WO2018043682A1

WO2018043682A1 - 配線基板およびその製造方法

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Publication number: WO2018043682A1
Application number: PCT/JP2017/031471
Authority: WO
Inventors: 細田　朋也; 達也寺田
Original assignee: 旭硝子株式会社
Priority date: 2016-09-01
Filing date: 2017-08-31
Publication date: 2018-03-08
Also published as: US20190141833A1; CN109892022A; TW201826892A; KR20190043536A; JPWO2018043682A1; US10448506B2

Abstract

優れた伝送特性を有する配線基板であって、孔の内壁面に施す前処理の種類によらずに孔の内壁面に形成されたメッキ層の初期不良が抑えられ、かつメッキ層の耐熱性が良好である配線基板およびその製造方法の提供。　電気絶縁体層２０と電気絶縁体層２０の第１の面に設けられた第１の導体層３２と電気絶縁体層２０の第２の面に設けられた第２の導体層３４と第１の導体層３２から第２の導体層３４まで通じる孔４０の内壁面に設けられたメッキ層４２とを有し；電気絶縁体層２０は耐熱性樹脂および樹脂パウダーを含む耐熱性樹脂層２２を有し；樹脂パウダーはカルボニル基含有基等の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂を含む樹脂材料からなり；樹脂パウダーの含有割合が耐熱性樹脂層２２に対して５～７０質量％であり；電気絶縁体層２０の比誘電率が２．０～３．５である、配線基板１０。

Description

配線基板およびその製造方法

　本発明は、配線基板およびその製造方法に関する。

　高周波信号の伝送に用いられる配線基板には、優れた伝送特性を有すること、すなわち伝送遅延や伝送損失が小さいことが要求される。伝送特性を高めるには、配線基板の電気絶縁体層の絶縁材料として、比誘電率および誘電正接が小さい材料を用いる必要がある。比誘電率および誘電正接が小さい絶縁材料としては、フッ素樹脂が知られている。

　電気絶縁体層の絶縁材料としてフッ素樹脂を用いた配線基板としては、たとえば、下記のものが提案されている。
　（１）金属基材の表面に、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の誘電体層を形成した高周波回路基板（特許文献１）。
　（２）酸無水物残基を有する含フッ素共重合体を含む電気絶縁体層と、電気絶縁体層に接する導電体層とを有するプリント回路基板（特許文献２）。

日本特開２００１－００７４６６号公報日本特開２００７－３１４７２０号公報

　電気絶縁体層の絶縁材料としてフッ素樹脂を用いた配線基板において、孔（スルーホール等）を形成し、孔の内壁面にメッキ層を形成する場合、孔の内壁面とメッキ層との接着性を確保して導通不良を抑えるために、孔の内壁面に前処理を施すことが行われる。電気絶縁体層がフッ素樹脂を含む場合、前処理としては、金属ナトリウムをテトラヒドラフランに溶解させたエッチング液を用いたエッチング処理が選択される。しかし、金属ナトリウムを用いたエッチング処理には、下記の問題がある。
　・金属ナトリウムは、取り扱いや保管場所に厳重な注意が必要である。
　・有機溶媒を多量に使用するため、作業環境が悪化しやすい。
　・エッチング液の後処理に手間がかかる。

　金属ナトリウムを用いたエッチング処理以外の前処理（過マンガン酸溶液処理、プラズマ処理等）が知られている。しかし、これらの前処理では、電気絶縁体層がフッ素樹脂を含む場合、下記の問題がある。
　・孔の内壁面がメッキ液をはじいてしまい、孔の内壁面にメッキ層が充分に形成されずに初期不良となることがある。
　・孔の内壁面にメッキ層が形成されても孔の内壁面とメッキ層との接着性が不足し、温度変化を繰り返すことによってメッキ層において導通不良となりやすい、すなわちメッキ層の耐熱性が不充分である。

　本発明は、優れた伝送特性を有する配線基板であって、孔の内壁面に施す前処理の種類によらずに孔の内壁面に形成されたメッキ層の初期不良が抑えられ、かつメッキ層の耐熱性が良好である配線基板；および優れた伝送特性を有する配線基板を製造でき、しかも孔の内壁面に施す前処理の種類によらずに初期不良が抑えられ、かつ耐熱性が良好なメッキ層を孔の内壁面に形成できる配線基板の製造方法を提供する。

　本発明は、以下の態様を有する。
　＜１＞電気絶縁体層と、前記電気絶縁体層の第１の面に設けられた第１の導体層と、前記電気絶縁体層の前記第１の面と反対側の第２の面に設けられた第２の導体層と、前記第１の導体層から前記第２の導体層まで通じる孔の内壁面に設けられたメッキ層とを有し；前記電気絶縁体層は、耐熱性樹脂および樹脂パウダーを含む耐熱性樹脂層を有し；前記樹脂パウダーは、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する溶融成形可能な含フッ素樹脂を含む樹脂材料からなり；前記樹脂パウダーの含有割合が、前記耐熱性樹脂層に対して５～７０質量％であり；前記電気絶縁体層の比誘電率が、２．０～３．５である、配線基板。
　＜２＞前記含フッ素樹脂の融点が、２６０℃以上である、前記＜１＞の配線基板。
　＜３＞前記官能基の少なくとも１種が、カルボニル基含有基であり；前記カルボニル基含有基が、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基、カーボネート基、カルボキシ基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基および酸無水物残基からなる群から選択される少なくとも１種である、前記＜１＞または＜２＞の配線基板。
　＜４＞前記含フッ素樹脂中の前記官能基の含有量が、前記含フッ素樹脂の主鎖の炭素数１×１０^６個に対して１０～６００００個である、前記＜１＞～＜３＞のいずれかの配線基板。
　＜５＞前記電気絶縁体層の比誘電率が、２．０～３．０である、前記＜１＞～＜４＞のいずれかの配線基板。
　＜６＞前記電気絶縁体層の線膨張係数が、０～１００ｐｐｍ／℃である、前記＜１＞～＜５＞のいずれかの配線基板。

　＜７＞前記樹脂パウダーの平均粒径が、０．０２～５μｍであり；前記樹脂パウダーのＤ_９０が、６μｍ以下である、前記＜１＞～＜６＞のいずれかの配線基板。
　＜８＞前記電気絶縁体層の水滴接触角が６０°～１００°である、前記＜１＞～＜７＞のいずれか一項に記載の配線基板。
　＜９＞前記電気絶縁体層中に含まれる前記樹脂パウダーの平均粒径が１～７μｍである、前記＜１＞～＜８＞のいずれかの配線基板。
　＜１０＞熱衝撃試験の１００サイクル目の２６０℃における配線基板の抵抗値の、熱衝撃試験の１サイクル目の２６０℃における配線基板の抵抗値に対する変化率が、±１０％であることを特徴とする前記＜１＞～＜９＞のいずれかの配線基板。
　＜１１＞前記＜１＞～＜１０＞のいずれかの配線基板を製造する方法であり；前記第１の導体層、前記電気絶縁体層および前記第２の導体層がこの順に積層された積層体に前記孔を形成し；前記孔の内壁面に前処理を施し；前記前処理を施した孔の内壁面に前記メッキ層を形成する、配線基板の製造方法。
　＜１２＞前記＜１＞～＜１０＞のいずれかの配線基板を製造する方法であり；前記電気絶縁体層の第１の面に前記第１の導体層が積層された積層体に前記孔を形成し；前記孔の内壁面に前処理を施し；前記前処理を施した孔の内壁面に前記メッキ層を形成し；前記電気絶縁体層の第２の面に前記第２の導体層を形成する、配線基板の製造方法。
　＜１３＞前記前処理として、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を施さずに、過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施す、前記＜１１＞または＜１２＞の配線基板の製造方法。

　本発明の配線基板は、優れた伝送特性を有する配線基板であって、孔の内壁面に施す前処理の種類によらずに孔の内壁面に形成されたメッキ層の初期不良が抑えられ、かつメッキ層の耐熱性が良好である。
　本発明の配線基板の製造方法によれば、優れた伝送特性を有する配線基板を製造でき、しかも孔の内壁面に施す前処理の種類によらずに初期不良が抑えられ、かつ耐熱性が良好なメッキ層を孔の内壁面に形成できる。

本発明の配線基板の一例を示す模式断面図である。本発明の配線基板の他の例を示す模式断面図である。３ａは本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示す模式断面図である。３ｂは３ａの積層体に孔を形成する過程を示す模式断面図である。３ｃは３ｂの積層体の孔の内壁面にメッキ層を形成する過程を示す模式断面図である。４ａは本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の他の例を示す模式断面図である。４ｂは４ａの積層体に孔を形成する過程を示す模式断面図である。４ｃは４ｂの積層体の孔の内壁面にメッキ層を形成する過程を示す模式断面図である。４ｄは４ｃの積層体の電気絶縁体層の第２の面側に第２の導体層を形成する過程を示す模式断面図である。実施例における導通回路（デイジーチェーンパターン）を示す図である。

　「耐熱性樹脂」とは、融点が２８０℃以上の高分子化合物、またはＪＩＳ　Ｃ　４００３：２０１０（ＩＥＣ　６００８５：２００７）で規定される最高連続使用温度が１２１℃以上の高分子化合物を意味する。
　「溶融成形可能」であるとは、溶融流動性を示すことを意味する。
　「溶融流動性を示す」とは、荷重４９Ｎの条件下、樹脂の融点よりも２０℃以上高い温度において、溶融流れ速度が０．１～１０００ｇ／１０分となる温度が存在することを意味する。
　「融点」とは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）法で測定した融解ピークの最大値に対応する温度を意味する。
　「溶融流れ速度」とは、ＪＩＳ　Ｋ　７２１０：１９９９（ＩＳＯ　１１３３：１９９７）に規定されるメルトマスフローレート（ＭＦＲ）を意味する。
　重合体における「単位」とは、単量体が重合することによって形成された該単量体に由来する原子団を意味する。単位は、重合反応によって直接形成された原子団であってもよく、重合体を処理することによって該原子団の一部が別の構造に変換された原子団であってもよい。

＜＜配線基板＞＞
　本発明の配線基板は、電気絶縁体層と；電気絶縁体層の第１の面に設けられた第１の導体層と；電気絶縁体層の第１の面と反対側の第２の面に設けられた第２の導体層と；第１の導体層から第２の導体層まで通じる孔（スルーホール等）の内壁面に設けられたメッキ層とを有する。

　本発明の配線基板は、電気絶縁体層が強化繊維基材を含まないフレキシブル基板であってもよく、電気絶縁体層が強化繊維基材を含むリジッド基板であってもよい。
　本発明の配線基板における電気絶縁体層は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。
　本発明の配線基板における導体層は、２層であってもよく、３層以上であってもよい。
　本発明の配線基板は、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて電気絶縁体層および導体層以外の他の層を有していてもよい。

　配線基板がフレキシブル基板である場合、配線基板の厚さは、１０～１５００μｍが好ましく、１２～２００μｍがより好ましい。配線基板の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、反り等の変形が抑えられる。配線基板の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、柔軟性に優れ、フレキシブル基板として適用できる。

　配線基板がリジッド基板である場合、配線基板の厚さは、１０～５０００μｍが好ましく、２０～３０００μｍがより好ましく、３０～２０００μｍがさらに好ましい。配線基板の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、反り等の変形が抑えられる。配線基板の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、配線基板の小型化および軽量化に対応できる。

　配線基板を２０℃の環境下に３０秒間置いた後に２６０℃の環境下に３０秒間置くサイクルを１００サイクル繰り返す熱衝撃試験の１００サイクル目の２６０℃における配線基板の抵抗値の、熱衝撃試験の１サイクル目の２６０℃における配線基板の抵抗値に対する変化率は、±１０％の範囲内であることが好ましい。変化率が±１０％の範囲内であれば、耐熱性に優れた配線基板である。融点の高いフッ素樹脂、融点の高い耐熱性樹脂、熱硬化性の耐熱性樹脂を用いることによって、変化率の絶対値が小さくなる傾向がある。

　図１は、本発明の配線基板の一例を示す模式断面図である。
　配線基板１０は、電気絶縁体層２０と；電気絶縁体層２０の第１の面に設けられている第１の導体層３２と；電気絶縁体層２０の第１の面と反対側の第２の面に設けられている第２の導体層３４と；第１の導体層３２から第２の導体層３４まで通じる孔４０（スルーホール等）の内壁面に設けられているメッキ層４２とを有する。
　電気絶縁体層２０は、耐熱性樹脂層２２のみからなる。

　図２は、本発明の配線基板の他の例を示す模式断面図である。
　配線基板１０は、電気絶縁体層２０と；電気絶縁体層２０の第１の面に設けられている第１の導体層３２と；電気絶縁体層２０の第１の面と反対側の第２の面に設けられたている第２の導体層３４と；第１の導体層３２から第２の導体層３４まで通じる孔４０（スルーホール等）の内壁面に設けられているメッキ層４２とを有する。
　電気絶縁体層２０は、耐熱性樹脂層２２と；耐熱性樹脂層２２の第１の面に設けられ、第１の導体層３２と接する第１の接着層２４と；耐熱性樹脂層２２の第２の面に設けられ、第２の導体層３４と接する第２の接着層２６とを有する。

＜電気絶縁体層＞
　電気絶縁体層は、耐熱性樹脂層を有する。電気絶縁体層における耐熱性樹脂層は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。
　電気絶縁体層は、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて耐熱性樹脂層の第１の面および第２の面のいずれか一方または両方に接着層を有していてもよい。
　電気絶縁体層は、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて耐熱性樹脂層および接着層以外の他の層を有していてもよい。

　電気絶縁体層の比誘電率は、２．０～３．５であり、２．０～３．３が好ましく、より好ましくは、２．６～３．２である。電気絶縁体層の比誘電率が前記範囲の上限値以下であれば、アンテナ等の低誘電率が求められる用途に有用である。電気絶縁体層の比誘電率が前記範囲の下限値以上であれば、配線基板の伝送特性に優れる。また、配線基板における前処理後の孔の内壁面の親液性に優れる。また、配線基板における前処理後の孔の内壁面とメッキ層との接着性に優れる。
　電気絶縁体層の比誘電率は、スプリットポスト誘電体共振器法（ＳＰＤＲ法）によって、温度：２３℃±２℃、相対湿度：５０±５％ＲＨの環境下にて周波数２．５ＧＨｚで測定される値である。

　電気絶縁体層の示す水滴接触角は、６０～１００°が好ましく、６５～９７°がより好ましく、７０～９５°がさらに好ましく、７５～９０°が特に好ましい。水滴接触角が前記範囲の上限値以下であれば、スルーホールの内壁面にめっき液が浸透し、回路を効率的に形成することが可能であり、下限値以上であれば配線基板の接続信頼性に優れ、かつ樹脂パウダーによる層の低誘電率化および低誘電正接化により電気特性が向上する。

　電気絶縁体層の線膨張係数は、０～１００ｐｐｍ／℃が好ましく、０～８０ｐｐｍ／℃がより好ましく、０～７０ｐｐｍ／℃がさらに好ましい。該線膨張係数が前記範囲の上限値以下であれば、導体層との線膨張係数の差が小さくなり、配線基板に反り等の変形が抑えられる。該線膨張係数は、実施例に記載の方法で求められる。

　電気絶縁体層中の樹脂パウダーの平均粒径は、１～７μｍが好ましく、１～５μｍがより好ましく、１～３μｍが特に好ましい。この範囲であると、樹脂パウダーが電気絶縁体層中で凝集せず、分散性が良好であり、スルーホールを形成した断面にめっきした際の、めっき層の未形成や欠落が起こりにくくなる。また温度変化に伴う電気絶縁体層の熱膨張によりめっき層へのクラック発生やめっき層の脱落による配線回路の電気抵抗値の増加、断線が起こりにくくなる。絶縁体層電気絶縁体層中の樹脂パウダーの平均粒径は、走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製　型式名：Ｓ－４８００）を用いて、倍率５０００倍で、１００個のパウダー粒子の直径を測定し、算出された平均値である。粒子の直径は長辺を測定し直径とした。パウダーが凝集している場合は、凝集体を一つの粒子として直径を測定した。

　配線基板がフレキシブル基板である場合、電気絶縁体層の厚さは、１層あたり、４～１０００μｍが好ましく、６～３００μｍがより好ましい。該厚さが前記範囲の下限値以上であれば、配線基板が過度に変形しにくくなるため、導体層が断線しにくくなる。該厚さが前記範囲の上限値以下であれば、柔軟性に優れ、また配線基板の小型化および軽量化に対応できる。

　配線基板がリジッド基板である場合、電気絶縁体層の厚さは、１層あたり、４～３０００μｍが好ましく、６～２０００μｍがより好ましい。該厚さが前記範囲の下限値以上であれば、配線基板が過度に変形しにくくなるため、導体層が断線しにくくなる。該厚さが前記範囲の上限値以下であれば、配線基板の小型化および軽量化に対応できる。

＜耐熱性樹脂層＞
　耐熱性樹脂層は、耐熱性樹脂および樹脂パウダーを含む。
　耐熱性樹脂層は、必要に応じて強化繊維基材を含んでいてもよく、必要に応じて耐熱性樹脂、樹脂パウダーおよび強化繊維基材以外の他の成分を含んでいてもよい。

　配線基板がフレキシブル基板である場合、耐熱性樹脂層の厚さは、１層あたり、３～５００μｍが好ましく、５～３００μｍがより好ましく、６～２００μｍがさらに好ましい。該厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電気絶縁性に優れ、また反り等の変形が抑えられる。該厚さが前記範囲の上限値以下であれば、配線基板の全体の厚さを薄くできる。

　配線基板がリジッド基板である場合、耐熱性樹脂層の厚さは、１層あたり、１２～３０００μｍが好ましく、２５～１０００μｍがより好ましい。該厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電気絶縁性に優れ、また反り等の変形が抑えられる。該厚さが前記範囲の上限値以下であれば、配線基板の全体の厚さを薄くできる。

　（耐熱性樹脂）
　耐熱性樹脂（ただし、後述する樹脂（Ｘ）を除く。）は、耐熱性樹脂層に耐熱性を付与する成分である。また、電気絶縁体層の線膨張係数を小さくする成分である。

　耐熱性樹脂としては、ポリイミド（芳香族ポリイミド等）、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリアリルスルホン（ポリエーテルスルホン等）、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエーテルアミド、ポリフェニレンスルファイド、ポリアリルエーテルケトン、ポリアミドイミド、液晶ポリエステル、他の熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹脂等）の硬化物等が挙げられる。耐熱性樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

　配線基板がフレキシブル基板である場合、耐熱性樹脂としては、ポリイミド、液晶ポリエステルが好ましい。耐熱性の点からは、ポリイミドが好ましい。電気特性の点からは、液晶ポリエステルが好ましい。
　配線基板がリジッド基板である場合、耐熱性樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化物が好ましい。

　ポリイミドは、熱硬化性ポリイミドであってもよく、熱可塑性ポリイミドであってもよい。ポリイミドとしては、芳香族ポリイミドが好ましい。芳香族ポリイミドとしては、芳香族多価カルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの縮重合で製造される全芳香族ポリイミドが好ましい。

　ポリイミドは、通常、多価カルボン酸二無水物（またはその誘導体）とジアミンとの反応（重縮合）によって、ポリアミック酸（ポリイミド前駆体）を経由して得られる。
　ポリイミド、特に芳香族ポリイミドは、その剛直な主鎖構造によって、溶媒等に対して不溶であり、また不融の性質を有する。そのため、まず、多価カルボン酸二無水物とジアミンとの反応によって、有機溶媒に可溶なポリイミド前駆体（ポリアミック酸またはポリアミド酸）を合成し、ポリアミック酸の段階で様々な方法で成形加工が行われる。その後ポリアミック酸を加熱または化学的方法によって脱水反応させて環化（イミド化）し、ポリイミドとされる。

　芳香族多価カルボン酸二無水物の具体例としては、特開２０１２－１４５６７６号公報の段落［００５５］に記載されたものが挙げられる。多価カルボン酸二無水物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　芳香族ジアミンの具体例としては、日本特開２０１２－１４５６７６号公報の段落［００５７］に記載されたものが挙げられる。芳香族ジアミンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

　液晶ポリエステルとしては、耐熱性の点から、融点が３００℃以上、比誘電率が３．２以下、誘電正接が０．００５以下である液晶ポリエステルが好ましい。液晶ポリエステルの市販品としては、ベクスター（商品名、クラレ社製）、バイアック（商品名、日本ゴア社製）等が挙げられる。

　エポキシ樹脂としては、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。

　（樹脂パウダー）
　樹脂パウダーは、配線基板に優れた伝送特性を付与する成分である。
　樹脂パウダーは、後述する樹脂（Ｘ）を含む樹脂材料からなる。樹脂材料は、必要に応じて樹脂（Ｘ）以外の他の樹脂（以下、樹脂（Ｙ）という）、添加剤等を含んでいてもよい。

　耐熱性樹脂層へ添加される樹脂パウダーの平均粒径は、０．０２～２００μｍが好ましく、０．０２～５μｍがより好ましい。該平均粒径が前記範囲の下限値以上であれば、樹脂パウダーの流動性が充分で取り扱いが容易である。樹脂パウダーの平均粒径が前記範囲の上限値以下であれば、耐熱性樹脂層への樹脂パウダーの充填率を高くすることができる。充填率が高いほど、配線基板の伝送特性に優れる。また、該平均粒径が前記範囲の上限値以下であれば、耐熱性樹脂層を薄くできる。
　耐熱性樹脂層へ添加される樹脂パウダーの平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求められる体積基準累積５０％径（Ｄ_５０）である。すなわち、レーザー回折・散乱法によって粒度分布を測定し、粒子の集団の全体積を１００％として累積カーブを求め、その累積カーブ上で累積体積が５０％となる点の粒子径である。

　耐熱性樹脂層へ添加される樹脂パウダーの体積基準累積９０％径（Ｄ_９０）は、８μｍ以下が好ましく、６μｍ以下がより好ましく、１．５～５μｍがさらに好ましい。Ｄ_９０が前記範囲の上限値以下であれば、耐熱性樹脂層の表面粗さが抑制され、優れた伝送特性を示す。
　樹脂パウダーのＤ_９０は、レーザー回折・散乱法により求められる。すなわち、レーザー回折・散乱法によって粒度分布を測定し、粒子の集団の全体積を１００％として累積カーブを求め、その累積カーブ上で累積体積が９０％となる点の粒子径である。

　樹脂パウダーを構成する樹脂材料に含まれるフッ素樹脂（以下、樹脂（Ｘ）という。）は、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基（以下、これらの官能基をまとめて「官能基（Ｇ）」とも記す。）を有する溶融成形可能なフッ素樹脂である。
　樹脂（Ｘ）は、配線基板に優れた伝送特性を付与するとともに、配線基板における前処理後の孔の内壁面に親液性およびメッキ層との接着性を付与する成分である。

　樹脂（Ｘ）は、配線基板における前処理後の孔の内壁面の親液性がさらに優れる点、および配線基板における前処理後の孔の内壁面とメッキ層との接着性がさらに優れる点から、官能基（Ｇ）として少なくともカルボニル基含有基を有することが好ましい。
　カルボニル基含有基としては、たとえば、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基、カーボネート基、カルボキシ基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基、酸無水物残基、ポリフルオロアルコキシカルボニル基、脂肪酸残基等が挙げられる。カルボニル基含有基としては、配線基板における前処理後の孔の内壁面の親液性がさらに優れる点、および配線基板における前処理後の孔の内壁面とメッキ層との接着性がさらに優れる点から、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基、カーボネート基、カルボキシ基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基および酸無水物残基からなる群から選択される少なくとも１種が好ましく、カルボキシ基および酸無水物残基のいずれか一方または両方がより好ましい。

　炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基における炭化水素基としては、たとえば、炭素数２～８のアルキレン基等が挙げられる。なお、該アルキレン基の炭素数は、カルボニル基を含まない状態での炭素数である。アルキレン基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。
　ハロホルミル基は、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｘ（ただし、Ｘはハロゲン原子である。）で表される。ハロホルミル基におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
　アルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよく、炭素数１～８のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基またはエトキシ基が特に好ましい。

　樹脂（Ｘ）中の官能基（Ｇ）の含有量は、樹脂（Ｘ）の主鎖の炭素数１×１０^６個に対して、１０～６００００個が好ましく、１００～５００００個がより好ましく、１００～１００００個がさらに好ましく、３００～５０００個が特に好ましい。該含有量が前記範囲内であれば、配線基板における前処理後の孔の内壁面の親液性がさらに優れる。また、配線基板における前処理後の孔の内壁面とメッキ層との接着性がさらに優れる。
　官能基（Ｇ）の含有量は、核磁気共鳴（ＮＭＲ）分析、赤外吸収スペクトル分析等の方法によって測定できる。たとえば、日本特開２００７－３１４７２０号公報に記載のように赤外吸収スペクトル分析等の方法を用いて、樹脂（Ｘ）を構成する全単位中の官能基（Ｇ）を有する単位の含有割合（モル％）を求め、該割合から、官能基（Ｇ）の含有量を算出できる。

　樹脂（Ｘ）の融点は、２６０℃以上が好ましく、２６０～３２０℃がより好ましく、２９５～３１５℃がさらに好ましく、２９５～３１０℃が特に好ましい。該融点が前記範囲の下限値以上であれば、耐熱性樹脂層の耐熱性に優れる。該融点が前記範囲の上限値以下であれば、樹脂（Ｘ）の成形性に優れる。樹脂（Ｘ）の融点は、樹脂（Ｘ）を構成する単位の種類や含有割合、樹脂（Ｘ）の分子量等によって調整できる。

　樹脂（Ｘ）としては、樹脂パウダーを製造しやすい点から、溶融成形可能なものを用いる。
　溶融成形可能な樹脂（Ｘ）としては、公知の溶融成形可能フッ素樹脂（テトラフルオロエチレン／フルオロアルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン／テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、エチレン／クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等）に官能基（Ｇ）を導入したフッ素樹脂；後述する含フッ素共重合体（Ｘ１）等が挙げられる。樹脂（Ｘ）としては、耐熱性樹脂層の耐熱性の点からは、テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体（ＰＦＡ）、ＦＥＰ等のペルフルオロポリマーに官能基（Ｇ）を導入したフッ素樹脂、または後述する含フッ素共重合体（Ｘ１）が好ましい。

　樹脂（Ｘ）としては、荷重：４９Ｎの条件下、樹脂（Ｘ）の融点よりも２０℃以上高い温度において、溶融流れ速度が、好ましくは０．１～１０００ｇ／１０分、より好ましくは０．５～１００ｇ／１０分、さらに好ましくは１～３０ｇ／１０分、特に好ましくは５～２０ｇ／１０分となる温度が存在するものを用いる。溶融流れ速度が前記範囲の下限値以上であれば、樹脂（Ｘ）の成形性に優れる。溶融流れ速度が前記範囲の上限値以下であれば、耐熱性樹脂層の耐熱性がさらに優れる。
　樹脂（Ｘ）の溶融流れ速度は、樹脂（Ｘ）の製造条件によって調整できる。たとえば、重合時の重合時間を短縮すると、樹脂（Ｘ）の溶融流れ速度が大きくなる傾向がある。また、製造時のラジカル重合開始剤の使用量を減らすと、樹脂（Ｘ）の溶融流れ速度が小さくなる傾向がある。

　樹脂（Ｘ）の比誘電率は、２．０～３．２が好ましく、２．０～３．０がより好ましい。該比誘電率が低いほど、電気絶縁体層の比誘電率を低くしやすい。
　樹脂（Ｘ）の比誘電率は、ＡＳＴＭ　Ｄ　１５０に準拠した変成器ブリッジ法によって、温度：２３℃±２℃、相対湿度：５０％±５％ＲＨの環境下にて周波数１ＭＨｚで測定される。
　樹脂（Ｘ）の比誘電率は、樹脂（Ｘ）中のフッ素原子の含有量によって調整できる。たとえば、後述する含フッ素共重合体（Ｘ１）におけるＴＦＥ単位の含有量が高いほど、樹脂（Ｘ）の比誘電率が低くなる傾向がある。

　樹脂（Ｘ）としては、配線基板における前処理後の孔の内壁面の親液性がさらに優れ、配線基板における前処理後の孔の内壁面とメッキ層との接着性がさらに優れ、かつ耐熱性樹脂層の耐熱性がされに優れる点から、官能基（Ｇ）を有する単位（以下、単位（１）という）と、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）に由来する単位（以下、ＴＦＥ単位という。他の単位も同様である。）とを有する含フッ素共重合体（Ｘ１）（以下、共重合体（Ｘ１）という。）が好ましい。
　共重合体（Ｘ１）は、必要に応じて、単位（１）およびＴＦＥ単位以外の他の単位をさらに有してもよい。

　単位（１）としては、カルボニル基含有基を有する単量体に由来する単位；ヒドロキシ基を有する単量体に由来する単位；エポキシ基を有する単量体に由来する単位；イソシアネート基を有する単量体に由来する単位等が挙げられる。

　カルボニル基含有基を有する単量体としては、酸無水物残基と重合性炭素－炭素二重結合とを有する化合物である不飽和ジカルボン酸無水物；カルボキシ基を有する単量体（イタコン酸、アクリル酸等）、ビニルエステル（酢酸ビニル等）、メタクリレートやアクリレート（（ポリフルオロアルキル）アクリレート等）、ＣＦ_２＝ＣＦＯＲ^ｆ１ＣＯ_２Ｘ^１（ただし、Ｒ^ｆ１は、エーテル性酸素原子を含んでもよい炭素数１～１０のペルフルオロアルキレン基であり、Ｘ^１は、水素原子または炭素数１～３のアルキル基である。）等が挙げられる。
　前記不飽和ジカルボン酸無水物としては、無水イタコン酸（ＩＡＨ）、無水シトラコン酸（ＣＡＨ）、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物（ＮＡＨ）、無水マレイン酸等が挙げられる。

　ヒドロキシ基を有する単量体としては、ビニルエステル、ビニルエーテル、アリルエーテル等が挙げられる。
　エポキシ基を有する単量体としては、アリルグリシジルエーテル、２－メチルアリルグリシジルエーテル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等が挙げられる。
　イソシアネート基を有する単量体としては、２－アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２－（２－アクリロイルオキシエトキシ）エチルイソシアネート、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２－（２－メタクリロイルオキシエトキシ）エチルイソシアネート等が挙げられる。

　単位（１）が有する官能基（Ｇ）は、１つでもよく、２つ以上でもよい。単位（１）が２つ以上の官能基（Ｇ）を有する場合、それらの官能基（Ｇ）は同じでもよく、異なってもよい。
　単位（１）としては、配線基板における前処理後の孔の内壁面の親液性がさらに優れる点、および配線基板における前処理後の孔の内壁面とメッキ層との接着性がさらに優れる点から、官能基（Ｇ）として少なくともカルボニル基含有基を有するものが好ましい。また、単位（１）としては、熱安定性に優れ、配線基板における前処理後の孔の内壁面の親液性がさらに優れ、かつ配線基板における前処理後の孔の内壁面とメッキ層との接着性がさらに優れる点から、ＩＡＨに由来する単位、ＣＡＨに由来する単位およびＮＡＨに由来する単位からなる群から選択される少なくとも１種がより好ましく、ＮＡＨに由来する単位が特に好ましい。

　他の単位としては、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）（ＰＡＶＥ）、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン（ＶｄＦ）、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）等の他の単量体に由来する単位が挙げられるが、ＰＡＶＥが好ましい。

　ＰＡＶＥとしては、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_３、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_３、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３（ＰＰＶＥ）、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_８Ｆ等が挙げられ、ＰＰＶＥが好ましい。

　共重合体（Ｘ１）としては、配線基板における前処理後の孔の内壁面の親液性がさらに優れる点、および配線基板における前処理後の孔の内壁面とメッキ層との接着性がさらに優れる点から、ＴＦＥ／ＰＰＶＥ／ＮＡＨ共重合体、ＴＦＥ／ＰＰＶＥ／ＩＡＨ共重合体、ＴＦＥ／ＰＰＶＥ／ＣＡＨ共重合体が好ましい。

　樹脂（Ｙ）としては、本発明の効果を損なわないものが好ましく、たとえば、樹脂（Ｘ）以外の他のフッ素樹脂、芳香族ポリエステル、ポリアミドイミド、熱可塑性ポリイミド等が挙げられる。樹脂（Ｙ）としては、配線基板の伝送特性の点から、他のフッ素樹脂が好ましい。樹脂（Ｙ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

　他のフッ素樹脂としては、ＰＴＦＥ、テトラフルオロエチレン／フルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ただし、共重合体（Ｘ１）を除く。）、ＦＥＰ（ただし、共重合体（Ｘ１）を除く。）、ＥＴＦＥ等が挙げられる。他の含フッ素共重合体としては、耐熱性の点から、融点が２８０℃以上であるものが好ましい。

　樹脂パウダーを構成する樹脂材料に含まれる添加剤としては、本発明の効果を損なわないものが好ましく、たとえば、誘電率や誘電正接が低い無機フィラー、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、ゴム等が挙げられる。

　樹脂パウダーを構成する樹脂材料は、樹脂（Ｘ）を主成分とすることが好ましい。樹脂（Ｘ）が主成分であれば、配線基板における前処理後の孔の内壁面の親液性がさらに優れ、かつ配線基板における前処理後の孔の内壁面とメッキ層との接着性がさらに優れる。なお、樹脂材料が「樹脂（Ｘ）を主成分とする」とは、樹脂材料の全量に対する樹脂（Ｘ）の割合が、８０質量％以上であることを意味する。樹脂材料の全量に対する樹脂（Ｘ）の割合は、８５質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、１００質量％が特に好ましい。

　樹脂パウダーの製造方法としては、樹脂（Ｘ）を含む樹脂材料を粉砕し、分級（篩い分け等）する方法が挙げられる。
　溶液重合、懸濁重合または乳化重合によって樹脂（Ｘ）を製造した場合は、重合に用いた有機溶媒または水性媒体を除去して回収された粒状の樹脂（Ｘ）をそのまま用いてもよく、回収された粒状の樹脂（Ｘ）を粉砕し、分級して所望の粒子径の樹脂パウダーとしてもよい。
　樹脂材料が樹脂（Ｙ）を含む場合は、樹脂（Ｘ）と樹脂（Ｙ）とを溶融混練した後に粉砕し、分級することが好ましい。
　樹脂材料の粉砕方法および分級方法としては、国際公開第２０１６／０１７８０１号の［００６５］～［００６９］に記載の方法を採用できる。

　耐熱性樹脂層に含まれる強化繊維基材は、耐熱性樹脂層に充分な寸法精度および機械的強度を付与する成分である。
　強化繊維基材の形態としては、織布または不織布が挙げられる。強化繊維基材としては、織布が好ましく、ガラスクロスが特に好ましい。

　強化繊維基材を構成する強化繊維としては、ガラス繊維、炭素繊維等が挙げられ、ガラス繊維が好ましい。
　ガラス繊維の材料としては、Ｅガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、クオーツ、低誘電率ガラス、高誘電率ガラス等が挙げられ、入手が容易な点から、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｔガラス、ＮＥガラスが好ましい。
　ガラス繊維は、シランカップリング剤等の公知の表面処理剤で表面処理されていてもよい。これにより、耐熱性樹脂との密着性が向上し、機械的強度、耐熱性、スルーホール信頼性が高まる。

　耐熱性樹脂層に含まれる他の成分としては、添加剤等が挙げられる。
　添加剤としては、誘電率や誘電正接が低い無機フィラーが好ましい。
　無機フィラーとしては、シリカ、クレー、タルク、炭酸カルシウム、マイカ、珪藻土、アルミナ、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化鉄、酸化錫、酸化アンチモン、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、塩基性炭酸マグネシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、炭酸バリウム、ドーソナイト、ハイドロタルサイト、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、珪酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト、活性白土、セピオライト、イモゴライト、セリサイト、ガラス繊維、ガラスビーズ、シリカ系バルーン、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、グラファイト、炭素繊維、ガラスバルーン、炭素バルーン、木粉、ホウ酸亜鉛等が挙げられる。
　無機フィラーは、多孔質であってもよく、非多孔質であってもよい。無機フィラーとしては、誘電率や誘電正接がさらに低い点から、多孔質であることが好ましい。
　無機フィラーは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

　配線基板がフレキシブル基板である場合の耐熱性樹脂層における各成分の好ましい割合は、下記のとおりである。
　耐熱性樹脂の含有割合は、耐熱性樹脂層に対して３０～９０質量％が好ましく、３５～８０質量％がより好ましく、４０～７０質量％がさらに好ましい。耐熱性樹脂の割合が前記範囲の下限値以上であれば、耐熱性樹脂層の耐熱性がさらに優れる。耐熱性樹脂の割合が前記範囲の上限値以下であれば、樹脂パウダーによる効果を阻害しにくい。
　樹脂パウダーの含有割合は、耐熱性樹脂層に対して５～７０質量％であり、１０～６５質量％が好ましい。該含有割合が前記範囲の下限値以上であれば、配線基板の伝送特性に優れる。該含有割合が前記範囲の上限値以下であれば、配線基板における前処理後の孔の内壁面の親液性が優れる。また、配線基板における前処理後の孔の内壁面とメッキ層との接着性が優れる。
　他の成分の含有割合は、耐熱性樹脂層に対して０～６５質量％が好ましく、０～５５質量％がより好ましい。該含有割合が前記範囲の上限値以下であれば、耐熱性樹脂による効果および樹脂パウダーによる効果を阻害しにくい。

　配線基板がリジッド基板である場合の耐熱性樹脂層における各成分の好ましい割合は、下記のとおりである。
　耐熱性樹脂の含有割合は、耐熱性樹脂層に対して２５～９０質量％が好ましく、３０～８０質量％がより好ましい。該含有割合が前記範囲の下限値以上であれば、耐熱性樹脂層の耐熱性がさらに優れる。該含有割合が前記範囲の上限値以下であれば、樹脂パウダーによる効果および強化繊維基材による効果を阻害しにくい。
　樹脂パウダーの含有割合は、耐熱性樹脂層に対して５～７０質量％であり、１０～６５質量％が好ましく、２０～６０質量％がより好ましい。該含有割合が前記範囲の下限値以上であれば、配線基板の伝送特性に優れる。該含有割合が前記範囲の上限値以下であれば、配線基板における前処理後の孔の内壁面の親液性が優れる。また、配線基板における前処理後の孔の内壁面とメッキ層との接着性が優れる。
　強化繊維基材の含有割合は、耐熱性樹脂層に対して５～７０質量％が好ましく、５～６０質量％がより好ましい。含有割合が前記範囲の下限値以上であれば、耐熱性樹脂層の寸法精度および機械的強度に優れる。含有割合が前記範囲の上限値以下であれば、耐熱性樹脂による効果および樹脂パウダーによる効果を阻害しにくい。
　他の成分の含有割合は、耐熱性樹脂層に対して０～６５質量％が好ましく、０～５５質量％がより好ましい。該含有割合が前記範囲の上限値以下であれば、耐熱性樹脂による効果、樹脂パウダーによる効果および強化繊維基材による効果を阻害しにくい。

　導体層としては、金属箔からなる層、メッキからなる層等が挙げられる。導体層としては、電気抵抗が低い金属箔からなる層が好ましい。金属箔としては、銅、銀、金、アルミニウム等の金属からなる箔が挙げられる。金属は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。２種以上の金属の併用する場合、金属箔としては、金属メッキを施した金属箔が好ましく、金メッキを施した銅箔が特に好ましい。

　導体層の厚さは、１層あたり、０．１～１００μｍが好ましく、１～５０μｍがより好ましく、１～４０μｍが特に好ましい。
　導体層は、高周波帯域の信号伝送を行う際の表皮効果を低減する点から、電気絶縁体層側の表面が粗面化されていてもよい。導体層における粗面化した表面とは反対側の表面には、防錆性を有するクロメート等の酸化物皮膜が形成されていてもよい。
　導体層は、必要に応じてパターン形成されることで配線を形成していてもよい。なお、導体層は配線以外の形態を有していてもよい。

　配線基板に形成される孔は、少なくとも第１の導体層から第２の導体層まで通じる孔であればよく、必ずしも配線基板の第１の面から第２の面まで貫通していなくてもよい。たとえば、配線基板に形成される孔は、第１の導体層または第２の導体層を貫通していなくてもよい。

　メッキ層は、メッキ層を通じて第１の導体層と第２の導体層の導通を確保できるものであればよい。メッキ層としては、銅メッキ層、金メッキ層、ニッケルメッキ層、クロムメッキ層、亜鉛メッキ層、スズメッキ層等が挙げられ、銅メッキ層が好ましい。

　接着層は、耐熱性樹脂層と導体層との間の接着性を改善する層である。
　接着層は、接着性材料またはその硬化物を含む。接着層は、必要に応じて強化繊維基材、他の成分を含んでいてもよい。
　接着性材料としては、熱可塑性ポリイミド、熱硬化性組成物（エポキシ樹脂、アクリル樹脂等）、上述した樹脂（Ｘ）等が挙げられる。

　本発明の配線基板の用途としては、第１の導体層および第２の導体層を配線とし、電気絶縁体層をアンテナ素子層とするアンテナが好ましい。なお、本発明の配線基板の用途は、アンテナには限定されない。配線基板は、通信機器、センサ等の高周波回路を形成するプリント基板等として用いてもよい。
　配線基板は、高周波特性が必要とされるレーダ、ネットワークのルータ、バックプレーン、無線インフラ等の電子機器用基板、自動車用各種センサ用基板、エンジンマネージメントセンサ用基板としても有用であり、特にミリ波帯域の伝送損失低減を目的とする用途に好適である。

　以上説明した本発明の配線基板にあっては、電気絶縁体層の耐熱性樹脂層がフッ素樹脂を含む樹脂材料からなる樹脂パウダーを含み、樹脂パウダーの含有割合が耐熱性樹脂層に対して５質量％以上であり、かつ電気絶縁体層の比誘電率が２．０～３．５であるため、優れた伝送特性を有する。
　また、以上説明した本発明の配線基板にあっては、樹脂パウダーを構成する樹脂材料に含まれるフッ素樹脂が、官能基（Ｇ）を有する溶融成形可能なフッ素樹脂、すなわち親液性の高いフッ素樹脂であり、かつ樹脂パウダーの含有割合が耐熱性樹脂層に対して７０質量％以下であるため、耐熱性樹脂層における孔の内壁面に施す前処理の種類によらずに、孔の内壁面がメッキ液をはじきにくくなる。そのため、孔の内壁面にメッキ層が充分に形成され、孔の内壁面に形成されたメッキ層の初期不良が抑えられる。
　また、以上説明した本発明の配線基板にあっては、樹脂パウダーを構成する樹脂材料に含まれるフッ素樹脂が、官能基（Ｇ）を有する溶融成形可能なフッ素樹脂、すなわち接着性に優れたフッ素樹脂であり、かつ樹脂パウダーの含有割合が耐熱性樹脂層に対して７０質量％以下であるため、耐熱性樹脂層における孔の内壁面に施す前処理の種類によらずに、耐熱性樹脂層における孔の内壁面とメッキ層との接着性に優れる。そのため、温度変化を繰り返してもメッキ層において導通不良となりにくく、メッキ層の耐熱性が良好となる。

＜＜配線基板の製造方法＞＞
　本発明の配線基板の製造方法は、孔加工を行う際の積層体における第１の導体層の有無によって下記の方法（ａ）と方法（ｂ）に大別される。
　方法（ａ）：第１の導体層を有する積層体に孔加工を行う方法。
　方法（ｂ）：第１の導体層を有しない積層体に孔加工を行う方法。
　以下、方法（ａ）と方法（ｂ）についてそれぞれ説明する。

＜方法（ａ）＞
　方法（ａ）は、下記の工程（ａ１）～（ａ３）を有する。
　工程（ａ１）：第１の導体層、電気絶縁体層および第２の導体層がこの順に積層されている積層体に、少なくとも第１の導体層から第２の導体層まで通じる孔を形成する工程。
　工程（ａ２）：工程（ａ１）の後、孔の内壁面に前処理を施す工程。
　工程（ａ３）：工程（ａ２）の後、前処理を施した孔の内壁面にメッキ層を形成する工程。

　（工程（ａ１））
　積層体は、たとえば、下記の方法によって製造できる。
　・第１の金属箔、耐熱性樹脂および樹脂パウダーを含む樹脂フィルム、第２の金属箔をこの順に積層して熱プレスする。
　・耐熱性樹脂、樹脂パウダーおよび液状媒体を含む液状組成物を調製する。第１の金属箔の表面に液状組成物を塗布し、乾燥させて電気絶縁体層付き金属箔を得る。電気絶縁体層付き金属箔と第２の金属箔とを、電気絶縁体層と第２の金属箔とが接するように積層して熱プレスする。
　・上述した方法で得られた電気絶縁体層付き金属箔の、電気絶縁体層の表面に、無電解メッキ法によって導体層を形成する。

　孔は、少なくとも第１の導体層から第２の導体層まで通じるように形成する。すなわち、少なくとも第１の導体層と第２の導体層の間に位置する電気絶縁体層を貫通するように孔を形成する。電気絶縁体層よりも第１の導体層側から孔を形成する場合、第１の導体層と第２の導体層が該孔で通じていれば、該孔は第２の導体層内まで達してもよく、達しなくてよい。電気絶縁体層よりも第２の導体層側から孔を形成する場合、第１の導体層と第２の導体層が該孔で通じていれば、該孔は第１の導体層内まで達してもよく、達しなくてよい。

　積層体に孔を形成する方法としては、レーザを照射して孔を形成する方法、ドリルを用いて孔を形成する方法等が挙げられる。
　積層体に形成する孔の直径は、特に形成されず、適宜設定できる。

　（工程（ａ２））
　前処理としては、過マンガン酸溶液処理、プラズマ処理、金属ナトリウムを用いたエッチング処理等が挙げられる。本発明においては、過マンガン酸溶液処理またはプラズマ処理によって、配線基板における孔の内壁面に充分な親液性およびメッキ層との接着性を付与できるため、多くの問題を有する金属ナトリウムを用いたエッチング処理をあえて行う必要はない。

　前処理として過マンガン酸溶液処理とプラズマ処理との両方を行う場合、孔加工時に発生するスミア（樹脂残渣）除去性の点、孔の内壁面全体にメッキ層が形成されやすくなる点、および孔の内壁面とメッキ層との接着性が充分に確保されやすくなる点から、過マンガン酸溶液処理を先に行うことが好ましい。なお、プラズマ処理後に過マンガン酸溶液処理を実施してもよい。

　（工程（ａ３））
　前処理後の孔の内壁面にメッキ層を形成する方法としては、無電解メッキ法等が挙げられる。

　以下、方法（ａ）の一実施形態について説明する。
　図３の３ａに示すように、第１の導体層３２、電気絶縁体層２０および第２の導体層３４がこの順に積層されている積層体１２を用意する。図３の３ｂに示すように、積層体１２に、第１の導体層３２から第２の導体層３４まで貫通する孔４０を形成する（工程（ａ１））。図３の３ｃに示すように、孔４０の内壁面に前処理を施した後、孔４０の内壁面に無電解メッキ等を行ってメッキ層４２を形成し、配線基板１０を得る（工程（ａ２）および工程（ａ３））。

＜方法（ｂ）＞
　方法（ｂ）は、下記の工程（ｂ１）～（ｂ４）を有する。
　工程（ｂ１）：電気絶縁体層の第１の面に第１の導体層が積層された積層体に、少なくとも電気絶縁体層の第２の面から第１の導体層に通じる孔を形成する工程。
　工程（ｂ２）：工程（ｂ１）の後、孔の内壁面に前処理を施す工程。
　工程（ｂ３）：工程（ｂ２）の後、前処理を施した孔の内壁面にメッキ層を形成する工程。
　工程（ｂ４）：電気絶縁体層の第２の面に第２の導体層を形成する工程。

　（工程（ｂ１））
　工程（ｂ１）は、積層体の製造以外は、工程（ａ１）と同様に行えばよい。
　積層体は、たとえば、下記の方法によって製造できる。
　・第１の金属箔、耐熱性樹脂および樹脂パウダーを含む樹脂フィルムをこの順に積層して熱プレスする。
　・耐熱性樹脂、樹脂パウダーおよび液状媒体を含む液状組成物を調製する。第１の金属箔の表面に液状組成物を塗布し、乾燥させて積層体を得る。

　（工程（ｂ２）、工程（ｂ３））
　工程（ｂ２）、工程（ｂ３）は、工程（ｂ１）で得られた積層体を用いる以外は、工程（ａ２）、工程（ａ３）と同様に行えばよい。

　（工程（ｂ４））
　電気絶縁体層の第２の面に第２の導体層を形成する方法としては、無電解メッキ法等が挙げられる。また、必要に応じてエッチングにより第２の導体層にパターンを形成してもよい。
　工程（ｂ４）は、工程（ｂ３）の前に行ってもよく、工程（ｂ３）の後に行ってもよく、工程（ｂ３）と同時に行ってもよい。

　以下、方法（ｂ）の一実施形態について説明する。
　図４の４ａに示すように、第１の導体層３２および電気絶縁体層２０がこの順に積層されている積層体１４を用意する。図４の４ｂに示すように、積層体１４に、電気絶縁体層２０から第１の導体層３２まで貫通する孔４０を形成する（工程（ｂ１））。図４の４ｃに示すように、孔４０の内壁面に前処理を施した後、孔４０の内壁面に無電解メッキ等を行ってメッキ層４２を形成する（工程（ｂ２）および工程（ｂ３））。電気絶縁体層２０の第２の面に無電解メッキ等を行って第２の導体層３４を形成し、配線基板１０を得る（工程（ｂ４））。

　以上説明した本発明の配線基板の製造方法にあっては、電気絶縁体層の耐熱性樹脂層がフッ素樹脂を含む樹脂材料からなる樹脂パウダーを含み、樹脂パウダーの含有割合が耐熱性樹脂層に対して５質量％以上であり、かつ電気絶縁体層の比誘電率が２．０～３．５であるため、優れた伝送特性を有する配線基板を製造できる。
　また、以上説明した本発明の配線基板の製造方法にあっては、樹脂パウダーを構成する樹脂材料に含まれるフッ素樹脂が、官能基（Ｇ）を有する溶融成形可能なフッ素樹脂、すなわち親液性の高いフッ素樹脂であり、かつ樹脂パウダーの含有割合が耐熱性樹脂層に対して７０質量％以下であるため、耐熱性樹脂層における孔の内壁面に施す前処理の種類によらずに、孔の内壁面がメッキ液をはじきにくくなる。そのため、孔の内壁面にメッキ層が充分に形成され、初期不良が抑えられたメッキ層を孔の内壁面に形成できる。
　また、以上説明した本発明の配線基板の製造方法にあっては、樹脂パウダーを構成する樹脂材料に含まれるフッ素樹脂が、官能基（Ｇ）を有する溶融成形可能なフッ素樹脂、すなわち接着性に優れたフッ素樹脂であり、かつ樹脂パウダーの含有割合が耐熱性樹脂層に対して７０質量％以下であるため、耐熱性樹脂層における孔の内壁面に施す前処理の種類によらずに、耐熱性樹脂層における孔の内壁面とメッキ層との接着性に優れる。そのため、温度変化を繰り返してもメッキ層において導通不良となりにくい、耐熱性が良好なメッキ層を孔の内壁面に形成できる。

　以下、実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。

　（単位の割合）
　樹脂（Ｘ）における各単位の含有割合は、以下のようにして求めた。
　ＮＡＨに由来する単位の含有割合（モル％）は、以下の赤外吸収スペクトル分析によって求めた。
　樹脂（Ｘ）をプレス成形して２００μｍのフィルムを得た。フィルムについて赤外吸収スペクトル分析を行った。赤外吸収スペクトルにおいて、ＮＡＨに由来する単位の吸収ピークである１７７８ｃｍ^－１の吸収ピークの吸光度を測定した。吸光度をＮＡＨのモル吸光係数：２０８１０ｍｏｌ^－１・ｌ・ｃｍ^－１で除して、樹脂（Ｘ）におけるＮＡＨに由来する単位の含有割合を求めた。
　ＮＡＨに由来する単位以外の単位の含有割合は、溶融ＮＭＲ分析およびフッ素含有量分析によって求めた。

　（融点）
　示差走査熱量計（ＤＳＣ装置、セイコーインスツル社製）を用い、樹脂（Ｘ）を１０℃／分の速度で昇温したときの融解ピークを記録し、融解ピークの極大値に対応する温度（℃）を融点とした。

　（溶融流れ速度）
　メルトインデクサー（テクノセブン社製）を用い、温度：３７２℃、荷重：４９Ｎの条件下で直径：２ｍｍ、長さ：８ｍｍのノズルから１０分間に流出する樹脂（Ｘ）の質量（ｇ）を測定し、溶融流れ速度（ｇ／１０分）とした。

　（含フッ素樹脂の比誘電率）
　絶縁破壊試験装置（ヤマヨ試験機社製、ＹＳＹ－２４３－１００ＲＨＯ）を用い、ＡＳＴＭ　Ｄ　１５０に準拠した変成器ブリッジ法によって、温度：２３℃±２℃、相対湿度：５０％±５％ＲＨの環境下にて周波数：１ＭＨｚで樹脂（Ｘ）の比誘電率を測定した。

　（電気絶縁体層の比誘電率）
　積層体の銅箔をエッチングによって除去し、露出させた電気絶縁体層について、タイプスプリットポスト誘電体共振器（ＱＷＥＤ社製、公称基本周波数：２．５ＧＨｚ）、ベクトルネットワークアナライザ（キーサイト社製、Ｅ８３６１Ｃ）および誘電率算出用ソフトウェア（キーサイト社製、８５０７１Ｅオプション３００）を用い、スプリットポスト誘電体共振器法（ＳＰＤＲ法）によって、温度：２３℃±２℃、相対湿度：５０±５％ＲＨの環境下にて周波数２．５ＧＨｚでの電気絶縁体層の比誘電率を測定した。

　（線膨張係数）
　積層体の銅箔をエッチングによって除去し、露出させた電気絶縁体層を４ｍｍ×５５ｍｍの短冊状に裁断し、サンプルを得た。サンプルをオーブンにて２５０℃で２時間乾燥させ、サンプルの状態調整を行った。熱機械分析装置（セイコーインスツル社製、ＴＭＡ／ＳＳ６１００）を用いて、空気雰囲気下、チャック間距離：２０ｍｍ、負荷荷重：２．５ｇ（０．０２４５Ｎ）の条件下、３０℃から２５０℃まで５℃／分の速度でサンプルを昇温し、サンプルの線膨張に伴う変位量を測定した。５０～１００℃のサンプルの変位量から、５０～１００℃での線膨張係数（ｐｐｍ／℃）を求めた。

　温度２３℃、湿度５０％ＲＨで試料である片面銅張積層体と、蒸留水との接触角を、接触角計（協和界面化学社製、ＣＡ－ＤＴ－Ａ型）を用いて測定した。接触角は、左右２点、試料数３で計６点測定し、平均値を求め水滴接触角とした。水滴の直径は２ｍｍで、滴下後１分後の数値を読み取った。

（初期不良の有無）
　配線基板（片面銅張積層体）について、孔の内壁面に形成されたメッキ層を外観観察により確認し、以下の基準で初期不良の有無を評価した。
　優良：孔の内壁面の全体にメッキ層が形成されている。
　不良：孔の内壁面に部分的にメッキ層が形成され、孔の内壁面が一部露出している。

　（耐熱性）
　配線基板の耐熱性評価の為、JIS C 5012の方法に従って熱衝撃試験を行った。
　配線基板の両面の銅箔を加工して、図５に示すようなデイジーチェーンパターンの導通回路を形成した。導通回路は、１つの導通回路あたり４０穴のスルーホールを有する。導通回路は、表側（実線）と裏側（破線）とがスルーホールを介して交互に形成される。図中の数値の単位はｍｍである。
　導通回路について、下記の熱衝撃試験中の１つの導通回路の端から端までの抵抗値を測定した。抵抗値の測定には、マルチメータ（Ｔｅｋｔｒｏｎｉｘ社製、ＫＥＴＨＬＥＹ　２７００）を用いた。熱衝撃試験中の２６０℃における抵抗値を３０秒間測定し、その間の抵抗値の平均値を求めた。
　熱衝撃試験においては、配線基板を２０℃の環境下に３０秒間置いた後、２６０℃の環境下に３０秒間置くサイクルを１００サイクル繰り返した。熱衝撃試験の１サイクル目の２６０℃における抵抗値と１００サイクル目の２６０℃における抵抗値との比較から、耐熱性を評価した。

　（原料）
　ＮＡＨ：５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物（日立化成社製、無水ハイミックス酸）。
　ＡＫ２２５ｃｂ：１，３－ジクロロ－１，１，２，２，３－ペンタフルオロプロパン（旭硝子社製、ＡＫ２２５ｃｂ）。
　ＰＰＶＥ：ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_３Ｆ（旭硝子社製）。

　（樹脂パウダーの製造）
　ＡＫ２２５ｃｂの３６９ｋｇおよびＰＰＶＥの３０ｋｇをあらかじめ脱気された内容積：４３０Ｌの撹拌機付き重合槽に仕込んだ。該重合槽内を５０℃に昇温し、ＴＦＥの５０ｋｇを仕込んだ後、重合槽内の圧力を０．８９ＭＰａ［ｇａｕｇｅ］まで昇圧した。０．３６質量％の（ペルフルオロブチリル）ペルオキシドおよび２質量％のＰＰＶＥをＡＫ２２５ｃｂに溶解した重合開始剤溶液を調製し、重合槽中に重合開始剤溶液の３Ｌを、１分間に６．２５ｍＬの速度にて連続的に添加しながら重合を行った。また、重合反応中における重合槽内の圧力が０．８９ＭＰａ［ｇａｕｇｅ］を保持するように、ＴＦＥを連続的に仕込んだ。また、０．３質量％のＮＡＨをＡＫ２２５ｃｂに溶解した溶液を、重合中に仕込むＴＦＥのモル数に対して０．１モル％に相当する量ずつ連続的に仕込んだ。
　重合開始から８時間後、ＴＦＥの３２ｋｇを仕込んだ時点で、重合槽内の温度を室温まで降温するとともに、圧力を常圧まで減圧した。得られたスラリを、ＡＫ２２５ｃｂと固液分離した後、１５０℃で１５時間乾燥することによって、３３ｋｇの粒状の共重合体（Ｘ１－１）を得た。

　共重合体（Ｘ１－１）における各単位の含有割合（モル％）は、ＮＡＨ単位／ＴＦＥ単位／ＰＰＶＥ単位＝０．１／９７．９／２．０であった。共重合体（Ｘ１－１）中の官能基（Ｇ）の含有量は、共重合体（Ｘ１－１）の主鎖の炭素数１×１０^６個に対して４７０個であり、共重合体（Ｘ１－１）の融点は３００℃であり、共重合体（Ｘ１－１）の溶融流れ速度は１７．６ｇ／１０分であり、共重合体（Ｘ１－１）の比誘電率は２．１であった。粒状の共重合体（Ｘ１－１）の平均粒径は１５５４μｍであった。

　ジェットミル（セイシン企業社製、シングルトラックジェットミルＦＳ－４型）を用い、粉砕圧力：０．５ＭＰａ、処理速度：１ｋｇ／時間の条件で、粒状の共重合体（Ｘ１－１）を粉砕して粗樹脂パウダーを得た。粗樹脂パウダーを、高効率精密気流分級機（セイシン企業社製、クラッシールＮ－０１型）を用いて、処理量：０．５ｋｇ／時間の条件で分級し、樹脂パウダーを得た。分級により得られた樹脂パウダーの収率は８９．４％であり、樹脂パウダーの平均粒径は２．３μｍであり、樹脂パウダーのＤ_９０は４．６μｍであり、樹脂パウダーのＤ_１００は８．０μｍであった。

＜実施例１＞
　（液状組成物の調製）
　エポキシ基を有する熱硬化性変性ポリイミドワニス（ピーアイ研究所社製、溶媒：Ｎ－メチルピロリドン、固形分：１５質量％）に、樹脂パウダーを、熱硬化性変性ポリイミド：樹脂パウダー＝７５：２５（質量比）となるように添加し、撹拌機で１０００ｒｐｍの条件下で１時間撹拌した。真空脱泡処理を２時間行い、液状組成物を得た。該液状組成物において、外観上は樹脂パウダーの凝集はみられなかった。液状組成物を、１００メッシュのフィルタにてろ過したところ、樹脂パウダーがフィルタで凝集することはなく、液状組成物をろ過することができた。

　（片面銅張積層体の製造）
　電解銅箔（福田金属箔粉社製、ＣＦ－Ｔ４Ｘ－ＳＶＲ－１２、厚さ：１２μｍ、表面粗さ（Ｒｚ）：１．２μｍ）の表面に、フィルタにてろ過した液状組成物を、乾燥後の塗膜（電気絶縁体層）の厚さが７μｍとなるように塗布した。オーブンで、９０℃で５分間、１２０℃で５分間、１５０℃で５分間加熱することによって乾燥を実施して電気絶縁体層を形成し、片面銅張積層体を得た。電気絶縁体層中のパウダー平均粒径は２．５μｍであった。電気絶縁体層の水滴接触角は８３°であった。

　片面銅張積層体について、ＵＶ－ＹＡＧレーザー（ｅｓｉ社製、ＭＯＤＥＬ５３３０ｘｉ）を用い、設定加工径：１５０μｍ、出力：２．４Ｗ、周波数：４０，０００Ｈｚ、ショット数：２５の条件にてスルーホール加工を行った。これによって表面径：１５０μｍ、底面径：１２１μｍのスルーホールを形成した。

　片面銅張積層体のスルーホールの内壁面の樹脂残渣を除去するために、片面銅張積層体のスルーホールの内壁面にデスミア処理（過マンガン酸溶液処理）を施した。スルーホールを形成した片面銅張積層体について、膨潤液（ＲＯＨＭ　ａｎｄ　ＨＡＡＳ社製のＭＬＢ２１１およびＣｕｐＺの混合比が２：１質量比となる混合液）を用いて液温度：８０℃、処理時間：５分で処理し、酸化液（ＲＯＨＭ　ａｎｄ　ＨＡＡＳ社製のＭＬＢ２１３Ａ－１およびＭＬＢ２１３Ｂ－１の混合比が１：１．５質量比となる混合液）を用いて液温度：８０℃、処理時間：６分で処理し、中和液（ＲＯＨＭ　ａｎｄ　ＨＡＡＳ社製のＭＬＢ２１６－２）を用いて液温度：４５℃、処理時間：５分で処理した。

　デスミア処理後の片面銅張積層体のスルーホールの内壁面にメッキ層を形成するために、片面銅張積層体のスルーホールの内壁面にメッキ処理を施した。メッキ処理については、ＲＯＨＭ　ａｎｄ　ＨＡＡＳ社からシステム液が販売されており、システム液を用いて公表されている手順にしたがって無電解メッキを行った。デスミア処理後の片面銅張積層体について、洗浄液（ＡＣＬ－００９）を用いて液温度：５５℃、処理時間：５分で処理した。水洗した後、片面銅張積層体について、加硫酸ナトリウム－硫酸系ソフトエッチング剤を用いて液温度：室温、処理時間：２分でソフトエッチング処理した。水洗した後、片面銅張積層体について、処理液（ＭＡＴ－２－ＡおよびＭＡＴ－２－Ｂがそれぞれ５：１体積比となる混合液）を用いて液温度：６０℃、処理時間：５分でアクチベート処理した。片面銅張積層体について、処理液（ＭＡＢ－４－ＡおよびＭＡＢ－４－Ｂがそれぞれ１：１０体積比となる混合液）を用いて液温度：３０℃、処理時間：３分で還元処理し、無電解メッキにて銅を析出させるためのＰｄ触媒をスルーホールの内壁面に付着させた。水洗した後、片面銅張積層体について、処理液（ＰＥＡ－６）を用いて液温度：３４℃、処理時間：３０分でメッキ処理し、スルーホールの内壁面に銅を析出させてメッキ層を形成した。３０穴のスルーホールにメッキ層を形成した後、スルーホールの断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、スルーホールの内壁面の全体にメッキ層が形成されていた。メッキ層の欠落や未形成といった初期不良は見られなかった。

　（配線基板の製造）
　エポキシ基を有する熱硬化性変性ポリイミドワニス（ピーアイ研究所社製、溶媒：Ｎ－メチルピロリドン、固形分：１５質量％）を電解銅箔（福田金属箔粉社製、ＣＦ－Ｔ４Ｘ－ＳＶＲ－１２、厚さ：１２μｍ、表面粗さ（Ｒｚ）：１．２μｍ）の表面に、乾燥後の塗膜（電気絶縁体層）の厚さが６μｍとなるように塗布した。オーブンで、９０℃で５分間、１２０℃で５分間、１５０℃で５分間加熱することによって乾燥を実施して電気絶縁体層を形成し、片面銅張積層体（１）を得た。

　エポキシ基を有する熱硬化性変性ポリイミドワニス（ピーアイ研究所社製、溶媒：Ｎ－メチルピロリドン、固形分：１５質量％）に、樹脂パウダーを、熱硬化性変性ポリイミド：樹脂パウダー＝７５：２５（質量比）となるように添加し、撹拌機で１０００ｒｐｍの条件下で１時間撹拌した。真空脱泡処理を２時間行い、液状組成物を得た。該液状組成物において、外観上は樹脂パウダーの凝集はみられなかった。液状組成物を、１００メッシュのフィルタにてろ過したところ、樹脂パウダーがフィルタで凝集することはなく、液状組成物をろ過することができた。

　電解銅箔（福田金属箔粉社製、ＣＦ－Ｔ４Ｘ－ＳＶＲ－１２、厚さ：１２μｍ、表面粗さ（Ｒｚ）：１．２μｍ）の表面に、フィルタにてろ過した液状組成物を、乾燥後の塗膜（電気絶縁体層）の厚さが１２μｍとなるように塗布した。オーブンで、９０℃で５分間、１２０℃で５分間、１５０℃で５分間加熱することによって乾燥を実施して電気絶縁体層を形成し、片面銅張積層体を得た。該片面銅張積層体をエッチング処理し、銅箔を除去し、ポリイミドフィルム（フィルム１）を得た。

　ポリイミドフィルム（フィルム１）の両面に片面銅張積層体（１）を銅箔が最外層となるように重ね合わせた後、プレス温度３４０℃、プレス圧力４．０ＭＰａ、プレス時間１５分で真空熱プレスを行って両面銅張積層体を得た。電気絶縁体層（厚さ：２４μｍ）の比誘電率は３．２であり、線膨張係数は４５ｐｐｍ／℃であった。

　両面銅張積層体について、銅箔をエッチング処理し、デイジーチェーンパターンを形成した後、片面銅張積層体と同様にして、スルーホールを形成し、メッキ層を形成して、配線基板を得た。配線基板について、耐熱性の評価を行った。熱衝撃試験の１サイクル目の２６０℃における抵抗値は０．１４２Ωであり、１００サイクル目の２６０℃における抵抗値は０．１４６Ωであった。抵抗値の上昇はわずかであり、配線基板は耐熱性に優れていることがわかった。

＜実施例２＞
　エポキシ基を有する熱硬化性変性ポリイミドワニス（ピーアイ研究所社製、溶媒：Ｎ－メチルピロリドン、固形分：１５質量％）に、樹脂パウダーを、熱硬化性変性ポリイミド：樹脂パウダー＝８５：１５（質量比）となるように添加した以外は実施例１と同様にして両面銅張積層体を得た。電気絶縁体層（厚さ：２４μｍ）の比誘電率は３．３であり、線膨張係数は４７ｐｐｍ／℃であり、電気絶縁体層中のパウダー平均粒径は２．２μｍであった。電気絶縁体層の水滴接触角は８０°であった。

　両面銅張積層体について、銅箔をエッチング処理し、デイジーチェーンパターンを形成した後、片面銅張積層体と同様にして、スルーホールを形成し、メッキ層を形成して、配線基板を得た。配線基板について、耐熱性の評価を行った。熱衝撃試験の１サイクル目の２６０℃における抵抗値は０．１４６Ωであり、１００サイクル目の２６０℃における抵抗値は０．１４９Ωであった。抵抗値の上昇はわずかであり、配線基板は耐熱性に優れていることがわかった。

＜実施例３＞
　エポキシ基を有する熱硬化性変性ポリイミドワニス（ピーアイ研究所社製、溶媒：Ｎ－メチルピロリドン、固形分：１５質量％）に、樹脂パウダーを、熱硬化性変性ポリイミド：樹脂パウダー＝５９：４１（質量比）となるように添加した以外は実施例１と同様にして両面銅張積層体を得た。電気絶縁体層（厚さ：２４μｍ）の比誘電率は３．０であり、線膨張係数は５０ｐｐｍ／℃であり、電気絶縁体層中のパウダー平均粒径は２．６μｍであった。電気絶縁体層の水滴接触角は８５°であった。

　両面銅張積層体について、銅箔をエッチング処理し、デイジーチェーンパターンを形成した後、片面銅張積層体と同様にして、スルーホールを形成し、メッキ層を形成して、配線基板を得た。配線基板について、耐熱性の評価を行った。熱衝撃試験の１サイクル目の２６０℃における抵抗値は０．１５０Ωであり、１００サイクル目の２６０℃における抵抗値は０．１５１Ωであった。抵抗値の上昇はわずかであり、配線基板は耐熱性に優れていることがわかった。

＜実施例４＞
　エポキシ基を有する熱硬化性変性ポリイミドワニス（ピーアイ研究所社製、溶媒：Ｎ－メチルピロリドン、固形分：１５質量％）に、樹脂パウダーを、熱硬化性変性ポリイミド：樹脂パウダー＝４０：６０（質量比）となるように添加した以外は実施例１と同様にして両面銅張積層体を得た。電気絶縁体層の比誘電率２．８であり、電気絶縁体層（厚さ：２４μｍ）の線膨張係数は６４ｐｐｍ／℃、電気絶縁体層中のパウダー平均粒径は２．７μｍであった。電気絶縁体層の水滴接触角は９１°であった。
　両面銅張積層体について、銅箔をエッチング処理し、デイジーチェーンパターンを形成した後、片面銅張積層体と同様にして、スルーホールを形成し、メッキ層を形成して、配線基板を得た。配線基板について、耐熱性の評価を行った。熱衝撃試験の１サイクル目の２６０℃における抵抗値は０．１４０Ωであり、１００サイクル目の２６０℃における抵抗値は０．１４６Ωであった。抵抗値の上昇はわずかであり、配線基板は耐熱性に優れていることがわかった。

＜比較例１＞
　エポキシ基を有する熱硬化性変性ポリイミドワニス（ピーアイ研究所社製、溶媒：Ｎ－メチルピロリドン、固形分：１５質量％）に、ＰＴＦＥディスパージョン（旭硝子社製、ＡＤ－９１１Ｅ、平均粒子径０．２５μｍ）を、熱硬化性変性ポリイミド：ＰＴＦＥパウダー＝７０：３０（質量比）となるように添加した。撹拌機で１０００ｒｐｍの条件下で１時間撹拌した。真空脱泡処理を２時間行い、液状組成物を得た。液状組成物について、１００メッシュのフィルタにてろ過を実施したところ、樹脂パウダーが一部凝集しフィルタ上に補足されていた。
　実施例１と同様にして、電解銅箔の表面に、フィルタにてろ過した液状組成物を、乾燥後の塗膜（電気絶縁体層）の厚さが７μｍとなるように塗布した。オーブンで、９０℃で５分間、１７０℃で５分間、２２０℃で５分間加熱することによって乾燥を実施して電気絶縁体層を形成し、片面銅張積層体を得た。電気絶縁体層中のパウダー平均粒径は８．５μｍであった。電気絶縁体層の水滴接触角は８１°であった。
　実施例１と同様にして、得られた片面銅張積層体にスルーホールを形成した。表面径：１５０μｍ、底面径：１２１μｍのスルーホールを形成した。
　実施例１と同様にして、スルーホールの内壁面にデスミア処理を施した後、メッキ処理を施した。３０穴のスルーホールにメッキ層を形成した後、スルーホールの断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、スルーホールの内壁面の全体もしくは一部にメッキ層が形成されておらず、メッキ層の欠落や未形成といった初期不良が見られた。
　実施例１と同様にして、両面銅張積層体を作製した。両面銅張積層体について、銅箔をエッチング処理し、デイジーチェインパターンを形成した後、片面銅張積層体と同様にして、スルーホールを形成し、メッキ層を形成して、配線基板を得た。配線基板について、耐熱性の評価を行った。熱衝撃試験の１サイクル目の２６０℃における抵抗値は０．１７０Ωであり、１００サイクル目の２６０℃における抵抗値は１．２３Ωであった。抵抗値の上昇が大きく、配線基板としての耐熱性が不足していることがわかった。

＜比較例２＞
　比較例１と同様にして、熱硬化性変性ポリイミド：ＰＴＦＥパウダー＝９０：１０（質量比）となるように、液状組成物を作製した。液状組成物を１００メッシュのフィルタにてろ過したところ、樹脂パウダーが一部凝集しフィルタ上に補足されていた。
　比較例１と同様にして、片面銅張積層体を作製した。電気絶縁体層中のパウダー平均粒径は１０．１μｍであった。電気絶縁体層の水滴接触角は８１°であった。得られた片面銅張積層体にスルーホールを形成した。表面径：１４８μｍ、底面径：１２０μｍのスルーホールを形成した。
　実施例１と同様にして、スルーホールの内壁面にデスミア処理を施した後、メッキ処理を施した。３０穴のスルーホールにメッキ層を形成した後、スルーホールの断面を走査型電子顕微鏡で観察したところ、スルーホールの内壁面の全体もしくは一部にメッキ層が形成されておらず、メッキ層の欠落や未形成といった初期不良が見られた。
　実施例１と同様にして、両面銅張積層体を作製した。両面銅張積層体について、銅箔をエッチング処理し、デイジーチェインパターンを形成した後、片面銅張積層体と同様にして、スルーホールを形成し、メッキ層を形成して、配線基板を得た。配線基板について、耐熱性の評価を行った。熱衝撃試験の１サイクル目の２６０℃における抵抗値は０．１９１Ωであり、１００サイクル目の２６０℃における抵抗値は１．４９Ωであった。抵抗値の上昇が大きく、配線基板としての耐熱性が不足していることがわかった。

　本発明の配線基板は、通信機器（携帯電話等）、自動車等において高速大容量無線通信を行うためのアンテナ；高周波特性が必要とされる電子機器用基板、自動車用各種センサ用基板、エンジンマネージメントセンサ用基板等として有用である。
　なお、２０１６年９月１日に出願された日本特許出願２０１６－１７１１９５号の明細書、特許請求の範囲、要約書および図面の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

　１０：　配線基板、１２：　積層体、１４：　積層体、２０：　電気絶縁体層、２２：　耐熱性樹脂層、２４：　第１の接着層、２６：　第２の接着層、３２：　第１の導体層、３４：　第２の導体層、４０：　孔、４２：　メッキ層。

Claims

　電気絶縁体層と、
　前記電気絶縁体層の第１の面に設けられている第１の導体層と、
　前記電気絶縁体層の前記第１の面と反対側の第２の面に設けられている第２の導体層と、
　前記第１の導体層から前記第２の導体層まで通じる孔の内壁面に設けられているメッキ層とを有し、
　前記電気絶縁体層は、耐熱性樹脂および樹脂パウダーを含む耐熱性樹脂層を有し、
　前記樹脂パウダーは、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂を含む樹脂材料からなり、
　前記樹脂パウダーの含有割合が、前記耐熱性樹脂層に対して５～７０質量％であり、
　前記電気絶縁体層の比誘電率が、２．０～３．５であることを特徴とする配線基板。
　前記フッ素樹脂の融点が、２６０℃以上である、請求項１に記載の配線基板。
　前記官能基の少なくとも１種が、カルボニル基含有基であり、
　前記カルボニル基含有基が、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基、カーボネート基、カルボキシ基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基および酸無水物残基からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１または２に記載の配線基板。
　前記フッ素樹脂中の前記官能基の含有量が、前記フッ素樹脂の主鎖の炭素数１×１０^６個に対して１０～６００００個である、請求項１～３のいずれか一項に記載の配線基板。
　前記電気絶縁体層の比誘電率が、２．０～３．０である、請求項１～４のいずれか一項に記載の配線基板。
　前記電気絶縁体層の線膨張係数が、０～１００ｐｐｍ／℃である、請求項１～５のいずれか一項に記載の配線基板。
　前記耐熱性樹脂層へ添加される前記樹脂パウダーの平均粒径が、０．０２～５μｍであり、前記樹脂パウダーの体積基準累積９０％径（Ｄ_９０）が、６μｍ以下である、請求項１～６のいずれか一項に記載の配線基板。
　前記電気絶縁体層の水滴接触角が６０°～１００°である、請求項１～７のいずれか一項に記載の配線基板。
　前記電気絶縁体層中に含まれる前記樹脂パウダーの平均粒径が１～７μｍである、請求項１～８のいずれかに一項に記載の配線基板。
　熱衝撃試験の１００サイクル目の２６０℃における配線基板の抵抗値の、熱衝撃試験の１サイクル目の２６０℃における配線基板の抵抗値に対する変化率が、±１０％であることを特徴とする請求項１～９のいずれか一項に記載の配線基板。
　請求項１～１０のいずれか一項に記載の配線基板を製造する方法であり、
　前記第１の導体層、前記電気絶縁体層および前記第２の導体層がこの順に積層されている積層体に前記孔を形成し、
　前記孔の内壁面に前処理を施し、
　前記前処理を施した孔の内壁面に前記メッキ層を形成する、配線基板の製造方法。
　請求項１～１０のいずれか一項に記載の配線基板を製造する方法であり、
　前記電気絶縁体層の第１の面に前記第１の導体層が積層された積層体に前記孔を形成し、
　前記孔の内壁面に前処理を施し、
　前記前処理を施した孔の内壁面に前記メッキ層を形成し、
　前記電気絶縁体層の第２の面に前記第２の導体層を形成する、配線基板の製造方法。
　前記前処理として、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を施さずに、過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施す、請求項１１または１２に記載の配線基板の製造方法。