WO2018043313A1 - 液晶パネル - Google Patents

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WO2018043313A1
WO2018043313A1 PCT/JP2017/030451 JP2017030451W WO2018043313A1 WO 2018043313 A1 WO2018043313 A1 WO 2018043313A1 JP 2017030451 W JP2017030451 W JP 2017030451W WO 2018043313 A1 WO2018043313 A1 WO 2018043313A1
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WO
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liquid crystal
electrode
pixel electrode
electric field
width
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/030451
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English (en)
French (fr)
Inventor
克彦 森下
章剛 西脇
海瀬 泰佳
Original Assignee
シャープ株式会社
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Definitions

  • the present invention relates to a liquid crystal panel.
  • the liquid crystal panel which is a main component which comprises a liquid crystal display device.
  • the liquid crystal panel has a first region and a second region divided into pixel regions, each region is surrounded by a first electrode and a second electrode to form a region, and the first and second electrodes Each has a long first electrode portion and a short second electrode portion, and the first electrode portion and the second electrode portion are connected with an obtuse angle, and the first electrode and the second electrode portion are connected to each other.
  • the electrode portions are arranged so as to be the farthest sides in each region, and the obtuse angles are formed on different sides in the first region and the second region.
  • the liquid crystal material used for the liquid crystal panel includes a positive type and a negative type.
  • the positive type liquid crystal material is widely used at present, and has a problem that the transmittance is not sufficient although it is excellent in terms of response speed.
  • the negative type liquid crystal material has a characteristic that the transmittance is superior to that of the positive type liquid crystal material. Therefore, although adoption has been studied in recent years, there is a problem that a sufficient response speed cannot be obtained. It was.
  • the present invention has been completed based on the above situation, and an object thereof is to improve the response speed while using a negative type liquid crystal material.
  • the liquid crystal panel of the present invention is provided on the liquid crystal layer side of one of the pair of substrates, a liquid crystal layer made of a negative type liquid crystal material sandwiched between the pair of substrates.
  • the electric field generated between the pixel electrode and the common electrode includes a vertical electric field perpendicular to the plate surfaces of the pair of substrates and a horizontal electric field horizontal to the plate surfaces.
  • the liquid crystal molecules of the negative type liquid crystal material are aligned in such a way that the major axis direction is perpendicular to each direction of the vertical electric field and the horizontal electric field with voltage application. It will be parallel to the plate surface of the substrate. Therefore, the negative type liquid crystal material is more uniform in the orientation of the liquid crystal molecules when the voltage is applied than the positive type liquid crystal material in which the major axis direction of the liquid crystal molecules is parallel to the direction of the electric field. High transmittance can be obtained.
  • the negative liquid crystal material has a negative dielectric anisotropy
  • the positive liquid crystal material has a positive dielectric anisotropy.
  • the time required to change the alignment state of the liquid crystal molecules becomes longer, which causes a problem that the response speed is lowered.
  • the electric field strength generated near the center in the width direction of the electrode body becomes too weak, and the orientation state is controlled by the electric field. Since the amount of liquid crystal molecules to be reduced is reduced, the light transmittance may be reduced. Further, in the configuration in which the number of electrode bodies in the pixel electrode is two and slits are interposed between the electrode bodies, when the slit width dimension S exceeds 0.7 ⁇ m, the pixel electrode is located near the slits between the two electrode bodies.
  • a plurality of the pixel electrodes are arranged along the width direction so as to be spaced apart from each other.
  • the spacing is C
  • the pixel electrode is formed so as to satisfy the following formula (3).
  • the electric field generated in each of the adjacent pixel electrodes is less likely to interfere, and the alignment state of the liquid crystal molecules can be appropriately controlled.
  • the definition of the liquid crystal panel is sufficiently high, and the width direction Since the distance C between adjacent pixel electrodes can be secured about 10 ⁇ m, the alignment state of the liquid crystal molecules can be controlled more appropriately.
  • the pixel electrode is formed so that L satisfies the following formula (5).
  • the relative transmittance is 77.9%.
  • the width L of the pixel electrode having one electrode body is set to 6.2 ⁇ m or more and 6.7 ⁇ m or less as in the above-described formula (5), the relative transmittance described above is obtained.
  • the relative transmittance is improved by 4% or more.
  • the pixel electrode is formed so that L is 6.2 ⁇ m.
  • the above-described relative transmittance is 82.2%. In that respect, if the width dimension L of the pixel electrode having one electrode body is set to 6.2 ⁇ m, the above-described relative transmittance is about 90.6%, and the width dimension L of the pixel electrode is set to 6.7 ⁇ m.
  • the relative transmittance is improved by 8% or more in comparison with
  • “2L + S” related to the pixel electrode having two electrode bodies is set to 6.5 ⁇ m or more and 7.9 ⁇ m or less, and the slit width dimension S Is 0.5 ⁇ m or more and 0.7 ⁇ m or less, so that the halftone response time when the width dimension L of the pixel electrode having one electrode body is 4.9 ⁇ m is defined as a reference (100%).
  • the relative halftone response time is at least 64.8% or less, and the light transmittance when the width dimension L of the pixel electrode having one electrode body is 4.9 ⁇ m is defined as a reference (100%).
  • the relative transmittance of at least 91.3% is ensured.
  • the liquid crystal panel 11 has a vertically long rectangular shape (rectangular shape) as a whole, and a display area (active area) whose plate surface can display an image and is arranged on the center side. It is divided into AA and a non-display area (non-active area) NAA which is arranged on the outer peripheral side so as to surround the display area AA and forms a frame shape (frame shape) when seen in a plane.
  • the short side direction in the liquid crystal panel 11 coincides with the X-axis direction of each drawing, the long side direction coincides with the Y-axis direction of each drawing, and the plate thickness direction coincides with the Z-axis direction.
  • the alternate long and short dash line represents the outer shape of the display area AA, and the area outside the alternate long and short dash line is the non-display area NAA.
  • Each of the CF substrate 11a and the array substrate 11b is formed by laminating various films on the inner surface side of the glass substrate GS. Note that polarizing plates 11d and 11e are attached to the outer surface sides of both the substrates 11a and 11b, respectively.
  • the display area AA on the inner surface side of the array substrate 11b is a TFT (Thin Film Transistor: display element) as a switching element.
  • TFT Thin Film Transistor: display element
  • a plurality of pixel electrodes 11g are provided side by side in a matrix (matrix), and a gate wiring (scanning line) 11i and a source wiring (data line) that form a grid around the TFT 11f and the pixel electrode 11g.
  • Signal line is disposed so as to surround it.
  • the gate wiring 11i and the source wiring 11j are connected to the gate electrode and the source electrode of the TFT 11f, respectively, and the pixel electrode 11g is connected to the drain electrode of the TFT 11f.
  • the TFT 11f is driven based on various signals respectively supplied to the gate wiring 11i and the source wiring 11j, and the supply of the potential to the pixel electrode 11g is controlled in accordance with the driving.
  • the pixel electrode 11g is arranged in a vertically long rectangular region surrounded by the gate wiring 11i and the source wiring 11j, and the Y-axis direction as a whole is the length direction and the X-axis direction is the width. It has a longitudinal shape in the direction.
  • the liquid crystal molecules of the negative type liquid crystal material are aligned in such a manner that the major axis direction is perpendicular to the respective directions of the vertical electric field and the horizontal electric field as the voltage is applied to the pixel electrode 11g, the liquid crystal molecules are long in any case.
  • the axial direction is parallel to the plate surfaces of the pair of substrates 11a and 11b. Therefore, the negative type liquid crystal material is more liquid crystal molecules when the voltage of the pixel electrode 11g is applied than the positive type liquid crystal material in which the major axis direction of the liquid crystal molecules is parallel to the direction of the electric field as the voltage of the pixel electrode 11g is applied.
  • the light shielding film 11l is arranged so as to overlap with at least the gate wiring 11i and the source wiring 11j described above in a plan view.
  • the formation range of the light shielding film 11l is shown in a shaded shape.
  • an overcoat film 11m is provided on the surface of the color filter 11k and the light shielding film 11l.
  • a photo spacer (not shown) is provided on the surface of the overcoat film 11m.
  • one display pixel which is a display unit, is configured by the combination of the three color films of R, G, and B in the color filter 11k and the three pixel electrodes 11g facing the color films. .
  • the pixel electrode 11g provided in the liquid crystal panel 11 according to the present embodiment has one electrode body 11g1, and the width L of the electrode body 11g1 is at least 4.9 ⁇ m.
  • the range is large and 7.9 ⁇ m or less.
  • the pixel electrode 11g has a width dimension L of the electrode body 11g1 of about 6.2 ⁇ m.
  • the interval C between the electrode bodies 11g1 of the pixel electrodes 11g adjacent to each other in the width direction (X-axis direction) of the pixel electrode 11g is about 10.4 ⁇ m.
  • a value (L + C) obtained by adding the width dimension L of the electrode body 11g1 and the distance C between the electrode bodies 11g1 of the adjacent pixel electrodes 11g, that is, the width dimension of the display pixel is about 16.6 ⁇ m, that is, 9
  • the range is larger than .9 ⁇ m and not more than 18.3 ⁇ m.
  • the space C between the electrode bodies 11g1 of the adjacent pixel electrodes 11g in the width direction (X-axis direction) is 10 ⁇ m or more, the electric fields generated in the adjacent pixel electrodes 11g are less likely to interfere with each other. . Therefore, it is possible to appropriately control the alignment state of the liquid crystal molecules for each adjacent pixel electrode 11g, thereby preventing color mixing between display pixels that are adjacent to each other and exhibit different colors.
  • FIG. 5 shows relative values (unit: “%”) of various response times with reference to Comparative Example 1 (100%).
  • “ ⁇ r” shown in FIG. 5 is a relative value (relative rising response time) of the rising response time from the minimum gradation display (black display) to the maximum gradation display (white display).
  • Comparative Example 1 has various response times that are longer than those of Examples 1 to 3, and the response speed is reduced.
  • Comparative Example 1 can appropriately change the alignment state of the liquid crystal molecules by an electric field having a strong electric field strength in the vicinity of the center position in the width direction of the electrode body 11g1 in comparison with Examples 1 to 3. Therefore, it can be considered that the polarization state of light can be appropriately controlled by the liquid crystal molecules in an appropriate alignment state, and thereby the transmittance is the highest.
  • Examples 1 to 3 as shown in FIGS. 5 and 6, various response times are relatively short in comparison with Comparative Example 1, whereas light transmittance is relatively small in comparison with Comparative Example 1. It is low.
  • the width L of the electrode body 11g1 is larger than that of Comparative Example 1 and is in the range of 6.2 ⁇ m or more and 7.0 ⁇ m or less, it occurs near the center in the width direction.
  • the electric field strength of the electric field is weaker than that of Comparative Example 1. For this reason, the amount of liquid crystal molecules whose alignment state changes due to the electric field is smaller than that in Comparative Example 1, and thereby the time required to change the alignment state of the liquid crystal molecules is shortened.
  • Example 3 although the light transmittance is the lowest at 77.9%, “G-Gmax” is the shortest, and it can be said that it is most suitable when priority is given to the response speed.
  • the width L of the electrode body 11g1 exceeds 7.9 ⁇ m of Example 3, the electric field strength of the electric field generated near the center in the width direction of the electrode body 11g1 becomes too weak, and the alignment state is caused by the electric field. Since the amount of liquid crystal molecules to be controlled is reduced, the light transmittance is lower than 77.9% of Example 3, and there is a possibility that sufficient transmittance cannot be obtained. Therefore, the upper limit value of the width dimension L of the electrode body 11g1 is preferably set to 7.9 ⁇ m of the third embodiment.
  • the second end position at the right end of the figure is “X2”, and the measured electric field and light transmittance data are graphed in association with the positions X1, M, and X2 described above. 7 shows.
  • the first end position at the left end of the pixel electrode 11g in the electrode main body 11g1 is “X3”, the center position in the width direction is “M”,
  • the second end position on the right side of the figure is “X4”, and the measured electric field and light transmittance data are graphed in association with the positions X3, M, and X4 described above. ing.
  • Comparative Example 1 the density of equipotential lines is relatively high in the vicinity of the central position M of the electrode body 11g1 as compared to Example 1.
  • a high density of equipotential lines means that the electric field intensity generated there is strong. Therefore, in Comparative Example 1, it is considered that the alignment state of a relatively large number of liquid crystal molecules is appropriately controlled by the electric field having a relatively strong electric field strength in the vicinity of the center position M of the electrode body 11g1.
  • the light transmittance is maintained relatively high in the vicinity of the center position M of the electrode body 11g1.
  • Example 7 in Example 1, the density of equipotential lines is relatively low in the vicinity of the central position M of the electrode body 11g1, as compared with Comparative Example 1, and the electric field strength of the electric field is increased. Is relatively weak. Therefore, in Example 1, compared with Comparative Example 1, the amount of liquid crystal molecules whose alignment state can be controlled by an electric field having a relatively weak electric field strength in the vicinity of the central position M of the electrode body 11g1 is relatively small. it is conceivable that. As a result, in Example 1, compared with Comparative Example 1, the light transmittance is relatively lowered in the vicinity of the central position M of the electrode body 11g1.
  • the liquid crystal panel 11 of the present embodiment includes the pair of substrates 11a and 11b, the liquid crystal layer 11c made of a negative liquid crystal material sandwiched between the pair of substrates 11a and 11b, and the pair of substrates 11a and 11a.
  • a common electrode 11h provided on the side of the liquid crystal layer 11c in the array substrate (one substrate) 11b of 11b, and a pixel electrode 11g provided in the array substrate 11b so as to face the common electrode 11h via the insulating layer 11p;
  • the pixel electrode 11g is formed so as to satisfy the following expression (11) when the width dimension of the electrode body 11g1 is L. Yes.
  • the pixel electrode 11g and the common electrode 11h are interposed between each other.
  • An electric field is generated.
  • the liquid crystal molecules of the negative type liquid crystal material constituting the liquid crystal layer 11c have a longitudinal shape, and are aligned in such a manner that the major axis direction is perpendicular to the direction of the electric field as voltage is applied.
  • the electric field generated between the pixel electrode 11g and the common electrode 11h includes a vertical electric field perpendicular to the plate surfaces of the pair of substrates 11a and 11b, a horizontal electric field horizontal to the plate surfaces, It is included.
  • the response speed may not be sufficiently obtained.
  • the electric field strength becomes weaker as the width of the electrode body 11g1 becomes narrower, and the width of the electrode body 11g1 becomes smaller.
  • the electric field strength tends to increase as the width increases.
  • the electric field strength of the electric field generated near the center in the width direction is strong, so the amount of liquid crystal molecules whose alignment state changes due to the electric field is small.
  • the time required to change the alignment state of the liquid crystal molecules becomes longer, which causes a problem that the response speed is lowered.
  • the electric field strength of the electric field generated near the center in the width direction of the electrode body 11g1 becomes too weak, and the liquid crystal molecules whose alignment state is controlled by the electric field. Since the amount of light is reduced, the light transmittance may be reduced.
  • the width direction is smaller than that in the case of 4.9 ⁇ m or less as described above. Since the electric field strength of the electric field generated near the center is relatively weak, the amount of liquid crystal molecules whose alignment state is changed by the electric field is relatively small. Thereby, the time required for changing the alignment state of the liquid crystal molecules is relatively shortened, and the response speed is sufficiently high.
  • the configuration in which “L” related to the pixel electrode 11g is 7.9 ⁇ m or less as shown in the above equation (11), the electric field of the electric field generated in the vicinity of the center in the width direction of the electrode body 11g1.
  • a plurality of pixel electrodes 11g are arranged side by side along the width direction, and when the distance is C, the pixel electrode 11g is formed to satisfy the following formula (12).
  • the electric field generated in each of the pixel electrodes 11g hardly interferes, and the alignment state of the liquid crystal molecules can be appropriately controlled.
  • the liquid crystal panel 11 has sufficiently high definition, and the pixel electrodes adjacent in the width direction are adjacent to each other. Since the distance C between 11 g can be secured about 10 ⁇ m, the alignment state of the liquid crystal molecules can be controlled more appropriately.
  • the pixel electrode 11g is formed so that L satisfies the following formula (13) when n is 1.
  • the width L of the pixel electrode 11g having one electrode body 11g1 is set to 6.2 ⁇ m or more and 7.0 ⁇ m or less, one electrode body 11g1 is obtained.
  • the relative halftone response time based on the halftone response time when the width dimension L of the pixel electrode 11g is 4.9 ⁇ m is set as a reference (100%) is at least 55.2% or less, and the electrode body 11g1 is 1 A relative transmittance of at least 77.9% is ensured based on the light transmittance when the width L of the pixel electrode 11g as a book is 4.9 ⁇ m (100%).
  • the pixel electrode 11g is formed so that L satisfies the following formula (14).
  • the relative transmittance is 77.9%.
  • the width L of the pixel electrode 11g having one electrode body 11g1 is set to 6.2 ⁇ m or more and 6.7 ⁇ m or less, the above-described relative transmission is performed. The rate is 82.2% or more, and the relative transmittance is improved by 4% or more compared with the case where the width dimension L of the pixel electrode 11g is 7.0 ⁇ m.
  • the pixel electrode 11g is formed so that L is 6.2 ⁇ m.
  • the above-described relative transmittance is 82.2%. In that respect, if the width dimension L of the pixel electrode 11g having one electrode body 11g1 is 6.2 ⁇ m, the above-described relative transmittance is about 90.6%, and the width dimension L of the pixel electrode 11g is reduced. Compared with the case of 6.7 ⁇ m, the relative transmittance is improved by 8% or more.
  • the pixel electrode 111g includes two electrode bodies 111g1 extending substantially along the Y-axis direction, and both end portions in the length direction of the two electrode bodies 111g1.
  • the two electrode bodies 111g1 extend while being slightly inclined with respect to the Y-axis direction in parallel with each other, and the slits 15 interposed therebetween are also in parallel with each electrode body 111g1. It is extended.
  • the pixel electrode 111g has a dimension (2L + S) obtained by adding the width dimension L of each of the two electrode bodies 111g1 and the width dimension S of the slit 15 at least 4.9 ⁇ m. And the width dimension S of the slit 15 is at least 0.7 ⁇ m or less.
  • the pixel electrode 111g has a dimension (2L + S) larger than 6.5 ⁇ m and not larger than 7.9 ⁇ m, and the width dimension S of the slit 15 is not smaller than 0.5 ⁇ m and not larger than 0.7 ⁇ m. It is formed to become.
  • the pixel electrode 111g has a width dimension L of the electrode body 111g1 of about 3.3 ⁇ m and a width dimension S of the slit 15 of about 0.5 ⁇ m. That is, the pixel electrode 111g has a dimension (2L + S) obtained by adding the width dimension L of each of the two electrode bodies 111g1 and the width dimension S of the slit 15 to about 7.1 ⁇ m.
  • the spacing C between the electrode bodies 111g1 of the pixel electrodes 111g adjacent to each other in the width direction (X-axis direction) of the pixel electrode 111g is about 10.4 ⁇ m, as in the first embodiment.
  • the width L of the electrode body 111g1 constituting the pixel electrode 111g and the width S of the slit 15 are changed, a voltage is applied to the pixel electrode 111g and the alignment state of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 11c is changed.
  • the following comparative experiment 3 was performed.
  • the pixel electrode 111g having two electrode bodies 111g1 is assumed.
  • the width dimension L of the two electrode bodies 111g1 is 3.3 ⁇ m
  • the width dimension S of the slit 15 is 0.5 ⁇ m.
  • Example 4 was used as Example 4, and the width dimension L of the two electrode main bodies 111g1 was 3.1 ⁇ m and the width dimension S of the slit 15 was 0.6 ⁇ m as Example 5, and the two electrode main bodies 111g1 Example 6 has a width dimension L of 2.9 ⁇ m and a width dimension S of the slit 15 of 0.7 ⁇ m in Example 6, and the width dimension L of the two electrode bodies 111g1 is 3.6 ⁇ m and the width dimension S of the slit 15 is 0. 7 ⁇ m was used as Example 7, and two electrode main bodies 111 g 1 having a width L of 2.8 ⁇ m and a slit 15 having a width S of 1.5 ⁇ m as Comparative Example 2 were used.
  • Example 3 is a case where the width dimension L of 1 is 2.6 ⁇ m and the width dimension S of the slit 15 is 1.5 ⁇ m, and the width dimension L of the two electrode bodies 111g1 is 2.7 ⁇ m. Is set to 1.9 ⁇ m as Comparative Example 4.
  • the width dimension L of the two electrode main bodies 111g1 and the width dimension S of the slit 15 are added to each other, and (2L + S) is 7.1 ⁇ m.
  • the ratio (L / S) with the width dimension S of 15 is 6.60.
  • Example 5 (2L + S) is 6.8 ⁇ m and (L / S) is 5.17, and in Example 6, (2L + S) is 6.5 ⁇ m and (L / S) is 4.14.
  • Example 7 (2L + S) was 7.9 ⁇ m and (L / S) was 5.14, and in Comparative Example 2, (2L + S) was 7.1 ⁇ m and (L / S) was 1.87.
  • Example 3 (2L + S) is 6.7 ⁇ m and (L / S) is 1.73, and in Comparative Example 4, (2L + S) is 7.3 ⁇ m and (L / S) is 1.42.
  • FIG. 10 shows relative values (unit: “%”) of various response times with reference to Comparative Example 1 (100%), the details of which are as described in Comparative Experiment 1 of Embodiment 1. is there.
  • Various response times are measured at an ambient temperature of 25 ° C.
  • FIG. 11 shows a relative value of light transmittance (relative transmittance, the unit is “%”) based on Comparative Example 1 (100%). This transmittance is obtained by measuring the amount of transmitted light when the maximum gradation display is performed.
  • Comparative Examples 2 to 4 As shown in FIGS. 10 and 11, various response times are relatively long in comparison with Examples 4 to 7, whereas the light transmittance is in comparison with Examples 4 to 7. It is relatively high in comparison.
  • the dimension (2L + S) obtained by adding the width dimension L of the two electrode bodies 111g1 and the width dimension S of the slit 15 is in the range of 6.7 ⁇ m to 7.3 ⁇ m.
  • the width dimension S of the slit 15 is in the range of 1.5 ⁇ m to 1.9 ⁇ m although it is included in the range of the same dimension (2L + S) of Examples 4 to 7 (6.5 ⁇ m to 7.9 ⁇ m).
  • Comparative Examples 2 to 4 when the width dimension of the slit 15 interposed between the two electrode bodies 111g1 is larger than 0.7 ⁇ m, the electric field generated in the vicinity of the slit 15 between the two electrode bodies 111g1 is reduced. Since the electric field strength increases, the amount of liquid crystal molecules whose alignment state changes due to the electric field increases, and accordingly, the time required to change the alignment state of the liquid crystal molecules increases. Accordingly, it is considered that Comparative Examples 2 to 4 have various response times that are longer than those of Examples 4 to 7, and the response speed is reduced. This is apparent from the fact that the comparative example 4 having the largest width dimension S of the slit 15 has a longer response time than either of the comparative examples 2 and 3.
  • Comparative Examples 2 to 4 compared with Examples 4 to 7, the alignment state of the liquid crystal molecules can be appropriately changed by the electric field having a strong electric field strength in the vicinity of the slit 15, so that the appropriate alignment state It is thought that the polarization state of light can be appropriately controlled by the liquid crystal molecules thus formed, and the transmittance is thereby increased.
  • the comparative example 4 having the largest width dimension S of the slit 15 has a higher light transmittance than either of the comparative examples 2 and 3.
  • Examples 4 to 7 as shown in FIGS. 10 and 11, various response times are relatively short in comparison with Comparative Examples 2 to 4, whereas the light transmittance is in comparison with Comparative Examples 2 to 4. It is relatively low in comparison.
  • the total dimension (2L + S) of the width dimension L of the two electrode bodies 111g1 and the width dimension S of the slit 15 is in the range of 6.5 ⁇ m to 7.9 ⁇ m.
  • the width dimension S of the slit 15 is in the range of 0.5 ⁇ m to 0.7 ⁇ m. The difference is that it is smaller than the range of the same dimension S (1.5 ⁇ m to 1.9 ⁇ m).
  • the ratio (L / S) of the width dimension L of the electrode body 111g1 to the width dimension S of the slit 15 is in the range of 4.14 to 6.60. 4 is also different in that the same ratio (L / S) of 4 is larger than the range of 1.42 to 1.87.
  • the width dimension of the slit 15 interposed between the two electrode bodies 111g1 is 0.7 ⁇ m or less, and the electric field generated in the vicinity of the slit 15 between the two electrode bodies 111g1. Since the strength is weakened, the amount of liquid crystal molecules whose alignment state changes due to the electric field is reduced, and accordingly, the time required to change the alignment state of the liquid crystal molecules is shortened.
  • Examples 4 to 7 have various response times shorter than those of Comparative Examples 2 to 4, and particularly “G-Gmax” is at least 64.8% or less, and the response speed is improved. It is thought that there is. This is also clear from the fact that Example 4 with the smallest width dimension S of the slit 15 has various response times shorter than those of Examples 5-7. More specifically, in Examples 4, 5 and 7, the above-mentioned dimension (2L + S) is in the range of 6.8 ⁇ m to 7.9 ⁇ m, so that “G-Gmax” is at least 59.0% or less. In comparison with Example 6, “G-Gmax” is improved by about 5.8%.
  • the above-described dimension (2L + S) is in the range of 6.8 ⁇ m to 7.1 ⁇ m, and the above-described dimension S is in the range of 0.5 ⁇ m to 0.6 ⁇ m.
  • the light transmittance is 98.2% or more, which is improved by about 5.9% in comparison with Example 6, and improved by about 6.9% in comparison with Example 7.
  • Example 4 has the highest light transmittance and the shortest response time, so that both light transmittance and response speed can be achieved. It can be said that it is most suitable.
  • the pixel electrode 111g includes two electrode main bodies 111g1 having a longitudinal shape and having the slit 15 interposed therebetween, and the pixel electrode 111g includes:
  • the width dimension of the electrode body 111g1 is L
  • the width dimension of the slit 15 is S
  • the electric field strength becomes weaker as the width of the electrode body 111g1 becomes narrower, and the width of the electrode body 111g1 becomes smaller. The electric field strength tends to increase as the width increases.
  • the light transmittance may be reduced.
  • the number of electrode bodies 111g1 in the pixel electrode 111g is two and the slits 15 are interposed between the electrode bodies 111g1
  • the two electrode bodies Since the electric field strength of the electric field generated in the vicinity of the slit 15 between 111g1 becomes strong, the amount of liquid crystal molecules whose alignment state changes due to the electric field increases, and the time required to change the alignment state of the liquid crystal molecules due to this increases. As a result, the problem arises that the response speed decreases.
  • a plurality of pixel electrodes 111g are arranged along the width direction so as to be spaced apart from each other, and when the spacing is C, the pixel electrode 111g is formed so as to satisfy the following formula (17).
  • nL + (n ⁇ 1) S + C is 9.9 ⁇ m or less, the distance C between the adjacent pixel electrodes 111g in the width direction is smaller than 5 ⁇ m, so that the electric field generated in each of the adjacent pixel electrodes 111g Interference is likely to occur, and the alignment state of the liquid crystal molecules may not be properly controlled.
  • nL + (n ⁇ 1) S + C exceeds 18.3 ⁇ m, there is a problem that the definition of the liquid crystal panel decreases.
  • the interval C between the adjacent pixel electrodes 111g in the width direction should be 5 ⁇ m or more.
  • the electric field generated in each of the adjacent pixel electrodes 111g hardly interferes, and the alignment state of the liquid crystal molecules can be appropriately controlled.
  • “nL + (n ⁇ 1) S + C” is 18.3 ⁇ m or less, the definition of the liquid crystal panel is sufficiently high, and the distance C between adjacent pixel electrodes 111g in the width direction is set. Since about 10 ⁇ m can be secured, the alignment state of the liquid crystal molecules can be controlled more appropriately.
  • the pixel electrode 111g is formed so that L and S satisfy the following expressions (18) and (19).
  • “2L + S” related to the pixel electrode 111g having two electrode bodies 111g1 is set to 6.5 ⁇ m or more and 7.9 ⁇ m or less, and the slit 15
  • the width dimension S is set to 0.5 ⁇ m or more and 0.7 ⁇ m or less
  • the relative halftone response time of (100%) is at least 64.8% or less
  • the light transmittance when the width L of the pixel electrode 11g having one electrode body 11g1 is 4.9 ⁇ m.
  • the relative transmittance with respect to (100%) is secured at least 91.3% or more.
  • the pixel electrode 111g is formed so that L and S satisfy the following formula (20).
  • the pixel electrode 111g is formed so that L and S satisfy the following expressions (21) and (22).
  • the relative transmittance is improved by 5% or more compared with the case where the width dimension S is 0.7 ⁇ m, “2L + S” relating to the pixel electrode 111 g is 7.9 ⁇ m, and the width dimension S of the slit 15 is 0.7 ⁇ m. Compared to the case, the relative transmittance is improved by 6% or more.
  • “2L + S” related to the pixel electrode 111g having two electrode bodies 111g1 is set to 6.8 ⁇ m or more and 7.1 ⁇ m or less, and the width dimension S of the slit 15 is 0.5 ⁇ m or more and 0.6 ⁇ m. If the relative halftone response time is 59.0% or less, “2L + S” relating to the pixel electrode 111g is 6.5 ⁇ m, and the width dimension S of the slit 15 is 0.7 ⁇ m. In comparison, the relative halftone response time is improved by 5% or more.
  • the width L of the electrode body and the interval C between adjacent pixel electrodes are added.
  • the combined dimension (L + C) is 16.6 ⁇ m or the like is shown, other than the above numerical values (for example, a range larger than 9.9 ⁇ m and smaller than 16.6 ⁇ m, larger than 16.6 ⁇ m and 18.
  • the dimension (2L + S) obtained by adding the width dimension L of the two electrode bodies and the width dimension S of the slit is 6.
  • the case of 5 ⁇ m, 6.8 ⁇ m, 7.1 ⁇ m, and 7.9 ⁇ m is exemplified, but the specific value of the above-mentioned dimension (2L + S) is in a range that is larger than 4.9 ⁇ m and equal to or smaller than 7.9 ⁇ m.
  • the typical width dimension S is smaller than 0.7 ⁇ m, other than the above-mentioned numerical values (for example, numerical values smaller than 0.5 ⁇ m, ranges larger than 0.5 ⁇ m and smaller than 0.6 ⁇ m, larger than 0.6 ⁇ m) Moreover, it can be appropriately changed to a range smaller than 0.7 ⁇ m.
  • the liquid crystal display device having a configuration in which an image displayed on the liquid crystal panel is not enlarged using a lens or the like (non-enlarging display type) is illustrated, but the image is displayed on the liquid crystal panel.
  • the present invention is also applicable to a device that displays an enlarged image using a lens or the like.
  • An example of such a device is a head-mounted display, but the present invention can also be applied to projectors, head-up displays, and the like.
  • the image displayed on the liquid crystal panel is enlarged and displayed, there is a tendency that higher definition is required as compared with non-enlarged display type devices. Is preferred.
  • SYMBOLS 11 Liquid crystal panel, 11a ... CF board

Abstract

一対の基板11a,11bと、一対の基板11a,11b間に挟持されてネガ型の液晶材料からなる液晶層11cと、一対の基板11a,11bのうちのアレイ基板11bにおける液晶層11c側に設けられる共通電極11hと、アレイ基板11bにおいて共通電極11hと絶縁層11pを介して対向する形で設けられる画素電極11gと、画素電極11gを構成し長手状をなす1本または2本の電極本体11g1であって、2本とされる場合には間にスリット15が介在する電極本体11g1と、を備え、画素電極11gは、電極本体11g1の幅寸法をLとし、電極本体11g1の数をn(但し、n=1,2)とし、スリット15の幅寸法をSとしたとき、式(1),(2)を満たすよう形成されている。

Description

液晶パネル
 本発明は、液晶パネルに関する。
 従来、液晶表示装置を構成する主要部品である液晶パネルの一例として下記特許文献1に記載されたものが知られている。この液晶パネルは、画素領域に区分された第1の領域と第2の領域を有し、各領域は第1と第2の電極により囲まれて領域が形成され、第1と第2の電極はそれぞれ長い第1の電極部分と短い第2の電極部分とを有し、第1の電極部分と第2の電極部分は鈍角となる関係を有して接続され、第1の電極と第2の電極部分は各領域内で互いに最も遠い辺になるように配置されていて、鈍角が第1の領域と第2の領域で異なる側に形成されている。
特開2004-271971号公報
(発明が解決しようとする課題)
 ところで、液晶パネルに用いられる液晶材料には、ポジ型のものと、ネガ型のものと、が存在することが知られている。このうち、ポジ型の液晶材料は、現在のところ広く利用されており、応答速度の観点では優れるものの、透過率が十分ではないという問題があった。一方、ネガ型の液晶材料は、ポジ型の液晶材料に比べると、透過率に優れるという特性を有することから近年では採用が検討されているものの、十分な応答速度が得られないという問題があった。
 本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、ネガ型の液晶材料を用いつつ応答速度を改善することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
 本発明の液晶パネルは、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持されてネガ型の液晶材料からなる液晶層と、前記一対の基板のうちの一方の基板における前記液晶層側に設けられる共通電極と、前記一方の基板において前記共通電極と絶縁層を介して対向する形で設けられる画素電極と、前記画素電極を構成し長手状をなす1本または2本の電極本体であって、2本とされる場合には間にスリットが介在する電極本体と、を備え、前記画素電極は、前記電極本体の幅寸法をLとし、前記電極本体の数をn(但し、n=1,2)とし、前記スリットの幅寸法をSとしたとき、下記の式(1),(2)を満たすよう形成されている。
 4.9μm<nL+(n-1)S≦7.9μm   (1)
 (n-1)S≦0.7μm   (2)
 このような構成によれば、一方の基板において共通電極と絶縁層を介して対向する形で設けられる画素電極に電圧が印加されると、画素電極と共通電極との間に電界が発生する。液晶層を構成するネガ型の液晶材料の液晶分子は、長手状をなしており、電圧印加に伴ってその長軸方向が上記した電界の方向に対して垂直をなす形で配向する。ここで、画素電極と共通電極との間に発生する電界には、一対の基板の板面に対して垂直な縦電界と、同板面に対して水平な横電界と、が含まれている。ネガ型の液晶材料の液晶分子は、電圧印加に伴って長軸方向がこれら縦電界及び横電界の各方向に対して垂直をなす形で配向するので、いずれにしても長軸方向が一対の基板の板面に対して並行することになる。従って、ネガ型の液晶材料は、電圧印加に伴って液晶分子の長軸方向が電界の方向に並行するポジ型の液晶材料に比べると、電圧印加時において液晶分子の配向が均質化され、それにより高い透過率が得られる。なお、ネガ型の液晶材料とは、負の誘電率異方性を有するものであり、ポジ型の液晶材料とは、正の誘電率異方性を有するものである。
 ところで、上記した「nL+(n-1)S」が4.9μm以下とされる画素電極では、応答速度が十分に得られなくなるおそれがある。その理由について説明すると、まず、電圧印加に伴って電極本体の幅方向についての中央付近に発生する電界を考えると、電極本体の幅が狭くなるほど電界強度が弱くなり、電極本体の幅が広くなるほど電界強度が強くなる傾向にある。「nL+(n-1)S」が4.9μm以下とされる画素電極に関しては、幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が強くなっているため、その電界によって配向状態が変化する液晶分子の量が多くなり、それに起因して液晶分子の配向状態を変化させるのに要する時間が長くなり、もって応答速度が低下する問題が生じる。一方、「nL+(n-1)S」が7.9μmを超える画素電極では、電極本体の幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が弱くなり過ぎてしまい、電界によって配向状態が制御される液晶分子の量が少なくなるため、光の透過率が低下するおそれがある。また、画素電極における電極本体の数が2本とされて電極本体の間にスリットが介在する構成では、スリットの幅寸法Sが0.7μmを超えると、2本の電極本体間のスリット付近に発生する電界の電界強度が強くなるため、その電界によって配向状態が変化する液晶分子の量が多くなり、それに起因して液晶分子の配向状態を変化させるのに要する時間が長くなり、もって応答速度が低下する問題が生じる。
 その点、上記した式(1)のように、画素電極に係る「nL+(n-1)S」が4.9μmを超える構成を採れば、上記のように4.9μm以下の場合に比べると、幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が相対的に弱くなることから、電界によって配向状態が変化する液晶分子の量が相対的に少なくなる。これにより、液晶分子の配向状態を変化させるのに要する時間が相対的に短くなり、もって応答速度が十分に高いものとなる。その上で、上記した式(1)のように、画素電極に係る「nL+(n-1)S」が7.9μm以下となる構成を採れば、電極本体の幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が弱くなり過ぎることが避けられるので、電界によって配向状態が制御される液晶分子の量が十分に確保される。これにより、光の透過率が十分に高く保たれる。さらには、上記した式(2)のように、画素電極におけるスリットの幅寸法Sが0.7μm以下とされることで、2本の電極本体間のスリット付近に発生する電界の電界強度が相対的に弱くなることから、電界によって配向状態が変化する液晶分子の量が相対的に少なくなる。これにより、液晶分子の配向状態を変化させるのに要する時間が相対的に短くなり、もって応答速度が十分に高いものとなる。以上のように、電極本体の数が1本または2本とされるほどに高精細化された液晶パネルにおいて、光の透過率と応答速度との両立を図ることができる。
 本発明の実施態様として、次の構成が好ましい。
(1)前記画素電極は、その幅方向に沿って複数が間隔を空けて並んで配され、前記間隔をCとしたとき、下記の式(3)を満たすよう形成されている。
 9.9μm<nL+(n-1)S+C≦18.3μm   (3)
 仮に「nL+(n-1)S+C」が9.9μm以下になると、幅方向について隣り合う画素電極間の間隔Cが5μmよりも小さくなるため、隣り合う画素電極のそれぞれに発生する電界が干渉し易くなり、液晶分子の配向状態を適切に制御できなくなるおそれがある。一方、仮に「nL+(n-1)S+C」が18.3μmを超えると、液晶パネルの精細度が低下する問題が生じる。その点、上記した式(3)のように、「nL+(n-1)S+C」が9.9μmを超えていれば、幅方向について隣り合う画素電極間の間隔Cを5μm以上確保することができるので、隣り合う画素電極のそれぞれに発生する電界が干渉し難くなり、液晶分子の配向状態を適切に制御することが可能となる。その上で、上記した式(3)のように、「nL+(n-1)S+C」が18.3μm以下とされていれば、液晶パネルの精細度が十分に高いものとなるとともに、幅方向について隣り合う画素電極間の間隔Cを10μm程度確保することができるので、液晶分子の配向状態をより適切に制御することが可能となる。
(2)前記画素電極は、前記nが1の場合、前記Lが下記の式(4)を満たすよう形成されている。
 6.2μm≦L≦7.0μm   (4)
 上記した式(4)のように、電極本体が1本とされる画素電極の幅寸法Lが6.2μm以上で且つ7.0μm以下とされることで、電極本体が1本とされる画素電極の幅寸法Lを4.9μmとしたときの中間調応答時間を基準(100%)とした相対中間調応答時間が少なくとも55.2%以下になるとともに、電極本体が1本とされる画素電極の幅寸法Lを4.9μmとしたときの光の透過率を基準(100%)とした相対透過率が少なくとも77.9%以上確保される。
(3)前記画素電極は、前記Lが下記の式(5)を満たすよう形成されている。
 6.2μm≦L≦6.7μm   (5)
 仮に電極本体が1本とされる画素電極の幅寸法Lが7.0μmとされる場合には、上記した相対透過率が77.9%とされる。その点、上記した式(5)のように、電極本体が1本とされる画素電極の幅寸法Lが6.2μm以上で且つ6.7μm以下とされていれば、上記した相対透過率が82.2%以上となり、画素電極の幅寸法Lを7.0μmとした場合との比較で相対透過率が4%以上改善される。
(4)前記画素電極は、前記Lが6.2μmとなるよう形成されている。
 仮に電極本体が1本とされる画素電極の幅寸法Lが6.7μmとされる場合には、上記した相対透過率が82.2%とされる。その点、電極本体が1本とされる画素電極の幅寸法Lが6.2μmとされていれば、上記した相対透過率が90.6%程度となり、画素電極の幅寸法Lを6.7μmとした場合との比較で相対透過率が8%以上改善される。
(5)前記画素電極は、前記nが2の場合、前記L及び前記Sが下記の式(6),(7)を満たすよう形成されている。
 6.5μm≦2L+S≦7.9μm   (6)
 0.5μm≦S≦0.7μm   (7)
 上記した式(6),(7)のように、電極本体が2本とされる画素電極に係る「2L+S」が6.5μm以上で且つ7.9μm以下とされるとともに、スリットの幅寸法Sが0.5μm以上で且つ0.7μm以下とされることで、電極本体が1本とされる画素電極の幅寸法Lを4.9μmとしたときの中間調応答時間を基準(100%)とした相対中間調応答時間が少なくとも64.8%以下になるとともに、電極本体が1本とされる画素電極の幅寸法Lを4.9μmとしたときの光の透過率を基準(100%)とした相対透過率が少なくとも91.3%以上確保される。
(6)前記画素電極は、前記L及び前記Sが下記の式(8)を満たすよう形成されている。
 6.8μm≦2L+S≦7.9μm   (8)
 仮に電極本体が2本とされる画素電極に係る「2L+S」が6.5μmとされるとともにスリットの幅寸法Sが0.7μmとされる場合には、上記した相対中間調応答時間が64.8%程度となる。これに対し、上記した式(8)のように、電極本体が2本とされる画素電極に係る「2L+S」が6.8μm以上で且つ7.9μm以下とされていれば、上記した相対中間調応答時間が59.0%以下となり、画素電極に係る「2L+S」を6.5μmとしスリットの幅寸法Sを0.7μmとした場合との比較で相対中間調応答時間が5%以上改善される。
(7)前記画素電極は、前記L及び前記Sが下記の式(9),(10)を満たすよう形成されている。
 6.8μm≦2L+S≦7.1μm   (9)
 0.5μm≦S≦0.6μm   (10)
 仮に電極本体が2本とされる画素電極に係る「2L+S」が6.5μmとされるとともにスリットの幅寸法Sが0.7μmとされる場合には、上記した相対透過率が92.3%となり、画素電極に係る「2L+S」が7.9μmとされるとともにスリットの幅寸法Sが0.7μmとされる場合には、上記した相対透過率が91.3%とされる。その点、上記した式(9),(10)のように、電極本体が2本とされる画素電極に係る「2L+S」が6.8μm以上で且つ7.1μm以下とされるとともにスリットの幅寸法Sが0.5μm以上で且つ0.6μm以下とされていれば、上記した相対透過率が98.2%以上となり、画素電極に係る「2L+S」を6.5μmとしスリットの幅寸法Sを0.7μmとした場合との比較で相対透過率が5%以上改善され、画素電極に係る「2L+S」を7.9μmとしスリットの幅寸法Sを0.7μmとした場合との比較で相対透過率が6%以上改善される。また、電極本体が2本とされる画素電極に係る「2L+S」が6.8μm以上で且つ7.1μm以下とされるとともにスリットの幅寸法Sが0.5μm以上で且つ0.6μm以下とされていれば、上記した相対中間調応答時間が59.0%以下となり、画素電極に係る「2L+S」を6.5μmとしスリットの幅寸法Sを0.7μmとした場合との比較で相対中間調応答時間が5%以上改善される。
(発明の効果)
 本発明によれば、ネガ型の液晶材料を用いつつ応答速度を改善することができる。
本発明の実施形態1に係る液晶パネルとフレキシブル基板との接続構成を示す概略平面図 液晶パネルの表示領域における断面構成を示す概略断面図 液晶パネルを構成するアレイ基板の表示領域における画素電極などの平面構成を概略的に示す平面図 比較実験1に係る比較例1の画素電極などの平面構成を概略的に示す平面図 比較実験1に係る各種応答時間に関する実験結果を示す表 比較実験1に係る光の透過率に関する実験結果を示す表 比較実験2に係る実施例1の第1端位置X1から中央位置Mを通って第2端位置X2に至るまでの電界に係る等電位線及び光の透過率の分布を示すグラフ 比較実験2に係る比較例1の第1端位置X3から中央位置Mを通って第2端位置X4に至るまでの電界に係る等電位線及び光の透過率の分布を示すグラフ 本発明の実施形態2に係る液晶パネルを構成するアレイ基板の表示領域における画素電極などの平面構成を概略的に示す平面図 比較実験3に係る各種応答時間に関する実験結果を示す表 比較実験3に係る光の透過率に関する実験結果を示す表
 <実施形態1>
 本発明の実施形態1を図1から図8によって説明する。本実施形態では、液晶表示装置10に備わる液晶パネル(表示パネル)11について例示する。なお、各図面の一部にはX軸、Y軸及びZ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図2などの上側を表側とし、同図下側を裏側とする。
 液晶表示装置10は、図1に示すように、画像を表示可能な液晶パネル11と、液晶パネル11を駆動するドライバ(パネル駆動部)12と、ドライバ12に対して各種入力信号を外部から供給する制御回路基板(外部の信号供給源)13と、液晶パネル11と外部の制御回路基板13とを電気的に接続するフレキシブル基板(外部接続部品)14と、液晶パネル11に対して裏側に配されて液晶パネル11に表示のための光を照射する外部光源であるバックライト装置(図示せず)と、を少なくとも備えている。
 液晶パネル11は、図1に示すように、全体として縦長な方形状(矩形状)をなしており、その板面が、画像を表示可能で且つ中央側に配される表示領域(アクティブエリア)AAと、表示領域AAを取り囲む形で外周側に配されて平面に視て枠状(額縁状)をなす非表示領域(ノンアクティブエリア)NAAと、に区分されている。この液晶パネル11における短辺方向が各図面のX軸方向と一致し、長辺方向が各図面のY軸方向と一致し、さらには板厚方向がZ軸方向と一致している。なお、図1では、一点鎖線が表示領域AAの外形を表しており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示領域NAAとなっている。
 液晶パネル11は、図2に示すように、一対の基板11a,11bと、両基板11a,11b間に挟持されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層(内部空間)11cと、を少なくとも有している。液晶層11cは、負の誘電率異方性を有するネガ型の液晶材料からなり、その周りが図示しないシール材によって取り囲まれることで一対の基板11a,11b間に封止されている。一対の基板11a,11bのうち表側(正面側)がCF基板(基板、対向基板)11aとされ、裏側(背面側)がアレイ基板(一方の基板、アクティブマトリクス基板)11bとされる。CF基板11a及びアレイ基板11bは、いずれもガラス基板GSの内面側に各種の膜が積層形成されてなるものとされる。なお、両基板11a,11bの外面側には、それぞれ偏光板11d,11eが貼り付けられている。
 アレイ基板11bの内面側(液晶層11c側、CF基板11aとの対向面側)における表示領域AAには、図2及び図3に示すように、スイッチング素子であるTFT(Thin Film Transistor:表示素子)11f及び画素電極11gが多数個マトリクス状(行列状)に並んで設けられるとともに、これらTFT11f及び画素電極11gの周りには、格子状をなすゲート配線(走査線)11i及びソース配線(データ線、信号線)11jが取り囲むようにして配設されている。ゲート配線11iとソース配線11jとがそれぞれTFT11fのゲート電極とソース電極とに接続され、画素電極11gがTFT11fのドレイン電極に接続されている。そして、TFT11fは、ゲート配線11i及びソース配線11jにそれぞれ供給される各種信号に基づいて駆動され、その駆動に伴って画素電極11gへの電位の供給が制御されるようになっている。画素電極11gは、図3に示すように、ゲート配線11i及びソース配線11jにより囲まれた縦長の方形の領域に配されており、全体としてY軸方向を長さ方向とし、X軸方向を幅方向とした長手状をなしている。画素電極11gは、概ねY軸方向に沿って延在する1本の電極本体11g1と、電極本体11g1における長さ方向の両端部に連ねられて電極本体11g1よりも拡幅された一対の拡幅部11g2と、から構成される。詳しくは、電極本体11g1は、Y軸方向に対してやや傾斜状をなしており、その長さ方向についての両端部が、長さ方向についての中央側部分に比べるとY軸方向に対してなす傾斜角度が大きくなっている。本実施形態に係る液晶パネル11は、電極本体11g1の本数が1とされた画素電極11gを備えていることから、電極本体の本数が複数とされて隣り合う電極本体の間にスリットが介在する構成の画素電極を備えるものとの比較において、表示画素の配列間隔が狭い構成を採る上で、つまり高精細化を図る上でより好適となっている。なお、図3では、TFT11fの図示を省略している。
 アレイ基板11bの表示領域AAの内面側には、図2に示すように、絶縁層11pを介して対向(重畳)する形で共通電極11hが設けられている。共通電極11hは、画素電極11gに対して下層側に積層された絶縁層11pのさらに下層側に積層される形で概ねベタ状のパターンとして設けられている。共通電極11hには、常にほぼ一定の共通電位(基準電位)が供給されている。また、画素電極11g及び共通電極11hは、共に透明電極材料(例えばITO、IZO、ZnOなど)からなり、光を透過するものとされる。そして、TFT11fによって画素電極11gが充電されるのに伴って、絶縁層11pを介して互いに対向する画素電極11gと共通電極11hとの間に電界(電位差)が生じると、その電界に基づいて液晶層11cを構成する液晶材料の液晶分子に係る配向状態が制御される。この液晶分子の配向状態に応じて液晶層11cの透過光量が制御されるようになっている。本実施形態に係る液晶パネル11では、画素電極11gと共通電極11hとの間に、アレイ基板11bの板面に沿う横電界に加えて、アレイ基板11bの板面に対する法線方向に沿う縦電界を含むフリンジ電界(斜め電界)が生じるようになっている。つまり、本実施形態に係る液晶パネル11は、動作モードがFFS(Fringe Field Switching)モードとされている。より詳しくは、液晶層11cを構成する液晶材料はネガ型であることから、長手状をなす液晶分子は、その長軸方向が上記した電界の方向に対して垂直をなす形で配向する。ここで、画素電極11gと共通電極11hとの間に発生する電界には、一対の基板11a,11bの板面に対して垂直な縦電界(垂直電界)と、同板面に対して水平な横電界(水平電界)と、が含まれている。ネガ型の液晶材料の液晶分子は、画素電極11gの電圧印加に伴ってその長軸方向がこれら縦電界及び横電界の各方向に対して垂直をなす形で配向するので、いずれにしても長軸方向が一対の基板11a,11bの板面に対して並行することになる。従って、ネガ型の液晶材料は、画素電極11gの電圧印加に伴って液晶分子の長軸方向が電界の方向に並行するポジ型の液晶材料に比べると、画素電極11gの電圧印加時において液晶分子の配向が均質化され、それにより高い透過率が得られる。なお、ポジ型の液晶材料とは、正の誘電率異方性を有するものである。また、本実施形態では、各図面においてゲート配線11iの延在方向がX軸方向と、ソース配線11jの延在方向がY軸方向と、それぞれ一致している。
 一方、CF基板11aのうちの表示領域AAの内面側(液晶層11c側、アレイ基板11bとの対向面側)には、図2に示すように、アレイ基板11b側の各画素電極11gと対向状をなす位置に多数個のカラーフィルタ11kがマトリクス状に並んで設けられている。カラーフィルタ11kは、R(赤色),G(緑色),B(青色)の三色の着色膜が所定の順で繰り返し並んで配されてなる。各カラーフィルタ11k間には、混色を防ぐための格子状の遮光膜(ブラックマトリクス)11lが形成されている。遮光膜11lは、図3に示すように、少なくとも上記したゲート配線11i及びソース配線11jと平面に視て重畳する配置とされる。なお、図3では、遮光膜11lの形成範囲を網掛け状にして図示している。カラーフィルタ11k及び遮光膜11lの表面には、図2に示すように、オーバーコート膜11mが設けられている。また、オーバーコート膜11mの表面には、図示しないフォトスペーサが設けられている。なお、当該液晶パネル11においては、カラーフィルタ11kにおけるR,G,Bの3色の着色膜及びそれらと対向する3つの画素電極11gの組によって表示単位である1つの表示画素が構成されている。表示画素は、Rのカラーフィルタ11kを有する赤色画素と、Gのカラーフィルタ11kを有する緑色画素と、Bのカラーフィルタ11kを有する青色画素と、からなる。これら各色の表示画素は、液晶パネル11の板面において行方向(X軸方向)に沿って繰り返し並べて配されることで、表示画素群を構成しており、この表示画素群が列方向(Y軸方向)に沿って多数並んで配されている。
 両基板11a,11bのうち最も内側(液晶層11cの近く)にあって液晶層11cに接する層としては、図2に示すように、液晶層11cに含まれる液晶材料を構成する液晶分子を配向させるための配向膜11n,11oがそれぞれ形成されている。両配向膜11n,11oは、それぞれ例えばポリイミドからなるものとされ、各基板11a,11bにおいて概ねベタ状に形成されている。なお、液晶パネル11は、画素電極11gに電圧を印加していない状態において、光の透過率が最小となって黒表示されるノーマリブラックモードとされている。
 さて、本実施形態に係る液晶パネル11に備わる画素電極11gは、図3に示すように、1本の電極本体11g1を有していてその電極本体11g1の幅寸法Lが少なくとも4.9μmよりも大きく且つ7.9μm以下の範囲となっている。具体的には、画素電極11gは、電極本体11g1の幅寸法Lが6.2μm程度とされる。画素電極11gの幅方向(X軸方向)について隣り合う画素電極11gの電極本体11g1間の間隔Cは、10.4μm程度とされる。従って、電極本体11g1の幅寸法Lと、隣り合う画素電極11gの電極本体11g1間の間隔Cと、を足し合わせた値(L+C)、つまり表示画素の幅寸法は、16.6μm程度、つまり9.9μmよりも大きく且つ18.3μm以下の範囲とされる。このように、幅方向(X軸方向)について隣り合う画素電極11gの電極本体11g1間の間隔Cが10μm以上確保されているので、隣り合う画素電極11gのそれぞれに発生する電界が干渉し難くなる。従って、隣り合う画素電極11g毎に液晶分子の配向状態を適切に制御することができ、それにより互いに隣り合って異なる色を呈する表示画素間に混色が生じ難くなる。
 ここで、画素電極11gを構成する電極本体11g1における幅寸法Lを変化させるのに伴い、画素電極11gに電圧が印加されてから液晶層11cにおける液晶分子の配向状態の変化が完了するまでの時間である各種応答時間(応答速度)及び光の透過率がどのように変化するかに関して知見を得るため、以下の比較実験1を行った。比較実験1では、電極本体11g1が1本とされる構成の画素電極11gを前提とし、その電極本体11g1の幅寸法Lを4.9μm、6.2μm、6.7μm、7.0μmとしたものをそれぞれ比較例1、実施例1、実施例2、実施例3としている。図3は、実施例1に係る画素電極11gの平面図である。また、図4は、比較例1に係る画素電極11gの平面図であり、その電極本体11g1が図3に示される画素電極11gの電極本体11g1よりも幅狭となっている。なお、比較例1及び実施例1~3に係る液晶パネル11において、表示画素の幅寸法が一定とされているので、X軸方向について隣り合う画素電極11gの電極本体11g1間の間隔Cは、電極本体11g1の幅寸法Lが小さくなるほど大きくなり、逆に電極本体11g1の幅寸法Lが大きくなるほど小さくなる。そして、これら比較例1及び実施例1~3に係る画素電極11gを備えた液晶パネル11を用い、各種応答時間及び光の透過率を測定し、その結果を図5及び図6に示される表に示す。図5には、比較例1を基準(100%)とした各種応答時間の相対値(単位は「%」)が示されている。詳しくは、図5に示される「τr」は、最小階調表示(黒表示)から最大階調表示(白表示)に至るまでの立ち上がり応答時間の相対値(相対立ち上がり応答時間)であり、「τd」は、最大階調表示から最小階調表示に至るまでの立ち下がり応答時間の相対値(相対立ち下がり応答時間)であり、「τr+d」は、上記した「τr」と「τd」とを足し合わせた応答時間(最大階調表示から最小階調表示を経て最大階調表示に戻るまでの応答時間)の相対値(相対応答時間)であり、「G-Gmax」は、中間調応答時間の相対値(相対中間調応答時間)である。このうちの中間調応答時間は、最大階調値、最小階調値及び複数の中間階調値にてそれぞれ表示を行うとともに各階調値での表示に係る応答時間をそれぞれ測定したうちの最大となる応答時間である。この中間調応答時間は、液晶パネル11の動画表示性能を評価する上で最も重要な指標であると言える。なお、各種応答時間の測定は、25℃の環境温度にて行っている。図6には、比較例1を基準(100%)とした光の透過率の相対値(相対透過率、単位は「%」)が示されている。この透過率は、最大階調表示を行ったときの透過光量を測定することで得られている。
 比較実験1の実験結果について説明する。まず、比較例1は、図5及び図6に示すように、各種応答時間が実施例1~3との比較において相対的に長いのに対し、光の透過率が実施例1~3との比較において相対的に高くなっている。先に応答時間について説明すると、液晶層11cに含まれる液晶分子の配向状態は、電圧印加に伴って電極本体11g1の周りに生じる電界によって変化させられていることから、この電界の強度分布が応答時間に密接に関連している。詳しくは、電極本体11g1の周りに生じる電界は、電極本体11g1の幅方向についての両端付近で電界強度が最も強くなり、電極本体11g1の幅方向についての中央位置付近で電界強度が最も弱くなる。ここで、電極本体11g1の幅方向についての中央位置付近に発生する電界を考えると、電極本体11g1の幅が狭くなるほど電界強度が弱くなり、電極本体11g1の幅が広くなるほど電界強度が強くなる傾向にあると言える。比較例1では、電極本体11g1の幅寸法Lが4.9μm以下とされるため、幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が実施例1~3に比べると強くなっている。このため、上記電界によって配向状態が変化する液晶分子の量が実施例1~3に比べると多くなり、それに起因して液晶分子の配向状態を変化させるのに要する時間が長くなる。従って、比較例1は、実施例1~3との比較において、各種応答時間が長くなり、応答速度が低下していると考えられる。その一方で、比較例1は、実施例1~3との比較において、電極本体11g1の幅方向についての中央位置付近において強い電界強度の電界によって液晶分子の配向状態を適切に変化させることができることから、適切な配向状態となった液晶分子によって光の偏光状態を適切に制御することができ、それにより透過率が最も高くなっていると考えられる。
 実施例1~3は、図5及び図6に示すように、各種応答時間が比較例1との比較において相対的に短いのに対し、光の透過率が比較例1との比較において相対的に低くなっている。実施例1~3は、電極本体11g1の幅寸法Lが、比較例1よりも大きく、6.2μm以上で且つ7.0μm以下の範囲とされていることから、幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が比較例1に比べると弱くなっている。このため、上記電界によって配向状態が変化する液晶分子の量が比較例1に比べると少なくなり、それにより液晶分子の配向状態を変化させるのに要する時間が短くなる。従って、実施例1~3は、比較例1との比較において、各種応答時間が約45%短くなり、応答速度が向上していると考えられる。その反面、実施例1~3は、比較例1との比較において、電極本体11g1の幅方向についての中央位置付近において液晶分子の配向状態を制御するのが難しくなっている。このため、上記中央位置付近において液晶分子によって光の偏光状態を適切に制御するのが難しくなり、透過率が相対的に低くなっていると考えられる。そうであっても、実施例1~3によれば、透過率が少なくとも77.9%以上確保されており、比較例1との比較において2倍近い応答速度の改善を考慮すれば、十分な表示性能が得られている、と言える。
 実施例1~3を比べると、実施例1は、図5に示すように、「G-Gmax」(相対中間調応答時間)が最も長いものの、実施例2,3との差はごく僅かなものとなっている。そして、実施例1は、図6に示すように、光の透過率が90.6%と最も高く、実施例2との比較において8.4%改善されていることから、実施例1のように電極本体11g1の幅寸法Lを6.2μmとするのが、光の透過率と応答速度との両立を図る上で最も好適である、と言える。実施例2は、光の透過率が82.2%であり、実施例3との比較において4.3%改善されている。実施例3は、光の透過率が77.9%と最も低いものの、「G-Gmax」は最も短くなっており、応答速度を優先する場合には最も好適である、と言える。なお、電極本体11g1の幅寸法Lが実施例3の7.9μmを超えると、電極本体11g1の幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が弱くなり過ぎてしまい、電界によって配向状態が制御される液晶分子の量が少なくなるため、光の透過率が実施例3の77.9%よりも低くなり、十分な透過率が得られなくなるおそれがある。従って、電極本体11g1の幅寸法Lの上限値は、実施例3の7.9μmとするのが好ましい。また、上記した比較実験1の実験結果によれば、電極本体11g1の幅寸法Lを4.9μmよりも大きく且つ6.2μmよりも小さくした場合には、各種応答時間が実施例1よりは長いものの比較例1よりも短くなるとともに、光の透過率が比較例1よりは低いものの実施例1よりも高くなる傾向にある、と推考される。
 次に、上記した比較実験1にて説明した比較例1及び実施例1を用いて、画素電極11gの電極本体11g1付近に発生する電界及び光の透過率の具体的な分布を比較するために比較実験2を行った。比較実験2では、比較例1及び実施例1に係る画素電極11gの電極本体11g1における幅方向(X軸方向)についての位置に対応付けて電界及び光の透過率を測定し、これらの分布を得ている。より具体的には、実施例1に関しては、図3に示すように、画素電極11gの電極本体11g1における同図左端の第1端位置を「X1」とし、幅方向についての中央位置を「M」とし、同図右端の第2端位置を「X2」としており、測定された電界及び光の透過率のデータを、上記した各位置X1,M,X2に対応付けてグラフ化したものを図7に示している。同様に、比較例1に関しては、図4に示すように、画素電極11gの電極本体11g1における同図左端の第1端位置を「X3」とし、幅方向についての中央位置を「M」とし、同図右端の第2端位置を「X4」としており、測定された電界及び光の透過率のデータを、上記した各位置X3,M,X4に対応付けてグラフ化したものを図8に示している。図7及び図8では、横軸がX軸方向についての位置であり、縦軸がZ軸方向についての位置または光の透過率である。図7及び図8では、画素電極11gの電極本体11g1付近に発生する電界を等電位線によって表しており、各図の縦軸は等電位線のZ軸方向についての位置となっている。なお、図7及び図8において相対的に細い実線が等電位線を、相対的に太い実線が光の透過率を、それぞれ表している。
 比較実験2の実験結果について説明する。まず、比較例1は、図8に示すように、実施例1と比べると、電極本体11g1の中央位置M付近において等電位線の密度が相対的に高くなっている。等電位線の密度が高いということは、そこで発生する電界の電界強度が強いことを意味している。従って、比較例1では、電極本体11g1の中央位置M付近において相対的に強い電界強度の電界によって相対的に多くの液晶分子の配向状態が適切に制御されている、と考えられる。その結果、比較例1では、実施例1と比べると、電極本体11g1の中央位置M付近において光の透過率が相対的に高く維持されている。これに対し、実施例1は、図7に示すように、比較例1と比べると、電極本体11g1の中央位置M付近において等電位線の密度が相対的に低くなっており、電界の電界強度が相対的に弱くなっている。従って、実施例1では、比較例1と比べると、電極本体11g1の中央位置M付近において相対的に弱い電界強度の電界によって配向状態を制御できる液晶分子の量が相対的に少なくなっている、と考えられる。その結果、実施例1では、比較例1と比べると、電極本体11g1の中央位置M付近において光の透過率が相対的に低下している。
 以上説明したように本実施形態の液晶パネル11は、一対の基板11a,11bと、一対の基板11a,11b間に挟持されてネガ型の液晶材料からなる液晶層11cと、一対の基板11a,11bのうちのアレイ基板(一方の基板)11bにおける液晶層11c側に設けられる共通電極11hと、アレイ基板11bにおいて共通電極11hと絶縁層11pを介して対向する形で設けられる画素電極11gと、画素電極11gを構成し長手状をなす1本の電極本体11g1と、を備え、画素電極11gは、電極本体11g1の幅寸法をLとしたとき、下記の式(11)を満たすよう形成されている。
 4.9μm<L≦7.9μm   (11)
 このような構成によれば、アレイ基板11bにおいて共通電極11hと絶縁層11pを介して対向する形で設けられる画素電極11gに電圧が印加されると、画素電極11gと共通電極11hとの間に電界が発生する。液晶層11cを構成するネガ型の液晶材料の液晶分子は、長手状をなしており、電圧印加に伴ってその長軸方向が上記した電界の方向に対して垂直をなす形で配向する。ここで、画素電極11gと共通電極11hとの間に発生する電界には、一対の基板11a,11bの板面に対して垂直な縦電界と、同板面に対して水平な横電界と、が含まれている。ネガ型の液晶材料の液晶分子は、電圧印加に伴って長軸方向がこれら縦電界及び横電界の各方向に対して垂直をなす形で配向するので、いずれにしても長軸方向が一対の基板11a,11bの板面に対して並行することになる。従って、ネガ型の液晶材料は、電圧印加に伴って液晶分子の長軸方向が電界の方向に並行するポジ型の液晶材料に比べると、電圧印加時において液晶分子の配向が均質化され、それにより高い透過率が得られる。なお、ネガ型の液晶材料とは、負の誘電率異方性を有するものであり、ポジ型の液晶材料とは、正の誘電率異方性を有するものである。
 ところで、上記した「L」が4.9μm以下とされる画素電極11gでは、応答速度が十分に得られなくなるおそれがある。その理由について説明すると、まず、電圧印加に伴って電極本体11g1の幅方向についての中央付近に発生する電界を考えると、電極本体11g1の幅が狭くなるほど電界強度が弱くなり、電極本体11g1の幅が広くなるほど電界強度が強くなる傾向にある。「L」が4.9μm以下とされる画素電極11gに関しては、幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が強くなっているため、その電界によって配向状態が変化する液晶分子の量が多くなり、それに起因して液晶分子の配向状態を変化させるのに要する時間が長くなり、もって応答速度が低下する問題が生じる。一方、「L」が7.9μmを超える画素電極11gでは、電極本体11g1の幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が弱くなり過ぎてしまい、電界によって配向状態が制御される液晶分子の量が少なくなるため、光の透過率が低下するおそれがある。
 その点、上記した式(11)のように、画素電極11gに係る「L」が4.9μmを超える構成を採れば、上記のように4.9μm以下の場合に比べると、幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が相対的に弱くなることから、電界によって配向状態が変化する液晶分子の量が相対的に少なくなる。これにより、液晶分子の配向状態を変化させるのに要する時間が相対的に短くなり、もって応答速度が十分に高いものとなる。その上で、上記した式(11)のように、画素電極11gに係る「L」が7.9μm以下となる構成を採れば、電極本体11g1の幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が弱くなり過ぎることが避けられるので、電界によって配向状態が制御される液晶分子の量が十分に確保される。これにより、光の透過率が十分に高く保たれる。以上のように、電極本体11g1の数が1本とされるほどに高精細化された液晶パネル11において、光の透過率と応答速度との両立を図ることができる。
 また、画素電極11gは、その幅方向に沿って複数が間隔を空けて並んで配され、その間隔をCとしたとき、下記の式(12)を満たすよう形成されている。
 9.9μm<L+C≦18.3μm   (12)
 仮に「L+C」が9.9μm以下になると、幅方向について隣り合う画素電極11g間の間隔Cが5μmよりも小さくなるため、隣り合う画素電極11gのそれぞれに発生する電界が干渉し易くなり、液晶分子の配向状態を適切に制御できなくなるおそれがある。一方、仮に「L+C」が18.3μmを超えると、液晶パネル11の精細度が低下する問題が生じる。その点、上記した式(12)のように、「L+C」が9.9μmを超えていれば、幅方向について隣り合う画素電極11g間の間隔Cを5μm以上確保することができるので、隣り合う画素電極11gのそれぞれに発生する電界が干渉し難くなり、液晶分子の配向状態を適切に制御することが可能となる。その上で、上記した式(12)のように、「L+C」が18.3μm以下とされていれば、液晶パネル11の精細度が十分に高いものとなるとともに、幅方向について隣り合う画素電極11g間の間隔Cを10μm程度確保することができるので、液晶分子の配向状態をより適切に制御することが可能となる。
 また、画素電極11gは、nが1の場合、Lが下記の式(13)を満たすよう形成されている。
 6.2μm≦L≦7.0μm   (13)
 上記した式(13)のように、電極本体11g1が1本とされる画素電極11gの幅寸法Lが6.2μm以上で且つ7.0μm以下とされることで、電極本体11g1が1本とされる画素電極11gの幅寸法Lを4.9μmとしたときの中間調応答時間を基準(100%)とした相対中間調応答時間が少なくとも55.2%以下になるとともに、電極本体11g1が1本とされる画素電極11gの幅寸法Lを4.9μmとしたときの光の透過率を基準(100%)とした相対透過率が少なくとも77.9%以上確保される。
 また、画素電極11gは、Lが下記の式(14)を満たすよう形成されている。
 6.2μm≦L≦6.7μm   (14)
 仮に電極本体11g1が1本とされる画素電極11gの幅寸法Lが7.0μmとされる場合には、上記した相対透過率が77.9%とされる。その点、上記した式(14)のように、電極本体11g1が1本とされる画素電極11gの幅寸法Lが6.2μm以上で且つ6.7μm以下とされていれば、上記した相対透過率が82.2%以上となり、画素電極11gの幅寸法Lを7.0μmとした場合との比較で相対透過率が4%以上改善される。
 また、画素電極11gは、Lが6.2μmとなるよう形成されている。
 仮に電極本体11g1が1本とされる画素電極11gの幅寸法Lが6.7μmとされる場合には、上記した相対透過率が82.2%とされる。その点、電極本体11g1が1本とされる画素電極11gの幅寸法Lが6.2μmとされていれば、上記した相対透過率が90.6%程度となり、画素電極11gの幅寸法Lを6.7μmとした場合との比較で相対透過率が8%以上改善される。
 <実施形態2>
 本発明の実施形態2を図9から図11によって説明する。この実施形態2では、画素電極111gの構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
 本実施形態に係る画素電極111gは、図9に示すように、概ねY軸方向に沿って延在する2本の電極本体111g1と、これら2本の電極本体111g1における長さ方向の両端部に連ねられた一対の拡幅部111g2と、から構成されるとともに、2本の電極本体111g1の間に介在する1本のスリット15を有している。詳しくは、2本の電極本体111g1は、互いに並行する形でY軸方向に対してやや傾斜状をなしつつ延在しており、その間に介在するスリット15も各電極本体111g1に並行する形で延在している。
 そして、この画素電極111gは、図9に示すように、2本の電極本体111g1のそれぞれの幅寸法Lと、スリット15の幅寸法Sと、を足し合わせた寸法(2L+S)が少なくとも4.9μmよりも大きく且つ7.9μm以下の範囲になるとともに、スリット15の幅寸法Sが少なくとも0.7μm以下になるよう形成されている。好ましくは、画素電極111gは、上記した寸法(2L+S)が6.5μmよりも大きく且つ7.9μm以下の範囲になるとともに、スリット15の幅寸法Sが0.5μm以上で且つ0.7μm以下になるよう形成されている。具体的には、画素電極111gは、電極本体111g1の幅寸法Lが3.3μm程度とされ、スリット15の幅寸法Sが0.5μm程度とされている。つまり、画素電極111gは、2本の電極本体111g1のそれぞれの幅寸法Lと、スリット15の幅寸法Sと、を足し合わせた寸法(2L+S)が7.1μm程度とされている。画素電極111gの幅方向(X軸方向)について隣り合う画素電極111gの電極本体111g1間の間隔Cは、上記した実施形態1と同様に、10.4μm程度とされる。従って、2本の電極本体111g1の幅寸法Lと、スリット15の幅寸法Sと、隣り合う画素電極111gの電極本体111g1間の間隔Cと、を足し合わせた値(2L+S+C)、つまり表示画素の幅寸法は、17.5μm程度、つまり9.9μmよりも大きく且つ18.3μm以下の範囲とされる。
 続いて、画素電極111gを構成する電極本体111g1における幅寸法L及びスリット15の幅寸法Sを変化させるのに伴い、画素電極111gに電圧が印加されてから液晶層11cにおける液晶分子の配向状態の変化が完了するまでの時間である各種応答時間(応答速度)及び光の透過率がどのように変化するかに関して知見を得るため、以下の比較実験3を行った。比較実験3では、電極本体111g1が2本とされる構成の画素電極111gを前提としており、その2本の電極本体111g1の幅寸法Lを3.3μmとしてスリット15の幅寸法Sを0.5μmとしたものを実施例4とし、2本の電極本体111g1の幅寸法Lを3.1μmとしてスリット15の幅寸法Sを0.6μmとしたものを実施例5とし、2本の電極本体111g1の幅寸法Lを2.9μmとしてスリット15の幅寸法Sを0.7μmとしたものを実施例6とし、2本の電極本体111g1の幅寸法Lを3.6μmとしてスリット15の幅寸法Sを0.7μmとしたものを実施例7とし、2本の電極本体111g1の幅寸法Lを2.8μmとしてスリット15の幅寸法Sを1.5μmとしたものを比較例2とし、2本の電極本体111g1の幅寸法Lを2.6μmとしてスリット15の幅寸法Sを1.5μmとしたものを比較例3とし、2本の電極本体111g1の幅寸法Lを2.7μmとしてスリット15の幅寸法Sを1.9μmとしたものを比較例4としている。また、実施例4は、2本の電極本体111g1の幅寸法Lとスリット15の幅寸法Sとを足し合わせた寸法である(2L+S)が7.1μmで、電極本体111g1の幅寸法Lとスリット15の幅寸法Sとの比率である(L/S)が6.60となっている。同様に、実施例5は、(2L+S)が6.8μmで(L/S)が5.17となり、実施例6は、(2L+S)が6.5μmで(L/S)が4.14となり、実施例7は、(2L+S)が7.9μmで(L/S)が5.14となり、比較例2は、(2L+S)が7.1μmで(L/S)が1.87となり、比較例3は、(2L+S)が6.7μmで(L/S)が1.73となり、比較例4は、(2L+S)が7.3μmで(L/S)が1.42となっている。
 この比較実験3では、上記した実施形態1の比較実験1,2と同じ比較例1(電極本体11g1が1本の画素電極11g)を、各種応答時間及び光の透過率の基準(100%)としている。なお、比較例2~4及び実施例4~7では、表示画素の幅寸法が一定とされているので、X軸方向について隣り合う画素電極111gの電極本体111g1間の間隔Cは、2本の電極本体111g1の幅寸法Lと、スリット15の幅寸法Sと、を足し合わせた寸法(2L+S)が小さくなるほど大きくなり、逆に同寸法(2L+S)が大きくなるほど小さくなる。そして、これら比較例2~4及び実施例4~7に係る画素電極111gに関して、各種応答時間及び光の透過率を測定し、その結果を図10及び図11に示される表に示す。図10には、比較例1を基準(100%)とした各種応答時間の相対値(単位は「%」)が示されており、その詳細は実施形態1の比較実験1に記載した通りである。なお、各種応答時間の測定は、25℃の環境温度にて行っている。図11には、比較例1を基準(100%)とした光の透過率の相対値(相対透過率、単位は「%」)が示されている。この透過率は、最大階調表示を行ったときの透過光量を測定することで得られている。
 比較実験3の実験結果について説明する。比較例2~4は、図10及び図11に示すように、各種応答時間が実施例4~7との比較において相対的に長いのに対し、光の透過率が実施例4~7との比較において相対的に高くなっている。ここで、比較例2~4は、2本の電極本体111g1の幅寸法Lと、スリット15の幅寸法Sと、を足し合わせた寸法(2L+S)が、6.7μm~7.3μmの範囲である点では、実施例4~7の同寸法(2L+S)の範囲(6.5μm~7.9μm)に含まれるものの、スリット15の幅寸法Sが、1.5μm~1.9μmの範囲である点で実施例4~7の同寸法Sの範囲(0.5μm~0.7μm)とは異なる。つまり、比較例2~4が実施例4~7との比較において、各種応答時間が相対的に長くなり、光の透過率が相対的に高くなる理由は、スリット15の幅寸法Sが相対的に大きいことに起因している、と考えられる。詳しくは、2本の電極本体111g1の間に介在するスリット15付近に発生する電界を考えると、スリット15の幅が狭くなるほど電界強度が弱くなり、スリット15の幅が広くなるほど電界強度が強くなる傾向にあると言える。比較例2~4のように、2本の電極本体111g1の間に介在するスリット15の幅寸法が0.7μmよりも大きくなると、2本の電極本体111g1間のスリット15付近に発生する電界の電界強度が強くなるため、その電界によって配向状態が変化する液晶分子の量が多くなり、それに起因して液晶分子の配向状態を変化させるのに要する時間が長くなる。従って、比較例2~4は、実施例4~7との比較において、各種応答時間が長くなり、応答速度が低下していると考えられる。このことは、スリット15の幅寸法Sが最も大きな比較例4が、比較例2,3のいずれよりも各種応答時間が長くなっていることからも明らかである。その一方で、比較例2~4は、実施例4~7との比較において、スリット15付近において強い電界強度の電界によって液晶分子の配向状態を適切に変化させることができることから、適切な配向状態となった液晶分子によって光の偏光状態を適切に制御することができ、それにより透過率が高くなっていると考えられる。このことは、スリット15の幅寸法Sが最も大きな比較例4が、比較例2,3のいずれよりも光の透過率が高くなっていることからも明らかである。
 実施例4~7は、図10及び図11に示すように、各種応答時間が比較例2~4との比較において相対的に短いのに対し、光の透過率が比較例2~4との比較において相対的に低くなっている。実施例4~7は、2本の電極本体111g1の幅寸法Lと、スリット15の幅寸法Sと、を足し合わせた寸法(2L+S)が6.5μm~7.9μmの範囲であって比較例2~4の同寸法(2L+S)の範囲(6.7μm~7.3μm)を含むものの、スリット15の幅寸法Sが、0.5μm~0.7μmの範囲であって比較例2~4の同寸法Sの範囲(1.5μm~1.9μm)よりも小さくなっている点で異なっている。また、実施例4~7は、電極本体111g1の幅寸法Lとスリット15の幅寸法Sとの比率である(L/S)が4.14~6.60の範囲であり、比較例2~4の同比率(L/S)が1.42~1.87の範囲よりも大きくなっている点でも異なっている。実施例4~7では、2本の電極本体111g1の間に介在するスリット15の幅寸法が0.7μm以下となっており、2本の電極本体111g1間のスリット15付近に発生する電界の電界強度が弱くなることから、その電界によって配向状態が変化する液晶分子の量が少なくなり、それに起因して液晶分子の配向状態を変化させるのに要する時間が短くなる。従って、実施例4~7は、比較例2~4との比較において、各種応答時間が短くなり、特に「G-Gmax」が少なくとも64.8%以下となっており、応答速度が向上していると考えられる。このことは、スリット15の幅寸法Sが最も小さな実施例4が、実施例5~7のいずれよりも各種応答時間が短くなっていることからも明らかである。より詳しくは、実施例4,5,7は、上記した寸法(2L+S)が6.8μm~7.9μmの範囲となっていることで、「G-Gmax」が少なくとも59.0%以下となっており、実施例6との比較において「G-Gmax」が5.8%程度改善している。さらには、実施例4,5は、上記した寸法(2L+S)が6.8μm~7.1μmの範囲となっているとともに、上記した寸法Sが0.5μm~0.6μmの範囲となっていることで、光の透過率が98.2%以上となり、実施例6との比較において5.9%程度改善し、実施例7との比較においては6.9%程度改善している。中でも、実施例4は、実施例5~7との比較において、光の透過率が最も高くなるとともに、各種応答時間が最も短くなることから、光の透過率と応答速度との両立を図る上で最も好適である、と言える。また、実施例4~7は、実施形態1の比較実験1の実施例1~3との比較において、各種応答時間は僅かに劣るものの、光の透過率に関しては良好な結果が得られている。その反面、実施例4~7は、比較例2~4との比較において、スリット15付近に発生する電界の電界強度が相対的に弱く、スリット15付近において液晶分子の配向状態を制御するのが難しくなっている。このため、上記スリット15付近において液晶分子によって光の偏光状態を適切に制御するのが難しくなり、透過率が相対的に低くなっていると考えられる。そうであっても、実施例4~7によれば、透過率が少なくとも91.3%以上確保されており、比較例2~4との比較において2倍近い応答速度の改善を考慮すれば、十分な表示性能が得られている、と言える。
 以上説明したように本実施形態によれば、画素電極111gを構成し長手状をなす2本の電極本体111g1であって、間にスリット15が介在する電極本体111g1を備え、画素電極111gは、電極本体111g1の幅寸法をLとし、電極本体111g1の数をn(但し、n=2)とし、スリット15の幅寸法をSとしたとき、下記の式(15),(16)を満たすよう形成されている。
 4.9μm<nL+(n-1)S≦7.9μm   (15)
 (n-1)S≦0.7μm   (16)
 上記した「nL+(n-1)S」が4.9μm以下とされる画素電極111gでは、応答速度が十分に得られなくなるおそれがある。その理由について説明すると、まず、電圧印加に伴って電極本体111g1の幅方向についての中央付近に発生する電界を考えると、電極本体111g1の幅が狭くなるほど電界強度が弱くなり、電極本体111g1の幅が広くなるほど電界強度が強くなる傾向にある。「nL+(n-1)S」が4.9μm以下とされる画素電極111gに関しては、幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が強くなっているため、その電界によって配向状態が変化する液晶分子の量が多くなり、それに起因して液晶分子の配向状態を変化させるのに要する時間が長くなり、もって応答速度が低下する問題が生じる。一方、「nL+(n-1)S」が7.9μmを超える画素電極111gでは、電極本体111g1の幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が弱くなり過ぎてしまい、電界によって配向状態が制御される液晶分子の量が少なくなるため、光の透過率が低下するおそれがある。また、画素電極111gにおける電極本体111g1の数が2本とされて電極本体111g1の間にスリット15が介在する構成では、スリット15の幅寸法Sが0.7μmを超えると、2本の電極本体111g1間のスリット15付近に発生する電界の電界強度が強くなるため、その電界によって配向状態が変化する液晶分子の量が多くなり、それに起因して液晶分子の配向状態を変化させるのに要する時間が長くなり、もって応答速度が低下する問題が生じる。
 その点、上記した式(15)のように、画素電極111gに係る「nL+(n-1)S」が4.9μmを超える構成を採れば、上記のように4.9μm以下の場合に比べると、幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が相対的に弱くなることから、電界によって配向状態が変化する液晶分子の量が相対的に少なくなる。これにより、液晶分子の配向状態を変化させるのに要する時間が相対的に短くなり、もって応答速度が十分に高いものとなる。その上で、上記した式(15)のように、画素電極111gに係る「nL+(n-1)S」が7.9μm以下となる構成を採れば、電極本体111g1の幅方向についての中央付近に発生する電界の電界強度が弱くなり過ぎることが避けられるので、電界によって配向状態が制御される液晶分子の量が十分に確保される。これにより、光の透過率が十分に高く保たれる。さらには、上記した式(16)のように、画素電極111gにおけるスリット15の幅寸法Sが0.7μm以下とされることで、2本の電極本体111g1間のスリット15付近に発生する電界の電界強度が相対的に弱くなることから、電界によって配向状態が変化する液晶分子の量が相対的に少なくなる。これにより、液晶分子の配向状態を変化させるのに要する時間が相対的に短くなり、もって応答速度が十分に高いものとなる。以上のように、電極本体111g1の数が2本とされるほどに高精細化された液晶パネル11において、光の透過率と応答速度との両立を図ることができる。
 また、画素電極111gは、その幅方向に沿って複数が間隔を空けて並んで配され、間隔をCとしたとき、下記の式(17)を満たすよう形成されている。
 9.9μm<L+(n-1)S+C≦18.3μm   (17)
 仮に「nL+(n-1)S+C」が9.9μm以下になると、幅方向について隣り合う画素電極111g間の間隔Cが5μmよりも小さくなるため、隣り合う画素電極111gのそれぞれに発生する電界が干渉し易くなり、液晶分子の配向状態を適切に制御できなくなるおそれがある。一方、仮に「nL+(n-1)S+C」が18.3μmを超えると、液晶パネルの精細度が低下する問題が生じる。その点、上記した式(17)のように、「nL+(n-1)S+C」が9.9μmを超えていれば、幅方向について隣り合う画素電極111g間の間隔Cを5μm以上確保することができるので、隣り合う画素電極111gのそれぞれに発生する電界が干渉し難くなり、液晶分子の配向状態を適切に制御することが可能となる。その上で、「nL+(n-1)S+C」が18.3μm以下とされていれば、液晶パネルの精細度が十分に高いものとなるとともに、幅方向について隣り合う画素電極111g間の間隔Cを10μm程度確保することができるので、液晶分子の配向状態をより適切に制御することが可能となる。
 また、画素電極111gは、L及びSが下記の式(18),(19)を満たすよう形成されている。
 6.5μm≦2L+S≦7.9μm   (18)
 0.5μm≦S≦0.7μm   (19)
 上記した式(18),(19)のように、電極本体111g1が2本とされる画素電極111gに係る「2L+S」が6.5μm以上で且つ7.9μm以下とされるとともに、スリット15の幅寸法Sが0.5μm以上で且つ0.7μm以下とされることで、電極本体11g1が1本とされる画素電極11gの幅寸法Lを4.9μmとしたときの中間調応答時間を基準(100%)とした相対中間調応答時間が少なくとも64.8%以下になるとともに、電極本体11g1が1本とされる画素電極11gの幅寸法Lを4.9μmとしたときの光の透過率を基準(100%)とした相対透過率が少なくとも91.3%以上確保される。
 また、画素電極111gは、L及びSが下記の式(20)を満たすよう形成されている。
 6.8μm≦2L+S≦7.9μm   (20)
 仮に電極本体111g1が2本とされる画素電極111gに係る「2L+S」が6.5μmとされるとともにスリット15の幅寸法Sが0.7μmとされる場合には、上記した相対中間調応答時間が64.8%程度となる。これに対し、上記した式(20)のように、電極本体111g1が2本とされる画素電極111gに係る「2L+S」が6.8μm以上で且つ7.9μm以下とされていれば、上記した相対中間調応答時間が59.0%以下となり、画素電極111gに係る「2L+S」を6.5μmとしスリット15の幅寸法Sを0.7μmとした場合との比較で相対中間調応答時間が5%以上改善される。
 また、画素電極111gは、L及びSが下記の式(21),(22)を満たすよう形成されている。
 6.8μm≦2L+S≦7.1μm   (21)
 0.5μm≦S≦0.6μm   (22)
 仮に電極本体111g1が2本とされる画素電極111gに係る「2L+S」が6.5μmとされるとともにスリット15の幅寸法Sが0.7μmとされる場合には、上記した相対透過率が92.3%となり、画素電極111gに係る「2L+S」が7.9μmとされるとともにスリット15の幅寸法Sが0.7μmとされる場合には、上記した相対透過率が91.3%とされる。その点、上記した式(21),(22)のように、電極本体111g1が2本とされる画素電極111gに係る「2L+S」が6.8μm以上で且つ7.1μm以下とされるとともにスリット15の幅寸法Sが0.5μm以上で且つ0.6μm以下とされていれば、上記した相対透過率が98.2%以上となり、画素電極111gに係る「2L+S」を6.5μmとしスリット15の幅寸法Sを0.7μmとした場合との比較で相対透過率が5%以上改善され、画素電極111gに係る「2L+S」を7.9μmとしスリット15の幅寸法Sを0.7μmとした場合との比較で相対透過率が6%以上改善される。また、電極本体111g1が2本とされる画素電極111gに係る「2L+S」が6.8μm以上で且つ7.1μm以下とされるとともにスリット15の幅寸法Sが0.5μm以上で且つ0.6μm以下とされていれば、上記した相対中間調応答時間が59.0%以下となり、画素電極111gに係る「2L+S」を6.5μmとしスリット15の幅寸法Sを0.7μmとした場合との比較で相対中間調応答時間が5%以上改善される。
 <他の実施形態>
 本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
 (1)上記した実施形態1では、1本の電極本体を有する画素電極において、電極本体の幅寸法Lが6.2μm,6.7μm,7.0μmとされる場合を例示したが、電極本体の具体的な幅寸法Lは、4.9μmよりも大きく且つ7.9μm以下となる範囲であれば、上記した数値以外(例えば4.9μmよりも大きく且つ6.2μmよりも小さい範囲、6.2μmよりも大きく且つ6.7μmよりも小さい範囲、6.7μmよりも大きく且つ7.0μmよりも小さい範囲、7.0μmよりも大きく且つ7.9μm以下となる範囲など)にも適宜に変更することが可能である。
 (2)上記した実施形態1では、1本の電極本体を有する画素電極が複数幅方向に沿って並ぶ構成において、電極本体の幅寸法Lと、隣り合う画素電極間の間隔Cと、を足し合わせた寸法(L+C)が16.6μmなどとされる場合を示したが、上記した数値以外(例えば9.9μmよりも大きく且つ16.6μmよりも小さい範囲、16.6μmよりも大きく且つ18.3μm以下となる範囲など)にも適宜に変更することが可能である。
 (3)上記した実施形態2では、2本の電極本体を有する画素電極において、2本の電極本体の幅寸法Lと、スリットの幅寸法Sと、を足し合わせた寸法(2L+S)が6.5μm,6.8μm,7.1μm,7.9μmとされる場合を例示したが、上記した寸法(2L+S)の具体的な数値は、4.9μmよりも大きく且つ7.9μm以下となる範囲であれば、上記した数値以外(例えば4.9μmよりも大きく且つ6.5μmよりも小さい範囲、6.5μmよりも大きく且つ6.8μmよりも小さい範囲、6.8μmよりも大きく且つ7.1μmよりも小さい範囲、7.1μmよりも大きく且つ7.9μmよりも小さい範囲など)にも適宜に変更することが可能である。
 (4)上記した実施形態2では、2本の電極本体を有する画素電極において、各電極本体の幅寸法Lが2.9μm,3.1μm,3.3μm,3.6μmとされる場合を例示したが、各電極本体の具体的な幅寸法Lは、寸法(2L+S)が4.9μmよりも大きく且つ7.9μm以下となる範囲であれば、上記した数値以外(例えば2.9μmよりも小さい数値、2.9μmよりも大きく且つ3.1μmよりも小さい範囲、3.1μmよりも大きく且つ3.3μmよりも小さい範囲、3.3μmよりも大きく且つ3.6μmよりも小さい範囲、3.6μmよりも大きい数値など)にも適宜に変更することが可能である。
 (5)上記した実施形態2では、2本の電極本体を有する画素電極において、スリットの幅寸法Sが0.5μm,0.6μm,0.7μmとされる場合を例示したが、スリットの具体的な幅寸法Sは、0.7μmよりも小さければ、上記した数値以外(例えば0.5μmよりも小さい数値、0.5μmよりも大きく且つ0.6μmよりも小さい範囲、0.6μmよりも大きく且つ0.7μmよりも小さい範囲など)にも適宜に変更することが可能である。
 (6)上記した実施形態2では、2本の電極本体を有する画素電極が複数幅方向に沿って並ぶ構成において、各電極本体の幅寸法Lと、スリットの幅寸法Sと、隣り合う画素電極間の間隔Cと、を足し合わせた寸法(2L+S+C)が17.5μmなどとされる場合を示したが、上記した数値以外(例えば9.9μmよりも大きく且つ17.5μmよりも小さい範囲、17.5μmよりも大きく且つ18.3μm以下となる範囲など)にも適宜に変更することが可能である。
 (7)上記した各実施形態に記載した画素電極及び共通電極は、同一の透明電極材料からなる構成でもよいが、異なる透明電極材料からなる構成であっても構わない。
 (8)上記した各実施形態では、ノーマリブラックモードとされる液晶パネルを例示したが、画素電極に電圧を印加していない状態において、光の透過率が最大となって白表示されるノーマリホワイトモードであっても構わない。
 (9)上記した各実施形態では、配向膜の材料としてポリイミドを用いた場合を示したが、配向膜の材料としてポリイミド以外の液晶配向材を用いることも可能である。
 (10)上記した各実施形態では、平面形状が長方形とされる液晶パネルについて示したが、平面形状が正方形、円形、楕円形などとされる液晶パネルにも本発明は適用可能である。
 (11)上記した各実施形態では、ドライバが液晶パネルのアレイ基板に対してCOG実装される場合を例示したが、ドライバがフレキシブル基板に対してCOF(Chip On Film)実装される構成であってもよい。
 (12)上記した各実施形態では、液晶パネルのカラーフィルタが赤色、緑色及び青色の3色構成とされたものを例示したが、赤色、緑色及び青色の各着色部に、黄色の着色部を加えて4色構成としたカラーフィルタを備えたものにも本発明は適用可能である。
 (13)上記した各実施形態では、液晶パネルに表示された画像をレンズなどを用いて拡大することがない構成(非拡大表示タイプ)の液晶表示装置について例示したが、液晶パネルに表示された画像をレンズなどを用いて拡大表示する機器にも本発明は適用可能である。このような機器の一例としては、ヘッドマウントディスプレイが挙げられるが、これ以外にもプロジェクターやヘッドアップディスプレイなどにも本発明は適用可能である。これらの機器では、液晶パネルに表示された画像を拡大表示することから、非拡大表示タイプの機器に比べると、より高精細化が求められる傾向にあることから、本発明を適用する上で特に好適である。
 11…液晶パネル、11a…CF基板(一対の基板)、11b…アレイ基板(一対の基板、一方の基板)、11c…液晶層、11g,111g…画素電極、11g1,111g1…電極本体、11h…共通電極、11p…絶縁層、15…スリット、C…間隔、L…電極本体の幅寸法、S…スリットの幅寸法、n…本数

Claims (8)

  1.  一対の基板と、
     前記一対の基板間に挟持されてネガ型の液晶材料からなる液晶層と、
     前記一対の基板のうちの一方の基板における前記液晶層側に設けられる共通電極と、
     前記一方の基板において前記共通電極と絶縁層を介して対向する形で設けられる画素電極と、
     前記画素電極を構成し長手状をなす1本または2本の電極本体であって、2本とされる場合には間にスリットが介在する電極本体と、を備え、
     前記画素電極は、前記電極本体の幅寸法をLとし、前記電極本体の数をn(但し、n=1,2)とし、前記スリットの幅寸法をSとしたとき、下記の式(1),(2)を満たすよう形成されている液晶パネル。
     4.9μm<nL+(n-1)S≦7.9μm   (1)
     (n-1)S≦0.7μm   (2)
  2.  前記画素電極は、その幅方向に沿って複数が間隔を空けて並んで配され、前記間隔をCとしたとき、下記の式(3)を満たすよう形成されている請求項1記載の液晶パネル。
     9.9μm<nL+(n-1)S+C≦18.3μm   (3)
  3.  前記画素電極は、前記nが1の場合、前記Lが下記の式(4)を満たすよう形成されている請求項1または請求項2記載の液晶パネル。
     6.2μm≦L≦7.0μm   (4)
  4.  前記画素電極は、前記Lが下記の式(5)を満たすよう形成されている請求項3記載の液晶パネル。
     6.2μm≦L≦6.7μm   (5)
  5.  前記画素電極は、前記Lが6.2μmとなるよう形成されている請求項3または請求項4記載の液晶パネル。
  6.  前記画素電極は、前記nが2の場合、前記L及び前記Sが下記の式(6),(7)を満たすよう形成されている請求項1または請求項2記載の液晶パネル。
     6.5μm≦2L+S≦7.9μm   (6)
     0.5μm≦S≦0.7μm   (7)
  7.  前記画素電極は、前記L及び前記Sが下記の式(8)を満たすよう形成されている請求項6記載の液晶パネル。
     6.8μm≦2L+S≦7.9μm   (8)
  8.  前記画素電極は、前記L及び前記Sが下記の式(9),(10)を満たすよう形成されている請求項6または請求項7記載の液晶パネル。
     6.8μm≦2L+S≦7.1μm   (9)
     0.5μm≦S≦0.6μm   (10)
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