WO2017141496A1 - めっき装置およびめっき方法 - Google Patents

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WO2017141496A1
WO2017141496A1 PCT/JP2016/081539 JP2016081539W WO2017141496A1 WO 2017141496 A1 WO2017141496 A1 WO 2017141496A1 JP 2016081539 W JP2016081539 W JP 2016081539W WO 2017141496 A1 WO2017141496 A1 WO 2017141496A1
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plating
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plating solution
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錦内　栄史
和男 上代
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株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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    • H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor substrate, a photomask glass substrate, a liquid crystal display glass substrate, a plasma display glass substrate, an FED (Field Emission Display) substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, and a wiring.
  • the present invention relates to a plating apparatus and a plating method for performing plating on one main surface of various substrates such as a substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”).
  • the surface of the substrate is faced upward, that is, the surface is plated while facing up Techniques to apply have been proposed.
  • the apparatus described in Patent Document 1 introduces a plating solution between a plating area (surface to be plated) to be plated out of the surface of the substrate and the anode electrode member, and performs a plating process on the plating area.
  • the plating solution is introduced into the area to be plated of the substrate in this way, when the amount of the plating solution existing on the area to be plated increases, the load applied to the area to be plated also increases proportionally and the substrate May be bent. In this case, the distance between the region to be plated and the anode electrode member fluctuates and the plating performance is degraded. In particular, with the increase in size of the substrate, the above problem becomes remarkable and there is room for improvement.
  • the increase in size of the board has a great influence on the handling of the board. That is, with the increase in size of the substrate, it has become difficult to transfer the substrate to the plating apparatus by the transfer robot. For this reason, there is no choice but to adopt a transport method that transports the substrate while supporting the back surface of the substrate from below, and there is a demand for a plating technique that satisfactorily performs plating on the surface of the substrate transported by the transport method. Has been.
  • This invention is made in view of the said subject, and provides the plating apparatus and the plating method which can perform a plating process favorably with respect to the to-be-plated area
  • One aspect of the present invention is a plating apparatus that performs a plating process on a region to be plated on one main surface of a substrate, the frame having a shape surrounding the region to be plated, and the substrate with the region to be plated facing upward
  • a transport unit that transports the substrate to a position below the frame body while supporting the other main surface of the substrate, and a storage space for storing the plating solution in the frame body and the region to be plated by raising the substrate relative to the frame body
  • a supply part for supplying a plating solution to the storage space, a cathode electrode electrically connected to the region to be plated, and an anode electrode in contact with the plating solution stored in the storage space
  • the plating process is performed by passing a current between the cathode electrode and the anode electrode while supporting the other main surface of the substrate from below from at least one of the elevating unit and the transport unit.
  • a plating method for performing plating treatment on a plating target region on one main surface of a substrate wherein the plating target region is positioned above a frame having a shape surrounding the plating target region.
  • a step of transporting the substrate by the transport unit while supporting the other main surface of the substrate from below, with the substrate being raised relative to the frame by the lift unit and at least of the lift unit and the transport unit On the other hand, between the step of forming a storage space for storing the plating solution between the frame and the region to be plated while supporting the other main surface of the substrate from below, and the plating solution stored in the storage space and the region to be plated And a step of performing a plating process by passing an electric current.
  • the conveyance unit conveys the substrate to a lower position of the frame while supporting the other main surface of the substrate (main surface opposite to the region to be plated). For this reason, not only a small substrate but also a relatively large substrate can be stably transported to a position where plating is performed.
  • substrate raises relatively with respect to a frame body with a raising / lowering part, a storage space is formed, a plating solution is supplied to the said storage space, and a plating process is performed. At this time, the load of the plating solution is applied to the region to be plated of the substrate, but the substrate is supported from below by at least one of the lifting unit and the transport unit.
  • the present invention regardless of the substrate size, it is possible to suppress the bending of the substrate and to satisfactorily perform the plating process on the plating region on the one main surface of the substrate.
  • a plurality of constituent elements of each aspect of the present invention described above are not essential, and some or all of the effects described in the present specification are to be solved to solve part or all of the above-described problems.
  • technical features included in one embodiment of the present invention described above A part or all of the technical features included in the above-described other aspects of the present invention may be combined to form an independent form of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of a substrate processing system equipped with a first embodiment of a plating apparatus according to the present invention.
  • X direction the horizontal direction from the left hand side to the right hand side in FIG. It is referred to as “X direction”.
  • X direction the horizontal direction from the left hand side to the right hand side in FIG. It is referred to as “X direction”.
  • Y direction the back side of the substrate processing system 1
  • ⁇ Y direction the front side of the substrate processing system 1
  • the upward direction and the downward direction in the vertical direction are referred to as “+ Z direction” and “ ⁇ Z direction”, respectively.
  • the substrate processing system 1 includes an indexer device 14, a first processing device row 11, a second processing device row 12 connected to the indexer device 14 in a “U” shape in plan view, and And a third processing unit row 13.
  • the first processing apparatus row 11 arranges the processing units PA to PD in this order in the (+ X) direction, and transfers the substrate S received from the indexer apparatus 14 in the (+ X) direction while the processing apparatuses PA to PD are desired by each processing apparatus PA to PD. It is comprised so that this process may be performed.
  • the second processing apparatus array 12 arranges the processing apparatuses PE to PG in this order in the (+ Y) direction, and transfers each substrate S received from the first processing apparatus array 11 in the (+ Y) direction.
  • the third processing apparatus row 13 arranges the processing apparatuses PH and PJ to PM in this order in the ( ⁇ X) direction, and transports the substrate S received from the second processing apparatus row 12 in the ( ⁇ X) direction.
  • each processing apparatus PH, PJ to PM is configured to perform a desired process.
  • the substrate S that has reached the processing apparatus PM is unloaded from the third processing apparatus array 13 by the indexer apparatus 14.
  • the front and back surfaces of the substrate S correspond to the “one main surface” and the “other main surface” of the present invention, respectively.
  • the indexer device 14 places a substrate mounting cassette 14a on which a substrate storage cassette C (hereinafter referred to as "cassette C") storing the substrate S is placed, and the substrate S on the cassette C placed on the placement portion 14a.
  • a transfer robot 14b to be taken in and out.
  • the indexer device 14 sequentially takes out the substrates S to be plated from the substrate storage cassette C by the transport robot 14b and transports them to the first processing device array 11 (loading). Further, the indexer device 14 returns the substrate S, which has undergone a series of processes including the plating process, from the third processing apparatus row 13 to, for example, the original cassette C (unloading) by the transfer robot 14b.
  • FIG. 2A is a diagram schematically showing the configuration of the first processing device row and the second processing device row
  • FIG. 2B is a diagram schematically showing the configuration of the second processing device row
  • FIG. It is a figure which shows typically the structure of an apparatus row
  • FIG. 3 is a block diagram showing an electrical configuration of the substrate processing system.
  • the loading chamber 11A, the pretreatment chamber 11B, the water washing chamber 11C, and the plating chamber 11D are sequentially arranged from the upstream side (indexer device 14 side) in the transport direction (+ X) of the substrate S. Is provided.
  • a receiving device PA for receiving the unprocessed substrate S from the transfer robot 14b is provided.
  • the receiving device PA includes a roller transport unit 31 including a plurality of transport rollers, and a transfer unit 32 that receives an unprocessed substrate S from the transport robot 14b and transfers it to the roller transport unit 31.
  • the transfer unit 32 includes a plurality of support pins 33, and an actuator 34 such as an air cylinder that drives the support pins 33 up and down between a receiving position protruding above the transport rollers and a retracted position retracting below the transport rollers.
  • the actuator 34 is actuated in response to a rising command from the control unit 20 that controls the entire substrate processing system 1 and the substrate S is received in a horizontal posture from the transfer robot 14b in a state where the support pins 33 are set at the receiving position. Thereafter, the actuator 34 is actuated in accordance with a lowering command from the control unit 20 to displace the support pin 33 to the retracted position, thereby transferring the substrate S onto the transport roller. Then, the roller transport unit 31 operates in accordance with a roller drive command from the control unit 20 to transport the substrate S to the pretreatment chamber 11B.
  • the pretreatment chamber 11B is provided with a pretreatment device PB that performs a pretreatment for removing organic substances, oxides, and the like attached to the surface S1 of the substrate S before the substrate S is plated.
  • the pretreatment device PB includes a roller conveyance unit 41 configured by a plurality of conveyance rollers, a chemical solution supply unit 42 that supplies a chemical solution for performing pretreatment to the surface S1 of the substrate S conveyed by the roller conveyance unit 41, and have.
  • the chemical liquid supply unit 42 includes a plurality of chemical liquid discharge nozzles 43, a chemical liquid tank 44, a pump 45, and a valve 46 that are disposed above the transport roller.
  • the roller transport unit 41 operates to transport the substrate S in the (+ X) direction in a horizontal posture with the surface S1 facing upward.
  • the pump 45 is operated and the valve 46 is opened, and the chemical liquid stored in the chemical liquid tank 44 is supplied to each chemical liquid discharge nozzle 43 via the pump 45 and the valve 46. It is discharged from each chemical solution discharge nozzle 43 toward the surface S1 of the substrate S transported toward the rinsing chamber 11C.
  • a chemical solution is supplied to the surface S1 of the substrate S transported in the (+ X) direction, and so-called pretreatment is performed to remove organic components and oxide components adhering to the surface S1 before the plating treatment. Is executed.
  • the processed chemical solution is collected in the pretreatment chamber 11B and returned to the chemical solution tank 44 to be reused to reduce the running cost.
  • a disposable method may be adopted. Needless to say.
  • the water washing apparatus PC includes a roller transport unit 51 including a plurality of transport rollers, and a cleaning liquid supply unit 52 that supplies water (cleaning liquid) to the surface S1 of the substrate S transported by the roller transport unit 51.
  • the cleaning liquid supply unit 52 includes a plurality of cleaning liquid discharge nozzles 53, a cleaning liquid tank 54, a pump 55, and a valve 56 disposed above the transport roller. Then, the roller transport unit 51 is actuated in response to a washing process command from the control unit 20 to transport the substrate S in the (+ X) direction in a horizontal posture with the surface S1 facing upward.
  • the valve 56 is opened and the pump 55 is operated to supply water stored in the cleaning liquid tank 54 to each cleaning liquid discharge nozzle 53 via the pump 55 and the valve 56. It is discharged from each cleaning liquid discharge nozzle 53 toward the surface S1 of the substrate S transported toward the plating chamber 11D.
  • water is supplied as a cleaning liquid to the surface S1 of the substrate S transported in the (+ X) direction, and the chemical remaining on the substrate S is washed away with water before the plating process.
  • the cleaning liquid that has been processed in the washing chamber 11C is collected and returned to the cleaning liquid tank 54 to be reused to reduce the running cost.
  • a disposable method may be adopted. Needless to say.
  • cleaning liquid may be replaced whenever a water-washing process is performed a fixed number of times. About these points, it is the same also in the other water washing apparatus demonstrated later.
  • the plating chamber 11D located on the downstream side of the water washing apparatus PC in the transport direction (+ X) is provided with a plating apparatus PD that performs a plating process at a plating process position (reference numeral H1 in FIG. 7 described later).
  • the plating apparatus PD includes a roller transport unit 61 including a plurality of transport rollers, a frame body 62 disposed at a plating process position, and a substrate S that has been transported to a position below the plating process position by the roller transport unit 61. Is raised to the plating position, and the frame 62 and the surface S1 of the substrate S form a storage space RA (see FIG.
  • a plating process is performed with a plating solution in a state where the back surface S2 (see FIGS. 6 and 7) of the substrate S is supported from below by the elevating unit 63.
  • the substrate S is lowered by the elevating unit 63 and returned to the roller conveyance unit 61, and the substrate S is conveyed to the second processing apparatus row 12 by the roller conveyance unit 61.
  • the detailed configuration and operation of the plating apparatus PD will be described in detail later.
  • a transfer chamber 12A, a rinsing chamber 12B, and a transfer chamber 12C are provided in order from the upstream side in the transport direction (+ Y) of the substrate S.
  • a transfer device PE is provided in the transfer chamber 12A. This transfer device PE switches the transport direction of the substrate S from the (+ X) direction to the (+ Y) direction, and transports the substrate S to the washing chamber 12B. The configuration of the transfer device PE will be described later together with the transfer device PG.
  • the flushing chamber 12B is provided with a flushing device PF having the same configuration as the flushing device PC described above. That is, the water washing apparatus PF includes a roller transport unit 51 configured by a plurality of transport rollers, and a cleaning liquid supply unit 52 that supplies water (cleaning liquid) to the surface S1 of the substrate S transported by the roller transport unit 51. ing. Then, while the substrate S is transported in the (+ X) direction in a horizontal posture with the surface S1 facing upward by the roller transport unit 51, the water stored in the cleaning liquid tank 54 is discharged through the valve 56 by the pump 55. The plating solution supplied to the nozzle 53 and discharged from each of the cleaning solution discharge nozzles 53 toward the surface S1 of the substrate S conveyed to the transfer chamber 12C is removed by washing with water.
  • the water washing apparatus PF includes a roller transport unit 51 configured by a plurality of transport rollers, and a cleaning liquid supply unit 52 that supplies water (cleaning liquid) to the surface S1 of the substrate S transported by the roller transport unit
  • a transfer device PG is provided in the same manner as the transfer device PE.
  • the transfer device PG receives the substrate S that has been subjected to the water washing process, changes the transport direction of the substrate S from the (+ Y) direction to the ( ⁇ X) direction, and transports the substrate S to the third processing device array 13.
  • FIG. 4 is a perspective view schematically showing the configuration of the transfer device.
  • the transfer device PG includes a plurality of transport rollers 71 and is provided in a state surrounded by the transport rollers 71 at the downstream end in the transport direction (+ Y) and the Y-direction transport unit 72 that transports the substrate S in the (+ Y) direction. And an X-direction transport unit 73 that transports the substrate S in the ( ⁇ X) direction, and an actuator 74 such as an air cylinder that lifts and lowers the X-direction transport unit 73 (FIGS. 2B, 2C, and 3). .
  • the transport roller 71 can be transported in the (+ Y) direction while being rotated around a rotation axis parallel to the X direction and supporting the substrate S from below.
  • the transport path of the substrate S by the transport roller 71 is lower than the transport path of the substrate S in the first processing apparatus row 11 and the third processing apparatus row 13.
  • a transport roller 75 is rotatably supported on a frame 76 around a rotation axis parallel to the Y direction, and the transport roller 75 is driven to rotate so that the substrate S is moved from below. It can be conveyed in the (+ Y) direction while being supported. Further, the frame 76 is connected to the actuator 74, and the frame 76 moves up and down in response to an elevation command from the control unit 20, whereby the conveyance path of the substrate S by the conveyance roller 71 in the X direction conveyance unit 73 in the vertical direction Z. It is possible to move to the retracted position retracted further downward and the same transfer position as the transport path of the substrate S in the third processing apparatus row 13.
  • the transfer device PG when the substrate S is received from the water washing device PF, the substrate S is opposed to the third processing apparatus row 13 by the Y-direction transport unit 72 with the X-direction transport unit 73 positioned at the retracted position. Transport to position. Subsequently, the actuator 74 operates to raise the X-direction transport unit 73 to the transfer position. In the middle of the ascent, the substrate S is transferred from the Y-direction transport unit 72 to the X-direction transport unit 73. Thereafter, the substrate S is transferred to the third processing apparatus row 13 by the transfer roller 75 of the X-direction transfer unit 73.
  • the transfer device PE also includes a Y-direction transfer unit 72, an X-direction transfer unit 73, an actuator 74, and the like, similar to the transfer device PG.
  • the X-direction transport unit 73 when receiving the substrate S from the plating device PD, the X-direction transport unit 73 is positioned at the transfer position as shown in FIGS. 2A and 2B, and the substrate S is moved by the X-direction transport unit 73. Pull into the transfer chamber 12A.
  • the actuator 74 operates to lower the X-direction transport unit 73 to the retracted position. During this downward movement, the substrate S is transferred from the X-direction transport unit 73 to the Y-direction transport unit 72. Thereafter, the substrate S is transported to the washing chamber 12B by the Y-direction transport unit 72.
  • the third processing apparatus row 13 is provided with a rinsing chamber 13A, a plating chamber 13B, a rinsing chamber 13C, a drying chamber 13D, and an unloading chamber 13E in this order from the upstream side (transfer device PG side) in the transport direction (-X) of the substrate S. ing.
  • the rinsing chamber 13A is provided with a rinsing device PH having the same configuration as the rinsing devices PC and PF described above.
  • the water washing apparatus PH includes a roller transport unit 51 including a plurality of transport rollers, and a cleaning liquid supply unit 52 that supplies water (cleaning liquid) to the surface S1 of the substrate S transported by the roller transport unit 51. ing. Then, while the substrate S is transported in the ( ⁇ X) direction in a horizontal posture with the surface S1 facing upward by the roller transport unit 51, the water stored in the cleaning liquid tank 54 is supplied to each cleaning liquid through the valve 56 by the pump 55. The substrate S which is supplied from the cleaning liquid discharge nozzle 53 toward the surface S1 of the substrate S which is supplied to the discharge nozzle 53 and transported toward the plating chamber 13B and is sent from the second processing apparatus row 12 is washed with water. To do.
  • a plating apparatus PJ that performs a plating process at the plating process position is provided.
  • the plating apparatus PJ has a plating solution supply unit 64B (FIG. 3) that supplies another plating solution in addition to the point that the membrane (electrolytic isolation film) is provided in the frame 62 and the plating solution supply unit 64A (see FIG. 3).
  • the structure is basically the same as that of the plating apparatus PD, except that a reference) is added. The detailed configuration and operation of the plating apparatus PJ will be described in detail later.
  • a rinsing chamber P provided with the same configuration as the rinsing devices PC, PF, PH described above is provided in the rinsing chamber 13C provided on the downstream side in the transport direction (-X) with respect to the plating device PJ.
  • the water washing apparatus PK includes a roller transport unit 51 including a plurality of transport rollers, and a cleaning liquid supply unit 52 that supplies water (cleaning liquid) to the surface S1 of the substrate S transported by the roller transport unit 51. ing. Then, while the substrate S is transported in the ( ⁇ X) direction in a horizontal posture with the surface S1 facing upward by the roller transport unit 51, the water stored in the cleaning liquid tank 54 is supplied to each cleaning liquid through the valve 56 by the pump 55. This is supplied to the discharge nozzle 53 and discharged from each of the cleaning liquid discharge nozzles 53 toward the surface S1 of the substrate S conveyed toward the drying chamber 13D, and the plating solution remaining on the substrate S is removed by washing with water. .
  • the drying chamber 13D is provided with a drying device PL that dries the substrate S that has undergone a series of wet processing (pretreatment, water washing treatment, and plating treatment).
  • the drying device PL includes a roller transport unit 81 composed of a plurality of transport rollers, and air knives 82 and 83 disposed to face the front surface S1 and the back surface S2 of the substrate S transported by the roller transport unit 81, respectively.
  • an air supply part 84 (FIG. 3) for supplying high-pressure air to the air knives 82 and 83.
  • These air knives 82 and 83 spray high-pressure air onto the front surface S1 and back surface S2 of the substrate S transported toward the unloading chamber 13E by the roller transport section 81.
  • the cleaning liquid is sprayed by spraying high-pressure air.
  • the substrate S is removed and dried.
  • the unloading chamber 13E is provided with a dispensing device PM for dispensing the substrate S on which the plating process has been performed to the transfer robot 14b.
  • the payout device PM is basically configured in the same manner as the receiving device PA, and executes a payout operation as follows. That is, with the support pin 33 retracted to the retracted position, the roller transport unit 31 receives the substrate S transported from the drying chamber 13D and moves it to the payout position (a position directly above the retracted support pin 33). Then, the actuator 34 operates to raise the support pins 33, thereby pushing up the substrate S from below and lifting the substrate S from the roller transport unit 31. Subsequently, the transfer robot 14b holds the substrate S and returns it to the cassette C.
  • FIG. 5 is an exploded perspective view schematically showing the configuration of the plating apparatus constituting the first processing apparatus row.
  • FIG. 6 is a view schematically showing the back-and-forth operation of the backup plate with respect to the conveying roller in the plating apparatus of FIG.
  • FIG. 7 is a diagram schematically showing a plating operation by the plating apparatus of FIG.
  • the roller transport unit 61 operates in accordance with a transport command from the control unit 20 to transport the substrate S in a horizontal posture with the surface S1 of the substrate S facing upward, and is positioned directly below the frame body 62. Is done.
  • the frame body 62 is finished in a shape and a size corresponding to the plating area SP of the substrate S.
  • the frame body 62 is fixedly disposed above the roller transport unit 61 so that the height position of the lower surface thereof coincides with the plating processing position H1, and when the substrate S is transported and positioned.
  • the height position H2 (FIG. 7) of the surface S1 of the substrate S in the up-down direction Z is lower than the plating processing position H1.
  • the frame body 62 is finished in a shape and a size corresponding to the plating area SP of the substrate S as shown in FIG. Then, by moving the substrate S upward (+ Z) by the elevating unit 63, a peripheral region surrounding the plating region SP in the surface S ⁇ b> 1 of the substrate S comes into contact with the lower surface of the frame body 62. Thereby, a substantially rectangular parallelepiped storage space RA (see FIG. 7C) is formed, and the plating solution can be stored in the storage space RA.
  • the raising / lowering part 63 is comprised as follows. That is, the elevating unit 63 includes a backup plate 631 that functions as an elevating member that can be moved up and down, and an elevating mechanism 632 (FIG. 3) that raises and lowers the backup plate 631 in the up and down direction Z.
  • the backup plate 631 has a slightly larger planar size than the substrate S as shown in the column (a) of FIG.
  • a specially shaped recess 634 is provided on the plate surface 633 in order to lift and lower the substrate S while supporting the substrate S from below while avoiding interference with the transport roller 611 of the roller transport unit 61. That is, the concave portion 634 has a shape in which the rotation shaft 612 for connecting and driving the conveyance roller 611 and the conveyance roller 611 is completely inserted.
  • the lifting mechanism 632 When transporting the substrate S by the roller transport unit 61, the lifting mechanism 632 lowers the backup plate 631 in response to a lowering command from the control unit 20, and the surface of the backup plate 631 is the uppermost position of the transport roller 611, that is, the substrate.
  • the backup plate 631 is positioned at the plate lowering position so as to be positioned at a position (height position H3 in FIG. 7) lower than the position where the rear surface S2 of S is supported and conveyed. This prevents the backup plate 631 from interfering with the substrate S during the transfer of the substrate S.
  • the elevating mechanism 632 raises the backup plate 631 according to the ascending command from the control unit 20, and supports the back surface S 2 of the substrate S over the entire surface area of the front surface 633 excluding the recess 634. Then, as shown in the column (b) of FIG. 6, the substrate S is raised from the transport roller 611 by further raising. Accordingly, the storage space RA can be formed in contact with the lower surface of the frame body 62.
  • a plurality of through holes 621 for supplying the plating solution to the storage space RA are arranged in a part of the side wall of the frame body 62 so as to be arranged in the horizontal direction at a position away from the lower surface of the frame body 62. . Further, on the side wall of the frame body 62, slits 622 are provided between the plurality of through holes 621 and the lower surface of the frame body 62, and notches 623 are provided at the lower four corners of the frame body 62. These are provided to circulate the plating solution well in the storage space RA, and each through-hole 621 functions as a supply part for supplying the plating solution from the plating solution supply unit 64 to the storage space RA. On the other hand, the slit 622 and the notch 623 function as a discharge unit that discharges the plating solution from the storage space RA.
  • the plating solution supply unit 64 includes a plating solution tank 641 that stores a plating solution, a pump 642, and a valve 643. Then, the pump 642 is operated in accordance with the plating processing command from the control unit 20 and the valve 643 is opened, so that the plating solution stored in the plating solution tank 641 is pumped to each through-hole 621 via the pump 642 and the valve 643. And supplied to the storage space RA. Further, the plating solution is discharged from the storage space RA through the slit 622 and the notch 623. As a result, the plating solution is stored in the storage space RA while being constantly exchanged in the storage space RA, and the plating process can be performed. The discharged plating solution is collected in the plating chamber 11D, returned to the plating solution tank 641, and reused.
  • the anode block 65 In order to electroplat the plating area SP of the substrate S using the plating solution stored in the storage space RA, the anode block 65, the two cathode blocks 66, the cathode block lifting / lowering portion 67 (FIG. 3), and the power feeding portion 68 ( FIG. 3) is provided.
  • the anode block 65 is a structure in which an anode electrode 651 having a planar size comparable to the plated area SP is fixed to the support plate 653 in a suspended state by a connecting member 652.
  • the anode electrode 651 is attached to the frame 62 so as to come into contact with the plating solution in the storage space RA while facing in parallel with the plating area SP.
  • each cathode block 66 covers the entire cathode electrode 661 except for the lower surface of the cathode electrode 661 with an insulating material so that the cathode electrode 661 contacts the plating solution from the frame 62. It has the structure which prevents.
  • Each cathode block 66 is connected to a cathode block raising / lowering portion 67 (FIG. 3). For this reason, the cathode block raising / lowering unit 67 is actuated in accordance with the raising / lowering command from the control unit 20, whereby each cathode block 66 has a power feeding position (positions shown in columns (c) and (d) in FIG.
  • the “power supply position” means that the lower surface of the cathode electrode 661 is positioned with respect to the surface peripheral area of the substrate S (the surface area adjacent to the plating area SP in the surface S1) and the substrate S is separated from the plating area SP. This means a position in electrical contact with an electrode (not shown) extending on the peripheral edge of the surface.
  • the power feeding unit 68 is electrically connected to the anode electrode 651 and the cathode electrode 661 by wiring not shown. Then, in a state where the anode electrode 651 is in contact with the plating solution in the storage space RA and the cathode block 66 is positioned at the power supply position, the power supply unit 68 is connected to the anode electrode 651 and the cathode in response to a power supply command from the control unit 20.
  • the plating process can be executed by passing a current between the electrode 661 and the electrode 661.
  • FIG. 8 is an exploded perspective view schematically showing the configuration of the plating apparatus constituting the third processing apparatus row.
  • FIG. 9 is a figure which shows typically the plating operation
  • a membrane 69 is provided in the frame 62 at a position below the anode block 65, and as a result, as shown in columns (c) and (d) in FIG. It is divided into an upper region and a lower region. And in the part corresponding to the said lower area
  • a first plating solution supply unit 64A having the same configuration as the plating solution supply unit 64 of the plating apparatus PD is connected to the through hole 621, and the first plating solution supplied from the first plating solution supply unit 64A is used as a substrate. It can be stored in the first storage space RA ⁇ b> 1 sandwiched between the S plating area SP and the membrane 69.
  • a plurality of through holes 624 are provided in a horizontal direction with respect to one side wall, and another side wall facing the one side wall.
  • a plurality of through holes 625 are arranged in the horizontal direction. And these through-holes 624 and 625 are connected to the 2nd plating solution supply part 64B.
  • 2nd plating solution supply part 64B is provided with plating solution tank 644 which stores the 2nd plating solution, pump 645, and valve 646, as shown in Drawing 2C. Then, the pump 645 is operated in accordance with the plating processing command from the control unit 20 and the valve 646 is opened, and the second plating solution stored in the plating solution tank 644 passes through the through holes 624 via the pump 645 and the valve 646. To the second storage space RA2 sandwiched between the anode block 65 and the membrane 69. Each through hole 625 is connected to a plating solution tank 644, and the second plating solution discharged from each through hole 625 is returned to the plating solution tank 644 for reuse.
  • the plating process is performed without discharging the second plating solution to the plating chamber 13B during the plating process and without causing the first plating solution and the second plating solution to be mixed.
  • symbol is attached
  • the control unit 20 includes a CPU (Central Processing Unit) 21 and a memory 22 as shown in FIG. Then, the CPU 21 executes a control program prepared in advance to control each part of the system to carry out the plating process while controlling the conveyance speed of the substrate S in each of the processing apparatuses PA to PH and PJ to PM, and the conveyance speed. A series of processes including that is executed. In the following, the processing performed in the substrate processing system 1 will be described focusing on one substrate S.
  • a CPU Central Processing Unit
  • the substrate S to be plated is taken out from the substrate storage cassette C by the transport robot 14b and transported to the receiving device PA in the first processing apparatus row 11 (loading process). Then, the substrate S is transported to the pretreatment device PB by the receiving device PA, and organic components and oxide components are removed from the substrate S by the chemical solution (pretreatment). Subsequently, the substrate S is transferred from the pretreatment apparatus PB to the water washing apparatus PC, and after being washed with the water washing apparatus PC, it is carried to the plating apparatus PD.
  • the plating process is performed while the substrate S is stationary at the plating process position, and during that time, the transfer of the substrate S by the roller transfer unit 61 is not performed. That is, the washing apparatus PC needs to transport the substrate S at a timing at which the substrate S can be received in the plating apparatus PD. Moreover, the timing differs depending on the plating process time (process time). Therefore, in the present embodiment, the CPU 21 of the control unit 20 sets the timing for transporting the substrate S from the water washing apparatus PC based on the time of the plating process performed on the substrate S in the plating apparatus PD before the transport of the substrate S. Is determined, and the roller conveyance unit 51 of the water washing apparatus PC is controlled accordingly.
  • the timing is controlled by switching between transport and stop of the substrate S or reciprocating the substrate S in the water washing apparatus PC. Further, when the timing is changed, the time during which the substrate S stays in the water washing apparatus PC changes. In this embodiment, the amount of the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid discharge nozzle 53 per unit time is controlled accordingly. is doing. For this reason, after the washing process is appropriately performed, the substrate S is transported to the plating apparatus PD.
  • the plating apparatus PD and the roller transport unit 61 provided in the plating apparatus PD correspond to examples of the “plating apparatus” and the “first transport unit” of the present invention, respectively.
  • the substrate S plated by the apparatus PD corresponds to the “first substrate” of the present invention.
  • the washing apparatus PC located upstream of the plating apparatus PD, that is, the preceding stage, and the roller conveyance unit 51 provided in the washing apparatus PC are respectively referred to as “preceding apparatus” and “
  • the substrate S transported from the water washing apparatus PC to the plating apparatus PD corresponds to the “second substrate” of the present invention, and the cleaning liquid and the cleaning liquid supply section 52 respectively correspond to the “treatment” of the present invention.
  • each part of the apparatus operates as shown in FIG.
  • the roller transport unit 61 is operated to transport the substrate S transported from the water washing apparatus PC in the transport direction (+ X) (column (a) in the figure).
  • the plating solution is not supplied and fed, and the backup plate 631 is positioned at the plate lowering position (height position H3) to avoid interference with the substrate S.
  • the conveyance of the substrate S by the roller conveyance unit 61 is stopped and the substrate S is positioned.
  • each cathode block 66 is lowered to the power feeding position by the cathode block raising / lowering part 67, and preparation for feeding power to the plating area SP via the cathode electrode 661 is completed.
  • the pump 642 is activated and the valve 643 is opened, so that the plating solution in the plating solution tank 641 is supplied from each through hole 621 to the storage space RA.
  • the plating solution is discharged through the slits 622 and the notches 623.
  • the supply of the plating solution is continuously performed during the plating process.
  • the anode electrode 651 and the region SP to be plated are provided. Is filled with a plating solution, and the plating solution is flowing.
  • the power feeding unit 68 performs the plating process by causing a current to flow between the anode electrode 651 and the cathode electrode 661 (column (d) in the figure). As a result, a desired plating layer is formed on the plating area SP.
  • the power supply unit 68 When the plating process is completed, power supply by the power supply unit 68 is stopped, and after the supply of the plating solution by the plating solution supply unit 64 is stopped, the backup plate 631 is lowered to the plate lowering position (height position H3). During this downward movement, the substrate S that has undergone the plating process is transferred to the transport roller 611 of the roller transport unit 61. Subsequently, the substrate S is transported to the transfer chamber 12 ⁇ / b> A of the second processing apparatus row 12 by the roller transport unit 61.
  • the transfer direction of the substrate S is changed from the (+ X) direction to the (+ Y) direction by the transfer device PE, and is transferred to the washing chamber 12B.
  • the washing chamber 12B the plating solution remaining on the substrate S is washed and removed by the washing device PF, and then transferred to the transfer chamber 12C.
  • the transfer direction of the substrate S is further changed from the (+ Y) direction to the ( ⁇ X) direction by the transfer device PG, and is transferred to the third processing apparatus row 13.
  • the plating apparatus PJ In the 3rd processing apparatus row
  • the plating apparatus PJ similarly to the plating apparatus PD, the plating process is performed in a state where the substrate S is stationary at the plating process position. For this reason, it is necessary to set appropriately the timing which conveys the board
  • the plating apparatus PJ and the roller transport unit 61 provided in the plating apparatus PJ are respectively in the present invention. It corresponds to an example of “plating apparatus” and “first transport unit”, and the substrate S plated by the plating apparatus PJ corresponds to the “first substrate” of the present invention.
  • the washing apparatus PH located upstream of the plating apparatus PJ, that is, the preceding stage, and the roller conveyance unit 51 provided in the washing apparatus PH are respectively referred to as “previous apparatus” and “ This corresponds to an example of “2 transport unit”, and the substrate S transported from the washing apparatus PH to the plating apparatus PJ corresponds to the “second substrate” of the present invention.
  • each part of the apparatus operates as shown in FIG. Specifically, the plating process is performed basically in the same manner as the plating apparatus PD on the first processing apparatus row 11 side, except that the first plating liquid and the second plating liquid are used. That is, the substrate transport S 61 transports the substrate S in the transport direction ( ⁇ X) with the backup plate 631 positioned at the plate lowering position (height position H3) (column (a) in the figure). When the substrate S moves vertically below the plating position, the back-up plate 631 is lifted by the lifting mechanism 632 after the roller transport unit 61 stops transporting the substrate S (in FIG.
  • each cathode block 66 is lowered to the power feeding position by the cathode block raising / lowering part 67, and preparation for feeding power to the plating area SP via the cathode electrode 661 is completed.
  • the pump 642 is operated in the first plating solution supply section 64A and the valve 643 is opened, and the plating solution in the first plating solution tank 641 is supplied from each through hole 621 to the storage space RA1, and the first processing apparatus. Similar to the plating apparatus PD on the row 11 side, the space between the membrane 69 and the plating area SP is filled with a flowing plating solution. Also in the second plating solution supply unit 64B, the pump 642 is operated and the valve 643 is opened to supply the plating solution in the second plating solution tank 644 to the storage space RA2 from each through hole 624 and the storage space. The second plating solution discharged from RA2 through each through-hole 625 returns to the second plating solution tank 644.
  • the second plating solution is filled in the second storage space RA2 while flowing between the anode block 65 and the membrane 69.
  • the membrane 69 is disposed between the anode electrode 651 and the plating area SP, but the interval between the anode electrode 651 and the plating area SP in the vertical direction Z is within the plane of the plating area SP. Is almost uniform.
  • the power feeding unit 68 performs the plating process by causing a current to flow between the anode electrode 651 and the cathode electrode 661 (column (d) in the figure). ).
  • a desired plating layer is formed on the plating area SP.
  • the power supply unit 68 When the plating process is completed, power supply by the power supply unit 68 is stopped, and after the supply of the plating solution by the plating solution supply unit 64 is stopped, the backup plate 631 is lowered to the plate lowering position (height position H3). During this downward movement, the substrate S that has undergone the plating process is transferred to the transport roller 611 of the roller transport unit 61. Subsequently, the substrate S is transported to the washing chamber 13C by the roller transport unit 61.
  • the substrate S is transported to the drying chamber 13D and dried by the drying device PL to be unloaded. It is conveyed to the loading chamber 13E.
  • the substrate S that has undergone a series of processes including the plating process is transferred to the transfer robot 14b by the dispensing device PM, and is returned to the cassette C by the transfer robot 14b.
  • the substrate S While the plurality of transport rollers 611 constituting the roller transport unit 61 support the back surface S2 of the substrate S, that is, the main surface opposite to the plating area SP, the substrate S is positioned below the frame body 62 (plating processing position). To the vertically lower position). For this reason, regardless of the size of the substrate S, the substrate S can be stably transported to a position where the plating process is performed.
  • the back-up plate 631 is lifted by the lifting mechanism 632 while the back surface S2 of the substrate S is supported from below, lifts the substrate S from the transport roller 611, and further contacts the lower surface of the frame body 62 to thereby store the storage space RA. Forming.
  • the plating solution is subjected to the plating treatment by the plating solution stored in the storage space RA, so that the load of the plating solution is applied to the plating area SP of the substrate S.
  • the plating apparatus PD can suppress the bending of the substrate S and perform the plating process on the plating area SP satisfactorily. Yes. About this effect, it is the same also in the plating apparatus PJ.
  • the plating solution is discharged from the storage space RA through the slit 622 and the notch 623, and the plating solution is supplied from the plating solution supply unit 64 to the storage spaces RA and RA1 through the through holes 621. For this reason, a fresh plating solution can be efficiently supplied into the storage space RA, and the plating process can be stably performed with high quality in the plating apparatus PD. About this effect, it is the same also in the plating apparatus PJ.
  • the substrate S is carried out to the next processing apparatus PE (PK), while the substrate S that has undergone the water washing process is subjected to the plating apparatus PD ( PJ) to receive a plating treatment.
  • the timing for transporting the substrate S to the plating apparatus PD (PJ) is controlled by the water washing apparatus PC (PH), which is the preceding stage, so that the substrate S is appropriately
  • the plating process can be carried out by being transferred to the plating apparatus PD (PJ) without any breaks. Thus, it can respond flexibly with respect to the time of a plating process, and high versatility is acquired.
  • the timing is controlled by switching the transfer and stoppage of the substrate S or reciprocating the substrate S in the water washing apparatuses PC and PH, the timing can be controlled with high accuracy.
  • the substrate S can be appropriately transported to the plating apparatuses PD and PJ.
  • the water washing apparatus PC, PH discharges the cleaning liquid from the cleaning liquid discharge nozzle 53 while carrying the substrate S by the roller transfer section 51, and executes the water washing process, but is discharged from the cleaning liquid discharge nozzle 53 per unit time. It is possible to control the amount of cleaning liquid. For this reason, a water washing process can be performed appropriately. In particular, when the timing at which the substrate S is transported to the plating apparatuses PD and PJ is changed, the time during which the substrate S stays in the water washing apparatuses PC and PH changes, but the amount of cleaning liquid corresponding thereto is supplied to the substrate S. The water washing process can be optimized.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention.
  • the conveyance and the conveyance stop or the reciprocating movement are performed without changing the conveyance speed of the substrate S by the roller conveyance unit 51, but the conveyance speed is changed. You may control to.
  • the amount of the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid discharge nozzle 53 per unit time may be controlled according to the change in the conveyance speed.
  • former stage of plating apparatus PD (PJ) is controlled according to the time of the plating process in plating apparatus PD (PJ).
  • the conveyance timing control is not limited to this.
  • by distributing the transport timing control to a plurality of processing apparatuses it is possible to perform stable substrate processing in each processing apparatus.
  • the pre-processing device PB and the roller transport unit 41 provided in the pre-processing device PB correspond to examples of the “pre-stage device” and the “third transport unit” of the present invention, respectively.
  • the transfer device PG corresponds to an example of the “pre-stage device” of the present invention
  • the Y-direction transport unit 72 and the X-direction transport unit 73 provided in the transfer device PG are the “third transport unit” of the present invention. It corresponds to an example.
  • the plating solution supply through-hole 621 is provided in the side wall of the frame body 62, but the supply route of the plating solution is not limited to this and is arbitrary.
  • the through-hole 622 and the notch 623 are provided in the side wall of the frame body 62 also about discharge
  • the plating solution may be supplied to the storage space RA through the anode block 65 in a state where the surface S1 of the substrate S is positioned below the lower surface of the frame body 62 (the second solution).
  • the plating solution may be supplied to the storage space RA through the anode block 65 in a state where the surface S1 of the substrate S is positioned below the lower surface of the frame body 62 (the second solution).
  • the plating solution is supplied to the storage space RA from above the storage space RA, and the plating solution in the storage space RA is formed from the gap formed between the lower surface of the frame body 62 and the plating area SP. Discharged.
  • the plating solution is isotropically discharged from the substrate S in the horizontal plane, the staying portion of the plating solution is not easily generated in the storage space RA, and the plating process can be performed better.
  • the discharge speed after the plating process is high, and the processing time in the plating apparatus PD can be shortened.
  • each plating apparatus PD and PJ raises the board
  • the substrate S may be converted into an inclined posture to perform the plating process (third embodiment).
  • the surface 631a of the backup plate 631 is provided with an inclination of several degrees with respect to the horizontal plane.
  • the frame body 62, the anode block 65, and each cathode block 66 are also inclined by the same angle.
  • symbol is attached
  • the plating process is performed as follows.
  • the conveyance of the substrate S by the roller conveyance unit 61 is stopped and positioned.
  • the backup plate 631 is raised by the elevating mechanism 632 (column (b) in the figure).
  • the back surface S2 of the substrate S is supported by the entire front surface 633 of the backup plate 631, and the substrate S is lifted from the transport roller 611 while tilting the substrate S by several degrees with respect to the horizontal plane.
  • a storage space RA is formed in contact with the lower surface of the body 62 (column (c) in the figure). Subsequently, as in the first embodiment, after the cathode blocks 66 are lowered to the power feeding position, the plating solution in the plating solution tank 641 is continuously supplied to the storage space RA.
  • the plating solution supplied to the storage space RA is inclined along the to-be-plated region SP as shown in the column (d) in FIG. It flows in (lower right direction in the figure) and is discharged from the storage space RA. Therefore, the plating solution does not stay in the storage space RA, and the plating solution is continuously supplied to the plating area SP to promote the plating reaction in the plating area SP. Can be done.
  • the power supply by the power supply unit 68 is stopped, and the supply of the plating solution by the plating solution supply unit 64 is stopped.
  • the plating solution can be discharged from the storage space RA in a short time. . Therefore, the tact time in the plating apparatus PD can be shortened.
  • the inclined structure is adopted for the plating apparatus PD, the above-described inclined structure may be adopted for the plating apparatus PJ, and the same effect can be obtained.
  • the stirrer 91 is disposed in the storage space RA and the stirrer is driven.
  • the agitator 91 may be operated by the part 92 to agitate the plating solution in the vicinity of the plating area SP (fourth embodiment). It goes without saying that such a stirrer 91 may be applied to the plating apparatus PJ.
  • the storage space RA, RA1 is formed by moving the substrate S toward the frame 62 while being supported by the backup plate 631 from below.
  • the storage space RA is lowered by lowering the frame 62.
  • RA1 may be formed.
  • the back surface S2 of the substrate S may be supported only by the transport roller 611, but the front surface 633 of the backup plate 631 is raised to a position where it abuts the back surface S2 of the substrate S, and the backup plate 631 and the transport roller 611 It is preferable to support the substrate S.
  • the storage space RA, RA1 may be formed by moving both the frame body 62 and the backup plate 631.
  • the substrate S may be raised relative to the frame body 62 to form the storage spaces RA and RA1 for storing the plating solution between the frame body 62 and the plating area SP. What is necessary is just to comprise so that the support from the downward direction of S may be performed by at least one of the backup plate 631 and the conveyance roller 611.
  • the indexer device 14 and the plurality of processing apparatuses PA to PH and PJ to PM are connected in a “mouth” shape in plan view. Is arbitrary.
  • a transport robot P1 that performs loading processing
  • a receiving device P2 that receives a substrate from the transport robot
  • a pretreatment device P3 that performs pretreatment
  • a water washing device P4 that performs water washing processing
  • a plating device P5 that performs plating processing.
  • the transfer robot P11 that performs processing may be arranged in a straight line. Further, as shown in FIG. 14, the processing device row 15 in which the processing devices P1 to P6 are arranged and the processing device row 16 in which the processing devices P7 to P11 are arranged are stacked and arranged from the processing device P6 to the processing device P7. You may comprise so that the elevator apparatus P12 which conveys a board
  • substrate S to plating apparatus PD and PJ is controlled according to the time of the plating process with plating apparatus PD and PJ
  • the conveyance timing is controlled as follows. Also good.
  • the cleaning process is executed while maintaining the transport speed of the substrate S by the roller transport unit 51. When the cleaning process is completed, the substrate S cannot be transported to the plating apparatuses PD and PJ.
  • the conveyance timing may be adjusted.
  • the supply amount of the cleaning liquid may be changed. For example, when the plating process takes a relatively long time, the supply amount of the cleaning liquid per unit time may be reduced while slowly transporting the substrate S in the water washing apparatus.
  • the present invention can be applied to all substrate processing systems and substrate processing methods for performing plating on the surface of a substrate.

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Abstract

被めっき領域を取り囲む形状を有する枠体と、被めっき領域を上方に向けた状態で基板の他方主面を支持しながら基板を枠体の下方位置に搬送する搬送部と、枠体に対して基板を相対的に上昇させて枠体と被めっき領域とでめっき液を貯留する貯留空間を形成する昇降部と、貯留空間にめっき液を供給する供給部と、被めっき領域に電気的に接続されるカソード電極と、貯留空間に貯留されためっき液に接液するアノード電極とを備え、昇降部および搬送部のうち少なくとも一方で基板の他方主面を下方から支持しながらカソード電極とアノード電極との間に電流を流してめっき処理を行う。

Description

めっき装置およびめっき方法
　この発明は、半導体基板、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、配線基板などの各種基板（以下、単に「基板」と記載する）の一方主面にめっき処理を施すめっき装置およびめっき方法に関するものである。
　以下に示す日本出願の明細書、図面および特許請求の範囲における開示内容は、参照によりその全内容が本書に組み入れられる：
　特願２０１６－２９４６８（２０１６年２月１９日出願）。
　半導体装置や液晶表示装置などの電子部品や電子部品を搭載するための配線基板等の製造工程において、基板の表面を上方に向けた状態、つまりフェイスアップ状態のまま当該表面に対してめっき処理を施す技術が提案されている。例えば特許文献１に記載の装置は、基板の表面のうちめっきすべき被めっき領域（被めっき面）と陽極電極部材との間にめっき液を導入して被めっき領域に対するめっき処理を施す。
特開２００２－９７５９４号公報
　このように基板の被めっき領域に対してめっき液を導入しているため、被めっき領域上に存在するめっき液の量が増えると、被めっき領域に加わる荷重も比例的に増大して基板が撓むことがある。この場合、被めっき領域と陽極電極部材との距離が変動してめっき性能の低下を招いてしまう。特に、基板の大型化に伴って上記問題は顕著なものとなり、改善の余地があった。
　また、基板の大型化は基板のハンドリングにも大きな影響を与えている。すなわち、基板の大型化に伴って、めっき装置への基板の搬送を搬送ロボットにより行うことが困難となってきている。このため、基板の裏面を下方から支持しながら基板を搬送する搬送方式を採用せざるを得ず、当該搬送方式で搬送されてくる基板の表面に対してめっき処理を良好に行うめっき技術が要望されている。
　この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板サイズを問わず、基板の一方主面の被めっき領域に対してめっき処理を良好に行うことができるめっき装置およびめっき方法を提供することを目的とする。
　この発明の一態様は、基板の一方主面の被めっき領域にめっき処理を施すめっき装置であって、被めっき領域を取り囲む形状を有する枠体と、被めっき領域を上方に向けた状態で基板の他方主面を支持しながら基板を枠体の下方位置に搬送する搬送部と、枠体に対して基板を相対的に上昇させて枠体と被めっき領域とでめっき液を貯留する貯留空間を形成する昇降部と、貯留空間にめっき液を供給する供給部と、被めっき領域に電気的に接続されるカソード電極と、貯留空間に貯留されためっき液に接液するアノード電極とを備え、昇降部および搬送部のうち少なくとも一方で基板の他方主面を下方から支持しながらカソード電極とアノード電極との間に電流を流してめっき処理を行うことを特徴としている。
　また、この発明の他の態様は、基板の一方主面の被めっき領域にめっき処理を施すめっき方法であって、被めっき領域を取り囲む形状を有する枠体の下方位置に、被めっき領域を上方に向けた状態で基板の他方主面を下方から支持しながら基板を搬送部によって搬送する工程と、枠体に対して基板を昇降部によって相対的に上昇させて昇降部および搬送部のうち少なくとも一方で基板の他方主面を下方から支持しながら枠体と被めっき領域とでめっき液を貯留する貯留空間を形成する工程と、貯留空間に貯留されためっき液と被めっき領域との間に電流を流してめっき処理を行う工程と、を備えることを特徴としている。
　このように構成された発明では、搬送部が基板の他方主面（被めっき領域と反対側の主面）を支持しながら基板を枠体の下方位置に搬送する。このため、小型の基板はもとより比較的大きな基板についても、めっき処理を行う位置に安定して搬送することができる。また、昇降部によって枠体に対して基板が相対的に上昇して貯留空間を形成し、当該貯留空間にめっき液が供給されてめっき処理は実行される。このとき、めっき液の荷重が基板の被めっき領域に加わるが、昇降部および搬送部のうち少なくとも一方により基板が下方から支持される。
　以上のように、本発明によれば、基板サイズを問わず、基板の撓みを抑え、基板の一方主面の被めっき領域に対してめっき処理を良好に行うことができる。
　上述した本発明の各態様の有する複数の構成要素はすべてが必須のものではなく、上述の課題の一部又は全部を解決するため、あるいは、本明細書に記載された効果の一部又は全部を達成するために、適宜、前記複数の構成要素の一部の構成要素について、その変更、削除、新たな他の構成要素との差し替え、限定内容の一部削除を行うことが可能である。また、上述の課題の一部又は全部を解決するため、あるいは、本明細書に記載された効果の一部又は全部を達成するために、上述した本発明の一態様に含まれる技術的特徴の一部又は全部を上述した本発明の他の態様に含まれる技術的特徴の一部又は全部と組み合わせて、本発明の独立した一形態とすることも可能である。
本発明にかかるめっき装置の第１実施形態を装備する基板処理システムの一例を示す平面図である。 第１処理装置列および第２処理装置列の構成を模式的に示す図である。 第２処理装置列の構成を模式的に示す図である。 第２処理装置列および第３処理装置列の構成を模式的に示す図である。 図１の基板処理システムの電気的な構成を示すブロック図である。 移送装置の構成を模式的に示す斜視図である。 第１処理装置列を構成するめっき装置の構成を模式的に示す分解組立斜視図である。 図５のめっき装置における搬送ローラに対するバックアッププレートの昇降動作を模式的に示す図である。 図５のめっき装置によるめっき動作を模式的に示す図である。 第３処理装置列を構成するめっき装置の構成を模式的に示す分解組立斜視図である。 図８のめっき装置によるめっき動作を模式的に示す図である。 本発明にかかるめっき装置の第２実施形態を模式的に示す図である。 本発明にかかるめっき装置の第３実施形態を模式的に示す図である。 本発明にかかるめっき装置の第４実施形態を模式的に示す図である。 本発明にかかるめっき装置を装備する基板処理システムの他の例を示す平面図である。 本発明にかかるめっき装置を装備する基板処理システムの別の例を示す平面図である。
　図１は本発明にかかるめっき装置の第１実施形態を装備する基板処理システムの一例を示す平面図である。なお、図１および後で説明する各図では、システム各部の配置関係を明確にするために、図１の左手側から右手側に向かう水平方向を「＋Ｘ方向」と称し、逆方向を「－Ｘ方向」と称する。また、Ｘ方向と直交する水平方向のうち、基板処理システム１の背面側を「＋Ｙ方向」と称するとともに、基板処理システム１の正面側を「－Ｙ方向」と称する。さらに、鉛直方向における上方向および下方向をそれぞれ「＋Ｚ方向」および「－Ｚ方向」と称する。
　基板処理システム１は、同図に示すように、インデクサ装置１４と、このインデクサ装置１４に対して平面視で「コ」字形に連結される第１処理装置列１１、第２処理装置列１２および第３処理装置列１３とを有している。第１処理装置列１１は、処理部ＰＡ～ＰＤを（＋Ｘ）方向にこの順序で配列し、インデクサ装置１４から受け取った基板Ｓを（＋Ｘ）方向に搬送しつつ各処理装置ＰＡ～ＰＤで所望の処理を行うように構成されている。また、第２処理装置列１２は、処理装置ＰＥ～ＰＧを（＋Ｙ）方向にこの順序で配列し、第１処理装置列１１から受け取った基板Ｓを（＋Ｙ）方向に搬送しつつ各処理装置ＰＥ～ＰＧで所望の処理を行うように構成されている。また、第３処理装置列１３は、処理装置ＰＨ、ＰＪ～ＰＭを（－Ｘ）方向にこの順序で配列し、第２処理装置列１２から受け取った基板Ｓを（－Ｘ）方向に搬送しつつ各処理装置ＰＨ、ＰＪ～ＰＭで所望の処理を行うように構成されている。さらに、処理装置ＰＭに到達した基板Ｓはインデクサ装置１４により第３処理装置列１３から搬出される。なお、本実施形態では、上記基板Ｓの表面および裏面がそれぞれ本発明の「一方主面」および「他方主面」に相当している。
　インデクサ装置１４は、基板Ｓを収納した基板収納カセットＣ（以下「カセットＣ」という）を載置するカセット載置部１４ａと、この載置部１４ａに置かれたカセットＣに対して基板Ｓを出し入れする搬送ロボット１４ｂとを有する。インデクサ装置１４はめっき処理対象となる基板Ｓを基板収納カセットＣから搬送ロボット１４ｂによって順次取り出して第１処理装置列１１へ搬送する（ローディング）。また、インデクサ装置１４は、めっき処理を含む一連の処理を受けた基板Ｓを搬送ロボット１４ｂにより第３処理装置列１３から例えば元のカセットＣに戻す（アンローディング）。
　図２Ａは第１処理装置列および第２処理装置列の構成を模式的に示す図であり、図２Ｂは第２処理装置列の構成を模式的に示す図であり、図２Ｃは第２処理装置列および第３処理装置列の構成を模式的に示す図である。また、図３は基板処理システムの電気的な構成を示すブロック図である。第１処理装置列１１では、図２Ａに示すように、基板Ｓの搬送方向（＋Ｘ）における上流側（インデクサ装置１４側）から順にローディング室１１Ａ、前処理室１１Ｂ、水洗室１１Ｃおよびめっき室１１Ｄが設けられている。
　ローディング室１１Ａには、搬送ロボット１４ｂから未処理基板Ｓを受け取るための受取装置ＰＡが設けられている。この受取装置ＰＡは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部３１と、搬送ロボット１４ｂから未処理の基板Ｓを受け取ってローラ搬送部３１に受け渡す移載部３２とを有している。移載部３２は、複数の支持ピン３３と、搬送ローラの上方に突出する受取位置と搬送ローラの下方に退避する退避位置との間で支持ピン３３を昇降駆動するエアーシリンダ等のアクチュエータ３４とから構成されている。そして、基板処理システム１全体を制御する制御部２０からの上昇指令に応じてアクチュエータ３４が作動して支持ピン３３を受取位置にセットした状態で搬送ロボット１４ｂから基板Ｓを水平姿勢で受け取る。その後、制御部２０からの下降指令に応じてアクチュエータ３４が作動して支持ピン３３を退避位置に変位させることにより基板Ｓを搬送ローラ上に移載する。そして、制御部２０からのローラ駆動指令に応じてローラ搬送部３１が作動して基板Ｓを前処理室１１Ｂに搬送する。
　前処理室１１Ｂには、基板Ｓに対してめっき処理を施す前に基板Ｓの表面Ｓ１に付着する有機物や酸化物等を除去する前処理を行う前処理装置ＰＢが設けられている。この前処理装置ＰＢは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部４１と、前処理を行うための薬液をローラ搬送部４１で搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に供給する薬液供給部４２とを有している。薬液供給部４２は、搬送ローラの上方に配置される複数の薬液吐出ノズル４３と、薬液タンク４４と、ポンプ４５と、バルブ４６とを備えている。そして、制御部２０からの前処理指令に応じてローラ搬送部４１が作動して表面Ｓ１を上方に向けた水平姿勢で基板Ｓを（＋Ｘ）方向に搬送する。
　また、この基板Ｓの水平搬送と並行してポンプ４５が作動するとともにバルブ４６が開いて薬液タンク４４に貯留されている薬液がポンプ４５およびバルブ４６を介して各薬液吐出ノズル４３に供給され、水洗室１１Ｃに向けて搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に向けて各薬液吐出ノズル４３から吐出される。これによって、（＋Ｘ）方向に搬送されている基板Ｓの表面Ｓ１に対して薬液が供給され、当該表面Ｓ１に付着していた有機物成分や酸化物成分をめっき処理前に除去する、いわゆる前処理が実行される。なお、本実施形態では、前処理室１１Ｂ内で処理済の薬液を回収し、薬液タンク４４に戻して再利用してラニングコストの低減を図っているが、使い捨て方式を採用してもよいことは言うまでもない。
　前処理装置ＰＢの下流側に位置する水洗室１１Ｃには、水を洗浄液として用いて前処理を受けた基板Ｓから薬液を洗浄して除去する水洗処理を行う水洗装置ＰＣが設けられている。この水洗装置ＰＣは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部５１と、ローラ搬送部５１で搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に水（洗浄液）を供給する洗浄液供給部５２とを有している。洗浄液供給部５２は、搬送ローラの上方に配置される複数の洗浄液吐出ノズル５３と、洗浄液タンク５４と、ポンプ５５と、バルブ５６とを備えている。そして、制御部２０からの水洗処理指令に応じてローラ搬送部５１が作動して表面Ｓ１を上方に向けた水平姿勢で基板Ｓを（＋Ｘ）方向に搬送する。
　また、この基板Ｓの水平搬送と並行してバルブ５６が開くとともにポンプ５５が作動して洗浄液タンク５４に貯留されている水がポンプ５５およびバルブ５６を介して各洗浄液吐出ノズル５３に供給され、めっき室１１Ｄに向けて搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に向けて各洗浄液吐出ノズル５３から吐出される。これによって、（＋Ｘ）方向に搬送されている基板Ｓの表面Ｓ１に対して水が洗浄液として供給され、基板Ｓに残留している薬液をめっき処理前に水洗して除去する。なお、本実施形態では、水洗室１１Ｃ内で処理済の洗浄液を回収し、洗浄液タンク５４に戻して再利用してラニングコストの低減を図っているが、使い捨て方式を採用してもよいことは言うまでもない。また、水洗処理を一定回数行う毎に洗浄液の入替えを行うように構成してもよい。これらの点については、後で説明する他の水洗装置においても同様である。
　搬送方向（＋Ｘ）において水洗装置ＰＣの下流側に位置するめっき室１１Ｄには、めっき処理位置（後で説明する図７中の符号Ｈ１）でめっき処理を行うめっき装置ＰＤが設けられている。このめっき装置ＰＤは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部６１と、めっき処理位置に配置された枠体６２と、ローラ搬送部６１によりめっき処理位置の下方位置に搬送されてきた基板Ｓをめっき処理位置に上昇させて枠体６２と基板Ｓの表面Ｓ１とでめっき液を貯留する貯留空間ＲＡ（図７参照）を形成する昇降部６３と、貯留空間ＲＡにめっき液を供給するめっき液供給部６４とを有している。そして、昇降部６３で基板Ｓの裏面Ｓ２（図６、図７参照）を下方から支持した状態でめっき液によってめっき処理を行う。また、めっき処理後において、昇降部６３により基板Ｓを下降させてローラ搬送部６１に戻し、ローラ搬送部６１によって基板Ｓを第２処理装置列１２に搬送する。なお、めっき装置ＰＤの詳しい構成および動作については後で詳述する。
　第２処理装置列１２では、図２Ｂに示すように、基板Ｓの搬送方向（＋Ｙ）における上流側から順に移送室１２Ａ、水洗室１２Ｂおよび移送室１２Ｃが設けられている。移送室１２Ａには、移送装置ＰＥが設けられている。この移送装置ＰＥは基板Ｓの搬送方向を（＋Ｘ）方向から（＋Ｙ）方向に切り替えて基板Ｓを水洗室１２Ｂに搬送する。なお、移送装置ＰＥの構成については、後で移送装置ＰＧと一緒に説明する。
　水洗室１２Ｂには、先に説明した水洗装置ＰＣと同一の構成を有する水洗装置ＰＦが設けられている。すなわち、水洗装置ＰＦは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部５１と、ローラ搬送部５１で搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に水（洗浄液）を供給する洗浄液供給部５２とを有している。そして、ローラ搬送部５１により表面Ｓ１を上方に向けた水平姿勢で基板Ｓを（＋Ｘ）方向に搬送しながら、洗浄液タンク５４に貯留されている水をポンプ５５によりバルブ５６を介して各洗浄液吐出ノズル５３に供給し、これによって移送室１２Ｃに搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に向けて各洗浄液吐出ノズル５３から吐出し、基板Ｓに残留しているめっき液を水洗して除去する。
　移送室１２Ｃには、移送装置ＰＥと同様に移送装置ＰＧが設けられている。この移送装置ＰＧは、水洗処理を受けた基板Ｓを受け取り、基板Ｓの搬送方向を（＋Ｙ）方向から（－Ｘ）方向に切り替えて基板Ｓを第３処理装置列１３に搬送する。
　図４は移送装置の構成を模式的に示す斜視図である。移送装置ＰＧは、複数の搬送ローラ７１で構成されて基板Ｓを（＋Ｙ）方向に搬送するＹ方向搬送部７２と、搬送方向（＋Ｙ）の下流端で搬送ローラ７１に囲まれた状態で設けられて基板Ｓを（－Ｘ）方向に搬送するＸ方向搬送部７３と、Ｘ方向搬送部７３を昇降させるエアーシリンダ等のアクチュエータ７４（図２Ｂ、図２Ｃ、図３）とを有している。Ｙ方向搬送部７２では、同図に示すように、搬送ローラ７１はＸ方向と平行な回転軸回りに回転駆動されて基板Ｓを下方から支持しながら（＋Ｙ）方向に搬送可能となっている。なお、本実施形態では、搬送ローラ７１による基板Ｓの搬送経路は、第１処理装置列１１および第３処理装置列１３における基板Ｓの搬送経路よりも低くなっている。
　一方、Ｘ方向搬送部７３では、Ｙ方向と平行な回転軸回りに搬送ローラ７５が回転自在にフレーム７６に軸支されており、各搬送ローラ７５が回転駆動されることで基板Ｓを下方から支持しながら（＋Ｙ）方向に搬送可能となっている。また、フレーム７６はアクチュエータ７４に連結されており、制御部２０からの昇降指令に応じてフレーム７６が昇降することで、Ｘ方向搬送部７３を鉛直方向Ｚにおいて搬送ローラ７１による基板Ｓの搬送経路よりも下方に退避した退避位置と、第３処理装置列１３における基板Ｓの搬送経路と同じ移送位置とに移動可能となっている。そして、移送装置ＰＧでは、水洗装置ＰＦから基板Ｓを受け取る際には、Ｘ方向搬送部７３を退避位置に位置決めした状態でＹ方向搬送部７２により基板Ｓを第３処理装置列１３に対向する位置まで搬送する。それに続いて、アクチュエータ７４が作動してＸ方向搬送部７３を移送位置に上昇させる。この上昇途中で基板ＳはＹ方向搬送部７２からＸ方向搬送部７３に移載される。その後でＸ方向搬送部７３の搬送ローラ７５によって基板Ｓは第３処理装置列１３に移送される。
　また、移送装置ＰＥも、上記移送装置ＰＧと同様に、Ｙ方向搬送部７２、Ｘ方向搬送部７３およびアクチュエータ７４などを備えている。そして、移送装置ＰＥでは、めっき装置ＰＤから基板Ｓを受け取る際には、図２Ａおよび図２Ｂに示すようにＸ方向搬送部７３を移送位置に位置決めし、当該基板ＳをＸ方向搬送部７３で移送室１２Ａ内に引き込む。それに続いて、アクチュエータ７４が作動してＸ方向搬送部７３を退避位置に下降させる。この下降途中で基板ＳはＸ方向搬送部７３からＹ方向搬送部７２に移載される。その後でＹ方向搬送部７２によって基板Ｓは水洗室１２Ｂに搬送される。
　次に、図２Ｃを参照しつつ第３処理装置列１３の構成について説明する。第３処理装置列１３は基板Ｓの搬送方向（－Ｘ）における上流側（移送装置ＰＧ側）から順に水洗室１３Ａ、めっき室１３Ｂ、水洗室１３Ｃ、乾燥室１３Ｄおよびアンローディング室１３Ｅが設けられている。水洗室１３Ａには、先に説明した水洗装置ＰＣ、ＰＦと同一の構成を有する水洗装置ＰＨが設けられている。すなわち、水洗装置ＰＨは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部５１と、ローラ搬送部５１で搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に水（洗浄液）を供給する洗浄液供給部５２とを有している。そして、ローラ搬送部５１により表面Ｓ１を上方に向けた水平姿勢で基板Ｓを（－Ｘ）方向に搬送しながら、洗浄液タンク５４に貯留されている水をポンプ５５によりバルブ５６を介して各洗浄液吐出ノズル５３に供給し、これによってめっき室１３Ｂに向けて搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に向けて各洗浄液吐出ノズル５３から吐出して第２処理装置列１２から送られてきた基板Ｓを水洗する。
　搬送方向（－Ｘ）において水洗装置ＰＨの下流側に位置するめっき室１３Ｂには、めっき処理位置でめっき処理を行うめっき装置ＰＪが設けられている。このめっき装置ＰＪは、メンブレン（電解隔離膜）を枠体６２内に設けている点およびメッキ液供給部６４Ａ（図３参照）以外に別のめっき液を供給するめっき液供給部６４Ｂ（図３参照）が追加されている点を除き、基本的にめっき装置ＰＤと同様の構成を有する。なお、めっき装置ＰＪの詳しい構成および動作についても後で詳述する。
　めっき装置ＰＪに対して搬送方向（－Ｘ）の下流側に設けられた水洗室１３Ｃには、先に説明した水洗装置ＰＣ、ＰＦ、ＰＨと同一の構成を有する水洗装置ＰＫが設けられている。すなわち、水洗装置ＰＫは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部５１と、ローラ搬送部５１で搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に水（洗浄液）を供給する洗浄液供給部５２とを有している。そして、ローラ搬送部５１により表面Ｓ１を上方に向けた水平姿勢で基板Ｓを（－Ｘ）方向に搬送しながら、洗浄液タンク５４に貯留されている水をポンプ５５によりバルブ５６を介して各洗浄液吐出ノズル５３に供給し、これによって乾燥室１３Ｄに向けて搬送される基板Ｓの表面Ｓ１に向けて各洗浄液吐出ノズル５３から吐出し、基板Ｓに残留しているめっき液を水洗して除去する。
　乾燥室１３Ｄには、一連の湿式処理（前処理、水洗処理およびめっき処理）を受けた基板Ｓを乾燥させる乾燥装置ＰＬが設けられている。この乾燥装置ＰＬは、複数の搬送ローラで構成されたローラ搬送部８１と、ローラ搬送部８１で搬送される基板Ｓの表面Ｓ１および裏面Ｓ２にそれぞれ対向して配置されたエアーナイフ８２、８３と、エアーナイフ８２、８３に高圧エアーを供給するエアー供給部８４（図３）とを備えている。これらのエアーナイフ８２、８３はローラ搬送部８１によりアンローディング室１３Ｅに向けて搬送される基板Ｓの表面Ｓ１および裏面Ｓ２に高圧エアーを吹き付けるもので、乾燥室１３Ｄでは高圧エアーの吹き付けにより洗浄液を除去して基板Ｓを乾燥させる。
　アンローディング室１３Ｅには、めっき処理が施された基板Ｓを搬送ロボット１４ｂに払い出すための払出装置ＰＭが設けられている。この払出装置ＰＭは基本的に受取装置ＰＡと同様に構成されており、次のようにして払い出し動作を実行する。すなわち、支持ピン３３を退避位置に退避させた状態で、乾燥室１３Ｄから搬送されてきた基板Ｓをローラ搬送部３１が受け取り、払出位置（退避した支持ピン３３の直上位置）まで移動させる。そして、アクチュエータ３４が作動して支持ピン３３を上昇させることで基板Ｓを下方から突き上げて基板Ｓをローラ搬送部３１から持ち上げる。それに続いて、搬送ロボット１４ｂが当該基板Ｓを保持してカセットＣに戻す。
　次に、めっき装置ＰＤの構成について図２Ａ、図３、図５ないし図７を参照しつつ詳述した後で、めっき装置ＰＪの構成について図２Ｃ、図３、図８および図９を参照しつつ詳述する。図５は第１処理装置列を構成するめっき装置の構成を模式的に示す分解組立斜視図である。また、図６は図５のめっき装置における搬送ローラに対するバックアッププレートの昇降動作を模式的に示す図である。さらに、図７は図５のめっき装置によるめっき動作を模式的に示す図である。
　めっき装置ＰＤでは、制御部２０からの搬送指令に応じてローラ搬送部６１が作動して基板Ｓの表面Ｓ１を上方に向けた水平姿勢で基板Ｓが搬送され、枠体６２の下方直下に位置決めされる。この枠体６２は図５に示すように基板Ｓの被めっき領域ＳＰに対応した形状およびサイズに仕上げられている。そして、枠体６２は、図７に示すように、その下面の高さ位置がめっき処理位置Ｈ１と一致するようにローラ搬送部６１の上方に固定配置されており、基板Ｓの搬送および位置決め時での上下方向Ｚにおける基板Ｓの表面Ｓ１の高さ位置Ｈ２（図７）はめっき処理位置Ｈ１よりも低くなっている。
　また、枠体６２は図５に示すように基板Ｓの被めっき領域ＳＰに対応した形状およびサイズに仕上げられている。そして、昇降部６３によって基板Ｓを上方向（＋Ｚ）に移動させることで基板Ｓの表面Ｓ１のうち被めっき領域ＳＰを取り囲む周辺領域が枠体６２の下面に当接する。これによって、略直方体形状の貯留空間ＲＡ（図７（ｃ）参照）が形成され、当該貯留空間ＲＡにめっき液を貯留することが可能となっている。
　本実施形態では、基板Ｓを水平姿勢を維持したまま上昇させて枠体６２に均一に当接させ、さらに貯留空間ＲＡにめっき液を貯留させた状態においても基板Ｓの中央部が撓まないように昇降部６３は次のように構成されている。すなわち、昇降部６３は、上下方向に昇降可能な昇降部材として機能するバックアッププレート６３１と、バックアッププレート６３１を上下方向Ｚに昇降させる昇降機構６３２（図３）とを有している。バックアッププレート６３１は、図６の（ａ）欄に示すように、基板Ｓよりも多少大きな平面サイズを有する。しかもローラ搬送部６１の搬送ローラ６１１との干渉を回避しつつ基板Ｓを下方から支持しつつ昇降させるために、プレート表面６３３に特殊形状の凹部６３４が設けられている。つまり、凹部６３４は、搬送ローラ６１１および搬送ローラ６１１を相互に連結して回転駆動するための回転軸６１２がすっぽりと入り込む形状を有している。
　ローラ搬送部６１により基板Ｓを搬送する際には、制御部２０からの下降指令に応じて昇降機構６３２がバックアッププレート６３１を下降させ、バックアッププレート６３１の表面が搬送ローラ６１１の最上位置、つまり基板Ｓの裏面Ｓ２を支持して搬送している位置よりも低い位置（図７中の高さ位置Ｈ３）に位置するように、バックアッププレート６３１をプレート下降位置に位置決めする。これによって、基板Ｓの搬送中にバックアッププレート６３１が基板Ｓと干渉するのを防止している。一方、めっき処理を行う際には、制御部２０からの上昇指令に応じて昇降機構６３２がバックアッププレート６３１を上昇させ、表面６３３のうち凹部６３４を除く表面領域全体で基板Ｓの裏面Ｓ２を支持し、図６の（ｂ）欄に示すように、さらなる上昇によって基板Ｓを搬送ローラ６１１から上昇させる。これによって枠体６２の下面に当接させて貯留空間ＲＡを形成可能となっている。
　枠体６２の側壁の一部には、めっき液を貯留空間ＲＡに供給するための複数の貫通孔６２１が枠体６２の下面から上方に離れた位置で水平方向に配列して設けられている。また、枠体６２の側壁では、複数の貫通孔６２１と枠体６２の下面との間にスリット６２２が設けられるとともに枠体６２の下四隅部分に切欠６２３が設けられている。これらは貯留空間ＲＡ内でめっき液を良好に循環させるために設けられていたものであり、各貫通孔６２１はめっき液供給部６４からめっき液を貯留空間ＲＡに供給するための供給部位として機能する一方、スリット６２２および切欠６２３が貯留空間ＲＡからめっき液を排出する排出部として機能する。
　めっき液供給部６４は、図２Ａに示すように、めっき液を貯留するめっき液タンク６４１と、ポンプ６４２と、バルブ６４３とを備えている。そして、制御部２０からのめっき処理指令に応じてポンプ６４２が作動するとともにバルブ６４３が開いてめっき液タンク６４１に貯留されているめっき液がポンプ６４２およびバルブ６４３を介して各貫通孔６２１に圧送されて貯留空間ＲＡに供給される。また、貯留空間ＲＡからめっき液がスリット６２２および切欠６２３を介して排出される。これによって貯留空間ＲＡ内でめっき液が常時交換されながら貯留空間ＲＡに貯留されてめっき処理が可能となる。なお、排出されためっき液はめっき室１１Ｄで補集され、めっき液タンク６４１に戻されて再利用に供される。
　貯留空間ＲＡに貯留されためっき液を用いて基板Ｓの被めっき領域ＳＰを電解めっきするために、アノードブロック６５、２つのカソードブロック６６、カソードブロック昇降部６７（図３）および給電部６８（図３）が設けられている。アノードブロック６５は、図７に示すように、被めっき領域ＳＰと同程度の平面サイズを有するアノード電極６５１を連結部材６５２によって支持プレート６５３に吊下状態で固定した構造体である。そして、アノード電極６５１が被めっき領域ＳＰと平行に対面しながら貯留空間ＲＡ内のめっき液に接液するように枠体６２に取り付けられている。
　一方、各カソードブロック６６は、図７に示すように、カソード電極６６１の下面を除いてカソード電極６６１全体を絶縁性材料で覆ってカソード電極６６１が枠体６２からのめっき液と接液するのを防止する構造を有している。また、各カソードブロック６６はカソードブロック昇降部６７（図３）と接続されている。このため、制御部２０からの昇降指令に応じてカソードブロック昇降部６７が作動することで各カソードブロック６６は、給電位置（図７中の（ｃ）および（ｄ）欄に示す位置）と、給電位置から上方に離間した退避位置（図７中の（ａ）および（ｂ）欄に示す位置）との間で昇降移動する。ここで、「給電位置」とは、基板Ｓの表面周縁領域（表面Ｓ１のうち被めっき領域ＳＰに隣接する表面領域）に対してカソード電極６６１の下面が位置して被めっき領域ＳＰから基板Ｓの表面周縁部に延設された電極（図示省略）と電気的に接触する位置を意味している。
　給電部６８は図示を省略する配線によってアノード電極６５１およびカソード電極６６１と電気的に接続されている。そして、アノード電極６５１が貯留空間ＲＡ内のめっき液に接液するとともにカソードブロック６６が給電位置に位置決めされた状態で、制御部２０からの給電指令に応じて給電部６８がアノード電極６５１とカソード電極６６１との間に電流を流すことでめっき処理を実行可能となっている。
　図８は第３処理装置列を構成するめっき装置の構成を模式的に示す分解組立斜視図である。また、図９は図８のめっき装置によるめっき動作を模式的に示す図である。
　めっき装置ＰＪでは、枠体６２の内部でアノードブロック６５よりも下方位置にメンブレン６９が設けられ、これによって図９中の（ｃ）および（ｄ）欄に示すように、枠体６２の内部が上方領域と下方領域とに区分けされている。そして、枠体６２の側壁のうち上記下方領域に対応する部分では、めっき装置ＰＤと同様に、貫通孔６２１、スリット６２２および切欠６２３が枠体６２の側壁に設けられている。また、めっき装置ＰＤのめっき液供給部６４と同一構成を有する第１めっき液供給部６４Ａが貫通孔６２１に接続されており、第１めっき液供給部６４Ａから供給された第１めっき液を基板Ｓの被めっき領域ＳＰとメンブレン６９とで挟まれた第１貯留空間ＲＡ１に貯留可能となっている。
　一方、枠体６２の側壁のうち上記上方領域に対応する部分では、一の側壁に対して複数の貫通孔６２４が水平方向に配列して設けられるとともに、当該一の側壁に対向する別の側壁に対して複数の貫通孔６２５が水平方向に配列して設けられている。そして、これらの貫通孔６２４、６２５は第２めっき液供給部６４Ｂに接続されている。
　第２めっき液供給部６４Ｂは、図２Ｃに示すように、第２めっき液を貯留するめっき液タンク６４４と、ポンプ６４５と、バルブ６４６とを備えている。そして、制御部２０からのめっき処理指令に応じてポンプ６４５が作動するとともにバルブ６４６が開いてめっき液タンク６４４に貯留されている第２めっき液がポンプ６４５およびバルブ６４６を介して各貫通孔６２４に圧送されてアノードブロック６５とメンブレン６９とで挟まれた第２貯留空間ＲＡ２に供給される。また、各貫通孔６２５はめっき液タンク６４４に接続されており、各貫通孔６２５から排出された第２めっき液がめっき液タンク６４４に戻されて再利用に供される。このように第２めっき液は、めっき処理にめっき室１３Ｂに排出されることなく、さらに第１めっき液と第２めっき液の混合を発生させることなく、めっき処理が実行される。なお、その他の構成については、めっき装置ＰＤと同一であるため、同一構成に同一符号を付して説明を省略する。
　上記のように構成された基板処理システム１では、制御部２０は、図３に示すように、ＣＰＵ（Central Processing Unit；中央情報処理装置）２１およびメモリ２２などを備えている。そして、ＣＰＵ２１は予め用意された制御プログラムを実行してシステム各部を制御して各処理装置ＰＡ～ＰＨ、ＰＪ～ＰＭでの基板Ｓの搬送および搬送停止、ならびに搬送速度を制御しながらめっき処理を含む一連の処理を実行する。以下においては、１枚の基板Ｓに着目して基板処理システム１で行われる処理について説明する。
　めっき処理対象となる基板Ｓが基板収納カセットＣから搬送ロボット１４ｂによって取り出され、第１処理装置列１１の受取装置ＰＡに搬送される（ローディング処理）。そして、受取装置ＰＡによって基板Ｓが前処理装置ＰＢに搬送され、薬液により有機物成分や酸化物成分が基板Ｓから除去される（前処理）。それに続いて、前処理装置ＰＢから基板Ｓが水洗装置ＰＣに搬送され、水洗装置ＰＣで水洗処理された後で、めっき装置ＰＤに搬送される。
　めっき装置ＰＤでは、次に詳述するように基板Ｓをめっき処理位置で静止した状態でめっき処理を行い、その間、ローラ搬送部６１による基板Ｓの搬送は行われない。つまり、めっき装置ＰＤにおいて基板Ｓを受け入れ可能なタイミングで水洗装置ＰＣは基板Ｓを搬送する必要がある。しかも、めっき処理の時間（プロセス時間）によって上記タイミングは相違する。そこで、本実施形態では、上記基板Ｓの搬送前にめっき装置ＰＤにおいて基板Ｓに対して実行しているめっき処理の時間に基づいて水洗装置ＰＣから基板Ｓを搬送するタイミングを制御部２０のＣＰＵ２１が決定し、それに応じて水洗装置ＰＣのローラ搬送部５１を制御する。より具体的には、水洗装置ＰＣ内において、基板Ｓの搬送および搬送停止を切り替えたり、基板Ｓを往復移動させることで、上記タイミングを制御する。また、タイミングが変更された場合には基板Ｓが水洗装置ＰＣに滞在する時間が変化するが、本実施形態では、それに応じて単位時間当たりに洗浄液吐出ノズル５３から吐出される洗浄液の量を制御している。このため、水洗処理が適切に行われた上で、基板Ｓがめっき装置ＰＤに搬送される。
　このように、本実施形態では、めっき装置ＰＤおよびめっき装置ＰＤに設けられたローラ搬送部６１がそれぞれ本発明の「めっき装置」および「第１搬送部」の一例に相当しており、当該めっき装置ＰＤによりめっき処理される基板Ｓが本発明の「第１基板」に相当している。一方、基板Ｓの搬送方向（＋Ｘ）においてめっき装置ＰＤの上流側、つまり前段に位置する水洗装置ＰＣおよび水洗装置ＰＣに設けられるローラ搬送部５１がそれぞれが本発明の「前段装置」および「第２搬送部」の一例に相当し、当該水洗装置ＰＣからめっき装置ＰＤに搬送される基板Ｓが本発明の「第２基板」に相当し、洗浄液および洗浄液供給部５２がそれぞれ本発明の「処理液」および「処理液供給部」の一例に相当している。
　上記したタイミングで基板Ｓが水洗装置ＰＣからめっき室１１Ｄに搬送されてくると、めっき装置ＰＤでは、図７に示すように装置各部が動作してめっき処理を実行する。まず、ローラ搬送部６１が作動して水洗装置ＰＣから搬送されてきた基板Ｓを搬送方向（＋Ｘ）に搬送する（同図中の（ａ）欄）。このとき、めっき液の供給および給電は行われておらず、しかもバックアッププレート６３１はプレート下降位置（高さ位置Ｈ３）に位置決めされて基板Ｓとの干渉が回避されている。そして、基板Ｓがめっき処理位置の鉛直下方に移動してくると、ローラ搬送部６１による基板Ｓの搬送が停止されて当該基板Ｓが位置決めされる。それに続いて、昇降機構６３２によりバックアッププレート６３１が上昇する（同図中の（ｂ）欄）。これにより、バックアッププレート６３１の表面６３３全体で基板Ｓの裏面Ｓ２が支持された状態で基板Ｓが搬送ローラ６１１から持ち上げられ、さらに枠体６２の下面に当接して貯留空間ＲＡを形成する（同図中の（ｃ）欄）。また、カソードブロック昇降部６７により各カソードブロック６６が給電位置に下降してカソード電極６６１を介した被めっき領域ＳＰへの給電準備が完了する。
　次に、ポンプ６４２が作動するとともにバルブ６４３が開成してめっき液タンク６４１内のめっき液が各貫通孔６２１から貯留空間ＲＡに供給される。この貯留空間ＲＡでは、めっき液がスリット６２２および切欠６２３を介して排出されるが、めっき液の供給はめっき処理中において継続して行われ、めっき処理中、アノード電極６５１と被めっき領域ＳＰとの間がめっき液で満たされ、しかも当該めっき液は流動している。また、基板Ｓの裏面Ｓ２全体がバックアッププレート６３１により下方から支持されているため、上下方向Ｚにおけるアノード電極６５１と被めっき領域ＳＰとの間隔は被めっき領域ＳＰの面内においてほぼ均一となっている。このようなめっき処理に好適な状態が維持されたまま給電部６８がアノード電極６５１とカソード電極６６１との間に電流を流すことでめっき処理を実行する（同図中の（ｄ）欄）。その結果、被めっき領域ＳＰに対して所望のめっき層が形成される。
　なお、めっき処理が完了すると、給電部６８による給電が停止され、めっき液供給部６４によるめっき液の供給が停止された後で、バックアッププレート６３１がプレート下降位置（高さ位置Ｈ３）に下降する。この下降移動中に、めっき処理を受けた基板Ｓがローラ搬送部６１の搬送ローラ６１１に移載される。それに続いて、ローラ搬送部６１によって基板Ｓが第２処理装置列１２の移送室１２Ａに搬送される。
　この移送室１２Ａでは、移送装置ＰＥによって基板Ｓの搬送方向が（＋Ｘ）方向から（＋Ｙ）方向に転換され、水洗室１２Ｂに搬送される。そして、水洗室１２Ｂでは、水洗装置ＰＦによって基板Ｓに残留しているめっき液が水洗して除去された後で、移送室１２Ｃに搬送される。この移送室１２Ｃでは、移送装置ＰＧによって基板Ｓの搬送方向がさらに（＋Ｙ）方向から（－Ｘ）方向に転換され、第３処理装置列１３に搬送される。
　第３処理装置列１３では、水洗装置ＰＨで水洗処理された後で、めっき装置ＰＪに搬送される。ここで、めっき装置ＰＪでは、めっき装置ＰＤと同様にして、基板Ｓをめっき処理位置で静止した状態でめっき処理を行う。このため、水洗装置ＰＨからめっき装置ＰＪに基板Ｓを搬送するタイミングを適切に設定する必要がある。そこで、本実施形態では、制御部２０のＣＰＵ２１が演算し、それに応じて水洗装置ＰＨのローラ搬送部５１を制御する。このように、本実施形態では、第３処理装置列１３側においても、第１処理装置列１１側と同様に、めっき装置ＰＪおよびめっき装置ＰＪに設けられたローラ搬送部６１がそれぞれ本発明の「めっき装置」および「第１搬送部」の一例に相当しており、当該めっき装置ＰＪによりめっき処理される基板Ｓが本発明の「第１基板」に相当している。一方、基板Ｓの搬送方向（＋Ｘ）においてめっき装置ＰＪの上流側、つまり前段に位置する水洗装置ＰＨおよび水洗装置ＰＨに設けられるローラ搬送部５１がそれぞれが本発明の「前段装置」および「第２搬送部」の一例に相当しており、当該水洗装置ＰＨからめっき装置ＰＪに搬送される基板Ｓが本発明の「第２基板」に相当している。
　上記したタイミングで基板Ｓが水洗装置ＰＨからめっき室１３Ｂに搬送されてくると、めっき装置ＰＪでは、図９に示すように装置各部が動作してめっき処理を実行する。具体的には、第１めっき液および第２めっき液を用いている点を除き、基本的に第１処理装置列１１側のめっき装置ＰＤと同様にしてめっき処理が実行される。すなわち、バックアッププレート６３１がプレート下降位置（高さ位置Ｈ３）に位置決めされた状態でローラ搬送部６１により基板Ｓを搬送方向（－Ｘ）に搬送する（同図中の（ａ）欄）。そして、基板Ｓがめっき処理位置の鉛直下方に移動してくると、ローラ搬送部６１による基板Ｓの搬送が停止された後で、昇降機構６３２によりバックアッププレート６３１が上昇する（同図中の（ｂ）欄）。これにより、バックアッププレート６３１の表面６３３全体で基板Ｓの裏面Ｓ２が支持された状態で基板Ｓが搬送ローラ６１１から持ち上げられ、さらに枠体６２の下面に当接して貯留空間ＲＡ１を形成する（同図中の（ｃ）欄）。また、カソードブロック昇降部６７により各カソードブロック６６が給電位置に下降してカソード電極６６１を介した被めっき領域ＳＰへの給電準備が完了する。
　次に、第１めっき液供給部６４Ａにおいてポンプ６４２が作動するとともにバルブ６４３が開成して第１めっき液タンク６４１内のめっき液が各貫通孔６２１から貯留空間ＲＡ１に供給され、第１処理装置列１１側のめっき装置ＰＤと同様にしてメンブレン６９と被めっき領域ＳＰとの間が流動するめっき液で満たされている。また、第２めっき液供給部６４Ｂにおいても、ポンプ６４２が作動するとともにバルブ６４３が開成して第２めっき液タンク６４４内のめっき液が各貫通孔６２４から貯留空間ＲＡ２に供給されるとともに貯留空間ＲＡ２から各貫通孔６２５を介して排出された第２めっき液が第２めっき液タンク６４４に戻している。このため、第２めっき液がアノードブロック６５とメンブレン６９との間を流動しながら第２貯留空間ＲＡ２に満たされている。このめっき装置ＰＪでは、アノード電極６５１と被めっき領域ＳＰとの間にメンブレン６９が配置されているが、上下方向Ｚにおけるアノード電極６５１と被めっき領域ＳＰとの間隔は被めっき領域ＳＰの面内においてほぼ均一となっている。そして、このようなめっき処理に好適な状態が維持されたまま給電部６８がアノード電極６５１とカソード電極６６１との間に電流を流すことでめっき処理を実行する（同図中の（ｄ）欄）。その結果、被めっき領域ＳＰに対して所望のめっき層が形成される。
　なお、めっき処理が完了すると、給電部６８による給電が停止され、めっき液供給部６４によるめっき液の供給が停止された後で、バックアッププレート６３１がプレート下降位置（高さ位置Ｈ３）に下降する。この下降移動中に、めっき処理を受けた基板Ｓがローラ搬送部６１の搬送ローラ６１１に移載される。それに続いて、ローラ搬送部６１によって基板Ｓが水洗室１３Ｃに搬送される。
　この水洗室１３Ｃでは、水洗装置ＰＫによって基板Ｓに残留しているめっき液が水洗して除去された後で、乾燥室１３Ｄに搬送されて乾燥装置ＰＬによる乾燥処理によって基板Ｓは乾燥してアンローディング室１３Ｅに搬送される。そして、アンローディング室１３Ｅにおいて、めっき処理を含む一連の処理を受けた基板Ｓが払出装置ＰＭにより搬送ロボット１４ｂに移載され、当該搬送ロボット１４ｂによってカセットＣに戻される。
　以上のように構成された実施形態では、次の作用効果が得られる。
　（１）ローラ搬送部６１を構成する複数の搬送ローラ６１１が基板Ｓの裏面Ｓ２、つまり被めっき領域ＳＰと反対側の主面を支持しながら基板Ｓを枠体６２の下方位置（めっき処理位置の鉛直下方位置）に搬送する。このため、基板Ｓのサイズを問わず、基板Ｓを安定してめっき処理を行う位置に搬送することができる。また、昇降機構６３２によってバックアッププレート６３１が基板Ｓの裏面Ｓ２を下方から支持された状態で上昇して基板Ｓを搬送ローラ６１１から持ち上げ、さらに枠体６２の下面に当接させて貯留空間ＲＡを形成している。そして、当該貯留空間ＲＡに貯留されるめっき液によってめっき処理を実行するため、めっき液の荷重が基板Ｓの被めっき領域ＳＰに加わる。しかしながら、基板Ｓは昇降部６３のバックアッププレート６３１で下方から支持しているため、めっき装置ＰＤにおいて、基板Ｓの撓みを抑え、被めっき領域ＳＰに対するめっき処理を良好に行うことが可能となっている。この作用効果については、めっき装置ＰＪにおいても同様である。
　（２）貯留空間ＲＡからスリット６２２および切欠６２３を介してめっき液を排出するとともにめっき液供給部６４から貫通孔６２１を介して貯留空間ＲＡ、ＲＡ１にめっき液を供給している。このため、貯留空間ＲＡ内に対してフレッシュなめっき液を効率的に供給することができ、めっき装置ＰＤにおいてめっき処理を高い品質で安定して良好に行うことができる。この作用効果については、めっき装置ＰＪにおいても同様である。
　（３）基板Ｓに対するめっき装置ＰＤ（ＰＪ）でのめっき処理が完了すると、当該基板Ｓが次の処理装置ＰＥ（ＰＫ）に搬出される一方、水洗処理を受けた基板Ｓがめっき装置ＰＤ（ＰＪ）に搬送されてめっき処理を受ける。このようにめっき処理が連続的に行われ、スループットの向上を図ることができる。また、めっき処理の時間が変更されたとしても、それに応じてめっき装置ＰＤ（ＰＪ）に基板Ｓを搬送するタイミングがその前段となる水洗装置ＰＣ（ＰＨ）で制御されるため、基板Ｓを適切に、しかも切れ目なくめっき装置ＰＤ（ＰＪ）に搬送してめっき処理を実行することができる。このようにめっき処理の時間に対して柔軟に対応することができ、高い汎用性が得られる。
　（４）水洗装置ＰＣ、ＰＨ内において、基板Ｓの搬送および搬送停止を切り替えたり、基板Ｓを往復移動させることで、上記タイミングを制御しているため、上記タイミングを高精度に制御することができ、基板Ｓをめっき装置ＰＤ、ＰＪに適切に搬送することができる。
　（５）水洗装置ＰＣ、ＰＨはローラ搬送部５１によって基板Ｓを搬送しつつ洗浄液吐出ノズル５３から洗浄液を吐出して水洗処理を実行しているが、単位時間当たりに洗浄液吐出ノズル５３から吐出される洗浄液の量を制御することが可能となっている。このため、水洗処理を適切に行うことができる。特に、基板Ｓをめっき装置ＰＤ、ＰＪに搬送するタイミングが変更された場合には基板Ｓが水洗装置ＰＣ、ＰＨに滞在する時間が変化するが、それに応じた洗浄液の量を基板Ｓに供給して水洗処理の適正化を図ることができる。
　なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記第１実施形態では、上記タイミングを制御するために、ローラ搬送部５１による基板Ｓの搬送速度を変更することなく搬送および搬送停止あるいは往復移動しているが、搬送速度を変更するように制御してもよい。また、搬送速度の変更に応じて単位時間当たりに洗浄液吐出ノズル５３から吐出される洗浄液の量を制御してもよい。
　また、上記第１実施形態では、めっき装置ＰＤ（ＰＪ）でのめっき処理の時間に応じてめっき装置ＰＤ（ＰＪ）の前段に位置する水洗装置ＰＣ（ＰＨ）からの基板Ｓの搬送タイミングを制御しているが、搬送タイミング制御についてはこれに限定されるものではない。例えば上記タイミング制御の代わり、あるいはこれとともに水洗装置ＰＣ（ＰＨ）の前段（めっき装置ＰＤ（ＰＪ）から見て前々段）の前処理装置ＰＢ（移送装置ＰＧ）から基板Ｓを搬送するタイミングを制御してもよい。このように搬送タイミング制御を複数の処理装置に分散させることで各処理装置において安定した基板処理を行うことができる。この場合、前処理装置ＰＢおよび前処理装置ＰＢに設けられたローラ搬送部４１がそれぞれ本発明の「前々段装置」および「第３搬送部」の一例に相当している。また、移送装置ＰＧが本発明の「前々段装置」の一例に相当するとともに、移送装置ＰＧに設けられるＹ方向搬送部７２やＸ方向搬送部７３が本発明の「第３搬送部」の一例に相当している。
　また、上記第１実施形態では、枠体６２の側壁にめっき液供給用の貫通孔６２１を設けているが、めっき液の供給経路はこれに限定されるものではなく、任意である。また、貯留空間ＲＡからの排出についても、枠体６２の側壁に貫通孔６２２や切欠６２３を設けているが、めっき液の排出経路についても、これに限定されるものではなく、任意である。例えば図１０に示すように、基板Ｓの表面Ｓ１が枠体６２の下面よりも下方に離れて位置決めした状態でアノードブロック６５を介してめっき液を貯留空間ＲＡに供給してもよい（第２実施形態）。この第２実施形態では、貯留空間ＲＡの上方からめっき液が貯留空間ＲＡに供給され、貯留空間ＲＡ内のめっき液が枠体６２の下面と被めっき領域ＳＰとの間に形成される隙間から排出される。第２実施形態では、水平面内においてめっき液が基板Ｓから等方的に排出されるため、貯留空間ＲＡ内にめっき液の滞留部分が発生し難く、めっき処理をより良好に行うことができる。また、めっき処理後の排出速度も高く、めっき装置ＰＤでの処理時間を短縮することができる。
　また、上記実施形態では、各めっき装置ＰＤ、ＰＪは水平姿勢で搬送されてきた基板Ｓをそのまま上昇させて被めっき領域ＳＰと枠体６２との間で貯留空間ＲＡ、ＲＡ１を形成しているが、図１１に示すように、基板Ｓを傾斜姿勢に変換してめっき処理を行うように構成してもよい（第３実施形態）。この第３実施形態では、同図に示すように、バックアッププレート６３１の表面６３１ａが水平面に対して数度傾斜して設けられている。また、これに対応して枠体６２、アノードブロック６５および各カソードブロック６６も同じ角度だけ傾斜して設けられている。なお、その他の構成は基本的に上記第１実施形態と同一であるため、同一構成については同一符号を付して説明を省略する。
　この第３実施形態では、図１１中の（ａ）欄に示すように、基板Ｓがローラ搬送部６１により水平姿勢で搬送されてくると、次のようにしてめっき処理が実行される。基板Ｓが枠体６２の鉛直下方に移動してきた時点で、ローラ搬送部６１による基板Ｓの搬送が停止されて位置決めされる。それに続いて、昇降機構６３２によりバックアッププレート６３１が上昇する（同図中の（ｂ）欄）。これにより、バックアッププレート６３１の表面６３３全体で基板Ｓの裏面Ｓ２が支持して基板Ｓを水平面に対して数度傾斜させながら基板Ｓを搬送ローラ６１１から持ち上げ、さらに同じく数度傾斜した状態の枠体６２の下面に当接して貯留空間ＲＡを形成する（同図中の（ｃ）欄）。それに続いて、上記第１実施形態と同様に、各カソードブロック６６を給電位置に下降させた後で、めっき液タンク６４１内のめっき液を貯留空間ＲＡに連続的に供給する。ここで、第３実施形態では、基板Ｓを傾斜させているため、同図中の（ｄ）欄に示すように、貯留空間ＲＡに供給されためっき液は被めっき領域ＳＰに沿って傾斜方向（同図の右下方向）に流れ、貯留空間ＲＡから排出される。したがって、貯留空間ＲＡ内ではめっき液の滞留が発生せず、しかもめっき液が連続的に被めっき領域ＳＰに供給されて被めっき領域ＳＰでのめっき反応が促進されるため、めっき処理をさらに良好に行うことができる。
　めっき処理が完了すると、給電部６８による給電が停止され、めっき液供給部６４によるめっき液の供給が停止されるが、供給停止後、めっき液を短時間で貯留空間ＲＡから排出することができる。したがって、めっき装置ＰＤでのタクトタイムを短縮することができる。なお、ここでは、めっき装置ＰＤに対して傾斜構造を採用しているが、めっき装置ＰＪに対して上記傾斜構造を採用してもよく、同様の作用効果が得られる。
　また、めっき処理の向上を図るためには、上記したように被めっき領域ＳＰでのめっき反応の促進が望ましく、例えば図１２に示すように貯留空間ＲＡに撹拌器９１を配置し、撹拌器駆動部９２によって撹拌器９１を作動させて被めっき領域ＳＰの近傍でめっき液を撹拌してもよい（第４実施形態）。このような撹拌器９１をめっき装置ＰＪに適用してもよいことは言うまでもない。
　また、上記実施形態では、基板Ｓをバックアッププレート６３１で下方から支持しながら枠体６２に向けて移動させて貯留空間ＲＡ、ＲＡ１を形成しているが、枠体６２を下降させて貯留空間ＲＡ、ＲＡ１を形成するように構成してもよい。この場合、搬送ローラ６１１のみで基板Ｓの裏面Ｓ２を支持してもよいが、バックアッププレート６３１の表面６３３が基板Ｓの裏面Ｓ２に当接する位置まで上昇させ、バックアッププレート６３１と搬送ローラ６１１とで基板Ｓを支持するのが好適である。また、枠体６２およびバックアッププレート６３１の両方を移動させて貯留空間ＲＡ、ＲＡ１を形成するように構成してもよい。要は枠体６２に対して基板Ｓを相対的に上昇させて枠体６２と被めっき領域ＳＰとでめっき液を貯留する貯留空間ＲＡ、ＲＡ１を形成するように構成すればよく、また、基板Ｓの下方からの支持をバックアッププレート６３１および搬送ローラ６１１の少なくとも一方で行うように構成すればよい。
　また、図１に示す基板処理システム１では、インデクサ装置１４および複数の処理装置ＰＡ～ＰＨ、ＰＪ～ＰＭを平面視で「口」字形に連結しているが、処理装置の配列構造や処理装置の数などについては任意である。例えば図１３に示すように、ローディング処理を行う搬送ロボットＰ１、基板を搬送ロボットより受け取る受取装置Ｐ２、前処理を行う前処理装置Ｐ３、水洗処理を行う水洗装置Ｐ４、めっき処理を行うめっき装置Ｐ５、水洗処理を行う水洗装置Ｐ６、めっき処理を行うめっき装置Ｐ７、水洗処理を行う水洗装置Ｐ８、乾燥処理を行う乾燥装置Ｐ９、基板の払い出しを行う払出装置Ｐ１０および払い出された基板のアンローディング処理を行う搬送ロボットＰ１１を直線状に配置してもよい。また、図１４に示すように、処理装置Ｐ１～Ｐ６を配列した処理装置列１５と、処理装置Ｐ７～Ｐ１１を配列した処理装置列１６とを積層配置するとともに、処理装置Ｐ６から処理装置Ｐ７に基板を搬送するエレベータ装置Ｐ１２を設けるように構成してもよい。このような積層構造を採用することで基板処理システム１のフットプリントを低減することができる。
　また、上記実施形態では、めっき装置ＰＤ、ＰＪでのめっき処理の時間に応じてめっき装置ＰＤ、ＰＪへの基板Ｓの搬送タイミングを制御しているが、搬送タイミングを以下のように制御してもよい。ローラ搬送部５１による基板Ｓの搬送速度を一定に保って洗浄処理を実行し、洗浄処理が完了した時点で基板Ｓをめっき装置ＰＤ、ＰＪに搬送することができない場合に、水洗装置で待機して搬送タイミングを調整してもよい。また、水洗装置での基板Ｓの搬送速度をめっき処理の時間に応じて変更して基板Ｓを停止させることなくめっき装置ＰＤ、ＰＪに搬送する一方で、その速度変更に対応して単位時間当たりの洗浄液の供給量を変更してもよい。例えば、めっき処理に比較的長い時間がかかる場合には、水洗装置において基板Ｓをゆっくりと搬送しながら単位時間当たりの洗浄液の供給量を絞ってもよい。
　以上、特定の実施例に沿って発明を説明したが、この説明は限定的な意味で解釈されることを意図したものではない。発明の説明を参照すれば、本発明のその他の実施形態と同様に、開示された実施形態の様々な変形例が、この技術に精通した者に明らかとなるであろう。故に、添付の特許請求の範囲は、発明の真の範囲を逸脱しない範囲内で、当該変形例または実施形態を含むものと考えられる。
　本発明は、基板の表面にめっき処理を施す基板処理システムおよび基板処理方法全般に適用することができる。
　６１…ローラ搬送部（搬送部）
　６２…枠体
　６３…昇降部
　６４，６４Ａ…めっき液供給部
　６８…給電部
　６２２…スリット（排出部）
　６２３…切欠（排出部）
　６３１…バックアッププレート（昇降部材）
　６３２…昇降機構
　６５１…アノード電極
　６６１…カソード電極
　ＲＡ，ＲＡ１…貯留空間
　Ｓ…基板
　Ｓ１…基板の表面（一方主面）
　Ｓ２…基板の裏面（他方主面）
　ＳＰ…被めっき領域

Claims (8)

  1. 　基板の一方主面の被めっき領域にめっき処理を施すめっき装置であって、
    　前記被めっき領域を取り囲む形状を有する枠体と、
    　前記被めっき領域を上方に向けた状態で前記基板の他方主面を支持しながら前記基板を前記枠体の下方位置に搬送する搬送部と、
    　前記枠体に対して前記基板を相対的に上昇させて前記枠体と前記被めっき領域とでめっき液を貯留する貯留空間を形成する昇降部と、
    　前記貯留空間にめっき液を供給する供給部と、
    　前記被めっき領域に電気的に接続されるカソード電極と、
    　前記貯留空間に貯留されためっき液に接液するアノード電極とを備え、
    　前記昇降部および前記搬送部のうち少なくとも一方で前記基板の他方主面を下方から支持しながら前記カソード電極と前記アノード電極との間に電流を流して前記めっき処理を行うことを特徴とするめっき装置。
  2. 　請求項１に記載のめっき装置であって、
    　前記昇降部は、上下方向に昇降可能な昇降部材と、前記昇降部材を昇降させる昇降機構とを有し、前記昇降機構により前記昇降部材を前記搬送部より上方に移動させることで前記基板の他方主面を下方から支持しながら前記基板を前記搬送部よりも上方に移動させて前記貯留空間を形成するめっき装置。
  3. 　請求項１または２に記載のめっき装置であって、
    　前記昇降部は前記枠体を下降させて前記貯留空間を形成するめっき装置。
  4. 　請求項１ないし３のいずれか一項に記載のめっき装置であって、
    　前記枠体は前記貯留空間に貯留されためっき液を前記貯留空間から排出させる排出部を有するめっき装置。
  5. 　請求項１ないし３のいずれか一項に記載のめっき装置であって、
    　前記昇降部は、前記枠体に対して前記基板を相対的に上昇させて前記貯留空間を形成するとともに前記枠体と前記基板の一方主面との間に隙間を形成して前記貯留空間に貯留されためっき液を前記貯留空間から排出させるめっき装置。
  6. 　請求項５に記載のめっき装置であって、
    　前記めっき処理中において、前記昇降部および前記搬送部のうち少なくとも一方で前記基板を傾斜姿勢で支持するめっき装置。
  7. 　請求項４ないし６のいずれか一項に記載のめっき装置であって、
    　前記供給部は前記貯留空間からのめっき液の排出と並行してめっき液を前記貯留空間に供給するめっき装置。
  8. 　基板の一方主面の被めっき領域にめっき処理を施すめっき方法であって、
    　前記被めっき領域を取り囲む形状を有する枠体の下方位置に、前記被めっき領域を上方に向けた状態で前記基板の他方主面を下方から支持しながら前記基板を搬送部によって搬送する工程と、
    　前記枠体に対して前記基板を昇降部によって相対的に上昇させて前記昇降部および前記搬送部のうち少なくとも一方で前記基板の他方主面を下方から支持しながら前記枠体と前記被めっき領域とでめっき液を貯留する貯留空間を形成する工程と、
    　前記貯留空間に貯留されためっき液と前記被めっき領域との間に電流を流して前記めっき処理を行う工程と、
    を備えることを特徴とするめっき方法。
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