WO2018088202A1 - 洗浄液及び基板を洗浄する方法 - Google Patents

洗浄液及び基板を洗浄する方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018088202A1
WO2018088202A1 PCT/JP2017/038387 JP2017038387W WO2018088202A1 WO 2018088202 A1 WO2018088202 A1 WO 2018088202A1 JP 2017038387 W JP2017038387 W JP 2017038387W WO 2018088202 A1 WO2018088202 A1 WO 2018088202A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
cleaning liquid
formula
cleaning
mass
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/038387
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
竜生 後藤
健司 関
Original Assignee
東京応化工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京応化工業株式会社 filed Critical 東京応化工業株式会社
Priority to JP2018550120A priority Critical patent/JP6832365B2/ja
Priority to US16/348,063 priority patent/US10920179B2/en
Publication of WO2018088202A1 publication Critical patent/WO2018088202A1/ja

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/08—Acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/3769—(Co)polymerised monomers containing nitrogen, e.g. carbonamides, nitriles or amines
    • C11D3/3773—(Co)polymerised monomers containing nitrogen, e.g. carbonamides, nitriles or amines in liquid compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/37—Polymers
    • C11D3/3746—Macromolecular compounds obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C11D3/3769—(Co)polymerised monomers containing nitrogen, e.g. carbonamides, nitriles or amines
    • C11D3/3776—Heterocyclic compounds, e.g. lactam
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F120/00—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F120/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F120/52—Amides or imides
    • C08F120/54—Amides, e.g. N,N-dimethylacrylamide or N-isopropylacrylamide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F120/00—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F120/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F120/52—Amides or imides
    • C08F120/54—Amides, e.g. N,N-dimethylacrylamide or N-isopropylacrylamide
    • C08F120/58—Amides, e.g. N,N-dimethylacrylamide or N-isopropylacrylamide containing oxygen in addition to the carbonamido oxygen, e.g. N-methylolacrylamide, N-acryloyl morpholine
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F126/00—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen
    • C08F126/06—Homopolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen by a heterocyclic ring containing nitrogen
    • C08F126/10—N-Vinyl-pyrrolidone
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
    • C08F20/52—Amides or imides
    • C08F20/54—Amides, e.g. N,N-dimethylacrylamide or N-isopropylacrylamide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F26/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen
    • C08F26/06—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a single or double bond to nitrogen or by a heterocyclic ring containing nitrogen by a heterocyclic ring containing nitrogen
    • C08F26/10—N-Vinyl-pyrrolidone
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Definitions

  • the present invention relates to a cleaning liquid and a method for cleaning a substrate using the same.
  • an insulating film such as a metal film or a SiO 2 film formed by CVD deposition is formed on a substrate such as a silicon wafer or glass.
  • a photoresist pattern and a metal hard mask are formed on the metal film and the insulating film.
  • the substrate is dry-etched using the photoresist pattern and hard mask as a mask to form a fine circuit.
  • the residue of the photoresist pattern and the residue of the hard mask are removed by washing using a cleaning solution.
  • the cleaning solution that can be used for cleaning and removing photoresist pattern residues and hard mask residues usually has excellent anticorrosion properties against metals in addition to being able to effectively cleanse and remove these residues. Is desired.
  • hydrofluoric acid and a compound using ammonia as its counteramine see Patent Documents 1 to 3
  • hydrofluoric acid and its counteramine as 1,8-diazabicyclo [5.4 0] It has been proposed to use a compound using undecene-7 (see Patent Document 4).
  • JP 2001-83713 A JP-A-9-197681 JP 2000-47401 A JP 2000-181083 A
  • a stopper layer is provided to protect a material that should not be polished when chemical polishing (CMP) is performed.
  • CMP chemical polishing
  • silicon nitride which is a hard material, is widely used.
  • the surface of the substrate to be cleaned with the cleaning liquid described in Patent Documents 1 to 4 often includes a surface made of silicon nitride.
  • the cleaning liquid containing hydrofluoric acid described in Patent Documents 1 to 4 tends to corrode silicon nitride.
  • silicon nitride is corroded, a material that should not be polished may be polished when CMP is performed.
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and is a cleaning liquid used for removing a residue of a photoresist pattern, an etching residue, etc., and a cleaning liquid having excellent anticorrosion properties against silicon nitride, and It is an object to provide a method for cleaning a substrate using the same.
  • the present inventors have added a carboxylic acid amide bond (—CO—N ⁇ ) and an unsaturated double bond as a corrosion inhibitor (B) to a cleaning liquid containing hydrofluoric acid (A) and a solvent (S). It has been found that the above-mentioned problems can be solved by blending a polymer containing a unit derived from a compound having a specific structure having the above, and the present invention has been completed. More specifically, the present invention provides the following.
  • the first aspect of the present invention includes hydrofluoric acid (A), an anticorrosive agent (B), and a solvent (S).
  • the anticorrosive is the following formula (b1) or formula (b2): (In Formula (b1), R b1 and R b2 are each independently a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and R b1 and R b2 are bonded to each other to form a ring. You may do it.)
  • R b3 represents a hydrogen atom or a methyl group
  • R b4 and R b5 each independently represent a hydrogen atom or 1 to 6 carbon atoms that may be substituted with one or more hydroxyl groups.
  • R b4 and R b5 may be bonded to each other to form a ring.
  • the second aspect of the present invention is a method for cleaning a substrate using the cleaning liquid according to the first aspect.
  • a cleaning liquid that is used for removing a residue of a photoresist pattern, an etching residue, etc., and having excellent anticorrosion properties against silicon nitride, and a method for cleaning a substrate using the same. be able to.
  • the cleaning liquid contains hydrofluoric acid (A), an anticorrosive agent (B), and a solvent (S).
  • the cleaning liquid is an anticorrosive agent (B) represented by the following formula (b1) or formula (b2):
  • R b1 and R b2 are each independently a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and R b1 and R b2 are bonded to each other to form a ring. May be.
  • R b3 represents a hydrogen atom or a methyl group
  • R b4 and R b5 each independently represent a hydrogen atom or 1 to 6 carbon atoms that may be substituted with one or more hydroxyl groups.
  • R b4 and R b5 may be bonded to each other to form a ring.
  • the polymer containing 1 or more types of units represented by these is contained. Since the cleaning liquid contains the polymer, it has excellent anticorrosive properties against silicon nitride.
  • essential or optional components contained in the cleaning liquid will be described in detail.
  • the cleaning liquid essentially contains hydrofluoric acid.
  • the content of hydrofluoric acid is preferably 0.001% by mass or more and 0.5% by mass or less, and more preferably 0.08% by mass or more and 0.32% by mass or less in the cleaning liquid.
  • the content of hydrofluoric acid is within such a range, it is possible to more effectively balance the cleaning and removing properties of photoresist pattern residues and etching residues and the anticorrosion properties against silicon nitride. .
  • the cleaning liquid is an anticorrosive agent (B) represented by the following formula (b1) or formula (b2):
  • R b1 and R b2 are each independently a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and R b1 and R b2 are bonded to each other to form a ring. May be.
  • R b3 represents a hydrogen atom or a methyl group
  • R b4 and R b5 each independently represent a hydrogen atom or 1 to 6 carbon atoms that may be substituted with one or more hydroxyl groups.
  • R b4 and R b5 may be bonded to each other to form a ring.
  • the polymer containing 1 or more types of units represented by these is contained essential.
  • the mass average molecular weight of the polymer containing the unit represented by the formula (b1) and / or the unit represented by the formula (b2) is not particularly limited as long as a desired anticorrosive effect is obtained.
  • the polymer has a mass average molecular weight of preferably 1,000 or more and 2,000,000 or less, more preferably 5,000 or more and 500,000 or less, further preferably 10,000 or more and 300,000 or less, still more preferably 40,000 or more and 200,000 or less, particularly preferably 80000 or more and 1800000 or less, and 100,000. More preferably, it is more than 160000.
  • the mass average molecular weight of the polymer is more than 2,000,000, it is possible to prepare a cleaning liquid.
  • the polymer containing the unit represented by the formula (b1) and / or the unit represented by the formula (b2) is a unit represented by the formula (b1) and / or a unit represented by the formula (b2). Even the polymer which consists of only the unit represented by Formula (b1) and other units other than the unit represented by Formula (b2) may be sufficient.
  • examples of the monomer compound that gives the other unit include: Saturated carboxylic acid, (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid hydroxyalkyl ester, (meth) acrylate having an ether bond, other (meth) acrylates described above, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, styrene , Dicarboxylic acid diesters, conjugated diolefins, nitrile group-containing polymerizable compounds and chlorine-containing polymerizable compounds.
  • the content of other units in the polymer is preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, and still more preferably 10% by mass or less.
  • the polymer consists only of units represented by formula (b1) and / or units represented by formula (b2).
  • unsaturated carboxylic acid examples include monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid; maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, itaconic acid and the like.
  • (meth) acrylic acid alkyl esters examples include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, and tert-octyl (meth).
  • examples thereof include linear or branched alkyl (meth) acrylate such as acrylate.
  • (meth) acrylic acid hydroxyalkyl esters examples include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-dimethylhydroxypropyl (meth) acrylate, and trimethylolpropane mono (meth) acrylate. It is done.
  • Examples of the (meth) acrylate having an ether bond include 2-methoxyethyl (meth) acrylate, methoxytriethylene glycol (meth) acrylate, 3-methoxybutyl (meth) acrylate, ethyl carbitol (meth) acrylate, phenoxypolyethylene glycol ( Examples include meth) acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, and tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, with 2-methoxyethyl (meth) acrylate and methoxytriethylene glycol (meth) acrylate being preferred.
  • Examples of the other (meth) acrylates include chloroethyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, and phenyl (meth) acrylate.
  • allyl compound examples include allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate, allyl lactate, etc .; allyloxyethanol; Can be mentioned.
  • vinyl ethers hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethyl hexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, ethoxyethyl vinyl ether, chloroethyl vinyl ether, 1-methyl-2,2-dimethylpropyl vinyl ether, 2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether , Alkyl vinyl ethers such as diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, tetrahydrofurfuryl vinyl ether; vinyl phenyl ether, vinyl tolyl ether, vinyl chlorophenyl ether, vinyl-2,4-dichlorofe And the like; ethers, vinyl naphthyl ether, vinyl aryl ethers,
  • Vinyl esters include vinyl acetate, vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valerate, vinyl caproate, vinyl chloroacetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxyacetate, vinyl butoxyacetate , Vinyl phenylacetate, vinyl acetoacetate, vinyl lactate, vinyl- ⁇ -phenylbutyrate, vinyl benzoate, vinyl salicylate, vinyl chlorobenzoate, vinyl tetrachlorobenzoate, vinyl naphthoate and the like.
  • Styrenes include: styrene; methyl styrene, dimethyl styrene, trimethyl styrene, ethyl styrene, diethyl styrene, isopropyl styrene, butyl styrene, hexyl styrene, cyclohexyl styrene, decyl styrene, benzyl styrene, chloromethyl styrene, trifluoromethyl styrene, ethoxy Alkyl styrene such as methyl styrene and acetoxymethyl styrene; alkoxy styrene such as methoxy styrene, 4-methoxy-3-methyl styrene and dimethoxy styrene; chlorostyrene, dichlorostyrene, trichlor
  • dicarboxylic acid diesters examples include diethyl maleate and dibutyl fumarate.
  • conjugated diolefin examples include butadiene and isoprene.
  • nitrile group-containing polymerizable compound examples include (meth) acrylonitrile.
  • Examples of the chlorine-containing polymerizable compound include vinyl chloride and vinylidene chloride.
  • R b1 and R b2 are each independently a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and R b1 and R b2 may be bonded to each other to form a ring.
  • the hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms in R b1 and R b2 is not particularly limited as long as it is a group composed of 1 to 6 carbon atoms and a hydrogen atom.
  • the hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms may be any of an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group, and an unsaturated bond You may have.
  • the structure of the hydrocarbon group may be linear, branched, cyclic, or a combination of these structures.
  • Preferable examples of the hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms in R b1 and R b2 include an alkyl group, an alkenyl group, a cycloalkyl group, a cycloalkenyl group, and an aryl group.
  • R b1 and / or R b2 is an alkyl group or an alkenyl group
  • the alkyl or alkenyl group may be linear or branched as long as it has 1 to 6 carbon atoms.
  • Preferred examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, isopentyl group, Examples thereof include a tert-pentyl group and an n-hexyl group.
  • Preferable specific examples of the alkenyl group include vinyl group, allyl group, 3-butenyl group, 2-butenyl group, 1-butenyl group, 4-pentenyl group, 5-hexenyl group and the like.
  • R b1 and / or R b2 are cycloalkyl groups include a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.
  • R b1 and / or R b2 are carbon cycloalkenyl groups include cycloalkenyl groups corresponding to the preferred groups exemplified for the cycloalkyl group.
  • R b1 and / or R b2 is an aryl group is a phenyl group.
  • Examples of the ring structure that R b1 and R b2 may be bonded to each other include a pyrrolidone ring structure, a piperidone ring structure, and an azepanone ring structure.
  • R b3 is a hydrogen atom or a methyl group
  • R b4 and R b5 are each independently a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms
  • R b4 and R b5 are They may combine to form a ring.
  • R b4 and R b5 are an unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms
  • the unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms may be represented by R b1 and R b2 This is the same as the hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms.
  • R b4 and R b5 are hydrocarbon groups having 1 to 6 carbon atoms substituted with one or more hydroxyl groups, the number of hydroxyl groups substituted is preferably 1.
  • Preferred examples of the hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms substituted with a hydroxyl group include a methylol group, 2-hydroxyethyl group, 3-hydroxypropyl group, 4-hydroxybutyl group, 5-hydroxypentyl group, Examples include 6-hydroxyhexyl group, 4-hydroxycyclopentyl group, 4-hydroxyphenyl group, 3-hydroxyphenyl group, and 2-hydroxyphenyl group. Among these, a methylol group, 2-hydroxyethyl group, and 3-hydroxyethyl group are preferable, and a 2-hydroxyethyl group is more preferable.
  • Examples of the ring structure that R b1 and R b2 may be bonded to each other include a pyrrolidine ring structure, a piperidine ring structure, and a hexamethyleneimine ring structure.
  • Examples of units represented by the formula (b2) include the following units.
  • the unit giving the unit represented by the formula (b1) is more preferably a unit represented by the following formula (b1-1) because it is easy to obtain a cleaning solution that is particularly excellent in the anticorrosive effect against silicon nitride.
  • Formula (b1-1) (In formula (b1-1), p is an integer of 1 or more and 10 or less.)
  • the polymer which is a unit represented by is preferable.
  • p is an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, particularly preferably an integer of 1 to 3. Is most preferred.
  • the unit represented by the formula (b1-1) includes a pyrrolidone ring when p is 1, a piperidone ring when p is 2, and an azepanone ring when p is 3.
  • the compound giving the unit represented by the formula (b1-1) is N-vinyl-2-pyrrolidone.
  • the compound giving the unit represented by the formula (b1-1) is N-vinyl-2-piperidone.
  • the compound giving the unit represented by the formula (b1-1) is N-vinyl-2-azepanone.
  • the polymer containing the unit represented by the formula (b1-1) is a homopolymer of the unit represented by the formula (b1-1). However, it may be a copolymer containing a unit represented by the formula (b1-1) and other units other than the unit represented by the formula (b1-1). Preferably, it is a polymer consisting only of units represented by the formula (b1-1), more preferably a polymer consisting only of units represented by the formula (b1-1) and p is 1, ie, polyvinyl. Pyrrolidone.
  • cleaning liquid of the anticorrosive agent (B) demonstrated above is not specifically limited.
  • the content of the anticorrosive agent (B) in the cleaning liquid is preferably 0.01% by mass or more and 10% by mass or less, more preferably 0.03% by mass or more and 5% by mass or less, and 0.05% by mass or more and 1% by mass or less. Is particularly preferred.
  • an amount of the anticorrosive agent (B) within such a range is used, it is easy to obtain a cleaning liquid that has both an excellent cleaning effect on various residues and an excellent anticorrosive effect on silicon nitride.
  • the cleaning liquid essentially contains the solvent (S).
  • the solvent (S) is typically a solvent mainly composed of water, but it is composed of only a water-soluble organic solvent, whether it is a solvent composed only of water or a mixed solvent of water and a water-soluble organic solvent. It may be a solvent.
  • the water content is preferably 1.0% by mass or more and 99.9% by mass or less in the cleaning liquid.
  • the content of water in the cleaning liquid is more preferably 80% by mass or more and 99.9% by mass or less, particularly preferably 90% by mass or more and 99.9% by mass or less, and 95 More preferably, the content is from 9% to 99.9% by mass, and most preferably from 9% to 99.9% by mass.
  • the solvent (S) includes water and a water-soluble organic solvent
  • the content of water in the cleaning liquid may be, for example, 15% by mass or more and 40% by mass or less.
  • the content of the water-soluble organic solvent in the cleaning liquid is preferably 1.0% by mass or more and 90% by mass or less, and preferably 10% by mass or more and 80% by mass.
  • the mass% is more preferable, and 20 mass% or more and 50 mass% or less is particularly preferable.
  • water-soluble organic solvents examples include sulfoxides such as dimethyl sulfoxide; sulfones such as dimethyl sulfone, diethyl sulfone, bis (2-hydroxyethyl) sulfone, and tetramethylene sulfone; N, N— Amides such as dimethylformamide, N-methylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylacetamide, N, N-diethylacetamide; N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N-propyl Lactams such as -2-pyrrolidone, N-hydroxymethyl-2-pyrrolidone, N-hydroxyethyl-2-pyrrolidone; 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-diethyl-2-imidazolidinone Imidazoles such as 1,3-diisopropyl-2-imi
  • N, N-dialkyl fatty acid amide represented by the following formula (s-1) is also preferable as the water-soluble organic solvent.
  • the cleaning liquid contains an N, N-dialkyl fatty acid amide represented by the formula (s-1), it is easy to obtain a cleaning liquid whose etching rate hardly changes even by continuous use.
  • R 1s represents an isopropyl group or a 1-hydroxy-1-methylethyl group
  • R 2s and R 3s each independently represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Show.
  • R 2s and R 3s are each independently an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • Such an alkyl group may be linear or branched.
  • Specific examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, isobutyl group, and tert-butyl group. It is done.
  • a methyl group and an ethyl group are preferable.
  • N, N-dialkyl fatty acid amide represented by the formula (s-1) include N, N-dimethylisobutyramide, N-ethyl, N-methylisobutyramide, N, N-diethylisobutyramide, 2 Examples include -hydroxy-N, N, 2-trimethylpropanamide, N-ethyl-2-hydroxy-N, 2-dimethylpropanamide, and N, N-diethyl-2-hydroxy-2-methylpropanamide.
  • the cleaning liquid may contain a combination of two or more N, N-dialkyl fatty acid amides as a water-soluble organic solvent.
  • 3-alkoxy-3-methyl-1-butanol represented by the following formula (s-2) is also preferable as the water-soluble organic solvent.
  • 3-alkoxy-3-methyl-1-butanol is particularly excellent in residue removal performance.
  • R 4s represents an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
  • examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 4s include, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t -Butyl group, n-pentyl group and the like.
  • an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable, a methyl group or an ethyl group is more preferable, and a methyl group is more preferable.
  • 3-alkoxy-3-methyl-1-butanol represented by the formula (s-2) 3-methoxy-3-methyl-1-butanol (MMB) is particularly preferable.
  • the cleaning liquid may contain a basic compound (C) other than the anticorrosive agent (B) described above.
  • the type of the basic compound (C) is not particularly limited, and is appropriately selected from inorganic or organic basic compounds that are conventionally blended in a cleaning solution used for cleaning residues such as photoresists.
  • As the basic compound (C) a nitrogen-containing basic compound is preferable.
  • the inorganic basic compound that may be contained in the cleaning liquid include alkali metal hydroxides such as ammonia, hydroxylamine, hydrazine, potassium hydroxide, and sodium hydroxide, and alkali metal carbonates such as potassium carbonate and sodium carbonate. And alkali metal bicarbonates such as potassium hydrogen carbonate and sodium hydrogen carbonate.
  • Quaternary ammonium hydroxides such as hydroxide and choline; Silazane compounds such as hexamethyldisilazane and hexaethyldisilazane; Aminosilane compounds such as trimethylsilyldimethylamine and trimethylsilyldiethylamine; and hydroxylamine compounds such as diethylhydroxylamine .
  • the following organic amines are also suitable as the basic compound (C).
  • organic amines include methoxymethylamine, methoxyethylamine, methoxypropylamine, methoxybutylamine, ethoxymethylamine, ethoxyethylamine, ethoxypropylamine, ethoxybutylamine, propoxymethylamine, propoxyethylamine, propoxypropylamine, propoxybutylamine , Butoxymethylamine, butoxyethylamine, butoxypropylamine, butoxybutylamine, methylamine, ethylamine, propylamine, butylamine, N, N-dimethylamine, N, N-diethylamine, N, N-dipropylamine, N, N- Dibutylamine, trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, dimethylaminopropylamine, 2-ethyl Hexylamine, tetrahydrofurfurylamine, tetramethylethylenedi
  • R 1c to R 5c each independently has a hydrogen atom, or a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, or a phosphonic acid group, having 1 to 6 carbon atoms.
  • R represents an alkyl group, and at least one of R 1c to R 5c is a hydrogen atom, and any one of R 1c to R 4c and R 5c may be bonded to each other to form a ring structure.
  • 1c and Y 2c each independently represents an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, and n represents an integer of 0 to 5. When n is 2 or more, a plurality of R 5c and a plurality of Y 1c They may be the same or different from each other, and R 5c may be bonded to each other to form a ring structure.
  • the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms that can be taken by R 1c to R 5c may be either linear or branched, and is preferably linear. Specific examples include methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group and the like. Among these, an ethyl group is most preferable.
  • This alkyl group may have a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, or a phosphonic acid group. Specific examples thereof include 2-hydroxyethyl group, 2-carboxyethyl group, 2-aminoethyl group, 2-phosphonic acid ethyl group and the like.
  • Examples of the ring structure formed by bonding any one of R 1c to R 4c and R 5c or the ring structure formed by bonding R 5c to each other include a piperazine ring. .
  • the alkylene group having 1 to 3 carbon atoms that Y 1c and Y 2c can take may be either linear or branched, and is preferably linear. Specific examples include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group. Among these, an ethylene group is most preferable.
  • N represents an integer of 0 to 5, more preferably an integer of 0 to 2.
  • N, N′-bis (2-aminoethyl) -1,2-ethanediamine triethylenetetramine
  • the basic compound (C) described above may be used alone or in combination of two or more.
  • content of a basic compound (C) can be suitably adjusted according to content of hydrofluoric acid, 0.01 mass% or more and 2.00 mass% or less are preferable in a washing
  • the pH of the cleaning solution with or without the addition of the basic compound (C) is preferably 2 or more and 7 or less, particularly preferably 2 or more and 6 or less, from the viewpoint of excellent balance between the cleaning performance and the anticorrosive effect against silicon nitride. .
  • the pH of the cleaning liquid is a value measured at 25 ° C.
  • the cleaning liquid may further contain an anticorrosive agent that has been conventionally blended in the cleaning liquid.
  • the anticorrosive agent is not particularly limited, and a conventionally known anticorrosive agent can be used, but a benzotriazole-based compound or a mercapto group-containing compound is preferable.
  • benzotriazole-based compound examples include compounds represented by the following formula (d-1).
  • R 1d and R 2d each independently represent a hydrogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent, a carboxyl group, an amino group, a hydroxyl group , A cyano group, a formyl group, a sulfonylalkyl group, or a sulfo group
  • Q is a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a hydrocarbon group having 1 to 14 carbon atoms that may have a substituent (however, the hydrocarbon The group may be interrupted by an amide bond or an ester bond), or a group represented by the following general formula (d-2).
  • R 3d represents an alkylene group having 1 to 6 carbon atoms
  • R 4d and R 5d each independently represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, or a hydroxyalkyl having 1 to 6 carbon atoms.
  • the hydrocarbon group may be either an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group, and has an unsaturated bond. It may be any of linear, branched and cyclic.
  • the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group and a p-tolyl group.
  • the linear aliphatic hydrocarbon group include a methyl group, an n-propyl group, and a vinyl group.
  • the branched aliphatic hydrocarbon group include an isobutyl group and a tert-butyl group.
  • Examples of the cyclic aliphatic hydrocarbon group include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.
  • Examples of the hydrocarbon group having a substituent include a hydroxyalkyl group and an alkoxyalkyl group.
  • Q is preferably a group represented by the formula (d-2).
  • R 4d and R 5d are each independently a hydroxyalkyl group or an alkoxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • Q is preferably selected so that the compound represented by the above formula (d-1) exhibits water solubility.
  • a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms that is, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group
  • a hydroxyalkyl group having 1 to 3 carbon atoms, a hydroxyl group, and the like are preferable. .
  • benzotriazole compounds include benzotriazole, 5,6-dimethylbenzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole, 1-methylbenzotriazole, 1-aminobenzotriazole, 1-phenylbenzotriazole, 1-hydroxy Methylbenzotriazole, methyl 1-benzotriazolecarboxylate, 5-benzotriazolecarboxylic acid, 1-methoxy-benzotriazole, 1- (2,2-dihydroxyethyl) -benzotriazole, 1- (2,3-dihydroxypropyl) 2,2 ′- ⁇ [(4-methyl-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] imino ⁇ bisethanol, 2,2 ′- ⁇ commercially available from BASF as “IRGAMET” series [(5- Til-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] imino ⁇ bisethanol, 2,2 ′- ⁇ [(4-methyl-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] im
  • 1- (2,3-dihydroxypropyl) -benzotriazole 2,2 ′- ⁇ [(4-methyl-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] imino ⁇ bisethanol, 2,2 ′ - ⁇ [(5-Methyl-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] imino ⁇ bisethanol and the like are preferable.
  • benzotriazole compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • mercapto group-containing compound a compound having a hydroxyl group and / or a carboxyl group in at least one of the ⁇ -position and ⁇ -position of the carbon atom bonded to the mercapto group is preferable.
  • Specific examples of such compounds include 1-thioglycerol, 3- (2-aminophenylthio) -2-hydroxypropyl mercaptan, 3- (2-hydroxyethylthio) -2-hydroxypropyl mercaptan, 2- Examples include mercaptopropionic acid and 3-mercaptopropionic acid. Among these, it is particularly preferable to use 1-thioglycerol.
  • These mercapto group-containing compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • the content is preferably 0.1% by mass or more and 10% by mass or less, and more preferably 0.5% by mass or more and 5% by mass or less in the cleaning liquid.
  • the cleaning liquid according to the present invention may further contain a surfactant.
  • the surfactant is not particularly limited, and a conventionally known surfactant can be used, but an acetylene alcohol surfactant is preferable.
  • the content thereof is preferably 0.01% by mass or more and 5% by mass or less, and more preferably 0.05% by mass or more and 2% by mass or less in the cleaning liquid.
  • the cleaning liquid contains the component (A), the component (B), and the component (S), so that the residue of the photoresist pattern and the etching residue can be suitably cleaned, and the anticorrosive property against silicon nitride. Excellent.
  • the cleaning liquid described above is suitably used for cleaning a substrate when at least a part of the surface of the substrate is made of silicon nitride.
  • the cleaning liquid described above is particularly preferably used as a cleaning liquid used when chemical polishing (CMP) is performed using, for example, a substrate including a silicon nitride layer as a stopper layer.
  • the cleaning method is not particularly limited, and examples thereof include a dipping method and a spray method, and the treatment can be performed in a batch type or a single wafer type.
  • the cleaning removal time is not particularly limited, but is usually about 10 minutes to 30 minutes for batch processing and about 0.5 minutes to 3 minutes for single wafer processing.
  • the cleaning liquid according to the present invention is preferably used in single wafer processing.
  • the temperature of the cleaning liquid is not particularly limited, but is usually about 25 ° C. or higher and 70 ° C. or lower. After washing with a washing solution, rinsing treatment using pure water, lower alcohol, or the like, and drying treatment may be performed.
  • Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 7 (Preparation of cleaning solution) Examples 1 to 6 and Comparative Examples 2 to 7 were prepared by uniformly mixing 0.1% by mass of hydrofluoric acid, 0.1% by mass of the anticorrosive agent of the type shown in Table 1, and the remaining water. A cleaning solution was prepared. About the washing
  • B1 Polyvinylpyrrolidone (mass average molecular weight 9,000)
  • B2 Polyvinylpyrrolidone (mass average molecular weight 40,000)
  • B3 Polyvinylpyrrolidone (mass average molecular weight 45,000)
  • B4 Polyvinylpyrrolidone (mass average molecular weight 80,000)
  • B5 Polyvinylpyrrolidone (mass average molecular weight 140,000)
  • B6 Polyvinylpyrrolidone (mass average molecular weight 1,200,000)
  • B7 N-vinylpyrrolidone
  • B8 pyrazole
  • B9 pyrrole
  • B10 imidazole
  • B11 1,2,4-triazole
  • B12 5-aminotetrazole
  • a substrate having a silicon nitride layer having a thickness of 100 nm as the outermost layer was used for evaluation of corrosion resistance.
  • the substrate was immersed in the cleaning liquid of each example and comparative example at 50 ° C. for 30 minutes. After immersion, the substrate surface was rinsed with water, and then the substrate was dried by nitrogen blowing.
  • the thickness ( ⁇ ) of the silicon nitride layer of the substrate after drying was measured with an ellipsometer, and the thickness ( ⁇ ) of the silicon nitride layer after immersion was measured. From the change in the thickness of the silicon nitride layer before and after the immersion, the amount of film slip of the silicon nitride layer was determined. Table 1 shows the measurement results of the amount of film slip ( ⁇ / 30 minutes).
  • Example 7 A cleaning liquid of Example 7 was obtained by mixing 0.1% by mass of hydrofluoric acid, 0.5% by mass of poly (N- (2-hydroxyethyl) acrylamide) as an anticorrosive and the remaining water. It was. When the silicon nitride anticorrosive property was evaluated using the cleaning liquid of Example 7, the amount of the silicon nitride film was 50% or less of the amount of the film of the cleaning liquid of Comparative Example 1 not containing the anticorrosive agent.
  • Example 8 A cleaning liquid of Example 8 was obtained by mixing 0.1% by mass of hydrofluoric acid, 0.5% by mass of poly (N, N-dimethylacrylamide) as an anticorrosive and the remaining water.
  • the silicon nitride anticorrosive property was evaluated using the cleaning liquid of Example 8, the amount of the silicon nitride film was 50% or less of the amount of the film cleaning of the cleaning liquid of Comparative Example 1 not containing the anticorrosive agent.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

フォトレジストパターンの残渣物や、エッチング残渣物の除去等に用いられる洗浄液であって、窒化ケイ素に対する防食性に優れる洗浄液、及びこれを用いて基板を洗浄する方法を提供すること。　フッ化水素酸（Ａ）、及び溶媒（Ｓ）を含有する洗浄液に、防食剤（Ｂ）として、カルボン酸アミド結合（－ＣＯ－Ｎ＜）と、不飽和二重結合とを有する特定の構造の化合物に由来する単位を含む重合体を配合する。防食剤（Ｂ）として使用される重合体としては、ポリビニルピロリドンが好ましい。

Description

洗浄液及び基板を洗浄する方法
　本発明は、洗浄液、及びこれを用いて基板を洗浄する方法に関する。
　ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル等の表示素子を製造する際には、まず、シリコンウェハ、ガラス等の基板上にＣＶＤ蒸着された金属膜やＳｉＯ２膜等の絶縁膜を形成する。次に、金属膜や絶縁膜上に、フォトレジストパターンやメタルハードマスクを形成する。そして、このフォトレジストパターンやハードマスクをマスクとして基板をドライエッチング処理し、微細回路を形成する。次いで、アッシングを行った後、洗浄液を用いてフォトレジストパターンの残渣物及びハードマスクの残渣物を洗浄除去する。
　フォトレジストパターンの残渣物及びハードマスクの残渣物を洗浄除去するために使用し得る洗浄液には、これらの残渣物を効果的に洗浄除去できることに加えて、金属に対する防食性に優れることが、通常、望まれている。このような洗浄液については、フッ化水素酸及びそのカウンターアミンとしてアンモニアを用いた化合物（特許文献１～３を参照）や、フッ化水素酸及びそのカウンターアミンとして１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７を用いた化合物（特許文献４を参照）等を用いることが提案されている。
特開２００１－８３７１３号公報 特開平９－１９７６８１号公報 特開２０００－４７４０１号公報 特開２０００－１８１０８３号公報
　ここで、半導体素子等の製造において、化学的研磨（ＣＭＰ）を行う際に、研磨されるべきでない材料を保護するためにストッパー層が設けられる。ストッパー層の材質としては、硬質の材料である窒化ケイ素が広く用いられている。
　このため、特許文献１～４に記載の洗浄液による洗浄対象となる基板の表面は、窒化ケイ素からなる表面を含むことが多い。
　しかし、特許文献１～４に記載のフッ化水素酸を含む洗浄液は、窒化ケイ素を腐食させやすい。窒化ケイ素が腐食されてしまうと、ＣＭＰを行う際に、本来研磨されるべきでない材料が研磨されてしまう場合がある。
　本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、フォトレジストパターンの残渣物や、エッチング残渣物の除去等に用いられる洗浄液であって、窒化ケイ素に対する防食性に優れる洗浄液、及びこれを用いて基板を洗浄する方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、フッ化水素酸（Ａ）、及び溶媒（Ｓ）を含有する洗浄液に、防食剤（Ｂ）として、カルボン酸アミド結合（－ＣＯ－Ｎ＜）と、不飽和二重結合とを有する特定の構造の化合物に由来する単位を含む重合体を配合することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。より具体的には、本発明は、以下のようなものを提供する。
　本発明の第一の態様は、フッ化水素酸（Ａ）と、防食剤（Ｂ）と、溶媒（Ｓ）とを含み、
　防食剤が、下記式（ｂ１）又は式（ｂ２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （式（ｂ１）中、Ｒｂ１及びＲｂ２は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素原子数１以上６以下の炭化水素基であり、Ｒｂ１とＲｂ２とが互いに結合して環を形成してもよい。）
　式（ｂ２）中、Ｒｂ３は水素原子又はメチル基であり、Ｒｂ４及びＲｂ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は１以上の水酸基で置換されていてもよい炭素原子数１以上６以下の炭化水素基であり、Ｒｂ４とＲｂ５とが互いに結合して環を形成してもよい。）
で表される１種以上の単位を含む重合体を含有する、洗浄液である。
　本発明の第二の態様は、第一の態様にかかる洗浄液を用いて基板を洗浄する方法である。
　本発明によれば、フォトレジストパターンの残渣物や、エッチング残渣物の除去等に用いられる洗浄液であって、窒化ケイ素に対する防食性に優れる洗浄液、及びこれを用いて基板を洗浄する方法を提供することができる。
≪洗浄液≫
　洗浄液は、フッ化水素酸（Ａ）と、防食剤（Ｂ）と、溶媒（Ｓ）とを含有する。
　洗浄液は、防食剤（Ｂ）として、下記式（ｂ１）又は式（ｂ２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 （式（ｂ１）中、Ｒｂ１及びＲｂ２は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素原子数１以上６以下の炭化水素基であり、Ｒｂ１とＲｂ２とが互いに結合して環を形成してもよい。
　式（ｂ２）中、Ｒｂ３は水素原子又はメチル基であり、Ｒｂ４及びＲｂ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は１以上の水酸基で置換されていてもよい炭素原子数１以上６以下の炭化水素基であり、Ｒｂ４とＲｂ５とが互いに結合して環を形成してもよい。）
で表される１種以上の単位を含む重合体を含有する。
　洗浄液は、上記重合体を含有するため、窒化ケイ素に対する優れた防食性を備える。
　以下、洗浄液に含まれる必須又は任意の成分について詳細に説明する。
＜フッ化水素酸（Ａ）＞
　洗浄液は、フッ化水素酸を必須に含有する。
　フッ化水素酸の含有量は、洗浄液中、０．００１質量％以上０．５質量％以下が好ましく、０．０８質量％以上０．３２質量％以下がより好ましい。フッ化水素酸の含有量がこのような範囲内である場合、フォトレジストパターンの残渣物やエッチング残渣物の洗浄除去性と、窒化ケイ素に対する防食性とのバランスをより効果的にとることができる。
＜防食剤（Ｂ）＞
　洗浄液は、防食剤（Ｂ）として、下記式（ｂ１）又は式（ｂ２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 （式（ｂ１）中、Ｒｂ１及びＲｂ２は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素原子数１以上６以下の炭化水素基であり、Ｒｂ１とＲｂ２とが互いに結合して環を形成してもよい。
　式（ｂ２）中、Ｒｂ３は水素原子又はメチル基であり、Ｒｂ４及びＲｂ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は１以上の水酸基で置換されていてもよい炭素原子数１以上６以下の炭化水素基であり、Ｒｂ４とＲｂ５とが互いに結合して環を形成してもよい。）
で表される１種以上の単位を含む重合体を必須に含有する。洗浄液が、防食剤（Ｂ）を含むことによって、洗浄液の窒化ケイ素に対する防食性が顕著に高められる。
　上記の式（ｂ１）で表される単位、及び／又は式（ｂ２）で表される単位を含む重合体の質量平均分子量は、所望する防食効果が得られる限り特に限定されない。
　上記重合体の質量平均分子量は、１０００以上２００００００以下が好ましく、５０００以上５０００００以下がより好ましく、１００００以上３０００００以下がさらに好ましく、４００００以上２０００００以下がさらにより好ましく、８００００以上１８０００００以下が特に好ましく、１０００００以上１６００００以下が最も好ましい。
　なお、重合体の質量平均分子量が２００００００超である場合、洗浄液の調製が可能である一方で、重合体を後述する溶媒（Ｓ）に溶解させる際に、長時間や加熱が必要であったりする場合がある。
　このように、上記の範囲内の質量平均分子量を有する重合体を用いる場合、防食剤（Ｂ）である重合体を洗浄液に均一に溶解させやすく、且つ、窒化ケイ素に対する所望する防食効果を得やすい。
　式（ｂ１）で表される単位、及び／又は式（ｂ２）で表される単位を含む重合体は、式（ｂ１）で表される単位、及び／又は式（ｂ２）で表される単位のみからなる重合体であっても、式（ｂ１）で表される単位、及び式（ｂ２）で表される単位以外のその他の単位を含む共重合体であってもよい。
　上記の重合体が、式（ｂ１）で表される単位、及び式（ｂ２）で表される単位以外のその他の単位を含む場合、その他の単位を与える単量体化合物としては、例えば、不飽和カルボン酸、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル、エーテル結合を有する（メタ）アクリレート、上記の他の（メタ）アクリレート、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、ジカルボン酸ジエステル類、共役ジオレフィン、ニトリル基含有重合性化合物及び塩素含有重合性化合物が挙げられる。
　重合体における、その他の単位の含有量は、３０質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましい。
　重合体は、式（ｂ１）で表される単位、及び／又は式（ｂ２）で表される単位のみからなるのが最も好ましい。
　不飽和カルボン酸としては、（メタ）アクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸；マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等が挙げられる。
　（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－オクチル（メタ）アクリレート等の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。
　（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルとしては、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ジメチルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンモノ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　エーテル結合を有する（メタ）アクリレートとしては、２－メトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、３－メトキシブチル（メタ）アクリレート、エチルカルビトール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレートが挙げられ、２－メトキシエチル（メタ）アクリレート及びメトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレートが好ましい。
　上記の他の（メタ）アクリレートとしては、クロロエチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレートが挙げられる。
　アリル化合物としては、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル等のアリルエステル類；アリルオキシエタノール；等が挙げられる。
　ビニルエーテル類としては、ヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、クロロエチルビニルエーテル、１－メチル－２，２－ジメチルプロピルビニルエーテル、２－エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリルビニルエーテル等のアルキルビニルエーテル；ビニルフェニルエーテル、ビニルトリルエーテル、ビニルクロロフェニルエーテル、ビニル－２，４－ジクロロフェニルエーテル、ビニルナフチルエーテル、ビニルアントラニルエーテル等のビニルアリールエーテル；等が挙げられる。
　ビニルエステル類としては、ビニルアセテート、ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレレート、ビニルカプロエート、ビニルクロロアセテート、ビニルジクロロアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、ビニルフエニルアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル－β－フェニルブチレート、安息香酸ビニル、サリチル酸ビニル、クロロ安息香酸ビニル、テトラクロロ安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニル等が挙げられる。
　スチレン類としては、スチレン；メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキシルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレン、ベンジルスチレン、クロロメチルスチレン、トリフルオロメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセトキシメチルスチレン等のアルキルスチレン；メトキシスチレン、４－メトキシ－３－メチルスチレン、ジメトキシスチレン等のアルコキシスチレン；クロロスチレン、ジクロロスチレン、トリクロロスチレン、テトラクロロスチレン、ペンタクロロスチレン、ブロモスチレン、ジブロモスチレン、ヨードスチレン、フルオロスチレン、トリフルオロスチレン、２－ブロモ－４－トリフルオロメチルスチレン、４－フルオロ－３－トリフルオロメチルスチレン等のハロスチレン；等が挙げられる。
　ジカルボン酸ジエステル類としては、マレイン酸ジエチル、フマル酸ジブチルが挙げられる。
　共役ジオレフィンとしては、ブタジエン、イソプレンが挙げられる。
　ニトリル基含有重合性化合物としては、（メタ）アクリロニトリルが挙げられる。
　塩素含有重合性化合物としては、塩化ビニル、塩化ビニリデンが挙げられる。
　以下、式（ｂ１）で表される単位と、式（ｂ２）で表される単位とについて説明する。
　下記式（ｂ１）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 において、Ｒｂ１及びＲｂ２は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素原子数１以上６以下の炭化水素基であり、Ｒｂ１とＲｂ２とが互いに結合して環を形成してもよい。
　Ｒｂ１及びＲｂ２における炭素原子数１以上６以下の炭化水素基としては、１個以上６個以下の炭素原子と水素原子とから構成される基であれば特に限定されない。
　Ｒｂ１及びＲｂ２の各定義中、炭素原子数１以上６以下の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、及び芳香族炭化水素基のいずれでもよく、不飽和結合を有していてもよい。炭化水素基の構造は、直鎖状、分岐鎖状、環状、及びこれらの構造の組み合わせのいずれでもよい。
　Ｒｂ１及びＲｂ２における、炭素原子数１以上６以下の炭化水素基の好適な例としては、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、及びアリール基等が挙げられる。
　Ｒｂ１及び／又はＲｂ２がアルキル基又はアルケニル基である場合、当該アルキル又はアルケニル基は、炭素原子数が１以上６以下であれば、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
　アルキル基の好適な具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、及びｎ－ヘキシル基等が挙げられる。アルケニル基の好適な具体例としては、ビニル基、アリル基、３－ブテニル基、２－ブテニル基、１－ブテニル基、４－ペンテニル基、５－ヘキセニル基等が挙げられる。
　Ｒｂ１及び／又はＲｂ２がシクロアルキル基である場合の好適な具体例としては、シクロブチル基、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基等が挙げられる。
　Ｒｂ１及び／又はＲｂ２が炭シクロアルケニル基である場合の好適な例としては、シクロアルキル基について例示した好ましい基に対応するシクロアルケニル基が挙げられる。
　Ｒｂ１及び／又はＲｂ２がアリール基である場合の好適な例は、フェニル基である。
　Ｒｂ１とＲｂ２とが互いに結合して形成してもよい環構造としては、ピロリドン環構造、ピペリドン環構造、アゼパノン環構造等が挙げられる。
　式（ｂ１）で表される単位の具体例としては、以下の単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　下記式（ｂ２）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 において、Ｒｂ３は水素原子又はメチル基であり、Ｒｂ４及びＲｂ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素原子数１以上６以下の炭化水素基であり、Ｒｂ４とＲｂ５とが互いに結合して環を形成してもよい。
　Ｒｂ４及びＲｂ５が置換基を持たない炭素原子数１以上６以下の炭化水素基である場合、当該無置換の炭素原子数１以上６以下の炭化水素基としては、Ｒｂ１及びＲｂ２における炭素原子数１以上６以下の炭化水素基と同様である。
　Ｒｂ４及びＲｂ５が１以上の水酸基で置換された炭素原子数１以上６以下の炭化水素基である場合、水酸基の置換数は１が好ましい。
　水酸基で置換された炭素原子数１以上６以下の炭化水素基の好適な例としては、メチロール基、２－ヒドロキシエチル基、３－ヒドロキシプロピル基、４－ヒドロキシブチル基、５－ヒドロキシペンチル基、６－ヒドロキシヘキシル基、４－ヒドロキシシクロペンチル基、４－ヒドロキシフェニル基、３－ヒドロキシフェニル基、及び２－ヒドロキシフェニル基が挙げられる。これらの中では、メチロール基、２－ヒドロキシエチル基、３－ヒドロキシエチル基が好ましく、２－ヒドロキシエチル基がより好ましい。
　Ｒｂ１とＲｂ２とが互いに結合して形成してもよい環構造としては、ピロリジン環構造、ピペリジン環構造、及びヘキサメチレンイミン環構造が挙げられる。
　式（ｂ２）で表される単位の例としては、以下の単位が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　窒化ケイ素に対する防食効果に特に優れる洗浄液を得やすいことから、式（ｂ１）で表される単位を与える化合物としては、下記式（ｂ１－１）で表される単位がより好ましい。
式（ｂ１－１）：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 （式（ｂ１－１）中、ｐは、１以上１０以下の整数である。）
で表される単位である重合体が好ましい。
　式（ｂ１－１）中、ｐは、１以上１０以下の整数であり、１以上８以下の整数が好ましく、１以上５以下の整数がより好ましく、１以上３以下の整数が特に好ましく、１が最も好ましい。
　上記式（ｂ１－１）で表される単位は、ｐが１である場合、ピロリドン環を含み、ｐが２である場合、ピペリドン環を含み、ｐが３である場合、アゼパノン環を含む。
　ｐが１である場合、式（ｂ１－１）で表される単位を与える化合物は、Ｎ－ビニル－２－ピロリドンである。ｐが２である場合、式（ｂ１－１）で表される単位を与える化合物は、Ｎ－ビニル－２－ピペリドンである。ｐが３である場合、式（ｂ１－１）で表される単位を与える化合物は、Ｎ－ビニル－２－アゼパノンである。
　上記式（ｂ１）で表される単位を含む重合体と同様に、式（ｂ１－１）で表される単位を含む重合体は、式（ｂ１－１）で表される単位の単独重合体でも、式（ｂ１－１）で表される単位と、式（ｂ１－１）で表される単位以外のその他の単位とを含む共重合体であってもよい。好ましくは、式（ｂ１－１）で表される単位のみからなる重合体であり、より好ましくは式（ｂ１－１）で表され且つｐが１である単位のみからなる重合体、すなわち、ポリビニルピロリドンである。
　以上説明した防食剤（Ｂ）の洗浄液における使用量は特に限定されない。洗浄液中の防食剤（Ｂ）の含有量は、０．０１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．０３質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．０５質量％以上１質量％以下が特に好ましい。
　かかる範囲内の量の防食剤（Ｂ）を用いると、種々の残渣物に対する優れた洗浄効果と、窒化ケイ素対する優れた防食効果とを兼ね備える洗浄液を得やすい。
＜溶媒（Ｓ）＞
　洗浄液は、溶媒（Ｓ）を必須に含有する。溶媒（Ｓ）は典型的には主に水からなる溶媒であるが、水のみからなる溶媒であっても、水と水溶性有機溶剤の混合溶媒であっても、水溶性有機溶剤のみからなる溶媒であってもよい。
　水の含有量は、洗浄液中、１．０質量％以上９９．９質量％以下が好ましい。溶媒（Ｓ）が水を主体とする場合、洗浄液中の水の含有量は、８０質量％以上９９．９質量％以下がより好ましく、９０質量％以上９９．９質量％以下が特に好ましく、９５質量％以上９９．９質量％以下がさらに好ましく、９８質量％以上９９．９質量％以下が最も好ましい。溶媒（Ｓ）が水と水溶性有機溶剤とを含む場合、洗浄液中の水の含有量は、例えば、１５質量％以上４０質量％以下であってよい。
　また、溶媒（Ｓ）が、水と水溶性有機溶剤の混合溶媒の場合、洗浄液中の水溶性有機溶剤の含有量は、１．０質量％以上９０質量％以下が好ましく、１０質量％以上８０質量％以下がより好ましく、２０質量％以上５０質量％以下が特に好ましい。
　洗浄液が含んでいてもよい水溶性有機溶剤の例としては、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２－ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン類；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－エチル－２－ピロリドン、Ｎ－プロピル－２－ピロリドン、Ｎ－ヒドロキシメチル－２－ピロリドン、Ｎ－ヒドロキシエチル－２－ピロリドン等のラクタム類；１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、１，３－ジエチル－２－イミダゾリジノン、１，３－ジイソプロピル－２－イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類；γ－ブチロラクトン、δ－バレロラクトン等のラクトン類；エチレングリコール、プロピレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコール類及びその誘導体；等が挙げられる。
　また、下記式（ｓ－１）で表される、Ｎ，Ｎ－ジアルキル脂肪酸アミドも、水溶性有機溶剤として好ましい。洗浄液が、式（ｓ－１）で表される、Ｎ，Ｎ－ジアルキル脂肪酸アミドを含む場合、継続使用によってもエッチングレートが変化しにくい洗浄液を得やすい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 （一般式（ｓ－１）中、Ｒ１ｓはイソプロピル基、又は１－ヒドロキシ－１－メチルエチル基を示し、Ｒ２ｓ及びＲ３ｓは、それぞれ独立に炭素原子数１以上４以下のアルキル基を示す。）
　Ｒ２ｓ及びＲ３ｓは、それぞれ独立に炭素原子数１以上４以下のアルキル基である。かかるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。炭素原子数１以上４以下のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、及びｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。これらのアルキル基の中では、メチル基及びエチル基が好ましい。
　式（ｓ－１）で表されるＮ，Ｎ－ジアルキル脂肪酸アミドの具体例としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルイソブチルアミド、Ｎ－エチル，Ｎ－メチルイソブチルアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルイソブチルアミド、２－ヒドロキシ－Ｎ，Ｎ，２－トリメチルプロパンアミド、Ｎ－エチル－２－ヒドロキシ－Ｎ，２－ジメチルプロパンアミド、及びＮ，Ｎ－ジエチル－２－ヒドロキシ－２－メチルプロパンアミド等が挙げられる。これらの中では、Ｎ，Ｎ－ジメチルイソブチルアミド、Ｎ－エチル，Ｎ－メチルイソブチルアミド、２－ヒドロキシ－Ｎ，Ｎ，２－トリメチルプロパンアミド、及びＮ－エチル－２－ヒドロキシ－Ｎ，２－ジメチルプロパンアミドが好ましく、特にＮ，Ｎ－ジメチルイソブチルアミド、及び２－ヒドロキシ－Ｎ，Ｎ，２－トリメチルプロパンアミドがより好ましい。
　洗浄液は、水溶性有機溶剤として、２種以上のＮ，Ｎ－ジアルキル脂肪酸アミドを組み合わせて含んでいてもよい。
　さらに、下記式（ｓ－２）で表される、３－アルコキシ－３－メチル－１－ブタノールも、水溶性有機溶剤として好ましい。３－アルコキシ－３－メチル－１－ブタノールは、特に残渣の除去性能に優れる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 （式中、Ｒ４ｓは炭素原子数１以上５以下のアルキル基を表す。）
　式（ｓ－２）中、Ｒ４ｓが表す炭素原子数１以上５以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基等が挙げられる。中でも、溶解力の観点から、炭素原子数１以上３以下のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
　式（ｓ－２）で表される３－アルコキシ－３－メチル－１－ブタノールとしては、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール（ＭＭＢ）が特に好ましい。
＜塩基性化合物（Ｃ）＞
　洗浄液は、前述の防食剤（Ｂ）以外の塩基性化合物（Ｃ）を含有していてもよい。
　塩基性化合物（Ｃ）の種類は特に限定されず、従来より、フォトレジスト等の残渣物の洗浄に用いられる洗浄液に配合される、無機又は有機塩基性化合物から適宜選択される。
　塩基性化合物（Ｃ）としては、含窒素塩基性化合物が好ましい。
　洗浄液が含んでいてもよい無機塩基性化合物の具体例としては、アンモニア、ヒドロキシルアミン、ヒドラジン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム等のアルカリ金属重炭酸塩等が挙げられる。
　洗浄液が含んでいてもよい有機塩基性化合物の具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第４級アンモニウム水酸化物；ヘキサメチルジシラザン、ヘキサエチルジシラザン等のシラザン化合物；トリメチルシリルジメチルアミン、トリメチルシリルジエチルアミン等のアミノシラン化合物；ジエチルヒドロキシルアミン等のヒドロキシルアミン化合物が挙げられる。
　また、以下の有機アミン類も塩基性化合物（Ｃ）として好適である。有機アミン類の具体例としては、メトキシメチルアミン、メトキシエチルアミン、メトキシプロピルアミン、メトキシブチルアミン、エトキシメチルアミン、エトキシエチルアミン、エトキシプロピルアミン、エトキシブチルアミン、プロポキシメチルアミン、プロポキシエチルアミン、プロポキシプロピルアミン、プロポキシブチルアミン、ブトキシメチルアミン、ブトキシエチルアミン、ブトキシプロピルアミン、ブトキシブチルアミン、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジプロピルアミン、Ｎ，Ｎ－ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、２－エチルヘキシルアミン、テトラヒドロフルフリルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、テトラエチルエチレンジアミン、テトラプロピルエチレンジアミン、及びテトラブチルエチレンジアミン、メチルアミノブチルアミン、エチルアミノブチルアミン、プロピルアミノブチルアミン、ブチルアミノブチルアミン、ピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、モルホリン、メチルモルホリン、ジアザビシクロオクタン、ジアザビシクロノナン、及びジアザビシクロウンデセン等である。
　また、下記式（ｃ－１）で表される化合物も、塩基性化合物（Ｃ）として好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 （式（ｃ－１）中、Ｒ１ｃからＲ５ｃは、それぞれ独立に水素原子、又は水酸基、カルボキシル基、アミノ基、若しくはホスホン酸基を有していてもよい炭素原子数１以上６以下のアルキル基を示し、Ｒ１ｃからＲ５ｃの少なくとも１つは水素原子である。Ｒ１ｃからＲ４ｃのうちいずれか１つとＲ５ｃとが相互に結合して環構造を形成してもよい。Ｙ１ｃ及びＹ２ｃは、それぞれ独立に炭素原子数１以上３以下のアルキレン基を示し、ｎは０以上５以下の整数を示す。ｎが２以上のとき、複数のＲ５ｃ同士及び複数のＹ１ｃ同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ５ｃ同士が相互に結合して環構造を形成してもよい。）
　Ｒ１ｃからＲ５ｃがとり得る炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、直鎖状が好ましい。具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、エチル基が最も好ましい。
　このアルキル基は、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、又はホスホン酸基を有していてもよい。そのような具体例としては、２－ヒドロキシエチル基、２－カルボキシエチル基、２－アミノエチル基、２－ホスホン酸エチル基等が挙げられる。
　Ｒ１ｃからＲ４ｃのうちいずれか１つとＲ５ｃとが相互に結合して形成し得る環構造、あるいはＲ５ｃ同士が相互に結合して形成し得る環構造としては、ピペラジン環等が挙げられる。
　Ｙ１ｃ及びＹ２ｃがとり得る炭素原子数１以上３以下のアルキレン基は、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、直鎖状が好ましい。具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。これらの中でも、エチレン基が最も好ましい。
　ｎは０以上５以下の整数を示し、０以上２以下の整数がより好ましい。
　上記式（ｃ－１）で表される塩基性化合物の具体例としては、エチレンジアミン、Ｎ－（２－アミノエチル）－１，２－エタンジアミン（＝ジエチレントリアミン）、Ｎ，Ｎ’－ビス（２－アミノエチル）－１，２－エタンジアミン（＝トリエチレンテトラミン）、トリス（２－アミノエチル）アミン、Ｎ，Ｎ’－ビス（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－［（２－アミノエチル）－２－アミノエチル］ピペラジン、Ｎ－（２－アミノエチル）－Ｎ’－｛２－［（２－アミノエチル）アミノ］エチル｝－１，２－エタンジアミン（＝テトラエチレンペンタミン）、４－（２－アミノエチル）－Ｎ－（２－アミノエチル）－Ｎ’－｛２－［（２－アミノエチル）アミノ］エチル｝－１，２－エタンジアミン、１－（２－アミノエチル）－４－｛［（２－アミノエチル）アミノ］エチル｝ピペラジン、１－｛２－［［２－［（２－アミノエチル）アミノ］エチル］アミノ］エチル｝ピペラジン、１－ピペラジンエタンアミン、２－［（２－アミノエチル）アミノ］エタノール等が挙げられる。
　上記式（ｃ－１）で表される塩基性化合物の中でも、下記一般式（ｃ－２）で表される塩基性化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 （式（ｃ－２）中、Ｙ１ｃ、Ｙ２ｃ、及びｎは、式（ｃ－１）と同義である。）
　式（ｃ－２）で表される塩基性化合物の具体例としては、エチレンジアミン、Ｎ－（２－アミノエチル）－１，２－エタンジアミン（＝ジエチレントリアミン）、Ｎ，Ｎ’－ビス（２－アミノエチル）－１，２－エタンジアミン（＝トリエチレンテトラミン）、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ジメチレントリアミン、トリメチレンテトラミン等が挙げられる。
　これらの中でも、Ｎ－（２－アミノエチル）－１，２－エタンジアミン（＝ジエチレントリアミン）、Ｎ，Ｎ’－ビス（２－アミノエチル）－１，２－エタンジアミン（＝トリエチレンテトラミン）が特に好ましい。
　以上説明した塩基性化合物（Ｃ）は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　塩基性化合物（Ｃ）の含有量は、フッ化水素酸の含有量に応じて適宜調整できるが、洗浄液中、０．０１質量％以上２．００質量％以下が好ましく、０．０１質量％以上１．２４質量％以下がより好ましい。種々の残渣物に対する洗浄除去性と、窒化ケイ素に対する防食性とのバランスをより効果的にとりやすい。
　塩基性化合物（Ｃ）を加えるか、加えない状態の洗浄液のｐＨは、洗浄性能と、窒化ケイ素に対する防食効果とのバランスに優れる点から、２以上７以下が好ましく、２以上６以下が特に好ましい。
　なお、洗浄液のｐＨは、２５℃で測定された値である。
＜その他の成分＞
　洗浄液は、さらに、上記の防食剤（Ｂ）以外に、従来より洗浄液に配合されている防食剤を含有していてもよい。
　この防食剤としては、特に限定されず、従来公知の防食剤を用いることができるが、ベンゾトリアゾール系化合物やメルカプト基含有化合物が好ましい。
　上記ベンゾトリアゾール系化合物としては、下記式（ｄ－１）で表される化合物を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
　上記式（ｄ－１）中、Ｒ１ｄ、Ｒ２ｄは、それぞれ独立に水素原子、置換基を有していてもよい炭素原子数１以上１０以下の炭化水素基、カルボキシル基、アミノ基、水酸基、シアノ基、ホルミル基、スルホニルアルキル基、又はスルホ基を示し、Ｑは水素原子、水酸基、置換基を有していてもよい炭素原子数１以上１４以下の炭化水素基（ただし、当該炭化水素基はアミド結合又はエステル結合で中断されていてもよい）、又は下記一般式（ｄ－２）で表される基を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　上記式（ｄ－２）中、Ｒ３ｄは炭素原子数１以上６以下のアルキレン基を示し、Ｒ４ｄ及びＲ５ｄは、それぞれ独立に水素原子、水酸基、又は炭素数１以上６以下のヒドロキシアルキル基若しくはアルコキシアルキル基を示す。
　なお、上記式（ｄ－１）において、Ｒ１ｄ、Ｒ２ｄ、Ｑの各定義中、炭化水素基は、芳香族炭化水素基及び脂肪族炭化水素基のいずれでもよく、不飽和結合を有していてもよく、直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれでもよい。芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、ｐ－トリル基等が挙げられる。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、例えばメチル基、ｎ－プロピル基、ビニル基等が挙げられる。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、例えばイソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等が挙げられる。環状の脂肪族炭化水素基としては、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。置換基を有する炭化水素基としては、例えばヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基等が挙げられる。
　また、上記式（ｄ－１）において、Ｑとしては、上記式（ｄ－２）で表される基であることが好ましい。特に上記式（ｄ－２）で表される基の中でも、Ｒ４ｄ及びＲ５ｄがそれぞれ独立に炭素原子数１以上６以下のヒドロキシアルキル基又はアルコキシアルキル基である基を選択することが好ましい。
　さらに、Ｑは、上記式（ｄ－１）で表される化合物が水溶性を示すように選択されることが好ましい。具体的には、水素原子、炭素原子数１以上３以下のアルキル基（すなわち、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基）、炭素原子数１以上３以下のヒドロキシアルキル基、水酸基等が好ましい。
　ベンゾトリアゾール系化合物としては、具体的には、ベンゾトリアゾール、５，６－ジメチルベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、１－メチルベンゾトリアゾール、１－アミノベンゾトリアゾール、１－フェニルベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシメチルベンゾトリアゾール、１－ベンゾトリアゾールカルボン酸メチル、５－ベンゾトリアゾールカルボン酸、１－メトキシ－ベンゾトリアゾール、１－（２，２－ジヒドロキシエチル）－ベンゾトリアゾール、１－（２，３－ジヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾール；「ＩＲＧＡＭＥＴ」シリーズとしてＢＡＳＦ社より市販されている、２，２’－｛［（４－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］イミノ｝ビスエタノール、２，２’－｛［（５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］イミノ｝ビスエタノール、２，２’－｛［（４－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］イミノ｝ビスエタン、２，２’－｛［（４－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］イミノ｝ビスプロパン等が挙げられる。
　これらの中でも、１－（２，３－ジヒドロキシプロピル）－ベンゾトリアゾール、２，２’－｛［（４－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］イミノ｝ビスエタノール、２，２’－｛［（５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］イミノ｝ビスエタノール等が好ましい。
　これらのベンゾトリアゾール化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　上記メルカプト基含有化合物としては、メルカプト基に結合する炭素原子のα位、β位の少なくとも一方に、水酸基及び／又はカルボキシル基を有する化合物が好ましい。このような化合物として、具体的には、１－チオグリセロール、３－（２－アミノフェニルチオ）－２－ヒドロキシプロピルメルカプタン、３－（２－ヒドロキシエチルチオ）－２－ヒドロキシプロピルメルカプタン、２－メルカプトプロピオン酸、３－メルカプトプロピオン酸等が挙げられる。これらの中でも、１－チオグリセロールを用いることが特に好ましい。
　これらのメルカプト基含有化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　防食剤を含有する場合、その含有量は、洗浄液中、０．１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上５質量％以下がより好ましい。
　また、本発明に係る洗浄液は、さらに、界面活性剤を含有していてもよい。
　この界面活性剤としては、特に限定されず、従来公知の界面活性剤を用いることができるが、アセチレンアルコール系界面活性剤が好ましい。
　界面活性剤を含有する場合、その含有量は、洗浄液中、０．０１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上２質量％以下がより好ましい。
　洗浄液は、上記（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｓ）成分を必須に含有することにより、フォトレジストパターンの残渣物や、エッチング残渣物を好適に洗浄できるとともに、窒化ケイ素に対する防食性に優れる。
　このため、以上説明した洗浄液は、基板の表面の少なくとも一部が窒化ケイ素からなる場合の基板の洗浄に好適に使用される。
　以上説明した洗浄液は、特に、窒化ケイ素からなる層を、例えば、ストッパー層として含む基板を用いて化学的研磨（ＣＭＰ）を行う際に使用される洗浄液として、好適に使用される。
　洗浄方法は、特に限定されず、浸漬法、スプレー法等が挙げられ、バッチ式又は枚葉式で処理を行うことができる。洗浄除去時間は、特に限定されないが、通常、バッチ処理では１０分以上３０分以下の間程度、枚葉処理では０．５分以上３分以下の間程度である。本発明に係る洗浄液は枚葉処理で用いることが好ましい。洗浄液の温度は、特に限定されないが、通常、２５℃以上７０℃以下程度である。
　洗浄液による洗浄の後、純水や低級アルコール等を用いたリンス処理、及び乾燥処理を施してもよい。
　以下、本発明の実施例を示し、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されない。
〔実施例１～６、及び比較例１～７〕
（洗浄液の調製）
　フッ化水素酸０．１質量％と、表１に記載の種類の防食剤０．１質量％と、残部の水とを均一に混合して、実施例１～６、及び比較例２～７の洗浄液を調製した。
　比較例１の洗浄液については、防食剤を用いないことの他は、実施例の洗浄液と同様に調製した。
　各実施例、及び比較例の洗浄液の２５℃で測定したｐＨの値を表１に記す。
　各実施例及び比較例では、防食剤として、以下のＢ１～Ｂ１２を用いた。
Ｂ１：ポリビニルピロリドン（質量平均分子量９，０００）
Ｂ２：ポリビニルピロリドン（質量平均分子量４０，０００）
Ｂ３：ポリビニルピロリドン（質量平均分子量４５，０００）
Ｂ４：ポリビニルピロリドン（質量平均分子量８０，０００）
Ｂ５：ポリビニルピロリドン（質量平均分子量１４０，０００）
Ｂ６：ポリビニルピロリドン（質量平均分子量１，２００，０００）
Ｂ７：Ｎ－ビニルピロリドン
Ｂ８：ピラゾール
Ｂ９：ピロール
Ｂ１０：イミダゾール
Ｂ１１：１，２，４－トリアゾール
Ｂ１２：５－アミノテトラゾール
（窒化ケイ素防食性評価）
　最外層として厚さ１００ｎｍの窒化ケイ素層を備える基板を防食性の評価に用いた。各実施例及び比較例の洗浄液に、５０℃で３０分間、基板を浸漬させた。浸漬後、基板表面を水にてリンスし、次いで、基板を窒素ブローにより乾燥させた。
　乾燥後の基板の、窒化ケイ素層の膜厚（Å）をエリプソメータにて測定して、浸漬後の窒化ケイ素層の膜厚（Å）を測定した。
　浸漬前後の窒化ケイ素層の膜厚の変化から、窒化ケイ素層の膜べり量を求めた。
　膜べり量（Å／３０分）の測定結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000019
　実施例、及び比較例より、防食剤としてポリビニルピロリドンを含有する実施例の洗浄液を用いる場合、窒化ケイ素の膜べりが顕著に抑制されているのに対して、ポリビニルピロリドン以外の含窒素複素環化合物を含有するか、防食剤を含有しない、比較例の洗浄液を用いる場合、窒化ケイ素の膜べりが著しいことが分かる。
　すなわち、実施例及び比較例の比較から、ポリビニルピロリドンは窒化ケイ素の腐食を低減することができることが分かる。
〔実施例７〕
　フッ化水素酸０．１質量％と、防食剤であるポリ（Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）アクリルアミド）０．５質量％と、残部の水とを混合して、実施例７の洗浄液を得た。
　実施例７の洗浄液を用いて、窒化ケイ素防食性評価を行ったところ、窒化ケイ素の膜べり量は、防食剤を含まない比較例１の洗浄液の膜べり量の５０％以下であった。
〔実施例８〕
　フッ化水素酸０．１質量％と、防食剤であるポリ（Ｎ，Ｎ－ジメチルアクリルアミド）０．５質量％と、残部の水とを混合して、実施例８の洗浄液を得た。
　実施例８の洗浄液を用いて、窒化ケイ素防食性評価を行ったところ、窒化ケイ素の膜べり量は、防食剤を含まない比較例１の洗浄液の膜べり量の５０％以下であった。

Claims (9)

  1. 　フッ化水素酸（Ａ）と、防食剤（Ｂ）と、溶媒（Ｓ）とを含み、
    　前記防食剤が、下記式（ｂ１）又は式（ｂ２）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（ｂ１）中、Ｒｂ１及びＲｂ２は、それぞれ独立に、水素原子、又は炭素原子数１以上６以下の炭化水素基であり、Ｒｂ１とＲｂ２とが互いに結合して環を形成してもよい。
    　式（ｂ２）中、Ｒｂ３は水素原子又はメチル基であり、Ｒｂ４及びＲｂ５は、それぞれ独立に、水素原子、又は１以上の水酸基で置換されていてもよい炭素原子数１以上６以下の炭化水素基であり、Ｒｂ４とＲｂ５とが互いに結合して環を形成してもよい。）
    で表される１種以上の単位を含む重合体を含有する、洗浄液。
  2. 　前記式（ｂ１）で表される単位が、下記式（ｂ１－１）：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式（ｂ１－１）中、ｐは、１以上１０以下の整数である。）
    で表される単位である、請求項１に記載の洗浄液。
  3. 　前記ｐが１である、請求項２に記載の洗浄液。
  4. 　前記重合体がポリビニルピロリドンである、請求項１～３のいずれか１項に記載の洗浄液。
  5. 　前記重合体の質量平均分子量が１０００以上２００００００以下である、請求項１～４のいずれか１項に記載の洗浄液。
  6. 　前記溶媒（Ｓ）が、水を含む、請求項１～５のいずれか１項に記載の洗浄液。
  7. 　窒化ケイ素からなる層を含む基板の洗浄に用いられる、請求項１～６のいずれか１項に記載の洗浄液。
  8. 　請求項１～７のいずれか１項に記載の洗浄液を用いて基板を洗浄する方法。
  9. 　前記基板が窒化ケイ素からなる層を含む、請求項８に記載の方法。
PCT/JP2017/038387 2016-11-10 2017-10-24 洗浄液及び基板を洗浄する方法 WO2018088202A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018550120A JP6832365B2 (ja) 2016-11-10 2017-10-24 洗浄液及び基板を洗浄する方法
US16/348,063 US10920179B2 (en) 2016-11-10 2017-10-24 Cleaning solution and method for cleaning substrate

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016231830 2016-11-10
JP2016-231830 2016-11-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018088202A1 true WO2018088202A1 (ja) 2018-05-17

Family

ID=62110611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/038387 WO2018088202A1 (ja) 2016-11-10 2017-10-24 洗浄液及び基板を洗浄する方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10920179B2 (ja)
JP (1) JP6832365B2 (ja)
TW (1) TWI752107B (ja)
WO (1) WO2018088202A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021100651A1 (ja) * 2019-11-20 2021-05-27

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7495317B2 (ja) 2020-09-25 2024-06-04 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面処理組成物、表面処理組成物の製造方法、表面処理方法、および半導体基板の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003059866A (ja) * 2001-08-21 2003-02-28 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
JP2011040576A (ja) * 2009-08-11 2011-02-24 Stella Chemifa Corp 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3236220B2 (ja) 1995-11-13 2001-12-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
JP2000181083A (ja) 1998-10-05 2000-06-30 Nagase Denshi Kagaku Kk レジスト剥離剤組成物及びその使用方法
JP3255623B2 (ja) 1999-06-17 2002-02-12 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
JP3410403B2 (ja) 1999-09-10 2003-05-26 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
US20100112728A1 (en) * 2007-03-31 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for stripping material for wafer reclamation
US20170330762A1 (en) * 2016-05-10 2017-11-16 Jsr Corporation Semiconductor treatment composition and treatment method
JP6713044B2 (ja) * 2016-06-02 2020-06-24 富士フイルム株式会社 処理液、基板の洗浄方法及びレジストの除去方法
WO2018021038A1 (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 富士フイルム株式会社 処理液及び基板洗浄方法
JP6880047B2 (ja) * 2016-09-21 2021-06-02 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面処理組成物
JPWO2018061670A1 (ja) * 2016-09-29 2019-06-24 富士フイルム株式会社 処理液、および積層体の処理方法
KR102626655B1 (ko) * 2017-02-08 2024-01-17 제이에스알 가부시끼가이샤 반도체 처리용 조성물 및 처리 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003059866A (ja) * 2001-08-21 2003-02-28 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
JP2011040576A (ja) * 2009-08-11 2011-02-24 Stella Chemifa Corp 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021100651A1 (ja) * 2019-11-20 2021-05-27
WO2021100651A1 (ja) * 2019-11-20 2021-05-27 日産化学株式会社 洗浄剤組成物及び洗浄方法
CN114730709A (zh) * 2019-11-20 2022-07-08 日产化学株式会社 清洗剂组合物以及清洗方法
KR20220104767A (ko) * 2019-11-20 2022-07-26 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 세정제 조성물 및 세정 방법
JP7121355B2 (ja) 2019-11-20 2022-08-18 日産化学株式会社 洗浄剤組成物及び洗浄方法
KR102453332B1 (ko) 2019-11-20 2022-10-11 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 세정제 조성물 및 세정 방법
US11732214B2 (en) 2019-11-20 2023-08-22 Nissan Chemical Corporation Cleaning agent composition comprising an alkylamide solvent and a fluorine-containing quaternary ammonium salt

Also Published As

Publication number Publication date
US20190256805A1 (en) 2019-08-22
US10920179B2 (en) 2021-02-16
JP6832365B2 (ja) 2021-02-24
JPWO2018088202A1 (ja) 2019-09-26
TWI752107B (zh) 2022-01-11
TW201829763A (zh) 2018-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7171800B2 (ja) 表面上の残渣を除去するための洗浄用製剤
JP6599322B2 (ja) 表面の残留物を除去するための洗浄配合物
TW200300795A (en) Formulations including a 1, 3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
JP6832365B2 (ja) 洗浄液及び基板を洗浄する方法
US10119103B2 (en) Cleaning liquid and method for cleaning

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17869887

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018550120

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17869887

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1