KR20220104767A - 세정제 조성물 및 세정 방법 - Google Patents
세정제 조성물 및 세정 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220104767A KR20220104767A KR1020227020740A KR20227020740A KR20220104767A KR 20220104767 A KR20220104767 A KR 20220104767A KR 1020227020740 A KR1020227020740 A KR 1020227020740A KR 20227020740 A KR20227020740 A KR 20227020740A KR 20220104767 A KR20220104767 A KR 20220104767A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- cleaning composition
- acid amide
- units
- cleaning
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 167
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 60
- 239000003599 detergent Substances 0.000 title claims description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 95
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 82
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 33
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims abstract description 32
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 31
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 11
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims abstract description 8
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims abstract description 5
- -1 alkylene glycol dialkyl ether Chemical class 0.000 claims description 195
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 92
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 47
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- MBHINSULENHCMF-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpropanamide Chemical group CCC(=O)N(C)C MBHINSULENHCMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 14
- FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium fluoride Chemical compound [F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- GXMIHVHJTLPVKL-UHFFFAOYSA-N n,n,2-trimethylpropanamide Chemical compound CC(C)C(=O)N(C)C GXMIHVHJTLPVKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 11
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 11
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 10
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 5
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YKOQQFDCCBKROY-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylpropanamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)CC YKOQQFDCCBKROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VIJUZNJJLALGNJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylbutanamide Chemical compound CCCC(=O)N(C)C VIJUZNJJLALGNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CLJWSVLSCYWCMP-UHFFFAOYSA-N n,n-diethyl-2-methylpropanamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)C(C)C CLJWSVLSCYWCMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CDQSTBHGKNNPSY-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylbutanamide Chemical compound CCCC(=O)N(CC)CC CDQSTBHGKNNPSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SSJOFYZNKQFVBK-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylbutanamide Chemical compound CCCC(=O)N(C)CC SSJOFYZNKQFVBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GHVUKOCVBVUUGS-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-methylpropanamide Chemical compound CCN(C)C(=O)CC GHVUKOCVBVUUGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QSUJAUYJBJRLKV-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;fluoride Chemical compound [F-].CC[N+](CC)(CC)CC QSUJAUYJBJRLKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- POSYVRHKTFDJTR-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;fluoride Chemical compound [F-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC POSYVRHKTFDJTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- DNSISZSEWVHGLH-UHFFFAOYSA-N butanamide Chemical compound CCCC(N)=O DNSISZSEWVHGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VEPTXBCIDSFGBF-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;fluoride;trihydrate Chemical compound O.O.O.[F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VEPTXBCIDSFGBF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 27
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 20
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 19
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- 229920004482 WACKER® Polymers 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 13
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 12
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 11
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 10
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 4
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N methoxycyclopentane Chemical compound COC1CCCC1 SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- GWHJZXXIDMPWGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1 GWHJZXXIDMPWGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 1-ethynylcyclohexan-1-ol Chemical compound C#CC1(O)CCCCC1 QYLFHLNFIHBCPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 3
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRLPEMVDPFPYPJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-4-methylbenzene Chemical compound CCC1=CC=C(C)C=C1 JRLPEMVDPFPYPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006432 1-methyl cyclopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C1(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- QCWXDVFBZVHKLV-UHFFFAOYSA-N 1-tert-butyl-4-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 QCWXDVFBZVHKLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 2
- 150000001602 bicycloalkyls Chemical group 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- VKCYHJWLYTUGCC-UHFFFAOYSA-N nonan-2-one Chemical compound CCCCCCCC(C)=O VKCYHJWLYTUGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N p-cymene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)C=C1 HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJEZBVHHZQAEDB-SYDPRGILSA-N (1s,5r)-6-oxabicyclo[3.1.0]hexane Chemical compound C1CC[C@H]2O[C@H]21 GJEZBVHHZQAEDB-SYDPRGILSA-N 0.000 description 1
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006079 1,1,2-trimethyl-2-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006059 1,1-dimethyl-2-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006033 1,1-dimethyl-2-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006060 1,1-dimethyl-3-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- RBACIKXCRWGCBB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Epoxybutane Chemical compound CCC1CO1 RBACIKXCRWGCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHTMGMOOSROXRD-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC.CCOCCOCC CHTMGMOOSROXRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxypropane Chemical compound CCOCC(C)OCC VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006061 1,2-dimethyl-1-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006034 1,2-dimethyl-1-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006062 1,2-dimethyl-2-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006035 1,2-dimethyl-2-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006063 1,2-dimethyl-3-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 1,2-dipropoxypropane Chemical compound CCCOCC(C)OCCC PVMMVWNXKOSPRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006064 1,3-dimethyl-1-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006065 1,3-dimethyl-2-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006066 1,3-dimethyl-3-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZTLLUYFWAOGGB-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxane dioxane Chemical compound C1COCCO1.C1COCCO1 FZTLLUYFWAOGGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQSLKNLISLWZQH-UHFFFAOYSA-N 1-(2-propoxyethoxy)propane Chemical compound CCCOCCOCCC HQSLKNLISLWZQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWCFXYMSEGQWNB-UHFFFAOYSA-N 1-Methyl-4-(1-methylpropyl)-benzene Chemical compound CCC(C)C1=CC=C(C)C=C1 LWCFXYMSEGQWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004973 1-butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- SBBKUBSYOVDBBC-UHFFFAOYSA-N 1-butyl-4-methylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=C(C)C=C1 SBBKUBSYOVDBBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006433 1-ethyl cyclopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C1(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006073 1-ethyl-1-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006074 1-ethyl-2-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006082 1-ethyl-2-methyl-2-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006039 1-hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006438 1-i-propyl cyclopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C1(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006025 1-methyl-1-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006044 1-methyl-1-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006019 1-methyl-1-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006028 1-methyl-2-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006048 1-methyl-2-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006021 1-methyl-2-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006030 1-methyl-3-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006052 1-methyl-3-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- VCGBZXLLPCGFQM-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-(2-methylpropyl)benzene Chemical compound CC(C)CC1=CC=C(C)C=C1 VCGBZXLLPCGFQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006055 1-methyl-4-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- JXFVMNFKABWTHD-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=C(C)C=C1 JXFVMNFKABWTHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006439 1-n-propyl cyclopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006023 1-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- FGWZIKKFNKHTTD-UHFFFAOYSA-N 1-phenylprop-2-ynylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C#C)C1=CC=CC=C1 FGWZIKKFNKHTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006017 1-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- REXZYVQYOOPWQD-UHFFFAOYSA-N 10-oxabicyclo[7.1.0]decane Chemical compound C1CCCCCCC2OC21 REXZYVQYOOPWQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCZSFUPWLSMSZ-UHFFFAOYSA-N 11-oxabicyclo[8.1.0]undecane Chemical compound C1CCCCCCCC2OC21 AFCZSFUPWLSMSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGKXNVLESJJBEL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethylbutanamide Chemical compound CCC(CC)(CC)C(N)=O KGKXNVLESJJBEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006067 2,2-dimethyl-3-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006068 2,3-dimethyl-1-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006069 2,3-dimethyl-2-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006070 2,3-dimethyl-3-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 1
- WHNBDXQTMPYBAT-UHFFFAOYSA-N 2-butyloxirane Chemical compound CCCCC1CO1 WHNBDXQTMPYBAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006076 2-ethyl-1-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006077 2-ethyl-2-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006078 2-ethyl-3-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- GXOYTMXAKFMIRK-UHFFFAOYSA-N 2-heptyloxirane Chemical compound CCCCCCCC1CO1 GXOYTMXAKFMIRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006040 2-hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006026 2-methyl-1-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006045 2-methyl-1-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006020 2-methyl-1-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006029 2-methyl-2-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006049 2-methyl-2-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006022 2-methyl-2-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006031 2-methyl-3-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006053 2-methyl-3-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006056 2-methyl-4-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- GTJOHISYCKPIMT-UHFFFAOYSA-N 2-methylundecane Chemical compound CCCCCCCCCC(C)C GTJOHISYCKPIMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHZBVWCLMYQFQX-UHFFFAOYSA-N 2-octadecyloxirane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC1CO1 BHZBVWCLMYQFQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAMHBRRZYSORSH-UHFFFAOYSA-N 2-octyloxirane Chemical compound CCCCCCCCC1CO1 AAMHBRRZYSORSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006024 2-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- NMOFYYYCFRVWBK-UHFFFAOYSA-N 2-pentyloxirane Chemical compound CCCCCC1CO1 NMOFYYYCFRVWBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYURNNNQIFDVCA-UHFFFAOYSA-N 2-propyloxirane Chemical compound CCCC1CO1 SYURNNNQIFDVCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006071 3,3-dimethyl-1-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004975 3-butenyl group Chemical group C(CC=C)* 0.000 description 1
- 125000006041 3-hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006027 3-methyl-1-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006046 3-methyl-1-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006050 3-methyl-2-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006032 3-methyl-3-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006054 3-methyl-3-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006057 3-methyl-4-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- QYXVDGZUXHFXTO-UHFFFAOYSA-L 3-oxobutanoate;platinum(2+) Chemical compound [Pt+2].CC(=O)CC([O-])=O.CC(=O)CC([O-])=O QYXVDGZUXHFXTO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LWMDPZVQAMQFOC-UHFFFAOYSA-N 4-butylpyridine Chemical compound CCCCC1=CC=NC=C1 LWMDPZVQAMQFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006042 4-hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006047 4-methyl-1-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006051 4-methyl-2-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003119 4-methyl-3-pentenyl group Chemical group [H]\C(=C(/C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006058 4-methyl-4-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006043 5-hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- MLOZFLXCWGERSM-UHFFFAOYSA-N 8-oxabicyclo[5.1.0]octane Chemical compound C1CCCCC2OC21 MLOZFLXCWGERSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEEKVKZFYBQFGT-BTJKTKAUSA-N 9-amino-1,2,3,4-tetrahydroacridin-1-ol;(z)-but-2-enedioic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O.C1=CC=C2C(N)=C(C(O)CCC3)C3=NC2=C1 NEEKVKZFYBQFGT-BTJKTKAUSA-N 0.000 description 1
- MELPJGOMEMRMPL-UHFFFAOYSA-N 9-oxabicyclo[6.1.0]nonane Chemical compound C1CCCCCC2OC21 MELPJGOMEMRMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100454128 Caenorhabditis elegans ksr-1 gene Proteins 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- SGVYKUFIHHTIFL-UHFFFAOYSA-N Isobutylhexyl Natural products CCCCCCCC(C)C SGVYKUFIHHTIFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical class CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHVJZSXVQQQZKD-UHFFFAOYSA-N O1COCCC1.O1COCCC1 Chemical compound O1COCCC1.O1COCCC1 OHVJZSXVQQQZKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003519 bicyclobutyls Chemical group 0.000 description 1
- 150000005350 bicyclononyls Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- FSIJKGMIQTVTNP-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-methyl-trimethylsilyloxysilane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C=C)C=C FSIJKGMIQTVTNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKRALBJDXHXFNB-UHFFFAOYSA-N butoxycyclohexane Chemical compound CCCCOC1CCCCC1 GKRALBJDXHXFNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LALHWYBLLSTBLQ-UHFFFAOYSA-N butoxycyclopentane Chemical compound CCCCOC1CCCC1 LALHWYBLLSTBLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- ARUKYTASOALXFG-UHFFFAOYSA-N cycloheptylcycloheptane Chemical group C1CCCCCC1C1CCCCCC1 ARUKYTASOALXFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N cyclohexene oxide Chemical compound C1CCCC2OC21 ZWAJLVLEBYIOTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N cyclohexylcyclohexane Chemical group C1CCCCC1C1CCCCC1 WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCDXZFSOHJRGIL-UHFFFAOYSA-N cyclohexyloxycyclohexane Chemical compound C1CCCCC1OC1CCCCC1 OCDXZFSOHJRGIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBLGFUHEYYJSSE-UHFFFAOYSA-N cycloicosane Chemical compound C1CCCCCCCCCCCCCCCCCCC1 ZBLGFUHEYYJSSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLUNLVTVUDIHFE-UHFFFAOYSA-N cyclooctylcyclooctane Chemical group C1CCCCCCC1C1CCCCCCC1 NLUNLVTVUDIHFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAWOHFOSAIXURX-UHFFFAOYSA-N cyclopentylcyclopentane Chemical group C1CCCC1C1CCCC1 MAWOHFOSAIXURX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWKKBFVZHUKKQZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentyloxycyclohexane Chemical compound C1CCCC1OC1CCCCC1 WWKKBFVZHUKKQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTLEXFFFSMRLQ-UHFFFAOYSA-N cyclopentyloxycyclopentane Chemical compound C1CCCC1OC1CCCC1 BOTLEXFFFSMRLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000007922 dissolution test Methods 0.000 description 1
- UZZWBUYVTBPQIV-UHFFFAOYSA-N dme dimethoxyethane Chemical compound COCCOC.COCCOC UZZWBUYVTBPQIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 239000012156 elution solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- AOWTYVFGMCEIRN-UHFFFAOYSA-N ethoxycyclopentane Chemical compound CCOC1CCCC1 AOWTYVFGMCEIRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- VKPSKYDESGTTFR-UHFFFAOYSA-N isododecane Natural products CC(C)(C)CC(C)CC(C)(C)C VKPSKYDESGTTFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 235000001510 limonene Nutrition 0.000 description 1
- 229940087305 limonene Drugs 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- GHDIHPNJQVDFBL-UHFFFAOYSA-N methoxycyclohexane Chemical compound COC1CCCCC1 GHDIHPNJQVDFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N nonan-5-one Chemical compound CCCCC(=O)CCCC WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L platinum dichloride Chemical group Cl[Pt]Cl CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000003880 polar aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 125000001844 prenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XSXHNHNXEICRHE-UHFFFAOYSA-N propan-2-yloxycyclopentane Chemical compound CC(C)OC1CCCC1 XSXHNHNXEICRHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAHQPELWLUTHNP-UHFFFAOYSA-N propoxycyclohexane Chemical compound CCCOC1CCCCC1 MAHQPELWLUTHNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEPMXJPHYFIYFP-UHFFFAOYSA-N propoxycyclopentane Chemical compound CCCOC1CCCC1 HEPMXJPHYFIYFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/38—Cationic compounds
- C11D1/62—Quaternary ammonium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/38—Cationic compounds
- C11D1/52—Carboxylic amides, alkylolamides or imides or their condensation products with alkylene oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/24—Organic compounds containing halogen
- C11D3/245—Organic compounds containing halogen containing fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/28—Organic compounds containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3263—Amides or imides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/24—Hydrocarbons
- C11D7/247—Hydrocarbons aromatic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/263—Ethers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/267—Heterocyclic compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
본 발명은 접착제 잔류물을 제거하기 위해 이용되는 세정제 조성물로서, 제 4 급 암모늄염과, 제 1 유기 용매 및 제 2 유기 용매를 포함하는 용매를 포함하고, 상기 제 1 유기 용매가, 식 (Z)로 표시되는 산아미드 유도체이며, 상기 제 2 유기 용매가, 상기 산아미드 유도체와는 같지 않은 다른 유기 용매이고, 함수량이, 4.0 질량% 미만인 것을 특징으로 하는 세정제 조성물. (식 중, R0는, 에틸기, 프로필기 또는 이소프로필기를 나타내고, RA 및 RB는, 서로 독립하여, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)
[화학식]
[화학식]
Description
본 발명은, 세정제 조성물 및 세정 방법에 관한 것이다.
종래 2차원적인 평면 방향으로 집적해 온 반도체 웨이퍼는, 한층 더한 집적화를 목적으로 평면을 더 나아가 3차원 방향으로도 집적(적층)하는 반도체 집적 기술이 요구되고 있다. 이 3차원 적층은 실리콘 관통 전극(TSV: through silicon via)에 의해 결선(結線)하면서 다층으로 집적해 가는 기술이다. 다층으로 집적할 때에, 집적되는 각각의 웨이퍼는 형성된 회로면과는 반대측(즉, 이면)을 연마에 의해 박화(薄化)하고, 박화된 반도체 웨이퍼를 적층한다.
박화 전의 반도체 웨이퍼(여기에서는 단지 웨이퍼라고도 부른다)가, 연마 장치로 연마하기 위해 지지체에 접착된다. 그때의 접착은 연마 후에 용이하게 박리되어야 하기 때문에, 가(假)접착이라고 불린다. 이 가접착은 지지체로부터 용이하게 떼어내져야 하고, 떼어냄에 큰 힘을 가하면 박화된 반도체 웨이퍼는, 절단되거나 변형되거나 하는 일이 있으며, 그와 같은 일이 발생하지 않도록, 용이하게 떼어내진다. 그러나, 반도체 웨이퍼의 이면 연마 시에 연마 응력에 의해 떨어지거나 어긋나거나 하는 것은 바람직하지 않다. 따라서, 가접착에 요구되는 성능은 연마 시의 응력에 견디고, 연마 후에 용이하게 떼어내지는 것이다. 예를 들면 연마 시의 평면 방향에 대해 높은 응력(강한 접착력)을 갖고, 떼어냄 시의 세로 방향에 대해 낮은 응력(약한 접착력)을 갖는 성능이 요구된다. 또, 가공 공정에서 150℃ 이상의 고온이 되는 경우가 있어, 추가로, 내열성도 요구된다.
이와 같은 사정하, 반도체 분야에 있어서는, 가접착제로서, 이러한 성능을 구비할 수 있는 폴리실록산계 접착제가 주로 이용된다. 그리고, 폴리실록산계 접착제를 이용한 폴리실록산계 접착에서는, 박화한 기판을 박리한 후에 기판 표면에 접착제 잔류물이 잔존하는 경우가 자주 있는데, 그 후의 공정에서의 문제를 회피하기 위해, 이 잔류물을 제거하고, 반도체 기판 표면의 세정을 행하기 위한 세정제 조성물의 개발이 이루어져 오고 있으며(예를 들면 특허문헌 1, 2), 요즈음의 반도체 분야에서는, 새로운 세정제 조성물에 대한 요망이 항상 존재한다. 특허문헌 1에는, 극성 비(非)프로톤성 용제와 제 4 급 암모늄 수산화물을 포함하는 실록산 수지의 제거제가 개시되고, 특허문헌 2에는, 불화 알킬·암모늄을 포함하는 경화 수지 제거제가 개시되어 있지만, 더욱 효과적인 세정제 조성물의 출현이 요망되고 있다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 예를 들면 폴리실록산계 접착제를 이용하여 얻어지는 접착층에 의한 가접착을 박리한 후의 접착제 잔류물에 대해 양호한 세정성을 나타내는 세정제 조성물 및 그와 같은 세정제 조성물을 이용한 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 예를 들면 폴리실록산계 접착제를 이용하여 얻어지는 접착층에 의한 가접착을 박리한 후의 접착제 잔류물이 부착된 반도체 기판 등의 기판을 세정할 시에, 제 4 급 암모늄염과, 용매를 포함하는 세정제 조성물을 이용하는 경우에 있어서, 상기 용매로서 소정의 산아미드 유도체와 상기 산아미드 유도체와는 다른 그 외의 유기 용매를 조합하여 이용하고, 또한, 그 세정제 조성물이 포함하는 물의 양을 소정의 값 미만으로 함으로써, 세정성이 뛰어나고, 세정 시간을 단축할 수 있는 조성물이 얻어지는 것을 찾아내어, 본 발명을 완성시켰다.
또한, 특허문헌 3∼5에는, N,N-디메틸프로피온아미드를 이용한 포토레지스트 박리액 조성물이나 세정제 조성물이 개시되어 있지만, 어느 문헌에도, 본 발명의 구성이나 그 효과는 구체적으로 개시되어 있지 않다.
즉, 본 발명은,
1. 접착제 잔류물을 제거하기 위해 이용되는 세정제 조성물로서,
제 4 급 암모늄염과, 제 1 유기 용매 및 제 2 유기 용매를 포함하는 용매를 포함하고,
상기 제 1 유기 용매가, 식 (Z)로 표시되는 산아미드 유도체이며,
상기 제 2 유기 용매가, 상기 산아미드 유도체와는 같지 않은 다른 유기 용매이고,
함수량이, 4.0 질량% 미만인 것을 특징으로 하는 세정제 조성물,
[화학식 1]
(식 중, R0는, 에틸기, 프로필기 또는 이소프로필기를 나타내고, RA 및 RB는, 서로 독립하여, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다.)
2. 상기 산아미드 유도체가, N,N-디메틸프로피온아미드, N,N-디에틸프로피온아미드, N-에틸-N-메틸프로피온아미드, N,N-디메틸낙산(酪酸)아미드, N,N-디에틸낙산아미드, N-에틸-N-메틸낙산아미드, N,N-디메틸이소낙산아미드, N,N-디에틸이소낙산아미드 및 N-에틸-N-메틸이소낙산아미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 1의 세정제 조성물,
3. 상기 산아미드 유도체가, N,N-디메틸프로피온아미드, N,N-디에틸프로피온아미드, N,N-디메틸낙산아미드, N,N-디에틸낙산아미드, N,N-디메틸이소낙산아미드 및 N,N-디에틸이소낙산아미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 2의 세정제 조성물,
4. 상기 산아미드 유도체가, N,N-디메틸프로피온아미드 및 N,N-디메틸이소낙산아미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 3의 세정제 조성물,
5. 상기 제 4 급 암모늄염이, 함(含)할로겐 제 4 급 암모늄염을 포함하는 1∼4 중 어느 것의 세정제 조성물,
6. 상기 함할로겐 제 4 급 암모늄염이, 함(含)불소 제 4 급 암모늄염을 포함하는 5의 세정제 조성물,
7. 상기 함불소 제 4 급 암모늄염이, 불화 테트라(탄화수소기)암모늄을 포함하는 6의 세정제 조성물,
8. 상기 불화 테트라(탄화수소기)암모늄이, 불화 테트라메틸암모늄, 불화 테트라에틸암모늄, 불화 테트라프로필암모늄 및 불화 테트라부틸암모늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 7의 세정제 조성물,
9. 상기 제 2 유기 용매가, 알킬렌 글리콜 디알킬 에테르, 방향족 탄화수소 화합물 및 환상(環狀) 구조 함유 에테르 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 1∼8 중 어느 것의 세정제 조성물,
10. 상기 용매가, 유기 용매만으로 이루어지는 1∼9 중 어느 것의 세정제 조성물,
11. 상기 산아미드 유도체가, 상기 용매 중에 30∼90 질량% 포함되는 1∼10 중 어느 것의 세정제 조성물,
12. 상기 함수량이, 3.0 질량% 미만인 1∼11 중 어느 것의 세정제 조성물,
13. 상기 함수량이, 2.0 질량% 미만인 12의 세정제 조성물,
14. 상기 함수량이, 1.0 질량% 미만인 13의 세정제 조성물,
15. 1∼14 중 어느 것의 세정제 조성물을 이용하여, 기체(基體) 상에 잔존한 접착제 잔류물을 제거하는 것을 특징으로 하는 세정 방법,
16. 반도체 기판과, 지지 기판과, 접착제 조성물로부터 얻어지는 접착층을 구비하는 적층체를 제조하는 제 1 공정,
얻어진 적층체의 반도체 기판을 가공하는 제 2 공정,
가공 후에 반도체 기판을 박리하는 제 3 공정, 및
박리한 반도체 기판 상에 잔존하는 접착제 잔류물을 세정제 조성물에 의해 세정 제거하는 제 4 공정을 포함하는, 가공된 반도체 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 세정제 조성물로서 1∼14 중 어느 것에 기재한 세정제 조성물을 이용하는 것을 특징으로 하는, 가공된 반도체 기판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 세정제 조성물에 의하면, 예를 들면 폴리실록산계 접착제를 이용하여 얻어지는 접착층에 의한 가접착을 박리한 후의 접착제 잔류물이 부착된 반도체 기판 등의 기판의 세정을, 단시간에, 간편하게 행하는 것이 가능해진다. 그 결과, 고효율로 양호한 반도체 제조를 기대할 수 있다.
이하, 본 발명에 대해, 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명의 세정제 조성물은, 제 4 급 암모늄염을 포함한다.
제 4 급 암모늄염은, 제 4 급 암모늄 양이온과, 음이온으로 구성되는 것으로서, 이 종류의 용도에 이용되는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 제 4 급 암모늄 양이온으로는, 전형적으로는, 테트라(탄화수소기)암모늄 양이온을 들 수 있다. 한편, 그것과 짝을 이루는 음이온으로는, 수산화물 이온(OH-); 불소 이온(F-), 염소 이온(Cl-), 브롬 이온(Br-), 요오드 이온(I-) 등의 할로겐 이온; 테트라플루오로붕산 이온(BF4 -); 헥사플루오로인산 이온(PF6 -) 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
본 발명에 있어서는, 제 4 급 암모늄염은, 바람직하게는 함할로겐 제 4 급 암모늄염을 포함하고, 보다 바람직하게는 함불소 제 4 급 암모늄염을 포함한다.
제 4 급 암모늄염 중, 할로겐 원자는, 양이온에 포함되어 있어도, 음이온에 포함되어 있어도 되지만, 바람직하게는 음이온에 포함된다.
바람직한 일 양태에 있어서는, 함불소 제 4 급 암모늄염은, 불화 테트라(탄화수소기)암모늄(즉, 테트라(탄화수소기)암모늄 플루오리드)을 포함한다.
불화 테트라(탄화수소기)암모늄에 있어서의 탄화수소기의 구체예로는, 탄소수 1∼20의 알킬기, 탄소수 2∼20의 알케닐기, 탄소수 2∼20의 알키닐기, 탄소수 6∼20의 아릴기 등을 들 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 양태에 있어서는, 불화 테트라(탄화수소기)암모늄은, 불화 테트라알킬암모늄을 포함한다.
불화 테트라알킬암모늄의 구체예로는, 불화 테트라메틸암모늄, 불화 테트라에틸암모늄, 불화 테트라프로필암모늄, 불화 테트라부틸암모늄 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다. 그중에서도, 불화 테트라부틸암모늄(즉, 테트라부틸암모늄 플루오리드(TBAF))이 바람직하다.
불화 테트라(탄화수소기)암모늄 등의 제 4 급 암모늄염은, 수화물을 이용해도 된다. 또, 불화 테트라(탄화수소기)암모늄 등의 제 4 급 암모늄염 및 그 수화물은, 1종 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용해도 된다.
제 4 급 암모늄염의 양은, 세정제 조성물에 포함되는 용매에 용해되는 한 특별히 제한되는 것은 아니지만, 세정제 조성물에 대해, 통상 0.1∼30 질량%이다.
본 발명의 세정제 조성물은, 제 1 유기 용매 및 제 2 유기 용매를 포함하는 용매를 포함하고, 상기 제 1 유기 용매가, 식 (Z)로 표시되는 산아미드 유도체이며, 상기 제 2 유기 용매가, 상기 산아미드 유도체와는 같지 않은 다른 유기 용매이다.
[화학식 2]
식 중, R0는, 에틸기, 프로필기 또는 이소프로필기를 나타내고, 에틸기, 이소프로필기가 바람직하며, 에틸기가 보다 바람직하다. RA 및 RB는, 서로 독립하여, 탄소수 1∼4의 알킬기를 나타낸다. 탄소수 1∼4의 알킬기는 직쇄상, 분기상, 환상 중 어느 것이어도 되고, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 시클로프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, 시클로부틸기 등을 들 수 있다. 이들 중, RA 및 RB로는, 모두 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하고, 모두 메틸기가 보다 더 바람직하다.
식 (Z)로 표시되는 산아미드 유도체로는, N,N-디메틸프로피온아미드, N,N-디에틸프로피온아미드, N-에틸-N-메틸프로피온아미드, N,N-디메틸낙산아미드, N,N-디에틸낙산아미드, N-에틸-N-메틸낙산아미드, N,N-디메틸이소낙산아미드, N,N-디에틸이소낙산아미드, N-에틸-N-메틸이소낙산아미드 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다. 식 (Z)로 표시되는 산아미드 유도체는, 1종 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.
이들 중, 특히, N,N-디메틸프로피온아미드, N,N-디메틸이소부틸아미드가 바람직하고, N,N-디메틸프로피온아미드가 보다 바람직하다.
식 (Z)로 표시되는 산아미드 유도체는, 대응하는 카르복시산 에스테르와 아민의 치환 반응에 의해 합성해도 되고, 시판품을 사용해도 된다.
본 발명의 세정제 조성물은, 상기 산아미드 유도체와는 다른, 1종 또는 2종 이상의 그 외의 유기 용매를 포함한다.
이와 같은 그 외의 유기 용매는, 이 종류의 용도에 이용되는 것으로서, 제 4 급 암모늄염을 용해하고, 또한, 상기 산아미드 유도체와 상용성이 있는 유기 용매이면 특별히 한정되는 것은 아니다.
바람직한 그 외의 유기 용매의 일례로는, 알킬렌 글리콜 디알킬 에테르를 들 수 있다.
알킬렌 글리콜 디알킬 에테르의 구체예로는, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(1,2-디메톡시에탄), 에틸렌 글리콜 디에틸 에테르(1,2-디에톡시에탄), 에틸렌 글리콜 디프로필 에테르, 에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디프로필 에테르 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
알킬렌 글리콜 디알킬 에테르는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
바람직한 그 외의 유기 용매의 일례로는, 방향족 탄화수소 화합물을 들 수 있고, 그 구체예로는, 식 (1)로 표시되는 방향족 탄화수소 화합물을 들 수 있다.
[화학식 3]
상기 식 (1)에 있어서, 탄소수 1∼6의 알킬기의 구체예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, 이소부틸, s-부틸, t-부틸 등을 들 수 있다.
s는, 벤젠환에 치환되는 치환기 R100의 수를 나타내고, 2 또는 3이다.
본 발명의 바람직한 일 양태에 있어서는, 식 (1)로 표시되는 방향족 탄화수소 화합물은, 식 (1-1) 또는 (1-2)로 표시되는 방향족 탄화수소 화합물이다.
[화학식 4]
R100은, 서로 독립하여, 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타내지만, 식 (1-1)에 있어서의 3개의 R100의 탄소수 1∼6의 알킬기의 합계 탄소수는 3 이상이고, 식 (1-2)에 있어서의 2개의 R100의 탄소수 1∼6의 알킬기의 합계 탄소수는 3 이상이다.
식 (1)로 표시되는 방향족 탄화수소 화합물의 구체예로는, 1,2,3-트리메틸벤젠, 1,2,4-트리메틸벤젠, 1,2,5-트리메틸벤젠, 1,3,5-트리메틸벤젠(메시틸렌), 4-에틸톨루엔, 4-n-프로필톨루엔, 4-이소프로필톨루엔, 4-n-부틸톨루엔, 4-s-부틸톨루엔, 4-이소부틸톨루엔, 4-t-부틸톨루엔 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다. 방향족 탄화수소 화합물은, 1종 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.
그중에서도, 메시틸렌, 4-t-부틸톨루엔이 바람직하다.
바람직한 그 외의 유기 용매의 일례로는, 환상 구조 함유 에테르 화합물을 들 수 있다. 환상 구조 함유 에테르 화합물로는, 환상 에테르 화합물, 환상 알킬쇄상 알킬 에테르 화합물, 환상 알킬 분기상 알킬 에테르 화합물, 디(환상 알킬) 에테르 화합물을 들 수 있다. 환상 구조 함유 에테르 화합물은, 1종 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.
환상 구조 함유 에테르 화합물은, 환상 탄화수소 화합물의 고리를 구성하는 탄소 원자 중 적어도 하나가, 산소 원자로 치환된 것이다.
전형적으로는, 쇄상, 분기상 또는 환상의 포화 탄화수소 화합물이 에폭시화된 에폭시 화합물(즉, 서로 이웃하는 2개의 탄소 원자와 산소 원자가 3원 고리를 구성하고 있는 것)이나, 탄소수가 4 이상인 환상 탄화수소 화합물(단, 방향족 탄화수소 화합물을 제외한다.)의 고리를 구성하는 탄소 원자가 산소 원자로 치환된 에폭시 이외의 환상 에테르 화합물(에폭시 화합물은 제외된다. 이하 마찬가지.)을 들 수 있고, 그중에서도, 이와 같은 탄소수가 4 이상인 환상 탄화수소 화합물로는, 탄소수가 4 이상인 환상 포화 탄화수소 화합물이 바람직하다.
상기 에폭시 화합물의 탄소수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 4∼40이고, 바람직하게는 6∼12이다.
에폭시기의 수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 1∼4이고, 바람직하게는 1 또는 2이다.
상기 에폭시 화합물의 구체예로는, 1,2-에폭시-n-부탄, 1,2-에폭시-n-펜탄, 1,2-에폭시-n-헥산, 1,2-에폭시-n-헵탄, 1,2-에폭시-n-옥탄, 1,2-에폭시-n-노난, 1,2-에폭시-n-데칸, 1,2-에폭시-n-에이코산 등의 에폭시 쇄상 또는 분기상 포화 탄화수소 화합물, 1,2-에폭시 시클로펜탄, 1,2-에폭시 시클로헥산, 1,2-에폭시 시클로헵탄, 1,2-에폭시 시클로옥탄, 1,2-에폭시 시클로노난, 1,2-에폭시 시클로데칸, 1,2-에폭시 시클로에이코산 등의 에폭시 환상 포화 탄화수소 화합물을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
상기 에폭시 이외의 환상 에테르 화합물의 탄소수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 3∼40이며, 바람직하게는 4∼8이다.
산소 원자(에테르기)의 수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 1∼3이고, 바람직하게는 1 또는 2이다.
상기 에폭시 이외의 환상 에테르 화합물의 구체예로는, 옥사시클로부탄(옥세탄), 옥사시클로펜탄(테트라히드로푸란), 옥사시클로헥산 등의 옥사 환상 포화 탄화수소 화합물, 1,3-디옥사시클로펜탄, 1,3-디옥사시클로헥산(1,3-디옥산), 1,4-디옥사시클로헥산(1,4-디옥산) 등의 디옥사 환상 포화 탄화수소 화합물 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
환상 알킬 쇄상 알킬 에테르 화합물은, 환상 알킬기와 쇄상 알킬기와 양자를 연결하는 에테르기로 이루어지는 것이고, 그 탄소수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 4∼40이며, 바람직하게는 5∼20이다.
환상 알킬 분기상 알킬 에테르 화합물은, 환상 알킬기와 분기상 알킬기와 양자를 연결하는 에테르기로 이루어지는 것이고, 그 탄소수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 6∼40이며, 바람직하게는 5∼20이다.
디(환상 알킬)에테르 화합물은, 2개의 환상 알킬기와, 양자를 연결하는 에테르기로 이루어지는 것이고, 그 탄소수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 6∼40이며, 바람직하게는 10∼20이다.
그중에서도, 상기 에폭시 이외의 환상 에테르 화합물로는, 환상 알킬 쇄상 알킬 에테르 화합물, 환상 알킬 분기상 알킬 에테르 화합물이 바람직하고, 환상 알킬 쇄상 알킬 에테르 화합물이 보다 바람직하다.
쇄상 알킬기는, 직쇄상 지방족 탄화수소의 말단의 수소 원자를 제거하여 유도되는 기이고, 그 탄소수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 1∼40이며, 바람직하게는 1∼20이다.
그 구체예로는, 메틸기, 에틸기, 1-n-프로필기, 1-n-부틸기, 1-n-펜틸기, 1-n-헥실기, 1-n-헵틸기, 1-n-옥틸기, 1-n-노닐기, 1-n-데실기 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
분기상 알킬기는, 직쇄상 또는 분기상 지방족 탄화수소의 수소 원자를 제거하여 유도되는 기로서, 쇄상 알킬기 이외의 것이고, 그 탄소수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 3∼40이며, 바람직하게는 3∼20이다.
그 구체예로는, 이소프로필기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
환상 알킬기는, 환상 지방족 탄화수소의 고리를 구성하는 탄소 원자 상의 수소 원자를 제거하여 유도되는 기이고, 그 탄소수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 3∼40이며, 바람직하게는 5∼20이다.
그 구체예로는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헵틸기, 시클로헥실 등의 모노시클로알킬기, 비시클로[2.2.1]헵탄-1-일기, 비시클로[2.2.1]헵탄-2-일기, 비시클로[2.2.1]헵탄-7-일기, 비시클로[2.2.2]옥탄-1-일기, 비시클로[2.2.2]옥탄-2-일기, 비시클로[2.2.2]옥탄-7-일기 등의 비시클로알킬기 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
환상 알킬 쇄상 알킬 에테르 화합물의 구체예로는, 시클로펜틸 메틸 에테르(CPME), 시클로펜틸 에틸 에테르, 시클로펜틸 프로필 에테르, 시클로펜틸 부틸 에테르, 시클로헥실 메틸 에테르, 시클로헥실 에틸 에테르, 시클로헥실 프로필 에테르, 시클로헥실 부틸 에테르 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
환상 알킬 분기상 알킬 에테르 화합물의 구체예로는, 시클로펜틸 이소프로필 에테르, 시클로펜틸 t-부틸 에테르 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
디(환상 알킬)에테르 화합물의 구체예로는, 디시클로펜틸 에테르, 디시클로헥실 에테르, 시클로펜틸 시클로헥실 에테르 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
본 발명의 세정제 조성물에 포함되는 용매 중, 통상, 30∼90 질량%가 상기 산아미드 유도체이고, 그 나머지가 상기 그 외의 유기 용매이다.
본 발명의 세정제 조성물은, 함수량이 4.0 질량% 미만이다. 함수량이 4 질량% 이상이 되면, 조성물의 세정능이 현저하게 악화된다. 이 이유는 확실하지 않지만, 세정제 조성물에 포함되는 제 4 급 암모늄염이 악영향을 받아, 그 결과, 세정제 조성물로서의 기능이 손상되기 때문이라고 추찰(推察)된다. 또한, 본 발명에 있어서, 함수량은, 예를 들면 미량 수분 측정 장치 CA-200형((주)미쓰비시 케미컬 애널리텍 제조)을 이용한 칼 피셔법으로 산출할 수 있다.
본 발명의 세정제 조성물의 함수량은, 뛰어난 세정능을 갖는 세정제 조성물을 재현성 좋게 얻는 관점에서, 바람직하게는 3.0 질량% 미만, 보다 바람직하게는 2.0 질량% 미만, 보다 더 바람직하게는 1.5 질량% 미만, 더욱 바람직하게는 1.0 질량% 미만, 더욱더 바람직하게는 0.8 질량% 미만이다.
또한, 본 발명의 바람직한 양태에 있어서는, 세정제 조성물이 포함하는 용매는, 유기 용매만으로 이루어진다. 용매로서 유기 용매만을 이용함으로써, 뛰어난 세정능을 갖는 세정제 조성물을 재현성 좋게 얻을 수 있다.
따라서, 본 발명의 세정제 조성물은, 통상, 용매로서 유기 용매만을 포함한다. 또한, 「유기 용매만」이란, 의도적으로 용매로서 이용되는 것이 유기 용매만이라는 의미이며, 유기 용매나 그 외의 성분 (예를 들면 수화물)에 포함되는 물의 존재까지도 부정하는 것은 아니다.
환언하면, 본 발명의 세정제 조성물은, 실질적으로 물을 함유하지 않는 점에 특징이 있다. 여기에서, 실질적으로 물을 함유하지 않는다란, 물을 배합하지 않는 것이며, 상술한 바와 같이, 다른 성분의 수화물로서의 물이나 성분과 함께 혼입하는 미량 수분을 배제하는 것은 아니다.
단, 용매로서 유기 용매만을 이용하는 경우도, 본 발명의 세정제 조성물은, 상술한 함수량의 범위를 만족시킬 필요가 있다.
본 발명의 세정제 조성물은, 상기 제 4 급 암모늄염이나 그 수화물, 상기 제 1 유기 용매 및 상기 제 2 유기 용매 그리고 필요에 따라 그 외의 성분을 혼합함으로써 얻을 수 있다. 이와 같은 수화물로는, 테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물 등을 들 수 있지만, 이것으로 한정되지 않는다.
각 성분은, 고형분의 침전이나 조성물의 분리 등의 좋지 않은 상태가 최종적으로 발생하는 등의 문제가 생기지 않는 한, 임의의 순서로 혼합할 수 있다.
즉, 세정제 조성물의 모든 성분 중, 일부를 미리 혼합하고, 이어서 나머지 성분을 혼합해도 되고, 또는 한 번에 모든 성분을 혼합해도 된다. 또, 필요하다면, 세정제 조성물을 여과해도 되고, 또는 혼합한 후의 불용 성분을 피하여 상청액을 회수하고, 그것을 세정제 조성물로서 이용해도 된다. 또한, 이용하는 성분이, 예를 들면 흡습성이나 조해성(潮解性)이 있는 경우, 세정제 조성물의 조제 작업의 전부 또는 일부를 불활성 가스하에서 행해도 된다.
이상 설명한 본 발명의 세정제 조성물은, 폴리실록산계 접착제에 대한 세정성이 양호하고, 세정 속도와 세정 지속력이 모두 뛰어나다.
구체적으로는, 세정 속도에 대해서는, 실온(23℃)에서, 접착제 조성물로부터 얻어지는 접착층을 세정제 조성물에 5분간 접촉시킨 경우에 있어서 접촉 전후에 막 두께 감소를 측정하고, 감소한 만큼을 세정 시간으로 나눔으로써 산출되는 에칭 레이트[㎛/min]가, 본 발명의 세정제 조성물은, 통상 8.0[㎛/min] 이상이고, 바람직한 양태에 있어서는 9.0[㎛/min] 이상이며, 보다 바람직한 양태에 있어서는 9.5[㎛/min] 이상이고, 보다 더 바람직한 양태에 있어서는 10.0[㎛/min] 이상이며, 더욱 바람직한 양태에 있어서는 10.5[㎛/min] 이상이고, 더욱더 바람직한 양태에 있어서는 11.0[㎛/min] 이상이다.
또, 세정 지속력에 대해서는, 실온(23℃)에서, 접착제 조성물로부터 얻어지는 접착성 고체 1g을 세정제 조성물 2g에 접촉시킨 경우에 있어서, 본 발명의 세정제 조성물은, 통상 12∼24시간에 접착성 고체의 대부분을 용해하고, 바람직한 양태에 있어서는 2∼12시간에 접착성 고체를 다 용해하며, 보다 바람직한 양태에 있어서는 1∼2시간에 접착성 고체를 다 용해한다.
본 발명에 의하면, 상기 설명한 세정제 조성물을 이용하여, 예를 들면 반도체 기판 등의 기판 상에 잔류하는 폴리실록산계 접착제를 세정 제거함으로써, 상기 기판을 단시간에 세정하는 것이 가능해져, 고효율로 양호한 반도체 기판 등의 기판의 세정이 가능하다.
본 발명의 세정제 조성물은, 반도체 기판 등의 각종 기판의 표면을 세정하기 위해 이용되는 것이며, 그 세정의 대상물은, 실리콘 반도체 기판으로 한정되는 것은 아니며, 예를 들면, 게르마늄 기판, 갈륨-비소 기판, 갈륨-인 기판, 갈륨-비소-알루미늄 기판, 알루미늄 도금 실리콘 기판, 동 도금 실리콘 기판, 은 도금 실리콘 기판, 금 도금 실리콘 기판, 티탄 도금 실리콘 기판, 질화 규소막 형성 실리콘 기판, 산화 규소막 형성 실리콘 기판, 폴리이미드막 형성 실리콘 기판, 유리 기판, 석영 기판, 액정 기판, 유기 EL 기판 등의 각종 기판까지도 포함한다.
반도체 프로세스에 있어서의 본 발명의 세정제 조성물의 적합한 사용 방법으로는, TSV 등의 반도체 패키지 기술에 이용되는 박화 기판 등의 가공 기판의 제조 방법에 있어서의 사용을 들 수 있다.
구체적으로는, 반도체 기판과, 지지 기판과, 접착제 조성물로부터 얻어지는 접착층을 구비하는 적층체를 제조하는 제 1 공정, 얻어진 적층체의 반도체 기판을 가공하는 제 2 공정, 가공 후에 반도체 기판을 박리하는 제 3 공정, 및 박리한 반도체 기판 상에 잔존하는 접착제 잔류물을 세정제 조성물에 의해 세정 제거하는 제 4 공정을 포함하는, 가공 기판의 제조 방법에 있어서, 세정제 조성물로서 본 발명의 세정제 조성물이 사용된다.
제 1 공정에 있어서 접착층을 형성하기 위해 이용되는 접착제 조성물로는, 전형적으로는, 실리콘계 접착제(폴리실록산계 접착제), 아크릴 수지계 접착제, 에폭시 수지계 접착제, 폴리아미드계 접착제, 폴리스티렌계 접착제, 폴리이미드계 접착제 및 페놀 수지계 접착제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 접착제를 사용할 수 있지만, 특히 폴리실록산계 접착제를 세정하기 위해, 본 발명의 세정제 조성물을 채용하는 것은 유효하며, 그중에서도, 히드로실릴화 반응에 의해 경화되는 성분 (A)를 포함하는 폴리실록산계 접착제의 접착제 잔류물의 세정 제거에, 본 발명의 세정제 조성물은 효과적이다.
따라서, 이하, 히드로실릴화 반응에 의해 경화되는 성분 (A)를 포함하는 폴리실록산계 접착제(접착제 조성물)와 본 발명의 세정제 조성물을 이용한 가공 기판의 제조 방법에 대해서 설명하지만, 본 발명은, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
우선, 반도체 기판과, 지지 기판과, 접착제 조성물로부터 얻어지는 접착층을 구비하는 적층체를 제조하는 제 1 공정에 대해서 설명한다.
접착제 조성물이 포함하는 히드로실릴화 반응에 의해 경화되는 성분 (A)는, 예를 들면, SiO2로 표시되는 실록산 단위(Q 단위), R1R2R3SiO1/2로 표시되는 실록산 단위(M 단위), R4R5SiO2/2로 표시되는 실록산 단위(D 단위) 및 R6SiO3/2로 표시되는 실록산 단위(T 단위)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 단위를 포함하는 폴리실록산 (A1)과, 백금족 금속계 촉매 (A2)를 포함하고, 상기 폴리실록산 (A1)은, SiO2로 표시되는 실록산 단위(Q' 단위), R1'R2'R3'SiO1/2로 표시되는 실록산 단위(M' 단위), R4'R5'SiO2/2로 표시되는 실록산 단위(D' 단위) 및 R6'SiO3/2로 표시되는 실록산 단위(T' 단위)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 단위를 포함하는 동시에, 상기 M' 단위, D' 단위 및 T' 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 폴리오르가노실록산 (a1)과, SiO2로 표시되는 실록산 단위(Q" 단위), R1"R2"R3"SiO1/2로 표시되는 실록산 단위(M" 단위), R4"R5"SiO2/2로 표시되는 실록산 단위(D" 단위) 및 R6"SiO3/2로 표시되는 실록산 단위(T" 단위)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 단위를 포함하는 동시에, 상기 M" 단위, D" 단위 및 T" 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 폴리오르가노실록산 (a2)을 포함한다.
R1∼R6는, 규소 원자에 결합하는 기 또는 원자이고, 서로 독립적으로, 알킬기, 알케닐기 또는 수소 원자를 나타낸다.
R1'∼R6'는, 규소 원자에 결합하는 기이고, 서로 독립적으로, 알킬기 또는 알케닐기를 나타내지만, R1'∼R6' 중 적어도 하나는, 알케닐기이다.
R1"∼R6"는, 규소 원자에 결합하는 기 또는 원자이고, 서로 독립적으로, 알킬기 또는 수소 원자를 나타내지만, R1"∼R6" 중 적어도 하나는, 수소 원자이다.
알킬기는, 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 것이어도 되지만, 직쇄상 또는 분기쇄상 알킬기가 바람직하고, 그 탄소수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 1∼40이며, 바람직하게는 30 이하, 보다 바람직하게는 20 이하, 보다 더 바람직하게는 10 이하이다.
직쇄상 또는 분기쇄상 알킬기의 구체예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 1-메틸-n-부틸기, 2-메틸-n-부틸기, 3-메틸-n-부틸기, 1,1-디메틸-n-프로필기, 1,2-디메틸-n-프로필기, 2,2-디메틸-n-프로필기, 1-에틸-n-프로필기, n-헥실, 1-메틸-n-펜틸기, 2-메틸-n-펜틸기, 3-메틸-n-펜틸기, 4-메틸-n-펜틸기, 1,1-디메틸-n-부틸기, 1,2-디메틸-n-부틸기, 1,3-디메틸-n-부틸기, 2,2-디메틸-n-부틸기, 2,3-디메틸-n-부틸기, 3,3-디메틸-n-부틸기, 1-에틸-n-부틸기, 2-에틸-n-부틸기, 1,1,2-트리메틸-n-프로필기, 1,2,2-트리메틸-n-프로필기, 1-에틸-1-메틸-n-프로필기, 1-에틸-2-메틸-n-프로필기 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
그중에서도, 메틸기가 바람직하다.
환상 알킬기의 구체예로는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 1-메틸-시클로프로필기, 2-메틸-시클로프로필기, 시클로펜틸기, 1-메틸-시클로부틸기, 2-메틸-시클로부틸기, 3-메틸-시클로부틸기, 1,2-디메틸-시클로프로필기, 2,3-디메틸-시클로프로필기, 1-에틸-시클로프로필기, 2-에틸-시클로프로필기, 시클로헥실기, 1-메틸-시클로펜틸기, 2-메틸-시클로펜틸기, 3-메틸-시클로펜틸기, 1-에틸-시클로부틸기, 2-에틸-시클로부틸기, 3-에틸-시클로부틸기, 1,2-디메틸-시클로부틸기, 1,3-디메틸-시클로부틸기, 2,2-디메틸-시클로부틸기, 2,3-디메틸-시클로부틸기, 2,4-디메틸-시클로부틸기, 3,3-디메틸-시클로부틸기, 1-n-프로필-시클로프로필기, 2-n-프로필-시클로프로필기, 1-i-프로필-시클로프로필기, 2-i-프로필-시클로프로필기, 1,2,2-트리메틸-시클로프로필기, 1,2,3-트리메틸-시클로프로필기, 2,2,3-트리메틸-시클로프로필기, 1-에틸-2-메틸-시클로프로필기, 2-에틸-1-메틸-시클로프로필기, 2-에틸-2-메틸-시클로프로필기, 2-에틸-3-메틸-시클로프로필기 등의 시클로알킬기, 비시클로부틸기, 비시클로펜틸기, 비시클로헥실기, 비시클로헵틸기, 비시클로옥틸기, 비시클로노닐기, 비시클로데실기 등의 비시클로알킬기 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
알케닐기는, 직쇄상, 분기쇄상 중 어느 것이어도 되고, 그 탄소수는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 2∼40이고, 바람직하게는 30 이하, 보다 바람직하게는 20 이하, 보다 더 바람직하게는 10 이하이다.
알케닐기의 구체예로는, 에테닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 1-메틸-1-에테닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 2-메틸-1-프로페닐기, 2-메틸-2-프로페닐기, 1-에틸에테닐기, 1-메틸-1-프로페닐기, 1-메틸-2-프로페닐기, 1-펜테닐기, 2-펜테닐기, 3-펜테닐기, 4-펜테닐기, 1-n-프로필에테닐기, 1-메틸-1-부테닐기, 1-메틸-2-부테닐기, 1-메틸-3-부테닐기, 2-에틸-2-프로페닐기, 2-메틸-1-부테닐기, 2-메틸-2-부테닐기, 2-메틸-3-부테닐기, 3-메틸-1-부테닐기, 3-메틸-2-부테닐기, 3-메틸-3-부테닐기, 1,1-디메틸-2-프로페닐기, 1-i-프로필에테닐기, 1,2-디메틸-1-프로페닐기, 1,2-디메틸-2-프로페닐기, 1-시클로펜테닐기, 2-시클로펜테닐기, 3-시클로펜테닐기, 1-헥세닐기, 2-헥세닐기, 3-헥세닐기, 4-헥세닐기, 5-헥세닐기, 1-메틸-1-펜테닐기, 1-메틸-2-펜테닐기, 1-메틸-3-펜테닐기, 1-메틸-4-펜테닐기, 1-n-부틸에테닐기, 2-메틸-1-펜테닐기, 2-메틸-2-펜테닐기, 2-메틸-3-펜테닐기, 2-메틸-4-펜테닐기, 2-n-프로필-2-프로페닐기, 3-메틸-1-펜테닐기, 3-메틸-2-펜테닐기, 3-메틸-3-펜테닐기, 3-메틸-4-펜테닐기, 3-에틸-3-부테닐기, 4-메틸-1-펜테닐기, 4-메틸-2-펜테닐기, 4-메틸-3-펜테닐기, 4-메틸-4-펜테닐기, 1,1-디메틸-2-부테닐기, 1,1-디메틸-3-부테닐기, 1,2-디메틸-1-부테닐기, 1,2-디메틸-2-부테닐기, 1,2-디메틸-3-부테닐기, 1-메틸-2-에틸-2-프로페닐기, 1-s-부틸에테닐기, 1,3-디메틸-1-부테닐기, 1,3-디메틸-2-부테닐기, 1,3-디메틸-3-부테닐기, 1-i-부틸에테닐기, 2,2-디메틸-3-부테닐기, 2,3-디메틸-1-부테닐기, 2,3-디메틸-2-부테닐기, 2,3-디메틸-3-부테닐기, 2-i-프로필-2-프로페닐기, 3,3-디메틸-1-부테닐기, 1-에틸-1-부테닐기, 1-에틸-2-부테닐기, 1-에틸-3-부테닐기, 1-n-프로필-1-프로페닐기, 1-n-프로필-2-프로페닐기, 2-에틸-1-부테닐기, 2-에틸-2-부테닐기, 2-에틸-3-부테닐기, 1,1,2-트리메틸-2-프로페닐기, 1-t-부틸에테닐기, 1-메틸-1-에틸-2-프로페닐기, 1-에틸-2-메틸-1-프로페닐기, 1-에틸-2-메틸-2-프로페닐기, 1-i-프로필-1-프로페닐기, 1-i-프로필-2-프로페닐기, 1-메틸-2-시클로펜테닐기, 1-메틸-3-시클로펜테닐기, 2-메틸-1-시클로펜테닐기, 2-메틸-2-시클로펜테닐기, 2-메틸-3-시클로펜테닐기, 2-메틸-4-시클로펜테닐기, 2-메틸-5-시클로펜테닐기, 2-메틸렌-시클로펜틸기, 3-메틸-1-시클로펜테닐기, 3-메틸-2-시클로펜테닐기, 3-메틸-3-시클로펜테닐기, 3-메틸-4-시클로펜테닐기, 3-메틸-5-시클로펜테닐기, 3-메틸렌-시클로펜틸기, 1-시클로헥세닐기, 2-시클로헥세닐기, 3-시클로헥세닐기 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
그중에서도, 에테닐기, 2-프로페닐기가 바람직하다.
상술한 바와 같이, 폴리실록산 (A1)은, 폴리오르가노실록산 (a1)과 폴리오르가노실록산 (a2)을 포함하는데, 폴리오르가노실록산 (a1)에 포함되는 알케닐기와, 폴리오르가노실록산 (a2)에 포함되는 수소 원자(Si-H기)가 백금족 금속계 촉매 (A2)에 의한 히드로실릴화 반응에 의해 가교 구조를 형성하여 경화된다.
폴리오르가노실록산 (a1)은, Q' 단위, M' 단위, D' 단위 및 T' 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 단위를 포함하는 동시에, 상기 M' 단위, D' 단위 및 T' 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이다. 폴리오르가노실록산 (a1)으로는, 이와 같은 조건을 만족시키는 폴리오르가노실록산을 2종 이상 조합하여 이용해도 된다.
Q' 단위, M' 단위, D' 단위 및 T' 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2종 이상의 바람직한 조합으로는, (Q' 단위와 M' 단위), (D' 단위와 M' 단위), (T' 단위와 M' 단위), (Q' 단위와 T' 단위와 M' 단위)를 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
또, 폴리오르가노실록산 (a1)에 포함되는 폴리오르가노실록산이 2종 이상 포함되는 경우, (Q' 단위와 M' 단위)와 (D' 단위와 M' 단위)와의 조합, (T' 단위와 M' 단위)와 (D' 단위와 M' 단위)와의 조합, (Q' 단위와 T' 단위와 M' 단위)와 (T' 단위와 M' 단위)와의 조합이 바람직하지만, 이들로 한정되지 않는다.
폴리오르가노실록산 (a2)는, Q" 단위, M" 단위, D" 단위 및 T" 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 단위를 포함하는 동시에, 상기 M" 단위, D" 단위 및 T" 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이다. 폴리오르가노실록산 (a2)로는, 이와 같은 조건을 만족시키는 폴리오르가노실록산을 2종 이상 조합하여 이용해도 된다.
Q" 단위, M" 단위, D" 단위 및 T" 단위로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2종 이상의 바람직한 조합으로는, (M" 단위와 D" 단위), (Q" 단위와 M" 단위), (Q" 단위와 T" 단위와 M" 단위)를 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
폴리오르가노실록산 (a1)은, 그 규소 원자에 알킬기 및/또는 알케닐기가 결합된 실록산 단위로 구성되는 것인데, R1'∼R6'로 표시되는 전체 치환기 중에 있어서의 알케닐기의 비율은, 바람직하게는 0.1 몰%∼50.0 몰%, 보다 바람직하게는 0.5 몰%∼30.0 몰%이고, 나머지의 R1'∼R6'는 알킬기로 할 수 있다.
폴리오르가노실록산 (a2)는, 그 규소 원자에 알킬기 및/또는 수소 원자가 결합된 실록산 단위로 구성되는 것인데, R1"∼R6"로 표시되는 전체 치환기 및 치환 원자 중에 있어서의 수소 원자의 비율은, 바람직하게는 0.1 몰%∼50.0 몰%, 보다 바람직하게는 10.0 몰%∼40.0 몰%이고, 나머지의 R1"∼R6"는 알킬기로 할 수 있다.
폴리실록산 (A1)은, 폴리오르가노실록산 (a1)과 폴리오르가노실록산 (a2)를 포함하는 것인데, 본 발명의 바람직한 일 양태에 있어서는, 폴리오르가노실록산 (a1)에 포함되는 알케닐기와 폴리오르가노실록산 (a2)에 포함되는 Si-H 결합을 구성하는 수소 원자와의 몰비는, 1.0:0.5∼1.0:0.66의 범위이다.
폴리오르가노실록산 (a1) 및 폴리오르가노실록산 (a2)의 중량 평균 분자량은, 각각, 통상 500∼1,000,000이지만, 바람직하게는 5,000∼50,000이다.
또한, 중량 평균 분자량은, 예를 들면, GPC 장치(도소(주) 제조 EcoSEC, HLC-8320GPC) 및 GPC 컬럼(쇼와 덴코(주) 제조 Shodex(등록상표), KF-803L, KF-802 및 KF-801)을 이용하고, 컬럼 온도를 40℃로 하며, 용리액(용출 용매)으로서 테트라히드로푸란을 이용하고, 유량(유속)을 1.0mL/분으로 하며, 표준 시료로서 폴리스티렌(시그마 알드리치사 제조)을 이용하여, 측정할 수 있다.
이러한 접착제 조성물에 포함되는 폴리오르가노실록산 (a1)과 폴리오르가노실록산 (a2)는, 히드로실릴화 반응에 의해, 서로에 반응하여 경화막이 된다. 따라서, 그 경화의 메커니즘은, 예를 들면 실라놀기를 매개로 한 그것과는 다르고, 그러므로, 어느 실록산도, 실라놀기나, 알킬옥시기와 같은 가수분해에 의해 실라놀기를 형성할 수 있는 관능기를 포함할 필요는 없다.
성분 (A)는, 상술의 폴리실록산 (A1)과 함께, 백금족 금속계 촉매 (A2)를 포함한다.
이와 같은 백금계의 금속 촉매는, 폴리오르가노실록산 (a1)의 알케닐기와 폴리오르가노실록산 (a2)의 Si-H기와의 히드로실릴화 반응을 촉진하기 위한 촉매이다.
백금계의 금속 촉매의 구체예로는, 백금흑, 염화제2백금, 염화백금산, 염화백금산과 1가 알코올과의 반응물, 염화백금산과 올레핀류와의 착체, 백금 비스아세토아세테이트 등의 백금계 촉매를 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
백금과 올레핀류와의 착체로는, 예를 들면 디비닐테트라메틸디실록산과 백금과의 착체를 들 수 있지만, 이것으로 한정되지 않는다.
백금족 금속계 촉매 (A2)의 양은, 통상, 폴리오르가노실록산 (a1) 및 폴리오르가노실록산 (a2)의 합계량에 대해, 1.0∼50.0ppm의 범위이다.
성분 (A)는, 중합 억제제 (A3)를 포함하고 있어도 된다. 접착제 조성물에 중합 억제제를 포함시킴으로써, 첩합(貼合) 시의 가열에 의한 경화를 적합하게 제어 가능하게 되어, 접착성과 박리성이 뛰어난 접착층을 부여하는 접착제 조성물을 재현성 좋게 얻을 수 있다.
중합 억제제는, 히드로실릴화 반응의 진행을 억제할 수 있는 한 특별히 한정되는 것은 아니지만, 그 구체예로는, 1-에티닐-1-시클로헥사놀, 1,1-디페닐-2-프로 핀-1-올 등의 알키닐알킬 알코올 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
중합 억제제의 양은, 폴리오르가노실록산 (a1) 및 폴리오르가노실록산 (a2)에 대해, 통상, 그 효과를 얻는 관점에서 1000.0ppm 이상이고, 히드로실릴화 반응의 과도한 억제를 방지하는 관점에서 10000.0ppm 이하이다.
이러한 접착제 조성물은, 에폭시기 함유 폴리오르가노실록산을 포함하는 성분, 메틸기 함유 폴리오르가노실록산을 포함하는 성분 및 페닐기 함유 폴리오르가노실록산을 포함하는 성분으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 성분 (B)를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 성분 (B)를 접착제 조성물에 포함시킴으로써, 얻어지는 접착층을 재현성 좋게 적합하게 박리할 수 있게 된다.
에폭시기 함유 폴리오르가노실록산으로는, 예를 들면, R11R12SiO2/2로 표시되는 실록산 단위(D10 단위)를 포함하는 것을 들 수 있다.
R11은, 규소 원자에 결합하는 기이고, 알킬기를 나타내며, R12는, 규소 원자에 결합하는 기이고, 에폭시기 또는 에폭시기를 포함하는 유기기를 나타내며, 알킬기의 구체예로는, 상술의 예시를 들 수 있다.
또, 에폭시기를 포함하는 유기기에 있어서의 에폭시기는, 그 외의 고리와 축합하지 않고, 독립된 에폭시기여도 되며, 1,2-에폭시시클로헥실기와 같이, 그 외의 고리와 축합환을 형성하고 있는 에폭시기여도 된다.
에폭시기를 포함하는 유기기의 구체예로는, 3-글리시독시프로필, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
본 발명에 있어서, 에폭시기 함유 폴리오르가노실록산의 바람직한 일례로는, 에폭시기 함유 폴리디메틸실록산을 들 수 있지만, 이것으로 한정되지 않는다.
에폭시기 함유 폴리오르가노실록산은, 상술의 실록산 단위(D10 단위)를 포함하는 것이지만, D10 단위 이외에, 상기 Q 단위, M 단위 및/또는 T 단위를 포함하고 있어도 된다.
바람직한 일 양태에 있어서는, 에폭시기 함유 폴리오르가노실록산의 구체예로는, D10 단위만으로 이루어지는 폴리오르가노실록산, D10 단위와 Q 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D10 단위와 M 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D10 단위와 T 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D10 단위와 Q 단위와 M 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D10 단위와 M 단위와 T 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D10 단위와 Q 단위와 M 단위와 T 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산 등을 들 수 있다.
에폭시기 함유 폴리오르가노실록산은, 에폭시가(epoxy value)가 0.1∼5인 에폭시기 함유 폴리디메틸실록산이 바람직하고, 그 중량 평균 분자량은, 통상 1,500∼500,000이지만, 접착제 조성물 중에서의 석출 억제의 관점에서, 바람직하게는 100,000 이하이다.
에폭시기 함유 폴리오르가노실록산의 구체예로는, 식 (A-1)로 표시되는 상품명 CMS-227(겔레스트사 제조, 중량 평균 분자량 27,000), 식 (A-2)로 표시되는 상품명 ECMS-327(겔레스트사 제조, 중량 평균 분자량 28,800), 식 (A-3)으로 표시되는 상품명 KF-101(신에쓰 가가쿠 고교(주) 제조, 중량 평균 분자량 31,800), 식 (A-4)로 표시되는 상품명 KF-1001(신에쓰 가가쿠 고교(주) 제조, 중량 평균 분자량 55,600), 식 (A-5)로 표시되는 상품명 KF-1005(신에쓰 가가쿠 고교(주) 제조, 중량 평균 분자량 11,500), 식 (A-6)으로 표시되는 상품명 X-22-343(신에쓰 가가쿠 고교(주) 제조, 중량 평균 분자량 2,400), 식 (A-7)로 표시되는 상품명 BY16-839(다우코닝사 제조, 중량 평균 분자량 51,700), 식 (A-8)로 표시되는 상품명 ECMS-327(겔레스트사 제조, 중량 평균 분자량 28,800) 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
[화학식 5]
(m 및 n은 각각 반복 단위의 수이다.)
[화학식 6]
(m 및 n은 각각 반복 단위의 수이다.)
[화학식 7]
(m 및 n은 각각 반복 단위의 수이다. R은 탄소수 1∼10의 알킬렌기이다.)
[화학식 8]
(m 및 n은 각각 반복 단위의 수이다. R은 탄소수 1∼10의 알킬렌기이다.)
[화학식 9]
(m, n 및 o는 각각 반복 단위의 수이다. R은 탄소수 1∼10의 알킬렌기이다.)
[화학식 10]
(m 및 n은 각각 반복 단위의 수이다. R은 탄소수 1∼10의 알킬렌기이다.)
[화학식 11]
(m 및 n은 각각 반복 단위의 수이다. R은 탄소수 1∼10의 알킬렌기이다.)
[화학식 12]
(m 및 n은 각각 반복 단위의 수이다.)
메틸기 함유 폴리오르가노실록산으로는, 예를 들면, R210R220SiO2/2로 표시되는 실록산 단위(D200 단위), 바람직하게는 R21R21SiO2/2로 표시되는 실록산 단위(D20 단위)를 포함하는 것을 들 수 있다.
R210 및 R220는, 규소 원자에 결합하는 기이고, 서로 독립하여, 알킬기를 나타내지만, 적어도 한쪽은 메틸기이고, 알킬기의 구체예로는, 상술의 예시를 들 수 있다.
R21은, 규소 원자에 결합하는 기이고, 알킬기를 나타내며, 알킬기의 구체예로는, 상술의 예시를 들 수 있다. 그중에서도, R21로는, 메틸기가 바람직하다.
메틸기 함유 폴리오르가노실록산의 바람직한 일례로는, 폴리디메틸실록산을 들 수 있지만, 이것으로 한정되지 않는다.
메틸기 함유 폴리오르가노실록산은, 상술의 실록산 단위(D200 또는 D20 단위)를 포함하는 것이지만, D200 및 D20 단위 이외에, 상기 Q 단위, M 단위 및/또는 T 단위를 포함하고 있어도 된다.
어느 일 양태에 있어서는, 메틸기 함유 폴리오르가노실록산의 구체예로는, D200 단위만으로 이루어지는 폴리오르가노실록산, D200 단위와 Q 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D200 단위와 M 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D200 단위와 T 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D200 단위와 Q 단위와 M 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D200 단위와 M 단위와 T 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D200 단위와 Q 단위와 M 단위와 T 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산을 들 수 있다.
바람직한 일 양태에 있어서는, 메틸기 함유 폴리오르가노실록산의 구체예로는, D20 단위만으로 이루어지는 폴리오르가노실록산, D20 단위와 Q 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D20 단위와 M 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D20 단위와 T 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D20 단위와 Q 단위와 M 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D20 단위와 M 단위와 T 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D20 단위와 Q 단위와 M 단위와 T 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산을 들 수 있다.
메틸기 함유 폴리오르가노실록산의 점도는, 통상 1,000∼2,000,000㎟/s이지만, 바람직하게는 10,000∼1,000,000㎟/s이다. 또한, 메틸기 함유 폴리오르가노실록산은, 전형적으로는, 폴리디메틸실록산으로 이루어지는 디메틸실리콘 오일이다. 이 점도의 값은, 동(動)점도로 나타내어지며, 센티스토크스(cSt)=㎟/s이다. 동 점도는, 동점도계로 측정할 수 있다. 또, 점도(mPa·s)를 밀도(g/㎤)로 나누어 구할 수도 있다. 즉, 25℃에서 측정한 E형 회전 점도계에 의한 점도와 밀도로부터 구할 수 있다. 동점도(㎟/s)=점도(mPa·s)/밀도(g/㎤)라는 식으로부터 산출할 수 있다.
메틸기 함유 폴리오르가노실록산의 구체예로는, 바커사 제조 WACKER(등록상표 SILICONE FLUID AK 시리즈나, 신에쓰 가가쿠 고교(주) 제조 디메틸실리콘 오일(KF-96L, KF-96A, KF-96, KF-96H, KF-69, KF-965, KF-968), 환상 디메틸실리콘 오일(KF-995) 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
페닐기 함유 폴리오르가노실록산으로는, 예를 들면, R31R32SiO2/2로 표시되는 실록산 단위(D30 단위)를 포함하는 것을 들 수 있다.
R31은, 규소 원자에 결합하는 기이고, 페닐기 또는 알킬기를 나타내며, R32는, 규소 원자에 결합하는 기이고, 페닐기를 나타내며, 알킬기의 구체예로는, 상술의 예시를 들 수 있지만, 메틸기가 바람직하다.
페닐기 함유 폴리오르가노실록산은, 상술의 실록산 단위(D30 단위)를 포함하는 것이지만, D30 단위 이외에, 상기 Q 단위, M 단위 및/또는 T 단위를 포함하고 있어도 된다.
바람직한 일 양태에 있어서는, 페닐기 함유 폴리오르가노실록산의 구체예로는, D30 단위만으로 이루어지는 폴리오르가노실록산, D30 단위와 Q 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D30 단위와 M 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D30 단위와 T 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D30 단위와 Q 단위와 M 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D30 단위와 M 단위와 T 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산, D30 단위와 Q 단위와 M 단위와 T 단위를 포함하는 폴리오르가노실록산을 들 수 있다.
페닐기 함유 폴리오르가노실록산의 중량 평균 분자량은, 통상 1,500∼500,000이지만, 접착제 조성물 중에서의 석출 억제의 관점 등에서, 바람직하게는 100,000 이하이다.
페닐기 함유 폴리오르가노실록산의 구체예로는, 식 (C-1)로 표시되는 상품명 PMM-1043(Gelest, Inc. 제조, 중량 평균 분자량 67,000, 점도 30,000㎟/s), 식 (C-2)로 표시되는 상품명 PMM-1025(Gelest, Inc. 제조, 중량 평균 분자량 25,200, 점도 500㎟/s), 식 (C-3)으로 표시되는 상품명 KF50-3000CS(신에쓰 가가쿠 고교(주) 제조, 중량 평균 분자량 39,400, 점도 3000㎟/s), 식 (C-4)로 표시되는 상품명 TSF431(MOMENTIVE사 제조, 중량 평균 분자량 1,800, 점도 100㎟/s), 식 (C-5)로 표시되는 상품명 TSF433(MOMENTIVE사 제조, 중량 평균 분자량 3,000, 점도 450㎟/s), 식 (C-6)으로 표시되는 상품명 PDM-0421(Gelest, Inc. 제조, 중량 평균 분자량 6,200, 점도 100㎟/s), 식 (C-7)로 표시되는 상품명 PDM-0821(Gelest, Inc. 제조, 중량 평균 분자량 8,600, 점도 125㎟/s) 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
[화학식 13]
(m 및 n은 반복 단위의 수를 나타낸다.)
[화학식 14]
(m 및 n은 반복 단위의 수를 나타낸다.)
[화학식 15]
(m 및 n은 반복 단위의 수를 나타낸다.)
[화학식 16]
(m 및 n은 반복 단위의 수를 나타낸다.)
[화학식 17]
(m 및 n은 반복 단위의 수를 나타낸다.)
[화학식 18]
(m 및 n은 반복 단위의 수를 나타낸다.)
[화학식 19]
(m 및 n은 반복 단위의 수를 나타낸다.)
이러한 접착제 조성물은, 성분 (A)와 성분 (B)를 임의의 비율로 포함할 수 있지만, 접착성과 박리성의 밸런스를 고려하면, 성분 (A)와 성분 (B)의 비율은, 질량비로, 바람직하게는 99.995:0.005∼30:70, 보다 바람직하게는 99.9:0.1∼75:25이다.
이러한 접착제 조성물은, 점도의 조정 등을 목적으로, 용매를 포함하고 있어도 되며, 그 구체예로는, 지방족 탄화수소, 방향족 탄화수소, 케톤 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
보다 구체적으로는, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 데칸, 운데칸, 도데칸, 이소도데칸, 멘탄, 리모넨, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 쿠멘, MIBK(메틸 이소부틸 케톤), 초산(酢酸) 부틸, 디이소부틸 케톤, 2-옥타논, 2-노나논, 5-노나논 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다. 이와 같은 용매는, 1종 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 이용할 수 있다.
이러한 접착제 조성물이 용매를 포함하는 경우, 그 함유량은, 원하는 접착제 조성물의 점도, 채용하는 도포 방법, 제작하는 박막의 두께 등을 감안하여 적절히 설정되는 것이기는 하지만, 접착제 조성물 전체에 대해, 10∼90 질량% 정도의 범위이다.
접착제 조성물의 점도는, 통상, 25℃에서 1,000∼20,000mPa·s이고, 이용하는 도포 방법, 원하는 막 두께 등의 각종 요소를 고려하여, 이용하는 용매의 종류나 그들의 비율, 막 구성 성분 농도 등을 변경함으로써 조정 가능하다.
상기 접착제 조성물은, 막 구성 성분과 용매를 혼합함으로써 제조할 수 있다. 단, 용매가 포함되지 않는 경우, 막 구성 성분을 혼합함으로써, 상기 접착제 조성물을 제조할 수 있다.
그 혼합 순서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 용이하게 또한 재현성 좋게, 접착제 조성물을 제조할 수 있는 방법의 일례로는, 예를 들면, 막 구성 성분의 전부를 용매에 용해시키는 방법이나, 막 구성 성분의 일부를 용매에 용해시키고, 막 구성 성분의 나머지를 용매에 용해시켜, 얻어진 용액을 혼합하는 방법을 들 수 있다. 이 경우에 있어서, 필요하다면, 일부의 용매나, 용해성이 뛰어난 막 구성 성분을 마지막에 첨가할 수도 있다.
조성물의 조제에서는, 성분이 분해되거나 변질되거나 하지 않는 범위에서, 적절히 가열해도 된다. 또, 조성물 중의 이물을 제거할 목적으로, 조성물을 제조하는 도중의 단계에서 또는 모든 성분을 혼합한 후에, 서브 마이크로미터 오더의 필터 등을 이용하여 여과해도 된다.
상술의 가공 기판의 제조 방법의 제 1 공정은, 보다 구체적으로는, 반도체 기판 또는 지지 기판의 표면에 상기 접착제 조성물을 도포하여 접착제 도포층을 형성하는 전(前)공정과, 상기 반도체 기판과 상기 지지 기판을 상기 접착제 도포층을 개재하여 합치고, 가열 처리 및 감압 처리 중 적어도 한쪽을 실시하면서, 상기 반도체 기판 및 상기 지지 기판의 두께 방향의 하중을 가함으로써, 상기 반도체 기판과 상기 접착제 도포층과 상기 지지 기판을 밀착시키고, 그 후, 후가열 처리를 행하는 후(後)공정을 포함한다. 후공정의 후가열 처리에 의해, 접착제 도포층이 최종적으로 적합하게 경화되어 접착층이 되어, 적층체가 제조된다.
여기에서, 예를 들면, 반도체 기판이 웨이퍼이고, 지지 기판이 지지체이다. 접착제 조성물을 도포하는 대상은, 반도체 기판과 지지 기판 중 어느 한쪽이어도 또는 양쪽이어도 된다.
웨이퍼로는, 예를 들면 직경 300mm, 두께 770㎛ 정도의 실리콘 웨이퍼나 유리 웨이퍼를 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.
지지체(캐리어)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 직경 300mm, 두께 700㎛ 정도의 실리콘 웨이퍼를 들 수 있지만, 이것으로 한정되지 않는다.
상기 접착제 도포층의 막 두께는, 통상 5∼500㎛이지만, 막 강도를 유지하는 관점에서, 바람직하게는 10㎛ 이상, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상, 보다 더 바람직하게는 30㎛ 이상이고, 두꺼운 막에 기인하는 불균일성을 회피하는 관점에서, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 150㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 120㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 70㎛ 이하이다.
도포 방법은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상, 스핀 코트법이다. 또한, 별도 스핀 코트법 등으로 도포막을 형성하고, 시트상의 도포막을 첩부(貼付)하는 방법을 채용해도 되며, 이것도 도포 또는 도포막이라고 한다.
가열 처리의 온도는, 통상 80℃ 이상이고, 과도한 경화를 방지하는 관점에서, 바람직하게는 150℃ 이하이다. 가열 처리의 시간은, 가접착능을 확실하게 발현시키는 관점에서, 통상 30초 이상, 바람직하게는 1분 이상이지만, 접착층이나 그 외의 부재의 변질을 억제하는 관점에서, 통상 10분 이하, 바람직하게는 5분 이하이다.
감압 처리는, 2개의 기체 및 그들 사이의 접착제 도포층을 10∼10,000Pa의 기압하에 노출시키면 된다. 감압 처리의 시간은, 통상 1∼30분이다.
본 발명의 바람직한 양태에 있어서는, 2개의 기체 및 그들 사이의 층은, 바람직하게는 가열 처리에 의해, 보다 바람직하게는 가열 처리와 감압 처리의 병용에 의해, 첩합된다.
상기 반도체 기판 및 상기 지지 기판의 두께 방향의 하중은, 상기 반도체 기판 및 상기 지지 기판과 그들 사이의 층에 악영향을 미치지 않고, 또한 이들을 견고하게 밀착시킬 수 있는 하중인 한 특별히 한정되지 않지만, 통상 10∼1,000N의 범위 내이다.
후가열 온도는, 충분한 경화 속도를 얻는 관점에서, 바람직하게는 120℃ 이상이고, 기판이나 접착제의 변질을 방지하는 관점에서, 바람직하게는 260℃ 이하이다. 가열 시간은, 경화에 의한 웨이퍼의 접합의 관점에서, 통상 1분 이상이고, 또한 접착제의 물성 안정화의 관점 등에서, 바람직하게는 5분 이상이며, 과도한 가열에 의한 접착층에의 악영향 등을 회피하는 관점에서, 통상 180분 이하, 바람직하게는 120분 이하이다. 가열은, 핫 플레이트, 오븐 등을 이용하여 행할 수 있다. 또한, 후가열 처리의 하나의 목적은, 성분 (A)를 보다 적합하게 경화시키는 것이다.
다음으로, 이상 설명한 방법으로 얻어진 적층체의 반도체 기판을 가공하는 제 2 공정에 대해서 설명한다.
본 발명에서 이용하는 적층체에 실시되는 가공의 일례로는, 반도체 기판의 표면의 회로면과는 반대의 이면의 가공을 들 수 있고, 전형적으로는, 웨이퍼 이면의 연마에 의한 웨이퍼의 박화를 들 수 있다. 이와 같은 박화된 웨이퍼를 이용하며, 실리콘 관통 전극(TSV) 등의 형성을 행하고, 이어서 지지체로부터 박화 웨이퍼를 박리해 웨이퍼의 적층체를 형성하여, 3차원 실장화된다. 또, 그에 전후하여 웨이퍼 이면 전극 등의 형성도 행해진다. 웨이퍼의 박화와 TSV 프로세스에는 지지체에 접착된 상태에서 250∼350℃의 열이 부하되는데, 본 발명에서 이용하는 적층체가 포함하는 접착층은, 그 열에 대한 내열성을 갖고 있다.
예를 들면, 직경 300mm, 두께 770㎛ 정도의 웨이퍼는, 표면의 회로면과는 반대의 이면을 연마하여, 두께 80㎛∼4㎛ 정도까지 박화할 수 있다.
다음으로, 가공 후에 반도체 기판을 박리하는 제 3 공정에 대해서 설명한다.
본 발명에서 이용하는 적층체의 박리 방법은, 용제 박리, 레이저 박리, 날카로운 부분(銳部)을 갖는 기재(機材)에 의한 기계적인 박리, 지지체와 웨이퍼의 사이에서 떼어내는 박리 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다. 통상, 박리는, 박화 등의 가공 후에 행해진다.
제 3 공정에서는, 반드시 접착제가 완전히 지지 기판측에 부착되어 박리되는 것은 아니며, 가공된 기판 상에 일부 남겨지는 경우가 있다. 그래서, 제 4 공정에 있어서, 잔류한 접착제가 부착된 기판의 표면을, 상술한 본 발명의 세정제 조성물로 세정함으로써, 기판 상의 접착제를 충분히 세정 제거할 수 있다.
마지막으로, 박리한 반도체 기판 상에 잔존하는 접착제 잔류물을 세정제 조성물에 의해 세정 제거하는 제 4 공정에 대해서 설명한다.
제 4 공정은, 박리 후의 반도체 기판의 표면에 잔존하는 접착제 잔류물을, 본 발명의 세정제 조성물에 의해 세정 제거하는 공정이고, 구체적으로는, 예를 들면, 접착제가 잔류하는 박화 기판을 본 발명의 세정제 조성물에 침지하고, 필요하다면 초음파 세정 등의 수단도 병용하여, 접착제 잔류물을 세정 제거하는 것이다.
초음파 세정을 이용하는 경우, 그 조건은, 기판의 표면의 상태를 고려하여 적절히 결정되는 것이지만, 통상, 20kHz∼5MHz, 10초∼30분의 조건으로 세정 처리함으로써, 기판 상에 남는 접착제 잔류물을 충분히 제거할 수 있다.
본 발명의 박화 기판 등의 가공 기판의 제조 방법은, 상술의 제 1 공정부터 제 4 공정까지를 구비하는 것이지만, 이들 공정 이외의 공정을 포함하고 있어도 된다. 예를 들면, 제 4 공정에서는, 본 발명의 세정제 조성물에 의한 세정 전에, 필요에 따라, 기판을 각종의 용매에 의해 침지하거나, 테이프 필링을 하거나 하여, 접착제 잔류물을 제거해도 된다.
제 1 공정부터 제 4 공정까지에 관한 상기 구성적 및 방법적 요소에 대해서는, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위이면 여러 가지 변경해도 무방하다.
실시예
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 설명하지만, 본 발명은, 하기 실시예로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에서 이용한 장치는 다음과 같다.
(1) 교반기(자전 공전 믹서): (주)싱키 제조 자전 공전 믹서 ARE-500
(2) 점도계: 도키 산교(주) 제조 회전 점도계 TVE-22H
(3) 교반기: 애즈 원 제조 믹스 로터 베리어블 1-1186-12
(4) 교반기 H: 애즈 원 제조 가온형 로킹 믹서 HRM-1
(5) 접촉식 막 두께계: (주)도쿄 세이미츠 제조 웨이퍼 두께 측정 장치 WT-425
[1] 접착제 조성물의 조제
[조제예 1]
자전 공전 믹서 전용 600mL 교반 용기에, (a1)으로서 점도 200mPa·s의 비닐기 함유 직쇄상 폴리디메틸실록산과 비닐기 함유의 MQ 수지로 이루어지는 베이스 폴리머(바커 케미사 제조) 150g, (a2)로서 점도 100mPa·s의 SiH기 함유 직쇄상 폴리디메틸실록산(바커 케미사 제조) 15.81g, (A3)로서 1-에티닐-1-시클로헥사놀(바커 케미사 제조) 0.17g을 첨가하여, 자전 공전 믹서로 5분간 교반했다.
얻어진 혼합물에, 스크류관 50mL에 (A2)로서 백금 촉매(바커 케미(주) 제조) 0.33g과 (a1)으로서 점도 1000mPa·s의 비닐기 함유 직쇄상 폴리디메틸실록산(바커 케미사 제조) 9.98g을 자전 공전 믹서로 5분간 교반하여 별도 얻어진 혼합물로부터 0.52g을 첨가하고, 자전 공전 믹서로 5분간 교반하고, 얻어진 혼합물을 나일론 필터 300 메시로 여과하여, 접착제 조성물을 얻었다. 또한, 회전 점도계를 이용하여 측정한 접착제 조성물의 점도는, 9900mPa·s였다.
[조제예 2]
자전 공전 믹서 전용 600mL 교반 용기에, (a1)으로서 비닐기 함유의 MQ 수지로 이루어지는 베이스 폴리머(바커 케미사 제조) 95g, 용매로서 p-멘탄(닛폰 테르펜 가가쿠(주) 제조) 93.4g 및 (A3)로서 1,1-디페닐-2-프로핀-1-올(도쿄 가세이 고교(주) 제조) 0.41g을 첨가하여, 자전 공전 믹서로 5분간 교반했다.
얻어진 혼합물에, (a2)로서 점도 100mPa·s의 SiH기 함유 직쇄상 폴리디메틸실록산(바커 케미사 제조), (a1)으로서 점도 200mPa·s의 비닐기 함유 직쇄상 폴리디메틸실록산(바커 케미사 제조) 29.5g, (B)로서 폴리디메틸실록산인 점도 1000000㎟/s의 폴리오르가노실록산(바커 케미사 제조, 상품명 AK1000000), (A3)로서 1-에티닐-1-시클로헥사놀(바커 케미사 제조) 0.41g을 첨가하여, 자전 공전 믹서로 추가로 5분간 교반했다.
그 후, 얻어진 혼합물에, 스크류관 50mL에 (A2)로서 백금 촉매(바커 케미(주) 제조) 0.20g과 (a1)으로서 점도 1000mPa·s의 비닐기 함유 직쇄상 폴리디메틸실록산(바커 케미사 제조) 17.7g을 자전 공전 믹서로 5분간 교반하여 별도 얻어진 혼합물로부터 14.9g을 첨가하고, 자전 공전 믹서로 추가로 5분간 교반하고, 얻어진 혼합물을 나일론 필터 300 메시로 여과하여, 접착제 조성물을 얻었다. 또한, 회전 점도계를 이용하여 측정한 접착제 조성물의 점도는, 4600mPa·s였다.
[2] 세정제 조성물의 조제
[실시예 1]
테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물(간토 가가쿠(주) 제조) 1.50g에, N,N-디메틸프로피온아미드 14.25g과 1,2-디에톡시에탄 14.25g을 첨가하고 교반하여, 세정제 조성물을 얻었다.
[실시예 2]
테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물(간토 가가쿠(주) 제조) 1.18g에, N,N-디메틸프로피온아미드 11.18g과 테트라히드로푸란 11.18g을 첨가하고 교반하여, 세정제 조성물을 얻었다.
[실시예 3]
테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물(간토 가가쿠(주) 제조) 2.11g에, N,N-디메틸프로피온아미드 20.08g과 테트라히드로피란 20.08g을 첨가하고 교반하여, 세정제 조성물을 얻었다.
[실시예 4]
테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물(간토 가가쿠(주) 제조) 1.88g에, N,N-디메틸프로피온아미드 17.81g과 시클로펜틸 메틸 에테르17.81g을 첨가하고 교반하여, 세정제 조성물을 얻었다.
[실시예 5]
테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물(간토 가가쿠(주) 제조) 1.08g에, N,N-디메틸프로피온아미드 10.25g과 메시틸렌 10.25g을 첨가하고 교반하여, 세정제 조성물을 얻었다.
[실시예 6]
테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물(간토 가가쿠(주) 제조) 1.32g에, N,N-디메틸이소부틸아미드 12.52g과 1,2-디에톡시에탄 12.52g을 첨가하고 교반하여, 세정제 조성물을 얻었다.
[실시예 7]
테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물(간토 가가쿠(주) 제조) 1.32g에, N,N-디메틸이소부틸아미드 12.52g과 테트라히드로푸란 12.52g을 첨가하고 교반하여, 세정제 조성물을 얻었다.
[실시예 8]
테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물(간토 가가쿠(주) 제조) 1.32g에, N,N-디메틸이소부틸아미드 12.52g과 테트라히드로피란 12.52g을 첨가하고 교반하여, 세정제 조성물을 얻었다.
[실시예 9]
테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물(간토 가가쿠(주) 제조) 1.32g에, N,N-디메틸이소부틸아미드 12.52g과 시클로펜틸 메틸 에테르 12.52g을 첨가하고 교반하여, 세정제 조성물을 얻었다.
[실시예 10]
테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물(간토 가가쿠(주) 제조) 1.32g에, N,N-디메틸이소부틸아미드 12.52g과 메시틸렌 12.52g을 첨가하고 교반하여, 세정제 조성물을 얻었다.
[비교예 1]
테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물(간토 가가쿠(주) 제조) 0.50g에, N,N-디메틸아세트아미드 9.50g을 첨가하고 교반하여, 세정제 조성물을 얻었다.
[비교예 2]
테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물(간토 가가쿠(주) 제조) 5g에, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논 95g을 첨가하고 교반하여, 세정제 조성물을 얻었다.
[비교예 3]
테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물(간토 가가쿠(주) 제조) 5g에, N-메틸-2-피롤리돈 탈수 95g을 첨가하고 교반하여, 세정제 조성물을 얻었다.
[비교예 4]
테트라부틸암모늄 플루오리드 삼수화물(간토 가가쿠(주) 제조) 5g에, N,N-디메틸프로피온아미드(도쿄 가세이 고교(주)) 47.5g과 테트라히드로푸란(간토 가가쿠(주) 제조) 47.5g을 첨가하여 교반하고, 추가로 순수(純水) 5g을 첨가하고 추가로 교반하여, 세정제 조성물을 얻었다.
[비교예 5]
시판의 실리콘 클리너 「KSR-1」(간토 가가쿠(주) 제조)을 세정액 조성물로서 사용했다.
[3] 세정제 조성물의 성능 평가
뛰어난 세정제 조성물은, 접착제 잔류물과 접촉한 직후부터 그것을 용해시키는 높은 세정 속도와, 그것을 지속하는 뛰어난 세정 지속력이 필요한 점에서, 이하의 평가를 행하였다. 보다 높은 세정 속도와 보다 뛰어난 세정 지속력을 겸비함으로써, 보다 효과적인 세정을 기대할 수 있다.
[3-1] 함수량의 측정
세정제 조성물의 함수량은, 미량 수분 측정 장치 CA-200형((주)미쓰비시 케미컬 애널리텍 제조)을 이용한 칼 피셔법에 의해, 측정했다.
[3-2] 에칭 레이트의 측정
얻어진 세정제 조성물의 세정 속도를 평가하기 위해 에칭 레이트의 측정을 행하였다. 조제예 1에서 얻어진 접착제 조성물을 스핀 코터로 12인치 실리콘 웨이퍼에 두께 100㎛가 되도록 도포하고, 150℃/15분, 190℃/10분으로 열 경화했다. 성막 후의 웨이퍼를 4 평방(角)cm의 칩으로 잘라내고, 접촉식 막 두께계를 이용하여 막 두께를 측정했다. 그 후, 칩을 직경 9cm의 스테인리스 샬레에 넣고, 얻어진 세정제 조성물 7mL를 첨가하여 뚜껑을 덮은 후, 교반기 H에 올려, 23℃에서 5분간 교반·세정했다. 세정 후, 칩을 취출하고, 이소프로판올, 순수로 세정하고 150℃에서 1분간, 드라이 베이크를 한 후, 재차, 접촉식 막 두께계로 막 두께를 측정하여, 세정 전후에서 막 두께 감소를 측정하고, 감소한 만큼을 세정 시간으로 나눔으로써 에칭 레이트[㎛/min]를 산출하여, 세정력의 지표로 했다. 결과는 표 1에 나타낸다.
[3-3] 용해성의 평가
얻어진 세정제 조성물의 세정 지속력을 평가하기 위해 접착제의 용해 시험을 행하였다. 조제예 2에서 얻어진 접착제 조성물을 스핀 코터로 12인치 실리콘 웨이퍼에 도포하고, 120℃/1.5분, 200℃/10분으로 열 경화했다. 그 후, 커터의 칼날을 사용하여, 12인치 실리콘 웨이퍼로부터 접착제 조성물의 경화물을 깎아냈다. 9mL의 스크류관에 접착제 조성물의 경화물 1g을 재어 취하고, 그 후, 얻어진 세정제 조성물 2g을 첨가하여, 23℃에서 경화물의 용해 상황을 확인했다. 1∼2시간에 경화물을 완전히 다 녹이는 경우를 「Excellent」, 2∼12시간에 경화물을 완전히 다 녹이는 경우를 「Very Good」, 12∼24시간에 경화물의 대부분을 녹이는 경우를 「Good」, 시간을 들여도 경화물의 대부분이 녹지 않고 남는 경우를 「Bad」라고 표기했다. 결과는 표 1에 나타낸다.
[표 1]
표 1에 나타내어지는 바와 같이, 제 4 급 암모늄염인 테트라부틸암모늄 플루오리드와, 상기 식 (Z)로 표시되는 산아미드 유도체인 N,N-디메틸프로피온아미드와 그 외의 용매를 포함하는 본 발명의 세정제 조성물은, 용매로서 다른 아미드 유도체만을 포함하는 세정제 조성물이나, 의도적으로 물을 포함시킨 세정제 조성물과 비교하여, 뛰어난 세정 속도와 뛰어난 지속성을 나타냈다.
Claims (16)
- 제 1 항에 있어서,
상기 산아미드 유도체가, N,N-디메틸프로피온아미드, N,N-디에틸프로피온아미드, N-에틸-N-메틸프로피온아미드, N,N-디메틸낙산(酪酸)아미드, N,N-디에틸낙산아미드, N-에틸-N-메틸낙산아미드, N,N-디메틸이소낙산아미드, N,N-디에틸이소낙산아미드 및 N-에틸-N-메틸이소낙산아미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 세정제 조성물. - 제 2 항에 있어서,
상기 산아미드 유도체가, N,N-디메틸프로피온아미드, N,N-디에틸프로피온아미드, N,N-디메틸낙산아미드, N,N-디에틸낙산아미드, N,N-디메틸이소낙산아미드 및 N,N-디에틸이소낙산아미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 세정제 조성물. - 제 3 항에 있어서,
상기 산아미드 유도체가, N,N-디메틸프로피온아미드 및 N,N-디메틸이소낙산아미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 세정제 조성물. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 4 급 암모늄염이, 함(含)할로겐 제 4 급 암모늄염을 포함하는 세정제 조성물. - 제 5 항에 있어서,
상기 함할로겐 제 4 급 암모늄염이, 함(含)불소 제 4 급 암모늄염을 포함하는 세정제 조성물. - 제 6 항에 있어서,
상기 함불소 제 4 급 암모늄염이, 불화 테트라(탄화수소기)암모늄을 포함하는 세정제 조성물. - 제 7 항에 있어서,
상기 불화 테트라(탄화수소기)암모늄이, 불화 테트라메틸암모늄, 불화 테트라에틸암모늄, 불화 테트라프로필암모늄 및 불화 테트라부틸암모늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 세정제 조성물. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 유기 용매가, 알킬렌 글리콜 디알킬 에테르, 방향족 탄화수소 화합물 및 환상 구조 함유 에테르 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 세정제 조성물. - 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 용매가, 유기 용매만으로 이루어지는 세정제 조성물. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산아미드 유도체가, 상기 용매 중에 30∼90 질량% 포함되는 세정제 조성물. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 함수량이, 3.0 질량% 미만인 세정제 조성물. - 제 12 항에 있어서,
상기 함수량이, 2.0 질량% 미만인 세정제 조성물. - 제 13 항에 있어서,
상기 함수량이, 1.0 질량% 미만인 세정제 조성물. - 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재한 세정제 조성물을 이용하고, 기체(基體) 상에 잔존한 접착제 잔류물을 제거하는 것을 특징으로 하는 세정 방법.
- 반도체 기판과, 지지 기판과, 접착제 조성물로부터 얻어지는 접착층을 구비하는 적층체를 제조하는 제 1 공정,
얻어진 적층체의 반도체 기판을 가공하는 제 2 공정,
가공 후에 반도체 기판을 박리하는 제 3 공정, 및
박리한 반도체 기판 상에 잔존하는 접착제 잔류물을 세정제 조성물에 의해 세정 제거하는 제 4 공정을 포함하는, 가공된 반도체 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 세정제 조성물로서 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재한 세정제 조성물을 이용하는 것을 특징으로 하는, 가공된 반도체 기판의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2019-209959 | 2019-11-20 | ||
JP2019209959 | 2019-11-20 | ||
PCT/JP2020/042594 WO2021100651A1 (ja) | 2019-11-20 | 2020-11-16 | 洗浄剤組成物及び洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220104767A true KR20220104767A (ko) | 2022-07-26 |
KR102453332B1 KR102453332B1 (ko) | 2022-10-11 |
Family
ID=75980755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020227020740A KR102453332B1 (ko) | 2019-11-20 | 2020-11-16 | 세정제 조성물 및 세정 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11732214B2 (ko) |
JP (1) | JP7121355B2 (ko) |
KR (1) | KR102453332B1 (ko) |
CN (1) | CN114730709A (ko) |
TW (1) | TWI785418B (ko) |
WO (1) | WO2021100651A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20240132806A1 (en) | 2021-09-16 | 2024-04-25 | Nissan Chemical Corporation | Method for cleaning semiconductor substrate, method for manufacturing processed semiconductor substrate, and peeling and dissolving composition |
WO2024058018A1 (ja) * | 2022-09-13 | 2024-03-21 | 日産化学株式会社 | 半導体基板の洗浄方法、加工された半導体基板の製造方法、及び、剥離及び溶解用組成物 |
WO2024058025A1 (ja) * | 2022-09-13 | 2024-03-21 | 日産化学株式会社 | 半導体基板の洗浄方法、加工された半導体基板の製造方法、及び、剥離及び溶解用組成物 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6818608B2 (en) | 2002-02-01 | 2004-11-16 | John C. Moore | Cured polymers dissolving compositions |
KR20140024625A (ko) | 2012-08-20 | 2014-03-03 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 제거용 박리액 조성물 |
KR20140064401A (ko) | 2012-11-20 | 2014-05-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 박리액 조성물 및 포토레지스트의 박리방법 |
WO2014092022A1 (ja) | 2012-12-11 | 2014-06-19 | 富士フイルム株式会社 | シロキサン樹脂の除去剤、それを用いたシロキサン樹脂の除去方法並びに半導体基板製品及び半導体素子の製造方法 |
KR20160017606A (ko) | 2014-08-06 | 2016-02-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 세정제 조성물 |
US20170158888A1 (en) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. | Composition for removing silicone resins and method of thinning substrate by using the same |
WO2018088202A1 (ja) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | 東京応化工業株式会社 | 洗浄液及び基板を洗浄する方法 |
KR20190113316A (ko) * | 2018-03-28 | 2019-10-08 | 재원산업 주식회사 | 실록산계 접착제 제거용 조성물 및 이를 이용한 박형 웨이퍼의 제조방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4770713A (en) * | 1986-12-10 | 1988-09-13 | Advanced Chemical Technologies, Inc. | Stripping compositions containing an alkylamide and an alkanolamine and use thereof |
TW392239B (en) * | 1998-08-14 | 2000-06-01 | Mitsubishi Gas Chemical Co | Cleaning liquid for semiconductor devices |
JP2004239986A (ja) | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | レジスト剥離液組成物 |
DE10343390A1 (de) * | 2003-09-19 | 2005-04-14 | Bayer Cropscience Gmbh | Tensid/Lösungsmittelgemische |
US20080234162A1 (en) * | 2007-03-21 | 2008-09-25 | General Chemical Performance Products Llc | Semiconductor etch residue remover and cleansing compositions |
WO2010070819A1 (ja) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | 三洋化成工業株式会社 | 電子材料用洗浄剤 |
US9081291B2 (en) * | 2009-08-11 | 2015-07-14 | Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. | Resist stripping solution composition, and method for stripping resist by using same |
CA2954811C (en) * | 2014-07-18 | 2022-11-22 | Herve Bottin | Interlocking wall panels for modular building units |
CN105368611B (zh) * | 2014-08-06 | 2018-12-07 | 东友精细化工有限公司 | 清洁组合物 |
US10155185B2 (en) * | 2016-05-09 | 2018-12-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Polyimide-based resin film cleaning liquid, method for cleaning polyimide-based resin film, method for producing polyimide coating, method for producing filter, filter medium, or filter device, and method for producing chemical solution for lithography |
-
2020
- 2020-11-16 CN CN202080079477.7A patent/CN114730709A/zh active Pending
- 2020-11-16 KR KR1020227020740A patent/KR102453332B1/ko active IP Right Grant
- 2020-11-16 WO PCT/JP2020/042594 patent/WO2021100651A1/ja active Application Filing
- 2020-11-16 JP JP2021558363A patent/JP7121355B2/ja active Active
- 2020-11-16 US US17/777,772 patent/US11732214B2/en active Active
- 2020-11-17 TW TW109140163A patent/TWI785418B/zh active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6818608B2 (en) | 2002-02-01 | 2004-11-16 | John C. Moore | Cured polymers dissolving compositions |
KR20140024625A (ko) | 2012-08-20 | 2014-03-03 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 제거용 박리액 조성물 |
KR20140064401A (ko) | 2012-11-20 | 2014-05-28 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 박리액 조성물 및 포토레지스트의 박리방법 |
WO2014092022A1 (ja) | 2012-12-11 | 2014-06-19 | 富士フイルム株式会社 | シロキサン樹脂の除去剤、それを用いたシロキサン樹脂の除去方法並びに半導体基板製品及び半導体素子の製造方法 |
KR20160017606A (ko) | 2014-08-06 | 2016-02-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 세정제 조성물 |
US20170158888A1 (en) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. | Composition for removing silicone resins and method of thinning substrate by using the same |
WO2018088202A1 (ja) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | 東京応化工業株式会社 | 洗浄液及び基板を洗浄する方法 |
KR20190113316A (ko) * | 2018-03-28 | 2019-10-08 | 재원산업 주식회사 | 실록산계 접착제 제거용 조성물 및 이를 이용한 박형 웨이퍼의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2021100651A1 (ko) | 2021-05-27 |
TW202124696A (zh) | 2021-07-01 |
CN114730709A (zh) | 2022-07-08 |
US20230002701A1 (en) | 2023-01-05 |
WO2021100651A1 (ja) | 2021-05-27 |
TWI785418B (zh) | 2022-12-01 |
JP7121355B2 (ja) | 2022-08-18 |
KR102453332B1 (ko) | 2022-10-11 |
US11732214B2 (en) | 2023-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102453332B1 (ko) | 세정제 조성물 및 세정 방법 | |
KR102541336B1 (ko) | 세정제 조성물 및 세정 방법 | |
JP7530048B2 (ja) | 洗浄剤組成物及び洗浄方法 | |
JP7323870B2 (ja) | 洗浄剤組成物及び洗浄方法 | |
JP7495672B2 (ja) | 洗浄剤組成物及び洗浄方法 | |
JP7510120B2 (ja) | 洗浄剤組成物の洗浄能の向上方法、洗浄剤組成物の製造方法 | |
JP7530035B2 (ja) | バンプ付き半導体基板の洗浄方法 | |
JP7498427B2 (ja) | 洗浄剤組成物及び加工された半導体基板の製造方法 | |
JP7530049B2 (ja) | 洗浄剤組成物及び洗浄方法 | |
JP2021082737A (ja) | 洗浄剤組成物の製造方法、洗浄剤組成物入り容器の製造方法及び洗浄剤組成物を容器に充填して保存する方法 | |
JP7545123B2 (ja) | 洗浄剤組成物の製造方法及び加工された半導体基板の製造方法 | |
KR20220162139A (ko) | 세정제 조성물 및 가공된 반도체 기판의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |