WO2017122255A1 - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents

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WO2017122255A1
WO2017122255A1 PCT/JP2016/005199 JP2016005199W WO2017122255A1 WO 2017122255 A1 WO2017122255 A1 WO 2017122255A1 JP 2016005199 W JP2016005199 W JP 2016005199W WO 2017122255 A1 WO2017122255 A1 WO 2017122255A1
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WO
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layer
light emitting
semiconductor layer
substrate
sio
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PCT/JP2016/005199
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English (en)
French (fr)
Inventor
順也 石崎
淳 池田
謙一 鈴木
翔吾 古屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting element and a manufacturing method thereof.
  • Products such as chip-on-board (COB) are excellent in heat dissipation from LED elements, and are LED chip mounting methods that are employed in applications such as lighting.
  • COB chip-on-board
  • flip mounting in which a chip is directly bonded to a board is essential.
  • an AlGaInP-based material is used for the light emitting layer. Since the AlGaInP-based material has no bulk crystal and the LED portion is formed by an epitaxial method, a material different from that of AlGaInP is selected for the starting substrate. In many cases, GaAs or Ge is selected as the starting substrate, and these substrates have a property of absorbing light with respect to visible light. Therefore, when a flip chip is manufactured, the starting substrate is removed. However, since the epitaxial layer forming the light emitting layer is an extremely thin film, it cannot stand by itself after the starting substrate is removed.
  • the window layer and supporting substrate of the material / configuration having a function as a supporting substrate having a sufficient thickness to be self-supporting, having a function as a window layer that is substantially transparent to the emission wavelength in the light emitting layer, It is necessary to replace the starting substrate.
  • GaP, GaAsP, sapphire or the like is selected as a replacement material having the function of the window layer / supporting substrate. Whichever material is selected, since it is a different material from the AlGaInP-based material, mechanical properties such as lattice constant, thermal expansion coefficient and Young's modulus are different from those of the AlGaInP-based material.
  • Patent Document 1 discloses a method of forming GaP as a window layer and supporting substrate by crystal growth and direct bonding.
  • the size of the light emitting element wafer is determined by the size of the GaP substrate to be directly bonded, and it is difficult to increase the diameter of the wafer. For this reason, this technique is suitable for a small light-emitting element but not for a large light-emitting element.
  • Patent Document 2 discloses a method of forming GaP by crystal growth as a window layer and supporting substrate. According to this technique, since the GaP substrate is not bonded, there is no restriction on the size of the bonded substrate. However, large lattice irregularities exist in the GaP and AlGaInP light emitting layer portions, and warpage occurs. When the wafer diameter is increased, the warpage increases, and thus there is a problem that the device process becomes difficult when a large wafer is used. For this reason, this technique is suitable for a small light-emitting element but not for a large light-emitting element.
  • Patent Document 3 discloses a technique for joining a light emitting layer having a rough surface with a transparent adhesive layer. With this technique, bonding itself is possible, but the adhesiveness between the adhesive, the light emitting layer, and the wafer to be bonded is poor, and the occurrence of defective bonding cannot be avoided.
  • a light emitting element having a step of removing a substrate after bonding a light emitting element wafer, which is a material that absorbs light emitted from the light emitting element, to the window layer / supporting substrate (transparent substrate), and its manufacture
  • the conventional method is liable to cause poor bonding and it is difficult to increase the yield.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a light-emitting element in which peeling due to poor bonding that occurs during bonding is reduced, and a method for manufacturing the same.
  • a window layer / support substrate, a second conductivity type second semiconductor layer, an active layer, and a first conductivity type provided on the window layer / support substrate In order to achieve the above object, according to the present invention, a window layer / support substrate, a second conductivity type second semiconductor layer, an active layer, and a first conductivity type provided on the window layer / support substrate.
  • a light emitting device having a light emitting part including the first semiconductor layer in this order, At least a removed portion from which the first semiconductor layer and the active layer have been removed, a non-removed portion other than the removed portion, a first ohmic electrode provided on the first semiconductor layer of the non-removed portion, and the removal
  • a second ohmic electrode provided on a part of the second semiconductor layer or on a semiconductor layer of a second conductivity type electrically connected to the second semiconductor layer Provided is a light emitting device characterized in that the window layer / supporting substrate and the light emitting portion are bonded via an SiO 2 film
  • the window layer / supporting substrate and the light emitting portion are bonded via the SiO 2 film, a light emitting element with reduced peeling due to poor bonding is obtained.
  • the SiO 2 film has a first SiO 2 film provided on the light emitting side, and a second SiO 2 film provided on the window layer and the support substrate side, the first It is preferable that the SiO 2 film and the second SiO 2 film are directly bonded.
  • the SiO 2 film has a first SiO 2 film provided on the light emitting side, and a second SiO 2 film provided on the window layer and the support substrate side, the first It is preferable that one SiO 2 film and the second SiO 2 film are bonded via an adhesive.
  • a step of forming a light emitting part by sequential epitaxial growth of at least a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer using a lattice-matching material with the substrate on the substrate; Bonding the light emitting portion to the light emitting portion, removing the substrate, forming a first ohmic electrode on the surface of the first semiconductor layer, removing at least the first semiconductor layer and the active layer Light emission comprising a removal step of forming a removal portion and a step of forming a second ohmic electrode on the second semiconductor layer of the removal portion or a second conductivity type semiconductor layer electrically connected to the second semiconductor layer
  • the bonding step there is provided a method for manufacturing a light emitting element, wherein the window layer / support substrate is bonded to the light emitting portion via a SiO 2 film.
  • the window layer / support substrate is bonded to the light emitting portion via the SiO 2 film, a light emitting element in which peeling due to poor bonding is reduced can be manufactured.
  • the bonding step it is preferable to directly bond the first SiO 2 film formed on the light emitting portion and the second SiO 2 film formed on the window layer / support substrate.
  • the joining step the first SiO 2 film formed on the light emitting portion and the second SiO 2 film formed on the window layer / support substrate are joined via an adhesive. Is preferred.
  • the light-emitting element and the method for manufacturing the light-emitting element of the present invention can realize a light-emitting element with reduced peeling due to poor bonding.
  • a light emitting device having a step of removing a substrate after bonding the light emitting device wafer, which is a material that absorbs light emitted from the light emitting device, to the window layer / supporting substrate, It is difficult to cause a bonding failure and it is difficult to increase the yield.
  • the present inventors have intensively studied to solve such problems. As a result, it has been conceived that if the window layer / supporting substrate and the light emitting portion are bonded via the SiO 2 film, a light emitting element with reduced peeling due to poor bonding can be obtained. And the best form for implementing these was scrutinized and the present invention was completed.
  • FIG. 1 shows a first embodiment of a light emitting device of the present invention.
  • the light emitting device 100 according to the first embodiment of the present invention is provided on the window layer / support substrate 110 and the window layer / support substrate 110, and the second conductivity type second semiconductor layer 105.
  • a light emitting unit 108 including the active layer 104 and the first conductive type first semiconductor layer 103 in this order. Further, it includes a removal portion 180 from which at least the first semiconductor layer 103 and the active layer 104 have been removed, and a non-removal portion 181 other than the removal portion 180.
  • the first ohmic electrode 150 provided on the first semiconductor layer 103 of the non-removal portion 181 and the second semiconductor layer 105 such as the buffer layer 106 and the current propagation layer 107 on the second semiconductor layer 105 of the removal portion 180 or the buffer layer 106.
  • a second ohmic electrode 151 provided on the second conductivity type semiconductor layer electrically connected to the first conductive layer.
  • the window layer / supporting substrate 110 and the light emitting portion 108 are bonded via the SiO 2 film 122.
  • the window layer / support substrate 110 may be a transparent substrate made of, for example, GaP, GaAsP, sapphire, or the like.
  • the SiO 2 film 122 includes a first SiO 2 film 120 provided on the light emitting unit 108 side and a second SiO 2 film 121 provided on the window layer / supporting substrate 110 side.
  • the two films 120 and the second SiO 2 film 121 are directly joined. That is, it is directly joined without using an adhesive. With such a structure, a light-emitting element in which peeling due to poor bonding is more reliably reduced is obtained.
  • the first and second SiO 2 films 120 and 121 can have a thickness of 0.05 to 1.0 ⁇ m, for example.
  • the current propagation layer 107 and the buffer layer 106 may be provided between the first SiO 2 film 120 and the light emitting unit 108.
  • the current propagation layer 107 is made of, for example, Al z Ga 1-z As (0 ⁇ z ⁇ 1) or GaAs w P 1-w (0 ⁇ w ⁇ 1) and has a thickness of 0.5 to 5.0 ⁇ m. can do.
  • the buffer layer 106 can be made of, for example, InGaP or AlInP and has a thickness of 0.1 to 1.0 ⁇ m.
  • the light emitting unit 108 is made of, for example, (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1) or Al z Ga 1-z As (0 ⁇ z ⁇ 1).
  • the second conductivity type second semiconductor layer 105 having a thickness of 0.5 to 1.0 ⁇ m, the active layer 104 having a thickness of 0.1 to 1.0 ⁇ m, and the first conductivity type having a thickness of 0.5 to 1.0 ⁇ m.
  • the first semiconductor layer 103 can be included in this order.
  • the active layer 104 has (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (0 ⁇ x ⁇ 1, 0.4 ⁇ y ⁇ 0.6) or Al z Ga 1-z As ( 0 ⁇ z ⁇ 0.45).
  • AlGaInP When it is applied to visible light illumination, it is preferable to select AlGaInP, and when it is applied to infrared illumination, it is preferable to select AlGaAs or InGaAs.
  • the design of the active layer 104 is not limited to the above materials because the wavelength can be adjusted by using a superlattice or the like other than the wavelength resulting from the material composition.
  • AlGaInP or AlGaAs is selected for the first semiconductor layer 103 and the second semiconductor layer 105, and the selection is not necessarily the same material system as that of the active layer 104.
  • the present invention is not limited to this, and at least the first semiconductor layer 103 is removed. It is sufficient that the layer 103 and the active layer 104 are removed.
  • a substrate 101 is prepared as a starting substrate.
  • the substrate 101 it is preferable to use a substrate 101 whose crystal axis is inclined in the [110] direction from the [001] direction.
  • the substrate 101 GaAs or Ge can be preferably used. If the substrate 101 is selected from the above materials, the material of the active layer 104 to be described later can be epitaxially grown in a lattice-matched system, so that the quality of the active layer 104 can be easily improved, and the luminance can be increased and the life characteristics can be improved. .
  • a selective etching layer 102 for removing the substrate 101 may be formed on the substrate 101.
  • the selective etching layer 102 has a layer structure of two or more layers, and preferably includes at least a first selective etching layer 102A in contact with the substrate 101 and a second selective etching layer 102B in contact with a first semiconductor layer 103 described later.
  • the first selective etching layer 102A and the second selective etching layer 102B may be made of different materials or compositions.
  • a step of sequentially forming a first conductive type first semiconductor layer 103, an active layer 104, and a second conductive type second semiconductor layer 105 with a substrate 101 and a lattice matching material by epitaxial growth is performed.
  • An epitaxial substrate 109 in which 107 is epitaxially grown in this order can be manufactured.
  • the current propagation layer 107 AlGaAs, GaAsP, or GaP can be suitably used.
  • the buffer layer 106 is most preferably formed of InGaP or AlInP. Since there is a lattice mismatch between GaAs x P 1-x (x ⁇ 1) and the AlGaInP-based material or AlGaAs-based material, GaAs x P 1-x (x ⁇ 1) has high-density strain and Threading dislocation enters. The threading dislocation density can be adjusted by the composition x.
  • the first SiO 2 film 120 is deposited on the current propagation layer 107 to produce the first bonded substrate 130.
  • the first SiO 2 film 120 can be formed by optical CVD, sputtering, or PECVD.
  • a second SiO 2 film 121 can be deposited on the window layer / supporting substrate 110 which is a transparent substrate, so that the second bonding substrate 131 can be manufactured.
  • the second SiO 2 film 121 can be formed by optical CVD, sputtering, or PECVD.
  • the window layer / support substrate 110 can be a transparent substrate made of, for example, GaP, GaAsP, sapphire, or the like.
  • first bonded substrate 130 and the second bonded substrate 131 thus manufactured are washed with an alkaline aqueous solution such as NaOH. And it is preferable to perform the below-mentioned joining process after this washing
  • a bonding step of bonding the window layer / supporting substrate 110 to the light emitting unit 108 is performed.
  • the window layer / support substrate 110 is bonded to the light emitting unit 108 via the SiO 2 film 122.
  • the bonding step it is preferable to directly bond the first SiO 2 film 120 formed on the light emitting unit 108 and the second SiO 2 film 121 formed on the window layer / supporting substrate 110. In this way, it is possible to manufacture a light emitting element in which peeling due to poor bonding is more reliably reduced.
  • the first bonding substrate 130 and the second bonding substrate 131 are placed so that the first SiO 2 film 120 and the second SiO 2 film 121 face each other and do not come into contact with each other. Create a vacuum atmosphere. After making the vacuum atmosphere, the first SiO 2 film 120 and the second SiO 2 film 121 are brought into contact with each other, and a pressure of 5000 N and heat of 400 ° C. or more are applied to the first bonding substrate 130 and the second bonding substrate 131.
  • the bonding substrate 140 can be formed by directly bonding and bonding.
  • a step of removing the substrate 101 from the bonded substrate 140 is performed.
  • the substrate 101 can be removed by etching.
  • etching can be performed with a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide water.
  • etching using a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide water can be selectively stopped.
  • the first selective etching layer 102A can be removed.
  • the second selective etching layer 102B can also be removed.
  • hydrochloric acid or the like can be used for removing these.
  • the first ohmic electrode 150 includes at least one material selected from Au, Ag, Al, Ni, Pd, Ge, Si, and Sn, and has a thickness of 100 nm or more. It can have.
  • the first conductivity type is P-type
  • the first ohmic electrode 150 can include at least one material selected from Au, Be, Mg, and Zn and have a thickness of 100 nm or more.
  • a removal step is performed in which at least the first semiconductor layer 103 and the active layer 104 are removed to form a removal portion 180.
  • a pattern in which the first region 160 of the first semiconductor layer 103, the active layer 104, the second semiconductor layer 105, and the buffer layer 106 is cut out is formed by etching using a dry method or a wet method.
  • the removal part 180 and the non-removal part 181 other than this removal part 180 can be formed.
  • FIG. 2G illustrates an example in which the buffer layer 106 is cut out, but at least the first semiconductor layer 103 and the active layer 104 may be removed, and the second semiconductor layer 105 or the buffer layer 106 is exposed. Even if the etching is stopped, the same function is obtained.
  • the first region 160 and a region other than the first region 160 may be covered with a dielectric film 170.
  • a dielectric film 170 SiO 2 , SiN x, or the like can be selected.
  • a part of the first region 160 can be etched to form the second region 161 exposing the current propagation layer 107.
  • the second conductivity type semiconductor electrically connected to the second semiconductor layer 105 or the buffer layer 106 and the second semiconductor layer 105 such as the current propagation layer 107 of the removal unit 180.
  • a step of forming a second ohmic electrode 151 on the layer is performed.
  • the second ohmic electrode 151 can be formed in a part of the second region 161 in the removal unit 180.
  • FIG. 2I shows a case where the second ohmic electrode 151 is formed on the current propagation layer 107.
  • the second ohmic electrode 151 includes at least one material selected from Au, Ag, Al, Ni, Pd, Ge, Si, and Sn and has a thickness of 100 nm or more. It can be.
  • the second conductivity type is P-type
  • the second ohmic electrode 151 can include at least one material selected from Au, Be, Mg, and Zn and have a thickness of 100 nm or more.
  • the window layer / support substrate 110 is bonded to the light emitting unit 108 via the SiO 2 film 122, a light emitting element in which peeling due to bonding failure is reduced can be manufactured.
  • FIG. 3 shows a second embodiment of the light emitting device of the present invention.
  • the light emitting device 200 according to the second embodiment of the present invention is provided on the window layer / support substrate 210 and the window layer / support substrate 210, and the second conductivity type second semiconductor layer 205.
  • a light emitting unit 208 including the active layer 204 and the first conductive type first semiconductor layer 203 in this order.
  • a removal unit 280 from which at least the first semiconductor layer 203 and the active layer 204 have been removed and a non-removal unit 281 other than the removal unit 280 are provided.
  • the first ohmic electrode 250 provided on the first semiconductor layer 203 of the non-removal part 281 and the second semiconductor layer 205 such as the buffer layer 206 and the current propagation layer 207 on the second semiconductor layer 205 of the removal part 280 or the buffer layer 206.
  • a second ohmic electrode 251 provided on the second conductivity type semiconductor layer electrically connected to the first conductive layer.
  • the window layer / supporting substrate 210 and the light emitting portion 208 are joined via the SiO 2 film 222.
  • the window layer / support substrate 210 may be a transparent substrate made of, for example, GaP, GaAsP, sapphire, or the like.
  • the SiO 2 film 222 includes a first SiO 2 film 220 provided on the light emitting unit 208 side, and a second SiO 2 film 221 provided on the window layer / supporting substrate 210 side.
  • the two films 220 and the second SiO 2 film 221 are directly joined. That is, it is directly joined without using an adhesive. With such a structure, a light-emitting element in which peeling due to poor bonding is more reliably reduced is obtained.
  • the first and second SiO 2 films 220 and 221 can have a thickness of 0.05 to 1.0 ⁇ m, for example.
  • a first transparent conductive film layer 211 Between the first SiO 2 film 220 and the light emitting portion 208, a first transparent conductive film layer 211, a contact layer 212 formed on a part of the first transparent conductive film layer 211, a current propagation layer 207, And the buffer layer 206.
  • the first transparent conductive film layer 211 can be made of an oxide containing at least one of Mg, Ni, Cu, Ga, In, and Sn, for example.
  • the contact layer 212 is, for example, (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1) or Al z Ga 1-z As (0 ⁇ z ⁇ 1) or The thickness may be 0.005 to 0.1 ⁇ m made of GaAs w P 1-w (0 ⁇ w ⁇ 1).
  • the current propagation layer 207 is made of, for example, Al z Ga 1-z As (0 ⁇ z ⁇ 1) or GaAs w P 1-w (0 ⁇ w ⁇ 1) and has a thickness of 0.5 to 5.0 ⁇ m. can do.
  • the buffer layer 206 can be made of, for example, InGaP or AlInP and has a thickness of 0.1 to 1.0 ⁇ m.
  • the light emitting unit 208 is made of, for example, (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1) or Al z Ga 1-z As (0 ⁇ z ⁇ 1).
  • the second conductive type second semiconductor layer 205 having a thickness of 0.5 to 1.0 ⁇ m, the active layer 204 having a thickness of 0.1 to 1.0 ⁇ m, and the first conductive type having a thickness of 0.5 to 1.0 ⁇ m.
  • the first semiconductor layer 203 may be included in this order.
  • the active layer 204 has (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (0 ⁇ x ⁇ 1, 0.4 ⁇ y ⁇ 0.6) or Al z Ga 1-z As (0 ⁇ z ⁇ 0.45).
  • AlGaInP When it is applied to visible light illumination, it is preferable to select AlGaInP, and when it is applied to infrared illumination, it is preferable to select AlGaAs or InGaAs.
  • the design of the active layer 204 is not limited to the above materials because the wavelength can be adjusted to other than the wavelength resulting from the material composition by using a superlattice or the like.
  • AlGaInP or AlGaAs is selected for the first semiconductor layer 203 and the second semiconductor layer 205, and the selection does not necessarily have to be the same material system as that of the active layer 204.
  • the present invention is not limited to this, and at least the first semiconductor layer 203 is removed. It is sufficient that the layer 203 and the active layer 204 are removed.
  • a substrate 201 is prepared as a starting substrate.
  • the substrate 201 it is preferable to use a substrate 201 whose crystal axis is inclined in the [110] direction from the [001] direction.
  • the substrate 201 GaAs or Ge can be preferably used. If the substrate 201 is selected from the above materials, the material of the active layer 204 to be described later can be epitaxially grown in a lattice-matched system, so that the quality of the active layer 204 can be easily improved, and the luminance and life characteristics can be improved. .
  • a selective etching layer 202 for removing the substrate 201 may be formed on the substrate 201.
  • the selective etching layer 202 has a layer structure of two or more layers, and preferably includes at least a first selective etching layer 202A in contact with the substrate 201 and a second selective etching layer 202B in contact with a first semiconductor layer 203 described later.
  • the first selective etching layer 202A and the second selective etching layer 202B may be made of different materials or compositions.
  • a step of sequentially forming a first conductive type first semiconductor layer 203, an active layer 204, and a second conductive type second semiconductor layer 205 using a lattice matching material with the substrate 201 by epitaxial growth is performed.
  • the lattice constant is substantially the same as that of the substrate 201 on the substrate 201 (on the selective etching layer 202 when the selective etching layer 202 is provided) by, for example, the MOVPE method, the MBE method, or the CBE method.
  • the epitaxial substrate 209 is produced by epitaxially growing the light emitting portion 208, the buffer layer 206, and the current propagation layer 207, which are composed of the first conductivity type first semiconductor layer 203, the active layer 204, the second conductivity type second semiconductor layer 205, in this order. can do.
  • the current propagation layer 207 AlGaAs, GaAsP, or GaP can be suitably used.
  • the buffer layer 206 is most preferably formed of InGaP or AlInP. Since there is a lattice mismatch between GaAs x P 1-x (x ⁇ 1) and the AlGaInP-based material or AlGaAs-based material, GaAs x P 1-x (x ⁇ 1) has high-density strain and Threading dislocation enters. The threading dislocation density can be adjusted by the composition x.
  • a contact layer 212 is formed on a part of the current propagation layer 207, and the first transparent conductive film layer 211 is formed so as to cover the contact layer 212 and the current propagation layer 207. Can be formed.
  • the first transparent conductive film layer 211 can be selected from oxides containing any one of In, Sn, Zn, Ga, and Cu, and can be formed by a sputtering method or the like.
  • the film thickness of the first transparent conductive film layer 211 may be any film thickness that is greater than or equal to the contact layer 212 because a film thickness that provides flatness required for bonding may be selected in the bonding process described later. But you can choose.
  • the first bonding substrate 230 can be formed by depositing the first SiO 2 film 220 on the first transparent conductive film layer 211.
  • the first SiO 2 film 220 can be formed by optical CVD, sputtering, or PECVD.
  • a second SiO 2 film 221 can be deposited on the window layer / support substrate 210 that is a transparent substrate to form a second bonding substrate 231.
  • the second SiO 2 film 221 can be formed by optical CVD, sputtering, or PECVD.
  • the window layer / support substrate 210 may be a transparent substrate made of, for example, GaP, GaAsP, sapphire, or the like.
  • first bonded substrate 230 and the second bonded substrate 231 thus manufactured are washed with an alkaline aqueous solution such as NaOH. And it is preferable to perform the below-mentioned joining process after this washing
  • a bonding step of bonding the window layer / supporting substrate 210 to the light emitting unit 208 is performed.
  • the window layer / support substrate 210 is bonded to the light emitting unit 208 via the SiO 2 film 222.
  • the bonding step it is preferable to directly bond the first SiO 2 film 220 formed on the light emitting unit 208 and the second SiO 2 film 221 formed on the window layer / supporting substrate 210. In this way, it is possible to manufacture a light emitting element in which peeling due to poor bonding is more reliably reduced.
  • the first bonding substrate 230 and the second bonding substrate 231 are placed so that the first SiO 2 film 220 and the second SiO 2 film 221 face each other and do not come into contact with each other. Create a vacuum atmosphere. After making the vacuum atmosphere, the first SiO 2 film 220 and the second SiO 2 film 221 are brought into contact with each other, and a pressure of 5000 N and heat of 400 ° C. or more are applied to the first bonding substrate 230 and the second bonding substrate 231.
  • the bonding substrate 240 can be formed by directly bonding and bonding.
  • a step of removing the substrate 201 from the bonded substrate 240 is performed.
  • the substrate 201 can be removed by etching.
  • etching can be performed with a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide water.
  • etching with a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide water can be selectively stopped.
  • the first selective etching layer 202A can be removed.
  • the second selective etching layer 202B can also be removed.
  • hydrochloric acid or the like can be used for removing these.
  • the first ohmic electrode 250 includes at least one material selected from Au, Ag, Al, Ni, Pd, Ge, Si, and Sn, and has a thickness of 200 nm or more. It can have.
  • the first conductivity type is P-type
  • the first ohmic electrode 250 can include at least one material selected from Au, Be, Mg, and Zn and have a thickness of 200 nm or more.
  • a removal step of removing at least the first semiconductor layer 203 and the active layer 204 to form a removal portion 280 is performed.
  • a pattern in which the first region 260 of the first semiconductor layer 203, the active layer 204, the second semiconductor layer 205, and the buffer layer 206 is notched is formed by etching by a dry method or a wet method.
  • the removal part 280 and the non-removal part 281 other than the removal part 280 can be formed.
  • FIG. 4G illustrates an example in which the buffer layer 206 is cut out, at least the first semiconductor layer 203 and the active layer 204 may be removed, and the second semiconductor layer 205 or the buffer layer 206 is exposed. Even if the etching is stopped, the same function is obtained.
  • the first region 260 and a region other than the first region 260 may be covered with a dielectric film 270.
  • a dielectric film 270 SiO 2 , SiN x or the like can be selected. After covering the dielectric film 270, a part of the first region 260 is etched to form the second region 261 in which the current propagation layer 207 is exposed.
  • the second conductivity type semiconductor electrically connected to the second semiconductor layer 205 or the second semiconductor layer 205 such as the buffer layer 206 and the current propagation layer 207 of the removal portion 280.
  • a step of forming a second ohmic electrode 251 on the layer is performed.
  • the second ohmic electrode 251 is formed in a part of the second region 261 in the removal unit 280.
  • FIG. 4I shows a case where the second ohmic electrode 251 is formed on the current propagation layer 207.
  • the second ohmic electrode 251 includes at least one material selected from Au, Ag, Al, Ni, Pd, Ge, Si, and Sn and has a thickness of 100 nm or more. It can be.
  • the second ohmic electrode 251 can include at least one material selected from Au, Be, Mg, and Zn and have a thickness of 100 nm or more.
  • the window layer / support substrate 210 is bonded to the light emitting portion 208 via the SiO 2 film 222, a light emitting element in which peeling due to poor bonding is reduced can be manufactured.
  • FIG. 5 shows a third embodiment of the light emitting device of the present invention.
  • the light emitting device 300 according to the third embodiment of the present invention is provided on the window layer / support substrate 310, the window layer / support substrate 310, and the second conductivity type second semiconductor layer 305.
  • a removal unit 380 from which at least the first semiconductor layer 303 and the active layer 304 have been removed and a non-removal unit 381 other than the removal unit 380 are provided.
  • the first ohmic electrode 350 provided on the first semiconductor layer 303 of the non-removal portion 381 and the second semiconductor layer 305 such as the second semiconductor layer 305 of the removal portion 380 or the buffer layer 306 and the current propagation layer 307.
  • a second ohmic electrode 351 provided on the second conductivity type semiconductor layer electrically connected to the first and second semiconductor layers.
  • the window layer / supporting substrate 310 and the light emitting portion 308 are bonded through the SiO 2 film 322.
  • the window layer / support substrate 310 may be a transparent substrate made of, for example, GaP, GaAsP, sapphire, or the like.
  • the SiO 2 film 322 includes a first SiO 2 film 320 provided on the light emitting unit 308 side and a second SiO 2 film 321 provided on the window layer / supporting substrate 310 side, and the first SiO 2 film 322 is provided.
  • the two films 320 and the second SiO 2 film 321 are bonded via an adhesive 325. With such a structure, a light-emitting element in which peeling due to poor bonding is more reliably reduced is obtained.
  • an adhesive made of BCB (benzocyclobutene) or epoxy can be used as the adhesive 325.
  • the first and second SiO 2 films 320 and 321 can have a thickness of 0.05 to 1.0 ⁇ m, for example.
  • a current propagation layer 307 and a buffer layer 306 may be provided between the first SiO 2 film 320 and the light emitting unit 308.
  • the current propagation layer 307 is made of, for example, Al z Ga 1-z As (0 ⁇ z ⁇ 1) or GaAs w P 1-w (0 ⁇ w ⁇ 1) and has a thickness of 0.5 to 5.0 ⁇ m. can do.
  • the buffer layer 306 can be made of, for example, InGaP or AlInP and has a thickness of 0.1 to 1.0 ⁇ m.
  • the light emitting unit 308 is made of, for example, (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1) or Al z Ga 1-z As (0 ⁇ z ⁇ 1).
  • the second conductivity type second semiconductor layer 305 having a thickness of 0.5 to 1.0 ⁇ m, the active layer 304 having a thickness of 0.1 to 1.0 ⁇ m, and the first conductivity type having a thickness of 0.5 to 1.0 ⁇ m.
  • the first semiconductor layer 303 may be included in this order.
  • the active layer 304 has (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (0 ⁇ x ⁇ 1, 0.4 ⁇ y ⁇ 0.6) or Al z Ga 1-z As (depending on the emission wavelength. 0 ⁇ z ⁇ 0.45).
  • AlGaInP When it is applied to visible light illumination, it is preferable to select AlGaInP, and when it is applied to infrared illumination, it is preferable to select AlGaAs or InGaAs.
  • the design of the active layer 304 is not limited to the above materials because the wavelength can be adjusted other than the wavelength resulting from the material composition by using a superlattice or the like.
  • AlGaInP or AlGaAs is selected for the first semiconductor layer 303 and the second semiconductor layer 305, and the selection does not necessarily have to be the same material system as that of the active layer 304.
  • the present invention is not limited to this, and at least the first semiconductor layer 303 is removed. It is sufficient that the layer 303 and the active layer 304 are removed.
  • a substrate 301 is prepared as a starting substrate.
  • the substrate 301 it is preferable to use a substrate 301 whose crystal axis is inclined in the [110] direction from the [001] direction.
  • the substrate 301 GaAs or Ge can be preferably used. If the substrate 301 is selected from the above materials, the material of the active layer 304 to be described later can be epitaxially grown in a lattice matching system, so that the quality of the active layer 304 can be easily improved, and the luminance can be increased and the life characteristics can be improved. .
  • a selective etching layer 302 for removing the substrate 301 may be formed on the substrate 301.
  • the selective etching layer 302 has a layer structure of two or more layers, and preferably includes at least a first selective etching layer 302A in contact with the substrate 301 and a second selective etching layer 302B in contact with a first semiconductor layer 303 described later.
  • the first selective etching layer 302A and the second selective etching layer 302B may be made of different materials or compositions.
  • a process of forming the light emitting portion 308 by epitaxial growth of the first conductive type first semiconductor layer 303, the active layer 304, and the second conductive type second semiconductor layer 305 using a lattice matching material with the substrate 301 is performed. .
  • the lattice constant is substantially the same as that of the substrate 301 by, for example, the MOVPE method, the MBE method, or the CBE method on the substrate 301 (on the selective etching layer 302 when the selective etching layer 302 is provided).
  • the epitaxial substrate 309 is produced by epitaxially growing the light emitting portion 308, the buffer layer 306, and the current propagation layer 307 including the first conductivity type first semiconductor layer 303, the active layer 304, and the second conductivity type second semiconductor layer 305. can do.
  • the current propagation layer 307 AlGaAs, GaAsP, or GaP can be preferably used.
  • the buffer layer 306 is most preferably formed of InGaP or AlInP. Since there is a lattice mismatch between GaAs x P 1-x (x ⁇ 1) and the AlGaInP-based material or AlGaAs-based material, GaAs x P 1-x (x ⁇ 1) has high-density strain and Threading dislocation enters. The threading dislocation density can be adjusted by the composition x.
  • a first SiO 2 film 320 is deposited on the current propagation layer 307, and an adhesive 325 (transparent adhesive layer) is formed on the first SiO 2 film 320.
  • an adhesive 325 transparent adhesive layer
  • the first SiO 2 film 320 can be formed by optical CVD, sputtering, or PECVD.
  • the adhesive 325 can be selected from BCB (benzocyclobutene) or epoxy. It is preferable to select a material that can be formed by a dipping method or a spin coating method.
  • volatilize the solvent by holding the first bonding substrate 330 on the hot plate in the range of 80 to 110 ° C. for 30 seconds or more. Since the solvent only needs to be volatilized, any of the above-mentioned conditions can be selected. However, it is preferable to select a holding time of 90 ° C. or more and 60 seconds or more.
  • the second SiO 2 film 321 can be deposited on the window layer / support substrate 310 which is a transparent substrate, and the second bonding substrate 331 can be manufactured.
  • the second SiO 2 film 321 can be formed by optical CVD, sputtering, or PECVD.
  • the window layer / support substrate 310 can be a transparent substrate made of, for example, GaP, GaAsP, sapphire, or the like.
  • FIGS. 6B and 6C the example in which the adhesive 325 is provided only on the first bonding substrate 330 is disclosed, but the same effect can be obtained even if the adhesive 325 is provided on the second bonding substrate 331. Needless to say.
  • a bonding step of bonding the window layer / support substrate 310 to the light emitting unit 308 is performed.
  • the window layer / support substrate 310 is bonded to the light emitting unit 308 through the SiO 2 film 322.
  • the first SiO 2 film 320 formed on the light emitting portion 308 and the second SiO 2 film 321 formed on the window layer / supporting substrate 310 are bonded via an adhesive 325. In this way, it is possible to manufacture a light emitting element in which peeling due to poor bonding is more reliably reduced.
  • the first bonding substrate 330 and the second bonding substrate 331 are placed so that the adhesive 325 and the second SiO 2 film 321 face each other and do not come into contact with each other, and a vacuum atmosphere of 30 Pa or less is obtained. .
  • the adhesive 325 and the second SiO 2 film 321 are brought into contact with each other, and controlled so that the pressure is 5000 N and the temperature is between 100 to 200 ° C.
  • the bonding substrate 340 can be formed by applying heat of at least ° C. and bonding the first bonding substrate 330 and the second bonding substrate 331 by pressure bonding.
  • a step of removing the substrate 301 from the bonded substrate 340 is performed.
  • the substrate 301 can be removed by etching.
  • etching can be performed with a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide water.
  • etching using a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide water can be selectively stopped.
  • the first selective etching layer 302A can be removed.
  • the second selective etching layer 302B can also be removed.
  • hydrochloric acid or the like can be used for removing these.
  • the first ohmic electrode 350 includes at least one material selected from Au, Ag, Al, Ni, Pd, Ge, Si, and Sn, and has a film thickness of 300 nm or more. It can have.
  • the first conductivity type is P-type
  • the first ohmic electrode 350 can include at least one material selected from Au, Be, Mg, and Zn and have a film thickness of 300 nm or more.
  • a removal step of removing at least the first semiconductor layer 303 and the active layer 304 to form a removal portion 380 is performed.
  • a pattern in which the first region 360 of the first semiconductor layer 303, the active layer 304, the second semiconductor layer 305, and the buffer layer 306 is cut out is formed by etching by a dry method or a wet method. Thereby, the removal part 380 and the non-removal part 381 other than this removal part 380 can be formed.
  • FIG. 6G illustrates an example in which the buffer layer 306 is cut out, at least the first semiconductor layer 303 and the active layer 304 may be removed, and the second semiconductor layer 305 or the buffer layer 306 is exposed. Even if the etching is stopped, the same function is obtained.
  • the first region 360 and the region other than the first region 360 may be covered with a dielectric film 370.
  • the dielectric film 370 can be selected from SiO 2 , SiN x and the like. After covering the dielectric film 370, a part of the first region 360 is etched to form the second region 361 in which the current propagation layer 307 is exposed.
  • the second conductivity type semiconductor electrically connected to the second semiconductor layer 305 or the second semiconductor layer 305 such as the buffer layer 306 and the current propagation layer 307 of the removal unit 380.
  • a step of forming a second ohmic electrode 351 on the layer is performed.
  • the second ohmic electrode 351 can be formed in a part of the second region 361 in the removal unit 380.
  • FIG. 6I shows a case where the second ohmic electrode 351 is formed on the current propagation layer 307.
  • the second ohmic electrode 351 includes at least one material selected from Au, Ag, Al, Ni, Pd, Ge, Si, and Sn and has a thickness of 300 nm or more. It can be.
  • the second ohmic electrode 351 can include at least one material selected from Au, Be, Mg, and Zn and have a thickness of 300 nm or more.
  • the window layer / support substrate 310 is bonded to the light emitting unit 308 through the SiO 2 film 322, a light emitting element in which peeling due to bonding failure is reduced can be manufactured.
  • FIG. 7 shows a fourth embodiment of the light emitting device of the present invention.
  • the light emitting device 400 according to the fourth embodiment of the present invention is provided on the window layer / support substrate 410 and the window layer / support substrate 410 and has the second conductivity type second semiconductor layer 405.
  • a removal portion 480 from which at least the first semiconductor layer 403 and the active layer 404 have been removed and a non-removal portion 481 other than the removal portion 480 are provided.
  • the first ohmic electrode 450 provided on the first semiconductor layer 403 of the non-removal part 481 and the second semiconductor layer 405 such as the second semiconductor layer 405 of the removal part 480 or the buffer layer 406 and the current propagation layer 407.
  • a second ohmic electrode 451 provided on the second conductivity type semiconductor layer electrically connected to the first conductive layer.
  • the window layer / supporting substrate 410 and the light emitting portion 408 are joined via the SiO 2 film 422.
  • the window layer / support substrate 410 can be a transparent substrate made of, for example, GaP, GaAsP, sapphire, or the like.
  • the SiO 2 film 422 includes a first SiO 2 film 420 provided on the light emitting unit 408 side and a second SiO 2 film 421 provided on the window layer / supporting substrate 410 side.
  • the two films 420 and the second SiO 2 film 421 are bonded via an adhesive 425. With such a structure, a light-emitting element in which peeling due to poor bonding is more reliably reduced is obtained.
  • an adhesive made of BCB (benzocyclobutene), epoxy, or the like can be used as the adhesive 425.
  • the first and second SiO 2 films 420 and 421 can have a thickness of 0.05 to 1.0 ⁇ m, for example.
  • a first transparent conductive film layer 411 Between the first SiO 2 film 420 and the light emitting portion 408, a first transparent conductive film layer 411, a contact layer 412 formed on a part of the first transparent conductive film layer 411, a current propagation layer 407, And a buffer layer 406.
  • the first transparent conductive film layer 411 can be made of an oxide containing at least one of Mg, Ni, Cu, Ga, In, and Sn, for example.
  • the contact layer 412 is formed of, for example, (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1), Al z Ga 1-z As (0 ⁇ z ⁇ 1) or The thickness may be 0.005 to 0.1 ⁇ m made of GaAs w P 1-w (0 ⁇ w ⁇ 1).
  • the current propagation layer 407 is made of, for example, Al z Ga 1-z As (0 ⁇ z ⁇ 1) or GaAs w P 1-w (0 ⁇ w ⁇ 1) and has a thickness of 0.5 to 5.0 ⁇ m. can do.
  • the buffer layer 406 can be made of, for example, InGaP or AlInP with a thickness of 0.1 to 1.0 ⁇ m.
  • the light emitting unit 408 is made of, for example, (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1) or Al z Ga 1-z As (0 ⁇ z ⁇ 1).
  • the second conductivity type second semiconductor layer 405 having a thickness of 0.5 to 1.0 ⁇ m, the active layer 404 having a thickness of 0.1 to 1.0 ⁇ m, and the first conductivity type having a thickness of 0.5 to 1.0 ⁇ m.
  • the first semiconductor layer 403 may be included in this order.
  • the active layer 404 has (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (0 ⁇ x ⁇ 1, 0.4 ⁇ y ⁇ 0.6) or Al z Ga 1-z As (depending on the emission wavelength. 0 ⁇ z ⁇ 0.45).
  • AlGaInP When it is applied to visible light illumination, it is preferable to select AlGaInP, and when it is applied to infrared illumination, it is preferable to select AlGaAs or InGaAs.
  • the design of the active layer 404 is not limited to the above materials because the wavelength can be adjusted to a wavelength other than the wavelength resulting from the material composition by using a superlattice or the like.
  • AlGaInP or AlGaAs is selected for the first semiconductor layer 403 and the second semiconductor layer 405, and the selection is not necessarily the same material system as that of the active layer 404.
  • the present invention is not limited to this, and at least the first semiconductor layer 403 is removed. It is sufficient that the layer 403 and the active layer 404 are removed.
  • a substrate 401 is prepared as a starting substrate.
  • the substrate 401 it is preferable to use a substrate 401 whose crystal axis is inclined in the [110] direction from the [001] direction.
  • the substrate 401 GaAs or Ge can be preferably used. If the substrate 401 is selected from the above materials, the material of the active layer 404 to be described later can be epitaxially grown in a lattice matching system, so that the quality of the active layer 404 can be easily improved, and the luminance can be increased and the life characteristics can be improved. .
  • a selective etching layer 402 for removing the substrate 401 may be formed on the substrate 401.
  • the selective etching layer 402 has a layer structure of two or more layers, and preferably includes at least a first selective etching layer 402A in contact with the substrate 401 and a second selective etching layer 402B in contact with a first semiconductor layer 403 described later.
  • the first selective etching layer 402A and the second selective etching layer 402B may be made of different materials or compositions.
  • a step of forming the light emitting portion 408 by epitaxial growth of the first conductive type first semiconductor layer 403, the active layer 404, and the second conductive type second semiconductor layer 405 using a lattice matching material with the substrate 401 is performed.
  • the lattice constant is substantially the same as that of the substrate 401 by, for example, the MOVPE method, the MBE method, or the CBE method on the substrate 401 (on the selective etching layer 402 when the selective etching layer 402 is provided).
  • An epitaxial substrate 409 is produced by epitaxially growing the light emitting portion 408, the buffer layer 406, and the current propagation layer 407 including the first conductivity type first semiconductor layer 403, the active layer 404, and the second conductivity type second semiconductor layer 405. can do.
  • the first semiconductor layer 403, the active layer 404, and the second semiconductor layer 405 having the simplest structure are exemplified by AlInGaP, which is the same material, but the first semiconductor layer 403 or the second semiconductor layer is exemplified.
  • 405 generally includes a plurality of layers in each layer, and the second semiconductor layer 405 is not limited to a single layer.
  • the first semiconductor layer 403 is composed of a layer having two or more types of Al composition, and has a layer having a high Al composition on the side close to the active layer 404 and a layer having a low Al composition on the side close to the substrate 401. be able to.
  • the layer having a high Al composition on the side close to the active layer 404 is a functional layer having a function of a cladding layer, and does not mean a single composition or a single condition layer.
  • the current propagation layer 407 AlGaAs, GaAsP, or GaP can be preferably used.
  • the buffer layer 406 is most preferably formed of InGaP or AlInP. Since there is a lattice mismatch between GaAs x P 1-x (x ⁇ 1) and the AlGaInP-based material or AlGaAs-based material, GaAs x P 1-x (x ⁇ 1) has high-density strain and Threading dislocation enters. The threading dislocation density can be adjusted by the composition x.
  • a contact layer 412 is formed on a part of the current propagation layer 407, and the first transparent conductive film layer 411 is formed so as to cover the contact layer 412 and the current propagation layer 407. Can be formed.
  • the contact layer 412 includes at least one material selected from Au, Ag, Al, Ni, Pd, Ge, Si, and Sn and has a thickness of 100 nm or more. be able to.
  • the contact layer 412 can include at least one material selected from Au, Be, Mg, and Zn and have a thickness of 0.005 to 0.1 ⁇ m. .
  • a case where the second conductivity type is P-type and a structure of AuBe of 0.01 ⁇ m is selected as an electrode material is illustrated.
  • the first transparent conductive film layer 411 can be selected from oxides containing any one of In, Sn, Zn, Ga, and Cu. In this embodiment, ITO is selected and deposited by sputtering. Illustrate.
  • the film thickness of the first transparent conductive film layer 411 may be any film thickness that is equal to or greater than the contact layer 412 because a film thickness that provides flatness required for bonding may be selected in the bonding process described later. But you can choose.
  • a first SiO 2 film 420 is deposited on the first transparent conductive film layer 411, an adhesive 425 (transparent adhesive layer) is formed on the first SiO 2 film 420, and the first bonding substrate 430 is formed. Can be produced.
  • the first SiO 2 film 420 can be formed by optical CVD, sputtering, or PECVD.
  • BCB or epoxy can be selected. It is preferable to select a material that can be formed by a dipping method or a spin coating method.
  • the solvent by holding the first bonding substrate 430 in the range of 80 to 110 ° C. for 30 seconds or longer on the hot plate. Since the solvent only needs to be volatilized, any of the above-mentioned conditions can be selected. However, it is preferable to select a holding time of 90 ° C. or more and 60 seconds or more.
  • a second SiO 2 film 421 can be deposited on the window layer / support substrate 410 which is a transparent substrate, so that a second bonded substrate 431 can be manufactured.
  • the second SiO 2 film 421 can be formed by optical CVD, sputtering, or PECVD.
  • the window layer / support substrate 410 can be a transparent substrate made of, for example, GaP, GaAsP, sapphire, or the like.
  • a bonding step for bonding the window layer / support substrate 410 to the light emitting unit 408 is performed.
  • the window layer / support substrate 410 is bonded to the light emitting unit 408 via the SiO 2 film 422.
  • the first SiO 2 film 420 formed on the light emitting unit 408 and the second SiO 2 film 421 formed on the window layer / supporting substrate 410 are bonded via an adhesive 425. In this way, it is possible to manufacture a light emitting element in which peeling due to poor bonding is more reliably reduced.
  • the first bonding substrate 430 and the second bonding substrate 431 are placed so that the adhesive 425 and the second SiO 2 film 421 face each other and do not come into contact with each other, and a vacuum atmosphere of 30 Pa or less is obtained. .
  • the adhesive 425 and the second SiO 2 film 421 are brought into contact with each other, and controlled so that the pressure is 5000 N and the temperature is between 100 ° C. and 200 ° C.
  • the bonded substrate 440 can be formed by applying heat of at least ° C. and bonding the first bonded substrate 430 and the second bonded substrate 431 by pressure bonding.
  • a step of removing the substrate 401 from the bonded substrate 440 is performed.
  • the substrate 401 can be removed by etching.
  • etching can be performed with a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide water.
  • etching using a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide water can be selectively stopped.
  • the first selective etching layer 402A can be removed.
  • the second selective etching layer 402B can also be removed.
  • hydrochloric acid or the like can be used for removing these.
  • the first ohmic electrode 450 includes at least one material selected from Au, Ag, Al, Ni, Pd, Ge, Si, and Sn and has a thickness of 400 nm or more. It can be.
  • the first conductivity type is P-type
  • the first ohmic electrode 450 can include at least one material selected from Au, Be, Mg, and Zn and have a thickness of 400 nm or more.
  • a removal step of removing at least the first semiconductor layer 403 and the active layer 404 to form a removal portion 480 is performed.
  • a pattern in which the first regions 460 of the first semiconductor layer 403, the active layer 404, the second semiconductor layer 405, and the buffer layer 406 are notched is formed by etching by a dry method or a wet method.
  • the removal part 480 and the non-removal part 481 other than this removal part 480 can be formed.
  • FIG. 8G illustrates an example in which the buffer layer 406 is cut out, at least the first semiconductor layer 403 and the active layer 404 may be removed, and the second semiconductor layer 405 or the buffer layer 406 is exposed.
  • the region other than the first region 460 is represented as a flat surface, but is not limited to a flat surface, and the region other than the first region 460 may be a rough surface or an uneven surface. Needless to say.
  • the first region 460 and a region other than the first region 460 may be covered with a dielectric film 470.
  • the dielectric film 470 can be selected from SiO 2 , SiN x and the like. After covering the dielectric film 470, a part of the first region 460 can be etched to form the second region 461 in which the current propagation layer 407 is exposed.
  • the second conductivity type semiconductor electrically connected to the second semiconductor layer 405 of the removal portion 480 or the second semiconductor layer 405 such as the buffer layer 406 and the current propagation layer 407.
  • a step of forming a second ohmic electrode 451 on the layer is performed.
  • the second ohmic electrode 451 can be formed in a part of the second region 461 in the removal portion 480.
  • FIG. 8I shows a case where the second ohmic electrode 451 is formed on the current propagation layer 407.
  • the second ohmic electrode 451 includes at least one material selected from Au, Ag, Al, Ni, Pd, Ge, Si, and Sn and has a thickness of 400 nm or more. It can be.
  • the second ohmic electrode 451 may include at least one material selected from Au, Be, Mg, and Zn and have a thickness of 400 nm or more.
  • the window layer / support substrate 410 is bonded to the light emitting portion 408 through the SiO 2 film 422, a light emitting element in which peeling due to bonding failure is reduced can be manufactured.
  • FIG. 9 shows a fifth embodiment of the light emitting device of the present invention.
  • the light emitting device 500 according to the fifth embodiment of the present invention is provided on the window layer / support substrate 510 and the window layer / support substrate 510, and the second conductivity type second semiconductor layer 505.
  • a removal portion 580 from which at least the first semiconductor layer 503 and the active layer 504 have been removed and a non-removal portion 581 other than the removal portion 580 are provided.
  • the first ohmic electrode 550 provided on the first semiconductor layer 503 of the non-removal portion 581 and the second semiconductor layer 505 such as the second semiconductor layer 505 of the removal portion 580 or the buffer layer 506 and the current propagation layer 507. And a second ohmic electrode 551 provided on a second conductivity type semiconductor layer electrically connected to the first conductive layer. Further, the window layer / supporting substrate 510 and the light emitting portion 508 are bonded via the SiO 2 film 522.
  • the window layer / supporting substrate 510 can be a transparent substrate made of, for example, GaP, GaAsP, sapphire, or the like.
  • the SiO 2 film 522 includes a first SiO 2 film 520 provided on the light emitting unit 508 side and a second SiO 2 film 521 provided on the window layer / supporting substrate 510 side.
  • the two films 520 and the second SiO 2 film 521 are bonded via an adhesive 525. With such a structure, a light-emitting element in which peeling due to poor bonding is more reliably reduced is obtained.
  • an adhesive made of BCB (benzocyclobutene) or epoxy can be used as the adhesive 525.
  • a metal pattern layer 512 formed on a part of the upper surface of the first SiO 2 film 520, a current propagation layer 507, and a buffer layer 506 are provided. Can be.
  • the first and second SiO 2 films 520 and 521 can have a thickness of 0.05 to 1.0 ⁇ m, for example.
  • the current propagation layer 507 is made of, for example, Al z Ga 1-z As (0 ⁇ z ⁇ 1) or GaAs w P 1-w (0 ⁇ w ⁇ 1) and has a thickness of 0.5 to 5.0 ⁇ m. can do.
  • the buffer layer 506 can be made of, for example, InGaP or AlInP and has a thickness of 0.1 to 1.0 ⁇ m.
  • the light emitting unit 508 is formed from, for example, (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (0 ⁇ x ⁇ 1, 0 ⁇ y ⁇ 1) or Al z Ga 1-z As (0 ⁇ z ⁇ 1).
  • the second conductivity type second semiconductor layer 505 having a thickness of 0.5 to 1.0 ⁇ m, the active layer 504 having a thickness of 0.1 to 1.0 ⁇ m, and the first conductivity type having a thickness of 0.5 to 1.0 ⁇ m.
  • the first semiconductor layer 503 can be included in this order.
  • the active layer 504 has (Al x Ga 1-x ) y In 1-y P (0 ⁇ x ⁇ 1, 0.4 ⁇ y ⁇ 0.6) or Al z Ga 1-z As (depending on the emission wavelength. 0 ⁇ z ⁇ 0.45).
  • AlGaInP When it is applied to visible light illumination, it is preferable to select AlGaInP, and when it is applied to infrared illumination, it is preferable to select AlGaAs or InGaAs.
  • the design of the active layer 504 is not limited to the above materials because the wavelength can be adjusted other than the wavelength resulting from the material composition by using a superlattice or the like.
  • AlGaInP or AlGaAs is selected for the first semiconductor layer 503 and the second semiconductor layer 505, and the selection is not necessarily the same material system as that of the active layer 504.
  • FIG. 9 shows a case where the first semiconductor layer 503, the active layer 504, the second semiconductor layer 505, and the buffer layer 506 are removed.
  • the present invention is not limited to this, and at least the first semiconductor layer 503 is removed. It is sufficient that the layer 503 and the active layer 504 are removed.
  • a substrate 501 is prepared as a starting substrate as shown in FIG.
  • the substrate 501 it is preferable to use a substrate 501 whose crystal axis is inclined in the [110] direction from the [001] direction.
  • the substrate 501 GaAs or Ge can be preferably used. If the substrate 501 is selected from the above materials, the material of the active layer 504, which will be described later, can be epitaxially grown in a lattice-matched system, so that the quality of the active layer 504 can be easily improved, and luminance can be improved and lifetime characteristics can be improved. .
  • a selective etching layer 502 for removing the substrate 501 may be formed on the substrate 501.
  • the selective etching layer 502 has a layer structure of two or more layers, and preferably includes at least a first selective etching layer 502A in contact with the substrate 501 and a second selective etching layer 502B in contact with a first semiconductor layer 503 described later.
  • the first selective etching layer 502A and the second selective etching layer 502B may be made of different materials or compositions.
  • a step of forming a light emitting portion 508 by epitaxial growth of a first conductive type first semiconductor layer 503, an active layer 504, and a second conductive type second semiconductor layer 505 using a lattice matching material with the substrate 501 is performed.
  • the lattice constant is substantially the same as that of the substrate 501 by, for example, the MOVPE method, the MBE method, or the CBE method on the substrate 501 (on the selective etching layer 502 when the selective etching layer 502 is provided).
  • the epitaxial substrate 509 is produced by epitaxially growing the light emitting portion 508, the buffer layer 506, and the current propagation layer 507 including the first conductivity type first semiconductor layer 503, the active layer 504, and the second conductivity type second semiconductor layer 505 in this order. can do.
  • the first semiconductor layer 503 or the second semiconductor layer is exemplified.
  • each layer generally includes a plurality of layers, and the second semiconductor layer 505 is not limited to a single layer.
  • the first semiconductor layer 503 is composed of a layer having two or more types of Al composition, and has a layer having a high Al composition on the side close to the active layer 504 and a layer having a low Al composition on the side close to the substrate 501. be able to.
  • the layer having a high Al composition on the side close to the active layer 504 is a functional layer having a function of a cladding layer, and does not mean a single composition or a single condition layer.
  • the current propagation layer 507 AlGaAs, GaAsP, or GaP can be suitably used.
  • the buffer layer 506 is most preferably formed of InGaP or AlInP. Since there is a lattice mismatch between GaAs x P 1-x (x ⁇ 1) and the AlGaInP-based material or AlGaAs-based material, GaAs x P 1-x (x ⁇ 1) has high-density strain and Threading dislocation enters. The threading dislocation density can be adjusted by the composition x.
  • a metal pattern layer 512 is formed on part of the current propagation layer 507, and the first SiO 2 film is formed so as to cover the metal pattern layer 512 and the current propagation layer 507.
  • 520 can be deposited.
  • the first SiO 2 film 520 can be formed by optical CVD, sputtering, or PECVD.
  • an adhesive 525 transparent adhesive layer is formed on the first SiO 2 film 520, and the first bonded substrate 530 can be manufactured.
  • the adhesive 525 can be selected from BCB or epoxy. It is preferable to select a material that can be formed by a dipping method or a spin coating method.
  • the solvent by holding the first bonding substrate 530 in the range of 80 to 110 ° C. for 30 seconds or longer on the hot plate. Since the solvent only needs to be volatilized, any of the above-mentioned conditions can be selected. However, it is preferable to select a holding time of 90 ° C. or more and 60 seconds or more.
  • a second SiO 2 film 521 can be deposited on the window layer / support substrate 510 which is a transparent substrate to produce a second bonding substrate 531.
  • the second SiO 2 film 521 can be formed by optical CVD, sputtering, or PECVD.
  • the window layer / supporting substrate 510 can be a transparent substrate made of, for example, GaP, GaAsP, sapphire, or the like.
  • FIGS. 10B and 10C the example in which the adhesive 525 is provided only on the first bonding substrate 530 is disclosed, but the same effect can be obtained even if the adhesive 525 is provided on the second bonding substrate 531. .
  • a bonding step of bonding the window layer / supporting substrate 510 to the light emitting portion 508 is performed.
  • the window layer / support substrate 510 is bonded to the light emitting unit 508 via the SiO 2 film 522.
  • the first SiO 2 film 520 formed on the light emitting unit 508 and the second SiO 2 film 521 formed on the window layer / supporting substrate 510 are bonded via an adhesive 525. In this way, it is possible to manufacture a light emitting element in which peeling due to poor bonding is more reliably reduced.
  • the first bonding substrate 530 and the second bonding substrate 531 are placed so that the adhesive 525 and the second SiO 2 film 521 face each other and do not come into contact with each other, and a vacuum atmosphere of 30 Pa or less is obtained. .
  • the adhesive 525 and the second SiO 2 film 521 are brought into contact with each other, and controlled so that the pressure is 5000 N and the temperature is between 100 ° C. and 200 ° C.
  • the bonding substrate 540 can be formed by applying heat at a temperature equal to or higher than 0 ° C. and bonding the first bonding substrate 530 and the second bonding substrate 531 by pressure bonding.
  • a step of removing the substrate 501 from the bonding substrate 540 is performed.
  • the substrate 501 can be removed by etching.
  • etching can be performed with a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide water.
  • etching using a mixed solution of ammonia water and hydrogen peroxide water can be selectively stopped.
  • the first selective etching layer 502A can be removed.
  • the second selective etching layer 502B can also be removed.
  • hydrochloric acid or the like can be used for removing these.
  • the first ohmic electrode 550 includes at least one material selected from Au, Ag, Al, Ni, Pd, Ge, Si, and Sn and has a thickness of 500 nm or more. It can be.
  • the first conductivity type is P-type
  • the first ohmic electrode 550 can include at least one material selected from Au, Be, Mg, and Zn and have a thickness of 500 nm or more.
  • a removal step of removing at least the first semiconductor layer 503 and the active layer 504 to form a removal portion 580 is performed.
  • a pattern in which the first regions 560 of the first semiconductor layer 503, the active layer 504, the second semiconductor layer 505, and the buffer layer 506 are notched is formed by etching by a dry method or a wet method.
  • the removal part 580 and the non-removal part 581 other than the removal part 580 can be formed.
  • FIG. 10G illustrates an example in which the buffer layer 506 is cut out, but at least the first semiconductor layer 503 and the active layer 504 may be removed, and the second semiconductor layer 505 or the buffer layer 506 is exposed. Even if the etching is stopped, the same function is obtained.
  • the first region 560 and a region other than the first region 560 may be covered with a dielectric film 570.
  • the dielectric film 570 can be selected from SiO 2 , SiN x and the like. After covering the dielectric film 570, a part of the first region 560 can be etched to form the second region 561 in which the current propagation layer 507 is exposed.
  • the second conductivity type semiconductor electrically connected to the second semiconductor layer 505 or the second semiconductor layer 505 such as the buffer layer 506 and the current propagation layer 507 of the removal portion 580.
  • a step of forming a second ohmic electrode 551 on the layer is performed.
  • the second ohmic electrode 551 can be formed in a part of the second region 561 in the removal portion 580.
  • FIG. 10I shows a case where the second ohmic electrode 551 is formed on the current propagation layer 507.
  • the second ohmic electrode 551 includes at least one material selected from Au, Ag, Al, Ni, Pd, Ge, Si, and Sn and has a thickness of 500 nm or more. It can be.
  • the second ohmic electrode 551 can include at least one material selected from Au, Be, Mg, and Zn and have a thickness of 500 nm or more.
  • the window layer / support substrate 510 is bonded to the light emitting portion 508 via the SiO 2 film 522, a light emitting element in which peeling due to poor bonding is reduced can be manufactured.
  • Example 1 10,000 light emitting devices 100 according to the first embodiment of the present invention as shown in FIG. 1 were manufactured by the method for manufacturing a light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
  • the light emitting device 100 manufactured in Example 1 has the same thickness as that of the second SiO 2 film 121 having a thickness of 0.5 ⁇ m on the window layer / supporting substrate 110 which is a transparent substrate made of GaP.
  • a current propagation layer 107 made of AlGaAs with a thickness of 1.0 ⁇ m a buffer layer 106 made of AlInP with a thickness of 0.5 ⁇ m, and a thickness of 1.0 ⁇ m made of AlGaInP.
  • a light emitting section 108 is formed which includes the p-type second semiconductor layer 105, the active layer 104 having a thickness of 0.5 ⁇ m, and the n-type first semiconductor layer 103 having a thickness of 1.0 ⁇ m in this order.
  • the removal part 180 from which the active layer 104, the first conductivity type first semiconductor layer 103, the second conductivity type second semiconductor layer 105, and the buffer layer 106 are removed, and the non-removal part 181 other than the removal part 180, have.
  • first ohmic electrode 150 made of AuGeNi is formed on the surface of the first semiconductor layer 103 of the non-removed portion 181, and a 500 nm thick made of AuBe on the surface of the current propagation layer 107 of the removed portion 180. And a two-ohmic electrode 151.
  • Example 2 With the method for manufacturing a light emitting device according to the second embodiment of the present invention, 10,000 light emitting devices 200 according to the second embodiment of the present invention as shown in FIG. 3 were manufactured.
  • the light emitting device 200 manufactured in Example 2 is on the first transparent conductive film layer 211 and the first transparent conductive film layer 211 between the first SiO 2 film 220 and the current propagation layer 207.
  • the structure was the same as that of Example 1 except that a contact layer 212 made of AlGaInP and having a thickness of 0.05 ⁇ m was partially formed.
  • Example 3 The light emitting device manufacturing method according to the third embodiment of the present invention manufactured 10,000 light emitting devices 300 according to the third embodiment of the present invention as shown in FIG.
  • the light-emitting element 300 manufactured in Example 3 is the same as Example except that the first and second SiO 2 films 320 and 321 are bonded via an adhesive 325 made of BCB (benzocyclobutene). The same structure as that of No. 1 was adopted.
  • BCB benzocyclobutene
  • Example 4 The light emitting device manufacturing method according to the fourth embodiment of the present invention manufactured 10,000 light emitting devices 400 according to the fourth embodiment of the present invention as shown in FIG.
  • the light emitting device 400 manufactured in Example 4 is the same as Example except that the first and second SiO 2 films 420 and 421 are bonded via an adhesive 425 made of BCB (benzocyclobutene).
  • the structure was the same as 2.
  • Example 5 The light emitting device manufacturing method according to the fifth embodiment of the present invention manufactured 10,000 light emitting devices 500 according to the fifth embodiment of the present invention as shown in FIG.
  • the light emitting device 500 manufactured in Example 5 has the same structure as that of Example 3 except that the metal pattern layer 512 is formed on a part of the upper surface of the first SiO 2 film 520.
  • the peel rate of the light emitting element manufactured in the comparative example was 78%.
  • the peel rates of the light emitting devices manufactured in Examples 1 to 5 were all 4% or less. As described above, in the light-emitting elements manufactured in Examples 1 to 5, it was possible to reduce peeling due to bonding failure that occurred during bonding, as compared with the light-emitting elements manufactured in Comparative Examples.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.

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Abstract

本発明は、窓層兼支持基板と、該窓層兼支持基板上に設けられ、第二導電型の第二半導体層と活性層と第一導電型の第一半導体層とをこの順に含む発光部とを有する発光素子において、少なくとも前記第一半導体層と前記活性層が除去された除去部と、該除去部以外の非除去部と、該非除去部の前記第一半導体層上に設けられた第一オーミック電極と、前記除去部の前記第二半導体層上または前記第二半導体層に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極とを有し、前記窓層兼支持基板と前記発光部とがＳｉＯ２膜を介して接合されたものであることを特徴とする発光素子である。これにより、接合時に生じる接合不良による剥離が低減された発光素子及びその製造方法が提供される。

Description

発光素子及びその製造方法
　本発明は、発光素子及びその製造方法に関する。
　チップオンボード（ＣＯＢ）などの製品は、ＬＥＤ素子からの放熱性に優れ、照明等の用途において、採用されるＬＥＤチップ実装方法である。ＣＯＢなどにＬＥＤを実装する場合、チップを直接ボードに接合するフリップ実装が必須である。フリップ実装を実現するためには、発光素子の一方の面に極性の異なる通電用パッドを設けたフリップチップを作製する必要がある。また、通電用パッドが設けられた面の反対側の面は光取り出し機能を有する材料で構成する必要がある。
　黄色～赤色ＬＥＤでフリップチップを作製する場合、発光層にはＡｌＧａＩｎＰ系の材料が用いられる。ＡｌＧａＩｎＰ系材料はバルク結晶が存在せず、エピタキシャル法でＬＥＤ部は形成されるため、出発基板はＡｌＧａＩｎＰとは異なる材料が選択される。出発基板はＧａＡｓやＧｅが選択される場合が多く、これらの基板は可視光に対して光吸収の特性を有するため、フリップチップを作製する場合、出発基板は除去される。しかし、発光層を形成するエピタキシャル層は極薄膜のため、出発基板除去後に自立することができない。したがって、発光層に発光波長に対して略透明で窓層としての機能を有し、自立させるために十分の厚さを有する支持基板としての機能を有する材料・構成の窓層兼支持基板を、出発基板と置換する必要がある。
　このような窓層兼支持基板の機能を有する置換材料として、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、サファイアなどが選択される。前記いずれの材料を選択しても、ＡｌＧａＩｎＰ系材料と異なる材料であるため、格子定数、熱膨張係数やヤング率などの機械的特性はＡｌＧａＩｎＰ系材料とは異なる。
　このような技術として、特許文献１には窓層兼支持基板としてＧａＰを結晶成長と直接接合により形成する方法が開示されている。この技術では直接接合するＧａＰ基板の大きさによって発光素子用ウェハの大きさが決まり、ウェハを大口径化することが難しい問題がある。このため、この技術では小さい発光素子には向いても、大きな発光素子には向かない。
　また、特許文献２には窓層兼支持基板としてＧａＰを結晶成長して形成する方法が開示されている。この技術によればＧａＰ基板を接合しないため、接合基板の大きさの制約を受けない。しかし、ＧａＰとＡｌＧａＩｎＰ発光層部には大きな格子不整が存在し、反りが発生する。ウェハを大口径化すると反りが大きくなるため、大きいウェハを使用するとデバイスプロセスが難しくなる問題がある。このため、この技術では小さい発光素子には向いても、大きな発光素子には向かない。
　また、特許文献３には表面が荒れた発光層を透明接着層で接合する技術が開示されている。この技術では、接合自体は可能だが、接着剤と発光層及び被接合ウェハとの密着性が悪く、接合不良部の発生が回避できない。
特開２０１５－１２０２８号公報 特開２０１５－５５５１号公報 特開２００６－２１０９１６号公報
　このように、基板（出発基板）が発光素子から発する光を吸収する材料である発光素子ウェハを窓層兼支持基板（透明基板）に接合後、基板を除去する工程を有する発光素子及びその製造方法において、従来の方法では接合不良が生じやすく、歩留まりを上げることが困難であった。
　本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、接合時に生じる接合不良による剥離が低減された発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明によれば、窓層兼支持基板と、該窓層兼支持基板上に設けられ、第二導電型の第二半導体層と活性層と第一導電型の第一半導体層とをこの順に含む発光部とを有する発光素子において、
　少なくとも前記第一半導体層と前記活性層が除去された除去部と、該除去部以外の非除去部と、該非除去部の前記第一半導体層上に設けられた第一オーミック電極と、前記除去部の前記第二半導体層上または前記第二半導体層に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極とを有し、
　前記窓層兼支持基板と前記発光部とがＳｉＯ２膜を介して接合されたものであることを特徴とする発光素子を提供する。
　このように、窓層兼支持基板と発光部とがＳｉＯ２膜を介して接合されたものであるので、接合不良による剥離が低減された発光素子となる。
　このとき、前記ＳｉＯ２膜は、前記発光部側に設けられた第一のＳｉＯ２膜と、前記窓層兼支持基板側に設けられた第二のＳｉＯ２膜とを有し、前記第一のＳｉＯ２膜と第二のＳｉＯ２膜とが直接接合されたものであることが好ましい。
　このようなものであれば、接合不良による剥離がより確実に低減された発光素子となる。
　またこのとき、前記ＳｉＯ２膜は、前記発光部側に設けられた第一のＳｉＯ２膜と、前記窓層兼支持基板側に設けられた第二のＳｉＯ２膜とを有し、前記第一のＳｉＯ２膜と第二のＳｉＯ２膜とが接着剤を介して接合されたものであることが好ましい。
　このようなものであれば、接合不良による剥離がより確実に低減された発光素子となる。
　また、本発明によれば基板上に、該基板と格子整合系の材料で少なくとも第一半導体層、活性層、第二半導体層を順次エピタキシャル成長により発光部を形成する工程と、窓層兼支持基板を前記発光部と接合する接合工程と、前記基板を除去する工程と、前記第一半導体層表面に第一オーミック電極を形成する工程と、少なくとも前記第一半導体層と前記活性層を除去して除去部を形成する除去工程と、前記除去部の前記第二半導体層または前記第二半導体層に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に第二オーミック電極を形成する工程からなる発光素子の製造方法において、
　前記接合工程において、ＳｉＯ２膜を介して前記窓層兼支持基板を前記発光部と接合することを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。
　このように、ＳｉＯ２膜を介して前記窓層兼支持基板を前記発光部と接合するので、接合不良による剥離が低減された発光素子を製造することができる。
　このとき、前記接合工程において、前記発光部上に形成した第一のＳｉＯ２膜と、前記窓層兼支持基板上に形成した第二のＳｉＯ２膜とを直接接合することが好ましい。
　このようにすれば、接合不良による剥離がより確実に低減された発光素子を製造することができる。
　またこのとき、前記接合工程において、前記発光部上に形成した第一のＳｉＯ２膜と、前記窓層兼支持基板上に形成した第二のＳｉＯ２膜とを接着剤を介して接合することが好ましい。
　このようにすれば、接合不良による剥離がより確実に低減された発光素子を製造することができる。
　本発明の発光素子及び発光素子の製造方法であれば、接合不良による剥離が低減された発光素子を実現できる。
本発明の発光素子の第一の実施形態を示した概略図である。 本発明の発光素子の製造方法の第一の実施形態を示した説明図である。 本発明の発光素子の第二の実施形態を示した概略図である。 本発明の発光素子の製造方法の第二の実施形態を示した説明図である。 本発明の発光素子の第三の実施形態を示した概略図である。 本発明の発光素子の製造方法の第三の実施形態を示した説明図である。 本発明の発光素子の第四の実施形態を示した概略図である。 本発明の発光素子の製造方法の第四の実施形態を示した説明図である。 本発明の発光素子の第五の実施形態を示した概略図である。 本発明の発光素子の製造方法の第五の実施形態を示した説明図である。 比較例の発光素子を示した概略図である。 実施例１～５及び比較例において作製した発光素子の剥離率を示したグラフである。
　以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
　上記したように、基板が発光素子から発する光を吸収する材料である発光素子ウェハを窓層兼支持基板に接合後、基板を除去する工程を有する発光素子及びその製造方法において、従来の方法では接合不良が生じやすく、歩留まりを上げることが困難であった。
　そこで、本発明者らはこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、窓層兼支持基板と発光部とがＳｉＯ２膜を介して接合されたものであれば、接合不良による剥離が低減された発光素子とすることができることに想到した。そして、これらを実施するための最良の形態について精査し、本発明を完成させた。
（第一の実施形態）
　図１に本発明の発光素子の第一の実施形態を示した。図１に示すように、本発明の第一の実施形態における発光素子１００は、窓層兼支持基板１１０と、窓層兼支持基板１１０上に設けられ、第二導電型の第二半導体層１０５と活性層１０４と第一導電型の第一半導体層１０３とをこの順に含む発光部１０８とを有している。また、少なくとも第一半導体層１０３及び活性層１０４が除去された除去部１８０と、該除去部１８０以外の非除去部１８１とを有している。そして、非除去部１８１の第一半導体層１０３上に設けられた第一オーミック電極１５０と、除去部１８０の第二半導体層１０５上または緩衝層１０６及び電流伝播層１０７等の第二半導体層１０５に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極１５１とを有している。また、窓層兼支持基板１１０と発光部１０８とがＳｉＯ２膜１２２を介して接合されたものである。
　窓層兼支持基板１１０は、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、サファイア等からなる透明基板とすることができる。
　ＳｉＯ２膜１２２は、発光部１０８側に設けられた第一のＳｉＯ２膜１２０と、窓層兼支持基板１１０側に設けられた第二のＳｉＯ２膜１２１とを有し、第一のＳｉＯ２膜１２０と第二のＳｉＯ２膜１２１とが直接接合されたものである。すなわち、接着剤を介さずに直接接合されたものである。このようなものであれば、接合不良による剥離がより確実に低減された発光素子となる。
　第一及び第二のＳｉＯ２膜１２０、１２１は、例えば、厚さ０．０５～１．０μｍのものとすることができる。
　第一のＳｉＯ２膜１２０と発光部１０８との間に、電流伝播層１０７と緩衝層１０６を有するものとすることができる。
　電流伝播層１０７は、例えば、ＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）またはＧａＡｓｗＰ１－ｗ（０≦ｗ≦１）からなる厚さ０．５～５．０μｍのものとすることができる。緩衝層１０６は、例えば、ＩｎＧａＰまたはＡｌＩｎＰからなる厚さ０．１～１．０μｍのものとすることができる。
　発光部１０８は、例えば、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）あるいはＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）からなる厚さ０．５～１．０μｍの第二導電型の第二半導体層１０５、厚さ０．１～１．０μｍの活性層１０４、厚さ０．５～１．０μｍの第一導電型の第一半導体層１０３とをこの順に含むものとすることができる。
　活性層１０４は、発光波長に応じて（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）またはＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦０．４５）で形成されたものとすることができる。可視光照明に適用する場合、ＡｌＧａＩｎＰを選択するのが好適であり、赤外照明に適用する場合、ＡｌＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓを選択するのが好適である。ただし、活性層１０４の設計に関しては、超格子等の利用により波長は材料組成に起因する波長以外に調整可能であるため、上記の材料に限られない。
　第一半導体層１０３、第二半導体層１０５はＡｌＧａＩｎＰもしくはＡｌＧａＡｓが選択され、その選択は活性層１０４と必ずしも同一の材料系でなくともよい。
　図１の除去部１８０では、第一半導体層１０３、活性層１０４、第二半導体層１０５及び緩衝層１０６が除去された場合を示したが、本発明はこれに限定されず、少なくとも第一半導体層１０３及び活性層１０４が除去されたものであればよい。
　このような発光素子１００であれば、窓層兼支持基板１１０と発光部１０８とがＳｉＯ２膜１２２を介して接合されたものであるので、接合不良による剥離が低減されたものとなる。
　次に、本発明の第一の実施形態における発光素子の製造方法について、図２を用いて説明する。
　最初に、図２（ａ）に示すように、出発基板として基板１０１を準備する。基板１０１として、結晶軸が［００１］方向より［１１０］方向に傾斜した基板１０１を用いることが好ましい。また、基板１０１としては、ＧａＡｓまたはＧｅを好適に用いることができる。基板１０１を上記材料から選択すれば、後述する活性層１０４の材料を格子整合系でエピタキシャル成長を行うことができるため、活性層１０４の品質を向上させやすく、輝度上昇や寿命特性の向上が得られる。
　次に、基板１０１の上に、基板１０１の除去用の選択エッチング層１０２を形成してもよい。選択エッチング層１０２は二層以上の層構造からなり、基板１０１に接する第一の選択エッチング層１０２Ａ、後述する第一半導体層１０３に接する第二の選択エッチング層１０２Ｂを少なくとも有することが好ましい。第一の選択エッチング層１０２Ａと第二の選択エッチング層１０２Ｂは異なる材料あるいは組成から構成しても良い。
　次に、基板１０１と格子整合系の材料で第一導電型の第一半導体層１０３、活性層１０４、第二導電型の第二半導体層１０５を順次エピタキシャル成長により発光部１０８を形成する工程を行う。
　このとき、具体的には、基板１０１上（選択エッチング層１０２を設けた場合には、選択エッチング層１０２上）に、例えばＭＯＶＰＥ法（有機金属気相成長法）やＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）、ＣＢＥ法（化学線エピタキシー法）により、第一導電型の第一半導体層１０３、活性層１０４、第二導電型の第二半導体層１０５から成る発光部１０８、緩衝層１０６、電流伝播層１０７をこの順にエピタキシャル成長したエピタキシャル基板１０９を作製することができる。
　電流伝播層１０７としては、ＡｌＧａＡｓまたはＧａＡｓＰまたはＧａＰを好適に用いることができる。電流伝播層１０７をＧａＡｓｘＰ１－ｘ（０≦ｘ＜１）で形成した場合、緩衝層１０６はＩｎＧａＰあるいはＡｌＩｎＰで形成するのが最も好適である。ＧａＡｓｘＰ１－ｘ（ｘ≠１）と、ＡｌＧａＩｎＰ系材料またはＡｌＧａＡｓ系材料との間には格子不整が存在するため、ＧａＡｓｘＰ１－ｘ（ｘ≠１）には高密度のひずみや貫通転位が入る。貫通転位密度は組成ｘにより調整可能である。
　次に、図２（ｂ）に示すように、電流伝播層１０７上に第一のＳｉＯ２膜１２０を堆積し、第一接合基板１３０を作製することができる。第一のＳｉＯ２膜１２０は、光ＣＶＤ、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法にて形成することができる。
　図２（ｃ）に示すように、透明基板である窓層兼支持基板１１０上に第二のＳｉＯ２膜１２１を堆積し、第二接合基板１３１を作製することができる。第二のＳｉＯ２膜１２１は、光ＣＶＤ、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法にて形成することができる。窓層兼支持基板１１０は、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、サファイア等からなる透明基板とすることができる。
　このようにして作製した第一接合基板１３０と第二接合基板１３１を、ＮａＯＨ等のアルカリ水溶液にて洗浄することが好ましい。そして、この洗浄後に、後述の接合工程を行うことが好ましい。
　次に、図２（ｄ）に示すように、窓層兼支持基板１１０を発光部１０８と接合する接合工程を行う。このとき、ＳｉＯ２膜１２２を介して窓層兼支持基板１１０を発光部１０８と接合する。
　そして、接合工程において、発光部１０８上に形成した第一のＳｉＯ２膜１２０と、窓層兼支持基板１１０上に形成した第二のＳｉＯ２膜１２１とを直接接合することが好ましい。このようにすれば、接合不良による剥離がより確実に低減された発光素子を製造することができる。
　具体的には、例えば、第一接合基板１３０と第二接合基板１３１を、第一のＳｉＯ２膜１２０と第二のＳｉＯ２膜１２１を対向させ、かつ接触しないように設置し、１０Ｐａ以下の真空雰囲気にする。真空雰囲気とした後、第一のＳｉＯ２膜１２０と第二のＳｉＯ２膜１２１を接触させ、かつ、５０００Ｎの圧力と４００℃以上の熱を加えて第一接合基板１３０と第二接合基板１３１を圧着して直接接合することによって、接合基板１４０を形成することができる。
　次に、図２（ｅ）に示すように、接合基板１４０より基板１０１を除去する工程を行う。基板１０１の除去は、エッチングにより行うことができる。エッチングに際しては、アンモニア水と過酸化水素水の混合液にてエッチングを行うことができる。第一の選択エッチング層１０２Ａを基板１０１と異なる材料にしておくことで、アンモニア水と過酸化水素水の混合液によるエッチングを選択的に停止させることができる。
　基板１０１除去後、第一の選択エッチング層１０２Ａを除去することができる。同様に、第二の選択エッチング層１０２Ｂも除去することができる。これらの除去には例えば塩酸等を用いることができる。
　次に、図２（ｆ）に示すように、第一半導体層１０３表面に第一オーミック電極１５０を形成する工程を行う。このとき、第一導電型がＮ型の場合、第一オーミック電極１５０は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、１００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第一導電型がＰ型の場合、第一オーミック電極１５０は、Ａｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、１００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。
　次に、図２（ｇ）に示すように、少なくとも第一半導体層１０３と活性層１０４を除去して除去部１８０を形成する除去工程を行う。具体的には、例えば、ドライ法あるいはウェット法によるエッチングによって第一半導体層１０３、活性層１０４、第二半導体層１０５、緩衝層１０６の第一の領域１６０を切り欠いたパターンを形成する。これにより、除去部１８０と、該除去部１８０以外の非除去部１８１を形成することができる。図２（ｇ）では緩衝層１０６まで切り欠いた例を図示しているが、少なくとも第一半導体層１０３と活性層１０４を除去すればよく、第二半導体層１０５あるいは緩衝層１０６が露出した状態でエッチングを止めても同様の機能を有する。
　次に、図２（ｈ）に示すように、第一の領域１６０及び第一の領域１６０以外の領域を被覆するように誘電体膜１７０で被覆してもよい。誘電体膜１７０は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等が選択可能である。誘電体膜１７０を被覆後、第一の領域１６０の一部をエッチングし、電流伝播層１０７を露出させた第二の領域１６１を形成することができる。
　次に、図２（ｉ）に示すように、除去部１８０の第二半導体層１０５または緩衝層１０６及び電流伝播層１０７等の第二半導体層１０５に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に第二オーミック電極１５１を形成する工程を行う。
　具体的には、除去部１８０における第二の領域１６１の一部に第二オーミック電極１５１を形成することができる。図２（ｉ）では、第二オーミック電極１５１を電流伝播層１０７上に形成した場合を示している。
　第二導電型がＮ型の場合、第二オーミック電極１５１は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、１００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第二導電型がＰ型の場合、第二オーミック電極１５１は、Ａｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、１００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。
　次に、ステルスダイシング法、あるいはブレードダイシング法によって個別ダイスに分割し、発光素子とすることができる。
　このように、ＳｉＯ２膜１２２を介して窓層兼支持基板１１０を発光部１０８と接合するので、接合不良による剥離が低減された発光素子を製造することができる。
（第二の実施形態）
　図３に本発明の発光素子の第二の実施形態を示した。図３に示すように、本発明の第二の実施形態における発光素子２００は、窓層兼支持基板２１０と、窓層兼支持基板２１０上に設けられ、第二導電型の第二半導体層２０５と活性層２０４と第一導電型の第一半導体層２０３とをこの順に含む発光部２０８とを有している。また、少なくとも第一半導体層２０３及び活性層２０４が除去された除去部２８０と、該除去部２８０以外の非除去部２８１とを有している。そして、非除去部２８１の第一半導体層２０３上に設けられた第一オーミック電極２５０と、除去部２８０の第二半導体層２０５上または緩衝層２０６及び電流伝播層２０７等の第二半導体層２０５に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極２５１とを有している。また、窓層兼支持基板２１０と発光部２０８とがＳｉＯ２膜２２２を介して接合されたものである。
　窓層兼支持基板２１０は、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、サファイア等からなる透明基板とすることができる。
　ＳｉＯ２膜２２２は、発光部２０８側に設けられた第一のＳｉＯ２膜２２０と、窓層兼支持基板２１０側に設けられた第二のＳｉＯ２膜２２１とを有し、第一のＳｉＯ２膜２２０と第二のＳｉＯ２膜２２１とが直接接合されたものである。すなわち、接着剤を介さずに直接接合されたものである。このようなものであれば、接合不良による剥離がより確実に低減された発光素子となる。
　第一及び第二のＳｉＯ２膜２２０、２２１は、例えば、厚さ０．０５～１．０μｍのものとすることができる。
　第一のＳｉＯ２膜２２０と発光部２０８との間に、第一透明導電膜層２１１と、第一透明導電膜層２１１上の一部に形成されたコンタクト層２１２と、電流伝播層２０７と、緩衝層２０６とを有するものとすることができる。
　第一透明導電膜層２１１は、例えば、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎのうちいずれか一種類以上を含む酸化物から構成されるものとすることができる。
　コンタクト層２１２は、例えば、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）あるいはＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）あるいはＧａＡｓｗＰ１－ｗ（０≦ｗ≦１）からなる厚さ０．００５～０．１μｍのものとすることができる。
　電流伝播層２０７は、例えば、ＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）またはＧａＡｓｗＰ１－ｗ（０≦ｗ≦１）からなる厚さ０．５～５．０μｍのものとすることができる。緩衝層２０６は、例えば、ＩｎＧａＰまたはＡｌＩｎＰからなる厚さ０．１～１．０μｍのものとすることができる。発光部２０８は、例えば、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）あるいはＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）からなる厚さ０．５～１．０μｍの第二導電型の第二半導体層２０５、厚さ０．１～１．０μｍの活性層２０４、厚さ０．５～１．０μｍの第一導電型の第一半導体層２０３とをこの順に含むものとすることができる。
　活性層２０４は発光波長に応じて（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）またはＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦０．４５）で形成されたものとすることができる。可視光照明に適用する場合、ＡｌＧａＩｎＰを選択するのが好適であり、赤外照明に適用する場合、ＡｌＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓを選択するのが好適である。ただし、活性層２０４の設計に関しては、超格子等の利用により波長は材料組成に起因する波長以外に調整可能であるため、上記の材料に限られない。
　第一半導体層２０３、第二半導体層２０５はＡｌＧａＩｎＰもしくはＡｌＧａＡｓが選択され、その選択は活性層２０４と必ずしも同一の材料系でなくともよい。
　図３の除去部２８０では、第一半導体層２０３、活性層２０４、第二半導体層２０５及び緩衝層２０６が除去された場合を示したが、本発明はこれに限定されず、少なくとも第一半導体層２０３及び活性層２０４が除去されたものであればよい。
　このような発光素子２００であれば、窓層兼支持基板２１０と発光部２０８とがＳｉＯ２膜２２２を介して接合されたものであるので、接合不良による剥離が低減されたものとなる。
　次に、本発明の第二の実施形態における発光素子の製造方法について、図４を用いて説明する。
　最初に、図４（ａ）に示すように、出発基板として基板２０１を準備する。基板２０１として、結晶軸が［００１］方向より［１１０］方向に傾斜した基板２０１を用いることが好ましい。また、基板２０１としては、ＧａＡｓまたはＧｅを好適に用いることができる。基板２０１を上記材料から選択すれば、後述する活性層２０４の材料を格子整合系でエピタキシャル成長を行うことができるため、活性層２０４の品質を向上させやすく、輝度上昇や寿命特性の向上が得られる。
　次に、基板２０１の上に、基板２０１の除去用の選択エッチング層２０２を形成してもよい。選択エッチング層２０２は二層以上の層構造からなり、基板２０１に接する第一の選択エッチング層２０２Ａ、後述する第一半導体層２０３に接する第二の選択エッチング層２０２Ｂを少なくとも有することが好ましい。第一の選択エッチング層２０２Ａと第二の選択エッチング層２０２Ｂは異なる材料あるいは組成から構成しても良い。
　次に、基板２０１と格子整合系の材料で第一導電型の第一半導体層２０３、活性層２０４、第二導電型の第二半導体層２０５を順次エピタキシャル成長により発光部２０８を形成する工程を行う。
　このとき、具体的には、基板２０１上（選択エッチング層２０２を設けた場合には、選択エッチング層２０２上）に、例えばＭＯＶＰＥ法やＭＢＥ法、ＣＢＥ法により、基板２０１と格子定数が略同一の第一導電型の第一半導体層２０３、活性層２０４、第二導電型の第二半導体層２０５から成る発光部２０８、緩衝層２０６、電流伝播層２０７をこの順にエピタキシャル成長したエピタキシャル基板２０９を作製することができる。
　電流伝播層２０７としては、ＡｌＧａＡｓまたはＧａＡｓＰまたはＧａＰを好適に用いることができる。電流伝播層２０７をＧａＡｓｘＰ１－ｘ（０≦ｘ＜１）で形成した場合、緩衝層２０６はＩｎＧａＰあるいはＡｌＩｎＰで形成するのが最も好適である。ＧａＡｓｘＰ１－ｘ（ｘ≠１）と、ＡｌＧａＩｎＰ系材料またはＡｌＧａＡｓ系材料との間には格子不整が存在するため、ＧａＡｓｘＰ１－ｘ（ｘ≠１）には高密度のひずみや貫通転位が入る。貫通転位密度は組成ｘにより調整可能である。
　次に、図４（ｂ）に示すように、電流伝播層２０７上の一部にコンタクト層２１２を形成し、コンタクト層２１２及び電流伝播層２０７を被覆するように第一透明導電膜層２１１を形成することができる。
　第一透明導電膜層２１１は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｃｕのいずれか一つを含む酸化物から選択可能であり、スパッタ法等により形成することができる。第一透明導電膜層２１１の膜厚は、後述する接合工程において、接合に要する平坦度が有られる膜厚を選択すればよいため、コンタクト層２１２以上の膜厚があればどのような膜厚でも選択可能である。
　次に、第一透明導電膜層２１１上に第一のＳｉＯ２膜２２０を堆積して第一接合基板２３０を形成することができる。第一のＳｉＯ２膜２２０は、光ＣＶＤ、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法にて形成することが可能である。
　次に、図４（ｃ）に示すように、透明基板である窓層兼支持基板２１０上に第二のＳｉＯ２膜２２１を堆積し、第二接合基板２３１を形成することができる。第二のＳｉＯ２膜２２１は、光ＣＶＤ、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法にて形成することが可能である。窓層兼支持基板２１０は、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、サファイア等からなる透明基板とすることができる。
　このようにして作製した第一接合基板２３０と第二接合基板２３１を、ＮａＯＨ等のアルカリ水溶液にて洗浄することが好ましい。そして、この洗浄後に、後述の接合工程を行うことが好ましい。
　次に、図４（ｄ）に示すように、窓層兼支持基板２１０を発光部２０８と接合する接合工程を行う。このとき、ＳｉＯ２膜２２２を介して窓層兼支持基板２１０を発光部２０８と接合する。
　そして、接合工程において、発光部２０８上に形成した第一のＳｉＯ２膜２２０と、窓層兼支持基板２１０上に形成した第二のＳｉＯ２膜２２１とを直接接合することが好ましい。このようにすれば、接合不良による剥離がより確実に低減された発光素子を製造することができる。
　具体的には、例えば、第一接合基板２３０と第二接合基板２３１を、第一のＳｉＯ２膜２２０と第二のＳｉＯ２膜２２１を対向させ、かつ接触しないように設置し、２０Ｐａ以下の真空雰囲気にする。真空雰囲気とした後、第一のＳｉＯ２膜２２０と第二のＳｉＯ２膜２２１を接触させ、かつ、５０００Ｎの圧力と４００℃以上の熱を加えて第一接合基板２３０と第二接合基板２３１を圧着して直接接合することによって、接合基板２４０を形成することができる。
　次に、図４（ｅ）に示すように接合基板２４０より基板２０１を除去する工程を行う。基板２０１の除去は、エッチングにより行うことができる。エッチングに際しては、アンモニア水と過酸化水素水の混合液にてエッチングを行うことができる。第一の選択エッチング層２０２Ａを基板２０１と異なる材料にしておくことで、アンモニア水と過酸化水素水の混合液によるエッチングを選択的に停止させることができる。
　基板２０１除去後、第一の選択エッチング層２０２Ａを除去することができる。同様に、第二の選択エッチング層２０２Ｂも除去することができる。これらの除去には例えば塩酸等を用いることができる。
　次に、図４（ｆ）に示すように、第一半導体層２０３表面に第一オーミック電極２５０を形成する工程を行う。このとき、第一導電型がＮ型の場合、第一オーミック電極２５０は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、２００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第一導電型がＰ型の場合、第一オーミック電極２５０は、Ａｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、２００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。
　次に、図４（ｇ）に示すように、少なくとも第一半導体層２０３と活性層２０４を除去して除去部２８０を形成する除去工程を行う。具体的には、例えば、ドライ法あるいはウェット法によるエッチングによって第一半導体層２０３、活性層２０４、第二半導体層２０５、緩衝層２０６の第一の領域２６０を切り欠いたパターンを形成する。これにより、除去部２８０と、該除去部２８０以外の非除去部２８１を形成することができる。図４（ｇ）では緩衝層２０６まで切り欠いた例を図示しているが、少なくとも第一半導体層２０３と活性層２０４を除去すればよく、第二半導体層２０５あるいは緩衝層２０６が露出した状態でエッチングを止めても同様の機能を有する。
　次に、図４（ｈ）に示すように、第一の領域２６０及び第一の領域２６０以外の領域を被覆するように誘電体膜２７０で被覆してもよい。誘電体膜２７０は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等が選択可能である。誘電体膜２７０を被覆後、第一の領域２６０の一部をエッチングし、電流伝播層２０７を露出させた第二の領域２６１を形成することができる。
　次に、図４（ｉ）に示すように、除去部２８０の第二半導体層２０５または緩衝層２０６及び電流伝播層２０７等の第二半導体層２０５に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に第二オーミック電極２５１を形成する工程を行う。
　具体的には、除去部２８０における第二の領域２６１の一部に第二オーミック電極２５１を形成する。図４（ｉ）では、第二オーミック電極２５１を電流伝播層２０７上に形成した場合を示している。
　第二導電型がＮ型の場合、第二オーミック電極２５１は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、１００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第二導電型がＰ型の場合、第二オーミック電極２５１は、Ａｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、１００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。
　次に、ステルスダイシング法、あるいはブレードダイシング法によって個別ダイスに分割し、発光素子とするとすることができる。
　このように、ＳｉＯ２膜２２２を介して窓層兼支持基板２１０を発光部２０８と接合するので、接合不良による剥離が低減された発光素子を製造することができる。
（第三の実施形態）
　図５に本発明の発光素子の第三の実施形態を示した。図５に示すように、本発明の第三の実施形態における発光素子３００は、窓層兼支持基板３１０と、窓層兼支持基板３１０上に設けられ、第二導電型の第二半導体層３０５と活性層３０４と第一導電型の第一半導体層３０３とをこの順に含む発光部３０８とを有している。また、少なくとも第一半導体層３０３及び活性層３０４が除去された除去部３８０と、該除去部３８０以外の非除去部３８１とを有している。そして、非除去部３８１の第一半導体層３０３上に設けられた第一オーミック電極３５０と、除去部３８０の第二半導体層３０５上または緩衝層３０６及び電流伝播層３０７等の第二半導体層３０５に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極３５１とを有している。また、窓層兼支持基板３１０と発光部３０８とがＳｉＯ２膜３２２を介して接合されたものである。
　窓層兼支持基板３１０は、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、サファイア等からなる透明基板とすることができる。
　ＳｉＯ２膜３２２は、発光部３０８側に設けられた第一のＳｉＯ２膜３２０と、窓層兼支持基板３１０側に設けられた第二のＳｉＯ２膜３２１とを有し、第一のＳｉＯ２膜３２０と第二のＳｉＯ２膜３２１とが接着剤３２５を介して接合されたものである。このようなものであれば、接合不良による剥離がより確実に低減された発光素子となる。
　接着剤３２５は、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）あるいはエポキシ等からなる接着剤等を用いることができる。
　第一及び第二のＳｉＯ２膜３２０、３２１は、例えば、厚さ０．０５～１．０μｍのものとすることができる。
　第一のＳｉＯ２膜３２０と発光部３０８との間に、電流伝播層３０７及び緩衝層３０６を有するものとすることができる。
　電流伝播層３０７は、例えば、ＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）またはＧａＡｓｗＰ１－ｗ（０≦ｗ≦１）からなる厚さ０．５～５．０μｍのものとすることができる。緩衝層３０６は、例えば、ＩｎＧａＰまたはＡｌＩｎＰからなる厚さ０．１～１．０μｍのものとすることができる。
　発光部３０８は、例えば、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）あるいはＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）からなる厚さ０．５～１．０μｍの第二導電型の第二半導体層３０５、厚さ０．１～１．０μｍの活性層３０４、厚さ０．５～１．０μｍの第一導電型の第一半導体層３０３とをこの順に含むものとすることができる。
　活性層３０４は、発光波長に応じて（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）またはＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦０．４５）で形成されたものとすることができる。可視光照明に適用する場合、ＡｌＧａＩｎＰを選択するのが好適であり、赤外照明に適用する場合、ＡｌＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓを選択するのが好適である。ただし、活性層３０４の設計に関しては、超格子等の利用により波長は材料組成に起因する波長以外に調整可能であるため、上記の材料に限られない。
　第一半導体層３０３、第二半導体層３０５はＡｌＧａＩｎＰもしくはＡｌＧａＡｓが選択され、その選択は活性層３０４と必ずしも同一の材料系でなくともよい。
　図５の除去部３８０では、第一半導体層３０３、活性層３０４、第二半導体層３０５及び緩衝層３０６が除去された場合を示したが、本発明はこれに限定されず、少なくとも第一半導体層３０３及び活性層３０４が除去されたものであればよい。
　このような発光素子３００であれば、窓層兼支持基板３１０と発光部３０８とがＳｉＯ２膜３２２を介して接合されたものであるので、接合不良による剥離が低減されたものとなる。
　次に、本発明の第三の実施形態における発光素子の製造方法について、図６を用いて説明する。
　最初に、図６（ａ）に示すように、出発基板として基板３０１を準備する。基板３０１として、結晶軸が［００１］方向より［１１０］方向に傾斜した基板３０１を用いることが好ましい。また、基板３０１としては、ＧａＡｓまたはＧｅを好適に用いることができる。基板３０１を上記材料から選択すれば、後述する活性層３０４の材料を格子整合系でエピタキシャル成長を行うことができるため、活性層３０４の品質を向上させやすく、輝度上昇や寿命特性の向上が得られる。
　次に、基板３０１上に、基板３０１の除去用の選択エッチング層３０２を形成してもよい。選択エッチング層３０２は二層以上の層構造からなり、基板３０１に接する第一の選択エッチング層３０２Ａ、後述する第一半導体層３０３に接する第二の選択エッチング層３０２Ｂを少なくとも有することが好ましい。第一の選択エッチング層３０２Ａと第二の選択エッチング層３０２Ｂは異なる材料あるいは組成から構成しても良い。
　次に、基板３０１と格子整合系の材料で第一導電型の第一半導体層３０３、活性層３０４、第二導電型の第二半導体層３０５を順次エピタキシャル成長により発光部３０８を形成する工程を行う。
　このとき、具体的には、基板３０１上（選択エッチング層３０２を設けた場合には、選択エッチング層３０２上）に、例えばＭＯＶＰＥ法やＭＢＥ法、ＣＢＥ法により、基板３０１と格子定数が略同一の第一導電型の第一半導体層３０３、活性層３０４、第二導電型の第二半導体層３０５から成る発光部３０８、緩衝層３０６、電流伝播層３０７をこの順にエピタキシャル成長したエピタキシャル基板３０９を作製することができる。
　電流伝播層３０７としては、ＡｌＧａＡｓまたはＧａＡｓＰまたはＧａＰを好適に用いることができる。電流伝播層３０７をＧａＡｓｘＰ１－ｘ（０≦ｘ＜１）で形成した場合、緩衝層３０６はＩｎＧａＰあるいはＡｌＩｎＰで形成するのが最も好適である。ＧａＡｓｘＰ１－ｘ（ｘ≠１）と、ＡｌＧａＩｎＰ系材料またはＡｌＧａＡｓ系材料との間には格子不整が存在するため、ＧａＡｓｘＰ１－ｘ（ｘ≠１）には高密度のひずみや貫通転位が入る。貫通転位密度は組成ｘにより調整可能である。
　次に、図６（ｂ）に示すように、電流伝播層３０７上に第一のＳｉＯ２膜３２０を堆積し、この第一のＳｉＯ２膜３２０上に接着剤３２５（透明接着層）を形成し、第一接合基板３３０を作製することができる。
　第一のＳｉＯ２膜３２０は、光ＣＶＤ、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法にて形成することが可能である。
　接着剤３２５は、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）あるいはエポキシ等が選択可能である。形成方法はディップ法あるいはスピンコート法により形成可能な材料を選択することが好適である。
　次に、ホットプレート上に、第一接合基板３３０を８０～１１０℃の範囲で３０秒以上保持して溶剤を揮発させることが好ましい。溶剤が揮発すればよいため、前述のどの条件でも選択可能だが、温度９０℃以上、６０秒以上の保持時間を選択することが好適である。
　図６（ｃ）に示すように、透明基板である窓層兼支持基板３１０上に第二のＳｉＯ２膜３２１を堆積し、第二接合基板３３１を作製することができる。第二のＳｉＯ２膜３２１は、光ＣＶＤ、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法にて形成することが可能である。窓層兼支持基板３１０は、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、サファイア等からなる透明基板とすることができる。
　図６（ｂ）、（ｃ）においては、第一接合基板３３０のみに接着剤３２５を設けた例を開示したが、第二接合基板３３１に接着剤３２５を設けても同様の効果が得られることは言うまでも無い。
　次に、図６（ｄ）に示すように、窓層兼支持基板３１０を発光部３０８と接合する接合工程を行う。このとき、ＳｉＯ２膜３２２を介して窓層兼支持基板３１０を発光部３０８と接合する。
　そして、接合工程において、発光部３０８上に形成した第一のＳｉＯ２膜３２０と、窓層兼支持基板３１０上に形成した第二のＳｉＯ２膜３２１とを接着剤３２５を介して接合する。このようにすれば、接合不良による剥離がより確実に低減された発光素子を製造することができる。
　具体的には、例えば、第一接合基板３３０と第二接合基板３３１を、接着剤３２５と第二のＳｉＯ２膜３２１を対向させ、かつ接触しないように設置し、３０Ｐａ以下の真空雰囲気にする。真空雰囲気とした後、接着剤３２５と第二のＳｉＯ２膜３２１を接触させ、かつ、５０００Ｎの圧力と１００～２００℃の間の温度になるように制御して５分以上保持した後、３００℃以上の熱を加えて第一接合基板３３０と第二接合基板３３１を圧着して接合することによって、接合基板３４０を形成することができる。
　次に、図６（ｅ）に示すように、接合基板３４０より基板３０１を除去する工程を行う。基板３０１の除去は、エッチングにより行うことができる。エッチングに際しては、アンモニア水と過酸化水素水の混合液にてエッチングを行うことができる。第一の選択エッチング層３０２Ａを基板３０１と異なる材料にしておくことで、アンモニア水と過酸化水素水の混合液によるエッチングを選択的に停止させることができる。
　基板３０１除去後、第一の選択エッチング層３０２Ａを除去することができる。同様に、第二の選択エッチング層３０２Ｂも除去することができる。これらの除去には例えば塩酸等を用いることができる。
　次に、図６（ｆ）に示すように、第一半導体層３０３表面に第一オーミック電極３５０を形成する工程を行う。このとき、第一導電型がＮ型の場合、第一オーミック電極３５０は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、３００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第一導電型がＰ型の場合、第一オーミック電極３５０は、Ａｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、３００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。
　次に、図６（ｇ）に示すように、少なくとも第一半導体層３０３と活性層３０４を除去して除去部３８０を形成する除去工程を行う。
　具体的には、例えば、ドライ法あるいはウェット法によるエッチングによって第一半導体層３０３、活性層３０４、第二半導体層３０５、緩衝層３０６の第一の領域３６０を切り欠いたパターンを形成する。これにより、除去部３８０と、該除去部３８０以外の非除去部３８１を形成することができる。図６（ｇ）では緩衝層３０６まで切り欠いた例を図示しているが、少なくとも第一半導体層３０３と活性層３０４を除去すればよく、第二半導体層３０５あるいは緩衝層３０６が露出した状態でエッチングを止めても同様の機能を有する。
　次に、図６（ｈ）に示すように、第一の領域３６０及び第一の領域３６０以外の領域を被覆するように誘電体膜３７０で被覆してもよい。誘電体膜３７０は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等が選択可能である。誘電体膜３７０を被覆後、第一の領域３６０の一部をエッチングし、電流伝播層３０７を露出させた第二の領域３６１を形成することができる。
　次に、図６（ｉ）に示すように、除去部３８０の第二半導体層３０５または緩衝層３０６及び電流伝播層３０７等の第二半導体層３０５に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に第二オーミック電極３５１を形成する工程を行う。
　具体的には、除去部３８０における第二の領域３６１の一部に第二オーミック電極３５１を形成することができる。図６（ｉ）では、第二オーミック電極３５１を電流伝播層３０７上に形成した場合を示している。
　第二導電型がＮ型の場合、第二オーミック電極３５１は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、３００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第二導電型がＰ型の場合、第二オーミック電極３５１は、Ａｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、３００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。
　次に、ステルスダイシング法、あるいはブレードダイシング法によって個別ダイスに分割し、発光素子とすることができる。
　このように、ＳｉＯ２膜３２２を介して窓層兼支持基板３１０を発光部３０８と接合するので、接合不良による剥離が低減された発光素子を製造することができる。
（第四の実施形態）
　図７に本発明の発光素子の第四の実施形態を示した。図７に示すように、本発明の第四の実施形態における発光素子４００は、窓層兼支持基板４１０と、窓層兼支持基板４１０上に設けられ、第二導電型の第二半導体層４０５と活性層４０４と第一導電型の第一半導体層４０３とをこの順に含む発光部４０８とを有している。また、少なくとも第一半導体層４０３及び活性層４０４が除去された除去部４８０と、該除去部４８０以外の非除去部４８１とを有している。そして、非除去部４８１の第一半導体層４０３上に設けられた第一オーミック電極４５０と、除去部４８０の第二半導体層４０５上または緩衝層４０６及び電流伝播層４０７等の第二半導体層４０５に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極４５１とを有している。また、窓層兼支持基板４１０と発光部４０８とがＳｉＯ２膜４２２を介して接合されたものである。
　窓層兼支持基板４１０は、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、サファイア等からなる透明基板とすることができる。
　ＳｉＯ２膜４２２は、発光部４０８側に設けられた第一のＳｉＯ２膜４２０と、窓層兼支持基板４１０側に設けられた第二のＳｉＯ２膜４２１とを有し、第一のＳｉＯ２膜４２０と第二のＳｉＯ２膜４２１とが接着剤４２５を介して接合されたものである。このようなものであれば、接合不良による剥離がより確実に低減された発光素子となる。
　接着剤４２５は、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）あるいはエポキシ等からなる接着剤等を用いることができる。
　第一及び第二のＳｉＯ２膜４２０、４２１は、例えば、厚さ０．０５～１．０μｍのものとすることができる。
　第一のＳｉＯ２膜４２０と発光部４０８との間に、第一透明導電膜層４１１と、第一透明導電膜層４１１上の一部に形成されたコンタクト層４１２と、電流伝播層４０７と、緩衝層４０６とを有するものとすることができる。
　第一透明導電膜層４１１は、例えば、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎのうちいずれか一種類以上を含む酸化物から構成されるものとすることができる。
　コンタクト層４１２は、例えば、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）あるいはＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）あるいはＧａＡｓｗＰ１－ｗ（０≦ｗ≦１）からなる厚さ０．００５～０．１μｍのものとすることができる。
　電流伝播層４０７は、例えば、ＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）またはＧａＡｓｗＰ１－ｗ（０≦ｗ≦１）からなる厚さ０．５～５．０μｍのものとすることができる。緩衝層４０６は、例えば、ＩｎＧａＰまたはＡｌＩｎＰからなる厚さ０．１～１．０μｍのものとすることができる。
　発光部４０８は、例えば、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）あるいはＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）からなる厚さ０．５～１．０μｍの第二導電型の第二半導体層４０５、厚さ０．１～１．０μｍの活性層４０４、厚さ０．５～１．０μｍの第一導電型の第一半導体層４０３とをこの順に含むものとすることができる。
　活性層４０４は、発光波長に応じて（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）またはＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦０．４５）で形成されたものとすることができる。可視光照明に適用する場合、ＡｌＧａＩｎＰを選択するのが好適であり、赤外照明に適用する場合、ＡｌＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓを選択するのが好適である。ただし、活性層４０４の設計に関しては、超格子等の利用により波長は材料組成に起因する波長以外に調整可能であるため、上記の材料に限られない。
　第一半導体層４０３、第二半導体層４０５はＡｌＧａＩｎＰもしくはＡｌＧａＡｓが選択され、その選択は活性層４０４と必ずしも同一の材料系でなくともよい。
　図７の除去部４８０では、第一半導体層４０３、活性層４０４、第二半導体層４０５及び緩衝層４０６が除去された場合を示したが、本発明はこれに限定されず、少なくとも第一半導体層４０３及び活性層４０４が除去されたものであればよい。
　このような発光素子４００であれば、窓層兼支持基板４１０と発光部４０８とがＳｉＯ２膜４２２を介して接合されたものであるので、接合不良による剥離が低減されたものとなる。
　次に、本発明の第四の実施形態における発光素子の製造方法について、図８を用いて説明する。
　最初に、図８（ａ）に示すように、出発基板として基板４０１を準備する。基板４０１として、結晶軸が［００１］方向より［１１０］方向に傾斜した基板４０１を用いることが好ましい。また、基板４０１としては、ＧａＡｓまたはＧｅを好適に用いることができる。基板４０１を上記材料から選択すれば、後述する活性層４０４の材料を格子整合系でエピタキシャル成長を行うことができるため、活性層４０４の品質を向上させやすく、輝度上昇や寿命特性の向上が得られる。
　次に、基板４０１の上に、基板４０１の除去用の選択エッチング層４０２を形成してもよい。選択エッチング層４０２は二層以上の層構造からなり、基板４０１に接する第一の選択エッチング層４０２Ａ、後述する第一半導体層４０３に接する第二の選択エッチング層４０２Ｂを少なくとも有することが好ましい。第一の選択エッチング層４０２Ａと第二の選択エッチング層４０２Ｂは異なる材料あるいは組成から構成しても良い。
　次に、基板４０１と格子整合系の材料で第一導電型の第一半導体層４０３、活性層４０４、第二導電型の第二半導体層４０５を順次エピタキシャル成長により発光部４０８を形成する工程を行う。
　このとき、具体的には、基板４０１上（選択エッチング層４０２を設けた場合には、選択エッチング層４０２上）に、例えばＭＯＶＰＥ法やＭＢＥ法、ＣＢＥ法により、基板４０１と格子定数が略同一の第一導電型の第一半導体層４０３、活性層４０４、第二導電型の第二半導体層４０５から成る発光部４０８、緩衝層４０６、電流伝播層４０７をこの順にエピタキシャル成長したエピタキシャル基板４０９を作製することができる。
　本実施形態においては、最も単純な構造である第一半導体層４０３、活性層４０４、第二半導体層４０５が同一材料であるＡｌＩｎＧａＰの場合を例示するが、第一半導体層４０３あるいは第二半導体層４０５は特性向上のため、各層内には複数層が含まれるのが一般的であり、第二半導体層４０５が単一層であることに限定されない。
　また、第一半導体層４０３は二種類以上のＡｌ組成からなる層からなり、活性層４０４に近い側にＡｌ組成の高い層を、基板４０１に近い側にＡｌ組成の低い層を有するものとすることができる。この活性層４０４に近い側のＡｌ組成の高い層は、クラッド層の機能を有する機能層であり、単一組成あるいは単一条件層を意味しない。
　電流伝播層４０７としては、ＡｌＧａＡｓまたはＧａＡｓＰまたはＧａＰを好適に用いることができる。電流伝播層４０７をＧａＡｓｘＰ１－ｘ（０≦ｘ＜１）で形成した場合、緩衝層４０６はＩｎＧａＰあるいはＡｌＩｎＰで形成するのが最も好適である。ＧａＡｓｘＰ１－ｘ（ｘ≠１）と、ＡｌＧａＩｎＰ系材料またはＡｌＧａＡｓ系材料との間には格子不整が存在するため、ＧａＡｓｘＰ１－ｘ（ｘ≠１）には高密度のひずみや貫通転位が入る。貫通転位密度は組成ｘにより調整可能である。
　次に、図８（ｂ）に示すように、電流伝播層４０７上の一部にコンタクト層４１２を形成し、コンタクト層４１２及び電流伝播層４０７を被覆するように第一透明導電膜層４１１を形成することができる。
　第二導電型がＮ型の場合、コンタクト層４１２は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、１００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第二導電型がＰ型の場合、コンタクト層４１２は、Ａｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、０．００５～０．１ｕｍの膜厚を有するものとすることができる。本実施形態においては、第二導電型をＰ型とし、電極材料としてＡｕＢｅを０．０１ｕｍの構造を選択した場合を例示する。
　第一透明導電膜層４１１は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｃｕのいずれか一つを含む酸化物から選択可能であり、本実施形態においてはＩＴＯを選択し、スパッタ法により堆積した場合を例示する。第一透明導電膜層４１１の膜厚は、後述する接合工程において、接合に要する平坦度が有られる膜厚を選択すればよいため、コンタクト層４１２以上の膜厚があればどのような膜厚でも選択可能である。
　次に、第一透明導電膜層４１１上に第一のＳｉＯ２膜４２０を堆積し、この第一のＳｉＯ２膜４２０上に接着剤４２５（透明接着層）を形成し、第一接合基板４３０を作製することができる。
　第一のＳｉＯ２膜４２０は、光ＣＶＤ、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法にて形成することが可能である。
　接着剤４２５は、ＢＣＢあるいはエポキシ等が選択可能である。形成方法はディップ法あるいはスピンコート法により形成可能な材料を選択することが好適である。
　次に、ホットプレート上に、第一接合基板４３０を８０～１１０℃の範囲で３０秒以上保持して溶剤を揮発させることが好ましい。溶剤が揮発すればよいため、前述のどの条件でも選択可能だが、温度９０℃以上、６０秒以上の保持時間を選択することが好適である。
　図８（ｃ）に示すように、透明基板である窓層兼支持基板４１０上に第二のＳｉＯ２膜４２１を堆積し、第二接合基板４３１を作製することができる。第二のＳｉＯ２膜４２１は、光ＣＶＤ、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法にて形成することが可能である。窓層兼支持基板４１０は、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、サファイア等からなる透明基板とすることができる。
　図８（ｂ）、（ｃ）においては、第一接合基板４３０のみに接着剤４２５を設けた例を開示したが、第二接合基板４３１に接着剤４２５を設けても同様の効果が得られる。
　次に、図８（ｄ）に示すように、窓層兼支持基板４１０を発光部４０８と接合する接合工程を行う。このとき、ＳｉＯ２膜４２２を介して窓層兼支持基板４１０を発光部４０８と接合する。
　そして、接合工程において、発光部４０８上に形成した第一のＳｉＯ２膜４２０と、窓層兼支持基板４１０上に形成した第二のＳｉＯ２膜４２１とを接着剤４２５を介して接合する。このようにすれば、接合不良による剥離がより確実に低減された発光素子を製造することができる。
　具体的には、例えば、第一接合基板４３０と第二接合基板４３１を、接着剤４２５と第二のＳｉＯ２膜４２１を対向させ、かつ接触しないように設置し、３０Ｐａ以下の真空雰囲気にする。真空雰囲気とした後、接着剤４２５と第二のＳｉＯ２膜４２１を接触させ、かつ、５０００Ｎの圧力と１００～２００℃の間の温度になるように制御して５分以上保持した後、３００℃以上の熱を加えて第一接合基板４３０と第二接合基板４３１を圧着して接合することによって、接合基板４４０を形成することができる。
　次に、図８（ｅ）に示すように、接合基板４４０より基板４０１を除去する工程を行う。基板４０１の除去は、エッチングにより行うことができる。エッチングに際しては、アンモニア水と過酸化水素水の混合液にてエッチングを行うことができる。第一の選択エッチング層４０２Ａを基板４０１と異なる材料にしておくことで、アンモニア水と過酸化水素水の混合液によるエッチングを選択的に停止させることができる。
　基板４０１除去後、第一の選択エッチング層４０２Ａを除去することができる。同様に、第二の選択エッチング層４０２Ｂも除去することができる。これらの除去には例えば塩酸等を用いることができる。
　次に、図８（ｆ）に示すように、第一半導体層４０３表面に第一オーミック電極４５０を形成する工程を行う。第一導電型がＮ型の場合、第一オーミック電極４５０は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、４００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第一導電型がＰ型の場合、第一オーミック電極４５０は、Ａｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、４００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。
　次に、図８（ｇ）に示すように、少なくとも第一半導体層４０３と活性層４０４を除去して除去部４８０を形成する除去工程を行う。具体的には、例えば、ドライ法あるいはウェット法によるエッチングによって第一半導体層４０３、活性層４０４、第二半導体層４０５、緩衝層４０６の第一の領域４６０を切り欠いたパターンを形成する。これにより、除去部４８０と、該除去部４８０以外の非除去部４８１を形成することができる。図８（ｇ）では緩衝層４０６まで切り欠いた例を図示しているが、少なくとも第一半導体層４０３と活性層４０４を除去すればよく、第二半導体層４０５あるいは緩衝層４０６が露出した状態でエッチングを止めても同様の機能を有する。本実施形態において、第一の領域４６０以外の領域を平坦面として表しているが、平坦面に限定されるものではなく、第一の領域４６０以外の領域を粗面あるいは凹凸面としても良いことは言うまでも無い。
　次に、図８（ｈ）に示すように、第一の領域４６０及び第一の領域４６０以外の領域を被覆するように誘電体膜４７０で被覆してもよい。誘電体膜４７０は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等が選択可能である。誘電体膜４７０を被覆後、第一の領域４６０の一部をエッチングし、電流伝播層４０７を露出させた第二の領域４６１を形成することができる。
　次に、図８（ｉ）に示すように、除去部４８０の第二半導体層４０５または緩衝層４０６及び電流伝播層４０７等の第二半導体層４０５に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に第二オーミック電極４５１を形成する工程を行う。
　具体的には、除去部４８０における第二の領域４６１の一部に第二オーミック電極４５１を形成することができる。図８（ｉ）では、第二オーミック電極４５１を電流伝播層４０７上に形成した場合を示している。
　第二導電型がＮ型の場合、第二オーミック電極４５１は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、４００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第二導電型がＰ型の場合、第二オーミック電極４５１は、Ａｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、４００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。
　次に、ステルスダイシング法、あるいはブレードダイシング法によって個別ダイスに分割し、発光素子とする。
　このように、ＳｉＯ２膜４２２を介して窓層兼支持基板４１０を発光部４０８と接合するので、接合不良による剥離が低減された発光素子を製造することができる。
（第五の実施形態）
　図９に本発明の発光素子の第五の実施形態を示した。図９に示すように、本発明の第五の実施形態における発光素子５００は、窓層兼支持基板５１０と、窓層兼支持基板５１０上に設けられ、第二導電型の第二半導体層５０５と活性層５０４と第一導電型の第一半導体層５０３とをこの順に含む発光部５０８とを有している。また、少なくとも第一半導体層５０３及び活性層５０４が除去された除去部５８０と、該除去部５８０以外の非除去部５８１とを有している。そして、非除去部５８１の第一半導体層５０３上に設けられた第一オーミック電極５５０と、除去部５８０の第二半導体層５０５上または緩衝層５０６及び電流伝播層５０７等の第二半導体層５０５に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極５５１とを有している。また、窓層兼支持基板５１０と発光部５０８とがＳｉＯ２膜５２２を介して接合されたものである。
　窓層兼支持基板５１０は、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、サファイア等からなる透明基板とすることができる。
　ＳｉＯ２膜５２２は、発光部５０８側に設けられた第一のＳｉＯ２膜５２０と、窓層兼支持基板５１０側に設けられた第二のＳｉＯ２膜５２１とを有し、第一のＳｉＯ２膜５２０と第二のＳｉＯ２膜５２１とが接着剤５２５を介して接合されたものである。このようなものであれば、接合不良による剥離がより確実に低減された発光素子となる。
　接着剤５２５は、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）あるいはエポキシ等からなる接着剤等を用いることができる。
　第一のＳｉＯ２膜５２０と発光部５０８との間に、第一のＳｉＯ２膜５２０上部表面の一部に形成された金属パターン層５１２と、電流伝播層５０７と、緩衝層５０６とを有するものとすることができる。
　第一及び第二のＳｉＯ２膜５２０、５２１は、例えば、厚さ０．０５～１．０μｍのものとすることができる。電流伝播層５０７は、例えば、ＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）またはＧａＡｓｗＰ１－ｗ（０≦ｗ≦１）からなる厚さ０．５～５．０μｍのものとすることができる。緩衝層５０６は、例えば、ＩｎＧａＰまたはＡｌＩｎＰからなる厚さ０．１～１．０μｍのものとすることができる。
　発光部５０８は、例えば、（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）あるいはＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）からなる厚さ０．５～１．０μｍの第二導電型の第二半導体層５０５、厚さ０．１～１．０μｍの活性層５０４、厚さ０．５～１．０μｍの第一導電型の第一半導体層５０３とをこの順に含むものとすることができる。
　活性層５０４は、発光波長に応じて（ＡｌｘＧａ１－ｘ）ｙＩｎ１－ｙＰ（０≦ｘ≦１、０．４≦ｙ≦０．６）またはＡｌｚＧａ１－ｚＡｓ（０≦ｚ≦０．４５）で形成されたものとすることができる。可視光照明に適用する場合、ＡｌＧａＩｎＰを選択するのが好適であり、赤外照明に適用する場合、ＡｌＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓを選択するのが好適である。ただし、活性層５０４の設計に関しては、超格子等の利用により波長は材料組成に起因する波長以外に調整可能であるため、上記の材料に限られない。
　第一半導体層５０３、第二半導体層５０５はＡｌＧａＩｎＰもしくはＡｌＧａＡｓが選択され、その選択は活性層５０４と必ずしも同一の材料系でなくともよい。
　図９の除去部５８０では、第一半導体層５０３、活性層５０４、第二半導体層５０５及び緩衝層５０６が除去された場合を示したが、本発明はこれに限定されず、少なくとも第一半導体層５０３及び活性層５０４が除去されたものであればよい。
　このような発光素子５００であれば、窓層兼支持基板５１０と発光部５０８とがＳｉＯ２膜５２２を介して接合されたものであるので、接合不良による剥離が低減されたものとなる。
　次に、本発明の第五の実施形態における発光素子の製造方法について、図１０を用いて説明する。
　最初に、図１０（ａ）に示すように出発基板として基板５０１を準備する。基板５０１として、結晶軸が［００１］方向より［１１０］方向に傾斜した基板５０１を用いることが好ましい。また、基板５０１としては、ＧａＡｓまたはＧｅを好適に用いることができる。基板５０１を上記材料から選択すれば、後述する活性層５０４の材料を格子整合系でエピタキシャル成長を行うことができるため、活性層５０４の品質を向上させやすく、輝度上昇や寿命特性の向上が得られる。
　次に、基板５０１の上に、基板５０１の除去用の選択エッチング層５０２を形成してもよい。選択エッチング層５０２は二層以上の層構造からなり、基板５０１に接する第一の選択エッチング層５０２Ａ、後述する第一半導体層５０３に接する第二の選択エッチング層５０２Ｂを少なくとも有することが好ましい。第一の選択エッチング層５０２Ａと第二の選択エッチング層５０２Ｂは異なる材料あるいは組成から構成しても良い。
　次に、基板５０１と格子整合系の材料で第一導電型の第一半導体層５０３、活性層５０４、第二導電型の第二半導体層５０５を順次エピタキシャル成長により発光部５０８を形成する工程を行う。
　このとき、具体的には、基板５０１上（選択エッチング層５０２を設けた場合には、選択エッチング層５０２上）に、例えばＭＯＶＰＥ法やＭＢＥ法、ＣＢＥ法により、基板５０１と格子定数が略同一の第一導電型の第一半導体層５０３、活性層５０４、第二導電型の第二半導体層５０５から成る発光部５０８、緩衝層５０６、電流伝播層５０７をこの順にエピタキシャル成長したエピタキシャル基板５０９を作製することができる。
　本実施形態においては、最も単純な構造である第一半導体層５０３、活性層５０４、第二半導体層５０５が同一材料であるＡｌＩｎＧａＰの場合を例示するが、第一半導体層５０３あるいは第二半導体層５０５は特性向上のため、各層内には複数層が含まれるのが一般的であり、第二半導体層５０５が単一層であることに限定されない。
　また、第一半導体層５０３は二種類以上のＡｌ組成からなる層からなり、活性層５０４に近い側にＡｌ組成の高い層を、基板５０１に近い側にＡｌ組成の低い層を有するものとすることができる。この活性層５０４に近い側のＡｌ組成の高い層は、クラッド層の機能を有する機能層であり、単一組成あるいは単一条件層を意味しない。
　電流伝播層５０７としては、ＡｌＧａＡｓまたはＧａＡｓＰまたはＧａＰを好適に用いることができる。電流伝播層５０７をＧａＡｓｘＰ１－ｘ（０≦ｘ＜１）で形成した場合、緩衝層５０６はＩｎＧａＰあるいはＡｌＩｎＰで形成するのが最も好適である。ＧａＡｓｘＰ１－ｘ（ｘ≠１）と、ＡｌＧａＩｎＰ系材料またはＡｌＧａＡｓ系材料との間には格子不整が存在するため、ＧａＡｓｘＰ１－ｘ（ｘ≠１）には高密度のひずみや貫通転位が入る。貫通転位密度は組成ｘにより調整可能である。
　次に、図１０（ｂ）に示すように、電流伝播層５０７上の一部に金属パターン層５１２を形成し、金属パターン層５１２及び電流伝播層５０７を被覆するように第一のＳｉＯ２膜５２０を堆積することができる。第一のＳｉＯ２膜５２０は、光ＣＶＤ、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法にて形成することが可能である。
　次に、第一のＳｉＯ２膜５２０上に接着剤５２５（透明接着層）を形成し、第一接合基板５３０を作製することができる。
　接着剤５２５は、ＢＣＢあるいはエポキシ等が選択可能である。形成方法はディップ法あるいはスピンコート法により形成可能な材料を選択することが好適である。
　次に、ホットプレート上に、第一接合基板５３０を８０～１１０℃の範囲で３０秒以上保持して溶剤を揮発させることが好ましい。溶剤が揮発すればよいため、前述のどの条件でも選択可能だが、温度９０℃以上、６０秒以上の保持時間を選択することが好適である。
　図１０（ｃ）に示すように、透明基板である窓層兼支持基板５１０上に第二のＳｉＯ２膜５２１を堆積し、第二接合基板５３１を作製することができる。第二のＳｉＯ２膜５２１は、光ＣＶＤ、スパッタ法、ＰＥＣＶＤ法にて形成することが可能である。窓層兼支持基板５１０は、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、サファイア等からなる透明基板とすることができる。
　図１０（ｂ）、（ｃ）においては、第一接合基板５３０のみに接着剤５２５を設けた例を開示したが、第二接合基板５３１に接着剤５２５を設けても同様の効果が得られる。
　次に、図１０（ｄ）に示すように、窓層兼支持基板５１０を発光部５０８と接合する接合工程を行う。このとき、ＳｉＯ２膜５２２を介して窓層兼支持基板５１０を発光部５０８と接合する。
　そして、接合工程において、発光部５０８上に形成した第一のＳｉＯ２膜５２０と、窓層兼支持基板５１０上に形成した第二のＳｉＯ２膜５２１とを接着剤５２５を介して接合する。このようにすれば、接合不良による剥離がより確実に低減された発光素子を製造することができる。
　具体的には、例えば、第一接合基板５３０と第二接合基板５３１を、接着剤５２５と第二のＳｉＯ２膜５２１を対向させ、かつ接触しないように設置し、３０Ｐａ以下の真空雰囲気にする。真空雰囲気とした後、接着剤５２５と第二のＳｉＯ２膜５２１を接触させ、かつ、５０００Ｎの圧力と１００～２００℃の間の温度になるように制御して５分以上保持した後、３００℃以上の熱を加えて第一接合基板５３０と第二接合基板５３１を圧着して接合することによって、接合基板５４０を形成することができる。
　次に、図１０（ｅ）に示すように、接合基板５４０より基板５０１を除去する工程を行う。基板５０１の除去は、エッチングにより行うことができる。エッチングに際しては、アンモニア水と過酸化水素水の混合液にてエッチングを行うことができる。第一の選択エッチング層５０２Ａを基板５０１と異なる材料にしておくことで、アンモニア水と過酸化水素水の混合液によるエッチングを選択的に停止させることができる。
　基板５０１除去後、第一の選択エッチング層５０２Ａを除去することができる。同様に、第二の選択エッチング層５０２Ｂも除去することができる。これらの除去には例えば塩酸等を用いることができる。
　次に、図１０（ｆ）に示すように、第一半導体層５０３表面に第一オーミック電極５５０を形成する工程を行う。第一導電型がＮ型の場合、第一オーミック電極５５０は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、５００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第一導電型がＰ型の場合、第一オーミック電極５５０は、Ａｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、５００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。
　次に、図１０（ｇ）に示すように、少なくとも第一半導体層５０３と活性層５０４を除去して除去部５８０を形成する除去工程を行う。具体的には、例えば、ドライ法あるいはウェット法によるエッチングによって第一半導体層５０３、活性層５０４、第二半導体層５０５、緩衝層５０６の第一の領域５６０を切り欠いたパターンを形成する。これにより、除去部５８０と、該除去部５８０以外の非除去部５８１を形成することができる。図１０（ｇ）では緩衝層５０６まで切り欠いた例を図示しているが、少なくとも第一半導体層５０３と活性層５０４を除去すればよく、第二半導体層５０５あるいは緩衝層５０６が露出した状態でエッチングを止めても同様の機能を有する。
　次に、図１０（ｈ）に示すように、第一の領域５６０及び第一の領域５６０以外の領域を被覆するように誘電体膜５７０で被覆してもよい。誘電体膜５７０は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等が選択可能である。誘電体膜５７０を被覆後、第一の領域５６０の一部をエッチングし、電流伝播層５０７を露出させた第二の領域５６１を形成することができる。
　次に、図１０（ｉ）に示すように、除去部５８０の第二半導体層５０５または緩衝層５０６及び電流伝播層５０７等の第二半導体層５０５に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に第二オーミック電極５５１を形成する工程を行う。
　具体的には、除去部５８０における第二の領域５６１の一部に第二オーミック電極５５１を形成することができる。図１０（ｉ）では、第二オーミック電極５５１を電流伝播層５０７上に形成した場合を示している。
　第二導電型がＮ型の場合、第二オーミック電極５５１は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、５００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。第二導電型がＰ型の場合、第二オーミック電極５５１は、Ａｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｚｎから少なくとも一種類以上の材料を含み、５００ｎｍ以上の膜厚を有するものとすることができる。
　次に、ステルスダイシング法、あるいはブレードダイシング法によって個別ダイスに分割し、発光素子とする。
　このように、ＳｉＯ２膜５２２を介して窓層兼支持基板５１０を発光部５０８と接合するので、接合不良による剥離が低減された発光素子を製造することができる。
　以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
　本発明の第一の実施形態による発光素子の製造方法により、図１に示すような本発明の第一の実施形態による発光素子１００を１００００個製造した。
　具体的には、実施例１において製造した発光素子１００は、ＧａＰからなる透明基板である窓層兼支持基板１１０上に、厚さ０．５μｍの第二のＳｉＯ２膜１２１と、同じく厚さ０．５μｍの第一のＳｉＯ２膜１２０を介して、ＡｌＧａＡｓからなる厚さ１．０μｍの電流伝播層１０７、ＡｌＩｎＰからなる厚さ０．５μｍの緩衝層１０６、ＡｌＧａＩｎＰからなる厚さ１．０μｍのｐ型の第二半導体層１０５、厚さ０．５μｍの活性層１０４、厚さ１．０μｍのｎ型の第一半導体層１０３とをこの順に含む発光部１０８が形成されている。
　更に、活性層１０４及び第一導電型の第一半導体層１０３、第二導電型の第二半導体層１０５及び緩衝層１０６が除去された除去部１８０と、除去部１８０以外の非除去部１８１とを有している。
　そして、非除去部１８１の第一半導体層１０３の表面上にＡｕＧｅＮｉからな厚さ５００ｎｍの第一オーミック電極１５０と、除去部１８０の電流伝播層１０７の表面上にＡｕＢｅからなる厚さ５００ｎｍの第二オーミック電極１５１とを有している。
（実施例２）
　本発明の第二の実施形態による発光素子の製造方法により、図３に示すような本発明の第二の実施形態による発光素子２００を１００００個製造した。
　具体的には、実施例２において製造した発光素子２００は、第一のＳｉＯ２膜２２０と電流伝播層２０７との間に、第一透明導電膜層２１１及び第一透明導電膜層２１１上の一部にＡｌＧａＩｎＰからなる厚さ０．０５μｍのコンタクト層２１２が形成されている点を除き実施例１と同じ構造とした。
（実施例３）
　本発明の第三の実施形態による発光素子の製造方法により、図５に示すような本発明の第三の実施形態による発光素子３００を１００００個製造した。
　具体的には、実施例３において製造した発光素子３００は、第一及び第二のＳｉＯ２膜３２０、３２１をＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）からなる接着剤３２５を介して接合した点以外は実施例１と同じ構造とした。
（実施例４）
　本発明の第四の実施形態による発光素子の製造方法により、図７に示すような本発明の第四の実施形態による発光素子４００を１００００個製造した。
　具体的には、実施例４において製造した発光素子４００は、第一及び第二のＳｉＯ２膜４２０、４２１をＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）からなる接着剤４２５を介して接合した点以外は実施例２と同じ構造とした。
（実施例５）
　本発明の第五の実施形態による発光素子の製造方法により、図９に示すような本発明の第五の実施形態による発光素子５００を１００００個製造した。
　具体的には、実施例５において製造した発光素子５００は、第一のＳｉＯ２膜５２０上部表面の一部に金属パターン層５１２が形成されている点を除き実施例３と同じ構造とした。
（比較例）
　図１１に示すような発光素子６００を１００００個製造した。具体的には、実施例３における第一及び第二のＳｉＯ２膜の代わりに、第一及び第二のＳｉＮｘ膜６２０、６２１を用いた点を除き、実施例３と同じ構造とした。
　上記の実施例１～５及び比較例において製造した発光素子において、窓層兼支持基板（透明基板）の剥離率の測定を行い、このときの結果を図１２に示した。
　その結果、図１２に示したように、比較例で作製した発光素子の剥離率は７８％であった。一方、実施例１～５で作製した発光素子の剥離率はいずれも４％以下であった。このように、実施例１～５で製造した発光素子では、比較例で製造した発光素子と比べて、接合時に生じる接合不良による剥離を低減することができた。
　なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (6)

  1. 　窓層兼支持基板と、該窓層兼支持基板上に設けられ、第二導電型の第二半導体層と活性層と第一導電型の第一半導体層とをこの順に含む発光部とを有する発光素子において、
    　少なくとも前記第一半導体層と前記活性層が除去された除去部と、該除去部以外の非除去部と、該非除去部の前記第一半導体層上に設けられた第一オーミック電極と、前記除去部の前記第二半導体層上または前記第二半導体層に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極とを有し、
    　前記窓層兼支持基板と前記発光部とがＳｉＯ２膜を介して接合されたものであることを特徴とする発光素子。
  2. 　前記ＳｉＯ２膜は、前記発光部側に設けられた第一のＳｉＯ２膜と、前記窓層兼支持基板側に設けられた第二のＳｉＯ２膜とを有し、前記第一のＳｉＯ２膜と第二のＳｉＯ２膜とが直接接合されたものであることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  3. 　前記ＳｉＯ２膜は、前記発光部側に設けられた第一のＳｉＯ２膜と、前記窓層兼支持基板側に設けられた第二のＳｉＯ２膜とを有し、前記第一のＳｉＯ２膜と第二のＳｉＯ２膜とが接着剤を介して接合されたものであることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
  4. 　基板上に、該基板と格子整合系の材料で少なくとも第一半導体層、活性層、第二半導体層を順次エピタキシャル成長により発光部を形成する工程と、窓層兼支持基板を前記発光部と接合する接合工程と、前記基板を除去する工程と、前記第一半導体層表面に第一オーミック電極を形成する工程と、少なくとも前記第一半導体層と前記活性層を除去して除去部を形成する除去工程と、前記除去部の前記第二半導体層または前記第二半導体層に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に第二オーミック電極を形成する工程からなる発光素子の製造方法において、
    　前記接合工程において、ＳｉＯ２膜を介して前記窓層兼支持基板を前記発光部と接合することを特徴とする発光素子の製造方法。
  5. 　前記接合工程において、前記発光部上に形成した第一のＳｉＯ２膜と、前記窓層兼支持基板上に形成した第二のＳｉＯ２膜とを直接接合することを特徴とする請求項４に記載の発光素子の製造方法。
  6. 　前記接合工程において、前記発光部上に形成した第一のＳｉＯ２膜と、前記窓層兼支持基板上に形成した第二のＳｉＯ２膜とを接着剤を介して接合することを特徴とする請求項４に記載の発光素子の製造方法。
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