WO2018101138A1 - 接続構造体 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a connection structure using an anisotropic conductive film.
  • JP-A-11-112119 JP 2007-19550 A Japanese Patent Laying-Open No. 2015-232660 JP 2016-66573 A
  • the terminal patterns of the first and second electronic components are assumed to be a plurality of terminals arranged in parallel, and the terminal patterns are different from each other.
  • the connection is made using the isotropic conductive film, a terminal that cannot sufficiently capture the conductive particles is generated due to the inclination of each terminal.
  • the capture state for each terminal is remarkably different, there may be a problem in productivity, for example, it takes time to determine whether the connection is good or bad.
  • the terminal pattern 21A of the first electronic component 30A has a terminal pattern in which a plurality of terminals 20A are arranged in parallel (that is, a radial pattern centered on a point P outside the terminal pattern 21A.
  • the second electronic component 30B has a terminal pattern coinciding with the terminal pattern 21A of the first electronic component, and these are connected to the insulating resin layer. 2 are connected by the anisotropic conductive film 10x in which the conductive particles 1 are arranged in a square lattice, the terminals 20a and 20b cannot capture the conductive particles 1 in the effective connection region between the terminal pattern 21A and the terminal pattern 21B. Occurs.
  • the terminals 20a and 20b are diagonally hatched.
  • the conductive particles 1 captured between the opposing terminals of the first electronic component 30A and the second electronic component 30B are painted black.
  • the conductive particle is not blacked out because it is not captured.
  • the conductive particles 1 of the anisotropic conductive film 10y are arranged in a hexagonal lattice, the conductive particles 1 are included in the terminals constituting the terminal pattern 21A. As a result, a terminal 20c that cannot capture at all is generated.
  • the present invention provides a first electronic component having a terminal pattern in which a plurality of terminals are radially arranged in parallel, and a second electronic component having a terminal pattern corresponding to the terminal pattern of the first electronic component.
  • a connection structure obtained by conducting anisotropic conductive connection using an anisotropic conductive film an object is to reduce or eliminate terminals where conductive particles are not captured.
  • the present inventors make anisotropic conductive connection between electronic components having a terminal pattern in which a plurality of terminals are radially arranged in parallel
  • the number of conductive particles of the anisotropic conductive film depends on the effective connection area and pitch of the terminals. It has been found that if the density is changed and preferably the arrangement state of the conductive particles is defined, terminals that do not capture the conductive particles in the connection structure can be reduced or eliminated, and the present invention has been conceived.
  • the first aspect of the present invention includes a first electronic component having a terminal pattern in which a plurality of terminals are radially arranged in parallel, and a second electronic component having a terminal pattern corresponding to the terminal pattern of the first electronic component.
  • a first electronic component having a terminal pattern in which a plurality of terminals are radially arranged in parallel is different from a second electronic component having a terminal pattern corresponding to the terminal pattern of the first electronic component.
  • a method for manufacturing a connection structure for anisotropic conductive connection using a conductive conductive film is an anisotropic conductive film in which conductive particles are arranged in a lattice pattern in an insulating resin layer in a plan view, and the arrangement pitch and the arrangement direction in the lattice arrangement are the same as the first electronic component and the first arrangement.
  • This is a method for manufacturing a connection structure in which at least three conductive particles are captured by each terminal in the effective connection region of the electronic component.
  • a first electronic component having a terminal pattern in which a plurality of terminals are radially arranged in parallel and a second electronic component having a terminal pattern corresponding to the terminal pattern of the first electronic component are anisotropic.
  • a method for manufacturing a connection structure for anisotropic conductive connection using a conductive conductive film has conductive particles arranged in a predetermined interval on a plurality of concentric circles (including concentric ellipses) in the insulating resin layer in plan view, and the first conductive particles on the first concentric circle and the circle A straight line connecting the center is a first straight line, the conductive particles on the second concentric circle adjacent to the first concentric circle, the second conductive particle closest to the first conductive particle and the center of the circle Is a method of manufacturing a connection structure having multiple circular regions in which conductive particles are arranged so that the first straight line and the second straight line do not coincide with each other when the straight line connecting the two is the second straight line.
  • the present invention provides a first electronic component having a terminal pattern in which a plurality of terminals are arranged radially in parallel as an anisotropic conductive film used in the second connection structure manufacturing method, and a terminal of the first electronic component
  • ⁇ is an angle formed by the arrangement axis having the smallest arrangement pitch of the conductive particles or the next smallest arrangement axis and the short direction of the anisotropic conductive film,
  • ⁇ max When the maximum value of the angle formed by the central axis extending in the longitudinal direction of each terminal constituting the terminal pattern and the short direction of the terminal pattern is ⁇ max , An anisotropic conductive film having an alignment axis satisfying ⁇ > ⁇ max is provided.
  • an anisotropic conductive film in which conductive particles are arranged in the insulating resin layer In a plan view, the conductive particles are arranged on the insulating resin layer on a plurality of concentric circles, and a straight line connecting the first conductive particles on the first concentric circle and the center of the circle is defined as a first straight line.
  • An anisotropic conductive film having multiple circular regions in which conductive particles are arranged so that the second straight line does not coincide with the second straight line is provided.
  • connection structure manufacturing method provides a connection structure manufactured by the above-described connection structure manufacturing method.
  • the terminal area is relatively large and the effective connection area per terminal is 3000 ⁇ m 2 or more, the arrangement of the conductive particles in the anisotropic conductive film is regular. Whether the target is random or random, the terminals where the conductive particles are not captured in the connection structure can be reduced or eliminated.
  • the second connection structure manufacturing method when the conductive particles in the anisotropic conductive film are regularly arranged in a lattice shape, it is possible to reduce or eliminate terminals where the conductive particles are not captured in the connection structure. it can. Moreover, the capture state of the conductive particles in each terminal constituting the terminal pattern can be made uniform. In particular, a remarkable effect is obtained when the terminal pattern is symmetrical.
  • the third method for manufacturing a connection structure it is possible to reduce or eliminate terminals where conductive particles are not trapped in the connection structure regardless of the size and terminal pitch of the terminals of the electronic component. Moreover, the capture state of the conductive particles in each terminal constituting the terminal pattern can be made uniform. In particular, a remarkable effect is obtained when the terminal pattern is symmetrical.
  • FIG. 1A is a plan view of a terminal pattern of an electronic component used in the method for manufacturing a connection structure according to the first invention.
  • FIG. 1B is a plan view showing an overlapping state of terminal patterns of electronic components used in the method for manufacturing a connection structure according to the first invention.
  • FIG. 1C is a plan view showing an overlapping state of the terminal patterns of the first electronic component and the thermally expanded second electronic component.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the anisotropic conductive film in the film thickness direction.
  • FIG. 3A is a plan view of a terminal pattern of an electronic component used in the method for manufacturing a connection structure according to the second invention.
  • FIG. 3B is an explanatory diagram of a grid-like arrangement of conductive particles in an anisotropic conductive film used in the method for manufacturing a connection structure according to the second invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram of multiple circular regions in an anisotropic conductive film used in the method for manufacturing a connection structure according to the third invention.
  • FIG. 5A is an explanatory diagram of a rectangular region cut out from the multiple circle region.
  • FIG. 5B is an explanatory diagram of conductive particle arrangement in an anisotropic conductive film in which rectangular regions cut out from multiple circular regions are spread.
  • FIG. 6A is an explanatory diagram of a hexagonal region cut out from the multiple circular region.
  • FIG. 6B is an explanatory diagram of conductive particle arrangement in an anisotropic conductive film in which hexagonal regions cut out from multiple circular regions are spread.
  • FIG. 7A is an explanatory diagram of a multiple circle region in which concentric circles are ellipses and a rectangular region cut out from the multiple circle region.
  • FIG. 7B is an explanatory diagram of the arrangement of conductive particles in an anisotropic conductive film in which rectangular regions cut out from multiple circular regions in which concentric circles are ellipses are spread.
  • FIG. 8A is a diagram showing the relationship between the arrangement of conductive particles and terminals in Examples.
  • FIG. 8B is a diagram showing the relationship between the arrangement of the conductive particles and the terminals in the example.
  • FIG. 9 is an explanatory view of a trapped state of conductive particles at terminals of a conventional connection structure in which a plurality of terminals are arranged radially in parallel.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram of the trapped state of the conductive particles at the terminals of the conventional connection structure in which a plurality of terminals are arranged radially in parallel.
  • FIG. 1A is a plan view of a terminal pattern 21A of a first electronic component 30A and a terminal pattern 21B of a second electronic component 30B used in the method for manufacturing a connection structure according to the first aspect of the present invention. It is a top view which shows the overlapping state of these terminal patterns 21A and 21B.
  • each terminal 20A is formed in a strip shape with a radial straight line R passing through the point P outside the terminal pattern 21A as a central axis.
  • the point P is on the center line Q of the width of the terminal pattern 21A, and is adjacent to the angle ⁇ formed by the center line Q and the straight line R that is the central axis extending in the longitudinal direction of each terminal 20A.
  • the angle ⁇ is not limited, and the angle ⁇ may change by a fixed angle or may change regularly.
  • the straight lines R forming the central axis of each terminal 20A pass through the point P.
  • the straight line R may be parallel to the center line Q.
  • the terminal pattern 21 ⁇ / b> A including the plurality of terminals 20 ⁇ / b> A may not be symmetrical with respect to the center line Q.
  • the terminal pattern 21B of the second electronic component 30B corresponds to the terminal pattern 21A of the first electronic component 30A, and as shown in FIG. 1B, they are formed so as to overlap each other at a predetermined temperature.
  • the terminal patterns 21A and 21B when the terminals 20A and 20B are formed radially, one of the first electronic component 30A and the second electronic component 30B is temporarily heated with respect to the other. Even if it expand
  • FIG. 1C each terminal 20A of the 1st electronic component 30A and each terminal 20B of the 2nd electronic component 30B corresponding to it can overlap.
  • reference numeral 30B indicated by a solid line indicates a second electronic component after expansion
  • reference numeral 30B indicated by a broken line indicates a second electronic component before expansion.
  • the wiring width and the terminal width of the routing wiring may be the same or different, and the wiring height and the terminal height of the routing wiring may be the same or different.
  • the wiring height of the routing wiring is different from the terminal height, there is an IC chip or the like.
  • the influence of thermal expansion of the IC chip is significantly lower than that of an FPC or a plastic substrate. Therefore, in the connection structure shown in FIG. 1C, the first electronic component becomes an IC chip and the second electronic component expands. Becomes an FPC or a plastic substrate.
  • the effective connection area per terminal 20A, 20B formed radially as described above is set to 3000 ⁇ m 2 or more.
  • the effective connection area of the terminals means the area of the effective connection area where the terminals 20A of the first electronic component 30A, the terminals 20B of the second electronic component 30B, and the anisotropic conductive film 10A actually overlap.
  • the terminal 20A of the first electronic component 30A and the terminal 20B of the second electronic component 30B partially overlap each other as shown in FIG. 1C, This refers to the area of the region 20C where the anisotropic conductive film 10A overlaps.
  • one of the effective connection regions 20C is hatched.
  • the area per terminal 20A, 20B is preferably set to 3000 ⁇ m 2 or more. Is preferably 5 to 300 ⁇ m, more preferably 20 to 200 ⁇ m.
  • the terminal length is preferably 10 to 3000 ⁇ m, more preferably 500 to 2000 ⁇ m.
  • the space between terminals is preferably 10 to 300 ⁇ m, more preferably 20 to 200 ⁇ m.
  • the upper limit of the terminal width and the inter-terminal space can be set to about 1000 ⁇ m as required.
  • the conductive particles 1 are held in the insulating resin layer 2.
  • the number density of the conductive particles 1 in the anisotropic conductive film 10A is 2000 / mm 2 or more and 20000 pieces / mm 2 or less, preferably 7000 pieces / mm 2 or more and 15000 pieces / mm 2 or less.
  • the area occupancy calculated from the average of the number density of conductive particles and the area of one conductive particle in a plan view is necessary for the pressing jig to thermocompression bond an anisotropic conductive film to an electronic component. It is an index of thrust.
  • Area occupancy (%) [Number density of conductive particles in plan view (pieces / mm 2 )] ⁇ [Average of planar view area of one conductive particle (mm 2 / piece)] ⁇ 100
  • the area occupancy is preferably 35% or less, more preferably 0.3 to 30%. Thereby, it becomes possible to suppress the thrust required for a pressing jig in order to thermocompression-bond an anisotropic conductive film to an electronic component.
  • the arrangement of the conductive particles 1 in the anisotropic conductive film 10A is not particularly limited. It may be random or may be arranged in a lattice pattern. Examples of the lattice-like arrangement include a square lattice, a hexagonal lattice, an orthorhombic lattice, and a rectangular lattice. These lattice-shaped arrangement axes may be inclined with respect to the longitudinal direction of the film. As a particle arrangement as a whole of the conductive particles, a row of particles in which the conductive particles 1 are linearly arranged at a predetermined interval may be arranged in parallel at a predetermined interval.
  • Conductive particles As the conductive particles 1, metal particles such as nickel, cobalt, silver, copper, gold, and palladium, alloy particles such as solder, metal-coated resin particles, and metal-coated resin particles having insulating fine particles attached to the surface Etc. Two or more kinds can be used in combination. Among these, the metal-coated resin particles are preferable in that the resin particles repel after being connected, so that the contact with the terminal is easily maintained and the conduction performance is stabilized. Further, the surface of the conductive particles may have insulating fine particles attached thereto by a known technique, and may be subjected to an insulation treatment that does not hinder the conduction characteristics.
  • the particle diameter of the conductive particles 1 in the anisotropic conductive film 10A is preferably 1 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less, more preferably 3 ⁇ m or more and less than 10 ⁇ m, in order to suppress an increase in conduction resistance and suppress occurrence of a short circuit.
  • the particle size of the conductive particles before being dispersed in the insulating resin layer can be measured by a general particle size distribution measuring device, and the average particle size can also be obtained using the particle size distribution measuring device.
  • An example of the measuring apparatus is FPIA-3000 (Malvern).
  • the particle diameter of the conductive particles in the anisotropic conductive film can be determined from observation with an electron microscope such as SEM. In this case, it is desirable that the number of samples for measuring the conductive particle diameter is 200 or more, preferably 1000 or more.
  • the particle size of the conductive particles in the present invention means a particle size not including the insulating fine particles on the surface.
  • the conductive particles 1 in the anisotropic conductive film 10A are present without contacting each other in a plan view of the film, and the conductive particles 1 overlap each other in the film thickness direction. It is preferable that it exists without. Therefore, the ratio of the number of the conductive particles 1 existing in non-contact with each other with respect to the entire conductive particles is 95% or more, preferably 98% or more, more preferably 99.5% or more. This is the same for both regular and random arrangements. As will be described later, it is preferable to regularly arrange the conductive particles 1 using a transfer mold because the ratio of the conductive particles 1 existing in non-contact with each other can be easily controlled.
  • the production method using the transfer mold and the kneading are combined with performance and cost. Either manufacturing method to be used may be selected. Note that the method of regularly arranging the conductive particles is not limited to that using a transfer mold.
  • the conductive particles 1 When the conductive particles 1 exist without contacting each other, it is preferable that the positions in the film thickness direction are aligned. For example, as shown in FIG. 2, the embedding amount Lb of the conductive particles 1 in the film thickness direction can be made uniform. Thereby, the capture
  • the conductive particles 1 may be exposed from the insulating resin layer 2 or may be completely embedded.
  • the embedding amount Lb is the surface of the insulating resin layer 2 in which the conductive particles 1 are embedded (the surface of the front and back surfaces of the insulating resin layer 2 where the conductive particles 1 are exposed, or In the case where the conductive particles 1 are completely embedded in the insulating resin layer 2, the tangential plane 2p at the central portion between the adjacent conductive particles and the conductive particles The distance from the deepest part of 1. -Embedding rate
  • the embedding rate is preferably 30% or more and 105% or less.
  • the conductive particles 1 are maintained in a predetermined position by the insulating resin layer 2, and by setting the embedding rate (Lb / D) to 105% or less, the anisotropic conductive connection is achieved It is possible to reduce the amount of resin in the insulating resin layer that acts to cause the conductive particles between the terminals to flow unnecessarily. Further, when the embedding rate is 100% or more and the conductive particles are exposed from the insulating resin layer 2, the pressure applied at the time of connection is easily transmitted to the conductive particles 1.
  • the resistance of the insulating resin layer 2 against deformation of the conductive particles 1 caused by the pressing of the conductive particles 1 by a pressing jig during anisotropic conductive connection Therefore, the indentation after connection is likely to be uniform. Thereby, it becomes easy to confirm the state after connection.
  • a second insulating resin layer described later may be provided.
  • the value of the embedding rate (Lb / D) is 99% or more, preferably 99.9% or more, more preferably 99.99%, of the total number of conductive particles contained in the anisotropic conductive film.
  • the above is the numerical value of the embedding rate (Lb / D). Therefore, an embedding rate of 30% or more and 105% or less means that 99% or more, preferably 99.9% or more, more preferably 99.99% or more of the total number of conductive particles contained in the anisotropic conductive film. It means that the entrapment rate is 30% or more and 105% or less.
  • the insulating resin layer 2 can have a minimum melt viscosity of about 1000 Pa ⁇ s, and may be 1100 Pa ⁇ s or more, preferably 2000 Pa ⁇ s or more, More preferably, it is 3000-15000 Pa ⁇ s, and still more preferably 3000-10000 Pa ⁇ s.
  • the minimum melt viscosity can be determined by using a rotary rheometer (manufactured by TA instruments) as an example, being kept constant at a measurement pressure of 5 g, and using a measurement plate having a diameter of 8 mm. More specifically, the temperature range is 30. From ⁇ 200 ° C., the rate of temperature rise is 10 ° C./min, the measurement frequency is 10 Hz, and the load fluctuation with respect to the measurement plate is 5 g.
  • the minimum melt viscosity of the insulating resin layer 2 By setting the minimum melt viscosity of the insulating resin layer 2 to a high viscosity of 2000 Pa ⁇ s or more, it is possible to prevent the conductive particles 1 to be sandwiched between the terminals during anisotropic conductive connection from flowing due to resin flow. .
  • the insulating resin layer 2 can be formed from a curable resin composition, for example, formed from a thermopolymerizable composition containing a thermopolymerizable compound and a thermal polymerization initiator. Can do. You may make a thermopolymerizable composition contain a photoinitiator as needed.
  • thermopolymerizable compound When a thermal polymerization initiator and a photopolymerization initiator are used in combination, one that also functions as a photopolymerizable compound may be used as the thermopolymerizable compound, and a photopolymerizable compound is contained separately from the thermopolymerizable compound. May be. Preferably, a photopolymerizable compound is contained separately from the thermally polymerizable compound.
  • a cationic curing initiator is used as the thermal polymerization initiator
  • an epoxy resin is used as the thermal polymerizable compound
  • a radical photopolymerization initiator is used as the photopolymerization initiator
  • an acrylate compound is used as the photopolymerizable compound.
  • the photopolymerization initiator As the photopolymerization initiator, a plurality of types that react to light having different wavelengths may be contained. Accordingly, the wavelength used for the photocuring of the resin constituting the insulating resin layer during the production of the anisotropic conductive film and the photocuring of the resin for bonding the electronic components to each other during the anisotropic conductive connection. Can be used properly.
  • photocuring during the production of the anisotropic conductive film, all or part of the photopolymerizable compound contained in the insulating resin layer can be photocured.
  • this photocuring the arrangement of the conductive particles 1 in the insulating resin layer 2 is maintained or fixed, and it is expected that the short circuit is suppressed and the capturing property is improved.
  • this photocuring is preferably performed when the ratio (La / D) between the layer thickness La of the insulating resin layer 2 and the average diameter D of the conductive particles 1 is less than 0.6.
  • the insulating resin layer 2 can more reliably hold or fix the arrangement of the conductive particles, and the viscosity of the insulating resin layer 2 can be fixed. This is because the adjustment is performed and the decrease in the yield is suppressed in the connection between the electronic components using the anisotropic conductive film.
  • the blending amount of the photopolymerizable compound in the insulating resin layer is preferably 30% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, and further preferably less than 2% by mass. This is because when the amount of the photopolymerizable compound is too large, the thrust applied to the pushing at the time of connection increases.
  • thermally polymerizable composition examples include a thermal radical polymerizable acrylate composition containing a (meth) acrylate compound and a thermal radical polymerization initiator, and a thermal cationic polymerizable epoxy system containing an epoxy compound and a thermal cationic polymerization initiator.
  • thermal cationic polymerizable epoxy composition containing a thermal cationic polymerization initiator examples include compositions.
  • a thermal anionic polymerizable epoxy composition containing a thermal anionic polymerization initiator may be used.
  • a plurality of kinds of polymerizable compounds may be used in combination as long as they do not cause any trouble. Examples of the combination include a combination of a cationic polymerizable compound and a radical polymerizable compound.
  • the (meth) acrylate compound a conventionally known thermal polymerization type (meth) acrylate monomer can be used.
  • a monofunctional (meth) acrylate monomer or a bifunctional or higher polyfunctional (meth) acrylate monomer can be used.
  • thermal radical polymerization initiator examples include organic peroxides and azo compounds.
  • organic peroxides that does not generate nitrogen that causes bubbles can be preferably used.
  • the amount of the thermal radical polymerization initiator used is preferably 2 to 60 parts by weight, more preferably 100 parts by weight of the (meth) acrylate compound. 5 to 40 parts by mass.
  • the epoxy compound examples include a bisphenol A type epoxy resin, a bisphenol F type epoxy resin, a novolac type epoxy resin, a modified epoxy resin thereof, an alicyclic epoxy resin, and the like. it can.
  • an oxetane compound may be used in combination.
  • thermal cationic polymerization initiator those known as thermal cationic polymerization initiators for epoxy compounds can be employed.
  • thermal cationic polymerization initiators for epoxy compounds.
  • iodonium salts, sulfonium salts, phosphonium salts, ferrocenes, etc. that generate an acid by heat are used.
  • an aromatic sulfonium salt showing a good potential with respect to temperature can be preferably used.
  • the amount of the thermal cationic polymerization initiator used is preferably 2 to 60 mass relative to 100 parts by mass of the epoxy compound. Part, more preferably 5 to 40 parts by weight.
  • the thermopolymerizable composition preferably contains a film-forming resin and a silane coupling agent.
  • the film-forming resin include phenoxy resin, epoxy resin, unsaturated polyester resin, saturated polyester resin, urethane resin, butadiene resin, polyimide resin, polyamide resin, polyolefin resin, and the like. be able to.
  • a phenoxy resin can be preferably used from the viewpoints of film formability, processability, and connection reliability.
  • the weight average molecular weight is preferably 10,000 or more.
  • the silane coupling agent include an epoxy silane coupling agent and an acrylic silane coupling agent. These silane coupling agents are mainly alkoxysilane derivatives.
  • the thermally polymerizable composition may contain an insulating filler in addition to the insulating fine particles attached to the conductive particles.
  • the insulating filler include silica powder and alumina powder.
  • the size of the insulating filler is preferably 20 to 1000 nm, and the blending amount is preferably 5 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polymerizable compound such as an epoxy compound.
  • the anisotropic conductive film of the present invention contains a filler, softener, accelerator, anti-aging agent, colorant (pigment, dye), organic solvent, ion catcher agent, etc. different from the above-mentioned insulating filler. You may let them.
  • the layer thickness of the insulating resin layer 2 is not particularly limited because it varies depending on the particle diameter of the conductive particles 1, the connection object, and the terminal height.
  • the ratio (La / D) between the layer thickness La of the insulating resin layer 2 and the average particle diameter D of the conductive particles 1 should be 0.3 or more and 10 or less.
  • the ratio (La / D) is more preferably 0.4 or more.
  • the ratio (La / D) is preferably less than 1, more preferably 0. .6, more preferably 0.5 or less.
  • the ratio (La / D) is 3 or less, it may be preferable to provide a second insulating resin layer having a lower minimum melt viscosity than the insulating resin layer 2.
  • La / D is 3.5 or less, preferably 2.5 or less, more preferably 2 or less with respect to the upper limit, and 0.8 or more with respect to the lower limit. Preferably it is 1 or more, more preferably more than 1.3.
  • the conductive particles 1 are connected to the terminals during anisotropic conductive connection.
  • the conductive particles are easily flowed by the resin flow. For this reason, the conductive particles are easily displaced, and the trapping property of the conductive particles at the terminal is lowered. Further, the thrust required for the pressing jig to press the conductive particles against the terminals also increases, which hinders low-pressure mounting.
  • the layer thickness La of the insulating resin layer 2 is too small and this ratio is excessively small, it is difficult to maintain the conductive particles 1 in a predetermined position by the insulating resin layer 2.
  • the space between the two terminals connected via the anisotropic conductive film is the second insulating resin layer. It becomes easy to fill, and the effect of improving the adhesion between electronic components can be expected. Moreover, since the moving amount of the insulating resin layer 2 becomes relatively smaller than the second insulating resin layer as the difference is increased, the trapping property of the conductive particles at the terminal is easily improved.
  • the second insulating resin layer When connecting using an anisotropic conductive film having the second insulating resin layer, the second insulating resin layer is on the electronic component side to be pressed by the thermocompression bonding tool of the insulating resin layer 2 (in other words, If the insulating resin layer 2 is on the side of the electronic component placed on the stage), unintentional movement of the conductive particles can be avoided, and this is preferable in terms of improving the trapping property.
  • the second insulating resin layer is on the side where the conductive particles of the insulating resin layer 2 are provided, there is a sufficient amount of resin that holds the conductive particles to obtain a stable connection state. Is preferable (preferably because the amount of the resin for holding the conductive particles is relatively large).
  • the conductive particles generally approach the electronic component side placed on the stage.
  • the minimum melt viscosity between the insulating resin layer 2 and the second insulating resin layer is such that the amount of movement of the insulating resin layer 2 containing conductive particles during the anisotropic conductive connection is the second as the difference is greater. Therefore, the trapping property of the conductive particles at the terminal is easily improved.
  • the second insulating resin layer is used by being bonded to an electronic component provided on the tool side in advance, it can also be used as a tack layer.
  • the minimum melt viscosity ratio between the insulating resin layer 2 and the second insulating resin layer is practically dependent on the ratio of the thicknesses of the insulating resin layer 2 and the second insulating resin layer. It is 2 or more, more preferably 5 or more, and still more preferably 8 or more. On the other hand, if this ratio is too large, when the anisotropic conductive film is formed into a long wound body, there is a possibility that the resin protrudes or blocks, so that it is preferably 15 or less in practice.
  • the preferable minimum melt viscosity of the second insulating resin layer more specifically satisfies the above-mentioned ratio, and is 3000 Pa ⁇ s or less, more preferably 2000 Pa ⁇ s or less, and further preferably 100 to 2000 Pa ⁇ s. It is.
  • the second insulating resin layer can be formed by adjusting the viscosity in the same resin composition as the insulating resin layer 2.
  • the layer thickness of the second insulating resin layer can be appropriately set according to the use of the anisotropic conductive film.
  • the thickness of the second insulating resin layer is preferably 4 to 20 ⁇ m, and preferably 1 to 8 times the conductive particle diameter.
  • the minimum melt viscosity of the entire anisotropic conductive film including the insulating resin layer 2 and the second insulating resin layer depends on the use of the anisotropic conductive film, the insulating resin layer 2 and the second insulating property. Although it is determined according to the ratio of the thickness of the resin layer, etc., it is practically 8000 Pa ⁇ s or less, and may be 200 to 7000 Pa ⁇ s for easy filling between the bumps, preferably 200 to 4000 Pa ⁇ s. It is.
  • a third insulating resin layer may be provided on the opposite side across the insulating resin layer 2 and the second insulating resin layer.
  • the third insulating resin layer can function as a tack layer. Moreover, you may provide in order to fill the space formed by the electrode and bump of an electronic component similarly to the 2nd insulating resin layer.
  • the resin composition, viscosity, and layer thickness of the third insulating resin layer may be the same as or different from those of the second insulating resin layer.
  • the minimum melt viscosity of the anisotropic conductive film obtained by combining the insulating resin layer 2, the second insulating resin layer, and the third insulating resin layer is not particularly limited, but may be 8000 Pa ⁇ s or less, It may be 7000 Pa ⁇ s, or 200 to 4000 Pa ⁇ s.
  • the above description regarding the second insulating resin layer and the third insulating resin layer is not applied only to the second invention, but may be applied to the first invention or the third invention.
  • FIG. 3A is a plan view of the terminal pattern 21A of the first electronic component 30A and the terminal pattern 21B of the second electronic component 30B used in the manufacturing method of the connection structure according to the second aspect of the present invention. It is explanatory drawing of the capture
  • the electronic components 30A and 30B shown in FIGS. 3A and 3B have a plurality of terminals 20A and 20B in the terminal patterns 21A and 21B. Radially parallel.
  • the terminal patterns 21A and 21B of the electronic components 30A and 30B used in the second invention are different from those used in the first invention shown in FIG. 1A in terms of the effective connection area per terminal.
  • the number density of the conductive particles in the anisotropic conductive film 10B is different in that there is no limitation. Therefore, it can be applied to a normal pitch terminal pattern and a fine pitch terminal pattern.
  • the terminal width is 5 to 50 ⁇ m, preferably 5 to 25 ⁇ m
  • the space between terminals is 10 to 50 ⁇ m, preferably 10 to It can be applied to a 25 ⁇ m terminal.
  • the anisotropic conductive film 10B as shown in FIG. 3B as an example, an insulating resin layer in which conductive particles 1 are arranged in a lattice shape in a plan view is used, and The arrangement pitch and arrangement direction in the grid-like arrangement are determined so that three or more conductive particles are captured at each terminal in the effective connection region of the first electronic component and the second electronic component.
  • the number of conductive particles captured by each terminal in the effective connection region is preferably 10 or more, and more preferably 11 or more.
  • the arrangement pitch and the arrangement direction are appropriately determined according to the terminal patterns 21A and 21B of the electronic components 30A and 30B.
  • the conductive particles 1 are arranged in a square lattice with an arrangement pitch (that is, an interstitial distance) L1, around the arbitrary conductive particles 1x,
  • an arrangement pitch that is, an interstitial distance
  • the arrangement axes Tb1 and Tb2 can be pulled.
  • the angle formed by the array axis and the short direction of the terminal pattern 21A is ⁇ .
  • the maximum of the angles formed by the central axis (straight line R) extending in the longitudinal direction of each terminal 20A and the short direction of the terminal pattern 21A is defined as ⁇ max .
  • the direction of the arrangement axis is determined so that an angle ⁇ satisfying ⁇ > ⁇ max exists.
  • the arrangement pitch L1 of the conductive particles in the array axis Ta1 satisfying beta> alpha max as shown in FIG. 3B shorter than the length of the terminals in the effective connection area.
  • each terminal always intersects the array axis Ta1 in the effective connection region. Therefore, according to this anisotropic conductive film 10B, it becomes possible to capture the conductive particles at each terminal. This is based on the assumption that a sufficient number of conductive particles exist in the short direction of the terminal pattern 21A.
  • the anisotropic conductive film superimposed on the terminal pattern A has preferably 5 or more, more preferably 12 conductive particles in each terminal in the arrangement axis in the short direction of the terminal pattern 21A. More preferably, 13 or more may be present.
  • the conductive particles are densely arranged, the capture of three or more particles can be satisfied with one terminal. In this way, by appropriately determining the arrangement pitch of the conductive particles on the arrangement axis satisfying ⁇ > ⁇ max , the conductivity captured by each terminal in the effective connection region between the first electronic component and the second electronic component.
  • the number of particles can be 3 or more.
  • the lattice axis (the one having the smallest arrangement pitch of the conductive particles in the axis) is the terminal pattern 21 (Ii) a hexagonal lattice arrangement of (i) rotated by 30 °, (iii) a square lattice, and its lattice axis (the arrangement pitch of the conductive particles within the axis is the smallest) And (iv) and (iii) rotated in the forward direction by 45 °.
  • a six-direction lattice or a tetragonal lattice may be a particle arrangement in which the terminal pattern 21 is expanded or contracted in the longitudinal direction or the short direction.
  • the square lattice arrangement axis Ta (arrangement axis with the smallest arrangement pitch of the conductive particles) in (iii) is aligned with the short direction of the terminal pattern 21, and the square lattice is extended in the longitudinal direction of the terminal pattern to thereby arrange the square lattice.
  • the square lattice arrangement axis Tb (the arrangement axis with the second smallest arrangement pitch of the conductive particles) is aligned with the short direction of the terminal pattern 21, and the square lattice is extended in the longitudinal direction of the terminal pattern. May be arranged in an orthorhombic lattice (rhombic lattice).
  • the anisotropic conductive film has an arrangement axis parallel to the short direction of the arrangement pattern. And the left and right target grid array. For this reason, if the arrangement pattern is symmetrical in the longitudinal direction, the captured state is almost the same on the left and right, so that it is easy to determine the captured state, which is preferable from the viewpoint of the productivity of the connection structure. .
  • the arrangement axis Ta1 that is the closest distance between the conductive particle centers is the short direction of the terminal pattern 21A, but it may be preferable to be the long direction of the terminal pattern 21A.
  • the arrangement axis (different By aligning the alignment axis of the anisotropic conductive film that minimizes the arrangement pitch of the conductive particles), it becomes easy to satisfy the predetermined number of conductive particles per terminal.
  • the maximum value of ⁇ can be set to 60 ° as described above, but the maximum value of ⁇ can be adjusted by expanding and contracting the lattice. it can.
  • the lower limit of the maximum value of ⁇ may be 5 ° or more, preferably 15 ° or more, and preferably 30 ° or more. More preferably.
  • the upper limit may be 85 ° or less, preferably 75 ° or less, and more preferably 60 ° or less. This is because, if the tilt angle is too small or too large, a region where the conductive particles are dense occurs, which may make it difficult to apply the fine pitch.
  • the anisotropic conductive film 10B used in the second invention when the angle formed by the arrangement axes Ta1, Ta2, Tb1, Tb2 and the short direction of the anisotropic conductive film 10B is ⁇ , ⁇ > It is preferable that ⁇ max is satisfied.
  • the anisotropic conductive film 10B is used to connect the first electronic component 30A and the second electronic component 30B to the anisotropic conductive connection, the short direction of the anisotropic conductive film 10B is set to the terminal pattern.
  • Examples of the grid-like arrangement of the conductive particles in the anisotropic conductive film used in the second invention include a hexagonal lattice, an orthorhombic lattice, a rectangular lattice, etc. in addition to the square lattice shown in FIG. 3B.
  • the configuration of the conductive particles themselves of the anisotropic conductive film used in the second invention, the number density, the configuration of the insulating resin layer, and the like can be the same as those in the first invention.
  • connection structure 3rd invention replaces with the anisotropic conductive film used by the above-mentioned 2nd invention, and uses the anisotropic conductive film which has a multicircle area
  • the multiple circle region 25 shown in FIG. 4 can be cited.
  • the conductive particles 1 are arranged on a plurality of concentric circles in the insulating resin layer 2 in a plan view of the anisotropic conductive film 10C.
  • the concentric circles it is preferable that they are arranged at a predetermined interval (constant distance L2 between the centers of the conductive particles) because the number of design steps for the arrangement can be reduced.
  • a straight line connecting the first conductive particle 1a on the first concentric circle 22a and the center of the circle is a first straight line 23a, which is a conductive particle on the second concentric circle 22b adjacent to the first concentric circle 22a.
  • the straight line connecting the second conductive particle 1b closest to the first conductive particle 1a and the center of the circle is the second straight line 23b
  • the first straight line 23a and the second straight line 23b do not match.
  • the conductive particles are arranged because both improvement in trapping properties and suppression of short-circuiting can be achieved.
  • the third conductive particle 1c that is the conductive particle on the third concentric circle 22c adjacent to the second concentric circle 22b and is closest to the second conductive particle 1b.
  • the straight line connecting the center of the circle and the center of the circle is the third straight line 23c
  • the angle ⁇ formed by the second straight line 22b and the first straight line 22a, and the third straight line 23c and the second straight line 23b are The angle ⁇ formed is equal, and the angle formed between the fourth straight line 23d and the third straight line 23c determined in the same manner is also equal to the angle ⁇ described above.
  • the conductive particles are captured at any location in each terminal.
  • the angle ⁇ is preferably set to 1 to 40 ° from the viewpoint of suppressing short-circuiting and reducing the number of conductive particles to stabilize trapping.
  • the distance between concentric circles (difference between the radii of adjacent concentric circles) L3 may be equal to the distance L2 between the centers of the conductive particles in each concentric circle.
  • the design decision for arranging the conductive particles can be determined by making the distance L3 between the concentric circles equal to the distance L2 between the centers of the conductive particles in each concentric circle.
  • the quality control at the time can be preferably performed.
  • a particle arrangement similar to a hexagonal lattice can be recognized in the multi-circular region 25, and the conductive particles can be arranged densely to improve the trapping property.
  • the arrangement of the conductive particles is formed from the above-described multiple circular regions.
  • the anisotropic conductive film may be formed from one multiple circular region, or may be formed from a plurality of multiple circular regions.
  • An anisotropic conductive film formed from one multi-circular region is cut into a long strip to make an anisotropic conductive film product (that is, the anisotropy of the particle arrangement in FIGS. 5A and 5B)
  • an anisotropic conductive film product that is, the anisotropy of the particle arrangement in FIGS. 5A and 5B
  • an anisotropic conductive film formed by a plurality of multiple circular regions is cut into a long strip shape to obtain an anisotropic conductive film product.
  • the ratio between the length of the anisotropic conductive film used for production and the maximum length of the multi-circular region can be an integer, which makes it easier to compare the captured state of particles in the connection region. Therefore, pass / fail judgment is facilitated, which is useful for reducing the manufacturing cost of the anisotropic connector.
  • the arrangement of the conductive particles in the anisotropic conductive film is, for example, as shown in FIG. 5A, from a plurality of concentric circular regions 25 to a region having a predetermined shape (for example, a square region 26). ), And the cut out regions can be arranged without gaps as shown in FIG. 5B.
  • the cut out regions can be arranged without gaps in this way, when conductive particles overlap in adjacent multiple circular regions, or when the distance between adjacent conductive particles is within twice, preferably within 0.5 times the conductive particle diameter, One of those conductive particles can be deleted from the point of preventing a short circuit.
  • the shape cut out from the multiple circular region 25 is not particularly limited, and as shown in FIG. 6A, a hexagonal region 27 is cut out from the multiple circular region 25 made up of many concentric circles, and the cut out hexagonal region 27 is shown in FIG. 6B.
  • the arrangement can be made without gaps.
  • the shape to be cut out may be a triangle, a rectangle such as a rectangle or a rhombus.
  • the polygonal shape cut out from the multiple circle region 25 may be appropriately selected in terms of the number of sides and the length of the sides so that the cutout shapes can be arranged without gaps. Further, two or more kinds of polygonal regions may be cut out and arranged without gaps.
  • the length Lf of the anisotropic conductive film used for manufacturing one connection structure stabilizes the capture of conductive particles in each connection structure even when a plurality of connection structures are connected in series. It can be determined from the viewpoint of productivity of the connection structure.
  • the maximum length Lx of one multi-circular region in the film longitudinal direction of the anisotropic conductive film is used for the width of the terminal pattern of the electronic component forming the connection structure (that is, for manufacturing one connection structure)
  • the length Lf of the anisotropic conductive film to be an integer or more (that is, the length Lf of the anisotropic conductive film described above is the multiple circle formed on the anisotropic conductive film) Since the same number of multiple circular regions are included in the manufacture of individual connection structures (by making the maximum length Lx of one region equal to or less than an integral multiple of the maximum length Lx), a connection structure obtained continuously.
  • the above-mentioned 1 / integer is preferably 1/200 or more (the length Lf of the anisotropic conductive film is 200 times or less with respect to the maximum length Lx of the multiple circular region), and is 1/100. Above (100 times or less) is more preferable, and 1/50 or more (50 times or less) is more preferable.
  • a preferable numerical value of the ratio Lx / Lf between [maximum length Lx for one multi-circular region] and [length Lf of anisotropic conductive film used for manufacturing one connection structure] is used.
  • the maximum length Lx of one multi-circular region included therein is a plurality of manufactured connections.
  • the conductive particles When the regions cut out from the multi-circular region 25 are arranged without gaps, the conductive particles overlapping in adjacent regions, and the conductivity in which the distance between the conductive particles is within twice, preferably within 0.5 times the diameter of the conductive particles.
  • One of the particles is preferably deleted.
  • the circle at the outermost part of the multiple circle region 25 at the joint portion between adjacent regions may be connected as a continuous curve, for example, as the joint portion 28 in FIG. 6B.
  • the conductive particles may be intentionally arranged in a portion where the particle density is locally sparse like the joint portion 28.
  • the concentric circles forming the multiple circle region may be an ellipse.
  • the multiple circular region 25 can be formed from a plurality of concentric ellipses 22p, 22q, 22r, and 22s.
  • the distance L2 between the centers of the conductive particles on each concentric ellipse is constant, and this distance L2 is equal to the distance L3 between the ellipses in the minor axis direction.
  • the distance between the ellipses in the major axis direction and the center-to-center distance L2 of the conductive particles on the ellipse may be made equal.
  • a straight line connecting the first conductive particle 1p on the first concentric ellipse 22p and the center of the ellipse is defined as a first straight line 23p, and the conductive particles on the second concentric ellipse 22q adjacent to the first concentric ellipse 22q.
  • the straight line connecting the second conductive particle 1q closest to the first conductive particle 1p and the center of the ellipse is the second straight line 23q
  • the first straight line 23p and the second straight line 23q are Conductive particles are arranged so as not to match.
  • the angle ⁇ 1 between the first straight line 23p and the second straight line 23q, the second straight line 23q, and the third straight line 23r may be the same or different.
  • the arrangement of the conductive particles 1 in the anisotropic conductive film is an area of a predetermined shape (for example, a rectangular area 26). ), And the cut out regions can be arranged without gaps. Even when arranged without gaps in this way, in order to prevent short-circuiting, it is preferable to remove overlapping conductive particles and conductive particles having a distance between the conductive particles within 2 times, preferably within 0.5 times the conductive particles. Also in this case, conductive particles may be intentionally disposed in a portion where the particle density is locally sparse, such as the joint portion 28.
  • the present invention includes an anisotropic conductive film having a multi-circular region 25 cut into a strip shape. As shown in FIGS. 7A and 7B, a region cut out from the multi-circular region is a gap. The thing which cut the anisotropic conductive film of arrangement arranged side by side in the shape of a belt is also included. Therefore, in the anisotropic conductive film cut into a strip shape, the curved particle array may appear in parallel, or the curved particle array may appear continuously.
  • the configuration of the conductive particles themselves of the anisotropic conductive film used in the third invention, the number density, the configuration of the insulating resin layer, and the like can be the same as those of the first invention and the second invention.
  • any conductive particles and two or more conductive particles adjacent to the conductive particles do not fall on one straight line. Regardless of the size and pitch of the terminals in the first electronic component and the second electronic component, the trapping property of the conductive particles at each terminal can be improved. Since other conductive particles can exist on the straight line composed of conductive particles without overlapping, even if the terminal is inclined, if the longitudinal direction of the terminal is sufficiently long, there will be captured conductive particles. Because it becomes possible to do. Therefore, this invention also includes the anisotropic conductive film used by 3rd invention.
  • the present invention also includes a connection structure manufactured by the methods of the first, second, and third inventions described above.
  • the anisotropic conductive film used in the first invention, the second invention, and the third invention is suitable for each invention in the arrangement and density of the conductive particles.
  • a transfer mold for arranging conductive particles in a predetermined arrangement is manufactured, a conductive particle is filled in a recess of the transfer mold, and an insulating resin layer formed on a release film is placed thereon to apply pressure. Then, the conductive particles are transferred to the insulating resin layer by pushing the conductive particles into the insulating resin layer.
  • an insulating adhesive layer is further laminated on the conductive particles.
  • an anisotropic conductive film can be obtained.
  • an insulating resin layer is placed thereon, the conductive particles are transferred from the transfer mold to the surface of the insulating resin layer, and the conductive particles on the insulating resin layer are insulated.
  • An anisotropic conductive film may be manufactured by pushing into the conductive resin layer.
  • a fine adhesive may be applied to the top surface of the convex portions so that the conductive particles adhere to the top surface.
  • These transfer molds can be manufactured using known techniques such as machining, photolithography, and printing.
  • a method for arranging the conductive particles in a predetermined arrangement a method using a biaxially stretched film or the like may be used instead of the method using the transfer side.
  • a method of passing the conductive particles through the through holes provided in a predetermined arrangement may be used.
  • connection structure In any of the first invention, the second invention, and the third invention, an anisotropic conductive film suitable for the first electronic component and the second electronic component to be connected to each other is used, and the first electronic A connection structure in which the first electronic component and the second electronic component are anisotropically conductively connected is obtained by heating and pressing the component and the second electronic component.
  • the heating and pressing method in this case is particularly limited. There is no.
  • connection structure when manufacturing a connection structure by placing one electronic component on the stage, placing the other electronic component on the stage via an anisotropic conductive film, and heating and pressing with a crimping tool
  • the electronic component to be placed on the stage is the second electronic component such as an IC chip, IC module, FPC, glass substrate, plastic substrate, rigid substrate, ceramic substrate, etc.
  • the electronic component to be heated and pressed with a crimping tool is FPC, IC chip
  • the first electronic component such as an IC module.
  • connection structure is manufactured by the following. Note that the connection structure can be manufactured by temporarily attaching an anisotropic conductive film to the first electronic component instead of the second electronic component. Further, the connection method of the present invention is not limited to thermocompression bonding, and includes known modes such as crimping utilizing photocuring and crimping using heat and light in combination.
  • the manufacturing method of the connection structure according to the present invention is highly significant when at least one of the first electronic component and the second electronic component is made of a material that is easily thermally expanded, such as an FPC or a plastic substrate.
  • the significance of the present invention is further enhanced when both the first electronic component and the second electronic component are made of a material that easily undergoes thermal expansion.
  • the electronic components to be connected include those having a multi-stage terminal pattern, such as an IC chip, and those having a terminal pattern formed on opposite sides of a rectangular connection surface. Also included are those in which terminal patterns are formed on all four sides.
  • the alignment can be adjusted only in the short side direction of the electronic component, the main terminal pattern exists only in the long side direction of the electronic component.
  • Example 1 When manufacturing a connection structure in which terminal patterns with radially arranged terminals are connected, the number of conductive particles captured by each terminal is superimposed on the drawing with the terminal pattern with multiple terminals arranged radially and the particle array.
  • the case where the minimum number of trapped conductive particles at the terminal is 3 or more is OK, and the case where it is less than 3 is NG.
  • the terminal pattern in the first electronic component has the following shape.
  • the effective connection area between the terminal of the first electronic component and the terminal of the second electronic component was 100000 ⁇ m 2 .
  • the particle diameter of the conductive particles was 3.2 ⁇ m
  • the arrangement of the conductive particles was random
  • the number density was 4000 / mm 2 .
  • the random arrangement state of the conductive particles is determined from an image in a plan view obtained from an actual anisotropic conductive film kneaded in a binder resin so that the number density is 4000 / mm 2 and having a film thickness of 20 ⁇ m. The one drawn by drawing the outline of the conductive particles was used.
  • Comparative Example 1 Conductive particles captured by each terminal in the same manner as in Example 1 except that the shape of the terminal pattern is the same in Example 1, the terminal width Lt is 10 ⁇ m, the inter-terminal space Ls is 20 ⁇ m, and the effective connection area is 2000 ⁇ m 2. The number was determined by simulation. As a result, the minimum number of conductive particles captured at the terminal was 0, and the evaluation was NG. Comparative Example 2 In Example 1, the number of conductive particles captured by each terminal was determined by simulation in the same manner as in Example 1 except that the number density of conductive particles was less than 2000 / mm 2 . As a result, the minimum number of conductive particles captured at the terminal was 0, and the evaluation was NG.
  • Example 2 For the same terminal pattern as in Example 1, the number of conductive particles captured by the terminal was determined on the drawing in the same manner as in Example 1.
  • the particle diameter of the conductive particles was 3.2 ⁇ m
  • the arrangement of the conductive particles was a square lattice
  • the interstitial distance (distance between the conductive particle centers) was 10 ⁇ m.
  • Example 2 Comparative Example 3 In Example 2, the angle ⁇ max was 10 ° and the interstitial distance was 20 ⁇ m. As a result, the minimum number of conductive particles captured at the terminal was 0, and the evaluation was NG.
  • Example 3 For the same terminal pattern as in Example 1, the number of conductive particles captured by the terminal was determined on the drawing in the same manner as in Example 1. However, an anisotropic conductive film having the following conductive particle arrangement was used.
  • the anisotropic conductive film has a multiple circular region shown in FIG. 5B.
  • the multiple circle region has the following specifications.
  • the diameter of the first concentric circle is 20 ⁇ m.
  • the distance L2 between the conductive particle centers in each concentric circle is 10 ⁇ m.
  • the distance L3 between the concentric circles is 10 ⁇ m.
  • the angle ⁇ formed by the first straight line 23a and the second straight line 23b is 5 °.
  • the rectangular area to be cut out is a square having a side of 100 ⁇ m.
  • one terminal 20 (200 ⁇ m ⁇ 10 ⁇ m) is placed on the above-mentioned anisotropic conductive film 10C, and the terminal is incremented by 1 ° from 0 ° to 360 ° around the center of the terminal.
  • the number of trapped conductive particles at the terminal when rotated at a time was measured. As a result, the minimum number of conductive particles captured was 6 at an angle of 40 °, and there was no terminal that did not capture any conductive particles.

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Abstract

複数の端子が放射状に並列した端子パターンを有する第１の電子部品３０Ａと、第１の電子部品３０Ａの端子パターン２１Ａに対応した端子パターンを有する第２の電子部品３０Ｂとを異方性導電フィルムを用いて異方性導電接続する接続構造体の製造方法において、(i)端子１個当たりの有効接続面積を３０００μｍ2以上とし、異方性導電フィルム１０Ａにおける導電粒子１の個数密度を２０００個／ｍｍ2以上２００００個／ｍｍ2以下とするか、(ii)異方性導電フィルム１０Ｂとして導電粒子が格子状に配列し、かつ配列ピッチ及び配列方向が各端子に導電粒子を３個以上捕捉させるものとするか、(iii)異方性導電フィルム１０Ｃとして多重円領域２５を有するものを使用する。この方法で製造される接続構造体では、導電粒子が捕捉されない端子が低減ないし解消する。

Description

接続構造体
　本発明は、異方性導電フィルムを用いた接続構造体に関する。
　ＩＣチップなどの電子部品では端子のファインピッチ化が進んでいる。また、電子部品の軽量化に伴い、比較的比重の軽いＦＰＣ（Flexible printed circuits）やプラスチック基板が多用されている。また、電子部品の実装には、導電粒子を絶縁性樹脂層に分散させた異方性導電フィルムが広く使用されている。
　しかしながら、ＦＰＣやプラスチック基板を用いると、環境温度が熱膨張に影響するために異方性導電接続する前の同一電子部品間においても端子レイアウトが微細に異なってくるといった問題がある。また、電子部品を実装した製品を量産化するために異方性導電接続を連続して行う場合に、圧着温度が個々の接続で変動すると、圧着温度が熱膨張に影響するために端子の位置が予め定められた位置からずれやすくなるという問題もある。製造ロットの違う電子部品間では端子が設けられた基板等の材料の線膨張率が異なる場合があるので、同様の問題が発生する。このように、電子部品の熱膨張に関係した問題は、接続工程の前後に存在している。
　これに対し、複数の端子が並列した端子パターンにおいて、個々の端子を、端子パターン外の一点を通る放射状の直線に沿わせたものとすることが提案されている（特許文献１、特許文献２、特許文献３）。
　一方、複数の端子が平行に並列した端子パターン同士を異方性導電接続する場合に、端子がファインピッチ化した場合にも各端子で十分な数の導電粒子が捕捉されるように、異方性導電フィルムにおける導電粒子を所定の配列方向と粒子間距離で格子状に配列させることが提案されている（特許文献４）。
特開平１１－１１２１１９号公報 特開２００７－１９５５０号公報 特開２０１５－２３２６６０号公報 特開２０１６－６６５７３号公報
　しかしながら、第１、第２の電子部品の端子パターンを、特許文献１、特許文献２、特許文献３に記載のように、複数の端子が放射状に並列したものとし、この端子パターン同士を、異方性導電フィルムを用いて接続すると、個々の端子の傾きにより、導電粒子を十分に捕捉できない端子が生じてしまう。また、端子毎の捕捉状態が著しく異なることで、接続の良否判定を行うのに時間を要するなど、生産性の問題が生じる場合もある。
　例えば、図９に示したように、第１の電子部品３０Ａの端子パターン２１Ａが、複数の端子２０Ａが放射状に並列した端子パターン（即ち、端子パターン２１Ａの外の一点Ｐを中心とする放射状の直線Ｒに個々の端子２０Ａが沿っている端子パターン）を有し、第２の電子部品３０Ｂが第１の電子部品の端子パターン２１Ａと一致する端子パターンを有し、これらを、絶縁性樹脂層２に導電粒子１が正方格子に配列している異方性導電フィルム１０ｘにより接続する場合、端子パターン２１Ａと端子パターン２１Ｂの有効接続領域の中には導電粒子１を全く捕捉できない端子２０ａ、２０ｂが生じる。図中、かかる端子２０ａ、２０ｂに斜めハッチングを付した。また、第１の電子部品３０Ａと第２の電子部品３０Ｂの対向する端子間に捕捉される導電粒子１を黒く塗りつぶした。なお、図において導電粒子と端子の重複部分が導電粒子の面積の１／２以下の場合、その導電粒子は捕捉されないとして黒く塗りつぶしてはいない。
　また、図１０に示したように、同様の場合において、異方性導電フィルム１０ｙの導電粒子１が６方格子に配列しているときも、端子パターン２１Ａを構成する端子の中に導電粒子１を全く捕捉できない端子２０ｃが生じる。
　このような問題に対し、本発明は、複数の端子が放射状に並列した端子パターンを有する第１の電子部品と、第１の電子部品の端子パターンに対応した端子パターンを有する第２の電子部品とを異方性導電フィルムを用いて異方性導電接続して得られる接続構造体において、導電粒子が捕捉されない端子を低減ないし解消することを目的とする。
　本発明者は、複数の端子が放射状に並列した端子パターンを有する電子部品同士を異方性導電接続する場合に、端子の有効接続面積やピッチに応じて異方性導電フィルムの導電粒子の個数密度を変え、好ましくは導電粒子の配列状態を規定すると、接続構造体において導電粒子を捕捉していない端子を低減ないし解消できることを見いだし、本発明を想到した。
　即ち、第１の本発明は、複数の端子が放射状に並列した端子パターンを有する第１の電子部品と、第１の電子部品の端子パターンに対応した端子パターンを有する第２の電子部品とを異方性導電フィルムを用いて異方性導電接続する接続構造体の製造方法であって、
端子１個当たりの有効接続面積を３０００μｍ2以上とし、
異方性導電フィルムにおける導電粒子の個数密度を２０００個／ｍｍ2以上２００００個／ｍｍ2以下とする接続構造体の製造方法である。
　第２の本発明は、複数の端子が放射状に並列した端子パターンを有する第１の電子部品と、第１の電子部品の端子パターンに対応した端子パターンを有する第２の電子部品とを異方性導電フィルムを用いて異方性導電接続する接続構造体の製造方法であって、
異方性導電フィルムが、平面視で絶縁性樹脂層に導電粒子が格子状に配列した異方性導電フィルムであり、格子状の配列における配列ピッチ及び配列方向が、第１の電子部品と第２の電子部品の有効接続領域において各端子に導電粒子を３個以上捕捉させるものとなる接続構造体の製造方法である。
　第３の本発明は、複数の端子が放射状に並列した端子パターンを有する第１の電子部品と、第１の電子部品の端子パターンに対応した端子パターンを有する第２の電子部品とを異方性導電フィルムを用いて異方性導電接続する接続構造体の製造方法であって、
異方性導電フィルムが、平面視で絶縁性樹脂層に導電粒子が複数の同心円（同心楕円を含む）上に所定間隔で配置され、かつ第１の同心円上の第１の導電粒子と円の中心とを結ぶ直線を第１の直線とし、第１の同心円に隣接する第２の同心円上の導電粒子であって、第１の導電粒子に最近接した第２の導電粒子と円の中心とを結ぶ直線を第２の直線とした場合に第１の直線と第２の直線が一致しないように導電粒子が配置されている多重円領域を有する接続構造体の製造方法である。
　また本発明は、第２の接続構造体の製造方法に使用する異方性導電フィルムとして、複数の端子が放射状に並列した端子パターンを有する第１の電子部品と、第１の電子部品の端子パターンに対応した端子パターンを有する第２の電子部品とを異方性導電接続するために使用する、導電粒子が格子状に配列した異方性導電フィルムであって、
異方性導電フィルムにおいて導電粒子の配列ピッチが最も小さい配列軸又は次に小さい配列軸と異方性導電フィルムの短手方向とがなす角度をγとし、
端子パターンを構成する各端子の長手方向に伸びた中心軸と端子パターンの短手方向とがなす角度の最大値をαmaxとした場合に、
γ＞αmaxとなる配列軸を有する異方性導電フィルムを提供する。
　第３の接続構造体の製造方法に使用する異方性導電フィルムとして、絶縁性樹脂層に導電粒子が配置されている異方性導電フィルムであって、
平面視で絶縁性樹脂層に導電粒子が複数の同心円上に配置され、かつ第１の同心円上の第１の導電粒子と円の中心とを結ぶ直線を第１の直線とし、第１の同心円に隣接する第２の同心円上の導電粒子であって、第１の導電粒子に最近接した第２の導電粒子と円の中心とを結ぶ直線を第２の直線とした場合に第１の直線と第２の直線が一致しないように導電粒子が配置されている多重円領域を有する異方性導電フィルムを提供する。
　さらに本発明は、上述の接続構造体の製造方法で製造された接続構造体を提供する。
　本発明によれば、複数の端子が放射状に並列した端子パターンを有する電子部品同士を接続して接続構造体を得るにあたり、導電粒子が捕捉されない端子を低減ないし解消することができる。
　特に、第１の接続構造体の製造方法によれば、端子面積が比較的大きく、端子１個当たりの有効接続面積が３０００μｍ2以上の場合に、異方性導電フィルムにおける導電粒子の配置が規則的であってもランダムであっても、接続構造体において導電粒子が捕捉されない端子を低減ないし解消することができる。
　第２の接続構造体の製造方法によれば、異方性導電フィルムにおける導電粒子が格子状に規則配列している場合に、接続構造体において導電粒子が捕捉されない端子を低減ないし解消することができる。また、端子パターンを構成する端子毎における導電粒子の捕捉状態を均一化できる。特に端子パターンが左右対称である場合に、顕著な効果が得られる。
　第３の接続構造体の製造方法によれば、電子部品の端子の大きさや端子ピッチに関わらず、接続構造体において導電粒子が捕捉されない端子を低減ないし解消することができる。また、端子パターンを構成する端子毎における導電粒子の捕捉状態を均一化できる。特に端子パターンが左右対称である場合に、顕著な効果が得られる。
図１Ａは、第１の発明の接続構造体の製造方法で使用する電子部品の端子パターンの平面図である。 図１Ｂは、第１の発明の接続構造体の製造方法で使用する電子部品の端子パターンの重なり状態を示す平面図である。 図１Ｃは、第１の電子部品と、熱膨張した第２の電子部品の端子パターンの重なり状態を示す平面図である。 図２は、異方性導電フィルムのフィルム厚方向の断面図である。 図３Ａは、第２の発明の接続構造体の製造方法で使用する電子部品の端子パターンの平面図である。 図３Ｂは、第２の発明の接続構造体の製造方法で使用する異方性導電フィルムにおける導電粒子の格子状の配列の説明図である。 図４は、第３の発明の接続構造体の製造方法で使用する異方性導電フィルムにおける多重円領域の説明図である。 図５Ａは、多重円領域から切り出す矩形領域の説明図である。 図５Ｂは、多重円領域から切り出した矩形領域を敷き詰めた、異方性導電フィルムにおける導電粒子配置の説明図である。 図６Ａは、多重円領域から切り出す６角形領域の説明図である。 図６Ｂは、多重円領域から切り出した６角形領域を敷き詰めた、異方性導電フィルムにおける導電粒子配置の説明図である。 図７Ａは、同心円が楕円からなる多重円領域及びその多重円領域から切り出す矩形領域の説明図である。 図７Ｂは、同心円が楕円からなる多重円領域から切り出した矩形領域を敷き詰めた、異方性導電フィルムにおける導電粒子配置の説明図である。 図８Ａは、実施例における導電粒子の配置と端子との関係図である。 図８Ｂは、実施例における導電粒子の配置と端子との関係図である。 図９は、複数の端子が放射状に並列している従来の接続構造体の端子における導電粒子の捕捉状態の説明図である。
図１０は、複数の端子が放射状に並列している従来の接続構造体の端子における導電粒子の捕捉状態の説明図である。
　以下、図面を参照しつつ本発明を詳細に説明する。なお、各図中、同一符号は、同一又は同等の構成要素を表している。
［第１の発明］
（接続構造体の全体構造）
　図１Ａは、第１の本発明の接続構造体の製造方法で使用する第１の電子部品３０Ａの端子パターン２１Ａと第２の電子部品３０Ｂの端子パターン２１Ｂの平面図であり、図１Ｂは、これらの端子パターン２１Ａ、２１Ｂの重なり状態を示す平面図である。
　この端子パターン２１Ａでは複数の端子２０Ａが放射状に並列している。即ち、各端子２０Ａは、端子パターン２１Ａ外の点Ｐを通る放射状の直線Ｒを中心軸として帯状に形成されている。本実施例において、点Ｐは端子パターン２１Ａの幅の中心線Ｑ上にあり、中心線Ｑと各端子２０Ａの長手方向に伸びた中心軸となっている直線Ｒとがなす角度θの隣り合う端子パターン同士の差Δθは一定であり、Δθ＝αとなっている。なお、本発明において、この角度θに限定は無く、角度θは一定角度ずつ変化してもよく、規則的に変化してもよい。また、各端子２０Ａの中心軸をなす直線Ｒの全てが点Ｐを通る必要はない。例えば、直線Ｒと中心線Ｑとのなす角度が小さい端子においては、直線Ｒは中心線Ｑと平行でもよい。同じ角度で傾斜している端子が並列している部分があってもよい。点Ｐが、左右対称に複数存在していてもよい。また、複数の端子２０Ａからなる端子パターン２１Ａが、中心線Ｑに対して左右対称になっていなくてもよい。
　第２の電子部品３０Ｂの端子パターン２１Ｂは第１の電子部品３０Ａの端子パターン２１Ａに対応しており、図１Ｂに示すように、所定温度でこれらは丁度重なり合うように形成されている。なお、このように端子パターン２１Ａ、２１Ｂにおいて、各端子２０Ａ、２０Ｂが放射状に形成されていると、仮に第１の電子部品３０Ａと第２の電子部品３０Ｂの一方が他方に対して熱などにより相対的に膨張しても、図１Ｃに示すように、第１の電子部品３０Ａの各端子２０Ａと、それに対応する第２の電子部品３０Ｂの各端子２０Ｂとは重なり合うことができる。なお、図１Ｃにおいて、実線で示した符号３０Ｂは膨張後の第２の電子部品を示しており、破線で示した符号３０Ｂは膨張前の第２の電子部品を示している。なお、本発明では個々の電子部品において、引き回しの配線の配線幅と端子幅とは同じでも異なっていてもよく、引き回し配線の配線高さと端子高さも同じでも異なっていてもよい。引き回し配線の配線高さと端子高さとが異なっている例としては、ＩＣチップなどが挙げられる。
　なお、ＩＣチップは熱膨張の影響がＦＰＣやプラスチック基板などに対して著しく低いので、図１Ｃに示した接続構造体では、第１の電子部品がＩＣチップになり、膨張する第２の電子部品がＦＰＣやプラスチック基板となる。
（有効接続面積）
　第１の発明では、上述のように放射状に形成されている端子２０Ａ、２０Ｂの１個当たりの有効接続面積を３０００μｍ2以上とする。ここで端子の有効接続面積とは、第１の電子部品３０Ａの端子２０Ａと、第２の電子部品３０Ｂの端子２０Ｂと、異方性導電フィルム１０Ａとが実際に重なり合っている有効接続領域の面積をいい、例えば、図１Ｃのように第１の電子部品３０Ａの端子２０Ａと、第２の電子部品３０Ｂの端子２０Ｂとが部分的に重なっている場合に、その部分的に重なっている領域と異方性導電フィルム１０Ａとが重なっている領域２０Ｃの面積をいう。図１Ｃでは有効接続領域２０Ｃの一つに斜めハッチングを付した。第１の発明では、端子１個当たりの有効接続面積を３０００μｍ2以上とするため、端子２０Ａ、２０Ｂの１個当たりの面積を３０００μｍ2以上とすることが好ましく、そのために端子１個当たりの幅を５～３００μｍとすることが好ましく、２０～２００μｍとすることがより好ましい。端子長さを１０～３０００μｍとすることが好ましく、５００～２０００μｍとすることがより好ましい。また、端子間スペースを１０～３００μｍとすることが好ましく、２０～２００μｍとすることがより好ましい。なお、端子幅と端子間スペースは、必要に応じて上限を１０００μｍ程度とすることもできる。
（異方性導電フィルム）
・個数密度
　異方性導電フィルム１０Ａでは、例えば図１Ｃに示すように、絶縁性樹脂層２に導電粒子１が保持されている。第１の発明では、上述のように比較的端子面積が大きく、端子１個当たりの有効接続面積が３０００μｍ2以上の場合に、異方性導電フィルム１０Ａにおける導電粒子１の個数密度を２０００個／ｍｍ2以上２００００個／ｍｍ2以下とし、好ましくは７０００個／ｍｍ2以上１５０００個／ｍｍ2以下とする。これにより、接続構造体の各端子における導電粒子の捕捉性を向上させることができる。
　なお、導電粒子の個数密度と、導電粒子１個の平面視面積の平均から次式で算出される面積占有率は、異方性導電フィルムを電子部品に熱圧着するために押圧治具に必要とされる推力の指標となる。
　面積占有率（％）
　＝［平面視における導電粒子の個数密度（個／ｍｍ2）］×[導電粒子１個の平面視面積の平均（ｍｍ2／個）]×１００
　面積占有率は好ましくは３５％以下、より好ましくは０．３～３０％の範囲である。これにより、異方性導電フィルムを電子部品に熱圧着するために押圧治具に必要とされる推力を低く抑えることが可能となる。
・粒子配置
　異方性導電フィルム１０Ａにおける導電粒子１の配置には特に制限はない。ランダムでもよく、格子状等に配列していてもよい。格子状の配列としては、正方格子、６方格子、斜方格子、長方格子等を挙げることができる。これらの格子形状の配列軸を、フィルムの長手方向に対して傾斜させてもよい。導電粒子全体としての粒子配置として、導電粒子１が所定間隔で直線状に並んだ粒子列を所定の間隔で並列させてもよい。
・導電粒子
　導電粒子１としては、ニッケル、コバルト、銀、銅、金、パラジウムなどの金属粒子、ハンダなどの合金粒子、金属被覆樹脂粒子、表面に絶縁性微粒子が付着している金属被覆樹脂粒子などが挙げられる。２種以上を併用することもできる。中でも、金属被覆樹脂粒子が、接続された後に樹脂粒子が反発することで端子との接触が維持され易くなり、導通性能が安定する点から好ましい。また、導電粒子の表面には公知の技術により絶縁性微粒子が付着していてもよく、導通特性に支障を来さない絶縁処理が施されていてもよい。
　異方性導電フィルム１０Ａにおける導電粒子１の粒子径は、導通抵抗の上昇を抑制し、且つショートの発生を抑制するために、好ましくは１μｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは３μｍ以上１０μｍ未満である。絶縁性樹脂層に分散させる前の導電粒子の粒子径は、一般的な粒度分布測定装置により測定することができ、また、平均粒子径も粒度分布測定装置を用いて求めることができる。測定装置としては、一例としてＦＰＩＡ－３０００（マルバーン社）を挙げることができる。異方性導電フィルムにおける導電粒子の粒子径は、ＳＥＭなどの電子顕微鏡観察から求めることができる。この場合、導電粒子径を測定するサンプル数を２００以上、好ましくは１０００以上とすることが望ましい。
　なお、導電粒子として、その表面に絶縁性微粒子が付着しているものを使用する場合、本発明における導電粒子の粒子径は、表面の絶縁性微粒子を含めない粒子径を意味する。
・導電粒子が非接触で存在する個数割合
　また、異方性導電フィルム１０Ａにおける導電粒子１は、フィルムの平面視にて互いに接触することなく存在し、フィルム厚方向にも導電粒子１が互いに重なることなく存在していることが好ましい。そのため、導電粒子全体に対し、導電粒子１同士が互いに非接触で存在する個数割合は９５％以上、好ましくは９８％以上、より好ましくは９９．５％以上である。これは、規則的配置でもランダム配置でも同様である。後述するように、転写型を使用して導電粒子１を規則的に配置させると、導電粒子１同士が互いに非接触で存在する割合を容易に制御することができるので好ましい。ランダム配置の場合は、絶縁性樹脂に導電粒子１を混練して異方性導電フィルムを作製することが容易なため、性能やコストとの兼ね合いで、転写型を利用する製造方法と、混練を利用する製造方法とどちらを選択してもよい。なお、導電粒子を規則的に配置する方法は転写型を利用するものに制限されるものではない。
・導電粒子のフィルム厚方向の位置
　導電粒子１が互いに接触することなく存在する場合に、そのフィルム厚方向の位置が揃っていることが好ましい。例えば、図２に示したように、導電粒子１のフィルム厚方向の埋込量Ｌｂを揃えることができる。これにより、端子における導電粒子１の捕捉性が安定し易い。なお、本発明において、導電粒子１は、絶縁性樹脂層２から露出していても、完全に埋め込まれていてもよい。
　ここで、埋込量Ｌｂは、導電粒子１が埋め込まれている絶縁性樹脂層２の表面（絶縁性樹脂層２の表裏の面のうち、導電粒子１が露出している側の表面、又は導電粒子１が絶縁性樹脂層２に完全に埋め込まれている場合には、導電粒子１との距離が近い表面）であって、隣接する導電粒子間の中央部における接平面２ｐと、導電粒子１の最深部との距離をいう。
・埋込率
　導電粒子１の平均粒子径Ｄに対する埋込量Ｌｂの割合を埋込率（Ｌｂ/Ｄ）とした場合に、埋込率は３０％以上１０５％以下が好ましい。埋込率（Ｌｂ/Ｄ）を３０％以上とすることにより、導電粒子１を絶縁性樹脂層２によって所定の位置に維持し、また、１０５％以下とすることにより、異方性導電接続時に端子間の導電粒子を不用に流動させるように作用する絶縁性樹脂層の樹脂量を低減させることができる。また、埋込率が１００％以上で導電粒子が絶縁性樹脂層２から露出していると、接続時にかかる圧力が導電粒子１に伝わり易くなる。また、導電粒子１が絶縁性樹脂層２から露出していると、異方性導電接続時に押圧治具による導電粒子１の押し込みによって生じる、該導電粒子１の変形に対する絶縁性樹脂層２の抵抗が低減されるため、接続後の圧痕の状態が均一になり易い。これにより、接続後の状態が確認し易くなる。導電粒子１が絶縁性樹脂層２から過度に露出している場合は、後述する第２の絶縁性樹脂層を設けてもよい。
　なお、本発明において、埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の数値は、異方性導電フィルムに含まれる全導電粒子数の９９％以上、好ましくは９９．９％以上、より好ましくは９９．９９％以上が、当該埋込率（Ｌｂ/Ｄ）の数値になっていることをいう。したがって、埋込率が３０％以上１０５％以下とは、異方性導電フィルムに含まれる全導電粒子数の９９％以上、好ましくは９９．９％以上、より好ましくは９９．９９％以上の埋込率が３０％以上１０５％以下であることをいう。このように全導電粒子の埋込率（Ｌｂ/Ｄ）が揃っていることにより、押圧の加重が導電粒子に均一にかかるので、端子における導電粒子の捕捉状態が良好になり、導通の安定性が向上する。
（絶縁性樹脂層）
・絶縁性樹脂層の粘度
　異方性導電フィルム１０Ａにおいて、絶縁性樹脂層２は最低溶融粘度が１０００Ｐａ・ｓ程度することができ、１１００Ｐａ・ｓ以上であればよく、好ましくは２０００Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは３０００～１５０００Ｐａ・ｓ、さらに好ましくは３０００～１００００Ｐａ・ｓである。最低溶融粘度は、一例として回転式レオメータ（ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用い、測定圧力５ｇで一定に保持し、直径８ｍｍの測定プレートを使用し求めることができ、より具体的には、温度範囲３０～２００℃において、昇温速度が１０℃／分、測定周波数１０Ｈｚ、前記測定プレートに対する荷重変動５ｇとすることにより求めることができる。
　絶縁性樹脂層２の最低溶融粘度を２０００Ｐａ・ｓ以上の高粘度とすることにより、異方性導電接続時に端子間で挟持されるべき導電粒子１が樹脂流動により流されてしまうことを防止できる。
・絶縁性樹脂層の組成
　絶縁性樹脂層２は、硬化性樹脂組成物から形成することができ、例えば、熱重合性化合物と熱重合開始剤とを含有する熱重合性組成物から形成することができる。熱重合性組成物には必要に応じて光重合開始剤を含有させてもよい。
　熱重合開始剤と光重合開始剤を併用する場合に、熱重合性化合物として光重合性化合物としても機能するものを使用してもよく、熱重合性化合物とは別に光重合性化合物を含有させてもよい。好ましくは、熱重合性化合物とは別に光重合性化合物を含有させる。例えば、熱重合開始剤としてカチオン系硬化開始剤、熱重合性化合物としてエポキシ樹脂を使用し、光重合開始剤として光ラジカル重合開始剤、光重合性化合物としてアクリレート化合物を使用する。
　光重合開始剤として、波長の異なる光に反応する複数種類を含有させてもよい。これにより、異方性導電フィルムの製造時における、絶縁性樹脂層を構成する樹脂の光硬化と、異方性導電接続時に電子部品同士を接着するための樹脂の光硬化とで使用する波長を使い分けることができる。
　異方性導電フィルムの製造時の光硬化では、絶縁性樹脂層に含まれる光重合性化合物の全部又は一部を光硬化させることができる。この光硬化により、絶縁性樹脂層２における導電粒子１の配置が保持乃至固定化され、ショートの抑制と捕捉性の向上が見込まれる。また、この光硬化により、異方性導電フィルムの製造工程における絶縁性樹脂層の粘度を適宜調整してもよい。特にこの光硬化は、絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａと導電粒子１の平均径Ｄとの比（Ｌａ／Ｄ）が０．６未満である場合に行うことが好ましい。導電粒子の平均径に対して絶縁性樹脂層２の層厚が薄い場合にも絶縁性樹脂層２で導電粒子の配置の保持乃至固定化をより確実に行うと共に、絶縁性樹脂層２の粘度調整を行い、異方性導電フィルムを用いた電子部品同士の接続において歩留まりの低下を抑制するためである。
　絶縁性樹脂層における光重合性化合物の配合量は３０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、２質量％未満がさらに好ましい。光重合性化合物が多すぎると接続時の押し込みにかかる推力が増加するためである。
　熱重合性組成物の例としては、（メタ）アクリレート化合物と熱ラジカル重合開始剤とを含む熱ラジカル重合性アクリレート系組成物、エポキシ化合物と熱カチオン重合開始剤とを含む熱カチオン重合性エポキシ系組成物等が挙げられる。熱カチオン重合開始剤を含む熱カチオン重合性エポキシ系組成物に代えて、熱アニオン重合開始剤を含む熱アニオン重合性エポキシ系組成物を使用してもよい。また、特に支障を来さなければ、複数種の重合性化合物を併用してもよい。併用例としては、カチオン重合性化合物とラジカル重合性化合物の併用などが挙げられる。
　ここで、（メタ）アクリレート化合物としては、従来公知の熱重合型（メタ）アクリレートモノマーを使用することができる。例えば、単官能（メタ）アクリレート系モノマー、二官能以上の多官能（メタ）アクリレート系モノマーを使用することができる。
　熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、有機過酸化物、アゾ系化合物等を挙げることができる。特に、気泡の原因となる窒素を発生しない有機過酸化物を好ましく使用することができる。
　熱ラジカル重合開始剤の使用量は、少なすぎると硬化不良となり、多すぎると製品ライフの低下となるので、（メタ）アクリレート化合物１００質量部に対し、好ましくは２～６０質量部、より好ましくは５～４０質量部である。
　エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、それらの変性エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などを挙げることができ、これらの２種以上を併用することができる。また、エポキシ化合物に加えてオキセタン化合物を併用してもよい。
　熱カチオン重合開始剤としては、エポキシ化合物の熱カチオン重合開始剤として公知のものを採用することができ、例えば、熱により酸を発生するヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、フェロセン類等を用いることができ、特に、温度に対して良好な潜在性を示す芳香族スルホニウム塩を好ましく使用することができる。
　熱カチオン重合開始剤の使用量は、少なすぎても硬化不良となる傾向があり、多すぎても製品ライフが低下する傾向があるので、エポキシ化合物１００質量部に対し、好ましくは２～６０質量部、より好ましくは５～４０質量部である。
　熱重合性組成物は、膜形成樹脂やシランカップリング剤を含有することが好ましい。膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂等を挙げることができ、これらの２種以上を併用することができる。これらの中でも、成膜性、加工性、接続信頼性の観点から、フェノキシ樹脂を好ましく使用することができる。重量平均分子量は１００００以上であることが好ましい。また、シランカップリング剤としては、エポキシ系シランカップリング剤、アクリル系シランカップリング剤等を挙げることができる。これらのシランカップリング剤は、主としてアルコキシシラン誘導体である。
　熱重合性組成物には、溶融粘度調整のために、前述の導電粒子に付着している絶縁性微粒子とは別に、絶縁性フィラを含有させてもよい。この絶縁性フィラとしてはシリカ粉やアルミナ粉などが挙げられる。絶縁性フィラの大きさは粒径２０～１０００ｎｍが好ましく、また、配合量はエポキシ化合物等の重合性化合物１００質量部に対して５～５０質量部とすることが好ましい。
　さらに、本発明の異方性導電フィルムには、上述の絶縁フィラとは異なる充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤（顔料、染料）、有機溶剤、イオンキャッチャー剤などを含有させてもよい。
・絶縁性樹脂層の層厚
　本発明の異方性導電フィルムでは、絶縁性樹脂層２の層厚は導電粒子１の粒子径や接続対象物や端子高さによって変動するため特に限定されないが、一例として、平均粒子径Ｄが１０μｍ未満の場合は、絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａと導電粒子１の平均粒子径Ｄとの比（Ｌａ／Ｄ）を０．３以上１０以下とすることが好ましく、絶縁性樹脂層２における導電粒子１の配置の維持の点から、比（Ｌａ／Ｄ）を０．４以上とすることがより好ましい。また、異方性導電接続時の過度な樹脂流動の抑制及び低圧実装の実現の点から３以下とすることが好ましく、１以下とすることがより好ましい。さらに、導電粒子１を絶縁性樹脂層２から露出させることを容易とし、低圧実装をより容易にする点からは、この比（Ｌａ／Ｄ）を１未満とすることが好ましく、より好ましくは０．６未満、さらに好ましくは０．５以下である。尚、比（Ｌａ／Ｄ）を３以下とする場合、絶縁性樹脂層２よりも最低溶融粘度の低い第２の絶縁性樹脂層を設けることが好ましい場合がある。
　一方、平均粒子径Ｄが１０μｍ以上の場合には、Ｌａ／Ｄは、上限に関しては、３．５以下、好ましくは２．５以下、より好ましくは２以下とし、下限に関しては０．８以上、好ましくは１以上、より好ましくは１．３より大きくする。
　また、平均粒子径Ｄの大きさに関わらず、絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａが大き過ぎてこの比（Ｌａ／Ｄ）が過度に大きくなると、異方性導電接続時に導電粒子１が端子に押し付けられにくくなると共に、樹脂流動により導電粒子が流されやすくなる。そのため導電粒子が位置ずれしやすくなり、端子における導電粒子の捕捉性が低下する。また、導電粒子を端子に押し付けるために押圧治具に必要とされる推力も増大し、低圧実装の妨げになる。反対に絶縁性樹脂層２の層厚Ｌａが小さすぎてこの比が過度に小さくなると、導電粒子１を絶縁性樹脂層２によって所定の位置に維持することが困難となる。
　第２の絶縁性樹脂層と絶縁性樹脂層２との最低溶融粘度は、差があるほど、異方性導電フィルムを介して接続する２つの端子間の空間が第２の絶縁性樹脂層で充填され易くなり、電子部品同士の接着性を向上させる効果が期待できる。また、この差があるほど絶縁性樹脂層２の移動量が第２の絶縁性樹脂層に対して相対的に小さくなるため、端子における導電粒子の捕捉性が向上しやすくなる。
　第２の絶縁性樹脂層を有する異方性導電フィルムを用いて接続する場合、第２の絶縁性樹脂層が絶縁性樹脂層２の熱圧着ツールで加圧する電子部品側にあると（言い換えると絶縁性樹脂層２がステージに載置される電子部品側にあると）、導電粒子の不本意な移動を避けることができ、捕捉性を向上させる点から好ましい。また、第２の絶縁性樹脂層が絶縁性樹脂層２の導電粒子が設けられている側にあると、導電粒子を保持する樹脂が十分に存在することになるため安定した接続状態を得るためには好ましい（導電粒子の挟持を保持する樹脂量が相対的に多くなるために好ましい）。また、第２の絶縁性樹脂層が絶縁性樹脂層２の導電粒子が設けられている側の反対にあると、一般的にはステージに載置される電子部品側に導電粒子が近づくため、上記と同様の理由により、捕捉性の観点から好ましい。これらは、電子部品の端子や材質、接続方法によって適宜使い分ければよい。
　また、絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層との最低溶融粘度は、差があるほど異方性導電接続時に導電粒子を含有している絶縁性樹脂層２の移動量が第２の絶縁性樹脂層の移動量に対して相対的に小さくなるため、端子における導電粒子の捕捉性が向上しやすくなる。第２の絶縁性樹脂層を予めツール側に設けられる電子部品に貼り合せて使用する場合には、タック層としても用いることができる。
絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層との最低溶融粘度比は、実用上は、絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層の層厚の比率にもよるが、好ましくは２以上、より好ましくは５以上、さらに好ましくは８以上である。一方、この比が大きすぎると異方性導電フィルムを長尺の巻装体にした場合に、樹脂のはみだしやブロッキングが生じる虞があるので、実用上は１５以下が好ましい。第２の絶縁性樹脂層の好ましい最低溶融粘度は、より具体的には、上述の比を満たし、かつ３０００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは２０００Ｐａ・ｓ以下であり、さらに好ましくは１００～２０００Ｐａ・ｓである。
　なお、第２の絶縁性樹脂層は、絶縁性樹脂層２と同様の樹脂組成物において、粘度を調整することにより形成することができる。
　第２の絶縁性樹脂層の層厚は、異方性導電フィルムの用途に応じて適宜設定することができる。第２の絶縁性樹脂層の層厚は、好ましくは４～２０μｍであり、また、導電粒子径の好ましくは１～８倍である。
　また、絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層を合わせた異方性導電フィルム全体の最低溶融粘度は、異方性導電フィルムの用途や、絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層の層厚の比率等に応じて定めるが、実用上は８０００Ｐａ・ｓ以下、バンプ間への充填を行い易くするために２００～７０００Ｐａ・ｓとしてもよく、好ましくは、２００～４０００Ｐａ・ｓである。
　絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層を挟んで反対側に第３の絶縁性樹脂層が設けられていてもよい。第３の絶縁性樹脂層はタック層として機能させることができる。また、第２の絶縁性樹脂層と同様に、電子部品の電極やバンプによって形成される空間を充填させるために設けてもよい。
　第３の絶縁性樹脂層の樹脂組成、粘度及び層厚は第２の絶縁性樹脂層と同様でもよく、異なっていても良い。絶縁性樹脂層２と第２の絶縁性樹脂層と第３の絶縁性樹脂層を合わせた異方性導電フィルムの最低溶融粘度は特に制限はないが、８０００Ｐａ・ｓ以下としてもよく、２００～７０００Ｐａ・ｓであってもよく、２００～４０００Ｐａ・ｓとすることもできる。
　上述した第２の絶縁性樹脂層及び第３の絶縁性樹脂層に関する記載は第２の発明にのみ適用されるものではなく、第１の発明や第３の発明に適用してもよい。
［第２の発明］
（接続構造体の全体構造）
　図３Ａは、第２の本発明の接続構造体の製造方法で使用する第１の電子部品３０Ａの端子パターン２１Ａと第２の電子部品３０Ｂの端子パターン２１Ｂの平面図であり、図３Ｂは、第２の発明の接続構造体の製造方法で製造した接続構造体の端子における導電粒子の捕捉状態の説明図である。
　図３Ａ、図３Ｂに示した電子部品３０Ａ、３０Ｂも、図１Ａに示した第１の発明で使用する電子部品３０Ａ、３０Ｂと同様に、端子パターン２１Ａ、２１Ｂにおいて、複数の端子２０Ａ、２０Ｂが放射状に並列している。
　ただし、第２の発明で使用する電子部品３０Ａ、３０Ｂの端子パターン２１Ａ、２１Ｂには、図１Ａに示した第１の発明で使用するものに対して、端子１個当たりの有効接続面積についての制限はなく、異方性導電フィルム１０Ｂにおける導電粒子の個数密度にも制限はない点で異なっている。そのため、ノーマルピッチの端子パターンや、ファインピッチの端子パターンに適用することができ、例えば、端子幅が５～５０μｍ、好ましくは５～２５μｍであり、端子間スペースが１０～５０μｍ、好ましくは１０～２５μｍの端子に適用することができる。
　一方、第２の発明において異方性導電フィルム１０Ｂとしては、一例として図３Ｂに示したように、平面視で絶縁性樹脂層に導電粒子１が格子状に配列したものを使用し、かつ、格子状の配列における配列ピッチ及び配列方向が、第１の電子部品と第２の電子部品の有効接続領域において各端子に導電粒子が３個以上捕捉されるように定められている。尚、フィルム幅方向で各端子に捕捉される導電粒子が３個以上あることが好ましい。有効接続領域で各端子に捕捉される導電粒子は１０個以上あれば好ましく、１１個以上であればより好ましい。
　この配列ピッチ及び配列方向は、電子部品３０Ａ、３０Ｂの端子パターン２１Ａ、２１Ｂに応じて適宜定められる。例えば、図３Ｂに示した異方性導電フィルム１０Ｂにおいて、導電粒子１が配列ピッチ（即ち、格子間距離）Ｌ１で正方格子に配列している場合に、任意の導電粒子１ｘの周囲には、導電粒子１ｘに導電粒子中心間距離で最も近い距離（格子間距離）Ｌ１に４つの導電粒子１ａが存在し、導電粒子１ａと前記導電粒子１ｘとを結ぶことにより配列軸Ｔａ1、Ｔａ2が引ける。また、導電粒子１ｘから次に近い距離にある導電粒子としては、格子間距離Ｌ1の１．４倍の距離に４つの導電粒子１ｂが存在し、導電粒子１ｂと前記導電粒子１ｘとを結ぶことにより配列軸Ｔｂ1、Ｔｂ2が引ける。これらの配列軸Ｔａ1、Ｔａ2、Ｔｂ1、Ｔｂ2について、配列軸と端子パターン２１Ａの短手方向とがなす角度をβとする。一方、各端子２０Ａの長手方向に伸びた中心軸（直線Ｒ）と、端子パターン２１Ａの短手方向とがなす角度のうち最大のものをαmaxとする。このとき、β＞αmaxを満たす角度βが存在するように配列軸の方向を定める。また、図３Ｂに示すようにβ＞αmaxを満たす配列軸Ｔａ1において導電粒子の配列ピッチＬ１を、有効接続領域における各端子の長さよりも短くする。これにより、各端子は有効接続領域において必ず配列軸Ｔａ1と交差する。したがって、この異方性導電フィルム１０Ｂによれば、各端子において導電粒子を捕捉することが可能となる。これは、端子パターン２１Ａの短手方向において十分な数の導電粒子が存在することが前提になる。具体的な一例としては、端子パターンＡに重ね合わせた異方性導電フィルムの、端子パターン２１Ａの短手方向の配列軸において、各端子に導電粒子が好ましくは５個以上、より好ましくは１２個以上、さらに好ましくは１３個以上が存在するようにすればよい。端子の傾斜角度にもよるが、密に導電粒子が配置されていれば、一つの端子で３個以上の粒子の捕捉を満足させることができる。このようにすることで、β＞αmaxを満たす配列軸において導電粒子の配列ピッチを適宜定めることにより、第１の電子部品と第２の電子部品の有効接続領域において各端子に捕捉される導電粒子の数を３個以上とすることができる。
　β＞αmaxを満たす角度βが存在する導電粒子の配列例としては、(i)６方向格子とし、その格子軸（軸内での導電粒子の配列ピッチが最小となるもの）を端子パターン２１の短手方向とするもの、(ii)(i)の６方格子配列を３０°回転させた配列、(iii)正方格子とし、その格子軸（軸内での導電粒子の配列ピッチが最小となるもの）を端子パターン２１の短手方向とするもの、(iv)(iii)の正方向視配列を４５°回転させたもの、を挙げることができる。(i)では図３Ｂにおけるβの最大値が６０°となり、(ii)では図３Ｂにおけるβの最大値が３０°となり、(iii)及び(iv)では図３Ｂにおけるβの最大値が４５°となる。導電粒子が(i)～(iv)の配列であると、端子パターン２１が左右対称であれば、端子パターン２１の左右での捕捉状態が同一になり、接続における良否判定が行い易くなる。
　β＞αmaxを満たす角度βが存在する導電粒子の配列を得るために、６方向格子又はもしくは正方格子を、端子パターン２１の長手方向又は短手方向に伸縮した粒子配置としてもよく、例えば、(iii)の正方格子の配列軸Ｔａ（導電粒子の配列ピッチが最小の配列軸）を端子パターン２１の短手方向に合わせ、端子パターンの長手方向に正方格子を伸ばすことにより長方格子の配列としてもよく、(iv)の正方格子の配列軸Ｔｂ（導電粒子の配列ピッチが２番目に小さい配列軸）を端子パターン２１の短手方向に合わせ、端子パターンの長手方向に正方格子を伸ばすことにより斜方格子（菱形の格子）の配列としてもよい。
　導電粒子の配列ピッチが最小の配列軸又はその次に小さい配列軸を端子パターンの短手方向に合わせると、異方性導電フィルムには配列パターンの短手方向と平行な配列軸が存在することになり、且つ左右対象の格子配列となる。そのため、配列パターンが長手方向で左右対称であれば、捕捉状態は左右で同一か限りなく近くなるため、捕捉状態を判定することが容易になり、接続構造体の生産性の点からは好ましくなる。
　なお、図３Ｂでは導電粒子中心間距離で最も近い距離となる配列軸Ｔａ1を端子パターン２１Ａの短手方向としたが、端子パターン２１Ａの長手方向とすることが好ましい場合がある。図３Ｂでは端子パターンの短手方向に導電粒子が十分な数が存在することを前提とするが、ＩＣチップのように端子長が制限される場合は、端子長が短い方向に配列軸（異方性導電フィルムの配列軸において導電粒子の配列ピッチが最小となるもの）を合わせることで端子あたりの導電粒子の補足数を所定の数以上に満足させ易くなる。
　また、配列軸が(i)の向きの６方格子配列では、βの最大値を上述のように６０°とすることができるが、格子を伸縮することによりβの最大値を調整することができる。導電粒子の配列を６方格子、正方格子又はそれらを伸縮したものとする場合に、βの最大値の下限については、５°以上としてもよく、１５°以上とすることが好ましく、３０°以上とすることがより好ましい。また上限については、８５°以下としてもよく、７５°以下が好ましく、６０°以下がより好ましい。傾斜角が小さすぎても大きすぎても導電粒子が密になる領域が発生し、ファインピッチに適用し難くなる虞が生じるためである。
　第２の発明で使用する異方性導電フィルム１０Ｂとしては、前記配列軸Ｔａ1、Ｔａ2、Ｔｂ1、Ｔｂ2と異方性導電フィルム１０Ｂの短手方向とがなす角度をγとした場合に、γ＞αmaxが満たされることが好ましい。これにより、異方性導電フィルム１０Ｂを用いて第１の電子部品３０Ａと第２の電子部品３０Ｂとを異方性導電接続する場合に、異方性導電フィルム１０Ｂの短手方向を端子パターンの短手方向に合わせることにより、上述のβ＞αmaxが満たされることになる（異方性導電接続時に端子パターンの長手方向と異方性導電フィルムの長手方向が同一の場合は、β＝γとなる）。
　第２の発明で使用する異方性導電フィルムにおける導電粒子の格子状の配列として、図３Ｂに示した正方格子の他、６方格子、斜方格子、長方格子等を挙げることができる。
　また、第２の発明で使用する異方性導電フィルムの導電粒子自体の構成、個数密度、絶縁性樹脂層の構成等は第１の発明と同様にすることができる。
［第３の発明］
（接続構造体の全体構造）
　第３の発明は、上述の第２の発明で使用する異方性導電フィルムに代えて、導電粒子の配置に関し、多重円領域を有する異方性導電フィルムを使用するものである。
　多重円領域としては、例えば、図４に示す多重円領域２５を挙げることができる。この多重円領域２５では、異方性導電フィルム１０Ｃの平面視で絶縁性樹脂層２に導電粒子１が複数の同心円上に配置されている。この同心円上では所定間隔（導電粒子の中心間距離Ｌ２一定）で配置されていることが、配列の設計工数が削減できるため好ましい。また、第１の同心円２２ａ上の第１の導電粒子１ａと円の中心とを結ぶ直線を第１の直線２３ａとし、第１の同心円２２ａに隣接する第２の同心円２２ｂ上の導電粒子であって、第１の導電粒子１ａに最近接した第２の導電粒子１ｂと円の中心とを結ぶ直線を第２の直線２３ｂとした場合に第１の直線２３ａと第２の直線２３ｂが一致しないように導電粒子が配置されていると、捕捉性の向上とショートの抑制が両立できるため好ましい。
　図４に示した多重円領域２５では、さらに、第２の同心円２２ｂに隣接する第３の同心円２２ｃ上の導電粒子であって、第２の導電粒子１ｂに最近接した第３の導電粒子１ｃと円の中心とを結ぶ直線を第３の直線２３ｃとした場合に、第２の直線２２ｂと第１の直線２２ａとがなす角度θと、第３の直線２３ｃと第２の直線２３ｂとがなす角度θとが等しく、同様に定めた第４の直線２３ｄと第３の直線２３ｃとがなす角度も上述の角度θに等しくなっている。このように一定の角度θずつ直線２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２３ｄを傾斜させることにより端子が放射状に並列している場合には、各端子においていずれかの場所で導電粒子が捕捉されることになる。この角度θの大きさは、ショート抑制や導電粒子個数を低減させて捕捉を安定させる点から１～４０°とすることが好ましい。
　また、図４に示した多重円領域２５のように、各同心円間距離（隣接する同心円の半径の差）Ｌ３と各同心円における導電粒子の中心間距離Ｌ２を等しくしてもよい。このように各同心円間距離Ｌ３と各同心円における導電粒子の中心間距離Ｌ２を等しくすることにより導電粒子を配置する設計上の決め事を確定させることができるので、異方性導電フィルムの製造の際の品質管理を好ましく行うことができる。またこれにより、多重円領域２５では６方格子に類似した粒子配置が認められるようになり、導電粒子を密に配置し、捕捉性を向上させることが可能となる。
　第３の発明で使用する異方性導電フィルム１０Ｃでは、導電粒子の配置が上述の多重円領域から形成されている。この場合、異方性導電フィルムは１個の多重円領域から形成されていてもよく、複数の多重円領域から形成されていてもよい。１個の多重円領域から形成されている異方性導電フィルムを長尺の帯状に裁断して異方性導電フィルムの製品とすること（即ち、図５Ａや図５Ｂの粒子配置の異方性導電フィルムを裁断して帯状の異方性導電フィルムとすること）で、湾曲した粒子配列が並列している粒子配置のフィルムを得られる。この粒子配置の異方性導電フィルムを使用することにより、放射状の端子パターンのように個々の端子の傾斜角が漸次変化する場合に、安定した捕捉を得易くなると考えられる。
　一方、複数の多重円領域により形成されている異方性導電フィルムを長尺の帯状に裁断して異方性導電フィルムの製品とすることで、後述するように、１個の接続構造体の製造に使用する異方性導電フィルムの長さと多重円領域の最大長との比を整数にすることができ、これにより接続領域における粒子の捕捉状態が比較し易くなる。よって、良否判定が容易になり、異方性接続体の製造コストの削減に有用となる。
　複数の多重円領域から形成する場合、異方性導電フィルムにおける導電粒子の配置は、例えば図５Ａに示すように、多数の同心円からなる多重円領域２５から所定形状の領域（例えば、正方形領域２６）を切り出し、切り出した領域を図５Ｂに示すように隙間無く並べた配置とすることができる。このように隙間なく並べた場合、隣り合う多重円領域において導電粒子が重複する場合、又は隣り合う導電粒子間距離が導電粒子径の２倍以内、好ましくは０．５倍以内となった場合、ショートを防止する点から、それらの一方の導電粒子を削除することができる。
　多重円領域２５から切り出す形状に特に制限はなく、図６Ａに示すように、多数の同心円からなる多重円領域２５から６角形領域２７を切り出し、切り出した６角形領域２７を図６Ｂに示すように隙間無く並べた配置とすることができる。切り出す形状を３角形や、長方形、菱形などの４角形としてもよい。多重円領域２５から切り出す多角形の形状は、切り出した形状を隙間無く並べられるように辺の数や辺の長さを適宜選択すればよい。また、２種以上の多角形領域を切り出し、隙間無く並べてもよい。
　接続構造体の１個分の製造に使用する異方性導電フィルムの長さＬｆは、複数個の接続構造体を連続して接続する場合においても、各接続構造体において導電粒子の捕捉を安定させるといった接続構造体の生産性等の点から定めることができる。例えば、異方性導電フィルムのフィルム長手方向の多重円領域１個分の最大長Ｌｘを、接続構造体をなす電子部品の端子パターンの幅（即ち、接続構造体の１個分の製造に使用する異方性導電フィルムの長さＬｆ）の整数分の１以上とすることで（即ち、上述の異方性導電フィルムの長さＬｆを、その異方性導電フィルムに形成されている多重円領域の１個分の最大長Ｌｘの整数倍以下とすることで）、個々の接続構造体の製造において同じ数の多重円領域が含まれることになるから、連続して得られた接続構造体間の導電粒子の捕捉状態の比較が容易になるという利点を得られる。上記した整数分の１とは、より具体的には１／２００以上（多重円領域の最大長Ｌｘに対して、異方性導電フィルムの長さＬｆが２００倍以下）が好ましく、１／１００以上（１００倍以下）がより好ましく、１／５０以上（５０倍以下）がさらに好ましい。［多重円領域の１個分の最大長Ｌｘ］と［接続構造体の１個分の製造に使用する異方性導電フィルムの長さＬｆ］との比Ｌｘ／Ｌｆの好ましい数値は、使用するフィルムの長さと接続対象の端子レイアウトによって変動するため、上述の数値に限定されるものではない。一方、１個分の接続構造体の製造に使用する異方性導電フィルムの長さＬｆに対して、そこに含まれる多重円領域の１個分の最大長Ｌｘは、製造された複数の接続構造体間で導電粒子の捕捉状態を比較し易くするためには、特に上限は無いが、一例として１０倍以下としてもよく、５倍以下が好ましく、２倍以下がより好ましく、１．２倍以下がさらに好ましい。このようにすることで、連続的に接続構造体を生産する場合に、各接続構造体において同様の粒子配列形状の異方性導電フィルムが接続されることになるので、接続構造体を安定した品質で生産しやすくなると考えられる。
　多重円領域２５から切り出した領域を隙間なく並べる場合に、隣り合う領域同士で重複する導電粒子や、導電粒子間距離が導電粒子径の２倍以内、好ましくは０．５倍以内となった導電粒子の一方は削除することが好ましい。また、例えば、隣り合う領域同士の繋ぎ目部分で、多重円領域２５の最外部にある円が、例えば図６Ｂにおける繋ぎ目部分２８のように、連続した曲線としてつながるようにしてもよい。これにより、切り出した多重円領域２５の繋ぎ目の部分で、イレギュラーな不良（端子における導電粒子の補足数の低下やショート発生など）を回避させ易くなる効果が期待できる。また、このような繋ぎ目部分２８のように、粒子密度が局所的に疎になった部分に、導電粒子を意図的に配置してもよい。
　また、第３の発明において、多重円領域を形成する同心円は楕円でもよい。例えば、図７Ａに示すように、多重円領域２５を複数の同心の楕円２２ｐ、２２ｑ、２２ｒ、２２ｓから形成することができる。この場合、各同心の楕円上における導電粒子の中心間距離Ｌ２は一定であり、この距離Ｌ２は各楕円間の短径方向の距離Ｌ３と等しくなっている。なお、本発明においては、各楕円間の長径方向の距離と、楕円上における導電粒子の中心間距離Ｌ２とを等しくしてもよい。
　また、第１の同心楕円２２ｐ上の第１の導電粒子１ｐと楕円の中心とを結ぶ直線を第１の直線２３ｐとし、第１の同心楕円に隣接する第２の同心楕円２２ｑ上の導電粒子であって、第１の導電粒子１ｐに最近接した第２の導電粒子１ｑと楕円の中心とを結ぶ直線を第２の直線２３ｑとした場合に第１の直線２３ｐと第２の直線２３ｑが一致しないように導電粒子が配置されている。なお、同様に第３の直線２３ｒと第４の直線２３ｓとを規定した場合に、第１の直線２３ｐと第２の直線２３ｑが挟む角度θ１と、第２の直線２３ｑと第３の直線２３ｒとが挟む角度θ２と第３の直線２３ｒと第４の直線２３ｓとが挟む角度θ３は、同一としてもよく異ならせてもよい。
　図７Ａに示すように多重円領域２５を形成する同心円が楕円の場合にも、図７Ｂに示すように、異方性導電フィルムにおける導電粒子１の配置は、所定形状の領域（例えば矩形領域２６）を切り出し、切り出した領域を隙間無く並べた配置とすることができる。このように隙間なく並べた場合にも、ショート防止のため、重複する導電粒子や導電粒子間距離が導電粒子の２倍以内、好ましくは０．５倍以内の導電粒子は取り除くことが好ましい。また、この場合においても繋ぎ目部分２８のように、粒子密度が局所的に疎になった部分には、導電粒子を意図的に配置してもよい。また、上述したように多重円領域２５を有する異方性導電フィルムを帯状に裁断したものが本発明には含まれ、図７Ａや図７Ｂに示すように、多重円領域から切り出した領域を隙間なく並べた配置の異方性導電フィルムを帯状に裁断したものも含まれる。したがって、帯状に裁断した異方性導電フィルムには、湾曲した粒子配列が並列して見える場合や、湾曲した粒子配列が連続して見える場合がある。
　第３の発明で使用する異方性導電フィルムの導電粒子自体の構成、個数密度、絶縁性樹脂層の構成等は第１の発明や第２の発明と同様にすることができる。
　第３の発明で使用する異方性導電フィルムを使用すると、任意の導電粒子とその導電粒子に近接した２個以上の導電粒子が１直線上にのらないので、異方性導電接続する第１の電子部品及び第２の電子部品における端子の大きさやピッチによらず、各端子における導電粒子の捕捉性を向上させることができる。導電粒子同士からなる直線上に、それ以外の導電粒子が重畳することなく存在することができるので、端子が傾斜しても、端子の長手方向が十分に長ければ、捕捉される導電粒子は存在することが可能になるからである。したがって、本発明は、第３の発明で使用する異方性導電フィルムも包含する。また、本発明は、上述の第１、第２、第３の発明の方法で製造した接続構造体も包含する。
［異方性導電フィルムの製造方法］
　第１の発明、第２の発明、第３の発明で使用する異方性導電フィルムは、導電粒子の配置や密度をそれぞれの発明に適したものとするが、導電粒子が所定の粒子配置及び粒子密度の異方性導電フィルムを製造する方法自体には特に限定はない。例えば、導電粒子を所定の配列に配置するための転写型を製造し、転写型の凹部に導電粒子を充填し、その上に、剥離フィルム上に形成した絶縁性樹脂層を被せて圧力をかけ、絶縁性樹脂層に導電粒子を押し込むことにより、絶縁性樹脂層に導電粒子を転着させる。あるいはさらにその導電粒子上に絶縁性接着層を積層する。こうして、異方性導電フィルムを得ることができる。
　また、転写型の凹部に導電粒子を充填した後、その上に絶縁性樹脂層を被せ、転写型から絶縁性樹脂層の表面に導電粒子を転写させ、絶縁性樹脂層上の導電粒子を絶縁性樹脂層内に押し込むことにより異方性導電フィルムを製造してもよい。
　なお、転写型としては、凹部に導電粒子を充填するもの他、凸部の天面に微粘着剤を付与してその天面に導電粒子が付着するようにしたものを用いても良い。これらの転写型は機械加工、フォトリソグラフィ、印刷法等の公知の技術を用いて製造することができる。
　また、導電粒子を所定の配列に配置する方法としては、転写側を用いる方法に代えて、二軸延伸フィルムを用いる方法等を使用してもよい。導電粒子を、所定の配置で設けられた貫通孔を通過させる方法等を使用してもよい。
［接続構造体の製造方法］
　第１の発明、第２の発明、第３の発明のいずれにおいても、それぞれで接続する第１の電子部品と第２の電子部品に適した異方性導電フィルムを使用し、第１の電子部品と第２の電子部品を加熱加圧することにより第１の電子部品と第２の電子部品が異方性導電接続された接続構造体を得るが、この場合の加熱加圧方法自体に特に制限はない。
　例えば、ステージに一方の電子部品を載置し、その上に異方性導電フィルムを介してもう一方の電子部品を載置し、圧着ツールで加熱押圧することにより接続構造体を製造する場合に、ステージに載置する電子部品をＩＣチップ、ＩＣモジュール、ＦＰＣ、ガラス基板、プラスチック基板、リジッド基板、セラミック基板などの第２の電子部品とし、圧着ツールで加熱加圧する電子部品をＦＰＣ、ＩＣチップ、ＩＣモジュールなどの第１の電子部品とする。そして、各種基板等の第２の電子部品に異方性導電フィルム仮貼りして仮圧着し、仮圧着した異方性導電フィルムにＩＣチップ等の第１の電子部品を合わせ、熱圧着することにより接続構造体を製造する。なお、第２の電子部品ではなく、第１の電子部品に異方性導電フィルムを仮貼りして接続構造体を製造することもできる。また、本発明の接続方法は熱圧着に限定されるものではなく、光硬化を利用した圧着や、熱と光を併用した圧着など、公知の態様を含む。
　ただし、本発明の接続構造体の製造方法は、第１の電子部品および第２の電子部品の少なくとも一方を、ＦＰＣやプラスチック基板などの熱膨張しやすい材質のものとする場合に意義が高く、特に第１の電子部品と第２の電子部品の双方が熱膨張しやすい材質のものである場合に一層本発明の意義が高くなる。
　　一方、接続対象とする電子部品としては、ＩＣチップのように端子パターンが多段になっているものや、矩形の接続面の対向する辺に端子パターンが形成されているものなどを包含する。また、４辺全てに端子パターンが形成されているものも包含する。実用上好ましい態様は、アライメントを電子部品の短辺方向のみで調整できることから、主要な端子パターンが電子部品の長辺方向にのみ存在するものになる。
　以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
　実施例１
　端子が放射状に配列した端子パターン同士を接続した接続構造体を製造する場合に、各端子が捕捉する導電粒子数を、複数の端子が放射状に配列した端子パターンと粒子配列を作図上で重ね合わせることにより求め、端子における導電粒子の最少捕捉数が３個以上の場合をＯＫ、３個未満の場合をＮＧとした。
　この場合、第１の電子部品における端子パターンは以下の形状を有するものとした。
　(1)端子パターン２１として、図８Ａに示すように２個の端子からなる放射状の配列を想定した。
　(2)端子パターン２１の中心線Ｑと端子２０の長手方向に伸びた中心軸Ｒとがなす角度αを角度０．０１～１°ずつ変化させ、最大値αmaxを１４°とした。
　(3)点Ｐと反対側の端子幅Ｌｔは１００μｍ、端子長は１０００μｍ、端子間スペースＬｓは１００μｍである。
　第１の電子部品の端子と第２の電子部品の端子における有効接続面積は、１０００００μｍ2とした。
　異方性導電フィルム１０としては、導電粒子の粒子径を３．２μｍとし、導電粒子の配置をランダムとし、個数密度を４０００個／ｍｍ2とした。導電粒子のランダムな配置状態は、個数密度が４０００個／ｍｍ2となるようにバインダー樹脂中に混練りし、フィルム厚み２０μｍとした実際の異方性導電フィルムから得られた平面視の画像から、導電粒子の輪郭を抜き取って描画したものを使用した。
　その結果、端子２０の中心軸Ｒを最大値αmaxまで傾斜させた場合における該端子２０の導電粒子の最少捕捉数の評価はＯＫであり、中心線Ｑと中心軸Ｒがなす角度がいずれの大きさにおいても端子２０が１個も導電粒子を捕捉しない場合は存在しなかった。
　比較例１
　実施例１において、端子パターンの形状を同じとし、端子幅Ｌｔを１０μｍ、端子間スペースＬｓを２０μｍ、有効接続面積を２０００μｍ2とした以外は、実施例１と同様に各端子が捕捉する導電粒子数をシミュレーションにより求めた。
　その結果、端子における導電粒子の最少捕捉数は０個であり、その評価はＮＧだった。
　比較例２
　実施例１において、導電粒子の個数密度を２０００個／ｍｍ2未満とする以外は実施例１と同様に各端子が捕捉する導電粒子数をシミュレーションにより求めた。
　その結果、端子における導電粒子の最少捕捉数は０個であり、その評価はＮＧだった。
　実施例２
　実施例１と同様の端子パターンに対し、実施例１と同様にして端子が捕捉する導電粒子数を作図上で求めた。
　異方性導電フィルムとしては、導電粒子の粒子径を３．２μｍとし、導電粒子の配置を正方格子とし、格子間距離（導電粒子中心間距離）を１０μｍとした。
　その結果、端子２０の中心軸Ｒを最大値αmaxまで傾斜させた場合における該端子２０の導電粒子の最少捕捉数の評価はＯＫであり、中心線Ｑと中心軸Ｒがなす角度がいずれの大きさにおいても端子２０が１個も導電粒子を捕捉しない端子は存在しなかった。
　比較例３
　実施例２において、角度αmaxを１０°とし、格子間距離を２０μｍとした。その結果、端子における導電粒子の最少捕捉数は０個であり、その評価はＮＧだった。
　実施例３
　実施例１と同様の端子パターンに対し、実施例１と同様にして端子が捕捉する導電粒子数を作図上で求めた。但し、異方性導電フィルムとしては、以下の導電粒子配置のものを使用した。
　即ち、異方性導電フィルムは、図５Ｂに示した多重円領域を有するものとした。この場合、多重円領域は次の仕様とした。
第１の同心円の直径は、２０μｍ。
各同心円における導電粒子中心間距離Ｌ２は１０μｍ。
各同心円間の距離Ｌ３は１０μｍ。
第１の直線２３ａと第２の直線２３ｂとがなす角度θは５°。
切り出す矩形領域は一辺が１００μｍの正方形。
　その結果、端子における導電粒子の最少捕捉数の評価はＯＫであった。
　なお、図８Ｂに示すように、上述の異方性導電フィルム１０Ｃ上に一つの端子２０（２００μｍ×１０μｍ）をおき、その端子を該端子の中心の周りに０°～３６０°まで１°刻みで回転させたときの該端子における導電粒子の捕捉数を計測した。その結果、導電粒子の最少捕捉数は角度４０°のときに６個であり、導電粒子を１個も捕捉しない端子は存在しなかった。
　　１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｐ、１ｑ、１ｘ　導電粒子
　　２　絶縁性樹脂層
　　３　導電粒子分散層
　１０、１０ｘ、１０ｙ、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ　異方性導電フィルム
　２０、２０Ａ、２０Ｂ　端子
　２０Ｃ　有効接続領域
　２１　端子パターン
　２１Ａ　第１の電子部品の端子パターン
　２１Ｂ　第２の電子部品の端子パターン
　２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ　同心円
　２２ｐ、２２ｑ、２２ｒ、２２ｓ　同心楕円
　２３ａ　第１の直線
　２３ｂ　第２の直線
　２３ｃ　第３の直線
　２３ｄ　第４の直線
　２５　　多重円領域
　２６　　領域
　２７　　６角形領域
　２８　　繋ぎ目部分
　３０Ａ　第１の電子部品
　３０Ｂ　第２の電子部品
　　Ｌ１　配列ピッチ（格子間距離）
　　Ｌ２　同心円上（同心楕円上）の導電粒子の中心間距離
　　Ｌ３　同心円間（同心楕円間）の距離
　　Ｐ　端子パターン外の点
　　Ｑ　点Ｐを通る端子パターンの中心線
　　Ｒ　端子の中心軸
　　Ｔ　配列軸

Claims (13)

  1. 　複数の端子が放射状に並列した端子パターンを有する第１の電子部品と、第１の電子部品の端子パターンに対応した端子パターンを有する第２の電子部品とを異方性導電フィルムを用いて異方性導電接続する接続構造体の製造方法であって、
    端子１個当たりの有効接続面積を３０００μｍ2以上とし、
    異方性導電フィルムにおける導電粒子の個数密度を２０００個／ｍｍ2以上２００００個／ｍｍ2以下とする接続構造体の製造方法。
  2. 　複数の端子が放射状に並列した端子パターンを有する第１の電子部品と、第１の電子部品の端子パターンに対応した端子パターンを有する第２の電子部品とを異方性導電フィルムを用いて異方性導電接続する接続構造体の製造方法であって、
    異方性導電フィルムが、平面視で絶縁性樹脂層に導電粒子が格子状に配列した異方性導電フィルムであり、格子状の配列における配列ピッチ及び配列方向が、第１の電子部品と第２の電子部品の有効接続領域において各端子に導電粒子を３個以上捕捉させるものである接続構造体の製造方法。
  3. 　異方性導電フィルムにおいて導電粒子の配列ピッチが最も小さい配列軸又は次に小さい配列軸と異方性導電フィルムの短手方向とがなす角度をγとし、各端子の長手方向に伸びた中心軸と端子パターンの短手方向とがなす角度の最大値をαmaxとした場合に、
    異方性導電フィルムは、γ＞αmaxとなる配列軸を有する請求項２記載の接続構造体の製造方法。
  4. 　複数の端子が放射状に並列した端子パターンを有する第１の電子部品と、第１の電子部品の端子パターンに対応した端子パターンを有する第２の電子部品とを異方性導電フィルムを用いて異方性導電接続する接続構造体の製造方法であって、
    異方性導電フィルムが、平面視で絶縁性樹脂層に導電粒子が複数の同心円（同心楕円を含む）上に配置され、かつ第１の同心円上の第１の導電粒子と円の中心とを結ぶ直線を第１の直線とし、第１の同心円に隣接する第２の同心円上の導電粒子であって、第１の導電粒子に最近接した第２の導電粒子と円の中心とを結ぶ直線を第２の直線とした場合に第１の直線と第２の直線が一致しないように導電粒子が配置されている多重円領域を有する接続構造体の製造方法。
  5. 　異方性導電フィルムが、平面視で絶縁性樹脂層に導電粒子が複数の同心円上に所定間隔で配置され、かつ第１の同心円上の第１の導電粒子と円の中心とを結ぶ直線を第１の直線とし、第１の同心円に隣接する第２の同心円上の導電粒子であって、第１の導電粒子に最近接した第２の導電粒子と円の中心とを結ぶ直線を第２の直線とし、第２の同心円に隣接する第３の同心円上の導電粒子であって、第２の導電粒子に最近接した第３の導電粒子と円の中心とを結ぶ直線を第３の直線とした場合に、第２の直線と第１の直線とがなす角度と、第３の直線と第２の直線とがなす角度とが等しい請求項４記載の接続構造体の製造方法。
  6. 　異方性導電フィルムにおいて、複数の多重円領域が隙間無く配置されている請求項４又は５記載の接続構造体の製造方法。
  7. 　複数の端子が放射状に並列した端子パターンを有する第１の電子部品と、第１の電子部品の端子パターンに対応した端子パターンを有する第２の電子部品とを異方性導電接続するために使用する、導電粒子が格子状に配列した異方性導電フィルムであって、
    異方性導電フィルムにおいて導電粒子の配列ピッチが最も小さい配列軸又は次に小さい配列軸と異方性導電フィルムの短手方向とがなす角度をγとし、
    端子パターンを構成する各端子の長手方向に伸びた中心軸と端子パターンの短手方向とがなす角度の最大値をαmaxとした場合に、
    γ＞αmaxとなる配列軸を有する異方性導電フィルム。
  8. 　導電粒子の格子状の配列が６方格子又は正方格子である請求項７記載の異方性導電フィルム。
  9. 　絶縁性樹脂層に導電粒子が配置されている異方性導電フィルムであって、
    平面視で絶縁性樹脂層に導電粒子が複数の同心円上に配置され、かつ第１の同心円上の第１の導電粒子と円の中心とを結ぶ直線を第１の直線とし、第１の同心円に隣接する第２の同心円上の導電粒子であって、第１の導電粒子に最近接した第２の導電粒子と円の中心とを結ぶ直線を第２の直線とした場合に第１の直線と第２の直線が一致しないように導電粒子が配置されている多重円領域を有する異方性導電フィルム。
  10. 　平面視で絶縁性樹脂層に導電粒子が複数の同心円上に所定間隔で配置され、かつ第１の同心円上の第１の導電粒子と円の中心とを結ぶ直線を第１の直線とし、第１の同心円に隣接する第２の同心円上の導電粒子であって、第１の導電粒子に最近接した第２の導電粒子と円の中心とを結ぶ直線を第２の直線とし、第２の同心円に隣接する第３の同心円上の導電粒子であって、第２の導電粒子に最近接した第３の導電粒子と円の中心とを結ぶ直線を第３の直線とした場合に、第２の直線と第１の直線とがなす角度と、第３の直線と第２の直線とがなす角度とが等しい請求項９記載の異方性導電フィルム。
  11. 　複数の多重円領域が隙間無く配置されている請求項９又は１０記載の異方性導電フィルム。
  12. 　請求項９～１１のいずれかに記載の異方性導電フィルムを帯状に裁断することにより得られる帯状の異方性導電フィルムであって、湾曲した導電粒子の配列を有する異方性導電フィルム。
  13. 　第１の電子部品と第２の電子部品が請求項１～６のいずれかに記載の製造方法で製造された接続構造体。
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