WO2017212895A1 - 磁気トンネル接合素子および磁気メモリ - Google Patents

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layer
nonmagnetic
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ferromagnetic
thickness
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PCT/JP2017/018779
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本庄　弘明
正二 池田
佐藤　英夫
哲郎 遠藤
大野　英男
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国立大学法人東北大学
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Definitions

  • the present invention relates to a magnetic tunnel junction element and a magnetic memory.
  • STT spin transfer torque
  • STT-MRAM Magnetic memory using inversion
  • a magnetic memory using magnetization reversal by STT is composed of a magnetic tunnel junction element (MTJ element).
  • This MTJ element has a configuration in which a tunnel barrier layer (tunnel insulating film) is sandwiched between a reference (fixed) layer whose magnetization direction is fixed and a recording (free) layer whose magnetization direction changes.
  • the performance of the MTJ element is expressed by a tunnel magnetoresistance ratio (TMR ratio), thermal stability, and threshold current.
  • the tunnel magnetoresistance ratio is (R ap ⁇ R p ) / R p (where R p is the resistance value when the magnetization of the reference layer adjacent to the barrier layer and the magnetization of the recording layer are arranged in parallel, R ap : Resistance value when the magnetization of the reference layer adjacent to the barrier layer and the magnetization of the recording layer are arranged in antiparallel.
  • the thermal stability ⁇ is K eff ⁇ V / k B T (where K eff is the effective magnetic anisotropy energy density of the recording layer, V is the volume of the recording layer, k B is the Boltzmann constant, and T is absolute. It is a value proportional to (temperature).
  • the MTJ element has a larger tunnel magnetoresistance ratio, and the larger the value obtained by dividing the thermal stability by the threshold current, the more suitable.
  • the direction in which the magnetization passes is the same when the magnetization is reversed by STT and when the thermal reversal occurs.
  • the magnetization passes in different directions when the magnetization is reversed by STT and when the thermal reversal occurs.
  • the magnetization passes through the perpendicular direction with a large demagnetizing field, and in the thermal reversal, the magnetization passes in an in-plane direction with a small demagnetizing field.
  • the ratio of thermal stability to the threshold current is smaller than that in the perpendicular magnetization type. For this reason, recently, a perpendicular magnetization type MTJ element has attracted more attention, and a perpendicular magnetization type MTJ element has come to be used.
  • a perpendicular magnetization type MTJ element As such a perpendicular magnetization type MTJ element, a device having a high tunnel magnetoresistance ratio, a high thermal stability, and a low threshold current has been developed by using a ferromagnetic layer made of CoFeB and an MgO insulating film. (For example, refer to Patent Document 1), and studies using this material system are being actively conducted.
  • the recording layer (CoFeB) is replaced with an oxygen-containing barrier layer (MgO) like a MgO (barrier layer) / CoFeB (recording layer) / MgO (protective layer) structure.
  • MgO oxygen-containing barrier layer
  • Those having a structure (double interface structure) sandwiched between protective layers (MgO) have also been developed (see, for example, Patent Document 1).
  • those having a double interface structure using a conductive oxide layer as a protective layer and those having a metal cap layer disposed on the protective layer have been developed (see, for example, Patent Document 2).
  • the MTJ element having such a double interface structure has a higher recording performance than a tunnel junction element having no MgO protective layer due to two perpendicular magnetic anisotropies generated at the CoFeB / MgO interface below the recording layer and above the recording layer.
  • the film thickness of the layer can be increased. Since the thermal stability increases in proportion to the thickness of the recording layer, the thermal stability can be improved by increasing the thickness. At the same time, the damping constant ⁇ of the recording layer can be reduced by increasing the film thickness of the recording layer. Since the value of the write current is proportional to ⁇ , the value of the write current can be reduced at the same time. As a result, the MTJ element having the double interface structure has a high thermal stability and a small write current, that is, a large value obtained by dividing the thermal stability by the threshold current.
  • a protective layer such as Ta is laminated on the recording layer instead of the MgO protective layer.
  • Ta absorbs boron by heat treatment, CoFeB is crystallized and a high MR ratio is obtained.
  • an MTJ element having a double interface structure as described in Patent Documents 1 and 2 has CoFeB sandwiched between MgO and has no cap of Ta or the like, so that boron does not easily diffuse due to heat treatment. For this reason, there was a problem that CoFeB was not crystallized by the heat treatment and the MR ratio was lowered.
  • an MTJ element in which a thin nonmagnetic layer such as Ta is inserted between recording layers has been proposed (for example, see Non-Patent Document 1).
  • a nonmagnetic layer such as Ta absorbs boron by heat treatment, and CoFeB is crystallized, and a high MR ratio is obtained.
  • Non-Patent Document 1 when a nonmagnetic layer such as Ta inserted between the recording layers is heat-treated at a high temperature of 350 ° C. or more, Ta diffuses in the recording layer and reaches the barrier layer. There was a problem of reaching and lowering the MR ratio.
  • refractory metals with high heat resistance such as Ta and W are used as the nonmagnetic layer.
  • a material such as Ta collides with the recording layer during film formation by sputtering. There is also a problem that the recording layer is easily damaged.
  • the present invention has been made paying attention to such a problem, and an object thereof is to provide a magnetic tunnel junction element and a magnetic memory having a higher MR ratio and capable of preventing damage to a recording layer during film formation. .
  • a magnetic tunnel junction device includes a ferromagnetic material, a reference layer in which the magnetization direction is fixed in a direction perpendicular to the film surface, and a nonmagnetic material, A barrier layer disposed on one surface side of the reference layer; and a recording layer disposed on a surface of the barrier layer opposite to the reference layer, wherein the recording layer includes at least one of Co and Fe Including a first ferromagnetic layer whose magnetization direction is variable in a direction perpendicular to the film surface, and at least one of Mg, MgO, C, Li, Al, and Si, A first nonmagnetic layer disposed on one surface side of the first ferromagnetic layer and at least one of Ta, Hf, W, Mo, Nb, Zr, Y, Sc, Ti, V, and Cr One of the first non-magnetic layers opposite to the first ferromagnetic layer And a second nonmagnetic layer having a thickness of 0.3 to 2.0 nm
  • the magnetic tunnel junction device includes Mg, MgO, and the like between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer, each of which has a magnetization direction variable in a direction perpendicular to the film surface.
  • One nonmagnetic layer and a second nonmagnetic layer containing Ta or the like are inserted.
  • the magnetic tunnel junction element according to the present invention can be manufactured, for example, by sputtering.
  • the second nonmagnetic layer containing Ta or the like since the second nonmagnetic layer containing Ta or the like is inserted, the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer are crystallized by the heat treatment during manufacturing, The MR ratio can be increased.
  • the first nonmagnetic layer is formed before the second nonmagnetic layer, so that the second nonmagnetic layer is formed by sputtering or the like.
  • the first nonmagnetic layer can prevent a material such as Ta from colliding with the first ferromagnetic layer. Thereby, it is possible to prevent the recording layer from being damaged due to damage to the first ferromagnetic layer.
  • a material such as Ta is not implanted into the first ferromagnetic layer, it is possible to prevent Ta or the like from diffusing into the first ferromagnetic layer by heat treatment during manufacturing. Thereby, it can prevent that MR ratio falls.
  • the temperature of heat processing can also be raised.
  • the reference layer may be made of any material as long as it includes a ferromagnetic material.
  • the reference layer is made of a ferromagnetic layer containing Co or Fe, such as an FePt layer or a TbTeCo layer.
  • the reference layer may have any thickness, but if perpendicular magnetization due to interface magnetic anisotropy is used, a thickness of 5 nm or less is preferable, and a thickness of 3 nm or less, further 1.6 nm or less. Is more preferable.
  • the barrier layer may be made of any material that contains oxygen and can generate a magnetic tunnel junction between the reference layer and the recording layer.
  • the barrier layer is made of, for example, MgO, MgOTi, MgOTiN, Al 2 O 3 , SiO 2 , MgZnO, or the like.
  • the barrier layer may have any thickness as long as it can generate a magnetic tunnel junction, but preferably has a thickness of 10 nm or less, and particularly preferably has a thickness of 5 nm or less.
  • the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer only need to contain at least one of Co and Fe, respectively, and contain at least one of Co, Fe, CoB, and FeB. Preferably it is.
  • the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer are, for example, CoFeB or CoFeBM (where M is one of Ni, Zr, Hf, Ta, Mo, Nb, Pt, Cr, Si, and V). A layer including at least one of them) may be used. Further, it may contain a trace amount of other elements.
  • the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer may be a single layer or may be formed of a laminated film composed of a plurality of films. For example, you may consist of the laminated film of the layer containing Fe and the layer containing FeB or CoB.
  • the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer may have any thickness, but if the perpendicular magnetization caused by the interface magnetic anisotropy is used, a thickness of 5 nm or less is preferable. A thickness of 3 nm or less, more preferably 1.6 nm or less, is more preferable.
  • the first ferromagnetic layer preferably has a thickness of 0.5 nm to 4 nm.
  • the second ferromagnetic layer preferably has a thickness of 0.5 nm to 4 nm.
  • the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer preferably have a total thickness of 2 nm or more.
  • the second nonmagnetic layer preferably has a thickness of 0.4 to 0.5 nm. In this case, the MR ratio can be increased without degrading the magnetic coupling between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer.
  • the magnetic tunnel junction element according to the present invention preferably includes a protective layer that includes a non-magnetic material and is disposed on the side of the recording layer opposite to the barrier layer. In this case, a double interface structure in which the recording layer is sandwiched between the barrier layer and the protective layer can be obtained.
  • the protective layer is preferably made of a nonmagnetic material containing oxygen, and is made of, for example, MgO, MgOTi, MgOTiN, Al 2 O 3 , SiO 2 , MgZnO, or the like.
  • the recording layer is sandwiched between the barrier layer containing oxygen and the protective layer, respectively, thereby generating perpendicular magnetic anisotropy at the interface between the barrier layer and the recording layer and at the interface between the protective layer and the recording layer.
  • the protective layer may have any thickness, but is preferably 10 nm or less, and particularly preferably 5 nm or less.
  • the protective layer is preferably the same thickness as the barrier layer or less.
  • the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer are in contact with the barrier layer or the protective layer, respectively, and the barrier layer or the protective layer in contact therewith.
  • the direction of magnetization is preferably perpendicular to the film surface due to interface perpendicular magnetic anisotropy with the layer.
  • the thermal stability can be improved by increasing the film thickness of the recording layer.
  • one of the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer may be in contact with the barrier layer, and the other may be in contact with the protective layer.
  • the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer may be in contact with each other. Both layers may be in contact with the barrier layer.
  • the first nonmagnetic layer preferably has a thickness of 0.1 to 1.0 nm, and particularly preferably has a thickness of 0.1 to 0.4 nm. preferable.
  • the MR ratio can be increased without degrading the magnetic coupling between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer.
  • the magnetic tunnel junction device has a base layer for forming at least the reference layer, the barrier layer, and the recording layer on one surface side, and the recording layer includes the second nonmagnetic layer. It is preferable that the first nonmagnetic layer is disposed closer to the base layer than the layer.
  • the magnetic tunnel junction element according to the present invention can be manufactured by forming the reference layer, the barrier layer, and the recording layer on one surface side of the base layer by sputtering or the like.
  • the first nonmagnetic layer is arranged on the base layer side with respect to the second nonmagnetic layer, the first nonmagnetic layer is formed when the first nonmagnetic layer is formed. It is possible to prevent the ferromagnetic layer from being damaged, or Ta or the like from diffusing to lower the MR ratio. For this reason, in the magnetic tunnel junction element according to the present invention, the recording layer is not damaged and has a high MR ratio.
  • the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer are magnetically coupled through the first nonmagnetic layer and the second nonmagnetic layer. It is preferable. In this case, it is preferable that the first nonmagnetic layer and the second nonmagnetic layer have a thickness that does not deteriorate the magnetic coupling between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer. In addition, since Mg, MgO, etc. contained in the first nonmagnetic layer have a small atomic radius and high volatility, the second nonmagnetic layer between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer is used. Less likely to degrade magnetic coupling through layers.
  • a magnetic memory includes a plurality of source lines arranged in parallel to each other, a plurality of word lines arranged in parallel to each other in a direction intersecting the source lines, and arranged in parallel to the source lines.
  • a current can be applied in a direction perpendicular to the film surface of the magnetic tunnel junction element.
  • a magnetic memory includes a plurality of storage cells each having the selection transistor and the magnetic tunnel junction element, each having a combination of electrically connected word lines, bit lines, and source lines, and A writing unit configured to select one of the memory cells and write data through the word line, each bit line, and each source line, and each word line, each bit line, and each source line And a reading unit configured to read data by selecting any one of the storage cells.
  • the magnetic memory according to the present invention has the magnetic tunnel junction element according to the present invention, it has high thermal stability.
  • a magnetic tunnel junction element having excellent perpendicular magnetic anisotropy it is possible to increase the density and reduce the power consumption.
  • the present invention it is possible to provide a magnetic tunnel junction element and a magnetic memory that have a higher MR ratio and can prevent damage to the recording layer during film formation.
  • FIG. 1 is a block circuit diagram showing a magnetic memory according to an embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows the structure used for the 1st measurement of the magnetic tunnel junction element of embodiment of this invention. In the magnetic tunnel junction element shown in FIG.
  • the second nonmagnetic layer of the magnetic tunnel junction element shown in FIG. 9 is made of Ta
  • the K eff and the film thickness of the first nonmagnetic layer (MgO) in the case of being made of W It is a graph which shows a relationship.
  • FIGS. 12 (a) and 12 (b) are graphs showing the relationship between the size of the magnetic tunnel junction element shown in FIG. 12 (b) and the MR ratio. It is sectional drawing which shows the structure where the 1st nonmagnetic layer used for the 4th measurement of the magnetic tunnel junction element of embodiment of this invention consists of Mg. In the magnetic tunnel junction device shown in FIG.
  • FIGS. 1 to 5 show a magnetic tunnel junction (MTJ) element 10 according to an embodiment of the present invention.
  • the magnetic tunnel junction element 10 has a structure in which a reference layer 11, a barrier layer 12, a recording layer 13, and a protective layer 14 are stacked in this order, and these layers are formed by sputtering or the like. And a base layer 15 for film formation.
  • the reference layer 11 is made of a ferromagnetic material, and the magnetization direction is fixed in the direction perpendicular to the film surface.
  • the reference layer 11 is made of, for example, a CoFeB layer having a thickness of 1.0 to 1.2 nm.
  • the barrier layer 12 is made of a nonmagnetic material.
  • the barrier layer 12 is made of, for example, a MgO layer having a thickness of 1.0 to 1.3 nm.
  • the recording layer 13 has a structure in which a first ferromagnetic layer 21, a first nonmagnetic layer 22, a second nonmagnetic layer 23, and a second ferromagnetic layer 24 are stacked in this order.
  • the first ferromagnetic layer 21 has a magnetization direction that is variable in a direction perpendicular to the film surface, and is made of, for example, CoFeB having a thickness of 1.4 to 1.5 nm.
  • the first nonmagnetic layer 22 is made of, for example, MgO or Mg having a thickness of 0.1 to 1.0 nm.
  • the second nonmagnetic layer 23 is made of Ta or W having a thickness of 0.3 to 0.5 nm, for example.
  • the second ferromagnetic layer 24 has a magnetization direction that is variable in a direction perpendicular to the film surface, and is made of, for example, CoFeB having a thickness of 1.0 to 1.5 nm.
  • the first ferromagnetic layer 21 and the second ferromagnetic layer 24 are magnetically coupled through the first nonmagnetic layer 22 and the second nonmagnetic layer 23.
  • the barrier layer 12 may be disposed on either the first ferromagnetic layer 21 side or the second ferromagnetic layer 24 side. In the specific example shown in FIG. 1, the barrier layer 12 is disposed on the first ferromagnetic layer 21 side.
  • the protective layer 14 is made of a nonmagnetic material containing oxygen.
  • the protective layer 14 is made of, for example, a MgO layer having a thickness of 1.0 to 1.1 nm.
  • the protective layer 14 may be made of a conductive oxide film.
  • Examples of the conductive oxide film include (1) RuO 2 , VO 2 , CrO 2 , NbO 2 , MoO 2 , WO 2 , ReO 2 , RhO 2 , OsO 2 , IrO 2 , PtO 2 , V 3 O 5 , Rutile-MoO 2 type oxides such as Ti 3 O 5 , (2) NaCl type oxides such as TiO, VO, NbO, LaO, NdO, SmO, EuO, SrO, BaO, NiO, (3) LiTi 2 O 4 , LiV 2 O 4, Fe 3 O 4 spinel oxide such as, (4) ReO 3, CaCrO 3, SrCrO 3, BaMoO 3, SrMoO 3, CaMoO 3, LaCuO 3, CaRuO 3, SrVO 3, BaTiO 3 , etc.
  • Perovskite-ReO 3 type oxide (5) corundum type oxide such as Ti 2 O 3 , V 2 O 3 , Rh 2 O 3 , (6) Zn O, TiO 2 , SnO 2 , Cu 2 O, Ag 2 O, In 2 O 3 , an oxide semiconductor such as WO 3 , or (7) TaO 2 .
  • corundum type oxide such as Ti 2 O 3 , V 2 O 3 , Rh 2 O 3 , (6) Zn O, TiO 2 , SnO 2 , Cu 2 O, Ag 2 O, In 2 O 3 , an oxide semiconductor such as WO 3 , or (7) TaO 2 .
  • the base layer 15 includes a fixed layer 25 and a magnetic coupling layer 26.
  • the base layer 15 is disposed on the surface of the reference layer 11 opposite to the barrier layer 12 so that the first nonmagnetic layer 22 is closer to the base layer 15 than the second nonmagnetic layer 23.
  • the fixed layer 25 includes a third ferromagnetic layer 31, a fourth ferromagnetic layer 32, and a third nonmagnetic layer 33 sandwiched therebetween.
  • the third ferromagnetic layer 31 is made of, for example, a film in which a Co film having a thickness of 0.5 nm and a Pt film having a thickness of 0.3 nm are alternately stacked four times.
  • the fourth ferromagnetic layer 32 is made of, for example, a film in which a Co film having a thickness of 0.5 nm and a Pt film having a thickness of 0.3 nm are alternately stacked twice.
  • the third nonmagnetic layer 33 is made of, for example, a film in which a Ru film having a thickness of 0.9 nm and a Co film having a thickness of 0.5 nm are stacked.
  • the magnetization directions of the third ferromagnetic layer 31 and the fourth ferromagnetic layer 32 are perpendicular to the film surface by the RKKY interaction via the third nonmagnetic layer 33. They are opposite to each other.
  • the magnetic coupling layer 26 is made of a nonmagnetic material, and is sandwiched between the fixed layer 25 and the reference layer 11.
  • the magnetic coupling layer 26 is made of, for example, a film in which a Co film having a thickness of 0.5 nm and a Ta film having a thickness of 0.4 nm are stacked, or a Ta film having a thickness of 0.4 nm.
  • the fixed layer 25 is provided so that the fourth ferromagnetic layer 32 is in contact with the magnetic coupling layer 26.
  • the reference layer 11 is magnetically coupled to the fixed layer 25 via the magnetic coupling layer 26, and the magnetization direction is fixed in one direction perpendicular to the film surface.
  • the magnetic tunnel junction element 10 a magnetic tunnel junction is generated between the reference layer 11 and the recording layer 13 via the barrier layer 12.
  • the magnetic tunnel junction element 10 has a double interface structure in which the recording layer 13 is sandwiched between the barrier layer 12 and the protective layer 14, and the first ferromagnetic layer 21 is the barrier layer 12.
  • the second ferromagnetic layer 24 is in contact with the protective layer 14.
  • the magnetic tunnel junction element 10 has perpendicular magnetic anisotropy at the interface between the first ferromagnetic layer 21 and the barrier layer 12 and at the interface between the second ferromagnetic layer 24 and the protective layer 14.
  • the magnetization directions of the first ferromagnetic layer 21 and the second ferromagnetic layer 24 are perpendicular to the film surface. Further, in the magnetic tunnel junction element 10, the magnetization directions of the first ferromagnetic layer 21 and the second ferromagnetic layer 24 are changed by spin injection magnetization reversal.
  • the magnetic tunnel junction element 10 includes a reference layer 11, a barrier layer 12, a first ferromagnetic layer 21, a first nonmagnetic layer 22, a second nonmagnetic layer 23, and a second ferromagnetic layer on a base layer 15.
  • the layer 24 and the protective layer 14 can be manufactured by heat treatment.
  • sputtering such as physical vapor deposition or molecular beam epitaxial growth (MBE) can be used.
  • MBE molecular beam epitaxial growth
  • the heat treatment temperature is preferably 350 ° C. to 450 ° C.
  • the magnetic tunnel junction element 10 includes, for example, as shown in FIG. 2, a lower electrode layer 28 and a base layer 29 are formed on a substrate 27, and the fixed layer 25 is formed on the base layer 29.
  • the upper electrode layer 30 is stacked in this order. Also in this case, it can be manufactured by forming each layer on the substrate 27 and then performing heat treatment.
  • the substrate 27, the lower electrode layer 28, the base layer 29, the fixed layer 25, and the magnetic coupling layer 26 form the base layer 15.
  • the substrate 27 has a configuration including transistors and multilayer wiring layers.
  • the lower electrode layer 28 is made of a conductive layer having a thickness of about 20 to 50 nm, for example.
  • the lower electrode layer 28 is made of a metal material such as Ta, TaN, Ti, TiN, Cu, CuN, Au, Ag, Ru, or an alloy thereof.
  • the lower electrode layer 28 may have a structure in which a plurality of metal materials are stacked, for example, a structure of Ta / Ru / Ta.
  • the lower electrode layer 28 is a layer serving as a base for forming each of the upper layers, and has a flat surface formed by chemical mechanical polishing (CMP), gas cluster ion beam (GCIB), or the like after film formation. .
  • CMP chemical mechanical polishing
  • GCIB gas cluster ion beam
  • the underlayer 29 is made of, for example, a Ta layer having a thickness of about 5 nm.
  • the underlayer 29 may be made of a metal material such as Pt, Cu, CuN, Au, Ag, Ru, or Hf, or an alloy thereof.
  • the underlayer 29 may have a structure in which a plurality of metal materials are stacked, for example, a structure such as Ta / Pt.
  • the upper electrode layer 30 is made of a conductive layer having a thickness of about 10 to 100 nm, for example.
  • the upper electrode layer 30 is made of a metal material such as Ta, TaN, Ti, TiN, Cu, CuN, Au, Ag, Ru, or an alloy thereof.
  • the upper electrode layer 30 may have a structure in which a plurality of metal materials are stacked, for example, a structure such as Ta / Ru.
  • the second nonmagnetic layer 23 containing Ta or W is inserted between the first ferromagnetic layer 21 and the second ferromagnetic layer 24.
  • B contained in the first ferromagnetic layer 21 and the second ferromagnetic layer 24 is absorbed by the second nonmagnetic layer 23, and the crystals of the first ferromagnetic layer 21 and the second ferromagnetic layer 24 are absorbed.
  • the MR ratio can be increased by promoting the conversion.
  • the magnetic tunnel junction element 10 is formed with the first nonmagnetic layer 22 before the second nonmagnetic layer 23 at the time of manufacture, the second nonmagnetic layer 23 is formed by sputtering or the like.
  • the first nonmagnetic layer 22 can prevent Ta or W from colliding with the first ferromagnetic layer 21. Thereby, it is possible to prevent the recording layer 13 from being damaged due to damage to the first ferromagnetic layer 21.
  • Ta or W is not implanted into the first ferromagnetic layer 21, it is possible to prevent Ta or W from diffusing into the first ferromagnetic layer 21 during heat treatment during manufacturing. Thereby, it can prevent that MR ratio falls.
  • the temperature of heat processing can also be raised.
  • the magnetic tunnel junction element 10 does not damage the recording layer 13 and has a high MR ratio.
  • the magnetic tunnel junction element 10 has a double interface structure, and perpendicular magnetic anisotropy is generated at each of the two interfaces of the recording layer 13. Can increase the sex.
  • the first nonmagnetic layer 22 is made of Mg or MgO having a small atomic radius and high volatility, the second nonmagnetic layer 22 between the first ferromagnetic layer 21 and the second ferromagnetic layer 24 is used. It is difficult to deteriorate the magnetic coupling through the magnetic layer 23.
  • the magnetic tunnel junction element 10 includes a lower electrode layer 28 and an upper electrode when the magnetization direction of the reference layer 11 and the magnetization direction of the recording layer 13 are parallel to each other and in the same direction (P state).
  • the resistance to the layer 30 is low.
  • FIG. 3B when the magnetization direction of the reference layer 11 and the magnetization direction of the recording layer 13 are antiparallel (parallel and opposite direction: AP state), the lower electrode layer 28 and the upper electrode layer 30 The resistance between is high.
  • Information can be written by making the level of the resistance value correspond to “0” and “1” of the bit information. In the example shown in FIG. 3, “0” is assigned to the low resistance and “1” is assigned to the high resistance.
  • the magnetic tunnel junction element 10 may have a configuration in which the fixed layer 25 to the protective layer 14 are turned over.
  • the base layer 29 and the protective layer 14 are in contact with each other, and the fixed layer 25 and the upper electrode layer 30 are in contact with each other.
  • the substrate 27, the lower electrode layer 28 and the base layer 29 form the base layer 15.
  • the recording layer 13 includes the first ferromagnetic layer 21 from the protective layer 14 side to the barrier layer 12 side so that the first nonmagnetic layer 22 is closer to the base layer 15 than the second nonmagnetic layer 23.
  • the first nonmagnetic layer 22, the second nonmagnetic layer 23, and the second ferromagnetic layer 24 are stacked in this order.
  • the magnetic tunnel junction element 10 includes a second barrier layer 12a, a second reference layer 11a, between the recording layer 13 and the protective layer 14 in this order from the recording layer 13 side.
  • FIG. 6 shows a magnetic memory according to the embodiment of the present invention.
  • the magnetic memory 50 includes a source line SL, a word line WL, a bit line BL, an X driver (word line driver) 51, a Y driver (bit line BL driver) 52, a source line driver 53, and a sense amplifier. 54 and a memory cell 55.
  • the source line SL is composed of a plurality and is arranged in parallel to each other.
  • a plurality of word lines WL are arranged in parallel to each other in a direction intersecting with each source line SL.
  • the bit line BL is composed of a plurality, and is arranged in parallel with each source line SL.
  • Each source line SL and each word line WL, and each word line WL and each bit line BL are not directly electrically connected to each other.
  • the X driver 51 is connected to each word line WL.
  • the Y driver 52 is connected to each bit line BL.
  • the source line driver 53 is connected to each source line SL.
  • the sense amplifier 54 is connected to each bit line BL.
  • Each memory cell 55 has a different combination of electrically connected word line WL, bit line BL, and source line SL.
  • the magnetic memory 50 can apply a current in the direction perpendicular to the film surface of the magnetic tunnel junction element 10 of each memory cell 55 via the bit line BL and the source line SL.
  • the X driver 51, the Y driver 52, and the source line driver 53 select any one storage cell 55 via each word line WL, each bit line BL, and each source line SL, and data Is configured to function as a writing unit configured to write.
  • the X driver 51, the sense amplifier 54, and the source line driver 53 select any one storage cell 55 and read data through each word line WL, each bit line BL, and each source line SL. It functions as a reading unit configured as described above.
  • the magnetic memory 50 writes information to the magnetic tunnel junction element 10 as follows. That is, the X driver 51 controls the voltage of the word line WL connected to the magnetic tunnel junction element 10 to be written to turn on the corresponding selection transistor 56. Next, the Y driver 52 and the source line driver 53 adjust the voltage applied between the bit line BL and the source line SL connected to the magnetic tunnel junction element 10 to be written, so that the magnetic tunnel junction element 10 is The direction and magnitude of the flowing write current Iw are controlled. Thereby, desired information (“0” or “1”) can be written by spin injection magnetization reversal.
  • the magnetic memory 50 reads information from the magnetic tunnel junction element 10 as follows. That is, the X driver 51 applies a selection voltage to the word line WL to turn on the selection transistor 56 connected to the magnetic tunnel junction element 10 to be read. Next, the Y driver 52 and the source line driver 53 apply a read voltage between the bit line BL and the source line SL connected to the magnetic tunnel junction element 10 to be read. As a result, a current corresponding to the resistance value of the written information (“0” or “1”) flows through the magnetic tunnel junction element 10. The sense amplifier 54 can convert the current into a voltage and read the written information.
  • the magnetic memory 50 includes the magnetic tunnel junction element 10 having excellent perpendicular magnetic anisotropy, it has high thermal stability, high density, and low power consumption.
  • the magnetic tunnel junction element 10 was measured while changing the thickness of the first nonmagnetic layer 22.
  • the reference layer 11 is made of CoFeB with a thickness of 1 nm
  • the barrier layer 12 is made of MgO with a thickness of 1.3 nm
  • the first ferromagnetic layer 21 is made of CoFeB with a thickness of 1.4 nm
  • the first nonmagnetic layer 22 is made of MgO
  • the second nonmagnetic layer 23 is made of Ta with a thickness of 0.4 nm
  • the second ferromagnetic layer 24 is made of
  • the protective layer 14 is made of MgO with a thickness of 1.0 nm.
  • the magnetic tunnel junction element 10 shown in FIG. 7 is manufactured by performing heat treatment at 350 ° C. for 2 hours after forming each layer.
  • the magnetic properties were measured by changing the thickness of the first nonmagnetic layer (MgO) 22 to 0 nm (without the first nonmagnetic layer 22), 0.1 nm, 0.2 nm, and 0.5 nm. .
  • the measured magnetization curve is shown in FIG.
  • FIGS. 8 (a), (c), (e), and (g) in the in-plane direction of each layer (In-plane), the magnetization curve is almost linear when the strength of the magnetic field is near 0 Oe. It was confirmed that Further, as shown in FIGS. 8B, 8D, 8F, and 8H, the magnetization curve is non-linear and the hysteresis curve is perpendicular to the surface of each layer (Out-of-plane). It was confirmed that This indicates that the easy axis of magnetization is oriented perpendicular to the surface of each layer, and perpendicular magnetic characteristics are obtained.
  • the magnetic properties of the magnetic tunnel junction element 10 were measured by changing the thickness of the first nonmagnetic layer 22 made of MgO and the material and thickness of the second nonmagnetic layer 23. As shown in FIG. 9, the magnetic tunnel junction device 10 used for the measurement was formed on a Si / SiO 2 substrate 27 having a diameter of 300 mm, a Ta film having a thickness of 3 nm, a Ru film having a thickness of 20 nm, and a Ta film having a thickness of 3 nm.
  • the upper electrode layer 30 includes a ferromagnetic layer 24, a protective layer 14 made of MgO having a thickness of 1.1 nm, a Ta film having a thickness of 5 nm, and a Ru film having a thickness of 20 nm.
  • the magnetic tunnel junction element 10 shown in FIG. 9 is manufactured by performing heat treatment at 400 ° C. for 1 hour after forming each layer.
  • the second nonmagnetic layer 23 is made of Ta having a thickness of 0.4 nm and 0.5 nm and W having a thickness of 0.4 nm
  • the TMR ratio is It was confirmed that when the first nonmagnetic layer 22 was inserted, the height was about 10 to 40% higher than when the first nonmagnetic layer 22 was not inserted (when the film thickness was 0 nm).
  • the second nonmagnetic layer 23 is made of Ta having a thickness of 0.4 nm, and the thickness of the first nonmagnetic layer 22 is 0.3 nm and 0.4 nm, and the second nonmagnetic layer 23 It was confirmed that the TMR ratio becomes very high when the first nonmagnetic layer 22 has a thickness of 0.2 nm.
  • the TMR ratio and the second nonmagnetic value measured when the second nonmagnetic layer 23 is made of Ta and when W is made of W is shown in FIG. Table 2 also shows the TMR ratios from Table 1 when the second nonmagnetic layer 23 is made of Ta having a thickness of 0.4 nm and W.
  • the TMR ratio becomes high when the second nonmagnetic layer 23 is made of Ta and the film thickness is 0.4 nm and 0.5 nm. It was done. Further, when the second nonmagnetic layer 23 is made of W, the TMR ratio increases in the range of 0.2 nm to 0.5 nm, and particularly in the range of 0.3 nm to 0.5 nm. It was confirmed that it would be higher.
  • FIG. 11A shows the relationship with the film thickness (0 nm to 0.3 nm).
  • FIG. 11A shows the case where the first nonmagnetic layer 22 is not inserted when the thickness of the second nonmagnetic layer 23 made of Ta is 0.3 nm and 0.4 nm (film thickness 0 nm).
  • the TMR ratio and the perpendicular magnetic anisotropy are improved due to the following causes. That is, when there is no first nonmagnetic layer 22, when the second nonmagnetic layer 23 is formed by sputtering or the like, Ta or W collides with the first ferromagnetic layer 21 and is implanted. The first ferromagnetic layer 21 is damaged. The implanted Ta or W diffuses to the interface between the barrier layer 12 and the first ferromagnetic layer 21 by the heat treatment after film formation. This diffused Ta or W causes deterioration of the TMR ratio and perpendicular magnetic anisotropy.
  • the first nonmagnetic layer 22 is formed before the second nonmagnetic layer 23, when the second nonmagnetic layer 23 is formed by sputtering or the like, Ta or W Can be prevented by the first nonmagnetic layer 22 from being collided with the first ferromagnetic layer 21. Thereby, it is possible to prevent the recording layer 13 from being damaged due to damage to the first ferromagnetic layer 21.
  • a material such as Ta is not implanted into the first ferromagnetic layer 21, it is possible to prevent Ta or the like from diffusing into the first ferromagnetic layer 21 by heat treatment during manufacturing. Thereby, it is considered that the TMR ratio and the perpendicular magnetic anisotropy can be prevented from being deteriorated, and the results shown in FIGS. 10 and 11 are obtained.
  • the magnetoresistive (MR) ratio was measured by changing the size (diameter) of the magnetic tunnel junction element 10.
  • the magnetic tunnel junction element 10 used for the measurement has a thickness of 10 nm Ta film, 5 nm thickness Ru film, and thickness on a 300 mm diameter Si / SiO 2 substrate 27.
  • a fourth ferromagnetic layer 32 comprising a film obtained by laminating a 0.3 nm Pt film twice, and a magnetic coupling layer comprising a film obtained by laminating a Co film having a thickness of 0.5 nm and a Ta film having a thickness of 0.4 nm.
  • the upper electrode layer 30 having the structure is stacked in this order.
  • the magnetic tunnel junction element 10 shown in FIG. 12A is manufactured by performing a heat treatment at 400 ° C. for 1 hour after forming each layer.
  • the magnetic tunnel junction element 10 was manufactured with a size of 40 nm, 70 nm, and 100 nm, and the MR ratio was measured.
  • elements of various sizes without the first nonmagnetic layer 22 shown in FIG. 12B were manufactured, and the same MR ratio was measured.
  • FIG. 13 shows the relationship between the measured MR ratio and the element size. As shown in FIGS. 13A and 13B, the MR ratio with the first nonmagnetic layer 22 inserted is the one without the first nonmagnetic layer 22 regardless of the size. It was confirmed that it was larger by 10 to 15%.
  • the magnetic tunnel junction element 10 used for the measurement was formed on a Si / SiO 2 substrate 27 having a diameter of 300 mm, a Ta film having a thickness of 3 nm, a Ru film having a thickness of 20 nm, and a Ta film having a thickness of 3 nm.
  • a third electrode comprising a lower electrode layer 28 having a film, a base layer 29 made of Pt having a thickness of 5 nm, a Co film having a thickness of 0.5 nm and a Pt film having a thickness of 0.3 nm being laminated four times.
  • Magnetic layer 31, third nonmagnetic layer 33 made of a laminate of a 0.5 nm thick Co film, a 0.9 nm thick Ru film, and a 0.5 nm thick Co film, 0.5 nm thick
  • a fourth ferromagnetic layer 32 made of a film obtained by laminating a Co film and a Pt film having a thickness of 0.3 nm twice, a magnetic coupling layer 26 made of a Ta film having a thickness of 0.4 nm, and a thickness of 1.2 nm.
  • the upper electrode layer 30 is stacked in this order.
  • the magnetic tunnel junction element 10 shown in FIG. 14 is manufactured by performing heat treatment at 400 ° C. for 1 hour after forming each layer.
  • FIGS. 15A, 15C, and 15E The magnetization curve in the vertical direction (Out-of-plane) measured at the center (Wafer ⁇ Center) is shown in FIGS. 15A, 15C, and 15E as the perpendicular measured at the wafer edge (Wafer Edge).
  • FIGS. 15B, 15D, and 15F Directional magnetization curves are shown in FIGS. 15B, 15D, and 15F. As shown in FIGS.
  • the magnetization curve in the perpendicular direction, is non-linear and a hysteresis curve, and it was confirmed that perpendicular magnetic characteristics were obtained. Further, as shown in FIG. 15F, when the film thickness of the first nonmagnetic layer 22 is 0.6 nm, the first ferromagnetic layer 21 and the second ferromagnetic layer 24 are arranged at the wafer edge. It was confirmed that antiferromagnetic coupling occurred.
  • TMR has Mg in the first nonmagnetic layer 22 of 0.1 nm to 0.4 nm. It was confirmed that the thickness increased by about 2 to 20% when the first nonmagnetic layer 22 was not inserted when the thickness was inserted (when the thickness was 0 nm). From this, it can be said that even when the first nonmagnetic layer 22 is made of Mg, the TMR ratio is improved as in the case where the first nonmagnetic layer 22 is made of MgO (see, for example, FIG. 10). In addition, it is considered that the perpendicular magnetic anisotropy is improved as in the case where the first nonmagnetic layer 22 is made of MgO (see, for example, FIG. 11).
  • FIG. 17 shows a block circuit diagram of a magnetic memory when the present invention is applied to the SOT element.
  • the magnetic tunnel junction element 10 includes a lower electrode layer 28, a first ferromagnetic layer 21, a first nonmagnetic layer 22, a second nonmagnetic layer 23 on the lower connection layer 41.
  • the second ferromagnetic layer 24, the barrier layer 12, the reference layer 11, the magnetic coupling layer 26, the fixed layer 25, and the protective layer 14 are sequentially stacked.
  • the lower connection layer 41 and the lower electrode layer 28 form the base layer 15.
  • the recording layer 13 includes a first ferromagnetic layer 21, a first nonmagnetic layer 22, a second nonmagnetic layer 23, and a second ferromagnetic layer 24, and the first nonmagnetic layer.
  • the layer 22 is laminated so as to be closer to the base layer 15 than the second nonmagnetic layer 23.
  • the magnetic tunnel junction element 10, a write current I w is the spin-orbit interaction that occurs when flowing through the conductive layer from the lower electrode layer 28 to the second ferromagnetic layer 24, the magnetization of the recording layer 13 is reversed.
  • the magnetic tunnel junction element 10 is connected to the bit line BL1, the bit line BL2, the word WL1, and the ground line GL. That is, the terminal connected to the upper part of the magnetic tunnel junction element 10 is connected to the ground line GL. Further, both ends of the lower electrode layer 28 are connected to the sources or drains of the first cell transistor Tr1 and the second cell transistor Tr2 via the lower connection layer 41. The gate electrodes of the first cell transistor Tr1 and the second cell transistor Tr2 are connected to the word line WL. The terminals on the opposite side of the source and drain of the first cell transistor Tr1 and the second cell transistor Tr2 to the side connected to the magnetic tunnel junction element 10 are the first bit line BL1 and the second bit line BL2, respectively. It is connected to the.
  • the first cell transistor Tr1 and the second cell transistor Tr2 are brought into a 0N state by setting the word line WL to a high level. Further, by setting either the first bit line BL1 or the second bit line BL2 to High, information can be written to the magnetic tunnel junction element 10.
  • the first cell transistor Tr1 and the second cell transistor Tr2 are set to the 0N state by setting the word line WL to the high level. Furthermore, information can be read from the magnetic tunnel junction element 10 by setting both the first bit line BL1 and the second bit line BL22 to High, or setting one to High and the other to Open. Become.

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Abstract

【課題】よりＭＲ比が高く、成膜時に記録層の損傷を防ぐことができる磁気トンネル接合素子および磁気メモリを提供する。 【解決手段】参照層１１が、強磁性体を含み、磁化方向が垂直方向で固定されている。障壁層１２が、非磁性体を含み、参照層１１の一方の表面側に配置されている。記録層１３が、参照層１１との間に障壁層１２を挟むよう配置されている。記録層１３は、少なくともＣｏおよびＦｅのいずれか一方を含み、磁化方向が垂直方向で可変である第１の強磁性層２１と、Ｍｇ、ＭｇＯ、Ｃ、Ｌｉ、ＡｌおよびＳｉのうちの少なくともいずれか１つを含む第１の非磁性層２２と、Ｔａ、Ｈｆ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙ、Ｓｃ、Ｔｉ、ＶおよびＣｒのうちの少なくともいずれか１つ含む第２の非磁性層２３と、少なくともＣｏおよびＦｅのいずれか一方を含み、磁化方向が垂直方向で可変である第２の強磁性層２４とを、この順で有している。

Description

磁気トンネル接合素子および磁気メモリ
　本発明は、磁気トンネル接合素子および磁気メモリに関する。
　スピントランスファートルク（以下、ＳＴＴ）を用いた磁化反転は、素子サイズが小さくなるほど書き込みに要する電流値が小さくなるため、高密度で消費電力の小さいメモリ素子に適しており、近年、このＳＴＴによる磁化反転を用いた磁気メモリ（ＳＴＴ－ＭＲＡＭ）が注目を集めている。
　ＳＴＴによる磁化反転を利用する磁気メモリは、磁気トンネル接合素子（ＭＴＪ素子）で構成されている。このＭＴＪ素子は、磁化の向きが固定された参照（固定）層と、磁化の向きが変化する記録（自由）層とでトンネル障壁層（トンネル絶縁膜）をサンドイッチした構成を有している。
　ＭＴＪ素子の性能は、トンネル磁気抵抗比（ＴＭＲ比）、熱安定性および閾値電流で表される。トンネル磁気抵抗比は、（Ｒａｐ－Ｒｐ）／Ｒｐ　（ここで、Ｒｐ：障壁層に隣接する参照層の磁化と記録層の磁化とが平行に配列した時の抵抗値、Ｒａｐ：障壁層に隣接する参照層の磁化と記録層の磁化とが反平行に配列した時の抵抗値）で定義される値である。また、熱安定性Δは、Ｋｅｆｆ・Ｖ／ｋＢＴ　（ここで、Ｋｅｆｆ：記録層の実効磁気異方性エネルギー密度、Ｖ：記録層の体積、ｋＢ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）に比例する値である。一般に、ＭＴＪ素子は、トンネル磁気抵抗比が大きい方が好適であり、また、熱安定性を閾値電流で除した値が大きいほど好適である。
　ＭＴＪ素子が垂直磁化型のとき、ＳＴＴにより磁化を反転させる場合と熱的な反転が生じる場合とでは、磁化の通る方向が同じになる。一方、面内磁化型の場合、ＳＴＴにより磁化を反転させる場合と熱的な反転が生じる場合とでは、磁化が違う方向を通る。この場合、ＳＴＴによる反転では、磁化は反磁界が大きな面直方向を通り、熱的反転では、磁化は反磁界が小さな面内方向を通る。その結果、面内磁化型では、閾値電流に対する熱安定性の比が、垂直磁化型に比べて小さくなる。このため、近時では、垂直磁化型のＭＴＪ素子がより注目されており、垂直磁化型のＭＴＪ素子が用いられるようになってきている。
　このような垂直磁化型のＭＴＪ素子として、ＣｏＦｅＢから形成される強磁性層とＭｇＯ絶縁膜とを用いることにより、高いトンネル磁気抵抗比と高い熱安定性、低い閾値電流を有するものが開発されており（例えば、特許文献１参照）、現在、この材料系を用いた検討が活発に行われている。
　また、垂直磁気異方性を向上させるため、ＭｇＯ（障壁層）／ＣｏＦｅＢ（記録層）／ＭｇＯ（保護層）構造のように、記録層（ＣｏＦｅＢ）を、酸素を含む障壁層（ＭｇＯ）と保護層（ＭｇＯ）とで挟んだ構造（二重界面構造）を有するものも開発されている（例えば、特許文献１参照）。また、保護層として導電性酸化物層を用いた二重界面構造を有するものや、その保護層の上に金属キャップ層を配置したものも開発されている（例えば、特許文献２参照）。
　このような二重界面構造を有するＭＴＪ素子は、記録層の下と記録層の上のＣｏＦｅＢ／ＭｇＯ界面に生じる２つの垂直磁気異方性によって、ＭｇＯの保護層がないトンネル接合素子よりも記録層の膜厚を大きくすることができる。熱安定性は、記録層の膜厚に比例して増加するため、膜厚を大きくすることにより熱安定性を向上させることができる。また、同時に、記録層の膜厚を大きくすることにより、記録層のダンピング定数αを低減することも可能となる。書き込み電流の値はαに比例するため、書き込み電流の値を同時に低減することができる。これらの結果、二重界面構造を有するＭＴＪ素子は、熱安定性が高く、書き込み電流が小さい、すなわち、熱安定性を閾値電流で除した値が大きいものとなっている。
　一方、ＭｇＯの保護層がないＭＴＪ素子では、記録層の上に、ＭｇＯ保護層の代わりにＴａ等の保護層を積層している。この場合、熱処理によってＴａがボロンを吸収するため、ＣｏＦｅＢが結晶化し、高いＭＲ比が得られる。
　しかし、特許文献１や２に記載のような二重界面構造を有するＭＴＪ素子は、ＭｇＯでＣｏＦｅＢを挟んでおり、Ｔａ等のキャップがないため、熱処理によるボロンの拡散が起きにくい。このため、ＣｏＦｅＢが熱処理によって結晶化せず、ＭＲ比が低下してしまうという問題があった。
　そこで、このようなＭＲ比の低下を防ぐために、記録層の間に薄いＴａ等の非磁性層を挿入したＭＴＪ素子が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。このＭＴＪ素子では、熱処理により、Ｔａ等の非磁性層がボロンを吸収してＣｏＦｅＢが結晶化しており、高いＭＲ比が得られている。
特開２０１４－２０７４６９号公報 国際公開第２０１３／０６９０９１号
H. Sato, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, F. Matsukura, and H. Ohno, "Perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junctions with a MgO/CoFeB/Ta/CoFeB/MgO recording structure", Appl. Phys. Lett., 2012, 101, 022414
　しかしながら、非特許文献１に記載のＭＴＪ素子では、記録層の間に挿入されたＴａ等の非磁性層を３５０℃以上の高温で熱処理すると、Ｔａ等が記録層内を拡散して障壁層まで到達し、ＭＲ比を低下させてしまうという課題があった。また、非磁性層として、ＴａやＷ等の耐熱性の高い高融点金属が用いられるが、これらの材料は原子量が大きいため、スパッタリングによる成膜時にＴａ等の材料が記録層に衝突することにより、記録層が損傷しやすいという課題もあった。
　本発明は、このような課題に着目してなされたもので、よりＭＲ比が高く、成膜時に記録層の損傷を防ぐことができる磁気トンネル接合素子および磁気メモリを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明に係る磁気トンネル接合素子は、強磁性体を含み、磁化方向が膜面に対して垂直方向で固定されている参照層と、非磁性体を含み、前記参照層の一方の表面側に配置された障壁層と、前記障壁層の前記参照層とは反対の面側に配置された記録層とを有し、前記記録層は、少なくともＣｏおよびＦｅのいずれか一方を含み、磁化方向が膜面に対して垂直方向で可変である第１の強磁性層と、Ｍｇ、ＭｇＯ、Ｃ、Ｌｉ、ＡｌおよびＳｉのうちの少なくともいずれか１つを含み、前記第１の強磁性層の一方の表面側に配置された第１の非磁性層と、Ｔａ、Ｈｆ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙ、Ｓｃ、Ｔｉ、ＶおよびＣｒのうちの少なくともいずれか１つ含み、前記第１の非磁性層の前記第１の強磁性層とは反対の面側に配置され、０．３～２．０ｎｍの厚さを有する第２の非磁性層と、少なくともＣｏおよびＦｅのいずれか一方を含み、磁化方向が膜面に対して垂直方向で可変であり、前記第２の非磁性層の前記第１の非磁性層とは反対の面側に配置された第２の強磁性層とを有し、前記第１の強磁性層の前記第１の非磁性層とは反対の面側、および、前記第２の強磁性層の第２の非磁性層とは反対の面側の少なくともいずれか一方に、前記障壁層が配置されるよう設けられていることを特徴とする。
　本発明に係る磁気トンネル接合素子は、それぞれ磁化方向が膜面に対して垂直方向で可変である第１の強磁性層と第２の強磁性層との間に、ＭｇやＭｇＯ等を含む第１の非磁性層と、Ｔａ等を含む第２の非磁性層とが挿入されている。本発明に係る磁気トンネル接合素子は、例えば、スパッタリングにより製造することができる。本発明に係る磁気トンネル接合素子は、Ｔａ等を含む第２の非磁性層が挿入されているため、製造時の熱処理によって、第１の強磁性層および第２の強磁性層が結晶化し、ＭＲ比を高めることができる。
　また、本発明に係る磁気トンネル接合素子は、第２の非磁性層より先に第１の非磁性層を成膜しておくことにより、第２の非磁性層をスパッタリング等で成膜する際に、Ｔａ等の材料が第１の強磁性層に衝突して打ち込まれるのを、第１の非磁性層で防ぐことができる。これにより、第１の強磁性層がダメージを受けて記録層が損傷するのを防ぐことができる。また、第１の強磁性層にＴａ等の材料が打ち込まれないため、製造時の熱処理で、Ｔａ等が第１の強磁性層内に拡散するのを防ぐことができる。これにより、ＭＲ比が低下するのを防ぐことができる。また、熱処理の温度を上げることもできる。
　本発明に係る磁気トンネル接合素子で、参照層は、強磁性体を含んでいれば、いかなる材質から成っていてもよい。参照層は、例えば、ＦｅＰｔ層やＴｂＴｅＣｏ層等の、ＣｏやＦｅを含む強磁性層から成っている。また、参照層は、いかなる厚さであってもよいが、界面磁気異方性に起因する垂直磁化を利用するのであれば、５ｎｍ以下の厚さが好ましく、３ｎｍ以下さらに１．６ｎｍ以下の厚さがより好ましい。
　障壁層は、酸素を含み、参照層と記録層との間に磁気トンネル接合を生成可能なものであれば、いかなる材質から成っていてもよい。障壁層は、例えば、ＭｇＯ、ＭｇＯＴｉ、ＭｇＯＴｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＺｎＯなどから成っている。障壁層は、磁気トンネル接合を生成可能な厚さであれば、いかなる厚さであってもよいが、１０ｎｍ以下の厚さが好ましく、５ｎｍ以下の厚さが特に好ましい。
　第１の強磁性層および第２の強磁性層は、それぞれ、少なくともＣｏおよびＦｅのいずれか一方を含んでいればよく、Ｃｏ、Ｆｅ、ＣｏＢおよびＦｅＢのうちの少なくともいずれか１つを含んでいることが好ましい。第１の強磁性層および第２の強磁性層は、例えば、ＣｏＦｅＢや、ＣｏＦｅＢＭ（ここで、Ｍは、Ｎｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｐｔ，Ｃｒ，ＳｉおよびＶのうちの少なくともいずれか１つ含むもの）などを含む層であってもよい。また、微量の他の元素を含んでいてもよい。また、第１の強磁性層および第２の強磁性層は、単層であってもよく、複数の膜から成る積層膜から成っていてもよい。例えば、Ｆｅを含む層と、ＦｅＢまたはＣｏＢを含む層との積層膜から成っていてもよい。
　第１の強磁性層および第２の強磁性層は、いかなる厚さであってもよいが、界面磁気異方性に起因する垂直磁化を利用するのであれば、それぞれ５ｎｍ以下の厚さが好ましく、３ｎｍ以下さらに１．６ｎｍ以下の厚さがより好ましい。第１の強磁性層は、特に、０．５ｎｍ～４ｎｍの厚さが好ましい。第２の強磁性層は、特に、０．５ｎｍ～４ｎｍの厚さが好ましい。また、第１の強磁性層および第２の強磁性層は、双方の厚みの合計が２ｎｍ以上であることが好ましい。また、第２の非磁性層は、０．４～０．５ｎｍの厚さを有することが好ましい。この場合、第１の強磁性層と第２の強磁性層との磁気結合を劣化させることなく、ＭＲ比を高めることができる。
　本発明に係る磁気トンネル接合素子は、非磁性体を含み、前記記録層の前記障壁層とは反対の面側に配置された保護層を有することが好ましい。この場合、記録層を障壁層と保護層とで挟んだ二重界面構造とすることができる。保護層は、酸素を含む非磁性体から成ることが好ましく、例えば、ＭｇＯ、ＭｇＯＴｉ、ＭｇＯＴｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＺｎＯなどから成っている。この場合、記録層を、それぞれ酸素を含む障壁層と保護層とで挟むことにより、障壁層と記録層との界面および保護層と記録層との界面にそれぞれ垂直磁気異方性を生じさせることができる。これにより、記録層の膜厚を大きくして、熱安定性を高めることができる。保護層は、いかなる厚さであってもよいが、１０ｎｍ以下の厚さが好ましく、５ｎｍ以下の厚さが特に好ましい。また、保護層は、障壁層の厚さと同じか、それ以下の厚さであることが好ましい。
　本発明に係る磁気トンネル接合素子で、前記第１の強磁性層および前記第２の強磁性層は、それぞれ前記障壁層または前記保護層に接触しており、その接触した前記障壁層または前記保護層との界面垂直磁気異方性により、磁化の方向が膜面に対して垂直になっていることが好ましい。この場合、記録層の膜厚を大きくして、熱安定性を高めることができる。なお、第１の強磁性層および第２の強磁性層のいずれか一方が障壁層に接触し、他方が保護層に接触していてもよく、第１の強磁性層および第２の強磁性層の双方が障壁層に接触していてもよい。
　本発明に係る磁気トンネル接合素子で、前記第１の非磁性層は、０．１～１．０ｎｍの厚さを有することが好ましく、０．１～０．４ｎｍの厚さを有することが特に好ましい。この場合、第１の強磁性層と第２の強磁性層との磁気結合を劣化させることなく、ＭＲ比を高めることができる。
　本発明に係る磁気トンネル接合素子は、一方の表面側に少なくとも前記参照層と前記障壁層と前記記録層とを成膜するための基層を有し、前記記録層は、前記第２の非磁性層よりも前記第１の非磁性層が前記基層側に配置されていることが好ましい。この場合、参照層と障壁層と記録層とを、基層の一方の表面側にスパッタリング等で成膜することにより、本発明に係る磁気トンネル接合素子を製造することができる。本発明に係る磁気トンネル接合素子は、第２の非磁性層よりも第１の非磁性層が基層側に配置されているため、第２の非磁性層を成膜する際に、第１の強磁性層がダメージを受けたり、Ｔａ等が拡散してＭＲ比が低下したりするのを防ぐことができる。このため、本発明に係る磁気トンネル接合素子は、記録層が損傷しておらず、高いＭＲ比を有している。
　本発明に係る磁気トンネル接合素子で、前記第１の強磁性層および前記第２の強磁性層は、前記第１の非磁性層および前記第２の非磁性層を通して磁気的に結合していることが好ましい。この場合、第１の非磁性層および第２の非磁性層は、それぞれ第１の強磁性層と第２の強磁性層との磁気結合を劣化させない厚みを有していることが好ましい。なお、第１の非磁性層に含まれるＭｇやＭｇＯ等は、原子半径が小さく、揮発性が高いため、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間の第２の非磁性層を介した磁気結合を劣化させにくい。
　本発明に係る磁気メモリは、互いに平行に配置された複数のソース線と、前記ソース線と交差する方向に、互いに平行に配置された複数のワード線と、前記ソース線に平行に配置された複数のビット線と、ゲート電極がいずれか１つのワード線に電気的に接続され、ソース電極がいずれか１つのソース線に電気的に接続された選択トランジスタと、前記第１の強磁性層および前記第２の強磁性層のいずれか一方が前記選択トランジスタのドレイン電極に電気的に接続され、他方がいずれか１つのビット線に電気的に接続された本発明に係る磁気トンネル接合素子とを有し、前記磁気トンネル接合素子の膜面垂直方向に電流を印加可能に構成されていることを特徴とする。
　本発明に係る磁気メモリは、それぞれ前記選択トランジスタと前記磁気トンネル接合素子とを有し、電気的に接続されたワード線とビット線とソース線との組合せが互いに異なる複数の記憶セルと、各ワード線と各ビット線と各ソース線とを介して、いずれか１つの記憶セルを選択してデータを書き込むよう構成された書込部と、各ワード線と各ビット線と各ソース線とを介して、いずれか１つの記憶セルを選択してデータを読み出すよう構成された読出部とを、有することが好ましい。
　本発明に係る磁気メモリは、本発明に係る磁気トンネル接合素子を有するため、熱安定性が高い。特に、垂直磁気異方性に優れた磁気トンネル接合素子を用いることにより、高密度化および消費電力の低減を図ることができる。
　本発明によれば、よりＭＲ比が高く、成膜時に記録層の損傷を防ぐことができる磁気トンネル接合素子および磁気メモリを提供することができる。
本発明の実施の形態の磁気トンネル接合素子を示す断面図である。 本発明の実施の形態の磁気トンネル接合素子の、実際の構造の一例を示す断面図である。 本発明の実施の形態の磁気トンネル接合素子の、（ａ）低抵抗状態、（ｂ）高抵抗状態を示す説明図である。 本発明の実施の形態の磁気トンネル接合素子の、第１の変形例を示す断面図である。 本発明の実施の形態の磁気トンネル接合素子の、第２の変形例を示す断面図である。 本発明の実施の形態の磁気メモリを示すブロック回路図である。 本発明の実施の形態の磁気トンネル接合素子の、第１の測定に用いた構成を示す断面図である。 図７に示す磁気トンネル接合素子の、第１の非磁性層（ＭｇＯ）２２の厚さが（ａ）０ｎｍのときの面内方向（In-plane）、（ｂ）垂直方向（Out-of-plane）、（ｃ）０．１ｎｍのときの面内方向、（ｄ）垂直方向、（ｅ）０．２ｎｍのときの面内方向、（ｆ）垂直方向、（ｇ）０．５ｎｍのときの面内方向、（ｈ）垂直方向の磁化曲線を示すグラフである。 本発明の実施の形態の磁気トンネル接合素子の、第２の測定に用いた構成を示す断面図である。 図９に示す磁気トンネル接合素子の（ａ）ＴＭＲ比と第１の非磁性層（ＭｇＯ）の膜厚との関係、（ｂ）ＴＭＲ比と第２の非磁性層（ＴａまたはＷ）の膜厚との関係を示すグラフである。 図９に示す磁気トンネル接合素子の（ａ）第２の非磁性層がＴａから成る場合、（ｂ）Ｗから成る場合の、Ｋｅｆｆと第１の非磁性層（ＭｇＯ）の膜厚との関係を示すグラフである。 （ａ）本発明の実施の形態の磁気トンネル接合素子の、第３の測定に用いた構成を示す断面図、（ｂ）第１の非磁性層がない磁気トンネル接合素子を示す断面図である。 （ａ）　図１２（ａ）　、（ｂ）　図１２（ｂ）に示す磁気トンネル接合素子のサイズとＭＲ比との関係を示すグラフである。 本発明の実施の形態の磁気トンネル接合素子の、第４の測定に用いた、第１の非磁性層がＭｇから成る構成を示す断面図である。 図１４に示す磁気トンネル接合素子の、第１の非磁性層２２のＭｇの厚さが（ａ）０ｎｍのときのウエハ中央（Wafer Center）、（ｂ）ウエハ端部（Wafer Edge）、（ｃ）０．３ｎｍのときのウエハ中央、（ｄ）ウエハ端部、（ｅ）０．６ｎｍのときのウエハ中央、（ｆ）ウエハ端部で測定された垂直方向（Out-of-plane）の磁化曲線示すグラフである。 図１４に示す磁気トンネル接合素子の、ＴＭＲ比と第１の非磁性層（Ｍｇ）の膜厚との関係を示すグラフである。 本発明の実施の形態の磁気トンネル接合素子を、３端子のＳＯＴ素子に適用したときの磁気メモリを示すブロック回路図である。
　以下、図面に基づいて、本発明の実施の形態について説明する。
　図１乃至図５は、本発明の実施の形態の磁気トンネル接合（ＭＴＪ；Magnetic Tunnel Junction）素子１０を示している。
　図１乃至図３に示すように、磁気トンネル接合素子１０は、参照層１１と障壁層１２と記録層１３と保護層１４とを、この順番で積層した構造と、これらの各層をスパッタリング等で成膜するための基層１５とを有している。
　参照層１１は、強磁性体から成り、磁化方向が膜面に対して垂直方向で固定されている。参照層１１は、例えば、厚さ１．０～１．２ｎｍのＣｏＦｅＢの層から成っている。
　障壁層１２は、非磁性体から成っている。障壁層１２は、例えば、厚さ１．０～１．３ｎｍのＭｇＯの層から成っている。
　記録層１３は、第１の強磁性層２１と第１の非磁性層２２と第２の非磁性層２３と第２の強磁性層２４とを、この順番で積層した構造を有している。第１の強磁性層２１は、磁化方向が膜面に対して垂直方向で可変になっており、例えば、厚さ１．４～１．５ｎｍのＣｏＦｅＢから成っている。第１の非磁性層２２は、例えば、厚さ０．１～１．０ｎｍのＭｇＯまたはＭｇから成っている。第２の非磁性層２３は、例えば、厚さ０．３～０．５ｎｍのＴａまたはＷから成っている。第２の強磁性層２４は、磁化方向が膜面に対して垂直方向で可変になっており、例えば、厚さ１．０～１．５ｎｍのＣｏＦｅＢから成っている。
　第１の強磁性層２１および第２の強磁性層２４は、第１の非磁性層２２および第２の非磁性層２３を通して磁気的に結合している。記録層１３は、第１の強磁性層２１の側および第２の強磁性層２４の側のいずれの側に障壁層１２が配置されていてもよい。図１に示す具体的な一例では、第１の強磁性層２１の側に障壁層１２が配置されている。
　保護層１４は、酸素を含む非磁性体から成っている。保護層１４は、例えば、厚さ１．０～１．１ｎｍのＭｇＯの層から成っている。なお、保護層１４は、導電性酸化物膜から成っていてもよい。導電性酸化物膜は、例えば、（１）ＲｕＯ２、ＶＯ２、ＣｒＯ２、ＮｂＯ２、ＭｏＯ２、ＷＯ２、ＲｅＯ２、ＲｈＯ２、ＯｓＯ２、ＩｒＯ２、ＰｔＯ２、Ｖ３Ｏ５、Ｔｉ３Ｏ５などのルチル－ＭｏＯ２型酸化物、（２）ＴｉＯ、ＶＯ、ＮｂＯ、ＬａＯ、ＮｄＯ、ＳｍＯ、ＥｕＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＮｉＯなどのＮａＣｌ型酸化物、（３）ＬｉＴｉ２Ｏ４、ＬｉＶ２Ｏ４、Ｆｅ３Ｏ４などのスピネル型酸化物、（４）ＲｅＯ３、ＣａＣｒＯ３、ＳｒＣｒＯ３、ＢａＭｏＯ３、ＳｒＭｏＯ３、ＣａＭｏＯ３、ＬａＣｕＯ３、 ＣａＲｕＯ３、ＳｒＶＯ３、ＢａＴｉＯ３などのペロブスカイト－ＲｅＯ３型酸化物、（５）Ｔｉ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ３、Ｒｈ２Ｏ３などのコランダム型酸化物、（６）ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、Ｃｕ２Ｏ、Ａｇ２Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、ＷＯ３などの酸化物半導体、または、（７）ＴａＯ２などである。
　図１に示す一例では、基層１５として、固定層２５と磁気結合層２６とを有している。また、基層１５は、第１の非磁性層２２が第２の非磁性層２３よりも基層１５の側になるよう、参照層１１の障壁層１２とは反対側の面に配置されている。図３に示すように、固定層２５は、第３の強磁性層３１と第４の強磁性層３２と、その間に挟まれた第３の非磁性層３３とを有している。第３の強磁性層３１は、例えば、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．３ｎｍのＰｔ膜とを、それぞれ交互に４回積層した膜から成っている。第４の強磁性層３２は、例えば、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．３ｎｍのＰｔ膜とを、それぞれ交互に２回積層した膜から成っている。第３の非磁性層３３は、例えば、厚さ０．９ｎｍのＲｕ膜と厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜とを積層した膜から成っている。固定層２５は、第３の非磁性層３３を介して、第３の強磁性層３１および第４の強磁性層３２の磁化の向きが、ＲＫＫＹ相互作用により、膜面に対して垂直方向で互いに反対向きになっている。
　磁気結合層２６は、非磁性体から成っており、固定層２５と参照層１１との間に挟まれている。磁気結合層２６は、例えば、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．４ｎｍのＴａ膜とを積層した膜、または、厚さ０．４ｎｍのＴａ膜から成っている。固定層２５は、第４の強磁性層３２が磁気結合層２６と接するよう設けられている。なお、参照層１１は、磁気結合層２６を介して固定層２５と磁気的に結合しており、磁化方向が膜面に対して垂直方向で一方向に固定されている。
　磁気トンネル接合素子１０は、障壁層１２を介して、参照層１１と記録層１３との間に磁気トンネル接合が生成されている。また、図１に示すように、磁気トンネル接合素子１０は、記録層１３を障壁層１２と保護層１４とで挟んだ二重界面構造を有し、第１の強磁性層２１が障壁層１２に、第２の強磁性層２４が保護層１４に接触している。これにより、磁気トンネル接合素子１０は、第１の強磁性層２１と障壁層１２との界面、および、第２の強磁性層２４と保護層１４との界面にそれぞれ垂直磁気異方性が生じ、第１の強磁性層２１および第２の強磁性層２４の磁化方向が膜面に対して垂直になっている。また、磁気トンネル接合素子１０は、第１の強磁性層２１および第２の強磁性層２４の磁化方向が、スピン注入磁化反転により変化するようになっている。
　磁気トンネル接合素子１０は、基層１５の上に、参照層１１と障壁層１２と第１の強磁性層２１と第１の非磁性層２２と第２の非磁性層２３と第２の強磁性層２４と保護層１４とを成膜した後、熱処理を行うことにより製造することができる。各層の堆積方法としては、物理蒸着法であるスパッタリングや分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）などを用いることができる。熱処理の温度は、３５０℃～４５０℃が好ましい。
　磁気トンネル接合素子１０は、実際には、例えば、図２に示すように、基板２７の上に、下部電極層２８と下地層２９とを形成し、この下地層２９の上に、固定層２５、磁気結合層２６、参照層１１、障壁層１２、第１の強磁性層２１、第１の非磁性層２２、第２の非磁性層２３、第２の強磁性層２４、保護層１４、上部電極層３０の順に積層された構成を有している。この場合にも、基板２７の上に各層を成膜した後、熱処理を行うことにより製造することができる。なお、図２に示す一例では、基板２７、下部電極層２８、下地層２９、固定層２５および磁気結合層２６が、基層１５を成している。
　基板２７は、トランジスタや多層の配線層を含んだ構成を有している。
　下部電極層２８は、例えば、厚さ２０～５０ｎｍ程度の導電層から成っている。下部電極層２８は、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、ＣｕＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｕなどの金属材料やその合金などから成っている。また、下部電極層２８は、複数の金属材料を積層した構造、例えばＴａ／Ｒｕ／Ｔａといった構造であってもよい。下部電極層２８は、上部の各層を形成するための下地となる層であり、成膜後、化学機械研磨（ＣＭＰ）やガスクラスターイオンビオーム（ＧＣＩＢ）等により、表面が平坦に形成されている。
　下地層２９は、例えば、厚さ５ｎｍ程度のＴａの層から成っている。下地層２９は、Ｔａの他にも、Ｐｔ、Ｃｕ、ＣｕＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｈｆなどの金属材料およびその合金などから成っていてもよい。また、下地層２９は、複数の金属材料を積層した構造、例えばＴａ／Ｐｔといった構造であってもよい。
　上部電極層３０は、例えば、厚さ１０～１００ｎｍ程度の導電層から成っている。上部電極層３０は、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、ＣｕＮ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｕなどの金属材料やその合金などから成っている。また、上部電極層３０は、複数の金属材料を積層した構造、例えばＴａ／Ｒｕといった構造であってもよい。
　次に、作用について説明する。
　磁気トンネル接合素子１０は、第１の強磁性層２１と第２の強磁性層２４との間に、ＴａまたはＷを含む第２の非磁性層２３が挿入されているため、製造時の熱処理によって、第１の強磁性層２１および第２の強磁性層２４に含まれるＢを第２の非磁性層２３が吸収し、第１の強磁性層２１および第２の強磁性層２４の結晶化を促進して、ＭＲ比を高めることができる。
　また、磁気トンネル接合素子１０は、製造時に、第２の非磁性層２３より先に第１の非磁性層２２を成膜するため、第２の非磁性層２３をスパッタリング等で成膜する際に、ＴａまたはＷが第１の強磁性層２１に衝突して打ち込まれるのを、第１の非磁性層２２で防ぐことができる。これにより、第１の強磁性層２１がダメージを受けて記録層１３が損傷するのを防ぐことができる。また、第１の強磁性層２１にＴａまたはＷが打ち込まれないため、製造時の熱処理で、ＴａまたはＷが第１の強磁性層２１の内部に拡散するのを防ぐことができる。これにより、ＭＲ比が低下するのを防ぐことができる。また、熱処理の温度を上げることもできる。このように、磁気トンネル接合素子１０は、記録層１３が損傷しておらず、高いＭＲ比を有している。
　また、磁気トンネル接合素子１０は、二重界面構造を有し、記録層１３の２つの界面にそれぞれ垂直磁気異方性が生じているため、記録層１３の膜厚を大きくして、熱安定性を高めることができる。また、第１の非磁性層２２が、原子半径が小さく、揮発性が高いＭｇやＭｇＯから成るため、第１の強磁性層２１と第２の強磁性層２４との間の第２の非磁性層２３を介した磁気結合を劣化させにくい。
　磁気トンネル接合素子１０は、図３（ａ）に示すように、参照層１１の磁化方向と記録層１３の磁化方向が互いに平行で同一方向（Ｐ状態）のとき、下部電極層２８と上部電極層３０との間が低抵抗になる。一方、図３（ｂ）に示すように、参照層１１の磁化方向と記録層１３の磁化方向が反平行（平行で反対方向：ＡＰ状態）のとき、下部電極層２８と上部電極層３０との間が高抵抗になる。この抵抗値の高低を、ビット情報の「０」と「１」とに対応させることにより、情報を書き込むことができる。図３に示す一例では、低抵抗に「０」を、高抵抗に「１」を割り当てている。
　磁気トンネル接合素子１０に情報を書き込む場合、下部電極層２８と上部電極層３０との間に流す書き込み電流の方向を変えることにより、「０」または「１」を書き込むことができる。書き込み電流を上部電極層３０から下部電極層２８に向かって流すと、図３（ａ）に示すように、記録層１３の磁化が参照層１１の磁化と同一方向になるため、「０」が書き込まれる。また、書き込み電流を下部電極層２８から上部電極層３０に向かって流すと、図３（ｂ）に示すように、記録層１３の磁化が参照層１１の磁化と反対方向になるため、「１」が書き込まれる。
　磁気トンネル接合素子１０から情報を読み出す場合、下部電極層２８と上部電極層３０との間に読み出し電圧を印加することにより、「０」または「１」のそれぞれの抵抗値に応じた電流が流れる。この電流を検出することにより、書き込まれている情報を読み出すことができる。
　なお、図４に示すように、磁気トンネル接合素子１０は、固定層２５から保護層１４までをひっくり返した構成を有していてもよい。この場合、下地層２９と保護層１４とが接触し、固定層２５と上部電極層３０とが接触している。また、基板２７、下部電極層２８および下地層２９が、基層１５を成している。記録層１３は、第１の非磁性層２２が第２の非磁性層２３よりも基層１５の側になるよう、保護層１４の側から障壁層１２の側にかけて、第１の強磁性層２１、第１の非磁性層２２、第２の非磁性層２３、第２の強磁性層２４の順に積層されている。
　また、図５に示すように、磁気トンネル接合素子１０は、記録層１３と保護層１４との間に、記録層１３の側から順に、第２の障壁層１２ａ、第２の参照層１１ａ、第２の磁気結合層２６ａ、第２の固定層２５ａを挿入して積層された構成を有していてもよい。
　図６は、本発明の実施の形態の磁気メモリを示している。
　図６に示すように、磁気メモリ５０は、ソース線ＳＬとワード線ＷＬとビット線ＢＬとＸドライバ（ワード線ドライバ）５１とＹドライバ（ビット線ＢＬドライバ）５２とソース線ドライバ５３とセンスアンプ５４と記憶セル５５とを有している。
　ソース線ＳＬは、複数から成り、互いに平行に配置されている。ワード線ＷＬは、複数から成り、各ソース線ＳＬと交差する方向に、互いに平行に配置されている。ビット線ＢＬは、複数から成り、各ソース線ＳＬに平行に配置されている。なお、各ソース線ＳＬと各ワード線ＷＬ、各ワード線ＷＬと各ビット線ＢＬは、互いに直接、電気的には接続されていない。
　Ｘドライバ５１は、各ワード線ＷＬに接続されている。Ｙドライバ５２は、各ビット線ＢＬに接続されている。ソース線ドライバ５３は、各ソース線ＳＬに接続されている。センスアンプ５４は、各ビット線ＢＬに接続されている。
　記憶セル５５は、複数から成り、それぞれ各ワード線ＷＬと各ビット線ＢＬとが交差する位置付近に配置され、マトリックス状に配列されている。各記憶セル５５は、それぞれが１ビット分の情報を記憶可能であり、それぞれ選択トランジスタ５６と磁気トンネル接合素子１０とを有している。選択トランジスタ５６は、ゲート電極がいずれか１つのワード線ＷＬに電気的に接続され、ソース電極がいずれか１つのソース線ＳＬに電気的に接続されている。磁気トンネル接合素子１０は、下部電極層２８が選択トランジスタ５６のドレイン電極に電気的に接続され、上部電極層３０がいずれか１つのビット線ＢＬに電気的に接続されている。
　各記憶セル５５は、電気的に接続されたワード線ＷＬとビット線ＢＬとソース線ＳＬとの組合せが互いに異なっている。磁気メモリ５０は、ビット線ＢＬおよびソース線ＳＬを介して、各記憶セル５５の磁気トンネル接合素子１０の膜面垂直方向に電流を印加可能になっている。
　磁気メモリ５０は、Ｘドライバ５１、Ｙドライバ５２およびソース線ドライバ５３が、各ワード線ＷＬと各ビット線ＢＬと各ソース線ＳＬとを介して、いずれか１つの記憶セル５５を選択してデータを書き込むよう構成された書込部として機能するようになっている。また、Ｘドライバ５１、センスアンプ５４、およびソース線ドライバ５３が、各ワード線ＷＬと各ビット線ＢＬと各ソース線ＳＬとを介して、いずれか１つの記憶セル５５を選択してデータを読み出すよう構成された読出部として機能するようになっている。
　磁気メモリ５０は、以下のようにして、磁気トンネル接合素子１０に情報を書き込むようになっている。すなわち、Ｘドライバ５１が、書き込み対象の磁気トンネル接合素子１０に接続されたワード線ＷＬの電圧を制御して、対応する選択トランジスタ５６をオンにする。次に、Ｙドライバ５２とソース線ドライバ５３が、書き込み対象の磁気トンネル接合素子１０に接続されたビット線ＢＬとソース線ＳＬとの間に印加する電圧を調整して、磁気トンネル接合素子１０を流れる書き込み電流Ｉｗの向きと大きさとを制御する。これにより、スピン注入磁化反転で、所望の情報（「０」または「１」）を書き込むことができる。
　一方、磁気メモリ５０は、以下のようにして、磁気トンネル接合素子１０から情報を読み出すようになっている。すなわち、Ｘドライバ５１が、ワード線ＷＬに選択電圧を印加して、読み出し対象の磁気トンネル接合素子１０に接続された選択トランジスタ５６をオンにする。次に、Ｙドライバ５２とソース線ドライバ５３が、読み出し対象の磁気トンネル接合素子１０に接続されたビット線ＢＬとソース線ＳＬとの間に読み出し電圧を印加する。これにより、磁気トンネル接合素子１０に、書き込まれた情報（「０」または「１」）の抵抗値に応じた電流が流れる。センスアンプ５４が、その電流を電圧に変換し、書き込まれている情報を読み出すことができる。
　磁気メモリ５０は、垂直磁気異方性に優れた磁気トンネル接合素子１０を有するため、熱安定性が高く、高密度で消費電力が小さい。
　第１の非磁性層２２の厚さを変えて、磁気トンネル接合素子１０の磁気特性の測定を行った。図７に示すように、測定に使用した磁気トンネル接合素子１０は、参照層１１が厚さ１ｎｍでＣｏＦｅＢから成り、障壁層１２が厚さ１．３ｎｍでＭｇＯから成り、第１の強磁性層２１が厚さ１．４ｎｍでＣｏＦｅＢから成り、第１の非磁性層２２がＭｇＯから成り、第２の非磁性層２３が厚さ０．４ｎｍでＴａから成り、第２の強磁性層２４が厚さ１．０ｎｍでＣｏＦｅＢから成り、保護層１４が厚さ１．０ｎｍでＭｇＯから成っている。また、参照層１１の障壁層１２とは反対側の面、および保護層１４の第２の強磁性層２４とは反対側の面には、それぞれ厚さ５ｎｍのＴａ層から成る電極が形成されている。なお、図７に示す磁気トンネル接合素子１０は、各層を成膜した後、３５０℃で２時間の熱処理を行って製造されている。
　第１の非磁性層（ＭｇＯ）２２の厚さを、０ｎｍ（第１の非磁性層２２なし）、０．１ｎｍ、０．２ｎｍ、０．５ｎｍに変えて、それぞれ磁気特性の測定を行った。測定された磁化曲線を、図８に示す。図８（ａ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｇ）に示すように、各層の面内方向（In-plane）では、磁場の強さが０ Oeの付近で、磁化曲線がほぼ直線的であることが確認された。また、図８（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）、（ｈ）に示すように、各層の表面に対して垂直方向（Out-of-plane）では、磁化曲線が非直線的でヒステリシス曲線になっていることが確認された。このことから、磁化容易軸が各層の表面に対して垂直に配向しており、垂直磁気特性が得られていることがわかる。
　また、図８に示すように、第１の非磁性層２２のＭｇＯを挿入することにより、保磁力ＨＣおよび飽和磁化ＭＳが大きくなっていることが確認された。このことから、第１の非磁性層２２のＭｇＯを挿入することにより、熱安定性が高くなり、垂直磁気異方性が向上することがわかる。
　ＭｇＯから成る第１の非磁性層２２の厚さ、ならびに、第２の非磁性層２３の材料および厚さを変えて、磁気トンネル接合素子１０の磁気特性の測定を行った。図９に示すように、測定に使用した磁気トンネル接合素子１０は、直径３００ｍｍのＳｉ／ＳｉＯ２基板２７の上に、厚さ３ｎｍのＴａ膜と厚さ２０ｎｍのＲｕ膜と厚さ３ｎｍのＴａ膜とを有する下部電極層２８、厚さ３ｎｍのＰｔから成る下地層２９、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．３ｎｍのＰｔ膜とを４回積層した膜から成る第３の強磁性層３１、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．９ｎｍのＲｕ膜とを積層した膜から成る第３の非磁性層３３、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．３ｎｍのＰｔ膜とを２回積層した膜から成る第４の強磁性層３２、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．４ｎｍのＴａ膜とを積層した膜から成る磁気結合層２６、厚さ１．２ｎｍのＣｏＦｅＢから成る参照層１１、厚さ１．２ｎｍのＭｇＯから成る障壁層１２、厚さ１．４ｎｍのＣｏＦｅＢから成る第１の強磁性層２１、ＭｇＯから成る第１の非磁性層２２、第２の非磁性層２３、厚さ１．０ｎｍのＣｏＦｅＢから成る第２の強磁性層２４、厚さ１．１ｎｍのＭｇＯから成る保護層１４、厚さ５ｎｍのＴａ膜と厚さ２０ｎｍのＲｕ膜とを有する上部電極層３０の順に積層された構成を有している。なお、図９に示す磁気トンネル接合素子１０は、各層を成膜した後、４００℃で１時間の熱処理を行って製造されている。
　第２の非磁性層２３がＴａから成り、厚さが０．３ｎｍ、０．４ｎｍ、０．５ｎｍの場合、および、第２の非磁性層２３がＷから成り、厚さが０．４ｎｍの場合について測定された、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗）比と第１の非磁性層（ＭｇＯ）２２の膜厚（０ｎｍ～０．４ｎｍ）との関係を、図１０（ａ）および表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　図１０（ａ）および表１に示すように、第２の非磁性層２３が厚さ０．４ｎｍおよび０．５ｎｍのＴａ、ならびに、厚さ０．４ｎｍのＷから成る場合、ＴＭＲ比は、第１の非磁性層２２を挿入したときに、第１の非磁性層２２を挿入しない場合（膜厚０ｎｍのとき）と比べて、約１０～４０％程度高くなることが確認された。特に、第２の非磁性層２３が厚さ０．４ｎｍのＴａから成り、第１の非磁性層２２の膜厚が０．３ｎｍおよび０．４ｎｍの場合、および、第２の非磁性層２３が厚さ０．４ｎｍのＷから成り、第１の非磁性層２２の膜厚が０．２ｎｍの場合、ＴＭＲ比が非常に高くなることが確認された。
　次に、第１の非磁性層２２の厚さが０．２ｎｍのとき、第２の非磁性層２３がＴａから成る場合およびＷから成る場合について測定された、ＴＭＲ比と第２の非磁性層２３の膜厚（０．２ｎｍ～０．５ｎｍ）との関係を、図１０（ｂ）および表２に示す。なお、表２には、第２の非磁性層２３が厚さ０．４ｎｍのＴａから成る場合およびＷから成る場合のＴＭＲ比も、表１から転載している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　図１０（ｂ）および表２に示すように、ＴＭＲ比は、第２の非磁性層２３がＴａから成る場合、その膜厚が０．４ｎｍおよび０．５ｎｍのときに、高くなることが確認された。また、ＴＭＲ比は、第２の非磁性層２３がＷから成る場合、その膜厚が０．２ｎｍ～０．５ｎｍの範囲で高くなり、膜厚が０．３ｎｍ～０．５ｎｍの範囲で特に高くなることが確認された。
　次に、第２の非磁性層２３がＴａから成り、厚さが０．５ｎｍの場合について測定された、実効磁気異方性エネルギー密度（Ｋｅｆｆ）と第１の非磁性層（ＭｇＯ）２２の膜厚（０ｎｍ～０．３ｎｍ）との関係を、図１１（ａ）に示す。また、図１１（ａ）には、Ｔａから成る第２の非磁性層２３の厚さが０．３ｎｍおよび０．４ｎｍの場合の、第１の非磁性層２２を挿入しないとき（膜厚０ｎｍのとき）のＫｅｆｆの値も示す。図１１（ａ）に示すように、第２の非磁性層２３のＴａの膜厚が０．５ｎｍの場合、Ｋｅｆｆの値は、第１の非磁性層２２を挿入したときに、第１の非磁性層２２を挿入しない場合（膜厚０ｎｍのとき）と比べて、１．５倍以上に高くなることが確認された。熱安定性Δは、Ｋｅｆｆに比例するため、第１の非磁性層２２がないものと比べて、１．５倍以上になるといえる。また、第１の非磁性層２２を挿入しないとき（膜厚０ｎｍのとき）には、Ｋｅｆｆの値は、第２の非磁性層２３のＴａの膜厚が０．４ｎｍ、０．５ｎｍのときに高くなることが確認された。
　次に、第２の非磁性層２３がＷから成り、厚さが０．３ｎｍ、０．４ｎｍ、０．５ｎｍの場合の、第１の非磁性層２２を挿入しないとき（膜厚０ｎｍのとき）のＫｅｆｆの値を、図１１（ｂ）に示す。図１１（ｂ）に示すように、第１の非磁性層２２を挿入しないとき（膜厚０ｎｍのとき）には、Ｋｅｆｆの値は、第２の非磁性層２３の膜厚が０．４ｎｍ、０．５ｎｍのときに高くなることが確認された。
　このようにＴＭＲ比や垂直磁気異方性が向上するのは、以下の原因によるものと考えられる。すなわち、第１の非磁性層２２がない場合には、第２の非磁性層２３をスパッタリング等で成膜する際に、ＴａまたはＷが第１の強磁性層２１に衝突して打ち込まれ、第１の強磁性層２１にダメージを与えてしまう。また、打ち込まれたＴａまたはＷは、成膜後の熱処理によって障壁層１２と第１の強磁性層２１との界面に拡散する。この拡散したＴａまたはＷが、ＴＭＲ比および垂直磁気異方性の劣化を引き起こす。これに対し、第１の非磁性層２２を第２の非磁性層２３より先に成膜しておくことにより、第２の非磁性層２３をスパッタリング等で成膜する際に、ＴａまたはＷが第１の強磁性層２１に衝突して打ち込まれるのを、第１の非磁性層２２で防ぐことができる。これにより、第１の強磁性層２１がダメージを受けて記録層１３が損傷するのを防ぐことができる。また、第１の強磁性層２１にＴａ等の材料が打ち込まれないため、製造時の熱処理で、Ｔａ等が第１の強磁性層２１の内部に拡散するのを防ぐことができる。これにより、ＴＭＲ比および垂直磁気異方性の劣化を防ぐことができ、図１０および図１１に示すような結果が得られると考えられる。
　磁気トンネル接合素子１０のサイズ（直径）を変えて、磁気抵抗（ＭＲ）比の測定を行った。図１２（ａ）に示すように、測定に使用した磁気トンネル接合素子１０は、直径３００ｍｍのＳｉ／ＳｉＯ２基板２７の上に、厚さ１０ｎｍのＴａ膜と厚さ５ｎｍのＲｕ膜と厚さ５ｎｍのＴａ膜とを有する下部電極層２８、厚さ５ｎｍのＰｔから成る下地層２９、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．３ｎｍのＰｔ膜とを４回積層した膜から成る第３の強磁性層３１、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．９ｎｍのＲｕ膜とを積層した膜から成る第３の非磁性層３３、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．３ｎｍのＰｔ膜とを２回積層した膜から成る第４の強磁性層３２、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．４ｎｍのＴａ膜とを積層した膜から成る磁気結合層２６、厚さ１．２ｎｍのＣｏＦｅＢから成る参照層１１、厚さ１．２ｎｍのＭｇＯから成る障壁層１２、厚さ１．４ｎｍのＣｏＦｅＢから成る第１の強磁性層２１、厚さ０．１ｎｍのＭｇＯから成る第１の非磁性層２２、厚さ０．４ｎｍのＴａから成る第２の非磁性層２３、厚さ１．０ｎｍのＣｏＦｅＢから成る第２の強磁性層２４、厚さ１．０ｎｍのＭｇＯから成る保護層１４、厚さ５ｎｍのＴａ膜と厚さ５ｎｍのＲｕ膜とを有する上部電極層３０の順に積層された構成を有している。なお、図１２（ａ）に示す磁気トンネル接合素子１０は、各層を成膜した後、４００℃で１時間の熱処理を行って製造されている。
　磁気トンネル接合素子１０として、４０ｎｍ、７０ｎｍ、１００ｎｍのサイズのものを製造し、ＭＲ比の測定を行った。なお、比較のため、図１２（ｂ）に示す第１の非磁性層２２がない、各サイズの素子を製造し、同じＭＲ比の測定を行った。測定されたＭＲ比と素子のサイズとの関係を、図１３に示す。図１３（ａ）および（ｂ）に示すように、いずれのサイズであっても、ＭＲ比は、第１の非磁性層２２を挿入したものの方が、第１の非磁性層２２がないものよりも、１０～１５％程度大きくなっていることが確認された。
　第１の非磁性層２２がＭｇから成る磁気トンネル接合素子１０について、第１の非磁性層２２の厚さ、および、第２の非磁性層２３の材料を変えて、磁気特性の測定を行った。図１４に示すように、測定に使用した磁気トンネル接合素子１０は、直径３００ｍｍのＳｉ／ＳｉＯ２基板２７の上に、厚さ３ｎｍのＴａ膜と厚さ２０ｎｍのＲｕ膜と厚さ３ｎｍのＴａ膜とを有する下部電極層２８、厚さ５ｎｍのＰｔから成る下地層２９、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．３ｎｍのＰｔ膜とを４回積層した膜から成る第３の強磁性層３１、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．９ｎｍのＲｕ膜と厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜とを積層した膜から成る第３の非磁性層３３、厚さ０．５ｎｍのＣｏ膜と厚さ０．３ｎｍのＰｔ膜とを２回積層した膜から成る第４の強磁性層３２、厚さ０．４ｎｍのＴａ膜から成る磁気結合層２６、厚さ１．２ｎｍのＣｏＦｅＢから成る参照層１１、厚さ１．１４ｎｍのＭｇＯから成る障壁層１２、厚さ１．４ｎｍのＣｏＦｅＢから成る第１の強磁性層２１、Ｍｇから成る第１の非磁性層２２、厚さ０．５ｎｍの第２の非磁性層２３、厚さ１．０ｎｍのＣｏＦｅＢから成る第２の強磁性層２４、厚さ１．０４ｎｍのＭｇＯから成る保護層１４、厚さ２ｎｍのＴａ膜と厚さ５ｎｍのＲｕ膜と厚さ７０ｎｍのＴａ膜と厚さ２０ｎｍのＲｕ膜とを有する上部電極層３０の順に積層された構成を有している。なお、図１４に示す磁気トンネル接合素子１０は、各層を成膜した後、４００℃で１時間の熱処理を行って製造されている。
　第２の非磁性層２３がＴａから成り、第１の非磁性層２２のＭｇの厚さが、０ｎｍ（第１の非磁性層２２なし）、０．３ｎｍ、０．６ｎｍのときの、ウエハ中央（Wafer Center）で測定された垂直方向（Out-of-plane）の磁化曲線を、図１５（ａ）、（ｃ）、（ｅ）に、ウエハ端部（Wafer Edge）で測定された垂直方向の磁化曲線を、図１５（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）に示す。図１５（ａ）乃至（ｆ）に示すように、垂直方向では、磁化曲線が非直線的でヒステリシス曲線になっており、垂直磁気特性が得られていることが確認された。また、図１５（ｆ）に示すように、第１の非磁性層２２の膜厚が０．６ｎｍのとき、第１の強磁性層２１と第２の強磁性層２４とが、ウエハ端部で反強磁性結合していることが確認された。
　次に、第２の非磁性層２３（膜厚０．５ｎｍ）がＴａから成る場合およびＷから成る場合について測定された、ＴＭＲ比と第１の非磁性層２２（Ｍｇ）の膜厚（０ｎｍ～０．６ｎｍ）との関係を、図１６および表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　図１６および表３に示すように、第２の非磁性層２３がＴａから成る場合およびＷから成る場合ともに、ＴＭＲは、第１の非磁性層２２のＭｇを０．１ｎｍ～０．４ｎｍの膜厚で挿入したときに、第１の非磁性層２２を挿入しない場合（膜厚０ｎｍのとき）と比べて、約２～２０％程度高くなることが確認された。このことから、第１の非磁性層２２がＭｇから成る場合でも、第１の非磁性層２２がＭｇＯから成る場合（例えば、図１０参照）と同様に、ＴＭＲ比が向上するといえる。また、垂直磁気異方性も、第１の非磁性層２２がＭｇＯから成る場合（例えば、図１１参照）と同様に、向上するものと考えられる。
　本発明はＳＴＴ素子だけではなく、３端子のSpin Orbit Torque（ＳＯＴ）にも適用可能である。ＳＯＴ素子に本発明を適用した場合の磁気メモリのブロック回路図を、図１７に示す。図１７に示すように、磁気トンネル接合素子１０は、下部接続層４１の上に下部電極層２８、第１の強磁性層２１、第１の非磁性層２２、第２の非磁性層２３、第２の強磁性層２４、障壁層１２、参照層１１、磁気結合層２６、固定層２５および保護層１４が順次積層されている。なお、図１７では、下部接続層４１および下部電極層２８が、基層１５を成している。また、記録層１３は、第１の強磁性層２１、第１の非磁性層２２、第２の非磁性層２３、および第２の強磁性層２４で構成されており、第１の非磁性層２２が第２の非磁性層２３よりも基層１５の側になるよう積層されている。磁気トンネル接合素子１０は、書き込み電流Ｉｗが下部電極層２８から第２の強磁性層２４までの導電層を流れる時に生じるスピン軌道相互作用によって、記録層１３の磁化が反転する。
　図１７に示す磁気メモリセルでは、磁気トンネル接合素子１０がビット線ＢＬ１、ビット線ＢＬ２、ワードＷＬ１、グラウンド線ＧＬに接続されている。すなわち、磁気トンネル接合素子１０の上部に繋がる端子が、グラウンド線ＧＬに接続されている。また、下部電極層２８の両端が、下部接続層４１を経由して、第１セルトランジスタＴｒ１および第２セルトランジスタＴｒ２のソースまたはドレインに接続されている。第１セルトランジスタＴｒ１および第２セルトランジスタＴｒ２のゲート電極は、ワード線ＷＬに接続されている。また、第１セルトランジスタＴｒ１および第２セルトランジスタＴｒ２のソースおよびドレインのうちの磁気トンネル接合素子１０に接続される側とは反対側の端子は、それぞれ第１ビット線ＢＬ１および第２ビット線ＢＬ２に接続されている。
　この磁気メモリセルでは、情報を書き込む場合、ワード線ＷＬをＨｉｇｈレベルに設定することにより、第１セルトランジスタＴｒ１および第２セルトランジスタＴｒ２が０Ｎ状態になる。さらに、第１ビット線ＢＬ１および第２ビット線ＢＬ２のいずれかをＨｉｇｈに設定することにより、磁気トンネル接合素子１０への情報の書き込みが可能となる。
　情報を読み出す場合、ワード線ＷＬをＨｉｇｈレベルに設定することにより、第１セルトランジスタＴｒ１および第２セルトランジスタＴｒ２が０Ｎ状態になる。さらに、第１ビット線ＢＬ１および第２ビット線ＢＬ２２の両方をＨｉｇｈに設定する、或いは、一方をＨｉｇｈに、他方をＯｐｅｎに設定することにより、磁気トンネル接合素子１０からの情報の読み出しが可能となる。
　なお、以上の実施形態は、本発明の権利範囲を限定するものではなく、単なる例示に過ぎず、その技術的な要旨から逸脱しない範囲内において種々に変更可能である。例えば、各図に記載された各層の膜厚は単なる例示に過ぎない。
　１０　磁気トンネル接合素子
　１１　参照層
　１２　障壁層
　１３　記録層
　　２１　第１の強磁性層
　　２２　第１の非磁性層
　　２３　第２の非磁性層
　　２４　第２の強磁性層
　１４　保護層
　１５　基層
　　２５　固定層
　　　３１　第３の強磁性層
　　　３２　第４の強磁性層
　　　３３　第３の非磁性層
　　２６　磁気結合層
　　２７　基板
　　２８　下部電極層
　　２９　下地層
　３０　上部電極層
　４１　下部接続層
 

Claims (8)

  1. 　強磁性体を含み、磁化方向が膜面に対して垂直方向で固定されている参照層と、
    　非磁性体を含み、前記参照層の一方の表面側に配置された障壁層と、
    　前記障壁層の前記参照層とは反対の面側に配置された記録層とを有し、
    　前記記録層は、少なくともＣｏおよびＦｅのいずれか一方を含み、磁化方向が膜面に対して垂直方向で可変である第１の強磁性層と、Ｍｇ、ＭｇＯ、Ｃ、Ｌｉ、ＡｌおよびＳｉのうちの少なくともいずれか１つを含み、前記第１の強磁性層の一方の表面側に配置された第１の非磁性層と、Ｔａ、Ｈｆ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｙ、Ｓｃ、Ｔｉ、ＶおよびＣｒのうちの少なくともいずれか１つ含み、前記第１の非磁性層の前記第１の強磁性層とは反対の面側に配置され、０．３～２．０ｎｍの厚さを有する第２の非磁性層と、少なくともＣｏおよびＦｅのいずれか一方を含み、磁化方向が膜面に対して垂直方向で可変であり、前記第２の非磁性層の前記第１の非磁性層とは反対の面側に配置された第２の強磁性層とを有し、前記第１の強磁性層の前記第１の非磁性層とは反対の面側、および、前記第２の強磁性層の第２の非磁性層とは反対の面側の少なくともいずれか一方に、前記障壁層が配置されるよう設けられていることを
    　特徴とする磁気トンネル接合素子。
  2. 　非磁性体を含み、前記記録層の前記障壁層とは反対の面側に配置された保護層を有することを特徴とする請求項１記載の磁気トンネル接合素子。
  3. 　前記第１の強磁性層および前記第２の強磁性層は、それぞれ前記障壁層または前記保護層に接触しており、その接触した前記障壁層または前記保護層との界面垂直磁気異方性により、磁化の方向が膜面に対して垂直になっていることを特徴とする請求項２記載の磁気トンネル接合素子。
  4. 　前記第１の非磁性層は、０．１～１．０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気トンネル接合素子。
  5. 　一方の表面側に少なくとも前記参照層と前記障壁層と前記記録層とを成膜するための基層を有し、
    　前記記録層は、前記第２の非磁性層よりも前記第１の非磁性層が前記基層側に配置されていることを
    　特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁気トンネル接合素子。
  6. 　前記第１の強磁性層および前記第２の強磁性層は、前記第１の非磁性層および前記第２の非磁性層を通して磁気的に結合していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の磁気トンネル接合素子。
  7. 　互いに平行に配置された複数のソース線と、
    　前記ソース線と交差する方向に、互いに平行に配置された複数のワード線と、
    　前記ソース線に平行に配置された複数のビット線と、
    　ゲート電極がいずれか１つのワード線に電気的に接続され、ソース電極がいずれか１つのソース線に電気的に接続された選択トランジスタと、
    　前記第１の強磁性層および前記第２の強磁性層のいずれか一方が前記選択トランジスタのドレイン電極に電気的に接続され、他方がいずれか１つのビット線に電気的に接続された請求項１乃至６のいずれか１項に記載の磁気トンネル接合素子とを有し、
    　前記磁気トンネル接合素子の膜面垂直方向に電流を印加可能に構成されていることを
    　特徴とする磁気メモリ。
  8. 　それぞれ前記選択トランジスタと前記磁気トンネル接合素子とを有し、電気的に接続されたワード線とビット線とソース線との組合せが互いに異なる複数の記憶セルと、
    　各ワード線と各ビット線と各ソース線とを介して、いずれか１つの記憶セルを選択してデータを書き込むよう構成された書込部と、
    　各ワード線と各ビット線と各ソース線とを介して、いずれか１つの記憶セルを選択してデータを読み出すよう構成された読出部とを、
    　有することを特徴とする請求項７記載の磁気メモリ。
     
PCT/JP2017/018779 2016-06-08 2017-05-19 磁気トンネル接合素子および磁気メモリ WO2017212895A1 (ja)

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