチビーム形成部に入射せしめるコリメータレンズと、前記複数の荷電粒子ビームを略同時に走査する偏向器と、前記複数の荷電粒子ビームを略同時に検出する検出器と、前記偏向器と前記検出器との間に設置され、前記複数の荷電粒子ビームと略同一間隔の開口を有する絞り板とを含むビーム調整機構を備えてなることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
- 荷電粒子源から放射される荷電粒子ビームを複数の荷電粒子ビームに形成するためのマルチビーム形成部を有し、前記マルチビーム形成部により形成された複数の荷電粒子ビームを用いて被露光基板を露光する荷電粒子ビーム露光装置において、前記荷電粒子源から放射される荷電粒子ビームを光軸に対して略平行に形成して、前記マルチビーム形成部に入射せしめるコリメータレンズと、前記複数の荷電粒子ビームを略同時に走査する偏向器と、前記複数の荷電粒子ビームを略同時に検出する検出器と、前記偏向器と前記検出器との間に設置され、前記複数の荷電粒子ビームと略同一間隔の開口を有する絞り板とを含むビーム調整機構と、前記偏向器でのビーム偏向位置と前記検出器の検出値を同期させて表示する表示機構とを備えてなることを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
- 請求項1に記載の荷電粒子ビーム露光装置において、前記偏向器により前記複数の荷電粒子ビームを前記絞り板上を走査する際、前記検出器において決められた値以上の電流が検出できる偏向領域が極小となるように、前記コリメータレンズを調整し得る構成としたことを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
- 請求項1に記載の荷電粒子ビーム露光装置において、前記マルチビーム形成部内、もしくは前記マルチビーム形成部より上流の荷電粒子光学系における荷電粒子ビームの非点補正を行う非点補正器を有し、前記偏向器により前記複数の荷電粒子ビームを前記絞り板上を走査する際、前記検出器において決められた値以上の電流が検出できる偏向領域が所望の対称性を呈するように、前記非点補正器を調整し得る構成としたことを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
- 請求項2に記載の荷電粒子ビーム露光装置において、前記表示機構における前記絞り板を通過した荷電粒子ビームにより形成されるパターン像の面積が極小となるように、前記コリメータレンズを調整し得る構成としたことを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
- 請求項2に記載の荷電粒子ビーム露光装置において、前記マルチビーム形成部内、もしくは前記マルチビーム形成部より上流の荷電粒子光学系における荷電粒子ビームの非点補正を行う非点補正器を有し、前記表示機構における前記絞り板を通過した荷電粒子ビームにより形成されるパターン像の形状が所望の対称性を呈するように、前記非点補正器を調整し得る構成としたことを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
- 請求項5に記載の荷電粒子ビーム露光装置において、前記荷電粒子ビームの光軸方向を調整するアライナを有し、前記アライナを前記偏向器として使用し、前記表示機構における前記パターン像が所定の位置になるように、前記アライナを調整し得る構成としたことを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
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WO2016158994A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、フォトマスクの製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
KR20170074794A (ko) * | 2015-12-22 | 2017-06-30 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 멀티 하전 입자빔 장치 |
US10497539B2 (en) | 2016-11-18 | 2019-12-03 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method |
WO2022140214A1 (en) * | 2020-12-22 | 2022-06-30 | Kla Corporation | Multi-beam electronics scan |
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7378668B2 (en) | 2005-06-28 | 2008-05-27 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for applying charged particle beam |
WO2016158994A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、フォトマスクの製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
US20180017865A1 (en) * | 2015-03-31 | 2018-01-18 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, photo mask manufacturing method, and electronic device manufacturing method |
JPWO2016158994A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-02-22 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、フォトマスクの製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
US10488755B2 (en) | 2015-03-31 | 2019-11-26 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, photo mask manufacturing method, and electronic device manufacturing method |
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US10497539B2 (en) | 2016-11-18 | 2019-12-03 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method |
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