WO2017145439A1 - カーボンナノチューブ付部材、その製造方法、およびその製造装置 - Google Patents

カーボンナノチューブ付部材、その製造方法、およびその製造装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2017145439A1
WO2017145439A1 PCT/JP2016/081204 JP2016081204W WO2017145439A1 WO 2017145439 A1 WO2017145439 A1 WO 2017145439A1 JP 2016081204 W JP2016081204 W JP 2016081204W WO 2017145439 A1 WO2017145439 A1 WO 2017145439A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
cnt
alignment film
base material
carbon
carbon nanotubes
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/081204
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
アウン 太田
大島　久純
野田　優
悠 吉原
Original Assignee
株式会社デンソー
学校法人早稲田大学
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社デンソー, 学校法人早稲田大学 filed Critical 株式会社デンソー
Priority to DE112016006495.0T priority Critical patent/DE112016006495T5/de
Priority to CN201680082654.0A priority patent/CN108698025B/zh
Priority to US16/078,809 priority patent/US20210179431A1/en
Publication of WO2017145439A1 publication Critical patent/WO2017145439A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/16—Preparation
    • C01B32/162—Preparation characterised by catalysts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J15/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with non-particulate solids, e.g. sheet material; Apparatus specially adapted therefor
    • B01J15/005—Chemical processes in general for reacting gaseous media with non-particulate solids, e.g. sheet material; Apparatus specially adapted therefor in the presence of catalytically active bodies, e.g. porous plates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J21/00—Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
    • B01J21/02—Boron or aluminium; Oxides or hydroxides thereof
    • B01J21/04—Alumina
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
    • B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
    • B01J23/74—Iron group metals
    • B01J23/745—Iron
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
    • B01J37/02—Impregnation, coating or precipitation
    • B01J37/0215—Coating
    • B01J37/0225—Coating of metal substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
    • B01J37/08—Heat treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/16—Preparation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/168—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/08—Aligned nanotubes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
    • C01B2202/24—Thermal properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
    • C01B2202/34—Length
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/20—Nanotubes characterized by their properties
    • C01B2202/36—Diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM

Definitions

  • the disclosure in this specification relates to a carbon nanotube-attached member, a manufacturing method thereof, and a manufacturing apparatus thereof.
  • CNT carbon nanotubes
  • a method for synthesizing carbon nanotubes that is, a production method, after forming a metal as a catalyst on a substrate and placing it in a heated furnace, a gas containing carbon such as acetylene or ethanol as a raw material is used as a furnace.
  • a method of supplying the inside In order to decompose the gas and maintain the catalytic activity, the temperature in the furnace is usually maintained at about 700 ° C. to 800 ° C.
  • Patent Document 1 discloses a technique for forming a CNT alignment film in a predetermined range on a substrate. Patent Document 1 makes it possible to form a patterned CNT alignment film by forming a catalyst necessary for CNT synthesis within a required range, that is, by patterning.
  • Patent Document 2 proposes a method of synthesizing CNT at a relatively low temperature.
  • tip discharge plasma CVD is used in addition to normal thermal decomposition. Thereby, H2 gas and CH4 are activated, and the CNT alignment film is synthesized.
  • Patent Document 3 proposes a method of synthesizing CNTs on aluminum or magnesium.
  • Patent Document 1 requires a means for forming a patterned catalyst at a required place. For example, since a stencil mask or photolithography is required, the manufacturing process becomes complicated. Moreover, the method of patent document 1 is restricted to the application to a flat board
  • One object disclosed is to provide a member with carbon nanotubes in which long CNTs are oriented, a method for producing the member, and a device for producing the member.
  • Another object of the disclosure is to provide a carbon nanotube-attached member in which a CNT alignment film is partially formed, a manufacturing method thereof, and a manufacturing apparatus thereof.
  • Yet another object disclosed is to provide a carbon nanotube-attached member in which a CNT alignment film formed of long CNTs is formed on the surface of a base material mainly composed of aluminum, a manufacturing method thereof, and a manufacturing apparatus thereof. Is to provide.
  • Still another object of the present invention is to provide a carbon nanotube-attached member on which a CNT alignment film capable of brazing a base material mainly composed of aluminum and synthesizing CNTs by a simple apparatus, and a method for producing the same And an apparatus for manufacturing the same.
  • the carbon nanotube-attached member disclosed herein has a base material (11) containing aluminum as a main component and a plurality of carbon nanotubes having a length of 200 ⁇ m or more oriented along a predetermined orientation direction. And a CNT alignment film (31, 931) disposed on the surface.
  • a CNT alignment film in which a plurality of carbon nanotubes having a length of 200 ⁇ m or more are aligned can be provided on a base material mainly composed of aluminum.
  • the method for producing a member with carbon nanotubes disclosed herein includes a step (183, 283) of disposing a catalyst (21, 221) for synthesizing carbon nanotubes on the surface of a base material mainly composed of aluminum, and a catalyst.
  • the activity of the catalyst is maintained by carbon dioxide even at a low temperature. Therefore, the carbon nanotube can be synthesized at a low temperature. As a result, the CNT alignment film can be formed on the surface of the base material mainly composed of aluminum.
  • the apparatus for producing a member with carbon nanotubes disclosed herein has a brazing material (313) at least in part, accommodates a base material (11) mainly composed of aluminum, and heats the base material.
  • a raw material supplier (66) for supplying the carbon nanotube raw material to the heating chamber is provided so that the synthesis on the surface of the material is performed in the heating chamber.
  • brazing and carbon nanotube synthesis can be performed in a common heating chamber.
  • FIG. 18 is a diagram for explaining the SEM image illustrated in FIG. 17. It is sectional drawing which shows the modification of 4th Embodiment. It is sectional drawing in the intermediate
  • a carbon nanotube-attached member (CNT-attached member) and a manufacturing method thereof are disclosed.
  • the carbon nanotube alignment film (CNT alignment film) is a film in which a large number of carbon nanotubes (CNT) are aligned.
  • the CNT alignment film is disposed on the surface of a metal substrate. In one example, the CNTs are oriented to extend perpendicular to the plane provided by the surface of the substrate.
  • the member with CNT is also called a member coated with CNT, a CNT composite material, or a CNT structure. 1, 2 and 3 show the shape of the material at each stage of the manufacturing process of the member with CNT.
  • FIG. 1 shows a cross section of a substrate 11 on which CNTs are formed.
  • the substrate 11 is an aluminum metal plate.
  • the substrate 11 is made of aluminum or aluminum alloy having a purity exceeding 99%.
  • the aluminum alloy can contain at least one or more selected from Si, Zn, Ti, Mn, Cu, Fe, Mg, and Cr as additive metals.
  • the substrate 11 has a thickness ThAL.
  • the substrate 11 can have any thickness.
  • the base material 11 may have a thickness that can be referred to as a foil.
  • the base material 11 provides a plane extending in two dimensions.
  • the base material 11 is a structure that can maintain the surface shape itself.
  • the base material 11 may have a thickness as a structural member that can form a heat transfer product such as a radiator or a heat exchanger.
  • FIG. 2 shows the catalyst layer 21 formed on the surface of the substrate 11.
  • the catalyst layer 21 is formed of a metal material for synthesizing CNTs.
  • the catalyst layer 21 is made of, for example, iron, nickel, cobalt, or the like.
  • the catalyst layer 21 is formed so as to cover the entire surface of the substrate 11.
  • the catalyst layer 21 has a thickness ThFe.
  • FIG. 3 shows a cross section of the member 1 with CNT.
  • a catalyst layer 21 is disposed on the surface of the substrate 11.
  • a CNT alignment film 31 is formed on the catalyst layer 21.
  • the CNT alignment film 31 has a large number of CNTs. These many CNTs are oriented toward the orientation direction ORD. In the illustrated example, a large number of CNTs are oriented so that the longitudinal direction of the CNTs extends along a direction perpendicular to the surface of the substrate 11.
  • the orientation direction ORD may be inclined with respect to the surface of the substrate 11. Note that the CNTs extend along the alignment direction ORD while meandering slightly.
  • the CNT alignment film 31 has a height HtCNT along the alignment direction ORD.
  • the CNT alignment film 31 extends over the entire surface of the substrate 11.
  • the CNT alignment film 31 protrudes so as to form a convex portion 32 on the substrate 11.
  • the height HtCNT roughly corresponds to the length of one CNT.
  • One CNT extends in the alignment direction ORD while being bent. Therefore, the length of one CNT is longer than the height HtCNT.
  • the height HtCNT is a height at which the high thermal conductivity of the CNT can be effectively used as a heat transfer product such as a radiator or a heat exchanger.
  • the CNT alignment film 31 provides a large surface area for the air.
  • the CNT provides high thermal conductivity from the substrate 11 along the length direction of the CNT. As a result, the CNT alignment film 31 promotes heat exchange between the air and the substrate 11.
  • the manufacturing method 180 of the member 1 with CNT has a plurality of steps for forming the CNT alignment film 31 on the surface of the substrate 11.
  • the manufacturing method 180 is performed after arranging the base material 11 in a heating furnace for synthesizing CNTs.
  • the order shown is an example and may be changed according to additional requirements.
  • the manufacturing method 180 includes a plurality of processes, that is, steps.
  • the manufacturing method 180 includes a catalyst application process 183.
  • the catalyst layer 21 is formed on the surface of the substrate 11.
  • the catalyst layer 21 can be formed by any of various methods such as liquid coating, vapor deposition, sputtering, and addition in a gas phase.
  • the manufacturing method 180 can include a shape processing 185.
  • the shape processing 185 is prepared as an option.
  • the base material 11 is processed into a predetermined shape, for example, a three-dimensional shape.
  • mechanical processing such as cutting and bending is applied.
  • the manufacturing method 180 includes a preheat treatment 187.
  • the preheat treatment 187 preheats the base material 11 and the catalyst layer 21 to a temperature suitable for CNT synthesis.
  • the manufacturing method 180 includes a CNT synthesis process 189.
  • a CNT raw material is supplied into a heating furnace.
  • the raw material is heated and decomposed in a heating furnace.
  • CNTs are synthesized on the catalyst that forms the catalyst layer 21.
  • CNT grows along the alignment direction ORD.
  • the manufacturing method 180 includes a cooling process 191.
  • the cooling process 191 cools the CNT-attached member 1 to, for example, room temperature.
  • FIG. 5 is a graph showing the relationship between a plurality of parameters and the CNT height HtCNT ( ⁇ m: micrometer) in the manufacturing method 180.
  • the parameters are the volume ratio CO2 / C2H2 (v / v) of the CNT raw material and the thickness ThFe (nm: nanometer) of the catalyst layer 21.
  • This graph shows the CNT height HtCNT under the following conditions.
  • the catalyst layer 21 is formed on the substrate 11 by sputtering.
  • the catalyst layer 21 is formed by depositing iron in the range of 0 nm to 8 nm.
  • the base material 11 is made of aluminum having a purity exceeding 99% and is a foil having a thickness of 0.2 mm.
  • the shape processing process 185 is not executed.
  • the base material 11 and the catalyst layer 21 are heated to 600 ° C. in a mixed gas of argon and hydrogen, and held in an atmosphere at 600 ° C. for 5 minutes.
  • a CNT source gas is supplied onto the catalyst layer 21.
  • the source gas is a mixture of acetylene (C 2 H 2 ) and carbon dioxide (CO 2 ) in a volume ratio of 1: 0 to 1: 266.
  • the atmosphere in the CNT synthesis process that is, the raw material gas is a mixed gas of acetylene, hydrogen, carbon dioxide, and argon. Carbon dioxide is added as a gas for maintaining the activity of the catalyst.
  • the CNT synthesis process 189 synthesizes CNTs on the surface of the substrate 11 in an atmosphere in which the volume ratio of acetylene and carbon dioxide as a CNT raw material is 1:10 or more and 1: 300 or less. CNT synthesis can also be referred to as thermal CVD processing.
  • the CNT synthesis process 189 is executed for 120 minutes.
  • the manufacturing apparatus includes a control device that adjusts the amount of acetylene and the amount of carbon dioxide.
  • the growth of the CNT alignment film 31 is promoted in the volume ratio range of 1: 3.3 to 1: 266, or in the volume ratio range of 1:10 to 1: 266.
  • the height HtCNT of the CNT alignment film 31 is the highest when the thickness ThFe of the catalyst layer 21 is about 2 nm to 3 nm.
  • the CNT alignment film 31 having a height exceeding 400 ⁇ m is obtained at all volume ratios.
  • the CNT alignment film 31 having a height exceeding 400 ⁇ m is obtained at a volume ratio of 1: 3.3.
  • the volume ratio is 1:10
  • the CNT alignment film 31 having a height exceeding 400 ⁇ m is obtained in the catalyst layer 21 having a thickness exceeding 3 nm.
  • the highest CNT alignment film 31 is obtained at a volume ratio of 1: 100.
  • the CNT alignment film 31 having a height exceeding 500 ⁇ m or 600 ⁇ m is obtained even at a volume ratio of 1: 266.
  • the volume ratio is less than 1:10, it was considered that the synthesis of CNT was unstable.
  • the high CNT alignment film 31 was synthesized even at a volume ratio of 1: 300. Accordingly, it is considered that the CNT alignment film 31 having a height exceeding 200 ⁇ m, 300 ⁇ m, or 400 ⁇ m, and more desirably 500 ⁇ m can be obtained within the range of the volume ratio of 1:10 or more and 1: 300 or less.
  • the volume ratio of acetylene and carbon dioxide in the CNT raw material can be set to 1:10 or more and 1: 300 or less.
  • the volume ratio of the CNT raw material may be set to 1:30 or more and 1: 100 or less.
  • the thickness ThFe of the catalyst layer 21 can be set around 3 nm when the catalyst is iron.
  • the thickness ThFe of the catalyst layer 21 can be set to 2 nm or more.
  • the thickness ThFe of the catalyst layer 21 may be set to 3 nm or more. These settings make it possible to stably synthesize the high CNT alignment film 31.
  • the thickness ThFe of the catalyst layer 21 can be set to 6 nm or less.
  • the thickness ThFe of the catalyst layer 21 may be set to 5 nm or less.
  • the thickness ThFe of the catalyst layer 21 may be set to a relatively thick region, for example, 3 nm or more and 5 nm or less.
  • the high CNT alignment film 31 is formed on the aluminum base material 11. Specifically, the CNT alignment film 31 having a height of 200 ⁇ m or more or exceeding 200 ⁇ m is obtained. Furthermore, the CNT alignment film 31 having a height of 300 ⁇ m or more is obtained. In a more desirable embodiment, the CNT alignment film 31 having a height of 400 ⁇ m or more is obtained.
  • This embodiment is a modified example based on the preceding embodiment.
  • the CNT alignment film 31 is formed on the entire surface of the substrate 11. Instead, in this embodiment, the CNT alignment film 31 is formed on a part of the surface of the substrate 11.
  • a partial catalyst layer 221 is formed on the surface of the base material 11 so as to cover only a part of the surface of the base material 11.
  • the catalyst layer 221 is formed in the alignment region 41 where the CNT alignment film 31 is intended to be formed.
  • the catalyst layer 221 is not formed in the non-formation region 42 where the CNT alignment film 31 is not intended to be formed.
  • an alignment region 41 and a non-formation region 42 are formed on the surface of the substrate 11. In the non-formation region 42, the CNT alignment film 31 is not synthesized or does not grow long.
  • the member 1 with CNT has a convex part 32 and a concave part 33.
  • the convex portion 32 is a bundle of long CNTs formed so as to protrude from the base material 11.
  • the convex portion 32 can also be referred to as an island-shaped CNT alignment film 31.
  • the concave portion 33 is located between the two convex portions 32. In the concave portion 33, CNT is not synthesized, or the CNT is disorderedly extended from the CNT alignment film 31.
  • a catalyst application process 283 is employed.
  • the catalyst application treatment 283 is a step of arranging a catalyst.
  • the catalyst application process 283 forms a partial catalyst layer 221.
  • the catalyst layer 221 can be formed using a stencil mask or photolithography.
  • the catalyst application process 283 is also referred to as a pattern formation process for forming the CNT alignment film 31 in a predetermined pattern shape.
  • the catalyst application treatment 283 is a step of providing a catalyst in the orientation region 41 where CNTs are formed without providing a catalyst in the non-formation region 42 where CNTs are not formed on the surface of the substrate 11.
  • the parameters in the manufacturing process are the same as in the preceding embodiment.
  • Subsequent processing 185-191 is the same as the preceding embodiment.
  • shape processing 185 for processing the base material 11 into a predetermined shape is executed.
  • the long CNT alignment film 31 is formed as in the preceding embodiment. Furthermore, the CNT alignment film 31 can be partially formed on the substrate 11.
  • the base material 11 is a product made from the single material which has aluminum as a main component.
  • the substrate 11 has a main layer 312 and a brazing filler metal layer 313.
  • the substrate 11 has an aluminum main layer 312 and a brazing filler metal layer 313.
  • the brazing material layer 313 is an alloy layer mainly composed of aluminum.
  • the brazing material layer 313 has a lower melting point than the main layer 312.
  • the brazing filler metal layer 313 has a thickness ThBrz.
  • the CNT alignment film 31 is formed on the brazing material layer 313.
  • the catalyst layer 221 is formed on the brazing material layer 313.
  • the catalyst layer 221 is partially disposed so as to form the alignment region 41 and the non-formation region 42.
  • the member 1 with CNT has a CNT alignment film 31 formed on the brazing material layer 313. Also in this embodiment, the CNT alignment film 31 forms the convex portion 32 and the concave portion 33.
  • FIG. 12 and 13 are graphs showing the relationship between the brazing filler metal component and the CNT height HtCNT.
  • FIG. 14 shows the components of the brazing filler metal layer as a sample.
  • the brazing material named Type A1 is characterized in that it contains aluminum as a main component and 2 to 3.2% of Zn.
  • the brazing material named Type B is mainly composed of aluminum, Si is 0.6 to 0.9%, Cu is 0.2 to 0.4%, Mn is 1% to 2%, and Ti is 0.1 to The point which contains 0.2% is characteristic.
  • the brazing material named Type A2 is characterized in that it contains less Zn than Type A1.
  • the brazing material named Type C is mainly composed of aluminum and contains 9 to 11% of Si. This graph shows the CNT height HtCNT under the following conditions.
  • the catalyst layer 21 is formed on the substrate 11 by sputtering.
  • the catalyst layer 21 is formed by depositing iron in the range of 0 nm to 7 nm.
  • the base material 11 is a foil having a thickness of 0.2 mm.
  • the thickness ThBrz of the brazing filler metal layer 313 is about 10% or more of the thickness ThAL.
  • the preheat treatment 187 is the same as the preceding embodiment.
  • a CNT source gas is supplied onto the catalyst layer 21.
  • the source gas is a mixture of acetylene (C 2 H 2 ) and carbon dioxide (CO 2 ) at a volume ratio of 1:30. Carbon dioxide accounts for 1.8 volume percent (vol%). Acetylene accounts for 0.06 volume percent (vol%).
  • the volume CNT synthesis process is executed for 120 minutes.
  • a reference product (Reference) having no brazing filler metal layer 313 is shown.
  • the CNT alignment film 31 having the same height as the reference product is formed.
  • the member 1 with CNT which can be utilized for a brazing process is provided.
  • the member 1 with CNT is supplied to the brazing process.
  • the member 1 with CNT is joined to another member so as to form an article having a predetermined shape in the brazing process.
  • This embodiment is a modified example based on the preceding embodiment.
  • the shape of the CNT alignment film 31 is controlled by the partial catalyst layer 221.
  • elements that actively inhibit CNT synthesis and / or oriented growth may be provided on the surface of the substrate 11.
  • a rough surface provided on the surface of the base material 11 is used as an inhibiting element.
  • a rough surface is formed on the surface of the base material 11 by a plurality of grooves 414.
  • the groove 414 is an inhibitory element.
  • a rough surface is also an obstacle.
  • the rough surface corresponds to one groove 414.
  • One groove 414 is defined by a U-shaped concave surface.
  • the groove 414 is a portion recessed from the original surface (plane) of the substrate 11.
  • the U-shaped concave surface provides a surface that intersects the original surface of the substrate 11.
  • the U-shaped concave surface is defined by a surface oriented in a direction different from the original surface (plane) of the substrate 11.
  • the original surface of the base material 11 is left between the two grooves 414.
  • the original surface of the substrate 11 provides an alignment region 41.
  • the groove 414 provides a non-oriented region 43. More specifically, the grooves 414 inhibit the oriented growth of CNTs. In the non-alignment region 43, the CNTs are randomly arranged without being aligned along
  • rough surface processing 481 is employed.
  • the rough surface processing 481 forms a partial rough surface on the surface of the base material 11 by mechanical or chemical surface processing on the base material 11.
  • the rough surface forms a rougher surface than other portions on the surface of the substrate 11.
  • the rough surface is formed by various surfaces that are inclined with respect to a plane that defines the surface of the substrate 11.
  • the rough surface can be formed by scratching the surface of the substrate 11.
  • the rough surface may be formed by leaving the surface of the base material 11 before the polishing process.
  • the rough surface processing 481 is also referred to as a pattern forming process for forming the CNT alignment film 31 in a predetermined pattern shape.
  • the rough surface processing 481 is a process for providing an obstruction element.
  • the rough surface processing 481 is a process of providing a rough surface that is more uneven than the surface of the alignment region 41 where the CNTs are formed in the non-alignment region 43 where the CNTs are not formed.
  • the rough surface is formed by forming grooves 414 on the surface of the substrate 11.
  • the base material 11 is an aluminum plate having a purity exceeding 99%.
  • the substrate 11 may be made of an aluminum alloy.
  • the groove 414 is formed by a scribe device used in a semiconductor manufacturing process.
  • the groove 414 is a groove having a U-shaped cross section with a depth of 20 ⁇ m and a width of 10 ⁇ m.
  • the remaining process steps 183-191 are the same as in the previous embodiment.
  • a shape processing 185 for processing the base material 11 into a predetermined shape is executed.
  • FIG. 17 is an SEM image of the member 1 with CNT according to an example of this embodiment.
  • FIG. 18 is a diagram for explaining each part in the SEM image.
  • FIG. 17 and FIG. 18 correspond to perspective views of the fractured surface after a part of the CNT alignment film 31 is peeled off from the CNT-attached member 1 as viewed obliquely from above.
  • the upper end surface TP of the CNT alignment film 31 appears in the upper part of the figure.
  • the upper end surface TP is formed by the upper ends of many CNTs. Cracks CV generated when a part of the CNT alignment film 31 is peeled off are seen on the upper end surface TP.
  • the fracture surface SD of the CNT alignment film 31 appears in the middle of the figure.
  • the fracture surface SD is formed by the side surfaces of many CNTs. In the fracture surface SD, a number of vertical lines indicating the CNTs are seen. Further, on the fracture surface SD, random CNT clusters FZ generated when a part of the CNT alignment film 31 is peeled off can be seen. In the lower part of the figure, the surface of the substrate 11 appears. Grooves 414 are seen on the surface of the substrate 11.
  • the convex portion 32 formed by the CNT alignment film 31 is located on the alignment region 41.
  • a region in which the orientation is randomly disordered is seen on the groove 414. Due to the inclined surface forming the groove 414, the CNT grows in the vertical direction of the slope. Therefore, the CNTs growing from the opposing slopes inhibit the growth, and the growth of the CNT in the vertical direction of the substrate is prevented. The inhibition of the growth is noticeable on the upper end surface TP.
  • a narrow recess 33 is formed at a position corresponding to the groove 414.
  • the concave portion 33 is formed of CNTs having a reduced density (in other words, voids).
  • the CNT alignment film 31 is not formed on the groove 414 due to the rough surface formed by the groove 414. As a result, a recess 33 is formed on the groove 414. It should be noted that the upper end portion of the CNT appears to be slightly inclined and swollen at the corner portion that is the boundary between the convex portion 32 and the concave portion 33.
  • a region of the CNT alignment film 31 in which the CNTs are aligned and a region in which the CNTs extend at low density or randomly are formed on the base material 11.
  • the shape of the CNT alignment film 31 is defined by the difference in density or alignment state of CNTs, that is, the presence or absence of alignment.
  • the plurality of grooves 414 are formed to extend in parallel to each other. Instead, the plurality of grooves 414 may be formed so as to extend in a plurality of directions while intersecting each other. The plurality of grooves 414 may be formed to extend in a random direction in the non-oriented region 43.
  • FIG. 19 shows another example of the groove 414.
  • the groove 414 has a V-shaped cross section.
  • One groove 414 is defined by a pair of inclined surfaces 415 arranged in a V shape. Since the CNT grows perpendicularly to the surface, the slope 415 prevents the CNT from growing in the alignment direction ORD in the groove 414.
  • the shape of the groove 414 is not limited to a U-shape or a V-shape.
  • the groove 414 can have various shapes such as a semicircular cross section or a rectangular cross section.
  • the long CNT alignment film 31 is formed as in the preceding embodiment. Furthermore, the CNT alignment film 31 can be partially formed on the substrate 11.
  • the CNT alignment film 31 occupying a long and narrow area is formed.
  • a plurality of elongated island-shaped CNT alignment films 31 are formed along the plurality of grooves 414. From another viewpoint, a plurality of linear recesses 33 are formed between the CNT alignment films 31.
  • the plurality of island-shaped CNT alignment films 31 increase the heat exchange area with a heat medium such as air on the surface of the substrate 11.
  • the elongated island-shaped CNT alignment film 31 is also plate-shaped.
  • the plurality of plate-like CNT alignment films 31 have gaps between which a heat medium can be introduced.
  • the plurality of plate-like CNT alignment films 31 exhibit a fin-like function when the heat medium flows into the gaps between them.
  • the blocking element is provided by the groove 414 and / or the rough surface.
  • a material layer that actively inhibits the growth and / or orientation of CNTs may be provided on the surface of the substrate 11.
  • an organic material layer containing carbon (C) is used as an inhibiting element.
  • an organic material layer 516 containing carbon is partially formed on the surface of the substrate 11.
  • the organic material layer 516 can be formed using a readily available paint, sign pen, or the like.
  • the organic material layer 516 is formed by painting a part of the surface of the substrate 11 with an oil-based sign pen.
  • the organic material layer 516 is an inhibitory element.
  • the organic material layer 516 is disposed in the non-oriented region 43. In other words, the alignment region 41 and the non-alignment region 43 are formed by the organic material layer 516.
  • the catalyst layer 21 is also formed on the organic material layer 516.
  • the organic material layer 516 is disposed adjacent to the catalyst layer 21.
  • the organic material layer 516 reduces the activity of the catalyst in contact with the organic material layer 516.
  • the organic material layer 516 may lose the activity of the catalyst. As a result, CNT does not grow on or be oriented on the organic material layer 516.
  • the catalyst layer 21 is formed on the organic material layer 516.
  • the organic material layer 516 may be provided on the catalyst layer 21.
  • the organic material layer 516 is desirably provided adjacent to the catalyst layer 21. Note that the organic material layer 516 is also referred to as a carbon-containing material layer.
  • the member 1 with CNT has a convex portion 32 and a concave portion 33.
  • a trace of the organic material layer 516 is left under the recess 33. This trace is a residual layer formed when the organic material layer 516 is altered by a high temperature in the CNT synthesis process. Due to the high temperature in the CNT synthesis process, the organic material layer 516 mixes with the catalyst layer to form a residual layer. Therefore, the residual layer contains the elements constituting the catalyst layer 21 and carbon.
  • the residual layer is also called a carbon-containing material layer or a carbon-containing residual layer.
  • an organic layer forming process 581 is employed.
  • the organic layer forming process 581 is a process of providing an inhibiting element.
  • an organic material layer 516 containing carbon is provided in the non-oriented region 43 where CNTs are not formed.
  • the organic layer forming process 581 is also referred to as a pattern forming process for forming the CNT alignment film 31 in a predetermined pattern shape.
  • the remaining process steps 183-191 are the same as in the previous embodiment.
  • a shape processing process 185 for processing the base material 11 into a predetermined shape is executed.
  • the organic layer forming process 581 may be performed after the catalyst application process 183, and the catalyst application process 183 may be performed after the shape processing process 185 or the pre-heat treatment 187.
  • the long CNT alignment film 31 is formed as in the preceding embodiment. Furthermore, the CNT alignment film 31 can be partially formed on the substrate 11.
  • the CNT alignment film 31 can be formed on various shapes of base materials. Further, the CNT alignment film 31 can be formed in various shapes.
  • the member 1 with CNT shown in FIG. 24 has a shape that can be called a plate or a foil.
  • the thickness of the member 1 with CNT is set so that its own shape can be maintained.
  • the CNT-attached member 1 provides a two-dimensional flat surface.
  • the member 1 with CNT is a structure that can maintain the surface shape itself.
  • the member 1 with CNT can be called a self-supporting two-dimensional structure.
  • the CNT alignment film 31 forms a striped pattern. That is, the CNT alignment film 31 is formed so as to provide the convex portion 32 and the concave portion 33 arranged in a stripe shape.
  • the member with CNT 1 illustrated in FIG. 25 has a shape that can be called a pipe.
  • the thickness of the member 1 with CNT is set so that its own shape can be maintained.
  • the member 1 with CNT provides the curved surface which spreads in three dimensions.
  • the member 1 with CNT is a structure that can maintain the surface shape itself.
  • the member 1 with CNT can be called a self-supporting three-dimensional structure.
  • the CNT alignment film 31 is formed on a surface that spreads smoothly and continuously in three dimensions.
  • the CNT alignment film 31 is formed so as to provide a convex portion 32 occupying a part of a three-dimensional surface and a concave portion 33 adjacent thereto.
  • the CNT-attached member 1 can adopt various three-dimensional shapes such as blocks and meshes.
  • the member 1 with CNT illustrated in FIG. 26 has a three-dimensional shape.
  • the thickness of the member 1 with CNT is set so that its own shape can be maintained.
  • the member 1 with CNT has a plurality of flat surfaces that spread so as to intersect each other.
  • the CNT-attached member 1 is provided with a plurality of planes and a minute curved surface connecting them.
  • the member 1 with CNT can be called a self-supporting three-dimensional structure.
  • the base material is formed by bending an aluminum plate having a purity of 99% or more into a bracket shape.
  • the base material is placed in an electric furnace and heated to 600 ° C. under an argon stream.
  • vapor from ferrocene heated to 80 ° C. is included in the argon.
  • the substrate is exposed to this atmosphere for 3 minutes.
  • a CNT alignment film is synthesized by the same process as in the preceding embodiment.
  • an inhibitory element may be provided on the surface of the base material.
  • the flat plate may be processed into a three-dimensional shape, and then a CNT alignment film may be synthesized. According to this embodiment, the CNT alignment film is formed on the entire surface of the bracket-shaped substrate.
  • the member with CNT 1 has a shape of a heat exchanger that provides heat exchange between the two media M1 and M2.
  • the member 1 with CNT provides a complicated and various surface.
  • the member 1 with CNT includes the base material 11 and the CNT alignment films 31 and 931 formed on the surface of the base material 11.
  • a plurality of base materials 11 processed into a shape for forming a heat exchanger are combined to provide the shape of the heat exchanger.
  • the base material 11 is aluminum and an aluminum alloy. On the surface of the base material 11, aluminum or aluminum alloy suitable for brazing and brazing is exposed.
  • the base material 11 includes a pair of headers 51 and a plurality of tubes 52 that connect between the pair of headers 51. Furthermore, the base material 11 has a plurality of fins 53 for increasing the surface area with respect to the primary medium M1.
  • the primary medium M1 flows on the outer surface of the member 1 with CNT.
  • the secondary medium M ⁇ b> 2 flows through the pair of headers 51 and the plurality of tubes 52.
  • a convex portion 32 and a concave portion 33 are formed by a CNT alignment film 31 on the surface of the member 1 with CNT.
  • the primary medium M1 flows in contact with the CNT alignment film 31.
  • heat exchange between the primary medium M1 and the CNT alignment film 31 may not be sufficiently obtained.
  • FIG. 29 shows the shaped CNT alignment film 931 in this embodiment.
  • the shaped CNT alignment film 931 has a trapezoidal shape.
  • the shaped CNT alignment film 931 has a base part close to the base material 11 and an end part away from the base material 11. The base is thicker than the end.
  • the shaped CNT alignment film 931 is shaped so as to be thicker on the substrate 11 side and become thinner as it is away from the substrate 11.
  • the shaped CNT alignment film 931 includes CNTs extending slightly inclined in a bundle of island-like CNTs. However, it can be said that many CNTs included in the bundle of island-like CNTs are still oriented perpendicular to the plane of the surface of the substrate 11.
  • the shaped CNT alignment film 931 Even in the shaped CNT alignment film 931, it can be said that the plurality of CNTs are aligned substantially perpendicular to the plane of the surface of the substrate 11.
  • the shaped CNT alignment film 931 is easy to introduce the primary medium M1 into the recess 33. As a result, the member 1 with CNT which can exhibit high heat exchange performance as a heat exchanger is manufactured.
  • the manufacturing apparatus of the member 1 with CNT includes a heating chamber (HEATC) 61 and a cooling chamber (COOLC) 62 for performing a cooling process.
  • HEATC heating chamber
  • COOLC cooling chamber
  • the heating chamber 61 has a brazing material at least in part and accommodates a plurality of base materials 11 mainly composed of aluminum.
  • the heating chamber melts the brazing material by heating the plurality of base materials 11 and brazes the plurality of base materials 11.
  • the heating chamber 61 is a brazing furnace for brazing a plurality of members as a heat exchanger.
  • the heating chamber 61 is also a reaction furnace for synthesizing CNTs. CNTs are synthesized simultaneously with brazing or before or after brazing.
  • the cooling chamber 62 is a chamber for cooling the member 1 with CNT brazed in the heating chamber 61 and formed with the CNT alignment film 31.
  • the cooling chamber 62 is also a shaping chamber for shaping the CNT alignment film 31.
  • a preheating chamber for performing preheat treatment may be provided in front of the heating chamber 61.
  • the manufacturing apparatus includes a transfer device 63 and gate devices 64a, 64b, and 64c for maintaining the atmosphere in the chambers 61 and 62.
  • the gate devices 64a, 64b, 64c can be provided by air curtains or gate valves.
  • the manufacturing apparatus includes a catalyst supplier (CAT-SUP) 65 that supplies a catalyst raw material to the heating chamber 61.
  • the catalyst supplier 65 supplies the catalyst raw material so that a catalyst for synthesizing CNTs is provided on the surface of the substrate 11. Therefore, the heating chamber 61 is also a furnace for applying a catalyst to the surface of the substrate 11, in other words, a reaction furnace for forming a catalyst layer.
  • the catalyst is applied to the substrate 11 simultaneously with brazing, before brazing, or after brazing.
  • the catalyst is applied to the substrate 11 before CNT synthesis or simultaneously with CNT synthesis.
  • the manufacturing apparatus includes a CNT raw material supplier (CNT-SUP) 66 that supplies the CNT raw material to the heating chamber 61.
  • a raw material such as acetylene is supplied into the heating chamber 61 by the CNT raw material supplier 66 to synthesize CNTs.
  • the CNT raw material supplier 66 supplies the CNT raw material to the heating chamber 61 so that brazing and synthesis of the CNT alignment film 31 are performed in the heating chamber 61.
  • the CNT raw material supplier 66 can include a device for supplying acetylene, a device for supplying carbon dioxide, and a control device for controlling them.
  • the control device supplies an appropriate amount of acetylene so that the required CNT is synthesized.
  • the control device adjusts the supply amount of acetylene and carbon dioxide so that the volume ratio of acetylene and carbon dioxide is 1:10 or more and 1: 300 or less.
  • the manufacturing apparatus has a shaping liquid supplier (LQD-SUP) 67 for supplying the shaping liquid.
  • the shaping liquid supplier 67 is configured to supply the shaping liquid to the cooling chamber 62.
  • the shaping liquid is, for example, ethanol.
  • the shaping liquid is supplied as vapor and may be liquefied in the cooling chamber.
  • the manufacturing apparatus has a shaping liquid collector (LQD-REC) 68 for collecting and reusing the shaping liquid.
  • the shaping liquid collector 68 is configured to collect the shaping liquid from the cooling chamber 62.
  • a pattern forming process 981 and a shaping process 993 are executed.
  • the pattern forming process 981 can employ any of the processes disclosed in the preceding embodiments. In this embodiment, a rough surface and / or an organic material layer as an inhibitory element is employed. These methods can partially form the CNT alignment film 31 without depending on the catalyst. Therefore, it can be executed before the shape processing 185.
  • the shape processing process 185 is performed before the catalyst application process 183.
  • the shape processing 185 is also a process of assembling a plurality of members forming the heat exchanger with a base material including a brazing material layer.
  • a pre-heat treatment 187 is performed after the shape processing process 185. Further, after the pre-heat treatment 187, a catalyst application process 183 is performed.
  • a catalyst is applied to the preheated base material 11 by supplying a catalyst-containing gas such as ferrocene vapor into the preheated heating chamber 61.
  • the catalyst is applied to the surface of the substrate having the shape of a heat exchanger having a plurality of surfaces.
  • a process 989 is executed instead of the CNT synthesis process 189 in the preceding embodiment.
  • the process 989 is executed after the catalyst application process 183.
  • Process 989 is a process in which brazing and CNT synthesis are performed in the common heating chamber 61.
  • the shaping process 993 shapes the CNT alignment film 31 into a shape suitable for a heat exchanger.
  • the shaping process 993 is also an agglomeration process in which a plurality of CNTs are collected or bundled so as to be thinly contracted at the tip of the bundle of island-like CNTs.
  • Liquid can be used to collect multiple CNTs and reduce their spacing.
  • the liquid can also be referred to as a shaping liquid.
  • An example of the shaping liquid is a volatile liquid.
  • the shaping liquid evaporates over time by reducing the shaping liquid vapor concentration in the atmospheric gas, raising the atmospheric temperature, or elapses of time.
  • a plurality of CNTs are aggregated and bundled.
  • a trapezoid shaped CNT alignment film 931 is obtained.
  • the action of the shaping liquid at this time is similar to the action of a hair styling agent for preparing hair.
  • An organic solvent can be used as the shaping liquid.
  • long CNTs can be formed on the surface of the heat exchanger.
  • the CNT alignment film 31 having a predetermined shape can be formed on the surface of the heat exchanger.
  • the shape of the CNT alignment film 31 can be shaped into a shape suitable for a heat exchanger.
  • FIG. 32 shows another example of the shaped CNT alignment film 931.
  • the shape of the CNT alignment film 931 can be adjusted by changing various conditions in the manufacturing method.
  • the shape in other words, the fineness of the CNT alignment film 931 can be adjusted by the density of the CNTs in the island-shaped group of CNT alignment films 931, the type of the shaping liquid, the evaporation rate of the shaping liquid, and the like.
  • a heat medium such as air is more easily introduced between two adjacent CNT alignment films 931.
  • the shaped CNT alignment film 931 increases the direct contact area between the substrate 11 and the heat medium.
  • the shaped CNT alignment film 931 provides a fin shape that can be called a microfin.
  • a passage shape that can be called a microchannel through which a heat medium can flow is provided.
  • the disclosure herein is not limited to the illustrated embodiments.
  • the disclosure encompasses the illustrated embodiments and variations by those skilled in the art based thereon.
  • the disclosure is not limited to the combinations of parts and / or elements shown in the embodiments.
  • the disclosure can be implemented in various combinations.
  • the disclosure may have additional parts that can be added to the embodiments.
  • the disclosure includes those in which parts and / or elements of the embodiments are omitted.
  • the disclosure encompasses the replacement or combination of parts and / or elements between one embodiment and another.
  • the technical scope disclosed is not limited to the description of the embodiments. Some technical scope disclosed is shown by the description of the scope of claims, and should be understood to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the description of the scope of claims.
  • the heat transfer product is exemplified as the use of the member with CNT.
  • the member with CNT may be used for various purposes.
  • it can be used for a member of an electric device such as a battery and a member for forming a structure.
  • the partial CNT alignment film 31, that is, the CNT alignment film 31 formed in a predetermined pattern shape exhibits the effects required for each of various uses.
  • the shaped CNT alignment film also exhibits an effect required for each of various uses.
  • the base material 11 is made of aluminum or aluminum alloy.
  • the base material may be a multilayer material having an aluminum layer or an aluminum alloy layer as a surface layer.
  • the groove 414 is formed on the surface of the base material 11 using a scribing device.
  • a rough surface or a groove may be formed using various metal processing methods such as cutting, rolling, polishing, and chemical corrosion.

Abstract

カーボンナノチューブ付部材１は、アルミニウムを主成分とする基材１１と、配向方向ＯＲＤに沿って配向されたＣＮＴ配向膜３１とを有する。ＣＮＴ配向膜３１を形成するカーボンナノチューブ／ＣＮＴは、２００μｍ以上の長さをもつ。ＣＮＴは、アセチレン、水素、およびアルゴンの混合ガスを原料として合成される。さらに、触媒の活性を維持するために、二酸化炭素が添加される。アセチレン：二酸化炭素の比は、１：１０から１：３００に調整される。ＣＮＴ配向膜３１は、部分的に形成される。ＣＮＴ配向膜３１の形成範囲は、粗面、または炭素含有物によって、ＣＮＴの合成および／または配向された成長を阻害することによって設定される。

Description

カーボンナノチューブ付部材、その製造方法、およびその製造装置 関連出願の相互参照
　この出願は、２０１６年２月２６日に出願された日本特許出願２０１６－３５９９１号を基礎出願とするものであり、当該基礎出願の開示内容は参照によってこの出願に組み込まれている。
　この明細書における開示は、カーボンナノチューブ付部材、その製造方法およびその製造装置に関する。
　カーボンナノチューブ（以下ＣＮＴという）の合成方法、すなわち製造方法として、基板上に触媒となる金属を形成し、加熱された炉内に配した後、原料となるアセチレンやエタノールなど炭素を含むガスを炉内に供給する方法が知られている。ガスの分解と触媒活性の維持のために、炉内の温度は通常７００℃～８００℃程度に維持される。しかし、この技術では、多様な基板材料への適用と、複数のＣＮＴが一方向に配向され束状に配置されたＣＮＴ配向膜を求められる範囲に形成するパターン化と、ＣＮＴの長尺化とが困難であった。
　特許文献１は、ＣＮＴ配向膜を、基板上の所定の範囲に形成する技術を開示する。特許文献１は、ＣＮＴ合成に必要な触媒を、求められる範囲に形成することにより、すなわちパターン化することにより、パターン化されたＣＮＴ配向膜の形成を可能としている。
　特許文献２は、比較的低温でＣＮＴを合成する方法を提案する。特許文献２は、６００℃以上６６０℃未満においてＣＮＴを合成するために、通常の熱分解に加え、先端放電型プラズマＣＶＤを用いる。これにより、Ｈ２ガスとＣＨ４とを活性化し、ＣＮＴ配向膜を合成している。
　特許文献３は、アルミニウムやマグネシウムの上にＣＮＴを合成する方法を提案する。
　従来技術として列挙された先行技術文献の記載内容は、この明細書における技術的要素の説明として、参照により援用される。
特表２００２－５３０８０５号公報 特開２００９－７８９５６号公報 特開２０１１－１３２０６８号公報
　特許文献１の手法は、パターン化された触媒を、求められる場所に形成する手段が必要である。たとえば、ステンシルマスクやフォトリソグラフィなどを必要とするから、製造工程が複雑になる。また、特許文献１の手法は、平坦な基板への適用に限られる。この結果、例えば、立体的な構造体の表面へ、パターン化されたＣＮＴ配向膜を形成することができない。
　特許文献２の手法では、触媒の活性が、長時間に渡って維持されない。このため、長尺のＣＮＴを得ることができない。
　特許文献３の手法では、ＣＮＴはランダムに配置されるから、配向膜が形成されない。
　上述の観点において、または言及されていない他の観点において、カーボンナノチューブ付部材、その製造方法、およびその製造装置にはさらなる改良が求められている。
　開示されるひとつの目的は、長いＣＮＴが配向されたカーボンナノチューブ付部材、その製造方法、およびその製造装置を提供することである。
　開示される他のひとつの目的は、ＣＮＴ配向膜が部分的に形成されたカーボンナノチューブ付部材、その製造方法、およびその製造装置を提供することである。
　開示されるさらに他のひとつの目的は、アルミニウムを主成分とする基材の表面上に長いＣＮＴにより形成されたＣＮＴ配向膜が形成されたカーボンナノチューブ付部材、その製造方法、およびその製造装置を提供することである。
　開示されるさらに他のひとつの目的は、簡単な装置によってアルミニウムを主成分とする基材のろう付けと、ＣＮＴの合成とが可能なＣＮＴ配向膜が形成されたカーボンナノチューブ付部材、その製造方法、およびその製造装置を提供することである。
　ここに開示されたカーボンナノチューブ付部材は、アルミニウムを主成分とする基材（１１）と、長さ２００μｍ以上の複数のカーボンナノチューブが所定の配向方向に沿って配向されており、基材の表面に配置されたＣＮＴ配向膜（３１、９３１）とを備える。
　開示されるカーボンナノチューブ付部材によると、アルミニウムを主成分とする基材に、長さ２００μｍ以上の複数のカーボンナノチューブが配向されたＣＮＴ配向膜を設けることができる。
　ここに開示されたカーボンナノチューブ付部材の製造方法は、アルミニウムを主成分とする基材の表面にカーボンナノチューブを合成するための触媒（２１、２２１）を配置する工程（１８３、２８３）と、触媒の活性を維持するための二酸化炭素を供給するとともに、カーボンナノチューブの原料としてのアセチレンと二酸化炭素との体積比が１：１０以上である雰囲気中において基材の表面にカーボンナノチューブを合成する工程（１８９、９８９）とを備える。
　開示される製造方法によると、二酸化炭素によって低温においても触媒の活性が維持される。よって、低温においてカーボンナノチューブの合成が可能となる。この結果、アルミニウムを主成分とする基材の表面にＣＮＴ配向膜を形成することができる。
　ここに開示されたカーボンナノチューブ付部材の製造装置は、少なくとも一部にろう材（３１３）を有しており、アルミニウムを主成分とする基材（１１）を収容し、基材を加熱することによりろう材を溶融させ、基材をろう付けする加熱室（６１）、および、ろう付けと、複数のカーボンナノチューブが所定の配向方向に沿って配向されたＣＮＴ配向膜（３１、９３１）の基材の表面における合成とを、加熱室において行うように、加熱室にカーボンナノチューブの原料を供給する原料供給器（６６）を備える。
　開示される製造装置によると、ろう付けと、カーボンナノチューブの合成とを、共通の加熱室において実行することができる。
　この明細書における開示された複数の態様は、それぞれの目的を達成するために、互いに異なる技術的手段を採用する。請求の範囲およびこの項に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態の部分との対応関係を例示的に示すものであって、技術的範囲を限定することを意図するものではない。この明細書に開示される目的、特徴、および効果は、後続の詳細な説明、および添付の図面を参照することによってより明確になる。
第１実施形態に係るカーボンナノチューブ付部材（ＣＮＴ付部材）の基材を示す断面図である。 第１実施形態の中間段階における断面図である。 第１実施形態に係るＣＮＴ付部材を示す断面図である。 第１実施形態の製造方法を示すフローチャートである。 第１実施形態のＣＮＴ高さを示すグラフである。 第２実施形態中間段階における断面図である。 第２実施形態に係るＣＮＴ付部材を示す断面図である。 第２実施形態の製造方法を示すフローチャートである。 第３実施形態の中間段階における断面図である。 第３実施形態の中間段階における断面図である。 第３実施形態に係るＣＮＴ付部材を示す断面図である。 第３実施形態のＣＮＴ高さを示すグラフである。 第３実施形態のＣＮＴ高さを示すグラフである。 第３実施形態のろう材層の成分を示す表である。 第４実施形態の中間段階における断面図である。 第４実施形態の製造方法を示すフローチャートである。 第４実施形態のＣＮＴ付部材を示すＳＥＭ画像である。 図１７に図示されるＳＥＭ画像を説明するための線図である。 第４実施形態の変形例を示す断面図である。 第５実施形態の中間段階における断面図である。 第５実施形態の中間段階における断面図である。 第５実施形態に係るＣＮＴ付部材を示す断面図である。 第５実施形態の製造方法を示すフローチャートである。 第６実施形態に係るＣＮＴ付部材を示す斜視図である。 第７実施形態に係るＣＮＴ付部材を示す斜視図である。 第８実施形態に係るＣＮＴ付部材を示す斜視図である。 第９実施形態に係るＣＮＴ付部材を示す斜視図である。 第９実施形態に係るＣＮＴ付部材を示す断面図である。 第９実施形態に係るＣＮＴ付部材を示す断面図である。 第９実施形態の製造装置を示すブロック図である。 第９実施形態の製造方法を示すフローチャートである。 第９実施形態の変形例を示す断面図である。
　図面を参照しながら、複数の実施形態を説明する。複数の実施形態において、機能的におよび／または構造的に対応する部分および／または関連付けられる部分には同一の参照符号、または百以上の位が異なる参照符号が付される場合がある。対応する部分および／または関連付けられる部分については、他の実施形態の説明を参照することができる。
　第１実施形態
　この実施形態では、カーボンナノチューブ付部材（ＣＮＴ付部材）とその製造方法とが開示される。カーボンナノチューブ配向膜（ＣＮＴ配向膜）は、多数のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）が配向された膜である。ＣＮＴ配向膜は、金属製の基材の表面上に配置されている。一例において、ＣＮＴは、基材の表面が提供する平面に対して垂直に延びるように配向されている。ＣＮＴ付部材は、ＣＮＴで被覆された部材、ＣＮＴ複合材料、またはＣＮＴ構造体とも呼ばれる。図１、図２、図３は、ＣＮＴ付部材の製造工程の各段階における材料の形状を示す。
　図１は、ＣＮＴが形成される基材１１の断面を示す。基材１１は、アルミニウム製の金属板である。基材１１は、純度９９％を上回るアルミニウム製またはアルミニウム合金製である。アルミニウム合金には、添加金属として、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、およびＣｒのなかから選択される少なくともひとつまたは複数を含むことができる。基材１１は、厚さＴｈＡＬを有する。基材１１は、任意の厚さを有することができる。例えば、基材１１は、箔と呼びうる厚さをもつ場合がある。基材１１は、二次元に広がる平面を提供する。基材１１は、表面形状を自ら維持可能な構造物である。また、基材１１は、放熱器または熱交換器などの熱伝達製品を形成しうる構造部材としての厚さをもつ場合がある。
　図２は、基材１１の表面に形成された触媒層２１を示す。触媒層２１は、ＣＮＴを合成するための金属材料によって形成されている。触媒層２１は、例えば鉄、ニッケル、コバルトなどによって形成されている。この実施形態では、基材１１の表面の全体を覆うように触媒層２１が形成されている。触媒層２１は、厚さＴｈＦｅを有する。
　図３は、ＣＮＴ付部材１の断面を示す。基材１１の表面に触媒層２１が配置されている。触媒層２１の上には、ＣＮＴ配向膜３１が形成されている。ＣＮＴ配向膜３１は、多数のＣＮＴを有する。これら多数のＣＮＴは、配向方向ＯＲＤに向けて配向されている。図示の例では、多数のＣＮＴは、ＣＮＴの長手方向が、基材１１の表面に対して垂直方向に沿って延びるように配向されている。配向方向ＯＲＤは、基材１１の表面に対して傾斜していてもよい。なお、ＣＮＴは、やや蛇行しながら配向方向ＯＲＤに沿って延びている。ＣＮＴ配向膜３１は、配向方向ＯＲＤに沿って高さＨｔＣＮＴを有する。
　ＣＮＴ配向膜３１は、基材１１の表面の全体にわたって広がっている。ＣＮＴ配向膜３１は、基材１１の上に凸部３２を形成するように突出している。高さＨｔＣＮＴは、ひとつのＣＮＴの長さに概略相当する。ひとつのＣＮＴは屈曲しながら配向方向ＯＲＤへ延びている。よって、ひとつのＣＮＴの長さは、高さＨｔＣＮＴより長い。高さＨｔＣＮＴは、ＣＮＴがもつ高い熱伝導性を、放熱器または熱交換器などの熱伝達製品として有効に利用しうる高さである。例えば、ＣＮＴが空気と接触する場合、ＣＮＴ配向膜３１は空気に対して広い表面積を提供する。さらに、ＣＮＴは、基材１１からＣＮＴの長さ方向に沿って高い熱伝導率を提供する。この結果、ＣＮＴ配向膜３１は、空気と基材１１との間の熱交換を促進する。
　図４において、ＣＮＴ付部材１の製造方法１８０は、基材１１の表面上にＣＮＴ配向膜３１を形成するための複数の段階を有している。製造方法１８０は、ＣＮＴを合成するための加熱炉の中に基材１１を配置した後に実行される。図示される順序は一例であり、付加的な要請に応じて変更される場合がある。
　製造方法１８０は、複数の処理、すなわち工程を有する。製造方法１８０は、触媒付与処理１８３を有する。触媒付与処理１８３は、基材１１の表面上に触媒層２１を形成する。触媒層２１は、液コート、蒸着、スパッタリング、気相中添加など多様な手法のいずれかによって形成することができる。製造方法１８０は、形状加工処理１８５を有することができる。形状加工処理１８５は、オプションとして用意されている。形状加工処理１８５では、基材１１が所定の形状、例えば三次元的な形状に加工される。ここでは、切断、曲げなどの機械的な加工が加えられる。製造方法１８０は、予熱処理１８７を有する。予熱処理１８７は、基材１１と触媒層２１とをＣＮＴの合成に適した温度に予熱する。
　製造方法１８０は、ＣＮＴ合成処理１８９を有する。ＣＮＴ合成処理１８９では、加熱炉の中にＣＮＴの原料が供給される。原料は、加熱炉の中で加熱され、分解される。触媒層２１を形成する触媒の上に、ＣＮＴが合成される。ＣＮＴは、配向方向ＯＲＤに沿って成長する。この結果、ＣＮＴ配向膜３１が形成される。製造方法１８０は、冷却処理１９１を有する。冷却処理１９１は、ＣＮＴ付部材１を、例えば常温まで冷却する。
　図５は、製造方法１８０における複数のパラメータとＣＮＴ高さＨｔＣＮＴ（μｍ：マイクロメートル）との関係を示すグラフである。パラメータは、ＣＮＴ原料の体積比ＣＯ２／Ｃ２Ｈ２（ｖ／ｖ）、および触媒層２１の厚さＴｈＦｅ（ｎｍ：ナノメートル）である。このグラフは、下記の条件におけるＣＮＴ高さＨｔＣＮＴを示している。
　触媒付与処理１８３において、基材１１の上にスパッタ法により触媒層２１が形成される。触媒層２１は、鉄を０ｎｍから８ｎｍの範囲で堆積させることによって形成されている。基材１１は、純度９９％を上回るアルミニウム製であって、厚さ０．２ｍｍの箔である。この例では、形状加工処理１８５は実行されない。
　予熱処理１８７において、基材１１と触媒層２１とは、アルゴンと水素との混合ガスの中で６００℃まで昇温され、６００℃の雰囲気中で５分間保持される。
　ＣＮＴ合成処理１８９において、触媒層２１の上に、ＣＮＴの原料ガスが供給される。原料ガスは、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）と二酸化炭素（ＣＯ２）とを、体積比１：０～１：２６６で混合したものである。この結果、ＣＮＴ合成処理における雰囲気、すなわち原料ガスは、アセチレン、水素、二酸化炭素、およびアルゴンの混合ガスである。二酸化炭素は、触媒の活性を維持するためのガスとして添加されている。ＣＮＴ合成処理１８９は、ＣＮＴの原料としてのアセチレンと二酸化炭素との体積比が１：１０以上１：３００以下である雰囲気中において基材１１の表面にＣＮＴを合成する。ＣＮＴ合成は、熱ＣＶＤ処理とも呼ぶことができる。ＣＮＴ合成処理１８９は、１２０分間実行される。なお、製造装置は、アセチレンの量と、二酸化炭素の量とを調節する制御装置を備える。
　図示されるように、体積比１：３．３～１：２６６の範囲、または体積比１：１０～１：２６６の範囲においてＣＮＴ配向膜３１の成長が促進されている。すべての体積比において、触媒層２１の厚さＴｈＦｅが約２ｎｍ～３ｎｍであるときにＣＮＴ配向膜３１の高さＨｔＣＮＴが最高値となっている。すべての体積比において、４００μｍを上回る高さのＣＮＴ配向膜３１が得られている。
　図示されるように、体積比１：３．３において、４００μｍを上回る高さのＣＮＴ配向膜３１が得られている。体積比１：１０では、３ｎｍを上回る厚さの触媒層２１において４００μｍを上回る高さのＣＮＴ配向膜３１が得られている。体積比１：１００において最も高いＣＮＴ配向膜３１が得られている。さらに、体積比１：２６６においても、５００μｍ、または６００μｍを上回る高さのＣＮＴ配向膜３１が得られている。
　発明者らの知見によると、体積比１：１０未満では、ＣＮＴの合成が不安定であると考えられた。その一方で、体積比１：３００でも、高いＣＮＴ配向膜３１が合成されると考えられた。よって、体積比１：１０以上、１：３００以下の範囲内においては、２００μｍ、３００μｍ、または４００μｍ、さらに望ましくは５００μｍを上回る高さのＣＮＴ配向膜３１が得られると考えられる。
　ＣＮＴ原料中のアセチレンと二酸化炭素の体積比は、１：１０以上、１：３００以下に設定することができる。ＣＮＴ原料の体積比は、１：３０以上、１：１００以下に設定されてもよい。触媒層２１の厚さＴｈＦｅは、触媒が鉄である場合、３ｎｍ付近に設定することができる。例えば、触媒層２１の厚さＴｈＦｅは、２ｎｍ以上に設定することができる。触媒層２１の厚さＴｈＦｅは、３ｎｍ以上に設定されてもよい。これらの設定は、高いＣＮＴ配向膜３１を安定的に合成することを可能とする。触媒層２１の厚さＴｈＦｅは、６ｎｍ以下に設定することができる。触媒層２１の厚さＴｈＦｅは、５ｎｍ以下に設定されてもよい。これらの下限と上限とは、所定の高さ以上のＣＮＴ配向膜３１を得るように選択することができる。高さＨｔＣＮＴの傾斜は、触媒層２１の厚さＴｈＦｅが３ｎｍを上回る領域において緩い。そこで、触媒層２１の厚さＴｈＦｅは、比較的厚い領域、例えば３ｎｍ以上、５ｎｍ以下に設定されてもよい。
　この実施形態によると、アルミニウム製の基材１１の上に、高いＣＮＴ配向膜３１が形成される。具体的には、２００μｍ以上、または２００μｍを上回る高さをもつＣＮＴ配向膜３１が得られる。さらに、３００μｍ以上の高さをもつＣＮＴ配向膜３１が得られる。さらに望ましい態様では、４００μｍ以上の高さをもつＣＮＴ配向膜３１が得られる。
　第２実施形態
　この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例である。上記実施形態では、ＣＮＴ配向膜３１は、基材１１の表面の全体に形成されている。これに代えて、この実施形態では、ＣＮＴ配向膜３１は、基材１１の表面の一部分に形成される。
　図６において、基材１１の表面上には、基材１１の表面の一部分だけを覆うように部分的な触媒層２２１が形成されている。触媒層２２１は、ＣＮＴ配向膜３１の形成が意図される配向領域４１に形成されている。触媒層２２１は、ＣＮＴ配向膜３１の形成が意図されない非形成領域４２には形成されていない。この結果、基材１１の表面上には、配向領域４１と、非形成領域４２とが形成される。非形成領域４２ではＣＮＴ配向膜３１が合成されないか、または長く成長しない。
　図７において、ＣＮＴ付部材１は、凸部３２と、凹部３３とを有する。凸部３２は、基材１１から突出するように形成された長いＣＮＴの束である。凸部３２は、島状のＣＮＴ配向膜３１とも呼ぶことができる。基材１１の表面上には、任意の断面において互いに離れた複数の凸部３２が形成されている。凹部３３は、２つの凸部３２の間に位置している。凹部３３においては、ＣＮＴが合成されていないか、またはＣＮＴがＣＮＴ配向膜３１より乱れて伸びている。
　図８において、この実施形態の製造方法では、触媒付与処理２８３が採用されている。触媒付与処理２８３は、触媒を配置する工程である。触媒付与処理２８３は、部分的な触媒層２２１を形成する。触媒層２２１は、ステンシルマスクまたはフォトリソグラフィなどを利用して形成することができる。触媒付与処理２８３は、ＣＮＴ配向膜３１を所定のパターン形状に形成するためのパターン形成処理とも呼ばれる。触媒付与処理２８３は、基材１１の表面のうち、ＣＮＴが形成されない非形成領域４２に触媒を設けることなく、ＣＮＴが形成される配向領域４１に触媒を設ける工程である。この実施形態では、製造工程におけるパラメータは、先行する実施形態と同じである。後続の処理１８５－１９１は、先行する実施形態と同じである。触媒を設ける工程の後に、基材１１を所定の形状に加工する形状加工処理１８５が実行される。
　この実施形態でも、先行する実施形態と同様に、長いＣＮＴ配向膜３１が形成される。さらに、ＣＮＴ配向膜３１を、基材１１上に部分的に形成することができる。
　第３実施形態
　この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例である。上記実施形態では、基材１１は、アルミニウムを主成分とする単一材料製である。これに代えて、この実施形態では、基材１１は、主層３１２とろう材層３１３とを有する。
　図９において、基材１１は、アルミニウム製の主層３１２と、ろう材層３１３とを有する。ろう材層３１３は、アルミニウムを主成分とする合金層である。ろう材層３１３は、主層３１２より低い融点をもつ。ろう材層３１３は、厚さＴｈＢｒｚを有する。この実施形態では、ろう材層３１３の上に、ＣＮＴ配向膜３１が形成される。
　図１０に図示されるように、ろう材層３１３の上に、触媒層２２１が形成される。触媒層２２１は、配向領域４１と非形成領域４２とを形成するように部分的に配置される。
　図１１において、ＣＮＴ付部材１は、ろう材層３１３の上に形成されたＣＮＴ配向膜３１を有する。この実施形態でも、ＣＮＴ配向膜３１は、凸部３２と凹部３３とを形成する。
　図１２、図１３は、ろう材の成分とＣＮＴ高さＨｔＣＮＴとの関係を示すグラフである。図１４は、試料とされたろう材層の成分を示す。ＴｙｐｅＡ１と名付けられたろう材は、アルミニウムを主成分とし、Ｚｎを２～３．２％含有する点が特徴的である。ＴｙｐｅＢと名付けられたろう材は、アルミニウムを主成分とし、Ｓｉを０．６～０．９％、Ｃｕを０．２～０．４％、Ｍｎを１％～２％、Ｔｉを０．１～０．２％含有する点が特徴的である。ＴｙｐｅＡ２と名付けられたろう材は、ＴｙｐｅＡ１よりＺｎが少ない点が特徴的である。ＴｙｐｅＣと名付けられたろう材は、アルミニウムを主成分とし、Ｓｉを９～１１％含有させたものである。このグラフは、下記の条件におけるＣＮＴ高さＨｔＣＮＴを示している。　触媒付与処理１８３において、基材１１の上にスパッタ法により触媒層２１が形成される。触媒層２１は、鉄を０ｎｍから７ｎｍの範囲で堆積させることによって形成されている。基材１１は、厚さ０．２ｍｍの箔である。ろう材層３１３の厚さＴｈＢｒｚは、厚さＴｈＡＬの約１０％以上である。予熱処理１８７は先行する実施形態と同じである。
　ＣＮＴ合成処理１８９において、触媒層２１の上に、ＣＮＴの原料ガスが供給される。原料ガスは、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）と二酸化炭素（ＣＯ２）とを、体積比１：３０で混合したものである。二酸化炭素は１．８体積百分率（ｖｏｌ％）を占める。アセチレンは０．０６体積百分率（ｖｏｌ％）を占める。体積ＣＮＴ合成処理は、１２０分間実行される。
　図中には、ろう材層３１３をもたない基準品（Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ）が図示されている。図示されるように、ろう材層３１３があっても、基準品と同様の高さをもつＣＮＴ配向膜３１が形成される。この実施形態によると、ろう付け工程に利用可能なＣＮＴ付部材１が提供される。この場合、ＣＮＴ付部材１は、ろう付け工程に供給される。ＣＮＴ付部材１は、ろう付け工程において所定の形状の物品をなすように他の部材と接合される。
　第４実施形態
　この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例である。上記実施形態では、部分的な触媒層２２１によって、ＣＮＴ配向膜３１の形状が制御される。これに代えて、ＣＮＴの合成および／または配向された成長を積極的に阻害する要素を基材１１の表面上に設けてもよい。この実施形態は、阻害要素として、基材１１の表面に設けられた粗面を利用する。
　図１５において、基材１１の表面上には、複数の溝４１４によって粗面が形成されている。この実施形態では、溝４１４が阻害要素である。また、粗面も阻害要素である。粗面は、ひとつの溝４１４に対応する。ひとつの溝４１４は、Ｕ字型の凹面によって区画形成されている。溝４１４は、基材１１の本来の表面（平面）より凹んだ部分である。Ｕ字型の凹面は、基材１１の本来の表面に対して交差する面を提供している。Ｕ字型の凹面は、基材１１の本来の表面（平面）とは異なる方向を指向する面によって区画形成されている。２つの溝４１４の間には、基材１１の本来の表面が残されている。基材１１の本来の表面は、配向領域４１を提供する。溝４１４は、非配向領域４３を提供する。より具体的には、溝４１４は、ＣＮＴの配向された成長を阻害する。非配向領域４３では、ＣＮＴは配向方向ＯＲＤに沿って配向されることなく、ランダムに配置されている。
　図１６において、この実施形態の製造方法では、粗面加工処理４８１が採用されている。粗面加工処理４８１は、基材１１に対する機械的または化学的な表面加工によって、基材１１の表面に部分的な粗面を形成する。粗面は、基材１１の表面上の他の部位よりも粗い表面を形成する。粗面は、基材１１の表面を規定する平面に対して傾斜する多様な面によって形成される。粗面は、基材１１の表面にキズを付けることによって形成することができる。また、粗面は、基材１１の研磨加工前の表面を残すことによって形成されてもよい。粗面加工処理４８１は、ＣＮＴ配向膜３１を所定のパターン形状に形成するためのパターン形成処理とも呼ばれる。粗面加工処理４８１は、阻害要素を設けるための工程である。粗面加工処理４８１は、ＣＮＴが形成される配向領域４１の表面よりも凹凸状の粗面をＣＮＴが形成されない非配向領域４３に設ける工程である。この実施形態では、粗面は、基材１１の表面に溝４１４を形成することによって形成される。
　ひとつの例において、基材１１は、純度９９％を上回るアルミニウム製の板である。なお、基材１１はアルミニウム合金製でもよい。粗面加工処理４８１において、溝４１４は、半導体製造工程において使用されるスクライブ装置によって形成される。溝４１４は、深さ２０μｍ、幅１０μｍのＵ字型の断面をもつ溝である。残る処理工程１８３－１９１は先行する実施形態と同じである。粗面加工処理４８１によって提供される阻害要素を設ける工程の後に、基材１１を所定の形状に加工する形状加工処理１８５が実行される。
　図１７は、この実施形態の一例によるＣＮＴ付部材１のＳＥＭ画像である。図１８は、ＳＥＭ画像における各部を説明するための線図である。図１７および図１８は、ＣＮＴ付部材１からＣＮＴ配向膜３１の一部を剥ぎ取った後の破断面を斜め上から見た斜視図に相当する。図の上部には、ＣＮＴ配向膜３１の上端面ＴＰが表れている。上端面ＴＰは、多数のＣＮＴの上端によって形成されている。上端面ＴＰには、ＣＮＴ配向膜３１の一部を剥ぎ取る際に発生したひび割れＣＶが見られる。図の中部には、ＣＮＴ配向膜３１の破断面ＳＤが表れている。破断面ＳＤは、多数のＣＮＴの側面によって形成されている。破断面ＳＤには、ＣＮＴを示す縦方向の多数の条線が見られる。また、破断面ＳＤには、ＣＮＴ配向膜３１の一部を剥ぎ取る際に発生したランダムなＣＮＴの塊ＦＺが見られる。図の下部には、基材１１の表面が表れている。基材１１の表面には溝４１４が見られる。
　図示されるように、平面状の配向領域４１の上には、配向された多数のＣＮＴが見られる。このため、配向領域４１の上には、ＣＮＴ配向膜３１によって形成された凸部３２が位置している。
　一方、溝４１４の上には、配向がランダムに乱れた領域が見られる。溝４１４を形成する傾斜した面に起因して、ＣＮＴは斜面垂直方向に成長するため、対向する斜面から成長するＣＮＴ同士が成長を阻害し、ＣＮＴの基板垂直方向への成長が妨げられる。成長の阻害は、上端面ＴＰにおいて顕著に表れている。溝４１４に対応する位置には、細い凹部３３が形成されている。この凹部３３は、密度の低下したＣＮＴ（換言すると空隙）によって形成されている。溝４１４によって形成された粗面によって溝４１４の上にはＣＮＴ配向膜３１が形成されない。この結果、溝４１４の上には、凹部３３が形成されている。なお、凸部３２と凹部３３との境界となる角部では、ＣＮＴの上端部がやや傾き、膨らんだように見える。
　この実施形態では、基材１１の上に、ＣＮＴが配向されたＣＮＴ配向膜３１の領域と、ＣＮＴが低密度ないしランダムに延びる領域とが形成されている。言い換えると、ＣＮＴの密度ないし配向状態の差、端的には配向の有無によってＣＮＴ配向膜３１の形状が規定されている。なお、この実施形態では、複数の溝４１４は、互いに平行に延びるように形成されている。これに代えて、複数の溝４１４は、互いに交差しながら、複数の方向に延びるように形成されていてもよい。複数の溝４１４は、非配向領域４３においてランダムな方向に延びるように形成されていてもよい。
　図１９は、溝４１４の他の例を示している。溝４１４は、Ｖ字型の断面を有する。ひとつの溝４１４は、Ｖ字型に配置された一対の斜面４１５によって区画形成されている。ＣＮＴは、面に対して垂直に成長してゆくから、斜面４１５は、溝４１４の中において、ＣＮＴが配向方向ＯＲＤへ成長することを妨げる。なお、溝４１４の形状は、Ｕ字型、Ｖ字型に限定されない。溝４１４は、例えば、半円形断面、または長方形断面など多様な形状をもつことができる。　この実施形態でも、先行する実施形態と同様に、長いＣＮＴ配向膜３１が形成される。さらに、ＣＮＴ配向膜３１を、基材１１上に部分的に形成することができる。また、細長い範囲を占めるＣＮＴ配向膜３１が形成される。複数の溝４１４に沿って複数の細長い島状のＣＮＴ配向膜３１が形成される。別の観点では、複数の線状の凹部３３がＣＮＴ配向膜３１の間に形成される。複数の島状のＣＮＴ配向膜３１は、基材１１の表面において空気などの熱媒体との熱交換面積を増加させる。細長い島状のＣＮＴ配向膜３１は、板状でもある。複数の板状のＣＮＴ配向膜３１は、それらの間に、熱媒体を導入可能な隙間を有している。複数の板状ＣＮＴ配向膜３１は、それらの間のすきまに熱媒体が流れこむことで、フィンのような機能を発揮する。
　第５実施形態
　この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例である。上記実施形態では、溝４１４および／または粗面によって阻害要素が提供されている。これに代えて、ＣＮＴの成長および／または配向を積極的に阻害する材料層を基材１１の表面上に設けてもよい。この実施形態は、阻害要素として、炭素（Ｃ）を含む有機材料層が利用される。
　図２０において、基材１１の表面上には、炭素を含む有機材料層５１６が部分的に形成されている。有機材料層５１６は、容易に入手可能な塗料、サインペンなどによって形成することができる。一例では、基材１１の表面の一部を油性サインペンによって塗り潰すことによって有機材料層５１６が形成されている。この実施形態では、有機材料層５１６が阻害要素である。有機材料層５１６は、非配向領域４３に配置されている。言い換えると、有機材料層５１６によって配向領域４１と非配向領域４３とが形成されている。
　図２１に図示されるように、触媒層２１は、有機材料層５１６の上にも形成される。有機材料層５１６は、触媒層２１に隣接して配置されている。有機材料層５１６は、有機材料層５１６と接する触媒の活性を低下させる。有機材料層５１６は、触媒の活性を失わせる場合もある。この結果、有機材料層５１６の上にはＣＮＴが成長しないか、または配向されない。この実施形態では、有機材料層５１６の上に触媒層２１が形成される。これに代えて、触媒層２１の上に有機材料層５１６が設けられてもよい。有機材料層５１６は、触媒層２１に隣接して設けられることが望ましい。なお、有機材料層５１６は、炭素含有材料層とも呼ばれる。
　図２２において、ＣＮＴ付部材１は、凸部３２と、凹部３３とを有する。凹部３３の下に有機材料層５１６の痕跡が残されている。この痕跡は、ＣＮＴ合成処理における高温によって有機材料層５１６が変質することによって形成される残留層である。ＣＮＴ合成処理における高温に起因して、有機材料層５１６は、触媒層と混じりあい、残留層を形成する。よって、残留層は触媒層２１を構成する元素と炭素とを含む。残留層は、炭素含有材料層とも、炭素含有残留層とも呼ばれる。
　図２３において、この実施形態の製造方法では、有機層形成処理５８１が採用されている。有機層形成処理５８１は、阻害要素を設ける工程である。有機層形成処理５８１は、ＣＮＴが形成されない非配向領域４３に、炭素を含む有機材料層５１６が設けられる。有機層形成処理５８１は、ＣＮＴ配向膜３１を所定のパターン形状に形成するためのパターン形成処理とも呼ばれる。残る処理工程１８３－１９１は先行する実施形態と同じである。有機層形成処理５８１によって提供される阻害要素を設ける工程の後に、基材１１を所定の形状に加工する形状加工処理１８５が実行される。有機層形成処理５８１は触媒付与処理１８３の後に行っても良いし、触媒付与処理１８３は形状加工処理１８５の後ないし予熱処理１８７の後に行っても良い。
　この実施形態でも、先行する実施形態と同様に、長いＣＮＴ配向膜３１が形成される。さらに、ＣＮＴ配向膜３１を、基材１１上に部分的に形成することができる。
　第６実施形態
　この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例である。ＣＮＴ配向膜３１は、多様な形状の基材に形成することができる。また、ＣＮＴ配向膜３１は、多様な形状に形成することができる。
　図２４に図示されるＣＮＴ付部材１は、板または箔と呼べる形状を有する。ＣＮＴ付部材１の厚さなどは、自らの形状を維持できるように設定されている。ＣＮＴ付部材１は、二次元に広がる平面を提供する。ＣＮＴ付部材１は、表面形状を自ら維持可能な構造物である。ＣＮＴ付部材１は、自立可能な二次元構造体と呼ぶことができる。ＣＮＴ配向膜３１は、縞模様を形成している。すなわち、ＣＮＴ配向膜３１は、ストライプ状に並べられた凸部３２と凹部３３とを提供するように形成されている。
　第７実施形態
　この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例である。図２５に図示されるＣＮＴ付部材１は、パイプと呼べる形状を有する。ＣＮＴ付部材１の厚さなどは、自らの形状を維持できるように設定されている。ＣＮＴ付部材１は、三次元に広がる曲面を提供する。ＣＮＴ付部材１は、表面形状を自ら維持可能な構造物である。ＣＮＴ付部材１は、自立可能な三次元構造体と呼ぶことができる。ＣＮＴ配向膜３１は、三次元に連続的に滑らかに広がる面上に形成されている。ＣＮＴ配向膜３１は、三次元の面の一部を占める凸部３２と、それに隣接する凹部３３とを提供するように形成されている。ＣＮＴ付部材１は、ブロック、メッシュなど、多様な立体形状を採用することができる。
　第８実施形態
　この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例である。図２６に図示されるＣＮＴ付部材１は、立体的な形状を有する。ＣＮＴ付部材１の厚さなどは、自らの形状を維持できるように設定されている。ＣＮＴ付部材１は、互いに交差するように広がる複数の平面を有する。ＣＮＴ付部材１は、複数の平面と、それらの間をつなぐ微小な曲面が提供されている。ＣＮＴ付部材１は、自立可能な三次元構造体と呼ぶことができる。
　この実施形態では、純度９９％を上回るアルミニウム製の板をブラケット状に曲げることによって基材が形成されている。この実施形態の製造方法では、基材は、電気炉内へ設置され、アルゴン気流の下で、６００℃まで加熱される。次に、８０℃に加熱されたフェロセンからの蒸気をアルゴンに含ませる。基材は、この雰囲気内に３分間にわたって暴露される。続いて、先行する実施形態と同様の処理によってＣＮＴ配向膜が合成される。
　なお、基材の表面に阻害要素が設けられてもよい。また、平板に阻害要素を設けた後に、平板を立体形状に加工し、その後、ＣＮＴ配向膜を合成しても良い。この実施形態によると、ブラケット状の基材の表面全体にＣＮＴ配向膜が形成される。
　第９実施形態
　この実施形態は、先行する実施形態を基礎的形態とする変形例である。図２７に図示されるように、ＣＮＴ付部材１は、２つの媒体Ｍ１、Ｍ２の間の熱交換を提供する熱交換器の形状を有している。ＣＮＴ付部材１は、複雑で多様な面を提供している。この実施形態でも、ＣＮＴ付部材１は、基材１１と、基材１１の表面上に形成されたＣＮＴ配向膜３１、９３１とを有する。
　この実施形態では、熱交換器を形成するための形状に加工された複数の基材１１が組み合わせられて熱交換器の形状を提供している。基材１１は、アルミニウムおよびアルミニウム合金である。基材１１の表面には、ろう材およびろう付けに適したアルミニウムまたはアルミニウム合金が露出している。基材１１は、一対のヘッダ５１、および一対のヘッダ５１の間を連結する複数のチューブ５２を有する。さらに、基材１１は、一次媒体Ｍ１に対する表面積を増加させるための複数のフィン５３を有する。一次媒体Ｍ１は、ＣＮＴ付部材１の外表面上を流れる。二次媒体Ｍ２は、一対のヘッダ５１と複数のチューブ５２との中を流れる。
　図２８に図示されるように、ＣＮＴ付部材１の表面には、ＣＮＴ配向膜３１によって凸部３２と凹部３３とが形成されている。一次媒体Ｍ１は、ＣＮＴ配向膜３１に接して流れる。ただし、図２８に図示される形状では、一次媒体Ｍ１とＣＮＴ配向膜３１との熱交換が十分に得られない場合がある。
　図２９は、この実施形態における整形されたＣＮＴ配向膜９３１を示す。整形されたＣＮＴ配向膜９３１は、台形である。整形されたＣＮＴ配向膜９３１は、基材１１に近い基部と、基材１１から離れた端部とを有している。基部は、端部より太い。整形されたＣＮＴ配向膜９３１は、基材１１側において太く、基材１１から離れるにつれて細くなるように整形されている。整形されたＣＮＴ配向膜９３１においては、島状のＣＮＴの束の中において、やや傾斜して延びるＣＮＴが含まれる。ただし、島状のＣＮＴの束に含まれる多数のＣＮＴは、依然として、基材１１の表面の平面に対して垂直に配向されているといえる。整形されたＣＮＴ配向膜９３１においても、複数のＣＮＴは、概ね基材１１の表面の平面に対して垂直に配向されているといえる。整形されたＣＮＴ配向膜９３１は、凹部３３の中に、一次媒体Ｍ１を導入しやすい。この結果、熱交換器として高い熱交換性能を発揮できるＣＮＴ付部材１が製造される。
　図３０に図示される製造装置は、既存の熱交換器のための製造装置を改造して構成することができる。ＣＮＴ付部材１の製造装置は、加熱室（ＨＥＡＴＣ）６１と、冷却処理を実行するための冷却室（ＣＯＯＬＣ）６２とを有する。
　加熱室６１は、少なくとも一部にろう材を有しており、アルミニウムを主成分とする複数の基材１１を収容する。加熱室は、複数の基材１１を加熱することによりろう材を溶融させ、複数の基材１１をろう付けする。加熱室６１は、熱交換器としての複数の部材をろう付けするためのろう付け炉である。同時に、加熱室６１は、ＣＮＴを合成するための反応炉でもある。ＣＮＴは、ろう付けと同時に、またはろう付けの前またはろう付けの後に合成される。
　冷却室６２は、加熱室６１においてろう付けされ、ＣＮＴ配向膜３１が形成されたＣＮＴ付部材１を冷却するための室である。冷却室６２は、ＣＮＴ配向膜３１を整形するための整形室でもある。なお、加熱室６１の前に、予熱処理を実行するための予熱室を設けてもよい。製造装置は、搬送装置６３、および各室６１、６２内の雰囲気を維持するためのゲート装置６４ａ、６４ｂ、６４ｃを有する。ゲート装置６４ａ、６４ｂ、６４ｃはエアカーテンまたはゲートバルブによって提供することができる。
　製造装置は、加熱室６１に触媒の原料を供給する触媒供給器（ＣＡＴ－ＳＵＰ）６５を有する。触媒供給器６５は、ＣＮＴを合成するための触媒を基材１１の表面に設けるように触媒の原料を供給する。よって、加熱室６１は、基材１１の表面に触媒を付与するための炉、言い換えると触媒層を形成するための反応炉でもある。触媒は、ろう付けと同時に、または、ろう付けの前に、またはろう付けの後に基材１１に付与される。触媒は、ＣＮＴ合成の前に、またはＣＮＴ合成と同時に基材１１に付与される。
　製造装置は、加熱室６１にＣＮＴの原料を供給するＣＮＴ原料供給器（ＣＮＴ－ＳＵＰ）６６を有する。ＣＮＴ原料供給器６６によってアセチレンなどの原料が加熱室６１内に供給され、ＣＮＴが合成される。ＣＮＴ原料供給器６６は、ろう付けと、ＣＮＴ配向膜３１の合成とを、加熱室６１において行うように、加熱室６１にＣＮＴの原料を供給する。ＣＮＴ原料供給器６６は、アセチレンを供給する装置と、二酸化炭素を供給する装置と、それらを制御する制御装置とを含むことができる。制御装置は、基材の表面にＣＮＴが合成されるときに、求められるＣＮＴが合成されるように適した量のアセチレンを供給する。同時に、制御装置は、アセチレンと二酸化炭素との体積比が１：１０以上１：３００以下となるようにアセチレンと二酸化炭素との供給量を調節する。
　製造装置は、整形液を供給する整形液供給器（ＬＱＤ－ＳＵＰ）６７を有する。整形液供給器６７は、冷却室６２に整形液を供給するように構成されている。整形液は、例えばエタノールである。整形液は蒸気として供給され、冷却室内で液化しても良い。製造装置は、整形液を回収し再利用するための整形液回収器（ＬＱＤ－ＲＥＣ）６８を有する。整形液回収器６８は、冷却室６２から整形液を回収するよう構成されている。
　図３１において、この実施形態の製造方法では、上述の処理１８３－１８７、および１９１に加えて、パターン形成処理９８１と、整形処理９９３とが実行される。パターン形成処理９８１は、先行する実施形態で開示された処理のいずれかを採用することができる。この実施形態では、阻害要素としての粗面および／または有機材料層が採用される。これらの手法は、触媒に依存することなくＣＮＴ配向膜３１を部分的に形成できる。よって、形状加工処理１８５の前に実行することができる。　この製造方法では、触媒付与処理１８３の前に、形状加工処理１８５が実行される。形状加工処理１８５は、熱交換器を形成する複数の部材を、ろう材層を含む基材によって組み立てる工程でもある。この実施形態では、形状加工処理１８５の後に、予熱処理１８７が実行される。さらに、予熱処理１８７の後に、触媒付与処理１８３が実行される。触媒付与処理１８３では、例えば、予熱された加熱室６１の中に、フェロセン蒸気などの触媒含有ガスを供給することにより、予熱された基材１１に触媒が付与される。この実施形態では、複数の面を有する熱交換器の形状をもつ基材の表面に、触媒が付与される。
　この製造方法では、先行する実施形態におけるＣＮＴ合成処理１８９に代えて、処理９８９が実行される。処理９８９は、触媒付与処理１８３の後に実行される。処理９８９は、ろう付けとＣＮＴ合成とを共通の加熱室６１において実行する処理である。
　整形処理９９３は、ＣＮＴ配向膜３１を熱交換器に適した形状に整形する。整形処理９９３は、複数のＣＮＴを集め、または束ねることによって、島状のＣＮＴの束の先端部において細く収縮させる凝集処理でもある。複数のＣＮＴを集め、それらの間隔を減少させるために、液体を利用することができる。液体は、整形液とも呼ぶことができる。整形液の一例は、揮発性の液体である。冷却室６２に整形液が供給されることにより、整形液はＣＮＴ配向膜３１を濡らす。また整形液は蒸気として冷却室６２に供給され、冷却室内にて液化してＣＮＴ配向膜３１を濡らすこともできる。雰囲気ガス中の整形液蒸気濃度を低下させる、ないし雰囲気温度を上昇させる、ないし時間の経過により整形液が蒸発する。このＣＮＴ配向膜３１が濡れて乾燥する過程で、複数のＣＮＴは凝集して束ねられる。この結果、台形状の整形されたＣＮＴ配向膜９３１が得られる。このときの整形液の作用は、髪を整える整髪料の作用に似ている。整形液としては、有機溶剤を利用することができる。
　この実施形態によると、長いＣＮＴを熱交換器の表面に形成することができる。しかも、所定の形状をもったＣＮＴ配向膜３１を熱交換器の表面に形成することができる。さらに、ＣＮＴ配向膜３１の形状を熱交換器に適した形状に整形することができる。
　図３２は、整形されたＣＮＴ配向膜９３１の他の例を示している。ＣＮＴ配向膜９３１の形状は、製造方法における各種の条件を変更することによって調節することができる。例えば、島状の一群のＣＮＴ配向膜９３１におけるＣＮＴの密度、および整形液の種類、整形液の蒸発速度などによってＣＮＴ配向膜９３１の形状、言い換えると細さを調節することが可能である。ＣＮＴ配向膜９３１が細いほど、隣接する２つのＣＮＴ配向膜９３１の間に空気などの熱媒体が導入されやすくなる。
　ＣＮＴ配向膜９３１が細いほど、基材１１のより近くにまで熱媒体が導入されやすくなる。また、整形されたＣＮＴ配向膜９３１は、基材１１と熱媒体との直接的な接触面積を増加させる。複数のＣＮＴ配向膜９３１が縞状に配置されている場合には、整形されたＣＮＴ配向膜９３１はマイクロフィンとも呼びうるフィン形状を提供する。それら複数のＣＮＴ配向膜９３１の間には、熱媒体が流れ込むことができるマイクロチャネルとも呼びうる通路形状が提供される。この結果、優れた熱交換性能を発揮するカーボンナノチューブ付部材が提供される。
　他の実施形態
　この明細書における開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。例えば、開示は、実施形態において示された部品および／または要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示は、実施形態に追加可能な追加的な部分をもつことができる。開示は、実施形態の部品および／または要素が省略されたものを包含する。開示は、ひとつの実施形態と他の実施形態との間における部品および／または要素の置き換え、または組み合わせを包含する。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、請求の範囲の記載によって示され、さらに請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むものと解されるべきである。
　上記実施形態では、ＣＮＴ付部材の用途として、熱伝達製品を例示した。これに代えて、ＣＮＴ付部材を多様な用途に利用してもよい。例えば、電池など電気機器の部材、および構造物をつくる部材などに利用することができる。部分的なＣＮＴ配向膜３１、すなわち所定のパターン形状に形成されたＣＮＴ配向膜３１は、多様な用途のそれぞれにおいて求められる効果を発揮する。また、整形されたＣＮＴ配向膜も、多様な用途のそれぞれにおいて求められる効果を発揮する。
　上記実施形態では、基材１１は、アルミニウム製またはアルミニウム合金製である。これに代えて、基材は、表層にアルミニウム層またはアルミニウム合金層をもつ多層材料でもよい。
　上記実施形態では、スクライブ装置を用いて基材１１の表面上に溝４１４が形成されている。これに代えて、切削、圧延、研磨、化学的腐食など多様な金属加工方法を用いて粗面、ないし溝を形成してもよい。

Claims (30)

  1. 　アルミニウムを主成分とする基材（１１）と、
    　長さ２００μｍ以上の複数のカーボンナノチューブが所定の配向方向に沿って配向されており、前記基材の表面に配置されたＣＮＴ配向膜（３１、９３１）とを備えるカーボンナノチューブ付部材。
  2. 　複数の前記カーボンナノチューブは、前記基材の表面に対して垂直に配向されている請求項１に記載のカーボンナノチューブ付部材。
  3. 　前記基材は、アルミニウム製である請求項１または請求項２に記載のカーボンナノチューブ付部材。
  4. 　前記基材は、添加金属として、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、およびＣｒから選択される少なくともひとつまたは複数を含むアルミニウム合金製である請求項１から請求項３のいずれかに記載のカーボンナノチューブ付部材。
  5. 　前記基材は、二次元に広がる平面を有し、前記ＣＮＴ配向膜は、前記平面上に形成されている請求項１から請求項４のいずれかに記載のカーボンナノチューブ付部材。
  6. 　前記基材は、三次元に広がる面を有し、前記ＣＮＴ配向膜は、前記面上に形成されている請求項１から請求項４のいずれかに記載のカーボンナノチューブ付部材。
  7. 　前記基材は、表面形状を自ら維持可能な構造物である請求項１から請求項６のいずれかに記載のカーボンナノチューブ付部材。
  8. 　前記ＣＮＴ配向膜は、前記基材の表面に部分的に形成されている請求項１から請求項７のいずれかに記載のカーボンナノチューブ付部材。
  9. 　前記ＣＮＴ配向膜は、前記基材の表面にストライプ状に形成されている請求項８に記載のカーボンナノチューブ付部材。
  10. 　前記カーボンナノチューブを合成するための触媒を含む触媒層（２２１）を備え、
    　前記触媒層は、前記基材の表面のうち、前記ＣＮＴ配向膜が形成されている領域（４１）に設けられており、前記ＣＮＴ配向膜が形成されていない領域（４２）に設けられていない請求項８または請求項９に記載のカーボンナノチューブ付部材。
  11. 　前記基材の表面のうち、前記ＣＮＴ配向膜が形成されていない領域（４３）には、前記ＣＮＴ配向膜の合成および／または配向された成長を阻害する阻害要素（４１４、４１５、４１５、５１６）が設けられている請求項８または請求項９に記載のカーボンナノチューブ付部材。
  12. 　前記阻害要素は、前記ＣＮＴ配向膜が形成される領域（４１）の表面よりも凹凸状の粗面（４１４、４１５、４１５）を有する請求項１１に記載のカーボンナノチューブ付部材。
  13. 　前記粗面は、溝（４１４）によって形成されている請求項１２に記載のカーボンナノチューブ付部材。
  14. 　前記溝は、Ｕ字型又はＶ字型に配置された斜面（４１５、４１５）によって区画されている請求項１３に記載のカーボンナノチューブ付部材。
  15. 　前記阻害要素は、炭素を含む炭素含有材料層を有する請求項１１に記載のカーボンナノチューブ付部材。
  16. 　さらに、前記基材の表面に設けられ、前記カーボンナノチューブを合成するための触媒が配置された触媒層（２２１）を備え、
    　前記炭素含有材料層は前記触媒層の構成元素と炭素とを含む請求項１５に記載のカーボンナノチューブ付部材。
  17. 　前記基材の表面には、
    　前記ＣＮＴ配向膜が形成されている凸部（３２）と、
    　前記カーボンナノチューブが合成されていないか、または前記カーボンナノチューブが前記ＣＮＴ配向膜より乱れて伸びている又は低密度に伸びている凹部（３３）とがある請求項８から請求項１６のいずれかに記載のカーボンナノチューブ付部材。
  18. 　前記基材の表面には、
    　前記ＣＮＴ配向膜が形成されている配向領域（４１）と、
    　前記ＣＮＴ配向膜が形成されていない非形成領域（４２）とがある請求項１から請求項１７のいずれかに記載のカーボンナノチューブ付部材。
  19. 　前記基材の表面には、
    　前記ＣＮＴ配向膜が形成されている配向領域（４１）と、
    　前記カーボンナノチューブがランダムに配置された非配向領域（４３）とがある請求項１から請求項１７のいずれかに記載のカーボンナノチューブ付部材。
  20. 　前記ＣＮＴ配向膜（９３１）は、前記基材に近い基部と、前記基材から離れた端部とを有しており、前記基部は、前記端部より太い請求項１から請求項１９のいずれかに記載のカーボンナノチューブ付部材。
  21. 　アルミニウムを主成分とする基材の表面にカーボンナノチューブを合成するための触媒（２１、２２１）を配置する工程（１８３、２８３）と、
    　前記触媒の活性を維持するための二酸化炭素を供給するとともに、前記カーボンナノチューブの原料としてのアセチレンと二酸化炭素との体積比が１：１０以上である雰囲気中において前記基材の表面にカーボンナノチューブを合成する工程（１８９、９８９）とを備えるカーボンナノチューブ付部材製造方法。
  22. 　前記触媒を配置する工程は、前記基材の表面のうち、前記カーボンナノチューブが形成されない領域（４２）に前記触媒を設けることなく、前記カーボンナノチューブが形成される領域（４１）に前記触媒を設ける工程（２８３）であり、
    　さらに、前記触媒を設ける工程の前または後に、前記基材を所定の形状に加工する工程（１８５）を備える請求項２１に記載のカーボンナノチューブ付部材製造方法。
  23. 　アルミニウムを主成分とする基材（１１）を所定の形状に加工する工程（１８５）と、
    　さらに、前記基材の表面のうち、配向された前記カーボンナノチューブが形成されない領域（４３）に、前記カーボンナノチューブの合成および／または配向された成長を阻害する阻害要素（４１４、４１５、４１５、５１６）を設ける工程（４８１、５８１、９８１）と、
    　前記阻害要素を設ける工程の後に、前記基材を所定の形状に加工する工程を備える請求項２１に記載のカーボンナノチューブ付部材製造方法。
  24. 　前記阻害要素を設ける工程は、前記カーボンナノチューブが形成される領域（４１）の表面よりも凹凸状の粗面（４１４、４１５、４１５）を前記カーボンナノチューブが形成されない領域（４３）に設ける工程（４８１）である請求項２３に記載のカーボンナノチューブ付部材製造方法。
  25. 　前記阻害要素を設ける工程は、前記カーボンナノチューブが形成されない領域（４３）に、炭素を含む炭素含有材料層（５１６）を設ける工程（５８１）である請求項２３に記載のカーボンナノチューブ付部材製造方法。
  26. 　少なくとも一部にろう材（３１３）を有しており、アルミニウムを主成分とする基材（１１）を収容し、前記基材を加熱することにより前記ろう材を溶融させ、前記基材をろう付けする加熱室（６１）、および
    　前記ろう付けと、複数のカーボンナノチューブが所定の配向方向に沿って配向されたＣＮＴ配向膜（３１、９３１）の前記基材の表面における合成とを、前記加熱室において行うように、前記加熱室に前記カーボンナノチューブの原料を供給する原料供給器（６６）を備えるカーボンナノチューブ付部材製造装置。
  27. 　さらに、前記カーボンナノチューブを合成するための触媒を前記基材の表面に設けるように、前記加熱室に前記触媒を供給する触媒供給器（６５）を備える請求項２６に記載のカーボンナノチューブ付部材製造装置。
  28. 　さらに、前記ＣＮＴ配向膜（３１、９３１）を整形するための整形液を供給する整形液供給器（６７）を備える請求項２６または請求項２７に記載のカーボンナノチューブ付部材製造装置。
  29. 　さらに、前記整形液を回収する整形液回収器（６８）を備える請求項２８に記載のカーボンナノチューブ付部材製造装置。
  30. 　さらに、前記加熱室においてろう付けされ、前記ＣＮＴ配向膜が形成されたカーボンナノチューブ付部材を冷却する冷却室（６２）を備え、前記整形液供給器は前記冷却室に前記整形液を供給し、前記整形液回収器は前記冷却室から前記整形液を回収するよう構成されている請求項２９に記載のカーボンナノチューブ付部材製造装置。
PCT/JP2016/081204 2016-02-26 2016-10-21 カーボンナノチューブ付部材、その製造方法、およびその製造装置 WO2017145439A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE112016006495.0T DE112016006495T5 (de) 2016-02-26 2016-10-21 Kohlenstoffnanoröhre-Verbundelement, Verfahren zu seiner Herstellung und Vorrichtung zu seiner Herstellung
CN201680082654.0A CN108698025B (zh) 2016-02-26 2016-10-21 带碳纳米管的部件及其制造方法
US16/078,809 US20210179431A1 (en) 2016-02-26 2016-10-21 Carbon nanotube attached member, method for manufacturing the same, and device for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016035991A JP6515838B2 (ja) 2016-02-26 2016-02-26 カーボンナノチューブ付部材、その製造方法、およびその製造装置
JP2016-035991 2016-02-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017145439A1 true WO2017145439A1 (ja) 2017-08-31

Family

ID=59686054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/081204 WO2017145439A1 (ja) 2016-02-26 2016-10-21 カーボンナノチューブ付部材、その製造方法、およびその製造装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210179431A1 (ja)
JP (1) JP6515838B2 (ja)
CN (1) CN108698025B (ja)
DE (1) DE112016006495T5 (ja)
WO (1) WO2017145439A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN207235347U (zh) * 2017-11-22 2018-04-13 深圳市蓝禾技术有限公司 无线充电器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005075711A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Toyota Motor Corp カーボンナノチューブの配向方法及び配向したカーボンナノチューブ
JP2006306704A (ja) * 2005-03-30 2006-11-09 Sonac Kk 炭素膜の製造方法および炭素膜
JP2008303117A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Denso Corp カーボンナノチューブ製造装置及びカーボンナノチューブの製造方法
JP2010031193A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Denso Corp 接着用シート、及びその製造方法
JP2011057466A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Fujitsu Ltd カーボンナノチューブシート構造体およびその製造方法、半導体装置
JP2015078120A (ja) * 2008-12-30 2015-04-23 独立行政法人産業技術総合研究所 単層カーボンナノチューブ配向集合体、バルク状単層カーボンナノチューブ配向集合体、粉体状単層カーボンナノチューブ配向集合体

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040009353A1 (en) * 1999-06-14 2004-01-15 Knowles Timothy R. PCM/aligned fiber composite thermal interface
AUPQ304199A0 (en) * 1999-09-23 1999-10-21 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Patterned carbon nanotubes
TWI276138B (en) * 2004-09-24 2007-03-11 Ind Tech Res Inst Array-like flat lighting source
US20070116631A1 (en) * 2004-10-18 2007-05-24 The Regents Of The University Of California Arrays of long carbon nanotubes for fiber spinning
JP4817296B2 (ja) * 2006-01-06 2011-11-16 独立行政法人産業技術総合研究所 配向カーボンナノチューブ・バルク集合体ならびにその製造方法および用途
US7868531B2 (en) * 2006-05-05 2011-01-11 Brother International Corporation Carbon nanotube arrays for field electron emission
US9318295B2 (en) * 2008-01-18 2016-04-19 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The Nasa Carbon nanotube patterning on a metal substrate
JP2009208975A (ja) * 2008-02-29 2009-09-17 National Institute Of Advanced Industrial & Technology カーボンナノチューブ構造体及びその製造方法
US20140154416A1 (en) * 2011-05-31 2014-06-05 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Apparatus and method for producing oriented carbon nanotube aggregate
US9028791B1 (en) * 2012-11-27 2015-05-12 Dream Matter, LLC System and method for manufacturing carbon nanotubes
CN103833001B (zh) * 2014-01-03 2015-08-12 南京康众光电科技有限公司 一种船槽式图案结构生长的碳纳米管生长方法及其发射体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005075711A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Toyota Motor Corp カーボンナノチューブの配向方法及び配向したカーボンナノチューブ
JP2006306704A (ja) * 2005-03-30 2006-11-09 Sonac Kk 炭素膜の製造方法および炭素膜
JP2008303117A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Denso Corp カーボンナノチューブ製造装置及びカーボンナノチューブの製造方法
JP2010031193A (ja) * 2008-07-31 2010-02-12 Denso Corp 接着用シート、及びその製造方法
JP2015078120A (ja) * 2008-12-30 2015-04-23 独立行政法人産業技術総合研究所 単層カーボンナノチューブ配向集合体、バルク状単層カーボンナノチューブ配向集合体、粉体状単層カーボンナノチューブ配向集合体
JP2011057466A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Fujitsu Ltd カーボンナノチューブシート構造体およびその製造方法、半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN108698025A (zh) 2018-10-23
JP2017149627A (ja) 2017-08-31
CN108698025B (zh) 2021-08-17
JP6515838B2 (ja) 2019-05-22
US20210179431A1 (en) 2021-06-17
DE112016006495T5 (de) 2018-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101283275B1 (ko) 탄소 나노튜브, 풀러렌 및/또는 그래핀을 함유하는 코팅을 생성하기 위한 방법
JP4508894B2 (ja) 炭素ナノチューブのマトリックス構造及びその製造方法
US20150368535A1 (en) Graphene composites and methods of fabrication
MX2012005640A (es) Procesamiento para la aplicacion de mezclas de carbono/estaño a capas de metal o aleaciones.
NL2026635B1 (en) Integrated manufacturing of core-shell particles for Li-ion batteries
JP7065779B2 (ja) 金属ナノ粒子を用いた付加製造プロセス
JP2008120658A (ja) 多層カーボンナノチューブの集合構造
WO2017156297A3 (en) Hybrid graphene materials and methods of fabrication
CN105679723B (zh) 一种热界面材料及其制备方法、导热片和散热系统
WO2017145439A1 (ja) カーボンナノチューブ付部材、その製造方法、およびその製造装置
JP5038349B2 (ja) カーボンナノチューブの製造方法
JP2008045202A (ja) 気相反応法を用いた金属ナノ粉末の製造方法
Abd Elhamid et al. Study of graphene growth on copper foil by pulsed laser deposition at reduced temperature
Orlanducci et al. Aligned arrays of carbon nanotubes: modulation of orientation and selected-area growth
US20100291408A1 (en) Nanostructures including a metal
JP2007070137A (ja) カーボンナノチューブの生成方法およびそれに用いる三層構造体
JP2008201648A (ja) カーボンナノチューブの製造装置およびカーボンナノチューブの製造方法
Zhang et al. Wetting of AgCuTi alloys on quartz fiber reinforced composite modified by vertically aligned carbon nanotubes
US6855659B1 (en) Manufacturing method of carbon nanotubes and laser irradiation target for the manufacture thereof
JP2020011410A (ja) 接合構造体およびその製造方法、熱交換器
Pan Carbon Nanomaterials and 2D Layered Materials Development with Chemical Vapor Deposition
WO2010064494A1 (ja) ろう材層付きアルミニウム部材の製造方法及び熱交換器の製造方法
Mäklin et al. Solder transfer of carbon nanotube microfin coolers to ceramic chips
US10023467B2 (en) Method for manufacturing a nanocarbon material
JP2005001938A (ja) カーボンナノチューブの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16891595

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1